【출원인, 상고인】
삼성전자주식회사 소송대리인 변리사 이영필
【상대방, 피상고인】
특허청장
【원 심 결】
특허청 1994.8.16. 자 92항원2412 심결
【주 문】
원심결을 파기하여 사건을 특허청 항고심판소에 환송한다.
【이 유】
상고이유를 함께 판단한다.
원심결 이유를 기록에 의하여 살펴보면, 원심은, 본원발명과 인용발명(1986.8.16. 일본 특개소 61-183942, 이하 같다)은 모두 순차적인 제조공정을 거쳐 반도체장치를 제조하기 위한 방법에 관한 것인데, 본원발명의 특허청구범위 제1항은 "제1도전형의 반도체기판 표면의 일부분에 상기 제1도전형과 반대 도전형인 제2도전형의 도핑영역을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판 표면에 절연막을 형성하고 상기 도핑영역상에 개구를 형성하는 공정과, 상기 노출된 반도체기판과 절연막의 상부에 적어도 2층 이상의 장벽층을 형성하는 공정과, 상기 장벽층의 표면에 금속배선막을 형성하는 공정으로 이루어진 반도체장치의 제조방법에 있어서, 상기 금속배선막을 형성하기 전에 상기 장벽층에 이온주입하여 상기 장벽층을 비정질화한 후 열처리하는 공정을 포함함을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법"이고, 한편 인용발명은 콘택트창을 가진 절연층이 형성되어 있는 실리콘 기판상에 금속층과 질화티탄층을 차례로 형성하고 가열하여 금속실리사이드층을 형성하고 그 후 질화티탄층상에 알루미늄이 포함되는 층을 형성함으로써 안정되고 재현성이 있는 접합층을 얻고자 하는 것으로서, 양 발명은 반도체기판상에 도핑영역, 실리사이드층, 절연막, 제1장벽층, 제2장벽층과 알루미늄 배선 패턴을 형성하는 것은 동일하나, 본원발명의 요부는 "금속배선막을 형성하기 전에 상기 장벽층에 이온을 주입하여 상기 장벽층을 비정질화한 후 열처리하는 공정"이고, 그로 말미암아 금속배선막을 형성하는 알루미늄 원자가 확산되는 것을 방지하여 도핑영역에 스파이크의 발생을 억제하여 누설 전류를 방지하고 제1장벽층을 실리사이드화하여 접촉저항을 개선함으로써 전기적 특성을 향상시키고 신뢰성을 향상시키는 효과가 있어 결국 본원발명 청구범위 제1항에는 진보성이 있다고 전제한 다음, 그러나 본원 특허청구범위 제2, 3, 4, 5, 6, 8 항을 살펴보면, 그 제2항은 "제1항에 있어서 상기 도핑영역을 이온주입방법 또는 확산영역으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법"이라고 불분명하게 기재하고 있으며, 도핑영역을 이온주입 방법으로 하든 확산영역으로 하든 이는 반도체 제조분야에서 공지된 기술이고 인용발명으로부터 통상인이 능히 실시할 수 있는 것이며, 제3항의 "상기 장벽층을 Ti로 이루어진 제1장벽층과 TiN으로 이루어진 제2장벽층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법"이라고 기재된 부분은 인용발명과 동일한 제1, 2장벽층을 형성하는 방법이고, 나머지 각 항들도 인용발명의 각 공정 및 구성과 동일한 것으로 인정되므로, 위 청구범위 제1항을 제외한 나머지 항은 특허받을 수 없는 기술이라 판단되어 본원등록을 거절한 원사정이 정당하다고 판단하였다.
구 특허법(1990.1.13. 법률 제4207호로 전문 개정되기 전의 것) 제8조 제2항과 제4항에 의하면 특허출원자가 제출하는 특허출원서에는 "특허청구의 범위"를 기재하여야 하고, 특허청구의 범위에는 명세서에 기재된 사항중 보호를 받고자 하는 사항을 1 또는 2 이상의 항으로 명확하고 간결하게 기재하여야 한다라고 되어 있으며, 구 특허법 시행령(1990.8.28. 대통령령 제13078호로 전문 개정되기 전의 것) 제2조의 3 각 항에 의하면, 특허청구의 범위를 기재함에 있어서는 발명의 구성에 없어서는 아니되는 사항중 보호를 받고자 하는 사항을 독립항으로, 그 독립항을 기술적으로 한정하고 구체화하는 사항을 종속항으로 기재하고, 종속항은 독립항 또는 종속항을 기술적으로 한정하고 구체화하는 데 필요한 적정한 수로 기재하여야 한다고 되어 있는바, 위와 같이 특허청구의 범위의 기재에 관하여 독립항과 종속항으로 구별하고 각 적정수로 나누어 기재하도록 한 취지는 발명자의 권리범위와 일반인의 자유기술영역과의 한계를 명확하게 구별하고 나아가 특허분쟁의 경우 특허침해여부를 명확하고 신속하게 판단할 수 있도록 함에 있다고 할 것이므로, 독립항은 특허발명으로 보호되어야 할 범위를 넓게 포섭하기 위하여 발명의 구성을 광범위하게 기재하고 종속항은 그 범위속에서 구체화된 태양을 제시하여 주어 그 독립항을 기술적으로 한정하고 구체화한 사항을 기재하여야 한다고 볼 것이다(당원 1989.7.11.선고 87후 135 판결 참조).
그러므로 앞에서 본 바와 같은 원심 인정사실에 의하여 살피건대, 본원 특허청구범위 제2항은 일반적인 반도체장치 제조에 있어서의 도핑영역을 형성하는 방법에 관한 공지기술을 기재한 것이 아니라, 독립항인 위 특허청구범위 제1항에서의 요부인 "장벽층에의 이온주입 및 열처리공정"이 포함된 반도체장치의 제조방법에 있어서 그 선행단계인 도핑영역을 형성하는 여러 가지 방법중에서 단지 이온주입방법과 확산영역의 방법에 대하여만 그 실시 태양을 지정함으로써 위 독립항을 기술적으로 한정하고 구체화한 사항을 기재한 것이라고 보여지고, 위 특허청구범위 제3항 이하의 경우에도 마찬가지라 할 것이므로 이들은 모두 종속항에 해당한다고 보아야 할 것이며, 따라서 위 특허청구범위 제2항 이하는 선행되는 위 특허청구범위 제1항(독립항)의 전체 특징을 포함한 종속항들로서 위 독립항에 진보성이 인정되는 이상 그 종속항인 위 특허청구범위 제2항 이하에도 당연히 진보성이 인정된다고 할 것이다.
그럼에도 불구하고 본원 특허청구범위 제2항 이하는 공지의 기술이어서 발명의 진보성을 인정할 수 없다는 이유에서 그 등록이 거절되어야 한다는 원심의 인정과 판단은 독립항과 종속항의 판단에 대한 법리를 오해하였거나, 발명의 진보성 판단에 관한 법리를 오해함으로써 심결결과에 영향을 미친 위법을 저지른 것이라 할 것이므로 이 점을 지적하는 논지는 이유가 있다.
그러므로 원심결을 파기하여 사건을 다시 심리 판단하게 하기 위하여 특허청 항고심판소에 환송하기로 하여 관여 법관의 일치된 의견으로 주문과 같이 판결한다.
대법관 정귀호(재판장) 김석수 이돈희 이임수(주심)