X.B.I.001

Apparecchiature per la fabbricazione di componenti o materiali elettronici, come segue, e loro componenti ed accessori appositamente progettati. a. Apparecchiature appositamente progettate per la fabbricazione di tubi elettronici, elementi ottici e loro componenti appositamente progettati sottoposti ad autorizzazione in 3A001 (3) o X.A.I.001; b. apparecchiature appositamente progettate per la fabbricazione di dispositivi semiconduttori, circuiti integrati e "assiemi elettronici", come segue, e sistemi che incorporano o hanno le caratteristiche di tali apparecchiature: Nota: X.B.I.001.b. sottopone ad autorizzazione anche le apparecchiature utilizzate o modificate per essere utilizzate nella fabbricazione di altri dispositivi, quali dispositivi per le immagini, dispositivi elettro-ottici, dispositivi ad onde acustiche. 1. apparecchiature per il trattamento di materiali per la fabbricazione di dispositivi e componenti specificati nella voce X.B.I.001.b, come segue: Nota: X.B.I.001 non sottopone ad autorizzazione tubi di quarzo per forni, tubi diffusori per forni, pale, supporti (eccetto i supporti a gabbia appositamente progettati), gorgogliatori, cassette o crogioli appositamente progettati per le apparecchiature di trattamento sottoposte ad autorizzazione in X.B.I.001.b.1. a. apparecchiature per la produzione di silicio policristallino e materiali sottoposti ad autorizzazione in 3C001 (4); b. apparecchiature appositamente progettate per la purificazione o il trattamento di materiali semiconduttori III/V e II/VI sottoposti ad autorizzazione in 3C001, 3C002, 3C003, 3C004 o 3C005 (5), eccetto gli estrattori di cristalli, per i quali cfr. X.B.I.001.b.1.c qui di seguito; c. estrattori di cristalli e forni per la crescita dei cristalli, come segue: Nota: X.B.I.001.b.1.c non sottopone ad autorizzazione i forni di diffusione e ossidazione. 1. apparecchiature per la ricottura o la ricristallizzazione diverse da forni a temperatura costante che utilizzano tassi elevati di trasferimento energetico in grado di trattare fette a una velocità superiore a 0,005 m2 al minuto; 2. estrattori di cristalli con "controllo a programma registrato" aventi una delle caratteristiche seguenti: a. ricaricabili senza sostituire il contenitore del crogiolo; b. in grado di funzionare a una pressione superiore a 2,5 x 105 Pa; o c. in grado di estrarre cristalli di diametro superiore a 100 mm; d. apparecchiature per la crescita epitassiale con "controllo a programma registrato" aventi una delle caratteristiche seguenti: 1. in grado di realizzare uno strato di silicio con uniformità di spessore entro ± 2,5 % lungo una distanza 200 mm o più; 2. in grado di realizzare uno strato di qualsiasi materiale diverso dal silicio con uniformità di spessore delle fette uguale a o migliore di ± 3,5 %; o 3. rotazione di singole fette durante la lavorazione; e. apparecchiature per la crescita epitassiale a fascio molecolare; f. apparecchiature di "polverizzazione catodica" potenziate magneticamente con camere di caricamento integrate appositamente progettate in grado di trasferire le fette in un ambiente sottovuoto isolato; g. apparecchiature appositamente progettate per l'impiantazione ionica, la diffusione con potenziamento ionico o foto-potenziata, aventi una delle caratteristiche seguenti: 1. capacità di patterning; 2. energia del fascio (tensione di accelerazione) superiore a 200 keV; 3. ottimizzate per funzionare con un'energia del fascio (tensione di accelerazione) inferiore a 10 keV; o 4. in grado di impiantare ad alta energia ossigeno in un "substrato" riscaldato; h. apparecchiature di rimozione selettiva (incisione) con metodi a secco anisotropi (ad esempio plasma) con "controllo a programma registrato", come segue: 1. "a lotti", aventi una delle caratteristiche seguenti: a. determinazione del punto finale, eccezion fatta per i tipi a spettroscopia a emissione ottica; o b. pressione operativa (incisione) del reattore uguale o inferiore a 26,66 Pa; 2. "a fetta singola", aventi una delle caratteristiche seguenti: a. determinazione del punto finale, eccezion fatta per i tipi a spettroscopia a emissione ottica; b. pressione operativa (incisione) del reattore uguale o inferiore a 26,66 Pa; o c. manipolazione delle fette da cassetta a cassetta e a camere di caricamento; Note: 1. Per macchine "a lotti" si intendono le macchine non appositamente progettate per il trattamento di fette singole. Tali macchine possono trattare due o più fette contemporaneamente con parametri di processo comuni, ad esempio potenza RF, temperatura, specie di gas di incisione, portate. 