REGOLAMENTO (CEE) N. 3544/91 DEL CONSIGLIO del 25 novembre 1991 recante sospensione temporanea dei dazi autonomi della tariffa doganale comune per un certo numero di prodotti industriali (microelettronica e settori affini) -



Gazzetta ufficiale n. L 346 del 16/12/1991 pag. 0001 - 0097



REGOLAMENTO (CEE) N. 3544/91 DEL CONSIGLIO del 25 novembre 1991 recante sospensione temporanea dei dazi autonomi della tariffa doganale comune per un certo numero di prodotti industriali (microelettronica e settori affini) IL CONSIGLIO DELLE COMUNITÀ EUROPEE, visto il trattato che istituisce la Comunità economica europea, in particolare l'articolo 28, vista la proposta della Commissione, considerando che la produzione comunitaria dei prodotti oggetto del presente regolamento è attualmente nulla o insufficiente e che i produttori non possono coprire il fabbisogno delle industrie utilizzatrici della Comunità; considerando che è nell'interesse della Comunità che i dazi autonomi della tariffa doganale comune siano sospesi, in alcuni casi, solo parzialmente, soprattutto in considerazione dell'esistenza di una produzione comunitaria, e che, in altri casi, siano per contro sospesi totalmente; considerando che, tenuto conto delle difficoltà di valutare con esattezza l'evoluzione a breve termine della situazione economica nei settori interessati, è opportuno prendere tali misure di sospensione solo a titolo temporaneo, fissandone il periodo di validità in funzione dell'interesse della produzione comunitaria, HA ADOTTATO IL PRESENTE REGOLAMENTO: Articolo 1 I dazi autonomi della tariffa doganale comune relativi ai prodotti elencati nell'allegato sono sospesi al livello indicato in corrispondenza di ciascuno di essi. Queste sospensioni sono applicabili dal 1o gennaio al 30 giugno 1992. Articolo 2 Il presente regolamento entra in vigore il 1o gennaio 1992. Il presente regolamento è obbligatorio in tutti i suoi elementi e direttamente applicabile in ciascuno degli Stati membri. Fatto a Bruxelles, addì 25 novembre 1991. Per il ConsiglioIl PresidenteJ. M. M. RITZEN ALLEGATO ex 8471 93 50Unità di memoria a dischi flessibili0 ex 8471 93 60Unità di memoria a nastri magnetici per cassette ad una bobina0 ex 8471 99 90Lettore ottico per la lettura dei caratteri alfanumerici di stampa a punti e la loro conversione in segnali elettrici, costituito da una testina di lettura contenente un rilevatore ottico, un amplificatore, una lente e due lampade, collegata mediante uno o due cavi piatti ad un modulo di controllo, di dimensioni non superiori a 200×220 mm, costituito da un circuito stampato sul quale sono montati almeno un microprocessore, un circuito di riconoscimento dell'immagine ed un convertitore analogico/digitale0 ex 8473 10 10Elemento di memoria integrata per macchine da scrivere elettroniche, costituito da un circuito stampato munito di 2 o 4 memorie statiche di lettura e scrittura a libero accesso (S/RAM) con capacità di memorizzazione di 8 kbit×8 bit ciascuna, componenti elettronici con funzioni di pilotaggio, pile per il mantenimento della memoria, il tutto inserito in una cartuccia, munita di connettori, di dimensioni non superiori a 11×40×90 mm e sulla quale è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di lettere: MEMOCART -oppure un'altra sigla di identificazione relativa a elementi di memoria integrata aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8473 30 10Processore composto di non più di 336 circuiti integrati monolitici, con 4 200 reti logiche non programmate e memoria di lettura-scrittura a libero accesso (RAM) con capacità totale di memorizzazione di 16 kbit, in tecnologia ECL, inserito in un contenitore, montato su un circuito stampato multiplo posto fra due piastre de raffreddamento di dimensioni totali non superiori a 148×560×594 mm, sul quale è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere: 001B-3035-H002 -oppure altra sigla di identificazione relativa a processore aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8473 30 10Componente costituente elemento logico/aritmetico di unità centrale di elaborazione (CPU), costituito da non più di 9 tabelle a circuito stampato aventi ciascuna dimensioni non superiori a 290×310 mm e su ciascuna delle quali sono montate non più di 121 porte ECL o memorie di lettura e scrittura a libero accesso (RAM/ECL) o combinazione di entrambe, inserite in una intelaiatura di dimensioni non superiori a 501×596×611 mm, che serve da contenitore ed interconnessione tra le tabelle a circuito stampato, e sulle quali è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: CO1B 2675 E 500CO1B 2675 H 501CO1B 2675 H 503 CO1B 2675 H 500CO1B 2675 H 502CO1B 2675 H 504 -oppure un'altra sigla di identificazione relativa a componente avente le caratteristiche sopra descritte0 ex 8473 30 90Testine magnetiche di ferrite, in tecnologia Wincester, per unità periferiche di memoria a dischi rigidi in grado di registrare ad una densità di 10 tracce o più per mm, anche con i bracci portatori di tali testine magnetiche0 ex 8473 30 90Assemblaggio di lettura e scrittura per unità di memoria a dischi rigidi, comprendente testine magnetiche di ferrite in tecnologia Winchester, montati su un braccio portante, collegato tramite un circuito stampato flessibile a una console metallica su cui sono montati: -un circuito stampato flessibile su cui è montato un amplificatore per segnali di lettura e scrittura, sotto forma di circuito integrato, -una connessione per circuito stampato0 ex 8473 30 90Testina di stampa con valvola inchiostratrice a getto0 ex 8473 30 90Memoria a bolle magnetiche con capacità di memorizzazione non superiore a 4 Mbit, inserita in un contenitore di dimensioni non superiori a 43×44 mm, con 42 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: 7110FBM 54 DBBDL 0133BDN 0151MBM 2556 7114-1FBM 64 DABDL 0134MBM 2011 -oppure altra sigla di identificazione relativa a memoria avente le caratteristiche sopra descritte0 ex 8473 30 90Unità di avanzamento per dischi magneto-ottici di diametro esterno di 13,34 cm (5,25 inch)0 ex 8473 30 90Unità di avanzamento per unità di memoria a nastri audionumerici0 ex 8473 40 90Testina termica, in tecnologia a strato sottile o spesso, costituita da un circuito stampato contenente non meno di un condensatore al tantalio ed un condensatore elettrolitico, montato su un supporto metallico con un connettore, pettini stampanti ed un dissipatore di calore, presentata con relativi rullino e supporto0 ex 8483 10 90Alberi di trasmissione di generatrici e di turbine, fusi in un solo pezzo, forgiati e sgrossati, di peso unitario superiore a 215 tonnellate0 ex 8501 10 99Motore a corrente continua, senza spazzole, con rotore esterno di diametro non superiore a 55 mm, flangia di fissaggio di diametro di 77 mm e mandrino di precisione di diametro di 44 mm, avvolgimento a 4 fasi, velocità nominale di 3 600 giri al minuto, tensione di alimentazione di 12 V±10 %, con cavi e connettore, con coppia non superiore a 0,20 Nm0 ex 8501 10 99Motore passo-passo di tipo ibrido, con angolo di passo di 0,9 gradi, 400 passi per rivoluzione, sequenza di rotazione a 2 o 4 fasi con avvolgimento di tipo bipolare, costituito da un rotore, da uno statore laminato racchiuso tra 2 flange di sezione quadrata con lato di 40 mm al massimo, dotato di albero biterminato, cavetti con connettore0 ex 8501 10 99Motore passo-passo di tipo ibrido, con angolo di passo di 0,9 gradi, 400 passi per rivoluzione, sequenza di rotazione a 2 fasi con avvolgimento di tipo bipolare, costituito da un rotore, da uno statore incapsulato in un contenitore cilindrico con diametro di 47 mm al massimo e spessore di 14 mm al massimo, dotato di singola uscita albero a cavi con connettore0 ex 8501 10 99Motore passo-passo di tipo ibrido, con angolo di passo di 0,9 gradi, 400 passi per rivoluzione, sequenza di rotazione a 2 fasi con avvolgimento di tipo bipolare, costituito da un rotore, da statore laminato racchiuso tra 2 flange di sezione quadrata con lato di 40 mm al massimo, tachimetro incorporato a 2 o 3 fasi racchiuso in una calotta di diametro di 35 mm al massimo, cavi e connettori indipendenti, per uscite motore e uscite tachimetro, avente dimensioni d'ingombro non superiore a 40×40×62 mm incluso l'albero0 ex 8501 10 99Motori passo-passo bipolari a corrente continua, con un solo statore, di potenza pari o inferiore a 37,5 W, con angolo di passo di 180 gradi, 2 passi per rivoluzione, sequenza di rotazione a 2 fasi con avvolgimento di tipo unipolare, coppia non inferiori a 0,1×10-6 Newton per metro e non superiore a 0,1×10-4 Newton per metro, tensione di alimentazione non superiore a 3 V0 ex 8501 10 99Motore passo-passo di tipo ibrido, con angolo di passo di 0,9 gradi, 400 passi per rivoluzione, sequenza di rotazione a 2 fasi con avvolgimento di tipo bipolare, costituito da un rotore, da statore laminato racchiuso tra 2 flange di cui una a sezione quadrata con lato di 40 mm al massimo, l'altra anteriore, a profilo sagomato comprendente 2 sporgenze con asole di fissaggio, da tachimetro incorporato a 2 o 3 fasi racchiuso in una calotta di diametro di 35 mm al massimo, cavi e connettori indipendenti, per uscita motore e uscite tachimetro, avente dimensioni d'ingombro non superiori a 40×40×62 mm incluso l'albero ma escluse le sporgenze della flangia anteriore0 ex 8501 10 99Motore a corrente continua, senza spazzole, con flangia di fissaggio di diametro di 74 mm, mandrino con diametro di 40 mm, velocità nominale di 3 600 giri al minuto, tensione di alimentazione 12 V±10 %, coppia non superiore a 0,20 Nm, cavi e connettori0 ex 8501 10 99Motore a corrente continua, senza spazzole, a 3 fasi, con flangia di diametro di 35 mm, mandrino di diametro di 25 mm, rotore interno, tensione di alimentazione di 12 V±10 %, velocità nominale di 3 600 giri al minuto e coppia non superiore a 0,018 