X.A.I.001

Elektroniset laitteet ja komponentit. a. ”Mikroprosessoripiirit”, ”mikrotietokonepiirit” ja mikro-ohjainpiirit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Suoritusnopeus vähintään 5 GFLOPS, ja aritmeettislooginen yksikkö, jonka hakuleveys on vähintään 32 bittiä; 2. Kellotaajuus yli 25 MHz; tai 3. Rinnakkaisten ”mikroprosessoripiirien” välillä on suoraa ulkoista keskinäisliitäntää varten useampi kuin yksi tieto- tai käskyväylä tai sarjaliikenneportti, joiden siirtonopeus on yli 2,5 Mbyte/s; b. Seuraavat integroidut muistipiirit: 1. Sähköllä pyyhittävä ohjelmoitava lukumuisti (EEPROM), jonka muistikapasiteetti a. On yli 16 Mbit pakkausta kohden, kun kyseessä flash-muisti; tai b. Ylittää toisen seuraavista rajoista, kun kyseessä on mikä tahansa muu EEPROM: 1. Yli 1 Mbit pakkausta kohden; tai 2. Yli 256 kbit pakkausta kohden, ja enimmäissaantiaika on alle 80 ns; 2. Staattinen RAM-muisti (SRAM), jonka muistikapasiteetti on a. Yli 1 Mbit pakkausta kohden; tai b. Yli 256 kbit pakkausta kohden, ja enimmäissaantiaika on alle 25 ns; c. Analogia-digitaalimuuntimet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Resoluutio vähintään 8 bittiä mutta alle 12 bittiä, ja ulostulonopeus yli 200 miljoonaa näytettä sekunnissa (MSPS); 2. Resoluutio 12 bittiä, ja ulostulonopeus yli 105 miljoonaa näytettä sekunnissa (MSPS); 3. Resoluutio yli 12 bittiä mutta enintään 14 bittiä, ja ulostulonopeus yli 10 miljoonaa näytettä sekunnissa (MSPS); tai 4. Resoluutio yli 14 bittiä, ja ulostulonopeus yli 2,5 miljoonaa näytettä sekunnissa (MSPS); d. Käyttäjäohjelmoitavat logiikkapiirit, joiden yksipuolisten digitaalisten tulo-lähtöjen suurin määrä on 200–700; e. Nopea-Fourier-muunnos-prosessorit (FFT), joiden nimellinen suoritusaika 1 024:n pisteen kompleksiselle FFT-muunnokselle on alle 1 ms; f. Asiakaskohtaiset integroidut piirit, joiden toiminta on tuntematon tai jotka on tarkoitettu laitteisiin, joiden valvonnanalaisuus on valmistajalle tuntematon ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Liitospisteiden lukumäärä on yli 144; tai 2. Tyypillinen ”perusetenemisviiveaika” on alle 0,4 ns; g. Seuraavat kulkuaalto-”tyhjiöelektroniset laitteet”, pulssitetut tai jatkuva-aaltoiset: 1. Kytketyt ontelolaitteet tai niiden muunnokset; 2. Laitteet, jotka perustuvat heliksin muotoisiin, poimutettuihin tai kierukan muotoisiin aaltoputkipiireihin, tai niiden muunnokset, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. ”Hetkellinen kaistanleveys” vähintään puoli oktaavia, ja keskimääräisen lähtötehon (kW) ja toimintataajuuden (GHz) tulo on yli 0,2; tai b. ”Hetkellinen kaistanleveys” vähintään puoli oktaavia, ja keskimääräisen lähtötehon (kW) ja toimintataajuuden (GHz) tulo on yli 0,4; h. Taipuisat aaltojohdot, jotka on suunniteltu käytettäviksi yli 40 GHz:n taajuuksilla; i. Pinta-akustiset aaltolaitteet ja matalatila-akustiset laitteet, joilla on toinen seuraavista ominaisuuksista: 1. Kantoaallon taajuus on yli 1 GHz; tai 2. Kantoaallon taajuus on enintään 1 GHz; ja a. Taajuuden sivukeilan vaimennus ylittää 55 dB; b. Maksimiviiveen ja