a.

Seuraavat optiset ilmaisimet: 1. Seuraavat "avaruuskelpoiset" solid-state-ilmaisimet: a. "Avaruuskelpoiset" solid-state -ilmaisimet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 1. Vastehuippu aallonpituusalueella, joka on yli 10 nm mutta ei yli 300 nm; ja 2. Vaste yli 400 nm:n aallonpituuksilla vähemmän kuin 0,1 % vastehuipusta; b. "Avaruuskelpoiset" solid-state-ilmaisimet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 1. Vastehuippu aallonpituusalueella, joka on yli 900 nm mutta ei yli 1 200 nm; ja 2. Vasteen "aikavakio" 95 ns tai vähemmän; c. "Avaruuskelpoiset" solid-state-ilmaisimet, joiden vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 1 200 nm mutta ei yli 30 000 nm; 2. Seuraavat kuvanvahvistinputket ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit: Huom.: 6A002.a.2. kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi ei-kuvantavia valomonistinputkia, joiden tyhjiötilassa on elektronianturi, jossa on joko: a. Yksi metallianodi; tai b. Metallianodeja, joiden etäisyys keskipisteestä keskipisteeseen on yli 500 µm. Tekn. huom.: ’Varauksen monistaminen’ on yksi elektronisen kuvanvahvistuksen muoto ja se määritellään varauksenkuljettajien synnyttämiseksi törmäysionisointiin perustuvassa vahvistusprosessissa. ’Varauksen monistamiseen’ perustuvat anturit voivat olla kuvanvahvistinputkia, puolijohdeilmaisimia tai "fokusoivia tasorakenteita". a. Kuvanvahvistinputket, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 1. Vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 400 nm mutta ei yli 1 050 nm; 2. Elektroninen kuvanvahvistus, jossa käytetään jotain seuraavista: a. Mikrokanavalevy, jonka reikätiheys (keskipisteiden välinen etäisyys) on 12 μm tai vähemmän; tai b. Elektronianturi, jonka sitomaton pikselien jakoväli on 500 µm tai vähemmän ja joka on erityisesti suunniteltu tai jota on muutettu niin, että saadaan aikaan ’varauksen monistaminen’ muulla tavoin kuin mikrokanavalevyllä; ja 3. Jokin seuraavista valokatodeista: a. S-20-, S-25- tai monialkaalivalokatodit, joiden valoherkkyys ylittää 350 μA/lm; b. GaAs- tai GaInAs-valokatodit; tai c. Muut "III–V" yhdistepuolijohteisiin perustuvat valokatodit; Huom.: 6A002.a.2.a.3.c kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi yhdistepuolijohteisiin perustuvia valokatodeja, joiden maksimi säteilynherkkyys on 10 mA/W tai vähemmän. b. Kuvanvahvistusputket, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 1. Vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 1 050 nm mutta ei yli 1 800 nm; 2. Elektroninen kuvanvahvistus, jossa käytetään jotain seuraavista: a. Mikrokanavalevy, jonka reikätiheys (keskipisteiden välinen etäisyys) on 12 µm tai vähemmän; tai b. Elektronianturi, jonka sitomaton pikselien jakoväli on 500 µm tai vähemmän ja joka on erityisesti suunniteltu tai jota on muutettu niin, että saadaan aikaan ’varauksen monistaminen’ muulla tavoin kuin mikrokanavalevyllä; ja 3. "III–V-yhdiste" puolijohteisiin perustuvat valokatodit (kuten GaAs- tai GaInAs-valokatodit) ja elektroninsiirtoon perustuvat valokatodit; Huom.: 6A002.a.2.b.3. kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi yhdistepuolijohteisiin perustuvia valokatodeja, joiden maksimi säteilynherkkyys on 15 mA/W tai vähemmän. c. Seuraavat erityisesti suunnitellut komponentit: 1. Mikrokanavalevyt, joiden reikätiheys (keskipisteiden välinen etäisyys) on 12 μm tai vähemmän; 2. Elektronianturi, jonka sitomaton pikselien jakoväli on 500 µm tai vähemmän ja joka on erityisesti suunniteltu tai jota on muutettu niin, että saadaan aikaan ’varauksen monistaminen’ muulla tavoin kuin mikrokanavalevyllä; 3. "III-V-yhdiste" puolijohteisiin perustuvat valokatodit (kuten GaAs- tai GaInAs-valokatodit) ja elektroninsiirtoon perustuvat valokatodit; Huom.: 6A002.a.2.c.3. kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi yhdistepuolijohteisiin perustuvia valokatodeja, jotka on suunniteltu niin, että niiden maksimi säteilynherkkyys on jokin seuraavista: a. 10 mA/W tai vähemmän, kun vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 400 nm mutta ei yli 1 050 nm; tai b. 15 mA/W tai vähemmän, kun vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 1 050 nm mutta ei yli 1 800 nm. 3. Seuraavat ei-"avaruuskelpoiset""fokusoivat tasorakenteet": Huom.: Mikrobolometrien ei-"avaruuskelpoiset""fokusoivat tasorakenteet" määritellään ainoastaan 64A002.a.3.f kohdassa. Tekn. huom.: Lineaarisia tai kaksiulotteisia monielementtisiä ilmaisinrakenteita pidetään "fokusoivina tasorakenteina"; Huom. 1: 6A002.a.3 kohta sisältää valojohtavat ja valosähköiset rakenteet. Huom. 2: 6A002.a.3 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi: a. Monielementtisiä (korkeintaan 16 elementtiä sisältäviä) koteloituja valojohtavia pareja, joissa käytetään joko lyijysulfidia tai