3A001

Elektroniska produkter enligt följande: a) Integrerade kretsar för allmänna ändamål enligt följande: Anmärkning: Integrerade kretsar omfattar följande typer: — ”Monolitiska integrerade kretsar”. — ”Integrerade hybridkretsar”. — ”Integrerade multikretsar”. — ”Integrerade kretsar av filmtyp” inklusive integrerade kretsar av typ kisel på safir. — ”Optiska integrerade kretsar”. — ”Tredimensionella integrerade kretsar”. — ”Monolitiska integrerade mikrovågskretsar” (”MMIC”). 1. Integrerade kretsar som har konstruerats eller specificerats för att vara motståndskraftiga mot en total strålning enligt något av följande: a) En total dos om minst 5 x 103 Gy (kisel), b) en dosratsändring genom störning om minst 5 x 106 Gy (kisel)/s, eller c) en fluens (integrerat flöde) av neutroner (1 MeV ekvivalent) på 5 x 1013 n/cm2 eller högre på kisel, eller dess ekvivalent för andra material. Anmärkning: 3A001 a.1.c omfattar inte halvledare av metallisolatortyp (MIS - Metal Insulator Semiconductors). 2. ”Mikroprocessor-mikrokretsar”, ”mikrodator-mikrokretsar”, mikrocontroller-mikrokretsar, integrerade minneskretsar tillverkade av blandade halvledare, analog-till-digital-omvandlare, integrerade kretsar som innehåller analog-till-digital-omvandlare och som lagrar eller bearbetar digitaliserade data, digital-till-analog-omvandlare, elektro-optiska eller ”optiska integrerade kretsar” konstruerade för ”signalbehandling”, fältprogrammerbara logiska komponenter, kundanpassade integrerade kretsar för vilka antingen funktionen är okänd eller kontrollstatusen hos den utrustning i vilken kretsarna ska användas är okänd, processorer för Snabb Fourier-transform (FFT), statiska RAM (SRAM) eller ”icke-flyktiga minnen” som är något av följande: a) Specificerade för drift i omgivningstemperaturer över 398 K (125 °C). b) Specificerade för drift i omgivningstemperaturer under 218 K (–55 °C). eller c) Specificerade för drift i omgivningstemperaturer i området från 218 K (–55 °C) till och med 398 K (125 °C). Anmärkning: Avsnitt 3A001.a.2 omfattar inte integrerade kretsar som konstruerats för civila bil- eller tågapplikationer. Teknisk anmärkning: ”Icke-flyktiga minnen” är minnen som bevarar data under en viss tid efter att strömmen stängs av. 3. ”Mikroprocessor-mikrokretsar”, ”mikrodator-mikrokretsar” och mikrocontroller-mikrokretsar tillverkade av en halvledare med blandade material och som har en klockfrekvens som överstiger 40 MHz. Anmärkning: Avsnitt 3A001.a.3 omfattar digitala signalprocessorer, digitala matrisprocessorer (array processors) och digitala hjälpprocessorer (coprocessors). 4. Används inte. 5. Integrerade kretsar med analog-till-digitalomvandlare (ADC) och digital-till-analog-omvandlare (DAC) enligt följande: a) ADC som har något av följande: ANM.: SE ÄVEN AVSNITT 3A101. 1. En upplösning på 8 bitar eller mer, men mindre än 10 bitar, med en ”samplingsfrekvens” som är högre än 1,3 miljarder samplingar per sekund (Gsps). 2. En upplösning på 10 bitar eller mer, men mindre än 12 bitar, med en ”samplingsfrekvens” som är högre än 600 miljoner samplingar per sekund (Msps). 3. En upplösning på 12 bitar eller mer, men mindre än 14 bitar, med en ”samplingsfrekvens” som är högre än 400 Msps. 4. En upplösning på 14 bitar eller mer, men mindre än 16 bitar, med en ”samplingsfrekvens” som är högre än 250 Msps. eller 5. En upplösning på minst 16 bitar eller mer, med en ”samplingsfrekvens” som är högre än 65 Msps. ANM. För integrerade kretsar som innehåller analog-till-digital-omvandlare och som lagrar eller bearbetar digitaliserade data, se avsnitt 3A001.a.14. Tekniska anmärkningar: 1. En upplösning på n bitar motsvarar en kvantisering av 2n nivåer. 2. ADC:ns upplösning är antalet bitar för den digitala utdata som motsvarar den uppmätta analoga ingången. Effektivt antal bitar (ENOB) används inte för att fastställa ADC:ns upplösning. 3. För ”flerkanals-ADC” ska ”samplingsfrekvensen” inte läggas ihop, och ”samplingsfrekvensen” är den maximala hastigheten för en enstaka kanal. 4. För ”interfolierade ADC” (interleaved ADC’s) eller för ”flerkanals-ADC” som är specificerade till att drivas interfolierat, ska ”samplingsfrekvenserna” läggas ihop och ”samplingsfrekvensen” är den maximala sammanlagda totala hastigheten av alla interfolierade kanaler. b) Digital-till-analog-omvandlare (DAC) som har något av följande: 1. En upplösning på 10 bitar eller mer, men mindre än 12 bitar, med en ”samplingsfrekvens” som är högre än 3 500 Msps. eller 2. En upplösning på 12 bitar eller mer och har något av följande: a) En ”justerad uppdateringshastighet” som överstiger 1 250 Msps men inte 3 500 Msps och som har något av följande: 1. En inställningstid på mindre än 9 ns till eller inom nivån 0,024 % av fullskala från ett fullskalesteg. eller 2. Ett ”spuriosfritt dynamiskt område” (SFDR) som är större än 68 dBc (bärare) vid syntetisering av en fullskalig analog signal på 100 MHz eller den högsta fullskaliga analoga signalen under 100 MHz. eller b) En ”justerad uppdateringshastighet” som överstiger 3 500 Msps. Tekniska anmärkningar: 1. ”Spuriosfritt dynamiskt område” (SFDR) definieras som kvoten av RMS-värdet för bärfrekvensen (maximisignalkomponent) på digitalomvandlarens ingång och RMS-värdet av den näst största bruskomponenten eller komponenten av harmonisk distorsion på dess utgång. 