3A001

Następujące elementy elektroniczne i specjalnie zaprojektowane do nich części składowe: a. następujące układy scalone ogólnego przeznaczenia: Uwaga 1: Poziom kontroli płytek (gotowych lub niegotowych) posiadających wyznaczoną funkcję należy określać na podstawie parametrów podanych w pozycji 3A001.a. Uwaga 2: Wśród układów scalonych rozróżnia się następujące typy: — „monolityczne układy scalone”, — „hybrydowe układy scalone”, — „wieloukłady scalone”, — „układy scalone warstwowe”, łącznie z układami scalonymi typu krzem na szafirze, — „optyczne układy scalone”, — „trójwymiarowe układy scalone”. 1. układy scalone zaprojektowane lub oznaczone znamionowo jako zabezpieczone przed promieniowaniem jonizującym, wytrzymujące którekolwiek z poniższych: a. dawkę całkowitą 5 × 103 Gy (Si) lub wyższą; b. wzrost dawki o 5 × 106 Gy (Si)/s lub większy; lub c. fluencję (zintegrowany strumień) neutronów (ekwiwalent 1 MeV) o wartości 5 × 1013 n/cm2 lub większej na krzemie, lub jej ekwiwalent na innym materiale; Uwaga: Pozycja 3A001.a.1.c nie obejmuje kontrolą struktur metal- izolator- półprzewodnik (MIS). 2. „układy mikroprocesorowe”, „układy mikrokomputerowe” i układy do mikrosterowników, układy scalone pamięci wykonane z półprzewodników złożonych, przetworniki analogowo-cyfrowe i cyfrowo-analogowe, układy elektrooptyczne lub „optyczne układy scalone” do „przetwarzania sygnałów”, sieci bramek programowalne przez użytkownika, robione na zamówienie układy scalone o nieznanej ich producentowi funkcji lub poziomie kontroli urządzenia, w którym miałyby być zainstalowane, procesory do Szybkiej Transformacji Fouriera (FFT), wymazywalne elektrycznie programowalne pamięci stałe (EEPROM), pamięci błyskowe lub statyczne pamięci o dostępie swobodnym (SRAM), spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: a. przystosowane do pracy w temperaturze otoczenia powyżej 398 K (125 °C), b. przystosowane do pracy w temperaturze otoczenia poniżej 218 K (- 55 °C), lub c. przystosowane do pracy w całym przedziale wartości temperatur od 218 K (- 55 °C) do 398 K (125 °C). Uwaga: Pozycja 3A001.a.2 nie obejmuje kontrolą układów scalonych do silników pojazdów cywilnych ani kolejowych. 3. „układy mikroprocesorowe”, „układy mikrokomputerowe” i układy do mikrosterowników wykonane z półprzewodników złożonych, pracujące z częstotliwością zegara przekraczającą 40 MHz; Uwaga: Pozycja 3A001.a.3 obejmuje cyfrowe procesory sygnałowe, cyfrowe procesory tablicowe i koprocesory cyfrowe. 4. nieużywane; 3A001 a. 5. następujące przetworniki analogowo-cyfrowe (przetworniki AC) i cyfrowo-analogowe (przetworniki DA) na układach scalonych: a. przetworniki analogowo-cyfrowe spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: N.B.: ZOB. TAKŻE POZYCJA 3A101. 1. rozdzielczość 8 bitów lub więcej, lecz poniżej 10 bitów i wielkość wyjściowa większa niż 1 000 mln słów/sek; 2. rozdzielczość 10 bitów lub więcej, lecz poniżej 12 bitów i wielkość wyjściowa większa niż 300 mln słów/sek; 3. rozdzielczość 12 bitów i wielkość wyjściowa większa niż 200 mln słów/sek; 4. rozdzielczość powyżej 12 bitów lecz równa lub mniejsza niż 14 bitów i wielkość wyjściowa większa niż 125 mln słów/sek; lub 5. rozdzielczość powyżej 14 bitów i wielkość wyjściowa większa niż 20 mln słów/sek; Uwagi techniczne: 1. Rozdzielczość n bitów odpowiada kwantowaniu na 2n poziomach. 2. Liczba bitów w słowie wyjściowym jest równa rozdzielczości przetwornika analogowo-cyfrowego. 3. Wielkość wyjściowa jest to maksymalna wielkość wyjściowa przetwornika, bez względu na architekturę czy oversampling. 4. W przypadku ‘wielokanałowych przetworników AC’ wielkości wyjściowe nie są agregowane i wielkość wyjściowa jest maksymalną wielkością wyjściową pojedynczego kanału. 5. W przypadku ‘przetworników AC’ z przeplotem lub w przypadku ‘wielokanałowych przetworników AC’, których specyfikacje przewidują tryb pracy z przeplotem, wielkości wyjściowe są agregowane i wielkość wyjściowa jest maksymalną łączną całkowitą wielkością wyjściową wszystkich kanałów. 6. Sprzedawcy mogą także określać wielkość wyjściową jako wielkość próbkową, wielkość przetwarzania, lub przepustowość. Jest ona określana często w megahercach (MHz) lub megapróbkach na sekundę (MSPS). 7. Dla celów pomiarów wielkości wyjściowej jedno słowo wyjściowe na sekundę odpowiada jednemu hercowi lub jednej próbce na sekundę. 