Regolamento (CEE) n. 1410/84 del Consiglio del 15 maggio 1984 recante sospensione temporanea dei dazi autonomi della tariffa doganale comune per un certo numero di prodotti industriali



Gazzetta ufficiale n. L 141 del 28/05/1984 pag. 0001 - 0055



++++ REGOLAMENTO ( CEE ) N . 1410/84 DEL CONSIGLIO del 15 maggio 1984 recante sospensione temporanea del dazi autonomi della tariffa doganale comune per un certo numero di prodotti industriali IL CONSIGLIO DELLE COMUNITÀ EUROPEE , visto il trattato che istituisce la Comunità economica europea , in particolare l ' articolo 28 , visto il progetto di regolamento presentato dalla Commissione , considerando che la produzione comunitaria dei prodotti oggetto del presente regolamento è attualmente nulla o insufficiente e che i produttori non possono coprire il fabbisogno delle industrie utilizzatrici della Comunità ; considerando che è nell ' interesse della Comunità che i dazi autonomi della tariffa doganale comune siano sospesi , in alcuni casi , solo parzialmente , soprattutto in considerazione dell ' esistenza di una produzione e che , in altri casi , siano per contro sospesi totalmente ; considerando che , tenuto conto della difficoltà di valutare con esattezza l ' evoluzione a breve termine della situazione economica nei settori interessati , è opportuno prendere tali misure di sospensione solo a titolo temporaneo , fissandone il periodo di validità in funzione dell ' interesse della produzione comunitaria , HA ADOTTATO IL PRESENTE REGOLAMENTO : Articolo 1 I dazi autonomi della tariffa doganale comune relativi ai prodotti elencati nelle tabelle allegate , sono sospesi al livello indicato in corrispendonza di ciascuno di essi . Queste sospensioni sono applicabili : - dal 1° luglio al 31 dicembre 1984 per i prodotti di cui alla tabella I ; - dal 1° luglio 1984 al 30 giugno 1985 per i prodotti di cui alla tabella II . Articolo 2 Il presente regolamento entra in vigore il 1° luglio 1984 . Il presente regolamento è obbligatorio in tutti i suoi elementi e direttamente applicabile in ciascuno degli Stati membri . Fatto a Bruxelles , addì 15 maggio 1984 . Per il Consiglio Il Presidente C . CHEYSSON ALLEGATO TABELLA I Numero della tariffa doganale comune * Designazione delle merci * Aliquota dei dazi autonomi ( % ) * ex 28.20 A * Ossido-idrossido di alluminio , sotto forma di pseudoboehmite * 4 * ex 28.31 C * Ipoclorito di litio * 0 * ex 28.47 F * Tungstato ( wolframato ) di calcio , per la produzione di leghe di ferro o di decaammonio 41-ossododecawolframato ( para-wolframato di ammonio ) ( a ) * 0 * ex 28.55 A * Fosfuri di ferro ( ferro-fosfori ) , contenenti , in peso : * * * - ferro , non inferiore a 68 % e non superiore a 72 % * * * - fosforo , non inferiore a 22 % e non superiore a 26 % * * * - silicio , non superiore a 3,5 % * * * aventi almeno il 99 % , in peso , delle particelle di dimensioni inferiori a 20 micrometri , destinati alla fabbricazione di vernici e di pitture ( a ) * 0 * ex 29.01 D VII * Paracimene * 0 * ex 29.02 A III * 1,2-Dibromoetano * 4 * ex 29.08 A III c ) * 2-Bromo-6-metossinaftalene * 0 * ex 29.15 C III * Ftalato di benzile e di 3-isobutirilossi-1-isopropile-2,2-dimetilpropile * 0 * ex 29.21 B II * 0,0'-Dioctadecil bis ( fosfito ) di pentaeritritolo * 0 * ex 29.21 V II * 1,1'-Dimetil-2,2'-ossidietilenetetrafenile bis ( fosfito ) * 0 * ex 29.22 D VII * Pendimetalina ( ISO ) * 7 * ex 29.22 E II * 1,8-Naftilendiammina * 0 * ex 29.23 E * Metildopa ( DCI ) * 0 * ex 29.23 E * Cloridrato di Indenolol ( DCIM ) * 0 * ex 29.30 * Diisocianato di p-fenilene * 0 * ex 29.30 * Trans - ( Cicloesa-1,4-ilen-diisocianato ) , destinato alla fabbricazione di elastomeri di poliuretano termoplastico ( a ) * 0 * ex 29.35 Q * Tetraidrofurano con un contenuto totale di tetraido-2-metilfurano e tetraidro-3-metilfurano non superiore a 40 mg/litro , destinato alla produzione di alfa-4-idrossibutil-omega-idrossipoli ( ossitetrametilene ) ( a ) * 0 * ex 29.44 C * Sale di sodio di ceftizoxime ( DCIM ) * 0 * ex 34.02 * alfa-metil-omega-idrossipoli ( ossipropilene ) , con peso molecolare medio compreso tra 240 e 260 * 0 * ex 34.02 * Miscela di docusate sodico ( DCI ) e di benzoato di sodio * 0 * ex 18.19 F II * Esacosaidrossidodicarbonato di tetraalluminio e nonamagnesio eptaidrato , rivestito con un agente di superficie attivo * 0 * ex 38.19 X * * * ex 38.19 X * Miscela di metifosfonato di metile di 5-etil-2-metil-2-osso-1,3,2 lambda5-diosafosforan-5-ilmetile e di metilfosfonato di bis ( 5-etil-2-metil-2-osso-1,3,2 lambda5-dioxafosforan-5-ilmetile ) * 0 * ex 38.19 X * Soluzione organica avente un tenore , in peso , di butiletilmagnesio non inferiore a 19 % e non superiore a 30 % * 0 * ex 38.19 X * Miscela di dimeri di ammina grassa con peso molecolare medio compreso tra 520 e 550 * 0 * ex 38.19 X * Peptide biosintetico , avente la struttura della catena « A » dell ' insulina umana , nella forma di un sale derivato di S-solfonato * 0 * ex 38.19 X * Peptide biosintetico , avente la struttura della catena « B » dell ' insulina umana , nella forma di un sale derivato di S-solfonato * 0 * ex 38.19 X * Miscela di 2 - ( perfluoroalchile ) estantiolo , contenente catene di perfluoroalchile da C6 a C14 * 0 * ex 39.01 C III a ) * Fogli di poliestere aventi spessore non inferiore a 74 micrometri e non superiore a 76 micrometri , destinati alla fabbricazione di dischi flessibili ( a ) * 0 * ex 39.01 C IV * Poli ( imminoetile2 ne-1,3-fenilenemetilene-imminoadipoil ) , in una delle forme previste dalla nota 3 b ) del capitolo 39 ) * 0 * ex 39.02 C I a ) * Polietilene , in una delle forme previste dalla nota 3 b ) del capitolo 39 , avente densità non inferiore a 0,954 e non superiore a 0,958 , destinato alla fabbricazione di nastri inchiostratori per macchine da scrivere o nastri inchiostratori simili ( a ) * 0 * ex 39.02 C I a ) * Polietilene , in una delle forme previste dalla nota 3 b ) del capitolo 39 , con densità non inferiore a 0,958 alla temperatura di 23° C e contenente , in peso , non più di : * * * - 50 ppm di alluminio , * * * - 2 ppm di calcio , * * * - 2 ppm di cromo , * * * - 2 ppm di ferro , * * * - 2 ppm di nichel , * * * - 2 ppm di titanio , * * * - 8 ppm di vanadio , * * * destinato alla fabbricazione di polietilene clorosolfonato ( a ) * 0 * ex 39.02 C XI * Pellicola di polivinilebutirrale , avente una superficie gradualmente colorata * 8 * ex 39.02 C XIV * Resina ionomero , costituita di un sale di copolimero di etilene e di acido metacrilico * 0 * ex 39.02C XIV a ) * Resina ionomero , costituita di un sale di terpolimero di etilene , acrilato di isobutile e acido metacrilico * 0 * ex 39.02 C XIV a ) * Copolimero di etilene e acido acrilico o metacrilico , contenente , in peso , non meno di 3 % e non più di 30 % di acido acrilico e metacrilico , in una delle forme previste dalla nota 3 b ) del capitolo 39 * 0 * ex 39.02 C XIV a ) * Poliisoprene clorurato sotto forma di polvere , avente contenuto di cloro , in peso , non inferiore a 63 % e non superiore a 69 % e con un peso molecolare medio di 200 000 o più , calcolato sulla viscosità * 0 * ex 39.05 B * Gomma naturale clorurata , sotto forma di polvere avente un contenuto , in peso , di cloro non inferiore a 63 % e non superiore a 69 % con un peso molecolar medio di 200 000 o più , calcolato sulla viscosità * 0 * ex 56.01 A * Fibre tessili multicomponenti , acetalizzate , aventi matrice a struttura fibrillare , costituite di alcole polivinilico e cloruro di vinile polimerizzati per emulsione * 0 * ex 59.17 A * Feltri all ' ago di fibra sintetica , su un supporto di tessuto di fibra sintetica , ricoperti o spalmati su di un lato con una pellicola di politetrafluoroetilene , destinati alla fabbricazione di filtri ( a ) * 0 * ex 69.09 B * Filati costituiti di fibre continue di ceramica contenente ciascuna fibra , in peso , non meno di 12 % di triossido di diboro , non più di 26 % di diossido di silicio e non meno di 60 % di triossido di dialluminio * 0 * ex 70.20 A * feltri di fibre di vetro , non tessile , aventi peso per m2 inferiore o uguale a 120 g e calibro di fibre , escluso eventuale rivestimento , inferiore o uguale a 3 micrometri , destinati alla fabbricazione di prodotti filtranti ( a ) * 0 * ex 70.20 B * Filati ottenuti a partire da fibre di vetro aventi un calibro di fibre non superiore a 4 micrometri , destinati alla fabbricazione di tappeti ( a ) * 0 * ex 70.20 B * Filati di fibre tessili continue di vetro di 33 o 34 tex o di un loro multiplo , con un diametro delle fibre non inferiore a 5,8 e non superiore a 6,4 micrometri * 0 * ex 70.20 B * Filati , aventi titolo compreso tra 340 e 680 tex , ottenuti a partire da fibre tessili di vetro continue , di diametro compreso tra 12,5 e 13,5 micrometri , ricoperti di « Resorcinal-formol 5 , diversi da quelli trattati per fissare elastomeri * 7 * ex 81.04 K I * Spugna di titanio * 0 * ex 84.18 C II b ) * Pezzi staccati di apparecchi per separare gas da miscele gassose , costituiti da un fascio di fibre cave permeabili che attraversa ad una estremità un elemento di materia plastica e fissato all ' altra estremità , il tutto inserito in un contenitore metallico anche perforato di lunghezza non inferiore a 300 mm e non superiore a 3 700 mm e diametro non superiore a 350 mm * 0 * ex 84.18 C II b ) * Pezzi di apparecchi per filtrare o depurare liquidi , costituiti da un fascio di fibre cave permeabili di materia plastica , collegate ad una estremità ad un elemento di materia plastica e che attraversa un altro elemento di materia plastica all ' altra estremità , il tutto inserito in un contenitore di plastica * 0 * ex 84.34 B * Fogli di magnesio smerigliati e levigati , aventi dimensioni non superiori a 770 × 1 020 mm , rivestiti su un lato di resina epossidica insensibile alla luce * 0 * ex 84.55 C * Testine magnetische a tecnologia Winchester o Thinfilm per unità periferiche di memorie e dischi rigidi in grado di registrare ad una densità non inferiore a 10 tracce per mm , anche con i bracci portatori di tali testine magnetiche * 0 * ex 84.55 C * Dispositivo di visualizzazione avente dimensioni massime , esclusi cavi e connettori , di 14 × 40 × 210 mm , costituito da 2 strati o fogli di vetro nei quali sono racchiusi 2 560 punti di cristalli liquidi , disposti su 16 righe e 160 colonne o 2 400 punti di cristalli liquidi disposti su 16 righe e 150 colonne , fissato su un circuito stampato munito di componenti elettronici con funzioni di controllo e pilotaggio , con o senza cavo piatto a 10 o 20 vie con connettore * 0 * ex 84.55 C * Componente di macchine automatiche per l ' elaborazione delle informazioni comprendente memorie di sola lettura , programmabili , cancellabili ai raggi ultravioletti con un capacità complessiva di memorizzazione di 256 K bits e costituito da un supporto o più strati di dimensioni non superiori a 17 × 39 mm e sul quale sono montati : * * * - 2 memorie di sola lettura , programmabili , cancellabili ai raggi ultravioletti ( EPROM ) , sotto forma di circuiti integrati monolitici , aventi ciascuno una capacità di memorizzazione di 128 K bits e una finestra di quarzo sulla faccia superiore ; * * * - un decodificatore sotto forma di circuito integrato monolitico ; * * * - un condensatore disaccopiante ; * * * - 2 resistenze . * * * Su tale componente è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la combinazione di cifre e lettere cottoindicata : * * * EDH 7832 MM-30 * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a componente avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 84.55 C * Componente di