3A001

Elektroniska komponenter och speciellt konstruerade komponenter till dessa, enligt följande: a) Integrerade kretsar för allmänna ändamål, enligt följande: Anmärkning 1: Kontrollstatusen för wafers (färdigbearbetade eller obearbetade), vars funktion har fastställts, ska bedömas efter parametrarna i avsnitt 3A001.a. Anmärkning 2: Integrerade kretsar omfattar följande typer: — ”Monolitiska integrerade kretsar”. — ”Integrerade hybridkretsar”. — ”Integrerade multikretsar”. — ”Integrerade kretsar av filmtyp” inklusive integrerade kretsar av typ kisel på safir. — ”Optiska integrerade kretsar”. — ”Tredimensionella integrerade kretsar”. 1. Integrerade kretsar som har konstruerats eller specificerats för att vara motståndskraftiga mot en total strålning enligt någon av följande parametrar: a) En total dos om minst 5 × 103 Gy (kisel), b) en dosratsändring genom störning om minst 5 × 106 Gy (kisel)/s eller c) en fluens (integrerat flöde) av neutroner (1 MeV ekvivalent) på 5 × 1013 n/cm2 eller högre på kisel, eller dess ekvivalent för andra material. Anmärkning: 3A001 a.1.c omfattar inte halvledare av metallisolatortyp (MIS - Metal Insulator Semiconductors). 2. ”Mikroprocessor-mikrokretsar”, ”mikrodator-mikrokretsar”, mikrocontroller-mikrokretsar, integrerade minneskretsar tillverkade av blandade halvledare, analog-till digital omvandlare, digital-till-analog-omvandlare, elektro-optiska eller ”optiska integrerade kretsar” konstruerade för ”signalbehandling”, fältprogrammerbara logiska komponenter, kundanpassade integrerade kretsar för vilka antingen funktionen är okänd eller kontrollstatusen hos den utrustning i vilken kretsarna ska användas är okänd, processorer för Fast Fourier-transformation (FFT), elektriskt raderbara PROM-minnen (EEPROM), flash-minnen eller statiska RAM (SRAM) med någon av följande egenskaper: a) Specificerade för drift i omgivningstemperaturer över 398 K (125 °C). b) Specificerade för drift i omgivningstemperaturer under 218 K (- 55 °C). c) Specificerade för drift i omgivningstemperaturer inkluderande hela intervallet från 218 K (- 55 °C) till och med 398 K (125 °C). Anmärkning: Avsnitt 3A001.a.2 omfattar inte integrerade kretsar som konstruerats för civila bil- eller tågapplikationer. 3. ”Mikroprocessor-mikrokretsar”, ”mikrodator-mikrokretsar” och mikrocontroller-mikrokretsar tillverkade av en halvledare med blandade material och som har en klockfrekvens som överstiger 40 MHz. Anmärkning: Avsnitt 3A001.a.3 omfattar digitala signalprocessorer, digitala matrisprocessorer (array processors) och digitala hjälpprocessorer (coprocessors). 4. Används inte. 5. Integrerade kretsar med analog-till-digitalomvandlare (ADC) och digital-till-analog-omvandlare (DAC) enligt följande: a) ADC som har någon av följande egenskaper: ANM.: SE ÄVEN AVSNITT 3A101. 1. en upplösning på 8 bitar eller mer, men mindre än 10 bitar med en dataöverföringshastighet som är högre än 1 000 miljoner ord per sekund, 2. en upplösning på 10 bitar eller mer, men mindre än 12 bitar med en dataöverföringshastighet som är högre än 300 miljoner ord per sekund, 3. en upplösning på 12 bitar med en dataöverföringshastighet som är högre än 200 miljoner ord per sekund, 4. en upplösning på mer än 12 bitar, men högst 14 bitar med en dataöverföringshastighet som är högre än 125 miljoner ord per sekund, eller 5. en upplösning på mer än 14 bitar med en dataöverföringshastighet som är högre än 20 miljoner ord per sekund. Tekniska anmärkningar: 1. En upplösning på n bitar motsvarar en kvantisering av 2n nivåer. 2. Antalet bitar i utdataord är lika med upplösningen i ADC:n. 3. Dataöverföringshastigheten är omvandlarens maximala dataöverföringshastighet, oavsett arkitektur eller översampling. 4. För ’flerkanals-ADC’ ska dataöverföringshastigheterna inte läggas ihop, och dataöverföringshastigheten är den maximala dataöverföringshastigheten för en enstaka kanal. 