İndüksiyonla birleşmiş plazma

küçükresim|Şekil. 1. Analitik bir ICP meşalesinin resmi İndüksiyonla birleşmiş plazma (ICP) veya transformatörle birleşmiş plazma (TCP)High density fluorocarbon etching of silicon in an inductively coupled plasma: Mechanism of etching through a thick steady state fluorocarbon layer T. E. F. M. Standaert, M. Schaepkens, N. R. Rueger, P. G. M. Sebel, and G. S. Oehrleinc, enerjinin elektromanyetik indüksiyonla, yani zamanla değişen manyetik alanlarla üretilen elektrik akımlarıyla beslendiği bir tür plazma kaynağıdır. == İşleyiş == sol|küçükresim|398x398pik| Şekil. 2. ICP meşalesinin yapısı. A: dış kuvars boruya soğutma gazı akışı (gaz boruya eğri bir şekilde girer ve spiral çizerek yukarıya doğru hareket eder) B: deşarj gazı akışı (genellikle Ar gazı) C: örneği taşıyan taşıyıcı gazın akışı D: meşela içindeki güçlü manyetik alanı oluşturan indüksiyon bobini E: manyetik alanın kuvvet vektörleri F: plazma meşalesi (dejarj). Üç tür ICP geometrisi vardır: düzlemsel (Şekil 3 (a)), silindirik (Şekil 3 (b)) ve yarı toroidal (Şekil 3 (c)). Düzlemsel geometride, elektrot, bir spiral (veya bobin) gibi sarılmış bir yassı metal uzunluğudur. Silindirik geometride, elektrot sarmal bir yay gibi ile yarı toroidal geometride, ana çapı boyunca iki eşit yarıya kesilmiş toroidal solenoiddir . Bobinin içinden zamana göre değişen bir elektrik akımı geçtiğinde, bobinin etrafında akı olan ve zamanla değişen bir manyetik alan oluşur. \Phi=\pi r^2 H=\pi r^2 H_0 \cos \omega t, burada r, bobinin merkezine (ve kuvars tüpün merkezine) olan mesafedir. Faraday-Lenz' in indüksiyon yasasına göre, bu, seyreltilmiş gazda azimut elektromotor gücü yaratır: U=-\frac{d \Phi}{dt}, Bu güç elektrik alan kuvvetlerine karşılık gelir ve E=\frac{U}{2 \pi r}=\frac{\omega r H_0}{2} \sin \omega t, plazma oluşumu sağlayan 8 şeklinde elektron yörüngelerinin oluşumuna öncülük eder. Bu durumun r değerine bağlılığı, gaz iyon hareketinin sıcaklığın en yüksek olduğu alevin dış bölgesinde en yoğun olduğunu göstermektedir. Gerçek bir ICP meşalesinde, alev soğutma gazı tarafından dışarıdan soğutulur, bu yüzden en sıcak dış kısım termal dengededir. Dış kısımın sıcaklığı 5 000-6 000 K' ye ulaşır. Bobini içeren RLC devresinde kullanılan alternatif akımın frekansı genellikle 27–41 MHz' dir. Plazmayı tetiklemek için, gaz çıkışındaki elektrotlarda bir kıvılcım üretilir. Argon, yaygın olarak kullanılan bir seyretilmiş gaz örneğidir. Plazmanın yüksek sıcaklığı birçok elementin belirlenmesini sağlar ve ek olarak, yaklaşık 60 element meşalede % 90' ın üzerinde iyonlaşma sergiler. ICP meşale yaklaşık 1250–1550 W güç harcar, ancak bu durum, numunenin temel bileşimine göre değişir (farklı iyonlaşma enerjileri nedeniyle). == Uygulamalar == küçükresim|Şekil. 3. Konvansiyonel Plazma İndüktörleri Plazma elektron sıcaklıkları ~ 60.000 K ile ~ 100.000 K (~ 6 eV - ~ 100 eV), arasında değişebilir ve genellikle nötr türlerin sıcaklığından birkaç seviye daha sıcaktır. Argon ICP plazma deşarj sıcaklıkları tipik olarak ~ 5.500 ila 6.500 K arasındadır ve bu nedenle güneşin yüzeyinde (fotosfer) ulaşılan sıcaklık (~ 4,500 K ila ~ 6,000 K) ile karşılaştırılabilir seviyededir. ICP deşarj 1015 cm−3 mertebesinde, nispeten yüksek bir elektron yoğunluğuna sahiptir. Sonuç olarak, ICP deşarjları, yüksek yoğunluklu bir plazmaya (High-density plasma/HDP) ihtiyaç duyulan alanlarda geniş uygulamalara sahiptir. * ICP-AES, bir tür atomik emisyon spektroskopisi . * ICP-MS, bir tür kütle spektrometresi . * ICP-RIE, bir tür reaktif iyon aşındırma işlemi . ICP deşarjların bir başka faydası, nispeten kontaminasyondan yoksun kalmalarıdır. Bunun sebebi elektrotların reaksiyon odasının tamamen dışında olmasıdır. == Ayrıca bakınız == * Darbeli indüktif itici * İndüksiyon plazma teknolojisi * Plazma fiziği makalelerinin listesi == Kaynakça == Kategori:Plazma fiziği Kategori:Spektroskopi Kategori:Elektrodinamik Kategori:İncelenmemiş çeviri içeren sayfalar