Nm0 ex 8501 10 99Motore passo-passo di tipo ibrido, con angolo di passo di 1,8 gradi, 200 passi per rivoluzione, a 4 fasi con avvolgimento unipolare, costituito da un rotore, da uno statore laminato racchiuso tra 2 flange di sezione quadrata con lato di 42 mm al massimo, dotato di albero biterminato, cavi e connettori.0 ex 8501 10 99Motore a corrente continua, senza spazzole, avvolgimento a 3 fasi, con flangia di fissagio di diametro di 34 mm, mandrino di diametro di 25 mm, rotore interno, tensione di alimentazione di 12 V±10 %, velocità nominale di 3 600 giri al minuto e coppia non superiore a 0,030 Nm0 ex 8501 10 99Motore a corrente continua, senza spazzole, avvolgimento a 3 fasi, con flangia di fissagio di diametro di 26 mm, mandrino di diametro di 20 mm, rotore interno, tensione di alimentazione di 12 V±10 %, velocità nominale di 3 600 giri al minuto e coppia non superiore a 0,018 Nm0 ex 8501 10 99Motore a corrente continua, senza spazzole, avvolgimento a 3 fasi, con flangia di fissaggio di diametro di 58 mm, mandrino di diametro di 25 mm, rotore interno, tensione di alimentazione di 12 V±10 %, velocità nominale di 3 600 giri al minuto e coppia non superiore a 0,018 Nm per metro0 ex 8504 40 94Raddrizzatori statici costituito da una combinazione in cascata di 7 diodi che permettono di ottenere una corrente continua di almeno 40 kV ad una carica minima di 3 mA0 ex 8504 40 98Convertitore di corrente continua in corrente continua, con diodi non montati in cascata e con tensione di entrata non superiore a 72 V, inserito in un contenitore con 16 contatti al massimo0 ex 8506 19 19Pile al litio-iodio con dimensioni non superiori a 9×23×45 mm, e tensione massima di 2,8 V0 ex 8506 19 19Unità costituita da non più di 2 pile al litio inserita in un supporto per circuito integrato con circuito di controllo incorporato, con non più di 32 contatti0 ex 8506 19 99Pile a secco al carbonio/zinco, aventi tensione non inferiore a 5,5 V e non superiore a 6,5 V, di dimensioni non superiori a 5×90×110 mm, destinate ad essere incorporate in cassette di film per fotografie a sviluppo istantaneo (a)0 ex 8517 90 81Dispositivo per apparecchi telefonici, composto da un microfono, un circuito di protezione e un connettore a 4 vie montato su un circuito stampato di dimensioni non superiori a 22×40 mm0 ex 8517 90 98Testina di stampa termica di 1 728 punti, in tecnologia a strato spesso o sottile, consistente in un substrato di ceramica comprendente resistenze scaldanti, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 20×37 x 240 mm0 ex 8517 90 98Assemblaggio costituita da: -un tubo catodico monocromo con schermo piatto, aventi diagonale dello schermo di 100 mm o più ma non superiore a 110 mm e provisto di una bobine di deviazione; -un circuito stampato sul quale sono montati un'unità di deviazione, un video amplificatore e un trasformatore, il tutto montato su un telaio, destinato ad apparecchi videotelefonici (a)0 ex 8518 90 00Nocciolo di acciaio ottenuto mediante imbutitura, in un solo pezzo, sotto forma di disco munito su un lato di un nucleo cilindrico, destinato alla fabbricazione di altoparlanti (a)0 ex 8522 90 91Unità ottica costituita di uno diodo laser con un fotodiodo che emette luce con una lunghezza d'onda nominale di 780 nm, inserito in un contenitore cilindrico di diametro esterno non superiore a 10 mm e altezza non superiore a 9 mm, con 10 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di lettere o di cifre e lettere: LDGU LT 022 -oppure altra sigla di identificazione relativa ad una unità ottica avente le caratteristiche sopra descritte0 ex 8522 90 99Svolgitore simplice per apparecchi a cassette, di altezza non superiore a 53 mm, destinato alla fabbricazione di apparecchi di registrazione e di riproduzione del suono (a)0 ex 8522 90 99Svolgitore per dispositivo di registrazione e di riproduzione del suono mediante nastri magnetici a cassette, destinate alla fabbricazione di apparecchi di risposta telefonica (segreterie telefoniche) (a)0 ex 8523 20 10Disco magnetico rigido prelubrificato, ad ossido, con coercitività di 300 Oersted o più0 ex 8523 20 10Disco magnetico rigido con strato metallico a pellicola sottile, con coercitività superiore a 600 Oersted e diametro esterno inferiore o uguale a 231 mm0 ex 8529 10 70Assemblaggio di filtri ceramici costituito da 2 filtri ceramici e da un risuonatore ceramico per una frequenza di 10,7 MHz ±30 kHz, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 10×10 mm0 ex 8529 10 70Filtri ceramici per una frequenza non inferiore a 4,5 MHz e non superiore a 6,6 MHz, inseriti in un contenitore di dimensioni non superiori a 9×24 mm0 ex 8529 90 70Modulo di controllo dell'accesso, costituito da: -due circuiti integrati con funzione di autorizzazione di accesso, di derivazione delle parole di controllo, per la protezione dei dati dell'interfaccia; -un circuito integrato contenente memoria di sola lettura, non programmabile (ROM) con capacità di memorizzazione de 64 Kbit; -un circuito integrato contenente memoria di lettura e scrittura a libero accesso (RAM) con capacità di memorizzazione di 8 Kbit; ex 8529 90 70 (segue)-componenti discreti attivi e passivi; -una pila al litio; montato in un circuito stampato di dimensioni non superiori a 103×103 mm, destinato alla fabbricazione di apparecchi receventi di un sistema di comunicazione via satellite (a)0 ex 8529 90 70Modulo per l'elaborazione di segnali, costituito da un circuito stampato, comprendente almeno: -un microprocessore per segnali video; -un microprocessore per segnali di deflessione; -un microprocessore teletext; -un'unità di codificazione/decodificazione video; destinato alla fabbricazione di apparecchi riceventi per televisione a colori digitali (a)0 ex 8529 90 98Dispositivo costituito da un sensore ottico a trasferimento di carica ad interlinee e da un filtro, di dimensioni non superiori a 43×59 mm0 ex 8531 20 90Assemblaggio costituito da 15 diodi emettitori di luce (LED), costituito di semiconduttori a base di arseniuro di gallio e alluminio e a base di fosfuro di gallio, racchiusi in un contenitore metallico cilindrico di diametro esterno non superiore a 26 mm, con 4 contatti al massimo0 ex 8531 20 90Assemblaggio costituito da 50 diodi emettitori di luce (LED), costituito di semiconduttori a base di arseniuro di gallio e alluminio e a base di fosfuro di gallio, racchiusi in un contenitore metallico cilindrico di diametro esterno non superiore a 53 mm, con 3 contatti al massimo0 ex 8531 20 90Indicatori digitali, composti da una tabella a circuito stampato, le cui dimensioni sono inferiori a 35×90 mm e una fila di caratteri non inferiore a 3, composte da diodi luminosi fabbricati a base di gallio semiconduttore e montati sulla tabella. Ogni carattere è formato al massimo da 8 segmenti con o senza punti decimali. La fila di caratteri possiede un astuccio di plastica0 ex 8531 20 90Dispositivo di visualizzazione monocromo a cristalli liquidi, costituito da uno strato di cristalli liquidi racchiuso tra due strati o fogli di vetro con 256 000 punti o più, montato su un circuito stampato munito di componenti elettronici con funzioni di pilotaggio e/o di controllo0 ex 8531 20 90Dispositivo di visualizzazione a cristalli liquidi (LCD) a 7 segmenti, costituito da uno strato di cristalli liquidi racchiuso tra 2 lastre o fogli di vetro con 16 cifre e 9 simboli, fissato su un circuito stampato munito di componenti elettronici con funzioni di pilotaggio e/o di controllo0 ex 8531 20 90Dispositivo di visualizzazione a cristalli liquidi (LCD), a matrici a punti, costituito da uno strato di cristalli liquidi racchiuso tra 2 lastre o fogli di vetro con 423 punti (disposti su 7 linee, 60 colonne e 3 simboli), fissato su un circuito stampato munito di componenti elettronici con funzioni di pilotaggio e/o di controllo0 ex 8531 80 90Dispositivo di visualizzazione a corrente continua per il plasma0 ex 8532 29 00Condensatore in oro con capacità nominale di 100 millifarad, tensione di uscita di 5,5 V e perdita di corrente di 100 microampere al massimo, inserito in un contenitore cilindrico avente altezza inferiore a 8 mm e diametro massimo di 14 mm0 ex 8532 30 10Condensatore variabile, avente capacità massima di 2×335 picofarad per la parte AM e di 2×20 picofarad per la parte FM, con dielettrico di plastica, inserito in un contenitore di dimensione non superiore a 21×24 mm0 ex 8532 30 90Condensatore regolabile, sotto forma di pastiglia rotonda provvista al centro di testa di vite e di 2 contatti, di diametro non superiore a 2,5 mm, spessore non superiore a 3 mm, con capacità non inferiore a 5 pF e non superiore a 30 pF, destinato alla fabbricazione di prodotti del capitolo 91 (a)0 ex 8533 29 00Modulo costituito da resistenze fisse con coefficiente di temperatura positiva avente una resistenza nominale a 20°C di 19,6 ohm, resistenza di isolamento superiore a 1 megaohm, per la protezione di centrali telefoniche contro gli aumenti di tensione di lunga durata di non più di 1 000 V, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 19×48 mm, con 16 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre: 20793 -oppure altra sigla di identificazione relativa a modulo avente le caratteristiche sopra descritte0 ex 8534 00 11 ex 8534 00 19 Circuito stampato su una sola faccia, di dimensioni non superiori a 30×30 mm, destinato alla fabbricazione di prodotti del capitolo 91 (a)0 ex 8534 00 11Circuito stampato multiplo, costituito di 24 strati, 5 dei quali con collegamenti incorporati di triazina di bismaleimide, di dimensioni non superiori a 64×65 cm0 ex 8534 00 19Circuiti stampati su una sola faccia aventi ciascurio 268 fili conduttori al massimo, su una supporto di materia plastica con fori di trascinamento dei due bordi, larghezza non superiore a 35 mm e spessore non superiore a 0,26 mm0 ex 8534 00 