İyon yerleştirmesi

Doping

Yarı iletkenlerdeki katkılayıcılara giriş iyon yerleştirmesinin en bilinen uygulamasıdır. Boron, fosfenik ve arsenik gibi katkılayıcı iyonları bir gaz kaynağından oluşur, bu sayede kaynağın saflığı çok yüksek olabilir. Bu gazların çok zehirleyici olmaya eğilimleri vardır. Bir yarı iletken içerisinde yerleştirildiği zaman, her bir katkılayıcı atom, yarıiletken içerisinde sertleştirildikten sonra bir yük kariyeri oluşturabilir. P-tipi katkılayıcılar için bir delik ve N-tipi katkılayıcılar için de bir elektron oluşturulabilir. Bu, yarı iletkenin çevresi içerisindeki iletkenliği modifiye eder. Bu teknik, örneğin bir MOSFET’in eşiğini ayarlamak için kullanılır. 
İyon yerleştirmesi bir metot olarak, ftovoltaik cihazların p-n birleşme yerlerini üretmek için 1970'lerin sonlarında ve 1980’lerin başlarında, reklamsal üretim için kullanılmamış olmasında rağmen sürekli sertleştirme için olan nabızsal- elektron ışını olarak geliştirilmiştir.

Yalıtkan üzerindeki silikon

Bir iletken üzerinde silikon hazırlamak için öne çıkan bir yöntem (SOI), geleneksel silikon alt katmanlarından gelen ve yüksek sıcaklıkta sertleştirme sürecinde,  içerisinde gömülmüş yüksek dozda oksijen yerleşkesinin silikon okside dönüştürüldüğü  SIMOX (Oksijenin yerleştirme sayesindeki ayrımı) sürecidir.

Mezotaksi

Mezotaksi, ev sahibi kristalin (bir alt katmanın yüzeyindeki eşleşen fazın büyümesi olan epitaksiye kıyasla) altında yatan, kristaljeografik olarak eşleşen fazının büyümesi için kullanılan terimdir. Bu süreçte, iyonlar bir materyalin içerisinde yeterince yüksek enerjide ve dozda, ikici fazda bir katman yapmak için yerleştirilir ve sıcaklık da hedefin kristal yapışının parçalanmaması için kontrol edilir. Katmanın kristal oryantasyonun hedefinkiyle eşleşmesi için, gerçek kristal yapı ve latis sabiti farklı olsa bile, bir çalışma yapılılabilir. Örnğin, nikel iyonlarının silikon waferına yerleştirilmesinden sonra, nikel silikidin bir katmanı silisidin kristal oryantasyonunun silikonunkiyle eşleştiği yerde gelişebilir.

Çelik araç sertleştirilmesi

Nitrojen ve başka iyonlar, hedef çelik aletler ( matkap bitleri gibi) içerisine yerleştirilebilirler. Yerleştirme sonuçlu yapışal değişim, çelik içerisinde yüzey basıncı oluşturur, bu çatlak propogasyonunu engeller ve bu sebepten dolayı materyali kırıklara dayanıklı hale getirir. Kimyasal değişim aynı zamanda aleti aşınmaya da daha dayanıklı hale getirebilir.

Yüzey bitirme

Bazı uygulamalarda, mesela yapay mafsal prostetik cihazlar gibi, kimyasal aşınmaya veya sürtünme kaynaklı oluşumlara karşı dayanıklı yüzeylere sahip olunması istenmektedir. İyon yerleştirmesi, bazı cihazların daha güvenilir performanslar göstermesi i.in yüzeylerinin yapılmasında kullanılır. Çelik aletler durumundaki gibi, iyon yerleştirmesi kaynaklı yüzey modifikasyonu hem çatlak yayılımını önlemek için olan yüzey kompresyonu hem de yüzeyin kimyasal aşınmaya daha dayanıklı hale gelmesi için alaşımlanmasını içerir.
.

İyon ışını karıştırması

İyon yerleştirmesi, iyon ışını karıştırma işlemi için kullanılabilir, ör: bir interfazda değişik elementlerin atomlarını karıştırma. Bu, derecelendirilmiş interfazlara ulaşmada veya birbirine karışmayan materyallerin yüzeyleri arasındaki adezyonu güçlendirmek için kullanılabilir.

