X.B.I.001

Echipamente pentru fabricarea componentelor sau a materialelor electronice, după cum urmează, și componentele și accesoriile special concepute pentru acestea: a. echipamente special concepute pentru fabricarea tuburilor electronice și a elementelor optice și componentele special concepute pentru acestea, supuse controlului la punctul 3A001 (2) sau X.A.I.001; b. echipamente special concepute pentru fabricarea dispozitivelor semiconductoare, a circuitelor integrate și a «ansamblurilor electronice», după cum urmează, și sistemele care încorporează astfel de echipamente sau au caracteristicile acestora: Notă: La punctul X.B.I.001.b sunt supuse controlului și echipamentele utilizate sau modificate pentru a fi utilizate la fabricarea altor dispozitive, cum ar fi dispozitivele generatoare de imagini, dispozitivele electrooptice și dispozitivele cu unde acustice. 1. echipamente pentru prelucrarea materialelor utilizate la fabricarea dispozitivelor și a componentelor indicate la punctul X.B.I.001.b, după cum urmează: Notă: La punctul X.B.I.001 nu sunt supuse controlului tuburile de cuarț pentru cuptoare, căptușelile cuptoarelor, paletele, suporții (cu excepția suporților de tip cușcă special concepuți), barbotoarele, casetele sau creuzetele special concepute pentru echipamentele de prelucrare supuse controlului la punctul X.B.I.001.b.1. a. echipamente pentru producerea siliciului policristalin și a materialelor supuse controlului la punctul 3C001 (3); b. echipamente special concepute pentru purificarea sau prelucrarea materialelor semiconductoare III/V și II/VI supuse controlului la punctul 3C001, 3C002, 3C003, 3C004 sau 3C005 (4), cu excepția aparatelor pentru creșterea cristalelor de la punctul X.B.I.001.b.1.c; c. aparate și cuptoare pentru creșterea cristalelor, după cum urmează: Notă: La punctul X.B.I.001.b.1.c nu sunt supuse controlului cuptoarele cu difuzie și oxidare. 1. echipamente pentru recoacere sau recristalizare, altele decât cuptoarele cu temperatură constantă care utilizează rate ridicate de transfer al energiei, capabile să prelucreze plachete cu o viteză mai mare de 0,005 m2 pe minut; 2. aparate pentru creșterea cristalelor «controlate de un program stocat», care au oricare din următoarele caracteristici: a. pot fi reîncărcate fără înlocuirea vasului creuzetului; b. pot să funcționeze la presiuni mai mari de 2,5 × 105 Pa; sau c. pot să crească cristale cu un diametru mai mare de 100 mm; d. echipamente pentru creștere epitaxială «controlate de un program stocat», care au oricare din următoarele caracteristici: 1. sunt capabile să producă un strat de siliciu cu o grosime uniformă, a cărei variație este mai mică de ± 2,5 % pe o distanță de 200 mm sau mai mare; 2. sunt capabile să producă un strat din orice alt material decât siliciul, cu o uniformitate a grosimii pe plachetă egală sau mai bună decât ± 3,5 %; sau 3. asigură rotația plachetelor în cursul prelucrării; e. echipamente pentru creștere epitaxială cu fascicul molecular; f. echipamente de «pulverizare» cu amplificare magnetică, dotate cu sasuri pentru sarcina integrală special concepute și capabile să transfere plachete în vid izolat; g. echipamente special concepute pentru implantarea de ioni sau pentru difuzia amplificată cu ioni sau fotoamplificată, care au oricare din următoarele caracteristici: 1. capacitate de modelare; 2. energia fasciculului (tensiunea de accelerare) mai mare de 200 keV; 3. sunt optimizate pentru a funcționa la o energie a fasciculului (tensiune de accelerare) mai mică de 10 keV; sau 4. sunt capabile să implanteze oxigen cu energie înaltă într-un «substrat» încălzit; h. echipamente «controlate de un program stocat» și utilizate pentru îndepărtarea selectivă (corodare) prin metode anizotrope uscate (de exemplu, cu plasmă), după cum urmează: 1. «echipamente pentru loturi» care au una din următoarele caracteristici: a. detectează punctul final, cu excepția tipurilor cu spectroscopie cu emisie optică; sau b. au o presiune de funcționare (corodare) a reactorului de 26,66 Pa sau mai mică; 2. «echipamente pentru plachete individuale» care au oricare din următoarele caracteristici: a. detectează punctul final, cu excepția tipurilor cu spectroscopie cu emisie optică; b. au o presiune de funcționare (corodare) a reactorului de 26,66 Pa sau mai mică; sau c. manipulează plachetele de la casetă la casetă și în sasul de sarcină; Note: 1. «Echipamente pentru loturi» se referă la echipamentele care nu sunt special concepute pentru producția sau prelucrarea plachetelor individuale. Astfel de echipamente pot prelucra două sau mai multe plachete simultan, cu parametri de proces comuni, cum ar fi puterea RF, temperatura, tipurile de gaz de corodare, debitele. 