ファノは入射電子を単に散乱させる振幅と自己イオン化により散乱する振幅との間の干渉が、自己イオン化寿命の逆数に非常に近い線幅を有する自己イオン化エネルギーの周りに非対称散乱線形状を生成する。
法诺证明入射电子的散射振幅与自离子化电子的散射振幅间的干涉，会在自离子化的能量附近形成非对称的散射线形，峰的宽度与自离子化的半衰期的倒数十分接近。