3A001

Componente electronice și componentele special concepute pentru acestea, după cum urmează: a. Circuite integrate pentru utilizări generale, după cum urmează: Nota 1: Statutul de control al plachetelor (finisate sau nefinisate), a căror funcție a fost determinată, urmează a fi evaluat conform parametrilor de la 3A001.a. Nota 2: Circuitele integrate includ următoarele tipuri: — „Circuite integrate monolitice”; — „Circuite integrate hibride”; — „Circuite integrate multi-chip”; — „Circuite integrate de tip peliculă”, inclusiv circuite integrate cu siliciu pe safir; — „Circuite integrate optice”; — „Circuite integrate tridimensionale”. 1. Circuite integrate concepute sau clasificate ca rezistente la radiații, care suportă oricare din următoarele: a. O doză totală de 5 × 103 Gy (siliciu) sau mai mare; b. O doză debit de 5 × 106 Gy (siliciu)/s sau mai mare; sau c. O fluență (flux integrat) de neutroni (echivalent 1 MeV) de 5 × 1013 n/cm2 sau mai ridicată pe siliciu sau echivalentul său pentru alte materiale; Notă: 3A001.a.1.c. nu supune controlului metalul – izolator – semiconductor (MIS). 2. „Microcircuite microprocesor”, „microcircuite microcalculator”, microcircuite microcontroler, circuite integrate de memorare fabricate dintr-un semiconductor compus, convertoare analog-digitale, convertoare digital-analogice, circuite electro-optice sau „circuite optice integrate” concepute pentru „prelucrarea semnalelor”, rețele logice de porți programabile, circuite integrate personalizate pentru care fie funcția este necunoscută, fie statutul de control al echipamentului în care vor fi folosite circuitele integrate respective este necunoscut, procesoare pentru transformata Fourier rapidă (FFT), memorii programabile numai pentru citit (read-only), cu ștergere electrică (EEPROM), memorii flash sau memorii statice cu acces aleator (SRAM), având una din următoarele caracteristici: a. Destinate pentru funcționare la temperaturi ambiante peste 398 K (125 °C); b. Destinate pentru funcționare la temperatura ambiantă sub 218 K (- 55 °C); sau c. Destinate pentru funcționare în întreaga gamă de temperaturi ambiante de la 218 K (- 55 °C) la 398 K (125 °C); Notă: 3A001.a.2. nu supune controlului circuitele integrate destinate aplicațiilor civile pentru autovehicule sau trenuri. 3. „Microcircuite microprocesor”, „microcircuite microcalculator” și microcircuite microcontroler, fabricate dintr-un semiconductor compus și care operează la o frecvență de tact ce depășește 40 MHz; Notă: 3A001.a.3. include procesoare digitale de semnal, rețele de procesoare digitale și coprocesoare digitale. 4. Neutilizat. 5. Circuite integrate convertoare analog-digitale (ADC) și digital-analogice (DAC), după cum urmează: a. ADC, care au oricare din următoarele: N.B.: A SE VEDEA, DE ASEMENEA, 3A101 1. O rezoluție de 8 biți sau mai mare, dar mai mică de 10 biți, cu o viteză de ieșire mai mare de 1 000 milioane de cuvinte pe secundă; 2. O rezoluție de 10 biți sau mai mare, dar mai mică de 12 biți, cu o viteză de ieșire mai mare de 300 milioane de cuvinte pe secundă; 3. O rezoluție de 12 biți cu o viteză de ieșire mai mare de 200 milioane de cuvinte pe secundă; 4. O rezoluție mai mare de 12 biți, mai mică de sau egală cu 14 biți, cu o viteză de ieșire mai mare de 125 milioane de cuvinte pe secundă; sau 5. O rezoluție mai mare de 14 biți cu o viteză de ieșire mai mare de 20 milioane de cuvinte pe secundă; Note tehnice: 1. O rezoluție de n biți corespunde unei cuantificări de 2n niveluri. 2. Numărul de biți în cuvântul de ieșire este egal cu rezoluția ADC. 3. Debitul de ieșire este debitul maxim de ieșire al convertorului, independent de arhitectură sau supraeșantionare. 4. Pentru ‘ADC cu canale multiple’, ieșirile nu sunt agregate, iar debitul de ieșire este debitul maxim de ieșire al oricărui canal. 5. Pentru ‘ADC intercalate’ sau pentru ‘ADC cu canale multiple’ despre care se precizează că au un mod intercalat de operare, ieșirile sunt combinate, iar debitul de ieșire este debitul maxim de ieșire total combinat al tuturor ieșirilor. 6. Vânzătorii pot să descrie debitul de ieșire ca rată de eșantionare, rată de conversie ori debitul continuu. Acesta este adesea specificat în megahertzi (MHz) sau megaeșantioane pe secundă (MSPS). 7. Pentru măsurarea debitului de ieșire, un cuvânt la ieșire pe secundă este echivalent cu un Hertz sau un eșantion pe secundă. 