8. ‘Wielokanałowe przetworniki analogowo-cyfrowe’ definiuje się jako urządzenia zawierające więcej niż jeden przetwornik AC, zaprojektowane tak, by każdy AC miał odrębne wejście analogowe. 9. ‘Przetworniki AC z przeplotem’ definiuje się jako urządzenia mające wiele jednostek AC próbkujących ten sam wejściowy sygnał analogowy w różnych momentach, tak że po zagregowaniu sygnałów wyjściowych analogowy sygnał wejściowy został skutecznie spróbkowany i przekształcony z większą częstotliwością próbkowania. b. przetworniki cyfrowo-analogowe (przetworniki CA) spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. rozdzielczość 10 bitów lub większa, przy „skorygowanej prędkości aktualizacji” wynoszącej 3 500 MSPS lub więcej; lub 2. rozdzielczość 12 bitów lub większa przy „skorygowanej prędkości aktualizacji” wynoszącej 1 250 MSPS lub więcej i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: a. czas ustalania krótszy niż 9 ns do 0,024 % pełnej skali od pełnego stopnia skali; lub b. ‘zakres dynamiki wolny od zafałszowań’ (SFDR) większy niż 68 dBc (nośna) przy syntetyzowaniu pełnoskalowego sygnału analogowego o częstotliwości 100 MHz lub najwyższej częstotliwości pełnoskalowego sygnału analogowego wyspecyfikowanej poniżej 100 MHz; 3A001 a. 5. Uwagi techniczne: 1. ‘Zakres dynamiki wolny od zafałszowań’ (SFDR) jest definiowany jako stosunek średniej kwadratowej częstotliwości nośnej (maksymalny element składowy sygnału) na wejściu przetwornika CA do średniej kwadratowej najbliższego dużego składnika szumu lub zniekształcenia harmonicznego na jego wyjściu. 2. SFDR określa się bezpośrednio z tabel specyfikacji lub z wykresów przedstawiających charakterystyki SFDR w funkcji częstotliwości. 3. Sygnał definiuje się jako pełnoskalowy, gdy jego amplituda jest większa niż -3 dBfs (pełna skala). 4. ‘Skorygowana prędkość aktualizacji’ dla przetwornika CA: a. w przypadku konwencjonalnych (nieinterpolujących) przetworników CA ‘skorygowana prędkość aktualizacji’ jest to prędkość, z jaką sygnał cyfrowy jest przekształcany na sygnał analogowy i analogowe wartości wyjściowe są zmieniane przez przetwornik CA. Przetworniki cyfrowo-analogowe, w których można obejść tryb interpolacji (współczynnik interpolacji wynoszący jeden), należy uznać za konwencjonalne przetworniki CA (nieinterpolujące); b. w przypadku przetworników CA interpolujących (przetworniki CA z oversamplingiem) ‘skorygowana prędkość aktualizacji’ jest definiowana jako prędkość aktualizacji przetwornika CA podzielona przez najmniejszy współczynnik interpolacji. W przypadku interpolujących przetworników CA ‘skorygowana prędkość aktualizacji’ bywa stosowana zamiennie z innymi terminami, w tym: — prędkość przesyłania danych na wejściu, — prędkość transmisji słów na wejściu, — częstotliwość próbkowania na wejściu, — maksymalna całkowita prędkość magistrali na wejściu, — maksymalna częstotliwość cyklu zegara DAC dla danych wejściowych zegara DAC. 6. elektrooptyczne układy scalone lub „optyczne układy scalone” zaprojektowane do „przetwarzania sygnałów” i spełniające wszystkie poniższe kryteria: a. jedna lub więcej wewnętrzna dioda „laserowa”; b. jeden lub więcej wewnętrzny element wykrywający światło; oraz c. prowadnica światłowodowa; 7. ‘programowalne przez użytkownika urządzenia logiczne’ spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: a. maksymalna liczba asynchronicznych cyfrowych wejść/wyjść wynosząca 500 lub więcej; lub b. ‘łączna jednokierunkowa szczytowa prędkość przesyłu danych nadajnika-odbiornika szeregowego’ wynosząca 200 Gb/s lub więcej; Uwaga: Pozycja 3A001.a.7 zawiera: — proste programowalne urządzenia logiczne (SPLD), — złożone programowalne urządzenia logiczne (CPLD), — tablice bramek programowalne przez użytkownika (FPGA), — tablice logiczne programowalne przez użytkownika (FPLA), — połączenia wewnętrzne programowalne przez użytkownika (FPIC). 3A001 a. 7. Uwagi techniczne: 1. ‘Programowalne przez użytkownika urządzenia logiczne’ znane są również jako bramki programowalne przez użytkownika lub tablice logiczne programowalne przez użytkownika. 2. Maksymalna liczba cyfrowych wejść/wyjść w pozycji 3A001.a.7.a jest również nazywana maksymalną liczbą wejść/wyjść użytkowników lub maksymalną liczbą dostępnych wejść/wyjść niezależnie od tego, czy obwód scalony jest obudowany czy surowy. 3. ‘łączna jednokierunkowa szczytowa prędkość przesyłu danych nadajnika-odbiornika szeregowego’ oznacza iloczyn jednokierunkowej szczytowej prędkości przesyłu danych nadajnika-odbiornika i liczby nadajników-odbiorników na tablicach bramek programowalnych przez użytkownika (FPGA). 