X.B.I.001

Apparatuur voor de vervaardiging van elektronische componenten of materialen, als hieronder, en daarvoor speciaal ontworpen componenten en toebehoren. a. Apparatuur speciaal ontworpen voor de vervaardiging van elektronenbuizen, optische elementen en speciaal ontworpen componenten daarvoor, bedoeld in 3A001 (3) of X.A.I.001; b. Apparatuur speciaal ontworpen voor de productie van halfgeleiderelementen, geïntegreerde schakelingen en “elektronische samenstellingen”, als hieronder, en systemen die dergelijke apparatuur bevatten of er de kenmerken van hebben: Noot: X.B.I.001.b. is ook van toepassing op apparatuur die wordt gebruikt of aangepast voor gebruik bij de vervaardiging van andere elementen, zoals beeldvormers, elektro-optische elementen en elementen waarbij gebruik wordt gemaakt van akoestische golven. 1. Apparatuur voor de verwerking van materialen voor de vervaardiging van hulpmiddelen en componenten als bedoeld in rubriek X.B.I.001.b, als hieronder: Noot: X.B.I.001 heeft geen betrekking op kwartsovenbuizen, ovenbekleding, eindeffectoren (“paddles”), ovenschuitjes (met uitzondering van speciaal ontworpen “caged boats”), gaswasflessen, cassettes of smeltkroezen speciaal ontworpen voor de in X.B.I.001.b.1. bedoelde verwerkingsapparatuur. a. Apparatuur voor de productie van polykristallijn silicium en materialen bedoeld in 3C001 (4); b. Apparatuur speciaal ontworpen voor het zuiveren of verwerken van III/V en II/VI halfgeleidermaterialen als bedoeld in 3C001, 3C002, 3C003, 3C004 of 3C005 (5), met uitzondering van kristaltrekkers, waarop X.B.I.001.b.1.c hieronder betrekking heeft; c. Kristaltrekkers en -ovens, als hieronder: Noot: X.B.I.001.b.1.c heeft geen betrekking op diffusie- en oxidatieovens. 1. Uitgloei- of rekristalliseerapparatuur anders dan ovens met temperatuursuniformiteit voor grote energieoverdracht geschikt voor het bewerken van plakken (“wafers”) met een snelheid van 0,005 m2 per minuut; 2. “Door een opgeslagen programma gestuurde” kristaltrekkers met één of meer van de volgende kenmerken: a. Hervulbaar zonder vervanging van de smeltkroescontainer; b. Geschikt om te werken bij een druk hoger dan2,5 x 105 Pa; of c. Geschikt voor het trekken van kristallen met een diameter van meer dan 100 mm; d. “Door een opgeslagen programma gestuurde” kristaltrekkers voor epitaxiale groei met één of meer van de volgende kenmerken: 1. Geschikt voor de productie van een laag van silicium met een laagdikte-uniformiteit beter dan ± 2,5 % over een afstand van 200 mm of meer; 2. Geschikt voor de productie van een laag van een ander materiaal dan silicium met een laagdikte-uniformiteit van de wafer gelijk aan of beter dan ± 3,5 %; of 3. Rotatie van afzonderlijke wafers tijdens de bewerking; e. Apparatuur voor het opbrengen van epitaxiale lagen door middel van moleculaire bundels; f. Magnetisch verbeterde sputterapparatuur met speciaal ontworpen geïntegreerde load-locks, geschikt voor load-lock-wafeltransport in een geïsoleerde vacuümomgeving; g. Apparatuur speciaal ontworpen voor ionenimplantatie, ionenversterkte of foto-versterkte diffusie, met één of meer van de volgende kenmerken: 1. Mogelijkheid om patronen te vormen; 2. Stralingsenergie (versnellingsspanning) van meer dan 200 keV; 3. Geoptimaliseerd om te werken bij een stralingsenergie (versnellingsspanning) van minder dan 10 keV; of 4. Geschikt om met hoge energie zuurstof te implanteren in een verhit “substraat”; h. “Door een opgeslagen programma gestuurde” apparatuur voor selectieve verwijdering (etsen) door middel van anisotrope droge methoden (bv. met plasma), als hieronder: 1. “Batch”-typen met een van de volgende kenmerken: a. Eindpuntsbepaling, anders dan met optische emissiespectroscopietypen; of b. Bedrijfsdruk (voor etsen) van de reactor van 26,66 Pa of minder; 2. “Single wafer”-typen met één of meer van de volgende kenmerken: a. Eindpuntsbepaling, anders dan met optische emissiespectroscopietypen; b. Bedrijfsdruk (voor etsen) van de reactor van 26,66 Pa of minder; of c. “Cassette-to-cassette” en “load lock” voor intern transport van wafers; Noten: 1. Onder “batch”-typen worden machines verstaan die niet speciaal ontworpen zijn voor de productiebewerking van afzonderlijke wafers. Dergelijke machines kunnen twee of meer wafers gelijktijdig bewerken met gemeenschappelijke procesparameters, zoals RF-vermogen, temperatuur, etsgassoorten, stroomsnelheden. 2. Met “single wafer”-typen worden machines bedoeld die “speciaal ontworpen” zijn voor de productie van afzonderlijke wafers. Deze machines kunnen gebruikmaken van technieken voor automatisch intern transport van wafers om een enkele wafer in de bewerkingsapparatuur te laden. De definitie omvat apparatuur die meerdere wafers kan laden en bewerken, maar waarbij de etsparameters, zoals RF-vermogen of eindpunt, voor elke afzonderlijke wafer apart kunnen worden bepaald. i. Apparatuur voor “chemische afzetting uit de damplaag” (CVD), bv. met plasma ondersteunde CVD (PECVD) of fotoversterkte CVD, voor de fabricage van halfgeleiderelementen, met een van de volgende mogelijkheden voor het afzetten van oxiden, nitriden, metalen of polysilicum: 1. Apparatuur voor “chemische afzetting uit de damplaag” die werkt onder 105 Pa; of 2. PECVD-apparatuur werkend met een werkfrequentie van minder dan 60 Pa of met automatisch intern transport van wafers volgens “cassette-to-cassette” en “load lock”-methode; Noot: X.B.I.001.b.1.i heeft geen betrekking op systemen voor “chemische afzetting uit de damplaag” bij lage druk (LPCVD) of reactieve “sputter”-apparatuur. j. Elektronenbundelsystemen speciaal ontworpen of aangepast voor het vervaardigen van maskers of het bewerken van halfgeleiderelementen, met één of meer van de volgende kenmerken: 1. Elektrostatische bundeldeflectie; 2. Gevormd niet-Gaussbundelprofiel; 3. Digitaal-analoogomzettingssnelheid hoger dan 3 MHz; 4. Digitaal-analoogomzettingsnauwkeurigheid van meer dan 12 bit; of 5. Terugkoppelingsnauwkeurigheid van 1 micrometer of preciezer met betrekking tot de doel-bundelpositie; Noot: X.B.I.001.b.1.j heeft geen betrekking op systemen voor elektronenbundelafzetting of universele rasterelektronenmicroscopen. k. Apparatuur voor het afwerken van oppervlakken van halfgeleiderplakken (“wafers”), als hieronder: 1. Speciaal ontworpen apparatuur voor het bewerken van de achterzijde van wafers die dunner zijn dan 100 micrometer en het later scheiden daarvan; of 2. Speciaal ontworpen apparatuur voor het tot stand brengen van een oppervlakteruwheid van het actieve oppervlak van een bewerkte wafer met een waarde van 2 sigma van 2 micrometer of minder, totale meetklokuitslag (TIR); Noot: X.B.I.001.b.1.k heeft geen betrekking op enkelzijdige schuur- en polijstmachines voor afwerking van het oppervlak van wafers. l. Apparatuur voor onderlinge koppeling, waaronder gemeenschappelijke