PT Jornal Oficial da União Europeia C 180/15

Resumo da Decisão da Comissão

de 19 de Maio de 2010

relativa a um processo nos termos do artigo 101.o do TFUE (1) e do artigo 53.o do acordo EEE

(Processo COMP/38.511 — DRAM)

[notificada com o número C(2010) 3152 final]

(Os textos em línguas Inglesa, Alemã e Francesa são os únicos que fazem fé)

(Texto relevante para efeitos do EEE)

2011/C 180/09

Em 19 de Maio de 2010, a Comissão adoptou uma decisão relativa a um processo nos termos do artigo 101.o do TFUE e do artigo 53.o do Acordo EEE. Em conformidade com o disposto no artigo 30.o do Regulamento (CE) n.o 1/2003 do Conselho (2), a Comissão publica os nomes das partes e o conteúdo essencial da decisão, incluindo as sanções aplicadas, mas acautelando o interesse legítimo das empresas na protecção dos seus segredos comerciais. Uma versão não confidencial da decisão pode ser consultada no sítio web da Direcção-Geral da Concorrência no seguinte endereço:

http://ec.europa.eu/competition/antitrust/cases/

INTRODUÇÃO

(1) A decisão tem como destinatárias 10 empresas e diz respeito a uma infracção única e continuada ao disposto no artigo 101.o do Tratado TFUE e no artigo 53.o do Acordo EEE.

1. DESCRIÇÃO DO PROCESSO

1.1. Procedimento

(2) O processo foi desencadeado por um pedido de imunidade apresentado em 29 de Agosto de 2002 pela Micron. Em Dezembro de 2002 foi concedida uma imunidade condicional. Entre Dezembro de 2003 e Fevereiro de 2006, as empresas Infineon, Hynix, Samsung, Elpida e NEC apresentaram à Comissão pedidos de clemência. O primeiro pedido de informações foi enviado em Março de 2003 e em fases posteriores foi enviada uma série de pedidos de informações.

(3) O procedimento de transacção permite que a Comissão proceda a uma transacção de processos através de um processo simplificado, tendo sido criado em Junho de 2008 (3). As conversações de transacção foram organizadas neste processo a partir de Março de 2009, após as empresas terem indicado que estavam preparadas para participar nessas conversações. Subsequentemente, em Dezembro de 2009, todas as partes introduziram pedidos formais de transacção em que reconheciam de forma clara e inequívoca a sua responsabilidade na infracção. Uma comunicação de objecções que reflectia os pedidos de transacção das partes foi-lhes notificada em 8 de Fevereiro e todas as partes confirmaram na sua resposta que correspondia ao conteúdo dos seus pedidos de transacção e que continuavam empenhadas no procedimento de transacção. O Comité Consultivo em matéria de Acordos, Decisões, Práticas Concertadas e de Posições Dominantes emitiu um parecer favorável em 7 de Maio de 2010, tendo a Comissão adoptado a decisão em 19 de Maio de 2010.

1.2. Resumo da infracção

(4) A decisão diz respeito a uma infracção única e continuada ao disposto no artigo 101.o do TFUE e no artigo 53.o do Acordo EEE. As partes na infracção estabeleceram um mecanismo e/ou rede de contactos e de partilha de informações reservadas mediante o qual coordenaram o seu comportamento no domínio dos níveis gerais de preços e das cotações praticados em relação aos principais fabricantes de equipamento original de servidores e computadores pessoais, correspondentes a uma coordenação dos preços face aos seus clientes. Tais comportamentos tinham o objectivo de restringir a concorrência relativamente aos principais fabricantes de equipamento original de servidores e computadores pessoais no que se refere à venda de Dynamic Random Access Memory (as dez empresas) e também à venda de Rambus DRAM (apenas as empresas Toshiba, Samsung e Elpida) e verificaram-se de 1 de Julho de 1988 até 15 de Junho de 2002, relativamente ao DRAM, e de 9 de Abril de 2001 até 15 de Junho de 2002, relativamente aos Rambus DRAM.

