2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 1
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►BREGULAMENTO (CE) N.o1334/2000 DO CONSELHO
de 22 de Junho de 2000
que cria um regime comunitário de controlo das exportações de produtos e tecnologias de dupla
utilização
(JO L 159 de 30.6.2000, p. 1)
Alterado por:
Jornal Oficial
n.opágina data
►M1Regulamento (CE) n.o2889/2000 do Conselho de 22 de Dezembro de
2000L 336 14 30.12.2000
►M2Regulamento (CE) n.o458/2001 do Conselho de 6 de Março de 2001 L 65 19 7.3.2001
►M3Regulamento (CE) n.o2432/2001 do Conselho de 20 de Novembro de
2001L 338 1 20.12.2001
Rectificado por:
►C1Rectificação, JO L 176 de 15.7.2000, p. 52 (1334/2000)
▼B
REGULAMENTO (CE) N.o1334/2000 DO CONSELHO
de 22 de Junho de 2000
que cria um regime comunitário de controlo das exportações de
produtos e tecnologias de dupla utilização
O CONSELHO DA UNIÃO EUROPEIA,
Tendo em conta o Tratado que institui a Comunidade Europeia e,
nomeadamente, o seu artigo 133.o,
Tendo em conta a proposta da Comissão(1),
Considerando o seguinte:
(1)Os produtos de dupla utilização (incluindo suportes lógicos e
tecnologia) devem ser sujeitos a um controlo eficaz aquando dasua exportação a partir da Comunidade.
(2)É necessário um regime comum eficaz de controlo dasexportações de produtos de dupla utilização para assegurar orespeito dos compromissos e responsabilidades internacionais dosEstados-Membros e da União Europeia, nomeadamente emmatéria de não proliferação.
(3)A existência de um regime comum de controlo e de políticasharmonizadas de execução e monitorização em todos os Estados--Membros constitui um requisito prévio da livre circulação dos
produtos de dupla utilização no interior da Comunidade.
(4)O actual regime de controlo das exportações de produtos de duplautilização, criado pelo Regulamento (CE) n.
o3381/94(2) e pela
Decisão 94/942/PESC(3), deve ser objecto de uma maior
harmonização para continuar a garantir uma aplicação eficaz doreferido controlo.
(5)Para um regime eficaz de controlo das exportações, é essencialque haja listas comuns de produtos de dupla utilização, dedestinos e de directrizes. As referidas listas foram fixadas pelaDecisão 94/942/PESC e pelas suas alterações subsequentes edevem ser incorporadas no presente regulamento.
(6)A responsabilidade pelo deferimento ou indeferimento dospedidos de autorizações de exportação cabe às autoridades
nacionais. As disposições e decisões nacionais em matéria de
exportação de produtos de dupla utilização devem ser adoptadasno quadro da política comercial comum, em especial doRegulamento (CEE) n.
o2603/69 do Conselho, de 20 de Dezembro
de 1969, que estabelece um regime comum aplicável àsexportações(
4).
(7)As decisões de actualização das listas comuns de produtos dedupla utilização devem respeitar integralmente as obrigações ecompromissos assumidos por cada Estado-Membro no âmbito dos
regimes em matéria de não proliferação e de controlo das
exportações internacionais pertinentes ou através da ratificação detratados internacionais pertinentes.
(8)A transmissão de suportes lógicos e de tecnologia por meioselectrónicos, por fax ou por telefone para destinos fora daComunidade deve também ser controlada.
(9)É necessário prestar uma atenção especial às questões dareexportação e da utilização final.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 2
(1) JO C 399 de 21.12.1998, p. 1.
(2) JO L 367 de 31.12.1994, p. 1. Regulamento alterado pelo Regulamento (CE)
n.o837/95 (JO L 90 de 21.4.1995, p. 1).
(3) JO L 367 de 31.12.1994, p. 8. Decisão com a última redacção que lhe foi
dada pela Decisão 2000/243/PESC (JO L 82 de 1.4.2000, p. 1).
(4) JO L 324 de 27.12.1969, p. 25. Regulamento com a última redacção que lhe
foi dada pelo Regulamento (CEE) n.o3918/91 (JO L 372 de 31.12.1991, p.
31).
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(10)Em 22 de Setembro de 1998, os representantes dos Estados-
-Membros e da Comissão Europeia assinaram protocolos
adicionais aos respectivos acordos de salvaguarda entre osEstados-Membros, a Comunidade Europeia da Energia Atómicae a Agência Internacional da Energia Atómica, que, entre outrasmedidas, obrigam os Estados-Membros a prestar informaçõessobre equipamento especificado e materiais não nucleares.
(11)A Comunidade adoptou um conjunto de normas aduaneiras,contidas no Regulamento (CEE) n.
o2913/92 do Conselho, de
12 de Outubro de 1992, que estabelece o código aduaneirocomunitário(
1), e no Regulamento (CEE) n.o2454/93 da
Comissão(2) que fixa disposições de aplicação do Regulamento
(CEE) n.o2913/92, que fixam, nomeadamente, disposições
relativas à exportação e reexportação de mercadorias. Nada dodisposto no presente regulamento limita os poderes conferidospelo código aduaneiro comunitário e respectivas disposições de
aplicação ou deles decorrentes.
(12)Nos termos e no âmbito delimitado pelo artigo 30.odo Tratado e
na pendência de um maior grau de harmonização, os Estados--Membros manterão o direito de realizar controlos das
transferências de certos produtos de dupla utilização no interior
da Comunidade Europeia, a fim de salvaguardar a ordem ou asegurança públicas. Quando estiverem relacionados com aeficácia do controlo das exportações a partir da Comunidade,esses controlos serão periodicamente revistos pelo Conselho.
(13)Para assegurar a correcta aplicação do presente regulamento, cadaEstado-Membro deverá tomar medidas para conferir às autori-dades competentes os poderes adequados.
(14)Compete a cada Estado-Membro determinar as sanções aplicáveisem caso de violação do disposto no presente regulamento.
(15)O Parlamento Europeu manifestou a sua opinião na resolução de13 de Abril de 1999(
3).
(16)O Regulamento (CE) n.o3381/94 deve ser revogado, consequen-
temente,
ADOPTOU O PRESENTE REGULAMENTO:
CAPÍTULO I
Objecto e definições
Artigo 1.o
O presente regulamento cria um regime comunitário de controlo das
exportações de produtos de dupla utilização.
Artigo 2.o
Para efeitos do presente regulamento, entende-se por:
a) «Produtos de dupla utilização», quaisquer produtos, incluindo
suportes lógicos e tecnologia, que possam ser utilizados tanto parafins civis como para fins militares, incluindo todos os bens que
possam ser utilizados tanto para fins não explosivos como para de
qualquer modo auxiliar no fabrico de armas nucleares ou outrosengenhos explosivos nucleares;2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 3
(1) JO L 302 de 19.10.1992, p. 1. Regulamento com a última redacção que lhe foi
dada pelo Regulamento (CE) n.o955/1999 do Parlamento Europeu e do
Conselho (JO L 119 de 7.5.1999, p. 1).
(2) JO L 253 de 11.10.1993, p. 1. Regulamento com a última redacção que lhe foi
dada pelo Regulamento (CE) n.o1662/1999 (JO L 197 de 29.7.1999, p. 25).
(3) JO C 219 de 30.7.1999, p. 34.
▼B
b) «Exportação»:
i) um regime de exportação nos termos do artigo 161.odo código
aduaneiro comunitário,
ii) a reexportação, nos termos do artigo 182.odo referido código, e
iii) a transmissão de suportes lógicos ou tecnologia por meios
electrónicos, fax ou telefone, para destinos fora da Comunidade;
isto apenas se aplica à transmissão oral de tecnologia por telefone
nos casos em que a tecnologia esteja contida num documentocuja parte relevante seja lida pelo telefone, ou descrita pelotelefone de uma forma que conduza essencialmente ao mesmoresultado;
c) «Exportador», qualquer pessoa singular ou colectiva por conta de
quem seja feita a declaração de exportação, ou seja, a pessoa que, nomomento do deferimento da declaração, é titular do contrato com o
destinatário do país terceiro e tem o poder de ordenar o envio do
produto para fora do território aduaneiro da Comunidade. Se nãotiver sido concluído um contrato de exportação ou se o titular docontrato não estiver a agir por conta própria, é elemento determinanteo poder de ordenar o envio do produto para fora do território
aduaneiro da Comunidade.
Por «exportador» entende-se também a pessoa singular ou colectiva
que decida transmitir suportes lógicos ou tecnologia por meios
electrónicos, fax ou telefone, para qualquer destino fora da
Comunidade.
Quando o benefício do direito de dispor de um produto de dupla
utilização pertencer a uma pessoa estabelecida fora da Comunidadenos termos do contrato com base no qual se realiza a exportação,considera-se exportador a parte contratante estabelecida na Comu-nidade;
d) «Declaração de exportação», o acto pelo qual uma pessoa manifesta,
na forma e modalidades previstas, a sua vontade de sujeitar umproduto de dupla utilização a um regime de exportação.
CAPÍTULO II
Âmbito de aplicação
Artigo 3.o
1. A exportação dos produtos de dupla utilização referidos no anexo I
fica sujeita a autorização.
2. Nos termos dos artigos 4.oou 5.o, a exportação de certos produtos
de dupla utilização não incluídos na lista do anexo I para todos ou
determinados destinos pode igualmente ser sujeita a autorização.
3. O presente regulamento não se aplica à prestação de serviços nem
à transmissão de tecnologias se essa prestação ou transmissãoimplicarem a deslocação transfronteiriça de pessoas físicas.
4. O presente regulamento não é aplicável a produtos de dupla
utilização que se limitem a atravessar o território da Comunidade, isto é,a produtos a que não tenha sido afectado um tratamento ou destinoaduaneiro distintos do regime de trânsito externo ou que tenham sidosimplesmente introduzidos numa zona franca ou num entreposto franco,
não devendo ser inscritos num registo de existências aprovado.
Artigo 4.
o
1. A exportação de produtos de dupla utilização não incluídos na lista
que consta do anexo I está sujeita à obtenção de uma autorização deexportação, sempre que o exportador seja informado pelas autoridades
competentes do Estado-Membro em que está estabelecido de que os
produtos em questão se destinam ou podem destinar-se, total ouparcialmente, a ser utilizados para o desenvolvimento, produção,manuseamento, accionamento, manutenção, armazenamento, detecção,identificação ou proliferação de armas químicas, biológicas ou nuclearesou de outros engenhos explosivos nucleares, ou para o desenvolvimento,2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 4
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produção, manutenção ou armazenamento de mísseis susceptíveis de
transportar essas armas.
2. A exportação de produtos de dupla utilização não incluídos na lista
que consta do anexo I está também sujeita à obtenção de umaautorização de exportação se o país comprador ou o país de destinoestiverem sujeitos a um embargo ao armamento determinado por uma
posição comum ou uma acção comum aprovada pelo Conselho ou por
uma decisão da OSCE ou a um embargo ao armamento imposto por umaresolução vinculativa do Conselho de Segurança das Nações Unidas, ese o exportador tiver sido informado pelas autoridades referidas no n.
o1
de que os produtos em questão se destinam, ou podem destinar-se, totalou parcialmente, a uma utilização final militar. Para efeitos do presente
número, por «utilização final militar» entende-se:
a) A incorporação em produtos para fins militares incluídos na lista de
material de guerra dos Estados-Membros;
b) A utilização de equipamento de produção, ensaio e análise e dos
respectivos componentes para o desenvolvimento, produção ou
manutenção de produtos para fins militares incluídos na lista acima
referida;
c) A utilização de qualquer tipo de produtos não acabados numa
instalação de fabrico de produtos para fins militares incluídos na listaacima referida.
3. A exportação de produtos de dupla utilização não incluídos na lista
que consta do anexo I está igualmente sujeita à obtenção de umaautorização de exportação, se o exportador tiver sido informado pelasautoridades referidas no n.
o1 de que os produtos em questão se destinam
ou podem destinar-se, total ou parcialmente, a ser utilizados como peçasou componentes para produtos destinados a fins militares incluídos na
lista nacional de material de guerra que tenham sido exportados do
território do Estado-Membro em causa sem autorização ou em infracçãode autorização exigida pela legislação nacional desse Estado-Membro.
4. Se um exportador tiver conhecimento de que produtos de dupla
utilização que pretende exportar, não incluídos na lista do anexo I, se
destinam, total ou parcialmente, a qualquer das utilizações a que sereferem os n.
os1, 2 e 3, informará as autoridades referidas no n.o1, que
decidirão da conveniência de sujeitar a exportação em questão a umaautorização.
5. Qualquer Estado-Membro pode adoptar ou manter leis nacionais
que imponham a necessidade de uma autorização para a exportação deprodutos de dupla utilização não incluídos na lista do anexo I, se oexportador tiver razões para suspeitar que esses produtos são ou podem
ser destinados, total ou parcialmente, a qualquer das utilizações referidas
no n.
o1.
6. Qualquer Estado-Membro que exija uma autorização para a
exportação de um produto de dupla utilização não incluído na lista do
anexo I, em conformidade com o disposto nos n.os1 a 5, informará do
facto, se necessário, os outros Estados-Membros e a Comissão. Osoutros Estados-Membros tomarão devidamente em conta tal informaçãoe transmiti-la-ão, na medida do possível, às estâncias aduaneiras e àsrestantes autoridades nacionais competentes.
7. O disposto nos n.
os2 e 3 do artigo 9.oaplicar-se-á aos casos
relacionados com produtos de dupla utilização não incluídos na lista doanexo I.
8. O presente regulamento prejudica o direito dos Estados-Membros
de tomarem medidas nacionais ao abrigo do artigo 11.
odo Regulamento
(CEE) n.o2603/69.
Artigo 5.o
1. Um Estado-Membro pode proibir ou impor a necessidade de uma
autorização para a exportação de produtos de dupla utilização nãoincluídos na lista que consta do anexo I por razões de segurança públicaou considerações relacionadas com os Direitos do Homem.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 5
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2. Os Estados-Membros devem notificar a Comissão de quaisquer
medidas adoptadas nos termos do n.o1 imediatamente após a respectiva
adopção, indicando com precisão os motivos de tais medidas.
3. Os Estados-Membros devem igualmente notificar de imediato a
Comissão de qualquer alteração introduzida nas medidas adoptadas nostermos do n.
o1.
4. A Comissão publicará as medidas que lhe foram notificadas nos
termos dos n.os2 e 3 na série C do Jornal Oficial das Comunidades
Europeias .
CAPÍTULO III
Autorização de exportação
Artigo 6.o
1. O presente regulamento cria uma autorização geral de exportação
comunitária para certas exportações que é descrita no anexo II.
2. Para todas as outras exportações para as quais seja exigida uma
autorização nos termos do presente regulamento, essa autorização seráconcedida pelas autoridades competentes do Estado-Membro em que o
exportador se encontrar estabelecido. Sob reserva das restrições
previstas no n.
o3, essa autorização pode ser específica, global ou geral.
A autorização será válida em toda a Comunidade.A autorização pode, se adequado, ser sujeita a certos requisitos e
condições, como, por exemplo, a obrigação de apresentar umadeclaração de utilização final.
3. Os produtos enumerados na parte 2 do anexo II não serão incluídos
numa autorização geral.
4. Os Estados-Membros devem indicar nas autorizações gerais que as
mesmas não podem ser utilizadas se o exportador tiver sido informadopelas suas autoridades de que os produtos em questão se destinam oupodem destinar-se, total ou parcialmente, a qualquer das utilizaçõesmencionadas nos n.
os1, 2 e 3 do artigo 4.o, ou se o exportador tiver
conhecimento de que os produtos se destinam a tais utilizações.
5. Os Estados-Membros manterão ou introduzirão na respectiva
legislação nacional a possibilidade de emitirem uma autorização globalpara um exportador específico relativamente a um dado tipo oucategoria de produtos de dupla utilização, que pode ser válida paraexportações para um ou mais países especificados.
6. Os Estados-Membros fornecerão à Comissão uma lista das
autoridades habilitadas a emitir autorizações de exportação de produtos
de dupla utilização.
A Comissão publicará a lista das referidas autoridades na série C do
Jornal Oficial das Comunidades Europeias .
Artigo 7.
o
1. Se os produtos de dupla utilização em relação aos quais tenha sido
apresentado um pedido de autorização de exportação específica para umdestino não enumerado no anexo II, ou para qualquer destino, no caso de
determinados produtos muito sensíveis enumerados no anexo IV, se
encontrarem ou vierem a encontrar situados noutro ou noutros Estados--Membros, essa circunstância deve ser especificada no pedido. Asautoridades competentes do Estado-Membro ao qual a autorização tenhasido pedida consultarão imediatamente as autoridades competentes doEstado-Membro ou Estados-Membros em questão, fornecendo-lhes
todas as informações pertinentes. O Estado-Membro ou os Estados-
-Membros consultados devem comunicar, no prazo de 10 dias úteis, assuas eventuais reservas à concessão dessa autorização, que vincularão oEstado-Membro em que o pedido tenha sido apresentado.
Na falta de resposta no referido prazo de 10 dias úteis, considera-se que
o Estado-Membro ou Estados-Membros consultados não têm objecções.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 6
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Em casos excepcionais, qualquer Estado-Membro consultado pode
solicitar que o prazo de 10 dias seja prorrogado. A prorrogação contudonão poderá exceder 30 dias úteis.
2. Se uma exportação for susceptível de lesar os seus interesses
fundamentais em matéria de segurança, qualquer Estado-Membro podesolicitar a outro Estado-Membro que não conceda a autorização deexportação ou, se a autorização já tiver sido concedida, solicitar que amesma seja anulada, suspensa, alterada ou revogada. O Estado-Membro
que receber esse pedido deve proceder imediatamente a consultas sem
carácter vinculativo com o Estado requerente, as quais devem concluir--se no prazo de 10 dias úteis.
Artigo 8.
o
Ao decidirem da eventual concessão de uma autorização de exportação
nos termos do presente regulamento, os Estados-Membros tomarão emconsideração todos os aspectos relevantes, incluindo o seguinte:
a) As obrigações e compromissos internacionais por si assumidos no
âmbito de regimes de não proliferação e de acordos de controlo das
exportações internacionais, ou através da ratificação de tratadospertinentes;
b) As obrigações decorrentes de sanções impostas por uma posição
comum ou uma acção comum aprovada pelo Conselho ou por umadecisão da OSCE ou ainda por uma resolução vinculativa doConselho de Segurança das Nações Unidas;
c) Considerações de política externa e de segurança nacional, incluindo
as abrangidas pelo código de conduta da União Europeia em matériade exportações de armamento;
d) Considerações sobre a utilização final prevista e o risco de desvio.
Artigo 9.
o
1. Os exportadores prestarão às autoridades competentes todas as
informações necessárias à instrução dos seus pedidos de autorização deexportação.
2. As autoridades competentes podem, nos termos do presente
regulamento, recusar a emissão de uma autorização de exportação eanular, suspender, alterar ou revogar qualquer autorização de exportação
já emitida. Havendo medida de recusa, anulação, suspensão, limitação
substancial ou revogação de uma autorização, as referidas autoridadesinformarão as autoridades competentes dos outros Estados-Membros e aComissão dessa medida e trocarão as informações que considerem úteiscom os outros Estados-Membros e a Comissão, respeitando simultanea-mente a confidencialidade dessas informações nos termos do n.
o3d o
artigo 15.o
3. Antes de um Estado-Membro conceder uma autorização de
exportação que tenha sido recusada nos últimos três anos por outro ououtros Estados-Membros para uma transacção essencialmente idêntica,consultará o Estado-Membro ou os Estados-Membros que recusaramessa autorização. Se, apesar das consultas, o primeiro Estado-Membro
decidir conceder a autorização, informará os outros Estados-Membros e
a Comissão, fornecendo todas as informações pertinentes para explicar asua decisão.
Artigo 10.
o
1. Todas as autorizações de exportação específicas e globais serão
emitidas em formulários correspondentes ao modelo reproduzido noanexo III A.
2. A pedido dos exportadores, as autorizações de exportação globais
que contenham limitações quantitativas serão fraccionadas.
3. As autorizações gerais de exportação concedidas nos termos do
n.
o2 do artigo 6.odevem ser publicadas de acordo com as leis e práticas
nacionais e devem ser emitidas em conformidade com as indicaçõescontidas no anexo III B.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 7
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CAPÍTULO IV
Actualização de lista de produtos de dupla utilização
Artigo 11.o
As listas de produtos de dupla utilização constantes dos anexos I e IV
devem ser actualizadas em conformidade com as obrigações ecompromissos pertinentes, e com qualquer alteração dos mesmos, que
tenham sido aceites por cada Estado-Membro no âmbito de regimes de
não proliferação e de acordos em matéria de controlo das exportaçõesinternacionais, ou através da ratificação de tratados internacionaispertinentes.
CAPÍTULO V
Formalidades aduaneiras
Artigo 12.o
1. Aquando do cumprimento das formalidades de exportação de
produtos de dupla utilização na estância aduaneira de tramitação da
declaração de exportação, o exportador deve provar que foi obtida a
necessária autorização de exportação.
2. Pode ser exigida ao exportador uma tradução dos documentos
comprovativos numa língua oficial do Estado-Membro em que adeclaração de exportação é apresentada.
3. Sem prejuízo das competências que lhes são atribuídas ao abrigo e
para execução do código aduaneiro comunitário, os Estados-Membros
podem ainda, durante um prazo não superior aos períodos a que se refere
on .
o4, suspender o processo de exportação a partir do seu território ou,
se necessário, impedir de outro modo que os produtos de duplautilização enumerados no anexo I e cobertos por uma autorização deexportação válida abandonem a Comunidade através do seu território, se
tiverem motivos para suspeitar que:
a) No momento da concessão da autorização não foram tidas em conta
informações relevantes; ou
b) As circunstâncias materiais se alteraram desde o momento em que a
autorização foi concedida.
4. No caso do n.
o3, as autoridades competentes do Estado-Membro
que tiver concedido a autorização de exportação serão imediatamente
consultadas, a fim de poderem tomar providências nos termos do n.o2
do artigo 9.oSe essas autoridades decidirem manter a autorização,
responderão no prazo de 10 dias úteis, o qual poderá, no entanto, a seupedido e em circunstâncias excepcionais, ser aumentado para 30 diasúteis. Se assim for, ou se não houver resposta nesses 10 ou nesses 30
dias úteis, os produtos de dupla utilização serão imediatamente
desembaraçados. O Estado-Membro que tiver concedido a autorizaçãoinformará os outros Estados-Membros e a Comissão.
Artigo 13.
o
1. Os Estados-Membros podem prever que as formalidades adua-
neiras de exportação de produtos de dupla utilização só possam serrealizadas em estâncias aduaneiras habilitadas para o efeito.
2. Os Estados-Membros que usem da possibilidade prevista no n.
o1
comunicarão à Comissão as estâncias aduaneiras devidamente habili-
tadas. A Comissão publicará essa informação na série C do Jornal
Oficial das Comunidades Europeias .
Artigo 14.o
►M3O disposto nos artigos 843.oe 912.oA a 912.oG do Regulamento
(CEE) n.o2454/93 ◄é aplicável às restrições relativas à exportação,
reexportação e saída do território aduaneiro dos produtos de duplautilização para cuja exportação é necessária uma autorização nos termosdo presente regulamento.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 8
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CAPÍTULO VI
Cooperação administrativa
Artigo 15.o
1. Os Estados-Membros, em ligação com a Comissão, tomarão todas
as medidas necessárias para estabelecer uma cooperação directa e ointercâmbio de informações entre as autoridades competentes, nome-adamente para eliminar o risco de eventuais disparidades na aplicaçãodos controlos à exportação aos produtos de dupla utilização originarem
desvios de tráfego que possam criar dificuldades a um ou mais Estados-
-Membros.
2. Os Estados-Membros tomarão todas as medidas necessárias para
estabelecer uma cooperação directa e o intercâmbio de informações
entre as autoridades competentes sobre os utilizadores finais sensíveis,tendo em vista fornecer uma orientação coerente aos exportadoresabrangidos pelo presente regulamento.
3. O Regulamento (CE) n.
o515/97 do Conselho, de 13 de Março de
1997, relativo à assistência mútua entre as autoridades administrativasdos Estados-Membros e à colaboração entre estas e a Comissão, tendoem vista assegurar a correcta aplicação das regulamentações aduaneira eagrícola(
1), nomeadamente as disposições relativas à confidencialidade
das informações, são aplicáveis mutatis mutandis , sem prejuízo do
disposto no artigo 18.odo presente regulamento.
CAPÍTULO VII
Medidas de controlo
Artigo 16.o
1. Os exportadores devem conservar cadastros ou registos pormeno-
rizados das suas exportações, de acordo com a prática seguida nosrespectivos Estados-Membros. Esses cadastros ou registos devem conter,
nomeadamente, documentos comerciais, tais como facturas, manifestos
de carga, documentos de transporte ou outros documentos de expedição,que contenham elementos suficientes para permitir identificar:
a) A natureza dos produtos de dupla utilização;
b) A quantidade dos produtos de dupla utilização;
c) O nome e o endereço do exportador e do destinatário;
d) Se forem conhecidos, a utilização final e o utilizador final dos
produtos de dupla utilização.
2. Os cadastros ou registos e os documentos referidos no n.
o1 devem
ser conservados durante um período de, pelo menos, três anos a contardo termo do ano civil em que foi efectuada a exportação e devem ser
exibidos às autoridades competentes do Estado-Membro em que o
exportador se encontre estabelecido quando estas o solicitarem.
Artigo 17.
o
A fim de assegurar a correcta aplicação do presente regulamento, cada
Estado-Membro adoptará as medidas necessárias para permitir às suasautoridades competentes:
a) Recolher informações sobre todas as encomendas ou operações que
envolvam produtos de dupla utilização;
b) Verificar a correcta aplicação das medidas de controlo das
exportações, o que poderá implicar, designadamente, o direito deacesso aos locais onde se desenvolvem as actividades profissionaisdas pessoas envolvidas nas operações de exportação.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 9
(1) JO L 82 de 22.3.1997, p. 1.
▼B
CAPÍTULO VIII
Disposições gerais e finais
Artigo 18.o
1. É criado um grupo de coordenação presidido por um representante
da Comissão. Cada Estado-Membro nomeará um representante para o
grupo de coordenação.
O grupo de coordenação apreciará todas as questões relativas à aplicação
do presente regulamento, eventualmente apresentadas pelo seu presi-dente ou pelo representante de um Estado-Membro e, nomeadamente:
a) As medidas a tomar pelos Estados-Membros para informar os
exportadores das obrigações que lhes incumbem nos termos do
presente regulamento;
b) As orientações relativas aos formulários de autorização de expor-
tação.
2. O grupo de coordenação poderá, sempre que considere necessário,
consultar organizações representativas dos exportadores abrangidos pelo
presente regulamento.
Artigo 19.
o
Cada Estado-Membro tomará as medidas necessárias para assegurar uma
aplicação adequada de todas as disposições do presente regulamento.Em especial, determinará as sanções a aplicar em caso de infracção àsdisposições do regulamento ou às medidas adoptadas em sua execução.Tais sanções devem ser eficazes, proporcionadas e dissuasivas.
Artigo 20.
o
Cada Estado-Membro informará a Comissão das disposições legisla-
tivas, regulamentares e administrativas que adoptar em execução do
presente regulamento, incluindo as medidas referidas no artigo 19.oA
Comissão transmitirá essas informações aos restantes Estados-Membros.De três em três anos, a Comissão apresentará ao Parlamento Europeu eao Conselho um relatório sobre a aplicação do presente regulamento. OsEstados-Membros transmitirão à Comissão todas as informações
pertinentes para a elaboração desse relatório.
Artigo 21.
o
1. Será necessária uma autorização para as transferências intracomu-
nitárias dos produtos de dupla utilização enumerados no anexo IV. Osprodutos enumerados na parte 2 do anexo em questão não serão cobertospor uma autorização geral.
2. a) Os Estados-Membros podem impor a necessidade de uma
autorização para a transferência de outros produtos de dupla
utilização do seu território para o de outro Estado-Membro nos
casos em que, no momento da transferência:
— o operador tenha conhecimento de que o destino final dos
produtos em causa se situa fora da Comunidade,
— a exportação desses produtos para o destino final em causa
esteja sujeita a autorização nos termos dos artigos 3.
o,4 .oou 5.o
no Estado-Membro a partir do qual os produtos devem sertransferidos e essa exportação directamente a partir do seuterritório não esteja autorizada por uma autorização geral oupor uma autorização global,
— não haja qualquer transformação ou operação de complemento
de fabrico, na acepção do artigo 24.
odo código aduaneiro
comunitário, a efectuar nos produtos no Estado-Membro para
onde os mesmos vão ser transferidos;
b) A autorização de transferência deve ser requerida no Estado-
-Membro a partir do qual se vai efectuar a transferência dosprodutos de dupla utilização;2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 10
▼B
c) Nos casos em que a exportação subsequente dos produtos de dupla
utilização já tenha sido aceite, no processo de consulta previsto noartigo 7.
o, pelo Estado-Membro a partir do qual os produtos vão
ser transferidos, a autorização de transferência será imediatamente
entregue ao operador, salvo se as circunstâncias tiverem sofridouma alteração substancial;
d) Todo o Estado-Membro que adopte legislação que imponha a
necessidade de uma autorização informará a Comissão e os
demais Estados-Membros das medidas que tomar. A Comissãopublicará essas informações na série C do Jornal Oficial das
Comunidades Europeias .
3. As medidas previstas nos n.
os1 e 2 não implicarão a aplicação de
controlos nas fronteiras internas da Comunidade, mas apenas os que
fazem parte dos processos usuais de controlo inopinado em todo o
território comunitário.
4. A aplicação das medidas previstas nos n.os1 e 2 não pode, em caso
algum, dar origem a que as transferências de um Estado-Membro paraoutro sejam sujeitas a condições mais restritivas do que as impostas àsexportações dos mesmos produtos para Estados terceiros.
5. Os documentos e registos relativos às transferências intracomuni-
tárias de produtos de dupla utilização enumerados no anexo I devem ser
conservados durante, pelo menos, três anos a contar do termo do ano
civil em que a transferência for realizada e devem ser apresentados àsautoridades competentes do Estado-Membro a partir do qual esses benstiverem sido transferidos, quando estas o solicitarem.
6. Um Estado-Membro pode, na sua legislação nacional, exigir que,
relativamente às transferências intracomunitárias a partir do seu
território de produtos incluídos na categoria 5, parte 2 do anexo I, que
não constem da lista do anexo IV, sejam fornecidas às autoridadescompetentes desse Estado-Membro informações suplementares sobreesses produtos.
7. Os documentos comerciais relevantes relativos às transferências no
interior da Comunidade de produtos de dupla utilização enumerados noanexo I devem indicar claramente se os produtos em questão estão
sujeitos a controlo no caso de serem exportados da Comunidade. Os
documentos comerciais relevantes incluem, nomeadamente, contratos devenda, confirmações de encomenda, facturas e boletins de expedição.
Artigo 22.
o
O disposto no presente regulamento não afecta:
— a aplicação do artigo 296.odo Tratado que institui a Comunidade
Europeia,
— a aplicação do Tratado que institui a Comunidade Europeia da
Energia Atómica.
Artigo 23.o
É revogado o Regulamento (CE) n.o3381/94.
Todavia, as disposições pertinentes do Regulamento (CE) n.o3381/94
continuam a ser aplicáveis aos pedidos de autorizações de exportação
apresentados antes da data de entrada em vigor do presente regulamento.
Artigo 24.o
O presente regulamento entra em vigor 90 dias após a data da sua
publicação no Jornal Oficial das Comunidades Europeias .
O presente regulamento é obrigatório em todos os seus elementos e
directamente aplicável em todos os Estados-Membros.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 11
▼M3
ANEXO I
LISTA DE PRODUTOS E TECNOLOGIAS DE DUPLA UTILIZAÇÃO
[Referida no artigo 3.odo Regulamento (CE) n.o1334/2000]
A presente lista permite dar aplicação prática aos controlos internacionalmente
acordados sobre bens de dupla utilização, nomeadamente no Acordo de
Wassenaar, no Regime de Controlo da Tecnologia dos Mísseis (MTCR), no
Grupo de Fornecedores Nucleares (NSG), no Grupo da Austrália e na Convenção
sobre Armas Químicas (CWC). Não foram tomados em consideração os produtos
que os Estados-Membros possam querer incluir numa lista de excepções, nem os
controlos nacionais (controlos de origem extra-regime) que possam ser mantidos
pelos Estados-Membros.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 12
▼M3
NOTAS GERAIS AO ANEXO I
1. Para o controlo dos bens concebidos ou modificados para uso militar,
consultar a(s) lista(s) correspondentes de controlo de bens para uso militar
mantida(s) por cada um dos Estados-Membros. As referências VER
TAMBÉM A "LISTA DE MATERIAL DE GUERRA" contidas no presente
anexo remetem para essas listas.
2. O objectivo dos controlos contidos no presente anexo não deve ser contrariado
pela exportação de bens não controlados (incluindo instalações) que
contenham um ou mais componentes sujeitos a controlo, quando o ou os
componentes sujeitos a controlo forem o elemento principal desses bens e
puderem ser removidos ou utilizados para outros fins.
N.B.: Para avaliar se o(s) componente(s) controlados deve(m) ou não ser
considerado(s) o elemento principal, é necessário ponderar os
factores quantidade, valor e know-how técnico em jogo, bem como
outras circunstâncias especiais que possam justificar a classificação
do(s) componente(s) controlado(s) como elemento principal do artigo
em questão.
3. Os bens especificados no presente anexo incluem tanto os produtos novos
como os usados.
NOTA SOBRE TECNOLOGIA NUCLEAR (NTN)
(Ler em conjugação com a Secção E da Categoria 0)
A "tecnologia" directamente associada a qualquer dos bens incluídos na
Categoria 0 será alvo de controlo em conformidade com o disposto para a
Categoria 0.
A "tecnologia" para o "desenvolvimento", "produção" ou "utilização" de bens
sujeitos a controlo mantém-se sujeita a controlo mesmo quando aplicável a bens
não controlados.
A aprovação de bens para exportação autoriza também a exportação para o
mesmo utilizador final da "tecnologia" mínima necessária para a instalação,
exploração, manutenção e reparação desses bens.
O controlo da transferência de "tecnologia" não se aplica às informações "do
domínio público" nem à "investigação científica de base".
NOTA GERAL SOBRE TECNOLOGIA (NGT)
(Ler em conjugação com a Secção E das Categorias 1 a 9)
A exportação da "tecnologia" "necessária" para o "desenvolvimento", "produção"
ou "utilização" de bens incluídos nas Categorias 1 a 9 é controlada de acordo com
o disposto para as Categorias 1 a 9.
A "tecnologia" "necessária" para o "desenvolvimento", "produção" ou "utili-
zação" de bens sujeitos a controlo mantém-se sujeita a controlo mesmo quando
aplicável a bens não controlados.
Os controlos não se aplicam à "tecnologia" mínima necessária para a instalação,
exploração, manutenção (verificação) e reparação de bens não controlados oucuja exportação tenha sido autorizada.
N.B.: Isto não isenta a "tecnologia" especificada em 1E002.e, 1E002.f,
8E002.a e 8E002.b.
O controlo da transferência de "tecnologia" não se aplica às informações "do
domínio público", à "investigação científica de base", nem à informação mínima
necessária a fornecer nos pedidos de patente.
NOTA GERAL SOBRE O SUPORTE LÓGICO (NGS)
(A presente nota revoga todo e qualquer controlo no âmbito da Secção D das
categorias 0 a 9)
As Categorias 0 a 9 da presente lista não abrangem o "suporte lógico" que:
a. Esteja geralmente à disposição do público em virtude de ser:
1. Vendido directamente, sem restrições, em postos de venda a retalho,
mediante:
a. Venda directa;
b. Venda por correspondência;
c. Encomenda por telefone; e2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 13
▼M3
2. Concebido para ser instalado pelo utilizador sem necessidade de assistência
técnica importante por parte do fornecedor; ou
N.B.: O ponto a. da Nota Geral sobre o Suporte Lógico não isenta o
"suporte lógico" especificado na Categoria 5 — Parte 2 ("Segurança
da informação").
b. Seja "do domínio público".2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 14
▼M3
DEFINIÇÕES DOS TERMOS UTILIZADOS NO PRESENTE ANEXO
As definições dos termos entre 'aspas simples' são dadas em Notas Técnicas nos
pontos a que se referem.
As definições dos termos entre "aspas duplas" são as que a seguir se apresentam.
N.B.: As referências às categorias são dadas entre parênteses após o termo
definido.
"Adaptado para fins militares" (1) — Diz-se de tudo o que tenha sofrido uma
modificação ou selecção (como alteração da pureza, do tempo de conservação, da
virulência, das características de disseminação ou da resistência às radiações UV)
destinada a aumentar a sua capacidade para causar vítimas humanas ou animais,
degradar equipamento, destruir colheitas ou danificar o ambiente.
"Aeronave" (1 7 9) — Veículo aéreo de asa fixa, de asa de geometria variável ou
de asa rotativa (helicóptero), de rotor basculante ou de asas basculantes.
N.B.: Ver também "aeronave civil".
"Aeronave civil" (1 7 9) — As "aeronaves" mencionadas pela sua designação
própria nas listas de certificados de navegabilidade publicadas pelas autoridades
de aviação civil, para operar em rotas comerciais civis, domésticas e
internacionais, ou destinadas a utilização legal civil, privada ou de negócios.
N.B.: Ver também "aeronave".
"Agilidade de frequência de radar" (6) — Técnica por meio da qual a frequência
portadora de um emissor de radar pulsante é modificada segundo uma sequência
pseudo-aleatória, entre impulsos ou grupos de impulsos, sendo o valor da
modificação superior ou igual à largura de banda pulsante.
"Agregados de antenas com relação de fase orientáveis electronicamente" (5 6) —
Antenas que formam um feixe mediante um acoplamento de fase, isto é, a
direcção do feixe é controlada pelos coeficientes de excitação complexos dos
elementos radiantes e pode ser modificada em azimute, em elevação, ou ambos,
por meio de um sinal eléctrico, tanto na emissão como na recepção.
"Algoritmo assimétrico" (5) — Algoritmo criptográfico que utiliza códigos de
tipo matemático diferentes para a cifragem e a decifragem.
N.B.: Uma utilização comum de "algoritmos assimétricos" é a gestão de
códigos.
"Algoritmo simétrico" (5) — Algoritmo criptográfico que utiliza códigos
idênticos para a cifragem e a decifragem.
N.B.: Uma utilização comum de "algoritmos simétricos" é a confidencialidade
dos dados
"Amplificação óptica" (5) — Técnica de amplificação que, nas comunicações
ópticas, introduz um ganho nos sinais ópticos que tenham sido gerados por uma
fonte óptica distinta, sem conversão em sinais eléctricos, isto é, utilizando
amplificadores ópticos à base de semi-condutores, ou amplificadores lumines-
centes de fibras ópticas.
"Analisadores de sinais" (3) — Aparelhos capazes de medir e visualizar as
propriedades fundamentais dos componentes de frequência única de sinais
multifrequência.
"Analisadores de sinal dinâmicos" (3) — "Analisadores de sinal" que utilizam
técnicas digitais de amostragem e de transformação para visualizar o espectro de
Fourier da forma de onda dada, incluindo as informações relativas à amplitude e à
fase.
N.B.: Ver também "analisadores de sinais"
"Atomização centrífuga" (1) — Processo destinado a reduzir um fluxo ou um
banho de metal fundido em gotículas de diâmetro igual ou inferior a
500 micrómetros, por acção de força centrífuga.
"Atomização por gás" (1) — Processo destinado a transformar o vazamento de
uma liga metálica fundida em gotículas de diâmetro igual ou inferior a
500 micrómetros, por meio de uma corrente gasosa a alta pressão.
"Atomização sob vácuo" (1) — Processo de redução de um fluxo de metal
fundido a gotículas de diâmetro igual ou inferior a 500 micrómetros, pela
evolução rápida de um gás dissolvido após exposição ao vácuo.
"Atribuída pela UIT" (3 5) — Atribuição de bandas de frequência de acordo com
o Regulamento das Radiocomunicações da UIT (edição de 1998) para serviços
primários, autorizados e secundários.
N.B.: Não se incluem as atribuições adicionais e alternativas.
"Banda" (1) — Material constituído por "monofilamentos", "cordões", "mechas",
"cabos de fibras", "fios", etc. entrelaçados ou unidireccionais, normalmente pré-
-impregnados de resina.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 15
▼M3
N.B.: "Cordão" é um feixe de "monofilamentos" (normalmente mais de 200)
dispostos de forma mais ou menos paralela.
"Cabo de fibras" (1) — Feixe de "monofilamentos", em geral aproximadamente
paralelos.
"Cartão personalizado inteligente" (5) — Cartão inteligente que contém um
microcircuito que foi programado para uma aplicação específica e que não pode
ser reprogramado pelo utilizador para nenhuma outra aplicação.
"Circuito integrado híbrido" (3) — Combinação de circuitos integrados, ou
circuito integrado que possui 'elementos de circuito' ou 'componentes discretos'
ligados entre si para executar uma ou mais funções específicas, e que reúne todas
as seguintes características
a. Integra, pelo menos, um dispositivo não encapsulado;
b. A ligação dos diferentes elementos entre si é feita por métodos típicos de
produção de circuitos integrados;
c. É substituível como uma só entidade; e
d. Normalmente, não pode ser desmontado.
N.B.1: 'Elemento de circuito' é um elemento funcional activo ou passivo único
num circuito electrónico, como um díodo, um transístor, uma
resistência, um condensador, etc.
N.B.2: 'Componente discreto' é um 'elemento de circuito', encapsulado em
separado e que possui ligações exteriores próprias.
"Circuito integrado óptico" (3) — "Circuito integrado monolítico" ou "circuito
integrado híbrido" que integra um ou mais elementos concebidos para funcionar
como detectores ou emissores ópticos ou para realizar uma ou mais funções
ópticas ou electro-ópticas.
"Circuitos integrados monolíticos" (3) — Combinações de vários 'elementos de
circuito' passivos ou activos, ou de ambos, que:
a. Sejam fabricados por processos de difusão, de implantação ou de depósito,
dentro de ou sobre um elemento semicondutor único isto é, uma pastilha
(chip);
b. Se considerem associados de forma indivisível; e
c. Realizem a(s) função(ões) de um circuito.
N.B.: 'Elemento de circuito' é um elemento funcional activo ou passivo único
num circuito electrónico, como um díodo, um transístor, uma
resistência, um condensador, etc.
"Circuitos integrados multipastilhas" (3) — Circuitos que contêm, pelo menos,
dois "circuitos integrados monolíticos" fixados num "substrato" comum.
"Circuitos integrados do tipo película" (3) — Conjuntos de 'elementos de circuito'
e de interligações metálicas formados por depósito de uma película fina ou
espessa sobre um "substrato" isolante.
N.B. 'Elemento de circuito' é um elemento funcional activo ou passivo único
num circuito electrónico, como um díodo, um transistor, uma resistência,
um condensador, etc.
"Círculo de probabilidade igual" (7) — Medida de precisão, que representa o raio
do círculo centrado no alvo, a uma distância específica, no qual têm impacto 50 %
das cargas úteis.
"Cobertura efectiva do radar" (6) — Alcance especificado de visualização não
ambígua de um radar.
"Código-fonte" (ou linguagem-fonte) (4 5679 )—Éu m a expressão adequada de
um ou mais processos que pode ser transformada por um sistema de programação
numa outra forma, executável pelo equipamento ("Código-objecto" (ou
linguagem-objecto)).
"Código-objecto"(9) — Forma de expressão adequada de um ou mais processos,
executável pelo equipamento, que foi transformada pelo sistema de programação
a partir de uma outra forma ("código-fonte" (ou linguagem-fonte)).
"Comando digital de motor com controlo total" ("FADEC") (7 9) — Sistema de
controlo electrónico para turbinas a gás ou motores de ciclo combinado que
utiliza um computador digital para controlar as variáveis necessárias para regular
o impulso do motor ou a potência à saída do veio em toda a gama de
funcionamento do motor desde o início da contagem do combustível até ao corte
do mesmo.
"Cominuição" (1) — Processo de redução de um material a partículas, por
trituração ou moagem.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 16
▼M3
"Compósito" (1 2689 )— Conjunto de uma "matriz" e de uma ou mais fases
constituintes na forma de partículas, cristais capilares, fibras ou combinações
destas fases, cuja presença está ligada a um ou mais fins específicos.
"Compressão de impulsos" (6) — Codificação e processamento de um impulso de
sinal de radar de longa duração, num impulso de curta duração, mantendo as
vantagens de uma energia pulsante elevada.
"Computador digital" (4 5) — Equipamento que pode, sob a forma de uma ou
mais variáveis discretas:
a. Aceitar dados;
b. Armazenar dados ou instruções em dispositivos fixos ou modificáveis (por
gravação);
c. Processar dados por meio de uma sequência de instruções armazenadas e
modificáveis; e
d. Assegurar a saída de dados.
N.B.: As modificações de uma sequência de instruções armazenadas incluem a
substituição de dispositivos fixos de memória, mas não a substituição da
cablagem ou das interligações.
"Computador híbrido" (4) — Equipamento capaz de:
a. Aceitar dados;
b. Processar dados analógicos ou digitais; e
c. Assegurar a saída de dados.
"Computador neuronal" (4) — Dispositivo de cálculo concebido ou modificado
para imitar o comportamento de um neurónio ou conjunto de neurónios, isto é,
dispositivo de cálculo que se distingue pela sua capacidade de modular os pesos e
números das interligações de uma série de componentes de cálculo, com base em
dados anteriores.
"Computador óptico" (4) — Computador concebido ou modificado para utilizar a
luz para representar os dados, e cujos elementos lógicos de cálculo se baseiam em
dispositivos ópticos ligados directamente.
"Computador sistólico matricial" (4) — Computador onde o fluxo e a alteração
dos dados são dinamicamente controlados pelo utilizador ao nível da porta lógica.
"Comutação óptica" (5) — Encaminhamento ou comutação de sinais ópticos sem
conversão em sinais eléctricos.
"Conjunto electrónico" (3 4 5) — Grupo de componentes electrónicos
("elementos de circuito", "componentes discretos", circuitos integrados, etc.),
ligados entre si para desempenhar uma ou mais funções específicas, substituíveis
conjuntamente e normalmente desmontáveis.
N.B.1: 'Elemento de circuito' é um elemento funcional activo ou passivo único
num circuito electrónico, como um díodo, um transístor, uma
resistência, um condensador, etc.
N.B.2: "Componente discreto" é um "elemento de circuito" encapsulado em
separado e que possui as suas próprias ligações exteriores.
"Conjunto de orientação" (7) — Sistemas que integram o processo de medição e
cálculo da posição e velocidade de um veículo (ou seja, navegação) com o
processo de cálculo e envio de ordens de comando para os sistemas de controlo
de voo do veículo, de forma a corrigir a trajectória.
"Constante de tempo" (6) — Tempo que decorre entre a aplicação de um estímulo
luminoso e o momento em que o aumento de corrente atinge o valor de 1-1/e
vezes o valor final (isto é, 63 % desse valor).
"Controlador de acesso à rede" (4) — Interface física para uma rede de
comutação distribuída. Utiliza um suporte comum que funciona em permanência
com o mesmo "débito de transferência digital" e que utiliza a arbitragem (porexemplo, detecção de testemunho e de portadora) para a transmissão.
Independentemente de outros dispositivos, selecciona os pacotes de dados ou
os grupos de dados (por exemplo, IEEE 802) que lhe são dirigidos. É um conjunto
que pode ser integrado em equipamentos informáticos ou de telecomunicações
para assegurar o acesso às comunicações.
"Controlador de canal de comunicações" (4) — Interface física que controla o
fluxo de informação digital síncrona ou assíncrona. Trata-se de um conjunto que
pode ser integrado num equipamento informático ou de telecomunicações para
assegurar o acesso às comunicações.
"Controlo adaptativo" (2) — Sistema de controlo que ajusta a resposta em função
das condições detectadas durante o funcionamento (referência ISO 2806-1980).
"Controlo de contorno" (2) — Dois ou mais movimentos sujeitos a "controlo
numérico", executados segundo instruções que designam a posição requerida
seguinte e as velocidades de avanço necessárias para essa posição. Estas2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 17
▼M3
velocidades variam umas em relação às outras de forma a produzir o contorno
pretendido (Referência ISO/DIS 2806-1980).
"Controlo numérico" (2) — Comando automático de um processo, realizado por
um dispositivo que interpreta dados numéricos, introduzidos à medida que a
operação se processa (Ref. ISO 2382).
"Controlo por programa residente" (2 3 5) — Controlo que utiliza instruções
armazenadas numa memória electrónica, que podem ser executadas por um
processador para controlar a execução de funções pré-determinadas.
N.B. Um equipamento pode possuir "controlo por programa residente", quer a
memória electrónica seja interna ou externa.
"Controlo primário de voo" (7) — Controlo de estabilidade ou de manobra de
uma "aeronave" que utiliza geradores de força/momento, ou seja, superfícies de
controlo aerodinâmico ou a vectorização do impulso propulsor.
"Controlo total de voo" (7) — Controlo automático das variáveis de estado da
"aeronave" e da trajectória de voo para cumprir objectivos de missão em resposta
a alterações em tempo real dos dados relativos a objectivos, riscos ou outras
"aeronaves".
"Criptografia" (5) — Disciplina que engloba os princípios, meios e métodos de
transformação de dados, com o fim de dissimular o seu conteúdo de informação,
impedir a sua modificação não detectada ou impedir a sua utilização não
autorizada. A "criptografia" limita-se à transformação da informação utilizando
um ou mais "parâmetros secretos" (por exemplo, variáveis criptográficas) ou a
gestão de códigos associada.
N.B.: "Parâmetro secreto" é uma constante ou código desconhecido de outras
pessoas ou partilhado unicamente no seio de um grupo.
"Culturas vivas isoladas" (1) incluem culturas vivas na forma dormente e em
preparações secas.
"Débito binário" (5) — Débito tal como definido na Recomendação 53-36 da
UIT, tendo presente que, para a modulação não binária, os bauds e os bits por
segundo não são equivalentes. Incluem-se os dígitos utilizados nas funções de
codificação, verificação e sincronização.
N.B.1.: Na determinação do "débito binário", os canais de serviço e
administrativos são excluídos.
N.B.2.: É o débito máximo unidireccional, isto é, na emissão ou na recepção.
"Débito de transferência digital" (5) — Velocidade total da informação
transferida directamente em qualquer tipo de suporte.
N.B.: Ver também "débito total de transferência digital".
"Débito de vectores 3-D" (4) — Número de vectores gerados por segundo que
inclui vectores multitraço de 10 pixels, em rectângulo, de orientação aleatória, e
valores de coordenadas X-Y-Z inteiros ou de vírgulas flutuante (o valor a
considerar é o mais elevado dos dois).
"Débito total de transferência digital" (5) — Número de bits, incluindo os de
codificação em linha, os suplementares, etc., que passam por unidade de tempo,
entre equipamentos correspondentes num sistema de transmissão digital.
N.B.: Ver também "débito de transferência digital".
"Densidade equivalente" (6) — Massa de uma óptica por unidade de superfície
óptica projectada numa superfície óptica.
"Densidade total de corrente" (3) — Número total de amperes-espira da bobina
(isto é, o número de espiras multiplicado pela corrente máxima transportada por
cada espira), dividido pela secção transversal total da bobina (incluindo os
filamentos supercondutores, a matriz metálica onde estes são incorporados, o
material de encapsulagem, os canais de refrigeração, etc.).
"Densificação isostática a quente" (2) — Processo em que, recorrendo a diversos
meios (gases, líquidos, partículas sólidas, etc.), se pressuriza uma peça fundida a
uma temperatura superior a 375 K (102 ºC) num espaço fechado, produzindo-se
uma força de igual intensidade em todas as direcções, a fim de reduzir ou
eliminar os chochos dessa peça fundida.
"Desalinhamente" (2) — Deslocamente axial do fuso principal numa rotação,
medido num plano perpendicular ao prato porta-ferro do fuso, num ponto junto da
periferia do prato (referêrencia: ISO 230/1 1986, ponto 5.63).
"Desempenho teórico composto" ("DTC") (3 4) — Medida da velocidade de
cálculo expressa em milhões de operações teóricas por segundo (Motps)
calculada utilizando a agregação dos "elementos de computação" (EC).
N.B.: Ver categoria 4, Nota técnica.
"Desenvolvimento" (NGT NTN todos) — Operação ligada a todas as fases que
precedem a produção em série, como: concepção (projecto), investigação de2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 18
▼M3
concepção, análises de concepção, conceitos de concepção, montagem e ensaio
de protótipos, planos de produção-piloto, dados de concepção, processo de
transformação dos dados de concepção num produto, concepção de configuração,
concepção de integração e planos.
"Desvio angular de posição" (2) — Diferença máxima entre a posição angular e a
posição angular real medida com grande precisão depois de o porta-peças ter sido
deslocado da sua posição inicial (Referência VDI/VDE 2617, projecto: "Mesas
rotativas de máquinas de medição por coordenadas").
"Do domínio público" (NGT NTN NGS) — Designa a "tecnologia" ou o "suporte
lógico" que foram divulgados e sem qualquer restrição quanto à sua utilização
posterior. (As restrições resultantes do direito de propriedade intelectual não
impedem que a "tecnologia" ou o "suporte lógico" sejam considerados "do
domínio público".)
"DTC" — Sigla equivalente a "desempenho teórico composto"."Duração de impulso" (6) — Duração de um impulso "laser", medida ao nível da
Largura Total a Meia Intensidade (FWHI).
"EC" — Sigla equivalente a "elemento de computação".
"Elemento de computação" ("EC") (4) — A mais pequena unidade de cálculo que
produz um resultado aritmético ou lógico.
"Elemento principal" (4) — Na acepção de categoria 4, é um elemento cujo valor
de substituição representa mais de 35 % do valor total do sistema onde está
integrado. O valor do elemento é o preço pago pelo fabricante do sistema ou por
quem monta o sistema. O valor total é o preço de venda internacional
normalmente praticado com quem não tem qualquer ligação com o vendedor, no
local de fabrico ou de expedição.
"Encaminhamento adaptativo dinâmico" (5) — Reencaminhamento automático
do tráfego baseado na detecção e análise das condições presentes e reais da rede.
N.B.: Não inclui as decisões de encaminhamento tomadas em função de uma
informação pré-definida.
"Enformação superplástica" (1 2) — Processo térmico de deformação aplicado a
metais que se caracterizam, normalmente, por pequenos alongamentos (inferiores
a 20 %) no ponto de ruptura, determinados à temperatura ambiente através de
ensaios clássicos de resistência à tracção, de modo a obter, durante o
processamento, alongamentos pelo menos duplos daqueles.
"Equipamento de produção" (1 9) — Ferramentas, escantilhões, calibres, mandris,
moldes, matrizes, gabaritos, mecanismos de alinhamento, equipamento de ensaio,
outra maquinaria e componentes a ela destinados, desde que tenham sido
especialmente concebidos ou modificados para "desenvolvimento" ou para uma
ou mais fases de "produção".
"Espectro alargado" (5) — Técnica em que a energia de um canal de
comunicações de banda relativamente estreita se estende sobre um espectro de
energia muito mais largo.
"Espectro de radar alargado" (6) — Técnica de modulação por meio da qual a
energia de um sinal com uma banda relativamente estreita se expande sobre uma
banda de frequências muito mais larga, utilizando um código aleatório ou pseudo-
-aleatório.
"Espelhos deformáveis" (6) (também conhecidos como espelhos ópticos
adaptáveis) — Espelhos que têm:
a. Uma única superfície óptica reflectora contínua que é deformada de forma
dinâmica pela aplicação de binários ou forças individuais para compensar
distorções na onda óptica incidente no espelho; ou
b. Elementos ópticos reflectores múltiplos que podem ser individual e
dinamicamente reposicionados pela aplicação de binários ou forças para
compensar distorções na onda óptica incidente no espelho.
"Estabilidade" (7) — Desvio-padrão (1 sigma) da variação de um determinado
parâmetro em relação ao seu valor calibrado, medido em condições térmicas
estáveis. Pode ser expressa em função do tempo.
"Estado participante" (7 9) — Estado que participa no Acordo de Wassenaar (ver
www.wassenaar.org).
"Estado (não) Parte na Convenção sobre Armas Químicas" (1) — Estado para o
qual a Convenção sobre a Proibição do Desenvolvimento, Produção, Armaze-
nagem e Utilização de Armas Químicas e sobre a sua Destruição (não) entrou em
vigor (ver www.opcw.org).
"Excentricidade" (2) — Deslocamento radial do fuso principal numa rotação,
medido num plano perpendicular ao eixo do fuso, num ponto da superfície
rotativa interior ou exterior a examinar (referência: ISO 230/1 1986, ponto 5.61).
"Factor de escala" (giroscópio ou acelerómetro) (7) — Relação entre uma
alteração à saída e uma alteração à entrada, a medir. O "factor de escala" é2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 19
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geralmente avaliado como o gradiente da recta que pode ser ajustada, pelo
método dos quadrados mínimos, aos dados de entrada-saída obtidos fazendo
variar a entrada de forma cíclica ao longo da gama de valores de entrada.
"FADEC" — Sigla equivalente a "comando digital de motor com controlo total".
"Fio" (1) — Feixe de "cordões" torcidos.
N.B.: "Cordão" é um feixe de "monofilamentos" (normalmente mais de 200)
dispostos em forma mais ou menos paralela.
"Fixo" (5) — O algoritmo de codificação ou de compressão diz-se "fixo" quando
não pode aceitar parâmetros fornecidos do exterior (por exemplo variáveiscriptográficas ou de código) nem pode ser modificado pelo utilizador.
"Fuso basculante" (2) — Fuso porta-ferramentas que modifica, no decurso da
operação de maquinagem, a posição angular do seu eixo em relação a qualquer
outro eixo.
"Geograficamente dispersos" (6) — Diz-se dos equipamentos cujo afastamento
entre si, em qualquer direcção, é superior a 1 500 m. Os sensores móveis são
sempre considerados como "geograficamente dispersos".
"Gestão de potência" (7) — Alteração da potência transmitida do sinal do
altímetro, de forma que a potência recebida à altitude da "aeronave" esteja sempre
ao nível mínimo necessário para determinar a altitude.
"Gradiómetro magnético" (6) — Instrumento concebido para detectar a variação
espacial de campos magnéticos originários de fontes que lhe são exteriores. São
constituídos por "magnetómetros" múltiplos e pelos equipamentos electrónicos
associados, que produzem uma medida do gradiente do campo magnético.
N.B. Ver também "gradiómetro magnético intrínseco".
"Gradiómetro magnético intrínseco" (6) — Elemento simples de detecção de
gradientes de campos magnéticos e equipamentos electrónicos associados, que
produzem uma medida do gradiente do campo magnético.
N.B. Ver também "gradiómetro magnético".
"Grama efectivo" (0 1) de um "material cindível especial":
a. No caso de isótopos de plutónio e de urânio-233 — Massa dos isótopos em
gramas;
b. No caso do urânio enriquecido em 1 %, ou mais, no isótopo urânio-235 —
Massa do elemento, em gramas, multiplicada pelo quadrado do enriqueci-
mento expresso como fracção mássica decimal;
c. No caso de urânio enriquecido em menos de 1 % no isótopo urânio-235 —
Massa do elemento, em gramas, multiplicada por 0,0001;
"Imunotoxina" (1) — Conjugação de um anticorpo monoclonal específico de uma
célula com uma "toxina", ou "subunidade de toxina", que afecta selectivamente
células doentes.
"Incerteza de medida" (2) — Parâmetro característico que indica, com um grau de
confiança de 95 %, em que intervalo centrado no valor de saída se situa o valor
correcto da variável a medir. Este parâmetro abrange os desvios sistemáticos e as
folgas/valores residuais não corrigidos e os desvios aleatórios (Referência ISO
10360-2 ou VDI/VDE 2617).
"Informações do eco do radar" (6) — Informações do eco do radar de uma
"aeronave" correlacionadas com o seu plano de voo (associação entre o sinal
radar e os dados constantes no plano de voo e a sua actualização), destinadas aos
controladores dos centros de Controlo do Tráfego Aéreo.
"Instalações de produção" (9) — Equipamento e "suportes lógicos" especialmente
concebidos para esse equipamento, integrados em instalações, para "desenvolvi-
mento" ou para uma ou mais fases de "produção".
"Investigação científica fundamental" (NGT NTN) — Trabalhos experimentais
ou teóricos, empreendidos principalmente para adquirir novos conhecimentos
sobre os princípios fundamentais de fenómenos ou factos observáveis, e não
especialmente orientados para um fim ou objectivo específico.
"Isolamento" (9) — Aplica-se nos componentes de um motor de foguete, isto é,
cárter, tubeiras, entradas, fechos do cárter, e inclui folhas de borracha endurecida
ou semi-endurecida contendo material isolante ou refractário. Pode também ser
incorporado como manga ou elemento de alívio da tensão.
"Largura de banda em tempo real" (3) — Designa, nos "analisadores de sinais
dinâmicos", a maior gama de frequências que o analisador pode apresentar para
visualização ou fornecer à memória de massa, sem causar descontinuidades na
análise dos dados de entrada. Para os analisadores com mais de um canal, a
configuração do canal que apresenta uma maior "largura de banda em tempo real"
será a utilizada para fazer o cálculo.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 20
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"Largura de banda fraccionada" (3) — "Largura de banda instantânea" dividida
pela frequência central, expressa em percentagem.
"Largura de banda instantânea" (3 5 7) — Largura de banda em que a potência de
saída permanece constante com uma tolerância de 3 dB, sem ajustamento de
outros parâmetros de funcionamento.
"Laser" (0 2 3 5 6 9) — Conjunto de componentes que produzem luz coerente no
espaço e no tempo, amplificada por emissão estimulada de radiação.
N.B. Ver também:
"Laser químico";
"Laser de Q comutado";
"Laser de superalta potência";
"Laser de transferência".
"Laser de Q comutado" (6) — "Laser" em que a energia é armazenada na
inversão de população ou no ressoador óptico e, em seguida, emitida na forma de
um impulso.
"Laser químico" (6) — "Laser" em que a espécie excitada é produzida pela
energia libertada numa reacção química.
"Laser de super-alta potência" "SHPL" (6) — "Laser" capaz de fornecer a
totalidade ou uma parte da energia de saída superior a 1 kJ em 50 ms, ou
caracterizado por uma potência média ou em ondas contínuas superior a 20 kW.
"Laser de transferência" (6) — "Laser" excitado por uma transferência de energia
obtida pela colisão de átomos ou de moléculas que não produzem efeito laser com
átomos ou moléculas que produzem esse efeito.
"Linearidade" (2) — Característica que é geralmente medida em termos de não-
-linearidade e que é definida como o desvio máximo, positivo ou negativo, da
característica real (média das leituras no sentido ascendente e descendente da
escala) em relação a uma linha recta situada de forma a que se igualem e reduzam
ao mínimo os desvios máximos.
"Magnetómetro" (6) — Instrumento concebido para detectar campos magnéticos
originários de fontes que lhe são exteriores. É constituído por um único elemento
de detecção de campos magnéticos e pelo equipamento electrónico associado, que
produzem uma medida do campo magnético.
"Material cindível especial" (0) — O plutónio-239, "urânio enriquecido nos
isótopos 235 ou 233" e qualquer material que contenha estes componentes.
"Materiais fibrosos ou filamentosos" (0 1 8) — São os seguintes materiais:
a) "Monofilamentos" contínuos;
b) "Fios" e "mechas" contínuos;
c) "Bandas", tecidos, emaranhados irregulares e entrançados;
d) Mantas de fibras cortadas, de fibras descontínuas e de fibras aglomeradas;
e) Cristais capilares monocristalinos ou policristalinos de qualquer comprimento;
f) Pasta de poliamidas aromáticas.
"Materiais resistentes à corrosão pelo UF6" (0) podem ser cobre, aço inoxidável,
alumínio, óxido de alumínio, ligas de alumínio, níquel ou ligas contendo 60 % ou
mais, em massa, de níquel e polímeros hidrocarbonados fluorados, resistentes ao
UF6, consoante for adequado para o tipo de processo de separação.
"Matriz" (1 2 8 9) — Fase praticamente contínua que preenche o espaço entre
partículas, cristais capilares ou fibras.
"Matriz de plano focal" (6) significa uma camada linear ou bidimensional plana,
ou uma combinação de camadas planas, de elementos detectores, com ou sem
electrónica de visualização, que funcionam no plano focal.
N.B.: Nesta definição não se inclui uma pilha de elementos detectores simples
ou detectores de dois, três ou quatro elementos, desde que o atraso e a
integração não sejam efectuados dentro do elemento.
"Mecha" (1) — feixe (normalmente 12-120) de "cordões" mais ou menos
paralelos.
N.B.: "Cordão" é um feixe de "monofilamentos" (normalmente mais de 200)
dispostos de forma mais ou menos paralela.
"Melhoramento de imagens" (4) — Tratamento de imagens exteriores portadoras
de informação, por meio de algoritmos, como compressão de tempos, filtragem,
extracção, selecção, correlação, convolução, ou transformações entre domínios
(por exemplo Transformada Rápida de Fourier ou Transformada de Walsh). Não
são incluídos os algoritmos que apenas utilizam a transformação linear ou angular
de uma imagem simples, como a tradução, a extracção de parâmetros, o registo
ou a falsa coloração.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 21
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"Memória principal" (4) — Memória primária de dados ou instruções para acesso
rápido a partir da unidade central de processamento. É constituída pela memória
interna de um "computador digital" e qualquer extensão hierarquizada da mesma,
como a memória cacheou memória alargada de acesso não sequencial.
"Mesa rotativa composta" (2) — Mesa que permite à peça a maquinar rodar e
inclinar-se em torno de 2 eixos não paralelos que podem ser coordenados
simultaneamente para "controlo de contorno".
"Microcircuito microcomputador" (3) — "Circuito integrado monolítico" ou
"circuito integrado multipastilhas" que contém uma unidade aritmética e lógica
(UAL) capaz de executar instruções elementares a partir de uma memória interna,
sobre dados nesta contidos.
N.B. A memória interna pode ser reforçada por uma memória externa.
"Microcircuito microprocessador" (3) — "Circuito integrado monolítico" ou
"circuito integrado multipastilhas" que contém uma unidade aritmética e lógica
(UAL) capaz de executar uma série de instruções elementares a partir de uma
memória externa.
N.B.1. O "microcircuito microprocessador" não contém normalmente
memória acessível ao utilizador incorporada, mas pode utilizar a
memória existente na pastilha para realizar a sua função lógica.
N.B.2. Inclui conjuntos de pastilhas concebidos para operar conjuntamente
para desempenhar a função de "microcircuito microprocessador".
"Microrganismos" (1 2) — Bactérias, vírus, micoplasmas, rickettsias , clamídias
ou fungos, naturais, melhorados ou modificados, quer sob a forma de culturas
vivas isoladas, quer sob a forma de matérias, incluindo matérias vivas,
deliberadamente inoculadas ou contaminadas com culturas vivas.
"Mísseis" (1-7, 9) — Sistemas completos de foguetes e sistemas de veículos
aéreos não tripulados, capazes de transportar pelo menos uma carga de 500 kg a
uma distância de, pelo menos, 300 km.
"Mistura química" (1) — Produto sólido, líquido ou gasoso constituído por dois
ou mais componentes que não reagem entre si nas condições em que a mistura é
armazenada.
"Misturadas" (1) — Diz-se das misturas, filamento a filamento, de fibras
termoplásticas e fibras de reforço, de modo a obter-se uma mistura fibras de
reforço "matriz" totalmente fibrosa.
