2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 1
Tämä asiakirja on ainoastaan dokumentointitarkoituksiin.Toimielimet eivät vastaa sen sisällöstä.
►B NEUVOSTON ASETUS (EY) N:o 1334/2000,
annettu 22 päivänä kesäkuuta 2000,
kaksikäyttötuotteiden ja -teknologian vientiä koskevan yhteisön valvontajärjestelmän perustami-
sesta
(EYVL L 159, 30.6.2000, s. 1)
Muutettu:
virallinen lehti
N:o sivu päivämäärä
►M1Neuvoston asetus (EY) N:o 2889/2000, annettu 22 päivänä joulukuuta
2000L 336 14 30.12.2000
►M2Neuvoston asetus (EY) N:o 458/2001, annettu 6 päivänä maaliskuuta
2001L 65 19 7.3.2001
►M3Neuvoston asetus (EY) N:o 2432/2001, annettu 20 päivänä marraskuuta
2001L 338 1 20.12.2001
Oikaistu:
►C1Oikaisu, EYVL L 176, 15.7.2000, s. 52 (1334/2000)
▼B
NEUVOSTON ASETUS (EY) N:o 1334/2000,
annettu 22 päivänä kesäkuuta 2000,
kaksikäyttötuotteiden ja -teknologian vientiä koskevan yhteisön
valvontajärjestelmän perustamisesta
EUROOPAN UNIONIN NEUVOSTO, joka
ottaa huomioon Euroopan yhteisön perustamissopimuksen ja erityisesti
sen 133 artiklan,
ottaa huomioon komission ehdotuksen(1),
sekä katsoo seuraavaa:
(1)Kaksikäyttötuotteita (mukaan lukien ohjelmistot ja teknologia)
olisi valvottava tehokkaasti silloin, kun niitä viedään yhteisöstä.
(2)Tarvitaan tehokas yhteinen kaksikäyttötuotteiden vientivalvon-tajärjestelmä sen varmistamiseksi, että jäsenvaltioiden erityisesti
asesulkua koskevia sekä Euroopan unionin kansainvälisiä sitou-
muksia ja vastuita noudatetaan.
(3)Yhteinen valvontajärjestelmä ja yhdenmukaistetut täytäntöön-pano- ja seurantapolitiikat kaikissa jäsenvaltioissa ovat edellytyskaksikäyttötuotteiden vapaan liikkuvuuden toteuttamiselleyhteisön sisällä.
(4)Asetuksella (EY) N:o 3381/94(2) ja päätöksellä 94/942/YUTP(3)
käyttöön otetun nykyisen kaksikäyttötuotteiden vientivalvontajär-jestelmän yhdenmukaistamista on jatkettava, jotta valvonnan
tehokas toteuttaminen voidaan edelleen varmistaa.
(5)Yhteiset kaksikäyttötuotteiden, määräpaikkojen ja suuntaviivojenluettelot ovat tehokkaan vientivalvontajärjestelmän olennainen
osa, Luettelot on otettu käyttöön päätöksellä 94/942/YUTP ja senmyöhemmillä muutoksilla, ja ne olisi otettava osaksi tätä asetusta.
(6)Kansalliset viranomaiset vastaavat vientilupahakemusten ratkai-semisesta. Kaksikäyttötuotteiden vientiin vaikuttavat kansallisetsäännökset on annettava ja päätökset tehtävä yhteisen kauppapo-litiikan ja erityisesti yhteisen vientimenettelyn käyttöönotosta
20 päivänä joulukuuta 1969 annetun neuvoston asetuksen (ETY)
N:o 2603/69(
4) puitteissa.
(7)Kaksikäyttötuotteiden yhteisten luettelojen ajantasaistamistakoskevien päätösten on oltava täysin niiden velvoitteiden jasitoumusten mukaisia, jotka kukin jäsenvaltio on hyväksynytasiaa koskevien kansainvälisten asesulku- ja vientivalvontajärjes-telyjen jäsenenä tai ratifioimalla asiaa koskevia kansainvälisiäsopimuksia.
(8)Olisi valvottava myös sähköisillä viestimillä, telekopiolaitteella
tai puhelimella tapahtuvaa ohjelmistojen ja teknologian siirtä-
mistä yhteisön ulkopuolelle.
(9)Erityistä huomiota on kiinnitettävä jälleenvientiin ja lopulliseenkäyttöön.
(10)Jäsenvaltioiden ja Euroopan komission edustajat allekirjoittivat22 päivänä syyskuuta 1998 jäsenvaltioiden, Euroopan atomiener-giayhteisön ja kansainvälisen atomienergiajärjestönydinmateriaalivalvontaa koskevien sopimusten lisäpöytäkirjat,joissa jäsenvaltiot velvoitetaan muun muassa toimittamaan tietojaerityislaitteista ja muusta kuin ydinaineesta.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 2
(1) EYVL C 399, 21.12.1998, s. 1.
(2) EYVL L 367, 31.12.1994, s. 1, asetus sellaisena kuin se on muutettuna
asetuksella (EY) N:o 837/95 (EYVL L 90, 21.4.1995, s. 1).
(3) EYVL L 367, 31.12.1994, s. 8, päätös sellaisena kuin se on viimeksi
muutettuna päätöksellä 2000/243/YUTP (EYVL L 82, 1.4.2000, s. 1).
(4) EYVL L 324, 27.12.1969, s. 25, asetus sellaisena kuin se on viimeksi
muutettuna asetuksella (ETY) N:o 3918/91 (EYVL L 372, 31.12.1991, s. 31).
▼B
(11)Yhteisöon yhteisö n tullikoodeksista 12 päivänä lokakuuta 1992
annetulla neuvoston asetuksella (ETY) N:o 2913/92(1)j a
asetuksen 2913/92 soveltamisesta annetulla komission asetuksella(ETY) N:o 2454/93(
2) antanut tullisäännöstön, jossa on muun
muassa tavaroiden vientiä ja jälleenvientiä koskevat säännökset.Tämä asetus ei millään tavoin rajoita yhteisön tullikoodeksissa jasen soveltamissäännöksissä säädettyjä ja niistä johtuvia
valtuuksia.
(12)Perustamissopimuksen 30 artiklan mukaisesti ja mainitussa
artiklassa säädetyissä rajoissa sekä siihen asti, kun lainsäädäntöäon edelleen yhdenmukaistettu, jäsenvaltioilla säilyy oikeus valvoatiettyjen kaksikäyttötuotteiden toimituksia Euroopan yhteisössäyleisen järjestyksen ja turvallisuuden varmistamiseksi. Neuvostotarkastelee näitä valvontatoimenpiteitä määräajoin, sikäli kuin ne
liittyvät yhteisöstä tapahtuvan viennin valvonnan tehokkuuteen.
(13)Tämän asetuksen oikean soveltamisen varmistamiseksi olisi
kunkin jäsenvaltion toteutettava toimenpiteet asianmukaistenvaltuuksien antamiseksi toimivaltaisille viranomaisille.
(14)Kunkin jäsenvaltion olisi vahvistettava tämän asetuksensäännösten rikkomiseen sovellettavat seuraamukset.
(15)Euroopan parlamentti on ilmaissut kantansa 13 päivänä huhti-kuuta 1999 antamassaan päätöslauselmassa(
3),
(16)Asetus (EY) N:o 3381/94 olisi edellä esitetyn vuoksi kumottava,
ON ANTANUT TÄMÄN ASETUKSEN:
I LUKU
Aihe ja määritelmät
1 artikla
Tällä asetuksella perustetaan yhteisön kaksikäyttötuotteiden vientival-
vontajärjestelmä.
2 artikla
Tässä asetuksessa tarkoitetaan:
a) ”kaksikäyttötuotteella” tuotteita, myös ohjelmistoja ja teknologiaa,
joita voidaan käyttää sekä siviili- että sotilastarkoituksiin, mukaanlukien tavarat, joita voidaan käyttää sekä muihin kuin räjähdystar-koituksiin että millä hyvänsä tavoin apuna ydinaseiden tai muidenydinräjähteiden valmistamisessa;
b) ”viennillä”
i) yhteisön tullikoodeksin 161 artiklan mukaista vientimenettelyä;
ii) mainitun tullikoodeksin 182 artiklan mukaista jälleenvientiä;
sekä
iii) ohjelmistojen tai teknologian siirtoa yhteisön ulkopuoliseen
määräpaikkaan sähköisillä viestimillä, telekopiolaitteella taipuhelimella. Tätä määritelmää sovelletaan puhelimitse tapahtu-vaan teknologian suulliseen siirtoon vain, jos teknologiaa
käsittelevän asiakirjan sisällön merkityksellinen osa luetaan
puhelimessa tai sitä kuvataan puhelimitse niin, että päästäänolennaisesti samaan lopputulokseen;
c) ”viejällä” luonnollista tai oikeushenkilöä, jonka puolesta vienti-
ilmoitus tehdään eli henkilöä, jolla vienti-ilmoituksen vastaanotta-2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 3
(1) EYVL L 302, 19.10.1992, s. 1, asetus sellaisena kuin se on viimeksi
muutettuna Euroopan parlamentin ja neuvoston asetuksella (EY) N:o 955/
1999 (EYVL L 119, 7.5.1999, s. 1).
(2) EYVL L 253, 11.10.1993, s. 1, asetus sellaisena kuin se on viimeksi
muutettuna asetuksella (EY) N:o 1662/1999 (EYVL L 197, 29.7.1999, s. 25).
(3) EYVL C 219, 30.7.1999, s. 34.
▼B
misen ajankohtana on sopimus yhteisön ulkopuolisessa maassa
olevan vastaanottajan kanssa ja jolla on valtuutus päättää tuotteenlähettämisestä yhteisön tullialueelta. Jollei vientisopimusta ole tehty
tai jollei sopimuspuoli toimi omasta puolestaan, valtuutus päättää
tuotteen lähettämisestä yhteisön tullialueelta on ratkaiseva seikka.
’Viejällä’ tarkoitetaan myös luonnollista tai oikeushenkilöä, joka
päättää toimittaa ohjelmistoja tai teknologiaa yhteisön ulkopuoliseenmääräpaikkaan sähköisillä viestimillä, telekopiolaitteella tai puheli-mella.
Jos oikeus määrätä kaksikäyttötuotteesta viennin perusteena olevan
sopimuksen mukaan kuuluu yhteisön ulkopuolelle sijoittautuneelle
henkilölle, viejää pidetään yhteisöön sijoittautuneena sopimuspuo-
lena;
d) ”vienti-ilmoituksella” asiakirjaa, jossa henkilömuoto- ja menettely-
vaatimuksia koskevien määräysten mukaisesti ilmoittaa haluavansaasettaa kaksikäyttötuotteen vientimenettelyyn.
II LUKU
Soveltamisala
3 artikla
1. Liitteessä I lueteltujen kaksikäyttötuotteiden vienti on luvanvar-
aista.
2. Myös tiettyjen liitteeseen I kuulumattomien kaksikäyttötuotteiden
kaikkiin tai tiettyihin määräpaikkoihin tapahtuvaa vientiä varten voidaan
vaatia lupa 4 ja 5 artiklan mukaisesti.
3. Tätä asetusta ei sovelleta palveluiden tarjontaan tai teknologian
siirtoon, jos nämä edellyttävät luonnollisten henkilöiden liikkumistarajojen yli.
4. Tätä asetusta ei sovelleta kaksikäyttötuotteisiin, jotka ainoastaan
kulkevat yhteisön alueen kautta, eli tuotteisiin, joille ei ole osoitettumuuta tulliselvitysmuotoa kuin ulkoinen passitusmenettely tai jotka
ainoastaan sijoitetaan vapaa-alueelle tai vapaavarastoon siten, ettei niistä
tarvitse tehdä merkintää hyväksyttyyn varastokirjanpitoon.
4 artikla
1. Liitteeseen I kuulumattomien kaksikäyttöartikkeleiden vienti on
luvanvaraista, jos viejä on saanut sijoittautumisjäsenvaltionsa toimival-taisilta viranomaisilta tiedon siitä, että kyseiset tuotteet ovat tai voivatolla kokonaan tai osittain tarkoitetut käyttöön, joka liittyy kemiallisten,biologisten tai ydinaseiden taikka muiden ydinräjähteiden kehittämiseen,
tuotantoon, käsittelyyn, käyttöön, ylläpitoon, varastointiin, havaitsemi-
seen, tunnistamiseen tai levittämiseen taikka tällaisten aseiden maaliinsaattamiseen soveltuvien ohjusten kehittämiseen, tuotantoon, ylläpitoontai varastointiin.
2. Liitteeseen I kuulumattomien kaksikäyttötuotteiden vienti on
luvanvaraista myös, jos ostajamaahan tai määrämaahan kohdistuuneuvoston hyväksymällä yhteisellä kannalla tai yhteisellä toiminnalla,Euroopan turvallisuus- ja yhteistyöjärjestön päätöksellä tai Yhdisty-neiden Kansakuntien turvallisuusneuvoston sitovalla päätöslauselmalla
määrätty aseidenvientikielto ja jos viejä on saanut 1 kohdassa
tarkoitetuilta viranomaisilta tiedon, että kyseiset tuotteet ovat tai voivatolla kokonaan tai osittain tarkoitetut sotilaalliseen loppukäyttöön. Tässäkohdassa ’sotilaallisella loppukäytöllä’ tarkoitetaan:
a) sisällyttämistä jäsenvaltioiden asetarvikeluettelossa lueteltuihin
asetarvikkeisiin;
b) tuotanto-, testaus- tai analysointilaitteiden ja niiden komponenttien
käyttöä edellä mainitussa luettelossa olevien asetarvikkeiden kehittä-miseen, tuotantoon tai ylläpitoon;
c) valmiiksi jalostamattomien tuotteiden käyttöä edellä mainitussa
luettelossa olevien asetarvikkeiden tuotantolaitoksessa.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 4
▼B
3. Liitteeseen I kuulumattomien kaksikäyttötuotteiden vienti on
luvanvaraista myös, jos viejä on saanut 1 kohdassa tarkoitetuiltaviranomaisilta tiedon siitä, että kyseiset tuotteet ovat tai voivat olla
kokonaan tai osittain tarkoitetut käytettäviksi kansallisessa asetarvike-
luettelossa lueteltujen sellaisten asetarvikkeiden osina taikomponentteina, jotka on viety kyseisen jäsenvaltion alueelta ilmanlupaa tai kyseisen jäsenvaltion kansallisessa lainsäädännössä säädetynluvan vastaisesti.
4. Jos viejä tietää, että kaksikäyttötuotteet, jotka hän aikoo viedä ja
jotka eivät kuulu liitteeseen I, ovat kokonaan tai osittain tarkoitetutjohonkin 1, 2 ja 3 kohdassa tarkoitettuun käyttöön, viejän onilmoitettava asiasta 1 kohdassa tarkoitetuille viranomaisille, jotka
päättävät, onko aiheellista määrätä kyseinen vienti luvanvaraiseksi.
5. Jäsenvaltio voi ottaa käyttöön tai pitää voimassa kansallista
lainsäädäntöä, jonka nojalla liitteeseen I kuulumattomien kaksikäyttö-tuotteiden viennille vaaditaan lupa, jos viejällä on aihetta epäillä, että
kyseiset tavarat ovat tai voivat olla kokonaan tai osittain tarkoitetut
johonkin 1 kohdassa tarkoitettuun käyttöön.
6. Jäsenvaltion, joka 1-5 kohdan mukaisesti vaatii luvan liitteeseen I
kuulumattoman kaksikäyttötuotteen viennille, on tarvittaessa ilmoitet-
tava asiasta muille jäsenvaltioille ja komissiolle. Muiden jäsenvaltioiden
on otettava nämä tiedot asianmukaisesti huomioon ja niiden onilmoitettava niistä mahdollisimman laajasti maansa tulliviranomaisilleja muille asianomaisille kansallisille viranomaisille.
7. Jäljempänä 9 artiklan 2 ja 3 kohdan säännöksiä sovelletaan, jos
kyse on kaksikäyttötuotteista, jotka eivät kuulu liitteeseen I.
8. Tämä asetus ei rajoita jäsenvaltioiden oikeutta toteuttaa kansallisia
toimenpiteitä asetuksen (ETY) N:o 2603/69 11 artiklan nojalla.
5 artikla
1. Jäsenvaltio voi yleiseen turvallisuuteen tai ihmisoikeuksiin liitty-
vistä syistä kieltää tai määrätä luvanvaraiseksi liitteeseen I
kuulumattoman kaksikäyttötuotteen viennin.
2. Jäsenvaltioiden on ilmoitettava 1 kohdan nojalla hyväksytyistä
toimenpiteistä komissiolle välittömästi niiden hyväksymisen jälkeensekä ilmoitettava toimenpiteiden täsmälliset perusteet.
3. Jäsenvaltioiden on ilmoitettava komissiolle välittömästi myös
kaikki muutokset 1 kohdan nojalla hyväksyttyihin toimenpiteisiin.
4. Komissio julkaisee sille 2 ja 3 kohdan mukaisesti ilmoitetut
toimenpiteet Euroopan yhteisöjen virallisen lehden C-sarjassa.
III LUKU
Vientilupa
6 artikla
1. Tällä asetuksella otetaan käyttöön liitteessä II esitetty yhteisön
yleinen vientilupa tietyn viennin osalta.
2. Luvan muulle tämän asetuksen nojalla luvanvaraiselle viennille
myöntävät sen jäsenvaltion toimivaltaiset viranomaiset, johon viejä on
sijoittautunut. Lupa voi olla yksittäislupa, koontilupa tai yleislupa, jollei
3 kohdassa säädetyistä rajoituksista muuta johdu.
Lupa on voimassa kaikkialla yhteisössä.
Luvan saannille voidaan tarvittaessa asettaa tiettyjä vaatimuksia ja
edellytyksiä, kuten velvoite antaa selvitys lopullisesta käytöstä.
3. Liitteessä II olevassa 2 osassa lueteltuja tuotteita ei saa sisällyttää
yleislupaan.
4. Jäsenvaltioiden on mainittava yleisluvissa, ettei niitä saa käyttää,
jos viejä on saanut omilta viranomaisiltaan tiedon, että kyseiset tuotteetovat tai voivat olla kokonaan tai osittain tarkoitetut 4 artiklan 1, 2 ja 32000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 5
▼B
kohdassa tarkoitettuun käyttöön, tai jos viejä tietää, että tuotteet on
tarkoitettu edellä mainittuun käyttöön.
5. Jäsenvaltioiden on pidettävä voimassa tai otettava käyttöön
kansallisessa lainsäädännössään mahdollisuus, jonka mukaan yksittäi-selle viejälle voidaan myöntää kaksikäyttötuotteiden lajia tai ryhmäävarten koontilupa, joka voi olla voimassa yhteen tai useampaanyksilöityyn maahan suuntautuvassa viennissä.
6. Jäsenvaltion on toimitettava komissiolle luettelo viranomaisista,
joilla on toimivalta myöntää vientilupa kaksikäyttötuotteille.
Komissio julkaisee luettelon näistä viranomaisista Euroopan yhteisöjen
virallisen lehden C-sarjassa.
7 artikla
1. Jos kaksikäyttötuotteet, joiden viennille haetaan yksittäislupaa
määräpaikkaan, jota ei ole mainittu liitteessä II, tai liitteessä IV
lueteltujen kaksikäyttötuotteiden osalta mihin hyvänsä määräpaikkaan,
sijaitsevat hakemusta tehtäessä tai tulevaisuudessa yhdessä tai useam-massa muussa jäsenvaltiossa kuin siinä, jossa hakemus on tehty, asiastaon mainittava hakemuksessa. Sen jäsenvaltion toimivaltaisten virano-maisten, jossa lupahakemus on tehty, on välittömästi neuvoteltava
asiasta kyseisen yhden tai useamman jäsenvaltion toimivaltaisten
viranomaisten kanssa ja annettava näille tarvittavat tiedot. Sen yhdentai useamman jäsenvaltion, jonka kanssa neuvotellaan, on kymmenentyöpäivän kuluessa esitettävä mahdolliset luvan myöntämistä vastustavathuomautuksensa, jotka sitovat sitä jäsenvaltiota, jossa hakemus on tehty.
Jos kymmenen työpäivän kuluessa ei ole saatu huomautuksia, katsotaan,
ettei se yksi tai useampi jäsenvaltio, jonka kanssa neuvotellaan, oleesittänyt huomautusta.
Poikkeustapauksissa jäsenvaltio, jonka kanssa neuvotellaan, voi pyytää
kymmenen päivän määräajan pidentämistä. Määräaikaa ei kuitenkaansaa pidentää yli 30 työpäivällä.
2. Jos vienti voi haitata jäsenvaltion olennaisia turvallisuusetuja, se
voi pyytää toista jäsenvaltiota epäämään vientiluvan, tai jos lupa on jomyönnetty, mitätöimään luvan, keskeyttämään sen soveltamisen taikkamuuttamaan tai peruuttamaan luvan. Pyynnön vastaanottavan jäsenval-tion on välittömästi aloitettava pyynnön esittäneen jäsenvaltion kanssa
neuvottelut, jotka eivät ole sitovia ja jotka on saatettava päätökseen
kymmenen työpäivän kuluessa.
8 artikla
Tehdessään tämän asetuksen nojalla päätöksen vientiluvan myöntämi-
sestä tai sen epäämisestä jäsenvaltioiden on otettava huomioon kaikkiasiaan kuuluvat seikat, mukaan lukien
a) velvoitteet ja sitoumukset, jotka kukin niistä on hyväksynyt
asiaankuuluvien kansainvälisten asesulkujärjestelmien ja vientival-vontajärjestelyiden jäsenenä tai ratifioimalla asiaankuuluviakansainvälisiä sopimuksia;
b) sellaisiin pakotteisiin perustuvat velvoitteensa, jotka on asetettu
Euroopan unionin hyväksymässä yhteisessä kannassa tai yhteisessätoiminnassa, Euroopan turvallisuus- ja yhteistyöjärjestön päätöksessätaikka YK:n turvallisuusneuvoston sitovassa päätöslauselmassa;
c) kansallisen ulko- ja turvallisuuspolitiikan näkökohdat, mukaan lukien
ne, jotka sisältyvät asevientiä koskeviin Euroopan unionin menette-lysääntöihin;
d) aiottuun lopulliseen käyttöön ja sen kiertämisvaaraan liittyvät
näkökohdat.
9artikla
1. Viejien on annettava toimivaltaisille viranomaisille kaikki vienti-
lupahakemustensa kannalta tarpeelliset tiedot.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 6
▼B
2. Tämän asetuksen mukaisesti toimiessaan jäsenvaltion toimival-
taiset viranomaiset voivat evätä vientiluvan sekä mitätöidä jomyöntämänsä vientiluvan, keskeyttää sen soveltamisen taikka muuttaa
tai peruuttaa luvan. Jos toimivaltaiset viranomaiset epäävät tai
mitätöivät sen, keskeyttävät sen soveltamisen taikka olennaisestirajoittavat sitä tai peruuttavat sen, niiden on ilmoitettava tästä muidenjäsenvaltioiden toimivaltaisille viranomaisille ja komissiolle sekävaihdettava asiaa koskevia tietoja muiden jäsenvaltioiden ja komission
kanssa noudattaen 15 artiklan 3 kohdan säännöksiä tällaisten tietojen
luottamuksellisuudesta.
3. Ennen kuin jäsenvaltio myöntää vientiluvan tuotteelle, joka on
olennaisesti samanlainen kuin se, jonka osalta yksi tai useampi muujäsenvaltio on evännyt luvan viimeisten kolmen vuoden aikana, sen onensin neuvoteltava kyseisen yhden tai useamman jäsenvaltion kanssa.Jos jäsenvaltio näiden neuvottelujen jälkeen päättää kuitenkin myöntää
vientiluvan, sen on ilmoitettava päätöksestään muille jäsenvaltioille ja
komissiolle sekä toimitettava kaikki asiaa koskevat tiedot päätöksenperusteista.
10 artikla
1. Vientiä koskevat yksittäis- ja koontiluvat on annettava tämän
asetuksen liitteessä III a esitetyn mallin mukaisilla lomakkeilla.
2. Koontiluvat, joihin sisältyy määrällisiä rajoituksia, on viejien
pyynnöstä jaettava osiin.
3. Yleisluvat, jotka on myönnetty 6 artiklan 2 kohdan nojalla, on
julkaistava kansallisen lainsäädännön ja käytännön mukaisesti. Ne onannettava liitteessä III b annettujen ohjeiden mukaisesti.
IV LUKU
Kaksikäyttötuotteiden luettelon ajantasaistaminen
11 artikla
Liitteessä I ja IV olevat kaksikäyttötuotteiden luettelot ja niiden
muutokset on ajantasaistettava niiden asiaa koskevien velvoitteiden jasitoumusten mukaisesti, joita kukin jäsenvaltio on hyväksynytkansainvälisten asesulku- ja vientivalvontajärjestelyjen jäsenenä tai
ratifioimalla asiaa koskevia kansainvälisiä sopimuksia.
V LUKU
Tullimenettelyt
12 artikla
1. Suorittaessaan kaksikäyttötuotteiden vientimuodollisuuksia vienti-
ilmoituksen käsittelevässä tullitoimipaikassa viejän on todistettava, että
vientiin on saatu tarpeellinen lupa.
2. Viejältä voidaan vaatia todisteeksi esitettyjen asiakirjojen käännös
sen jäsenvaltion viralliselle kielelle, jossa vienti-ilmoitus esitetään.
3. Rajoittamatta jäsenvaltioille yhteisön tullikoodeksissa ja sen
nojalla annettuja valtuuksia jäsenvaltio voi myös enintään 4 kohdassatarkoitetuksi ajaksi keskeyttää tuotteiden viennin alueeltaan tai tarvit-taessa muutoin estää liitteeseen I kuuluvien kaksikäyttötuotteiden, joillaon voimassa oleva vientilupa, viennin yhteisöstä alueensa kautta, jos
sillä on syytä epäillä, että
a) vientilupaa myönnettäessä ei ole otettu huomioon asiaan vaikuttavia
tietoja; tai
b) olosuhteet ovat olennaisesti muuttuneet luvan myöntämisen jälkeen.
4. Edellä 3 kohdassa tarkoitetussa tapauksessa on viipymättä
neuvoteltava vientiluvan myöntäneen jäsenvaltion toimivaltaisten vira-nomaisten kanssa, jotta nämä voivat toimia 9 artiklan 2 kohdanmukaisesti. Jos nämä viranomaiset päättävät pitää luvan voimassa,2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 7
▼B
niiden on annettava vastaus kymmenen työpäivän kuluessa, mitä
määräaikaa voidaan erityisissä olosuhteissa niiden pyynnöstä pidentääkolmeksikymmeneksi työpäiväksi. Tällaisessa tapauksessa, tai jos
vastausta ei ole saatu kymmenen tai kolmenkymmenen päivän kuluessa,
kaksikäyttötuotteet on välittömästi luovutettava vietäviksi. Luvanmyöntäneen jäsenvaltion on ilmoitettava asiasta muille jäsenvaltioilleja komissiolle.
13 artikla
1. Jäsenvaltiot voivat säätää, että kaksikäyttötuotteiden vientiä varten
tarvittavat tullimuodollisuudet voidaan suorittaa vain tähän tarkoituk-seen määrätyissä tullitoimipaikoissa.
2. Jäsenvaltioiden, jotka käyttävät 1 kohdan mukaista mahdollisuutta,
on ilmoitettava komissiolle asianmukaisesti määrätyt tullitoimipaikat.Komissio julkaisee nämä tiedot Euroopan yhteisöjen virallisen lehden
C-sarjassa.
14 artikla
►
M3Asetuksen (ETY) N:o 2454/93 843 artiklan ja 912 a-912 g
artiklan säännöksiä ◄sovelletaan sellaisten kaksikäyttötuotteiden
vientiä, jälleenvientiä ja tullialueelta poistamista koskeviin rajoituksiin,joiden vienti on tämän asetuksen nojalla luvanvaraista.
VI LUKU
Hallinnollinen yhteistyö
15 artikla
1. Jäsenvaltioiden on yhteistyössä komission kanssa toteutettava
kaikki aiheelliset toimenpiteet luodakseen suorat yhteistyö- ja tietojen-vaihtoyhteydet toimivaltaisten viranomaisten välille erityisesti senvaaran poistamiseksi, että mahdolliset erot kaksikäyttötuotteiden viennin
valvonnan soveltamisessa voivat johtaa kaupan vääristymiseen, mikä
puolestaan voisi aiheuttaa vaikeuksia yhdelle tai useammalle jäsenval-tiolle.
2. Jäsenvaltioiden on toteutettava kaikki aiheelliset toimenpiteet
luodakseen toimivaltaisten viranomaisten välille arkaluonteisia loppu-
käyttäjiä koskevat suorat yhteistyö- ja tietojenvaihtoyhteydet, jottatämän asetuksen soveltamisalaan kuuluville viejille voidaan antaayhtenäisiä ohjeita.
3. Jäsenvaltioiden hallintoviranomaisten keskinäisestä avunannosta
sekä jäsenvaltioiden hallintoviranomaisten ja komission yhteistyöstä
tulli- ja maatalousasioita koskevan lainsäädännön moitteettoman sovel-tamisen varmistamiseksi annettua neuvoston asetusta (EY) N:o 515/97(
1) ja erityisesti sen säännöksiä tietojen luottamuksellisuudesta
sovelletaan soveltuvin osin, sanotun kuitenkaan rajoittamatta tämän
asetuksen 18 artiklan soveltamista.
VII LUKU
Valvontatoimenpiteet
16 artikla
1. Viejien on pidettävä yksityiskohtaisia rekistereitä tai luetteloita
viennistään kussakin jäsenvaltiossa voimassa olevan käytännön mukai-sesti. Näihin rekistereihin tai luetteloihin on sisällyttävä erityisesti
kaupalliset asiakirjat, kuten kauppalaskut, tavaraluettelot sekä kuljetu-
sasiakirjat ja muut toimitusasiakirjat, jotka sisältävät riittävät tiedotseuraavien seikkojen toteamiseksi:
a) kaksikäyttötuotteiden kuvaus;2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 8
(1) EYVL L 82, 22.3.1997, s. 1.
▼B
b) kaksikäyttötuotteiden määrä;
c) viejän ja vastaanottajan nimi ja osoite;
d) kaksikäyttötuotteiden lopullinen käyttö ja loppukäyttäjä, jos nämä
ovat tiedossa.
2. Edellä 1 kohdassa tarkoitetut rekisterit tai luettelot ja asiakirjat on
säilytettävä vähintään kolmen vuoden ajan sen kalenterivuoden
päättymisestä, jona vienti tapahtui. Ne on pyynnöstä esitettävä viejän
sijoittautumisjäsenvaltion toimivaltaisille viranomaisille.
17 artikla
Tämän asetuksen oikean soveltamisen varmistamiseksi kunkin jäsenval-
tion on toteutettava kaikki tarvittavat toimenpiteet, jotta sentoimivaltaiset viranomaiset voivat
a) koota tietoja kaikista kaksikäyttötuotteita sisältävistä tilauksista ja
toimituksista;
b) todeta, että viennin valvontatoimenpiteitä sovelletaan asianmukai-
sesti, mikä voi erityisesti edellyttää valtuuksia päästä sellaistenhenkilöiden tiloihin, joita vientitoimitus koskee.
VIII LUKU
Yleiset säännökset ja loppusäännökset
18 artikla
1. Perustetaan koordinointiryhmä, jonka puheenjohtajana on komis-
sion edustaja. Kunkin jäsenvaltion on nimettävä edustaja tähänkoordinointiryhmään.
Koordinointiryhmä tutkii kaikki tämän asetuksen soveltamista koskevat
asiat, jotka sen puheenjohtaja tai jäsenvaltion edustaja saattaa senkäsiteltäviksi, muun muassa
a) toimenpiteet, jotka jäsenvaltioiden on toteutettava ilmoittaakseen
viejille näiden tämän asetuksen mukaisista velvoitteista; ja
b) vientilupalomakkeita koskevat ohjeet.
2. Koordinointiryhmä voi tarpeelliseksi katsoessaan kuulla tämän
asetuksen soveltamisalaan kuuluvia viejiä edustavia järjestöjä.
19artikla
Kunkin jäsenvaltion on toteutettava aiheelliset toimenpiteet varmistaak-
seen, että tämän asetuksen kaikkia säännöksiä noudatetaan
asianmukaisesti. Sen on erityisesti säädettävä seuraamuksista, joitasovelletaan tämän asetuksen säännösten tai sen täytäntöönpanosäännö-sten rikkomiseen. Seuraamusten on oltava tehokkaita, oikeasuhteisia javakuuttavia.
20 artikla
Kunkin jäsenvaltion on annettava komissiolle tiedoksi tämän asetuksen
soveltamiseksi annetut lait, asetukset ja hallinnolliset määräyksetmukaan lukien 19 artiklassa tarkoitetut toimenpiteet. Komissio toimittaanämä tiedot muille jäsenvaltioille. Joka kolmas vuosi komissio antaaEuroopan parlamentille ja neuvostolle kertomuksen tämän asetuksen
soveltamisesta. Jäsenvaltioiden on toimitettava komissiolle kaikki sen
tämän kertomuksen laatimista varten tarvitsemat tiedot.
21 artikla
1. Liitteeseen IV kuuluvien kaksikäyttötuotteiden yhteisötoimitukset
ovat luvanvaraisia. Yleislupa ei voi sisältää liitteessä IV olevassa 2osassa lueteltuja tuotteita.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 9
▼B
2. a) Jäsenvaltio voi määrätä luvanvaraiseksi muiden kaksikäyttötuot-
teiden toimitukset alueeltaan toiseen jäsenvaltioon, jostoimituksen ajankohtana:
— toimija tietää, että asianomaisten tuotteiden lopullinen
määräpaikka on yhteisön ulkopuolella,
— asianomaisten tuotteiden vienti tähän lopulliseen määräpaik-
kaan edellyttää 3, 4 tai 5 artiklan mukaista lupaa siinä
jäsenvaltiossa, josta tuotteet on määrä toimittaa, eikä vientisuoraan sen alueelta ole sallittua yleis- tai koontiluvan nojalla,
— tuotteille ei suoriteta yhteisön tullikoodeksin 24 artiklassa
tarkoitettua valmistusta tai käsittelyä siinä jäsenvaltiossa,jonne ne on määrä toimittaa.
b) Lupaa yhteisötoimitukseen on haettava siinä jäsenvaltiossa, josta
kaksikäyttötuotteet on määrä toimittaa.
c) Jos jäsenvaltio, josta tuotteet on määrä siirtää, on jo hyväksynyt
kaksikäyttötuotteiden edelleen viennin 7 artiklassa tarkoitetussaneuvottelumenettelyssä, lupa siirtoon on myönnettävä toimijalle
välittömästi, jolleivät olosuhteet ole olennaisesti muuttuneet.
d) Jäsenvaltion, joka antaa tällaisen vaatimuksen sisältävää
lainsäädäntöä, on ilmoitettava komissiolle ja muille jäsenvaltioille
toteuttamistaan toimenpiteistä. Komissio julkaisee nämä tiedotEuroopan yhteisöjen virallisen lehden C-sarjassa.
3. Tämän artiklan 1 ja 2 kohtien mukaiset toimenpiteet eivät saa
käsittää yhteisön sisärajoilla tapahtuvia tarkastuksia vaan yksinomaan
tarkastuksia, jotka kuuluvat osana tavanomaisiin, kaikkialla yhteisön
alueella syrjimättömästi noudatettaviin valvontamenettelyihin.
4. Tämän artiklan 1 ja 2 kohtien mukaisten toimenpiteiden sovelta-
minen ei saa missään tapauksessa johtaa siihen, että tuotteensiirtämiselle jäsenvaltiosta toiseen asetetaan tiukempia edellytyksiä
kuin saman tuotteen viennille kolmanteen valtioon.
5. Liitteeseen I kuuluvien kaksikäyttötuotteiden yhteisön sisäisiä
siirtoja koskevat asiakirjat ja luettelot on säilytettävä vähintään kolmenvuoden ajan sen kalenterivuoden päättymisestä, jona tuotteet on siirretty,ja ne on pyydettäessä esitettävä sen jäsenvaltion toimivaltaisille
viranomaisille, josta tuotteet on siirretty.
6. Jäsenvaltio voi kansallisella lainsäädännöllä vaatia, että kyseisestä
jäsenvaltiosta tapahtuvien yhteisötoimitusten osalta on sen toimivaltai-selle viranomaiselle annettava lisätietoja liitteessä I olevan 2 osan
ryhmässä 5 luetelluista tuotteista, jotka eivät kuulu liitteeseen IV.
7. Liitteeseen I kuuluvien kaksikäyttötuotteiden yhteisötoimituksiin
liittyvissä asiaankuuluvissa kaupallisissa asiakirjoissa on ilmoitettavaselkeästi, että kyseisten tuotteiden vienti yhteisöstä on valvonnan alaista.Asiaankuuluvia kaupallisia asiakirjoja ovat erityisesti kauppasopimus,
tilausvahvistus, kauppalasku tai lähetysluettelo.
22 artikla
Tämä asetus ei vaikuta
— Euroopan yhteisön perustamissopimuksen 296 artiklan soveltami-
seen,
— Euroopan atomienergiayhteisön perustamissopimuksen soveltami-
seen.
23 artikla
Kumotaan asetus (EY) N:o 3381/94.
Ennen tämän asetuksen voimaantulopäivää tehtyihin vientilupahake-
muksiin sovelletaan kuitenkin edelleen asetuksen (EY) N:o 3381/94asiaa koskevia säännöksiä.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 10
▼B
24 artikla
Tämä asetus tulee voimaan yhdeksänkymmenen päivän kuluttua siitä,
kun se julkaistaan Euroopan yhteisöjen virallisessa lehdessä .
Tämä asetus on kaikilta osiltaan velvoittava, ja sitä sovelletaan
sellaisenaan kaikissa jäsenvaltioissa.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 11
▼M3
LIITE I
LUETTELO KAKSIKÄYTTÖTUOTTEISTA JA -TEKNOLOGIASTA
(asetuksen (EY) N:o 1334/2000 3 artiklassa tarkoitettu)
Tällä luettelolla pannaan täytäntöön kansainvälisesti sovitut kaksikäyttötuotteiden
valvonnat, mukaan lukien Wassenaarin järjestely, ohjusteknologian valvontajär-
jestely (MTCR), ydinalan viejämaiden ryhmä (NSG), Australia-ryhmä ja
kemiallisten aseiden kieltosopimus. Huomiotta on jätetty kohdat, jotka jäsenval-
tiot haluavat asettaa ulkopuolelle jätettävien listalle. Huomiotta on jätetty
kansalliset valvonnat (järjestelyihin perustumattomat valvonnat), joita jäsenvaltiot
saattavat harjoittaa.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 12
▼M3
YLEISET HUOMAUTUKSET LIITTEESEEN I
1. Sotilaskäyttöön suunniteltujen tai muunnettujen tuotteiden valvonnan osalta
katso asiaankuuluvaa yksittäisen jäsenmaan ylläpitämää valvontalistaa (-
listoja) sotatarvikkeista. Tässä liitteessä viittaukset, jotka toteavat "KATSO
MYÖS ASETARVIKELUETTELO", viittaavat samoihin listoihin.
2. Tähän liitteeseen sisältyvän valvonnan tarkoitusta ei pidä kumota sellaisten ei-
valvonnanalaisten tuotteiden (tuotantolaitos mukaan lukien) viennillä, jotka
sisältävät yhden tai useampia valvonnanalaisia komponentteja, kun tuo
valvonnanalainen komponentti tai ne komponentit ovat tuotteiden olennaisia
osia ja voidaan järkevästi irrottaa tai käyttää toisiin tarkoituksiin.
Huom: Arvioitaessa sitä onko valvonnanalaista komponenttia tai kompo-
nentteja pidettävä olennaisina osina, on välttämätöntä punnita
määrän, arvon ja sisältyvän teknologisen tieto-taidon tekijöitä sekä
muita erityisolosuhteita, jotka voisivat osoittaa valvonnanalaisen
komponentin tai komponenttien olevan toimitettavien tuotteiden
olennaisia osia.
3. Tässä liitteessä määriteltyihin tuotteisiin kuuluvat sekä uudet että käytetyt
tuotteet.
YDINTEKNOLOGIAHUOMAUTUS (YDTH)
(Sovelletaan 0 ryhmän E osan yhteydessä.)
0 ryhmän kaikkiin tuotteisiin suoraan liittyvän "teknologian" siirto on saman
tasoisen tarkkailun ja valvonnan alainen kuin tuotteetkin.
"Teknologia" valvonnanalaisten tuotteiden "kehittämistä", "tuotantoa" ja
"käyttöä" varten on valvonnanalaista myös silloin, kun se on sovellettavissa ei-
valvonnanalaisiin tuotteisiin.
Tuotteiden hyväksyminen vientiin oikeuttaa myös tuotteiden käyttöönottoa,
toimintaa, ylläpitoa ja korjausta varten tarvittavan vähimmäis"teknologian"
viennin samalle loppukäyttäjälle.
"Teknologian" siirron valvonta ei koske "julkista" tietoa tai "tieteellistä
perustutkimusta".
YLEINEN TEKNOLOGIAHUOMAUTUS (YLTH)
(Sovelletaan 1—9 ryhmien E osan yhteydessä.)
1—9 ryhmissä valvonnanalaisten tuotteiden "kehitystä", "tuotantoa" tai "käyttöä"
varten "tarvittavan" "teknologian" vienti on valvonnanalaista 1—9 ryhmien
säännösten mukaisesti.
Valvonnanalaisten tuotteiden "kehitystä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten
"tarvittava" "teknologia" on valvonnanalaista myös silloin, kun se on sovelletta-
vissa ei-valvonnanalaisiin tuotteisiin.
Valvonta ei koske sitä vähimmäis"teknologiaa", joka on välttämätön käyttöö-
nottoa, toimintaa, ylläpitoa (tarkastusta) ja korjausta varten tuotteille, jotka eivät
ole valvonnanalaisia tai joiden vienti on saatettu luvalliseksi.
Huom: Tämä ei vapauta 1E002.e, 1E002.f, 8E002.a ja 8E002.b kohdassa
määriteltyä vastaavaa "teknologiaa".
"Teknologian" siirron valvonta ei koske "julkista" tietoa, "tieteellistä perustutki-
musta" tai välttämätöntä vähimmäistietoa patenttihakemuksiin.
YLEINEN OHJELMISTOHUOMAUTUS (YLOH)
(Tämä huomautus kumoaa kaiken 0—9 ryhmien D osan asettaman valvonnana-
laisuuden.)
Tämän listan 0—9 ryhmät eivät aseta valvonnanalaiseksi "ohjelmistoja", jotka:
a. Ovat yleisesti yleisön saatavissa:
1. Myydään vähittäismyyntipisteissä varastosta ja rajoituksetta:
a. Käsikaupassa;
b. Postimyynnissä; tai
c. Puhelinmyynnissä;
ja
2. On suunniteltu käyttäjän käyttöönotettaviksi ilman merkittävää toimittajan
tukea;2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 13
▼M3
tai
Huom: Yleisen ohjelmistohuomautuksen a kohta ei vapauta 5 ryhmän 2
osassa ("Tiedonsuojaus") määriteltyä "ohjelmistoa".
b. Ovat "julkisia".2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 14
▼M3
TÄSSÄ LIITTEESSÄ KÄYTETTYJEN TERMIEN MÄÄRITELMÄT
”Yksinkertaisissa lainausmerkeissä” olevien termien määritelmät on annettu
asianmukaisessa teknologiahuomautuksessa.
"Kaksinkertaisissa lainausmerkeissä" olevien termien määritelmät ovat seuraavat:
Huom.: Viittaukset ryhmiin ovat suluissa termin määrittelyn jälkeen.
"Adaptiivinen säätö" (Adaptive control) (2) tarkoittaa säätöjärjestelmää, joka
mukauttaa vastetta toiminnan aikana havaittujen olosuhteiden mukaan (viite ISO
2806-1980).
"Aiemmin erotettu" (Previously separated) (0 1) tarkoittaa minkä tahansa
sellaisen prosessin käyttöä, jolla halutaan lisätä kontrolloidun isotoopin
konsentraatiota.
"Aikavakio" (Time constant) (6) on aika, joka kuluu valoärsytyksen antamisesta
siihen kun virran lisäys saavuttaa arvon, joka on 1—1/e kertaa lopullinen arvo
(so. 63 % lopullisesta arvosta).
"Aksiaalisiirtymä" (Camming) (2) on pääkaran aksiaalisiirtymä yhden kierroksen
aikana, mitattuna karan tasolaikkaa vastaan kohtisuorassa olevassa tasossa,
pisteessä, joka on lähinnä tasolaikan kehää (viite ISO 230/1 1986, 5.63 kohta).
"Aktiivinen pikseli" (Active pixel) (6 8) on solid-state-matriisin pienin
(yksittäinen) elementti, jolla on valosähköinen siirtofunktio, kun se altistetaan
valolle (sähkömagneettiselle säteilylle).
"Aktiiviset lennonohjausjärjestelmät" (Active flight control systems) (7) ovat
järjestelmiä, jotka toimivat "ilma-aluksen" tai ohjuksen ei-toivottujen liikkeiden
tai rakenteellisten kuormitusten estämiseksi käsittelemällä itsenäisesti useilta
antureilta tulevia tietoja ja antamalla tarvittavia automaattiohjaukseen vaikuttavia
ennalta ehkäiseviä komentoja.
"Asettumisaika" (Settling time) (3) tarkoittaa aikaa, joka tarvitaan jotta ulostulo
saavuttaa puolen bitin tarkkuudella lopullisen arvon, kun muunnin vaihtaa tilaa
minkä tahansa kahden arvon välillä.
"Asiantuntijajärjestelmät" (Expert systems) (4 7) tarkoittaa järjestelmiä, jotka
tuottavat tuloksia soveltamalla käsittelysääntöjä tietoihin, jotka on tallennettu
"ohjelmasta" riippumattomasti, ja jotka kykenevät johonkin seuraavista:
a. Muokkaamaan automaattisesti käyttäjän antamaa "lähdekoodia";
b. Tuottamaan johonkin ongelma-alueeseen liittyvää tietoa luonnollista muistut-
tavalla kielellä; tai
c. Keräämään tietoa itsensä kehittämiseksi (symbolinen harjaannuttaminen).
"Asynkroninen siirtomuoto" ("ATM") (Asynchronous transfer mode) (5)
tarkoittaa tiedonsiirtomuotoa, jossa tieto on järjestetty soluiksi; siirto on
asynkronista siinä mielessä, että näiden solujen siirtotaajuus riippuu vaadittavasta
tai hetkellisestä bittinopeudesta.
"ATM" vastaa "Asynkronista siirtomuotoa"."Automaattinen maalin seuranta" (Automatic target tracking) (6) tarkoittaa
tietojenkäsittelytekniikkaa, joka automaattisesti määrittää ja tulostaa tosiaikaisesti
maalin todennäköisimmän sijainnin extrapoloidun arvon.
"Avaruusalus" (Spacecraft) (7 9) tarkoittaa aktiivisia ja passiivisia satelliitteja
sekä avaruusluotaimia.
"Avaruuskelpoinen" (Space qualified) (3 6) viittaa tuotteisiin, jotka on
suunniteltu, valmistettu ja testattu kestämään avaruuden erityisiä sähköisiä,
mekaanisia tai ympäristövaatimuksia, jotta niitä voidaan laukaista ja käyttää
satelliiteissa tai 100 km tai sitä korkeammalla toimivissa lentojärjestelmissä.
"Bias" (kiihtyvyysmittari) (7) tarkoittaa ulostulon arvoa kiihtyvyysmittarissa, kun
siihen ei kohdistu mitään kiihtyvyyttä.
"CE" vastaa "laskentaelementtiä"."CEP" (yhtäläisen todennäköisyyden ympyrä) (circle of equal probability) (7) on
tarkkuuden mitta; tietyllä etäisyydellä sen ympyrän säde, jonka keskipisteessä on
maali ja johon 50 % hyötykuormasta iskeytyy.
"CTP" vastaa "yhdistettyä teoreettista tehokkuutta".
"Diffuusioliittäminen" (Diffusion bonding) (1 2 9) tarkoittaa vähintään kahden eri
metallin molekyylitasoista jähmeliittämistä yhdeksi kappaleeksi siten, että
liitoslujuus vastaa heikoimman materiaalin lujuutta.
"Digitaalinen kokonaissiirtonopeus" (Total digital transfer rate) (5) tarkoittaa
toistensa kanssa yhteydessä olevien digitaalisen siirtojärjestelmän laitteiden2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 15
▼M3
välillä kulkevien bittien lukumäärää aikayksikössä, mukaan lukien linjan
koodaukseen tarvittavat sekä muut lisäbitit.
Huom: Katso myös "digitaalinen siirtonopeus".
"Digitaalinen siirtonopeus" (Digital transfer rate) (5) tarkoittaa minkä tahansa
tyyppistä siirtotietä käyttäen suoraan siirretyn informaation kokonaisbittinopeutta.
Huom: Katso myös "digitaalinen kokonaissiirtonopeus".
"Digitaalinen tietokone" (Digital computer) (4 5) tarkoittaa laitetta, joka voi
suorittaa kaikkia seuraavia toimintoja yhden tai useamman erillisen muuttujan
muodossa:
a. Vastaanottaa tietoa;
b. Tallettaa tietoa tai käskyjä kiinteille tai muutettaville (kirjoitus-) muistilait-
teille;
c. Käsitellä tietoa tallennetun käskyjonon avulla, joka on muokattavissa; ja
d. Tulostaa tietoa.
Huom: Tallennetun käskyjonon muokkaus sisältää pysyväismuistiyksiköiden
vaihdon, mutta ei langoituksen tai kytkentöjen fyysistä muuttamista.
"Dynaamisesti adaptiivinen reititys" (Dynamic adaptive routing) (5) tarkoittaa
automaattista liikenteen uudelleenreititystä, joka perustuu verkon sen hetkisen
todellisen tilanteen anturointiin ja analyysiin.
Huom: Tähän eivät sisälly reitityksen päätöstilanteet, jotka tehdään ennalta
annetun informaation pohjalta.
"Dynaamiset signaalianalysaattorit" (Dynamic signal analyzers) (3) tarkoittaa
"signaalianalysaattoreita", jotka käyttävät digitaalista näytteenotto- ja muunnos-
tekniikkaa muodostaakseen annetulle amplitudi- ja vaiheinformaation sisältävälle
aaltomuodolle Fourierin spektrinäytön.
Huom: Katso myös "signaalianalysaattorit".
"Ekvivalenttitiheys" (Equivalent density) (6) tarkoittaa optiikan yksikkömassaa
optiselle pinnalle projisoitua optisen pinta-alan yksikköä kohti.
"Elektroninen kokoonpano" (Electronic assembly) (3 4 5) tarkoittaa elektronisten
komponenttien (so. ”piirielementtien”, ”erilliskomponenttien”, integroitujen
piirien jne.) joukkoa, joka on kytketty tietyn tehtävän (tai tietyt tehtävät)
suorittavaksi kokonaisuudeksi, joka voidaan yksikkönä vaihtaa ja on tavallisesti
purettavissa.
Huom. 1: ”Piirielementti” (Circuit element): Yksittäinen aktiivinen tai passii-
vinen elektronisen piirin toiminnallinen osa kuten diodi, transistori,
vastus, kondensaattori jne.
Huom. 2: ”Erilliskomponentti” (Discrete component): Erikseen koteloitu
"piirielementti", jolla on omat ulkoiset kytkentäpisteensä.
"Elektronisesti ohjattavat vaiheistetut ryhmäantennit" (Electronically steerable
phased array antennas) (5 6) tarkoittaa antennia, joka muodostaa keilan
vaihekytkennän avulla, so. keilan suuntausta ohjataan säteilevien elementtien
yhdistetyillä virityskertoimilla ja säteen suuntaa voidaan sähköisin signaalein
muutella pysty- tai vaakasuunnassa, tai molemmissa suunnissa, niin lähetyksessä
kuin vastaanotossakin.
"Epäsymmetrinen algoritmi" (5) tarkoittaa salausalgoritmia, joka käyttää erilaisia
matemaattisesti suunniteltuja salaukseen ja salauksen purkuun tarkoitettuja
avaimia.
Huom: "Epäsymmetrisen algoritmin" tavanomainen käyttö on avaimen
hallinta.
"Eristetyt elävät viljelmät" (Isolated live cultures) (1) tarkoittaa uinuvassa tilassa
ja kuivatuissa preparaateissa olevia eläviä viljelmiä.
"Eristystä" (Insulation) (9) käytetään rakettimoottorien osissa, so. rungossa,
suuttimessa, läpivienneissä ja rungon väliseinissä, ja se käsittää eristäviä tai
tulenkestäviä materiaaleja sisältäviä vulkanoidun tai puoli-vulkanoidun seos-
kumin levykerroksia. Sitä voidaan käyttää myös rasituksen vaimennustuppeina tai
-liuskoina.
"Erityinen halkeamiskelpoinen aine" (Special fissile material) (0) tarkoittaa
plutonium-239:ää, uraani-233:a, "isotoopeilla 235 tai 233 rikastettua uraania" ja
mitä tahansa edellämainittuja sisältävää ainetta.
"Esilanka" (Roving) (1) on suunnilleen samansuuntaisista (tavallisesti 12—120)
”säikeistä” muodostuva kimppu.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 16
▼M3
Huom: ”Säie” on suunnilleen samansuuntaisista (tavallisesti useammastakuin
200) "monofilamentista" muodostuva kimppu.
"FADEC" vastaa "täyden auktoriteetin digitaalista moottorin ohjausta"."Fokusoiva tasojärjestelmä" (Focal plane array) (6) tarkoittaa fokusoivassa
tasossa toimivista, lukema-elektroniikalla varustetuista tai ilman sitä olevista
yksittäisistä ilmaisinelementeistä koostuvaa lineaarista tai kaksiulotteista taso-
pintaa tai tasopintojen yhdistelmää.
Huom: Tällä ei ole tarkoitus kattaa yksittäisten ilmaisinelementtien pinoa eikä
kaksi-, kolme- tai neljäelementtisiä ilmaisimia, edellyttäen että
aikaviivästystä ja integrointia ei suoriteta elementeissä.
"Hajaspektri" (Spread spectrum) (5) tarkoittaa tekniikkaa, jolla suhteellisen
kapeakaistaisen tietoliikennekanavan energia levitetään huomattavasti laajemmanenergiaspektrin yli.
"Hajaspektri"tutka (Spread spectrum radar) (6) — katso "Tutkan hajaspektri".
"Henkilökohtainen älykortti" (Personalized smart card) (5) tarkoittaa mikropiirin
sisältävää älykorttia, joka on ohjelmoitu erityistä käyttöä varten ja jota käyttäjä ei
voi ohjelmoida uudelleen mitään muuta käyttöä varten.
"Hermoverkkotietokone" (Neural computer) (4) tarkoittaa tietokonelaitetta, joka
on suunniteltu tai muunnettu jäljittelemään neuronin tai neuroniryhmän
käyttäytymistä, so. tietokonetta, jolle on ominaista se, että sen laitteisto kykenee
aiempaan tietoon perustuen muuttamaan suurta joukkoa laskennallisten kompo-
nenttien välisten kytkentöjen painotusta ja määrää.
"Hetkellinen kaistanleveys" (Instantenous bandwidth) (3 7) tarkoittaa kaistanle-
veyttä, jolla lähtöteho pysyy 3 dB:n tarkkuudella vakiona, ilman että muita
toimintaparametreja säädetään.
"Huipputeho" (Peak power) (6) tarkoittaa pulssin energiaa jouleina jaettuna
pulssin kestolla sekunteina.
"Hybridipiiri" (Hybrid integrated circuit) (3) tarkoittaa integroitujen piirien
yhdistelmää, joka käsittää integroidun piirin (tai piirejä) tai integroitua piiriä
"piirielementtien" tai "erilliskomponenttien" yhteydessä, jotka on kytketty
toisiinsa tietyn toiminnon (tai toimintojen) suorittamiseksi, ja jolla on kaikki
seuraavat ominaisuudet:
a. Sisältää vähintään yhden koteloimattoman komponentin;
b. Kytkennät on suoritettu tyypillisiä integroitujen piirien tuotantomenetelmiä
käyttäen;
c. On vaihdettavissa yhtenä kokonaisuutena;
ja
d. Ei yleensä ole purettavissa osiinsa.
Huom. 1: ”Piirielementti” (Circuit element): Yksittäinen aktiivinen tai passii-
vinen elektronisen piirin toiminnallinen osa kuten diodi, transistori,
vastus, kondensaattori jne.
Huom. 2: ”Erilliskomponentti” (Discrete component): Erikseen koteloitu
”piirielementti”, jolla on omat ulkoiset kytkentäpisteensä.
"Hybriditietokone" (Hybrid computer) (4) tarkoittaa laitetta, joka voi suorittaa
kaikkea seuraavaa:
a. Vastaanottaa tietoa;
b. Käsitellä tietoa sekä analogisessa että digitaalisessa muodossa; ja
c. Tulostaa tietoa.
"Ilma-alus" (Aircraft) (1 7 9) tarkoittaa kiinteäsiipistä, kääntyväsiipistä,
pyöriväsiipistä (helikopteri) tai kallistuvalla roottorilla tai siivillä varustettua
ilmakulkuneuvoa.
Huom: Katso myös "siviililentokone".
"Ilmavirran avulla säädelty vastamomenttijärjestelmä tai suunnanohjausjärjes-
telmä" (Circulation controlled anti-torque or circulation controlled direction
control system) (7) ovat järjestelmiä, jotka käyttävät ilma-aluksen aerodynaa-
misten pintojen ohi virtaavaa ilmaa lisäämään tai säätämään näiden pintojen
synnyttämiä voimia.
"Immunotoksiini" (Immunotoxin) (1) on yhden soluspesifisen monoklonaalisen
vasta-aineen ja "toksiinin" tai "toksiinialayksikön" muodostama konjugaatti, joka
vaikuttaa selektiivisesti sairaisiin soluihin.
"Integroitu kalvopiiri" (Film type integrated circuit) (3) tarkoittaa eristävälle
"substraatille" pinnoittamalla muodostettujen ohut- tai paksukalvo"piirielement-
tien" ja niiden välisten kytkentöjen muodostamaa kokonaisuutta.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 17
▼M3
Huom: "Piirielementti" on yksittäinen aktiivinen tai passiivinen elektronisen
piirin toiminnallinen osa kuten diodi, transistori, vastus, kondensaat-
tori jne.
"Integroitu monipalapiiri" (Multichip integrated circuit) (3) tarkoittaa yhteiselle
"substraatille" liitettyä kahta tai useampaa "monoliittista integroitua piiriä".
"Isostaattiset puristimet" (Isostatic presses) (2) tarkoittaa laitteita, jotka kykenevät
eri väliaineiden avulla (kaasu, neste, kiinteät partikkelit jne.) paineistamaan
suljetun tilan, niin että suljetussa tilassa olevaan työkappaleeseen kohdistuu
kaikissa suunnissa samansuuruinen paine.
"Isotoopilla 235 tai 233 rikastettu uraani" (Uranium enriched in the isotopes 235
or 233) (0) tarkoittaa uraania, joka sisältää isotooppia 235 tai 233 tai molempia
siinä määrin, että näiden isotooppien ylimääräsumman suhde isotooppiin 238
nähden on enemmän kuin luonnossa esiintyvän isotoopin 235 suhde isotooppiin
238 (isotooppisuhde 0,72 %).
"Itseisjohtavuuteen perustuva magneettikentän gradiometri" (Intrinsic Magnetic
Gradiometer) (6) on yksittäinen magneettikentän gradienttia ilmaiseva elementti
ja siihen liittyvä elektroniikka, jonka tuloste on magneettikentän gradientin mitta.
Huom: Katso myös "magneettikentän gradiometri".
"ITU:n allokoima" (Allocated by the ITU) (3 5) on taajuuskaistojen allokointia
ITU:n radioohjesääntöjen mukaisesti (vuoden 1998 laitos) primaari-, sallituille ja
sekundaaripalveluille.
Huom: Ei sisällä lisä- ja vaihtoehtoisia allokointeja.
"Jauhaminen" (Comminution) (1) tarkoittaa prosessia, jossa materiaali hajotetaan
hiukkasiksi murskaamalla tai jauhamalla.
"Julkinen" (In the public domain) (Ylth Ydth Yloh) tarkoittaa tässä yhteydessä
"teknologiaa" ja "ohjelmistoja", jotka ovat saatavilla ilman edelleenlevitystä
koskevia rajoituksia (kustannusoikeudelliset rajoitukset eivät estä "teknologiaa"
tai "ohjelmistoa" olemasta "julkisia").
"Kaasuatomisointi" (Gas atomization) (1) tarkoittaa prosessia, jossa korkeapai-
neisella kaasuvirtauksella sula metalliseosvirta hajotetaan pisaroiksi, joiden
halkaisija on 500 mikrometriä tai vähemmän.
"Kaikki kompensaatiot käytettävissä" (All compensations available) (2)
tarkoittaa, että otetaan huomioon kaikki valmistajan käytettävissä olevat
soveltuvat toimenpiteet yksittäisen työstökonemallin kaikkien järjestelmällisten
paikannusvirheiden minimoimiseksi.
"Kehitys" (Development) (Ylth Ydth Kaikki) liittyy kaikkiin sarjatuotantoa
edeltäviin vaiheisiin kuten: suunnitteluun, suunnittelun tutkimukseen, suunnit-
telun analysointiin, suunnittelukäsitteisiin, prototyyppien kokoonpanoon ja
testaukseen, pilottituotantohankkeisiin, suunnittelutietoihin, suunnittelutietojen
muuntamiseen tuotteeksi, konfigurointisuunnitteluun, integrointisuunnitteluun ja
piirustuksiin.
"Kemiallinen laser" (Chemical laser) (6) tarkoittaa "laseria", jossa virittymisen
aiheuttaa kemiallisen reaktion antama energia.
"Kemiallinen seos" (Chemical mixture) (1) tarkoittaa kiinteää, nestemäistä tai
kaasumaista tuotetta, joka on valmistettu kahdesta tai useammasta aineesta, jotka
eivät reagoi keskenään seoksen säilytysolosuhteissa.
"Keskusmuisti" (Main storage) (4) tarkoittaa tietoa tai käskyjä varten tarkoitettua
ensisijaista muistia, johon keskusyksiköllä on nopea pääsy. Se koostuu
"digitaalisen tietokoneen" sisäisestä muistista ja sen hierarkkisista laajennuksista,
kuten välimuistista tai ei-peräkkäissaantisesta laajennusmuistista.
"Kieppikara" (Tilting spindle) (2) tarkoittaa työkalunkäsittelykaraa, joka
koneistusprosessin aikana muuttaa keskilinjansa kulma-asentoa mihin tahansa
muuhun akseliin nähden.
"Kiertymiskulman poikkeama" (Angular position deviation) (2) tarkoittaa
kiertymiskulman ja todellisen, erittäin tarkasti mitatun kiertymiskulman välistä
maksimieroa, kun pöydän työkappaleen alustaa on käännetty alkuperäisestä
asennostaan (viite: VDI/VDE 2617, luonnos: "Rotary tables on coordinate
measuring machines").
"Kiinteä" (Fixed) (5) tarkoittaa, ettei koodaus- tai pakkausalgoritmi voi ottaa
vastaan ulkopuolelta syötettyjä parametrejä (esim. salaus- tai avainmuuttujia) eikä
käyttäjä voi sitä muuttaa.
"Kohdekoodi" (Object code) (9) tarkoittaa yhden tai useamman prosessin
tarkoituksenmukaisen esitystavan ("lähdekoodi" (lähdekieli)) laitteessa toteutet-
tavaa muotoa, joka on muunnettu ohjelmointijärjestelmällä.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 18
▼M3
"Kohinataso" (Noise level) (6) tarkoittaa sähköistä signaalia, joka ilmoitetaan
tehon spektritiheytenä. "Kohinatason", joka määriteltynä huipusta-huippuun on
S2
pp=8 N0(f2-f1), jossa Sppon signaalin arvo huipusta-huippuun (esim.
nanotesloina), N0on tehon spektritiheys (esim. (nanotesla)2/Hz) ja (f2-f1)
määrittelee tarkasteltavan kaistanleveyden.
"Kokonaisvirtatiheys" (Overall current density) (3) tarkoittaa kelan ampeerikier-
rosten kokonaismäärää (ts. kierrosten lukumäärä kerrottuna kunkin kierroksen
kuljettaman maksimivirran arvolla) jaettuna kelan kokonaispoikkipinnalla
(sisältäen suprajohtavat säikeet, metallimatriisin, johon säikeet on upotettu,
suojaavan materiaalin, kaikki jäähdyttävät elementit jne.).
"Kolmiulotteinen vektorinopeus" (4) (Three dimensional vector rate) tarkoittaa
sekunnissa tuotettavien leikkaustestattujen ja satunnaisesti orientoituvien
vektorien lukumäärää, joilla on 10 pikselin moniviivavektorit ja kokonaisluku-
tai liukuvan pilkun X-Y-Z koordinaattiarvot (ne, jotka antavat maksimino-
peuden).
"Komposiitti" (Composite) (1 2689 ) tarkoittaa "matriisia" ja siihen tiettyä
tarkoitusta tai tarkoituksia varten lisättyä faasia tai faaseja, jotka koostuvat
hiukkasista, whiskerseistä, kuiduista tai mistä tahansa näiden yhdistelmästä.
"Kriittinen lämpötila" (Critical temperature) (1 3 6) (kutsutaan myös joskus
transitiolämpötilaksi) tarkoittaa tietyn "suprajohtavan" materiaalin sitä
lämpötilaa, jossa materiaali menettää täysin tasavirtavastusarvonsa.
"Kuitu- tai säiemateriaalit" (Fibrous or filamentary materials) (0 1 8) sisältävät;
a. Jatkuvat monofilamentit;
b. Jatkuvat langat ja rovingit (esilangat);
c. Teipit, kudokset, matot ja punokset;
d. Katkeet, tapulikuidut ja yhtenäiset kuituhuovat;
e. Erilliskuitukiteet (whiskersit), yksi- tai monikiteisinä ja kaiken pituisina;
f. Aromaattisen polyamidimassan.
"Kuumaisostaattinen puristus" (Hot isostatic densification) (2) tarkoittaa
prosessia, jossa valosta paineistetaan yli 375 K (102 ºC) asteen lämpötilassa
suljetussa tilassa eri väliaineiden avulla (kaasu, neste, kiinteät partikkelit jne.),
jotta aikaansaadaan kaikissa suunnissa samansuuruinen voima valoksen sisäisten
onteloiden vähentämiseksi tai estämiseksi.
"Kuvan parantaminen" (Image enhancement) (4) tarkoittaa ulkopuolelta saatujen
informaatiota sisältävien kuvien käsittelyä algoritmeilla kuten aikakompressio,
suodatus, poiminto, valinta, korrelaatio, konvoluutio tai muunnokset eri tasoihin
(kuten nopea Fourier-muunnos tai Walsh-muunnos). Tämä ei sisällä algoritmeja,
jotka käyttävät vain yksittäisen kuvan lineaarisia tai toisen asteen muunnoksia
kuten kääntäminen, kuvionerotus, kohdistaminen tai vääräväritys.
"Käyttäjän ohjelmointimahdollisuus" (User-accessible programmability) (4 5 6)
tarkoittaa ominaisuutta, joka sallii käyttäjän sisällyttää, muuntaa tai vaihtaa
"ohjelmia" muulla tavoin kuin:
a. Langoitusta tai kytkentöjä muuttamalla; tai
b. Toimintonäppäimistä asettelemalla, parametrien syöttö mukaan lukien.
"Käyttö" (Use) (Ylth Ydth Kaikki) tarkoittaa käyttöä, asennusta (paikalla
suoritettava asennus mukaan lukien), ylläpitoa (tarkastusta), korjausta, huoltoa
ja kunnostusta.
"Köyhdytetty uraani" (Depleted uranium) (0) tarkoittaa uraania, joka on
köyhdytetty alle luonnossa esiintyvän isotooppi 235:n tason.
"Lanka" (Yarn) (1) on kerratuista ”säikeistä” muodostuva kimppu.
Huom: ”Säie” on suunnilleen samansuuntaisista (tavallisesti useammastakuin
200) "monofilamentista" muodostuva kimppu.
"Laser" (0 2 3 56789 )o n komponenttien muodostama kokonaisuus, joka
tuottaa sekä avaruudellisesti että ajallisesti koherenttia valoa, jota vahvistetaan
stimuloidulla säteilyemissiolla.
Huom: Katso myös:
"Kemiallinen laser";
"Q-kytkin-laser";"Suurteholaser";"Siirtolaser".2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 19
▼M3
"Laskentaelementti" ("CE") (Computing element) (4) tarkoittaa pienintä lasken-
tayksikköä, joka tuottaa aritmeettisia tai loogisia tuloksia.
"Lennon kokonaisohjaus" (Total control of flight) (7) tarkoittaa "ilma-aluksen"
tilamuuttujien ja lentoradan automaattista ohjausta vastaamalla lentotehtävän
tavoitteiden täyttämiseksi tosiaikaisiin muutoksiin tavoitteiden, uhkien tai muiden
"ilma-alusten" tiedoissa.
"Lennonohjauksen optinen anturijärjestelmä" (Flight control optical sensor array)
(7) on hajautettujen optisten anturien verkko, joka "laser"säteitä käyttäen tuottaa
tosiaikaista lennonohjaustietoa ilma-aluksessa tapahtuvaa prosessointia varten.
"Lentoradan optimointi" (Flight path optimization) (7) on proseduuri, jolla
neljässä ulottuvuudessa (avaruus ja aika) minimoidaan poikkeamia lentotehtävien
suorittamiseen tai tehokkuuteen perustuvasta halutusta lentoradasta.
"Lineaarisuus" (Linearity) (2) (mitataan normaalisti epälineaarisuutena) tarkoittaa
varsinaisen ominaisuuden (keskimääräisen lukeman) positiivista tai negatiivista
maksimipoikkeamaa suorasta, joka on asetettu siten, että se tasoittaa tai minimoi
maksimipoikkeamat.
"Luonnonuraani" (Natural uranium) (0) tarkoittaa uraania, joka sisältää luonnossa
tavattavia isotooppiseosmääriä.
"Lähdekoodi" (tai lähdekieli) (Source code or source language) (4 5679 )o n
sopiva yhden tai useamman prosessin esitystapa, joka voidaan ohjelmointijärjes-
telmässä muuntaa laitteessa toteutettavaan muotoon ("kohdekoodiksi" taikohdekielelle).
"Läimäyssammutus" (Splat Quenching) (1) tarkoittaa prosessia, jossa ”nopeasti
kiinteytetään” jäähdytetyn telan päälle sulaa metallivirtaa, joka muodostaa
hiutalemaisen tuotteen.
Huom: ”Nopea kiinteytys”: sulan materiaalin kiinteytys 1 000 K/s ylittävillä
jäähdytysnopeuksilla.
"Maantieteellisesti hajallaan" (Geographically dispersed) (6) tarkoittaa, että
jokainen sijainti on missä tahansa suunnassa yli 1 500 m:n päässä kaikista
muista. Liikkuvia antureita pidetään aina "maantieteellisesti hajallaan" olevina.
"Magneettikentän gradiometrit" (Magnetic gradiometers) (6) ovat laitteita, jotka
on suunniteltu havaitsemaan instrumentin ulkopuolisten lähteiden magneettikent-
tien avaruudellista vaihtelua. Ne koostuvat useista "magnetometreistä" ja niihin
liittyvästä elektroniikasta, joiden tuloste on magneettikentän gradientin mitta.
Huom: Katso myös "itseisjohtavuuteen perustuva magneettikentän gradio-
metri".
"Magnetometrit" (Magnetometers) (6) ovat laitteita, jotka on suunniteltu
havaitsemaan instrumentin ulkopuolisten lähteiden magneettikenttiä. Ne koos-
tuvat yhdestä magneettikenttää havaitsevasta elementistä ja siihen liittyvästä
elektroniikasta, joiden tuloste on magneettikentän mitta.
"Matriisi" (Matrix) (1 2 8 9) tarkoittaa huomattavan jatkuvaa aineen faasia, joka
täyttää hiukkasten, whiskersien tai kuitujen välisen tilan.
"Mekaaninen seostaminen" (Mechanical alloying) (1) tarkoittaa seostamispro-
sessia, jossa alkuaineiden ja perusmetalliseosten jauheet sidostuvat, hajoavat ja
sidostuvat uudelleen mekaanisen törmäyksen voimasta. Ei-metallisia hiukkasia
voidaan sisällyttää seokseen tarvittavia jauheita lisäämällä.
"Mikro-organismit" (Microorganisms) (1 2) tarkoittaa bakteereita, viruksia,
mykoplasmoja, riketsioita, klamydioita tai sieniä, sekä luonnontilaisia, kehitettyjä
että muunneltuja, joko "eristettyinä elävinä viljelminä" tai materiaalina, joka
sisältää elävää materiaalia, johon on tarkoituksella istutettu näitä viljelmiä tai
joka on saastutettu niillä.
"Mikroprosessoripiiri" (Microprocessor microcircuit) (3) tarkoittaa "monoliittista
integroitua piiriä" tai "monipalapiiriä", joka sisältää ulkoisen muistin yleisluon-
teisia käskyjä suorittamaan kykenevän aritmetiikkayksikön (ALU).
