turist geldi. Kentte işlek bir demiryolu hattı mevcuttur.




Change (albüm)

Change, İngiliz grup Sugababes'in beşinci stüdyo albümü. Island Records etiketiyle 1 Ekim 2007 tarihinde İngiltere'de yayımlanmıştır. Albümde yer alan yapımcılar arasında Dr. Luke, DEEKAY, Dallas Austin, Novel, Xenomania ve Jony Rockstar yer aldı.

Sugababes, yapımcılığını Dr. Luke'nin yaptığı tekli "About You Now"ın çıkışı ile, İngiltere listesi'nde sadece internetten indirme sonucunda bir numaraya ulaşan, kızlardan oluşan ilk grup oldu. Şarkı, en iyi kırk şarkının içinde bir numaraya en büyük sıçrama rekorunu da kırdı ve dört hafta boyunca zirvede kaldı. "About You Now", 2008 BRIT Ödülleri'nde En İyi İngiliz Teklisi dalında aday gösterildi.

"Change", İngiltere albüm listesine bir numaradan girerek ve tekliler, albüm ve internetten indirme listelerinde aynı anda bir numara olmalarını sağlayarak, 2007 yılının Ekim ayında grubun İngiltere'deki ikinci bir numaraya ulaşan albümü oldu. Bir sonraki tekli "Change", 2007 yılının Ekim ayında piyasaya çıktı ve İngiltere'de on üç numaraya kadar yükseldi. "My Love Is Pink" parçası üçüncü tekli olarak yayımlandı. "Change" albümünden gelen dördüncü ve son tekli de on beş numaraya kadar yükselen "Denial" oldu.





Termal buharlaştırma biriktirme

PVD kaplama teknikleri arasında en basit olanıdır. Kaplanacak malzeme, herhangi bir şekilde ısı etkisi ile buharlaştırılır ve buharlaşan atomlar, substrat(kaplanan malzeme) üzerinde giderek yoğuşurlar. İşlem 10-5 – 10-6 ton basınçlı vakum ortamında yapılır. Kaplanan malzemeyi buharlaştırmak için çeşitli teknikler vardır bu teknikler;
a) Buharlaştırılacak malzemenin, doğrudan konduğu potaya direnç olarak bağlanması,
b) İndüksiyon ocağı ile ısıtma,
c) Bir elektron tabancası ile elektron ışını bombardımanı,
d) Elektrik arkı oluşturulması,
e) Lazer ışını uygulanarak ısıtma ile, buharlaştırma işlemi yapılabilir.
Bu tekniklerde, doğrudan direnç, indüksiyon, elektron tabancası ile ışın bombardımanı ve vakum ark en önemlileridir. Buharlaştırıcı potaları refrakter metallerden(Mo,W,Ta), oksitlerden(Al2O3,SiO2,M2O,ThO) veya grafitten yapılır. 1700 C’nin üzerindeki sıcaklıklarda, su soğutmalı bakır potalarda kullanılabilir.

Termal buharlaştırma işlemi sırasında, substratın, kaynağa en yakın bölümünün daha kalın olması, substrata dönme hareketi verilmesiyle önlenebilir. Başka bir çözüm ise, vakum odasında 0.005-0.2 Torr basınçlı bir soygaz vererek, buhar atomlarının birbirleriyle çarpışarak, substratın üzerinde eşit miktarda dağılmasını sağlamaktır. Bu yöntem ile çok düzgün bir kaplama elde edilebilir. Termal buhar kaplama işlemi, buharlaşan atomların kinetik enerjileri düşük olduğu için, kaplamaların ana malzemeye yapışma yetenekleri düşüktür. Bunun yanında, sistemin oldukça basit olması ve buhar veriminin yüksek, kaplama malzemesi seçiminde geniş olanaklar sunması, termal buharlaşma tekniğinin avantajlarıdır.

Buharlaşmanın ısı rezistansı ile sağlandığı durumda, etrafına rezistans teli sarılmış, yüksek sıcaklığa dayanıklı pota içerisinde malzemeler ısıtılmaktadır. Buharlaştırma, indüksiyon akımı ile yapıldığında ise su soğutmalı bakır tel sarılmış, sıcaklığa dayanıklı potalara akım uygulanarak buharlaştırma sağlanır. Bu yöntem diğer tekniklere göre daha ucuzdur ancak bazı dezavantajları vardır. Geometrik faktörler sebebiyle büyük çaplı üretimler çok zor veya mümkün değildir. Düşük ergime sıcaklığına sahip malzemeler için kullanılabilir. Bazı durumlarda, potada sıcaklıktan etkilenerek buharlaşır ve kaplama bozulabilir.

