6A005

Seuraavat muut kuin 0B001.g.5 tai 0B001.h.6 kohdassa määritellyt ”laserit”, komponentit ja optiset laitteet: Huom.: KATSO MYÖS 6A205 KOHTA. Huom. 1: Pulssi ”lasereihin” kuuluvat ne, jotka toimivat pulssitettuina jatkuva-aaltomoodissa (CW). Huom. 2: Eksimeeri-, puolijohde-, kemialliset, hiilimonoksidi-, hiilidioksidi- ja ”yksittäisiä pulsseja tuottavat” neodymiumlasi ”laserit” määritellään ainoastaan 6A005.d kohdassa. Tekn. huom.: ”Yksittäisiä pulsseja tuottava” viittaa ”laseriin”, joka tuottaa joko yhden yksittäisen ulostulopulssin tai jonka tuottamien pulssien aikaväli on yli minuutin. Huom. 3: 6A005 kohta sisältää kuitu ”laserit”. Huom. 4:”Laserien”, jotka kykenevät taajuuden muuttamiseen (eli aallonpituuden muuttamiseen) muutoin kuin siten, että yksi ”laser” syöttää energiaa toiseen ”laseriin”, valvonnanalaisuus määräytyy sekä lähde ”laserin” tuotoksen että taajuusmuunnetun optisen tuotoksen valvontaparametrien perusteella. Huom. 5: 6A005 kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi seuraavia ”lasereita”: a. Rubiini ”laserit”, joiden lähtöenergia on alle 20 J; b. Typpi ”laserit”; c. Krypton ”laserit”. Huom. 6: Sovellettaessa 6A005.a. ja 6A005.b. kohtaa ”yksitransversaalimuodolla” tarkoitetaan ”lasereita, joiden sädeprofiilin M2-kerroin on alle 1,3 ja ”monitransversaalimuodolla” tarkoitetaan ”lasereita”, joiden sädeprofiilin M2-kerroin on 1,3 tai enemmän. Tekn. huom.: 6A005 kohdassa käsitteellä ”laserin hyötysuhde” (wall-plug efficiency) tarkoitetaan ”laserin” lähtötehon (tai ”keskimääräisen lähtötehon”) suhdetta ”laserin” käyttämiseen tarvittavan sähköisen virtalähteen kokonaistehoon, mukaan lukien virtalähteen/virransäädön ja lämmönpoiston/lämmönvaihdon edellyttämä teho. a. Ei-viritettävät jatkuvaa valoa tuottavat (CW, continuous wave) ”laserit”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Lähtöaallonpituus on alle 150 nm ja lähtöteho yli 1 W; 2. Lähtöaallonpituus on vähintään 150 nm mutta enintään 510 nm, ja lähtöteho on yli 30 W; Huom.: 6A005.a.2 kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi argon ”lasereita”, joiden lähtöteho on enintään 50 W. 3. Lähtöaallonpituus on yli 510 nm mutta enintään 540 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. ”Yksitransversaalimuodon” ulostulo ja lähtöteho on yli 50 W; tai b. ”Monitransversaalimuodon” ulostulo ja lähtöteho on yli 150 W; 4. Lähtöaallonpituus on yli 540 nm mutta enintään 800 nm, ja lähtöteho on yli 30 W; 5. Lähtöaallonpituus on yli 800 nm mutta enintään 975 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. ”Yksitransversaalimuodon” ulostulo ja lähtöteho on yli 50 W; tai b. ”Monitransversaalimuodon” ulostulo ja lähtöteho on yli 80 W; 6. Lähtöaallonpituus on yli 975 nm mutta enintään 1 150 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. Yksitransversaalimuodon ulostulo, jolla on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Keskimääräinen lähtöteho on yli 1 000 W; tai 2. Niillä on kaikki seuraavat ominaisuudet: a. Keskimääräinen lähtöteho on yli 500 W; ja b. Spektrikaistan leveys alle 40 GHz; tai b. Monitransversaalimuodon ulostulo, jolla on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. ”Laserin hyötysuhde” on yli 18 prosenttia ja lähtöteho on yli 1 000 W; tai 2. Lähtöteho on yli 2 kW; Huom. 1: 6A005.a.6.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi monitransversaalimuodossa toimivia teollisuus ”lasereita”, joiden lähtöteho on yli 2 kW mutta enintään 6 kW ja joiden kokonaismassa on yli 1 200 kg. Tässä huomautuksessa kokonaismassalla tarkoitetaan kaikkia ”laserin” käyttämiseen tarvittavia komponentteja (esim. ”laser”, virtalähde, lämmönpoistaja), mutta siihen ei sisälly säteen kunnostukseen tai kuljetukseen tarvittava ulkoinen optiikka. Huom. 2: 6A005.a.6.