2. SFDR fastställs direkt i specifikationstabellen eller med utgångspunkt i karaktäriseringsdiagrammen med SFDR mot frekvens. 3. En signal definieras som fullskalig när amplituden är större än –3 dBfs (full skala). 4. ”Justerad uppdateringshastighet” för DAC: a) För konventionella (icke-interpolerande) DAC:ar avses med ”justerad uppdateringshastighet” den hastighet med vilken den digitala signalen omvandlas till en analog signal och utgångens analoga värden ändras av DAC:en. För DAC där det går att koppla förbi interpoleringsmoden (interpolationsfaktorn är ett), bör DAC anses vara konventionella (icke-interpolerande) DAC. b) För en interpolerande DAC (översamplande DAC) definieras ”justerad uppdateringshastighet” som DAC:ens uppdateringshastighet dividerat med den minsta interpolationsfaktorn. För en interpolerande DAC kan ”justerad uppdateringshastighet” även kallas — indatahastighet (input data rate) — inordhastighet (input word rate) — insamplingshastighet (input sample rate) — högsta sammanlagda inbusshastighet (maximum total input bus rate) — högsta DAC-klockfrekvens för DAC-klockinsignalen (maximum DAC clock rate for DAC clock input). 6. Elektro-optiska eller ”optiska integrerade kretsar” konstruerade för ”signalbehandling” som har allt av följande: a) En eller flera interna ”laser”-dioder. b) Ett eller flera interna ljusdetekterande element. c) Optiska vågledare. 7. Fältprogrammerbara logiska komponenter som har något av följande: a) Det maximala antalet enpoliga digitala inmatningar/utmatningar är mer än 700, eller b) en ”högsta totala datahastighet för överföring via enkelriktade serietranceivers” på 500 Gb/s eller mer. Anmärkning: Avsnitt 3A001.a.7 omfattar följande: — Komplexa programmerbara logiska komponenter (CPLD). — Fältprogrammerbara grindmatriser (FPGA). — Fältprogrammerbara logiska matriser (FPLA). — Fältprogrammerbara kopplingar (FPIC). ANM. För integrerade kretsar som har fältprogrammerbara logiska komponenter kombinerade med en analog-till-digital-omvandlare, se avsnitt 3A001.a.14. Tekniska anmärkningar: 1. Det maximala antalet digitala inmatningar/utmatningar i avsnitt 3A001.a.7.a betecknas också det maximala antalet inmatningar/utmatningar för användaren eller det maximala antalet tillgängliga inmatningar/utmatningar, oavsett om den integrerade kretsen är inkapslad eller ej. 2. Med ”högsta totala datahastighet för överföring via enkelriktade serietranceivers” avses produkten av den högsta dataöverföringshastigheten hos transceivern multiplicerat med antalet tranceivrar i den fältprogrammerbara grindmatrisen (FPGA). 8. Används inte. 9. Integrerade kretsar för neurala nätverk. 10. Kundanpassade integrerade kretsar för vilka antingen funktionen är okänd eller kretstillverkaren saknar uppgift om kontrollstatusen hos den utrustning där kretsarna ska ingå som har något av följande: a) Fler än 1 500 anslutningar. b) Den ”typiska grindfördröjningstiden” är kortare än 0,02 ns. c) Arbetsfrekvensen överstiger 3 GHz. 11. Andra digitala kretsar än de som beskrivits i avsnitten 3A001.a.3–3A001.a.10 och 3A001.a.12 och som baseras på en blandning av halvledarmaterial som har något av följande: a) Ett antal grindekvivalenter som är större än 3 000 (grindar med 2 ingångar). eller b) En vippfrekvens som överstiger 1,2 GHz. 12. Processorer för Snabb Fourier-transform (FFT) och som har en specificerad verkställighetstid som är mindre än (N log2 N) /20 480 ms, för en N-punkters komplex FFT, där N är antalet punkter. Teknisk anmärkning: När N är lika med 1 024 punkter ger formeln i 3A001.a.12 en verkställighetstid på 500 μs. 13. Integrerade kretsar för Direct Digital Synthesizer (DDS) som har något av följande: a) Digital-till analog-omvandlaren (DAC) som har en klockfrekvens på minst 3,5 GHz och en upplösning på minst 10 bitar men mindre än 12 bitar. b) En DAC-klockfrekvens på minst 1,25 GHz och en DAC-upplösning på 12 bitar eller mer. Teknisk anmärkning: DAC-klockfrekvensen kan specificeras som masterklockfrekvens eller ingångsklockfrekvens. 