合流後街道は西に進み、わずかにバイエルン州をかすめるがすぐにヘッセン州へと進み、バロック都市フルダに至る。フルダから西へ進むが、30kmほどのショッテン (Schotten) から先は、2005年の公式サイトの資料によれば植樹育成中とのことである。街道はフランクフルトには入らず、その北側30kmほどのフリートベルク (Friedberg) を経由して西進し、リムブルク(Limburg)から、ラインラント＝プファルツ州に入る。州境付近はラーン川に面した美しい街が点在するところとしても知られている。コブレンツの東バート・エムスから方向を南に転じ、ブラウバッハとボッパルトの間でライン川を渡り南下して、イーダル＝オーバーシュタインの東25kmほどのバート・ゾーベルンハイム (Bad Sobernheim) から東に向かう。さらにマインツの南25kmほどの地点で南に再び方向を転ずる。この地点付近は、北にマインツ、ヴィースバーデン、東にダルムシュタットといった大都市がひしめき合う地点であるが、街道はそれらの郊外を回り込むように進んでいる。南に進む街道は、マンハイムの西20kmほどの街バート・デュルクハイムを経由し、フランス国境にぶつかって東に進路を取って再びライン川を渡る。
シュトラアハから南下した道とヴェルリッツから東進した道は世界遺産の街ルターシュタット・ヴィッテンベルクで合流し、やはり世界遺産に登録されているザクセン州の大都市ドレスデンを目指す。ルートはエルベ川に沿って南東へ進むが、途中トルガウ (Torgau) からダーレナー・ハイデを南に縦断する。その後ライプツィヒとドレスデンとを結ぶ幹線道路に出て磁器とワインで名高いマイセンまで来ると東に向かい、美しいモーリッツブルク (Moritzburg)　で南に転じてドレスデンに至る。ドレスデンからさらに南東へ進み、ハイデナウ (Heidenau) から南西に方向を転じてエルツ山地へ入る。ザイダ (Sayda) からは銀街道と同じルートをアウエまでたどりさらに南西のエルスニッツ (Oelsnitz)まで進む。ただしハイデナウからエルスニッツまでは公式サイトの2005年の資料によれば街路樹の育成中となっている。ここから進路を西北西に取り、古都プラウエンからテューリンゲン州に入ったところで、二手に分かれるが、すぐにツィーゲンリュック (Ziegenrück) で合流し、さらに西北西へと進む。ヨハン・ゼバスティアン・バッハがオルガン奏者を務めたアルンシュタット (Arnstadt)からはやや南よりに転じ、マイニンゲン の西20kmほどの地点でニーダーザクセン・ルートと合流する。
シュトラアハの南西の街コスヴィヒ (Coswig) から西へ進みロスラウ (Roßlau) へ向かうルートと南のヴェルリッツ (Wörlitz) へ向かうルートに分かれるが、これはデッサウですぐに合流する。ヴェルリッツから東へ向かいザクセンルートに合流するルートもある。デッサウから西へ向かいヨハン・ゼバスティアン・バッハが宮廷楽長を務めたケーテンで再び南北に分岐するが、これもケーテンの北西30kmほどの街シュタスフルト (Staßfurt) で合流する。街道はさらに西に向かい、ロマネスク様式の聖堂や旧市街をもつ世界遺産の街クヴェードリンブルクを南に見ながら、ハルバーシュタット (Halberstadt) を経て、ブロッケン現象で高名なブロッケン山の北麓で州境を越え、ニーダーザクセン州に入る。10世紀に開坑された古い銀や鉛の鉱山都市で世界遺産にも登録されているゴスラーを出ると街道は南に方向を転じ、ノルトハイム (Northeim) を通りゲッティンゲンの北をかすめるようにして南東へ向かい、木組みの建築が美しいデューダーシュタット (Duderstadt) を抜けてハイルバート・ハイリゲンシュタット (Heilbad Heiligenstadt) からテューリンゲン州に入る。ミュールハウゼン (Mühlhausen)、アイゼナハと南下し、アイゼナハの南45kmほどの地点でザクセン・ルートと合流する。
nチャネル エンハンスメント形 デバイスでは、トランジスタ内に伝導チャネルが自然に存在せず、伝導チャネルを作るためには正のゲート-ソース電圧が必要である。正の電圧によって自由電子をゲートに引きつけ、伝導チャネルを形成する。しかしまずFETの基板に加えられたアクセプターイオンを中和するために十分な電子がゲート近くに引きつけなければならない。これは空乏層と呼ばれる移動キャリアが存在しない領域を形成する。これが起きる電圧を、FETの閾値電圧と呼ぶ。さらにゲート-ソース間電圧を大きくすると、より多くの電子がゲートに引きつけられ、ソースからドレインに伝導チャネルを作ることができる。これを「反転」と呼ぶ。一方でnチャネル デプレッション形 デバイスは、トランジスタ内に伝導チャネルが自然に存在する。その結果「閾値電圧」という言葉はそのようなデバイスをオンするために用いられないが、その代わり電子が容易に流れることができるために十分なチャネル幅になる電圧のことを意味する。この流れやすい閾値はpチャネル デプレッション形 デバイスでも用いられる。ゲートから基板/ソースへの正の電圧が正孔をゲート-絶縁体/半導体界面から引き離すことにより空乏層を作り、キャリアが無く固定された負電荷のアクセプターイオンのみが存在する領域を作る。幅広い平面のトランジスタにおいて閾値電圧はドレイン-ソース電圧に本質的に依存せず、よく定義された特徴がある。しかし現代のナノサイズMOSFETではドレイン誘起障壁低下によりあまり明確ではない。図では、ソース（図の左側）とドレイン（図の右側）は、高濃度にドープされたn領域（青）を示すため「n+」と記してある。空乏層（ピンク）ではイオンは負に帯電しており、正孔がほとんど無いことを示すため「NA⁻」と記してある。バルク（赤）では、正孔の数p = NAはバルク電荷を中性にする。ゲート電圧が閾値電圧以下の場合（左図）、トランジスタはオフとなり、理想的にはトランジスタのドレインからソースへは電流は無い。実際は閾値電圧以下のゲート電圧でも小さい電流は存在し（サブスレッショルド電流）、ゲート電圧について指数関数的な変化する。ゲート電圧が閾値電圧以上の場合（右図）、トランジスタはオンとなり、酸化膜-シリコン界面でのチャネルに多くの電子が存在するため、ドレインからソースへ電荷が流れることができる抵抗が小さいチャネルが作られる。閾値電圧を大きく上回る電圧では、この状況は強く反転していると呼ばれる。VD > 0の場合、チャネルは先細になる。なぜなら抵抗チャネルの電流による電圧降下は、ドレインに近づくにつれてチャネルを支える酸化物の電場を減少させるためである。