8. ‘Convertoare analog-digitale (ADC) cu canale multiple’ sunt definite ca dispozitive care integrează mai mult de un ADC, concepute astfel încât fiecare ADC are o intrare analogică separată. 9. ‘Convertoare analog-digitale (ADC) intercalate’ sunt definite ca dispozitive care au multiple unități ADC care eșantionează aceeași intrare analogică la momente diferite, astfel încât, atunci când ieșirile sunt combinate, intrarea analogică a fost efectiv eșantionată și convertită la o rată de eșantionare mai mare. b. Convertoare digital-analogice (DAC) care au oricare din următoarele: 1. O rezoluție de 10 biți sau mai mare cu o ‘rată de actualizare ajustată’ de 3 500 MSPS sau mai mare; sau 2. O rezoluție de 12 biți sau mai mare cu o ‘rată de actualizare ajustată’ egală sau mai mare de 1 250 MSPS și având oricare din următoarele: a. Un timp de setare mai mic de 9 ns la 0,024 % din întreaga scală sau dintr-un pas al acesteia; sau b. ‘O gamă dinamică fără paraziți’ (SFDR) mai mare de 68 dBc (purtător) când sintetizează un semnal analog pe întreaga scală de 100 MHz sau cea mai înaltă frecvență a semnalului analog pe întreaga scală specificată sub 100 MHz. Note tehnice: 1. ‘Gama dinamică fără paraziți’ (SFDR) este definită ca un raport dintre valoarea RMS a frecvenței purtătoare (componenta maximă a semnalului) la intrarea convertorului digital-analog (DAC) și valoarea RMS a celui mai puternic zgomot sau al componentei de distorsiune armonică la ieșirea sa. 2. SFDR este determinat direct dintr-un tabel cu specificații sau din graficele de caracterizare ale SFDR față de frecvență. 3. Un semnal este definit ca fiind în gama completă atunci când amplitudinea lui este mai mare de -3 dBfs (gamă întreagă). 4. ‘Rata de actualizare ajustată’ pentru DAC: a. Pentru DAC convenționale (neinterpolate), ‘rata de actualizare ajustată’ este rata la care un semnal digital este convertit într-un semnal analog și valorile de la ieșirea analogă sunt schimbate de DAC. Pentru DAC unde modul de interpolare poate fi ocolit (factor de interpolare unu), DAC ar trebui să fie considerat ca fiind convențional (neinterpolat.) b. Pentru DAC de interpolare (DAC de supraeșantionare), ‘rata de actualizare ajustată’ este definită ca rată de actualizare a DAC împărțită la factorul cel mai mic de interpolare. Pentru DAC de interpolare ‘rata de actualizare ajustată’ poate fi menționată de diferiți termeni incluzând: — Viteza de intrare a datelor — Viteza de intrare a cuvintelor — Viteza de intrare a eșantioanelor — Viteza maximă totală de intrare a magistralelor de date — Frecvența maximă de tact a DAC pentru intrarea de tact a DAC. 6. Circuite integrate electro-optice și „circuite integrate optice”, concepute pentru „prelucrarea digitală a semnalelor” și având toate caracteristicile următoare: a. Una sau mai multe diode „laser” interne; b. Unul sau mai multe elemente interne de detectare a luminii; și c. Ghiduri de undă optice; 7. ‘Dispozitivele logice programabile de utilizator’ având oricare din următoarele caracteristici: a. Un număr maxim de intrări/ieșiri numerice cu un singur capăt mai mare sau egal cu 500; sau b. O ‘viteză de transfer cumulată a datelor transmițătorului unidirecțional de vârf de tip serial’ de 200 Gb/s sau mai mare; Notă: 3A001.a.7. include: — Dispozitive logice simple programabile (SPLD) — Dispozitive logice complexe programabile (CPLD) — Rețele de porți programabile de utilizator (FPGA) — Rețele logice programabile de utilizator (FPLA) — Interconexiuni programabile de utilizator (FPIC). Note tehnice: 1. ‘Dispozitivele logice programabile de utilizator’ sunt, de asemenea, cunoscute ca rețele de porți programabile de utilizator sau rețele logice programabile de utilizator. 2. Numărul maxim de intrări/ieșiri numerice de la 3A001.a.7.a. este menționat, de asemenea, ca numărul maxim de intrări/ieșiri configurate de utilizator sau numărul maxim de intrări/ieșiri disponibile, atât în cazul în care circuitul integrat este capsulat cât și în cazul în care nu este capsulat. 3. ‘Viteza de transfer cumulată a datelor transmițătorului unidirecțional de vârf de tip serial’ este produsul dintre viteza de transfer a datelor acestui transmițător multiplicată cu numărul de transmițătoare de pe FPGA. 8. Neutilizat. 