14. Integrerade kretsar som utför eller som kan programmeras att utföra allt av följande: a) Analog-till-digital-omvandling för något av följande: 1. En upplösning på 8 bitar eller mer, men mindre än 10 bitar, med en ”samplingsfrekvens” som är högre än 1,3 miljarder samplingar per sekund (Gsps). 2. En upplösning på 10 bitar eller mer, men mindre än 12 bitar, med en ”samplingsfrekvens” som är högre än 1,0 Gsps. 3. En upplösning på 12 bitar eller mer, men mindre än 14 bitar, med en ”samplingsfrekvens” som är högre än 1,0 Gsps. 4. En upplösning på 14 bitar eller mer, men mindre än 16 bitar, med en ”samplingsfrekvens” som är högre än 400 miljoner samplingar per sekund (Msps). 5. En upplösning på minst 16 bitar eller mer, med en ”samplingsfrekvens” som är högre än 180 Msps. och b) Något av följande: 1. Lagring av digitaliserade data. 2. Bearbetning av digitaliserade data. ANM. 1. För integrerade kretsar med analog-till-digital-omvandlare, se avsnitt 3A001.a.5.a. ANM. 2. För fältprogrammerbara logiska komponenter, se avsnitt 3A001.a.7. Tekniska anmärkningar: 1. En upplösning på n bitar motsvarar en kvantisering av 2n nivåer. 2. ADC:ns upplösning är antalet bitar för den digitala utdata i ADC:n som motsvarar den uppmätta analoga ingången. Effektivt antal bitar (ENOB) används inte för att fastställa ADC:ns upplösning. 3. För integrerade kretsar med icke-interfolierade ”flerkanals-ADC” ska ”samplingsfrekvensen” inte läggas ihop, och ”samplingsfrekvensen” är den maximala hastigheten för en enstaka kanal. 4. För integrerade kretsar med”interfolierade ADC” (interleaved ADC’s) eller med ”flerkanals-ADC” som är specificerade till att drivas interfolierat, ska ”samplingsfrekvenserna” läggas ihop och ”samplingsfrekvensen” är den maximala sammanlagda totala hastigheten av alla interfolierade kanaler. b) Mikrovåg- eller millimetervågprodukter enligt följande: Teknisk anmärkning: I samband med avsnitt 3A001.b kan parametern maximal toppeffekt (peak saturated power output) på ett produktdatablad också anges som uteffekt, mättad topputeffekt, maximal uteffekt, uttoppeffekt, eller maximal topputeffekt (PEP). 1. ”Elektroniska vakuumenheter” och katoder enligt följande: Anmärkning 1: Avsnitt 3A001.b.1 omfattar inte sådana ”elektroniska vakuumenheter” som är tillverkade eller specificerade för att fungera i frekvensband och som har allt av följande: a) De överstiger inte 31,8 GHz, och b) de är ”tilldelade av ITU” för radiokommunikationstjänster men inte för radiobestämning. Anmärkning 2: Avsnitt 3A001.b.1 omfattar inte icke-”rymdkvalificerade””elektroniska vakuumenheter” som har allt av följande: a) De har en genomsnittlig uteffekt på högst 50 W, och b) de är tillverkade eller specificerade för att fungera i frekvensband som har allt av följande: 1. De överstiger 31,8 GHz, men överstiger inte 43,5 GHz, och 2. de är ”tilldelade av ITU” för radiokommunikationstjänster men inte för radiobestämning. a) ”Elektroniska vakuumenheter” för vandringsvåg och pulsad eller kontinuerlig drift enligt följande: 1. Enheter som kan arbeta vid frekvenser som överstiger 31,8 GHz. 2. Enheter som har en katodupphettning som möjliggör full högfrekvensdrift på kortare tid än 3 s efter tillslag. 3. Enheter som har kopplade kaviteter eller är utvecklingar av sådana enheter med en ”relativ bandbredd” som är större än 7 % eller en toppeffekt som överskrider 2,5 kW. 4. Enheter som bygger på helixbanor eller banor med vågledare i form av veck eller serpentiner (folded waveguide respektive serpentine waveguide), eller utvecklingar av dessa, och som har något av följande: a) De har en ”effektbandbredd” som är mer än en oktav och produkten av den specificerade genomsnittliga uteffekten (uttryckt i kW) och den högsta arbetsfrekvensen (uttryckt i GHz) överstiger mätetalet 0,5 , b) de har en ”effektbandbredd” som är en oktav eller mindre, och produkten av den specificerade uteffekten (uttryckt i kW) och den maximala specificerade arbetsfrekvensen (uttryckt i GHz) överstiger mätetalet 1, c) de är ”rymdkvalificerade”, eller d) de har en elektronkanon med galler. 5. Enheter med en ”relativ bandbredd” som är större än eller lika med 10 % och som har något av följande: a) En ringformad elektronstråle. b) En icke-axelsymmetrisk elektronstråle. eller c) Multipla elektronstrålar. b) ”Elektroniska vakuumenheter” för korsfältsförstärkare med en förstärkning på mer än 17 dB. c) Glödkatoder utformade för ”elektroniska vakuumenheter” som producerar en kontinuerlig emissionsströmtäthet på mer än 5 A/cm2 vid nominella driftsförhållanden eller en pulsad (icke-kontinuerlig) strömtäthet på mer än 10 A/cm2 vid nominella driftsförhållanden. d) ”Elektroniska vakuumenheter” som kan användas med ”dubbelläge”. Teknisk anmärkning: ”Dubbelläge” innebär att strömmen till strålen i den ”elektroniska vakuumenheten” avsiktligt kan växlas mellan kontinuerlig våg och pulsat driftsläge med hjälp av ett galler så att den producerar en topputeffekt för pulsen som är större än uteffekten för den kontinuerliga vågen. 