libon, küçük, içi ve dışı jel kıvamında yumuşak bir şeker türü. Çok çeşitli renk ve tatları mevcuttur.

Yumuşak jöle kıvamında, üzeri pudra toz kaplı Türk lokumu jelibon için esin kaynağı oldu. 
İlk kez 1861 yılında, şekerci William Schrafft tarafından, Amerikan İç Savaşı sırasında askerler için yapıp gönderdiğinde ortaya çıktığı düşünülmektedir.




Fedir Shchus

Fedir Shchus ya da Fyodor Shuss, Feodosiy Shchus (Ukraynaca: Федір Щусь; 25 Mart 1893 - 30 Haziran 1921), Mahnovşçina komutanı, Ukraynalı Anarko-Komünist devrimci. Rus İç Savaşı'na katılmıştır.




Behçet (anlam ayrımı)

Behçet kelimesi bunlardan biri olabilir

Behçet (isim) - Bir Türk erkek adı
Adı Behçet olanlar:




İvko Gançev

İvko Gançev İvanov (, , d. 21 Temmuz 1965; Eski Zağra) Kaleci mevkinde görev almış Bulgar eski futbolcudur. Şu anda teknik direktörlük yapmaktadır.

Kariyerine Beroe Stara Zagora'da başladı. 1991 yılı yaz ayı transfer döneminde Bursaspor'a transfer oldu. 1999 yılında Çaykur Rizespor anlaşıp bir sezon sonra futbolu bıraktı

Halen 2016-17 sezonu öncesinde anlaşma yaptığı Süper Lig ekiplerinden Kayserispor'da kaleci antrenörü olarak görev yapmaktadır.







Lindemann (müzik grubu)

Lindemann Till Lindemann'ın vokalini, Peter Tägtgren'in enstrümanları üstlendiği Neue Deutsche Härte tarzındaki Almanya,İsveç kökenli bir gruptur.

Lindemann ve Tägtgren 2000 yılında Stockholm'da bir rock barda tanışır. 2013 yılında, Lindemann Rammstein'in İsviçre konserine headliner olarak Tägtgren'i davet eder. Till grup arkadaşına iki yıl boyunca boş kalacağını, bu sürede biraz söz yazmak istediğinden bahseder. Aslında birkaç şarkı yazmak için anlaşırlar ancak Tägtgren çok iyi olduklarını düşünür ve daha fazla şarkı yazma kararına varırlar. 
28 Mayıs 2015'te "Praise Abort" isimli ilk şarkılarını piyasaya sürer, 19 Haziran 2015 tarihinde de "Skills in Pills" ismini verdikleri albümü piyasaya sürerler.


https://en.wikipedia.org/wiki/Lindemann_(band) adresinden Türkçeye çevrilmiştir.




Ukrayna Devrimci İsyan Ordusu

Ukrayna Devrimci İsyan Ordusu, Mahnovistler ya da Kara Ordu (Ukraynaca: Революційна Повстанська Армія України / Rusça: Революционная Повстанческая Армия Украины Revolyutsiyonnaya Povstançeskaya Armiya Ukrayin) Nestor Mahno, Simon Karetnik ve Fedir Shchus gibi önde gelen komutanlarca yönetilen anarşist, anarko-komünist, Mahnovist hareket. Ordunun amacı "Bağımsız Sovyetler" ve "Liberter Komünler" kurmaktır. Hükumetsiz (anarşist) kontrolü altındaki yerler olan Özgür Bölge'de de bunu yapmışlardır.





Takunya

Takunya ya da nalın, kısmen veya tamamen tahtadan yapılmış bir ayakkabı çeşidi. Takunyanın formu kullanıldığı ülkenin kültürüne göre değişmekle birlikte, genel görünümü yüzyıllar boyunca değişmeden kaldı.

Geleneksel takunya genellikle ağır işçiler tarafından giyilirdi. Günümüzde bazı fabrikalarda, madenlerde, tarım işçiliğinde koruyucu giysi olarak kullanılır. Takunya çiftçi ve işçi sınıfının ucuz ve folklorik ayakkabısı olarak nitelendirilirken, bazı türleri İsveç Träskor veya Japonya'da moda giyimin bir parçasıdır.

Takunya dans için de kullanılabilir. Takunyanın çıkardığı ses dans ile ritm oluşturabilir.

