布施屋の運営主体は大きく分けて「寺院」と「国府」の2つに分かれる。元々困っている旅行者を施設を造って助けようという「救恤」の発想自体が仏教の考え方であり、自然と運営主体は寺院が多くなった。国府の運営、即ち官営であるものは、そのような仏教側の動きと実際問題での行旅死亡人の増加に伴い発生してきたものと思われる。布施屋自体が仏教的発想の産物であるため、運営には必ず仏教寺院が関わった。運営主体が寺院である場合はその寺院そのものが、国府である場合は敷地内に寺を建造したり近くの寺に監督を依頼したりすることが行われた。また敷地内には必ず「薬師寺」と称し、医薬を司る薬師如来を本尊とする寺が建てられたという。運営費や食料・物資の調達法は、自ら墾田を持つもの、官吏の扶持を割くもの、出挙として稲を貸し付け利子で運営するものなどさまざまであった。また敷地内にナツメや梨、栗などの木を植え、補助的に食料にあてることもあった。
数少ない史料から総合すると、布施屋の施設は3軒から5軒の建物から構成され、救護・宿泊施設と物資庫・食料庫に分かれていた。物資庫・食料庫は「板倉」という名で伝えられている場所もある。布施屋内の救護・宿泊施設では食料の配給、けがや病気の手当て、宿泊などのサービスが行われていた。ただしこれらはあくまで一時的＝緊急避難的なものであり、長期的宿泊施設や療養施設としての性格は全くなかった。このためサービスの比重は救護の方に置かれ、宿泊はあまり重視されていなかった。事実、東大寺の設置した布施屋では寝具が2組しかなく、とても継続して宿泊出来る環境ではなかったことが分かっている。
平安時代、律令制下では庶民は租税や労役、兵役を課せられていたが、その運搬や出向は全て本人が自ら都まで出向かなければいけなかった。駿馬を使えるのは官吏だけに限られていたので、庶民は全員が何日、時には何十日もかけて徒歩や農耕用の馬で都に向かっていたのである。また食料も自己調達しなければならなかった。当然このような劣悪な状況では途中で飢えや病により倒れたり、死亡したりして行旅死亡人となる者も多く、初期の頃から社会問題化し始めていた。全国でそのような状況を解決するために、仏教寺院などを中心にして造られたのが「布施屋」である。
静岡県清水市（現：静岡市清水区）出身。静岡県立清水東高等学校卒業。1977年慶應義塾大学法学部卒業。1983年東京弁護士会登録。光麗法律事務所所属。倒産寸前に追い込まれた会社に駆けつけ再建を助ける、再生専門の弁護士。東京佐川急便や長崎屋などの一部上場企業から街角の個人商店まで、再建した会社は100を超える。その活躍ぶりは、2007年NHK番組プロフェッショナル 仕事の流儀「どん底の会社よ、よみがえれ」にて紹介される。
サルセルで生まれ、グアドループのカペステール＝ド＝マリー＝ガラントで育った。地元クラブでプレーを始め、2007年7月にフランス本土に渡りスタッド・レンヌの下部組織に入団。2011-12シーズンよりフレデリック・アントネッティ監督によってトップチームに引き上げられ、10月2日のLOSCリール・メトロポール戦でデビューを果たした。2013年8月27日、グラナダCFにレンタル移籍。2014年5月24日、移籍金200万ユーロでグラナダが買い取り、5年契約を締結した。2017年8月25日、ワトフォードFCに移籍。直後、RCストラスブールにレンタル移籍。2018年8月23日、ヘタフェCFに1シーズンレンタル移籍。
ラムセス3世の治世末期にラムセス3世の暗殺事件が発生した。それはラムセス3世の妃の一人ティイが自分の息子ペンタウアーを王位に付けようとして計画したもので、賛同者が多数参加していた。暗殺は成功したが、首謀者のティイを初め全員が逮捕されて裁判にかけられた。この時の裁判記録が現存しており、それによれば裁判は3度に分けられて行われた。最初の裁判では7人の王家の執事、2人の宝庫長、2人の将軍、2人の書記、布告官1人の合計14人が、次の裁判で6人が、三番目の裁判でペンタウアーを含む4人が、4番目の裁判ではこれらの反逆者に供応した裁判官ら5人が罪に問われ、1人を除いて全員が有罪判決を受けた。大半は死刑である。ティイ自身の裁判記録は残っていないが、間違いなく死刑となったであろう。なお、2012年にイタリアの研究チームが、ラムセス3世のミイラをコンピュータ断層撮影（CT）で調査した結果、のどを覆う布の下に大きく深い切り傷が発見されたことから、ラムセス3世は鋭利な刃物でのどをかき切られて即死状態であったことが分かった。ラムセス3世の死はエジプト新王国が覇者であった時代の終わりでもあった。
このタイプのミラー回路の利点は、関数fがデバイス幅Wに対して線形変化するということであり、Shichman-Hodgesモデルよりもさらに正確なモデルにおいてもほぼ線形性は満たされる。したがって、二つのトランジスタ幅の比をそれぞれ調整することによって、参照電流値の整数倍の大きさの電流を生成することが可能である。Shichman-Hodgesモデルは一世代前のトランジスタ技術においてのみ正確であるが、今日においてもその簡潔さからよく用いられている。近年ではより現実的なモデルに基づいてコンピュータでのシミュレーションによって電流電圧特性を計算する。この現実的なモデルでは、VGS依存性が二乗則に従わない、VDS依存性が単にλVDSで表されていない、という違いがある。その他の現実に即していない式としては、性能のチャネル長Lに関する依存性がある。GrayやMeyerらによって指摘されているように、L依存性に大きく寄与しているのはλである。彼らは、λは通常実験データから決定されなければならない、と指摘している。個々のデバイス間でさえも閾値電圧Vₜₕは大きな分散があるため、ディスクリートな部品でカレントミラー回路を構成するのは問題がある。ソース減衰抵抗によってこの分散が幾分補償されたとしても、その抵抗値は非常に大きくなるため、出力抵抗が（小さくなることによって）犠牲になる。従って、MOSFETでのカレントミラー回路は集積回路、または同一基板上でのものに限られる。