Nr Opis Pozycja z załącznika I do rozporządzenia (WE) nr 428/2009

IX.A3.001 Następujące produkty elektroniczne: a) następujące układy scalone ogólnego przeznaczenia: Uwagi: 1. Poziom kontroli płytek (gotowych lub niegotowych) posiadających wyznaczoną funkcję należy określać na podstawie parametrów podanych w pozycji 3A001.a. 2. Wśród układów scalonych rozróżnia się następujące typy: — „monolityczne układy scalone”; — „hybrydowe układy scalone”; — „wieloukłady scalone”; — „układy scalone warstwowe”, łącznie z układami scalonymi typu krzem na szafirze; — „optyczne układy scalone”; — „trójwymiarowe układy scalone”. — „monolityczne mikrofalowe układy scalone” („MMIC”). 3A001.a

IX.A3.002 układy scalone zaprojektowane lub oznaczone znamionowo jako zabezpieczone przed promieniowaniem jonizującym, wytrzymujące którekolwiek z poniższych: a) dawkę całkowitą 5 × 103 Gy (Si) lub wyższą; b) wzrost dawki o 5 × 106 Gy (Si)/s lub większy; lub c) fluencję (zintegrowany strumień) neutronów (ekwiwalent 1 MeV) o wartości 5 × 1 013 n/cm2 lub większej na krzemie, lub jej ekwiwalent na innym materiale; Uwaga: powyższa kategoria nie dotyczy struktur metal- izolator- półprzewodnik (MIS). 3A001.a.

IX.A3.003 „układy mikroprocesorowe”, „układy mikrokomputerowe” i układy do mikrosterowników, układy scalone pamięci wykonane z półprzewodników złożonych, przetworniki analogowo-cyfrowe, układy scalone zawierające przetworniki analogowo-cyfrowe i zapisujące lub przetwarzające dane przetworzone cyfrowo, przetworniki cyfrowo-analogowe, układy elektrooptyczne lub „optyczne układy scalone” do „przetwarzania sygnałów”, sieci bramek programowalne przez użytkownika, robione na zamówienie układy scalone o nieznanej ich producentowi funkcji lub statusie urządzenia, w którym miałyby być zainstalowane, procesory do Szybkiej Transformacji Fouriera (FFT), wymazywalne elektrycznie programowalne pamięci stałe (EEPROM), pamięci błyskowe, statyczne pamięci o dostępie swobodnym (SRAM) lub magnetorezystywne pamięci o dostępie swobodnym (MRAM), spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: a) przystosowane do pracy w temperaturze otoczenia powyżej 398 K (+125 °C), b) przystosowane do pracy w temperaturze otoczenia poniżej 218 K (– 55 °C), lub c) przystosowane do pracy w całym przedziale wartości temperatur od 218 K (– 55 °C) do 398 K (+125 °C). Uwaga: ta kategoria nie dotyczy układów scalonych do silników pojazdów cywilnych ani kolejowych. 3A001.a.2

IX.A3.004 elektrooptyczne układy scalone lub „optyczne układy scalone” zaprojektowane do „przetwarzania sygnałów” i spełniające wszystkie poniższe kryteria: a) jedna lub więcej wewnętrzna dioda „laserowa”; b) jeden lub więcej wewnętrzny element wykrywający światło; oraz c) prowadnica światłowodowa; 3A001.a.

IX.A3.005 4. programowalne przez użytkownika urządzenia logiczne spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: a) maksymalna liczba asynchronicznych cyfrowych wejść/wyjść wynosząca ponad 700; lub b) „łączna jednokierunkowa szczytowa prędkość przesyłu danych nadajnika-odbiornika szeregowego” wynosząca 500 Gb/s lub więcej; Uwaga: Kategoria ta obejmuje: — proste programowalne urządzenia logiczne (SPLD), — złożone programowalne urządzenia logiczne (CPLD), — tablice bramek programowalne przez użytkownika (FPGA), — tablice logiczne programowalne przez użytkownika (FPLA), — połączenia wewnętrzne programowalne przez użytkownika (FPIC). 3A001.a.

IX.A3.006 obwody scalone do sieci neuronowych; 3A001.a.

IX.A3.007 wykonywane na zamówienie układy scalone o nieznanej ich producentowi funkcji lub statusie sprzętu, w którym będzie zastosowany dany układ scalony, spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: a) posiadające ponad 1 500 końcówek; b) typowe „podstawowe opóźnienie przechodzenia sygnału przez bramkę” mniejsze niż 0,02 ns; lub c) częstotliwość robocza powyżej 3 GHz; 3A001.a.

IX.A3.008 obwody scalone bezpośredniego syntezera cyfrowego (DDS) spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: a) częstotliwość zegara przetwornika cyfrowo-analogowego (przetwornika DAC) wynosząca co najmniej 3,5 GHz i rozdzielczość przetwornika DAC wynosząca co najmniej 10 bitów, ale mniej niż 12 bitów; lub b) częstotliwość zegara przetwornika DAC wynosząca co najmniej 1,25 GHz i rozdzielczość przetwornika DAC wynosząca co najmniej 12 bitów; Uwaga techniczna: Częstotliwość zegara przetwornika DAC można określić jako częstotliwość zegara głównego lub częstotliwość zegara wejścia. 3A001.a.