Takunyanın üç ana çeşidi bulunur: tahta üstlü, tahta tabanlı ve galoş.

Takunyanın Avrupa'daki kökeni tam olarak bilinmemektedir. Avrupa'da bulunan ve günümüze kadar kalmış olan en eski takunyalar Amsterdam, Rotterdam, Hollanda'da bulunan, 1230 ve 1280 yıllarından kalma takunyalardır.




Elektron kuşağı yapısı

Katı hal fiziğinde, bir katının elektron kuşak yapısı (ya da sadece kuşak yapısı); katıdaki bir elektronun sahip olabileceği enerji aralıkları (enerji bandı, izinli bant, ya da sadece bant olarak adlandırılır), ya da sahip olamayacağı enerji aralıkları (bant açıklığı ya da yasaklı bant) olarak tanımlanır. Enerji bant teorisi bu bant ve bant boşluklarını atom veya moleküllerin büyük periyodik kafeslerindeki bir elektron için, izinli kuantum mekaniksel dalga fonksiyonlarını inceleyerek çıkarır. Bant teorisi katıların birçok fiziksel özelliklerini; örneğin elektriksel direnç ve optik soğurum gibi, açıklamak için başarılı bir biçimde kullanılmaktadır ve katıhal cihazları (transistörler, güneş pilleri vb.) anlamanın temelini oluşturmaktadır.

Tek, izole edilmiş atomun elektronları atomik orbitalleri doldurur. Her orbital ayrı enerji seviyeleri oluşturur. Birden çok atomun bir araya gelmesiyle molekül oluşur, ve atomların atomik orbitalleri de birleşerek her birinin ayrı enerji seviyeleri oluşturduğu, moleküler orbitali oluşturur. Birleşen atom sayısı arttıkça, moleküler orbitaller daha da genişler, ve moleküldeki enerji seviyeleri gittikçe artan bir yoğunluğa ulaşır. En sonunda atomların toplamından çok devasa bir molekül oluşur, ya da başka bir deyişle, bir katı. Bu devasa molekül için enerji seviyeler birbirine o kadar yakındır ki bir bütün oluşturuyorlar gibi düşünülebilir.

Bant boşlukları temelde, enerji bantlarının sonu olan genişliklerinin bir sonucu olarak, hiçbir bant tarafından kaplanmamış artık enerji aralıklarıdır. Bantların farklı genişlikleri vardır ve bu genişlikler atomik orbitallerin örtüşme derecesine bağlıdır. İki komşu bant enerji aralığını tamamen kaplayacak genişlikte olmayabilir. Örneğin çekirdek orbitalleri(1s elektronları gibi) ile ilişkili bantlar, komşu atomların örtüşmesinin çok küçük olması sebebiyle, çok dardırlar. Sonuç olarak çekirdek bantları arasında büyük bant aralıkları olmaya eğilimi vardır. Daha çok örtüşme yapan daha geniş orbitalli büyük bantlar, yüksek enerjide gittikçe daha da genişlerler ve bant boşluğu kalmaz.

Başlangıç için teorinin daha basitleştirilmesi adına bazı önemli bilgiler verilebilir:

1. "Sınırsız boyut sistemi": Bantları sürekli olabilmesi için çok büyük parça materyali dikkate almalıyız. Bant yapısı kavramı sadece indirgenmiş boyutlarda “büyük” olarak alınlarak genişletilebilir, iki boyutlu elektron sistemlerindeki gibi.

2. "Homojen sistem": Yapısal özellik olarak bant yapısı kavramı, bir maddenin bir şekilde homojen olduğu varsayar. Pratikte bunun anlamı, bant yapısının düzenli yapıdaki bir maddenin içindeki bir kitle olmasıdır.

3. "Etkileşimsizlik": Bant yapısı “tek-elektron hali”ni tarif eder. Bu hallerin varlığı elektronların diğer elektronlar, fotonlar ve örgü titreşimleri ile dinamik bir etkileşime geçmeden, statik potansiyelde yolculuk yaptığını kabul eder.

Yukarıdaki varsayımlar birçok önemli pratiksel durumlarla çürütülmüştür. Bant yapısının kullanımını anlamak için bant teorisinin limitlerine de bakılmalıdır:


Bant yapısı hesaplamaları, kristal örgüsünün simetrisini kullanarak, periyodik doğasından yararlanır.