2. «Echipamente pentru plachete individuale» se referă la echipamentele special concepute pentru producția sau prelucrarea plachetelor individuale. Aceste echipamente pot utiliza tehnici de manipulare automată a plachetelor pentru a încărca o singură plachetă în echipamentul de prelucrare. Definiția include echipamentele care pot încărca și prelucra mai multe plachete, dar în cazul cărora parametrii de corodare, de exemplu, puterea RF sau punctul final, pot fi determinați în mod independent pentru fiecare plachetă în parte. i. echipamente pentru «depunerea chimică a vaporilor» (CVD), de exemplu, echipamente pentru CVD amplificată cu plasmă (PECVD) sau pentru CVD fotoamplificată, utilizate la fabricarea dispozitivelor semiconductoare, care au una din următoarele capacități de depunere a oxizilor, nitrurilor, metalelor sau polisiliciului: 1. echipamente pentru «depunerea chimică a vaporilor» care funcționează sub 105 Pa; sau 2. echipamente pentru PECVD care fie funcționează sub 60 Pa, fie asigură manipularea automată a plachetelor de la casetă la casetă și în sasul de sarcină; Notă: La punctul X.B.I.001.b.1.i nu sunt supuse controlului sistemele de «depunere chimică a vaporilor» de joasă presiune (LPCVD) și echipamentele de «pulverizare» reactivă. j. sisteme cu fascicul de electroni special concepute sau modificate pentru fabricarea măștilor sau prelucrarea dispozitivelor semiconductoare, care au oricare din următoarele caracteristici: 1. deflexia electrostatică a fasciculului; 2. profil format, negaussian, al fasciculului; 3. rată de conversie digital-analogică mai mare de 3 MHz; 4. precizie de peste 12 biți a conversiei digital-analogice; sau 5. precizie de 1 μm sau mai fină a controlului retroactiv al poziției fasciculului față de țintă; Notă: La punctul X.B.I.001.b.1.j nu sunt supuse controlului sistemele de depunere cu fasciculul de electroni și microscoapele electronice cu scanare de uz general. k. echipamente de finisare a suprafețelor pentru prelucrarea plachetelor semiconductoare, după cum urmează: 1. echipamente special concepute pentru prelucrarea feței posterioare a plachetelor mai subțiri de 100 μm și separarea ulterioară a acestora; sau 2. echipamente special concepute pentru obținerea unei rugozități a suprafeței active a plachetei prelucrate cu o valoare 2 sigma de 2 μm sau mai mică (citirea totală indicată – TIR); Notă: La punctul X.B.I.001.b.1.k nu sunt supuse controlului echipamentele de lepuire și lustruire pe o singură parte pentru finisarea suprafețelor plachetelor. l. echipamente de interconectare care includ camere comune de vid unice sau multiple, special concepute pentru a permite integrarea unui echipament supus controlului la punctul X.B.I.001 într-un sistem complet; m. echipamente «controlate de un program stocat» care utilizează «lasere» pentru repararea sau curățarea «circuitelor integrate monolitice», având una din următoarele caracteristici: 1. precizie de poziționare mai fină de ± 1 μm sau 2. dimensiunea spotului (lățimea fantei) mai mică de 3 μm. Notă tehnică: În sensul punctului X.B.I.001.b.1, «pulverizarea» este un procedeu de acoperire în straturi suprapuse, în care ionii încărcați pozitiv sunt accelerați de un câmp electric către suprafața unei ținte (materialul de acoperire). Energia cinetică a ionilor care lovesc ținta este suficientă pentru a determina eliberarea atomilor de la suprafața țintei și depunerea acestora pe substrat. (Notă: Pulverizarea cu trei electrozi, cu magnetron sau cu radiofrecvență pentru creșterea aderenței acoperirii și a ratei de depunere constituie modificări obișnuite ale procesului.) 2. Măști, substraturi pentru măști, echipamente de fabricare a măștilor și echipamente de transfer al imaginilor pentru fabricarea dispozitivelor și a componentelor indicate la punctul X.B.I.001, după cum urmează: Notă: Termenul «măști» se referă la măștile utilizate în litografia cu fascicule de electroni, în litografia cu raze X și în litografia cu raze ultraviolete, precum și în fotolitografia uzuală cu raze ultraviolete și vizibile. a. măști finite, reticule și modele pentru acestea, cu excepția: 1. măștilor finite sau a reticulelor pentru producția de circuite integrate care nu sunt supuse controlului la punctul 3A001 (5); sau 2. măștilor sau a reticulelor care au următoarele două caracteristici: a. proiectarea lor se bazează pe geometrii de 2,5 μm sau mai mult; și b. proiectarea nu include caracteristici speciale pentru modificarea utilizării prevăzute folosind echipamente de producție sau «software»; b. substraturi pentru măști, după cum urmează: 1. «substraturi» (de exemplu, sticlă, cuarț, safir) acoperite cu un material