(5)

Poniższe przedsiębiorstwa naruszyły art. 101 TFUE i art. 53 Porozumienia EOG przez to, że uczestniczyły w podanych niżej okresach w praktykach sprzecznych z zasadami konkurencji, polegających na zmowie cenowej wobec głównych producentów OEM komputerów typu PC i serwerów w odniesieniu, odpowiednio, do pamięci DRAM i Rambus-DRAM: a) Micron Technology, Inc. od dnia 1 lipca 1998 r. do dnia 15 czerwca 2002 r.; b) Micron Europe Limited od dnia 1 lipca 1998 r. do dnia 15 czerwca 2002 r.; c) Micron Semiconductor (Deutschland) GmbH od dnia 1 lipca 1998 r. do dnia 15 czerwca 2002 r.; d) Infineon Technologies AG od dnia 14 listopada 1998 r. do dnia 15 czerwca 2002 r.; e) Hynix Semiconductor Inc. od dnia 1 lipca 1998 r. do dnia 15 czerwca 2002 r.; f) Hynix Semiconductor Europe Holding Ltd. od dnia 1 lipca 1998 r. do dnia 15 czerwca 2002 r.; g) Hynix Semiconductor Deutschland GmbH od dnia 1 lipca 1998 r. do dnia 15 czerwca 2002 r.; h) Hynix Semiconductor United Kingdom, Ltd. od dnia 1 lipca 1998 r. do dnia 15 czerwca 2002 r.; i) Samsung Electronics Co. Ltd. od dnia 1 lipca 1998 r. do dnia 15 czerwca 2002 r. w odniesieniu do pamięci DRAM (oraz od dnia 9 kwietnia 2001 r. do dnia 15 czerwca 2002 r. w odniesieniu do pamięci Rambus-DRAM); j) Samsung Semiconductor Europe GmbH od dnia 1 lipca 1998 r. do dnia 15 czerwca 2002 r. w odniesieniu do pamięci DRAM (oraz od dnia 9 kwietnia 2001 r. do dnia 15 czerwca 2002 r. w odniesieniu do pamięci Rambus-DRAM); k) Samsung Semiconductor Europe Ltd. od dnia 1 lipca 1998 r. do dnia 15 czerwca 2002 r. w odniesieniu do pamięci DRAM (oraz od dnia 9 kwietnia 2001 r. do dnia 15 czerwca 2002 r. w odniesieniu do pamięci Rambus-DRAM); l) Samsung Semiconductor France Sarl od dnia 1 lipca 1998 r. do dnia 15 czerwca 2002 r. w odniesieniu do pamięci DRAM (oraz od dnia 9 kwietnia 2001 r. do dnia 15 czerwca 2002 r. w odniesieniu do pamięci Rambus-DRAM); m) NEC Corporation od 1 lipca 1998 r. do dnia 28 lutego 2001 r. oraz pośrednio poprzez spółkę Elpida od dnia 1 marca 2001 r. do dnia 15 czerwca 2002 r.; n) Renesas Electronics Europe GmbH (wcześniej NEC Electronics (Europe) GmbH do dnia 1 kwietnia 2010 r.) od dnia 1 lipca 1998 r. do dnia 28 lutego 2001 r.; o) NEC Electronics (UK) Ltd. od dnia 1 lipca 1998 r. do dnia 28 lutego 2001 r.; p) Hitachi Ltd. od dnia 9 listopada 1998 r. do dnia 28 lutego 2001 r. oraz pośrednio poprzez spółkę Elpida od dnia 1 marca 2001 r. do dnia 15 czerwca 2002 r.; q) Hitachi Europe Ltd. od dnia 9 listopada 1998 r. do dnia 28 lutego 2001 r.; r) Mitsubishi Electric Corp. od dnia 24 listopada 1998 r. do dnia 15 czerwca 2002 r.; s) Mitsubishi Electric Europe BV od dnia 24 listopada 1998 r. do dnia 15 czerwca 2002 r.; t) Toshiba Corp. od dnia 1 lipca 1998 r. do dnia 22 kwietnia 2002 r. w odniesieniu do pamięci DRAM (oraz od dnia 9 kwietnia 2001 r. do dnia 22 kwietnia 2002 r. w odniesieniu do pamięci Rambus-DRAM); u) Toshiba Electronics Europe GmbH od dnia 1 lipca 1998 r. do dnia 22 kwietnia 2002 r. w odniesieniu do pamięci DRAM (oraz od dnia 9 kwietnia 2001 r. do dnia 22 kwietnia 2002 r. w odniesieniu do pamięci Rambus-DRAM); v) Elpida Memory Inc. od dnia 1 marca 2001 r. do dnia 15 czerwca 2002 r. w odniesieniu do pamięci DRAM (oraz od dnia 9 kwietnia 2001 r. do dnia 15 czerwca 2002 r. w odniesieniu do pamięci Rambus-DRAM); w) Elpida Memory (Europe) GmbH od dnia 1 marca 2001 r. do dnia 15 czerwca 2002 r. w odniesieniu do pamięci DRAM (oraz od dnia 9 kwietnia 2001 r. do dnia 15 czerwca 2002 r. w odniesieniu do pamięci Rambus-DRAM); x) Nanya Technology Corp. od dnia 12 października 2001 r. do dnia 15 czerwca 2002 r.