9. Circuite integrate pentru rețele de tip neural; 10. Circuite integrate executate la comandă pentru care funcția este necunoscută sau statutul de control al echipamentului în care vor fi folosite circuitele integrate respective este necunoscut fabricantului, având oricare din următoarele caracteristici: a. Mai mult de 1 500 terminale; b. Un „interval de întârziere a propagării pe poarta de bază” tipic mai mic de 0,02 ns; sau c. O frecvență de funcționare mai mare de 3 GHz; 11. Circuite integrate digitale, altele decât cele descrise de la 3A001.a.3. la 3A001.a.10. și 3A001.a.12, bazate pe oricare semiconductor compus și având oricare din următoarele caracteristici: a. Un număr de porți echivalente mai mari de 3 000 (porți cu 2 intrări); sau b. O frecvență de basculare mai mare de 1,2 GHz; 12. Procesoare pentru transformata Fourier rapidă (FFT) care au o durată de execuție nominală pentru o transformată Fourier rapidă cu N puncte complexe mai mică de (N log2 N)/20 480 ms, unde N este numărul de puncte; Notă tehnică: Atunci când N este egal cu 1 024 puncte, formula de la 3A001.a.12. dă o durată de execuție de 500 μs. 13. Circuite integrate pentru sintetizatoare digitale directe care au oricare din caracteristicile următoare: a. O frecvență de tact a convertorului digital-analogic (DAC) egală cu 3,5 GHz sau mai mare și o rezoluție de 10 biți sau mai mare, dar mai mică de 12 biți; sau b. O frecvență de tact a DAC de 1,25 GHz sau mai mare și o rezoluție de 12 biți sau mai mare; Notă tehnică: Frecvența de tact a DAC poate fi specificată ca frecvența de tact de referință sau frecvența de tact de intrare b. Componente pentru microunde sau pentru unde milimetrice, după cum urmează: Notă tehnică: În scopul 3A001.b., parametrul de putere de ieșire de vârf saturată poate fi de asemenea menționat pe fișele tehnice ale produsului ca putere de ieșire, putere de ieșire saturată, putere maximă de ieșire, putere de ieșire de vârf, sau puterea de ieșire la vârf de modulație. 1. Tuburi electronice cu vid și catozi, după cum urmează: Nota 1: 3A001.b.1. nu supune controlului tuburile concepute sau destinate să funcționeze în orice bandă de frecvență având toate caracteristicile următoare: a. Nu depășește 31,8 GHz; și b. Este „alocată de UIT” pentru servicii de radiocomunicații, dar nu pentru radio-determinare. Nota 2: 3A001.b.1. nu supune controlului tuburile care nu sunt „calificate pentru utilizări spațiale” având toate caracteristicile următoare: a. O putere medie de ieșire egală cu 50 W sau mai mică; și b. Concepute sau destinate pentru o funcționare în orice bandă de frecvență având toate caracteristicile următoare: 1. Depășește 31,8 GHz dar nu depășește 43,5 GHz; și 2. Este „alocată de UIT” pentru servicii de radiocomunicații, dar nu pentru radio-determinare. a. Tuburi cu undă progresivă, cu undă continuă sau pulsatorie, după cum urmează: 1. Tuburi care funcționează la frecvențe mai mari de 31,8 GHz; 2. Tuburi care au un element de încălzire a catodului cu un timp de creștere până la puterea nominală RF, mai mic de 3 secunde; 3. Tuburi cu cavități cuplate sau derivați ale acestora, cu o „lățime de bandă fracționată” mai mare de 7 % sau cu o „putere la vârf” depășind 2,5 kW; 4. Tuburi elicoidale sau derivatele acestora, având oricare din următoarele caracteristici: a. O „lățime de bandă instantanee” mai mare de o octavă, și puterea medie (exprimată în kW) multiplicată cu frecvența (exprimată în GHz) mai mare de 0,5 ; b. O „lățime de bandă instantanee” de o octavă sau mai mică și puterea medie (exprimată în kW) multiplicată cu frecvența (exprimată în GHz) mai mare de 1; sau c. Destinate „utilizărilor spațiale”; b. Tuburi amplificatoare cu câmp transversal cu un câștig mai mare de 17 dB; c. Catozi impregnați concepuți pentru tuburi electronice care produc o densitate de curent a emisiei continue în condiții de funcționare nominale, ce depășește 5 A/cm2; 2. „Circuite integrate monolitice” amplificatoare de putere pentru microunde (MMIC), având oricare din următoarele caracteristici: a. Destinate pentru funcționarea la frecvențe mai mari de 2,7 GHz până la 6,8 GHz inclusiv și cu o „lățime de bandă fracționată” mai mare de 15 % și având oricare din următoarele caracteristici: 1. O putere de ieșire de vârf saturată mai mare de 75 W (48,75 dBm) la orice frecvență care depășește 2,7 GHz și până la 2,9 GHz inclusiv; 2. O putere de ieșire de vârf saturată mai mare de 55 W (47,4 dBm) la orice frecvență care depășește 2,9 GHz și până la 3,2 GHz