Termal buharlaştırma işlemi, 1.10-6 T’nun altındaki vakumlu ortamda, buharlaştırılan kaplama malzemesi ve substrat üzerine yoğunlaşacak olan parçalar ile kaplama oluşturulan prosestir. Termal buharlaştırma işlemi, “vakum katmanlama” olarak da adlandırılabilir. Rezistansla ısıtma işlemi, ince film kaplamalarında sıkça kullanılır. Kaplanacak olan malzemeler, W, Mo, Ta gibi ısıya dayanıklı, ergime noktası çok yüksek olan metallerden imal edilmiş potaların içinde veya direkt olarak ısıtılmış rezistans üzerinden buharlaştırılır. Quartz, grafit, alüminyum, berilyum, boron-nitrit ve zirkonyumdan imal edilmiş potalar direkt ısıtmada kullanılmaktadır.

Isıya dayanıklı, yüksek ergime noktasına sahip metaller, elektron demeti katmanlama işlemi ile buharlaştırılır. Çünkü bu özelliklerdeki metaller, basit rezistanslı ısıtıcılarda buharlaştırılamamaktadır. Buharlaştırma için bir başka teknikte Lazer katmanlamadır. Lazer katmanlama, kontrol edilebilen kimyasal karışım ve bileşiklerin, veya alaşımların buharlaştırılmasında kullanılır. Lazer buharlaştırma tekniğinde, yüksek güçte atım yapılarak, KrF lazeri gibi lazerler, quartz cama ışınlanır. Kaplanacak malzeme üzerine düşen lazer yoğunluğunu artırmak için quartz bir lens kullanılır. Yüzeyden buharlaştırılan atomlar, vakumlu ortamda hareket edip, substrat yüzeyinde film oluşturmak üzere toplanırlar (PLD – Pulsed Laser Deposition). PLD işlemi, kompleks metal kaplamalarında, süperiletkenlerde ve ferro-elektrik ince filmlerde kullanılır.

Moleküler demet epitaksi işlemi(MBE), termal buharlaştırmada en çok kullanılan ve en güvenilir işlemdir. Sistemde, kaplanacak malzemenin buharlaştırma oranı bilgisayar ile kontrol edilmektedir. MBE sistemi, alaşım ya da bileşiklerin kaplamalarında asıkça kullanılır. Sistem, büyütme çemberi, analiz çemberi ve numune çemberinden oluşur. Son bulunan teknolojilerde kaplama malzemelerinin buhar fazında olduğu sistemler oluşturulmuştur. MBE sistemi, atom veya molekül demetlerini çok büyük alanlara, tek kristal katman halinde, film oluşturmakta kullanılır. MBE sistemi, yarı iletken yapımında kullanılmaktadır. Organik-metal bileşik kaplama yapmak için kullanılan türün adı OMVPE’dir (Organometallic vapor phase epitaxy).

Daha fazla bilgi için:




Menkul kıymet

Varlığa dayalı menkul kıymet ya da kısa adıyla menkul kıymet, değiş tokuş edilebilir, devredebilir finansal değer taşıyan enstrümanlara verilen genel ad.





Saçtırma biriktirme

İnce film kaplamalarda, buhar kaynağı olarak, genellikle saçtırma yöntemi kullanılmaktadır. Diğer yöntemlere göre birçok avantaj sunan bu yöntemde, katı malzeme pozitif iyonlarla bombardıman edilerek, atomlar yüzeyden kopartılır. Kaplanacak olan malzeme, hızlandırılmış iyonlar gibi enerjik parçacıklarla bombardıman edilirse, saçılan atomlar substrat (alttaş) yüzeyinde film tabakası oluştururlar.

