Regolamento (CEE) n. 3385/84 del Consiglio del 27 novembre 1984 recante sospensione temporanea dei dazi autonomi della tariffa doganale comune per un certo numero di prodotti industriali



Gazzetta ufficiale n. L 321 del 10/12/1984 pag. 0001 - 0048



++++ REGOLAMENTO ( CEE ) N . 3385/84 DEL CONSIGLIO del 27 novembre 1984 recante sospensione temporaneo dei dazi autonomi della tariffa doganale comune per un certo numero di prodotti industriali IL CONSIGLIO DELLE COMUNITÀ EUROPEE , visto il trattato che istituisce la Comunità economica europea , in particolare l ' articolo 28 , visto il progetto di regolamento presentato dalla Commissione , considerando che la produzione comunitaria dei prodotti oggetto del presente regolamento è attualmente nulla o insufficiente e che i produttori non possono coprire il fabbisogno delle industrie utilizzatrici della Comunità ; considerando che è nell ' interesse della Comunità che i dazi autonomi della tariffa doganale comune siano sospesi , in alcuni casi , solo parzialmente , soprattutto in considerazione dell ' esistenza di una produzione comunitaria e che , in altri casi , siano per contro sospesi totalmente ; considerando che , tenuto conto delle difficoltà di valutare con esattezza l ' evoluzione a breve termine della situazione economica nei settori interessati , è opportuno prendere tali misure di sospensione solo a titolo temporaneo , fissandone il periodo di validità in funzione dell ' interesse della produzione comunitaria , HA ADOTTATO IL PRESENTE REGOLAMENTO : Articolo 1 I dazi autonomi della tariffa doganale comune , relativi ai prodotti elencati nelle tabelle allegate , sono sospesi al livello indicato in corrispondenza di ciascuno di essi . Queste sospensioni sono applicabili : - dal 1° gennaio 1985 al 31 marzo 1985 , per i prodotti elencati nella tabella I , - dal 1° gennaio 1985 al 30 giugno 1985 , per i prodotti elencati nella tabella II . Articolo 2 Il presente regolamento entra in vigore il 1° gennaio 1985 . Il presente regolamento è obbligatorio in tutti i suoi elementi e direttamente applicabile in ciascuno degli Stati membri . Fatto a Bruxelles , addì 27 novembre 1984 . Per il Consiglio Il Presidente P . BARRY ALLEGATO TABELLA I Numero della tariffa doganale comune * Designazione delle merci * Aliquota dei dazi autonomi ( % ) * ex 39.02 C I a ) * Polietilene , in una delle forme previste dalla nota 3 b ) del capitolo 39 , avente densità non inferiore a 0,92 e non superiore a 0,98 , destinato alla fabbricazione di nastri inchiostratori per macchine da scrivere o nastri inchiostratori simili ( a ) * 0 * ex 39.02 C XI * Pellicola di polivinilebutirrale , avente una superficie gradualmente colorata * 8 * ( a ) Il controllo dell ' utilizzazione per questa destinazione particolare avviene attraverso l ' applicazione delle disposizioni comunitarie in materia . TABELLA II Numero della tariffa doganale comune * Designazione delle merci * Aliquota dei dazi autonomi ( % ) * ex 28.20 A * Ossido-idrossido di alluminio , sotto forma di pseudoboehmite * 4 * ex 28.47 F * Tungstato ( wolframato ) di calcio , per la produzione di leghe di ferro o di deca-ammonio 41-ossododecawolframato ( para-wolframato di ammonio ) ( a ) * 0 * ex 28.49 C II * Carboplatino ( DCI ) * 0 * ex 28.55 A * Fosfuri di ferro ( ferro-fosfori ) , contenenti , in peso : * * * - ferro , non inferiore a 68 % e non superiore a 72 % * * * - fosforo , non inferiore a 22 % e non superiore a 26 % * * * - silicio , non superiore a 3,5 % * * * aventi almeno il 99 % , in peso , delle particelle di dimensioni inferiori a 20 micrometri , destinati alla fabbricazione di vernici e di pitture ( a ) * 0 * ex 29.01 D VII * Paracimene * 0 * ex 29.02 A III * 1,2-Dibromoetano * 4 * ex 29.08 A III c ) * 2-Bromo-6-mettosinaftalene * 0 * ex 29.08 A III c ) * 1,2-bis(2,4,6-Tribromofenossi)etano , destinato alla fabbricazione di acrilonitrile-butadiene - stirene ( ABS ) ( a ) * 0 * 29.08 B I * 2-(2-Cloroetossi)etando * 0 * ex 29.10 B * 8,9-Epossi-3-(3,4 epossicicloesile)-2,4-diossospiro(5,5)undecano * 0 * ex 29.14 A VII * Diisobuttirato di 1-isopropil-2,2-dimetiltrimetilene * 0 * ex 29.14 A XI * Acido 2,2-dicloropropionico * 6 * ex 29.14 B IV b ) * Acido crotonico * 0 * ex 29.16 D * 3,4-Epossicicloesanocarbossilato di 3,4-epossicicloesilmetile * 0 * ex 29.21 B II * 0,0'-Dioctadecil bis(fosfito ) di pentaeritritolo * 0 * ex 29.21 B II * 1,1'-Dimetile-2,2'-ossidietilenetetrafenile bis(fosfito ) * 0 * ex 29.22 C II * Cicloes-1,3-ilendiammina ( 1,3-diamminocicloesano ) * 0 * ex 29.22 D VII * Pendimetalina ( ISO ) * 7 * ex 29.22 E II * 1,8-Naftilendiammina * 0 * ex 29.33 E * Metildopa ( DCI ) * 0 * ex 29.23 E * Cloridrato di Indenolol ( DCIM ) * 0 * ex 29.25 A II * Acido 2-acrilammido-2 - metilpropansolfonico , suoi sali di sodio e suoi dali di ammonio * 0 * 29.30 * Diisocianato di p-fenilene * 0 * 29.30 * trans-(Cicloesa-1,4-ilen-diisocianato ) , destinato alla fabbricazione di elastomeri di poliuretano termoplastico ( a ) * 0 * 29.30 * 4,4-Diisocianato di 3,3-dimetilbifenile * 0 * ex 29.35 Q * Tetraidrofurano con un contenuto totale di tetraidro-2-metilfurano e tetraidro-3-metilfurano non superiore a 40 mg/litro , destinato alla produzione di alfa-idrossibutil-omega-idrossipoli ( ossitetrametilene ) ( a ) * 0 * ex 29.35 Q * Estazolam ( DCI ) * 0 * 29.37 * ( 2,3-Diidro-3-ossobenz(d)isotiazolo-2-ile)-N-5 - metilisossoazol-3-ilacetammido-S,S-diossido * 0 * ex 29.44 C * Sale di sodio di ceftizoxime ( DCIM ) * 0 * ex 30.03 A II b ) * Cloridrato di aclarubicina ( DCIM ) * 0 * ex 34.02 * alfa-metil-omega-idrossipoli ( ossipropilene ) , con peso molecolare medio compreso tra 240 260 * 0 * ex 34.02 * Miscela di docusate sodico ( DCI ) e di benzoato di sodio * 0 * ex 34.02 * Idrossido di 2-al - chil-1(2-(sodioosicarbonilmetossi)etil)-1 - sodioossicarbonilmetil-2-immidazolina * 0 * 34.02 * Preparazione contenente , in peso , non meno di 30 % di dodecilsolfato di 2-al2 chil-1-(2-(sodioossicarbonilmetossi)etil)-1 - sodioossicarbonilmetil-2-immidazolina * 0 * ex 38.19 F II o * Esacosaidrossidodicarbonato di tetraalluminio e nonamagnesio eptaidrato , rivestito con un agente di superficie attivo * 0 * ex 38.19 X * * * ex 38.19 X * Miscela di metilfosfonato di metile di 5-etil-2-metil-2-osso-1,3,2 lambda5-dioxafosforan-5-ilmetile e di metilfosfonato di bis ( 5-etil-2-metil-2-osso-1,3,2 lambda5-dioxafosforan-5-ilmetile ) * 0 * ex 38.19 X * Soluzione organica avente tenore , in peso , di butiletilmagnesio non inferiore a 19 % e non superiore a 30 % * 0 * ex 38.19 X * Miscela di dimeri di ammina grassa con peso molecolare medio compreso tra 520 e 550 * 0 * ex 38.19 X * Miscela ottenuta per fermentazione contenente , in peso , non meno di 5 % di peptide avente la struttura della catena « A » dell ' insulina umana , nella forma di un sale derivato di S-solfanato * 0 * ex 38.19 X * Miscela ottenuta per fermentazione contenente , in peso , non meno di 5 % di peptide avente la struttura della catena « B » dell ' insulina umana , nella forma di un sale derivato di S-solfanato * 0 * ex 38.19 X * Ipoclorito di litio , greggio * 0 * ex 38.19 X * Miscela di reazione contenente benzil 3-isobutirilossi-1-isopropil-2,2-dimetilpropileftalato e benzil-3-isobutirilossi-2,2,4-trimetilpentilftalato * 0 * ex 38.19 X * Miscela di 2-(perfluoroalchile ) etantiolo , contenente catene di perfluoroalchile da C6 a C14 * 0 * ex 39.01 C I a ) * Resina termoindurente ottenuta da policondensazione in catalisi alcalina di fenolo e formaldeide , in una delle forme previste alla nota 3 b ) del capitolo 39 * 4 * ex 39.01 C III a ) * Fogli di poliestere aventi spessore non inferiore a 74 micrometri e non superiore a 76 micrometri , destinati alla fabbricazione di dischi flessibili ( a ) * 0 * ex 39.01 C III a ) * Fogli riflettenti stratificati , metallizzati , anche colorati , costituiti da 2 o più pellicole di poliestere , ricoperti su un lato con strato adesivo protetto da una pellicola asportabile * 0 * ex 39.01 C III a ) * Pellicola di poliestere , avente spessore non superiore a 15 micron , tinto nella massa , metallizzata su un lato * 6 * ex 39.01 C IV * Poli(imminoetilene-1,3-fenilenemetilene - imminoadipoil ) in una delle forme previste dalla nota 3 b ) del capitolo 39 * 0 * ex 39.02 C I a ) * Polietilene , in una delle forme previste dalla nota 3 b ) del capitolo 39 , con densità non inferiore a 0,958 alla temperatura di 23° C e contenente , in peso , non più di : * * * - 50 ppm di alluminio , * * * - 2 ppm di calcio , * * * - 2 ppm di cromo , * * * - 2 ppm di ferro , * * * - 2 ppm di nichel , * * * - 2 ppm di titanio , * * * - 8 ppm di vanadio , * * * destinato alla fabbricazione di polietilene clorosolfonato ( a ) * 0 * ex 39.02 C XII * Copolimeri di acido acrilico contenenti , in peso , non più di 10 % di esteri alchilici di acido metacrilico , utilizzati come ispessenti nella produzione di paste per lo stampaggio dei tessili ( a ) * 0 * ex 39.02 C XIV a ) * Resina ionomero , costituita di un sale di copolimero di etilene e di acido metacrilico * 0 * ex 39.02 C XIV a ) * Resina ionomero , costituita di un sale di terpolimero di etilene acrilato di isobutile e acido metacrilico * 0 * ex 39.02 C XIV a ) * Copolimero di etilene e acido acrilico o metacrilico , contenente , in peso , non meno di 3 % e non più di 30 % di acido acrilico o metacrilico , in una delle forme previste dalla nota 3 b ) del capitolo 39 * 0 * ex 39.02 C XIV a ) * Copolimero di tetrafluoroetilene ed esafluoropropilene , avente , in peso , uno dei componenti sottoindicati : * * * - da 5 % a 25 % di solfato di bario , * * * - da 3 % a 5 % di triossido di dibismuto , * * * - da 7 % a 9 % di diossocarnotao di dibismuto , * * * - da 11 % a 14 % di tungsteno , * * * in una delle forme previste dalla note 3 b ) del capitolo 39 * 0 * ex 39.02 C XIV a ) * Prodotti di polimerizzazione di ( polibutadiene ) poliolo e 2 lattami legati da atomi di azoto ad un radicale acile bivalente di un acido dicarbossilico * 0 * ex 39.02 C XIV a ) * Copolimero di etilene e clorotrifluoretilene , in una della forme previste dalla nota 3 b ) del capitolo 39 * 0 * ex 39.02 C XIV a ) * Terpolimero di etilene , clorotrifluoretilene ed esafluoro(2-metilpropene ) , in una delle forme previste dalla nota 3 b ) del capitolo 39 * 0 * ex 56.01 A * Fibre tessili multicomponenti , acetalizzate , aventi matrice a struttura fibrillare , costituite di alcole polivinilico e cloruro di vinile polimerizzati per emulzione * 0 * ex 59.01 B I * Fibre di alcole polivinilico , anche acetallizzate * 0 * ex 59.17 A * Feltri all ' ago di fibra sintetica , su un supporto di tessuto di fibra sintetica , ricoperti o spalmati su di un lato con una pellicola di politetrafluoroetilene , destinati alla fabbricazione di filtri ( a ) * 0 * ex 69.09 B * Filati costituiti di fibre continue di ceramica contenente ciascuna fibra , in peso , non meno di 12 % di triossido di diboro , non più di 26 % di diossido di silico e non meno di 60 % di triossido di dialluminio * 0 * ex 06.09 B * Piastre di triossido di dialluminio e di carburo di titanio , di dimensioni non superiori a 48 × 48 mm , destinate alla fabbricazione di testine magnetiche ( a ) * 0 * ex 70.20 A * Feltri di fibre di vetro , non tessile , aventi peso per m2 inferiore