3A001

Prodotti elettronici, come segue: a. circuiti integrati di uso generale, come segue: Nota I circuiti integrati comprendono i tipi seguenti: — "circuiti integrati monolitici", — "circuiti integrati ibridi", — "circuiti integrati multichip", — "circuiti integrati a film" compresi i circuiti integrati di silicio su zaffiro; — "circuiti integrati ottici"; — "circuiti integrati tridimensionali"; — "circuiti integrati monolitici a microonde" ("mMIC"). 1. circuiti integrati progettati o previsti come circuiti resistenti alle radiazioni per sopportare: a. una dose totale di 5 × 103 Gy (silicio) o più; b. un tasso della dose di 5 × 106 Gy (silicio)/s o più; o c. una fluenza (flusso integrato) di neutroni (1 MeV equivalente) di 5 × 1013 n/cm2 o superiore sul silicio, o il valore equivalente per altri materiali; Nota: 3A001.a.1.c. non sottopone ad autorizzazione i metalli isolanti semiconduttori (MIS). 2. "microcircuiti microprocessori", "microcircuiti microcalcolatori", microcircuiti microcontrollori, memorie a circuiti integrati fabbricate a partire da un semiconduttore composto, convertitori analogico-numerici, circuiti integrati che contengono convertitori analogico-numerici e memorizzano o trattano i dati digitalizzati, convertitori numerico-analogici, circuiti elettro-ottici o "circuiti integrati ottici" progettati per il "trattamento del segnale", dispositivi logici programmabili dall'utilizzatore, circuiti integrati costruiti su richiesta del cliente per i quali non è conosciuta la funzione o la condizione di esportabilità dell'apparecchiatura nella quale tali circuiti integrati saranno usati, processori di trasformata rapida di Fourier (FFT), memorie statiche ad accesso casuale (SRAM) o 'memorie non volatili', aventi una delle caratteristiche seguenti: a. previsti per funzionare ad una temperatura ambiente superiore a 398 K (125 °C); b. previsti per funzionare ad una temperatura ambiente inferiore a 218 K (- 55 °C); o c. previsti per funzionare nell'intera gamma di temperatura ambiente da 218 K (-55 °C) a 398 K (125 °C); Nota 3A001.a.2. non sottopone ad autorizzazione i circuiti integrati progettati per applicazioni automobilistiche o ferroviarie civili. Nota tecnica: Le 'memorie non volatili' sono memorie che archiviano dati per un certo periodo di tempo in seguito a un'interruzione dell'alimentazione di energia. 3. "microcircuiti microprocessori", "microcircuiti microcalcolatori" e microcircuiti microcontrollori, fabbricati a partire da un semiconduttore composto e funzionanti con frequenza di clock superiore a 40 MHz; Nota: 3A001.a.3. comprende i processori di segnali numerici, i processori matriciali numerici ed i coprocessori numerici; 4. non utilizzato; 5. convertitori analogico-numerici (ADC) e convertitori numerico-analogici (DAC), come segue: a. convertitori analogico-numerici aventi una delle caratteristiche seguenti: N.B.: CFR. ANCHE 3A101. 1. risoluzione uguale o superiore a 8 bit, ma inferiore a 10 bit, con una "frequenza di campionamento" superiore a 1,3 giga campioni al secondo (GSPS); 2. risoluzione uguale o superiore a 10 bit, ma inferiore a 12 bit, con una "frequenza di campionamento" superiore a 600 mega campioni al secondo (MSPS); 3. risoluzione uguale o superiore a 12 bit, ma inferiore a 14 bit, con una "frequenza di campionamento" superiore a 400 MSPS; 4. risoluzione uguale o superiore a 14 bit, ma inferiore a 16 bit, con una "frequenza di campionamento" superiore a 250 MSPS; o 5. risoluzione uguale o superiore a 16 bit, con "frequenza di campionamento" superiore a 65 MSPS; N.B.: per i circuiti integrati che contengono convertitori analogico-numerici e memorizzano o trattano i dati digitalizzati, cfr. 3A001.a.14. Note tecniche: 1. Una risoluzione di n bit corrisponde a una quantizzazione di 2 n livelli. 2. La risoluzione dell'ADC corrisponde al numero di bit dell'uscita digitale che rappresentano l'ingresso analogico misurato. Per determinare la risoluzione dell'ADC non si utilizza il numero effettivo di bit (ENOB). 3. Per gli "aDC multicanale", la "frequenza di campionamento" non è aggregata e corrisponde alla frequenza massima di ogni singolo canale. 4. Per gli "aDC interlacciati" o per gli "ADC multicanale" specificati per avere un modo di funzionamento interlacciato, le "frequenze di campionamento" sono aggregate e ciascuna corrisponde alla frequenza totale massima combinata di tutti i canali interlacciati. b. convertitori numerico-analogici (DAC) aventi una delle caratteristiche seguenti: 1. risoluzione uguale o superiore a 10 bit, ma inferiore a 12 bit, con una 'frequenza di aggiornamento adattata' superiore a 3 500 MSPS; o 2. risoluzione uguale o superiore a 12 bit e aventi una delle caratteristiche seguenti: a. 'frequenza di aggiornamento adattata' superiore a 1 250 MSPS e inferiore o uguale a 3 500 MSPS e aventi una delle caratteristiche seguenti: 1. tempo di assestamento inferiore a 9 ns per raggiungere il fondo scala o lo 0,024 % del fondo scala partendo da un grado intero della stessa; o 2. 'campo di variazione dinamico privo di componenti spurie' (SFDR) superiore a 68 dBc (portante) quando si sintetizza un segnale analogico a fondo scala di 100 MHz o la massima frequenza a fondo scala del segnale analogico specificata inferiore a 100 MHz; o b. 