inclusiv; 3. O putere de ieșire de vârf saturată mai mare de 40 W (46 dBm) la orice frecvență care depășește 3,2 GHz și până la 3,7 GHz inclusiv; 4. O putere de ieșire de vârf saturată mai mare de 20 W (43 dBm) la orice frecvență care depășește 3,7 GHz și până la 6,8 GHz inclusiv; b. Destinate pentru funcționarea la frecvențe mai mari de 6,8 GHz până la 16 GHz inclusiv și cu o „lățime de bandă fracționată” mai mare de 10 % și care au oricare din următoarele caracteristici: 1. O putere de ieșire de vârf saturată mai mare de 10 W (40 dBm) la orice frecvență care depășește 6,8 GHz și până la 8,5 GHz inclusiv; sau 2. O putere de ieșire de vârf saturată mai mare de 5 W (37 dBm) la orice frecvență care depășește 8,5 GHz și până la 16 GHz inclusiv; c. Destinate pentru funcționarea la o putere de ieșire de vârf saturată mai mare de 3 W (34,77 dBm) la orice frecvență mai mare de 16 GHz și până la 31,8 GHz inclusiv, și cu o „lățime de bandă fracționată” mai mare de 10 %; d. Destinate pentru funcționarea la o putere de ieșire de vârf saturată mai mare de 0,1 nW (-70 dBm) la orice frecvență mai mare de 31,8 GHz și până la 37 GHz inclusiv; e. Destinate pentru funcționarea la o putere de ieșire de vârf saturată mai mare de 1 W (30 dBm) la orice frecvență mai mare de 37 GHz și până la 43,5 GHz inclusiv, și cu o „lățime de bandă fracționată” mai mare de 10 %; f. Destinate pentru funcționarea la o putere de ieșire de vârf saturată mai mare de 31,62 mW (15 dBm) la orice frecvență mai mare de 43,5 GHz și până la 75 GHz inclusiv, și cu o „lățime de bandă fracționată” mai mare de 10 %; g. Destinate pentru funcționarea la o putere de ieșire de vârf saturată mai mare de 10 mW (10 dBm) la orice frecvență mai mare de 75 GHz și până la 90 GHz inclusiv, și cu o „lățime de bandă fracționată” mai mare de 5 %; sau h. Destinate pentru funcționarea la o putere de ieșire de vârf saturată mai mare de 0,1 nW (-70 dBm) la orice frecvență mai mare de 90 GHz; Nota 1: Neutilizat. Nota 2: Statutul controlului circuitelor integrate monolitice amplificatoare de putere (MMIC) a căror frecvență de operare acoperă mai mult de un domeniu de frecvențe, astfel cum sunt definite de la 3.A.001.b.2.a. la 3A001.b.2.h., este determinat de cel mai jos prag al puterii de ieșire de vârf saturate. Nota 3: Notele 1 și 2 din categoria 3 A înseamnă că 3A.001.b.2 nu supune controlului circuitele MMIC în cazul în care acestea sunt special concepute pentru alte aplicații ca de exemplu, telecomunicații, radar, automobile. 3. Tranzistoare pentru microunde având oricare din următoarele caracteristici: a. Destinate pentru funcționarea la frecvențe mai mari de 2,7 GHz până 6,8 GHz inclusiv și având oricare din următoarele caracteristici: 1. O putere de ieșire de vârf saturată mai mare de 400 W (56 dBm) la orice frecvență care depășește 2,7 GHz până la 2,9 GHz inclusiv; 2. O putere de ieșire de vârf saturată mai mare de 205 W (53,12 dBm) la orice frecvență care depășește 2,9 GHz până la 3,2 GHz inclusiv; 3. O putere de ieșire de vârf saturată mai mare de 115 W (50,61 dBm) la orice frecvență care depășește 3,2 GHz până la 3,7 GHz inclusiv; sau 4. O putere de ieșire de vârf saturată mai mare de 60 W (47,78 dBm) la orice frecvență care depășește 3,7 GHz până la 6,8 GHz inclusiv; b. Destinate pentru funcționare la frecvențe mai mari de 6,8 GHz și până la 31,8 GHz inclusiv și având oricare din următoarele caracteristici: 1. O putere de ieșire de vârf saturată mai mare de 50 W (47 dBm) la orice frecvență care depășește 6,8 GHz până la 8,5 GHz inclusiv; 2. O putere de ieșire de vârf saturată mai mare de 15 W (41,76 dBm) la orice frecvență care depășește 8,5 GHz până la 12 GHz inclusiv; 3. O putere de ieșire de vârf saturată mai mare de 40 W (46 dBm) la orice frecvență care depășește 12 GHz până la 16 GHz inclusiv; sau 4. O putere de ieșire de vârf saturată mai mare de 7 W (38,45 dBm) la orice frecvență care depășește 16 GHz până la 31,8 GHz inclusiv; c. Destinate pentru funcționarea la o putere de ieșire de vârf saturată mai mare de 0,5 W (27 dBm) la orice frecvență care depășește 31,8 GHz până la 37 GHz inclusiv; d. Destinate pentru funcționarea la o putere de ieșire de vârf saturată mai mare de 1 W (30 dBm) la orice frecvență care depășește 37 GHz până la 43,5 GHz inclusiv; e. Destinate pentru funcționarea la o putere de ieșire de vârf saturată mai mare de 0,1 nW (-70 dBm) la orice frecvență care depășește 43,5 GHz; Nota 1: Statutul de control al unui tranzistor a cărui frecvență de operare prevăzută include frecvențe enumerate în mai mult de un domeniu de frecvențe, astfel cum sunt definite la 3A001.b.3.a. la 3A001.b.3.e., este determinat de cel mai jos prag al puterii de ieșire de vârf saturate. Nota 2: 3A001.b.3. include circuite neîncapsulate, circuite montate pe suporți, sau circuite montate în pachete. Unele tranzistoare discrete pot fi de asemenea denumite amplificatoare de putere dar statutul acestor tranzistoare este determinat de 3A001.b.3. 