বিশ্ব রঞ্জন নাগ

বিশ্ব রঞ্জন নাগ (১ অক্টোবর ১৯৩২ – ৬ এপ্রিল ২০০৪) ছিলেন একজন ভারতীয় পদার্থবিদ এবং কলকাতা বিশ্ববিদ্যালয়ের অধীনস্থ রাজাবাজার সায়েন্স কলেজের শিশির কুমার মিত্র চেয়ার অধ্যাপক। অর্ধপরিবাহী পদার্থবিদ্যা বিষয়ক গবেষণার জন্য পরিচিত, বিশ্ব রঞ্জন নাগ ছিলেন ভারতীয় জাতীয় বিজ্ঞান একাডেমী ও ভারতীয় বিজ্ঞান একাডেমীর নির্বাচিত ফেলো। বৈজ্ঞানিক গবেষণার জন্য ভারত সরকারের শীর্ষ সংস্থা বৈজ্ঞানিক ও শিল্প গবেষণা পরিষদ, তাঁকে ভৌত বিজ্ঞানে তাঁর অবদানের জন্য ১৯৭৪ খ্রিস্টাব্দে বিজ্ঞান ও প্রযুক্তিতে শান্তি স্বরূপ ভটনাগর পুরস্কারে ভূষিত করে, যা সর্বোচ্চ ভারতীয় বিজ্ঞান বিষয়ক পুরস্কারসমূহের মধ্যে একটি। বিশ্ব রঞ্জন নাগ ১৯৩২ খ্রিস্টাব্দের ১লা অক্টোবর ব্রিটিশ ভারতে অবিভক্ত বাংলার (বর্তমান বাংলাদেশ) কুমিল্লা শহরে জন্মগ্রহণ করেন। বিশ্ব রঞ্জন নাগ ১৯৪৯–৫১ খ্রিস্টাব্দে কলকাতাস্থিত প্রেসিডেন্সি কলেজে স্নাতক অধ্যয়ন করেন এবং কলকাতা বিশ্ববিদ্যালয়ের রাজাবাজার বিজ্ঞান কলেজ বিদ্যায়তনে (রাসবিহারী শিক্ষাপ্রাঙ্গন) ইনস্টিটিউট অব রেডিওফিজিক্স অ্যান্ড ইলেকট্রনিক্স (আইআরই) থেকে ১৯৫৪ খ্রিস্টাব্দে প্রযুক্তিতে স্নাতকোত্তর ডিগ্রি (এমটেক) অর্জন করেন। তিনি ১৯৫৬ খ্রিস্টাব্দে আইআরই-এর একজন অনুষদ সদস্য হিসাবে তাঁর কর্মজীবন শুরু করেন এবং একই সাথে অরুণ কে. চৌধুরীর পরামর্শে ডক্টরেট অধ্যয়ন করেন। এর মধ্যে, তিনি ১৯৫৯ খ্রিস্টাব্দে এমএস অর্জনের জন্য উইসকনসিন-ম্যাডিসন বিশ্ববিদ্যালয়ে এক বছর অতিবাহিত করেন। বিশ্ব রঞ্জন নাগ তাঁর ডক্টর অব ফিলোসফি বা পিএইচডি উপাধি অর্জনের জন্য পুনরায় গবেষণা ও অধ্যয়ন (ডক্টরাল) শুরু করার জন্য কলকাতায় ফিরে আসেন, এবং ১৯৬১ সালে পিএইচডি অর্জন করেন। তাঁর শিক্ষকতা পেশা অব্যাহত রেখে তিনি ১৯৬৮ খ্রিস্টাব্দে একজন পূর্ণ অধ্যাপক হয়ে ওঠেন। আরও গবেষণার কারণে তিনি ১৯৭২ খ্রিস্টাব্দে কলকাতা বিশ্ববিদ্যালয় থেকে ডক্টর অব সায়েন্স ডিগ্রি অর্জন করেন। তিনি বিশ্ববিদ্যালয়ে তাঁর নিয়মিত একাডেমিক কর্মজীবনের দায়িত্ব পালন করেন এবং ১৯৯৭ খ্রিস্টাব্দে শিশির কুমার মিত্র অধ্যাপক হিসেবে তার কর্মজীবন সম্পন্ন করার পরেও তার সহযোগীতা অব্যাহত রাখেন। এর মধ্যে, তিনি গুইনেডের ব্যাঙ্গরে কমনওয়েলথ অনাবাসিক অধ্যাপক হিসেবেও কাজ করেছেন। বিশ্ব রঞ্জন নাগের বিবাহ হয়েছিল মৃদুলা রায় চৌধুরীর সহিত, এবং এই দম্পতির দুই সন্তান রয়েছে, বিশ্বদীপ ও মৃদুচন্দ। তিনি ২০০৪ খ্রিস্টাব্দের ৬ই এপ্রিল ৭১ বছর বয়সে কলকাতায় মৃত্যুবরণ করেন। বিশ্ব রঞ্জন নাগের গবেষণা অর্ধপরিবাহীসমূহের উপর দৃষ্টি নিবদ্ধ করেছিল এবং এটি সেই উচ্চ বৈদ্যুতিক প্রতিরোধী কঠিন পদার্থের বৈদ্যুতিক পরিবহন প্রপঞ্চ সম্পর্কে আমাদের উপলব্ধি প্রসারিত করতে সাহায্য করেছে। কলকাতা বিশ্ববিদ্যালয়ে তাঁর প্রাথমিক বছরগুলিতে, তিনি একদল শিক্ষার্থীদের নেতৃত্ব দেন যারা অর্ধপরিবাহী বৈশিষ্ট্যের মাইক্রোওয়েভ পরিমাপের উপর গবেষণায় নিযুক্ত ছিলেন এবং গান প্রভাব ও অণুতরঙ্গ বিকিরণ বিষয়ক উন্নত গবেষণা করেছিলেন। তিনি দ্বি-মাত্রিক ইলেকট্রন গ্যাসের তাপমাত্রার স্বতন্ত্রতা এবং এর অ্যালয় স্ক্যাটারিং সীমিত গতিশীলতা প্রদর্শন করেন, যা ছিল প্রথমবারের মতো আবিষ্কার। তাঁর গবেষণায় সংকীর্ণ কোয়ান্টাম ওয়েল-এ ইলেকট্রন শক্তির বিচ্ছুরণের অ-পরাবৃত্তীয় প্রকৃতি প্রকাশ পেয়েছে, এবং এটি সীমিত বাধা উচ্চতা ও ওয়েল প্রস্থ সহ কোয়ান্টাম ওয়েলসের জন্য সীমিত গতিশীলতার ইন্টারফেস রুক্ষতা বিক্ষিপ্তকরণের তত্ত্বকে পরিবর্তন করেছে। তরল-পর্যায়ে সুশৃঙ্খল পরিবৃদ্ধি অর্ধপরিবাহী III-V যৌগসমূহ, অ্যাকোস্টো-ইলেকট্রিক ইফেক্ট ও ফ্রি ক্যারিয়ার শোষণ, জিনি সহগ এবং হট-ইলেক্ট্রন গ্যালভানোম্যাগনেটিক ট্রান্সপোর্টের সঙ্গে সম্পর্কিত সি সহগ ছিল তাঁর গবেষণার অন্যান্য ক্ষেত্র। তিনি অর্ধপরিবাহী সম্পর্কিত ইলেক্ট্রন পরিবহন তত্ত্বের বিকাশে অবদান রেখেছিলেন, এবং বেগের পারস্পরিক সম্পর্ক, প্রসারণ ও শব্দের পরামিতি সম্পর্কিত সহগ গণনার জন্য মন্টে কার্লো পদ্ধতি তৈরি করেছিলেন। অণুতরঙ্গ যোগাযোগ ও রাডার, বিশেষ করে অণুতরঙ্গ অর্ধপরিবাহী যন্ত্রের উন্নয়নের ক্ষেত্রে তাঁর কাজের মূল অংশের প্রাসঙ্গিকতা রয়েছে বলে জানা গিয়েছে। তাঁর অধ্যয়ন বেশ কয়েকটি নিবন্ধের মাধ্যমে নথিভুক্ত করা হয়েছে এবং তাদের মধ্যে ইন্ডিয়ান একাডেমী অব সায়েন্সেস-এর নিবন্ধ ভাণ্ডার ১৯০ টি নিবন্ধকে তালিকাভুক্ত করেছে। তিনি তিনটি মনোগ্রাফ রচনা করেন, থিওরি অব ইলেকট্রিকাল ট্রান্সপোর্ট ইন সেমিকন্ডাক্টরস, ফিসিক্স অব কোয়ান্টাম ওয়েল ডেভিসেস এবং ইলেক্ট্রন ট্রান্সপোর্ট ইন কম্পাউন্ড সেমিকন্ডাক্টরস যার মধ্যে সর্বশেষ উল্লিখিতটি গবেষকদের জন্য একটি গুরুত্বপূর্ণ তথ্যসূত্র পাঠ্য বলে জানা গেছে। তিনি অন্যদের দ্বারা প্রকাশিত বইতে অধ্যায় রচনার মধ্যদিয়ে অবদান রেখেছিলেন, এবং তাঁর কাজ অনেক বইতে উদ্ধৃত হয়েছে। বিশ্ব রঞ্জন নাগ, ইন্ডিয়ান ন্যাশনাল একাডেমি অব ইঞ্জিনিয়ারিংয়ের প্রতিষ্ঠাতা ফেলো, ১৯৬৪ খ্রিস্টাব্দের ব্রিটিশ ইনস্টিটিউশন অব রেডিও ইঞ্জিনিয়ার্সের জে.