Regolamento (CEE) n. 3744/81 del Consiglio, del 7 dicembre 1981, concernente azioni comunitarie nel settore della tecnologia microelettronica



Gazzetta ufficiale n. L 376 del 30/12/1981 pag. 0038



++++ REGOLAMENTO ( CEE ) N . 3744/81 DEL CONSIGLIO del 7 dicembre 1981 concernente azioni comunitarie nel settore della tecnologia microelettronica IL CONSIGLIO DELLE COMUNITÀ EUROPEE , visto il trattato che istituisce la Comunità economica europea , in particolare l ' articolo 235 , vista la proposta della Commissione , visto il parere del Parlamento europeo ( 1 ) , visto il parere del Comitato economico e sociale ( 2 ) , considerando che la tecnologia microelettronica è essenziale per lo sviluppo e la competitività di tutta l ' industria comunitaria in un momento in cui l ' economia europea deve sempre più produrre beni e servizi ad elevato valore aggiunto ; che tuttavia l ' importanza e la natura dello sforzo necessario per rispondere a quello dei suoi concorrenti fino al 1985 richiedono misure a livello comunitario , compreso un aiuto finanziario pubblico per sostenere le azioni di ricerca e sviluppo condotte in cooperazione dalle industrie ; che la risoluzione del Consiglio dell ' 11 settembre 1979 ( 3 ) invita la Commissione ad esaminare le possibilità e le modalità di coordinamento di azioni nazionali in questo settore e a presentare al Consiglio progetti concreti a livello comunitario per promuovere talune tecnologie microelettroniche ; considerando che l ' aiuto concesso dovrebbe avere lo scopo di promuovere in Europa un mercato e una situazione concorrenziale equilibrati , tenendo conto dei principi contenuti nel programma quadriennale di sviluppo dell ' informatica nella Comunità , specialmente dei principi della proprietà dei risultati dei progetti che hanno beneficiato di un aiuto e dell ' accesso a detti risultati , sottolineando in particolare l ' importanza di un ' adeguata diffusione dei prodotti e degli altri risultati dei suddetti progetti , HA ADOTTATO IL PRESENTE REGOLAMENTO : Articolo 1 Per conseguire gli obiettivi comunitari nel settore della tecnologia microelettronica , il coordinamento a livello comunitario delle azioni intraprese negli Stati membri in questo settore e l ' attuazione di progetti comuni destinati a completarle ed a rafforzarle sono assicurati alle condizioni di cui al presente regolamento . Per la concessione del sostegno finanziario nazionale ai progetti inerenti ai settori definiti all ' articolo 3 , gli Stati membri incoraggeranno in particolare i progetti la cui attuazione , a parità di condizioni , implica una consistente partecipazione di organismi di due o più paesi della Comunità . TITOLO I Informazioni e consultazioni Articolo 2 Fra gli Stati membri e la Commissione è istituito un sistema d ' informazione e di consultazione riguardante le iniziative intese a promuovere la diffusione e lo sviluppo della tecnologia microelettronica e delle sue applicazioni . Articolo 3 1 . Al fine di assicurare l ' efficacia delle consultazioni previste dal presente regolamento , gli Stati membri , indipendentemente dai loro obblighi in materia di norme di concorrenza , forniscono tempestivamente alla Commissione , di loro iniziativa o su richiesta di quest ' ultima , tutte le informazioni utili e aggiornate di carattere scientifico , economico e finanziario riguardanti ogni azione , svolta sotto la loro autorità e in corso di esecuzione alla data di entrata in vigore del presente regolamento , intesa : a ) a promuovere attività di ricerca industriale applicata e di sviluppo , concernenti le attrezzature , i procedimenti , gli strumenti e le tecniche sia di software che di hardware , destinate alla progettazione , alla produzione industriale e al collaudo di circuiti integrati avanzati ; b ) a diffondere le conoscenze di base e a formare ed istruire i dirigenti e il personale specializzati nella progettazione , l ' utilizzazione e il collaudo di circuiti integrati avanzati ; c ) a incoraggiare il sorgere nella Comunità di un ' industria in grado di progettare e produrre le attrezzature , i materiali e le tecniche per la fabbricazione di circuit integrati avanzati . Essi forniscono inoltre alla Commissione una valutazione dei risultati di tutte queste azioni . Il presente articolo non si riferisce alle informazioni riservate delle imprese riguardanti progetti specifici . 