atraves das juncoes e que se difundira pelas camadas formadas pelos cristais p ou n. Essas camadas nao tem a mesma espessura e dopagem, de tal forma que:1.A base e a camada mais fina e menos dopada;2.O emissor e a camada mais dopada;3.O coletor e uma camada mais dopada do que a base e menos dopada do que o emissor.Uma pequena parte dos portadores majoritarios ficam retidos na base. Como a base e uma pelicula muito fina, a maioria atravessa a base a se difunde para o coletor.A corrente que fica retida na base recebe o nome de corrente de base (IB), sendo da ordem de microamperes. As correntes de coletor e emissor sao bem maiores, ou seja da ordem de miliamperes, isto para transistores de baixa potencia, podendo alcancar alguns amperes em transistores de potencia. Da mesma forma, para transistores de potencia, a corrente de base e significativamente maior.Podemos entao dizer que o emissor (E) e o responsavel pela emissao dos portadores majoritarios; a base (B) controla esses portadores enquanto que o coletor (C) recebe os portadores majoritarios provenientes do emissor.A exemplo dos diodos reversamente polarizados, ocorre uma pequena corrente de fuga, praticamente desprezivel, formada por portadores minoritarios. Os portadores minoritarios sao gerados no material tipo n (base), denominados tambem de corrente de fuga e sao difundidos com relativa facilidade ate ao material do tipo p (coletor), formando assim uma corrente minoritaria de lacunas. Lembre-se de que os portadores minoritarios em um cristal do tipo n sao as lacunas.Desta forma a corrente de coletor (IC), formada pelos portadores majoritarios provenientes do emissor soma-se aos portadores minoritarios (ICO) ou (ICBO).Aplicando-se a lei de Kirchhoff para corrente (LKT), obtemos:IE = IC + IB, onde:IC = IC (PORTADORES MAJORITARIOS) + ICO ou ICBO (PORTADORES MINORITARIOS) Para uma melhor compreensao, a figura a seguir ilustra o fluxo de corrente em um transistor npn, atraves de uma outra forma de representacao. No entanto, o processo de analise e o mesmo. Na figura acima oberva-se que os portadores minoritarios (ICO ou ICBO) provenientes da base sao os eletrons, que se somarao a corrente de coletor. Verifica-se ainda em relacao ao exemplo anterior (transistor pnp), que a corrente de base (IB) tem um sentido oposto , uma vez que, essa corrente e formada por lacunas. Da mesma forma as correntes de emissor (IE) e de coletor (IC) tambem tem sentidos opostos, por serem formadas por eletrons.OBS: Os transistores do tipo pnp e npn sao submetidos ao mesmo processo de analise, bastando para isso, inverter a polaridade das baterias de polarizacao e lembrar que:Cristal N - os portadores majoritarios sao os eletrons e os minoritarios as lacunas;Cristal P - os portadores majoritarios sao as lacunas e os minoritarios os eletrons. A figura abaixo mostra um circuito com transistor npn. A juncao base-emissor esta polarizada diretamente e por isto, representa uma regiao de baixa impedancia. A voltagem de polarizacao base-emissor e baixa (da ordem de 0,55V a 0,7V para transistores de silicio), polarizacao esta, caracterizada pela bateria VEE enquanto que, a juncao base-coletor esta reversamente polarizada em funcao da bateria