o uguale a 120 g e calibro di fibre , escluso l ' eventuale rivestimento , inferiore o uguale a 3 micrometri , destinati alla fabbricazione di prodotti filtranti ( a ) * 0 * ex 70.20 B * Filati di fibre tessili continue di vetro di 33 o 34 tex o di un loro multiplo , con un diametro delle fibre non inferiore a 5,7 e non superiore a 6,5 micrometri * 0 * ex 70.20 B * Filati , aventi titolo compreso tra 340 e 680 tex , ottenuti a partire da fibre tessili di vetro continue , di diametro compreso tra 12,5 e 13,5 micrometri , ricoperti di « Resorcinal-formol » , diversi da quelli trattati per fissare elastomeri * 7 * ex 77.02 * Fogli di magnesio smerigliati e levigati , aventi dimensioni non superiori a 770 × 1 020 mm , rivestiti su un lato di resina epossidica insensibile alla luce * 0 * ex 81.04 K I * Spugna di titanio * 0 * EX 84.18 C II b ) * Pezzi staccati di apparecchi per separare gas da miscele gassose , costituiti da un fascio di fibre cave permeabili che attraversa ad una estremità un elemento di materia plastica e fissato all ' altra estremità , il tutto inserito in un contenitore metallico anche perforato di lunghezza non inferiore a 300 mm e non superiore a 3 700 mm e diametro non superiore a 350 mm * 0 * ex 84.18 C II b ) * Pezzi staccati costituiti da un fascio di fibre cave permeabili di materia plastica , collegate ad una estremità ad un elemento di materia plastica e che attraversa un altro elemento di materia plastica all ' altra estremità , il tutto inserito in un contenitore di materia plastica destinati ad apparecchi per filtrare o depurare acqua ( a ) * 0 * ex 84.18 C II b ) * Apparecchi per la trasformazione catalitica di ossido di azoto in azoto ed acqua , consistenti in unità modellate e cotte con struttura a nido d ' ape costituite di una miscela di ossido di vanadio e di diossido di titanio o solfato di bario , contenuto in un cesto metallico avente dimensioni non superiori a 120 × 120 × 160 cm * 0 * ex 84.08 C II b ) * Elementi per la depurazione dell ' acqua mediante osmosi invertita , costituiti essenzialmente di membrane a base di materia plastica rinforzate internamente con materia tessile avvolte attorno ad un tubo perforato di materia plastica artificiale , il tutto inserito in un contenitore di plastica * 0 * ex 84.55 C * Testine magnetiche a tecnologia Winchester o Thinfilm per unità periferiche di memorie a dischi rigidi in grado di registrare ad una densità non inferiore a 10 tracce per mm , anche con i bracci portatori di tali testine magnetiche * 0 * ex 84.55 C * Dispositivo di visualizzazione avente dimensioni massime , esclusi cavi e connettori , di 15 × 90 × 280 mm , costituito da due strati o fogli di vetro nei quali sono racchiusi 30 720 punti di cristalli liquidi disposti su 64 righe e 480 colonne , fissato su un circuito stampato munito di componenti elettronici con funzioni di pilotaggio , con o senza cavo e connettore * 0 * ex 84.55 C * Dispositivo di visualizzazione avente dimensioni esterne massime di 15 × 76 × 181 mm , costituito da 2 strati o fogli di vetro nei quali sono racchiusi 15 360 punti di cristalli liquidi disposti su 64 righe e 240 colonne , munito di circuito elettronico di interfaccia C/MOS , con più di 544 aree di contatto * 0 * ex 84.55 C * Elementi magnetici di lettura-scrittura in tecnologia Thinfilm , in grado di registrare ad una densità non inferiore a 10 tracce per mm , sotto forma di nastri di dimensioni non superiori a 48 × 48 mm contenenti almeno 200 elementi o sotto forma di strisce di dimensioni non superiori a 4 × 48 mm , contenenti almeno 10 elementi destinati alla produzione di testine magnetiche per unità periferiche di memorie a dischi rigidi ( a ) * 0 * ex 84.55 C * Componente di macchine automatiche per l ' elaborazione delle informazioni , comprendente memorie di sola lettura , programmabili , cancellabili ai raggi ultravioletti con un capacità complessiva di memorizzazione di 256 Kbits e costituito da un supporto a più strati di dimensioni non superiori a 17 × 39 mm e sul quale sono montati : * * * - due memorie di sola lettura , programmabili , cancellabili ai raggi ultravioletti ( EPROM ) , sotto forma di circuiti integrati monolitici , aventi ciascuno una capacità di memorizzazione di 128 Kbits e una finestra di quarzo sulla faccia superiore ; * - un decodificatore sotto forma di circuito integrato monolitico ; * * * - un condensatore disaccoppiante ; * * * - due resistenze . * * * Su tale componente è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la combinazione di cifre a lettere seguente : * * * EDH 7832 MM-30 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a componente avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 84.55 C * Componente di macchine automatiche per l ' elaborazione delle informazioni , comprendente memorie di sola lettura , programmabili , cancellabili ai raggi ultravioletti ( EPROM ) , con una capacità complessiva di memorizzazione di 256 Kbits e costituito da un supporto a più strati di dimensioni non superiori a 17 × 39 mm e sul quale sono montati : * * * - quattro memorie di sola lettura , programmabili , cancellabili ai raggi ultravioletti ( EPROM ) , sotto forma di circuiti integrati monolitici , aventi ciascuno una capacità di memorizzazione di 64 Kbits ; * * * - un decodificatore sotto forma di circuito integrato monolitico ; * * * - un condensatore disaccoppiante . * * * Su tale componente è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la combinazione di cifre e lettere seguente : * * * EDH 7832 MC-35 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a componente avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 84.55 C * Componente di macchina automatica per l ' elaborazione dell ' informazione , costituito da due supporti sovrapposti munito ciascuno di due memorie statiche di lettura e scrittura a libero accesso , realizzate con tecnologia N/MOS ( N/MOS-S/RAM ) , aventi ciascuna una capacità di memorizzazione di 2 Kbits con una capacità di memorizzazione totale di 8 K × 1 bit o di 4 K × 2 bits , sotto forma di circuito integrato monolitico , racchiusi in un contenitore di dimensioni esterne non superiori a 13 × 13 mm e con 23 spinotti di connessione al massimo , e sul quale è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre seguenti : * * * 4598601 * * * 5121850 * * * 5121934 * * * 5121935 * * * 5122148 * * * 5123059 * * * 5123120 * * * 5123128 * * * 5123129 * * * 5123337 * * * 5123339 * * * - oppure altre sigle di identificazione relative a componente avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ( a ) Il controllo dell ' utilizzazione per questa destinazione particolare avviene attraverso l ' applicazione delle disposizioni comunitarie in materia . ex 84.55 C * Componente di macchine automatiche per l ' elaborazione delle informazione , comprendente memorie statiche di lettura-scrittura a libero accesso , realizzate con tecnologia C/MOS , ( C/MOS-S/RAM ) con una capacità complessiva di memorizzazione di 32 Kbits e costituito da un supporto a più strati di dimensioni non superiori a 17 × 39 mm e sul quale sono montati : * * * - due memorie statiche di lettura-scrittura a libero accesso ( C/MOS-S/RAM ) , sotto forma di circuiti integrati monolitici , aventi ciascuno una capacità di memorizzazione di 16 Kbits ; * * * - un decodificatore sotto forma di circuito integrato monolitico ; * * * - un condensatore disaccoppiante . * * * Su tale componente avente non più di 28 spinotti di connessione è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre e lettere seguenti : * * * EDH-8804 C-20 * * * EDH 8804 CL-20 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a componente avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 84.55 C * Componente di macchine automatiche per l ' elaborazione delle informazioni , comprendente memorie statiche di lettura-scrittura a libero accesso realizzate con tecnologia C/MOS ( C/MOS-S/RAM ) con una capacità complessiva di 64 Kbits e costituito da un supporto a più strati le cui dimensioni esterne non superano 17 × 39 mm sul quale sono montate : * * * - quattro memorie statiche di lettura-scrittura a libero accesso realizzate con tecnologia C/MOS ( C/MOS-S/RAM ) sotto forma di circuiti integrati monolitici con capacità di memorizzazione di 16 Kbits ; * * * - n decodificatore sotto forma di circuito integrato monolitico ; * * * - un condensatore disaccoppiante . * * * Su tale componente avente 28 spinotti di connessione al massimo è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre e lettere seguenti : * * * EDH 8808 B-20 * * * EDH 8808 C-10 * * * EDH 8808 C-12 * * * EDH 8808 C-15 * * * EDH 8808 C-20 * * * EDH 8808 CL-15 * * * EDH 8808 CL-20 * * * - oppure altre sigle di identificazione relative a componenti aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 84.55 C * componente di macchine automatiche per l ' elaborazione delle informazioni comprendente memorie statiche di lettura-scrittura a libero accesso realizzate con tecnologia C/MOS ( C/MOS-S/RAM ) con capacità di memorizzazione complessiva di 256 Kbits e costituito da un supporto a più strati avente dimensioni esterne non superiori a 17 × 39 mm sul quale sono montate : * * * - quattro memorie statiche di lettura-scrittura a libero accesso realizzate con tecnologia C/MOS ( C/MOS-S/RAM ) sotto forma di circuiti integrati monolitici ciascuno con capacità di memorizzazione di 64 Kbits ; * * * - un decodificatore sotto forma di circuito integrato monolitico ; * * * - un condensatore disaccoppiante . * * * Su tale componente avente non più di 28 spinotti di connessione è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la combinazione di cifre e lettere seguenti : * * * EDH 8832 MC-20 * * * - oppure altre sigle di identificazione relative a componenti aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 84.55 C * Componente di macchine automatiche per l ' elaborazione dell ' informazione , costituito da due supporti sovrapposti muniti ciascuno di due memorie quasi statiche di lettura e scrittura a libero accesso , realizzate con tecnologia N/MOS ( N/MOS-S/RAM Quasi Static ) , aventi ciascuna una capacità di memorizzazione di 4 Kbits , con una capacità di memorizzazione complessiva di 16 K × 1 bt o 8 K × 2 bits , sotto forma di circuito integrato monolitico , racchiusi in un contenitore di dimensioni esterne massime non superiori a 13 × 13 mm e con 24 spinotti di connessione al massimo , e sul quale è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre seguenti : * * * 4599766 * * * 4599867 * * * 4599768 * * * 4599769 * * * 4599770 * * * 4599771 * * * 4599772 * * * 4599773 * * * 4599774 * * * 4599893 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a componente avente le caratteristiche sopra indicate * 0 * ex 84.55 C * Componente di macchine automatiche per l ' elaborazione delle informazioni comprendente memoria , di sola lettura , programmabile , cancellabile ai raggi ultravioletti ( EPROM ) con capacità di memorizzazione di 64 Kbits e memorie statiche di lettura e scrittura a libero accesso ( S/RAM ) con capacità complessiva di 32 Kbits , costituito da un supporto a più strati di dimensioni non superiori a 17 × 39 mm e sul quale sono montati : * * * - una memoria di sola lettura programmabile , cancellabile