4. Amplificatoare cu semiconductori pentru microunde și ansamble/module pentru microunde care conțin amplificatoare cu semiconductori pentru microunde, având oricare din următoarele caracteristici: a. Destinate pentru funcționarea la frecvențe mai mari de 2,7 GHz până la 6,8 GHz inclusiv, cu o „lărgime de bandă fracționată” mai mare de 15 %, și având oricare din caracteristicile următoare: 1. O putere de ieșire de vârf saturată mai mare de 500 W (57 dBm) la orice frecvență care depășește 2,7 GHz până la 2,9 GHz inclusiv; 2. O putere de ieșire de vârf saturată mai mare de 270 W (54,3 dBm) la orice frecvență care depășește 2,9 GHz până la 3,2 GHz inclusiv; 3. O putere de ieșire de vârf saturată mai mare de 200 W (53 dBm) la orice frecvență care depășește 3,2 GHz până la 3,7 GHz inclusiv; sau 4. O putere de ieșire de vârf saturată mai mare de 90 W (49,54 dBm) la orice frecvență care depășește 3,7 GHz până la 6,8 GHz inclusiv; b. Destinate pentru funcționarea la frecvențe mai mari de 6,8 GHz până la 31,8 GHz inclusiv, cu o „lărgime de bandă fracționată” mai mare de 10 %, și având oricare din caracteristicile următoare: 1. O putere de ieșire de vârf saturată mai mare de 70 W (48,54 dBm) la orice frecvență care depășește 6,8 GHz până la 8,5 GHz inclusiv; 2. O putere de ieșire de vârf saturată mai mare de 50 W (47 dBm) la orice frecvență care depășește 8,5 GHz până la 12 GHz inclusiv; 3. O putere de ieșire de vârf saturată mai mare de 30 W (44,77 dBm) la orice frecvență care depășește 12 GHz până la 16 GHz inclusiv; sau 4. O putere de ieșire de vârf saturată mai mare de 20 W (43 dBm) la orice frecvență care depășește 16 GHz până la 31,8 GHz inclusiv; c. Destinate pentru funcționarea la o putere de ieșire de vârf saturată mai mare de 0,5 W (27 dBm) la orice frecvență care depășește 31,8 GHz până la 37 GHz inclusiv; d. Destinate pentru funcționarea la o putere de ieșire de vârf saturată mai mare de 2 W (33 dBm) la orice frecvență care depășește 37 GHz până la 43,5 GHz inclusiv, cu o „lărgime de bandă fracționată” mai mare de 10 %; e. Destinate pentru funcționarea la frecvențe mai mari de 43,5 GHz și având oricare din caracteristicile următoare: 1. O putere de ieșire de vârf saturată mai mare de 0,2 W (23 dBm) la orice frecvență care depășește 43,5 GHz până la 75 GHz inclusiv, cu o „lărgime de bandă fracționată” mai mare de 10 %; 2. O putere de ieșire de vârf saturată mai mare de 20 mW (13 dBm) la orice frecvență care depășește 75 GHz până la 90 GHz inclusiv, cu o „lărgime de bandă fracționată” mai mare de 5 %; sau 3. O putere de ieșire de vârf saturată mai mare de 0,1 nW (-70 dBm) la orice frecvență care depășește 90 GHz; sau f. Destinate pentru funcționarea la frecvențe mai mari de 2,7 GHz și având toate caracteristicile următoare: 1. O putere medie de ieșire (în wați), Psat, mai mare de câtul dintre 400 împărțit la pătratul frecvenței maxime de operare (în GHz) [Psat > 400 W*GHz2/fGHz 2]; 2. O „lățime de bandă fracționată” de 5 % sau mai mare; și 3. Oricare două părți perpendiculare între ele cu lungimea d (în cm) egală sau mai mică decât 15 împărțit la cea mai joasă frecvență de operare în GHz [d ≤ 15 cm*GHz/fGHz]; Notă tehnică: 2,7 GHz se utilizează drept cea mai mică frecvență de operare (fGHz) în formula de la 3A001.b.4.f.3., pentru amplificatoarele care au prevăzut un domeniu de funcționare care coboară până la 2,7 GHz și mai jos [d ≤ 15 cm*GHz/2,7 GHz]. N.B.: Amplificatoarele de putere MMIC vor fi evaluate conform criteriilor din 3A001.b.2. Nota 1: Neutilizat. Nota 2: Statutul controlului produselor a căror frecvență de operare acoperă mai mult de un domeniu de frecvențe, așa cum sunt definite la 3A001.b.4.a - 3A001.b.4.e., este determinat de cel mai jos prag al puterii de ieșire de vârf saturate. Nota 3: 3A001.b.4. includ module transmițătoare/receptoare și module transmițătoare. 