"Modo de transferência assíncrona" ("MTA") (5) — Modo de transferência em
que as informações estão organizadas em blocos; é assíncrona no sentido em que
a recorrência dos blocos depende do débito binário necessário ou instantâneo.
"Módulo de elasticidade específico" (0 1) — Módulo de Young em pascal
(equivalente a N/m2) dividido pelo peso específico em N/m3, medido a uma
temperatura de (296 ± 2) K [(23 ± 2) ºC] e com uma humidade relativa de
(50 ± 5) %.
"Monofilamento" (1) ou filamento — O menor aumento da fibra, geralmente com
vários micrómetros de diâmetro.
"MTA" — Sigla equivalente a "modo de transferência assíncrona"."Necessário" (NGT 1-9) — Este termo, quando aplicado a "tecnologia" ou
"suportes lógicos", designa unicamente a parte específica da "tecnologia" ou do
"suporte lógico" que permite alcançar ou exceder os níveis de comportamento
funcional, as características ou as funções submetidos a controlo. Essa
"tecnologia" ou esses "suportes lógicos" "necessários" poderão ser partilhados
por diferentes produtos.
"Nível de ruído" (6) — Sinal eléctrico dado em função da densidade espectral de
potência. A relação entre o "nível de ruído" expresso em valor, pico a pico, é a
seguinte: S
2pp = 8No(f2-f1), sendo Sppo valor pico a pico do sinal (por exemplo em
nanotesla), Noa densidade espectral de potência (por exemplo (nT)2/Hz) e (f2-f1)a
largura de banda em causa.
"Obtenção de ligas por meios mecânicos" (1) — Processo de obtenção de ligas
resultante da ligação, fractura e nova ligação de pós elementares e de pós de ligas
de adição, por impacto mecânico. Podem incorporar-se partículas não-metálicas
na liga recorrendo à adição de pós apropriados.
"Operadores terminais" (2) — Dispositivos, como pinças, 'ferramentas activas' ou
qualquer outra ferramenta, ligados à placa de base da extremidade do braço
manipulador de um robot.
N.B. 'Ferramenta activa' é um dispositivo destinado a aplicar à peça a
trabalhar força motriz, a energia necessária ao processo ou meios de
detecção.
"Optimização da trajectória de voo" (7) — Processo que reduz ao mínimo os
desvios em relação a uma trajectória tetradimensional pretendida (espaço e2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 22
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tempo) definida com base num desempenho e numa eficácia máximos no
cumprimento de missões.
"Perfis aerodinâmicos de geometria variável" (7) — Superfícies que utilizam
alhetas (flaps) nos bordos de fuga ou compensadores, ou slatsnos bordos de
ataque (bordos de ataque avançados) ou abatimentos articulados de ogivas, cuja
posição pode ser controlada em voo.
"Pixel activo" (6 8) — Elemento mínimo (único) do conjunto no estado sólido
que realiza uma função de transferência fotoeléctrica quando exposto a uma
radiação luminosa (electromagnética).
"Polarização" (acelerómetro) (7) — Saída de um acelerómetro, na ausência de
aceleração.
"Porta de conexão" (5) — Função realizada por qualquer combinação de
equipamento e "suporte lógico", para efectuar a conversão de convenções de
representação, de processamento ou de comunicação das informações utilizadas
num sistema, em convenções correspondentes, mas diferentes, utilizadas num
outro sistema.
"Potência de pico" (6) — Energia por impulso, em joule, dividida pela duração do
impulso, em segundos.
"Pré-formas de fibras de carbono" (1) — disposição ordenada de fibras, revestidas
ou não, destinada a servir de estrutura de suporte de um componente antes de a
"matriz" ser introduzida para a formação de um "compósito".
"Precisão" (2 6) — Característica geralmente medida em termos de imprecisão e
definida como o desvio máximo, positivo ou negativo, de um valor indicado em
relação a uma norma aceite ou a um valor verdadeiro.
"Prensagem hidráulica por acção directa" (2) — Processo de deformação que
utiliza um reservatório flexível cheio de líquido que se coloca em contacto directo
com a peça.
"Prensas isostáticas" (2) — Equipamento que, recorrendo a diversos meios (gases,
líquidos, partículas sólidas, etc.), é capaz de pressurizar uma cavidade fechada,
criando dentro desta uma pressão igual em todas as direcções sobre uma peça ou
um material.
"Previamente separado" (1) — Significa a aplicação de qualquer processo que
tenha por objectivo aumentar a concentração do isótopo submetido a controlo.
"Processamento de fluxos múltiplos de dados" (4) — Técnica de 'micropro-
gramas' ou de arquitectura do equipamento que permite o processamento
simultâneo de duas ou mais sequências de dados sob o controlo de uma ou mais
sequências de instruções, por meio de:
a. Arquitecturas de múltiplos dados com instrução única (SIMD) como
processadores vectoriais ou matriciais;
b. Arquitecturas de múltiplos dados com instrução única/ /instruções múltiplas
(MSIMD);
c. Arquitecturas de múltiplos dados com instruções múltiplas (MIMD) incluindo
as que estão fortemente, estreitamente ou ligeiramente ligadas; ou
d. Redes estruturadas de elementos de processamento, incluindo redes sistólicas.
N.B. 'Microprograma' — uma sequência de instruções elementares, conser-
vadas numa memória especial, cuja execução é iniciada pela introdução
da sua instrução de referência num registo de instruções.
"Processamento de sinais" (3 4 5 6) — Processamento de sinais exteriores,
portadores de informação, por meio de algoritmos como compressão de tempos,
filtragem, extracção, selecção, correlação, convolução ou transformações entre
domínios (por exemplo, transformada de Fourier rápida ou transformada de
Walsh).
"Processamento em tempo real" (2 4 6 7) — Processamento de dados por um
computador que presta um determinado nível de serviço necessário, em função
dos recursos disponíveis, dentro de um tempo de resposta garantido,
independentemente da carga no sistema, quando estimulado por um evento
externo.
"Produção" (NGT, NTN, todas as listas) — Todas as fases da produção,
designadamente construção, produção, projecto, fabrico, integração, montagem,
inspecção, ensaios e garantia da qualidade.
"Programa" (2 4 5 6) — Sequência de instruções para levar a cabo um processo
sob forma executável por um computador electrónico, ou nela convertível.
"Programação acessível ao utilizador" (4 5 6) — Meio que permite ao utilizador
inserir, modificar ou substituir "programas", por outros métodos que não os
seguintes:
a. Substituição física da cablagem ou das interligações; ou2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 23
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b. Estabelecimento de controlos de função, incluindo a introdução de parâmetros.
"Pulverização catódica" (4) — Processo de revestimento por cobertura, no qual
iões positivos são acelerados por um campo eléctrico e projectados sobre asuperfície de um alvo (material de revestimento). A energia cinética dos iões que
chocam com o alvo é suficiente para libertar átomos da sua superfície, que vão
depositar-se num substrato.
N.B.: A pulverização catódica com tríodos, magnetrões ou radiofrequências,
para aumentar a aderência do revestimento e a taxa de deposição, são
modificações habituais do processo.
"Qualificado para uso espacial" (3 6) — Qualificação dos produtos concebidos,
fabricados e testados para obedecer aos requisitos eléctricos, mecânicos e
ambientais especiais necessários para utilização no lançamento e colocação em
órbita de satélites ou de sistemas de voo a grande altitude, que operam a altitudes
iguais ou superiores a 100 km.
"Radar" de "espectro alargado" (6) — Vide "Espectro de radar alargado".
"Reactor nuclear" (0) — Os componentes situados no interior ou directamente
ligados ao corpo do reactor, o equipamento que controla o nível de potência no
núcleo, e os componentes que normalmente contêm, entram em contacto directo
ou controlam o refrigerante primário do núcleo do reactor.
"Rede local" (4) — Sistema de comunicação de dados que:
a. Permite a comunicação directa entre um número arbitrário de "dispositivos de
dados" independentes; e
b. Se limita a um local com uma área reduzida (por exemplo, edifício
administrativo, fábrica, faculdade ou armazém).
N.B. "Dispositivos de dados" são equipamentos capazes de emitir ou receber
sequências de informações sob a forma digital.
"Resistência específica à tracção" (0 1) — Tensão de ruptura à tracção em pascal
(equivalente a N/m2) dividida pelo peso específico em N/m3, medida a uma
temperatura de (296 ± 2) K ((23 ± 2) ºC) e com uma humidade relativa de
(50 ± 5) %.
"Resolução" (2) — O menor incremento de um dispositivo de medida; em
equipamentos digitais é o bit menos significativo (ref. ANSI B-89. 1. 12).
"Revestimento interior" (9) — Material adequado para formar a interface de
ligação entre o propulsante sólido e o cárter ou a camisa de isolamento.
Normalmente, trata-se de uma dispersão líquida de materiais refractários ou
isolantes numa base polimérica, por exemplo, de polibutadieno acabado em
oxidrilo (HTPB) com enchimento de carbono, ou de outro polímero, com adição
de endurecedores, que é pulverizada ou aplicada na superfície interior de uma
blindagem.
"Robot" (2 8) — Mecanismo de manipulação que pode ser do tipo de trajectória
contínua ou do tipo ponto a ponto, que pode utilizar sensores e que apresenta asseguintes características:
a. Ser multifuncional;
b. Ser capaz de posicionar ou orientar materiais, peças, ferramentas ou
dispositivos especiais através de movimentos variáveis no espaço tridimensi-
onal;
c. Possuir três ou mais servomecanismos de circuito aberto ou fechado, com
possibilidade de inclusão de motores passo a passo;
e
d. Ser dotado de "programação acessível ao utilizador" pelo método de
aprendizagem ou por um computador electrónico que pode ser uma unidade
de programação lógica, isto é, sem intervenção mecânica.
N.B. A definição anterior não inclui:
1. Mecanismos de manipulação de controlo manual ou por teleoperador
apenas;
2. Mecanismos de manipulação de sequência fixa que constituem
dispositivos móveis automatizados cujos movimentos são progra-
mados e definidos por meios mecânicos. O programa é limitado
mecanicamente por batentes fixos, como pernos ou cames. A
sequência dos movimentos e a selecção das trajectórias ou dos
ângulos não são variáveis nem modificáveis por meios mecânicos,
electrónicos ou eléctricos;
3. Mecanismos de manipulação de sequência variável e de controlo
mecânico que constituem dispositivos móveis automatizados cujos
movimentos são programados e definidos por meios mecânicos. O
programa é limitado mecanicamente por batentes fixos, mas
reguláveis, como pernos ou cames. A sequência dos movimentos e a
selecção das trajectórias ou dos ângulos são variáveis dentro da2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 24
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configuração programada. As variações ou modificações da configu-
ração programada (p. ex., mudança de pernos ou troca de cames) em
um ou mais eixos de movimento são efectuadas unicamente por
operações mecânicas;
4. Mecanismos de manipulação de sequência variável, sem servocon-
trolo, que constituem dispositivos móveis automatizados, cujos
movimentos são programados e definidos por meios mecânicos. O
programa é variável, mas a sequência apenas se processa através do
sinal binário proveniente de dispositivos binários eléctricos fixados
mecanicamente ou de batentes reguláveis;
5. Empilhadores, definidos como sistemas manipuladores que funcionam
em coordenadas cartesianas, fabricados como partes integrantes de
um conjunto vertical de células de armazenamento, e concebidos para
o acesso às referidas células para armazenamento ou recuperação.
"Saltos de frequência" (5) — Forma de "espectro expandido" em que a frequência
de emissão de um único canal de comunicação é modificada através de uma
sequência aleatória ou pseudo-aleatória de passos discretos.
"Seguimento automático do alvo" (6) — Técnica de processamento que permite
determinar e fornecer automaticamente como saída um valor extrapolado da
posição mais provável do alvo, em tempo real.
"Segurança da informação" (5) — Meios e funções que asseguram a
acessibilidade, a confidencialidade ou a integridade da informação ou das
comunicações, com excepção dos previstos para a protecção contra avarias.
Compreende, nomeadamente, a "criptografia", a 'cripto-análise', a protecção
contra as emanações comprometedoras e a segurança do computador.
N.B. 'Cripto-análise' é a análise de um sistema criptográfico ou das suas
entradas ou saídas para obter variáveis confidenciais ou dados sensíveis,
incluindo texto transparente.
"Segurança multiníveis" (5) — Categoria de sistemas que contêm informações de
sensibilidades diferentes, que permitem o acesso simultâneo a utilizadores com
diferentes graus de autorização e de necessidade de conhecimentos, mas que os
impedem de ter acesso a informações para que não dispõem de autorização.
N.B. A "segurança multiníveis" é uma segurança informática e não a
fiabilidade informática relacionada com a prevenção de defeitos do
equipamento ou a prevenção de erros humanos em geral.
"Sensor de imagem monoespectral" (6) — Sensor capaz de efectuar a aquisição
simultânea de dados de formação de imagens a partir de uma banda espectral
discreta.
"Sensor de imagem multi-espectral" (6) — Sensor capaz de efectuar a aquisição
simultânea ou em série de dados de formação de imagens a partir de duas ou mais
bandas espectrais discretas. Os sensores com mais de 20 bandas espectrais
discretas são por vezes denominados sensores de formação de imagens hiper-
-espectrais.
"Sensores de radar interligados" (6) — Dois ou mais sensores de radar que trocam
dados entre si em tempo real.
"SHPL" — Sigla equivalente a "laser de superalta potência"."Sinalização por canal comum" (5) — Método de sinalização entre centrais nas
quais um só canal transporta, por meio de mensagens munidas de uma
identificação, a informação de sinalização relativa a vários circuitos ou chamadas
e outra informação como a utilizada para gestão da rede.
"Sintetizador de frequência" (3) — Qualquer tipo de fonte de frequências ou de
gerador de sinais, independentemente da técnica efectivamente utilizada, que
forneça, a partir de uma ou mais saídas, diversas frequências de saída simultâneas
ou alternadas, controladas, derivadas ou regidas por um número reduzido de
frequências-padrão (ou de oscilador principal).
"Sintonizável" (6) — Diz-se da capacidade de um "laser" para produzir uma
energia de saída contínua em todos os comprimentos de onda numa gama de
várias transições "laser". Um "laser" de selecção de raio produz comprimentos de
onda discretos quando de uma transição "laser" e não é considerado
"sintonizável".
"Sistema de sensores ópticos de controlo de voo" (7) — Rede de sensores ópticos
distribuídos que utiliza feixes laser, destinada a fornecer dados de controlo de voo
em tempo real para processamento a bordo.
"Sistemas antitorque ou sistemas de controlo direccional controlados por
circulação" (7) — Sistemas que utilizam ar insuflado sobre as superfícies
aerodinâmicas para aumentar ou controlar as forças produzidas por essas
superfícies.
"Sistemas de controlo activo de voo" (7) — Sistemas que têm por função impedir
movimentos ou cargas estruturais indesejáveis da "aeronave" ou do míssil, através2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 25
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do processamento autónomo dos dados de saída de vários sensores e do
fornecimento subsequente das instruções preventivas necessárias para assegurar
um controlo automático.
"Sistemas periciais" (4 7) — Sistemas que produzem resultados por aplicação de
regras a dados armazenados, independentemente do "programa", e que possuem,
pelo menos, uma das capacidades seguintes:
a. Modificação automática do "código-fonte" introduzido pelo utilizador;
b. Expressão do conhecimento relacionado com uma classe de problemas, em
linguagem quase natural; ou
c. Aquisição dos conhecimentos necessários para evoluir (aprendizagem
simbólica).
"Soldadura por difusão" (1 2 9) — Técnica de ligação atómica no estado sólido
de, pelo menos, dois metais diferentes para formar uma peça única, em que a
resistência do conjunto é igual à do material menos resistente.
"Solidificação com impacto" (1) — Processo destinado a "solidificar rapida-
mente" um vazamento de metal fundido que colide com um bloco rotativo
refrigerado para obter um produto sob a forma de escamas.
N.B. "Solidificar rapidamente" significa a solidificação de um material
fundido a velocidades de arrefecimento superiores a 1 000 K/s.
"Solidificação em extracção com enregelamento" (1) — Processo destinado a
"solidificar rapidamente" e a extrair um produto ligado em forma de tira pela
introdução de um pequeno segmento de um bloco rotativo refrigerado num banho
de liga metálica fundida.
N.B. "Solidificar rapidamente" significa a solidificação de um material
fundido a velocidades de arrefecimento superiores a 1 000 K/s.
"Solidificação em rotação com enregelamento" (1) — Processo destinado a
"solidificar rapidamente" um fluxo de metal fundido que colide com um bloco
rotativo refrigerado, para obter um produto sob a forma de flocos, tira ou vara.
N.B. "Solidificar rapidamente" significa a solidificação de um material
fundido a velocidades de arrefecimento superiores a 1 000 K/s.
"Substrato" (3) — Placa de material de base com ou sem uma estrutura de
interligações, sobre a qual ou dentro da qual se posicionam 'componentes
discretos', circuitos integrados ou ambos.
N.B.1: 'Componente discreto' é um 'elemento de circuito' encapsulado em
separado e que possui ligações exteriores próprias.
N.B.2: 'Elemento de circuito' é um elemento funcional activo ou passivo único
num circuito electrónico, como um díodo, um transístor, uma
resistência de condensador, etc.
"Substratos em bruto" (6) — Compostos monolíticos de dimensões adequadas
para a produção de elementos ópticos, como espelhos ou janelas ópticas.
"Subunidade de toxina" (1) — Componente estrutural e funcionalmente distinto
de uma toxina inteira.
"Supercondutores" (1 3 6 8) — Materiais (metais, ligas ou compostos) que podem
perder toda a resistência eléctrica, isto é, podem atingir uma condutividade
eléctrica infinita e transportar correntes eléctricas muito elevadas sem
aquecimento por efeito Joule.
N.B.: O estado "supercondutor" de um material é caracterizado por uma
"temperatura crítica", um campo magnético crítico, função da
temperatura, e uma densidade de corrente crítica que é, no entanto,
função do campo magnético e da temperatura.
"Superligas" (2 9) — Ligas cujo metal base é o níquel, o cobalto ou o ferro e cuja
resistência a temperaturas superiores a 922 K (649 ºC), em condições de ambiente
e de funcionamento extremas, é superior à das ligas da série AISI 300.
"Suporte lógico" (NGS, Todas as listas) — Conjunto de um ou mais "programas"
ou 'microprogramas', fixados em qualquer suporte de expressão palpável.
N.B. 'Microprograma' — uma sequência de instruções elementares, conser-
vadas numa memória especial, cuja execução é iniciada pela introdução
da sua instrução de referência num registo de instruções.
"Tecnologia" (NGT, NTN, todas as listas) — Informação específica necessária
para o "desenvolvimento", a "produção" ou a "utilização" de um produto. Esta
informação pode apresentar-se sob a forma de 'dados técnicos' ou de 'assistência
técnica'.
N.B.1: A 'assistência técnica' pode assumir formas como instruções, técnicas,
formação, conhecimentos práticos e serviços de consultoria, e pode
incluir a transferência de "dados técnicos".2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 26
▼M3
N.B.2: Os 'dados técnicos' podem assumir formas como esquemas, planos,
diagramas, modelos, fórmulas, tabelas, projectos e especificações de
engenharia, manuais e instruções, escritos ou registados noutros
suportes ou dispositivos como discos, fitas magnéticas, memórias
ROM.
"Temperatura crítica" (1 3 6) — A "temperatura crítica" de um material
"supercondutor" específico (por vezes designada por temperatura de transição) é a
temperatura à qual a resistência de um material à passagem de uma corrente
eléctrica contínua passa a ser nula.
"Tempo de comutação de frequência" (3 5) — Tempo máximo (isto é, demora)
utilizado por um sinal, quando se efectua uma comutação entre duas frequências
de saída seleccionadas, para que atinja:
a. Uma frequência que não se afaste mais de 100 Hz da frequência final; ou
b. Um nível de saída que não se afaste mais de 1,0 dB do nível de saída final.
"Tempo de espera total de interrupção" (4) — Tempo necessário para um sistema
informático reconhecer uma interrupção devida a um evento, se ocupar da
interrupção e realizar uma comutação de contexto, para uma outra tarefa residente
na memória, à espera da interrupção.
"Tempo de estabilização" (3) — Tempo requerido para que o valor de saída atinja
o valor final com uma aproximação de meio bit na comutação entre quaisquer
dois níveis do conversor.
"Tempo típico de propagação por porta lógica elementar" (3) — Valor do atraso
de propagação correspondente à porta lógica elementar utilizado num "circuito
integrado monolítico". Para uma "família" de "circuitos integrados monolíticos"
este valor pode ser especificado quer como o tempo de propagação por porta
típica, quer como o tempo de propagação típico por porta, dentro da "família" em
causa.
N.B.1: O "tempo típico de propagação por porta lógica elementar" não deve
ser confundido com o tempo de propagação de entrada/saída de um
"circuito integrado monolítico" complexo.
N.B.2: A "família" é constituída por todos os circuitos integrados aos quais se
aplicam todos os requisitos seguintes em termos de metodologia e
especificações de fabrico, mas não em termos de funções:
a. Arquitectura comum do equipamento de suporte lógico;
b. Concepção e tecnologia de processo comum; e
c. Características básicas comuns.
"Todas as compensações disponíveis" (2) — depois de consideradas todas as
medidas à disposição do fabricante para minimizar todos os erros sistemáticos de
posicionamento do modelo específico de máquina-ferramenta em questão.
"Tolerância a falhas" (4) — Capacidade de um sistema informático de, na
sequência de um mau funcionamento de qualquer dos seus componentes físicos
ou lógicos, continuar a operar, sem intervenção humana, a um nível de serviço
que permita a continuidade de funcionamento, a integridade dos dados e o
restabelecimento do funcionamento num dado tempo.
"Toxinas" (1 2) — Toxinas, na forma de preparações ou misturas deliberada-
mente isoladas, seja qual for o seu modo de produção, com excepção das toxinas
presentes como contaminantes de outros materiais, como espécimes patológicos,
culturas, géneros alimentícios ou estirpes de "microrganismos".
"Transdutor de pressão" (2) — Dispositivo que converte medições de pressão
num sinal eléctrico.
"Urânio empobrecido" (0) — Urânio empobrecido no isótopo 235 em
comparação com o urânio de ocorrência natural.
"Urânio enriquecido nos isótopos 235 ou 233" (0) — Urânio cujo teor de isótopos
235 ou 233, ou de ambos, é tal que a relação entre a soma dos teores isotópicos
destes isótopos e o teor do isótopo 238 é superior à relação entre os teores dos
isótopos 235 e 238 que ocorre na natureza (relação isotópica de 0,72 %).
"Urânio natural" (0) — Urânio que contém as misturas de isótopos que ocorrem
na natureza.
"Utilização" (NGT, NTN, todas as listas) — Termo que abrange a exploração, a
instalação (incluindo a instalação in situ), a manutenção (verificação), a
reparação, a revisão geral e a renovação.
"Vacina" (1) — Produto medicinal destinado a estimular uma resposta
imunológica protectora no homem ou nos animais por forma a prevenir a doença.
"Veículo espacial" (7 9) — Satélites activos e passivos e sondas espaciais."Velocidade de deriva" (giroscópio) (7) — Velocidade do desvio da saída do
giroscópio relativamente à saída pretendida. É constituída por componentes2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 27
▼M3
aleatórios e sistemáticos e exprime-se como equivalente de um deslocamento
angular à entrada por unidade de tempo em relação ao espaço inercial.
"Via de comutação" (5) — Equipamento e suporte lógico associado que
proporciona a via de ligação física ou virtual para a comutação do tráfego de
mensagens em trânsito.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 28
▼M3
ACRÓNIMOS E ABREVIATURAS UTILIZADOS NESTE ANEXO
Os acrónimos e abreviaturas utilizados como termos definidos encontram-se nas
"Definições dos termos utilizados no presente anexo".
Acrónimo ou
abreviaturaSignificado
ABEC Annular Bearing Engineers Committee
AGMA American Gear Manufacturers' Association
AHRS sistemas de referência de atitude e de rumo
AISI American Iron and Steel Institute
ALU unidade lógica aritmética
ANSI American National Standards Institute
ASTM American Society for Testing and Materials
ATC controlo do tráfego aéreo
AVLIS separação isotópica por "laser" de vapor atómico
CAD concepção assistida por computador
CAS Chemical Abstracts Service
CCITT International Telegraph and Telephone Consultative
Committee
CDU unidade de controlo e visualização
CEP erro circular provável
CNTD decomposição térmica com nucleação controlada
CRISLA reacção química por activação laserselectiva de isótopos
CVD deposição em fase vapor por processo químico
CW guerra químicaCW (lasers) onda contínua
DME equipamento de medição de distâncias
DS solidificação dirigida
EB-PVD decomposição em fase vapor por processo físico com feixe
de electrões
EBU União Europeia de Radiodifusão
ECM maquinagem electro-química
ECR ressonância electrão-ciclotrão
EDM máquinas de electroerosão
EEPROM memórias programáveis apagáveis electricamente somente
para leitura
EIA Electronic Industries Association
EMC compatibilidade electromagnética
EMCDB Propulsante de base dupla moficado por elastómero
FFT Transformação Rápida de Fourier
GLONASS sistema de navegação global por satélite
GPS sistema de determinação global de posição
HBT transístores hétero-bipolares
HDDR registo digital de alta densidade
HEMT transístores de elevada mobilidade electrónica
ICAO Organização da Aviação Civil Internacional
IEC International Electro-technical Commission
IEEE Institute of Electrical and Electronic EngineersIFOV campo de visão instantâneo
ILS sistema de aterragem por instrumentos
IRIG Inter-range instrumentation group
ISAR radar de abertura sintética inversa2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 29
▼M3
Acrónimo ou
abreviaturaSignificado
ISO Organização Internacional de Normalização
ITU Ver UIT
JIS norma industrial japonesa
JT Joule-Thomson
LIDAR light detection and rangingLRU unidade substituível na linha da frente
MAC código de autenticação de mensagem
Mach relação entre a velocidade de um objecto e a velocidade do
som (de Ernst Mach)
MLIS separação isotópica "por laser" de moléculas
MLS sistemas de aterragem por micro-ondas
MOCVD deposição de organometálicos em fase vapor por processo
químico
MRI imagem por ressonância magnética
MTBF tempo médio entre falhas
Mtops milhões de operações teóricas por segundo
MTTF tempo médio sem falhas
NBC nuclear, biológico e químico
NDT ensaio não destrutivo
PAR radar de aproximação de precisão
PIN número de identificação pessoal
ppm partes por milhão
PSD densidade espectral de potência
QAM modulação de amplitude em quadratura
RF radiofrequência
SACMA Suppliers of Advanced Composite Materials Association
SAR radar de abertura sintética
SC monocristalinoSLAR radar a bordo com observação lateral
SMPTE Society of Motion Picture and Television Engineers
SRA módulo substituível em oficina
SRAM memória estática de acesso aleatório
SSR radares de vigilância secundários
TCSEC trusted computer system evaluation criteria
TIR leitura total indicada
União Interna-
cional das Tele-
comunicações
UV ultravioleta
UTS resistência à ruptura
VOR Radiofarol de alinhamento omnidireccional VHF
YAG Granada de ítrio/alumínio2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 30
▼M3
CATEGORIA 0
MATERIAIS,INSTALAÇÕESE EQUIPAMENTOS NUCLEARES2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 31
▼M3
0A Equipamentos, conjuntose componentes
0A001 "Reactores nucleares" e equipamento e componentes especial-
mente concebidos ou preparados para os mesmos, isto é:
a. "Reactores nucleares" capazes de funcionar mantendo uma
reacção de cisão em cadeia controlada e auto-sustentada;
b. Cubas metálicas, ou partes principais pré-fabricadas das
mesmas, especialmente concebidas ou preparadas para a
contenção do núcleo de um "reactor nuclear", incluindo a
cabeça da cuba de pressão do reactor;
c. Equipamento de manuseamento especialmente concebido ou
preparado para a introdução ou remoção de combustível num
"reactor nuclear";
d. Barras de controlo especialmente concebidas ou preparadas
para o controlo do processo de cisão num "reactor nuclear" e
respectivas estruturas de suporte e suspensão, mecanismos de
comando das barras e tubos de guia das barras;
e. Tubos de pressão especialmente concebidos ou preparados para
conter os elementos do combustível e o fluido de arrefecimento
primário num "reactor nuclear" a pressões de serviço superiores
a 5,1 MPa;
f. Metal ou ligas de zircónio sob a forma de tubos ou conjuntos de
tubos em que a relação háfnio-zircónio seja inferior a
1:500 partes em massa, especialmente concebidos ou prepa-
rados para utilização num "reactor nuclear";
g. Bombas de arrefecimento especialmente concebidas ou prepa-
radas para fazer circular o fluido de arrefecimento primário dos
"reactores nucleares";
h. "Componentes internos de um reactor nuclear" especialmente
concebidos ou preparados para serem utilizados num "reactor
nuclear", incluindo colunas de suporte do núcleo, condutas de
combustível, blindagens térmicas, chicanas, placas superiores
do núcleo e placas do difusor;
Nota: Em 0A001.h., a expressão "componentes internos de
um reactor nuclear" abrange qualquer estrutura
importante no interior de uma cuba de reactor que
possua uma ou mais funções tais como suportar o
núcleo, manter o alinhamento do combustível, dirigir
o fluido de arrefecimento primário, fornecer
protecção anti-radiações para a cuba do reactor e
comandar instrumentação no interior do núcleo.
i. Permutadores de calor (geradores de vapor) especialmente
concebidos ou preparados para serem utilizados no circuito de
arrefecimento primário de um "reactor nuclear";
j. Instrumentos de detecção e de medição de neutrões especial-
mente concebidos ou preparados para determinar os níveis dos
fluxos de neutrões no interior do núcleo de um "reactor
nuclear".2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 32
▼M3
0BEquipamento de ensaio, inspecção e produção
0B001 Instalações de separação de isótopos de "urânio natural", "urânio
empobrecido", "materiais cindíveis especiais", e ainda equipa-
mento e componentes especialmente concebidos ou preparados
para as mesmas, a saber:
a. Instalações especialmente concebidas para a separação de
isótopos de "urânio natural", "urânio empobrecido" e "materiais
cindíveis especiais", a saber:
1. Fábricas de separação por centrifugação a gás;
2. Fábricas de separação por difusão gasosa;3. Fábricas de separação aerodinâmica;4. Fábricas de separação por permuta química;5. Fábricas de separação por permuta iónica;6. Fábricas de separação isotópica por "laser" de vapor atómico
(AVLIS);
7. Fábricas de separação isotópica por "laser" de moléculas
(MLIS);
8. Fábricas de separação do plasma;9. Fábricas de separação electromagnética;
b. Centrifugadoras a gás, conjuntos e componentes especialmente
concebidos ou preparados para o processo de separação por
centrifugação a gás, como segue:
Nota: Em 0B001.b., "material com uma elevada relação
resistência-densidade" abrange qualquer dos
seguintes materiais:
a. Aço "maraging" dotado de uma resistência à
ruptura à tracção igual ou superior a 2 050 MPa;
ou
b. Ligas de alumínio dotadas de uma resistência à
ruptura à tracção igual ou superior a 460 MPa; ou
c. "Materiais fibrosos ou filamentosos" com um
"módulo de elasticidade específico" superior a
3,18 × 106m e uma "resistência específica à
tracção" superior a 76,2 × 103m;
1. Centrifugadoras a gás;2. Conjuntos de rotor completos;3. Cilindros de tubos de rotor com uma espessura de paredes
igual ou inferior a 12 mm, diâmetros compreendidos entre
75 mm e 400 mm, feitos de "materiais com uma elevada
relação resistência-densidade";
4. Anéis ou foles com uma espessura de paredes igual ou
inferior a 3 mm e diâmetros compreendidos entre 75 mm e
400 mm, concebidos para dar apoio localizado a um tubo
de rotor ou para reunir vários desses tubos, feitos de
"materiais com uma elevada relação resistência-densi-
dade";
5. Chicanas com diâmetros compreendidos entre 75 mm e
400 mm, concebidas para serem montadas no interior de
um tubo de rotor, feitas de "materiais com uma elevada
relação resistência-densidade";
6. Tampas superior e inferior, com diâmetros compreendidos
entre 75 mm e 400 mm, concebidas para se adaptarem às
extremidades dos tubos do rotor, feitas de "materiais com
uma elevada relação resistência-densidade";
7. Suportes de suspensão magnética constituídos por um
magneto anular suspenso no interior de uma caixa feita de
ou protegida por "materiais resistentes à corrosão pelo
UF
6", que contenham um meio de amortecimento e tenham
o magneto ligado a um pólo ou a um segundo magneto
fixado na tampa superior do rotor;
8. Suportes especialmente preparados, constituídos por um
conjunto pivot-copo montado num amortecedor;
9. Bombas moleculares constituídas por cilindros providos de
sulcos helicoidais fresados ou obtidos por extrusão e de
furos fresados;2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 33
▼M3
10. Estatores de motor, em forma de anel, para motores de
histerese multifásicos de corrente alternada (ou relutância
magnética), destinados a funcionamento sincronizado no
vácuo na gama de frequências de 600 a 2 000 Hz e na gama
de potências de 50 a 1 000 Volt-Ampere;
11. Caixas/recipientes de centrifugadora para conter o conjunto
dos tubos dos rotores das centrifugadoras a gás, consti-
tuídas por um cilindro rígido com uma espessura de
paredes até 30 mm com extremidades maquinadas com
precisão e feitas de ou protegidas com "materiais
resistentes à corrosão pelo UF6";
12. Conchas constituídas por tubos de diâmetro interior até
12 mm para a extracção de gás de UF6de dentro de tubos
de rotor da centrifugadora através da acção de um tubo de
Pitot, feitas de ou protegidas com "materiais resistentes à
corrosão pelo UF6";
13. Modificadores de frequência (conversores ou inversores)
especialmente concebidos ou preparados para a alimen-
tação de estatores de motor para enriquecimento por
centrifugação a gás, dotados de todas as características
seguintes, e componentes especialmente concebidos para
os mesmos:
a. Frequência eléctrica multifásica de saída de 600 a
2 000 Hz;
b. Controlo de frequência melhor que 0,1 %;
c. Distorção harmónica inferior a 2 %; e
d. Rendimento superior a 80 %;
c. Equipamento e componentes especialmente concebidos ou
preparados para o processo de separação por difusão gasosa,
seguidamente enumerados:
1. Barreiras de difusão gasosa feitas de materiais porosos,
poliméricos ou cerâmicos, "resistentes à corrosão pelo UF6",
com uma dimensão de poro compreendida entre 10 e 100nm,
uma espessura igual ou inferior a 5 mm e, no caso das
formas tubulares, um diâmetro igual ou inferior a 25 mm;
2. Câmaras de difusão gasosa feitas de ou protegidas com
"materiais resistentes à corrosão pelo UF6";
3. Compressores (de deslocamento positivo, de fluxo centrí-
fugo e axial) ou ventiladores de gás com uma capacidade de
volume de aspiração de 1 m3/min ou mais de UF6e uma
pressão de descarga até 666,7 kPa, feitos de ou protegidos
com "materiais resistentes à corrosão pelo UF6";
4. Vedantes de veios rotativos para compressores ou ventila-
dores especificados em 0B001.c.3. e concebidos para uma
taxa de entrada de gases-tampão inferior a 1 000 cm3/min.;
5. Permutadores de calor feitos de alumínio, cobre, níquel ou
ligas que contenham mais de 60 % de níquel, ou
combinações destes metais sob a forma de tubos revestidos,
concebidos para funcionar a pressão subatmosférica, com
uma taxa de perdas que limite o aumento de pressão a menosde 10 Pa/hora com uma diferença de pressão de 100 kPa;
6. Válvulas de fole feitas de ou protegidas com "materiais
resistentes à corrosão pelo UF
6" de diâmetros compreen-
didos entre 40 mm e 1 500 mm;
d. Equipamento e componentes especialmente concebidos ou
preparados para o processo de separação aerodinâmica, a saber:
1. Bicos de separação constituídos por canais curvos, em forma
de fenda, com um raio de curvatura inferior a 1 mm,resistentes à corrosão pelo UF
6e com uma lâmina que separa
o fluxo de gás que passa pelo bico em duas correntes);
2. Tubos, cilíndricos ou cónicos, activados pelo fluxo de
entrada tangencial (tubos de vórtice), feitos de ou protegidos
com "materiais resistentes à corrosão pelo UF6"co m
diâmetros compreendidos entre 0,5 cm e 4 cm e uma
relação comprimento/diâmetro igual ou inferior a 20:1, e
com uma ou mais entradas tangenciais;
3. Compressores (axiais, centrífugos ou volumétricos) ou
ventiladores de gás com uma capacidade de volume de
aspiração igual ou superior a 2 m3/min, feitos de ou2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 34
▼M3
protegidos com "materiais resistentes à corrosão pelo UF6"e
vedantes para os respectivos veios;
4. Permutadores de calor feitos de ou protegidos com
"materiais resistentes à corrosão pelo UF6";
5. Caixas de elementos de separação aerodinâmica, feitas de ou
protegidas com "materiais resistentes à corrosão pelo UF6",
para conter tubos de vórtice ou bicos de separação;
6. Válvulas de fole feitas de ou protegidas com "materiais
resistentes à corrosão pelo UF6", de diâmetros compreen-
didos entre 40 e 1 500 mm;
7. Sistemas de processo para a separação do UF6do gás
portador (hidrogénio ou hélio) até um teor igual ou inferior a
1 ppm de UF6, incluindo:
a. Permutadores de calor criogénicos e criosseparadores
capazes de obter temperaturas iguais ou inferiores a 153K
(− 120 ºC);
b. Unidades de refrigeração criogénicas capazes de obter
temperaturas iguais ou inferiores a 153 K (− 120 ºC);
c. Unidades com bicos de separação ou tubos de vórtice
para a separação do UF6do gás portador;
d. Separadores de UF6capazes de atingir temperaturas
iguais ou inferiores a 253 K (− 20 ºC);
e. Equipamento e componentes especialmente concebidos ou
preparados para o processo de separação por permuta química,
a saber:
1. Colunas pulsantes de permuta rápida líquido-líquido com
tempo de estadia no estágio igual ou inferior a 30 segundos e
resistentes ao ácido clorídrico concentrado (p.ex., feitas de
ou protegidas com materiais plásticos adequados tais como
polímeros de fluorocarbonetos ou vidro);
2. Contactores centrífugos de permuta rápida líquido-líquido
com tempo de estadia no estágio igual ou inferior a
30 segundos e resistentes ao ácido clorídrico concentrado
(p.ex., feitos de ou protegidos com materiais plásticos
adequados tais como polímeros de fluorocarbonetos ou
vidro);
3. Células de redução electroquímica resistentes a soluções de
ácido clorídrico concentrado, para a redução do urânio de
um estado de valência para outro;
4. Equipamentos de alimentação de células de redução
electroquímica para retirar o U+4da corrente orgânica e,
no que diz respeito às peças em contacto com a corrente de
processo, feitas de ou protegidas com materiais adequados
(p.ex., vidro, polímeros de fluorocarbonetos, poli-sulfato de
fenilo, polietersulfonas e grafite impregnada de resina);
5. Sistemas de preparação da alimentação para a produção de
soluções de cloreto de urânio de elevada pureza constituídos
por equipamento de dissolução, de extracção de solventes e/
/ou permuta de iões para a purificação e células electrolíticas
para a redução do urânio U+6ou U+4aU+3;
6. Sistemas de oxidação do urânio para a oxidação do U+3em
U+4;
f. Equipamento e componentes especialmente concebidos ou
preparados para o processo de separação por permuta iónica,
a saber:
1. Resinas de permuta iónica de reacção rápida, resinas
peliculares ou porosas macro-reticuladas em que os grupos
activos de permuta química são limitados a um revestimento
na superfície de uma estrutura de suporte porosa inactiva, e
outras estruturas compósitas sob qualquer forma adequada,
incluindo partículas ou fibras, com diâmetros iguais ou
inferiores a 0,2 mm, resistentes ao ácido clorídrico
concentrado e concebidas para ter um tempo de meia
permuta inferior a 10 segundos, e capazes de operar a
temperaturas na gama dos 373 K (100 ºC) a 473 K (200 ºC);
2. Colunas (cilíndricas) de permuta de iões de diâmetro
superior a 1 000 mm, feitas de ou protegidas com materiais
resistentes ao ácido clorídrico concentrado (p. ex., titânio ou
plásticos de fluorocarbonetos) e capazes de operar a2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 35
▼M3
temperaturas na gama dos 373 K (100 ºC) a 473 K (200 ºC)
e a pressões superiores a 0,7 MPa;
3. Sistemas de refluxo de permuta de iões (sistemas de
oxidação ou redução química ou electroquímica) para a
regeneração dos agentes redutores ou oxidantes químicos
utilizados nas cascatas de enriquecimento por permuta de
iões;
g. Equipamento e componentes especialmente concebidos ou
preparados para o processo de separação isotópica por "laser"
de vapor atómico (AVLIS), a saber:
1. Disparadores de feixes electrónicos por faixas ou varri-
mento, com uma potência fornecida superior a 2,5 kW/cm,
para utilização em sistemas de vaporização de urânio;
2. Sistemas de manuseamento de urânio metálico líquido para
urânio ou ligas de urânio fundidos, constituídos por cadinhos
feitos de ou protegidos com materiais resistentes à corrosão
e ao calor (p.ex., tântalo, grafite revestida de ítria, grafite
revestida com outros óxidos de terras raras ou suas misturas)
e equipamento de arrefecimento para os cadinhos;
N.B.: VER TAMBÉM 2A225.
3. Sistemas de recolha de produtos e materiais residuais, feitos
ou revestidos de materiais resistentes ao calor e à corrosão
pelo vapor ou líquido de urânio metálico, tais como grafite
revestida com ítria ou tântalo;
4. Alojamentos de módulos separadores (recipientes cilíndricos
ou rectangulares) para conter a fonte de vapores de urânio
metálico, o canhão de feixe electrónico e os colectores do
produto e dos resíduos;
5. "Lasers" ou sistemas de "laser" para a separação de isótopos
de urânio com um estabilizador de frequências do espectro
para operação durante grandes períodos de tempo;
N.B.: VER TAMBÉM 6A005 E 6A205.
h. Equipamento e componentes especialmente concebidos ou
preparados para o processo de separação isotópica por "laser"
molecular (MLIS) ou a reacção química por activação "laser"
selectiva de isótopos (CRISLA), a seguir enumerados:
1. Bicos de expansão supersónica concebidos para arrefecer
misturas de UF6e gás portador a 150 K (− 123 ºC) ou menos
e feitos de "materiais resistentes à corrosão pelo UF6";
2. Colectores de produtos com pentafluoreto de urânio (UF5)
constituídos por colectores com filtro, colectores de impacto
ou colectores do tipo ciclone ou suas combinações, e feitos
de "materiais resistentes à corrosão pelo UF5/UF6";
3. Compressores feitos de ou protegidos com "materiais
resistentes à corrosão pelo UF6" e vedantes para os
respectivos veios;
4. Equipamento para fluoração do UF5(sólido) em UF6(gás);
5. Sistemas de processo para a separação do UF6do gás
portador (p.ex., azoto ou árgon) incluindo:
a. Permutadores de calor criogénicos e criosseparadores
capazes de obter temperaturas iguais ou inferiores a 153K
(− 120 ºC);
b. Unidades de refrigeração criogénicas capazes de obter
temperaturas iguais ou inferiores a 153 K (− 120 ºC);
c. Separadores criogénicos de UF6capazes de atingir
temperaturas iguais ou inferiores a 253 K (− 20 ºC);
6. "Lasers" ou sistemas de "laser" para a separação de isótopos
de urânio com um estabilizador de frequências do espectro
para operação durante grandes períodos de tempo;
NB.: VER TAMBÉM 6A005 E 6A205
i. Equipamento e componentes especialmente concebidos ou
preparados para o processo de separação do plasma, a saber:
1. Fontes e antenas de microondas para produzir ou acelerar
iões, com uma frequência de saída superior a 30 GHz e uma
potência média de saída superior a 50 kW;2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 36
▼M3
2. Bobinas de excitação iónica por rádio-frequência, para
frequências superiores a 100 kHz, capazes de suportar
potências médias superiores a 40 kW;
3. Sistemas de geração de plasma de urânio;4. Sistemas de manuseamento de metais líquidos para urânio
ou ligas de urânio fundidos, constituídos por cadinhos feitosde ou protegidos com materiais adequados resistentes à
corrosão e ao calor (p.ex., tântalo, grafite revestida com ítria,
grafite revestida com outros óxidos de terras raras ou suas
misturas), e equipamento de arrefecimento para os cadinhos;
N.B. VER TAMBÉM 2A225.
5. Colectores de produtos e materiais residuais, feitos ou
protegidos com materiais resistentes ao calor e à corrosão
pelo vapor de urânio, tais como grafite revestida com ítria ou
tântalo;
6. Alojamentos dos módulos separadores (cilíndricos) para
conter a fonte de plasma de urânio, a bobina de comando das
radiofrequências e os colectores de produto e resíduos, e
feitos de material não magnético adequado (p.ex., aço
inoxidável);
j. Equipamento e componentes especialmente concebidos ou
preparados para o processo de separação electromagnética, a
saber:
1. Fontes de iões, simples ou múltiplas, constituídas por uma
fonte de vapor, um ionizador e um acelerador de feixes,
feitas de materiais não magnéticos adequados (p.ex., grafite,
aço inoxidável ou cobre) e capazes de fornecer uma corrente
total de feixes de iões igual ou superior a 50 mA;
2. Placas colectoras de iões para a recolha de feixes de iões de
urânio enriquecido ou empobrecido, constituídas por duas ou
mais fendas e bolsas e feitas de materiais não magnéticos
adequados (p.ex., grafite ou aço inoxidável);
3. Caixas de vácuo para separadores electromagnéticos de
urânio feitas de materiais não magnéticos (p.ex., aço
inoxidável) e concebidas para operar a pressões iguais ou
inferiores a 0,1 Pa;
4. Polos magnéticos de diâmetro superior a 2 m;
5. Fontes de alimentação de alta tensão para fontes de iões,
com todas as seguintes características:
a. Capacidade para funcionamento contínuo;
b. Tensão de saída igual ou superior a 20 000 V;
c. Corrente de saída igual ou superior a 1 A;
e
d. Regulação de tensão com uma variação inferior a 0,01 %
durante um período de 8 horas;
N.B.: VER TAMBÉM 3A227.
6. Fontes de alimentação de electromagnetos (alta potência,
corrente contínua) com todas as seguintes características:
a. Capacidade para funcionamento contínuo com uma
corrente de saída igual ou superior a 500 A a uma
tensão igual ou superior a 100 V; e
b. Regulação da corrente ou da tensão com uma variação
inferior a 0,01 % durante um período de 8 horas.
N.B.: VER TAMBÉM 3A226.
0B002 Sistemas auxiliares, equipamento e componentes especialmente
concebidos ou preparados para fábricas de separação de isótopos
especificadas em 0B001, seguidamente enumerados, feitos de ou
protegidos com "materiais resistentes à corrosão pelo UF6":
a. Autoclaves de alimentação, fornos ou sistemas utilizados para a
passagem do UF6para o processo de enriquecimento;
b. Dessublimadores ou separadores criogénicos, utilizados para
remover o UF6do processo de enriquecimento para trans-
ferência subsequente após aquecimento;
c. Estações de produtos e materiais residuais utilizadas para a
transferência do UF6para os contentores;2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 37
▼M3
d. Estações de liquefacção ou de solidificação utilizadas para
remover o UF6do processo de enriquecimento através da
compressão, arrefecimento e conversão do UF6numa forma
líquida ou sólida;
e. Sistemas de tubagens e sistemas de colectores especialmente
concebidos para o manuseamento do UF6dentro das cascatas de
difusão gasosa, de centrifugação gasosa ou aerodinâmicas;
f. 1. Distribuidores de vácuo ou colectores de vácuo, com uma
capacidade de aspiração igual ou superior a 5 m3/minuto, ou
2. Bombas de vácuo especialmente concebidas para utilização
em atmosferas contendo UF6;
g. Espectrómetros de massa/fontes de iões de UF6especialmente
concebidos ou preparados para colher amostras "em contínuo"
de materiais de alimentação, produtos ou resíduos provenientes
dos fluxos de gás UF6e com as seguintes características:
1. Resolução por unidade de massa superior a 320 amu;
2. Fontes de iões construídas ou revestidas com nicrómio ou
monel ou folheadas a níquel;
3. Fontes de ionização por bombardeamento com electrões; e
4. Sistema colector adequado para análise isotópica.
0B003 Instalações para a conversão de urânio e equipamento especial-
mente concebido ou preparado para o efeito, a saber:
a. Sistemas para a conversão de concentrados de minério de
urânio em UO3;
b. Sistemas para a conversão de UO3em UF6;
c. Sistemas para a conversão de UO3em UO2;
d. Sistemas para a conversão de UO2em UF4;
e. Sistemas para a conversão de UF4em UF6;
f. Sistemas para a conversão de UF4em urânio metálico;
g. Sistemas para a conversão de UF6em UO2;
h. Sistemas para a conversão de UF6em UF4.
i. Sistemas para a conversão de UO2em UCl4.
0B004 Instalações de produção ou concentração de água pesada, deutério
ou compostos de deutério, e equipamento e componentes
especialmente concebidos ou preparados para as mesmas, a seguir
enumerados:
a. Instalações de produção de água pesada, deutério ou compostos
de deutério, a saber:
1. Instalações de permuta água-ácido sulfídrico;
2. Instalações de permuta amoníaco-hidrogénio;
b. Equipamento e componentes, a seguir enumerados:
1. Colunas de permuta de água-ácido sulfídrico construídas em
aço ao carbono de grão fino (p. ex. ASTM A516), de
diâmetro entre 6 e 9 m, concebidas para funcionar a uma
pressão igual ou superior a 2 MPa e com uma sobreespes-
sura para corrosão igual ou superior a 6 mm;
2. Ventiladores ou compressores centrífugos de um só andar, a
baixa pressão (ou seja, 0,2 MPa), para circulação de gás de
ácido sulfídrico (ou seja, gás contendo mais de 70 % de H2S)
com uma capacidade de débito igual ou superior a 56 m3/
/segundo ao funcionarem a pressões de sucção iguais ou
superiores a 1,8 MPa e munidos de vedantes concebidos
para funcionar em meio húmido com H2S;
3. Colunas de permuta amoníaco-hidrogénio de altura igual ou
superior a 35 m e diâmetros entre 1,5 e 2,5 m, capazes de
funcionar a pressões superiores a 15 MPa;
4. Componentes internos das colunas, incluindo contactores de
andares e bombas de andares, incluindo as bombas
submergíveis, para a produção de água pesada utilizando o
processo de permuta amoníaco-hidrogénio;
5. Fraccionadores de amoníaco, com pressões de funciona-
mento iguais ou superiores a 3 MPa, para produção de água2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 38
▼M3
pesada utilizando o processo de permuta amoníaco-hidro-
génio;
6. Analisadores de absorção de infra-vermelhos, capazes de
analisar a relação hidrogénio-deutério "em contínuo" quando
as concentrações de deutério forem iguais ou superiores a
90 %;
7. Queimadores catalíticos para a conversão de deutério gasoso
enriquecido em água pesada pelo processo de permuta
amoníaco-hidrogénio;
8. Sistemas completos de enriquecimento de água pesada, ou
respectivas colunas, para o enriquecimento de água pesada
até à concentração em deutério necessária ao funcionamento
do reactor.
0B005 Instalações especialmente concebidas para o fabrico de elementos
de combustível para "reactores nucleares", e equipamento
especialmente concebido ou preparado para essas instalações.
Nota: Uma instalação de fabrico de elementos de combustível
para "reactores nucleares" inclui equipamento que:
a. Entra normalmente em contacto directo, ou processa
directamente, ou controla o fluxo de produção de
materiais nucleares;
b. Confina hermeticamente os materiais nucleares no
interior da blindagem;
c. Verifica a integridade da bainha ou do seu confina-
mento;ou
d. Verifica o tratamento final do combustível confinado.
0B006 Instalações de reprocessamento de elementos de combustível
irradiados de "reactores nucleares" e equipamento e componentes
especialmente concebidos ou preparados para essas instalações.
Nota: 0B006abrange:
a. Instalações de reprocessamento de elementos de
combustível irradiados de "reactores nucleares",
incluindo o equipamento e os componentes que
entram normalmente em contacto directo e controlam
directamente o combustível irradiado e os principais
fluxos de processamento de material nuclear e de
produtos de cisão;
b. Máquinas para cortar ou rasgar elementos de
combustível, isto é, equipamento telecomandado
destinado a cortar, talhar, rasgar ou cisalhar feixes,
varas ou conjuntos irradiados de combustível de
"reactores nucleares";
c. Tanques de dissolução, isto é, tanques criticamente
seguros (por exemplo, tanques de pequeno diâmetro,
anulares ou de pequena altura), especialmente
concebidos ou preparados para a dissolução do
combustível irradiado do "reactor nuclear", capazes
de suportar líquidos quentes e altamente corrosivos, e
que possam ser alimentados e manutencionados por
controlo remoto;
d. Extractores de solventes em contra-corrente e equi-
pamento de processamento por permuta iónica,
especialmente concebidos ou preparados para utili-
zação numa instalação de reprocessamento de
"urânio natural", "urânio empobrecido" ou "materiais
cindíveis especiais" irradiados;
e. Recipientes de retenção ou de armazenagem especial-
mente concebidos de forma a serem criticamente
seguros e resistentes aos efeitos corrosivos do ácido
nítrico;
Nota: Os recipientes de retenção ou de armaze-
nagem podem ter as seguintes
características:
1. Paredes ou estruturas internas com um
equivalente de boro de pelo menos 2 %,
(calculado para todos os elementos
constituintes de acordo com a definição
contida na nota ao ponto 0C004);2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 39
▼M3
2. Diâmetro máximo de 175 mm para os
recipientes cilíndricos; ou
3. Largura máxima de 75 mm no caso dos
recipientes de pouca altura ou anulares.
f. Instrumentação de controlo de processo, especial-
mente concebida ou preparada para a monitorização
ou o controlo do reprocessamento de "urânio
natural", "urânio empobrecido" ou "materiais cindí-
veis especiais" irradiados.
0B007 Instalações para a conversão de plutónio e equipamento especial-
mente concebido ou preparado para essas instalações,
designadamente:
a. Sistemas para a conversão de nitrato de plutónio em óxido de
plutónio;
b. Sistemas para a produção de plutónio metálico.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 40
▼M3
0C Materiais
0C001 "Urânio natural" ou "urânio empobrecido" ou tório sob a forma de
metal, liga, composto químico ou concentrado e qualquer outro
material que contenha um ou mais dos elementos anteriores.
Nota: 0C001 não abrange os seguintes elementos:
a. Quantidades iguais ou inferiores a quatro gramas de
"urânio natural" ou "urânio empobrecido", quando
contidas num componente sensor de um instrumento;
b. "Urânio empobrecido" especialmente fabricado para
as seguintes aplicações civis não nucleares:
1. Blindagem;
2. Embalagem;
3. Lastro com massa igual ou inferior a 100 Kg;
4. Contrapesoscommassaigualouinferiora100Kg;
c. Ligas com menos de 5 % de tório;
d. Produtos cerâmicos que contenham tório, fabricados
para usos não nucleares.
0C002 "Materiais cindíveis especiais".
Nota: 0C002 não abrange quantidades iguais ou inferiores a
quatro "gramas efectivos", quando contidas num compo-
nente sensor de um instrumento.
0C003 Deutério, água pesada (óxido de deutério) e outros compostos de
deutério, e misturas e soluções que contenham deutério, em que a
relação isotópica entre o deutério e o hidrogénio exceda 1:5 000.
0C004 Grafite, de qualidade nuclear, com um grau de pureza inferior a
5 partes por milhão de equivalente de boro e com uma densidade
superior a 1,5 g/cm3.
N.B.: VER TAMBÉM IC107
Nota 1: 0C004 não abrange:
a. Produtos manufacturados de grafite de massa
inferior a 1 kg diferentes dos especialmente
concebidos ou preparados para uso num reactor
nuclear;
b. Pó de grafite
Nota 2: Em 0C004, "equivalente de boro" (BE) é definido como
a soma de BEzpara as impurezas (excluindo BEcarbono,
uma vez que o carbono não é considerado uma
impureza) incluindo o boro, em que:
BEz(ppm) = CF × Concentração do elemento Z, em
ppm;
em que CF é o factor de conversão =σZ/C2AB
σB/C2AZe
σBeσZsão as secções eficazes da captura de neutrões
térmicos (em barns), respectivamente para o boro e o
elemento Z, e
ABeAZsão, respectivamente, as massas atómicas do
boro e do elemento Z tal como ocorrem na natureza.
0C005 Outros compostos ou pós especialmente preparados, resistentes à
corrosão pelo UF6(por exemplo, níquel ou ligas que contenham
60 % em massa, ou mais, de níquel, óxido de alumínio ou
polímeros de hidrocarbonetos totalmente fluorados), para fabrico
de barreiras de difusão gasosa, com uma pureza igual ou superior a
99,9 % em massa e uma granulometria média inferior a
10 micrómetros medida de acordo com a norma B330 da
"American Society for Testing and Materials" (ASTM) e com
um elevado grau de uniformidade no tamanho das partículas.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 41
▼M3
0D Suporte lógico
0D001 "Suporte lógico" especialmente concebido ou modificado para o
"desenvolvimento", "produção" ou "utilização" dos produtos
referidos na presente categoria.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 42
▼M3
0E Tecnologia
0E001 "Tecnologia" nos termos da Nota sobre Tecnologia Nuclear para o
"desenvolvimento", "produção" ou "utilização" dos produtos
referidos nesta categoria.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 43
▼M3
CATEGORIA 1
MATERIAIS, PRODUTOS QUÍMICOS, "MICRORGANISMOS" E
"TOXINAS"2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 44
▼M3
1A Equipamentos, conjuntose componentes
1A001 Componentes fabricados a partir de compostos fluorados:
a. Vedantes, juntas ou reservatórios flexíveis de combustível
especialmente concebidos para aplicação aeronáutica ou
espacial e constituídos em mais de 50 % em massa de qualquer
dos materiais referidos em 1C009.b. ou 1C009.c.;
b. Polímeros e copolímeros piezoeléctricos de fluoreto de
vinilideno referidos em 1C009.a:
1. Em forma de folha ou de película; e
2. De espessura superior a 200 µm;
c. Vedantes, juntas, sedes de válvula, reservatórios flexíveis ou
diafragmas fabricados com fluoroelastómeros com pelo menos
um grupo de viniléter como elemento constituinte, especial-
mente concebidos para aplicação "aeronáutica", espacial ou em
"mísseis".
Nota: Em 1A001.c, entende-se por "mísseis" os sistemas de
foguetes completos e os veículos aéreos não tripu-
lados.
1A002 Estruturas ou laminados "compósitos" com qualquer das seguintes
características:
N.B.: VER TAMBÉM 1A202, 9A010 E 9A110.
a. Uma "matriz" orgânica e fabricados com os materiais referidos
em 1C010.c., d. ou e.; ou
b. Uma "matriz" metálica ou de carbono e fabricados com:
1. "Materiais fibrosos ou filamentosos" de carbono com:
a. "Módulo de elasticidade específico" superior a
10,15 × 106m;e
b. "Resistência específica à tracção" superior a 17,7 × 104m:
ou
2. Os materiais referidos em 1C010.c.
Nota 1: 1A002 não abrange as estruturas ou laminados
compósitos fabricados com "materiais fibrosos ou
filamentosos" de carbono impregnados de resinas
epoxídicas destinados à reparação de estruturas ou
laminados de aeronaves, desde que não excedam 1 m2.
Nota 2: 1A002 não abrange os artigos acabados ou semi-
-acabadosespecialmenteconcebidosparaaplicaçõesde
carácter puramente civil, como:
a. Artigos desportivos;
b. Indústria automóvel;
c. Indústria das máquinas-ferramentas
d. Aplicações médicas.
1A003 Produtos fabricados com os polímeros não fluorados referidos em
1C008.a.3, sob a forma de película, folha, banda ou fita, com uma
das seguintes características:
a. Espessura superior a 0,254 mm; ou
b. Revestidos ou laminados com carbono, grafite, metais ou
substâncias magnéticas.
Nota: 1A003 não abrange os produtos revestidos ou laminados
com cobre destinados à produção de placas de circuitos
impressos electrónicos.
1A004 Equipamento de protecção e detecção e seus componentes, com
excepção dos especificados na "Lista de Material de Guerra",
como se segue:
N.B. VER TAMBÉM 2B351 E 2B352
a. Máscaras anti-gás, filtros e equipamento para a sua desconta-
minação, concebidos ou modificados para defesa contra agentes
biológicos ou materiais radioactivos "adaptados para fins
militares" ou contra agentes utilizados na guerra química
(CW), e componentes especialmente concebidos para os
mesmos;2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 45
▼M3
b. Fatos, luvas e calçado de protecção especialmente concebidos
ou modificados para defesa contra agentes biológicos ou
materiais radioactivos "adaptados para fins militares" ou contra
agentes utilizados na guerra química (CW);
c. Sistemas de detecção nuclear, biológica e química (NBC)
especialmente concebidos ou modificados para a detecção ou
identificação de agentes biológicos ou materiais radioactivos
"adaptados para fins militares" ou de agentes utilizados na
guerra química (CW), e componentes especialmente conce-
bidos para esses sistemas.
Nota: 1A004 não abrange:
a. Dosímetros pessoais de controlo de radiações;
b. Equipamento limitado, por projecto ou função, a
proteger contra riscos específicos das indústrias civis,
como a mineração, a exploração de pedreiras, a
agricultura, a indústria farmacêutica, a medicina, a
veterinária, a protecção do ambiente, a gestão de
resíduos ou a indústria alimentar.
1A005 Fatos blindados e componentes especialmente concebidos para os
mesmos com excepção dos fabricados de acordo com normas ou
especificações militares ou com um desempenho equivalente.
N.B. VER TAMBÉM A LISTA DE MATERIAL DE
GUERRA.
Nota 1: 1A005 não abrange os fatos blindados de protecção
individual e os respectivos acessórios quando acompa-
nhem o seu utilizador para efeitos de protecção
pessoal.
Nota 2: 1A005 não abrange os fatos blindados concebidos para
assegurar a protecção frontal apenas contra estilhaços
e explosões provocadas por dispositivos não militares.
1A102 Componentes de carbono-carbono pirolizado ressaturado, conce-
bidos para os veículos lançadores espaciais referidos em 9A004 ou
para os foguetes-sonda referidos em 9A104.
1A202 Estruturas compósitas, excepto as referidas em 1A002.a, na forma
de tubos e com ambas as seguintes características;
N.B.: VER TAMBÉM 9A010 E 9A110.
a. Diâmetro interior compreendido entre 75 mm e 400 mm; e
b. Fabricadas com os "materiais fibrosos ou filamentosos"
referidos em 1C010.a. ou b. ou 1C210.a ou com materiais de
carbono pré-impregnados referidos em 1C210.c.
1A225 Catalisadores platinados especialmente concebidos ou preparados
para promover a reacção de permuta isotópica do hidrogénio entre
o hidrogénio e a água, para a recuperação de trítio da água pesada
ou para a produção de água pesada.
1A226 Enchimentos especiais que possam ser utilizados na separação de
água pesada da água natural e que tenham ambas as seguintes
características:
a. Serem constituídos por malhas de bronze fosforoso ou de cobre
(ambos tratados quimicamente para melhorar a molhabilidade);
e
b. Estarem concebidos para ser utilizados em colunas de
destilação de vácuo.
1A227 Janelas de protecção contra radiações de grande densidade (vidro
de chumbo ou outro), com todas as seguintes características:
a. "Zona fria" de dimensão superior a 0,09 m2;
b. Densidade superior a 3 g/cm3;e
c. Espessura igual ou superior a 100 mm,
e caixilhos especialmente concebidos para essas janelas.
Nota técnica:
Em 1A227, entende-se por "zona fria" a zona de observação da
janela exposta ao menor nível de radiações no caso da aplicação
de projecto.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 46
▼M3
1BEquipamentosde ensaio, de inspecção e de produção
1B001 Equipamentos para a produção de fibras, de pré-impregnados, de
pré-formas ou de materiais "compósitos" referidos em 1A002 ou
1C010 e componentes e acessórios especialmente concebidos para
esses equipamentos:
N.B.: VER TAMBÉM 1B101 E 1B201.
a. Máquinas de bobinar filamentos em que os movimentos de
posicionamento, enrolamento e bobinagem das fibras sejam
coordenados e programados em três ou mais eixos, especial-
mente concebidas para o fabrico de estruturas ou laminados
"compósitos" a partir de "materiais fibrosos ou filamentosos".
b. Máquinas para a colocação de bandas ou de cabos de fibras
(tows) em que os movimentos de posicionamento e colocação
das bandas, cabos de fibras ( tows) ou folhas sejam coordenados
e programados em dois ou mais eixos, especialmente
concebidas para o fabrico de estruturas "compósitas" de células
ou mísseis.
Nota: Em 1B001.b, entende-se por "mísseis" os sistemas de
foguetes completos e os veículos aéreos não tripu-lados.
c. Máquinas de tecer multidireccionais e multidimensionais ou
máquinas de entrelaçar, incluindo adaptadores e conjuntos de
modificação, para tecer, entrelaçar ou entrançar fibras desti-
nadas ao fabrico de estruturas "compósitas";
Nota: 1B001.c não abrange a maquinaria têxtil não
modificada para as utilizações finais acima referidas;
d. Equipamentos especialmente concebidos ou adaptados para o
fabrico de fibras de reforço:
1. Equipamentos para a conversão de fibras poliméricas (por
exemplo, poliacrilonitrilo, rayon, breu ou policarbossilano)
em fibras de carbono ou de carboneto de silício, incluindo
equipamentos especiais para a estiragem das fibras durante o
aquecimento;
2. Equipamentos para a deposição química de vapores de
elementos ou de compostos em substratos filamentosos
aquecidos, para o fabrico de fibras de carboneto de silício;
3. Equipamentos para a extrusão húmida de materiais cerâ-
micos refractários (por exemplo, óxido de alumínio);
4. Equipamentos para a conversão de fibras precursoras com
alumínio em fibras de alumina, por tratamento térmico;
e. Equipamentos para a produção dos pré-impregnados referidos
em 1C010.e. pelo método da fusão a quente;
f. Equipamentos para a inspecção não destrutiva de defeitos a três
dimensões por tomografia ultra-sónica ou a raios-X, especial-
mente concebidos para materiais "compósitos".
1B002 Equipamento para a produção das ligas metálicas, pós de ligas
metálicas ou materiais ligados especialmente concebidos para
evitar a contaminação e para utilização num dos processos
referidos em 1C002.c.2.
N.B.: VER TAMBÉM 1B102.
1B003 Ferramentas, cunhos, matrizes, moldes ou acessórios, para
"enformação superplástica" ou "soldadura por difusão" de titânio,
alumínio ou ligas destes metais, especialmente concebidos para o
fabrico de:
a. Células ou estruturas aeroespaciais;
b. Motores aeronáuticos ou aeroespaciais; ou
c. Componentes especialmente concebidos para essas estruturas
ou motores.
1B101 Equipamentos, excepto os referidos em 1B001, para a "produção"
de materiais compósitos estruturais, bem como componentes e
acessórios especialmente concebidos para esses equipamentos:
N.B.: VER TAMBÉM 1B201.
