X.B.I.001

Equipamentos para o fabrico de componentes ou materiais eletrónicos, e componentes e acessórios especialmente concebidos para os mesmos, como se segue. a. Equipamentos especialmente concebidos para o fabrico de tubos de vácuo (válvulas termiónicas), elementos ópticos, e componentes especialmente concebidos para os mesmos, abrangidos por 3A001 (2) ou X.A.I.001; b. Equipamentos especialmente concebidos para o fabrico de dispositivos semicondutores, circuitos integrados e “conjuntos eletrónicos”, como se segue, e sistemas que incorporem ou tenham as características desses equipamentos: Nota: X.B.I.001.b. também abrange equipamentos utilizados ou modificados para utilização no fabrico de outros dispositivos, tais como dispositivos de imagem, dispositivos eletro-ópticos, ou dispositivos de ondas acústicas. 1. Equipamentos de processamento de materiais com vista ao fabrico de dispositivos e componentes, tal como especificado no título de X.B.I.001.b, como se segue: Nota: X.B.I.001 não abrange tubos de quartzo para fornos, revestimentos de fornos, pás, suportes (exceto suportes de tipo jaula especialmente concebidos), borbulhadores, cassetes ou cadinhos especialmente concebidos para os equipamentos de tratamento abrangidos por X.B.I.001.b.1. a. Equipamentos para a produção de silício policristalino e materiais abrangidos por 3C001 (3); b. Equipamentos especialmente concebidos para purificar ou processar materiais semicondutores III/V e II/VI abrangidos por 3C001, 3C002, 3C003, 3C004 ou 3C005 (4), exceto retratores de cristais, aos quais se refere X.B.I.001.b.1.c; c. Retratores e fornos de cristais, como se segue: Nota: X.B.I.001.b.1.c não abrange fornos de difusão e oxidação. 1. Equipamentos de recozimento ou recristalização, que não fornos de temperatura constante, com níveis elevados de transferência de energia e capacidade de processamento de lâminas superior a 0,005 m2 por minuto. 2. Retratores de cristais “controlados por programas armazenados”, com qualquer das seguintes características: a. Recarregamento sem substituição do recipiente do cadinho; b. Capacidade de funcionar a pressões superiores a 2,5 × 105 Pa; ou c. Capacidade de extrair cristais de diâmetro superior a 100 mm; d. Equipamentos para crescimento epitaxial “controlados por programas armazenados”, com qualquer das seguintes características: 1. Capacidade de produzir camadas de silício cuja espessura apresente uma uniformidade melhor do que ± 2,5 % numa distância igual ou superior a 200 mm; 2. Capacidade de produzir camadas de qualquer material, além do silício, cuja espessura em toda a lâmina apresente uma uniformidade igual a ± 3,5 % ou ainda melhor; ou 3. Rotação de lâminas individuais durante o processamento; e. Equipamentos de crescimento epitaxial através de feixe molecular; f. Equipamentos de “pulverização catódica” melhorados magneticamente, com fechos de carga integrais especialmente concebidos, capazes de transferir lâminas num ambiente de vácuo isolado; g. Equipamentos especialmente concebidos para implantação iónica ou difusão assistida por técnicas iónicas ou fotónicas, com qualquer das seguintes características: 1. Capacidade de gravar padrões; 2. Energia do feixe (tensão de aceleração) superior a 200 keV; 3. Otimização para funcionamento com energia do feixe (tensão de aceleração) inferior a 10 keV; ou 4. Capacidade de implantação de oxigénio com elevada energia num “substrato” aquecido; h. Equipamentos “controlados por programas armazenados” para remoção seletiva (decapagem) usando métodos anisotrópicos secos (por exemplo, plasma), como se segue: 1. “Equipamentos de fabrico em lote” com qualquer das seguintes características: a. Deteção do ponto final, exceto equipamentos de espetroscopia de emissão óptica; ou b. Pressão de funcionamento (decapagem) do reator igual ou inferior a 26,66 Pa; 2. “Equipamentos de fabrico de lâminas individuais” com qualquer das seguintes características: a. Deteção do ponto final, exceto equipamentos de espetroscopia de emissão óptica; b. Pressão de funcionamento (decapagem) do reator igual ou inferior a 26,66 Pa; ou c. Movimentação de lâminas entre cassetes e fechos de carga; Notas: 1. O termo “equipamentos de fabrico em lote” refere-se a máquinas não especialmente concebidas para a produção de lâminas individuais. Estas máquinas podem processar duas ou mais lâminas em simultâneo, aplicando parâmetros de processo comuns (por exemplo, potência RF, temperatura, tipos de gás de decapagem, caudais). 