3A001

Elektronische producten, als hieronder: a. universele geïntegreerde schakelingen, als hieronder: Noot: Geïntegreerde schakelingen omvatten de volgende typen: — “monolithische geïntegreerde schakelingen”; — “hybride geïntegreerde schakelingen”; — “multichip geïntegreerde schakelingen”; — “geïntegreerde schakelingen van het filmtype” met inbegrip van geïntegreerde schakelingen van silicium op saffier; — “optische geïntegreerde schakelingen”; — “driedimensionale geïntegreerde schakelingen”; — “monolithisch geïntegreerde microgolfschakelingen” (“MMIC’s”). 1. geïntegreerde schakelingen, ontworpen of gespecificeerd als bestand tegen één of meer van de volgende parameters: a. een totale dosis van 5 × 103 Gy (silicium) of meer; b. storing bij een dosistempo van 5 × 106 Gy (silicium)/s of meer, of c. een fluentie (geïntegreerde flux) van neutronen (gelijk aan 1 MeV) van 5 × 1013 n/cm2 of meer op silicium, of het equivalent daarvan voor andere materialen; Noot: 3A001.a.1.c. heeft geen betrekking op MIS-condensatoren (Metal Insulator Semiconductors). 2. “microprocessor-microschakelingen”, “microcomputer-microschakelingen”, microbesturing-microschakelingen, geïntegreerde geheugenschakelingen vervaardigd van samengesteld halfgeleidermateriaal, analoog-digitaalomzetters, geïntegreerde schakelingen die analoog-digitaalomzetters bevatten en gedigitaliseerde gegevens opslaan of verwerken, digitaal-analoogomzetters, elektro-optische of “optisch geïntegreerde schakelingen” voor “signaalverwerking”, door de gebruiker te programmeren logische elementen, op bestelling geïntegreerde schakelingen waarbij ofwel de functie ofwel de controlestatus van de apparatuur waarin de geïntegreerde schakelingen zullen worden toegepast, niet bekend is, of FFT (“Fast Fourier Transform”)-processoren, statische RAM’s (SRAM’s) of ‘niet-volatiele geheugens’, met een of meer van de volgende eigenschappen: a. gespecificeerd om te werken bij een omgevingstemperatuur hoger dan 398 K (125 °C); b. gespecificeerd om te werken bij een omgevingstemperatuur lager dan 218 K (- 55 °C), of c. gespecificeerd om te werken over het gehele omgevingstemperatuurbereik van 218 K (- 55°C) tot 398 K (125 °C); Noot: 3A001.a.2. heeft geen betrekking op geïntegreerde schakelingen die zijn ontworpen voor toepassingen in civiele automobielen of treinen. Technische noot: ‘niet-vluchtige geheugens’ zijn geheugens die gegevens bewaren gedurende een periode nadat de spanning wordt afgesloten. 3. “microprocessor-microschakelingen”, “microcomputer-microschakelingen” en microbesturingmicroschakelingen, gefabriceerd van een samengestelde halfgeleider en werkend met een klokfrequentie vanaf 40 MHz; Noot: 3A001.a.3. heeft mede betrekking op digitale signaalprocessoren, digitale “array”-processoren en digitale coprocessoren. 4. niet gebruikt; 5. geïntegreerde schakelingen voor analoog-digitaalomzetters (ADC’s) en digitaal-analoogomzetters (DAC’s), als hieronder: a. ADC’s met één of meer van de volgende eigenschappen: NB: ZIE OOK 3A101. 1. een scheidend vermogen van 8 bit of meer maar minder dan 10 bit, met een “bemonsteringssnelheid” van meer dan 1,3 gigasamples per seconde (GSPS); 2. een scheidend vermogen van 10 bit of meer maar minder dan 12 bit, met een “bemonsteringssnelheid” van meer dan 600 megasamples per seconde (MSPS); 3. een scheidend vermogen van 12 bit of meer maar minder dan 14 bit, met een “bemonsteringssnelheid” van meer dan 400 megasamples per seconde (MSPS); 4. een scheidend vermogen van 14 bit of meer maar minder dan 16 bit, met een “bemonsteringssnelheid” van meer dan 250 megasamples per seconde (MSPS), of 5. een scheidend vermogen van 16 bit of meer, met een “bemonsteringssnelheid” van meer dan 65 megasamples per seconde (MSPS); NB: Zie 3A001.a.14 voor geïntegreerde schakelingen die analoog-digitaalomzetters bevatten en gedigitaliseerde gegevens opslaan of verwerken. Technische noten: 1. Een scheidend vermogen van n bit komt overeen met een kwantisering van 2 n niveaus. 2. Het scheidend vermogen van de ADC is het aantal bits van de digitale output dat de gemeten analoge input vertegenwoordigt. Het effectieve aantal bits (ENOB) wordt niet gebruikt voor de bepaling van het scheidend vermogen van de ADC. 3. Voor “meerkanalen-ADC’s” wordt de “bemonsteringssnelheid” niet samengevoegd en is de “bemonsteringssnelheid” de maximale snelheid van één kanaal. 