נסאר נולד בשנת 1973 בעיר עזה. מוצא משפחתו מהכפר בית דאס ששכן עד 1948 סמוך לאשדוד. הצטרף לגדודי עז א-דין אל-קסאם במהלך האינתיפדה הראשונה. היה בכלא של הרשות הפלסטינית בשנים 1996-2000.
בין פיגועי ההתאבדות שבהם היה מעורב נסאר: הפיגוע במעבר ארז בחודש ינואר 2004, שהיה פיגוע משותף לחמאס, לפת"ח ולג'יהאד האסלאמי; פיגוע ההתאבדות שבוצע על ידי אישה במחסום ארז, בו נהרגו אזרח ישראלי, שני חיילים ושוטר מג"ב; הפיגוע במועדון מייק'ס פלייס בתל אביב, בו נהרגו 3 אזרחים ונפצעו למעלה מ-60; וכן, ניסיון פיגוע באמצעות רפסודת תופת בינואר 2003 נגד ספינת דבור של חיל הים הישראלי.
בתחילת דרכו שימש נסאר כמאבטח של מנהיג תנועת החמאס, אחמד יאסין. ממידע שהתקבל עלה נסאר כמי שביצע באוגוסט 1995 פיגוע ירי נגד כוחות צה"ל ותכנן לבצע פיגוע התאבדות. במאי 1996 נעצר על ידי הרשות הפלסטינית ושוחרר לאחר חקירתו.
מאז שחרורו על ידי הרשות הפלסטינית הסתמן ואאל נסאר כמפקד החמאס בעיר עזה וסגנו של מוחמד דף, ראש הזרוע הצבאית של החמאס.
ואאל נאסר חוסל כשמסוקי צה"ל ירו טילים לעבר אופנוע שעליו רכב עם פעיל אחר בחמאס, מוחמד סרסור, ב-30 במאי 2004.
טרנזיסטור
טרנזיסטור (באנגלית: Transistor, הלחם בסיסים של Transfer-Resistor, או קיצור של Trans-Resistor) הוא רכיב אלקטרוני בעל שלושה הדקים הבנוי מחומר מוליך למחצה ומשמש למגוון רחב מאוד של מטרות. בצורה הפשטנית ביותר, ניתן לראות טרנזיסטור כמתג המסוגל לשלוט בזרם בין שניים מההדקים, כתלות בזרם הנכנס מההדק השלישי, או במתח המופעל עליו. מקור השם טרנזיסטור הוא בכך שניתן לתאר אותו כנגד (Resistor) בין שניים מההדקים, שערכו תלוי בהדק השלישי (נקבע לפי המתח על הדק זה או הזרם העובר דרכו).
הטרנזיסטור הוא רכיב מפתח בכל תעשיית האלקטרוניקה המודרנית. במעגלים סיפרתיים משמש הטרנזיסטור כמתג חשמלי, כאבן בניין לבניית שערים לוגיים, זיכרון גישה אקראית (RAM) והתקנים אלקטרוניים אחרים. במעגלים אנלוגיים משמשים טרנזיסטורים להגברה, ליצירת תנודות, לייצוב מתח או זרם, לאיפנון ולעירבול.
בעבר, טרנזיסטור היה גם השם הנפוץ לרדיו טרנזיסטור, מקלט רדיו נייד שהופעל בסוללות, שהכיל טרנזיסטורים (במקום שפופרות ריק) למימוש המעגלים החשמליים. זוהי עדיין אחת מההגדרות המילוניות לטרנזיסטור, אף כי מכשירי רדיו-טרנזיסטור אינם נפוצים כבעבר.
היסטוריה.
שפופרות הריק בישרו את תחילתה של הטכנולוגיה האלקטרונית. אולם, עם הרחבת השימוש בהן, החסרונות של השפופרות - גודלן, כמות החום שהן יצרו ושבירותן - הפכו לבעייתיים יותר ויותר. בעקבות התפתחויות חדשות בתחום הפיזיקה התאורטית ומכניקת הקוונטים, אשר הצביעו על האפשרויות הגלומות בחומרים מוליכים למחצה, נבחר ויליאם שוקלי על ידי מעבדות בל לנהל מחקר על חומרים מוליכים למחצה.
