極端紫外線リソグラフィ(Extremeultravioletlithography、略称：EUVリソグラフィまたはEUVL)は、極端紫外線、波長13.5nmにて露光する次世代リソグラフィ技術である。
极紫外光刻（英语：Extremeultravioletlithography，也称EUV或EUVL）是一种使用极紫外（EUV）波长的下一代光刻（英语：next-generationlithography）技术，目前预期使用13.5纳米，预计将于2020年得到广泛应用。