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi ”monitransversaalimuodossa” toimivia teollisuus ”lasereita”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. Ei käytössä; b. Lähtöteho on yli 1 kW mutta enintään 1,6 kW, ja BPP on yli 1,25 mm•mrad; c. Lähtöteho on yli 1,6 kW mutta enintään 2,5 kW, ja BPP on yli 1,7 mm•mrad; d. Lähtöteho on yli 2,5 kW mutta enintään 3,3 kW, ja BPP on yli 2,5 mm•mrad; e. Lähtöteho on yli 3,3 kW mutta enintään 6 kW, ja BPP on yli 3,5 mm•mrad; f. Ei käytössä; g. Ei käytössä; h. Lähtöteho on yli 6 kW mutta enintään 8 kW, ja BPP on yli 12 mm•mrad; tai i. Lähtöteho on yli 8 kW mutta enintään 10 kW, ja BPP on yli 24 mm•mrad; Tekn. huom.: 6A005.a.6.b kohdan huomautuksessa 2.a ”luminanssi” määritellään seuraavasti: ”laserin” lähtöteho jaettuna toiseen potenssiin korotetulla sädeparametritulolla (BPP) eli lähtöteho/BPP2. 7. Lähtöaallonpituus on yli 1 150 nm mutta enintään 1 555 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. ”Yksitransversaalimuoto” ja lähtöteho on yli 50 W; tai b. ”Monitransversaalimuoto” ja lähtöteho on yli 80 W; 8. Lähtöaallonpituus on yli 1 555 nm mutta enintään 1 850 nm, ja lähtöteho on yli 1 W; 9. Lähtöaallonpituus on yli 1 850 nm mutta enintään 2 100 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. ”Yksitransversaalimuoto” ja lähtöteho on yli 1 W; tai b. ”Monitransversaalimuodon” ulostulo ja lähtöteho on yli 120 W; tai 10. Lähtöaallonpituus on yli 2 100 nm ja lähtöteho on yli 1 W; b. Ei-”viritettävät” pulssitoimiset ”laserit”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Lähtöaallonpituus on alle 150 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. Lähtöenergia on yli 50 mJ pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 1 W; tai b. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 1 W; 2. Lähtöaallonpituus on vähintään 150 nm mutta enintään 510 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. Lähtöenergia on yli 1,5 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 30 W; tai b. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 30 W; Huom.: 6A005.b.2.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi argon ”lasereita”, joiden keskimääräinen lähtöteho on enintään 50 W. 3. Lähtöaallonpituus on yli 510 nm mutta enintään 540 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. Yksitransversaalimuodon ulostulo, jolla on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Lähtöenergia on yli 1,5 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 50 W; tai 2. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 50 W; tai b. ”Monitransversaalimuodon ulostulo”, jolla on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Lähtöenergia on yli 1,5 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 150 W; tai 2. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 150 W; 4. Lähtöaallonpituus on yli 540 nm mutta enintään 800 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. ”Pulssin kesto” on alle 1 ps, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Lähtöenergia on yli 0,005 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 5 GW; tai 2. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 20 W; tai b. ”Pulssin kesto” on vähintään 1 ps, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Lähtöenergia on yli 1,5 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 30 W; tai 2. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 30 W; 5. Lähtöaallonpituus on yli 800 nm mutta enintään 975 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. ”Pulssin kesto” on alle 1 ps, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Lähtöenergia on yli 0,005 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 5 GW; tai 2. ”Yksitransversaalimuodon ulostulo” ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 20 W; b. ”Pulssin kesto” on vähintään 1 ps mutta enintään 1 μs, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Lähtöenergia on yli 0,5 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 50 W; 2. ”Yksitransversaalimuodon ulostulo” ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 20 W; tai 3. ”Monitransversaalimuodon ulostulo” ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 50 W; tai c. ”Pulssin kesto” on yli 1 μs, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Lähtöenergia on yli 2 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 50 W; 2. ”Yksitransversaalimuodon ulostulo” ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 50 W; tai 3. ”Monitransversaalimuodon ulostulo” ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 80 W; 6. Lähtöaallonpituus on yli 975 nm mutta enintään 1 150 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. ”Pulssin kesto” on alle 1 ps, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Ulostulon ”huipputeho” on yli 2 GW pulssia kohti; 2. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 30 W; tai 3. Lähtöenergia on yli 0,002 J pulssia kohti; b. ”Pulssin kesto” on vähintään 1 ps mutta alle 1 ns, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Ulostulon ”huipputeho” on yli 5 GW pulssia kohti; 2. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 50 W; tai 3. Lähtöenergia on yli 0,1 J pulssia kohti; c. ”Pulssin kesto” on vähintään 1 ns mutta enintään 1 μs, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. ”Yksitransversaalimuodon” ulostulo, jolla on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. ”Huipputeho” on yli 100 MW; b. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 20 W, ja ne on suunniteltu niin, että suurin mahdollinen pulssintoistotaajuus on enintään 1 kHz; c. ”Laserin hyötysuhde” on yli 12 prosenttia ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 100 W, ja ne kykenevät toimimaan yli 1 kHz:n pulssintoistotaajuudella; d. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 150 W, ja ne kykenevät toimimaan yli 1 kHz:n pulssintoistotaajuudella; tai e. Lähtöenergia on yli 2 J pulssia kohti; tai 2. ”Monitransversaalimuodon ulostulo”, jolla on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. ”Huipputeho” on yli 400 MW; b. ”Laserin hyötysuhde” on yli 18 % ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 500 W; c. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 2 kW; tai d. Lähtöenergia on yli 4 J pulssia kohti; tai d. ”Pulssin kesto” on yli 1 μs, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. ”Yksitransversaalimuodon” ulostulo, jolla on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. ”Huipputeho” on yli 500 kW; b. ”Laserin hyötysuhde” on yli 12 % ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 100 W; tai c. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 150 W; tai 2. ”Monitransversaalimuodon ulostulo”, jolla on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. ”Huipputeho” on yli 1 MW; b. ”Laserin hyötysuhde” on yli 18 % ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 500 W; tai c. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 2 kW; 7. Lähtöaallonpituus on yli 1 150 nm mutta enintään 1 555 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. ”Pulssin kesto” on enintään 1 μs, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Lähtöenergia on yli 0,5 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 50 W; 2. ”Yksitransversaalimuodon ulostulo” ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 20 W; tai 3. ”Monitransversaalimuodon ulostulo” ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 50 W; tai b. ”Pulssin kesto” on yli 1 μs, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Lähtöenergia on yli 2 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 50 W; 2. ”Yksitransversaalimuodon ulostulo” ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 50 W; tai 3. ”Monitransversaalimuodon ulostulo” ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 80 W; 8. Lähtöaallonpituus on yli 1 555 nm mutta enintään 1 850 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. Lähtöenergia on yli 100 mJ pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 1 W; tai b. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 1 W; 9. Lähtöaallonpituus on yli 1 850 nm mutta enintään 2 100 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. ”Yksitransversaalimuoto”, jolla on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Lähtöenergia on yli 100 mJ pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 1 W; tai 2. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 1 W; tai b. ”Monitransversaalimuoto”, jolla on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Lähtöenergia on yli 100 mJ pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 10 kW; tai 2. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 120 W; tai 10. Lähtöaallonpituus on yli 2 100 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. Lähtöenergia on yli 100 mJ pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 1 W; tai b. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 1 W; c. ”Viritettävät””laserit”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Lähtöaallonpituus on alle 600 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. Lähtöenergia on yli 50 mJ pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 1 W; tai b. Keskimääräinen tai CW-lähtöteho on yli 1 W; Huom.: 6A005.c.1 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi väriaine ”lasereita” tai muita neste ”lasereita”, joilla on monimuotolähtö ja joiden aallonpituus on vähintään 150 nm mutta enintään 600 nm ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 1. Lähtöenergia on vähemmän kuin 1,5 J pulssia kohti tai ”huipputeho” on vähemmän kuin 20 W; ja 2. Keskimääräinen tai CW-lähtöteho on vähemmän kuin 20 W. 2. Lähtöaallonpituus on vähintään 600 nm mutta enintään 1 400 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. Lähtöenergia on yli 1 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 20 W; tai b. Keskimääräinen tai CW-lähtöteho on yli 20 W; tai 3. Lähtöaallonpituus on yli 1 400 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. Lähtöenergia on yli 50 mJ pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 1 W; tai b. Keskimääräinen tai CW-lähtöteho on yli 1 W; d. Seuraavat muut ”laserit”, joita ei ole määritelty 6A005.a, 6A005.b tai 6A005.c kohdassa: 1. Seuraavat puolijohde ”laserit”: Huom. 1: 6A005.d.1 kohta sisältää puolijohde ”laserit”, joilla on optinen ulostulo (esim. kuituoptiset häntäkaapelit). Huom. 2: Erityisesti muita laitteita varten suunniteltujen puolijohdelaserien valvonnanalaisuus määräytyy näiden muiden laitteiden mukaan. a. Erilliset yksitransversaalimoodissa toimivat puolijohde ”laserit”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Aallonpituus on enintään 1 510 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho on suurempi kuin 1,5 W; tai 2. Aallonpituus on suurempi kuin 1 510 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho on yli 500 mW; b. Erilliset monitransversaalimoodissa toimivat puolijohde ”laserit”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Aallonpituus on pienempi kuin 1 400 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 15 W; 2. Aallonpituus vähintään 1 400 nm mutta pienempi kuin 1 900 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 2,5 W; tai 3. Aallonpituus vähintään 1 900 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 1 W; c. Erilliset puolijohde ”laser””liuskat”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Aallonpituus on pienempi kuin 1 400 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 100 W; 2. Aallonpituus vähintään 1 400 nm mutta pienempi kuin 1 900 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 25 W; tai 3. Aallonpituus vähintään 1 900 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 10 W; d. Puolijohde ”laser””pinot” (kaksiulotteiset rakenteet), joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Aallonpituus pienempi kuin 1 400 nm ja jokin seuraavista ominaisuuksista: a. Keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho pienempi kuin 3 kW ja keskimääräinen tai CW-lähtö ”tehotiheys” suurempi kuin 500 W/cm2; b. Keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho vähintään 3 kW mutta enintään 5 kW, ja keskimääräinen tai CW-lähtö ”tehotiheys” suurempi kuin 350 W/cm2; c. Keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho suurempi kuin 5 kW; d. Pulssin huippu ”tehotiheys” suurempi kuin 2 500 W/cm2; tai Huom.: 6A005.d.1.d.1.d kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi epitaksisesti valmistettuja monoliittisia laitteita. e. Avaruudellisesti koherentti keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho suurempi kuin 150 W; 2. Aallonpituus vähintään 1 400 nm mutta pienempi kuin 1 900 nm, ja jokin seuraavista ominaisuuksista: a. Keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho pienempi kuin 250 W ja keskimääräinen tai CW-lähtö ”tehotiheys” suurempi kuin 150 