5. För ’interfolierade ADC’ (interleaved ADC’s) eller för ’flerkanals-ADC’ som är specificerad till att drivas interfolierat, ska dataöverföringshastigheterna läggas ihop och dataöverföringshastigheten är den maximala sammanlagda totala dataöverföringshastigheten av all dataöverföring. 6. Säljare kan även med dataöverföringshastighet mena samplingshastigheten, omvandlingshastigheten eller kapaciteten. Den anges ofta i megahertz (MHz) eller miljoner sampel per sekund (Msps). 7. I syfte att mäta överföringshastigheten motsvarar ett utdataord per sekund en hertz eller ett sampel per sekund. 8. ’Flerkanals-ADC’ definieras som anordningar som integrerar mer än en ADC och har konstruerats så att varje ADC har en separat analog ingång. 9. ’Interfolierade ADC’ (Interleaved ADC’s) definieras som anordningar med flera ADC-enheter som samplar samma analoga ingång vid skilda tidpunkter så att den analoga insignalen, när utsignalerna läggs samman, faktiskt har samplats och konverterats med högre samplingshastighet. b) Digital-till-analog-omvandlare (DAC) som har någon av följande egenskaper: 1. En upplösning på minst 10 bitar med en ’justerad uppdateringshastighet’ på minst 3 500 MSPS. 2. En upplösning på minst 12 bitar med en ’justerad uppdateringshastighet’ på minst 1 250 Msps och med a) en ”inställningstid” på mindre än 9 ns till nivån 0,024 % av fullskala från ett fullskalesteg, eller b) ett ’spuriosfritt dynamiskt område’ (SFDR) som är större än 68 dBc (bärare) vid syntetisering av en fullskalig analog signal på 100 MHz eller den högsta fullskaliga analoga signalen under 100 MHz. Tekniska anmärkningar: 1. ’Spuriosfritt dynamiskt område’ (SFDR) definieras som kvoten av RMS-värdet för bärfrekvensen (maximisignalkomponent) på digitalomvandlarens ingång och RMS-värdet av den näst största bruskomponenten eller komponenten av harmonisk distorsion på dess utgång. 2. SFDR fastställs direkt i specifikationstabellen eller med utgångspunkt i karaktäriseringsdiagrammen med SFDR mot frekvens. 3. En signal definieras som fullskalig när amplituden är större än -3 dBfs (full skala). 4. ’Justerad uppdateringshastighet’ för DAC: a) För konventionella (icke-interpolerande) DAC:ar avses med ’justerad uppdateringshastighet’ den hastighet med vilken den digitala signalen omvandlas till en analog signal och utgångens analoga värden ändras av DAC:en. För DAC där det går att koppla förbi interpoleringsmoden (interpolationsfaktorn är ett), bör DAC anses vara konventionella (icke-interpolerande) DAC. b) För en interpolerande DAC (översamplande DAC) definieras ’justerad uppdateringshastighet’ som DAC:ens uppdateringshastighet dividerat med den minsta interpolationsfaktorn. För en interpolerande DAC kan ’justerad uppdateringshastighet’ även kallas — indatahastighet (input data rate) — inordhastighet (input word rate) — insamplingshastighet (input sample rate) — högsta sammanlagda inbusshastighet (maximum total input bus rate) — högsta DAC-klockfrekvens för DAC-klockinsignalen (maximum DAC clock rate for DAC clock input). 6. Elektro-optiska eller ”optiska integrerade kretsar” konstruerade för ”signalbehandling” som har alla följande egenskaper: a) En eller flera interna ”laser”-dioder, b) ett eller flera interna ljusdetekterande element, och c) optiska vågledare. 7. ’Fältprogrammerbara logiska komponenter’ med något av följande: a) Det maximala antalet enpoliga digitala inmatningar/utmatningar är 500 eller mer, eller b) en ’högsta totala datahastighet för överföring via enkelriktade serietranceivers’ på 200 Gb/s eller mer. Anmärkning: Avsnitt 3A001.a.7 omfattar följande: — Enkla programmerbara logiska komponenter (SPLD) — Komplexa programmerbara logiska komponenter (CPLD) — Fältprogrammerbara grindmatriser (FPGA) — Fältprogrammerbara logiska matriser (FPLA) — Fältprogrammerbara kopplingar (FPIC) Tekniska anmärkningar: 1. ’Fältprogrammerbara logiska komponenter’ betecknas även fältprogrammerbara grindmatriser eller fältprogrammerbara logiska matriser. 