Nro Kuvaus Vastaava tuote asetuksen (EY) N:o 428/2009 liitteessä I

IX.A3.001 Seuraavat elektroniset tuotteet: a) seuraavat yleiskäyttöiset integroidut piirit: Huomautukset: 1. (Valmiiden tai puolivalmiiden) piikiekkojen, joissa toiminto on määritelty, asema arvioidaan 3A001.a kohdan parametrien mukaan. 2. Integroidut piirit sisältävät seuraavat tyypit: — ”monoliittiset integroidut piirit”; — ”integroidut hybridipiirit”; — ”integroidut monipalapiirit”; — ”integroidut kalvopiirit”, integroidut pii-safiiripiirit mukaan lukien; — ”optiset integroidut piirit”; — ”kolmiulotteiset integroidut piirit”; — ”monoliittiset integroidut mikroaaltopiirit” (”MMIC”). 3A001.a

IX.A3.002 integroidut piirit, jotka on suunniteltu tai mitoitettu kestämään jotakin seuraavista: a) säteily, jonka kokonaisannos on 5 × 103 Gy (pii) tai enemmän; b) säteily, jonka annosnopeus on 5 × 106 Gy (pii)/s tai enemmän; tai c) neutronien integroitu vuontiheys (1 MeV:n vastaavuus), joka on 5 × 1 013 n/cm2 tai enemmän piin osalta tai sitä vastaava muiden materiaalien osalta; Huom. Luokka ei koske metallieristepuolijohteita (MIS). 3A001.a.

IX.A3.003 ”mikroprosessoripiirit”, ”mikrotietokonepiirit”, mikro-ohjainpiirit, integroidut muistipiirit, jotka on valmistettu yhdistepuolijohteesta, analogi-digitaalimuuntimet, integroidut piirit, jotka sisältävät analogi-digitaalimuuntimia ja tallentavat tai prosessoivat digitoitua dataa, digitaali-analogimuuntimet, sähköoptiset tai ”optiset integroidut piirit””signaalinkäsittelyä” varten, käyttäjäohjelmoitavat logiikkapiirit, sellaiset asiakaskohtaiset integroidut piirit, joiden toiminta on tuntematon tai jotka on tarkoitettu laitteisiin, joiden asema on tuntematon, nopea Fourier-muunnos (FFT)-prosessorit, elektronisesti pyyhittävät ohjelmoitavat lukumuistit (EEPROMit), pikamuistipiirit, staattiset luku-/kirjoitusmuistit (SRAMit) tai magneettiset luku-/kirjoitusmuistit (MRAMit), joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: a) ne on mitoitettu toimimaan yli 398 K:n (+ 125 °C:n) lämpötiloissa; b) ne on mitoitettu toimimaan alle 218 K:n (– 55 °C:n) lämpötiloissa; tai c) ne on mitoitettu toimimaan koko lämpötila-alueella 218–398 K (– 55 – + 125 °C); Huom. Tämä luokka ei koske siviiliautoihin tai juniin tarkoitettuja integroituja piirejä. 3A001.a.2

IX.A3.004 ”signaalinkäsittelyä” varten tarkoitetut sähköoptiset tai ”optiset integroidut piirit”, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: a) yksi tai useampi sisäinen ”laser”diodi; b) yksi tai useampi sisäinen valoa ilmaiseva elementti; ja c) optisia aaltoputkia; 3A001.a.

IX.A3.005 4. käyttäjäohjelmoitavat logiikkapiirit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: a) yksipuolisten digitaalisten tulo-lähtöjen suurin määrä on yli 700; tai b) ”yksisuuntaisen sarjaliikennelähetin-vastaanottimen yhteenlaskettu huippudatanopeus” on vähintään 500 Gb/s; Huom. Tämä luokka sisältää — yksinkertaiset ohjelmoitavat logiikkapiirit (SPLD:t) — monimutkaiset ohjelmoitavat logiikkapiirit (CPLD:t) — ohjelmoitavat porttimatriisit (FPGA:t) — ohjelmoitavat logiikkamatriisit (FPLA:t) — ohjelmoitavat yhdyskomponentit (FPIC:t). 3A001.a.

IX.A3.006 integroidut neuroverkkopiirit; 3A001.a.

IX.A3.007 asiakaskohtaiset integroidut piirit, joiden toiminta on tuntematon tai jotka on tarkoitettu laitteisiin, joiden asema on valmistajalle tuntematon, ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: a) liitospisteiden lukumäärä on yli 1 500 ; b) tyypillinen ”perusportin etenemisviive” on alle 0,02 ns; tai c) toimintataajuus on yli 3 GHz; 3A001.a.

IX.A3.008 Suoran digitaalisen syntetisaattorin (DDS) integroidut piirit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: a) digitaali-analogiamuuntimen (DAC) kellotaajuus on vähintään 3,5 GHz ja DAC-resoluutio vähintään 10 bittiä mutta alle 12 bittiä; tai b) DAC-kellotaajuus on vähintään 1,25 GHz ja DAC-resoluutio vähintään 12 bittiä; Tekninen huomautus: DAC-kellotaajuus voidaan määritellä päätaajuutena tai sisääntulotaajuutena. 3A001.a.