5. Filtre de trecere bandă sau oprește-bandă acordabile electronic sau magnetic, care au mai mult de 5 rezonatoare acordabile capabile de a fi ajustate într-o bandă de frecvență de 1,5 :1 (fmax./fmin.) în mai puțin de 10 μs și având oricare din caracteristicile următoare: a. O lățime de bandă de trecere mai mare de 0,5 % din frecvența centrală; sau b. O lățime de bandă de oprire mai mică de 0,5 % din frecvența centrală; 6. Neutilizat. 7. Convertoare și mixere armonice concepute pentru a extinde domeniul de frecvență al echipamentelor descrise la 3A002.c, 3A002.d., 3A002.e. sau 3A002.f. dincolo de limitele stipulate în conținutul acestora; 8. Amplificatoare de putere pentru microunde care conțin tuburile indicate la 3A001.b.1., având toate caracteristicile următoare: a. Frecvențe de operare de peste 3 GHz; b. O medie a raportului dintre puterea de ieșire și masă care depășește 80 W/kg; și c. Un volum mai mic de 400 cm3; Notă: 3A001.b.8. nu supune controlului echipamentele concepute sau clasificate pentru a opera în orice bandă de frecvență „alocată de UIT” pentru servicii de radiocomunicații, dar nu pentru radiodeterminare. 9. Module de putere pentru microunde (MPM) formate cel puțin din următoarele elemente: un tub cu undă progresivă, un „circuit integrat monolitic” și un regulator electronic de putere integrat având toate caracteristicile următoare: a. Un ‘timp de acționare’ de la inactiv la complet activat mai mic de 10 s; b. Un volum mai mic decât puterea nominală maximă exprimată în wați înmulțită cu 10 cm3/W; și c. O „lățime de bandă instantanee” mai mare de 1 octavă (fmax. > 2fmin.) și având una din caracteristicile următoare: 1. Pentru frecvențele egale cu 18 GHz sau mai mici, o putere de ieșire RF mai mare de 100 wați; sau 2. O frecvență mai mare de 18 GHz; Note tehnice: 1. Pentru a calcula volumul de la 3A001.b.9.b, se furnizează următorul exemplu: pentru o putere nominală maximă de 20 W, volumul ar fi: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3. 2. ‘Timpul de acționare’ de la 3A001.b.9.a. cuprinde durata dintre oprirea totală și operaționalitatea totală, adică include timpul de încălzire al MPM. 10. Oscilatoare și ansambluri pentru oscilatoare, concepute pentru a opera cu toate caracteristicile următoare: a. Un zgomot de fază cu bandă laterală unică (SSB), în dBc/Hz, mai bun de - (126 + 20log10F-20log10f) în gama de frecvențe cuprinsă între 10 Hz < F < 10 kHz; și b. Un zgomot de fază cu bandă laterală unică (SSB), în dBc/Hz, mai bun de - (114 + 20log10F-20log10f) în gama de frecvențe cuprinsă între 10 kHz ≤ F < 500 kHz; Notă tehnică: La 3A001.b.10., F este abaterea de la frecvența de lucru în Hz și f este frecvența de lucru în MHz. 11. „Ansambluri electronice”„sintetizatoare de frecvență”, cu un „timp de comutare a frecvenței” de la o frecvență selectată la o altă frecvență în conformitate cu oricare din specificațiile următoare: a. Mai mic de 156 ps; b. Mai mic de 100 μs pentru orice schimbare de frecvență mai mare de 1,6 GHz în gama de frecvențe sintetizate mai mare de 4,8 GHz dar nedepășind 10,6 GHz; c. Mai mic de 250 μs pentru orice schimbare de frecvență mai mare de 550 MHz în gama de frecvențe sintetizate mai mare de10,6 GHz dar nedepășind 31,8 GHz; d. Mai mic de 500 μs pentru orice schimbare de frecvență mai mare de 550 MHz în gama de frecvențe sintetizate mai mare de 31,8 GHz dar nedepășind 43,5 GHz; e. Mai mic de 1 ms pentru orice schimbare de frecvență mai mare de 550 MHz în gama de frecvențe sintetizate mai mare de 43,5 GHz dar nedepășind 56 GHz; f. Mai mic de 1 ms pentru orice schimbare de frecvență mai mare de 2,2 GHz în gama de frecvențe sintetizate mai mare de 56 GHz dar nedepășind 75 GHz; sau g. Mai mic de 1 ms în gama de frecvențe sintetizate mai mare de 75 GHz; N.B.: Pentru „analizoare de semnale” de uz general, aparate generatoare de semnale, analizoare de rețea și receptoare de testare pentru microunde, a se vedea 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. și respectiv 3A002.f. c. Dispozitive cu unde acustice și componente special concepute pentru acestea, după cum urmează: 1. Dispozitive cu undă acustică de suprafață și dispozitive cu undă acustică de volum cu adâncime mică de pătrundere (volum superficial), având oricare din următoarele caracteristici: a. O frecvență purtătoare care