IX.A3.009 następujące produkty mikrofalowe lub pracujące na falach milimetrowych: a) „elektroniczne urządzenia próżniowe” o fali bieżącej, fali impulsowej lub ciągłej; 1. urządzenia pracujące na częstotliwościach powyżej 31,8 GHz; 2. urządzenia posiadające podgrzewacz katody, z czasem uzyskania mocy znamionowej w zakresie fal radiowych wynoszącym poniżej 3 sekund; 3. sprzężone urządzenia wnękowe lub ich pochodne o „ułamkowej szerokości pasma” powyżej 7 % lub mocy szczytowej powyżej 2,5 kW; 4. urządzenia oparte na obwodach z prowadnicami spiralnymi, składanymi lub w kształcie serpentyny lub ich pochodne, spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: a. „chwilowa szerokość pasma” powyżej jednej oktawy oraz iloczyn mocy przeciętnej (wyrażonej w kW) i częstotliwości (wyrażonej w GHz) powyżej 0,5; b. „chwilowa szerokość pasma” poniżej jednej oktawy oraz iloczyn mocy przeciętnej (wyrażonej w kW) i częstotliwości (wyrażonej w GHz) powyżej 1; lub c. są „klasy kosmicznej”; lub d. posiadają wyrzutnię elektronów z elektrodą siatkową; 5. urządzenia o „chwilowej szerokości pasma” równej lub większej niż 10 %, spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: a. pierścieniowa wiązka elektronów; b. niesymetryczna osiowo wiązka elektronów; lub c. wielokrotne wiązki elektronów; b) „elektroniczne urządzenia próżniowe” wzmacniaczy o skrzyżowanych polach o wzmocnieniu powyżej 17 dB; c) katody termoelektronowe zaprojektowane do „elektronicznych urządzeń próżniowych”, wytwarzające prąd emisyjny w znamionowych warunkach pracy o gęstości powyżej 5 A/cm2 lub prąd pulsacyjny (nieciągły) w znamionowych warunkach pracy o gęstości powyżej 10 A/cm2; d) „elektroniczne urządzenia próżniowe” zdolne do pracy „w dwóch trybach”. Uwaga techniczna:„w dwóch trybach” oznacza, że w przypadku prądu wiązki „elektronicznego urządzenia próżniowego” można poprzez użycie siatki przełączać między pracą w trybie fali ciągłej i pracą w trybie pulsacyjnym, przy czym szczytowa moc wyjściowa pulsacyjna jest wyższa od mocy wyjściowej w trybie fali ciągłej. 3A001.b.

IX.A3.010 „monolityczny mikrofalowy układ scalony” (MMIC) wzmacniaczy spełniający którekolwiek z poniższych kryteriów: a) przystosowane do działania w zakresie częstotliwości powyżej 2,7 GHz i do 6,8 GHz włącznie, o „ułamkowej szerokości pasma” powyżej 15 % i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 75 W (48,75 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 2,7 GHz do 2,9 GHz włącznie; 2. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 55 W (47,4 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 2,9 GHz do 3,2 GHz włącznie; 3. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 40 W (46 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 3,2 GHz do 3,7 GHz włącznie; lub 4. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 20 W (43 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 3,7 GHz do 6,8 GHz włącznie; b) przystosowane do działania w zakresie częstotliwości powyżej 6,8 GHz i do 16 GHz włącznie, o „ułamkowej szerokości pasma” powyżej 10 % i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 10 W (40 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 6,8 GHz do 8,5 GHz włącznie; lub 2. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 5 W (37 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 8,5 GHz do 16 GHz włącznie; c) przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 3 W (34,77 dBm) na częstotliwościach przewyższających 16 GHz, do 31,8 GHz włącznie, i przy „ułamkowej szerokości pasma” wynoszącej powyżej 10 %; d) przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 0,1n W (– 70 dBm) na częstotliwościach przewyższających 31,8 GHz, do 37 GHz włącznie; e) przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 1 W (30 dBm) na częstotliwościach przewyższających 37 GHz, do 43,5 GHz włącznie, i przy „ułamkowej szerokości pasma” wynoszącej powyżej 10 %; f) przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 31,62 mW (15 dBm) na częstotliwościach przewyższających 43,5 GHz, do 75 GHz włącznie, i przy „ułamkowej szerokości pasma” wynoszącej powyżej 10 %; g) przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 10 mW (10 dBm) na częstotliwościach przewyższających 75 GHz, do 90 GHz włącznie, i przy „ułamkowej szerokości pasma” wynoszącej powyżej 5 %; lub h) przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 0,1 nW (– 70 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 90 GHz; Uwagi: 1. status MMIC, którego znamionowa częstotliwość robocza obejmuje częstotliwości zawarte w więcej niż jednym paśmie, jest określony przez najniższy próg mocy wyjściowej na granicy nasycenia. 2. ta kategoria nie dotyczy MMIC, jeśli są one specjalnie zaprojektowane do innych zastosowań, np. telekomunikacyjnych, radiolokacyjnych, motoryzacyjnych. 3A001.b.