IX.A3.009 Seuraavat mikroaalto- tai millimetriaaltolaitteet: a) seuraavat kulkuaalto-”tyhjiöelektroniset laitteet”, pulssitetut tai jatkuva-aaltoiset: 1. laitteet, jotka toimivat yli 31,8 GHz:n taajuuksilla; 2. laitteet, joiden hehkukatodien käynnistysaika nimelliseen RF-tehoon asti on alle 3 sekuntia; 3. kytketyt ontelolaitteet tai niiden muunnokset, joiden ”suhteellinen kaistanleveys” on yli 7 % tai huipputeho yli 2,5 kW; 4. laitteet, jotka perustuvat heliksin muotoisiin, poimutettuihin tai kierukan muotoisiin aaltoputkipiireihin, tai niiden muunnokset, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. niiden ”hetkellinen kaistanleveys” ylittää oktaavin, ja keskimääräisen lähtötehon (kW) ja toimintataajuuden (GHz) tulo on enemmän kuin 0,5; b. niiden ”hetkellinen kaistanleveys” on enintään oktaavin, ja keskimääräisen lähtötehon (kW) ja toimintataajuuden (GHz) tulo on enemmän kuin 1; c. ne ovat ”avaruuskelpoisia”; tai d. niillä on hilamainen elektronitykki; 5. laitteet, joiden ”suhteellinen kaistanleveys” on vähintään 10 % ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. rengasmainen elektronisuihku; b. ei-aksiaalisymmetrinen elektronisuihku; tai c. useita elektronisuihkuja; b) ristikenttävahvistimena toimivat ”tyhjiöelektroniset laitteet”, joiden vahvistus on yli 17 dB; c) kuumakatodit, jotka on suunniteltu ”tyhjiöelektronisia laitteita” varten ja jotka tuottavat nimellisissä käyttöolosuhteissa emissiovirran tiheyden, joka on yli 5 A/cm2, tai (ei-jatkuvan) pulssivirran tiheyden, joka on yli 10 A/cm2; d) ”tyhjiöelektroniset laitteet”, jotka kykenevät toimimaan ”kahdessa moodissa”; Tekninen huomautus:”Kahdessa moodissa” tarkoittaa sitä, että ”tyhjiöelektronisen laitteen” säteen virta voidaan tarkoituksellisesti vaihtaa jatkuvien ja pulssiaaltojen välillä käyttämällä hilaa ja sen tuottama pulssin huippulähtöteho on suurempi kuin jatkuva-aaltoinen lähtöteho. 3A001.b.

IX.A3.010 ”Monoliittisina integroituina mikroaaltopiireinä” (”MMIC”) toteutetut vahvistimet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: a) ne toimivat yli 2,7 GHz:n ja enintään 6,8 GHz:n taajuuksilla, niiden ”suhteellinen kaistanleveys” on yli 15 %, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 75 W (48,75 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 2,7 GHz ja enintään 2,9 GHz; 2. niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 55 W (47,4 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 2,9 GHz ja enintään 3,2 GHz; 3. niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 40 W (46 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 3,2 GHz ja enintään 3,7 GHz; tai 4. niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 20 W (43 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 3,7 GHz ja enintään 6,8 GHz; b) ne toimivat yli 6,8 GHz:n ja enintään 16 GHz:n taajuuksilla, niiden ”suhteellinen kaistanleveys” on yli 10 %, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 10 W (40 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 6,8 GHz ja enintään 8,5 GHz; tai 2. niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 5 W (37 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 8,5 GHz ja enintään 16 GHz; c) ne toimivat yli 3 W:n (34,77 dBm) kyllästyneellä huippulähtöteholla kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 16 GHz ja enintään 31,8 GHz, ja niiden ”suhteellinen kaistanleveys” on yli 10 %; d) ne toimivat yli 0,1 nW:n (– 70 dBm) kyllästyneellä huippulähtöteholla kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 31,8 GHz ja enintään 37 GHz; e) ne toimivat yli 1 W:n (30 dBm) kyllästyneellä huippulähtöteholla kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 37 GHz ja enintään 43,5 GHz, ja niiden ”suhteellinen kaistanleveys” on yli 10 %; f) ne toimivat yli 31,62 mW:n (15 dBm) kyllästyneellä huippulähtöteholla kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 43,5 GHz ja enintään 75 GHz, ja niiden ”suhteellinen kaistanleveys” on yli 10 %; g) ne toimivat yli 10 mW:n (10 dBm) kyllästyneellä huippulähtöteholla kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 75 GHz ja enintään 90 GHz, ja niiden ”suhteellinen kaistanleveys” on yli 5 %; tai h) ne toimivat yli 0,1 nW:n (– 70 dBm) kyllästyneellä huippulähtöteholla kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 90 GHz; Huomautukset: 1. Niiden MMIC-piirien asema, joiden nimelliseen toimintataajuuteen sisältyy taajuuksia, jotka on lueteltu useammalla kuin yhdellä taajuusalueella, määräytyy alimman kyllästyneen huippulähtötehon kynnyksen mukaan. 2. Tämä luokka ei koske MMIC-piirejä, jos ne on erityisesti suunniteltu muita sovelluksia, esimerkiksi tietoliikennettä, tutkia tai autoja varten. 3A001.b.

