3A001

Elementos eletrónicos como se segue: a. Circuitos integrados de uso geral, como se segue: Nota: Nos circuitos integrados estão incluídos os seguintes tipos: — "Circuitos integrados monolíticos"; — "Circuitos integrados híbridos"; — "Circuitos integrados multipastilhas"; — "Circuitos integrados do tipo película", incluindo circuitos integrados de silício sobre safira; — "Circuitos integrados óticos"; — "Circuitos integrados tridimensionais"; — "Circuitos Integrados Monolíticos de Micro-Ondas" ("MMIC"). 1. Circuitos integrados concebidos ou classificados como reforçados contra radiações, capazes de suportar: a. Uma dose total igual ou superior a 5 x 103 Gy (silício); b. Uma perturbação do débito de dose igual ou superior a 5 × 106 Gy (silício)/s; ou c. Uma fluência (fluxo integrado) de neutrões (equivalente de 1 MeV) igual ou superior a 5 × 1013 n/cm2 em silício, ou o seu equivalente noutros materiais; Nota: 3A001.a.1.c. não se aplica aos semicondutores isolantes metálicos (MIS). 2. "Microcircuitos microprocessadores", "microcircuitos microcomputadores", microcircuitos microcontroladores, circuitos integrados de memória fabricados a partir de um semicondutor composto, conversores analógico-digitais, circuitos integrados que contêm conversores analógico-digitais e armazenam ou processam os dados digitalizados, conversores digital-analógicos,"circuitos integrados óticos" ou eletro-óticos para "processamento de sinais", dispositivos lógicos de campo programáveis, circuitos integrados por encomenda (custom) cuja função é desconhecida ou que se destinem a ser utilizados em equipamentos cujo estatuto é desconhecido, processadores de transformada rápida de Fourier (TRF), memórias estáticas de acesso aleatório (SRAM) ou "memórias não voláteis", com qualquer das seguintes caraterísticas: a. Classificados como aptos a funcionar a uma temperatura ambiente superior a 398 K (125 °C); b. Classificados como aptos a funcionar a uma temperatura ambiente inferior a 218 K (-55 °C); ou c. Classificados como aptos a funcionar em toda a gama de temperaturas ambientes de 218 K (-55 °C) a 398 K (125 °C); Nota: 3A001.a.2. não abrange circuitos integrados concebidos para aplicações civis em viaturas rodoviárias ou ferroviárias. Nota técnica: As "memórias não voláteis" são memórias que retêm os dados durante um certo tempo após a energia ter sido desligada. 3. "Microcircuitos microprocessadores", "microcircuitos microcomputadores" e microcircuitos microcontroladores fabricados a partir de um semicondutor composto e funcionando com uma frequência de relógio superior a 40 MHz; Nota: 3A001.a.3. inclui processadores de sinais digitais, processadores matriciais digitais e coprocessadores digitais. 4. Não utilizado; 5. Circuitos integrados conversores analógico-digitais (ADC) e conversores digital-analógicos (DAC), como se segue: a. Conversores analógico-digitais (ADC) com qualquer das seguintes caraterísticas: N.B. VER TAMBÉM 3A101 1. Resolução igual ou superior a 8 bits, mas inferior a 10 bits, com um "débito de amostragem" superior a 1,3 mil milhões de amostras por segundo (GSPS); 2. Resolução igual ou superior a 10 bits, mas inferior a 12 bits, com um "débito de amostragem" superior a 600 milhões de amostras por segundo (MSPS); 3. Resolução igual ou superior a 12 bits, mas inferior a 14 bits, com um "débito de amostragem" superior a 400 milhões de amostras por segundo (MSPS); 4. Resolução igual ou superior a 14 bits, mas inferior a 16 bits, com um "débito de amostragem" superior a 250 milhões de amostras por segundo (MSPS); ou 5. Resolução igual ou superior a 16 bits, com um "débito de amostragem" superior a 65 MSPS; N.B. Para circuitos integrados que contêm conversores analógico-digitais e armazenam ou processam os dados digitalizados, ver 3A001.a.14. Notas técnicas: 1. Uma resolução de n bits corresponde a uma quantização de 2 n níveis. 2. A resolução do ADC é o número de bits da saída digital que representa a entrada analógica medida. O número efetivo de bits (ENOB) não é utilizado para determinar a resolução do ADC. 3. Para os "ADC de canais múltiplos", o "débito de amostragem" não é agregado e o "débito de amostragem" é o débito máximo de qualquer dos canais individuais. 4. Para os "ADC entrelaçados" ou os "ADC de canais múltiplos" cujas especificações indicam que possuem um modo de funcionamento entrelaçado, os "débitos de amostragem" são agregados e o "débito de amostragem" é o débito combinado total máximo de todos os canais entrelaçados. b. Conversores digital-analógicos (DAC) com qualquer das seguintes caraterísticas: 1. Resolução igual ou superior a 10 bits, mas inferior a 12 bits, com uma «velocidade de atualização ajustada» superior a 3 500 MSPS; ou 2. Resolução igual ou superior a 12 bits e com qualquer das seguintes caraterísticas: a. 'Velocidade de atualização ajustada' superior a 1 250 MSPS mas não superior a 3 500 MSPS e com qualquer das seguintes caraterísticas: 1. Um tempo de estabilização inferior a 9 ns para atingir a escala completa ou um valor a 0,024 % da escala completa a partir de um incremento de escala completa; ou 2. Uma 'gama dinâmica sem espúrios' (SFDR, Spurious Free Dynamic Range) superior a 68 dBc (portadora) quando se sintetiza um sinal analógico de escala completa de 100 MHz ou a mais alta frequência de sinal analógico de escala completa especificada abaixo de 100 MHz; ou b. 