超薄膜の制御が重要となるhigh-kゲート酸化膜では、ALDはデザインルール45nmの世代から広く使われ始めるとみられる。
高介电常数（high-k）闸极介电层（gatedielectric）的出现使得闸极对电流的控制更有效，从45nm节点开始被采用。