IX.A3.011 Erillismikroaaltotransistorit, jotka ovat jotakin seuraavista: a. ne toimivat yli 2,7 GHz:n ja enintään 6,8 GHz:n taajuuksilla, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 400 W (56 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 2,7 GHz ja enintään 2,9 GHz; 2. niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 205 W (53,12 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 2,9 GHz ja enintään 3,2 GHz; 3. niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 115 W (50,61 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 3,2 GHz ja enintään 3,7 GHz; tai 4. niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 60 W (47,78 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 3,7 GHz ja enintään 6,8 GHz; b. ne toimivat yli 6,8 GHz:n ja enintään 31,8 GHz:n taajuuksilla, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 50 W (47 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 6,8 GHz ja enintään 8,5 GHz; 2. niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 15 W (41,76 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 8,5 GHz ja enintään 12 GHz; 3. niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 40 W (46 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 12 GHz ja enintään 16 GHz; tai 4. niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 7 W (38,45 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 16 GHz ja enintään 31,8 GHz; c. ne toimivat yli 0,5 W:n (27 dBm) kyllästyneellä huippulähtöteholla kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 31,8 GHz ja enintään 37 GHz; d. ne toimivat yli 1 W:n (30 dBm) kyllästyneellä huippulähtöteholla kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 37 GHz ja enintään 43,5 GHz; tai e. ne toimivat yli 0,1 nW:n (– 70 dBm) kyllästyneellä huippulähtöteholla kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 43,5 GHz; Huomautukset: 1. Niiden transistorien asema, joiden nimelliseen toimintataajuuteen sisältyy taajuuksia, jotka on lueteltu useammalla kuin yhdellä taajuusalueella, määräytyy alimman kyllästyneen huippulähtötehon kynnyksen mukaan. 2. Tähän luokkaan sisältyvät päällystämättömät sirut, alustoille asennetut sirut tai koteloidut sirut. Joihinkin erillistransistoreihin voidaan viitata myös tehovahvistimina. 3A001.b.

IX.A3.012 Puolijohde-mikroaaltovahvistimet ja puolijohde-mikroaaltovahvistimia sisältävät mikroaaltokokoonpanot/-moduulit, jotka ovat jotakin seuraavista: a) ne toimivat yli 2,7 GHz:n ja enintään 6,8 GHz:n taajuuksilla, niiden ”suhteellinen kaistanleveys” on yli 15 %, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 500 W (57 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 2,7 GHz ja enintään 2,9 GHz; 2. niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 270 W (54,3 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 2,9 GHz ja enintään 3,2 GHz; 3. niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 200 W (53 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 3,2 GHz ja enintään 3,7 GHz; tai 4. niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 90 W (49,54 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 3,7 GHz ja enintään 6,8 GHz; b) ne toimivat yli 6,8 GHz:n ja enintään 31,8 GHz:n taajuuksilla, niiden ”suhteellinen kaistanleveys” on yli 10 %, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 70 W (48,54 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 6,8 GHz ja enintään 8,5 GHz; 2. niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 50 W (47 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 8,5 GHz ja enintään 12 GHz; 3. niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 30 W (44,77 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 12 GHz ja enintään 16 GHz; tai 4. niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 20 W (43 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 16 GHz ja enintään 31,8 GHz; c) ne toimivat yli 0,5 W:n (27 dBm) kyllästyneellä huippulähtöteholla kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 31,8 GHz ja enintään 37 GHz; d) ne toimivat yli 2 W:n (33 dBm) kyllästyneellä huippulähtöteholla kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 37 GHz ja enintään 43,5 GHz, ja niiden ”suhteellinen kaistanleveys” on yli 10 %; e) ne toimivat yli 43,5 GHz:n taajuuksilla, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 0,2 W (23 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 43,5 GHz ja enintään 75 GHz, ja niiden ”suhteellinen kaistanleveys” on yli 10 %; 2. niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 20 mW (13 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 75 GHz ja enintään 90 GHz, ja niiden ”suhteellinen kaistanleveys” on yli 5 %; tai 3. niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 0,1 nW (– 70 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 90 GHz; Huom. Niiden laitteiden asema, joiden nimelliseen toimintataajuuteen sisältyy taajuuksia, jotka on lueteltu useammalla kuin yhdellä taajuusalueella, määräytyy alimman kyllästyneen huippulähtötehon kynnyksen mukaan. 3A001.b.

IX.A3.013 Elektronisesti tai magneettisesti viritettävät kaistanpäästö- tai kaistanestosuotimet, joissa on yli 5 viritettävää resonaattoria, jotka voidaan virittää alle 10 μs:ssa taajuuskaistalle, jonka fmax/fmin on 1,5:1, ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: a) päästökaistan leveys on enemmän kuin 0,5 % keskitaajuudesta; tai b) estokaistan leveys on vähemmän kuin 0,5 % keskitaajuudesta; 3A001.b.

IX.A3.014 Muuntimet ja harmoniset sekoittajat, jotka ovat jotakin seuraavista: a) ne on suunniteltu ulottamaan ”signaalianalysaattoreiden” taajuusalue yli 90 GHz:n; b) ne on suunniteltu ulottamaan signaaligeneraattoreiden toiminta-alue seuraavasti: 1. yli 90 GHz:n; 2. lähtötehoon, joka on yli 100 mW (20 dBm) missä tahansa taajuusalueella, joka on yli 43,5 GHz mutta enintään 90 GHz; c) ne on suunniteltu ulottamaan verkkoanalysaattoreiden toiminta-alue seuraavasti: 1. yli 110 GHz:n; 2. lähtötehoon, joka on yli 31,62 mW (15 dBm) missä tahansa taajuusalueella, joka on yli 43,5 GHz mutta enintään 90 GHz; 3. lähtötehoon, joka on yli 1 mW (0 dBm) missä tahansa taajuusalueella, joka on yli 90 GHz mutta enintään 110 GHz; tai d) ne on suunniteltu ulottamaan mikroaaltotestivastaanottimien taajuusalue yli 110 GHz:n; 3A001.b.