'Velocidade de atualização ajustada' superior a 3 500 MSPS. Notas técnicas: 1. Por 'gama dinâmica sem espúrios' (SFDR, Spurious Free Dynamic Range) entende-se a razão entre o valor RMS da frequência portadora (componente máxima do sinal) à entrada do DAC e o valor RMS do maior valor de ruído seguinte ou componente de distorção harmónica à saída. 2. A SFDR é determinada diretamente a partir do quadro de especificações ou a partir dos gráficos de caraterização de SFDR vs. frequência. 3. Por sinal de escala completa entende-se um sinal cuja amplitude é superior a -3 dBfs (escala completa). 4. 'Velocidade de atualização ajustada' para os DAC: a. Para os DAC convencionais (sem interpolação), a 'velocidade de atualização ajustada' é a velocidade a que o sinal digital é convertido em sinal analógico e os valores analógicos de saída são modificados pelo DAC. Os DAC cujo modo de interpolação possa ser contornado (fator de interpolação de um) devem ser considerados DAC convencionais (sem interpolação). b. Para os DAC com interpolação (DAC de sobreamostragem), a 'velocidade de atualização ajustada' é a velocidade de atualização do DAC dividida pelo fator de interpolação mais baixo. Para os DAC com interpolação, a 'velocidade de atualização ajustada' pode ser designada por diferentes termos, incluindo: — débito de dados à entrada; — débito de palavras à entrada; — débito de amostragem à entrada; — velocidade máxima total de barramento de entrada; — frequência de relógio máxima do DAC para a entrada de relógio DAC. 6. "Circuitos integrados óticos" ou eletro-óticos para "processamento de sinais" e com todas as seguintes caraterísticas: a. Um ou mais díodos "laser" internos; b. Um ou mais elementos fotodetetores internos; e c. Guias de ondas óticas; 7. Dispositivos lógicos de campo programáveis com qualquer das seguintes caraterísticas: a. Um número máximo de entradas/saídas digitais ponta-massa superior a 700; ou b. Um «débito de dados unidirecional global de pico de emissão-receção em série» de 500 Gb/s ou superior. Nota: 3A001.a.7. abrange: Dispositivos lógicos programáveis complexos (CPLD); Matrizes de portas de campo programáveis (FPGA); Matrizes lógicas de campo programáveis (FPLA); Interligações de campo programáveis (FPIC). N.B. Para circuitos integrados com dispositivos lógicos de campo programáveis que são combinados com um conversor analógico-digital, ver 3A001.a.14. Notas técnicas: 1. O número máximo de entradas/saídas digitais mencionado em 3A001.a.7.a. é também denominado número máximo de entradas/saídas utilizador ou número máximo de entradas/saídas disponíveis, independentemente de o circuito integrado ser ou não ser encapsulado. 2. 'Débito de dados unidirecional global de pico de emissão-receção em série' é o produto do débito de dados unidirecional de pico de emissão-receção em série pelo número de transcetores na FPGA. 8. Não utilizado; 9. Circuitos integrados de redes neuronais; 10. Circuitos integrados por encomenda cuja função é desconhecida ou que se destinem a ser utilizados em equipamentos cujo estatuto o fabricante desconhece, com qualquer das seguintes caraterísticas: a. Mais de 1 500 terminais; b. Um "tempo de propagação por porta lógica elementar" típico inferior a 0,02 ns; ou c. Uma frequência de funcionamento superior a 3 GHz; 11. Circuitos integrados digitais, com exceção dos descritos em 3A001.a.3. a 3A001.a.10. e 3A001.a.12., fabricados a partir de um semicondutor composto e com qualquer das seguintes caraterísticas: a. Um número equivalente de portas lógicas superior a 3 000 (portas lógicas de duas entradas); ou b. Uma frequência de comutação superior a 1,2 GHz; 12. Processadores de transformada rápida de Fourier (TRF) com um tempo de execução nominal de uma TRF complexa de N pontos inferior a (N log2 N) /20 480 ms, em que N é o número de pontos; Nota técnica: Quando N é igual a 1 024 pontos, a fórmula apresentada em 3A001.a.12. dá um tempo de execução de 500 μs. 13. Circuitos integrados de sintetizador digital direto (DDS) com qualquer das seguintes caraterísticas: a. Uma frequência de relógio do conversor digital-analógico (DAC) igual ou superior a 3,5 GHz e uma resolução do DAC igual ou superior a 10 bits, mas inferior a 12 bits; ou b. Uma frequência de relógio do DAC igual ou superior a 1,25 GHz e uma resolução do DAC igual ou superior a 12 bits; Nota técnica: A frequência de relógio do DAC pode ser especificada como a frequência de relógio-mestre ou a frequência de relógio de entrada. 