IX.A3.011 dyskretne tranzystory mikrofalowe spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: a. przystosowane do działania w zakresie częstotliwości powyżej 2,7 GHz i do 6,8 GHz włącznie i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 400 W (56 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 2,7 GHz do 2,9 GHz włącznie; 2. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 205 W (53,12 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 2,9 GHz do 3,2 GHz włącznie; 3. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 115 W (50,61 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 3,2 GHz do 3,7 GHz włącznie; lub 4. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 60 W (47,78 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 3,7 GHz do 6,8 GHz włącznie; b. przystosowane do działania w zakresie częstotliwości powyżej 6,8 GHz i do 31,8 GHz włącznie i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 50 W (47 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 6,8 GHz do 8,5 GHz włącznie; 2. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 15 W (41,76 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 8,5 GHz do 12 GHz włącznie; 3. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 40 W (46 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 12 GHz do 16 GHz włącznie; lub 4. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 7 W (38,45 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 16 GHz do 31,8 GHz włącznie; c. przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 0,5 W (27 dBm) na częstotliwościach przewyższających 31,8 GHz, do 37 GHz włącznie; d. przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 1 W (30 dBm) na częstotliwościach przewyższających 37 GHz, do 43,5 GHz włącznie; lub e. przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 0,1 nW (– 70 dBm) na częstotliwościach przewyższających 43,5 GHz; Uwagi: 1. status MMIC, którego znamionowa częstotliwość robocza obejmuje częstotliwości zawarte w więcej niż jednym paśmie, jest określony przez najniższy próg mocy wyjściowej na granicy nasycenia. 2. ta kategoria obejmuje surowe płytki półprzewodnikowe, płytki zamontowane na nośnikach oraz płytki zamontowane w zestawach. Niektóre dyskretne tranzystory mogą być również określane jako wzmacniacze mocy. 3A001.b.

IX.A3.012 mikrofalowe wzmacniacze półprzewodnikowe oraz mikrofalowe zespoły/moduły zawierające mikrofalowe wzmacniacze półprzewodnikowe spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: a) przystosowane do działania w zakresie częstotliwości powyżej 2,7 GHz i do 6,8 GHz włącznie, o „ułamkowej szerokości pasma” powyżej 15 % i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 500 W (57 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 2,7 GHz do 2,9 GHz włącznie; 2. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 270 W (54,3 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 2,9 GHz do 3,2 GHz włącznie; 3. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 200 W (53 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 3,2 GHz do 3,7 GHz włącznie; lub 4. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 90 W (49,54 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 3,7 GHz do 6,8 GHz włącznie; b) przystosowane do działania w zakresie częstotliwości powyżej 6,8 GHz i do 31,8 GHz włącznie, o „ułamkowej szerokości pasma” powyżej 10 % i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 70 W (48,54 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 6,8 GHz do 8,5 GHz włącznie; 2. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 50 W (47 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 8,5 GHz do 12 GHz włącznie; 3. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 30 W (44,77 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 12 GHz do 16 GHz włącznie; lub 4. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 20 W (43 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 16 GHz do 31,8 GHz włącznie; c) przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 0,5 W (27 dBm) na częstotliwościach przewyższających 31,8 GHz, do 37 GHz włącznie; d) przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 2 W (33 dBm) na częstotliwościach przewyższających 37 GHz, do 43,5 GHz włącznie, i przy „ułamkowej szerokości pasma” wynoszącej powyżej 10 %; e) przystosowane do pracy na częstotliwościach powyżej 43,5 GHz oraz spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 0,2 W (23 dBm) na częstotliwościach przewyższających 43,5 GHz, do 75 GHz włącznie, i przy „ułamkowej szerokości pasma” wynoszącej powyżej 10 %; 2. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 20 mW (13 dBm) na częstotliwościach przewyższających 75 GHz, do 90 GHz włącznie, i przy „ułamkowej szerokości pasma” wynoszącej powyżej 5 %; lub 3. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 0,1 nW (– 70 dBm) na częstotliwościach przewyższających 90 GHz; Uwaga: status elementu, którego znamionowa częstotliwość robocza obejmuje częstotliwości zawarte w więcej niż jednym paśmie, jest określony przez najniższy próg mocy wyjściowej na granicy nasycenia. 3A001.b.

IX.A3.013 filtry środkowo-przepustowe i środkowo-zaporowe, przestrajalne elektronicznie lub magnetycznie, posiadające więcej niż 5 przestrajalnych rezonatorów umożliwiających strojenie w zakresie pasma częstotliwości 1,5:1 (fmax/fmin) w czasie poniżej 10 μs i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: a) szerokość pasma środkowo-przepustowego powyżej 0,5 % częstotliwości nośnej; lub b) szerokość pasma środkowo-zaporowego poniżej 0,5 % częstotliwości nośnej; 3A001.b.

IX.A3.014 konwertery i mieszacze harmoniczne spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: a) zaprojektowane do rozszerzania przedziału częstotliwości „analizatorów sygnału” powyżej 90 GHz; b) zaprojektowane do rozszerzania zakresu roboczego generatorów sygnału w następujący sposób: 1. powyżej 90 GHz; 2. do mocy wyjściowej większej niż 100 mW (20 dBm) w dowolnym punkcie zakresu częstotliwości przekraczającego 43,5 GHz, lecz nieprzekraczającego 90 GHz; c) zaprojektowane do rozszerzania przedziału częstotliwości roboczej analizatorów sieci w następujący sposób: 1. powyżej 110 GHz; 2. do mocy wyjściowej większej niż 31,62 mW (15 dBm) w dowolnym punkcie zakresu częstotliwości przekraczającego 43,5 GHz, lecz nieprzekraczającego 90 GHz; 3. do mocy wyjściowej większej niż 1 mW (0 dBm) w dowolnym punkcie zakresu częstotliwości przekraczającego 90 GHz, lecz nieprzekraczającego 110 GHz; lub d) zaprojektowane do rozszerzania przedziału częstotliwości kontrolnych odbiorników mikrofalowych powyżej 110 GHz; 3A001.b.

