Missao doSistema SENAI Contribuir para o fortalecimento da industria e o desenvolvimento pleno esustentavel do Pais, promovendo a educacao para o trabalho e a cidadania, a assistencia tecnica e tecnologica, a producao edisseminacao de informacao e a adequacao, geracao edifusao de tecnologia.Para que os portadores se movimentem no interior da estrutura de umtransistor e necessario aplicar tensoes entre os seus terminais. O movimentodos eletrons livres e lacunas esta intimamente relacionado a polaridade datensao aplicada a cada par de terminais do transistor, como descrito a seguir.OPERACAO DO TRANSISTOR NA REGIAO ATIVAA estrutura fisica dotransistor propicia a formacao de duas juncoes pn, conforme ilustrado na Fig.1: Uma juncao pn entre o cristalda base e o cristal do emissor, chamada de juncaobase-emissor.Uma juncao pn entre o cristal da base e o cristaldo coletor, chamada de juncaobase-coletor.A formacao das duas juncoesno transistor faz que ocorra um processo de difusao dos portadores. Como no caso do diodo, esse processo dedifusao da origem a uma barreira de potencial em cada juncao.No transistor, portanto,existem duas barreiras de potencial, mostradas na Fig.2, que se formam a partir da juncao dos cristaissemicondutores: A barreira de potencial na juncao base-emissor. A barreira de potencial na juncao base-coletor.As caracteristicas normais de polarizacao dosterminais do transistor sao sumarizadas a seguir.JUNCAO BASE-EMISSOR Na condicao normal defuncionamento, denominada de funcionamentona regiao ativa, a juncaobase-emissor fica polarizada diretamente, conforme ilustrado na Fig.3.A conducao atraves da juncaobase-emissor e provocada pela aplicacao de uma tensao externa entre a base e oemissor, com polarizacao direta, ou seja, com o material tipo p tendo polarizacao positiva com relacaoao material tipo n.JUNCAO BASE-COLETORPara operacao na regiaoativa, a juncao base-coletor fica polarizada inversamente, ou seja, com omaterial tipo p polarizadonegativamente em relacao ao material tipo n,conforme mostrado na Fig.4.POLARIZACAO SIMULTANEA DAS DUAS JUNCOESPara que o transistorfuncione adequadamente, as duas juncoes devem ser polarizadas simultaneamente.Isso e feito aplicando-se tensoes externas nas duas juncoes do componente. A Fig.5 mostra a forma de polarizacao deum transistor para operacao na regiao ativa.Uma forma alternativa de configuracao, que permite obter a operacao dotransistor na regiao ativa e mostrada na Fig.6,para o caso de um transistor npn.Uma inspecao do diagrama decircuito mostrado na Fig.6 permiteextrair as seguintes observacoes: A bateria B1 polariza diretamente a juncao base-emissor. A bateria B2 submete o coletor a um potencial mais elevadodo que aquele aplicado a base.Dessa forma, a juncaobase-coletor esta submetida a uma polarizacao inversa, o que juntamente com apolarizacao direta aplicada a juncao base-emissor, possibilita operacao naregiao ativa do transistor. Conclui-seportanto que os dois esquemas mostrados na Fig.7produzem polarizacoes equivalentes nas juncoes do transistor.Em resumo, para operacao de um transistor na regiaoativa, tem-se: Polarizacao direta da juncao base-emissor. Polarizacao inversa da juncao base-coletor.A alimentacao simultanea dasduas juncoes, atraves de baterias externas, da origem a tres tensoes entre osterminais do transistor: Tensao base-emissor, representada pelo parametro VBE. Tensao coletor-base, representada pelo parametro VCB. Tensao coletor-emissor, representada pelo parametro VCE. Essesparametros estao representados na Fig.8 paraos transistores pnp e npn. Como pode ser ai observado, astensoes entre os terminais sao definidas matematicamente pelas relacoesCom base na Fig.8, oualternativamente, somando as Eqs.(1)e (2) e comparando