'frequenza di aggiornamento adattata' superiore a 3 500 MSPS; Note tecniche: 1. Il 'campo di variazione dinamico privo di componenti spurie' (SFDR) è il rapporto tra il valore efficace della frequenza portante (componente massima del segnale) all'ingresso del convertitore numerico-analogico e il valore efficace immediatamente superiore del rumore o della componente di distorsione armonica all'uscita. 2. Il campo di variazione dinamico privo di componenti spurie (SFDR) è determinato direttamente dalla tabella di specificazione o dai grafici di caratterizzazione dell'SFDR in funzione della frequenza. 3. Un segnale è definito di fondo scala quando la sua ampiezza è maggiore di - 3 dBfs (fondo scala). 4. 'Frequenza di aggiornamento adattata' per i convertitori numerico-analogici: a. per i convertitori numerico-analogici convenzionali (non a interpolazione), la 'frequenza di aggiornamento adattata' è la frequenza alla quale il segnale numerico è convertito in un segnale analogico e i valori analogici in uscita sono modificati dal convertitore numerico-analogico. I convertitori numerico-analogici il cui metodo di interpolazione può essere bypassato (fattore di interpolazione pari a uno) dovrebbero essere considerati convertitori numerico-analogici convenzionali (non a interpolazione). b. per i convertitori numerico-analogici a interpolazione (DAC a sovracampionamento), la 'frequenza di aggiornamento adattata' è la frequenza di aggiornamento del convertitore numerico-analogico divisa per il più piccolo fattore di interpolazione. Nei convertitori numerico-analogici a interpolazione la 'frequenza di aggiornamento adattata' è chiamata anche: — frequenza dei dati di ingresso, — frequenza di parola in ingresso, — frequenza di campionamento in ingresso, — massima frequenza totale di bus in ingresso, — massima frequenza di clock del DAC per ingresso di clock del DAC. 6. "circuiti integrati ottici" ed elettro-ottici per il "trattamento del segnale" aventi tutte le caratteristiche seguenti: a. uno o più diodi "laser" interni; b. uno o più elementi interni di rivelazione della luce; e c. guide d'onda ottiche; 7. dispositivi logici programmabili dall'utilizzatore, aventi una delle caratteristiche seguenti: a. numero massimo di entrate/uscite numeriche superiore a 700; o b. una 'velocità di trasmissione di dati aggregati di picco di un ricetrasmettitore in serie unidirezionale' pari o superiore a 500 Gb/s; Nota: 3A001.a.7. comprende: dispositivi logici programmabili complessi (CPLD), reti di porte programmabili dall'utilizzatore (FPGA), reti logiche programmabili dall'utilizzatore (FPLA), interconnessioni programmabili dall'utilizzatore (FPIC). N.B.: per i circuiti integrati aventi dispositivi logici programmabili dall'utilizzatore combinati con un convertitore analogico-numerico cfr. 3A001.a.14. Note tecniche: 1. Il numero massimo di entrate/uscite numeriche in 3A001.a.7.a è anche indicato come numero massimo di entrate/uscite dell'utilizzatore o numero massimo di entrate/uscite disponibili, indipendentemente dal fatto che il circuito integrato sia montato in package o in formato bare die. 2. La 'velocità di trasmissione di dati aggregati di picco di un ricetrasmettitore in serie unidirezionale' è il prodotto della velocità di trasmissione dei dati di picco del ricetrasmettitore in serie unidirezionale per il numero di trasmettitori sulla FPGA. 8. non utilizzato; 9. circuiti integrati per reti neurali; 10. circuiti integrati costruiti su richiesta del cliente, per i quali non è conosciuta dal fabbricante né la funzione né la condizione di esportabilità dell'apparecchiatura nella quale tali circuiti integrati saranno usati, aventi una delle caratteristiche seguenti: a. oltre 1 500 terminali di uscita; b. "ritardo di propagazione della porta di base" tipico inferiore a 0,02 ns; o c. frequenza di funzionamento superiore a 3 GHz; 11. circuiti integrati numerici diversi da quelli descritti in 3A001.a.3. fino a 3A001.a.10. e in 3A001.a.12. basati su qualsiasi semiconduttore composto ed aventi una delle caratteristiche seguenti: a. oltre 3 000 porte di conteggio equivalenti (porte a 2 ingressi); o b. frequenza di commutazione di stato superiore a 1,2 GHz; 12. processori di trasformata rapida di Fourier (FFT) aventi un tempo di esecuzione nominale per una FFT di N punti complessi inferiore a (N log2 N)/20 480 ms, essendo N il numero dei punti; Nota tecnica: Quando N è uguale a 1 024 punti, la formula in 3A001.a.12 dà un tempo di esecuzione di 500 μs. 13. circuiti integrati per sintetizzatore digitale diretto (DDS) aventi una delle caratteristiche seguenti: a. frequenza di clock del convertitore numerico-analogico (DAC) pari o superiore a 3,5 GHz e risoluzione del DAC uguale o superiore a 10 bit, ma inferiore a 12 bit; o b. frequenza di clock del convertitore numerico-analogico (DAC) pari o superiore a 1,25 GHz e una risoluzione del DAC pari o superiore a 12 bit; Nota tecnica: La frequenza di clock del DAC può essere descritta come frequenza di clock pilota o frequenza di clock di entrata. 