W/cm2; b. Keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho vähintään 250 W mutta enintään 500 W, ja keskimääräinen tai CW-lähtö ”tehotiheys” suurempi kuin 50 W/cm2; c. Keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho suurempi kuin 500 W; d. Pulssin huippu ”tehotiheys” suurempi kuin 500 W/cm2; tai Huom.: 6A005.d.1.d.2.d kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi epitaksisesti valmistettuja monoliittisia laitteita. e. Avaruudellisesti koherentti keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho suurempi kuin 15 W; 3. Aallonpituus vähintään 1 900 nm ja jokin seuraavista ominaisuuksista: a. Keskimääräinen tai CW-lähtö ”tehotiheys” suurempi kuin 50 W/cm2; b. Keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 10 W; tai c. Avaruudellisesti koherentti keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho suurempi kuin 1,5 W; tai 4. Vähintään yksi 6A005.d.1.c kohdassa määritelty ”laser””liuska”; Tekn. huom.: Sovellettaessa 6A005.d.1.d kohtaa ”tehotiheydellä” tarkoitetaan kokonais”laser” lähtötehoa jaettuna ”pinon” emitteripinta-alalla. e. Muut kuin 6A005.d.1.d kohdassa määritellyt puolijohde ”laser””pinot”, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 1. Erityisesti suunnitellut tai muunnetut yhdistettäväksi muihin ”pinoihin”, jotta voidaan muodostaa suurempi ”pino”; ja 2. Integroidut liitännät, jotka ovat yhteisiä sekä elektroniikalle että jäähdytykselle; Huom. 1: 6A005.d.1.e kohdassa määritellyt puolijohde ”laser””pinoja” yhdistämällä muodostetut ”pinot”, joita ei ole suunniteltu edelleen yhdistettäväksi tai muunnettavaksi, on määritelty 6A005.d.1.d kohdassa. Huom. 2: 6A005.d.1.e kohdassa määritellyt puolijohde ”laser””pinoja” yhdistämällä muodostetut ”pinot”, jotka on suunniteltu edelleen yhdistettäväksi tai muunnettavaksi, on määritelty 6A005.d.1.e kohdassa. Huom. 3: 6A005.d.1.e kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi yksittäisten ”liuskojen” modulaarisia kokoonpanoja, jotka on suunniteltu valmistettavaksi päästä päähän lineaarisiksi rakenteiksi. Tekn. huom. 1. Puolijohde ”lasereita” kutsutaan tavallisesti ”laser” diodeiksi. 2. ”Liuska” (myös nimellä puolijohde ”laser””liuska”, ”laser” diodi ”liuska” tai diodi ”liuska”) muodostuu useista puolijohde ”lasereista” yksiulotteisessa rakenteessa. 3. ”Pino” muodostuu useista ”liuskoista”, jotka muodostavat puolijohde ”laserien” kaksiulotteisen rakenteen. 2. Hiilimonoksidi(CO)”laserit”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. Lähtöenergia on yli 2 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 5 kW; tai b. Keskimääräinen tai CW-lähtöteho on yli 5 kW; 3. Hiilidioksidi(CO2)”laserit”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. CW-lähtöteho on yli 15 kW; b. Pulssiulostulon ”pulssin kesto” on yli 10 μs, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 10 kW; tai 2. ”Huipputeho” on yli 100 kW; tai c. Pulssiulostulon ”pulssin kesto” on enintään 10 μs, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Pulssin energia on yli 5 J pulssia kohti; tai 2. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 2,5 kW; 4. Eksimeeri ”laserit”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. Lähtöaallonpituus on enintään 150 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Lähtöenergia on yli 50 mJ pulssia kohti; tai 2. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 1 W; b. Lähtöaallonpituus on yli 150 nm mutta enintään 190 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Lähtöenergia on yli 1,5 J pulssia kohti; tai 2. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 120 W; c. Lähtöaallonpituus on yli 190 nm mutta enintään 360 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Lähtöenergia on yli 10 J pulssia kohti; tai 2. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 500 W; tai d. Lähtöaallonpituus on yli 360 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Lähtöenergia on yli 1,5 J pulssia kohti; tai 2. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 30 W; Huom.: Erityisesti litografialaitteita varten suunniteltujen eksimeeri ”lasereiden” osalta katso 3B001 kohta. 