Discusión:Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor

message: No hay polarizaciones del mosfet en esta página las cuales son importantes, y no tienen la construcción interna de dicho dispositivo.200.62.106.103 (discusión) 17:46 4 abr 2010 (UTC)
replies: text: La explicación de la construcción interna ya fue agregada. --jjmontero9 (discusión) 19:48 28 mar 2012 (UTC)
thread_title:  Construcción interna y polarizaciones 

message: hay un ERROR importante .... en el apartado CONDUCCION LINEAL.... deberia poner :
" al polarizarse la puerta con una tension POSITIVA (nMOS) o NEGATIVA (pMOS) se crea una region de deplexión en la región que separa la fuente y el drenador" lo pone alreves y esta mal pues en Nmos la tension a aplicar en  puerta siempre es POSITIVA(no negativa)
cuando habla mas adelante en el mismo parrafo tambien esta equivocado pues deberia poner "portadores minoritarios HUECOS en zona N del  pMOS, ELECTRONES en zona P del nMOS"
:Es cierto, en un transistor pMOS el canal p se forma debido a la acción de los huecos, que son portadores minoritarios en un sustrato de tipo n. De manera similar, en un transistor nMOS el canal n se forma debido a la acción de los electrones, que son portadores minoritarios en el sustrato tipo p. Acabo de corregir el error en el texto del artículo. --jjmontero9 (discusión) 19:45 28 mar 2012 (UTC)
thread_title:  Error en el apartado Conducción Lineal 

message: Propongo la traducción desde el artículo en inglés, para mejorar la estructura general del artículo y agregar información detallada. Faltan referencias, las secciones actuales están incompletas y desordenadas. Sería importante conservar la información actual y unirla a la de la Wiki en inglés para contar con un artículo mucho más completo. --jjmontero9 (discusión) 16:51 28 mar 2012 (UTC)
thread_title:  Traducción 

message: La figura de NMOS en la región de saturación es incorrecta. Pone que al aplicar una tensión de drenador más alta, los electrones son atraídos con más fuerza hacia el drenador y el canal se deforma. En realidad el canal se deforma en sentido opuesto al descrito en la imagen, desapareciendo el canal de la zona cercana al drenador. En la versión en inglés la imagen utilizada es la correcta.--Zhisi (discusión) 19:31 9 ene 2015 (UTC)
replies: text: Tienes razón, las figuras estaban incorrectas. Acabo de corregir las imágenes. Gracias! --jjmontero9 talk 10:12 9 ene 2017 (UTC)
thread_title:  Figura de NMOS en la región de saturación 

message: Hola,
Acabo de modificar 1 enlaces externos en Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor. Por favor tomaos un momento para revisar mi edición. Si tenéis alguna pregunta o necesitáis que el bot ignore los enlaces o toda la página en su conjunto, por favor visitad esta simple guía para ver información adicional. He realizado los siguientes cambios:
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Saludos.—InternetArchiveBot (Reportar un error) 21:00 19 dic 2017 (UTC)
thread_title:  Enlaces externos modificados 

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thread_title:  Enlaces externos modificados 

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