14. Circuiti integrati che effettuano o sono programmabili per effettuare quanto segue: a. conversioni analogico-numeriche, rispondenti a una delle caratteristiche seguenti: 1. risoluzione uguale o superiore a 8 bit, ma inferiore a 10 bit, con una "frequenza di campionamento" superiore a 1,3 giga campioni al secondo (GSPS); 2. risoluzione uguale o superiore a 10 bit, ma inferiore a 12 bit, con una "frequenza di campionamento" superiore a 1,0 GSPS; 3. risoluzione uguale o superiore a 12 bit, ma inferiore a 14 bit, con una "frequenza di campionamento" superiore a 1,0 GSPS; 4. risoluzione uguale o superiore a 14 bit, ma inferiore a 16 bit, con una "frequenza di campionamento" superiore a 400 mega campioni al secondo (MSPS); o 5. risoluzione uguale o superiore a 16 bit, con "frequenza di campionamento" superiore a 180 MSPS; e b. una delle caratteristiche seguenti: 1. memorizzazione di dati digitalizzati; o 2. elaborazione di dati digitalizzati; N.B. 1.: Per i circuiti integrati con convertitore analogico-numerico cfr. 3A001.a.5.a. N.B. 2.: Per i dispositivi logici programmabili dall'utilizzatore cfr. 3A001.a.7. Note tecniche: 1. Una risoluzione di n bit corrisponde a una quantizzazione di 2 n livelli. 2. La risoluzione dell'ADC corrisponde al numero di bit della sua uscita digitale che rappresentano l'ingresso analogico misurato. Per determinare la risoluzione dell'ADC non si utilizza il numero effettivo di bit (ENOB). 3. Per circuiti integrati con "aDC multicanale" non interlacciati, la "frequenza di campionamento" non è aggregata e corrisponde alla frequenza massima di ogni singolo canale. 4. Per i circuiti integrati dotati di "ADC interlacciati" o per gli "ADC multicanale" specificati per avere un modo di funzionamento interlacciato, le "frequenze di campionamento" sono aggregate e ciascuna corrisponde alla frequenza totale massima combinata di tutti i canali interlacciati. b. prodotti a microonde o ad onde millimetriche, come segue: Nota tecnica: Ai fini di 3A001.b., il parametro potenza di uscita di picco satura può anche essere indicato sulle schede informative del prodotto come potenza di uscita, potenza di uscita satura, massima potenza di uscita, potenza di picco in uscita, o potenza di uscita al picco di inviluppo. 1. "dispositivi elettronici sotto vuoto" e catodi, come segue: Nota 1: 3A001.b.1. non sottopone ad autorizzazione i "dispositivi elettronici sotto vuoto" progettati o previsti per funzionare in qualsiasi banda di frequenza avente tutte le caratteristiche seguenti: a. non superiore a 31,8 GHz; e b. "assegnata dall'UIT" per servizi di radiocomunicazione ma non di radiolocalizzazione. Nota 2: 3A001.b.1. non sottopone ad autorizzazione i "dispositivi elettronici sotto vuoto" non "qualificati per impiego spaziale" aventi tutte le caratteristiche seguenti: a. potenza media di uscita uguale o inferiore a 50 W; e b. progettati o previsti per funzionare in qualsiasi banda di frequenza avente tutte le caratteristiche seguenti: 1. superiore a 31,8 GHz ma inferiore o uguale a 43,5 GHz; e 2. "assegnata dall'UIT" per servizi di radiocomunicazione ma non di radiolocalizzazione. a. "dispositivi elettronici sotto vuoto" a onde progressive, a impulsi o a onda continua, come segue: 1. dispositivi funzionanti a frequenze superiori a 31,8 GHz; 2. dispositivi aventi l'elemento riscaldante del catodo con un tempo inferiore a 3 secondi tra l'accensione e l'emissione di potenza a RF (radiofrequenza) nominale; 3. dispositivi a cavità accoppiate o loro derivati con "banda passante frazionaria" superiore al 7 % o con potenza di picco superiore a 2,5 kW; 4. dispositivi basati su circuiti a elica, a guida d'onda piegata o a serpentina o loro derivati, aventi una delle caratteristiche seguenti: a. "banda passante istantanea" superiore a un'ottava e prodotto della potenza media (espressa in kW) per la frequenza (espressa in GHz) superiore a 0,5; b. "banda passante istantanea" uguale o inferiore a un'ottava e prodotto della potenza media (espressa in kW) per la frequenza (espressa in GHz) superiore a 1; c. "qualificati per impiego spaziale"; o d. aventi una pistola elettronica a griglia; 5. dispositivi con "banda passante frazionaria" superiore o uguale al 10 % , aventi una delle caratteristiche seguenti: a. un fascio elettronico anulare; b. un fascio elettronico non assialsimmetrico; o c. fasci elettronici multipli; b. "dispositivi elettronici sotto vuoto" amplificatori a campi incrociati con guadagno superiore a 17 dB; c. catodi termoionici progettati per "dispositivi elettronici sotto vuoto" in grado di produrre una densità di corrente nelle condizioni di funzionamento nominali superiore a 5 A/cm2 o una densità di corrente a impulsi (non continua) nelle condizioni di funzionamento nominali superiore a 10 A/cm2; d. "dispositivi elettronici sotto vuoto" in grado di operare in 'modalità doppia'. Nota tecnica: 'Modalità doppia' significa che la corrente del fascio del "dispositivo elettronico sotto vuoto" può essere intenzionalmente modificata tra il funzionamento a onda continua e pulsata per mezzo di una griglia e produce una potenza di picco in uscita a impulsi superiore alla potenza di uscita in onda continua. 