ב־2006 ביים והפיק את הסרט הדוקומנטרי "52-50" עבור קשת ערוץ 2, בהפקת אריק ברנשטיין ועלמה הפקות. הסרט הוא וידאו-אקטיביזם ועוסק באלימות משטרת הגירוש כנגד עובדים זרים.
ב־2007 ביים עבור הערוץ הצרפתי ארטה, שלושה סרטים קצרים מתוך פרויקט "הסצנה החסרה" בהפקת קוארק הפקות.
ב־2008 ביים והפיק בשיתוף הצלם קובי צאיג. את הסרט הדוקומנטרי "המלך לאטי הראשון". הסרט עוסק בעובד זר מסנגל הנשוי בישראל לאישה ממוצא רוסי, ורוצה שבנו הישראלי יהיה מלך של שבט בסנגל. הוקרן בבכורה בתחרות הרשמית של פסטיבל דוקאביב.
ב־2010 כתב כתסריטאי ראשי וכותב דיאלוגים בסדרת הטלוויזיה "האלופה 3" עבור "הוט".
ב־2014 היה שותף כתסריטאי פיתוח עלילות לכתיבת העונה הראשונה של הסדרה "מתים לרגע" עבור "הוט".
ב־2015 יצא לקולנוע בישראל סרטו האישי ביותר "10% ילדה שלי" אותו כתב, ביים, הפיק והפיץ. הסרט זכה בפרס סרט הפרינג' בתחרות פרסי אופיר, והיה בין ששת המועמדים האחרונים לזכייה, והשתתף בפסטיבלים רבים כולל פסטיבל ירושלים ופסטיבל סנטה ברברה. הסרט הוא דרמה קומית העוסקת בקשר בין בחור בן 27 לילדה הצעירה בת ה-8 של בת הזוג החדשה שלו. הסרט בכיכובם של אודי פרסי, ויהלי פרידמן ומשתתפים בו גם עידן אלתרמן, ורד פלדמן, גור בנטביץ' ואורי קלאוזנר. מפיקים נוספים - שלום גודמן, עדן צולי, קובי צאיג, בן כליפי.
ב־2017 ביים את צילומי החוץ של העונה השנייה של התוכנית "הטוב מכולם" בהנחיית אברי גלעד, עבור רשת.
ב־2019 ערך תרגום והוציא לאור בשיתוף עם שלום גודמן והוצאת אסיה תרגום של הספר "להרוג את הכלב השני" מאת הסופר הפולני מארק חלאסקו, ובתרגום של עילי הלפרן. הספר הוצא כחלק מעבודה על תסריט לסרט העוסק בשנים אותן העביר מארק חלאסקו בישראל.
ב־2020 ביים את הסדרה הדוקומנטרית "שמיים בצבע אדום" בשיתוף עם היוצר נתי דינר ובהפקתו עבור "כאן 11". הסדרה בת 3 פרקים עוסקת בהיסטוריה של ירי הרקטות מרצועת עזה, החל מהרקטה הראשונה שנחתה בשדרות ועד לימינו, ובסיפורה של מערכת כיפת ברזל. הסדרה מועמדת לשלושה פרסים בתחרות הטלוויזיה של האקדמיה הישראלית - פרס הסדרה הדוקומנטרית, פרס הבימוי ופרס הצילום.
מפרץ לנד
מפרץ לנד (באנגלית: Land Bay) המכונה גם מפרץ אמורי לנד (באנגלית: Emory Land Bay) הוא מפרץ מלא קרח, בחוף ארץ מרי בירד שבאנטארקטיקה.
רוחבו של המפרץ 70 קילומטרים.
המפרץ ממוקם בסמוך ממזרח לאי גרובס.
היסטוריה.
גילוי המפרץ.
המפרץ התגלה על ידי השירות האנטארקטי של ארצות הברית (אשר חקר את אנטארקטיקה בין השנים 1939–1941).
מקור השם.
המפרץ נקרא על שם קרחון לנד הנשפך אליו.
הקרחון נקרא על שמו של אדמירל אמורי ס. לנד (Emory S. Land), שהיה יושב ראש המועצה הימית של ארצות הברית (U.S. Maritime Commission).
לקריאה נוספת.