14. Circuitos integrados que executam ou são programáveis para executar todas as seguintes operações: a. Conversões analógico-digitais com qualquer das seguintes caraterísticas: 1. Resolução igual ou superior a 8 bits, mas inferior a 10 bits, com um "débito de amostragem" superior a 1,3 mil milhões de amostras por segundo (GSPS); 2. Resolução igual ou superior a 10 bits, mas inferior a 12 bits, com um "débito de amostragem" superior a 1,0 GSPS; 3. Resolução igual ou superior a 12 bits, mas inferior a 14 bits, com um "débito de amostragem" superior a 1,0 GSPS; 4. Resolução igual ou superior a 14 bits, mas inferior a 16 bits, com um "débito de amostragem" superior a 400 milhões de amostras por segundo (MSPS); ou 5. Resolução igual ou superior a 16 bits, com um "débito de amostragem" superior a 180 MSPS; e b. Qualquer das seguintes caraterísticas: 1. Armazenamento de dados digitalizados; ou 2. Processamento de dados digitalizados; N.B.1 Para circuitos integrados de conversores analógico-digitais, ver 3A001.a.5.a. N.B.2 Para dispositivos lógicos de campo programáveis, ver 3A001.a.7. Notas técnicas: 1. Uma resolução de n bits corresponde a uma quantização de 2 n níveis. 2. A resolução do ADC é o número de bits da saída digital do ADC que representa a entrada analógica medida. O número efetivo de bits (ENOB) não é utilizado para determinar a resolução do ADC. 3. Para os circuitos integrados com "ADC de canais múltiplos" não entrelaçados, o "débito de amostragem" não é agregado e o "débito de amostragem" é o débito máximo de qualquer dos canais individuais. 4. Para os circuitos integrados com "ADC entrelaçados" ou com "ADC de canais múltiplos" cujas especificações indicam que possuem um modo de funcionamento entrelaçado, os "débitos de amostragem" são agregados e o "débito de amostragem" é o débito combinado total máximo de todos os canais entrelaçados. b. Elementos de micro-ondas ou de ondas milimétricas, como se segue: Nota técnica: Para efeitos de 3A001.b., nas folhas de dados dos produtos pode também fazer-se referência ao parâmetro pico de potência saturada de saída como potência de saída, potência saturada de saída, potência máxima de saída, potência pico de saída ou potência pico da envolvente à saída. 1. "Dispositivos eletrónicos a vácuo" e cátodos, como se segue: Nota 1: 3A001.b.1. não abrange os "dispositivos eletrónicos a vácuo" concebidos ou classificados como aptos para funcionar em qualquer banda de frequência com todas as seguintes caraterísticas: a. Não exceder 31,8 GHz; e b. "Atribuídas pela UIT" para serviços de radiocomunicações mas não para radiodeterminação. Nota 2: 3A001.b.1. não abrange "dispositivos eletrónicos a vácuo" não "qualificados para uso espacial" com todas as seguintes caraterísticas: a. Potência de saída média igual ou inferior a 50 W; e b. Concebidas ou dimensionadas para funcionar em qualquer banda de frequências com todas as seguintes caraterísticas: 1. Superiores a 31,8 GHz mas sem exceder 43,5 GHz; e 2. "Atribuídas pela UIT" para serviços de radiocomunicações mas não para radiodeterminação. a. "Dispositivos eletrónicos a vácuo" de ondas progressivas, ondas pulsadas ou contínuas, como se segue: 1. Dispositivos que funcionem a frequências superiores a 31,8 GHz; 2. Dispositivos que tenham um aquecimento do cátodo com um tempo de arranque para a potência RF nominal inferior a 3 segundos; 3. Dispositivos de cavidades acopladas ou seus derivados, com uma "largura de banda fracionada" superior a 7 % ou uma potência de pico superior a 2,5 kW; 4. Dispositivos baseados em circuitos em hélice, guias de onda dobrados ou guias de onda em serpentina, ou seus derivados, com qualquer das seguintes caraterísticas: a. "Largura de banda instantânea" superior a uma oitava e produto da potência média, (expressa em kW) pela frequência, (expressa em GHz) superior a 0,5; b. "Largura de banda instantânea" igual ou inferior a uma oitava e produto da potência média, (expressa em kW) pela frequência (expressa em GHz) superior a 1; c. "Qualificados para uso espacial"; ou d. Canhão de eletrões com grelha; 5. Dispositivos com uma "largura de banda fracionada" superior ou igual a 10 %, com qualquer uma das seguintes caraterísticas: a. Feixe de eletrões anular; b. Feixe de eletrões não axissimétrico; ou c. Feixes de eletrões múltiplos; b. "Dispositivos eletrónicos a vácuo" amplificadores de campo cruzado com ganho superior a 17 dB; c. Cátodos termoiónicos concebidos para "dispositivos eletrónicos a vácuo" que produzam uma densidade de corrente emitida nas condições nominais de funcionamento superior a 5 A/cm2 ou uma densidade de corrente pulsada (não contínua) nas condições nominais de funcionamento superior a 10 A/cm2; d. "Dispositivos eletrónicos a vácuo" com capacidade para funcionamento 'bimodal'. Nota técnica: 'Bimodal' significa que a corrente de feixe do "dispositivo eletrónico a vácuo" pode ser mudada intencionalmente entre funcionamento em modo contínuo e funcionamento em modo pulsado com a utilização de uma grelha e que produz uma potência de saída em pico de impulso superior à potência de saída em onda contínua. 