2. amplificatori a "circuiti integrati monolitici a microonde" ("mMIC") aventi una delle caratteristiche seguenti: N.B.: per gli amplificatori "MMIC" aventi uno sfasatore integrato cfr. 3A001.b.12. a. previsti per funzionare a frequenze superiori a 2,7 GHz fino a 6,8 GHz (inclusi), con una "banda passante frazionaria" superiore al 15 % e aventi una delle caratteristiche seguenti: 1. potenza di uscita di picco satura superiore a 75 W (48,75 dBm) a frequenze superiori a 2,7 GHz fino a 2,9 GHz (inclusi); 2. potenza di uscita di picco satura superiore a 55 W (47,4 dBm) a frequenze superiori a 2,9 GHz fino a 3,2 GHz (inclusi); 3. potenza di uscita di picco satura superiore a 40 W (46 dBm) a frequenze superiori a 3,2 GHz fino a 3,7 GHz (inclusi); o 4. potenza di uscita di picco satura superiore a 20 W (43 dBm) a frequenze superiori a 3,7 GHz fino a 6,8 GHz (inclusi); b. previsti per funzionare a frequenze superiori a 6,8 GHz fino a 16 GHz (inclusi), con una "banda passante frazionaria" superiore al 10 % e aventi una delle caratteristiche seguenti: 1. potenza di uscita di picco satura superiore a 10 W (40 dBm) a frequenze superiori a 6,8 GHz fino a 8,5 GHz (inclusi); o 2. potenza di uscita di picco satura superiore a 5 W (37 dBm) a frequenze superiori a 8,5 GHz fino a 16 GHz (inclusi); c. previsti per funzionare con potenza di uscita di picco satura superiore a 3 W (34,77 dBm) a qualsiasi frequenza superiore a 16 GHz fino a 31,8 GHz (inclusi), con "banda passante frazionaria" superiore al 10 %; d. previsti per funzionare con potenza di uscita di picco satura superiore a 0,1 nW (- 70 dBm) a qualsiasi frequenza superiore a 31,8 GHz fino a 37 GHz (inclusi); e. previsti per funzionare con potenza di uscita di picco satura superiore a 1 W (30 dBm) a qualsiasi frequenza superiore a 37 GHz fino a 43,5 GHz (inclusi), con "banda passante frazionaria" superiore al 10 %; f. previsti per funzionare con potenza di uscita di picco satura superiore a 31,62 mW (15 dBm) a qualsiasi frequenza superiore a 43,5 GHz fino a 75 GHz (inclusi), con "banda passante frazionaria" superiore al 10 %; g. previsti per funzionare con potenza di uscita di picco satura superiore a 10 mW (10 dBm) a qualsiasi frequenza superiore a 75 GHz fino a 90 GHz (inclusi), con "banda passante frazionaria" superiore al 5 %; o h. previsti per funzionare con potenza di uscita di picco satura superiore a 0,1 nW (- 70 dBm) a frequenze superiori a 90 GHz; Nota 1: Non utilizzato. Nota 2: La condizione di esportabilità degli "mMIC" la cui frequenza operativa prevista include frequenze elencate in più gamme di frequenza, quali definite da 3A001.b.2.a. fino a 3A001.b.2.h. è determinata dalla soglia della più bassa potenza di uscita di picco satura. Nota 3: Con le note 1 e 2 in 3A si intende che 3A001.b.2. non sottopone ad autorizzazione gli "MMIC" specificamente progettati per altre applicazioni, ad esempio telecomunicazioni, radar, automobili. 3. transistor a microonde discreti aventi una delle caratteristiche seguenti: a. previsti per funzionare a frequenze superiori a 2,7 GHz fino a 6,8 GHz (inclusi) e aventi una delle caratteristiche seguenti: 1. potenza di uscita di picco satura superiore a 400 W (56 dBm) a frequenze superiori a 2,7 GHz fino a 2,9 GHz (inclusi); 2. potenza di uscita di picco satura superiore a 205 W (53,12 dBm) a frequenze superiori a 2,9 GHz fino a 3,2 GHz (inclusi); 3. potenza di uscita di picco satura superiore a 115 W (50,61 dBm) a frequenze superiori a 3,2 GHz fino a 3,7 GHz (inclusi); o 4. potenza di uscita di picco satura superiore a 60 W (47,78 dBm) a frequenze superiori a 3,7 GHz fino a 6,8 GHz (inclusi); b. previsti per funzionare a frequenze superiori a 6,8 GHz fino a 31,8 GHz (inclusi) e aventi una delle caratteristiche seguenti: 1. potenza di uscita di picco satura superiore a 50 W (47 dBm) a frequenze superiori a 6,8 GHz fino a 8,5 GHz (inclusi); 2. potenza di uscita di picco satura superiore a 15 W (41,76 dBm) a frequenze superiori a 8,5 GHz fino a 12 GHz (inclusi); 3. potenza di uscita di picco satura superiore a 40 W (46 dBm) a frequenze superiori a 12 GHz fino a 16 GHz (inclusi); o 4. potenza di uscita di picco satura superiore a 7 W (38,45 dBm) a frequenze superiori a 16 GHz fino a 31,8 GHz (inclusi); c. previsti per funzionare con potenza di uscita di picco satura superiore a 0,5 W (27 dBm) a frequenze superiori a 31,8 GHz fino a 37 GHz (inclusi); d. previsti per funzionare con potenza di uscita di picco satura superiore a 1 W (30 dBm) a frequenze superiori a 37 GHz fino a 43,5 GHz (inclusi); e. previsti per funzionare con potenza di uscita di picco satura superiore a 0,1 nW (- 70 dBm) a frequenze superiori a 43,5 GHz; o f. diversi da quelli specificati in 3A001.b.3.a. fino a 3A001.b.3.e. e previsti per funzionare con potenza di uscita di picco satura superiore a 5 W (37,0 dBm) a tutte le frequenze superiori a 8,5 GHz fino a 31,8 GHz (inclusi); Nota 1: La condizione di esportabilità di un transistor in 3A001.b.3.a. fino a 3A001.b.3.e. la cui frequenza operativa prevista include frequenze elencate in più gamme di frequenza, quali definite da 3A001.b.3.a. fino a 3A001.b.3.e., è determinata dalla soglia della potenza di uscita di picco satura più bassa. Nota 2: 3A001.b.3 comprende die nudi, die montati su supporto o die montati in package. Alcuni transistor discreti possono essere anche indicati come amplificatori di potenza, ma la condizione di tali transistor discreti è determinata in 3A001.b.3. 