X.B.I.001

Elektronikus alkatrészek vagy anyagok, valamint kifejezetten ezekhez tervezett alkatrészek és tartozékok gyártására szolgáló berendezések, az alábbiak szerint. a. Kifejezetten elektroncsövek, optikai elemek és kifejezetten a 3A001. (2) vagy az X.A.I.001. pont által ellenőrzés alá vont alkatrészek gyártására tervezett berendezések; b. Kifejezetten félvezető eszközök, integrált áramkörök és “elektronikus részegységek” gyártására tervezett berendezések az alábbiak szerint, valamint az ilyen berendezéseket tartalmazó vagy ilyen berendezések jellemzőivel rendelkező rendszerek: Megjegyzés: Az X.B.I.001.b. pont az egyéb eszközök, például képalkotó eszközök, elektro-optikai eszközök, akusztikaihullám-eszközök gyártásához használt vagy átalakított berendezéseket is ellenőrzés alá vonja. 1. Az X.B.I.001.b pont alatt meghatározott eszközök és alkatrészek gyártásához szükséges anyagok feldolgozására szolgáló berendezések, az alábbiak szerint: Megjegyzés: Az X.B.I.001. pont nem vonja ellenőrzés alá a kifejezetten az X.B.I.001.b.1. pont által ellenőrzés alá vont feldolgozóberendezésekhez tervezett kvarc kemencecsöveket, kemencebéléseket, lapátokat, csónakokat (a kifejezetten tervezett rácsos csónakok kivételével), buborékoltatókat, kazettákat vagy olvasztótégelyeket. a. Polikristályos szilícium előállítására szolgáló berendezések és a 3C001. pont (3) által ellenőrzés alá vont anyagok; b. A 3C001., 3C002., 3C003., 3C004. vagy 3C005. pont (4) által ellenőrzés alá vont, kifejezetten a III/V és II/VI félvezető anyagok tisztítására vagy feldolgozására tervezett berendezések, kivéve a kristályhúzókat, amelyek tekintetében lásd alább az X.B.I.001.b.1.c. pontot; c. Kristályhúzók és kemencék, az alábbiak szerint: Megjegyzés: Az X.B.I.001.b.1.c. pont nem vonja ellenőrzés alá a diffúziós és oxidációs kemencéket. 1. Nagy energiaátviteli sebességgel működő, 0,005 m2/percnél nagyobb sebességgel történő szeletfeldolgozásra képes kilágyító vagy átkristályozó berendezések, az állandó hőmérsékletű kemencék kivételével; 2. ‘Tároltprogram-vezérlésű’ kristályhúzók, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők bármelyikével: a. Újratölthetők az olvasztótégely cseréje nélkül; b. Alkalmasak 2,5 x 105 Pa feletti nyomáson való üzemelésre; vagy c. Alkalmasak 100 mm-t meghaladó átmérőjű kristályok húzására; d. ‘Tároltprogram-vezérlésű’ berendezések epitaxiális növesztéshez, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők bármelyikével: 1. Képesek minimum 200 mm-es távolságon ±2,5 %-nál jobb tűrésű szilíciumréteg-vastagság előállítására; 2. Képesek a szilíciumtól eltérő bármely anyagból ±3,5 % vagy annál jobb szeletréteg-vastagságot előállítani; vagy 3. Az egyes szeletek rotációja a feldolgozás során; e. Molekuláris sugár epitaxiális növesztő berendezések; f. Mágnesesen erősített ‘porlasztásos’ berendezések kifejezetten tervezett integrált betöltészárral, amelyek képesek szigetelt vákuumkörnyezetben átvinni a szeleteket; g. Kifejezetten ionbeültetésre, ionnal segített vagy fénnyel segített diffúzióra tervezett berendezések, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők bármelyikével: 1. Mintakialakítási képesség; 2. A sugárnyaláb energia (gyorsítófeszültség) meghaladja a 200 keV-ot; 3. 