Nota: Os componentes e acessórios referidos em 1B101
compreendem moldes, mandris, cunhos, matrizes, dispo-
sitivos fixos e ferramentas para a compressão, cura,2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 47
▼M3
vazamento, sinterização ou soldadura de pré-formas de
estruturas e laminados compósitos e respectivos
produtos.
a. Máquinas de bobinar filamentos em que os movimentos de
posicionamento, enrolamento e bobinagem das fibras possam
ser coordenados e programados em três ou mais eixos,
concebidas para o fabrico de estruturas ou laminados
compósitos a partir de materiais fibrosos e filamentosos, bem
como os respectivos comandos de coordenação e de progra-
mação;
b. Máquinas para a colocação de bandas em que os movimentos
de posicionamento e colocação das bandas e folhas possam ser
coordenados e programados em dois ou mais eixos, concebidas
para o fabrico de estruturas compósitas de células e "mísseis";
c. Equipamentos concebidos ou modificados para a "produção" de
"materiais fibrosos ou filamentosos":
1. Equipamentos para a conversão de fibras poliméricas (por
exemplo, poliacrilonitrilo, rayonou policarbossilano),
incluindo equipamentos especiais para a estiragem das
fibras durante o aquecimento;
2. Equipamentos para a deposição de vapores de elementos ou
de compostos em substratos filamentosos aquecidos;
3. Equipamentos para a extrusão húmida de materiais cerâ-
micos refractários (por exemplo, óxido de alumínio);
d. Equipamentos concebidos ou modificados para tratamentos
especiais da superfície de fibras ou para a produção dos pré-
-impregnados e pré-formas referidos em 9C110.
Nota: 1B101.d abrange cilindros, estiradores, equipamentos
de revestimento, equipamentos de corte e "clicker
dies".
1B102 "Equipamento de produção" de pós metálicos, salvo o referido em
1B002, e respectivos componentes, designadamente:
N.B.: VER TAMBÉM 1B115.b.
a. "Equipamento de produção" de pós metálicos utilizável para a
"produção", em ambiente controlado, dos materiais esferulados
ou atomizados referidos em 1C011.a, 1C011.b, 1C111.a.1,
1C111.a.2 ou na Lista de Material de Guerra.
b. Componentes especialmente concebidos para o equipamento de
produção referido em 1B002 ou 1B102.a.
Nota: 1B102 abrange:
a. Geradores de plasma (jacto de arco eléctrico de alta
frequência) utilizáveis para a obtenção de pós
metálicos esferulados ou atomizados, com organi-
zação do processo em ambiente árgon-água;
b. Equipamento de electro-explosão utilizável para a
obtenção de pós metálicos esferulados ou atomizados,
com organização do processo em ambiente árgon-
-água;
c. Equipamento utilizável para a "produção" de pó de
alumínio esferulado por pulverização de massafundida em atmosfera inerte (por exemplo, azoto).
1B115 Equipamentos, salvo os referidos em 1B002 ou 1B102, para a
produção de propulsantes e elementos constituintes de propul-
santes, e componentes especialmente concebidos para esses
equipamentos, designadamente:
a. "Equipamento de produção" para a "produção", manuseamento
ou ensaio de recepção dos propulsantes ou componentes de
propulsantes líquidos referidos em 1C011.a, 1C011.b, 1C111
ou na Lista de Material de Guerra;
b. "Equipamento de produção", para a "produção", manusea-
mento, mistura, cura, vazamento, compressão, maquinagem,
extrusão ou ensaio dos propulsantes ou componentes de
propulsantes sólidos referidos em 1C011.a, 1C011.b, 1C111
ou na Lista de Material de Guerra.
Nota: 1B115.b não abrange os misturadores descontínuos,
os misturadores contínuos nem os moinhos de jacto de2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 48
▼M3
fluido. Para estes equipamentos, ver 1B117, 1B118 e
1B119.
Nota 1: No que se refere ao equipamento especialmente
concebido para a produção de material de guerra,
ver a Lista de Material de Guerra.
Nota 2: 1B115 não abrange o equipamento para a "produção",
manuseamento e ensaio de carboneto de boro.
1B116 Tubeiras especialmente concebidas para a produção de materiais
por processos pirolíticos, formados em moldes, mandris ou outros
substratos, a partir de gases precursores que se decomponham
entre 1 573 K (1 300 ºC) e 3 173 K (2 900 ºC), sob pressões de
130 Pa a 20 kPa.
1B117 Misturadores descontínuos com capacidade para efectuar misturas
sob vácuo entre 0 e 13,326 kPa e dotados de controlo da
temperatura da câmara de mistura, com todas as características a
seguir indicadas, e componentes especialmente concebidos para os
mesmos:
a. Capacidade volumétrica total igual ou superior a 110 litros; e
b. Pelo menos uma pá misturadora/malaxadora excêntrica.
1B118 Misturadores contínuos com capacidade para efectuar misturas sob
vácuo entre 0 e 13,326 kPa e dotados de controlo da temperatura
da câmara de mistura, com todas as características a seguir
indicadas, e componentes especialmente concebidos para os
mesmos:
a. Duas ou mais pás misturadoras/malaxadoras; e
b. Possibilidade de abertura da câmara misturadora.
1B119 Moinhos de jacto de fluido utilizáveis para moer ou triturar
substâncias referidas em 1C011.a, 1C011.b, 1C111 ou na Lista de
Material de Guerra, e componentes especialmente concebidos para
os mesmos.
1B201 Máquinas de bobinar filamentos, excepto as referidas em 1B001
ou 1B101, e equipamento conexo:
a. Máquinas de bobinar filamentos com todas as seguintes
características:
1. Movimentos de posicionamento, enrolamento e bobinagem
das fibras coordenados e programados em dois ou mais
eixos;
2. Especialmente concebidas para o fabrico de estruturas ou
laminados compósitos a partir de "materiais fibrosos ou
filamentosos"; e
3. Com capacidade para bobinar rotores cilíndricos de diâmetro
compreendido entre 75 mm e 400 mm e comprimento igual
ou superior a 600 mm;
b. Comandos de coordenação e programação para as máquinas de
bobinar filamentos referidas em 1B201.a;
c. Mandris de precisão para as máquinas de bobinar filamentos
referidas em 1B201.a.
1B225 Células electrolíticas para a produção de flúor com uma
capacidade de produção superior a 250 g de flúor por hora.
1B226 Separadores electromagnéticos de isótopos concebidos para ou
equipados com fontes de iões simples ou múltiplas, capazes de
produzir um feixe iónico de intensidade de corrente total igual ou
superior a 50 mA.
Nota: 1B226abrange os separadores:
a. Capazes de enriquecer isótopos estáveis;
b. Cujas fontes de iões e colectores se situem no interior
do campo magnético, bem como as configurações em
que estes sejam exteriores ao campo.
1B227 Convertidores para a síntese do amoníaco ou unidades para a
síntese do amoníaco nas quais o gás de síntese (azoto e hidrogénio)
sai de uma coluna de permuta de amoníaco/hidrogénio de alta
pressão e o amoníaco sintetizado é reintroduzido na coluna.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 49
▼M3
1B228 Colunas de destilação criogénica do hidrogénio com todas as
seguintes características:
a. Concebidas para funcionamento a temperaturas interiores iguais
ou inferiores a 35 K (− 238 ºC);
b. Concebidas para funcionamento a pressões interiores
compreendidas entre 0,5 e 5 MPa;
c. Construídas
1. Quer em aço inoxidável austenítico de grão fino da série 300
com baixo teor de enxofre e com uma granulometria ASTM
(ou equivalente) igual ou superior a 5;
2. Quer em materiais equivalentes que sejam simultaneamente
criogénicos e compatíveis com o H2;e
d. De diâmetro interior igual ou superior a 1 m e altura efectiva
igual ou superior a 5 m.
1B229 Colunas de pratos de permuta de água-sulfureto de hidrogénio e
contactores internos:
N.B.: No que se refere às colunas especialmente concebidas ou
preparadas para a produção de água pesada, ver 0B004.
a. Colunas de pratos de permuta de água-ácido sulfídrico com
todas as seguintes características:
1. Capazes de funcionar a pressões iguais ou superiores a
2 MPa;
2. Construídas em aço ao carbono austenítico de grão fino, com
uma granulometria ASTM (ou equivalente) igual ou superior
a5 ;e
3. De diâmetro igual ou superior a 1,8 m;
b. "Contactores internos" para as colunas de pratos de permuta de
água-ácido sulfídrico referidas em 1B229.a.
Nota técnica:
Os "contactores internos" das colunas são pratos segmentados
dediâmetroefectivo, apósmontagem,igualousuperiora1,8m,
concebidos para facilitar o contacto em contra-corrente e
construídos de aço inoxidável com um teor de carbono igual ou
inferior a 0,03 %. Podem ser pratos perfurados, pratos de
válvulas, pratos de campânulas ou pratos de grelha ("Turbo-
grid").
1B230 Bombas capazes de garantir a circulação de soluções concentradas
ou diluídas do catalisador amida de potássio em amoníaco líquido
(KNH2/NH3), com todas as seguintes características:
a. Estanques ao ar (isto é, hermeticamente fechadas);
b. Capacidade superior a 8,5 m3/h;e
c. Uma das seguintes características:
1. Para soluções concentradas de amida de potássio (1 % ou
mais), pressão de serviço de 1,5 a 60 MPa; ou
2. Para soluções diluídas de amida de potássio (menos de 1 %),
pressão de serviço de 20 a 60 MPa.
1B231 Instalações para trítio e equipamento a elas destinado:
a. Instalações para a produção, recuperação, extracção, concen-
tração ou manuseamento de trítio.
b. Equipamento para instalações de trítio:
1. Unidades de refrigeração a hidrogénio ou hélio capazes de
arrefecer até temperaturas iguais ou inferiores a 23 K (−
250 ºC), com capacidade de refrigeração superior a 150 W;
2. Sistemas de armazenagem ou de purificação de isótopos de
hidrogénio que utilizem hidretos metálicos como meio de
armazenagem ou de purificação.
1B232 Turboexpansores ou conjuntos turboexpansor-compressor com
ambas as seguintes características:
a. Concebidos para funcionamento com uma temperatura de saída
igual ou inferior a 35 K (− 238 ºC); e2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 50
▼M3
b. Concebidos para um caudal de hidrogénio gasoso igual ou
superior a 1 000 kg/h.
1B233 Instalações para a separação de isótopos de lítio e equipamento a
elas destinado:
a. Instalações para a separação de isótopos de lítio;
b. Equipamento para a separação de isótopos de lítio, designada-
mente:
1. Colunas de permuta líquido-líquido com enchimento
compacto especialmente concebidas para amálgamas de
lítio;
2. Bombas de amálgama de mercúrio ou de lítio;
3. Células de electrólise da amálgama de lítio;4. Evaporadores para soluções de hidróxido de lítio concen-
tradas.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 51
▼M3
1C Materiais
Nota técnica:
Metais e ligas:
Salvo disposição em contrário, os termos "metais" e "ligas" em
1C001 a 1C012 abrangem formas em bruto e semi-acabadas,
designadamente:
Formas em bruto:Ânodos, esferas, barras (incluindo barras entalhadas e barras
para arame), biletes, blocos, "blooms", "brickets", "cakes",
cátodos, cristais, cubos, dados, grãos, grânulos, lingotes,
linguados, pellets, salmões, pó, "rondelles", grenalha, "brames",
esponja, varas;
Formas semimanufacturadas (revestidas, chapeadas, perfuradas
ou não):
a. Materiais forjados ou manufacturados obtidos por laminagem,
estiramento, extrusão, forjamento, extrusão por impacto,
prensagem, granulação, atomização e trituração isto é:
cantoneiras, Us, bolachas, discos, pó, palhetas, folhas, peças
forjadas, chapas, peças prensadas e estampadas, fitas, anéis,
varetas (incluindo eléctrodos de soldadura não revestidos, fio-
-máquinaearamelaminado),perfis,placas,arco,canosetubos
(incluindo tubos de secção redonda, quadrada e barras ocas),
arame obtido por estiramento ou extrusão;
b. Material moldado produzido por vazamento em moldes de
areia, metal, gesso ou outros, incluindo peças moldadas a alta
pressão, formas sinterizadas, e formas obtidas por metalurgia à
base de pó.
O objectivo dos controlos não deve ser contrariado pela
exportação de formas não incluídas na lista declaradas como
produtos acabados mas que são na realidade formas em bruto ou
semimanufacturadas.
1C001 Materiais especialmente concebidos para absorver ondas electro-
magnéticas ou polímeros intrinsecamente condutores:
N.B.: VER TAMBÉM 1C101.
a. Materiais para absorção de frequências superiores a 2 × 10
8Hz,
mas inferiores a 3 × 1012Hz;
Nota 1: 1C001.a. não abrange:
a. Absorventes de tipo capilar, constituídos por
fibras naturais ou sintéticas, com carga não
magnética para permitir a absorção;
b. Absorventes sem perda magnética com superfície
incidente não plana, compreendendo pirâmides,
cones, prismas e superfícies curvas:
c. Absorventes planos com todas as seguintes
características:
1. Fabricados com:
a. Espumas plásticas (flexíveis ou não flexí-
veis) com carga de carbono, ou materiais
orgânicos, incluindo ligantes, que
produzam um eco superior a 5 %, relati-
vamente aos metais, numa banda de
frequências de largura superior a ± 15 %,
da frequência central da energia incidente,
e que sejam incapazes de resistir a
temperaturas superiores a 450 K (177 ºC);
ou
b. Materiais cerâmicos que produzam um eco
superior a 20 %, relativamente aos metais,
numa banda de frequências de largura
superior a ± 15 % da frequência central
da energia incidente, e que sejam inca-
pazes de resistir a temperaturas superiores
a 800 K (527 ºC);2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 52
▼M3
Nota técnica:
As amostras para os ensaios de absorção
respeitantes ao ponto 1C001.a., Nota 1.C.1,
devem ter a forma de um quadrado de lado
igual ou superior a 5 vezes o comprimento de
onda da frequência central e situado no
campo afastado da fonte radiante.
2. Resistência à tracção inferior a 7 × 106N/m2;
e
3. Resistênciaàcompressãoinferiora14×106N/
/m2;
d. Absorventes planos fabricados em ferrite sinte-
rizada:
1. De densidade superior a 4,4: e
2. Com uma temperatura máxima de funciona-
mento de 548 K (275 ºC);
Nota 2: Nada na nota 1 relativa a 1C001.a isenta os
materiais magnéticos de garantir a absorção
quando contidos em tintas.
b. Materiais para a absorção de frequências superiores a
1,5 × 1014Hz, mas inferiores a 3,7 × 1014Hz, e não
transparentes à luz visível;
c. Materiais poliméricos intrinsecamente condutores, de conduti-
vidade eléctrica global superior a 10 000 S/m (Siemens por
metro) ou resistividade superficial inferior a 100 ohms/m2,à
base de qualquer dos seguintes polímeros:
1. Polianilina;
2. Polipirrol;
3. Politiofeno;
4. Poli(fenileno-vinileno); ou
5. Poli(tienileno-vinileno).
Nota técnica:
A "condutividade eléctrica global" e a "resistividade superfi-
cial" devem serdeterminadas de acordo coma normaASTM D-
-257 ou com uma norma nacional equivalente.
1C002 Ligas metálicas, pós de ligas metálicas ou materiais ligados:
N.B.: VER TAMBÉM 1C202.
Nota: 1C002 não abrange as ligas metálicas, os pós de ligas
metálicas e os materiais ligados para o revestimento de
substratos.
Notas técnicas:
1. As ligas metálicas abrangidas por 1C002.a são ligas com uma
percentagem mássica do metal indicado maior do que a de
qualquer outro elemento.
2. A resistência à ruptura deve ser medida de acordo com a
norma ASTM E-139 ou com uma norma nacional equivalente.
3. A resistência à fadiga de baixo ciclo deve ser medida de acordo
com a norma ASTM E-606 "Recommended Practice for
Constant-Amplitude Low-Cycle Fatigue Testing" (Método
recomendado para o ensaio à fadiga de baixo ciclo a amplitude
constante) ou com uma norma nacional equivalente. O ensaio
deve ser axial, com uma razão de tensões média igual a 1 e um
coeficiente de concentração de tensões (Kt) igual a 1. A razão
de tensões média define-se como sendo a diferença entre as
tensões máxima e mínima dividida pela tensão máxima.
a. Aluminetos:
1. Aluminetos de níquel com um teor mínimo de alumínio de
15 %, em massa, um teor máximo de alumínio de 38 %, em
massa, e pelo menos um elemento de liga adicional;
2. Aluminetos de titânio com um teor de alumínio igual ou
superior a 10 %, em massa, e pelo menos um elementos de
liga adicional;2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 53
▼M3
b. Ligas metálicas obtidas a partir dos materiais referidas em
1C002.c:
1. Ligas de níquel com:
a. Resistência à ruptura igual ou superior a 10 000 horas, a
923 K (650 ºC) e a una tensão de 676 MPa ou
b. Resistência à fadiga de baixo ciclo igual ou superior a
10 000 ciclos, a 823 K (550 ºC) e a uma tensão máxima
de 1 095 MPa;
2. Ligas de nióbio com:
a. Resistência à ruptura igual ou superior a 10 000 horas, a
1 073 K (800 ºC) e a uma tensão de 400 MPa ou
b. Resistência à fadiga de baixo ciclo igual ou superior a
10 000 ciclos, a 973 K (700 ºC) e a uma tensão máxima
de 700 MPa;
3. Ligas de titânio com:
a. Resistência à ruptura igual ou suprior a 10 000 horas, a
723 K (450 ºC) e uma tensão de 200 MPa; ou
b. Resistência à fadiga de baixo ciclo igual ou superior a
10 000 ciclos, a 723 K (450 ºC) e a uma tensão máxima
de 400 MPa;
4. Ligas de alumínio com una resistência à tracção:
a. Igual ou superior a 240 MPa a 473 K (200 ºC); ou
b. Igual ou superior a 415 MPa a 298 K (25 ºC);
5. Ligas de magnésio com:
a. Resistência à tracção igual ou superior a 345 MPa; e
b. Velocidade de corrosão inferior a 1 mm/ano numa
solução aquosa de cloreto de sódio a 3 %, medida de
acordo com a norma ASTM G-31 ou com uma norma
nacional equivalente;
c. Pós ou partículas de ligas metálicas para o fabrico de materiais,
com todas as seguintes características:
1. Obtidos a partir de qualquer um dos seguintes sistemas
componentes:
Nota técnica:
Nos pontos que se seguem X representa um ou mais
elementos de liga.
a. Ligas de níquel (Ni-Al-X, Ni-X-Al), qualificadas para
peças ou componentes de motores de turbina, ou seja,
com menos de 3 partículas não metálicas (introduzidas
durante o processo de fabrico) de dimensões superiores a
100 µm por 109partículas da liga;
b. Ligas de nióbio (Nb-Al-X ou Nb-X-Al, Nb-Si-X ou Nb-
-X-Si, Nb-Ti-X ou Nb-X-Ti);
c. Ligas de titânio (Ti-Al-X ou Ti-X-Al);
d. Ligas de alumínio (Al-Mg-X ou Al-X-Mg, Al-Zn-X ou
Al-X-Zn, Al-Fe-X ou Al-X-Fe); ou
e. Ligas de magnésio (Mg-Al-X ou Mg-X-Al); e
2. Obtidos, em atmosfera controlada, por qualquer dos
seguintes processos:
a. "Atomização sob vácuo";
b. "Atomização por gás";
c. "Atomização centrífuga";
d. "Solidificação com impacto";
e. "Solidificação em rotação com enregelamento" e "comi-
nuição";
f. "Solidificação em extracção com enregelamento" e
"cominuição"; ou
g. "Obtenção de ligas por meios mecânicos"; e
3. Capazes de formar os materiais referidos em 1C002.a ou
1C002.b.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 54
▼M3
d. Materiais ligados, com todas as seguintes características:
1. Obtidos a partir de qualquer dos sistemas componentes
referidos em 1C002.1.c;
2. Na forma de palhetas, fitas ou varetas delgadas; e3. Obtidos em ambiente controlado por qualquer dos seguintes
métodos:
a. "Solidificação com impacto";
b. "Solidificação em rotação com enregelamento";
ou
c. "Solidificação em extracção com enregelamento".
1C003 Metais magnéticos, de todos os tipos e em todas as formas, com
qualquer das seguintes características:
a. Permeabilidade relativa inicial igual ou superior a 120 000 e
espessura igual ou inferior a 0,05 mm;
Nota técnica:
A permeabilidade inicial deve ser medida em materiais
totalmente recozidos.
b. Ligas magnetoestrictivas com uma das seguintes características:
1. Magnetoestricção de saturação superior a 5 × 10−4;ou
2. Factor de acoplamento magnetomecânico (k) superior a 0,8;
ou
c. Bandas de liga amorfa ou "nanocristalina" com as seguintes
características:
1. No mínimo, 75 %, em massa, de ferro, cobalto ou níquel;
2. Indução magnética de saturação (Bs) igual ou superior a 1,6
T;e
3. Uma das seguintes características:
a. Espessura igual ou inferior a 0,02 mm; ou
b. Resistividade eléctrica igual ou superior a 2 × 10−
4ohm.cm.
Nota técnica:
Por materiais "nanocristalinos", em 1C003.c, entendem-se os
materiais com cristais de granulometria igual ou inferior a
50 nm, determinada por difracção aos raios X.
1C004 Ligas de urânio e titânio ou ligas de tungsténio com "matriz" à
base de ferro, níquel ou cobre, com todas as seguintes
características:
a. Densidade superior a 17,5 g/cm3;
b. Limite de elasticidade superior a 880 MPa;
c. Tensão de ruptura à tracção superior a 1 270 MPa; e
d. Alongamento superior a 8 %.
1C005 Condutores de materiais "compósitos" "supercondutores", com
comprimentos superiores a 100 m ou massa superior a 100 g:
a. Condutores multifilamentares de materiais "compósitos"
"supercondutores" com um ou mais filamentos de nióbio-
-titânio:
1. Integrados numa "matriz" que não seja de cobre ou de uma
mistura à base de cobre; ou
2. Com uma secção transversal de área inferior a 0,28 × 10−
4mm2(6 µm de diâmetro no caso de filamentos de secção
circular);
b. Condutores de materiais "compósitos" "supercondutores",
constituídos por um ou mais filamentos "supercondutores"
que não sejam de nióbio-titânio, com as seguintes caracterís-
ticas:
1. "Temperatura crítica", a indução magnética nula, superior a
9,85 K (− 263,31 ºC), mas inferior a 24 K (− 249,16 ºC);
2. Secção transversal inferior a 0,28 × 10−4mm2;e
3. Que permaneçam no estado "supercondutor" à temperatura
de 4,2 K (− 268,96 ºC), quando expostos a um campo2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 55
▼M3
magnético correspondente a uma indução magnética de 12
T.
1C006 Fluidos e produtos lubrificantes:
a. Fluidos hidráulicos que contenham, como ingredientes princi-
pais, qualquer dos seguintes compostos ou produtos:
1. Óleos de síntese constituídos por hidrocarbonetos silícicos,
com as seguintes características:
Nota técnica:
Para efeitos de 1C006.a.1, os óleos de hidrocarbonetos
silícicos são compostos que contêm apenas silício, hidro-
génio e carbono.
a. Ponto de inflamação superior a 477 K (204 ºC);
b. Ponto de fluidez inferior ou igual a 239 K (− 34 ºC);
c. Índice de viscosidade igual ou superior a 75; e
d. Estabilidade térmica a 616 K (343 ºC); ou
2. Clorofluorocarbonetos com as seguintes características:
Nota técnica:
Para efeitos de 1C006.a.2, os clorofluorocarbonetos são
compostos que contêm apenas carbono, flúor e cloro.
a. Sem ponto de inflamação;
b. Com temperatura de auto-ignição superior a 977 K
(704 ºC);
c. Ponto de fluidez igual ou inferior a 219 K (− 54 ºC);
d. Índice de viscosidade igual ou superior a 80: e
e. Ponto de ebulição igual ou superior a 473 K (200 ºC);
b. Produtos lubrificantes que contenham, como ingredientes
principais, qualquer dos seguintes compostos ou produtos:
1. Éteres ou tioéteres fenilénicos ou alquilfenilénicos, ou suas
misturas que contenham mais de duas funções éter ou
tioéter, ou suas misturas; ou
2. Fluidos de silicone fluorado de viscosidade cinemática
inferior a 5 000 mm2/s (5 000 centistokes), medida a 298 K
(25 ºC);
c. Fluidos de amortecimento ou de flotação com grau de pureza
superior a 99,8 %, com menos de 25 partículas de dimensões
iguais ou superiores a 200 µm por 100 ml e constituídos, em
pelo menos 85 %, por um dos seguintes compostos ou produtos:
1. Dibromotetrafluoroetano;
2. Poli(clorotrifluoroetileno) (apenas nas suas formas oleosas e
cerosas); ou
3. Poli(bromotrifluoroetileno);
d. Fluidos de arrefecimento electrónico de fluorocarbonetos, com
as seguintes características:
1. 85 %, em massa, de qualquer dos seguintes materiais ou suas
misturas:
a. Formas monoméricas de perfluoropolialquiléter-triazinas
ou éteres perfluoroalifáticos;
b. Perfluoroalquilaminas;
c. Perfluorocicloalcanos; ou
d. Perfluoroalcanos;
2. Densidade a 298 K (25 ºC) igual ou superior a 1,5 g/ml;
3. No estado líquido a 273 K (0 ºC); e
4. Com 60 % ou mais, em massa, de flúor.
Nota técnica:
Para efeitos de 1C006:
a. O ponto de inflamação deve ser determinado pelo método
Cleveland em vaso aberto, descrito na norma ASTM D-92, ou
numa norma nacional equivalente.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 56
▼M3
b. O ponto de fluidez deve ser determinado pelo método descrito
na norma ASTM D-97, ou numa norma nacional equivalente.
c. O índice de viscosidade deve ser determinado pelo método
descrito na norma ASTM D-2270, ou numa norma nacional
equivalente.
d. A estabilidade térmica deve ser determinada pelo método
seguinte, ou por métodos nacionais equivalentes:
Colocam-se 20 ml do fluido a ensaiar numa câmara de 46ml
de aço inoxidável 317, onde foi introduzida uma esfera de
12,5 mm de diâmetro (nominal) de cada um dos seguintes
materiais: aço ferramenta M-10, aço 52100 e bronze naval
(60 % Cu, 39 % Zn, 0,75 % Sn).
Purga-se a câmara com azoto, fecha-se hermeticamente à
pressão atmosférica e eleva-se a temperatura a 644 ± 6 K
(371 ± 6ºC); mantém-se esta temperatura durante 6horas. A
amostra considera-se termicamente estável se, no final do
processo acima descrito, forem satisfeitas todas as condições a
seguir enumeradas:
1. Perda de massa de cada esfera inferior a 10 mg/mm2de
superfície da esfera;
2. Variação da viscosidade inicial, determinada a 311 K
(38 ºC), inferior a 25 %; e
3. Índice de acidez total ou índice de alcalinidade total inferior
a 0,40;
e. A temperatura de auto-ignição deve ser determinada pelo
método descrito na norma ASTM E-659, ou numa norma
nacional equivalente.
1C007 Materiais cerâmicos de base, materiais cerâmicos não "compó-
sitos", materiais "compósitos" de "matriz" cerâmica e materiais
precursores:
N.B.: VER TAMBÉM 1C107
a. Materiais de base constituídos por boretos de titânio simples ou
complexos, com um total de impurezas metálicas, excluindo
aditivos intencionalmente incorporados, inferior a 5 000 ppm,
com uma granulometria média das partículas igual ou inferior a
5 µm e com não mais de 10 % de partículas de dimensão
superior a 10 µm;
b. Materiais cerâmicos não "compósitos" constituídos por boretos
de titânio, em bruto ou em semi-produtos, de densidade igual
ou superior a 98 % do valor teórico;
Nota: 1C007.b não abrange os abrasivos;
c. Materiais "compósitos" cerâmicos-cerâmicos com "matriz" de
vidro ou de óxidos, reforçados com fibras com todas as
seguintes características:
1. Obtidos a partir de qualquer dos seguintes materiais:
a. Si-N;
b. Si-C;
c. Si-Al-O-N; ou
d. Si-O-N; e
2. Com uma resistência específica à tracção superior a
12,7 × 103m;
d. Materiais "compósitos" cerâmicos-cerâmicos com ou sem uma
fase metálica contínua e com partículas ou fases finamente
dispersas de qualquer material fibroso ou na forma de cristais
capilares ( whiskers ), em que a "matriz" seja constituída por
carbonetos ou nitretos de silício, de zircónio ou de boro;
e. Materiais precursores (isto é, materiais poliméricos ou metalo-
-orgânicos para fins especiais) para a produção de qualquer das
fases dos materiais referidos em 1C007.c.:
1. Polidiorganossilanos (para a produção de carboneto de
silício);
2. Polissilazanos (para a produção de nitreto de silício);3. Policarbossilazanos (para a produção de materiais cerâmicos
com compostos de silício, de carbono e de azoto).2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 57
▼M3
f. Materiais "compósitos" cerâmicos-cerâmicos com "matriz" de
vidro ou de óxidos, reforçados com fibras de qualquer dos
seguintes sistemas:
1. Al2O3;ou
2. Si-C-N.
Nota: 1C007.f não abrange "compósitos" que contenham
fibras destes sistemas com uma resistência à tracção
inferior a 700 MPa a 1273 K (1 000 ºC) ou com uma
resistência à fluência superior a 1 % de deformação à
fluência sob uma solicitação de 100 MPa a 1 273 K
(1 000 ºC) durante 100 horas.
1C008 Polímeros não fluorados:
a. 1. Bismaleimidas;
2. Poliamidimidas aromáticas;3. Poliimidas aromáticas;4. Polieterimidas aromáticas com temperaturas de transição
vítrea (T
g) superiores a 513 K (240 ºC), medidas pelo
método de via seca descrito na ASTM D 3418;
Nota: 1C008.a. não abrange os pós não fusíveis para
moldagem por compressão, nem as formas moldadas.
b. Copolímeros de cristais líquidos termoplásticos com uma
temperatura de deformação térmica superior a 523 K (250 ºC),
medida de acordo com a norma ASTM D-648, método A, ou
com uma norma nacional equivalente, para uma carga de
1,82 N/mm2, constituídos por:
1. Uma das seguintes substâncias:
a. Fenileno, bifenileno ou naftaleno; ou
b. Derivados metilados, t-butilados ou fenilados de fenileno,
bifenileno ou naftaleno; e
2. Um dos seguintes ácidos:
a. Ácido tereftálico;
b. Ácido 6-hidroxi-2-naftóico; ou
c. Ácido 4-hidroxibenzóico;
c. Polímeros do tipo poli(arileno-éter-cetona):
1. Poli(éter-éter-cetona) (PEEK);
2. Poli(éter-cetona-cetona) (PEKK);
3. Poli(éter-cetona) (PEK);
4. Poli(éter-cetona-éter-cetona-cetona) (PEKEKK);
d. Polímeros do tipo poli(arileno-cetona);
e. Poli(sulfuretos de arileno) em que o grupo arileno seja
bifenileno, trifenileno ou uma combinação destes grupos;
f. Poli(bifenilenoetersulfona).
Nota técnica:
A temperatura de transição vítrea (Tg) para os materiais referidos
em 1C008 determina-se pelo método de via seca descrito na
norma ASTM D 3418.
1C009 Compostos fluorados não tratados:
a. Copolímeros de fluoreto de vinilideno com 75 % ou mais de
estrutura cristalina beta, sem estiramento;
b. Poliimidas fluoradas com 10 % em massa, ou mais, de flúor
combinado;
c. Elastómeros de fosfazenos fluorados com 30 % em massa, ou
mais, de flúor combinado.
1C010 "Materiais fibrosos ou filamentosos" que possam ser utilizados em
estruturas ou laminados "compósitos" de "matriz" orgânica,
metálica ou de carbono:
N.B.: VER TAMBÉM 1C210.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 58
▼M3
a. "Materiais fibrosos ou filamentosos" orgânicos com:
1. "Módulo de elasticidade específico" superior a 12,7 × 106m;
e
2. "Resistência específica à tracção" superior a 23,5 × 104m;
Nota: O ponto 1C010.a não abrange o polietileno.
b. "Materiais fibrosos ou filamentosos" de carbono com:
1. "Módulo de elasticidade específico" superior a 12,7 × 106m;
e
2. "Resistência específica à tracção" superior a 23,5 × 104m;
Nota: 1C010.b. não abrange os tecidos fabricados com
"materiais fibrosos ou filamentosos" destinados à
reparação de estruturas ou laminados de aeronaves
cujas folhas não excedam 50 cm × 90 cm.
Nota técnica:
As propriedades dosmateriais referidos em 1C010.b.devem ser
determinadas pelos métodos SRM 12 a 17 recomendados pela
SACMA (Suppliers of Advance Composite Materials Associa-
tion), ou por métodos nacionais de ensaio de cabos de fibras
(tows) equivalentes, como os previstos na norma industrial
japonesa JIS-R-7601 (ponto 6.6.2.), e devem basear-se na
média dos lotes.
c. "Materiais fibrosos ou filamentosos" inorgânicos com:
1. "Módulo de elasticidade específico" superior a 2,54 × 106m;
e
2. Ponto de fusão, de decomposição ou de sublimação em
ambiente inerte superior a 1 922 K (1 649 ºC):
Nota: 1C010.c. não abrange:
1. Fibras policristalinas, multifásicas e descontínuas
de alumina sob a forma de fibras cortadas ou de
emaranhados irregulares com teor, em massa, de
sílica igual ou superior a 3 % e "módulo de
elasticidade específico" inferior a 10 × 106m;
2. Fibras de molibdénio e de ligas de molibdénio;
3. Fibras de boro;
4. Fibras cerâmicas descontínuas com ponto de
fusão, de decomposição ou de sublimação em
ambiente inerte inferior a 2 043 K (1 770 ºC).
d. "Materiais fibrosos ou filamentosos":
1. Constituídos por:
a. Polieterimidas referidas em 1C008.a.; ou
b. Materiais referidos em 1C008.b. a f.; ou
2. Constituídos pelos materiais referidos em 1C010.d.1.a. ou
1C010.d.1.b. e "misturados" com outras fibras, referidas em
1CO10.a., b. ou c.;
e. Fibras impregnadas de resinas ou de breu (pré-impregnados),
fibras revestidas de metal ou de carbono (pré-formas) ou pré-
-formas de fibras de carbono:
1. Fabricadas com os "materiais fibrosos ou filamentosos"
referidos em 1C010.a., b. ou c.;
2. Fabricadas com "materiais fibrosos ou filamentosos"
orgânicos ou de carbono com as seguintes características:
a. "Resistência específica à tracção" superior a 17,7 × 104m;
b. "Módulo de elasticidade específico" superior a
10,15 × 106m;
c. Não abrangidos por 1C010.a. ou b.; e
d. Quando impregnadas com materiais referidos em 1C008
ou 1C009.b., com temperaturas de transição vítrea (Tg)
superiores a 383 K (110 ºC), ou com resinas fenólicas ou
epoxídicas, com temperaturas de transição vítrea (Tg)
superiores a 418 K (145 ºC).2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 59
▼M3
Notas: 1C010.e. não abrange
a. "Materiais fibrosos ou filamentosos" de carbono
impregnados em matrizes de resina epoxídica
(préimpregnados), destinados à reparação de
estruturas ou laminados de aeronaves, desde
que cada folha de pré-impregnado não exceda
50 cm × 90 cm;
b. Pré-impregnados, quando impregnados com
resinas fenólicas ou epoxídicas com uma tempe-
ratura de transição vítrea (Tg) inferior a 433 K
(160 ºC) e uma temperatura de cura inferior à
temperatura de transição vítrea.
Nota técnica:
A temperatura de transição vítrea (Tg) para os materiais
referidos em 1C010.e determina-se pelo método de via seca
descrito na norma ASTM D 3418. A temperatura de transição
vítrea para as resinas fenólicas e epoxídicas determina-se pelo
método de via seca descrito na normaASTM D4065, utilizando
uma frequência de 1 Hz e uma velocidade de aquecimento de
2 K (ºC) por minuto.
1C011 Metais e compostos a seguir enumerados:
N.B.: VER TAMBÉM A LISTA DE MATERIAL DE
GUERRA E 1C111.
a. Metais em partículas de granulometria inferior 60 µm, esféricas,
atomizadas, esferoidais, em palhetas ou moídas, fabricados a
partir de material constituído por 99 % ou mais de zircónio,
magnésio ou ligas destes metais;
Nota técnica:
O teor natural de háfnio no zircónio (normalmente 2 % a 7 %)
conta como zircónio.
Nota: Os metais ou ligas enumerados em 1C011.a são
sempre controlados, quer se encontrem ou não
encapsulados em alumínio, magnésio, zircónio ou
berílio.
b. Boro ou carboneto de boro com um grau de pureza igual ou
superior a 85 % e uma granulometria igual ou inferior a 60 µm
Nota: Os metais ou ligas enumerados em 1C011.b são
sempre controlados, quer se encontrem ou não
encapsulados em alumínio, magnésio, zircónio ou
berílio.
c. Nitrato de guanidina;
d. Nitroguanidina (NQ) CAS 556-88-7).
1C012 Materiais a seguir enumerados:
Nota técnica:
Estes materiais são normalmente utilizados para fontes de calor
nucleares.
a. Plutónio sob qualquer forma, com um teor do isótopo plutónio-
-238 superior a 50 % em massa;
Nota: 1C012.a não abrange:
a. Exportações com um teor de plutónio igual ou
inferior a 1g;
b. Exportações de 3 "gramas efectivos" ou menos,
quando contidas em elementos sensores de instru-
mentos.
b. Neptúnio-237 "previamente separado", sob qualquer forma.
Nota: 1C012.b não abrange exportações com um teor de
neptúnio-237 igual ou inferior a 1g.
1C101 Materiais e dispositivos que reduzam parâmetros de detecção,
como a reflectividade ao radar e as assinaturas no ultravioleta/
/infravermelho e acústicas, não referidos em 1C001e utilizáveis em
"mísseis" e respectivos subsistemas.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 60
▼M3
Nota 1: 1C101 abrange:
a. Materiais estruturais e revestimentos especialmente
concebidos para uma reduzida reflectividade ao
radar;
b. Revestimentos, incluindo tintas, especialmente
concebidos para uma reflectividade ou emissividade
reduzida, ou "por medida", nas regiões de micro-
-ondas, infravermelha ou ultravioleta do espectro
electromagnético.
Nota 2: 1C101 não abrange os revestimentos especialmente
utilizados no controlo térmico dos satélites.
1C102 Materiais de carbono-carbono pirolizados ressaturados concebidos
para veículos lançadores espaciais referidos em 9A004 ou para
foguetes-sonda referidos em 9A104.
1C107 Grafite e materiais cerâmicos com excepção dos referidos em
1C007:
a. Grafites recristalizadas de grão fino, a granel, de densidade
aparente igual ou superior a 1,72 g/cm3, medida a 288 K (15 ºC),
e com uma granulometria igual ou inferior a 100 µm, utilizáveis
em tubeiras de "mísseis" e em pontas de ogiva de veículos de
reentrada;
Nota: ver também 0C004
b. Grafites pirolíticas ou reforçadas com fibras utilizáveis em
tubeiras de "mísseis" e nas pontas dos narizes dos veículos de
reentrada;
Nota: ver também 0C004
c. Materiais compósitos cerâmicos (de constante dieléctrica
inferior a 6 a frequências compreendidas entre 100 Hz e
10 000 MHz), utilizáveis em radomes de mísseis;
d. Materiais cerâmicos maquináveis crus, reforçados com carbo-
neto de silício, a granel, utilizáveis em pontas de ogiva de
"mísseis".
1C111 Propulsantes e produtos químicos utilizados em propulsantes,
salvo os referidos em 1C011:
a. Substâncias propulsoras:
1. Pó esferulado de alumínio não especificado na Lista de
Material de Guerra, com partículas de diâmetro uniforme
inferior a 200 µm e teor de alumínio igual ou superior a
97 %, em massa, se pelo menos 10 % da massa total foi
constituída por partículas com menos de 63 µm de acordo
com a ISO 2591/1988 ou com uma norma nacional
equivalente;
Nota técnica:
Uma granulometria de 63 µm (ISO R-565) corresponde à
malha 250 (Tyler) ou à malha 230 (norma ASTM E-11).
2. Combustíveis metálicos não especificados na Lista de
Material de Guerra, de granulometria inferior a 60 µm,
constituídos por partículas esféricas, atomizadas, esferoidais,
em palhetas ou moídas, com um teor igual ou superior a97 %, em massa, de:
a. Zircónio;
b. Berílio;
c. Magnésio;
ou
d. Ligas dos metais referidos de a. a c.;
Nota técnica:
O teor natural de háfnio no zircónio (normalmente de 2 % a
7 %) conta como zircónio.
3. Oxidantes líquidos:
a. Trióxido de diazoto;
b. Dióxido de azoto/tetróxido de diazoto;
c. Pentóxido de diazoto;2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 61
▼M3
b. Substâncias poliméricas:
1. Polibutadienos com extremidades carboxilo (CTPB);
2. Polibutadienos com extremidades hidroxilo (HTPB), não
referidos na Lista de Material de Guerra;
3. Poli(butadieno-ácido acrílico) (PBAA);4. Poli(butadieno-ácido acrílico-acrilonitrilo) (PBAN);
c. Outros aditivos e agentes utilizados em propulsantes:
1.VERALISTADEMATERIALDEGUERRANOQUE
SE REFERE AO
butaceno;
2. Dinitrato de trietilenoglicol (TEGDN);3. 2-Nitrodifenilamina;4. Trinitrato de trimetiloletano (TMETN);5. Dinitrato de dietilenoglicol (DEGDN);
6. Derivados de ferroceno para além dos indicados na Lista de
Material de Guerra.
Nota: No que se refere aos propulsantes e aos produtos
químicos utilizados em propulsantes não referidos em
1C111, ver a Lista de Material de Guerra.
1C116 Aços maraging (aços normalmente caracterizados por um elevado
teor de níquel e baixo teor de carbono e pela utilização de outros
elementos de liga ou de precipitados para promover o endureci-
mento por envelhecimento) com tensão de ruptura à tracção igual
ou superior a 1 500 MPa, medida a 293 K (20 ºC), sob a forma de
folhas, chapas ou tubagens de espessura igual ou inferior a 5 mm.
N.B.: VER TAMBÉM 1C216.
1C117 Tungsténio, molibdénio e ligas destes metais na forma de
partículas uniformes esféricas ou atomizadas de diâmetro igual
ou inferior a 500 µm e grau de pureza igual ou superior a 97 %,
para o fabrico de componentes de motores de "mísseis", por
exemplo, blindagens térmicas, suportes de tubeiras, gargantas de
tubeiras e superfícies de controlo do vector de potência.
1C118 Aço inoxidável duplex estabilizado ao titânio (Ti-DSS), como a
seguir se descreve:
a. Com todas as seguintes características:
1. 17 % a 23 %, em massa, de crómio e 4,5 % a 7 %, em
massa, de níquel;
2. Um teor de titânio superior a 0,10 % em massa; e
3. Micro-estrutura ferritico-austenítica (também conhecida por
micro-estrutura bifásica) da qual pelos menos 10 % em
volume são constituídos por austenite (de acordo com a
ASTM E-1181-87 ou com uma norma nacional equivalente);
e
b. Em qualquer das seguintes formas:
1. Lingotes ou barras em que todas as dimensões sejam iguais
ou superiores a 100 mm;
2. Chapas de largura igual ou superior a 600 mm e espessura
igual ou inferior a 3 mm; ou
3. Tubos de diâmetro exterior igual ou superior a 600 mm e
espessura de paredes igual ou inferior a 3 mm.
1C202 Ligas não referidas em 1C002.a.2.c. ou d.:
a. Ligas de alumínio com ambas as seguintes características:
1. "Capazes de" uma tensão de ruptura à tracção igual ou
superior a 460 MPa a 293 K (20 ºC); e
2. Sob a forma de tubos ou formas cilíndricas maciças
(incluindo peças forjadas) de diâmetro exterior superior a
75 mm;
b. Ligas de titânio com ambas as seguintes características:
1. "Capazes de" uma tensão de ruptura à tracção igual ou
superior a 900 MPa a 293 K (20 ºC); e2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 62
▼M3
2. Sob a forma de tubos ou formas cilíndricas maciças
(incluindo peças forjadas) de diâmetro exterior superior a
75 mm.
Nota técnica:
A expressão ligas "capazes de" aplica-se às ligas antes ou depois
do tratamento térmico.
1C210 "Materiais fibrosos ou filamentosos" não referidos em 1C010.a., b.
ou e.:
a. "Materiais fibrosos ou filamentosos" de carbono ou de aramida
com uma das seguintes características:
1. "Módulo de elasticidade específico" igual ou superior a
12,7 × 106m;ou
2. "Resistência específica à tracção" igual ou superior a
235 × 103m;
Nota: 1C210.a não abrange "materiais fibrosos ou filamen-
tosos" de aramida com 0,25 % ou mais, em massa, de
um modificador de superfície das fibras à base de
ésteres.
b. "Materiais fibrosos ou filamentosos" de vidro com ambas as
seguintes características:
1. "Módulo de elasticidade específico" igual ou superior a
3,18 × 106m;e
2. "Resistência específica à tracção" igual ou superior a
76,2 × 103m;
c. "Fios", "mechas", "bandas" ou "cabos de fibras ( tows)"
contínuos impregnados de resina termocurada, de largura igual
ou inferior a 15 mm (pré-impregnados), fabricados a partir dos
"materiais fibrosos ou filamentosos" de carbono ou vidro
referidos em 1C210 a. ou b..
Nota técnica:
A resina forma a matriz do composto.
Nota: Em 1C210, os "materiais fibrosos ou filamentosos"
restringem-se a "monofilamentos", "fios", "mechas",
"bandas" ou "cabos de fibras (tows)" contínuos.
1C216 Aços maraging não abrangidos por 1C116, "capazes de" uma
tensão de ruptura à tracção igual ou superior a 2 050 MPa a 293 K
(20 ºC).
Nota: 1C216não abrange formas em que todas as dimensões
lineares sejam iguais ou inferiores a 75 mm.
Nota técnica:
A expressão aços maraging "capazes de" aplica-se aos aços
maraging antes ou depois do tratamento térmico.
1C225 Boro enriquecido no isótopo boro-10 (10B) de modo a apresentar
uma abundância isotópica superior à natural, sob as seguintes
formas: boro elementar, compostos e misturas com boro, e
produtos, resíduos ou sucata de qualquer destes materiais.
Nota: Em 1C225, as misturas com boro incluem os materiais
com adição de boro.
Nota técnica:
A abundância isotópica natural do boro-10 é de aproximadamente
18,5 % em massa (20 átomos em cada cem).
1C226 Tungsténio, carboneto de tungsténio e ligas com mais de 90 % em
massa de tungsténio, com ambas as seguintes características:
a. Em formas de simetria cilíndrica oca (incluindo segmentos
cilíndricos) de diâmetro interior compreendido entre 100 mm e
300 mm; e
b. Massa superior a 20 kg.
Nota: 1C226não abrange peças especialmente concebidas
para utilização como pesos ou colimadores de raios
gama.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 63
▼M3
1C227 Cálcio com ambas as seguintes características:
a. Menos de 1 000 ppm, em massa, de impurezas metálicas que
não magnésio; e
b. Menos de 10 ppm, em massa, de boro.
1C228 Magnésio com ambas as seguintes características:
a. Menos de 200 ppm, em massa, de impurezas metálicas que não
cálcio;e
b. Menos de 10 ppm, em massa, de boro.
1C229 Bismuto com ambas as seguintes características:
a. Grau de pureza de 99,99 % em massa, ou superior; e
b. Menos de 10 ppm, em massa, de prata.
1C230 Berílio metálico, ligas com mais de 50 %, em massa, de berílio,
compostos de berílio e produtos, resíduos ou sucata destes
materiais.
Nota: 1C230 não abrange:
a. Janelas metálicas para máquinas de raios-X ou para
sondas de perfuração;
b. Peças de óxidos em formas acabadas ou semi-
-acabadas, especialmente concebidas para
componentes electrónicos ou para substratos de
circuitos electrónicos;
c. Berilo (silicato de berílio e alumínio) sob a forma de
esmeraldas e águas-marinhas.
1C231 Háfnio metálico, ligas de háfnio com mais de 60 %, em massa, de
háfnio, compostos de háfnio com mais de 60 %, em massa, de
háfnio e produtos, resíduos e sucata destes materiais.
1C232 Hélio-3 (3He), misturas que contenham hélio-3, e produtos ou
dispositivos com qualquer destes materiais.
Nota: 1C232 não abrange produtos ou dispositivos que
contenham menos de 1 g de hélio-3.
1C233 Lítio enriquecido no isótopo lítio-6 (6Li) de modo a apresentar uma
abundância isotópica superior à natural, e produtos ou dispositivos
que contenham lítio enriquecido, sob as seguintes formas: lítio
elementar, ligas, compostos e misturas com lítio, e produtos,
resíduos ou sucata de qualquer destes materiais.
Nota: 1C233 não abrange os dosímetros de termolumi-
nescência.
Nota técnica:
A abundância isotópica natural do lítio-6é de aproximadamente
6,5 % em massa (7,5 átomos em cada cem).
1C234 Zircónio com um teor de háfnio inferior a 1 parte de háfnio para
500 partes de zircónio, em massa, sob as seguintes formas: metal,
ligas com mais de 50 %, em massa, de zircónio, compostos de
zircónio, e produtos, resíduos ou sucata de qualquer destes
materiais.
Nota: 1C234 não abrange o zircónio sob a forma de folhas de
espessura igual ou inferior a 0,10 mm.
1C235 Trítio, compostos de trítio e misturas com trítio nas quais a relação
entre o número de átomos de trítio e de hidrogénio exceda 1:1 000
e produtos ou dispositivos que contenham qualquer destes
materiais;
Nota: 1C235 não abrange produtos ou dispositivos que
contenham menos de 1,48 × 103GBq (40 Ci) de trítio.
1C236 Radionuclídeos emissores alfa com tempo de meia vida alfa igual
ou superior a 10 dias, mas inferior a 200 anos, sob as seguintes
formas:
a. Elementar
b. Compostos com uma actividade alfa total igual ou superior a
37 GBq/kg (1 Ci/kg);
c. Misturas com uma actividade alfa total igual ou superior a
37 GBq/kg (1 Ci/kg);2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 64
▼M3
d. Produtos ou dispositivos que contenham qualquer destes
materiais.
Nota: 1C236não abrange produtos ou dispositivos que
contenham menos de 3,7 GBq (100 milicuries) de
actividade alfa.
1C237 Rádio-226 (226Ra), ligas de rádio 226, compostos de rádio-226,
misturas com rádio-226 ou produtos ou dispositivos que conte-
nham qualquer destes materiais;
Nota: 1C237 não abrange:
a. Aplicadores médicos.
b. Produtos ou dispositivos que contenham menos de
0,37 GBq (10 milicuries) de rádio-226.
1C238 Trifluoreto de cloro (ClF3).
1C239 Produtos altamente explosivos, não especificados na Lista de
Material de Guerra, ou substâncias ou misturas com mais de 2 %
em massa desses explosivos, de densidade cristalina superior a
1,8 g/cm3e com uma velocidade de detonação superior a 8 000 m/
/s.
1C240 Pó de níquel e níquel metálico poroso, salvo os referidos em
0C005:
a. Pó com ambas as seguintes características:
1. Grau de pureza em termos de teor de níquel igual ou
superior a 99,0 % em massa; e
2. Granulometria média inferior a 10 µm, medida de acordo
com a norma ASTM B 330;
b. Níquel metálico poroso produzido a partir dos materiais
referidos em 1C240.a.
Nota: 1C240 não abrange:
a. Pós de níquel filamentoso
b. Folhas simples de níquel poroso com uma área igual
ou inferior a 1 000 cm2cada uma.
Nota técnica:
1C240.b. refere-se a metal poroso formado por compactação e
sinterização dos materiais referidos em 1C240.a. por forma a
obter um material metálico com poros finos interligados em toda a
estrutura.
1C350 Produtos químicos que podem ser utilizados como precursores de
agentes químicos tóxicos, dos seguintes tipos, bem como as
"misturas químicas" que contenham um ou vários desses produtos:
N.B.: VER TAMBÉM A LISTA DE MATERIAL DE
GUERRA E 1C450.
1. Tiodiglicol (111-48-8)
2. Oxicloreto de fósforo (10025-87-3)3. Metilfosfonato de dimetilo (756-79-6)
4.VER A LISTA DE MATERIAL DE GUERRA NO QUE
SE REFERE AO
difluoreto de metilfosfonilo (difluoreto do ácido metilfos-
fónico) (676-99-3)
5. Dicloreto de metilfosfonilo (dicloreto do ácido metilfosfónico)
(676-97-1)
6. Fosfito de dimetilo (868-85-9)7. Tricloreto de fósforo (7719-12-2)8. Fosfito de trimetilo (121-45-9)
9. Cloreto de tionilo (7719-09-7)
10. 3-Hidroxi-1-metilpiperidina (3554-74-3)11. Cloreto de N,N-diisopropil- β-aminoetilo (2-cloroetil-N,N-
-Diisopropilamina) (96-79-7)
12. N,N-Diisopropil- β-aminoetanotiol (2-(N,N-Diisopropilami-
no)etanotiol) (5842-07-9)2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 65
▼M3
13. 3-Quinuclidinol (1619-34-7)
14. Fluoreto de potássio (7789-23-3)15. 2-Cloroetanol (107-07-3)
16. Dimetilamina (124-40-3)
17. Etilfosfonato de dietilo (78-38-6)
18. N,N-Dimetilfosforamidato de dietilo (2404-03-7)
19. Fosfito de dietilo (762-04-9)20. Cloridrato de dimetilamina (506-59-2)
21. Dicloreto de etilfosfinilo (dicloreto do ácido etilfosfonoso)
(1498-40-4)
22. Dicloreto de etilfosfonilo (dicloreto do ácido etilfosfónico)
(1066-50-8)
23.VER A LISTA DE MATERIAL DE GUERRA NO QUE
SE REFERE AO
difluoretodeetilfosfonilo(difluoretodoácidoetilfosfónico)
(753-98-0)
24. Fluoreto de hidrogénio (7664-39-3)
25. Benzilato de metilo (76-89-1)
26. Dicloreto de metilfosfinilo (dicloreto do ácido metilfosfonoso)
(676-83-5)
27. N,N-Diisopropil- β-aminoetanol (2-(N,N-diisopropilamino)e-
tanol) (96-80-0)
28. Álcool pinacolílico (464-07-3)29.VER A LISTA DE MATERIAL DE GUERRA NO QUE
SE REFERE AO
metilfosfonito de o-etil-2-diisopropilaminoetilo (57856-11-
-8)
30. Fosfito de trietilo (122-52-1)31. Tricloreto de arsénio (7784-34-1)
32. Ácido benzílico (76-93-7)
33. Metilfosfonito de dietilo (15715-41-0)
34. Etilfosfonato de dimetilo (6163-75-3)
35. Difluoreto de etilfosfinilo (difluoreto do ácido etilfosfonoso)
(430-78-4)
36. Difluoreto de metilfosfinilo (difluoreto do ácido metilfosfo-
noso) (753-59-3)
37. 3-Quinuclidona (3731-38-2)
38. Pentacloreto de fósforo (10026-13-8)
39. Pinacolona (75-97-8)
40. Cianeto de potássio (151-50-8)41. Bifluoreto de potássio (hidrogenodifluoreto de potássio)
(7789-29-9)
42. Hidrogenodifluoreto de amónio (bifluoreto de amónio) (1341-
-49-7)
43. Fluoreto de sódio (7681-49-4)
44. Bifluoreto de sódio (hidrogenodifluoreto de sódio) (1333-83-
-1)
45. Cianeto de sódio (143-33-9)
46. Trietanolamina (2,2 ′,2″-nitrilotrisetanol) (102-71-6)
47. Pentassulfureto de difósforo (1314-80-3)
48. Diisopropilamina (108-18-9)
49. 2-Dietilaminoetanol (dietiletanolamina) (100-37-8)50. Sulfureto de sódio (1313-82-2)
51. Monocloreto de enxofre (10025-67-9)
52. Dicloreto de enxofre (10545-99-0)
53. Cloridrato de trietanolamina (637-39-8)2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 66
▼M3
54. Cloreto de N,N-diisopropil- β-aminoetilo na forma de clori-
drato (cloridrato de 2-cloroetil-N,N-Diisopropilamina) (4261-
-68-1)
Nota 1: Para as exportações para os "Estados não Parte na
Convenção Sobre as Armas Químicas" 1C350 não
controla as "misturas químicas" contendo uma ou
várias das substâncias químicas especificadas nas
entradas 1C350.1, .3, .5, .11, .12, .13, .17, .18, .21,
.22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36 e .54 em que
nenhuma substância tomada isoladamente constitua
mais de 10 % em peso da mistura.
Nota 2: Para as exportações para os "Estados não Parte na
Convenção Sobre as Armas Químicas", 1C350 não
controla as "misturas químicas" contendo uma ou
várias das substâncias químicas especificadas nas
entradas 1C350.1, .3, .5, .11, .12, .13, .17, .18, .21,
.22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36 e .54 em que
nenhuma substância tomada isoladamente constitua
mais de 30 % em peso da mistura.
Nota 3: 1C350 não controla as "misturas químicas" contendo
uma ou várias das substâncias químicas especificadas
nas entradas 1C350 .2, .6, .7, .8, .9, .10, .14, .15, .16,
.19, .20, .24, .25, .30, .37, .38, .39, .40, .41, .42, .43,
.44, .45, .46, .47, .48, .49, .50, .51, .52 e .53 em que
nenhuma substância tomada isoladamente constitua
mais de 30 % em peso da mistura.
Nota 4: 1C350 não controla produtos identificados como bens
de consumo acondicionados para venda a retalho para
uso pessoal ou acondicionados para uso pessoal.
1C351 Agentes patogénicos para o homem, zoonoses e "toxinas":
a. Vírus de ocorrência natural, melhorados ou modificados, quer
sob a forma de "culturas vivas isoladas", quer sob a forma de
matérias, incluindo matérias vivas, deliberadamente inoculadas
ou contaminadas com culturas vivas:
1. Vírus Chikungunya
2. Vírus da febre hemorrágica da Crimeia-Congo3. Vírus da dengue4. Vírus da encefalite equina do Leste5. Vírus de Ebola
6. Vírus de Hantaan
7. Vírus de Junin8. Vírus da febre de Lassa9. Vírus da coriomeningite linfocítica
10. Vírus de Machupo11. Vírus de Marburgo12. Vírus da varíola símia
13. Vírus da febre do vale do Rift
14. Vírus da encefalite da carraça (vírus da encefalite verno-
-estival da Rússia)
15. Vírus da varíola
16. Vírus da encefalite equina venezuelana
17. Vírus da encefalite equina do Oeste18. Vírus do alastrim19. Vírus da febre amarela20. Vírus da encefalite japonesa
b.Rickettsias de ocorrência natural, melhoradas ou modificadas,
quer sob a forma de "culturas vivas isoladas", quer sob a forma
de matérias, incluindo matérias vivas, deliberadamente inocu-
ladas ou contaminadas com culturas vivas:
1.Coxiella burnetii
2.Rickettsia quintana
3.Rickettsia prowasecki2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 67
▼M3
4.Rickettsia rickettsii
c. Bactérias de ocorrência natural, melhoradas ou modificadas,
quer sob a forma de "culturas vivas isoladas", quer sob a forma
de matérias, incluindo matérias vivas, deliberadamente inocu-
ladas ou contaminadas com culturas vivas:
1.Bacillus anthracis
2.Brucella abortus
3.Brucella melitensis
4.Brucella suis
5.Chlamydia psittaci
6.Clostridium botulinum
7.Francisella tularensis
8.Pseudomonas mallei
9.Pseudomonas pseudomallei
10.Salmonella typhi
11.Shigella dysenteriae
12.Vibrio cholerae
13.Yersinia pestis
d. "Toxinas" e respectivas "subunidades de toxina":
1. Toxinas de botulinum
Nota: 1C351.d.1. não abrange as toxinas de botulinum
sob a forma de produtos que satisfaçam todos os
seguintes critérios:
1. Serem fórmulas farmacêuticas para adminis-
tração a seres humanos no tratamento de
doenças;
2. Serem pré-embalados para distribuição como
medicamentos;
3. Poderem ser comercializados como medica-
mentos, com autorização de uma entidade
oficial competente de uma entidade oficial
competente
2. Toxinas do clostridium perfringens
3. Conotoxina4. Rícino
5. Saxitoxina
6. Toxina de Shiga7. Toxinas do staphylococcus aureus
8. Tetrodotoxina
9. Verotoxina
10. Microcistina (Cianoginosina)11. Aflatoxinas.
Nota: 1C351 não abrange as "vacinas" nem as "imunotoxinas".
1C352 Agentes patogénicos para os animais:
a. Vírus, de ocorrência natural, melhorados ou modificados, quer
sob a forma de "culturas vivas isoladas", quer sob a forma de
matérias, incluindo matérias vivas, deliberadamente inoculadas
ou contaminadas com culturas vivas:
1. Vírus da peste suína africana;
2. Vírus da gripe aviária:
a. Não caracterizados; ou
b. Vírus de elevada patogenicidade definidos como tal na
Directiva 92/40/CEE (JO L 16 de 23.1.1992, p. 1):
1. Vírus do tipo A com índice de patogenicidade
intravenosa (IVPI) superior a 1,2 em frangos com 6
semanas; ou2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 68
▼M3
2. Subtipos H5 ou H7 de vírus do tipo A relativamente
aos quais a sequenciação de nucleótidos tenha
revelado a presença de múltiplos aminoácidos
básicos no local de clivagem da hemaglutinina.
3. Vírus da língua azul;
4. Vírus da febre aftosa;5. Vírus da varíola caprina;
6. Vírus do herpes porcino (doença de Aujeszky);
7. Vírus da peste suína (vírus da cólera suína);
8. Vírus da raiva;
9. Vírus da doença de Newcastle;
10. Vírus da peste dos pequenos ruminantes;
11. Enterovírus porcino do tipo 9 (vírus da doença vesicular do
porco);
12. Vírus da peste bovina;
13. Vírus da varíola ovina;14. Vírus da doença de Teschen;
15. Vírus da estomatite vesicular;
b.Mycoplasma mycoides , de ocorrência natural, melhorados ou
modificados, quer sob a forma de "culturas vivas isoladas",
quer sob a forma de matérias, incluindo matérias vivas,
deliberadamente inoculadas ou contaminadas com culturas
vivas.
Nota: 1C352 não abrange as "vacinas".
1C353 "Microrganismos" geneticamente modificados:
a. "Microrganismos" geneticamente modificados ou elementos
genéticos que contenham sequências de ácidos nucleicos
associadas a patogenicidade e sejam obtidos a partir dos
organismos referidos em 1C351.a. a c., 1C352 ou 1C354;
b. "Microrganismos" geneticamente modificados ou elementos
genéticos que contenham sequências de ácidos nucleicos que
codifiquem qualquer das "toxinas" referidas em 1C351.d. ou
respectivas "subunidades de toxina".
1C354 Agentes patogénicos para as plantas:
a. Bactérias, de ocorrência natural, melhoradas ou modificadas,
quer sob a forma de "culturas vivas isoladas", quer sob a forma
de matérias deliberadamente inoculadas ou contaminadas com
culturas vivas:
1.Xanthomonas albilineans ;
2.Xanthomonas campestri pv. citri (incluindo as estirpes
designadas por Xanthomonas campestri pv. citri tipos A,
B, C, D e E ou de qualquer forma classificadas
Xanthomonas citri ),Xanthomonas campestri pv. aurantifolia
ouXanthomonas campestri pv. citrumelo ;
b. Fungos, de ocorrência natural, melhorados ou modificados,
quer sob a forma de "culturas vivas isoladas", quer sob a forma
de matérias deliberadamente inoculadas ou contaminadas com
culturas vivas:
1.Colletotrichum coffeanum var. virulans;
2.Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae);
3.Microcyclus ulei (sinónimo: Dothidella ulei );
4.Puccinia graminis (sinónimo: Puccinia graminis f. sp.
tritici);
5.Puccinia striiformis (sinónimo: Puccinia glumarum );
6.Magnaporthe grisea (Pyricularia grisea/Pyricularia
oryzae).
1C450 Produtos químicos tóxicos e precursores de produtos químicos
tóxicos:
NB: VER TAMBÉM 1C350, 1C351.d E A LISTA DE
MATERIAL DE GUERRA.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 69
▼M3
a. Produtos químicos tóxicos:
1. Amitão: 0,0-dietilo S-[2-(dietilamino) etilo] fosforotiolato
(78-53-5) e correspondentes sais alquilados e protonados;
2. PFIB: 1,1,3,3,3-pentafluoro-2(trifluorometil)-1-propeno
(382-21-8);
3.VER A LISTA DE MATERIAL DE GUERRA PARA
BZ:
benzilato de 3-quinoclidinilo (6581-06-2);
4. Fosgénio: dicloreto de carbonilo (75-44-5);5. Cloreto de cianogénio (506-77-4);6. Cianeto de hidrogénio (74-90-8);
7. Cloropicrina: tricloronitrometano (76-06-2);
Nota 1: Para as exportações para os "Estados não Parte
na Convenção Sobre as Armas Químicas",
1C450 não controla as "misturas químicas"
contendo uma ou várias das substâncias
químicas especificadas nas entradas 1C450.a.1.
e .a.2. em que nenhuma substância tomada
isoladamente constitua mais de 1 % em peso
da mistura.
Nota 2: Para as exportações para os "Estados não Parte
na Convenção Sobre as Armas Químicas",
1C450 não controla as "misturas químicas"
contendo uma ou várias das substâncias
químicas especificadas nas entradas 1C450.a.1.
e .a.2. em que nenhuma substância tomada
isoladamente constitua mais de 30 % em peso
da mistura.
Nota 3: 1C450 não controla as "misturas químicas"
contendo uma ou várias das substâncias
químicas especificadas nas entradas 1C450.a.4.,
.a.5., .a.6. e .a.7. em que nenhuma substância
tomada isoladamente constitua mais de 30 % em
peso da mistura.
b. Produtos químicos tóxicos precursores:
1. Produtos químicos, com excepção dos especificados na Lista
de Material de Guerra ou em 1C350, que contenham um
átomo de fósforo ligado a um grupo metilo, etilo ou propilo
(normal ou iso) mas sem outros átomos de carbono;
Nota: 1C450.b.1 não abrange os Fonofos: etilfosfonotio-
lotionato de O-etilo e de S-fenilo (944-22-9)
2. Dihalogenetos fosforamídicos N,N-dialquilo [metil, etil, ou
propil (normal ou iso)];
3. N, N-dialquilo [metil, etil ou propil (normal ou iso)]
fosforamidatos de dialquilo [metil, etil ou propil (normal
ou iso)], com excepção do N,N-dimetilfosforamidato de
dietilo, que é especificado em 1C350;
4. Cloretos de N,N-dialquilo [metil, etil ou propil (normal ou
iso)] -2-aminoetilo e sais protonados correspondentes, com
excepção do cloreto de N,N-diisopropil-(beta)-aminoetilo ou
cloreto de N,N-diisopropil-(beta)-aminoetilo na forma de
cloridrato, que são especificados em 1C350;
5. N,N-dialquilo [metil, etil ou propil (normal ou iso)] -2-
-aminoetanóis e correspondentes sais protonados, com
excepção do N,N-diisopropil-(beta)-aminoetanol (96-80-0)
e N,N-dietilaminoetanol (100-37-8), que são especificados
em 1C350;
Nota: 1C450.b.5 não abrange:
a. N,N-dimetilaminoetanol (108-01-0) e corres-
pondentes sais protonados;
b. Sais protonados de N,N-dietilaminoetanol (100-
-37-8);
6. N,N-dialquilo [metil, etil ou propil (normal ou iso)] -2-
-aminoetanotióis e correspondentes sais protonados, com2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 70
▼M3
excepção do N,N-diisopropil-(beta)-aminoetanotiol, que é
especificado em 1C350;
7. Etildietanolamina (139-87-7);
8. Metildietanolamina (105-59-9).
Nota 1: Para as exportações para os "Estados não Parte
na Convenção Sobre as Armas Químicas",
1C450 não abrange "misturas químicas" quecontenham uma ou mais das substâncias
químicas especificadas nos pontos 1C450.b.1.,
.b.2., .b.3., .b.4., .b.5. e .b.6. em que nenhuma
substância tomada isoladamente constitua mais
de 10 % em peso da mistura.