সি. বোস মেমোরিয়াল পুরস্কার পান। বৈজ্ঞানিক ও শিল্প গবেষণা পরিষদ তাঁকে ১৯৭৪ খ্রিস্টাব্দে শান্তি স্বরূপ ভটনাগর পুরস্কার প্রদান করে, যা ভারতের সর্বোচ্চ বিজ্ঞান পুরস্কারগুলির মধ্যে একটি। তিনি ১৯৭৫ খ্রিস্টাব্দে জওহরলাল নেহরু ফেলোশিপের জন্য নির্বাচিত হন এবং ভারতীয় ন্যাশনাল সায়েন্স একাডেমী তাঁকে ১৯৭৮ খ্রিস্টাব্দে একজন ফেলো হিসেবে নির্বাচিত করে; একাডেমী তাকে আবার ১৯৯৩ খ্রিস্টাব্দে উপাদান বিজ্ঞানের জন্য আইএনএসএ পুরস্কার দিয়ে সম্মানিত করে। তিনি ইন্ডিয়ান অ্যাকাডেমি অব সায়েন্সেসের নির্বাচিত ফেলো হন। বিশ্ব রঞ্জন নাগ একাডেমিক চাকরি থেকে অবসর নেওয়ার এক বছর পরে কলকাতা বিশ্ববিদ্যালয়ের রেডিও পদার্থবিদ্যা ও ইলেকট্রনিক্স বিভাগ ১৯৯৮ খ্রিস্টাব্দে তাঁর সম্মানে একটি বার্ষিক সম্মেলন – "ইন্টারন্যাশনাল কনফারেন্স অন কম্পিউটার অ্যান্ড ডিভাইসস ফর কমিউনিকেশন (সিওডিইসি)" – প্রতিষ্ঠা করে। ফোনন অর্ধপরিবাহী পদার্থের তালিকা আইনস্টাইন সম্পর্ক (কাইনেটিক তত্ত্ব) ইলেক্ট্রন গতিশীলতা ভারত প্রবেশদ্বার পদার্থবিজ্ঞান প্রবেশদ্বার দীর্ঘ লিঙ্ক - বিস্তারিত দেখতে অনুগ্রহ করে পুরস্কারের বছর নির্বাচন করুন অনুগ্রহ করে নির্বাচিত গ্রন্থপঞ্জি বিভাগ দেখুন "View Bhatnagar Awardees"। শান্তি স্বরূপ ভটনাগর প্রাইজ। ২০১৬। সংগ্রহের তারিখ ১২ নভেম্বর ২০১৬।  "B. R. Nag – Obituary" (পিডিএফ)। Current Science। ২০০৪।  Proceedings of the International Conference on Computers and Devices for Communication। Allied Publishers। ১৯৯৮। পৃষ্ঠা 19–। আইএসবিএন 978-81-7023-767-9।  "Deceased fellow"। Indian National Science Academy। ২০১৭। ৭ আগস্ট ২০২০ তারিখে মূল থেকে আর্কাইভ করা। সংগ্রহের তারিখ ১০ জানুয়ারি ২০২৪।  "Codec History"। CODEC 2012। ২০১৭।  "Brief Profile of the Awardee"। Shanti Swarup Bhatnagar Prize। ২০১৭।  P.K. Basu, B.R. Nag (১৯৮৪)। "Alloy scattering limited mobility of two-dimensional electron gas formed in In0.53Ga0.47As"। Surface Science। 142 (1–3): 256–259। ডিওআই:10.1016/0039-6028(84)90317-0। বিবকোড:1984SurSc.142..256B।  "Handbook of Shanti Swarup Bhatnagar Prize Winners" (পিডিএফ)। Council of Scientific and Industrial Research। ১৯৯৯। ৪ মার্চ ২০১৬ তারিখে মূল (পিডিএফ) থেকে আর্কাইভ করা। সংগ্রহের তারিখ ১৪ এপ্রিল ২০১৭।  "Browse by Fellow"। Indian Academy of Sciences। ২০১৭।  B. R. Nag (১৯৭২)। Theory of electrical transport in semiconductors। Pergamon Press। আইএসবিএন 9780080168029।  B.R. Nag (১১ এপ্রিল ২০০৬)। Physics of Quantum Well Devices। Springer Science & Business Media। আইএসবিএন 978-0-306-47127-8।  B.R. Nag (৬ ডিসেম্বর ২০১২)। Electron Transport in Compound Semiconductors। Springer Science & Business Media। আইএসবিএন 978-3-642-81416-7।  Institution of Engineers (India) (জুলাই ১৯৬৮)। Journal of the Institution of Engineers (India)। The Institution।  