5. Seuraavat ”kemialliset laserit”: a. Vetyfluoridi(HF)”laserit”; b. Deuteriumfluoridi(DF)”laserit”; c. Seuraavat ”siirtolaserit”: 1. Happijodi(O2-I)”laserit”; 2. Deuteriumfluoridihiilidioksidi(DF-CO2)”laserit”; Tekn. huom.: ”Siirtolaserit” ovat ”lasereita”, joissa jossa laseroivat aineslajit viritetään siirtämällä energiaa ei-laseroivan atomin tai molekyylin ja laseroivan atomin tai molekyylin aineslajien yhteentörmäyksellä. 6. Yksittäisiä pulsseja tuottavat neodyymilasi ”laserit”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. ”Pulssin kesto” on enintään 1 μs ja lähtöenergia on yli 50 J pulssia kohti; tai b. ”Pulssin kesto” on yli 1 μs ja lähtöenergia on yli 100 J pulssia kohti; Huom.:”Yksittäisiä pulsseja tuottava” viittaa ”laseriin”, joka tuottaa joko yhden yksittäisen ulostulopulssin tai jonka tuottamien pulssien aikaväli on yli minuutin. e. Seuraavat komponentit: 1. ”Aktiivisella jäähdytyksellä” tai lämpöputkijäähdytyksellä jäähdytetyt peilit; Tekn. huom.: ”Aktiivinen jäähdytys” on optisten osien jäähdytystekniikka, jossa käytetään välittömästi optisen komponentin pinnan alla virtaavia nesteitä (nimellisetäisyys optisesta pinnasta vähemmän kuin 1 mm) siirtämään lämpöä optiikasta. 2. Optiset peilit tai läpäisevät tai osittain läpäisevät optiset tai sähköoptiset komponentit, muut kuin sulatetut suippenevat kuituliittimet ja monikerroksiset dielektriset hilat (MLD), jotka on erityisesti suunniteltu käytettäväksi määriteltyjen ”lasereiden” kanssa; Huom.: Kuituliittimet ja MLD:t määritellään 6A005.e.3 kohdassa. 3. Seuraavat kuitu”laser” komponentit: a. Sulatetut suippenevat kuituliittimet (monimuoto/monimuoto), joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 1. Väliinkytkemisvaimennus on 0,3 dB tai vähemmän (parempi) pidettynä nimellisellä keskimääräisellä tai CW-lähtöteholla (pois luettuna mahdollisen yksimuotoytimen kautta siirretty lähtöteho), joka on yli 1 000 W; ja 2. Syöttökuitujen lukumäärä on vähintään 3; b. Sulatetut suippenevat kuituliittimet (yksimuoto/monimuoto), joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 1. Väliinkytkemisvaimennus on vähemmän (parempi) kuin 0,5 dB pidettynä nimellisellä keskimääräisellä tai CW-lähtöteholla, joka on yli 4 600 W; 2. Syöttökuitujen lukumäärä on vähintään 3; ja 3. Jokin seuraavista: a. Sädeparametritulo (BPP) lähtötehosta mitattuna on enintään 1,5 mm mrad, kun syöttökuituja on enintään 5; tai b. Sädeparametritulo (BPP) lähtötehosta mitattuna on enintään 2,5 mm mrad, kun syöttökuituja on enemmän kuin 5; c. Monikerroksiset dielektriset hilat (MLD), joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 1. Suunniteltu vähintään 5 kuitu ”laserin” spektri- tai koherentin säteen yhdistelmää varten; ja 2. CW LIDT (Laser Induced Damage Threshold) on vähintään 10 kW/cm2. f. Seuraavat optiset laitteet: Huom.:”SHPL”-sovelluksissa toimimaan kykenevät yhteisen aukon optiset elementit: katso asetarvikeluettelo. 1. Ei käytössä; 2. ”Laserien” diagnostiikkalaitteet, jotka on erityisesti suunniteltu dynaamisesti mittaamaan ”SHPL”-järjestelmän säteen ohjauksen kulmavirheitä ja joiden kulma ”tarkkuus” on 10 μrad (mikroradiaania) tai vähemmän (parempi); 3. Optiset laitteet ja komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu koherenttia sädettä kombinoivaa vaiheistettujen ryhmien ”SHPL”-järjestelmää varten ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. ”Tarkkuus” enintään 0,1 μm aallonpituuksilla, jotka ovat yli 1 μm; tai b. ”Tarkkuus” λ/10 tai vähemmän (parempi) suunnitellulla aallonpituudella aallonpituuksilla, jotka ovat enintään 1 μm; 4. Erityisesti ”SHPL”-järjestelmissä käytettäväksi tarkoitetut projektioteleskoopit. g. ”Laserakustiset havainnointilaitteet”, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 1. Jatkuvatoimisen (CW-) ”laserin” lähtöteho on vähintään 20 mW; 2. ”Laserin” taajuusvakavuus 10 MHz tai vähemmän (parempi); 3. ”Laserin” aallonpituudet vähintään 1 000 nm mutta enintään 2 000 nm; 4. Optisen järjestelmän resoluutio parempi (vähemmän) kuin 1 nm; ja 5. Optinen signaali-kohinasuhde vähintään 103. Tekn. huom.: ”Laserakustista havainnointilaitetta” kutsutaan toisinaan ”laser” mikrofoniksi tai hiukkasvirtahavainnointimikrofoniksi.