IX.A3.015 mikrofalowe wzmacniacze mocy zawierające „elektroniczne urządzenia próżniowe” wyszczególnione powyżej i spełniające wszystkie poniższe kryteria: a) częstotliwości robocze powyżej 3 GHz; b) średni stosunek mocy wyjściowej do masy większy niż 80 W/kg; oraz c) objętość mniejsza niż 400 cm3; Uwaga: Ta kategoria nie dotyczy sprzętu zaprojektowanego lub przystosowanego do działania w jakimkolwiek paśmie częstotliwości, które jest „przydzielane przez Międzynarodowy Związek Telekomunikacyjny (ITU)” dla służb radiokomunikacyjnych, ale nie w celu namierzania radiowego. 3A001.b.

IX.A3.016 mikrofalowe moduły mocy (MPM) składające się co najmniej z „elektronicznego urządzenia próżniowego” o fali bieżącej, „monolitycznego mikrofalowego układu scalonego” („MMIC”) i zintegrowanego elektronicznego kondycjonera mocy i spełniające wszystkie poniższe kryteria: a) „czas włączania” od stanu wyłączenia do stanu całkowitej gotowości krótszy niż 10 sekund; b) objętość mniejsza niż iloczyn maksymalnej mocy znamionowej w watach i 10 cm3/W; oraz c) „chwilowa szerokość pasma” większa niż 1 oktawa (fmax > 2fmin) oraz spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. dla częstotliwości równych lub mniejszych niż 18 GHz — moc wyjściową w zakresie fal radiowych większą niż 100 W; lub 2. częstotliwość większa niż 18 GHz; Uwagi techniczne: 1. Do obliczenia objętości w pozycji b. powyżej podaje się następujący przykład: dla maksymalnej mocy znamionowej wynoszącej 20 W objętość wyniosłaby: 20 W x 10 cm3/W = 200 cm3. 2. „Czas włączania”, o którym mowa w pozycji a. powyżej, odnosi się do czasu upływającego od stanu całkowitego wyłączenia do osiągnięcia całkowitej gotowości do pracy, a zatem obejmuje on również czas rozgrzewania MPM. 3A001.b.

IX.A3.017 Oscylatory lub zespoły oscylatorów przewidziane do działania przy zakłóceniu fazowym pojedynczej wstęgi bocznej (SSB) w dBc/Hz mniejszym (lepszym) niż -(126 + 20log10F -20log10f) w dowolnym punkcie w zakresie 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz; Uwaga techniczna: W kategorii powyżej F oznacza przesunięcie w stosunku do częstotliwości roboczej w Hz, a f oznacza częstotliwość roboczą w MHz. 3A001.b.

IX.A3.018 „zespoły elektroniczne” będące „syntezatorami częstotliwości”, których „czas przełączania częstotliwości” określony jest przez którykolwiek z poniższych parametrów: a) krótszy niż 143 ps; b) krótszy niż 100 μs dla każdej zmiany częstotliwości przewyższającej 2,2 GHz w zakresie syntetyzowanych częstotliwości przekraczającym 4,8 GHz, ale nieprzekraczającym 31,8 GHz; c) krótszy niż 500 μs dla każdej zmiany częstotliwości przewyższającej 550 MHz w zakresie syntetyzowanych częstotliwości przekraczającym 31,8 GHz, ale nieprzekraczającym 37 GHz; d) krótszy niż 100 μs dla każdej zmiany częstotliwości przewyższającej 2,2 GHz w zakresie syntetyzowanych częstotliwości przekraczającym 37 GHz, ale nieprzekraczającym 90 GHz; lub e) krótszy niż 1 ms w zakresie syntetyzowanych częstotliwości przekraczającym 90 GHz; 3A001.b.

IX.A3.019 „moduły nadawcze/odbiorcze”, „nadawcze/odbiorcze MMIC”, „moduły nadawcze” oraz „nadawcze MMIC”, przystosowane do pracy na częstotliwościach przewyższających 2,7 GHz i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: a) moc wyjściowa na granicy nasycenia (w watach), Psat, powyżej 505,62 dzielone przez maksymalną częstotliwość roboczą (w GHz) do kwadratu [Psat>505,62 W*GHz2/fGHz 2] na każdy kanał; b) „ułamkowa szerokość pasma” wynosząca 5 % lub więcej na każdy kanał; c) każda z płaskich stron o długości d (w cm) równej lub mniejszej niż 15 podzielonej przez najniższą częstotliwość roboczą w GHz [d ≤ 15 cm*GHz*N/fGHz], gdzie N jest liczbą kanałów nadawczych lub kanałów nadawczych/odbiorczych; oraz d) jeden regulowany elektronicznie przesuwnik fazowy na kanał; Uwagi techniczne: 1. „Moduł nadawczy/odbiorczy” to multifunkcjonalny „zespół elektroniczny” umożliwiający dwukierunkową regulację amplitudy i fazy dla nadawania i odbioru sygnałów. 2. „Moduł nadawczy” to „zespół elektroniczny” umożliwiający regulację amplitudy i fazy dla nadawania sygnałów. 3. „Nadawczy/odbiorczy MMIC” to multifunkcjonalny „MMIC” umożliwiający dwukierunkową regulację amplitudy i fazy dla nadawania i odbioru sygnałów. 4. „Nadawczy MMIC” to „MMIC” umożliwiający regulację amplitudy i fazy dla nadawania sygnałów. 5. W przypadku modułów nadawczych/odbiorczych lub modułów nadawczych, których nominalny zakres częstotliwości roboczej wynosi poniżej 2,7 GHz, należy we wzorze określonym w lit. c) jako dolną wartość graniczną częstotliwości roboczej (fGHz) zastosować 2,7 GHz [d≤15 cm*GHz*N/2,7 GHz]. 6. PozycjaIX.A3.019 dotyczy „modułów nadawczych/odbiorczych” lub „modułów nadawczych”, które mogą być wyposażone lub nie w radiator chłodzący. Wartość d w pozycji 11.c nie obejmuje żadnej części „modułu nadawczego/odbiorczego” lub „modułu nadawczego”, która funkcjonuje jako radiator chłodzący. 7. „Moduły nadawcze/odbiorcze”, „moduły nadawcze”, „nadawcze/odbiorcze MMIC” lub „nadawcze MMIC” mogą mieć N wbudowanych emitujących elementów anteny, gdzie N jest liczbą kanałów nadawczych lub kanałów nadawczych/odbiorczych. 3A001.b.