ai raggi ultravioletti ( EPROM ) , sotto forma di circuito integrato monolitico , avente una capacità di memorizzazione di 64 Kbits e con una finestra di quarzo sulla faccia superiore ; * * * - due memorie di lettura-scrittura , ad accesso casuale , statiche , realizzate con tecnologia C/MOS ( C/MOS-S/RAM ) , sotto forma di circuito integrato monolitico , aventi ciascuna una capacità di memorizzazione di 16 Kbits ; * * * - un decodificatore sotto forma di circuito integrato monolitico ; * * * - un condensatore disaccoppiante : * * * - due resistenze . * * * Su tale componente avente 28 spinotti di connessione al massimo è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre e lettere seguenti : * * * EDH 90804 BS-25 ( 15 ) * * * EDH 90804 BS-30 ( 20 ) * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a componente avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 84.55 C * Componente di macchine automatiche per l ' elaborazione delle informazioni , comprendente memorie di sola lettura programmabili , cancellabili ai raggi ultravioletti ( EPROM ) con capacità di memorizzazione di 128 Kbits e memorie di lettura e scrittura , statiche ( S/RAM ) con capacità complessiva di memorizzazione di 128 Kbits , costituito da un supporto a più strati di dimensioni non superiori a 17 × 39 mm sul quale sono montati : * * * - due memorie di sola lettura , programmabili , cancellabili ai raggi ultravioletti ( EPROM ) , sotto forma di circuiti integrati monolitici , aventi ciascuna una capacità di memorizzazione di 64 Kbits e una finestra di quarzo sulla faccia superiore ; * * * - due memorie statiche di lettura e scrittura a libero accesso , con tecnologia C/MOS ( C/MOS-S/RAM ) , sotto forma di circuiti integrati monolitici , aventi ciascuna una capacità di memorizzazione di 64 Kbits ; * * * - un decodificatore ; * * - un condensatore disaccoppia e ; * * * - due resistenze . * Su tale componente con 28 spinotti di connessione al massimo è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere : * * * EDH 91616 CL-30 ( 20 ) * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a componente avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 84.55 C * Memoria a bolle magnetiche con capacità di memorizzazione non superiore a 4 megabits , racchiusa in un contenitore le cui dimensioni esterne non superano 43 × 44 mm e non più 42 punti contatto o spinotti di connessione , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre o cifre e lettere : * * * BDL 0133 * MBM 2011 * FBM 64 DA * * * BDL 0134 * MBM 2256 * 7110 * * * BDN 0151 * FBM 54 DB * 7114-1 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a memoria avente le caratteristiche sopra descritte . * 0 * ex 84.55 C * Componente di macchine automatiche per l ' elaborazione delle informazioni , comprendente memorie di sola lettura , programmabili , cancellabili ai raggi ultravioletti ( EPROM ) con una capacità di memorizzazione di 64 Kbits e memorie statiche di lettura e scrittura a libero accesso realizzate in tecnologia C/MOS , con capacità di memorizzazione complessiva di 48 Kbits e costituito da un supporto a più strati le cui dimensioni esterne non superano 17 × 39 mm , sul quale sono montate : * * * - una memoria di sola lettura programmabile , cancellabile ai raggi ultravioletti ( EPROM ) , sotto forma di circuito integrato monolitico , con capacità di memorizzazione di 64 Kbits e una finestra di quarzo sulla faccia superiore ; * * * - tre memorie statiche di lettura e scrittura ad accesso casuale realizzate in tecnologie C/MOS ( C/MOS*S/RAM ) sotto forma di circuito integrato monolitico , avente ciascuna capacità di memorizzazione di 16 Kbits ; * * * - un decodificatore sotto forma di circuito integrato monolitico ; * * * - un condensatore disaccoppiante ; * * * - due resistenze . * * * Su tale componente avente non più di 28 spinotti di connessione è riportata : * * * - una sigla d ' identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre e lettere seguenti : * * * EDH 90806 BS-25 ( 15 ) * * * EDH 90806 BS-30 ( 20 ) * * * - oppure altre sigle d ' identificazione relative a componenti aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 84.55 C * Componente costituite elemento logico-aritmetico di processore centrale ( CPU ) , costituito da non più di 9 tabelle a circuito stampato aventi ciascuna dimensioni massime di 290 × 3210 mm e su ciascuna delle quali sono montate non più di 121 porte di lettura e scrittura a libero accesso ( RAM/ECL ) , o combinazione di entrambe , inserite in una intelaiatura , di dimensioni non superiori a 611 × 501 × 596 mm , che serve da contenitore ed interconnessione tra le tabelle a circuito stampato e sulle quali è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni d cifre e lettere : * * * CO1B 2675 E 500 * * * CO1B 2675 H 500 * * * CO1B 2675 H 501 * * * CO1B 2675 H 502 * * * CO1B 2675 H 503 * * * CO1B 2675 H 504 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a componente avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 84.59 B * Parti di contenitori a pressione di reattori , forgiate in un solo pezzo , lavorate al tornio , di peso unitario superiore a 150 tonnellate * 0 * ex 84.61 B * Valvole idrauliche a 5 fasi di funzionamento , dotate di 2 valvole magnetiche con servocomando , costituite essenzialmente da 3 sezioni in materia plastica , destinate ad essere incorporate in apparecchi per la decalcificazione dell ' acqua con processo di rigenerazione automatico aventi capacità massima scambiatrice di ioni di 650 litri ( a ) * 0 * ex 84.63 D * Alberi di trasmissione di generatrici e turbine , fusi in un solo pezzo , forgiati e sgrossati , di peso unitario superiore a 180 tonnellate * 0 * ex 85.01 B I b ) * Motore a corrente continua senza spazzole , con rotore esterno di diametro di 55 mm al massimo , flangia di fissaggio di diametro di 77 mm e mandrino di precisione di diametro di 44 mm , avvolgimento a 4 fasi , velocità pari a 3 600 giri al minuto , tensione di alimentazione da 10,8 a 13,2 volt , con cavi e connettore * 0 * ex 85.01 B I b ) * Motore passo-passo di tipo ibrido , con angolo di passo di 0,9 gradi , 400 passi per rivoluzione , sequenza di rotazione a 4 fasi con avvolgimenti di tipo bipolare , costituito da un rotore , da statore laminato racchiuso tra due flange di sezione quadrata con lato di 40 mm al massimo , dotato di albero biterminato , con cavi e connettore * 0 ex 85.01 B I b ) * Motore a corrente continua senza spazzole , con piastra elettronica di controllo incorporata , rotore esterno a sezione circolare di diametro massimo di 95 mm , mozzo di precisione in alluminio con diametro interno di 28,6 mm , velocità di 300 giri al minuto e tensione di alimentazione di 12 volt ± 10 % * 0 * ex 85.21 A III e/o ex 85.21 A V * Tubi catodici a colori con maschera forata « tecnica Delta » o con « tecnica in linea » , con un angolo di deviazione diagonale di un massimo di 90° , con errori di convergenza agli angoli non superiore a 0,8 mm e una distanza massima di 0,4 mm tra i punti di colore * 0 * ex 95.21 A V * Tubi catodici a colori con maschera forata , tecnologia in linea , in cui le immagini s formano su uno schermo la cui superficie utile non supera 165 × 165 mm , destinati ad essere utilizzati in strumenti elettronici di volo , segnalatori di allarme e strumenti di indicazione dello stato di funzionamento degli impianto di bordo ( a ) * 0 * ex 85.21 A V * Indicatori consistenti in un tubo di vetro montato su una base le cui dimensioni non superano 350 × 300 mm , esclusi i terminali . Il tubo contiene una o più file di caratteri o scale disposte in file . Ciascuno dei caratteri o scale è composto di elementi fosforescenti o fluorescenti montati su una base metallizzata ricoperta di sostanze fluorescenti o sali fosforescenti che diventano luminosi quando sono colpiti da elettroni * 0 * ex 85.21 A V * Tubi catodici a colori con maschera forata , a tecnologia « Delta » , con una distanza massima tra i punti di colore di 0,31 mm , muniti di sistema per convergenza automatica * 0 * ex 85.21 A V * Tubi a raggi catodici com memoria ( Direct View storage tube ) per le riproduzione di dati alfanumerici ed analogici , muniti di un dispositivo di selzione per la lettura delle immagini * 0 * ex 85.21 D II * Indicatori digitali , composti da una tabella a circuito stampato , le cui dimensioni non sono superiori a 25 × 35 mm e con un coperchio di plastica , da un cifra , con os senza segni « + » e « - » , e/o da due punti decimali al massimo composti da 22 diodi luminosi a base di gallio semiconduttore al massimo * 0 * ex 85.21 D II * Indicatori digitali , composti da una tabella a circuito stampato , le cui dimensioni sono inferiori a 35 × 90 mm e una fila di caratteri non inferiore a 3 , composte da diodi luminosi fabbricati a base di gallio semiconduttore e montati sulla tabella . Ogni carattere è formato al massimo da 8 segmenti con o senza punti decimali . La fila di caratteri possiede un astuccio di plastica * 0 * ex 85.21 D II * Circuito integrato monolitico costituito da 8 elementi indipendenti capaci di comandare gli 8 segmenti e/o caratteri di un indicatore fluorescente o a gas , inserito in un contenitore di dimensioni massime di 23 × 7 mm , con 18 spinotti di connessione , al massimo , e sul quale contenitore è indicata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre qui di seguito indicate : * * * 513 * * * 514 * * * 534 * * * 594 * * * 6118 * * * 6128 * * * 6138 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra indicate * 0 * ex 85.21 D II * Memoria di sola lettura ( ROM ) , sotto forma di circuito integrato monolitico con capacità di 16 K × 8 bits con registro di lettura e controllo di uscita seriale inserito in un contenitore avente dimensioni massime di 50 × 16 mm con 40 spinotti al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una delle combinazioni di cifre da 62 000 a 62 999 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a ROM aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memoria di sola lettura , in tecnologia C/MOS ( C/MOS-ROM ) , avente capacità di memorizzazione di 256 Kbits , con potenza di riserva non superiore a 0,03 mA , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore di dimensioni massime di 17 × 50 mm , con 54 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere : * * * HN 61256 * * * HN 613256 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a C/MOS-ROM avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memoria di sola lettura , in tecnologia C/MOS ( C/MOS-ROM ) , avente capacità di memorizzazione di 1 megabit , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore di dimensioni massime di 17 × 39 mm con 28 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - la combinazione di cifre e lettere seguente : * * * HN 62301 P * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a C/MOS-ROM avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memoria di sola lettura , programmabile , non cancellabile ( PROM ) , prodotta secondo la tecnologia Schottky-TTL , avente capacità di memorizzazione di 2 Kbits , sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore di dimensioni massime di 17 × 39 mm , con 24 spinotti di connessione o punti di contatto