2. Förstärkare i form av ”monolitiska integrerade mikrovågskretsar” (”MMIC”-förstärkare) som är något av följande: ANM. För ”MMIC”-förstärkare som har en integrerad fasskiftare, se avsnitt 3A001.b.12. a) Specificerade för frekvenser över 2,7 GHz till och med 6,8 GHz med en ”relativ bandbredd” som är större än 15 % och som har något av följande: 1. En maximal toppeffekt på mer än 75 W (48,75 dBm) vid frekvenser över 2,7 GHz till och med 2,9 GHz, 2. en maximal toppeffekt på mer än 55 W (47,4 dBm) vid frekvenser över 2,9 GHz till och med 3,2 GHz, 3. en maximal toppeffekt på mer än 40 W (46 dBm) vid frekvenser över 3,2 GHz till och med 3,7 GHz, eller 4. en maximal toppeffekt på mer än 20 W (43 dBm) vid frekvenser över 3,7 GHz till och med 6,8 GHz. b) Specificerade för frekvenser över 6,8 GHz till och med 16 GHz med en ”relativ bandbredd” som är större än 10 % och som har något av följande: 1. En maximal toppeffekt på mer än 10 W (40 dBm) vid frekvenser över 6,8 GHz till och med 8,5 GHz, eller 2. en maximal toppeffekt på mer än 5 W (37 dBm) vid frekvenser över 8,5 GHz till och med 16 GHz, c) Specificerade för drift med en maximal toppeffekt på mer än 3 W (34,77 dBm) vid frekvenser över 16 GHz till och med 31,8 GHz, och med en ”relativ bandbredd” på över 10 %. d) Specificerade för drift med en maximal toppeffekt på mer än 0,1 nW (–70 dBm) vid frekvenser över 31,8 GHz till och med 37 GHz. e) Specificerade för drift med en maximal toppeffekt på mer än 1 W (30 dBm) vid frekvenser över 37 GHz till och med 43,5 GHz, och med en ”relativ bandbredd” på över 10 %. f) Specificerade för drift med en maximal toppeffekt på mer än 31,62 mW (15 dBm) vid frekvenser över 43,5 GHz till och med 75 GHz, och med en ”relativ bandbredd” på över 10 %. g) Specificerade för drift med en maximal toppeffekt på mer än 10 mW (10 dBm) vid frekvenser över 16 GHz till och med 90 GHz, och med en ”relativ bandbredd” på över 5 %. eller h) Specificerade för drift med en maximal toppeffekt på mer än 0,1 nW (–70 dBm) vid frekvenser över 90 GHz. Anmärkning 1: Används inte. Anmärkning 2: Kontrollstatusen för ”MMIC” vars specificerade arbetsfrekvens omfattar frekvenser i mer än ett frekvensområde, enligt definitionerna i avsnitten 3A001.b.2.a–3A001.b.2, bestäms genom angivna parametrar för lägsta tröskelvärde för maximal toppeffekt. Anmärkning 3: Anmärkningarna 1 och 2 i 3A innebär att avsnitt 3A001.b.2 inte omfattar ”MMIC” som speciellt är konstruerade för andra tillämpningar, t.ex. telekommunikation, radar och bilar. 3. Diskreta mikrovågstransistorer som är något av följande: a) Specificerade för frekvenser över 2,7 GHz till och med 6,8 GHz och som har något av följande: 1. En maximal toppeffekt på mer än 400 W (56 dBm) vid frekvenser över 2,7 GHz till och med 2,9 GHz, 2. en maximal toppeffekt på mer än 205 W (53,12 dBm) vid frekvenser över 2,9 GHz till och med 3,2 GHz, 3. en maximal toppeffekt på mer än 115 W (50,61 dBm) vid frekvenser över 3,2 GHz till och med 3,7 GHz, eller 4. en maximal toppeffekt på mer än 60 W (47,78 dBm) vid frekvenser över 3,7 GHz till och med 6,8 GHz. b) Specificerade för frekvenser över 6,8 GHz till och med 31,8 GHz och som har något av följande: 1. En maximal toppeffekt på mer än 50 W (47 dBm) vid frekvenser över 6,8 GHz till och med 8,5 GHz, 2. en maximal toppeffekt på mer än 15 W (41,76 dBm) vid frekvenser över 8,5 GHz till och med 12 GHz, 3. en maximal toppeffekt på mer än 40 W (46 dBm) vid frekvenser över 12 GHz till och med 16 GHz, eller 4. en maximal toppeffekt på mer än 7 W (38,45 dBm) vid frekvenser över 16 GHz till och med 31,8 GHz. c) Specificerade för drift med en maximal toppeffekt på mer än 0,5 W (27 dBm) vid frekvenser över 31,8 GHz till och med 37 GHz. d) Specificerade för drift med en maximal toppeffekt på mer än 1 W (30 dBm) vid frekvenser över 37 GHz till och med 43,5 GHz. e) Specificerade för drift med en maximal toppeffekt på mer än 0,1 nW (–70 dBm) vid frekvenser över 43,5 GHz. eller f) Andra än de som specificeras i 3A001.b.3.a–RA001.b.3.3 och som är specificerade för drift med en maximal toppeffekt på mer än 5 W (37,0 dBm) vid alla frekvenser över 8,5 GHz till och med 31,8 GHz. Anmärkning 1: Kontrollstatusen för transistorer enligt 3A001.b.3.a–3A001.b.3.e vars specificerade arbetsfrekvens omfattar frekvenser i mer än ett frekvensområde, enligt definitionen i avsnitten 3A001.b.3.a–3A001.b.3.e, bestäms genom angivna parametrar för lägsta tröskelvärde för maximal toppeffekt. Anmärkning 2: Avsnitt 3A001.b.3 omfattar rena chip, chip monterat på bärare eller chip monterat i kapslingar. Vissa diskreta transistorer kan även refereras till som effektförstärkare, men status för dessa diskreta transistorer bestäms av avsnitt 3A001.b.3. 