Huom. 1: "Mikroprosessoripiiri" ei yleensä sisällä sisäistä muistia, johon
käyttäjällä olisi pääsy, vaikka se saattaa käyttää samalla lastulla
olevaa muistia suorittaessaan loogista toimintaansa.
Huom. 2: Tämä määritelmä sisältää lastuyhdistelmät, jotka on suunniteltu
yhdessä toimien huolehtimaan "mikroprosessoripiiri"-toiminnasta.
"Mikrotietokonepiiri" (Microcomputer microcircuit) (3) tarkoittaa "monoliittista
integroitua piiriä" tai "monipalapiiriä", joka sisältää sisäisessä muistissa olevia
tietoja koskevia sisäisen muistin yleisluonteisten käskyjen sarjoja suorittamaan
kykenevän aritmetiikkayksikön (ALU).
Huom: Sisäistä muistia voidaan laajentaa ulkoisen muistin avulla.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 20
▼M3
"Mittakerroin" (Scale factor) (gyroskoopissa tai kiihtyvyysmittarissa) (7)
tarkoittaa ulostulon muutoksen suhdetta mitattavaksi aiotun syötteen muutokseen
nähden. Mittakerroin ilmaistaan yleisesti sen suoran kaltevuutena, joka voidaan
piirtää pienimmän neliösumman menetelmällä syöte- ja tulostearvojen kautta,
jotka on saatu vaihtelemalla syötteen arvoa jaksottaisesti syötearvojen alueen yli.
"Mittauksen epävarmuus" (Measurement uncertainty) (2) on ominaisparametri,
joka 95 %:n luotettavuustasolla määrittelee, millä alueella saadun tuloksen
molemmin puolin mitattavan suureen oikea arvo sijaitsee. Se sisältää korjaa-
mattomat systemaattiset poikkeamat, korjaamattoman väljyyden ja satunnaiset
poikkeamat (viite ISO 10360-2, tai VDI/VDE 2617).
"Monispektriset kuvannusanturit" (Multispectral imaging sensors) (6) ovat
kykeneviä hankkimaan kuvatietoa samanaikaisesti tai peräkkäin kahdesta tai
useammasta erillisestä spektrikaistasta. Antureita, joilla on enemmän kuin
kaksikymmentä spektrikaistaa, kutsutaan toisinaan hyperspektrisiksi kuvannusan-
tureiksi.
"Monitasoinen tiedon suojaus" (Multilevel security) (5) tarkoittaa arkuudeltaan
erilaista tietoa sisältävää järjestelmätyyppiä, jota samanaikaisesti voivat käyttää
useat erilaiset turvallisuustasot ja tiedontarpeet omaavat käyttäjät, mutta joka
estää käyttäjiltä pääsyn tietoihin, joihin heillä ei ole oikeutta.
Huom: "Monitasoinen tiedon suojaus" koskee tietokoneturvallisuutta eikä
tietokoneen luotettavuutta, joka käsittelee laitehäiriöiden estämistä tai
inhimillisten erehdysten estämistä yleensä.
"Monitietovirtakäsittely" (Multi-data-stream processing) (4) tarkoittaa ”mikro-
ohjelmien” tai laitearkkitehtuurin tekniikkaa, joka mahdollistaa kahden tai
useamman tietojonon samanaikaisen käsittelyn yhden tai useamman käskyjonon
ohjaamana käyttäen sellaisia keinoja kuten:
a. Yksi käsky — monta tietoa (SIMD) -arkkitehtuurit, kuten vektori- ja
matriisiprosessoreissa;
b. Monta yksittäistä käskyä — monta tietoa (MSIMD) -arkkitehtuurit;
c. Monta käskyä — monta tietoa (MIMD) -arkkitehtuurit, tiiviisti kytketyt,
läheisesti kytketyt ja väljästi kytketyt mukaan lukien; tai
d. Strukturoidut tiedonkäsittelyelementtien ryhmät, systoliset ryhmät mukaan
lukien.
Huom: 'Mikro-ohjelma': tarkoittaa peruskäskyjen sarjaa, jota säilytetään
erillisessä muistissa, ja jonka suoritus käynnistyy, kun sen viitekäsky
tulee käskyrekisteriin.
"Monofilamentti" (Monofilament) (1) tai filamentti on säikeen pienin inkre-
mentti, jonka halkaisija on tavallisesti joitakin mikrometrejä.
"Monoliittinen integroitu piiri" (Monolithic integrated circuit) (3) tarkoittaa
passiivisten tai aktiivisten ”piirielementtien” tai molempien yhdistelmää, joka:
a. On muodostettu diffuusio-, istutus- tai pinnoitusprosesseilla yhden puolijoh-
depalan (ns. lastun) pintaan tai pinnalle;
b. Voidaan katsoa erottamattomasti yhteen liitetyksi; "ja"
c. Suorittaa piirin tietyn toiminnon (tai toimintoja).
Huom: ”Piirielementti” (Circuit element): on yksittäinen aktiivinen tai
passiivinen elektronisen piirin toiminnallinen osa kuten diodi,
transistori, vastus, kondensaattori jne.
"Muotoaan muuttavat peilit" (Deformable mirrors) (6) (joita kutsutaan myös
adaptiivisiksi optisiksi peileiksi) tarkoittaa peilejä, joissa:
a. Yhtä jatkuvaa optisesti heijastavaa pinnanmuotoa voidaan dynaamisesti
muotoilla yksittäisillä momenteilla tai voimilla kompensoimaan peilin
kohtaavan optisen aaltomuodon vääristymiä; tai
b. Useita optisesti heijastavia elementtejä voidaan yksittäin ja dynaamisesti,
momentteja tai voimia käyttäen uudelleenasetella kompensoimaan peilin
kohtaavan optisen aaltomuodon vääristymiä.
"Muuttuvan geometrian kantopinnat" (Variable geometry airfoils) (7) tarkoittaa
takareunan siivekkeitä tai laippoja, tai johtoreunan solasiivekkeitä tai alaspai-
nuvaa nokkaa, joiden asentoa voidaan lennon aikana ohjata.
"Numeerinen ohjaus" (Numerical control) (2) tarkoittaa prosessin automaattista
ohjausta, jossa ohjauslaite käyttää numeerista tietoa, jota se tavallisesti saatoiminnan edetessä (viite: ISO 2382).
"Näyttöalue" (Instrumented range) (6) tarkoittaa tutkan määriteltyä, yksikäsit-
teistä näyttöaluetta.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 21
▼M3
"Ohjautusjärjestelmä" (Guidance set) (7) tarkoittaa järjestelmiä, jotka yhdistävät
kulkuvälineen paikan ja nopeuden mittaus- ja laskentaprosessin (so. navigoinnin)
kulkuvälineen lennonohjausjärjestelmien lentoradan korjauskomentojen laskenta-
ja välitysprosessiin.
"Ohjelma" (Programme) (2) tarkoittaa käskyjonoa, joka voidaan suorittaa
tietokoneella tai muuntaa sen suoritettavaksi.
"Ohjelmallisesti ohjattu" (Stored program controlled) (2 3 5) tarkoittaa ohjausta,
joka käyttää elektroniseen muistiin tallennettuja käskyjä, jotka suoritin voi
toteuttaa ohjaamaan määriteltyjä toimintoja.
Huom: Laite voi olla "ohjelmallisesti ohjattu", riippumatta siitä onko
elektroninen muisti sisäinen vai ulkoinen.
"Ohjelmisto" (Software) (Yloh Kaikki) Yhden tai useamman ohjelman tai
"mikro-ohjelman" muodostama kokonaisuus missä tahansa käsitettävässä
muodossa.
Huom: "Mikro-ohjelma" tarkoittaa peruskäskyjen sarjaa, jota säilytetään
erityisessä muistissa, ja jonka suoritus käynnistyy, kun sen viitekäsky
tulee käskyrekisteriin.
"Ohjukset" (Missiles) (1 3 5 6 7 9) tarkoittaa täydellisiä rakettijärjestelmiä ja
miehittämättömiä lentolaitejärjestelmiä, jotka pystyvät kuljettamaan vähintään
500 kg:n hyötykuorman vähintään 300 km:n etäisyydelle.
"Olennaisin osa" (Principal element) (4) on ryhmää 4 koskien sellainen osa, jonka
vaihtoarvo on enemmän kuin 35 % sen järjestelmän kokonaishinnasta, jonka osa
se on. Osan arvo on se arvo, jonka järjestelmän valmistaja tai järjestelmän
kokoonpanija siitä maksaa. Kokonaisarvo on normaali kansainvälinen myynti-
hinta vieraille osapuolille valmistuspaikassa tai kuljetuspisteessä.
"Ominaiskimmokerroin" (Specific modulus) (0 1) on Youngin kerroin pascaleina
ja on yhtä kuin N/m2jaettuna ominaispainolla N/m3, mitattuna (296 ± 2) K
((23 ± 2) ºC) asteen lämpötilassa sekä (50 ± 5) %:n suhteellisessa kosteudessa.
"Ominaismurtovetolujuus" (Specific tensile strength) (0 1) on lopullinen
murtovoima pascaleina, joka on yhtä kuin N/m2jaettuna ominaispainolla N/m3,
mitattuna (296 ± 2) K ((23 ± 2) ºC) asteen lämpötilassa sekä (50 ± 5) %:n
suhteellisessa kosteudessa.
"Optinen integroitu piiri" (Optical integrated circuit) (3) tarkoittaa "monoliittista
integroitua piiriä" tai "hybridipiiriä, joka sisältää yhden tai useampia osia, jotka
onsuunniteltu toimimaan valoanturina tai valolähteenä tai suorittamaan optista tai
sähköoptista toimintoa (toimintoja)."
"Optinen kytkentä" (Optical switching) (5) tarkoittaa signaalien reititystä tai
kytkentää optisessa muodossa muuntamatta niitä sähköisiksi signaaleiksi.
"Optinen tietokone" (Optical computer) (4) tarkoittaa tietokonetta, joka on
suunniteltu tai muunnettu käyttämään valoa tiedon esittämiseen ja jonka laskenta-
tai loogiset tiedonkäsittelyelementit perustuvat suoraan toisiinsa kytkettyihin
optisiin komponentteihin.
"Optinen vahvistus" (Optical amplification) (5) tarkoittaa optisen tietoliikenteen
vahvistustekniikkaa, jossa erillisen optisen lähteen tuottamia signaaleja vahvis-
tetaan muuntamatta niitä sähköisiksi signaaleiksi, ts. käyttäen optisia
puolijohdevahvistimia tai valokuituluminesenssivahvistimia.
"Osallistujavaltio" (Participating state) (7 9) onWassenaarin järjestelyn jäsenmaa.
(Katso www.wassenaar.org).
"Paikallisverkko" (Local area network) (4) on tiedonvälitysjärjestelmä, joka:
a. Sallii määrittelemättömän määrän yksittäisiä ”tietolaitteita” kommunikoida
suoraan toistensa kanssa; ja
b. Rajoittuu maantieteellisesti kohtuullisen kokoiselle alueelle (kuten toimistor-
akennus, tehdas, korkeakoulu, varasto).
Huom: ”Tietolaite”: laite, joka pystyy lähettämään tai vastaanottamaan
digitaalista informaatiota sisältäviä sekvenssejä.
"Painelähettimet" (Pressure transducers) (2) ovat laitteita, jotka muuntavat
paineen mittaustulokset sähköisiksi signaaleiksi.
"Perusportin etenemisviive" (Basic gate propagation delay time) (3) tarkoittaa
etenemisviiveen arvoa, joka vastaa "monoliittisessa integroidussa piirissä"
käytetyn perusportin viivettä. Monoliittisten integroitujen piirien "perheelle"
tämä voidaan määritellä tietylle joko etenemisviiveenä tyypillistä porttia kohti
tietyssä "perheessä" tai tyypillisenä etenemisviiveenä porttia kohti tietyssä
"perheessä".2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 22
▼M3
Huom. 1: Perusportin etenemisviivettä ei pidä sekoittaa kompleksisen "mono-
liittisen integroidun piirin" kokonaisviiveeseen sisäänmenon ja
ulostulon välillä.
Huom. 2: "Perhe" (Family) tarkoittaa kaikkia integroituja piirejä, joilla on
seuraavia valmistusmenetelmiä ja -spesifikaatioita koskevia ominai-
suuksia lukuun ottamatta toimintoja, joita ovat:
a. yhteinen laitteisto- ja ohjelmistoarkkitehtuuri;
b. yhteinen rakenneperiaate ja prosessiteknologia; ja
c. yhteiset perusominaisuudet.
"Poikkeama" (Run out, out-of-true-running) (2) tarkoittaa pääkaran säteittäistä
poikkeamaa yhden kierroksen aikana mitattuna karan akselia vasten suorassa
kulmassa olevalla tasolla pisteessä, joka on pyörivän testattavan kappaleen sisä-
tai ulkopinnalla (viite ISO 230/1-1986, 5.61 kohta).
"Primäärinen lennon ohjaus" (Primary flight control) (7) tarkoittaa "ilma-aluksen"
stabiilisuuden ja liikkeiden ohjausta, joka käyttää voima-/momenttilähteitä, so.
aerodynaamisia ohjauspintoja tai propulsiokäyttöistä vektorivastavoimaa.
"Pulssin kesto" (Pulse duration) (6) on "laserin" pulssin aika, FWHI-tasoilla (Full
Width Half Intensity) mitattuna.
"Pulssin kompressointi" (Pulse compression) (6) tarkoittaa pitkäaikaisten
tutkasignaalien koodausta ja käsittelyä lyhytaikaisina, korkean pulssienergian
suomat edut säilyttäen.
"Pyörivä atomisointi" (Rotary atomisation) (1) tarkoittaa prosessia, jossa
keskipakovoimalla sulan metallin virrasta tai lähteestä aikaansaadaan läpimital-
taan korkeintaan 500 mikrometrin pisaroita.
"Päätetyövälineet" (End-effectors) (2) tarkoittavat tarraimia, ”aktiivisia työka-
luyksikköjä” ja kaikkia muita työkaluja, jotka kiinnitetään "robotin" tai
manipulaattorin käsivarren kiinnityslaippaan.
Huom: ”Aktiivinen työkaluyksikkö” tarkoittaa laitetta, joka kohdistaa työkap-
paleeseen liikevoimaa tai prosessienergiaa tai anturoi sitä.
"Q-kytkin-laser" (Q-switched laser) (6) tarkoittaa "laseria", jossa energia
varastoidaan populaatioinversiossa tai optisessa resonaattorissa ja sitten emittoi-
daan pulssina.
"Reitit" (System tracks) (6) tarkoittaa käsiteltyjä, korreloituja (kohteen tutkatiedot
yhdistelty lentosuunnitelman mukaiseen sijaintiin) ja ajantasalle saatettuja
lentokoneen sijaintiraportteja, joka on lennonjohtokeskuksen valvojien käytettä-
vissä.
"Resoluutio" (Resolution) (2) tarkoittaa mittalaitteen pienintä inkrementtiä;
digitaalisissa mittalaitteissa vähiten merkitsevää bittiä (viite ANSI B-89.1.12).
"Robotti" (Robot) (2 8) tarkoittaa manipulointimekanismia, joka voi olla jatkuvaa
rataa tai pisteestä-pisteeseen kulkevaa tyyppiä, voi käyttää antureita ja jolla on
seuraavat ominaisuudet:
a. On monitoiminen;
b. Pystyy muuttuvin liikkein asemoimaan tai suuntaamaan materiaaleja, osia,
työkaluja tai erikoislaitteita kolmessa ulottuvuudessa;
c. Sisältää kolme tai useampia suljetun tai avoimen piirin servolaitteita, jotka
voivat sisältää askelmoottoreita; ja
d. On "käyttäjän ohjelmoitavissa" opetusajo/toistomenetelmällä tai tietokoneella,
joka voi olla ohjelmoitava logiikkaohjain, ts. ilman mekaanista väliintuloa.
Huom: Ylläoleva määritelmä ei sisällä seuraavia laitteita:
1. Manipulaatiomekanismit, jotka ovat ohjattavissa vain manuaalisesti
tai kaukokäyttölaitteella;
2. Kiinteän sekvenssin manipulaatiomekanismit, jotka ovat automaat-
tisesti liikkuvia laitteita ja toimivat mekaanisesti kiinteästi
ohjelmoiduilla liikkeillä. Ohjelma on mekaanisesti rajoitettu
kiinteillä pysäyttimillä, kuten tapeilla tai toimikäyrillä. Liikkeiden
sarja ja liikeradat tai liikekulmat eivät ole muuttuvia tai
muutettavissa mekaanisin, elektronisin tai sähköisin keinoin;
3. Mekaanisesti ohjatut muuttuvan sekvenssin manipulaatiomeka-
nismit, jotka ovat automaattisesti liikkuvia laitteita ja noudattavat
kiinteitä mekaanisesti ohjelmoituja ratoja. Ohjelma on mekaanisesti
rajoitettu kiinteillä, mutta aseteltavilla pysäyttimillä, kuten tapeilla
tai toimikäyrillä. Liikkeiden sarja ja liikeratojen tai liikekulmien
valinta on muuteltavissa kiinteän ohjelmamallin rajoissa. Yhden tai2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 23
▼M3
useamman akselin ohjelman muutokset (esim. tapeilla tai toimi-
käyrillä) ovat suoritettavissa vain mekaanisilla operaatioilla;
4. Muut kuin servo-ohjatut muuttuvan sekvenssin manipulaatiomeka-
nismit, jotka ovat automaattisesti liikkuvia laitteita ja toimivat
mekaanisesti kiinteiden ohjelmaliikkeiden mukaisesti. Ohjelma on
muunneltavissa, mutta liikejakso etenee vain mekaanisesti kiinni-
tettyjen sähköisten binaarilaitteiden tai aseteltavien pysäyttimien
antamien binaarisignaalien mukaan;
5. Pinoamislaitteet, joita kutsutaan karteesi-manipulaattiojärjestel-
miksi ja jotka on valmistettu korkeavaraston kiinteiksi osiksi ja
joiden avulla lokeroiden sisältöä käsitellään (lisätään tai poiste-
taan).
"Rohdin" (Tow) (1) on tavallisesti suunnilleen samansuuntaisten "monofilament-
tien" kimppu.
"Rokote" (Vaccine) (1) on lääketieteellinen tuote, jonka on tarkoitus herättää
suojaavan immunologisen reaktion muodostuminen ihmisissä tai eläimissä
sairauden ehkäisemiseksi.
"Ryömintänopeus" (gyroskooppi) (Drift rate) (7) tarkoittaa ulostulon ajasta
riippuvaa poikkeamaa toivotusta arvosta. Se koostuu satunnaisista ja system-
aattisista osista ja ilmaistaan vastaavana sisääntulon kulmapoikkeamana
aikayksikköä kohti suhteessa inertia-avaruuteen.
"Salaus" (Cryptography) (5) ilmentää periaatteita, välineitä ja menetelmiä, joilla
tietoa muunnetaan sen tietosisällön piilottamiseksi, huomaamatta tapahtuvien
muutosten estämiseksi tai luvattoman käytön estämiseksi. Salaus rajoittuu tiedon
muuntamiseen yhtä tai useampaa "salaista parametriä" (esim. salausmuuttujia) tai
siihen liittyvää avainta käyttäen.
Huom: ”Salainen parametri”: vakio tai avain, jota ei anneta muiden tiedoksi
tai pidetään vain tietyn ryhmän tietona.
"Sekoitettu" (Commingled) (1) tarkoittaa termoplastisten kuitujen ja lujitekui-
tujen filamenttien sekoittamista kokonaan kuitumuodossa olevan lujitekuitu/
"matriisi"-sekoituksen tuottamiseksi.
"SHPL" vastaa "suurteholaseria"."Signaalianalysaattorit" (Signal analysers) (3) tarkoittaa laitteita, jotka kykenevät
mittaamaan ja näyttämään monitaajuisten signaalien yksitaajuisten komponent-
tien perusominaisuuksia.
"Signaalin käsittely" (Signal processing) (3 4 5 6) tarkoittaa ulkoisesta lähteestä
tulevien signaalien käsittelyä algoritmeilla kuten kompressio, suodatus, erottelu,
valinta, korrelaatio, konvoluutio tai tasomuunnokset (esim. nopea-Fourier- tai
Walsh-muunnos).
"Siirtolaser" (Transfer laser) (6) tarkoittaa "laseria", jossa laseroivat aineslajit
viritetään siirtämällä energiaa ei-laseroivan atomin tai molekyylin ja laseroivan
atomin tai molekyylin aineslajien yhteentörmäyksellä.
"Sisäpinnanvuoraus" (Interior lining) (9) tarkoittaa kiinteän polttoaineen ja
rungon tai eristävän vuorauksen välisenä sidoksena käytettävää vuorausta.
Tavallisesti se on tulenkestävien tai eristävien materiaalien nestemäiseen
polymeeriin, kuten hiilitäytteinen hydroksyylipäätteinen polybutadieeni (HTPB)
tai muu polymeeri, perustuva dispersio, johon on lisätty vulkanoivia aineita jajoka suihkutetaan tai levitetään rungon sisäpinnalle.
"Siviililentokone" (Civil aircraft) (1 7 9) tarkoittaa "ilma-aluksia", jotka siviili-
ilmailuviranomaisten julkaisemien lentokelpoisuuden vahvistavien listojen
mukaan on tarkoitettu lentämään kaupallisilla sisäisillä sekä ulkomaan siviili-
lentoreiteillä tai niitä saadaan käyttää lainmukaiseen siviili-, yksityis- tai
kaupalliseen käyttöön.
Huom: Katso myös "ilma-alus".
"Sotilaskäyttöön sovitettu" (Adapted for use in war) (1) tarkoittaa mitä tahansa
muuntelua tai valintaa (kuten puhtauden, varastointi-iän, myrkyllisyyden,
levittämisominaisuuksien tai UV-säteilyn kestävyyden muuttamista), jolla on
tarkoitus lisätä tehokkuutta aiheuttaa tappioita ihmisille tai eläimille, turmella
laitteita tai vahingoittaa satoa tai ympäristöä.
"Stabiilisuus" (Stability) (7) tarkoittaa tietyn parametrin variaation (1 sigman)
standardipoikkeamaa kalibroidusta arvosta vakiolämpötilaolosuhteissa mitattuna.
Se voidaan esittää ajan funktiona.
"Substraatti" (Substrate) (3) tarkoittaa pohjamateriaalin ohutta levyä, jossa on tai
ei ole kytkentäkuviota ja jonka päälle tai sisään voidaan sijoittaa "erilliskompo-
nentteja" tai integroituja piirejä tai molempia.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 24
▼M3
Huom. 1: ”Erilliskomponentti” (Discrete component): Erikseen koteloitu
'piirielementti', jolla on omat ulkoiset kytkentäpisteensä.
Huom. 2: ”Piirielementti” (Circuit element): Yksittäinen aktiivinen tai passii-
vinen elektronisen piirin toiminnallinen osa kuten diodi, transistori,
vastus, kondensaattori jne.
"Substraattiaihio" (Substrate blanks) (6) tarkoittaa monoliittisia yhdisteitä, joiden
mitat sopivat optisten elementtien (kuten optiset peilit tai ikkunat) tuotantoon.
"Suhteellinen kaistanleveys" (Fractional bandwidth) (3) tarkoittaa "hetkellistä
taajuuskaistaa" jaettuna keskitaajuudella ja prosenttiosuutena ilmaistuna.
"Sulaerotus" (Melt extraction) (1) tarkoittaa prosessia, jossa 'nopeasti kiintey-
tetään' ja erotetaan nauhamaisia metalliseostuotteita upottamalla pyörivän
jäähdytetyn kappaleen lyhyt segmentti sulaan metalliseoskylpyyn.
Huom: ”Nopea kiinteytys”: sulan materiaalin kiinteytys 1 000 K/s ylittävillä
jäähdytysnopeuksilla.
"Sulakehräys" (Melt spinning) (1) tarkoittaa prosessia, jossa ”nopeasti kiintey-
tetään” sulaa metallivirtaa antamalla sen törmätä pyörivään jäähdytettyyn
kappaleeseen, niin että muodostuu hiutalemainen, nauhamainen tai sauvamainen
tuote.
Huom: ”Nopea kiinteytys”: sulan materiaalin kiinteytys 1 000 K/s ylittävillä
jäähdytysnopeuksilla.
"Suoravaikutteinen hydraulipuristus" (Direct-acting hydraulic pressing) (2)
tarkoittaa muovausprosessia, jossa käytetään nesteellä täytettyä joustavaa paljetta
suorassa kontaktissa työstettävään kappaleeseen.
"Superplastinen muovaus" (Superplastic forming) (1 2) tarkoittaa muovauspro-
sessia, jossa metalleille, joilla normaalisti huoneen lämpötilassa on alhainen
venymä (vähemmän kuin 20 %) tavanomaisessa murtovetolujuuskokeessa,saavutetaan lämpöä käyttämällä prosessin aikana vähintään kaksinkertainen
venymä.
"Superseokset" (Superalloys) (2 9) tarkoittaa nikkeli-, koboltti- tai rautapohjaisia
seoksia, joiden lujuus yli 922 K (649 ºC) asteen lämpötiloissa ja ankarissa
ympäristö- ja toimintaolosuhteissa on parempi kuin minkään muun AISI 300-
sarjan metalliseosten.
"Suprajohtava" (Superconductive) (1 3 6 8) tarkoittaa materiaaleja, esim. metallit,
metalliseokset tai yhdisteet, jotka voivat menettää kokonaan sähköisen vastu-
sarvonsa, ts., jotka voivat saavuttaa äärettömän suuren sähköisen johtavuuden ja
kuljettaa hyvin suuria sähkövirtoja ilman Joule-lämpenemistä.
Huom: Materiaalin "suprajohtavalle" tilalle on yksilöllisesti tunnusomaista
"kriittinen lämpötila", kriittinen magneeettinen kenttä, joka on
lämpötilan funktio, sekä kriittinen virrantiheys, joka on sekä
magneettisen kentän että lämpötilan funktio.
"Suurteholaser" (Super High Power Laser) (6) tarkoittaa "laseria", joka pystyy
lähettämään ulostuloenergiaa, joka (kokonaisuutena tai minä tahansa annoksena)
ylittää 1 kJ 50:ssä millisekunnissa tai jonka keskimääräinen tai CW-teho ylittää
20 kW.
"Symmetrinen algoritmi" (5) tarkoittaa salausalgoritmia, joka käyttää täysin
samanlaista avainta sekä salaukseen että salauksen purkuun.
Huom: "Symmetrisen algoritmin" tavanomainen käyttö on avaimen luotta-
muksellisuus.
"Systolinen matriisitietokone" (Systolic array computer) (4) tarkoittaa tietoko-
netta, jossa käyttäjä voi ohjata tiedon virtausta ja muuttamista dynaamisesti
loogisten porttien tasolla.
"Taajuuden vaihtoaika" (Frequency switching time) (3 5) tarkoittaa maksimiaikaa
(so. viivettä), jonka signaali tarvitsee, kun sen valittua lähtötaajuutta vaihdetaan
toiselle valitulle lähtötaajuudelle, saavuttaakseen:
a. Taajuuden, joka on 100 Hz:n sisällä lopullisesta halutusta taajuudesta; tai
b. Ulostulon tason, joka on 1 dB:n sisällä lopullisesta ulostulon tasosta.
"Taajuushyppely" (Frequency hopping) (5) tarkoittaa "hajaspektri"ominaisuuden
muotoa, jossa yksittäisen tiedonsiirtokanavan lähetystaajuutta vaihdellaan epäjat-
kuvasti askelittain satunnaisessa tai puolisatunnaisessa järjestyksessä.
"Taajuussyntesoija" (Frequency synthesiser) (3) tarkoittaa käytetystä tekniikasta
riippumatta mitä tahansa taajuuslähdettä tai signaaligeneraattoria, joka tuottaa
yhden tai useamman ulostulon kautta useita samanaikaisia tai vuorottelevia
lähtötaajuuksia, joita ohjaavat tai jotka on johdettu tai määräytyvät pienemmästä
joukosta normi- (tai perus)taajuuksia.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 25
▼M3
"Tarkkuus" (Accuracy) (2 6) tarkoittaa näyttöarvon positiivista tai negatiivista
maksimipoikkeamaa standardi- tai tosiarvosta.
"Tarvittava" (Required) (Ylth 1—9) viittaa, "teknologiaa" tai "ohjelmistoja"
koskien, vain siihen osaan "teknologiaa" tai "ohjelmistoja", jotka nimenomaisesti
aikaansaavat valvottuja ominaisuuksia tai toimintoja, tai lisäävät niitä. "Tarvit-
tava" "teknologia" tai "ohjelmisto" voivat olla yhteisiä eri tuotteille.
"Tehollinen gramma", "Erityisen halkeamiskelpoisen aineen" (Effective gramme
of special fissile material) (0 1) tarkoittaa:
a. Plutoniumin isotoopeilla ja uraani-233:lla isotoopin painoa grammoina;
b. Uraanilla, joka on rikastettu yhteen prosenttiin tai enemmän isotoopilla U-235,
alkuaineen painoa grammoina kerrottuna sen desimaalisina paino-osina
ilmaistun rikastusmäärän neliöllä;
c. Uraanilla, joka on rikastettu alle yhteen prosenttiin isotoopilla U-235,
alkuaineen painoa grammoina kerrottuna luvulla 0,0001.
"Tehonhallinta" (Power management) (7) tarkoittaa korkeusmittarin lähettämän
signaalin tehon muuttamista siten, että "ilma-aluksen" korkeudella vastaanotettu
teho on aina pienin mahdollinen korkeuden määrittämiseen.
"Teippi" (Tape) (1) on punotuista tai yhdensuuntaisista "monofilamenteista",
”säikeistä”, "esilangoista", "touveista" tai "langoista" jne. muodostuva tavallisesti
hartsilla esikyllästetty materiaali.
Huom: ”Säie” on suunnilleen samansuuntaisista (tyypillisesti useammasta
kuin 200) "monofilamenteista" muodostuva kimppu.
"Teknologia" (Technology) (Ylth Ydth Kaikki) tarkoittaa erityistä kirjallista tai
muussa muodossa olevaa teknistä tietoa, jota tarvitaan tuotteen "kehittämistä",
"tuotantoa" tai "käyttöä" varten. Tämä tieto on ”teknisen tiedon” tai ”teknisen
avun” muodossa.
Huom. 1: ”Tekninen apu” voi olla muodoltaan ohjeita, taitoja, opetusta,
työnsuoritustietoutta tai konsultointipalveluja ja saattavat sisältää
"teknisen tiedon" siirtoa.
Huom. 2: ”Tekninen tieto” voi olla muodoltaan piirustuksia, suunnitelmia,
kaavioita, malleja, kaavoja, taulukoita, suunnittelukonstruktioita tai
määritelmiä, kirjallisia tai muulle medialle tai laitteille, kuten
levylle, nauhalle tai lukumuistiin, talletettuja käsikirjoja ja ohjeita.
"Tiedonsiirtonopeus" (Data signalling rate) (5) tarkoittaa nopeutta niin kuin ITU
Suositus 53-36 sen määrittelee, ottaen huomioon, että ei-binaarisessa modulaa-
tiossa baudimäärä ja bittiä sekunnissa eivät ole samoja. Koodausta, tarkistusta tai
synkronointia varten käytetyt bitit tulee huomioida.
Huom. 1: "Tiedonsiirtonopeutta" määritettäessä huolto- ja ylläpitokanavia ei
huomioida.
Huom. 2: Se on maksiminopeus yhteen suuntaan, ts. maksimaalinen lähetys-
tai vastaanottonopeus.
"Tiedon suojaus" (Information security) (4 5) tarkoittaa kaikkia menetelmiä ja
toimintoja, jotka takaavat tiedon tai tiedonvälityksen saatavuuden, luottamuksel-
lisuuden tai eheyden, poislukien menetelmät tai toiminnot, joilla suojaudutaan
virhetoiminnoilta. Siihen kuuluu "salaus", ”salauksen analyysi”, suojautuminen
paljastavia vuotoja vastaan ja tietokoneturvallisuus.
Huom: ”Salauksen analyysi”: salausjärjestelmän tai sen syötteiden tai
tulosteiden analysointi, jonka tarkoituksena on selvittää luottamuksel-
lisia muuttujia tai sensitiivistä tietoa, selväkielinen teksti mukaan
lukien.
"Tieteellinen perustutkimus" (Basic scientific research) (Ylth Ydth) tarkoittaa
kokeellista tai teoreettista työtä, jota tehdään pääasiassa uuden tiedon saamiseksi
ilmiöiden tai havaittavien faktojen perusperiaatteista, ja joilla ei ensisijaisesti
pyritä mihinkään tiettyyn käytännön päämäärään tai tavoitteeseen.
"Tietoliikennekanavan ohjain" (Communications channel controller) (4)
tarkoittaa fyysistä liitäntää, joka ohjaa synkronisen tai asynkronisen digitaalisen
tiedon kulkua. Se on kokoonpano, joka voidaan asentaa tietokone- tai
tietoliikennelaitteisiin tietoliikenneyhteyden luomiseksi.
"Toksiinialayksiköllä" (Sub-unit toxin) (1) tarkoitetaan kokonaisen "toksiinin"
rakenteellisesti ja toiminnallisesti erillistä osaa.
"Toksiinit" (Toxins) (1 2) tarkoittaa valmistustavasta riippumatta tarkoitukselli-
sesti eristettyjen preparaattien tai seosten muodossa olevia myrkyllisiä aineita,
lukuun ottamatta toksiineja, joita on saasteina muissa materiaaleissa, kuten
patologisissa näytteissä, viljassa, ruokatavaroissa tai "mikro-organismien"
kylvöksissä.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 26
▼M3
"Tosiaikainen kaistanleveys" (Real time bandwidth) (3) on "dynaamisten
signaalianalysaattorien" laajin taajuuksien alue, jonka analysaattori voi tulostaa
näytölle tai muistiin aiheuttamatta katkoja sisääntulevan tiedon analysoinnissa.
Analysaattoreissa, joissa on enemmän kuin yksi kanava, laskelmaa varten tulee
käyttää sitä kanavien konfiguraatiota, joka antaa laajimman "tosiaikaisen
kaistanleveyden".
"Tosiaikainen käsittely" (Real time processing) (2 4 6 7) tarkoittaa tietokonejär-
jestelmän tiedonkäsittelykykyä, joka käytettävissä olevin resurssein ja
järjestelmän kuormituksesta riippumatta turvaa tarvittavan palvelutason taatun
vasteajan sisällä, kun ulkoinen tapahtuma käynnistää palvelun.
"Tuotanto" (Production) (Ylth Ydth Kaikki) tarkoittaa kaikkia tuotantovaiheita,
kuten rakentaminen, tuotanto, suunnittelu, valmistus, integrointi, kokoonpano,
asennus, tarkastus, testaus, laadunvalvonta.
"Tuotantolaitteet" (Production equipment) (1 9) tarkoittaa "kehitystä" tai yhtä tai
useampaa "tuotannon" vaihetta varten erikoisesti suunniteltuja tai muunnettuja
työkaluja, mallineita, asettimia, tuurnia, muotteja, suulakkeita, kiinnittimiä,
suuntausmekanismeja, testilaitteita sekä muita koneita ja niiden osia.
"Tuotantoympäristö" (Production facilities) (9) tarkoittaa laitteita ja niitä varten
erityisesti suunniteltuja ohjelmistoja, jotka on yhdistetty kokonaisuudeksi
"kehitystä" tai yhtä tai useampaa "tuotannon" vaihetta varten.
"Tutkan hajaspektri" (Radar spread spectrum) (6) tarkoittaa kaikkia modulointi-
tekniikoita, jotka hajauttavat suhteellisen kapean taajuuskaistan signaalien
energian laajemman taajuuskaistan yli käyttäen satunnaista tai puolisatunnaista
koodausta.
"Tutkan taajuushyppely" (Radar frequency agility) (6) tarkoittaa kaikkia
tekniikoita, jotka vaihtavat puolisatunnaisessa järjestyksessä pulssitutkan lähet-
timen kantoaaltotaajuutta pulssien välillä tai pulssiryhmien välillä enemmän kuin
mitä on pulssin kaistanleveys.
"Tyhjöatomisointi" (Vacuum atomization) (1) tarkoittaa prosessia, jossa sulasta
metallivirrasta aikaansaadaan tyhjössä nopeasti kehittyvän kaasun avulla
läpimitaltaan noin 500 mikrometriä tai sitä pienempiä pisaroita.
"Täyden auktoriteetin digitaalinen moottorin ohjaus" ("FADEC") (Full Authority
Digital Engine Control) (7 9) tarkoittaa kaasuturbiini- tai yhdistelmätahtimoot-
torien elektronista ohjausjärjestelmää, joka käyttää digitaalista tietokonetta
ohjaamaan moottorin työntövoiman tai akselin ulostulotehon säätämiseen
tarvittavia muuttujia koko moottorin toiminta-alueella polttoaineen syötön
aloittamisesta sen sulkemiseen.
"UF6-korroosiota kestäviä aineita" (Materials resistant to corrosion by UF6) (0)
voivat olla kyseessä olevasta erotusprosessista riippuen kupari, ruostumaton teräs,alumiini, alumiinioksidi, alumiiniseokset, nikkeli tai seos, joka sisältää vähintään
60 painoprosenttia nikkeliä sekä UF
6-kestävää fluorattua hiilivetypolymeeriä.
"Valtiot, jotka ovat (eivät ole) kemiallisten aseiden kieltosopimuksen sopimus-
puolia" (States (not) Party to the Chemical Weapon Convention) (1) ovat
valtioita, joiden osalta kemiallisten aseiden kehittämisen, tuotannon, varastoinnin
ja käytön kieltämistä koskeva yleissopimus on (ei ole) tullut voimaan. (Katso
www.opcw.org).
"Verkkoliityntäohjain" (Network access controller) (4) tarkoittaa fyysistä liitäntää
hajautettuun tietoliikenneverkkoon. Se käyttää yhteistä siirtotietä, joka toimii
kauttaaltaan samalla "digitaalisella siirtonopeudella" ja jakaa päätteille siirto-
vuoroja (esim. vuoromerkkien tai kuulostelun avulla). Muista riippumatta se
valitsee tietopaketit tai tietoryhmät (esim. IEEE 802), jotka sille on osoitettu. Se
on kokoonpano, joka voi olla liitettynä tietokone- tai tietoliikennelaitteeseen
viestintäyhteyden luomiseksi.
"Vikasietoisuus" (Fault tolerance) (4) on tietokonejärjestelmän kyky minkä
tahansa laitteisto- tai "ohjelmisto"komponenttinsa minkä tahansa häiriön jälkeen
jatkaa toimintaansa ilman ihmisen väliintuloa tietyllä suoritustasolla, joka takaa
toiminnan jatkumisen, tietojen säilymisen ja toiminnan palautumisen ennalleen
tietyn ajan kuluessa.
"Viritettävä" (Tunable) (6) tarkoittaa "laserin" kykyä tuottaa jatkuvaa lähtötehoa
kaikilla aallonpituuksilla usean "laser"transition alueella. Viiva"laser" tuottaa
diskreettejä aallonpituuksia yhdellä "laser"transitiolla eikä sitä katsota "viri-
tettäväksi".
"Ydinreaktori" (Nuclear reactor) (0) tarkoittaa laitteita, jotka ovat reaktoriastian
sisällä tai jotka on liitetty suoraan siihen, laitteita, jotka kontrolloivat sydämen
tehotasoa sekä komponentteja, jotka normaalisti sisältävät reaktorin sydämen
primäärijäähdytettä tai joutuvat suoraan kosketukseen sen kanssa tai ohjaavat sen
kulkua.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 27
▼M3
"Yhdistelmäpyöröpöytä" (Compound rotary table) (2) tarkoittaa pöytää, jolla
työkappaletta voidaan pyörittää tai kallistaa kahden ei-yhdensuuntaisen akselin
suhteen, ja joita voidaan ohjata samanaikaisesti "ääriviivaohjausta" varten.
"Yhdistetty teoreettinen tehokkuus" ("CTP")(Composite theoretical performance)
(3 4) on laskentatehokkuuden mitta, joka ilmoitetaan miljoonina teoreettisina
operaatioina sekunnissa (Mtops), ja joka on saatu "laskentaelementtien" ("CE")
laskentatehokkuuksien yhdistämistä käyttäen.
Huom: Katso ryhmä 4, tekninen huomautus.
"Yhteen kytketyt tutka-anturit" (Interconnected radar sensors) (6) tarkoittaa, että
kaksi tai useampi tutka-anturi on kytketty yhteen, kun ne vaihtavat keskenään
tietoa tosiaikaisesti.
"Yhteiskanavamerkinanto" (Common channel signalling) (5) on merkinantome-
netelmä, jossa puhelinkeskusten välillä yhdellä kanavalla välitetään tunnuksella
varustettujen viestien avulla merkinantotietoa, joka koskee useita piirejä tai
puheluja, sekä muuta esim. verkonhallintaan liittyvää tietoa.
"Yksispektriset kuva-anturit" (Monospectral imaging sensors) (6) ovat kykeneviä
hankkimaan kuvatietoa yhdestä erillisestä spektrikaistasta.
"Yleinen keskeytysviive" (Global interrupt latency time) (4) tarkoittaa aikaa, joka
tietokonejärjestelmältä kuluu siihen, että se havaitsee jonkin tapahtuman
aiheuttaman keskeytyksen, käsittelee sen ja siirtyy suorittamaan toista muistissa
olevaa tehtävää, joka palvelee keskeytystä.
"Ääriviivaohjaus" (Contouring control) (2) tarkoittaa kahden tai useamman
liikkeen "numeerista ohjausta" käskyillä, jotka määrittävät seuraavan vaadittavan
aseman sekä tarvittavat syöttönopeudet tähän asemaan siirtymiseksi. Syöttöno-
peuksia vaihdellaan toistensa suhteen halutun ääriviivan aikaansaamiseksi (viite
ISO/DIS 2806-1980).2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 28
▼M3
TÄSSÄ LIITTEESSÄ KÄYTETYT AKRONYYMIT JA LYHENTEET
Akronyymi tai lyhenne, jota käytetään määritellyistä termeistä löytyy 'tämän
liitteen termien määritelmistä'.
Akronyymi tai
lyhenneMerkitys
ABEC Annular Bearing Engineers Committee
AGMA American Gear Manufacturers' Association
AHRS attitude and heading reference systems (asennon ja suunnan
referenssijärjestelmät)
AISI American Iron and Steel Institute
ALU arithmetic logic unit (aritmetiikkayksikkö)
ANSI American National Standards Institute
ASTM the American Society for Testing and MaterialsATC air traffic control (lennonjohto)
AVLIS Atomic Vapour Laser Isotope Separation (atomihöyryn
laserviritykseen perustuva isotooppierotus)
CAD computer-aided-design (tietokoneavusteinen suunnittelu)
CAS Chemical Abstracts Service
CCITT International Telegraph and Telephone Consultative
Committee (kansainvälinen neuvoa-antava lennätin- ja puhe-
linkomitea)
CDU control and display unit (ohjaus- ja näyttöyksikkö)
CEP circular error probable (yhtäläisen todennäköisyyden
ympyrä)
CNTD controlled nucleation thermal deposition (säädeltävä ydinty-
mislämpöhajoaminen)
CRISLA Chemical Reaction by Isotope Selective Laser Activation
(isotooppiselektiivisellä laserilla aktivoitu kemiallinen
reaktio)
CVD chemical vapour deposition (kemiallinen kaasufaasipin-
noitus)
CW chemical warfare (kemiallinen sodankäynti)
CW (for lasers) continuous wave (jatkuva aalto (laserit))
DME distance measuring equipment (etäisyydenmittauslaite)
DS directionally solidified (suunnatusti kiinteytetty)
EB-PVD electron beam physical vapour deposition (elektronisuihkun
avulla tapahtuva fysikaalinen kaasufaasipinnoitus)
EBU European Broadcasting Union
ECM electro-chemical machining (sähkökemiallinen työstö)
ECR electron cyclotron resonance (elektroni-syklotroni-reso-
nanssi)
EDM electrical discharge machines (kipinätyöstökoneet)
EEPROMS electrically erasable programmable read only memory
(elektronisesti pyyhittävä ohjelmoitava lukumuisti)
EIA Electronic Industries Association
EMC electromagnetic compatibility (sähkömagneettinen mukautu-
vuus)
FFT Fast Fourier Transform (Nopea Fourier-muunnos)GLONASS global navigation satellite system (globaali navigointisatel-
liittijärjestelmä)
GPS global positioning system (globaali paikannusjärjestelmä)
HBT hetero-bipolar transistors (heterobipolaaritransistori)
HDDR high density digital recording (suurtiheyksinen digitaalital-
lennus)2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 29
▼M3
Akronyymi tai
lyhenneMerkitys
HEMT high electron mobility transistors (korkean elektroniliikku-
vuuden transistorit)
ICAO International Civil Aviation Organisation (Kansainvälinen
siviili-ilmailujärjestö)
IEC International Electro-technical Commission (Kansainvälinen
sähkötekniikan toimikunta)
IEEE Institute of Electrical and Electronic EngineersIFOV instantaneous-field-of-view (hetkellinen näkökenttä)
ILS instrument landing system (mittarilaskeutumisjärjestelmä)
IRIG inter-range instrumentation group (monialueinstrumentoin-
tiryhmä)
ISAR inverse synthetic aperture radar (käänteinen synteettinen
apertuuritutka)
ISO International Organization for Standardization (Kansainvä-
linen standardisoimisjärjestö)
ITU International Telecommunication Union (Kansainvälinen
televiestintäliitto)
JIS Japanese Industrial StandardJT Joule-Thomson
LIDAR light detecting and ranging (valoon perustuva havainnointi ja
etäisyyden mittaus)
LRU line replaceable unit (linjahuollossa vaihdettava yksikkö)
MAC message authentication code (sanoman autentikointikoodi)Mach ratio of speed of an object to speed of sound (after Ernst
Mach) (kohteen nopeuden suhde äänen nopeuteen (Ernst
Machin mukaan))
MLIS Molecular laser Isotopic separation (molekyylien laservir-
itykseen perustuva isotooppien erotus)
MLS microwave landing systems (mikroaaltolaskeutumisjärjes-
telmät)
MOCVD metal organic chemical vapour deposition (metalliorgaaninen
kemiallinen kaasufaasipinnoitus)
MRI magnetic resonance imaging (magneettiresonanssikuvaus)
MTBF mean-time-between-failures (keskimääräinen vikaväli)Mtops million theoretical operations per second (miljoonaa teor-
eettista operaatiota sekunnissa)
MTTF mean-time-to-failure (keskimääräinen vioittumisaika)NBC Nuclear, Biological and Chemical (ydin-, biologinen tai
kemiallinen)
NDT non-destructive test (ainetta rikkomaton testi)
PAR precision approach radar (tarkkuuslähestymistutka)
PIN personal identification number (henkilökohtainen tunnusnu-
mero)
ppm parts per million (miljoonasosa)
PSD power spectral density (tehon spektritiheys)QAM quadrature-amplitude-modulation (kvadratuuri-amplitudi-
modulaatio)
RF radio frequency (radiotaajuus)SACMA Suppliers of Advanced Composite Materials Association
SAR synthetic aperture radar (synteettinen apertuuritutka)
SC single crystal (yksikide-)SLAR sidelooking airborne radar (sivukulmatutka)
SMPTE Society of Motion Picture and Television Engineers
(Elokuva- ja televisioalan insinöörien yhdistys)2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 30
▼M3
Akronyymi tai
lyhenneMerkitys
SRA shop replaceable assembly (korjaamolla vaihdettava kokoon-
pano)
SRAM static random access memory (staattinen luku-/kirjoitus-
muisti)
SRM SACMA Recommended Methods (SACMA:n suosittelemat
menetelmät)
SSB single sideband (yksisivukaista)
SSR secondary surveillance radar (toisiovalvontatutka)
TCSEC trusted computer system evaluation criteria (luotettavien
tietokonejärjestelmien varmennuskriteerit)
TIR total indicated reading (koko näyttöalue)UV ultraviolet (ultravioletti)
UTS ultimate tensile strength (murtovetolujuus)
VOR very high frequency omni-directional range (VHF-moni-
suuntamajakka)
YAG yttrium/aluminium garnet (yttrium/alumiinigranaatti)2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 31
▼M3
RYHMÄ 0
YDINAINEET, LAITTEISTOT JA LAITTEET2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 32
▼M3
0A Järjestelmät, laitteet ja komponentit
0A001 "Ydinreaktorit" ja niitä varten erityisesti suunnitellut ja valmistetut
komponentit seuraavasti:
a. "Ydinreaktorit", jotka voivat ylläpitää säädettävää jatkuvaa
ytimien halkeamisketjureaktiota;
b. Sellaiset metalliset astiat tai niiden merkittävät rakenne-
elementit, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu
sisältämään "ydinreaktorin" sydän, mukaan lukien reaktoripai-
neastian kansi;
c. Käsittelylaitteet, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu
polttoaineen viemiseksi "ydinreaktoriin" tai polttoaineen pois-
tamiseksi sieltä;
d. Säätösauvat, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu
halkeamisprosessin säätämiseksi "ydinreaktorissa", sauvojen
tuki- ja ripustusrakenteet, säätösauvojen käyttökoneistot ja
ohjausputket;
e. Paineputket, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu
sisältämään "ydinreaktorin" polttoaine-elementtejä ja primää-
rijäähdytettä yli 5,1 MPa:n käyttöpaineessa;
f. Putket tai putkisarjat, jotka on valmistettu zirkoniummetallista
tai seoksesta, jossa hafniumin painosuhde zirkoniumiin on
pienempi kuin 1:500, ja jotka on erityisesti suunniteltu tai
valmistettu käytettäväksi "ydinreaktorissa";
g. Jäähdytepumput, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu
"ydinreaktorin" primäärijäähdytteen kierrättämiseksi;
h. ”Ydinreaktorin sisäosat”, jotka on erityisesti suunniteltu tai
valmistettu käytettäviksi "ydinreaktorissa", mukaan lukien
sydämen tukirakenteet, polttoainekanavat, termiset suojat,
verholevyt, sydänritilät ja diffuuserilevyt;
Huom: 0A001.h kohdassa ”ydinreaktorin sisäosat”
tarkoittaa mitä tahansa reaktoriastiassa olevaa
merkittävää rakennetta, jolla on yksi tai useampi
seuraavanlaisista tehtävistä: sydämen tukeminen,
polttoaineen paikallaan pitäminen, primäärijäähdyt-
teen virtauksen ohjaus, toimiminen reaktoriastian
säteilysuojana ja sydämessä olevien instrumentointi-
laitteiden ohjaaminen.
i. Lämmönvaihtimet (höyrystimet), jotka onerityisesti suunniteltu
tai valmistettu käytettäviksi "ydinreaktorin" primäärijäähdyty-
spiirissä;
j. Neutronien ilmaisin- ja mittauslaitteet, jotka on erityisesti
suunniteltu tai valmistettu "ydinreaktorin" sydämessä vallit-
sevan neutronivuon määrittämiseen.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 33
▼M3
0B Testaus-, tarkastus- ja tuotantolaitteet
0B001 Laitokset "luonnonuraanin", "köyhdytetyn uraanin" ja "erityisten
halkeamiskelpoisten aineiden" isotooppien erotusta varten ja niitä
varten erityisesti suunnitellut tai valmistetut laitteet ja komponentit
seuraavasti:
a. Laitokset, jotka on erityisesti suunniteltu "luonnonuraanin",
"köyhdytetyn uraanin" ja "erityisten halkeamiskelpoisten
aineiden" isotooppien erotusta varten, seuraavasti:
1. Kaasusentrifugierotuslaitos
2. Kaasudiffuusioerotuslaitos
3. Aerodynaaminen erotuslaitos
4. Kemialliseen vaihtoon perustuva erotuslaitos5. Ionivaihtoon perustuva erotuslaitos6. Atomihöyryn "laser"viritykseen perustuva isotooppierotus-
laitos (AVLIS)
7. Molekyylien "laser"viritykseen perustuva isotooppierotus-
laitos (MLIS)
8. Plasmaerotuslaitos
9. Sähkömagneettinen erotuslaitos
b. Kaasusentrifugit sekä rakenteet ja komponentit, jotka on
erityisesti suunniteltu tai valmistettu käytettäviksi kaasusentri-
fugierotusprosessissa, seuraavasti:
Huom: 0B001.b kohdassa ’korkean lujuus/tiheys -suhteen
aineella’ tarkoitetaan jotakin seuraavista:
a. Maraging-teräs, jonka murtovetolujuus on
2050 MPa tai suurempi;
b. Alumiiniseokset, joiden murtovetolujuus on
460 MPa tai suurempi; tai
c. "Kuitu- tai säiemateriaalit", joiden "ominaiskim-
momoduuli" on suurempi kuin 3,18 × 106mj a
"ominaisvetolujuus" suurempi kuin 76,2 × 103m;
1. Kaasusentrifugit;
2. Täydelliset roottorikokoonpanot;
3. Roottoriputkisylinterit, joiden seinien paksuus on 12 mm
tai pienempi ja halkaisija 75 mm:n ja 400 mm:n välillä ja
jotka on valmistettu ”korkean lujuus/tiheys -suhteen
aineista”;
4. Renkaat tai palkeet, joiden seinämän paksuus on 3 mm tai
pienempi sekä halkaisija 75 mm:n ja 400 mm:n välillä ja
jotka on suunniteltu tukemaan paikallisesti roottoriputkea
tai liittämään useita putkia yhteen ja jotka on valmistettu
”korkean lujuus/tiheys -suhteen aineista”;
5. Halkaisijaltaan 75 mm:n ja 400 mm:n välillä olevat
ohjauslevyt, jotka on tarkoitettu asennettavaksi roottor-
iputken sisään ja jotka on valmistettu ”korkean lujuus/
tiheys -suhteen aineista”;
6. Halkaisijaltaan 75 mm:n ja 400 mm:n välillä olevat
roottoriputken ylä- tai alalaipat, jotka on valmistettu
”korkean lujuus/tiheys -suhteen aineista”;
7. "UF6-korroosiota kestävistä aineista" valmistettuun tai
sellaisella suojattuun koteloon ripustetut magneettiset
ripustuslaakerit, jotka koostuvat rengasmaisesta magnee-
tista ja jotka sisältävät vaimentavan väliaineen ja joissa
magneetti kytkeytyy napakappaleeseen tai toiseen roottorin
yläkanteen kiinnitettyyn magneettiin;
8. Erityisvalmisteiset laakerit, jotka koostuvat vaimentimelle
asennetusta laakeritappi-kuppi-kokoonpanosta;
9. Sylintereistä koostuvat molekylaariset pumput, joihin on
sisäisesti koneistettu tai puristettu kierrerihlaus ja sisäisesti
koneistettu porausreikiä;
10. Monivaiheisten vaihtovirralla toimivien hystereesi- (tai
reluktanssi-) moottorien renkaan muotoiset moottoristaat-
torit tahtikäyttöön tyhjössä taajuusalueella 600—2000 Hz
ja tehoalueella 50—1000 VA;2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 34
▼M3
11. Kaasusentrifugin roottoriputkikokoonpanon sentrifugiko-
telo, joka koostuu jäykästä sylinteristä, jonka seinämän
paksuus on enintään 30 mm ja jonka päädyt on tarkkuus-
koneistettu ja valmistettu "UF6-korroosiota kestävistä
aineista" tai suojattu niillä;
12. Sisähalkaisijaltaan enintään 12 mm:n putkista koostuvat
kauhakerääjät, jotka on valmistettu "UF6-korroosiota kestä-
vistä aineista" tai suojattu niillä, UF6-kaasun poistamiseksi
sentrifugiroottoriputken sisältä Pitot'n putken toimintaper-
iaatteella;
13. Taajuusmuuntimet (konvertterit tai invertterit), jotka on
erityisesti suunniteltu tai valmistettu syöttämään kaasusen-
trifugirikastukseen tarkoitettuja moottorin staattoreita ja
joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet, ja tällaisia
muuntimia varten erityisesti suunnitellut komponentit:
a. Monivaiheinen ulostulo 600—2 000 Hz;
b. Taajuuden hallinta parempi kuin 0,1 %;
c. Harmoninen kokonaissäröpienempi kuin 2 % ja
d. Hyötysuhde yli 80 %;
c. Laitteet ja komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu tai
valmistettu kaasudiffuusioerotusprosessia varten, seuraavasti:
1. Huokoisista metallisista, polymeerisista tai keraamisista
"UF6-korroosiota kestävistä aineista" valmistetut kaasudif-
fuusiosulut, joiden huokosten koko on 10 nm:n ja 100 nm:n
välillä ja paksuus 5 mm tai vähemmän sekä putkimaisten
muotojen halkaisija 25 mm tai pienempi;
2. Kaasudiffuusioyksikön kotelot, jotka on valmistettu "UF6-
korroosiota kestävistä aineista" tai suojattu niillä;
3. Kompressorit (pakkosyöttö-, keskipakois- ja aksiaalivirtaus-
tyyppiä) tai kaasupuhaltimet, joiden UF6-imuteho on 1 m3/
min tai suurempi ja poistopaine enintään 666,7 kPa ja jotka
on tehty "UF6-korroosiota kestävistä aineista" tai suojattu
niillä;
4. Pyörivien akselien tiivisteet kompressoreihin ja puhaltimiin,
jotka on määritelty 0B001.c.3 kohdassa ja suunniteltu
salpakaasun sisäänvuotonopeudelle, joka on pienempi kuin
1 000 cm3/min;
5. Lämmönvaihtimet, jotka on valmistettu alumiinista, kupar-
ista, nikkelistä tai yli 60 prosenttia nikkeliä sisältävistä
seoksista taikka näiden metallien kombinaatioista verhoil-
tuina putkina ja jotka on suunniteltu toimimaan normaalin
ilmanpaineen alapuolella vuotonopeudella, joka rajoittaa
paineen nousun pienemmäksi kuin 10 Pa tunnissa 100 kPa:n
paine-eron vallitessa;
6. Paljetiivisteillä varustetut venttiilit, jotka on valmistettu
"UF6-korroosiota kestävistä aineista" tai suojattu niillä ja
joiden halkaisija on 40 mm:n ja 1 500 mm:n välillä;
d. Laitteet ja komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu tai
valmistettu aerodynaamista erotusprosessia varten, seuraavasti:
1. Raonmuotoisista kaarevista kanavista tehdyt erotussuut-
timet, joiden kaarevuussäde on pienempi kuin 1 mm ja
jotka ovat UF6-korroosiokestoisia sekä joissa on veitsenterä,
joka erottaa suuttimen läpi virtaavan kaasun kahdeksi
virraksi;
2. Tangentiaalisen sisäänmenovirtauksen pyörittämät sylinter-
imäiset tai kartiomaiset putket (pyörreputket), jotka on
valmistettu "UF6-korroosiota kestävistä aineista" tai suojattu
niillä ja joiden halkaisija on 0,5 cm:n ja 4 cm:n välillä,
pituus/halkaisija -suhde pienempi kuin 20:1 ja joilla on yksi
tai useampi tangentiaalinen sisäänmenoaukko;
3. Kompressorit (pakkosyöttö-, keskipako- ja aksiaalivirtaus-
tyyppiä) tai kaasupuhaltimet, joiden UF6-imuteho on
vähintään 2 m3/min ja jotka on valmistettu "UF6-korroosiota
kestävistä aineista" tai suojattu niillä, ja niitä varten
tarkoitetut pyörimisakselien tiivisteet;
4. "UF6-korroosiota kestävistä aineista" valmistetut tai niillä
suojatut lämmönvaihtimet;2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 35
▼M3
5. "UF6-korroosiota kestävistä aineista" valmistetut tai niillä
suojatut aerodynaamisten erotuselementtien kotelot pyörre-
putkia tai erotussuuttimia varten;
6. Paljeventtiilit, jotka on valmistettu "UF6-korroosiota kestä-
vistä aineista" tai suojattu niillä ja joiden halkaisija on
40 mm:n ja 1 500 mm:n välillä;
7. Prosessijärjestelmät UF6-kaasun erottamiseksi kantokaasusta
(vety tai helium) 1 ppm:n tai alhaisempaan UF6-pitoisuu-
teen, mukaan lukien:
a. Kryogeeniset lämmönvaihtimet ja kryoerottimet, jotka
kykenevät toimimaan 153 K (− 120 ºC) asteen tai sitä
alhaisemmissa lämpötiloissa;
b. Kryogeeniset jäähdytysyksiköt, jotka kykenevät toimi-
maan 153 K (− 120 ºC) asteen tai sitä alhaisemmissa
lämpötiloissa;
c. Erotussuutin- tai pyörreputkiyksiköt UF6-kaasun erotta-
miseksi kantokaasusta;
d. UF6-kylmäloukut, jotka pystyvät toimimaan 253 K (−
20 ºC) asteen tai sitä alhaisemmissa lämpötiloissa;
e. Laitteet ja komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu tai
valmistettu kemialliseen vaihtoon perustuvaa erotusprosessia
varten, seuraavasti:
1. Nopeavaihtoiset neste-neste-pulssikolonnit, joiden saosaika
vaihetta kohti on 30 sekuntia tai lyhyempi ja jotka kestävät
vahvaa suolahappoa (esim. sopivista muoviaineista kuten
fluorihiilipolymeereistä tai lasista valmistetut tai niillä
vuoratut);
2. Nopeavaihtoiset neste-neste-keskipakokontaktorit, joiden
saosaika vaihetta kohti on 30 sekuntia tai lyhyempi ja jotka
kestävät vahvaa suolahappoa (esim. sopivista muoviaineista
kuten fluorihiilipolymeereistä tai lasista valmistetut tai niillä
vuoratut);
3. Vahvoja suolahappoliuoksia kestävät sähkökemialliset pelk-
istyskennot, jotka soveltuvat yhden valenssitilan uraanin
pelkistämiseen toiseen valenssitilaan;
4. Sähkökemialliset pelkistyskennojen syöttölaitteet U+4-ionien
erottamiseksi orgaanisesta virrasta ja ne prosessivirran
kanssa kosketuksissa olevat laitteet, jotka on valmistettu
sopivista aineista (esim. lasi, fluorihiilipolymeerit, polyfe-
nyylisulfaatti, polyeetterisulfoni ja hartsikyllästetty grafiitti)
tai suojattu niillä;
5. Hyvin puhdistetun uraanikloridiliuoksen tuottamiseen
tarkoitetut syötön valmistelujärjestelmät, jotka koostuvat
puhdistukseen tarkoitetuista liuotus-, uutin- ja/tai ioninvaih-
tolaitteista sekä U+6- tai U+4-uraanin pelkistämiseen U+3-
uraaniksi soveltuvista elektrolyyttisistä kennoista;
6. Uraanin hapettamisjärjestelmät U+3-uraanin hapettamiseksi
U+4-uraaniksi;
f. Laitteet ja komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu tai
valmistettu ioninvaihtoon perustuvaa erotusprosessia varten,
seuraavasti:
1. Nopeasti reagoivat ioninvaihtohartsit, kalvomaiset tai
huokoiset makroverkkomaiset hartsit, joissa aktiiviset
kemialliset vaihtoryhmät on rajoitettu ei-aktiivisen
huokoisen tukirakenteen pinnoitteeksi, ja muut komposiittir-
akenteet missä tahansa sopivassa muodossa, mukaan lukien
partikkelit ja kuidut, joiden halkaisija on 0,2 mm tai
pienempi ja suunniteltu vaihtopuoliintumisaika on alle 10
sekuntia ja jotka kestävät vahvaa suolahappoa ja kykenevät
toimimaan 373 K—473 K (100 ºC—200 ºC) asteen
lämpötila-alueella;
2. (Sylinterinmuotoiset) ioninvaihtokolonnit, joiden halkaisija
on suurempi kuin 1 000 mm ja jotka on valmistettu vahvaa
suolahappoa kestävistä aineista (esim. titaani tai fluorihiili-
muovit) tai suojattu niillä ja jotka kykenevät toimimaan
373 K—473 K (100 ºC—200 ºC) asteen lämpötila-alueella
ja yli 0,7 MPa:n paineessa;
3. Ioninvaihtotakaisinvirtausjärjestelmät (kemialliset tai
sähkökemialliset hapetus- tai pelkistysjärjestelmät) kemial-2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 36
▼M3
listen pelkistys- tai hapetusaineiden talteenottamiseksi
ioninvaihtoon perustuvissa rikastuskaskadeissa;
g. Atomihöyryn "laser"viritykseen perustuvaa isotooppierotusme-
netelmää (AVLIS) varten erityisesti suunnitellut tai valmistetut
laitteet ja komponentit seuraavasti:
1. Uraanin höyrystämiseen soveltuvat suuritehoiset kaista- tai
pyyhkäisyelektronisuihkutykit, joiden tuottama teho on
enemmän kuin 2,5 kW/cm;
2. Sulan uraanin tai uraaniseosten käsittelyyn soveltuvat sulan
uraanimetallin käsittelyjärjestelmät, jotka koostuvat sopi-
vista korroosiota ja lämpöä kestävistä aineista (esim.
tantaalista, yttriumoksidilla päällystetystä grafiitista, muiden
harvinaisten maametallien oksideilla päällystetystä grafii-
tista tai niiden seoksista) valmistetuista tai suojatuista
upokkaista ja upokkaiden jäähdytyslaitteista;
HUOM: KATSO MYÖS 2A225 KOHTA.
3. Tuote- ja jätekerääjäjärjestelmät, jotka on valmistettu
uraanimetallihöyryn tai nestemäisen uraanin korroosiota ja
lämpöä kestävistä aineista, kuten yttriumoksidilla päällyste-
tystä grafiitista tai tantaalista, tai pinnoitettu niillä;
4. Erotusyksikön kotelot (sylinterinmuotoiset tai suorakul-
maiset astiat), joihin voidaan sijoittaa uraanimetallin
höyrystin, elektronisuihkutykki ja tuote- ja jätekerääjät;
5. Uraani-isotooppien erottamiseen soveltuvat "laserit" tai
"laser"järjestelmät, joissa oleva taajuusspektrin stabilaattori
mahdollistaa pitkäaikaisen käytön;
HUOM: KATSO MYÖS 6A005 JA 6A205 KOHTA.
h. Molekyylien "laser"viritykseen perustuvaa isotooppien erotu-
sprosessia (MLIS) tai isotooppiselektiivisellä laserilla
aktivoitua kemiallista reaktiota (CRISLA) varten erityisesti
suunnitellut tai valmistetut laitteet ja komponentit seuraavasti:
1. Ääntä nopeammilla virtauksilla toimivat paisuntasuuttimet,
joilla voidaanjäähdyttää UF6:njakantokaasunseokset150K
(− 123 ºC) asteeseen tai sitä alhaisempaan lämpötilaan ja
jotka on valmistettu "UF6-korroosiota kestävistä aineista";
2. Uraanipentafluoridin (UF5) kerääjät, jotka koostuvat
suodatin-, törmäys-, tai syklonityyppisistä kerääjistä tai
niiden yhdistelmistä ja jotka on valmistettu "UF5-/UF6-
korroosiota kestävistä aineista";
3. Kompressorit, jotka on valmistettu "UF6-korroosiota kestä-
vistä aineista" tai suojattu niillä, ja niihin soveltuvat
pyörimisakselien tiivisteet;
4. Laitteet UF5:n (kiinteä aine) fluoraamiseksi UF6:ksi (kaasu);
5. Prosessijärjestelmät UF6:n erottamiseksi kantokaasusta
(esim. typestä tai argonista) mukaan lukien:
a. Kryogeeniset lämmönvaihtimet ja kryogeeniset erottimet,
jotka kykenevät toimimaan 153 K (− 120 ºC) asteen tai
sitä alhaisemmissa lämpötiloissa;
b. Kryogeeniset jäähdytinyksiköt, jotka kykenevät toimi-
maan 153 K (− 120 ºC) asteen tai sitä alhaisemmissa
lämpötiloissa;
c. UF6-kylmäloukut, jotka kykenevät toimimaan 253 K (−
20 ºC) asteen tai sitä alhaisemmissa lämpötiloissa;
6. Uraani-isotooppien erottamiseen soveltuvat "laserit" tai
"laser"järjestelmät, joissa oleva taajuusspektrin stabilaattori
mahdollistaa pitkäaikaisen käytön;
HUOM: KATSO MYÖS 6A005 JA 6A205 KOHTA.
i. Plasmaerotusmenetelmää varten erityisesti suunnitellut tai
valmistetut laitteet ja komponentit seuraavasti:
1. Ionien tuottamiseen tai kiihdyttämiseen soveltuvat mikroaal-
toteholähteet ja antennit, joiden ulostulotaajuus on enemmän
kuin 30 GHz ja keskimääräinen ulostuloteho suurempi kuin
50 kW;
2. Radiotaajuusioninvirityskelat, jotka toimivat yli 100 kHz:n
taajuuksilla ja kykenevät käsittelemään yli 40 kW:n
keskimääräisen tehon;2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 37
▼M3
3. Uraaniplasman synnyttämiseen soveltuvat järjestelmät;
4. Sulan uraanin tai uraaniseosten käsittelyyn soveltuvat sulan
metallin käsittelyjärjestelmät, jotka koostuvat sopivista
korroosiota ja lämpöä kestävistä aineista (esim. tantaalista,
yttriumoksidilla päällystetystä grafiitista, muiden harvi-
naisten maametallien oksideilla päällystetystä grafiitista tai
niiden seoksista) valmistetuista tai suojatuista upokkaista ja
upokkaiden jäähdytyslaitteista;
HUOM: KATSO MYÖS 2A225 KOHTA.
5. Tuote- ja jätekerääjät, jotka on valmistettu uraanihöyryn
korroosiota ja lämpöä kestävistä aineista, kuten yttriumok-
sidilla päällystetystä grafiitista tai tantaalista, tai suojattuniillä;
6. Erotusyksikön (sylinterimäinen) kotelo, johon voidaan
sijoittaa uraaniplasmalähde, radiotaajuinen ajokela ja tuote-
ja jätekerääjät, ja joka on tehty sopivasta ei-magneettisesta
aineesta (esim. ruostumattomasta teräksestä);
j. Sähkömagneettista isotooppierotusmenetelmää varten erityi-
sesti suunnitellut tai valmistetut laitteet ja komponentit
seuraavasti:
1. Joko yhden tai useita ionisuihkuja synnyttävät ionilähteet,
jotka koostuvat höyrylähteestä, ionisaattorista ja suihkun
kiihdyttimestä, jotka on valmistettu sopivasta ei-magneetti-
sesta aineesta (esim. grafiitista, ruostumattomasta teräksestä
tai kuparista) ja jotka kykenevät tuottamaan 50 mA:n tai
suuremman kokonaisionivirran;
2. Rikastetun tai köyhdytetyn uraani-ionisuihkun keräyslevyt,
jotka koostuvat kahdesta tai useammasta raosta ja keräys-
taskusta ja jotka on valmistettu sopivista ei-magneettisista
aineista (esim. grafiitista tai ruostumattomasta teräksestä);
3. Uraanin sähkömagneettisten erotusyksiköiden tyhjökotelot,
jotka on valmistettu ei-magneettisista aineista (esim. ruos-
tumattomasta teräksestä) ja suunniteltu toimimaan 0,1 Pa:n
tai sitä alhaisemmissa paineissa;
4. Magneettinapakappaleet, joiden läpimitta on suurempi kuin
2m ;
5. Ionilähteisiin tarvittavat suurjänniteteholähteet, joilla on
kaikki seuraavat ominaisuudet:
a. Kykenevät toimimaan jatkuvasti;
b. Ulostulojännite 20000 V tai suurempi;
c. Ulostulovirta 1 A tai suurempi
ja
d. Jännitteen stabiilisuus parempi kuin 0,01 % kahdeksan
tunnin jakson aikana;
HUOM: KATSO MYÖS 3A227 KOHTA.
6. Magneettien teholähteet (suuritehoiset, tasavirta-), joilla on
kaikki seuraavat ominaisuudet:
a. Kykenevät toimimaan jatkuvasti siten, että ulostulovirta
on 500 A tai suurempi jännitteen ollessa 100 V tai
suurempi; ja
b. Virran tai jännitteen stabiilisuus parempi kuin 0,01 %
kahdeksan tunnin jakson aikana.
HUOM: KATSO MYÖS 3A226 KOHTA.
