3A001

Następujące produkty elektroniczne: a. następujące układy scalone ogólnego przeznaczenia: Uwaga: Wśród układów scalonych rozróżnia się następujące typy: — „monolityczne układy scalone”; — „hybrydowe układy scalone”; — „wieloukłady scalone”; — „układy scalone warstwowe”, łącznie z układami scalonymi typu krzem na szafirze; — „optyczne układy scalone”; — „trójwymiarowe układy scalone”; — „monolityczne mikrofalowe układy scalone” („MMIC”) 1. układy scalone zaprojektowane lub oznaczone znamionowo jako zabezpieczone przed promieniowaniem jonizującym, wytrzymujące którekolwiek z poniższych: a. dawkę całkowitą 5 x 103 Gy (Si) lub wyższą; b. wzrost dawki o 5 x 106 Gy (Si)/s lub większy; lub c. fluencję (zintegrowany strumień) neutronów (ekwiwalent 1 MeV) o wartości 5 x 1013 n/cm2 lub większej na krzemie, lub jej ekwiwalent na innym materiale; Uwaga: Pozycja 3A001.a.1.c nie obejmuje kontrolą struktur metal- izolator- półprzewodnik (MIS). 2. „układy mikroprocesorowe”, „układy mikrokomputerowe” i układy do mikrosterowników, układy scalone pamięci wykonane z półprzewodników złożonych, przetworniki analogowo-cyfrowe, układy scalone zawierające przetworniki analogowo-cyfrowe i zapisujące lub przetwarzające dane przetworzone cyfrowo, przetworniki cyfrowo-analogowe, układy elektrooptyczne lub „optyczne układy scalone” do „przetwarzania sygnałów”, sieci bramek programowalne przez użytkownika, robione na zamówienie układy scalone o nieznanej ich producentowi funkcji lub poziomie kontroli urządzenia, w którym miałyby być zainstalowane, procesory do Szybkiej Transformacji Fouriera (FFT), statyczne pamięci o dostępie swobodnym (SRAM) lub „pamięci nieulotne”, spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: a. przystosowane do pracy w temperaturze otoczenia powyżej 398 K (125 °C), b. przystosowane do pracy w temperaturze otoczenia poniżej 218 K (-55 °C); lub c. przystosowane do pracy w całym przedziale wartości temperatur od 218 K (-55 °C) do 398 K (125 °C); Uwaga: Pozycja 3A001.a.2 nie obejmuje kontrolą układów scalonych zaprojektowanych do silników pojazdów cywilnych ani kolejowych. Uwaga techniczna: „Pamięci nieulotne” oznaczają pamięci przechowujące dane w okresie po wyłączeniu zasilania. 3. „układy mikroprocesorowe”, „układy mikrokomputerowe” i układy do mikrosterowników wykonane z półprzewodników złożonych, pracujące z częstotliwością zegara przekraczającą 40 MHz; Uwaga: Pozycja 3A001.a.3 obejmuje cyfrowe procesory sygnałowe, cyfrowe procesory tablicowe i koprocesory cyfrowe. 4. nieużywane; 5. następujące przetworniki analogowo-cyfrowe (ADC) i przetworniki cyfrowo-analogowe (DAC) na układach scalonych: a. przetworniki analogowo-cyfrowe spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: N.B. ZOB. TAKŻE POZYCJA 3A101. 1. rozdzielczość 8 bitów lub więcej, lecz poniżej 10 bitów i „częstotliwość próbkowania” większa niż 1,3 giga próbek/sek (GSPS); 2. rozdzielczość 10 bitów lub więcej, lecz poniżej 12 bitów i „częstotliwość próbkowania” większa niż 600 mega próbek/sek (MSPS); 3. rozdzielczość 12 bitów lub więcej, lecz poniżej 14 bitów i „częstotliwość próbkowania” większa niż 400 MSPS; 4. rozdzielczość 14 bitów lub więcej, lecz poniżej 16 bitów i „częstotliwość próbkowania” większa niż 250 MSPS; lub 5. rozdzielczość 16 bitów lub więcej i „częstotliwość próbkowania” większa niż 65 MSPS; N.B. Odnośnie do układów scalonych, które zawierają przetworniki analogowo-cyfrowe i zapisują lub przetwarzają dane przetworzone cyfrowo, zob. pozycja 3A001.a.14. Uwagi techniczne: 1. Rozdzielczość n bitów odpowiada kwantowaniu na 2n poziomach. 2. Rozdzielczość przetwornika ADC wyrażona jest liczbą bitów na wyjściu cyfrowym odpowiadającą pomiarowi na wejściu analogowym. Efektywnej liczby bitów (ENOB) nie stosuje się do określania rozdzielczości ADC. 3. W przypadku „wielokanałowych przetworników ADC”„częstotliwość próbkowania” nie jest agregowana i „częstotliwość próbkowania” jest maksymalną wielkością pojedynczego kanału. 4. W przypadku „przetworników ADC z przeplotem” lub w przypadku „wielokanałowych przetworników ADC”, których specyfikacje przewidują tryb pracy z przeplotem, „częstotliwości próbkowania” są agregowane i „częstotliwość próbkowania” jest maksymalną łączną całkowitą częstotliwością wplecionych kanałów. b. przetworniki cyfrowo-analogowe (przetworniki DAC) spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. rozdzielczość 10 bitów lub większa, ale mniejsza niż 12 bitów, przy „skorygowanej prędkości aktualizacji” przekraczającej 3 500 MSPS; lub 2. rozdzielczość 12 bitów lub większa i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: a. „skorygowana prędkość aktualizacji” przekraczająca 1 250 MSPS, ale nieprzekraczająca 3 500 MSPS i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. czas ustalania krótszy niż 9 ns do osiągnięcia pełnej skali lub 0,024 % pełnej skali od pełnego stopnia skali; lub 2. „zakres dynamiki wolny od zafałszowań” (SFDR) większy niż 68 dBc (nośna) przy syntetyzowaniu pełnoskalowego sygnału analogowego o częstotliwości 100 MHz lub najwyższej częstotliwości pełnoskalowego sygnału analogowego wyspecyfikowanej poniżej 100 MHz; lub b. „skorygowana prędkość aktualizacji” przekraczająca 3 500 MSPS; Uwagi techniczne: 1. „Zakres dynamiki wolny od zafałszowań” (SFDR) jest definiowany jako stosunek średniej kwadratowej częstotliwości nośnej (maksymalny element składowy sygnału) na wejściu przetwornika DAC do średniej kwadratowej najbliższego dużego składnika szumu lub zniekształcenia harmonicznego na jego wyjściu. 