ARCADE COM MULTIJOGOSFiz um novo arcade, passa tempo. Missao doSistema SENAI Contribuir para o fortalecimento da industria e o desenvolvimento pleno esustentavel do Pais, promovendo a educacao para o trabalho e a cidadania, a assistencia tecnica e tecnologica, a producao edisseminacao de informacao e a adequacao, geracao edifusao de tecnologia.Todo componente sujeito auma diferenca de potencial V epercorrido por uma corrente I consome uma potenciaP=VI (1)Pode-se citar, por exemplo,o caso de uma lampada que ao estar submetida a uma diferenca de potencial entreseus terminais e percorrida por uma corrente, dissipando energia em forma deluz e calor.O transistor consomepotencia devido a circulacao de corrente eletrica atraves das juncoes,provocada pela aplicacao de tensoes entre os seus terminais. Essa potenciadissipada na forma de calor, resulta em um aquecimento do componente.POTENCIA FORNECIDA AO TRANSISTORO transistor e um componente de tres terminais,conforme ilustrado na Fig.1.Admitindo os sentidos de corrente e os potenciais nos terminais ai indicados, apotencia fornecida ao transistor pelas fontes externas pode ser calculada darelacaoPtotal = VcIc + VbIb + VeIe (2)com os parametros IC, IB e IE, representando as correntes fluindo docircuito para os terminais do transistor e VC, VB e VE, correspondendo aos potenciais nos terminais C, Be E, respectivamente.Sem alteracao da Eq.(2) pode-se escrever Ptotal = VcIc+(VeIc-VeIc)+VbIb+(VeIb-VeIb)+VeIeou seja, os termos entre parentesis sao todos nulose nao alteram a Eq.(2). Reagrupando os termos daexpressao anterior, tem-se quePtotal=(Vc-Ve)Ic+(Vb-Ve)Ib+Ve(Ic+Ib+Ie)Com base na Fig.1as quedas de tensao entre os terminais Ce E e entre os terminais B e Epodem ser obtidas das relacoesDISSIPACAO MAXIMA NO TRANSISTORNas Eqs.(8) a (10) deve-seutilizar a convencao de sinais e as definicoes para as correntes e tensoes nosterminais do transistor. Dessa forma, para um transistor npn operando na regiao ativa os parametros IC, IB,VCE e VBE sao todos positivos, sendo todos negativos para ocaso de um transistor pnp. Assim, aspotencias obtidas das Eqs.(8) a (10) sao sempre numeros positivos.Como discutido em fasciculosanteriores, considerando o transistor operando na regiao ativa, conformeilustrado na Fig.2, tem-se que IB << IC.Alem disso, como na regiao ativa a juncao base-emissor e polarizada diretamenteVBE 0,2 a 0,3 V (germanio)VBE 0,6 a 0,7 V (silicio) e esses valores tipicos sao sempre bem inferiores atensao coletor-emissor em condicoes normais de operacao do transistor.Com essas consideracoes, conclui-se a partir das Eqs.(9) e (10) queas potencias PC e PBsatisfazem a condicaoPc=VceIc>>VbeIe=Pbou seja, a potencia de coletor e muito superior apotencia de base do transistor. Isso permite desprezar o segundo termo dosegundo membro da Eq.(8), i.e.,A potencia fornecida aotransistor e dissipada em forma de calor produzindo uma elevacao de temperaturada estrutura semicondutora do componente. Os valores maximos detemperatura de operacao dos cristais de germanio e silicio estao mostrados na Tabela 1. Acima dos limites detemperatura ai estabelecidos, as propriedades materiais dos cristais de Si e Gesofrem alteracoes significativas desviando-os de suas caracteristicas normaisde operacao.Tabela 1 Temperaturasmaximas de operacao para os cristais de Si e Ge Cristal Temperatura maxima silicio 120 C germanio 90C Para evitar que ascaracteristicas eletricas do transistor sejam influenciadas pelo aquecimentoexcessivo do cristal semicondutor, a potencia dissipada no transistor e limitadaa um valor que permite o funcionamento normal do componente.