4. Halvledarbestyckade mikrovågsförstärkare och mikrovågsutrustningar/moduler som innehåller halvledarbestyckade mikrovågsförstärkare och som är något av följande: a) Specificerade för frekvenser över 2,7 GHz till och med 6,8 GHz med en ”relativ bandbredd” som är större än 15 % och som har något av följande: 1. En maximal toppeffekt på mer än 500 W (57 dBm) vid frekvenser över 2,7 GHz till och med 2,9 GHz, 2. en maximal toppeffekt på mer än 270 W (54,3 dBm) vid frekvenser över 2,9 GHz till och med 3,2 GHz, 3. en maximal toppeffekt på mer än 200 W (53 dBm) vid frekvenser över 3,2 GHz till och med 3,7 GHz, eller 4. en maximal toppeffekt på mer än 90 W (49,54 dBm) vid frekvenser över 3,7 GHz till och med 6,8 GHz. b) Specificerade för frekvenser över 6,8 GHz till och med 31,8 GHz med en ”relativ bandbredd” som är större än 10 % och som har något av följande: 1. En maximal toppeffekt på mer än 70 W (48,54 dBm) vid frekvenser över 6,8 GHz till och med 8,5 GHz, 2. en maximal toppeffekt på mer än 50 W (47 dBm) vid frekvenser över 8,5 GHz till och med 12 GHz, 3. en maximal toppeffekt på mer än 30 W (44,77 dBm) vid frekvenser över 12 GHz till och med 16 GHz, eller 4. en maximal toppeffekt på mer än 20 W (43 dBm) vid frekvenser över 16 GHz till och med 31,8 GHz. c) Specificerade för drift med en maximal toppeffekt på mer än 0,5 W (27 dBm) vid frekvenser över 31,8 GHz till och med 37 GHz. d) Specificerade för drift med en maximal toppeffekt på mer än 2 W (33 dBm) vid frekvenser över 37 GHz till och med 43,5 GHz, och med en ”relativ bandbredd” på över 10 %. e) Specificerade för frekvenser över 43,5 GHz och har något av följande: 1. Maximal toppeffekt på mer än 0,2 W (23 dBm) vid frekvenser över 43,5 GHz till och med 75 GHz, och med en ”relativ bandbredd” på över 10 %. 2. Maximal toppeffekt på mer än 20 mW (13 dBm) vid frekvenser över 75 GHz till och med 90 GHz, och med en ”relativ bandbredd” på över 5 %. eller 3. Maximal toppeffekt på mer än 0,1 nW (–70 dBm) vid frekvenser över 90 GHz. eller f) Används inte. ANM. 1. För ”MMIC”-förstärkare, se avsnitt 3A001.b.2. ANM. 2. För ”sändar/mottagarmoduler” och ”sändarmoduler”, se avsnitt 3A001.b.12. ANM. 3. För omvandlare och harmoniska blandare som är konstruerade för att utöka arbets- eller frekvensområdet för signalanalysatorer, signalgeneratorer, nätverksanalysatorer eller testmottagare för mikrovåg, se avsnitt 3A001.b.7. Anmärkning 1: Används inte. Anmärkning 2: Kontrollstatusen för en produkt vars specificerade arbetsfrekvens omfattar frekvenser i mer än ett frekvensområde, enligt definitionen i avsnitten 3A001.b.4.a–3A001.b.4.e, bestäms genom angivna parametrar för lägsta tröskelvärde för maximal toppeffekt. 5. Elektroniskt eller magnetiskt avstämbara bandpass- eller bandstoppfilter med fler än 5 avstämbara resonatorer som kan avstämmas inom ett frekvensband (fmax/fmin) = 1,5 :1 på mindre än 10 μs, och som har något av följande: a) En bandbredd på mer än 0,5 % av mittfrekvensen för bandpassfiltret, eller b) en bandbredd på mindre än 0,5 % av mittfrekvensen för bandstoppfiltret. 6. Används inte. 7. Omvandlare och harmoniska blandare som är något av följande: a) Konstruerade för att utöka frekvensområdet för ”signalanalysatorer” till utanför 90 GHz. b) Konstruerade för att utöka arbetsområdet för signalgeneratorer enligt följande: 1. Utanför 90 GHz. 2. Till en utgångseffekt över 100 mW (20 dBm) varsomhelst inom det frekvensområde som överstiger 43,5 GHz men inte 90 GHz. c) Konstruerade för att utöka arbetsområdet för nätverksanalysatorer enligt följande: 1. Utanför 110 GHz. 2. Till en utgångseffekt över 31,62 mW (15 dBm) varsomhelst inom det frekvensområde som överstiger 43,5 GHz men inte 90 GHz. 3. Till en utgångseffekt över 1 mW (0 dBm) varsomhelst inom det frekvensområde som överstiger 90 GHz men inte 110 GHz. eller d) Konstruerade för att utöka frekvensområdet för testmottagare för mikrovåg utanför 110 GHz. 8. Effektförstärkare för mikrovåg som innehåller ”elektroniska vakuumenheter” som specificeras i avsnitt 3A001.b.1 och som har allt av följande: a) Arbetsfrekvensen är över 3 GHz, b) ett genomsnittligt förhållande mellan effekt och massa som överstiger 80 W/kg, och c) en volym som är mindre än 400 cm3. Anmärkning: Avsnitt 3A001.b.8 omfattar inte utrustning som är konstruerad eller specificerad för att arbeta i frekvensband som är ”tilldelade av ITU” för radiokommunikationstjänster men inte för radiobestämning. 