4. Voor “interleaved-ADC’s” en “meerkanalen-ADC’s” met interleaved-modus worden de “bemonsteringssnelheden” samengevoegd en is de “bemonsteringssnelheid” de maximale gecombineerde totale snelheid van alle interleaved-kanalen samen. b. digitaal-analoogomzetters (DAC’s) met één of meer van de volgende eigenschappen: 1. een scheidend vermogen van 10 bit of meer maar minder dan 12 bit, met een ‘‹adjusted update rate›’ van meer dan 3 500 MSPS, of 2. een scheidend vermogen van 12 bit of meer en met één of meer van de volgende eigenschappen: a. een ‘‹adjusted update rate›’ van meer dan 1 250 MSPS maar niet hoger dan 3 500 MSPS, en met één of meer van de volgende eigenschappen: 1. een stabilisatietijd (‹settling time›) van minder dan 9 ns tot het bereiken van 0,024 % of minder van ‹full scale› bij een ‹full scale›-stap, of 2. een storingsvrij dynamisch bereik (‘Spurious Free Dynamic Range’ - SFDR) van meer dan 68 dBc (draaggolf) bij de synthese van een ‹full scale› analoog signaal van 100 MHz of de hoogst aangegeven ‹full scale› analoge signaalfrequentie van minder dan 100 MHz, of b. een ‘‹adjusted update rate›’ van meer dan 3 500 MSPS; Technische noten: 1. Het storingsvrij dynamisch bereik (‘Spurious Free Dynamic Range’ - SFDR) wordt gedefinieerd als de verhouding van de rms-waarde van de draaggolffrequentie (maximale signaalcomponent) aan de ingang van de DAC tot de rms-waarde van de volgende grootste ruis- of harmonische distorsiecomponent aan de uitgang. 2. Het SFDR wordt rechtstreeks bepaald aan de hand van de specificatietabel of van de grafiek waarin het SFDR tegen de frequentie wordt uitgezet. 3 Een signaal wordt gedefinieerd als zijnde ‹full scale› wanneer de amplitude groter is dan – 3 dBfs (‹full scale›). 4. ‘‹Adjusted update rate›’ voor DAC’s: a. in conventionele DAC’s (zonder interpolatie) geeft de ‘‹adjusted update rate›’ het tempo weer waarin het digitale signaal in een analoog signaal wordt geconverteerd en de analoge uitgangswaarden door de DAC worden aangepast. DAC’s waarbij zonder interpolatiefunctie kan worden gewerkt (interpolatiefactor één) worden beschouwd als conventionele DAC’s (zonder interpolatie). b. in interpolerende DAC’s (overbemonsterende DAC’s) is de ‘‹adjusted update rate›’ de ‹update rate› van de DAC gedeeld door de kleinste interpolatiefactor. De ‘‹adjusted update rate›’ van interpolerende DAC’s kan met verschillende termen worden aangegeven, waaronder: — snelheid van gegevensinvoer (input data rate) — snelheid van woordinvoer (input word rate) — bemonsteringssnelheid (input sample rate) — maximale totale snelheid van de invoerbus (maximum total input bus rate) — maximale snelheid van de DAC-klok voor DAC-klokinvoer (‹maximum DAC clock rate for DAC clock input). 6. elektro-optische of “optische geïntegreerde schakelingen” voor “signaalverwerking” met alle volgende eigenschappen: a. één of meer inwendige “laser”-dioden; b. één of meer inwendige lichtdetectie-elementen, en c. optische golfgeleiders; 7. door de gebruiker te programmeren logische elementen met één van de volgende eigenschappen: a. een maximaal aantal enkelvoudige digitale inputs/outputs van 700 of meer, of b. een ‘totale unilaterale piek seriële zendontvanger datasnelheid’ van 500 Gb/s of meer; Noot: 3A001.a.7. omvat: Complex Programmable Logic Devices - complexe programmeerbare logische elementen (CPLD’s) ‹Field Programmable Gate Arrays› - door de gebruiker te programmeren ‹gate arrays› (FPGA’s) ‹Field Programmable Logic Arrays› - door de gebruiker te programmeren ‹logic arrays› (FPLA’s) Field Programmable Interconnects - door de gebruiker te programmeren ‹interconnects› (FPIC’s) NB: Zie 3A001.a.14. voor geïntegreerde schakelingen met door de gebruiker te programmeren logische elementen die gecombineerd zijn met een analoog-digitaalomzetter. Technische noten: 1. Het in 3A001.a.7.a. bedoelde maximaal aantal digitale inputs/outputs wordt ook het maximaal aantal user-inputs/outputs of maximaal beschikbaar aantal inputs/outputs genoemd, afhankelijk van het feit of de geïntegreerde schakeling al dan niet verpakt is. 2. ‘Totale unilaterale piek seriële zendontvanger datasnelheid’ is het product van de seriële unilaterale zendontvanger gegevens pieksnelheid maal het aantal zendontvangers op de FPGA. 8. niet gebruikt; 9. geïntegreerde schakelingen voor neurale netwerken; 10. op bestelling geïntegreerde schakelingen waarbij ofwel de functie ofwel de controlestatus van de apparatuur waarin de geïntegreerde schakelingen zullen worden toegepast, niet aan de fabrikant bekend is, met één of meer van de volgende eigenschappen: a. meer dan 1 500 in-/uitgangspunten; b. een typische “‹basic gate propagation delay time›” van minder dan 0,02 ns, of c. een werkfrequentie vanaf 3 GHz; 11. digitale geïntegreerde schakelingen, anders dan als omschreven in 3A001.a.3. tot en met 3A001.a.10. of 3A001.a.12., die zijn gebaseerd op een samengestelde halfgeleider en met één van beide volgende eigenschappen: a. een ‹gate count› equivalent van meer dan 3 000 (twee ingangspoorten), of b. een ‹toggle›-frequentie vanaf 1,2 GHz; 12. FFT (‹Fast Fourier Transform›)-processoren met een nominale uitvoeringstijd, voor een N-punt complexe FFT van minder dan (N log2 N) /20 480 ms, waarbij N het aantal punten is; Technische noot: Wanneer N gelijk is aan 1 024 punten, geeft de formule in 3A001.a.12. een uitvoeringstijd van 500 μs. 13. Directe Digitale Synthesizer (DDS) geïntegreerde schakelingen met één of meer van de volgende eigenschappen: a. een digitaal-analoog-omzetter (DAC) klokfrequentie van 3,5 GHz of meer en een DAC-resolutie van 10 bit of meer, maar minder dan 12 bit, of b. een DAC-klokfrequentie van 1,25 GHz of meer en een DAC-resolutie van 12 bit of meer; Technische noot: De DAC-klokfrequentie kan worden gespecificeerd als de hoofdklokfrequentie of de invoerklokfrequentie. 