depășește 6 GHz; b. O frecvență purtătoare care depășește 1 GHz, dar care nu depășește 6 GHz, având oricare din următoarele caracteristici: 1. O ‘rejectare a frecvenței lobilor laterali’ mai mare de 65 dB; 2. Un produs dintre timpul maxim de întârziere și lățimea de bandă (timpul exprimat în μs și lățimea de bandă în MHz) mai mare de 100; 3. O lățime de bandă mai mare de 250 MHz; sau 4. O întârziere de dispersie mai mare de 10 μs; sau c. O frecvență purtătoare de 1 GHz sau mai mică și având oricare din următoarele caracteristici: 1. Un produs dintre timpul maxim de întârziere și lățimea de bandă (timpul exprimat în μs și lățimea de bandă în MHz) mai mare de 100; 2. O întârziere de dispersie mai mare de 10 μs; sau 3. O ‘rejectare a frecvenței lobilor laterali’ care depășește 65 dB și o lățime de bandă mai mare de 100 MHz; Notă tehnică: ‘Rejectare a frecvenței lobilor laterali’ înseamnă valoarea maximă de rejectare menționată în fișa tehnică. 2. Dispozitive cu unde acustice de volum care permit prelucrarea directă a semnalelor la frecvențe mai mari de 6 GHz; 3. Dispozitive acustico-optice pentru „prelucrarea semnalelor”, care utilizează interacțiunea dintre undele acustice (de volum sau de suprafață) și undele luminoase care permit prelucrarea directă a semnalelor sau imaginilor, inclusiv analizele spectrale, corelația sau convoluția; Notă: 3A001.c. nu supune controlului dispozitivele cu unde acustice care sunt limitate la un filtru în bandă unică, un filtru trece-jos, un filtru trece-sus sau la filtrarea de reducere a vârfurilor de impedanță, sau la funcția de rezonanță. d. Dispozitive sau circuite electronice care conțin componente fabricate din materiale „superconductoare”, special concepute pentru funcționare la temperaturi sub „temperatura critică” a cel puțin unuia din componenții „superconductori” și care au oricare din următoarele caracteristici: 1. Comutarea în curent pentru circuite digitale care utilizează porți „superconductoare” care au produsul dintre timpul de întârziere pe poartă (în secunde) și puterea disipată pe poartă (în wați) mai mic de 10-14 J; sau 2. Selecția de frecvență la toate frecvențele care utilizează circuite rezonante cu valori pentru Q ce depășesc 10 000 ; e. Dispozitive de mare energie, după cum urmează: 1. ‘Elemente’ după cum urmează: a. ‘Elemente primare’ cu o densitate de energie ce depășește 550 Wh/kg la 20 °C; b. ‘Elemente secundare’ cu o densitate de energie ce depășește 300 Wh/kg la 20 °C; Note tehnice: 1. În sensul celor menționate la 3A001.e.1, ‘densitatea de energie’ (Wh/kg) se calculează pe baza produsului dintre tensiunea nominală și capacitatea nominală în Ah, produs împărțit la masa în kg În cazul în care capacitatea nominală nu este indicată, densitatea de energie este calculată pe baza pătratului tensiunii nominale înmulțit cu durata descărcării în ore împărțită la rezistența de descărcare exprimată în ohmi și la masa exprimată în kilograme. 2. În sensul celor menționate la 3A001.e.1., prin ‘element’ se înțelege un dispozitiv electrochimic echipat cu electrozi pozitivi și negativi, un electrolit și care este o sursă de energie electrică. Acesta reprezintă componenta de bază a unei baterii. 3. În sensul celor menționate la 3A001.e.1.a, prin ‘element primar’ se înțelege un ‘element’ care nu este conceput pentru a fi încărcat de la nicio altă sursă de alimentare. 4. În sensul celor menționate la 3A001.e.1.b, prin ‘element secundar’ se înțelege un ‘element’ care este conceput pentru a fi încărcat de la o sursă de alimentare externă. Notă: 3A001.e.1. nu supune controlului bateriile, inclusiv bateriile cu un singur element. 2. Condensatoare pentru stocarea de mare energie, după cum urmează: N.B.: A SE VEDEA, DE ASEMENEA, 3A201.a. și Lista produselor militare. a. Condensatoare cu o frecvență de repetiție mai mică de 10 Hz (condensatoare cu o singură descărcare) și care au toate caracteristicile următoare: 1. O tensiune nominală egală cu 5 kV sau mai mare; 2. O densitate de energie egală cu 250 J/kg sau mai mare; și 3. O energie totală egală cu 25 kJ sau mai mare; b. Condensatoare cu o frecvență de repetiție de 10 Hz sau mai mare (condensatoare cu descărcări repetate) și care au toate caracteristicile următoare: 1. O tensiune nominală egală cu 5 kV sau mai mare; 2. O densitate de energie egală cu 50 J/kg sau mai mare; 3. O energie totală egală cu 100 J sau