9. Effektmoduler för mikrovåg (MPM) som består av åtminstone en ”elektronisk vakuumenhet” för vandringsvåg, en ”monolitisk integrerad mikrovågskrets” (”MMIC”) och en integrerad elektronisk effektkonditionerare och som har allt av följande: a) En ”tillslagstid” från avstängd till full drift som är mindre än 10 sekunder, b) en volym som understiger den maximala specificerade effekten i W multiplicerad med 10 cm3/W, och c) en ”effektbandbredd” som är större än en (1) oktav (fmax. > 2fmin.) och som har något av följande: 1. För frekvenser som är högst 18 GHz, en uteffekt i radiofrekvensområdet som överstiger 100 W, eller 2. en frekvens som överstiger 18 GHz. Tekniska anmärkningar: 1. För beräkning av volymen i avsnitt 3A001.b.9.b ges följande exempel: För en maximal specificerad effekt på 20 W blir volymen 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3. 2. ”Tillslagstiden” i avsnitt 3A001.b.9.a avser tiden från helt avstängd till full drift, dvs. inklusive uppvärmningstiden för MPM. 10. Oscillatorer eller sammansättningar av oscillatorer som specificerats för drift med ett fasbrus i enkelt sidbandsläge (SSB), uttryckt i dBc/Hz, som är mindre (bättre) än –(126 + 20log10F – 20log10f) någonstans i bandet 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz. Teknisk anmärkning: I avsnitt 3A001.b.10 är F frekvensförskjutningen från arbetsfrekvensen i Hz och f är arbetsfrekvensen i MHz. 11. ”Frekvenssyntesutrustning” med ”elektroniska sammansättningar” med en ”tid för att byta frekvens” enligt något av följande: a) Mindre än 143 ps. b) Mindre än 100 μs för varje frekvensbyte som överstiger 2,2 GHz inom det syntetiskt erhållna frekvensområde som överstiger 4,8 GHz men inte 31,8 GHz. c) Används inte. d) Mindre än 500 μs för varje frekvensbyte som överstiger 550 MHz inom det syntetiskt erhållna frekvensområde som överstiger 31,8 GHz men inte 37 GHz. e) Mindre än 100 μs för varje frekvensbyte som överstiger 2,2 GHz inom det syntetiskt erhållna frekvensområde som överstiger 37 GHz men inte 90 GHz. eller f) Används inte. g) Mindre än 1 ms inom det syntetiskt erhållna frekvensområde som överstiger 90 GHz. Teknisk anmärkning: En ”frekvenssyntesutrustning” är varje typ av frekvensgivare, oavsett vilken teknik som används, som kan avge ett flertal samtidiga eller alternativa utfrekvenser, från en eller flera utgångar, som styrs, kontrolleras och ordnas av ett mindre antal standard- eller masterfrekvenser. ANM. För ”signalanalysatorer”, signalgeneratorer, nätverksanalysatorer och testmottagare för mikrovåg avsedda för allmän användning, se avsnitten 3A002.c, 3A002.d, 3A002.e respektive 3A002.f. 12. ”Sändar/mottagarmoduler”, ”MMIC för sändning/mottagning”, ”sändarmoduler” och ”MMIC för sändning”, specificerade för frekvenser över 2,7 GHz och som har allt av följande: a) Maximal toppeffekt (i watt), Psat, på mer än 505,62 dividerat med en maximal arbetsfrekvens (i GHz) i kvadrat [Psat > 505,62 W*GHz2/fGHz 2] oavsett kanal. b) En ”relativ bandbredd” på 5 % eller mer, oavsett kanal. c) Eventuella plana sidor med en längd d (i cm) som är högst 15 dividerat med den lägsta arbetsfrekvensen i GHz [d ≤ 15 cm*GHz*N/fGHz] där N är antalet kanaler för sändning eller sändning/mottagning. d) En elektroniskt varierbar fasskiftare per kanal. Tekniska anmärkningar: 1. En ”sändar/mottagarmodul” är en ”elektronisk sammansättning” med flera funktioner som tillhandahåller amplitud- och fasreglering i båda riktningar för sändning och mottagning av signaler. 2. En ”sändarmodul” är en ”elektronisk sammansättning” som tillhandahåller amplitud- och fasreglering för sändning av signaler. 3. En ”MMIC för sändning/mottagning” är en ”MMIC” med flera funktioner som tillhandahåller amplitud- och fasreglering i båda riktningar för sändning och mottagning av signaler. 4. En ”MMIC för sändning” är en ”MMIC” som tillhandahåller amplitud- och fasreglering för sändning av signaler. 5. 2,7 GHz bör användas som den lägsta arbetsfrekvensen (fGHz) i formeln i avsnitt 3A001.b.12.c för sändar/mottagarmoduler eller sändarmoduler som har ett specificerad arbetsområde som sträcker sig ner till 2,7 GHz och lägre [d ≤ 15cm*GHz*N/2,7 GHz]. 6. Avsnitt 3A001.b.12 gäller för ”sändar/mottagarmoduler” eller ”sändarmoduler” med eller utan kylutrustning. Värdet för d i avsnitt 3A001.b.12.c inbegriper inte någon del av ”sändar/mottagarmodulen” eller ”sändarmodulen” som fungerar som kylutrustning. 