0B002 Kohdassa 0B001 määriteltyjä isotooppierotuslaitoksia varten
erityisesti suunnitellut tai valmistetut, "UF6-korroosiota kestävistä
aineista" tehdyt tai niillä suojatut apujärjestelmät, laitteet ja
komponentit seuraavasti:
a. Autoklaavit, uunit tai järjestelmät, joita käytetään UF6:n
syöttämiseen rikastusprosessiin;
b. Kiinteyttimet (desublimaattorit) tai kylmäloukut, joita
käytetään UF6:n poistamiseen rikastusprosessista myöhempää
lämmittämällä tapahtuvaa siirtoa varten;
c. Tuote- ja jäteasemat UF6:n siirtämiseksi säilytysastioihin;
d. Nesteytys- tai kiinteytysasemat, joita käytetään poistamaan UF6väkevöintiprosessista puristamalla ja jäähdyttämällä UF6neste-
mäiseen tai kiinteään olomuotoon;2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 38
▼M3
e. Putkisto- ja kokoojajärjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu
UF6:n käsittelyyn kaasudiffuusio-, sentrifugi- ja aerodynaa-
misen erotuslaitoksen kaskadissa;
f. 1. Tyhjöjakoputket tai tyhjökokoojat, joiden imukyky on 5 m3/
min tai suurempi; tai
2. Tyhjöpumput, jotka on erityisesti suunniteltu käytettäväksi
UF6:tta sisältävässä ilmakehässä;
g. UF6-massaspektrometrit/ionilähteet, jotka on erityisesti suunni-
teltu tai valmistettu ottamaan jatkuvatoimisesti näytteitä UF6-
kaasun syötteestä, tuotteesta tai jätteestä ja joilla on kaikki
seuraavat ominaisuudet:
1. Yhden atomimassayksikön erotuskyky, kun mitattava massa
on suurempi kuin 320 atomimassayksikköä;
2. Ionilähteet, jotka on valmistettu nichrome- tai monel-
metallista tai vuorattu niillä taikka päällystetty nikkelillä;
3. Elektronipommitukseen perustuva ionisointilähde; ja
4. Isotooppianalyysiin soveltuva kokoojajärjestelmä.
0B003 Uraanin konversiolaitos ja erityisesti sitä varten suunnitellut tai
valmistetut laitteet seuraavasti:
a. Järjestelmät, joilla uraanimalmikonsentraatit voidaan muuttaa
UO3:ksi;
b. Järjestelmät, joilla UO3voidaan muuttaa UF6:ksi;
c. Järjestelmät, joilla UO3voidaan muuttaa UO2:ksi;
d. Järjestelmät, joilla UO2voidaan muuttaa UF4:ksi;
e. Järjestelmät, joilla UF4voidaan muuttaa UF6:ksi;
f. Järjestelmät, joilla UF4voidaan muuttaa uraanimetalliksi;
g. Järjestelmät, joilla UF6voidaan muuttaa UO2:ksi;
h. Järjestelmät, joilla UF6voidaan muuttaa UF4:ksi;
i. Järjestelmät, joilla UO2voidaan muuttaa UC14:ksi.
0B004 Raskaan veden, deuteriumin ja deuteriumyhdisteen tuotanto- tai
konsentrointilaitos ja sitä varten erityisesti suunnitellut tai
valmistetut laitteet ja komponentit seuraavasti:
a. Raskaan veden, deuteriumin tai deuteriumyhdisteen tuotanto-
laitos seuraavasti:
1. Vesi-rikkivety-erotuslaitokset;
2. Ammoniakki-vety-erotuslaitokset;
b. Laitteet ja komponentit seuraavasti:
1. Hienohiiliteräksestä (esim. ASTM A 516) valmistetut vesi-
rikkivety-erotustornit, joiden läpimitta on 6 m:n ja 9 m:n
välillä ja jotka voivat toimia 2 MPa:n tai sitä suuremmassa
paineessa sekä joiden korroosiovara on 6 mm tai enemmän;
2. Rikkivetykaasun (yli 70 prosenttia H2S:ää sisältävän kaasun)
kierrätykseen soveltuvat yksivaiheiset pienipaineiset
(0,2 MPa) keskipakopuhaltimet tai kompressorit, joiden
tilavuusvirta on 56 m3/s tai suurempi niiden toimiessa
1,8 MPa:n imua vastaavassa tai suuremmassa paineessa ja
jotka on varustettu H2S-märkäkäyttöön suunnitelluilla tiivis-
teillä;
3. Ammoniakki-vety-erotustornit, joiden korkeus on 35 m tai
suurempi ja läpimitta 1,5 m:n ja 2,5 m:n välillä ja jotka
voivat toimia suuremmissa paineissa kuin 15 MPa;
4. Tornien sisäiset osat, mukaan lukien kosketuspinnat, ja
vaihepumput, mukaan lukien upotettavat pumput, jotkasoveltuvat raskaan veden valmistukseen ammoniakki-vety-
erotusprosessin avulla;
5. Ammoniakkikrakkerit, joiden käyttöpaine on yhtä suuri tai
suurempi kuin 3 MPa ja jotka soveltuvat raskaan veden
valmistukseen ammoniakki-vety-erotusprosessin avulla;
6. Infrapuna-absorptioanalysaattorit, jotka kykenevät jatkuvaan
vety-deuterium-suhteen mittaamiseen, kun deuteriumpitoi-
suus on 90 prosenttia tai enemmän;
7. Katalyyttipolttimet, joilla väkevöity deuterium muutetaan
raskaaksi vedeksi ammoniakki-vety-erotusprosessin avulla;2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 39
▼M3
8. Täydelliset järjestelmät tai niiden kolonnit, joilla paranne-
taan raskaan veden laatua, raskaan veden
deuteriumpitoisuuden konsentroimiseksi reaktoriluokkaan.
0B005 "Ydinreaktorin" polttoaine-elementtien valmistukseen erityisesti
suunniteltu laitos ja sitä varten erityisesti suunnitellut tai
valmistetut laitteet.
Huom: "Ydinreaktorin" polttoaine-elementtien valmistukseen
erityisesti suunniteltu laitos sisältää laitteet, jotka:
a. Tavallisesti ovat suoraan yhteydessä ydinaineiden
tuotantovirtaan tai suoraan prosessoivat tai valvovat
sitä;
b. Sulkevat ydinaineet ilmatiiviisti suojakuoren sisään;
c. Tarkistavat suojakuoren eheyden tai sulkemisen
ilmatiiviyden tai
d. Tarkistavat suljetun polttoaineen viimeistelyn.
0B006 "Ydinreaktorin" säteilytettyjen polttoaine-elementtien jälleenkäsit-
telylaitos ja sitä varten erityisesti suunnitellut tai valmistetut
laitteet ja komponentit.
Huom: 0B006 kohtaan kuuluvat:
a. "Ydinreaktorin" säteilytettyjen polttoaine-element-
tien jälleenkäsittelylaitos sekä laitteet ja
komponentit, jotka tavallisesti ovat suoraan yhtey-
dessä säteilytettyyn polttoaineeseen ja pääasiallisiin
ydinaineiden ja fissiotuotteiden prosessivirtoihin ja
suoraan ohjaavat niitä;
b. Polttoaine-elementtien paloittelu- tai pilkkomisko-
neet, ts. kauko-ohjatut laitteet, jotka leikkaavat,
paloittelevat, pilkkovat tai katkovat "ydinreaktorien"
säteilytettyjä polttoainekokoonpanoja, -nippuja tai -
sauvoja;
c. Liuotinastiat, kriittisyysturvalliset tankit (esim.
pieniläpimittaiset tankit, rengasmaiset tai laatta-
tankit), jotka on erityisesti suunniteltu tai
valmistettu "ydinreaktorien" säteilytetyn polt-
toaineen liuottamiseen ja jotka kykenevät
kestämään kuumia, voimakkaasti syövyttäviä nesteitä
ja joita voidaan täyttää ja huoltaa kauko-ohjatusti;
d. Vastavirtauuttimet ja ioninvaihtoprosessilaitteet,
jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu
käytettäviksi säteilytetyn "luonnonuraanin",
"köyhdytetyn uraanin" tai "erityisten halkeamiskel-
poisten aineiden" jälleenkäsittelylaitoksissa;
e. Säilytys- tai varastoastiat, jotka on erityisesti
suunniteltu kriittisyysturvallisiksi ja kestämään
typpihapon syövyttäviä vaikutuksia;
Huom: Säilytys- tai varastoastioilla voi olla
seuraavat ominaisuudet:
1. Seinämien tai sisärakenteiden booriek-
vivalenttipitoisuus (laskettuna
0C004:ää koskevassa huomautuksessa
olevan kaavan mukaisesti kaikkien
olennaisten elementtien osalta)
vähintään kaksi prosenttia;
2. Sylinterimäisen astian halkaisija
korkeintaan 175 mm; tai
3. Joko laatta- tai rengasmaisen astian
leveys korkeintaan 75 mm.
f. Prosessin valvontainstrumentointi, joka on erityisesti
suunniteltu tai valmistettu säteilytetyn "luonnonur-
aanin", "köyhdytetyn uraanin" tai "erityisten
halkeamiskelpoisten aineiden" jälleenkäsittelyn
valvontaan tai ohjaamiseen.
0B007 Plutoniumin konversiolaitos ja sitä varten erityisesti suunnitellut
tai valmistetut laitteet seuraavasti:
a. Järjestelmät plutoniumnitraatin muuttamiseksi plutoniumoksi-
diksi;2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 40
▼M3
b. Järjestelmät plutoniummetallin tuottamiseksi.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 41
▼M3
0C Materiaalit
0C001 "Luonnonuraani" tai "köyhdytetty uraani" tai torium metallina,
seoksena, kemiallisena yhdisteenä tai konsentraattina ja mikä
tahansa muu aine, joka sisältää yhtä tai useampaa edellä
mainituista;
Huom: 0C001 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi seuraa-
via:
a. Neljä grammaa tai vähemmän "luonnonuraania" tai
"köyhdytettyä uraania", kun se on instrumenttien
anturoivassa osassa;
b. Erityisesti seuraaviin rauhanomaisiin, ei-ydintekni-
siin sovellutuksiin käytetty "köyhdytetty uraani":
1. Suojaus;
2. Pakkaus;
3. Painolastit, joiden massa on pienempi kuin
100 kg;
4. Vastapainot, joiden massa on pienempi kuin
100 kg;
c. Vähemmän kuin viisi prosenttia toriumia sisältävät
seokset;
d. Toriumia sisältävät keraamiset tuotteet, jotka on
valmistettu muuta kuin ydinteknistä käyttöä varten.
0C002 "Erityinen halkeamiskelpoinen aine"
Huom: 0C002 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi määrää,
joka on neljä "tehollista grammaa" tai vähemmän
kyseistä ainetta, kun se on instrumenttien anturoivassa
osassa.
0C003 Deuterium, raskas vesi (deuteriumoksidi) ja muut deuteriumyhdis-
teet sekä deuteriumia sisältävät seokset ja liuokset, joissa
deuterium-vety-isotooppisuhde ylittää arvon 1:5 000.
0C004 Reaktoriluokan grafiitti, jonka puhtaustaso on vähemmän kuin 5
miljoonasosaa "booriekvivalenttia" ja jonka tiheys on suurempi
kuin 1,5 g/cm3.
HUOM: KATSO MYÖS 1C107 KOHTA.
Huom. 1: 0C004 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi:
a. grafiittivalmisteita, joiden massa on pienempi kuin
1 kg, lukuun ottamatta sellaisia jotka on erityisesti
suunniteltu tai valmistettu käytettäväksi ydinreak-
torissa,
b. grafiittijauhetta.
Huom. 2: 0C004 kohdassa "booriekvivalentti" (BE) (Boron
equivalent) määritellään epäpuhtauksille summana
BEZ:ista (lukuun ottamatta BEhiili:ia, koska hiiltä ei
lasketa epäpuhtaudeksi) mukaan lukien boorin,
jolloin
BEZ(ppm) = CF × alkuaineen Z konsentraatio ppm-
yksiköinä,
jossa CF on muunnoskerroin =σZ/C2AB
σB/C2AZ
σBjaσZovat vastaavat boorin ja alkuaineen Z
termiset neutronikaappausvaikutusalat (barn-
yksiköinä);
ABja AZovat boorin ja alkuaineen Z atomipainot.
0C005 Kaasudiffuusiokalvojen valmistukseen erityisesti valmistetut UF6-
korroosiota kestävät yhdisteet tai jauheet (esim. nikkeli tai seos,
joka sisältää 60 painoprosenttia tai enemmän nikkeliä, alumii-
nioksidi ja täysin fluoratut hiilivetypolymeerit), joiden puhtaus on
99,9 painoprosenttia tai enemmän ja joissa keskimääräinen
partikkelikoko on vähemmän kuin 10 mikrometriä mitattuna
ASTM (American Society for Testing and Materials) B 330 —
standardin mukaisesti ja joissa partikkelit ovat hyvin samanko-
koisia.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 42
▼M3
0D Ohjelmistot
0D001 "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu tässä
ryhmässä määriteltyjen tavaroiden "kehittämistä", "tuotantoa" tai
"käyttöä" varten.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 43
▼M3
0E Teknologia
0E001 "Teknologia" ydinteknologiahuomautuksen mukaisesti tässä
ryhmässä määriteltyjen tavaroiden "kehittämistä", "tuotantoa" tai
"käyttöä" varten.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 44
▼M3
RYHMÄ 1
MATERIAALIT, KEMIKAALIT, "MIKRO-ORGANISMIT" JA
"TOKSIINIT"2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 45
▼M3
1A Järjestelmät, laitteet ja komponentit
1A001 Seuraavat fluoratuista yhdisteistä valmistetut komponentit:
a. "Ilma-aluksiin" tai avaruuskäyttöön erityisesti suunnitellut
tiivisteet, tiivisterenkaat, tiivisteaineet tai polttoainekalvot,
joiden valmistuksessa on käytetty yli 50 painoprosenttia
1C009.b tai 1C009.c kohdassa määritettyjä materiaaleja;
b. Pietsosähköiset polymeerit ja sekapolymeerit, jotka on valmis-
tettu 1C009.a kohdassa määritellyistä vinyylideenifluorideista:
1. Levyn tai kalvon muodossa; ja
2. Joiden paksuus on yli 200 mikrometriä;
c. "Ilma-aluksiin", ”ohjuksiin” tai avaruuskäyttöön erityisesti
suunnitellut tiivisteet, tiivisterenkaat, venttiilien istukat tai
kalvot, jotka on valmistettu fluoroelastomeerista, joka sisältää
ainakin yhden vinyylieetteriryhmän ainesosana.
Huom: 1A001.c kohdassa ”ohjus” tarkoittaa täydellisiä
rakettijärjestelmiä ja miehittämättömiä ilma-alusjär-
jestelmiä.
1A002 Seuraavat "komposiitti"rakenteet tai -laminaatit:
HUOM: KATSO MYÖS 1A202, 9A010 ja 9A110 KOHTA.
a. Joilla on orgaaninen "matriisi" ja jotka on valmistettu 1C010.c,
1C010.d tai 1C010.e kohdassa määritellyistä materiaaleista; tai
b. Joilla on metalli- tai hiili"matriisi" ja jotka on valmistettu:
1. Hiili"kuitu- tai -säiemateriaaleista", joiden:
a. "Ominaiskimmokerroin" ylittää 10,15 × 106m;ja
b. "Ominaismurtovetolujuus" ylittää 17,7 × 104m;tai
2. 1C010.c kohdassa määritellyistä materiaaleista.
Huom. 1: 1A002 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi hartsilla
kyllästetyistä hiili"kuitu- tai -säiemateriaaleista"
valmistettuja komposiitti-rakenteita tai -laminaatteja,
jotka on tarkoitettu lentokoneiden rakenteiden tai
laminointien korjaukseen edellyttäen, ettei niiden
koko ylitä 1 m2.
Huom. 2: 1A002 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi valmiita tai
puolivalmiita tuotenimikkeitä, jotka on erityisestisuunniteltu seuraaviin puhtaasti siviilitarkoituksiin:
a. Urheilutarvikkeisiin;
b. Autoteollisuuteen;
c. Työstökoneteollisuuteen;
d. Lääkinnällisiin käyttötarkoituksiin.
1A003 1C008.a.3 kohdassa määritellyistä fluoraamattomista poly-
meereistä valmistetut kalvot, levyt, teipit tai nauhat:
a. Joiden paksuus ylittää 0,254 mm;
tai
b. Jotka on pinnoitettu tai laminoitu hiilellä, grafiitilla, metallilla
tai magneettisilla aineilla.
Huom: 1A003 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi valmisteita,
jotka ovat pinnoitettu tai laminoitu kuparilla ja
suunniteltu elektronisten piirilevyjen tuotantoon.
1A004 Muut kuin asetarvikelistassa määritellyt suojaus- ja ilmaisinlaitteet
ja komponentit seuraavasti:
HUOM: KATSO MYÖS 2B351 JA 2B352 KOHTA.
a. Kaasunaamarit, suodatinrasiat ja niiden puhdistuslaitteet, jotka
on erityisesti suunniteltu tai muunnettu suojaamaan biologisia
vaikuteaineita tai "sotilaskäyttöön muunneltuja" radioaktiivisia
aineita tai kemiallisen sodankäynnin (CW) vaikuteaineita
vastaan, ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit;
b. Suojapuvut, käsineet ja jalkineet, jotka on erityisesti suunniteltu
tai muunnettu suojaamaan biologisia vaikuteaineita tai "soti-
laskäyttöön muunneltuja" radioaktiivisia aineita tai kemiallisen
sodankäynnin (CW) vaikuteaineita vastaan;2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 46
▼M3
c. Ydinalan, biologisen ja kemian alan (NBC) ilmaisinjärjes-
telmät, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu
ilmaisemaan tai tunnistamaan biologisia vaikuteaineita tai
"sotilaskäyttöön sovitettuja" radioaktiivisia aineita tai kemial-
lisen sodankäynnin (CW) vaikuteaineita, ja niitä varten
erityisesti suunnitellut komponentit.
Huom: 1A004 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi:
a. Henkilökohtaisia säteilyannoksen valvontamittar-
eita;
b. Laitteita, joiden suunnittelu tai toiminta on rajoitettu
suojaamaan niitä vaaroja vastaan, jotka ovat
ominaisia siviiliteollisuudelle, kuten kaivos-,
louhinta-, maatalous-, lääke-, lääkintä-,
eläinlääkintä-, ympäristö-, jätteiden käsittelylle tai
elintarviketeollisuudelle.
1A005 Vartalohaarniskat, ja niitä varten erityisesti suunnitellut kompo-
nentit, muut kuin ne, jotka on valmistettu sotilasstandardien tai -laatuvaatimusten mukaisesti tai vastaavat suoritusarvoiltaan niitä.
HUOM: KATSO MYÖS ASETARVIKELUETTELO.
Huom. 1: 1A005 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi yksittäisiä
vartalohaarniskoja ja niiden lisävarusteita, kun ne
ovat käyttäjänsä mukana hänen henkilökohtaista
suojautumistaan varten.
Huom. 2: 1A005 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi vartalo-
haarniskoja, jotka on suunniteltu antamaan suojaa
vain edestäpäin kohdistuvia, muiden kuin soti-
lasräjähteiden sirpaleita ja räjähdystä vastaan.
1A102 9A004kohdassamääriteltyihin avaruuteen laukaisussa käytettäviin
kantoraketteihin tai 9A104 kohdassa määriteltyihin luotainraket-
teihin tarkoitetut toistokyllästetyt pyrolisoidut hiili-
hiilikomponentit.
1A202 Muut kuin 1A002 kohdassa määritellyt, komposiittirakenteet
putkina, joilla on seuraavat ominaisuudet:
HUOM: KATSO MYÖS 9A010 JA 9A110 KOHTA.
a. niiden sisähalkaisija on 75 ja 400 mm välillä; ja
b. ne on valmistettu 1C010.a tai b tai 1C210.a kohdassa
määritellyistä "kuitu- ja säiemateriaaleista" tai 1C210.c
kohdassa määritellyistä hiiliprepregimateriaaleista.
1A225 Platinoidut katalyytit, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmis-
teltu edistämään vedyn ja veden välistä isotooppien vaihtoreaktiota
tritiumin ottamiseksi talteen raskaasta vedestä tai raskaan veden
tuottamiseksi.
1A226 Erikoisaineet, joita voidaan käyttää raskaan veden erottamiseen
tavallisesta vedestä ja joilla on molemmat seuraavista ominai-
suuksista:
a. ne on tehty fosforipronssiverkosta, joka on käsitelty kemialli-
sesti vettyvyyden parantamiseksi; ja
b. ne on suunniteltu käytettäväksi tyhjötislauskolonneissa.
1A227 Korkeatiheyksiset (lyijylasista tai muusta aineesta valmistetut)
säteilysuojaikkunat, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet sekä
näitä varten erityisesti suunnitellut puitteet:
a. ”kylmä (säteilyltä suojattu) ala” on suurempi kuin 0,09 m2;
b. tiheys suurempi kuin 3 g/cm3;ja
c. paksuus 100 mm tai suurempi.
Tekn. huom:1A227 kodassa termillä ’kylmä ala’ tarkoitetaan ikkunan
läpinäkyvää alaa, joka on altistuneena alhaisimmalle säteilyta-
solle mallisovelluksessa.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 47
▼M3
1B Testaus-, tarkastus- ja tuotantolaitteet
1B001 Seuraavat 1A002 tai 1C010 kohdassa määriteltyjen kuitujen,
prepregien, preformien tai "komposiittien" tuotantolaitteet ja niitä
varten erityisesti suunnitellut komponentit ja varusteet:
HUOM: KATSO MYÖS 1B101 JA 1B201 KOHTA.
a. Kuitujen käämintäkoneet, joissa käämittävien kuitujen asettelu-
, kiedonta- ja käämintäliikkeet ovat koordinoitavissa ja
ohjelmoitavissa kolmen tai useamman akselin suhteen ja jotka
on erityisesti suunniteltu "komposiitti"rakenteiden tai -lami-
naattien valmistukseen "kuitu- tai säiemateriaaleista";
b. Nauhapäällystys- tai rohdin-asettelukoneet, joissa teipin, rohti-
mien tai levyjen asemointi- ja asetteluliikkeet ovat
koordinoitavissa ja ohjelmoitavissa kahden tai useamman
akselin suhteen ja jotka on erityisesti suunniteltu "komposiit-
tisten" lentokoneenrunko- tai ”ohjus”rakenteiden
valmistukseen;
Huom: 1B001.b kohdassa ”ohjus” tarkoittaa täydellisiä
rakettijärjestelmiä ja miehittämättömiä ilma-alusjär-
jestelmiä.
c. "Komposiitti"rakenteiden valmistukseen tarkoitetut monisuun-
taiset ja monidimensioiset kutoma- tai punontakoneet kuitujen
kudontaa, punontaa tai palmikointia varten sekä näiden
koneiden adapterit ja muunnossarjat;
Huom: 1B001.c kohta ei aseta valvonnanalaiseksi tekstiili-
koneita, joita ei ole muunnettu yllä mainittuja
loppukäyttöjä varten.
d. Seuraavat lujitekuitujen tuotantoa varten erityisesti suunnitellut
tai muunnetut laitteet:
1. Laitteet, joilla polymeerikuituja (kuten polyakryylinitriili,
raion, hartsi tai polykarbosilaani) muutetaan hiilikuiduiksi
tai piikarbidikuiduiksi, mukaan lukien erikoislaitteet, joilla
kuituja jännitetään kuumennuksen aikana;
2. Laitteistot, joilla valmistetaan piikarbidikuituja pinnoitta-
malla kuumennettuja kuitusubstraatteja alkuaineilla taiyhdisteillä kemiallista kaasufaasipinnoitus-menetelmää
(CVD) käyttäen;
3. Laitteet, joilla märkäkehrätään tulenkestäviä keraameja
(kuten alumiinioksidia);
4. Laitteet, joilla esikuituja sisältävä alumiini muutetaan
lämpökäsittelyllä alumiinioksidikuiduiksi;
e. Laitteet, joilla tuotetaan kuumasulatusmenetelmällä 1C010.e
kohdassa määriteltyjä prepregejä;
f. Ainetta rikkomattomat tarkastuslaitteet, joilla voidaan tarkas-
tella valmistusvirheitä kolmessa ulottuvuudessa ultraääni- tai
röntgentomografiaa käyttäen, ja jotka on erityisesti suunniteltu
"komposiitti"materiaaleja varten.
1B002 Kontaminaation välttämiseen erityisesti suunnitellut, metalli-
seosten, metalliseosjauheiden tai seostettujen materiaalien
tuottamiseen tarkoitetut laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu
käytettäväksi jossakin 1C002.c kohdassa määritellyistä proses-
seista.
HUOM: KATSO MYÖS 1B102 KOHTA.
1B003 Titaanin tai alumiinin tai niiden seosten "superplastista
muovausta" tai "diffuusioliittämistä" varten tarkoitetut työkalut,
suuttimet, muotit tai kiinnikkeet, jotka on erityisesti suunniteltu:
a. Lentokoneiden runko- tai avaruusalusten rakenteiden valmista-
miseen;
b. "Lentokoneiden" tai avaruusalusten moottorien valmistamiseen;
tai
c. Näitä rakenteita tai moottoreita varten erityisesti suunniteltujen
komponenttien valmistamiseen.
1B101 Seuraavat, muut kuin 1B001 kohdassa määritellyt laitteet raken-
teellisten komposiittien "tuotantoa" varten sekä niitä varten
erityisesti suunnitellut komponentit ja varusteet:
HUOM: KATSO MYÖS 1B201 KOHTA.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 48
▼M3
Huom: 1B101 kohdassa määriteltyihin komponentteihin ja
varusteisiin sisältyvät muotit, tuurnat, suukappaleet,
kiinnittimet ja työkalut komposiittirakenteiden, -lami-
naattien ja niiden valmisteiden preformien puristamista,
kovettamista, valamista, sintraamista tai liittämistä
varten.
a. Kuidunkäämintäkoneet, joissa kuidun asemointi-, käärintä- ja
käämintäliikkeet voidaan koordinoida ja ohjelmoida kolmen tai
useamman akselin suhteen ja jotka on suunniteltu valmistamaan
komposiittirakenteita tai -laminaatteja kuitu- tai säiemateriaa-
leista, sekä koordinoinnin ja ohjelmoinnin ohjaukset;
b. Nauhapäällystyskoneet, joissa nauhan tai levyn asettelu- ja
asemointiliikkeet voidaan koordinoida ja ohjelmoida kahden tai
useamman akselin suhteen ja jotka on suunniteltu komposiit-
tisten lentokoneiden ja "ohjusten" runkorakenteiden valmistusta
varten;
c. Seuraavat "kuitu- tai säiemateriaalien" "tuotantoa" varten
suunnitellut tai muunnetut laitteet:
1. Laitteet, joilla muunnetaan polymeerikuituja (esim. poly-
akryylinitriiliä, raionia tai polykarbosilaania), erityisesti
kuitua kuumennuksen aikana jännittäen;
2. Laitteet, joiden avulla kuumennettuja säiesubstraatteja
höyrypinnoitetaan alkuaineilla tai yhdisteillä;
3. Laitteet, joiden avulla voidaan märkäkehrätä tulenkestäviä
keraameja (kuten esim. alumiinioksidia);
d. Laitteet, jotka on suunniteltu tai muunnettu kuitujen erityis-
pintakäsittelyä varten tai 9C110 kohdassa määriteltyjen
prepregien ja preformien tuottamista varten.
Huom: 1B101.d kohtaan sisältyvät valssaimet, venytyslait-
teet, päällystyslaitteet, leikkurit ja meistimuotit.
1B102 Muut kuin 1B002 kohdassa määritellyt metallijauheen "tuotanto-
laitteet" ja komponentit seuraavasti:
HUOM: KATSO MYÖS 1B115.b KOHTA.
a. Metallijauheen "tuotantolaitteet", joita voidaan käyttää
1C011.a, 1C011.b, 1C111.a.1, 1C111.a.2 kohdassa tai asetarvi-
keluettelossa määriteltyjen pallomaisten tai hivennettyjen
materiaalien "tuotantoon" valvotussa ympäristössä.
b. Erityisesti suunnitellut komponentit 1B002 tai 1B102.a
kohdassa määriteltyjä "tuotantolaitteita" varten.
Huom: 1B102 kohtaan sisältyvät:
a. Plasmageneraattorit (suuritaajuinen kaarisuihku),
joita voidaan käyttää aikaansaamaan sputteroituja
tai pallomaisia metallijauheita siten, että prosessi
tehdään argon-vesiympäristössä;
b. Sähköpurkauslaitteistot, joita voidaan käyttää
aikaansaamaan sputteroituja tai pallomaisia metal-
lijauheita siten, että prosessi tehdään argon-
vesiympäristössä;
c. Laitteet, joita voidaan käyttää pallomaisten alumii-
nijauheiden "tuotantoon" pulverisoimalla sulasuojakaasussa (esim. typessä).
1B115 Seuraavat muut kuin 1B002 tai 1B102 kohdassa määritellyt laitteet
ajoaineiden ja niiden ainesosien tuotantoa varten ja niitä varten
erityisesti suunnitellut komponentit:
a. "Tuotantolaitteet" 1C011.a, 1C011.b tai 1C111 kohdassa tai
asetarvikeluettelossa määriteltyjen nestemäisten ajoaineiden ja
niiden ainesosien "tuotantoa", käsittelyä tai vastaanottotestausta
varten;
b. "Tuotantolaitteet" 1C011.a, 1C011.b tai 1C111 kohdassa tai
asetarvikeluettelossa määriteltyjen kiinteiden ajoaineiden ja
niiden ainesosien "tuotantoa", käsittelyä, sekoittamista, kovet-
tamista, valamista, prässäystä, työstämistä, puristamista tai
vastaanottotestausta varten.
Huom: 1B115.b kohta ei aseta valvonnanalaiseksi eräse-
koittimia, jatkuvatoimisia sekoittimia tai neste-
energiamyllyjä. Eräsekoittimien, jatkuvatoimisten2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 49
▼M3
sekoittimien ja neste-energiamyllyjen valvonnan
osalta katso 1B117, 1B118 ja 1B119kohta.
Huom. 1: Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu asetarvik-
keiden tuotantoa varten: katso asetarvikeluettelo.
Huom. 2: 1B115 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi boorikar-
bidin "tuotantoon", käsittelyyn ja
hyväksymistestaukseen tarkoitettuja laitteita.
1B116 Erityisesti suunnitellut suuttimet, joilla tuotetaan pyrolyysimene-
telmällä muodostuvia aineita muotille, tuurnalle tai muulle
substraatille välituotekaasuista, jotka hajoavat 1 573 K
(1 300 ºC)—3 173 K (2 900 ºC) asteen lämpötila-alueella ja
130 Pa:n—20 kPa:n paineessa.
1B117 Eräsekoittimet, joiden on pystyttävä sekoittamaan tyhjössä painea-
lueella nollasta 13326 kPa:iin ja joiden sekoituskammion
lämpötilaa voidaan säätää ja joilla on kaikki seuraavista ominai-
suuksista, ja tällaisia sekoittimia varten erityisesti suunnitellut
komponentit:
a. Kokonaistilavuuskapasiteetti 110 litraa tai enemmän; ja
b. Ainakin yksi keskustasta sivuun asennettu sekoitus/vaivaus-
varsi.
1B118 Jatkuvatoimiset sekoittimet, joiden on pystyttävä sekoittamaan
tyhjössä painealueella nollasta 13326 kPa:iin ja joiden sekoitus-
kammion lämpötilaa voidaan säätää ja joilla on kaikki seuraavista
ominaisuuksista, ja tällaisia sekoittimia varten erityisesti suunni-
tellut komponentit:
a. Kaksi tai useampia sekoitus/vaivausvarsia; ja
b. Niiden sekoituskammio voidaan avata.
1B119 Neste-energiamyllyt, joita voidaan käyttää 1C011.a, 1C011.b tai
1C111 kohdassa tai asetarvikeluettelossa määriteltyjen aineiden
jauhamiseen tai hienontamiseen, ja tällaisia myllyjä varten
erityisesti suunnitellut komponentit.
1B201 Seuraavat muut kuin 1B001 tai 1B101 kohdassa määritellyt
kuidunkäämintäkoneet ja niihin liittyvät laitteet:
a. Kuidunkäämintäkoneet, joilla on kaikki seuraavat ominai-
suudet:
1. kuitujen asemointi, käärintä ja käämintä on koordinoitu ja
ohjelmoitu kahden tai useamman akselin suhteen;
2. ne on erityisesti suunniteltu komposiittirakenteiden tai -
laminaattien valmistamiseen "kuitu- tai säiemateriaaleista";
ja
3. ne pystyvät käämimään 75—400 mm:n läpimittaisia ja
600 mm:n pituisia tai suurempia lieriömäisiä roottoreita,
b. 1B201.a kohdassa määriteltyjen kuidunkäämintäkoneiden koor-
dinointi- ja ohjelmointilaitteet;
c. 1B201.a kohdassa määriteltyjen kuidunkäämintäkoneiden tark-
kuustuurnat.
1B225 Elektrolyysikennot fluorin tuotantoa varten, joiden tuotantokapa-
siteetti on suurempi kuin 250 g fluoria tunnissa.
1B226 Sähkömagneettiset isotooppierottimet, jotka on suunniteltu toimi-
maan tai varustettu yhdellä tai useilla ionilähteillä, joilla voidaan
saada aikaan 50 mA:n tai suurempi ionisuihkun kokonaisvirta.
Huom: 1B226 kohta sisältää erottimet:
a. Jotka pystyvät rikastamaan pysyviä isotooppeja;
b. Joissa ionilähteet ja -kerääjät ovat kummatkin
magneettikentässä, sekä ne konfiguraatiot, joissa ne
ovat kentän ulkopuolella.
1B227 Ammoniakin syntetisointikonvertterit tai ammoniakin syntetisoin-
tiyksiköt, joissa synteesikaasu (typpi ja vety) saadaan
korkeapaineisesta ammoniakki/vety-vaihtokolonnista ja synteti-
soitu ammoniakki palautetaan samaan kolonniin.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 50
▼M3
1B228 Kryogeeniset vetytislauskolonnit, joilla on kaikki seuraavat
ominaisuudet:
a. Ne on suunniteltu toimimaan 35 K (− 238 ºC) asteen tai sitä
alhaisemmissa sisäisissä lämpötiloissa;
b. Ne on suunniteltu toimimaan 0,5—5 MPa:n sisäisessä
paineessa;
c. Ne on valmistettu joko:
1. 300-sarjan vähärikkisestä ruostumattomasta teräksestä,
jonka austeniittinen ASTM:n (tai vastaavan standardin)
mukainen raekokoluku on 5 tai suurempi; tai
2. Vastaavista kryogeenisistä ja vetyä (H2) kestävistä materi-
aaleista;ja
d. Sisähalkaisija on 1 m tai suurempi ja tehollinen pituus 5 m tai
pitempi.
1B229 Seuraavat vesi-rikkivety-erotuspohjakolonnit sekä niiden 'sisäkos-
ketuspinnat':
Huom: Erityisesti raskaanveden tuottamista varten suunnitellut
tai valmistetut kolonnit: katso 0B004 kohta.
a. Vesi-rikkivety-erotuspohjakolonnit, joilla on kaikki seuraavat
ominaisuudet:
1. niiden käyttöpaine on 2 MPa tai suurempi;
2. ne on valmistettu hiiliteräksestä, jonka austeniittinen
ASTM:n (tai vastaavan standardin) mukainen raekokoluku
on 5 tai suurempi; ja
3. niiden halkaisija on 1,8 m tai suurempi;
b. 1B229.a kohdassa määriteltyjen vesi-rikkivety-erotuspohjako-
lonnien "sisäkosketuspinnat".
Tekn. huom:
Kolonnien ”sisäkosketuspinnat” ovat segmentoituja pohjia,
joiden tehollinen halkaisija koottuna on 1,8 m tai enemmän;
ne on suunniteltu helpottamaan vastavirtakosketusta ja ne on
valmistettu ruostumattomista teräksistä, joiden hiilipitoisuus on
0,03 prosenttia tai vähemmän. Pohjat voivat olla seula-,
venttiili-, kello-, ja ritiläpohjia.
1B230 Nesteammoniakkiin liuotetun väkevän tai laimean kaliumamidi-
katalyytin (KNH2/NH3) kierrättämiseen kykenevät pumput, joilla
on kaikki seuraavat ominaisuudet:
a. Ne ovat ilmatiiviitä (so. hermeettisesti suljettuja);
b. Pumppausteho on suurempi kuin 8,5 m3/h;ja
c. Jompi kumpi seuraavista ominaisuuksista:
1. Ne on tarkoitettu väkevien (1 % tai suurempi pitoisuus)
kaliumamidiliuosten kierrättämiseen 1,5—60 MPa:n käyttö-
paineella; tai
2. Laimeiden (pitoisuus vähemmän kuin 1 %) kaliumamidi-
liuosten kierrättämiseen 20—60 MPa:n käyttöpaineella.
1B231 Seuraavat tritiumlaitokset tai -tehtaat ja niissä käytettävät laitteet:
a. Laitokset tai tehtaat, joissa tuotetaan, otetaan talteen, uutetaan,
rikastetaan tai käsitellään tritiumia,
b. Tritiumlaitosten tai -tehtaiden laitteet seuraavasti:
1. Vedyn tai heliumin jäähdytysyksiköt, joissa lämpötila
saadaan lasketuksi 23 K (− 250 ºC) asteeseen tai
alhaisemmaksi ja joiden lämmönpoistokyky on suurempi
kuin 150 W;
2. Vetyisotooppien varastointi- ja puhdistusjärjestelmät, joissa
varastointiin tai puhdistukseen käytetään metallihydridejä.
1B232 Turbohöyrystimet tai turbohöyrystin-kompressoriyhdistelmät,
joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:
a. Ne on tarkoitettu käytettäviksi siten, että ulostulolämpötila on
35 K (− 238 ºC) tai alhaisempi; ja
b. Ne on tarkoitettu tuottamaan vetykaasua 1 000 kg/h tai
enemmän.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 51
▼M3
1B233 Litiumisotooppien erotukseen käytettävät laitokset tai tehtaat ja
niissä käytettävät laitteet seuraavasti:
a. Laitokset tai tehtaat litiumisotooppien erottamiseen;
b. Laitteet litiumisotooppien erottamiseen seuraavasti:
1. Erityisesti litiumamalgaameja varten suunnitellut pakatut
neste-neste erotuskolonnit,
2. Elohopea- tai litiumamalgaamipumput,
3. Litiumamalgaamielektrolyysikennot,4. Haihduttimet väkeviä litiumhydroksidiliuoksia varten.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 52
▼M3
1C Materiaalit
Tekn. huom:
Metallit ja metalliseokset:
Ellei toisin säädetä, 1C001—1C012 kohdassa sanat ”metalli” ja
”metalliseos” kattavat seuraavat raa'at ja puolivalmistemuodot:
Raa'at muodot:Anodit, harkot, kanget (mukaan lukien lovetut kanget ja lanka-
harkot), valanteet, lohkareet, raakatangot, briketit, katodit, kiteet,
kuutiot, rouheet, jyväset, valuharkot, kokkareet, pelletit, raakame-
talliharkot, pulveri, sulakuoret, valurakeet, valssausaihiot,
puristusharkot, sieni, sauvat;
Puolivalmistemuodot (riippumatta siitä ovatko ne pinnoitettuja,
päällystettyjä, porattuja tai lävistettyjä):
a. Taotut tai työstetyt materiaalit, jotka on valmistettu valssaa-
malla, vetämällä, suulakepuristamalla, takomalla,
kylmäpursottamalla, meistämällä, rouhimalla, hiventämällä,
ja jauhamalla, so: kulmakiskot, kourut, pyörylät, kiekot, pöly,
hiutaleet, foliot ja ohutlevy, taos, levy, pulveri, puristeet ja
meistot, nauha, renkaat, tangot (mukaan lukien paljaat
hitsauslangat, valssilangat, ja valssivanungit), muotometallit,
profiilit, levyt ja putket (mukaan lukien putkikehät, neliökanget,
ja ontot palkit), vedetyt tai puristetut langat;
b. Valettu materiaali, joka on tuotettu valamalla hiekka-, suulake-,
metalli-, kipsi- tai muun tyyppisellä muotilla, mukaan lukien
korkeapainevalokset, sintratut muodot ja pulverimetallurgialla
aikaansaadut muodot.
Valvonnan tavoitetta ei tule kumota viemällä muita kuin lueteltuja
muotoja, joiden väitetään olevan lopullisia tuotteita, vaikka ne
käytännössä ovat raakoja muotoja tai puolivalmistemuotoja.
1C001 Seuraavat sähkömagneettisia aaltoja absorboiviksi erityisesti
suunnitellut materiaalit tai itseisjohtavat polymeerit:
HUOM: KATSO MYÖS 1C101 KOHTA.
a. Materiaalit, jotka absorboivat yli 2 × 10
8, mutta alle 3 × 1012
hertsin taajuuksia;
Huom. 1: 1C001.a kohta ei aseta valvonnanalaiseksi:
a. Luonnon- tai synteettisistä kuiduista rakentuvia
hiustyyppisiä absorboivia materiaaleja, joiden
absorptiokyky on saatu aikaan ei-magneetti-
sella täyteaineella;
b. Absorboivia materiaaleja, joilla ei ole lainkaan
magneettista häviötä, ja joiden kohtauspinta ei
ole muodoltaan taso, mukaan lukien pyramidi-,
kartio-, kiila- sekä poimuiset pinnat;
c. Tasopintaisia absorboivia materiaaleja:
1. Jotka on valmistettu:
a. Taipuisista tai jäykistä vaahtomuoveista,
joissa täyteaineena on hiili, tai orgaani-
sista materiaaleista, sideaineet mukaan
lukien, jotka antavat metalliin verrattuna
yli 5 %:n kaiun kaistalla, joka on yli
± 15 % kohtaavan energian keskitaajuu-
desta, ja jotka eivät kestä yli 450 K
(177 ºC) asteen lämpötiloja; tai
b. Keraamisista materiaaleista, jotka
antavat metalliin verrattuna yli 20 %:n
kaiun kaistalla, joka on yli ± 15 %
kohtaavan energian keskitaajuudesta, ja
jotka eivät kestä 800 K (527 ºC) asteen
ylittäviä lämpötiloja;
Tekn. huom:
1C001.a kohdan 1.c.1 huomautuksessa
tarkoitettujen absorptiotestinäytteiden tulee
olla neliöitä, joiden sivun pituus on
vähintään 5 keskitaajuuden aallonpituutta,2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 53
▼M3
ja ne tulee asettaa säteilevän elementin
kaukokenttään.
2. Joidenvetolujuusonpienempikuin7×106N/
m2;ja
3. Puristuslujuus on pienempi kuin 14 × 106N/
m2;
d. Sintratusta ferriitistä valmistetut tasopintaiset
absorboivat materiaalit joiden:
1. Ominaispaino ylittää 4,4; ja
2. Maksimitoimintalämpötilaon548K(275ºC)
astetta.
Huom. 2: Mikään 1C001.a kohtaa koskevassa huomautuk-
sessa 1 ei vapauta maaliin sisällytettyjä
magneettisia materiaaleja, joiden tarkoitus on
tehdä se absorbtiokykyiseksi.
b. Materiaalit, jotka absorboivat yli 1,5 × 1014Hz:n, mutta alle
3,7 × 1014Hz:n taajuuksia, ja jotka eivät läpäise näkyvää valoa;
c. Itseisjohtavat polymeerimateriaalit, joiden ”kokonaissähkön-
johtokyky” ylittää 10000 S/m (siemensiä metriä kohti) tai
”pintaresistiivisyys” on alle 100 ohmia/m2, ja jotka perustuvat
johonkin seuraavista polymeereistä:
1. Polyaniliini;
2. Polypyroli;
3. Polytiofeeni;
4. Polyfenyleenivinyleeni; tai
5. Polytienyleenivinyleeni.
Tekn. huom:
”Kokonaissähkönjohtokyky” ja ”pintaresistiivisyys” tulee
määritellä ASTM D-257:n tai vastaavien kansallisten standar-
dien mukaisesti.
1C002 Seuraavat metalliseokset, metalliseosjauheet tai seostetut materi-
aalit:
HUOM: KATSO MYÖS 1C202 KOHTA.
Huom: 1C002 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi metalliseoksia,
metalliseosjauheita tai seostettuja materiaaleja, jotka
on tarkoitettu substraattien pinnoitukseen.
Tekn. huom:
1. Metalliseokset 1C002 kohdassa ovat niitä, joissa mainitun
metallin painoprosentti on suurempi kuin minkään muun
aineen.
2. Jännitysmurtumaikä mitataan ASTM-standardin E-139tai
vastaavien standardien mukaisesti.
3. Väsymisikä mitataan ASTM-standardin E-606 ”Recommended
Practice for Constant-Amplitude Low-Cycle Fatigue Testing”
mukaisesti tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti.
Testauksen tulee olla aksiaalinen, keskimääräisen jännityssuh-
teen 1 ja jännityksen keskityskertoimen (Kt) 1. Keskimääräinen
jännityssuhde määritellään maksimijännityksen ja minimijänni-
tyksen erotuksen sekä maksimijännityksen osamääränä.
a) Seuraavat aluminidit:
1. Nikkelialuminidit, jotka sisältävät vähintään 15 painopro-
senttia alumiinia, korkeintaan 38 painoprosenttia alumiinia
ja vähintään yhden lisäseosalkuaineen;
2. Titaanialuminidit, jotka sisältävät 10 painoprosenttia tai
enemmän alumiinia ja vähintään yhden lisäseosalkuaineen;
b) Seuraavat metalliseokset, jotka on valmistettu 1C002.c
kohdassa määritellyistä materiaaleista:
1. Nikkeliseokset, joiden:
a) Jännitysmurtumaikä on10000 tuntia tai enemmän 923 K
(650 ºC) asteen lämpötilassa rasituksen ollessa 676 MPa;
tai2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 54
▼M3
b) Low cycle -väsymisikä on 10000 jaksoa tai enemmän
823 K (550 ºC) asteen lämpötilassa maksimirasituksen
ollessa 1 095 MPa;
2. Niobiumseokset, joiden:
a) Jännitysmurtumaikä on 10000 tuntia tai enemmän
1 073 K (800 ºC) asteen lämpötilassa rasituksen ollessa
400 MPa; tai
b) Low cycle -väsymisikä on 10000 jaksoa tai enemmän
973 K (700 ºC) asteen lämpötilassa maksimirasituksen
ollessa 700 MPa;
3. Titaaniseokset, joiden:
a) Jännitysmurtumaikä on10000 tuntia tai enemmän 723 K
(450 ºC) asteen lämpötilassa rasituksen ollessa 200 MPa;
tai
b) Low cycle -väsymisikä on 10000 jaksoa tai enemmän
723 K (450 ºC) asteen lämpötilassa maksimirasituksen
ollessa 400 MPa;
4. Alumiiniseokset, joiden vetolujuus on:
a) 240 MPa tai enemmän lämpötilan ollessa 473 K (200 ºC)
astetta;tai
b) 415 MPa tai enemmän lämpötilan ollessa 298 K (25 ºC)
astetta;
5. Magnesiumseokset joiden:
a) vetolujuus on 345 MPa tai enemmän ja
b) syöpymisnopeus on vähemmän kuin 1 mm/vuosi
3 %:sessa natriumkloridin vesiliuoksessa mitattuna
ASTM-standardin G-31 tai vastaavan kansallisen stan-
dardin mukaisesti;
c) Materiaaleihin käytettävät metalliseosjauheet tai hiukkasmaiset
materiaalit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
1. Ne on tehty jostakin seuraavista seossysteemeistä:
Tekn. huom:
Seuraavissa kaavoissa X tarkoittaa yhtä tai useampaa
seosalkuainetta.
a. Nikkeliseokset (Ni-Al-X, Ni-X-Al), jotka ovat turbiini-
moottorien osiksi sopivia, eli joissa on vähemmän kuin 3
(valmistusprosessin aikana lisättyä) kooltaan yli 100 µm
olevaa epämetallipartikkelia 109seospartikkelia kohti;
b. Niobiumseokset (Nb-Al-X tai Nb-X-Al, Nb-Si-X tai Nb-
X-Si, Nb-Ti-X tai Nb-X-Ti);
c. Titaaniseokset (Ti-Al-X tai Ti-X-Al);
d. Alumiiniseokset (Al-Mg-X tai Al-X-Mg, Al-Zn-X tai Al-
X-Zn, Al-Fe-X tai Al-X-Fe); tai
e. Magnesiumseokset (Mg-Al-X tai Mg-X-Al); ja
2. Ne on valmistettu kontrolloiduissa olosuhteissa jollakin
seuraavista prosesseista:
a. "Tyhjöatomisointi",
b. "Kaasuatomisointi",
c. "Pyörivä atomisointi",
d. "Läimäyssammutus";
e. "Sulakehräys" ja "jauhatus";
f. "Sulaerotus" ja "jauhatus"; tai
g. "Mekaaninen seostus"; ja
3. Ne voivat muodostaa 1C002.a tai 1C002.b kohdassa
määriteltyjä materiaaleja.
d) Seostetut materiaalit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
1. Ne on tehty 1C002.c.1 kohdassa määritellyistä seossystee-
meistä;
2. Ne ovat hienontamattomina hiutaleina, nuhoina tai ohuina
tankoina; ja2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 55
▼M3
3. Ne on tuotettu kontrolloidussa ympäristössä jollakin seur-
aavista menetelmistä:
a. "läimäyssammutusmenetelmä",
b. "sulakehräysmenetelmä", tai
c. "sulaerotusmenetelmä".
1C003 Kaikentyyppiset ja -muotoiset magneettiset metallit, joilla on jokin
seuraavista ominaisuuksista:
a. Suhteellinen alkupermeabiliteetti 120000 tai enemmän ja
paksuus 0,05 mm tai vähemmän;
Tekn. huom:
Alkupermeabiliteetin mittaus on suoritettava täysin hehkute-
tuilla materiaaleilla.
b. Magnetostriktiiviset metalliseokset, joiden:
1. Magnetostriktiivinen saturaatio on enemmän kuin 5 × 10−4;
tai
2. Magnetomekaaninen kytkentäkerroin (k) on enemmän kuin
0,8;tai
c. Amorfiset tai ”nanokiteiset” metalliseosnauhat, joilla on kaikki
seuraavat ominaisuudet:
1. Koostumuksesta vähintään 75 painoprosenttia on rautaa,
kobolttia tai nikkeliä;
2. Magneettisen induktion saturaatio (Bs) on 1,6 T tai
enemmän; ja
3. Jokin seuraavista:
a. Nauhapaksuus on 0,02 mm tai vähemmän; tai
b. Ominaisresistanssi on 2 × 10−4ohmi cm tai enemmän.
Tekn. huom:
1C003.C kohdassa ”nanokiteiset” materiaalit ovat sellaisia
materiaaleja, joiden röntgendiffraktiolla määritelty kiderae-
koko on 50 nm tai vähemmän.
1C004 Uraani-titaaniseokset tai volframiseokset, joilla on rauta-, nikkeli-
tai kuparipohjainen "matriisi" ja joiden:
a. Tiheys ylittää 17,5 g/cm3;
b. Elastisuusraja ylittää 880 MPa;
c. Murtolujuus ylittää 1 270 MPa; ja
d. Venymä ylittää 8 %.
1C005 Seuraavat yli 100 m pitkät tai yli 100 g:n painoiset "suprajohtavat"
"komposiitti" johtimet:
a. Monikuituiset "suprajohtavat" "komposiitti"johtimet, jotka
sisältävät yhden tai useamman niobium-titaanikuidun:
1. Joka on istutettu muuhun "matriisiin" kuin kupari- tai
kuparipohjaiseen "matriisiin"; tai
2. Jonka poikkileikkauksen pinta-ala on vähemmän kuin
0,28 × 10−4mm2(pyöreiden kuitujen halkaisija on
vähemmän kuin 6 µm);
b. Yhdestä tai useammasta, muusta kuin niobium-titaanista
valmistetusta "suprajohtavasta" kuidusta koostuvat "suprajoh-
tavat" "komposiitti"johtimet:
1. Joiden "kriittinen lämpötila" magneettisen induktion nolla-
pisteessä ylittää 9,85 K (− 263,31 ºC) astetta, mutta on
vähemmän kuin 24 K (− 249,16 ºC) astetta;
2. Joiden poikkileikkauksen pinta-ala on vähemmän kuin
0,28 × 10−4mm2;ja
3. Jotka pysyvät "suprajohtavassa" tilassa 4,2 K (− 268,96 ºC)
asteessa, kun ne asetetaan magneettikenttään, jonka
magneettinen induktio on 12 T.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 56
▼M3
1C006 Seuraavat nesteet ja voiteluaineet:
a. Hydraulinesteet, jotka sisältävät perusainesosanaan jotain
seuraavista yhdisteistä tai aineista:
1. Synteettiset pii-hiili-vety-öljyt, joiden:
Tekn. huom:
1C006.a.1 kohdassa pii-hiili-vety-öljyt sisältävät pelkästään
piitä, vetyä ja hiiltä.
a. Leimahduspiste ylittää 477 K (204 ºC) astetta;
b. Jähmepiste on 239 K (− 34 ºC) astetta tai alempi;
c. Viskositeetti-indeksi on 75 tai enemmän; ja
d. Terminen stabiliteetti on 616 K (343 ºC) astetta; tai
2. Kloori-fluori-hiili-yhdisteet:
Tekn. huom:
1C006.a.2 kohdassa kloori-fluori-hiili-yhdisteet sisältävät
pelkästään klooria, fluoria ja hiiltä.
a. Joilla ei ole leimahduspistettä;
b. Joiden itsesyttymislämpötila on yli 977 K (704 ºC)
astetta;
c. Joiden jähmepiste on 219 K (− 54 ºC) astetta tai alempi;
d. Joiden viskositeetti-indeksi on 80 tai enemmän; ja
e. Joiden kiehumispiste on 473 K (200 ºC) astetta tai
korkeampi;
b. Voiteluaineet, jotka sisältävät perusainesosanaan jotain seur-
aavista yhdisteistä tai aineista:
1. Fenyleeni- tai alkyylifenyleenieetterit tai -tioeetterit tai
niiden seokset, jotka sisältävät enemmän kuin kaksi eetteri-tai tioeetterifunktiota tai niiden seosta;
tai
2. Fluoratut silikoninesteet, joiden kinemaattinen viskositeetti
on vähemmän kuin 5000 mm2/s (5 000 senttistokea) 298 K
(25 ºC) asteen lämpötilassa mitattuna;
c. Höyrystys- tai vaahdotusnesteet, joiden puhtaus ylittää 99,8 %,
jotka sisältävät 100 millilitrassa vähemmän kuin 25 kooltaan
200 µm tai suurempaa partikkelia, ja jotka on valmistettu
vähintään 85-prosenttisesti jostakin seuraavista yhdisteistä tai
aineista:
1. Dibromitetrafluorietaani;
2. Polyklooritrifluorietyleeni (vain öljyiset tai vahamaiset
muunnokset); tai
3. Polybromitrifluorietyleeni;
d. Elektroniikan fluori-hiili-jäähdytysnesteet, joilla on kaikki
seuraavat ominaisuudet:
1. Sisältävät 85 painoprosenttia tai enemmän jotakin seuraa-
vista tai niiden seoksista:
a. Monomeerimuotoisia perfluoripolyalkylieetteri-triatsii-
neja tai perfluorialifaatti-eettereitä;
b. Perfluorialkyyliamineita;
c. Perfluorisykloalkaaneja; tai
d. Perfluorialkaaneja;
2. Tiheys 298 K (25 ºC) asteessa on 1,5 g/ml tai enemmän;3. Nestemäisessä tilassa 273 K (0 ºC) asteessa;
ja
4. Sisältävät 60 painoprosenttia tai enemmän fluoria.
Tekn. huom:
1C006 kohdassa:
a. Leimahduspiste määritetään ASTM D-92:n kuvaamalla Cleve-
land Open cup- tai vastaavilla kansallisilla menetelmillä.
b. Jähmepiste määritetään ASTM D-97:n kuvaamalla tai vastaa-
villa kansallisilla menetelmillä.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 57
▼M3
c. Viskositeetti-indeksi määritetään ASTM D-2270:n kuvaamalla
tai vastaavilla kansallisilla menetelmillä.
d. Terminen stabiliteetti määritetään seuraavalla koemenettelyllä
tai vastaavilla kansallisilla menetelmillä:
20 ml testattavaa nestettä asetetaan 46 ml:n vetoiseen
ruostumattomasta teräksestä (tyyppiä 317) valmistettuunkammioon, joka sisältää yhden työkaluteräksisen (M-10), yhden
teräksisen(52100)jayhdenlaivapronssisen(60%Cu,39%Zn,
0,75 % Sn) nimellisläpimitaltaan 12,5 m:n kuulan.
Kammio tyhjennetään typen avulla ja suljetaan (yhden)
ilmakehän paineeseen, ja lämpötila nostetaan 644 ± 6 K
(371 ± 6 ºC) asteeseen kuudeksi tunniksi.
Näytettä pidetään termisesti stabiilina, jos kaikki seuraavat
ehdot täyttyvät:
1. Kunkin kuulan paino vähenee vähemmän kuin 10 mg kuulan
pinnan yhtä mm
2kohti;
2. Alkuperäisen, 311 K (38 ºC) asteessa määritetyn viskosi-
teetin muutos on vähemmän kuin 25 %; ja
3. Kokonaishappo- tai -emäsluku on vähemmän kuin 0,40.
e. Itsesyttymislämpötila määritetään ASTM E-659:n kuvaamalla
tai vastaavilla kansallisilla menetelmillä.
1C007 Seuraavat keraamiset perusmateriaalit, keraamiset ei-"komposiit-
ti"materiaalit, keraamiset "matriisi""komposiitti"materiaalit ja
väliaineet:
HUOM: KATSO MYÖS 1C107 KOHTA.
a. Yksinkertaisten tai kompleksisten titaaniboridien perusmater-
iaalit, joiden metallisten epäpuhtauksien kokonaismäärä,
tarkoituksellisia lisäaineita lukuun ottamatta, on vähemmän
kuin 5 000 ppm, keskimääräinen partikkelikoko on 5 mikro-
metriä tai vähemmän, ja korkeintaan 10 % hiukkasista on
kooltaan suurempia kuin 10 mikrometriä;
b. Titaaniborideista koostuvat keraamiset ei-"komposiitti"mater-
iaalit raaka-aineena tai puolivalmisteina, joiden tiheys on 98 %
tai enemmän teoreettisesta tiheydestä;
Huom: 1C007.b kohta ei aseta valvonnanalaiseksi hioma-
aineita.
c. Keraami-keraami-"komposiitit", joilla on lasi- tai oksidi"ma-
triisi" ja jotka on lujitettu kuiduilla, joilla on kaikki seuraavista:
1. Ne on tehty jostakin seuraavista materiaaleista:
a. Si-N;
b. Si-C;
c. Si-Al-O-N; tai
d. Si-O-N; ja
2. Niiden ominaismurtovetolujuus ylittää 12,7 × 103m;
d. Keraami-keraami -"komposiitti"materiaalit, joilla on tai ei ole
jatkuvaa metallifaasia, ja jotka sisältävät hienojakoisena minkä
tahansa kuitumaisen tai whiskers-tyyppisen materiaalin hiuk-
kasia tai faaseja, ja joissa "matriisin" muodostavat piin,
zirkoniumin tai boorin karbidit tai nitridit;
e. Seuraavat väliaineet (erikoispolymeeri- tai metalliorgaaniset
materiaalit), jotka on tarkoitettu 1C007.c kohdassa määritel-
tyjen materiaalien jonkin faasin tai faasien valmistamiseen:
1. Polydiorganosilaanit (piikarbidin valmistukseen);
2. Polysilatsaanit (piinitridin valmistukseen);
3. Polykarbosilatsaanit (pii-, hiili- ja typpikomponentteja
sisältävien keraamisten aineiden valmistukseen).
f. Keraami-keraami "komposiitti"materiaalit, joilla on oksidi- tai
lasi"matriisi", joka on lujitettu jonkin seuraavien järjestelmien
jatkuvilla kuiduilla:
1. Al2O3;tai
2. Si-C-N.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 58
▼M3
Huom: 1C007.f kohta ei aseta valvonnanalaiseksi "kompo-
siitteja", jotka sisältävät näiden järjestelmien
kuituja, joiden vetolujuus on vähemmän kuin
700 Mpa 1 273 K (1 000 ºC) asteen lämpötilassa
tai virumisvastus on enemmän kuin 1 %:n virumis-
venymä 100 Mpa:n kuormalla ja 1 273 K (1 000 ºC)
asteessa 100 tunnin aikana.
1C008 Seuraavat fluoraamattomat polymeeriset aineet:
a. 1. Bismaleimidit;
2. Aromaattiset polyamidi-imidit;
3. Aromaattiset polyimidit;4. Aromaattiset polyeetteri-imidit, joiden lasiutumislämpötila
(T
g) ylittää 513 K (240 ºC) astetta käyttäen standardissa
ASTM D 3418 kuvattua kuivamenetelmää;
Huom: 1C008.a kohta ei aseta valvonnanalaiseksi sulamat-
tomia muottipuristusjauheita tai puristeita.
b. Termoplastiset nestekidesekapolymeerit, joilla pehmene-
mislämpötila ylittää 523 K (250 ºC) astetta mitattuna ASTM
D-648:n menetelmä A:n mukaisesti tai vastaavalla kansallisella
menetelmällä 1,82 N/mm2kuormituksen alaisena, ja jotka
koostuvat:
1. Jostakin seuraavista aineista:
a. Fenyleeni, bifenyleeni tai naftaleeni; tai
b. Metyyli-, tertiääri-butyyli- tai fenyylisubstituoitu feny-
leeni, bifenyleeni tai naftaleeni; ja
2. Jostakin seuraavista hapoista:
a. Tereftaalihappo;
b. 6-hydroksi-2-naftoehappo; tai
c. 4-hydroksibentsoehappo;
c. Seuraavat polyaryleeni-eetteri-ketonit:
1. Polyeetteri-eetteri-ketoni (PEEK);
2. Polyeetteri-ketoni-ketoni (PEKK);3. Polyeetteri-ketoni (PEK);
4. Polyeetteri-ketoni-eetteri-ketoni-ketoni (PEKEKK);
d. Polyaryleeniketonit;
e. Polyaryleenisulfidit, joissa aryleeniryhmä on bifenyleeni,
trifenyleeni tai jokin niiden yhdistelmistä;
f. Polybifenyleenieetterisulfoni.
Tekn. huom:
Lasittumislämpötila (Tg) 1C008 kohdan materiaaleille määritetään
ASTM D 3418:ssa kuvatulla tavalla kuivamenetelmää käyttäen.
1C009 Seuraavat käsittelemättömät fluoratut yhdisteet:
a. Vinyylideenifluoridin sekapolymeerit, joilla ilman venytystä on
75 % tai enemmän betakiderakennetta;
b. Fluoratut polyimidit, jotka sisältävät 10 painoprosenttia tai
enemmän sitoutunutta fluoria;
c. Fluoratut fosfatseeni-elastomeerit, jotka sisältävät 30 painopro-
senttia tai enemmän sitoutunutta fluoria.
1C010 Seuraavat "kuitu- tai säiemateriaalit", joita voidaan käyttää
"komposiitti"rakenteissa tai -laminaateissa, joilla on orgaaninen
"matriisi", metalli"matriisi" tai hiili"matriisi":
HUOM: KATSO MYÖS 1C210 KOHTA.
a. Orgaaniset "kuitu- tai säiemateriaalit", joilla on kaikki seur-
aavat ominaisuudet:
1. "Ominaiskimmokerroin" ylittää 12,7 × 106m;ja
2. "Ominaismurtovetolujuus" ylittää 23,5 × 104m;
Huom: 1C010.a kohta ei aseta valvonnanalaiseksi polyety-
leeniä.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 59
▼M3
b. Hiilipohjaiset "kuitu- tai säiemateriaalit", joilla on kaikki
seuraavat ominaisuudet:
1. "Ominaiskimmokerroin" ylittää 12,7 × 106m;ja
2. "Ominaismurtovetolujuus" ylittää 23,5 × 104m;
Huom: 1C010.b kohta ei aseta valvonnanalaiseksi lentoko-
neiden rakenteiden tai laminointien korjaukseen
tarkoitettuja kuitu- tai säiemateriaaleista valmis-
tettua kudosta, jonka yksittäisten arkkien koko ei
ylitä 50 cm × 90 cm.
Tekn. huom:
1C010.b kohdassa mainittujen materiaalien ominaisuudet tulee
määrittää SACMA:n (Suppliers of Advanced Composite Mate-
rials Association) suosittelemia menetelmiä SRM 12—17 tai
vastaavia kansallisia vetokokeita käyttäen, kuten japanilaista
JIS-R-7601 (Japanese Industrial Standard) 6.6.2 kohta, ja
perustua erän keskiarvoon.
c. Epäorgaaniset "kuitu- tai säiemateriaalit", joiden:
1. "Ominaiskimmokerroin" ylittää 2,54 × 106m;ja
2. Sulamis-, hajoamis- tai härmistymispiste on yli 1 922 K
(1 649 ºC) astetta neutraalissa ympäristössä;
Huom: 1C010.c kohta ei aseta valvonnanalaiseksi:
1. Epäjatkuvia, monifaasisia, monikiteisiä alumii-
nioksidikuituja katkeena tai mattona, jotka
sisältävät 3 painoprosenttia tai enemmän piitä
ja joiden ominaiskimmomoduuli on vähemmän
kuin 10 × 106m;
2. Molybdeeni- ja molybdeeniseoskuituja;
3. Boorikuituja;4. Epäjatkuvia keraamisia kuituja, joiden sulamis-,
hajoamis- tai härmistymispiste on alempi kuin2043 K (1 770 ºC) astetta neutraalissa
ympäristössä.
d. "Kuitu- tai säiemateriaalit":
1. Jotka koostuvat joistakin seuraavista:
a. 1C008.a kohdassa määritellyistä polyeetteri-imideistä;
tai
b. 1C008.b—1C008.f kohdassa määritellyistä materiaa-
leista; tai
2. Jotka koostuvat joistakin 1C010.d.1.a tai b kohdassa
määritellyistä materiaaleista ja joihin on "sekoitettu" muita,
1C010.a, 1C010.b tai 1C010.c kohdassa määriteltyjä kuituja;
e. Seuraavat muovi- tai hartsikyllästetyt kuidut (prepregit),
metalli- tai hiilipinnoitteiset kuidut (preformit) tai hiilikuitu-
preformit:
1. Jotka on valmistettu 1C010.a, 1C010.b tai 1C010.c kohdassa
määritellyistä "kuitu- tai säiemateriaaleista";
2. Jotka on valmistettu orgaanisista tai hiilipohjaisista "kuitu-
tai säiemateriaaleista":
a. Joiden "ominaismurtovetolujuus" ylittää 17,7 × 104m;
b. Joiden "ominaiskimmokerroin" ylittää 10,15 × 106m;
c. Joita ei ole määritelty 1C010.a tai 1C010.b kohdassa; ja
d. Jotka on kyllästetty 1C008 tai 1C009.b kohdassa
määritellyillä materiaaleilla, joiden lasittumislämpötila
(Tg) ylittää 383 K (110 ºC) astetta, tai fenoli- tai
epoksihartseilla, joiden lasittumislämpötila (Tg)o n
418 K (145 ºC) tai enemmän.
Huom: 1C010.e kohta ei aseta valvonnanalaiseksi:
1. Epoksihartsi"matriisilla" kyllästettyjä hiili"kuitu-
tai -säiemateriaaleja" (prepregejä), jotka on
tarkoitettu lentokoneiden rakenteiden tai lami-
naattien korjaamiseen, jossa yksittäisten
prepegiarkkien koko ei ylitä 50 cm × 90 cm.
2. Prepregejä, jotka on kyllästetty fenoli- tai epok-
sihartseilla ja joiden lasittumislämpötila (Tg) on2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 60
▼M3
vähemmän kuin 433 K (160 ºC) ja kovettu-
mislämpötila alempi kuin lasittumislämpötila.
Tekn. huom:
Lasittumislämpötila (Tg) 1C010.e kohdan materiaaleille
määritetään ASTM D 3418:ssa kuvatulla tavalla kuivamene-
telmää käyttäen. Lasittumislämpötila fenoli- ja epoksihartseille
määritetään ASTM D 4065:ssä kuvatulla tavalla 1 Hz:n
taajuudella ja kuumentamisnopeudella 2 K (oC) minuutissa
kuivamenetelmää käyttäen.
1C011 Seuraavat metallit ja yhdisteet:
HUOM: KATSO MYÖS ASETARVIKELUETTELO JA
1C111 KOHTA.
a. Metallit, joiden hiukkaskoko on vähemmän kuin 60 µm
riippumatta siitä ovatko ne pallomaisia, hivennettyjä, pallo-
maisia, hiutaloituja tai jauhettuja, jotka on valmistettu
materiaalista, joka sisältää 99 % tai enemmän zirkoniumia,
magnesiumia ja näiden seoksia;
Tekn. huom:
Hafniumin luontainen pitoisuus zirkoniumissa (tyypillisesti
2—7 prosenttia) lasketaan zirkoniumin kanssa.
Huom: 1C011.a kohdassa luetellut metallit tai seokset ovat
valvonnanalaisia riippumatta siitä onko metallit tai
seokset kapseloitu alumiiniin, magnesiumiin, zirko-
niumiin tai berylliumiin.
b. Boori tai boorikarbidi, jonka puhtaus on 85 % tai suurempi ja
hiukkaskoko 60 mikrometriä tai vähemmän;
Huom: 1C011.b kohdassa listatut metallit tai seokset ovat
valvonnanalaisia riippumatta siitä onko metallit tai
seokset kapseloitu alumiiniin, magnesiumiin, zirko-
niumiin tai berylliumiin.
c. Guanidiininitraatti.
d. Nitroquanidiini (NQ) (CAS 556-88-7).
1C012 Seuraavat materiaalit:
Tekn. huom:
Näitä materiaaleja käytetään tyypillisesti ydinlämpölähteissä.
a. Plutonium missä tahansa muodossa, jonka plutonium-238
isotooppipitoisuus on enemmän kuin 50 % painosta;
Huom: 1C012.a kohta ei aseta valvonnanalaiseksi:
a. Toimituksia, joissa plutoniumsisältö on 1 g tai
vähemmän;
b. Toimituksia, joissa on 3 "tehollista grammaa" tai
vähemmän instrumentin anturoivassa osassa.
b. "Aiemmin erotettu" neptunium-237 missä tahansa muodossa.
Huom: 1C012.b kohta ei aseta valvonnanalaiseksi toimi-
tuksia, joissa neptunium-237 sisältö on 1 g tai
vähemmän.
1C101 Muut, kuin 1C001 kohdassa määritellyt, "ohjuksissa" ja niiden
alajärjestelmissä käyttökelpoiset materiaalit ja laitteet, jotka
pienentävät havaittavuutta, kuten tutkaheijastavuutta, ultravio-
letti-, infrapuna- tai akustista havaittavuutta.
Huom. 1: 1C101 kohta sisältää:
a. Rakennemateriaalit ja pinnoitteet, jotka on erityi-
sesti kehitetty pienentämään tutkaheijastuvuutta;
b. Pinnoitteet, mukaan lukien maalit, jotka on
erityisesti kehitetty vähentämään tai muuntamaan
säteilyn heijastuvuutta tai emissiivisyyttä spektrin
mikroaalto-, infrapuna- tai ultraviolettialueella;
Huom. 2: 1C101 kohta ei sisällä pinnoitteita, kun niitä
käytetään satelliittien lämmön kontrollointiin.
1C102 9A004kohdassamääriteltyihin avaruuteen laukaisussa käytettäviin
kantoraketteihin tai 9A104 kohdassa määriteltyihin luotainraket-
teihin tarkoitetut toistokyllästetyt pyrolisoidut hiili-hiilimateriaalit.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 61
▼M3
1C107 Seuraavat, muut kuin 1C007 kohdassa määritellyt grafiitti- ja
keraamiset materiaalit:
a. Hienorakeiset toistokiteytetyt massagrafiitit, joiden kappaleti-
heys on 1,72 g/cm3tai suurempi, 288 K (15 ºC) asteen
lämpötilassa mitattuna, ja joiden hiukkaskoko on 100 mikro-
metriä tai vähemmän ja, joita voidaan käyttää "ohjusten"
suuttimissa ja ilmakehään palaamaan suunniteltujen alusten
kärkikartioissa;
Huom: Katso myös 0C004 kohta
b. Pyrolyyttiset tai kuituvahvisteiset grafiitit, joita voidaan käyttää
"ohjusten" suuttimissa ja ilmakehään palamaan suunniteltujen
alusten kärkikartioissa.
Huom: Katso myös 0C004 kohta.
c. Keraamiset komposiittimateriaalit (dielektrisyysvakio pienempi
kuin 6 taajuusalueilla 100 Hz—10 000 MHz), joita käytetään
"ohjusten" tutka-antennien suojakuvuissa;
d. Kokonaisina työstettävät piikarbidivahvisteiset polttamattomat
keraamit, joita käytetään "ohjusten" kärkikartioissa.
1C111 Seuraavat, muut kuin 1C011 kohdassa määritellyt ajoaineet tai
ajoaineiden raaka-aineina käytettävät kemikaalit:
a. Ajoaineet:
1. Muu kuin asetarvikeluettelossa mainittu alumiinipallojauhe,
jonka tasakokoiset hiukkaset ovat läpimitaltaan alle 200 µm
ja alumiinipitoisuus 97 painoprosenttia tai korkeampi, jos
vähintään 10 prosenttia kokonaispainosta muodostuu hiuk-
kasista, joiden läpimitta on alle 63 µm, ISO -standardin
2591:1988 tai vastaavien kansallisten standardien mukai-
sesti;
Tekn. huom:
Hiukkaskoko 63 µm (ISO R-565) vastaa raekokoa 250
(Tyler) tai 230 (ASTM-Standardi E-11).