2. SFDR określa się bezpośrednio z tabel specyfikacji lub z wykresów przedstawiających charakterystyki SFDR w funkcji częstotliwości. 3. Sygnał definiuje się jako pełnoskalowy, gdy jego amplituda jest większa niż -3 dBfs (pełna skala). 4. „Skorygowana prędkość aktualizacji” dla przetwornika DAC: a. w przypadku konwencjonalnych (nieinterpolujących) przetworników DAC „skorygowana prędkość aktualizacji” jest to prędkość, z jaką sygnał cyfrowy jest przekształcany na sygnał analogowy i analogowe wartości wyjściowe są zmieniane przez przetwornik DAC. Przetworniki cyfrowo-analogowe, w których można obejść tryb interpolacji (współczynnik interpolacji wynoszący jeden), należy uznać za konwencjonalne przetworniki DAC (nieinterpolujące); b. w przypadku przetworników DAC interpolujących (przetworniki DAC z oversamplingiem) „skorygowana prędkość aktualizacji” jest definiowana jako prędkość aktualizacji przetwornika DAC podzielona przez najmniejszy współczynnik interpolacji. W przypadku interpolujących przetworników DAC „skorygowana prędkość aktualizacji” bywa stosowana zamiennie z innymi terminami, w tym: — prędkość przesyłania danych na wejściu, — prędkość transmisji słów na wejściu, — częstotliwość próbkowania na wejściu, — maksymalna całkowita prędkość magistrali na wejściu, — maksymalna częstotliwość cyklu zegara DAC dla danych wejściowych zegara DAC. 6. elektrooptyczne układy scalone lub „optyczne układy scalone” zaprojektowane do „przetwarzania sygnałów” i spełniające wszystkie poniższe kryteria: a. jedna lub więcej wewnętrzna dioda „laserowa”; b. jeden lub więcej wewnętrzny element wykrywający światło; oraz c. prowadnica światłowodowa; 7. programowalne przez użytkownika urządzenia logiczne spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: a. maksymalna liczba asynchronicznych cyfrowych wejść/wyjść wynosząca ponad 700; lub b. „łączna jednokierunkowa szczytowa prędkość przesyłu danych nadajnika-odbiornika szeregowego” wynosząca 500 Gb/s lub więcej; Uwaga: Pozycja 3A001.a.7 obejmuje: — złożone programowalne urządzenia logiczne (CPLD), — tablice bramek programowalne przez użytkownika (FPGA), — tablice logiczne programowalne przez użytkownika (FPLA), — połączenia wewnętrzne programowalne przez użytkownika (FPIC). N.B. Odnośnie do układów scalonych posiadających programowalne przez użytkownika urządzenia logiczne, połączone z przetwornikiem analogowo-cyfrowym, zob. pozycja 3A001.a.14. Uwagi techniczne: 1. Maksymalna liczba cyfrowych wejść/wyjść w pozycji 3A001.a.7.a jest również nazywana maksymalną liczbą wejść/wyjść użytkowników lub maksymalną liczbą dostępnych wejść/wyjść niezależnie od tego, czy obwód scalony jest obudowany czy surowy. 2. „Łączna jednokierunkowa szczytowa prędkość przesyłu danych nadajnika-odbiornika szeregowego” oznacza iloczyn jednokierunkowej szczytowej prędkości przesyłu danych nadajnika-odbiornika i liczby nadajników-odbiorników na tablicach bramek programowalnych przez użytkownika (FPGA). 8. nieużywane; 9. obwody scalone do sieci neuronowych; 10. wykonywane na zamówienie układy scalone o nieznanej ich producentowi funkcji lub poziomie kontroli sprzętu, w którym będzie zastosowany dany układ scalony, spełniające jakiekolwiek z poniższych kryteriów: a. posiadające ponad 1 500 końcówek; b. typowe „podstawowe opóźnienie przechodzenia sygnału przez bramkę” mniejsze niż 0,02 ns; lub c. częstotliwość robocza powyżej 3 GHz; 11. cyfrowe układy scalone, różne od przedstawionych w pozycji 3A001.a.3. do 3A001.a.10. lub 3A001.a.12., oparte na dowolnym układzie półprzewodników złożonych oraz spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: a. zastępcza liczba bramek powyżej 3 000 (bramki dwuwejściowe); lub b. częstotliwość przełączania powyżej 1,2 GHz; 12. procesory do szybkiej transformacji Fouriera (FFT) posiadające nominalny czas realizacji dla N-punktowej zespolonej transformaty FFT poniżej (N log2 N)/20 480 ms, gdzie N jest liczbą punktów; Uwaga techniczna: Gdy N jest równe 1 024 punktom, wynik formuły w pozycji 3A001.a.12, określającej czas realizacji, wynosi 500 μs. 13. obwody scalone bezpośredniego syntezera cyfrowego (DDS) spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: a. częstotliwość zegara przetwornika cyfrowo-analogowego (przetwornika DAC) wynosząca co najmniej 3,5 GHz i rozdzielczość przetwornika DAC wynosząca co najmniej 10 bitów, ale mniej niż 12 bitów; lub b. częstotliwość zegara przetwornika DAC wynosząca co najmniej 1,25 GHz i rozdzielczość przetwornika DAC wynosząca co najmniej 12 bitów; Uwaga techniczna: Częstotliwość zegara przetwornika DAC można określić jako częstotliwość zegara głównego lub częstotliwość zegara wejścia. 