1989年にインテルはETANNチップでのアナログ不揮発性メモリ素子としてFGMOSを使い、他のデジタルメモリではなくFGMOSデバイスを使う可能性を示した。
1989年，英特尔在其ETANN芯片中采用了FGMOS作为非易失性模拟存储器元件，展示了将FGMOS器件用于数字存储器以外的应用的潜力。