サイモン・ジィー

サイモン・ミン・ジィー（Simon Min Sze、施敏、1936年 -）は、中国系アメリカ人の電気工学者。1967年にダウォン・カーンとともに浮遊ゲートMOSFETを発明したことで最も有名。
経歴.
中国の南京市で生まれ台湾で育った。1957年に国立台湾大学を卒業し、1960年にワシントン大学で修士号を取得し、1963年にスタンフォード大学で博士号を取得した。1990年までベル研究所で働き、その後台湾に戻り国立交通大学の教員となった。現在不揮発性半導体メモリデバイスに広く使用されている浮遊ゲートMOSFETを1967年に発見したこと（ダウォン・カーンとともに）を含む半導体物理学及びテクノロジーにおける研究で知られる。半導体の分野で最も引用される教科書の1つである『半導体デバイス―基礎理論とプロセス技術―』("Physics of Semiconductor Devices")を含む多くの本を著している。1991年に電子デバイスへの功績によりを受賞した。