ב־1945 הציע שוקלי תכנון של מגבר בו שדה חשמלי יווסת את זרם האלקטרונים ליד שכבת סיליקון. ניסויים עם חומרים שונים לא הניבו תוצאות מעודדות עד נובמבר 1947. אז, בעקבות תובנה תאורטית מבריקה, טעות ומזל, הצליחו המדענים תוך כחודש ליצור מגבר העשוי מחומר מוליך למחצה. ב־23 בדצמבר 1947, הציגו שוקלי ועמיתיו ג'ון ברדין ווולטר בראטיין, טרנזיסטור פועל בפני בכירים בחברה. טרנזיסטור זה זכה לכינוי point-contact transistor. גילוי זה זיכה את שלושתם בפרס נובל לפיזיקה בשנת 1956. בעקבות הניסוי המוצלח, פיתח שוקלי תכנון משופר של הטרנזיסטור - טרנזיסטור הצומת. באופן אירוני, התכנון המקורי היה מאמץ לפתח טרנזיסטור־תוצא־שדה (באנגלית FET, קיצור של Field Effect Transistor), שאותו חזה כבר בשנת 1925 יוליוס אדגר לילינפלד, אך לבסוף נבנה התקן שהפך לטרנזיסטור ביפולרי (באנגלית BJT, קיצור של Bipolar Junction Transistor).
במהלך שנות החמישים, טרנזיסטורים הפכו לנפוצים יותר, והופיעו במרכזיות טלפון (1952), מכשירי עזר לשמיעה (1953) ומקלטי רדיו ניידים (1954). ב־1953 הופיע ה־CK722, הטרנזיסטור הראשון (והיחיד כמעט במשך כעשור) לחובבי אלקטרוניקה. טרנזיסטורים מסדרת ה־CK722 היו בעצם טרנזיסטורים שיוצרו על ידי רייתאון (Raytheon) עבור מכשירי עזרי השמיעה שלהם, אולם לא עמדו בבקרת האיכות. כמחצית מכלל הטרנזיסטורים שיצרה החברה לא עמדו בבדיקה זו, הם חולקו לשתי קבוצות (לפי מדד נוסף) והקבוצה הנחותה נמכרה לחובבים.
לקראת סוף שנות החמישים מספר הטרנזיסטורים המיוצרים בשנה עמד כבר על עשרות מיליונים, ובארצות הברית פעלו בתחום קרוב ל־20 חברות. עולם האלקטרוניקה התחיל במגמת מיזעור, שהאיצה עם המצאת טרנזיסטור MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) בשנת 1960, וטכנולוגיית CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) בשנת 1967. מגמת מזעור הרכיבים קיימת עד היום, ובמשך תקופה ארוכה מספר הטרנזיסטורים שניתן לכלול ברכיב בודד מוכפל כל כשנתיים, מגמה הקרויה חוק מור.
באוקטובר 2015 פורסם שחברת IBM מפתחת טרנזיסטורים ממוזערים שעשויים להשאיר בתוקף את חוק מור עד לאחר שנת 2028 אך בשנת 2016 הצהיר סמנכ"ל אינטל וראש חטיבת הטכנולוגיה והייצור, ויליאם הולט, שבעתיד לא יוכלו לשפר את ביצועי המעבדים אלא רק את צריכת החשמל שלהם.
רקע תאורטי.
חומר מוליך למחצה הוא חומר בעל מוליכות חשמלית נמוכה יחסית לחומרים מוליכים, אך גבוהה יותר מזו של חומרים מבודדים. ייחודם של חומרים אלה הוא במבנה הכימי של גבישיהם, המאפשר, על ידי הכנסת 'זיהום' (doping) בכמות קטנה, ליצור אוכלוסייה של נושאי מטען בחומר, ובכך לשנות את המוליכות של החומר. ריכוז נושאי המטען באזורים שונים של הגביש ניתן לשינוי באמצעים חשמליים וכך ניתן לממש התקנים חשמליים מורכבים.
ה'זיהום' המדובר הוא אטומים של יסוד אחר מעמודה סמוכה בטבלה המחזורית לזו של המוליך למחצה. בהתאם לסוג החומר המזהם, יהיו נושאי המטען בחומר שליליים (אלקטרונים עודפים) או חיוביים (אלקטרונים חסרים, הנקראים לעיתים גם חורים). פעולת ה'זיהום' נקראת בעברית גם אילוח (באנגלית doping). על ידי זיהום מבוקר ניתן לשלוט לא רק בסוג נושאי המטען בחומר, אלא גם בכמותם.
את החומר המוליך למחצה המזוהם, נהוג לסמן באותיות ובסמלים בהתאם לסוג נושאי המטען שנוצרו בו ולכמותם. חומר שקיים בו ריכוז נמוך של נושאי מטען חיוביים יסומן למשל בסימון p-, וחומר שקיים בו ריכוז גבוה של נושאי מטען שליליים יסומן בסימון n+. באופן כללי ניתן לומר שקיימים ארבעה סוגים של זיהומים:
+p-, p+, n-, n
אם כי רמות הזיהום יכולות להשתנות בצורה משמעותית בתוך הגדרות אלה.
