ficarem desordenadas, elas tambem ficam com dimensoes ligeiramente menores do que na pressao atmosferica devido a leve diminuicao do tamanho das ligacoes quimicas. De acordo com uma serie de estudos, existem tres principais mecanismos para explicar a amorfizacao dos solidos: (i) deformacao mecanica; (ii) decomposicao quimica e (iii) impedimento cinetico de uma transicao de fase para outra estrutura cristalina. O mecanismo (i) esta relacionado a deformacao nao-homogenea devido a componentes de cisalhamento introduzidas pela nao-hidrostaticidade. O mecanismo (ii) induz a formacao de produtos mais simples e geralmente o volume ocupado pelos produtos e menor do que o da fase original Um belo exemplo de amorfizacao induzida por pressao e aquele representado pelo Dy2Mo4O15 [8]. Aumentando-se a pressao produz-se um aumento das forcas de repulsao entre os atomos de oxigenio devido a diminuicao da distancia entre as nuvens eletronicas, entrando em acao o principio da exclusao de Pauli. Isso faz com que a estrutura seja desestabilizada, destruindo a ordem de longo alcance do cristal. Nesse caso especifico as evidencias para a ocorrencia da amorfizacao foram obtidas atraves de uma tecnica espectroscopica.Produzindo novos materiais:Uma vez que na natureza muitos materiais como o diamante sao produzidos sob condicoes extremas de pressao, e possivel que utilizando-se uma bigorna de diamantes, novos materiais sejam produzidos. Por exemplo, atraves da sinterizacao do Ba, Ca, Cu e Hg a altas pressoes obteve-se um supercondutor com uma alta temperatura de transicao supercondutora [9]. De fato, acredita-se que a aplicacao da temperatura e pressao a diversas misturas de elementos quimicos possa produzir uma imensa quantidade de novos materiais nao conhecidos na natureza, alguns deles, certamente, com interessantes possibilidades de aplicacoes tecnologicas. Este, e portanto, um amplo e aberto campo de pesquisa.Transformando propriedades eletronicas:Os materiais podem ser classificados, quanto a conducao eletronica, em metais, semicondutores e isolantes. Nos metais, parte dos eletrons do material encontra-se livre para se movimentar pela estrutura. Nos isolantes, quase nao ha movimento de eletrons movimentando-se ao longo de toda a estrutura cristalina do material. Os semicondutores seriam materiais com caracteristica intermediaria, apresentando uma resistencia eletrica bem maior do que os metais. Para explicar as caracteristicas dos materiais metalicos, existe um modelo utilizado pelos fisicos que e chamado de modelo do eletron quase livre. Nesse modelo os eletrons de valencia comportam-se semelhantemente a um gas. Este modelo e bom para descrever o comportamento de metais simples como o litio e o sodio, que sao metais nas chamadas condicoes normais de temperatura e pressao (isto e, T ~ 300 K e P = 1 atm). Entretanto, a aplicacao de altas pressoes, acima de 80 GPa, faz com que o litio passe de um estado metalico para um estado semicondutor, como pode ser visto na Figura 7 [10]. Aparentemente, a transicao metal-semicondutor e reversivel [pelo menos quando o experimento e realizado ate 86 GPa; no experimento em que a pressao atingiu seu maximo valor, 105 GPa, nao foi possivel verificar o comportamento eletrico do litio porque os diamantes se danificaram].Figura 7: Grafico da resistividade do litio em funcao da pressao obtidos com a amostra resfriada a 25 K. O litio,