14. układy scalone, które wykonują lub które można zaprogramować tak, by wykonywały wszystkie następujące funkcje: a. przetwarzanie analogowo-cyfrowe spełniające dowolne z następujących kryteriów: 1. rozdzielczość 8 bitów lub więcej, lecz poniżej 10 bitów i „częstotliwość próbkowania” większa niż 1,3 giga próbek/sek (GSPS); 2. rozdzielczość 10 bitów lub więcej, lecz poniżej 12 bitów i „częstotliwość próbkowania” większa niż 1,0 GSPS; 3. rozdzielczość 12 bitów lub więcej, lecz poniżej 14 bitów i „częstotliwość próbkowania” większa niż 1,0 GSPS; 4. rozdzielczość 14 bitów lub więcej, lecz poniżej 16 bitów i „częstotliwość próbkowania” większa niż 400 mega próbek/sek (MSPS); lub 5. rozdzielczość 16 bitów lub więcej i „częstotliwość próbkowania” większa niż 180 MSPS; oraz b. dowolne z następujących funkcji: 1. przechowywanie danych przetworzonych cyfrowo; lub 2. przetwarzanie danych przetworzonych cyfrowo. N.B.1. Odnośnie do przetwornika analogowo-cyfrowego, zob. pozycja 3A001.a.5.a. N.B.2. Odnośnie do programowalnych przez użytkownika urządzeń logicznych zob. pozycja 3A001.a.7. Uwagi techniczne: 1. Rozdzielczość n bitów odpowiada kwantowaniu na 2n poziomach. 2. Rozdzielczość przetwornika ADC oznacza liczbę bitów wyjścia cyfrowego ADC odpowiadającą pomiarowi wejścia analogowego. Efektywnej liczby bitów (ENOB) nie stosuje się do określania rozdzielczości ADC. 3. W przypadku układów scalonych z nieprzeplatanymi „wielokanałowymi przetwornikami ADC”„częstotliwość próbkowania” nie jest agregowana i „częstotliwość próbkowania” jest maksymalną wielkością pojedynczego kanału. 4. W przypadku układów scalonych z „przetwornikami ADC z przeplotem” lub z „wielokanałowymi przetwornikami ADC”, których specyfikacje przewidują tryb pracy z przeplotem, „częstotliwości próbkowania” są agregowane i „częstotliwość próbkowania” jest maksymalną łączną całkowitą częstotliwością wplecionych kanałów. b. następujące produkty mikrofalowe lub pracujące na falach milimetrowych: Uwaga techniczna: Do celów pozycji 3A001.b. parametr mocy wyjściowej na granicy nasycenia może być również określany w arkuszu danych produktu jako moc wyjściowa, nasycona moc wyjściowa, maksymalna moc wyjściowa, szczytowa moc wyjściowa lub szczytowa wartość obwiedni mocy. 1. następujące „elektroniczne urządzenia próżniowe” i katodowe: Uwaga 1: Pozycja 3A001.b.1 nie obejmuje kontrolą „elektronicznych urządzeń próżniowych” zaprojektowanych lub przystosowanych do działania w jakimkolwiek paśmie częstotliwości i spełniających wszystkie poniższe kryteria: a. szerokość pasma nie przekracza 31,8 GHz; oraz b. jest „rozdzielone przez ITU” dla służb radiokomunikacyjnych, ale nie w celu namierzania radiowego. Uwaga 2: Pozycja 3A001.b.1 nie obejmuje kontrolą „elektronicznych urządzeń próżniowych” innych niż „klasy kosmicznej”, spełniających wszystkie poniższe kryteria: a. średnia moc wyjściowa równa lub mniejsza niż 50 W; oraz b. zaprojektowane lub przystosowane do działania w jakimkolwiek paśmie częstotliwości i spełniające wszystkie poniższe kryteria: 1. szerokość pasma przekracza 31,8 GHz, lecz nie przekracza 43,5 GHz; oraz 2. jest „rozdzielone przez ITU” dla służb radiokomunikacyjnych, ale nie w celu namierzania radiowego. a. następujące „elektroniczne urządzenia próżniowe” o fali bieżącej, fali impulsowej lub ciągłej: 1. urządzenia pracujące na częstotliwościach powyżej 31,8 GHz; 2. urządzenia posiadające podgrzewacz katody, z czasem uzyskania mocy znamionowej w zakresie fal radiowych wynoszącym poniżej 3 sekund; 3. sprzężone urządzenia wnękowe lub ich pochodne o „ułamkowej szerokości pasma” powyżej 7 % lub mocy szczytowej powyżej 2,5 kW; 4. urządzenia oparte na obwodach z prowadnicami spiralnymi, składanymi lub w kształcie serpentyny lub ich pochodne, spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: a. „chwilowa szerokość pasma” powyżej jednej oktawy oraz iloczyn mocy przeciętnej (wyrażonej w kW) i częstotliwości (wyrażonej w GHz) powyżej 0,5 ; b. „chwilowa szerokość pasma” poniżej jednej oktawy oraz iloczyn mocy przeciętnej (wyrażonej w kW) i częstotliwości (wyrażonej w GHz) powyżej 1; c. są „klasy kosmicznej”; lub d. posiadają wyrzutnię elektronów z elektrodą siatkową; 5. urządzenia o „chwilowej szerokości pasma” równej lub większej niż 10 %, spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: a. pierścieniowa wiązka elektronów; b. niesymetryczna osiowo wiązka elektronów; lub c. wielokrotne wiązki elektronów; b. „elektroniczne urządzenia próżniowe” wzmacniaczy o skrzyżowanych polach o wzmocnieniu powyżej 17 dB; c. katody termoelektronowe zaprojektowane do „elektronicznych urządzeń próżniowych”, wytwarzające prąd emisyjny w znamionowych warunkach pracy o gęstości powyżej 5 A/cm2 lub prąd pulsacyjny (nieciągły) w znamionowych warunkach pracy o gęstości powyżej 10 A/cm2; d. „elektroniczne urządzenia próżniowe” zdolne do pracy „w dwóch trybach”. Uwaga techniczna: „W dwóch trybach” oznacza, że w przypadku prądu wiązki „elektronicznego urządzenia próżniowego” można poprzez użycie siatki przełączać między pracą w trybie fali ciągłej i pracą w trybie pulsacyjnym, przy czym szczytowa moc wyjściowa pulsacyjna jest wyższa od mocy wyjściowej w trybie fali ciągłej. 2. „monolityczne mikrofalowe układy scalone” (MMIC) wzmacniaczy spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: N.B. Odnośnie do wzmacniaczy „MMIC” posiadających wbudowany przesuwnik fazowy zob. pozycja 3A001.b.12. a. przystosowane do pracy na częstotliwościach przewyższających 2,7 GHz, do 6,8 GHz włącznie, o „ułamkowej szerokości pasma” powyżej 15 % i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 75 W (48,75 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 2,7 GHz do 2,9 GHz włącznie; 2. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 55 W (47,4 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 2,9 GHz do 3,2 GHz włącznie; 3. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 40 W (46 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 3,2 GHz do 3,7 GHz włącznie; lub 4. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 20 W (43 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 3,7 GHz do 6,8 GHz włącznie; b. przystosowane do pracy na częstotliwościach przewyższających 6,8 GHz, do 16 GHz włącznie, o „ułamkowej szerokości pasma” powyżej 10 % i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 10 W (40 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 6,8 GHz do 8,5 GHz włącznie; lub 2. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 5 W (37 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 8,5 GHz do 16 GHz włącznie; c. przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 3 W (34,77 dBm) na częstotliwościach przewyższających 16 GHz, do 31,8 GHz włącznie, i przy „ułamkowej szerokości pasma” wynoszącej powyżej 10 %; d. przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 0,1 nW (-70 dBm) na częstotliwościach przewyższających 31,8 GHz, do 37 GHz włącznie; e. przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 1 W (30 dBm) na częstotliwościach przewyższających 37 GHz, do 43,5 GHz włącznie, i przy „ułamkowej szerokości pasma” wynoszącej powyżej 10 %; f. przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 31,62 mW (15 dBm) na częstotliwościach przewyższających 43,5 GHz, do 75 GHz włącznie, i przy „ułamkowej szerokości pasma” wynoszącej powyżej 10 %; g. przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 10 mW (10 dBm) na częstotliwościach przewyższających 75 GHz, do 90 GHz włącznie, i przy „ułamkowej szerokości pasma” wynoszącej powyżej 5 %; lub h. przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 0,1 nW (-70 dBm) na częstotliwościach przewyższających 90 GHz; Uwaga 1: Nieużywane. Uwaga 2: Poziom kontroli „MMIC”, których znamionowa częstotliwość robocza obejmuje częstotliwości zawarte w więcej niż jednym paśmie, zgodnie z definicjami w pozycjach 3A001.b.2.a do 3A001.b.2.h, jest określony przez najniższy próg mocy wyjściowej na granicy nasycenia. Uwaga 3: Uwagi 1 i 2 w kategorii 3A oznaczają, że pozycja 3A001.b.2 nie obejmuje kontrolą „MMIC”, jeśli są one specjalnie zaprojektowane do innych zastosowań, np. telekomunikacyjnych, radiolokacyjnych, motoryzacyjnych. 3. dyskretne tranzystory mikrofalowe spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: a. przystosowane do działania w zakresie częstotliwości powyżej 2,7 GHz i do 6,8 GHz włącznie i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 400 W (56 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 2,7 GHz do 2,9 GHz włącznie; 2. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 205 W (53,12 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 2,9 GHz do 3,2 GHz włącznie; 3. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 115 W (50,61 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 3,2 GHz do 3,7 GHz włącznie; lub 4. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 60 W (47,78 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 3,7 GHz do 6,8 GHz włącznie; b. przystosowane do działania w zakresie częstotliwości powyżej 6,8 GHz i do 31,8 GHz włącznie i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 50 W (47 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 6,8 GHz do 8,5 GHz włącznie; 2. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 15 W (41,76 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 8,5 GHz do 12 GHz włącznie; 3. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 40 W (46 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 12 GHz do 16 GHz włącznie; lub 4. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 7 W (38,45 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 16 GHz do 31,8 GHz włącznie; c. przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 0,5 W (27 dBm) na częstotliwościach przewyższających 31,8 GHz, do 37 GHz włącznie; d. przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 1 W (30 dBm) na częstotliwościach przewyższających 37 GHz, do 43,5 GHz włącznie; e. przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 0,1 nW (-70 dBm) na częstotliwościach przewyższających 43,5 GHz; lub f. inne niż te wymienione w pozycjach 3A001.b.3.a. do 3A001.b.3.e i przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 5 W (37,0 dBm) na wszystkich częstotliwościach przewyższających 8,5 GHz, do 31,8 GHz włącznie; Uwaga 1: Poziom kontroli tranzystora w pozycjach 3A001.b.3.a. do 3A001.b.3.e, którego znamionowa częstotliwość robocza obejmuje częstotliwości zawarte w więcej niż jednym paśmie, zgodnie z definicjami w pozycjach 3A001.b.3.a do 3A001.b.3.e, jest określony przez najniższy próg mocy wyjściowej na granicy nasycenia. Uwaga 2: Pozycja 3A001.b.3. obejmuje surowe płytki półprzewodnikowe, płytki zamontowane na nośnikach oraz płytki zamontowane w zestawach. Niektóre dyskretne tranzystory mogą być również określane jako wzmacniacze mocy, jednak status tych dyskretnych tranzystorów jest podany w pozycji 3A001.b.3. 