o transistor BC548 para operacao a uma temperaturaambiente de 50 C. No grafico da Fig.8, seleciona-se no eixo horizontalo valor de 50C para a temperatura ambiente.A intersecao com a curva, da linha vertical tracada a partir desse valor detemperatura, define o valor de 400 mW para a potencia de dissipacao maxima.Correntes de fuga no transistorOs transistores saofabricados com materiais semicondutores do tipo p e do tipo n. Essesmateriais sofrem um processo de purificacao e dopagem que permite obter apredominancia de um tipo de portador.Assim, qualquer cristalsemicondutor do tipo p apresenta umagrande quantidade de lacunas e apenas uma pequena quantidade de eletronslivres. Nesses materiais, as lacunas sao denominadas de portadores majoritarios e os eletrons de portadores minoritarios, conforme ilustrado na Fig.9a. Semelhantemente, em umsemicondutor tipo n, existe umagrande predominancia de eletrons livres em comparacao com as lacunas, conformemostrado na Fig.9b. Nessesmateriais, os eletrons livres sao os portadores majoritarios e as lacunas, osminoritarios.MOVIMENTO DOS PORTADORES MINORITARIOSOs portadores minoritariossofrem a influencia das tensoes externas aplicadas ao componente semicondutor,movimentando-se no interior da estrutura cristalina. O movimento de portadoresminoritarios atraves de uma juncao pnso e importante quando esta fica submetida a uma polarizacao inversa. Como podeser observado na Fig.10, o potencialinversamente aplicado favorece a injecao dos portadores minoritarios atraves dajuncao, dando origem a uma pequena corrente de fuga.Nos transistores o movimentodos portadores minoritarios e importante apenas na juncao base-coletor vistoque essa juncao permanece inversamente polarizada nas condicoes normais deoperacao do componente.CORRENTE DE COLETOR COM EMISSOR EM ABERTOA injecao dos portadoresminoritarios atraves da juncao base-coletor, inversamente polarizada, da origem a uma pequena correntede fuga entre base e coletor. Com o emissor em aberto, naconfiguracao mostrada na Fig.11,essa corrente de fuga assume um valor proximo daquele obtido para um diodoinversamente polarizado. Para o transistor, essa corrente e denominada de corrente de coletor com emissor em aberto, sendo representada peloparametro ICBO.CORRENTE DE COLETOR COM BASE EM ABERTOUm segundo parametro de importancia na avaliacao dos efeitos dascorrentes de fuga em um transistor e a correntede coletor com base em aberto, representada pelo parametro ICEO.Como mostrado na Fig.12, com a base em aberto tem-se IB = 0 e da Eq.(7) resultaCORRECAO DA RELACAO ENTRE AS CORRENTES NO TRANSISTORComo discutido em fasciculos anteriores, o ganho de corrente dotransistor em operacao na regiao ativa permite obter a corrente de coletordiretamente da corrente de base, a partir da expressaoNo entanto a Eq.(16) preve que a corrente de coletorse anula se a corrente de base tambem for nula. Conforme ja discutido na secao anterior isso nao ocorre pois com IB = 0, flui uma pequenacorrente ICEO entre coletor e emissor. Isso implica que a Eq.(16) foi obtida de forma aproximadasob a hipotese de o transistor operar na regiao ativa. No entanto, deve-seintroduzir uma modificacao na Eq.(16)de forma a se poder prever o comportamento do transistor quando a corrente debase tende a diminuir ate um valor nulo. Essa modificacao corresponde a umasimples adicao do termo ICEOao segundo membro da Eq.(16)resultando emComo mencionado anteriormente, a corrente ICBO e da ordem da correntede saturacao inversa obtida para um diodo comum. Surge entao uma importantequestao:Qual a ordemde grandeza da corrente