semicondutor que pode ser integrado ao processo de fabricacao de chips de silicio com menos dificuldades, tanto que fabricantes de semicondutores ja sao capazes disso. O laser de germanio, portanto, pode ser o passo definitivo para o uso de luz em circuitos de computadores.As pesquisas com germanio nao sao de hoje. Em janeiro de 2008, ja era apontado como o elemento capaz de integrar a velocidade de conexoes opticas com os circuitos integrados de chips de silicio. Naquela epoca, a National Taiwan University revelou a operacao de um laser de germanio em um ambiente condicionado. No entanto, esse laser nao estava aplicado ao silicio.O desafio era encontrar o material ideal que pudesse ser integrado ao silicio durante a fabricacao do processador. De fato, lasers de silicio ja foram desenvolvidos, porem so podem emitir luz quando ajudados por outro laser, o que os tornam inutilizaveis para transferencias entre chips de computador.A Intel gigante fabricante de processadores ja desenvolveu um laser hibrido, teoricamente mais aplicavel que o modelo do MIT. No entanto, os pesquisadores de Massachusetts garantem que ja desenvolveram um aparato mais viavel e este sera divulgado em breve.Uma guinada nos estudosPara compreender a importancia do germanio, e necessario entender o conceito de banda de Valencia. Em fisica, o termo define um espaco ocupado por eletrons que se afastam de um nucleo apos a aplicacao de algum tipo de energia. Sao lacunas eletronicas, ou seja, buracos que serao preenchidos com outro material.Os semicondutores sao divididos em dois grupos: os com lacunas diretas na banda de Valencia e os com lacunas indiretas na banda de Valencia, como germanio e silicio. Simplificando tudo, lasers feitos de semicondutores funcionam da seguinte maneira: adiciona-se energia a um eletron, que entao pode atingir dois estados. No primeiro, ele libera energia como um foton e gera o laser, enquanto no segundo ele a libera de outras maneiras, como calor.Um eletron energizado ocupa naturalmente o estado de menor energia que ele pode encontrar. Em materiais com lacuna direta, o estado de emissao do foton tem menos energia que o estado posterior; em materiais com lacuna indireta, acontece exatamente o contrario. Portanto, tais eletrons tendem a nao emitir o foton em materiais de lacuna indireta. Logo, considera-se que semicondutores de lacuna indireta nao sao capazes de produzir laser.Em outras palavras: os eletrons estao em um nucleo. Cutucados com energia, eles ficam em posicao de repouso. Entao dependem do tipo de condutor utilizado para saber o que fazer. Um condutor com lacuna direta chama os eletrons com pouca energia e os transformam em luz, mas um condutor com lacuna indireta ja precisa desses eletrons com muita energia.Por isso, materiais com lacuna indireta, ate agora, eram considerados incapazes de produzir laser. Porem, mais do que a demonstracao do laser, os pesquisadores acabaram com esse conceito largamente difundido. Eles conseguiram fazer com que o germanio alcance o estagio de emissao de foton de duas maneiras.A primeira e conhecida como doping, na qual atomos de outro elemento sao adicionados ao cristal do semicondutor. Nesse caso, pesquisadores adicionaram fosforo ao germanio, o que permitiu que o