2. Det maximala antalet digitala inmatningar/utmatningar i avsnitt 3A001.a.7.a betecknas också det maximala antalet inmatningar/utmatningar för användaren eller det maximala antalet tillgängliga inmatningar/utmatningar, oavsett om den integrerade kretsen är inkapslad eller ej. 3. Med ’högsta totala datahastighet för överföring via enkelriktade serietranceivers’ avses produkten av den högsta dataöverföringshastigheten hos transceivern multiplicerat med antalet tranceivrar i den fältprogrammerbara grindmatrisen (FPGA). 8. Används inte. 9. Integrerade kretsar för neurala nätverk. 10. Kundanpassade integrerade kretsar för vilka antingen funktionen är okänd eller kretstillverkaren saknar uppgift om kontrollstatusen hos den utrustning där kretsarna ska ingå och där något av följande villkor är uppfyllt: a) Fler än 1 500 anslutningar, b) den ”typiska grindfördröjningstiden” är kortare än 0,02 ns, eller c) arbetsfrekvensen överstiger 3 GHz. 11. Andra digitala kretsar än de som beskrivits i avsnitten 3A001.a.3–3A001.a.10 och 3A001.a.12 och som baseras på en blandning av halvledarmaterial, med något av följande: a) Ett antal grindekvivalenter som är större än 3 000 (grindar med 2 ingångar), eller b) en vippfrekvens som överstiger 1,2 GHz. 12. Processorer för Fast Fourier Transform (FFT) och som har en specificerad verkställighetstid som är mindre än (N log2 N) /20 480 ms, för en N-punkters komplex FFT, där N är antalet punkter. Teknisk anmärkning: När N är lika med 1 024 punkter ger formeln i 3A001.a.12 en verkställighetstid på 500 μs. 13. Integrerade kretsar för Direct Digital Synthesizer (DDS) som har något av följande: a) Digital-till analog-omvandlaren (DAC) som har en klockfrekvens på minst 3,5 GHz och en upplösning på minst 10 bit men mindre än 12 bit, eller b) en DAC-klockfrekvens på minst 1,25 GHz och en DAC-upplösning på 12 bit eller mer. Teknisk anmärkning: DAC-klockfrekvensen kan specificeras som masterklockfrekvens eller ingångsklockfrekvens. b) Mikrovåg- eller millimetervågutrustning, enligt följande: Teknisk anmärkning: I samband med avsnitt 3A001.b kan parametern maximal toppeffekt (peak saturated power output) på ett produktdatablad också anges som uteffekt, mättad topputeffekt, maximal uteffekt, uttoppeffekt, eller maximal topputeffekt (PEP). 1. Elektroniska vakuumrör och katoder enligt följande: Anmärkning 1: Avsnitt 3A001.b.1 omfattar inte sådana rör som är tillverkade eller specificerade för att fungera i frekvensband och som uppfyller alla följande egenskaper: a. De överstiger inte 31,8 GHz och b) de är ”tilldelade av ITU” för radiokommunikationstjänster, men inte för radiobestämning. Anmärkning 2: Avsnitt 3A001.b.1 omfattar inte icke-”rymdkvalificerade” rör som uppfyller följande: a) De har en genomsnittlig uteffekt på högst 50 W, och b) de är tillverkade eller specificerade för att fungera i frekvensband som har alla följande egenskaper: 1. De överstiger 31,8 GHz, men överstiger inte 43,5 GHz, och 2. de är ”tilldelade av ITU” för radiokommunikationstjänster men inte för radiobestämning. a) Vandringsvågrör, för pulsad eller kontinuerlig drift, enligt följande: 1. Rör som kan arbeta vid frekvenser som överstiger 31,8 GHz. 2. Rör som har en katodupphettning som möjliggör full högfrekvensdrift på kortare tid än 3 s efter tillslag. 3. Rör som har kopplade kaviteter eller är utvecklingar av sådana rör med en ”relativ bandbredd” som är större än 7 % eller en toppeffekt som överskrider 2,5 kW. 4. Helix-rör, eller utvecklingar av dessa, som uppfyller något av följande: a) De har en ”effektbandbredd” som är mer än en oktav och produkten av den specificerade genomsnittliga uteffekten (uttryckt i kW) och den högsta arbetsfrekvensen (uttryckt i GHz) överstiger mätetalet 0,5 , b) de har en ”effektbandbredd” som är en oktav eller mindre, och produkten av den specificerade uteffekten (uttryckt i kW) och den maximala specificerade arbetsfrekvensen (uttryckt i GHz) överstiger mätetalet 1, eller c) de är ”rymdkvalificerade”. b) Korsfältsförstärkarrör med en förstärkning på mer än 17 dB. c) Impregnerade katoder konstruerade för elektronrör som producerar en kontinuerlig emissionsströmtäthet på mer än 5 A/cm2. 