Regolamento (CEE) n. 397/83 della Commissione del 17 febbraio 1983 recante modifica del regolamento (CEE) n. 3744/81 del Consiglio per quanto concerne l' elenco dei progetti che beneficiano di sostegno finanziario comunitario e l' allegato



Gazzetta ufficiale n. L 047 del 19/02/1983 pag. 0013 - 0014



***** REGOLAMENTO (CEE) N. 397/83 DELLA COMMISSIONE del 17 febbraio 1983 recante modifica del regolamento (CEE) n. 3744/81 del Consiglio per quanto concerne l'elenco dei progetti che beneficiano di sostegno finanziario comunitario e l'allegato LA COMMISSIONE DELLE COMUNITÀ EUROPEE, visto il trattato che istituisce la Comunità economica europea, visto il regolamento (CEE) n. 3744/81 del Consiglio, del 7 dicembre 1981, concernente azioni comunitarie nel settore della tecnologia microelettronica (1), in particolare l'articolo 4, paragrafo 4, considerando che i progressi tecnologici realizzati successivamente all'adozione del regolamento (CEE) n. 3744/81 hanno fatto sorgere la necessità di ampliare il campo dell'attività R & S affinché l'industria microelettronica della Comunità possa sviluppare in modo equilibrato le proprie possibilità di progettazione e di fabbricazione; considerando che, dopo aver accordato il sostegno finanziario ai progetti che potevano beneficiare dell'aiuto durante il 1982, le risorse rimaste appaiono sufficienti alla concessione di un sostegno a nuove attività; considerando che le misure previste dal presente regolamento sono conformi al parere del comitato consultivo per le azioni comunitarie nel settore della tecnologia microelettronica, HA ADOTTATO IL PRESENTE REGOLAMENTO: Articolo 1 Il regolamento (CEE) n. 3744/81 è modificato come segue: 1. l'elenco di cui al paragrafo 1 dell'articolo 4 che stabilisce i progetti che beneficiano dell'aiuto comunitario è sostituito dal testo seguente: « I. Apparecchiature per tecniche litografiche avanzate II. Apparecchiature per il trattamento chimico a secco ed il trattamento fisico del silicio e di materiali di III-V (tre-cinque) III. Apparecchiature per il collaudo, la manipolazione, il montaggio, il confezionamento di circuiti integrati IV. CAD (Computer aided design = Progettazione con ausilio di calcolatore) di circuiti a VLSI (Very Large Scale Integration = Integrazione su larghissima scala) nei settori: 1. architettura 2. struttura del linguaggio e dei dati 3. collaudo 4. modellazione dei dispositivi »; 2. all'allegato è aggiunto il seguente testo: « ADDENDUM Le seguenti indicazioni forniscono orientamenti a coloro che intendono presentare proposte senza voler limitare la libertà di scelta dei progetti. Ogniqualvolta verranno indicate caratteristiche tecniche o specifiche riguardanti le prestazioni, tali indicazioni andranno intese come requisiti di minima. Le apparecchiature per il cui sviluppo è già stato concesso un sostegno finanziario saranno prese in considerazione solo in casi eccezionali. I. Apparecchiatura per tecniche litografiche avanzate I progetti del presente settore includono quelli che erano indicati in precedenza ai punti I e II dell'allegato. II. Apparecchiature per il trattamento chimico a secco ed il trattamento fisico del silicio e di materiali di III-V (tre-cinque) I progetti del presente settore includono quelli che erano indicati al punto III dell'allegato nonché quelli di cui alle lettere a) e b) qui appresso: a) Deposizione per spruzzamento catodico Deposizione di leghe d'alluminio, metalli refrattari e siliciuri Possibilità di strato singolo e/o più strati Capacità di cospruzzamento Incisione per spruzzamento, polarizzazione del supporto Dimensioni del wafer sino a 6 pollici Wafer unico, da cassetta a cassetta Capacità produttiva: 100 wafer/ora (con riferimento alla deposizione di 1 micrometro di alluminio). b) Deposizione chimica in fase vapore (CVD di materiali isolanti, conduttori e refrattari, comprese la deposizione al plasma, la fotodeposizione e la deposizione mediante raggio molecolare). In particolare CVD a bassa pressione intensificata mediante plasma. Materiali: - vetri al silicio fosforosi e drogati al boro - nitruro di silicio - materiali refrattari (su polisilicio) - alluminio o sue leghe III. Apparecchiature per il collaudo, la manipolazione, il montaggio, il condizionamento di circuiti integrati I progetti del presente settore includono quelli che erano indicati al punto IV dell'allegato nonché quelli di cui alle lettere a) e b) qui appresso: a) Prova mediante fascio elettronico [rilevatore di correnti parassite (SEM) con accessori ed interfaccia per il sistema di prova dei circuiti]. b) Sistemi d'invecchiamento preventivo in grado di produrre un invecchiamento preventivo tanto statico quanto dinamico con un interfaccia per l'apparecchiatura di sperimentazione VLSI. IV. CAD (Computer aided design = Programmazione con ausilio di calcolatore) di circuiti a VSLI (Very Large Scale Integration = Integrazione su larghissima scala) Il settore del progetto include il punto V dell'allegato ». Articolo 2 Il presente regolamento entra in vigore il giorno della pubblicazione nella Gazzetta ufficiale delle Comunità europee. Il presente regolamento è obbligatorio in tutti i suoi elementi e direttamente applicabile in ciascuno degli Stati membri. Fatto a Bruxelles, il 17 febbraio 1983. Per la Commissione Étienne DAVIGNON Vicepresidente (1) GU n. L 376 del 30. 12. 1981, pag. 38.