4. amplificatori a microonde a stato solido e assiemi/moduli a microonde contenenti amplificatori a microonde a stato solido aventi una delle caratteristiche seguenti: a. previsti per funzionare a frequenze superiori a 2,7 GHz fino a 6,8 GHz (inclusi) con una "banda passante frazionaria" superiore al 15 % e aventi una delle caratteristiche seguenti: 1. potenza di uscita di picco satura superiore a 500 W (57 dBm) a frequenze superiori a 2,7 GHz fino a 2,9 GHz (inclusi); 2. potenza di uscita di picco satura superiore a 270 W (54,3 dBm) a frequenze superiori a 2,9 GHz fino a 3,2 GHz (inclusi); 3. potenza di uscita di picco satura superiore a 200 W (53 dBm) a frequenze superiori a 3,2 GHz fino a 3,7 GHz (inclusi); o 4. potenza di uscita di picco satura superiore a 90 W (49,54 dBm) a frequenze superiori a 3,7 GHz fino a 6,8 GHz (inclusi); b. previsti per funzionare a frequenze superiori a 6,8 GHz fino a 31,8 GHz (inclusi) con una "banda passante frazionaria" superiore al 10 % e aventi una delle caratteristiche seguenti: 1. potenza di uscita di picco satura superiore a 70 W (48,54 dBm) a frequenze superiori a 6,8 GHz fino a 8,5 GHz (inclusi); 2. potenza di uscita di picco satura superiore a 50 W (47 dBm) a frequenze superiori a 8,5 GHz fino a 12 GHz (inclusi); 3. potenza di uscita di picco satura superiore a 30 W (44,77 dBm) a frequenze superiori a 12 GHz fino a 16 GHz (inclusi); o 4. potenza di uscita di picco satura superiore a 20 W (43 dBm) a frequenze superiori a 16 GHz fino a 31,8 GHz (inclusi); c. previsti per funzionare con potenza di uscita di picco satura superiore a 0,5 W (27 dBm) a frequenze superiori a 31,8 GHz fino a 37 GHz (inclusi); d. previsti per funzionare con potenza di uscita di picco satura superiore a 2 W (33 dBm) a qualsiasi frequenza superiore a 37 GHz fino a 43,5 GHz (inclusi), con "banda passante frazionaria" superiore al 10 %; e. previsti per funzionare a frequenze superiori a 43,5 GHz e aventi una delle caratteristiche seguenti: 1. potenza di uscita di picco satura superiore a 0,2 W (23 dBm) a qualsiasi frequenza superiore a 43,5 GHz fino a 75 GHz (inclusi), con "banda passante frazionaria" superiore al 10 %; 2. potenza di uscita di picco satura superiore a 20 mW (13 dBm) a qualsiasi frequenza superiore a 75 GHz fino a 90 GHz (inclusi), con "banda passante frazionaria" superiore al 5 %; o 3. potenza di uscita di picco satura superiore a 0,1 nW (- 70 dBm) a frequenze superiori a 90 GHz; o f. non utilizzato N.B. 1.: per gli amplificatori "MMIC" cfr. 3A001.b.2. N.B. 2.: per i 'moduli trasmittenti/riceventi' e i 'moduli trasmittenti' cfr. 3A001.b.12. N.B.3. per i convertitori e i miscelatori armonici progettati per ampliare la gamma di funzionamento o la gamma di frequenze di analizzatori di segnale, generatori di segnale, analizzatori di rete o ricevitori di collaudo a microonde cfr. 3A001.b.7. Nota 1: Non utilizzato. Nota 2: La condizione di esportabilità di un prodotto la cui frequenza operativa prevista include frequenze elencate in più gamme di frequenza, quali definite da 3A001.b.4.a. fino a 3A001.b.4.e., è determinata dalla soglia della potenza di uscita di picco satura più bassa. 5. filtri passa-banda o eliminatori di banda accordabili elettronicamente o magneticamente, aventi più di 5 risonatori accordabili in grado di accordarsi su una banda di frequenza di 1,5:1 (fmax/fmin) in meno di 10 μs e aventi una delle caratteristiche seguenti: a. banda passante del filtro passa-banda superiore allo 0,5 % della frequenza centrale; o b. banda passante dell'eliminatore di banda inferiore allo 0,5 % della frequenza centrale; 6. non utilizzato; 7. convertitori e miscelatori armonici aventi una delle caratteristiche seguenti: a. progettati per ampliare la gamma di frequenze degli "analizzatori di segnale" oltre 90 GHz; b. progettati per ampliare la gamma di funzionamento dei generatori di segnale come segue: 1. oltre 90 GHz; 2. a una potenza di uscita superiore a 100 mW (20 dBm) in qualsiasi punto entro la gamma di frequenze superiori a 43,5 GHz ma non superiori a 90 GHz; c. progettati per ampliare la gamma di funzionamento degli analizzatori di rete come segue: 1. oltre 110 GHz; 2. a una potenza di uscita superiore a 31,62 mW (15 dBm) in qualsiasi punto entro la gamma di frequenze superiori a 43,5 GHz ma non superiori a 90 GHz; 3. a una potenza di uscita superiore a 1 mW (0 dBm) in qualsiasi punto entro la gamma di frequenze superiori a 90 GHz ma non superiori a 110 GHz; o d. progettati per ampliare la gamma di frequenze di ricevitori di collaudo a microonde oltre 110 GHz; 8. amplificatori di potenza a microonde contenenti "dispositivi elettronici sotto vuoto" specificati in 3A001.b.1. e aventi tutte le caratteristiche seguenti: a. frequenze di funzionamento superiori a 3 GHz; b. rapporto fra potenza media di uscita e massa superiore a 80 W/kg; e c. volume inferiore a 400 cm3; Nota: 3A001.b.8. non sottopone ad autorizzazione le apparecchiature progettate o previste per funzionare in qualsiasi banda di frequenza "assegnata dall'UIT" per servizi di radiocomunicazione ma non di radiolocalizzazione. 