8. nieużywane; 9. obwody scalone do sieci neuronowych; 10. wykonywane na zamówienie układy scalone o nieznanej ich producentowi funkcji lub poziomie kontroli sprzętu, w którym będzie zastosowany dany układ scalony, spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: a. ponad 1 500 końcówek; b. typowe „podstawowe opóźnienie przechodzenia sygnału przez bramkę” mniejsze niż 0,02 ns; lub c. częstotliwość robocza powyżej 3 GHz; 11. cyfrowe układy scalone, różne od przedstawionych w pozycji 3A001.a.3 do 3A001.a.10 lub 3A001.a.12, oparte na dowolnym układzie półprzewodników złożonych oraz spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: a. zastępczą liczbę bramek powyżej 3 000 (bramki dwuwejściowe); lub b. częstotliwość przełączania powyżej 1,2 GHz; 12. procesory do szybkiej transformacji Fouriera (FFT) posiadające nominalny czas realizacji dla N-punktowej zespolonej transformaty FFT poniżej (N log2 N)/20 480 ms, gdzie N jest liczbą punktów; Uwaga techniczna: Gdy N jest równe 1 024 punkty, wynik formuły w pozycji 3A001.a.12, określającej czas realizacji, wynosi 500 μs. 13. obwody scalone bezpośredniego syntezera cyfrowego (DDS) spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: a. częstotliwość zegara przetwornika cyfrowo-analogowego (przetwornika DAC) wynosząca co najmniej 3,5 GHz i rozdzielczość przetwornika DAC wynosząca co najmniej 10 bit, ale mniej niż 12 bitów; lub b. częstotliwość zegara przetwornika DAC wynosząca co najmniej 1,25 GHz i rozdzielczość przetwornika DAC wynosząca co najmniej 12 bitów; Uwaga techniczna: Częstotliwość zegara przetwornika DAC można określić jako częstotliwość zegara głównego lub częstotliwość zegara wejścia b. następujące elementy mikrofalowe lub pracujące na falach milimetrowych: Uwaga techniczna: Do celów pozycji 3A001.b. parametr mocy wyjściowej na granicy nasycenia może być również określany w arkuszu danych produktu jako moc wyjściowa, nasycona moc wyjściowa, maksymalna moc wyjściowa, szczytowa moc wyjściowa lub szczytowa wartość obwiedni mocy. 3A001 b. 1. następujące elektronowe lampy próżniowe i katodowe: Uwaga 1: Pozycja 3A001.b.1 nie obejmuje kontrolą lamp zaprojektowanych lub przystosowanych do działania w jakimkolwiek paśmie częstotliwości i spełniających wszystkie poniższe kryteria: a. szerokość pasma nie przekracza 31,8 GHz; oraz b. jest „rozdzielone przez ITU” dla służb radiokomunikacyjnych, ale nie w celu namierzania radiowego. Uwaga 2: Pozycja 3A001.b.1 nie obejmuje kontrolą lamp innych niż „klasy kosmicznej”, spełniających wszystkie poniższe kryteria: a. średnia moc wyjściowa równa lub mniejsza niż 50 W; oraz b. zaprojektowanych lub przystosowane do działania w jakimkolwiek paśmie częstotliwości i spełniających wszystkie poniższe kryteria: 1. szerokość przekracza 31,8 Ghz, lecz nie przekracza 43,5 GHz; oraz 2. jest „rozdzielone przez ITU” dla służb radiokomunikacyjnych, ale nie w celu namierzania radiowego. a. następujące lampy o fali bieżącej, fali impulsowej lub ciągłej: 1. lampy pracujące na częstotliwościach powyżej 31,8 GHz; 2. lampy posiadające element podgrzewający katodę, z czasem uzyskania mocy znamionowej w zakresie fal radiowych wynoszącym poniżej 3 sekund; 3. sprzężone lampy wnękowe lub ich pochodne o „ułamkowej szerokości pasma” powyżej 7 % lub mocy szczytowej powyżej 2,5 kW; 4. lampy spiralne lub ich pochodne, spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: a. „chwilowa szerokość pasma” powyżej jednej oktawy oraz iloczyn mocy przeciętnej (wyrażonej w kW) i częstotliwości (wyrażonej w GHz) powyżej 0,5 ; b. „chwilowa szerokość pasma” poniżej jednej oktawy oraz iloczyn mocy przeciętnej (wyrażonej w kW) i częstotliwości (wyrażonej w GHz) powyżej 1; lub c. są „klasy kosmicznej”; b. wzmacniacze lampowe o skrzyżowanych polach o wzmocnieniu powyżej 17 dB; c. impregnowane katody zaprojektowane do lamp elektronicznych, wytwarzające ciągły prąd emisyjny w znamionowych warunkach pracy o gęstości powyżej 5 A/cm2; 2. mikrofalowe „monolityczne układy scalone” (MMIC) wzmacniaczy mocy spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: a. przystosowane do pracy na częstotliwościach przewyższających 2,7 GHz, do 6,8 GHz włącznie, o „ułamkowej szerokości pasma” powyżej 15 % i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 75 W (48,75 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 2,7 GHz do 2,9 GHz włącznie; 2. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 55 W (47,4 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 2,9 GHz do 3,2 GHz włącznie; 3. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 40 W (46 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 3,2 GHz do 3,7 GHz włącznie; lub 4. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 20 W (43 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 3,7 GHz do 6,8 GHz włącznie; 3A001 b. 2. b. przystosowane do pracy na częstotliwościach przekraczających 6,8 GHz, do 16 GHz włącznie, o „ułamkowej szerokości pasma” powyżej 10 % i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 10 W (40 dBm) przy dowolnej częstotliwości przewyższającej 6,8 GHz, do 8,5 GHz włącznie; lub 2. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 5 W (37 dBm) przy dowolnej częstotliwości przewyższającej 8,5 GHz, do 16 GHz włącznie; c. przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 3 W (34,77 dBm) na częstotliwościach przewyższających 16 GHz, do 31,8 GHz włącznie, i przy „ułamkowej szerokości pasma” wynoszącej powyżej 10 %; d. przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 0,1 nW (-70 dBm) na częstotliwościach przewyższających 31,8 GHz, do 37 GHz włącznie; e. przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 1 W (30 dBm) na częstotliwościach przewyższających 37 GHz, do 43,5 GHz włącznie, i przy „ułamkowej szerokości pasma” wynoszącej powyżej 10 %; f. przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 31,62 mW (15 dBm) na częstotliwościach przewyższających 43,5 GHz, do 75 GHz włącznie, i przy „ułamkowej szerokości pasma” wynoszącej powyżej 10 %; g. przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 10 mW (10 dBm) na częstotliwościach przewyższających 75 GHz, do 90 GHz włącznie, i przy „ułamkowej szerokości pasma” wynoszącej powyżej 5 %; lub h. przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 0,1 nW (-70 dBm) na częstotliwościach przewyższających 90 GHz; Uwaga 1: nieużywane. Uwaga 2: Poziom kontroli MMIC, których znamionowa częstotliwość robocza obejmuje częstotliwości zawarte w więcej niż jednym paśmie, zgodnie z definicjami w pozycjach 3A001.b.2.a do 3A001.b.2.h, jest określony przez najniższy próg mocy wyjściowej na granicy nasycenia. Uwaga 3: Uwagi 1 i 2 w kategorii 3 A oznaczają, że pozycja 3A001.b.2 nie obejmuje kontrolą MMIC, jeśli są one specjalnie zaprojektowane do innych zastosowań, np. telekomunikacyjnych, radiolokacyjnych, motoryzacyjnych. 3. dyskretne tranzystory mikrofalowe spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: a. przystosowane do działania w zakresie częstotliwości powyżej 2,7 GHz i do 6,8 GHz włącznie i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 400 W (56 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 2,7 GHz do 2,9 GHz włącznie; 2. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 205 W (53,12 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 2,9 GHz do 3,2 GHz włącznie; 3. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 115 W (50,61 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 3,2 GHz do 3,7 GHz włącznie; lub 4. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 60 W (47,78 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 3,7 GHz do 6,8 GHz włącznie; b. przystosowane do działania w zakresie częstotliwości powyżej 6,8 GHz i do 31,8 GHz włącznie i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 50 W (47 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 6,8 GHz do 8,5 GHz włącznie; 3A001 b. 3. b. 2. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 15 W (41,76 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 8,5 GHz do 12 GHz włącznie; 3. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 40 W (46 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 12 GHz do 16 GHz włącznie; lub 4. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 7 W (38,45 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 16 GHz do 31,8 GHz włącznie; c. przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 0,5 W (27 dBm) na częstotliwościach przewyższających 31,8 GHz, do 37 GHz włącznie; d. przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 1 W (30 dBm) na częstotliwościach przewyższających 37 GHz, do 43,5 GHz włącznie; e. przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 0,1 nW (-70 dBm) na częstotliwościach przewyższających 43,5 GHz; Uwaga 1: Poziom kontroli tranzystora, którego znamionowa częstotliwość robocza obejmuje częstotliwości zawarte w więcej niż jednym paśmie, zgodnie z definicjami w pozycjach 3A001.b.3.a do 3A001.b.3.e, jest określony przez najniższy próg mocy wyjściowej na granicy nasycenia. Uwaga 2: Pozycja 3A001.b.3. obejmuje surowe płytki półprzewodnikowe, płytki zamontowane na nośnikach oraz płytki zamontowane w zestawach. Niektóre dyskretne tranzystory mogą być również określane jako wzmacniacze mocy, jednak status tych dyskretnych tranzystorów jest podany w pozycji 3A001.b.3. 4. mikrofalowe wzmacniacze półprzewodnikowe oraz mikrofalowe zespoły/moduły zawierające mikrofalowe wzmacniacze półprzewodnikowe spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: a. przystosowane do działania w zakresie częstotliwości powyżej 2,7 GHz i do 6,8 GHz włącznie, o „ułamkowej szerokości pasma” powyżej 15 % i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 500 W (57 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 2,7 GHz do 2,9 GHz włącznie; 2. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 270 W (54,3 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 2,9 GHz do 3,2 GHz włącznie; 3. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 200 W (53 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 3,2 GHz do 3,7 GHz włącznie; lub 4. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 90 W (49,54 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 3,7 GHz do 6,8 GHz włącznie; b. przystosowane do działania w zakresie częstotliwości powyżej 6,8 GHz i do 31,8 GHz włącznie, o „ułamkowej szerokości pasma” powyżej 10 % i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 70 W (48,54 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 6,8 GHz do 8,5 GHz włącznie; 2. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 50 W (47 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 8,5 GHz do 12 GHz włącznie; 3. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 30 W (44,77 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 12 GHz do 16 GHz włącznie; lub 4. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 20 W (43 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 16 GHz do 31,8 GHz włącznie; c. przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 0,5 W (27 dBm) na częstotliwościach przewyższających 31,8 GHz, do 37 GHz włącznie; 3A001 b. 4. d. przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 2 W (33 dBm) na częstotliwościach przewyższających 37 GHz, do 43,5 GHz włącznie, i przy „ułamkowej szerokości pasma” wynoszącej powyżej 10 %; e. przystosowane do pracy na częstotliwościach powyżej 43,5 GHz oraz spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 0,2 W (23 dBm) na częstotliwościach przewyższających 43,5 GHz, do 75 GHz włącznie, i przy „ułamkowej szerokości pasma” wynoszącej powyżej 10 %; 2. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 20 mW (13 dBm) na częstotliwościach przewyższających 75 GHz, do 90 GHz włącznie, i przy „ułamkowej szerokości pasma” wynoszącej powyżej 5 %; lub 3. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 0,1 nW (-70 dBm) na częstotliwościach przewyższających 90 GHz; lub f. przystosowane do pracy na częstotliwościach powyżej 2,7 GHz oraz spełniające wszystkie poniższe kryteria: 1. Moc wyjściowa na granicy nasycenia (w watach), Psat, większa niż 400 dzielone przez maksymalną częstotliwość pracy (w GHz) podniesione do potęgi drugiej [Psat > 400 W*GHz2/fGHz 2]; 2. „ułamkowa szerokość pasma” wynosząca 5 % lub więcej; oraz 3. jakiekolwiek dwustronne, wzajemnie prostopadłe d siebie, o długości d (w cm) mniejszej niż 15 lub równej 15 podzielone przez najniższą częstotliwość roboczą (w GHz) [d ≤ 15 cm*GHz/fGHz]; Uwaga techniczna: Częstotliwość 2,7 GHz należy przyjąć jako najniższą częstotliwość roboczą (fGHz) we wzorze w pozycji 3A001.b.4.f.3 dla wzmacniaczy, których dolna granica znamionowej częstotliwości roboczej osiąga wartość 2,7 GHz lub niższą [d ≤ 15 cm*GHz/2,7 GHz]. N.B.: Mikrofalowe „monolityczne układy scalone” (MMIC) wzmacniaczy mocy należy oceniać wg kryteriów zawartych w pozycji 3A001.b.2. Uwaga 1: nieużywane. Uwaga 2: Poziom kontroli elementu, którego znamionowa częstotliwość robocza obejmuje częstotliwości zawarte w więcej niż jednym paśmie, zgodnie z definicjami w pozycjach 3A001.b.4.a do 3A001.b.4.e, jest określony przez najniższy próg mocy wyjściowej na granicy nasycenia. Uwaga 3: Pozycja 3A001.b.4. obejmuje moduły nadawcze/odbiorcze i moduły nadawcze. 