X.B.I.001

Następujące urządzenia do produkcji elektronicznych podzespołów lub materiałów oraz specjalnie zaprojektowane podzespoły i akcesoria do: a. urządzenia specjalnie zaprojektowane do produkcji lamp elektronowych, elementów optycznych oraz specjalnie zaprojektowane podzespoły do nich objęte kontrolą według pozycji 3A001 (2) lub X.A.I.001; b. następujące urządzenia specjalnie zaprojektowane do produkcji urządzeń półprzewodnikowych, układów scalonych i »zespołów elektronicznych« oraz systemy zawierające taki sprzęt lub mające jego cechy: Uwaga: Pozycja X.B.I.001.b obejmuje kontrolą również urządzenia używane do stosowania w produkcji innych urządzeń, takich jak urządzenia do przetwarzania obrazu, urządzenia elektrooptyczne, urządzenia do fal akustycznych lub zmodyfikowane w tym celu. 1. następujący sprzęt do przetwarzania materiałów do produkcji urządzeń i podzespołów wymienionych w pozycji X.B.I.001.b: Uwaga: Pozycja X.B.I.001 nie obejmuje kontrolą rur kwarcowych, wykładzin piecowych, łopatek, łodzi (z wyjątkiem specjalnie zaprojektowanych łodzi klatkowych), bełkotek, kaset lub tygli specjalnie zaprojektowanych do urządzeń przetwórczych objętych kontrolą według pozycji X.B.I.001.b.1. a. urządzenia do produkcji krzemu polikrystalicznego i materiałów objętych kontrolą według pozycji 3C001 (3); b. urządzenia specjalnie zaprojektowane do oczyszczania lub przetwarzania materiałów półprzewodnikowych III/V i II/VI objętych kontrolą według pozycji 3C001, 3C002, 3C003, 3C004 lub 3C005 (4), z wyjątkiem wyciągarek kryształów, dla których zob. X.B.I.001.b.1.c poniżej; c. następujące wyciągarki kryształów i piece: Uwaga: X.B.I.001.b.1.c nie obejmuje kontrolą pieców dyfuzyjnych i utleniających. 1. urządzenia do wyżarzania lub rekrystalizacji, inne niż piece stałotemperaturowe, wykorzystujące wysokie szybkości transferu energii, zdolne do przetwarzania płytek półprzewodnikowych z szybkością przekraczającą 0,005 m2 na minutę; 2. »pullery do wyciągania kryształów« sterowane programem zapisanym w pamięci« i posiadające którąkolwiek z niżej wymienionych cech: a. wielokrotne ładowanie bez wymiany tygla; b. zdolność do pracy przy ciśnieniach powyżej 2,5 x 105 Pa; lub c. zdolność do ciągnięcia kryształów o średnicy przekraczającej 100 mm; d. urządzenia do wytwarzania warstw epitaksjalnych »sterowane programem zapisanym w pamięci« posiadające którąkolwiek z następujących cech: 1. zdolność do wytwarzania warstwy krzemu o równomiernej grubości z dokładnością poniżej ±2,5 % na odcinku o długości 200 mm lub większej; 2. zdolność do wytwarzania warstwy dowolnego materiału innego niż krzem o równomiernej grubości płytki półprzewodnikowej z dokładnością co najmniej ±3,5 %; lub 3. rotacja poszczególnych płytek podczas przetwarzania; e. sprzęt wykorzystujący wiązkę molekularną do wytwarzania warstw epitaksjalnych; f. sprzęt wzmacniany magnetycznie do »rozpylania jonowego« ze »specjalnie zaprojektowanymi« blokadami ładunkowymi, zdolny do przenoszenia płytek w izolowanym środowisku próżniowym; g. sprzęt specjalnie zaprojektowany do implantacji jonów, dyfuzji wzmocnionej jonami lub fotowzmocnionej, posiadające którąkolwiek z niżej wymienionych cech: 1. zdolność do wytwarzania wzorów; 2. energia wiązki (napięcie przyspieszające) powyżej 200 keV; 3. zoptymalizowanie do działania przy energii wiązki (napięciach przyspieszających) poniżej 