1.3. Destinatários e duração das infracções

(5) As seguintes empresas infringiram o artigo 101.o do TFUE e o artigo 53.o do Acordo EEE por participarem, durante os períodos a seguir indicados, em comportamentos anticoncorrenciais correspondentes a uma coordenação dos preços praticados em relação aos principais fabricantes de equipamento original de servidores e computadores pessoais para os produtos DRAM e Rambus DRAM: a) Micron Technology, Inc., de 1 de Julho de 1998 a 15 de Junho de 2002; b) Micron Europe Limited, de 1 de Julho de 1998 a 15 de Junho de 2002; c) Micron Semiconductor (Deutschland) GmbH, de 1 de Julho de 1998 a 15 de Junho de 2002; d) Infineon Technologies AG, de 14 de Novembro de 1998 a 15 de Junho de 2002; e) Hynix Semiconductor Inc., de 1 de Julho de 1998 a 15 de Junho de 2002; f) Hynix Semiconductor Europe Holding Ltd., de 1 de Julho de 1998 a 15 de Junho de 2002; g) Hynix Semiconductor Deutschland GmbH, de 1 de Julho de 1998 a 15 de Junho de 2002; h) Hynix Semiconductor United Kingdom, Ltd., de 1 de Julho de 1998 a 15 de Junho de 2002; i) Samsung Electronics Co. Ltd. de 1 de Julho de 1998 a 15 de Junho de 2002, relativamente a DRAM (e de 9 de Abril de 2001 a 15 de Junho de 2002, relativamente a Rambus DRAM); j) Samsung Semiconductor Europe GmbH., de 1 de Julho de 1998 a 15 de Junho de 2002, relativamente a DRAM (e de 9 de Abril de 2001 a 15 de Junho de 2002, relativamente a Rambus DRAM); k) Samsung Semiconductor Europe Ltd., de 1 de Julho de 1998 a 15 de Junho de 2002, relativamente a DRAM (e de 9 de Abril de 2001 a 15 de Junho de 2002, relativamente a Rambus DRAM); l) Samsung Semiconductor France Sarl, de 1 de Julho de 1998 a 15 de Junho de 2002, relativamente a DRAM (e de 9 de Abril de 2001 a 15 de Junho de 2002, relativamente a Rambus DRAM); m) NEC Corporation, de 1 de Julho de 1998 a 28 de Fevereiro de 2001 e indirectamente através de Elpida, de 1 de Março de 2001 a 15 de Junho de 2002; n) Renesas Electronics Europe GmbH (anteriormente NEC Electronics (Europe) GmbH, até 1 de Abril de 2010), de 1 de Julho de 1998 a 28 de Fevereiro de 2001; o) NEC Electronics (UK) Ltd., de 1 de Julho de 1998 a 28 de Fevereiro de 2001; p) Hitachi Ltd., de 9 de Novembro de 1998 a 28 de Fevereiro de 2001 e indirectamente através da Elpida, de 1 de Março de 2001 a 15 de Junho de 2002; q) Hitachi Europe Ltd., de 9 de Novembro de 1998 a 28 Fevereiro de 2001; r) Mitsubishi Electric Corp., de 24 de Novembro de 1998 a 15 de Junho de 2002; s) Mitsubishi Electric Europe BV, de 24 de Novembro de 1998 a 15 de Junho de 2002; t) Toshiba Corp., de 1 de Julho de 1998 a 22 de Abril de 2002, relativamente a DRAM (e de 9 de Abril de 2001 a 22 de Abril de 2002, relativamente a Rambus DRAM); u) Toshiba Electronics Europe GmbH, de 1 de Julho de 1998 a 22 de Abril de 2002, relativamente a DRAM (e de 9 de Abril de 2001 a 22 de Abril de 2002, relativamente a Rambus DRAM); v) Elpida Memory Inc., de 1 de Março de 2001 a 15 de Junho de 2002, relativamente a DRAM (e de 9 de Abril de 2001 a 15 de Junho de 2002, relativamente a Rambus DRAM); w) Elpida Memory (Europe) GmbH, de 1 de Março de 2001 a 15 de Junho de 2002, relativamente a DRAM (e de 9 de Abril de 2001 a 15 de Junho de 2002, relativamente a Rambus DRAM); e x) Nanya Technology Corp., de 12 de Outubro de 2001 a 15 de Junho de 2002.

1.4. Medidas correctivas

(6) A decisão aplica as Orientações para o cálculo das coimas de 2006 (4). Com excepção da Micron Technology, Inc., da Micron Europe Limited e da Micron Semiconductor (Deutschland) GmbH, a decisão aplica coimas a todas as empresas enumeradas no ponto 1.3. Contudo, a decisão não toma em consideração as vendas de Rambus DRAM da Samsung, para efeitos do cálculo da coima a aplicar à Samsung, tal como estabelecido no ponto (13).

1.4.1. Montante de base da coima

(7) O montante de base da coima foi fixado em 16 % das vendas de DRAM das empresas (incluindo o produto Rambus DRAM, quando aplicável) (5) aos principais fabricantes de equipamento original de servidores e computadores pessoais no EEE.

(8) O montante de base é multiplicado pelo número de anos de participação na infracção, a fim de ter plenamente em conta a duração da participação de cada empresa, a título individual, na infracção.

1.4.2. Ajustamentos do montante de base

1.4.2.1. Circunstâncias agravantes

(9) Não existem circunstâncias agravantes a considerar neste caso.

1.4.2.2. Circunstâncias atenuantes

(10) Devido à existência de circunstâncias atenuantes, a coima relativa a três (de dez) empresas foi reduzida. A Hynix beneficiou de uma redução de 5 % em razão de circunstâncias muito específicas aplicáveis à empresa durante o ano de 2001 (6). A Toshiba e a Mitsubishi beneficiaram de uma redução de 10 % cada uma, dado que o envolvimento de ambas foi muito inferior ao de outros fornecedores durante o período relevante.

1.4.2.3. Aumento específico de carácter dissuasivo

(11) Com base na dimensão das empresas em causa, é adequado aplicar um factor multiplicador às coimas aplicadas. Nessa base, a coima aplicada à Hitachi é multiplicada por 1.2 e a coima aplicada à Samsung e à Toshiba é multiplicada por 1.1.