2. Amplificadores de "Circuitos Integrados Monolíticos de Micro-ondas" ("MMIC") com qualquer das seguintes caraterísticas: N.B. Para amplificadores "MMIC" com um desfasador integrado, ver 3A001.b.12. a. Classificados para funcionamento a frequências superiores a 2,7 GHz até 6,8 GHz, inclusive, com uma "largura de banda fracionada" superior a 15 %, e com qualquer das seguintes caraterísticas: 1. Um pico de potência saturada de saída superior a 75 W (48,75 dBm) a quaisquer frequências superiores a 2,7 GHz até 2,9 GHz, inclusive; 2. Um pico de potência saturada de saída superior a 55 W (47,4 dBm) a quaisquer frequências superiores a 2,9 GHz até 3,2 GHz, inclusive; 3. Um pico de potência saturada de saída superior a 40 W (46 dBm) a quaisquer frequências superiores a 3,2 GHz até 3,7 GHz, inclusive; ou 4. Um pico de potência saturada de saída superior a 20 W (43 dBm) a quaisquer frequências superiores a 3,7 GHz até 6,8 GHz, inclusive; b. Classificados para funcionamento a frequências superiores a 6,8 GHz até 16 GHz, inclusive, com uma "largura de banda fracionada" superior a 10 %, e com qualquer das seguintes caraterísticas: 1. Um pico de potência saturada de saída superior a 10 W (40 dBm) a quaisquer frequências superiores a 6,8 GHz até 8,5 GHz, inclusive; ou 2. Um pico de potência saturada de saída superior a 5 W (37 dBm) a quaisquer frequências superiores a 8,5 GHz até 16 GHz, inclusive; c. Classificados para funcionamento com um pico de potência saturada de saída superior a 3 W (34,77 dBm) a qualquer frequência superior a 16 GHz até 31,8 GHz, inclusive, e com uma "largura de banda fracionada" superior a 10 %; d. Classificados para funcionamento com um pico de potência saturada de saída superior a 0,1 nW (-70 dBm) a quaisquer frequências superiores a 31,8 GHz até 37 GHz, inclusive; e. Classificados para funcionamento com um pico de potência saturada de saída superior a 1 W (30 dBm) a qualquer frequência superior a 37 GHz até 43,5 GHz, inclusive, e com uma «largura de banda fracionada» superior a 10 %; f. Classificados para funcionamento com um pico de potência saturada de saída superior a 31,62 mW (15 dBm) a quaisquer frequências superiores a 43,5 GHz até 75 GHz, inclusive, e com uma "largura de banda fracionada" superior a 10 %; g. Classificados para funcionamento com um pico de potência saturada de saída superior a 10 mW (10 dBm) a qualquer frequência superior a 75 GHz até 90 GHz, inclusive, e com uma "largura de banda fracionada" superior a 5 %; ou h. Classificados para funcionamento com um pico de potência saturada de saída superior a 0,1 nW (- 70 dBm) a quaisquer frequências superiores a 90 GHz; Nota 1: Não utilizado. Nota 2: O estatuto dos MMIC cuja classificação de frequência de funcionamento inclua frequências especificadas em mais do que uma das gamas de frequência definidas em 3A001.b.2.a. a 3A001.b.2.h. é determinado pelo limiar inferior do pico de potência saturada de saída. Nota 3: Das notas 1 e 2 em 3A resulta que 3A001.b.2. não abrange os "MMIC" que sejam especialmente concebidos para outras aplicações, p. ex., telecomunicações, radar, automóveis. 3. Transístores de micro-ondas discretos com qualquer das seguintes caraterísticas: a. Classificados para funcionamento a frequências superiores a 2,7 GHz até 6,8 GHz, inclusive, e com qualquer das seguintes caraterísticas: 1. Um pico de potência saturada de saída superior a 400 W (56 dBm) a quaisquer frequências superiores a 2,7 GHz até 2,9 GHz, inclusive; 2. Um pico de potência saturada de saída superior a 205 W (53,12 dBm) a quaisquer frequências superiores a 2,9 GHz até 3,2 GHz, inclusive; 3. Um pico de potência saturada de saída superior a 115 W (50,61 dBm) a quaisquer frequências superiores a 3,2 GHz até 3,7 GHz, inclusive; ou 4. Um pico de potência saturada de saída superior a 60 W (47,78 dBm) a quaisquer frequências superiores a 3,7 GHz até 6,8 GHz, inclusive; b. Classificados para funcionamento a frequências superiores a 6,8 GHz até 31,8 GHz, inclusive, e com qualquer das seguintes caraterísticas: 1. Um pico de potência saturada de saída superior a 50 W (47 dBm) a quaisquer frequências superiores a 6,8 GHz até 8,5 GHz, inclusive; 2. Um pico de potência saturada de saída superior a 15 W (41,76 dBm) a quaisquer frequências superiores a 8,5 GHz até 12 GHz, inclusive; 3. Um pico de potência saturada de saída superior a 40 W (46 dBm) a quaisquer frequências superiores a 12 GHz até 16 GHz, inclusive; ou 4. Um pico de potência saturada de saída superior a 7 W (38,45 dBm) a quaisquer frequências superiores a 16 GHz até 31,8 GHz, inclusive; c. Classificados para funcionamento com um pico de potência saturada de saída superior a 0,5 W (27 dBm) a quaisquer frequências superiores a 31,8 GHz até 37 GHz, inclusive; d. Classificados para funcionamento com um pico de potência saturada de saída superior a 1 W (30 dBm) a quaisquer frequências superiores a 37 GHz até 43,5 GHz, inclusive; e. Classificados para funcionamento com um pico de potência saturada de saída superior a 0,1 nW (-70 dBm) a quaisquer frequências superiores a 43,5 GHz; ou f. Não especificados em 3A001.b.3.a. a 3A001.b.3.e classificados para funcionamento com um pico de potência saturada de saída superior a 5 W (37,0 dBm) a todas as frequências superiores a 8,5 GHz até 31,8 GHz, inclusive; Nota 1: O estatuto dos transístores em 3A001.b.3.a. a 3A001.b.3.e. cuja classificação de frequência de funcionamento inclua frequências referidas em mais do que uma das gamas de frequência definidas em 3A001.b.3.a. a 3A001.b.3.e. é determinado pelo limiar inferior do pico de potência saturada de saída. Nota 2: 3A001.b.3. inclui pastilhas nuas, pastilhas montadas em portadores ou pastilhas montadas em pacotes. Alguns transístores discretos podem também ser referidos como amplificadores de potência, mas o estatuto desses transístores discretos é determinado em 3A001.b.3. 