istifade sağlayacaktır.

10-Toros Tünelleri, İtilaf Devletleri tarafından işgal olunacaktır.

11- İran içlerinde ve Kafkasya’da bulunan Osmanlı kuvvetleri, işgal ettikleri yerlerden geri çekilecekler.

12- Hükümet haberleşmesi dışında, telsiz, telgraf ve kabloların denetimi, İtilaf Devletlerine geçecektir.

13- Askeri, ticari ve denizle ilgili madde ve malzemelerin tahribi önlenecektir.

14- İtilaf Devletleri kömür, mazot ve yağ maddelerini Türkiye’den temin edeceklerdir. (Bu maddelerden hiçbiri ihraç olunmayacaktır.)

15- Bütün demiryolları, İtilaf Devletlerin zabıtası tarafından kontrol altına alınacaktır.

16- Hicaz, Asir, Yemen, Suriye ve Irak’taki kuvvetler en yakın İtilaf Devletlerinin kumandanlarına teslim olunacaktır.

17- Trablus ve Bingazi’deki Osmanlı subayları en yakın İtalyan garnizonuna teslim olacaktır.

18- Trablus ve Bingazi’de Osmanlı işgali altında bulunan limanlar İtalyanlara teslim olunacaktır.

19- Asker ve sivil Alman ve Avusturya uyruğu, bir ay zarfında Osmanlı topraklarını terk edeceklerdir.

20- Gerek askeri teçhizatın teslimine, gerek Osmanlı Ordusunun terhisine ve gerekse nakil vasıtalarının İtilaf Devletlerine teslimine dair verilecek herhangi bir emir, derhal yerine getirilecektir.

21- İtilaf Devletleri adına bir üye, iaşe nezaretinde çalışacak bu devletlerin ihtiyaçlarını temin edecek ve isteyeceği her bilgi kendisine verilecektir.

22- Osmanlı harp esirleri, İtilaf Devletlerinin nezdinde kalacaktır.

23- Osmanlı Hükümeti, merkezi devletlerle bütün ilişkilerini kesecektir.

24-Altı vilayet adı verilen yerlerde bir kargaşalık olursa, vilayetlerin herhangi bir kısmının işgali hakkını İtilaf Devletleri haiz bulunacaktır.

25-Müttefiklerle Osmanlı Devleti arasındaki savaş, 1918 yılı Ekim ayının 31 günü mahalli saat ile öğle zamanı sona erecektir.

İstanbul kamuoyu anlaşma hükümlerini ağır buldu, ancak genel bir iyimserlikle karşıladı. 1 ve 2 Kasım tarihli İstanbul gazeteleri daha çok İstanbul'da savaş ihtimalinin ortadan kalkmış olduğunu vurguladılar. (Bulgaristan'ı işgal eden İtilaf ordularının o günlerde İstanbul'a yönelik taarruzu bekleniyordu.) Mustafa Kemal Paşa'nın görüşlerini yansıtan Minber gazetesi 1 Kasım'da, "Bir devletin küçülmüş bile olsa her hâlde bir siyasi mevcudiyet ve milli birlik muhafaza ederek böyle bir badireden kurtulabilmiş olması en büyük siyasi başarı sayılmalıdır." yazıyordu.

13 Kasım 1918'de İtilaf donanmalarına mensup bir filo, bırakışmanın 1. maddesi uyarınca Çanakkale ve İstanbul boğazlarındaki askeri bölgesine girmesini kendi çıkarlarına yönelik bir tehdit sayarak protesto etti. İtalya 22 Mart 1919'da anlaşmanın 7. maddesini gerekçe göstererek tek taraflı olarak Antalya'yı işgal etti. Bu olay, Paris'teki barış konferansında İzmir'deki Yunan işgalinin tanınması, ve Fiume'deki İtalyan hak taleplerinini reddedilmesiyle birlikte İtalya ile İtilaf arasında diplomatik bir krize yol açan etmenlerden biriydi. Nisan ayında İtalya, Fiume üzerindeki hak iddialarının dönemin Birleşik Devletler Başkanı Wilson tarafından reddedilmesinin yol açtığı kriz sebebiyle bir ay süreyle barış konferansını terk etti.

