【格芯】
德国总厂
格芯（GlobalFoundries Inc.，简称GF或GloFo）是一家总部位于美国加利福尼亚州圣克拉拉的半导体晶圆代工公司。该公司最初从超微半导体的制造部门独立而出，目前为世界第四大专业晶圆代工厂，仅次于台积电、三星电子及联电。
2021年10月28日，公司在纳斯达克上市。
==历史==
格罗方德成立于2009年3月2日，是从美国AMD公司制造部门分拆出。母公司分别为AMD及阿布达比主权财富基金Mubadala Investment Company旗下的先进技术投资公司（Advanced Technology Investment Company；简称ATIC），其中ATIC占公司股权65.8%，两公司均享有均等投票权。
2010年1月13日，格罗方德（GLOBALFOUNDRIES）收购新加坡特许半导体。
2011年3月6日，ATIC以4.25亿美元收购AMD拥有的格罗方德半导体股份余下的8.8%的股份，成为一家独立的晶片制造商，使得ATIC成为格罗方德的唯一持股者。
2013年，位于美国纽约州的八厂投入运营。AMD对该厂拥有14%的股份。
2014年10月20日，IBM正式宣布邀请格罗方德收购其晶片制造业务。
2016年5月31日，宣布将与重庆官方合资设立12吋晶圆厂，由重庆市官方提供土地与中国中航航空电子系统的厂房，而格罗方德则负责技术升级，将现有的8吋晶圆厂升级为12吋晶圆。
2017年2月10日，宣布在中国四川省成都高新区建造12吋晶圆生产项目，投资规模预计超过100亿美元，将成为中国西南部首条12吋晶圆生产线。
2017年8月15日，宣布采用高效能 14 奈米 FinFET 制程技术的 FX-14 特定应用积体电路（ASIC）整合设计系统，进入先进晶圆封装的领域。
2018年8月28日，宣布将无限期暂停7奈米制程研发，将人力物力转至14与12奈米制程研发上。
2018年10月取消占地1000多亩的180nm/130nm项目投资后，格芯于2020年5月，发布通告，成都工厂遣散员工并停工停业。
2019年1月31日，以2.36亿美元的价格将新加坡的Fab 3E 8英寸晶圆厂卖给世界先进。
2019年4月23日，以4.3亿美元的价格将美国纽约州的12吋Fab 10晶圆厂卖给安森美半导体。
2019年5月22日，以7.4亿美元的价格将旗下ASIC子公司Avera Semiconductor卖给marvell。
2019年8月14日，将光罩业务卖给日本凸版公司。
2019年10月1日，台积电对美国、德国和新加坡的GlobalFoundries提起专利侵权诉讼。台积电（TSMC）声称GlobalFoundries的12 nm、14 nm、22 nm、28 nm和40 nm节点侵犯了其25项专利。台积电和GlobalFoundries于2019年10月29日宣布了争端解决方案。两家公司同意为其所有现有半导体专利以及将在未来十年内申请的新专利授予新的专利寿命交叉许可。。
2020年5月，格芯发布通告，成都工厂遣散员工并停工停业。
2021年10月4日，全球半导体设计商和制造商 GlobalFoundries 周一向美国证券交易委员会提交了IPO申请，希望通过首次公开募股筹集至多 10 亿美元（占位符，我们预计可能募集20亿美金）。 GlobalFoundries计划在纳斯达克上市，代码为 GFS。 GlobalFoundries 于 2021 年 8 月 9 日秘密提交了申请。 Morgan Stanley、 BofA Securities、J.P. Morgan、Citi、Credit Suisse、 Deutsche Bank、 HSBC、 and Jefferies是该交易的联合账簿管理人。
==制造厂区==
公司除会生产AMD产品外，也有其他公司，如IBM、安谋国际科技（ARM）、博通（Broadcom）、英伟达（NVIDIA）、高通（Qualcomm）、意法半导体（STMicroelectronics）、德州仪器（TI）等晶圆代工制造业务的合作。现时投产中的晶圆厂，12吋的位于德国德累斯顿的一厂（Fab 1，即原AMD的Fab 36和Fab 38），位于美国纽约州中马尔他（Malta）的八厂(Fab 8）和East Fishkill的十厂（Fab10）（原为IBM的Building 323），以及位于新加坡的七厂（Fab 7）。八吋厂的二厂三厂五厂（Fab 2、3、5）位于新加坡，九厂（Fab9）位于美国佛蒙特州的Essex Junction。
