6Tよりも少ないトランジスタ数で記憶セルを構成することも可能だが、そのような3Tや1Tのセルは実際にはDRAMであり、SRAMではない。
内存基本单元使用少于6个晶体管是可能的—如3管甚至单管，但单管储存单元是DRAM，不是SRAM。