14. geïntegreerde schakelingen die alle volgende taken verrichten of die daartoe kunnen worden geprogrammeerd: a. analoog-digitaalomzetters die voldoen aan één of meer van de volgende eigenschappen: 1. een scheidend vermogen van 8 bit of meer maar minder dan 10 bit, met een “bemonsteringssnelheid” van meer dan 1,3 gigasamples per seconde (GSPS); 2. een scheidend vermogen van 10 bit of meer maar minder dan 12 bit, met een “bemonsteringssnelheid” van meer dan 1,0 gigasamples per seconde (GSPS); 3. een scheidend vermogen van 12 bit of meer maar minder dan 14 bit, met een “bemonsteringssnelheid” van meer dan 1,0 gigasamples per seconde (GSPS); 4. een scheidend vermogen van 14 bit of meer maar minder dan 16 bit, met een “bemonsteringssnelheid” van meer dan 400 megasamples per seconde (MSPS), of 5. een scheidend vermogen van 16 bit of meer, met een “bemonsteringssnelheid” van meer dan 180 megasamples per seconde (MSPS), en b. één of meer van de volgende eigenschappen: 1. opslag van gedigitaliseerde gegevens, of 2. verwerking van gedigitaliseerde gegevens; NB 1: Zie 3A001.a.5.a. voor geïntegreerde schakelingen die analoog-digitaalomzetters bevatten. NB 2: Zie 3A001.a.7. voor door de gebruiker te programmeren logische elementen. Technische noten: 1. Een scheidend vermogen van n bit komt overeen met een kwantisering van 2 n niveaus. 2. Het scheidend vermogen van de ADC is het aantal bits van de digitale output van de ADC dat de gemeten analoge input vertegenwoordigt. Het effectieve aantal bits (ENOB) wordt niet gebruikt voor de bepaling van het scheidend vermogen van de ADC. 3. Voor geïntegreerde schakelingen met niet-“interleaving”“meerkanalen-ADC’s” wordt de bemonsteringssnelheid niet samengevoegd en is de “bemonsteringssnelheid” de maximale snelheid van één kanaal. 4. Voor geïntegreerde schakelingen met “interleaved-ADC’s” en “meerkanalen-ADC’s” met interleaved-modus worden de “bemonsteringssnelheden” samengevoegd en is de “bemonsteringssnelheid” de maximale gecombineerde totale snelheid van alle interleaved-kanalen samen. b. microgolf- of millimetergolfproducten, als hieronder: Technische noot: Voor de toepassing van 3A001.b. kan er op de productinformatiebladen naar de parameter verzadigd piekuitgangsvermogen worden verwezen als uitgangsvermogen, verzadigd uitgangsvermogen, maximaal uitgangsvermogen, piekuitgangsvermogen of ‹peak envelope power output›. 1. “elektronische vacuümelementen” en kathoden, als hieronder: Noot 1: 3A001.b.1. heeft geen betrekking op “elektronische vacuümelementen” die zijn ontworpen of gespecificeerd om te werken binnen elke frequentieband en die alle volgende eigenschappen hebben: a. niet meer dan 31,8 GHz, en b. “door de ITU toegewezen” voor radiocommunicatiediensten, maar niet voor radiodeterminatie. Noot 2: 3A001.b.1. heeft geen betrekking op niet “voor gebruik in de ruimte gekwalificeerde”“elektronische vacuümelementen” met alle volgende eigenschappen: a. een gemiddelde vermogensdichtheid aan de uitgang van 50 W of minder, en b. buizen die zijn ontworpen of gespecificeerd om te werken binnen ongeacht welke frequentieband en die alle volgende eigenschappen hebben: 1. meer dan 31,8 GHz doch niet meer dan 43,5 GHz, en 2. “door de ITU toegewezen” voor radiocommunicatiediensten, maar niet voor radiodeterminatie. a. “elektronische vacuümelementen” met een lopende-golf, voor puls- of ongedempte golven, als hieronder: 1. toestellen die werken bij frequenties hoger dan 31,8 GHz; 2. toestellen met een kathodeverhittingselement dat in minder dan drie seconden het gespecificeerde RF-vermogen bereikt; 3. gekoppelde trilholtecomponenten of afgeleiden daarvan, met een “fractionele bandbreedte” van meer dan 7 % of een piekvermogen van meer dan 2,5 kW; 4. toestellen die zijn gebaseerd op schakelingen met een spiraalvormige golfgeleider, gevouwen golfgeleider of kronkelende golfgeleider of afgeleiden daarvan, met één of meer van de volgende eigenschappen: a. een “momentele bandbreedte” van meer dan één octaaf, en een product van gemiddeld vermogen (in kW) maal frequentie (in GHz) van meer dan 0,5; b. een “momentele bandbreedte” van een octaaf of minder, en een product van gemiddeld vermogen (in kW) maal frequentie (in GHz) van meer dan 1; c. “voor gebruik in de ruimte gekwalificeerd”, of d. met een gerasterd elektronenkanon; 5. toestellen met een “fractionele bandbreedte” van 10 % of meer, en met één of meer van de volgende eigenschappen: a. een ringvormige elektronenbundel; b. een niet-axiaalsymmetrische elektronenbundel, of c. meerdere elektronenbundels; b. versterkende “elektronische vacuümelementen” met een dwarsveld (‹crossed field›) en meer dan 17 dB versterking; c. thermionische kathoden, ontworpen voor “elektronische vacuümelementen” voor het voortbrengen van een continue emissiestroomdichtheid groter dan 5 A/cm2 bij gespecificeerde werkomstandigheden of een gepulseerde (onderbroken) emissiestroomdichtheid groter dan 10 A/cm2 bij gespecificeerde werkomstandigheden; d. “elektronische vacuümelementen” met de mogelijkheid om in een ‘dual-mode’ te werken. Technische noot: ‘Dual-mode’ houdt in dat de bundelstroom van het “elektronische vacuümelement” opzettelijk kan worden geschakeld tussen werking met ongedempte golven en pulsgolven door middel van een raster en een top-impulsuitgangsvermogen produceert die groter is dan het continugolfuitgangsvermogen. 