2. Muut kuin asetarvikeluettelossa mainitut metalliset ajoai-
neet, joiden pallomaisten, hivennettyjen, sferoidisten,
hiutaloitujen tai jauhettujen hiukkasten koko on alle 60 µm
ja jotka sisältävät 97 painoprosenttia tai enemmän seuraa-
vista:
a. Zirkonium,
b. Beryllium,
c. Magnesium; tai
d. Edellä kohdissa a—c määriteltyjen metallien seokset;
Tekn. huom:
Hafniumin luontainen pitoisuus zirkoniumissa (tyypillisesti
2—7 prosenttia) lasketaan zirkoniumin kanssa.
3. Seuraavat nestemäiset hapettimet:
a. Dityppitrioksidi
b. Typpidioksidi/dityppitetroksidi
c. Dityppipentoksidi
b. Polymeeriset aineet:
1. Karboksyylipäätteinen polybutadieeni (CTPB);
2. Hydroksyylipäätteinen polybutadieeni (HTPB), muu kuin
asetarvikeluettelossa määritelty;
3. Polybutadieeniakryylihappo (PBAA);4. Polybutadieeniakryylihappoakrylonitriili (PBAN);
c. Muut ajoaineiden lisä- ja apuaineet:
1.KATSO ASETARVIKELUETTELOSTA butaseeni;
2. Trietyleeniglykolidinitraatti (TEGDN);
3. 2-nitrodifenyyliamiini;4. Trimetylolietaanitrinitraatti (TMETN);5. Dietyleeniglykolidinitraatti (DEGDN);2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 62
▼M3
6. Muut kuin asetarvikeluettelossa määritellyt ferroseenijoh-
dannaiset.
Huom: Muut ajoaineet ja kemialliset ainesosat, joita 1C111
kohdassa ei ole määritelty: katso asetarvikeluettelo.
1C116 Maraging-teräkset (teräkset, joille on tunnusomaista korkea
nikkelipitoisuus, hyvin alhainen hiilipitoisuus sekä seostusaineiden
tai erkaumien käyttövanhenemis-karkenemisen aikaansaamiseksi),
levyinä tai putkina, joiden (seinämän) paksuus on 5 mm tai
vähemmän ja joiden murtovetolujuus on 1 500 MPa tai suurempi
293 K (20 ºC) asteen lämpötilassa mitattuna.
HUOM: KATSO MYÖS 1C216 KOHTA.
1C117 Wolframi, molybdeeni ja näiden metallien seokset tasakokoisina
pallomaisina tai atomisoituina hiukkasina, joiden läpimitta on 500
mikrometriä tai pienempi ja pitoisuus 97 % tai suurempi, joita
käytetään "ohjusten" moottoreiden komponenttien, esim.
lämpösuojusten, suuttimien pohjarakenteiden, suuttimien kurk-
kujen ja työntövektorin ohjauspintojen valmistukseen.
1C118 Titaanistabiloitu ruostumaton dupleksiteräs (Ti-DSS), jolla on:
a. Kaikki seuraavat ominaisuudet:
1. Sisältää 17,0—23,0 painoprosenttia kromia ja 4,5—7,0
painoprosenttia nikkeliä;
2. Titaanipitoisuus suurempi kuin 0,10 painoprosenttia; ja
3. Ferriittis-austeniittinen mikrorakenne (toiselta nimeltään
kaksiosainen mikrorakenne), josta vähintään 10 tilavuuspro-
senttia on austeniittia (ASTM-standardin E-1181-87 tai
vastaavien kansallisten standardien mukaan); ja
b. Jokin seuraavista muodoista:
1. Harkko tai tanko, jonka mitat ovat joka suunnassa 100 mm
tai enemmän;
2. Levy, jonka leveys on 600 mm tai enemmän ja paksuus
3 mm vai vähemmän; tai
3. Putki, jonka ulompi halkaisija on 600 mm tai enemmän ja
seinämän paksuus 3 mm tai vähemmän.
1C202 Seuraavat metalliseokset, joita ei ole määritelty 1C002.a.2.c tai d
kohdassa:
a. Alumiiniseokset, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuk-
sista:
1. murtovetolujuus voi olla 460 MPa tai enemmän 293 K
(20 ºC) asteen lämpötilassa; ja
2. ne ovat putkina tai täysmetallisina tankoina (myös takeina),
joiden ulkohalkaisija on yli 75 mm;
b. Titaaniseokset, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuk-
sista:
1. murtolujuus voi olla 900 MPa tai enemmän 293 K (20 ºC)
asteen lämpötilassa; ja
2. ne ovat putkina tai kiinteinä tankoina (myös takeina), joiden
ulkohalkaisija on suurempi kuin 75 mm.
Tekn. huom:
Lujuusmääritelmä kattaa seokset sekä lämpökäsittelemättöminä
että käsiteltyinä.
1C210 Seuraavat, muut kuin 1C010.a, b tai e kohdassa määritellyt "kuitu-
tai säiemateriaalit" tai prepregit:
a. Hiili- tai aramidi"kuitu- ja -säiemateriaalit", joilla on jompi
kumpi seuraavista ominaisuuksista:
1. "ominaiskimmokerroin" on 12,7 × 106m tai suurempi; tai
2. "ominaismurtovetolujuus" on 235 × 103m tai suurempi;
Huom: 1C210.a kohta ei aseta valvonnanalaiseksi arami-
di"kuitu- ja -säiemateriaaleja", joissa on 0,25
prosenttia tai enemmän esteripohjaista säiepinnan
muuntoainetta;2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 63
▼M3
b. Lasikuitupitoiset 'kuitu- ja -säiemateriaalit', joilla on molemmat
seuraavista ominaisuuksista:
1. "ominaiskimmokerroin" on 3,18 × 106m tai suurempi; ja
2. "ominaismurtovetolujuus" on 76,2 × 103m tai suurempi;
c. 1C210.a tai b kohdassa määritellyistä hiili- tai lasi"kuitu- tai
säiemateriaaleista" valmistetut enintään 15 mm:n levyiset
(prepregit) Thermoset-hartsikyllästetyt yhtäjaksoiset "langat",
"esilangat", "rohtimet" tai "teipit".
Tekn. huom:
Hartsi muodostaa komposiitin matriisin.
Huom: 1C210 kohdassa "kuitu- tai säiemateriaaleilla" tarkoi-
tetaan vain yhtäjaksoisia monofilamentteja, "lankoja",
"esilankoja", "rohtimia" tai "teippejä".
1C216 Muu kuin 1C116 kohdassa määritelty maraging-teräs, jonka
murtovetolujuus voi 293 K (20 ºC) asteen lämpötilassa ylittää
arvon 2050 Mpa.
Huom: 1C216 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi kappaleita,
joiden mikään lineaarinen ulottuvuus ei ole suurempi
kuin 75 mm.
Tekn. huom:
Lujuusmääritelmä kattaa maraging-teräkset sekä lämpökäsitte-
lemättöminä että lämpökäsiteltyinä.
1C225 Boori, joka on rikastettu boori-10-isotoopilla (10B) suurempaan
kuin luonnolliseen isotooppipitoisuuteen, seuraavasti: alkuaine-
boori, yhdisteet, booria sisältävät seokset, niistä valmistetut
tuotteet, kaikesta edellä mainitusta syntyvä jäte tai romu.
Huom: 1C225 kohdassa booria sisältäviin seoksiin kuuluvat
booripitoiset materiaalit.
Tekn. huom:
Boori-10:n luonnollinen isotooppipitoisuus on noin 18,5 paino-
prosenttia (20 atomiprosenttia).
1C226 Volframi, volframikarbidi ja seokset, joissa on enemmän kuin 90
painoprosenttia volframia, ja joilla on molemmat seuraavista
ominaisuuksista:
a. ne ovat sylinterin muotoisia kappaleita, joiden sisäläpimitta on
100—300 mm (sylinterisegmentit mukaan lukien); ja
b. niiden massa on suurempi kuin 20 kg.
Huom: 1C226 ei aseta valvonnanalaiseksi tuotteita, jotka on
erityisesti suunniteltu käytettäväksi painoina tai
gammasädekollimaattoreina.
1C227 Kalsium, jolla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:
a. painosta on vähemmän kuin 1 000 miljoonasosaa muita
metalliepäpuhtauksia kuin magnesiumia; ja
b. vähemmän kuin 10 miljoonasosaa painosta booria.
1C228 Magnesium, jolla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:
a. painosta on vähemmän kuin 200 miljoonasosaa muita metal-
liepäpuhtauksia kuin kalsiumia; ja
b. vähemmän kuin 10 miljoonasosaa painosta booria.
1C229 Vismutti, jolla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:
a. puhtaus on 99,99 painoprosenttia tai enemmän; ja
b. hopeapitoisuus on pienempi kuin 10 miljoonasosaa.
1C230 Berylliummetalli, yli 50 painoprosenttia berylliumia sisältävät
seokset, berylliumyhdisteet, niistä tehdyt valmisteet sekä kaikista
edellä mainituista syntyvä jäte tai romu.
Huom: 1C230 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi seuraavia:
a. Röntgenlaitteiden metalli-ikkunat tai porarei'isssä
käytettävät sondit;2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 64
▼M3
b. Valmiit tai puolivalmiit oksidiprofiilit, jotka on
erityisesti suunniteltu elektronikkakomponenttiosiksi
tai elektroniikkapiirien substraateiksi;
c. Berylli (beryllium-alumiinisilikaatti) smaragdeinatai
akvamariineina.
1C231 Hafniummetalli, enemmän kuin 60 painoprosenttia hafniumia
sisältävät seokset, enemmän kuin 60 painoprosenttia hafniumia
sisältävät hafniumyhdisteet, näistä tehdyt valmisteet sekä kaikesta
edellä mainitusta syntyvä jäte tai romu.
1C232 Helium-3 (3He), helium-3:a sisältävät seokset ja mitä tahansa
edellä mainittua ainetta sisältävät tuotteet tai laitteet.
Huom: 1C232 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi tuotetta tai
laitetta, joissa on vähemmän kuin 1 g helium-3-
isotooppia.
1C233 Litium, joka on rikastettu 6-isotoopilla (6Li) suurempaan kuin
luonnolliseen isotooppipitoisuuteen sekä rikastettua litiumia
sisältävät tuotteet tai laitteet, seuraavasti: seokset (lejeeringit),
yhdisteet, litiumia sisältävät seokset, näistä tehdyt valmisteet, sekä
kaikesta edellä mainitusta syntyvä jäte tai romu.
Huom: 1C233 ei aseta valvonnanalaiseksi termoluminesens-
siannosmittareita.
Tekn. huom:
Litiumin 6-isotoopin pitoisuus luonnossa on noin 6,5 painopro-
senttia (7,5 atomiprosenttia).
1C234 Zirkonium, jonka hafnium-pitoisuus on vähemmän kuin 1 paino-
osa hafniumia per 500 osaa zirkoniumia seuraavasti: metallina,
enemmän kuin 50 painoprosenttia zirkoniumia sisältävinä seoksina
tai yhdisteinä, näistä tehtyinä valmisteina sekä kaikkena edellä
mainitusta syntyvänä jätteenä tai romuna.
Huom: 1C234 ei aseta valvonnanalaiseksi zirkoniumia, joka on
enintään 0,10 mm paksuisena folioina.
1C235 Tritium, tritiumyhdisteet ja tritiumia sisältävät seokset, joissa
tritiumatomien lukumääräsuhde vetyatomeihin ylittää 1:1 000 sekä
mitä tahansa edellä mainittua ainetta sisältävät tuotteet ja laitteet.
Huom: 1C235 ei aseta valvonnanalaiseksi tuotteita ja laitteita,
joissa on vähemmän kuin 1,48 × 103GBq (40 Ci)
tritiumia.
1C236 Alfa-hiukkasia emittoivat radionuklidit, joiden alfa-hiukkasten
puoliintumisaika on 10 päivää tai pitempi mutta lyhyempi kuin
200 vuotta, seuraavissa muodoissa:
a. Alkuaine,
b. Yhdisteet, joiden kokonais-alfa-aktiivisuus on 37 GBq/kg(1 Ci/
kg) tai suurempi,
c. Seokset, joiden kokonais-alfa-aktiivisuus on 37 GBq/kg (1 Ci/
kg) tai suurempi,
d. Mitä tahansa edellä mainittua ainetta sisältävät tuotteet tai
laitteet.
Huom: 1C236 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi tuotteita tai
laitteita, jotka sisältävät alle 3,7 GBq (100 millicurietä)
alfahiukkasaktiivisuutta.
1C237 Radium-226 (226Ra), radium-226-lejeeringit, radium-226-yhdisteet,
radium-226:a sisältävät seokset, mistä ja mitä tahansa edellä
mainittua ainetta sisältävät tuotteet tai laitteet.
Huom: 1C237 kohta ei aseteta valvonnanalaiseksi seuraavia:
a. Lääketieteessä käytettävät applikaattorit,
b. Tuotteet tai laitteet, jotka sisältävät vähemmän kuin
0,37 GBq (10 millicurietä) radium-226:a.
1C238 Klooritrifluoridi (ClF3).
1C239 Muut kuin asetarvikeluettelossa määritellyt voimakkaat räjähteet
tai niitä enemmän kuin 2 painoprosenttia sisältävät seokset tai
aineet, joiden kidetiheys on suurempi kuin 1,8 g/cm3ja
räjähdysnopeus yli 8000 m/s.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 65
▼M3
1C240 Muut kuin 0C005 kohdassa määritellyt nikkelijauheet ja
huokoinen metallinen nikkeli seuraavasti:
a. Nikkelijauheet, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuk-
sista:
1. nikkelipitoisuus on 99,0 painoprosenttia tai suurempi; ja
2. keskimääräinen hiukkaskoko on pienempi kuin 10 mikro-
metriä mitattuna American Society forTesting and Materials
(ASTM) B330 -standardilla;
b. 1C240.a kohdassa määritellyistä materiaaleista tuotettu
huokoinen metallinen nikkeli.
Huom: 1C240 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi seuraavia:
a. Säikeiset nikkelijauheet;
b. Yksinkertaiset huokoiset nikkelilevyt, joiden koko on
1 000 cm2tai vähemmän.
Tekn. huom:
1C240.b kohdassa tarkoitetaan huokoista metallia, joka
muodostuu, kun 1C240.a kohdassa tarkoitettuja materiaaleja
puristetaan kokoon ja sintrataan siten, että saadaan metallista
materiaalia, jossa hienot huokoset jatkuvat koko rakenteen läpi.
1C350 Seuraavat kemikaalit, joita voidaan käyttää myrkyllisten kemial-
listen aineiden lähtöaineina, sekä yhtä tai useampaa niistä
sisältävät "kemialliset seokset":
HUOM: KATSO MYÖS ASETARVIKELUETTELO JA
1C450 KOHTA.
1. Tiodiglykoli (111-48-8)
2. Fosforioksikloridi (10025-87-3)
3. Dimetyylimetyylifosfonaatti (756-79-6)4.Metyylifosfonodifluoridi (676-99-3): KATSO ASETARVI-
KELUETTELO
5. Metyylifosfonodikloridi (676-97-1)
6. Dimetyylifosfiitti (868-85-9)7. Fosforitrikloridi (7719-12-2)8. Trimetyylifosfiitti (121-45-9)9. Tionyylikloridi (7719-09-7)
10. N-metyyli-3-piperidinoli (3554-74-3)
11. 2-N,N-di-isopropyyliamino-etyylikloridi (96-79-7)12. 2-N,N-di-isopropyyliamino-etaanitioli (5842-07-9)13. 3-kinuklidinoli (1619-34-7)14. Kaliumfluoridi (7789-23-3)15. 2-kloorietanoli (107-07-3)
16. Dimetyyliamiini (124-40-3)
17. Dietyylietyylifosfonaatti (78-38-6)18. Dietyyli-N,N-dimetyyli-fosforoamidaatti (2404-03-7)19. Dietyylifosfiitti (762-04-9)20. Dimetyyliamiinihydrokloridi (506-59-2)
21. Etyylifosfonidikloridi (1498-40-4)
22. Etyylifosfonodikloridi (1066-50-8)23.Etyylifosfonodifluoridi (753-98-0): KATSO ASETARVI-
KELUETTELO
24. Vetyfluoridi (7664-39-3)
25. Metyylibentsilaatti (76-89-1)26. Metyylifosfonidikloridi (676-83-5)27. 2-N,N-di-isopropyyliamino-etanoli (96-80-0)28. Pinakolyylialkoholi (464-07-3)
29.O-etyyli-2-N,N-di-isopropyyli-aminoetyyli-metyylifosfo-
niitti (57856-11-8): KATSO ASETARVIKELUETTELO
30. Trietyylifosfiitti (122-52-1)2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 66
▼M3
31. Arseenitrikloridi (7784-34-1)
32. Bentsiilihappo (76-93-7)
33. Dietyylimetyylifosfoniitti (15715-41-0)
34. Dimetyylietyylifosfonaatti (6163-75-3)35. Etyylifosfonidifluoridi (430-78-4)
36. Metyylifosfonidifluoridi (753-59-3)
37. 3-kinuklidinoni (3731-38-2)
38. Fosforipentakloridi (10026-13-8)
39. Pinakoloni (3,3-dimetyyli-2-butanoni) (75-97-8)
40. Kaliumsyanidi (151-50-8)
41. Kaliumvetyfluoridi (7789-29-9)42. Ammoniumvetyfluoridi (1341-49-7)
43. Natriumfluoridi (7681-49-4)
44. Natriumvetyfluoridi (1333-83-1)
45. Natriumsyanidi (143-33-9)
46. Trietanoliamiini (102-71-6)
47. Fosforipentasulfidi (1314-80-3)
48. Di-isopropyyliamiini (108-18-9)
49. Dietyyliaminoetanoli (100-37-8)
50. Natriumsulfidi (1313-82-2)51. Dirikkidikloridi (10025-67-9)
52. Rikkikloridi (10545-99-0)
53. Trietanoliamiinihydrokloridi (637-39-8)
54. N,N-di-isopropyyli2-aminoetyylikloridihydrokloridi (4261-
68-1).
Huom 1: Kemiallisia aseita koskevaan yleissopimukseen kuulu-
mattomiin valtioihin vietävien tuotteiden osalta 1C350
kohta ei aseta valvonnanalaiseksi "kemiallisia
seoksia", jotka sisältävät yhtä tai useampaa 1C350
kohdan 1, 3, 5, 11, 12, 13, 17, 18, 21, 22, 26, 27, 28,
31, 32, 33, 34, 35, 36 ja 54 kohdassa mainittua
kemikaalia ja joissa yksikään yksittäinen kemikaali ei
muodosta yli 10 painoprosenttia kyseisestä seoksesta.
Huom 2: Kemiallisia aseita koskevaan yleissopimukseen kuulu-
viin valtioihin vietävien tuotteiden osalta 1C350 kohta
ei aseta valvonnanalaiseksi "kemiallisia seoksia",
jotka sisältävät yhtä tai useampaa 1C350 kohdan 1,
3, 5, 11, 12, 13, 17, 18, 21, 22, 26, 27, 28, 31, 32, 33,
34, 35, 36 ja 54 kohdassa mainittua kemikaalia ja
joissa yksikään yksittäinen kemikaali ei muodosta yli
30 painoprosenttia kyseisestä seoksesta.
Huom 3: 1C350 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi "kemiallisia
seoksia", jotka sisältävät yhtä tai useampaa 1C350
kohdan 2, 6, 7, 8, 9, 10, 14, 15, 16, 19, 20, 24, 25, 30,
37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50,
51, 52 ja 53 kohdassa mainittua kemikaalia ja joissa
yksikään yksittäinen kemikaali ei muodosta yli 30
painoprosenttia kyseisestä seoksesta.
Huom 4: 1C350 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi kuluttaja-
hyödykkeiksi määriteltyjä tuotteita, jotka on pakattu
vähittäismyyntiä varten henkilökohtaiseen käyttöön tai
pakattu yksityiskäyttöä varten.
1C351 Ihmispatogeenit, zoonoosit ja "toksiinit" seuraavasti:
a. Seuraavat virukset, niin luonnontilaiset, tehostetut kuin muun-
netutkin, joko "eristettyinä elävinä viljelminä" tai materiaalina,
joka sisältää elävää materiaalia, johon on istutettu tai joka on
saastutettu tarkoituksellisesti sellaisilla viljelmillä:
1. Chikungunya-virus;
2. Krimin verenvuotokuumevirus;
3. Dengue-virus;
4. Itäinen hevos-enkefaliittivirus (EEE);2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 67
▼M3
5. Ebola-virus;
6. Hantaan-virus;
7. Junin-virus;
8. Lassa-kuumevirus;
9. Lymfosytäärinen korionmeningiittivirus;
10. Machupo-virus;
11. Marburg-virus;
12. Apinarokkovirus;
13. Rift Valley-kuumevirus;14. Puutiais-enkefaliittivirus;
15. Isorokkovirus (kaikki alatyypit);
16. Venezuelan hevos-enkefaliittivirus (VEE);
17. Läntinen hevos-enkefaliittivirus (WEE);
18. White pox-virus;
19. Keltakuumevirus;
20. Japanin enkefaliittivirus;
b. Seuraavat riketsiat, niin luonnontilaiset, tehostetut kuin muun-
nellutkin, joko "eristettyinä elävinä viljelminä" tai materiaalina,
joka sisältää elävää materiaalia, johon on tarkoituksellisesti
istutettu tai joka on saastutettu sellaisilla viljelmillä:
1. Coxiella burnetii;
2. Bartonella quintana (Rochalimaea quintana; Rickettsia
quintana);
3. Rickettsia prowasecki;
4. Rickettsia rickettsii;
c. Seuraavat bakteerit, niin luonnontilaiset, tehostetut kuin
muunnellutkin, joko "eristettyinä elävinä viljelminä" tai
materiaalina, joka sisältää elävää materiaalia, johon on istutettu
tai joka on saastutettu tarkoituksellisesti sellaisilla viljelmillä:
1. Bacillus anthracis;
2. Brucella abortus;
3. Brucella melitensis;
4. Brucella suis;
5. Chlamydia psittaci;
6. Clostridium botulinum;
7. Francisella tularensis;
8. Burkholderia mallei (Pseudomonas mallei);
9. Burkholderia pseudomallei (Pseudomonas pseudomallei);
10. Salmonella typhi;11. Shigella dysenteriae;
12. Vibrio cholerae;
13. Yersinia pestis;
d. Seuraavat "toksiinit" ja niiden "toksiinialayksiköt":
1. Botulinus -toksiinit;
Huom: 1C351.d.1 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi
valmisteen muodossaolevia botulinus-toksiineja,
joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
1. Ne ovat ihmisten sairauksien hoitoon tarkoi-
tettuja lääkevalmisteita;
2. Ne on pakattu lääkevalmisteina jakelua
varten;
3. Valtion viranomainen on antanut luvan
niiden markkinointiin lääkevalmisteina.
2. Clostridium perfringens -toksiinit;
3. Conotoksiini;
4. Risiini;
5. Saxitoksiini;2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 68
▼M3
6. Shigatoksiini;
7. Staphylococcus aureus -toksiinit;8. Tetrodotoksiini;9. Verotoksiini;
10. Mikrosystiini (Cyanginosiini);11. Aflatoksiinit
Huom: 1C351 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi "rokotteita" tai
"immunotoksiineja"
1C352 Seuraavat eläinpatogeenit:
a. Seuraavat virukset, niin luonnontilaiset, tehostetut kuin muun-
nellutkin, joko "eristettyinä elävinä viljelminä" tai materiaalina,
joka sisältää elävää materiaalia, johon on istutettu tai joka on
saastutettu tarkoituksellisesti sellaisilla viljelmillä:
1. Afrikkalainen sikaruttovirus;
2. Lintuinfluenssavirukset, jotka ovat:
a. Lajittelemattomia; tai
b. Seuraavat EY:n direktiivissä 92/40/ETY (EYVL N:o L
16, 23.1.1992, s. 19) erittäin patogeenisina määriteltyjä:
1. A-tyypin virukset, joiden IVPI (intravenous patho-
genicity index, patogeenisyysindeksi suonensisäisesti
annettuna) on 6 viikkoa vanhoissa kanoissa suurempi
kuin 1,2; tai
2. A-tyypin viruksien alatyypit H5 tai H7, joissa on
nucletiidisekvenssoinnin avulla osoitettu olevan
useita emäksisiä aminohappoja hemaglutiinin katkai-
supaikassa;
3. Bluetongue-virus;4. Suu- ja sorkkatautivirus;5. Vuohirokkovirus;6. Valeraivotautivirus (Aujeszkin tauti);
7. Sikaruttovirus;
8. Lyssavirus (rabiesryhmän virukset);9. Newcastlen tautivirus;
10. Pikkumärehtijärutto-virus (peste des petits ruminants);11. Sian enterovirus tyyppi 9 (swine vesicular -tautivirus);
12. Nautaruttovirus;
13. Lammasrokkovirus;14. Teschenin tautivirus;15. Suutulehdusvirus (VS-virus);
b. Mycoplasma-mycoidit, niin luonnontilaiset, tehostetut kuin
muunnellutkin, joko "eristettyinä elävinä viljelminä" tai
materiaalina, joka sisältää elävää materiaalia, johon on istutettu
tai joka on saastutettu tarkoituksellisesti sellaisilla viljelmillä.
Huom: 1C352 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi "rokotteita".
1C353 Seuraavat geneettisesti muunnetut "mikro-organismit":
a. Geneettisesti muunnetut "mikro-organismit" tai 1C351.a—c,
1C352 tai 1C354 kohdassa määriteltyjen organismien patogee-
nisuuteen liittyviä nukleiinihapposekvenssejä sisältävä
geneettinen materiaali;
b. Geneettisesti muunnetut "mikro-organismit" tai 1C351.d
kohdassa määriteltyjä "toksiineja" tai niiden "toksiinialayk-
siköitä" koodaavia nukleiinihapposekvenssejä sisältävä
geneettinen materiaali.
1C354 Seuraavat kasvipatogeenit:
a. Seuraavat bakteerit, niin luonnontilaiset, tehostetut kuin
muunnellutkin, joko "eristettyinä elävinä viljelminä" tai
materiaalina, joka sisältää elävää materiaalia, johon on istutettu
tai joka on tarkoituksellisesti saastutettu sellaisilla viljelmillä:
1. Xanthomonas albilineans;2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 69
▼M3
2. Xanthomonas campestris pv. citri, jotka sisältävät Xantho-
monas campestris pv. citrin tyypeiksi A, B, C, D, E
kutsuttuja lajikkeita tai jotka muuten luokitellaan Xantho-
monas citriksi, Xanthomonas campestris pv. aurantifoliaksi
tai Xanthomonas campestris pv. citrumeloksi;
b. Seuraavat sienet, niin luonnontilaiset, tehostetut kuin muunne-
tutkin, joko "eristettyinä elävinä viljelminä" tai materiaalina,
joka sisältää elävää materiaalia, johon on istutettu tai joka on
saastutettu tarkoituksellisesti sellaisilla viljelmillä:
1. Colletotrichum coffeanum var. virulans (Colletotrichum
kahawae);
2. Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae);3. Microcyclus ulei (syn. Dothidella ulei);4. Puccinia graminis (syn. Puccinia graminis f.sp.tritici);5. Puccinia striiformis (syn. Puccinia glumarum);6. Magnaporthe grisea (Pyricularia grisea / Pyricularia oryzae).
1C450 Seuraavat toksiset kemikaalit ja toksisten kemikaalien lähtöaineet
sekä yhtä tai useampaa niistä sisältävät "kemialliset seokset":
HUOM: KATSO MYÖS 1C350, 1C351.d. JA ASETARVI-
KELUETTELO
a. toksiset kemikaalit seuraavasti:
1. amiton: O,O-dietyyli-S-2-N,N-dietyyliaminoetyyli-fosforo-
tiolaatti (78-53-5) ja vastaavat alkyloidut tai protonoidut
suolat,
2. PFIB: 1,1,3,3,3-pentafluoro-2-(trifluorometyyli)-1-propeeni
(382-21-8),
3.KATSO ASETARVIKELUETTELOSTA BZ: 3-kinukli-
dinyylibentsilaatti (6581-06-2),
4. fosgeeni: karbonyylidikloridi (75-44-5),5. kloorisyanidi (506-77-4),6. vetysyanidi (74-90-8),7. klooripikriini: trikloorinitrometaani (76-06-2),
Huom 1: Kemiallisia aseita koskevaan yleissopimukseen
kuulumattomiin valtioihin vietävien tuotteiden
osalta 1C450 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi
"kemiallisia seoksia", jotka sisältävät yhtä tai
useampaa 1C450.a.1 ja 1C450.a.2 kohdassa
mainittua kemikaalia ja joissa yksikään yksit-
täinen kemikaali ei muodosta yli 1
painoprosenttia kyseisestä seoksesta.
Huom 2: Kemiallisia aseita koskevaan yleissopimukseen
kuuluviin valtioihin vietävien tuotteiden osalta
1C450 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi
"kemiallisia seoksia", jotka sisältävät yhtä tai
useampaa 1C450.a.1 ja 1C450.a.2 kohdassa
mainittua kemikaalia ja joissa yksikään yksit-
täinen kemikaali ei muodosta yli 30
painoprosenttia kyseisestä seoksesta.
Huom 3: 1C450 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi
"kemiallisia seoksia", jotka sisältävät yhtä tai
useampaa 1C450.a.4, 1C450.a.5, 1C450.a.6 ja
1C450.a.7 kohdassa mainittua kemikaalia ja
joissa yksikään yksittäinen kemikaali ei
muodosta yli 30 painoprosenttia seoksesta.
b. toksisten kemikaalien valmistusaineet seuraavasti:
1. muut kuin asetarvikeluettelossa tai kohdassa 1C350 luetellut
kemikaalit, jotka sisältävät fosforiatomin, johon on sitou-
tunut yksi metyyli-, etyyli-n-propyyli- tai isopropyyliryhmä,
mutta ei muita hiiliatomeja,
Huom: 1C450.b.1 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi
seuraavaa: Fonofos: O-etyyli-S-fenyylietyylifosfo-
notiolotionaatti (944-22-9),
2. N,N-dialkyyli-[metyyli-, etyyli-, n-propyyli- tai isopropyyli-
] fosforamidodihalidit,2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 70
▼M3
3. dialkyyli-[metyyli-, etyyli-, n-propyyli- tai isopropyyli-]-
N,N-dialkyyli-[metyyli-, etyyli-, n-propyyli- tai isopropyyli-
]-fosforoamidaatit, muut kuin dietyyli-N,N-dimetyyli-
fosforoamidaatti, joka luetellaan kohdassa 1C350,
4. 2-N,N-dialkyyli-[metyyli-, etyyli-, n-propyyli- tai isopro-
pyyli-]-aminoetyylikloridit ja vastaavat protonoidut suolat,
muut kuin N,N-di-isopropyyliaminoetyylikloridi tai N,N-di-
isopropyyliaminoetyylikloridi hydrokloridi, jotka luetellaan
kohdassa 1C350,
5. 2-N,N-dialkyyli-[metyyli-, etyyli-, n-propyyli-isopropyyli-]-
aminoetanolit ja vastaavat protonoidut suolat, muut kuin
N,N-di-isopropyyliaminoetanoli (96-80-0) ja N,N-dietyylia-
minoetanoli (100-37-8), jotka luetellaan kohdassa 1C350,
Huom: 1C450.b.5 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi
seuraavia:
a. 2-N,N-dimetyyliaminoetanoli (108-01-0) ja
vastaavat protonoidut suolat,
b. 2-N,N-dietyyliaminoetanoli (100-37-8) ja
vastaavat protonoidut suolat,
6. 2-N,N-dialkyyli-[metyyli-, etyyli-, n-propyyli- tai isopro-
pyyli-]-aminoetaanitiolit ja vastaavat protonoidut suolat,
muut kuin N,N-di-isopropyyliaminoetaanitioli, joka luetel-
laan kohdassa 1C350,
7. etyylidietanoliamiini (139-87-7),8. metyylidietanoliamiini (105-59-9).
Huom 1: Kemiallisia aseita koskevaan yleissopimukseen
kuulumattomiin valtioihin vietävien tuotteiden
osalta 1C450 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi
"kemiallisia seoksia", jotka sisältävät yhtä tai
useampaa 1C450.b.1, 1C450.b.2, C450.b.3,
1C450.b.4, 1C450.b.5 ja 1C450.b.6 kohdassa
mainittua kemikaalia ja joissa yksikään yksit-
täinen kemikaali ei muodosta yli 10
painoprosenttia kyseisestä seoksesta.
Huom 2: Kemiallisia aseita koskevaan yleissopimukseen
kuuluviin valtioihin vietävien tuotteiden osalta
1C450 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi
"kemiallisia seoksia", jotka sisältävät yhtä tai
useampaa 1C450.b.1, 1C450.b.2, 1C450.b.3,
1C450.b.4, 1C450.b.5 ja 1C450.b.6 kohdassa
mainittua kemikaalia ja joissa yksikään yksit-
täinen kemikaali ei muodosta yli 30
painoprosenttia kyseisestä seoksesta.
Huom 3: 1C450 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi
"kemiallisia seoksia", jotka sisältävät yhtä tai
useampaa 1C450.b.7 ja 1C450.b.8 kohdassa
mainittua kemikaalia ja joissa yksikään yksit-
täinen kemikaali ei muodosta yli 30
painoprosenttia kyseisestä seoksesta.
Huom: 1C450 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi kulutta-
jahyödykkeiksi määriteltyjä tuotteita, jotka on
pakattu vähittäismyyntiä varten henkilökohtaiseen
käyttöön tai pakattu yksityiskäyttöä varten.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 71
▼M3
1D Ohjelmistot
1D001 "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu
1B001—1B003 kohdassa määriteltyjen laitteiden "kehittämistä",
"tuotantoa" tai "käyttöä" varten.
1D002 "Ohjelmistot" sellaisten laminaattien tai "komposiittien" "kehittä-
mistä" varten, joilla on orgaaninen "matriisi", metalli"matriisi" tai
hiili"matriisi".
1D101 "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu
1B101, 1B102, 1B115, 1B117, 1B118 tai 1B119 kohdassa
määriteltyjen tuotteiden "käyttöä" varten.
1D103 "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu analysoimaan
pienennettyä havaittavuutta, kuten tutkaheijastavuutta, ultravio-
letti-, infrapuna- tai akustista havaittavuutta.
1D201 "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu 1B201 kohdassa
määriteltyjen tuotteiden "käyttöä" varten.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 72
▼M3
1E Teknologia
1E001 "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti
1A001.b, 1A001.c, 1A002—1A005, 1B tai 1C kohdassa määritel-
tyjen tuotteiden tai materiaalien "kehittämistä" tai "tuotantoa"
varten.
1E002 Muu teknologia:
a. "Teknologia" polybentsotiatsolien tai polybentsoksatsolien
"kehittämistä" tai "tuotantoa" varten;
b. "Teknologia" vähintään yhden vinyylieetterimonomeerin
sisältävien fluoro-elastomeeriyhdisteiden "kehittämistä" tai
"tuotantoa" varten;
c. "Teknologia" seuraavien perusmateriaalien tai ei-"komposiit-
tisten" keraamisten materiaalien suunnittelua tai "tuotantoa"
varten:
1. Perusmateriaalit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
a. Jokin seuraavista koostumuksista:
1. Yksinkertaiset tai kompleksiset zirkoniumoksidit ja
kompleksiset pii- tai alumiinioksidit;
2. Yksinkertaiset boorinitridit (kuutiomaiset kide-
muodot);
3. Yksinkertaiset tai kompleksiset pii- tai boorikarbidit;
tai
4. Yksinkertaiset tai kompleksiset piinitridit;
b. Metallisten epäpuhtauksien kokonaismäärä, haluttuja
lisäaineita lukuun ottamatta, on vähemmän kuin:
1. 1 000 ppm yksinkertaisissa oksideissa tai karbideissa;
tai
2. 5 000 ppm kompleksisissa yhdisteissä tai yksinkertai-
sissa nitrideissä; ja
c. Jotka ovat jokin seuraavista:
1. Zirkoniumoksidi, jonka keskimääräinen hiukkaskoko
on enintään 1 µm ja jonka hiukkasista enintään 10
prosenttia on suurempia kuin 5 µm:
2. Muu perusmateriaali, jonka keskimääräinen hiukkas-
koko on 5 µm tai vähemmän ja korkeintaan 10 %
hiukkasista on kooltaan suurempia kuin 10 µm; tai
3. Joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
a. Hiutaleiden pituuden ja paksuuden suhde ylittää 5;
b. Erilliskidekuitujen pituuden ja läpimitan suhde
ylittää 10 alle 2 µm:n läpimitoilla; ja
c. Jatkuvat tai katkotut kuidut ovat läpimitaltaan alle
10 µm;
2. Keraamiset ei-"komposiitti"materiaalit, jotka koostuvat
1E002.c.1 kohdassa kuvatuista materiaaleista;
Huom: 1E002.C.2 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi
"teknologiaa" hioma-aineiden kehitystä ja
tuotantoa varten.
d. "Teknologia" aromaattisten polyamidikuitujen "tuotantoa"
varten;
e. "Teknologia" 1C001 kohdassa määriteltyjen materiaalien
installointia, ylläpitoa tai korjausta varten;
f. "Teknologia" 1A002, 1C007.c tai 1C007.d kohdassa määritel-
tyjen "komposiitti"rakenteiden, -laminaattien tai -materiaalien
korjausta varten.
Huom: 1E002.f kohta ei aseta valvonnanalaiseksi siviililen-
tokoneiden rakenteiden korjaamiseen tarvittavaa
"teknologiaa", jossa käytetään hiili"kuitu- tai-
säiemateriaaleja" ja hartseja, jotka sisältyvät lento-
konevalmistajan käsikirjoihin.
1E101 "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 1A102,
1B001, 1B101, 1B102, 1B115—1B119, 1C001, 1C101, 1C107,
1C111—1C117, 1D101 tai 1D103 kohdassa määriteltyjen tuot-
teiden "käyttöä" varten.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 73
▼M3
1E102 "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 1D001,
1D101 tai 1D103 kohdassa määriteltyjen "ohjelmistojen" "kehittä-
mistä" varten.
1E103 "Teknologia", jonka avulla säädetään lämpötilaa, painetta tai
kaasukoostumusta auto- tai hydroklaaveissa silloin kun niitä
käytetään "komposiittien" tai osittain käsiteltyjen "komposiittien"
"valmistukseen".
1E104 "Teknologia", jonka avulla tuotetaan pyrolyysimenetelmällä
muodostuvia aineita muotille, telineelle tai muulle substraatille
välituotekaasuista, jotka hajoavat lämpötilan ollessa 1 573 K
(1 300 ºC)—3 173 K (2 900 ºC) astetta ja paineen 130 Pa—20 kPa.
Huom: 1E104 kohta sisältää "teknologian" väliainekaasujen
seostamiseksi, virtausnopeudet ja prosessiohjauksen
ajoitukset sekä parametrit.
1E201 "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 1A002,
1A202, 1A225—1A227, 1B201, 1B225—1B233, 1C002.a.2.c tai
d, 1C010.b, 1C202, 1C210, 1C216, 1C225—1C240 tai 1D201
kohdassa määriteltyjen tuotteiden "käyttöä" varten.
1E202 "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 1A202
tai 1A225—1A227 kohdassa määriteltyjen tuotteiden "kehittä-
mistä" tai "tuotantoa" varten.
1E203 "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 1D201
kohdassa määriteltyjen "ohjelmistojen" "kehittämistä" varten.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 74
▼M3
RYHMÄ 2
MATERIAALIN KÄSITTELY2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 75
▼M3
2A Järjestelmät, laitteet ja komponentit
Huom: Hiljaiset laakerit: katso asetarvikeluettelo.
2A001 Seuraavat kitkaa vähentävät laakerit ja laakerointijärjestelmät ja
niiden komponentit:
Huom: 2A001 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi kuulia, joille
valmistajan määrittelemä toleranssi on ISO 3290:n
mukaisesti luokkaa 5 tai huonompi.
a. Kuulalaakerit tai massiivirullalaakerit, joiden valmistajan
määrittelemät toleranssit ovat ISO 492:n toleranssiluokan 4
(tai ANSI/ABMA Std 20:n toleranssiluokka ABEC-7:n tai
muiden vastaavien kansallisten standardien) mukaiset tai niitä
paremmat, ja joiden renkaat, kuulat tai rullat on valmistettu
monelmetallista tai berylliumista;
Huom: 2A001.b kohta ei aseta valvonnanalaiseksi kartior-
ullalaakereita.
b. Muut kuulalaakerit tai massiivirullalaakerit, joiden valmistajan
määrittelemät toleranssit ovat ISO 492:n toleranssiluokan 2 (tai
ANSI/ABMA Std 20:n toleranssiluokan ABEC-9:n tai RBEC-
9:n tai muiden vastaaavien kansallisten standardien) mukaiset
tai niitä paremmat.
Huom: 2A001.a kohta ei aseta valvonnanalaiseksi kartior-
ullalaakereita.
c. Aktiiviset magneettilaakerijärjestelmät, jotka käyttävät jotain
seuraavista:
1. Materiaaleja, joiden vuontiheys on 2,0 T tai enemmän ja
myötöraja suurempi kuin 414 MPa;
2. Täyssähkömagneettisia 3D yksinapaisia esimagnetointikon-
struktioita toimimoottoreita varten; tai
3. Korkeita lämpötiloja (430 K (177 ºC) tai enemmän) kestäviä
asentoantureita.
2A225 Nestemäisiä aktinidimetalleja kestävistä aineista tehdyt upokkaat
seuraavasti:
a. Upokkaat, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:
1. vetoisuus 150 cm3—8000 cm3;ja
2. valmistusaineena tai vuorauksena jokin seuraavista aineista
(pitoisuus 98 painoprosenttia tai suurempi):
a. Kalsiumfluoridi (CaF2);
b. Kalsiumsirkonaatti (metasirkonaatti) (CaZrO3);
c. Keriumsulfidi (Ce2S3);
d. Erbiumoksidi (erbia) (Er2O3);
e. Hafniumoksidi (hafnia) (HfO2);
f. Magnesiumoksidi (MgO);
g. Typetetty niobi-titaani-volframiseos (noin50%Nb,30%
Ti, 20 % W);
h. Yttriumoksidi (yttria) (Y2O3);
i. Zirkoniumoksidi (zirkonia) (ZrO2);
b. Upokkaat, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:
1. vetoisuus on 50 cm3—2 000 cm3;ja
2. valmistus- tai vuorausaineena on tantaali (pitoisuus 99,9
painoprosenttia tai suurempi);
c. Upokkaat, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
1. vetoisuus on 50 cm3—2 000 cm3;
2. valmistus- tai vuorausaineena tantaali, jonka pitoisuus on 98
painoprosenttia tai suurempi; ja
3. pinnoitettu tantaalikarbidilla, -nitridillä tai -boridilla tai
jollakin näiden yhdisteellä.
2A226 Venttiilit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
a. 'nimelliskoko' 5 mm tai suurempi;
b. paljetiiviste; ja2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 76
▼M3
c. kokonaisuudessaan valmistettu tai vuorattu alumiinilla, alumii-
niseoksella, nikkelillä tai nikkeliseoksella, jonka painosta on
enemmän kuin 60 % nikkeliä.
Tekninen huom:
Niiden venttiilien osalta, joiden sisäänmenon ja ulostulon halk-
aisijat ovat erilaiset, kohdassa 2A226 'nimelliskoolla' tarkoitetaan
pienintä halkaisijaa.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 77
▼M3
2B Testaus-, tarkastus- ja tuotantolaitteet
Tekn. huom:
1. Ääriviiva-akselien kokonaismäärään ei lasketa yhdensuun-
taisia ääriviivasivuakseleita, (esim. vaakakaraisen
avarruskoneen w-akselia, tai pyörivää sivuakselia, jonka
keskilinja on samansuuntainen pyörivän pääakselin kanssa).
Pyörivien akselien ei tarvitse pyörähtää yli 360 astetta.
Pyörivää akselia voi käyttää lineaarinen laite (esim. ruuvi tai
hammastanko).
2. 2B kohdassa niiden akseleiden määrä, jita voidaan sama-
naikaisesti koordinoida "ääriviivaohjauksessa", on niiden
akseleiden määrä, jotka vaikuttavat minkä tahansa työkap-
paleen ja työkalun, leikkuupään tai hiomalaikan, joilla
leikataan tai työstetään matriaalia työkappaleesta, väliseen
suhteelliseen liikkeeseen. Tähän eivät sisälly muut akselit,
jotka vaikuttavat muuhun suhteelliseen liikkeeseen koneen
sisällä. Tällaisia akseleita ovat:
a. Hiomakoneiden laikan pyöristinjärjestelmät;
b. Yhdensuuntaiset pyörivät akselit, jotka on suunniteltu
erillisten työkappaleiden asentamiseen;
c. Kollineaariset pyörivät akselit, jotka on suunniteltu
saman työkappaleen käsittelyyn pitelemällä sitä puristuk-
sissa eri puolilta.
3. Akselien nimeämisen tulee olla ISO 841 standardin (Inter-
national Standard, Numerical Control Machines — Axis and
Motion Nomenclature) mukainen.
4. 2B001—2B009kohdassa "kieppikara" katsotaan pyöriväksi
akseliksi.
5. Taattuja paikannustarkkuustasoja, jotka poikkeavat ISO 230/
2:n (1988) (1)tai vastaavien kansallisten standardien mukai-
sesti tehdyistä mittauksista, voidaan käyttää
työstökonemalleille erillisten konetestien sijasta. Taatulla
paikannustarkkuudella tarkoitetaan sen jäsenvaltion toimi-
valtaisille viranomaisille toimitettua tarkkuusarvoa, johon
viejä on sijoittautunut konemallin tarkkuuden edustajana.
Taattujen arvojen määrittäminena. valitse viisi arvioitavan mallin konetta;
b. Mittaa ISO 230/2:n (1998) (
1) mukaisesti lineaarisen
akselin tarkkuudet;
c. Määrittele jokaisen koneen jokaisen akselin A-arvo. A-
arvon laskemismenetelmä on kuvattu ISO-standardeissa;
d. Määrittele jokaisen akselin A-arvon keskiarvo. Tästä
keskiarvosta Â tulee mallin kunkin akselin mainittu arvo
(Âx Ây…);
e. Koska 2 ryhmää koskevassa luettelossa viitataan jokai-
seen lineaariseen akseliin, mainittuja arvoja on oltava
yhtä monta kuin lineaarisia akseleita;
f. Jos sellaisen työstökonemallin, jota ei ole asetettu
valvonnanalaiseksi 2B001.a—2B001.c tai 2B201
kohdissa, jollekin akselille on määritelty hiomakoneita
koskeva 6 mikronin ja jyrsintäkoneita ja sorveja koskeva 8
mikronin tarkkuus Â tai tätä parempi tarkkuus, valmis-
tajan olisi vahvistettava tarkkuustaso kerran
kahdeksassatoista kuukaudessa.
2B001 Seuraavat työstökoneet ja niiden yhdistelmät, jotka on tarkoitettu
työstämään (tai leikkaamaan) metalleja, keraamisia aineita tai
"komposiitteja" ja jotka valmistajan teknisten eritelmien mukaan
voidaan varustaa "numeerisella ohjauksella";
HUOM: KATSO MYÖS 2B201 KOHTA.
Huom 1: 2B001 kohta ei aseta valvonnan alaiseksi erikois-
työstökoneita, joiden käyttö on rajattu hammaspyörien2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 78
(1) Valmistajien, jotka laskevat paikannustarkkuustasoja ISO 230/2:n (1997) mukaisesti,
olisi neuvoteltava sen jäsenvaltion toimivaltaisten viranomaisten kanssa, johon ne ovat
sijoittautuneet.
▼M3
valmistukseen. Tällaisten koneiden osalta katso
2B003.
Huom 2: 2B001 kohta ei aseta valvonnan alaiseksi erikois-
työstökoneita, joiden käyttö on rajattu joidenkin
seuraavien osien valmistukseen:
a. Kampiakselit tai nokka-akselit;
b. Työkalut tai leikkuuterät;
c. Puristimen syöttöruuvi;
d. Kaiverretut tai viisteiseksi hiotut korujen osat.
a. Työstökoneet sorvaamista varten, joilla on kaikki seuraavat
ominaisuudet:
1. Paikannustarkkuus "kaikkine käytettävissä olevine kompen-
sointeineen" on saman suuruinen tai vähemmän (parempi)
kuin 6 mikrometriä ISO 230/2:n (1988)(1) tai vastaavien
kansallisten standardien mukaisesti määriteltynä minkä
tahansa lineaarisen akselin suuntaan; ja
2. Kaksi tai useampia akseleita, joita voidaan samanaikaisesti
koordinoida "ääriviivaohjauksessa";
Huom: 2B001.a kohta ei aseta valvonnanalaiseksi kontakti-
linssien valmistusta varten suunniteltuja sorveja.
b. Työstökoneet jyrsintää varten, joilla on jokin seuraavista
ominaisuuksista:
1. Joilla on kaikki seuraavista:
a. Paikannustarkkuus "kaikkine käytettävissä olevine
kompensointeineen" on saman suuruinen tai vähemmän
(parempi) kuin 6 mikrometriä ISO 230/2:n (1) tai
vastaavien kansallisten standardien mukaisesti
määriteltynä minkä tahansa lineaarisen akselin suuntaan;
ja
b. Kolme lineaarista ja yksi pyörivä akseli, joita voidaan
samanaikaisesti koordinoida "ääriviivaohjauksessa";
2. Viisi tai useampia akseleita, joita voidaan samanaikaisesti
koordinoida "ääriviivaohjauksessa"; tai
3. Tarkkuusporakoneiden paikannustarkkuus, "kaikkine
käytettävissä olevine kompensointeineen" on saman suur-
uinen tai vähemmän (parempi) kuin 4 mikrometriä ISO 230/
2:n (1) tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti
määriteltynä minkä tahansa akselin suuntaan;
4. Nokkateräkoneet, joilla on seuraavat ominaisuudet:
a. Karan "poikkeaman" ja "aksiaalisiirtymän" kokonaislu-
kema on vähemmän (parempi) kuin 0,0004 mm TIR; ja
b. Luistin liikkeen kulmapoikkeaman (kiertymä pysty-,
poikittais- ja pituusakselin ympäri) kokonaislukema on
30 mm:n matkalla vähemmän (parempi) kuin 2 kaar-
isekuntia TIR.
c. Työstökoneet hiontaa varten, joilla on jokin seuraavista
ominaisuuksista:
1. Joilla on kaikki seuraavista:
a. Paikannustarkkuus "kaikkine käytettävissä olevine
kompensointeineen" on saman suuruinen, tai vähemmän
(parempi) kuin 4 mikrometriä ISO 230/2:n (1) tai
vastaavien kansallisten standardien mukaisesti
määriteltynä minkä tahansa lineaarisen akselin suuntaan;
ja
b. Kolme lineaarista ja yksi pyörivä akseli, joita voidaan
samanaikaisesti koordinoida "ääriviivaohjauksessa"; tai
2. Viisi tai useampia akseleita, joita voidaan samanaikaisesti
koordinoida "ääriviivaohjauksessa";2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 79
(1) Valmistajien, jotka laskevat paikannustarkkuustasoja ISO 230/2:n (1997) mukaisesti,
olisi neuvoteltava sen jäsenvaltion toimivaltaisten viranomaisten kanssa, johon ne ovat
sijoittautuneet.
▼M3
Huom: 2B001.c kohta ei aseta valvonnanalaiseksi seuraavia
hiomakoneita:
1. Ulkopuolisia, sisäpuolisia tai ulko-sisäpuolisia
pyöröhiomakoneita, joilla on kaikki seuraavat
ominaisuudet:
a. Kone on rajoitettu vain pyöröhiontaan; ja
b. Hiomakoneen työkappaleen maksimikoko on
ulkohalkaisijaltaan tai pituudeltaan 150 mm.
2. Koneita, jotka on erityisesti suunniteltu malline-
hiomakoneeksi, ja joilla on jokin seuraavista
ominaisuuksista:
a. C-akselia käytetään pitämään hiomalaikkaa
kohtisuorassa työpintaan nähden; tai
b. A-akseli on konfiguroitu hiomaan nokkarum-
puja;
3. Työkalu- tai leikkuuterien hiomakoneita, joita
käytetään ainoastaan työkalujen tai leikkuuterien
valmistusta varten;
4. Kampiakselin tai nokka-akselin hiomakoneet;
5. Pintahiomakoneet.
d. Langattomat kipinätyöstökoneet (EDM), joilla on kaksi tai
useampia pyöriviä akseleita, joita voidaan samanaikaisesti
koordinoida "ääriviivaohjauksessa";
e. Metallin, keraamisten aineiden tai "komposiittien" koneistuk-
seen tarkoitetut koneet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
1. Ne käyttävät materiaalin työstämiseen jotakin seuraavista:
a. Vesi- tai muuta nestesuihkua, mukaan lukien ne, jotka
käyttävät hiomalisäaineita;
b. Elektronisuihkua; tai
c. "Laser"sädettä; ja
2. Niissä on kaksi tai useampia pyöriviä akseleita:
a. Joita voidaan samanaikaisesti koordinoida "ääriviivaoh-
jauksessa"; ja
b. Joiden paikannustarkkuus on vähemmän (parempi) kuin
0,003 astetta.
f. Syväreikäporauskoneet ja sorvit, jotka on muunnettu sopiviksi
syväreikäporaukseen, joilla maksimi poraussyvyys ylittää
5 000 mm, sekä niitä varten erityisesti kehitetyt komponentit.
2B003 "Numeerisesti ohjatut" tai käsiohjatut työstökoneet ja niitä varten
erityisesti suunnitellut komponentit, ohjaukset ja lisälaitteet, jotka
on erityisesti suunniteltu höyläämään, viimeistelemään, hiomaan
tai hoonaamaan karkaistuja (Rc= 40 tai yli) lieriöhammaspyöriä,
ruuvipyöriä tai kaksoisruuvipyöriä, joiden jakohalkaisija on
enemmän kuin 1250 mm ja hampaan leveys on 15 % jakohalk-
aisijasta tai enemmän, ja jotka on koneistettu AGMA 14:n
laatuisiksi tai paremmiksi (vastaa ISO 1328:n 3 luokkaa).
2B004 Seuraavat kuuma"isostaattiset puristimet", joilla on kaikki seur-
aavat ominaisuudet ja niitä varten erityisesti suunnitellut
komponentit ja lisälaitteet:
HUOM: KATSO MYÖS 2B104 ja 2B204 KOHTA.
a. Suljetussa tilassaan säädettävä lämpötila, ja kammiotilan
sisäläpimitta on 406 mm tai enemmän; ja
b. Jokin seuraavista:
1. Maksimityöpaine ylittää 207 MPa;
2. Säädettävä lämpötila ylittää 1 773 K (1 500 ºC) astetta; tai
3. Joissa on edellytykset hiilivetykyllästykseen ja syntyvien
kaasumaisten hajoamistuotteiden poistoon.
Tekn. Huom:
Kammion sisäläpimitta tarkoittaa sen tilan kokoa, jossa sekä
työlämpötila että työpaine saavutetaan, eikä siihen sisällytetä
kiinnittimiä. Tämä mitta on joko painekammion sisähalkaisija tai2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 80
▼M3
eristetyn kuumakammion sisähalkaisija ja on se, joka on pienempi,
riippuen siitä kumpi kammioista on toisen sisällä.
Huom: Erityisesti suunnitellut suulakkeet, muotit ja laitteet:
katso kohdat 1B003, 9B009 ja asetarvikeluettelo.
2B005 Seuraavat erityisesti suunnitellut laitteet pinnoitusta, prosessointia
ja pinnoitteen laadun prosessin aikaista ohjausta varten, joilla
aikaansaadaan epäorgaanisia pinnoitteita tai pintamodifikaatioita
johtamattomille substraateille käyttäen menetelmiä, jotka on
kuvattu 2E003.f kohdan jäljessä olevassa taulukossa ja siihen
liittyvissä huomautuksissa, sekä näitä laitteita varten erityisesti
suunnitellut automaattiset kuljetus-, sijoitus-, käsittely- ja ohjaus-
komponentit:
a. "Ohjelmallisesti ohjatut" tuotantolaitteet kemiallista kaasufaa-
sipinnoitusta varten (CVD), joilla on molemmat seuraavista
ominaisuuksista:
HUOM: KATSO MYÖS 2B105 KOHTA.
1. Jokin seuraavista prosessin muunnoksista:
a. Syke-CVD (pulsating CVD);
b. Säädeltävä ydintymis-lämpöhajoaminen (CNTD); tai
c. Plasma-CVD; ja
2. Jokin seuraavista:
a. Sisältävät pyörivät tyhjiötiivisteet (0,01 pa tai
vähemmän); tai
b. Sisältävät prosessin aikaisen kerrospaksuuden säädön;
b. "Ohjelmallisesti ohjatut" ioni-istutustuotantolaitteet, joiden
ionisuihkun virta on 5 mA tai enemmän;
c. "Ohjelmallisesti ohjatut" tuotantolaitteet elektronisuihkun
avulla tapahtuvaa fysikaalista kaasufaasipinnoitusta varten
(EB-PVD), joihin sisältyvien tehojärjestelmien nimellisteho
ylittää 80 kW ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
1. Nestelähteen pinnan "laser"säätöjärjestelmä, joka tarkasti
ohjaa tankojen syöttönopeutta; tai
2. Tietokoneohjattu nopeuden seuranta, jolla ohjataan kahta tai
useampaa elementtiä sisältävän pinnoitteen kasvunopeutta ja
joka perustuu höyryvirrassa olevien ionisoitujen atomien
fotoluminesenssiin;
d. "Ohjelmallisesti ohjatut" plasmaruiskutustuotantolaitteet, joilla
on jokin seuraavista ominaisuuksista:
1. Toimivat säädettävässä alennetussa paineessa (10 kPa tai
vähemmän, mitattuna 300 mm:n sisältä suuttimen ulostulon
yläpuolelta) tyhjökammiossa, joka ennen suihkutusprosessia
voidaan tyhjentää 0,01 Pa:iin asti; tai
2. Sisältävät prosessin aikaisen kerrospaksuuden säädön;
e. "Ohjelmallisesti ohjatut" sputterointituotantolaitteet, joiden
virtatiheys voi olla 0,1 mA/mm2tai suurempi, kun pinnoitus-
nopeus on 15 µm tunnissa tai suurempi;
f. "Ohjelmallisesti" ohjatut katodikaaripinnoitustuotantolaitteet,
jotka sisältävät sähkömagneeteista koostuvan hilan kaaren
pisteen ohjaamiseksi katodilla;
g. "Ohjelmallisesti ohjatut" ionipinnoitustuotantolaitteet, jotka
mahdollistavat jonkin seuraavan prosessin aikaisen mittauksen:
1. Kerrospaksuuden mittauksen substraatin päältä ja pinnoi-
tusnopeuden säädön; tai
2. Optisten ominaisuuksien mittauksen.
Huom: 2B005 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi leikkaus- tai
työstötyökaluja varten erityisesti suunniteltuja kaasu-
faasipinnoitus-, katodikaari-, sputterointipinnoitus-,
ionipäällystys- tai ioni-istutuslaitteita.
2B006 Seuraavat dimensioiden tarkastus- ja mittausjärjestelmät tai -
laitteet:
a. Tietokoneohjatut, "numeerisesti ohjatut" tai "ohjelmallisesti
ohjatut" mittatarkastuskoneet, joiden kolmen dimension
pituuden (tilavuuden) "mittauksen epävarmuus" on (1,7 + L/2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 81
▼M3
1 000) µm tai pienempi (L on mitattu pituus millimetreinä)
standardin ISO 10360-2 mukaisesti testattuna;
HUOM: KATSO MYÖS 2B206 KOHTA.
b. Seuraavat lineaarisen ja kulmasiirtymän mittausinstrumentit:
1. Lineaariset mittausinstrumentit, joilla on jokin seuraavista
ominaisuuksista:
a. Kosketuksettomat mittausjärjestelmät, joiden "resoluutio"
on 0,2 µm tai vähemmän (parempi) 0,2 mm:n mittausa-
lueella;
b. Lineaariset differentiaalimuuntajajärjestelmät, joilla on
molemmat seuraavista ominaisuuksista:
1. "Lineaarisuus" on 0,1 % tai vähemmän (parempi)
mittausalueella, joka on 5 mm tai pienempi; ja
2. Ryömintä on 0,1 % tai vähemmän (parempi) päivässä
testaushuoneen vakiolämpötilassa ± 1 K astetta; tai
c. Mittausjärjestelmät, joilla on kaikki seuraavat ominai-
suudet:
1. Sisältävät "laserin"; ja
2. Säilyttävät vähintään 12 tuntia normaalilämpötilan
± 1K asteen vaihtelualueella ja normaalipaineessa
seuraavat ominaisuudet:
a. "Resoluution" 0,1 mikrometriä tai vähemmän
(parempi) koko mittausalueella; ja
b. "Mittauksen epävarmuuden" (0,2 + L/2 000)
mikrometriä tai vähemmän (parempi) (L on mitattu
pituus millimetreinä);
Huom: 2B006.b.1 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi
interferometrimittausjärjestelmiä, joilla ei ole
suljetun tai avoimen piirin takaisinkytkentää, ja
jotka sisältävät "laserin" työstökoneen, mittatar-
kastuskoneen tai vastaavien laitteiden luistin
liikkeen virheitä.
2. Kulman mittausinstrumentit, joiden "kiertymiskulman poik-
keama" on 0,00025 astetta tai vähemmän (parempi);
Huom: 2B006.b.2 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi
optisia instrumentteja, kuten autokollimaattoreita,
jotka käyttävät kollimoitua valoa peilin kulma-
siirtymän ilmaisemiseen.
c. Laitteet, joilla mitataan pinnan epätasaisuutta mittaamalla
optista sirontaa kulman funktiona ja joiden herkkyys on 0,5
nm tai vähemmän (parempi).
Huom. 1: Työstökoneet, joita voidaan käyttää mittausasemina
ovat valvonnanalaisia, jos niiden ominaisuudet
täyttävät tai ylittävät työstökoneille tai mittausase-
mille määritellyt kriteerit.
Huom. 2: Mittausasema on 2B006 kohdan mukaan valvonna-
nalainen, jos se ylittää valvontakynnyksen missä
tahansa toiminta-alueellaan.
2B007 "Robotit" ja niitä varten erityisesti suunnitellut ohjausyksiköt ja
"päätetyövälineet":
HUOM: KATSO MYÖS 2B207 KOHTA.
a. Kykenevät tosiaikaisesti täyteen kolmiulotteiseen kuvan käsit-
telyyn tai täyteen kolmiulotteiseen 'näkökentän analysointiin'
tuottaakseen tai muuntaakseen "ohjelmia" tai numeerista
ohjelmatietoa;
Tekninen huom:
'Näkökentän analysointiin' liittyvä rajoitus ei sisällä kolmannen
ulottuvuuden approksimointia annetusta kulmasta eikä rajoi-
tettua harmaasävyjen tulkinnan avulla tapahtuvaa syvyyden tai
pintarakenteen havaitsemista (2 1/2 D) hyväksyttyjen tehtävien
suorittamiseksi.
b. On erityisesti suunniteltu vastaamaan kansallisia turvallisuus-
standardeja, joita sovelletaan räjähtävien sotatarvikkeiden
ympäristössä;2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 82
▼M3
c. On erityisesti suunniteltu tai mitoitettu kestämään säteilyä
jonka kokonaissäteilymäärä on enemmän kuin 5 × 103Gy (Pii)
ilman, että toimivuus huononee.
Tekn. Huom:
Termillä Gy (Pii) tarkoitetaan kilojouleina ilmaistuna ener-
giamäärää, jonka suojaamaton piinäyte imee itseensä, kun se
altistetaan ionisoivalle säteilylle.
d. On erityisesti suunniteltu toimimaan yli 30000 m:n korkeuk-
sissa.
2B008 Seuraavat erityisesti työstökoneita tai mittojen tarkastus- tai
mittausjärjestelmiä tai -laitteita varten suunnitellut kokoonpanot
tai yksiköt:
a. Lineaariset aseman takaisinkytkentäyksiköt (esim. induktiiviset
laitteet, kalibroidut asteikot, infrapunajärjestelmät tai "laser"jär-
jestelmät), joiden kokonaistarkkuus on vähemmän (parempi)
kuin (800 + (600 × L × 10-3)) nm (L on tehollinen pituus
millimetreinä);
Huom: "Laser"järjestelmät: katso myös huomautusta
2B006.b1 kohdassa.
b. Pyörähdysaseman takaisinkytkentäyksiköt, esim. induktiiviset
laitteet, kalibroidut asteikot, infrapunajärjestelmät tai "laser"jär-
jestelmät, joiden "tarkkuus" on vähemmän (parempi) kuin
0,00025 astetta;
Huom: "Laser"järjestelmät: katso myös huomautusta
2B006.b1 kohdassa.
c. "Yhdistelmäpyöröpöydät" ja "kieppikarat", joilla valmistajan
spesifikaatioiden mukaan voidaan parantaa työstökoneidenlaatua yli niiden tasojen, jotka on määritelty 2B kohdassa.
2B009 Dreijaussorvit ja painesorvit, jotka valmistajan teknisen eritelmän
mukaan voidaan varustaa "numeerisella ohjaus"yksiköillä tai
tietokoneohjauksella ja joilla on seuraavat ominaisuudet:
HUOM: KATSO MYÖS 2B109 JA 2B209 KOHTA.
a. Niissä on kaksi tai useampi ohjattavaa akselia, joista vähintään
kahta voidaan samanaikaisesti koordinoida "ääriviivaohjauk-
sessa";
ja
b. Niiden valssausvoima on suurempi kuin 60 kN.
Tekn. huom:
Koneet, joissa yhdistyvät dreijaus- ja painesorvauksen toiminnot,
katsotaan 2B009kohdan tarkoituksessa painesorveiksi.
2B104 Muut kuin 2B004 kohdassa määritellyt "isostaattiset puristimet",
joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
HUOM: KATSO MYÖS 2B204 KOHTA.
a. Suurin toimintapaine on 69 MPa tai enemmän;
b. Ne on suunniteltu saavuttamaan ja säilyttämään 873 K (600 ºC)
asteen kontrolloitu lämpötila tai tätä korkeampi lämpötila; ja
c. Niiden kammion sisähalkaisija 254 mm tai suurempi.
2B105 Muut kuin 2B005.a kohdassa määritellyt CVD-uunit, jotka on
suunniteltu tai muunnettu hiili-hiilikomposiittien tiivistämiseen.
2B109 Seuraavat, muut kuin 2B009 kohdassa määritellyt painesorvit ja
erityisesti suunnitellut komponentit:
HUOM: KATSO MYÖS 2B209 KOHTA.
a. Painesorvit, joilla on seuraavat ominaisuudet:
1. Ne voidaan valmistajan teknisen eritelmän mukaan voidaan
varustaa "numeerisella ohjauksella" tai tietokoneohjauksella,
silloinkin kun niitä ei ole varustettu sellaisilla yksiköillä; ja
2. Niissä on useampi kuin kaksi akselia, joita voidaan
samanaikaisesti koordinoida "ääriviivaohjauksessa".
b. 2B009 tai 2B109.a kohdassa määritettyjä painesorveja varten
erityisesti suunnitellut komponentit.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 83
▼M3
Huom: 2B109kohta ei aseta valvonnanalaiseksi koneita, joita
ei voida käyttää 9A005, 9A007.a tai 9A105.a kohdissa
määriteltyjen työntövoimakomponenttien ja -laitteiden
(kuten moottorikoppien) tuottamiseen.
Tekn. huom:
Koneet, joissa yhdistyvät dreijaus- ja painesorvauksen toiminnot,
katsotaan 2B109kohdan tarkoituksessa painesorveiksi.
2B116 Seuraavat tärinäntestausjärjestelmät sekä laitteet ja komponentit
niitä varten:
a. Tärinäntestausjärjestelmät, joissa käytetään takaisinkytkentä-
tai suljetun silmukan tekniikkaa, joissa on digitaalinen ohjain,
jolla koejärjestelmää voidaan tärisyttää 10 g:n rms tai
suuremmalla tehollisarvolla koko taajuusalueella 20—2000 Hz
ja tuottaa 50 kN:n tai sitä suurempia voimia 'paljaalla alustalla'
mitattuna;
b. Digitaaliset ohjaimet, joissa on erityisesti suunnitellut tärinän-
testausohjelmistot, joiden "tosiaikainen kaistanleveys" on
suurempi kuin 5 kHz ja jotka on suunniteltu 2B116.a kohdassa
mainittujen tärinäntestausjärjestelmien käyttöä varten;
c. Täristimet (täristinyksiköt), vahvistimien kanssa tai ilman,
joilla voidaan tuottaa 50 kN:n tai suurempi tärinävoima
'paljaalla alustalla' mitattuna ja joita voidaan käyttää 2B116.a
kohdassa mainituissa tärinäntestausjärjestelmissä;
d. Koekappaleen kannatinrakenteet ja elektroniset yksiköt, jotka
on suunniteltu yhdistämään useita erillisiä täristinyksiköitä
järjestelmäksi, joka pystyy tuottamaan 50 kN:n tai suuremman
yhdistetyn tehollisen voiman 'paljaalla alustalla' mitattuna ja
joita voidaan käyttää 2B116.a kohdassa mainituissa tärinäntes-
tausjärjestelmissä.
Tekn. huom:
2B116 kohdassa 'paljaalla alustalla' tarkoitetaan tasaista pöytää
tai pintaa ilman kiinnittimiä tai sovitteita.
2B117 Prosessinohjaus- ja muut laitteet, paitsi 2B004, 2B005a, 2B104 tai
2B105 kohdassa määritellyt, jotka on suunniteltu tai muunneltu
rakettien suuttimien ja ilmakehään palaamaan tarkoitettujen
alusten kärkikartioiden komposiittirakenteiden tiivistämällä tai
pyrolysoimalla tapahtuvaa valmistusta varten.
2B119 Tasapainotuskoneet ja niihin liittyvät laitteet seuraavasti:
HUOM: KATSO MYÖS 2B219 KOHTA.
a. Tasapainotuskoneet, joilla on kaikki seuraavista ominaisuuk-
sista:
1. Niillä ei voi tasapainottaa roottoreita/kokoonpanoja, joiden
massa on suurempi kuin 3 kg;
2. Niillä on voitava tasapainottaa roottoreita/kokoonpanoja
nopeuksilla, jotka ovat suurempia kuin 12500 kierrosta
minuutissa;
3. Niillä on voitava korjata epätasapaino kahdessa tai useam-
massa tasossa; ja
4. Niillä on voitava tasapainottaa siten, että jäännösepätasa-
paino on 0,2 g mm roottorin massan kutakin kiloa kohden;
Huom: 2B119.a ei aseta valvonnanalaiseksi hammashoito-
laitteita tai muita lääkinnällisiä laitteita varten
suunniteltuja tai muunnettuja tasapainotuskoneita.
b. 2B119.a kohdassa määriteltyjen koneiden kanssa käytettäväksi
suunnitellut tai muunnetut ilmaisinpäät.
Tekn. huom:
Ilmaisinpäät tunnetaan toisinaan nimellä tasapainotuslaitteisto.
2B120 Liikesimulaattorit tai pyörityspöydät, joilla on kaikki seuraavista
ominaisuuksista:
a. Kaksi akselia tai enemmän;
b. Liukurenkaat, joilla voidaan välittää sähkötehoa ja/tai signaa-
litietoa;ja2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 84
▼M3
c. Joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
1. Yksittäisen akselin osalta kaikki seuraavista:
a. Kulmanopeus 400 astetta/s tai enemmän taikka 30
astetta/s tai vähemmän; ja
b. Kulmanopeuden erottelukyky 6 astetta/s tai vähemmän ja
tarkkuus 0,6 astetta/s tai vähemmän;
2. Huonoin kulmanopeuden stabiilisuus sama tai parempi
(vähemmän) kuin plus tai miinus 0,05 prosenttia keskiarvo-
tettuna 10:lle tai useammalle asteelle; tai
3. Asemointitarkkuus 5 kaarisekuntia tai parempi.
Huom: 2B120 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi työstökoneita
tai lääkinnällisiä laitteita varten suunniteltuja tai
muunnettuja pyöröpöytiä. Työstökoneiden pyöröpöytien
valvonnan osalta katso 2B008 kohta.
2B121 Muut kuin 2B120 kohdassa määritellyt asemointipöydät (laitteet
täsmälliseen pyöröasemointiin minkä tahansa akselin osalta), joilla
on kaikki seuraavista ominaisuuksista:
a. Kaksi akselia tai enemmän; ja
b. Asemointitarkkuus 5 kaarisekuntia tai parempi.
Huom: 2B121 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi työstökoneita
tai lääkinnällisiä laitteita varten suunniteltuja tai
muunnettuja pyöröpöytiä. Työstökoneiden pyöröpöytien
valvonnan osalta katso 2B008 kohta.
2B122 Lingot, joilla voidaan saavuttaa yli 100 g:n kiihdytys ja joissa on
liukurenkaat, joilla voidaan välittää sähkötehoa ja signaalitietoa.