2. Effektförstärkare för ”monolitiska integrerade kretsar” som arbetar inom mikrovågsområdet (MMIC-effektförstärkare) som är något av följande: a) De är specificerade för frekvenser över 2,7 GHz och upp till och med 6,8 GHz med en ”relativ bandbredd” som är större än 15 % och har någon av följande egenskaper: 1. En maximal toppeffekt på mer än 75 W (48,75 dBm) vid frekvenser över 2,7 GHz till och med 2,9 GHz, 2. en maximal toppeffekt på mer än 55 W (47,4 dBm) vid frekvenser över 2,9 GHz till och med 3,2 GHz, 3. en maximal toppeffekt på mer än 40 W (46 dBm) vid frekvenser över 3,2 GHz till och med 3,7 GHz, eller 4. en maximal toppeffekt på mer än 20 W (43 dBm) vid frekvenser över 3,7 GHz till och med 6,8 GHz. b) De är specificerade för frekvenser över 6,8 GHz och upp till och med 16 GHz med en ”relativ bandbredd” som är större än 10 % och har någon av följande egenskaper: 1. En maximal toppeffekt på mer än 10 W (40 dBm) vid frekvenser över 6,8 GHz till och med 8,5 GHz, eller 2. en maximal toppeffekt på mer än 5 W (37 dBm) vid frekvenser över 8,5 GHz till och med 16 GHz. c) De är specificerade för drift med en maximal toppeffekt på mer än 3 W (34,77 dBm) vid frekvenser över 16 GHz till och med 31,8 GHz, och med en ”relativ bandbredd” på över 10 %. d) De är specificerade för drift med en maximal toppeffekt på mer än 0,1 nW (-70 dBm) vid frekvenser över 31,8 GHz till och med 37 GHz. e) De är specificerade för drift med en maximal toppeffekt på mer än 1 W (30 dBm) vid frekvenser över 37 GHz till och med 43,5 GHz, och med en ”relativ bandbredd” på över 10 %. f) De är specificerade för drift med en maximal toppeffekt på mer än 31,62 mW (15 dBm) vid frekvenser över 43,5 GHz till och med 75 GHz, och med en ”relativ bandbredd” på över 10 %. g) De är specificerade för drift med en maximal toppeffekt på mer än 10 mW (10 dBm) vid frekvenser över 75 GHz till och med 90 GHz, och med en ”relativ bandbredd” på över 5 %. h) De är specificerade för drift med en maximal toppeffekt på mer än 0,1 nW (-70 dBm) vid frekvenser över 90 GHz. Anmärkning 1: Används inte. Anmärkning 2: Kontrollstatusen för MMIC vars specificerade arbetsfrekvens omfattar frekvenser i mer än ett frekvensområde, enligt definitionerna i avsnitten 3A001.b.2.a–3A001.b.2.h, bestäms genom angivna parametrar för lägsta tröskelvärde för maximal toppeffekt. Anmärkning 3: Anmärkningarna 1 och 2 i 3A innebär att avsnitt 3A001.b.2 inte omfattar MMIC som speciellt är konstruerade för andra tillämpningar, t.ex. telekommunikation, radar och bilar. 3. Diskreta mikrovågstransistorer som är något av följande: a) De är specificerade för frekvenser över 2,7 GHz och upp till och med 6,8 GHz och har någon av följande egenskaper: 1. En maximal toppeffekt på mer än 400 W (56 dBm) vid frekvenser över 2,7 GHz till och med 2,9 GHz, 2. en maximal toppeffekt på mer än 205 W (53,12 dBm) vid frekvenser över 2,9 GHz till och med 3,2 GHz, 3. en maximal toppeffekt på mer än 115 W (50,61 dBm) vid frekvenser över 3,2 GHz till och med 3,7 GHz, eller 4. en maximal toppeffekt på mer än 60 W (47,78 dBm) vid frekvenser över 3,7 GHz till och med 6,8 GHz. b) De är specificerade för frekvenser över 6,8 GHz och upp till och med 31,8 GHz och har någon av följande egenskaper: 1. En maximal toppeffekt på mer än 50 W (47 dBm) vid frekvenser över 6,8 GHz till och med 8,5 GHz, 2. en maximal toppeffekt på mer än 15 W (41,76 dBm) vid frekvenser över 8,5 GHz till och med 12 GHz, 3. en maximal toppeffekt på mer än 40 W (46 dBm) vid frekvenser över 12 GHz till och med 16 GHz, eller 4. en maximal toppeffekt på mer än 7 W (38,45 dBm) vid frekvenser över 16 GHz till och med 31,8 GHz. c) De är specificerade för drift med en maximal toppeffekt på mer än 0,5 W (27 dBm) vid frekvenser över 31,8 GHz till och med 37 GHz. d) De är specificerade för drift med en maximal toppeffekt på mer än 1 W (30 dBm) vid frekvenser över 37 GHz till och med 43,5 GHz. e) De är specificerade för drift