2 . La Commissione provvede a comunicare agli Stati membri le informazioni relative alle azioni di cui al precedente paragrafo 1 . 3 . Il grado di precisione delle informazioni che devono essere fornite alla Commissione in via riservata , agli organismi governativi degli Stati membri o al pubblico , nonchù le procedure e le misure intese a rendere disponibili tali informazioni , sono oggetto della procedura prevista dall ' articolo 8 . TITOLO II Progetti comuni Articolo 4 1 . I seguenti progetti chiave di ricerca e sviluppo , che riguardano direttamente i settori definiti dall ' articolo 3 e sono considerati altamente prioritari , beneficiano di un aiuto comunitario alle condizioni previste dall ' articolo 5 : I . Fotoripetizione su wafer ; II . Pennello elettronico per grafia diretta su wafer ; III . Incisione e deposizione al plasma ; IV . Apparecchiature di prova ; V . CAD ( Computer Aided Design = Progettazione con ausilio di calcolatore ) di circuiti a VLSI ( Very Large Scale Integration = Integrazione su larghissima scala ) nei seguenti settori : 1 . architettura ; 2 . struttura del linguaggio e dei dati ; 3 . collaudo ; 4 . modellizzazione dei dispositivi . 2 . Le specifiche tecniche applicabili ai progetti di cui al precedente paragrafo 1 sono contenute nell ' allegato . 3 . La Commissione aggiorna , se necessario , le specifiche tecniche secondo la procedura prevista dall ' articolo 8 . 4 . A decorrere dall ' inizio del secondo anno dell ' entrata in vigore del presente regolamento e entro i limiti delle risorse disponibili , l ' elenco di cui al paragrafo 1 potrà formare oggetto di revisione secondo la procedura prevista dall ' articolo 8 . Se necessario , la Commissione può inoltre proporre al Consiglio la revisione del regolamento . TITOLO III Modalità di finanziamento Articolo 5 1 . La Comunità europea accorda un sostegno finanziario ai progetti di cui all ' articolo 4 , sotto forma di sovvenzioni corrispondenti , di norma , al 30 % del costo di esecuzione , ma che potranno raggiungere il 50 % in base ad una decisione adottata secondo la procedura prevista dall ' articolo 8 . 2 . Gli stanziamenti d ' impegno necessari al sostegno finanziario di cui al precedente paragrafo 1 ammontano a 40 milioni di ECU . Tale importo verrà iscritto nel bilancio delle Comunità europee per il 1982 . 3 . I progetti che possono beneficiare dell ' aiuto devono possedere i seguenti requisiti : - il loro obiettivo deve corrispondere alle specifiche tecniche precisate nell ' allegato ; - i progetti devono essere eseguiti nella Comunità . Inoltre , a ) per i progetti da I a IV di cui all ' articolo 4 , paragrafo 1 : - i richiedenti devono essere fabbricanti o utilizzatori industriali stabiliti nella Comunità ; - un numero sufficiente di utilizzatori industriali adeguatamente qualificati , che non siano tutti stabiliti nello stesso Stato membro e che non abbiano alcun legame finanziario con il o i fabbricanti partecipanti allo stesso progetto , deve comprovare il proprio interesse a partecipare al progetto contribuendovi con risorse proprie . Questo numer è stabilito dalla Commissione , per ciascun progetto , conformemente alla procedura prevista dall ' articolo 8 ; b ) per i progetti di cui al punto V dell ' articolo 4 , paragrafo 1 : - i richiedenti devono essere università , centri di ricerca o imprese con sede nella Comunità ; - un numero sufficiente di imprese utilizzatrici adeguatamente qualificate , che non siano tutte stabilite nello stesso Stato membro e che non abbiano alcun legame finanziario tra loro , deve comprovare il proprio interesse a partecipare al progetto contribuendovi con risorse proprie . Questo numero verrà stabilito dalla Commissione , per ciascun progetto , conformemente alla procedura prevista dall ' articolo 8 . Qualora , applicando i suddetti criteri a ) e b ) , l ' importo delle risorse non permetta a due o più progetti della stessa natura di beneficiare dell ' aiuto , si darà la precedenza , a parità di condizioni , al progetto che interessa il maggior numero di Stati membri . 