4. Amplificadores de micro-ondas de semicondutores e conjuntos/módulos de micro-ondas que contenham amplificadores de micro-ondas de semicondutores, com qualquer das seguintes caraterísticas: a. Classificados para funcionamento a frequências superiores a 2,7 GHz até 6,8 GHz, inclusive, com uma "largura de banda fracionada" superior a 15 %, e com qualquer das seguintes caraterísticas: 1. Um pico de potência saturada de saída superior a 500 W (57 dBm) a quaisquer frequências superiores a 2,7 GHz até 2,9 GHz, inclusive; 2. Um pico de potência saturada de saída superior a 270 W (54,3 dBm) a quaisquer frequências superiores a 2,9 GHz até 3,2 GHz, inclusive; 3. Um pico de potência saturada de saída superior a 200 W (53 dBm) a quaisquer frequências superiores a 3,2 GHz até 3,7 GHz, inclusive; ou 4. Um pico de potência saturada de saída superior a 90 W (49,54 dBm) a quaisquer frequências superiores a 3,7 GHz até 6,8 GHz, inclusive; b. Classificados para funcionamento a frequências superiores a 6,8 GHz até 31,8 GHz, inclusive, com uma "largura de banda fracionada" superior a 10 %, e com qualquer das seguintes caraterísticas: 1. Um pico de potência saturada de saída superior a 70 W (48,54 dBm) a quaisquer frequências superiores a 6,8 GHz até 8,5 GHz, inclusive; 2. Um pico de potência saturada de saída superior a 50 W (47 dBm) a quaisquer frequências superiores a 8,5 GHz até 12 GHz, inclusive; 3. Um pico de potência saturada de saída superior a 30 W (44,77 dBm) a quaisquer frequências superiores a 12 GHz até 16 GHz, inclusive; ou 4. Um pico de potência saturada de saída superior a 20 W (43 dBm) a quaisquer frequências superiores a 16 GHz até 31,8 GHz, inclusive; c. Classificados para funcionamento com um pico de potência saturada de saída superior a 0,5 W (27 dBm) a quaisquer frequências superiores a 31,8 GHz até 37 GHz, inclusive; d. Classificados para funcionamento com um pico de potência saturada de saída superior a 2 W (33 dBm) a quaisquer frequências superiores a 37 GHz até 43,5 GHz, inclusive, e com uma "largura de banda fracionada" superior a 10 %; e. Classificados para funcionamento a frequências superiores a 43,5 GHz e com qualquer das seguintes caraterísticas: 1. Um pico de potência saturada de saída superior a 0,2 W (23 dBm) a quaisquer frequências superiores a 43,5 GHz até 75 GHz, inclusive, e com uma "largura de banda fracionada" superior a 10 %; 2. Um pico de potência saturada de saída superior a 20 mW (13 dBm) a quaisquer frequências superiores a 75 GHz até 90 GHz, inclusive, e com uma "largura de banda fracionada" superior a 5 %; ou 3. Um pico de potência saturada de saída superior a 0,1 nW (-70 dBm) a quaisquer frequências superiores a 90 GHz; ou f. Não utilizado. N.B.1 Para amplificadores de "MMIC", ver 3A001.b.2. N.B.2 Para 'módulos de transmissão/receção' e 'módulos de transmissão', ver 3A001.b.12. N.B.3 Para os conversores e misturadores harmónicos concebidos para alargar a gama de funcionamento ou de frequências dos analisadores de sinais, geradores de sinais, analisadores de redes ou recetores de ensaio de micro-ondas, ver 3A001.b.7. Nota 1: Não utilizado. Nota 2: O estatuto dos produtos cuja classificação de frequência de funcionamento inclua frequências referidas em mais do que uma das gamas de frequência definidas em 3A001.b.4.a. a 3A001.b.4.e. é determinado pelo limiar inferior do pico de potência saturada de saída. 5. Filtros passa-banda ou corta-banda sintonizáveis eletrónica ou magneticamente com mais de 5 ressoadores sintonizáveis capazes de sintonização numa banda de frequências de 1,5:1 (fmax/fmin) em menos de 10 μs e com qualquer das seguintes caraterísticas: a. Largura da banda passante superior a 0,5 % da frequência central; ou b. Largura da banda suprimida inferior a 0,5 % da frequência central; 6. Não utilizado; 7. Conversores e misturadores harmónicos com qualquer das seguintes caraterísticas: a. Concebidos para alargar a gama de frequências dos "analisadores de sinais" para além de 90 GHz; b. Concebidos para alargar a gama de funcionamento de geradores de sinais do seguinte modo: 1. Para além dos 90 GHz; 2. Para uma potência de saída superior a 100 mW (20 dBm) em qualquer ponto dentro da gama de frequências superiores a 43,5 GHz mas não superiores a 90 GHz; c. Concebidos para alargar a gama de funcionamento dos analisadores de rede do seguinte modo: 1. Para além dos 110 GHz; 2. Para uma potência de saída superior a 31,62 mW (15 dBm) em qualquer ponto dentro da gama de frequências superiores a 43,5 GHz mas não superiores a 90 GHz; 3. Para uma potência de saída superior a 1 mW (0 dBm) em qualquer ponto dentro da gama de frequências superiores a 90 GHz mas não superiores a 110 GHz; ou d. Concebidos para alargar a gama de frequências dos recetores de ensaio de micro-ondas para além dos 110 GHz. 8. Amplificadores de potência de micro-ondas que contenham "dispositivos eletrónicos a vácuo" especificados em 3A001.b.1. e com todas as seguintes caraterísticas: a. Frequências de funcionamento superiores a 3 GHz; b. Potência de saída média em relação à massa superior a 80 W/kg; e c. Volume inferior a 400 cm3; Nota: 3A001.b.8. não abrange o equipamento concebido ou classificado como apto para funcionamento em qualquer banda de frequências "atribuída pela UIT" para serviços de radiocomunicações, mas não para radiodeterminação. 