com a Eq.(3), tem-se que as tensoes entreterminais satisfazem a condicaoVce=Vcb+Vbe (4)Na Fig.8 asbaterias externas estao polarizadas de forma a permitir a operacao do diodo na regiao ativa. Nessascondicoes, as tensoes definidas nas Eqs.(1)a (3) devem assumir os sinaisindicados na Tabela 1.Tabela 1 Sinais das tensoes entre terminais para os transistores pnp e npn. Tensao Transistor pnp Transistor npn VBE negativa positiva VCB negativa positiva VCE negativa positiva PRINCIPIO DE FUNCIONAMENTO DO TRANSISTOR BIPOLARA aplicacao de tensoesexternas ao transistor provoca o movimento de eletrons livres e lacunas nointerior da estrutura cristalina, dando origem as correntes nos terminais dotransistor. Utiliza-se como representacao de circuito para essas correntesaquela indicada na Fig.9.As correntes definidas na Fig.9, recebem as seguintes denominacoes: IB = corrente de base. IC = corrente de coletor. IE = corrente de emissor.O sentido das correntes representadasna Fig.9 segue uma convencao queestabelece:De acordo com essa convencao as correntes nos terminais do transistorsatisfazem a relacaoIb+Ic+Ie = 0 (9)Seguindo a convencao adotada, para transistores npn e pnp operando na regiao ativa, os sinais das tres correntesdefinidas anteriormente sao aqueles indicados na Tabela 2, conforme ilustrado na Fig.10.Tabela 2 Sinais dascorrentes nos terminais dos transistores pnpe npn para operacao na regiao ativa. Corrente Transistor pnp Transistor npn IB negativa positiva IC negativa positiva IE positiva negativa O principio basico queexplica a origem das correntes no transistor e o mesmo para estruturas npn epnp, e a analise do movimento de portadores de carga pode ser realizadatomando-se como exemplo qualquer das duas estruturas. Isso e feito a seguirpara a analise das correntes em um transistor pnp posto em operacao na regiao ativa.CORRENTE DE BASEA corrente de base eproduzida pela aplicacao de uma tensao que polariza diretamente a juncaobase-emissor e cujo efeito e semelhante aquele observado em um diodosemicondutor polarizado diretamente. Como ilustrado na Fig.11, a aplicacao de uma tensao positivaVeb=Ve-Vb (11)com um valor superior ao potencial de barreira da juncao base-emissor,facilita a injecao de lacunas do emissor para a base e de eletrons livres nosentido inverso. Como no caso de uma juncao semicondutora comum, o potencial debarreira e tipicamente 0,6 a 0,7 V para o silicio e 0,2 a 0,3V para o germanio.Transistores sao construidoscom o emissor tendo um grau de dopagem muito superior aquele da base. Dessa forma o fluxo de portadores ocorrepredominantemente por parte das lacunas injetadas na base. A pequenaquantidade de eletrons disponiveis na base se recombina com parte das lacunasai injetadas, dando origem a corrente de base. Com o pequeno grau de dopagem dabase, poucas recombinacoes ocorrem, resultando em um pequeno valor para a correntede base, normalmente na faixa de microamperes a miliamperes.Assim, a maior parte daslacunas provenientes do emissor nao se recombina com os eletrons da base,podendo portanto atingir a juncao base-coletor.CORRENTE DE COLETORDevido a pequena espessurada regiao da base e tambem ao seu pequeno grau de dopagem, o excesso de lacunasque nao se recombinaram com os eletrons naquela regiao atingem a juncaobase-coletor, conforme ilustrado na Fig.12.Como a juncao base-coletor esta inversamente polarizada, essas lacunas saoaceleradas pela queda de potencial existente naquela juncao, dando origem acorrente de coletor.A corrente de coletor tem umvalor