19Circuito stampato su una o due facce di un supporto ceramico, costituito de elementi conduttori e da contatti, le cui dimensioni non sono superiori a 36×36 mm, con 304 contatti al massimo0 ex 8534 00 90Circuito stampato su una o due facce di un supporto ceramico, con elementi conduttori, contatti e resistenze, incorporante contatti isolati da strati vetrificati, di dimensioni non superiori a 37×37 mm, con 320 contatti al massimo0 ex 8535 90 00Zoccoli per tubi catodici0 ex 8536 41 10 ex 8536 41 90 ex 8536 49 00 Relè termico contenuto in un'ampolla di vetro ermeticamente chiusa di lunghezza non superiore a 35 mm, fili esclusi, e il cui tasso di perdita non supera 10-6 cm3 di elio al secondo ad 1 bar e ad una temperatura compresa tra 0 e 160 °C, destinato ad essere montato in compressori per gruppi frigoriferi (a)0 ex 8536 50 19 ex 8536 50 90Interruttori a lame, sotto forma di una ampolla di vetro contenente non più di 3 contatti elettrici su bracci metallici e una piccola quantità di mercurio0 ex 8538 90 90Parte di una valvola elettrotermica, costituita da un filo di rame ricoperto di stagno collegato a un contenitore cilindrico, di dimensioni non superiori a 5×48 mm0 ex 8540 11 10Tubi catodici a colori con maschera a fessura, in tecnologia in linea, aventi diagonale dello schermo non inferiore a 12 cm e non superiore a 26 cm0 ex 8540 12 10Tubi a raggi catodici monocromi a schermo piatto, con diagonale dello schermo di 150 mm o più ma non superiore a 155 mm, tensione anodica di 25 kV o più ma non superiore a 32 kV0 ex 8540 20 90Fotomoltiplicatore a 9 dinodi, attivi nella gamma di lunghezza d'onda di 160 o più ma non superiore a 930 nanometri, di diametro non superiore a 14 mm ed altezza non superiore a 94 mm0 ex 8540 30 10 ex 8540 30 90 Tubi catodici con memoria (Direct View Storage Tube) per la riproduzione di dati alfanumerici ed analogici, muniti di un dispositivo di selezione per la lettura delle immagini0 ex 8540 30 10Tubi catodici a colori, con maschera forata, tecnologia delta, aventi diagonale dello schermo non inferiore a 66 cm 0 ex 8540 30 10Tubi catodici a colori, con maschera forata, in tecnologia in linea, con una distanza tra i punti di colore inferiore a 0,45 mm, aventi diagonale dello schermo superiore a 54 cm, angolo di deviazione diagonale non superiore a 90° e con errori di convergenze agli angoli non superiore a 0,8 mm0 ex 8540 30 10Tubi catodici a colori, con maschera forata, in tecnologia in linea, con una distanza tra i punti di colore inferiore a 0,45 mm e provvisto di sistema di assorbimento delle vibrazioni legato in modo indissolubile al tubo (potting system)0 ex 8540 30 10Tubi catodici a colori, con maschere forata, in tecnologia in linea, con una distanza tra i punti di colore inferiore a 0,45 mm e senza schermo magnetico interno0 ex 8540 30 10Tubi catodici a colori, con maschera forata, in tecnologia in linea, con una distanza tra i punti di colore inferiore a 0,45 mm e aventi diagonale dello schermo non superiore a 54 cm0 ex 8540 30 90Tubi catodici monocromi con schermo piatto, aventi diagonale dello schermo compreso tra 142 mm e 230 mm, luminescenza tra 300 e 2 000 lumen, un potere di risoluzione compreso tra 0,06 e 0,1 mm al massimo, con del fosforo del tipo P1, oppure P22, oppure P53, oppure P55, oppure P56, tensione anodica superiore a 34 kV, tensione focalizzazione superiore a 7 kV e corrente catodica di almeno 3 mA0 ex 8540 89 11Indicatori consistenti in un tubo di vetro montato su una base di dimensioni non superiori a 300×350 mm, esclusi i terminali. Il tubo contiene una o più file di caratteri o scale disposte in file. Ciascuno dei caratteri o scale è composto di elementi fosforescenti o fluorescenti montati su una base metallizzata ricoperta di sostanze fluorescenti o sali fosforescenti che diventano luminosi quando sono colpiti da elettroni0 ex 8540 91 00Bobine di deviazioni per tubi catodici, con frequenza operativa di 31 250 Hz o più ed uguale o inferiore a 64 000 Hz e con un magnete quadripolare0 ex 8540 91 00Cannoni elettronici per la produzione di tubi catodici monocromi con diagonale dello schermo non inferiore a 7,6 cm e non superiore a 30,5 cm(a)0 ex 8540 99 00Anodi, catodi o dispositivi di uscita, destinati alla fabbricazione di magnetroni del codice 8540 41 00 (a)0 ex 8541 10 91Diodi raddrizzatori di potenza, al silicio, in tecnologia planare, con tempo di commutazione inferiore a 100 nanosecondi, tensione di interruzione non superiori a 200 V, corrente diretta media massima non inferiore a 2,5 ampère, inserito in un contenitore piatto di dimensioni superiori a 3×9×9 mm ma non superiori a 5×11×17 mm0 ex 8541 10 99Diodi di germanio a fili d'oro con tensione diretta non superiore a 1 V per 5 mA0 ex 8541 10 99Diodo al silicio con variazione di capacità di almeno 10 V rispetto al suo valore di partenza allorchè la tensione applicata varia da 2 V a 10 V, con capacità de 96 pF o più ma non superiore a 144 pF a 2 V, inserito in un contenitore cilindrico di diametro non superiore a 3 mm e di altezza non superiore a 8 mm, con 2 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere: MV 1404 -oppure altra sigla di identificazione relativa a diodi aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8541 21 90Transistori ad alta mobilità elettronica (HEMT) per frequenze comprese fra 2 e 20 GHz, con potere di dissipazione non superiore a 180 MW, inserito in un contenitore di diametro non superiore a 3 mm, con 4 contatti al massimo0 ex 8541 21 90Transistori ad effetto di campo (FET) per frequenze comprese fra 2 e 16 GHz, con potere di dissipazione non superiore a 225 MW, inseriti in un contenitore di diametro non superiore a 3 mm, con 4 contatti al massimo0 ex 8541 29 90Transistori di potenza non inferiore a 150 W per una tensione di 160 V o più e con interruzione di frequenza non inferiore a 20 MHz, inserita in un contenitore di dimensioni non superiori a 22×37 mm, con 3 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazione di cifre e lettere: 2 SA 11702 SA 14942 SC 2921 2 SA 12152 SC 27742 SC 3858 -oppure altra sigla di identificazione relativa a transistori aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8541 29 90Transistori al silicio con una potenza di 1 000 W o più e un'amplificazione di 5,25 db o più ad una frequenza di 1 025 MHz o più ed uguale o inferiore a 1 150 MHz, inseriti in un contenitore di dimensioni non superiori a 11×36 mm, con 4 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere: SD 1543 -oppure altra sigla di identificazione relativa a transistori aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8541 40 10Diodi emettitori di luce, che emettono luce con una lunghezza d'onda nominale di 710 nanometri, a base di gallio-arsenico-fosforo, sotto forma di circuito integrato monolitico, presentati in microplacchette, destinati alla fabbricazione di fotocopiatrici a sistema ottico (a)0 ex 8541 40 91Modulo costituito di non più di 5 cellule solari realizzate in tecnologia a strato sottile su un supporto di dimensioni non superiori a 18×70 mm0 ex 8541 60 00Cristalli di quarzo piezoelettrici oscillanti alla frequenza di 32 768 Hz, racchiusi in un contenitore cilindrico, di lunghezza non superiore a 8,2 mm e diametro non superiore a 3,2 mm, destinati alla fabbricazione di prodotti del capitolo 91 (a)0 ex 8541 60 00Cristalli piezoelettrici polarizzati, con gamma di frequenza di 500 kHz o più ed uguale o inferiore a 12 500 kHz, inseriti in un contenitore di dimensioni non superiori a 14×15 mm, con 3 contatti al massimo0 ex 8542 11 05Circuito di controllo e di pilotaggio, per dispositivi di visualizzazione a cristalli liquidi (LCD), a matrici a punti, in tecnologia C/MOS, con generatore di caratteri e con una potenza di eccitazione maggiore di 10 V, sotto forma di circuito integrato monolitico in microplacchette destinati alla fabbricazione di dispositivi di visualizzazione a cristalli liquidi (a)0 ex 8542 11 05Circuito di comando per dispositivi di visualizzazione a cristalli liquidi (LCD), in tecnologia C/MOS, con 40 o più canali di uscita ad una potenza di eccitazione superiore a 10 V, sotto forma di circuito integrato monolitico, in microplacchette destinati alla fabbricazione di dispositivi di visualizzazione a cristalli liquidi (a)0 ex 8542 11 12Memoria dinamica di lettura e scrittura a libero accesso (D/RAM), in tecnologia N/MOS (compresa H/MOS), con capacità di memorizzazione di 64 kbit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 9×24 mm, con 18 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: KM 4164 MN 4264 TMS 4164 TMS 4416 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 12Memoria dinamica di lettura e scrittura a libero accesso (D/RAM), in tecnologia N/MOS (compresa H/MOS), con capacità di memorizzazione di 256 kbit e tempo di accesso non superiore a 150 ns, sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 17×34 mm, con 24 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una della seguenti combinazioni di cifre e lettere: HB 50562KM 41257MB 81464PD 41256TMS 4256 HM 50256M5M 4256MSM 4256PD 41464TMS 4464 HM 50464M5M4464MSM 4464TMM 41256 KM 41256MB 81256PD 41254TMM 41464 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti avente le caratteristiche sopra descritte8 ex 8542 11 12Memoria dinamica di lettura e scrittura a libero accesso, in tecnologia C/MOS (D/RAM-C/MOS), con capacità di memorizzazione di 256 kbit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 17×39 mm, con 28 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: 53 C 25653 C 466P 51 C 256 53 C 258MB 81 C 258P 51 C 259 53 C 464MB 81 C 466TC 51832 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 12Memoria dinamica «duale» di lettura-scrittura a libero accesso (D/RAM), con capacità di memorizzazione di 256 kbit, comprendente registri di dati e controllo di uscita di 256 kbit a lettura