4 . Dopo aver constatato , conformemente a quanto stipulato al precedente paragrafo 3 , lettera a ) o b ) , che un progetto può beneficiare del finanziamento , tutte le imprese opportunamente qualificate , stabilite nella Comunità , possono partecipare al progetto e richiedere il relativo sostegno finanziario , indipendentemente dai loro eventuali legami finanziari con altri partecipanti allo stesso progetto . 5 . Le domande sono presentate alla Commissione dagli interessati in risposta ai bandi di gara pubblicati nella Gazzetta ufficiale delle Comunità europee . Esse devono dimostrare di essere giustificate , ai sensi del paragrafo 3 , e fornire ogni altra informazione utile . La Commissione può esigere ogni altro documento o informazione complementare all ' esame della domanda . 6 . Entro quattro mesi , la Commissione decide in merito alle domande presentate . 7 . Fatte salve le prerogative che l ' articolo 206 bis , paragrafo 3 , del trattato attribuisce alla Corte dei conti , la Commissione ha la facoltà di effettuare ricerche sul posto o di svolgere un ' indagine sulle operazioni finanziate , conformemente alle condizioni specificate nei contratti che disciplinano il finanziamento dei progetti . TITOLO IV Disposizioni generali Articolo 6 1 . È istituito un comitato consultivo delle azioni volte a promuovere la tecnologia microelettronica , in appresso denominato « comitato » , composto di rappresentanti degli Stati membri , che possono farsi assistere da esperti o da consulenti , secondo la natura delle azioni previste , e presieduto da un rappresentante della Commissione . 2 . I lavori del comitato sono riservati . 3 . Il comitato definisce il proprio regolamento interno . 4 . La segreteria del comitato è assicurata dai servizi della Commissione . Articolo 7 La Commissione può consultare il comitato riguardo a qualsiasi argomento che rientri nel settore di applicazione del presente regolamento e deve consultarlo in particolare : - sul grado di precisione delle informazioni da fornire in via riservata alla Commissione , relative alle attività nazionali , conformemente all ' articolo 3 ; - sul grado di precisione delle informazioni da mettere a disposizione sia del pubblico sia di organismi governativi degli Stati membri ; - sulle modalità intese a mettere tali informazioni a disposizione degli Stati membri ; - sull ' aggiornamento delle specifiche tecniche per i progetti che possono beneficiare del sostegno finanziario ; - sul numero minimo d ' imprese necessarie affinchù il progetto possa beneficiare del sostegno finanziario ; - sulla valutazione delle richieste e la concessione del sostegno finanziario . Articolo 8 1 . In caso di ricorso alla procedura definita dal presente articolo , il comitato viene investito della questione dal suo presidente , su iniziativa di quest ' ultimo , o su richiesta del rappresentante di uno Stato membro . 2 . Il rappresentante della Commissione presenta un progetto di misure da adottare . Il comitato esprime il proprio parere sul progetto di decisione entro due mesi . Esso si pronuncia con una maggioranza di 45 voti . Nell ' ambito del comitato , ai voti degli Stati membri è attribuita la ponderazione prevista all ' articolo 148 , paragrafo 2 , del trattato . Il presidente non partecipa alla votazione . 3 . La Commissione adotta il progetto se questo è conforme al parere del comitato . Se il progetto di decisione non è conforme a tale parere o in assenza di parere , la Commissione presenta senza indugio una proposta al Consiglio sotto forma di progetto di decisione . Il Consiglio delibera a maggioranza qualificata . Articolo 9 La Commissione invia ogni anno al Parlamento europeo ed al Consiglio una relazione sull ' andamento delle azioni comunitarie che rientrano nel settore di applicazione del presente regolamento . Articolo 10 Il presente regolamento entra in vigore il 1° gennaio 1982 . Esso è applicabile fino al 31 dicembre 1985 . Il presente regolamento è obbligatorio in tutti i suoi elementi e direttamente applicabile in ciascuno degli Stati membri . Fatto a Bruxelles , addì 7 dicembre 1981 . Per il Consiglio Il Presidente CARRINGTON ( 1 ) GU n . C 144 del 15 . 