IX.A3.015 Mikroaaltotehovahvistimet, jotka sisältävät edellä lueteltuja ”tyhjiöelektronisia laitteita” ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: a) niiden toimintataajuudet ovat yli 3 GHz; b) niiden keskimääräinen ulostuloteho suhteessa massaan on yli 80 W/kg; ja c) niiden tilavuus on vähemmän kuin 400 cm3; Huom. Tämä luokka ei koske laitteita, jotka on suunniteltu tai mitoitettu toimimaan taajuuskaistalla, jonka ”Kansainvälinen televiestintäliitto (ITU) on allokoinut” radioviestintäpalveluille, mutta ei radiomääritykselle. 3A001.b.

IX.A3.016 Mikroaaltotehomoduulit (MPM), jotka koostuvat vähintään kulkuaalto-”tyhjiöelektronisesta laitteesta”, ”monoliittisesta integroidusta mikroaaltopiiristä” (”MMIC”) ja integroidusta elektronisesta teholähteestä ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: a) niiden ”kytkeytymisaika” nolla-asennosta täyteen toimintavalmiuteen on vähemmän kuin 10 sekuntia; b) niiden tilavuus on vähemmän kuin suurin nimellisteho watteina kerrottuna 10 cm3/W:lla; ja c) niiden ”hetkellinen kaistanleveys” on enemmän kuin 1 oktaavi (fmax > 2fmin), ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. enintään 18 GHz:n taajuuksien osalta RF-lähtöteho on enemmän kuin 100 W; tai 2. taajuus on enemmän kuin 18 GHz; Tekniset huomautukset: 1. Edellä b alakohdassa tarkoitetun tilavuuden laskemiseksi annetaan seuraava esimerkki: jos suurin nimellisteho on 20 W, tilavuus on: 20 W 10 cm3/W = 200 cm3. 2. Edellä a alakohdassa tarkoitettu ”kytkeytymisaika” viittaa aikaan, joka kuluu täydestä nolla-asennosta täyteen toimintavalmiuteen, eli siihen sisältyy MPM:n lämpenemisaika. 3A001.b.

IX.A3.017 Oskillaattorit tai oskillaatorikokoonpanot, jotka on määritelty toimimaan, kun yksisivukaistan (SSB) vaihekohina dBc/Hz:einä on vähemmän (parempi) kuin – (126 + 20log10F – 20log10f) taajuuksilla 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz; Tekninen huomautus: Edellä olevassa luokassa F on toimintataajuuden poikkeama hertseinä ja f on toimintataajuus megahertseinä. 3A001.b.

IX.A3.018 ”Elektroniset taajuussyntetisoijakokoonpanot”, joiden ”taajuuden vaihtoaika” on jokin seuraavista: a) vähemmän kuin 143 ps; b) vähemmän kuin 100 μs kaikkien niiden taajuusmuutosten osalta, jotka ovat yli 2,2 GHz syntesoidulla taajuusalueella, joka on yli 4,8 GHz mutta enintään 31,8 GHz; c) vähemmän kuin 500 μs kaikkien niiden taajuusmuutosten osalta, jotka ovat yli 550 MHz syntesoidulla taajuusalueella, joka on yli 31,8 GHz mutta enintään 37 GHz; d) vähemmän kuin 100 μs kaikkien niiden taajuusmuutosten osalta, jotka ovat yli 2,2 GHz syntesoidulla taajuusalueella, joka on yli 37 GHz mutta enintään 90 GHz; tai e) vähemmän kuin 1 ms syntesoidulla taajuusalueella, joka on yli 90 GHz; 3A001.b.

IX.A3.019 ”Lähetin-/vastaanotinmoduulit”, ”lähetin-/vastaanotin-MMIC:t”, ”lähetinmoduulit” ja ”lähetin-MMIC:t”, jotka toimivat yli 2,7 GHz:n taajuuksilla ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: a) niiden kyllästynyt huippulähtöteho (watteina), Psat, on yli 505,62 jaettuna toiseen potenssiin korotetulla suurimmalla toimintataajuudella (GHz:einä) [Psat > 505,62 W*GHz2/fGHz 2] kaikilla kanavilla; b) niiden ”suhteellinen kaistanleveys” on vähintään 5 % kaikilla kanavilla; c) niiden tasomaisen (planaarisen) puolen pituus d (cm) on enintään 15 jaettuna GHz:einä ilmoitetulla alimmalla toimintataajuudella [d ≤ 15 cm*GHz*N/fGHz], jossa N on lähetys- tai lähetys-/vastaanottokanavien lukumäärä; ja d) niillä on sähköisesti säädettävä vaiheensiirrin kanavaa kohti. Tekniset huomautukset: 1. ”Lähetin-/vastaanotinmoduuli” on monitoiminen ”elektroninen kokoonpano”, jossa on kaksisuuntainen amplitudi- ja vaiheohjaus signaalien lähettämistä ja vastaanottamista varten. 2. ”Lähetinmoduuli” on ”elektroninen kokoonpano”, jossa on amplitudi- ja vaiheohjaus signaalien lähettämistä varten. 3. ”Lähetin-/vastaanotin-MMIC” on monitoiminen ”MMIC”, jossa on kaksisuuntainen amplitudi- ja vaiheohjaus signaalien lähettämistä ja vastaanottamista varten. 4. ”Lähetin-MMIC” on ”MMIC”, jossa on amplitudi- ja vaiheohjaus signaalien lähettämistä varten. 5. Arvoa 2,7 GHz olisi käytettävä alimpana toimintataajuutena (fGHz) c kohdan kaavassa niiden lähetin-/vastaanotin- tai lähetinmoduulien osalta, joiden nimellinen toiminta-alue ulottuu alaspäin arvoon 2,7 GHz ja sen alle [d ≤ 15 cm*GHz*N/2,7 GHz]. 6. IX.A3.019 kohtaa sovelletaan ”lähetin-/vastaanotinmoduuleihin” tai ”lähetinmoduuleihin” riippumatta siitä, onko niissä jäähdytyslevy. Edellä olevassa 11.c alakohdassa oleva d:n arvo ei sisällä ”lähetin-/vastaanotinmoduulin” tai ”lähetinmoduulin” sellaista osaa, joka toimii jäähdytyslevynä. 7. ”Lähetin-/vastaanotinmoduuleissa”, ”lähetinmoduuleissa”, ”lähetin-/vastaanotin-MMIC:issä” tai ”lähetin-MMIC:issä” saattaa olla N kappaletta integroituja säteileviä antennielementtejä, ja N on lähetys- tai lähetys-/vastaanottokanavien lukumäärä. 3A001.b.