2B201 Seuraavat, muut kuin 2B001 kohdassa määritellyt työstökoneet,
jotka on tarkoitettu työstämään (tai leikkaamaan) metalleja,
keraamisia aineita tai "komposiitteja" ja jotka valmistajan
teknisten spesifikaatioiden mukaan voidaan varustaa elektronisilla
laitteilla kahden tai useamman akselin samanaikaista "ääriviivaoh-
jausta" varten;
a. Työstökoneet jyrsintää varten, joilla on jokin seuraavista
ominaisuuksista:
1. Paikannustarkkuus "kaikkine käytettävissä olevine kompen-
sointeineen" on saman suuruinen tai vähemmän (parempi)
kuin 6 µm ISO 230/2:n (1988)(1) tai vastaavien kansallisten
standardien mukaisesti määriteltynä minkä tahansa line-
aarisen akselin suuntaan; tai
2. Kaksi tai useampi akseli, joita voidaan samanaikaisesti
koordinoida ääriviivaohjauksessa;
Huom: 2B201.a kohta ei aseta valvonnanalaiseksi
jyrsintäkoneita, joilla on seuraavat ominaisuudet:
a. X-akselin liikkuma on suurempi kuin 2 m; ja
b. X-akselin kokonaispaikannustarkkuus on
enemmän (huonompi) kuin 30 µm.
b. Työstökoneet hiontaa varten, joilla on jokin seuraavista
ominaisuuksista:
1. Paikannustarkkuus "kaikkine käytettävissä olevine kompen-
sointeineen" on saman suuruinen tai vähemmän (parempi)
kuin 4 µm ISO 230/2:n (1988)(1) tai vastaavien kansallisten
standardien mukaisesti määriteltyjä minkä tahansa line-
aarisen akselin suuntaan; tai
2. Kaksi tai useampia pyöriviä ääriviiva-akseleita.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 85
(1) Valmistajien, jotka laskevat paikannustarkkuustasoja ISO 230/2:n (1997) mukaisesti,
olisi neuvoteltava sen jäsenvaltion toimivaltaisten viranomaisten kanssa, johon ne ovat
sijoittautuneet.
▼M3
Huom: 2B001.b kohta ei aseta valvonnanalaiseksi seuraavia
hiomakoneita:
a. Ulkopuolisia, sisäpuolisia tai ulko-sisäpuolisia
pyöröhiomakoneita, joilla on kaikki seuraavat
ominaisuudet:
1. Kone on rajoitettu vain pyöröhiontaan;
2. Hiomakoneen työkappaleen maksimikoko on
ulkohalkaisijaltaan tai pituudeltaan 150 mm;
3. Korkeintaan kahta akselia voidaan samanai-
kaisesti koordinoida "ääriviivaohjauksessa";
ja
4. Ei sisällä c-ääriviiva-akselia;
b. Mallinetyöstökoneet, joissa on vain x, y ja c
akselit ja c-akselia käytetään pitämään hioma-
laikkaa kohtisuorassa työpintaan nähden ja a-
akseli on konfiguroitu hiomaan nokkarumpuja;
c. Työkalu- tai leikkuuterien hiomakoneita, jotka on
varustettu erityisesti suunnitelulla "ohjelmistolla"
työkalujen tai leikkuuterien valmistusta varten;
tai
d. Kampiakselin tai nokka-akselin hiomakoneet.
2B204 Muut kuin 2B004 tai 2B104 kohdassa määritellyt "isostaattiset
puristimet" ja niihin liittyvät laitteet seuraavasti:
a. "isostaattiset puristimet", joilla on molemmat seuraavat ominai-
suudet:
1. kykenevät saavuttamaan 69 MPa tai suuremman maksimi-
toimintapaineen;
2. kammion sisähalkaisija on suurempi kuin 152 mm;
b. 2B204.a kohdassa määriteltyjä "isostaattisia puristimia" varten
erityisesti suunnitellut muotit ja ohjauslaitteet.
Tekn. Huom:
2B204 kohdassa kammion sisämitta on sen kammion mitta, jossa
saavutetaan sekä toimintalämpötila että toimintapaine, eikä siinä
oteta huomioon kiinnittimiä. Ilmoitettu mitta on sisähalkaisijoista
pienempi, eli painekammion tai eristetyn uunikammion sisähalk-
aisija, riippuen siitä, kumpi kammio on toisen sisällä.
2B206 Seuraavat, muut kuin 2B006 kohdassa määritellyt, mittatarkastus-
koneet, -instrumentit ja järjestelmät:
a. Tietokoneohjatut, "numeerisesti ohjatut" tai ohjelmallisesti
ohjatut mittatarkastuskoneet, joilla on molemmat seuraavat
ominaisuudet:
1. Kaksi tai useampia akseleita; ja
2. Yhden dimension pituuden "mittauksen epävarmuus" on
(1,25 + L/1 000) µm tai pienempi (parempi) testattuna
anturilla, jonka "tarkkuus" on pienempi (parempi) kuin 0,2
µm (L on mitattu pituus millimetreinä); (Viite: VDI/VDE
2617 Osat 1 ja 2);
b. Lineaarisen ja kulmasiirtymän samanaikaiseen tarkasteluun
kykenevät järjestelmät, joilla on molemmat seuraavat ominai-
suudet:
1. "Mittauksen epävarmuus" mitä tahansa lineaarista akselia
pitkin on 3,5 µm tai vähemmän (parempi) 5 mm matkalla; ja
2. "Kiertymiskulman poikkeama" on 0,02 astetta tai
vähemmän.
Huom. 1: Työstökoneet, joita voidaan käyttää mittauskoneina
ovat valvonnanalaisia, jos niiden ominaisuudet
täyttävät tai ylittävät työstökoneille tai mittausase-
mille määritellyt kriteerit.
Huom. 2: 2B206 kohdassa määritelty kone on valvonnana-
lainen, jos se ylittää valvontakynnyksen missä
tahansa toiminta-alueellaan.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 86
▼M3
Tekn. Huom:
1. Mittauksen epävarmuuden määrittämiseen käytetyn anturin
tulee olla kuvattu VDI/VDE 2617:n 2, 3 ja 4 osassa.
2. Kaikki 2B206 kohdassa esitetyt mittausarvot tarkoittavat
positiivista tai negatiivista poikkeamaa viitearvosta, eivät
koko välystä.
2B207 Seuraavat muut kuin 2B007 kohdassa määritellyt "robotit",
"päätetyövälineet" ja "ohjausyksiköt":
a. "Robotit" ja "päätetyövälineet", jotka on erityisesti suunniteltu
täyttämään voimakkaiden räjähteiden käsittelyä koskevat
kansalliset turvamääräykset (täyttävät esimerkiksi voimakkaita
räjähteitä koskevat sähkösäännökset);
b. ohjausyksiköt, jotka on erityisesti suunniteltu 2B207.a kohdassa
määriteltyjä "robotteja" ja "päätetyövälineitä" varten.
2B209 Seuraavat, muut kuin 2B009 ja 2B109 kohdassa määritellyt
painesorvit ja dreijaussorvit, jotka kykenevät painesorvin toimin-
toihin, sekä karat:
a. Koneet, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:
1. Kolme tai useampia valsseja (aktiivisia tai ohjaavia); ja
2. Jotka valmistajan teknisten spesifikaatioiden mukaan
voidaan varustaa "numeerisella ohjaus"yksiköillä tai tieto-
koneohjauksella;
b. Roottorin muotoilukarat, jotka on suunniteltu muotoilemaan
lieriömäisiä roottoreita, joiden sisäläpimitta on 75—400 mm.
Huom: 2B209.a kohta sisältää koneet, joissa on vain yksi
metallin muotoiluun suunniteltu valssi ja kaksi
lisävalssia, jotka kannattelevat karaa, mutta eivät
suoraan osallistu muodonmuutosprosessiin.
2B219 Seuraavat kiinteät tai kannettavat, vaaka- tai pystysuuntaiset
keskipakovoimaan perustuvat monitasotasapainotuskoneet:
a. Joustavien, vähintään 600 mm pitkien roottoreiden tasapainot-
tamiseen tarkoitetut keskipakovoimaan perustuvat
monitasotasapainotuskoneet, joilla on kaikki seuraavat ominai-
suudet:
1. Pyörähdyshalkaisija tai akselitapin halkaisija suurempi kuin
75 mm;
2. Massankäsittelykyky 0,9—23 kg; ja
3. Kierrosnopeus tasapainotettaessa yli 5 000 kierrosta minuu-
tissa;
b. Onttojen lieriömäisten roottorinosien tasapainottamiseen tarkoi-
tetut keskipakotasapainotuskoneet, joilla on kaikki seuraavat
ominaisuudet:
1. Akselitapin halkaisija on suurempi kuin 75 mm;
2. Niiden massankäsittelykyky on 0,9—23 kg;3. Ne kykenevät tasapainottamaan niin, että jäännösepätasa-
paino kussakin tasossa on enintään 0,010 kg × mm/kg;
ja
4. Ne ovat hihnakäyttöisiä.
2B225 Kaukokäsittelylaitteet, joita voidaan käyttää kaukotyöskentelyyn
radiokemiallisessa erotuksessa tai kuumakammiot, joilla on
jompikumpi seuraavista ominaisuuksista:
a. Ne pystyvät läpäisemään 0,6 m paksun tai paksumman
kuumakammion seinän (seinän läpi työskentely); tai
b. Ne pystyvät kurottamaan 0,6 m paksun tai paksumman
kammion seinän yli (seinän yli työskentely).
Tekn. huom:
Kaukokäsittelylaitteilla välitetään operaattorin liikkeet käyttövar-
teen ja päätetyökaluun. Ne voivat olla 'isäntä-orja'-tyyppisiä tai
niitä käytetään ohjaimella tai näppäimistöltä.
2B226 Kontrolloidun ympäristön (tyhjiö- tai inerttikaasu)induktiouunit ja
niiden teholähteet seuraavasti:
HUOM: KATSO MYÖS 3B KOHTA.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 87
▼M3
a. Uunit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
1. Niitä voidaan käyttää yli 1 123 K (850 ºC) asteen
lämpötiloissa;
2. Niiden induktiokelojen halkaisija on 600 mm tai pienempi;
ja
3. Niitä käytetään 5 kW:n tai suuremmalla syöttöteholla;
b. Erityisesti 2B226.a kohdassa määritetyille uuneille suunnitellut
teholähteet, joiden määritelty teho on 5 kW tai suurempi.
Huom: 2B226.a kohdassa ei tarkoiteta puolijohdekiekkojen
valmistukseen suunniteltuja uuneja.
2B227 Seuraavat kontrolloidun ympäristön metallurgiset sulatus- ja valu-
uunit sekä niihin liittyvät laitteet:
a. Valokaaritoistosulatus- ja valu-uunit, joilla on molemmat
seuraavat ominaisuudet:
1. Niidensulavaelektrodikapasiteettion1000cm3—20000cm3;
ja
2. Ne kykenevät toimimaan yli 1 973 K (1 700 ºC) asteen
sulatuslämpötiloissa;
b. Elektronisuihkusulatusuunit sekä plasmasumutus- ja sulatu-
suunit, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:
1. Niiden teho on 50 kW tai suurempi; ja
2. Ne kykenevät toimimaan yli 1 473 K (1 200 ºC) asteen
sulatuslämpötiloissa.
c. 2B227 a. tai b. kohdissa olevia uuneja varten erityisesti
konfiguroidut tietokoneohjaus- ja valvontajärjestelmät.
2B228 Seuraavat roottorien valmistus- tai kokoonpanolaitteet, roottorien
suoruuden varmistavat laitteet, sekä paljemuovaustuurnat ja
muotit:
a. Roottorien kokoonpanolaitteet, kaasusentrifugien roottoriloh-
kojen, ohjauslevyjen ja päätylaippojen kokoamiseen;
Huom: 2B228.a kohtaan sisältyvät tarkkuustuurnat, puris-
timet ja kutistussovituskoneet;
b. Roottorien suoruuden varmistavat laitteet, joiden avulla kaasu-
sentrifugien roottorien lohkot linjataan yhteiselle akselille;
Tekn. huom:
2B228.b kohdassa tällaiset laitteet koostuvat yleensä tietoko-
neeseen kytketyistä tarkkuusmittapäistä, joiden avulla tietokone
ohjaa roottoriputkilohkojen linjaukseen käytettävien, esimer-
kiksi paineilmakäyttöisten, iskumäntien toimintaa.
c. Paljemuovaustuurnat ja muotit, joiden avulla valmistetaan
yksikierteisiä palkeita.
Tekn. huom:
2B228.c. kohdassa tarkoitetuilla palkeilla on kaikki seuraavat
ominaisuudet:
1. Sisähalkaisija 75—400 mm;
2. Pituus 12,7 mm tai suurempi;3. Yhden kierteen syvyys yli 2 mm;
ja
4. Valmistusaineina lujat alumiiniseokset, maraging-teräs tai
lujat "kuitu- tai säiemateriaalit".
2B230 "Painelähettimet", jotka pystyvät mittaamaan absoluuttista painetta
alueella 0—13 kPa ja joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:
a. Painetta anturoiva elementti on valmistettu tai suojattu
alumiinilla tai alumiiniseoksella, nikkelillä tai enemmän kuin
60 % nikkeliä sisältävällä nikkeliseoksella; ja
b. joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
1. Mitta-alue enintään 13 kPa ja 'tarkkuus' parempi kuin ± 1 %
täydestä mitta-alueesta; tai2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 88
▼M3
2. Kokonaismitta-alue 13 kPa tai suurempi ja 'tarkkuus'
parempi kuin ± 130 Pa.
Tekn. huom:
2B230 kohdassa 'tarkkuuteen' sisältyy epälineaarisuus, hystereesi
ja toistettavuus ympäristön lämpötilassa.
2B231 Tyhjöpumput, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
a. Syöttöliitännän sisähalkaisija on 380 mm tai suurempi;
b. Pumppausnopeus 15 m3/s tai suurempi; ja
c. Niiden avulla pystytään saamaan aikaan parempi kuin 13mPa:n
lopullinen tyhjö.
Tekn. huom:
1. Pumppausnopeus määritetään mittauspisteessä typpikaasulla
tai ilmalla.
2. Lopullinen tyhjö määritellään pumpun syötepäässä syöte-
putken ollessa suljettuna.
2B232 Monivaiheiset kevyet kaasutykit tai muut suurnopeustykkijärjes-
telmät (käämeihin perustuvat, sähkömagneettiset, ja sähkötermiset
tyypit ja muut pitkälle kehitetyt järjestelmät), joiden avulla
ammukset voidaan kiihdyttää 2 km/s tai suurempiin nopeuksiin.
2B350 Seuraavat kemikaalien valmistuslaitokset ja laitteet:
a. Sekoittajilla tai ilman niitä varustetut reaktioastiat, joiden
sisätilavuus on suurempi kuin 0,1 m3(100 l) ja pienempi kuin
20 m3(20 000 l) ja joissa kaikki pinnat, jotka joutuvat suoraan
kosketukseen valmistettavan tai säilytettävän kemikaalin (kemi-
kaalien) kanssa, on valmistettu seuraavista materiaaleista:
1. Seoksista, joissa on enemmän kuin 25 painoprosenttia
nikkeliä ja enemmän kuin 20 painoprosenttia kromia;
2. Fluoripolymeereistä;3. Lasista (mukaan lukien lasitettu tai emaloitu pinnoitus tai
lasivuoraus);
4. Nikkelistä tai seoksista, joissa on enemmän kuin 40
painoprosenttia nikkeliä;
5. Tantaalista tai tantaaliseoksista;6. Titaanista tai titaaniseoksista;
tai
7. Zirkoniumista tai zirkoniumseoksista;
b. Sekoittajat, joita käytetään yllämainituissa reaktioastioissa tai
reaktoreissa, joissa kaikki sekoittajan pinnat, jotka joutuvat
suoraan kosketukseen valmistettavan tai säilytettävän kemi-
kaalin (kemikaalien) kanssa, on valmistettu seuraavista
materiaaleista:
1. Seoksista, joissa on enemmän kuin 25 painoprosenttia
nikkeliä ja enemmän kuin 20 painoprosenttia kromia;
2. Fluoripolymeereistä;
3. Lasista (mukaan lukien lasitettu tai emaloitu pinnoitus tai
lasivuoraus);
4. Nikkelistä tai seoksista, joissa on enemmän kuin 40
painoprosenttia nikkeliä;
5. Tantaalista tai tantaaliseoksista;6. Titaanista tai titaaniseoksista;
tai
7. Zirkoniumista tai zirkoniumseoksista;
c. Varastosäiliöt, säiliöt tai keräysastiat, joiden sisätilavuus on
suurempi kuin 0,1 m3(100 l) ja joissa kaikki pinnat, jotka
joutuvat suoraan kosketukseen valmistettavan tai säilytettävän
kemikaalin (kemikaalien) kanssa, on valmistettu seuraavista
materiaaleista:
1. Metalliseoksista, joissa on enemmän kuin 25 painoprosenttia
nikkeliä ja enemmän kuin 20 painoprosenttia kromia;
2. Fluoripolymeereistä;3. Lasista (mukaan lukien lasitettu tai emaloitu pinnoitus tai
lasivuoraus);2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 89
▼M3
4. Nikkelistä tai seoksista, joissa on enemmän kuin 40
painoprosenttia nikkeliä;
5. Tantaalista tai tantaaliseoksista;6. Titaanista tai titaaniseoksista;
tai
7. Zirkoniumista tai zirkoniumseoksista;
d. Lämmönvaihtimet tai lauhduttimet, joiden lämmönvaihtopinta
on suurempi kuin 0,15 m2ja pienempi kuin 20 m2ja joissa
kaikki pinnat, jotka joutuvat suoraan kosketukseen valmistet-
tavan tai säilytettävän kemikaalin (kemikaalien) kanssa, on
valmistettu seuraavista materiaaleista:
1. Seoksista, joissa on enemmän kuin 25 painoprosenttia
nikkeliä ja enemmän kuin 20 painoprosenttia kromia;
2. Fluoripolymeereistä;3. Lasista (mukaan lukien lasitettu tai emaloitu pinnoitus tai
lasivuoraus);
4. Grafiitista tai ”grafiittihiilestä”;5. Nikkelistä tai seoksista, joissa on enemmän kuin 40
painoprosenttia nikkeliä;
6. Tantaalista tai tantaaliseoksista;7. Titaanista tai titaaniseoksista;
8. Zirkoniumista tai zirkoniumseoksista;
9. Piikarbidista;
tai
10. Titaanikarbidista;
e. Tislaus- tai imeytyskolonnit, joiden sisähalkaisija on suurempi
kuin 0,1 m ja joissa kaikki pinnat, jotka joutuvat suoraan
kosketukseen valmistettavan kemikaalin (kemikaalien) kanssa,
on valmistettu seuraavista materiaaleista:
1. Seoksista, joissa on enemmän kuin 25 painoprosenttia
nikkeliä ja enemmän kuin 20 painoprosenttia kromia;
2. Fluoripolymeereistä;3. Lasista (mukaan lukien lasitettu tai emaloitu pinnoitus tai
lasivuoraus);
4. Grafiitista tai ”grafiittihiilestä”;5. Nikkelistä tai seoksista, joissa on enemmän kuin 40
painoprosenttia nikkeliä;
6. Tantaalista tai tantaaliseoksista;7. Titaanista tai titaaniseoksista;
tai
8. Zirkoniumista tai zirkoniumseoksista;
f. Kauko-ohjatut täyttölaitteet, joiden kaikki pinnat, jotka joutuvat
suoraan kosketukseen valmistettavan kemikaalin (kemikaalien)
kanssa, on valmistettu seuraavista materiaaleista:
1. Seoksista, joissa on enemmän kuin 25 painoprosenttia
nikkeliä ja enemmän kuin 20 painoprosenttia kromia; tai
2. Nikkelistä tai seoksista, joissa on enemmän kuin 40
painoprosenttia nikkeliä;
g. Monitiivisteventtiilit, joihin sisältyy vuodonilmaisuventtiili,
paljetiivisteventtiilit, takaisku- tai diafragmaventtiilit, joiden
kaikki pinnat, jotka joutuvat suoraan kosketukseen valmistet-
tavan tai säilytettävän kemikaalin (kemikaalien) kanssa, on
valmistettu seuraavista materiaaleista:
1. Seoksista, joissa on enemmän kuin 25 painoprosenttia
nikkeliä ja enemmän kuin 20 painoprosenttia kromia;
2. Fluoripolymeereistä;
3. Lasista (mukaan lukien lasitettu tai emaloitu pinnoitus tai
lasivuoraus);
4. Nikkelistä tai seoksista, joissa on enemmän kuin 40
painoprosenttia nikkeliä;
5. Tantaalista tai tantaaliseoksista;6. Titaanista tai titaaniseoksista;
tai
7. Zirkoniumista tai zirkoniumseoksista;2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 90
▼M3
h. Moniseinämäiset putkistot, joihin sisältyy vuodonilmaisuvent-
tiili, joiden kaikki pinnat, jotka joutuvat suoraan kosketukseen
valmistettavan tai säilytettävän kemikaalin (kemikaalien)
kanssa, on valmistettu seuraavista materiaaleista:
1. Seoksista, joissa on enemmän kuin 25 painoprosenttia
nikkeliä ja enemmän kuin 20 painoprosenttia kromia;
2. Fluoripolymeereistä;3. Lasista (mukaan lukien lasitettu tai emaloitu pinnoitus tai
lasivuoraus);
4. Grafiitista tai ”grafiittihiilestä”;
5. Nikkelistä tai seoksista, joissa on enemmän kuin 40
painoprosenttia nikkeliä;
6. Tantaalista tai tantaaliseoksista;
7. Titaanista tai titaaniseoksista;
tai
8. Zirkoniumista tai zirkoniumseoksista;
i. Monitiivisteiset, hihnavetoiset, magneettivetoiset, palje- tai
diafragmapumput, joiden valmistajan ilmoittama maksimivir-
tausnopeus on suurempi kuin 0,6 m3/h, tai vakuumipumput,
joiden valmistajan ilmoittama maksimivirtausnopeus on suur-
empi kuin 5 m3/h (vakiolämpötilassa (0 ºC, 273 K astetta) ja -
ilmanpaineessa (101,30 kPa)), joissa kaikki pinnat, jotka
joutuvat suoraan kosketukseen valmistettavan kemikaalin
(kemikaalien) kanssa, on valmistettu seuraavista materiaaleista:
1. Seoksista, joissa on enemmän kuin 25 painoprosenttia
nikkeliä ja enemmän kuin 20 painoprosenttia kromia;
2. Keraameista;
3. Ferropiistä;
4. Fluoripolymeereistä;
5. Lasista (mukaan lukien lasitettu tai emaloitu pinnoitus tai
lasivuoraus);
6. Grafiitista tai ”grafiittihiilestä”;
7. Nikkelistä tai seoksista, joissa on enemmän kuin 40
painoprosenttia nikkeliä;
8. Tantaalista tai tantaaliseoksista;
9. Titaanista tai titaaniseoksista; tai
10. Zirkoniumista tai zirkoniumseoksista;
j. Erityisesti suunnitellut, 1C350 kohdassa määriteltyjen kemi-
kaalien hävittämiseen tarkoitetut polttolaitokset, joissa on
erityisesti suunnitellut jätteen syöttöjärjestelmät, erityiset käsit-
telylaitteet ja keskimääräinen polttokammion lämpötila
suurempi kuin 1273 K (1 000 ºC) astetta, joissa kaikki
jätteensyöttöjärjestelmän pinnat, jotka tulevat suoraan koske-
tukseen jätetuotteiden kanssa, on valmistettu tai vuorattu
(pinnoitettu) seuraavilla materiaaleilla:
1. Seokset, joissaonenemmän kuin 25painoprosenttia nikkeliä
ja enemmän kuin 20 prosenttia kromia;
2. Keraamit; tai
3. Nikkeli tai seokset, joissa on enemmän kuin 40 painopro-
senttia nikkeliä.
Tekn. huom:
'Grafiittihiili' on amorfisesta hiilestä ja grafiitista koostuva
seos, jonka koostumuksesta vähintään kahdeksan painopro-
senttia on grafiittia.
2B351 Myrkyllisten kaasujen valvontajärjestelmät ja niiden erikoisilmai-
simet:
a. Jotka on suunniteltu jatkuvaan toimintaan ja joita käytetään
ilmaisemaan kemiallisia taisteluaineita tai 1C350 kohdassa
määriteltyjä kemikaaleja pitoisuuksina, jotka ovat vähemmän
kuin 0,3 mg/m3;tai
b. Jotka on tarkoitettu ilmaisemaan yhdisteitä, joilla on koliinies-
teraasia estävä aktiivisuus.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 91
▼M3
2B352 Seuraavat biologisten aineiden käsittelyyn soveltuvat laitteet:
a. Täydelliset biologiset turvatilat, joiden turvataso on P3 ja P4;
Tekn. huom:P3 ja P4 (BL3, BL4, L3, L4) turvatasot on määritelty WHO:n
(World Health Organization) Laboratorion bioturvakäsikir-
jassa (Laboratory biosafety manual) (Geneve 1983).
b. Fermenttorit, joilla voidaan kasvattaa patogeenisiä "mikro-
organismeja", viruksia tai tuottaa toksiineja ilman aerosolien
muodostusta, ja joiden kokonaiskapasiteetti on vähintään 100
litraa;
Tekn. huom:
Fermenttoreihin kuuluvat bioreaktorit, kemostaatit sekä
jatkuvan virtausperiaatteen järjestelmät.
c. Keskipakoerottimet, jotka pystyvät jatkuvaan erotukseen ilman
aerosolimuodostusta, ja joilla on kaikki seuraavat ominai-
suudet:
1. Virtausnopeus ylittää 100 litraa tunnissa;
2. Komponentit ovat kiillotettua ruostumatonta terästä tai
titaania;
3. Niissä on yksi useampi tiivistesulku höyrysteriloitavalla
alueella; ja
4. Ne voidaan steriloida höyryllä paikalla ja suljettuna;
Tekn. huom:
Keskipakoerottimet sisältävät dekantterit.
d. Risti(tangentiaali)virtaussuodatinlaitteet, jotka pystyvät jatku-
vaan erotukseen ilman aerosolimuodostusta ja joilla on
seuraavat ominaisuudet:
1. Suodatuspinnan koko vähintään 5 m2;ja
2. Steriloitavissa paikalla;
e. Höyrysteriloitavat kylmäkuivauslaitteet, joiden kondensaatio-
kapasiteetti ylittää 50 kg jäätä 24 tunnissa ja enintään 1 000 kg
jäätä 24 tunnissa;
f. Seuraavat laitteet, jotka sisältävät tai sisältyvät P3 tai P4
turvatiloihin:
1. Itsenäisen ilmanvaihdon puoli- ja kokosuojapuvut;
2. Biologiset suojakaapit tai eristysvarusteet, jotka täyttävät
vastaavat suoritusvaatimukset;
Huom: 2B352.f.2 kohdassa isolaattoreihin kuuluvat jous-
tavat isolaattorit, kuivakaapit, anaerobikammiot,
hansikaskaapit ja laminaarivirtaushuuvat.
g. Kammiot, jotka on suunniteltu "mikro-organismeilla" tai
"toksiineilla" tehtäviä aerosolialtistuskokeita varten ja joiden
kammiotilavuus on 1 m3tai suurempi.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 92
▼M3
2C Materiaalit
Ei ole.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 93
▼M3
2D Ohjelmistot
2D001 Muut kuin 2D002 kohdassa määritetyt "ohjelmistot", jotka on
erityisesti suunniteltu tai muunnettu 2A001 tai 2B001—2B009
kohdassa määriteltyjen laitteiden "kehittämistä", "tuotantoa" tai
"käyttöä" varten.
2D002 Elektronisten laitteiden "ohjelmistot", myös pysyvästi elektroni-
seen laitteeseen tai järjestelmään sijoitetut, jotka mahdollistavat
näiden laitteiden tai järjestelmien toiminnan "numeerisena ohjau-
s"yksikkönä ja pystyvät koordinoimaan samanaikaisesti useampaa
kuin neljää akselia "ääriviivaohjauksessa".
Huom: 2D002 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi "ohjelmis-
toja", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu
työstökoneille, joita ei ole määritelty ryhmässä 2.
2D101 "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu
2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 tai 2B119—2B122
kohdassa määriteltyjen laitteiden "käyttöä" varten.
HUOM: KATSO MYÖS 9D004 KOHTA.
2D201 "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu 2B204, 2B206,
2B207, 2B209, 2B219 tai 2B227 kohdassa määriteltyjen laitteiden
"käyttöä" varten.
2D202 "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 2B201
kohdassa määriteltyjen laitteiden "kehittämistä", "tuotantoa" tai
"käyttöä" varten.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 94
▼M3
2E Teknologia
2E001 "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 2A, 2B
tai 2D kohdassa määriteltyjen laitteiden tai "ohjelmistojen"
"kehittämistä" varten.
2E002 "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 2A tai
2B kohdassa määriteltyjen laitteiden "tuotantoa" varten.
2E003 Seuraavat muut "teknologiat":
a. "Teknologia" "numeerisen ohjaus"yksikön integroituna osana
olevan työstöohjelmien laatimiseksi tai muuntamiseksi tarvit-
tavan interaktiivisen grafiikan kehittämistä varten;
b. Seuraavat "teknologiat" metalliteollisuuden valmistusprosesseja
varten:
1. Seuraavia prosesseja varten erityisesti suunniteltujen työka-
lujen, muottien tai kiinnittimien suunnittelu"teknologia":
a. "Superplastinen muovaus";
b. "Diffuusioliittäminen"; tai
c. "Suoravaikutteinen hydraulipuristus";
2. Tekninen tieto, joka koostuu alla luetelluista prosessimene-
telmistä tai niiden parametreista ja jolla ohjataan:
a. Alumiiniseosten, titaaniseosten tai "superseosten" "super-
plastisen muovauksen":
1. Pinnan valmistelua;
2. Jännityksen tasoa;
3. Lämpötilaa;
4. Painetta;
b. "Superseosten" tai titaaniseosten "diffuusioliittämisen":
1. Pinnan valmistelua;
2. Lämpötilaa;3. Painetta;
c. Alumiiniseosten tai titaaniseosten "suoravaikutteista
hydraulipuristuksen":
1. Painetta;
2. Jakson aikaa;
d. Titaaniseosten, alumiiniseosten tai "superseosten"
"kuumaisostaattisen puristuksen":
1. Lämpötilaa;
2. Painetta;3. Jakson aikaa;
c. "Teknologia" lentokoneen runkorakenteiden valmistukseen
tarkoitettujen hydraulisten venytysmuovauskoneiden ja niiden
muottien "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten;
d. "Teknologia" "numeerisessa ohjaus"yksikössä olevasta suun-
nittelutiedosta tuotettavien työstökonekäskyjen (esim.
työstöohjelmien) ohjelmakehittimien "kehittämistä" varten;
e. "Teknologia" valmistusosaston toimintojen kehittyneen
päätöksenteon tukemiseksi "numeerisiin ohjaus"yksiköihin
asiantuntijajärjestelmiä sisällyttävien integrointi"ohjelmistojen"
"kehittämistä" varten;
f. "Teknologia", jolla epäorgaanisilla päällystyspinnoitteilla tai
epäorgaanisilla pinnanmuunnospinnoitteilla (määritelty seur-
aavan taulukon 3 sarakkeessa) pinnoitetaan johtamattomia
substraatteja (määritelty seuraavan taulukon 2 sarakkeessa)
seuraavan taulukon 1 sarakkeessa määritellyillä ja Teknisessä
huomautuksessa kuvatuilla prosesseilla.
Huom: Taulukko ja tekniset huomautukset on esitetty 2E301
kohdan jälkeen.
2E101 "Teknologia" Yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 2B004,
2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119—2B122 tai 2D101
kohdassa määriteltyjen laitteiden tai "ohjelmistojen" "käyttöä"
varten.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 95
▼M3
2E201 "Teknologia" Yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 2A225,
2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b, 2B007.c, 2B008, 2B009, 2B201,
2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225—2B232, 2D201 tai 2D202
kohdassa määriteltyjen laitteiden tai "ohjelmistojen" "käyttöä"
varten.
2E301 "Teknologia" Yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti
2B350—2B352 kohdassa määriteltyjen tuotteiden "käyttöä"
varten.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 96
▼M3
Taulukko
Pinnoitustekniikat
1. Pinnoitusprosessi (1)(*) 2. Substraatti 3. Pinnoitetulos
A. Kemiallinen kaasufaasipin-
noitus (CVD)"superseokset" aluminidit sisäisiin kanaviin
keraamiset aineet (19) ja
vähän laajenevat lasit (14)silisidit
karbiditdielektriset kerrokset (15)timantti
timantin kaltainen hiili (17)
hiili-hiili-, keraami- ja metalli-
"matriisi" "komposiitit"silisidit
karbidit
tulenkestävät metallit
niiden sekoitukset (4)dielektriset kerrokset (15)
aluminidit
seostetut aluminidit (2)boorinitridi
volframikarbidikovametalli
(16), piikarbidi (18)karbidit
volframiniiden sekoitukset (4)dielektriset kerrokset (15)
molybdeeni ja molybdeeni-
seoksetdielektriset kerrokset (15)
beryllium ja berylliumseokset dielektriset kerrokset (15)
timanttitimantin kaltainen hiili (17)
anturi-ikkunamateriaalit (9) dielektriset kerrokset (15)
timanttitimantin kaltainen hiili (17)2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 97
▼M3
1. Pinnoitusprosessi (1)(*) 2. Substraatti 3. Pinnoitetulos
B.Terminen höyrystysfysikaalinen
höyrypinnoitus (TE-PVD)
B.1. PVD tai EB-PVD "superseokset" seostetut silisidit
seostetut aluminidit (2)MCrAlX (5)
muunnettu zirkoniumoksidi (12)
silisiditaluminidit
niiden sekoitukset (4)
keraamiset aineet (19) ja
vähän laajenevat lasit (14)dielektriset kerrokset (15)
korroosionkestävä teräs (7) MCrAlX (5)
muunnettu zirkoniumoksidi (12)
niiden sekoitukset (4)
hiili-hiili-, keraami- ja metalli-
"matriisikomposiitit"silisidit
karbidit
tulenkestävät metallit
niiden sekoitukset (4)dielektriset kerrokset (15)boorinitridi
volframikarbidikovametalli
(16), piikarbidi (18)karbidit
volframi
niiden sekoitukset (4)
dielektriset kerrokset (15)
molybdeeni ja molybdeeni-
seoksetdielektriset kerrokset (15)
beryllium ja berylliumseokset dielektriset kerrokset (15)
boridit
beryllium
anturi-ikkunamateriaalit (9) dielektriset kerrokset (15)
titaaniseokset (13) boridit
nitridit
B.2. Ioniavusteinen resistiivinen
kuumennus PVD (ionipinnoitus)keraamiset aineet (19) ja
vähän laajenevat lasit (14)dielektriset kerrokset (15)
timantin kaltainen hiili (17)
hiili-hiili-, keraamiset ja
metalli-"matriisi" "kompo-
siitit"dielektriset kerrokset (15)
volframikarbidikovametalli
(16), piikarbididielektriset kerrokset (15)
molybdeeni ja molybdeeni-
seoksetdielektriset kerrokset (15)
beryllium ja berylliumseokset dielektriset kerrokset (15)
anturi-ikkunamateriaalit (9) dielektriset kerrokset (15)
timantin kaltainen hiili (17)2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 98
▼M3
1. Pinnoitusprosessi (1)(*) 2. Substraatti 3. Pinnoitetulos
B.3. "Laser"-PVD keraamiset aineet (19) ja
vähän laajenevat lasit (14)silisidit
dielektriset kerrokset (15)timantin kaltainen hiili (17)
hiili-hiili-, keraami- ja metalli-
"matriisi" "komposiitit"dielektriset kerrokset (15)
volframikarbidikovametalli
(16), piikarbiditdielektriset kerrokset (15)
molybdeeni ja molybdeeni-
seoksetdielektriset kerrokset (15)
beryllium ja berylliumseokset dielektriset kerrokset (15)
anturi-ikkunamateriaalit (9) dielektriset kerrokset (15)
timantin kaltainen hiili
B.4. Katodikaari-Purkaus PVD "superseokset" seostetut silisidit
seostetut aluminidit (2)MCrAlX (5)
polymeerit (11) ja "kompo-
siitit", joilla on orgaaninen
"matriisi"boridit
karbiditnitridit
timantin kaltainen hiili (17)
C. Hiilletyslaatikko-karkaisu
(Katso edellä kohta A. muun
kuin laatikko-karkaisun osalta)
(10)hiili-hiili-, keraami- ja metalli-
"matriisi" "komposiitit"silisidit
karbidit
niiden sekoitukset (4)
titaaniseokset (13) silisidit
aluminidit
seostetut aluminidit (2)
tulenkestävät metallit ja niiden
seokset (8)silisidit
oksidit2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 99
▼M3
1. Pinnoitusprosessi (1)(*) 2. Substraatti 3. Pinnoitetulos
D. Plasmaruiskutus "superseokset" MCrAlX (5)
muunnettu zirkoniumoksidi (12)niiden sekoitukset (4)
muovattava nikkeligrafiitti
muovattavat Ni-Cr-Al-pitoiset
aineet
muovattava Al-Si-polyesteriseostetut aluminidit (2)
alumiiniseokset (6) MCrAlX (5)
muunnettu zirkoniumoksidi (12)silisiditniiden sekoitukset (4)
tulenkestävät metallit ja
seokset (8)aluminidit
silisiditkarbidit
korroosionkestävät teräkset (7) MCrAIX (5)
muunnettu zirkoniumoksidi (12)niiden sekoitukset (4)
titaaniseokset (13) karbidit
aluminidit
silisidit
seostetut aluminidit (2)muovattava nikkeligrafiittimuovattavat Ni-Cr-Al-pitoiset
aineet
muovattava Al-Si-polyesteri
E. Lietepinnoitus tulenkestävät metallit ja
seokset (8)fuusatut silisidit
fuusatut aluminidit paitsi lämmi-
tysvastus-elementit
hiili-hiili-, keraami- ja metalli-
"matriisi" "komposiitit"silisidit
karbiditniiden sekoitukset (4)2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 100
▼M3
1. Pinnoitusprosessi (1)(*) 2. Substraatti 3. Pinnoitetulos
F. Sputterointi "superseokset" seostetut silisidit
seostetut aluminidit (2)jalometallimuunnetut aluminidit
(3)
MCrAlX (5)
muunnettu zirkoniumoksidi (12)
platinaniiden sekoitukset (4)
keraamiset aineet ja vähän
laajenevat lasit (14)silisidit
platinaniiden sekoitukset (4)dielektriset kerrokset (15)
timantin kaltainen hiili (17)
titaaniseokset (13) boridit
nitridit
oksidit
silisiditaluminidit
seostetut aluminidit (2)
karbidit
hiili-hiili-, keraami- ja metalli-
"matriisi" "komposiitit"silisidit
karbidit
tulenkestävät metallitniiden sekoitukset (4)dielektriset kerrokset (15)
boorinitridi
volframikarbidikovametalli
(16), piikarbidi (18)karbidit
volframi
niiden sekoitukset (4)
dielektriset kerrokset (15)boorinitridi
molybdeeni ja molybdeeni-
seoksetdielektriset kerrokset (15)
beryllium ja berylliumseokset boridit
dielektriset kerrokset (15)beryllium
anturi-ikkunamateriaalit (9) dielektriset kerrokset (15)
timantin kaltainen hiili (17)
tulenkestävät metallit ja
seokset (8)aluminidit
silisiditoksiditkarbidit
G. Ioni-istutus korkean lämpötilan laakeri-
teräksetKromi-, tantaali- tai niobium-
(Columbium)lisäaineet
titaaniseokset (13) Boridit
Nitridit
beryllium ja berylliumseokset Boridit
volframikarbidikovametalli
(16)Karbidit
Nitridit2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 101
▼M3
Huomautukset
1. Termi 'pinnoitusprosessi' sisältää, paitsi alkuperäisen pinnoituksen, myös sen korjauksen tai
uusimisen.
2. Termi 'seostettu aluminidipinnoitus' sisältää yksi- ja monivaiheiset pinnoitukset, joissa substraatti
pinnoitetaan ensin tai samanaikaisesti aluminidipinnoituksen kanssa muulla alkuaineella tai -
aineilla silloinkin, kun näillä alkuaineilla pinnoitetaan jotain muuta prosessia käyttäen. Se ei
kuitenkaan sisällä yksivaiheista hiiletyslaatikkokarkaisuprosessia, jota käytetään useampaan kertaan
seostetun aluminidin aikaansaamiseksi substraatin pinnalle.
3. Termi 'jalometallimuunnettu aluminidipinnoitus' sisältää monivaiheiset pinnoitukset, joissa
jalometallia tai jalometalleja aikaansaadaan substraatin pinnalle jollakin muulla prosessilla ennen
aluminidipinnoitusta.
4. Termi 'niiden sekoitukset' sisältää suodatettuja aineita, lajiteltuja seoksia sekä lisä- ja
monikerrospinnoitteita ja niitä aikaansaadaan yhden tai useamman taulukossa mainitun prosessin
avulla.
5. 'McrAlX' tarkoittaa metalliseospinnoitetta, jossa M vastaa kobolttia, rautaa, nikkeliä tai niiden
yhdistelmiä ja X vastaa hafniumia, yttriumia, piitä, tantaalia missä tahansa määrässä tai muuta
tarkoituksellista lisäainetta yli 0,01 painoprosenttia erilaisissa suhteissa ja yhdistelmissä, paitsi:
a. CoCrAlY-pinnoitteet, jotka sisältävät vähemmän kuin 22 painoprosenttia kromia, vähemmän
kuin 7 painoprosenttia alumiinia ja vähemmän kuin 2 painoprosenttia yttriumia;
b. CoCrAlY-pinnoitteet, jotka sisältävät 22—24 painoprosenttia kromia, 10—12 painoprosenttia
alumiinia ja 0,5—0,7 painoprosenttia yttriumia;
c. NiCrAlY-pinnoitteet, jotka sisältävät 21—23 painoprosenttia kromia, 10—12 painoprosenttia
alumiinia ja 0,9—1,1 painoprosenttia yttriumia.
6. Termi 'alumiiniseos' tarkoittaa metalliseoksia, joiden murtovetolujuus on 190 MPa tai enemmän
mitattuna 20 ºC (293 K) asteen lämpötilassa.
7. Termi 'korroosionkestävä teräs' tarkoittaa AISI (American Iron and Steal Institute) 300- sarjaa tai
vastaavia kansallisia standarditeräksiä.
8. 'Tulenkestävät metallit ja seokset' sisältävät seuraavia metalleja ja niiden seoksia: niobium
(Columbium), molybdeeni, volframi ja tantaali.
9. 'Anturi-ikkunamateriaaleja' ovat seuraavat: alumiinioksidi, pii, germanium, sinkkisulfidi, sinkkise-
lenidi, galliumarsenidi, timantti, galliumfosfidi, safiiri ja seuraavat metallihalidit:
zirkoniumfluoridista ja hafniumfluoridista koostuvat anturi-ikkunamateriaalit, joiden läpimitta
ylittää 40 mm.
10. Kiinteiden turbiininsiipilevyjen yksivaiheinen hiiletyslaatikkokarkaisu"teknologia" ei ole valvon-
nanalaista 2 ryhmässä.
11. Seuraavat polymeerit: polyimidi, polyesteri, polysulfidi, polykarbonaatit ja polyuretaanit.12. 'Muunnettu zirkoniumoksidi' tarkoittaa, että siinä on muiden metallien oksideja lisäaineena, kuten
kalsiumoksidi, magnesiumoksidi, yttriumoksidi, hafniumoksidi ja harvinaisten maametallien oksidit
jne. zirkoniin asti, joita käytetään stabiloimaan tiettyjä kiteisiä faaseja ja faasikombinaatioita.
Lämpöeristyspinnoitukset, jotka on valmistettu zirkoniumoksidista, joka on muunnettu kalsiumok-
sidia tai magnesiumoksidia sekoittamalla tai fuusaamalla, eivät ole valvonnanalaisia.
13. 'Titaaniseokset' tarkoittaa vain ilmailu- tai avaruuskäyttöön tarkoitettuja seoksia, joiden murtove-
tolujuus on 900 MPa tai enemmän mitattuna 20 ºC (293 K) asteen lämpötilassa.
14. 'Vähän laajenevat lasit' tarkoittaa laseja, joiden lämpölaajenemiskerroin on 1 × 10
−7K−1tai
vähemmän mitattuna 20 ºC (293 K) asteen lämpötilassa.
15. 'Dielektriset kerrokset' ovat pinnoitteita, jotka rakentuvat eristysmateriaalien useista kerroksista,
joissa eri taitekertoimen omaavien materiaalien interferenssiominaisuuksia halutulla tavalla
käytetään heijastamaan, lähettämään tai absorboimaan eri aallonpituuskaistoja. Dielektriset
kerrokset tarkoittavat enemmän kuin neljää dielektristä kerrosta tai dielektristä/metalli"kompo-
siitti"kerrosta.
16. 'Volframikarbidikovametalli' ei sisällä lastuamis- ja muovaustyökalumateriaaleja, joilla on seuraava
koostumus: volframikarbidi/(koboltti,nikkeli), titaanikarbidi/(koboltti, nikkeli), kromikarbidi/
nikkeli-kromi tai kromikarbidi/nikkeli.
17. "Teknologiaa", joka on erityisesti tarkoitettu pinnoittamaan timantin kaltaisella hiilellä seuraavia, ei
valvota:
magneettiset levyasemat ja magneettipäät, kertakäyttötuotteiden valmistukseen käytettävät laitteet,
hanaventtiilit, kaiuttimien akustiset kalvot, moottorien osat autoihin, terätyökalut, lävistyspur-
istinmatriisit, toimistoautomaatiolaitteet, mikrofonit tai lääkinnälliset laitteet.
18. 'Piikarbidi' ei sisällä terätyökaluihin tai muototeriin käytettäviä aineita.19. Tässä tarkoitetut 'keraamiset substraatit' eivät sisällä keraamisia aineita, joissa on vähintään 5
painoprosenttia savea tai sementtiä erillisinä ainesosina tai yhdisteinä.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 102
▼M3
Taulukon 1 sarakkeessa mainitut prosessit määritellään seuraavasti:
a. Kemiallinen kaasufaasipinnoitus (CVD) on pinnoitus- tai pinnan muunnosprosessi, jossa metallia,
metalliseosta, "komposiittia", dielektristä ainetta tai keraamia depositioidaan kuumennetulle
substraatille. Kaasumaiset reagoivat aineet hajoavat tai yhdistyvät substraatin välittömässä
läheisyydessä, jonka seurauksena haluttu alkuaine, metalliseos tai yhdiste asettuu substraatille.
Hajoamisen tai kemiallisen reaktioprosessin tarvitsema energia saadaan substraatin lämmöstä,
hohtopurkaus plasmasta tai "laser"säteilytyksestä.
Huom. 1: CVD sisältää seuraavat prosessit: suunnatun kaasuvirtauksen ei-pakkauspinnoitus,
sykkivä CVD, säädettävä ydintymislämpöhajoaminen (CNTD), plasma- tai plasma-
avusteinen CVD.
Huom. 2: Pakkaus tarkoittaa jauheseokseen upotettua substraattia.
Huom. 3: Kaasumaiset, reagoivat aineet, joita käytetään ei-pakkausprosessissa tuotetaan
käyttämällä samoja perusreaktioita ja parametreja, kuin pakkauspinnoitusprosessis-
sakin, paitsi että siinä pinnoitettava substraatti ei ole kosketuksissa jauheseokseen.
b. Terminen höyrystys-fysikaalinen höyrypinnoitus (TE-PVD = Thermal Evaporation-Physical Vapour
Deposition) on pinnoitusprosessi, joka suoritetaan tyhjössä paineen ollessa alle 0,1 Pa, jossa termistä
energiaa käytetään höyrystämään pinnoitusmateriaalia. Tässä prosessissa höyrystyneet ainesosat
kondensoituvat tai depositioituvat sopivasti asetetun substraatin pinnalle.
Kaasujen lisääminen tyhjökammioon pinnoitusprosessin aikana on tavallinen prosessin muunnos.Ioni- tai elektronisäteen tai plasman käyttöaktivoimaan tai avustamaan pinnoitusprosessia on myö s
tavallinen tämän tekniikan muunnos. Monitorien käyttömahdollistamaan prosessin aikana optisten
ominaisuuksien tai pinnoitteen paksuuden mittauksen voi olla näiden prosessien lisäpiirre.
Eri TE-PVD prosessit ovat seuraavat:1. Elektronisuihku-PVD-prosessissa käytetään elektronisuihkua kuumentamaan ja höyrystämään
pinnoitteen muodostavaa materiaalia.
2. Ioniavusteinen resistiivinen-kuumennus-PVD -prosessissa käytetään resistiivisiä kuumennusläh-
teitä yhdessä iskeytyvän(-vien) ionisäte(id)en kanssa tuottamaan kontrolloidun ja yhtenäisen
höyrystyneiden pinnoiteaineksien vuon.
3. "Laser"höyrystys-(PVD) käyttää joko pulssi- tai jatkuvan aallon lasersäteitä höyrystämään
pinnoituksen muodostavia materiaaleja.
4. Katodikaaripinnoitus(-PVD) käyttää kuluvaa katodia, joka on pinnoitteen muodostavaa
materiaalia sekä kaaripurkausta, joka aikaansaadaan koskettamalla hetkellisesti sen pintaa
maaliipaisimella. Ohjaamalla kaarta erotetaan katodin pinnasta ionisoitua plasmaa. Anodina voi
olla joko kartio, joka on kiinnitetty katodin läheisyyteen, eristeen tai kammion läpi. Substraatin
(jännite)biassointia käytetään näkymättömissä tapahtuvaan pinnoitukseen.
Huom: Tämä määritelmä ei koske satunnaista katodikaaripinnoitusta biassoimattomia
substraatteja käytettäessä.
5. Ioni-pinnoitus(-PVD) on TE-PVD-prosessin muunnos, jossa plasma- tai ionilähdettä käytetään
ionisoimaan pinnoitettavia aineksia ja negatiivinen biasjännite johdetaan substraattiin pinnoitu-
saineksien erottamiseksi plasmasta. Reagoivien aineksien käyttäminen, kiinteiden aineiden
höyrystäminen prosessikammiossa ja monitorien käyttö mahdollistamaan prosessin aikaisen,
pinnoitteen optisten ominaisuuksien ja paksuuden mittaamiseksi ovat tavallisia prosessin
muunnoksia.
c. Pakkasementointi on pinnan muunnos- tai pinnoitusprosessi, jossa substraatti upotetaan jauheseok-
seen (pakkaan), joka koostuu:
1. Depositioitavista metallijauheista (tavallisesti alumiinia, kromia, piitä tai niiden yhdistelmiä);2. Aktivaattorista (tavallisesti halidisuola); ja
3. Reagoimattomasta aineesta, useimmiten alumiinioksidista.Substraattijajauheseosasetetaan retorttiin, jokakuumennetaan 757ºC(1030K)—1 102ºC(1 375K)
asteeseen riittäväksi ajaksi pinnoitteen aikaansaamiseksi.
d. Plasmaruiskutus on pinnoitusprosessi, jossa plasmaa tuottavaan ja ohjaavaan sumuttimeen syötetään
pinnoitemateriaalia jauheena tai lankana, ne sulatetaan ja kiihdytetään substraattia kohden.
Plasmaruiskutus on joko matalapaineessa tai suurinopeuksista plasmaruiskutusta.
Huom. 1: Matalapaineella tarkoitetaan alle ilmakehän painetta.
Huom. 2: Suurinopeuksisella tarkoitetaan kaasun lähtönopeutta suuttimesta, kun se ylittää 750 m/
s laskettuna 20 ºC (293 K) asteen lämpötilassa ja 0,1 MPa:n paineessa.
e. Lietepinnoitus onpinnan muunnos- tai pinnoitusprosessi,jossa orgaanisen aineen sitomaa metalli- tai
keraamijauhetta riippuu nesteessä ja sumuttamalla, kastamalla tai maalaamalla se aikaansaadaan
substraatille, jota seuraa ilmassa tai uunissa tapahtuva kuivaus sekä lämpökäsittely halutun
pinnoitteen aikaansaamiseksi.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 103
▼M3
f. Sputterointi on pinnoitusprosessi, joka perustuu "liikemäärän siirto" -ilmiöön, jossa positiiviset ionit
kiihdytetään sähkökentässä kohti pinnoitemateriaalin pintaa. Iskeytyvien ionien kineettinen energia
on riittävä irrottamaan atomeja sen pinnasta ja pinnoittamaan sopivasti asetettua substraattia.
Huom. 1: Taulukko viittaa vain triodi-, magnetroni- tai reaktiiviseen sputterointiin, jota käytetään
lisäämään pinnoitteen kiinnittymistä ja depositionopeutta ja radiotaajuudella voimis-
tettuun sputterointiin, jota käytetään mahdollistamaan ei-metallisten
pinnoitemateriaalien höyrystäminen.
Huom. 2: Matalaenergisiä (alle 5 keV) ionisäteitä voidaan käyttää aktivoimaan depositiota.
g. Ioni-istutus on pinnan muunnospinnoitusprosessi, jossa seostettava elementti ionisoidaan, kiihdy-
tetään potentiaaligradientin läpi ja istutetaan substraatin pinnan tietylle alueelle. Tämä sisältää
prosessit, joissa ioni-istutus suoritetaan samanaikaisesti elektronisuihku-PVD:llä tai sputteroinnilla.
(*) Suluissa olevat numerot viittaavat tämän taulukon jäljessä oleviin huomautuksiin.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 104
▼M3
RYHMÄ 3
ELEKTRONIIKKA2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 105
▼M3
3A Järjestelmät, laitteet ja komponentit
Huom. 1: Sellaisten 3A001 tai 3A002 kohdassa kuvattujen
laitteiden, kokoonpanojen ja komponenttien,
3A001.a.3—3A001.a.10 tai 3A001.a.12 kohdassa
kuvattuja lukuun ottamatta, jotka on erityisesti
suunniteltu, tai joilla on samat toiminnalliset ominai-
suudet kuin jollain muulla laitteella,
valvonnanalaisuus määräytyy näiden muiden lait-
teiden mukaan.
Huom. 2: 3A001.a.3—3A001.a.9tai 3A001.a.12 kohdassa
kuvattujen integroitujen piirien, jotka on ohjelmoitu
ei-muutettavasti, tai jotka on suunniteltu erityistä
toimintoa varten, valvonnanalaisuus määräytyy
niiden muiden laitteiden mukaan, joita varten ne on
tarkoitettu.
Huom: Milloin valmistaja tai vientiluvan hakija ei
pysty määrittelemään näiden muiden lait-
teiden valvonnanalaisuutta, valvonnana-
laisuus määräytyy 3A001.a.3—3A001.a.9
tai 3A001.a.12 kohdan mukaan.
Jos integroitu piiri on piipohjainen
3A001.a.3 kohdassa kuvattu "mikrotieto-
konepiiri" tai mikro-ohjainpiiri, jonka
operandin (tiedon) sanan pituus on 8 bittiä
tai vähemmän, integroidun piirin valvon-
nanalaisuus määräytyy 3A001.a.3 kohdan
mukaan.
3A001 Elektroniset komponentit seuraavasti:
a. Seuraavat yleiskäyttöiset integroidut piirit:
Huom. 1: (Valmiiden tai puolivalmiiden) piikiekkojen, joissa
toiminto on määritelty, valvonnanalaisuus arvioi-
daan 3A001.a kohdan parametrien mukaan.
Huom. 2: Integroidut piirit sisältävät seuraavat tyypit:
"Monoliittiset integroidut piirit";
"Integroidut hybridipiirit";"Integroidut monipalapiirit";"Integroidut kalvopiirit", integroidut pii-safiiri-
piirit mukaan lukien;
"Optiset integroidut piirit".
1. Integroidut piirit, jotka on suunniteltu tai mitoitettu
kestämään jompaa kumpaa seuraavista:
a. Säteilyä kokonaisannoksena 5 × 10
3Gy (Pii) tai
enemmän; tai
b. Säteilyä, jonka annosnopeus on 5 × 106Gy (Pii)/s tai
enemmän;
2. "Mikroprosessoripiirit", "mikrotietokonepiirit", mikro-
ohjainpiirit, integroidut muistipiirit, jotka on valmistettu
yhdistepuolijohteesta, analogia-digitaalimuuntimet, digi-
taali-analogiamuuntimet, sähköoptiset tai "optiset
integroidut piirit" "signaalinkäsittelyä" varten, käyttäjän
ohjelmoitavat logiikkapiirit, integroidut hermoverkkopiirit,
sellaiset asiakaskohtaiset integroidut piirit, joiden toiminta
on tuntematon tai jotka on tarkoitettu laitteisiin, joiden
valvonnanalaisuus on tuntematon, nopea-Fourier-muun-
nos(FFT)-prosessorit, elektronisesti pyyhittävät
ohjelmoitavat lukumuistit (EEPROMSit), pikamuistipiirit
taikka staattiset luku-/kirjoitusmuistit (SRAMit), jotka on
joko
a. suunniteltu toimimaan yli 398 K (125 ºC) lämpötiloissa;
b. suunniteltu toimimaan alle 218 K (− 55 ºC) lämpöti-
loissa;tai
c. mitoitettu toimimaan koko lämpötila-alueella 218 K (−
55 ºC)—398 K (125 ºC);
Huom: 3A001.a.2 kohta ei koske siviiliautoihin tai
juniin tarkoitettuja integroituja piirejä.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 106
▼M3
3. "Mikroprosessoripiirit", "mikrotietokonepiirit" ja mikro-
ohjainpiirit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Huom: 3A001.a.3 kohta sisältää digitaaliset signaali-
prosessorit, digitaaliset matriisiprosessorit ja
digitaaliset apuprosessorit.
a. "Yhteenlaskettu teoreettinen tehokkuus" ("CTP") on
6 500 miljoonaa teoreettista operaatiota sekunnissa
(Mtops) tai enemmän ja aritmetiikkayksikön hakuleveys
32 bittiä tai enemmän;
b. Valmistettu yhdistepuolijohteesta ja toimii kellotaajuu-
della, joka ylittää 40 MHz; tai
c. Rinnakkaisten "mikroprosessoripiirien" välillä onsuoraa
ulkoista liitäntää varten on useampia kuin yksi tieto- tai
käskyväylä tai sarjaliikenneportti, joiden siirtonopeus
ylittää 150 Mbyte/s;
4. Integroidut muistipiirit, jotka on valmistettu yhdistepuoli-
johteista;
5. Seuraavat integroidut analogia-digitaalimuunnin- tai digi-
taali-analogiamuunninpiirit:
a. Analogia-digitaalimuuntimet, joilla on jokin seuraavista
ominaisuuksista:
HUOM: KATSO MYÖS 3A101 KOHTA.
1. Resoluutio 8 bittiä tai enemmän mutta alle 12 bittiä
ja 'kokonaismuuntoaika' alle 5 ns;
2. Resoluutio12bittiäja'kokonaismuuntoaika'alle5ns;
3. Resoluutio yli 12 bittiä ja 'kokonaismuuntoaika' alle
2 mikrosekuntia;
b. Digitaali-analogiamuuntimet, joiden resoluutio on 12
bittiä tai enemmän ja "asettumisaika" alle 10 ns;
Tekn. huom:
1. N:n bitin resoluutio vastaa 2n:n vertailutason kvanti-
sointia.
2. 'Kokonaismuuntoaika' on näytteenottotaajuuden
käänteisluku.
6. Sähköoptiset tai "optiset integroidut piirit" "signaalinkäsit-
telyä" varten, joilla on kaikki seuraavat:
a. Yksi tai useampi sisäinen "laser"diodi;
b. Yksi tai useampi sisäinen valoa ilmaiseva elementti; ja
c. Optisia aaltoputkia;
7. Käyttäjäohjelmoitavat logiikkapiirit, joilla on jokin seur-
aavista;
a. Ekvivalenttinen käytettävissä oleva porttiluku yli 30000
(2 sisäänmenoa porttia kohti);
b. Tyypillinen perusportin etenemisviive vähemmän kuin
0,4 ns;tai
c. Tilanvaihtotaajuus ylittää 133 MHz;
Huom: 3A001.a.7 kohtaan sisältyvät:
— Yksinkertaiset ohjelmoitavat logiikkapiirit
(SPLD:t)
— Monimutkaiset ohjelmoitavat logiikkapiirit
(CPLD:t)
— Kentällä ohjelmoitavat porttimatriisipiirit
(FPGA:t)
— Käyttäjäohjelmoitavat logiikkaverkot
(FPLA:t)
— Kentällä ohjelmoitavat yhdyskomponentit
(FPIC:t)
Huom: 'Käyttäjäohjelmoitavat logiikkapiirit'
tunnetaan myös nimellä 'kentällä
ohjelmoitavat porttimatriisipiirit' tai
'käyttäjäohjelmoitavat logiikkaverkot'.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 107
▼M3
8. Ei käytössä;
9. Integroidut hermoverkkopiirit;
10. Asiakaskohtaiset integroidut piirit, joiden toiminta on
tuntematon, tai jotka on tarkoitettu laitteisiin, joiden
valvonnanalaisuus on valmistajalle tuntematon ja joilla on
jokin seuraavista:
a. Liitospisteiden lukumäärä ylittää 1 000;
b. Tyypillinen "perusportin etenemisviive" on vähemmän
kuin 0,1 ns; tai
c. Toimintataajuus ylittää 3 GHz;
11. Muut digitaaliset integroidut piirit kuin
3A001.a.3—3A001.a.10 tai 3A001.a.12 kohdassa kuvatut,
jotka perustuvat yhdistepuolijohteisiin ja joilla on jokin
seuraavista:
a. Ekvivalenttinen porttiluku on enemmän kuin 3000 (2
sisäänmenoa porttia kohti); tai
b. Kellotaajuus ylittää 1,2 GHz;
12. Nopea-Fourier-muunnos-prosessorit (FFT), joiden nimel-
linen suoritusaika N:n pisteen kompleksiselle FFT-
muunnokselle on vähemmän kuin (N log2N)/20480 ms,
jossa N on pisteiden lukumäärä;
Tekn. huom:
Kun N on yhtä kuin 1 024 pistettä, 3A001.a.12 kohdan
kaavan mukainen suoritusaika on 500 µs.
b. Mikroaalto- tai millimetriaaltolaitteet:
1. Seuraavat elektroniset tyhjöputket ja katodit:
Huom: 3A001.b.1 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi
putkia, jotka on suunniteltu tai mitoitettu toimi-
maan taajuuskaistalla, joka täyttää kaikki
seuraavat ominaisuudet:
a. Joka ei ylitä 31 GHz:ä; ja
b. Jonka "ITU on allokoinut" radioviestintäpal-
veluille, mutta ei radiomääritykselle.
a. Seuraavat kulkuaaltoputket pulssi- tai jatkuville aalloille:
1. Jotka toimivat yli 31 GHz:n taajuuksilla;
2. Joiden hehkukatodien käynnistysaika nimelliseen RF-
tehoon asti on vähemmän kuin 3 sekuntia;
3. Kytketyt onteloputket tai niiden muunnokset, joiden
"suhteellinen kaistanleveys" on enemmän kuin 7 % tai
huipputeho ylittää 2,5 kW;
4. Kierukkaputket tai niiden muunnokset, joilla on jokin
seuraavista ominaisuuksista:
a. "Hetkellinen kaistanleveys" on enemmän kuin
puoli oktaavia tai enemmän ja nimellisen
keskimääräisen lähtötehon (kilowatteina) ja maksi-
mitoimintataajuuden (gigahertseinä) tulo on
enemmän kuin 0,5;
b. "Hetkellinen kaistanleveys" on yksi oktaavia tai
alle ja nimellisen keskimääräisen lähtötehon (kilo-
watteina) ja maksimitoimintataajuuden
(gigahertseinä) tulo on enemmän kuin 1; tai
c. Ovat "avaruuskelpoisia";
b. Ristikenttävahvistinputket, joiden vahvistus on enemmän
kuin 17 dB,
c. Elektroniputkien kyllästetyt katodit, jotka tuottavat
nimellisissä olosuhteissa jatkuvan emissiovirran tiheyden,
joka ylittää 5 A/cm2;2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 108
▼M3
2. Integroidut mikroaaltopiirit tai moduulit, joilla on kaikki
seuraavat ominaisuudet:
a. Ne "sisältävät monoliittisiä integroituja piirejä", joissa on
yksi tai useampi aktiivinen piirielementti, ja
b. Niiden toimintataajuus ylittää 3 GHz;
Huom. 1: 3A001.b.1 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi
piiriä tai moduleita, jotka on suunniteltu tai
mitoitettu toimimaan taajuuskaistalla, joka
täyttää kaikki seuraavat ominaisuudet:
a. Joka ei ylitä 31 GHz:ä; ja
b. Jonka "ITU on allokoinut" radioviestintä-
palveluille, mutta ei radiomääritykselle.
Huom. 2: 3A001.b.2 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi
yleisradiolähetyksiin tarkoitettujen satelliittien
laitteita, jotka on suunniteltu tai mitoitettu
toimimaan 40,5—42,5 GHz:n taajuusalueella.
3. Mikroaaltotransistorit, jotka on mitoitettu toimimaan yli
31 GHz:n taajuuksilla;
4. Seuraavat puolijohde-mikroaaltovahvistimet:
a. Jotka toimivat yli 10,5 GHz:n taajuuksilla ja joiden
hetkellinen kaistanleveys on yli puoli oktaavia; tai
b. Jotka toimivat yli 31 GHz:n taajuuksilla;
5. Elektronisesti tai magneettisesti viritettävät kaistanpäästö-
tai kaistanestosuotimet, joissa on enemmän kuin 5 viri-
tettävää resonaattoria, jotka voidaan virittää vähemmässä
kuin 10 mikrosekunnissa taajuuskaistalle, jonka fmax/fminon
1,5:1, ja joiden:
a. Päästökaistan leveys on enemmän kuin 0,5 % keskitaa-
juudesta; tai
b. Estokaistan leveys on vähemmän kuin 0,5 % keskitaa-
juudesta;
6. Mikroaaltokokoonpanot, jotka pystyvät toimimaan yli
31 GHz:n taajuuksilla;
7. Sekoittajat ja muuntimet, jotka on suunniteltu ulottamaan
3A002.c, 3A002.e tai 3A002.f kohdassa määriteltyjen
laitteiden taajuusalueen kohdissa mainittujen rajojen ulko-
puolelle;
8. Mikroaaltotehovahvistimet, jotka sisältävät 3A001.b
kohdassa määriteltyjä putkia ja joilla on kaikki seuraavat:
a. Toimintataajuudet ovat yli 3 GHz;
b. Keskimääräinen ulostulon suhdetiheyteen on80W/kg; ja
c. Tilavuus on vähemmän kuin 400 cm3;
Huom: 3A001.b.8 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi
laitteita, jotka on suunniteltu tai mitoitettu
toimimaan taajuuskaistalla, jonka "ITU on allo-
koinut" radioviestintäpalveluille, mutta ei
radiomääritykselle.
c. Seuraavat akustiset aaltolaitteet ja niitä varten erityisesti
suunnitellut komponentit:
1. Pinta-akustiset aaltolaitteet ja matalatila-akustiset laitteet (eli
"signaalinkäsittely"laitteet, jotka käyttävät hyväkseen mate-
riaalien elastisten aaltojen kulkua), joilla on jokin
seuraavista:
a. Kantoaallon taajuus ylittää 2,5 GHz;
b. Kantoaallon taajuus ylittää 1 GHz, mutta ei 2,5 GHz ja
jolla on jokin seuraavista:
1. Taajuuden sivukeilan vaimennus ylittää 55 dB;
2. Maksimiviiveen ja kaistanleveyden tulo (aika mikro-
sekunteina ja kaistanleveys megahertseinä) on
enemmän kuin 100;
3. Kaistanleveys on suurempi kuin 250 MHz; tai
4. Dispersiivinen viive on enemmän kuin 10 mikrose-
kuntia;tai2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 109
▼M3
c. Kantoaallon taajuus 1 GHz tai vähemmän ja jokin
seuraavista:
1. Maksimiviiveen ja kaistanleveyden tulo (aika mikro-
sekunteina ja kaistanleveys megahertseinä) on
enemmän kuin 100;
2. Dispersiivinen viive on enemmän kuin 10 mikrose-
kuntia; tai
3. Taajuuden sivukeilan vaimennus ylittää 55 dB ja
kaistanleveys on suurempi kuin 50 MHz;
2. Kappaleakustiset (tila-akustiset) laitteet (eli "signaalinkäsit-
tely"laittet, jotka käyttävät hyväkseen elastisia aaltoja), jotka
sallivat signaalien suoran prosessoinnin yli 1 GHz:n taajuuk-
silla;
3. Akusto-optiset "signaalinkäsittely"laitteet, jotka käyttävät
hyväkseen ääniaaltojen (kappale- tai pinta-aaltojen) ja
valoaaltojen vuorovaikutusta, ja jotka sallivat signaalien tai
kuvien suoran käsittelyn, mukaan lukien spektrianalyysi,
korrelaatio tai konvoluutio;
d. Elektroniset laitteet tai piirit, jotka sisältävät "suprajohtavista"
materiaaleista valmistettuja komponentteja, ja jotka on erityi-
sesti suunniteltu toimimaan ainakin yhden "suprajohtavan"
ainesosansa "kriittisen lämpötilan" alapuolella, ja joilla on jokin
seuraavista:
1. Virtakytkentä digitaalipiireissä, joissa käytetään "suprajoh-
tavia" portteja, joiden porttikohtaisen viiveen (sekunteina) ja
porttikohtaisen tehohäviön (watteina) tulo on vähemmän
kuin 10−1 4J;tai
2. Taajuuden valinta kaikilla taajuuksilla käyttäen resonanssi-
piirejä, joiden Q-arvo ylittää 10000;
e. Seuraavat suurenergialaitteet:
1. Seuraavat paristot ja valosähköiset paneelit:
Huom: 3A001.e.1 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi
paristoja, joiden tilavuus on 27 cm3tai vähemmän
(esim. standardoidut C-parit tai R14-paristot).
a. Ensiöparit tai -paristot, joiden 'energiatiheys' ylittää
480 Wh/kg ja jotka on mitoitettu toimimaan lämpötila-
alueella alle 243 K (− 30 ºC) ja yli 343 K (70 ºC) astetta;
b. Uudelleenladattavat parit ja paristot, joiden 'energiati-
heys' ylittää 150 Wh/kg 75:n lataus- ja purkamiskerran
jälkeen, kun purkausvirta on C/5 tuntia (C on nimellis-
kapasiteetti ampeeritunteina) ja ne toimivat lämpötila-
alueella alle 253 K (− 20 ºC) ja yli 333 K (60 ºC) astetta;
Tekn. huom:
'Energiatiheys' saadaan kertomalla keskimääräinen teho
watteina (keskimääräinen jännite voltteina kertaa
keskimääräinen virta ampeereina) ajalla (tunteina),
joka kuluu purkautumiseen 75 %:iin avoimen piirin
jännitteestä, jaettuna parin (tai pariston) kokonaismas-
salla kiloina.
c. "Avaruuskelpoiset" ja säteilyä kestävät valosähköiset
paneelit, joiden ominaisteho ylittää 160 W/m2301 K
(28 ºC) asteen toimintalämpötilassa ja volframivalaistuk-
sessa, joka on 1 kW/m22 800 K (2527 ºC) asteessa;
2. Seuraavat suurenergiset varauskondensaattorit:
HUOM: KATSO MYÖS 3A201.a KOHTA
a. Kondensaattorit, joiden toistotiheys on alle 10 Hz
(kertatoimiset kondensaattorit) ja joilla on kaikki seur-
aavat ominaisuudet:
1. Nimellisjännite 5 kV tai enemmän;
2. Energiatiheys 250 J/kg tai enemmän; ja
3. Kokonaisenergia 25 kJ tai enemmän;2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 110
▼M3
b. Kondensaattorit, joiden toistotiheys on 10 Hz tai
enemmän (toistuvatoimiset kondensaattorit) ja joilla on
kaikki seuraavat ominaisuudet:
1. Nimellisjännite on 5 kV tai enemmän;
2. Energiatiheys on 50 J/kg tai enemmän;
3. Kokonaisenergia on 100 J tai enemmän; ja
4. Lataus-purkuikä on 10000 tai enemmän;
3. "Suprajohtavat" sähkömagneetit tai solenoidit, jotka on
erityisesti suunniteltu täysin ladattaviksi tai purettaviksi
alle 1 sekunnissa ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
HUOM: KATSO MYÖS 3A201.b KOHTA
Huom: 3A001.e.3 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi
"suprajohtavia" sähkömagneetteja tai solenoi-
deja, jotka on erityisesti suunniteltu
magneettiresonanssikuvausta (MRI) varten
lääketieteellisiin laitteisiin.
a. Purkauksen aikana luovutettu maksimienergia on
enemmän kuin 10 kJ ensimmäisen sekunnin aikana;
b. Virtakäämien sisäläpimitta on yli 250 mm; ja
c. Magneettisen induktion nimellisarvo on enemmän kuin
8 T tai "kokonaisvirrantiheys" käämissä on yli 300 A/mm
2;
f. Pyöriväsyötteiset akselin absoluuttisen asennon kooderit, joilla
on jokin seuraavista ominaisuuksista:
1. Resoluutio on parempi kuin 1 osa 265000:sta (18 bitin
resoluutio) koko alueella; tai
2. Tarkkuus on parempi kuin ± 2,5 kaarisekuntia;
3A002 Yleiskäyttöiset elektroniset laitteet:
a. Seuraavat nauhoituslaitteet ja niitä varten erityisesti suunni-
tellut testinauhat:
1. Analogiset instrumentointinauhurit, mukaan lukien ne, jotka
mahdollistavat myös digitaalisten signaalien tallentamisen
(esim. käyttämällä suuritiheyksisen digitaalisen tallennuksen
(HDDR) mahdollistavaa moduulia), joilla on jokin seuraa-
vista ominaisuuksista:
a. Kaistanleveys ylittää 4 MHz kullakin elektronisella
kanavalla tai nauhan raidalla;
b. Kaistanleveys ylittää 2 MHz kullakin elektronisella
kanavalla tai nauhan raidalla ja raitojen määrä ylittää
42;tai
c. Soveltuvan IRIG:n (International Range Instrumentation
Group) tai EIA:n (Electronic Industries Association)
suosituksen mukaisesti mitattu aika(taso)siirtymävirhe
on alle ± 0,1 mikrosekuntia;
Huom: Analogisia nauhureita, jotka on erityisesti suun-
niteltu siviilivideotarkoituksiin ei katsota
instrumentointinauhureiksi.
