MRAM's reads the memory using the tunnel magnetoresistance effect, allowing it to read the memory both non-destructively and with very little power.
Võti MRAM'i potentsiaali on see, kuidas ta loeb mälu, kasutades tunneli magneetoresistiivset toimet, mis võimaldab tal lugeda mälu nii mitte-destruktiivselt ja väga vähese võimsusega.