IX.A3.020 Pinta-akustiset aaltolaitteet ja matalatila-akustiset laitteet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: a) kantoaallon taajuus on yli 6 GHz; b) kantoaallon taajuus on yli 1 GHz mutta enintään 6 GHz, ja jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. ”taajuuden sivukeilan vaimennus” on yli 65 dB; 2. maksimiviiveen ja kaistanleveyden tulo (aika mikrosekunteina (μs) ja kaistanleveys megahertseinä (MHz)) on yli 100; 3. kaistanleveys on yli 250 MHz; tai 4. dispersiivinen viive on yli 10 μs; tai c) kantoaallon taajuus on enintään 1 GHz, ja jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. maksimiviiveen ja kaistanleveyden tulo (aika mikrosekunteina (μs) ja kaistanleveys megahertseinä (MHz)) on yli 100; 2. dispersiivinen viive on yli 10 μs; tai 3. ”taajuuden sivukeilan vaimennus” on yli 65 dB, ja kaistanleveys on yli 100 MHz; 3A001.c.

IX.A3.021 Kappaleakustiset (tila-akustiset) laitteet, jotka sallivat signaalien suoran prosessoinnin yli 6 GHz:n taajuuksilla; 3A001.c.

IX.A3.022 Akusto-optiset ”signaalinkäsittely”laitteet, jotka käyttävät hyväkseen ääniaaltojen (kappale- tai pinta-aaltojen) ja valoaaltojen vuorovaikutusta ja jotka sallivat signaalien tai kuvien suoran käsittelyn, mukaan lukien spektrianalyysi, korrelaatio tai konvoluutio; 3A001.c.

IX.A3.023 Elektroniset laitteet tai piirit, jotka sisältävät ”suprajohtavista” materiaaleista valmistettuja komponentteja ja jotka on erityisesti suunniteltu toimimaan ainakin yhden ”suprajohtavan” ainesosansa ”kriittisen lämpötilan” alapuolella, ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: a) virtakytkentä digitaalipiireissä, joissa käytetään ”suprajohtavia” portteja, joiden porttikohtaisen viiveen (sekunteina) ja porttikohtaisen tehohäviön (watteina) tulo on vähemmän kuin 10– 14 J; tai b) taajuuden valinta kaikilla taajuuksilla käyttäen resonanssipiirejä, joiden Q-arvot ovat yli 10 000 ; 3A001.d.

IX.A3.024 Seuraavat suurenergiset parit: a) ”ensiöparit”, joiden ”energiatiheys” on yli 550 Wh/kg 20 °C:ssa; b) ”toisioparit”, joiden ”energiatiheys” on yli 350 Wh/kg 20 °C:ssa; Tekniset huomautukset: 1. Suurenergialaitteiden tapauksessa ”energiatiheys” (Wh/kg) lasketaan nimellisjännitteestä kerrottuna nimelliskapasiteetilla ampeeritunteina (Ah) jaettuna massalla kilogrammoina. Jos nimelliskapasiteettia ei ole ilmoitettu, energiatiheys lasketaan neliöidystä nimellisjännitteestä kerrottuna purkauksen kestolla tunteina jaettuna purkauskuormalla ohmeina ja massalla kilogrammoina. 2. Suurenergialaitteiden tapauksessa ”pari” määritellään sähkökemialliseksi laitteeksi, jolla on positiivinen ja negatiivinen elektrodi ja elektrolyytti ja joka on sähköenergian lähde. Se on pariston peruslohko. 3. Suurenergialaitteiden tapauksessa ”ensiöpari” on ”pari”, jota ei ole suunniteltu ladattavaksi mistään muusta lähteestä. 4. Suurenergialaitteiden tapauksessa ”toisiopari” on ”pari”, joka on suunniteltu ladattavaksi ulkoisesta sähkölähteestä. Huom. Suurenergialaitteisiin eivät kuulu paristot, mukaan lukien yksipariset paristot. 3A001.e.

IX.A3.025 Seuraavat suurenergiset varauskondensaattorit: a) kondensaattorit, joiden toistotiheys on alle 10 Hz (kertatoimiset kondensaattorit) ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 1. niiden nimellisjännite on vähintään 5 kV; 2. niiden energiatiheys on vähintään 250 J/kg; ja 3. niiden kokonaisenergia on vähintään 25 kJ; b) kondensaattorit, joiden toistotiheys on vähintään 10 Hz (toistuvatoimiset kondensaattorit) ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 1. niiden nimellisjännite on vähintään 5 kV; 2. niiden energiatiheys on vähintään 50 J/kg; 3. niiden kokonaisenergia on vähintään 100 J; ja 4. niiden lataus-purkuikä on vähintään 10 000 ; 3A001.e.