2. “monolithisch geïntegreerde microgolfschakelingen”- (MMIC-)vermogensversterkers met: NB: Zie 3A001.b.12. voor “MMIC”-versterkers met een geïntegreerde faseverschuiver. a. nominale werkfrequenties vanaf 2,7 GHz tot en met 6,8 GHz met een “fractionele bandbreedte” van meer dan 15 %, en met één of meer van de volgende eigenschappen: 1. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 75 W (48,75 dBm) op elke frequentie vanaf 2,7 GHz tot en met 2,9 GHz; 2. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 55 W (47,4 dBm) op elke frequentie vanaf 2,9 GHz tot en met 3,2 GHz; 3. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 40 W (46 dBm) op elke frequentie vanaf 3,2 GHz tot en met 3,7 GHz, of 4. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 20 W (43 dBm) op elke frequentie vanaf 3,7 GHz tot en met 6,8 GHz; b. nominale werkfrequenties vanaf 6,8 GHz tot en met 16 GHz met een “fractionele bandbreedte” van meer dan 10 %, en met één of meer van de volgende eigenschappen: 1. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 10 W (40 dBm) op elke frequentie vanaf 6,8 GHz tot en met 8,5 GHz, of 2. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 5 W (37 dBm) op elke frequentie vanaf 8,5 GHz tot en met 16 GHz; c. een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 3 W (34,77 dBm) op elke frequentie vanaf 16 GHz tot en met 31,8 GHz, en met een “fractionele bandbreedte” van meer dan 10 %; d. een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 0,1 nW (- 70 dBm) op elke frequentie vanaf 31,8 GHz tot en met 37 GHz; e. een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 1 W (30 dBm) op elke frequentie vanaf 37 GHz tot en met 43,5 GHz, en met een “fractionele bandbreedte” van meer dan 10 %; f. een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 31,62 mW (15 dBm) op elke frequentie vanaf 43,5 GHz tot en met 75 GHz, en met een “fractionele bandbreedte” van meer dan 10 %; g. een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 10 mW (10 dBm) op elke frequentie vanaf 75 GHz tot en met 90 GHz, en met een “fractionele bandbreedte” van meer dan 5 %, of h. een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 0,1 nW (- 70 dBm) op elke frequentie vanaf 90 GHz; Noot 1: Niet gebruikt. Noot 2: De controlestatus van “MMIC’s” waarvan de nominale werkfrequentie frequenties in meer dan één frequentiegebied omvat, als omschreven in 3A001.b.2.a. tot 3A001.b.2.h., wordt bepaald door het laatste verzadigde piekuitgangsvermogen waarvoor de controle geldt. Noot 3: De noten 1 en 2 onder 3A houden in dat in 3A001.b.2. niet worden bedoeld “MMIC’s” die speciaal zijn ontworpen voor andere toepassingen zoals telecommunicatie, radars en automobielen. 3. discrete microgolftransistors, met: a. nominale werkfrequenties vanaf 2,7 GHz tot en met 6,8 GHz en met één of meer van de volgende eigenschappen: 1. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 400 W (56 dBm) op elke frequentie vanaf 2,7 GHz tot en met 2,9 GHz; 2. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 205 W (53,12 dBm) op elke frequentie vanaf 2,9 GHz tot en met 3,2 GHz; 3. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 115 W (50,61 dBm) op elke frequentie vanaf 3,2 GHz tot en met 3,7 GHz, of 4. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 60 W (47,78 dBm) op elke frequentie vanaf 3,7 GHz tot en met 6,8 GHz; b. nominale werkfrequenties vanaf 6,8 GHz tot en met 31,8 GHz en met één of meer van de volgende eigenschappen: 1. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 50 W (47 dBm) op elke frequentie vanaf 6,8 GHz tot en met 8,5 GHz; 2. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 15 W (41,76 dBm) op elke frequentie vanaf 8,5 GHz tot en met 12 GHz; 3. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 40 W (46 dBm) op elke frequentie vanaf 12 GHz tot en met 16 GHz, of 4. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 7 W (38,45 dBm) op elke frequentie vanaf 16 GHz tot en met 31,8 GHz; c. een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 0,5 W (27 dBm) op elke frequentie vanaf 31,8 GHz tot en met 37 GHz; d. een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 1 W (30 dBm) op elke frequentie vanaf 37 GHz tot en met 43,5 GHz; e. een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 0,1 nW (– 70 dBm) op elke frequentie vanaf 43,5 GHz, of f. anders dan aangeduid in 3A001.b.3.a. tot en met 3A001.b.3.e., en met een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 5 W (37,0 dBm) op elke frequentie vanaf 8,5 GHz tot en met 31,8 GHz; Noot 1: De controlestatus van een transistor in 3A001.b.3.a. tot en met 3A001.b.3.e. waarvan de nominale werkfrequentie frequenties in meer dan één frequentiegebied omvat, als omschreven in 3A001.b.3.a. tot en met 3A001.b.3.e., wordt bepaald door het laagste verzadigde piekuitgangsvermogen waarvoor de controle geldt. Noot 2: 3A001.b.3. omvat kale blokjes, blokjes gemonteerd op dragers, of blokjes gemonteerd in pakketten. Naar sommige discrete transistors kan ook verwezen worden als vermogensversterkers, maar de status van deze discrete transistors wordt bepaald door 3A001.b.3. 