K. Lal (২ ডিসেম্বর ২০১২)। Synthesis, Crystal Growth and Characterization। Elsevier Science। পৃষ্ঠা 426–। আইএসবিএন 978-0-08-098469-8।  Institution of Engineers (India). Metallurgy & Material Science Division (১৯৬৭)। Journal of the Institution of Engineers (India). Part MM, Mining & Metallurgy Division। The Institution।  Hari Singh Nalwa (১৭ নভেম্বর ২০০১)। Handbook of Thin Films, Five-Volume Set। Academic Press। পৃষ্ঠা 492–। আইএসবিএন 978-0-08-053324-7।  Karl W. Böer (২৩ এপ্রিল ২০১৪)। Handbook of the Physics of Thin-Film Solar Cells। Springer Science & Business। পৃষ্ঠা 826–। আইএসবিএন 978-3-642-36748-9।  Proceedings of the International Conference on Computers and Devices for Communication। Allied Publishers। ১৯৯৮। পৃষ্ঠা 19–। আইএসবিএন 978-81-7023-767-9।  Kamakhya P. Ghatak; Sitangshu Bhattacharya (৩০ জুলাই ২০১৪)। Heavily-Doped 2D-Quantized Structures and the Einstein Relation। Springer। পৃষ্ঠা 17–। আইএসবিএন 978-3-319-08380-3।  Kamakhya Prasad Ghatak; Sitangshu Bhattacharya; Debashis De (১৬ নভেম্বর ২০০৮)। Einstein Relation in Compound Semiconductors and Their Nanostructures। Springer Science & Business Media। পৃষ্ঠা 9–। আইএসবিএন 978-3-540-79557-5।  "CSIR list of Awardees"। Council of Scientific and Industrial Research। ২০১৭।  "List of Jawaharlal Nehru Fellows"। Jawaharlal Nehru Memorial Fund। ২০১৭।  "INSA Year Book 2016" (পিডিএফ)। Indian National Science Academy। ২০১৭। ৪ নভেম্বর ২০১৬ তারিখে মূল (পিডিএফ) থেকে আর্কাইভ করা। সংগ্রহের তারিখ ১৪ এপ্রিল ২০১৭।  "INSA Prize for Materials Science"। Indian National Science Academy। ২০১৭। ১৬ সেপ্টেম্বর ২০১৬ তারিখে মূল থেকে আর্কাইভ করা। সংগ্রহের তারিখ ১৪ এপ্রিল ২০১৭।  "Fellow profile"। Indian Academy of Sciences। ২০১৭।  বি. আর. নাগ (১৯৭২)। Theory of electrical transport in semiconductors। পারগামন প্রেস। আইএসবিএন 9780080168029।  বি. আর. নাগ (১১ এপ্রিল ২০০৬)। Physics of Quantum Well Devices। স্প্রিঙ্গার সায়েন্স অ্যান্ড বিজনেস মিডিয়া। আইএসবিএন 978-0-306-47127-8।  বি. আর. নাগ (৬ ডিসেম্বর ২০১২)। Electron Transport in Compound Semiconductors। স্প্রিঙ্গার সায়েন্স অ্যান্ড বিজনেস মিডিয়া। আইএসবিএন 978-3-642-81416-7।  ইনস্টিটিউশন অব ইঞ্জিনিয়ার্স (ইন্ডিয়া), ধাতুবিদ্যা ও পদার্থ বিজ্ঞান বিভাগ (১৯৬৭)। Journal of the Institution of Engineers (India). Part MM, Mining & Metallurgy Division। দ্য ইনস্টিটিউশন।  