9. moduli di potenza a microonde (MPM), costituiti come minimo da un "dispositivo elettronico sotto vuoto" ad onde progressive, un "circuito integrato monolitico a microonde" ("mMIC") e un convertitore di potenza elettronico integrato, aventi tutte le caratteristiche seguenti: a. 'tempo di accensione' da spento a completamente operativo inferiore a 10 secondi; b. volume inferiore alla potenza nominale massima espressa in Watt moltiplicata per 10 cm3/W; e c. "banda passante istantanea" superiore a un'ottava (fmax > 2fmin) e una delle caratteristiche seguenti: 1. per frequenze uguali o inferiori a 18 GHz, una potenza di uscita a RF (radiofrequenza) superiore a 100 W; o 2. frequenza superiore a 18 GHz; Note tecniche: 1. Per calcolare il volume in 3A001.b.9.b. è fornito il seguente esempio: per una potenza nominale massima di 20 W, il volume corrisponderebbe a: 20 W × 10 cm 3 /W = 200 cm 3 . 2. Il 'tempo di accensione' in 3A001.b.9.a. si riferisce al tempo che intercorre tra lo stato di inattività completa e lo stato di piena operatività, ossia include il tempo di riscaldamento degli MPM. 10. oscillatori o assiemi di oscillatori, specificati per funzionare con un rumore di fase in banda laterale unica (SSB), espresso in dBc/Hz, inferiore a (migliore di) - (126 + 20log10F - 20log10f) in qualsiasi punto entro la gamma di 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz; Nota tecnica: In 3A001.b.10. F rappresenta lo spostamento espresso in Hz rispetto alla frequenza di funzionamento e f la frequenza di funzionamento espressa in MHz. 11. 'sintetizzatori di frequenza', "assiemi elettronici" aventi un "tempo di commutazione della frequenza" come specificato da una delle seguenti caratteristiche: a. inferiore a 143 ps; b. inferiore a 100 μs per qualsiasi variazione di frequenza superiore a 2,2 GHz entro la gamma di frequenze sintetizzate superiori a 4,8 GHz ma non superiori a 31,8 GHz; c. non utilizzato; d. inferiore a 500 μs per qualsiasi variazione di frequenza superiore a 550 MHz entro la gamma di frequenze sintetizzate superiori a 31,8 GHz ma non superiori a 37 GHz; e. inferiore a 100 μs per qualsiasi variazione di frequenza superiore a 2,2 GHz entro la gamma di frequenze sintetizzate superiori a 37 GHz ma non superiori a 90 GHz; o f. non utilizzato; g. inferiore a 1 ms entro la gamma di frequenze sintetizzate superiori a 90 GHz. Nota tecnica: Un 'sintetizzatore di frequenza' è qualunque tipo di sorgente di frequenza, indipendentemente dall'effettiva tecnica utilizzata, in grado di fornire una molteplicità di frequenze in uscita simultanee od alternative, da una o più uscite controllate, derivate o disciplinate da un numero inferiore di frequenze standard (o campione). N.B.: per "analizzatori di segnale", generatori di segnale, analizzatori di rete e ricevitori di collaudo a microonde di uso generale, cfr. rispettivamente 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. nonché 3A002.f. 12. 'moduli trasmittenti/riceventi', 'MMIC trasmittenti/riceventi', 'moduli trasmittenti' e 'MMIC trasmittenti' previsti per funzionare a frequenze superiori a 2,7 GHz e aventi tutte le caratteristiche seguenti: a. potenza di uscita di picco satura (in watt) Psat superiore a 505,62 divisa per la frequenza operativa massima (in GHz) al quadrato [Psat>505,62 W*GHz2/fGHz 2] per qualsiasi canale; b. una "banda passante frazionaria" del 5 % o superiore per qualsiasi canale; c. lunghezza d del lato planare (in cm) uguale o inferiore a 15 divisa per la più bassa frequenza operativa espressa in GHz [d ≤ 15 cm*GHz*N/fGHz], dove N è il numero di canali trasmittenti o trasmittenti/riceventi; e d. uno sfasatore elettronicamente variabile per canale. Note tecniche: 1. Per 'modulo trasmittente/ricevente' si intende un "assieme elettronico" multifunzione che fornisce un'ampiezza bidirezionale e un controllo di fase per la trasmissione e la ricezione di segnali. 2. Per 'modulo trasmittente' si intende un "assieme elettronico" che fornisce un'ampiezza e un controllo di fase per la trasmissione di segnali. 3. Per 'MMIC trasmittente/ricevente' si intende un "mMIC" multifunzione che fornisce un'ampiezza bidirezionale e un controllo di fase per la trasmissione e la ricezione di segnali. 4. Per 'MMIC trasmittente' si intende un "mMIC" che fornisce un'ampiezza e un controllo di fase per la trasmissione di segnali. 5. Nella formula indicata in 3A001.b.12.c., 2,7 GHz dovrebbe essere utilizzata come la più bassa frequenza operativa (f GHz ) per i moduli trasmittenti/riceventi o trasmittenti la cui gamma di funzionamento prevista si estende verso il basso a 2,7 GHz e oltre [d ≤ 15 cm*GHz*N/2,7 GHz]. 6. 3A001.b.12. si applica ai 'moduli trasmittenti/riceventi' o ai 'moduli trasmittenti' provvisti o meno di un dissipatore di calore. Il valore di d in 3A001.b.12.c. non comprende porzioni del 'modulo trasmittente/ricevente' o del 'modulo trasmittente' che funge da dissipatore di calore. 