med en maximal toppeffekt på mer än 0,1 nW (-70 dBm) vid frekvenser över 43,5 GHz. Anmärkning 1: Kontrollstatusen för transistorer vars specificerade arbetsfrekvens omfattar frekvenser i mer än ett frekvensområde, enligt definitionen i avsnitten 3A001.b.3.a–3A001.b.3.e, bestäms genom angivna parametrar för lägsta tröskelvärde för maximal toppeffekt. Anmärkning 2: Avsnitt 3A001.b.3 omfattar rena chip, chip moterat på bärare eller chip monterat i kapslingar. Vissa diskreta transistorer kan även refereras till som effektförstärkare, men status för dessa diskreta transistorer bestäms av avsnitt 3A001.b.3. 4. Halvledarbestyckade mikrovågsförstärkare och mikrovågsutrustningar/moduler som innehåller halvledarbestyckade mikrovågsförstärkare, som är något av följande: a) Specificerade för frekvenser över 2,7 GHz och upp till och med 6,8 GHz med en ”relativ bandbredd” som är större än 15 % och som har någon av följande egenskaper: 1. En maximal toppeffekt på mer än 500 W (57 dBm) vid frekvenser över 2,7 GHz till och med 2,9 GHz, 2. en maximal toppeffekt på mer än 270 W (54,3 dBm) vid frekvenser över 2,9 GHz till och med 3,2 GHz, 3. en maximal toppeffekt på mer än 200 W (53 dBm) vid frekvenser över 3,2 GHz till och med 3,7 GHz, eller 4. en maximal toppeffekt på mer än 90 W (49,54 dBm) vid frekvenser över 3,7 GHz till och med 6,8 GHz. b) Specificerade för frekvenser över 6,8 GHz och upp till och med 31,8 GHz med en ”relativ bandbredd” som är större än 10 % och som har någon av följande egenskaper: 1. En maximal toppeffekt på mer än 70 W (48,54 dBm) vid frekvenser över 6,8 GHz till och med 8,5 GHz, 2. en maximal toppeffekt på mer än 50 W (47 dBm) vid frekvenser över 8,5 GHz till och med 12 GHz, 3. en maximal toppeffekt på mer än 30 W (44,77 dBm) vid frekvenser över 12 GHz till och med 16 GHz, eller 4. en maximal toppeffekt på mer än 20 W (43 dBm) vid frekvenser över 16 GHz till och med 31,8 GHz. c) Specificerade för drift med en maximal toppeffekt på mer än 0,5 W (27 dBm) vid frekvenser över 31,8 GHz till och med 37 GHz. d) Specificerade för drift med en maximal toppeffekt på mer än 2 W (33 dBm) vid frekvenser över 37 GHz till och med 43,5 GHz, och med en ”relativ bandbredd” på över 10 %. e) De är specificerade för frekvenser som överstiger 43,5 GHz och uppfyller något av följande villkor: 1. Maximal toppeffekt på mer än 0,2 W (23 dBm) vid frekvenser över 43,5 GHz till och med 75 GHz, och med en ”relativ bandbredd” på över 10 %, 2. maximal toppeffekt på mer än 20 mW (13 dBm) vid frekvenser över 75 GHz till och med 90 GHz, och med en ”relativ bandbredd” på över 5 %, eller 3. maximal toppeffekt på mer än 0,1 nW (-70 dBm) vid frekvenser över 90 GHz. f) De är specificerade för frekvenser som överstiger 2,7 GHz och uppfyller samtliga följande villkor: 1. En topputeffekt (i watt), Psat, som överstiger 400 dividerat med en maximal arbetsfrekvens (i GHz) i kvadrat [Psat > 400 W*GHz2/fGHz 2]. 2. De har en ”relativ bandbredd” på 5 % eller mer. 3. Två av sidorna är vinkelräta med en längd d, (i cm) som är lika med eller mindre än 15 dividerat med den lägsta arbetsfrekvensen i GHz [d≤ 15 cm*GHz/ fGHz]. Teknisk anmärkning: 2,7 GHz bör användas som den lägsta arbetsfrekvensen (fGHz) i formeln i avsnitt 3A001.b.4.f.3, för förstärkare som har en specificerad arbetsfrekvens som sträcker sig ner till 2,7 GHz och lägre [d≤ 15 cm*GHz/2,7 GHz]. ANM.: MMIC-effektförstärkare ska bedömas mot bakgrund av kriterierna i avsnitt 3A001.b.2. Anmärkning 1: Används inte. Anmärkning 2: Kontrollstatusen för en produkt vars specificerade arbetsfrekvens omfattar frekvenser i mer än ett frekvensområde, enligt definitionen i avsnitten 3A001.b.4.a–3A001.b.4.e bestäms genom angivna parametrar för lägsta tröskelvärde för maximal toppeffekt. Anmärkning 3: Avsnitt 3A001.b.4 omfattar sändar/mottagarmoduler och sändarmoduler. 