6 . 1981 , pag . 69 . ( 2 ) GU n . C 353 del 31 . 12 . 1980 , pag . 4 . ( 3 ) GU n . C 231 del 13 . 9 . 1979 , pag . 1 . ALLEGATO BREVE DESCRIZIONE DELLE SPECIFICHE TECNICHE DELLE AZIONI E DEI PROGETTI PER I QUALI SI PROPONE UN SOSTEGNO FINANZIARIO AI SENSI DEL REGOLAMENTO I . FOTORIPETIZIONE SU WAFER Tecnologia dei ripetitori fotografici diretti passo-passo Entro la fine del 1982 dovrebbero entrare in produzione fotoripetitori con le seguenti caratteristiche : - dimensioni del wafer : * massimo 6 pollici ; * - dimensioni della piastrina : * 1 cm2 ; * - larghezza minima della traccia : * 1,25 (...) m sul wafer ( 1,1 (...) m sul « resist » ) ; * - registrazione automatica : * 0,1 (...) m ; * - produzione oraria di 50 wafer da 4 pollici con piastrine da 1 cm2 e con inserimento di 5 schemi di prova ed autoregistrazione ad ogni chip ; aggiunta di un caricatore di reticoli . Nella descrizione dell ' apparecchiatura dovrebbero venir forniti i singoli tempi , ivi compreso il tempo necessario per l ' inserimento degli schemi di prova . La registrazione dovrà essere programmabile ( per singola esposizione , per blocco , per wafer ) . Si dovranno fornire le dimensioni minime ammesse per le tacche di allineamento . Sarebbe opportuno poter disporre nel 1983 di apparecchiature con una produzione oraria aumentata a 50 wafer da 6 pollici e un maggior potere risolvente ( 1,0 (...) m di larghezza minima della traccia sul wafer ) . II . PENNELLO ELETTRONICO PER GRAFIA DIRETTA SUL WAFER Apparecchiature per grafia diretta mediante pennello elettronico Dispositivi a pennello elettronico con le seguenti caratteristiche ; - dimensioni del wafer : * 6 pollici ; * - produzione oraria : * da 15 a 20 strati 1 (...) m ; * - dimensioni del campo : * senza limiti ; * - dimensioni minime della struttura : * 0,5 (...) m ; * - dimensioni del punto luminoso : * variabili ; * - precisione di registrazione : * 0,1 (...) m . * L ' attrezzatura dovrebbe poter servire anche per la produzione di reticoli e di maschere . I prototipi dei dispositivi con tutte queste caratteristiche , salvo la velocità , devono essere disponibili entro il 1983 . III . INCISIONE AL PLASMA A . Caratteristiche minime dell ' apparecchiatura - Materiali da incidere - SiO2 , drogato e non drogato . - Si3N4 - Polisilicio , drogato e non drogato . - Siliciuri e polisiliciuri . - Alluminio e leghe d ' alluminio . - Altri metalli per contatti ed interconnessioni . - Polimeri organici per « resist » e metallizzazione a diversi livelli . - Strutture da incidere durante la produzione - Passo ( traccia più spazio di separazione ) : 3 (...) m . - Larghezza minima della traccia : 1-1,5 (...) m . - Precisione : più o meno 10 % della larghezza della traccia per le strutture critiche . - Selettività e anisotropia La selettività dovrà essere adeguata e per ogni strato dovrà essere possibile un ' incisione assolutamente anisotropica . - Produzione La produzione minima dovrebbe essere di 50 wafer/ora per il processo più lento . Probabilmente il processo più lento sarà un ' incisione di 0,8 (...) m su SiO2 termico con una selettività di 10 : 1 sul silicio e con un passo di 3 (...) m . L ' incisione di altri strati , per esempio polisilicio non drogato di 0,4 (...) m su SiO2 , dovrebbe essere molto più rapida . B . Progettazione dell ' apparecchiatura Si pensa ad un reattore a piastre parallele con le caratteristiche seguenti : - Concezione La caratteristica più importante è l ' impiego di una concezione modulare in modo che l ' apparecchiatura possa venir adattata nel modo migliore ad ogni applicazione . - Compartimento di carico Elementi indesiderati ( ad esempio vapore acqueo ) non