• R. Kwok, Ross Sea Ice Motion, Area Flux, and Deformation, Journal of Climate: Vol. 18, No. 18, pp. 3759–3776. doi: 10.1175/JCLI3507.1
אוניברסיטת אוסקה
אוניברסיטת אוסקה (ביפנית: 大阪大学) היא אוניברסיטה לאומית הממוקמת במחוז אוסקה שביפן אשר הוקמה בשנת 1724. זוהי אחת האוניברסיטאות הראשונות שהוקמו ביפן. אוניברסיטת אוסקה נחשבת לאחת משלוש האוניברסיטאות המובילות ביפן ביחד עם אוניברסיטת קיוטו ואוניברסיטת טוקיו. תוכניות הלימודים באוניברסיטה מושכות סטודנטים זרים מכל רחבי העולם.
מוסדות האוניברסיטה החלו לקום במהלך המאה ה-18, אך היא הוקמה באופן מודרני ורשמי בשנת 1931, ובכך הפכה האוניברסיטה למוסד האקדמי המודרני השישי ביפן. בית הספר לרפואה נוסד במקום בשנת 1869. בשנות ה-50 של המאה ה-20 הוקמו באוניברסיטה פקולטות ומחלקות מחקר רבות, ובהן בית הספר היפני הראשון להנדסה, ומחלקות לחינוך, פסיכולוגיה וסוציולוגיה. בשנת 1994 נוספו עוד שתי פקולטות לתארים מתקדמים.
באוניבסיטה פועלים 21 מכוני מחקר, 4 ספריות; הספרייה המרכזית, הספרייה למדעי החיים, הספרייה למדעים והנדסה והספרייה ללימודים בין-לאומיים ושני בתי חולים אוניברסיטאיים; בית החולים של אוניברסיטת אוסקה ובית החולים לרפואת שיניים של אוניברסיטת אוסקה. האוניברסיטה מפעילה גם מכוני מחקר והוראה מחוץ ליפן, הממוקמים בבנגקוק, שאנגחאי, חרונינגן וסן פרנסיסקו.
לאוניברסיטה יש שיתופי פעולה אקדמיים משמעותיים עם מוסדות רבים, ובהם אימפריאל קולג', אוניברסיטת צינגהואה, אוניברסיטת הרווארד, אוניברסיטת אוקספורד, אוניברסיטת קורנל, אוניברסיטת טורונטו, המכון הטכנולוגי של קליפורניה, אוניברסיטת סטנפורד, אוניברסיטת מקגיל, האוניברסיטה הלאומית של סינגפור, האוניברסיטה הלאומית של אוסטרליה, אוניברסיטת קלן, אוניברסיטת ז'נבה ואוניברסיטת בולוניה.
האוניברסיטה חברה בקונסורציום RU11, חברה באיגוד אוניברסיטאות המחקר במזרח אסיה, חברה בהתאגדות אוניברסיטאות האוקיינוס השקט והיא אחת מ לשעבר (1931, אוניברסיטת אוסקה הקיסרית).
ארגון אקדמי.
נכון לשנת 2022, יש באוניברסיטת אוסקה 11 פקולטות לתוכניות לתואר ראשון ו-15 בתי ספר לתארים מתקדמים:
אינדיום גליום ניטריד
אינדיום גליום ניטריד (InGaN, In x Ga 1 − x N) הוא חומר מוליך למחצה העשוי מתערובת של גליום ניטריד (GaN) ואינדיום ניטריד (InN). זה מוליך למחצה טרנסארי מקבוצה III / קבוצה V ישירה. ניתן לכוונן את שטח הפער האסור שלה על ידי שינוי בכמות האינדיום בסגסוגת. ב- x Ga 1 - x N יש טווח מעבר ישיר מהאינפרא אדום (0.69 eV) עבור InN לאולטרה סגול (3.4 eV) של GaN. היחס בין In / Ga הוא בדרך כלל בין 0.02 / 0.98 ל־0.3 / 0.7.
יישומים.
דיודות פולטות אור.
גליום ניטריד אינדיום הוא השכבה פולטת האור בדיודות כחולות וירוקות מודרניות ולעיתים קרובות מגודל על חיץ GaN על מצע שקוף, כמו למשל ספיר או סיליקון קרביד. יש לו קיבול חום גבוה והרגישות שלו לקרינה מייננת נמוכה (כמו ניטרידים אחרים בקבוצה III), מה שהופך אותו לחומר שעשוי להתאים למכשירים פוטו-וולטאיים סולאריים, במיוחד עבור מערכים לוויינים.
