薄膜生长模式

薄膜生长模式（Modes of thin-film growth）指的是薄膜在材料表面的外延成长中不同的生长机制，由于1958年系统化地归纳为三大类型：岛状生长模式（即Volmer-Weber模式）、层状生长模式（即Frank–van der Merwe模式）和岛状/层状生长模式（即斯特兰斯基－克拉斯坦诺夫模式）。

基本生长模式

岛状生长模式 
岛状生长模式又称Volmer-Weber模式、VM模式，得名于和A. 韦伯。在岛状生长中，薄膜原子相互之间的束缚力强于衬底对薄膜原子的束缚力，导致薄膜原子在衬底表面直接成核生长出三维的原子岛。大部分薄膜都是呈岛状生长的。

层状生长模式 
层状生长模式又称Frank–van der Merwe模式、FM模式，得名于和。在层状生长中，衬底对薄膜原子的束缚力强于薄膜原子之间的作用力，导致薄膜遵循严格的二维生长——即直到完全生长完一层，下一层才开始生长。层状生长模式在PbSe/PbS、Au/Pd、Fe/Cu等系统中有出现。

岛状/层状生长模式 

岛状/层状生长模式又称斯特兰斯基－克拉斯坦诺夫模式、SK模式，得名于伊万·斯特兰斯基和 Lyubomir Krastanov。岛状/层状生长模式介于岛状生长模式与层状生长模式之间：在衬底上以二维方式生长一定厚度的薄膜之后，会开始以三维形式生长原子岛。岛状/层状生长模式在Cd/W、Cd/Ge等系统中出现。

理论解释 
不同的薄膜生长模式取决于薄膜和衬底材料表面的化学与物理性质，例如表面张力和晶格系数，可通过考虑距离表面最近的几层原子的化学势来确定生长机制。1995年，伊万·马尔可夫提出原子层内单原子的化学势模型：

其中  表示吸附材料的体化学势（bulk chemical potential）， 表示浸润层吸附原子的脱附能（desorption energy）， 表示衬底吸附原子的脱附能， 表示每个原子的位错错配能（misfit dislocation energy）， 表示每个原子的同质应变能（homogeneous strain energy）。在一般情况下，、、 和  的值与薄膜的厚度，以及衬底和薄膜之间的位错有着极为复杂的关系。在应变很小的情况下（即 ），薄膜的生长模式取决于  的值：

 岛状生长模式： （表层原子的凝聚力强于衬底表面的黏附力）
 层状生长模式： （衬底表面的黏附力强于表层原子的凝聚力）
 岛状/层状生长模式：原始衬底上的生长模式为层状生长模式（即 ）；当后来生长的薄膜达到某个临界厚度时，在薄膜上继续生长薄膜将出现  的情况，即生长模式转变为岛状生长模式。

实验测量 
在实际的科学实验中，可以运用多种手段判断薄膜生长的模式，包括透射电子显微镜或扫描隧道显微镜（直接测量表面形貌），低能电子衍射或（通过测量衍射强度的振荡），以及俄歇电子能谱。

注释

参考文献 

薄膜
表面化学