dovrebbero pervenire nella camera di reazione evitando effetti di postincisione . Ciò sarà possibile con un compartimento sotto vuoto in cui si trovano i caricatori . La rimozione dello strato di « fotoresist » nel compartimento di scarico va considerata facoltativa . - Elettrodi e costruzione della camera - Termostati regolabili individualmente per l ' elettrodo superiore e inferiore e per la camera di reazione . La gamma normale di regolazione della temperatura è 15-100° C e facoltativa fino a 150° C . - Distanza degli elettrodi regolabile tra : * 5-70 mm ( sistema a batch ) ; * * 5-70 mm ( sistema a wafer singolo ) . * - Il gruppo elettrodi deve essere in grado di funzionare a frequenze elevate ( sino a 27,12 MHz ) , cioè evitare per esempio la formazione di plasma parassita nel reattore . - Sia l ' incisione parallela a plasma ( PPE ) che l ' incisione a ioni reattivi ( RIE ) devono poter essere effettuate nel sistema ( accoppiamento anodo-catodo ) . - Progettazione sotto vuoto - La zona d ' interesse è tra i 10 mTorr e i 10 Torr . - Velocità di pompaggio regolabile . - Controllo della pressione automatica e manuale con commutazione semplice tra i due tipi . - Impiego di materiali non corrosivi per i dispositivi di tenuta ( giunti , guarnizioni ) e le tubazioni . - Armadietto gas Impiego flessibile di uno , due o tre gas con uno , due o tre regolatori di flusso , che dovranno di preferenza venir portati a 5 gas ( il numero dei gas è facoltativo ) . - Controlli - Dovrà essere possibile il controllo dei parametri seguenti : conduttura ( e ) di gas utilizzata ( e ) , portata , velocità di processo , tempo di stabilizzazione , tempo di sovraincisione , alimentazione a radiofrequenza , temperatura di entrambi gli elettrodi , tensione all ' elettrodo . - Il segnale elettrico proveniente dai sensori ( sensori di pressione , ... ) deve essere di facile accesso ( ad esempio su una spina standard ) per il controllo del processo . - Drovebbero essere disponibili almeno una finestrina per il controllo visivo del plasma e una o più flange complementari per agganciare gli strumenti di analisi per il controllo del processo . - Sistema di controllo ( software ) per l ' incisione automatica - Una tastiera e la memoria necessaria per il controllo passo a passo del processo o della sequenza di manutenzione . - Una PROM inseribile , programmata per l ' utilizzatore , per l ' incisione automatica . - Movimentazione dei wafer Movimentazione automatica dei wafer , carico e scarico cassetta per cassetta , senza danno o contaminazione dei wafer . Il sistema dovrebbe trattare wafer da 3 pollici con diametro fino a 150 mm . - Manutenzione e sicurezza - Possibilità di smontaggio semplice per la pulizia e le riparazioni . - Normalizzazione di flange , dispositivi di tenuta , connettori , ecc . , e pezzi di ricambio . IV . APPARECCHIATURE DI PROVA Si devono sviluppare apparecchiature di prova europee : - di tipo analogico/digitale integrale ; - di concezione modulare , al fine di poter essere adattabili a compiti di prova sia in fase di sviluppo sia in fase di produzione ; - con sviluppo in due fasi , almeno per quanto riguarda la parte digitale . La prima dovrebbe permettere la realizzazione di un ' apparecchiatura di prova con cadenze di temporizzazione di 10-20 MHz , la seconda di un ' apparecchiatura adatta a cadenze 50-100 MHz . Questo modo di procedere presenta il vantaggio di poter utilizzare il know-how tecnologico acquisito nella prima fase per risolvere i problemi che si presenteranno nella seconda . Inoltre , lo sviluppo delle prove ad alta velocità può essere adattato alle necessità di sviluppo dell ' industria europea dei circuiti europea dei circuiti integrati nel campo dei circuiti bipolari rapidi ; - prova di dispositivi con un maggior numero di piedini ( da 64 a 128 ) ; - le parti essenziali del sistema di prova devono essere assolutamente ECL ( emitter-coupled logic = logica ad emettitori accoppiati ) ; sono state escluse soltanto le prove dei dispositivi di memoria ; tuttavia , considerando che le memorie « on-the-chip » assumono una sempre maggiore importanza , se ne deve includere il controllo ; - per le diverse configurazioni delle apparecchiature di prova si deve elaborare un unico tipo di linguaggio di prova di alto livello . V . PROGETTAZIONE CON AUSILIO DI CALCOLATORE ( CAD ) DI CIRCUITI A VLSI ( Integrazione su larghissima scala ) 1 . Architettura I problemi da affrontarsi in questa sede sono i criteri di definizione delle specifiche , di simulazione e di collaudo in fase di progettazione dell ' architettura , nonchù le strategie architettoniche quali la gestione degli errori e la logica strutturata . Le seguenti attività sono necessarie : - Miglioramento delle conoscenze sulle tecniche computerizzate da parte dei progettisti di circuiti VLSI mediante : a ) trasferimento di know-how da parte dei fabbricanti di calcolatori , b ) una migliore integrazione tra scienza dei calcolatori e formazione in ingegneria elettronica nelle università . - Ricerca su : a ) nessi tra progettazione comportamentale e strutturale mediante lo sviluppo di opportuni linguaggi e simulatori ; b ) sintesi della logica a partire da descrizione RTL ( Register Transfer Language ) ; c ) controllo degli errori , ivi compresi gli aspetti di tolleranza di errori tipici dell ' architettura dei circuiti VLSI ; d ) logica struttura compresa la minimizzazione per i PLA ( Programable Logic Arrays ) e la programmazione automatica dei PLA e delle ROM ( Read Only Memories ) ; e ) generazione di microprogrammi e aiuti alla simulazione ; f ) macchine ad elaborazione in parallelo per il trattamento dei segnali . 2 . Struttura del linguaggio e dei dati 2.1 . Gestione dei dati di progettazione I tradizionali sistemi di progettazione grafica di CI si basano su una rappresentazione rovesciata del circuito da disegnare . Tale sistema è considerato inadatto a risolvere i problemi della progettazione di circuiti VLSI ; occorre invece specificare un criterio di gestione degli archivi o un sistema di gestione dei progetti che consenta di : 1 . contribuire alla gestione di un numero elevato di archivi contenenti rappresentazioni alternative dei numerosi moduli di un sistema ; 2 . salvaguardare l ' integrità di un progetto risultante da un lavoro di gruppo ; 3 . gestire le modifiche di progetto ; 4 . contribuire alla suddivisione in parti del progetto ; 5 . provvedere alla fornitura della documentazione di progetto . Si devono avviare progetti di ricerca che consentano ai normali sistemi d ' archivio o ai sistemi operativi di fornire quanto precedentemente richiesto . Poichù le più piccole unità di dati in una transazione costituiranno un archivio completo , le basi di dati convenzionali non sono adeguate . Nella realizzazione si deve tener conto dell ' interscambiabilità . È necessario far uso di un linguaggio standard con interfacce ben definite rispetto ai sistemi d ' archivio standard . L ' attività dovrebbe infine essere svolta in collaborazione fra progettisti di CI , specialisti di strumenti CAD e specialisti nel settore degli elaboratori . 2.2 . Interfaccia verso l ' utente Alcune attività di progettazione hanno un carattere interattivo molto spiccato e richiedono una riposta rapida dell ' elaboratore ; indipendentemente dalla sua potenza . Un esempio è la difinizione d ' un progetto mediante tecniche grafiche . Tali attività possono essere svolte su un piccolo elaboratore destinato ad un singolo utente . Altre attività non sono invece essenzialmente interattive , ma richiedono capacità di elaborazione estremamente potenti ; come nel caso della simulazione . Queste attività richiedono sistemi a tempo ripartito di notevole potenza . È importante che gli elaboratori utilizzati per queste attività siano in stretta connessione . Si devono studiare tecniche che consentano di controllare la ripartizione dei compiti tra due o più elaboratori ed un movimento flessibile di dati da uno all ' altro di tali compiti . Vanno fissati inoltre taluni principi generali applicabili ad un ' ampia gamma di hardware . Attualmente la tendenza , nelle specifiche di