9. Módulos de potência de micro-ondas (MPM) formados por, no mínimo, um "dispositivo eletrónico de vácuo" de ondas progressivas, um "circuito integrado monolítico de micro-ondas" ("MMIC") e um adaptador de potência eletrónico integrado e com todas as seguintes caraterísticas: a. Um 'tempo de arranque', desde o momento em que a ligação é ativada até à operacionalidade plena, inferior a 10 segundos; b. Uma capacidade inferior à potência nominal máxima, em watts, multiplicada por 10 cm3/W; e c. Uma "largura de banda instantânea" superior a uma oitava (fmax > 2fmin) e com qualquer das seguintes caraterísticas: 1. Para frequências iguais ou inferiores a 18 GHz, uma potência de saída RF superior a 100 W; ou 2. Uma frequência superior a 18 GHz; Notas técnicas: 1. Para calcular a capacidade em 3A001.b.9.b., apresenta-se o seguinte exemplo: para uma potência nominal máxima de 20 W, a capacidade seria: 20 W x 10 cm 3 /W = 200 cm 3 . 2. O 'tempo de arranque' em 3A001.b.9.a. refere-se ao tempo que decorre entre a fase de completamente desligado à de operacionalidade plena, ou seja, inclui o tempo de aquecimento do MPM. 10. Osciladores ou conjuntos de osciladores, especificados para funcionar com ruído de fase em banda lateral única (SSB), expresso em dBc/Hz, inferior a (melhor que) -(126 + 20log10F - 20log10f), em qualquer ponto na gama de 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz; Nota técnica: Em 3A001.b.10., F representa o desvio expresso em Hz em relação à frequência de funcionamento e f a frequência de funcionamento expressa em MHz. 11. "Conjuntos eletrónicos" "sintetizadores de frequências" com um "tempo de comutação de frequência" com qualquer das seguintes especificações: a. Inferior a 143 ps; b. Inferior a 100 μs para qualquer mudança de frequência superior a 2,2 GHz dentro da gama de frequências sintetizadas superiores a 4,8 GHz mas que não exceda 31,8 GHz; c. Não utilizado; d. Inferior a 500 μs para qualquer mudança de frequência superior a 550 MHz dentro da gama de frequências sintetizadas superiores a 31,8 GHz mas que não exceda 37 GHz; e. Inferior a 100 μs para qualquer mudança de frequência superior a 2,2 GHz dentro da gama de frequências sintetizadas superiores a 37 GHz mas não superiores a 90 GHz; ou f. Não utilizado; g. Inferior a 1 ms dentro da gama de frequências sintetizadas superiores a 90 GHz. Nota técnica: 'Sintetizador de frequência', qualquer tipo de fonte de frequências, independentemente da técnica utilizada, que forneça, a partir de uma ou mais saídas, diversas frequências de saída simultâneas ou alternadas, controladas, derivadas ou regidas por um número inferior de frequências-padrão (ou principais). N.B. Para os "analisadores de sinais", geradores de sinais, analisadores de rede e recetores de ensaio de micro-ondas de uso geral, ver 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. e 3A002.f., respetivamente. 12. 'Módulos de transmissão/receção', 'MMIC de transmissão/receção', 'módulos de transmissão' e 'MMIC de transmissão', classificados para funcionamento a frequências superiores a 2,7 GHz e com todas as seguintes caraterísticas: a. Um pico de potência saturada de saída (em watts), Psat, superior a 505,62 a dividir pela frequência máxima de funcionamento (em GHz) elevada ao quadrado [Psat>505,62 W*GHz2/fGHz 2] para qualquer canal; b. "Largura de banda fracionada" igual ou superior a 5 % para qualquer canal; c. Qualquer lado plano com comprimento d (em cm) igual ou inferior a 15 a dividir pela frequência mínima de funcionamento em GHz [d ≤ 15cm*GHz*N/fGHz] em que N é o número de canais de transmissão ou de transmissão/receção; e d. Um desfasador eletronicamente variável por canal. Notas técnicas: 1. Um «módulo de transmissão/receção» é um "conjunto eletrónico" multifunções que proporciona controlo bidirecional de amplitude e fase para a transmissão e a receção de sinais. 2. Um 'módulo de transmissão' é um 'conjunto eletrónico' que proporciona controlo de amplitude e fase para a transmissão de sinais. 3. Um 'MMIC de transmissão/receção' é um "MMIC" multifunções que proporciona controlo bidirecional de amplitude e fase para a transmissão e a receção de sinais. 4. Um 'MMIC de transmissão' é um "MMIC" que proporciona controlo de amplitude e fase para a transmissão de sinais. 5. Nos módulos de transmissão/receção e de transmissão classificados numa gama de funcionamento que desça até 2,7 GHz e abaixo, deve utilizar-se a frequência 2,7 GHz como frequência de funcionamento mais baixa (f GHz ) na fórmula contida em 3A001.b.12.c. [d≤15cm*GHz*N/2,7 GHz]. 6. 3A001.b.12. é aplicável a 'módulos de transmissão/receção' ou 'módulos de transmissão', com ou sem dissipador de calor. O valor de d em 3A001.b.12.c. não inclui qualquer parte do 'módulo de transmissão/receção' ou do 'módulo de transmissão' que funcione como dissipador de calor. 