“k” dalga vektörü olarak adlandırılır. k’nın her değeri için, Schrödinger denkleminin n, the band index, ile gösterilen birden çok çözümü vardır, ve n değeri basitçe enerji bantlarını gösterir. k değiştikçe her bir enerji seviyesi yavaşça değişir ve a smooth band of states oluşturur. Her bant için o banttaki elektronların dağılma ilişkisini En(k) fonksiyonu ile tanımlayabiliriz.

Dalga vektörü Brillouin alanının, kristalin kafesiyle alakalı çokyüzlü dalga vektörü boşluğu, içindekiherhangi bir değeri alabilir. Brillouin alanının dışında kalanlar, basitçe bu alanın içinde bulunan hallerle fiziksel olarak aynıdır. Brillouin alanındaki özel yüksek simetri noktaları Γ, Δ, Λ, Σ sembolleriyle gösterilir.

Bant’ın şeklini dalga vektörü fonksiyonu olarak gözde canlandırmak zordur çünkü 4 boyutlu uzay, E ‘ye kx, ky, kz, olarak çizmek gerekir. Bilimsel yayınlarda genelde bant yapısı grafikleri En(k) ve k değerlerini birleştiren simetri noktalarından oluşan bir çizgi olarak gösterilir. Bant yapısını görselleştirmek için diğer bir metot ise dalga vektörü uzayında sabit enerjili izoyüzey olarak koyarak, enerji belli bir değerdeyken tüm halleri gösteren bir grafik çizmektir. Hallerin izoyüzeyi Fermi seviyesindeki enerjiye eşittir ve bu izoyüzey Fermi yüzeyi olarak adlandırılır.

Enerji bant aralıkları, onları çevreleyen hallerin dalga vektörleri kullanılarak sınıflandırılır:


Genelde elektronik bant yapıları kristal yapıdaki maddelerle özdeşleştirilse de, yarı kristal ve amorf katılar da bant yapısı gösterebilir. Fakat bu yapılarda kristalin basit simetri yapısı eksik olduğundan ve genelde kesin bir dağılma ilişkisine karar vermek mümkün olmadğı için, teorik olarak çalışmak daha zordur. Sonuç olarak katıların bant yapısı ile ilgili varolan teorik çalışmaların hemen hemen hepsi kristal maddeler üzerine yoğunlaşır.

Hal yoğunluğu fonksiyonu g(E) birim hacme, birim enerjiye, E civarındaki elektron enerjileri için, düşen elektronik hal sayısı olarak tanımlanır.

Hal yoğunluğu fonksiyonu bant teorisine dayalı hesaplamalar için önemlidir. Bu fonksiyon optik soğurum hesaplamaları için hem uyarılabilir elektron sayısını hem de bir elektron için son hal sayısını sağlar. Aynı zamanda elektriksel iletkenlik hesaplamalarında mobile state sayısını ve elektron saçılma hızlarını hesaplarken saçılmadan sonraki son hal sayılarını verir. 
Bant boşluğu içindeki enerjiler için, g(E) = 0.

Termodinamik dengede E enerji halinin bir elektronla dolma olasılığı Fermi-Dirac dağılımı(Pauli dışlanım ilkesini hesaba alan bir termodinamik dağılım) ile verilir:

Formüldeki bileşenler :


Bir katının Fermi seviyesi o katıya uygulanan ve voltmetreyle ölçülen gerilimle doğrudan ilişkilidir. Genellikle bant yapısı grafiklerinde Fermi seviyesi sıfır alınır(isteğe bağlı/rastgele seçilmiş bir değer).

Maddedeki elektronların yoğunluğu Fermi-Dirac dağılımının hallerin yoğunluğuyla çarpımının integralidir:

Sonsuz sayıda bant olmasına ve böylece sonsuz sayıda hal olmasına rağmen, sadece sınırlı sayıda elektron bu bantlara yerleşir. Tercih edilen elektron sayısı elektrostatiğin bir sonucudur: maddenin yüzeyinin yükle yüklenebilmesine rağmen maddenin içindeki kitle nötr yükü tercih eder. Yükün nötr olma durumu N/V değerinin maddedeki proton yoğunluğuyla aynı olmasıdır. Bunun olması için maddenin elektrostatik olarak kendini ayarlaması, Fermi seviyesine göre doğru denge olana kadar bant yapısını en