5. Elektroniskt eller magnetiskt avstämbara bandpass- eller bandstoppfilter, som har mer än 5 avstämbara resonatorer och som kan avstämmas inom ett frekvensband (fmax./fmin.) = 1,5 :1 på mindre än 10 μs, och som har något av följande: a) En bandbredd på mer än 0,5 % av mittfrekvensen för bandpassfiltret, eller b) en bandbredd på mindre än 0,5 % av mittfrekvensen för bandstoppfiltret. 6. Används inte. 7. Omvandlare och harmoniska blandare som är konstruerade för att utöka frekvensområdet för utrustning som beskrivs i avsnitt 3A002.c, 3A002.d, 3A002.e eller 3A002.f utanför vad som stadgas i dessa avsnitt. 8. Effektförstärkare för mikrovåg som innehåller rör som specificeras i avsnitt 3A001.b.1 och som har alla följande egenskaper: a) Arbetsfrekvensen är över 3 GHz, b) ett genomsnittligt förhållande mellan effekt och massa som överstiger 80 W/kg, och c) en volym som är mindre än 400 cm3. Anmärkning: Avsnitt 3A001.b.8 omfattar inte utrustning som är konstruerad eller specificerad för att arbeta i frekvensband som är ”tilldelade av ITU” för radiokommunikationstjänster men inte för radiobestämning. 9. Effektmoduler för mikrovåg (MPM) som består av åtminstone ett vandringsvågrör, en ”monolitisk integrerad krets” för mikrovåg och en integrerad elektronisk effektkonditionerare och som har följande egenskaper: a) En ’tillslagstid’ från avstängd till full drift som är mindre än 10 sekunder, b) en volym som understiger den maximala specificerade effekten i W multiplicerad med 10 cm3/W, och c) en ”effektbandbredd” som större än en (1) oktav (fmax. > 2fmin.) och med någon av följande egenskaper: 1. För frekvenser som är högst 18 GHz, en uteffekt i radiofrekvensområdet som överstiger 100 W, eller 2. 2. en frekvens som överstiger 18 GHz. Tekniska anmärkningar: 1. För beräkning av volymen i avsnitt 3A001.b.9.b ges följande exempel: För en maximal specificerad effekt på 20 W blir volymen 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3. 2. ’Tillslagstiden’ i avsnitt 3A001.b.9.a avser tiden från helt avstängd till full drift, dvs. inklusive uppvärmningstiden för MPM. 10. Oscillatorer eller sammansättningar av oscillatorer som specificerats för drift med alla följande egenskaper: a) Ett fasbrus i enkelt sidbandsläge (SSB), uttryckt i dBc/Hz, som är bättre än - (126 + 20log10F-20log10f) någonstans i bandet 10 Hz < F < 10 kHz. b) Ett fasbrus i enkelt sidbandsläge (SSB), uttryckt i dBc/Hz, som är bättre än - (114 + 20log10F-20log10f) någonstans i bandet 10 kHz ≤ F < 500 kHz. Teknisk anmärkning: I avsnitt 3A001.b.10 är F frekvensförskjutningen från arbetsfrekvensen i Hz och f är arbetsfrekvensen i MHz. 11. ”Frekvenssyntesutrustning” med ”elektroniska sammansättningar” med en ”tid för att byta frekvens” enligt något av följande: a) Mindre än 156 ps. b) Mindre än 100 μs för varje frekvensbyte som överstiger 1,6 GHz inom det syntetiskt erhållna frekvensområde som överstiger 4,8 GHz men inte 10,6 GHz. c) Mindre än 250 μs för varje frekvensbyte som överstiger 550 MHz inom det syntetiskt erhållna frekvensområde som överstiger 10,6 GHz men inte 31,8 GHz. d) Mindre än 500 μs för varje frekvensbyte som överstiger 550 MHz inom det syntetiskt erhållna frekvensområde som överstiger 31,8 GHz men inte 43,5 GHz. e) Mindre än 1 ms för varje frekvensbyte som överstiger 550 MHz inom det syntetiskt erhållna frekvensområde som överstiger 43,5 GHz men inte 56 GHz. f) Mindre än 1 ms för varje frekvensbyte som överstiger 2,2 GHz inom det syntetiskt erhållna frekvensområde som överstiger 56 GHz men inte 75 GHz. g) Mindre än 1 ms inom det syntetiskt erhållna frekvensområde som överstiger 75 GHz. ANM.: För ”signalanalysatorer”, signalgeneratorer, nätverksanalysatorer och testmottagare för mikrovåg avsedda för allmän användning se avsnitten 3A002.c, 3A002.d, 3A002.e respektive 3A002.f. c) Anordningar för akustiska vågor, enligt följande, och speciellt konstruerade komponenter till dessa: 1. Anordningar för akustiska ytvågor samt för akustiska vågor nära ytan (shallow bulk) som har någon av följande egenskaper: a) Bärfrekvensen överstiger 6 GHz. b) Bärfrekvensen överstiger 1 GHz, men inte 6 GHz, och de har någon av följande egenskaper: 