4. microgolf-halfgeleiderversterkers en microgolfassemblages/-modules die microgolf-halfgeleiderversterkers bevatten met: a. nominale werkfrequenties vanaf 2,7 GHz tot en met 6,8 GHz met een “fractionele bandbreedte” van meer dan 15 %, en met één of meer van de volgende eigenschappen: 1. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 500 W (57 dBm) op elke frequentie vanaf 2,7 GHz tot en met 2,9 GHz; 2. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 270 W (54,3 dBm) op elke frequentie vanaf 2,9 GHz tot en met 3,2 GHz; 3. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 200 W (53 dBm) op elke frequentie vanaf 3,2 GHz tot en met 3,7 GHz, of 4. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 90 W (49,54 dBm) op elke frequentie vanaf 3,7 GHz tot en met 6,8 GHz; b. nominale werkfrequenties vanaf 6,8 GHz tot en met 31,8 GHz met een “fractionele bandbreedte” van meer dan 10 %, en met één of meer van de volgende eigenschappen: 1. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 70 W (48,54 dBm) op elke frequentie vanaf 6,8 GHz tot en met 8,5 GHz; 2. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 50 W (47 dBm) op elke frequentie vanaf 8,5 GHz tot en met 12 GHz; 3. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 30 W (44,77 dBm) op elke frequentie vanaf 12 GHz tot en met 16 GHz, of 4. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 20 W (43 dBm) op elke frequentie vanaf 16 GHz tot en met 31,8 GHz; c. een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 0,5 W (27 dBm) op elke frequentie vanaf 31,8 GHz tot en met 37 GHz; d. een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 2 W (33 dBm) op elke frequentie vanaf 37 GHz tot en met 43,5 GHz, en met een “fractionele bandbreedte” van meer dan 10 %; e. nominale werkfrequenties vanaf 43,5 GHz en met één van de volgende eigenschappen: 1. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 0,2 W (23 dBm) op elke frequentie vanaf 43,5 GHz tot en met 75 GHz, en met een “fractionele bandbreedte” van meer dan 10 %; 2. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 20 mW (13 dBm) op elke frequentie vanaf 75 GHz tot en met 90 GHz, en met een “fractionele bandbreedte” van meer dan 5 %, of 3. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 0,1 nW (- 70 dBm) op elke frequentie vanaf 90 GHz, of f. niet gebruikt; NB 1: Zie 3A001.b.2 voor “MMIC”-versterkers. NB 2: Zie 3A001.b.12 voor ‘zend-/ontvangstmodules’ en ‘zendmodules’. NB 3: Zie 3A001.b.7. voor converters en harmonische mixers die zijn ontworpen om het werk- of frequentiebereik van signaalanalysatoren, signaalgeneratoren, netwerkanalysatoren en microgolftestontvangers uit te breiden. Noot 1: Niet gebruikt. Noot 2: De controlestatus van een object waarvan de nominale werkfrequentie frequenties in meer dan één frequentiegebied omvat, als omschreven in 3A001.b.4.a. tot 3A001.b.4.e., wordt bepaald door het laagste verzadigde piekuitgangsvermogen waarvoor de controle geldt. 5. elektronisch of magnetisch afstembare banddoorlaat of bandsperfilters met meer dan vijf afstembare resonatoren, geschikt om af te stemmen over een frequentieband van 1,5:1 (fmax/fmin) in minder dan 10 μs bij: a. een banddoorlaatbandbreedte van meer dan 0,5 % van de centrale frequentie, of b. een bandsperbandbreedte van minder dan 0,5 % van de centrale frequentie; 6. niet gebruikt; 7. converters en harmonische mixers met één van de volgende eigenschappen: a. ontworpen voor het vergroten van het frequentiebereik van “signaalanalysatoren” tot meer dan 90 GHz; b. ontworpen voor het vergroten van het werkgebied van signaalgeneratoren: 1. tot meer dan 90 GHz; 2. tot een uitgangsvermogen van meer dan 100 mW (20 dBm) binnen een frequentiebereik hoger dan 43,5 GHz tot ten hoogste 90 GHz; c. ontworpen voor het vergroten van het werkgebied van netwerkanalysatoren: 1. tot meer dan 110 GHz; 2. tot een uitgangsvermogen van meer dan 31,62 mW (15 dBm) binnen een frequentiebereik hoger dan 43,5 GHz tot ten hoogste 90 GHz; 3. tot een uitgangsvermogen van meer dan 1 mW (0 dBm) binnen een frequentiebereik hoger dan 90 GHz tot ten hoogste 110 GHz, of d. ontworpen voor het vergroten van het frequentiebereik van microgolftestontvangers tot meer dan 110 GHz; 8. microgolfvermogensversterkers die “elektronische vacuümelementen” als omschreven in 3A001.b.1. bevatten en alle volgende eigenschappen bezitten: a. werkfrequenties hoger dan 3 GHz; b. een gemiddeld vermogen per massaeenheid aan de uitgang van meer dan 80 W/kg, en c. een volume van minder dan 400 cm3; Noot: 3A001.b.8. heeft geen betrekking op apparatuur die is ontworpen of gespecificeerd voor een frequentieband die “door de ITU toegewezen” is voor radiocommunicatiediensten, maar niet voor radiodeterminatie. 