IX.A3.020 urządzenia wykorzystujące powierzchniowe fale akustyczne oraz szumiące powierzchniowo (płytkie) fale akustyczne, spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: a) mające częstotliwość nośną powyżej 6 GHz; b) mające częstotliwość nośną większą niż 1 GHz, ale nieprzekraczającą 6 GHz oraz spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. „tłumienie pasma bocznego częstotliwości” powyżej 65 dB; 2. iloczyn maksymalnego czasu zwłoki i szerokości pasma (czas w μs, a szerokość pasma w MHz) powyżej 100; 3. szerokość pasma większa niż 250 MHz; lub 4. opóźnienie dyspersyjne powyżej 10 μs; lub c) mające częstotliwość nośną wynoszącą 1 GHz lub mniejszą oraz spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. iloczyn maksymalnego czasu zwłoki i szerokości pasma (czas w μs, a szerokość pasma w MHz) powyżej 100; 2. opóźnienie dyspersyjne powyżej 10 μs; lub 3. „tłumienie pasma bocznego częstotliwości” powyżej 65 dB i szerokość pasma większa niż 100 MHz; 3A001.c.

IX.A3.021 przestrzenne fale akustyczne, umożliwiające bezpośrednie przetwarzanie sygnałów z częstotliwościami powyżej 6 GHz; 3A001.c.

IX.A3.022 urządzenia do „przetwarzania sygnałów” optyczno-akustycznych wykorzystujące oddziaływania pomiędzy falami akustycznymi (przestrzennymi lub powierzchniowymi) a falami świetlnymi do bezpośredniego przetwarzania sygnałów lub obrazów, łącznie z analizą widmową, korelacją lub splataniem; 3A001.c.

IX.A3.023 urządzenia i układy elektroniczne, zawierające części składowe wykonane z materiałów „nadprzewodzących”, specjalnie zaprojektowane do pracy w temperaturach poniżej „temperatury krytycznej” co najmniej jednego z elementów „nadprzewodzących” i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: a) przełączanie prądowe dla obwodów cyfrowych za pomocą bramek „nadprzewodzących”, dla którego iloczyn czasu zwłoki na bramkę (w sekundach) i rozproszenia mocy na bramkę (w watach) wynosi poniżej 10– 14 J; lub b) selekcja częstotliwości dla wszystkich częstotliwości za pomocą obwodów rezonansowych o wartościach Q przekraczających 10 000 ; 3A001.d.

IX.A3.024 następujące urządzenia wysokoenergetyczne: a) „ogniwa pierwotne” o „gęstości energii” powyżej 550 Wh/kg w temperaturze 20 °C; b) „ogniwa wtórne” o „gęstości energii” powyżej 350 Wh/kg w temperaturze 20 °C; Uwagi techniczne: 1. Do celów urządzeń wysokoenergetycznych „gęstość energii” (Wh/kg) otrzymuje się, mnożąc napięcie znamionowe przez pojemność znamionową w amperogodzinach (Ah) i dzieląc powyższe przez masę w kilogramach. Jeżeli pojemność znamionowa nie jest podana, gęstość energii otrzymuje się przez podniesienie napięcia znamionowego do kwadratu, a następnie pomnożenie przez czas rozładowania wyrażony w godzinach oraz podzielenie przez obciążenie rozładowania wyrażone w omach i całkowitą masę ogniwa wyrażoną w kilogramach. 2. Do celów urządzeń wysokoenergetycznych „ogniwo” definiuje się jako urządzenie elektrochemiczne zawierające elektrody dodatnie i ujemne, elektrolit i będące źródłem energii elektrycznej. Jest to podstawowy element składowy baterii. 3. Do celów urządzeń wysokoenergetycznych „ogniwo pierwotne” jest „ogniwem”, które nie jest przeznaczone do ładowania z jakiegokolwiek innego źródła. 4. Do celów urządzeń wysokoenergetycznych „ogniwo wtórne” jest „ogniwem”, które jest przeznaczone do ładowania z zewnętrznego źródła energii elektrycznej. Uwaga: Urządzenia wysokoenergetyczne nie dotyczą baterii, w tym również baterii pojedynczych. 3A001.e.

IX.A3.025 Wysokoenergetyczne kondensatory magazynujące, takie jak: a) kondensatory o częstotliwości powtarzania poniżej 10 Hz (kondensatory jednokrotne) i spełniające wszystkie poniższe kryteria: 1. napięcie znamionowe równe lub wyższe niż 5 kV; 2. gęstość energii równa lub wyższa niż 250 J/kg; oraz 3. energia całkowita równa lub wyższa niż 25 kJ; b) kondensatory o częstotliwości powtarzania 10 Hz lub wyższej (kondensatory powtarzalne) i spełniające wszystkie poniższe kryteria: 1. napięcie znamionowe równe lub wyższe niż 5 kV; 2. gęstość energii równa lub wyższa niż 50 J/kg; 3. energia całkowita równa lub wyższa niż 100 J; oraz 4. żywotność mierzona liczbą cykli ładowania/rozładowania wynosząca więcej niż 10 000 ; 3A001.e.