1. ’Frekvensundertryckningen av sidloben’ överstiger 65 dB, 2. produkten av maximala fördröjningstiden och bandbredden (tid i μs och bandbredd i MHz) överstiger 100, 3. bandbredden överstiger 250 MHz, 4. dispersionsfördröjningen är mer än 10 μs, c) Bärfrekvensen är 1 GHz eller lägre och den har någon av följande egenskaper: 1. Produkten av maximala fördröjningstiden och bandbredden (tid i μs och bandbredd i MHz) överstiger 100, 2. dispersionsfördröjningen är mer än 10 μs, eller 3. ’frekvensundertryckningen av sidloben’ överstiger 65 dB och bandbredden är större än 100 MHz, Teknisk anmärkning: ’Frekvensundertryckningen av sidloben’ är det maximala undertryckningsvärde som anges i databladet. 2. Anordningar för s.k. bulk-vågor som direkt kan behandla signaler med frekvenser som överstiger 6 GHz. 3. Akustisk-optiska anordningar för ”signalbehandling” som medger ömsesidig påverkan mellan akustiska vågor (s.k. bulk-vågor eller ytvågor) och ljusvågor och som tillåter direkt signal- eller bildbehandling, inklusive spektralanalys, korrelation och konvolution. Anmärkning: Avsnitt 3A001.c omfattar inte anordningar för akustiska vågor som begränsas till enkelbandpass-, lågpass-, högpass- eller notch-filtrering eller resonansfunktion. d) Elektroniska enheter och kretsar som innehåller komponenter tillverkade av ”supraledande” material, speciellt konstruerade för drift vid temperaturer under den ”kritiska temperaturen” för åtminstone en av dess ”supraledande” beståndsdelar, och som är försedda med något av följande: 1. Strömomkoppling i digitala kretsar med användning av ”supraledande” grindar och där produkten av grindfördröjningstiden per grind (i sekunder) och effektförlusten per grind (i watt) är mindre än 10-14 J, eller 2. frekvensval för alla frekvenser med användning av resonanskretsar med Q-värden som överstiger 10 000 . e) Högenergienheter enligt följande: 1. ’Celler’ enligt följande: a) ’Primärceller’ som har en ’energitäthet’ som överstiger 550 Wh/kg vid 20 °C. b) ’Sekundärceller’ som har en ’energitäthet’ som överstiger 300 Wh/kg vid 20 °C. Tekniska anmärkningar: 1. I avsnitt 3A001.e.1 beräknas ’energitäthet’ (Wh/kg) utifrån den nominella spänningen multiplicerad med den nominella kapaciteten i amperetimmar (Ah) dividerat med massan i kg. Om den nominella kapaciteten inte är specificerad beräknas energitätheten utifrån den nominella spänningen i kvadrat multiplicerad med urladdningstiden i timmar dividerat med urladdningsbelastningen i ohm och massan i kg. 2. I avsnitt 3A001.e.1 definieras ’cell’ som en elektrokemisk enhet som har positiva och negativa elektroder och elektrolyt samt är en källa till elektrisk energi. Den är grundkomponenten i ett batteri. 3. I avsnitt 3A001.e.1.a definieras ’primärcell’ som en ’cell’ som inte är avsedd att laddas genom någon annan källa. 4. I avsnitt 3A001.e.1.b definieras ’sekundärcell’ som en ’cell’ som är avsedd att laddas genom en extern elektrisk källa. Anmärkning: Avsnitt 3A001.e.1 omfattar inte batterier, inbegripet batterier som består av en enda cell. 2. Högenergikondensatorer enligt följande: ANM.: SE ÄVEN AVSNITT 3A201.a. och kontrollbestämmelserna för varor med militär användning. a) Kondensatorer med en repetitionsfrekvens som understiger 10 Hz (enkelpulskondensatorer) och som har samtliga följande egenskaper: 1. En specificerad spänning lika med eller överstigande 5 kV, 2. en energitäthet lika med eller högre än 250 J/kg och 3. en total energi lika med eller större än 25 kJ. b) Kondensatorer med en repetitionsfrekvens som är lika med eller överstiger 10 Hz (repetitionsspecificerade kondensatorer) och som har samtliga följande egenskaper: 1. En specificerad spänning lika med eller överstigande 5 kV, 2. en energitäthet lika med eller högre än 50 J/kg, 3. en total energi lika med eller större än 100 J, och 4. en laddnings/urladdnings-livslängd som är lika med eller överstiger 10 000 cykler. 