10 keV; lub 4. zdolność do wysokoenergetycznej implantacji tlenu w podgrzane »podłoże«; h. następujące urządzenia »sterowane programem zapisanym w pamięci« do selektywnego usuwania (trawienia) za pomocą suchych metod anizotropowych (np. za pomocą plazmy): 1. »typy do serii« posiadające którąkolwiek z niżej wyszczególnionych cech: a. wykrywanie punktów końcowych inne niż typy oparte na optycznej spektroskopii emisyjnej; lub b. ciśnienie robocze reaktora (trawienie) jest nie większe niż 26,66 Pa; 2. »typy do pojedynczych płytek« posiadające którąkolwiek z niżej wyszczególnionych cech: a. wykrywanie punktów końcowych inne niż typy oparte na optycznej spektroskopii emisyjnej; b. ciśnienie robocze reaktora (trawienie) jest nie większe niż 26,66 Pa; lub c. podawanie płytek za pomocą urządzeń typu kaseta-kaseta i load-lock Uwagi: 1. »Typy do serii« odnoszą się do maszyn, które nie są specjalnie zaprojektowane do produkcji pojedynczych płytek. Takie maszyny mogą przetwarzać co najmniej dwie płytki jednocześnie przy wspólnych parametrach procesu (np. moc w zakresie fal radiowych, temperatura, rodzaj gazu trawiącego, szybkość przepływu). 2. »Typy do pojedynczych płytek« odnosi się do maszyn, które są specjalnie zaprojektowane do produkcji pojedynczych płytek. maszyny te mogą wykorzystywać techniki automatycznego podawania płytek do załadowywania pojedynczej płytki do urządzeń do przetwarzania. Definicja obejmuje urządzenia, które mogą ładować i przetwarzać kilka płytek, ale w przypadku których parametry trawienia, np. moc znamionowa w zakresie fal radiowych lub punkt końcowy, można określić niezależnie dla każdej pojedynczej płytki. i. urządzenia do chemicznego osadzania z fazy gazowej (CVD), np. CVD intensyfikowane za pomocą plazmy (PECVD) lub CVD wzmacniane fotowoltaicznie, do produkcji urządzeń półprzewodnikowych, do osadzania tlenków, azotków, metali lub krzemu multikrystalicznego, posiadające jedną z następujących właściwości: 1. urządzenia do chemicznego osadzania z fazy gazowej działające poniżej 105 Pa; lub 2. urządzenia PECVD pracujące poniżej 60 Pa lub wyposażone w automatyczne podawanie płytek za pomocą urządzeń typu kaseta-kaseta i load-lock; Uwaga: Pozycja X.B.I.001.b.1.i nie obejmuje kontrolą systemów niskociśnieniowego chemicznego osadzania z fazy gazowej (LPCVD) ani urządzeń reaktywnych do »rozpylania jonowego«. j. systemy wiązek elektronów specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do wytwarzania masek lub przetwarzania urządzeń półprzewodnikowych, posiadające którąkolwiek z niżej wymienionych cech: 1. odchylenie wiązki elektrostatycznej; 2. profilowany, niegaussowski profil wiązki; 3. prędkość przetwarzania analogowo-cyfrowego powyżej 3 MHz; 4. dokładność przetwarzania analogowo-cyfrowego powyżej 12 bitów; lub 5. dokładność sterowania sprzężeniem zwrotnym »od celu do wiązki« (target-to-beam) 1 μm lub większa; Uwaga: Pozycja X.B.I.001.b.1.j nie obejmuje kontrolą systemów naparowywania elektronowego ani skaningowych mikroskopów elektronowych ogólnego przeznaczenia. k. następujące urządzenia do wykańczania powierzchni podczas obróbki płytek półprzewodnikowych: 1. specjalnie zaprojektowane urządzenia do obróbki odwrotnej strony płytek cieńszych niż 100 μm, a następnie ich oddzielania; lub 2. specjalnie zaprojektowane urządzenia do osiągania nierówności powierzchni czynnej