2. O termo “equipamentos de fabrico de lâminas individuais” refere-se a máquinas especialmente concebidas para a produção de lâminas individuais. Estas máquinas podem utilizar técnicas de movimentação automática de lâminas para carregar uma única lâmina no equipamento de processamento. A definição inclui equipamentos capazes de carregar e processar várias lâminas, mas em que os parâmetros de decapagem (por exemplo, a potência RF ou o ponto final) podem ser determinados de forma independente para cada lâmina. i. Equipamentos de “deposição química em fase vapor” (CVD) – por exemplo, CVD assistida por plasma (PECVD) ou técnicas fotónicas – para deposição de óxidos, nitretos, metais ou polissilícios com vista ao fabrico de dispositivos semicondutores, com uma das seguintes capacidades: 1. Equipamentos de “deposição química em fase vapor” que funcionem a uma pressão inferior a 105 Pa; ou 2. Equipamentos de PECVD que funcionem a uma pressão inferior a 60 Pa ou com funcionalidade de movimentação automática de lâminas entre cassetes e fechos de carga; Nota: X.B.I.001.b.1.i não abrange sistemas de “deposição química em fase vapor” a baixa pressão (LPCVD) nem equipamentos de “pulverização catódica” reativa. j. Sistemas de feixes de eletrões especialmente concebidos ou modificados para o fabrico de máscaras ou o processamento de dispositivos semicondutores, com qualquer das seguintes características: 1. Deflexão eletrostática do feixe; 2. Perfil de feixe com forma não gaussiana; 3. Frequência de conversão digital-analógica superior a 3 MHz; 4. Exatidão de conversão digital-analógica superior a 12 bit; ou 5. Precisão do controlo de retroação posicional alvo-feixe de 1 micrómetro, ou mais fina; Nota: X.B.I.001.b.1.j não abrange sistemas de deposição por feixes de eletrões nem microscópios eletrónicos de varrimento para uso geral. k. Equipamentos de acabamento de superfície para o processamento de lâminas semicondutoras, como se segue: 1. Equipamentos especialmente concebidos para o processamento e subsequente separação da superfície posterior de lâminas com uma espessura inferior a 100 micrómetros; ou 2. Equipamentos especialmente concebidos para alcançar uma rugosidade da superfície ativa de uma lâmina processada com um valor de 2 sigma igual ou inferior a 2 micrómetros – leitura total indicada (TIR); Nota: X.B.I.001.b.1.k não abrange equipamentos de brunidura e polimento unilateral para acabamento de superfície de lâminas. l. Equipamentos de interconexão, incluindo câmaras de vácuo comuns, simples ou múltiplas, especialmente concebidas para permitir a integração de qualquer equipamento abrangido por X.B.I.001 num sistema completo; m. Equipamentos “controlados por programas armazenados” que utilizem “lasers” para reparar ou aparar “circuitos integrados monolíticos”, com qualquer das seguintes características: 1. Exatidão de posicionamento de ± 1 micrómetro, ou melhor; ou 2. Dimensão do ponto (largura do corte) inferior a 3 micrómetros; Nota técnica: Para efeitos de X.B.I.001.b.1, entende-se por “pulverização catódica” um processo de revestimento por cobertura, no qual iões positivos são acelerados por um campo elétrico até à superfície de um alvo (material que constituirá o revestimento). A energia cinética dos iões que chocam com o alvo é suficiente para libertar átomos da sua superfície, indo estes depositar-se num substrato. (Nota: a pulverização catódica com tríodos, magnetrões ou radiofrequências, para aumentar a aderência do revestimento e a taxa de deposição, são modificações habituais do processo.) 2. Máscaras, substratos de máscara, equipamentos de fabrico de máscaras e equipamentos de transferência de imagem com vista ao fabrico de dispositivos e componentes, tal como especificado no título de X.B.I.001, como se segue: Nota: O termo máscaras refere-se às utilizadas na litografia por feixe de eletrões, na litografia por raios X e na litografia por radiação ultravioleta, bem como na habitual fotolitografia por radiação visível e ultravioleta. a. Máscaras acabadas, retículas e respetivos desenhos, exceto: 1. Máscaras acabadas ou retículas para a produção de circuitos integrados não abrangidos por 3A001 (5); ou 2. Máscaras ou retículas com ambas as seguintes características: a. Desenho baseado em geometrias de 2,5 micrómetros, ou maiores; e b. O desenho não inclui características especiais que permitam alterar a utilização prevista por meio de equipamento ou “software” de produção; b. Substratos de máscaras, como se segue: 1. “Substratos” (por exemplo, vidro, quartzo, safira) com revestimento duro (por exemplo, crómio, silício, molibdénio) para a preparação de máscaras