al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una delle sigle di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre o cifre e lettere qui di seguito indicate : * * * 27 S 12 * 5305 * 6305 * 76 LS 03 * * * 27 S 13 * 5306 * 6306 * 7620 * * * * 5308 * 6308 * 7621 * * * 28 I 22 */ 5309 * 6309 * * * * 28 LA 22 * 53 S 240 * 63 S 240 * 82 S 114 * * * 28 L2 XMFC * 53 S 241 * 63 S 241 * 82 S 130 * * * * * 6335 * 82 S 131 * * * 29613 * 54 S 570 * 6336 * * * * 29770 * 54 S 571 * * 93436 * * * 29771 * * 7053 * 93446 * * * * 5604 * 7058 * * * * 38510 * 5624 * * MB 7115 * * * * * 74 S 570 * MB 7116 * * * * * 74 S 571 * MB 7117 * * * * * * MB 7118 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a PROM aventi le caratteristiche sopra descritte * 11,5 * ex 85.21 D II * Memoria programmabile di sola lettura non cancellabile ( PROM ) , avente capacità di memorizzazione di 4 Kbits , sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore avente dimensioni massime di 17 × 39 mm , con al massimo 24 spinotti di connessione o 28 punti contatto , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre o cifre e lettere qui di seguito indicate : * * * 18 S 42 * 29620 * 54 S 472 * 74 S 472 * * * 18 S 46 * 29621 * 54 S 473 * 74 S 473 * * * 18 SA 42 * 29622 * 54 S 474 * 74 S 474 * * * 18 SA 46 * 29623 * 54 S 475 * 74 S 475 * * * * 29624 * 54 S 476 * 74 S 476 * * * 24 S 41 * 29625 * 54 S 477 * 74 S 477 * * * 24 SA 41 * 29626 * 54 S 572 * 74 S 572 * * * * 29627 * 54 S 573 * 74 S 573 * * * 27 S 15 * * 54740 * * * * 27 S 25 * 3604 * 54741 * 7640 * * * 27 S 26 * 3624 * * 7641 * * * 27 S 27 * 3625 * 5605 * 7642 * * * 27 S 28 * * 5625 * 7643 * * * 27 S 29 * 38510 * * 7644 * * * 27 S 30 * * 6340 * 7645 * * * 27 S 31 * 5340 * 6341 * 7646 * * * 27 S 32 * 5341 * 63 S 440 * 7647 * * * 27 S 33 * 53 S 440 * 63 RA 441 * 7648 * * * * 53 RA 441 * 63 RS 441 * 7649 * * * 28 L 42 * 53 RS 441 * 63 S 441 * * * * 28 L 45 * 53 S 441 * 6348 * 82 HS 137 * * * 28 L 46 * 5348 * 6349 * 82 HS 147 * * * 28 P 42 * 5349 * 6350 * 82 S 115 * * * 28 P 45 * 5350 * 6351 * 82 S 136 * * * 28 R 45 * 5351 * 6352 * 82 S 137 * * * 28 S 4 XFD * 5352 * 6353 * 82 S 140 * * * 28 SA 41 * 5353 * * 82 S 141 * * * 28 S 42 * * HM 6641 * 82 S 142 * * * 28 SA 42 * * * 82 S 146 * * * 28 S 45 * * 7054 * 82 S 147 * * * 28 S 46 * * 7059 * * * * 28 SA 46 * * * 93438 * * * * * 7121 * 93448 * * * * * 7122 * 93452 * * * * * 7123 * 93453 * * * * * 7124 * * * * * * 7125 * * * * * * 7126 * * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a PROM aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memoria programmabile di sola lettura non cancellabile ( PROM ) , avente capacità di memorizzazione di 8 Kbits , sotto forma di circuito monolitico integrato , inserito in un contenitore avente dimensioni massime di 1 × 39 mm , con 24 spinotti di connessione o 28 punti contatto al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre o cifre e lettere qui di seguito indicate : * * * 24 S 81 * 3628 * 74 LS 478 * 82707 * * * 24 SA 81 * * 74 S 2708 * 82708 * * * 24 S 86 * 53802 * 74 S 454 * 82 HS 185 * * * * 5381 * 74 S 455 * 82 LS 180 * * * 27 S 180 * 5388 * 74 S 478 * 82 LS 181 * * * 27 S 181 * 5389 * 74 S 479 * 82 S 180 * * * 27 S 185 * 53 S 840 * * 82 S 181 * * * 27 S 35 * 53 S 841 * 7608 * 82 S 182 * * * * * 7680 * 82 S 183 * * * 28 L 85 * 54 LS 478 * 7681 * 82 S 184 * * * 28 L 86 * 54 S 2708 * 7684 * 82 S 185 * * * 28 P 85 * 54 S 454 * 7685 * 82 S 2708 * * * 28 R 35 * 54 S 455 * 7686 * * * * 28 R 85 * 54 S 478 * 7687 * 87 S 180 * * * 28 S 2708 * 54 S 479 * 7688 * 87 S 181 * * * 28 S 85 * * 7689 * 87 S 184 * * * 28 S 86 * 6380 * * 87 S 185 * * * 28 SA 86 * 6381 * 77 S 180 * 87 S 186 * * * 28 S 8 XMFE * 6388 * 77 S 181 * 87 S 187 * * * * 6389 * 77 S 184 * * * * 29623 * 63 S 840 * 77 S 185 * 93450 * * * 29630 * 63 S 841 * 77 S 186 * 93451 * * * 29631 * * 77 S 187 * 93460 * * * 29632 * 7050 * * 93461 * * * 29633 * 7055 * TBPS 81 M * 93465 * * * 29634 * 7060 * * 93466 * * * 29635 * * * 93 L 450 * * * 29636 * 7127 * * 93 L 451 * * * 29637 * 7128 * * * * * 29650 * 7129 * * 9460 * * * 29651 * 7130 * * * * * 29652 * 7131 * * * * * 29653 * 7132 * * * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a PROM aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memoria di sola lettura , programmabile e cancellabile ai raggi ultravioletti ( EPROM ) , avente capacità di memorizzazione di 2 Kbits , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore avente dimensioni non superiori a 17 × 39 mm , munito sulla faccia superiore di una finestra al quarzo , e sul quale è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre e lettere qui di seguito indicate : * * * B 1702 A * * * AMI 702 ADC * * * 82140 PP * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a PROM aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memoria di sola lettura , sotto forma di circuito integrato monolitico , programmabile , cancellabile ai raggi ultravioletti ( EPROM ) , avente capacità di memorizzazione di 16 K × 8 bits , inserita in un contenitore avente dimensioni massime 17 × 39 mm , munito sulla faccia superiore di una finestra al quarzo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la combinazione di cifre seguente : * * * 27128 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a EPROM aventi le caratteristiche sopra descritte * 8,5 * ex 85.21 D II * Memoria di sola lettura programmabile , cancellabile ai raggi ultravioletti ( EPROM ) , sotto forma di circuito integrato monolitico , con capacità di memorizzazione di 256 Kbits , inserito in un contenitore di dimensioni massime di 17 × 39 mm e con una finestra di quarzo sulla faccia superiore , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre o cifre e lettere : * * * D 27256 * * * 27256 * * * TMS 27256 JL * * * 27 C 256 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a EPROM avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * $ex 85.21 D II * Memoria di sola lettura , programmabile , cancellabile ai raggi ultravioletti ( EPROM ) , sotto forma di circuito integrato monolitico , consistente in un supporto a più strati , di dimensioni non superiori a 17 × 39 mm , sul quale sono montati un decodificatore , un condensatore disaccoppiante , 2 resistenze e 2 microplacchette ciascuna della quali dotata di una capacità di memorizzazione di 128 Kbits , con una capacità di memorizzazione complessiva di 256 Kbits , con 2 finestre di quarzo sulla faccia superiore , e sul quale supporto è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la combinazione di cifre e lettere seguente : * * * EDH 7832 MM-30 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a EPROM avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memoria di sola lettura , programmabili , cancellabili ai raggi monolitici , consistenti in un supporto a più strati , di dimensioni non superiori a 17 × 39 mm con 4 finestre di quarzo sulla faccia superiore , sul quale sono montati un decodificatore , un condensatore disaccoppiante e 4 microplacchette ciascuna delle quali dotata di una capacità di memorizzazione di 64 Kbits , con una capacità di memorizzazione complessiva di 256 Kbits , e sul quale supporto è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la combinazione di cifre e lettere seguenti : * * * EDH 7832 MC-35 * * * oppure un ' altra sigla identificazione relativa a EPROM avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memoria di sola lettura , programmabile , cancellabile elettricamente ( E²PROM ) , sotto forma di circuito integrato monolitico con capacità di memorizzazione di 256 bits , inserito in un contenitore di dimensioni non superiore a 10 × 12 mm , con 8 spinotti di connessione , al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la combinazione di cifre e lettere seguente : * * * NMC 9306 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa e E²PROM avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memoria di sola lettura , programmabile , cancellabile elettricamente ( E²PROM ) con capacità di memorizzazione di 4 Kbits , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 17 × 33 mm e 24 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la combinazione di cifre e lettere seguente : * * * X 2804 A * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa e E²PROM avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memoria di sola lettura , programmabile , cancellabile elettricamente ( E²PROM ) con capacità di memorizzazione di 16 Kbits , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 17 × 33 mm e 24 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la combinazione di cifre e lettere seguente : * * * X 2816 A * * * 52 B 13 * * * 52 B 13 H * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa e E²PROM avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memoria di sola lettura , programmabile , cancellabile elettricamente ( E²PROM ) con capacità di memorizzazione di 64 Kbits , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 17 × 39 mm e 28 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la combinazione di cifre e lettere seguente : * * * X 2864 A * * * MCM 2864 * * * 52 B 33 * * * 52 B 33 H * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa e E²PROM avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memoria di sola lettura , programmabile , cancellabile elettricamente ( E²PROM ) con capacità di memorizzazione di 128 Kbits , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 17 × 39 mm e 28 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la combinazione di cifre e lettere seguente : * * * X 28128 A * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa e E²PROM avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memoria di sola lettura , programmabile , cancellabile elettricamente ( E²PROM ) con capacità di memorizzazione di 256 Kbits , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 17 × 39 mm e 28 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la combinazione di cifre e lettere seguente : * * * X 28256 A * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa e E²PROM avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memoria dinamica di lettura e scrittura a libero accesso , realizzata con tecnologia N/MOS( N/MOS-D/RAM ) con capacità di memorizzazione di 256 K × 1 bit , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore di dimensioni non superano 17 × 34 mm con 20 spinotti di connessione al massimo o punti di contatto , e sul quale è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre o cifre e lettere qui di seguito indicate : * * * 41245 * * * PD 41256 D * * * TMM 41257 * * * TMM 4256 AP * * * TMM 4256 P * * * MCM 4256 S * * * TMS 4256 * * * TMS 4257 * * * MCM 4267 S * * * HM 50257 * * * MCM 6256 * * * 81256 * * * 81257 * * * 82256 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa N/MOS-D/RAM aventi le caratteristiche sopra descritte * 5 * ex 85.21 D II * Memoria dinamica di lettura e scrittura a libero accesso , realizzata con tecnologia N/MOS( N/MOS-D/RAM ) con capacità di memorizzazione di 64 K × 4 bits , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore di dimensioni non superano 17 × 34 mm con 20 spinotti di connessione al massimo o punti di contatto , e sul quale è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre o cifre e lettere qui