4. mikrofalowe wzmacniacze półprzewodnikowe oraz mikrofalowe zespoły/moduły zawierające mikrofalowe wzmacniacze półprzewodnikowe spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: a. przystosowane do działania w zakresie częstotliwości powyżej 2,7 GHz i do 6,8 GHz włącznie, o „ułamkowej szerokości pasma” powyżej 15 % i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 500 W (57 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 2,7 GHz do 2,9 GHz włącznie; 2. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 270 W (54,3 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 2,9 GHz do 3,2 GHz włącznie; 3. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 200 W (53 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 3,2 GHz do 3,7 GHz włącznie; lub 4. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 90 W (49,54 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 3,7 GHz do 6,8 GHz włącznie; b. przystosowane do działania w zakresie częstotliwości powyżej 6,8 GHz i do 31,8 GHz włącznie, o „ułamkowej szerokości pasma” powyżej 10 % i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 70 W (48,54 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 6,8 GHz do 8,5 GHz włącznie; 2. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 50 W (47 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 8,5 GHz do 12 GHz włącznie; 3. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 30 W (44,77 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 12 GHz do 16 GHz włącznie; lub 4. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 20 W (43 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 16 GHz do 31,8 GHz włącznie; c. przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 0,5 W (27 dBm) na częstotliwościach przewyższających 31,8 GHz, do 37 GHz włącznie; d. przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 2 W (33 dBm) na częstotliwościach przewyższających 37 GHz, do 43,5 GHz włącznie, i przy „ułamkowej szerokości pasma” wynoszącej powyżej 10 %; e. przystosowane do pracy na częstotliwościach powyżej 43,5 GHz oraz spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 0,2 W (23 dBm) na częstotliwościach przewyższających 43,5 GHz, do 75 GHz włącznie, i przy „ułamkowej szerokości pasma” wynoszącej powyżej 10 %; 2. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 20 mW (13 dBm) na częstotliwościach przewyższających 75 GHz, do 90 GHz włącznie, i przy „ułamkowej szerokości pasma” wynoszącej powyżej 5 %; lub 3. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 0,1 nW (-70 dBm) na częstotliwościach przewyższających 90 GHz; lub f. nieużywane; N.B.1. Wzmacniacze „MMIC” – zob. pozycja 3A001.b.2. N.B.2. Odnośnie do „modułów nadawczych/odbiorczych” i „modułów nadawczych” zob. pozycja 3A001.b.12. N.B.3. Odnośnie do konwerterów i mieszaczy harmonicznych, zaprojektowanych do rozszerzania częstotliwości roboczej lub przedziału częstotliwości analizatorów sygnału, generatorów sygnałowych, analizatorów sieci lub kontrolnych odbiorników mikrofalowych, zob. pozycja 3A001.b.7. Uwaga 1: Nieużywane. Uwaga 2: Poziom kontroli elementu, którego znamionowa częstotliwość robocza obejmuje częstotliwości zawarte w więcej niż jednym paśmie, zgodnie z definicjami w pozycjach 3A001.b.4.a do 3A001.b.4.e, jest określony przez najniższy próg mocy wyjściowej na granicy nasycenia. 5. filtry środkowo-przepustowe i środkowo-zaporowe, przestrajalne elektronicznie lub magnetycznie, posiadające więcej niż 5 przestrajalnych rezonatorów umożliwiających strojenie w zakresie pasma częstotliwości 1,5 :1 (fmax/fmin) w czasie poniżej 10 μs i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: a. szerokość pasma środkowo-przepustowego powyżej 0,5 % częstotliwości nośnej; lub b. szerokość pasma środkowo-zaporowego poniżej 0,5 % częstotliwości nośnej; 6. nieużywane; 7. konwertery i mieszacze harmoniczne spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: a. zaprojektowane do rozszerzania przedziału częstotliwości „analizatorów sygnału” powyżej 90 GHz; b. zaprojektowane do rozszerzania zakresu roboczego generatorów sygnału w następujący sposób: 1. powyżej 90 GHz; 2. do mocy wyjściowej większej niż 100 mW (20 dBm) w dowolnym punkcie zakresu częstotliwości przekraczającego 43,5 GHz, lecz nieprzekraczającego 90 GHz; c. zaprojektowane do rozszerzania przedziału częstotliwości roboczej analizatorów sieci w następujący sposób: 1. powyżej 110 GHz; 2. do mocy wyjściowej większej niż 31,62 mW (15 dBm) w dowolnym punkcie zakresu częstotliwości przekraczającego 43,5 GHz, lecz nieprzekraczającego 90 GHz; 3. do mocy wyjściowej większej niż 1 mW (0 dBm) w dowolnym punkcie zakresu częstotliwości przekraczającego 90 GHz, lecz nieprzekraczającego 110 GHz; lub d. zaprojektowane do rozszerzania przedziału częstotliwości kontrolnych odbiorników mikrofalowych powyżej 110 GHz; 8. mikrofalowe wzmacniacze mocy zawierające „elektroniczne urządzenia próżniowe” wyszczególnione w pozycji 3A001.b.1 i spełniające wszystkie poniższe kryteria: a. częstotliwości robocze powyżej 3 GHz; b. średni stosunek mocy wyjściowej do masy większy niż 80 W/kg; oraz c. objętość mniejsza niż 400 cm3; Uwaga: Pozycja 3A001.b.8 nie obejmuje kontrolą sprzętu zaprojektowanego lub przystosowanego do działania w jakimkolwiek paśmie częstotliwości, które jest „przydzielane przez ITU” dla służb radiokomunikacyjnych, ale nie w celu namierzania radiowego. 