IX.A3.026 ”Suprajohtavat” sähkömagneetit tai solenoidit, jotka on erityisesti suunniteltu täysin ladattaviksi tai purettaviksi alle 1 sekunnissa ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: Huom. Edellä oleva kohta ei koske ”suprajohtavia” sähkömagneetteja tai solenoideja, jotka on erityisesti suunniteltu magneettiresonanssikuvausta (MRI) varten lääketieteellisiin laitteisiin. a) purkauksen aikana luovutettu maksimienergia on yli 10 kJ ensimmäisen sekunnin aikana; b) virtakäämien sisähalkaisija on yli 250 mm; ja c) magneettisen induktion nimellisarvo on yli 8 T tai ”kokonaisvirrantiheys” käämissä on yli 300 A/mm2; 3A001.e.

IX.A3.027 Aurinkokennot, CIC-järjestelmät ja aurinkopaneelit, jotka ovat ”avaruuskelpoisia” ja joiden keskimääräinen vähimmäistehokkuus on enemmän kuin 20 prosenttia 301 K:n (28 °C:n) toimintalämpötilassa simuloidussa ”AM0”-valaistuksessa, jonka säteilyvoimakkuus on 1 367 wattia neliömetriä kohden (W/m2); Tekninen huomautus:”AM0” tai ”ilmamassan arvo 0” (Air Mass Zero) tarkoittaa auringonvalon spektraalista säteilyvoimakkuutta maapallon uloimmassa ilmakehässä, kun maapallon ja auringon välinen etäisyys on yksi astronominen yksikkö (AU). 3A001.e.

IX.A3.028 Pyöriväsyötteiset absoluuttisen asennon kooderit, joiden ”tarkkuus” on 1,0 kaarisekuntia tai pienempi (parempi), ja niitä varten erityisesti suunnitellut kooderirenkaat, -levyt tai -asteikot; 3A001.f.

IX.A3.029 Solid state -pulssivirtakytkintyristorilaitteet ja ”tyristorimoduulit”, joissa käytetään joko sähköisesti, optisesti tai elekronisäteilyllä ohjattuja kytkentämenetelmiä ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. suurin kytkentävirran nousunopeus (di/dt) on suurempi kuin 30 000 A/μs ja estojännite yli 1 100 V; tai 2. suurin kytkentävirran nousunopeus (di/dt) on suurempi kuin 2 000 A/μs, ja kaikki seuraavista ominaisuuksista: a. suurin estojännite on vähintään 3 000 V; ja b. huippuvirta (syöksyvirta) on vähintään 3 000 A. Huomautukset: 1. Edellä olevaan kohtaan sisältyvät seuraavat: — ohjatut piitasasuuntaajat (SCR) — ETT-tyristorit (Electrical Triggering Thyristors) (ETT) — LTT-tyristorit (Light Triggering Thyristors) (LTT) — IGCT-tyristorit (Integrated Gate Commutated Thyristors) (IGCT) — hilalta sammutettavat tyristorit (Gate Turn-off Thyristors) (GTO) — MOS-tyristorit (MOS Controlled Thyristors) (MCT) — solidtronit. 2. Edellä oleva g alakohta ei koske tyristorilaitteita eikä ”tyristorimoduuleja”, jotka on sisällytetty laitteisiin, jotka on suunniteltu rautateiden siviilisovelluksia tai ”siviili-ilma-alusten” sovelluksia varten. Tekninen huomautus: Sovellettaessa edellä olevaa g alakohtaa ”tyristorimoduuliin” sisältyy yksi tai useampi tyristorilaite. 3A001.g.

IX.A3.030 Solid-state -puolijohdevirtakytkimet, diodit, tai ”moduulit”, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 1. suurin rajapinnan toimintalämpötila on yli 488 K (215 °C); 2. myötäestojännitteen (sulkujännitteen) suurin toistuva hetkellisarvo on yli 300 V; ja 3. jatkuva virta on yli 1 A. Huom. Myötäestojännitteen suurin toistuva hetkellisarvo edellä olevassa kohdassa käsittää nielu-lähdejännitteen, kollektori-emitterijännitteen, vastaestojännitteen suurimman toistuvan hetkellisarvon ja sulkujännitteen suurimman toistuvan hetkellisarvon. 3A001.h.

IX.A3.031 Seuraavat nauhoituslaitteet ja oskilloskoopit: 1. digitaaliset tietotallentimet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: a. ylläpidetty ”jatkuva käsittelykyky”, joka on yli 6,4 Gbit/s levylle tai kiinteälle muistiasemalle; ja b. prosessori, joka analysoi radiotaajuuden signaalitietoa samalla kun sitä nauhoitetaan; Tekniset huomautukset: 1. Tallentimille, joissa on rinnakkaisväyläarkkitehtuuri, ”jatkuva käsittelykyky” on suurin sanansiirtonopeus kerrottuna sanan bittien lukumäärällä. 2. ”Jatkuva käsittelykyky” tarkoittaa suurinta tiedonsiirtonopeutta, jonka laite voi nauhoittaa levylle tai kiinteälle muistiasemalle menettämättä tietoa samalla kun se ylläpitää digitaalisen datan sisääntulonopeutta tai digitointilaitteen muunnosnopeutta. 2. tosiaikaiset oskilloskoopit, joiden kohinajännitteen vertikaalinen tehollisarvo (rms) on alle 2 % täydestä asteikosta pystyasteikon asetuksella, joka antaa alimman kohina-arvon kaikille signaaleille vähintään 60 GHz:n kaistanleveydellä 3 dB:n teholla kanavaa kohti; 3A002.a.