mai mare; și 4. O durată de viață a ciclului încărcare/descărcare egală cu 10 000 sau mai mare; 3. Electromagneți și solenoizi „superconductori”, special concepuți pentru a fi complet încărcați sau descărcați în mai puțin de o secundă și care au toate caracteristicile următoare: N.B.: A SE VEDEA, DE ASEMENEA, 3A201.b. Notă: 3A001.e.3. nu supune controlului electromagneții sau solenoizii „superconductori” special concepuți pentru echipamentul medical de formare a imaginii prin rezonanță magnetică (RMN). a. O energie furnizată în cursul descărcării depășind 10 kJ în prima secundă; b. Un diametru interior al bobinelor de transport al curentului mai mare de 250 mm; și c. O valoare nominală a inducției magnetice mai mare de 8 T sau o „densitatea globală de curent” a bobinei mai mare de 300 A/mm2; 4. Celule solare, ansambluri de celule interconectate acoperite cu sticlă (CIC), panouri solare și generatoare solare care sunt „calificate pentru utilizare spațială”, având o eficacitate medie minimă care depășește 20 % la o temperatură de funcționare de 301 K (28 °C) cu o iluminare ‘AM0’ simulată, cu o iradiantă de 1 367 wați per m2 (W/m2). Notă tehnică: Prin ‘AM0’ sau ‘masă de aer zero’ se înțelege spectrul fluxului de lumină solară în atmosfera terestră exterioară, atunci când distanța dintre pământ și soare este egală cu o unitate astronomică (AU). f. Codificatoare de poziție absolută de tipul cu intrare rotativă având o precizie egală sau mai mică (mai bună) de ± 1,0 secundă de arc; g. Dispozitive cu tiristoare de comutare a puterii în impuls cu semiconductori și ‘module cu tiristoare’, care utilizează metode de comutare electrică, optică sau controlată de radiația electronică și care au oricare din următoarele caracteristici: 1. Un timp maxim de creștere a curentului la branșare (di/dt) mai mare decât 30 000 A/μs și o tensiune la deconectare mai mare de 1 100 V; sau 2. Un timp maxim de creștere a curentului la branșare (di/dt) mai mare decât 2 000 A/μs și care au toate caracteristicile următoare: a. O tensiune la vârf la deconectare egală cu 3 000 V sau mai mare; și b. Un curent la vârf (supracurent tranzitoriu) egal cu 3 000 A sau mai mare; Nota 1: 3A001.g. include: — redresoare controlate cu siliciu (SCR) — tiristoare cu declanșare electrică (ETT) — tiristoare cu declanșare prin impuls luminos (LTT) — tiristoare de comutație cu poarta integrată (IGCTs) — tiristoare cu blocare prin poartă (GTOs) — tiristoare MOS comandate (MCTs) — Tiristoare SolidtronTM Nota 2: 3A001.g. nu supune controlului dispozitivele tiristor și ‘modulele tiristor’ încorporate în echipamentele concepute pentru a fi utilizate în aplicațiile destinate căilor ferate civile sau „aviației civile”. Notă tehnică: În sensul celor menționate la 3A001.g., un ‘modul cu tiristor’ conține unul sau mai multe dispozitive tiristor. h. Comutatoare, diode sau ‘module’ semiconductoare de putere de tip corp solid, care au toate caracteristicile următoare: 1. O temperatură maximă de funcționare a joncțiunii mai mare de 488 K (215 °C); 2. O tensiune de vârf repetitivă de deconectare (tensiune de blocare) mai mare de 300 V și 3. Un curent continuu mai mare de 1 A. Nota 1: Tensiunea de vârf repetitivă de deconectare, de la 3A001.h. include tensiunea poartă - sursă, tensiunea colector - emitor, tensiunea inversă de vârf, repetitivă și tensiunea de vârf repetitivă de deconectare (tensiune de blocare). Nota 2: 3A001.h. include: — Tranzistoare cu efect de câmp cu grilă-joncțiune (JFET) — Tranzistoare cu efect de câmp cu grilă-joncțiune verticale (VJFET) — Tranzistoare cu efect de câmp metal-oxid-semiconductor (MOSFET) — Tranzistoare cu efect de câmp metal-oxid-semiconductor cu difuzie dublă (DMOSFET) — Tranzistoare bipolare cu grilă izolată (IGBT) — Tranzistoare cu mobilitate electronică mare (HEMT) — Tranzistoare bipolare cu joncțiune (BJT) — Tiristoare și redresoare cu siliciu controlabile (SCR) — Tiristoare cu blocare pe poartă (GTO) — Tiristoare cu blocare pe emitor (ETO) — Diode PiN — Diode Schottky Nota 3: 3A001.h. nu supune controlului comutatoarele, diodele sau ‘modulele’ încorporate în echipamentele concepute pentru a fi utilizate în aplicațiile destinate autovehiculelor civile, căilor ferate civile sau „aviației civile”. Notă tehnică: În sensul 3A001.h., ‘modulele’ conțin unul/una sau mai multe comutatoare sau diode semiconductoare de tip solid-state.