7. I 'moduli trasmittenti/riceventi', 'moduli trasmittenti', 'MMIC trasmittenti/riceventi' e 'MMIC trasmittenti' possono essere dotati o meno di N elementi integrati ad antenna irradiante, dove N è il numero di canali trasmittenti o trasmittenti/riceventi. c. dispositivi utilizzanti le onde acustiche come segue e loro componenti appositamente progettati: 1. dispositivi utilizzanti le onde acustiche di superficie e le onde acustiche rasenti (poco profonde), aventi una delle caratteristiche seguenti: a. frequenza portante superiore a 6 GHz; b. frequenza portante superiore a 1 GHz ma uguale o inferiore a 6 GHz, aventi una delle caratteristiche seguenti: 1. 'reiezione del lobo laterale di frequenza' superiore a 65 dB; 2. prodotto del ritardo massimo (espresso in μs) per la banda passante (espressa in MHz) superiore a 100; 3. banda passante superiore a 250 MHz; o 4. ritardo di dispersione superiore a 10 μs; o c. frequenza portante inferiore o uguale a 1 GHz, aventi una delle caratteristiche seguenti: 1. prodotto del ritardo massimo (espresso in μs) per la banda passante (espressa in MHz) superiore a 100; 2. ritardo di dispersione superiore a 10 μs; o 3. 'reiezione del lobo laterale di frequenza' superiore a 65 dB e banda passante superiore a 100 MHz; Nota tecnica: Per 'reiezione del lobo laterale di frequenza' si intende il valore massimo di reiezione specificato nella scheda tecnica. 2. dispositivi utilizzanti le onde acustiche di volume che permettono il trattamento diretto di segnali a frequenze superiori a 6 GHz; 3. dispositivi di "trattamento del segnale" acustico-ottici basati sull'interazione tra onde acustiche (di volume o di superficie) e onde luminose che permettono il trattamento diretto di segnali o immagini, compresa l'analisi spettrale, la correlazione o la convoluzione; Nota: 3A001.c. non sottopone ad autorizzazione i dispositivi utilizzanti le onde acustiche che sono limitati alla funzione di filtraggio con filtro passa banda singola, passa basso, passa alto o a reiezione di banda, o alla funzione di risonanza. d. dispositivi e circuiti elettronici contenenti componenti, fabbricati a partire da materiali "superconduttori", appositamente progettati per funzionare a temperature inferiori alla "temperatura critica" di almeno uno dei costituenti "superconduttori", aventi una delle funzioni seguenti: 1. commutazione di corrente per circuiti numerici che impiegano porte "superconduttrici" con prodotto del ritardo per porta (espresso in secondi) per la potenza dissipata per porta (espressa in watt) inferiore a 10-14 J; o 2. selezione di frequenza a tutte le frequenze con circuiti risonanti aventi fattori Q superiori a 10 000; e. dispositivi ad alta energia come segue: 1. 'celle' come segue: a. 'celle primarie' aventi, a una temperatura di 20°C, una delle seguenti caratteristiche: 1. una 'densità di energia' superiore a 550 Wh/kg e una 'densità di potenza continua' superiore a 50 W/kg; o 2. una 'densità di energia' superiore a 50 Wh/kg e una 'densità di potenza continua' superiore a 350 W/kg; o b. 'celle secondarie' aventi una 'densità di energia' superiore a 350 Wh/kg a 20 °C; Note tecniche: 1. Ai fini di 3A001.e.1., la 'densità di energia' (Wh/kg) è calcolata moltiplicando la tensione nominale per la capacità nominale espressa in ampere/ore (Ah) e dividendo il prodotto ottenuto per la massa espressa in chilogrammi. Se la capacità nominale non è definita, la densità di energia è calcolata moltiplicando il quadrato della tensione nominale per la durata della scarica, espressa in ore, e dividendo il prodotto ottenuto per il carico di scarica espresso in ohm e la massa espressa in chilogrammi. 2. Ai fini di 3A001.e.1. per 'cella' si intende un dispositivo elettrochimico dotato di elettrodi positivi e negativi, un elettrolito e una sorgente di energia elettrica. È l'elemento costitutivo principale di una batteria. 3. Ai fini di 3A001.e.1.a. per 'cella primaria' si intende una 'cella' che non è progettata per essere caricata da un'altra sorgente. 4. Ai fini di 3A001.e.1.b. per 'cella secondaria' si intende una 'cella' progettata per essere caricata da una sorgente elettrica esterna. 5. Ai fini di 3A001.e.1.a., la 'densità di potenza continua' (W/kg) è calcolata moltiplicando la tensione nominale per la corrente di scarica massima continua specificata espressa in ampere (A) e dividendo il prodotto ottenuto per la massa espressa in chilogrammi. La 'densità di potenza continua' è chiamata anche potenza specifica. Nota: 3A001.e.1. non sottopone ad autorizzazione le batterie, incluse le batterie a cella singola. 2. condensatori con elevata capacità di immagazzinare energia come segue: N.B.: CFR. ANCHE 3A201.a. e l'elenco dei materiali di armamento. a. condensatori con cadenza di ripetizione inferiore a 10 Hz (condensatori a scarica in un solo colpo) aventi tutte le caratteristiche seguenti: 1. tensione nominale uguale o superiore a 5 kV; 2. densità di energia uguale o superiore a 250 J/kg; e 3. energia totale uguale o superiore a 25 kJ; b. condensatori con cadenza di ripetizione uguale o superiore a 10 Hz (a scariche successive) aventi tutte le caratteristiche seguenti: 1. tensione nominale uguale o superiore a 5 kV; 2. densità di energia uguale o superiore a 50 J/kg; 3. energia totale uguale o superiore a 100 J; e 4. durata di vita uguale o superiore a 10 000 cicli carica/scarica; 3. elettromagneti e solenoidi "superconduttori", appositamente progettati per un tempo di carica o di scarica completo inferiore ad un secondo, aventi tutte le caratteristiche