Nota 2: Para as exportações para os "Estados não Parte
na Convenção Sobre as Armas Químicas",
1C450 não abrange "misturas químicas" que
contenham uma ou mais das substâncias
químicas especificadas nos pontos 1C450.b.1.,
.b.2., .b.3., .b.4., .b.5. e .b.6. em que nenhuma
substância tomada isoladamente constitua mais
de 30 % em peso da mistura.
Nota 3: 1C450 não abrange "misturas químicas" que
contenham uma ou mais das substâncias
químicas especificadas nos pontos 1C450.b.7. e
.b.8. em que nenhuma substância tomada isola-
damente constitua mais de 30 % em peso da
mistura.
Nota: 1C450 não abrange os produtos identificados
como bens de consumo acondicionados para venda
a retalho para uso pessoal ou acondicionados para
uso pessoal.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 71
▼M3
1D Suportes lógicos
1D001 "Suportes lógicos" especialmente concebidos ou modificados para
o "desenvolvimento", "produção" ou "utilização" dos bens
referidos em 1B001 a 1B003.
1D002 "Suportes lógicos" para o "desenvolvimento" de laminados ou
"compósitos" com "matriz" orgânica, metálica ou de carbono.
1D101 "Suportes lógicos" especialmente concebidos ou modificados para
a "utilização" dos bens referidos em 1B101, 1B102, 1B115,
1B117, 1B118 ou 1B119.
1D103 "Suportes lógicos" especialmente concebidos para a análise de
parâmetros de detecção reduzidos, como a reflectividade ao radar e
as assinaturas no ultravioleta/infravermelho e acústicas.
1D201 "Suportes lógicos" especialmente concebidos para a "utilização"
dos bens referidos em 1B201.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 72
▼M3
1E Tecnologia
1E001 "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o
"desenvolvimento" ou "produção" dos equipamentos ou materiais
referidos em 1A001.b., 1A001.c., 1A002 a 1A005, 1B ou 1C.
1E002 Outras "tecnologias":
a. "Tecnologia" para o "desenvolvimento" ou "produção" de
polibenzotiazolos ou de polibenzoxazolos;
b. "Tecnologia" para o "desenvolvimento" ou "produção" de
compostos fluoroelastómeros com pelo menos um monómero
de viniléter;
c. "Tecnologia" para a concepção ou "produção" dos materiais de
base ou dos materiais cerâmicos não "compósitos" a seguir
enumerados:
1. Materiais de base com todas as seguintes características:
a. Qualquer das seguintes composições:
1. Óxidos de zircónio simples ou complexos e óxidos de
silício ou de alumínio complexos;
2. Nitretos de boro simples (formas cristalinas cúbicas);
3. Carbonetos de silício ou de boro simples ou
complexos; ou
4. Nitretos de silício simples ou complexos;
b. Um total de impurezas metálicas, excluindo aditivos
intencionalmente incorporados, inferior a:
1. 1 000 ppm, no caso dos óxidos ou carbonetos simples;
ou
2. 5 000 ppm, no caso dos compostos complexos e dos
nitretos simples; e
c. Constituídos por:
1. Óxido de zircónio com uma granulometria média
igual ou inferior a 1 µm e não mais de 10 % das
partículas com dimensões superiores a 5 µm;
2. Outros materiais de base com granulometria média
igual ou inferior a 5 µm e não mais de 10 % das
partículas com dimensões superiores a 10 µm; ou
3. Com todas as seguintes características:
a. Plaquetas com uma relação comprimento/espessura
superior a 5;
b. Cristais capilares ( whiskers ) com uma relação
comprimento/diâmetro superior a 10, para diâme-
tros inferiores a 2 µm; e
c. Fibras contínuas ou cortadas com diâmetros
inferiores a 10 µm;
2. Materiais cerâmicos não "compósitos" constituídos por
materiais referidos em 1E002.c.1;
Nota: 1E002.c.2 não abrange a "tecnologia" para a
concepção ou produção de abrasivos.
d. "Tecnologia" para a "produção" de fibras de poliamidas
aromáticas;
e. "Tecnologia" para a instalação, manutenção ou reparação dos
materiais referidos em 1C001;
f. "Tecnologia" para a reparação das estruturas, laminados ou
materiais "compósitos" referidos em 1A002, 1C007.c. ou
1C007.d.
Nota: 1E002.f. não abrange a "tecnologia" para a repa-
ração de estruturas de "aeronaves civis" que
recorram a "materiais fibrosos ou filamentosos" e a
resinas epoxídicas, descritas nos manuais dos fabri-
cantes de aeronaves.
1E101 "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para a
"utilização" dos bens referidos em 1A102, 1B001, 1B101, 1B102,
1B115 a 1B119, 1C001, 1C101, 1C107, 1C111 a 1C117, 1D101
ou 1D103.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 73
▼M3
1E102 "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o
"desenvolvimento" dos "suportes lógicos" referidos em 1D001,
1D101 ou 1D103.
1E103 "Tecnologia" para a regulação da temperatura, da pressão ou da
atmosfera em autoclaves ou hidroclaves utilizados na "produção"
de materiais "compósitos" ou de materiais "compósitos" parcial-
mente transformados.
1E104 "Tecnologia" para a produção de materiais obtidos por processos
pirolíticos, formados em moldes, mandris ou outros substratos, a
partir de gases precursores que se decomponham entre 1 573 K
(1 300 ºC) e 3 173 K (2 900 ºC), sob pressões de 130 Pa a 20 kPa.
Nota: 1E104 abrange a "tecnologia" utilizada na composição
de gases precursores, e os programas e parâmetros de
comando de caudais e de processos.
1E201 "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para a
"utilização" dos bens referidos em 1A002, 1A202, 1A225 a
1A227, 1B201, 1B225 a 1B233, 1C002.a.2.c. ou d., 1C010.b.,
1C202, 1C210, 1C216, 1C225 a 1C240 ou 1D201.
1E202 "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o
"desenvolvimento" ou "produção" dos bens referidos em 1A202 ou
1A225 a 1A227.
1E203 "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o
"desenvolvimento" dos "suportes lógicos" referidos em 1D201.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 74
▼M3
CATEGORIA 2
TRATAMENTO DE MATERIAIS2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 75
▼M3
2A Equipamentos, conjuntose componentes
Nota: Para chumaceiras de regime regular, ver a Lista de
Material de Guerra
2A001 Chumaceiras antifricção e sistemas de chumaceiras ou rolamentos
e respectivos componentes:
Nota: 2A001 não abrange as esferas com tolerâncias especi-
ficadas pelo fabricante como sendo de grau 5 ou piores,
de acordo com a norma ISO 3290.
a. Rolamentos de esferas ou rolamentos de rolos maciços com
tolerâncias de fabrico de acordo com a ISO 492 Classe de
Tolerância 4 (ou com as normas ANSI/ABMA Std 20, Classe
de Tolerância ABEC-7 ou RBEC-7, ou outras normas nacionais
equivalentes) ou superiores, e que possuam anéis, esferas ou
rolos de monel ou berílio;
Nota: 2A001.a. não abrange os rolamentos de rolos cónicos.
b. Outros rolamentos de esferas ou rolamentos de rolos maciços
com tolerâncias de fabrico de acordo com a norma ISO 492,
Classe de Tolerância 2 (ou de acordo com as normas ANSI/
/ABMA Std 20, Classe de Tolerância ABEC-9 ou RBEC-9, ou
outras normas nacionais equivalentes).
Nota: 2A001.b. não abrange os rolamentos de rolos cónicos.
c. Sistemas de chumaceiras magnéticas activas que utilizem:
1. Materiais com densidades de fluxo iguais ou superiores a 2.0
T e uma resistência limite superior a 414 MPa; ou
2. Actuadores 3D totalmente electromagnéticos com polari-
zação homopolar; ou
3. Sensores de posição de alta temperatura (450 K (177 ºC) ou
mais).
2A225 Cadinhos de materiais resistentes aos metais actinídeos líquidos:
a. Cadinhos com ambas as seguintes características:
1. Volume compreendido entre 150 cm3e 8 000 cm3;e
2. Fabricados ou revestidos de um dos seguintes materiais, com
um grau de pureza igual ou superior a 98 % em massa:
a. Fluoreto de cálcio (CaF2);
b. Zirconato de cálcio (metazirconato de cálcio) (CaZrO3);
c. Sulfureto de cério (Ce2S3);
d. Óxido de érbio (érbia) (Er2O3);
e. Óxido de háfnio (háfnia) (HfO2);
f. Óxido de magnésio (MgO);
g. Liga nitretada de nióbio-titânio-tungsténio (aproximada-
mente 50 % de Nb, 30 % de Ti e 20 % de W);
h. Óxido de ítrio (ítria) (Y2O3);ou
i. Óxido de zircónio (zircónia) (ZrO2);
b. Cadinhos com ambas as seguintes características:
1. Volume compreendido entre 50 cm3e 2 000 cm3;e
2. Fabricados ou revestidos de tântalo, com um grau de pureza
igual ou superior a 99,9 % em massa;
c. Cadinhos com ambas as seguintes características:
1. Volume compreendido entre 50 cm3e 2 000 cm3;
2. Fabricados ou revestidos de tântalo, com um grau de pureza
igual ou superior a 98 % em massa; e
3. Revestidos de carboneto, nitreto ou boreto de tântalo ou de
combinações destes compostos.
2A226 Válvulas com todas as seguintes características:
a. Uma 'dimensão nominal' igual ou superior a 5 mm;
b. Empanque de fole; e2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 76
▼M3
c. Totalmente fabricadas ou revestidas de alumínio, liga de
alumínio, níquel ou liga de níquel com mais de 60 % em
massa de níquel.
Nota técnica:
No caso das válvulas com diâmetros de entrada e de saída
diferentes, a "dimensão nominal" em 2A226refere-se ao diâmetro
menor.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 77
▼M3
2BEquipamentosde ensaio, de inspecção e de produção
Notas técnicas:
1. Os eixos secundários de contorno paralelo (por exemplo, o
eixo w nas mandriladoras horizontais ou um eixo de rotação
secundário cuja linha de centro seja paralela ao eixo de
rotação primário), não são contabilizados no número total
de eixos de contorno. Os eixos de rotação não têm
necessariamente de rodar a 360º e podem ser accionados
por dispositivos lineares (por exemplo, um parafuso ou um
sistema de pinhão e cremalheira).
2. Par efeitos do ponto 2B, o número de eixos que podem ser
coordenados em simultâneo para o "controlo de contorno" é
número de eixos que afectam o movimento relativo entre a
peça e o ferro ou mó que está a cortar ou a maquinara peca,
e não inclui quaiquer eixos adicionais que afectem outros
novimentos relativos dentro da máquina. Esses eixos incluem
a. Sistemas de ajuste da posição da mó nas rectificadoras
b. Eixos rotativos paralelos destinadosà montagem de peças
separadas
c. Eixos rotativos colineares destinados à manipulação da
mesma peça mantendo-a numa brecha por extremidades
diferentes.
3. A nomenclatura dos eixos deve estar de acordo com a norma
internacional ISO841, "Numerical Control Machines —Axis
and Motion Nomenclature" (máquinas de controlo numérico
— nomenclatura dos eixos e dos movimentos).
4. Para efeitos de 2B001 a 2B009, os "fusos basculantes"
contam como eixos rotativos.
5. No caso dos modelos de máquinas-ferramentas podem usar-
-se níveis de precisão de posicionamento declarados
deduzidos de medições efectuadas de acordo com a ISO
230/2 (1988) (1)ou com normas nacionais equivalentes, em
vez de ensaios individuais. Por "precisão de posicionamento
declarada" entende-se o valor da precisão transmitido às
autoridades competentes do Estado-Membro onde o expor-
tador está estabelecido como representativo da precisão de
um modelo de máquina-ferramenta.
Determinação dos Valores Declaradosa. Seleccionam-se cinco máquinas de um modelo a avaliar;
b. Procede-se à medição da precisão do eixo linear de
acordo com a ISO 230/2 (1988) (
1);
c. Determinam-se os valores A de cada eixo de cada
máquina. O método para calcular o valor A é descrito na
norma ISO;
d. Determina-se o valor médio do valor A de cada eixo. Este
valor médio Â passa a ser o valor declarado de cada eixo
do modelo (Âx Ây…)
e. Dado que a lista da Categoria 2 se refere a cada eixo
linear, haverá tantos valores declarados quantos eixos
lineares;
f. Se qualquer eixo de um modelo de máquina não
abrangido pelos pontos 2B001.a a 2B001.c ou 2B201
tiver uma precisão declarada Â de 6µm, ou melhor, para
asrectificadoras e de 8 µm,oumelhor, paraasfresadoras
e os tornos, deverá ser solicitado ao fabricante que
reitere o nível de precisão de dezoito em dezoito meses.
2B001 Máquinas-ferramentas e suas combinações para a remoção ou
corte de metais ou de materiais cerâmicos ou compósitos que, de
acordo com as especificações técnicas do fabricante, possam ser
equipadas com dispositivos electrónicos de "controlo numérico";
N.B. VER TAMBÉM 2B201.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 78
(1) Os fabricantes que calculam a precisão de posicionamento de acordo com a ISO 230/2
(1997) deverão consultar as autoridades competentes do Estado-Membro onde estão
estabelecidos.
▼M3
Nota 1: 2B001 não abrange as máquinas-ferramentas para fins
especiais destinadas exclusivamente ao fabrico de
engrenagens. Para este tipo de máquinas, ver 2B003.
Nota 2: 2B001 não abrange as máquinas-ferramentas para fins
especíais destinadas exclusivamente ao fabrico de:
a. Veias de manivelas ou veios de excêntricos;
b. Ferramentas ou ferros de corte;
c. Sem-fins para extensoras;
d. Peças de joalharia gravadas ou facetadas.
a. Máquinas-ferramentas para tornear, com todas as seguintes
características:
1. Precisão de posicionamento em qualquer eixo linear com
"todas as compensações disponíveis" igual ou inferior a
(melhor que) 6 µm de acordo com a ISO 230/2 (1988)(1)o u
com normas nacionais equivalentes; e
2. Dois ou mais eixos que possam ser coordenados simultanea-
mente para o "controlo de contorno";
Nota: 2B001.a. não abrange os tornos especialmente
concebidos para a produção de lentes de contacto.
b. Máquinas-ferramentas para fresar, com uma das seguintes
características:
1. Ambas as seguintes características:
a. Precisão de posicionamento em qualquer eixo linear com
"todas as compensações disponíveis" igual ou inferior a
(melhor que) 6 µm de acordo com a ISO 230/2 (1988) (1)
ou com normas nacionais equivalentes; e
b. Três eixos lineares mais um eixo rotativo que possam ser
coordenados simultaneamente para o "controlo de
contorno";
2. Cinco ou mais eixos que possam ser coordenados simulta-
neamente para o "controlo de contorno"; ou
3. Precisão de posicionamento em qualquer eixo linear, no caso
das mandriladoras por coordenadas, com "todas as compen-
sações disponíveis", igual ou inferior a (melhor que) 4 µm de
acordo com a ISO 230/2 (1988) (1) ou com normas nacionais
equivalentes;
4. máquinas de corte de volante com todas as seguintes
características:
a. "excentricidade" e "desalinhamento" do fuso inferiores a
(melhores que) 0,004 mm TIR; e
b. Desvio angular do movimento do carro (desvio de
direcção, inclinação longitudinal e inclinação transvessal)
inferior a (melhor que 2 segundos de arco, TIR, num
percurso de 300 mm.
c. Máquinas-ferramentas para rectificar, com qualquer das
seguintes características:
1. Ambas as seguintes características:
a. Precisão de posicionamento em qualquer eixo linear, com
"todas as compensações disponíveis", igual ou inferior a
(melhor que) 4 µm de acordo com a ISO 230/2 (1988) (1)
ou com normas nacionais equivalentes; e
b. Três ou mais eixos que possam ser coordenados
simultaneamente para o "controlo de contorno"; ou
2. Cinco ou mais eixos que possam ser coordenados simulta-
neamente para o "controlo de contorno";2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 79
(1) Os fabricantes que calculam a precisão de posicionamento de acordo com a ISO 230/2
(1997) deverão consultar as autoridades competentes do Estado-Membro onde estão
estabelecidos.
▼M3
Nota: 2B001.c. não abrange as seguintes rectificadoras:
1. Rectificadoras cilíndricas de exteriores, de inte-
riores ou de exteriores e interiores com todas as
seguintes características:
a. Estarem limitadas à rectificação cilíndrica; e
b. Só poderem maquinar peças de diâmetro ou
comprimento não superiores a 150 mm;
2. Máquinas especialmente concebidas como rectifi-
cadoras por coordenadas, com uma das seguintes
características:
a. Utilização do eixo c para manter a mó
perpendicular à superfície de trabalho; ou
b. Configuração do eixo a para a rectificação de
cames cilíndricos.
3. Rectificadoras de ferramentasoude ferrosde corte
limitadas à produção de ferramentas ou de ferros
de corte;
4. Rectificadoras de cambotas ou de árvores de
cames.
5. Rectificadoras de superfícies.
d. Máquinas de electroerosão (EDM) não por fio com dois ou
mais eixos de rotação que possam ser coordenados simultanea-
mente para o "controlo de contorno";
e. Máquinas-ferramentas para remover metais ou materiais
cerâmicos ou compósitos com todas as seguintes caracterís-
ticas:
1. Remoção de material por qualquer dos seguintes meios:
a. Jactos de água ou de outros líquidos, incluindo as que
utilizam aditivos abrasivos;
b. Feixes de electrões; ou
c. Feixes de "laser"; e
2. Com dois ou mais eixos de rotação que:
a. Possam ser coordenados simultaneamente para o
"controlo de contorno"; e
b. Tenham uma precisão de posicionamento inferior a
(melhor que) 0,003º.
f. Fresadoras e tornos modificados para abertura de furos
profundos, com capacidade para perfurar a profundidades
máximas superiores a 5 000 mm, e componentes especialmente
concebidos para os mesmos.
2B003 Máquinas-ferramentas com "controlo numérico" ou manuais,
especialmente concebidas para talhar, acabar, rectificar ou polir
engrenagens de dentes rectos, helicoidais e helicoidais duplas
endurecidas (Rc= 40 ou mais) com um diâmetro da circunferência
primitiva superior a 1 250 mm e uma largura de dente igual a 15 %
ou mais do diâmetro da circunferência primitiva, com acabamento
de qualidade AGMA 14 ou superior (equivalente à classe 3 da
norma ISO 1328).
2B004 "Prensas isostáticas" a quente com todas as seguintes caracterís-
ticas e componentes e acessórios especialmente concebidos para
essas prensas:
N.B.: VER TAMBÉM 2B104 E 2B204.
a. Com ambiente térmico controlado na cavidade fechada e uma
câmara de trabalho de diâmetro interior igual ou superior a
406 mm; e
b. Uma das seguintes características:
1. Pressão máxima de trabalho superior a 207 MPa;
2. Ambiente térmico controlado superior a 1 773 K (1 500 ºC);
ou
3. Meios que possibilitem a impregnação com hidrocarbonetos
e a remoção dos produtos gasosos resultantes da sua
degradação;2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 80
▼M3
Nota técnica:
A dimensão interior dacâmaraé a da câmaraem que se atingem a
temperatura e a pressão de trabalho, e não inclui os acessórios.
Esta dimensão será a menor de duas dimensões — o diâmetro
interior da câmara de pressão e o diâmetro interior da câmara
isolada do forno — dependendo de qual das duas câmaras esteja
localizada no interior da outra.
Nota: No que se refere aos cunhos, matrizes e ferramentas
especialmente concebidos, ver 1B003, 9B009 e a Lista de
Material de Guerra.
2B005 Equipamentos especialmente concebidos para a deposição, trata-
mento e controlo durante o processo de recobrimentos,
revestimentos e modificações de superfícies inorgânicos, para
aplicação em substratos não electrónicos pelos processos descritos
no quadro que se segue ao ponto 2E003.f. e nas notas
subsequentes, bem como componentes automatizados de movi-
mentação, posicionamento, manipulação e controlo especialmente
concebidos para esses equipamentos:
a. Equipamentos de produção com "controlo por programa
residente" para deposição em fase vapor por processo químico
(CVD) com todas as seguintes características:
N.B.: VER TAMBÉM 2B105.
1. Modificados para aplicação de um dos seguintes processos:
a. Deposição em fase vapor, por processo químico,
pulsante;
b. Deposição térmica com nucleação controlada (CNTD);
ou
c. Deposição em fase vapor, por processo químico, activada
ou assistida por plasma; e
2. Uma das seguintes características:
a. Vedantes rotativos para alto vácuo (igual ou inferior a
0,01 Pa);
ou
b. Controlo in situda espessura do revestimento;
b. Equipamentos de produção com "controlo por programa
residente" para implantação iónica, com feixes de intensidade
de corrente igual ou superior a 5 mA;
c. Equipamentos de produção com "controlo por programa
residente" para deposição em fase vapor por processo físico
com feixe de electrões (EB-PVD), equipados com sistemas de
potência dimensionados para mais de 80 kW, com uma das
seguintes características:
1. Um sistema de controlo por "laser" do nível do banho
líquido que regule com precisão a velocidade de avanço dos
lingotes; ou
2. Um monitor controlado por computador, funcionando com
base no princípio da fotoluminescência dos átomos ioni-
zados na corrente evaporada, para controlar a velocidade de
deposição de revestimentos que contenham dois ou mais
elementos;
d. Equipamentos de produção com "controlo por programa
residente" para pulverização por plasma, com uma das
seguintes características:
1. Funcionamento em atmosfera controlada a pressão reduzida
(igual ou inferior a 10 kPa, sendo a medição efectuada acima
e a não mais de 300 mm da saída do pulverizador do
canhão), numa câmara de vácuo com capacidade de
evacuação até uma pressão de 0,01 Pa antes do início do
processo de pulverização; ou
2. Controlo in situda espessura do revestimento;
e. Equipamentos de produção com "controlo por programa
residente" para deposição por pulverização catódica, com
capacidade para densidades de corrente iguais ou superiores a
0,1 mA/mm2, para velocidades de deposição iguais ou
superiores a 15 µm/hora;2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 81
▼M3
f. Equipamentos de produção com "controlo por programa
residente" para deposição por arco catódico, com um conjunto
de electroímans para controlo automático da direcção do arco
no cátodo;
g. Equipamentos de produção com "controlo por programa
residente" para metalização iónica, com capacidade para a
medição in situde uma das seguintes características:
1. Espessura do revestimento no substrato e controlo da
velocidade de deposição; ou
2. Características ópticas;
Nota: 2B005 não abrange os equipamentos de deposição
química em fase vapor, de arco catódico, de deposição
por pulverização, de metalização iónica ou de implan-
tação iónica especialmente concebidos para ferramentas
de corte ou de maquinagem.
2B006 Sistemas e equipamentos de controlo dimensional ou de medição:
a. Máquinas de controlo dimensional comandadas por compu-
tador, com "controlo numérico" ou com "controlo por programa
residente" que possuam uma "Incerteza de medida" tridimensi-
onal (volumétrica) igual ou inferior a (melhor que) (1,7 + L/
/1 000) µm (L é o comprimento medido, en mm) testada de
acordo com a ISO 10360-2.
N.B.: VER TAMBÉM 2B206.
b. Instrumentos para a medição de deslocamentos lineares e
angulares:
1. Instrumentos para medições lineares com uma das seguintes
características:
a. Sistemas de medição do tipo "sem-contacto", com
"resolução" igual ou inferior a (melhor que) 0,2 µm
numa gama de medida até 0,2 mm;
b. Sistemas de transformadores diferenciais de tensão linear
com ambas as seguintes características:
1. "Linearidade" igual ou inferior a (melhor que) 0,1 %
numa gama de medida até 5 mm; e
2. Desvio igual ou inferior a (melhor que) 0,1 % por dia
à temperatura ambiente normal das salas de ensaio
±1K ;ou
c. Sistemas de medição que possuam as seguintes carac-
terísticas:
1. Um "laser"; e
2. Sejam capazes de manter, durante pelo menos 12
horas, a uma temperatura normal, com variação de
± 1 K, e a uma pressão normal:
a. Uma "resolução" igual ou inferior a (melhor que)
0,1 µm na totalidade da escala; e
b. Uma "incerteza de medida", igual ou inferior a
(melhor que) (0,2 + L/2 000) µm (L é a distância
medida em mm);
Nota: 2B006.b.1 não abrange os sistemas de medida com
interferómetro, sem realimentação negativa ("feed-back") em circuito aberto ou fechado, com um
"laser"para mediroserrosde deslocação docarro
da máquina-ferramenta, máquinas de controlo
dimensional ou equipamento semelhante.
2. Instrumentos de medição angular com "desvio angular de
posição" igual ou inferior a (melhor que) 0,00025º.
Nota: 2B006.b.2 não abrange os instrumentos ópticos,
por exemplo, autocolimadores, que utilizem luz
colimada para detectar deslocamentos angulares
de espelhos.
c. Equipamentos para a medição de irregularidades de superfícies
através da dispersão óptica em função do ângulo, com
sensibilidades iguais ou inferiores a (melhores que) 0,5 nm;
Nota 1: As máquinas-ferramentas que possam ser utilizadas
como máquinas de medição serão controladas se2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 82
▼M3
corresponderem aos critérios especificados para a
função de máquina-ferramenta ou de máquina de
medição, ou se excederem esses critérios.
Nota 2: As máquinas descritas em 2B006serão controladas se
ultrapassaremos limites estipulados emqualquer ponto
da sua gama de funcionamento.
2B007 "Robots", com qualquer das características a seguir enumeradas,
bem como controladores e "manipuladores terminais" especial-
mente concebidos para esses "robots":
N.B.: VER TAMBÉM 2B207.
a. Com capacidade de processamento de imagens tridimensionais
efectivas ou de análise de cenas tridimensionais efectivas em
tempo real, para gerar ou modificar "programas" ou gerar ou
modificar dados numéricos de programas;
Nota Técnica:
A limitação imposta à "análise de cenas" não abrange a
aproximação à terceira dimensão por visionamento num
determinado ângulo, nem a interpretação de escalas de
cinzentos limitadas para percepção de profundidades ou de
texturas para fins aprovados (2½ D).
b. Especialmente concebidos para satisfazerem normas nacionais
de segurança aplicáveis a ambientes onde se encontrem
munições explosivas;
c. Especialmente concebidos ou dimensionados para resistirem a
uma dose total de radiações superior a 5 × 103 Gy (silício) sem
degradação do funcionamento; ou
Nota técnica:
O termo Gy (silício) refere-se à energia em Joules por
quilograma absorvida por uma amostra de silício desprotegida
quando exposta a radiações ionizantes.
d. Especialmente concebidos para operar a altitudes superiores a
30 000 m.
2B008 Conjuntos ou unidades especialmente concebidos para máquinas-
-ferramentas ou para sistemas e equipamentos de medição ou
inspecção dimensional:
a. Unidades de realimentação negativa da posição linear (por
exemplo, dispositivos do tipo indutivo, escalas graduadas,
sistemas de infravermelhos ou sistemas de "laser") de
"precisão" total inferior a (melhor que) [800 +(600.L.10−
3)] nm (L é a distância efectiva em mm);
N.B.: Para sistemas de "laser" ver também a Nota relativa a
2B006.b.1.
b. Unidades de realimentação negativa da posição angular (por
exemplo, dispositivos do tipo indutivo, escalas graduadas,
sistemas de infravermelhos ou sistemas de "laser") de
"precisão" inferior a (melhor que) 0,00025º;
N.B.: Para sistemas de "laser" ver também a Nota relativa a
2B006.b.1.
c. "Mesas rotativas de movimentos compostos" e "fusos bascu-
lantes", capazes de melhorar, de acordo com as especificações
do fabricante, as capacidades de máquinas-ferramentas para
níveis iguais ou superiores aos especificados no ponto 2B.
2B009 Máquinas de enformação por rotação e máquinas de enformação
contínua que, de acordo com as especificações técnicas do
fabricante, possam ser equipadas com unidades de "controlo
numérico" ou com comando computorizado e que possuam as
seguintes características:
N.B.: VER TAMBÉM 2B109 e 2B209.
a. Dois ou mais eixos controlados, dos quais dois, no mínimo,
possam ser coordenados simultaneamente para o "controlo de
contorno"; e
b. Uma força dos rolos superior a 60 kN.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 83
▼M3
Nota técnica:
Para efeitos de 2B009, as máquinas que combinem as funções de
enformação por rotação e enformação contínua são consideradas
como máquinas de enformação contínua.
2B104 "Prensas isostáticas" diferentes das referidas em 2B004, com todas
as seguintes características:
N.B.: VER TAMBÉM 2B204.
a. Pressão máxima de trabalho igual ou superior a 69 MPa;
b. Capacidade para atingir e manter um ambiente térmico
controlado igual ou superior a 873 K (600 ºC); e
c. Câmara de trabalho de diâmetro interior igual ou superior a
254 mm;
2B105 Fornos para deposição em fase vapor por processo químico (CVD)
diferentes das referidas em 2B005.a. concebidos ou modificados
para a densificação de materiais compósitos carbono-carbono.
2B109 Máquinas de enformação contínua, diferentes das referidas em
2B009, bem como componentes especialmente concebidos para
essas máquinas:
N.B.: VER TAMBÉM 2B209.
a. Máquinas de enformação contínua com ambas as seguintes
características:
1. Poderem, de acordo com as especificações técnicas do
fabricante, ser equipadas com unidades de "controlo
numérico" ou com comando computorizado, ainda que não
estejam equipadas com tais unidades; e
2. Possuirem mais de dois eixos que possam ser coordenados
simultaneamente para o "controlo de contorno".
b. Componentes especialmente concebidos para as máquinas de
enformação contínua referidas em 2B009 ou 2B109.a.
Nota: 2B109 não abrange as máquinas que não sejam
utilizáveis na produção de equipamentos e componentes
(por exemplo, cárteres de motores) para os sistemas de
propulsão referidos em 9A005, 9A007.a ou 9A105.a.
Nota técnica:
As máquinas que combinem as funções de enformação por rotação
e enformação contínua são, para efeitos deste ponto, consideradas
como máquinas de enformação contínua.
2B116 Equipamentos para ensaios de vibrações e respectivos compo-
nentes:
a. Sistemas para ensaios de vibrações que utilizem técnicas de
realimentação negativa ou de ciclo fechado e disponham de um
controlador digital, capazes de fazer vibrar um sistema a 10 g
rms ou mais em toda a gama de frequências compreendida entre
20 Hz e 2 000 Hz e de transmitir forças iguais ou superiores a
50 kN, medidas "em mesa nua";
b. Controladores digitais, combinados com suportes lógicos
especialmente concebidos para ensaios de vibrações, com
uma largura de banda em tempo real superior a 5 kHz econcebidos para utilização com os sistemas para ensaios de
vibrações referidos em 2B116.a;
c. Impulsores de vibrações (agitadores), com ou sem amplifica-
dores associados, capazes de transmitir forças iguais ou
superiores a 50 kN, medidas "em mesa nua", e utilizáveis nos
sistemas para ensaios de vibrações referidos em 2B116.a;
d. Estruturas de suporte da peça a ensaiar e unidades electrónicas
concebidas para combinar múltiplos agitadores num sistema
capaz de comunicar forças combinadas efectivas iguais ou
superiores a 50 kN, medidas "em mesa nua", e utilizáveis nos
sistemas para ensaios de vibrações referidos em 2B116.a.
Nota Técnica:
Em 2B116, "mesa nua" designa uma mesa ou superficie plana sem
qualquer dispositivo de fixação ou equipamento acessório.
2B117 Comandos de equipamentos e processos, diferentes dos especifi-
cados em 2B004, 2B005.a, 2B104 ou 2B105, concebidos ou2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 84
▼M3
modificados para a densificação e pirólise de materiais compósitos
estruturais de tubeiras de foguetes e de pontas de narizes de
veículos de reentrada.
2B119 Máquinas de equilibragem e equipamento conexo:
N.B.: VER TAMBÉM 2B219.
a. Máquinas de equilibragem com todas as seguintes caracterís-
ticas:
1. Incapacidade para equilibrar rotores/conjuntos de massa
superior a 3 kg;
2. Capacidade para equilibrar rotores/conjuntos a velocidades
superiores a 12 500 rpm;
3. Capacidade para corrigir desequilíbrios em dois ou mais
planos;e
4. Capacidade para efectuar a equilibragem com um desequilí-
brio residual específico de 0,2 g mm por kg de massa do
rotor;
Nota: 2B119.a não abrange as máquinas de equilibragem
concebidas ou modificadas para equipamento
dentário ou outro equipamento médico.
b. Cabeças indicadoras concebidas ou modificadas para utilização
com as máquinas referidas em 2B119.a.
Nota técnica:
As cabeças indicadoras são por vezes conhecidas como
instrumentos de equilibragem.
2B120 Simuladores de movimento ou mesas rotativas ( rate tables )co m
todas as seguintes características:
a. Dois ou mais eixos;
b. Anéis colectores capazes de transmitir potência eléctrica e/ou
informações sob a forma de sinais; e
c. Com uma das seguintes características:
1. Ambas as características a seguir enumeradas, para qualquer
dos eixos:
a. Capacidade para velocidades iguais ou superiores a 400
graus/s ou iguais ou inferiores a 30 graus/s; e
b. Resolução igual ou inferior a 6 graus/s e precisão igual
ou inferior a 0,6 graus/s;
2. Estabilidade de movimento, no pior dos casos, igual a ou
melhor que (inferior a) ± 0,05 %, em média, em 10 graus ou
mais;ou
3. Precisão de posicionamento igual a ou melhor do que 5 arc/
/s.
Nota: 2B120 não abrange as mesas rotativas concebidas ou
modificadas para máquinas-ferramentas ou para equi-
pamento médico. No que se refere ao controlo de mesas
rotativas de máquinas-ferramentas, ver 2B008.
2B121 Mesas de posicionamento (equipamento capaz de garantir um
posicionamento rotativo preciso em quaisquer eixos) diferente do
referido em 2B120, com todas as seguintes características:
a. Dois ou mais eixos; e
b. Precisão de posicionamento igual a 5 arc/s ou melhor.
Nota: 2B121 não abrange as mesas rotativas concebidas ou
modificadas para máquinas-ferramentas ou para equi-
pamento médico. No que se refere ao controlo de mesas
rotativas de máquinas-ferramentas, ver 2B008.
2B122 Centrifugadoras com capacidade para imprimir acelerações acima
de 100 g e com anéis colectores capazes de transmitir potência
eléctrica e informações sob a forma de sinais.
2B201 Máquinas-ferramentas diferentes das referidas em 2B001 para a
remoção ou corte de metais ou de materiais cerâmicos ou
"compósitos" que, de acordo com as especificações técnicas do2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 85
▼M3
fabricante, possam ser equipadas com dispositivos electrónicos
para "controlo de contorno" simultâneo em dois ou mais eixos:
a. Máquinas-ferramentas para fresar, com uma das seguintes
características:
1. Precisão de posicionamento em qualquer eixo linear, com
"todas as compensações disponíveis", igual ou inferior a
(melhor que) 6 µm de acordo com a ISO 230/2 (1988)(1)o u
com normas nacionais equivalentes; ou
2. Dois ou mais eixos de rotação de contorno.
Nota: 2B201.a não abrange as fresadoras com as
seguintes características:
a. Curso no eixo X superior a 2m; e
b. Precisão de posicionamento global no eixo X
superior a (pior que) 30 µm.
b. Máquinas-ferramentas para rectificar, com uma das seguintes
características:
1. Precisão de posicionamento em qualquer eixo linear, com
"todas as compensações disponíveis", igual ou inferior a
(melhor que) 4 µm de acordo com a ISO 230/2 (1988) (1)o u
com normas nacionais equivalentes; ou
2. Dois ou mais eixos de rotação de contorno.
Nota: 2B201.b. não abrange as seguintes rectificadoras:
a. Rectificadoras cilíndricas de exteriores, de inte-
riores ou de exteriores e interiores, com todas as
seguintes características:
1. Estarem limitadas à rectificação cilíndrica;
2. Só poderem maquinar peças de diâmetro
exterior ou comprimento não superiores a
150 mm;
3. Não possuírem mais de dois eixos que possam
ser coordenados simultaneamente para o
"controlo de contorno"; e
4. Sem eixo c de contorno;
b. Rectificadoras por coordenadas com eixos limi-
tados a x, y e c, em que o eixo c seja utilizado para
manter a perpendicularidade da mó em relação à
superfície de trabalho e em que o eixo a esteja
configurado para rectificar cames cilíndricos;
c. Rectificadoras de ferramentas ou ferros de corte
com "suporte lógico" especialmente concebido
para a produção de ferramentas ou ferros de
corte;ou
d. Rectificadoras de cambotas ou árvores de cames.
2B204 "Prensas isostáticas" não abrangidas por 2B004 ou 2B104, bem
como equipamentos conexos:
a. "Prensas isostáticas" com ambas as seguintes características:
1. Capazes de atingir uma pressão máxima de trabalho igual ou
superior a 69 Mpa; e
2. Com uma câmara de trabalho de diâmetro interior superior a
152 mm;
b. Cunhos, matrizes, moldes e comandos especialmente conce-
bidos para as "prensas isostáticas" referidas em 2B204.a.
Nota técnica:
Em 2B204, a dimensão interior da câmara é a da câmara em que
se atingem a temperatura e a pressão de trabalho e não inclui os
acessórios. Esta dimensão será a menor de duas dimensões — o
diâmetro interior da câmara de pressão e o diâmetro interior da
câmara isolada do forno — dependendo de qual das duas câmaras
esteja localizada no interior da outra.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 86
(1) Os fabricantes que calculam a precisão de posicionamento de acordo com a ISO 230/2
(1997) deverão consultar as autoridades competentes do Estado-Membro onde estão
estabelecidos.
▼M3
2B206 Máquinas, instrumentos ou sistemas de controlo dimensional
diferentes dos referidos no ponto 2B006:
a. Máquinas de controlo dimensional com comando computori-
zado ou controlo numérico que possuam as seguintes
características:
1. Dois ou mais eixos; e
2. Uma "incerteza de medida" unidimensional igual ou inferior
a (melhor que) (1,25 + L/1 000) µm testada com uma sonda
de "precisão" inferior a (melhor que) 0,2 µm (L é o
comprimento medido, em milímetros) (Ref.:VDI/VDE 2617
Partes 1 e 2);
b. Sistemas de controlo simultâneo linear-angular de peças
hemisféricas, com as seguintes características:
1. "Incerteza de medida" em qualquer eixo linear igual ou
inferior a (melhor que) 3,5 µm por 5 mm; e
2. "Desvio angular de posição" igual ou inferior a 0,02º.
Nota 1: As máquinas-ferramentas que possam ser utilizadas
como máquinas de medição serão controladas se
corresponderem aos critérios especificados para a
função de máquina-ferramenta ou de máquina de
medição, ou se excederem esses critérios.
Nota 2: As máquinas referidas em 2B006serão controladas se
ultrapassaremos limites estipulados emqualquer ponto
da sua gama de funcionamento.
Notas técnicas:
1. As sondas utilizadas na determinação da "incerteza de
medida" dos sistemas de controlo dimensional devem ser
análogas à descrita na norma VDI/VDE 2617, partes 2, 3 e
4.
2. Todos os parâmetros dos valores de medição referidos em
2B206representam parâmetros mais/menos, isto é, não a
banda total.
2B207 "Robots", "operadores terminais" e unidades de controlo não
referidos em 2B007:
a. "Robots" ou "operadores terminais" especialmente concebidos
para satisfazer normas nacionais de segurança aplicáveis no
manuseamento de produtos altamente explosivos (por exemplo,
que cumpram as especificações eléctricas para produtos
altamente explosivos);
b. Unidades de comando especialmente concebidas para qualquer
dos "robots" ou "operadores terminais" especificados em
2B207.a.
2B209 Máquinas de enformação contínua e máquinas de enformação por
rotação capazes de executar enformação contínua não referidas nos
pontos 2B009 ou 2B109, e mandris:
a. Máquinas com ambas as seguintes características:
1. Três ou mais rolos (activos ou de guiamento); e
2. Que, de acordo com as especificações técnicas do fabricante,
possam ser equipadas com uma unidade de controlo
numérico ou com comando por computador;
b. Mandris para a enformação de rotores, concebidos para
enformar rotores cilíndricos de diâmetro interior compreendido
entre 75 mm e 400 mm.
Nota: 2B209.a. abrange as máquinas com um único rolo
concebido para deformar metal e dois rolos auxiliares de
suporte do mandril mas que não participam directamente
no processo de deformação.
2B219 Máquinas centrifugadoras de equilibragem em múltiplos planos,
fixas ou portáteis, horizontais ou verticais:
a. Máquinas centrifugadoras de equilibragem concebidas para
equilibrar rotores flexíveis de comprimento igual ou superior a
600 mm, com todas as seguintes características:
1. Diâmetro útil ou diâmetro do moente superior a 75 mm;
2. Capacidade para massas compreendidas entre 0,9 e 23 kg; e2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 87
▼M3
3. Capacidade para efectuar a equilibragem a velocidades de
rotação superiores a 5 000 rpm;
b. Máquinas centrifugadoras de equilibragem concebidas para
equilibrar componentes cilíndricos ocos de rotores, com todas
as seguintes características:
1. Diâmetro do moente igual ou superior a 75 mm;
2. Capacidade para massas entre 0,9 e 23 kg;3. Capacidade para efectuar a equilibragem com um desequilí-
brio residual igual ou inferior a 0,01 kg × mm/kg por plano;
e
4. Do tipo com transmissão por correia.
2B225 Manipuladores de comando a distância que possam ser utilizados
para executar acções comandadas à distância em operações de
separação radioquímica ou em "células quentes", com uma das
seguintes características:
a. Capazes de penetrar em paredes de células quentes de espessura
igual ou superior a 0,6 m (funcionamento através da parede); ou
b. Capazes de transpor, em ponte, a parte superior de paredes de
células quentes de espessura igual ou superior a 0,6 m
(funcionamento por cima da parede).
Nota técnica:
Osmanipuladoresde comando a distância permitem a transmissão
das acções de um operador humano a um braço e a um
equipamento terminal telecomandados. Podem ser do tipo
"servomecanismo" ou comandados por um "joystick" ou um
teclado.
2B226 Fornos de indução de atmosfera controlada (vácuo ou gás inerte),
bem como fontes de alimentação especialmente concebidas para
esses fornos:
N.B.: VER TAMBÉM 3B.
a. Fornos com todas as seguintes características:
1. Capazes de funcionar a temperaturas superiores a 1 123 K
(850 ºC)
2. Bobinas de indução de diâmetro igual ou inferior a 600 mm;
e
3. Concebidos para potências de alimentação iguais ou
superiores a 5 kW;
b. Fontes de alimentação de potência nominal igual ou superior a
5 kW, especialmente concebidas para os fornos referidos em
2B226.
Nota: 2B226.a. não abrange os fornos concebidos para o
tratamento de bolachas semicondutoras.
2B227 Fornos metalúrgicos de fusão e de fundição sob vácuo ou sob outra
forma de atmosfera controlada, e equipamentos conexos:
a. Fornos de arco para refusão e fundição com ambas as seguintes
características:
1. Capacidades para eléctrodos consumíveis situadas entre
1 000 cm3e 20 000 cm3,e
2. Capazes de funcionar a temperaturas de fusão superiores a
1 973 K (1 700 ºC);
b. Fornos de fusão por feixes de electrões e fornos de atomização
e fusão por plasma com ambas as seguintes características:
1. Potência igual ou superior a 50 kW; e
2. Capazes de funcionar a temperaturas de fusão superiores a
1 473 K (1 200 ºC).
c. Sistemas de controlo e de monitorização por computador
especialmente configurados para qualquer dos fornos referidos
em 2B227.a ou b.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 88
▼M3
2B228 Equipamentos para o fabrico ou a montagem de rotores,
equipamentos para o alinhamento de rotores, e mandris, cunhos
e matrizes para a enformação de foles:
a. Equipamentos para a montagem de rotores, utilizados na
montagem de secções tubulares, deflectores e tampas de rotores
de centrifugadoras de gases;
Nota: 2B228.a. inclui mandris de precisão, braçadeiras e
máquinas de ajustamento por retracção.
b. Equipamentos para o alinhamento de rotores, utilizados no
alinhamento de secções tubulares de rotores de centrifugadoras
de gases em relação a um eixo comum.
Nota técnica:
Em 2B228.b, estes equipamentos são normalmente constituídos
por sondas de medição de precisão ligadas a um computador
que, em seguida, comanda, por exemplo, a acção dos macacos
pneumáticos utilizados para alinhar as secções tubulares do
rotor.
c. Mandris, cunhos e matrizes para a enformação de foles
utilizados no fabrico de foles de espira única.
Nota técnica:
Os foles referidos no ponto 2B228.c. têm todas as seguintes
características:
1. Diâmetro interior compreendido entre 75 mm e 400 mm;
2. Comprimento igual ou superior a 12,7 mm;
3. Profundidade da espira única superior a 2 mm: e
4. Fabricados de ligas de alumínio de alta resistência, de aço
maraging ou de "materiais fibrosos ou filamentosos" de alta
resistência.
2B230 "Transdutores de pressão" capazes de medir pressões absolutas em
qualquer ponto da escala de 0 a 13 kPa e com ambas as seguintes
características:
a. Elementos sensores da pressão fabricados ou protegidos com
alumínio, liga de alumínio, níquel ou liga de níquel com mais
de 60 % em massa de níquel; e
b. Com uma das seguintes características:
1. Uma escala completa de menos de 13 kPa e "precisão"
superior (melhor que) a + 1 % de escala completa; ou
2. Uma escala completa de 13 kPa ou mais e "precisão"
superior (melhor que) a + 130 Pa.
Nota técnica:
Para efeitos de 2B230 a "precisão" inclui a não linearidade, a
histerese e a repetibilidade à temperatura ambiente.
2B231 Bombas de vácuo com todas as seguintes características:
a. Garganta de entrada de dimensão igual ou superior a 380 mm;
b. Velocidade de bombagem igual ou superior a 15 m3/s;e
c. Capazes de produzir um vácuo máximo melhor do que 13 mPa.
Notas técnicas:
1. A velocidade de bombagem deve ser determinada no ponto
de medida com azoto ou ar.
2. O vácuo máximo deve ser determinado à entrada da bomba,
estando esta fechada.
2B232 Canhões de gases leves de andares múltiplos ou outros sistemas de
canhão de alta velocidade (sistemas de bobina, tipos electromag-
néticos e electrotérmicos e outros sistemas avançados), capazes de
acelerar projécteis a velocidades iguais ou superiores a 2 km/s.
2B350 Equipamentos e dispositivos da indústria química:
a. Vasos de reacção ou reactores, com ou sem agitadores, de
volume interior (geométrico) total superior a 0,1 m3(100 l), mas
inferior a 20 m3(20 000 l), caracterizados pelo facto de todas as
superfícies que entram em contacto directo com o(s) produto(s)2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 89
▼M3
químico(s) processado(s) ou contido(s) serem constituídas por
um dos seguintes materiais:
1. Ligas com mais de 25 % de níquel e mais de 20 % de
crómio, em massa;
2. Fluoropolímeros;
3. Vidro (incluindo superfícies vitrificadas ou esmaltadas e
revestimentos de vidro);
4. Níquel ou ligas com mais de 40 %, em massa, de níquel;
5. Tântalo ou ligas de tântalo;
6. Titânio ou ligas de titânio; ou
7. Zircónio ou ligas de zircónio;
b. Agitadores para vasos de reacção ou reactores, caracterizados
pelo facto de todas as superfícies que entram em contacto
directo com o(s) produto(s) químico(s) processado(s) ou
contido(s) serem constituídas por um dos seguintes materiais:
1. Ligas com mais de 25 % de níquel e mais de 20 % de
crómio, em massa;
2. Fluoropolímeros;
3. Vidro (incluindo superfícies vitrificadas ou esmaltadas e
revestimentos de vidro);
4. Níquel ou ligas com mais de 40 %, em massa, de níquel;
5. Tântalo ou ligas de tântalo;
6. Titânio ou ligas de titânio; ou
7. Zircónio ou ligas de zircónio;
c. Recipientes, tanques ou reservatórios de armazenagem de
volume interior (geométrico) total superior a 0,1 m3(100 l),
caracterizados pelo facto de todas as superfícies que entram em
contacto directo com o(s) produto(s) químico(s) processado(s)
ou contido(s) serem constituídas por um dos seguintes
materiais:
1. Ligas com mais de 25 % de níquel e mais de 20 % de
crómio, em massa;
2. Fluoropolímeros;3. Vidro (incluindo superfícies vitrificadas ou esmaltadas e
revestimentos de vidro);
4. Níquel ou ligas com mais de 40 %, em massa, de níquel;
5. Tântalo ou ligas de tântalo;
6. Titânio ou ligas de titânio;
ou
7. Zircónio ou ligas de zircónio;
d. Permutadores de calor ou condensadores com uma superfície de
transferência de calor superior a 0,15 m2e inferior a 20 m2,
caracterizados pelo facto de todas as superfícies que entram em
contacto directo com o(s) produto(s) químico(s) processado(s)
serem constituídas por um dos seguintes materiais:
1. Ligas com mais de 25 % de níquel e mais de 20 % de
crómio, em massa;
2. Fluoropolímeros;3. Vidro (incluindo superfícies vitrificadas ou esmaltadas e
revestimentos de vidro);
4. Grafite ou carbono grafite;
5. Níquel ou ligas com mais de 40 %, em massa, de níquel;
6. Tântalo ou ligas de tântalo;
7. Titânio ou ligas de titânio;
8. Zircónio ou ligas de zircónio;
9. Carboneto de silício;
ou
10. Carboneto de titânio.
e. Colunas de destilação ou de absorção de diâmetro interior
superior a 0,1 m, caracterizadas pelo facto de todas as
superfícies que entram em contacto directo com o(s) produto(s)2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 90
▼M3
químico(s) processado(s) serem constituídas por um dos
seguintes materiais:
1. Ligas com mais de 25 % de níquel e mais de 20 % de
crómio, em massa;
2. Fluoropolímeros;3. Vidro (incluindo superfícies vitrificadas ou esmaltadas e
revestimentos de vidro);
4. Grafite ou carbono grafite;5. Níquel ou ligas com mais de 40 %, em massa, de níquel;6. Tântalo ou ligas de tântalo;7. Titânio ou ligas de titânio;
ou
8. Zircónio ou ligas de zircónio;
f. Equipamentos de enchimento com comando à distância,
caracterizados pelo facto de todas as superfícies que entram
em contacto directo com o(s) produto(s) químico(s) proces-
sado(s) serem constituídas por um dos seguintes materiais:
1. Ligas com mais de 25 % de níquel e mais de 20 %, em
massa, de crómio;
2. Níquel ou ligas com mais de 40 %, em massa, de níquel;
g. Válvulas com vedante múltiplo dotadas de um orifício de
detecção de fugas, válvulas de fole, válvulas de retenção (anti-
-retorno) ou válvulas de diafragma, caracterizadas pelo facto de
todas as superfícies que entram em contacto directo com o(s)
produto(s) químico(s) processado(s) ou contido(s) serem
constituídas por um dos seguintes materiais:
1. Ligas com mais de 25 % de níquel e mais de 20 % de
crómio, em massa;
2. Fluoropolímeros;
3. Vidro (incluindo superfícies vitrificadas ou esmaltadas e
revestimentos de vidro);
4. Níquel ou ligas com mais de 40 %, em massa, de níquel;5. Tântalo ou ligas de tântalo;6. Titânio ou ligas de titânio;
ou
7. Zircónio ou ligas de zircónio;
h. Tubagens de paredes múltiplas dotadas de um orifício de
detecção de fugas, caracterizadas pelo facto de todas as
superfícies que entram em contacto directo com o(s) produto(s)
químico(s) processado(s) ou contido(s) serem constituídas por
um dos seguintes materiais:
1. Ligas com mais de 25 % de níquel e mais de 20 % de
crómio, em massa;
2. Fluoropolímeros;
3. Vidro (incluindo superfícies vitrificadas ou esmaltadas e
revestimentos de vidro);
4. Grafite ou carbono grafite;5. Níquel ou ligas com mais de 40 %, em massa, de níquel;6. Tântalo ou ligas de tântalo;7. Titânio ou ligas de titânio;
ou
8. Zircónio ou ligas de zircónio;
i. Bombas de fole ou de diafragma com vedante múltiplo e
accionamento magnético encapsulado cujo caudal máximo
especificado pelo fabricante seja superior a 0,6 m3/h, ou
bombas de vácuo cujo caudal máximo especificado pelofabricante seja superior a 5 m
3/h (nas condições normais de
pressão (101,3 kPa) e temperatura (273 K (0 ºC)), caracteri-
zadas pelo facto de todas as superfícies que entram em contacto
directo com o(s) produto(s) químico(s) processado(s) serem
constituídas por um dos seguintes materiais:
1. Ligas com mais de 25 % de níquel e mais de 20 % de
crómio, em massa;
2. Materiais cerâmicos;
3. Ferrossilício;2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 91
▼M3
4. Fluoropolímeros;
5. Vidro (incluindo superfícies vitrificadas ou esmaltadas e
revestimentos de vidro);
6. Grafite ou carbono grafite;
7. Níquel ou ligas com mais de 40 %, em massa, de níquel;
8. Tântalo ou ligas de tântalo;9. Titânio ou ligas de titânio;
ou
10. Zircónio ou ligas de zircónio;
j. Incineradores concebidos para destruir os produtos químicos
referidos no ponto 1C350, equipados com sistemas de
alimentação de resíduos especificamente concebidos e com
dispositivos de manipulação especiais, com uma temperatura
média na câmara de combustão superior a 1 273 K (1 000 ºC) e
caracterizados pelo facto de todas as superfícies do sistema de
alimentação de resíduos que entram em contacto directo com
estes serem constituídas ou revestidas por um dos seguintes
materiais:
1. Ligas com mais de 25 % de níquel e mais de 20 % de
crómio, em massa;
2. Materiais cerâmicos, ou
3. Níquel ou ligas com mais de 40 %, em massa, de níquel.
Nota técnica:
Carbono-grafite é um composto de carbono amorfo e grafite,
cujo conteúdo de grafite é igual ou superior a 8 %, em massa.
2B351 Sistemas de monitorização de gases tóxicos e detectores
específicos, com as seguintes características:
a. Concebidos para funcionar em contínuo e utilizáveis na
detecção de concentrações inferiores a 0,3 mg/m3 de agentes
de guerra química ou dos produtos químicos referidos em
1C350;ou
b. Concebidos para a detecção de actividade inibidora da
colinesterase.
2B352 Equipamento capaz de ser utilizado na manipulação de materiais
biológicos:
a. Instalações completas para a contenção de materiais biológicos
de nível de contenção P3 e P4;
Nota técnica:
Os níveis de contenção P3 e P4 (BL3, BL4, L3, L4) estão
definidos no Laboratory Biosafety Manual da OMS (Genebra,
1983).
b. Fermentadores adequados para a cultura de "microrganismos"
patogénicos ou vírus ou para a produção de toxinas, sem
propagação de aerossóis, que possuam uma capacidade igual ou
superior a 100 litros;
Nota técnica:
Os fermentadores incluem os biorreactores, os quimióstatos e
os sistemas de débito contínuo.
c. Separadores centrífugos capazes de separação contínua sem
propagação de aerossóis, que possuam todas as seguintes
características:
1. Caudal superior a 100 litros por hora;
2. Componentes de titânio ou aço inoxidável polido;
3. Uma ou mais juntas de vedação na zona de contenção do
vapor;e
4. Em que possa ser efectuada esterilização in situa vapor com
o centrifugador fechado;
Nota técnica:
Os separadores centrífugos incluem os decantadores.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 92
▼M3
d. Equipamentos de filtragem em contra-corrente (corrente
tangencial), concebidos para separação contínua sem propa-
gação de aerossóis, com ambas as seguintes características:
1. Superfície igual ou superior a 5 m2;e
2. Em que possa ser efectuada esterilização in situ;
e. Equipamentos de liofilização esterilizáveis a vapor, equipados
com um condensador de capacidade superior a 50 kg de gelo
em 24 horas e inferior a 1 000 kg de gelo em 24 horas;
f. Equipamentos que incluam ou estejam contidos em câmaras de
contenção de nível P3 ou P4:
1. Fatos de protecção completos ou parciais com ventilação
independente;
2. Compartimentos ou isoladores de segurança biológica de
classe III, com normas de desempenho semelhantes;
Nota: Em 2B352.f.2., os isoladores incluem isoladores
flexíveis, caixas secas, câmaras anaeróbias, caixas
com luvas e exaustores de escoamento laminar.
g. Câmaras concebidas para ensaios de detecção de aerossóis com
"toxinas" ou "microrganismos", de capacidade igual ou superior
a1m3.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 93
▼M3
2C Materiais
Nenhum2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 94
▼M3
2D Suporte lógico
2D001 "Suportes lógicos", com excepção dos especificados em 2D002,
especialmente concebidos ou modificados para o "desenvolvi-
mento", "produção" ou "utilização" dos equipamentos referidos em
2A001 ou 2B001 a 2B009.
2D002 "Suportes lógicos" para dispositivos electrónicos, mesmo quando
residentes no próprio dispositivo electrónico, que permitam que
esses dispositivos ou sistemas funcionem como unidades de
"controlo numérico", capazes de fazer a coordenação simultânea
de mais de quatro eixos para "controlo de contorno".
Nota: 2D002 não abrange os "suportes lógicos" especialmente
concebidos ou modificados para o comando de
máquinas-ferramentas não referidas na Categoria 2.
2D101 "Suportes lógicos" especialmente concebidos ou modificados para
a "utilização" dos equipamentos referidos em 2B104, 2B105,
2B109, 2B116, 2B117 ou 2B119 a 2B122.
N.B.: VER TAMBÉM 9D004.
2D201 "Suportes lógicos" especialmente concebidos para a "utilização"
dos equipamentos referidos em 2B204, 2B206, 2B207, 2B209,
2B219 ou 2B227.
2D202 "Suportes lógicos" especialmente concebidos ou modificados para
o "desenvolvimento", "produção" ou "utilização" do equipamento
referido em 2B201.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 95
▼M3
2E Tecnologia
2E001 "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o
"desenvolvimento" dos equipamentos ou dos "suportes lógicos"
referidos em 2A, 2B ou 2D.
2E002 "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para a
"produção" dos equipamentos referidos em 2A ou 2B.
2E003 Outras "tecnologias":
a. "Tecnologia" para o "desenvolvimento" de gráficos interactivos
integrados em unidades de "controlo numérico", para a
preparação ou modificação de programas de peças;
b. "Tecnologia" para processos que envolvam o trabalho de
metais:
1. "Tecnologia" para a concepção de ferramentas, cunhos,
matrizes ou dispositivos fixos especialmente concebidos
para os seguintes processos:
a. "Enformação superplástica";
b. "Soldadura por difusão"; ou
c. "Prensagem hidráulica por acção directa";
2. Dados técnicos constituídos por métodos ou parâmetros de
processo, a seguir enumerados, utilizados para controlar:
a. A "enformação superplástica" de ligas de alumínio, ligas
de titânio ou "superligas":
1. Preparação das superfícies;
2. Velocidade de deformação;3. Temperatura;
4. Pressão;
b. A "soldadura por difusão" de "superligas" ou de ligas de
titânio:
1. Preparação das superfícies;
2. Temperatura;
3. Pressão;
c. A "prensagem hidráulica por acção directa" de ligas de
alumínio ou de ligas de titânio:
1. Pressão;
2. Duração do ciclo;
d. A "densificação isostática a quente" de ligas de titânio, de
ligas de alumínio ou de "superligas":
1. Temperatura;
2. Pressão;3. Duração do ciclo;
c. "Tecnologia" para o "desenvolvimento" ou "produção" de
máquinas de enformação por estiramento hidráulico e respec-
tivos cunhos e matrizes, para o fabrico de estruturas de células;
d. "Tecnologia" para o "desenvolvimento" de geradores de
instruções (por exemplo, programas de peças) de máquinas-
-ferramentas a partir de dados de projecto residentes em
unidades de "controlo numérico";
e. "Tecnologia" para o "desenvolvimento" de "suportes lógicos"
de integração, para a incorporação, em unidades de "controlo
numérico", de sistemas periciais de apoio avançado a decisões
no âmbito de operações a nível da fábrica;
f. "Tecnologia" para a aplicação de revestimentos inorgânicos por
cobertura ou modificação da superfície (especificados na
coluna 3 do quadro seguinte) em substratos não electrónicos
(especificados na coluna 2 do quadro seguinte) por processos
especificados na coluna 1 do quadro seguinte e definidos na
Nota Técnica.
Nota: O quadro e a Nota Técnica encontram-se após a
entrada 2E301.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 96
▼M3
2E101 "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para a
"utilização" dos equipamentos ou "suportes lógicos" referidos em
2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 a 2B122 ou 2D101.
2E201 "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para a
"utilização" dos equipamentos ou "suportes lógicos" referidos em
2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008,
2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 a 2B232,
2D201 ou 2D202.
2E301 "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para a
"utilização" dos bens referidos em 2B350 a 2B352.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 97
▼M3
Quadro
Técnicas de deposição
1. Processo de revestimento (1) (*) 2. Substrato 3. Revestimento resultante
A. Deposição em fase vapor por
processo químico (CVD)"Superligas" Aluminetos para tubulações
internas
Materiais cerâmicos (19) e
vidros de pequena dilatação
(14)Silicietos
Carbonetos
Camadas dieléctricas (15)
DiamanteCarbono diamante (17)
Materiais "compósitos"
carbono-carbono, cerâmicos e
de "matriz" metálicaSilicietos
CarbonetosMetais refractários
Misturas destes (4)
Camadas dieléctricas (15)AluminetosAluminetos ligados (2)
Nitreto de boro
Carboneto de tungsténio
cementado (16), carboneto de
silício (18)Carbonetos
Tungsténio
Misturas destes (4)
Camadas dieléctricas (15)
Molibdénio e ligas de molib-
dénioCamadas dieléctricas (15)
Berílio e ligas de berílio Camadas dieléctricas (15)
Diamante
Carbono diamante (17)
Materiais para janelas de
sensores (9)Camadas dieléctricas (15)
Diamante
Carbono diamante (17)2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 98
▼M3
1. Processo de revestimento (1) (*) 2. Substrato 3. Revestimento resultante
B.Deposição em fase vapor por
processo físico com evaporação
térmica (TE-PVD)
B.1. Deposição em fase vapor
por processo físico (PVD):
Feixe de electrões (EB-PVD)"Superligas" Silicietos ligados
Aluminetos ligados (2)
MCrAlX (5)Zircónio modificado (12)
Silicietos
AluminetosMisturas destes (4)
Materiais cerâmicos (19) e
vidros de pequena dilatação
(14)Camadas dieléctricas (15)
Aço resistente à corrosão (7) MCrAlX (5)
Zircónio modificado (12)
Misturas destes (4)
Materiais "compósitos"
carbono-carbono, cerâmicos e
de "matriz" metálicaSilicietos
Carbonetos
Metais refractários
Misturas destes (4)Camadas dieléctricas (15)Nitreto de boro
Carboneto de tungsténio
cementado (16), carboneto de
silício (18)Carbonetos
Tungsténio
Misturas destes (4)
Camadas dieléctricas (15)
Molibdénio e ligas de molib-
dénioCamadas dieléctricas (15)
Berílio e ligas de berílio Camadas dieléctricas (15)
Boretos
Berílio
Materiais para janelas de
sensores (9)Camadas dieléctricas (15)
Ligas de titânio (13) Boretos
Nitretos
B.2. Deposição em fase vapor
por processo físico com aqueci-
mento por resistência assistida
por feixe de iões (PVD) (meta-
lização iónica)Materiais cerâmicos (19) e
vidros de pequena dilatação
(14)Camadas dieléctricas (15)
Carbono diamante (17)
Materiais "compósitos"
carbono-carbono, cerâmicos e
de "matriz" metálicaCamadas dieléctricas (15)
Carboneto de tungsténio
cementado (16), carboneto de
silícioCamadas dieléctricas (15)
Molibdénio e ligas de molib-
dénioCamadas dieléctricas (15)
Berílio e ligas de berílio Camadas dieléctricas (15)
Materiais para janelas de
sensores (9)Camadas dieléctricas (15)
Carbono diamante (17)2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 99
▼M3
1. Processo de revestimento (1) (*) 2. Substrato 3. Revestimento resultante
B.3. Deposição em fase vapor
por processo físico (PVD):
Vaporização por "laser"Materiais cerâmicos (19) e
vidros de pequena dilatação
(14)Silicietos
Camadas dieléctricas (15)Carbono diamante (17)
Materiais "compósitos"
carbono-carbono, cerâmicos e
de "matriz" metálicaCamadas dieléctricas (15)
Carboneto de tungsténio
cementado (16), carboneto de
silícioCamadas dieléctricas (15)
Molibdénio e ligas de molib-
dénioCamadas dieléctricas (15)
Berílio e ligas de berílio Camadas dieléctricas (15)
Materiais para janelas de
sensores (9)Camadas dieléctricas (15)
Carbono diamante
B.4. Deposição em fase vapor
por processo físico (PVD):
Descarga por arco catódico"Superligas" Silicietos ligados
Aluminetos ligados (2)MCrAlX (5)
Polímeros (11) e materiais
"compósitos" de "matriz"
orgânicaBoretos
CarbonetosNitretos
Carbono diamante (17)
C. Cementação em caixa (ver A
para a cementação fora de
caixa) (10)Materiais "compósitos"
carbono-carbono, cerâmicos e
de "matriz" metálicaSilicietos
Carbonetos
Misturas destes (4)
Ligas de titânio (13) Silicietos
Aluminetos
Aluminetos ligados (2)
Metais e ligas refractários (8) Silicietos
Óxidos2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 100
▼M3
1. Processo de revestimento (1) (*) 2. Substrato 3. Revestimento resultante
D. Pulverização por plasma "Superligas" MCrAlX (5)
Zircónio modificado (12)Misturas destes (4)
Níquel-grafite que possa ser
submetido a abrasão
Materiais que contenham Ni-Cr-
-Al e possam ser submetidos a
abrasão
Al-Si-poliéster que possa ser
submetido a abrasão
Aluminetos ligados (2)
Ligas de alumínio (6) MCrAlX (5)
Zircónio modificado (12)
Silicietos
Misturas destes (4)
Metais e ligas refractários (8) Aluminetos
Silicietos
Carbonetos
Aço resistente à corrosão (7) MCrAIX (5)
Zircónio modificado (12)
Misturas deste (4)
Ligas de titânio (13) Carbonetos
Aluminetos
SilicietosAluminetos ligados (2)
Níquel-grafite que possa ser
submetido a abrasão
Materiais que contenham Ni-Cr-
-Al e possam ser submetidos a
abrasão
Al-Si-poliéster que possa ser
submetido a abrasão
E. Deposição de barbotina
(mistura pastosa fluida)Metais refractários Silicietos fundidos
Aluminetos fundidos excepto no
que se refere a elementos de
aquecimento por resistência
eléctrica
Materiais "compósitos"
carbono-carbono, cerâmicos e
de "matriz" metálicaSilicietos
CarbonetosMisturas destes (4)2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 101
▼M3
1. Processo de revestimento (1) (*) 2. Substrato 3. Revestimento resultante
F. Deposição por pulverização
Catódica"Superligas" Silicietos ligados
Aluminetos ligados (2)Aluminetos modificados por
metais nobres (3)
MCrAlX (5)
Zircónio modificado (12)
PlatinaMisturas destes (4)
Materiais cerâmicos e vidros
de pequena dilatação (14)Silicietos
PlatinaMisturas destes (4)Camadas dieléctricas (15)
Carbono diamante (17)
Ligas de titânio (13) Boretos
Nitretos
Óxidos
SilicietosAluminetos
Aluminetos ligados (2)
Carbonetos
Materiais "compósitos"
carbono-carbono, cerâmicos e
de "matriz" metálicaSilicietos
Carbonetos
Metais refractáriosMisturas destes (4)Camadas dieléctricas (15)
Nitreto de boro
Carboneto de tungsténio
cementado (16), carboneto de
silício (18)Carbonetos
Tungsténio
Misturas destes (4)
Camadas dieléctricas (15)Nitreto de boro
Molibdénio e ligas de molib-
dénioCamadas dieléctricas (15)
Berílio e ligas de berílio Boretos
Camadas dieléctricas (15)Berílio
Materiais para janelas de
sensores (9)Camadas dieléctricas (15)
Carbono diamante (17)
Metais e ligas refractários (8) Aluminetos
SilicietosÓxidosCarbonetos
G. Implantação iónica Aços para rolamentos para
altas temperaturasIncorporação de crómio, tântalo
ou nióbio
Ligas de titânio (13) Boretos
Nitretos
Berílio e ligas de berílio Boretos
Carboneto de tungsténio
cementado (16)Carbonetos
Nitretos2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 102
▼M3
Notas
1. A designação "processo de revestimento" abrange tanto o revestimento original como a reparação
ou renovação do revestimento.