2. Per macchine "a fetta singola" si intendono le macchine appositamente progettate per il trattamento di fette singole. Tali macchine possono utilizzare tecniche di manipolazione automatica delle fette per caricare una sola fetta nell'apparecchiatura di trattamento. La definizione comprende le apparecchiature che possono caricare e trattare diverse fette ma in cui i parametri di incisione, ad esempio la potenza RF o il punto finale, possono essere determinati in modo indipendente per ogni singola fetta. i. apparecchiature per la "deposizione chimica in fase di vapore" (CVD), ad esempio deposizione chimica in fase di vapore intensificata da plasma (PECVD) o deposizione chimica in fase di vapore fotopotenziata, per la fabbricazione di dispositivi semiconduttori, aventi una delle caratteristiche seguenti, per la deposizione di ossidi, nitruri, metalli o polisilicio: 1. apparecchiature per la "deposizione chimica in fase di vapore" funzionanti al di sotto di 105 Pa; o 2. apparecchiature PECVD funzionanti al di sotto di 60 Pa o con manipolazione automatica delle fette da cassetta a cassetta e a camera di caricamento; Nota: X.B.I.001.b.1.i non sottopone ad autorizzazione i sistemi per la "deposizione chimica in fase di vapore" a bassa pressione (LPCVD) o le apparecchiature di 'polverizzazione catodica' tramite un reagente. j. sistemi a fasci di elettroni appositamente progettati o modificati per la fabbricazione di maschere o il trattamento di dispositivi semiconduttori aventi una delle caratteristiche seguenti: 1. deflessione elettrostatica del fascio; 2. profilo del fascio non gaussiano, sagomato; 3. velocità di conversione numerico-analogico superiore a 3 MHz; 4. precisione di conversione numerico-analogico superiore a 12 bit; o 5. precisione del controllo di retroazione della posizione bersaglio-fascio pari o superiore a 1 micrometro; Nota: X.B.I.001.b.1.j non sottopone ad autorizzazione i sistemi di deposizione per fascio di elettroni né i microscopi a scansione elettronica di uso generale. k. apparecchiature di finitura della superficie per il trattamento di fette di semiconduttori come segue: 1. apparecchiature appositamente progettate per il trattamento del retro di fette più sottili di 100 micrometri e la successiva separazione; o 2. apparecchiature appositamente progettate per ottenere una rugosità superficiale della superficie attiva di una fetta trattata di un valore 2 sigma pari o inferiore a 2 micrometri, lettura totale del misuratore (TIR); Nota: X.B.I.001.b.1.k non sottopone ad autorizzazione le apparecchiature per la lappatura e la lucidatura ai fini della finitura della superficie delle fette. l. apparecchiature di interconnessione che comprendono camere a vuoto singole o multiple comuni appositamente progettate per consentire l'integrazione di qualsiasi apparecchiatura sottoposta ad autorizzazione in X.B.I.001 in un sistema completo; m. apparecchiature con "controllo a programma registrato" che utilizzano "laser" per la riparazione o la rifilatura di "circuiti integrati monolitici" aventi una delle caratteristiche seguenti: 1. precisione di posizionamento inferiore a ± 1 micrometro; o 2. dimensione dei punti (larghezza del solco di taglio) inferiore a 3 micrometri. Nota tecnica: Ai fini di X.B.I.001.b.1, per 'polverizzazione catodica' si intende un processo di rivestimento per ricopertura in cui gli ioni positivi sono accelerati da un campo elettrico verso la superficie di un bersaglio (materiale di rivestimento). L'energia cinetica ottenuta dall'impatto degli ioni è sufficiente perché gli atomi della superficie del bersaglio siano liberati per depositarsi sul substrato. (Nota: la polverizzazione catodica tramite un triodo, un magnetron o radiofrequenza per aumentare l'aderenza del rivestimento e la velocità di deposizione sono modifiche ordinarie del processo); 2. maschere, substrati di maschere, apparecchiature per la produzione di maschere e apparecchiature per il trasferimento di immagini per la produzione di dispositivi e componenti specificati nella voce X.B.I.001, come segue: Nota: Il termine maschere si riferisce alle maschere utilizzate nella litografia a fascio di elettroni, nella litografia a raggi X e nella litografia ultravioletta, nonché nella tradizionale fotolitografia ultravioletta e a luce visibile. a. maschere finite, reticoli e loro modelli, tranne: 1. maschere finite o reticoli per la produzione di circuiti integrati non sottoposti ad autorizzazione in 3A001 (6); o 2. maschere o reticoli aventi entrambe le caratteristiche seguenti: a. sono realizzate sulla base di geometrie pari o superiori a 2,5 micrometri; e b. la realizzazione non comprende caratteristiche particolari che ne modifichino la destinazione prevista mediante apparecchiature di produzione o "software"; b. substrati di maschere, come segue: 1. "substrati" (ad esempio vetro, quarzo, zaffiro) rivestiti in materiale duro (ad esempio cromo, silicio, molibdeno) per la