progetto dell ' hardware , è di usare rappresentazioni descrittive basate su linguaggio adatte ad esprimere la struttura gerarchica , le caratteristiche modulari e la ripetitività , il che è inevitabile con i circuiti a VLSI . I progettisti tendono ancora tuttavia a pensare in termini di diagrammi , e gli ausili grafici continueranno a svolgere un ruolo importante nel processo di progettazione . Si deve pertanto varare un progetto che studi quali metodi di combinazione tra rappresentazioni descrittive e grafiche consentano di passare automaticamente dall ' una all ' altra , in modo che l ' interfaccia più adatta possa essere scelta senza restrizioni in ogni fase del processo di progettazione . 2.3 . Simulazione Gli strumenti software di simulazione , prova e verifica , devono comprendere tutte le fasi della progettazione , dal livello RTL-S al transistore . L ' attività di ricerca va diretta verso lo sviluppo di un linguaggio descrittivo strutturale flessibile a più livelli per VLSI NMOS e CMOS . Sono richiesti studi sulla generazione automatica di compilatori nella sintassi degli strumenti a livello di simulazione unico attualmente utilizzati e , ancora più importante , sulla generazione diretta nella struttura dei dati di simulatori a più livelli . Le tecniche di simulazione a modo misto devono essere considerate con notevole attenzione in campi quali la struttura dei dati , gli algoritmi e i modelli . Si raccomanda in particolare di rivolgere maggiore attenzione all ' analisi delle reti VLSI piuttosto che alla pura simulazione , al fine di ridurre i tempi di progetto e di garantire la precisione della progettazione . Si tratta di un settore di ricerca completamente nuovo e all ' apparenza attuabilissimo basato sulle strutture di dati e sugli algoritmi degli attuali simulatori a più livelli . 2.4 . Verifica Si deve perseguire l ' obiettivo di rendere superflua la verifica manuale , o le fasi di progetto interattive automatizzandole per quanto possibile ( « silicon compilation » o creazione di celle , tecniche che fanno uso di celle standard , ecc . ) . Per creare una base solida all ' impiego o alla creazione di strumenti di questo tipo si deve avviare uno studio che confronti i diversi approcci e i diversi progetti manuali al fine individuare criteri obiettivi atti a rendere più efficiente la progettazione stessa . L ' aspetto gerarchico nella progettazione dei circuiti a VLSI è ovvio . La verifica tra un livello e l ' altro della gerarchia è un problema che non può essere tuttavia eluso . Nonostante la struttura gerarchica , la complessità e la quantità di dati è enorme e con gli strumenti oggi a disposizione i tempi d ' elaborazione risultano anti-economici . Pertanto la ricerca e sviluppo si occuperà in futuro di moduli hardware con funzioni specifiche ( dispositivi di verifica delle norme di progetto , memorie di struttura più contatori e registri a scorrimento o processo di linguaggio hardware che producano le opportune strutture di dati ) . 2.5 . Ripercussioni della nuova architettura dell ' elaboratore Considerato che : - il software è adesso più caro e la sua produzione dovrebbe essere resa ottimale e che l ' hardware è più a buon mercato e può essere utilizzato più liberamente , - che negli ultimi anni sono stati messi a punto e applicati un gran numero di processori in parallelo ad alte prestazioni , - che l ' architettura di una macchina dovrebbe corrispondere alle esigenze che quest ' ultima è chiamata a soddisfare . si propone di approfondire le ricerche nei seguenti due settori : a ) sviluppo di nuovi algoritmi paralleli e di nuove strutture di dati in ogni settore CAD per sfruttare ed applicare il massimo parallelismo . b ) studio di nuovi speciali processori hardware da « interfacciare » con gli elaboratori esistenti per migliorare una parte delle loro prestazioni di almeno un ordine di grandezza . 