Saçtırma işlemlerinde, en çok kullanılan yöntem, DC saçtırma işlemidir. DC saçtırma işlemi şöyle çalışır. İki tane düzlem halinde elektrot vardır. Bu elektrotlardan birincisi soğuk katot, diğeri ise anottur. Katodun ön yüzeyi, kaplanacak hedef malzeme ile örtülmüştür. Substatlar (alttaşlar) ise anot üzerine yerleştirilir. Saçtırma çemberi, argon gazı ile doldurulmuştur. Işıldama deşarjı, elektrotlar arsında uygulanan dc gerilim ile oluşturulmuştur. Ar+ iyonları, substrat (alttaş) üzerinde ince bir film tabakası oluşturmak üzere hedef malzemeyi saçtırır. DC saçtırma sayesinde, metal kaynak yerine bir yalıtkan hedef olarak kullanıldığında, saçtırma deşarjı oluşmaz. Yalıtkan hedefle, ışınlama deşarjının devamı için RF voltaj kullanılır. Bu sisteme RF-diyot saçtırma adı verilir.

Reaktif saçtırma tekniğinde ise, saçtırma çemberine verilen reaktif gazlar (oksijen, nitrojen vb.), hedefle reaksiyona girerek saçtırır ve film oluşmasını sağlarlar. Böyle reaktif gazlar bazen vakum çemberini temizlenmesindede kullanılmaktadır. Reaktif saçtırma , pek yaygın olmasa da optik kaplamalarda ve tantalum nitrit kaplı dirençler yapımında kullanılmaktadır.

Magnetron saçtırma işleminde, manyetik bir alan, katotla üst üste bindirilir ve katot yüzeyine paralel bir ışıldama deşarjı oluşturur. Dairesel bir hareket gösteren ışıldama deşarjı içerisindeki elektronlar, manyetik alanla birlikte katotta plazma yoğunluğunu artırır. Plazma yoğunluğunun artması, akım yoğunluğunuda artırır. Düz magnetronun kullanımı, yarı iletkenlerin üretilebilmesi için bir zorunluluktur. 1936 yılında Penning tarafından bulunmuştur. Penning deşarjı adı verilen bu yöntemde, elektrik ve manyetik alanın kombinasyonu ile yüzey yakınında bir plazma oluşturulur.
Saçtırma işleminde diğer malzemeler ile reaksiyona girmeyecek gazlar kullanılmalıdır (Ör: Ar+). İyon kaynağı olarak iyon tabancası ya da plazma kullanılabilir. Elde edilen iyonlar yüksek hızlarda, kaplayıcı malzeme yüzeyine çarptırılarak, buhar oluşturulur. Çarptırılan iyonlar malzeme latisi içerisine girip kalabilir, enerjilerini bırakarak geri saçılabilir veya yüzeyden atom koparabilirler.

Diyot sıçratmada iki yüzey arasına bir potansiyel uygulanarak, elektron akışı elde edilerek sıçratma gerçekleştirilebilir. Ortama gaz verildiğinde ise yoğun atom çarpışmalarından dolayı, bir elektron çarptığı atomdan elektron koparabilirse atom iyon haline geçmektedir. Sıçratma işleminde, iyonun yüzeyden atom koparması için kütlelerin oldukça büyük olması gerekir. Bunun için, argonla yapılan sıçratma işlemi diğer inert gazlara (He) göre daha verimli olmaktadır. Sıçratma yönteminde, iyon oluşturmak için, negatif plazma, pozitif yüklü veya yüksüz parçacıklar, x ışınları veya bunların çarpışmaları sonucu oluşan iyonlar kullanılır.

Diyot sıçratma, sıçratma etkisinin düşük olması sebebiyle fazla tercih edilmemektedir. Konvansiyonel ve dengesiz manyetik alanda sıçratma sistemleri, manyetik alanla birlikte kullanılır. Bunun için mıknatıslardan yararlanılır. Gelişimi ile birlikte, iyonizasyonlu manyetik alan sistemler ve mikronüstü kaplama teknolojisinde büyük gelişmeler sağlanmıştır. Manyetik alan ve kendi kendine sıçratmalı manyetik alan sistemleri, 200W-3 ve üzerindeki çok büyük hedef güç yoğunluklarında çalışırlar. Ferromanyetik malzemelerin saçtırılmasının güç olması sebebiyle, geliştirilen hiçbir sistem, endüstriyel üretim için uygun olmamıştır.

Manyetik alanda saçtırma tekniğinde, plazma kullanılarak katottan ayrılan elektronlar, anot yüzeyine doğru ilerlerken ortamdaki gaz atomları ile çarpıştırılarak iyonizasyon sağlanır. Bu iyonizasyon, katot yüzeyine yakın yerlerde çar