7. ”Sändar/mottagarmoduler” eller ”sändarmoduler”, eller ”MMIC för sändning/mottagning” eller ”MMIC för sändning” kan ha, men måste inte ha, N integrerade strålande antennelement, där N är antalet kanaler för sändning eller sändning/mottagning. c) Anordningar för akustiska vågor enligt följande, och speciellt konstruerade komponenter till dessa: 1. Anordningar för akustiska ytvågor samt för akustiska vågor nära ytan (shallow bulk) som har något av följande: a) Bärfrekvensen överstiger 6 GHz. b) Bärfrekvensen överstiger 1 GHz men inte 6 GHz och har något av följande: 1. ”Frekvensundertryckningen av sidloben” överstiger 65 dB, 2. produkten av maximala fördröjningstiden och bandbredden (tid i μs och bandbredd i MHz) överstiger 100, 3. bandbredden överstiger 250 MHz, eller 4. dispersionsfördröjningen är mer än 10 μs, eller c) Bärfrekvensen är 1 GHz eller lägre och har något av följande: 1. produkten av maximala fördröjningstiden och bandbredden (tid i μs och bandbredd i MHz) överstiger 100, 2. dispersionsfördröjningen är mer än 10 μs, eller 3. ”frekvensundertryckningen av sidloben” överstiger 65 dB och bandbredden är större än 100 MHz. Teknisk anmärkning: ”Frekvensundertryckningen av sidloben” är det maximala undertryckningsvärde som anges i databladet. 2. Anordningar för s.k. bulk-vågor som direkt kan behandla signaler med frekvenser som överstiger 6 GHz. 3. Akustisk-optiska anordningar för ”signalbehandling” som medger ömsesidig påverkan mellan akustiska vågor (s.k. bulk-vågor eller ytvågor) och ljusvågor och som tillåter direkt signal- eller bildbehandling, inklusive spektralanalys, korrelation och konvolution. Anmärkning: Avsnitt 3A001.c omfattar inte anordningar för akustiska vågor som begränsas till enkelbandpass-, lågpass-, högpass- eller notch-filtrering eller resonansfunktion. d) Elektroniska enheter och kretsar som innehåller komponenter tillverkade av ”supraledande” material, speciellt konstruerade för drift vid temperaturer under den ”kritiska temperaturen” för åtminstone en av dess ”supraledande” beståndsdelar och som har något av följande: 1. Strömomkoppling i digitala kretsar med användning av ”supraledande” grindar och där produkten av grindfördröjningstiden per grind (i sekunder) och effektförlusten per grind (i watt) är mindre än 10–14 J, eller 2. frekvensval för alla frekvenser med användning av resonanskretsar med Q-värden som överstiger 10 000 . e) Högenergienheter enligt följande: 1. ”Celler” enligt följande: a) ”Primärceller” som har något av följande vid 20 °C: 1. ”Energitäthet” som överstiger 550 Wh/kg och en ”kontinuerlig effekttäthet” som överstiger 50 W/kg. eller 2. ”Energitäthet” som överstiger 50 Wh/kg och en ”kontinuerlig effekttäthet” som överstiger 350 W/kg. eller b) ”Sekundärceller” som har en ”energitäthet” som överstiger 350 Wh/kg vid 20 °C. Tekniska anmärkningar: 1. I avsnitt 3A001.e.1 beräknas ”energitäthet” (Wh/kg) utifrån den nominella spänningen multiplicerad med den nominella kapaciteten i amperetimmar (Ah) dividerad med massan i kg. Om den nominella kapaciteten inte är specificerad beräknas energitätheten utifrån den nominella spänningen i kvadrat multiplicerad med urladdningstiden i timmar dividerat med urladdningsbelastningen i ohm och massan i kg. 2. I avsnitt 3A001.e.1 definieras ”cell” som en elektrokemisk enhet som har positiva och negativa elektroder och elektrolyt samt är en källa till elektrisk energi. Den är grundkomponenten i ett batteri. 3. I avsnitt 3A001.e.1.a definieras ”primärcell” som en ”cell” som inte är avsedd att laddas genom någon annan källa. 4. I avsnitt 3A001.e.1.b definieras ”sekundärcell” som en ”cell” som är avsedd att laddas genom en extern elektrisk källa. 5. I avsnitt 3A001.e.1.a beräknas ”kontinuerlig effekttäthet” (W/kg) utifrån den nominella spänningen multiplicerad med den specificerade maximala kontinuerliga urladdningsströmmen i ampere (A) dividerad med massan i kg. ”Kontinuerlig effekttäthet” benämns även som särskild effekt. Anmärkning: Avsnitt 3A001.e.1 omfattar inte batterier, inbegripet batterier som består av en enda cell. 2. Högenergikondensatorer enligt följande: ANM. SE ÄVEN AVSNITT 3A201.a och kontrollbestämmelserna för varor med militär användning. a) Kondensatorer med en repetitionsfrekvens som understiger 10 Hz (enkelpulskondensatorer) och som har allt av följande: 1. En specificerad spänning på minst 5 kV, 2. en energitäthet på minst 250 J/kg, och 3. en total energi på minst 25 kJ. b) Kondensatorer med en repetitionsfrekvens som är lika med eller överstiger 10 Hz (repetitionsspecificerade kondensatorer) och som har allt av följande: 1. En specificerad spänning på minst 5 kV, 2. en energitäthet på minst 50 J/kg, 3. en total energi på minst 100 J, och 4. en laddnings/urladdnings-livslängd på minst 10 000 cykler. 3. ”Supraledande” elektromagneter eller solenoider, speciellt konstruerade för att kunna helt laddas eller urladdas på mindre än 1 sekund och som har allt av följande: ANM. SE ÄVEN AVSNITT 3A201.b. Anmärkning: Avsnitt 3A001.e.3 omfattar inte ”supraledande” elektromagneter och solenoider som är speciellt konstruerade för att användas i medicinsk utrustning för magnetisk resonanstomografi (MRI). a) Energin som levereras vid urladdning överstiger 10 kJ under den första sekunden, b) innerdiametern på den strömförande lindningen är större än 250 mm, och c) specificerad för en magnetisk induktion som är större än 8 T eller en ”total strömtäthet” i lindningen som är större än 300 A/mm2. 