2. A designação "revestimento de alumineto ligado" abrange os revestimentos executados numa única
ou em várias fases, no decorrer das quais são depositados um ou mais elementos, antes ou durante a
aplicação do revestimento de alumineto, ainda que esses elementos sejam depositados por outro
processo de revestimento. Contudo, esta designação não abrange os aluminetos ligados obtidos por
sucessivos processos de cementação em caixa numa só fase.
3. A designação revestimento de "alumineto modificado por metais nobres" abrange os revestimentos
executados em várias fases, no decorrer das quais o ou os metais nobres são depositados por outro
processo de revestimento antes da aplicação do revestimento de alumineto.
4. A designação "misturas destes" abrange os materiais infiltrados, as composições graduadas, as co-
-deposições e os depósitos de camadas múltiplas, obtidos por um ou mais dos processos de
revestimento enumerados no quadro.
5. "MCrAlX" designa as ligas de revestimento; M representa cobalto, ferro, níquel ou combinações
destes elementos e X representa háfnio, ítrio, silício ou tântalo, em qualquer quantidade, ou outras
incorporações intencionais que representem mais de 0,01 %, em massa, em proporções e
combinações diversas, excepto:
a. Revestimentos de CoCrAlY com menos de 22 %, em massa, de crómio, menos de 7 %, em
massa, de alumínio e menos de 2 %, em massa, de ítrio;
b. Revestimentos de CoCrAlY com 22 % a 24 %, em massa, de crómio, 10 % a 12 %, em massa,
de alumínio e 0,5 % a 0,7 %, em massa, de ítrio; ou
c. Revestimentos de NiCrAlY com 21 % a 23 %, em massa, de crómio, 10 % a 12 %, em massa, de
alumínio e 0,9 % a 1,1 %, em massa, de ítrio;
6. A designação "ligas de alumínio" abrange as ligas com tensão de ruptura à tracção igual ou superior
a 190 MPa, medida a 293 K (20 ºC).
7. A designação "aço resistente à corrosão" abrange os aços da série 300 do AISI (American Iron and
Steel Institute) ou os aços correspondentes a normas nacionais equivalentes.
8. A designação "metais refractários e ligas" abrange os seguintes metais e respectivas ligas: nióbio,
molibdénio, tungsténio e tântalo.
9. A designação "materiais para janelas de sensores" abrange os seguintes materiais: alumina, silício,
germânio, sulfureto de zinco, selenieto de zinco, arsenieto de gálio, diamante, fosforeto de gálio,
safira e os seguintes halogenetos metálicos: no que se refere a materiais para janelas de sensores
com mais de 40 mm de diâmetro, fluoreto de zircónio e fluoreto de háfnio.
10. A "tecnologia" para a cementação em caixa numa só fase de perfis aerodinâmicos maciços não é
abrangida pela categoria 2.
11. A designação "polímeros" abrange os seguintes polímeros: poliimidas, poliésteres, polissulfuretos,
policarbonatos e poliuretanos.
12. A designação "zircónio modificado" abrange os zircónios em que tenham sido incorporados outros
óxidos metálicos (por exemplo, óxidos de cálcio, de magnésio, de ítrio, de háfnio, de terras raras),
para estabilizar determinadas fases cristalográficas e composições de fases. Não são abrangidos os
revestimentos de zircónio, modificados com óxidos de cálcio ou de magnésio por mistura ou fusão,
que sirvam de barreira térmica.
13. A designação "ligas de titânio" abrange apenas as ligas utilizadas na indústria aeroespacial com
tensão de ruptura à tracção igual ou superior a 900 MPa, medida a 293 K (20 ºC).
14. A designação "vidros de pequena dilatação" abrange os vidros de coeficiente de dilatação térmica
igual ou inferior a 1 × 10−7K-1, medido a 293 K (20 ºC).
15. As "camadas dieléctricas" são revestimentos constituídos por várias camadas de materiais isolantes,
utilizando-se as propriedades de interferência de um conjunto de materiais com índices de refracção
distintos para reflectir, transmitir ou absorver diferentes bandas de comprimento de onda. A
designação "camadas dieléctricas" diz respeito a mais de 4 camadas dieléctricas ou camadas
"compósitas" dieléctrico/metal.
16. A designação "carboneto de tungsténio cementado" não abrange os materiais para ferramentas de
corte e de enformação quando se tratar de carboneto de tungsténio/(cobalto, níquel), carboneto de
titânio/(cobalto, níquel), carboneto de crómio/níquel-crómio e carboneto de crómio/níquel.
17. Não é abrangida a "tecnologia" especialmente concebida para a deposição de carbono diamante
sobre a superfície dos objectos a seguir indicados:
cabeças e unidades de disco magnéticas, equipamento para o fabrico de objectos descartáveis,
válvulas para torneiras, diafragmas acústicos para altifalantes, peças de motor de automóveis,
ferramentas de corte, matrizes de perfurar ou de estampar, equipamentos de burótica, microfones ou
instrumentos médicos.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 103
▼M3
18. A designação "carboneto de silício" não abrange os materiais para ferramentas de corte e de
enformação.
19. Os materiais cerâmicos a que aqui se faz referência não abrangem os materiais cerâmicos que
contenham, em peso, 5 % ou mais de argila ou cimento, quer como constituintes separados quer
combinados.
Aos processos enumerados na coluna 1 do quadro correspondem as seguintes definições:
a. A deposição em fase vapor por processo químico (CVD) é um processo de revestimento por
cobertura ou por modificação da superfície caracterizado pela deposição de um metal, liga, material
"compósito", material dieléctrico ou material cerâmico num substrato aquecido. Os reagentes
gasosos são decompostos ou combinados na vizinhança de um substrato, o que dá lugar à deposição
do elemento, liga ou material composto desejado nesse substrato. A energia necessária para oprocesso de decomposição ou de reacção química poderá ser fornecida pelo calor do próprio
substrato, por um plasma de descarga luminescente ou por uma irradiação "laser".
N.B. 1 A designação "deposição em fase vapor por processo químico" abrange os seguintes
processos: deposição fora de caixa com fluxo de gás dirigido, CVD pulsante, deposição
térmica com nucleação controlada (CNTD) e processos de deposição em fase vapor por
processo químico activados ou assistidos por plasma.
N.B. 2 O termo "caixa" designa um substrato imerso numa mistura de pós.
N.B. 3 Os reagentes gasosos utilizados no processo fora de caixa são obtidos recorrendo às
mesmas reacções e parâmetros básicos utilizados no processo de cementação em caixa,
com a diferença de que o substrato a revestir não está em contacto com a mistura de pós.
b. A deposição em fase vapor por processo físico com vaporização térmica (TE-PVD) é um processo de
revestimento por cobertura conduzido em câmara de vácuo, a uma pressão inferior a 0,1 Pa,
caracterizado por se utilizar uma fonte de energia térmica para vaporizar o material de revestimento.
Este processo dá lugar à condensação, ou à deposição, das espécies vaporizadas sobre substratos
convenientemente posicionados.
A introdução de gases na câmara de vácuo durante o processo de revestimento, para sintetizar
revestimentos compostos, constitui uma variante corrente do processo.
A utilização de feixes de iões ou de electrões, ou de plasma, para activar ou assistir a deposição do
revestimento constitui também uma modificação corrente desta técnica. É ainda possível utilizar
instrumentos de controlo para medir as características ópticas e a espessura dos revestimentos no
decurso destes processos.
A deposição em fase vapor por processo físico com vaporização térmica (TE-PVD) abrange os
seguintes processos:
1. A deposição em fase vapor por processo físico com feixe de electrões, na qual se utiliza um feixe
de electrões para aquecer e vaporizar o material que irá constituir o revestimento;
2. A deposição em fase vapor por processo físico com aquecimento por resistência assistida por
feixes de iões, na qual se utilizam fontes de aquecimento por resistência eléctrica em associação
com o impacto de feixes de iões de forma a produzir um fluxo controlado e uniforme do material
vaporizado que irá constituir o revestimento;
3. A vaporização por "laser", na qual se utilizam feixes "laser" contínuos ou pulsantes para aquecer o
material que irá constituir o revestimento;
4. A deposição por arco catódico, na qual se utiliza um cátodo consumível do material que irá
constituir o revestimento e se produz uma descarga de arco na superfície, por contacto
momentâneo de um disparador ligado à terra. A movimentação controlada do arco desgasta a
superfície do cátodo, criando um plasma fortemente ionizado. O ânodo poderá ser um cone,
fixado na periferia do cátodo com um isolador, ou a própria câmara. A polarização do substrato
permite efectuar a deposição em zonas fora da linha de visão.
N.B. Esta definição não abrange a deposição por arco catódico não dirigido em substratos
não polarizados.
5. A metalização iónica, que é uma modificação especial do processo geral TE-PVD, na qual se
utiliza uma fonte de iões ou um plasma para ionizar a espécie a depositar e se aplica uma
polarização negativa ao substrato, de modo a facilitar a extracção da espécie do plasma. A
introdução de espécies reactivas, a vaporização de sólidos na câmara onde decorre o processo e a
utilização de instrumentos de controlo para medir as características ópticas e a espessura dos
revestimentos no decurso do processo constituem modificações correntes deste processo.
c. A cementação em caixa é um processo de revestimento por modificação da superfície ou por
cobertura, no qual um substrato é imerso numa mistura de pós (caixa), da qual fazem parte:
1. Os pós metálicos a depositar (em geral, de alumínio, crómio, silício ou combinações destes);
2. Um activador (normalmente um halogeneto); e3. Um pó inerte, quase sempre alumina.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 104
▼M3
O substrato e a mistura de pós são introduzidos numa retorta, que é aquecida a uma temperatura
compreendida entre 1 030 K (757 ºC) e 1 375 K (1 102 ºC) durante o tempo necessário para a
deposição do revestimento.
d. A pulverização por plasma é um processo de revestimento por cobertura no qual um canhão
(maçarico pulverizador), que produz e controla um plasma, contém os materiais que irão constituir o
revestimento, sob a forma de pó ou de fio, procede à sua fusão e os projecta contra um substrato,
onde se forma um revestimento totalmente aderente. A pulverização por plasma poderá ser uma
pulverização por plasma a baixa pressão ou uma pulverização por plasma a alta velocidade.
N.B. 1 Por baixa pressão, entende-se uma pressão inferior à pressão atmosférica ambiente.
N.B. 2 Por alta velocidade, entende-se uma velocidade do gás à saída do canhão superior a
750 m/s, calculada a 293 K (20 ºC) para uma pressão de 0,1 MPa.
e. A deposição de barbotina é um processo de revestimento por modificação da superfície ou por
cobertura, no qual um pó metálico ou cerâmico com um ligante orgânico, em suspensão num líquido,
é aplicado a um substrato por pulverização, imersão ou pintura. Depois de seco ao ar ou num forno, o
conjunto é submetido a um tratamento térmico, a fim de se obter o revestimento pretendido.
f. A deposição por pulverização catódica é um processo de revestimento por cobertura baseado num
fenómeno de transferência de quantidade de movimento, no qual iões positivos são acelerados por
um campo eléctrico até à superfície de um alvo (do material que irá constituir o revestimento). A
energia cinética dos iões que chocam com o alvo é suficiente para libertar átomos da sua superfície,
indo estes depositar-se num substrato convenientemente posicionado.
N.B. 1 Oquadrodizrespeito, unicamente, à deposição porpulverização catódica comtríodo, com
magnetrão ou reactiva, utilizadas para aumentar a aderência do revestimento e a
velocidade de deposição, e à deposição por pulverização catódica intensificada por
radiofrequência (RF), utilizada para permitir a vaporização de materiais de revestimento
não metálicos.
N.B. 2 Para activar a deposição podem ser utilizados feixes iónicos de baixa energia (inferior a
5 keV).
g. A implantação iónica é um processo de revestimento por modificação da superfície, no qual o
elemento a ligar é ionizado, acelerado num gradiente de potencial e implantado na zona superficial
do substrato. Esta definição abrange processos em que a implantação iónica seja concomitante com
uma deposição em fase vapor por processo físico com feixe de electrões ou com uma deposição por
pulverização catódica.
(*) Os números entre parênteses referem-se às notas que se seguem ao quadro.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 105
▼M3
CATEGORIA 3
ELECTRÓNICA2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 106
▼M3
3A Sistemas, equipamentos e componentes
Nota 1: O estatuto dos equipamentos e componentes referidos
em 3A001 ou 3A002, com excepção dos referidos em
3A001.a.3. a 3A001.a.10. ou 3A001.a.12., que sejam
especialmente concebidos para apresentar as mesmas
características funcionais que outros equipamentos ou
que possuam essas mesmas características é determi-
nado pelo estatuto desses outros equipamentos.
Nota 2: O estatuto dos circuitos integrados referidos em
3A001.a.3. a 3A001.a.9. ou 3A001.a.12., concebidos
ou programados de forma inalterável para uma função
específica para outros equipamentos, é determinado
pelo estatuto dos outros equipamentos.
N.B.: Caso o fabricante ou o requerente não possam
determinar o estatuto dos outros equipa-
mentos, o estatuto dos circuitos integrados é
determinado em 3A001.a.3. a 3A001.a.9. e em
3A001.a.12.
Caso o circuito integrado seja um "microcir-
cuito microcomputador" ou um microcircuito
microcontrolador à base de silício referido em
3A001.a.3. com um comprimento de palavra
dos operandos (dados) de 8 bits ou inferior, o
estatuto do circuito integrado é determinado
em 3A001.a.3.
3A001 Componentes electrónicos:
a. Circuitos integrados de uso geral:
Nota 1: O estatuto das bolachas (acabadas ou não
acabadas), nas quais tenha sido determinada a
função, será avaliado em função dos parâmetros
apresentados em 3A001.a.
Nota 2: Nos circuitos integrados estão incluídos os
seguintes tipos:
"Circuitos integrados monolíticos";
"Circuitos integrados híbridos";"Circuitos integrados multipastilhas";"Circuitos integrados do tipo película", incluindo
circuitos integrados de silício sobre safira;
"Circuitos integrados ópticos".
1. Circuitos integrados concebidos ou classificados como
reforçados contra radiações, capazes de suportar:
a. uma dose total de 5 × 10
3Gy (silício) ou superior; ou
b. uma taxa de aumento da dose de 5 × 106Gy (silício)/s
ou superior;
2. "Microcircuitos microprocessadores", "microcircuitos
microcomputadores", microcircuitos microcontroladores,
circuitos integrados de memória fabricados a partir de um
semi-condutor composto, conversores analógico-digitais,
conversores digital-analógicos, "circuitos integrados
ópticos" ou electro-ópticos para "processamento de sinais",
dispositivos de campo programáveis, circuitos integrados
de redes neuronais, circuitos integrados por encomenda
(custom) cuja função é desconhecida ou que se destinem a
ser utilizados em equipamentos cujo estatuto é desco-
nhecido, processadores de transformação de Fourier rápida
(TFR), memórias programáveis apagáveis electronicamente
somente para leitura (EEPROM), memórias instantâneas ou
memórias estáticas de acesso aleatório (SRAM),com uma
das seguintes características:
a. Classificados como aptos a funcionar a uma temperatura
ambiente superior a 398 K (125 ºC);
b. Classificados como aptos a funcionar a uma temperatura
ambiente inferior a 218 K (− 55 ºC); ou
c. Classificados como aptos a funcionar em toda a gama de
temperaturas ambientes de 218 K (− 55 ºC) a 398 K
(125 ºC);2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 107
▼M3
Nota: 3A001.a.2. não abrange circuitos integrados
destinados a aplicações em automóveis civis ou
comboios dos caminhos de ferro.
3. "Microcircuitos microprocessadores", "microcircuitos
microcomputadores" e microcircuitos microcontroladores
que possuam uma das seguintes características:
Nota: 3A001.a.3. inclui processadoresde sinais digitais,
processadores matriciais digitais e coprocessa-
dores digitais.
a. Um "desempenho teórico composto" (CTP) de
6 500 milhões de operações teóricas por segundo
(Mtops) ou superior e uma unidade lógica aritmética
com acesso de largura igual ou superior a 32 bits;
b. Fabricados a partir de um semicondutor composto e
funcionando com uma frequência de relógio superior a
40 MHz, ou
c. Mais do que um barramento de dados ou de instruções
ou porta de comunicação série que permita a interli-
gação externa directa entre "microcircuitos
microprocessadores" paralelos com um débito de trans-
ferência superior a 150 Mbyte/s;
4. Circuitos integrados de memória fabricados a partir de um
semicondutor composto;
5. Circuitos integrados conversores analógico-digitais e
digital-analógicos:
a. Conversores analógico-digitais com uma das seguintes
características:
N.B.: VER TAMBÉM 3A101.
1. Resolução igual ou superior a 8 bits, mas inferior a
12 bits, com um "tempo total de conversão" inferior
a 10 ns;
2. Resolução de 12 bits, com um "tempo total de
conversão" inferior a 200 ns; ou
3. Resolução superior a 12 bits, com um "tempo total
de conversão" inferior a 2 µs;
b. Conversores digital-analógicos com uma resolução igual
ou superior a 12 bits e um "tempo de estabilização"
inferior a 5 ns;
Notas Técnicas:
1. Uma resolução de n bits corresponde a uma
quantização de 2nníveis.
2. O "tempo total de conversão" é o inverso da
frequência de amostragem.
6. "Circuitos integrados ópticos" ou electro-ópticos para
"processamento de sinais" com todas as seguintes carac-
terísticas:
a. Um ou mais díodos "laser" internos;
b. Um ou mais elementos internos detectores de luz; e
c. Guias de ondas ópticas;
7. Dispositivos lógicos de campo programáveis com uma das
seguintes características:
a. Um número equivalente de portas lógicas utilizáveis
superior a 30 000 (portas lógicas de duas entradas);
b. Um "tempo de propagação por porta lógica elementar"
típico inferior a 0,4 ns; ou
c. Uma frequência de comutação superior a 133 Mhz;
Nota: 3A001.a.7 inclui:
— Dispositivos lógicos programáveis simples
(SPLD)
— Dispositivos lógicos programáveis complexos
(CPLD)
— Matrizes de portas de campo programáveis
(FPGA)2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 108
▼M3
— Matrizes de lógicas de campo programáveis
(FPLA)
— Interligações de campo programáveis (FPIC)
N.B. Os dispositivos lógicos de campo
programáveis são também conhecidos
por matrizes de portas de campo
programáveis ou matrizes lógicas de
campo programáveis.
8. Não utilizado;
9. Circuitos integrados de redes neuronais;
10. Circuitos integrados por encomenda ( custom) cuja função é
desconhecida ou que se destinem a ser utilizados em
equipamentos cujo estatuto o fabricante desconhece, com
uma das seguintes características:
a. Mais de 1 000 terminais;
b. Um "tempo de propagação por porta lógica elementar"
típico inferior a 0,1 ns; ou
c. Uma frequência de funcionamento superior a 3 GHz;
11. Circuitos integrados digitais, com excepção dos referidos
em 3A001.a.3. a 3A001.a.10. e 3A001.a.12., fabricados a
partir de um semicondutor composto e com uma das
seguintes características:
a. Um número equivalente de portas lógicas superior a
3 000 (portas lógicas de duas entradas); ou
b. Uma frequência de comutação superior a 1,2 GHz;
12. Processadores de transformação de Fourier rápida (TFR)
com um tempo de execução nominal de uma TFR
complexa de N pontos, inferior a N log2N/20 480 ms,
em que N é o número de pontos;
Nota técnica:
Quando N é igual a 1 024 pontos, a fórmula apresentada
em 3A001.a.12 dá um tempo de execução de 500 µs.
b. Componentes de micro-ondas ou de ondas milimétricas:
1. Cátodos e válvulas electrónicas de vazio:
Nota: 3A001.b.1. não abrange as válvulas concebidas ou
classificadas como aptas para funcionar em
qualquer banda de frequência que satisfaça todas
as seguintes características:
a. Não exceder 31 GHz; e
b. Ter sido "atribuída pela UIT" para serviços de
radiocomunicações mas nã para radiodetermi-
nação.
a. Válvulas de onda progressiva, onda pulsada ou contínua:
1. Que funcionam a frequências superiores a 31 GHz;
2. Que têm um elemento para aquecimento do cátodo
com um tempo de arranque para a potência RF
nominal inferior a 3 segundos;
3. Válvulas de cavidades acopladas ou seus derivados,
com uma "largura de banda fraccionada" superior a
7 % ou uma potência de pico superior a 2,5 kW;
4. Válvulas de hélice, ou seus derivados, com uma das
seguintes características:
a. "Largura de banda instantânea" superior a meia
oitava e produto da potência média, (expressa em
kW) pela frequência, (expressa em GHz) superior a
0,5;
b. "Largura de banda instantânea" igual ou inferior a
meia oitava e produto da potência média, (expressa
em kW) pela frequência (expressa em GHz)
superior a 1; ou
c. "Qualificadas para uso espacial";
b. Válvulas amplificadoras de campo cruzado com ganho
superior a 17 dB;2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 109
▼M3
c. Cátodos impregnados para válvulas electrónicas que
produzam uma densidade de corrente em emissão
contínua nas condições nominais de funcionamento
superior a 5 A/cm2;
2. Circuitos integrados ou módulos de micro-ondas com as
seguintes características:
a. conterem "circuitos integrados monolíticos" com um ou
mais elementos activos e
b. operarem em frequências de funcionamento superiores a
3 GHz;
Nota 1: O ponto 3A001.b.2. não abrange circuitos ou
módulos para equipamentos concebidos ou
classificados como aptos para funcionamento
em qualquer banda de frequências que satisfaça
todas as seguintes características:
a. Não exceder GHz; e
b. Ter sido "atribuída pela UIT" para serviços
de radio-comunicações mas nã para radio
determinação.
Nota 2: O ponto 3A001.b.2. não abrange o equipamento
para satélites de radiodifusão concebido ou
classificado como apto para funcionar na forma
de frequências de 40,5 GHz a42,5 GHz.
3. Transístores de micro-ondas classificados como aptos para
funcionamento a frequências superiores a 31 GHz;
4. Amplificadores de micro-ondas de estado sólido:
a. Que funcionem a frequências superiores a 10,5 GHz e
com uma "largura de banda instantânea" superior a meia
oitava;ou
b. Que funcionem a frequências superiores a 31 GHz;
5. Filtros passa-banda ou corta-banda sintonizáveis electrónica
ou magneticamente com mais de 5 ressoadores sintonizáveis
capazes de sintonização numa banda de frequências de 1,5:1
(fmax/fmin) em menos de 10 µs, com uma das seguintes
características:
a. Largura da banda passante superior a 0,5 % da frequência
central; ou
b. Largura da banda suprimida inferior a 0,5 % da
frequência central;
6. Conjuntos de micro-ondas capazes de funcionar a frequên-
cias superiores a 31 GHz;
7. Misturadores e conversores concebidos para alargar a gama
de frequências dos equipamentos referidos em 3A002.c.,
3A002.e. ou 3A002.f. para além dos limites aí indicados;
8. Amplificadores de potência de micro-ondas que contenham
válvulas enumeradas em 3A001.b. e com todas as seguintes
características:
a. Frequências de funcionamento superiores a 3 GHz;
b. Densidade média da potência de saída superior a 80 W/
/kg;e
c. Volume inferior a 400 cm3;
Nota: 3A001.b.8. não abrange o equipamento concebido
ou classificado como apto para funcionamento em
qualquer banda de frequências "atribuída pela
UIT" para serviços de radiocomunicações, mas
não para radiodeterminação.
c. Dispositivos de ondas acústicas e componentes especialmente
concebidos para os mesmos:
1. Dispositivos de ondas acústicas superficiais e de ondas
acústicas de superfície deslizante (carga superficial) (ou
seja, dispositivos de "processamento de sinais" que utilizem
ondas elásticas em materiais), com uma das seguintes
características:
a. Frequência portadora superior a 2,5 GHz;2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 110
▼M3
b. Frequência portadora superior a 1 GHz, mas não a
2,5 GHz e com uma das seguintes características:
1. Rejeição dos lóbulos laterais de frequência superior a
55 dB;
2. Produto do tempo de atraso máximo pela largura da
banda (tempo em µs e largura de banda em MHz)
superior a 100;
3. Largura da banda superior a 250 Mhz; ou
4. Atraso dispersivo superior a 10 µs; ou
c. Frequência portadora igual ou inferior a 1 GHz e com
uma das seguintes características:
1. Produto do tempo de atraso máximo pela largura da
banda (tempo em µs e largura de banda em MHz)
superior a 100;
2. Atraso dispersivo superior a 10 µs; ou
3. Rejeição dos lóbulos laterais de frequência superior a
55 dB e largura da banda superior a 50 MHz;
2. Dispositivos de ondas acústicas volumétricas (ou seja,
dispositivos de "processamento de sinais" que utilizem
ondas elásticas) que permitam processamento directo de
sinais a frequências superiores a 1 GHz;
3. Dispositivos acústico-ópticos de "processamento de sinais"
que utilizem a interacção de ondas acústicas (onda
volumétrica ou onda superficial) e ondas de luz que
permitam o processamento directo de sinais ou imagens,
incluindo análise espectral, correlação ou convolução;
d. Dispositivos ou circuitos electrónicos que contenham compo-
nentes fabricados a partir de materiais "supercondutores"
especialmente concebidos para funcionamento a temperaturas
inferiores à "temperatura crítica" de pelo menos um dos
constituintes "supercondutores", com uma das seguintes
características:
1. Comutação de corrente para circuitos digitais que utilizam
portas lógicas "supercondutoras" com um produto do tempode propagação por porta lógica (em segundos) pela
dissipação de potência por porta lógica (em watts) inferior
a1 0
−14J;ou
2. Selecção de frequências em todas as frequências com
utilização de circuitos ressonantes com valores de Q
superiores a 10 000;
e. Dispositivos de alta energia:
1. Baterias e matrizes fotovoltaicas:
Nota: 3A001.e.1. não abrange baterias com volume igual
ou inferior a 27 cm3(p. ex., pilhas C normais ou
baterias R14).
a. Pilhas e baterias primárias com uma "densidade de
energia" superior a 480 Wh/kg classificadas como aptas
para funcionamento na gama de temperaturas de menos
de 243 K (− 30 ºC) a mais de 343 K (70 ºC);
b. Pilhas e baterias recarregáveis com uma densidade de
energia superior a 150 Wh/kg após 75 ciclos de carga/
/descarga a uma corrente de descarga igual a C/5 horas
(sendo C a capacidade nominal em ampere-hora) quando
funcionam na gama de temperaturas de menos de 253 K
(− 20 ºCº) a mais de 333 K (60 ºC);
Nota técnica:
A "densidade de energia" é obtida multiplicando a
potência média em watts (tensão média em volts vezes
corrente média em amperes) pela duração, em horas, da
descargaa 75% datensão emcircuito aberto e dividindo
o resultado pela massa total da pilha (ou bateria) em kg.
c. Matrizes fotovoltaicas "qualificadas para uso espacial" e
reforçadas contra radiações com uma potência específica
superior a 160 W/m2e uma temperatura de funciona-
mento de 301 K (28 ºC) sob uma iluminação de
tungsténio de 1 kW/m2a 2 800 K (2 527 ºC);2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 111
▼M3
2. Condensadores de armazenamento de alta energia:
N.B.: VER TAMBÉM 3A201.a.
a. Condensadores com um ritmo de repetição inferior a
10 Hz (condensadores monodisparo) com todas as
seguintes características):
1. Tensão nominal igual ou superior a 5 kV;
2. Densidade da energia igual ou superior a 250 J/kg; e
3. Energia total igual ou superior a 25 kJ;
b. Condensadores com um ritmo de repetição igual ou
superior a 10 Hz (condensadores de repetição) com todas
as seguintes características:
1. Tensão nominal igual ou superior a 5 kV;
2. Densidade de energia igual ou superior a 50 J/kg;3. Energia total igual ou superior a 100 J;
e
4. Vida em ciclos carga/descarga igual ou superior a
10 000;
3. Electroímanes ou solenóides "supercondutores" especial-
mente concebidos para uma carga ou descarga completa em
menos de 1 segundo com todas as seguintes características:
N.B.: VER TAMBÉM 3A201.b.
Nota: 3A001.e.3. não abrange electroímanes ou sole-
nóides "supercondutores" especialmente
concebidos para equipamento médico de imagem
por ressonância magnética (MRI).
a. Energia fornecida durante a descarga superior a 10 kJ no
primeiro segundo;
b. Diâmetro interior dos enrolamentos que transportam a
corrente superior a 250 mm; e
c. Previstos para uma indução magnética superior a 8 T ou
uma "densidade total de corrente" no enrolamento
superior a 300 A/mm2;
f. Codificadores de posição absoluta de veios com entrada
rotativa, com uma das seguintes características:
1. Resolução melhor que uma parte em 265 000 (resolução de
18 bits) em toda escala; ou
2. Precisão melhor que ± 2,5 segundos de arco.
3A002 Equipamentos electrónicos de uso geral:
a. Equipamentos de registo e fitas de ensaio especialmente
concebidas para os mesmos:
1. Gravadores de fita magnética com instrumentação analógica,
incluindo os que permitem a gravação de sinais digitais (p.
ex., através de um módulo de registo digital de alta
densidade (HDDR)), com uma das seguintes características:
a. Largura de banda superior a 4 MHz por canal electrónico
ou pista;
b. Largura de banda superior a 2 MHz por canal electrónico
ou pista e com mais de 42 pistas; ou
c. Erro de deslocamento temporal (de base), medido de
acordo com os documentos aplicáveis do IRIG ou da
EIA, inferior a ± 0,1 µs;
Nota: Os gravadores analógicos de fita magnética
especialmente concebidos para gravações civis
não são considerados gravadores de fita com
instrumentação.
2. Gravadores vídeo digitais de fita magnética com um débito
máximo de transferência na interface digital superior a
360 Mbit/s;
Nota: 3A002.a.2. não abrange os gravadores vídeo
digitais de fita magnética especialmente conce-
bidos para gravações televisivas que utilizam um
formato de sinal, que pode incluir um formato de
sinal comprimido, normalizado ou recomendado2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 112
▼M3
pela UIT, pela CEI, pela SECT, pela UER ou pelo
IEEE para aplicações de televisão civis.
3. Gravadores de dados de fita magnética com instrumentação
digital que utilizam técnicas de varrimento helicoidal ou
técnicas de cabeças fixas, com uma das seguintes carac-
terísticas:
a. Débito máximo de transferência na interface digital
superior a 175 Mbit/s; ou
b. "Qualificados para uso espacial";
Nota: 3A002.a.3. não abrange gravadores de fita magné-
tica analógicos equipados com electrónica de
conversão HDDR e configurados para registar
apenas dados digitais.
4. Equipamentos, com um débito máximo de transferência na
interface digital superior a 175 Mbit/s, concebidos para
converter gravadores vídeo digitais de fita magnética em
gravadores de dados com instrumentação digital;
5. Digitalizadores de onda e gravadores de fenómenos
transitórios com as seguintes características:
a. Frequências de digitalização iguais ou superiores a 200
milhões de amostras por segundo e uma resolução igual
ou superior a 10 bits; e
b. Débito contínuo igual ou superior a 2 Gbit/s;
Nota Técnica:
Para os instrumentos com uma arquitectura de barramentos
em paralelo, o débito contínuo é o produto do débito mais
elevado de palavras pelo número de bits de uma palavra.
"Débito contínuo" é o débito de dados mais elevado que o
instrumento pode passar a um dispositivo de memória de
massa sem perda de qualquer informação, suportando
simultaneamente a frequência de amostragem e a conversão
analógico-digital;
b. "Conjuntos electrónicos" "sintetizadoras de frequências" com
um "tempo de comutação de frequência" de uma sequência
seleccionada para outra inferior a 1 ms;
c. "Analisadores de sinais":
1. "Analisadores de sinais" capazes de analisar frequências
superiores a 31 GHz;
2. "Analisadores de sinais dinâmicos" com uma "largura de
banda em tempo real" superior a 500 kHz;
Nota: 3A002.c.2. não abrange os "analisadores de sinais
dinâmicos" que utilizam apenas filtros de largura
de banda de percentagem constante, (também
conhecidos por filtros de oitava ou fracção de
oitava).
d. Geradores de sinais de frequência sintetizada que produzem
frequências de saída, cuja precisão e estabilidade a curto e
longo prazos são controladas, derivadas ou impostas pela
frequência interna principal, com uma das seguintes caracterís-
ticas:
1. Frequência sintetizada máxima superior a 31 GHz;
2. "Tempo de comutação de frequência" de uma frequência
seleccionada para outra inferior a 1 ms; ou
3. Ruído de fase de banda lateral única (SSB) melhor que −
(126 + 20 log10F −20 log10f), expresso em dBc/Hz, sendo F a
diferença em relação à frequência de funcionamento em Hz
e f a frequência de funcionamento em MHz;
Nota: 3A002.d. não abrange equipamentos em que a
frequência de saída é obtida pela adição ou
subtracção de duas ou mais frequências de oscila-dores de cristal, ou por uma adição ou subtracção
seguida de uma multiplicação do resultado.
e. Analisadores de rede com uma frequência máxima de
funcionamento superior a 40 GHz;2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 113
▼M3
f. Receptores de ensaio de micro-ondas com as seguintes
características:
1. Frequência máxima de funcionamento superior a 40 GHz; e
2. Capacidade de medição simultânea de amplitude e fase;
g. Padrões atómicos de frequência com uma das seguintes
características:
1. Estabilidade a longo prazo (envelhecimento) inferior a
(melhor que) 1 × 10−11/mês;ou
2. "Qualificados para uso espacial"
Nota: 3A002.g.1 não abrange padrões de rubídio não
"qualificados para uso espacial".
3A101 Equipamentos, dispositivos e componentes electrónicos, excepto
os referidos em 3A001:
a. Conversores analógico-digitais, utilizáveis em "mísseis", conce-
bidos para responder a especificações militares relativas a
equipamentos robustecidos;
b. Aceleradores capazes de fornecer uma radiação electromagné-
tica produzida por radiação de travagem ( bremsstrahlung )a
partir de electrões acelerados com uma energia igual ou
superior a 2 MeV e sistemas que contenham estes aceleradores.
Nota: 3A101.b. acima não abrange equipamentos especial-
mente concebidos para fins médicos.
3A201 Componentes electrónicos, excepto os referidos em 3A001:
a. Condensadores com um dos seguintes conjuntos de caracterís-
ticas:
1. a. Tensão nominal superior a 1,4 kV;
b. Armazenamento de energia superior a 10 J;
c. Capacidade superior a 0,5 µF; e
d. Indutância série inferior a 50 nH; ou
2. a. Tensão nominal superior a 750 V;
b. Capacidade superior a 0,25 µF; e
c. Indutância série inferior a 10 nH;
b. Electroímanes solenoidais supercondutores, com as seguintes
características:
1. Capazes de criar campos magnéticos superiores a 2 T;
2. Relação entre comprimento e diâmetro interior superior a 2;3. Diâmetro interior superior a 300 mm;
e
4. Campo magnético de uniformidade melhor que 1 % nos
50 % centrais do volume interno.
Nota: 3A201.b. não abrange ímanes especialmente conce-
bidos e exportados "como componentes de" sistemas
médicos de imageologia por ressonância magnética
nuclear (NMR). A expressão "como componente de"
não significa necessariamente como componente
física incluída no mesmo envio. São permitidos envios
separados de diferentes origens, desde que os
respectivos documentos de exportação especifiquem
claramente que os envios são feitos "como compo-
nentes dos" sistemas de imageologia.
c. Geradores de raios X de relâmpago ou aceleradores de electrões
pulsados, com um dos seguintes conjuntos de características.
1. a. Uma energia electrónica de pico do acelerador igual ou
superior a 500 keV mas inferior a 25 MeV; e
b. Um "coeficiente de mérito" (K) igual ou superior a 0,25;
ou
2. a. Uma energia electrónica de pico do acelerador igual ou
superior a 25 MeV; e
b. Um "energia de pico" superior a 50 MW.
Nota: 3A201.C. não abrange os aceleradores que são
componentes de dispositivos concebidos para fins
que não abrangem feixes electrónicos ou radiação de2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 114
▼M3
raios X (microscopia electrónica, por exemplo) nem
os concebidos para fins médicos:
Notas técnicas:
1. O "coeficiente de mérito" K é definido como:
K = 1,7 × 103V2,65Q
V é a energia electrónica de pico em milhões de electrões-
-volt.
Caso a duração do impulso do feixe do acelerador seja
inferior ou igual a um µs, Q é a carga acelerada total em
coulombs. Se a duração do impulso do feixe do acelerador
forsuperioraumµs,Qéacargaaceleradamáximaem1µs.
Q = integral de i em ordem a t, ao longo do menor de dois
intervalos de tempo: 1 µs ou a duração do impulso do feixe
(Q = ∫idt), em que i é a corrente do feixe em amperes e t é o
tempo em segundos.
2. "Energia de pico" = (potencial de pico em volts) × (corrente
de pico do feixe em amperes).
3. Em máquinas baseadas em cavidades de aceleração de
micro-ondas, a duração do impulso do feixe é o menor de
dois intervalos de tempo: 1 µs ou a duração do pacote de
feixes resultante de um impulso modulador de micro-ondas.
4. Em máquinas baseadas em cavidades de aceleração de
micro-ondas, a corrente de pico do feixe é a corrente média
durante o tempo em que existe um pacote de feixes.
3A225 Modificadores ou geradores de frequência, excepto os referidos em
0B001.b.13., com as seguintes características:
a. Saída multifásica capaz de fornecer uma potência igual ou
superior a 40 W;
b. Funcionamento na gama de frequências de 600 a 2 000 Hz;
c. Distorção harmónica total melhor que (inferior a) 10 %; e
d. Controlo de frequência melhor que (inferior a) 0,1 %.
Nota técnica:
Os modificadores de frequência em 3A225 são igualmente
conhecidos por conversores ou inversores.
3A226 Fontes de alimentação de corrente contínua de alta potência, não
incluídas em 0B001.j.6., com ambas as seguintes características:
a. Capacidade para produzir continuamente, durante um período
de 8 horas, uma tensão igual ou superior a 100 V com uma
corrente de saída igual ou superior a 500 A; e
b. Estabilidade da corrente ou tensão melhor que 0,1 %, durante
um período de 8 horas.
3A227 Fontes de alimentação de corrente contínua de alta tensão, não
incluídas em 0B001.j.5., com as duas características seguintes:
a. Capacidade para produzir continuamente, durante um período
de 8 horas, uma tensão igual ou superior a 20 kV com uma
corrente de saída igual ou superior a 1 A; e
b. Estabilidade da corrente ou tensão melhor que 0,1 %, durante
um período de 8 horas.
3A228 Dispositivos de comutação:
a. Válvulas de cátodo frio, cheias ou não com gás, que funcionam
como espinterómetros, com as seguintes características:
1. Três ou mais eléctrodos;
2. Tensão anódica nominal de pico igual ou superior a 2,5 kV;3. Corrente anódica nominal de pico igual ou superior a 100 A;
e
4. Tempo de atraso no ânodo igual ou inferior a 10 µs.
Nota: 3A228 inclui válvulas de gás kryton e válvulas de
vácuo sprytron
b. Espinterómetros controlados por impulso com ambas as
seguintes características:
1. Tempo de atraso no ânodo igual ou inferior a 15 µs; e2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 115
▼M3
2. Corrente nominal de pico igual ou superior a 500 A;
c. Módulos ou conjuntos com uma função de comutação rápida,
com as seguintes características:
1. Tensão anódica nominal de pico superior a 2 kV;
2. Corrente anódica nominal de pico igual ou superior a 500 A;
e
3. Tempo de arranque igual ou inferior a 1 µs.
3A229 Dispositivos de ignição e geradores de impulsos de alta corrente
equivalentes.
N.B.: VER TAMBÉM A LISTA DE MATERIAL DE
GUERRA.
a. Dispositivos de ignição de detonadores explosivos concebidos
para activar detonadores de controlo múltiplo referidos em
3A232;
b. Geradores modulares de impulsos eléctricos (pulsadores), com
as seguintes características:
1. Concebidos para equipamentos portáteis, móveis ou robus-
tecidos;
2. Encerrados em caixas estanques à prova de poeiras;3. Capazes de fornecer a sua energia em menos de 15 µs;4. Com uma corrente de saída superior a 100 A;5. Com um "tempo de subida" inferior a 10 µs em cargas
inferiores a 40 ohms;
6. Sem dimensões superiores a 254 mm;7. Com peso inferior a 25 kg;
e
8. Especificados para utilização numa gama alargada de
temperaturas (223 K (− 50 ºC) a 373 K (100 ºC)) ou
especificados como aptos para aplicações aeroespaciais.
Nota: 3A229.b. abrange accionadores de lâmpadas de arco
de xenon.
Nota técnica:
Em 3A229.b.5, entende-se por "tempo de subida" o intervalo de
10 % a 90 % da amplitude da corrente quando impulsiona
cargas resistivas.
3A230 Geradores de impulsos de alta velocidade com ambas as seguintes
características:
a. Tensão de saída superior a 6 V em cargas resistivas inferiores a
55 ohms, e
b. "Tempos de transição de impulsos" inferiores a 500 ps.
Nota técnica:
Em 3A230, entende-se por "tempo de transição de impulsos" o
intervalodetempoquecorrespondeàtransiçãode10%para90%
da amplitude da tensão.
3A231 Sistemas geradores de neutrões, incluindo válvulas, com ambas as
seguintes características:
a. Concebidos para funcionamento sem sistema de vácuo externo;
e
b. Utilizarem a aceleração electrostática para induzir uma reacção
nuclear trítio-deutério.
3A232 Detonadores e sistemas de desencadeamento multipontos:
N.B.: VER TAMBÉM A LISTA DE MATERIAL DE
GUERRA.
a. Detonadores explosivos controlados electricamente:
1. Ponte explosiva (EB);
2. Fio de ponte explosiva (EBW);3. Percussor;4. Desencadeadores de folha fina explosiva (EFI);2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 116
▼M3
b. Dispositivos que utilizam detonadores simples ou múltiplos
concebidos para o desencadeamento quase simultâneo de uma
superfície explosiva maior que 5 000 mm2a partir de um único
sinal de ignição, com um tempo de desencadeamento em toda a
superfície inferior a 2,5 µs.
Nota: 3A232 não abrange detonadores que utilizem apenas
explosivos primários, como azida de chumbo.
Nota técnica:
Em 3A232, os detonadores em causa utilizam um pequeno
condutor eléctrico (ponte, fio de ponte ou folha fina) que se
vaporiza explosivamente quando percorrido por um impulso
eléctrico rápido de alta intensidade. Nos tipos desprovidos de
percussor, o condutor explosivo dá início a uma detonação
química num material de contacto altamente explosivo como o
PETN (tetranitrato de pentaeritritol). Nos detonadores com
percussor, a vaporização explosiva do condutor eléctrico acciona
um "gatilho" ou percussor através de uma abertura e o impacto do
percussor sobre um explosivo dá início a uma detonação química.
O percussor é accionado, em alguns modelos, por uma força
magnética. A expressão "detonador de folha fina explosiva" pode
referir-se tanto a um detonador EB como a um detonador com
percussor. Além disso, é por vezes utilizado o termo "desenca-
deador" em lugar de "detonador".
3A233 Espectrómetros de massa, excepto os referidos em 0B002.g.,
capazes de medir iões com uma massa atómica igual ou superior a
230 u.m.a., com uma resolução melhor que duas partes em 230 e
respectivas fontes iónicas:
a. Espectrómetros de massa de plasma com acoplamento por
indução (ICP/MS);
b. Espectrómetros de massa de descarga luminescente (GDMS);
c. Espectrómetros de massa de ionização térmica (TIMS);
d. Espectrómetros de massa de bombardeamento de electrões que
tenham uma câmara-fonte construída, forrada ou revestida com
materiais resistentes ao UF6;
e. Espectrómetros de massa de feixe molecular, com uma das
seguintes características:
1. Câmara-fonte construída, forrada ou revestida com aço
inoxidável ou molibdénio e equipada com uma câmara de
frio capaz de atingir uma temperatura igual ou inferior a
193 K (− 80 ºC); ou
2. Câmara-fonte construída, forrada ou revestida com materiais
resistentes ao UF6;
f. Espectrómetros de massa equipados com uma fonte iónica de
microfluoração concebida para actinídeos ou fluoretos de
actinídeos.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 117
▼M3
3BEquipamentosde ensaio, de inspecção e de produção
3B001 Equipamentos para fabrico de dispositivos ou materiais semi-
condutores e componentes e acessórios especialmente concebidos
para os mesmos:
a. Equipamentos com "controlo por programa residente" conce-
bidos para crescimento epitaxial:
1. Equipamentos capazes de produzir camadas cuja espessura
apresente uma uniformidade melhor que ± 2,5 % numa
distância igual ou superior a 75 mm;
2. Reactores de deposição de organometálicos em fase vapor
por processo químico (MOCVD) especialmente concebidos
para o crescimento de cristais de semicondutores compostos
através de reacção química entre materiais referidos em
3C003 ou 3C004;
3. Equipamentos de crescimento epitaxial através de feixe
molecular que utilizem fontes de gás ou sólidos.
b. Equipamentos com "controlo por programa residente" conce-
bidos para implantação iónica com uma das seguintes
características:
1. Energia de feixe (tensão de aceleração) superior a 1 MeV;
2. Especialmente concebidos e optimizados para funcionar
com uma energia de feixe (tensão de aceleração) inferior a
2 keV;
3. Capacidade de escrita directa; ou
4. Capazes de realizar a implantação de oxigénio com elevada
energia num "substrato" de material semicondutor aquecido;
c. Equipamentos de erosão seca através de plasma anisotrópico
com "controlo por programa residente":
1. Equipamentos com funcionamento cassete-a-cassete e fecho
de carga, com uma das seguintes características:
a. Concebidos ou optimizados para produzir dimensões
críticas iguais ou inferiores a 0,3 µm com um erro de ±
5 % de 3 sigma; ou
b. Concebidos para gerar menos de 0,04 partículas/cm2com
um diâmetro mensurável das partículas superior a 0,1 µm;
2. Equipamentos especialmente concebidos para os equipa-
mentos referidos em 3B001.e, com uma das seguintes
características:
a. Concebidos ou optimizados para produzir dimensões
críticas iguais ou inferiores a 0,3 µm com um erro de ±
5 % de 3 sigma; ou
b. Concebidos para gerar menos de 0,04 partículas/cm2com
um diâmetro mensurável das partículas superior a 0,1 µm;
d. Equipamentos CVD enriquecidos com plasma, com "controlo
por programa residente":
1. Equipamentos com funcionamento cassete-a-cassete e fecho
de carga, com uma das seguintes características:
a. Concebidos de acordo com as especificações do fabri-
cante ou optimizados para produzir dimensões críticas
iguais ou inferiores a 0,3 µm com um erro de ± 5 % de 3
sigma; ou
b. Concebidos para gerar menos de 0,04 partículas/cm2com
um diâmetro mensurável das partículas superior a 0,1 µm;
2. Equipamentos especialmente concebidos para equipamentos
referidos em 3B001.e. e com uma das seguintes caracterís-
ticas:
a. Concebidos de acordo com as especificações do fabri-
cante ou optimizados para produzir dimensões críticas
iguais ou inferiores a 0,3 µm com um erro de ± 5 % de 3
sigma; ou
b. Concebidos para gerar menos de 0,04 partículas/cm2com
um diâmetro mensurável das partículas superior a 0,1 µm;2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 118
▼M3
e. Sistemas multicâmaras de tratamento central de bolachas com
carregamento automático e "controlo por programa residente",
com todas as seguintes características:
1. Interfaces para entrada e saída de bolachas, às quais podem
ser ligadas mais de duas unidades de equipamento de
tratamento de semicondutores; e
2. Concebidos para formar um sistema integrado em ambiente
de vácuo para o tratamento sequencial de múltiplas
bolachas;
Nota: 3B001.e. não abrange sistemas robóticos de trata-
mento automático de bolachas não concebidos para
funcionar em ambiente de vácuo.
f. Equipamentos litográficos com "controlo por programa resi-
dente":
1. Equipamentos com repetição de alinhamento e exposição
(avanço em bolacha) ou avanço e varrimento (dispositivo de
varrimento) para o processamento de bolachas através de
métodos de raios X ou foto-ópticos, com uma das seguintes
características:
a. Comprimento de onda da fonte de luz inferior a 350 nm;
ou
b. Capazes de produzir um padrão com dimensão do "traço
mínimo resolúvel" igual ou inferior a 0,5 µm;
Nota Técnica:
A dimensão do "traço mínimo resolúvel" é calculada pela
seguinte fórmula:
TMR¼comprimentode onda da fonte
de luz de exposi¸ c˜ao em èmm/C18/C19
/C2factorK/C0/C1
abertura num ´erica
em que o factor K = 0,7
TMR = dimensão do traço mínimo resolúvel.
2. Equipamentos especialmente concebidos para a realização
de máscaras ou para o tratamento de dispositivos de
semicondutores através de feixes de electrões, iões ou
"laser" focados e reflectidos, com uma das seguintes
características:
a. Dimensão de ponto inferior a 0,2 µm;
b. Serem capazes de produzir um padrão com uma
dimensão de traço inferior a 1 µm; ou
c. Precisão no revestimento melhor que ± 0,20 µm (3
sigma);
g. Máscaras e retículas concebidas para circuitos integrados
referidos em 3A001;
h. Máscaras multicamadas com uma camada de deslocamento de
fase.
3B002 Equipamentos de ensaio com "controlo por programa residente"
especialmente concebidos para o ensaio de dispositivos de
semicondutores, terminados ou não, e componentes e acessórios
especialmente concebidos para os mesmos:
a. Para ensaio dos parâmetros S de dispositivos com transístores a
frequências superiores a 31 GHz;
b. Para ensaio de circuitos integrados capazes de realizar um
ensaio funcional (tabela de verdade) com uma "frequência
padrão" superior a 333 MHz;
Nota: 3B002.b. não abrange equipamentos de ensaio
especialmente concebidos para o ensaio de:
1. "Conjuntos electrónicos" ou uma categoria de
"conjuntos electrónicos" para aplicações domés-
ticas ou de lazer;2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 119
▼M3
2. Componentes electrónicos, "conjuntos electró-
nicos" ou circuitos integrados não sujeitos a
controlo;
3. Memórias.
Nota Técnica:
Para efeitos deste ponto, "frequência padrão" define-se como
sendo a frequência máxima de funcionamento digital de um
sistema de ensaio. Equivale, portanto, à frequência máxima de
sinais que o sistema de ensaio pode fornecer em modo não
multiplexado. É também conhecida por velocidade de ensaio,
frequência digital máxima ou velocidade digital máxima.
c. Para ensaio dos circuitos integrados de micro-ondas referidos
em 3A001.b.2.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 120
▼M3
3C Materiais
3C001 Materiais hétero-epitaxiais constituídos por um "substrato" com
múltiplas camadas sobrepostas obtidas por crescimento epitaxial
de:
a. Silício;
b. Germânio;
c. Carboneto de silício; ou
d. Compostos III/V de gálio ou índio.
Nota técnica:
Os compostos III/V são produtos policristalinos ou monocris-
talinos binários ou complexos constituídos por elementos dos
grupos IIIA e VA da tabela de classificação periódica de
Mendeleiev (por ex., arsenieto de gálio, arsenieto de alumínio e
gálio, fosforeto de índio).
3C002 Resinas fotossensíveis e "substratos" revestidos de resinas foto-
ssensíveis submetidas a controlo:
a. Resinas fotossensíveis positivas concebidas para litografia de
semicondutores especialmente ajustadas para utilização em
comprimentos de onda inferiores a 350 nm;
b. Todas as resinas concebidas para utilização com feixes de
electrões ou iões, com uma sensibilidade igual ou superior a
0,01 µcolomb/mm2;
c. Todas as resinas fotossensíveis para utilização com raios X com
uma sensibilidade igual ou melhor que 2,5 mJ/mm2;
d. Todas as resinas fotossensíveis optimizadas para as tecnologias
de imagem em superfície, incluindo resinas fotossensíveis
"sililadas".
Nota técnica:
Astécnicas de "sililação" definem-se comosendo processosque
incluem a oxidação dasuperfície da resinapara melhoraro seu
comportamento na revelação quer a húmido quer a seco.
3C003 Compostos organo-inorgânicos:
a. Compostos organo-metálicos de alumínio, gálio ou índio, com
um grau de pureza (no que respeita ao elemento metálico)
superior a 99,999 %;
b. Compostos orgânicos de arsénio, antimónio ou fósforo com um
grau de pureza (no que respeita ao elemento inorgânico)
superior a 99,999 %.
Nota: 3C003 abrange apenas os compostos cujo elemento
metálico, semimetálico ou não metálico está directa-
mente ligado a átomos de carbono da parte orgânica da
molécula.
3C004 Hidretos de fósforo, de arsénio ou de antimónio com um grau de
pureza superior a 99,999 %, mesmo quando diluídos em gases
inertes ou em hidrogénio.
Nota: 3C004 não abrange hidretos com 20 % molar ou mais de
gases inertes ou de hidrogénio.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 121
▼M3
3D Suporte lógico
3D001 "Suportes lógicos" especialmente concebidos para o "desenvolvi-
mento" ou "produção" de equipamentos referidos em 3A001.b. a
3A002.g ou 3B.
3D002 "Suportes lógicos" especialmente concebidos para a "utilização"
de equipamentos com "controlo por programa residente" referidos
em 3B.
3D003 "Suportes lógicos" de concepção assistida por computador (CAD)
com todas as seguintes características:
a. Concebidos para o desenvolvimento de dispositivos de semi-
condutores ou circuitos integrados,
b. Concebidos para executar ou utilizar:
1. Regras de concepção ou de verificação de circuitos;
2. Simulação de circuitos fisicamente implantados; ou
3. "Simuladores de tratamento litográfico" para a fase de
desenho.
Nota técnica:
Um "simulador de tratamento litográfico" é um "suporte
lógico" utilizado na fase de desenho para definir a
sequência das etapas de litografia, erosão e deposição
para a transposição de padrões de máscaras em padrões
topográficos específicos em materiais condutores, dieléc-
tricos ou semicondutores.
Nota 1: 3D003 não abrange "suportes lógicos" especialmente
concebidos para inserção de esquemas, simulação
lógica, colocação e ligação dos componentes, verifi-
cação do traçado ou banda de geração de padrões.
Nota 2: Bibliotecas, atributos de desenho ou dados associados
à concepção de dispositivos de semicondutores ou
circuitos integrados são considerados "tecnologia".
3D101 "Suportes lógicos" especialmente concebidos ou modificados para
a "utilização" de equipamentos referidos em 3A101 b.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 122
▼M3
3E Tecnologia
3E001 "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o
"desenvolvimento" ou "produção" de equipamentos ou materiais
referidos em 3A, 3B ou 3C;
Nota: 3E001 não abrange "tecnologia" para o "desenvolvi-
mento" ou "produção" de:
a. Transístores de micro-ondas que funcionem a
frequências inferiores a 31 GHz;
b. Circuitos integrados referidos em 3A001.a.3 a
3A001.a.12., com ambas as seguintes características:
1. Utilizarem tecnologia de 0,7 µm ou mais, e
2. Não incorporarem "estruturas multicamadas".
Nota Técnica:
Na nota b.2. a 3E001, a expressão "estruturas
multicamadas" não inclui os dispositivos que
incorporem um máximo de duas camadas
metálicas e duas camadas de polissilícios.
3E002 "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia,
diferente da especificada em 3E001, para o "desenvolvimento"
ou "produção" de "microcircuitos microprocessadores", "micro-
circuitos microcomputadores" e microcircuitos microcontroladores
com um "desempenho teórico composto" ("CTP") de 530 milhões
de operações teóricas por segundo (Mtops) ou mais e uma unidade
lógica aritmética com uma largura de acesso de 32 bits ou mais.
Nota: As excepções referidas para o ponto 3E001 aplicam-se
também a 3E002.
3E003 Outras "tecnologias" para o "desenvolvimento" ou "produção" de:
a. Dispositivos microelectrónicos de vácuo;
b. Dispositivos de semicondutores com hétero-estrutura como
transístores de elevada mobilidade electrónica (HEMT), transí-
stores hetero-bipolares (HBT), dispositivos de poços quânticos
ou de super-redes;
c. Dispositivos electrónicos "supercondutores";
d. Substratos de películas de diamante para componentes
electrónicos;
e. Substratos de silício sobre isolador (SOI) para circuitos
integrados, nos quais o isolador é o dióxido de silício;
f. Substratos de carboneto de silício para componentes electró-
nicos;
3E101 "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para a
"utilização" de equipamentos ou "suportes lógicos" referidos em
3A001.a.1 ou 2, 3A101 ou 3D101.
3E102 "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o
"desenvolvimento" de "suportes lógicos" referidos em 3D101.
3E201 "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para a
"utilização" de equipamentos referidos em 3A001.e.2, 3A001.e.3,
3A201, 3A225 a 3A233.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 123
▼M3
CATEGORIA 4
COMPUTADORES2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 124
▼M3
Nota 1: Os computadores, equipamentos associados ou
"suportes lógicos" que realizam funções de telecomu-
nicações ou de "redes locais" devem ser também
avaliados face às características de desempenho da
categoria 5, Parte 1 (Telecomunicações).
Nota 2: As unidades de comando que estabelecem uma
interconexão directa de barramentos ou canais de
unidades centrais de processamento, de "memória
principal" ou de controladores de disco não são
consideradas como equipamentos de telecomunicações
descritos na categoria 5, Parte 1 (Telecomunicações).
N.B.: Para o estatuto dos suportes lógicos especial-
mente concebidos para comutação de pacotes,
ver 5D001.
Nota 3: Os computadores, equipamentos associados ou
"suportes lógicos" que realizam funções criptográficas,
criptanalíticas, de segurança certificável multiníveis ou
de isolamento certificável de utilizadores, ou que
limitam a compatibilidade electromagnética (EMC),
devem ser também avaliados face às características de
desempenho definidas na categoria 5, Parte 2 ("Segu-
rança da Informação").
4A Sistemas, equipamentos e componentes
4A001 Computadores electrónicos e equipamentos associados, bem como
"conjuntos electrónicos" e componentes especialmente concebidos
para os mesmos:
N.B.: VER TAMBÉM 4A101.
a. Especialmente concebidos para apresentarem uma das seguintes
características:
1. Classificados como aptos para funcionamento a uma
temperatura ambiente inferior a 228 K (− 45 ºC) ou superior
a 358 K (85 ºC);
Nota: 4A001.a.1 não abrange os computadores especial-
mente concebidos para aplicações em automóveis
civis ou comboios dos caminhos-de-ferro.
2. Reforçados contra radiações de modo a superarem uma das
especificações seguintes:
a. Dose total 5 × 103
Gy (Silício);
b. Limite do fluxo de radiação 5 × 106
Gy (Silício)/s; ou
c. Limite de evento único 1 × 10−7
erros/bit/dia;
b. Com características ou funções que superem os limites
definidos na categoria 5, Parte 2 ("Segurança da Informação").
Nota: 4A001.b. não abrange computadores electrónicos e
equipamentos associados que acompanhem o utili-
zador para seu uso pessoal.
4A002 "Computadores híbridos", bem como "conjuntos electrónicos" e
componentes especialmente concebidos para os mesmos:
N.B.: VER TAMBÉM 4A102.
a. Com "computadores digitais" referidos no ponto 4A003;
b. Com conversores analógico-digitais com todas as seguintes
características:
1. 32 canais ou mais; e
2. Resolução igual ou superior a 14 bits (mais bit de sinal) com
um débito de conversão igual ou superior a 200 000
conversões/s.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 125
▼M3
4A003 "Computadores digitais", "conjuntos electrónicos" e equipamentos
associados, bem como componentes especialmente concebidos
para os mesmos:
Nota 1: 4A003 abrange:
a. Processadores vectoriais;
b. Processadores matriciais;
c. Processadores de sinais digitais;
d. Processadores lógicos
e. Equipamentos concebidos para "melhoramento de
imagens"
f. Equipamentos concebidos para "processamento de
sinais".
Nota 2: O estatuto dos "computadores digitais" ou equipa-
mentos associados descritos em 4A003 é determinado
pelo estatuto de outros equipamentos ou sistemas,
desde que:
a. Os "computadores digitais" ou equipamentos asso-
ciados sejam essenciais para o funcionamento dos
outros equipamentos ou sistemas;
b. Os "computadores digitais" ou equipamentos asso-
ciados não sejam um "elemento principal" dos
outros equipamentos ou sistemas; e
N.B.1: O estatuto dos equipamentos de "proces-
samento de sinais" ou "melhoramento de
imagens" especialmente concebidos para
outros equipamentos com funções limi-
tadas às requeridas pelos outros
equipamentos é determinado pelo estatuto
dos outros equipamentos, ainda que o
critério de "elemento principal" seja
superado.
N.B. 2: Para o estatuto dos "computadores
digitais" ou equipamentos associados
para equipamentos de telecomunicações,
ver a categoria 5, Parte 1 (Telecomuni-
cações).
c. A "tecnologia" para os "computadores digitais" e
equipamentos associados esteja abrangida em 4E.
a. Concebidos ou modificados para "tolerância a falhas";
Nota: Para efeitos do disposto em 4A003.a, os "computa-
dores digitais" e equipamentos associados não se
consideram concebidos ou modificados para
"tolerância a falhas", caso utilizem:
1. Algoritmos de detecção ou correcção de erros na
"memória principal";
2. A interligação de dois "computadores digitais" de
tal modo que, em caso de falha da unidade central
de processamento activa, uma unidade central de
processamento inactiva, mas espelho da primeira,
possa manter o sistema em funcionamento;
3. A interligação de duas unidades centrais de
processamento através de canais de dados ou da
utilização de memória partilhada, de modo a que
uma unidade central de processamento possa
realizar outras tarefas até ocorrer uma falha na
segunda unidade central de processamento,
momento em que a primeira unidade central de
processamento retoma o trabalho da segunda, a
fim de manter o sistema em funcionamento; ou
4. A sincronização de duas unidades centrais de
processamento através de um "suporte lógico", por
forma a que uma unidade central de processa-
mento reconheça a ocorrência de uma falha na
outra unidade central de processamento e retome
as tarefas da unidade com falha.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 126
▼M3
b. "Computadores digitais" com um "desempenho teórico
composto" ("CTP") superior a 28 000 milhões de operações
teóricas por segundo (Mtops);
c. "Conjuntos electrónicos" especialmente concebidos ou modifi-
cados para poderem melhorar o desempenho através da
agregação de "elementos de computação" ("CE"), de modo a
que o "CTP" do agregado ultrapasse o limite indicado em
4A003.b.;
Nota 1: 4A003.c. abrange apenas "conjuntos electrónicos" e
interligações programáveis que não excedam o
limite referido em 4A003.b., quando expedidos
como "conjuntos electrónicos" não integrados.
Não abrange "conjuntos electrónicos" intrinseca-
mente limitados, devido à sua concepção, a
utilização como equipamento associado referido
em 4A003.d. ou 4A003.e.
Nota 2: 4A003.c. não abrange "conjuntos electrónicos"
especialmente concebidos para um produto ou
família de produtos cuja configuração máxima não
exceda o limite referido em 4A003.b.
d. Aceleradores gráficos e co-processadores gráficos com um
"débito de vectores tridimensionais" superior a 200 000 000;
e. Equipamentos que efectuem conversões analógico-digitais que
excedam os limites indicados em 3A001.a.5.;
f. Não utilizado;
g. Equipamentos especialmente concebidos para a interconexão
externa de "computadores digitais" ou equipamentos associados
que possibilitem comunicações com um débito de dados
superior a 1,25 Gbyte/s.
Nota: 4A003.g. não abrange equipamentos de interconexão
interna (p. ex. painéis posteriores, barramentos),equipamentos de interconexão passiva, "controla-
dores de acesso à rede" ou "controladores de canais
de comunicação".
4A004 Computadores, bem como equipamentos associados, "conjuntos
electrónicos" e componentes especialmente concebidos para os
mesmos:
a. "Computadores sistólicos matriciais";
b. "Computadores neuronais";
c. "Computadores ópticos".
4A101 Computadores analógicos, "computadores digitais" ou analisadores
digitais diferenciais, com excepção dos referidos em 4A001.a.1.,
que sejam robustecidos e concebidos ou modificados para
utilização em veículos lançadores espaciais referidos em 9A004
ou em foguetes-sonda referidos em 9A104.
4A102 "Computadores híbridos" especialmente concebidos para modeli-
zação, simulação ou integração da concepção de veículos
lançadores espaciais referidos em 9A004 ou de foguetes-sonda
referidos 9A104.
Nota: Este controlo aplica-se apenas quando os equipamentos
são fornecidos com os suportes lógicos referidos em
7D103 ou 9D103.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 127
▼M3
4BEquipamentosde ensaio, de inspecção e de produção
Nada.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 128
▼M3
4C Materiais
Nada.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 129
▼M3
4D Suporte lógico
Nota: O estatuto dos "suportes lógicos" para o "desenvolvi-
mento", "produção", ou "utilização" de equipamentos
descritos noutras categorias é tratado na respectiva
categoria. O estatuto dos "suportes lógicos" para
equipamentos descritos nesta categoria é aqui tratado.
4D001 "Suportes lógicos" especialmente concebidos ou modificados para
o "desenvolvimento", "produção" ou "utilização" de equipamentos
ou "suportes lógicos" referidos em 4A001 a 4A004 ou 4D.
4D002 "Suportes lógicos" especialmente concebidos ou modificados para
servirem de suporte a "tecnologias" abrangidas pelo ponto 4E.