di seguito indicate : * * * IMS 4464 NL * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa N/MOS-D/RAM aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memoria statica di lettura e scrittura a libero accesso , a tecnologia N/MOS , in cui l ' informazione viene memorizzata in elementi bistabili ( N/MOS-S/RAM ) con una capacità di memorizzazione di 256 × 4 bits , sotto forma di un circuito integrato monolitico inserito in un contenitore le cui dimensioni esterne non sono superiori a 17 × 39 mm , con 24 spinotti di connessione al massimo e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre o lettere qui di seguito indicate : * * * M 120 * * * 2101 * * * 21 H 01 * * * 2102 * * * 2111 * * * 21 H 11 * * * 2112 * * * 21 H 12 * * * 8101 * * * 8111 * * * 9101 * * * 91 L 01 * * * 9111 * * * 91 L 12 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa N/MOS-D/RAM aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memoria statica di lettura e scrittura a libero accesso , sotto forma di circuito integrato monolitico realizzata con tecnologia TTL ( TTL-S/RAM ) , avente capacità di memorizzazione di 1 Kbits , inserito in un contenitore avente dimensioni massime di 16 × 30 mm , con 22 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre o lettere qui di seguito indicate : * * * 2205 * * * 2510 * * * 2511 * * * 74 LS 214 * * * 74 LS 215 * * * 74 LS 314 * * * 74 LS 315 * * * 74 S 207 * * * 74 S 208 * * * 74 S 214 * * * 74 S 314 * * * 93 412 * * * 93 L 412 * * * 93415 * * * 93 L 415 * * * 93422 * * * 93 L 422 * * * 93425 * * * 93 F 425 * * * 93 L 425 * * * - oppure un ' altra sigla d ' identificazione relativa a TTL-S/RAM aventi le caratteristiche sopra indicate * 0 * ex 85.21 D II * Memoria statica di lettura e scrittura a libero accesso , realizzata con tecnologia H/MOS( H/MOS-D/RAM ) , sotto forma di circuito integrato monolitico con capacità di memorizzazione di 1 K × 4 bits con tempo di accesso non superiore a 70 nanosecondi , inserito in un contenitore le cui dimensioni esterne non sono superiori a 8 × 23 mm , con 18 spinotti di connessione al massimo o punti di contatto , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre e lettere qui di seguito indicate : * * * AM 2149 * * * PD 2149 * * * SY 2149 H * * * TMS 2149 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa H/MOS-S/RAM aventi le caratteristiche sopra descritte * 8,5 * ex 85.21 D II * Memoria statica di lettura e scrittura a libero accesso , realizzata con tecnologia C/MOS ( C/MOS-S/RAM ) , con una capacità di memorizzazione di 4 K × 1 bit , un tempo di accesso massimo non superiore a 70 nanosecondi e una corrente di alimentazione di riserva inferiore a 1 mA sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore le cui dimensioni esterne non sono superiori a 9 × 26 mm , con 18 spinotti di connessione al massimo , recante : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre o cifre e lettere seguenti : * 6147 * * * MCM 61 L 47 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa ai C/MOS-S/RAM aventi le caratteristiche sopra descritte * 4 ex 85.21 D II * Memoria statica , realizzata in tecnologia N/MOS , di scrittura e lettura a libero accesso , sotto forma di un circuito integrato monolitico ( N/MOS-S/RAM ) di capacità di memorizzazione di 8 Kbits , inserito in un contenitore avente dimensioni massime di 17 × 39 mm , con 24 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre o cifre e lettere qui di seguito indicate : * * * 4008 * * * 4118 * * * PD 421 * * * 4801 * * * 8104 * * * 8108 * * * 8112 * * * 8114 * * * 8185 * * * - oppure un ' altra sigla relativa a N/MOS-S/RAM aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memorie statiche di lettura e scrittura , a libero accesso , realizzate con tecnologia MOS ( MOS-S/RAM ) , sotto forma di circuiti integrati monolitici di una capacità di memorizzazione di 16 K × 1 bit , con tempo di accesso non superiore a 35 nanosecondi e potenza di riserva non superiore a 150 milliwatt , inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 16 × 33 mm e con 20 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere : * * * HM 6267 HP-35 * * * MCM 2016-35 * * * MB 81 C 67-35 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a memoria MOS-S/RAM avente le caratteristiche sopra descritte * 8,5 * ex 85.21 D II * Memorie statiche di lettura e scrittura a libero accesso , realizzate con tecnologia N/MOS ( N/MOS-S/RAM ) , sotto forma di circuiti integrati monolitici , aventi capacità di memorizzazione di 2 K × 8 bits e tempo di accesso non superiore a 45 nanosecondi , inseriti in un contenitore di dimensioni non superiori a 16 × 33 mm con 24 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre o cifre e lettere seguenti : * * * TMM 2018 H-35 * * * TMM 2018 H-35 * * * 65161 * * * 65162 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a memoria N/MOS-S/RAM avente le caratteristiche sopra descritte * 8,5 * ex 85.21 D II * Memoria statica di lettura e scrittura a libero accesso , sotto forma di circuito integrato monolitico , realizzato con tecnologia C/MOS ( C/MOS-S/RAM ) , di capacità di memorizzazione di 24 K × 81 bits e con potenza massima di riserva di 0,025 milliwatt a 25° C , inserita in un contenitore avente dimensioni massime di 33 × 17 mm e con 24 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre o cifre e lettere seguenti : * * * TC 5516 A * * * TC 5517 A * * * MB 8416-20 L * * * MB 8416-25 L * * * MB 8417-20 L * * * MB 8417-25 L * * * MB 8418-20 L * * * MB 8418-25 L * * * - oppure un ' altra sigla d ' identificazione relativa a C/MOS-S/RAM aventi le caratteristiche sopra descritte * 8,5 * ex 85.21 D II * Memoria statica di lettura e scrittura a libero accesso , realizzata con tecnologia C/MOS ( C/MOS-S/RAM ) con capacità di memorizzazione di 64 Kbits , sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore avente dimensioni massime di 18 × 39 mm con 28 spinotti di connessione al massimo e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre e lettere seguenti : * * * TC 5564 * * * TC 5565 C * * * HM 6264 P-12 * * * HM 6264 P-15 * * * MB 8464 * * * MCM 6164 * * * 6264 LFP-15 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a C/MOS-S/RAM aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memoria statica di lettura-scrittura ad accesso causale , realizzata con tecnologia N/MOS ( N/MOS-S/RAM ) , sotto forma di circuito integrato monolitico , costituito da due supporti sovrapposti muniti ciascuno di 2 microplacchette aventi ciascuna una capacità di memorizzazione di 2 Kbits , con una capacità di memorizzazione complessiva di 8 K × 1 bit o 4 K × 2 bits , racchiusi in un contenitore di dimensione massime esterne non superiori a 13 × 13 mm con 23 spinotti di connessione al massimo , e sul quale è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre seguenti : * * * 4598601 * * * 5121850 * * * 5121934 * * * 5121935 * * * 5122148 * * * 5123059 * * * 5123120 * * * 5123128 * * * 5123129 * * * 5123337 * * * 5123339 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a N/MOS-S/RAM avente le caratteristiche sopra indicate * 0 * ex 85.21 D II * Memoria statica di lettura-scrittura a libero accesso , statico , realizzata con tecnologia C/MOS ( C/MOS-S/RAM ) , sotto forma di circuito integrato monolitico , consistente in un supporti a più strati di dimensioni non superiori a 17 × 39 mm con non più di 28 spinotti di connessione , sul quale sono montati un decodificatore , un condensatore disaccoppiante e 2 microplacchette ciascuna delle quali docata di una capacità d memorizzazione di 16 Kbits con una capacità di memorizzazione complessiva di 32 Kbits , e sul quale è riportata : * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre e lettere seguenti : * * * EDH 8804 C-20 * * * EDH 8804 CL-20 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a C/MOS-S/RAM avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memorie statiche di lettura-scrittura ad accesso casuale , di tecnologia C/MOS ( C/MOS-S/RAM ) , sotto forma di circuiti integrati monolitici consistenti in un supporto a più strati , le cui dimensioni esterne non superano 17 × 39 mm , sul quale sono montati un decodificatore , un condensatore disaccoppiante e quattro microplacchette , ciascuna delle quali con capacità di memorizzazione di 16 Kbits e con una capacità di memorizzazione complessiva di 64 Kbits con 28 spinotti di connessione al massimo , e sul quale è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre e lettere seguenti : * * * EDH 8808 B-20 * * * EDH 8808 C-10 * * * EDH 8808 C-12 * * * EDH 8808 C-15 * * * EDH 8808 C-20 * * * EDH 8808 CL-15 * * * EDH 8808 CL-20 * * * - oppure altre sigle di identificazione relative a C/MOS-S/RAM aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memorie statiche di lettura-scrittura a libero accesso , di tecnologia C/MOS ( C/MOS-S/RAM ) , sotto forma di circuiti monolitici integrati consistenti in un supporto a più strati le cui dimensioni esterne non superano 17 × 39 mm , sul quale sono montati un decodificatore , un condensatore disaccoppiante e quattro microplacchette , ciascuna delle quali dotata di una capacità di memoria di 64 Kbits e con una capacità di memorizzazione complessiva di 256 Kbits con 28 spinotti di connessione al massimo , e sul quale è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre e lettere seguenti : * * * EDH 8832 MC-20 * * * - oppure altre sigle di identificazione relative a C/MOS-S/RAM aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Circuito integrato monolitico , costituito da memoria statica di lettura e scrittura a libero accesso ( S/RAM ) avente capacità di memorizzazione di 256 bits sovrapposti bit , per bit a memoria programmabile di sola lettura cancellabile elettricamente ( E²PROM ) , inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 8 × 24 mm , con 18 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere : * * * X 2210 * * * X 2443 * * * X 2444 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a S/RAM-E²PROM avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Circuito integrato monolitico costituito da memoria statica di lettura e scrittura a libero accesso ( S/RAM ) con capacità di memorizzazione di 1 Kbits sovrapposti bit per bit a memoria programmabile , cancellabile elettricamente ( E²PROM ) , inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 8 × 24 mm , con 18 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere : * * * X 2001 * * * X 2201 A * * * X 2212 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a S/RAM-E²PROM avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Circuito integrato monolitico costituito da memoria statica di lettura e scrittura a libero accesso ( S/RAM ) con capacità di memorizzazione di 2 Kbits sovrapposti bit per bit a memoria programmabile , cancellabile elettricamente ( E²PROM ) , inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 8 × 24 mm , con 18 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una la seguente combinazione di cifre e lettere : * * * X 2002 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a S/RAM-E²PROM avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Circuito integrato monolitico costituito da memoria statica di lettura e scrittura a libero accesso ( S/RAM ) con capacità