1.4.3. Aplicação do limite de 10 % do volume de negócios

(12) No presente caso não é necessário ajustar os montantes atendendo ao volume de vendas das empresas.

1.4.4. Aplicação da Comunicação de 2002 sobre a clemência

(13) À Micron foi concedida imunidade das coimas, à Infineon foi concedida uma redução da coima de 45 %, à Hynix foi concedida uma redução da coima de 27 % e a cada uma das empresas Samsung, Elpida e NEC foi concedida uma redução da coima de 18 %. Além disso, à Samsung foi de facto concedida imunidade em relação ao produto Rambus DRAM, para além da redução no âmbito do intervalo de variação em relação ao produto DRAM.

2. COIMAS APLICADAS PELA DECISÃO

(14) Relativamente à infracção única e continuada a que se refere a presente decisão, são aplicadas as seguintes coimas: a) Às empresas Micron Technology Inc., Micron Europe Limited e Micron Semiconductor (Deutschland) GmbH, solidariamente: 0 EUR; b) À Infineon Technology AG: 56 700 000 EUR; c) Às empresas Hynix Semiconductor Inc., Hynix Semiconductor Europe Holding Ltd., Hynix Semiconductor Deutschland GmbH e Hynix Semiconductor United Kingdom, Ltd, solidariamente: 51 471 000 EUR; d) Às empresas Samsung Electronics Co. Ltd., Samsung Semiconductor Europe GmbH, Samsung Semiconductor Europe Ltd. e Samsung Semiconductor France Sarl, solidariamente: 145 728 000 EUR; e) Às empresas NEC Corporation, Renesas Electronics Europe GmbH (anteriormente NEC Electronics (Europe) GmbH até 1 de Abril de 2010) e NEC Electronics (UK) Ltd., solidariamente: 10 296 000 EUR; f) À Hitachi Ltd. e à Hitachi Europe Ltd, solidariamente: 20 412 000 EUR; g) À Mitsubishi Electric Corp. e à Mitsubishi Electric Europe BV, solidariamente: 16 605 000 EUR; h) À Toshiba Corp. e à Toshiba Electronics Europe GmbH, solidariamente: 17 641 800 EUR; i) À Elpida Memory, Inc. e Elpida Memory (Europe) GmbH, à NEC Corporation e à Hitachi Ltd, solidariamente: 8 496 000 EUR; j) À Nanya Technology Corp.: 1 800 000 EUR; e k) À NEC Corporation e à Hitachi Ltd., solidariamente: 2 124 000 EUR.

(1) Com efeitos a partir de 1 de Dezembro de 2009, os artigos 81.o e 82.o do Tratado CE passaram a ser os artigos 101.o e 102.o, respectivamente, do TFUE. As duas séries de disposições são idênticas em termos de substância. Para efeitos da presentes decisão, deve considerar-se que as referências aos artigos 81.o e 82.o do Tratado CE são feitas, quando apropriado, para os artigos 101.o e 102.o do TFUE.

(2) JO L 1 de 4.1.2003, p. 1. Regulamento com a redacção que lhe foi dada pelo Regulamento (CE) n.o 411/2004 (JO L 68 de 6.3.2004, p. 1). Com efeitos a partir de 1 de Dezembro de 2009, os artigos 81.o e 82.o do Tratado CE passaram a ser os artigos 101.o e 102.o, respectivamente, do TFUE. As duas séries de disposições são idênticas em termos de substância. Para efeitos da presentes decisão, deve considerar-se que as referências aos artigos 81.o e 82.o do Tratado CE são feitas, quando apropriado, para os artigos 101.o e 102.o do TFUE.

(3) Regulamento (CE) n.o 622/2008 da Comissão, de 30 de Junho de 2008, que altera o Regulamento (CE) n.o 773/2004, no que se refere à condução de procedimentos de transacção nos processos de cartéis, JO L 171 de 1.7.2008, p. 3, e Comunicação da Comissão relativa à condução de procedimentos de transacção para efeitos da adopção de decisões nos termos do artigo 7.o e do artigo 23.o do Regulamento (CE) n.o 1/2003 do Conselho nos processos de cartéis (JO C 167 de 2.7.2008, p. 1-6).

(4) JO C 210 de 1.9.2006, p. 2.

(5) Para efeitos do cálculo da coima a aplicar às empresas Micron, Hynix, Infineon, Mitsubishi e Nanya, foi apenas tido em conta o valor das vendas de produtos DRAM, com a exclusão dos produtos Rambus DRAM, no caso de existirem. Tal como mencionado, as vendas de produtos Rambus DRAM da Samsung não foram, além disso, tidos em conta no cálculo da coima a aplicar à Samsung.

(6) Tal como estabelecido em anteriores processos anti-subvenções na UE, remete-se para o Regulamento (CE) n.o 708/2003 da Comissão, de 23.4.2003, ponto 148 e seguintes, confirmado pelo Regulamento (CE) n.o 1408/2003, de 11.8.2003.