ガントレットという刑罰は、ヨーロッパの広い地域で行われ、また長い歴史を有するため、地域や時代によって数々の違いがあり、一概に述べることは難しい。以下、一般的なガントレットの刑罰について説明する。仲間の兵に殺させるという刑罰は、ローマ以後のヨーロッパの軍隊にも見られる。これがガントレットであった。罰を受ける兵士は軍装を脱がされ、二列に並んだ兵士の間（「die Gasse」、「小道」とも呼ばれる）を通らされ、棍棒や鞭やほこや槍を持った仲間たちに殴られた。その間、剣を持った下級士官が罰を受ける兵士の前を歩き、罰を受ける兵士が殴られる間走り抜けられないようにした。罰を受ける兵士が手首を縛られて列の間を引きずられる場合もあれば、殴られる代わりに突かれる場合もあった。また列をなす兵士に対し、尖った武器の使用を禁じる規則や、片足はその場から動かさないという規則がある場合もあり、罰を受ける兵士に対して手で頭を守ってよいと認める場合もあった。この刑罰は死に至るまで行わなければならないものではなく、その場合は歩けなくなったところで罰は終わった。ガントレットは仲間の兵士の間で行われるものであり男らしく仲間たちに制裁されると考えることもできるため、衆人環視のさらし台（pillory, pranger, stocks）で打たれる刑と比べると不名誉な刑ではないと考えられていた。軍隊によっては、ガントレットの間を走りぬけて反対側へとたどり着けた場合には、過ちは償われたとみなされて部隊に戻ることを許される場合もあった。しかし反対側にたどり着いてもまた列の間に戻され、ガントレットの間を死ぬまで歩かされる場合もあった。プロイセンの騎兵の場合は鞭の代わりに拍車で罪人を打った。フランスの軍でもガントレットは一般的な罰であり、特に窃盗の際などに科されていた。イギリス海軍にも窃盗の際にはガントレット同様の刑があり、カットラスを持った下士官が罰を受ける兵の前を走れないよう塞ぎ別の下士官が兵を後ろから押し、ロープを編んで鞭のようにしたものを振う仲間たちの間を歩かせた。また士官学校の訓練やしごきとして行われることもあった。「ガントレット」（gauntlet）という英単語は、フランス語由来の同じ綴りの単語（gauntlet, 甲冑の籠手）とは無関係である。おそらくスウェーデン語の「gatlopp」（道競走）が三十年戦争の間にイギリス軍兵士の間に持ち込まれたものであろう。こうした刑罰はドイツやオーストリア、特にプロイセン王国の軍隊において「Spießrutenlaufen」（うなる鞭の間を走る）と呼ばれて続けられた。ロシアでも19世紀までこうした刑罰があった。スウェーデンでは18世紀まで軍隊のみならず一般人に対してもこうした刑罰が行われていた。
古代ローマにおいて、すでにこのような刑罰が存在した。ローマ軍では見張りを怠った兵や脱走した兵に対しフストゥアリウム（Fustuarium, ラテン語で枝や鞭を意味する「fustis」より）という刑を科していた。罰を受ける者はローマ軍にふさわしくないとして軍装を脱がされ、仲間たちの信頼を裏切ったとして仲間たちの手により枝や鞭で死ぬまで打たれた。仲間の手により処刑されるという刑の効果は、後のガントレットに匹敵する。また軍団全体に対する刑罰としては、軍団のうち10人に1人が選ばれ、残る10分の9が選ばれた10分の1を囲んで棍棒などで殺すよう強要されるという十分の一刑（decimatio）も存在した。
SiPやMCM、MCPなどの3次元実装パッケージでは、複数のICチップを垂直に積み重ね1つのパッケージに収めることで電子基板上の「フットプリント」（占有面積）を小さくしている。このような積み重ねを使う従来の3次元実装パッケージでは、多くの場合、重ねたチップの端に沿ってワイヤ・ボンディングにより互いの信号接続を確保する。この方法では、結線空間のためにパッケージをわずかながらも大きくしなければならず、また通常はダイ間に「インターポーザー」層を追加しなくてはならない。これに対し、TSVを使用した3次元実装パッケージでは、従来の結線に代わり、シリコン製のウェハー又はダイといったチップを厚み方向に貫くビアがウェハーやダイ相互の垂直方向の接続を担う。このように、TSVを採用すれば、結線空間のためにパッケージを広げたり、ダイ間にインターポーザーを設けたりする必要が無くなることから、従来の手法に比べ3次元実装パッケージの面積や厚みを縮小することができる。TSV技術を採用すると、（それぞれのビアやウェハー又はダイの大きさにも関係するが）数μm-200μmピッチ程度の間隔で接続部を配列できるため数千本単位の接続が提供され、事実上、必要なものはすべて接続することができる。なお、従来のワイヤ・ボンディングでは接続本数は100-200本程度に限られていた。またTSV技術では接続距離がごく短くなるためにノイズを受けにくく寄生容量も抵抗も小さくて済む。結果、遅延や減衰、波形の劣化が少なく、増幅や静電破壊保護のための余分な回路も省略できることがある。これらの効果によって、実装されたパッケージ内の回路の高速動作、簡略化および低消費電力化が達成される。このように、TSV技術を採用して3次元集積回路（3D IC）は複数のシリコンウエハーやダイを積み重ね、垂直に相互結線することで1つの集積回路を作れば、単体の電子部品として機能するようになる。3次元集積回路で大量の機能を小さな「フットプリント」（占有面積）の中に詰め込めるようになる。加えて、素子同士の重要な電気経路が劇的に短く出来るために、処理の高速化が導かれる。別の産業上の側面でもTSV技術は有用である。従来、アナログやデジタルの回路を1つのシリコンチップ上に形成することは、技術的には可能であっても産業上のメリットが見出せないことが多かった。これは、工程の複雑化によってコストが増し歩留まりが低下するためである。TSV技術により積層を利用する接続は、こういったデジタルとアナログや、さらにはDRAMのようなメモリー回路やCPUのようなロジック回路、アナログ高周波回路と低周波で低消費電力の回路といった異種の回路を組み合わせることにも採用することができる。回路種別に合ったウエハープロセスによって同種の回路のみを効率良く製造し、検査を経た後の良品のダイを組み合わせ接続する実装が可能となれば、ウエハーレベルで混載して低い歩留まりとなる場合に比べ、完成後の電子部品は総合的には安価となりうる。たとえTSV技術のためにコストを掛けたとしても、それ以上に個別のダイが適するプロセスで高効率に生産されコストが低下するためである。