סוגים של טרנזיסטורים.
טרנזיסטור MOSFET.
טרנזיסטור Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor - MOSFET או בקיצור FET, הוא הטרנזיסטור הנפוץ ביותר כיום, ומשמש בעיקר במעגלים לוגיים. שמו נגזר מאופן פעולתו - שדה חשמלי יוצר תעלה שבה קיים ריכוז גבוה של נושאי מטען, ולכן יכול לזרום בה זרם חשמלי. אופן הפעולה של טרנזיסטורי FET דומה לזה של הטריודה אולם טכנולוגיית המוליכים למחצה אפשרה בניית התקן מוקטן ללא צורך בשפופרת ריק (מצב מוצק). הטרנזיסטור מתפקד כמקור זרם תלוי-מתח - הפעלת מתח (שיוצר שדה חשמלי) מאפשרת זרימת זרם דרכו - וזה השימוש העיקרי שלו. ככל שאורך התעלה קטן יותר, זמן המיתוג (מעבר ממצב של נתק למצב של העברת זרם) מתקצר. אורך התעלה הוא לכן אחד הפרמטרים החשובים ביותר בטכנולוגיה. עם השנים, הטכנולוגיה משתכללת, ומאפשרת ייצור טרנזיסטורים בעלי אורך תעלה הולך וקטן. אורך התעלה נמדד במיקרונים ומשמש לעיתים קרובות לציון הרמה הטכנולוגית של המעגל משולב. אורכי התעלה ירדו מסדר גודל של עשרות מיקרונים לננומטרים בודדים.
טרנזיסטור MOSFET בנוי מבסיס של חומר מוליך למחצה בעל אילוח מסוים - הנקרא מצע (Bulk) - שעליו המצע מושתלים שני אזורים של חומר מוליך למחצה בעל אילוח שונה, המוצא (Source) והשפך (Drain). מעל ההתקן נמצא השער (Gate) - הדק מתכתי המבודד מהמוליך למחצה על ידי שכבה של חומר מבודד. בטרנזיסטורים העשויים מסיליקון המבודד הוא תחמוצת סיליקון.
כאשר המצע עשוי מחומר מוליך למחצה מסוג p, במצע יהיו הרבה חורים ומעט אלקטרונים חופשיים. האזורים המושתלים, לעומת זאת, עשויים מחומר n ולכן יש בהם הרבה אלקטרונים. על ידי הפעלת מתח חיובי על השער, ייווצר שדה חשמלי, שימשוך אלקטרונים מהמצע לעבר השער (הסבר מפורט ניתן למצוא בעקרון הפעולה של קבל). כך תיווצר שכבת אלקטרונים, שנקראת "שכבת אינוורסיה" (מלשון היפוך, שכן מדובר באזור p, שבו קיים לכאורה רוב של נושאי מטען חיוביים, אלא שהמתח בשער יוצר שכבה שבה רוב נושאי המטען הם שליליים) או "תעלה". כעת אם יופעל מתח חשמלי בין המקור לשפך, יזרום זרם אלקטרונים בין המקור לשפך דרך התעלה. טרנזיסטור MOS בעל מצע מסוג P נקרא NMOS (משום שההולכה בו היא הולכה של אלקטרונים), ואילו טרנזיסטור בעל מצע מסוג N נקרא PMOS (שבו ההולכה היא של חורים). בתמונה למעלה מתואר טרנזיסטור NMOS.
לטרנזיסטור מסוג N התנגדות תעלה נמוכה יותר מזו של סוג P עקב הבדלי ניידות בין אלקטרונים וחורים.
ניתן לייצר את הטרנזיסטור בשתי טכנולוגיות, depletion mode ו־enhancement mode. ב־enhancement mode, המצע מאולח כך שאינו מוליך ללא מתח בשער. ב־depletion mode, המצע מאולח כך שיוליך ללא מתח כמעט במצב רוויה (ראו מטה). רוב טרנזיסטורי ה־MOSFET מיוצרים ב־enhancement mode, אך קיימים גם טרנזיסטורים מסוג NMOS בטכנולוגיית depletion.
ניתן לחלק את התנהגותו של טרנזיסטור MOS ל־3 מצבי פעולה עיקריים, התלויים במתחים המופעלים על הדקיו:
טרנזיסטור BJT.