5. filtry środkowo-przepustowe i środkowo-zaporowe, przestrajalne elektronicznie lub magnetycznie, posiadające więcej niż 5 przestrajalnych rezonatorów umożliwiających strojenie w zakresie pasma częstotliwości 1,5 :1 (fmax./fmin.) w czasie poniżej 10 μs i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: a. szerokość pasma środkowo-przepustowego powyżej 0,5 % częstotliwości nośnej; lub b. szerokość pasma środkowo-zaporowego poniżej 0,5 % częstotliwości nośnej; 6. nieużywane; 7. konwertery i mieszacze harmoniczne przeznaczone do rozszerzania przedziału częstotliwości sprzętu opisanego w pozycjach 3A002.c, 3A002.d, 3A002.e lub 3A002.f powyżej podanych tam wartości granicznych; 3A001 b. 8. mikrofalowe wzmacniacze mocy zawierające lampy wyszczególnione w pozycji 3A001.b.1 i spełniające wszystkie poniższe kryteria: a. częstotliwości robocze powyżej 3 GHz; b. średni stosunek mocy wyjściowej do masy większy niż 80 W/kg; oraz c. objętość mniejsza niż 400 cm3; Uwaga: Pozycja 3A001.b.8 nie obejmuje kontrolą sprzętu zaprojektowanego lub przystosowanego do działania w jakimkolwiek paśmie częstotliwości, które jest „przydzielane przez ITU” dla służb radiokomunikacyjnych, ale nie w celu namierzania radiowego. 9. mikrofalowe moduły mocy (MPM) składające się co najmniej z lampy o fali bieżącej, mikrofalowego „monolitycznego układu scalonego” i zintegrowanego elektronicznego kondycjonera mocy i spełniające wszystkie poniższe kryteria: a. ‘czas włączania’ od stanu wyłączenia do stanu całkowitej gotowości krótszy niż 10 sekund; b. objętość mniejszą niż iloczyn maksymalnej mocy znamionowej w watach i 10 cm3/W; oraz c. „Chwilową szerokość pasma” większą niż 1 oktawa (fmax. > 2fmin.) oraz spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. dla częstotliwości równych lub mniejszych niż 18 GHz – moc wyjściowa w zakresie fal radiowych większą niż 100 W; lub 2. częstotliwość większa niż 18 GHz; Uwagi techniczne: 1. Do obliczenia objętości w pozycji 3A001.b.9.b podaje się następujący przykład: dla maksymalnej mocy znamionowej wynoszącej 20 W objętość wyniosłaby: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3. 2. ‘Czas włączania’, o którym mowa w pozycji 3A001.b.9.a, odnosi się do czasu upływającego od stanu całkowitego wyłączenia do osiągnięcia całkowitej gotowości do pracy, a zatem obejmuje on również czas rozgrzewania MPM. 10. Oscylatory lub zespoły oscylatorów przewidziane do działania z jednoczesnym spełnieniem wszystkich poniższych kryteriów: a. zakłócenie fazowe pojedynczej wstęgi bocznej (SSB) w dBc/Hz lepsze niż - (126 + 20log10F-20log10f) w dowolnym punkcie w zakresie 10 Hz < F < 10 kHz; oraz b. zakłócenie fazowe pojedynczej wstęgi bocznej (SSB) w dBc/Hz lepsze niż - (114 + 20log10F-20log10f) w dowolnym punkcie w zakresie 10 kHz ≤ F < 500 kHz; Uwaga techniczna: W pozycji 3A001.b.10 F oznacza przesunięcie w stosunku do częstotliwości roboczej w Hz, a f oznacza częstotliwość roboczą w MHz. 11. „zespoły elektroniczne” będące „syntezatorami częstotliwości”, których „czas przełączania częstotliwości” określony jest przez którykolwiek z poniższych parametrów: a. krótszy niż 156 ps; b. krótszy niż 100 μs dla każdej zmiany częstotliwości przewyższającej 1,6 GHz w zakresie syntetyzowanych częstotliwości przekraczającym 4,8 GHz, ale nieprzekraczającym 10,6 GHz; c. krótszy niż 250 μs dla każdej zmiany częstotliwości przewyższającej 550 MHz w zakresie syntetyzowanych częstotliwości przekraczającym 10,6 GHz, ale nieprzekraczającym 31,8 GHz; d. krótszy niż 500 μs dla każdej zmiany częstotliwości przewyższającej 550 MHz w zakresie syntetyzowanych częstotliwości przekraczającym 31,8 GHz, ale nieprzekraczającym 43,5 GHz; 3A001 b. 11. e. krótszy niż 1 ms dla każdej zmiany częstotliwości przewyższającej 550 MHz w zakresie syntetyzowanych częstotliwości przekraczającym 43,5 GHz, ale nieprzekraczającym 56 GHz; f. krótszy niż 1 ms dla każdej zmiany częstotliwości przewyższającej 2,2 GHz w zakresie syntetyzowanych częstotliwości przekraczającym 56 GHz, ale nieprzekraczającym 75 GHz; lub g. krótszy niż 1 ms w zakresie syntetyzowanych częstotliwości przekraczającym 75 GHz; N.B.: Używane do zastosowań ogólnych: „analizatory sygnału” – zob. poz. 3A002.c, generatory sygnałowe – 3A002.d, analizatory sieci – 3A002.e, kontrolne odbiorniki