Bu olaylar dışında anlaşmanın ilk altı ayı önemli gerilimler olmadan geçti. İstanbul'daki İtilaf temsilcileri ile Türk hükûmeti arasındaki en ciddi sorunlar, eski İttihat ve Terakki yöneticilerinin savaş ve tehcir suçları nedeniyle yargılanması ve tutuklanması konusundan doğdu.

Anlaşmanın nisbi sessizlik dönemi Mayıs 1919 başlarında sona erdi. Bu tarihte Paris Barış Konferansı, Mondros'ta verilmiş sözlere aykırı olarak, İzmir'in Yunanlarca işgali kararını aldı. Aynı günlerde Osmanlı İmparatorluğu'nun birçok köşesi İtilaf devletlerince işgal edildi; Kars ve Batum milli şura hükûmetleri İngilizler tarafından dağıtıldı. Aynı günlerde ilan edilmesi beklenen barış antlaşması belirsiz bir geleceğe ertelendi.
İtilaf devletleri politikasında meydana gelen bu ani değişim, Türk tarihçileri tarafından henüz yeterince incelenmemiş bir konudur.




Yarı iletken

Yarı iletken üzerine yapılan mekanik işin etkisiyle iletken özelliği kazanabilen, 'NŞA'da yalıtkan olan maddelerdir.

Normal durumda yalıtkan olan bu maddeler ısı, ışık, manyetik etki veya elektriksel gerilim gibi dış etkiler uygulandığında bir miktar değerlik elektronlarını serbest hale geçirerek iletken duruma gelirler. Uygulanan bu dış etki veya etkiler ortadan kaldırıldığında ise yalıtkan duruma geri dönerler. Bu özellik elektronik alanında yoğun olarak kullanılmalarını sağlamıştır.

Yarı iletkenler belirgin elektriksel özellikleri olan kristal veya amorf katılardır. [1] Tipik direnç materyallerinden yüksek bir direnç göstermelerine rağmen, dirençleri yalıtkanlar kadar yüksek değildir. Metallerin tam tersine dirençleri, sıcaklık arttıkça dirençleri azalır. Son olarak; istenirse, iletkenlik özellikleri saflıkları “doping” adı verilen yöntem ile bozularak kolaylıkla değiştirilebilir. Doping yöntemi yarı-iletkenin direncini düşürürken aynı zamanda katkılı yarı-iletkenin farklı düzeyde katkı yapılmış noktaları arasında da yarı iletken birleşme noktaları oluşmasına da olanak sağlar. Elektronlar, iyonlar ve elektron oyukları gibi yük taşıyıcıların bu birleşme noktalarındaki davranışları diyotların, transistörlerin ve diğer tüm modern elektronik parçaların temellerini oluşturur.
Yarı iletken cihazlar; akımın bir yönde daha kolay ilerlemesi, değiştirilebilir direnç ve ışığa-sıcaklığa duyarlılık gibi kullanışlı özelliklere sahiptir. Yarı iletken materyallerin elektriksel özellikleri; doping yöntemi kullanılarak, elektrik alan veya ışık uygulanarak değiştirilebildiğinden ötürü yarı iletkenlerden üretilen aletler devrede yükseltici, anahtar veya enerji dönüşüm elemanları olarak kullanılabilir.
Yarı iletkenlerin özellikleri ile ilgili modern bilgi birikimi ve yük taşıyıcılarının kristal kafes yapısındaki hareketlerinin açıklanması temelde kuantum fiziğine dayanır.[2] Doping, kristal içindeki yük taşıyıcılarının sayısını etkili bir biçimde artırır. Katkılı bir kristal; eğer çoğunlukla serbest oyuklar içeriyorsa p-tipi kristal olarak adlandırılırken eğer çoğunlukla serbest elektronlar içeriyorsa n-tipi kristal olarak adlandırılır. Elektronik cihazlarda kullanılan yarı iletken malzemeler, p ve n tipi katkı maddelerinin yoğunluğunun dikkatlice kontrol edilebilmesi için kesin koşullar altında doping işlemine tabi tutulurlar. Bir tek yarı iletken kristali birden fazla n veya p tipi alana sahip olabilir ve bu alanlar arasında oluşan p-n bağlantıları yarı iletkenlerin kullanışlı elektronik özelliklerinin oluşmasını sağlar.
Birçok bileşik ve saf element de yarı-iletken özellikleri göstermesine karşın silikon, germanyum veya galyumun bileşikleri elektronik cihazlarda en yaygın olarak kullanılanlardır. Periyodik cetvelin yarı-metaller merdiveni de denilen bölgesinde yer alan elementler de genelde yarı iletkenler olarak kullanılırlar.
Yarı iletkenlerin birçok özelliği 19. yüzyılın ortalarında ve 20. yüzyılın başlarında keşfedilmiştir. Yarı iletkenlerin ilk pratik uygulaması 1904 yılında geliştirilen ve radyo alıcılarında yaygın olarak kullanılan Cat’s Whisker detektörüdür. Kuantum fiziğindeki gelişmeler sırayla 1947[3] yılında transistörün ve 1958 yılında da entegre devrelerin geliştirilmesini sağlamıştır.
Küresel yarı iletken pazarı uzunca bir süreden beri hareketlidir. Çip üretimi için kullanılacak endüstri tesisleri milyar dolarları bulan yatırımlar gerektirmektedir. Arz ve talepteki periyodik dalgalanmalar, fiyatlarda ve kâr payında önemli oynamalara sebep olmaktadır. [4]