di memorizzazione di 4 Kbits sovrapposti bit per bit a memoria programmabile , cancellabile elettricamente ( E²PROM ) , inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 8 × 24 mm , con 18 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una la seguente combinazione di cifre e lettere : * * * X 2004 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a S/RAM-E²PROM avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * memoria quasi-statica di lettura e scrittura a libero accesso , realizzata con tecnologia N/MOS-S/RAM Quasi-Static , sotto forma di circuito integrato monolitico , costituito da 2 supporti sovrapposti munito ciascuno di 2 microplacchette aventi ciascuna una capacità di memorizzazione di Kbits , con capacità di memorizzazione complessiva di 16 × 1 bit o 8 K × 2 bits , inserito in un contenitore di dimensioni massime esterne non superiori a 13 × 13 mm , con 24 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in a comprendente una delle combinazioni di cifre seguenti : * * * 4599766 * * * 4599767 * * * 4599768 * * * 4599769 * * * 4599770 * * * 4599771 * * * 4599772 * * * 4599773 * * * 4599774 * * * 4599893 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a N/MOS-S/RAM Quasi-Static avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memoria di lettura o scrittura a libero accesso , realizzata con tecnologia ECL/ECLRAM con capacità di memorizzazione di 1 K × 4 bits , sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore di dimensioni massime di 10 × 10 mm , con 24 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in a comprendente una delle combinazioni di cifre o cifre e lettere seguenti : * * * PB 10474 * * * 100474 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a ECL-RAM aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memorie , sotto forma di circuiti integrati monolitici , costituite da un supporto a più strati avente dimensioni massime di 17 × 39 mm con non più di 28 spinotti di connessione sul quale sono montati un decodificatore , un condensatore disaccoppiante , 2 resistenze , 1 memoria di sola lettura cancellabile ai raggi ultravioletti ( EPROM ) dotata di capacità di memorizzazione di 64 Kbits e una finestra di quarzo sulla faccia superiore , 2 memorie statiche di lettura-scrittura a libero accesso , in tecnologi C/MOS ( C/MOS-S/RAM ) , aventi ciascuna una capacità di memorizzazione di 64 Kbits con capacità di memorizzazione complessiva di 128 Kbits , e sul quale supporto è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere : * * * EDH 90804 BS-25 ( 15 ) * * * EDH 90804 BS-30 ( 20 ) * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a memorie aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Memorie , sotto forma di circuiti integrati monolitici , costituite da un supporto a più strati avente dimensioni massime di 17 × 39 mm e sul quale montati un condensatore disaccoppiante , un decodificatore , 2 resistenze , 2 memorie di sola lettura cancellabile ai raggi ultravioletti ( EPROM ) , aventi ciascuna una capacità di memorizzazione di 64 Kbits con una capacità di memorizzazione complessiva di 1286 Kbits e 2 memorie statiche di lettura-scrittura a libero accesso , realizzate in tecnologia C/MOS ( C/MOS-S/RAM ) aventi ciascuno una capacità di memorizzazione di 64 Kbits con capacità di memorizzazione complessiva di 128 Kbits , con due finestre di quarzo sulla faccia superiore , e sul quale supporto è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere : * * * EDH 91616 CL-30 ( 20 ) * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a memorie aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Rete logica programmabile ( PAL ) parzialmente dall ' utilizzatore , realizzata con tecnologia bipolare , con collegamenti dotati di fusibili , una schiera programmabile AND , una schiera fissa OR , un massimo di 20 ingressi e 10 uscite , con o senza registri , sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore avente dimensioni non superiori a 19 × 39 mm , con 28 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre e lettere seguenti : * * 10 H 8 * * * 10 L 8 * * * 12 H 6 * * * 12 L 6 * * * 12 L 10 * * * 14 H 4 * * * 14 L 4 * * * 14 L 8 * * * 16 A 4 * * * 16 C 1 * * * 16 H 2 * * * 16 L 2 * * * 16 L 6 * * * 16 L 8 * * * 16 R 4 * * * 16 R 6 * * * 16 R 8 * * * 16 X 4 * * * 18 L 4 * * * 20 C 1 * * * 20 L 2 * * * 20 L 10 * * * 20 X 4 * * * 20 X 8 * * * 20 X 10 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a PAL aventi le caratteristiche sopra descritte * 5 * ex 85.21 D II * Circuito logico programmabile , non cancellabile ( FPLA ) , realizzato con tecnologia TTL-Schottky , con non più di 48 funzioni AND , non più di 8 funzioni OR e non più di 16 ingressi , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore di dimensioni massime di 17 × 39 mm , con 28 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre o cifre e lettere : * * * FP 54 AS 839 * * * FP 54 AS 840 * * * SN 54 LS 333 * * * SN 54 LS 334 * * * SN 54 LS 335 * * * SN 54 LS 336 * * * FP 74 AS 839 * * * FP 74 AS 840 * * * SN 74 LS 333 * * * SN 74 LS 334 * * * SN 74 LS 335 * * * SN 74 LS 336 * * * 82 S 100 * * * 82 S 101 * * * 93458 * * * 93459 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a FPAL avente le caratteristiche sopra descritte * 5 * ex 85.21 D II * Rete di porte programmate ( Gate Array ) , non programmabile dall ' utilizzatore , realizzata con la tecnologia C/MOS , avente almeno 8 000 funzioni NAND a due ingressi , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore avente dimensioni non superiori a 39 × 39 mm con 179 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la combinazioni di cifre o lettere seguente : * * * MB 66000 VH * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a GATE ARRAY aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Microelaboratore monochip , costituito da una unità aritmetica a 4 bits , da una memoria di sola lettura ( ROM ) di capacità di memorizzazione da 18 Kbits a 65 Kbits e una memoria di scrittura e lettura a libero accesso ( RAM ) con capacità di memorizzazioni da 512 bits a 4 Kbits , sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore avente dimensioni non superiore a 17 × 58 mm e con 80 spinotti di concessione al massimo, e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere : * * * CD 3200 - 3299 * * * TMC 0270 - 0279 * * * TMC 0500 - 0599 * * * TMC 0980 - 0989 * * * TMC 1500 - 1599 * * * TMC 1980 - 1999 * * * TP 0310 - 03299 * * * TP 0450 - 04599 * * * TP 0480 - 05999 * * * HD 38800 * * * HD 38820 * * * HD 44796 * * * HD 44800 * * * HD 44801 * * * HD 44820 * * * HD 44840 * * * HD 44860 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a micoroelaboratori monochips aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Circuito realizzato in tecnologia H/MOS che esercita la funzione di CPU ( Central Processor Unit ) costituito da una memoria di servizio di 16 × 16 bits , una memoria di servizio di 16 × 20 bits , una memoria di servizio di 32 × 32 bits , una memoria di servizio di 8 × 8 bits , un registro a 16 bits , due registri a 20 bits , un registro a 8 bits , un registro a 12 bits , un contatore a 5 bits , una rete di temporizzazione , sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore di dimensioni massime di 25 × 25 mm , con 68 spinotti di connessione al massimo , e sul quale è riportata : * * * - la sigla di identificazione LSI-604041855 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a circuito avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Unità di controllo di rete in area locale per risolvere problemi di contesa , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore le cui dimensioni esterne non superano 53 × 16 mm , con 48 spinotti di connessione al massimo , e sul quale è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre o cifre e lettere seguenti : * * * MCM 68590 * * * AM 7990 * * * 8001 * * * 8003 * * * 82586 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa ad unità di controllo di rete di area locale per risolvere problemi di contesa aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Circuito elettronico di interfaccia ( DMA-Controller ) , con tecnologia N/MOS , sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore di dimensioni massime di 23 × 82 mm , con 64 spinotti di connessione al massimo e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre o cifre e lettere seguenti : * * * HD 6844 * * * HD 68 A 44 * * * HD 68 B 44 * * * HD 68450 - 4 * * * HD 68450 - 6 * * * HD 68450 - 8 * * * 8237 * * * 8257 * * * AM 9517 A * * * CO 21698 * * * MCM 68440 * * * MCM 68450 * * * - oppure un ' altra sigla d ' identificazione relativa a DMA-Controller avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Circuito di controllo per video grafico a colori ( GDC ) con capacità di gestire una memoria di 256 K parole da 16 bits , sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore con dimensioni esterne massime di 15 × 52 mm , con 40 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la combinazioni di cifre e lettere seguente : * * * PD 7220 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a circuiti di controllo GDC aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Circuito di controllo per unità magnetiche a dischi rigidi , in tecnologia N/MOS ( N/MOS-HDC ) sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore avente dimensioni esterne non superiori a 15 × 53 mm , con 40 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre e lettere seguenti : * * * WD 1010 * * * PD 7261 * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti di controllo N/MOS-HDC aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Circuito realizzato in tecnologia MOS ( MOS-MPCC ) , per la trasmissione e ricezione di dati in modo sincrono , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore avente dimensioni massime di 54 × 16 mm , con 40 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre : * * * 16456 * * * 2652 * * * 68652 * * * 8273 * * * 8274 * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a MPCC - MOS avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Unità aritmetico-logica realizzata con tecnologia H/MOS costituita da 1 registro da 32 bits , 1 registro da 24 bits , 1 registro da 4 bits , 12 registri da 1 bits , 2 memorie di servizio da 16 × 24 bits , reti in grado di eseguire operazioni aritmetiche e logiche , una logica di decodifica , una logica di diagnostica e gestione di errore , un contatore a 8 bits , una rete di temporizzazione , sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore di dimensioni massime di 82 × 23 mm , con 64 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - la sigla di identificazione ALU 0486 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a unità aritmetico-logica avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Circuito di controllo logico , realizzato con tecnologia H/MOS costituito da 1 registro da 7 bits , da 3 timers ( contatori ) , un multiplexer ( selezionatore ) , reti sequenziali e combinatorie atte ad eseguire operazioni di controllo , una logica di decodifica , una logica di diagnostica e gestione di errore , una rete di temporizzazione , sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore di dimensioni massime di 82 × 23 