7. Os 'módulos de transmissão/receção', os 'módulos de transmissão', os ‘MMIC de transmissão/receção’ ou os 'MMIC de transmissão' podem ter ou não integrados N elementos de antena radiante em que N é o número de canais de transmissão ou de transmissão/receção. c. Dispositivos de ondas acústicas e componentes especialmente concebidos para os mesmos: 1. Dispositivos de ondas acústicas superficiais e de ondas acústicas de superfície deslizante (carga superficial) com qualquer das seguintes caraterísticas: a. Frequência portadora superior a 6 GHz; b. Frequência portadora superior a 1 GHz, mas não a 6 GHz e com qualquer das seguintes caraterísticas: 1. "Rejeição dos lobos laterais de frequência" superior a 65 dB; 2. Produto do tempo de atraso máximo pela largura da banda (tempo em μs e largura de banda em MHz) superior a 100; 3. Largura da banda superior a 250 Mhz; ou 4. Atraso dispersivo superior a 10 μs; ou c. Frequência portadora igual ou inferior a 1 GHz e com qualquer das seguintes caraterísticas: 1. Produto do tempo de atraso máximo pela largura da banda (tempo em μs e largura de banda em MHz) superior a 100; 2. Atraso dispersivo superior a 10 μs; ou 3. 'Rejeição dos lobos laterais de frequência' superior a 65 dB e largura da banda superior a 100 MHz; Nota técnica: Por ‘rejeição dos lobos laterais de frequência’ entende-se o valor de rejeição máximo especificado na folha de dados. 2. Dispositivos de ondas acústicas volumétricas que permitam o processamento direto de sinais a frequências superiores a 6 GHz; 3. Dispositivos acústico-óticos de "processamento de sinais" que utilizem a interação de ondas acústicas (onda volumétrica ou onda superficial) e ondas de luz que permitam o processamento direto de sinais ou imagens, incluindo análise espetral, correlação ou convolução; Nota: 3A001.c. não abrange os dispositivos que utilizam ondas acústicas limitadas a uma única função de filtragem passa-banda, passa-baixo, passa-alto ou supressor de banda, ou a uma função de ressonância. d. Dispositivos ou circuitos eletrónicos que contenham componentes fabricados a partir de materiais "supercondutores" especialmente concebidos para funcionamento a temperaturas inferiores à "temperatura crítica" de pelo menos um dos constituintes "supercondutores", e com qualquer das seguintes caraterísticas: 1. Comutação de corrente para circuitos digitais que utilizam portas lógicas "supercondutoras" com um produto do tempo de propagação por porta lógica (em segundos) pela dissipação de potência por porta lógica (em watts) inferior a 10-14 J; ou 2. Seleção de frequências em todas as frequências com utilização de circuitos ressonantes com valores de Q superiores a 10 000; e. Dispositivos de alta energia, como se segue: 1. "Elementos", como se segue: a. 'Elementos primários' com qualquer das seguintes caraterísticas a 20 °C; 1. 'Densidade de energia' superior a 550 Wh/kg e 'densidade de potência contínua' superior a 50 W/kg; ou 2. 'Densidade de energia' superior a 50 Wh/kg e 'densidade de potência contínua' superior a 350 W/kg; ou b. 'Elementos secundários' com uma «densidade de energia» superior a 350 Wh/kg a 20 °C; Notas técnicas: 1. Para efeitos de 3A001.e.1., a 'densidade de energia' (Wh/kg) é calculada a partir da tensão nominal multiplicada pela capacidade nominal em ampere - hora (Ah) dividida pela massa em quilogramas. Se a capacidade nominal não estiver indicada, a densidade de energia é calculada a partir da tensão nominal ao quadrado que é depois multiplicada pela duração da descarga, em horas, dividida pela resistência de descarga, em ohms, e pela massa, em quilogramas. 2. Para efeitos de 3A001.e.1., um "elemento" é um dispositivo eletroquímico, que dispõe de elétrodos positivo e negativo, de um eletrólito, e constitui uma fonte de energia elétrica. Constitui o componente de base de uma bateria. 3. Para efeitos de 3A001.e.1.a., um 'elemento primário' é um 'elemento' que não está concebido para ser carregado a partir de outra fonte. 4. Para efeitos de 3A001.e.1.b., um 'elemento secundário' é um 'elemento' concebido para ser carregado a partir de uma fonte elétrica externa. 5. Para efeitos de 3A001.e.1.a., a 'densidade de potência contínua' (Wh/kg) é calculada a partir da tensão nominal multiplicada pela corrente de descarga contínua máxima especificada expressa em amperes (A), dividida pela massa em quilogramas. A 'densidade de potência contínua' é também designada por potência específica. Nota: 3A001.e.1. não abrange as baterias, inclusive as baterias de elemento único. 2. Condensadores de armazenamento de alta energia, como se segue: N.B. VER TAMBÉM 3A201.a. e a Lista de Material de Guerra. a. Condensadores com uma frequência de repetição inferior a 10 Hz (condensadores monodisparo) e com todas as seguintes caraterísticas: 1. Tensão nominal igual ou superior a 5 kV; 2. Densidade de energia igual ou superior a 250 J/kg; e 3. Energia total igual ou superior a 25 kJ; b. Condensadores com uma frequência de repetição igual ou superior a 10 Hz (condensadores de repetição) e com todas as seguintes caraterísticas: 1. Tensão nominal igual ou superior a 5 kV; 2. Densidade de energia igual ou superior a 50 J/kg; 3. Energia total igual ou superior a 100 J; e 4. Vida em ciclos carga/descarga igual ou superior a 10 000; 3. Eletroímanes ou solenoides "supercondutores" especialmente concebidos para uma carga ou descarga completa em menos de um segundo e com todas as seguintes caraterísticas: N.B. VER TAMBÉM 3A201.b. Nota: 3A001.e.3. não abrange eletroímanes ou solenoides "supercondutores" especialmente concebidos para equipamento médico de imagem por ressonância magnética (MRI). a. Energia fornecida durante a descarga superior a 10 kJ no primeiro segundo; b. Diâmetro interior dos enrolamentos que transportam a corrente superior a 250 mm; e c. Previstos para uma indução magnética superior a 8 T ou uma "densidade total de corrente" no enrolamento superior a 300 A/mm2; 4. Células solares, conjuntos de janelas de células solares interligadas (CIC), painéis solares e grupos solares "qualificados para uso espacial", com uma eficiência média mínima superior a 20 % a uma temperatura de funcionamento de 301 K (28 °C) em condições de iluminação simulada 'AM0' com uma irradiância de 1 367 watts por metro quadrado (W/m2); Nota técnica: 'AM0' ou 'massa atmosférica zero', refere-se à irradiância espetral da luz solar na atmosfera exterior da Terra quando a distância entre a Terra e o Sol é de uma unidade astronómica (UA). f. Codificadores de posição absoluta com entrada rotativa com uma "precisão" igual ou inferior a (melhor que) 1,0 segundos de arco e anéis, discos ou escalas especialmente concebidos para esses codificadores; g. Dispositivos tirístores sólidos pulsados de interrupção de potência e 'módulos tirístores' que utilizem métodos de comutação elétricos, óticos ou por radiação de eletrões e com qualquer das seguintes caraterísticas: 1. Um crescimento máximo da corrente de arranque (di/dt) superior a 30 000 A/μs e uma tensão de estado de bloqueio superior a 1 100 V; ou 2. Um crescimento máximo da corrente de arranque (di/dt) superior a 2 000 A/μs e com ambas as seguintes caraterísticas: a. Uma tensão de pico de estado de bloqueio igual ou superior a 3 000 V; e b. Um pico (oscilação) de corrente igual ou superior a 3 000 A; Nota 1: 3A001.g. abrange: Retificadores controlados de silício (SCR) Tirístores ativados pela eletricidade (ETT) Tirístores ativados pela luz (LTT) Tirístores comutados com porta integrada (IGCT) Tirístores de desligamento por porta (GTO) Tirístores controlados por MOS (MCT) Solidtrons Nota 2: 3A001.g. não abrange dispositivos tirístores nem 'módulos tirístores' integrados em equipamento concebido para aplicações em transporte ferroviário civil ou em "aeronaves civis". Nota técnica: Para efeitos de 3A001.g., um "módulo tirístor" contém um ou mais dispositivos tirístores. h. Comutadores, díodos ou 'módulos' com semicondutores de energia no estado sólido, com todas as seguintes caraterísticas: 1. Previstos para uma temperatura máxima da junção em funcionamento superior a 488 K (215 °C); 2. Tensão de pico repetitiva em estado de bloqueio (tensão de bloqueio) superior a 300 V; e 3. Corrente contínua superior a 1 A. Nota 1: Em 3A001.h., a tensão de pico repetitiva em estado de bloqueio inclui a tensão saída - fonte, a tensão coletor - emissor, a tensão inversa de pico repetitiva e a tensão de pico repetitiva em estado de bloqueio. Nota 2: 3A001.h. abrange: Transístores de efeito de campo de junção (JFETs) Transístores de efeito de campo de junção vertical (VJFET) Transístores de efeito de campo em tecnologia MOS (MOSFET) Transístores de efeito de campo em tecnologia MOS com difusão dupla (DMOSFET) Transístores bipolares de porta isolada (IGBT) Transístores de elevada mobilidade de eletrões (HEMT) Transístores bipolares de junção (BJT) Tirístores e retificadores controlados de silício (SCR) Tirístores de bloqueio por porta (GTO) Tirístores de bloqueio por emissor (ETO) Díodos PiN Díodos Schottky Nota 3: 3A001.h. não abrange comutadores, díodos, ou 'módulos' de controlo incorporados em equipamentos concebidos para aplicações em automóveis civis, comboios civis ou "aeronaves civis". Nota técnica: Para efeitos de 3A001.h., os 'módulos' contêm um ou mais comutadores ou díodos de semicondutores de energia no estado sólido. i. Moduladores eletro-óticos de intensidade, amplitude ou fase, concebidos para sinais analógicos e com qualquer das seguintes caraterísticas: 1. Frequência máxima de funcionamento superior a 10 GHz mas inferior a 20 GHz, perda de inserção ótica igual ou inferior a 3 dB e com qualquer das seguintes caraterísticas: a. 'Tensão de meia onda' ('Vπ') inferior a 2,7 V, quando medida a uma frequência de 1 GHz ou inferior; ou b. 'Vπ' inferior a 4 V, quando medida a uma frequência superior a 1 GHz; ou 2. Frequência máxima de funcionamento igual ou superior a 20 GHz, perda de inserção ótica igual ou inferior a 3 dB e com qualquer das seguintes caraterísticas: a. 'Vπ' inferior a 3,3 V, quando medida a uma frequência de 1 GHz ou inferior; ou b. 'Vπ' inferior a 5 V, quando medida a uma frequência superior a 1 GHz. Nota: 3A001.i. inclui os moduladores eletro-óticos com conectores óticos de entrada e de saída (p. ex., espirais de fibras óticas). Nota técnica: Para efeitos de 3A001.i., a 'tensão de meia onda' ('Vπ') é a tensão aplicada necessária para obter uma mudança de fase de 180 graus no comprimento de onda da luz propagada através do modulador ótico.