dur (de exemplu, crom, siliciu, molibden) pentru prepararea măștilor cu dimensiuni mai mari de 125 mm x 125 mm; sau 2. substraturi special concepute pentru măștile cu raze X; c. echipamente, altele decât computerele de uz general, special concepute pentru proiectarea asistată de calculator (CAD) a dispozitivelor semiconductoare sau a circuitelor integrate; d. echipamente sau aparate pentru fabricarea măștilor sau a reticulelor, după cum urmează: 1. camere fotooptice cu repetiție secvențială capabile să producă matrice mai mari de 100 mm x 100 mm sau capabile să producă o singură expunere mai mare de 6 mm x 6 mm în planul (focal) al imaginii sau capabile să producă lățimi ale liniei mai mici de 2,5 μm în stratul de protecție la corodare de pe «substrat»; 2. echipamente de fabricare a măștilor sau a reticulelor care utilizează litografia cu fascicul de ioni sau cu «laser», capabile să producă lățimi ale liniei mai mici de 2,5 μm; sau 3. echipamente sau suporți pentru modificarea măștilor sau a reticulelor ori pentru adăugarea de pelicule în vederea înlăturării defectelor; Notă: La punctele X.B.I.001.b.2.d.1 și X.B.I.001.b.2.d.2 nu sunt supuse controlului echipamentele de fabricare a măștilor ce utilizează metode fotooptice care fie erau disponibile pe piață înainte de 1 ianuarie 1980, fie nu au o performanță mai bună decât echipamentele respective. e. echipamente «controlate de program stocat» pentru inspectarea măștilor, a reticulelor sau a peliculelor cu: 1. o rezoluție de 0,25 μm sau mai fină; și 2. o precizie de 0,75 μm sau mai fină pe o distanță pe una sau două coordonate de 63,5 mm sau mai mare; Notă: La punctul X.B.I.001.b.2.e nu sunt supuse controlului microscoapele electronice cu scanare de uz general, cu excepția cazului în care acestea sunt special concepute și dotate pentru inspectarea automată a modelului. f. echipamente de aliniere și expunere pentru producția plachetelor prin metode fotooptice sau cu raze X, de exemplu echipamente litografice care includ atât echipamentele de transfer al imaginilor prin proiecție, cât și echipamentele cu repetiție secvențială (cu repetiție directă pe plachetă) sau cu repetiție și scanare (scanere), capabile să îndeplinească una din următoarele funcții: Notă: La punctul X.B.I.001.b.2.f nu sunt supuse controlului echipamentele de aliniere și expunere prin contact fotooptic și proximitate a măștilor sau echipamentele de transfer al imaginilor prin contact. 1. producția cu o dimensiune a modelului mai mică de 2,5 μm; 2. alinierea cu o precizie mai fină de ± 0,25 μm (3 sigma); 3. suprapunerea de la echipament la echipament ± 0,3 μm; sau 4. o lungime de undă a sursei de lumină mai mică de 400 nm; g. echipamente cu fascicul de electroni, cu fascicul de ioni sau cu raze X pentru transferul imaginilor prin proiecție, capabile să producă modele mai mici de 2,5 μm; Notă: Pentru sistemele cu fascicul focalizat deflectat (sisteme de scriere directă), a se vedea punctul X.B.I.001.b.1.j. h. echipamente care utilizează «lasere» pentru scrierea directă pe plachete, capabile să producă modele mai mici de 2,5 μm. 3. Echipamente pentru asamblarea circuitelor integrate, după cum urmează: a. aparate de lipit «controlate de un program stocat», care au toate caracteristicile următoare: 1. sunt special concepute pentru «circuitele integrate hibride»; 2. cursa de poziționare a treptei X-Y depășește 37,5 x 37,5 mm; și 3. precizia poziționării în planul X-Y este mai fină de ± 10 μm; b. echipamente «controlate de un program stocat» pentru producerea de lipituri multiple printr-o singură operațiune (de exemplu, aparate de lipit pentru conductori radiali, de lipit pe suportul cipurilor, de lipit pe benzi); c. dispozitive de etanșare semiautomate sau automate cu soclu la cald, la care soclul este încălzit local la o temperatură mai mare decât corpul pachetului, special concepute pentru pachetele de microcircuite ceramice supuse controlului la punctul 3A001 (6) și care au un debit mai mare sau egal cu un pachet pe minut. Notă: La punctul X.B.I.001.b.3 nu sunt supuse controlului aparatele de lipit în puncte cu rezistență de uz general. 4. Filtre pentru camere albe, capabile să asigure o calitate a aerului de 10 sau mai puține particule de 0,3 μm sau mai mici per 0,02832 m3 și materiale filtrante pentru acestea. Notă tehnică: În sensul punctului X.B.I.001, «controlat de un program stocat» înseamnă un control care utilizează instrucțiuni stocate într-o memorie electronică, pe care un procesor le poate executa pentru a comanda îndeplinirea unor funcții prestabilite. Echipamentul poate fi «controlat de un program stocat» indiferent dacă memoria electronică este internă sau externă echipamentului.