9. mikrofalowe moduły mocy (MPM) składające się co najmniej z „elektronicznego urządzenia próżniowego” o fali bieżącej, „monolitycznego mikrofalowego układu scalonego” („MMIC”) i zintegrowanego elektronicznego kondycjonera mocy i spełniające wszystkie poniższe kryteria: a. „czas włączania” od stanu wyłączenia do stanu całkowitej gotowości krótszy niż 10 sekund; b. objętość mniejsza niż iloczyn maksymalnej mocy znamionowej w watach i 10 cm3/W; oraz c. „chwilowa szerokość pasma” większa niż 1 oktawa (fmax > 2fmin) oraz spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. dla częstotliwości równych lub mniejszych niż 18 GHz – moc wyjściowa w zakresie fal radiowych większa niż 100 W; lub 2. częstotliwość większa niż 18 GHz; Uwagi techniczne: 1. Do obliczenia objętości w pozycji 3A001.b.9.b podaje się następujący przykład: dla maksymalnej mocy znamionowej wynoszącej 20 W objętość wyniosłaby: 20 W x 10 cm3/W = 200 cm3. 2. „Czas włączania”, o którym mowa w pozycji 3A001.b.9.a, odnosi się do czasu upływającego od stanu całkowitego wyłączenia do osiągnięcia całkowitej gotowości do pracy, a zatem obejmuje on również czas rozgrzewania MPM. 10. oscylatory lub zespoły oscylatorów przewidziane do działania przy zakłóceniu fazowym pojedynczej wstęgi bocznej (SSB) w dBc/Hz mniejszym (lepszym) niż -(126 + 20log10F - 20log10f) w dowolnym punkcie w zakresie 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz; Uwaga techniczna: W pozycji 3A001.b.10 F oznacza przesunięcie w stosunku do częstotliwości roboczej w Hz, a f oznacza częstotliwość roboczą w MHz. 11. „zespoły elektroniczne” będące „syntezatorami częstotliwości”, których „czas przełączania częstotliwości” określony jest przez którykolwiek z poniższych parametrów: a. krótszy niż 143 ps; b. krótszy niż 100 μs dla każdej zmiany częstotliwości przewyższającej 2,2 GHz w zakresie syntetyzowanych częstotliwości przekraczającym 4,8 GHz, ale nie przekraczającym 31,8 GHz; c. nieużywane; d. krótszy niż 500 μs dla każdej zmiany częstotliwości przewyższającej 550 MHz w zakresie syntetyzowanych częstotliwości przekraczającym 31,8 GHz, ale nie przekraczającym 37 GHz; e. krótszy niż 100 μs dla każdej zmiany częstotliwości przewyższającej 2,2 GHz w zakresie syntetyzowanych częstotliwości przekraczającym 37 GHz, ale nie przekraczającym 90 GHz; lub f. nieużywane; g. krótszy niż 1 ms w zakresie syntetyzowanych częstotliwości przekraczającym 90 GHz; Uwaga techniczna: „Syntetyzator częstotliwości” oznacza dowolny rodzaj źródła częstotliwości, bez względu na stosowaną technikę, zapewniający uzyskanie wielu równoczesnych lub naprzemiennych częstotliwości wyjściowych z jednego lub kilku wyjść, uzyskanych z mniejszej liczby częstotliwości wzorcowych (lub głównych) lub sterowanych lub regulowanych za ich pomocą. N.B. Do zastosowań ogólnych „analizatory sygnału” – zob. poz. 3A002.c, generatory sygnałowe – 3A002.d, analizatory sieci – 3A002.e, kontrolne odbiorniki mikrofalowe – 3A002.f. 12. „moduły nadawcze/odbiorcze”, „nadawcze/odbiorcze MMIC”, „moduły nadawcze” oraz „nadawcze MMIC”, przystosowane do pracy na częstotliwościach przewyższających 2,7 GHz i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: a. moc wyjściowa na granicy nasycenia (w watach), Psat, powyżej 505,62 dzielone przez maksymalną częstotliwość roboczą (w GHz) do kwadratu [Psat>505,62 W*GHz2/fGHz 2] na każdy kanał; b. „ułamkowa szerokość pasma” wynosząca 5 % lub więcej na każdy kanał; c. każda z płaskich stron o długości d (w cm) równej lub mniejszej niż 15 podzielonej przez najniższą częstotliwość roboczą w GHz [d ≤ 15cm*GHz*N/fGHz], gdzie N jest liczbą kanałów nadawczych lub kanałów nadawczych/odbiorczych; oraz d. jeden regulowany elektronicznie przesuwnik fazowy na kanał. Uwagi techniczne: 1. „Moduł nadawczy/odbiorczy” to multifunkcjonalny „zespół elektroniczny” umożliwiający dwukierunkową regulację amplitudy i fazy dla nadawania i odbioru sygnałów. 2. „Moduł nadawczy” to „zespół elektroniczny” umożliwiający regulację amplitudy i fazy dla nadawania sygnałów. 3. „Nadawczy/odbiorczy MMIC” to multifunkcjonalny „MMIC” umożliwiający dwukierunkową regulację amplitudy i fazy dla nadawania i odbioru sygnałów. 4. „Nadawczy MMIC” to „MMIC” umożliwiający regulację amplitudy i fazy dla nadawania sygnałów. 5. W przypadku modułów nadawczych/odbiorczych lub modułów nadawczych, których nominalny zakres częstotliwości roboczej wynosi poniżej 2,7 GHz, należy we wzorze określonym w pozycji 3A001.b.12.c jako dolna wartość graniczna częstotliwości roboczej (fGHz) zastosować 2,7 GHz [d≤15cm*GHz*N/2,7 GHz]. 6. Pozycja 3A001.b.12 ma zastosowanie do „modułów nadawczych/odbiorczych” lub „modułów nadawczych”, które mogą być wyposażone lub nie w radiator chłodzący. Wartość d w pozycji 3A001.b.12.c nie obejmuje żadnej części „modułu nadawczego/odbiorczego” lub „modułu nadawczego”, która funkcjonuje jako radiator chłodzący. 