4D003 "Suportes lógicos" específicos:
a. "Suportes lógicos" de sistemas de exploração, ferramentas de
desenvolvimento de "suportes lógicos" e compiladores espe-
cialmente concebidos para equipamentos de "processamento de
fluxos múltiplos de dados" em "código fonte";
b. Não utilizado.
c. "Suportes lógicos" com características ou funções que excedam
os limites da Categoria 5, Parte 2 ("Segurança da Informação");
Nota: 4D003.c. não abrange o controlo dos "suportes
lógicos" que acompanham o utilizador para uso
pessoal deste.
d. Sistemas de exploração especialmente concebidos para equi-
pamentos de "processamento em tempo real" que garantam um
"tempo de espera total de interrupção" inferior a 20 µs.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 130
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4E Tecnologia
4E001 "Tecnologia" na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o
"desenvolvimento", "produção" ou "utilização" de equipamentos
ou "suportes lógicos" referidos em 4A ou 4D.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 131
▼M3
Nota técnica sobre o "desempenho teórico composto" ("CTP")
Abreviaturas utilizadas nesta Nota Técnica
"CE" "elemento de computação" (normalmente uma unidade aritmética e
lógica)
FP vírgula flutuante
XP vírgula fixat tempo de execuçãoXOR OU exclusivo
CPU unidade central de processamento
TP desempenho teórico (de um único "CE")"CTP" "desempenho teórico composto" (múltiplos CE)
R taxa efectiva de cálculo
WL comprimento de palavraL ajustamento do comprimento de palavra× multiplicação
O tempo de execução "t" é expresso em microssegundos, TP e CTP são expressos
em milhões de operações teóricas por segundo (Mtops) e WL é expresso em bits.
Descrição do método de cálculo do "CTP"
O "CTP" é uma medida do desempenho computacional em Mtops. No cálculo do
"CTP" de um agregado de "CE" são necessários os três passos seguintes:
1. Calcular a taxa efectiva de cálculo R para cada "CE";
2. Aplicar a esta taxa efectiva de cálculo (R) o ajustamento do comprimento de
palavra (L), obtendo-se assim o desempenho teórico (TP) de cada "CE".
3. Caso haja mais que um "CE", combinar os TP de modo a obter o "CTP" do
agregado.
As secções seguintes fornecem elementos sobre estes passos.
Nota 1: Para agregados de múltiplos "CE" que tenham subsistemas de
memória partilhada e não partilhada, o cálculo do "CTP" é realizado
hierarquicamente em duas etapas: primeira, agregar os grupos de
"CE" que partilham memória; segunda, calcular o "CTP" dos grupos
utilizando o método de cálculo para múltiplos "CE" que não
partilham memória.
Nota 2: Os "CE" que estão limitados a funções de entrada/saída e periféricas
(p. ex., controladores de unidades de disco, comunicações e ecrã
vídeo) não são agregados no cálculo do "CTP".2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 132
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A tabela seguinte apresenta o método de cálculo da taxa efectiva de cálculo (R)
para cada "CE":
Passo 1: Taxa efectiva de cálculo R
Para "CE" que implementam:
Nota:Cada "CE" deve ser objecto de uma
avaliação independenteTaxa efectiva de cálculo, R
Apenas XP
Rxp¼1
3/C2txp adi¸c˜ao/C0/C1
Se a adição não estiver implementada, utilizar:
Rxp¼1
txp mult/C0/C1
Se nem a adição nem a multiplicação estiverem
implementadas, utilizar a operação aritmética
disponível mais rápida, do seguinte modo:
Rxp¼1
3/C2txp
Ver notas X e Z
Apenas FP
Rfp¼max1
tfp adi¸c˜ao/C0/C1 ;1
tfp mult/C0/C1
Ver notas X e Y
FP e XP (R) Calcular ambos os valores Rxp,Rfp
Para processadores lógicos simples que não
implementam qualquer das operações aritmé-
ticas especificadasR¼1
3/C2tlog
em que tlogé o tempo de execução de XOR, ou,
para equipamento lógico que não implementa o
XOR, a operação lógica simples mais rápida.
Ver notas X e Z
Para processadores lógicos especiais que não
utilizam qualquer das operações aritméticas ou
lógicas especificadasR=R′× WL/64
em que R' é o número de resultados por
segundo, WL é o número de bits sobre os quais
ocorre a operação lógica e 64 é um factor de
normalização para uma operação de 64 bits.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 133
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Nota W: Para um "CE" em conduta ("pipelined") capaz de executar, no
máximo, uma operação aritmética ou lógica em cada ciclo de relógio
depois de a conduta estar cheia, é possível determinar uma taxa em
conduta. A taxa efectiva de cálculo (R) deste "CE" é a maior das
duas: taxa em conduta ou taxa de execução sem conduta.
Nota X: Para "CE" que realizam múltiplas operações de um tipo específico
num único ciclo (p. ex., duas adições por ciclo ou duas operações
lógicas idênticas por ciclo), o tempo de execução t é dado por:
t¼tempo de ciclo
n´umero de opera¸ c˜oes aritm ´eticas idˆenticas por ciclo de m ´aquina
Os "CE" que realizam diferentes tipos de operações aritméticas ou
lógicas num único ciclo de máquina serão tratados como múltiplos
"CE" separados que actuam simultaneamente (p. ex., um "CE" que
realize uma adição e uma multiplicação num ciclo será tratado como
dois "CE", realizando o primeiro uma adição num ciclo e o segundo
uma multiplicação num ciclo).
Caso um único "CE" tenha funções escalares e funções vectoriais,
utilizar o valor do menor tempo de execução.
Nota Y: Para os "CE" em que nem a adição FP, nem a multiplicação FP estão
implementadas, mas que realizam a divisão FP, utilizar-se-á:
Rfp¼1
tfp divis˜ao/C0/C1
Caso o "CE" realize o recíproco FP, mas não a adição FP, a
multiplicação FP ou a divisão FP, será
Rfp¼1
tfp rec´ıproco/C0/C1
Se nenhuma das instruções especificadas estiver implementada, a taxa
FP efectiva é 0.
Nota Z: Em operações lógicas simples, uma única instrução realiza uma só
manipulação lógica de não mais de dois operandos de dado
comprimento.
Em operações lógicas complexas, uma única instrução efectua
múltiplas manipulações lógicas de modo a produzir um ou mais
resultados a partir de dois ou mais operandos.
As taxas devem ser calculadas para todos os comprimentos de
operando aceites, entrando em conta com operações em conduta
(caso sejam possíveis) e operações sem conduta, utilizando a
instrução de execução mais rápida para cada comprimento de
operando, com base em:
1. Operações em conduta ou de registo para registo. Excluir tempos
de execução extraordinariamente curtos causados por operações
sobre um operando ou operandos pré-determinados (por exemplo,
multiplicação por 0 ou 1). Caso não estejam implementadas
operações registo para registo, passar a (2).
2. A mais rápida das seguintes operações: registo para memória ou
memória para registo; se estas também não existirem, passar a (3).
3. Memória para memória.
Em cada caso acima referido, utilizar o tempo de execução mais curto
certificado pelo fabricante.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 134
▼M3
Passo 2: TP para cada comprimento de operando WL aceite
Corrigir a taxa R (ou R') efectiva através do ajustamento do comprimento de
palavra L, do seguinte modo:
T P=R×L
em que L = (1/3 + WL/96)
Nota: O comprimento de palavra WL utilizado nestes cálculos é o
comprimento do operando em bits. (Se uma operação utilizar operandos
com diferentes comprimentos, escolher o maior comprimento de
palavra.)
A combinação de uma ALU de mantissa com uma ALU de expoente num
processador ou unidade de vírgula flutuante é considerada um "CE"
com um comprimento de palavra (WL) igual ao número de bits na
representação dos dados (normalmente 32 ou 64) para efeitos de
cálculo do "CTP".
Esta correcção não abrange processadores lógicos especializados que não
utilizam instruções XOR. Neste caso, TP = R.
Seleccionar o máximo valor de TP obtido para:Cada "CE" apenas com XP (R
xp);
Cada "CE" apenas com FP (Rfp);
Cada "CE" com FP e XP combinados (R);
Cada processador lógico simples que não implemente qualquer das operações
aritméticas especificadas; e
Cada processador lógico especial que não utilize qualquer das operações
aritméticas ou lógicas especificadas.
Passo 3: "CTP" para agregados de "CE", incluindo CPU
Para uma CPU com um único "CE",
"CTP" = TP
(para "CE" que realizem operações de vírgula fixa e flutuante
TP = max (TPfp;T Pxp)).
O "CTP" de agregados de múltiplos "CE" que funcionam simultaneamente é
calculado do seguinte modo:
Nota 1: Em agregados que não permitem o funcionamento simultâneo de
todos os "CE", deve ser utilizada a combinação possível de "CE" que
forneça o "CTP" mais elevado. O TP de cada "CE" participante deve
ser calculado para o seu máximo valor teoricamente possível antes da
obtenção do "CTP" da combinação.
N.B. Para determinar as possíveis combinações de CE em
funcionamento simultâneo, gerar uma sequência de instruções
que inicie operações em múltiplos "CE", começando com o
"CE" mais lento (o que necessita do maior número de ciclos
para realizar a sua operação) e terminando com o "CE" mais
rápido. Em cada ciclo da sequência, a combinação dos "CE"
que estão em funcionamento durante esse ciclo é uma
combinação possível. A sequência de instruções deve ter em
conta todas as limitações do equipamento e/ou da arquitec-
tura em operações que se sobrepõem.
Nota 2: Uma única pastilha de circuito integrado ou montagem numa placa
pode conter múltiplos "CE".
Nota 3: Considera-se que existem operações simultâneas quando o fabricante
do computador reivindica funcionamento ou execução concorrente,
paralelo ou simultâneo no manual ou brochura do computador.
Nota 4: Não se devem agregar os valores do "CTP" de combinações de "CE"
(inter)ligadas através de redes locais, redes de grande extensão,
conexões/dispositivos partilhados de entrada/saída, controladores de
entrada/saída e quaisquer interconexões de comunicações implemen-
tadas através de um suporte lógico.
Nota 5: Devem ser agregados os valores do "CTP" de múltiplos "CE"
especialmente concebidos para melhorar o desempenho através de
agregação, funcionando em simultâneo e partilhando memória, ou de
combinações de múltiplos "CE"/memória funcionando simultanea-
mente por meio de equipamento de concepção especial.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 135
▼M3
Esta agregação nãose aplica aos"conjuntos electrónicos" abrangidos
pelo ponto 4A003.c.
CTP = TP1+C2×T P2+…+Cn×T Pn,
em que os TP estão ordenados pelo seu valor, sendo TP1o mais
elevado, TP2o segundo mais elevado,..., e TPno mais baixo. Ciéu m
coeficiente determinado pelo grau de interconexão dos "CE", do
seguinte modo:
Para múltiplos CE que funcionam em simultâneo e partilham memória:
C2=C3=C4=…=Cn= 0,75
Nota 1: Quando o "CTP" calculado pelo método acima descrito não
ultrapassa 194 Mtops, pode ser utilizada a seguinte fórmula para
calcular Ci:
Ci¼0;75ﬃﬃﬃﬃmpi¼2;... ;n ðÞ
em que m = número de "CE" ou grupos de "CE" que partilham o
acesso,
desde que:
1. O TPide cada "CE" ou grupo de "CE" não ultrapasse 30 Mtops;
2. Os "CE" ou grupos de "CE" partilhem o acesso à memória
principal (excluindo a memória cache) num único canal; e
3. Apenas um "CE" ou grupo de "CE" possa utilizar o canal em
qualquer momento.
N.B. Esta nota não se aplica aos produtos abrangidos pela
categoria 3.
Nota 2: Os "CE" partilham memória caso acedam a um segmento comum de
memória de estado sólido. Esta memória pode incluir memória cache,
memória principal ou outra memória interna. Não estão aqui
incluídos os dispositivos periféricos de memória, como unidades de
disco, unidades de banda ou discos RAM.
Para múltiplos "CE" ou grupos de "CE" que não partilham memória, interligados
por um ou mais canais de dados:
Ci= 0,75 × ki(i = 2, …, 32) (ver nota abaixo)
= 0,60 × ki(i = 33, …, 64)
= 0,45 × ki(i = 65, …, 256)
= 0,30 × ki(i > 256)
O valor de Cibaseia-se no número de "CE" e não no número de nós,sendo
ki= min (Si/Kr,1) e
Kr= factor normalizador de 20 MByte/s
Si= soma dos débitos máximos de dados (unidade: MByte/s) para todos os
canais de dados ligados ao i.º "CE" ou grupo de "CE" que partilham
memória.
No cálculo de um Cide um grupo de "CE", o número do primeiro "CE" num
grupo determina os limites próprios de Ci. Por exemplo, num agregado de grupos
em que cada grupo contém 3 "CE", o 22.º grupo conterá "CE"64, "CE"65e "CE"66.
O limite próprio de Cideste grupo é 0,60.
A agregação (de "CE" ou grupos de "CE") deve efectuar-se do mais rápido para o
mais lento, ou seja:
TP1≥TP2≥TP3≥…T Pne
no caso de TPi=T Pi+1do maior para o menor, ou seja:
Ci≥Ci+1.
Nota: O factor kinão se aplica aos "CE" 2 a 12, caso o TPido "CE" ou grupo
de "CE"seja superior a 50 Mtops, isto é, o Cidos "CE"2 a 12 seja 0,75.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 136
▼M3
CATEGORIA 5
TELECOMUNICAÇÕESE "SEGURANÇADA INFORMAÇÃO"2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 137
▼M3
PARTE 1
TELECOMUNICAÇÕES
Nota 1: O estatuto de componentes, "lasers", equipamentos de
ensaio e de "produção" e "suportes lógicos" para os
mesmos, especialmente concebidos para equipamentos
ou sistemas de telecomunicações está definido na
categoria 5, parte 1.
Nota 2: Os "computadores digitais", equipamentos associados
ou "suportes lógicos", desde que essenciais para o
funcionamento e suporte dos equipamentos de tele-
comunicações referidos nesta categoria, são
considerados componentes de concepção especial,
caso sejam os modelos normais habitualmente forne-
cidos pelo fabricante. Incluem-se aqui os sistemas
informáticos de exploração, administração, manu-
tenção, engenharia ou facturação.
5A1 Sistemas, equipamentos e componentes
5A001 a. Quaisquer tipos de equipamentos de telecomunicações com
uma das seguintes características, funções ou elementos:
1. Especialmente concebidos para resistir a efeitos electrónicos
ou a efeitos de impulsos electromagnéticos transitórios,
ambos resultantes de uma explosão nuclear;
2. Especialmente reforçados para resistir a radiações gama, de
neutrões ou de iões; ou
3. Especialmente concebidos para funcionar fora da gama de
temperaturas que vai de 218 K (− 55 ºC) a 397 K (124 ºC);
Nota: 5A001.a.3. aplica-se apenas a equipamentos elec-
trónicos.
Nota: 5A001.a.2. e 5A001a.3. não abrangem equipamentos
concebidos ou modificados para utilização a bordo de
satélites.
b. Equipamentos ou sistemas de transmissão para telecomuni-
cações, bem como componentes e acessórios especialmente
concebidos para os mesmos, com uma das seguintes carac-
terísticas, funções ou elementos:
1. Serem sistemas de comunicações subaquáticas, com uma das
seguintes características:
a. Terem uma frequência portadora acústica não compreen-
dida entre 20 kHz e 60 kHz;
b. Utilizarem uma frequência portadora electromagnética
inferior a 30 kHz; ou
c. Utilizarem técnicas electrónicas de orientação do feixe;
2. Serem equipamentos de radiocomunicações que funcionem
na banda de 1,5 a 87,5 MHz e que possuam uma das
seguintes características:
a. Incorporação de técnicas adaptativas que proporcionem
uma supressão superior a 15 dB de um sinal de
interferência; ou
b. Possuírem todas as seguintes características:
1. Previsão e selecção automáticas de frequências e
"débitos totais de transferência digital" por canal para
optimização da transmissão; e
2. Inclusão da configuração de um amplificador linear de
potência com capacidade de tratamento simultâneo de
sinais múltiplos, com uma potência de saída igual ou
superior a 1 kW na banda de frequências de 1,5 a
30 MHz, ou igual ou superior a 250 W na banda de
frequências de 30 a 87,5 MHz, sobre uma "largura de
banda instantânea" de uma oitava ou mais e com uma
taxa de harmónicas e distorção na saída melhor que −
80 dB;2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 138
▼M3
3. Serem equipamentos de radiocomunicações que utilizem
técnicas de "espectro alargado", incluindo técnicas de "salto
de frequência", com uma das seguintes características:
a. Códigos de expansão programáveis pelo utilizador; ou
b. Largura de banda total de transmissão igual ou superior a
100 vezes a largura de banda de qualquer canal único de
informação e superior a 50 kHz;
Nota: 5A001.b.3.b. não abrange os equipamentos de
rádio especialmente concebidos para utilização
em sistemas de radiocomunicações celulares
para uso civil.
Nota: 5A001.b.3. não abrange equipamentos com uma
potência de saída igual ou inferior a 1 Watt.
4. Serem receptores de radiocomunicações de comando digital
com todas as seguintes características:
a. Mais de 1 000 canais;
b. Um "tempo de comutação de frequência" inferior a 1 ms;
c. Procura ou varrimento automáticos de uma parte do
espectro electromagnético; e
d. Identificação dos sinais recebidos ou do tipo de emissor;
ou
Nota: 5A001.b.4. não abrange os equipamentos de
rádio especialmente concebidos para utilização
em sistemas de radiocomunicações celulares
para uso civil.
5. Utilizarem funções de "processamento digital de sinais" para
fornecerem codificação vocal com débitos inferiores a
2 400 bit/s;
c. Cabos de fibras ópticas para comunicações, fibras ópticas e
acessórios:
1. Fibras ópticas de comprimento superior a 500 m, especifi-
cadas pelo fabricante como capazes de suportar uma tensão
à tracção, em ensaios de avaliação, igual ou superior a
2×1 09N/m2;
Nota técnica:
"Ensaio de avaliação" designa os ensaios de produção em
linha ou fora de linha que aplicam dinamicamente uma
tensão à tracção previamente definida sobre uma fibra com
comprimento de 0,5 a 3 m a uma velocidade de 2 a 5 m/s,
aquando da sua passagem entre cabrestantes com cerca de150 mm de diâmetro. A temperatura ambiente nominal é de
293 K (20 ºC) e a humidade relativa é de 40 %.
Podem ser utilizadas normas nacionais equivalentes na
execução dos ensaios de avaliação.
2. Cabos de fibras ópticas e acessórios concebidos para
utilização subaquática.
Nota: 5A001.c.2. não abrange os cabos e acessórios
utilizados nas telecomunicações civis normais.
N.B.1: Para os cabos de ligação subaquáticos e respec-
tivos conectores, ver 8A00.2.a.3.
N.B.2: Para os conectores ou dispositivos de penetração
do casco com fibras ópticas, ver 8A002.c.
d. Sistemas de antenas com relação de fase orientáveis electro-
nicamente que funcionem acima de 31 GHz.
Nota: 5A001.d. não abrange os "sistemas de antena com
relação de fase orientáveis electronicamente" para
sistemas de aterragem por instrumentos que respeitem
as normas da ICAO relativas aos sistemas de
aterragem por micro-ondas (MLS).
5A101 Equipamentos de telemetria e telecontrolo utilizáveis em
"mísseis".
Nota: 5A101 não abrange equipamentos especialmente conce-
bidos para utilização no controlo remoto de modelos de
aviões, barcos ou veículos cujo campo eléctrico seja2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 139
▼M3
igual ou inferior a 200 microvolt por metro a uma
distância de 500 metros.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 140
▼M3
5B1 Equipamentosde ensaio, de inspecção e de produção
5B001 a. Equipamentos, bem como componentes e acessórios especial-
mente concebidos para os mesmos, especialmente concebidos
para o "desenvolvimento", "produção" ou "utilização" dos
equipamentos, funções ou elementos referidos em 5A001,
5B001, 5D001 ou 5E001.
Nota: 5B001.a não abrange fibras ópticas e equipamentos
de caracterização de "pré-formas de fibra óptica" que
não utilizem "lasers" de semi-condutores.
b. Equipamentos, bem como componentes e acessórios especial-
mente concebidos para os mesmos, especialmente concebidos
para o "desenvolvimento" de qualquer um dos seguintes
equipamentos de transmissão de telecomunicações ou de
comutação com "controlo por programa residente":
1. Equipamentos que utilizem técnicas digitais, incluindo o
"modo de transferência assíncrona" ("MTA"), concebidos
para funcionar com um "débito total de transferência digital"
superior a 1,5 Gbit/s;
2. Equipamentos que utilizem "laser" e tenham uma das
seguintes características:
a. Comprimento de onda de transmissão superior a
1 750 nm;
b. Realizarem a "amplificação óptica";
c. Utilizarem técnicas de transmissão óptica coerente ou de
detecção óptica coerente (também denominadas técnicas
ópticas heteródinas ou homodinas); ou
d. Utilizarem técnicas analógicas e terem uma largura de
banda superior a 2,5 GHz;
Nota: 5B001.b.2.d. não abrange os equipamentos de
controlo especialmente concebidos para o
"desenvolvimento" de sistemas de televisão
comerciais.
3. Equipamentos que utilizem "comutação óptica";
4. Equipamentos de radiocomunicações que utilize técnicas de
modulação de amplitude em quadratura (QAM) acima do
nível 128; ou
5. Equipamentos que funcionem em "sinalização por canal
comum" tanto no modo não associado como no quase
associado.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 141
▼M3
5C1 Materiais
Nada.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 142
▼M3
5D1 Suporte lógico
5D001 a. "Suportes lógicos" especialmente concebidos ou modificados
para o "desenvolvimento", "produção" ou "utilização" dos
equipamentos, funções ou elementos referidos em 5A001 ou
5B001;
b. "Suportes lógicos" especialmente concebidos ou modificados
para apoio à "tecnologia" abrangida pelo ponto 5E001;
c. "Suportes lógicos" específicos:
1. "Suportes lógicos" especialmente concebidos ou modifi-
cados para fornecer características, funções ou elementos de
equipamentos referidos em 5A001 ou 5B001;
2. Não utilizado;3. "Suportes lógicos", excepto os directamente executáveis
pela máquina, especialmente concebidos ou modificados
para "encaminhamento adaptativo dinâmico";
d. "Suportes lógicos" especialmente concebidos ou modificados
para o "desenvolvimento" de qualquer um dos seguintes
equipamentos de transmissão de telecomunicações ou de
comutação com "controlo por programa residente":
1. Equipamentos que utilizem técnicas digitais, incluindo o
"Modo de Transferência Assíncrona" ("MTA"), concebidos
para funcionarem a um "débito total de transferência digital"
superior a 1,5 Gbit/s;
2. Equipamentos que utilizem "laser" e tenham uma das
seguintes características:
a. Comprimento de onda de transmissão superior a
1 750 nm;
ou
b. Utilizarem técnicas analógicas e terem uma largura de
banda superior a 2,5 GHz;
Nota: 5D001.d.2.b. não abrange os "suportes lógicos"
especialmente concebidos ou modificados para
o "desenvolvimento" de sistemas de televisão
comerciais.
3. Equipamentos que utilizem técnicas de "comutação óptica";
ou
4. Equipamentos de radiocomunicações que utilizem técnicas
de modulação de amplitude em quadratura (QAM) acima do
nível 128.
5D101 "Suportes lógicos" especialmente concebidos ou modificados para
a "utilização" dos equipamentos referidos em 5A101.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 143
▼M3
5E1 Tecnologia
5E001 a. "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para
o"desenvolvimento", "produção" ou "utilização" (excluindo a
exploração) de equipamentos, funções ou elementos, materiais
ou "suportes lógicos" referidos em 5A001, 5B001 ou 5D001.
b. "Tecnologias específicas":
1. "Tecnologia" "necessária" ao "desenvolvimento" ou
"produção" de equipamentos de telecomunicações especial-
mente concebidos para utilização a bordo de satélites;
2. "Tecnologia" para o "desenvolvimento" ou "utilização" de
técnicas de comunicação por "laser" que possibilitem a
aquisição e o seguimento automáticos de sinais e a
manutenção de comunicações através da exoatmosfera ou
abaixo da superfície (água);
3. "Tecnologia" para o "desenvolvimento" de sistemas de
radiocomunicações celulares digitais;
4. "Tecnologia" para o "desenvolvimento" de técnicas de
"espectro alargado", incluindo técnicas de "salto de
frequência".
c. "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para
o "desenvolvimento" ou "produção" de qualquer um dos
seguintes equipamentos, funções ou características de trans-
missão de telecomunicações ou de comutação com "controlo
por programa residente":
1. Equipamentos que utilizem técnicas digitais, incluindo o
"Modo de transferência assíncrona" ("MTA"), concebidos
para funcionar a um "débito total de transferência digital"
superior a 1,5 Gbit/s;
2. Equipamentos que utilizem "laser" e tenham uma das
seguintes características:
a. Comprimento de onda de transmissão superior a
1 750 nm;
b. Efectuarem "amplificação óptica" utilizando amplifica-
dores de fibras fluoretadas com adição de praseodímio
(PDFFA);
c. Utilizarem técnicas de transmissão óptica coerente ou de
detecção óptica coerente (também denominadas técnicas
ópticas heteródinas ou homódinas);
d. Utilizarem técnicas de multiplexagem por divisão de
comprimentos de onda que excedam 8 portadores ópticos
numa única janela óptica; ou
e. Utilizarem técnicas analógicas e terem uma largura de
banda superior a 2,5 GHz;
Nota: 5E001.c.2.e. não abrange a "tecnologia" para o
"desenvolvimento" ou "produção" de sistemas
de televisão comerciais.
3. Equipamentos que utilizem "comutação óptica";4. Equipamentos de radiocomunicações que utilizem:
a. Técnicas de modulação de amplitude em quadratura
(QAM) acima do nível 128;
ou
b. Frequências de entrada ou de saída superiores a 31 GHz;
ou
Nota: 5E001.c.4.b. não abrange a "tecnologia" para o
"desenvolvimento" ou "produção" de equipa-
mentos concebidos ou modificados para
funcionar em qualquer banda de frequências
"atribuída pela UIT" para serviços de radio-
comunicações, mas não para
radiodeterminação.
5. Equipamentos que funcionem em "sinalização por canal
comum" tanto no modo não associado como no quase
associado;
5E101 "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o
"desenvolvimento", "produção" ou "utilização" dos equipamentos
referidos em 5A101.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 144
▼M3
PARTE 2
"SEGURANÇA DA INFORMAÇÃO"
Nota 1: O estatuto dos equipamentos, "suportes lógicos",
sistemas, "conjuntos electrónicos" específicos de apli-
cação, módulos, circuitos integrados, componentes oufunções que garantem a "segurança da informação" é
definido na categoria 5, parte 2, ainda que se trate de
componentes ou "conjuntos electrónicos" de outros
equipamentos.
Nota 2: A categoria 5, parte 2 não abrange produtos que
acompanhem o utilizador para sua utilização pessoal.
Nota 3: Nota sobre criptografia
5A002 e 5D002 não abrangem bens com todas as
seguintes características:
a. Estarem geralmente à disposição do público para
venda sem restrições, em postos de venda a retalho,
através de qualquer um dos seguintes tipos de
transacções:
1. Venda directa;
2. Venda por correspondência;
3. Transacção electrónica; ou
4. Encomenda por telefone;
b. A respectiva funcionalidade criptográfica não poder
ser facilmente alterada pelo utilizador;
c. Serem concebidos para serem instalados pelo
utilizador sem necessidade de assistência técnica
importante por parte do fornecedor; e
d. As suas particularidades poderem, se necessário,
ser fornecidas, a pedido, às autoridades compe-
tentes do Estado-Membro em que o exportador se
encontra estabelecido, para que verifiquem se as
mesmas correspondem ou não às características
enumeradas nas alíneas a. a c. supra.
Nota técnica:
Na Categoria 5, Parte 2, os bits de paridade não se encontram
incluídos no comprimento do código.
5A2 Sistemas, equipamentos e componentes
5A002 a. Sistemas, equipamentos, "conjuntos electrónicos" específicos
de aplicação, módulos e circuitos integrados destinados à
"segurança da informação", bem como outros componentes
especialmente concebidos para os mesmos:
N.B.: No que respeita aos sistemas de navegação global por
satélite com equipamentos que contenham ou utilizem
descodificação (por ex., GPS ou GLONASS), ver
7A005.
1. Concebidos ou modificados para a utilização de "cripto-
grafia" com recurso a técnicas digitais que desempenhem
qualquer função criptográfica que não seja a autenticação ou
a assinatura digital, com uma das seguintes características:
Notas técnicas:
1. Funções de autenticação e de assinatura digital
incluindo a respectiva função associada de gestão do
código.
2. A autenticação inclui todos os aspectos de controlo do
acesso nos casos em que não existe criptagem dos
ficheiros ou do texto, excepto no que diz directamente
respeito à protecção de senhas (passwords), números
de identificação pessoais (PIN) ou dados semelhantes,
a fim de impedir o acesso não autorizado.
3. A "criptografia" não inclui a compressão "fixa" dos
dados nem as técnicas de codificação.
Nota: 5A002.a.1 inclui os equipamentos concebidos ou
modificados para a utilização da "criptografia"2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 145
▼M3
empregando princípios analógicos, sempre que
aplicados com técnicas digitais.
a. Um "algoritmo simétrico" com um comprimento de
chave superior a 56 bits; ou
b. Um "algoritmo assimétrico" em que a segurança do
algoritmo se baseie numa das seguintes características:
1. Factorização de inteiros superior a 512 bits (p.ex.,
RSA);
2. Computação de logaritmos discretos num grupo
multiplicativo de um campo finito de dimensão
superior a 512 bits (p.ex., Diffie-Hellman sobre Z/
/pZ);ou
3. Logaritmos discretos num grupo diferente dos mencio-
nados em 5A002.a.1.b.2. acima de 112 bits (p.ex.,
Diffie-Hellman sobre uma curva elíptica);
2. Concebidos ou modificados para desempenhar funções
criptanalíticas;
3. Não utilizado4. Especialmente concebidos ou modificados para reduzir as
emanações comprometedoras dos sinais portadores de
informação para além do exigido pelas normas relativas à
saúde, à segurança ou às interferências electromagnéticas;
5. Concebidos ou modificados para a utilização de técnicas
criptográficas para gerar o código de alargamento para
sistemas de "espectro alargado", incluindo o código de salto
para sistemas de "salto frequência";
6. Concebidos ou modificados para proporcionar "segurança
multiníveis" certificada ou certificável, ou isolamento do
utilizador a um nível que ultrapasse a classe B2 dos Trusted
Computer System Evaluation Criteria (TCSEC) ou equiva-
lente;
7. Sistemas de comunicações por cabo concebidos ou modifi-
cados por meios mecânicos, eléctricos ou electrónicos, para
detectar intrusões sub-reptícias.
Nota: 5A002 não abrange:
a. "Cartõesinteligentes personalizados"com capacidade
criptográfica restrita para utilização em equipa-
mentos ou sistemas excluídos dos controlos previstos
nas alíneas b. a f. da presente Nota. Se um "cartão
inteligente personalizado" tiver funções múltiplas, o
estatuto de cada função deverá ser avaliado indivi-
dualmente.
b. Equipamentos receptores de radiodifusão, televisão
por assinatura ou modalidades de radiodifusão
semelhantes, com audiência restrita para consumo e
sem cifragem digital, com excepção da exclusiva-
mente utilizada para o envio de dados de consumo ou
informações relacionadas com os programas radio-
difusores.
c. Equipamentos cuja capacidade criptográfica não seja
acessível ao utilizador e que sejam especialmente
concebidos e limitados para permitir uma das
seguintes operações:
1. Execução de "suportes lógicos" protegidos contra
cópia;
2. Acesso a um dos seguintes
a. Conteúdos protegidos contra cópia armaze-
nadosem meios que apenas autorizem a leitura;
b. Informações armazenadas sob forma ou num
meio cifrado (p.ex., relacionadas com a
protecção dos direitos de propriedade intelec-
tual) sempre que o meio seja oferecido para
venda ao público em conjuntos idênticos; ou
3. Cópia única de dados audio/vídeo protegidos por
direitos de autor;
d. Equipamentos de cifragem especialmente concebidos
e limitados à utilização2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 146
▼M3
Nota técnica:
O termo "transacções em dinheiro" em 5A002, nota
d., inclui a cobrança e o pagamento de taxas ou
funções de crédito.
e. Radiotelefones portáteis ou móveis para utilização
civil (p.ex., para utilização em sistemas de radioco-
municações celulares civis comerciais) sem
capacidade de cifragem de extremo a extremo;
f. Equipamentos de telefones sem fio sem capacidade de
cifragem de extremo a extremo sempre que o raio de
acção máximo efectivo de funcionamento sem fio e
sem amplificação (ou seja, um único salto sem
retransmissão entre o terminal e a estação de base)
seja inferior a 400 metros, segundo as especificações
do fabricante.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 147
▼M3
5B2 Equipamentosde ensaio, de inspecção e de produção
5B002 a. Equipamentos especialmente concebidos para:
1. O "desenvolvimento" de equipamentos ou funções referidos
em 5A002, 5B002, 5D002 ou 5E002, incluindo equipa-
mentos de medição ou de ensaio;
2. A "produção" de equipamentos ou funções referidos em
5A002, 5B002, 5D002 ou 5E002, incluindo equipamentos
de medição, de ensaio, de reparação ou de produção;
b. Equipamentos de medição especialmente concebidos para
avaliar e validar as funções de "segurança da informação"
referidas em 5A002 ou 5D002.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 148
▼M3
5C2 Materiais
Nada.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 149
▼M3
5D2 Suporte lógico
5D002 a. "Suportes lógicos" especialmente concebidos ou modificados
para o "desenvolvimento", "produção" ou "utilização" de
equipamentos ou "suportes lógicos" referidos em 5A002,
5B002 ou 5D002;
b. "Suportes lógicos" especialmente concebidos ou modificados
para suporte da "tecnologia" referida em 5E002;
c. "Suportes lógicos" específicos:
1. "Suportes lógicos" que apresentem as características ou
realizem ou simulem as funções dos equipamentos referidos
em 5A002 ou 5B002;
2. "Suportes lógicos" destinados a certificar os "suportes
lógicos" referidos em 5D002.c.1.;
Nota: 5D002 não abrange:
a. "Suportes lógicos" "necessários" à "utilização"
de equipamentos excluídos do controlo nos
termos das notas relativas a 5A002;
b. "Suportes lógicos" que assegurem qualquer
uma das funções dos equipamentos excluídos
do controlo nos termos das notas relativas a
5A002.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 150
▼M3
5E2 Tecnologia
5E002 "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o
"desenvolvimento", "produção" ou "utilização" de equipamentos
ou "suportes lógicos" referidos em 5A002, 5B002 ou 5D002.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 151
▼M3
CATEGORIA 6
SENSORESE "LASERS"2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 152
▼M3
6A Sistemas, equipamentos e componentes
6A001 Acústica
a. Sistemas e equipamentos acústicos marítimos, bem como
componentes especialmente concebidos para os mesmos:
1. Sistemas e equipamentos activos (transmissores ou trans-
missores-receptores), bem como componentes especialmente
concebidos para os mesmos:
Nota: 6A001.a.1 não abrange:
a. Sondas de profundidade que operem na vertical
abaixo do aparelho, não possuam uma função
de varrimento com capacidade superior a ± 20º
e estejam limitadas à medição da profundidade
da água ou da distância a objectos submersos
ou enterrados ou à detecção de cardumes;
b. Balizas acústicas com as seguintes caracterís-
ticas:
1. Balizas acústicas de emergência;
2. Balizas (pingers) especialmente concebidas
para relocalização ou retorno a uma posição
subaquática.
a. Sistemas de levantamento batimétrico de faixa explorada
larga para o levantamento topográfico dos fundos
marinhos, com todas as seguintes características:
1. Estarem concebidos para efectuar medições em
ângulos superiores a 20º relativamente à vertical;
2. Estarem concebidos para medir profundidades supe-
riores a 600 m abaixo da superfície da água; e
3. Estarem concebidos para permitir:
a. A inclusão de feixes múltiplos, cada um dos quais
inferior a 1,9º; ou
b. Uma precisão dos dados superior a 0,3 % da
profundidade da água em toda a largura da faixa
explorada, traduzindo este valor a precisão média
das medições efectuadas.
b. Sistemas de detecção ou de localização de objectos com
uma das seguintes características:
1. Frequência de transmissão inferior a 10 kHz;
2. Nível de pressão sonora superior a 224 dB (referência:
1 µPa a 1 m), no que se refere aos equipamentos com
frequência de funcionamento na banda compreendida
entre 10 kHz e 24 kHz, inclusive;
3. Nível de pressão sonora superior a 235 dB (referência:
1 µPa a 1 m), no que se refere aos equipamentos com
frequência de funcionamento na banda compreendida
entre 24 kHz e 30 kHz;
4. Formação de feixes inferiores a 1º em qualquer eixo e
frequência de funcionamento inferior a 100 kHz;
5. Concebidos para funcionar com um alcance de
visualização não ambígua superior a 5,120 m; ou
6. Concebidos para suportar, em funcionamento normal,
a pressão de profundidades superiores a 1 000 m e
dotados de transdutores com uma das seguintes
características:
a. Compensação dinâmica da pressão; ou
b. Utilizarem como elemento transdutor outros mate-
riais que não o zirconato-titanato de chumbo;
c. Projectores acústicos, incluindo transdutores, com
elementos piezoeléctricos, magnetoestrictivos, electroes-
trictivos, electrodinâmicos ou hidráulicos que funcionem
individualmente ou segundo uma determinada combi-
nação, com qualquer das seguintes características:
Nota 1: O estatuto dos projectores acústicos,
incluindo os transdutores, especialmente
concebidos para outros equipamentos é2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 153
▼M3
determinado pelo estatuto desses equipa-
mentos.
Nota 2: 6A001.a.1.c. não abrange as fontes sonoras
que apenas dirijam o som verticalmente, nem
fontes mecânicas (por exemplo, canhões
pneumáticos ou de vapor) ou químicas (por
exemplo, explosivos).
1. "Densidade de potência acústica" radiada instantânea
superior a 0,01 mW/mm2/Hz, no que se refere aos
equipamentos que funcionem a frequências inferiores
a 10 kHz;
2. "Densidade de potência acústica" radiada contínua
superior a 0,001 mW/mm2/Hz, no que se refere aos
equipamentos que funcionem a frequências inferiores
a 10 kHz;
Nota técnica:
A "densidade de potência acústica" obtém-se divi-
dindo a potência acústica de saída pelo produto da
área da superfície radiante pela frequência de
funcionamento.
3. Supressão de franjas laterais superior a 22 dB;
d. Sistemas e equipamentos acústicos e componentes
especialmente concebidos para determinar a posição de
navios de superfície ou de veículos subaquáticos,
concebidos para funcionar com alcance superior a
1 000 m e um erro de posicionamento inferior a 10 m
rms (média quadrática, valor eficaz) quando a medição
for efectuada a uma distância de 1 000 m;
Nota: 6A001.a.1.d. abrange:
a. Os equipamentos que utilizem um "proces-
samento de sinais" coerente entre duas ou
mais balizas e a unidade hidrofónica trans-
portada no navio de superfície ou no veículo
subaquático;
b. Os equipamentos que corrijam automatica-
mente os erros de propagação à velocidade
do som no cálculo de pontos.
2. Sistemas ou equipamentos passivos (receptores, relacio-
nados ou não, em funcionamento normal, com equipamentos
activos separados), bem como componentes especialmente
concebidos para os mesmos:
a. Hidrofones com uma das seguintes características:
Nota: O estatuto dos hidrofones especialmente conce-
bidos para outros equipamentos será
determinado pelo estatuto desses equipamentos.
1. Dotados de sensores flexíveis contínuos ou de
conjuntos de elementos sensores discretos de diâmetro
ou comprimento inferior a 20 mm e distância entre
elementos inferior a 20 mm;
2. Dotados de um dos seguintes elementos sensores:
a. Fibras ópticas;
b. Polímeros piezoeléctricos; ou
c. Materiais cerâmicos piezoeléctricos flexíveis;
3. "Sensibilidade do hidrofone" superior a − 180 dB a
qualquer profundidade, sem compensação da acele-
ração;
4. Quando concebidos para funcionar a profundidades
superiores a 35 m, com compensação da aceleração;
ou
5. Concebidos para funcionar a profundidades superiores
a 1 000 m;
Nota técnica:
A "sensibilidade do hidrofone" é definida como sendo
vinte vezes o logaritmo decimal do quociente entre a
tensão eficaz de saída e uma tensão eficaz de referência2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 154
▼M3
de 1 V, estando o sensor do hidrofone, sem pré-
-amplificador, situado num campo acústico de ondas
planas de pressão eficaz igual a 1 µPa. Por exemplo, um
hidrofone de − 60 dB (referência: 1 V por µPa)
produzirá nesse campo uma tensão de saída de 10−8V,
enquanto um hidrofone com − 180 dB de sensibilidade
produzirá apenas uma saída de 10−9V. Deste modo, −
160 dB é superior a − 180 dB.
b. Agregados de hidrofones acústicos rebocados com uma
das seguintes características:
1. Intervalo entre os grupos de hidrofones inferior a
12,5 m;
2. Concebidos ou "podendo ser modificados" para
funcionar a profundidades superiores a 35 m;
Nota técnica:
A expressão "podendo ser modificados", utilizada no
ponto 6A001.a.2.b.2, significa que existem meios que
permitem mudar os cabos de ligação ou as interco-
nexões, de modo a alterar o intervalo entre os grupos
de hidrofones ou os limites de profundidade de
funcionamento. Esses meios são: cabos sobresselentes
em quantidade superior a 10 % do número total de
cabos, blocos de ajustamento do intervalo entre os
grupos de hidrofones ou dispositivos internos de
limitação da profundidade ajustáveis ou que
controlem mais do que um grupo de hidrofones.
3. Sensores de rumo referidos em 6A001.a.2.d.;4. Revestimentos de protecção do agregado reforçados
longitudinalmente;
5. Diâmetro do conjunto montado inferior a 40 mm;6. Multiplexagem dos sinais do grupo de hidrofones
concebidos para funcionar a profundidades superiores
a 35 m ou dotados de um sensor de profundidade
ajustável ou amovível que lhes permita funcionar a
profundidades superiores a 35 m;
ou
7. Características dos hidrofones especificadas em
6A001.a.2.a.;
c. Equipamentos de processamento, especialmente conce-
bidos para agregados de hidrofones acústicos rebocados,
com "programabilidade acessível ao utilizador" e proces-
samento e correlação do domínio tempo ou frequência,
incluindo análise espectral, filtragem digital e formação
de feixe por intermédio da transformação rápida de
Fourier, ou de outras transformações ou processos;
d. Sensores de rumo que possuam todas as seguintes
características:
1. Precisão superior a ± 0,5; e
2. Estarem concebidos para funcionar a profundidades
superiores a 35 m ou possuírem um sensor de
profundidade ajustável ou amovível que lhes permita
funcionar a profundidades superiores a 35 m;
e. Sistemas de cabos submarinos, de fundo ou suspensos,
com uma das seguintes características:
1. Incluírem módulos de hidrofones referidos em
6A001.a.2.a.;
2. Incluírem multiplexagem dos sinais do grupo de
hidrofones com as seguintes características:
a. Estarem concebidos para funcionar a profundi-
dades superiores a 35 m ou possuírem um sensor
de profundidade ajustável ou amovível que lhes
permita funcionar a profundidades superiores a
35 m;e
b. Poderem ser intermutados com módulos de agre-
gados de hidrofones acústicos rebocados;
f. Equipamentos de processamento, especialmente conce-
bidos para sistemas de cabos submarinos, de fundo ou
suspensos, com "programabilidade acessível ao utili-2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 155
▼M3
zador" e processamento e correlação do domínio tempo
ou frequência, incluindo análise espectral, filtragem
digital e formação de feixe por intermédio da trans-
formação rápida de Fourier, ou de outras transformações
ou processos;
b. Equipamentos de registo com sonar de correlação da veloci-
dade, concebidos para medir a velocidade horizontal do
transportador do equipamento em relação ao fundo marinho,
a distâncias superiores a 500 m entre o transportador e o fundo.
6A002 Sensores ópticos
N.B.: VER TAMBÉM 6A102.
a. Detectores ópticos:
Nota: 6A002.a. não abrange os dispositivos fotossensíveis
de germânio ou de silício.
1. Detectores de estado sólido "qualificados para uso espacial":
a. Detectores de estado sólido "qualificados para uso
espacial" com as seguintes características:
1. Pico de resposta na banda de comprimentos de onda
superiores a 10 nm, mas não superiores a 300 nm; e
2. Resposta inferior a 0,1 %, relativamente à resposta
máxima, nos comprimentos de onda superiores a
400 nm;
b. Detectores de estado sólido "qualificados para uso
espacial" com todas as seguintes características:
1. Pico de resposta na banda de comprimentos de onda
superiores a 900 nm, mas não superiores a 1 200 nm; e
2. "Constante de tempo" de resposta igual ou inferior a
95 ns;
c. Detectores de estado sólido "qualificados para uso
espacial" com um pico de resposta na banda de
comprimentos de onda superiores a 1 200 nm, mas não
superiores a 30 000 nm;
2. Tubos intensificadores de imagem e componentes especial-
mente concebidos para esses tubos:
a. Tubos intensificadores de imagem com todas as carac-
terísticas seguintes:
1. Pico de resposta na banda de comprimentos de onda
superiores a 400 nm, mas não superiores a 1 050 nm;
2. Uma placa de microcanais para amplificação de
imagens electrónicas, com espaçamento dos furos
(distância entre centros) igual ou inferior a 25 µm; e
3. Fotocátodos:
a. Fotocátodos S-20, S-25 ou multialcalinos com uma
sensibilidade luminosa superior a 240 µA/lm;
b. Fotocátodos de GaAs ou de GaInAs; ou
c. Outros fotocátodos semicondutores compostos III-
-V
Nota: 6A002.a.2.a.3.c. não abrange os foto-
cátodos semicondutores compostos com
uma sensibilidade radiante máxima igual
ou inferior a 10 mA/W.
b. Componentes especialmente concebidos para tubos
intensificadores de imagem:
1. Placas de microcanais com espaçamento dos furos
(distância entre centros) igual ou inferior a 15 µm;
2. Fotocátodos de GaAs ou de GaInAs;3. Outros fotocátodos semicondutores compostos III-V
Nota: 6A002.a.2.b.3. não abrange os fotocátodos
semicondutores compostos com uma sensi-
bilidade radiante máxima igual ou inferior a
10 mA/W.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 156
▼M3
3. "Matrizes de plano focal" não "qualificadas para uso
espacial":
Nota técnica:
"Matrizes de plano focal" são matrizes de detectores
lineares ou bidimensionais de elementos múltiplos.
Nota 1: 6A002.a.3 abrange as matrizes fotocondutoras e
as fotovoltaicas.
Nota 2: 6A002.a.3 não abrange:
a. "Matrizes de plano focal" de silício;
b. Células fotocondutoras encapsuladas de
elementos múltiplos (não mais de 16
elementos) que utilizem sulfureto de chumbo
ou selenieto de chumbo;
c. Detectores piroeléctricos que utilizem os
seguintes materiais:
1. Sulfato de triglicina e variantes;
2. Titanato de zircónio-lantânio-chumbo e
variantes;
3. Tantalato de lítio;4. Poli(fluoreto de vinilideno) e variantes;
ou
5. Niobato de estrôncio e bário e variantes.
a. "Matrizes de plano focal" não "qualificadas para uso
espacial" com as seguintes características:
1. Elementos individuais com pico de resposta na banda
de comprimentos de onda superiores a 900 nm, mas
não superiores a 1 050 nm; e
2. "Constante de tempo" de resposta inferior a 0,5 ns;
b. "Matrizes de plano focal" não "qualificadas para uso
espacial" com as seguintes características:
1. Elementos individuais com pico de resposta na banda
de comprimentos de onda superiores a 1 050 nm, mas
não superiores a 1 200 nm; e
2. "Constante de tempo" de resposta igual ou inferior a
95 ns;
c. "Matrizes de plano focal" não "qualificadas para uso
espacial" que possuam elementos individuais com pico
de resposta na banda de comprimentos de onda
superiores a 1 200 nm, mas não superiores a 30 000 nm;
b. "Sensores de imagem monoespectrais" e "sensores de imagem
multiespectrais" concebidos para aplicações de detecção à
distância que possuam uma das seguintes características:
1. Campo de visão instantâneo (IFOV) inferior a 200 µrad
(microrradianos); ou
2. Estarem previstos para funcionar na banda de comprimentos
de onda superiores a 400 nm, mas não superiores a
30 000 nm e possuírem as seguintes características:
a. Saída de dados de imagem em formato digital; e
b. Serem:
1. "Qualificados para uso espacial"; ou
2. Concebidos para funcionar a bordo de aeronaves,
utilizando detectores que não sejam de silício e com
um IFOV inferior a 2,5 mrad (milirradianos);
c. Equipamentos de imagem de "visão directa" que funcionem no
espectro visível ou infravermelho e que possuam:
1. Tubos intensificadores de imagem referidos em 6A002.a.2;
ou
2. "Matrizes de plano focal" referidas em 6A002.a.3;
Nota técnica:
A expressão "visão directa" refere-se a equipamentos de
imagem que funcionem no espectro visível ou infravermelho e
apresentem a um observador humano uma imagem directa-2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 157
▼M3
mente visível, sem a converterem num sinal electrónico para
visualização televisiva, e que não possam gravar ou armazenar
a imagem por meios fotográficos, electrónicos ou quaisquer
outros.
Nota: 6A002.c. não abrange os seguintes equipamentos
dotados de fotocátodos que não sejam de GaAs nem
de GaInAs:
a. Sistemas de alarme contra presenças indesejáveis
em locais industriais ou civis ou sistemas de
contagem ou de controlo dos movimentos em zonas
industriais ou de tráfego;
b. Equipamentos médicos;
c. Equipamentos industriais utilizados na inspecção,
classificação ou análise de propriedades dos
materiais;
d. Detectores de chama para fornos industriais;
e. Equipamentos especialmente concebidos para
utilizações laboratoriais.
d. Componentes auxiliares especiais para sensores ópticos:
1. Sistemas de refrigeração criogénicos "qualificados para uso
espacial";
2. Sistemas de refrigeração criogénicos não "qualificados para
uso espacial" com a temperatura da fonte frigorífica inferior
a 218 K (− 55 ºC):
a. De ciclo fechado, com um tempo médio sem falhas
(MTTF) especificado, ou um tempo médio entre falhas
(MTBF) superior a 2 500 horas;
b. Mini-arrefecedores de Joule-Thomson (JT) com auto-
-regulação, com diâmetros (exteriores) de poro inferiores
a 8 mm;
3. Fibras ópticas sensíveis especialmente fabricadas, em termos
de composição ou de estrutura, ou modificadas por
revestimento, de modo a terem sensibilidade acústica,
térmica, inercial, electromagnética ou às radiações nucle-
ares.
e. "Matrizes de plano focal" "qualificadas para uso espacial" que
possuam mais de 2 048 elementos por matriz e o pico de
resposta na banda de comprimentos de onda superiores a
300 nm mas não superiores a 900 nm.
6A003 Aparelhos de captação e registo ou de captação e formação de
imagens
N.B.: VER TAMBÉM 6A203.
N.B.: No que se refere aos aparelhos especialmente concebidos
ou modificados para utilização subaquática, ver 8A002.d.
e 8A002.e.
a. Aparelhos de captação e registo de imagens e componentes
especialmente concebidos para os mesmos:
Nota: Os aparelhos de captação e registo de imagens
referidos em 6A003.a.3 a 6A003.a.5 com estruturas
modulares devem ser avaliados com base na sua
capacidade máxima, usando módulos de expansão
("plug-ins") disponíveis, em conformidade com as
instruções do fabricante dos aparelhos.
1. Máquinas de filmar de alta velocidade que utilizem qualquer
formato de filme entre 8 mm e 16 mm, inclusive,
caracterizadas por o filme avançar continuamente durante
todo o período de filmagem e capazes de filmar a
velocidades superiores a 13 150 imagens/s;
Nota: 6A003.a.1 não abrange máquinas de filmar
concebidas para fins civis.
2. Máquinas fotográficas mecânicas de alta velocidade, em que
a película não se movimenta, capazes de fotografar a
velocidades superiores a 1 000 000 de imagens/s para o
comprimento total do fotograma do filme de 35 mm ou a
velocidades proporcionalmente maiores para fotogramas de2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 158
▼M3
menor comprimento ou proporcionalmente menores para
fotogramas de maior comprimento;
3. Máquinas fotográficas mecânicas ou electrónicas de registo
contínuo com velocidade de registo superior a 10 mm/µs;
4. Máquinas fotográficas electrónicas de imagens separadas
com velocidade de registo superior a 1 000 000 de imagens/
/s;
5. Máquinas fotográficas electrónicas com todas as seguintes
características:
a. Velocidade de obturação electrónica (capacidade de
intercepção) superior a 1 µs por fotograma completo; e
b. Tempo de leitura que permita velocidades de registo de
imagem superiores a 125 fotogramas completos por
segundo;
6. Módulos de expansão ("plug-ins") com todas as seguintes
características:
a. Especialmente concebidos para os aparelhos de captação
e registo de imagens com estrutura modular referidos em
6A003.a; e
b. Adequados para fazer com que esses aparelhos satis-
façam as características referidas em 6A003.a.4., ou
6A003.a.5., de acordo com as especificações do fabri-
cante.
b. Aparelhos de captação e formação de imagem:
Nota: 6A003.b. não abrange as câmaras de vídeo ou de
televisão especialmente concebidas para radiodifusão
televisiva.
1. Câmaras de vídeo com sensores de estado sólido que
possuam uma das seguintes características:
a. No que se refere às câmaras monocromáticas (preto e
branco), mais de 4 × 106"pixels activos" por matriz de
estado sólido;
b. No que se refere às câmaras a cores com três matrizes de
estado sólido, mais de 4 × 106"pixels activos" por matriz
de estado sólido; ou
c. No que se refere às câmaras a cores com uma matriz de
estado sólido, mais de 12 × 106"pixels activos";
Nota técnica:
Para efeitos do presente ponto, as câmaras de video digitais
devem ser avaliadas pelo número máximo de "pixels
activos" utilizados para captar imagens em movimento
2. Câmaras de varrimento e sistemas de câmaras de varrimento
com as seguintes características:
a. Matrizes de detectores lineares com mais de 8 192
elementos por matriz; e
b. Varrimento mecânico numa direcção;
3. Aparelhos de captação e formação de imagem com
intensificadores de imagem referidos em 6A002.a.2.a.;
4. Aparelhos de captação e formação de imagem com
"matrizes de plano focal" referidos em 6A002.a.3;
Nota: 6A003.b.4 não abrange os aparelhos de captação e
formação de imagens com "matrizes de plano
focal" lineares de doze elementos ou menos, que
não usem temporização-e-integração no elemento,
concebidos para uma das seguintes utilizações:
a. Sistemas de alarme contra presenças indesejá-
veis em locais industriais ou civis ou sistemasde contagem ou de controlo dos movimentos em
zonas industriais ou de tráfego;
b. Equipamentos industriais utilizados na
inspecção ou monitorização de fluxos de calor
em edifícios, equipamentos ou processos indus-
triais;2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 159
▼M3
c. Equipamentos industriais utilizados na
inspecção, classificação ou análise das proprie-
dades dos materiais;
d. Equipamentos especialmente concebidos para
utilizações laboratoriais; ou
e. Equipamentos médicos.
6A004 Óptica
a. Espelhos ópticos (reflectores):
1. "Espelhos deformáveis" de superfície contínua ou de
elementos múltiplos, bem como componentes especialmente
concebidos para esses espelhos, capazes de reposicionar
dinamicamente partes da superfície especular a frequências
superiores a 100 Hz;
2. Espelhos monolíticos leves de "densidade equivalente"
média inferior a 30 kg/m2e massa total superior a 10 kg;
3. Estruturas especulares "compósitas" ou celulares leves de
"densidade equivalente" média inferior a 30 kg/m2e massa
total superior a 2 kg;
4. Espelhos direccionadores de feixes de diâmetro ou compri-
mento do eixo principal superior a 100 mm cujo plano
óptico não apresente desvios superiores a lambda/2 (lambda
corresponde a 633 nm) e cuja largura de banda de controlo
seja superior a 100 Hz;
b. Componentes ópticos de selenieto de zinco (ZnSe) ou de
sulfureto de zinco (ZnS) transmissores na banda de compri-
mentos de onda superiores a 3 000 nm, mas não superiores a
25 000 nm, que possuam uma das seguintes características:
1. Volume superior a 100 cm3;ou
2. Diâmetro ou comprimento do eixo principal superior a
80 mm e espessura (profundidade) superior a 20 mm;
c. Componentes de sistemas ópticos "qualificados para uso
espacial":
1. Tornados mais leves, até menos de 20 %, em termos de
"densidade equivalente", relativamente a uma peça maciça
de referência de abertura e espessura idênticas;
2. Substratos em bruto e substratos tratados com revestimentos
superficiais (monocamada ou em camadas múltiplas,
metálicos ou dieléctricos, condutores, semicondutores ou
isolantes) ou com películas protectoras;
3. Segmentos ou conjuntos de espelhos concebidos para serem
montados no espaço de forma a constituírem um sistema
óptico de abertura colectora equivalente a ou maior do que a
de uma óptica única com 1 metro de diâmetro;
4. Fabricados a partir de materiais "compósitos" de coeficiente
de dilatação térmica linear igual ou inferior a 5 × 10−6em
qualquer direcção de coordenadas;
d. Equipamentos ópticos de comando:
1. Especialmente concebidos para manterem o número de
mérito da superfície ou a orientação dos componentes
"qualificados para uso espacial" referidos em 6A004.c.1 ou
6A004.c.3.;
2. Com larguras de banda de direccionamento, seguimento,
estabilização ou alinhamento de ressoadores iguais ou
superiores a 100 Hz e precisão igual ou inferior a 10 µrad
(microrradianos);
3. Suspensões por cardans com todas as seguintes caracterís-
ticas:
a. Movimento giratório máximo superior a 5;
b. Largura de banda igual ou superior a 100 Hz;
c. Erros de apontamento angular iguais ou inferiores a
200 µrad (microrradianos); e
d. Uma das seguintes características:
1. Diâmetro ou comprimento do eixo principal superior a
0,15 m, mas não superior a 1 m e capacidade para2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 160
▼M3
acelerações angulares superiores a 2 rad (radianos)/s2;
ou
2. Diâmetro ou comprimento do eixo principal superior a
1 m e capacidade para acelerações angulares supe-
riores a 0,5 rad (radianos)/s2;
4. Especialmente concebidos para manter o alinhamento de
sistemas especulares de grupos de elementos em fase ou de
segmentos em fase constituídos por espelhos de diâmetro de
segmento ou comprimento do eixo principal igual ou
superior a 1 m.
e. "Elementos ópticos asféricos" com todas as seguintes carac-
terísticas:
1. Dimensão máxima da abertura óptica superior a 400 mm;
2. Rugosidade da superfície inferior a 1 mm (rms) para
comprimentos da amostra iguais ou superiores a 1 mm; e
3. Valor absoluto do coeficiente de dilatação térmica linear
inferior a 3 × 10−6/K a 25 ºC.
Notas Técnicas:
1. Por "elemento óptico asférico" entende-se qualquer
elemento utilizado num sistema óptico cuja superfície ou
superfícies de formação de imagens estejam concebidas
para se afastar da forma de uma esfera ideal.
2. Os fabricantes não são obrigados a medir a rugosidade
da superfície referida em 6A004.e.2 a não ser que o
elemento óptico tenha sido concebido ou fabricado com a
intenção de respeitar ou exceder o parâmetro de controlo.
Nota: 6A004.e não abrange os elementos ópticos
asféricos com uma das seguintes características:
a. Dimensão máxima da abertura óptica infe-
rior a 1m e relação distância focal/abertura
igual ou superior a 4,5/1;
b. Dimensão máxima da abertura óptica igual
ou superior a 1m e relação distância focal/
/abertura igual ou superior a 7/1;
c. Terem sido concebidos como elementos
ópticos Fresnel, tipo olho de mosca, de faixa,
de prisma ou de difracção;
d. Serem fabricados de vidro borossilicatado
com um coeficiente de dilatação térmica
linear superior a 2,5 × 10−6/K a 25 ºC; ou
e. Serem elementos ópticos de raios-X com
capacidade reflectora interna (por exemplo,
espelhos de tipo tubular).
N.B.: No caso dos elementos ópticos asféricos espe-
cialmente concebidos para equipamento
litográfico, ver 3B001.
6A005 "Lasers" não referidos em 0B001.g.5. nem em 0B001.h.6.,
componentes e equipamentos ópticos:
N.B.: VER TAMBÉM 6A205.
Nota 1: Os "lasers" pulsantes abrangem os que funcionam num
modo de ondas contínuas com sobreposição de
impulsos.
Nota 2: Os"lasers"de excitação por impulsosabrangem osque
funcionam num modo de excitação contínua com
sobreposição de excitação por impulsos.
Nota 3: O estatuto dos "lasers" Raman será determinado pelos
parâmetros dos "lasers" de bombeamento. O "laser" de
bombeamento poderá ser qualquer um dos "lasers" a
seguir enumerados.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 161
▼M3
a. "Lasers" de gás:
1. "Lasers" de excímeros com um dos seguintes conjuntos de
características:
a. Comprimento de onda de saída não superior a 150 nm e
com uma das seguintes características:
1. Energia de saída superior a 50 mJ por impulso; ou
2. Potência de saída média superior a 1 W;
b. Comprimento de onda de saída superior a 150 nm, mas
não superior a 190 nm, e com uma das seguintes
características:
1. Energia de saída superior a 1,5 J por impulso; ou
2. Potência de saída média superior a 120 W;
c. Comprimento de onda de saída superior a 190 nm, mas
não superior a 360 nm, e com uma das seguintes
características:
1. Energia de saída superior a 10 J por impulso; ou
2. Potência de saída média superior a 500 W; ou
d. Comprimento de onda de saída superior a 360 nm e com
uma das seguintes características:
1. Energia de saída superior a 1,5 J por impulso; ou
2. Potência de saída média superior a 30 W;
N.B.: No caso dos "lasers" de excímeros especial-
mente concebidos para equipamento litográfico,
ver 3B001.
2. "Lasers" de vapores metálicos:
a. "Lasers" de cobre (Cu) com uma potência de saída média
superior a 20 W;
b. "Lasers" de ouro (Au) com uma potência de saída média
superior a 5 W;
c. "Lasers" de sódio (Na) com uma potência de saída
superior a 5 W;
d. "Lasers" de bário (Ba) com uma potência de saída média
superior a 2 W;
3. "Lasers" de monóxido de carbono (CO) com uma das
seguintes características:
a. Energia de saída superior a 2 J por impulso e "potência
de pico" pulsante superior a 5 kW; ou
b. Potência de saída média ou em ondas contínuas superior
a 5 kW;
4. "Lasers" de dióxido de carbono (CO2) com uma das
seguintes características:
a. Potência de saída em ondas contínuas superior a 15 kW;
b. Saída pulsante com "duração de impulso" superior a 10 µs
e com uma das seguintes características:
1. Potência de saída média superior a 10 kW; ou
2. "Potência de pico" pulsante superior a 100 kW; ou
c. Saída pulsante com "duração de impulso" igual ou
inferior a 10 µs e com uma das seguintes características:
1. Energia superior a 5 J por impulso; ou
2. Potência de saída média superior a 2,5 kW;
5. "Lasers químicos":
a. "Lasers" de fluoreto de hidrogénio (HF);
b. "Lasers" de fluoreto de deutério (DF);
c. "Lasers de transferência":
1. "Lasers" de oxigénio-iodo (O2-I);
2. "Lasers" de fluoreto de deutério-dióxido de carbono
(DF-CO2);2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 162
▼M3
6. "Lasers" de iões de crípton ou de iões de árgon com uma das
seguintes características:
a. Energia de saída superior a 1,5 J por impulso e "potência
de pico" pulsante superior a 50 W; ou
b. Potência de saída média ou em ondas contínuas superior
a5 0W ;
7. Outros "lasers" de gás com um dos seguintes conjuntos de
características:
Nota: 6A005.a.7. não abrange os "lasers" de azoto.
a. Comprimento de onda de saída não superior a 150 nm e
com uma das seguintes características:
1. Energia de saída superior a 50 mJ por impulso e
"potência de pico" pulsante superior a 1 W; ou
2. Potência de saída média ou em ondas contínuas
superior a 1 W;
b. Comprimento de onda de saída superior a 150 nm, mas
não superior a 800 nm, e com uma das seguintes
características:
1. Energia de saída superior a 1,5 J por impulso e
"potência de pico" pulsante superior a 30 W; ou
2. Potência de saída média ou em ondas contínuas
superior a 30 W;
c. Comprimento de onda de saída superior a 800 nm, mas
não superior a 1 400 nm, e com uma das seguintes
características:
1. Energia de saída superior a 0,25 J por impulso e
"potência de pico" pulsante superior a 10 W; ou
2. Potência de saída média ou em ondas contínuas
superior a 10 W; ou
d. Comprimento de onda de saída superior a 1 400 nm e
potência de saída média ou em ondas contínuas superior a
1W ;
b. "Lasers" de semicondutores:
1. "Lasers" singulares de semicondutores de modo transversal
único com todas as seguintes características:
a. Comprimento de onda inferior a 950 nm ou superior a
2 000 nm e
b. Potência de saída média ou em ondas contínuas superior
a 100 mW.
2. "Lasers" singulares de semicondutores de modo transversal
múltiplo com todas as seguintes características:
a. Comprimento de onda inferior a 950 nm ou superior a
2 000 nm e
b. Potência de saída média ou em ondas contínuas superior
a1 0W .
3. Agregados singulares de "lasers" de semicondutores com
uma das seguintes características:
a. Comprimento de onda inferior a 950 nm e potência de
saída média ou em ondas contínuas superior a 60 W; ou
b. Comprimento de onda igual ou superior a 2 000 nm e
potência de saída média ou em ondas contínuas superior a
10 W.
Nota técnica:
Os "lasers" de semicondutores são vulgarmente designados por
díodos "laser".
Nota 1: 6A005.b. inclui os "lasers" de semicondutores com
conectores de saída ópticos (p. ex., espirais de
fibras ópticas).
Nota 2: O estatuto dos "lasers" de semicondutores especial-
mente concebidos para outros equipamentos será
determinado pelo estatuto desses equipamentos.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 163
▼M3
c. "Lasers" de estado sólido:
1. "Lasers" "sintonizáveis" com um dos seguintes conjuntos de
características:
Nota: 6A005.c.1. abrange "lasers" de titânio-safira
(Ti:Al2O3), túlio-YAG (Tm:YAG), túlio-YSGG
(Tm:YSGG), alexandrite (Cr:BeAl2O4) e de centro
de cor.
a. Comprimento de onda de saída inferior a 600 nm e com
uma das seguintes características:
1. Energia de saída superior a 50 mJ por impulso e
"potência de pico" pulsante superior a 1 W; ou
2. Potência de saída média ou em ondas contínuas
superior a 1 W;
b. Comprimento de onda de saída igual ou superior a
600 nm, mas não superior a 1 400 nm, e com uma das
seguintes características:
1. Energia de saída superior a 1 J por impulso e
"potência de pico" pulsante superior a 20 W; ou
2. Potência de saída média ou em ondas contínuas
superior a 20 W; ou
c. Comprimento de onda de saída superior a 1 400 nm e
com uma das seguintes características:
1. Energia de saída superior a 50 mJ por impulso e
"potência de pico" pulsante superior a 1 W; ou
2. Potência de saída média ou em ondas contínuas
superior a 1 W;
2. "Lasers" não "sintonizáveis":
Nota: 6A005.c.2. abrange os "lasers" de estado sólido de
transição atómica.
a. "Lasers" de vidro dopado com neodímio:
1. "Lasers de Q comutado" com uma das seguintes
características:
a. Energia de saída superior a 20 J, mas não superior
a 50 J, por impulso e potência de saída média
superior a 10 W; ou
b. Energia de saída superior a 50 J por impulso;
2. "Lasers" que não sejam "de Q comutado" com uma
das seguintes características:
a. Energia de saída superior a 50 J, mas não superior
a 100 J, por impulso e potência de saída média
superior a 20 W; ou
b. Energia de saída superior a 100 J por impulso;
b. "Lasers" (não de vidro) dopados com neodímio, com
comprimento de onda de saída superior a 1 000 nm, mas
não superior a 1 100 nm:
N.B.: No que se refere aos "lasers" (não de vidro)
dopados com neodímio com comprimento de
onda de saída não superior a 1 000 nm ou
superior a 1 100 nm, ver 6A005.c.2.c.