mikrofalowe – 3A002.f. c. następujące urządzenia wykorzystujące fale akustyczne oraz specjalnie zaprojektowane do nich komponenty: 1. urządzenia wykorzystujące powierzchniowe fale akustyczne oraz szumiące powierzchniowo (płytkie) fale akustyczne, spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: a. częstotliwość nośną powyżej 6 GHz; b. częstotliwość nośną większą niż 1 GHz, ale nieprzekraczającą 6 GHz oraz spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. ‘tłumienie pasma bocznego częstotliwości’ powyżej 65 dB; 2. iloczyn maksymalnego czasu zwłoki i szerokości pasma (czas w μs, a szerokość pasma w MHz) powyżej 100; 3. szerokość pasma większa, niż 250 MHz; lub 4. opóźnienie dyspersyjne powyżej 10 μs; lub c. częstotliwość nośną wynoszącą 1 GHz lub mniejszą oraz spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. iloczyn maksymalnego czasu zwłoki i szerokości pasma (czas w μs, a szerokość pasma w MHz) powyżej 100; 2. opóźnienie dyspersyjne powyżej 10 μs; lub 3. ‘tłumienie pasma bocznego częstotliwości’ powyżej 65 dB i szerokość pasma większa niż 100 MHz; Uwaga techniczna: ‘Tłumienie pasma bocznego częstotliwości’ oznacza maksymalną wartość tłumienia wyszczególnioną na arkuszu danych. 2. urządzenia wykorzystujące przestrzenne fale akustyczne, umożliwiające bezpośrednie przetwarzanie sygnałów z częstotliwościami powyżej 6 GHz; 3. urządzenia do „przetwarzania sygnałów” optyczno-akustycznych wykorzystujące oddziaływania pomiędzy falami akustycznymi (przestrzennymi lub powierzchniowymi) a falami świetlnymi do bezpośredniego przetwarzania sygnałów lub obrazów, łącznie z analizą widmową, korelacją lub splataniem; Uwaga: Pozycja 3A001.c nie obejmuje kontrolą urządzeń wykorzystujących fale akustyczne ograniczone do pojedynczego filtra środkowoprzepustowego, filtra dolnoprzepustowego, filtra górnoprzepustowego, filtra antysprzężeniowego lub funkcji rezonacyjnej. d. urządzenia i układy elektroniczne, zawierające części składowe wykonane z materiałów „nadprzewodzących”, specjalnie zaprojektowane do pracy w temperaturach poniżej „temperatury krytycznej” co najmniej jednego z elementów „nadprzewodzących” i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. przełączanie prądowe dla obwodów cyfrowych za pomocą bramek „nadprzewodzących”, dla którego iloczyn czasu zwłoki na bramkę (w sekundach) i rozproszenia mocy na bramkę (w watach) wynosi poniżej 10-14 J; lub 2. selekcję częstotliwości dla wszystkich częstotliwości za pomocą obwodów rezonansowych o wartościach Q przekraczających 10 000 ; 3A001 e. następujące urządzenia wysokoenergetyczne: 1. ‘ogniwa’, takie jak: a. ‘ogniwa pierwotne’ o ‘gęstości energii’ powyżej 550 Wh/kg w temperaturze 20 °C; b. ‘ogniwa wtórne’ o ‘gęstości energii’ powyżej 300 Wh/kg w temperaturze 20 °C; Uwagi techniczne: 1. Do celów pozycji 3A001.e.1 ‘gęstość energii’ (Wh/kg) otrzymuje się, mnożąc napięcie znamionowe przez pojemność znamionową w amperogodzinach (Ah) i dzieląc powyższe przez masę w kilogramach. Jeżeli pojemność znamionowa nie jest podana, gęstość energii otrzymuje się przez podniesienie napięcia znamionowego do kwadratu, a następnie pomnożenie przez czas rozładowania wyrażony w godzinach oraz podzielenie przez obciążenie rozładowania wyrażone w omach i całkowitą masę ogniwa wyrażoną w kilogramach. 2. Do celów pozycji 3A001.e.1 ‘ogniwo’ definiuje się jako urządzenie elektrochemiczne zawierające elektrody dodatnie i ujemne, elektrolit i będące źródłem energii elektrycznej. Jest to podstawowy element składowy baterii. 3. Do celów pozycji 3A001.e.1.a ‘ogniwo pierwotne’ jest ‘ogniwem’, które nie jest przeznaczone do ładowania z jakiegokolwiek innego źródła. 4. Do celów pozycji 3A001.e.1.b ‘ogniwo wtórne’ jest ‘ogniwem’, które jest przeznaczone do ładowania z zewnętrznego źródła energii elektrycznej. Uwaga: Pozycja 3A001.e.1 nie obejmuje kontrolą baterii, w tym również baterii pojedynczych. 