10 keV-nál alacsonyabb sugárnyaláb energiára (gyorsítófeszültségre) optimalizált; vagy 4. Képesek a hevített “alaplemezen” egykristályba történő nagy energiájú oxigénimplantációra; h. ‘Tároltprogram-vezérlésű’ berendezések anizotróp száraz módszerekkel (pl. plazmával) történő szelektív eltávolításra (maratásra), az alábbiak szerint: 1. ‘Többszeletes típusok’, amelyek rendelkeznek az alábbiak bármelyikével: a. Végpont-meghatározás, kivéve az optikai kibocsátás spektroszkópiai típusait; vagy b. A reaktor üzemi (maratási) nyomása legfeljebb 26,66 Pa; 2. ‘Egyszeletes típusok’, amelyek rendelkeznek az alábbiak bármelyikével: a. Végpont-meghatározás, kivéve az optikai kibocsátás spektroszkópiai típusait; b. A reaktor üzemi (maratási) nyomása legfeljebb 26,66 Pa; vagy c. Kazettáról kazettára történő működésű és betöltészáras szeletkezelés; Megjegyzések: 1. A ‘többszeletes típus’ olyan gépet jelent, amelyet kifejezetten nem egyenkénti szeletek előállítására terveztek. Az ilyen gépek képesek két vagy több szeletet egyidejűleg feldolgozni közös folyamatparaméterekkel, pl. RF teljesítmény, hőmérséklet, marógázfajták, áramlási sebességek. 2. Az ‘egyszeletes típus’ olyan gépet jelent, amelyet kifejezetten egyenkénti szeletek előállítására terveztek. Ezek a gépek automatikus szeletkezelő technikákat alkalmazhatnak arra, hogy egyenként töltsék be a szeleteket a feldolgozóberendezésbe. A fogalommeghatározás magában foglalja azokat a berendezéseket, amelyek több szeletet képesek betölteni és feldolgozni, de a maratási paramétereket – pl. az RF teljesítményt vagy a végpontot – az egyes szeletekre vonatkozóan önállóan meg lehet határozni. i. Félvezető eszközök gyártásához használt, oxidok, nitridek, fémek vagy poliszilícium leválasztására szolgáló “gőzfázisú kémiai leválasztó” (CVD) berendezések, pl. plazmával segített CVD (PECVD) vagy fénnyel segített CVD, amelyek rendelkeznek a következő képességek bármelyikével: 1. 105 Pa-nál kisebb teljesítményű “gőzfázisú kémiai leválasztó” berendezések; vagy 2. 60 Pa alatt működő vagy automatikus kazettáról kazettára történő működésű és betöltészáras szeletkezelő PECVD berendezések; Megjegyzés: Az X.B.I.001.b.1.i. pont nem vonja ellenőrzés alá az alacsony nyomású “gőzfázisú kémiai leválasztó” (LPCVD) rendszereket vagy a reaktív “porlasztásos” berendezéseket. j. Kifejezetten maszkkészítésre vagy félvezetőeszköz feldolgozására tervezett vagy átalakított elektronsugaras rendszerek, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők bármelyikével: 1. Elektrosztatikussugár-eltérítés; 2. Formázott, nem Gauss sugárprofil; 3. 3 MHz-et meghaladó digitális-analóg konverziós sebesség; 4. 12 bitet meghaladó digitális-analóg konverziós pontosság; vagy 5. 1 mikrométeres vagy finomabb cél-sugár pozíciós visszacsatolási vezérlési precizitás; Megjegyzés: Az X.B.I.001.b.1.j. pont nem vonja ellenőrzés alá az elektronsugár leválasztására szolgáló rendszereket vagy az általános célú letapogató elektronmikroszkópokat. k. Félvezető szeletek feldolgozására szolgáló felületkezelő berendezések, az alábbiak szerint: 1. Kifejezetten 100 mikrométernél vékonyabb szeletek hátoldali feldolgozására és azt követő leválasztására tervezett berendezések; vagy 2. Kifejezetten arra tervezett berendezések, hogy a feldolgozott szelet aktív felületén 2 mikrométer vagy annál kisebb kétszigmaértékű összes kijelzett értékkel (TIR) rendelkező felületi érdességet érjenek el; Megjegyzés: Az X.B.I.001.b.1.k. pont nem vonja ellenőrzés alá a szeletek felületének kezelésére