3. ”Supraledande” elektromagneter eller solenoider, speciellt konstruerade för att kunna helt laddas eller urladdas på mindre än 1 sekund och som har samtliga följande egenskaper: ANM.: SE ÄVEN AVSNITT 3A201.b. Anmärkning: Avsnitt 3A001.e.3 omfattar inte ”supraledande” elektromagneter och solenoider som är speciellt konstruerade för att användas i medicinsk utrustning till magnetisk resonans bildbehandling (MRI). a) Energin som levereras vid urladdning överstiger 10 kJ under den första sekunden, b) innerdiametern på den strömförande lindningen är större än 250 mm, och c) är specificerad för en magnetisk induktion som är större än 8 T eller en ”total strömtäthet” i lindningen som är större än 300 A/mm2. 4. Solceller, CIC-hopsättningar (cell-interconnect-coverglass), solpaneler och solmoduler som är ”rymdkvalificerade” och har en minsta genomsnittlig verkningsgrad som överstiger 20 % vid en driftstemperatur på 301 K (28 °C) under simulerad ’AM0’-belysning med en irradians på 1 367 watt per kvadratmeter (W/m2). Teknisk anmärkning: ’AM0’ eller ’luftmassenollpunkt’ avser solljusets spektrala irradians i jordens yttre atmosfär där avståndet mellan jorden och solen är en astronomisk enhet (AU). f) Roterande kodare som anger positionens absolutvärde med en noggrannhet som är mindre (bättre) än ± 1,0 bågsekunder. g) Pulsade effektomriktande halvledartyristorenheter och ’tyristormoduler’ som använder elektriskt eller optiskt styrda eller elektronstrålestyrda omriktningsmetoder och som har någon av följande egenskaper: 1. En maximal strömökningstakt vid påslagning (di/dt) som överstiger 30 000 A/μs och en spänning i avstängt tillstånd som överstiger 1 100 V. 2. En maximal strömökningstakt vid påslagning (di/dt) som överstiger 2 000 A/μs och som har alla följande egenskaper: a) En toppspänning i avstängt tillstånd som är minst 3 000 V. b) En toppström (strömstöt) som är minst 3 000 A. Anmärkning 1: Avsnitt 3A001.g omfattar följande: — Kiselstyrda likriktare (SRC). — T-tyristorer (Electrical Triggering Thyristors). — LT-tyristorer (Light Triggering Thyristors). — IGC-tyristorer (Integrated Gate Commutated Thyristors). — GTO-tyristorer (Gate Turn-off Thyristors). — MOS-styrda tyristorer (MCT). — Solidtroner. Anmärkning 2: Avsnitt 3A001.g omfattar inte tyristorenheter och ’tyristormoduler’ som ingår i utrustning som är konstruerad för civila järnvägstillämpningar eller ”civila luftfartygs”-tillämpningar. Teknisk anmärkning: En ’tyristormodul’ i avsnitt 3A001.g innehåller en eller flera tyristorenheter. h) Effektomriktande halvledare, dioder eller ’moduler’ som har samtliga följande egenskaper: 1. Specificerade för en maximal gränsskiktstemperatur vid drift som överstiger 488 K (215 °C). 2. En repetitiv toppspänning i frånläge (blockeringsspänning) som överstiger 300 V. 3. En kontinuerlig strömstyrka som överstiger 1 A. Anmärkning 1: I avsnitt 3A001.h inbegriper repetitiv toppspänning i frånläge drain till source-spänning, collector till emitter-spänning, repetitiv toppbackspänning och repetitiv toppblockeringsspänning i frånläge. Anmärkning 2: Avsnitt 3A001.h omfattar följande: — JFE-transistorer (Junction Field Effect Transistors). — VJFE-transistorer (Vertical Junction Field Effect Transistors). — MOSFE-transistorer (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors). — DMOSFE-transistorer (Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors). — IGB-transistorer (Insulated Gate Bipolar Transistors). — HEM-transistorer (High Electron Mobility Transistors). — BJ-transistorer (Bipolar Junction Transistors). — Tyristorer och kiselstyrda likriktare (SRC). — GTO-tyristorer (Gate Turn-off Thyristors). — ETO-tyristorer (Emitter Turn-off Thyristors). — PiN-dioder. — Schottkydioder. Anmärkning 3: Avsnitt 3A001.h omfattar inte effektomriktare, dioder eller ’moduler’ som ingår i utrustning som är konstruerad för civila motorfordonstillämpningar, civila järnvägstillämpningar eller ”civila luftfartygs”-tillämpningar. Teknisk anmärkning: En ’modul’ i avsnitt 3A001.h innehåller en eller flera effektomriktande halvledare eller dioder.