enkelvoudige of meervoudige vacuümkamers speciaal ontworpen om de integratie van in X.B.I.001 bedoelde apparatuur in een compleet systeem mogelijk te maken; m. “Door een opgeslagen programma gestuurde” apparatuur die gebruikmaakt van “lasers” voor het herstellen of afbramen van “monolithische geïntegreerde schakelingen” met een van de volgende kenmerken: 1. Instelnauwkeurigheid fijner dan ± 1 micrometer; of 2. Brandpuntsvlak (groefbreedte) kleiner dan 3 micrometer. Technische noot: Voor de toepassing van X.B.I.001.b.1 is “sputteren” een deklaagbekledingsprocedé waarbij positief geladen ionen worden versneld door een elektrisch veld naar het oppervlak van een trefplaat (deklaagmateriaal). De kinetische energie van de botsende ionen is voldoende om ervoor te zorgen dat atomen aan het oppervlak van de trefplaat vrijkomen en worden afgezet op het substraat. (Noot: Sputteren met een triode of magnetron en reactief sputteren, welke methoden worden toegepast om de hechting van de bekleding en de afzetsnelheid te vergroten, zijn gebruikelijke aanpassingen van het procedé.) 2. Maskers, maskersubstraten, apparatuur voor de vervaardiging van maskers en beeldgeleiderapparatuur voor de vervaardiging van elementen en componenten als bedoeld in rubriek X.B.I.001, als hieronder: Noot: De term “maskers” verwijst naar de maskers gebruikt bij elektronenbundellithografie, röntgenlithografie en lithografie met ultraviolet licht, alsmede de gebruikelijke ultraviolette en zichtbare fotolithografie. a. Afgewerkte maskers, fijne optische netwerken (“reticles”) en ontwerpen daarvoor, met uitzondering van: 1. Afgewerkte maskers of fijne optische netwerken (“reticles”) voor de vervaardiging van geïntegreerde schakelingen die niet onder 3A001 vallen (6); of 2. Maskers of fijne optische netwerken met beide volgende eigenschappen: a. Het ontwerp is gebaseerd op geometrie van 2,5 micrometer of meer; en b. Het ontwerp bevat geen bijzondere kenmerken om het beoogde gebruik door middel van productieapparatuur of “programmatuur” te wijzigen; b. Maskersubstraten, als hieronder: 1. Met een hard oppervlak (bv. chroom, silicium, molybdeen) beklede “substraten” (bv. glas, kwarts, saffier) voor het vervaardigen van maskers met afmetingen van meer dan 125 mm x 125 mm; of 2. Substraten speciaal ontworpen voor röntgenmaskers; c. Apparatuur, andere dan computers voor algemeen gebruik, speciaal ontworpen voor computerondersteund ontwerp (CAD) van halfgeleiderelementen of geïntegreerde schakelingen; d. Uitrusting of machines, als hieronder, voor de vervaardiging van maskers of fijne optische netwerken (“reticles”): 1. Foto-optische repeteercamera’s die “arrays” kunnen produceren groter dan 100 mm × 100 mm, of die één enkele belichting groter dan 6 × 6 mm in het beeldvlak (d.w.z. het brandpuntsvlak) kunnen produceren, of die lijnbreedten van minder dan 2,5 micrometer kunnen aanbrengen in de fotoresist op het “substraat”; 2. Apparatuur voor de vervaardiging van maskers of fijne optische netwerken die gebruikmaakt van ionen- of “laser”-bundellithografie, geschikt voor het aanbrengen van lijnbreedten van minder dan 2,5 micrometer; of 3. Uitrusting of houders voor het aanpassen van maskers of fijne optische netwerken of het toevoegen van zelfdragende emulsies om gebreken te verhelpen; Noot: X.B.I.001.b.2.d.1 en b.2.d.2 zijn niet van toepassing op apparatuur voor het vervaardigen van maskers waarbij gebruik wordt gemaakt