2. Digitaaliset videonauhurit, joiden digitaaliliitännän maksi-
misiirtonopeus ylittää 360 Mbit/s;
Huom: 3A002.a.2 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi
digitaalisia videonauhureita, jotka on erityisesti
suunniteltu televisionauhoituksiin käyttäen sell-
aista signaalimuotoa, johon saattaa sisältyä
ITU:n (International Telecommunication Unit),
IEC:n International Technical Commission),
SMPTE:n (Society of Motion Picture and Televi-
sion Engineers), EBU:n (European Broadcasting
Unit) tai IEEE:n (Institute of Electrical and
Electronic Engineers) standardien tai suositusten
mukainen tiivistetty signaalimuoto siviilitelevisio-
sovelluksissa.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 111
▼M3
3. Viistopyyhkäisytekniikkaa tai kiinteäpää-tekniikkaa
käyttävät digitaaliset instrumentointinauhurit, joilla on jokin
seuraavista ominaisuuksista:
a. Digitaaliliitännän maksimisiirtonopeus ylittää 175 Mbit/
s;tai
b. Ovat "avaruuskelpoisia";
Huom: 3A002.a.3 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi
analogisia nauhureita, jotka on varustettu
HDDR-konversioelektroniikalla ja jotka on
tarkoitettu vain digitaalisen tiedon nauhoittami-
seen.
4. Laitteet, joiden digitaalisen liitännän maksimisiirtonopeus
ylittää 175 Mbit/s ja jotka on suunniteltu muuntamaan
digitaaliset videonauhurit instrumentointinauhureina
käytettäviksi;
5. Aaltomuodon digitointilaitteet ja transienttitallentimet, joilla
on seuraavat ominaisuudet:
a. Digitointinopeus on 200 miljoonaa näytteenottoa sekun-
nissa tai enemmän ja resoluutio 10 bittiä tai enemmän; ja
b. Jatkuva käsittelykyky 2 Gbit/s tai enemmän;
Tekn. huom:
Laitteille, joissa on rinnakkaisväyläarkkitehtuuri jatkuva
käsittelykyky on suurin sanansiirtonopeus kerrottuna sanan
bittien lukumäärällä.
Jatkuva käsittelykyky tarkoittaa suurinta tiedonsiirtono-
peutta, jonka laite voi tulostaa massamuistiin tietoa
menettämättä samalla kun se ylläpitää näytteenottonopeutta
ja analogia-digitaalimuunnosta.
b. Elektroniset "taajuussyntesoija"kokoonpanot, joiden "taajuuden
vaihtoaika" yhdeltä valitulta taajuudelta toiselle on vähemmän
kuin 1 ms;
c. Seuraavat "signaalianalysaattorit":
1. "Signaalianalysaattorit", jotka kykenevät analysoimaan yli
31 GHz:n taajuuksia;
2. "Dynaamiset signaalianalysaattorit", joiden "tosiaikainen
taajuuskaista" ylittää 500 kHz;
Huom: 3A002.c.2 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi niitä
"dynaamisia signaalianalysaattoreita", jotka
käyttävät vain "vakiosuhteisia kaistasuotimia"
(kutsutaan myös oktaavi- tai osaoktaavisuoti-
miksi).
d. Taajuussyntesoivat signaaligeneraattorit, joiden tuottamien
lähtötaajuuksien tarkkuus ja lyhyen tai pitkän aikavälin
stabiilius on sisäisen perustaajuuden ohjaama, siitä johdettu
tai sen määräämä, ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuk-
sista:
1. Syntesoitu maksimitaajuus ylittää 31 GHz;
2. "Taajuuden vaihtoaika" yhdeltä valitulta taajuudelta toiselle
on vähemmän kuin 1 ms; tai
3. Yksisivukaistan (SSB) vaihekohina on parempi kuin —
(126 + 20 log10F − 20 log10f) dBc/Hz, jossa F on
toimintataajuuden poikkeama hertseinä ja f on toimintataa-
juus megahertseinä;
Huom: 3A002.d kohta ei aseta valvonnanalaiseksi laitteita,
joissa lähtötaajuus aikaansaadaan joko laskemalla
yhteen tai vähentämällä toisistaan kahden tai
useamman kideoskillaattorin taajuuksia ja kerto-
malla siten saatu tulos.
e. Verkkoanalysaattorit, joiden maksimitoimintataajuus ylittää
40 GHz;
f. Mikroaaltotestivastaanottimet, joilla on kaikki seuraavat
ominaisuudet:
1. Maksimitoimintataajuus ylittää 40 GHz; ja
2. Ne kykenevät mittaamaan samanaikaisesti sekä amplitudia
että vaihetta;2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 112
▼M3
g. Atomitaajuusstandardit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuk-
sista:
1. Pitkän aikavälin (vanhenemis-) stabiilius on vähemmän
(parempi) kuin 1 × 10−1 1kuukaudessa; tai
2. Ne ovat "avaruuskelpoisia".
Huom: 3A002.g.1 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi ei-
"avaruuskelpoisia" rubidiumstandardeja.
3A101 Seuraavat, muut kuin 3A001 kohdassa määritellyt elektroniset
laitteet, laitteet ja komponentit:
a. "Ohjuksissa"käyttökelpoiset analogia-digitaalimuuntimet, jotka
on suunniteltu vastaamaan sotilasspesifikaatioiden kovaan
käyttöön tarkoitettujen laitteiden vaatimuksia;
b. Kiihdyttimet, joilla pystytään lähettämään sähkömagneettista
säteilyä, joka tuotetaan 2 MeV:n energiaan tai sen yli
kiihdytettyjen elektronien jarrutussäteilyn (bremsstrahlung)
avulla, sekä näitä kiihdyttimiä sisältävät järjestelmät.
Huom: 3A101.b kohdassa ei määritellä laitteita, jotka on
erityisesti suunniteltu lääketieteellisiin tarkoituksiin.
3A201 Seuraavat muut kuin 3A001 kohdassa määritellyt elektroniset
komponentit:
a. Kondensaattorit, joilla on joko 1. tai 2. kohdassa luetellut
ominaisuudet:
1. a. Nimellisjännite suurempi kuin 1,4 kV
b. Energian varastointikyky suurempi kuin 10 J
c. Kapasitanssi suurempi kuin 0,5 µF ja
d. Sarjainduktanssi vähemmän kuin 50 nH; tai
2. a. Nimellisjännite suurempi kuin 750 V
b. Kapasitanssi suurempi kuin 0,25 µF ja
c. Sarjainduktanssi vähemmän kuin 10 nH;
b. "Suprajohtavat" solenoidisähkömagneetit, joilla on kaikki
seuraavat ominaisuudet:
1. Pystyvät muodostamaan yli 2 T:n magneettikenttiä;
2. Pituuden suhde sisähalkaisijaan on suurempi kuin 2;3. Sisähalkaisija yli 300 mm;
ja
4. Magneettikenttä poikkeaa vähemmän kuin 1 % tasaisesta
kentästä sisätilavuuden keskeisen puoliskon (50 %) alueella;
Huom: 3A201.b kohta ei aseta valvonnanalaiseksi magneet-
teja, jotka on erityisesti suunniteltu lääketieteellisten
ydinmagneettiseen resonanssiin (NMR) perustuvien
kuvanmuodostusjärjestelmien 'osiksi'. Sana 'osiksi' ei
välttämättä tarkoita samantoimituksen fyysistä osaa;
erilliset toimitukset ovat sallittuja eri lähteistä,
mikäli niihin liittyvissä vientiasiakirjoissa selvästi
mainitaan, että toimitukset lähetetään kuvanmuodos-
tusjärjestelmän 'osiksi'.
c. Seuraavat välähtävät röntgensalamageneraattorit tai pulssitoi-
miset elektronikiihdyttimet, joilla on joko a. tai b. kohdassa
luetellut ominaisuudet:
1. a. Kiihdyttimen huippuelektronienergia on 500 keV tai
suurempi, mutta pienempi kuin 25 MeV; ja
b. 'Hyvyysluku' (K) on 0,25 tai suurempi; tai
2. a. Kiihdyttimen huippuelektronienergia on 25 MeV tai
suurempi; ja
b. Huipputeho on suurempi kuin 50 MW.
Huom: 3A201.c kohta ei aseta valvonnanalaiseksi kiihdyt-
timiä, jotka ovat muuhun kuin elektronisuihku- tai
röntgensäteilytykseen (esimerkiksi elektronimikros-
kopiaan) suunniteltujen laitteiden komponentteja
eikä niitä, jotka on suunniteltu lääketieteellisiä
laitteita varten:2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 113
▼M3
Tekn. huom:
1. 'Hyvyysluku' K on määritelty seuraavasti:
K = 1,7 × 103×V2,65×Q
V on huippuelektronienergia miljoonina elektronivoltteina.Jos elektronipulssin kesto on pienempi tai yhtä suuri kuin 1
mikrosekunti, Q on kiihdytetty kokonaisvaraus coulombeina.
Jos elektronipulssin kesto on suurempi kuin 1 mikrosekunti,
Q on 1 mikrosekunnissa kiihdytetty maksimisähkövaraus.
Q on yhtä kuin elektronivirran i integraali ajan t suhteen
(Q= ∫idt), jossa i on säteen virta ampeereina ja t aika
sekunneissa.
2. 'Huipputeho' = (huippujännite voltteina) × (säteen huippu-
virta ampeereina).
3. Mikroaaltokiihdytysonteloihin perustuvissa koneissa pulssin
kesto on pienempi kahdesta seuraavasta: 1 µs tai yhden
mikroaaltomodulaattorin pulssin tuottaman tiivistetyn puls-
sipaketin kesto.
4. Mikroaaltokiihdytysonteloihin perustuvissa koneissa säteen
huippuvirta on tiivistetyn pulssipaketin keskimääräinen virta
sen keston aikana.
3A225 Muut kuin 0B001.c.13 kohdassa määritellyt taajuusmuuntimet tai
generaattorit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
a. Monivaiheulostulo kykenee antamaan 40 W tai suuremman
tehon;
b. Kykenee toimimaan 600—2 000 Hz:n taajuusalueella;
c. Harmoninen kokonaissäröon parempi (pienempi) kuin 10 %;
ja
d. Taajuuden säätöon parempi (pienempi) kuin 0,1 %.
Tekn. huom:
3A225 kohdan taajuusmuuntimia kutsutaan myös konverttereiksi
tai inverttereiksi.
3A226 Muut kuin 0B001.j.6 kohdassa mainitut tasavirtasuurteholähteet,
joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:
a. Ne kykenevät 8 tunnin jakson aikana jatkuvasti tuottamaan
100 V:n tai korkeamman jännitteen 500 A:n tai suuremmalla
virralla;ja
b. Niiden jännitteen tai virran stabiilius on parempi kuin 0,1 % 8
tunnin jakson aikana.
3A227 Muut kuin 0B001.j.5 kohdassa määritellyt tasavirtakorkeajänni-
telähteet, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:
a. Ne kykenevät 8 tunnin jakson aikana jatkuvasti tuottamaan
20 kV tai korkeamman jännitteen 1 A:n tai suuremmalla
virralla;ja
b. Niiden jännitteen tai virran stabiilius on parempi kuin 0,1 % 8
tunnin jakson aikana.
3A228 Seuraavat kytkinlaitteet:
a. Kylmäkatodiputket, olivatpa ne sitten kaasutäytteisiä tai ei,
jotka toimivat kipinävälin tavoin ja joilla on kaikki seuraavat
ominaisuudet:
1. Ne sisältävät kolme tai useampia elektrodeja;
2. Huippuanodijännitteen nimellisarvo on 2,5 kV tai enemmän;
3. Huippuanodivirran nimellisarvo on 100 A tai enemmän; ja
4. Anodin viiveaika on 10 µs tai lyhyempi;
Huom: 3A228 kohtaan sisältyvät kaasukryptonputket ja
tyhjösprytronputket.
b. Liipaistavat kipinävälit, joilla on molemmat seuraavat ominai-
suudet:
1. Anodiviiveaika on 15 µs tai lyhyempi; ja
2. Huippuvirran nimellisarvo on 500 A tai enemmän;2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 114
▼M3
c. Nopeatoimiset kytkinmodulit tai -kokoonpanot, joilla on kaikki
seuraavat ominaisuudet:
1. Huippuanodijännitteen nimellisarvo on suurempi kuin 2 kV;
2. Huippuanodivirran nimellisarvo on 500 A tai enemmän; ja
3. Kytkentäaika on 1 µs tai vähemmän.
3A229 Seuraavat laukaisulaitteet ja vastaavat suurvirtapulssigeneraattorit:
HUOM: KATSO MYÖS ASETARVIKELUETTELO.
a. Räjähtävien sytyttimien laukaisulaitteet, jotka on suunniteltu
laukaisemaan 3A232 kohdassa määriteltyjä valvonnanalaisia
monipistesytyttimiä;
b. Moduulirakenteiset sähköpulssigeneraattorit, joilla on kaikki
seuraavat ominaisuudet:
1. Ne on suunniteltu liikkuviksi tai vaativissa olosuhteissa
käytettäviksi;
2. Ne on koteloitu pölytiiviisti;
3. Pystyvät luovuttamaan energiansa alle 15 µs:ssa;
4. Lähtövirta on suurempi kuin 100 A;
5. 'Nousuaika' on lyhyempi kuin 10 µs alle 40 ohmin
kuormituksella;
6. Mikään ulottuvuus ei ole suurempi kuin 254 mm;7. Paino on alle 25 kg;
ja
8. Ne on määritelty käytettäväksi laajalla lämpötila-alueella
(223 K (− 50 ºC)—373 K (100 ºC) astetta) tai sopiviksi
"avaruussovelluksiin".
Huom: 3A229.b kohtaan sisältyvät ksenonsalamavalon
käyttölaitteet.
Tekn. huom:
3A229.b.5 kohdassa 'nousuaika' on aikaväli, jonka kuluessa
virran amplitudi kasvaa 10 prosentista 90 prosenttiin, kun
kuorma on resistiivinen.
3A230 Erittäin nopeat pulssigeneraattorit, joilla on molemmat seuraavat
ominaisuudet:
a. Lähtöjännite on yli 6 V alle 55 ohmin resistiivisellä kuormalla;
ja
b. 'Pulssin nousuaika' on lyhyempi kuin 500 ps.
Tekn. huom:
3A230 kohdassa 'pulssin nousuaika' määritellään ajaksi, jonka
kuluessa jännite nousee 10 prosentista 90 prosenttiin jännitteen
amplitudista.
3A231 Neutronigeneraattorijärjestelmät, mukaan lukien putket, joilla on
molemmat seuraavat ominaisuudet:
a. Ne on suunniteltu toimimaan ilman ulkoista tyhjöjärjestelmää;
ja
b. Hyväksikäyttävät sähköstaattista kiihdytystä tritium-deuteriu-
mydinreaktion synnyttämiseen.
3A232 Seuraavat sytyttimet ja monipistesytytinjärjestelmät:
HUOM: KATSO MYÖS ASETARVIKELUETTELO.
a. Seuraavat sähköisesti ohjattavat räjähtävät sytyttimet:
1. Räjähtävä siltajohdin (EB);
2. Räjähtävä siltajohdinlanka (EBW);
3. Iskulaukaisin;
4. Räjähtävät kalvosytyttimet (EFI);
b. Järjestelyt, joita käyttäen voidaan yhdellä tai usealla sytytti-
mellä sytyttää räjähdyspinta yli 5 000 mm2:n alalla yhdellä
laukaisusignaalilla lähes samanaikaisesti, sytytyksen ajoitus
leviää koko pinta-alalle vähemmässä kuin 2,5 µs:ssa.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 115
▼M3
Huom: Tämä kohta ei aseta valvonnanalaiseksi sytyttimiä,
joissa käytetään vain ensiöräjähteitä, esimerkiksi
lyijyatsidia.
Tekn. huom:
3A232 kohdassa kaikki kyseiset sytyttimet käyttävät pientä
sähköjohdinta (siltavastusta, siltavastuslankaa tai kalvoa), joka
kaasuuntuu räjähdysmäisesti, kun nopea, voimakas sähköinen
pulssi kulkee sen läpi. Muissa kuin iskulaukaisin-tyypeissä
räjähtävä johdin käynnistää kemiallisen räjähdyksen siihen
yhteydessä olevassa voimakkaassa räjähteessä, esim. PETN:ssä
(pentaerytritoltetranitraatissa). Iskulaukaisimissa sähköjohtimen
kaasuuntuminen työntää piikin tai iskurin sytyttimen välin yli ja
iskurin törmäys räjähteeseen käynnistää kemiallisen sytytyksen.
Joissakin malleissa iskurin käyttövoimana on magneettinen voima.
Termiä räjähtävä kalvo voidaan käyttää joko EB- tai iskurityyppi-
sistä sytyttimistä.
3A233 Seuraavat, muut kuin 0B002.g kohdassa määritellyt massaspek-
trometrit, jotka kykenevät mittaamaan atomipainoltaan 230 tai
raskaampia ioneja, ja joiden resoluutio on parempi kuin 2 osaa
230:stä ja niiden ionilähteet:
a. Induktiivisesti kytketyt plasmamassaspektrometrit (ICP/MS =
Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometers);
b. Hehkupurkausmassaspektrometrit (GDMS = Glow Discharge
Mass Spectrometers);
c. Termistä ionisaatiota käyttävät massaspektrometrit (TIMS =
Thermal Ionization Mass Spectrometers);
d. Elektronipommitusmassaspektrometrit, joiden lähdekammio on
tehty, vuorattu tai päällystetty UF6-kestävillä materiaaleilla;
e. Molekyylisuihkumassaspektrometrit, joilla on jokin seuraavista
ominaisuuksista:
1. Lähdekammio on valmistettu, vuorattu tai päällystetty
ruostumattomalla teräksellä tai molybdeenillä ja varustettu
kylmäloukulla, joka kykenee jäähtymään 193 K (− 80 ºC)
asteeseen tai sen alle; tai
2. Lähdekammio on valmistettu, vuorattu tai päällystetty UF6-
kestävillä materiaaleilla;
f. Massaspektrometrit, jotka on varustettu aktinideja tai aktinidi-
fluorideja varten käytettäväksi suunnitellulla
mikrofluorausionilähteellä.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 116
▼M3
3B Testaus-, tarkastus- ja tuotantolaitteet
3B001 Seuraavat puolijohdekomponenttien tai -materiaalien valmistus-
laitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut osat ja komponentit:
a. Seuraavat "ohjelmallisesti ohjatut" epitaksikasvatusta varten
suunnitellut laitteet:
1. Laitteet, jotka kykenevät tuottamaan 75 mm:n tai
pidemmällä matkalla kerroksia, joiden kerrospaksuuden
vaihtelu on alle ± 2,5 %;
2. Reaktorit, jotka suorittavat metalliorgaanista kemiallista
kaasufaasipinnoitusta (MOCVD) ja jotka on erityisesti
suunniteltu yhdistepuolijohdekiteiden kasvatukseen käyttäen
kohtien 3C003 tai 3C004 mukaan valvonnanalaisten materi-
aalien välistä kemiallista reaktiota;
3. Molekyylisuihku-epitaksikasvatuslaitteet, jotka käyttävät
kaasu- tai kiinteitä lähteitä;
b. "Ohjelmallisesti ohjatut laitteet", jotka on suunniteltu ioni-
istutusta varten ja joilla on jokin seuraavista:
1. Säteen energia (kiihdytysjännite) ylittää 1 MeV;
2. Ne on erityisesti suunniteltu ja optimoitu toimimaan
pienemmällä kuin 2 keV:n säteen energialla (kiihdytysjän-
nitteellä);
3. Mahdollistavat kuvion suoran istutuksen; tai
4. Kykenevät suorittamaan korkeaenergistä happi-istutusta
kuumennettuun puolijohde"substraattiin";
c. Seuraavat "ohjelmallisesti ohjatut" anisotrooppiset plasmakui-
vasyövytyslaitteet:
1. Laitteet, joissa on kasetista-kasettiin toiminta ja syöttökam-
miot ja joissa on jokin seuraavista:
a. Ne on suunniteltu tai optimoitu tuottamaan minimivii-
vanleveyden, joka on 0,3 µm tai vähemmän ± 5 % 3
sigman tarkkuudella); tai
b. Ne on suunniteltu kehittämään cm2:ä kohden vähemmän
kuin 0,04 partikkelia, joiden mitattavissa oleva koko on
halkaisijaltaan suurempi kuin 0,1 µm;
2. Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu 3B001.e kohdan
mukaan valvonnanalaisia laitteita varten ja joissa on jokin
seuraavista:
a. Ne on suunniteltu tai optimoitu tuottamaan kriittiset
mitat, jotka ovat 0,3 µm tai vähemmän ± 5 % 3 sigman
tarkkuudella); tai
b. Ne on suunniteltu kehittämään cm2:ä kohden vähemmän
kuin 0,04 partikkelia, joiden mitattavissa oleva koko on
halkaisijaltaan suurempi kuin 0,1 µm;
d. Seuraavat "ohjelmallisesti ohjatut" plasma-CVD-laitteet:
1. Laitteet, joissa on kasetista-kasettiin toiminta ja syöttökam-
miot ja joissa on jokin seuraavista:
a. Ne on suunniteltu valmistajan eritelmien mukaan tai
optimoitu tuottamaan kriittiset mitat, jotka ovat 0,3 µm
tai vähemmän ± 5 % 3 sigman tarkkuudella); tai
b. Ne on suunniteltu kehittämään cm2:ä kohden vähemmän
kuin 0,04 partikkelia, joiden mitattavissa oleva koko onhalkaisijaltaan suurempi kuin 0,1 µm;
2. Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu 3B001.e kohdan
mukaan valvonnanalaisia laitteita varten ja joissa on jokin
seuraavista:
a. Ne on suunniteltu valmistajan eritelmien mukaan tai
optimoitu tuottamaan kriittiset mitat, jotka ovat 0,3 µm
tai vähemmän ± 5 % 3 sigman tarkkuudella); tai
b. Ne on suunniteltu kehittämään cm
2:ä kohden vähemmän
kuin 0,04 partikkelia, joiden mitattavissa oleva koko on
halkaisijaltaan suurempi kuin 0,1 µm;2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 117
▼M3
e. "Ohjelmallisesti ohjatut" automaattisyöttöiset monikammioiset
puolijohdekiekkojen käsittelyjärjestelmät, joilla on kaikki
seuraavat:
1. Menetelmät kiekkojen syöttöä ja ulosottoa varten ja joihin
voidaan liittää enemmän kuin kaksi puolijohdeprosessilai-
tetta;ja
2. Suunniteltu muodostamaan tyhjössä toimiva integroitu
järjestelmä useiden kiekkojen peräkkäistä prosessointia
varten.
Huom: 3B001.e kohta ei aseta valvonnanalaiseksi auto-
maattisia kiekkojen robottikäsittelijöitä, joita ei ole
suunniteltu toimimaan tyhjössä.
f. Seuraavat "ohjelmallisesti ohjatut" litografialaitteet:
1. Askeltavat kohdistus- ja valotuslaitteet (suora kohdistus
kiekkoon) tai kohdistus- ja pyyhkäisy- (skanneri) laitteet
kiekkojen prosessointia varten, jotka käyttävät foto-optisia
tai röntgenmenetelmiä ja joilla on jokin seuraavista
ominaisuuksista:
a. Valolähteen aallonpituus lyhyempi kuin 350 nm; tai
b. Ne pystyvät tuottamaan kuvion, jonka 'pienin erottuva
kuvion' koko on 0,5 µm tai vähemmän;
Tekn. huom:
'Pienimmän erottuvan kuvion' koko lasketaan seuraavalla
kaavalla:
MRF¼aallonpituusmikrometrein¨ a ðÞ /C2 KkerroinðÞ
numeerinen aukko
jossa: K kerroin = 0,7
MRF on pienin erottuva kuvion koko.
2. Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu maskien valmistuk-
seen tai puolijohdekomponenttien prosessointiin käyttäen
poikkeutettua ja fokusoitua elektronisuihkua, ionisuihkua tai
"laser"sädettä, ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
a. Suihkuntai säteen pisteen koko onpienempi kuin0,2µm;
b. Kykenevät tuottamaan kuvioita, joiden viivaleveys on
vähemmän kuin 1 µm; tai
c. Kohdistustarkkuus on parempi kuin ± 0,20 µm (3
sigmaa);
g. Maskit tai retikkelit, jotka on suunniteltu 3A001 kohdassa
määriteltyjä integroituja piirejä varten;
h. Monikerrosmaskit, joissa on vaihesiirtokerros.
3B002 Seuraavat "ohjelmallisesti ohjatut" testauslaitteet, jotka on erityi-
sesti suunniteltu valmiiden tai puolivalmiiden puolijohteiden ja
erityisesti niitä varten suunniteltujen komponenttien ja tarvik-
keiden testaamiseen:
a. Laitteet transistorien S-parametrien testaukseen yli 31 GHz:n
alueella;
b. Integroitujen piirien ja niistä muodostuvien kokoonpanojen
testauslaitteet, jotka kykenevät suorittamaan toiminnallista
(totuustaulu-) testausta yli 333 MHz:n 'bittikuvionopeudella';
Huom: 3B002.b kohta ei aseta valvonnanalaiseksi laitteita,
jotka on erityisesti suunniteltu testaamaan:
1. Koti- tai viihdekäyttöön tarkoitettujen laitteiden
"elektronisia kokoonpanoja" tai "kokoonpano"-
luokkia;
2. Valvonnan ulkopuolisia "elektronisia komponent-
teja", "elektronisia kokoonpanoja" tai integroituja
piirejä;
3. Muistit2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 118
▼M3
Tekn. huom:
Tässä kohdassa 'bittikuvionopeudella' tarkoitetaan testauslait-
teen digitaalisen toiminnan suurinta taajuutta. Näin ollen se
vastaa suurinta tietonopeutta, jonka testauslaite voi saavuttaa
muussa kuin multipleksoidussa toimintatilassa. Se tunnetaan
myös nimillä testinopeus, suurin digitaalinen taajuus ja suurin
digitaalinen nopeus.
c. Laitteet 3A001.b.2 kohdassa määriteltyjen integroitujen
mikroaaltopiirien testaukseen.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 119
▼M3
3C Materiaalit
3C001 Hetero-epitaksimateriaalit, jotka koostuvat "substraatista", jonka
päälle on epitaksiasti kasvatettu useita kerroksia seuraavia aineita:
a. Pii;
b. Germanium;
c. Piikarbidi; tai
d. Galliumin tai indiumin III/V-yhdisteet.
Tekn. huom:
III/V-yhdisteet ovat monikiteisiä valmisteita tai binaarisia tai
kompleksisia yksikiteisiä valmisteita, jotka koostuvat Mendele-
jevin jaksollisen luokitustaulun ryhmien IIIA ja VA alkuaineista
(esim. galliumarsenidi, galliumalumiiniarsenidi, indiumfosfidi).
3C002 Seuraavat estopinnoitemateriaalit ja valvonnanalaisilla estopinnoi-
temateriaaleilla pinnoitetut "substraatit":
a. Positiiviestopinnoitteet, joiden spektrivaste on erityisesti sovi-
tettu (optimoitu) alle 350 nm:n aallonpituuksille;
b. Kaikki estopinnoitteet, jotka on tarkoitettu käytettäväksi
elektroni- tai ionisuihkun kanssa ja joiden herkkyys on 0,01
mikrocoulombia/mm2tai parempi;
c. Kaikki röntgenestopinnoitteet, joiden herkkyys on 2,5 mJ/mm2
tai parempi;
d. Kaikki pintakuvausteknologiaa varten optimoidut estopinnoit-
teet, 'piitetyt' resistit mukaan lukien.
Tekn. huom:
'Piittämis'tekniikka on prosessi, jossa käytetään estopinnoitteen
pinnan oksidointia parantamaan sen ominaisuuksia sekä
märkä- että kuivakehityksessä.
3C003 Seuraavat orgaanis-epäorgaaniset yhdisteet:
a. Metalliorgaaniset alumiini-, gallium- tai indiumyhdisteet,
joiden (perusmetallin) puhtaus (metalleista) on parempi kuin
99,999 %;
b. Arseeniorgaaniset, antimoni-orgaaniset ja fosfori-orgaaniset
yhdisteet, joiden puhtaus (epäorgaanisista aineista) on parempi
kuin 99,999 %.
Huom: 3C003 kohta asettaa valvonnanalaiseksi vain yhdisteet,
joiden metallinen, osittain metallinen tai ei-metallinen
elementti on suoraan liittynyt hiileen molekyylin orgaa-
nisessa osassa.
3C004 Fosfori-, arseeni- tai antimonihydridit, joiden puhtaus on parempi
kuin 99,999 %, myös jalokaasuilla tai vedyllä laimennettuina.
Huom: 3C004 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi hydridejä,
jotka sisältävät 20 mooliprosenttia tai enemmän jalo-
kaasuja tai vetyä.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 120
▼M3
3D Ohjelmistot
3D001 "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu 3A001.b—3A002.g
tai 3B kohdassa määriteltyjen laitteiden "kehittämistä" tai
"tuotantoa" varten.
3D002 "Ohjelmistot", jotka on erityisesti tarkoitettu 3B kohdassa
määriteltyjen ohjelmallisesti "ohjattujen" laitteiden "käyttöä"
varten.
3D003 "Ohjelmistot" tietokoneavusteista suunnittelua (CAD)varten, joilla
on kaikki seuraavista:
a. Jotka on suunniteltu puolijohdekomponenttien ja integroitujen
piirien "kehittämiseen"; ja
b. Jotka on suunniteltu suorittamaan jonkin seuraavista tai
käyttämään jotakin seuraavista:
1. Suunnittelusääntöjä tai piirien verifiointisääntöjä;
2. Fyysisesti kytkettyjen piirien simulointia; tai
3. "Litografiaprosessin simulaattoreita" suunnittelua varten.
Tekn. huom:
Litografiaprosessin simulaattori on "ohjelmisto"paketti, jota
käytetään suunnitteluvaiheessa määrittelemään toisiaan seur-
aavat litografia-, syövytys- ja pinnoitusvaiheet, jotka muuntavat
maskin kuviot erityisiksi topografisiksi johtimien, eristeiden ja
puolijohdemateriaalien kuvioiksi.
Huom 1: 3D003 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi "ohjelmis-
toja", jotka on erityisesti suunniteltu kaavioiden
syöttöä, logiikan simulointia, komponenttien sijoit-
telua ja langoitusta, layoutin verifiointia tai
kuviongenerointinauhaa varten.
Huom 2: Kirjastot, suunnitteluparametrit sekä niihin liittyvät
tiedot puolijohdekomponenttien ja integroitujen
piirien suunnittelua varten käsitetään "teknologiaksi".
3D101 "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu
3A101.b kohdassa määriteltyjen laitteiden "käyttöä" varten.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 121
▼M3
3E Teknologia
3E001 "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 3A, 3B
tai 3C kohdassa määriteltyjen laitteiden ja materiaalien "kehittä-
mistä" ja "tuotantoa" varten.
Huom: 3E001 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi seuraavien
komponenttien "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten
tarvittavaa teknologiaa:
a. Mikroaaltotransistorit, jotka on tarkoitettu toimi-
maan alle 31 GHz:n alueella;
b. 3A001.a.3—3A001.a.12 kohtien mukaan valvonna-
nalaiset integroidut piirit, joilla on seuraavat
ominaisuudet:
1. Perustuvat 0,7 mikrometrin tai karkeampaan
"teknologiaan"; ja
2. Eivät sisällä 'monikerrosrakenteita'.
Tekn. huom:
Termi 'monikerrosrakenteet' 3E001 kohdan b.2
huomautuksessa ei sisällä komponentteja, joissa
on korkeintaan kaksi metallikerrosta ja kaksi
monikiteistä piikerrosta.
3E002 Muu kuin 3E001 kohdassa määritelty "teknologia" yleisen
teknologiahuomautuksen mukaisesti sellaisten "mikroprosessori-
piirien", "mikrotietokonepiirien" ja mikro-ohjainpiirien
"kehittämistä" ja "tuotantoa" varten, joiden "yhdistetty teoreettinen
tehokkuus" ("CTP") on 530 miljoonaa teoreettista operaatiota
sekunnissa (Mtops) tai enemmän ja joiden aritmeettisloogisen
yksikön hakuleveys on 32 bittiä tai enemmän.
Huom: 3E001 kohtaa koskeva valvonnan soveltamatta
jättämistä koskeva huomautus koskee myös 3E002.g
kohtaa.
3E003 Muu "teknologia" seuraavien komponenttien "kehittämistä" ja
"tuotantoa" varten:
a. Tyhjö-mikroelektroniset komponentit;
b. Heterorakenteiset puolijohdekomponentit, kuten korkean elek-
troniliikkuvuuden transistorit (HEMT),
heterobipolaaritransistorit (HBT), kvanttikuoppa- tai super-
hilakomponentit;
c. "Suprajohtavat" elektroniset komponentit.
d. Elektronisten komponenttien timanttifilmisubstraatit.
e. Piieristyssubstraatit integroiduille piireille, joissa eristysaineena
on piidioksidi.
f. Piikarbidisubstraatit elektronisille komponenteille.
3E101 "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti
3A001.a.1 tai 2, 3A101 tai 3D101 kohdassa määriteltyjen
laitteiden ja "ohjelmistojen" "käyttöä" varten.
3E102 "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 3D101
kohdassa määriteltyjen "ohjelmistojen" "kehittämistä" varten.
3E201 "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti
3A001.e.2, 3A001.e.3, 3A201, 3A225—3A233 kohdassa määritel-
tyjen laitteiden "käyttöä" varten.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 122
▼M3
RYHMÄ 4
TIETOKONEET2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 123
▼M3
Huom. 1: Tietokoneet, niihin liittyvät laitteet tai "ohjelmistot",
jotka suorittavat tietoliikenteen tai "paikallisverkon"
toimintoja, tulee arvioida myös 5 ryhmän 1 osa
(Tietoliikenne) toimintaparametreja vasten.
Huom. 2: Ohjausyksiköitä, jotka yhdistävät suoraan keskusyk-
sikön, "keskusmuistin" tai levyohjaimien väyliä tai
kanavia, ei katsota 5 ryhmän 1 osa (Tietoliikenne)
määrittelemiksi tietoliikennelaitteiksi.
Huom.: Pakettikytkentää varten erityisesti suunni-
teltujen "ohjelmistojen"
valvonnanalaisuus: katso 5D001 kohta.
Huom. 3: Tietokoneet, niihin liittyvät laitteet tai "ohjelmistot",
jotka suorittavat salausta, salauksen analysointia tai
sertifioitavissa olevaa monitasoista turvallisuuden
valvontaa tai sertifioitavissa olevaa käyttöoikeuden
rajaamista tai jotka rajoittavat sähkömagneettista
mukautuvuutta (EMC), tulee arvioida
myös 5 ryhmän 2 osa ("Tiedon suojaus") toiminta-
parametreja vasten.
4A Järjestelmät, laitteet ja komponentit
4A001 Seuraavat elektroniset tietokoneet ja niihin liittyvät laitteet sekä
niitä varten erityisesti suunnitellut "elektroniset kokoonpanot" ja
komponentit:
HUOM: KATSO MYÖS 4A101 KOHTA.
a. Jotka on erityisesti suunniteltu niin, että niillä on jokin
seuraavista ominaisuuksista:
1. Mitoitettu toimimaan ympäröivässä lämpötilassa alle 228 K
(− 45 ºC) astetta tai yli 358 K (85 ºC) astetta;
Huom: 4A001.a.1 kohta ei koske siviiliajoneuvo- tai -
rautatiesovelluksiin erityisesti suunniteltuja tieto-
koneita.
2. Kestävät säteilyä yli jonkin seuraavista rajoista:
a. Kokonaisannos 5 × 103
Gy (Pii);
b. Annosnopeus 5 × 106
Gy (Pii)/s; tai
c. Kertahäiriö1 × 10−7
virhettä/bit/vrk;
b. Joilla on 5 ryhmän 2 osassa ("Tiedon suojaus") määritellyt rajat
ylittäviä ominaisuuksia tai toimintoja.
Huom: 4A001.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi
elektronisia tietokoneita ja niihin liittyviä laitteita,
kun käyttäjällä on ne mukanaan henkilökohtaista
käyttöä varten.
4A002 Seuraavat "hybriditietokoneet" sekä niitä varten erityisesti suunni-
tellut "elektroniset kokoonpanot" ja komponentit:
HUOM: KATSO MYÖS 4A102 KOHTA.
a. Jotka sisältävät 4A003 kohdassa määriteltyjä "digitaalisia
tietokoneita";
b. Jotka sisältävät analogia-digitaalimuuntimia, joilla on kaikki
seuraavat ominaisuudet:
1. 32 kanavaa tai enemmän; ja
2. 14 bitin resoluutio (merkkibitin lisäksi) tai enemmän ja
muunnosnopeus 200000 muunnosta sekunnissa tai
enemmän.
4A003 Seuraavat "digitaaliset tietokoneet", "elektroniset kokoonpanot" ja
niihin liittyvät laitteet sekä niitä varten erityisesti suunnitellut
komponentit:2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 124
▼M3
Huom. 1: 4A003 kohta sisältää seuraavat:
a. Vektoriprosessorit;
b. Matriisiprosessorit;
c. Digitaaliset signaaliprosessorit;
d. Logiikkaprosessorit;
e. Laitteet "kuvan laadun parantamista" varten;
f. Laitteet "signaalinkäsittelyä" varten.
Huom. 2: Muihin laitteisiin tai järjestelmiin sisältyvien 4A003
kohdassa kuvattujen "digitaalisten tietokoneiden" ja
niihin liittyvien laitteiden valvonnanalaisuus
määräytyy näiden muiden laitteiden tai järjestelmien
valvonnanalaisuuden mukaan edellyttäen, että:
a. "Digitaaliset tietokoneet" tai niihin liittyvät lait-
teet ovat näiden muiden laitteiden tai järjestelmien
toiminnan kannalta välttämättömiä;
b. "Digitaaliset tietokoneet" tai niihin liittyvät lait-
teet eivät ole näiden muiden laitteiden tai
järjestelmien olennaisin osa; ja
Huom. 1: Muita laitteita varten erityisesti
suunniteltujen "signaalin käsittely"
— tai "kuvan laatua parantavien"
laitteiden valvonnanalaisuuden
määrittelee näiden muiden laitteiden
valvonnanalaisuus, vaikka ne ylittäi-
sivätkin olennaisimman osan
kriteerin, mikäli ne suorittavat vain
näiden muiden laitteiden vaatimia
toimintoja.
Huom. 2: Tietoliikenteessä käytettävien "digi-
taalisten tietokoneiden" ja niihin
liittyvien laitteiden valvonnanalai-
suus: katso 5 ryhmä 1 osa
(Tietoliikenne).
c. "Digitaalisten tietokoneiden" ja niihin liittyvien
laitteiden "teknologia" on määritelty 4E kohdassa.
a. Jotka on suunniteltu tai muunnettu "vikasietoisiksi";
Huom: 4A003.a kohdan tarkoituksia varten ei "digitaalisia
tietokoneita" tai niihin liittyviä laitteita katsota
suunnitelluiksi tai muunnetuiksi "vikasietoisiksi",
jos ne käyttävät:
1. "Keskusmuistin" virheenpaljastus- tai virheenkor-
jausalgoritmeja;
2. Kahden "digitaalisen tietokoneen" välistä
kytkentää siten, että aktiivisen keskusyksikön
pettäessä vapaana oleva ja sen toimintaa
peilaava keskusyksikkö voi jatkaa järjestelmän
toimintaa;
3. Kahden keskusyksikön välistä tiedonsiirto-
kytkentää tai yhteistä muistiyksikköä siten, että
yksi keskusyksikkö voi suorittaa muita tehtäviä
kunnes toinen keskusyksikkö pettää, jolloin ensin-
mainittu ottaa hoitaakseen järjestelmän
toiminnan; tai
4. Kahden keskusyksikön synkronointia "ohjelmis-
tojen" avulla siten, että yksi keskusyksikkö
huomaa milloin toinen pettää ja voi ottaa
huolehtiakseen sen tehtävät.
b. "Digitaaliset tietokoneet", joiden "yhteenlaskettu teoreettinen
tehokkuus" ("CTP") ylittää 28000 miljoonaa teoreettista
operaatiota sekunnissa (Mtops);
c. Seuraavat "elektroniset kokoonpanot", jotka on erityisesti
suunniteltu tai muunnettu nostamaan tehokkuutta laskentayk-
siköitä ("CE") lisäämällä siten, että yhdistetty "yhteenlaskettu
teoreettinen tehokkuus" ylittää 4A003.b kohdan rajan;
Huom. 1: 4A003.c kohtaa sovelletaan ainoastaan kokoonpa-
noihin ja ohjelmoitaviin keskinäisiin kytkentöihin,
jotka eivät ylitä 4A003.b kohdassa määriteltyä2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 125
▼M3
rajaa, kun ne toimitetaan erillisinä "elektronisina
kokoonpanoina". Sitä ei sovelleta "elektronisiin
kokoonpanoihin", joiden rakenne rajoittaa niiden
käytön 4A003.d tai 4A003.e kohdan määritte-
leminä liittyvinä laitteina.
Huom. 2: 4A003.c kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi
tuotteita tai tuoteperheitä varten erityisesti suun-
niteltuja elektronisia kokoonpanoja, jotka
maksimikokoonpanossaan eivät ylitä 4A003.b
kohdan rajaa.
d. Grafiikan kiihdyttimet tai grafiikkaprosessorit, joiden "kolmiu-
lotteinen vektorinopeus" ylittää 200000000;
e. Laitteet, jotka suorittavat analogia-digitaalimuunnoksia tai
digitaali-analogiamuunnoksia ja jotka ylittävät 3A001.a.5
kohdassa mainitut rajat;
f. Ei käytössä;
g. Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu "digitaalisten tietoko-
neiden" tai niihin liittyvien laitteiden välistä ulkoista
keskinäisliitäntää varten, joka sallii viestiliikenteen tiedonsiir-
tonopeudella, joka ylittää 1,25 Gbyte/s.
Huom: 4A003.g kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi
sisäisiä liitäntälaitteita (esim. emolevyjä ja väyliä),
passiivisia kytkentälaitteita, "verkkoliityntäohjaimia"
tai "tietoliikenneohjaimia".
4A004 Seuraavat tietokoneet ja niitä varten erityisesti suunnitellut niihin
liittyvät laitteet, "elektroniset kokoonpanot" ja komponentit:
a. "Systoliset matriisitietokoneet";
b. "Hermoverkkotietokoneet";
c. "Optiset tietokoneet".
4A101 Muut kuin 4A001.a.1 kohdassa määritellyt analogiset tietokoneet,
"digitaaliset tietokoneet" tai digitaaliset differentiaalianalysaattorit,
jotka on suunniteltu kovaan käyttöön ja suunniteltu tai muunnettu9A004 kohdassa määriteltyjen avaruuteen laukaisussa käytettävien
kantorakettien tai 9A104 kohdassa määriteltyjen luotainrakettien
käyttöä varten.
4A102 Hybriditietokoneet, jotka on erityisesti suunniteltu 9A004
kohdassamääriteltyjen avaruuteen laukaisussa käytettävien kantor-
akettien tai 9A104 kohdassa määriteltyjen luotainrakettien
mallintamista, simulointia tai konstruktioiden integrointia varten.
Huom: Tätä valvonnanalaisuutta sovelletaan ainoastaan, kun
laitteita toimitetaan 7D103 tai 9D103 kohdassa
määriteltyjen "ohjelmistojen" kanssa.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 126
▼M3
4B Testaus-, tarkastus- ja tuotantolaitteet
Ei ole.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 127
▼M3
4C Materiaalit
Ei ole.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 128
▼M3
4D Ohjelmistot
Huom: Muissa ryhmissä kuvattujen laitteiden "kehittämistä",
"tuotantoa" tai "käyttöä" varten tarkoitettujen "ohjel-
mistojen" valvonnanalaisuutta käsitellään kyseisissä
ryhmissä. Tässä ryhmässä kuvattujen laitteiden "ohjel-
mistojen" valvonnanalaisuutta käsitellään tässä
kohdassa.
4D001 4A001—4A004 tai 4D kohdassa määriteltyjen laitteiden, materi-
aalien tai "ohjelmistojen" "kehittämistä", "tuotantoa" tai "käyttöä"
varten erityisesti suunnitellut tai muunnetut "ohjelmistot".
4D002 4E kohdassa määritellyn "teknologian" tukemiseen erityisesti
suunnitellut tai muunnetut "ohjelmistot".
4D003 Seuraavat erityiset "ohjelmistot":
a. "Lähdekieliset" käyttöjärjestelmä"ohjelmistot", "ohjelmistojen"
kehittämistyökalut ja kääntäjät, jotka on erityisesti suunniteltu
"monitietovirtakäsittelyä" varten;
b. Ei käytössä;
c. "Ohjelmistot", joilla on 5 ryhmän 2 osassa ("Tiedon suojaus")
määritellyt rajat ylittäviä ominaisuuksia tai toimintoja;
Huom: 4D003.c kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi
ohjelmistoa, kun käyttäjällä on se mukanaan
henkilökohtaista käyttöä varten.
d. Käyttöjärjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu "tosiaikaista
käsittelyä" suorittaville laitteille, jotka takaavat lyhemmän kuin
20 µs:n "yleisen keskeytysviiveen".2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 129
▼M3
4E Teknologia
4E001 Yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti "teknologia", joka on
tarkoitettu 4A tai 4D kohdassa määriteltyjen laitteiden tai
"ohjelmistojen" "kehittämistä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 130
▼M3
Yhdistettyä teoreettista tehokkuutta ("CTP") koskeva tekninen huomautus
Tässä teknisessä huomautuksessa käytetyt lyhenteet:
"CE" "laskentayksikkö" (tyypillisesti aritmetiikkaprosessori)
FP liukuva pilkkuXP kiinteä pilkku
t suoritusaika
XOR eksklusiivinen ORCPU keskusyksikkö
TP teoreettinen tehokkuus (yhden "laskentaelementin")
"CTP" "yhdistetty teoreettinen tehokkuus" (useiden "laskentaelementtien")R efektiivinen laskentanopeusWL sananpituus
L sananpituuden korjaus
× kertomerkki
Suoritusaika 't' ilmaistaan mikrosekunteina ja TP ja "CTP" ilmaistaan miljoonina
teoreettisina operaatioina sekunnissa (Mtops) ja WL ilmaistaan bitteinä.
"CTP":n laskentatavan kuvaus
"CTP" on laskentatehokkuuden mitta ilmaistuna Mtops:eina. Seuraavat kolme
vaihetta tarvitaan yhdistettäessä "CE":t "CTP":n laskemiseksi:
1. Laske kunkin laskentayksikön ("CE") efektiivinen laskentanopeus R;
2. Käytä sanan pituuden korjausta (L) efektiiviselle laskentanopeudelle (R),
jolloin saat teoreettisen tehokkuuden (TP) kullekin laskentayksikölle;
3. Mikäli laskentayksiköitä on useampia kuin yksi, yhdistä teoreettiset tehok-
kuudet "CTP":n saamiseksi.
Yksityiskohdat näille kolmelle vaiheelle on esitetty seuraavissa kappaleissa.
Huom. 1: Jos usealla "CE":llä on sekä yhteisiä että omia alamuistijärjes-
telmiä, "CTP":n laskenta suoritetaan hierarkkisesti kahdessa
vaiheessa; yhdistä ensin "CE"-ryhmät joilla on yhteistä muistia ja
laske sitten ryhmien "CTP" käyttäen laskentatapaa usealle "CE":lle,
joilla ei ole yhteistä muistia.
Huom. 2: "CE":tä, jonka toiminta rajoittuu syöttöön/tulostukseen ja ympäry-
slaitteiden toimintoihin (esim. levy-yksikön, kommunikointi- ja
näyttöpääteohjaimet) ei yhdistetä "CTP"-laskentaan.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 131
▼M3
Seuraavassa taulukossa osoitetaan miten kullekin "laskentayksikölle" lasketaan
efektiivinen laskentanopeus (R):
Vaihe 1: Efektiivinen laskentanopeus R
"CE":t, joissa on:
Huom:Jokainen "CE" on evaluoitava erikseenEfektiivinen laskentanopeus R
vain XP
Rxp¼1
3/C2txp add/C0/C1
Jos yhteenlaskukäskyä ei ole:
Rxp¼1
txp mult/C0/C1
Jos yhteenlaskua tai kertolaskua ei ole, valitse
nopein aritmeettinen operaatio:
Rxp¼1
3/C2txp
ks. huom. X ja Z
vain FP
Rfp¼Max1
tfp add/C0/C1 ;1
tfp mult/C0/C1
ks. huom. X ja Y
Sekä FP että XP Laske molemmat arvot
Rxp,Rfp
Yksinkertaiset logiikkaprosessorit, joissa ei ole
aritmetiikkakäskyjä. R¼1
3/C2tlog
Jossa tlogon ekslusiivisen-tai-käskyn toteutu-
saika tai mikäli sitä ei ole, nopeimman loogisen
operaation suoritusaika.
Ks. huom. X ja Z
Erikoislogiikkaprosessorit, jotka eivät käytä
mitään mainituista loogisista operaatioista.R=R′× WL/64
Jossa R' on tulosten lukumäärä sekunnissa, WL
on loogisen operaation kohteen bittien
lukumäärä ja 64 suure, joka normalisoi tuloksen
64 bitin operaatioksi.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 132
▼M3
Huom. W: Liukuhihnakäsittelyä suorittavalle "CE":lle, joka suorittaa yhden
aritmeettisen tai loogisen operaation jokaisen kellon jaksolla
kanavan tultua täyteen, voidaan määritellä liukuhihnanopeus.
Efektiivinen laskentanopeus (R) sellaiselle "CE":lle on se, kumpi
liukuhihna- tai ei-liukuhihnanopeudesta on nopeampi.
Huom. X: "CE":lle, joka suorittaa useita tietyntyyppisiä operaatioita yhden
syklin aikana (esim. kaksi yhteenlaskua tai kaksi samanlaista
loogista operaatiota), toteutusaika t saadaan:
t¼syklin aika
identtisten operaatioiden m ¨a¨ar¨a konesyklin aikana
"CE":itä, jotka suorittavat useita, erilaisia aritmeettisia operaa-
tioita yhden konesyklin aikana, on käsiteltävä useampana erillisenä
"CE":nä (esim. jos "CE" suorittaa yhteenlaskua ja kertolaskua
yhden syklin aikana, käsitellään sitä kahtena "CE":nä, joista toinen
suorittaa yhteenlaskua ja toinen kertolaskua).
Jos yksi "CE" suorittaa sekä skalaari- että vektorilaskentaa,
käytetään niistä nopeamman suoritusajan arvoa.
Huom. Y: Jos "CE":ssä ei ole FP-yhteenlaskua eikä FP-kertolaskua, mutta se
suorittaa FP jakolaskun:
Rfp¼1
tfp div/C0/C1
Jos "CE" suorittaa FP käänteisarvo-operaation, mutta ei FP
yhteenlaskua, FP kertolaskua eikä FP jakolaskua, niin
Rfp¼1
tfp/C0k¨a¨anteisarvo/C0/C1
Jos mitään mainituista FP-operaatioista ei ole, FP = 0.
Huom. Z: Yksinkertaisissa loogisissa operaatioissa, yksi käsky suorittaa yhden
loogisen manipulaation korkeintaan kahden tietynpituisen oper-
andin kesken. Monimutkaisissa loogisissa operaatioissa yksi käsky
suorittaa useita loogisia manipulaatioita ja tuottaa yhden tai
useamman tuloksen kahdesta tai useammasta operandista.
Tulokset olisi laskettava kaikille operandin pituuksille ottaen
huomioon sekä liukuhihna-operaatiot (jos niitä on) että ei-
liukuhihnaoperaatiot, käyttäen nopeinta käskyn suoritusaikaa
kullekin operandin pituudelle ja perustuen:
1. Liukuhihna- tai rekisteristä-rekisteriin-operaatioon. Epätaval-
lisen lyhyet suoritusajat, etukäteen määrätylle operandille tai
operandeille (esim. kertominen 0:lla tai 1:llä) jätetään huomioi-
matta. Ellei rekisteristä-rekisteriin-operaatioita ole, siirry (2)
kohtaan.
2. Nopeampaan rekisteristä-muistiin- tai muistista-rekisteriin-oper-
aatioista; jos näitäkään ei ole, siirry (3) kohtaan.
3. Muistista-muistiin-operaatioon.
Jokaisessa yllämainitussa tapauksessa käytä valmistajan ilmoit-
tamaa nopeinta suoritusaikaa.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 133
▼M3
Vaihe 2: TP kullekin käytettävissä olevalle operandin pituudelle WL
Muunna efektiivinen nopeus R (tai R ′) sanan pituuden korjaustermillä L
seuraavasti:
T P=R×L ,
jossa L = (1/3 + WL/96)
Huom: Tässä kaavassa sanan pituus WL on operandin pituus bitteinä. (Jos
operaatio käyttää erilaisia operandin pituuksia, valitse niistä pisin
sanan pituus.)
"CTP":n laskennassa mantissa-ALUn ja exponentti-ALUn yhdistelmä
liukuvan pilkun prosessorissa tai -yksikössä käsitetään yhdeksi
"CE":ksi, jossa sanan pituus (WL) on bittien lukumäärä datan
esityksessä (tyypillisesti 32 tai 64).
Tätä korjausta ei suoriteta niille erikoislogiikkaprosessoreille, jotka eivät käytä
XOR-käskyä ja siinä tapauksessa TP = R.
Valitse maksimiarvot saaduista TP:n arvoista:
jokaiselle vain XP "laskentayksikölle" (Rxp);
jokaiselle vain FP "laskentayksikölle" (Rfp);
jokaiselle XP ja FP "laskentayksikölle" (R);
jokaiselle yksinkertaiselle logiikkaprosessorille, joka ei käytä aritmeettisia
operaatioita; ja
jokaiselle erikoislogiikkaprosessorille, joka ei käytä mitään mainittuja aritmeet-
tisia tai loogisia operaatioita.
Vaihe 3: Keskusyksiköiden "CTP" ja laskentayksiköiden yhdistäminen
Keskusyksikölle, jossa on vain yksi "CE":
"CTP" = TP.
("CE":t, jotka suorittavat sekä kiinteän että liukuvan pilkun operaatioita
TP = max (TPxp,T Pfp))
Usean, samanaikaisesti toimivan "CE":n yhdistelmille "CTP" lasketaan seuraa-
vasti:
Huom. 1: Yhdistelmille, jotka eivät salli kaikkien "CE":iden toimia samanai-
kaisesti, käytetään suurimman "CTP"-arvon tuottavan kombinaation
arvoa. Kunkin osallistuvan "CE":n TP lasketaan teoreettisena
maksimiarvona, ennen "CTP"-arvon määrittämistä.
Huom: Samanaikaisesti toimivien "CE":iden kombinaatioiden
määrittelemiseksi, tuota käskysekvenssi, joka käynnistää
operaatioita useassa "CE":ssä alkaen hitaimmasta (se,
joka tarvitsee eniten syklejä operaation suorittamiseen) ja
päättyen nopeimpaan "CE":hen. Jokaisella sekvenssin
syklillä kyseisen syklin aikana toiminnassa olevien
"CE":iden kombinaatio on mahdollinen kombinaatio.
Käskysekvenssin on huomioitava kaikki laitteisto- ja/tai
arkkitehtuuriesteet päällekkäisissä operaatioissa.
Huom. 2: Yksi integroitu piiri tai piirikortti voi sisältää useamman "CE":n.
Huom. 3: Samanaikaisia operaatioita katsotaan olevan, jos valmistaja tieto-
koneen käsikirjassa tai esitteessä ilmoittaa rinnakkaisista tai
samanaikaisista operaatioista tai suorituksista.
Huom. 4: "CTP"-arvoja ei yhdistetä "CE"-kombinaatioille, jotka ovat
keskenään kytkettyjä paikallisverkkojen, kaukoverkkojen, yhteisten
syöttö/tulostus-liitäntöjen/laitteiden, syöttö/tulostus-ohjainten ja
minkä tahansa ohjelmalla toteutetun kommunikoinnin kautta.
Huom. 5: "CTP"-arvot on yhdistettävä usealle "CE":lle, jotka on erityisesti
suunniteltu parantamaan tehokkuutta ja jotka toimivat samanaikai-
sesti ja käyttävät samoja samanaikaisesti toimivia yhden tai
useamman muistin ja "CE":n yhdistelmiä käyttäen erityisesti
suunniteltua laitteistoa.
Tämä yhdistäminen ei koske kokoonpanoja, jotka on kuvattu
kohdassa 4A003c.
CTP = TP1+C2×T P2+…+Cn×T Pn,2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 134
▼M3
jossa TP:t on järjestetty arvon mukaan, TP1:n ollessa suurin, TP2:n
toiseksi suurin, …, ja TPnpienin. Cion kerroin, joka määritellään
"CE":iden kytkennän vahvuuden perusteella seuraavasti:
Usealle samanaikaisesti ja samaa muistia käyttävälle "CE":lle:
C2=C3=C4=…=Cn= 0,75
Huom. 1: Jos ylläolevalla tavalla laskettu "CTP"-arvo ei ylitä 194 MTops,
seuraavaa kaavaa voidaan käyttää Ci:n laskemiseen:
Ci¼0;75ﬃﬃﬃ ﬃmpi¼2;... ;n ðÞ
jossa m = yhteistä muistia käyttävien "CE":iden tai "CE"-ryhmien
määrä.
edellyttäen, että:
1. Minkään "CE":n tai "CE"-ryhmän TPiei ylitä 30 MTops,
2. "CE":t tai "CE"-ryhmät käyttävät keskusmuistia (cache-muistia
lukuun ottamatta) yhden kanavan kautta,
3. Vain yksi "CE" tai "CE"-ryhmä voi käyttää kanavaa kerrallaan.
Huom: Tämä ei koske nimikkeitä, jotka ovat 3 ryhmän mukaan
valvonnanalaisia.
Huom. 2: "CE":t käyttävät samaa muistia, jos ne käyttävät yhteistä puolijoh-
demuistinsegmenttiä. Tämä muisti voi sisältää cache-muistin,
keskusmuistin tai muun sisäisen muistin. Ulkoiset muistiyksiköt,
kuten levymuistit, nauhamuistit tai RAM-levyt eivät sisälly tähän.
Usealle "CE":lle tai "CE":iden ryhmälle, jotka eivät käytä samaa muistia, mutta
liittyvät toisiinsa yhdellä tai useammalla tietoväylällä:
Ci= 0,75 × ki(i = 2, …, 32) (katso huomautusta alla)
= 0,60 × ki(i = 33, …, 64)
= 0,45 × ki(i = 65, …, 256)
= 0,30 × ki(i > 256)
Ci:n arvo perustuu "CE":iden lukumäärään, ei solmujen lukumäärään.jossa
ki= min (Si/Kr, 1), ja
Kr= 20 MByte/s normalisointikerroin
Si= maksimi kaikkien yhteistä muistia käyttävään i:nteen "CE":hen tai "CE"-
ryhmään kytkettyjen tietoväylien tiedonsiirtonopeuksien summasta
(MByte/s).
Laskettaessa Ci:tä "CE"-ryhmälle ensimmäisen "CE":n numero määrää asianmu-
kaisen rajan C"i":lle. Esimerkiksi yhdisteltäessä ryhmiä, jotka kukin koostuvat
kolmesta "CE":stä, 22. ryhmä sisältää "CE"64:n, "CE"65:nja "CE"66:n. Asianmu-
kainen raja Ci:lle tässä ryhmässä on 0,60.
Yhdisteleminen ("CE":iden tai "CE"-ryhmien) olisi tehtävä nopeimmasta
hitaampaan; eli:
TP1≥TP2≥TP3≥…T Pnja
siinä tapauksessa, että TPi=T Pi+1suurimmasta pienimpään; eli:
Ci≥Ci+1
Huom: Kerrointa kiei käytetä "CE":ille 2—12 jos "CE":n tai "CE"-ryhmän
TPion enemmän kuin 50 Mtops; eli Ci"CE":lle 2—12 on 0,75.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 135
▼M3
RYHMÄ 5
TIETOLIIKENNE JA "TIEDON SUOJAUS"2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 136
▼M3
1 OSA
TIETOLIIKENNE
Huom. 1: Tietoliikennelaitteita tai -järjestelmiä varten erityi-
sesti kehitettyjen komponenttien, "laserien", testaus-
ja "tuotanto"laitteiden, materiaalien ja ohjelmien
valvonnanalaisuus on määritelty 5 ryhmän 1 osassa.
Huom. 2: "Digitaaliset tietokoneet", niihin liittyvät laitteet tai
"ohjelmistot", milloin ne ovat olennaisia tässä
ryhmässä kuvattujen tietoliikennelaitteiden toimin-
nalle ja tukevat niitä, katsotaan erityisesti tätä
tarkoitusta varten kehitetyiksi komponenteiksi, edel-
lyttäen, että ne ovat valmistajan tavanomaisesti
toimittamia vakiotyyppejä. Tämä koskee myös tieto-
konejärjestelmiä toimintaa, hallintoa, ylläpitoa,
teknistä suunnittelua tai laskutusta varten.
5A1 Järjestelmät, laitteet ja komponentit
5A001 a. Tietoliikennelaitteet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuk-
sista, toiminnoista tai piirteistä:
1. Erityisesti suunniteltu kestämään ydinräjähdyksestä aiheu-
tuvia hetkellisiä elektronisia vaikutuksia tai
sähkömagneettista pulssia;
2. Erityisesti suojattu kestämään gamma-, neutroni- tai ionisä-
teilyä;tai
3. Erityisesti suunniteltu toimimaan lämpötila-alueen 218 K (−
55 ºC) − 397 K (124 ºC) ulkopuolella.
Huom: 5A001.a.3 kohta koskee vain elektronisia laitteita.
Huom: 5A001.a.2 ja 5A001.a.3 kohta ei koske satelliiteissa
käytettäviksi suunniteltuja tai muutettuja laitteita.
b. Tietoliikenteen siirtolaitteet ja järjestelmät ja niitä varten
erityisesti suunnitellut komponentit tai tarvikkeet, joilla on
jokin seuraavista ominaisuuksista, toiminnoista tai piirteistä:
1. Vedenalaiset viestintäjärjestelmät, joilla on jokin seuraavista
ominaisuuksista:
a. Akustinen kantoaaltotaajuus, joka on alueen 20—60 kHz
ulkopuolella;
b. Käyttävät sähkömagneettista kantoaaltotaajuutta alle
30 kHz;tai
c. Käyttävät elektronista keilanohjaustekniikkaa;
2. Radiolaitteet, jotka toimivat 1,5—87,5 MHz:n kaistalla ja
joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
a. Sisältävät adaptiivisen tekniikan, joka antaa paremman
häiriösignaalien vaimennuksen kun 15 dB; tai
b. Sisältävät kaikki seuraavat:
1. Ennakoivat ja valitsevat automaattisesti kanavakoh-
taisia taajuuksia ja "digitaalisia
kokonaissiirtonopeuksia" optimoidakseen lähetystä; ja
2. Sisältävät lineaarisen tehovahvistinkonfiguraation,
joka kykenee tukemaan useampia signaaleja samanai-
kaisesti 1 kW:n tai suuremmalla lähtöteholla
1,5—30 MHz:n taajuusalueella tai 250 W:n tai
suuremmalla lähtöteholla 30—87,5 MHz:n taajuusa-
lueella, yhden tai useamman oktaavin "hetkellisen
taajuuskaistan" yli, siten että ulostulon yliaalto- ja
särösisältö on parempi kuin − 80 dB;
3. Radiolaitteet, jotka käyttävät "hajaspektritekniikkaa",
mukaan lukien "taajuushyppely"tekniikka ja joilla on jokin
seuraavista ominaisuuksista:
a. Hajautuskoodit ovat käyttäjän ohjelmoitavissa; tai
b. Lähetettävän kaistan kokonaisleveys on vähintään
100 kertaa minkä tahansa informaatiokanavan kaistan
leveys ja se ylittää 50 kHz;
Huom: 5A001.b.3.b kohta ei aseta valvonnanalaiseksi
radiolaitteita, jotka on erityisesti suunniteltu2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 137
▼M3
käytettäväksi siviilikäytössä olevissa solukkor-
adiojärjestelmissä.
Huom: 5A001.b.3 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi
laitteita, jotka on suunniteltu toimiviksi 1,0 watin
tai sitä alemmalla ulostuloteholla.
4. Digitaalisesti ohjatut radiovastaanottimet, joilla on kaikki
seuraavat ominaisuudet:
a. Yli 1 000 kanavaa;
b. Alle 1 ms:n "taajuuden vaihtoaika";
c. Tutkivat tai pyyhkivät automaattisesti osaa sähkömag-
neettisesta spektristä; ja
d. Jotka identifioivat vastaanotetut signaalit tai lähettimen
tyypin;tai
Huom: 5A001.b.4 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi
radiolaitteita, jotka on erityisesti suunniteltu
käytettäväksi siviilikäytössä olevissa solukkor-
adiojärjestelmissä
5. Käyttävät digitaalisia "signaalin käsittely"toimintoja puheen
koodaukseen alle 2 400 bit/s nopeuksilla;
c. Seuraavat optiset tiedonsiirtokaapelit, optiset kuidut ja varusteet
niitä varten:
1. Yli 500 m pitkät optiset kuidut, jotka valmistajan ilmoi-
tuksen mukaan kykenevät kestämään vetolujuuskokeessa yli
2×1 09N/m2:n tai tätä suurempaa vetorasitusta;
Tekn. huom:
Vetolujuuskoe: on-line tai off-line tuotantotesti, jossa
kuituun dynaamisesti kohdistetaan ennalta määrätty vetor-
asitus 0,5—3 metrin matkalla kuidun kulkiessa nopeudella
2—5 m/s kahden n. 150 mm läpimittaisen vetopyörän välillä
ympäristön lämpötilan ollessa 293 K (20 ºC) ja suhteellisen
kosteuden 40 %. Vastaavia kansallisia standardeja voidaan
käyttää vetolujuuskoetta suoritettaessa.
2. Optiset kaapelit ja varusteet vedenalaista käyttöä varten;
Huom.: 5A001.c.2 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi
norminmukaisia siviilikäyttöön tarkoitettuja
tietoliikennekaapeleita ja varusteita.
Huom 1: Veden alla käytettävien yhdyskaapelien ja niiden
liittimien osalta katso 8A002a.3 kohta.
Huom 2: Kuituoptiset aluksen rungon läpiviennit tai liit-
timet: katso 8A002.c kohta.
d. "Elektronisesti ohjattavat vaiheistetut ryhmäantennit", jotka
toimivat yli 31 GHz:n alueella;
Huom: 5A001.d kohta ei aseta valvonnanalaiseksi "elektro-
nisesti ohjattavia vaiheistettuja ryhmäantenneja"
laskeutumis-järjestelmissä, joissa on ICAO:n
mikroaalloilla toimivat laskeutumisjärjestelmät
(MLS) kattavien standardien mukaiset instrumentit.
5A101 Kaukomittaus- tai kaukohallintalaitteet, joita voidaan käyttää
"ohjuksissa".
Huom: 5A101 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi laitteita, jotka
on erityisesti suunniteltu mallilentokoneiden, -veneiden
tai -ajoneuvojen käyttöä varten ja joiden sähköisen
kentän voimakkuus 500 metrin etäisyydellä ei ole
enempää kuin 200 mikrovolttia metriä kohti.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 138
▼M3
5B1 Testaus-, tarkastus- ja tuotantolaitteet
5B001 a. Laitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit ja
varusteet, jotka on erityisesti suunniteltu 5A001, 5B001, 5D001
tai 5E001 kohdassa määriteltyjen laitteiden, toimintojen tai
ominaisuuksien "kehittämistä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten.
Huom: 5B001.a kohta ei aseta valvonnanalaiseksi optisten
kuitujen ja "optisten kuitujen preformien" karakter-
isointilaitteita, joissa ei käytetä puolijohde"laseria"
b. Laitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit ja
varusteet, jotka on erityisesti suunniteltu seuraavien tietoliiken-
teen tai "ohjelmallisesti ohjattujen keskuslaitteiden"
siirtolaitteiden "kehittämiseen":
1. Laitteet, jotka käyttävät digitaalitekniikkaa, mukaan lukien
"asynkroninen siirtomuoto" ("ATM"), jotka on suunniteltu
toimimaan "digitaalisella siirtonopeudella", joka ylittää
1,5 Gbit/s,
2. Laitteet, jotka käyttävät "laseria" ja joilla on jokin
seuraavista ominaisuuksista:
a. Siirrossa käytetty aallonpituus ylittää 1 750 nm;
b. Suorittavat "optista vahvistusta";
c. Käyttävät koherenttia optista siirtotekniikkaa tai koher-
enttia optista ilmaisutekniikkaa (jota kutsutaan myös
optiseksi heterodyne- tai homodynetekniikaksi);
d. Käyttävät analogiatekniikkaa ja kaistanleveys ylittää
2,5 GHz;
Huom: 5B001.b.2.d kohta ei aseta valvonnanalaiseksi
kaupallisten TV-järjestelmien "kehittämistä"
varten erityisesti suunniteltuja laitteita.
3. Laitteet, jotka käyttävät "optista kytkentää";
4. Radiolaitteet, jotka käyttävät kvadratuuri-amplitudimodu-
lointitekniikkaa (QAM), jonka taso ylittää 128; tai
5. Laitteet, jotka käyttävät "yhteiskanavamerkinantoa" joko ei-
liitännäisellä tai näennäisliitännäisellä toimintamuodolla.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 139
▼M3
5C1 Materiaalit
Ei ole.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 140
▼M3
5D1 Ohjelmistot
5D001 a. "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu
5A001 tai 5B001 kohdassa määriteltyjen laitteiden, toimintojen
tai ominaisuuksien "kehittämistä", "valmistusta" tai "käyttöä"
varten;
b. "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu
5E001 kohdassa määritellyn "teknologian" tukemiseen;
c. Seuraavat erityiset "ohjelmistot":
1. "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu
toteuttamaan 5A001 tai 5B001 kohdassa määriteltyjen
laitteiden ominaisuuksia, toimintoja tai piirteitä;
2. Ei käytössä;3. "Ohjelmistot", muussa kuin konekielisessä muodossa, joka
on erityisesti suunniteltu "dynaamisesti adaptiivista reiti-
tystä" varten.
d. "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu
seuraavien tietoliikenteen siirtolaitteiden tai "ohjelmallisesti
ohjattujen" keskuslaitteiden "kehittämistä" varten:
1. Laitteet, jotka käyttävät digitaalitekniikkaa, mukaan lukien
"asynkroninen siirtomuoto" ("ATM"),ja jotka on suunniteltu
toimimaan yli 1,5 Gbit/s "digitaalisella kokonaissiirtono-
peudella";
2. Laitteet, jotka käyttävät "laseria" ja joilla on jokin
seuraavista ominaisuuksista:
a. Siirrossa käytetty aallonpituus ylittää 1 750 nm;
tai
b. Käyttävät analogiatekniikkaa ja kaistanleveys ylittää
2,5 GHz;
Huom: 5D001.d.2.b kohta ei aseta valvonnanalaiseksi
"ohjelmistoja", jotka on erityisesti suunniteltu
tai muunnettu kaupallisten TV-järjestelmien
"kehittämistä" varten.
3. Laitteet, jotka käyttävät "optista kytkentää"; tai
4. Radiolaitteet, jotka käyttävät kvadratuuri-amplitudimodu-
lointitekniikkaa (QAM), jonka taso ylittää 128.
