8.0GeV（80億電子ボルト）の電子と3.5GeV（35億電子ボルト）の陽電子を衝突させることで、大量のB中間子・反B中間子対を作り出す。
由8.0GeV的电子与3.5GeV的正子对撞反应，产生大量的B介子・反B介子。