ניתן לחזות תאורטית כי פירוק ספינודלי של אינדיום ניטריד צריך להתרחש עבור קומפוזיציות בין 15% ל-85%, מה שמוביל לאזורי InGaN או אשכולות עשירים בגליום ועשירים באינדיום. עם זאת, רק הפרדה בשלב חלש נצפתה במחקרי מבנה מקומי ניסיוניים. תוצאות ניסוי אחרות המשתמשות בקתודולומינציה ועירוי פוטולומינטי על בארות קוונטים מרובים שה-InGaN בתוכן נמוך, הוכיחו כי מתן פרמטרים חומריים נכונים של סגסוגות InGaN / GaN, גישות תאורטיות עבור מערכות AlGaN / GaN, חלות גם על ננו-מבנים של InGaN.
GaN הוא חומר עשיר במומים עם צפיפות פריקה אופיינית העולה על 108 ס"מ 2-. פליטת אור משכבות InGaN שגדלו על מאגרי GaN כאלה המשמשים בדיודות LED בצבע כחול וירוק, צפויה להיות מושמצת בגלל שילוב לא מקרין בפגמים כאלה. אף על פי כן, בארות קוונטים של InGaN הם פולטי אור יעילים של אור ירוק, כחול, לבן ודיודות פולטות אור על-סגול ודיודות לייזר. האזורים העשירים באינדיום הם בעלי פער אסור נמוך יותר מהחומר שמסביב ויוצרים אזורים בעלי אנרגיה פוטנציאלית מופחתת עבור נשאי מטען. זוגות חור של אלקטרונים נלכדים שם ומשתלבים מחדש עם פליטת אור, במקום להתפזר לפגמים גבישיים שבהם השילוב אינ מקרין. כמו כן, הדמיות מחשב עקביות עם עצמן (self-consistent) הראו כי שילוב קרינתי ממוקד באזורים עשירים באינדיום.
ניתן לשלוט באורך הגל הנפלט, שתלוי בפער האסור של החומר, על ידי יחס ה-GaN / InN, מקרוב לאולטרה סגול עבור 0.02In / 0.98Ga עד 390 ננומטר עבור 0.1In / 0.9Ga, סגול-כחול 420 ננומטר עבור 0.2In / 0.8Ga, לכחול 440 ננומטר עבור 0.3In / 0.7Ga, לאדום ביחס גבוה יותר וגם לפי עובי שכבות ה-InGaN הנמצאות בדרך כלל בטווח של 2–3 נאנומטר. עם זאת, תוצאות הסימולציות האטומיסטיות הראו כי לאנרגיות הפליטה יש תלות קלה בווריאציות קטנות של מידות המכשיר. מחקרים שהתבססו על הדמיית מכשירים הראו כי ניתן יהיה להגדיל את יעילות ה-InGaN / GaN LED באמצעות הנדסת פער הפס, במיוחד עבור דיודות LED ירוקות.
פוטו-וולטאיקה.
היכולת לבצע הנדסת פערי פס עם InGaN בטווח המספק התאמה ספקטרלית טובה לאור השמש, הופכת את InGaN לתאים פוטו-וולטאיים סולאריים טובים. אפשר לגדל שכבות מרובות עם פערי פס שונים, מכיוון שהחומר לא רגיש יחסית לפגמים שהוצגו על ידי אי התאמה של הסריג בין השכבות. תא רב-צמתי דו-שכבתי עם פערי פס של 1.1 eV ו-1.7 eV יכול להשיג יעילות מקסימלית של 50% תאורטית, ועל ידי הפקדת שכבות מרובות המותאמות למגוון רחב של פערי פס, צפויה תאורטית יעילות של עד 70%.
תגובת פוטונית משמעותית הושגה ממכשירי InGaN חד-צמתי ניסיוניים. בנוסף לשליטה בתכונות האופטיות, שמביאה להנדסת פער הפס, ניתן לשפר את ביצועי המכשירים הפוטוולטאיים על ידי הנדסת המבנה המיקרוסקופי של החומר כדי להגדיל את אורך הנתיב האופטי ולספק לכידת אור. גידול ננו-עמודים במכשיר יכול להביא להוסיף לאינטראקציה מהדהדת עם אור, וננו-עמודים של InGaN הופקדו בהצלחה ב- באמצעות אידוי משופר בפלזמה. גידול ננו-מוטות (nanorod) עשוי להועיל גם בהפחתת העקירות הטורדניות אשר עשויות לשמש כמלכודות טעינה המפחיתות את יעילות תאי השמש.