5D101 "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 5A101
kohdassa määriteltyjen laitteiden "käyttöä" varten.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 141
▼M3
5E1 Teknologia
5E001 a. "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti, joka
on tarkoitettu 5A001, 5B001 tai 5D001 kohdassa määriteltyjen
laitteiden, toimintojen tai piirteiden tai "ohjelmistojen"
"kehittämistä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten (toimintaa
lukuun ottamatta);
b. Seuraavat erityiset "teknologiat":
1. Satelliiteissa käytettäväksi erityisesti suunniteltujen tietolii-
kennelaitteiden "kehitystä" tai "tuotantoa" varten
"tarvittava" "teknologia";
2. "Kehittämistä" tai "käyttöä" varten tarvittava "teknologia"
sellaisia "laser"tietoliikennetekniikoita varten, joilla kyetään
automaattisesti seuraamaan signaaleja ja ylläpitämään
yhteyttä ilmakehän ulkopuolella tai vedenpinnan alla;
3. "Teknologia" digitaalisten solukkoradiojärjestelmien
kehittämistä varten;
4. "Teknologia" "hajaspektri"tekniikoiden, "taajuushyppely"te-
kniikat mukaan lukien, "kehittämistä" varten.
c. "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti, joka
on tarkoitettu seuraavien tietoliikenteen tai "ohjelmallisesti
ohjattujen keskuslaitteiden" siirtolaitteiden, -järjestelmien tai -
materiaalien "kehittämiseen" tai "tuotantoon:"
1. Laitteet, jotka käyttävät digitaalitekniikkaa, mukaan lukien
"asynkroninen siirtomuoto" ("ATM"),ja jotka on suunniteltu
toimimaan yli 1,5 Gbit/s "digitaalisella kokonaissiirtono-
peudella";
2. Laitteet, jotka käyttävät "laseria" ja joilla on jokin
seuraavista ominaisuuksista:
a. Siirrossa käytetty aallonpituus ylittää 1 750 nm;
b. Suorittavat "optista vahvistusta" käyttämällä praseodyy-
mikyllästettyjä fluoridikuituvahvistimia (PDFFA);
c. Käyttävät koherenttia optista siirtotekniikkaa tai koher-
enttia optista ilmaisutekniikkaa (jota kutsutaan myös
optiseksi heterodyne- tai homodynetekniikaksi);
d. Käyttävät aallonpituusjakoon perustuvaa kanavointite-
kniikkaa, jossa on enemmän kuin 8 optista kantoaaltoa
yksittäisessä optisessa ikkunassa; tai
e. Käyttävät analogiatekniikkaa ja kaistanleveys ylittää
2,5 GHz;
Huom: 5E001.c.2.e kohta ei aseta valvonnanalaiseksi
kaupallisten TV-järjestelmien "kehittämiseen"
tai "tuotantoon" tarkoitettua "teknologiaa".
3. Laitteet, jotka käyttävät "optista kytkentää";4. Radiolaitteet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
a. Käyttävät kvadratuuri-amplitudimodulointitekniikkaa
(QAM), jonka taso ylittää 128;
tai
b. Joiden tulo- tai lähtötaajuus ylittää 31 GHz; tai
Huom: 5E001.c.4.b ei aseta valvonnanalaiseksi ITU:n
(International Telecommunication Union)
radioviestintäpalvelulle, mutta ei radiomääri-
tykselle allokoimalla taajuuskaistalla
toimiviksi suunniteltujen tai muunnettujen
laitteiden "kehittämiseen" tai "tuotantoon"
tarkoitettua "teknologiaa".
5. Laitteet, jotka käyttävät "yhteiskanavamerkinantoa" joko ei-
liitännäisellä tai näennäisliitännäisellä toimintamuodolla.
5E101 Teknologia yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 5A101
kohdassa määriteltyjen laitteiden "kehittämistä", "tuotantoa" ja
"käyttöä" varten.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 142
▼M3
2 OSA
"TIEDONSUOJAUS"
Huom. 1: "Tiedonsuojaus"-laitteiden, -"ohjelmistojen", järjes-
telmien, sovelluskohtaisten "elektronisten
kokoonpanojen", moduulien, integroitujen piirien,
komponenttien tai toimintojen valvonnanalaisuus
määritellään 5 ryhmän 2 osassa, myös siinä tapauk-
sessa, että ne ovat muiden laitteiden komponentteja
tai niiden "elektronisia kokoonpanoja".
Huom. 2: 5 ryhmä — 2 osa ei aseta valvonnan alaiseksi
tuotteita, jotka ovat käyttäjän hallussa hänen
henkilökohtaista käyttöään varten.
Huom. 3: Salausta koskeva huomautus
5A002 ja 5D002 kohdat eivät aseta valvonnanalai-
seksi tuotteita, jotka täyttävät kaikki seuraavat
edellytykset:
a. Ovat yleisesti yleisön ostettavissa rajoituksitta
vähittäismyyntipisteissä varastosta jollain seuraa-
vista tavoista:
1. Käsikauppa;
2. Postimyynti;
3. Elektronisesti tapahtuva myynti; tai
4. Puhelinmyynti;
b. Käyttäjä ei voi helposti muuntaa salauksen
toiminnallisuutta;
c. Tuotteet on suunniteltu käyttäjän käyttöönotetta-
viksi ilman merkittävää toimittajan tukea; ja
d. Tuotteita koskevat yksityiskohtaiset tiedot ovat
tarvittaessa saatavilla ja pyynnöstä esitetään
toimivaltaisille viranomaisille siinä jäsenvaltiossa,
johon viejä on sijoittautunut, jotta voidaan
varmistaa edellä a—c kohdassa kuvattujen ehtojen
täyttyminen.
Tekn. huom:
5 ryhmä — 2 osa, pariteettibittejä ei lasketa avaimen pituuteen.
5A2 Järjestelmät, laitteet ja komponentit
5A002 a. Seuraavat järjestelmät, laitteet, sovelluskohtaiset "elektroniset
kokoonpanot", moduulit tai integroidut piirit "tiedon suojausta"
varten ja muut niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:
Huom: Satelliittinavigointijärjestelmien vastaanottolaitteet,
jotka sisältävät tai käyttävät salauksen purkua (so.
GPS tai GLONASS): katso 7A005 kohta.
1. Jotka on suunniteltu tai muunnettu käyttämään digitaalite-
kniikkaan perustuvaa "salausta" suorittamaan mitä tahansa
muuta salaustoimintaa kuin autentikointia tai digitaalista
allekirjoitusta ja jolla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Tekn. huom:
1. Autentikointi ja digitaalinen allekirjoitus sisältävät
niihin liittyvät avaimenhallintatoiminnot.
2. Autentikointiin sisältyy kaikki sellainen valvonta, jossa
ei salata tiedostoja tai tekstiä lukuun ottamatta sitä,
mikä liittyy suoraan salasanojen, henkilökohtaisten
tunnusnumeroiden tai vastaavan tiedon suojaamiseen
luvattoman pääsyn estämiseksi.
3. "Salaus" ei sisällä "kiinteitä" tiedon pakkaus- tai
koodaustekniikoita.
Huom: 5A002.a.1 kohtaan sisältyvät laitteet, jotka on
suunniteltu tai muunnettu käyttämään "salausta",
jossa digitaalitekniikan soveltamisessa käytetään
analogisia periaatteita.
a. "Symmetrinen algoritmi", joka käyttää yli 56 bitin
avaimenpituutta tai2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 143
▼M3
b. "Epäsymmetrinen algoritmi", jossa algoritmin turvalli-
suus perustuu johonkin seuraavista:
1. Yli 512 bitin kokonaislukujen tekijöihin jako (esimer-
kiksi RSA)
2. Diskreettien logaritmien laskenta äärellisen kannan
suuremmassa kuin 512 bitin yksikköryhmässä (esim.
Diffie-Hellman Z/pZ:ssä); tai
3. Diskreetit logaritmit muissa kuin 5A002.a.1.b.2
kohdassa mainitussa suuremmassa kuin 112 bitin
ryhmässä (esimerkiksi Diffie-Hellman elliptisellä
käyrällä),
2. Jotka on suunniteltu tai muunnettu suorittamaan salauksen
analysointitoimintoja;
3. Ei käytössä;
4. Jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu vähentämään
informaatiota kuljettavien signaalien paljastavia vuotoja
enemmän kuin on tarpeen terveyden, turvallisuuden tai
elektromagneettisia häiriöitä koskevien standardien vuoksi;
5. Jotka on suunniteltu tai muunnettu käyttämään salauste-
kniikkaa "hajaspektri"järjestelmien hajautuskoodin, mukaan
lukien "taajuushyppely" järjestelmän hyppelykoodi, tuotta-
miseksi;
6. Jotka on suunniteltu tai muunnettu takaamaan sertifioitu tai
sertifioitavissa oleva "monitasoinen suojaus" tai käyttäjän
oikeuksien rajoitus tasolla, joka ylittää TCSEC:n (TrustedComputer System Evaluation Criteria) B2 luokan tai
vastaavat vaatimukset;
7. Tiedonsiirtokaapelijärjestelmät, jotka on suunniteltu tai
muunnettu salakuuntelun ilmaisemiseen mekaanista,
sähköistä tai elektronista tapaa käyttäen.
Huom: 5A002 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi:
a. "Henkilökohtaisia älykortteja", joiden salaus on
rajoitettu koskemaan niiden käyttöä laitteissa ja
järjestelmissä, jotka tämän huomautuksen b—f
kohdan mukaan ovat valvonnan ulkopuolella. Jos
"henkilökohtainen älykortti" soveltuu useisiin toimin-
toihin, kunkin toiminnon valvonta arvioidaan
erikseen.
b. Kuluttajille tarkoitettuja yleisradiolähetysten,
maksutelevision tai vastaavien rajoitetun yleisön
lähetysten vastaanottolaitteita, joissa ei ole digitaa-
lista salausta, lukuun ottamatta niitä, joita käytetään
laskutusta koskevia tai ohjelmakohtaisia tietoja
takaisin yleisradiolähetysten lähettäjille;
c. Laitteet, joiden salauskykyyn käyttäjä ei voi
vaikuttaa ja jotka on erityisesti suunniteltu ja
rajoitettu mahdollistamaan jotain seuraavista:
1. Kopioinnilta suojatun "ohjelmiston" käyttäminen;
2. Pääsy johonkin seuraavista:
a. Kopioinnilta suojattuihin, vain luettavissa
oleviin välineisiin tallennettuihin sisältöihin
tai
b. Salatussa muodossa välineille tallennettuun
informaatioon (esimerkiksi tekijänoikeuksien
suojaamisen yhteydessä), kun väline tarjotaan
myytäväksi yleisölle täysin samassa muodossa
tai
3. Kopioinnilta suojattujen audio/video-tietojen
kerran tapahtuva kopiointi.
d. Salauslaitteet, jotka on erityisesti suunniteltu ja
rajoitettu pankki- tai 'rahaliikenteen' laitteisiin;
Tekn. huom:
'Rahaliikenne' 5A002 kohdan huomautuksessa d
sisältää maksujen tai luottojen keräämisen ja
suoritukset.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 144
▼M3
e. Siviilikäyttöön tarkoitettuja (esim. kaupallisissa
solukkoradiopuhelinjärjestelmissä käytettäviä)
salaustoimintoja sisältäviä kannettavia tai siir-
rettäviä radiopuhelimia, jotka eivät pysty päästä-
päähän-salaukseen;
f. Langattomat puhelimet, jotka eivät pysty päästä-
päähän-salaukseen ja joiden suurin tehollinen
vahvistamaton langaton toimintaetäisyys (eli yksit-
täinen linkitön hyppy päätteen ja tukiaseman välillä)
on valmistajan antamien tietojen mukaan alle
400 metriä.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 145
▼M3
5B2 Testaus-, tarkastus- ja tuotantolaitteet
5B002 a. Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu:
1. 5A002, 5B002, 5D002 tai 5E002 kohdassa määriteltyjen
laitteiden tai toimintojen "kehittämistä" varten, mukaan
lukien mittaus- tai testauslaitteet;
2. 5A002, 5B002, 5D002 tai 5E002 kohdassa määriteltyjen
laitteiden tai toimintojen "tuotantoa" varten, mukaan lukien
mittaus-, testaus-, huolto- tai tuotantolaitteet;
b. Mittalaitteet, jotka on erityisesti suunniteltu 5A002 tai 5D002
kohdassa määriteltyjen "tiedon suojaus"toimintojen arviointia
ja kelpuuttamista varten.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 146
▼M3
5C2 Materiaalit
Ei ole.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 147
▼M3
5D2 Ohjelmistot
5D002 a. 5A002, 5B002 tai 5D002 kohdassa määriteltyjen laitteiden tai
"ohjelmistojen" "kehittämistä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten
erityisesti suunnitellut tai muunnetut "ohjelmistot";
b. 5E002 kohdassa määriteltyä "teknologiaa" tukemaan erityisesti
suunnitellut tai muunnetut "ohjelmistot";
c. Seuraavat erityiset "ohjelmistot":
1. "Ohjelmistot", joilla on 5A002 tai 5B002 kohdassa
määriteltyjen laitteiden ominaisuuksia tai jotka suorittavat
tai simuloivat niiden toimintoja;
2. "Ohjelmistot" 5D002.c.1 kohdassa määriteltyjen "ohjelmis-
tojen" sertifiointia varten.
Huom: 5D002 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi:
a. "Ohjelmistoja", joita tarvitaan 5A002 kohdan
huomautuksen mukaan valvonnan ulkopuolelle
jätettyjen laitteiden "käytössä";
b. Ohjelmistoja, jotka mahdollistavat 5A002
huomautuksen mukaan valvonnan ulkopuolella
olevien laitteiden toimintoja.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 148
▼M3
5E2 Teknologia
5E002 "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 5A002,
5B002 tai 5D002 kohdassa määriteltyjen laitteiden tai "ohjelmien"
"kehittämistä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 149
▼M3
RYHMÄ 6
ANTURIT JA LASERIT2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 150
▼M3
6A Järjestelmät, laitteet ja komponentit
6A001 Akustiikka
a. Seuraavat meriakustiset järjestelmät, laitteet tai erityisesti niitä
varten suunnitellut komponentit:
1. Seuraavat aktiiviset (lähettävät tai lähettävät ja vastaanot-
tavat) järjestelmät, laitteet ja niitä varten erityisesti
suunnitellut komponentit:
Huom: 6A001.a.1 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi:
a. Vertikaalisesti laitteesta alaspäin toimivia
syvyysluotaimia, jotka eivät sisällä ± 20
astetta ylittävää keilaustoimintoa ja ovat
rajoitetut mittaamaan veden syvyyttä tai
etäisyyttä uponneisiin tai hautautuneisiin
kohteisiin tai paikallistamaan kalaparvia;
b. Seuraavia akustisia majakoita:
1. Akustiset hätämajakat;
2. Äänimajakat, jotka on erityisesti suunni-
teltu vedenalaisen aseman paikantamista
tai siihen palaamista varten.
a. Leveäpeittoiset batymetriset kartoitusjärjestelmät meren-
pohjan topografian kartoitusta varten, joilla on kaikki
seuraavat:
1. Suunniteltu mittaamaan vertikaalisesta suunnasta 20
astetta ylittävässä kulmassa;
2. Suunniteltu mittaamaan syvyyksiä yli 600 metriä
vedenpinnan alla; ja
3. Suunniteltu mahdollistamaan jonkin seuraavista:
a. Useiden säteiden yhdistämisen, joista jokin on alle
1,9 astetta; tai
b. Parempia kuin 0,3 %:n veden syvyystiedon tark-
kuuksia peittoalueella peiton yksittäisten
mittausten keskiarvona laskettuna;
b. Kohteen havaitsemis- tai paikantamisjärjestelmät, joilla
on jokin seuraavista:
1. Lähetystaajuus alle 10 kHz;
2. Äänenpaineen taso yli 224 dB (vertailuarvo 1 µPa
1 m:ssä) laitteilla, joiden toimintataajuus on 10 kHz:n
ja 24 kHz:n välisellä taajuusalueella;
3. Äänenpaineen taso ylittää 235 dB (vertailuarvo 1 µPa
1 m:ssä) laitteilla, joiden toimintataajuus on 24 kHz:n
ja 30 kHz:n välisellä taajuusalueella;
4. Muodostavat minkä tahansa akselin suunnassa alle 1:n
asteen säteitä ja toimintataajuus on vähemmän kuin
100 kHz;
5. Suunniteltu toimimaan 5120 m ylittävällä selvän
näytön etäisyydellä; tai
6. Suunniteltu kestämään normaalissa käytössä painetta
yli 1 000 metrin syvyyksissä ja sisältävät muuntimia,
joilla on jokin seuraavista:
a. Dynaaminen kompensointi painetta vastaan; tai
b. Sisältävät muunninelementissä jotain muuta kuin
lyijyzirkonaattititanaattia;
c. Akustiset projektorit, mukaan lukien muuntimet, jotka
sisältävät yksittäin tai suunnitellussa kombinaatiossa
toimivia pietso-sähköisiä, magnetostriktiivisiä,
sähköstriktiivisiä, sähködynaamisia tai hydraulisia
elementtejä, ja joilla on jokin seuraavista:
Huom. 1: Erityisesti muita laitteita varten suunnitel-
tujen akustisten projektorien, muuntimet
mukaan lukien, valvonnanalaisuus
määräytyy näiden muiden laitteiden valvon-
nanalaisuuden mukaan.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 151
▼M3
Huom. 2: 6A001.a.1.c kohta ei aseta valvonnanalai-
seksi elektronisia äänilähteitä, jotka
suuntaavat ääntä vain pystysuunnassa, tai
mekaanisia (esim. ilmatykki tai höyryshok-
kitykki) tai kemiallisia (esim. räjähde)
äänilähteitä.
1. Hetkellisesti säteilevän 'akustisen tehon tiheys' ylittää
0,01 mW/mm2/Hz laitteilla, jotka toimivat alle
10 kHz:n taajuuksilla;
2. Jatkuvasti säteilevän 'akustisen tehon tiheys' ylittää
0,001 mW/mm2/Hz laitteilla, jotka toimivat alle
10 kHz:n taajuuksilla; tai
Tekn. huom:
'Akustisen tehon tiheys' saadaan jakamalla akustinen
lähtöteho säteilevän pinnan pinta-alan ja toiminta-taajuuden tulolla.
3. Sivukeilavaimennus ylittää 22 dB;
d. Akustiset järjestelmät, laitteet ja erityisesti suunnitellut
komponentit pinta-alusten tai vedenalaisten alusten
sijainnin määrittämistä varten, jotka on suunniteltu
toimimaan yli 1000 m:n etäisyydellä paikannustarkkuu-
della, joka on parempi kuin 10 m rms (tehollisarvo)
1 000 m:n etäisyydellä mitattuna;
Huom: 6A001.a.1.d kohta sisältää:
a. Laitteet, jotka käyttävät koherenttia
"signaalinkäsittelyä" kahden tai useamman
majakan ja pinta-aluksen tai vedenalaisen
aluksen kuljettaman hydrofoniyksikön
välillä;
b. Laitteet, jotka kykenevät automaattisesti
korjaamaan äänen nopeuden etenemisvir-
heet jonkin pisteen laskemista varten.
2. Seuraavat passiiviset (vastaanottavat, siitä riippumatta,
liittyvätköne normaalissa käytö ssä erillisiin aktiivisiin
laitteisiin) järjestelmät, laitteet tai erityisesti niitä varten
suunnitellut komponentit:
a. Hydrofonit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
Huom: Muita laitteita varten erityisesti suunniteltujen
hydrofonien valvonnanalaisuus määräytyy
kyseisten muiden laitteiden valvonnanalai-
suuden mukaan.
1. Sisältävät yhtenäisiä taipuisia antureita tai kokoonpa-
noja erillisistä anturielementeistä, joiden läpimitta tai
pituus on vähemmän kuin 20 mm ja etäisyys toisistaan
vähemmän kuin 20 mm;
2. Sisältävät jonkin seuraavista anturielementeistä:
a. Optisia kuituja;
b. Pietsosähköisiä polymeereja; tai
c. Taipuisia pietsosähköisiä keraamisia materiaaleja;
3. 'Hydrofonin herkkyys' ilman kiihtyvyyskompensointia
on parempi kuin − 180 dB missä tahansa syvyydessä;
4. Yli 35 metrin syvyyksissä toimimaan suunnitellussa
hydrofonissa, joissa on kiihtyvyyskompensointi; tai
5. Suunniteltu toimimaan yli 1 000 m:n syvyyksissä;
Tekn. huom:
'Hydrofonin herkkyys' määritellään ulostulojännitteen
rms-arvon ja 1 V:n rms vertailuarvon suhteen kaksikym-
menkertaisena kymmenlogaritmina, kun hydrofonianturi,ilman etuvahvistinta, asetetaan akustiseen tasoaalto-
kenttään, jonka rms paine on 1 µPa. Esimerkiksi −
160 dB:n hydrofoni (vertailuarvo 1 V mikropascalia
kohti) antaisi sellaisessa kentässä 10
−8V:n ulostulojän-
nitteen, kun taas toinen − 180 dB:n herkkyydellä antaisi
vain 10−9V:n ulostulojännitteen. Siten − 160 dB on
parempi kuin − 180 dB.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 152
▼M3
b. Hinattavat akustiset hydrofonijärjestelmät, joilla on jokin
seuraavista ominaisuuksista:
1. Hydrofoniryhmien välinen etäisyys on vähemmän
kuin 12,5 m;
2. Suunniteltu tai 'voidaan muuntaa' toimimaan yli
35 metrin syvyyksissä;
Tekn. huom:
6A001.a.2.b.2 kohdassa termi 'voidaan muuntaa'
tarkoittaa varautumista mahdollisuuteen muuttaa
kaapelointia tai kytkentöjä hydrofoniryhmien välisen
etäisyyden tai niiden toimintasyvyyden rajojen muut-
tamiseksi. Näitä varautumisia ovat: varakaapelointi,
joka ylittää 10 % kaapelien lukumäärästä, hydro-
foniryhmien välisen etäisyyden sovituslohkot tai
sisäiset syvyyden rajoituslaitteet, jotka ovat
säädettäviä tai jotka ohjaavat useampaa kuin yhtä
hydrofoniryhmää.
3. 6A001.a.2.d kohdan mukaan valvonnanalaiset suunta-
anturit;
4. Pitkittäissuunnassa lujitetut järjestelmäsukat;
5. Kokoonpantu järjestelmä on läpimitaltaan vähemmän
kuin 40 mm;
6. Multipleksoidut hydrofoniryhmien signaalit, jotka on
suunniteltu toimimaan yli 35 m:n syvyyksissä tai
aseteltava tai irrotettava syvyysanturilaite yli 35 m:n
syvyyksissä tapahtuvaa toimintaa varten; tai
7. Hydrofoniominaisuudet ovat 6A001.a.2.a kohdassa
määriteltyjä;
c. Hinattavia akustisia hydrofonijärjestelmiä varten erityi-
sesti suunnitellut (signaalien) käsittelylaitteet, jotka ovat
"käyttäjän ohjelmoitavissa" ja joissa on aika- tai
taajuusalueen käsittely ja korrelaatio, mukaan lukien
spektrianalyysi, digitaalinen suodatus ja säteen muotoilu
käyttäen nopeaa Fourier-muunnosta tai muita muun-
noksia tai käsittelyjä;
d. Suunta-anturit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
1. Tarkkuus on parempi kuin ± 0,5 astetta; ja
2. Suunniteltu toimimaan yli 35 m:n syvyyksissä tai
joilla on säädettävä tai irrotettava syvyysanturilaite yli
35 m:n syvyyksissä tapahtuvaa toimintaa varten;
e. Pohja- tai poukamakaapelijärjestelmät, joilla on jokin
seuraavista ominaisuuksista:
1. Se sisältää 6A001.a.2.a kohdassa määriteltyjä hydro-
foneja;tai
2. Multipleksoituja hydrofoniryhmien signaalimoduleja,
joilla on kaikki seuraavista ominaisuuksista:
a. Suunniteltu toimimaan yli 35 m:n syvyyksissä tai
aseteltava tai irrotettava syvyysanturilaite yli
35 m:n syvyyksissä tapahtuvaa toimintaa varten; ja
b. Voidaan vaihtaa hinattavien akustisten hydrofo-
nijärjestelmämoduulien kanssa toiminnallisesti.
f. Pohja- tai poukamakaapelijärjestelmiä varten erityisesti
suunnitellut (signaalien) käsittelylaitteet, jotka ovat
"käyttäjän ohjelmoitavissa" ja joissa on aika- tai
taajuusalueen käsittely ja korrelaatio, mukaan lukien
spektrianalyysi, digitaalinen suodatus ja säteen muotoilu
käyttäen nopeaa Fourier-muunnosta tai muita muun-
noksia tai käsittelyjä;
b. Nopeuskorrelaatiota suorittavat ääniluotainlokit, jotka on suun-
niteltu mittaamaan niitä kuljettavan aluksen horisontaalista
nopeutta merenpohjan suhteen 500 m ylittävillä aluksen ja
merenpohjan välisillä etäisyyksillä.
6A002 Optiset anturit
HUOM: KATSO MYÖS 6A102 KOHTA.
a. Seuraavat optiset ilmaisimet:2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 153
▼M3
Huom: 6A002.a kohta ei aseta valvonnanalaiseksi germa-
nium- tai piipohjaisia valoherkkiä komponentteja.
1. Seuraavat "avaruuskelpoiset" solid-state-ilmaisimet:
a. "Avaruuskelpoiset" solid-state ilmaisimet, joilla on
kaikki seuraavat:
1. Vastehuippu aallonpituusalueella, joka on yli 10 nm,
mutta ei yli 300 nm; ja
2. Vaste yli 400 nm:n aallonpituuksilla vähemmän kuin
0,1 % vastehuipusta;
b. "Avaruuskelpoiset" solid-state ilmaisimet, joilla on
kaikki seuraavat:
1. Vastehuippu aallonpituusalueella, joka on yli 900 nm,
mutta ei yli 1 200 nm; ja
2. Vasteen "aikavakio" 95 ns tai vähemmän;
c. "Avaruuskelpoiset" solid-state ilmaisimet, joiden vaste-
huippu on aallonpituusalueella, joka on yli 1 200 nm,
mutta ei yli 30000 nm;
2. Seuraavat kuvanvahvistinputket ja niitä varten erityisesti
suunnitellut komponentit:
a. Kuvanvahvistinputket, joilla on kaikki seuraavat ominai-
suudet:
1. Vastehuippu on aallonpituusalueella, joka on yli
400 nm, mutta ei yli 1 050 nm;
2. Elektronista kuvanvahvistusta varten mikrokanava-
levy, jonka reikätiheys (keskipisteiden välinen
etäisyys) on 15 µm tai vähemmän; ja
3. Seuraavat valokatodit:
a. S-20-, S-25- tai monialkaalivalokatodit, joiden
valoherkkyys ylittää 240 µA/lm;
b. GaAs- tai GaInAs-valokatodit; tai
c. Muut III-V yhdistepuolijohteisiin perustuvat valo-
katodit;
Huom: 6A002.a.2.a.3.c kohta ei aseta valvon-
nanalaiseksi yhdistepuolijohteisiin
perustuvia valokatodeja, joiden maksimi
säteilynherkkyys on 10 mA/W tai
vähemmän.
b. Seuraavat erityisesti suunnitellut komponentit:
1. Mikrokanavalevyt, joiden reikätiheys (keskipisteiden
välinen etäisyys) on 15 µm tai vähemmän;
2. GaAs- tai GaInAs-valokatodit;3. Muut III-V yhdistepuolijohteisiin perustuvat valoka-
todit;
Huom: 6A002.a.2.b.3 kohta ei aseta valvonnana-
laiseksi yhdistepuolijohteisiin perustuvia
valokatodeja, joiden maksimi säteilynherk-
kyys on 10 mA/W tai vähemmän.
3. Seuraavat ei-"avaruuskelpoiset" "fokusoivat tasorakenteet":
Tekn. huom:
Lineaarisia tai kaksiulotteisia monielementtisiä ilmaisinra-
kenteita pidetään "fokusoivina tasorakenteina".
Huom. 1: 6A002.a.3 kohta sisältää valojohtavat ja
valosähköiset rakenteet.
Huom. 2: 6A002.a.3 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi:
a. Piipohjaisia "fokusoivia tasorakenteita";
b. Monielementtisiä (korkeintaan 16
elementtiä sisältäviä) koteloituja valojoh-
tavia pareja, joissa käytetään joko
lyijysulfidia tai lyijyselenidiä;2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 154
▼M3
c. Pyrosähköisiä ilmaisimia, jotka perustuvat
joihinkin seuraavista:
1. Triglysiinisulfaatti ja sen muunnokset;
2. Lyijylantaanizirkoniumtitanaatti ja sen
muunnokset;
3. Litiumtantalaatti;
4. Polyvinyylideenifluoridi ja sen muun-
nokset;tai
5. Strontiumbariumniobaatti ja sen muun-
nokset;
a. Ei-"avaruuskelpoiset" "fokusoivat tasorakenteet", joilla
on kaikki seuraavat ominaisuudet:
1. Yksittäisten elementtien vastehuippu on aallonpituu-
salueella, joka onyli 900 nm, mutta ei yli 1 050nm; ja
2. Vasteen "aikavakio" on vähemmän kuin 0,5 ns;
b. Ei-"avaruuskelpoiset" "fokusoivat tasorakenteet", joilla
on kaikki seuraavat ominaisuudet:
1. Yksittäisten elementtien vastehuippu on aallonpituu-
salueella, joka on yli 1 050 nm, mutta ei yli 1 200 nm;
ja
2. Vasteen "aikavakio" on 95 ns tai vähemmän;
c. Yksittäisten elementtien vastehuippu on aallonpituusa-
lueella, joka on yli 1200 nm, mutta ei yli 30000 nm;
b. Etäishavainnointisovelluksiin suunnitellut "yksispektriset
kuvausanturit" ja "monispektriset kuvausanturit", joilla on jokin
seuraavista ominaisuuksista:
1. Hetkellinen näkökenttä (IFOV) on vähemmän kuin 200 µrad
(mikroradiaania); tai
2. Ne on määritelty toimimaan aallonpituusalueella, joka on yli
400 nm, mutta ei yli 30000 nm, ja joilla on kaikki seuraavat
ominaisuudet:
a. Ne antavat kuvatiedon ulostulossaan digitaalisessa
muodossa; ja
b. Ne ovat jotain seuraavista:
1. "Avaruuskelpoisia"; tai
2. Ne on suunniteltu ilmassa tapahtuvaan toimintaan ja
käyttävät muita kuin pii-ilmaisimia, joiden IFOV on
vähemmän kuin 2,5 mrad (milliradiaania);
c. 'Suorakatselu'kuvauslaitteet, jotka toimivat spektrin näkyvällä
tai infrapuna-alueella ja jotka sisältävät jonkin seuraavista:
1. 6A002.a.2.a kohdassa määriteltyjä kuvanvahvistinputkia; tai
2. 6A002.a.3 kohdassa määriteltyjä "fokusoivia tasoraken-
teita";
Tekn. huom:
Termi 'suorakatselu' viittaa kuvauslaitteisiin, jotka toimivat
spektrin näkyvällä tai infrapuna-alueella ja jotka näyttävät
visuaalisen kuvan tarkkailijalle muuttamatta kuvaa sähköiseksi
signaaliksi televisionäyttöä varten, ja jotka eivät voi tallettaa
kuvaa valokuvana, elektronisesti tai millään muullakaan
tavalla.
Huom: 6A002.c kohta ei aseta valvonnanalaiseksi seuraavia
laitteita, jotka sisältävät muita kuin GaAs- tai
GaInAs-valokatodeja:
a. Teollisuus- tai siviilikäyttöön tarkoitetut murtohä-
lyttimet, liikenteessä tai teollisuudessa käytettävät
liikkeen ohjaus- tai laskentajärjestelmät;
b. Lääketieteelliset laitteet;
c. Teollisuuden laitteet, joita käytetään materiaalien
ominaisuuksien tarkastukseen, lajitteluun tai
analysointiin;
d. Teollisten uunien liekinilmaisimet;2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 155
▼M3
e. Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu laborator-
iokäyttöön.
d. Seuraavat optisten anturien toimintaa tukevat erikoiskompo-
nentit:
1. "Avaruuskelpoiset" kryojäähdyttimet;
2. Seuraavat ei-"avaruuskelpoiset" kryojäähdyttimet, joiden
kylmälähteen lämpötila on alle 218 K (− 55 ºC):
a. Suljetulla kierrolla varustetut, joiden määritelty
keskimääräinen vioittumisaika (MTTF) tai keskimää-
räinen vikaväli (MTBF) ylittää 2 500 tuntia;
b. Itsesäätävät Joule-Thomson (JT) -minijäähdyttimet,
joiden ulkoläpimitta on vähemmän kuin 8 mm;
3. Optiset anturointikuidut, jotka on erityisesti valmistettu,
joko koostumuksellisesti tai rakenteellisesti tai pinnoitta-
malla, akustisesti, termisesti, inertiaalisesti,
sähkömagneettisesti tai ydinsäteilylle herkiksi;
e. "Avaruuskelpoiset" "fokusoivat tasorakenteet", joissa on
enemmän kuin 2048 elementtiä ryhmää kohti ja joiden
huippuvaste on aallonpituusalueella, joka on yli 300 nm, mutta
ei yli 900 nm.
6A003 Kamerat
HUOM: KATSO MYÖS 6A203 KOHTA.
HUOM: Kamerat, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu
vedenalaiseen käyttöön: katso 8A002.d ja 8A002.e
kohta.
a. Seuraavat instrumentointikamerat ja niitä varten erityisesti
suunnitellut komponentit:
Huom: 6A003.a.3—6A003.a.5 kohdassa määritellyt moduu-
lirakenteiset instrumentointikamerat on arvioitava
niiden suurimman suorituskyvyn mukaan käyttäen
saatavilla olevia ohjelmalisäkkeitä kameran valmis-
tajan eritelmien mukaisesti.
1. Suurinopeuksiset elokuvakamerat, jotka käyttävät mitä
tahansa filmikokoa välillä 8 mm—16 mm, mukaan lukien
ne kamerat, joissa filmiä siirretään jatkuvasti kuvausajan-
jakson aikana, ja jotka kykenevät ottamaan yli 13150 kuvaa
sekunnissa;
Huom: 6A003.a.1 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi
siviilikäyttöön tarkoitettuja elokuvakameroita.
2. Mekaaniset suurinopeuksiset kamerat, joissa filmi ei liiku ja
jotka kykenevät ottamaan yli 1 000000 kuvaa sekunnissatäydellä 35 mm:n filmin kuvan korkeudella tai suhteessa
suuremmilla nopeuksilla, kun kuvankorkeus onpienempi tai
suhteessa pienemmillä nopeuksilla, kun kuvan korkeus on
suurempi;
3. Mekaaniset tai elektroniset juovakamerat, joiden piirtono-
peus ylittää 10 mm/µs;
4. Elektroniset yksittäiskuvakamerat, joiden nopeus ylittää
1 000000 kuvaa sekunnissa;
5. Elektroniset kamerat, joilla on kaikki seuraavat:
a. Elektronisen sulkimen nopeus (avainnuskyky) on
vähemmän kuin 1 µs täyttä kuvaa kohti;
ja
b. Luettavuusaika sallii yli 125 täyden kuvan nopeuden
sekunnissa;
6. Ohjelmalisäkkeet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
a. Ne on erityisesti suunniteltu 6A003.a kohdassa
määriteltyjä moduulirakenteisia instrumentointikameroita
varten; ja
b. Niiden ansiosta nämä kamerat saavuttavat valmistajan
eritelmien mukaisesti 6A003.a.3, 6A003.a.4 tai
6A003.a.5 kohdassa määritellyt ominaisuudet.
b. Seuraavat kuvauskamerat:2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 156
▼M3
Huom: 6A003.b kohta ei aseta valvonnanalaiseksi televisio-
tai videokameroita, jotka on erityisesti suunniteltu
televisiolähetyksiä varten.
1. Solid-state-antureita sisältävät videokamerat, joilla on jokin
seuraavista:
a. Enemmän kuin 4 × 106"aktiivista pikseliä" solid-state-
matriisia kohti yksivärikameroissa (mustavalkokamer-
oissa);
b. Enemmän kuin 4 × 106"aktiivista pikseliä" solid-state-
matriisia kohti värikameroissa, joissa on kolme solid-
state-matriisia; tai
c. Enemmän kuin 12 × 106aktiivista pikseliä solid-state-
matriisia kohti värikameroissa, joissa on yksi solid-state-
matriisi;
Tekn. huom:
Tässä kohdassa digitaaliset videokamerat olisi arvioitava
liikkuvan kuvankaappaukseen käytettyjen "aktiivisten pikse-
lien" enimmäismäärän perusteella.
2. Pyyhkäisevät kamerat ja pyyhkäisevät kamerajärjestelmät,
joilla on kaikki seuraavat:
a. Lineaarisia ilmaisinryhmiä, joissa on enemmän kuin
8 192 elementtiä ryhmää kohti; ja
b. Yhdessä suunnassa mekaaninen pyyhkäisy;
3. Kamerat, jotka sisältävät 6A002.a.2.a kohdassa määriteltyjä
kuvanvahvistinputkia;
4. Kamerat, jotka sisältävät 6A002.a.3 kohdassa määriteltyjä
"fokusoivia tasorakenteita";
Huom: 6A003.b.4 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi
seuraaviin käyttötarkoituksiin suunniteltuja
kuvauskameroita, joissa on sellaisia lineaarisia
'fokusoivia tasorakenteita', jotka sisältävät 12
elementtiä tai vähemmän, ja joissa ei käytetä
aikaviivästystä ja integrointia elementeissä:
a. Teollisuus- tai siviilikäyttöön tarkoitetut
murtohälyttimet, liikenteessä tai teollisuudessa
käytettävät liikkeen ohjaus- tai laskentajärjes-telmät;
b. Teollisuuden laitteet, joita käytetään raken-
nusten, laitteiden tai teollisuusprosessien
lämpövirtojen havaitsemiseen tai seuraami-
seen;
c. Teollisuuden laitteet, joita käytetään materi-
aalien ominaisuuksien tarkastukseen,
lajitteluun tai analysointiin;
d. Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu labor-
atoriokäyttöön;
tai
e. Lääketieteelliset laitteet.
6A004 Optiikka
a. Seuraavat optiset peilit (heijastimet):
1. "Muotoaan muuttavat peilit", joissa on yhtenäiset tai moni-
elementtiset pinnat ja joissa peilipinnan osia voidaan
dynaamisesti asetella uudelleen yli 100 Hz:n nopeudella,sekä niitä varten erityisesti suunnitellut osat;
2. Kevyet monoliittiset peilit, joiden keskimääräinen "ekviva-
lenttitiheys" on vähemmän kuin 30 kg/m
2ja joiden
kokonaispaino ylittää 10 kg;
3. Kevyet "komposiitti"- tai vaahtopeilirakenteet, joiden
keskimääräinen "ekvivalenttitiheys" on vähemmän kuin
30 kg/m2ja joiden kokonaispaino ylittää 2 kg;
4. Säteen ohjauspeilit, joiden se läpimitta tai sen päähalkaisijan
pituus, jolla latteus on lambda/2 tai parempi (lambda on
623 nm), on yli 100 mm ja joiden ohjauskaistanleveys
ylittää 100 Hz;
b. Sinkkiselenidistä (ZnSe) tai sinkkisulfidista (ZnS) valmistetut
optiset komponentit, joiden lähete on aallonpituusalueella, joka2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 157
▼M3
on yli 3 000 nm mutta alle 25000 nm ja joilla on jokin
seuraavista:
1. Tilavuus ylittää 100 cm3;tai
2. Läpimitta tai pääakselin pituus ylittää 80 mm ja paksuus
(syvyys) 20 mm;
c. Seuraavat "avaruuskelpoiset" optisten järjestelmien osat:
1. Jotka on kevennetty alle 20 %:iin sellaisen massiivikappa-
leen ekvivalenttitiheyteen verrattuna, jolla on sama aukko ja
paksuus;
2. Raakasubstraatit tai (yksi- tai monikerroksisella, metallisella
tai dielektrisellä, johtavalla, puolijohtavalla tai eristävällä)
pinnoitteella pinnoitetut tai suojaavalla kalvolla varustetut
substraatit;
3. Peilien segmentit tai kokoonpanot, jotka on suunniteltu
koottavaksi avaruudessa optiseksi järjestelmäksi, jonka
kokoava aukko on sama tai suurempi kuin yksittäisen
läpimitaltaan 1 m:n optiikan;
4. Jotka on valmistettu "komposiitti"materiaaleista, joiden
lineaarinen lämpölaajenemiskerroin on 5 × 10−6tai pienempi
minkä tahansa koordinaatin suunnassa;
d. Seuraavat optiikan ohjauslaitteet:
1. Jotka on erityisesti suunniteltu 6A004.c.1 tai 6A004.c.3
kohdassa määriteltyjen "avaruuskelpoisten" komponenttien
pinnanmuodon tai asennon ylläpitoon;
2. Joilla ohjauksen, seurannan, stabiloinnin tai resonaattorin
kohdistuksen kaistanleveydet ovat 100 Hz tai enemmän ja
tarkkuus 10 µrad (mikroradiaania) tai vähemmän;
3. Kardaanit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
a. Maksimikääntymä ylittää 5 astetta;
b. Kaistanleveys 100 Hz tai enemmän;
c. Kulmasuuntausvirhe 200 mikroradiaania tai vähemmän;
tai
d. Joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
1. Läpimitta tai pääakselin pituus yli 0,15 m, mutta ei yli
1 m ja kykenevät yli 2 radiaanin/s2kulmakiihtyvyyk-
siin;tai
2. Läpimitta tai pääakselin pituus on yli 1 m ja
kykenevät yli 0,5 radiaanin/s2kulmakiihtyvyyteen;
4. Jotka on erityisesti suunniteltu ylläpitämään sellaisten
vaiheistettujen peiliryhmien tai segmenttipeilijärjestelmien
linjausta, jotka rakentuvat segmentin halkaisijaltaan tai
pääakselin pituudeltaan 1 m:n tai suuremmista peileistä;
e. 'Ei-pallomaiset optiset elementit', joilla on kaikki seuraavista
ominaisuuksista:
1. Optisen aukon suurin mitta on yli 400 mm;
2. Pinnan epätasaisuus on alle 1 nm (rms) 1 mm:n tai sitä
suurempien näytteenottopituuksien osalta; ja
3. Lineaarisen lämpölaajenemiskertoimen absoluuttinen
suuruus on alle 3 × 10−6/K lämpötilassa 25 ºC.
Tekn. huom.:
1. 'Ei-pallomainen optinen elementti' on optisessa järjes-
telmässä käytettävä elementti, jonka kuvapinta- tai pinnat
on suunniteltu siten, että ne poikkeavat täydellisenpallomaisesta muodosta.
2. Valmistajia ei velvoiteta mittaamaan 6A004.e.2 kohdassa
tarkoitettua pinnan epätasaisuutta, ellei optista elementtiä
ole suunniteltu tai valmistettu tarkoituksena täyttää tai
ylittää valvontaan liittyvä parametri.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 158
▼M3
Huom: 6A004.e kohta ei aseta valvonnanalaiseksi ei-
pallomaisia optisia elementtejä, joilla on jokin
seuraavista ominaisuuksista:
a. Optisen aukon suurin mitta on alle 1 m ja
polttovälin suhde aukkoon on 4,5:1 tai
suurempi;
b. Optisen aukon suurin mitta on 1 m tai
suurempi ja polttovälin suhde aukkoon on
7:1 tai suurempi;
c. Ne on suunniteltu Fresnel-, flyeye-, juova-,
prisma- tai diffraktiotyyppisiksi optisiksi
elementeiksi;
d. Ne on valmistettu borosilikaattilasista,
jonka lineaarinen lämpölaajenemiskerroin
on suurempi kuin 2,5 × 10−6/K lämpötilassa
25 ºC;tai
e. Ne ovat röntgenoptisia elementtejä, joilla on
sisäisiä peiliominaisuuksia (esim. putkityyp-
pinen peili).
Huom: Litografialaitteita varten erityisesti suunnitel-
tujen ei-pallomaisten optisten elementtien
osalta katso 3B001 kohta.
6A005 Seuraavat muut kuin 0B001.g.5 tai 0B001.h.6 kohdassa määritellyt
"laserit", komponentit ja optiset laitteet:
HUOM: KATSO MYÖS 6A205 KOHTA.
Huom. 1: Pulssi"lasereihin" kuuluvat ne, jotka toimivat pulssi-
tettuina jatkuva-aaltomoodissa (CW).
Huom. 2: Pulssiviritettyihin "lasereihin" kuuluvat ne, jotka
toimivat pulssitettuina jatkuvassa viritetyssä
moodissa.
Huom. 3: Raman-"laserien" valvonnanalaisuus määritetään
pumppu"laserien" parametrien mukaan. Pumppu"la-
serit" voivat olla kaikkia alla kuvattuja "lasereita".
a. Seuraavat kaasu"laserit":
1. Excimer-"laserit", joilla on jokin seuraavista ominaisuuk-
sista:
a. Lähtöaallonpituus ei ylitä 150 nm ja niillä on jokin
seuraavista ominaisuuksista:
1. Lähtöenergia ylittää 50 mJ pulssia kohti; tai
2. Keskimääräinen lähtöteho ylittää 1 W;
b. Lähtöaallonpituus ylittää 150 nm, mutta ei ylitä 190 nm
ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
1. Lähtöenergia ylittää 1,5 J pulssia kohti; tai
2. Keskimääräinen lähtöteho ylittää 120 W;
c. Lähtöaallonpituus ylittää 190 nm, mutta ei ylitä 360 nm
ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
1. Lähtöenergia ylittää 10 J pulssia kohti; tai
2. Keskimääräinen lähtöteho ylittää 500 W; tai
d. Lähtöaallonpituus ylittää 360 nm ja niillä on jokin
seuraavista ominaisuuksista:
1. Lähtöenergia ylittää 1,5 J pulssia kohti; tai
2. Keskimääräinen lähtöenergia ylittää 30 W;
Huom: Erityisesti litografialaitteita varten suunnitel-
tujen excimer-"lasereiden" osalta katso 3B001
kohta.
2. Seuraavat metallihöyry"laserit":
a. Kupari(Cu)"laserit", joiden keskimääräinen lähtöteho
ylittää 20 W;
b. Kulta(Au)"laserit", joiden keskimääräinen lähtöteho
ylittää 5 W;
c. Natrium(Na)"laserit", joiden lähtöteho ylittää 5 W;2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 159
▼M3
d. Barium(Ba)"laserit", joiden keskimääräinen lähtöteho
ylittää 2 W;
3. Hiilimonoksidi(CO)"laserit", joilla on jokin seuraavista
ominaisuuksista:
a. Lähtöenergia ylittää 2 J pulssia kohti ja pulssi"huippu-
teho" ylittää 5 kW; tai
b. Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 5 kW;
4. Hiilidioksidi(CO2)"laserit", joilla on jokin seuraavista
ominaisuuksista:
a. CW-lähtöteho ylittää 15 kW;
b. Pulssiulostulon "pulssin kesto" ylittää 10 µs ja niillä on
jokin seuraavista ominaisuuksista:
1. Keskimääräinen lähtöteho ylittää 10 kW; tai
2. Pulssi"huipputeho" ylittää 100 kW; tai
c. Pulssiulostulon "pulssin kesto" on 10 µs tai vähemmän ja
niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
1. Pulssin energia ylittää 5 J pulssia kohti; tai
2. Keskimääräinen lähtöteho ylittää 2,5 kW;
5. Seuraavat "kemialliset laserit":
a. Vetyfluoridi(HF)"laserit";
b. Deuteriumfluoridi(DF)"laserit";
c. Seuraavat "siirtolaserit":
1. Happijodi(O2-I)"laserit";
2. Deuteriumfluoridihiilidioksidi(DF-CO2)"laserit";
6. Kryptonioni- tai argonioni"laserit", joilla on jokin seuraa-
vista ominaisuuksista:
a. Lähtöenergia ylittää 1,5 J pulssia kohti ja pulssi"huippu-
teho" ylittää 50 W; tai
b. Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 50 W;
7. Muut kaasu"laserit", joilla on jokin seuraavista ominaisuuk-
sista:
Huom: 6A005.a.7 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi
typpi"lasereita".
a. Lähtöaallonpituus ei ylitä 150 nm ja niillä on jokin
seuraavista ominaisuuksista:
1. Lähtöenergia ylittää 50 mJ pulssia kohti ja pulssi"-
huipputeho" ylittää 1 W; tai
2. Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 1 W;
b. Lähtöaallonpituus ylittää 150 nm mutta ei 800 nm ja
niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
1. Lähtöenergia ylittää 1,5 J pulssia kohti ja pulssi"huip-
puteho" ylittää 30 W; tai
2. Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 30 W;
c. Lähtöaallonpituus ylittää 800 nm mutta ei 1 400 nm ja
niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
1. Lähtöenergia ylittää 0,25 J pulssia kohti ja pulssi"-
huipputeho" ylittää 10 W; tai
2. Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 10 W; tai
d. Lähtöaallonpituus ylittää 1400 nm ja keskimääräinen
CW-lähtöteho ylittää 1 W;
b. Seuraavat puolijohde-"laserit":
1. Erilliset yksitransversaalimoodissa toimivat puolijohde"la-
serit", joilla on kaikki seuraavista:
a) Aallonpituus on pienempi kuin 950 nm tai suurempi kuin
2000 nm;
b) Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 100 mW;2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 160
▼M3
2. Erilliset, monitransversaalimoodissa toimivat puolijohde"la-
serit", joilla on kaikki seuraavista:
a) Aallonpituus on pienempi kuin 950 nm tai suurempi kuin
2000 nm;
b) Keskimääräinen tai CW-lähöteho ylittää 10 mW;
3. Erilliset puolijohde"laserien"ryhmät, joilla on jokin seuraa-
vista ominaisuuksista:
a) Aallonpituus on pienempi kuin 950 nm ja keskimää-
räinen tai CW-lähtöteho ylittää 60 W; tai
b) Aallonpituus on vähintään 2 000 nm ja keskimääräinen
tai CW-lähtöteho ylittää 10 W;
Tekn. huom:
Puolijohdelasereita kutsutaan tavallisesti "laser"diodeiksi.
Huom. 1: 6A005.b kohta sisältää puolijohdelaserit, joilla on
optinen ulostulo (esim. kuituoptiset häntäkaapelit).
Huom. 2: Erityisesti muita laitteita varten suunniteltujen
puolijohdelaserien valvonnanalaisuus määräytyy
näiden muiden laitteiden mukaan.
c. Seuraavat jähme"laserit":
1. "Viritettävät" "laserit", joilla on jokin seuraavista:
Huom: 6A005.c.1 kohta sisältää titaani-safiiri-
(Ti:Al2O3), tulium-YAG- (Tm:YAG), tulium-
YSGG- (Tm:YSGG), aleksandriitti- (Cr:BeAl2O4)
ja värikeskus"laserit".
a. Lähtöaallonpituus on vähemmän kuin 600 nm ja niillä on
jokin seuraavista ominaisuuksista:
1. Lähtöenergia ylittää 50 mJ pulssia kohti ja pulssi"-
huipputeho" ylittää 1 W; tai
2. Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 1 W;
b. Lähtöaallonpituus on 600 nm tai enemmän mutta ei ylitä
1 400 nm ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:
1. Lähtöenergia ylittää 1 J pulssia kohti ja pulssi"huip-
puteho" ylittää 20 W; tai
2. Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 20 W; tai
c. Lähtöaallonpituus ylittää 1 400 nm ja niillä on jokin
seuraavista ominaisuuksista:
1. Lähtöenergia ylittää 50 mJ pulssia kohden ja pulssi"-
huipputeho" ylittää 1 W; tai
2. Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 1 W;
2. Seuraavat ei-"viritettävät" "laserit":
Huom: 6A005.c.2 kohta sisältää atomitransitio-jähme"-
laserit".
a. Seuraavat neodyymilasi"laserit":
1. Q-kytkin"laserit", joilla on jokin seuraavista ominai-
suuksista:
a. Lähtöenergia ylittää 20 J mutta ei 50 J pulssia
kohden ja keskimääräinen lähtöteho ylittää 10 W;
tai
b. Lähtöenergia ylittää 50 J pulssia kohden;
2. Ei-Q-kytkin"laserit", joilla on jokin seuraavista
ominaisuuksista:
a. Lähtöenergia ylittää 50 J mutta ei ylitä 100 J
pulssia kohden ja keskimääräinen lähtöteho ylittää
20 W;tai
b. Lähtöenergia ylittää 100 J pulssia kohden;
b. Seuraavat neodyymiseostetut (muut kuin lasi-) "laserit",
joiden lähtöaallonpituus on yli 1 000 nm, mutta alle
1 100 nm:
Huom: Neodyymiseostetut (muut kuin lasi-) "laserit",
joiden ulostulon aallonpituus ylittää 1000 nm,2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 161
▼M3
mutta ei ylitä 1 100 nm: katso 6A005.c.2.c
kohta.
1. Pulssiviritetyt, moodilukitut "Q-kytkinlaserit", joiden
"pulssin kesto" on vähemmän kuin 1 ns ja joilla on
jokin seuraavista ominaisuuksista:
a. "Huipputeho" ylittää 5 GW;
b. Keskimääräinen lähtöteho ylittää 10 W; tai
c. Pulssienergia ylittää 0,1 J;
2. Pulssiviritetyt, "Q-kytkinlaserit", joiden pulssin kesto
on 1 ns tai enemmän ja joilla on jokin seuraavista
ominaisuuksista:
a. Yksitransversaalimuodon ulostulon:
1. "Huipputeho" ylittää 100 MW;
2. Keskimääräinen lähtöteho ylittää 20 W; tai
3. Pulssienergia ylittää 2 J; tai
b. Monitransversaalimuodon ulostulon:
1. "Huipputeho" ylittää 400 MW;
2. Keskimääräinen lähtöteho ylittää 2 kW; tai
3. Pulssienergia ylittää 2 J;
3. Pulssiviritetyt, ei-"Q-kytkinlaserit", joiden:
a. Yksitransversaalimuodon ulostulon:
1. "Huipputeho" ylittää 500 kW; tai
2. Keskimääräinen lähtöteho ylittää 150 W; tai
b. Monitransversaalimuodon ulostulon:
1. "Huipputeho" ylittää 1 MW; tai
2. Keskimääräinen teho ylittää 2 kW;
4. Jatkuvasti viritettävät "laserit", joiden:
a. Yksitransversaalimuodon ulostulon:
1. "Huipputeho" ylittää 500 kW; tai
2. KeskimääräinentaiCW-lähtötehoylittää150W;
tai
b. Monitransversaalimuodon ulostulon:
1. Huipputeho ylittää 1 MW; tai
2. Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 2 kW;
c. Muut ei-viritettävät "laserit", joilla on jokin seuraavista
ominaisuuksista:
1. Aallonpituus on alle 150 nm ja jokin seuraavista
ominaisuuksista:
a. Lähtöenergia ylittää 50 mJ pulssia kohden ja
pulssin "huipputeho" ylittää 1 W; tai
b. Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 1 W;
2. Aallonpituus on 150 nm tai enemmän mutta ei ylitä
800 nm ja jokin seuraavista ominaisuuksista:
a. Lähtöenergia ylittää 1,5 J pulssia kohden ja pulssin
"huipputeho" ylittää 30 W; tai
b. Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 30 W:
3. Aallonpituus ylittää 800 nm mutta ei ylitä 1 400 nm:
a. "Q-kytkinlaserit", joiden:
1. Lähtöenergia ylittää 0,5 J pulssia kohden ja
pulssin "huipputeho" ylittää 50 W; tai
2. Keskimääräinen lähtöteho ylittää:
a. Yksi-transversaali "lasereilla" 10 W;
b. Moni-transversaali "lasereilla" 30 W;2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 162
▼M3
b. Ei-"Q-kytkinlaserit", joiden:
1. Lähtöenergia ylittää 2 J pulssia kohden ja
pulssin "huipputeho" ylittää 50 W; tai
2. Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 50 W;
4. Aallonpituus ylittää 1 400 nm ja jokin seuraavista
ominaisuuksista:
a. Lähtöenergia ylittää 100 mJ pulssia kohden ja
pulssin "huipputeho" ylittää 1 W; tai
b. Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 1 W;
d. Väriaine- ja muut nestelaserit, joilla on jokin seuraavista
ominaisuuksista:
1. Aallonpituus on alle 150 nm ja:
a. Lähtöenergia ylittää 50 mJ pulssia kohden ja pulssin
"huipputeho" ylittää 1 W; tai
b. Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 1 W;
2. Aallonpituus on 150 nm tai enemmän mutta ei ylitä 800 nm
ja jokin seuraavista ominaisuuksista:
a. Lähtöenergia ylittää 1,5 J pulssia kohden ja pulssin
"huipputeho" ylittää 20 W;
b. Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 20 W; tai
c. Sisältävät pitkittäistyyppisen pulssivärähtelijän, jonka
keskimääräinen lähtöteho ylittää 1 W ja toistotaajuus
ylittää 1kHz,jospulssinkestoonvähemmän kuin100ns;
3. Aallonpituus ylittää 800 nm mutta ei ylitä 1400 nm ja jokin
seuraavista:
a. Lähtöenergia ylittää 0,5 J pulssia kohden ja pulssin
"huipputeho" ylittää 10 W; tai
b. Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 10 W;
4. Aallonpituus ylittää 1 400 nm ja jokin seuraavista:
a. Lähtöenergia ylittää 100 mJ pulssia kohden ja pulssin
"huipputeho" ylittää 1 W; tai
b. Keskimääräinen tai CW-lähtöteho ylittää 1 W;
e. Seuraavat komponentit:
1. ”Aktiivisella jäähdytyksellä” tai lämpöputkijäähdytyksellä
jäähdytetyt peilit;
Tekn. huom:
”Aktiivinen jäähdytys” on optisten osien jäähdytystekniikka,
jossa käytetään välittömästi optisen komponentin pinnan
alla virtaavia nesteitä (nimellisetäisyys optisesta pinnasta
vähemmän kuin 1 mm) siirtämään lämpöä optiikasta.
2. Optiset peilit tai läpäisevät tai osittain läpäisevät optiset tai
sähköoptiset komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu
käytettäväksi valvonnanalaisten "lasereiden" kanssa;
f. Seuraavat optiset laitteet:
Huom: "SHPL"-sovelluksissa toimimaan kykenevät yhteisen
aukon optiset elementit: katso asetarvikeluettelo.
1. Dynaamiset aaltorintaman (vaiheen) mittauslaitteet, joilla
voidaan rekisteröidä ainakin 50 positiota säteen aaltorinta-
masta, ja joilla on jokin seuraavista:
a. Kuvataajuus on 100 Hz tai enemmän ja vaiheen
erottelukyky vähintään 5 % säteen aallonpituudesta; tai
b. Kuvanopeus on 1 000 Hz tai enemmän ja vaiheen
erottelukyky vähintään 20 % säteen aallonpituudesta;
2. "Laserien" diagnostiikkalaitteet, joilla kyetään mittaamaan
"SHPL"-järjestelmän säteen ohjauksen kulmavirheitä, jotka
ovat 10 µrad tai pienempiä;
3. Optiset laitteet, kokoonpanot tai komponentit, jotka on
erityisesti suunniteltu vaiheistettujen ryhmien koherenttia
sädettä kombinoivaa "SHPL"-järjestelmää varten tarkkuu-
della, joka on seuraavista pienempi: Lambda/10
suunnitellulla aallonpituudella tai 0,1 µm;2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 163
▼M3
4. Erityisesti "SHPL"-järjestelmissä käytettäväksi tarkoitetut
projektioteleskoopit.
6A006 Seuraavat "magnetometrit", "magneettikentän gradiometrit",
"itseisjohtavuuteen perustuvat magneettikentän gradiometrit" ja
kompensointijärjestelmät sekä niitä varten erityisesti suunnitellut
komponentit:
Huom: 6A006 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi instrumentteja,
jotka on erityisesti suunniteltu lääketieteellisen diag-
nostiikan biomagneettisia mittauksia varten.
a. "Magnetometrit", jotka käyttävät "suprajohtavaa", optisesti
pumpattua tai ydinpresessio- (protoni/Overhauser-) "teknolo-
giaa", ja joiden "kohinataso" (herkkyys) on alempi (parempi)
kuin 0,05 nT rms Hz:n neliöjuurta kohti;
b. Induktiokelamagnetometrit, joiden "kohinataso" (herkkyys) on
alempi (parempi) kuin:
1. 0,05 nT Hz:n neliöjuurta kohti alle 1 Hz:n taajuuksilla;
2. 1 × 10−3nT Hz:n neliöjuurta kohti taajuuksilla 1 Hz—10 Hz;
tai
3. 1 × 10−4nT Hz:n neliöjuurta kohti taajuuksilla yli 10 Hz;
c. Kuituoptiset "magnetometrit", joiden "kohinataso" (herkkyys)
on alempi (parempi) kuin 1 nT rms Hz:n neliöjuurta kohti;
d. "Magneettikentän gradiometrit", jotka käyttävät useita 6A006.a,
6A006.b tai 6A006.c kohdassa määriteltyjä "magnetometrejä";
e. Kuituoptiset "itseisjohtavuuteen perustuvat magneettikentän
gradiometrit", joiden magneettisen gradienttikentän "kohina-
taso" (herkkyys) on alempi (parempi) kuin 0,3 nT/m rms Hz:n
neliöjuurta kohti;
f. "Itseisjohtavuuteen perustuvat magneettikentän gradiometrit",
jotka käyttävät muuta kuin kuituoptista "teknologiaa" ja joiden
magneettisen gradienttikentän kohinataso (herkkyys) on alempi
(parempi) kuin 0,015 nT/m rms Hz:n neliöjuurta kohti;
g. Magneettiset kompensointijärjestelmät sellaisia magneettisia
antureita varten, jotka on suunniteltu toimimaan liikkuvillaalustoilla;
h. Seuraavat "suprajohtavat" sähkömagneettiset anturit, jotka
sisältävät "suprajohtavista" materiaaleista valmistettuja osia ja
joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
1. Ne on suunniteltu toimimaan ainakin yhden "suprajohtavan"
ainesosansa "kriittisen" lämpötilan alapuolella (mukaan
lukien Josephson-ilmiölaitteet tai suprajohtavat kvantti-
interferenssilaitteet (SQUIDS = Superconductive Quantum
Interference Devices));
2. Ne on suunniteltu havaitsemaan sähkömagneettisen kentän
vaihteluja 1 kHz:n taajuudella tai sen alapuolella;
ja
3. Joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
a. Sisältävät ohutkalvo-SQUIDS-laitteita, joiden minimivii-
vanleveys on alle 2 µm ja jotka on varustettu sisäänmeno-
ja ulostuloliitäntäpiireillä;
b. Suunniteltu toimimaan magneettikentän muuttumisno-
peudella, joka ylittää 1 × 106magneettivuon kvanttia
sekunnissa;
c. Suunniteltu toimimaan ilman magneettista suojausta
maan magneettikentässä; tai
d. Lämpötilakerroin on vähemmän (pienempi) kuin 0,1
magneettivuon kvanttia/K.
6A007 Seuraavat gravimetrit sekä painovoimagradiometrit:
HUOM: KATSO MYÖS 6A107 KOHTA.
a. Maalla käytettäväksi suunnitellut tai muunnetut gravimetrit
(painovoiman mittarit), joiden staattinen tarkkuus on
vähemmän (parempi) kuin 10 µgal;
Huom: 6A007.a kohta ei aseta valvonnanalaiseksi kvartsie-
lementtiä käyttäviä (Worden-tyyppisiä) maapohjan
gradiometrejä.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 164
▼M3
b. Liikkuville alustoille suunnitellut gradiometrit, joiden:
1. Staattinen tarkkuus on parempi kuin 0,7 mgal; ja
2. Toimintatarkkuus käytössä (toiminnassa) on parempi kuin
0,7 mgal ja vakiintumisaika on vähemmän kuin 2 minuuttia
kaikissa läsnä olevien korjaavien kompensointien ja liikkeen
vaikutusten kombinaatioissa;
c. Painovoimagradiometrit.
6A008 Tutkajärjestelmät, -laitteet ja -kokoonpanot, joilla on jokin
seuraavista ominaisuuksista, ja niitä varten erityisesti suunnitellut
komponentit:
HUOM: KATSO MYÖS 6A108 KOHTA.
Huom: 6A008 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi:
a. Toisiovalvontatutkia (SSR);
b. Yhteentörmäyksen estämiseen tarkoitettuja auto-
tutkia;
c. Näyttöpäätteitä tai monitoreja, joita käytetään
lennonjohdossa (ATC), ja joissa ei ole enempää
kuin 12 erottuvaa elementtiä mm kohden;
d. Ilmatieteellisiä (säähavainto-) tutkia.
a. Jotka toimivat taajuuksilla 40 GHz—230 GHz ja keskimää-
räinen lähtöteho on yli 100 mW;
b. Joissa on viritettävä kaistanleveys, joka on yli ± 6,25 %
'keskitoimintataajuudesta';
Tekn. huom:
'Keskitoimintataajuus' on puolet korkeimman ja alhaisimman
määritellyn toimintataajuuden summasta.
c. Jotka kykenevät toimimaan samanaikaisesti useammalla kuin
kahdella kantoaaltotaajuudella;
d. Jotka kykenevät toimimaan synteettisessä apertuuri- (SAR),
käänteisessä synteettisessä apertuuritutkamoodissa (ISAR) tai
sivukulma-tutkamoodissa (SLAR);
e. Jotka sisältävät "elektronisesti ohjattavia vaiheistettuja
ryhmäantenneja";
f. Jotka kykenevät ei-yhteistoiminnallisten kohteiden korkeuden
määrittämiseen;
Huom: 6A008.f kohta ei aseta valvonnanalaiseksi ICAO:n
standardien mukaisia tarkkuuslähestymistutkalait-
teita (PAR).
g. Jotka on erityisesti suunniteltu käytettäväksi ilmassa (asennet-
tuina ilmapalloon tai lentokoneen rakenteisiin) ja varustettu
Doppler-"signaalinkäsittelyllä" liikkuvien kohteiden havaitse-
miseksi;
h. Jotka käsittelevät tutkasignaalia käyttäen:
1. "Tutkan hajaspektri"tekniikkaa; tai
2. "Tutkan taajuushyppely"tekniikkaa;
i. Jotka takaavat maanpinnalla toimittaessa maksimi"näyttöa-
lueen", joka ylittää 185 km;
Huom: 6A008.i kohta ei aseta valvonnanalaiseksi:
a. Kalastusalueiden valvontatutkia;
b. Maanpinnalla olevia tutkalaitteita, jotka on
erikoisesti suunniteltu reittilentoliikenteen
ohjausta varten eikä niiden käyttöön erityisesti
suunniteltuja ohjelmia, edellyttäen, että:
1. Sen maksimi"näyttöalue" on 500 km tai
vähemmän;
2. Se on konfiguroitu siten, että tutkan maali-
tietoa voidaan lähettää vain yhteen suuntaan
tutka-asemalta yhteen tai useampaan siviili-
lennonjohtokeskukseen;
3. Siinä ei ole varauduttu tutkan pyyhkäisyno-
peuden kauko-ohjaukseen reitin varrella
olevasta lennonjohtokeskuksesta; ja2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 165
▼M3
4. Sen on oltava kiinteästi rakennettu.
c. Säähavaintopallojen seurantatutkia.
j. "Laser"tutkat tai valoon perustuvat havainnointi- ja etäisyy-
denmittauslaitteet (LIDAR), joilla on jokin seuraavista
ominaisuuksista:
1. Ne ovat "avaruuskelpoisia"; tai
2. Ne käyttävät koherenttia heterodyne- tai homodyneilmaisu-
tekniikkaa ja niiden kulmanerottelukyky on parempi kuin
20 µrad (mikroradiaania);
Huom: 6A008.j kohta ei aseta valvonnanalaiseksi kartoituk-
seen tai ilmatieteellisiin havaintoihin erityisesti
suunniteltuja LIDAR-laitteita.
k. Sisältävät "signaalinkäsittelyä" varten alajärjestelmiä, jotka
käyttävät "pulssikompressio"tekniikkaa ja joilla on jokin
seuraavista ominaisuuksista:
1. "Pulssikompressio"suhde ylittää 150; tai
2. Pulssin leveys on vähemmän kuin 200 ns; tai
l. Sisältävät tiedonkäsittelyn alajärjestelmiä, jotka:
1. Suorittavat "automaattista kohteen seurantaa", joka kullakin
antennin kierroksella ennakoi maalin aseman pidemmälle
kuin seuraavan antennin säteen ohimenon ajankohtaan;
Huom: 6A008.l.1 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi
vaaratilanteiden hälytyskykyä lennonjohtojärjes-
telmissä tai merenkulku- tai satamatutkissa.
2. Laskevat kohteen nopeutta ensiötutkan avulla, jolla on ei-
periodinen (vaihtuva) pyyhkäisynopeus;
3. Suorittavat automaattista kohteiden hahmontunnistusta (piir-
teiden poimintaa) ja vertaavat kuvioita tietokantoihin
talletettuihin kohteiden ominaisuuksiin (aaltomuotoihin tai
kuviin) kohteiden tunnistamista tai luokittelua varten; tai
4. Suorittavat kahdesta tai useammasta "maantieteellisesti
hajallaan" olevasta ja "toisiinsa kytketystä tutka-anturista"
saatujen kohteen tietojen superponointia ja korrelaatiota tai
yhdistelyä kohteen selvittämiseksi;
Huom: 6A008.l.4 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi
järjestelmiä, laitteita tai kokoonpanoja, joita
käytetään meriliikenteen ohjaamiseen.
6A102 Muut kuin 6A002 kohdassa määritellyt säteilyä kestävät ”ilmai-
simet”, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu suojaamaan
ydinaseiden vaikutuksilta (esim. sähkömagneettiselta pulssilta
(EMP = Electromagnetic Pulse), röntgensäteilyltä, yhdistetyiltä
paineisku- ja lämpövaikutuksilta) ja voidaan käyttää "ohjuksissa",
ja jotka on suunniteltu tai mitoitettu kestämään kokonaisannok-
seltaan 5 × 105radin (Pii) tai sen ylittäviä säteilytasoja.
Tekn. huom:
6A102 kohdassa ”ilmaisimeksi” määritellään mekaaninen,
sähköinen, optinen tai kemiallinen laite, joka automaattisesti
tunnistaa ja tallentaa tai rekisteröi ärsykkeen, kuten ympäristön
paineen tai lämpötilan muutoksen, sähköisen tai sähkömagneet-
tisen signaalin tai radioaktiivisesta aineesta lähtevän säteilyn.
Tämä sisältää laitteet, jotka tunnistavat kertatoimisesti tai
vioittumalla/rikkoutumalla.
6A107 Seuraavat painovoiman mittarit (gravimetrit) ja gravimetrien ja
painovoimagradiometrien komponentit:
a. Muut kuin 6A007.b kohdassa määritellyt gravimetrit, jotka on
suunniteltu tai muunnettu ilmassa tai merellä tapahtuvaa
käyttöä varten ja joiden staattinen tai operationaalinen tarkkuus
on 7 × 10−6m/s2(0,7milligalia) tai sitä vähemmän (parempi) ja
joiden vakiintumisaika on kaksi minuuttia tai vähemmän.
b. Komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu 6A007.b kohdassa
tai 6A107.a kohdassa määriteltyjä gravimetrejä ja 6A007.c
kohdassa määriteltyjä painovoimagradiometrejä varten.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 166
▼M3
6A108 Seuraavat muut kuin 6A008 kohdassa määritellyt tutkajärjestelmät
ja seurantajärjestelmät:
a. Tutka- ja lasertutkajärjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu
käytettäviksi 9A004 kohdassa määritellyissä avaruuteen laukai-sussa käytettävissä kantoraketeissa tai 9A104 kohdassa
määritellyissä luotainraketeissa;
Huom: 6A108.a kohta sisältää seuraavat:
a. Maanpinnan muodon kartoituslaitteet;
b. Kuvausanturilaitteet
c. Näkymäkartoitus- ja korrelointilaitteet (sekä digi-
taaliset että analogiset)
d. Doppler-navigointitutkalaitteet
b. Seuraavat tarkkuusseurantajärjestelmät, joita voidaan käyttää
"ohjuksissa":
1. Seurantajärjestelmät, jotka käyttävät koodin kääntäjää
yhdessä maanpinnalla tai ilmassa olevien vertailupisteiden
tai navigointisatelliittijärjestelmien kanssa tosiaikaiseen
lentosijainnin ja -nopeuden mittausten suorittamiseen;
2. Instrumenttietäisyystutkat, mukaanlukien niihin liittyvät
optiset/infrapunaseurantalaitteet, joilla on kaikki seuraavat
ominaisuudet:
a. Kulmaresoluutio on parempi kuin 3 milliradiaania (0,5
milliä);
b. Toimintaetäisyys on 30 km tai suurempi ja etäisyysreso-
luutio parempi kuin 10 m rms;
c. Nopeusresoluutio on parempi kuin 3 m/s.
6A202 Valomonistinputket, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuk-
sista:
a. valokatodipinta on suurempi kuin 20 cm2;ja
b. anodipulssin nousuaika on lyhyempi kuin 1 ns.