2. wysokoenergetyczne kondensatory magazynujące, takie jak: N.B.: ZOB. TAKŻE 3A201.a. i Wykaz uzbrojenia. a. kondensatory o częstotliwości powtarzania poniżej 10 Hz (kondensatory jednokrotne) i spełniające wszystkie poniższe kryteria: 1. napięcie znamionowe równe lub wyższe niż 5 kV; 2. gęstość energii równa lub wyższa niż 250 J/kg; oraz 3. energia całkowita równa lub wyższa niż 25 kJ; b. kondensatory o częstotliwości powtarzania 10 Hz lub wyższej (kondensatory powtarzalne) i spełniające wszystkie poniższe kryteria: 1. napięcie znamionowe równe lub wyższe niż 5 kV; 2. gęstość energii równa lub wyższa niż 50 J/kg; 3. energia całkowita równa lub wyższa niż 100 J; oraz 4. żywotność mierzona liczbą cykli ładowanie/rozładowanie wynosząca więcej niż 10 000 ; 3. „nadprzewodzące” elektromagnesy lub cewki, specjalnie zaprojektowane w sposób umożliwiający ich pełne ładowanie i rozładowanie w czasie mniejszym niż 1 s i spełniające wszystkie poniższe kryteria: N.B.: ZOB. TAKŻE POZYCJA 3A201.b. Uwaga: Pozycja 3A001.e.3 nie obejmuje kontrolą elektromagnesów ani cewek „nadprzewodzących” specjalnie zaprojektowanych do aparatury obrazowania rezonansem magnetycznym (MRI), wykorzystywanej w medycynie. a. energia dostarczona podczas wyładowania jest większa od 10 kJ w pierwszej sekundzie; b. średnica wewnętrzna uzwojenia prądowego cewki wynosi powyżej 250 mm; oraz c. zostały dostosowane do indukcji magnetycznej powyżej 8 T lub posiadają „całkowitą gęstość prądu” w uzwojeniu powyżej 300 A/mm2; 3A001 e. 4. ogniwa słoneczne, zespoły ogniwo-łącznik-szkło osłonowe (CIC), panele słoneczne i baterie słoneczne klasy kosmicznej, mające minimalną średnią sprawność wyższą niż 20 % w temperaturze roboczej 301 K (28 °C) w symulowanym oświetleniu ‘AM0’ o irradiancji 1 367 watów na metr kwadratowy (W/m2); Uwaga techniczna: ‘AM0’ lub ‘masa powietrza 0’ odpowiada irradiancji widmowej światła słonecznego w zewnętrznej atmosferze Ziemi przy odległości Ziemi od Słońca wynoszącej 1 jednostkę astronomiczną (AU). f. urządzenia kodujące bezwzględne położenie o dokładności równej ± 1,0 sekunda kątowa lub mniejszej (lepszej); g. półprzewodnikowe impulsowe tyrystorowe wyłączniki zasilania i ‘moduły tyrystorowe’ oparte na metodach wyłączania sterowanych elektrycznie, optycznie lub promieniowaniem elektronowym spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. maksymalna szybkość narastania prądu włączenia (di/dt) większa niż 30 000 A/μs i napięcie w stanie wyłączenia większe niż 1 100 V; lub 2. maksymalna szybkość narastania prądu włączenia (di/dt) większa niż 2 000 A/μs i spełniające wszystkie poniższe kryteria: a. napięcie szczytowe w stanie wyłączonym równe lub większe niż 3 000 V; oraz b. prąd szczytowy (udarowy) równy lub większy niż 3 000 A. Uwaga 1: Pozycja 3A001.g obejmuje: — krzemowe prostowniki sterowane (SCR), — tyrystory wyzwalane elektrycznie (ETT), — tyrystory wyzwalane optycznie (LTT), — tyrystory o komutowanej bramce (IGCT), — tyrystory sterowane MOS (MCT), — tyrystory wyłączalne prądem bramki (GTO), — urządzenia typu Solidtron. Uwaga 2: Pozycja 3A001.g nie obejmuje kontrolą urządzeń tyrystorowych i ‘modułów tyrystorowych’ wbudowanych w urządzenia przeznaczone do zastosowań w kolejnictwie cywilnym lub „cywilnych statkach powietrznych”. Uwaga techniczna: Do celów pozycji 3A001.g ‘moduł tyrystorowy’ zawiera co najmniej jedno urządzenie tyrystorowe. h. półprzewodnikowe przełączniki mocy, diody mocy lub ‘moduły’ mocy spełniające wszystkie poniższe kryteria: 1. nominalna maksymalna temperatura robocza złącza wyższa niż 488 K (215 °C); 2. szczytowe powtarzalne napięcie w stanie wyłączonym (napięcie blokujące) przekraczające 300 V; oraz 3. prąd ciągły większy niż 1 A. Uwaga 1: Szczytowe powtarzalne napięcie w stanie wyłączonym w pozycji 3A001.h obejmuje napięcie dren-źródło, napięcie kolektor-emiter, szczytowe powtarzalne napięcie wsteczne i szczytowe powtarzalne napięcie blokujące w stanie wyłączonym. 3A001 h. Uwaga 2: Pozycja 3A001.h obejmuje: — tranzystory polowe złączowe (JFET), — pionowe tranzystory polowe złączowe (VJFET), — tranzystory polowe o strukturze metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET), — podwójny dyfuzyjny tranzystor polowy o strukturze metal-tlenek-półprzewodnik (DMOSFET), — tranzystor bipolarny z izolowaną bramką (IGBT), — tranzystory z wysoką ruchliwością elektronów (HEMT), — tranzystory bipolarne złączowe (BJT), — tyrystory i krzemowe prostowniki sterowane (SCR), — tyrystory wyłączalne prądem bramki (GTO), — tyrystory wyłączalne emiterem (ETO), — diody PiN, — diody Schottky’ego. Uwaga 3: Pozycja 3A001.h nie obejmuje kontrolą przełączników, diod ani ‘modułów’ znajdujących się w urządzeniach przeznaczonych do zastosowania w cywilnych pojazdach drogowych, cywilnych pojazdach kolejowych lub „cywilnych statkach powietrznych”. Uwaga techniczna: Do celów pozycji 3A001.h ‘moduły’ zawierają jeden lub więcej półprzewodnikowych przełączników lub diod.