7. „Moduły nadawcze/odbiorcze” lub „moduły nadawcze” lub „nadawcze/odbiorcze MMIC” lub „nadawcze MMIC” mogą mieć N wbudowanych emitujących elementów anteny, gdzie N jest liczbą kanałów nadawczych lub kanałów nadawczych/odbiorczych. c. następujące urządzenia wykorzystujące fale akustyczne oraz specjalnie zaprojektowane do nich komponenty: 1. urządzenia wykorzystujące powierzchniowe fale akustyczne oraz szumiące powierzchniowo (płytkie) fale akustyczne, spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: a. mające częstotliwość nośną powyżej 6 GHz; b. mające częstotliwość nośną większą niż 1 GHz, ale nieprzekraczającą 6 GHz oraz spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. „tłumienie pasma bocznego częstotliwości” powyżej 65 dB; 2. iloczyn maksymalnego czasu zwłoki i szerokości pasma (czas w μs, a szerokość pasma w MHz) powyżej 100; 3. szerokość pasma większa niż 250 MHz; lub 4. opóźnienie dyspersyjne powyżej 10 μs; lub c. mające częstotliwość nośną wynoszącą 1 GHz lub mniejszą oraz spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. iloczyn maksymalnego czasu zwłoki i szerokości pasma (czas w μs, a szerokość pasma w MHz) powyżej 100; 2. opóźnienie dyspersyjne powyżej 10 μs; lub 3. „tłumienie pasma bocznego częstotliwości” powyżej 65 dB i szerokość pasma większa niż 100 MHz; Uwaga techniczna: „Tłumienie pasma bocznego częstotliwości” oznacza maksymalną wartość tłumienia wyszczególnioną na arkuszu danych. 2. urządzenia wykorzystujące przestrzenne fale akustyczne, umożliwiające bezpośrednie przetwarzanie sygnałów z częstotliwościami powyżej 6 GHz; 3. urządzenia do „przetwarzania sygnałów” optyczno-akustycznych wykorzystujące oddziaływania pomiędzy falami akustycznymi (przestrzennymi lub powierzchniowymi) a falami świetlnymi do bezpośredniego przetwarzania sygnałów lub obrazów, łącznie z analizą widmową, korelacją lub splataniem; Uwaga: Pozycja 3A001.c nie obejmuje kontrolą urządzeń wykorzystujących fale akustyczne ograniczone do pojedynczego filtra środkowoprzepustowego, filtra dolnoprzepustowego, filtra górnoprzepustowego, filtra antysprzężeniowego lub funkcji rezonacyjnej. d. urządzenia i układy elektroniczne, zawierające części składowe wykonane z materiałów „nadprzewodzących”, specjalnie zaprojektowane do pracy w temperaturach poniżej „temperatury krytycznej” co najmniej jednego z elementów „nadprzewodzących” i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. przełączanie prądowe dla obwodów cyfrowych za pomocą bramek „nadprzewodzących”, dla którego iloczyn czasu zwłoki na bramkę (w sekundach) i rozproszenia mocy na bramkę (w watach) wynosi poniżej 10-14 J; lub 2. selekcja częstotliwości dla wszystkich częstotliwości za pomocą obwodów rezonansowych o wartościach Q przekraczających 10 000 ; e. następujące urządzenia wysokoenergetyczne: 1. „ogniwa”, takie jak: a. „ogniwa pierwotne” spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów w temperaturze 20 °C: 1. „gęstość energii” powyżej 550 Wh/kg i „ciągła gęstość mocy” powyżej 50 W/kg; lub 2. „gęstość energii” powyżej 50 Wh/kg i „ciągła gęstość mocy” powyżej 350 W/kg; lub b. „ogniwa wtórne” o „gęstości energii” powyżej 350 Wh/kg w temperaturze 20 °C; Uwagi techniczne: 1. Do celów pozycji 3A001.e.1 „gęstość energii” (Wh/kg) otrzymuje się, mnożąc napięcie znamionowe przez pojemność znamionową w amperogodzinach (Ah) i dzieląc powyższe przez masę w kilogramach. Jeżeli pojemność znamionowa nie jest podana, gęstość energii otrzymuje się przez podniesienie napięcia znamionowego do kwadratu, a następnie pomnożenie przez czas rozładowania wyrażony w godzinach oraz podzielenie przez obciążenie rozładowania wyrażone w omach i całkowitą masę ogniwa wyrażoną w kilogramach. 2. Do celów pozycji 3A001.e.1 „ogniwo” definiuje się jako urządzenie elektrochemiczne zawierające elektrody dodatnie i ujemne, elektrolit i będące źródłem energii elektrycznej. Jest to podstawowy element składowy baterii. 3. Do celów pozycji 3A001.e.1.a „ogniwo pierwotne” jest „ogniwem”, które nie jest przeznaczone do ładowania z jakiegokolwiek innego źródła. 4. Do celów pozycji 3A001.e.1.b „ogniwo wtórne” jest „ogniwem”, które jest przeznaczone do ładowania z zewnętrznego źródła energii elektrycznej. 5. Do celów pozycji 3A001.e.1.a „ciągłą gęstość mocy” (W/kg) otrzymuje się, mnożąc napięcie znamionowe przez określony maksymalny ciągły prąd rozładowania w amperach (A) i dzieląc powyższe przez masę w kilogramach. „Ciągła gęstość mocy” określana jest też jako moc specyficzna. Uwaga: Pozycja 3A001.e.1 nie obejmuje kontrolą baterii, w tym również baterii pojedynczych. 2. wysokoenergetyczne kondensatory magazynujące, takie jak: N.B. ZOB. TAKŻE pozycja 3A201.a. i wykaz uzbrojenia. a. kondensatory o częstotliwości powtarzania poniżej 10 Hz (kondensatory jednokrotne) i spełniające wszystkie poniższe kryteria: 1. napięcie znamionowe równe lub wyższe niż 5 kV; 2. gęstość energii równa lub wyższa niż 250 J/kg; oraz 3. energia całkowita równa lub wyższa niż 25 kJ; b. kondensatory o częstotliwości powtarzania 10 Hz lub wyższej (kondensatory powtarzalne) i spełniające wszystkie poniższe kryteria: 1. napięcie znamionowe równe lub wyższe niż 5 kV; 2. gęstość energii równa lub wyższa niż 50 J/kg; 3. energia całkowita równa lub wyższa niż 100 J; oraz 4. żywotność mierzona liczbą cykli ładowanie/rozładowanie wynosząca więcej niż 10 000 ; 3. „nadprzewodzące” elektromagnesy lub cewki, specjalnie zaprojektowane w sposób umożliwiający ich pełne ładowanie i rozładowanie w czasie mniejszym niż 1 s i spełniające wszystkie poniższe kryteria: N.B. ZOB. TAKŻE