szolgáló egyoldalú tükrösítő- és fényezőberendezéseket. l. Összekapcsoló berendezések, amelyek olyan közös egyszeres vagy többszörös vákuumkamrákat tartalmaznak, amelyeket kifejezetten úgy terveztek, hogy lehetővé tegyék az X.B.I.001. pont által ellenőrzés alá vont berendezések teljes rendszerbe történő integrálását; m. ‘Tároltprogram-vezérlésű’, “monolit integrált áramkörök” javítására vagy megtisztítására szolgáló “lézereket” használó berendezések, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők bármelyikével: 1. A pozicionálási pontosság kisebb mint ±1 mikrométer; vagy 2. A sugárpont mérete (rovátkaszélessége) kevesebb mint 3 mikrométer. Műszaki megjegyzés: Az X.B.I.001.b.1. pont alkalmazásában a ‘porlasztás’ olyan rétegfelviteli folyamat, amelyben pozitív töltésű részecskéket gyorsítanak és mozgatnak elektromos térben a céltárgy (bevonóanyag) felszíne felé. A becsapódó ionok kinetikus energiája elegendő ahhoz, hogy a céltárgy felületéből atomok váljanak ki, és az alaplemezen kiváljanak. (Megjegyzés: A triód-, magnetron- vagy rádiófrekvenciás porlasztás a bevonat tapadásának és lerakódási sebességének növelése érdekében a folyamat szokásos módosítása.). 2. Az X.B.I.001 pont alatt meghatározott eszközök és alkatrészek gyártására szolgáló maszkok, maszk alaplemezek, maszkkészítő berendezések és képtovábbító berendezések az alábbiak szerint: Megjegyzés: A maszkok kifejezés az elektronsugaras litográfiában, a röntgensugaras litográfiában és az ultraibolya litográfiában, valamint a szokásos ultraibolya és látható fotolitográfiában használt elemekre utal. a. Kész maszkok, hajszálvonalas lemezek és ezek kialakításai, kivéve: 1. Kész maszkok vagy hajszálvonalas lemezek a 3A001. pont (5) által ellenőrzés alá nem vont integrált áramkörök gyártásához; vagy 2. Maszkok vagy hajszálvonalas lemezek, amelyek rendelkeznek mindkét alábbi jellemzővel: a. Kialakításuk 2,5 mikrométeres vagy annál nagyobb geometriákon alapul; valamint b. A kialakítás nem tartalmaz olyan különleges jellemzőket, amelyek gyártó berendezéssel vagy “szoftverrel” módosítanák a tervezett felhasználást; b. Maszk alaplemezek, az alábbiak szerint: 1. Kemény felülettel (pl. króm, szilícium, molibdén) bevont “alaplemezek” (pl. üveg, kvarc, zafír) 125 mm x 125 mm-t meghaladó méretű maszkok készítéséhez; vagy 2. Kifejezetten röntgenmaszkokhoz tervezett alaplemezek; c. Kifejezetten félvezető eszközök vagy integrált áramkörök számítógépes tervezéséhez (CAD) tervezett berendezések, az általános rendeltetésű számítógépek kivételével; d. Maszk- vagy hajszálvonalaslemez-gyártó berendezések vagy gépek, az alábbiak szerint: 1. Fotóoptikai exponáló és ismétlő kamerák, amelyek képesek 100 mm x 100 mm-nél nagyobb detektorsorok előállítására, vagy a kép (azaz fókusz) síkjában 6 mm x 6 mm-t meghaladó egyszeri expozíció előállítására, vagy 2,5 mikrométernél kisebb vonalszélesség előállítására az “alaplemezen” lévő fényvédő rétegen; 2. 2,5 mikrométernél kisebb vonalszélesség előállítására képes, ion- vagy lézersugaras litográfiát alkalmazó maszk- vagy hajszálvonalaslemez-gyártó berendezések; vagy 3. Berendezések vagy tartók maszkok vagy hajszálvonalas lemezek megváltoztatására vagy a hibák eltávolítására szolgáló membránok hozzáadására; Megjegyzés: Az X.B.I.001.b.2.d.1. és b.2.d.2. pont nem vonja ellenőrzés alá azokat a fotóoptikai módszereket alkalmazó maszkgyártó berendezéseket, amelyek vagy 1980. január 1-je előtt voltak kereskedelmi forgalomban, vagy amelyeknek teljesítménye nem jobb, mint az ilyen berendezéseké. e. ‘Tároltprogram-vezérlésű’ berendezések maszkok, hajszálvonalas lemezek vagy membránok ellenőrzésére: 1. 