ইনস্টিটিউশন অব ইঞ্জিনিয়ার্স (ইন্ডিয়া) (জুলাই ১৯৬৮)। Journal of the Institution of Engineers (India)। দ্য ইনস্টিটিউশন।  কে. লাল (২ ডিসেম্বর ২০১২)। Synthesis, Crystal Growth and Characterization। এলসেভিয়ার সায়েন্স। পৃষ্ঠা ৪২৬–। আইএসবিএন 978-0-08-098469-8।  পি.কে. বসু, বি.আর. নাগ (১৯৮৪)। "Alloy scattering limited mobility of two-dimensional electron gas formed in In0.53Ga0.47As"। সারফেস সায়েন্স। ১৪২ (১–৩): ২৫৬–২৫৯। ডিওআই:10.1016/0039-6028(84)90317-0। বিবকোড:1984SurSc.142..256B।  বি.আর. নাগ, সংঘমিত্রা মুখোপাধ্যায় (১৯৯২)। "Polar Optic Phonon Scattering Limited-Mobility in Narrow Quantum Wells"। জাপানীজ জার্নাল অব অ্যাপ্লায়েড ফিজিক্স। ৩১ (৩২৮৭): ৩২৮৭–৩২৯১। ডিওআই:10.1143/JJAP.31.3287। বিবকোড:1992JaJAP..31.3287N।  বি.আর. নাগ (১৯৯৪)। "Ga0.47 In0.53 As—The material for high-speed devices"। প্রমান। ২৩ (৩): ৪১১–৪২১। এসটুসিআইডি 118182971। ডিওআই:10.1007/BF02846585। বিবকোড:1984Prama..23..411N।  নাগ, বি.আর. (১৯৯৭)। "An empirical relation between the melting point and the direct bandgap of semiconducting compounds"। জার্নাল অব ইলেকট্রনিক ম্যাটেরিয়ালস। ২৬ (২): ৭০–৭২। এসটুসিআইডি 59477276। ডিওআই:10.1007/s11664-997-0090-z। বিবকোড:1997JEMat..26...70N।  কে.পি. ঘটক, বি.আর. নাগ (১৯৯৮)। "A simple theoretical analysis of the Einstein relation in ultrathin films of bismuth under quantizing magnetic field"। জার্নাল অফ ফিসিক্স এন্ড কেমিস্ট্রি অফ সলিডস। ৫৯ (৩): ৪১১–৪১৫। ডিওআই:10.1016/S0022-3697(97)00196-0। বিবকোড:1998JPCS...59..411G।  বি.আর. নাগ, মধুমিতা দাস (২০০১)। "Scattering potential for interface roughness scattering"। অ্যাপ্লায়েড সারফেস সাইন্স। ১৮২ (৩–৪): ৩৫৭–৩৬০। ডিওআই:10.1016/S0169-4332(01)00448-2। বিবকোড:2001ApSS..182..357N।  বি.আর. নাগ (২০০৪)। "Electron mobility in indium nitride"। জার্নাল অব ক্রিস্টাল গ্রোথ। ২৬৯ (১): ৩৫–৪০। ডিওআই:10.1016/j.jcrysgro.2004.05.031। বিবকোড:2004JCrGr.269...35N।  কামাখ্যা প্রসাদ ঘটক; সীতাংশু ভট্টাচার্য (২০ জুলাই ২০১০)। Thermoelectric Power in Nanostructured Materials: Strong Magnetic Fields। স্প্রিংগার সায়েন্স অ্যান্ড বিজনেস মিডিয়া। পৃষ্ঠা ৫–। আইএসবিএন 978-3-642-10571-5।  নাগ, বি.আর (২০১৭)। Electron Transport in Compound Semiconductors। স্প্রিংগার সায়েন্স অ্যান্ড বিজনেস মিডিয়া। ১১। আইএসবিএন 978-3-642-81418-1। ডিওআই:10.1007/978-3-642-81416-7।  টেমপ্লেট:ভৌত বিজ্ঞানে এসএসবি প্রাপক