IX.A3.032 Seuraavat ”signaalianalysaattorit”: 1. ”signaalianalysaattorit”, joilla on yli 10 MHz:n resoluutiokaistanleveys (RBW) 3 dB:n teholla missä tahansa taajuusalueella, joka on yli 31,8 GHz mutta enintään 37 GHz; 2. ”signaalianalysaattorit”, joiden keskimääräinen kohinataso (Displayed Average Noise Level (DANL)) on alle (parempi) kuin – 150 dBm/Hz missä tahansa taajuusalueella, joka on yli 43,5 GHz mutta enintään 90 GHz; 3. ”signaalianalysaattorit”, joiden taajuus on yli 90 GHz; 4. ”signaalianalysaattorit”, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: a. niiden ”tosiaikainen kaistanleveys” on yli 170 MHz; ja b. niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. 100 %:n havaintotodennäköisyys ja alle 3 dB:n aleneminen täydestä amplitudista sellaisten signaalien katkojen tai ikkunointivaikutusten vuoksi, joiden kesto on enintään 15 μs; tai 2. ”taajuusmaskin liipaisin”toiminto ja 100 %:n todennäköisyys liipaista (siepata) signaaleja, joiden kesto on enintään 15 μs; Tekniset huomautukset: 1. Edellä 1 alakohdassa olevasta ilmaisusta havaintotodennäköisyys käytetään myös nimitystä sieppaustodennäköisyys. 2. Sovellettaessa edellä olevaa 1 alakohtaa 100 %:n havaintotodennäköisyyden kesto vastaa signaalin vähimmäiskestoa, joka on tarpeen mittauksen epävarmuuden määriteltyä tasoa varten. Huom. Edellä oleva luokka ei koske niitä ”signaalianalysaattoreita”, jotka käyttävät vain ”vakiosuhteisia kaistasuotimia” (joita kutsutaan myös oktaavi- tai osaoktaavisuotimiksi). 3A002.c.

IX.A3.033 Signaaligeneraattorit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. ne on määritetty tuottamaan pulssimoduloituja signaaleja, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet, missä tahansa taajuusalueella, joka on yli 31,8 GHz mutta enintään 37 GHz; a. ”pulssin kesto” on alle 25 ns; ja b. signaalin ja tauon suhde on vähintään 65 dB; 2. niiden lähtöteho on yli 100 mW (20 dBm) missä tahansa taajuusalueella, joka on yli 43,5 GHz mutta enintään 90 GHz; 3. niiden ”taajuuden vaihtoaika” on jokin seuraavista: a. vähemmän kuin 100 μs kaikkien niiden taajuusmuutosten osalta, jotka ovat yli 2,2 GHz taajuusalueella, joka on yli 4,8 GHz mutta enintään 31,8 GHz; b. vähemmän kuin 500 μs kaikkien niiden taajuusmuutosten osalta, jotka ovat yli 550 MHz taajuusalueella, joka on yli 31,8 GHz mutta enintään 37 GHz; tai c. vähemmän kuin 100 μs kaikkien niiden taajuusmuutosten osalta, jotka ovat yli 2,2 GHz taajuusalueella, joka on yli 37 GHz mutta enintään 90 GHz; 3A002.d.

IX.A3.034 Verkkoanalysaattorit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. niiden lähtöteho ylittää 31,62 mW (15 dBm) missä tahansa toimintataajuusalueella, joka on yli 43,5 GHz mutta enintään 90 GHz; 2. niiden lähtöteho ylittää 1 mW (0 dBm) missä tahansa toimintataajuusalueella, joka on yli 90 GHz mutta enintään 110 GHz; 3. niiden ”epälineaarinen vektorinmittaustoiminto” on taajuudella, joka on yli 50 GHz mutta enintään 110 GHz; tai 4. niiden enimmäistoimintataajuus on yli 110 GHz; Tekninen huomautus:”Epälineaarinen vektorinmittaustoiminto” on instrumentin kyky analysoida sellaisten laitteiden testituloksia, joita on käytetty suursignaalialueella tai epälineaarisella vääristymäalueella. 3A002.e.

IX.A3.035 Mikroaaltotestivastaanottimet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 1. niiden enimmäistoimintataajuus on yli 110 GHz; ja 2. ne kykenevät mittaamaan samanaikaisesti sekä amplitudia että vaihetta; 3A002.f.

IX.A3.036 Atomitaajuusstandardit, jotka ovat jotakin seuraavista: 1. ne ovat ”avaruuskelpoisia”; 2. ne ovat rubidiumittomia, ja niiden pitkän aikavälin stabiilius on vähemmän (parempi) kuin 1 × 10– 11 kuukaudessa; tai 3. ne eivät ole ”avaruuskelpoisia”, ja niillä on kaikki seuraavat ominaisuudet: a. niillä on rubidiumstandardi; b. niiden pitkän aikavälin stabiilius on vähemmän (parempi) kuin 1 × 10– 11 kuukaudessa; ja c. niiden tehonkulutus alle 1 W. 3A002.f.