Kristalografik hasar

Her bir iyon, hedef kristalde boşluk ve çatlak gibi birçok nokta bozukluğuna sebep olabilir. Boşluklar, bir atom tarafından doldurulmamış kristal latis noktalarıdır bu durumda iyon, hedef bir atom ile çarpışır ve bu, çok miktarda enerjinin hedef atoma aktarılmasına ve kristal yüzeyi terk etmesine sebep olur. Bu hedef atom katı içerisinde başlı başına bir projektil olur ve başarılı çarpışma olaylarına sebeptir. 
Çatlaklar böyle atomlar (ya da orijinal iyonun kendisi) katı içerisinde dinlenmeye geldiği zaman olur, fakat latis içerisinde duracak bir boşuk bulamaz.  Bu nokta sonuçları birbirleriyle kümeleşip göç edebilirler ve bu, dislokasyon döngüsü ve başka bozukluklarla sonuçlanır.

Hasar iyileşmesi

İyon yerleştirmesi genellikle istenmeyen hedefin kristal yapısına zarar verdiği için, bu süreç genellikle termal sertleştirme ile birlikte yapılır. Bu, hasar iyileşmesi ile ilişkilendirilebilir.

Amorfizasyon

Kristalografik hasar miktarı, hedefin yüzeyini tamamen amorfize etmek için yeterli olabilir: örneğin biçimsiz bir katı haline (mesela bir eriyikten oluşan katıya cam denir) dönüşebilir. Bazı durumlarda, bir hedefin tam amorfizasyonu yüksek miktarda kusurlu olan bir kristale tercih edilebilir: Amorfize olmuş bir film, yüksek miktarda hasr görmüş bir kristali sertleştirmek için gerekli sıcakıktan daha düşük bir sıcaklıkta tekrar büyüyebilir.

Püskürtme

Bazı çarpışma olayları atomların yüzeyden atılımına (püskürtülmesine) ve bu sebeple iyon yerleştirmesinin yüzeyi yavaşça oymasına sebep olur. Bu etki ancak çok büyük dozlarda fark edilebilir.

İyon kanal oluşumu

Eğer hedefe bir kristalografik bir yapı varsa ve özellikle kristal yapının daha açık olduğu bir yarıiletken substratlarında, kısmi kristalografik yönler başka yönlerden ziyade daha düşük durma önerirler. Sonuç olarak bir iyonun menzili eğer bu iyon belirli bir yönde ilerliyorsa, örneğin silikonun <110> yönü ve başka elmas kübik materyaller gibi, daha uzun olabilir. Bu efekte iyon kanallaşması denir ve bütün kanallaştırma etkileri gibi çok yüksek oranda, lineer olmayandır. Bu nedenden dolayı birçok yerleştirme eksenden dışarı birkaç derece taşınır ve burada küçük hizasal hataların daha tahmin edilebilir etkileri olur.
İyon kanallaştırması direkt olarak Rutherford arka saçılmasında ve alakalı tekniklerde, ince kristal materyallerine gelen derinlik zararlarının profillerini saptamada analitik bir metot olarak kullanılabilir.

Tehlikeli materyal notları

Waferlerin yarı iletken iyon yerleştirmesi fabrikasyonu süreci içerisinde, işçilerin iyon yerleştirme süresinde kullanılan zehirli materyalin etkisini en aza indirmesi önemlidir. Böyle tehlikeli elementler, katı kaynaklar, Arsin gazı ve fosfin gibi gazlar kullanılır. Bu sebepten dolayı, yarı iletken fabrikasyonu şirketleri yüksek derecede otomatikleştirilmiştir ve negatif basınçlı gaz şişelerinin güvenli iletim sistemlerini oluşturmuşlarıdır (SDS). Başka elementler antimon, arsenik, fosfor ve bor içerebilir. Bu elementlerin tortusu makineler atmosfere açıldığında ortaya çıkar ve vakum pompası sistemlerinde birikebilir ve bulunabilirler. Kendinizi bu karniyogenik, aşındırıcı, yanıcı ve zehirli elementlere maruz bırakmamanız önemlidir. Birçok güvenlik protokolü bu gibi elementleri tutarken kullanılmalıdır. Güveniği kullanın ve MSDS’leri okuyun.

Yüksek voltaj güvenliği

İyon yerleştirme ekipmanı içerisindeki yüksek voltaj enerji kaynağı elektrokusyonun bir riski olabilir. Buna ek olarak, yüksek enerjili atom çarpışmaları X-ray ve bazı durumlarda başka iyonize eden radyasyon ve radyo çekirdekleri üretebilir. Operatörler ve koruyucu personel, cihazdan sorumludur.