Yarı iletkenler germanyum, silisyum, selenyum gibi elementler olabildiği gibi; bakır oksit, galyum arsenid, indiyum fosfür, kurşun sülfür gibi bileşikler de olabilir.

Yarı iletken devre elemanları şu şekildedir:

Yarı iletkenler değerlik elektronları dolu olduğu için yeni elektronların girişini engeller ve akımın gerektirdiği elektron akışını sağlayamazlar. Bu nedenle doğal halleriyle iletkenlikleri kötüdür. Yarı iletkenlerin iletkenler gibi davranmalarını sağlamak için doping veya gating gibi birkaç yöntem geliştirilmiştir. Bu modifikasyonlar ile iki sonuca ulaşılmıştır: n-tipi ve p-tipi. Bunlar sırayla elektron fazlalığına ve eksikliği anlamına gelmektedir. Dengelenmemiş bir elektron sayısı da materyal boyunca ilerleyen bir elektrik akımına sebebiyet vermektedir. [5]

Heterojen birleşme noktaları farklı katkı yapılmış iki bölge birbirine katıldığında oluşur. Örneğin, bir karışım p-katkılı ve n-katkılı germanyum içerebilir. Bu; elektronların ve oyukların farklı katkılanmış bölgeler arasında değişmesi ile sonuçlanır. n-katkılı germanyum elektron fazlalığına, p-katkılı germanyum da oyuk fazlalığına sahip olacaktır. Alışveriş, rekombinasyonun gerçekleşmesiyle dengenin sağlandığı ana kadar devam eder. Rekombinasyon elektronların n-tipi bölgeden p-tipi bölgeye göç ederken zıt yönde hareket eden oyuklar ile karşılaşması sonucu iyonlar oluşmasıdır. Oluşan bu iyonlar, elektrik alan oluşmasına sebep olur. [2][5]

Yarı iletken malzemenin üzerindeki bir potansiyel farkı maddenin ısı dengesinin bozulmasına ve bir termal eşitsizlik durumu ortaya çıkmasına sebep olacaktır. Bu; elektronların ve oyukların, iki kutuplu difüzyon ismi verilen bir etkileşim sayesinde sisteme dahil olmasını sağlar. Yarı iletken maddenin sahip olduğu ısı dengesi bozulduğunda da oyukların ve elektronların sayıları değişir. Isı dengesi, sıcaklık değişimi veya sistemdeki oyuk-elektron sayısını değiştirebilen fotonlar yüzünden bozulabilir. Elektron ve oyukların oluşmasına ve yok olmasına sebep olan bu işlem yük oluşumu ve rekombinasyonu olarak adlandırılır. [5]

Yalnızca bazı yarı iletkenlerde, uyarılmış elektronlar ısı üretmek yerine ışın yayımlayarak da serbest hale dönebilirler. [6] Bu tip yarı iletkenler “LED” ve “floresan kuantum noktacıkları” üretiminde kullanılırlar.

Yarı iletkenler yüksek termoelektrik güç faktörlerine sahip olduklarından dolayı termoelektrik üreteç yapımı için elverişlidirler. Aynı zamanda yüksek termoelektrik performans katsayısına sahip oldukları için termoelektrik soğutuc