طرح‌نگار الکترونی

لیتوگرافی یا طرح نگاری الکترونی در اوایل دهه ۱۹۶۰ میلادی تقریباً هم‌زمان با طرح نگاری نوری ابداع شد. طرح نگار الکترونی از میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) منشعب شده و بسیار شبیه آن است. این روش تنها با کشف پلیمر حساس به الکترون معروف به پلی(متیل متاکریلات) (PMMA)، امکان‌پذیر شد؛ تابش الکترون به پلی(متیل متاکریلات)، همانند تابش نور به پلیمر واسط در طرح نگار نوری است. ساخت طرح نانومتری بواسطه طرح نگاری الکترونی بسیار زودتر از طرح نگاری نوری انجام شد. از آنجا که پرتو الکترونی بسیار باریک فراهم گشت، طرح نگاری الکترونی با پلی(متیل متاکریلات) بسیار زود توانست وضوح تصویر بسیار بالاتری از آنچه که در آن زمان برای طرح نگاری نوری یک رؤیا بود دست یابد. در اوایل دهه ۱۹۷۰ میلادی، طرح نگاری الکترونی توانست طرح‌های ۶۰ نانومتری ایجاد کند. در حال حاضر، طرح نگاری الکترونی بهمراه پلیمرهای واسط مخصوص و فرایندهای شیمیایی مربوطه می‌تواند طرح‌های کمتر از ۱۰ نانومتر ایجاد کند.
بر خلاف طرح نگار نوری، در این روش از ماسک استفاده نمی‌شود به همین دلیل سرعت بسیار پایین‌تری نسبت به طرح نگار نوری دارد.

جستارهای وابسته 
 طرح نگار نوری
 طرح نگار چاپی
 میکروسکوپ الکترونی روبشی

منابع 

 Nanofabrication, Principles, Capabilities and Limits; Zheng Cui; 2008

پرتو الکترونی
طرح نگاری