przetworzonej płytki o wartości dwa sigma nie większej niż 2 μm, całkowitego wskazanego odczytu (TIR); Uwaga: Pozycja X.B.I.001.b.1.k nie obejmuje kontrolą urządzeń do jednostronnego docierania i polerowania do wykańczania powierzchni płytek. l. urządzenia łączące, które obejmują wspólne pojedyncze lub złożone komory próżniowe specjalnie zaprojektowane w celu umożliwienia integracji wszelkich urządzeń objętych kontrolą według pozycji X.B.I.001 w kompletny system; m. urządzenia »sterowane programem zapisanym w pamięci« wykorzystujące »lasery« do naprawy lub przycinania »monolitycznych układów scalonych«, posiadające jedną z niżej wymienionych cech: 1. dokładność pozycjonowania mniejsza niż ±1 μm; lub 2. rozmiar plamki (szerokość szczeliny) poniżej 3 μm; Uwaga techniczna: Do celów pozycji X.B.I.001.b.1 ‘Rozpylanie jonowe’ jest procesem powlekania, w którym naładowane dodatnio jony są przyspieszane przez pole elektryczne w kierunku powierzchni docelowej (materiał powłokowy). Energia kinetyczna padających jonów jest wystarczająca do wyrwania atomów z powierzchni materiału powłokowego i osadzenia ich na powierzchni podłoża. ( Uwaga: Rozpylanie jonowe za pomocą triody, magnetronowe i reakcyjne, które jest wykorzystywane do zwiększania przyczepności powłoki i wydajności osadzania jest zwykłą modyfikacją procesu). 2. następujące maski, podłoża, urządzenia do wytwarzania masek i urządzenia do przenoszenia obrazu do produkcji urządzeń i podzespołów wyszczególnionych w pozycji X.B.I.001: Uwaga: Termin maski odnosi się do masek stosowanych w litografii elektronowej, litografii rentgenowskiej i litografii ultrafioletowej, a także zwykłej fotolitografii w świetle ultrafioletowym i widzialnym. a. gotowe maski, siatki i wzory do nich, z wyjątkiem: 1. gotowych masek lub siatek do produkcji obwodów scalonych nieobjętych kontrolą według pozycji 3A001 (5); lub 2. masek lub siatek spełniające oba poniższe kryteria: a. ich konstrukcja opiera się na geometrii 2,5 μm lub większej; oraz b. projekt nie zawiera szczególnych cech umożliwiających zmianę zamierzonego zastosowania za pomocą urządzeń produkcyjnych lub »oprogramowania«; b. następujące podłoża maski: 1. »podłoża« pokryte twardą powierzchnią (np. chromem, krzemem, molibdenem) (np. szkło, kwarc, szafiry) do przygotowania masek o wymiarach przekraczających 125 mm x 125 mm; lub 2. podłoża specjalnie zaprojektowane do masek rentgenowskich; c. sprzęt, inny niż komputery ogólnego przeznaczenia, specjalnie zaprojektowany do wspomaganego komputerowo projektowania (CAD) urządzeń półprzewodnikowych lub układów scalonych; d. następujące maszyny lub sprzęt do produkcji masek lub siatek: 1. fotooptyczne kamery typu step-and-repeat zdolne do wytwarzania matryc o wymiarach większych niż 100 mm x 100 mm lub zdolne do pojedynczej ekspozycji większej niż 6 mm x 6 mm w płaszczyźnie obrazu (tj. ogniskowej) lub zdolne do wytwarzania szerokości linii poniżej 2,5 μm w substancji fotolitograficznej na »podłożu«; 2. urządzenia do wytwarzania masek lub siatek, wykorzystujące litografię jonową lub »laserową«, zdolne do wytwarzania linii o szerokości poniżej 2,5 μm; lub 3. urządzenia lub uchwyty do zmiany masek lub siatek lub do dodawania membran w celu usunięcia usterek; Uwaga: Pozycje X.B.I.001.b.2.d.1 i b.2.d.2 nie obejmują kontrolą urządzeń do wytwarzania masek przy użyciu metod fotooptycznych, które