3.

Na página 160, os pontos 5E001.d.1 a 5E001.d.8 passam a ter a seguinte redação: «d. “Tecnologia”, na aceção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o “desenvolvimento” ou a “produção” de amplificadores de “Circuitos Integrados Monolíticos de Microondas” (“MMIC”) especialmente concebidos para as telecomunicações e com qualquer das seguintes características: Nota técnica: Para afeito de 5E001.d., nas folhas de dados dos produtos pode também fazer-se referência ao parâmetro pico de potência saturada de saída como potência de saída, potência saturada de saída, potência máxima de saída, potência pico de saída ou potência pico da envolvente à saída. 1. Classificados para funcionamento a frequências superiores a 2,7 GHz até 6,8 GHz, inclusive, com huma “largura de banda friccionada” superior a 15 %, e coma qualquer das seguiste características: a. Um pico de potência saturada de saída superior a 75 W (48,75 dBm) a quaisquer frequências superiores a 2,7 GHz até 2,9 GHz, inclusive; b. Um pico de potência saturada de saída superior a 55 W (47,4 dBm) a quaisquer frequências superiores a 2,9 GHz até 3,2 GHz, inclusive; c. Um pico de potência saturada de saída superior a 40 W (46 dBm) a quaisquer frequências superiores a 3,2 GHz até 3,7 GHz, inclusive; ou d. Um pico de potência saturada de saída superior a 20 W (43 dBm) a quaisquer frequências superiores a 3,7 GHz até 6,8 GHz, inclusive; 2. Classificados para funcionamento a frequências superiores a 6,8 GHz até 16 GHz, inclusive, com uma “largura de banda fracionada” superior a 10 %, e com qualquer das seguintes características: a. Um pico de potência saturada de saída superior a 10 W (40 dBm) a quaisquer frequências superiores a 6,8 GHz até 8,5 GHz, inclusive; ou b. Um pico de potência saturada de saída superior a 5 W (37 dBm) a quaisquer frequências superiores a 8,5 GHz até 16 GHz, inclusive; 3. Classificados para funcionamento com um pico de potência saturada de saída superior a 3 W (34,77 dBm) a quaisquer frequências superiores a 16 GHz até 31,8 GHz, inclusive, e com uma “largura de banda fracionada” superior a 10 %; 4. Classificados para funcionamento com um pico de potência saturada de saída superior a 0,1 nW (– 70 dBm) a quaisquer frequências superiores a 31,8 GHz até 37 GHz, inclusive; 5. Classificados para funcionamento com um pico de potência saturada de saída inclusive, e com uma “largura de banda fracionada” superior a 10 %; 6. Classificados para funcionamento com um pico de potência saturada de saída inclusive, e com uma “largura de banda fracionada” superior a 10 %; 7. Classificados para funcionamento com um pico de potência saturada de saída superior a 10 mW (10 dBm) a quaisquer frequências superiores a 75 GHz até 90 GHz, inclusive, e com uma “largura de banda fracionada” superior a 5 %; ou 8. Classificados para funcionamento com um pico de potência saturada de saída superior a 0,1 nW (-70 dBm) a quaisquer frequências superiores a 90 GHz; e. “Tecnologia”, na aceção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o “desenvolvimento” ou a “produção” de dispositivos e circuitos eletrónicos especialmente concebidos para as telecomunicações e contendo componentes fabricados a partir de materiais “supercondutores”, especialmente concebidos para funcionamento a temperaturas abaixo da “temperatura crítica” ou pelo menos um dos constituintes “supercondutores”, com qualquer das funções seguintes: 1. Comutação de corrente para circuitos digitais que utilizam portas lógicas “supercondutoras” com um produto do tempo de propagação por porta lógica (em segundos) pela dissipação de potência por porta lógica (em watts) inferior a 10 –14 J; ou 2. Seleção de frequência a todas as frequências utilizando circuitos ressonantes que tensan um fator Q superior a 10 000.»