3 . Prove : Riassunto delle raccomandazioni Il gruppo « Prove » raccomanda di organizzare l ' attività futura nei seguenti tre settori principali , e relativi sottosettori : Principali settori d ' attività * Ricerca * Specifiche e valutazione * Sviluppo * 1 . GENERAZIONE DEI DATI DI PROVA * * * * - Prova del livello funzionale ( metodi e strategie ) * * * * - ATPG a livello degli elementi * * * * * - ATPG per cella a LSI , logica a struttura ripetitiva , ecc . * * * * * - Tipi e modelli di guasti * * * * * - Strategie di simulazione dei guasti * * * * * - Sistema ATPG modulare * * * * * * - Linguaggio per MTPG * * * * * * - Sistema ATDG integrato * * * * * * 2 . PROGETTAZIONE DESTINATA AI COLLAUDI * * * * - Frazionamento * * * * * - Progettazione di RAM destinate ai collaudi * * * * * - Unità microprogrammate * * * * * - Tecniche generali di progettazione destinate ai collaudi * * * * * - Autodiagnosi integrata nell ' hardware * * * * * - Autodiagnosi integrata nel software/firmware * * * * * 3 . ACQUISIZIONE E GESTIONE DEI DATI * * * * - Sistema DADM * * * * * * - Strumenti per lo sviluppo del programma * * * * * * 4 . Modellizzazione di dispositivi : Riassunto delle raccomandazioni Tre sono i settori principali considerati : - simulazione numerica di dispositivi , - modelli analitici , - modelli tabulari . Per ciascuno di essi si formulano le seguenti raccomandazioni : 4.1 . Simulazione numerica di dispositivi L ' obiettivo principale di questo sottoprogetto è di promuovere nei centri di ricerca e nei laboratori europei lo sviluppo di « pacchetti » avanzati di simulazione di dispositivi da mettere a disposizione dei fabbricanti europei di circuiti integrati . Si dovrebbe in tal modo raggiungere una certa indipendenza dai produttori statunitensi e giapponesi . Un ' attività di questo tipo è necessario in quanto , considerata l ' importanza degli effetti bi e tridimensionali , la simulazione numerica dei dispositivi rappresenta il solo strumento tradizionale praticamente utilizzabile nella progettazione . Si raccomanda pertanto lo sviluppo di almeno quattro pacchetti di simulazione cioù : - il simulatore MOSFET 2-D , - il simulatore 2-D per dispositivi bipolari , - il simulatore MOSFET 3-D , - il simulatore 3-D per dispositivi bipolari . Per ciascuno di essi sono state definite specifiche particolareggiate riguardanti i fenomeni fisici da inserire nel programma , la struttura fisica e geometrica del dispositivo e le capacità grafiche I/O . 4.2 . Modelli analitici ( esclusivamente MOSFET ) Un ' attività in questo settore è essenziale per due motivi principali : modelli analitici accurati e semplici sono preferiti dai progettisti di circuiti nei programmi di simulazione di circuiti CAD ; inoltre la dipendenza funzionale dei parametri elettrici relativi dalla struttura geometrica e fisica del dispositivo si individua più facilmente in modelli analitici da cui si possono pertanto trarre indicazioni sui fenomeni fisici che avvengono nel dispositivo stesso . Si dovrebbero sviluppare i seguenti modelli analitici : MOSFET a canali sperficiali * canale lungo , bassa tensione ( livello 1 ) * * canale lungo , alta tensione ( livello 2 ) * * canale corto , bassa tensione ( livello 3 ) * * canale corto , alta tensione ( livello 4 ) * MOSFET a canali non superficiali * canale lungo ( livello 1 ) * * canale corto ( livello 2 ) * 4.3 . Modello fisico Anche in questo caso sono fornite specifiche dettagliate per ciascuno dei precedenti modelli . Oltre allo sviluppo dei modelli , si deve affrontare e risolvere il problema dell ' identificazione dei parametri , soprattutto per quanto riguarda le cariche ( o capacitanze ) . 4.4 . Modelli tabulari I modelli tabulari sono stati considerati necessari per la simulazione temporale . In detti simulatori le capacitanze non assumono molta importanza , in quanto son considerate costanti . L ' attività svolta in questo campo dovrebbe pertanto essere rivolta allo sviluppo di tabelle riguardanti sia le correnti che le capacitanze . Il problema più importante da risolvere è quello di fornire leggi di scala , mantenendo tuttavia inalterata la semplicità di calcolo necessaria per una riduzione sensibile del tempo CPU rispetto a quanto richiesto con i modelli analitici .