===300毫米（12吋）晶圆工厂===
*Fab 1：位于德国德勒斯登，占地364,512平方公尺，是由原AMD最早的晶圆厂Fab 36和Fab 38合并而来，格罗方德成立以后这里就改名为Fab 1 - Module 1，后来也将就近的原AMD Fab 30也合并至Fab 1 - Module 2厂区，每个厂区300毫米晶圆的产能可达每月可产出25,000块以上。Module 1 厂区主要以40奈米、28奈米BULK制程工艺和22奈米FDSOI制程工艺为主；Module 2 厂区原本以制造200毫米晶圆为主，后来也转为制造300毫米晶圆，以45奈米及更老的制程为主。2016年9月格罗方德宣布Fab 1 的12奈米FDSOI制程工艺已经流片成功。预计2019年上半年可接收订单进行量产。
*Fab 7：位于新加坡兀兰，收购新加坡的Chartered Semiconductor而来。本厂以130奈米至40奈米制程、BULK和SOI工艺为主，每月的晶圆产能可达50,000块/300毫米晶圆（或112,500块/200毫米晶圆）。
*Fab 8：位于美国纽约马耳他萨拉托加的Luther Forest Technology Campus，自2009年6月开始兴建，2012年投入生产，是格罗方德自AMD分离以后兴建的厂区里面最大也是最新进的，主要制造300毫米晶圆，以14奈米制程节点、FinFET工艺为主。每月的晶圆产量可达60,000块/300毫米晶圆（或135,000块/200毫米晶圆），以28奈米制程和14奈米制程为主，其中14奈米制程的技术是与三星电子旗下的晶圆厂合作。2016年9月，格罗方德宣布为该厂投入数十亿美元开发 7 奈米制程，采用FinFET、极紫光刻工艺，并预计2018年下半年可投产。
*Fab 10：位于美国纽约东菲什基尔，前IBM的Building 323，由收购IBM微电子事业部而来，以22奈米节点工艺为主。2019年4月，安森美半导体宣布收购Fab 10。
*Fab 11：位于中国大陆四川成都，目前已停产停工。原本预计2018年可投入生产，产能预计每月20,000块，远期计划达到85,000块/月。 目前，因为市场不如预期， 已经停工停产；被员工爆料晶圆厂内根本没有设备。并未引进 FD-SOI的 22nm制程，只能做 40 nm制程；目前这座 12吋厂只有进行到第一期工程结束，厂内都是使用从新加坡厂转移过来的技术跟设备，该新加坡厂是2010年收购的特许半导体旗下的晶圆厂，留下的都是一些老旧、甚至已经淘汰的二手设备。受制于这些设备与技术，这座12吋厂实务上只能作到 40 nm的制程，而且产线人员也才刚送到新加坡进行培训结束——该晶圆厂根本尚未开始、也无法进行量产；第二期工程产量为每月88,000块（2019年，FDSOI），  有业务团队， 等客户群够 ，就会将机台move in；FD-SOI （Fully-Depleted Silicon-On Insulator）制程与主流的 FinFET（Fin Field-Effect Transistor）制程都是半导体产业中可量产的电晶体技术，其中 FinFET元件主要用于高性能元件，像是 GPU和 CPU，例如台积电的主流制程均采用 FinFET；而 FD-SOI 相对优势为低功耗、低制程成本与易于整合。
===200毫米（8吋）晶圆工厂===
除了Fab 9，其余的均为收购特许半导体而来。
*Fab 2：位于新加坡兀兰。本厂以600至350奈米制程为主，代工产品以汽车电子IC、大功率高电压IC以及类比-数位混合信号IC为主。
*Fab 3 和 Fab 5：位于新加坡兀兰。本厂以350奈米至180奈米制程为主，代工产品主要是小型显示面板驱动器的高电压IC、行动型电源管理模组。
*Fab 3E：位于新加坡淡滨尼。本厂主要制造180奈米制程的晶圆，代工产品以汽车电子IC、高电压电源管理IC和带有非易失性记忆体的嵌入式混合信号IC为主，2019年出售给世界先进。
*Fab 6：位于新加坡兀兰。本厂主要制造180奈米制程的晶圆，代工产品以高整合度CMOS元件和射频CMOS（RFCMOS）产品为主，像是Wi-Fi、蓝牙控制晶片。
*Fab 9：位于美国费蒙特伯灵顿Essex Junction，由收购IBM微电子事业部而来。本厂以90奈米节点工艺为主，7奈米制程工艺也在本厂开发部署；本厂有一个自有、开放第三方客户代工业务的mask shop，也是佛蒙特州最大的私人雇主。