seriale, sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 13×39 mm, con 24 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: M5M 4 C 264 MB 81461 PD 41264 TMS 4461 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 14Memoria dinamica di lettura e scrittura a libero accesso (D/RAM), con entrate e uscite separate e registri seriali a scorrimento («field memories»), in tecnologia C/MOS, con capacità di memorizzazione di 1 Mbit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 17×54 mm, con 40 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla d'identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere: TC 521000 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 14Memoria dinamica «duale» o «triple» di lettura e scrittura a libero accesso, con capacità di memorizzazione di 1 Mbit, con registri di dati e controllo di lettura di uscita seriale, sotto forma di circuito integrato monolitico inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 14×51 mm, con 40 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: TC 524256TC 528128MT 42 C 4256TMS 44 C 251 TC 524257M5M 442256MT 43 C 4257 TC 528126MB 81 C 4251MT 43 C 4258 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti avente le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 16Memoria pseudo statica di lettura e scrittura a libero accesso (PS/RAM), in tecnologia C/MOS, con capacità di memorizzazione di 4 Mbit e tempo di accesso di 100 ns, comprendenti un generatore di impulso orologio e un circuito di controllo del rinfresco, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 12×22 mm, con 32 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere: HM 658512 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte Questi circuiti sono destinati alla fabbricazione di ordinatore portatile, che possono funzionare senza una sorgente di energia esterna (a)0 ex 8542 11 21Memoria statica di lettura e scrittura a libero accesso, in tecnologia C/MOS (C/MOS-S/RAM), con capacità di memorizzazione di 16×4 bit e tempo di accesso non superiore a 35 ns, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 9×21 mm, con 16 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: ex 8542 11 21 (segue)-una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: CY27S03CY54S189CY7C189 CY27S07CY74S189CY7C190 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 21Circuito integrato monolitico, costituito da memoria statica di lettura e scrittura a libero accesso (S/RAM), con capacità di memorizzazione di 256 bit sovrapposti bit per bit a memoria di sola lettura, programmabile, cancellabile elettricamente (E2PROM), inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 8×24 mm, con 18 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: X 2210 X 2443 X 2444 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 21Memoria statica di lettura e scrittura a libero accesso (S/RAM), in tecnologia N/MOS (compresa H/MOS), con una capacità di memorizzazione di 256×4 bit e tempo di accesso non superiore a 25 ns, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 17×39 mm, con 24 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre o di cifre e lettere: 9122-25 91 L 22-25 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 21Memoria statica di lettura e scrittura a libero accesso, in tecnologia C/MOS (C/MOS-S/RAM), con capacità di memorizzazione di 256×4 bit e tempo di accesso non superiore a 60 ns, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 12×33 mm, con 24 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: CY7C122 CY7C123 CY93422 CY93L422 P4C 422 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti avente le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 21Circuito integrato monolitico, costituito da memoria statica di lettura e scrittura a libero accesso (S/RAM), con capacità di memorizzazione di 1 kbit sovrapposti bit per bit ad una memoria di sola lettura programmabile, cancellabile elettricamente (E2PROM), inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 17×33 mm, con 24 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: X 2001 X 2201 A X 2212 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 21Circuito integrato monolitico, costituito da memoria statica di lettura e scrittura a libero accesso (S/RAM), con capacità di memorizzazione di 2 kbit sovrapposti bit per bit ad una memoria di sola lettura, programmabile, cancellabile elettricamente (E2PROM), inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 17×39 mm, con 28 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere: X 2002 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 21Circuito integrato monolitico costituito da memoria statica di lettura e scrittura a libero accesso (S/RAM), con capacità di memorizzazione di 4 kbit sovrapposti bit per bit ad una memoria di sola lettura, programmabile, cancellabile elettricamente (E2PROM), inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 17×39 mm, con 28 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere: X 2004 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 21Memoria statica di lettura e scrittura a libero accesso (S/RAM), con capacità di memorizzazione di 1 kbit×4 bit e un tempo di accesso non superiore a 25 ns, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 8×32 mm, con un minimo di 24 contatti, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: AM 9150-20CY 7 C 150-15 AM 9150-25CY 7 C 150-25 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 21Memoria statica di lettura e scrittura a libero accesso (S/RAM), in tecnologia N/MOS (compresa H/MOS), sotto forma di un circuito integrato monolitico, con capacità di memorizzazione di 8 kbit, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 17×39 mm, con 24 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: - una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre o cifre e lettere: 4008480181088114PD 421 4118810481128185 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 21Memoria statica «duale» di lettura e scrittura a libero accesso (Dual Port S/RAM), in tecnologia C-MOS, con capacità di memorizzazzione di 1 kbit×8 bit e tempo di accesso non superiore a 55 ns, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 21×62 mm, con 52 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: ex 8542 11 21 (segue)-una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: CY7C130 CY7C131 CY7C140 CY7C141 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 21Memoria statica, non volatile, di lettura e scrittura a libero accesso, in tecnologia C/MOS (C/MOS-S/RAM non volatile), con capacità di memorizzazione di 16 kbit e munita di fonte di energia interna, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 19×40 mm, con 28 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: DS 1220 Y MK 48 Z 02 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte7 ex 8542 11 21Memoria statica «duale» di scrittura e lettura a libero accesso, in tecnologia C-MOS, con capacità di memorizzazione de 2 kbit×8 bit e tempo di accesso non superiore a 55 ns, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 21×62 mm, con 52 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: CY7C132 CY7C136 CY7C142 CY7C146 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 21Memoria statica di lettura e scrittura a libero accesso, in tecnologia C/MOS (C/MOS-S/RAM), con capacità di memorizzazione di 32 kbit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 18×63 mm, con 48 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: IDT 7134 TC 5532 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 21Memoria statica «duale» di lettura e scrittura a libero accesso (Dual Port S/RAM), in tecnologia BiMOS, con capacità di memorizzazione di 32 kbit e tempo di accesso non superiore a 35 ns, sotto forma di circuito integrato monolitico, enserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 29×62 mm, con 68 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: CY7B134 CY7B1342 CY7B135 CY7B138 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 21Memoria statica, non volatile, di lettura e scrittura a libero accesso, in tecnologia C/MOS (C/MOS-S/RAM non volatile), con capacità di memorizzazione di 64 kbit e munita di fonte di energia interna, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 20×42 mm, con 28 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: BQ 4010 DS 1225 Y -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte<0 ex 8542 11 21Memoria cache statica di lettura e scrittura a libero accesso, in tecnologia C/MOS (C/MOS-Static Cache RAM), con capacità di memorizzazione di 4 kbit×16 bit e un tempo di accesso non superiore a 55 ns, composto da un registro di servizio di indirizzo a 12 bit e circuiti di controllo, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 10×53 mm, con 44 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere: IDT71586S -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 21Memoria statica «duale» di lettura e scrittura a libero accesso (Dual Port S/RAM), in tecnologia BiMOS, con capacità di memorizzazione di 64 kbit e tempo di accesso non superiore a 35 ns, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 29×29 mm, con 68 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere: CY7B144 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 23Memoria cache statica di lettura e scrittura a libero accesso (S/cache/RAM), in tecnologia BiMOS, con capacità di memorizzazione di 72 kbit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 29×29 mm, con 68 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: CY7B180 CY7B181 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 23Memoria cache statica di lettura e scrittura a libero accesso (S/cache/RAM), in tecnologia C/MOS, con capacità di memorizzazione di 144 kbit e tempo di accesso non superiore a 