International Center for Quantum Optics and Quantum Technologies (the Russian Quantum Center);

Forensic Center of Nizhniy Novgorod Region Main Directorate of the Ministry of Interior Affairs (Dyrekcja Generalna Ośrodka Kriminalistyki Obwodu niżnonowogrodzkiego w Ministerstwie Spraw Wewnętrznych);

Federal State Budgetary Enterprise Special Flight Unit Rossiya of the Administration of the President of Russia (Federalne Państwowe Przedsiębiorstwo Budżetowe Special Flight Unit Rossiya Administracji Prezydenta Rosji);

Federal State Budgetary Enterprise of the Administration of the President of Russia (Federalne Państwowe Przedsiębiorstwo Budżetowe Administracji Prezydenta Rosji);

Communication center of the Ministry of Defense (Centrum Informacyjne Ministerstwa Obrony);

Moscow Institute of Physics and Technology (Moskiewski Instytut Fizyki i Technologii);

1.prędkość eksploatacyjną co najmniej 5 gigaflopsów i jednostkę arytmetyczno-logiczną z szyną dostępu na co najmniej 32 bity;

Definicje terminów stosowanych we wspólnym wykazie uzbrojenia (CML) Unii Europejskiej (2020/C 85/01) mają zastosowanie do niniejszego załącznika.

Do niniejszego załącznika mają zastosowanie uwagi ogólne, akronimy i skróty oraz definicje w załączniku I do rozporządzenia (UE) 2021/821 z wyjątkiem „Części I – Uwagi ogólne, akronimy i skróty oraz definicje, uwagi ogólne do załącznika I, pkt 2.”.

l.układy lub systemy magazynowania energii elektromagnetycznej zawierające podzespoły wykonane z materiałów „nadprzewodzących”, specjalnie zaprojektowane do pracy w temperaturach poniżej „temperatury krytycznej” co najmniej jednego z elementów „nadprzewodzących” i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

Uwaga:Pozycja X.B.I.001.b obejmuje kontrolą również urządzenia używane do stosowania w produkcji innych urządzeń, takich jak urządzenia do przetwarzania obrazu, urządzenia elektrooptyczne, urządzenia do fal akustycznych lub zmodyfikowane w tym celu.

a.urządzenia specjalnie zaprojektowane do produkcji lamp elektronowych, elementów optycznych oraz specjalnie zaprojektowane podzespoły do nich objęte kontrolą według pozycji 3A001 lub X.A.I.001;

X.B.I.001Następujące urządzenia do produkcji elektronicznych podzespołów lub materiałów oraz specjalnie zaprojektowane podzespoły i akcesoria do nich.

a.przemienniki częstotliwości zdolne do pracy w zakresie częstotliwości 300–600 Hz, inne niż określone we wspólnym wykazie uzbrojenia lub w rozporządzeniu (UE) 2021/821;

X.A.I.003Następujące specjalistyczne urządzenia do przetwarzania, inne niż określone we wspólnym wykazie uzbrojenia lub w rozporządzeniu (UE) 2021/821:

f.sprzęt wzmacniany magnetycznie do ‘rozpylania jonowego’ ze ‘specjalnie zaprojektowanymi’ blokadami ładunkowymi, zdolny do przenoszenia płytek w izolowanym środowisku próżniowym;

2.zdolność do wytwarzania warstwy dowolnego materiału innego niż krzem o równomiernej grubości płytki półprzewodnikowej z dokładnością co najmniej ±3,5 %; lub

c. zdolność do ciągnięcia kryształów o średnicy przekraczającej 100 mm;

1.urządzenia do wyżarzania lub rekrystalizacji, inne niż piece stałotemperaturowe, wykorzystujące wysokie szybkości transferu energii, zdolne do przetwarzania płytek półprzewodnikowych z szybkością przekraczającą 0,005 m2 na minutę;

1.następujący sprzęt do przetwarzania materiałów do produkcji urządzeń i podzespołów wymienionych w pozycji X.B.I.001.b:

3.zoptymalizowanie do działania przy energii wiązki (napięciach przyspieszających) poniżej 10 keV; lub

4.zdolność do wysokoenergetycznej implantacji tlenu w podgrzane „podłoże”;

h.następujące urządzenia ze ‘sterowaniem zaprogramowanym w pamięci’ do selektywnego usuwania (trawienia) za pomocą suchych metod anizotropowych (np. za pomocą plazmy):

1.‘typy do serii’ posiadające którąkolwiek z niżej wyszczególnionych cech:

a.wykrywanie punktów końcowych inne niż typy oparte na optycznej spektroskopii emisyjnej; lub

b.ciśnienie robocze reaktora (trawienie) jest nie większe niż 26,66 Pa;

2.‘typy do pojedynczych płytek’ posiadające którąkolwiek z niżej wyszczególnionych cech:

a.wykrywanie punktów końcowych inne niż typy oparte na optycznej spektroskopii emisyjnej;

b.ciśnienie robocze reaktora (trawienie) jest nie większe niż 26,66 Pa; lub

c.podawanie płytek za pomocą urządzeń typu kaseta-kaseta i load-lock;

Uwagi: 1. ‘typy do serii’ odnoszą się do maszyn, które nie są specjalnie zaprojektowane do produkcji pojedynczych płytek. Takie maszyny mogą przetwarzać co najmniej dwie płytki jednocześnie przy wspólnych parametrach procesu (np. moc w zakresie fal radiowych , temperatura, rodzaj gazu trawiącego, szybkość przepływu);

2. ‘typy do pojedynczych płytek’ odnoszą się do maszyn, które są specjalnie zaprojektowane do produkcji pojedynczych płytek. maszyny te mogą wykorzystywać techniki automatycznego podawania płytek do załadowywania pojedynczej płytki do urządzeń do przetwarzania. Definicja obejmuje urządzenia, które mogą ładować i przetwarzać kilka płytek, ale w przypadku których parametry trawienia, np. moc znamionowa w zakresie fal radiowych lub punkt końcowy, można określić niezależnie dla każdej pojedynczej płytki.

i.urządzenia do „chemicznego osadzania z fazy gazowej” (CVD), np. CVD intensyfikowane za pomocą plazmy (PECVD) lub CVD wzmacniane fotowoltaicznie, do produkcji urządzeń półprzewodnikowych, do osadzania tlenków, azotków, metali lub krzemu multikrystalicznego, posiadające jedną z następujących właściwości:

1.urządzenia do „chemicznego osadzania z fazy gazowej” działające poniżej 105 Pa; lub

2.urządzenia PECVD pracujące poniżej 60 Pa lub wyposażone w automatyczne podawanie płytek za pomocą urządzeń typu kaseta-kaseta i load-lock;

Uwaga:Pozycja X.B.I.001.b.1.i nie obejmuje kontrolą systemów niskociśnieniowego „chemicznego osadzania z fazy gazowej” (LPCVD) ani urządzeń reaktywnych do „rozpylania jonowego”.

j.systemy wiązek elektronów specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do wytwarzania masek lub przetwarzania urządzeń półprzewodnikowych, posiadające którąkolwiek z niżej wymienionych cech:

1.odchylenie wiązki elektrostatycznej;

2.profilowany, niegaussowski profil wiązki;

3.prędkość przetwarzania analogowo-cyfrowego powyżej 3 MHz;