macchine automatiche per l ' elaborazione delle informazioni , comprendente memorie di sola lettura , programmabili , cancellabili ai raggi ultravioletti ( EPROM ) con una capacità complessiva di memorizzazione di 256 k bits e costituito da un supporto a più strati di dimensioni non superiori a 17 × 39 mm e sul quale sono montati : * * * - 4 memorie di sola lettura , programmabili , cancellabili ai raggi ultravioletti ( EPROM ) , sotto forma di circuiti integrati monolitici , aventi ciascuno una capacità di memorizzazione di 64 K bits ; * * * - un decodificatore sotto forma di circuito integrato monolitico ; * * * - un condensatore disaccoppiante . * * * Su tale componente è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la combinazione di cifre e lettere sottoindicata ; * * * EDH 7832 MC-35 * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a componente avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 84.55 C * Componente di macchina automatica per l ' elaborazione dell ' informazione , costituito da due supporti sovrapposti munito ciascuno di due memorie statiche di lettura e scrittura ad eccesso casuale , realizzate con tecnologia N/MOS ( N/MOS - S/RAM ) , aventi ciascuna una capacità di memorizzazione di 2 K bits con una capacità di memorizzazione totale di 8 K × 1 bit o di 4 K × 2 bits , sotto forma di circuito integrato monolitico , racchiusti in un contenitore di dimensioni esterne non superiori a 13 × 13 mm e con 23 spinotti di connessione al massimo , e sul quale è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre seguenti : * * * 4598601 * * * 5121850 * * * 5121934 * * * 5121935 * * * 5122148 * * * 5123059 * * * 5123120 * * * 5123128 * * * 5123129 * * * 5123337 * * * 5123339 * * * - oppure altre sigle di identificazione relative a componente avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 84.55 C * Componente di macchine automatiche per l ' elaborazione delle informazioni , comprendente memorie statiche di lettura-scrittura ad accesso casuale , realizzate con tecnologia C/MOS ( C/MOS - S/RAM ) con una capacità complessiva di memorizzazione di 32 K bits e costituito da un supporto a più strati di dimensioni non superiori a 17 × 39 mm e sul quale sono montati : * * * - 2 memorie statiche di lettura-scrittura ad eccesso casuale ( C/MOS - S/RAM ) , sotto forma di circuiti integrati monolitici , aventi ciascuno una capacità di memorizzazione di 16 K bits ; * * * - un decodificatore sotto forma di circuito integrato monolitico ; * * * - un condensatore disaccoppiante . * * * Su tale componente avente non più di 28 spinotti di connessione è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre e lettere sottoindicate : * * * EDH 8804 C-20 * * * EDH 8804 CL-20 * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a componente avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 84.55 C * Componente di macchine automatiche per l ' elaborazione delle informazioni comprendente memorie statiche di lettura-scrittura ad accesso casuale realizzate con tecnologia C/MOS ( C/MOS - S/RAM ) con una capacità complessiva di 64 K bits e costituito da un supporto a più strati le cui dimensioni esterne non superano 17 × 39 mm sul quale sono montate : * * * 4 - memorie statiche di lettura-scrittura ad accesso casuale realizzate con tecnologia C/MOS ( C/MOS - S/RAM ) con una capacità complessiva di 64 K bits e costituito da un supporto a più strati le cui dimensioni esterne non superano 17 × 39 mm sul quale sono montate : * * * - 4 memorie statiche di lettura-scrittura ad eccesso casuale realizzate con tecnologia C/MOS ( C/MOS - S/RAM ) sotto forma di circuiti integrati monolitici con capacità di memorizzazione di 16 K bits ; * * * - un decodificatore sotto forma di circuito integrato monolitico ; * * * - un condensatore disaccoppiante . * * * Su tale componente avente 28 spinotti di connessione al massimo è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre e lettere sottoindicate : * * * EDH 8808 B-20 * * * EDH 8808 C-10 * * * EDH 8808 C-12 * * * EDH 8808 C-15 * * * EDH 8808 C-20 * * * EDH 8808 CL-15 * * * EDH 8808 CL-20 * * * - oppure altre sigle di identificazione relativa a componenti aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 84.55 C * Componente di macchine automatiche per l ' elaborazione delle informazioni comprendente memorie statiche di lettura-scrittura ad eccesso casuale realizzate con tecnologia C/MOS ( C/MOS - S/RAM ) con capacità di memorizzazione complessiva di 256 K bits e costituito da un supporto a più strati avente dimensioni esterne non superiori a 17 × 39 mm sul quale sono montate : * * * - 4 memorie statiche di lettura-scrittura ad eccesso casuale realizzate con tecnologia C/MOS ( C/MOS - S/RAM ) sotto forma di circuiti integrati monolitici ciascuno dei quali ha una capacità di memorizzazione di 64 K bits ; * * * - un decodificatore sotto forma di circuito integrato monolitico ; * * * - un condensatore disaccoppiante . * * * Su tale componente avente 28 spinotti di connessione è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre e lettere sottoindicate : * * * EDH 8832 MC-20 * * * - oppure altre sigle di identificazione relativa a componente avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 84.55 C * Componente di macchine automatiche per l ' elaborazione dell ' informazione , costituito da due supporti sovrapposti muniti ciascuno di due memorie statiche di lettura e scrittura ad eccesso casuale , realizzate con tecnologia N/MOS ( N/MOS - S/RAM ) , aventi ciascuna una capacità di memorizzazione di 4 K bits con una capacità di memorizzazione complessiva di 16 K × 1 bit o di 8 K × 2 bits , sotto forma di circuito integrato monolitico , racchiusti in un contenitore di dimensioni esterne non superiori a 13 × 13 mm e con 23 spinotti di connessione al massimo , e sul quale è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre sottoindicate : * * * 4599766 * * * 4599767 * * * 4599768 * * * 4599769 * * * 4599770 * * * 4599771 * * * 4599772 * * * 4599773 * * * 4599774 * * * 4599893 * * * - oppure altre sigle di identificazione relativa a componente avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 84.55 C * Componente di macchine automatiche per l ' elaborazione delle informazioni , costituito da un supporto a più strati di dimensioni non superiori a 17 × 39 mm e sul quale sono montati : * - 1 memoria di sola lettura , programmabile , cancellabili ai raggi aultravioletti ( EPROM ) , sotto forma di circuito integrato monolitico , avente una capacità di memorizzazione di 64 K bits e con una finestra di quarzo faccia superiore : * * * - 2 memorie di lettura-scrittura , ad eccesso casuale , statiche realizzate con tecnologia C/MOS ( C/MOS - S/RAM ) , sotto forma di circuito integrato monolitico , aventi ciascuna una capacità di memorizzazione di 16 K bits ; * * * - 1 decodificatore sotto forma di circuito integrato monolitico ; * * * - un condensatore disaccoppiante . * * * - 2 resistenze . * * * Su tale componente avente 28 spinotti di connessione al massimo è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre e lettere sottoindicate : * * * EDH 90804 BS-25 ( 15 ) * * * EDH 90804 BS-30 ( 20 ) * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a componente avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 84.55 C * Componente di macchine automatiche per l ' elaborazione delle informazioni , costituito da un supporto a più strati di dimensioni non superiori a 17 × 39 mm e sul quale sono montati : * - 2 memorie di sola lettura , cancellabili ai raggi ultravioletti ( EPROM ) , sotto forma di circuiti integrati monolitici , aventi ciascuna una capacità di memorizzazione di 64 K bits e con una finestra di quarzo faccia superiore : * * * - 2 memorie di lettura-scrittura , ad eccesso casuale , statiche , con tecnologia C/MOS ( C/MOS - S/RAM ) , sotto forma di circuiti integrati monolitici , aventi ciascuna una capacità di memorizzazione di 64 K bits con capacità di memorizzazione complessiva di 128 K bits ; * * * - un decodificatore ; * * * - un condensatore disaccoppiante . * * * - 2 resistenze . * * * Su tale componente avente 28 spinotti di connessione al massimo è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre e lettere : * * * EDH 91616 CL-30 ( 20 ) * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a componente avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 84.55 C * Memoria a bolle magnetiche con capacità di memorizzazione non superiore a 4 megabits , racchiusa in un contenitore le cui dimensioni esterne non superano 43 × 44 mm e non più di 42 punti di contatto o spinotti di connessione , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre o cifre e lettere : * * * 7110 * * * MBM 2011 * * * BDL 0133 * * * BDL 0134 * * * FBM 54 DB * * 7114-1 * * * FBM 64DA * * * BDN * 0151 * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a memoria avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 84.59 B * Parti di contenitori a pressione di reattori , forgiate in un solo pezzo , lavorate al tornio , di peso unitario superiore a 150 tonnellate * 0 * ex 84.63 D * Alberi di trasmissione di generatrici e turbine , fusi in un solo pezzo , forgiati e sgrossati , di peso unitario superiore a 180 tonnellate * 0 * ex 85.21 A III * Tubi catodici a colori con maschera forata , con cannoni ad elettroni disposti a triangolo ( cosiddetta « tecnica Delta » ) o disposti l ' uno accanto all ' altro ( cosiddetta « tecnica in linea » ) , con un angolo di deviazione diagonale di un massimo di 90° e una distanza massima di 0,5 mm tra i punti di colore * 0 * ex 85.21 A V * Tubi catodici a colori con maschera forata , tecnologia in linea , in cui le immagini si forma su uno schermo la cui superficie utile non supera 165 × 165 mm , destinati ad essere utilizzati in strumenti elettronici di volo , segnalatori di allarme e strumenti di indicazione dello stato di funzionamento degli impianti di bordo ( a ) * 6 * ex 85.21 A V * Indicatori consistenti in un tubo di vetro montato su una base le cui dimensioni non superano 350 × 300 mm , esclusi i terminali . Il tubo contiene una o più file di caratteri a scale disposte in file . Ciascuno dei caratteri o scale è composto elementi fosforescenti o fluorescenti montati su una base metalizzata ricoperta di sostanze fluorescenti o sali fosforescenti che diventano luminosi quando sono colpiti da elettronici * 0 * ex 85.21 D II * Indicatori digitali , composti da una tabella a circuito stampato , le cui dimensioni non sono superiori a 25 × 35 mm e con un coperchio di plastica , da una cifra , con o senza segni « + » e « - » , e/o da due punti decimali al massimo composti da 22 diodi luminosi a base di giallo semiconduttore al massimo * 0 * ex 85.21 D II * indicatori digitali , composti da una tabella stampato , le cui dimensioni sono inferiori a 35 × 90 mm e una fila di caratteri non inferiore a 3 , composte da diodi luminosi fabbricati a base di giallo semiconduttore e montati sulla tabella . Ogni carattere è formato al massimo da 8 segmenti con o senza punti decimali . La fila di caratteri possiede un astuccio di plastica * 0 * ex 85.21 D II * Circuito integrato monolitico costituito da 8 elementi indipendenti capaci di comandare gli 8 segmenti e/o caratteri di un indicatore fluorescente o gas , inserito in un contenitore di dimensioni massime di 23 × 7 mm , con 18 spinotti di connessione , al massimo , e sul quale contenitore è indicata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre qui di seguito indicate : * * * 513 * * * 514 * * * 534 * * * 594 * * * 6118 * * * 6128 * * * 6138 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra indicate * 0 * ex 85.21 D II * Memoria di sola lettura ( ROM ) , sotto forma di circuito integrato monolitico con capacità di 16 K × 8 bits con registro di lettura e controllo di uscita seriale inserito in un contenitore avente dimensioni massime di 50 × 16 mm con 40 spinotti al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una delle combinazioni di cifre da 62 000 a 62 999 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a ROM aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memoria di sola lettura , in tecnologia C/MOS ( C/MOS - ROM ) , avente capacità di memorizzazione di 256 K bits , con potenza di riserva non superiore a 0,03 m A , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore di dimensioni massime di 17 × 50 mm , con 54 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere : * * * HN 61256 * * * HN 613256 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a C/MOS-ROM aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memoria di sola lettura , in tecnologia C/MOS ( C/MOS - ROM ) , avente capacità di memorizzazione di 1 megabit , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore di dimensioni massime di 16 × 37 mm , con 84 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - la combinazione di cifre e lettere seguente : * * * HN 62301 P * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a C/MOS-ROM avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memoria programmabile di sola lettura non cancellabile ( PROM ) , prodotta secondo la tecnologia Schottky-TTL , avente capacità di memorizzazione di 2 K bits , sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore di dimensioni massime di 17 × 39 mm , con 24 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una delle sigle di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre o cifre e lettere qui di seguito indicate : * * * 27 S 12 * * * 27 S 13 * * * 28 L 22 * * * 28 LA 22 * * * 29613 * * * 29770 * * * 29771 * * * 38510 * * * 5305 * * * 5306 * * * 5308 * * * 5309 * * * 53 S 240 * * * 53 S 241 * * * 54 S 570 * * * 54 S 571 * * * 5604 * * * 5624 * * * 6305 * * * 6306 * * * 6308 * * * 6309 * * * 63 S 240 * * * 63 S 241 * * 6335 * * * 6336 * * * 7053 * * * 7058 * * * 74 S 570 * * * 74 S 571 * * * 76 LS 03 * * * 7620 * * * 7621 * * * 82 S 114 * * * 82 S 130 * * * 82 S 131 * * * 93436 * * * 93446 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a PROM aventi le caratteristiche sopra descritte * 11,5 * ex 85.21 D II * Memoria programmabile di sola lettura non cancellabile ( PROM ) , avente capacità di memorizzazione di 4 K bits , sotto forma di circuito monolitico integrato , inserito in un contenitore avente dimensioni massime di 17 × 39 mm , con al massimo 24 spinotti di connessione o 28 punti di contatto , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre o cifre e lettere qui di seguito indicate : * * * 18 S 42 * 38510 * 7121 * * * 18 S 46 * * 7122 * * * 18 SA 42 * * 7123 * * * 18 SA 46 * 5340 * 7124 * * * * 5341 * 7125 * * ex 85.21 D II * * 53S 440 * 7126 * * * 24 S 41 * 53 RA 441 * * * * * 24 SA 41 * 53 RS 441 * * * * * * 53 S 441 * 74 S 472 * * * 27 S 15 * 5348 * 74 S 473 * * * 27 S 25 * 5349 * 74 S 474 * * * 27 S 26 * 5350 * 74 S 475 * * * 27 S 27 * 5351 * 74 S 476 * * * 27 S 28 * 5352 * 74 S 477 * * * 27 S 29 * 5353 * 74 S 572 * * * 27 S 30 * * 74 S 573 * * * 27 S 31 * * * * * 27 S 32 * 54 S 472 * * * * 27 S 33 * 54 S 473 * 7640 * * * * 54 S 474 * 7641 * * * * 54 S 475 * 7642 * * * 28 L 42 * 54 S 476 * 7643 * * * 28 L 45 * 54 S 477 * 7644 * * * 28 P 42 * 54 S 572 * 7645 * * * 28 P 45 * 54 S 573 * 7647 * * * 28 P 45 * 54740 * 7648 * * * * 54741 * 7649 * * * 28 SA 41 * * 82 HS 137 * * * 28 S 42 * * 82 HS 147 * * * 28 SA 42 * 5605 * * * * 28 S 45 * 5625 * * * * 28 S 46 * * 82 S 115 * * * 28 SA 46 * * 82 S 136 * * * * 6340 * 82 S 137 * * * * 6341 * 82 S 140 * * * * 63 S 440 * * * * 29620 * 63 RA 441 * 82 S 141 * * * 29621 * 63 RS 441 * 82 S 142 * * * 29622 * 63 S 441 * 82 S 146 * * * 29623 * 6348 * 82 S 147 * * * 29624 * 6349 * * * * 29625 * 6350 * * * * 29626 * 6351 * 93438 * * * 29627 * 6352 * 93448 * * * * 6353 * 93452 * * * * * 93453 * * * 3604 * * * * * 3624 * HM 6641 * * * * 3625 * * * * * 38510 * * * * * * 7054 * * * * * 7059 * * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a PROM aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memoria programmabile di sola lettura non concellabile ( PROM ) , avente capacità di memorizzazione di 8 K bits , sotto forma di circuito monolitico integrato , inserito in un contenitore avente dimensioni massime di 17 × 39 mm , con 24 spinotti di concessione o 28 punti di contatto al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre o cifre e lettere qui di seguito indicate : * * * * * 82707 * * * * * 82708 * * * 24 S 81 * 6380 * 82 HS 185 * * ex 85.21 D II * 24 SA 81 * 6381 * 82 LS 180 * * * 24 S 86 * 6388 * 82 LS 181 * * * * 6389 * 82 S 180 * * * * 63 R 840 * 82 S 181 * * * 27 S 180 * 63 S 841 * 82 S 182 * * * 27 S 181 * * 82 S 183 * * * 27 S 185 * * 82 S 184 * * * 27 S 35 * 7050 * 82 S 185 * * * * 7055 * 82 S 2708 * * * 28 L 85 * 7060 * * * * 28 L 86 * * * * * 28 P 85 * * 87 S 180 * * * 28 R 35 * 7127 * 87 S 181 * * * 28 R 85 * 7128 * 87 S 184 * * * 28 S 2708 * 7129 * 87 S 185 * * * 28 S 85 * 7130 * 87 S 186 * * * 28 S 86 * 7131 * 87 S 187 * * * 28 SA 86 * 7132 * * * * 29623 * 74 LS 478 * * * * 29630 * 74 S 2708 * * * * 29631 * 74 S 454 * 93450 * * 29632 * 74 S 455 * 93451 * * 29633 * 74 S 478 * 93460 * * * 29634 * 74 S 479 * 93461 * * * 29635 * * 93465 * * * 29636 * * 93466 * * * 29637 * 7608 * 93 L 450 * * * 29650 * 7680 * 93 L 451 * * * 29651 * 7681 * * * 29652 * 7684 * * * * 29653 * 7685 * 9460 * * * * 7686 * * * * * 7687 * * * * 3628 * 7688 * * * * 5380 * 7689 * * * * 5381 * 77 S 180 * * * * 5388 * 77 S 181 * * * * 5389 * 77 S 184 * * * * 53 S 840 * 77 S 185 * * * * 53 S 841 * 77 S 186 * * * * * 77 S 187 * * * * 54 LS 478 * * * * * 54 S 2708 * TBPS 81 M * * * * 54 S 454 * * * * * 54 S 455 * * * * * 54 S 478 * * * * * 54 S 479 * * * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a PROM aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memoria di sola lettura , programmabile e concellabile ai raggi ultravioletti ( EPROM ) avente capacità di memorizzazione di 2 K bits , sotto forma di circuito integrato monolitico in un contenitore avente dimensioni non superiori a 17 × 39 mm , munito sulla faccia superiore di una finestra al quarzo , e sul quale è riportata : * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre e lettere qui di seguito indicate : * * * B 1702 A * * * AMI 702 ADC * * * 28140 PP * * ex 85.21 D II * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a EPROM aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memoria elettronica ( si sola lettura ) sotto forma di circuito integrato monolitico programmabile , cancellabile ai raggi ultraviolet ( EPROM ) , avente capacità di memorizzazione di 16 K × 8 bits , inserita in un contenitore avente dimensioni massime 17 × 39 mm , munito sulla faccia superiore di una finestra al quarzo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la combinazione di cifre sotto indicata : * * * 27128 * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a EPROM aventi le caratteristiche sopra descritte * 12 * ex 85.21 D II * Memoria si sola lettura programmabile , concellabile ai raggi ultravioletti ( EPROM ) , sotto forma di circuito integrato monolitico , con capacità d i memorizzazione di 256 K bits , inserito in un contenitore di dimensioni massime di 17 × 39 mm e con una finestra di quarzo sulla faccia superiore , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre o cifr e lettere : * * * D 27256 * * * 27256 * * * TMS 27256 JL * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a EPROM avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memoria di sola lettura , programmabile , cancellabile ai raggi ultravioletti ( EPROM ) , sotto forma d circuito integrato monolitico , consistente in un supporto a più strati , di dimensioni non superiori a 17 × 39 mm , sul quale sono montati un decodificatore , un condensatore disaccoppiante , 2 resistenze e 2 microplacchette ciascuna delle quali dotata di una capacità di memorizzazione di 128 K bits , con una capacità di memorizzazione complessiva di 256 K bits , con 2 finestre di quarzo sulla faccia superiore , e sul quale supporto è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la combinazione di cifre e lettere sottoindicata : * * * EDH 7832 MM-30 * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a EPROM avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memorie di sola lettura , programmabili , cancellabili ai raggi ultravioletti ( EPROM ) , sotto forma di circuiti integrati monolitici , consistenti in un supporto o più strati , di dimensioni non superiori a 17 × 39 mm con 4 finestre di quarzo sulla faccia superiore , sul quale sono montati un decodificatore , un condensatore disaccoppiante e 4 microplacchette ciascuna delle quali dotata di una capacità di memorizzazione di 64 K bits , con una capacità di memorizzazione complessiva di 256 K bits , e sul quale supporto è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la combinazione di cifre e lettere sottoindicata : * * * EDH 7832 MC-35 * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a EPROM avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memoria di sola lettura , programmabile , cancellabile elettricamente ( E2 PROM ) , sotto forma di circuito integrato monolitico , con capacità di memorizzazione di 256 bits , inserito in un contenitore di dimensioni non dimensioni a 10 × 12 mm con 8 spinotti di connessione , al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la combinazione di cifre e lettere sottoindicata : * * * NMC 9306 * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a E2 PROM avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memoria di sola lettura , programmabile , cancellabile elettricamente ( E2 PROM ) , con capacità di memorizzazione di 4 K bits , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 17 × 33 mm con 24 spinotti di connessione , al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere : * X 2804 A * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a EPROM avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memoria di sola lettura , programmabile , cancellabile elettricamente ( E2 PROM ) , con capacità di memorizzazione di 16 K bits , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 17 × 33 mm con 24 spinotti di connessione , al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere : * X 2816 A * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a EPROM avente le caratteristiche sopra descritte * 8,5 * ex 85.21 D II * Memoria di sola lettura , programmabile , cancellabile elettricamente ( E2 PROM ) , con capacità di memorizzazione di 64 K bits , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 17 × 39 mm e 28 spinotti di connessione , al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere : * X 2864 A * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a ( E2 PROM ) avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memoria di sola lettura , programmabile , cancellabile elettricamente ( E2 PROM ) , con capacità di memorizzazione di 128 K bits , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 17 × 39 mm e 28 spinotti di connessione , al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere : * X 28128 A * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a E2 PROM avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memoria di sola lettura , programmabile , cancellabile elettricamente ( E2 PROM ) , con capacità di memorizzazione di 256 K bits , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 17 × 39 mm e 28 spinotti di connessione , al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere : * X 28256 A * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a E2 PROM avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * 85.21 D II * Memoria dinamica di lettura e scrittura a libero accesso , realizzata con tecnologia ( N/MOS-D/RAM ) con una capacità di memorizzazione di 256 K bits , sotto forma di circuito integrato monolitico in un contenitore le cui dimensioni esterne non superanno 17 × 34 mm , con 20 spinotti di connessione al massimo o punti di contatto , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre o cifre e lettere qui di seguito indicate : * 41245 * * * PD 41256 D * * * TMM 41257 * * * TMM 4256 AP * * * TMM 4256 P * * * MCM 4256 S * * * MCM 4267 S * * * HM 50257 * * * MCM 6256 * * * 81256 * * * 81257 * * * 82256 * * * TMS 4464 NL * * * TMS 4256 * * * TMS 4257 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a N/MOS-D/RAM aventi la caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memoria statica di lettura e scrittura a libero accesso , a tecnologia N/MOS , in cui l ' informazione viene memorizzata in elementi bistabili ( N/MOS - S/RAM ) con una capacità di memorizzazione di 256 × 4 bits , sotto forma di un circuito integrato monolitico inserito in un contenitore le cui dimensioni esterne non sono superiori a 17 × 39 mm , con 24 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * ex 85.21 D II * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre e lettere qui di seguito indicate : * * * M 120 * 81.01 * * * * 8111 * * * 2101 * * * * 21 H 01 * 9101 * * * 2102 * 91 L 01 * * * 2111 * 9111 * * * 21 H 11 * 91 L 11 * * * 2112 * 9112 * * * 21 H 12 * 91 L 12 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a N/MOS - S/RAM aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memoria statica di scrittura e di lettura a libero accesso , sotto forma di circuito integrato monolitico realizzata con tecnologia TTL ( TTL - S/RAM ) , avente capacità di memorizzazione di 1 K bit , inserito in un contenitore avente dimensioni massime di 16 × 30 mm , con 22 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre o cifre e lettere qui di seguito indicate : * * * 2205 * 93412 * * * 2510 * 93 L 412 * * * 2511 * 93415 * * * 74 LS 214 * 93 L 415 * * * 74 LS 215 * 93422 * * * 74 LS 314 * 93 L 422 * * * 74 LS 315 * 93425 * * * 74 S 207 * 93 F 425 * * * 74 S 208 * 93 L 425 * * * 74 S 214 * * * * 74 S 314 * * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a TTL - S/RAM aventi le caratteristiche sopra indicate * 0 * ex 85.21 D II * Memoria statica di lettura e scrittura ad accesso casuale , realizzata con tecnologia H/MOS ( H/MOS - S/RAM ) , sotto forma di circuito monolitico con capacità di memorizzazione di 1 K × 4 bits , con tempo di accesso non superiore a 70 nanosecondi , inserito in un contenitore le cui dimensioni esterne non sono superiori a 8 × 23 mm , con 18 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre e lettere sottoindicate : * * * PD 2149 * * * SY 2149 H * * * AM 2149 * * * TMS 2149 * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a H/MOS - S/RAM aventi le caratteristiche sopra descritte * 8,5 * $$ex 85.21 D II * Memoria statica di lettura e scrittura a libero accesso , realizzata con tecnologia complementare C/MOS ( C/MOS - S/RAM ) , con una capacità di memorizzazione di 4 K × 1 bit , un tempo di accesso massimo non superiore a 70 manosecondi e una corrente di alimentazione di riserva a 1 m A , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore le cui dimensioni esterne non sono superiori a 9 × 26 mm , con 18 spinotti di connessione al massimo , recante : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la combinazione di cifre sotto indicata : * * * - oppure un ' altra di identificazione relativa a C/MOS - S/RAM aventi le caratteristiche sopra descritte * 4 * $$ex 85.21 D II * Memoria statica realizzata in tecnologia di scrittura e lettura a libero accesso , sotto forma di un circuito integrato monolitico N/MOS ( N/MOS -S/RAM ) , di capacità di memorizzazione di 8 K bits , inserito in un 24 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre o cifre e lettere qui di seguito indicate : * * * 4008 * 8104 * * * 4118 * 8108 * * * PD 421 * 8112 * * * 4801 * 8114 * * * * 8185 * * * - oppure un ' altra sigla relativa a N/MOS - S/RAM aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memorie statiche di lettura e scrittura , ad accesso casuale , realizzate con tecnologia MOS ( MOS -S/RAM ) , sotto forma di circuiti integrati monolitici di una capacità di memorizzazione di 16 K × 1 bit , con tempo di accesso non superiore a 35 manosecondi e potenza di riserva non superiore a 150 milliwatt , inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 16 × 33 mm e con 20 spinotti di concessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la conbinazione di cifre e lettere : * * * HM 6267 HP-35 * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa MOS-S/RAM avente le caratteristiche sopra descritte * 8,5 * ex 85.21 D II * Memorie statiche di lettura e scrittura , ad accesso casuale , realizzate con tecnologia N/MOS ( MOS-S/RAM ) , sotto forma di circuiti integrati monolitici aventi capacità di memorizzazione di 2 K × 8 bits , e tempo di accesso non superiore a 45 manosecondi , inseriti in un contenitore di dimensioni non superiori a 16 × 33 mm con 24 spinotti di concessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle conbinazione di cifre o cifre e lettere sottoindicate : * * * TMM 2018 H-35 * * * TMM 2018 H-45 * * ex 85.21 D II * 65161 * * * 62162 * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a memoria N/MOS - S/RAM avente le caratteristiche sopra descritte * 8,5 * 85.21 D II * Memoria statica di lettura e di scrittura a libero accesso sotto forma di circuito integrato monolitico , realizzato con tecnologia C/MOS ( C/MOS - S/RAM ) , di capacità di memorizzazione di 2 K × 8 bits e con potenza massima di riserva di 0,025 milliwatt , inserito in un contenitore avente dimensioni massime di 33 × 17 mm e con 24 spinotti di concessione al massimo , sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in , o comprendente , la combinazione di cifre e lettere sottoindicata : * * * TC 5516 A * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a memoria C/MOS - S/RAM avente le caratteristiche sopra descritte * 8,5 * ex 85.21 D II * Memoria statica di lettura e di scrittura a libero accesso realizzata in tecnologia N/MOS ( N/MOS - S/RAM ) , con capacità di memorizzazione di 4 K × 4 bits e tempo di accesso non superiore a 55 manosecondi , sotto forma di circuito integrato monolitico avente dimensioni non superiori a 8 × 26 mm e con 20 spinotti di concessione al massimo , sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in , o comprendente , una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere : * * * IMS 1420 L * * * MB 8168-55 * * * MCM 6168 * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a memoria N/MOS - S/RAM avente le caratteristiche sopra descritte * 8,5 * PER LA CONTINUAZIONE DEL TESTO VEDI SOTTO NUMERO : 384R1410.1 ex 85.21 D II * Memoria statica di lettura e di scrittura a libero accesso realizzata in tecnologia C/MOS ( C/MOS - S/RAM ) , con capacità di memorizzazione di 64 K bits sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore avente dimensioni massime di 18 × 39 mm e con 28 spinotti di concessione al massimo , sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in , o comprendente , una delle combinazioni di cifre e lettere qui di seguito indicate : * * * TC 5564 * * * TC 5565 C * * * HM 6264 P-15 * * * MB 8464 * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a C/MOS - S/RAM aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memoria dinamica di lettura e scrittura a libero accesso , realizzata in tecnologia N/MOS munita di registro di scorrimento , avente capacità di memorizzazione di 64 bits e tempo accesso non superiore a 150 manosecondi , con doppia modalità di accesso ( sequenziale a casuale ) ( N/MOS - Video RAM ) , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore avente dimensioni massime di 27 × 8 mm con 20 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * -una sigla di identificazione consistente in , o comprendente la seguente combinazioni di cifre e lettere : * * * TMS 4161 NL * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a N/MOS-Video RAM avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memoria statica di lettura-scrittura ad accesso casuale , realizzata con tecnologia N/MOS ( N/MOS - S/RAM ) , sotto forma di circuito integrato monolitico , costituito da due supporti sovrapposti muniti ciascuno di 2 microplacchette aventi ciascuna una capacità di memorizzazione di 2 K bits , con una capacità di memorizzazione complessiva di 8 K × 1 bit o 4 K × 2 bits , racchiusi in un contenitore di dimensioni massime esterne non superiori a 13 × 13 mm con 23 spinotti di connessione al massimo , e sul quale è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente o in comprendente una delle combinazioni di cifre sotto indicate : * * * 4598601 * * * 5121850 * * * 5121934 * * * 5121935 * * * 5122148 * * * 5123059 * * * 5123120 * * * 5123128 * * * 5123129 * * * 5123337 * * * 5123339 * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a N/MOS - S/RAM avente le caratteristiche sopra indicate * 0 * ex 85.21 D II * Memoria statica di lettura-scrittura ad accesso casuale , statico , realizzata con tecnologia C/MOS ( C/MOS - S/RAM ) , sotto forma di circuito integrato monolitico , consistente in un supporto a più strati , di dimensioni non superiori a 17 × 39 mm con più di 28 spinotti di connessione , sul quale sono montati un decodificatore , un condensatore disaccoppiante e 2 microplacchette ciascuna delle quali dotata di una capacità di memorizzazione di 16 K bits con una capacità di memorizzazione complessiva di 32 K bits , e sul supporto è riportata : * * * una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre e lettere sottoindicate : * * * EDH 8804 C-20 * * * EDH 8804 CL-20 * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a C/MOS - S/RAM avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memorie statiche di lettura-scrittura ad accesso casuale , di tecnologia C/MOS ( C/MOS - S/RAM ) , sotto forma di circuiti monolitici integrati consistenti in un supporto a più strati , le cui dimensioni esterne non superano 17 × 39 mm , sul quale sono montati un decodificatore , un condensatore disaccoppiante e quattro microplacchette , ciascuna delle quali con capacità di memorizzazione di 16 K bits e con una capacità di memorizzazione complessiva di 64 K bits con 28 spinotti di connessione al massimo , e sul quale è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre e lettere sotto indicate : * * * EDH 8808 B-20 EDH 8808 C-20 * * * EDH 8808 C-10 EDH 8808 CL-15 * * * EDH 8808 C-12 EDH 8808 CL-20 * * * EDH 8808 C-15 * * * - oppure altre sigle di identificazione relative a C/MOS - S/RAM aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memorie statiche di lettura-scrittura ad accesso casuale , di tecnologia C/MOS ( C/MOS - S/RAM ) , sotto forma di circuiti monolitici integrati consistenti in un supporto a più strati , le cui dimensioni esterne non superano 17 × 39 mm , sul quale sono montati un decodificatore , un