30 ns, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 21×21 mm, con 52 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identifizione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: TC 55187 TC 55188 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 23Memoria statica, non volatile, di lettura e scrittura a libero accesso, in tecnologia C/MOS (C/MOS-S/RAM non volatile), munita di fonte di energia interna, con capacità di memorizzazione di 256 kbit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 19×40 mm, con 28 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: BQ 4011 DS 1230 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 23Memoria asincrona statica di lettura e scrittura a libero accesso, in tecnologia C/MOS (asincrona C/MOS-S/RAM), con capacità di memorizzazione di 16 kbit×16 bit, escluse memoria cache statica di lettura e scrittura a libero accesso (Static Cache RAM), sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 21×21 mm, con 52 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: MCM 62995-17 MCM 62995-20 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 23Memoria statica di lettura e scrittura a libero accesso, in tecnologia C/MOS (C/MOS-S/RAM), con capacità di memorizzazione di 32 kbit×8 bit e un tempo di accesso superiore a 55 ns, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 17×39 mm, con 32 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: HM 62256 HY 62C256 MB 84256 PD 43256 TC 55257 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 23Memoria statica di lettura e scrittura a libero accesso, in tecnologia BiMOS (BiMOS-S/RAM), con capacità di memorizzazione di 256 kbit e tempo di accesso non superiore a 20 ns, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 21×38 mm, con 52 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: CY7B153CY7B155HM 6709 AMCM 6709 CY7B154CY7B156MCN 6708 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 25Memoria statica di lettura e scrittura a libero accesso (S/RAM), in tecnologia C/MOS, con capacità di memorizzazione di 288 kbit e tempo di accesso non superiore a 40 ns, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 8×41 mm, con 32 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere: TC 55329 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 25Memoria cache statica di lettura e scrittura a libero accesso, in tecnologia BiMOS (BiMOS-Static Cache RAM), con capacità di memorizzazione di 288 kbit e un tempo di accesso non superiore a 21 ns, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 17×17 mm, con 44 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazione di cifre e lettere: CY7B173 CY7B174 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 25Memoria statica di sola lettura e scrittura a libero accesso (S/RAM), con capacità di memorizzazzione di 1 Mbit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 17×44 mm, con 44 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: CXK581020CY7C108M5M 51004TC 55B4256 CY7C101CY7C109M5M 51008TC 55B4257 CY7C102HM 621100AMCM 6228TC 55B8128 CY7C106HM 624256MT 5C1008 CY7C107HM 624257TC 551001 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 31Memoria di sola lettura, non programmabile, in tecnologia C/MOS (C/MOS-ROM), con capacità di memorizzazione di 256 kbit, con potenza di riserva non superiore a 0,03 mA, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 17×50 mm, con 54 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: HN 61256 HN 613256 MB 83256 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte7 ex 8542 11 31Memoria di sola lettura, non programmabile, in tecnologia C/MOS (C/MOS-ROM), con capacità di memorizzazione di 1 Mbit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 17×43 mm, con 32 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: HN 62301 PMB 83 1000TC 53 1000 P IMP 23101MB 83 1124TC 53 1001 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte7 ex 8542 11 31Memoria di sola lettura, non programmabile, in tecnologia C/MOS (C/MOS-ROM), con capacità di memorizzazione di 8 Mbit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 14×54 mm, con 44 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere: TC 538200 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 31Memoria di sola lettura, non programmabile, in tecnologia C/MOS (C/MOS-ROM), con capacità di memorizzazione di 16 Mbit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 14×54 mm, con 44 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere: TC 5316200 -oppure altra sigla de identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 42Memoria di sola lettura, programmabile, cancellabile ai raggi ultravioletti (EPROM), con capacità di memorizzazione di 16 kbit e un tempo di accesso non superiore a 65 ns, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 17×39 mm, con una finestra di quarzo sulla superficie superiore, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: CY 7C 245 W CY 7C 291 W -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 42Memoria di sola lettura, programmabile, cancellabile ai raggi ultravioletti (EPROM), con capacità di memorizzazione di 32 kbit e un tempo di accesso non superiore a 45 ns, sotto forma di un circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 17×39 mm, con una finestra di quarzo sulla superficie superiore, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: 27 CX 321 27 CX 322 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 42Memoria di sola lettura, programmabile, cancellabile ai raggi ultravioletti (EPROM), con capacità di memorizzazione di 64 kbit e un tempo di accesso non superiore a 65 ns, sotto forma di un circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 17×39 mm, con una finestra di quarzo sulla superficie superiore, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: CY 7C 261 W CY 7C 263 W CY 7C 268 W CY 7C 269 W -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 42 ex 8542 11 59 Memoria di sola lettura, programmabile, cancellabile ai raggi ultravioletti (EPROM) o non cancellabile (PROM), con capacità di memorizzazione di 128 kbit e un tempo di accesso non superiore a 100 ns, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserita in un contenitore di dimensioni non superiori a 17×39 mm, con 32 contatti al massimo, con o senza una finestra di quarzo sulla superficie superiore, e sul quale contenitore è riportata: ex 8542 11 42 ex 8542 11 59 (segue)-una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e di lettere: CY 7C 251 CY 7C 254 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 42 ex 8542 11 59 Memoria di sola lettura, programmabile, cancellabile ai raggi ultravioletti (EPROM) o non cancellabile (PROM), con capacità di memorizzazione di 256 kbit e un tempo di accesso non superiore a 99 ns, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserita in un contenitore di dimensioni non superiori a 17×39 mm, con 32 contatti al massimo, con o senza una finestra di quarzo sulla superficie superiore, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: CY 7C 271 CY 7C 274 CY 7C 277 CY 7C 279 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 44 ex 8542 11 59 Memoria di sola lettura programmabile, cancellabile a raggi ultravioletti (EPROM), o non cancellabile (PROM), con capacità di memorizzazione di 1 Mbit e tempo di accesso non superiore a 35 ns, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 18×53 mm, con 40 contatti al massimo, con o senza una finestra di quarzo sulla superficie superiore, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: CY7B201 CY7B210 CY7B211 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristische sopra descritte0 ex 8542 11 44Memoria-flash di sola lettura, programmabile, cancellabile elettricamente (Flash E2PROM), con capacità di memorizzazione di 1 Mbit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 17×42 mm, con 32 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere: 48 F 010 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le carateristiche sopra descritte0 ex 8542 11 46Memoria-flash di sola lettura, programmabile, cancellabile elettricamente (Flash E2PROM), con una capacità di memorizzazione di 2 Mbit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 17×42 mm, con 32 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere: 28F020 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 50Memoria di sola lettura, programmabile, cancellabile elettricamente (E2PROM), con capacità di memorizzazione di 16 kbit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserita in un contenitore di dimensioni non superiori a 17×42 mm, con 32 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: 24 C 1628 C 1752 B 13X 2816 28 C 1638 C 16AM 2817 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 50Memoria di sola lettura, programmabile, cancellabile elettricamente (E2PROM), con capacità di memorizzazione di 64 kbit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 17×39 mm, con 32 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: 28 C 64HN 58C65X 2864 A AM 2864 BEMBM 28 C 65 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 50Memoria di sola lettura, programmabile, cancellabile elettricamente (E2PROM), con capacità di memorizzazione di 128 kbit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 17×39 mm, con 32 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere: X 28128 A -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 50Memoria di sola lettura, programmabile, cancellabile elettricamente (E2PROM), con capacità di memorizzazione di 256 kbit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 19×42 mm, con 32 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: 28256 28 C 256 48 C 256 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 50Memoria di sola lettura, programmabile, cancellabile elettricamente (E2PROM), con capacità di memorizzazione di 1 Mbit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 17×52 mm, con 44 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere: AT 28C1024 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0ex 8542 11 59Memoria di servizio di dati e indirizzi, per lo stoccaggio dei dati di una unità centrale di trattamento (CPU), di un BUS sistema, di un BUS memoria o per lo stoccagio degli indirizzi di un BUS sistema, di un BUS locale e delle memorie dinamiche a lettura e scrittura a libero accesso (D/RAMS), comprendente 2 circuiti per la rilevazione degli errori di parite, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 30×30 mm, con 84 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazione di cifre e lettere: PER LA CONTINUAZIONE DEL TESTO VEDI SOTTO NUMERO : 391R3544.1GC 102 HT 102 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 59Memoria di servizio per scrittura, a doppia linea, con cursore e memorie di lettura e scrittura a libero accesso (RAM), sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 17×39 mm, con 28 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere: CRT 9212 -oppure altra sigla di identificazioni relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 59Memoria di servizio per scrittura (Write Buffer), in tecnologia C/MOS, con organizzazione di 4×16 bit di cui 8 bit per gli indirizzi, 8 bit per i dati e 4 bit per parità, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 31×31 mm, con 68 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: 79 R 2020 A 79 R 3020 R 2020/16 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristische sopra descritte0 ex 8542 11 59Memoria di lettura e scrittura FIFO (First in/First out), in tecnologia C/MOS, con capacità di memorizzazione di 64×8 bit o di 64×9 bit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 12×38 mm, con 28 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: CY7C408A CY7C409A -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 59Memoria di lettura e scrittura FIFO (First in/First out), con capacità di memorizzazione di 7 280 o 9 080 bit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 12×36 mm, con 28 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di lettere e cifre: PD 41101 PD 41102 PD 42101 PD 42102 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 59Memoria di lettura-scrittura FIFO (First in/First out), in tecnologia C/MOS, con capacità di memorizzazione di 512×9 bit e un tempo di accesso non superiore a 40 ns, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 12×43 mm, con 32 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: CY7C420-20CY7C420-40CY7C421-30CY7C451 CY7C420-25CY7C421-20CY7C421-40 CY7C420-30CY7C421-25CY7C441 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 59Memoria di lettura-scrittura FIFO (First in/First out), in tecnologia C/MOS, con capacità di memorizzazione di 18 kbit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiore a 13×43 mm, con 32 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: CY7C428 CY7C429 CY7C439 CY7C443 CY7C453 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 59Memoria di lettura-scrittura FIFO (First in/First out), in tecnologia C/MOS, con capacità di memorizzazione di 72 kbit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 14×38 mm, con 32 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: CY7C460 CY7C470 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 59Memoria di lettura-scrittura FIFO (First in/First out), in tecnologia C/MOS, con capacità di memorizzazione di 144 kbit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 14×38 mm, con 32 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: CY7C462 CY7C472 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 59Memoria di lettura-scrittura FIFO (First in/First out), in tecnologia C/MOS, con capacità di memorizzazione di 288 kbit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 14×38 mm, con 32 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: CY7C464 CY7C474 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 59Memoria di sola lettura, programmabile, non cancellabile (PROM), con capacità di memorizzazione di 16 kbit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 17×39 mm, con 32 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: 7 C 245 7 C 291 7 C 292 HM 6616 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 59Memoria di sola lettura, programmabile, non cancellabile (PROM), in tecnologia C/MOS, con capacità di memorizzazione di 36 288 bit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 16×16 mm, con 20 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere: XC 1736 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 59Memoria di sola lettura, programmabile, non cancellabile (PROM), con capacità di memorizzazione di 64 kbit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 17×44 mm, con 32 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: CY7C261CY7C264CY7C269MB7144XC 1764 CY7C263CY7C268MB7143MB71C44XC 1765 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 62 ex 8542 11 64 ex 8542 11 67 Coprocessore, in tecnologia C/MOS, per l'interfaccia multiple tra un bus di sistema parallelo e unità centrali di trattamento (CPU) a 8, 16 oppure 32 bit, sotto forma di circuito intergrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 41×41 mm, con 149 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: 82389 82C389 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 62 ex 8542 11 64 ex 8542 11 67 Circuito, in tecnologia N/MOS (compresa H/MOS) che esercita la funzione di una unità di elaborazione (CPU), costituito da una memoria di servizio 8×8 bit, una memoria di servizio di 16×16 bit, una memoria di servizio di 16×20 bit, una memoria di servizio di 32×32 bit, un registro a 8 bit, un registro a 12 bit, un registro a 16 bit, due registri a 20 bit, un contatore a 5 bit e una rete di temporizzazione, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 25×25 mm, con 68 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere: LSI-604041855 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 62 ex 8542 11 64 ex 8542 11 67 ex 8542 11 68 Coprocessore matematico a virgola mobile, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 46×53 mm, con 208 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla d'identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre o di cifre e lettere: 317180387MC 68882TX 32081 W 74 ACT 88478087NCR 32020WTL 3167 79 R 201080C287NS 32081 79 R 3010CY 7C 602NS 32381 80287MC 68881R 2010/16 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristische sopra descritte0 ex 8542 11 62 ex 8542 11 64 ex 8542 11 67 ex 8542 11 68 Coprocessore, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 25×25 mm, con 68 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere: C 82730 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 62Microprocessore a 8 bit, in tecnologia N/MOS (compresa H/MOS), per la codificazione e decodificazione dei dati, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 15×53 mm, con 40 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre o di cifre e lettere: 8294 Z 8068 Z 9518 -oppure altre sigle di identificazione relative a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 62Microprocessore a 8 bit, in tecnologia C/MOS, costituito di un'unità centrale di elaborazione (CPU), una unità di gestione della memoria (MMU), una unità di controllo di accesso diretto alla memoria (DMA Controller) a 2 canali, un temporizzatore programmabile a 16 bit a due canali, un generatore di stato di attesa, una unità di interfacia a due canali asincrone per comunicazione seriale (ASCI), e una unità di controllo bus, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 26×62 mm, con 80 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: HD 64 A 180 HD 64 B 180 Z 64180 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 62Microprocessore a 8 bit, in tecnologia C/MOS, costituito di un circuito di modulazione dei segnali di registrazione, un circuito di demodulazione dei segnali di riproduzione, un circuito con codice e correzione di errore, un convertitore analogico-digitale/digilale-analogico, un circuito di interfaccia di memoria statica di lettura e scrittura a libero accesso (S/RAM), un circuito di entrata/uscita per l'interfaccia di un microcontrollore o microelaboratore, un circuito di entrata/uscita per l' interfaccia di un sistema audio e un circuito di blocco di fase (Phase Locked Loop/PLL), sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 15×21 mm, con 100 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: ex 8542 11 62 (segue)-una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere: CXD2601 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi la caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 62 ex 8542 11 64 Microprocessore multiprotocollo a 8 o a 16 bit, in tecnologia C/MOS, costituito di una unità centrale di elaborazione (CPU), un circuito di controllo di accesso diretto alla memoria (DMA Controller), un circuito di controllo di interruzione, una memoria «duale» di lettura e scrittura a libero accesso (Dual Port RAM) con capacità di memorizzazione di 9 216 bit, tre temporizzatori, un processore di comunicazione e tre circuiti di controllo di comunicazione seriale e simultanea nelle due direzione (full duplex), sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 36×36 mm, con 132 contatti, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere: MC 68302 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 64Microprocessore a 8 bit, in tecnologia N/MOS (compresa H/MOS), con architettura interna da 16 bit, constituito da una unità centrale di elaborazione (CPU), un temporizzatore, 2 canali indipendenti DMA, un modulo d'interruzione programmabile, 3 