mm , con 64 spinotti di connessione , al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - la sigla di identificazione MIC 0482 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a circuito avente le caratteristiche sopra indicate * 0 * ex 85.21 D II * Circuito realizzato in tecnologia H/MOS per la generazione di segnali di temporizzazione per l ' unità centrale , per la memoria principale e per le interfacce di ingresso-uscita , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in contenitore di dimensioni massime di 25 × 25 mm , con 68 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - la sigla di identificazione H 108982 ( MCC ) * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a circuito logico H/MOS avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Circuito di controllo di sequenze , realizzato con tecnologia H/MOS , costituito da 1 registro da 32 bits , 3 registri da 16 bits , una memoria di servizio di 16 registri da 16 bits , una memoria LIFO da 7 × 17 bits , un addizionatore , una logica di decodifica , una logica di gestione delle interruzioni , una logica di diagnostica e di gestione di errore , un selezionatore ( multiplexer ) a 16 bits , un contatore a 8 bits , una rete di temporizzazione , sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore di dimensioni massime 82 × 23 mm , con 64 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - la sigla di identificazione CSS 0484 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Circuito elettronico in tecnologia bipolare , capace di rilevare e di correggere errori logici ( ECDU ) sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore di dimensioni massime di 62 × 16 mm , con 48 spinotti di connessione al massimo , e sul quale è riportata ; * * PER LA CONTINUAZIONE DEL TESTO VEDI SOTTO NUMERO : 384R3385.1 * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre o cifre e lettere : * * * 2960 * * * 74 F 630 * * * 74 F 631 * * * DP 8400 * * * 74 LS 630 * * * 74 LS 631 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a ECDU avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Circuito p er il rilevamento e la correzione di errori , in tecnologia H/MOS , capace di rilevare e correggere errori di bits isolati e di rilevare tutti gli errori in coppie di bits , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore di dimensioni esterne non superiori a 25 × 25 mm , con 68 spinotti di connessione al massimo , e avente : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre : * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a circuiti di rilevamento e correzione di errori e avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Circuito logico , realizzato in tecnologia H/MOS , facente la funzione di rilevamento e correzione di errori multipli ( BEP ) , provenienti da una linea di dischi magnetici sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore di dimensioni massime di 16 × 54 mm , con 40 spinotti di connessione al massimo , e sul quale è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazione di cifre e lettere : * * * Z 8065 * * * AM 9520 * * * AM 9521 * * * - oppure altra sigla di identificazione relativa a BEP/H-MOS avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Circuito elettronico di controllo , realizzato in tecnologia bipolare , per il pilotaggio di memorie dinamiche ( D/RAM ) con capacità di multiplexing degli indirizzi e di generazione di impulsi , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore avente dimensioni non superiori a 17 × 62 mm con 48 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazione di cifre e lettere : * * * DP 8408 * * * DP 8409 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a circuiti elettronici di controllo e aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Circuito elettroniche programmabili per la trasmissione dei dati ( « PCI » ) , realizzato in tecnologia N/MOS , sotto forma di circuito monolitico integrato , inserito in un contenitore avente dimensioni massime di 17 × 39 mm , con 28 spinotti di connessione al massimo , e sul quale è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere : * * * 8251 A * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a PCI-N/MOS aventi le caratteristiche sopra descritte * 11, 5 * ex 85.21 D II * Circuito elettronico di comunicazione per interfaccia fra un microprocessore e una linea dati ( EPCI ) sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore avente dimensioni massime di 16 × 38 mm , con 28 contatti al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre : * * * 2661 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a EPCI aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * 85.21 D II * Interfaccia seriale in grado di codificare e decodificare il flusso di dati , nonchù di svolgere le relative funzioni di controllo per una rete in area locale , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore le cui dimensioni esterne non superano 16 ã 33 mm , con 24 spinotti di connessione al massimo , e recante : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazione di cifre o cifre e lettere seguenti : * * * AM 7991 * * * 8002 * * * 8023 * * * 82501 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa ai dispositivi interfaccia seriali aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * 85.21 D II * Orologio elettronico programmabile , realizzato con tecnologia N/MOS ( N/MOS-PIT ) , sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitor di dimensioni massime di 17 × 39 mm , con 24 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione comprendente la combinazione di cifre seguente : * * * 8253 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a N/MOS-PIT aventi le caratteristiche sopra descritte * 11,5 * 85.21 D II * Circuito-orlogio C/MOS , sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore avente dimensioni esterne massime di 16 × 54 mm , con 42 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazione di cifre e lettere : * * * HI 2060 * * * HI 2065 * * * T 3605 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a circuiti-orlogi C/MOS aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * * Tale circuito è destinato alla fabbricazione di t emporizzatori automatici e orologi da cruscotto e simili , per autoveicoli e motocicli ( a ) * 0 * 85.21 D II * Circuito-orlogio , realizzato con tecnologia C/MOS , funzionante con una tensione di alimentazione unica di 1,5 V munito di indicatori ( driver ) a cristalli liquidi sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore di dimensioni massime di 15 × 21 mm , con 56 contatti al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la combinazione di cifre e lettere seguente : * * * TC 8219 AF * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a circuito-orlogio C/MOS avente le caratteristiche sopra indicate * 0 * 85.21 D II * Circuito-orlogio P/MOS / 12/24 h comprendente un misuratore del tempo trascorso , in forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore le cui dimensioni esterne non superano i 54 × 14 mm n con 42 spinotti di connessione al massimo , e recante : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre e lettere seguenti : * * * MM 53124 * * * LM 8363 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a circuiti-orlogi aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * 85.21 D II * Amplificatori sotto forma di circuito integrato monolitico analogico , inserito in un contenitore avente dimensioni massime di 2 × 4 × 4 mm , con 10 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle combinazioni di cifre e lettere qui di seguito indicate : * * * V 35 * * * C 05 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa ad amplificatore avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * * Tale amplificatore è destinato alla fabricazione della sottovoce 90.19 B I ( a ) * * ex 85.21 D II * Trasmettitori-ricevitori a quattro canali ( QUAD BUS ) in tecnologia ALPS , con un registro di tipo D e un dispositivo interno di controllo ODD a 4 bits , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 9 × 28 mm , con non più di 20 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere : * * * AM 2907 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a trasmettitore-ricevitore ALPS avente le caratteristiche sopra indicate * 0 * ex 85.21 D II * Driver a quattro linee , realizzato in tecnologia ALPS , sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore avente dimensioni non superiori a 20 × 7 mm con 16 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazione di cifre e lettere : * * * AM 26LS29 * * * SN 75172 * * * SN 75174 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a Driver/ALPS avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Microprocessore di 16 bits realizzato in tecnologia bipolare , sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore avente dimensioni non superiori a 67 × 24 mm con 52 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere : * * * AM 29116 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a microprocessore avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Unità di elaborazione dati numerici ( NPX ) , realizzata in tecnologia H/MOS , contenente non più di 14 registri , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore avente dimensioni non superiori a 15 × 52 mm con 40 spinotti di connessione al massimo e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre o cifre e lettere : * * * C 8087-3 , * * * 8087-2 , * * * 80287 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a unità di elaborazione NPX-H/MOS avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Circuito separatore di dati per dischi flessibili ( FDDS ) sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore avente dimensioni non superiori a 8 × 10 mm con 8 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere : * * * FDC 9216 * * * FDC 9216-B * * * WD 9216-00 * * * WD 9216-01 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a circuito FDDS avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Sintetizzatore vocale , in tecnologia C/MOS ( C/MOS-PSS ) , con corrente di alimentazione di intensità inferiore a 10 mA , sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 17 × 39 mm , con 24 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere : * * * SC 01 * * * SSI 263 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a sintetizzatore vocale C/MOS-PSS avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Convertitore video analogico digitale ( VDAC ) a 3 canali , con capacità per ogni canale non superiore a 8 bits , con tempo massimo di conversione non superiore a 25 nanosecondi , sotto forma di circuito integrato ibrido avente o non incorporato 3 memorie di lettura e scrittura a libero accesso ( RAM ) con capacità di memorizzazione di ciascuna menoria non superiori a 2 Kbits inserito in un contenitore le cui dimensioni esterne non superano 54 × 62 mm con 61 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere : * * * VDAC 444 TD * * * RGB DAC 4 T * * * RGB DAC 8 E * * * RGB DAC 8 T * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a convertitori VDAC a 3 canali aventi le caratteristische sopra descritte * 0 * ex 85.21 D * Amplificatori elettronici per segnali che vanno da 0 a non