POZYCJA 3A201.b Uwaga: Pozycja 3A001.e.3 nie obejmuje kontrolą elektromagnesów ani cewek „nadprzewodzących” specjalnie zaprojektowanych do aparatury obrazowania rezonansem magnetycznym (MRI), wykorzystywanej w medycynie. a. energia dostarczona podczas wyładowania jest większa od 10 kJ w pierwszej sekundzie; b. średnica wewnętrzna uzwojenia prądowego cewki wynosi powyżej 250 mm; oraz c. zostały dostosowane do indukcji magnetycznej powyżej 8 T lub posiadają „całkowitą gęstość prądu” w uzwojeniu powyżej 300 A/mm2; 4. ogniwa słoneczne, zespoły ogniwo-łącznik-szkło osłonowe (CIC), panele słoneczne i baterie słoneczne klasy kosmicznej, mające minimalną średnią sprawność wyższą niż 20 % w temperaturze roboczej 301 K (28 °C) w symulowanym oświetleniu „AM0” o irradiancji 1 367 watów na metr kwadratowy (W/m2); Uwaga techniczna: „AM0” lub „masa powietrza zero” odpowiada irradiancji widmowej światła słonecznego w zewnętrznej atmosferze Ziemi przy odległości Ziemi od Słońca wynoszącej 1 jednostkę astronomiczną (AU). f. urządzenia kodujące bezwzględne położenie o „dokładności” równej 1,0 sekundzie kątowej lub mniejszej (lepszej) oraz specjalnie do nich zaprojektowane kodujące pierścienie, tarcze lub skale; g. półprzewodnikowe impulsowe tyrystorowe wyłączniki zasilania i „moduły tyrystorowe” oparte na metodach wyłączania sterowanych elektrycznie, optycznie lub promieniowaniem elektronowym spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. maksymalna szybkość narastania prądu włączenia (di/dt) większa niż 30 000 A/μs i napięcie w stanie wyłączenia większe niż 1 100 V; lub 2. maksymalna szybkość narastania prądu włączenia (di/dt) większa niż 2 000 A/μs i spełniające wszystkie poniższe kryteria: a. napięcie szczytowe w stanie wyłączonym równe lub większe niż 3 000 V; oraz b. prąd szczytowy (udarowy) równy lub większy niż 3 000 A. Uwaga 1: Pozycja 3A001.g obejmuje: — krzemowe prostowniki sterowane (SCR), — tyrystory wyzwalane elektrycznie (ETT), — tyrystory wyzwalane optycznie (LTT), — tyrystory o komutowanej bramce (IGCT), — tyrystory wyłączalne prądem bramki (GTO), — tyrystory sterowane MOS (MCT), — urządzenia typu Solidtron Uwaga 2: Pozycja 3A001.g nie obejmuje kontrolą urządzeń tyrystorowych i „modułów tyrystorowych” wbudowanych w urządzenia przeznaczone do zastosowań w kolejnictwie cywilnym lub „cywilnych statkach powietrznych”. Uwaga techniczna: Do celów pozycji 3A001.g „moduł tyrystorowy” zawiera co najmniej jedno urządzenie tyrystorowe. h. półprzewodnikowe przełączniki mocy, diody mocy lub „moduły” mocy spełniające wszystkie poniższe kryteria: 1. nominalna maksymalna temperatura robocza złącza wyższa niż 488 K (215 °C); 2. szczytowe powtarzalne napięcie w stanie wyłączonym (napięcie blokujące) przekraczające 300 V; oraz 3. prąd ciągły większy niż 1 A. Uwaga 1: Szczytowe powtarzalne napięcie w stanie wyłączonym w pozycji 3A001.h obejmuje napięcie dren-źródło, napięcie kolektor-emiter, szczytowe powtarzalne napięcie wsteczne i szczytowe powtarzalne napięcie blokujące w stanie wyłączonym. Uwaga 2: Pozycja 3A001.h obejmuje: — tranzystory polowe złączowe (JFET), — pionowe tranzystory polowe złączowe (VJFET), — tranzystory polowe o strukturze metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET), — podwójny dyfuzyjny tranzystor polowy o strukturze metal-tlenek-półprzewodnik (DMOSFET), — tranzystor bipolarny z izolowaną bramką (IGBT), — tranzystory z wysoką ruchliwością elektronów (HEMT), — tranzystory bipolarne złączowe (BJT), — tyrystory i krzemowe prostowniki sterowane (SCR), — tyrystory wyłączalne prądem bramki (GTO), — tyrystory wyłączalne emiterem (ETO), — diody PiN — diody Schottky'ego Uwaga 3: Pozycja 3A001.h nie obejmuje kontrolą przełączników, diod ani „modułów” znajdujących się w urządzeniach przeznaczonych do zastosowania w cywilnych pojazdach drogowych, cywilnych pojazdach kolejowych lub „cywilnych statkach powietrznych”. Uwaga techniczna: Do celów pozycji 3A001.h „moduły” zawierają jeden lub więcej półprzewodnikowych przełączników lub diod. i. elektrooptyczne modulatory intensywności, amplitudy lub fazy, zaprojektowane do sygnałów analogowych i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1. maksymalna częstotliwość robocza większa niż 10 GHz, ale mniejsza niż 20 GHz, optyczna tłumienność wtrąceniowa równa lub mniejsza niż 3 dB i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: a. „napięcie półfalowe” („Vπ”) mniejsze niż 2,7 V przy pomiarze dla częstotliwości 1 GHz lub niższej; lub b. „Vπ” mniejsze niż 4 V przy pomiarze dla częstotliwości większej niż 1 GHz; lub 2. maksymalna częstotliwość robocza równa lub większa niż 20 GHz, optyczna tłumienność wtrąceniowa równa lub mniejsza niż 3 dB i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: a. „Vπ” mniejsze niż 3,3 V przy pomiarze dla częstotliwości 1 GHz lub niższej; lub b. „Vπ” mniejsze niż 5 V przy pomiarze dla częstotliwości większej niż 1 GHz. Uwaga: Pozycja 3A001.i obejmuje modulatory elektrooptyczne wyposażone w optyczne złącza wejściowe i wyjściowe (np. kable z włókien światłowodowych). Uwaga techniczna: Do celów pozycji 3A001.i. „napięcie półfalowe” („Vπ”) oznacza zastosowane napięcie niezbędne do zmiany fazy o 180 stopni w długości fali świetlnej rozprzestrzenianej przez modulator optyczny.