temporizzatori programmabili da 16 bit, una memoria programmabile e selezione periferica su chip, un generatore programmabile in stato d'attesa e un modulo di controllo di linea locale, sotto forma di circuito monolitico integrato, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 30×30 mm, con 68 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente la combinazione seguente di cifre: 80188 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte7 ex 8542 11 64Microprocessore a 8 bit, in tecnologia C/MOS, con architettura interna di 16 bit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 36×60 mm, con 120 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificatione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: MB 89T713 MB 89T715 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 64Microprocessore a 10 bit per la decodifica dei dati contenuti nei testi, in tecnologia C/MOS, comprendente un preprocessore per la conversione seriale/parallela dei dati, un processore di visualizzazione video, ,un circuito di controllo dell'accesso alla memoria, una memoria di visualizzazione e un circuito di interfaccia, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 16×37 mm, con 28 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: CF 70064 CF 70095 CF 72301 CF 72305A -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 64Microprocessore a 16 bit, in tecnologia N/MOS (compresa H/MOS), costituito di una unità centrale di elaborazione (CPU), temporizzatori, 2 canali DMA indipendenti, una unità programmabile di controllo delle interruzioni (interrupt controller), 3 orologi programmabili a 16 bit, una memoria programmabile, una memoria programmabile e selezione periferica su chip, un generatore programmabile di stato d'attesa e una unità di controllo di BUS, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 30×30 mm, con 68 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre: 80186 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristische sopra descritte0 ex 8542 11 64Microprocessore a 16 bit, in tecnologia N/MOS (compresa H/MOS), costituito da una unità centrale di elaborazione (CPU), da un circuito di gestione della memoria (MMU) e un sistema di sfruttamento di indirizzi reali e virtuali (OSOS), sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 30×30 mm, con 68 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre: 80286 -oppure una sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristische sopra descritte10 ex 8542 11 64Processore di comunicazione a 16 bit, in tecnologia N/MOS (compresa H/MOS), con memoria di lettura e scrittura a libero accesso (RAM) con capacità di memorizzazione di 22 kbit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 15×60 mm, con 48 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere: TMS 38010 -oppure altra sigla di identificazione relative a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 64Microprocessore a 16 bit, in tecnologia C/MOS, costituito da un'unità aritmetica-logica (ALU), un accumulatore/moltiplicatore (MAC), una unità di scorrimento aritmetica/logica (Shifter), sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 35×35 mm, con 101 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere: ADSP 2100 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 64Microprocessore a 16 bit, in tecnologia C/MOS, costituito da una unità aritmetica-logica (ALU), una unità di generazione di indirizzi, da 3 BUS di dati a 16 bit, da 3 BUS di indirizzi a 16 bit e un circuito do controllo programma, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 36×36 mm, con 132 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: ex 8542 11 64 (segue)-una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: DSP 56116 DSP 56156 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 64Microprocessore a 16 bit, in tecnologia C/MOS, costituito da una unità di multiplicazione e accumulazione, una memoria statica di lettura e scrittura a libero accesso (S/RAM) con capacità di memorizzazione di 256×24 bit, una memoria statica di lettura e scrittura a libero accesso (S/RAM) con capacità di memorizzazione di 256×16 bit, un generatore di indirizzi, un circuito di interfaccia seriale a cascata e un circuito di interfaccia parallelo asincrono, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 16×37 mm, con 28 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinzazioni di cifre e lettere: DSP 56200 XSP 56200 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 64Microprocessore a 16 bit, in tecnologia C/MOS, costituito da una unità centrale di elaborazione (CPU) e una unità bus esterna di 8 o 16 bit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 30×54 mm, con 100 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: 80 C 18680 C 196Z 70108 80 C 18880 C 296Z 70116 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 64Microprocessore a 16 bit, in tecnologia C/MOS, costituito da una unità centrale di elaborazione (CPU), una unità di gestione della memoria (MMU), una memoria cache di 2 kbit, tre temporizzatori programmabili a 16 bit, un trasmettitore/ricevitore universale asincrono funzionante nelle due direzioni (Duplex UART) e 4 canali DMA, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 26×26 mm, con 68 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere: Z 280 -oppure altre sigle di identificazione relative a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 64Processore di comunicazione a 16 bit, in tecnologia C-MOS, comprendente un codificatore/decodificatore per la conversione di dati in segnali seriali/paralleli, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 28×28 mm, con 132 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere: TMS 380 C 16 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 67Coprocessore a 32 bit, in tecnologia C/MOS, per una rete locale, comprendente una unita di interfaccia di dati, una unita di interfaccia BUS, un circuito di controllo di accesso diretto alla memoria (DMA Controller), e memorie di lettura e scrittura FIFO (First in/First out) con capacità di memorizzazione di 1 536 bit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 63×63 mm, con 132 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre: 82596 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 67Microprocessore a 32 bit, in tecnologia N/MOS (compresa H/MOS), sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 38×38 mm, con 132 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportato: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazione di cifre e lettere: CPU 04041871 NCR 32000 NS 32032 NS 32332 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 67Microprocessore a 32 bit, in tecnologia C/MOS, comprendente una unita aritmetica a virgola mobile con 4 registri a 80 bit, trentasei registri a 32 bit, una memoria cache con capacità di memorizzazione di 4 kbit e un controllore di interruzioni, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 37×37 mm, con 132 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere: 80960KB -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 67Microprocessore a 32 bit, costituito di una o più memorie di lettura e scrittura a libero accesso (RAM) con capacità totale di memorizzazione non superiore a 48 kbit e una unità aritmetica a virgula mobile di capacità di 32 bit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 35×35 mm, con 164 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere: DSP 32 C -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 67Microprocessore a 32 bit, in tecnologia C/MOS, costituito da una unità aritmetica e logica binaria, una unità aritmética e logica a virgola mobila, una unità aritmetica e logica decimale, una unità di controllo dello stoccaggio, una unità di gestione della memoria virtuale e dei registri, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 48×48 mm, con 223 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre: 78201441 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 67Microprocessore a 32 bit, in tecnologia C/MOS, con bus esterno di indirizzo dei dati di 32 bit e bus esterno di dati di 32 bit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 48×48 mm, con 208 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre o di cifre e lettere: 48679 R 3000MC 68020NS 32C 032 80386AM 29000MC 68030R 2000/16 80486CY7C601MC 68040 79 R 2000 AL 64801NS 32532 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 67Microprocessore a 32 bit, in tecnologia C/MOS, con bus esterno dei dati di 16 bit e bus esterno di indirizzo dei dati a 24 bit e con una capacità di indirizzarsi a una memoria virtuale di 64 Terabytes, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 31×31 mm, con 100 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere: 80386 SX -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 67Microprocessore a 32 bit, in tecnologia C/MOS, combinate con un circuito di controllo BUS, un circuito di controllo di memoria, un circuito di controllo di memoria cache e una memoria cache con capacità di memorizzazione non superiore a 512 kbit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 38×38 mm, con 227 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere: 80386 SL -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 67Microprocessore a 16 bit con unità aritmetica-logica (ALU) a 32 bit, costituito da una memoria di lettura e scrittura a libero accesso (RAM) con capacità di memorizzazione di 8,5 kbit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 29×29 mm, con 68 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere: TMS 32020 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 68Microprocessore a 64 bit, in tecnologia C/MOS, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 45×45 mm, con 168 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre: 