IX.A3.037 Seuraavat puolijohdekomponenttien tai -materiaalien valmistuslaitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut osat ja komponentit: a) laitteet, jotka on suunniteltu ioni-istutusta varten ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. ne on suunniteltu ja optimoitu toimimaan niin, että säteen energia on vähintään 20 keV ja säteen virta vähintään 10 mA vety-, deuterium- tai heliumistutusta varten; 2. ne mahdollistavat kuvion suoran istutuksen; 3. niiden säteen energia on vähintään 65 keV ja säteen virta vähintään 45 mA, jotta voidaan suorittaa korkeaenerginen happi-istutus kuumennettuun puolijohde”substraattiin”; tai 4. ne on suunniteltu ja optimoitu toimimaan niin, että säteen energia on vähintään 20 keV ja säteen virta vähintään 10 mA, jotta pii-implantti voidaan istuttaa puolijohde”substraattiin”, joka on kuumennettu vähintään 600 °C asteeseen; b) seuraavat litografialaitteet ja kohokuviointilaitteet, jotka kykenevät tuottamaan kuvioita, joiden koko on enintään 45 nm; 1. askeltavat kohdistus- ja valotuslaitteet (suora kohdistus kiekkoon) tai kohdistus- ja pyyhkäisy- (skanneri)laitteet kiekkojen prosessointia varten, jotka käyttävät foto-optisia tai röntgenmenetelmiä ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. niiden valolähteen aallonpituus on lyhyempi kuin 193 nm; tai b. ne kykenevät tuottamaan kuvion, jonka ”pienin erottuva kuvion koko” (MRF) on enintään 45 nm; Tekninen huomautus:”Pienin erottuva kuvion koko” (MRF) lasketaan seuraavalla kaavalla: jossa K-kerroin = 0,35 c) laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu maskien valmistukseen ja jotka käyttävät poikkeutettua ja fokusoitua elektronisuihkua, ionisuihkua tai ”laser”sädettä; 3B001.b. 3B001.f. 3B001.f.

IX.A3.038 Laitteet, jotka on suunniteltu laitteiden prosessointiin käyttäen suoria kirjoitusjärjestelmiä (direct writing methods); maskit tai retikkelit, jotka on suunniteltu integroituja piirejä varten; 3B001.g.

IX.A3.038 Seuraavat testauslaitteet, jotka on erityisesti suunniteltu valmiiden tai puolivalmiiden puolijohde- ja mikroaaltolaitteiden testaamiseen, ja erityisesti niitä varten suunnitellut komponentit ja tarvikkeet: a) laitteet transistorien S-parametrien testaukseen yli 31,8 GHz:n alueella; b) laitteet edellä tarkoitettujen integroitujen mikroaaltopiirien testaukseen. 3B002

IX.A3.039 Hetero-epitaksimateriaalit, jotka koostuvat ”substraatista”, jonka päälle on epitaksisti kasvatettu useita kerroksia seuraavia aineita: a) pii (Si); b) germanium (Ge); c) piikarbidi (SiC); tai d) galliumin tai indiumin ”III/V-yhdisteet”. Huom. Tämä kohta ei koske ”substraattia”, jolla on yksi tai useampia P-tyypin epitaksisia kerroksia GaN:ä, InGaN:ä, AlGaN:ä, InAlN:ä, InAlGaN:ä, GaP:a, GaAs:a, AlGaAs:a, InP:a, InGaP:a, AlInP:a tai InGaAlP:a, riippumatta alkuaineiden järjestyksestä, paitsi jos P-tyypin epitaksinen kerros on N-tyypin kerrosten välissä. 3C001

IX.A3.040 Seuraavat estopinnoitemateriaalit ja seuraavilla estopinnoitteilla pinnoitetut ”substraatit”: a) seuraavat estopinnoitteet, jotka on suunniteltu puolijohdelitografiaa varten: 1. positiiviestopinnoitteet, joiden spektrivaste on sovitettu (optimoitu) alle 245 nm:n mutta vähintään 15 nm:n aallonpituuksille; 2. estopinnoitteet, joiden spektrivaste on sovitettu (optimoitu) alle 15 nm:n mutta yli 1 nm:n aallonpituuksille; b) kaikki estopinnoitteet, jotka on suunniteltu käytettäväksi elektroni- tai ionisuihkun kanssa ja joiden herkkyys on 0,01 mikrocoulombia/mm2 tai parempi; c) kaikki estopinnoitteet, jotka on optimoitu pintakuvausteknologiaa varten; d) kaikki estopinnoitteet, jotka on suunniteltu tai optimoitu käytettäväksi lämpö- tai säteilykovetusprosessia käyttävien kohokuviointilaitteiden kanssa, jotka kykenevät tuottamaan kuvioita, joiden koko on enintään 45 nm; 3C002

IX.A3.041 Orgaanis-epäorgaaniset yhdisteet: a) metalliorgaaniset alumiini-, gallium- tai indiumyhdisteet, joiden (perusmetallin) puhtaus (metalleista) on parempi kuin 99,999 %; b) arseeniorgaaniset, antimoni-orgaaniset ja fosfori-orgaaniset yhdisteet, joiden puhtaus (epäorgaanisista aineista) on parempi kuin 99,999 %. 3C003

IX.A3.042 Fosfori-, arseeni- tai antimonihydridit, joiden puhtaus on parempi kuin 99,999 %, myös jalokaasuilla tai vedyllä laimennettuina. Huom. Edellä oleva kohta ei koske hydridejä, jotka sisältävät vähintään 20 mooliprosenttia jalokaasuja tai vetyä. 3C004

IX.A3.043 Piikarbidi- (SiC), galliumnitridi- (GaN), aluminiumnitridi- (AIN) tai aluminiumgalliumnitridi- (AIGaN) puolijohde”substraatit”, tai näiden materiaalien harkot, boulet tai muut preformit, joiden resistiivisyys on enemmän kuin 10 000 ohmisenttimetriä 20 °C:ssa; 3C005