IX.A3.026 „nadprzewodzące” elektromagnesy lub cewki, specjalnie zaprojektowane w sposób umożliwiający ich pełne ładowanie i rozładowanie w czasie mniejszym niż 1 s i spełniające wszystkie poniższe kryteria: Uwaga: Powyższa pozycja nie dotyczy elektromagnesów ani cewek „nadprzewodzących” specjalnie zaprojektowanych do aparatury obrazowania rezonansem magnetycznym (MRI), wykorzystywanej w medycynie. a) energia dostarczona podczas wyładowania jest większa od 10 kJ w pierwszej sekundzie; b) średnica wewnętrzna uzwojenia prądowego cewki wynosi powyżej 250 mm; oraz c) zostały dostosowane do indukcji magnetycznej powyżej 8 T lub posiadają „całkowitą gęstość prądu” w uzwojeniu powyżej 300 A/mm2; 3A001.e.

IX.A3.027 ogniwa słoneczne, zespoły ogniwo-łącznik-szkło osłonowe (CIC), panele słoneczne i baterie słoneczne klasy kosmicznej, mające minimalną średnią sprawność wyższą niż 20 % w temperaturze roboczej 301 K (28 °C) w symulowanym oświetleniu „AM0” o irradiancji 1 367 watów na metr kwadratowy (W/m2); Uwaga techniczna: „AM0” lub „masa powietrza zero” odpowiada irradiancji widmowej światła słonecznego w zewnętrznej atmosferze Ziemi przy odległości Ziemi od Słońca wynoszącej 1 jednostkę astronomiczną (AU). 3A001.e.

IX.A3.028 urządzenia kodujące bezwzględne położenie o „dokładności” równej 1,0 sekundzie kątowej lub mniejszej (lepszej) oraz specjalnie do nich zaprojektowane kodujące pierścienie, tarcze lub skale; 3A001.f.

IX.A3.029 półprzewodnikowe impulsowe tyrystorowe wyłączniki zasilania i „moduły tyrystorowe” oparte na metodach wyłączania sterowanych elektrycznie, optycznie lub promieniowaniem elektronowym spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. maksymalna szybkość narastania prądu włączenia (di/dt) większa niż 30 000 A/μs i napięcie w stanie wyłączenia większe niż 1 100 V; lub 2. maksymalna szybkość narastania prądu włączenia (di/dt) większa niż 2 000 A/μs i spełniające wszystkie poniższe kryteria: a. napięcie szczytowe w stanie wyłączonym równe 3 000 V lub większe; oraz b. prąd szczytowy (udarowy) równy 3 000 A lub większy. Uwagi: 1. Pozycja g) powyżej obejmuje: — krzemowe prostowniki sterowane (SCR), — tyrystory wyzwalane elektrycznie (ETT), — tyrystory wyzwalane optycznie (LTT), — tyrystory o komutowanej bramce (IGCT), — tyrystory sterowane MOS (MCT), — tyrystory wyłączalne prądem bramki (GTO), — urządzenia typu Solidtron 2. Pozycja g) powyżej nie dotyczy urządzeń tyrystorowych i „modułów tyrystorowych” wbudowanych w urządzenia przeznaczone do zastosowań w kolejnictwie cywilnym lub „cywilnych statkach powietrznych”. Uwaga techniczna: Do celów pozycji g) powyżej „moduł tyrystorowy” zawiera co najmniej jedno urządzenie tyrystorowe. 3A001.g.

IX.A3.030 półprzewodnikowe przełączniki mocy, diody mocy lub „moduły” mocy spełniające wszystkie poniższe kryteria: 1. nominalna maksymalna temperatura robocza złącza wyższa niż 488 K (215 °C); 2. szczytowe powtarzalne napięcie w stanie wyłączonym (napięcie blokujące) przekraczające 300 V; oraz 3. prąd ciągły większy niż 1 A. Uwaga: Szczytowe powtarzalne napięcie w stanie wyłączonym w powyższej pozycji obejmuje napięcie dren-źródło, napięcie kolektor-emiter, szczytowe powtarzalne napięcie wsteczne i szczytowe powtarzalne napięcie blokujące w stanie wyłączonym. 3A001.h.

IX.A3.031 następujący sprzęt do rejestracji i oscyloskopy: 1. cyfrowe rejestratory danych spełniające wszystkie poniższe kryteria: a. posiadające trwałą „przepustowość ciągłą” wyższą niż 6,4 Gbit/s do dysku lub napędu półprzewodnikowego; oraz b. posiadające procesor, który przeprowadza analizę danych sygnału częstotliwości radiowych podczas ich rejestracji; Uwagi techniczne: 1. W przypadku rejestratorów o równoległej architekturze szyn „przepustowość ciągłą” określa się jako iloczyn największej prędkości transmisji słów i liczby bitów w słowie. 2. „Przepustowość ciągła” oznacza największą prędkość rejestracji danych przez urządzenie na dysku lub w napędzie półprzewodnikowym, bez utraty informacji, z utrzymaniem prędkości cyfrowych danych wejściowych lub prędkości przetwarzania digitalizatora; 2. oscyloskopy pracujące w trybie próbkowania w czasie rzeczywistym, w których napięcie szumów ma pionową wartość średniokwadratową (rms) mniejszą niż 2 % pełnej skali na skali pionowej, na której najmniejsza wartość szumów dla każdej wejściowej szerokości pasma 3 dB wynosi 60 GHz lub więcej na kanał; 3A002.a.