80860 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 71Microcontrollore o microelaboratore a 4 bit, in tecnologia C/MOS, con funzione di pilotaggio per dispositivi di visualizzazione a cristalli liquidi (LCD), comprendente una memoria di sola lettura, non programmabile (ROM) con capacità di memorizzazione di 12 kbit, una memoria di lettura e scrittura a libero a accesso (RAM) con capacità di memorizzazione di 160 bit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 14×18 mm, con 60 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: MSM 58421 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 71Microcontrollore o microelaboratore a 4 bit, in tecnologia C/MOS, comprendente una memoria di sola lettura, non programmabile (ROM) con capacità di memorizzazione di 2 kbit×8 bit, un generatore multifrequenza a doppia tonalità (DTMF), una memoria di lettura e scrittura a libero accesso (RAM) con capacità di memorizzazione di 1 kbit e/o una memoria di lettura e scrittura a libero accesso (RAM) con capacità di memorizzazione di 512 bit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 16×54 mm, con 42 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: T 6978 TCM 8301 TCM 8302 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 71Microcontrollore o microelaboratore a 4 bit, in tecnologia C/MOS, comprendente una memoria di sola lettura, non programmabile (ROM) con capacità di memorizzazione non inferiore a 10 kbit ma non superiore a 16 kbit, una memoria di lettura e scrittura a libero accesso (RAM) con capacità di memorizzazione non superiore a 1 536 bit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 16×54 mm, con 67 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: HD 44750 TMP 47 C 200 TMP 47 C 220 TMP 47 C 221 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 71Microcontrollore o microelaboratore a 4 bit, in tecnologia C-MOS, costituito da una memoria di sola lettura, non programmabile (ROM) o programmabile, non cancellabile (PROM) con una capacità di memorizzazione non superiore a 8 kbit×8 bit, delle memorie di lettura e scrittura a libero accesso (RAM) con una capacità di memorizzazione non superiore a 4 kbit, un generatore multifrequenza a doppia tonalità (DMTF), sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 21×60 mm, con 100 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: TMP 47 C 452TMP 47 C 855TMP 47 P 855 TMP 47 C 456TMP 47 C 858 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0ex 8542 11 71 ex 8542 11 91 Microcontrollore o microelaboratore a 4 bit, costituito da una memoria di sola lettura, non programmabile (ROM) o una memoria di sola lettura, programmabile, non cancellabile (PROM) o una memoria di sola lettura, programmabile, cancellabile ai raggi ultravioletti (EPROM) con capacità di memorizzazione non superiore a 128 kbit e una memoria di lettura e scrittura a libero accesso (RAM) con capacità di memorizzazioni non superiore a 5 kbit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 21×60 mm, con 100 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: CD 3200-3299HD 614042TMC 1500-1599 HD 38800HD 614080TMC 1980-1999 HD 38820MN 1584531TMP 47 C 1670 HD 404189SMC 6214TMP 47 C 670 HD 404608SMC 6215TMP 47 P 1670 HD 4074608SMC 6234TMP 47 P 860 E HD 44796SMC 6266TP 0310-03299 HD 44800SMC 62 L 34TP 0450-04599 HD 44801T 7767 BSTP 0480-04899 HD 44820TMC 0270-0279TP 0500-05999 HD 44840TMC 0500-0599TSS 200 HD 44860TMC 0980-0989TSS 400 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 71Microcontrollore o microelaboratore a 4 bit, in tecnologia C/MOS, costituito da una memoria di sola lettura, non programmabile (ROM), oppure da una memoria di sola lettura, programmabile, non cancellabile (PROM) con una capacità di memorizzazione di 160 kbit o più ed una memoria di lettura e scrittura a libero accesso (RAM) con una capacità di memorizzazione non superiore a 4 kbit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 20×60 mm, con 64 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: HD 404019 HD 404919 HD 4074019 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 71Microcontrollore o microelaboratore a 8 bit, in tecnologia N-MOS (compresa H-MOS), costituito da una memoria di sola lettura, programmabile, cancellabile ai raggi ultravioletti (EPROM) con capacità di memorizzazione di 14 432 bit, o di 30 016 bit, o di 30 208 bit, da una memoria di lettura e scrittura a libero accesso (RAM) con una capacità di memorizzazione di 832 bit o di 896 bit, da una memoria di sola lettura, non programmabile (ROM) con capacità di memorizzazione di 920 bit, o di 1 528 bit, o di 1 728 bit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 18×54 mm, con 44 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: MC 68705P3 MC 68705R3 MC 68705S3 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 71Microcontrollore o microelaboratore a 8 bit, costituito da una memoria di sola lettura, programmabile, non cancellabile (PROM) o una memoria di sola lettura, programmabile, cancellabile ai raggi ultravioletti (EPROM) con capacità di memorizzazione di 32 kbit, una memoria di lettura e scrittura a libero accesso (RAM) con capacità di memorizzazione di 1 kbit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 17×53 mm, con 44 contatti al massimo, con o senza una finestra di quarzo sulla superficie superiore, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre: 7742 8751 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 71Microcontrollore o microelaboratore a 8 bit, con funzione di interfaccia periferica universale, in tecnologia N/MOS (compresa H/MOS), costituita da una memoria di lettura e scrittura a libero accesso (RAM) con capacità di memorizzazione non superiore a 2 kbit, di una memoria di sola lettura, non programmabile (ROM), e di una memoria di sola lettura, programmabile, cancellabile ai raggi ultravioletti (EPROM) e di una memoria di sola lettura, programmabile, non cancellabile (PROM) con capacità di memorizzazione di 16 kbit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 17×53 mm, con 44 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre: 8042 8742 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 71Microcontrollore o microelaboratore a 8 bit, in tecnologia C/MOS, con architettura de registro a registro e costituito da: -una memoria statica di lettura e scrittura a libero accesso (S/RAM) con capacità di memorizzazione non superiore a 4 kbit, -una memoria di sola lettura, programmabile, non cancellabile (PROM) oppure una memoria di sola lettura, programmabile, cancellabile ai raggi ultravioletti (EPROM) oppure una memoria di sola lettura, programmabile, cancellabile elettricamente (E2PROM) con capacità di memorizzazione non superiori a 128 kbit e comprendente o non: -una memoria di sola lettura, programmabile, cancellabile elettricamente (E2PROM) con capacità di memorizzazione non superiori a 4 kbit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 30×30 mm, con 100 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: 370C010370C052370C156370C310370C352370C756 370C032370C056370C250370C332370C356370C810 370C050370C150370C256370C350370C732370C850 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 71Microcontrollore o microelaboratore a 8 bit, in tecnologia C/MOS, costituito da una memoria di lettura e scrittura a libero accesso (RAM) con capacità di memorizzazione di 256 bit, da una memoria di sola lettura, non programmabile (ROM) con capacità di memorizzazione di 16 kbit, da una memoria di sola lettura, programmabile, cancellabile elettricamente (E2PROM) con una capacità di memorizzazione di 2 kbit, da un generatore orologio, da un temporizzatore a 4 bit, da un circuito di interface di commutazione seriale e da un convertitore digitale/analogico a 14 bit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 10×29 mm, con 28 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente la seguente combinazione di cifre e lettere: HD 401220 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 71Microcontrollore o microelaboratore a 8 bit, in tecnologia C/MOS, costituito da una memoria di sola lettura, programmabile, non cancellabile (PROM) o da una memoria di sola lettura, programmabile, cancellabile a raggi ultravioletti (EPROM), con capacità di memorizzazione di 60 kbit o più ma non superiore a 128 kbit e da una memoria di lettura e scrittura a libero accessso (RAM) con capacità di memorizzazione non superiore a 3 kbit, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiori a 19×54 mm, con 44 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in o comprendente una delle seguenti combinazioni di cifre e lettere: 87C51FB 87C54 MC68HC705C8 -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 71Microcontrollore o microelaboratore a 8 bit, in tecnologia C/MOS, costituito da una memoria di sola lettura, non programmabile (ROM) con capacità di memorizzazione di 16 kbit, una memoria di lettura e scrittura a libero accesso (RAM) con capacità di memorizzazione non superiore a 2 kbit, una memoria di sola lettura, programmabile, cancellabile elettricamente (E2PROM) con capacità di memorizzazione di 640 bit, convertitori a due vie (ADC-DAC) a 8 bit, un selezionatore (Multiplexer) analogico e di amplificatori programmabili per il controllo dei segnali analogici, sotto forma di circuito integrato monolitico, inserito in un contenitore di dimensioni non superiore a 20×26 mm, con 100 contatti al massimo, e sul quale contenitore è riportata: -una sigla di identificazione consistente in/o comprendente la seguente combinazione di lettere: DAPC -oppure altra sigla di identificazione relativa a circuiti aventi le caratteristiche sopra descritte0 ex 8542 11 71Microcontrollore o microelaboratore a 8 bit, in tecnologia C-MOS, costituito da una memoria di sola lettura, programmabile, non cancellabile