condensatore disaccoppiante e quattro microplacchette , ciascuna delle quali con capacità di memoria di 64 K bits e con una capacità di memorizzazione complessiva di 256 K bits con 28 spinotti di connessione al massimo , e sul quale è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la combinazione di cifre e lettere sottoindicate : * * * EDH 8832 MC-20 * * * - oppure altre sigle di identificazione relative a C/MOS - S/RAM aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Circuito integrato monolitico , costituito da memoria statica di lettura e scrittura a libero accesso ( S/RAM ) avente capacità di memorizzazione di 256 bits sovrapposti bit per bit a memoria programmabile di sola lettura cancellabile elettricamente ( E2 PROM ) , inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 8 × 24 mm , con 18 spinotti di connessione al massimo , e sul contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere : * * * X 2210 * * * X 2443 * * * X 2444 * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a S/RAM -E2 PROM avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Circuito integrato monolitico , costituito da memoria statica di lettura e scrittura a libero accesso ( S/RAM ) avente capacità di memorizzazione di 1 K bits sovrapposti bit per bit a memoria programmabile cancellabile elettricamente ( E2 PROM ) , inserito in un contenitore avente dimensioni non superiori a 8 × 24 mm , con 18 spinotti di connessione al massimo , e sul contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere : * * * X 2001 * * * X 2201 A * * * X 2212 * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a S/RAM -E2 PROM avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Circuito integrato monolitico , costituito da memoria statica di lettura e scrittura a libero accesso ( S/RAM ) avente capacità di memorizzazione di 2 K bits sovrapposti bit per bit a memoria programmabile cancellabile elettricamente ( E2 PROM ) , inserito in un contenitore avente dimensioni non superiori a 8 × 24 mm , con 18 spinotti di connessione al massimo , e sul contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere : * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a S/RAM -E2 PROM avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Circuito integrato monolitico , costituito da memoria statica di lettura e scrittura a libero accesso ( S/RAM ) avente capacità di memorizzazione di 4 K bits sovrapposti bit per bit a memoria programmabile cancellabile elettricamente ( E2 PROM ) , inserito in un contenitore avente dimensioni non superiori a 8 × 24 mm , con 18 spinotti di connessione al massimo , e sul contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere : * * * X 2004 * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a S/RAM -E2 PROM avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memoria quasi-statica di lettura e scrittura ad accesso casuale , realizzata con tecnologia N/MOS - S/RAM Quasi-Static , sotto forma di circuito integrato monolitico , costituito da 2 supporti sovrapposti munito ciascuno di 2 microplacchette aventi ciascuna capacità di memorizzazione di 4 K bits , con capacità di memorizzazione complessiva di 16 × 1 bit o 8 K × 2 bits , inserito in contenitore di dimensioni massime esterne non superiore a 13 × 13 mm , con 24 spinotti di connessione a massimo , e sul quale contenitore riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprende una delle combinazioni di cifre sotto indicate : * * * 4599766 * 4599770 * 4599774 * * * 4599767 * 4599771 * 4599893 * * * 4599768 * 4599772 * * * * 4599769 * 4599773 * * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a la Comunità economica europea N/MOS - S/RAM Quasi-Static avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memoria di lettura e scrittura ad accesso casuale realizzata con tecnologia ECL/ECL RAM ) con capacità di memorizzazione di 1 K × 4 bits , sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore di dimensioni massime di 10 × 10 mm , con 24 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * ex 85.21 D II * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre o cifre e lettere sottoindicate : * * * PB 10474 * * * 100474 * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a ECL-RAM aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memorie , soto forma di circuiti integrati monolitici da un supporto a più strati avente dimensioni massime di 17 × 39 mm con più di 28 spinotti di connessione sul quale sono montati un decodificatore , un condensatore disaccoppiante 2 resistenze , 1 memoria d sola lettura concellabile ai raggi ultravioletti ( EPROM ) dotata di capacità di memorrizzazione di 64 K bits e una finestra di quarzo sulla faccia superiore , 2 memorie statiche di lettura-scrittura ad accesso casuale , in tecnologia C/MOS ( C/MOS - S/RAM ) , aventi ciascuna una capacità fi memorizzazione di 64 K bits con capacità di memorizzazione complessiva di 128 K bits , e sul quale supporto è riportata : * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere * * * EDH 90804 BS-25 ( 15 ) * * * EDH 90804 BS-30 ( 20 ) * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a memorie aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memorie , soto forma di circuiti integrati monolitici , costituite da un supporto a più dimensioni non superano 17 × 39 mm e sul quale sono montati un condensatore disaccoppiante , un decodificatore , 2 resistenze , 2 memorie di sola lettura cancellabile ai raggi ultravioletti ( EPROM ) aventi ciascuna una capacità di memorizzazione di 64 K bits con una capacità di memorizzazione complessiva di 128 K bits e 2 memorie statiche di lettura-scrittura ad accesso casuale , realizzate in tecnologia C/MOS ( C/MOS-S/RAM ) aventi ciascuno una capacità di memorizzazione di 64 K bits con capacità di memorizzazione complessiva di 128 K bits , con due finestre di quarzo sulla faccia superiore , e sul quale supporto è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere * * * EDH 91616 CL-30 ( 20 ) * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a memorie aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Rete logica programmabile ( PAL ) parzialmente dall ' utilizzatore , realizzata con tecnologia bipolare , con collegamenti di fusibili , una schiera programmabile AND , una schiera fissa OR , un massimo di 20 ingressi e 10 uscite , con o senza registri , sotto forma di circuito integrato , inserito in un contenitore avente dimensioni massime non superiore a 19 × 39 mm , con 28 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere sottoindicate : * * * 10 H 8 * 18 L 8 * 18 L 4 * * * 12 H 6 * 16 R 8 * 20 L 2 * * * 14 H 4 * 16 R 6 * 20 C 1 * * * 16 H 2 * 16 R 4 * 20 L 10 * * * 16 C 1 * 16 X 4 * 20 X 10 * * * 10 L 8 * 16 A 4 * 20 X 8 * * * 12 L 6 * 12 L 10 * 20 X 4 * * * 14 L 4 * 14 L 8 * CO 61618 * * * 16 L 2 * 16 L 6 * * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a PAL aventi la caratteristiche sopra descritte * 5 * ex 85.21 D II * Circuito logico programmabile , non cancellabile ( FPLA ) , realizzato con tecnologia TTL-Schottky , con non più di 488 funzioni AND , non più di 8 funzioni OR e non più di 16 ingressi , sotto forma di circuito integrato monolitico di dimensioni massime di 17 × 39 mm , con 28 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre o cifre e lettere : * * * FP 54 AS 839 * FP 74 AS 839 * 82 S 100 * * * FP 54 AS 840 * FP 74 AS 840 * 82 S 101 * * * SN 54 LS 333 * SN 74 LS 333 * 93458 * * * SN 54 LS 334 * SN 74 LS 334 * 93459 * * * SN 54 LS 335 * SN 74 LS 335 * * * * SN 54 LS 336 * SN 74 LS 336 * * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a FPLA avente le caratteristiche sopra descritte * 5 * ex 85.21 D II * Rete di porte programmate ( Gate Array ) , non programmabile dall ' utilizzatore , realizzata con tecnologia C/MOS , avente almeno 8 000 funzioni NAND a due ingressi , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore avente dimensioni non superiori a 39 × 39 mm con 179 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la combinazione di cifre e lettere sottoindicata : * * * MB 66000 VH * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a Gate Array aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Microelaboratore monochip , costituito da unità aritmetica a 4 bits , da una memoria di sola lettura ( ROM ) di capacità di memorizzazione de 18 K bits a 65 K bits e una memoria di scrittura e lettura ad accesso libero ( RAM ) con capacità di memorizzazioni da 512 bits a 4 K bits , sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore avente dimensioni non superiori a 17 × 58 e con 80 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere : * * * CD da 3200 a 3299 * TMC da 1980 a 1999 * HD 38800 * * * TMC da 0270 a 0279 * TP da 0310 a 03299 * HD 38820 * * * TMC da 0500 a 0599 * TP da 0450 a 0459 * HD 44796 * * * TMC da 0980 a 0989 * TP da 0480 a 04899 * HD 44800 * * * TMC da 1500 a 1599 * TP da 0500 a 05999 * HD 44801 * * * * * HD 44820 * * * * * HD 44860 * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a microelaborati monochip aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Microelaboratore monochip , in tecnologia C/MOS , con pilotaggio diretto a cristalli liquidi ( LDC ) , costituito da una unità aritmetica a 4 bits , una memoria di sola lettura ( ROM ) con capacità di memorizzazione di 1 K × 8 bits , una memoria di lettura e scrittura a libero accesso ( RAM ) avente capacità di memorizzazione di 40 × 4 bits o 52 × 4 bits , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 15 × 15 mm con 60 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere : * * * SM 500 * * * SM 531 * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a microelaboratore C/MOS avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Circuito realizzato in tecnologia H/MOS che esercita la funzione di CPU ( Central Processor Unit ) costituito da una memoria di servizio di 16 × 16 bits , una memoria di servizio di 16 × 20 bits , una memoria di servizio di 32 × 32 bits , una memoria di servizio di 8 × 8 bits , un registro a 16 bits , due registri a 20 bits , un registro a 8 bits , un registro a 12 bits , un contatore a 5 bits , una rete di temporizzazione , sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore di dimensioni massime di 25 × 25 mm , con 68 spinotti di connessione al massimo , e sul quale è riportata : * * * la sigla di identificazione seguente : * * * - LSI - 604041855 * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a circuito avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Unità di controllo di rete in area locale per risolvere problemi di contesa , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore le cui dimensioni esterne non superano 51 × 16 mm , con 48 spinotti di connessione al massimo , recante : * * * - una sigla di identificazione in o comprendente una delle combinazioni di cifre o cifre e lettere sottoindicate : * * * AM 7990 * * * 82586 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa ad unità di controllo di rete i area locale per risolvere problemi di contesa avente le caratteristiche sopra indicate * 0 * * ex 85.21 D II * Circuito elettronico di interfaccia periferica ( DMA - controller ) costituito con tecnologia N-MOS , sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in contenitore di dimensioni massime di 23 × 82 mm , con 64 contatti al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre e lettere sotto indicate : * * * HD 6844 * HD 68450-4 * 8237 * CO 21698 * * * HD 68 A 44 * HD 68450-6 * 8257 * * * * HD 68 B 44 * HD 68450-8 * AM9517 A * * * * - oppure altra