były dostępne na rynku przed dniem 1 stycznia 1980 r., lub o wydajności nie wyższej niż takie urządzenia. e. urządzenia »sterowane programem zapisanym w pamięci« do kontroli masek, siatek lub membran o: 1. rozdzielczości 0,25 μm lub większej; oraz 2. dokładności 0,75 μm lub większej na odcinku o jednej lub dwóch współrzędnych wynoszącym co najmniej 63,5 mm; Uwaga: Pozycja X.B.I.001.b.2.e nie obejmuje kontrolą skaningowych mikroskopów elektronowych ogólnego przeznaczenia, z wyjątkiem specjalnie zaprojektowanych i oprzyrządowanych do automatycznej kontroli wzorów. f. urządzenia pozycjonujące i naświetlające do produkcji płytek przy użyciu metod fotooptycznych lub rentgenowskich, np. sprzęt litograficzny, w tym zarówno sprzęt do przenoszenia obrazów poprzez projekcję, jak i metodę step-and-repeat (bezpośrednie działanie na płytkę) lub sprzęt skanujący (skaner), zdolny do wykonywania którejkolwiek z następujących funkcji: Uwaga: Pozycja X.B.I.001.b.2.f nie obejmuje kontrolą fotooptycznych urządzeń kontaktowych i zbliżeniowych do pozycjonowania i naświetlania masek lub przenoszenia obrazów kontaktowych. 1. wytwarzanie wzoru o wielkości mniejszej niż 2,5 μm; 2. pozycjonowanie z dokładnością większą niż ±0,25 μm (3 sigma); 3. nakładanie maszyna-maszyna nie lepsze niż ±0,3 μm; lub 4. źródło światła o długości fali krótszej niż 400 nm; g. wiązka elektronów, wiązka jonów lub urządzenia rentgenowskie do przenoszenia obrazów za pomocą projekcji zdolne do wytwarzania wzorów poniżej 2,5 μm; Uwaga: W przypadku systemów skupionej wiązki odchylanej (systemy z bezpośrednim zapisem), zob. X.B.I.001.b.1.j. h. urządzenia wykorzystujące »lasery« do bezpośredniego zapisu na płytkach, zdolne do wytwarzania wzorów poniżej 2,5 μm; 3. następujące urządzenia do montażu układów scalonych: a. urządzenie do mocowania płytki »sterowane programem zapisanym w pamięci« posiadające wszystkie niżej wymienione cechy: 1. specjalnie zaprojektowane dla »hybrydowych układów scalonych«; 2. skok pozycjonowania stolika X-Y przekracza 37,5 x 37,5 mm; oraz 3. dokładność umiejscowienia w płaszczyźnie X-Y jest mniejsza niż ±10 μm; b. urządzenia »sterowane programem zapisanym w pamięci« do tworzenia wielu połączeń w jednej operacji (np. urządzenia łączące beam lead, urządzenia łączące nośniki układów scalonych, urządzenia łączące taśmą); c. półautomatyczne lub automatyczne zgrzewarki na gorąco, w których nasadka jest podgrzewana lokalnie do temperatury wyższej niż korpus opakowania, specjalnie zaprojektowane do ceramicznych pakietów mikroukładów objętych kontrolą według pozycji 3A001 (6) i których przepustowość wynosi co najmniej jedno opakowanie na minutę; Uwaga: Pozycja X.B.I.001.b.3 nie obejmuje kontrolą spawarek punktowych oporowych o ogólnym przeznaczeniu. 4. filtry do pomieszczeń czystych zdolne do zapewnienia powietrza zawierającego nie więcej niż 10 cząstek o wielkości 0,3 μm na 0,02832 m3 oraz materiały filtrujące do nich. Uwaga techniczna: Do celów pozycji X.B.I.001 »sterowanie programem zapisanym w pamięci« oznacza sterowanie za pomocą instrukcji przechowywanych w pamięci elektronicznej, które procesor może wykonać w celu kierowania wykonywaniem z góry określonych funkcji Urządzenie może być ‘sterowane programem zapisanym w pamięci’ niezależnie od tego, czy pamięć elektroniczna jest wewnętrzna, czy też zewnętrzna względem urządzenia.