IX.A3.032 „analizatory sygnałów”, takie jak: 1. „analizatory sygnałów”, w których szerokość pasma o rozdzielczości 3 dB przekracza 10 MHz w dowolnym punkcie zakresu częstotliwości przekraczającego 31,8 GHz, lecz nieprzekraczającego 37 GHz; 2. „analizatory sygnałów”, w których średni wyświetlany poziom szumu (DANL) jest mniejszy (lepszy) niż – 150 dBm/Hz w dowolnym punkcie zakresu częstotliwości przekraczającego 43,5 GHz, lecz nieprzekraczającego 90 GHz; 3. „analizatory sygnałów” o częstotliwości powyżej 90 GHz; 4. „analizatory sygnałów” spełniające wszystkie poniższe kryteria: a. „szerokość pasma” przekraczająca 170 MHz; oraz b. spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. 100 % prawdopodobieństwa odkrycia przy mniejszej niż 3 dB redukcji w stosunku do pełnej amplitudy w związku z przerwami lub okienkowaniem sygnałów o długości trwania wynoszącej 15 μs lub mniej; lub 2. posiadające funkcję „wyzwalania maską częstotliwości” ze 100 % prawdopodobieństwem wyzwolenia (przechwycenia) dla sygnałów o długości trwania wynoszącej 15 μs lub mniej; Uwagi techniczne: 1. Prawdopodobieństwo odkrycia, o którym mowa w pozycji 1 powyżej, określane jest również jako prawdopodobieństwo przechwycenia. 2. Do celów pozycji 1 powyżej czas trwania dla 100 % prawdopodobieństwa odkrycia równy jest minimalnej długości trwania sygnału niezbędnej dla określonej niepewności pomiaru poziomu. Uwaga: Powyższa kategoria nie dotyczy „analizatorów sygnałów”, w których zastosowano jedynie filtry o stałoprocentowej szerokości pasma (znanych również jako filtry oktawowe lub ułamkowo-oktawowe). 3A002.c.

IX.A3.033 generatory sygnałów spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. przewidziane według specyfikacji do generowania sygnałów modulowanych impulsowo spełniających wszystkie następujące kryteria, w dowolnym punkcie zakresu częstotliwości przekraczającego 31,8 GHz, lecz nieprzekraczającego 37 GHz: a. „czas trwania impulsu” krótszy niż 25 ns; oraz b. stosunek on/off równy lub większy niż 65 dB; 2. moc wyjściowa przekraczająca 100 mW (20 dBm) w dowolnym punkcie zakresu częstotliwości przekraczającego 43,5 GHz, lecz nieprzekraczającego 90 GHz; 3. „czas przełączania częstotliwości” określony przez jeden z poniższych przypadków: a. krótszy niż 100 μs dla każdej zmiany częstotliwości przewyższającej 2,2 GHz w zakresie częstotliwości przekraczającym 4,8 GHz, ale nieprzekraczającym 31,8 GHz; b. krótszy niż 500 μs dla każdej zmiany częstotliwości przewyższającej 550 MHz w zakresie częstotliwości przekraczającym 31,8 GHz, ale nieprzekraczającym 37 GHz; lub c. krótszy niż 100 μs dla każdej zmiany częstotliwości przewyższającej 2,2 GHz w zakresie częstotliwości przekraczającym 37 GHz, ale nieprzekraczającym 90 GHz; 3A002.d.

IX.A3.034 analizatory sieci spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. moc wyjściowa przekraczająca 31,62 mW (15 dBm) w dowolnym punkcie zakresu częstotliwości roboczej przekraczającego 43,5 GHz, lecz nieprzekraczającego 90 GHz; 2. moc wyjściowa przekraczająca 1 mW (0 dBm) w dowolnym punkcie zakresu częstotliwości roboczej przekraczającego 90 GHz, lecz nieprzekraczającego 110 GHz; 3. „funkcja pomiaru wektora nieliniowego” przy częstotliwościach przekraczających 50 GHz, ale nieprzekraczających 110 GHz; lub 4. maksymalna częstotliwość robocza przewyższająca 110 GHz; Uwaga techniczna: „Funkcja pomiaru wektora nieliniowego” to zdolność instrumentu do analizowania wyników testów urządzeń stosowanych w modelach wielkosygnałowych lub w zakresie zakłóceń nieliniowych. 3A002.e.

IX.A3.035 kontrolne odbiorniki mikrofalowe spełniające wszystkie poniższe kryteria: 1. maksymalna częstotliwość robocza przewyższająca 110 GHz; oraz 2. posiadające możliwość jednoczesnego pomiaru amplitudy i fazy; 3A002.f.

IX.A3.036 atomowe wzorce częstotliwości, które spełniają którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. „Statek powietrzny”; 2. są nierubidowe, a ich stabilność długookresowa jest mniejsza (lepsza) niż 1 × 10– 11/miesiąc; lub 3. nie są „klasy kosmicznej” i spełniają wszystkie poniższe kryteria: a. są rubidowymi wzorcami częstotliwości; b. ich stabilność długookresowa jest mniejsza (lepsza) niż 1 × 10– 11/miesiąc; oraz c. ich całkowite zużycie energii jest niższe niż 1 W. 3A002.f.