com dimensões superiores a 125 mm × 125 mm; ou 2. Substratos especialmente concebidos para máscaras de raios X; c. Equipamentos, exceto computadores de uso geral, especialmente concebidos para desenho assistido por computador (CAD) de dispositivos semicondutores ou circuitos integrados; d. Equipamentos ou máquinas para o fabrico de máscaras ou retículas, como se segue: 1. Câmaras foto-ópticas de repetição, capazes de produzir matrizes de dimensão superior a 100 mm × 100 mm, ou exposições únicas de dimensão superior a 6 mm × 6 mm no plano de imagem (ou seja, no plano focal), ou larguras de linha inferiores a 2,5 micrómetros no material fotorresistente do “substrato”; 2. Equipamentos de fabrico de máscaras ou retículas que utilizem litografia de feixes de iões ou “laser”, capazes de produzir larguras de linha inferiores a 2,5 micrómetros; ou 3. Equipamentos ou suportes para modificar máscaras ou retículas ou adicionar películas para eliminar defeitos; Nota: X.B.I.001.b.2.d.1 e b.2.d.2 não abrangem equipamentos de fabrico de máscaras que utilizem métodos foto-ópticos disponíveis no mercado antes de 1 de janeiro de 1980, ou cujo desempenho não supere o desse equipamento. e. Equipamentos “controlados por programas armazenados” para a inspeção de máscaras, retículas ou películas, com as seguintes características: 1. Resolução de 0,25 micrómetros, ou mais fina; e 2. Precisão de 0,75 micrómetros, ou mais fina, numa distância igual ou superior a 63,5 mm numa ou em duas coordenadas; Nota: X.B.I.001.b.2.e não abrange microscópios eletrónicos de varrimento para uso geral, exceto quando especialmente concebidos e aparelhados para inspeção automática de padrões. f. Equipamentos de alinhamento e exposição para a produção de lâminas utilizando métodos foto-ópticos ou de raios X, por exemplo equipamento litográfico, incluindo equipamento de transferência de imagens por projeção e equipamento de repetição (avanço na lâmina) ou de avanço e varrimento (leitor óptico), capaz de desempenhar qualquer das seguintes funções: Nota: X.B.I.001.b.2.f não abrange equipamentos de alinhamento e exposição que utilizam máscaras foto-ópticas de contacto e proximidade nem equipamentos de transferência de imagens por contacto. 1. Produção de um padrão com dimensão inferior a 2,5 micrómetros; 2. Alinhamento com uma precisão mais fina do que ± 0,25 micrómetros (3 sigma); 3. Sobreposição máquina-máquina com nível máximo de ± 0,3 micrómetros; ou 4. Comprimento de onda da fonte de luz inferior a 400 nm; g. Equipamentos de feixes de eletrões, feixes de iões ou raios X para transferência de imagens por projeção, capazes de produzir padrões com dimensão inferior a 2,5 micrómetros; Nota: Para sistemas de feixes focados e refletidos (sistemas de escrita direta), ver X.B.I.001.b.1.j. h. Equipamentos que utilizam “lasers” para escrita direta em lâminas, capazes de produzir padrões com dimensão inferior a 2,5 micrómetros; 3. Equipamentos de montagem de circuitos integrados, como se segue: a. Fixadores de pastilhas “controlados por programas armazenados”, com qualquer das seguintes características: 1. Especialmente concebidos para produzir “circuitos integrados híbridos”; 2. Quadro de deslocação nas coordenadas X-Y de dimensão superior a 37,5 mm × 37,5 mm; e 3. Exatidão de posicionamento no plano X-Y igual a ± 10 micrómetros, ou mais fina; b. Equipamentos “controlados por programas armazenados” capazes de realizar múltiplas fixações numa única operação (por exemplo, fixadores de condutor-suporte, fixadores de caixa de circuito, fixadores de fita magnética); c. Dispositivos semiautomáticos ou automáticos de selagem a quente, em que a cobertura é aquecida localmente a uma temperatura superior à do restante encapsulamento, especialmente concebidos para encapsulamento de microcircuitos cerâmicos abrangidos por 3A001 (6), capazes de realizar um ou mais encapsulamentos por minuto. Nota: X.B.I.001.b.3 não abrange soldadores por pontos de resistência para uso geral. 4. Filtros para salas limpas com capacidade para filtrar materiais presentes no ar ambiente de modo que este contenha, no máximo, 10 partículas de dimensão igual ou inferior a 0,3 micrómetros por 0,02832 m3. Nota técnica: Para efeitos de X.B.I.001, a expressão “controlados por programas armazenados” refere-se a controlos que utilizam instruções armazenadas numa memória eletrónica, que podem ser executadas por um processador para controlar a execução de funções predeterminadas. Os equipamentos podem ser “controlados por programas armazenados” em memórias eletrónicas internas ou externas.