9. microgolfvermogensmodules (MPM) bestaande uit ten minste een “elektronisch vacuümelement” met een lopende-golf, een “monolithisch geïntegreerde microgolfschakeling” (“MMIC”) en een geïntegreerde elektronische vermogensregelaar, met alle volgende eigenschappen: a. een ‘opstarttijd’, van uitgeschakeld naar volledig operationeel, van minder dan 10 seconden; b. een volume van minder dan het nominale maximumvermogen in watt, vermenigvuldigd met 10 cm3/W, en c. een “momentele brandbreedte” groter dan 1 octaaf (fmax > 2fmin) en één of meer van de volgende eigenschappen: 1. voor frequenties gelijk aan of kleiner dan 18 GHz, een RF-uitgangsvermogen van meer dan 100 W, of 2. een frequentie groter dan 18 GHz; Technische noten: 1. De berekening van het volume in 3A001.b.9.b. wordt aan de hand van het volgende voorbeeld toegelicht: voor een nominaal maximumvermogen van 20 W bedraagt het volume: 20 W × 10 cm 3 /W = 200 cm 3 . 2. De ‘opstarttijd’ in 3A001.b.9.a. is de tijd die verloopt tussen volledig uitgeschakeld en volledig operationeel; hieronder is dus ook de opwarmtijd van de MPM begrepen. 10. oscillatoren of een samenbouw van oscillatoren die zijn ontworpen om te werken met een enkelzijband (SSB) faseruis, in dBc/Hz, minder (beter) dan - (126 + 20log10F – 20log10f) binnen het bereik van 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz; Technische noot: In 3A001.b.10. staat F voor de verschuiving van de werkfrequentie in Hz en f voor de werkfrequentie in MHz. 11. ‘frequentiesynthesizer’, “elektronische samenstellingen” met een “frequentiewisseltijd”, overeenkomstig één van de volgende eigenschappen: a. minder dan 143 ps; b. minder dan 100 μs voor elke frequentiewisseling van meer dan 2,2 GHz binnen het ‹synthesized› frequentiebereik van hoger dan 4,8 GHz tot ten hoogste 31,8 GHz; c. niet gebruikt; d. minder dan 500 μs voor elke frequentiewisseling van meer dan 550 MHz binnen het ‹synthesized› frequentiebereik van hoger dan 31,8 GHz tot ten hoogste 37 GHz; e. minder dan 100 μs voor elke frequentiewisseling van meer dan 2,2 GHz binnen het ‹synthesized› frequentiebereik van hoger dan 37 GHz tot ten hoogste 90 GHz; f. niet gebruikt, of g. minder dan 1 ms binnen het ‹synthesized› frequentiebereik van meer dan 90 GHz. Technische noot: Onder ‘frequentiesynthesizer’ wordt verstaan elke soort frequentiebron, ongeacht de feitelijk daarin toegepaste techniek, die een veelheid aan uitgangsfrequenties afgeeft, gelijktijdig of naar keuze, aan één of meer uitgangen, en die worden bepaald door, afgeleid van of beheerst door een geringer aantal standaard- (of basis)frequenties. NB: Voor “signaalanalysatoren”, signaalgeneratoren, netwerkanalysatoren en microgolftestontvangers voor algemeen gebruik, zie respectievelijk 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. en 3A002.f. 12. ‘zend-/ontvangstmodules’, ‘zend-/ontvangst-MMIC’s’, ‘zendmodules’ en ‘zend-MMIC’s’, gespecificeerd voor werkfrequenties vanaf 2,7 GHz en met alle volgende eigenschappen: a. een verzadigd piekuitgangsvermogen (in watt), Psat, groter dan 505,62 gedeeld door de gekwadrateerde maximale werkfrequentie (in GHz) [Psat>505,62 W*GHz2/fGHz 2] voor elk kanaal; b. een “fractionele bandbreedte” van 5 % of meer voor elk kanaal; c. een lengte d (in cm) die kleiner is dan of gelijk is aan 15 gedeeld door de laagste werkfrequentie in GHz [d ≤ 15 cm*GHz/fGHz], waarbij N het aantal zendkanalen of zend-/ontvangstkanalen is, en d. een elektronisch variabele faseverschuiver per kanaal. Technische noten: 1. een ‘zend-/ontvangstmodule’: een multifunctionele “samenstelling” die bidirectionele amplitude- en faseregeling levert voor de verzending en ontvangst van signalen. 2. een ‘zendmodule’: een “samenstelling” die amplitude- en faseregeling levert voor de verzending van signalen. 3. een ‘zend-/ontvangst-MMIC’: een multifunctionele “MMIC” die bidirectionele amplitude- en faseregeling levert voor de verzending en ontvangst van signalen. 4. een ‘zend-MMIC’: een “MMIC” die amplitude- en faseregeling levert voor de verzending van signalen. 5. 2,7 GHz moet gebruikt worden als de laagste werkfrequentie (f GHz ) in de formule in 3A001.b.12.c. voor zend-/ontvangstmodules of zendmodules die een nominale werkfrequentie hebben van 2,7 GHz en lager [d ≤ 15 cm*GHz*N/2,7 GHz]. 6. 3A001.b.12. is van toepassing op ‘zend-/ontvangstmodules’ of ‘zendmodules’ met of zonder koelelement. De waarde van d in 3A001.b.12.c. omvat geen delen van de ‘zend-/ontvangstmodule’ of ‘zendmodule’ die als koelelement fungeren. 