IX.A3.037 Sprzęt do wytwarzania urządzeń lub materiałów półprzewodnikowych oraz specjalnie zaprojektowane do niego części składowe i akcesoria, w tym: a) sprzęt zaprojektowany do implantacji jonów i spełniający którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. zaprojektowany i optymalizowany do działania z energią wiązki wynoszącą 20 keV lub więcej i prądem wiązki o wartości 10 mA lub więcej w celu implantacji wodoru, deuteru lub helu; 2. zdolność bezpośredniego zapisu; 3. posiadający energię wiązki wynoszącą 65 keV lub większą oraz natężenie wiązki równe 45 mA lub większe, w celu wysokoenergetycznej implantacji tlenu w podgrzany półprzewodnikowy materiał „podłoża”; lub 4. zaprojektowany i optymalizowany do działania z energią wiązki wynoszącą 20 keV lub więcej i prądem wiązki o wartości 10 mA lub więcej w celu implantacji krzemu w półprzewodnikowy materiał „podłoża” podgrzany do temperatury 600 °C lub wyższej; b) następujące urządzenia do litografii oraz urządzenia do litografii nanodrukowej zdolne do drukowania elementów o wielkości 45 nm lub mniejszych; 1. sprzęt do wytwarzania płytek elektronicznych poprzez pozycjonowanie, naświetlanie oraz powielanie (bezpośredni krok na płytkę) lub skanowanie (skaner), z wykorzystaniem metody fotooptycznej lub promieni rentgenowskich, spełniający którekolwiek z poniższych kryteriów: a. źródło światła o długości fali krótszej niż 193 nm; lub b. zdolny do wytwarzania wzorów o „rozmiarze minimalnej rozdzielczości wymiarowej” (MRF) 45 nm lub mniejszej; Uwaga techniczna: „Rozmiar minimalnej rozdzielczości wymiarowej” (MRF) obliczany jest według poniższego wzoru: gdzie współczynnik K = 0,35 c) sprzęt specjalnie zaprojektowany do masek, wykorzystujący odchylaną, zogniskowaną wiązkę elektronów, jonów lub wiązkę „laserową”; 3B001.b. 3B001.f. 3B001.f.

IX.A3.038 Sprzęt zaprojektowany do wytwarzania przyrządów wykorzystujący metody bezpośredniego nadruku; maski i siatki optyczne zaprojektowane do układów scalonych. 3B001.g.

IX.A3.038 Następujący sprzęt testujący specjalnie zaprojektowany do testowania gotowych i niegotowych elementów półprzewodnikowych i urządzeń mikrofalowych oraz specjalnie zaprojektowane do niego części składowe i akcesoria: a) do testowania S-parametrów urządzeń tranzystorowych przy częstotliwościach powyżej 31,8 GHz; b) do testowania mikrofalowych układów scalonych wyszczególnionych w pozycji powyżej. 3B002

IX.A3.039 Materiały heteroepitaksjalne składające się z „podłoża” i wielu nałożonych epitaksjalnie warstw z któregokolwiek z poniższych: a) krzemu (Si); b) germanu (Ge); c) węglika krzemu (SiC); lub d) „związków III/V” galu lub indu. Uwaga: Ta pozycja nie dotyczy „podłoża” posiadającego co najmniej jedną warstwę epitaksjalną typu P z GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP lub InGaAlP, bez względu na kolejność pierwiastków, z wyjątkiem sytuacji, gdy warstwa epitaksjalna typu P znajduje się między warstwami typu N. 3C001

IX.A3.040 Następujące materiały fotorezystywne i „podłoża” powlekane następującymi materiałami ochronnymi: a) następujące materiały fotorezystywne zaprojektowane do litografii półprzewodnikowej: 1. materiały fotorezystywne pozytywowe wyregulowane (zoptymalizowane) do stosowania w zakresie długości fali poniżej 245 nm, ale nie mniejszej niż 15 nm; 2. materiały fotorezystywne wyregulowane (zoptymalizowane) do stosowania w zakresie długości fali poniżej 15 nm, ale większej niż 1 nm; b) wszystkie materiały fotorezystywne zaprojektowane do użytku z wiązkami elektronowymi lub jonowymi, o czułości 0,01 μC/mm2 lub lepszej; c) wszystkie materiały fotorezystywne zoptymalizowane do technologii tworzenia obrazów powierzchniowych; d) wszystkie materiały fotorezystywne zaprojektowane lub zoptymalizowane do użytku z urządzeniami do litografii nanodrukowej, zdolne do drukowania elementów o wielkości 45 nm lub mniejszych, wykorzystujące proces termiczny lub proces fotoutwardzania. 3C002

IX.A3.041 Związki organiczno-nieorganiczne: a) związki metaloorganiczne glinu, galu lub indu o czystości (na bazie metalu) powyżej 99,999 %; b) związki arsenoorganiczne, antymonoorganiczne i fosforoorganiczne o czystości (na bazie składnika nieorganicznego) powyżej 99,999 %. 3C003

IX.A3.042 Wodorki fosforu, arsenu lub antymonu o czystości powyżej 99,999 %, nawet rozpuszczone w gazach obojętnych lub w wodorze. Uwaga: Powyższa pozycja nie dotyczy wodorków zawierających molowo 20 %, lub więcej, gazów obojętnych lub wodoru. 3C004

IX.A3.043 „Podłoża” półprzewodnikowe z węglika krzemu (SiC), azotku galu (GaN), azotku glinu (AlN) lub z azotku galu i glinu (AlGaN), lub wlewki, monokryształy lub inne preformy tych materiałów o rezystywności powyżej 10 000 Ω/cm w temperaturze 20 °C. 3C005