1. "Lasers de Q comutado" de modo bloqueado com
excitação por impulsos, com "duração de impulso"
inferior a 1 ns e com uma das seguintes caracterís-
ticas:
a. "Potência de pico" superior a 5 GW;
b. Potência de saída média superior a 10 W; ou
c. Energia superior a 0,1 J por impulso;
2. "Lasers de Q comutado" com excitação por impulsos,
com "duração de impulso" igual ou superior a 1 ns, e
com uma das seguintes características:
a. Saída em modo transversal único com:
1. "Potência de pico" superior a 100 MW;2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 164
▼M3
2. Potência de saída média superior a 20 W; ou
3. Energia superior a 2 J por impulso; ou
b. Saída em modo transversal múltiplo com:
1. "Potência de pico" superior a 400 MW;
2. Potência de saída média superior a 2 kW; ou
3. Energia superior a 2 J por impulso;
3. "Lasers" que não sejam "de Q comutado" com
excitação por impulsos, com:
a. Saída em modo transversal único com uma das
seguintes características:
1. "Potência de pico" superior a 500 kW; ou
2. Potência de saída média superior a 150 W; ou
b. Saída em modo transversal múltiplo com uma das
seguintes características:
1. "Potência de pico" superior a 1 MW; ou
2. Potência média superior a 2 kW;
4. "Lasers" de excitação contínua com uma das seguintes
características:
a. Saída em modo transversal único com:
1. "Potência de pico" superior a 500 kW; ou
2. Potência de saída média ou em ondas contínuas
superior a 150 W; ou
b. Saída em modo transversal múltiplo com uma das
seguintes características:
1. "Potência de pico" superior a 1 MW; ou
2. Potência de saída média ou em ondas contínuas
superior a 2 kW;
c. Outros "lasers" não "sintonizáveis" com um dos seguintes
conjuntos de características:
1. Comprimento de onda inferior a 150 nm e com uma
das seguintes características:
a. Energia de saída superior a 50 mJ por impulso e
"potência de pico" pulsante superior a 1 W; ou
b. Potência de saída média ou em ondas contínuas
superior a 1 W;
2. Comprimento de onda igual ou superior a 150 nm,
mas não superior a 800 nm, e com uma das seguintes
características:
a. Energia de saída superior a 1,5 J por impulso e
"potência de pico" pulsante superior a 30 W; ou
b. Potência de saída média ou em ondas contínuas
superior a 30 W;
3. Comprimento de onda superior a 800 nm, mas não
superior a 1 400 nm:
a. "Lasers de Q comutado" com:
1. Energia de saída superior a 0,5 J por impulso e
"potência de pico" pulsante superior a 50 W; ou
2. Potência de saída média superior a:
a. 10 W, no que se refere aos "lasers" de modo
transversal único;
b. 30W, no que se refere aos "lasers" de modo
transversal múltiplo;
b. "Lasers" que não sejam "de Q-comutado" com:
1. Energia de saída superior a 2 J por impulso e
"potência de pico" pulsante superior a 50 W; ou
2. Potência de saída média ou em ondas contínuas
superior a 50 W; ou2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 165
▼M3
4. Comprimento de onda superior a 1 400 nm e com uma
das seguintes características:
a. Energia de saída superior a 100 mJ por impulso e
"potência de pico" pulsante superior a 1 W; ou
b. Potência de saída média ou em ondas contínuas
superior a 1 W;
d. "Lasers" de corantes e de outros líquidos, com um dos seguintes
conjuntos de características:
1. Comprimento de onda inferior a 150 nm e:
a. Energia de saída superior a 50 mJ por impulso e
"potência de pico" pulsante superior a 1 W; ou
b. Potência de saída média ou em ondas contínuas superior
a1W ;
2. Comprimento de onda igual ou superior a 150 nm, mas não
superior a 800 nm, e com uma das seguintes características:
a. Energia de saída superior a 1,5 J por impulso e "potência
de pico" pulsante superior a 20 W;
b. Potência de saída média ou em ondas contínuas superior
a2 0W ; ou
c. Um oscilador de modo longitudinal único pulsante com
potência de saída média superior a 1 W e taxa de
repetição superior a 1 kHz se a "duração do impulso" for
inferior a 100 ns;
3. Comprimento de onda superior a 800 nm, mas não superior
a 1 400 nm, e com uma das seguintes características:
a. Energia de saída superior a 0,5 J por impulso e "potência
de pico" pulsante superior a 10 W; ou
b. Potência de saída média ou em ondas contínuas superior
a1 0W ; ou
4. Comprimento de onda superior a 1 400 nm e com uma das
seguintes características:
a. Energia de saída superior a 100 mJ por impulso e
"potência de pico" pulsante superior a 1 W; ou
b. Potência de saída média ou em ondas contínuas superior
a1W ;
e. Componentes:
1. Espelhos arrefecidos, quer por "arrefecimento activo", quer
por arrefecimento por tubos de calor;
Nota técnica:
O "arrefecimento activo" é uma técnica de arrefecimento de
componentes ópticos caracterizada pela circulação de
fluidos refrigerantes debaixo da superfície óptica desses
componentes (nominalmente menos de 1 mm abaixo da
superfície óptica), de modo a remover calor.
2. Espelhos ópticos ou componentes ópticos ou electro-ópticos
transmissivos ou parcialmente transmissivos especialmente
concebidos para utilização com "lasers" sujeitos a controlos;
f. Equipamentos ópticos:
N.B.: No que se refere aos elementos ópticos de abertura
comum que possam ser utilizados em aplicações de
"lasers de super alta potência" ("SHPL") ver a Lista
de Material de Guerra.
1. Equipamentos de medição dinâmica de frentes de onda
(fases) capazes de cartografar pelo menos 50 posições na
frente de onda de um feixe, com uma das seguintes
características:
a. Frequência de registo igual ou superior a 100 Hz e
discriminação de fase de pelo menos 5 % do compri-
mento de onda do feixe; ou
b. Frequência de registo igual ou superior a 1 000 Hz e
discriminação de fase de pelo menos 20 % do
comprimento de onda do feixe;2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 166
▼M3
2. Equipamentos de diagnóstico com "laser" capazes de medir
erros de direccionamento angular de feixes de sistemas
"SHPL" iguais ou inferiores a 10 µrad;
3. Equipamentos e componentes ópticos especialmente conce-
bidos para a combinação coerente dos feixes em sistemas
agregados "SHPL" em fase, com uma precisão de lambda/10
no comprimento de onda pretendido, ou 0,1 µm, adoptando-
-se o valor mais baixo;
4. Telescópios de projecção especialmente concebidos para
serem utilizados com sistemas "SHPL".
6A006 "Magnetómetros", "gradiómetros magnéticos", "gradiómetros
magnéticos intrínsecos" e respectivos sistemas de compensação,
bem como componentes especialmente concebidos para os
mesmos:
Nota: 6A006 não abrange os instrumentos especialmente
concebidos para medições biomagnéticas utilizados no
diagnóstico médico.
a. "Magnetómetros" que utilizem as tecnologias dos "supercon-
dutores", do bombeamento óptico ou da precessão nuclear (do
protão/de Overhauser), com "nível de ruído" (sensibilidade)
inferior a (melhor que) 0,05 nT rms por raiz quadrada de Hz;
b. "Magnetómetros" de bobina de indução com "nível de ruído"
(sensibilidade) inferior a (melhor que) qualquer dos seguintes
valores:
1. 0,05 nT rms por raiz quadrada de Hz a frequências inferiores
a 1 Hz;
2. 1 × 10−3nT rms por raiz quadrada de Hz a frequências
iguais ou superiores a 1 Hz, mas não superiores a 10 Hz; ou
3. 1 × 10−4nT rms por raiz quadrada de Hz a frequências
superiores a 10 Hz;
c. "Magnetómetros" de fibras ópticas com "nível de ruído"
(sensibilidade) inferior a (melhor que) 1 nT rms por raiz
quadrada de Hz;
d. "Gradiómetros magnéticos" que utilizem vários "magnetóme-
tros" referidos nos pontos 6A006.a., 6A006.b. ou 6A006.c.;
e. "Gradiómetros magnéticos intrínsecos" de fibras ópticas com
"nível de ruído" (sensibilidade) de gradiente de campo
magnético inferior a (melhor que) 0,3 nT/m rms por raiz
quadrada de Hz;
f. "Gradiómetros magnéticos intrínsecos" que utilizem "tecno-
logia" que não seja a das fibras ópticas, com "nível de ruído"
(sensibilidade) de gradiente de campo magnético inferior a
(melhor que) 0,015 nT/m rms por raiz quadrada de Hz;
g. Sistemas de compensação magnética para sensores magnéticos
concebidos para serem utilizados em plataformas móveis;
h. Sensores electromagnéticos "supercondutores" que tenham
componentes fabricados com materiais "supercondutores" e
com todas as seguintes características:
1. Estarem concebidos para funcionar a temperaturas inferiores
à "temperatura crítica" de pelo menos um dos seus
constituintes "supercondutores" (incluindo os dispositivos
de efeito Josephson e os dispositivos "supercondutores" de
interferência quântica (SQUID));
2. Estarem concebidos para detectar variações do campo
electromagnético a frequências iguais ou inferiores a 1 Hz; e
3. Com uma das seguintes características:
a. Incluírem dispositivos "supercondutores" de interferência
quântica (SQUID) de filme fino com dimensão mínima
de elemento inferior a 2 µm e circuitos de acoplamento
de entrada e de saída associados;
b. Estarem concebidos para funcionar com uma oscilação
de campo magnético superior a 1 × 106quanta de fluxo
magnético por segundo;
c. Estarem concebidos para funcionar no campo magnético
da Terra sem blindagem magnética; ou2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 167
▼M3
d. Terem um coeficiente de temperatura inferior a (menor
que) 0,1 quantum de fluxo magnético/K.
6A007 Medidores de gravidade (gravímetros) e gradiómetros de gravi-
dade:
N.B.: VER TAMBÉM 6A107.
a. Gravímetros concebidos ou modificados para utilização
terrestre com precisão estática inferior a (melhor que) 10 µgal;
Nota: 6A007.a. não abrange os gravímetros para utilização
terrestre com elemento de quartzo (tipo Worden).
b. Gravímetros concebidos para plataformas móveis, com todas as
seguintes características:
1. Precisão estática inferior a (melhor que) 0,7 mgal; e
2. Precisão em serviço (operacional) inferior a (melhor que)
0,7 mgal, atingindo o registo em estado estacionário em
menos de 2 minutos, sob qualquer combinação de
compensações correctivas e influências dinâmicas asso-
ciadas;
c. Gradiómetros de gravidade.
6A008 Sistemas, equipamentos e conjuntos de radar com uma das
seguintes características, bem como componentes especialmente
concebidos para os mesmos:
N.B.: VER TAMBÉM 6A108.
Nota: 6A008 não abrange:
a. Radares de vigilância secundários (SSR);
b. Radares instalados em automóveis, concebidos para a
prevenção de colisões;
c. Visores ou monitores utilizados no controlo do tráfego
aéreo (ATC) que não tenham mais de 12 elementos de
resolução por mm;
d. Radares meteorológicos.
a. Funcionamento a frequências compreendidas entre 40 GHz e
230 GHz e potência de saída média superior a 100 mW;
b. Banda sintonizável de largura superior a ± 6,25 % da
"frequência central de funcionamento";
Nota técnica:
A "frequência central de funcionamento" é igual a metade da
soma das frequências de funcionamento especificadas mais
elevada e mais baixa.
c. Possibilidade de funcionamento simultâneo em mais de duas
frequências portadoras;
d. Possibilidade de funcionamento em modos radar de abertura
sintética (SAR), de abertura sintética inversa (ISAR) ou a bordo
com observação lateral (SLAR);
e. Com "agregados de antenas com relação de fase orientáveis
electronicamente";
f. Possibilidade de determinação da altura de alvos não coope-
rativos;
Nota: 6A008.f. não abrange os equipamentos de radar de
aproximação de precisão (PAR) conformes com as
normas da ICAO.
g. Especialmente concebidos para funcionamento a bordo
(montados em balões ou em células de aeronaves) e com
capacidade de "processamento de sinais" Doppler para a
detecção de alvos móveis;
h. Com sistemas de processamento de sinais de radar que
utilizem:
1. Técnicas de "espectro de radar alargado"; ou
2. Técnicas de "agilidade de frequência de radar";
i) Possibilidade de funcionamento terrestre com "cobertura
efectiva do radar" superior a 185 km;2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 168
▼M3
Nota: 6A008.i. não abrange:
a. Os radares de vigilância de zonas de pesca de
funcionamento terrestre;
b. Os equipamentos de radar terrestres especialmente
concebidos para o controlo do tráfego aéreo em
voo, desde que sejam preenchidas todas as
seguintes condições:
1. Que a "cobertura efectiva do radar" máxima
seja igual ou inferior a 500 km;
2. Que o equipamento esteja configurado de tal
modo que os dados dos alvos do radar só
possam ser transmitidos num sentido, do
equipamento de radar para um ou mais centros
civis de controlo do tráfego aéreo.
3. Que não esteja prevista a possibilidade de
controlo remoto davelocidade de varrimento do
radar a partir do centro de controlo do tráfego
aéreo em voo; e
4. Que o equipamento se destine a instalação fixa.
c. Os radares de rastreio de balões meteorológicos.
j. Serem radares de "laser" ou equipamentos LIDAR (Light
Detection and Ranging) de detecção e localização por "laser"
com uma das seguintes características:
1. "Qualificados para uso espacial"; ou
2. Que utilizem técnicas de detecção heteródina ou homódina
coerente e tenham uma resolução angular inferior a (melhor
que) 20 µrad;
Nota: 6A008.j. não abrange os equipamentos LIDAR
especialmente concebidos para levantamentos
topográficos ou observação meteorológica.
k. Equipados com subsistemas de processamento de sinais que
utilizem "compressão de impulsos", com uma das seguintes
características:
1. Relação de "compressão de impulsos" superior a 150; ou
2. Largura de impulso inferior a 200 ns; ou
l. Equipados com subsistemas de processamento de dados com
uma das seguintes características:
1. "Seguimento automático do alvo", com previsão, em
qualquer rotação da antena, da posição do alvo para além
do momento de passagem do feixe da antena subsequente;
Nota: 6A008.1.1. não abrange os meios de alerta de
sistemas de controlo do tráfego aéreo (CTA) em
caso de trajectórias incompatíveis, nem os radaresmarítimos ou portuários.
2. Cálculo da velocidade do alvo a partir de radares primários,
com velocidades de varrimento não periódicas (variáveis);
3. Opções para reconhecimento automático de padrões (identi-
ficação de características) e comparação com bases de dados
de características de alvos (imagens ou formas de ondas)
para identificação ou classificação de alvos;
ou
4. Sobreposição e correlação, ou fusão, dos dados dos alvos,
obtidos a partir de dois ou mais "sensores de radar
interligados" e "geograficamente dispersos", para melhora-mento da representação dos alvos e sua discriminação.
Nota: 6A008.1.4. não abrange os sistemas, equipamentos
e conjuntos utilizados no controlo do tráfego
marítimo.
6A102 "Detectores" resistentes às radiações, não referidos em 6A002,
especialmente concebidos ou modificados para a protecção contra
efeitos nucleares [por exemplo, impulsos electromagnéticos
(EMP), raios-X, efeitos combinados de sopro e térmico] e
utilizáveis em "mísseis", concebidos ou dimensionados para
suportarem níveis de radiação iguais ou superiores a uma dose
total de irradiação de 5 × 105rad (silício).2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 169
▼M3
Nota técnica:
Em 6A102, entende-se por "detector" um dispositivo mecânico,
eléctrico, óptico ou químico que identifique e memorize, ou
registe, automaticamente estímulos como variações da pressão ou
da temperatura ambientes, sinais eléctricos ou electromagnéticos
ou radiações provenientes de materiais radioactivos. Isto inclui os
dispositivos que detectam por operação única ou falta.
6A107 Medidores de gravidade (gravímetros) e respectivos componentes
e gradiómetros de gravidade, tais como:
a. Gravímetros, para além dos indicados em 6A007.b, concebidos
ou modificados para utilização aeronáutica ou marítima, com
uma precisão estática ou em serviço inferior a (melhor que)
7×1 0−6m/s2(0,7 mgal), atingindo o registo em estado
estacionário em dois minutos ou menos;
b. Componentes especialmente concebidos para os gravímetros
referidos em 6A007.b ou 6A107.a, e para os gradiómetros de
gravidade referidos em 6A007.c.
6A108 Sistemas de radar e sistemas de rastreio não referidos em 6A008:
a. Sistemas de radar e sistemas de radar a laser concebidos ou
modificados para utilização em veículos lançadores espaciais,
referidos em 9A004, ou em foguetes-sonda, referidos em
9A104;
Nota: 6A108a. inclui os seguintes equipamentos:
a. Equipamentos de cartografia do contorno de
terrenos;
b. Equipamentos com sensores para imageologia;
c. Equipamentos de cartografia de cena e correlação
(analógica e digital);
d. Equipamentos de radar para navegação por efeito
Doppler.
b. Sistemas de rastreio de precisão, utilizáveis para "mísseis":
1. Sistemas de rastreio que utilizem descodificadores em
combinação quer com referências à superfície ou aero-
transportadas, quer com sistemas de navegação por satélite,
para medir em tempo real a posição e a velocidade em voo;
2. Radares de telemetria com sistemas associados de rastreio
ópticos/infravermelhos e com todas as seguintes caracterís-
ticas:
a. Resolução angular superior a 3 milirradianos (0,5 mil);
b. Alcance igual ou superior a 30 km e resolução de alcance
superior a 10 m rms;
c. Resolução de velocidade superior a 3 m/s.
6A202 Tubos fotomultiplicadores com ambas as seguintes características:
a. Superfície do fotocátodo superior a 20 cm2;e
b. Tempo de subida do impulso anódico inferior a 1 ns.
6A203 Aparelhos de captação e registo ou de captação e formação de
imagens e respectivos componentes não referidos em 6A003:
a. Máquinas fotográficas mecânicas de espelho rotativo e
componentes especialmente concebidos para as mesmas:
1. Máquinas fotográficas de imagens separadas com veloci-
dades de registo superiores a 225 000 imagens por segundo;
2. Máquinas fotográficas de registo contínuo com velocidades
de registo superiores a 0,5 mm por microssegundo;
Nota: Em 6A203.a., os componentes destas máquinas
incluem as respectivas unidades sincronizadoras
electrónicas e conjuntos de rotor constituídos por
turbinas, espelhos e chumaceiras.
b. Máquinas fotográficas electrónicas de registo contínuo e de
imagens separadas e respectivos tubos e dispositivos:
1. Máquinas fotográficas electrónicas de registo contínuo com
resolução temporal igual ou inferior a 50 ns;2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 170
▼M3
2. Tubos de registo contínuo para as máquinas especificadas
em 6A203.b.1;
3. Máquinas fotográficas electrónicas (ou com obturador
electrónico) de imagens separadas com tempo de exposição
por imagem igual ou inferior a 50 ns;
4. Tubos de imagens separadas e dispositivos integrados para
imagem para utilização nas máquinas fotográficas abran-
gidas por 6A203.b.3:
a. Tubos de intensificação de imagem focados a curta
distância com o fotocátodo depositado num revestimento
condutor transparente, de modo a reduzir a resistência
superficial do fotocátodo;
b. Tubos vidicon com placa intensificadora de silício (SIT),
caracterizados por um sistema rápido que permite
modular os fotoelectrões provenientes do fotocátodo
antes de estes incidirem na placa SIT;
c. Obturadores electro-ópticos com célula de Kerr ou de
Pockels; ou
d. Outros tubos de imagens separadas e outros dispositivos
integrados para imagem com tempo de selecção de
imagens rápidas inferior a 50 ns, especialmente conce-
bidos para as máquinas fotográficas referidas em
6A203.b.3;
c. Câmaras de TV resistentes a radiações, ou respectivas lentes,
especialmente concebidas ou preparadas para suportarem uma
dose total de radiações superior a 50 × 103Gy (silício) (5 × 106
rad (silício)) sem que o seu funcionamento seja afectado.
Nota técnica:
O termo Gy (silício) refere-se à energia, em Joules por kg,
absorvida por uma amostra de silício não protegida exposta a
radiações ionizantes.
6A205 "Lasers", amplificadores e osciladores para "lasers" não referidos
em 0B001.g.5., 0B001.h.6. e 6A005.:
a. "Lasers" iónicos de árgon com ambas as seguintes caracterís-
ticas:
1. Funcionamento a comprimentos de onda compreendidos
entre 400 nm e 515 nm; e
2. Potência de saída média superior a 40 W;
b. Osciladores para "lasers" de corantes de modo único sinto-
nizáveis que funcionem em regime pulsante, com todas as
seguintes características:
1. Comprimentos de onda compreendidos entre 300 nm e
800 nm;
2. Potência de saída média superior a 1 W;
3. Taxa de repetição superior a 1 kHz; e
4. Duração do impulso inferior a 100 ns;
c. Amplificadores e osciladores para "lasers" de corantes sinto-
nizáveis que funcionem em regime pulsante, com todas as
seguintes características:
1. Comprimentos de onda compreendidos entre 300 nm e
800 nm;
2. Potência de saída média superior a 30 W;
3. Taxa de repetição superior a 1 kHz; e
4. Duração do impulso inferior a 100 ns;
Nota: 6A205.c não abrange os osciladores de modo único.
d. "Lasers" pulsantes de dióxido de carbono com todas as
seguintes características:
1. Comprimentos de onda compreendidos entre 9 000 nm e
11 000 nm;
2. Taxa de repetição superior a 250 Hz;
3. Potência de saída média superior a 500 W; e
4. Duração do impulso inferior a 200 ns;2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 171
▼M3
e. Conversores Raman de para-hidrogénio concebidos para
funcionar com um comprimento de onda de saída de 16 µm e
uma taxa de repetição superior a 250 Hz.
f. "Lasers" pulsantes, de Q comutado (não de vidro) dopados com
neodímio, com todas as seguintes características:
1. Comprimento de onda de saída superior a 1 000 nm, mas
não superior a 1 100 nm;
2. Duração do impulso igual ou superior a 1 ns, e
3. Saída de modo transversal múltiplo com uma potência
média superior a 50 W.
6A225 Interferómetros de velocidade para medição de velocidades
superiores a 1 km/s durante períodos inferiores a 10 microsse-
gundos.
Nota: 6A225 abrange interferómetros de velocidade como os
VISAR (Velocity Interferometer System for Any Reflector)
e os DLI (Doppler laser interferometers).
6A226 Sensores de pressão:
a. Manómetros de manganina para pressões superiores a 10 GPa;
b. Transdutores de pressão de quartzo para pressões superiores a
10 GPa.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 172
▼M3
6BEquipamentosde ensaio, de inspecção e de produção
6B004 Equipamentos ópticos
a. Equipamentos para a medição de reflectâncias absolutas com
uma precisão de ± 0,1 % do valor da reflectância;
b. Equipamentos não destinados à medição da dispersão luminosa
em superfícies ópticas, com uma abertura de passagem de luz
superior a 10 cm e especialmente concebidos para efectuar a
medição óptica, sem contacto, do número de mérito (perfil) de
superfícies ópticas não-planas com uma "precisão" superior ou
igual (melhor que) 2 nm em relação ao perfil requerido.
Nota: 6B004 não abrange os microscópios.
6B007 Equipamentos para produzir, alinhar ou calibrar gravímetros para
utilização terrestre com precisão estática superior a 0,1 mGal.
6B008 Sistemas pulsantes para a medição da secção transversal de
radares, que emitam impulsos de duração igual ou inferior a 100 ns,
bem como componentes especialmente concebidos para esses
sistemas.
N.B.: VER TAMBÉM 6B108.
6B108 Sistemas, não referidos em 6B008, especialmente concebidos para
a medição da secção transversal de radares, utilizáveis para
"mísseis" e respectivos subsistemas.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 173
▼M3
6C Materiais
6C002 Materiais sensores ópticos:
a. Telúrio (Te) elementar com um grau de pureza de 99,9995 %
ou superior;
b. Monocristais (incluindo placas epitaxiais) de um dos seguintes
materiais:
1. Telureto de cádmio e zinco (CdZnTe) com um teor de zinco
inferior a 6 % em "fracção molar";
2. Telureto de cádmio (CdTe) de qualquer grau de pureza; ou
3. Telureto de mercúrio e cádmio (HgCdTe) de qualquer grau
de pureza
Nota técnica:
Por "fracçãomolar" entende-se a relação entre os moles de
ZnTe e a soma dos moles de CdTe presentes no cristal.
6C004 Materiais ópticos:
a. "Substratos em bruto" de selenieto de zinco (ZnSe) e de
sulfureto de zinco (ZnS) obtidos por deposição em fase vapor
por processo químico, com uma das seguintes características:
1. Volume superior a 100 cm3;ou
2. Diâmetro superior a 80 mm e espessura de 20 mm ou
superior;
b. Cristais piriformes dos seguintes materiais electro-ópticos:
1. Arsenato de potássio e titanilo (KTA);
2. Selenieto de prata e gálio (AgGaSe2);
3. Selenieto de tálio e arsénio (Tl3AsSe3, também designado
por TAS);
c. Materiais ópticos não lineares com todas as seguintes
características:
1. Susceptibilidade de terceira ordem (qui 3) de 10−6m2/V2ou
superior; e
2. Tempo de resposta inferior a 1 ms;
d. "Substratos em bruto" de carboneto de silício ou depósitos
berílio/berílio (Be/Be) de diâmetro ou comprimento do eixo
principal superior a 300 mm;
e. Vidro, incluindo sílica fundida, vidro fosfatado, vidro fluo-
rofosfatado, fluoreto de zircónio (ZrF4) e fluoreto de háfnio
(HfF4), com todas as seguintes características:
1. Concentração do ião hidroxilo (OH−) inferior a 5 ppm;
2. Teor de impurezas metálicas inferior a 1 ppm; e
3. Grande homogeneidade (em termos de variação do índice de
refracção), inferior a 5 × 10−6;
f. Diamantes artificiais, com taxa de absorção inferior a 10−5cm−1
nos comprimentos de onda superiores a 200 nm, mas não
superiores a 14 000 nm;
6C005 Materiais cristalinos artificiais para "lasers" em formas brutas:
a. Safiras dopadas com titânio;
b. Alexandrite.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 174
▼M3
6D Suporte lógico
6D001 "Suportes lógicos" especialmente concebidos para o "desenvolvi-
mento" ou a "produção" dos equipamentos referidos em 6A004,
6A005, 6A008 ou 6B008.
6D002 "Suportes lógicos" especialmente concebidos para a "utilização"
dos equipamentos referidos em 6A002.b., 6A008 ou 6B008.
6D003 Outros "suportes lógicos":
a. 1. "Suportes lógicos" especialmente concebidos para a
formação de feixes acústicos para "processamento em tempo
real" de dados acústicos, para recepção passiva utilizando
agregados de hidrofones rebocados;
2. "Código-fonte" para o "processamento em tempo real" de
dados acústicos, para recepção passiva utilizando agregados
de hidrofones rebocados;
3. "Suportes lógicos" especialmente concebidos para a
formação de feixes acústicos para o "processamento em
tempo real" de dados acústicos para recepção passiva
utilizando sistemas de cabos submarinos, de fundo ou
suspensos;
4. "Código-fonte" para o "processamento em tempo real" de
dados acústicos para recepção passiva utilizando sistemas de
cabos submarinos, de fundo ou suspensos;
b. 1. "Suportes lógicos" especialmente concebidos para sistemas
de compensação magnética aplicados em sensores magné-
ticos concebidos para serem utilizados em plataformas
móveis;
2. "Suportes lógicos" especialmente concebidos para a
detecção de anomalias magnéticas em plataformas móveis;
c. "Suportes lógicos" especialmente concebidos para corrigir
influências dinâmicas em gravímetros ou gradiómetros de
gravidade;
d. 1. "Programas" de aplicação de "suportes lógicos" de controlo
do tráfego aéreo residentes em computadores de utilização
geral localizados em centros de controlo do tráfego aéreo,
com uma das seguintes características:
a. Processamento e visualização de mais de 150 "infor-
mações do eco do radar" simultâneas; ou
b. Aceitação de dados de alvos de radar provenientes de
mais de quatro radares primários;
2. "Suportes lógicos" para a concepção ou "produção" de
radomes:
a. Especialmente concebidos para proteger os "agregados de
antenas com relação de fase orientáveis electronica-
mente" referidos em 6A008.e.; e
b. De que resulte um diagrama de antena com um "nível
médio dos lobos laterais" mais de 40 dB inferior ao pico
do feixe principal.
Nota técnica:
O "nível médio dos lobos laterais" referido em
6D003.d.2.b. mede-se em todo o conjunto, com excepção
da parte angular do feixe principal e dos dois primeiros
lobos laterais de cada lado do feixe principal.
6D102 "Suportes lógicos" especialmente concebidos ou modificados para
"utilização" dos bens referidos em 6A108.
6D103 "Suportes lógicos" para o processamento de dados que permitam
determinar a posição de um veículo ao longo da sua trajectória de
voo, especialmente concebidos ou modificados para "mísseis".2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 175
▼M3
6E Tecnologia
6E001 "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o
"desenvolvimento" dos equipamentos, materiais ou "suportes
lógicos" referidos em 6A, 6B, 6C ou 6D.
6E002 "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para a
"produção" dos equipamentos ou materiais referidos em 6A, 6B ou
6C.
6E003 Outras "tecnologias":
a. 1. "Tecnologia" de revestimento e tratamento de superfícies
ópticas, "necessária" para se atingirem uniformidades de
99,5 % ou superiores, aplicada a revestimentos ópticos de
diâmetro ou comprimento do eixo principal igual ou
superior a 500 mm e com perda total (absorção e dispersão)
inferior a 5 × 10−3;
N.B.: Ver também 2E003.f.
2. "Tecnologia" de fabrico óptico utilizando técnicas de
torneamento com ponta de diamante única para produzir
acabamentos de superfície de precisão superior a 10 nm rms
em superfícies não planas de área superior a 0,5 m2;
b. "Tecnologia" "necessária" para o "desenvolvimento",
"produção" ou "utilização", em instalações de ensaio, de alvos
ou instrumentos de diagnóstico especialmente concebidos para
ensaio de "SHPL" ou ensaio ou avaliação de materiais
irradiados por feixes de "SHPL";
c. "Tecnologia" "necessária" para o "desenvolvimento" ou
"produção" de "magnetómetros" de saturação (indicadores da
direcção do campo magnético da Terra) ou de sistemas de
"magnetómetros" de saturação com uma das seguintes carac-
terísticas:
1. "Nível de ruído" inferior a 0,05 nT rms por raiz quadrada de
Hz a frequências inferiores a 1 Hz; ou
2. "Nível de ruído" inferior a 1 × 10−3nT rms por raiz
quadrada de Hz a frequências iguais ou superiores a 1 Hz.
6E101 "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para a
"utilização" dos equipamentos ou "suportes lógicos" referidos em
6A002, 6A007.b. e c., 6A008, 6A102, 6A107, 6A108, 6B108,
6D102 ou 6D103.
Nota: 6E101 só abrange a "tecnologia" para os equipamentos
referidos em 6A008 no caso de equipamentos concebidos
para aplicações a bordo de aeronaves e utilizáveis em
"mísseis".
6E201 "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para a
"utilização" dos equipamentos referidos em 6A003, 6A005.a.1.c.,
6A005.a.2.a., 6A005.c.1.b., 6A005.c.2.c.2, 6A005.c.2.d.2.b.,
6A202, 6A203, 6A205, 6A225 ou 6A226.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 176
▼M3
CATEGORIA 7
NAVEGAÇÃOE AVIÓNICA2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 177
▼M3
7A Sistemas, equipamentos e componentes
N.B. 1: Em relação aos pilotos automáticos para veículos
subaquáticos, ver categoria 8. Para os radares, ver
categoria 6.
N.B. 2: Em relação ao equipamento de navegação por inércia
para navios ou submersíveis, ver a Lista de Material de
Guerra.
7A001 Acelerómetros lineares concebidos para serem utilizados em
sistemas de navegação ou de orientação por inércia com uma
das seguintes características e componentes especialmente conce-
bidos para os mesmos:
N.B.: VER TAMBÉM 7A101. Para os acelerómetros angu-
lares ou rotacionais, ver 7A002.
a. "Estabilidade" de "polarização" inferior a (melhor que) 130 µg
em relação a um valor calibrado fixo durante um período de um
ano;
b. "Estabilidade" do "factor de escala" inferior a (melhor que)
130 ppm em relação a um valor calibrado fixo durante um
período de um ano; ou
c. Especificados para funcionar a níveis de aceleração linear
superiores a 100 g;
7A002 Giroscópios e acelerómetros angulares ou rotacionais com uma das
seguintes características, e componentes especialmente concebidos
para os mesmos;
N.B.: VER TAMBÉM 7A102.
a. "Estabilidade" da "velocidade de deriva" medida num ambiente
de 1 g durante um período de três meses e em relação a um
valor calibrado fixo:
1. Inferior a (melhor que) 0,1 grau por hora quando o aparelho
for especificado para funcionar a níveis de aceleração linear
inferiores a 10 g; ou
2. Inferior a (melhor que) 0,5 graus por hora quando o aparelho
for especificado para funcionar a níveis de aceleração linear
compreendidos entre 10 e 100 g inclusive; ou
b. Especificados para funcionar a níveis de aceleração linear
superiores a 100 g.
7A003 Sistemas de navegação por inércia (suspensos por cardan ou
rígidos) e equipamentos por inércia concebidos para "aeronaves",
veículos terrestres ou "veículos espaciais", para atitude, orientação
ou controlo, com uma das seguintes características, e componentes
especialmente concebidos para os mesmos:
N.B.: VER TAMBÉM 7A103.
a. Erro de navegação (por inércia só) depois de um alinhamento
normal de 0,8 milhas náuticas por hora (50 % de probabilidade
de erro circular ou menos (melhor); ou
b. Especificados para funcionar a níveis de aceleração linear
superiores a 10 g.
Nota 1: Os parâmetros referidos em 7A003.a. são aplicáveis
com qualquer das seguintes condições ambientais:
1. Vibração aleatória de entrada da ordem dos 7,7 g
rms na primeira meia hora e duração total do
ensaio de hora e meia por eixo em cada um dos três
eixos perpendiculares, quando a vibração aleatória
satisfaça as seguintes condições:
a. Densidade espectral de potência (PSD) de valor
constante — 0,04 g2/Hz — numa gama de
frequências de 15 a 1 000 Hz; e
b. Diminuição da PSD, de 0,04 g2/Hz para 0,01 g2/
/Hz em função da frequência na gama de
frequências de 1 000 a 2 000 Hz; ou
2. Velocidade de oscilação e de guinada igual ou
superior a + 2,62 radianos/s (150 graus/s); ou
3. De acordo com normas nacionais equivalentes aos
pontos 1. ou 2. supra.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 178
▼M3
Nota 2: O ponto 7A003 não abrange os sistemas de navegação
por inércia aprovados para utilização em "aeronaves
civis" pelas autoridades civis de um "Estado partici-
pante".
7A004 Giro-astrobússolas e outros aparelhos que permitam determinar a
posição ou orientação por meio de seguimento automático de
corpos celestes ou satélites, com uma precisão de azimute igual ou
inferior a (melhor que) 5 segundos de arco;
N.B.: VER TAMBÉM 7A104.
7A005 Equipamentos de recepção para sistemas de navegação global por
satélite (isto é, GPS ou GLONASS) com uma das seguintes
características, e componentes especialmente concebidos para os
mesmos:
N.B.: VER TAMBÉM 7A105.
a. Que utilizem descodificação; ou
b. Uma antena de nulo orientável.
7A006 Altímetros de bordo que operem fora da banda de frequências de
4,2 a 4,4 GHz e com uma das seguintes características:
N.B.: VER TAMBÉM 7A106.
a. "Gestão de potência"; ou
b. Que utilizem modulação por deslocamento de fase.
7A007 Equipamentos de radiogonometria que funcionem em frequências
superiores a 30 MHz e com todas as seguintes características, e
componentes especialmente concebidos para os mesmos:
a. "Largura de banda instantânea" igual ou superior a 1 MHz;
b. Processamento paralelo de mais de 100 canais de frequência; e
c. Velocidade de processamento superior a 1 000 resultados de
radiogoniometria por segundo e por canal de frequência.
7A101 Acelerómetros não especificados em 7A001, dos seguintes tipos, e
componentes especialmente concebidos para os mesmos:
a. Acelerómetros com um limiar igual ou inferior a 0,05 g, ou um
erro de linearidade dentro do limite de 0,25 % do valor da
escala completa, ou ambos, concebidos para serem utilizados
em sistemas de navegação por inércia ou em sistemas de
orientação de todos os tipos:
Nota: 7A101.a. não abrange os acelerómetros especial-
mente concebidos e desenvolvidos como Sensores de
MWD (Measurement While Drilling) para utilização
em operações de serviço em poços.
b. Acelerómetros de saída contínua especificados para funcio-
narem a níveis de aceleração superiores a 100 g.
7A102 Todos os tipos de giroscópios, diferentes dos especificados em
7A002, utilizáveis em "mísseis", com uma "estabilidade" nominal
de "velocidade de deriva" inferior a 0,5 (1 sigma ou rms) por hora
num ambiente de 1 g e componentes especialmente concebidos
para os mesmos.
7A103 Instrumentação, equipamentos e sistemas de navegação, diferentes
dos especificados em 7A003, a seguir indicados, e componentes
especialmente concebidos para os mesmos:
a. Equipamentos por inércia, ou outros, que utilizem aceleróme-
tros especificados em 7A001 ou 7A101 ou giroscópios
especificados em 7A002 ou 7A102 e sistemas que incorporem
esses equipamentos;
Nota: 7A103.a. não abrange equipamentos dotados dos
acelerómetros referidos em 7A001 quando esses
equipamentos forem especialmente concebidos e
desenvolvidos como Sensores de MWD (Measurement
While Drilling) para utilização em operações de
serviço em poços.
b. Sistemas de instrumentos de voo integrados, incluindo giro-
-estabilizadores ou pilotos automáticos, concebidos ou
modificados para utilização em veículos lançadores espaciais,
referidos em 9A004, ou em foguetes-sonda, referidos em
9A104.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 179
▼M3
7A104 Giro-astrobússolas e outros aparelhos, diferentes dos especificados
em 7A004, que permitam determinar a posição ou orientação por
meio de seguimento automático de corpos celestes ou satélites, e
componentes especialmente concebidos para os mesmos.
7A105 Equipamentos de recepção para sistemas de determinação global
de posição (GPS) ou equipamentos de recepção por satélite
semelhantes, diferentes dos especificados em 7A005, capazes de
fornecer informações de navegação nas condições de funciona-
mento que se seguem, e concebidos ou modificados para utilização
em veículos lançadores espaciais, referidos em 9A004, ou em
foguetes-sonda, referidos em 9A104.
a. A velocidades superiores a 515 m/s; e
b. A altitudes superiores a 18 km.
7A106 Altímetros, diferentes dos especificados em 7A006, do tipo radar
ou radar a laser, concebidos ou modificados para utilização em
veículos lançadores espaciais referidos em 9A004, ou em foguetes-
-sonda referidos em 9A104.
7A115 Sensores passivos para determinação do rumo em relação a uma
fonte electromagnética específica (equipamento de radiogoniome-
tria) ou às características do terreno, concebidos ou modificados
para utilização em veículos lançadores espaciais referidos em
9A004, ou em foguetes-sonda referidos em 9A104.
Nota: 7A115 abrange os sensores destinados aos seguintes
equipamentos:
a. Equipamentos de cartografia do contorno de terrenos;
b. Equipamentos com sensores para imageologia
(activos e passivos);
c. Equipamentos com interferómetros passivos.
7A116 Sistemas de controlo de voo, a seguir indicados; concebidos ou
modificados para utilização nos veículos lançadores espaciais
referidos em 9A004 ou nos foguetes-sonda referidos em 9A104;
a. Sistemas de controlo de voo hidráulicos, mecânicos, electro-
-ópticos ou electromecânicos (incluindo sistemas de controlo do
tipo por sinais eléctricos (fly-by-wire));
b. Equipamentos de controlo da atitude.
7A117 "Conjuntos de orientação", utilizáveis em "mísseis" capazes de
uma precisão de sistema igual ou inferior a 3,33 % da distância
(p.ex., uma probabilidade de erro circular igual ou inferior a 10 km
numa distância de 300 km).2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 180
▼M3
7BEquipamentosde ensaio, de inspecção e de produção
7B001 Equipamentos de ensaio, calibragem ou alinhamento, especial-
mente concebidos para os equipamentos especificados em 7A.
Nota: 7B001 não abrange os equipamentos de ensaio, cali-
bragem ou alinhamento destinados à manutenção denível I ou à manutenção de nível II.
Notas técnicas:
1. Manutenção de nível I
A avaria de uma unidade de navegação por inércia é detectada
na aeronave pelas indicações da unidade de controlo e
visualização (CDU) ou pela mensagem do estado do corres-
pondente sub-sistema. Seguindo o manual de utilização do
fabricante, a causa da avaria pode ser localizada ao nível da
unidade substituível na linha da frente (LRU) avariada. O
operador procede à substituição desta unidade por outra.
2. Manutenção de nível II
A unidade substituível na linha da frente (LRU) avariada é
enviada à oficina de manutenção (do fabricante ou dooperador
responsável pela manutenção de nível II). Naoficina, a unidade
avariada é testada por meios apropriados para verificação e
localização do módulo substituível em oficina (SRA) defeituoso,
responsável pela avaria. Este módulo é retirado e substituído
por outro em estado funcional. O módulo defeituoso (ou
eventualmente a unidade substituível na linha da frente (LRU)
completa) é então enviado ao fabricante.
N.B.: A manutenção de nível II não inclui a remoção de
acelerómetros ou de sensores de giroscópios especi-
ficados dos módulos substituíveis em oficina (SRA).
7B002 Equipamentos, a seguir indicados, especialmente concebidos para
caracterizar espelhos para giroscópios a "laser" em anel:
N.B.: VER TAMBÉM 7B102.
a. Medidores de dispersão com uma precisão de medida igual ou
inferior a (melhor que) 10 ppm;
b. Medidores de perfil com uma precisão de medida igual ou
inferior a (melhor que) 0,5 nm (5 angstrom);
7B003 Equipamentos especialmente concebidos para a "produção" de
equipamentos especificados em 7A.
Nota: 7B003 inclui:
a. Estações de ensaio para a afinação de giroscópios;
b. Estações de equilibragem dinâmica de giroscópios;
c. Estações de rodagem/de ensaio de motores de
giroscópios;
d. Estações de esvaziamento e enchimento de giroscó-
pios;
e. Centrifugadoras para rolamentos de giroscópias;
f. Estações de alinhamento de eixos de acelerómetros.
7B102 Reflectómetros especialmente concebidos para caracterizar espe-
lhos, para giroscópios a "laser", com uma precisão de medida igual
ou inferior a (melhor que) 50 ppm.
7B103 "Instalações de produção" e "equipamentos de produção" dos
seguintes tipos:
a. "Instalações de produção" especialmente concebidas para
equipamentos especificados em 7A117;
b. "Equipamentos de produção" e outros equipamentos de ensaio,
calibração e alinhamento não especificados nos pontos 7B001 a
7B003, concebidos ou modifidos para serem utilizados com
equipamentos especificados em 7A.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 181
▼M3
7C Materiais
Nada.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 182
▼M3
7D Suporte lógico
7D001 "Suportes lógicos" especialmente concebidos ou modificados para
o "desenvolvimento" ou a "produção" dos equipamentos especi-
ficados em 7A ou 7B.
7D002 "Código-fonte" para a "utilização" de qualquer equipamento de
navegação por inércia, incluindo os equipamentos por inércia não
especificados em 7A003 ou 7A004 ou os sistemas de referência de
atitude e de rumo (AHRS).
Nota: 7D002 não abrange o "código-fonte" para a "utilização"
de AHRS suspensos por cardan.
Nota técnica:
Os sistemas de referência de atitude e de rumo (AHRS) diferem
geralmente dos sistemas de navegação por inércia (INS) porque
fornecem informações de atitude e de rumo e, habitualmente, não
fornecem informações relativas à aceleração, velocidade e
posição, associadas aos sistemas de navegação por inércia.
7D003 Outros "suportes lógicos:"
a. "Suportes lógicos" especialmente concebidos ou modificados
para melhorar o comportamento operacional ou reduzir o erro
de navegação dos sistemas até aos níveis especificados em
7A003 ou 7A004;
b. "Código-fonte" para sistemas integrados híbridos com vista a
melhorar o comportamento operacional ou reduzir o erro de
navegação dos sistemas até ao nível especificado em 7A003,
através da combinação contínua de dados do sistema de inércia
com um dos dados de navegação seguintes:
1. Velocidade fornecida pelo radar Doppler;
2. Dados de referência fornecidos pelo sistema de navegação
global por satélite (isto é, GPS ou GLONASS); ou
3. Dados do terreno provenientes de bases de dados;
c. "Código-fonte" para sistemas integrados de aviónica ou
sistemas de missão que combinem dados fornecidos por
sensores e utilizem "sistemas periciais";
d. "Código-fonte" para o "desenvolvimento" de:
1. Sistemas digitais de gestão de voo para "controlo de voo
total";
2. Sistemas integrados de propulsão e de controlo de voo;3. Sistemas de controlo de voo por sinais eléctricos (fly-by-
-wire) ou por sinais optoelectrónicos (fly-by-light);
4. "Sistemas de controlo activo de voo" tolerantes a avarias ou
auto-reconfiguráveis;
5. Equipamentos de radiogoniometria automática de bordo;6. Sistemas de dados aéreos baseados em dados estáticos de
superfície;
ou
7. Visores do tipo de varrimento (rasto) para representações à
altura dos olhos (head-up displays) ou visores tridimensio-
nais.
e. "Suportes lógicos" de concepção assistida por computador
(CAD) especialmente concebidos para o "desenvolvimento" de
"sistemas de controlo activo de voo", comandos de voo
multiaxiais que utilizem sinais eléctricos (fly-by-wire) ou
optoelectrónicos (fly-by-light) para helicópteros ou "sistemas
antitorque ou sistemas de controlo direccional controlados por
circulação" para helicópteros, cuja "tecnologia" seja referida
em 7E004.b., 7E004.c.1. ou 7E004.c.2.
7D101 "Suportes lógicos" especialmente concebidos ou modificados para
a "utilização" de equipamentos especificados em 7A001 a 7A006,
7A101 a 7A106, 7A115, 7A116.a, 7A116.b, 7B001, 7B002,
7B003, 7B102 ou 7B103.
7D102 "Suportes lógicos" de integração:
a. "Suportes lógicos" de integração para o equipamento referido
em 7A103.b;
b. "Suportes lógicos" de integração especialmente concebidos
para os equipamentos referidos em 7A003 ou 7A103.a.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 183
▼M3
7D103 "Suportes lógicos" especialmente concebidos para modelização ou
simulação, dos "conjuntos de orientação" especificados em 7A117
ou para a sua integração na concepção com os veículos lançadores
espaciais referidos em 9A004 ou os foguetes-sonda referidos em
9A104.
Nota: Os "suportes lógicos" especificados em 7D103 conti-
nuam sujeitos a controlo quando combinados com o
equipamento (hardware) especificado em 4A102.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 184
▼M3
7E Tecnologia
7E001 "Tecnologia" na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o
"desenvolvimento" dos equipamentos ou dos "suportes lógicos"
especificados em 7A, 7B ou 7D.
7E002 "Tecnologia" na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para a
"produção" dos equipamentos especificados em 7A ou 7B.
7E003 "Tecnologia" na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para a
reparação, a rectificação ou a revisão geral dos equipamentos
especificados em 7A001 a 7A004.
Nota: 7E003 não abrange a "tecnologia" de manutenção
directamente associada à calibragem, remoção ou
substituição de unidades substituíveis na linha da frente
(LRU) e de módulos substituíveis em oficina (SRA)
avariados ou irreparáveis de "aeronaves civis", descritos
em "manutenção de nível I" ou "manutenção de nível II".
N.B.: Ver notas técnicas ao ponto 7B001.
7E004 Outra "tecnologia:"
a. "Tecnologia" para o "desenvolvimento" ou "produção" de:
1. Equipamentos de radiogoniometria automática de bordo que
operem a frequências superiores a 5 MHz;
2. Sistemas de dados aéreos baseados exclusivamente em
dados estáticos de superfície, isto é, que dispensem sondas
de recolha de dados aéreos convencionais;
3. Visores do tipo de varrimento (rasto) para representações à
altura dos olhos (head-up displays) ou visores tridimensio-
nais para "aeronaves";
4. Sistemas de navegação por inércia ou giro-astrobússolas que
contenham acelerómetros ou giroscópios especificados em
7A001 ou 7A002;
5. Actuadores eléctricos (isto é, actuadores electromecânicos,
electro-hidroestáticos e integrados) especialmente conce-
bidos para "controlo primário de voo";
6. "Sistemas de sensores ópticos de controlo de voo",
especialmente concebidos para o funcionamento dos
"sistemas de controlo activo de voo";
b. "Tecnologia" de "desenvolvimento", a seguir indicada, para
"sistemas de controlo activo de voo" (incluindo controlo por
sinais eléctricos (fly-by-wire) ou por sinais optoelectrónicos
(fly-by-light));
1. Projecto de configurações para a interconexão de vários
elementos microelectrónicos de processamento (computa-
dores de bordo) para obter o "processamento em tempo real"
para a implementação das leis de controlo;
2. Compensação das leis de controlo para a localização de
sensores ou para cargas dinâmicas na célula, ou seja,
compensação quanto ao ambiente vibratório dos sensores ou
à variação da localização dos sensores em relação ao centro
de gravidade;
3. Gestão electrónica da redundância dos dados ou da
redundância dos sistemas, para a detecção de avarias, a
tolerância às avarias, a localização das avarias ou a
reconfiguração;
Nota: 7E004.b.3. não abrange a "tecnologia" para a
concepção da redundância física.
4. Comandos de voo que permitam a reconfiguração em voo
dos comandos de força e momento para o controlo
autónomo em tempo real do veículo aéreo;
5. Integração de dados de controlo digital de voo, de
navegação e de controlo da propulsão num sistema de
controlo digital de voo para "controlo de voo total";
Nota: 7E004.b.5. não abrange:
a. "Tecnologia" de "desenvolvimento" para a
integração de dados de controlo digital de
voo, de navegação e de controlo da propulsão2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 185
▼M3
num sistema de controlo digital de voo para
"optimização da trajectória de voo".
b. "Tecnologia" de "desenvolvimento" de sistemas
de instrumentos de voo de aeronaves integrados
exclusivamente para navegação ou aproxi-
mações por VOR, DME, ILS ou MLS.
6. Sistemas de controlo digital de voo full authority ou
sistemas multisensores de gestão de missão que utilizem
"sistemas periciais";
N.B.: Em relação à "tecnologia" para o controlo digital
full authority de motores ("FADEC"), ver
9E003.a.9.
c. "Tecnologia" para o "desenvolvimento" de sistemas de
helicópteros:
1. Comandos de voo multiaxiais que utilizem sinais eléctricos
(fly-by-wire) ou sinais optoelectrónicos (fly-by-light) e que
combinem num só elemento de comando as funções de dois
ou mais dos seguintes comandos:
a. Comandos do passo colectivo;
b. Comandos do passo cíclico;
c. Comandos de guinada;
2. "Sistemas antitorque ou sistemas de controlo direccional
controlados por circulação";
3. Pás de rotor que incorporem "perfis aerodinâmicos de
geometria variável" utilizados em sistemas com controlo
individual das pás.
7E101 "Tecnologia" na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para a
"utilização" dos equipamentos especificados em 7A001 a 7A006,
7A101 a 7A106, 7A115 a 7A117, 7B001, 7B002, 7B003, 7B102,
7B103, 7D101 a 7D103.
7E102 "Tecnologia" para a protecção dos subsistemas aviónicos e
eléctricos contra os riscos de impulsos electromagnéticos (EMP)
e de interferências electromagnéticas (EMI), provenientes de
fontes externas:
a. "Tecnologia" de projecto para sistemas de blindagem;
b. "Tecnologia" de projecto para a configuração de circuitos e
subsistemas eléctricos insensíveis às radiações;
c. "Tecnologia" de projecto para a determinação de critérios de
insensibilidade às radiações para as alíneas a. e b. anteriores.
7E104 "Tecnologia" para a integração dos dados de controlo de voo, de
guiamento e de propulsão em sistemas de gestão de voo para
optimização da trajectória de foguetes.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 186
▼M3
CATEGORIA 8
ENGENHARIA NAVAL2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 187
▼M3
8A Sistemas, equipamentos e componentes
8A001 Veículos submersíveis e navios de superfície:
Nota: No que se refere ao estatuto dos equipamentos
destinados a veículos submersíveis, ver:
categoria 5, parte 2 ("Segurança da informação"), para
os equipamentos de comunicações com codificação;
categoria 6, para os sensores;categorias 7 e 8, para os equipamentos de navegação;categoria 8.A, para os equipamentos subaquáticos.
a. Veículos submersíveis tripulados com cabo de ligação,
concebidos para funcionar a profundidades superiores a
1 000 m;
b. Veículos submersíveis tripulados sem cabo de ligação, com
uma das seguintes características:
1. Concebidos para "funcionamento autónomo" e com uma
capacidade de elevação de:
a. 10 % ou mais do seu peso no ar;
e
b. 15 kN ou mais;
2. Concebidos para funcionar a profundidades superiores a
1 000 m; ou
3. Com todas as seguintes características:
a. Concebidos para transportar uma tripulação de quatro ou
mais pessoas;
b. Concebidos para "funcionamento autónomo" durante 10
ou mais horas;
c. De "raio de acção" igual ou superior a 25 milhas
náuticas; e
d. De comprimento igual ou inferior a 21 m;
Notas técnicas:
1. Em 8A001.b., por 'funcionamento autónomo' entende-se:
totalmente submersos, sem snorquel, com todos os
sistemas em funcionamento e deslocando-se à velocidade
mínima a que o submersível é capaz de controlar
dinamicamente com segurança a profundidade utilizando
apenas os estabilizadores, sem necessidade de recurso a
um navio de apoio ou a uma base de apoio à superfície,
no fundo do mar, ou em terra e com um sistema de
propulsão para utilizar em submersão ou à superfície.
2. Em 8A001.b., por 'raio de acção' entende-se metade da
distância máxima que um veículo submersível é capaz de
cobrir.
c. Veículos submersíveis não tripulados com cabo de ligação,
concebidos para funcionar a profundidades superiores a
1 000 m, com uma das seguintes características:
1. Concebidos para autopropulsão por meio de motores de
propulsão ou impulsores referidos em 8A002.a.2; ou
2. Que disponham de transmissão de dados por cabo de fibras
ópticas;
d. Veículos submersíveis não tripulados sem cabo de ligação, com
uma das seguintes características:
1. Concebidos para determinarem uma trajectória relativa-
mente a um referencial geográfico sem assistência humana
em tempo real;
2. Disporem de transmissão de dados ou comando por via
acústica; ou
3. Disporem de transmissão de dados ou comando por cabo de
fibras ópticas de comprimento superior a 1 000 m;
e. Sistemas de recuperação oceânica com uma capacidade de
elevação superior a 5 MN, para a recuperação de objectos2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 188
▼M3
situados a profundidades superiores a 250 m, dotados de um
dos dois tipos de sistemas seguintes:
1. Sistemas dinâmicos de posicionamento capazes de manter a
posição dentro de um raio de 20 m em relação a um ponto
indicado pelo sistema de navegação; ou
2. Sistemas de navegação sobre fundos marinhos e sistemas
integrados de navegação para profundidades superiores a
1 000 m, com erros de posicionamento não superiores a 10 m
em relação a um ponto predeterminado;
f. Veículos de efeito de superfície (do tipo saia completa), com
todas as seguintes características:
1. Velocidade máxima de projecto, em plena carga, superior a
30 nós, para uma altura de onda significativa igual ou
superior a 1,25 m (estado do mar de nível 3);
2. Pressão da almofada de ar superior a 3830 Pa; e
3. Relação de deslocamento navio sem carga/navio em plena
carga inferior a 0,70;
g. Veículos de efeito de superfície (do tipo quilhas laterais) com
uma velocidade máxima de projecto, em plena carga, superior a
40 nós, para uma altura de onda significativa igual ou superior a
3,25 m (estado do mar de nível 5);
h. Navios com sustentação por perfis hidrodinâmicos dotados de
sistemas activos para o controlo automático dos sistemas de
sustentação, com uma velocidade máxima de projecto, em
plena carga, igual ou superior a 40 nós, para uma altura de onda
significativa igual ou superior a 3,25 m (estado do mar de nível
5);
i. "Navios com pequena área de flutuação", com uma das
seguintes características:
1. Deslocamento, em plena carga, superior a 500 toneladas,
com uma velocidade máxima de projecto, em plena carga,
superior a 35 nós, para uma altura de onda significativa igual
ou superior a 3,25 m (estado do mar de nível 5); ou
2. Deslocamento, em plena carga, superior a 1 500 toneladas,
com uma velocidade máxima de projecto, em plena carga,
superior a 25 nós, para uma altura de onda significativa igual
ou superior a 4 m (estado do mar de nível 6):
Nota técnica:
Os "navios com pequena área de flutuação" são definidos da
seguinte forma: a área de flutuação para um determinado
calado operacional deve ser inferior a 2x(volume deslocado
para esse calado operacional)2/3.
8A002 Sistemas e equipamentos:
Nota: No que se refere aos sistemas de comunicações
subaquáticas, ver categoria 5, parte 1 — Telecomuni-
cações.
a. Sistemas e equipamentos especialmente concebidos ou modi-
ficados para veículos submersíveis, concebidos para funcionar
a profundidades superiores a 1 000 m:
1. Caixas ou cascos pressurizados com câmara interior de
diâmetro máximo superior a 1,5 m;
2. Motores de propulsão ou impulsores de corrente contínua;3. Cabos de ligação, e respectivos conectores, que utilizem
fibras ópticas e sejam reforçados com elementos sintéticos;
b. Sistemas especialmente concebidos ou modificados para o
controlo automático dos movimentos de veículos submersíveis
referidos em 8A001 que utilizem dados de navegação e
disponham de servocomandos com realimentação que:
1. Permitam movimentar o veículo até menos de 10 m de um
ponto pré-determinado da coluna de água;
2. Permitam manter a posição do veículo dentro de um raio de
10 m em relação a um ponto pré-determinado da coluna de
água;
ou
3. Permitam manter a posição do veículo num raio de 10 m em
relação a um cabo assente ou enterrado no fundo marinho;2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 189
▼M3
c. Dispositivos de penetração ou de ligação ao casco com fibras
ópticas;
d. Sistemas de visão subaquáticos:
1. Sistemas de televisão e câmaras de televisão:
a. Sistemas de televisão (compreendendo câmara, equipa-
mentos de monitorização e de transmissão de sinais)
com uma resolução-limite, medida no ar, superior a 800
linhas, especialmente concebidos ou modificados para
funcionar com comando à distância juntamente com um
veículo submersível;
b. Câmaras de televisão subaquáticas com uma resolução-
-limite, medida no ar, superior a 1 100 linhas;
c. Câmaras de televisão para condições de fraca lumino-
sidade, especialmente concebidas ou modificadas para
utilização subaquática, com as seguintes características:
1. Tubos intensificadores de imagem referidos em
6A002.a.2.a; e
2. Mais de 150 000 "pixels activos" por matriz de
superfície de estado sólido;
Nota técnica:
Em televisão, a resolução-limite é uma medida da
resolução horizontal e, em geral, é expressa pelo
número máximo de linhas por altura de imagem
discriminadas numa mira, com base na norma 208/
/1960 do IEEE ou numa norma equivalente.
2. Sistemas especialmente concebidos ou modificados para
funcionar com comando à distância juntamente com um
veículo subaquático que façam uso de técnicas destinadas a
minimizar os efeitos da retrodifusão luminosa, incluindo os
dispositivos de iluminação de gama seleccionável e ossistemas "laser";
e. Máquinas fotográficas, especialmente concebidas ou modifi-
cadas para utilização subaquática a profundidades superiores a
150 m, que utilizem película fotográfica de formato igual ou
superior a 35 mm e possuam uma das seguintes características:
1. Impressão na película de dados fornecidos por uma fonte
exterior à máquina;
2. Correcção automática da distância focal posterior;
ou
3. Controlo automático de compensação especialmente conce-
bido para a utilização da máquina fotográfica e respectiva
caixa de protecção a profundidades superiores a 1 000 m;
f. Sistemas electrónicos de imagem especialmente concebidos ou
modificados para utilização subaquática, capazes de armazenar
digitalmente mais de 50 imagens captadas;
g. Sistemas de iluminação especialmente concebidos ou modifi-
cados para utilização subaquática:
1. Sistemas de iluminação estroboscópicos capazes de
produzir uma energia luminosa superior a 300 J por disparo
e uma velocidade de disparo superior a 5 disparos por
segundo;
2. Sistemas de iluminação de arco de árgon especialmente
concebidos para utilização a profundidades superiores a
1 000 m;
h. "Robots" especialmente concebidos para utilização subaquá-
tica, comandados por computadores "comandados por
programas residentes" específicos, com uma das seguintes
características:
1. Sistemas de comando do "robot" fazendo uso de infor-
mações provenientes de sensores que meçam a força ou o
binário aplicados a um objecto exterior, a distância a um
objecto exterior ou a percepção táctil de um objecto exterior
pelo "robot"; ou
2. Possibilidade de exercerem uma força igual ou superior a
250 N ou um binário igual ou superior a 250 Nm e que
utilizem ligas de titânio ou materiais "fibrosos ou
filamentosos" "compósitos" nos seus elementos estruturais:2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 190
▼M3
i. Manipuladores articulados comandados à distância especial-
mente concebidos ou modificados para serem utilizados com
veículos submersíveis, com uma das seguintes características:
1. Sistemas de comando do manipulador fazendo uso de
informações provenientes de sensores que medem o binário
ou a força aplicada a um objecto exterior ou a percepção
táctil de um objecto exterior pelo manipulador; ou
2. Comandados por técnicas master-slave proporcionais ou
por computadores "comandados por programas residentes
específicos" e com cinco ou mais graus de liberdade de
movimento:
Nota: Na contagem do número de graus de liberdade de
movimento só são consideradas as funções com
controlo proporcional que utilizem realimentação
posicional ou façam uso de um computador
"comandado por programas residentes" especí-
ficos.
j. Sistemas de potência independentes de uma alimentação de ar,
especialmente concebidos para utilização subaquática:
1. Sistemas de potência independentes do ar que utilizem
motores de ciclo Brayton ou Rankine, com uma das
seguintes características:
a. Sistemas de depuração ou de absorção química especial-
mente concebidos para a remoção de dióxido de
carbono, monóxido de carbono e partículas dos gases
de escape do motor recirculados;
b. Sistemas especialmente concebidos para a utilização de
um gás monoatómico;
c. Dispositivos ou caixas especialmente concebidos para a
redução dos ruídos subaquáticos de frequência inferior a
10 kHz ou dispositivos de montagem especiais para o
amortecimento de choques; ou
d. Sistemas especialmente concebidos para:
1. A pressurização dos produtos da reacção ou a
reformação do combustível;
2. A armazenagem dos produtos da reacção; e
3. A descarga dos produtos da reacção contra uma
pressão igual ou superior a 100 kPa;
2. Sistemas independentes do ar que utilizem motores de ciclo
diesel, com todas as seguintes características:
a. Sistemas de depuração ou de absorção química especial-
mente concebidos para a remoção de dióxido de
carbono, monóxido de carbono e partículas dos gases
de escape do motor recirculados;
b. Sistemas especialmente concebidos para a utilização de
um gás monoatómico;
c. Dispositivos ou caixas especialmente concebidos para a
redução dos ruídos subaquáticos de frequência inferior a
10 kHz ou dispositivos de montagem especiais para o
amortecimento de choques; e
d. Sistemas de escape especialmente concebidos para não
descarregarem os produtos da combustão de uma forma
contínua;
3. Sistemas de potência independentes do ar que utilizem
células de combustível, de potência superior a 2kW e com
uma das seguintes características:
a. Dispositivos ou caixas especialmente concebidos para a
redução dos ruídos subaquáticos de frequência inferior a
10kHz ou dispositivos de montagem especiais para o
amortecimento de choques; ou
b. Sistemas especialmente concebidos para:
1. A pressurização dos produtos da reacção ou a
reformação do combustível;
2. A armazenagem dos produtos da reacção; e
3. A descarga dos produtos da reacção contra uma
pressão igual ou superior a 100 kPa;2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 191
▼M3
4. Sistemas de potência independentes do ar, com motores de
ciclo Stirling, com as seguintes características:
a. Dispositivos ou caixas especialmente concebidos para a
redução dos ruídos subaquáticos de frequência inferior a
10 kHz ou dispositivos de montagem especiais para o
amortecimento dos choques; e
b. Sistemas exaustores especialmente concebidos para
proceder à descarga dos produtos da combustão contra
uma pressão igual ou superior a 100 kPa;
k. Saias, vedantes e dedos, com uma das seguintes características:
1. Concebidos para pressões da almofada de ar iguais ou
superiores a 3830 Pa e para funcionar com uma altura de
onda significativa igual ou superior a 1,25 m (estado do mar
de nível 3), e especialmente concebidos para os veículos de
efeito de superfície (do tipo saia completa) referidos em
8A001.f.; ou
2. Concebidos para pressões da almofada de ar iguais ou
superiores a 6224 Pa e para funcionar com uma altura de
onda significativa igual ou superior a 3,25 m (estado do mar
de nível 5), e especialmente concebidos para os veículos de
efeito de superfície (do tipo quilhas laterais) referidos em
8A001.g;
l. Ventoinhas de elevação para potências nominais superiores a
400 kW, especialmente concebidas para os veículos de efeito
de superfície referidos em 8A001.f ou 8A001.g;
m. Perfis hidrodinâmicos para condições de subcavitação ou de
sobrecavitação, totalmente submersos, especialmente conce-
bidos para os navios referidos em 8.A001.h;
n. Sistemas activos especialmente concebidos ou modificados
para o controlo automático dos movimentos provocados pelo
mar nos veículos ou navios referidos em 8A001.f., 8A001.g.,
8A001.h. ou 8A001.i.;
o. Hélices, sistemas de transmissão de potência, sistemas de
geração de potência e sistemas de redução do ruído:
1. Sistemas de hélices de propulsão ou sistemas de trans-
missão de potência especialmente concebidos para os
veículos de efeito de superfície (dos tipos saia completa e
quilhas laterais), os navios com sustentação por hydrofoils e
os navios com pequena área de flutuação referidos em
8A001.f., 8A001.g., 8A001.h. ou 8A001.i.:
a. Hélices sobrecavitantes, sobreventiladas, parcialmente
imersas ou com penetração da superfície aquática para
potências nominais superiores a 7,5 MW;
b. Sistemas de propulsão contrarrotativos para potências
nominais superiores a 15 MW;
c. Sistemas que utilizem técnicas de regularização do fluxo
junto da hélice, aplicadas antes ou depois do redemoinho
provocado pela hélice;
d. Caixas de redução ligeiras de grande capacidade (factor
K superior a 300);
e. Sistemas de veios de transmissão de potência com
componentes de materiais "compósitos", capazes de
transmitir potências superiores a 1 MW;
2. Sistemas de hélices de propulsão, de geração de potência ou
de transmissão de potência concebidos para utilização em
navios:
a. Hélices de passo controlável e respectivos cubos para
potências nominais superiores a 30 MW;
b. Motores de propulsão eléctricos com arrefecimento
interno por líquidos e potências superiores a 2,5 MW;
c. Motores de propulsão "supercondutores" ou motores de
propulsão eléctricos com ímanes permanentes, com
potências superiores a 0,1 MW;
d. Sistemas de veios de transmissão de potência com
componentes de materiais "compósitos", capazes de
transmitir potências superiores a 2 MW;2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 192
▼M3
e. Sistemas de hélices ventilados ou de base ventilada para
potências nominais superiores a 2,5 MW.