0,25 mikrométer vagy finomabb felbontás; valamint 2. 0,75 mikrométer vagy finomabb pontosság egy vagy két, legalább 63,5 mm-es koordináta segítségével; Megjegyzés: Az X.B.I.001.b.2.e. pont nem vonja ellenőrzés alá az általános célú letapogató elektronmikroszkópokat, kivéve, ha azokat kifejezetten automatikus típusellenőrzésre tervezték és műszerezték. f. Fotóoptikai vagy röntgenmódszerrel történő szeletgyártásra szolgáló eszközök, pl. litográfiai berendezések, beleértve mind a kivetítő képtovábbító berendezéseket, mind az irányzó, exponáló és ismétlő berendezéseket (közvetlen szeletre fotózás), vagy az exponáló és letapogató (letapogatás) berendezéseket, amelyek képesek az alábbi funkciók bármelyikének ellátására: Megjegyzés: Az X.B.I.001.b.2.f. pont nem vonja ellenőrzés alá a fotóoptikai kontakt és közeli maszk irányzó és exponáló berendezéseket vagy kontakt képtovábbító berendezéseket. 1. 2,5 mikrométernél kisebb mintaméretű gyártás; 2. ±0,25 mikrométernél (3 szigmánál) finomabb precízióval történő beállítás; 3. A gépek közötti fedőréteg legfeljebb ±0,3 mikrométer; vagy 4. A fényforrás hullámhosszúsága rövidebb mint 400 nm; g. Elektronsugaras, ionsugaras vagy röntgensugaras berendezések képtovábbításra, amelyek képesek 2,5 mikrométernél kisebb mintázatok előállítására; Megjegyzés: A fókuszált, eltérített sugaras rendszerek (közvetlen írási rendszerek) tekintetében lásd az X.B.I.001.b.1.j. pontot. h. 2,5 mikrométernél kisebb mintázatok előállítására képes, szeletekre történő közvetlen íráshoz “lézert” alkalmazó berendezések. 3. Integrált áramkörök összeállítására szolgáló berendezések, az alábbiak szerint: a. ‘Tároltprogram-vezérlésű’ áramkörrögzítők, amelyek rendelkeznek az alábbi jellemzők mindegyikével: 1. Kifejezetten “hibrid integrált áramkörökhöz” tervezték; 2. Az X–Y szakasz pozicionálása meghaladja a 37,5 x 37,5 mm-t; valamint 3. Az elhelyezési pontosság az X–Y síkban ±10 mikrométernél finomabb; b. ‘Tároltprogram-vezérlésű’ berendezések több rögzítés egyetlen műveletben történő előállítására (pl. beam lead rögzítők, chiphordozórögzítők, szalagrögzítők); c. Kifejezetten a 3A001. pont (6) által ellenőrzés alá vont kerámia mikroáramköri tokozásokhoz tervezett, félautomata vagy automata forró sapkás szigetelők, amelyekben a sapkát helyileg a tokozás testénél magasabb hőmérsékletre melegítik, és amelyek átbocsátási sebessége percenként legalább egy tokozás. Megjegyzés: Az X.B.I.001.b.3. pont nem vonja ellenőrzés alá az általános célú ellenállás típusú ponthegesztőket. 4. Tisztaterekhez való szűrők, amelyek képesek 0,02832 m3-enként legfeljebb 10, 0,3 mikrométer vagy annál kisebb részecskét tartalmazó légkörnyezetet biztosítani, és az azokhoz tartozó szűrőanyagok. Műszaki megjegyzés: Az X.B.I.001. pont alkalmazásában a ‘tároltprogram-vezérlés’ olyan vezérlés, amely elektronikus tárolóban tárolt utasításokat használ, és amelyet a processzor előre meghatározott funkciók ellátásának irányítása érdekében végre tud hajtani. A berendezés attól függetlenül lehet ‘tároltprogram-vezérlésű’, hogy elektronikus tárolót építettek-e be vagy kívülről csatlakoztattak hozzá.