van foto-optische methoden die ofwel vóór 1 januari 1980 in de handel verkrijgbaar was ofwel niet beter presteert dan dergelijke apparatuur. e. “Door een opgeslagen programma gestuurde” apparatuur voor de inspectie van maskers, fijne optische netwerken of zelfdragende emulsies met: 1. Een resolutie van 0,25 micrometer of preciezer; en 2. Een nauwkeurigheid van 0,75 micrometer of preciezer over een afstand van één of twee coördinaten van 63,5 mm of meer; Noot: X.B.I.001.b.2.e heeft niet betrekking op universele rasterelektronenmicroscopen, tenzij speciaal ontworpen en uitgerust voor automatische patrooninspectie. f. Apparatuur voor uitrichten en belichten ten behoeve van de productie van wafers met behulp van foto-optische of röntgenmethoden, bijvoorbeeld lithografische apparatuur, met inbegrip van apparatuur voor projectiebeeldoverdracht en “step and repeat”-/repeteerapparatuur (“direct step on wafer”) of scannerapparatuur (“step and scan”), geschikt voor het vervullen van een van de volgende functies: Noot: X.B.I.001.b.2.f heeft geen betrekking op foto-optische op contact of nabijheid gebaseerde apparatuur voor het uitrichten en belichten van maskers, en evenmin op apparatuur voor contactbeeldoverdracht. 1. Productie met een patroongrootte van minder dan 2,5 micrometer; 2. Uitrichting met een nauwkeurigheid preciezer dan ± 0,25 micrometer (3 sigma); 3. Machine-tot-machine-deklaag niet beter dan ± 0,3 micrometer; of 4. Golflengte van de lichtbron korter dan 400 nm; g. Elektronenbundel-, ionenbundel- of röntgenapparatuur voor projectiebeeldoverdracht geschikt voor het produceren van patronen van minder dan 2,5 micrometer; Noot: Zie X.B.I.001.b.1.j voor afgebogen-en-gefocusseerde-bundelsystemen (systemen voor direct schrijven). h. Apparatuur met “lasers” voor direct schrijven op wafers en die patronen van minder dan 2,5 micrometer kan produceren. 3. Apparatuur voor de assemblage van geïntegreerde schakelingen, als hieronder: a. “Door een opgeslagen programma gestuurde” die-bonders met één of meer van de volgende kenmerken: 1. Speciaal ontworpen voor “hybride geïntegreerde schakelingen”; 2. Een kruistafelbereik groter dan 37,5 × 37,5 mm; en 3. Plaatsingsnauwkeurigheid in het X-Y-vlak preciezer dan ± 10 micrometer; b. “Door een opgeslagen programma gestuurde” apparatuur voor het aanbrengen van meerdere bindingen in één enkele bewerking (bv. “beam lead bonders”, “chip carrier bonders” en “tape bonders”); c. Halfautomatische of automatische “hot cap sealers”, waarbij de toplaag plaatselijk wordt verwarmd tot een hogere temperatuur dan de pakketromp, speciaal ontworpen voor keramische microschakelingen bedoeld in 3A001 (7) en met een verwerkingscapaciteit van ten minste één pakket per minuut. Noot: X.B.I.001.b.3 heeft geen betrekking op puntlasapparaten voor algemeen gebruik. 4. Filters voor schone kamers geschikt om te zorgen voor een atmosfeer met 10 of minder deeltjes van 0,3 micrometer of kleiner per 0,02832 m3 en de daartoe benodigde filtermaterialen. Technische noot: Voor de toepassing van X.B.I.001 wordt onder “door een opgeslagen programma gestuurd” verstaan: gestuurd via in een elektronisch geheugen opgeslagen instructies die door een processor kunnen worden uitgevoerd om de verrichting van vooraf bepaalde functies te sturen. Apparatuur kan “door een opgeslagen programma gestuurd” zijn, ook al bevindt het elektronische geheugen zich niet in het apparaat zelf.