sigla d ' identificazione relativa a DMA-Controller avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Circuito di controllo per video grafico a colori ( GDC ) con capacità di gestire una memoria di 256 K parole da 16 bits , sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore con dimensioni esterne massime di 15 × 52 mm , con 40 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la combinazione di cifre e lettere sottoindicata : * * * PD 7220 * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti di controllo GDC aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Circuito di controllo per unità magnetiche a dischi rigidi , in tecnologia N/MOS ( N/MOS - HDC ) sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore avente dimensioni esterne non superiori a 15 × 53 mm , con 40 spinotti di concessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - sigla di identificazione consistente in o comprendente la combinazione di cifre e lettere sotto indicate : * * * WD 1010 * * * PD 7261 * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti di controllo N/MOS - HDC aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Circuito realizzato in tecnologia MOS , denominato Multi Protocol Communication Controller ( MOS -MPCC ) , per la trasmissione e ricezione di dati in modo sincrono , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore avente dimensioni massime di 54 × 16 mm , con 40 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre : * * * 16456 * * * 2652 * * * 68652 * * * 8273 * * * 8274 * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a MPCC - MOS avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Unità aritmetico-logica realizzata con tecnologia H/MOS costituita da 1 registro da 32 bits , registro da 24 bits , 1 registre da 4 bits , 12 registri da 1 bit , 2 memorie di servizio da 16 × 24 bits , reti in grado di eseguire operazioni aritmetiche e logiche , una logica di decodifica , una logica di diagnostica e gestione di errore , un contatore a 8 bits , una rete di temporizzazione , soto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore di dimensioni massime di 82 × 23 mm , con 64 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - la sigla di identificazione ALU 0486 * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a unità aritmetico-logica avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Circuito di controllo logico , realizzato con tecnologia H/MOS costituito da 1 registro da 7 BITS , da 3 timers ( contatori ) un multiplexer ( selezionatore ) , reti sequenziali e combinatorie atte ad eseguire operazioni di controllo , una logica di decodifica , una logica di diagnostica e gestione di errore , una rete di temporizzazione , sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore di dimensioni massime di 82 × 23 mm , con 64 spinotti di connessione , al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - la sigla di identificazione MIC 0482 * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a circuito avente le caratteristiche sopra indicate * 0 * ex 85.21 D II * Circuito logico realizzato in tecnologia H/MOS per la generazione di segnali di temporizzazione per l ' unità centrale per la memoria principale e per le interfacce di ingresso-uscita ( I/O ) , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in contenitore di dimensioni massime di 25 × 25 mm , con 68 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - la sigla di identificazione H 108982 ( MCC ) * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a circuito H/MOS avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Circuito di controllo di sequenze , realizzato con tecnologia H/MOS , costituito da 1 registro da 32 bits , 3 registri da 16 bits , una memoria di servizio di 16 registri da 16 bits , una memoria LIFO da 7 × 17 bits , un addizionatore , una logica di decodifica , una logica di gestione delle interruzioni , una logica di diagnostica e di gestione di errore , un selezionatore ( multiplexer ) a 16 bits , un contatore a 8 bits , una rete di temporizzazione , sotto di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore di dimensioni massime 82 × 23 mm , con 64 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - la sigla di identificazione CSS 0484 * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Circuito elettronico in tecnologia bipolare , capace di rilevare e di correggere errori logici ( ECDU ) sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore di dimensioni massime di 62 × 16 mm con 48 spinotti di connessione al massimo , e sul quale è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre o cifre e lettere : * * * 2960 * * * 74 F 630 * * * 74 F 631 * * * DP 8400 * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa e ECDU avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Circuito per il rilevamento e la correzione di errori , in tecnologia H/MOS , capace di rilevare e correggere errori di bits isolati e di rilevare tutti gli errori in coppie di bits , costituito da un circuito integrato monolitico , contenuto in un involucro di dimensioni esterne non superiori a 25 × 25 mm , con 68 piedini al massimo , e avente : * * * - una sigla di identificazione costituita totalmente o parzialmente dalla seguente combinazione di cifre : * * * 8206 * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti di rilevamento e correzione di errori e aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Circuito logico , realizzato in tecnologia H/MOS , facente la funzione di rilevamento e correzione di errori multipli , provenienti da una linea di dischi magnetici sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in contenitore di dimensioni massime di 16 × 54 mm , con 40 spinotti di connessione al massimo , e sul quale è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere : * * * Z 8065 * * * AM 9520 * * * AM 9521 * * * -oppure altra sigla di identificazione relativa a BEP/H - MOS avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Circuito elettronico , realizzato in tecnologia bipolare , per il pilotaggio di memorie dinamiche ( D/RAM ) con capacità di multiplexing degli indirizzi e di generazione di impulsi , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore avente dimensioni non superiori a 17 × 62 mm con 48 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere : * * * DP 8408 * * * DP 8409 * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a BEP/H - MOS avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Interfacce elettroniche programmabili per l trasmissione dei dati ( « sogenannter Programmable Communication Interface/PCI » , realizzate in tecnologia N/MOS , sotto forma di circuito monolitico integrato , inserito in un contenitore avente dimensioni massime di 17 × 39 mm , con 28 spinotti di connessione al massimo , e sul quale è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere : * * * 8251 A * * * - oppure altre sigla di identificazione relativa a PCI aventi le caratteristiche sopra descritte * 11,5 * ex 85.21 D II * Circuito elettronico ( EPCI ) di comunicazione per interfaccia fra un microprocessore e una linea dati , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in contenitore avente dimensioni massime di 16 × 38 mm , con 28 contatti al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazioni di cifre : * * * 2661 * * * - oppure altre sigla di identificazione relativa a EPCI aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Interfaccia seriale in grado di codificare e decodificare il flusso di dati , nonchù di svolgere le relative funzioni di controllo per una rete in area locale , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore le cui dimensioni esterne non superano 16 × 33 mm , con 24 spinotti di connessione al massimo , e recante : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre o cifre e lettere sottoindicate : * * * AM 7991 * * * 82501 * * * - oppure altre sigla di identificazione relativa ai dispositivi interfaccia seriali aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Orologio elettronico programmabile , realizzato con tecnologia N/MOS ( N/MOS - PIT ) , sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore di dimensioni massime di 17 × 39 mm , con 24 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione comprendente la combinazione di cifre sottoindicata : * * * 8253 * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a N/MOS - PIT aventi le caratteristiche sopra descritte * 11,5 * ex 85.21 D II * Circuito-orologia C/MOS , sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore avente dimensioni esterne massime di 16 × 54 mm , con 42 spinotti di connessione al massimo , a sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente una delle combinazioni seguenti di cifre e lettere : * * * HI 2060 * * * HI 2065 * * * T 3605 * * * - oppure altra sigla d ' identificazione relativa a circuito-orologi C/MOS aventi le caratteristiche sopra descritte * * * Tale circuito è destinato alla fabbricazione di temporizzatori automatici e orologi da cruscotto e simili , per autoveicoli e motocicli ( a ) * 0 * ex 85.21 D II * Circuito-orologio , realizzato con tecnologia C/MOS , funzionante con una tensione di alimentazione unica di ± 1,55 V munito di indicatori ( driver ) a cristalli liquidi , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore di dimensioni massime di 15 × 21 mm , con 56 contatti al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la combinazioni di cifre e lettere seguente : * * * TC 8219 AF * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a circuito-orologio C/MOS avente le caratteristiche sopra indicate * 0 * ex 85.21 D II * Circuito-orologio P/MOS 12/24 h comprendente un misuratore del tempo trascorso in forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore le cui dimensioni esterne non superano i 53 × 14 mm , con 40 spinotti di connessione al massimo , e recante : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la combinazione di cifre e lettere qui di seguito indicata : * * * MM 53124 * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti-orologi aventi le caratteristiche sopra indicate * * ex 85.21 D II * Tale circuito è destinato alla fabbricazione di orologi da cruscotto e simili , per autoveicoli e motocicli ( a ) * 0 * ex 85.21 D II * Amplificatori sotto forma di circuito integrato monolitico , analogico , inserito in un contenitore avente dimensioni massime di 2 × 4 × 4 mm , con 10 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre e lettere qui si seguito indicate : * * * V 35 * * * C 05 * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa ad amplificatore avente le caratteristiche sopra descritte * * * Tale amplificatore è destinato alla fabbricazione dei prodotti della sottovoce 90.19 B I ( a ) * 0 * ex 85.21 D II * Trasmettitori-ricevitori a quattro canali ( QUAD BUS ) in tecnologia ALP Schottky ( ALP/Schottky ) , con un registro di tipo D e un dispositivo interno di controllo ODD a 4 bits , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 9 × 28 mm , con non più di 20 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere : * * * AM 2907 * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a trasmettitore-ricevitore ALP/Schottky avente le caratteristic sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Driver a quattro linee , realizzato in tecnologia ALPS , sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore avente dimensioni non superiori a 20 × 7 mm con 16 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere : * * * AM 26 LS 29 * * * SN 75172 * * * SN 75174 * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a Driver/ALPS avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Microprocessore di 16 bits realizzato in tecnologia bipolare , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore avente dimensioni non superiori a 67 × 24 mm con 52 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere : * * * AM 29116 * * * - o altra sigla di identificazione relativa a microprocessore avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * * Unità di elaborazione dati numerici ( NPX ) , realizzata in tecnologia H/MOS , contenente 14 registri , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore avente dimensioni non superiori a 15 × 52 mm , con 40 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificare consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere : * * * C 8087-3 * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a unità di elaborazione NPX - H/MOS avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 d II * Circuito separatore di dati per dischi flessibili ( FDDS ) sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore avente dimensioni non superiori a 8 × 10 mm con 8 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere : * * * WD 9216-00 * * * WD 9216-01 * * * FDC 9216 * * * FDC 9216-B * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a circuito FDDS avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Sintetizzatore vocale , in tecnologia C/MOS ( C/MOS - PSS ) , con corrente di alimentazione di intensità inferiore a 10 m A , sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 17 × 39 mm , con 24 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * - una sigla di identificazione consistente in o corrispondente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere : * * * SC 01 * * * SSI 263 * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a sintetizzatore vocale C/MOS - PSS avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Convertitore video analogico digitale ( VDAC ) a 3 canali , con capacità per ogni canale non superiore a 8 bits , con tempo massimo di conversione non superiore a 25 manosecondi , sotto forma di circuito integrato ibrido avente o non incorporato 3 memorie di lettura e scrittura a libero accesso ( RAM ) con capacità di memorizzazione di ciascuna memoria non superiore a 2 K bits , inserito in un contenitore le cui dimensioni esterne non superano 54 × 62 mm con 61 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazione di cifre e lettere : * * * VDAC 444 TD * * RGB DAC 4 T * * * RGB DAC 8 E * * * RGB DAD 8 T * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a convertitori VDAC a 3 canali aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.22 C II * Visualizzatore elettromagnetico costituito da 7 bobine elettromagnetiche che permettono , mediante un magnetismo residuale dello statore , una memorizzazione indefinita , di 7 segmenti rotanti riflettenti , ciascuno dei quali è attaccato ad una barra magnetica . Il visualizzatore è inserito in un contenitore avente dimensioni non superiori a 28 × 36 × 50 mm * 0 * ex 85.22 C II * Apparecchi portatili di lettura e di scrittura Braille a indicazione e registrazione su cassette a nastro magnetico , munito di una tastiera elettromeccanica normale di macchina da scrivere Braille e di un microfono di un altoparlante e di un indicatore Braille elettromeccanico di 20 caratteri , raggruppati in una scatola le cui dimensioni sono di 24 × 36 × 11 cm * 0 * ex 90.13 * Dispositivi a cristalli liquidi costituiti da uno strato di cristalli di cristalli liquidi racchiusi in 2 lastre o fogli di vetro con un minimo di 7 a un massimo di 32 cifre o lettere , con o senza punti decimali , ed inseriti in un contenitore avente dimensioni massime di 40 × 154 mm , con non più di 192 contatti , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una delle combinazioni di cifre sotto indicate : * * * da 1000000-0001 a 9999999-9999 * * * oppure altra sigla di identificazione relativa al dispositivo di visualizzazione avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 90.19 A III * Valvole cardiache , loro parti e pezzi staccati * 0 * $ex 98.04 A II * Punte non fibrose in materia plastica , per stilografi , aventi un canale interno * 0 * ( a ) Il controllo dell ' utilizzazione per questa destinazione particolare avviene attraverso l ' applicazine delle disposizioni comunitarie in materia . TABELLA II Numero della tariffa doganale comune * Designazione delle merci * Aliquota del dazi autonomi ( % ) * ex 13.03 A V * Estratto di piretro privato della cera * 0 * ex 27.07 A I * Oli leggeri , greggi , aventi tenore , in peso : * * * - di viniltolueni , non inferiore a 10 % * * * - di indene , non inferiore a 10 % * * * - di naftalene , non inferiore a 1 % e non superiore a 5 % * 0 * ex 27.10 B III * Miscela costituita da 85 % o più , in peso , di idrocarburi paraffinici lineari con catena da C8 a C16 e da non più di 13 % , in peso , di alchilbenzeni con catena lineare da C10 a C12 * 0 * ex 27.13 B II * paraffina sintetica avente peso molecolare compreso tra 460 e 1 560 * 0 * ex 28.04 B * Elio * 0 * ex 28.13 IJ * Diossido di tellurio * 0 * ex 28.14 B * Pentafluoruro di iodio * 0 * ex 28.21 * Diossido di cromo * 0 * ex 28.38 C * Idrogenoperossomonosolfato di potassio * 0 * ex 28.39 A * Nitrito di potassio destinato alla fabbricazione di fluidi da raffreddamento e da taglio per la lavorazione dei metalli e dei carburi metallici ( a ) * 0 * ex 28.40 B II * Idrossido tris ( ortofosfato ) di pentacalcio , destinato alla metallurgia dei metalli non ferrosi ( a ) * 0 * ex 28.42 A VI * Carbonati di litio , escluso quello corrispondente alle seguenti specificazioni : * * * - presentato sotto forma di polvere bianca * * * - avente un titolo di Li2CO3 uguale o superiore a 98,5 % * * * - avente un tenore di : * * * - arsenico , inferiore a 2 ppm * * * - calcio , inferiore a 200 ppm * * * - cloruri , inferiore a 200 ppm * * * - ferro , inferiore a 20 ppm * * * - magnesio , inferiore a 150 ppm * * * - metalli pesanti , inferiore a 20 ppm * * * - potassio , inferiore a 300 ppm * * * - sodio , inferiore a 300 ppm * * * - solfati , inferiore a 200 ppm * 0 * 28.46 A I b ) * Borati di sodio , anidri * 0 * ex 28.46 A II * Tetraborato di disodio pentaidrato * 0 * ex 28.47 C * Permanganato di potassio * 0 * ex 28.48 B III * Idrotalcite ( DCI ) * 0 * 28.51 A * Deuterio , ossido di deuterio ( acqua pesante ) e altri composti di deuterio ; idrogeno e suoi composti , arricchiti in deuterio ; miscele e soluzioni contenenti questi prodotti ( Euratom ) * 0 * ex 28.52 B * Ossibromuro di lantanio * 0 * ex 28.57 A * Silano ( idruro di silicio ) * 0 * ex 29.01 C I * Beta-Pinene * 0 * ex 29.01 D VII * Viniltolueni * 0 * ex 29.01 D VII * 1,3 - Diisopropilbenzene , di purezza non inferiore a 94 % in peso * 0 * ex 29.01 D VII * Triciclo [ 8.2.2.2 . 4.7 ] esadeca-I ( 12 ) , 4 , 6 , 14 , 13 , 15 - esaene * 0 * ex 29.02 A I * Tetrafluoruro di carbonio ( tetrafluorometano ) * 0 * ex 29.02 A II b ) * 1 , 2 , 3 - Tricloropropeni * 0 * ex 29.02 A III * Bromuro di vinile * 0 * ex 29.02 A V * Bromoclorometano * 0 * ex 29.02 B * 1 , 6 , 7 , 8 , 9 , 14 , 15 , 16 , 17 , 17 , 18 , 18 - Dodecacloropentaciclo [ 12.2 . - 1.1.6.9.02.13.05 . 10 ] ottodeca - 7 , 15 - diene , destinato alla fabbricazione del piliamide ( a ) * 0 * ex 29.02 C * Miscele di isomeri di di - o tetra-clorotriciclo [ 8.2.2.2.4.7 ] esadeca - 1 ( 12 ) , 4 , 6 , 10 , 13 , 15-esaene * 0 * ex 29.03 A * Acido metansolfonico * 0 * ex 29.03 B II * Nitrometano * 0 * ex 29.03 B II * 1-Nitropropano * 0 * ex 29.03 B II * 2-Nitropropano * 0 * ex 29.03 B II * Nitroetano * 0 * ex 29.03 C I * Cloruro di metansolfonile * 0 * ex 29.04 A III a ) * 2 - Metilpropan - 2 - ole ( alcole terz-butilico ) di opurezza non inferiore a 90 % e non superiore a 96 % , in peso * 0 * ex 29.04 C I * Butan - 1 , 3-diolo * 0 * ex 29.04 C I * 2 , 4 , 7 , 9 - Tetrametildec - 5 - in - 4 , 7 - diolo * 0 * ex 29.074 C V * 2 , 2 bis ( Bromometil ) propandiolo * 0 * 29.05 A II * Mentolo * 0 * ex 29.06 A IV * 2 - Isopropilfenolo * 0 * ex 29.06 B V * 4 , 4' - ( 2 , 3 - Dimetiltetrametilene ) dipirocatecol , di purezza non inferiore a 98 % * 0 * ex 29.06 B V * 6 , 6' , 6" - Tri - ter - butil - 4 , 4' , 4" - ( 1 metilpropano - 1 - ile - 3 - iliden ) tri - m - cresol , anche contenente toluolo di cristalizzazione * 0 * ex 29.06 B V * 2 , 5 - Di ( terz - pentil ) idrochinone * 0 * ex 29.07 A * 4 , 4" ( Perfluoroisopropilidene ) difenolo * 0 * ex 29.07 C III * 2 , 4 - Dinitro - 6 - o ttil-fenolo * 0 * ex 29.08 A III c ) * Miscela di isomeri di bis ( fenossifenossi ) benzene * 0 * ex 29.08 B I * 3 , 3' - Ossidi ( propilenglicole ) * 0 * ex 29.09 B * 1 , 2 - Epossibutano * 7 * ex 29.09 B * 1 , 2 - Epossi - 4 - ( epossietil ) cicloesano * 0 * ex 29.13 A I * 5 - Metilesan - 2 - one * 0 * ex 29.13 A I * 3 , 3 - Dimetilbutanone * 0 * $$ex 29.13 B I b ) * Bornan - 2 - one ( canfora ) , naturale raffinato * 0 * ex 29.13 D I b ) * 11 - alfa , 17 , 21 - Triidrossi - 16 - beta - metilpregna - 1 , 4 - dien - 3 , 20 - dione * 0 * ex 29.13 E * 4 - Metossi - 4 - metilpentan - 2 - one * 0 * ex 29.13 F * 1 , 4 - Naftochinone * 0 * ex 29.13 G II * 1 - Cloro - 3 , 3 - dimetilbutanone * 0 * ex 29.14 A II c ) 4 * Acetato di 20 - ossopregna - 5 , 16 - dien - beta - ile * 0 * ex 29.14 B IV b ) * Perclorocrotonato di butile * 0 * 29.15 A IV a ) * acido azelaico , acido sebacico * 0 * ex 29.15 A V * 1 , 2 - bis ( Cicloesilossicarboni ) etansolfonato di sodio * 0 * ex 29.15 C III * Acido benzen - 1 , 2 , 4 - tricarbossilico * 0 * ex 29.15 C III * 1 , 2 - Anidride dell ' acido benzen - 1 , 2 , 4 - tricarbossilico * 0 * ex 29.15 C III * Anidride tetracloroftalica * 0 * ex 29.15 C III * Anidride tetrabromoftalica * 0 * ex 29.15 C III * Tricloruro di benzen - 1 , 2 , 4 - tricarbonile * 0 * ex 29.16 A II * Acido malico e suoi sali , con contenuto di L - isomero non inferiore a 94 % * 0 * ex 29.16 A VIII a ) * Acido 2 , 2 - bis ( idrossimetil ) propionico * 0 * ex 29.16 B VI * 3 - ( 3 , 5 - Di - ter - butil - 4 - idrossifentil ) propionato di ottadecile * 0 * ex 29.16 B VI * Tetrakis [ - 3 - ( 3 , 5 - di - ter - butil - 4 - idrossifenil ) propionato ] di pentaeritritolo * 0 * ex 29.16 D * Dinoprostone ( DCI ) * 0 * ex 29.16 D * Alprostadil ( DCI ) * 0 * ex 29.16 D * Metil - 5 - ( 2 , 4 - diclorofenossi ) - 2 - nitrobenzoato * 0 * ex 29.19 C * Tetrakis ( 2 - cloroetile ) bis ( fosfato ) di 2 , 2 - bis ( clorometil ) trimetilene * 5 * ex 29.21 B II * 0 , 0 - bis ( 2 , 4 - di - terz - Butilfenile ) bis ( fosfito ) di pentaeritritolo * 0 * ex 29.22 A III * ter - Butilammina * 0 * ex 29.22 A III * 1 , 1 , 3 , 3 - Tetrametilbutilammina * 0 * ex 29.22 A III * 1 , 1 - Dimetilprop - 2 - inilammina * 0 * ex 29.22 B II * N , N , N' , N' , - Tetrabutilesametilendiammina * 0 * ex 29.22 E II * m - Fenilenbis ( metilammina ) * 0 * ex 29.23 A II * Sale di trometamol ( DCI ) del diniprost ( DCI ) * 0 * ex 29.23 A II * ( + ) - 4 - Dimetilammino - 1 , 2 - difenil - 3 - metilbutan - 2 - ole * 0 * ex 29.23 A II * 1 - Desossi - 1 ( ottilammino ) - D - glucitolo * 0 * ex 29.23 B II * Dobutamina ( DCI ) e suoi sali * 0 * ex 29.23 C * Cloridrato di chetamina ( DCIM ) * 0 * ex 29.23 D V * Acido tranesamico ( DCI ) * 0 * ex 29.23 D V * beta-Alanina * 0 * ex 29.23 E * acetato di 4 - ( 2 - idrossi - 3 - isopropilamminopropossi ) - 2 , 3 , 6 - trimetilfenile * 0 * ex 29.23 E * 1 , 3 - benzodiossol - 5 - ilamminometilenmalonato di dietile * 0 * ex 29.23 E * Cloruro di 6 - acetil - 1 , 3 - benzodiossol - 5 - ilammonio * 0 * ex 29.23 E * Levodopa ( DCI ) * 0 * ex 29.23 E * Nadolol ( DCI ) * 0 * ex 29.25 A II * Cloruro di ( 3 - metacrilammidopropil ) trimetilammonio * 0 * ex 29.25 A II * Acido 2 - acrilammido - 2 - metilpropansolfonico * 0 * 29.25 B II a ) * Fenobarbital ( DCI ) e suoi sali * 11 * ex 29.25 B II c ) * Acido barbiturico * 0 * ex 29.25 B III b ) * Bendiocarb ( ISO ) * 0 * ex 29.25 B III b ) * N - ( 1 , 1 - dimetilprop - 2 - inil ) - 3 , 5 - diclorobenzammide * 0 * ex 29.26 A II * 3 , 3' , 4 , 4' , 5 , 5' , 6 , 6' - Octabromo - N , N' - etilendiftalimmide * 0 * ex 29.27 * ( - ) - N - ( alfa - Ciano - 4 - idrossi - 3 - metossi - alfa - metilfenetil ) acetammide * 0 * ex 29.27 * 2 - ( 3 - Fenossifenil ) propriononitrile * 0 * ex 29.27 * Isoftalonitrile * 8 * ex 29.29 * Acetato di 20 - idrossimminopregna - 5 , 16 - idien - 3 - ile * 0 * ex 29.29 * Carbidopa ( DCI ) * 0 * ex 29.29 * Cloridrato di robenidina ( DCIM ) * 0 * ex 29.29 * N , N - Dietilidrossilammina * 0 * ex 29.29 * 3 , 3' - bis ( 3 , 5 - di - ter - butil - 4 - idrossifenil ) - N , N' - bipropionammide * 0 * ex 29.29 * 2 , 4 , 6 - Triclorofenilidrazina * 0 * ex 29.30 * Ammidotioato fosforico di 0 , 0 - bis ( 4 - ter - butillfenile ) - N - cicloessile * 0 * ex 29.30 * Isocianato di metile * 9 * ex 29.30 * Miscela di isomeri di metilendicicloesilediisocianato * 0 * ex 29.31 B * 2 - Metil - 2 - ( metiltio ) propionaldeide - ossima ) * 0 * ex 29.31 B * Tiofenolo * 0 * ex 29.31 B * Bis [ 3 - ( 3 , 5 - di - ter - butil - 4 - idrossifentil ) propionato ] di 2 , 2' - tiodietile * 0 * ex 29.31 B * 4 , 4' - Sulfonildifenol , di purezza , in peso , non inferiore a 99,5 % * 0 * ex 29.31 B * Probucol ( CDI ) * 0 * ex 29.31 B * Etoprofos ( ISO ) * 0 * ex 29.31 B * 3 - { ( Z ) - 6 - [ ( S ) - 2 , 2 - Dimetilciclopropancarbossammido ] - 6 - ( sodio - ossicarbonil ) esa - 5 - eniltio } - L - alanina * 0 * ex 29.31 B * Tiofanox ( ISO ) * 3 * ex 29.34 C * Dicloruro di dimetilstagno cristallino , sotto forma di polvere , destinato alla produzione di prodotti del capitolo 70 ( a ) * 0 * ex 29.34 C * Acido 2 - cloroetilfosfonico * 7,6 * ex 29.34 C * Acido 2 - difenilfosfinobenzoico * 0 * ex 29.34 C * Clorodifenilfosfina * 0 * ex 29.35 Q * Octrizol ( DCI ) * 0 * ex 29.35 Q * Drometrizol ( DCI ) * 0 * ex 29.35 Q * 2 , 6 - Di - ter - butile - 4 - [ 4 , 6 - bis - ( octiltio ) - 1 , 3 , 5 - triazina - 2 - ilammino ] fenolo * 0 * ex 29.35 Q e ex 30.03 A II b ) * Butorfanolo ( DCI ) e suoi sali * 0 * ex 29.35 Q * Timolol ( DCI ) * 0 * ex 29.35 Q * Clotiazepam ( DCI ) * 0 * ex 29.35 Q * 1 , 4 - Diazabiciclo [ 2 , 2 , 2 , ] ottano ( trietilendiammina ) * 0 * ex 29.35 Q * 2 , 4 - ter - butil - 6 - ( 5 - clorobenzotriazol - 2 - il ) fenolo * 0 * ex 29.35 Q * Dicloridrato di carpiprammina ( DCIM ) * 0 * ex 29.35 Q * 2 , 3 - Diidro - 2 , 2 - dimetilbenzofurano - 7 - ol * 0 * ex 29.35 Q * 1 - Etil - 1 , 4 - osso [ 1 , 3 ] diosso [ ( 4 , 5 - g ) cinnolin - 3 - carbonitrile * 0 * ex 29.35 Q * Metilsolfato di difemanil ( DCI ) * 0 * ex 29.35 Q * ( 25 R ) - Spirost - 5 - en - 3 - beta - olo ( diosgenina ) e suoi esteri * 0 * ex 29.35 Q * Dimaleato di azatadina ( DCIM ) * 0 * ex 29.35 Q * Cloridrato di amporlio ( DCIM ) * 0 * ex 29.35 Q * Acido - 2 - ( 4 - piridil ) etansolfonico * 0 * ex 29.35 Q * Bromuro di prifinio ( DCI ) * 0 * ex 29.35 Q * Glucurolattone ( DCI ) * 0 * ex 29.35 Q * 2 - Clorodibenzo [ b * ] [ 1 , 4 ] ossoazepin - 11 ( 10 H ) - one * 0 * ex 29.35 Q * 2 , 3 , 5 , 6 - Tetracloropiridina * 0 * ex 29.35 Q * Cloridrato di diltiazem ( DCIM ) * 0 * ex 29.35 Q * Acido ( 6 R , 7 R ) - 3 acetossimetil - 7 - [ ( R ) - 2 - formilossi - 2 - fenilacetoammide ] - 8 - osso - 5 - tia - 1 - azabiciclo - [ 4.2.0 ] otto - 2 - ene - 2 - carbossilico e i suoi sali ed esteri * 0 * ex 29.35 Q e ex 30.03 A II b ) * Cloridrato di buspirone ( DCIM ) * 0 * ex 29.35 Q e ex 30.03 A II b ) * Cloridrato di encainide ( DCIM ) * 0 * ex 29.35 Q * 5 - Bromopirimidina * 0 * ex 29.35 Q * Minoxidil ( DCI ) * 0 * ex 29.35 Q * Triazolam ( DCI ) * 0 * ex 29.35 Q * Diazossido ( DCI ) * 0 * ex 29.35 Q * Acido ( 6 R , 7 R ) - 7 - ammino - 3 - ( 5 - metil - 1 , 3 , 4 - tiadiazol - 3 - iltiometil ) - 8 - oxo - 5 - tiaazibiciclo [ 4.2.0 ] otto - 2 - en - 2 - carbossilico e suoi sali * 0 * ex 29.35 Q * Captopril ( DCI ) * 0 * ex 29.35 Q * Flunixin - Meglummina ( DCIM ) * 0 * ex 29.35 Q * Triptofano * 0 * ex 29.35 Q * 2 - Cloro - 5 - trifluorometilpiridina * 0 * ex 29.35 Q * Alprazolam ( DCI ) * 4,5 * ex 29.35 Q * Norfloxacina ( DCI ) * 0 * ex 29.35 Q * Lasalocid sodio ( DCIM ) * 0 * ex 29.35 Q * Acido - 1 - idrossi - 4 - [ 1 - ( 4 - idrossi - 3 - metossicarbonile - 1 - naftile ) - 3 - osso - 1 H , 3 H , benzo ( di ) isocromene - 1 - ile ] - 6 - ottadecilossi - 2 - naftoico * 0 * ex 29.35 Q * Isonicotinonitrile * 0 * ex 29.35 Q * 6 - Idrossi - 2 - fenilpiridazina - 2 ( 2 H ) - one * 0 * ex 29.35 Q * Acido 3 , 6 - dicloropiridina - 2 - carbossilico * 3 * ex 29.35 Q * Fosfato di adenosina ( DCI ) * 3 * ex 29.35 Q e 30.03 A II b ) * Tegafur ( DCI ) * 0 * ex 29.35 Q * 3 , 6 Dicloropiridina - 2 - carbossilato di 2 - idrossietilammonio * 3 * ex 29.35 Q * Bis ( 2 - idrossietile ) succinato di 9 - 10 - diidro - 10 - oxo - 9 - oxa - 10 lambda5 - fosfo - 10 - fenantrimetil ) * 0 * ex 29.35 Q * 13 , 14 , 15 , 16 - Tetranorlabdano - 12 , 8 alfa - lattone * 0 * ex 29.35 Q * Di ( acetato ) di 5 - nitrofurfurilidene * 0 * ex 29.36 * Acido 3 - [ 1 - ( 7 - esadecano - 1 - solfonammido - indole - 3 - ile ) 3 - osso - 1 H , 3 H - benzo ( di ) - isocromene - 1 - ile ] indole - 7 - carbossilico * 0 * ex 29.36 * Quinetazone ( DCI ) * 0 * ex 29.36 * Solfoguanidina ( DCI ) * 0 * ex 29.36 * Solfatiazolo ( DCI ) * 0 * ex 29.36 * 4 - Cloro - 5 - sulfamoilantranil - o - toluidide * 0 * ex 29.38 A * acido nicotinico ( DCI ) * 0 * ex 29.38 B III * Acido folico ( DCI ) * 0 * ex 29.38 B V * Nicotinammide ( DCI ) * 0 * ex 29.39 C I * Siero gonadotropo ( DCI ) * 0 * ex 29.39 D II * 17 , 21 - Dipropionato di betametasone ( DCIM ) * 0 * ex 29.39 D II * Diacetato di diflorasone ( DCIM ) * 0 * ex 29.39 E * Calcitonina ( DCI ) , del tipo salmone , e suoi sali * 0 * ex 29.39 E * Prasterone ( DCI ) * 0 * ex 29.39 E * Calcitonina ( DCI ) suina * 0 * 29.42 C I * Caffeina e suoi sali * 4,1 * ex 29.42 C VII * Solfato di vindesina ( DCIM ) * 0 * ex 29.43 B * Riobosio * 0 * ex 29.43 B * Sucralfat ( DCI ) * 0 * ex 29.43 B * Benzoato di saccarosio , con grado di saponificazione non superiore a 175 * 0 * ex 29.44 A * Epicillina ( DCI ) * 0 * ex 29.44 A * Piperacillina ( DCI ) * 0 * ex 29.44 A e ex 30.03 A II a ) 1 * Piperacillina solidica ( DCIM ) * 0 * ex 29.44 C e ex 30.03 A II b ) * Amicacina ( DCI ) e suoi sali * 0 * ex 29.44 C e ex 30.03 A II b ) * Mitomicina ( DCI ) * 0 * ex 29.44 C * Amfotericina B ( DCI ) * 0 * ex 29.44 C * Cloridrato - diidrato di minociclina ( DCIM ) * 0 * ex 29.44 C * Clidamicina ( DCI ) , suoi sali e suoi esteri * 0 * ex 29.44 C * Dicloridrato - pentaidrato di spectinomicina ( DCIM ) * 0 * ex 29.44 C * Nistatina ( DCI ) * 0 * ex 29.44 C e ex 30.03 A II b ) * Solfato di bleomicina ( DCIM ) * 0 * ex 29.44 C * Solfato di sisomicina ( DCIM ) * 0 * ex 29.44 C * Solfato di spectinomicina ( DCIM ) * 0 * ex 29.44 C * Tobramicina ( DCI ) e suoi sali * 0 * ex 29.44 C * Lincomicina ( DCI ) , suoi sali e suoi esteri , destinata alla fabbricazione dei prodottii della voce 30.03 ( a ) * 0 * ex 29.44 C * Monensina ( DCI ) e suoi sali * 0 * ex 29.44 C * Cefaclor ( DCI ) , suoi idrati , suoi sali e suoi esteri * 0 * ex 29.44 C * Solfato di netilmicina ( DCIM ) * 0 * ex 29.44 C * Solfato di dibecacina ( DCIM ) * 0 * ex 29.44 C * Sale di sodio di defoxitina ( DCIM ) * 0 * ex 29.44 C * Cefradina ( DCI ) * 0 * ex 29.44 C * Cefamandole ( DCI ) , suoi sali e suoi esteri * 0 * ex 29.44 C * Cefazolina ( DCI ) e suoi sali * 0 * ex 29.44 C * Latamoxef ( DCI ) , suoi sali e suoi esteri * 0 * ex 29.44 C * Iosamicina ( DCI ) * 0 * ex 29.44 C * Propionato di iosamicina ( DCIM ) * 0 * ex 29.44 C * Cloridrato di aclarubicina ( DCIM ) * 0 * ex 29.44 C * Solfato di ribostamicina ( DCIM ) * 0 ex 29.44 C * Sali dii dicicloesilammonio di fumagillina ( DCIM ) * 0 * ex 29.44 C * Ceftezolo ( DCI ) * 0 * ex 29.44 C * Acido di ( Z ) - 2 - [ 2 - Amminotiazol - 4 - il [ 2 S , 3 S - 2 - metil - 4 - osso - 1 - solfoazetidin - 3 - il - carbamoil ] metilenammino - ossi ] - 2 - metilpropionico * 0 * ex 29.44 C * Acido ( 5 R , 6 S ) - 6 - [ ( R ) - 1 - idrossietile ] - 3 - ( 2 - imminometilamminoetiltio ) - 7 - osso - 1 - azabiciclo [ 3.2.0 ] epta - 2 - en - 2 - carbossilico * 0 * ex 29.44 C * Diacetato di midecamicina ( DCIM ) * 0 * ex 29.44 C * Cefotetan ( DCI ) * 0 * ex 29.44 C * ter - Butilato di potassio * 0 * ex 30.02 a * Immunoglobulina antitetanica * 0 * ex 30.02 A * Immunoplasma antitetanico * 0 * ex 30.02 A * Immunoplasma antirosolia * 0 * ex 30.02 A * Immunoplasma antipertosse * 0 * ex 30.02 A * Immunoplasma antirabbia * 0 * ex 30.03 A II b ) e B II b ) * Albumina umana , anche in soluzione * 0 * ex 30.03 A II b ) e B II b ) * Siero conservato ricavato dal sangue umano * 0 * ex 30.03 A II b ) e B II b ) * Globulina antiemofilica e globulina anti - Rh0 ( D ) , estratte dal sangue umano * 0 * ex 30.03 A II b ) * Miscele di estrogeni di origine equina in polvere * 0 * ex 30.03 A II b ) * Miscela di cefradiina ( DCI ) e di arginina ( DCI ) * 0 * ex 30.03 A II b ) e B II b ) * Gammaglobulina , in soluzione , ricavata dal sangue umano * 0 * ex 30.03 B II b ) * Gammaglobulina liofilizzata , ricavata dal sangue umano * 0 * ex 30.03 B II b ) * Collageno purificato disperso in una soluzione fisiologica salina tamponata al fosfato , contenente o non lidocaina ( DCI ) * 5 * 32.01 A I * Estratti per concia di mimosa * 0 * ex 32.01 A IV * Estratti tannici derivati dal gambier e dai frutti del mirobolano * 0 * ex 32.01 A IV * Estratti tannici di eucalipto * 3,2 * ex 32.07 B * Preparazioni di sostanze coloranti inorganiche previste della nota 3 del capitolo 32 , contenute in sfere cave di poliuretano aventi un diametro inferiore a 200 micrometri * 0 * ex 32.08 D * Vetro sotto forma di fiocchi di lunghezza variabile da 0,1 a 3,5 mm e con uno spessore non inferiore a 2 e non superiore a 5 micrometri * 0 * ex 32.09 A II e ex 39.01 C V * Poliuretano di 2 , 2' ter - butil imminodietano e di 4 , 4' - metilendiciclo esildiisocianato , disciolto in N , N - dimetilactammide , con un tenore , in peso , di copolimero non inferiore a 48 % * 0 * ex 32.09 A II e ex 39.02 C XIV a ) * Copolimero di p-cresolo e divinilbenzene , disciolto in N , N - dimetilacetammide , con un tenore di copolimeri non inferiore a 48 % in peso * 0 * ex 35.07 * Bromelaine ( DCI ) * 0 * ex 35.07 * Miscela di streptochinasi ( DCI ) e di streptodornasi ( DCI ) * 0 * ex 35.07 * Piruvato : ossigeno - ossidoriduttasi * 0 * ex 35.07 * Lipoproteina lipase * 0 * ex 35.07 * Serra - peptasi ( DCI ) * 0 * ex 37.02 B * Pellicole negative a colori di larghezza compresa tra 75 mm e 105 mm , e di lunghezza pari o superiore a 100 m usate nella fabbricazione di pellicole per apparecchi fotografici a sviluppo istantaneo ( a ) * 0 * ex 38.03 B * Montmorillonite attivata con acido che , all ' esame di diffrazione della polvere mediante raggi X , mostra quattro linee principali corrispondenti a spazi cristallini interplanari ( valori d ) di 0,44 , 0,40 , 0,33 e 0,25 nanometri , in cui la linea corrispondente a 0,40 nanometri è la più intensa , destinata alla fabbricazione di carta cosiddetta « autocopiante » ( a ) * 0 * 38.07 B * Essenza recuperata nella fabbricazione della cellulosa al solfato : dipentene greggio * 0 * 38.07 C * Essenza di legno di