meno di 400 MHz , sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore avente dimensioni massime di 11 × 11 mm , con 16 spinotti di connessione al massimo , sul quale è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la combinazione di cifre seguente : * * * 0078-10 * * * - oppure un ' altra sigle di identificazione relativa ad amplificatore avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D * Memorie di lettura-scrittura a libero accesso in tecnologia bipolare ( S/RAM ) , sotto forma di circuiti integrati monolitici , con capacità di memorizzazione di 64 × 9 bits , inseriti in un contenitore di dimensioni non superiori a 15 × 40 mm con 28 spinotti di connessione al massimo e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere : * * * 82 S 09 * * * - oppure un ' altra sigla d ' identificazione relativa a memorie S/RAM aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Microelaboratore a 16 bit realizzato in tecnologia H/MOS , sotto forma di circuito integrato monolitico , costituito di un CPU ( Central Processor Unit ) temporizzatori , 2 canali DMA indipendenti , una unità programmabile di controllo delle interruzioni ( interrupt controller ) , 3 orologi programmabile a 16 bit , un generatore programmabile di stato d ' attesa , una logica esterna al chip e una unità di BUS , inserito in un contenitore di dimensioni massime di 25 × 25 mm , con 68 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla d ' identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere : * * * C 80186 * * * - oppure un ' altra sigla d ' identificazione relativa al microelaboratore a 16 bit avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Circuito elettronico , realizzato in tecnologia bipolare , per il pilotaggio di memorie dinamiche ottali , sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore di dimensioni massime di 16 × 33 mm , con 20 spinotti di connessione al massimo e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla d ' identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere : * * * AM 2965 * * * AM 2966 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa e circuito elettronico avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Circuito di interfaccia BUS ( BUS Interface Circuits ) realizzato in tecnologia bipolare , sotto forma di circuito integrato monolitico , contenente registri a 9 o a 10 bits , inserito in un contenitore di esterne non superiori a 9 × 34 mm e con 24 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla d ' identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere : * * * AM 29821 * AM 29843 * * * AM 29823 * AM 29844 * * * AM 29824 * * * - oppure un ' altra sigla d ' identificazione relativa ai circuiti di interfaccia BUS aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Circuito interfaccia a BUS multiplo , in tecnologia LPS , per l ' interfaccia tra une unità capace di rilevare e correggere errori logici in un sistema di trasferimenti dati e memorie dinamiche di lettura scrittura a libero accesso ( D/RAM ) sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore di dimensioni esterne non superiori a 9 × 34 mm e con 24 spinotti di connessione al massimo e sul quale contenitore è riportata : * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere : * AM 2961 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a circuiti interfaccia aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Unità di controllo dello stato e dello scorrimento , realizzata in tecnologia bipolare , sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore di dimensioni esterne non superiori a 16 × 57 mm con 42 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere : * * * AM 2904 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a unità di controllo avente le caratteristiche * 0 * ex 85.21 D II * Amplificatore sotto forma di circuito monolitico integrato analogico con dimensioni non superiori a 3 × 3 mm , destinato alla fabbricazione di prodotti della sottovoce 90.19 B I ( a ) * 0 * ex 85.21 D II * Coprocessore , sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore avente dimensioni massime di 25 × 25 mm con non più di 68 spinotti di connessione e sul quale è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente le seguente combinazione di cifre e lettere : * * C 82 730 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a coprocessore avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Microelaboratore monochip di una unità logica aritmetica ( ALU ) a 8 bits , una memoria di sola lettura programmabile e cancellabile ai raggi ultravioletti ( EPROM ) con capacità di memorizzazione di 32 Kbits , una memoria di lettura e scrittura a libero accesso ( RAM ) con capacità di memorizzazione di 1 Kbit , 2 contatori a 16 bits , sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore di dimensioni massime si 15 × 50 mm e con 40 spinotti di connessione al massimo ed una finestra di quarzo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre * * * 8751 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a microelaboratore monochip avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Circuito di segnali audio di trasmissione dati ( SLAC ) , con 2 processori a segnale digitale , 1 convertitore analogico-digitale e 1 convertitore digitale-analogico , sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 17 × 39 mm e con 28 spinotti di connessione al massimo , e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre o lettere : * * * AM 7901 * * * AM 7905 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a circuiti SLAC aventi le caratteristiche sopra descritte * 8,5 * ex 85.21 D II * Circuito integrato monolitico per la modulazione di impulsi in codice ( PCM ) , in tecnologia N/MOS , con funzioni di codificazione , decodificazione e filtro , con velocità massima di elaborazione superiore a 3,5 MHz , inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 8 × 26 mm e con 20 spinotti di connessione al massimo e sul quale è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la combinazione di cifre seguente * * * 2913 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a circuiti PCM aventi le caratteristiche sopra descritte * 8,5 * ex 85.21 D II * Memoria statica , non volatile , di lettura e scrittura e libero accesso , realizzata in tecnologia C/MOS ( C/MOS-S/RAM non volatile ) , con capacità di memorizzazione di 16 Kbits e munita di fonte di energia interna , sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore avente dimensioni massime di 17 × 33 mm con non più di 28 spinotti di connessione e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere : * * * MK 48 Z 02 ( B ) * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a memoria S/RAM non volatile avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Microelaboratore monochip realizzato con tecnologia C/MOS , sotto forma di circuito integrato monolitico , costituito da una unità aritmetica logica a 32 bit , da una memoria di sola lettura ( ROM ) avente capacità di memorizzazione di 24 Kbits e memoria di lettura e scrittura a libero accesso ( RAM ) avente capacità di memorizzazione di Kbits , inserito in un dimensioni non inferiori a 30 × 30 mm con almeno 88 spinotti di connessione e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla d ' identificazione consistente in o comprendente la combinazione di cifre e lettere seguente : * * * MB 8764 * * * - oppure un ' altra sigla d ' identificazione relativa a microelaboratore monochip avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Circuito elettronico di interfaccia per linea telefonica fra l ' ufficio centrale e un terminale ( SLIC ) , con comando diretto interno a relè , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore con non più di 28 spinotti di connessione aventi dimensioni massime di 18 × 39 mm e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla d ' identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere : * * * 5502 * * * ICME 00 155/RIFA ( PBL ) 3735 * * * - oppure un ' altra sigla d ' identificazione relativa a circuiti interfaccia SLIC aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Circuito elettronico di controllo dei dati ingresso/uscita , realizzato in tecnologia N/MOS , munito di una rete di temporizzazione e di una memoria statica di lettura e scrittura a libero accesso ( S/RAM ) con capacità di memorizzazione di 128 × 8 bits , sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore le cui dimensioni esterne non superano 16 × 54 mm con non più di 40 spinotti di connessione e sul quale è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprende una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere : * * * 6532 * * * CO 10750 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a circuito avente le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Circuito di pilotaggio di motori passo-passo , a 4 canali , con diodi incorporati , sotto forma di circuito integrato monolitico , a tecnologia bipolare , inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 6 × 20 mm , con 16 spinotti di connessione al massimo e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere : * * * HA 13007 * * * 75437 A * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a circuiti di pilotaggio motori aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Circuito integrato monolitico , analogico-digitale , in grado di controllare motori brushless mantenondone costante la velocità , inserito in un contenitore avente dimensioni non superiori a 6 × 25 mm , con 18 spinotti di connessione al massimo , sul quale contenitore è riprotata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la combinazione di cifre e lettere seguente : * * * MGA 3015 A * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche * 0 * ex 85.21 D II * Circuito integrato monolitico analogico-digitale , realizzato con tecnologia bipolare , per segnali di interfaccia tra l ' unità periferica di memoria a dischi e l ' unità centrale , inserito in un contenitore avente dimensioni massime di 15 × 50 mm , con 40 spinotti di connessione al massimo , e quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la combinazione di cifre e lettere seguente * * * AD 581 C * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a circuiti integrati aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Circuito moltiplicatore di tensione in grado di comandare dei motori passo-passo , sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore di dimensioni massime di 6 × 24 mm , con 20 spinotti di connessione al massimo e sul quale contenitore è riportata : * * * - una sigla di identificazione consistente in o comprendente la combinazione di cifre e lettere seguente : * * * P 20 A579 * * * - oppure un ' altra sigla di identificazione relativa a circuiti moltiplicatori di tensione aventi le caratteristiche sopra descritte * 0 * ex 85.21 D II * Circuito di gestione della memoria ( MMU ) , realizzato in tecnologia H/MOS con capacità di indirizzarsi e memoria fino a 16 MByte , sotto forma di circuito integrato monolitico , inserito in un contenitore di dimensioni esterne non superiori a 82 × 25 mm con non più di 68 aree di contatto o 64 spinotti di connessione e sul quale è riportata : * * * - una sigla di identificazione cons