3. Sistemas de redução do ruído concebidos para utilização em
navios com um deslocamento igual ou superior a
1 000 toneladas:
a. Sistemas que atenuem os ruídos subaquáticos de
frequência inferior a 500 Hz, constituídos por apoios
acústicos compostos para o isolamento acústico de
motores diesel, grupos geradores com motores diesel,
turbinas a gás, grupos geradores com turbinas a gás,
motores de propulsão ou caixas de redução da propulsão,
especialmente concebidos para o isolamento acústico ou
das vibrações e com uma massa intermédia superior a
30 % da massa do equipamento a montar;
b. Sistemas activos de redução ou de anulação do ruído, ou
chumaceiras magnéticas, especialmente concebidos para
sistemas de transmissão de potência, com sistemas
electrónicos de controlo, capazes de reduzir activamente
as vibrações dos equipamentos através da geração de
sinais anti-ruído ou anti-vibração dirigidos à fonte;
p. Sistemas de propulsão por jacto de potência superior a 2,5 MW
que façam uso de técnicas que utilizem tubeiras divergentes e
palhetas de condicionamento do fluxo para melhorar o
rendimento da propulsão ou reduzir o ruído subaquático
gerado pelo sistema de propulsão.
q. Equipamento de mergulho e natação subaquática, indepen-
dente, em circuito fechado ou semi-fechado (reciclagem do ar).
Nota: 8A002 não abrange o equipamento individual para
uso pessoal quando acompanhe o respectivo utili-
zador.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 193
▼M3
8BEquipamentosde ensaio, de inspecção e de produção
8B001 Túneis de água com ruído de fundo inferior a 100 dB (referência:
1 µPA, 1 Hz) na gama de frequências compreendida entre 0 e
500 Hz, concebidos para medir os campos acústicos gerados por
um fluxo hidráulico em torno de modelos de sistemas de
propulsão.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 194
▼M3
8C Materiais
8C001 "Espumas sintácticas" concebidas para utilização subaquática, com
todas as seguintes características:
a. Concebidas para profundidades superiores a 1 000 m; e
b. De densidade inferior a 561 kg/m3.
Nota técnica:
As "espumas sintácticas" são constituídas por esferas ocas de
plástico ou de vidro embebidas numa matriz de resina.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 195
▼M3
8D "Suporte lógico"
8D001 "Suportes lógicos" especialmente concebidos ou modificados para
o "desenvolvimento", "produção" ou "utilização" dos equipa-
mentos ou materiais referidos em 8A, 8B ou 8C.
8D002 "Suportes lógicos" específicos, especialmente concebidos ou
modificados para o "desenvolvimento", "produção", reparação,
revisão geral ou rectificação (nova maquinagem) de hélices
especialmente concebidas para a redução do ruído subaquático.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 196
▼M3
8E Tecnologia
8E001 "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o
"desenvolvimento" ou "produção" dos equipamentos ou materiais
referidos em 8A, 8B ou 8C.
8E002 Outras "tecnologias":
a. "Tecnologia" para o "desenvolvimento", "produção", reparação,
revisão geral ou rectificação (nova maquinagem) de hélices
especialmente concebidas para a redução do ruído subaquático;
b. "Tecnologia" para a revisão geral ou rectificação dos
equipamentos referidos em 8A001, 8A002.b., 8A002.j.,
8A002.o. ou 8A002.p.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 197
▼M3
CATEGORIA 9
SISTEMAS DE PROPULSÃO, VEÍCULOS ESPACIAIS E EQUIPA-
MENTOS ASSOCIADOS2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 198
▼M3
9A Sistemas, equipamentos e componentes
N.B.: Para os sistemas de propulsão concebidos ou classifi-
cados contra radiações de neutrões ou contra radiações
ionizantes transitórias,ver a Lista de Material de Guerra.
9A001 Motores aeronáuticos de turbina a gás, que incorporem uma das
"tecnologias" especificadas em 9E003.a.:
N.B.: VER TAMBÉM 9A101.
a. Não certificados para a "aeronave civil" específica a que se
destinam;
b. Não certificados para utilização civil pelas autoridades de
aeronáutica de um "Estado participante";
c. Concebidos para voar a velocidades de cruzeiro superiores a
Mach 1,2 durante mais de 30 minutos;
9A002 "Motores marítimos de turbina a gás" com uma potência contínua
nominal (ISO) igual ou superior a 24 245 kW e um consumo
específico de combustível inferior a 0,219 kg/kWh na gama de
potências de 35 a 100 %, e conjuntos e componentes especial-
mente concebidos para os mesmos.
Nota: O termo "motores marítimos de turbina a gás" inclui os
motores de turbina a gás industriais, ou aeroderivados,
adaptados para geração de electricidade a bordo do
navio ou para a sua propulsão.
9A003 Conjuntos e componentes especialmente concebidos, incorporando
uma das "tecnologias" referidas em 9E003.a., para os seguintes
sistemas de propulsão constituídos por motores de turbina a gás:
a. Referidos em 9A001;
b. Cuja concepção ou produção não sejam de "Estados parte" ou
tenham origem desconhecida do fabricante;
9A004 Veículos lançadores espaciais ou "veículos espaciais".
N.B.: VER TAMBÉM 9A104.
Nota: 9A004 não abrange as cargas úteis.
N.B.: Para conhecer o estatuto dos produtos incluídos
nas cargas úteis dos "veículos espaciais", ver as
categorias apropriadas.
9A005 Sistemas de propulsão constituídos por foguetes de combustível
líquido que contenham um dos sistemas ou componentes
especificados em 9A006.
N.B.: VER TAMBÉM 9A105 E 9A119.
9A006 Sistemas ou componentes, especialmente concebidos para sistemas
de propulsão constituídos por foguetes de combustível líquido:
N.B.: VER TAMBÉM 9A106 E 9A108.
a. Refrigeradores criogénicos, vasos de Dewar embarcados,
condutas de calor criogénicas ou sistemas criogénicos especial-
mente concebidos para serem utilizados em veículos espaciais e
capazes de limitar as perdas de fluido criogénico a menos de
30 % por ano;
b. Reservatórios criogénicos ou sistemas de refrigeração de ciclo
fechado capazes de assegurar temperaturas iguais ou inferiores
a 100 K (− 173 ºC) para "aeronaves" que possam voar
prolongadamente a velocidades superiores a Mach 3, veículos
lançadores ou "veículos espaciais";
c. Sistemas de armazenamento ou transferência de hidrogénio
pastoso;
d. Turbo-bombas de alta pressão (superior a 17,5 MPa), compo-
nentes de bombas ou respectivos sistemas de accionamento por
turbinas geradoras a gás ou de turbinas de ciclo de expansão;
e. Câmaras de impulso de alta pressão (superior a 10,6 MPa) e
suas tubeiras;
f. Sistemas de armazenamento do propulsante, funcionando
segundo o princípio da retenção capilar ou expulsão efectiva
(i.e., com membranas flexíveis);2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 199
▼M3
g. Injectores de propulsante líquido, com orifícios de diâmetro
igual ou inferior a 0,381 mm (uma área de 1,14 × 10−3cm2ou
inferior para os orifícios não circulares) especialmente
concebidos para motores de foguetes de combustível líquido.
h. Câmaras de impulso carbono-carbono monobloco ou cones de
saída carbono-carbono monobloco com densidades superiores a
1,4 g/cm3e uma resistência à tracção superior a 48 MPa.
9A007 Sistemas de propulsão constituídos por foguetes de combustível
sólido, com uma das seguintes características:
N.B.: VER TAMBÉM 9A119.
a. Capacidade de impulso total superior a 1,1 MNs; ou
b. Impulso específico igual ou superior a 2,4 kNs/kg quando o
fluxo da tubeira é expandido para as condições ambientais
normais ao nível do mar para uma pressão da câmara ajustada
de 7 MPa;
c. Fracções da massa por estágio superiores a 88 % e cargas
sólidas de propulsante sólido superiores a 86 %;
d. Qualquer dos componentes especificados em 9A008.; ou
e. Sistemas de isolamento e sistemas de ligação do propulsante
que utilizem motores de ligação directa para garantir uma "forte
ligação mecânica" ou uma barreira à migração química entre o
propulsante sólido e o material de isolamento do cárter.
Nota técnica:
Para efeitos de 9A007.e., por 'forte ligação mecânica' entende-
-se uma força de ligação igual ou superior à força do
propulsante.
9A008 Componentes especialmente concebidos para os sistemas de
propulsão constituídos por foguetes de combustível sólido:
N.B.: VER TAMBÉM 9A108.
a. Sistemas de isolamento e sistemas de ligação do propulsante
que utilizem camisas para garantir uma 'forte ligação mecânica'
ou uma barreira à migração química entre o propulsante sólido
e o material de isolamento do cárter;
Nota técnica:
Para efeitos do ponto 9A008.a., por 'forte ligação mecânica'
entende-se uma força de ligação igual ou superior à força do
propulsante.
b. Cárteres de motor em filamentos "compósitos" enrolados de
diâmetro superior a 0,61 m ou com "coeficientes de eficiência
estrutural (PV/W)" superiores a 25 km;
Nota técnica:
O "coeficiente de eficiência estrutural (PV/W)" é o quociente
entre o produto da pressão de ruptura (P) pelo volume (V) do
recipiente sob pressão e o peso total (W) deste.
c. Tubeiras com níveis de impulso que excedam 45 kN ou taxas
de erosão da garganta inferiores a 0,075 mm/s;
d. Tubeiras móveis ou sistemas de controlo do vector de impulso
por injecção secundária de fluido, capazes de:
1. Movimentos omni-axiais superiores a ± 5 graus;
2. Velocidades angulares do vector de 20 graus/s ou mais; ou
3. Acelerações angulares do vector de 40 graus/s2 ou mais.
9A009 Sistemas de propulsão constituídos por foguetes híbridos com:
N.B.: VER TAMBÉM 9A109 E 9A119.
a. Uma capacidade de impulso total superior a 1,1 MNs; ou
b. Níveis de impulso superiores a 220 kN em condições de
descarga no vazio.
9A010 Componentes, sistemas e estruturas especialmente concebidos para
veículos lançadores, seus sistemas de propulsão ou "veículos
espaciais":
N.B.: VER TAMBÉM 1A002 E 9A110.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 200
▼M3
a. Componentes e estruturas que excedam 10 Kg cada, especial-
mente concebidos para veículos lançadores fabricados com
materiais de "matriz" metálica, materiais "compósitos", mate-riais "compósitos" orgânicos, materiais de "matriz" cerâmica ou
materiais intermetálicos reforçados referidos em 1C007 ou
1C010;
Nota: O limiar de peso não se aplica aos cones de ogiva.
b. Componentes e estruturas especialmente concebidos para os
sistemas de propulsão dos veículos lançadores referidos nospontos 9A005 a 9A009, fabricados com materiais de matriz
metálica, materiais compósitos, materiais compósitos orgâ-
nicos, materiais de matriz cerâmica ou materiais intermetálicos
reforçados referidos em 1C007 ou 1C010;
c. Componentes estruturais e sistemas de isolamento especial-
mente concebidos para um controlo activo da resposta dinâmica
ou da distorção das estruturas dos "veículos espaciais";
d. Motores de foguete de propulsante líquido por impulsos com
relações impulso/peso iguais ou superiores a 1 kN/kg e tempo
de resposta (tempo necessário após o arranque para atingir 90 %
do impulso total previsto) inferior a 30 ms.
9A011 Estato-reactores, estato-reactores de combustão supersónica ou
motores de ciclo combinado e componentes especialmente
concebidos para os mesmos.
N.B.: VER TAMBÉM 9A111 E 9A118.
9A101 Turbo-reactores e turbo-motores de fluxo duplo ligeiros (incluindo
motores de turbina de compressão escalonada) utilizáveis em
"mísseis", diferentes dos especificados em 9A001:
a. Motores com ambas as seguintes características:
1. Valor máximo do impulso superior a 1 000 N (conseguido
quando não instalados) excluindo motores certificados civis
com um valor máximo de impulso superior a 8 890 N
(conseguido quando não instalados),
e
2. Consumo específico de combustível igual ou inferior a
0,13 kg/N/h (ao nível do mar e em condições estáticas e
normais); ou
b. Motores concebidos ou modificados para utilização em
"mísseis".
9A104 Foguetes-sonda, capazes de um alcance igual ou superior a 300 km.
N.B.: VER TAMBÉM 9A004.
9A105 Motores de foguete de combustível líquido:
N.B.: VER TAMBÉM 9A119.
a. Motores de foguete de combustível líquido utilizáveis em
"mísseis", diferentes dos especificados em 9A005, com uma
capacidade total de impulso igual ou superior a 1,1 MNs.
b. Motores de foguete de combustível líquido, utilizáveis em
sistemas de foguete completos ou em veículos aeroespaciais
não tripulados (UAV), capazes de um alcance de pelo menos
300 km, diferentes dos especificados em 9A005 ou 9A105.a,
com uma capacidade total de impulso igual ou superior a
0,841 MNs.
9A106 Sistemas ou componentes, diferentes dos especificados em 9A006,
utilizáveis em "mísseis", especialmente concebidos para sistemas
de propulsão constituídos por foguetes de combustível líquido:
a. Revestimentos ablativos para câmaras de impulso ou de
combustão:
b. Tubeiras de foguete;
c. Subsistemas de controlo do vector de impulso;
Nota técnica:
Exemplos de métodos utilizados para conseguir o controlo do
vector de impulso, referidos em 9A106.c.:
1. Tubeira flexível;2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 201
▼M3
2. Injecção de fluido ou de gás secundário;
3. Motor ou tubeira orientáveis;4. Deflexão do fluxo de gases de escape (palhetas ou sondas);
ou
5. Compensadores de impulso.
d. Sistemas de controlo de combustíveis líquidos e com aditivos
sólidos (incluindo oxidantes) e componentes especialmente
concebidos ou modificados para funcionar em ambientes de
vibração de mais de 10 g rms entre 20 Hz e 2 000 Hz.
Nota: As únicas servoválvulas e bombas abrangidas por
9A106.d. são as seguintes:
a. Servoválvulas concebidas para débitos iguais ou
superiores a 24 litros/minuto, a uma pressão
absoluta igual ou superior a 7 MPa, com um
tempo de resposta do actuador inferior a 100 ms;
b. Bombas para propulsantes líquidos, com veloci-
dades de rotação iguais ou superiores a
8 000 r.p.m. ou com pressões de descarga iguais
ou superiores a 7 MPa.
9A107 Motores de foguete de combustível sólido, utilizáveis em sistemas
de foguete completos ou em veículos aeroespaciais não tripulados,
capazes de um alcance de 300 km, diferentes dos referidos em
9A007, com uma capacidade total de impulso igual ou superior a
0,841 MNs.
N.B.: VER TAMBÉM 9A119.
9A108 Componentes, diferentes dos especificados em 9A008, utilizáveis
em "mísseis", especialmente concebidos para sistemas de
propulsão constituídos por foguetes de combustível sólido:
a. Cárteres de motores de foguete, "revestimento interior" e
"isolante" para os mesmos;
b. Tubeiras de foguete;
c. Subsistemas de controlo do vector de impulso.
Nota técnica:
Exemplos de métodos utilizados para conseguir o controlo do
vector de impulso referidos em 9A108.c.:
1. Tubeira flexível;
2. Injecção de fluido ou de gás secundário;
3. Motor ou tubeira orientáveis;
4. Deflexão do fluxo de gases de escape (palhetas ou sondas);
ou
5. Compensadores de impulso.
9A109 Motores de foguete híbridos, utilizáveis em "mísseis", diferentes
dos especificados em 9A009, e componentes especialmente
concebidos para os mesmos.
N.B.: VER TAMBÉM 9A119.
9A110 Estruturas e laminados compósitos e respectivos produtos,
diferentes dos especificados em 9A010, especialmente concebidos
para utilização nos veículos lançadores espaciais referidos em
9A004 ou nos foguetes-sonda referidos em 9A104 ou nos
subsistemas especificados em 9A005, 9A007, 9A105.a., 9A106 a
9A108, 9A116 ou 9A119.
N.B.: VER TAMBÉM 1A002.
9A111 Pulso-reactores, utilizáveis em "mísseis", e componentes especial-
mente concebidos para os mesmos.
N.B.: VER TAMBÉM 9A011 e 9A118.
9A115 Equipamentos de apoio ao lançamento, concebidos ou modificados
para veículos lançadores espaciais, referidos em 9A004, ou
foguetes-sonda, referidos em 9A104:
a. Aparelhos e dispositivos para a movimentação, o controlo, a
activação ou o lançamento;2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 202
▼M3
b. Veículos para o transporte, a movimentação, o controlo, a
activação ou o lançamento.
9A116 Veículos de reentrada, utilizáveis em "mísseis", e equipamentos
concebidos ou modificados para os mesmos:
a. Veículos de reentrada;
b. Blindagens térmicas e seus componentes, fabricados com
materiais cerâmicos ou ablativos;
c. Dissipadores de calor e seus componentes, fabricados com
materiais ligeiros, de elevada capacidade térmica;
d. Equipamentos electrónicos especialmente concebidos para
veículos de reentrada.
9A117 Mecanismos de separação de andares, mecanismos de separação e
dispositivos entre-andares, utilizáveis em "mísseis".
9A118 Dispositivos de regulação da combustão, utilizáveis em motores,
que possam ser utilizados em "mísseis", especificados em 9A011
ou 9A111.
9A119 Andares de foguete, utilizáveis em sistemas de foguete completos
ou em veículos aeroespaciais não tripulados, capazes de um
alcance de 300 km, diferentes dos referidos em 9A005, 9A007,
9A009, 9A105, 9A107 e 9A109.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 203
▼M3
9BEquipamentosde ensaio, de inspecção e de produção
9B001 Equipamentos, ferramentas e gabaritos especialmente concebidos
para o fabrico de lâminas e palhetas, ou peças fundidas das
respectivas extremidades, de turbinas a gás:
a. Equipamentos para solidificação dirigida ou para a obtenção de
monocristais;
b. Núcleos ou cascas cerâmicos;
9B002 Sistemas de controlo em linha (tempo real), instrumentos
(incluindo sensores) ou equipamentos automatizados de aquisição
e tratamento de dados, especialmente concebidos para o
"desenvolvimento" de motores de turbinas a gás ou dos seus
conjuntos ou componentes, incorporando "tecnologias" especifi-
cadas em 9E003.a.
9B003 Equipamentos especialmente concebidos para a "produção" ou
ensaio de vedantes de escovas de turbinas a gás, concebidos para
funcionar a velocidades periféricas superiores a 335 m/s e a
temperaturas superiores a 773 K (500º) e peças ou acessórios
especialmente concebidos para os mesmos.
9B004 Ferramentas, matrizes ou gabaritos para a união em estado sólido
de combinações de "superligas", titânio, ou perfis aerodinânicos
intermetálicos referidos em 9E003.a.3. ou 9E003.a.6. para turbinas
a gás.
9B005 Sistemas de controlo em linha (tempo real), instrumentos
(incluindo sensores) ou equipamentos automatizados de aquisição
e tratamento de dados, especialmente concebidos para utilização
com qualquer dos seguintes túneis ou dispositivos aerodinâmicos:
N.B.: VER TAMBÉM 9B105.
a. Túneis aerodinâmicos concebidos para velocidades iguais ou
superiores a Mach 1,2, excepto os especialmente concebidos
para fins educativos apresentando uma "dimensão da secção de
ensaio" (medida lateralmente) inferior a 250 mm;
Nota técnica:
A "dimensão da secção de ensaio" em 9B005.a. é o diâmetro do
círculo ou o lado do quadrado ou o comprimento do
rectângulo, medidos no local da maior secção de ensaio.
b. Dispositivos para simular ambientes de escoamento a veloci-
dades superiores a Mach 5, incluindo túneis de disparo quente,
túneis de arco de plasma, tubos de ondas de choque, túneis de
ondas de choque, túneis de gás e pistolas de gás leve; ou
c. Túneis ou dispositivos aerodinâmicos, excepto os bidimensio-
nais, capazes de simular escoamentos com números deReynolds superiores a 25 × 10
6.
9B006 Equipamentos de ensaio de vibrações acústicas capazes de
produzir níveis de pressão sonora iguais ou superiores a 160 dB
(com referência a 20 TPa), com uma potência de saída nominal
igual ou superior a 4 kW a uma temperatura da célula de ensaio
superior a 1 273 K (1 000 ºC), e dispositivos de aquecimento a
quartzo especialmente concebidos para os mesmos.
N.B: VER TAMBÉM 9B106.
9B007 Equipamentos especialmente concebidos para a inspecção da
integridade de motores de foguete através de técnicas de ensaio
não destrutivo diferentes da análise planar por raios X ou da
análise física ou química básicas.
9B008 Transdutores especialmente concebidos para a medição directa do
atrito na parede de um fluxo de ensaio com uma temperatura de
estagnação superior a 833 K (560 ºC).
9B009 Ferramentas especialmente concebidas para a produção de
componentes de rotores para motores de turbinas obtidos através
de processos da metalurgia dos pós, capazes de funcionar a níveis
de tensão iguais ou superiores a 60 % da tensão de ruptura à
tracção e a temperaturas do metal iguais ou superiores a 873 K
(600 ºC).
9B105 Túneis aerodinâmicos para velocidades iguais ou superiores a
Mach 0,9, utilizáveis para "mísseis" e seus subsistemas.
N.B.: VER TAMBÉM 9B005.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 204
▼M3
9B106 Câmaras com ambiente condicionado e câmaras anecóicas:
a. Câmaras com ambiente condicionado, capazes de simular as
seguintes condições de voo:
1. Ambientes vibratórios de 10 g rms ou mais entre 20 Hz e
2 000 Hz e comunicando forças iguais ou superiores a 5 kN;
e
2. Altitudes iguais ou superiores a 15 000 m; ou
3. Gamas de temperaturas de pelo menos 223 K (− 50 ºC) a
398 K (+ 125 ºC);
b. Câmaras anecóicas capazes de simular as seguintes condições
de voo:
1. Ambientes acústicos a níveis de pressão sonora iguais ou
superiores a 140 dB (com referência a 20 TPa) ou com uma
potência de saída nominal igual ou superior a 4 kW; e
2. Altitudes iguais ou superiores a 15 000 m; ou
3. Gamas de temperaturas de pelo menos 223 K (− 50 ºC) a
398 K (+ 125 ºC).
9B115 "Equipamento de produção" especialmente concebido para os
sistemas, subsistemas e componentes especificados em 9A005 a
9A009, 9A011, 9A101, 9A105 a 9A109, 9A111 e 9A116 a 9A119.
9B116 "Instalações de produção" especialmente concebidas para os
veículos lançadores espaciais referidos em 9A004, ou os sistemas,
subsistemas e componentes especificados em 9A005 a 9A009,
9A011, 9A101, 9A104 a 9A109, 9A111, ou 9A116 a 9A119.
9B117 Bancos de ensaio e mesas de ensaio para foguetes ou motores de
foguete de combustível sólido ou líquido, com uma das seguintes
características:
a. Capacidade para suportar um impulso superior a 90 kN; ou
b. Aptos para medir simultaneamente as três componentes axiais
do impulso.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 205
▼M3
9C Materiais
9C110 Pré-impregnados de fibras impregnadas de resinas e pré-formas de
fibras revestidas de metais para os mesmos, destinados a
estruturas, laminados e produtos compósitos referidos em 9A110,
feitos com matrizes orgânicas ou com matrizes metálicas
utilizando reforços fibrosos ou filamentosos com uma resistência
específica à tracção superior a 7,62 × 104 m e um módulo de
elasticidade específico superior a 3,18 × 106m.
N.B.: VER TAMBÉM 1C010 E 1C210.
Nota: Os únicos pré-impregnados de fibras impregnadas de
resinas abrangidos por 9C110 são os que utilizam
resinas com uma temperatura de transição vítrea (Tg),
após cura, superior a 418 K (145 ºC) conforme
determinada pela norma ASTM D4065 ou equivalente.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 206
▼M3
9D Suporte lógico
9D001 "Suportes lógicos" especialmente concebidos ou modificados para
o "desenvolvimento" dos equipamentos ou da "tecnologia"
especificados em 9A, 9B ou 9E003.
9D002 "Suportes lógicos" especialmente concebidos ou modificados para
a "produção" dos equipamentos especificados em 9A ou 9B.
9D003 "Suportes lógicos" especialmente concebidos ou modificados para
a "utilização" de "controlos electrónicos digitais full authority "
("FADEC") para os sistemas de propulsão referidos em 9A ou para
os equipamentos especificados em 9B:
a. "Suportes lógicos" utilizados nos comandos electrónicos
digitais para sistemas de propulsão, instalações de ensaio
aero-espaciais ou instalações de ensaio de motores aeronáuticos
aeróbios;
b. "Suportes lógicos" tolerantes a avarias utilizados em sistemas
"FADEC" para sistemas de propulsão e respectivas instalações
de ensaio.
9D004 Outros "suportes lógicos":
a. "Suportes lógicos" para escoamentos viscosos bi e tridimensio-
nais, validados com os dados de ensaio obtidos em túneis
aerodinâmicos ou em voo, necessários à modelização detalhada
dos escoamentos nos motores;
b. "Suportes lógicos" para o ensaio de motores aeronáuticos de
turbina a gás ou dos seus conjuntos ou componentes,
especialmente concebidos para a aquisição, a compressão e a
análise de dados em tempo real e capazes de retroacção,
incluindo o ajustamento dinâmico dos artigos em ensaio ou das
condições de ensaio durante a realização deste;
c. "Suportes lógicos" especialmente concebidos para controlar a
solidificação dirigida ou a obtenção de monocristais;
d. "Suporte lógico" em "código-fonte", "código-objecto" ou
código-máquina necessário à "utilização" de sistemas de
compensação activa para controlo das folgas das extremidades
de pás de rotores (lâminas).
Nota: 9D004.d. não abrange os "suportes lógicos" inte-
grados em equipamentos não sujeitos a controlo ou
necessários às operações de manutenção associadas à
calibragem, à reparação ou às actualizações do
sistema de compensação activa para o controlo de
folgas.
9D101 "Suportes lógicos" especialmente concebidos ou modificados para
a "utilização" dos bens referidos em 9B105, 9B106, 9B116 ou
9B117.
9D103 "Suportes lógicos" especialmente concebidos para a modelização,
simulação ou integração da concepção dos veículos lançadores
espaciais referidos em 9A004 ou dos foguetes-sonda referidos em
9A104, ou dos subsistemas especificados em 9A005, 9A007,
9A105.a., 9A106, 9A108, 9A116 ou 9A119.
Nota: Os "suportes lógicos" referidos em 9D103 continuam a
ser abrangidos quando combinados com equipamento
(hardware) especialmente concebido especificado em
4A102.
9D104 "Suportes lógicos" especialmente concebidos ou modificados para
a "utilização" dos bens referidos em 9A001, 9A005, 9A006.d.,
9A006.g., 9A007.a., 9A008.d., 9A009.a., 9A010.d., 9A011,
9A101, 9A105, 9A106.c., 9A106.d., 9A107, 9A108.c., 9A109,
9A111, 9A115.a., 9A116.d., 9A117 ou 9A118.
9D105 "Suportes lógicos" para a coordenação do funcionamento de mais
do que um subsistema, especialmente concebidos ou modificados
para "utilização" em veículos lançadores espaciais referidos em
9A004 ou foguetes-sonda referidos em 9A104.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 207
▼M3
9E Tecnologia
Nota: A "tecnologia" de "desenvolvimento" ou de "produção"
referida em 9E001 a 9E003 para motores de turbina a
gás continua abrangida quando utilizada como tecno-
logia de "utilização" para reparação, reconstituição e
revisão geral. Não são abrangidos: os dados, desenhos
ou documentos técnicos destinados às actividades de
manutenção directamente associadas à calibragem,
remoção ou substituição de unidades substituíveis na
linha da frente danificadas ou irreparáveis, incluindo a
substituição de motores completos ou de módulos de
motores.
9E001 "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o
"desenvolvimento" dos equipamentos ou dos "suportes lógicos"
especificados em 9A001.c., 9A004 a 9A011, 9B ou 9D.
9E002 "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para a
"produção" dos equipamentos especificados em 9A001.c., 9A004 a
9A011, ou 9B.
N.B.: Para a "tecnologia" de reparação das estruturas,
laminados ou materiais abrangidos, ver 1E002.f.
9E003 Outra "tecnologia"
a. "Tecnologia" "necessária" para o "desenvolvimento" ou a
"produção" de qualquer dos seguintes componentes ou sistemas
de motores de turbina a gás:
1. Lâminas ou palhetas de turbinas a gás ou protecções das
respectivas extremidades, obtidas a partir de ligas de
solidificação dirigida (DS) ou monocristalinas (SC), que
tenham (na direcção 001 do Índice de Miller) um tempo de
resistência à ruptura superior a 400 horas a 1 273 K
(1 000º) com uma tensão de 200 MPa, com base nos
valores médios das características dos materiais;
2. Câmaras de combustão múltiplas funcionando a tempera-
turas médias à saída do queimador superiores a 1 813 K
(1 540 ºC), ou câmaras de combustão que incorporem
camisas de combustão isoladas termicamente, camisas não
metálicas ou cascas não metálicas;
3. Componentes fabricados a partir de um dos seguintes
materiais:
a. Materiais "compósitos" orgânicos concebidos para
funcionar a temperaturas superiores a 588 K (315 ºC);
b. Materiais "compósitos" de "matriz" metálica, materiais
de "matriz" cerâmica, materiais intermetálicos ou
materiais intermetálicos reforçados, referidos em
1C007;ou
c. Materiais "compósitos" referidos em 1C010 e fabricados
com resinas referidas em 1C008.
4. Lâminas, palhetas, ou protecções das respectivas extremi-
dades, ou outros componentes de turbinas não arrefecidos,
concebidos para funcionar a temperaturas do gás iguais ou
superiores a 1 323 K (1 050 ºC);
5. Lâminas ou palhetas de turbinas, ou protecções das
respectivas extremidades, arrefecidas, diferentes das refe-
ridas em 9E003.a.1., expostas a temperaturas do gás iguais
ou superiores a 1 643 K (1 370 ºC);
6. Combinações perfil aerodinâmico-disco de lâminas que
utilizem uniões em estado sólido;
7. Componentes de motores de turbina a gás que utilizem a
"tecnologia" de "soldadura por difusão" referida em
2E003.b.;
8. Componentes rotativos de motores de turbina a gás
tolerantes a danos que utilizem materiais obtidos através
de processos da metalurgia dos pós referidos em 1C002.b.;
9. "FADEC" para motores de turbina a gás e motores de ciclo
combinado e respectivos componentes de diagnóstico,
sensores e componentes especialmente concebidos para
os mesmos;2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 208
▼M3
10. Sistemas com geometria ajustável do percurso do escoa-
mento e sistemas de controlo associados para:
a. Turbinas geradoras a gás;
b. Turbinas de ventilador ou de potência;
c. Tubeiras propulsoras;
Nota 1: Os sistemas com geometria ajustável do
percurso de escoamento e os sistemas de
controlo associados referidos em 9A003.a.10.
não incluem as palhetas-guia de entrada, os
ventiladores de passo variável, os estatores
variáveis ou as válvulas de sangria para
compressores.
Nota 2: 9E003.a.10. não abrange a "tecnologia" de
"desenvolvimento" ou de "produção" para a
geometria ajustável do percurso de escoamento
para o impulso invertido.
11. Pás ocas de corda larga de ventiladores sem apoio parcial
da envergadura;
b. "Tecnologia" "necessária" ao "desenvolvimento" ou à
"produção" de:
1. Modelos aeronáuticos para túneis aerodinâmicos, equipados
com sensores não intrusivos e capazes de transmitir dados
dos sensores para o sistema de aquisição de dados; ou
2. Pás de hélices ou turboprops "compósitos" capazes de
absorver mais de 2 000 kW a velocidades de voo superiores
a Mach 0,55;
c. "Tecnologia" "necessária" para o "desenvolvimento" ou a
"produção" de componentes de motores de turbina a gás que
utilizem processos de perfuração por "laser", jacto de água,
ECM ou EDM para realizar furos, com um dos seguintes
grupos de características:
1. Todas as seguintes características:
a. Profundidades superiores a 4 vezes o diâmetro;
b. Diâmetros inferiores a 0,76 mm; e
c. Ângulos de incidência iguais ou inferiores a 25 graus; ou
2. Todas as seguintes características:
a. Profundidades superiores a 5 vezes o diâmetro;
b. Diâmetros inferiores a 0,4 mm; e
c. Ângulos de incidência superiores a 25 graus;
Nota técnica:
Para efeitos de 9E003.c., o ângulo de incidência é
medido a partir de um plano tangente à superfície do
perfil aerodinâmico no ponto de intersecção do eixo do
furo com a superfície do perfil aerodinâmico.
d. "Tecnologia" "necessária" para o "desenvolvimento" ou a
"produção" de sistemas de transferência de potência de
helicópteros ou de "aeronaves" de rotores ou de asas
inclináveis.
e. "Tecnologia" para o "desenvolvimento" ou a "produção" de
sistemas de propulsão de veículos terrestres constituídos por
motores diesel alternativos, com todas as seguintes caracterís-
ticas:
1. "Volume paralelepipédico" igual ou inferior a 1,2 m3;
2. Potência total superior a 750 kW com base na Directiva 80/
/1269/CEE ou na norma ISO 2534 ou suas equivalentes
nacionais; e
3. Potência volúmica superior a 700 kW/m3de "volume
paralelepipédico";2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 209
▼M3
Nota técnica:
"O volume paralelepipédico" é definido, em 9E003.e.1., como
sendo o produto de três dimensões perpendiculares medidas da
seguinte forma:
Comprimento: O comprimento da cambota, medido entre a
flange dianteira e a face do volante;
Largura: A maior das dimensões seguintes:
a. Distância exterior entre tampas das
válvulas;
b. Distância entre as arestas exteriores das
cabeças dos cilindros; ou
c. Diâmetro do cárter do volante.
Altura: A maior das dimensões seguintes:
a. Distância do eixo da cambota à superfície
da tampa das válvulas (ou da cabeça do
motor) adicionada do dobro do curso; ou
b. Diâmetro do cárter do volante.
f. "Tecnologia" "necessária" à "produção" de componentes
especialmente concebidos para motores diesel de grande
potência:
1. "Tecnologia" "necessária" à "produção" de motores, com
todos os componentes seguintes, que utilizem materiais
cerâmicos referidos em 1C007:
a. Camisas de cilindros;
b. Êmbolos;
c. Cabeças de cilindros; e
d. Um ou mais componentes (incluindo janelas de escape,
turbocompressores, guias de válvulas, conjuntos de
válvulas ou injectores de combustível isolados);
2. "Tecnologia" "necessária" à "produção" de turbocompres-
sores com um andar de compressão, com todas as seguintes
características:
a. Funcionamento a taxas de compressão iguais ou
superiores a 4:1;
b. Caudais mássicos na gama dos 30 a 130 kg/minuto; e
c. Superfície de escoamento variável nas secções do
compressor ou da turbina;
3. "Tecnologia" "necessária" à "produção" de sistemas de
injecção de combustível com capacidade especialmente
concebida para utilizar vários combustíveis (p. ex., gasóleo
ou combustível para motores de reacção) cobrindo uma
gama de viscosidades desde a do gasóleo [2,5 cSt a 310,8 K
(37,8 ºC) até à da gasolina (0,5 cSt a 310,8 K (37,8 ºC)],
com ambas as seguintes características:
a. Quantidade injectada superior a 230 mm3por injecção e
por cilindro; e
b. Meios de controlo electrónicos especialmente concebidos
para alterar automaticamente as características do
regulador conforme as propriedades do combustível, de
modo a fornecer as mesmas características de binário,
utilizando os sensores apropriados;
g. "Tecnologia" "necessária" ao "desenvolvimento" ou à
"produção" de motores diesel de grande potência para a
lubrificação das paredes dos cilindros, por película líquida,
sólida ou em fase gasosa (ou em combinação), que permitam
funcionar a temperaturas superiores a 723 K (450 ºC), medidas
na parede do cilindro, na extremidade superior do curso do
segmento mais alto do êmbolo.
Nota técnica:
A expressão 'motor diesel de grande potência' designa um
motor diesel com uma pressão efectiva média ao freio igual ou
superior a 1,8 MPa, a uma velocidade de rotação de 2300 rpm
na condição de a velocidade nominal ser igual ou superior a
2 300 r.p.m.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 210
▼M3
9E101 Tecnologia, na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o
"desenvolvimento" ou a "produção" de bens referidos em 9A101,
9A104 a 9A111 ou 9A115 a 9A119.
9E102 "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia para a
"utilização" de veículos lançadores espaciais especificados em
9A004, ou bens especificados em 9A005 a 9A011, 9A101, 9A104
a 9A111, 9A115 a 9A119, 9B105, 9B106, 9B115, 9B116, 9B117,
9D101 ou 9D103.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 211
▼M3
ANEXO II
AUTORIZAÇÃOGERALDEEXPORTAÇÃOCOMUNITÁRIAN.oEU001
[referida no artigo 6.odo Regulamento (CE) n.o1334/2000]
Entidade emissora: Comunidade Europeia
Parte 1
A presente autorização de exportação abrange os seguintes produtos:
Todos os produtos de dupla utilização especificados em qualquer das entradas do
Anexo I do presente Regulamento, com excepção dos enumerados na parte 2
infra.
Parte 2
— Todos os produtos especificados no Anexo IV.
— 0C001 "Urânio natural", "urânio empobrecido" ou tório sob a forma
de metal, liga, composto químico ou concentrado, e qualquer
outro material que contenha um ou mais destes elementos.
— 0C002 "Materiais cindíveis especiais" excepto os referidos no
Anexo IV.
— 0D001 "Suporte lógico" especialmente concebido ou modificado
para o "desenvolvimento", "produção" ou "utilização" dos
produtos referidos na categoria 0, na medida em que se refira
a 0C001 ou aos produtos pertencentes a 0C002 que se
encontram excluídos do anexo IV.
— 0E001 "Tecnologia", nos termos da Nota sobre Tecnologia Nuclear,
para o "desenvolvimento", "produção" ou "utilização" dos
produtos referidos na categoria 0, na medida em que se refira
a 0C001 ou aos produtos pertencentes a 0C002 que se
encontram excluídos do Anexo IV.
— 1A102 Componentes de carbono-carbono pirolizado ressaturado,
concebidos para os veículos lançadores espaciais referidos
em 9A004 ou para os foguetes-sonda referidos em 9A104.
— 7E104 "Tecnologia" para a integração dos dados de controlo de voo,
de guiamento e de propulsão em sistemas de gestão de voo
para optimização da trajectória de foguetes.
— 9A009.a. Sistemas de propulsão constituídos por foguetes híbridos
com uma capacidade de impulso total superior a 1,1 MNs.
— 9A117 Mecanismos de separação de andares, mecanismos de
separação e dispositivos entre-andares, utilizáveis em
"mísseis".
Parte 3
A presente autorização de exportação é válida em toda a Comunidade para
exportações para os seguintes destinos:
Austrália
CanadáEstados Unidos da AméricaHungriaJapão
Noruega
Nova ZelândiaPolóniaRepública ChecaSuíça.
Nota: As partes 2 e 3 só poderão ser alteradas em conformidade com as
obrigações e compromissos pertinentes assumidos por cada Estado-
-Membro no âmbito de regimes internacionais de não proliferação e de2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 212
▼M3
acordos de controlo das exportações, e em conformidade com os
interesses de cada Estado-Membro em matéria de segurança pública,
reflectidos naresponsabilidade que lhe cabe de decidir sobre ospedidos
de autorização de exportação de produtos de dupla utilização nos
termos do n.o2 do artigo 6.odo presente regulamento.
Condições e requisitos para a utilização da presente autorização
1. A presente autorização geral não pode ser utilizada se o exportador tiver sido
informado pelas autoridades competentes do Estado-Membro onde se encontra
estabelecido de que os produtos em questão se destinam ou podem destinar-se,
total ou parcialmente, a ser utilizados para o desenvolvimento, produção,
manuseamento, accionamento, manutenção, armazenamento, detecção, identi-
ficação ou proliferação de armas químicas, biológicas ou nucleares ou de
outros engenhos explosivos nucleares, ou para o desenvolvimento, produção,
manutenção ou armazenamento de mísseis susceptíveis de transportar essas
armas, ou se o exportador tiver conhecimento de que os produtos em questão
se destinam a essa utilização.
2. A presente autorização geral não pode ser utilizada se o exportador tiver sido
informado pelas autoridades competentes do Estado-Membro onde se encontra
estabelecido de que os produtos em questão se destinam ou podem destinar-se
a uma utilização final militar, tal como definida no n.o2 do artigo 4.odo
presente regulamento, num país sujeito a um embargo ao armamento imposto
pela UE, pela OSCE ou pela ONU, ou se o exportador tiver conhecimento de
que os produtos em questão se destinam a essa utilização.
3. A presente autorização geral não pode ser utilizada se os produtos relevantes
forem exportados para uma zona franca ou para um entreposto franco situado
num destino abrangido por esta autorização.
4. Os requisitos em matéria de registo e informação aplicáveis à utilização da
presente autorização geral, bem como as informações suplementares que o
Estado-Membro de proveniência da exportação poderá exigir relativamente
aos produtos abrangidos pela presente autorização, são definidos pelos
Estados-Membros. Esses requisitos têm de ser baseados nos definidos para a
utilização das autorizações gerais de exportação concedidas pelos Estados-
-Membros que prevêem este tipo de autorizações.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 213
▼M3
ANEXO IIIA
(modelo de formulário)
(referido no n.o1 do artigo 10.o)
2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 214
▼M3
2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 215
▼M3
2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 216
▼M3
ANEXO IIIB
ELEMENTOSCOMUNSPARAAPUBLICAÇÃODASAUTORIZAÇÕES
GERAIS DE EXPORTAÇÃO
(referidos no n.o3 do artigo 10.o)
1. Título da autorização geral de exportação
2. Autoridade que emite a autorização3. Validade na CE. Deverá ser utilizado o seguinte texto: "A presente autorização
é uma autorização geral de exportação, em conformidade com o n.
o2 do artigo
6.odo Regulamento (CE) n.o1334/2000. Nos termos do n.o2 do artigo 6.odo
referido regulamento, a presente autorização é válida em todos os Estados-
-Membros da Comunidade Europeia."
4. Mercadorias abrangidas: deve ser utilizada a seguinte frase introdutória: "A
presente autorização de exportação abrange as seguintes mercadorias:"
5. Destinos para que é válida a autorização. Deve ser utilizada a seguinte frase
introdutória: "A presente autorização de exportação é válida para exportações
para os seguintes destinos:"
6. Condições e requisitos.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 217
▼M3
ANEXO IV
(Lista referida no n.o1 do artigo 21.o)
Asentradasnemsemprecontêmadescriçãocompletadoprodutoeasnotas
com ele relacionadas constantes do Anexo I (1). Só no Anexo I se pode
encontrar a descrição completa dos produtos.
A referência a um produto neste Anexo não afecta a aplicação das
disposições relativas aos produtosde grande difusão que constam do Anexo
I.
PARTE I
(possibilidade de emissão de uma Autorização Geral Nacional para o
comércio intracomunitário)
Produtos do âmbito da tecnologia "furtiva"
1C001 Materiais especialmente concebidos para absorver as ondas
electromagnéticas ou polímeros intrinsecamente condutores;
NB: VER TAMBÉM 1C101.
1C101 Materiais ou dispositivos que reduzam os parâmetros de detecção,
como a reflectividade ao radar e as assinaturas no ultravioleta/
/infravermelho e acústicas, não referidos no ponto 1C001 e
utilizáveis em "mísseis" e respectivos subsistemas;
1D103 "Suportes lógicos" especialmente concebidos para a análise de
parâmetros de detecção reduzidos, como a reflectividade ao radar
e as assinaturas no ultravioleta/infravermelho e acústicas;
1E101 "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para a
"utilização" dos bens referidos nos pontos 1C101 e 1D103.
1E102 "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o
"desenvolvimento" dos "suportes lógicos" referidos no ponto
1D103.
6B008 Sistemas pulsantes para a medição da secção transversal de
radares, que emitam impulsos de duração igual ou inferior a
100 ns, e componentes especialmente concebidos para esses
sistemas
NB: VER TAMBÉM 6B108.
6B108 Sistemas especialmente concebidos para a medição da secção
transversal dos radares utilizáveis para "mísseis" e respectivos
subsistemas.
Produtos do âmbito do controlo estratégico comunitário
1C239 Produtos altamente explosivos não especificados na Lista de
Material de Guerra, ou substâncias ou misturas com mais de 2 %
desses explosivos, de densidade cristalina superior a 1,8 g/cm3e
com uma velocidade de detonação superior a 8 000 m/s.
3A002.g.2 Padrões atómicos de frequência com uma das seguintes
características:
2. Serem "qualificados para uso espacial".
3A229 Dispositivos de ignição e geradores de impulsos de alta corrente
equivalentes.
NB: VER TAMBÉM A LISTA DE MATERIAL DE
GUERRA
3A232 Detonadores e sistemas de desencadeamento multipontos …
NB: VER TAMBÉM A LISTA DE MATERIAL DE
GUERRA
6A001 Acústica, limitada aos seguintes sistemas e equipamentos:2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 218
(1) As diferenças de redacção/âmbito entre o Anexo I e o Anexo IV estão assinaladas a
negro e em itálico.
▼M3
6A001.a.1.b. Sistemas de detecção ou de localização de objectos com uma das
seguintes características:
1. Frequência de transmissão inferior a 5 kHz ;
2. Nível de pressão sonora superior a 224 dB (referência: 1 µPa a
1 m), no que se refere aos equipamentos com frequência de
funcionamento na banda compreendida entre 5 kHze 24 kHz,
inclusive;
3. Nível de pressão sonora …;
4. Formação de feixes …;5. Concebidos para funcionar …;6. Concebidos para suportar, …;
6A001.a.2.a.1. Hidrofones … com uma das seguintes características:
6A001.a.2.a.2. Hidrofones … dotados de …6A001.a.2.a.5. Hidrofones … concebidos para …
6A001.a.2.b. Trem de hidrofones acústicos rebocados …
6A001.a.2.c. Equipamentos de processamento, especialmente concebidos para
aplicação em tempo real com agregados de hidrofones acústicos
rebocados, com "programabilidade acessível ao utilizador" e
processamento e correlação do domínio tempo ou frequência,
incluindo análise espectral, filtragem digital e formação de feixe
por intermédio da transformação rápida de Fourier, ou de outras
transformações ou processos;
6A001.a.2.d. Sensores de rumo …
6A001.a.2.e. Sistemas de cabos submarinos, de fundo ou suspensos, com uma
das seguintes características:
1. Incluírem módulos de hidrofones referidos em 6A001.a.2.a.;
2. Incluírem multiplexagem dos sinais do grupo de hidrofones …
6A001.a.2.f. Equipamentos de processamento, especialmente concebidos para
aplicação em tempo real com sistemas de cabos submarinos, de
fundo ou suspensos, com "programabilidade acessível ao
utilizador" e processamento e correlação do domínio tempo ou
frequência, incluindo análise espectral, filtragem digital e
formação de feixe por intermédio da transformação rápida de
Fourier, ou de outras transformações ou processos;
6D003.a. "Suportes lógicos" para "processamento em tempo real" de dados
acústicos;
8A002.o.3. Sistemas de redução do ruído concebidos para utilização em
navios com um deslocamento igual ou superior a 1 000 toneladas:
a) Sistemas que atenuem os ruídos subaquáticos de frequência
inferior a 500 Hz, constituídos por apoios acústicos compostos
para o isolamento acústico de motores diesel, grupos geradores
com motores diesel, turbinas a gás, grupos geradores com
turbinas a gás, motores de propulsão ou caixas de redução da
propulsão, especialmente concebidos para o isolamento
acústico ou das vibrações e com uma massa intermédia
superior a 30 % da massa do equipamento a montar;
b) Sistemas activos de redução ou de anulação do ruído, ou
chumaceiras magnéticas, especialmente concebidos para
sistemas de transmissão de potência, com sistemas electró-
nicos de controlo, capazes de reduzir activamente as vibrações
dos equipamentos através da geração de sinais anti-ruído ou
anti-vibração dirigidos à fonte;
8A002.p. Sistemas de propulsão por jacto de potência superior a 2,5 MW
que façam uso de técnicas que utilizem tubeiras divergentes e
palhetas de condicionamento do fluxo para melhorar a eficiência
da propulsão ou reduzir o ruído subaquático gerado pelo sistema
de propulsão;
8D002 "Suporte lógico" específico, especialmente concebido ou modi-
ficado para o "desenvolvimento", "produção", reparação, revisão
geral ou rectificação (nova maquinagem) de hélices especial-
mente concebidas para a redução do ruído subaquático;
8E002.a. "Tecnologia" para o "desenvolvimento", "produção", reparação,
revisão geral ou rectificação (nova maquinagem) de hélices
especialmente concebidas para a redução do ruído subaquático.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 219
▼M3
Produtos do âmbito do controlo estratégico comunitário — Criptografia —
Categoria 5, Parte 2
5A002.a.2. Concebidos ou modificados para a utilização de criptografia.5D002.c.1. Apenas os suportes lógicos que apresentem as características ou
realizem ou simulem as funções dos equipamentos referidos em
5A002.a.2.
5E002 "Tecnologia" para o "desenvolvimento", "produção" ou "utili-
zação" de equipamentos ou "suportes lógicos" referidos em
5D002.c.1.
Produtos do âmbito da tecnologia MTCR
7A117 Conjuntos de orientação, utilizáveis em "mísseis", capazes de
uma precisão de sistema igual ou inferior a 3,33 % da distância
(p.ex., uma probabilidade de erro circular igual ou inferior a
10 km numa distância de 300 km), excepto "conjuntos de
orientação" concebidos para mísseis com um alcance inferior a
300 km ou para aviões tripulados .
7B001 Equipamentos de ensaio, calibragem ou alinhamento, especial-
mente concebidos para os equipamentos especificados em 7A117 .
Nota: O ponto 7B001 não abrange os equipamentos de ensaio,
calibragem ou alinhamento destinados à manutenção de
nível I ou à manutenção de nível II.
7B003 Equipamentos especialmente concebidos para a "produção" de
equipamentos especificados em 7A117 .
Nota: O ponto 7B003 inclui:
a. Estações de ensaio para a afinação de giroscópios;
b. Estações de equilibragem dinâmica de giroscópios;
c. Estações de rodagem/de ensaio de motores de
giroscópios;
d. Estações de esvaziamento e enchimento de giroscó-
pios;
e. Centrifugadoras para rolamentos de giroscópias;
f. Estações de alinhamento de eixos de acelerómetros.
7B103 "Instalações de produção" especialmente concebidas para equi-
pamentos especificados em 7A117 .
7D101 "Suporte lógico" especialmente concebido para a "utilização" de
equipamentos especificados em 7B003 ou 7B103.
7E001 "Tecnologia" na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o
"desenvolvimento" dos equipamentos ou do "suporte lógico"
especificados em 7A117, 7B003, 7B103 ou 7D101.
7E002 "Tecnologia" na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para a
"produção" dos equipamentos especificados em 7A117, 7B003,
7B103.
7E101 "Tecnologia" na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para a
"utilização" dos equipamentos especificados em 7A117, 7B003,
7B103 ou 7D101.
9A004 Veículos lançadores espaciais [capazes de transportar cargas
úteis de pelo menos 500 kg a uma distância mínima de 300 km]
NB: VER TAMBÉM 9A104.
Nota 1: O ponto 9A004 não abrange as cargas úteis.
9A005 Sistemas de propulsão constituídos por foguetes de combustível
líquido que contenham um dos sistemas ou componentes
especificados em 9A006, utilizáveis em veículos lançadores
espaciais especificados no ponto 9A004 ou foguetes-sonda
mencionados no ponto 9A104.
NB: VER TAMBÉM 9A105 E 9A119.
9A007.a Sistemas de propulsão constituídos por foguetes de combustível
sólido, utilizáveis em veículos lançadores espaciais especificados
no ponto 9A004 ou foguetes-sonda mencionados no ponto
9A104,com uma das seguintes características:
NB: VER TAMBÉM 9A119.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 220
▼M3
a. Capacidade total de impulso superior a 1,1 MNs;
9A008.d Componentes especialmente concebidos para sistemas de
propulsão constituídos por foguetes de combustível sólido:
NB: VER TAMBÉM 9A108.c.
d. Tubeiras móveis ou sistemas de controlo do vector de impulso
por injecção secundária de fluido, utilizáveis em veículos
lançadores espaciais especificados no ponto 9A004 ou
foguetes-sonda mencionados no ponto 9A104, capazes de:
1. Movimentos omni-axiais superiores a ± 5 graus;
2. Velocidades angulares do vector de 20 graus/s ou mais; ou
3. Acelerações angulares do vector de 40 graus/s2ou mais.
9A104 Foguetes-sonda, capazes de transportar uma carga útilde pel o
menos 500 kg a uma distância mínima de 300 km.
NB: VER TAMBÉM 9A004.
9A105.a Motores de foguete de combustível líquido:
NB: VER TAMBÉM 9A119.
a. Motores de foguete de combustível líquido utilizáveis em
"mísseis", diferentes dos especificados em 9A005, com uma
capacidade total de impulso igual ou superior a 1,1 MNs,
excepto motores de combustívell íquido de apogeu, conce-
bidos ou modificados para utilização em satélites, com as
seguintes características:
1.diâmetro da tubeira não superior a 20 mm; e
2.pressão da câmara de combustão não superior a 15 bar;
9A106.c Sistemas ou componentes, diferentes dos especificados em
9A006, utilizáveis em "mísseis", especialmente concebidos para
sistemas de propulsão constituídos por foguetes de combustível
líquido:
c. Subsistemas de controlo do vector de impulso, com excepção
dos concebidos para sistemas de foguetes que não podem
transportar uma carga útilde pel o menos 500 kg a uma
distância de pelo menos 300 km .
Nota técnica:
Exemplos de métodos utilizados para conseguir o controlo do
vector de impulso, especificados em 9A106.c.:
1. Tubeira flexível;
2. Injecção de fluido ou de gás secundário;3. Motor ou tubeira orientáveis;4. Deflexão do fluxo de gases de escape (palhetas ou sondas);
ou
5. Compensadores de impulso.
9A108.c Componentes, diferentes dos especificados em 9A008, utilizáveis
em "mísseis", especialmente concebidos para sistemas de
propulsão constituídos por foguetes de combustível sólido:
c. Subsistemas de controlo do vector de impulso, com excepção
dos concebidos para sistemas de foguetes que não podem
transportar uma carga útilde pel o menos 500 kg a uma
distância de pelo menos 300 km .
Nota técnica:
Exemplos de métodos utilizados para conseguir o controlo do
vector de impulso, especificados em 9A108.c.:
1. Tubeira flexível;
2. Injecção de fluido ou de gás secundário;3. Motor ou tubeira orientáveis;4. Deflexão do fluxo de gases de escape (palhetas ou sondas);
ou
5. Compensadores de impulso.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 221
▼M3
9A116 Veículos de reentrada, utilizáveis em "mísseis", e equipamentos
concebidos ou modificados para os mesmos:
a. Veículos de reentrada, excepto veículos de reentrada conce-
bidos para cargas úteis sem armamento;
b. Blindagens térmicas e seus componentes, fabricados com
materiais cerâmicos ou ablativos;
c. Dissipadores de calor e seus componentes, fabricados com
materiais ligeiros, de elevada capacidade térmica;
d. Equipamentos electrónicos especialmente concebidos para os
veículos de reentrada.
9A119 Andares de foguete, utilizáveis em sistemas de foguete completos
ou em veículos aeroespaciais não tripulados, capazes de trans-
portar uma carga útila uma distância de pelo menos 300 km,
diferentes dos referidos em 9A005 ou 9A007.a.
9B115 "Equipamento de produção" especialmente concebido para os
sistemas, subsistemas e componentes especificados em 9A005,
9A007.a, 9A008.d, 9A105.a, 9A106.c, 9A108.c, 9A116 ou
9A119.
9B116 "Instalações de produção" especialmente concebidas para os
veículos lançadores espaciais referidos em 9A004, ou para os
sistemas, subsistemas e componentes especificados em 9A005,
9A007.a, 9A008.d, 9A104, 9A105.a, 9A106.c, 9A108.c, 9A116
ou 9A119.
9D101 "Suporte lógico" especialmente concebido para a "utilização" dos
produtos especificados em 9B116;
9E001 "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o
"desenvolvimento" dos equipamentos ou "suportes lógicos"
especificados em 9A004, 9A005, 9A007.a., 9A008.d, 9B115,
9B116 ou 9D101.
9E002 "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para a
"produção" dos equipamentos especificados em 9A004, 9A005,
9A007.a., 9A008.d, 9B115 ou 9B116.
Nota: Quanto à "tecnologia" para a reparação das estruturas,
laminados ou materiais abrangidos, ver 1E002.f.
9E101 "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o
"desenvolvimento" ou "produção" dos bens especificados em
9A104, 9A105.a, 9A106.c, 9A108.c, 9A116 ou 9A119.
9E102 "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre "Tecnologia", para
a "utilização" dos veículos lançadores espaciais especificados em
9A004, 9A005, 9A007.a, 9A008.d, 9A104, 9A105.a, 9A106.c,
9A108.c, 9A116, 9A119, 9B115, 9B116 ou 9D101.
Isenções:
O Anexo IV não abrange os seguintes produtos do âmbito da tecnologia MTCR:
1. Produtos transferidos com base em encomendas colocadas pela Agência
Espacial Europeia (AEE), nos termos de uma relação contratual, ou
transferidos pela AEE no exercício das suas funções oficiais;
2. Produtos transferidos com base em encomendas colocadas pelas organizações
espaciais nacionais dos Estados-Membros, nos termos de uma relação
contratual, ou transferidos por estas últimas no exercício das suas funções
oficiais;
3. Produtos transferidos com base em encomendas colocadas em ligação com
programas comunitários de desenvolvimento de lançamentos espaciais, e
produção, nos termos de uma relação contratual, assinados por dois ou mais
governos europeus;
4. Produtos transferidos para um local de lançamentos espaciais situado no
território aduaneiro de um Estado-Membro, excepto se esse Estado-Membro
controlar essas transferências em conformidade com o presente regulamento.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 222
▼M3
PARTE II
(impossibilidade de emissão de uma autorização geral nacional para o
comércio intracomunitário)
Produtos da Convenção sobre Armas Químicas
1C351.d.4 Rícino.1C351.d.5 Saxitoxina.
Produtos do âmbito da tecnologia NSG
Toda a categoria 0 do Anexo I está incluída no Anexo IV.
N.B: No caso dos produtos 0C003e0C004, apenas se destinarem a ser
utilizados num "reactor nuclear" (abrangido por 0A001.a).
1B226 Separadores electromagnéticos de isótopos concebidos para ou
equipados com fontes de iões simples ou múltiplas, capazes de
produzir um feixe iónico de intensidade de corrente total igual ou
superior a 50 mA.
Nota: O ponto 1B226abrange os separadores:
a. Capazes de enriquecer isótopos estáveis;
b. Cujas fontes de iões e colectores se situem no
interior do campo magnético, bem como as configu-
rações em que estes sejam exteriores ao campo.
1C012 Materiais a seguir enumerados:
Nota técnica:
Estes materiais são normalmente utilizados para fontes de calor
nucleares.
a. Plutónio sob qualquer forma, com um teor do isótopo plutónio-
-238 superior a 50 % em peso;
Nota: O ponto 1C012.a não abrange:
a. Exportações com um teor de plutónio igual ou
inferior a 1 g;
b. Exportações de 3 "gramas efectivos" ou menos,
quando contidas em elementos sensores de
instrumentos.
b. Neptúnio-237 "previamente separado", sob qualquer forma.
Nota: O ponto 1C012.b não abrange exportações com um
teor de neptúnio-237 igual ou inferior a 1 g.
1B231 Instalações ou equipamentos para trítio:
a. Instalações para a produção, recuperação, extracção, concen-
tração ou manuseamento de trítio.
b. Equipamento para instalações de trítio:
1. Unidades de refrigeração a hidrogénio ou hélio capazes de
arrefecer até temperaturas iguais ou inferiores a 23 K (−
250 ºC), com capacidade de refrigeração superior a
150 watts;
2. Sistemas de armazenagem e de purificação de isótopos de
hidrogénio que utilizem hidretos metálicos como meio de
armazenagem ou de purificação.
1B233 Instalações ou equipamentos de separação de isótopos de lítio:
a. Instalações para a separação de isótopos de lítio;
b. Equipamento para a separação de isótopos de lítio, designada-
mente:
1. Colunas de permuta líquido-líquido com enchimento
compacto especialmente concebidas para amálgamas de
lítio;
2. Bombas de amálgama de mercúrio ou lítio;
3. Células de electrólise da amálgama de lítio;
4. Evaporadores para soluções de hidróxido de lítio concen-
tradas.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 223
▼M3
1C233 Lítio enriquecido no isótopo 6 (6Li) para um valor superior ao da
sua ocorrência natural e produtos ou dispositivos que contenham
lítio enriquecido, designadamente: lítio elementar, ligas,
compostos ou misturas contendo lítio, produtos de qualquer
destes materiais, e resíduos ou sucata dos mesmos.
Nota: O ponto 1C233 não abrange os dosímetros termolumi-
nescentes.
Nota técnica:
A ocorrência natural do isótopo 6no lítio é de aproximadamente
6,5 % em massa (7,5 átomos em cada cem).
1C235 Trítio, compostos de trítio e misturas com trítio nas quais a razão
entre o trítio e o hidrogénio, em termos de número de átomos,
exceda 1:1000, e produtos ou dispositivos que contenham
qualquer destes materiais.
Nota: O ponto 1C235 não abrange produtos ou dispositivos
que contenham menos de 1,48 × 103GBq (40 Ci) de
trítio.
1E001 "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o
"desenvolvimento" ou "produção" dos equipamentos ou materiais
referidos em 1C012.
1E201 "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para a
"utilização" dos bens referidos em 1B226, 1B231, 1B233, 1C233,
1C235 ou 1C239.
3A201 Componentes electrónicos, excepto os referidos em 3A001:
a. Condensadores com um dos seguintes conjuntos de caracterís-
ticas:
1. a. Tensão nominal superior a 1,4 kV;
b. Armazenamento de energia superior a 10J;
c. Capacidade superior a 0,5 µF; e
d. Indutância série inferior a 50 nH; ou
2. a. Tensão nominal superior a 750 V;
b. Capacidade superior a 0,25 µF; e
c. Indutância série inferior a 10 nH;
3A228 Dispositivos de comutação:
a. Válvulas de cátodo frio, cheias ou não com gás, que funcionam
como espinterómetros, com as seguintes características:
1. Três ou mais eléctrodos;
2. Tensão anódica nominal de pico igual ou superior a 2,5 kV;3. Corrente anódica nominal de pico igual ou superior a 100 A;
e
4. Tempo de atraso no ânodo igual ou inferior a 10 µs.
Nota: 3A228 inclui válvulas de gás kryton e válvulas de
vácuo sprytron
b. Espinterómetros controlados por impulso com ambas as
seguintes características:
1. Tempo de atraso no ânodo igual ou inferior a 15 µs; e
2. Corrente nominal de pico igual ou superior a 500 A;
c. Módulos ou conjuntos com uma função de comutação rápida,
com as seguintes características:
1. Tensão anódica nominal de pico superior a 2 kV;
2. Corrente anódica nominal de pico igual ou superior a 500 A;
e
3. Tempo de arranque igual ou inferior a 1 µs.
3A231 Sistemas geradores de neutrões, incluindo válvulas, com ambas as
seguintes características:
a. Serem concebidos para funcionamento sem sistema de vácuo
externo; e
b. Utilizarem a aceleração electrostática para induzir uma
reacção nuclear trítio-deutério.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 224
▼M3
3E201 "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para a
"utilização" de equipamentos referidos em 3A201.a., 3A228,
3A229, 3A231 ou 3A232.
6A203 Aparelhos de captação e registo ou de captação e formação de
imagens e respectivos componentes não referidos em 6A003:
a. Máquinas fotográficas mecânicas de espelho rotativo e
componentes especialmente concebidos para as mesmas:
1. Máquinas fotográficas de imagens separadas com veloci-
dades de registo superiores a 225 000 imagens por segundo;
2. Máquinas fotográficas de registo contínuo com velocidades
de registo superiores a 0,5 mm por microssegundo;
Nota: Em 6A203.a., os componentes destas máquinas
incluem as respectivas unidades sincronizadoras
electrónicas e conjuntos de rotor constituídos por
turbinas, espelhos e chumaceiras.
b. Máquinas fotográficas electrónicas de registo contínuo e de
imagens separadas e respectivos tubos e dispositivos:
1. Máquinas fotográficas electrónicas de registo contínuo com
resolução temporal igual ou inferior a 50 ns;
2. Tubos de registo contínuo para as máquinas especificadas
em 6A203.b.1;
3. Máquinas fotográficas electrónicas (ou com obturador
electrónico) de imagens separadas com tempo de exposição
por imagem igual ou inferior a 50 ns;
4. Tubos de imagens separadas e dispositivos integrados para
imagem para utilização nas máquinas fotográficas abran-
gidas por 6A203.b.3:
a. Tubos de intensificação de imagem focados a curta
distância com o fotocátodo depositado num revesti-
mento condutor transparente, de modo a reduzir a
resistência superficial do fotocátodo;
b. Tubos vidicon com placa intensificadora de silício
(SIT), caracterizados por um sistema rápido que permite
modular os fotoelectrões provenientes do fotocátodo
antes de estes incidirem na placa SIT;
c. Obturadores electro-ópticos com célula de Kerr ou de
Pockels; ou
d. Outros tubos de imagens separadas e outros dispositivos
integrados para imagem com tempo de selecção de
imagens rápidas inferior a 50 ns, especialmente
concebidos para as máquinas fotográficas referidas em
6A203.b.3;
6A225 Interferómetros de velocidade para medição de velocidades
superiores a 1 km/s durante períodos inferiores a 10 microsse-
gundos.
Nota: 6A225 abrange interferómetros de velocidade como os
VISAR (Velocity Interferometer System for Any
Reflector) e os DLI (Doppler laser interferometers).
6A226 Sensores de pressão:
a. Manómetros de manganina para pressões superiores a 10 GPa;
b. Transdutores de pressão de quartzo para pressões superiores a
10 GPa
6E201 "Tecnologia", na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para a
"utilização" dos equipamentos referidos em 6A203.a., 6A203.b.,
6A225 ou 6A226.2000R1334 — PT — 19.01.2002 — 003.001 — 225