lyijyselenidiä; b. Pyrosähköisiä ilmaisimia, jotka perustuvat joihinkin seuraavista: 1. Triglysiinisulfaatti ja sen muunnokset; 2. Lyijylantaanizirkoniumtitanaatti ja sen muunnokset; 3. Litiumtantalaatti; 4. Polyvinyylideenifluoridi ja sen muunnokset; tai 5. Strontiumbariumniobaatti ja sen muunnokset; c. "Fokusoivat tasorakenteet", jotka on erityisesti suunniteltu tai joita on muutettu niin, että saadaan aikaan ’varauksen monistaminen’ ja jotka on suunniteltu niin, että niiden maksimi säteilynherkkyys on 10 mA/W tai vähemmän aallonpituusalueella, joka on yli 760 nm, ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 1. Niissä on vasterajoitinmekanismi, jota ei saa poistaa tai muuttaa; ja 2. Niissä on jokin seuraavista: a. Vasterajoitinmekanismi liittyy kiinteästi tai se on yhdistetty ilmaisinelementtiin; tai b. "Fokusoiva tasorakenne" toimii vain siihen asennetun vasterajoitinmekanismin kanssa. Tekn. huom.: Ilmaisinelementtiin kiinteästi liittyvää vasterajoitinmekanismia ei saa poistaa eikä muuttaa tai ilmaisin ei toimi. Tekn. huom.: ’Varauksen monistaminen’ on yksi elektronisen kuvanvahvistuksen muoto ja se määritellään varauksenkuljettajien syntymiseksi törmäysionisointiin perustuvassa vahvistusprosessissa. ’Varauksen monistamiseen’ perustuvat anturit voivat olla kuvanvahvistinputkia, puolijohdeilmaisimia tai "fokusoivia tasorakenteita". a. Ei-"avaruuskelpoiset""fokusoivat tasorakenteet", joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 1. Yksittäisten elementtien vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 900 nm mutta ei yli 1 050 nm; ja 2. Niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. Vasteen "aikavakio" on vähemmän kuin 0,5 ns; tai b. Ne on erityisesti suunniteltu tai niitä on muutettu niin, että saadaan aikaan ’varauksen monistaminen’ ja niiden maksimi säteilynherkkyys on yli 10 mA/W; b. Ei-"avaruuskelpoiset""fokusoivat tasorakenteet", joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 1. Yksittäisten elementtien vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 1 050 nm mutta ei yli 1 200 nm; ja 2. Niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. Vasteen "aikavakio" on 95 ns tai vähemmän; tai b. Ne on erityisesti suunniteltu tai niitä on muutettu niin, että saadaan aikaan ’varauksen monistaminen’ ja niiden maksimi säteilynherkkyys on yli 10 mA/W; c. Ei-"avaruuskelpoiset" epälineaariset (kaksiulotteiset) "fokusoivat tasorakenteet", joissa yksittäisten elementtien vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 1 200 nm mutta ei yli 30 000 nm; Huom.: Piihin tai muuhun aineeseen pohjautuvien mikrobolometrien ei-"avaruuskelpoiset""fokusoivat tasorakenteet" määritellään ainoastaan 6A002.a.3.f kohdassa. d. Ei-"avaruuskelpoiset" lineaariset (yksiulotteiset) "fokusoivat tasorakenteet", joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 1. Yksittäisten elementtien vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 1 200 nm mutta ei yli 3 000 nm; ja 2. Jokin seuraavista ominaisuuksista: a. Ilmaisinelementin ’skannaussuunnan’ mitan suhde ilmaisinelementin ’ristiskannaussuunnan’ mittaan on vähemmän kuin 3,8; tai b. Signaalin prosessointi elementissä (SPRITE); Huom.: 6A002.a.3.d kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi "fokusoivia tasorakenteita" (korkeintaan 32 elementtiä sisältäviä), joiden ilmaisinelementit on rajoitettu pelkästään germaniummateriaaliin. Tekn. huom.: 6A002.a.3.d kohdassa ’ristiskannaussuunta’ määritellään ilmaisinelementtien lineaarisen rakenteen suuntaiseksi akseliksi ja ’skannaussuunta’ ilmaisinelementtien lineaarista rakennetta vasten kohtisuorassa olevaksi akseliksi. e. Ei-"avaruuskelpoiset" lineaariset (yksiulotteiset) "fokusoivat tasorakenteet", joissa yksittäisten elementtien vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 3 000 nm mutta ei yli 30 000 nm. f. ’Mikrobolometri’-aineeseen pohjautuvat ei-"avaruuskelpoiset" epälineaariset (kaksiulotteiset) "fokusoivat tasorakenteet", joissa yksittäisten elementtien suodattamaton vaste on aallonpituusalueella, joka on yhtä suuri tai suurempi kuin 8 000 nm mutta ei suurempi kuin 14 000 nm; Tekn. huom.: 6A002.a.3.f kohdassa ’mikrobolometri’ määritellään lämpökuvausanturiksi, jota infrapunasäteilyn absorption aiheuttaman lämpötilamuutoksen vuoksi käytetään tuottamaan mitä tahansa käyttökelpoista signaalia. g. Ei-"avaruuskelpoiset""fokusoivat tasorakenteet", joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 1. Yksittäisten ilmaisinelementtien vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli 400 nm mutta ei yli 900 nm; 2. Erityisesti suunniteltu tai muutettu niin, että saadaan aikaan ’varauksen monistaminen’ ja joiden maksimi säteilynherkkyys ylittää 10 mA/W aallonpituuksilla, jotka ovat yli 760 nm; ja 3. Sisältävät enemmän kuin 32 elementtiä.