kaistanleveyden tulo (aika mikrosekunteina ja kaistanleveys megahertseinä (MHz)) on yli 100; tai c. Dispersiivinen viive on yli 10 mikrosekuntia; Tekninen huomautus: X.A.I.001.i kohtaa sovellettaessa ilmaisu ’taajuuden sivukeilan vaimennus’ tarkoittaa suurinta datalehdellä mainittua vaimennusarvoa. j. Seuraavat ”parit”: 1. ”Ensiöparit”, joiden energiatiheys on enintään 550 Wh/kg mitattuna lämpötilassa 293 K (20 °C); 2. ”Toisioparit”, joiden energiatiheys on enintään 350 Wh/kg mitattuna lämpötilassa 293 K (20 °C); Huomautus: X.A.I.001.j kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi paristoja, mukaan lukien yksipariset paristot. Tekniset huomautukset: 1. Sovellettaessa X.A.I.001.j kohtaa energiatiheys (Wh/kg) lasketaan kertomalla nimellisjännite ampeeritunteina (Ah) ilmaistavalla nimelliskapasiteetilla ja jakamalla tulo kilogrammoina ilmaistavalla massalla. Jos nimelliskapasiteettia ei ole ilmoitettu, energiatiheys lasketaan kertomalla neliöity nimellisjännite tunteina ilmaistavalla purkauksen kestolla ja jakamalla tulo ohmeina ilmaistavalla purkauskuormalla ja kilogrammoina ilmaistavalla massalla. 2. Sovellettaessa X.A.I.001.j kohtaa ’ilmaisu pari’ määritellään sähkökemialliseksi laitteeksi, jolla on positiivisia ja negatiivisia elektrodeja ja elektrolyytti ja joka on sähköenergian lähde. Se on pariston peruslohko. 3. Sovellettaessa X.A.I.001.j.1 kohtaa ilmaisulla ’ensiöpari’ tarkoitetaan ’paria’, jota ei ole suunniteltu ladattavaksi mistään muusta lähteestä. 4. Sovellettaessa X.A.I.001.j.2 kohtaa ilmaisulla ’toisiopari’ tarkoitetaan ’paria’, joka on suunniteltu ladattavaksi ulkoisesta sähkölähteestä. k. ”Suprajohtavat” sähkömagneetit tai solenoidit, jotka on ”erityisesti suunniteltu” täysin ladattaviksi tai purettaviksi alle minuutissa ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: Huomautus: X.A.I.001.k kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi ”suprajohtavia” sähkömagneetteja tai solenoideja, jotka on suunniteltu magneettiresonanssikuvaukseen (MRI) käytettäviin lääketieteellisiin laitteisiin. 1. Purkauksen aikana luovutettu maksimienergia jaettuna purkauksen kestolla on yli 500 kJ minuutissa; 2. Virtakäämien sisäläpimitta on yli 250 mm; ja 3. Magneettisen induktion nimellisarvo on yli 8T tai ”kokonaisvirrantiheys” käämissä on yli 300 A/mm2; l. Elektromagneettisen energian tallentamiseen käytettävät piirit tai järjestelmät, jotka sisältävät ”suprajohtavista” materiaaleista valmistettuja komponentteja ja jotka on erityisesti suunniteltu toimimaan ainakin yhden ”suprajohtavan” ainesosansa ”kriittisen lämpötilan” alapuolella ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 1. Resonanssitoimintataajuus yli 1 MHz; 2. Varastoidun energian tiheys on vähintään 1 MJ/m3; ja 3. Purkausaika on alle 1 ms; m. Keraamimetallirakenteiset vety-/vetyisotooppityratronit, joiden huippuvirran nimellisarvo on vähintään 500 A; n. Ei käytössä; o. Aurinkokennot, CIC-järjestelmät, aurinkopaneelit ja aurinkokennoryhmät, jotka ovat ”avaruuskelpoisia” ja joita ei ole asetettu valvonnanalaisiksi kohdassa 3A001.e.4 (1).