seguenti: N.B.: CFR. ANCHE 3A201.b. Nota: 3A001.e.3. non sottopone ad autorizzazione gli elettromagneti o i solenoidi "superconduttori" appositamente progettati per le apparecchiature medicali ad immagine a risonanza magnetica (MRI). a. energia fornita durante la scarica superiore a 10 kJ nel primo secondo; b. diametro interno degli avvolgimenti percorsi da corrente superiore a 250 mm; e c. previsti per una induzione magnetica superiore a 8 T o per una "densità di corrente globale" nell'avvolgimento superiore a 300 A/mm2; 3A001.e. (segue) 4. celle solari, assiemi di coperture vetrose interconnesse (CIC), pannelli e array solari "qualificati per impiego spaziale" e aventi efficienza media minima superiore al 20 % a una temperatura di funzionamento di 301 K (28 °C) a illuminazione simulata 'AM0' con un irradiamento di 1 367 watt per metro quadrato (W/m2); Nota tecnica: 'AM0' o 'massa d'aria zero' si riferisce all'irradiamento spettrale della luce solare nell'atmosfera esterna della terra quando la distanza tra la terra e il sole è pari a un'unità astronomica (UA). f. codificatori di posizione assoluta di tipo rotante, aventi una "precisione" uguale o inferiore a (migliore di) 1,0 secondo d'arco e anelli, dischi o scale codificatori appositamente progettati; g. dispositivi di commutazione a tiristori a energia pulsata a stato solido e 'moduli di tiristori' che utilizzano metodi di commutazione controllati elettricamente, otticamente o a radiazione di elettroni, aventi una delle seguenti caratteristiche: 1. velocità massima di salita della corrente di accensione (di/dt) superiore a 30 000 A/μs e tensione a vuoto superiore a 1 100 V; o 2. velocità massima di salita della corrente di accensione (di/dt) superiore a 2 000 A/μs e tutte le caratteristiche seguenti: a. tensione di picco a vuoto uguale o superiore a 3 000 V; e b. corrente di picco (transitorio) uguale o superiore a 3 000 A. Nota 1: 3A001.g. include: raddrizzatori controllati al silicio (SCR), tiristori a innesco elettrico (ETT), tiristori a innesco leggero (LTT), tiristori a commutazione a circuito integrato (IGCT), tiristori a spegnimento forzato (GTO), tiristori controllati da transistor MOS (MCT), Solidtron. Nota 2: 3A001.g. non sottopone ad autorizzazione i dispositivi a tiristori e i 'moduli di tiristori' incorporati in apparecchiature progettate per applicazioni ferroviarie civili o per "aeromobili civili". Nota tecnica: Ai fini di 3A001.g. un 'modulo di tiristori' contiene uno o più tiristori. h. commutatori, diodi o 'moduli' a semiconduttore a energia allo stato solido aventi tutte le caratteristiche seguenti: 1. previsti per una temperatura massima di esercizio della giunzione superiore a 488 K (215 °C); 2. tensione di picco ripetitiva a vuoto (tensione di blocco) superiore a 300 V; e 3. corrente continua superiore a 1 A. Nota 1: La tensione di picco ripetitiva a vuoto in 3A001.h. comprende la tensione pozzo-sorgente, la tensione collettore-emettitore, la tensione inversa di picco ripetitiva e la tensione di picco ripetitiva a vuoto (tensione di blocco). Nota 2: 3A001.h. comprende: transistor a effetto di campo a giunzione (JFET), transistor verticali a effetto di campo a giunzione (VJFET), transistor a effetto di campo in tecnologia MOS (MOSFET), transistor a effetto di campo in tecnologia MOS a diffusione doppia (DMOSFET), transistor bipolari a porta isolata (IGBT), transistor ad elevata mobilità elettronica (HEMT), transistor bipolari a giunzione (BJT), tiristori e raddrizzatori controllati al silicio (SCR), tiristori a spegnimento forzato (GTO), tiristori a spegnimento attivato dall'emettitore (ETO), diodi PIN, diodi Schottky. Nota 3: 3A001.h. non sottopone ad autorizzazione i commutatori, i diodi o i 'moduli' incorporati in apparecchiature progettate per applicazioni automobilistiche o ferroviarie civili o per "aeromobili civili". Nota tecnica: Ai fini di 3A001.h. i 'moduli' contengono uno o più commutatori o diodi a semiconduttore a energia allo stato solido. i. modulatori elettro-ottici di intensità, ampiezza o fase, progettati per segnali analogici e aventi una delle caratteristiche seguenti: 1. una frequenza operativa massima superiore a 10 GHz ma inferiore a 20 GHz, una perdita di inserzione ottica uguale o inferiore a 3 dB e aventi una delle caratteristiche seguenti: a. una 'tensione a mezz'onda' ('Vπ') inferiore a 2,7 V se misurata a una frequenza inferiore o uguale a 1 GHz; o b. una 'Vπ' inferiore a 4 V se misurata a una frequenza superiore a 1 GHz; o 2. una frequenza operativa massima uguale o superiore a 20 GHz, una perdita di inserzione ottica uguale o inferiore a 3 dB e aventi una delle caratteristiche seguenti: a. una 'Vπ' inferiore a 3,3 V se misurata a una frequenza inferiore o uguale a 1 GHz; o b. una 'Vπ' inferiore a 5 V se misurata a una frequenza superiore a 1 GHz. Nota: 3A001.i. comprende modulatori elettro-ottici aventi connettori ottici in ingresso e in uscita (p. es. connettori a spirale di fibra ottica) Nota tecnica: Ai fini di 3A001.i., la 'tensione a mezz'onda' ('Vπ') è la tensione applicata necessaria per ottenere una variazione di fase pari a 180° nella lunghezza d'onda della luce che si propaga attraverso il modulatore ottico.