7. ‘zend-/ontvangstmodules’, ‘zendmodules’, ‘zend-/ontvangst-MMIC’s’ of ‘zend-MMIC’s’ kunnen N geïntegreerde uitstralende antenne-elementen hebben, waarbij N het aantal zendkanalen of zend-/ontvangstkanalen is; c. elementen waarbij gebruik wordt gemaakt van akoestische golven, als hieronder, en speciaal ontworpen onderdelen daarvoor: 1. elementen waarbij gebruik wordt gemaakt van akoestische oppervlaktegolven en van akoestische golven die langs de oppervlakte scheren (‹surface wave›), met één of meer van de volgende eigenschappen: a. een draaggolffrequentie groter dan 6 GHz; b. een draaggolffrequentie groter dan 1 GHz, doch kleiner dan 6 GHz, en één van de volgende eigenschappen: 1. een ‘onderdrukking van de zijlobben groter’ dan 65 dB; 2. een product van de maximale vertragingstijd (tijd in μs en bandbreedte in MHz) groter dan 100; 3. een bandbreedte van meer dan 250 MHz, of 4. een dispersieve vertraging groter dan 10 μs, of c. een draaggolffrequentie van 1 GHz of lager, en met één of meer van de volgende eigenschappen: 1. een product van de maximale vertragingstijd (tijd in μs en bandbreedte in MHz) groter dan 100; 2. een dispersieve vertraging groter dan 10 μs, of 3. een ‘onderdrukking van de zijlobben’ groter dan 65 dB en een bandbreedte van meer dan 100 MHz; Technische noot: ‘Onderdrukking van de zijlobben’: is de maximale waarde van de onderdrukking zoals gespecificeerd in de technische toelichting. 2. elementen waarbij gebruik wordt gemaakt van akoestische golven in de gehele massa van het materiaal (‹bulk wave›) en die geschikt zijn voor directe verwerking van signalen met frequenties hoger dan 6 GHz; 3. akoestisch-optische “signaalverwerkende” elementen die gebruikmaken van een wisselwerking tussen akoestische golven (‹bulk wave› of ‹surface wave›) en lichtgolven en die geschikt zijn voor directe verwerking van signalen of beelden, met inbegrip van, doch niet beperkt tot, spectrale analyse, correlatie of convolutie; Noot: 3A001.c. heeft geen betrekking op elementen waarbij gebruik wordt gemaakt van akoestische golven, die van een specifieke band-, laag- of hoogdoorlaatfilter, bandsperfilter dan wel van specifieke resonantiefunctie voorzien zijn. d. elektronische elementen of schakelingen die onderdelen bevatten vervaardigd van “supergeleidende” materialen die speciaal zijn ontworpen om te werken bij temperaturen beneden de “kritische temperatuur” van tenminste één van de “supergeleidende” bestanddelen en met één of meer van de volgende functies: 1. stroomschakelen voor digitale schakelingen die gebruikmaken van “supergeleidende” poorten waarbij het product van de vertragingstijd per poort (in seconden) en het energieverlies per poort (in watt) kleiner is dan 10-14 J, of 2. frequentieselectie bij alle frequenties met toepassing van afstemkringen met een Q-waarde hoger dan 10 000. e. hoge-energiecomponenten, als hieronder: 1. ‘cellen’, als hieronder: a. ‘primaire cellen’ met een of meer van de volgende eigenschappen bij 20 °C: 1. een ‘energiedichtheid’ groter dan 550 Wh/kg en een ‘continu-vermogensdichtheid’ groter dan 50 W/kg, of 2. een ‘energiedichtheid’ groter dan 50 Wh/kg en een ‘continu-vermogensdichtheid’ groter dan 350 W/kg, of b. ‘secundaire cellen’ met een ‘energiedichtheid’ groter dan 350 Wh/kg bij 20 °C; Technische noten: 1. Voor de toepassing van 3A001.e.1. wordt de ‘energiedichtheid’ (Wh/kg) berekend uit de nominale spanning vermenigvuldigd met de nominale capaciteit in ampère-uur (Ah) gedeeld door de massa (in kg). Indien de nominale capaciteit niet is opgegeven, wordt de energiedichtheid berekend uit de nominale spanning in het kwadraat vermenigvuldigd met de ontladingstijd (in uur), gedeeld door de ontladingsbelasting (in ohm) en de massa (in kg). 2. Voor de toepassing van 3A001.e.1. wordt een ‘cel’ gedefinieerd als een elektrochemisch element dat voorzien is van positieve en negatieve elektroden, alsook een elektrolyt, en dat een bron van elektrische energie is. Het is de basisbouwsteen van een batterij. 3. Voor de toepassing van 3A001.e.1.a. is een ‘primaire cel’ een ‘cel’ die niet ontworpen is om door enige andere bron te worden opgeladen. 4. Voor de toepassing van 3A001.e.1.b. is een ‘secundaire cel’ een ‘cel’ die ontworpen is om door een externe elektrische bron te worden opgeladen. 5. Voor de toepassing van 3A001.e.1.a. wordt de ‘continu-vermogensdichtheid’ (W/kg) berekend uit de nominale spanning vermenigvuldigd met de gespecificeerde maximale continue ontlaadspanning in ampère (A) gedeeld door de massa in kg. ‘Continu-vermogensspanning’ wordt ook aangeduid als specifiek vermogen. Noot: 3A001.e.1. heeft geen betrekking op batterijen, met inbegrip van ééncellige batterijen. 2. condensatoren geschikt voor hoge-energieopslag, als hieronder: NB: ZIE OOK 3A201.a. en de lijst militaire goederen. a. condensatoren met een herhalingssnelheid van minder dan 10 Hz (‹single shot›-condensatoren) met alle volgende eigenschappen: 1. een toelaatbare spanning gelijk aan of hoger dan 5 kV; 2. een energiedichtheid gelijk aan of hoger dan 250 J/kg, en 3. een totale energie gelijk aan of groter dan 25 kJ; b. condensatoren met een herhalingssnelheid van 10 Hz of meer (‹repetition-rated›-condensatoren) met alle volgende eigenschappen: 1. een toelaatbare spanning gelijk aan of hoger dan 5 kV; 2. een energiedichtheid gelijk aan of hoger dan 50 J/kg; 3. een totale energie gelijk aan of groter dan 100 J, en 4. een levensduur gelijk aan of langer dan 10 000 cyclussen van laden en ontladen. 