preparazione di maschere di dimensioni superiori a 125 mm x 125 mm; oppure 2. substrati appositamente progettati per maschere a raggi X; c. apparecchiature, diverse dai calcolatori di impiego generale, appositamente progettate per la progettazione assistita da calcolatore (CAD) per dispositivi semiconduttori o circuiti integrati; d. apparecchiature o macchine per la fabbricazione di maschere o reticoli, come segue: 1. apparecchi foto-ottici a ripetizione in sequenza in grado di produrre matrici superiori a 100 mm x 100 mm o in grado di produrre un'esposizione singola maggiore di 6 mm x 6 mm nel piano (focale) dell'immagine, o in grado di produrre larghezze di linea inferiori a 2,5 micrometri nel fotoresist applicato sul "substrato"; 2. apparecchiature per la fabbricazione di maschere o di reticoli utilizzanti litografia a fascio ionico o "laser", in grado di produrre larghezze di linea inferiori a 2,5 micrometri; oppure 3. apparecchiature o supporti per modificare maschere o reticoli o aggiungere pellicole per eliminare i difetti; Nota: X.B.I.001.b.2.d.1 e b.2.d.2 non sottopongono ad autorizzazione le apparecchiature per la fabbricazione di maschere utilizzanti metodi foto-ottici disponibili in commercio prima del 1 o gennaio 1980 o aventi prestazioni non migliori di tali apparecchiature. e. apparecchiature con "controllo a programma registrato" per l'ispezione di maschere, reticoli o pellicole aventi: 1. una risoluzione pari o superiore a 0,25 micrometri; e 2. una precisione pari o superiore a 0,75 micrometri su una distanza tra una o due coordinate uguale o superiore a 63,5 mm; Nota: X.B.I.001.b.2.e non sottopone ad autorizzazione i microscopi a scansione per uso generale, salvo quando questi siano appositamente progettati ed equipaggiati per l'ispezione automatica del tracciato. f. apparecchiature di allineamento e di esposizione per la produzione di fette che utilizzano metodi foto-ottici o a raggi X, ad esempio apparecchiature di litografia, comprese le apparecchiature per il trasferimento di immagini per proiezione e le apparecchiature a ripetizione in sequenza (sequenza continua sulla fetta) o di scansione in sequenza (scanner), in grado di eseguire una delle seguenti funzioni: Nota: X.B.I.001.b.2.f non sottopone ad autorizzazione le apparecchiature di allineamento ed esposizione per contatto e prossimità foto-ottici delle maschere o le apparecchiature per il trasferimento di immagini per contatto. 1. produzione di una dimensione del tracciato inferiore a 2,5 micrometri; 2. precisione di allineamento superiore a ± 0,25 micrometri (3 sigma); 3. sovrapposizione da macchina a macchina non migliore di ± 0,3 micrometri; o 4. lunghezza d'onda della sorgente luminosa inferiore a 400 nm; g. apparecchiature utilizzanti un fascio elettronico, ionico o a raggi X per il trasferimento di immagini per proiezione in grado di produrre tracciati inferiori a 2,5 micrometri; Nota: Per i dispositivi a fascio focalizzato deflesso (sistemi di scrittura diretta), cfr. X.B.I.001.b.1.j. h. apparecchiature che utilizzano "laser" per la scrittura diretta su fette in grado di produrre tracciati inferiori a 2,5 micrometri; 3. apparecchiature per l'assemblaggio di circuiti integrati, come segue: a. die bonder con "controllo a programma registrato" aventi tutte le caratteristiche seguenti: 1. appositamente progettati per "circuiti integrati ibridi"; 2. corsa di posizionamento dello stadio X-Y superiore a 37,5 x 37,5 mm; e 3. precisione di posizionamento sul piano X-Y superiore a ± 10 micrometri; b. apparecchiature con "controllo a programma registrato" per realizzare punti di saldatura multipli in un'unica operazione (ad esempio, saldatori per connettori radiali, saldatori con chip-carrier, saldatori a nastro); c. sigillatrici a testa calda semiautomatiche o automatiche, in cui la testa è riscaldata localmente ad una temperatura superiore rispetto al corpo del pacchetto, appositamente progettate per pacchetti di microcircuiti ceramici sottoposti ad autorizzazione in 3A001 (7) e con un flusso uguale o superiore a un pacchetto al minuto; Nota: X.B.I.001.b.3 non sottopone ad autorizzazione i saldatori a punti a resistenza di uso generale. 4. filtri per camere bianche in grado di fornire una qualità dell'aria di 10 o meno particelle di diametro pari o inferiore a 0,3 micrometri per 0,02832 m3 e relativi materiali filtranti. Nota tecnica: Ai fini di X.B.I.001, per 'controllo a programma registrato' si intende un controllo che utilizza istruzioni immagazzinate in una memoria elettronica che possono essere eseguite da un processore per comandare l'esecuzione di funzioni predeterminate. Un'apparecchiatura può essere con 'controllo a programma registrato' se la memoria elettronica è interna o esterna all'apparecchiatura stessa.