4. Solceller, CIC-hopsättningar (cell-interconnect-coverglass), solpaneler och solmoduler som är ”rymdkvalificerade” och har en minsta genomsnittlig verkningsgrad som överstiger 20 % vid en driftstemperatur på 301 K (28 °C) under simulerad ”AM0”-belysning med en irradians på 1 367 watt per kvadratmeter (W/m2). Teknisk anmärkning: ”AM0” eller ”luftmassenollpunkt” avser solljusets spektrala irradians i jordens yttre atmosfär där avståndet mellan jorden och solen är en astronomisk enhet (AU). f) Roterande kodare som anger positionens absolutvärde med en ”noggrannhet” som är mindre (bättre) än 1,0 bågsekunder och speciellt utformade ringar, skivor eller skalor för dessa. g) Pulsade effektomriktande halvledartyristorenheter och ”tyristormoduler” som använder elektriskt eller optiskt styrda eller elektronstrålestyrda omriktningsmetoder som har något av följande: 1. En maximal strömökningstakt vid påslagning (di/dt) som överstiger 30 000 A/μs och en spänning i avstängt tillstånd som överstiger 1 100 V. eller 2. En maximal strömökningstakt vid påslagning (di/dt) som överstiger 2 000 A/μs och som har allt av följande: a) En toppspänning i avstängt tillstånd på minst 3 000 V. b) En toppström (strömstöt) på minst 3 000 A. Anmärkning 1: Avsnitt 3A001.g omfattar följande: — Kiselstyrda likriktare (SRC). — T-tyristorer (Electrical Triggering Thyristors). — LT-tyristorer (Light Triggering Thyristors). — IGC-tyristorer (Integrated Gate Commutated Thyristors). — GTO-tyristorer (Gate Turn-off Thyristors). — MOS-styrda tyristorer (MCT). — Solidtroner. Anmärkning 2: Avsnitt 3A001.g omfattar inte tyristorenheter och ”tyristormoduler” som ingår i utrustning som är konstruerad för civila järnvägstillämpningar eller ”civila luftfartygs”-tillämpningar. Teknisk anmärkning: En ”tyristormodul” i avsnitt 3A001.g innehåller en eller flera tyristorenheter. h) Effektomriktande halvledare, dioder eller ”moduler” som har allt av följande: 1. Specificerade för en maximal gränsskiktstemperatur vid drift som överstiger 488 K (215 °C). 2. En repetitiv toppspänning i frånläge (blockeringsspänning) som överstiger 300 V. 3. En kontinuerlig strömstyrka som överstiger 1 A. Anmärkning 1: I avsnitt 3A001.h inbegriper repetitiv toppspänning i frånläge drain till source-spänning, collector till emitter-spänning, repetitiv toppbackspänning och repetitiv toppblockeringsspänning i frånläge. Anmärkning 2: Avsnitt 3A001.h omfattar följande: — JFE-transistorer (Junction Field Effect Transistors). — VJFE-transistorer (Vertical Junction Field Effect Transistors). — MOSFE-transistorer (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors). — DMOSFE-transistorer (Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors). — IGB-transistorer (Insulated Gate Bipolar Transistors). — HEM-transistorer (High Electron Mobility Transistors). — BJ-transistorer (Bipolar Junction Transistors). — Tyristorer och kiselstyrda likriktare (SRC). — GTO-tyristorer (Gate Turn-off Thyristors). — ETO-tyristorer (Emitter Turn-off Thyristors). — PiN-dioder. — Schottkydioder. Anmärkning 3: Avsnitt 3A001.h omfattar inte effektomriktare, dioder eller ”moduler” som ingår i utrustning som är konstruerad för civila motorfordonstillämpningar, civila järnvägstillämpningar eller ”civila luftfartygs”-tillämpningar. Teknisk anmärkning: En ”modul” i avsnitt 3A001.h innehåller en eller flera effektomriktande halvledare eller dioder. i) Intensitetsmodulatorer, amplitudmodulatorer eller elektrooptiska fasmodulatorer, konstruerade för analoga signaler och som har något av följande: 1. En maximal arbetsfrekvens som överstiger 10 GHz men högst 20 GHz, en optisk inkopplingsförlust som är högst 3 dB och som har något av följande: a) En ”halvvågsspänning” (”Vπ”) som är lägre än 2,7 V, mätt vid en frekvens på 1 GHz eller lägre, eller b) en ”Vπ” som är lägre än 4 V, mätt vid en frekvens på 1 GHz eller mer. eller 2. En maximal arbetsfrekvens som är minst 20 GHz, en optisk inkopplingsförlust som är högst 3 dB och som har något av följande: a) En ”Vπ” som är lägre än 3,3 V, mätt vid en frekvens på 1 GHz eller lägre, eller b) en ”Vπ” som är lägre än 5 V, mätt vid en frekvens på 1 GHz eller mer. Anmärkning: Avsnitt 3A001.i omfattar elektrooptiska modulatorer som har ingående och utgående optiska anslutningsdon (t.ex. optisk kopplingsfläta). Teknisk anmärkning: En ”halvvågsspänning” (”Vπ”) i avsnitt 3A001.i är den spänning som krävs för att göra en fasändring på 180 grader i ljusets våglängd genom den optiska modulatorn.