3. “supergeleidende” elektromagneten en solenoïden die speciaal zijn ontworpen voor volledig opladen of ontladen in minder dan een seconde, met alle volgende eigenschappen: NB: ZIE OOK 3A201.b. Noot: 3A001.e.3. heeft geen betrekking op “supergeleidende” elektromagneten of solenoïden die speciaal zijn ontworpen voor medische apparatuur voor beeldvorming door middel van magnetische resonantie (Magnetic Resonance Imaging - MRI). a. de in de eerste seconde tijdens de ontlading geleverde energie is meer dan 10 kJ; b. de binnendiameter van de stroomvoerende wikkelingen is groter dan 250 mm, en c. de apparatuur heeft een nominale magnetische inductie van meer dan 8 T of een nominale “totale stroomdichtheid” in de wikkeling hoger dan 300 A/mm2; 4. zonnecellen, CIC (‹cell-interconnect-coverglass›)-samenstellingen, zonnepanelen en zonne-‹arrays› die “voor gebruik in de ruimte gekwalificeerd” zijn, met een gemiddeld minimumrendement van meer dan 20 % bij een werktemperatuur van 301 K (28 °C) onder gesimuleerde ‘AM0’-belichting van 1 367 watt per vierkante meter (W/m2); Technische noot: ‘AM0’ (Air Mass Zero) slaat op de spectrale bestralingssterkte van zonlicht in de buitenste atmosfeer van de aarde bij een afstand tussen zon en aarde van één astronomische eenheid (AE). f. roterende absolute positiecodeerapparaten met een “nauwkeurigheid” die gelijk is aan of lager is dan 1,0 boogseconde en speciaal daarvoor ontworpen encoderringen, -schijven of -schalen; g. vastestof-thyristoren en ‘-thyristormodules’ met pulswerking die elektrisch, optisch of door elektronenstraling geschakeld worden, met één of meer van de volgende eigenschappen: 1. een maximale inschakel-stroomsteilheid (di/dt) van meer dan 30 000 A/μs en een sperspanning van meer dan 1 100 V, of 2. een maximale inschakel-stroomsteilheid (di/dt) van meer dan 2 000 A/μs en alle volgende eigenschappen: a. een pieksperspanning gelijk aan of groter dan 3 000 V, en b. een piekstroom (stootstroom) gelijk aan of groter dan 3 000 A. Noot 1: 3A001.g. omvat: SCR’s (gestuurde halfgeleidergelijkrichters) ETT’s (Electrical Triggering Thyristors) LTT’s (Light Triggering Thyristors) IGCT’s (Integrated Gate Commutated Thyristors) GTO’s (Gate Turn-off Thyristors - uitschakelbare thyristoren) MCT’s (MOS Controlled Thyristors) Solidtrons Noot 2: 3A001.g. heeft geen betrekking op thyristoren en ‘thyristormodules’ die zijn ingebouwd in apparatuur voor toepassingen in civiele treinen of “civiele vliegtuigen”. Technische noot: Voor de toepassing van 3A001.g. bevat een ‘thyristormodule’ één of meer thyristoren. h. vermogenshalfgeleiderschakelaars, vermogendiodes of ‘modules’ met alle onderstaande eigenschappen: 1. geschikt voor een maximale operationele junctietemperatuur van meer dan 488 K (215 °C); 2. periodieke piekblokkeerspanning van meer dan 300 V, en 3. continue stroom van meer dan 1 A. Noot 1: De in 3A001.h. bedoelde periodieke piekblokkeerspanning omvat de afvoer-bronspanning, de collector-emittorspanning, de periodieke pieksperspanning en de periodieke piekblokkeerspanning. Noot 2: 3A001.h. omvat: junctie-veldeffecttransistors (JFETs) verticale junctie-veldeffecttransistors (VJFETs) metaaloxide-halfgeleider-veldeffecttransistors (MOSFETs) dubbel gediffundeerde metaaloxide-halfgeleider-veldeffecttransistors (DMOSFETs) bipolaire transistors met geïsoleerde poort (IGTBs) hoge-elektronenmobiliteittransistors (HEMTs) bipolaire junctietransistors (BJTs) thyristors en gestuurde halfgeleidergelijkrichters (SCRs) uitschakelbare thyristoren (GTOs) Emitter Turn-Off Thyristors (ETOs) PiN-diodes Schottkydiodes Noot 3: 3A001.h. heeft geen betrekking op controleschakelaars, diodes of ‘modules’ die verwerkt zijn in apparatuur die is ontworpen voor toepassingen in civiele automobielen, civiele spoorvoertuigen of “civiele vliegtuigen”. Technische noot: Voor de toepassing van 3A001.h. bevatten ‘modules’ één of meer vermogenshalfgeleiderschakelaars of vermogendiodes. i. Elektro-optische modulators voor intensiteit, amplitude of fase, ontworpen voor analoge signalen, met een of meer van de volgende eigenschappen: 1. een maximale werkfrequentie van meer dan 10 GHz doch minder dan 20 Ghz, een optisch opnameverlies van 3 dB of minder en een of meer van de volgende eigenschappen: a. een ‘halve-golfspanning’ (‘Vπ’) van minder dan 2,7 V wanneer gemeten met een frequentie van 1 Ghz of minder, of b. een ‘Vπ’ van minder dan 4 V wanneer gemeten met een frequentie van meer dan 1 GHz, of 2. een maximale werkfrequentie van 20 Ghz of meer, een optisch opnameverlies van 3 dB of minder en een of meer van de volgende eigenschappen: a. een ‘Vπ’ van minder dan 3,3 V wanneer gemeten met een frequentie van 1 Ghz of minder, of b. een ‘Vπ’ van minder dan 5 V wanneer gemeten met een frequentie van meer dan 1 GHz; Noot: Onder 3A001.i. vallen ook elektro-optische modulators met optische ingang- en uitgangsconnectoren (bijvoorbeeld aanstralingsvezel). Technische noot: Voor de toepassing van 3A001.i wordt onder ‘halve-golfspanning’ (‘Vπ’) verstaan: de spanning die nodig is voor een faseverandering van 180 graden in de golflengte van licht dat zich voortplant in de optische modulator.