6A203 Seuraavat muut kuin 6A003 kohdassa määritellyt kamerat ja
komponentit:
a. Seuraavat mekaaniset pyöriväpeiliset kamerat ja niitä varten
erityisesti suunnitellut komponentit:
1. Erilliskuvia ottavat kamerat, joiden tallennusnopeus on
suurempi kuin 225000 kuvaa/s;
2. Juovakamerat,joidenpiirtonopeusonsuurempikuin0,5mm/
µs;
Huom: 6A203.a kohdassa näiden kameroiden komponent-
teihin sisältyvät niiden synkronointi-
elektroniikkayksiköt sekä turbiineista, peileistä ja
laakereista koostuvat roottorikokoonpanot.
b. Seuraavat elektroniset juova- ja erilliskuvakamerat, putket ja
laitteet:
1. Elektroniset juovakamerat, jotka kykenevät 50 ns:n tai
lyhyempään aikaresoluutioon;
2. Juovaputket 6A203.b.1 kohdassa määriteltyjä kameroita
varten;
3. Elektroniset (tai elektronisin sulkimin varustetut) erillisku-
vakamerat, joiden valotusaika kuvaa kohden on 50 ns tai
lyhyempi;
4. Seuraavat erilliskuvaputket tai solid-state-kuvauslaitteet,
joita käytetään 6A203.b.3 kohdassa määriteltyjen kamer-
oiden kanssa:
a. Lähitarkenteiset kuvantehostinputket, joissa valokatodi
on muodostettu läpinäkyvälle johtavalle pinnoitteelle
valokatodin pintavastuksen pienentämiseksi;
b. Piitehostinkohtiolevyllä (SIT = Silicon Intensifier Target)
varustetut hilakameraputket, joiden nopeatoiminen järjes-
telmä mahdollistaa valokatodilta tulevien valosähköisten
elektronien veräjöinnin ennen niiden iskeytymistä SIT-
levylle;2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 167
▼M3
c. Kerr- tai Pockel-kennoon perustuva sähköoptinen suljin;
d. Muut erilliskuvaputket ja solid-statekuvauslaitteet, joiden
pikakuvauksen veräjöintiaika on lyhyempi kuin 50 ns ja
jotka on erityisesti suunniteltu 6A203.b.3 kohdassa
määriteltyjä kameroita varten;
c. Säteilyä kestävät TV-kamerat tai niissä käytetyt linssit, jotka on
erityisesti suunniteltu tai mitoitettu kestämään yli 50 × 103Gy:n
(Pii) (5 × 106radin (Pii)) säteilyn kokonaisannosta toiminnalli-
suuden siitä kärsimättä.
Tekn. huom:
Termillä Gy (Pii) tarkoitetaan jouleina kilogrammaa kohti
ilmaistua energiaa, jonka suojaamaton silikonitestikappale
imee itseensä altistuessaan ionisoivalle säteilylle.
6A205 Seuraavat, muut kuin 0B001.g.5, 0B001.h.6 tai 6A005 kohdassa
määritellyt "laserit", "laser"vahvistimet ja oskillaattorit:
a. Argonioni"laserit", joilla on molemmat seuraavista ominai-
suuksista:
1. toimivat 400 nm:n ja 515 nm:n välillä olevilla aallonpi-
tuuksilla; ja
2. keskimääräinen lähtöteho on suurempi kuin 40 W;
b. Viritettävät pulssitoimiset yksimuoto-väriainelaser-oskillaat-
torit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
1. ne toimivat 300 nm:n ja 800 nm:n välillä olevilla
aallonpituuksilla;
2. 1 W suurempi keskimääräinen lähtöteho;3. toistotaajuus on suurempi kuin 1 kHz;
ja
4. pulssin leveys pienempi kuin 100 ns;
c. Viritettävät pulssitoimiset väriaine"laser"vahvistimet ja oskil-
laattorit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
1. ne toimivat 300 nm:n ja 800 nm:n välillä olevilla
aallonpituuksilla;
2. keskimääräinen lähtöteho on suurempi kuin 30 W;3. toistotaajuus suurempi kuin 1 kHz;
ja
4. pulssin leveys alle 100 ns;
Huom: 6A205.c kohta ei aseta valvonnanalaiseksi yksi-
muoto-oskillaattoreita.
d. Pulssitoimiset hiilidioksidi"laserit", joilla on kaikki seuraavat
ominaisuudet:
1. ne toimivat 9 000 nm:n ja 11000 nm:n välillä olevilla
aallonpituuksilla;
2. toistotaajuus on suurempi kuin 250 Hz;
3. keskimääräinen lähtöteho suurempi kuin 500 W; ja
4. pulssin leveys alle 200 ns;
e. Paravetykäyttöiset Raman-muuntimet, jotka on suunniteltu
toimimaan 16 mikrometrin lähtöaaltopituudella ja joiden
toistotaajuus on suurempi kuin 250 Hz.
f. Pulssiviritettävät, neodyymiseostetut "Q-kytkin-laserit" (muut
kuin lasi-), joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
1. Lähtöaallonpituus ylittää 1 000 nm, mutta ei ylitä
1 100:aa nm;
2. Pulssinkesto on 1 ns tai enemmän; ja
3. Monitransversaalimoodin ulostulo, jonka keskimääräinen
teho ylittää 50 W.
6A225 Nopeusinterferometrit yli 1 km/s nopeuksien mittaamiseksi
lyhyemmän kuin 10 mikrosekunnin aikajakson kuluessa
Huom: 6A225 kohtaan sisältyvät sellaiset nopeusinterferometrit
kuten VISAR:it ja DLI:t (dopplerlaserinterferometrit).
6A226 Seuraavat paineanturit:
a. Manganiini-anturit, joilla mitataan yli 10 GPa:n paineita;2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 168
▼M3
b. Kvartsipaineanturit, joilla mitataan yli 10 GPa:n paineita.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 169
▼M3
6B Testaus-, tarkastus- ja tuotantolaitteet
6B004 Optiset laitteet seuraavasti:
a. Laitteet, joilla mitataan absoluuttista heijastumissuhdetta
± 0,1 %:n tarkkuudella heijastumissuhteen arvosta;
b. Muut laitteet kuin optisen pinnan sironnan mittarit, joiden
himmentämätön aukko on suurempi kuin 10 cm, ja jotka on
erityisesti suunniteltu epätasaisen optisen pinnan kuvan
(profiilin) mittaamiseen 2 nm:n tai pienemmällä (paremmalla)
"tarkkuudella" tarvittavaa profiilia vasten.
Huom: 6B004 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi mikroskoop-
peja.
6B007 Laitteet, joilla tuotetaan, linjataan ja kalibroidaan maalle asennet-
tavia painovoiman mittareita, joiden staattinen tarkkuus on
parempi kuin 0,1 mgal.
6B008 Tutkan kaikupinnan pulssimittausjärjestelmät, joiden lähetettävien
pulssien leveydet ovat 100 ns tai vähemmän, ja niitä varten
erityisesti suunnitellut komponentit.
HUOM: KATSO MYÖS 6B108 KOHTA.
6B108 Muut kuin 6B008 kohdassa määritellyt järjestelmät, joita voidaan
käyttää "ohjuksissa" ja niiden alajärjestelmissä ja jotka on
erityisesti suunniteltu tutkapoikkipintojen mittaamiseen.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 170
▼M3
6C Materiaalit
6C002 Seuraavat optiset anturimateriaalit:
a. Telluuri (Te) alkuaineena, jonka puhtausaste on 99,9995 % tai
korkeampi;
b. Yksittäiskiteet (mukaan lukien epitaksikiekot) joistakin seur-
aavista:
1. Kadmiumsinkkitelluridi (CdZnTe), jonka sinkkipitoisuus on
alle 6 ”mooliosuus”prosenttia;
2. Kadmiumtelluridi (CdTe) puhausasteesta riippumatta; tai
3. Elohopeakadmiumtelluridi (HgCdTe) puhtausasteesta riip-
pumatta
Tekn. huom.:
”Mooliosuus” määritellään ZnTe-moolien suhteeksi kiteessä
olevien CdTe- ja ZnTe-moolien summaan.
6C004 Seuraavat optiset materiaalit:
a. Sinkkiselenidi (ZnSe)- ja sinkkisulfidi (ZnS)-"substraattiaihiot",
jotka on tuotettu kemiallisella kaasufaasipinnoitusmenetelmällä
ja joilla on jokin seuraavista:
1. Tilavuus suurempi kuin 100 cm3;tai
2. Läpimitta suurempi kuin 80 mm ja paksuus 20 mm tai
enemmän;
b. Seuraavien sähköoptisten materiaalien synteettiset kiteet:
1. Kaliumtitanyyliarsenaatti (KTA);
2. Hopeagalliumselenidi (AgGaSe2);
3. Talliumarseeniselenidi (Tl3AsSe3, tunnetaan myös nimellä
TAS);
c. Epälineaariset optiset materiaalit, joilla on kaikki seuraavat:
1. Kolmannen tason suskeptibiliteetti (khi 3) on 10−6m2/V2tai
enemmän; ja
2. Vasteaika on vähemmän kuin 1 ms;
d. Piikarbidista tai beryllium-beryllium (Be/Be) -pinnoitetuista
materiaaleista valmistetut "substraattiaihiot", joiden läpimitta
tai pääakselin pituus on yli 300 mm;
e. Lasi, mukaan lukien kvartsilasi, fosfaattilasi, fluorofosfaattilasi,
zirkoniumfluoridi (ZrF4) ja hafniumfluoridi (HfF4), joilla on
kaikki seuraavat ominaisuudet:
1. Hydroksyyli-ioni(OH-)konsentraatio on vähemmän kuin
5 ppm;
2. Metallisten epäpuhtauksien kokonaistaso on vähemmän kuin
1 ppm;ja
3. Korkea homogeenisuus (refraktiovarianssin indeksi) on
vähemmän kuin 5 × 10−6;
f. Synteettisesti tuotettu timanttimateriaali, jonka absorptio on
vähemmän kuin 10−5cm−1aallonpituuksilla, jotka ylittävät
200 nm mutta ovat alle 14000 nm.
6C005 Seuraavat kiteiset "laserien" perusmateriaalit käsittelemättömässä
muodossa:
a. Titaaniseostettu safiiri;
b. Aleksandriitti.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 171
▼M3
6D Ohjelmistot
6D001 "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu 6A004, 6A005,
6A008 tai 6B008 kohdassa määriteltyjen laitteiden "kehittämistä"
tai "tuotantoa" varten.
6D002 "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu 6A002.b, 6A008 tai
6B008 kohdassa määriteltyjen laitteiden "käyttöä" varten.
6D003 Seuraavat muut "ohjelmistot":
a. 1. "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu akustisen
säteen muokkaamiseen akustisen tiedon "tosiaikaiseksi
käsittelemiseksi" hinattavia hydrofonijärjestelmiä käyttävää
passiivista vastaanottoa varten;
2. "Lähdekoodi" akustisen tiedon "tosiaikaiseksi käsittelemi-
seksi" hinattavia hydrofonijärjestelmiä käyttävää passiivista
vastaanottoa varten;
3. "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu akustisen
säteen muokkaamiseen;
4. "Lähdekoodi" akustisen tiedon "tosiaikaiseksi käsittelemi-
seksi" pohja- tai poukamakaapelijärjestelmiä käyttävää
passiivista vastaanottoa varten;
b. 1. "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu magneettisia
kompensointijärjestelmiä varten magneettisille antureille,
jotka on suunniteltu toimimaan liikkuvilla alustoilla;
2. "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu magneettisten
poikkeamien ilmaisuun liikkuvilla alustoilla;
c. "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu korjaamaan
liikkumisen vaikutuksia painovoimamittareihin tai painovoima-
gradiometreihin;
d. 1. Lennonjohto-"ohjelmistojen" sovellus"ohjelmat", jotka
toimivat lennonjohtokeskuksiin sijoitetuissa yleiskäyttöisissä
tietokoneissa ja kykenevät johonkin seuraavista:
a. Käsittelemään ja näyttämään enemmän kuin 150:n
samanaikaisen kohteen "reitit"; tai
b. Vastaanottamaan kohteiden tutkatietoja useammalta kuin
neljältä ensiötutkalta;
2. "Ohjelmistot" sellaisten suojakupujen suunnittelua tai
"tuotantoa" varten, jotka:
a. On erityisesti suunniteltu suojaamaan 6A008.e kohdassa
määriteltyjä, "elektronisesti ohjattavia vaiheistettuja
ryhmä-antenneja"; ja
b. Aiheuttavat antennin säteilykuvion, jonka 'keskimää-
räinen sivukeilataso' on enemmän kuin 40 dB pääsäteen
tason alapuolella.
Tekn. huom:
'Keskimääräinen sivukeilataso' 6D003.d.2.b kohdassa
mitataan koko ryhmän yli poislukien pääkeilan ja
pääkeilan molemmilla puolilla olevien kahden ensim-
mäisen sivukeilan kulmasuure.
6D102 "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 6A108
kohdassa määriteltyjen tuotteiden "käyttöä" varten.
6D103 "Ohjelmistot", jotka lennon jälkeen prosessoivat nauhoitettua
tietoa ja jotka mahdollistavat lentolaitteen aseman määrityksen
sen koko lentoradalla ja jotka on erityisesti suunniteltu tai
muunnettu "ohjuksia" varten.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 172
▼M3
6E Teknologia
6E001 "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 6A, 6B,
6C tai 6D kohdassa määriteltyjen laitteiden, materiaalien tai
"ohjelmistojen" "kehittämistä" varten.
6E002 "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 6A, 6B
tai 6C kohdassa määriteltyjen laitteiden tai materiaalien
"tuotantoa" varten.
6E003 Seuraava muu "teknologia":
a. 1. Optisen pinnan pinnoitus- ja käsittely"teknologia", jota
tarvitaan 99,5 %:n tai paremman tasalaatuisuuden saavutta-
miseen optisille pinnoitteille, joiden läpimitta tai pääakselin
pituus on 500 mm tai enemmän ja joiden kokonaishäviö
(absorptio ja sironta) on vähemmän kuin 5 × 10−3;
Huom: Katso myös 2E003.f kohta.
2. Yhden kärjen timanttisorvaustekniikat, joilla tuotetaan
parempia pinnan viimeistelytarkkuuksia kuin 10 nm rms
yli 0,5 m2:n ei-tasomaisille pinnoille;
b. "SHPL"-laserien testaamista tai "SHPL"-säteillä säteilytettyjen
materiaalien testaamista tai evaluointia varten erityisesti
suunniteltujen diagnostiikka-instrumenttien tai maalien
"kehittämiseen", "tuotantoon" tai "käyttöön" "tarvittava"
"teknologia";
c. "Teknologia", jota "tarvitaan" fluxgate-"magnetometrien" tai -
"magnetometri"järjestelmien "kehittämistä" tai "tuotantoa"
varten, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
1. "Kohinataso" on vähemmän kuin 0,05 nT rms Hz:n
neliöjuurta kohti pienemmillä kuin 1 Hz:n taajuuksilla; tai
2. "Kohinataso" on 1 × 10−3nT rms Hz:n neliöjuurta kohti
1 Hz:n tai sitä suuremmilla taajuuksilla.
6E101 "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 6A002,
6A007.b ja c, 6A008, 6A102, 6A107, 6A108, 6B108, 6D102 tai
6D103 kohdassa määriteltyjen laitteiden tai "ohjelmistojen"
"käyttöä" varten.
Huom: 6E101 kohta määrittelee 6A008 kohdassa määriteltyjen
laitteiden "teknologian" vain, kun se on suunniteltu
ilmailusovelluksiin ja sitä voidaan käyttää "ohjuksissa".
6E201 "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 6A003,
6A005.a.1.c, 6A005.a.2.a, 6A005.c.1.b, 6A005.c.2.c.2,
6A005.c.2.d.2.b, 6A202, 6A203, 6A205, 6A225 tai 6A226
kohdassa määriteltyjen laitteiden "käyttöä" varten.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 173
▼M3
RYHMÄ 7
NAVIGOINTI JA ILMAILU2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 174
▼M3
7A Järjestelmät, laitteet ja komponentit
Huom. 1: Vedenalaisten kulkuneuvojen automaattiohjaukset:
katso 8 ryhmä.
Tutkat: katso 6 ryhmä.
Huom. 2: Laivojen tai vedenalaisten alusten inertiasuunnistus-
laitteet: Katso asetarvikeluettelo.
7A001 Lineaariset kiihtyvyysmittarit, jotka on suunniteltu käytettäväksi
inertiasuunnistus- tai ohjausjärjestelmissä ja joilla on jokin
seuraavista ominaisuuksista, sekä erityisesti niitä varten suunni-
tellut komponentit:
HUOM: KATSO MYÖS 7A101 KOHTA.Kulma- tai
kiertokiihtyvyysmittareiden osalta katso 7A002
kohta.
a. "Biasstabiilisuus" vuoden aikana on vähemmän (parempi) kuin
130 mikro-g suhteessa kiinteään kalibrointiarvoon;
b. Mittakertoimen "stabiilisuus" vuoden aikana on vähemmän
(parempi) kuin 130 ppm suhteessa kiinteään kalibrointiarvoon;
tai
c. Ne on määritelty toimimaan yli 100 g:n lineaarisilla kiihty-
vyystasoilla.
7A002 Gyroskoopit sekä kulma- tai kiertokiihtyvyysmittarit, joilla on
jokin seuraavista ominaisuuksista, ja niitä varten erityisesti
suunnitellut komponentit:
HUOM: KATSO MYÖS 7A102 KOHTA.
a. "Ryömintänopeuden" "stabiilisuus", mitattuna 1 g:n olosuh-
teissa kolmen kuukauden aikana ja suhteessa kiinteään
kalibrointiarvoon, on:
1. Vähemmän (parempi) kuin 0,1 astetta tunnissa, kun ne on
määritelty toimimaan alle 10 g:n lineaarisilla kiihtyvyysta-
soilla;tai
2. Vähemmän (parempi) kuin 0,5 astetta tunnissa, kun ne on
määritelty toimimaan lineaarisilla kiihtyvyystasoilla 10 g —
100 g;tai
b. Ne on määritelty toimimaan yli 100 g:n lineaarisilla kiihty-
vyystasoilla.
7A003 Inertiasuunnistusjärjestelmät (kardaaniset ja sidotut) sekä inertia-
laitteet, jotka on suunniteltu "ilma-aluksen", maakulkuneuvon tai
"avaruusaluksen" asentoa, ohjausta tai valvontaa varten, joilla on
jokin seuraavista ominaisuuksista, sekä niitä varten erityisesti
suunnitellut komponentit:
HUOM: KATSO MYÖS 7A103 KOHTA.
a. (Vapaa inertiaalinen) navigointivirhe tavanomaisen linjauksen
jälkeen on 0,8 merimailia tunnissa (50 % Yhtäläisen todennä-köisyyden ympyrästä (CEP)) tai vähemmän (parempi);
tai
b. Ne on määritelty toimimaan yli 10 g:n lineaarisilla kiihtyvyys-
tasoilla.
Huom. 1: 7A003.a kohdan parametreja sovelletaan kaikissa
seuraavissa ympäristöolosuhteissa:
1. Satunnainen syötevärähtely, jonka kokonaissuur-
uusluokka on 7,7 g rms ensimmäisen puolen
tunnin aikana ja kokonaistestiaika puolitoista
tuntia kutakin toisiinsa nähden kohtisuoraan
olevaa akselia kohti, kun satunnainen värähtely
täyttää seuraavat vaatimukset:
a. Vakio voiman spektritiheyden (PSD) arvo on
0,04 g2/Hz taajuusvälillä 15 — 1 000 Hz; ja
b. PSD vaimenee taajuuden mukana 0,04 g2/
Hz:stä 0,01 g2/Hz:iin taajuusvälillä 1000 —
2 000 Hz; tai
2. Kallistus ja kääntymisnopeus on + 2,62 radiaania/
s (150 astetta/s); tai
3. Edellä 1 tai 2 kohdan vastaavien kansallisten
standardien mukaisesti.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 175
▼M3
Huom. 2: 7A003 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi inertiaali-
suunnistusjärjestelmiä, jotka "osallistujavaltion"
siviiliviranomaiset ovat sertifioineet käytettäväksi
"siviili-ilma-aluksissa".
7A004 Hyrrätähtikompassit ja muut laitteet, jotka määrittävät aseman tai
suunnan seuraamalla automaattisesti taivaankappaleita tai satel-
liitteja ja joiden atsimuuttitarkkuus on 5 kaarisekuntia tai
vähemmän (parempi).
HUOM: KATSO MYÖS 7A104 KOHTA.
7A005 Globaalisista paikanmäärityssatelliiteista (so. GPS tai GLONASS)
vastaanottavat laitteet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista,
ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:
HUOM: KATSO MYÖS 7A105 KOHTA.
a. Käyttävät salauksen avausta; tai
b. Nolla-ohjattavaa antennia.
7A006 Ilmassa käytettävät korkeusmittarit, jotka toimivat muilla kuin
4,2—4,4 GHz:n taajuuksilla, ne mukaan lukien, ja joilla on jokin
seuraavista ominaisuuksista:
HUOM: KATSO MYÖS 7A106 KOHTA.
a. Suorittavat "tehon hallintaa"; tai
b. Käyttävät vaiheavainnusmodulaatiota.
7A007 Suuntimalaitteet, jotka toimivat yli 30 MHz:n taajuuksilla ja joilla
on kaikki seuraavat ominaisuudet, sekä niitä varten suunnitellut
komponentit:
a. "Hetkellinen kaistanleveys" 1 MHz tai enemmän;
b. Useamman kuin 100 kanavan rinnakkaiskäsittely; ja
c. Käsittelynopeus on enemmän kuin 1 000 suuntimatulosta
sekunnissa kanavaa kohti.
7A101 Seuraavat muut kuin 7A001 kohdassa määritellyt kiihtyvyysmit-
tarit, sekä erityisesti niitä varten suunnitellut komponentit,
a. Kiihtyvyysmittarit, joiden kynnys on 0,05 g tai pienempi tai
lineaarisuusvirhe enintään 0,25 % täyden mittausalueen
näyttämästä, tai molemmat, ja jotka on suunniteltu käytettäviksi
inertiasuunnistusjärjestelmissä tai kaikentyyppisissä ohjausjär-
jestelmissä;
Huom: 7A101.a kohta ei aseta valvonnanalaiseksi kiihty-
vyysmittareita, jotka on erityisesti suunniteltu ja
kehitetty MWD-antureiksi (Measurement While Dril-
ling), joita käytetään porausreikien
huoltotoiminnassa.
b. Jatkuvan mittausalueen kiihtyvyysmittarit, jotka on suunniteltu
toimimaan yli 100 g:n kiihtyvyystasoilla.
7A102 Muut kuin 7A002 kohdassa määritellyt kaiken tyyppiset gyro-
skoopit, joita voidaan käyttää "ohjuksissa", ja joiden
nimellis"ryömintänopeuden" "stabiilisuus" on vähemmän kuin
0,5 (1 sigma tai rms) tunnissa 1 g:n olosuhteissa sekä niitä varten
erityisesti suunnitellut komponentit.
7A103 Seuraavat muut kuin 7A003 kohdassa määritellyt instrumentit,
navigointilaitteet ja -järjestelmät sekä niitä varten erityisesti
suunnitellut komponentit:
a. Inertia- tai muut laitteet, joissa käytetään 7A001 tai 7A101
kohdassa määriteltyjä kiihtyvyysmittareita tai 7A002 tai 7A102
kohdassa määriteltyjä gyroskooppeja, sekä järjestelmät, joihin
sisältyy sellaisia laitteita;
Huom: 7A103.a kohta ei määrittele 7A001 kohdan määrit-
telemiä kiihtyvyysmittareita sisältäviä laitteita,
joiden kiihtyvyysmittarit on erityisesti suunniteltu ja
kehitetty porausreikien huoltotoiminnassa käytettä-
viksi MWD-antureiksi (Measurement While
Drilling).
b. Integroidut lentoinstrumenttijärjestelmät, jotka sisältävät 9A004
kohdassa määriteltyjä avaruuteen laukaisussa käytettäviä
kantoraketteja tai 9A104 kohdassa määriteltyjä luotainraketteja2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 176
▼M3
varten suunniteltuja tai muunnettuja hyrrävakauttajia tai auto-
maattiohjauslaitteita.
7A104 Muut kuin 7A004 kohdassa määritellyt hyrrätähtikompassit ja
muut laitteet, joiden avulla määritetään asema tai suunta
automaattisesti taivaankappaleita tai satelliitteja seuraamalla,
sekä niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit.
7A105 Muut kuin 7A005 kohdassa määritellyt GPS-laitteet (Global
Positioning Systems) tai muut samankaltaiset satelliittivastaanot-
timet, jotka on suunniteltu tai muunnettu käytettäväksi 9A004
kohdassa määritellyissä avaruuteen laukaisussa käytettävissä
kantoraketeissa tai 9A104 kohdassa määritellyissä luotainrake-
teissa, ja jotka pystyvät tuottamaan suunnistustietoa seuraavien
toimintaolosuhteiden vallitessa:
a. Nopeuksilla yli 515 m/s; ja
b. Korkeuksissa yli 18 km.
7A106 Muut kuin 7A006 kohdassa määritellyt tutka- tai lasertutkatyyp-
piset korkeusmittarit, jotka on suunniteltu tai muunnettu
käytettäviksi 9A004 tai 9A104 kohdassa määritellyissä avaruuteen
laukaisussa käytettävissä kantoraketeissa tai 9A104 kohdassa
määritellyissä luotainraketeissa.
7A115 Passiiviset anturit, joiden avulla määritellään suuntima tiettyihin
sähkömagneettisiin lähteisiin (suuntimalaitteet) tai maaston
ominaisuuksiin, ja jotka on suunniteltu tai muunnettu käytettäviksi
9A004 kohdassa määritellyissä avaruuteen laukaisussa käytettä-
vissä kantoraketeissa tai 9A104 kohdassa määritellyissä
luotainraketeissa.
Huom: 7A115 kohta sisältää anturit seuraavia laitteita varten:
a. Maanpinnan muodon kartoituslaitteet;
b. Kuvausanturilaitteet (sekä aktiiviset että passiiviset);
c. Passiiviset interferometrilaitteet.
7A116 Seuraavat lennon ohjausjärjestelmät, jotka on suunniteltu tai
muunnettu käytettäviksi 9A004 kohdassa määritellyissä luotainra-
keteissa:
a. Hydrauliset, mekaaniset, sähköoptiset tai sähkömekaaniset,
mukaan lukien fly-by-wire-tyyppiset järjestelmät;
b. Lentoasennon säätölaitteet.
7A117 "Ohjautuslaitteet", joita voidaan käyttää "ohjuksissa", jotka
kykenevät 3,33 %:n tai parempaan järjestelmätarkkuuteen toimin-
taetäisyydellä (esim. "CEP" on 10 km tai vähemmän 300 km:n
matkalla).2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 177
▼M3
7B Testaus-, tarkastus- ja tuotantolaitteet:
7B001 7A kohdassa määriteltyjä laitteita varten erityisesti suunnitellut
testaus-, kalibrointi- tai linjauslaitteet;
Huom: 7B001 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi ylläpitotasojen
I tai II testaus-, kalibrointi- tai linjauslaitteita.
Tekn. huom:
1. Ylläpitotaso I
Inertiasuunnistusjärjestelmän jonkin yksikön vikaantuminen
huomataan lentokoneen ohjaus- ja näyttöyksiköstä (CDU) tai
vastaavan alajärjestelmän tilanneviestistä. Noudattaen valmis-
tajan käsikirjan antamia ohjeita vian syy voidaan paikallistaa
epäkuntoisen vaihdettavan yksikön tasolle (LRU) ja operaattori
voi vaihtaa varayksikön viallisen tilalle.
2. Ylläpitotaso II
Viallinen linjahuollossa vaihdettava yksikkö (LRU) lähetetään
valmistajan (tai tasosta II vastaavan operaattorin) korjauspis-
teeseen, jossa se testataan erilaisilla soveltuvilla tavoilla ja
viallinen kokoonpano (SRA) paikallistetaan. Tämän kokoon-
panon (SRA) tilalle vaihdetaan toimiva varaosa ja viallinen
kokoonpano (SRA) (tai mahdollisesti koko yksikkö (LRU))
lähetetään valmistajalle.
Huom: Ylläpitotaso II ei sisällä valvonnanalaisten kiihty-
vyysmittarien tai gyroanturien irrottamista
kokoonpanosta (SRA).
7B002 Seuraavat erityisesti suunnitellut laitteet rengas-"laser"gyroskoop-
pien peilien karakterisointia varten:
HUOM: KATSO MYÖS 7B102 KOHTA.
a. Sirontamittarit, joiden mittaustarkkuus on vähemmän (parempi)
kuin 10 ppm
b. Pinnankarkeusmittarit (profilometrit), joiden mittaustarkkuus
on 0,5 nm (5 ångströmiä) tai vähemmän (parempi).
7B003 7A kohdassa määriteltyjen laitteiden "tuotantoon" erityisesti
suunnitellut laitteet.
Huom: 7B003 kohtaan sisältyy:
a. Gyroskooppien virityksen testausasemat;
b. Gyroskooppien dynaamiset tasapainotusasemat;
c. Gyroskooppien totutuskäyttö/moottorin testausa-
semat;
d. Gyroskooppien tyhjennys/täyttöasemat;
e. Gyroskooppien laakereiden keskipakopitimet;
f. Kiihtyvyysmittareiden akselien linjausasemat.
7B102 "Laser"gyroskooppien peilien luokitukseen erityisesti suunnitellut
heijastusmittarit, joiden mittaustarkkuus on 50 ppm tai vähemmän
(parempi).
7B103 "Tuotantolaitokset" ja "tuotantolaitteet" seuraavasti:
a. "Tuotantolaitokset", jotka on erityisesti suunniteltu 7A117
kohdassa määriteltyjä laitteita varten;
b. Tuotantolaitteet ja muut kuin 7B001—7B003 kohdassa
määritellyt testaus-, kalibrointi- ja linjauslaitteet, jotka on
suunniteltu tai muunnettu käytettäviksi 7A kohdassa määritel-
tyjen laitteiden kanssa.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 178
▼M3
7C Materiaalit
Ei ole.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 179
▼M3
7D Ohjelmistot
7D001 "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 7A tai
7B kohdassa määriteltyjen laitteiden "kehittämistä" tai "tuotantoa"
varten.
7D002 "Lähdekoodi" minkä tahansa tyyppisten inertiasuunnistuslaitteiden
"käyttöä" varten, mukaan lukien inertialaitteet, joita ei ole
määritelty 7A003 tai 7A004 kohdassa, tai AHRS-järjestelmät
(Attitude Heading Reference Systems).
Huom: 7D002 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi kardaanisia
AHRS-järjestelmiä.
Tekn. huom:
AHRS-järjestelmät eroavat yleisesti inertiasuunnistusjärjestelmistä
(INS = Inertial Navigation Systems) siinä, että AHRS antaa
asento- ja suuntatiedon eikä normaalisti anna INS-järjestelmiin
liittyviä kiihtyvyys-, nopeus- tai asematietoja.
7D003 Seuraavat muut "ohjelmistot":
a. "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu
parantamaan järjestelmien toimintakykyä tai vähentämään
niiden navigointivirhettä 7A003 ja 7A004 kohdassa määritel-
lyille tasoille;
b. Integroitujen hybridijärjestelmien "lähdekoodi", joka parantaa
järjestelmien toimintakykyä tai vähentää niiden navigointivir-
hettä 7A003 kohdassa määritellylle tasolle yhdistämällä
jatkuvasti inertiatietoa johonkin seuraavista navigointitiedoista:
1. Doppler-tutkan antama nopeus;
2. Globaalien paikannusjärjestelmien (so. GPS tai GLONASS)
referenssitieto; tai
3. Tietokannoissa oleva maastotieto;
c. "Lähdekoodi" integroituja ilmailu- tai lentotehtäväjärjestelmiä
varten, jotka yhdistävät anturitietoa ja käyttävät "asiantunti-
jajärjestelmiä";
d. "Lähdekoodi" seuraavien laitteiden tai järjestelmien "kehittä-
mistä" varten:
1. Digitaaliset lennonhallintajärjestelmät "lennon kokonaisoh-
jaukseen";
2. Integroidut moottori- ja lennonohjausjärjestelmät;3. Fly-by-wire- tai fly-by-light-ohjausjärjestelmät;4. Vikasietoiset tai itsetoipuvat "aktiiviset lennonohjausjärjes-
telmät";
5. Ilmassa käytettävät automaattiset suuntimislaitteet;6. Staattiseen maanpintatietoon perustuvat lentoarvojärjes-
telmät;
tai
7. Rasterityyppiset tuulilasinäytöt tai kolmiulotteiset näytöt.
e. Tietokoneavusteiset suunnittelu"ohjelmistot" (CAD), jotka on
erityisesti suunniteltu "aktiivisten lennonohjausjärjestelmien",
helikopterien moniakseli- fly-by-wire tai fly-by-light ohjausten
tai helikopterien "ilmavirran avulla säädellyt vastamomenttijär-
jestelmät tai ilmavirran avulla säädellyt
suunnanohjausjärjestelmät", joiden "teknologia" on määritelty
7E004.b, 7E004.c.1 tai 7E004.c.2 kohdassa.
7D101 "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 7A001
— 7A006, 7A101 — 7A106, 7A115, 7A116.a, 7A116.b, 7B001,
7B002, 7B003, 7B102 tai 7B103 kohdassa määriteltyjen laitteiden
"käyttöä" varten.
7D102 Integrointi"ohjelmistot" seuraavasti:
a. Integrointi"ohjelmistot" 7A103.b kohdassa määriteltyjä laitteita
varten;
b. 7A003 tai 7A103.a kohdassa määriteltyjä laitteita varten
erityisesti suunnitellut integrointi"ohjelmistot".
7D103 "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu 7A117 kohdassa
määriteltyjen ohjautuslaitteiden mallintamiseen tai simulointiin tai
niiden integroinnin suunnitteluun kohdan 9A004, avaruuteen2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 180
▼M3
laukaisussa käytettävät kantoraketit, tai kohdan 9A104, luotainra-
ketit, kanssa.
Huom: 7D103 kohdassa määritellyt "ohjelmistot" jäävät
valvonnanalaiseksi, kun niitä yhdistetään 4A102
kohdassa määriteltyjen laitteiden kanssa.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 181
▼M3
7E Teknologia
7E001 "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 7A, 7B
tai 7D kohdassa määriteltyjen laitteiden tai ohjelmien "kehittä-
mistä" varten.
7E002 "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 7A tai
7B kohdassa määriteltyjen laitteiden "tuotantoa" varten.
7E003 "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 7A001
— 7A004 kohdan laitteiden korjaukseen, kunnostukseen tai
huoltoon;
Huom: 7E003 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi ylläpito"te-
knologiaa", joka liittyy suoraan "siviili-ilma-alusten"
ylläpitotaso I tai ylläpitotaso II:ssa kuvattuun viallisten
tai ei-huollettavien LRU-yksiköiden ja SRA-kokoonpa-
nojen kalibrointiin, poistoon tai vaihtoon.
Huom: Katso Tekn. huom. 7B001 kohdassa.
7E004 Seuraava muu "teknologia":
a. Seuraavien laitteiden tai järjestelmien "kehittämiseen" tai
"tuotantoon" tarkoitettu "teknologia":
1. Ilmassa käytettävät automaattiset suuntimalaitteet, jotka
toimivat yli 5 MHz:n taajuuksilla;
2. Lentoarvojärjestelmät, jotka perustuvat vain staattiseen
maanpintatietoon, ts. jotka korvaavat konventionaaliset
ilmatietosondit;
3. "Ilma-alusten" rasterityyppiset tuulilasinäytöt tai kolmiulot-
teiset näytöt;
4. Inertiasuunnistusjärjestelmät tai hyrrätähtikompassit, jotka
sisältävät 7A001 tai 7A002 kohdissa määriteltyjä kiihty-
vyysmittareita tai gyroskooppeja;
5. Sähköiset toimilaitteet (so. sähkömekaaninen, sähköhydros-
taattinen ja integroitu toimilaitejärjestelmä), jotka on
erityisesti suunniteltu "primääristä lennonohjausta" varten;
6. "Lennonohjauksen optinen anturijärjestelmä", joka on
erityisesti suunniteltu "aktiivisten lennonohjausjärjestel-
mien" toteuttamiseksi.
b. Seuraava "kehittämis""teknologia" "aktiivisia lennonohjausjär-
jestelmiä" varten (mukaanlukien fly-by-wire- tai fly-by-light-
järjestelmät):
1. Konfiguraatiosuunnittelu useiden mikroelektronisten proses-
sointiyksiköiden (on-board-tietokoneiden) yhdistämiseksi
suorittamaan tosiaikaista käsittelyä ohjaussääntöjen sovelta-miseksi;
2. Anturien paikan tai lentokonerakenteiden dynaamisen kuor-
mituksen ohjaussääntökompensointi, ts. anturien
tärinäympäristön tai anturien sijainnin vaihtelun kompen-
sointi painopisteen suhteen;
3. Elektroninen redundanttien tietojen tai järjestelmien hallinta
vian havaitsemista, vian sietoa, vian eristämistä tai uudel-
leenkonfigurointia varten;
Huom: 7E004.b.3 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi
"teknologiaa" fyysisen redundanssin suunnittelua
varten.
4. Lennonohjausjärjestelmät, jotka sallivat lennon aikaisen
voima- ja momenttiohjausten uudelleenkonfiguroinnin
ilma-aluksen tosiaikaista autonomista ohjausta varten;
5. Digitaalisten lennonohjaus-, navigointi- ja moottorinohjaus-
tietojen integrointi digitaaliseksi
lennonhallintajärjestelmäksi "lennon kokonaisohjusta"
varten;
Huom: 7E004.b.5 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi:
a. "Kehittämis""teknologiaa" digitaalisen lenno-
nohjauksen, navigoinnin ja työntövoiman
ohjaustietojen integroimiseksi digitaaliseksi
lennonhallintajärjestelmäksi "lentoradan opti-
mointia" varten.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 182
▼M3
b. Sellaisten "lentokoneen" instrumenttijärjestel-
mien "kehittämis""teknologiaa", jotka on
integroitu ainoastaan seuraavia navigointi-
tai laskeutumisjärjestelmiä varten: VOR-,
DME, ILS- tai MLS-navigointia tai -lähesty-
mistä varten.
6. "Täyden auktoriteetin digitaaliset lennonohjausjärjestelmät"
tai monianturiset lentotehtävän hallintajärjestelmät, jotka
sisältävät "asiantuntijajärjestelmiä";
Huom: "Teknologia" täyden auktoriteetin digitaalista
moottorin ohjausta ("FADEC") varten: katso
9E003.a.9 kohta.
c. "Teknologia" seuraavien helikopterijärjestelmien "kehittämistä"
varten:
1. Moniakseliset fly-by-wire- tai fly-by-light-ohjaukset, jotka
yhdistävät toiminnot vähintään kahdesta seuraavasta ohjauk-
sesta yhdeksi ohjaavaksi elementiksi:
a. Nousu- ja laskuohjaukset;
b. Vaakatason ohjaukset;
c. Suuntapoikkeaman ohjaukset;
2. "Ilmavirran avulla säädellyt vastamomentti- tai suunnanoh-
jausjärjestelmät";
3. Roottorilavat, jotka sisältävät "muuttuvan geometrian kanto-
pintoja" ja joita käytetään yksittäisiä lapoja ohjaavissa
järjestelmissä.
7E101 "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 7A001
— 7A006, 7A101 — 7A106, 7A115 — 7A117, 7B001, 7B002,
7B003, 7B102, 7B103, 7D101 — 7D103 kohdassa määriteltyjen
laitteiden käyttöä varten.
7E102 Seuraavat "teknologiat" ilmailuelektroniikan ja sähköisten alajär-
jestelmien suojaamiseksi ulkoisista lähteistä aiheutuvaa
sähkömagneettisen pulssin (EMP = Electro Magnetic Pulse) sekä
sähkömagneettisen häiriön (EMI = Electro Magnetic Interference)
uhkaa vastaan:
a. Suojausjärjestelmien suunnittelu"teknologia";
b. Suunnittelu"teknologia" vahvennettujen sähköisten piirien ja
alajärjestelmien konfigurointia varten;
c. Suunnittelu"teknologia" 7E102.a ja 7E102.b kohdan vahvennu-
skriteerien määrittelyä varten.
7E104 "Teknologia" lennon ohjaus-, ohjautus- ja työntövoimatietojen
integrointiin lennonhallintajärjestelmäksi rakettijärjestelmän
lentoradan optimoimiseksi.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 183
▼M3
RYHMÄ 8
MERITEKNOLOGIA2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 184
▼M3
8A Järjestelmät, laitteet ja komponentit
8A001 Seuraavat vedenalaiset tai pinta-alukset:
Huom: Vedenalaisten alusten valvonnanalaisuuden selvittämi-
seksi, katso myös:
5 ryhmä 2 osa: "Tiedonsuojaus" salattua viestintää
suorittavat laitteet;
6 ryhmä: anturit;
7 ja 8 ryhmä: navigointilaitteet;
8A ryhmä: vedenalaiset laitteet.
a. Miehitetyt kytketyt vedenalaiset alukset, jotka on suunniteltu
toimimaan yli 1 000 m:n syvyyksissä;
b. Miehitetyt kytkemättömät vedenalaiset alukset, joilla on jokin
seuraavista ominaisuuksista:
1. Ne on suunniteltu 'toimimaan itsenäisesti' ja niillä on kaikki
seuraavat nostokyvyt:
a. 10 % tai enemmän niiden painosta ilmassa; ja
b. 15 kN tai enemmän;
2. Suunniteltu toimimaan yli 1 000 m:n syvyyksissä; tai
3. Niillä on kaikki seuraavat ominaisuudet:
a. Ne on suunniteltu 4:n tai useamman hengen miehistöä
varten;
b. Ne on suunniteltu 'toimimaan itsenäisesti' 10 tuntia tai
pidempään;
c. 'Toimintasäde' on 25 merimailia tai enemmän; ja
d. Pituus on 21 m tai vähemmän;
Tekn. huom:
1. 8A001.b kohdassa 'toimii itsenäisesti' tarkoittaa toimintaa
täysin sukelluksissa, ilman snorkkelia, kaikki järjestelmät
toiminnassa ja kulkemista sillä miniminopeudella, jolla
sukelluslaite voi turvallisesti ohjata dynaamisesti
syvyyttään käyttämällä vain syvyysohjaimiaan ja tarvitse-
matta tukialusta tai pinnalla, merenpohjassa tai maalla
olevaa tukiasemaa, sekä sukellus- tai pintakäyttöön
soveltuvia työntövoimajärjestelmiä.
2. 8A001.b kohdassa 'toimintasäde' tarkoittaa puolta maksi-
mietäisyydestä, josta sukelluslaite voi suoriutua.
c. Miehittämättömät, kytketyt vedenalaiset alukset, jotka on
suunniteltu toimimaan yli 1000 m:n syvyyksissä ja joilla on
jokin seuraavista ominaisuuksista:
1. Ne on suunniteltu itseliikkuviksi 8A002.a.2 kohdassa
määriteltyjä työntövoimamoottoreita tai sysäimiä käyttäen;
tai
2. Joilla on kuituoptinen tietoyhteys;
d. Miehittämättömät, kytkemättömät vedenalaiset alukset:
1. Jotka on suunniteltu valitsemaan kurssi minkä tahansa
maantieteellisen kohteen suhteen ilman ihmisen tosiaikaista
avustusta;
2. Joilla on akustinen tieto- tai komentoyhteys; tai
3. Joilla on kuituoptinen tieto- tai komentoyhteys, joka ylittää
1 000 m;
e. Valtameripelastusjärjestelmät, joiden nostokyky ylittää 5 MN,
jotka on tarkoitettu pelastamaan kohteita yli 250 m:n syvyyk-
sistä ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:
1. Dynaaminen paikannusjärjestelmä, jolla asema voidaan
säilyttää 20 metrin tarkkuudella navigointijärjestelmän
antaman pisteen suhteen; tai
2. Merenpohjanavigoinnin ja navigoinnin integraatiojärjes-
telmät yli 1 000 metrin syvyyksille, joiden
paikannustarkkuus on alle 10 m ennalta annetusta pisteestä;2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 185
▼M3
f. (Täysin helmoitetut) ilmatyynyalukset, joilla on kaikki seur-
aavat ominaisuudet:
1. Suunniteltu maksiminopeus täydessä lastissa ylittää 30
solmua merkitsevän aallonkorkeuden ollessa 1,25 m (meren-
käyntitila 3) tai enemmän;
2. Tyynypaine ylittää 3 830 Pa; ja
3. Tyhjän ja täyteen lastatun aluksen uppoumasuhde on alle
0,70;
g. Sivurungoilla varustetut ilmatyynyalukset, joiden suunniteltu
maksiminopeus täydessä lastissa ylittää 40 solmua merkitsevän
aallonkorkeuden ollessa 3,25 m (merenkäyntitila 5) tai
enemmän;
h. Kantosiipialukset, joissa on aktiiviset järjestelmät kantosiipien
automaattiseksi ohjaamiseksi ja joiden maksiminopeus täydessä
lastissa on 40 solmua tai enemmän merkitsevän aallonkor-
keuden ollessa 3,25 m (merenkäyntitila 5) tai enemmän;
i. 'Pienen vesiviivapinta-alan alukset':
1. Joiden uppouma täydessä lastissa ylittää 500 tonnia ja joiden
suunniteltu maksiminopeus täydessä lastissa ylittää 35
solmua merkitsevän aallonkorkeuden ollessa 3,25 m (meren-
käyntitila 5) tai enemmän; tai
2. Joiden uppouma täydessä lastissa ylittää 1 500 tonnia ja
joiden suunniteltu maksiminopeus täydessä lastissa ylittää
25 solmua merkitsevän aallonkorkeuden ollessa 4 m
(merenkäyntitila 6) tai enemmän.
Tekn. huom:
'Pienen vesiviivapinta-alan alus' määritellään seuraavalla
kaavalla: vesiviivapinta-ala suunnitellulla toimintasyväyksellä
on vähemmän kuin 2 × (uppouman tilavuus suunnitellulla
toimintasyväyksellä)2/3.
8A002 Seuraavat järjestelmät ja laitteet:
Huom: Vedenalaiset viestintälaitteet: katso 5 ryhmä 1 osa —
Tietoliikenne.
a. Seuraavat järjestelmät ja laitteet, jotka on erityisesti suunni-
teltu tai muunnettu vedenalaisia aluksia varten ja jotka on
tarkoitettu toimimaan yli 1 000 m:n syvyyksissä:
1. Painekotelot tai painerungot, joiden sisätilan läpimitta on
yli 1,5 m;
2. Tasavirralla toimivat työntövoimalaitteet;
3. Yhdyskaapelit ja niiden liittimet, joissa käytetään optisia
kuituja ja joissa on synteettisiä vahvikkeita;
b. Järjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu
ohjaamaan automaattisesti 8A001 kohdassa määriteltyjen
vedenalaisten alusten liikkeitä käyttäen navigointitietoa ja
suljetun säätöpiirin servo-ohjausta ja jotka:
1. Mahdollistavat aluksen liikkumisen 10 m:n sisällä ennalta
annetusta vesipatsaan pisteestä;
2. Säilyttävät aluksen paikan 10 m:n sisällä ennalta määritel-
lystä vesipatsaan pisteestä; tai
3. Säilyttävät aluksen etäisyyden 10 m:n tarkkuudella, kun
seurataan merenpohjalla tai sen alla olevaa kaapelia;
c. Kuituoptiset runkoläpiviennit ja -liittimet;
d. Seuraavat vedenalaiset näyttöjärjestelmät:
1. Seuraavat televisiojärjestelmät ja televisiokamerat:
a. Televisiojärjestelmät (jotka koostuvat kamerasta,
valonlähteistä, monitorointi- ja signaalinvälityslaitteista),
joiden rajaerottelutarkkuus ilmassa mitattuna ylittää 800
juovaa ja jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu
vedenalaisen aluksen etäistoimintaan;
b. Vedenalaiset televisiokamerat, joiden rajaerottelutark-
kuus ilmassa mitattuna ylittää 1 100 juovaa;2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 186
▼M3
c. Heikon valotason televisiokamerat, jotka on erityisesti
suunniteltu tai muunnettu vedenalaiseen käyttöön
sisältäen kaikki seuraavat:
1. 6A002.a.2.a kohdassa määriteltyjä kuvanvahvistin-
putkia;ja
2. Enemmän kuin 150000 "aktiivista pikseliä" puoli-
johdepinta-alamatriisia kohti;
Tekn. huom:
Television rajaerottelutarkkuus on horisontaalisen reso-
luution mitta, joka tavallisesti ilmaistaan testitaulukosta
erottuvana maksimijuovalukuna kuvan korkeutta kohti
käyttäen IEEE:n standardia 208/1960 tai jotain
vastaavaa standardia.
2. Järjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu
vedenalaisen aluksen etäistoimintaan ja jotka käyttävät
tekniikkaa, jolla minimoidaan takaisinsironnan vaikutuksia,
mukaan lukien etäisyyden mukaan toimivat valonlähteet tai
"laser"järjestelmät;
e. Valokuvauskamerat, jotka on erityisesti suunniteltu tai muun-
nettu vedenalaiseen käyttöön yli 150 m:n syvyydessä, joiden
filmikoko on 35 mm tai suurempi ja joilla on jokin seuraavista
ominaisuuksista:
1. Joissa filmiin voidaan sisällyttää tietoa kameran ulkopuo-
lisesta lähteestä;
2. Joissa on automaattinen polttovälin taustakorjaus; tai
3. Joissa on automaattinen kompensointiohjaus, joka on
erityisesti suunniteltu sallimaan vedenalaisen kameran
kotelon käyttöyli 1 000 m:n syvyyksissä;
f. Elektroniset kuvausjärjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu
tai muunnettu vedenalaiseen käyttöön ja jotka kykenevät
tallettamaan digitaalisesti enemmän kuin 50 kuvaa;
g. Seuraavat erityisesti vedenalaiseen käyttöön suunnitellut tai
muunnetut valonlähdejärjestelmät:
1. Stroboskooppiset valonlähteet, jotka kykenevät antamaan
yli 300 J:n suuruisen valoenergian välähdystä kohti ja
joiden välähdysnopeus on enemmän kuin 5 välähdystä
sekunnissa;
2. Argonvalokaarijärjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu
käytettäväksi yli 1 000 m:n syvyyksissä;
h. Erityisesti vedenalaiseen käyttöön suunnitellut "robotit", joita
ohjataan käyttämällä dedikoitua "ohjelmallisesti ohjattua"
tietokonetta ja jotka:
1. Sisältävät järjestelmiä, jotka ohjaavat "robottia" käyttäen
tietoa antureilta, jotka mittaavat ulkoiseen kohteeseen
kohdistettua voimaa tai momenttia, ulkoisen kohteen
etäisyyttä tai "robotin" ja ulkoisen kohteen välistä
tuntoaistia; tai
2. Kykenevät aikaansaamaan 250 N:n tai suuremman voiman
tai 250 Nm:n tai suuremman momentin ja joiden rakenne-
elimissä on käytetty titaanipohjaisia seoksia tai "kuitu- tai
säie""komposiitti"materiaaleja;
i. Etäisohjatut nivelmanipulaattorit, jotka on erityisesti suunni-
teltu tai muunnettu käytettäväksi vedenalaisissa aluksissa ja:
1. Joissa on järjestelmiä, jotka ohjaavat manipulaattoreita
käyttäen antureiden tietoa, jotka mittaavat ulkoiseen
kohteeseen kohdistettua voimaa tai momenttia tai
tuntoaistia manipulaattorin ja ulkoisen kohteen välillä; tai
2. Joita ohjataan isäntä-orja-suhdesäätötekniikalla tai jotka
käyttävät dedikoitua "ohjelmallisesti ohjattua" tietokonetta
ja joilla on 5 tai useampia liikkeen vapausasteita;
Huom: Vain ne toiminnot, joilla on asennon takaisin-
kytkentää käyttävä suhdesäätö tai jotka käyttävät
dedikoitua "ohjelmallisesti ohjattua" tietokonetta
otetaan huomioon vapausasteiden lukumäärää
määritettäessä.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 187
▼M3
j. Seuraavat ilmasta riippumattomat, erityisesti vedenalaiseen
käyttöön suunnitellut tehojärjestelmät:
1. Brayton- tai Rankine-moottorien ilmasta riippumattomat
järjestelmät, joilla on jokin seuraavista:
a. Kemialliset pesuri- tai imeytysjärjestelmät, jotka on
erityisesti suunniteltu poistamaan hiilidioksidia, hiilimo-
noksidia ja ainehiukkasia kierrätetyistä moottorin
pakokaasuista;
b. Järjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu käyttämään
yksiatomista kaasua;
c. Laitteet tai suojukset, jotka on erityisesti suunniteltu
vaimentamaan alle 10 kHz:n taajuuksista melua veden
alla, tai erityiset iskua vaimentavat kiinnityslaitteet; tai
d. Erityisesti suunnitellut järjestelmät:
1. Jotka paineistavat reaktiotuotteita tai puhdistavat
polttoainetta (reforming-menetelmällä);
2. Jotka varastoivat reaktiotuotteita; ja
3. Jotka poistavat reaktiotuotteita 100 kPa:n tai suur-
empaa painetta vastaan;
2. Dieselmoottorien ilmasta riippumattomat järjestelmät, joilla
on kaikki seuraavat ominaisuudet:
a. Kemialliset pesuri- tai imeytysjärjestelmät, jotka on
erityisesti suunniteltu poistamaan hiilidioksidia, hiilimo-
noksidia tai ainehiukkasia kierrätetyistä moottorin
pakokaasuista;
b. Järjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu käyttämään
yksiatomista kaasua;
c. Laitteet tai suojukset, jotka on erityisesti suunniteltu
vaimentamaan alle 10 kHz:n taajuuksista melua veden
alla, tai erityiset iskua vaimentavat kiinnityslaitteet; ja
d. Erityisesti suunnitellut pakokaasujärjestelmät, jotka eivät
poista palamistuloksia jatkuvasti;
3. Polttokennojen ilmasta riippumattomat järjestelmät, joiden
teho ylittää 2 kW ja joilla on jokin seuraavista ominai-
suuksista:
a. Laitteet tai suojukset, jotka on erityisesti suunniteltu
vaimentamaan alle 10 kHz:n taajuuksien melua veden
alla, tai erityiset iskua vaimentavat kiinnityslaitteet; tai
b. Järjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu:
1. Paineistamaan reaktiotuotteita tai uudistamaan polt-
toainetta;
2. Varastoimaan reaktiotuotteita; ja
3. Poistamaan reaktiotuotteet yli 100 kPa:n painetta
vastaan;
4. Stirling-moottorien ilmasta riippumattomat järjestelmät,
joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:
a. Laitteet tai suojukset, jotka on erityisesti suunniteltu
vaimentamaan alle 10 kHz:n taajuuksista melua veden
alla, tai erityiset iskua vaimentavat kiinnityslaitteet; ja
b. Jotka poistavat reaktiotuotteita 100 kPa:n tai suurempaa
painetta vastaan;
k. Helmat, tiivisteet tai liuskat:
1. Jotka on suunniteltu 3 830 Pa:n tai suurempia tyynypaineita
varten, jotka toimivat merkitsevässä 1,25 m:n (merenkäyn-
titila 3) tai korkeammassa aallokossa ja jotka on erityisesti
suunniteltu 8A001.f kohdassa määriteltyjä kokonaan
helmoitettuja ilmatyynyaluksia varten; tai
2. Jotka on suunniteltu 6 224 Pa:n tai suurempia tyynypaineita
varten, jotka toimivat aallokossa, jonka merkitsevä aallon-
korkeus on 3,25 metriä (merenkäyntitila 5) tai enemmän, ja
jotka on erityisesti suunniteltu 8A001.g kohdassa
määriteltyjä jäykillä sivuseinillä varustettuja ilmatyynya-
luksia varten;2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 188
▼M3
l. Nostopuhaltimet, jotka on mitoitettu yli 400 kW:lle ja jotka on
erityisesti suunniteltu 8A001.f tai 8A001.g kohdassa
määriteltyjä ilmatyynyaluksia varten;
m. Täysin veden alla toimivat kavitoimattomat tai ylikavitoivat
kantosiivet, jotka on erityisesti suunniteltu 8A001.h. kohdassa
määriteltyjä aluksia varten;
n. Aktiiviset järjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu tai
muunnettu automaattisesti kontrolloimaan aallokon aiheut-
tamaa liikettä 8A001.f, 8A001.g, 8A001.h tai 8A001.i
kohdassa määritellyissä aluksissa;
o. Seuraavat potkurit, tehonsiirtojärjestelmät, tehontuottojärjes-
telmät tai melunvaimennusjärjestelmät:
1. Seuraavat potkuri- tai tehonsiirtojärjestelmät, jotka on
erityisesti suunniteltu 8A001.f, 8A001.g, 8A001.h tai
8A001.i kohdassa määriteltyjä ilmatyynyaluksia (kokonaan
helmoitettuja tai jäykkäsivulaitaisia), kantosiipialuksia tai
pienen vesiviivapinta-alan aluksia varten:
a. Ylikavitoivat, ylituuletetut, osittain vedenalaiset tai
pintaa leikkaavat yli 7,5 MW:lle mitoitetut potkurit;
b. Vastakkain pyörivät potkurijärjestelmät, jotka on mitoi-
tettu yli 15 MW:lle;
c. Järjestelmät, jotka käyttävät tulopyörre- tai jättöpyörre-
tekniikkaa tasoittamaan potkurivirtausta;
d. Erikoiskevyet, korkeakapasiteettiset (K-arvo ylittää 300)
alennusvaihteet;
e. Tehonsiirron akselijärjestelmät, jotka sisältävät kompo-
nentteja komposiittimateriaaleista ja jotka kykenevät
siirtämään enemmän kuin 1 MW;
2. Seuraavat aluksissa käytettävät potkurit, tehojärjestelmät tai
tehonsiirtojärjestelmät:
a. Säätösiipipotkurit ja niiden napakokoonpanot, jotka on
mitoitettu yli 30 MW:lle;
b. Sisäisesti nestejäähdytetyt sähkö-työntövoimamoottorit,
joiden antoteho ylittää 2,5 MW;
c. "Suprajohde"työntövoimamoottorit tai kestomagneetti-
työntövoimamoottorit, joiden antoteho ylittää 0,1 MW;
d. Tehonsiirron akselijärjestelmät, jotka sisältävät kompo-
nentteja "komposiitti"materiaaleista ja jotka kykenevät
siirtämään enemmän kuin 2 MW;
e. Tuuletetut tai jäähdytetyt potkurijärjestelmät, jotka on
mitoitettu yli 2,5 MW:lle;
3. Seuraavat melunvaimennusjärjestelmät, joita käytetään
1 000 tonnin tai suuremman uppouman aluksissa:
a. Melunvaimennusjärjestelmät, jotka vaimentavat alle
500 Hz:n taajuuksia ja jotka koostuvat akustisista
jalustoista dieselmoottoreita, dieselgeneraattoreita,
kaasuturbiineita, kaasu-turbiinigeneraattoreita, työntö-
voimamoottoreita tai niiden alennusvaihteita varten, ja
jotka on erityisesti suunniteltu melun tai tärinän
vaimentamiseen, ja joiden oma massa ylittää 30 %
asennettavien laitteiden massasta;
b. Aktiiviset äänen vaimennus- tai kumoamisjärjestelmät,
tai erityisesti tehonsiirtojärjestelmiin suunnitellut
magneettiset laakerit, jotka sisältävät elektronisia
ohjausjärjestelmiä, ja jotka kykenevät aktiivisesti
vähentämään laitteiden tärinää tuottamalla melun tai
tärinän vastasignaaleja suoraan melun tai tärinän lähtee-
seen;
p. Vesisuihkutyöntövoimajärjestelmät, joiden ulostuloteho ylittää
2,5 MW ja jotka käyttävät suunnattavaa suutinta ja virtausta
säätelevää siipitekniikkaa parantamaan työntötehoa tai
vähentämään koneen aiheuttamaa veden alla leviävää melua.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 189
▼M3
q. Sukeltamiseen ja vedenalaiseen uintiin soveltuvat itsenäiset,
suljetun tai puolisuljetun kierron (rebreathing-) laitteet.
Huom: 8A002.q kohta ei aseta valvonnanalaiseksi henkilök-
ohtaiseen käyttöön tarkoitettuja yksittäisiä laitteita,
jotka ovat käyttäjänsä mukana.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 190
▼M3
8B Testaus-, tarkastus- ja tuotantolaitteet
8B001 Vesitunnelit, joiden taustamelu on vähemmän kuin 100 dB
(vertailuarvo 1 µPa, 1 Hz) taajuusalueella 0 Hz—500 Hz ja jotka
on suunniteltu mittaamaan veden virtauksen synnyttämää akustista
kenttää työntövoimajärjestelmien mallien ympärillä.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 191
▼M3
8C Materiaalit
8C001 'Syntaktiset vaahdot' vedenalaiseen käyttöön:
a. Jotka on suunniteltu yli 1 000 m:n syvyyksille; ja
b. Joiden tiheys on vähemmän kuin 561 kg/m3.
Tekn. huom:
'Syntaktinen vaahto' koostuu ontoista muovi-tai lasipalloista, jotka
on upotettu hartsimatriisiin.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 192
▼M3
8D Ohjelmistot
8D001 "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 8A,
8B tai 8C kohdassa määriteltyjen laitteiden tai materiaalien
"kehittämistä", "tuotantoa" tai "käyttöä" varten.
8D002 Erityiset "ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muun-
nettu vedenalaisen melun vähentämiseen tarkoitettujen potkurien
"kehittämistä", "tuotantoa", korjausta, huoltoa tai uudistamista
(uudelleenkoneistamista) varten.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 193
▼M3
8E Teknologia
8E001 "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 8A, 8B
tai 8C kohdassa määriteltyjen laitteiden tai materiaalien "kehittä-
mistä" tai "tuotantoa" varten.
8E002 Seuraava muu "teknologia":
a. "Teknologia", joka on tarkoitettu erityisesti vedenalaisen melun
vähentämiseen suunniteltujen potkurien "kehittämistä",
"tuotantoa", korjausta, huoltoa tai uudelleenkoneistamista
varten;
b. "Teknologia", joka on tarkoitettu 8A001, 8A002.b, 8A002.j,
8A002.o tai 8A002.p kohdassa määriteltyjen laitteiden huoltoa
tai kunnostamista varten.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 194
▼M3
RYHMÄ 9
TYÖNTÖVOIMALAITTEET, AVARUUSALUKSET JA NIIHIN LIIT-
TYVÄT LAITTEET2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 195
▼M3
9A Järjestelmät, laitteet ja komponentit
Huom. Työntövoimajärjestelmät, jotka on suunniteltu tai mitoi-
tettu neutroni- tai lyhytaikaista ionisoivaa säteilyä
vastaan: katso asetarvikeluettelo.
9A001 Seuraavat lentokoneiden kaasuturbiinimoottorit, jotka sisältävät
jotain 9E003.a kohdassa määriteltyä "teknologiaa":
HUOM.: KATSO MYÖS 9A101 KOHTA.
a. Joita ei ole hyväksytty käytettäväksi siinä määritellyssä
"siviililentokoneessa", jota varten ne on aiottu;
b. Joita "osallistujavaltion" siviili-ilmailuviranomaiset eivät ole
hyväksyneet siviilikäyttöön;
c. Jotka on suunniteltu lentämään yli 1,2 Machin matkanopeudella
pidempään kuin 30 minuuttia.
9A002 Laivojen kaasuturbiinimoottorit, joiden määritelty ISO-standardin
mukainen jatkuva teho on 24245 kW tai enemmän ja polttoaineen
nimelliskulutus on vähemmän kuin 0,219 kg/kWh 35—100 %
tehoalueella, sekä niitä varten erityisesti suunnitellut kokoonpanot
ja komponentit.
Huom. Termi 'laivojen kaasuturbiinimoottorit' sisältää myös
sellaiset kaasuturbiinien teolliset tai ilmailuversiot, joita
käytetään laivojen työntövoimajärjestelmissä tai
sähköntuotantoon aluksilla.
9A003 Erityisesti suunnitellut kokoonpanot ja komponentit, jotka
sisältävät mitä tahansa 9E003.a kohdassa määriteltyä "teknolo-
giaa", seuraavia kaasuturbiinityöntövoima-järjestelmiä varten:
a. Jotka on määritelty 9A001 kohdassa;
b. Joiden suunnittelu- tai tuotantoalkuperä ei ole "osallistujaval-
tiosta" tai on valmistajalle tuntematon.
9A004 Avaruuteen laukaisussa käytettävät kantoraketit tai "avaruusa-
lukset".
HUOM.: KATSO MYÖS 9A104 KOHTA.
Huom.: 9A004 kohta ei aseta valvonnanalaisiksi hyötykuormia.
Huom.: "Avaruusalusten" hyötykuormiin sisältyvien
tuotteiden valvonnanalaisuuden määrittämi-
seksi, katso soveltuvat ryhmät.
9A005 Nestemäistä polttoainetta käyttävien rakettien työntövoimajärjes-
telmät, jotka sisältävät mitä tahansa 9A006 kohdassa määriteltyjä
järjestelmiä tai komponentteja.
HUOM.: KATSO MYÖS 9A105 JA 9A119 KOHTA.
9A006 Seuraavat järjestelmät tai komponentit, jotka on erityisesti
suunniteltu nestemäistä polttoainetta käyttävien rakettien työntö-
voimajärjestelmiin:
HUOM.: KATSO MYÖS 9A106 JA 9A108 KOHTA.
a. Kryogeeniset jäähdyttimet, lentokeveät dewar-säiliöt, kryogee-
niset lämpöputket tai kryogeeniset järjestelmät, jotka on
erityisesti suunniteltu käytettäväksi avaruusaluksissa ja jotka
kykenevät rajoittamaan kryogeenisen nesteen hukan
vähempään kuin 30 % vuodessa;
b. Kryogeeniset säiliöt tai suljetun kierron jäähdytysjärjestelmät,
jotka kykenevät tuottamaan 100 K (− 173 ºC) astetta tai
alempia lämpötiloja, yli 3 Machin lentonopeutta ylläpitämään
tarkoitettuja lentokoneita, kantoraketteja tai "avaruusaluksia"
varten;
c. Nestemäisen vedyn varastointi- tai siirtojärjestelmät;
d. Korkeapaineiset (yli 17,5 MPa) turbopumput, pumppujen
komponentit tai niihin liittyvät kaasugeneraattorit tai laajene-
missyklin turbiinimoottorijärjestelmät;
e. Korkeapaineiset (yli 10,6 MPa) työntökammiot ja niiden
suuttimet;
f. Polttoaineen varastointijärjestelmät, jotka käyttävät kapillaar-
ista säilytystä tai positiivista (esim. joustavilla palkeilla
aikaansaatua) poistoperiaatetta;2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 196
▼M3
g. Erityisesti nestemäistä polttoainetta käyttäville rakettimoottor-
eille suunnitellut nestemäisen polttoaineen injektorit, joiden
yksittäiset suuttimet ovat läpimitaltaan 0,381 mm tai
pienemmät (ei-pyöreiden aukkojen ala 1,14 × 10−3cm2tai
pienempi);
h. Yksiosaiset hiili-hiili palokammiot tai yksiosaiset hiili-hiili
poistokartiot, joiden tiheydet ylittävät 1,4 g/cm3ja murtoveto-
lujuus ylittää 48 MPa.
9A007 Kiinteää polttoainetta käyttävien rakettien työntövoimajärjes-
telmät, joilla on jokin seuraavista:
HUOM.: KATSO MYÖS 9A119 KOHTA.
a. Kokonaisimpulssikapasiteetti ylittää 1,1 MNs;
b. Ominaisimpulssi on 2,4 kNs/kg tai enemmän kun suutinvir-
tausta laajennetaan siten, että kammion paine on 7 MPa
(suhteutettuna merenpinnan tasolle);
c. Vaiheiden massaosamäärät ylittävät 88 % ja kiinteän polt-
toaineen täyttösuhde ylittää 86 %;
d. Jonkin 9A008 kohdassa määritellyistä komponenteista; tai
e. Eristeen ja polttoaineen välillä on sidosjärjestelmät, joissa
käytetään suoraanliitettyä moottorirakennetta muodostamaan
'vahva mekaaninen sidos' tai este kemialliselle kulkeutumiselle
kiinteän polttoaineen ja kotelon eristysmateriaalin välille.
Tekn. huom.:
9A007.e kohdassa tarkoitetaan 'vahvalla mekaanisella sidok-
sella' vähintään polttoaineen vahvuista sidosta.
9A008 Seuraavat erityisesti kiinteätä polttoainetta käyttävien rakettien
työntövoimajärjestelmiä varten suunnitellut komponentit:
HUOM.: KATSO MYÖS 9A108 KOHTA.
a. Eristeen ja polttoaineen väliset sidosjärjestelmät, joissa
käytetään vuorausta muodostamaan 'vahva mekaaninen sidos'
tai este kemialliselle kulkeutumiselle kiinteän polttoaineen ja
kotelon eristysmateriaalin välille;
Tekn. huom.:
9A008.a kohdassa tarkoitetaan 'vahvalla mekaanisella sidok-
sella' vähintään polttoaineen vahvuista sidosta.
b. Kuidusta kiedotusta "komposiitti"materiaalista valmistetut
moottorikotelot, joiden läpimitta ylittää 0,61 m tai joiden
'rakenteellinen tehokkuussuhde (PV/W)' ylittää 25 km;
Tekn. huom.:
'Rakenteellinen tehokkuussuhde (PV/W)' on puhkeamispaineen
(P) ja astian tilavuuden (V) tulo jaettuna paineastian
kokonaispainolla (W).
c. Suuttimet, joiden työntövoimataso ylittää 45 kN tai joiden
kaulan kulumisnopeus on vähemmän kuin 0,075 mm/s;
d. Liikkuvan suuttimen tai sekundäärisen polttoaineen ruisku-
tuksen työntövektorin ohjausjärjestelmät:
1. Jotka kykenevät yli ± 5 asteen liikkeeseen akselinsa ympäri;
2. Joiden kulmavektoria voidaan kääntää 20 astetta sekunnissa
tai enemmän; tai
3. Joiden kulmavektorikiihtyvyys on 40 astetta/s2tai enemmän.
9A009 Hybridipolttoainetta käyttävien rakettien työntövoimajärjestelmät,
joiden:
HUOM.: KATSO MYÖS 9A109 JA 9A119 KOHTA.
a. Kokonaisimpulssikapasiteetti ylittää 1,1 MNs; tai
b. Työntövoima ylittää tyhjöolosuhteissa 220 kN.
9A010 Seuraavat kantoraketteja tai kantorakettien työntövoimalaitteita tai
"avaruusaluksia" varten erityisesti suunnitellut komponentit,
järjestelmät ja rakenteet:
HUOM.: KATSO MYÖS 1A002 JA 9A110 KOHTA.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 197
▼M3
a. Kaikki 10 kg ylittävät komponentit ja rakenteet, jotka on
erityisesti suunniteltu 1C007 tai 1C010 kohdassa määriteltyjä
metalli"matriiseja", "komposiitteja", orgaanisia "komposiit-
teja", keraamisia "matriiseja" tai metallivahvistettuja
materiaaleja käyttäen valmistettuja laukaisulaitteita varten;
Huom.: Painorajoitus ei ole olennainen kärkikartioille.
b. Komponentit ja rakenteet, jotka on erityisesti suunniteltu
9A005—9A009 kohdassa määriteltyihin laukaisulaitteiden
työntövoimajärjestelmiin, ja jotka on valmistettu 1C007 tai
1C010 kohdassa määriteltyjä metallimatriiseja, komposiitteja,
orgaanisia komposiitteja, keraamisia komposiitteja tai metalli-
vahvistettuja materiaaleja käyttäen;
c. Rakenteellisia komponentteja ja eristäviä järjestelmiä, jotka on
erityisesti suunniteltu aktiivisesti ohjaamaan "avaruusaluksen"
rakenteiden dynaamisia reaktioita tai muodonmuutoksia;
d. Nestemäistä polttoainetta käyttävät sykäysrakettimoottorit,
joiden työntö/paino suhde on 1 kN/kg tai enemmän ja vasteaika
(aika, joka tarvitaan saavuttamaan 90 % mitoitetusta työntö-
voimasta käynnistyksestä) on vähemmän kuin 30 ms.
9A011 Patoputki- (ramjet), ahtoputki- (scramjet) tai yhdistelmätahtimoot-
torit ja niiden erityisesti suunnitellut komponentit.
HUOM.: KATSO MYÖS 9A111 JA 9A118 KOHTA.
9A101 Seuraavat muut kuin 9A001 kohdassa määritellyt keveät suihku-
turbiini- ja ohivirtausmoottorit (mukaan lukien
yhdistelmäturbiinimoottorit), joita voidaan käyttää "ohjuksissa":
a. Moottorit, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:
1. Maksimi (asentamattomana saavutettu) työntövoiman arvo
on suurempi kuin 1000 N lukuun ottamatta hyväksyttyjä
siviilimoottoreita, joiden maksimi (asentamattomana saavu-
tettu) työntövoiman arvo on suurempi kuin 8 890 N; ja
2. Ominaispolttoaineen kulutus (merenpinnan tasolla vakio- ja
normaaliolosuhteissa) on 0,13 kg/N/h tai vähemmän; tai
b. Moottorit, jotka on suunniteltu tai muunnettu käytettäväksi
"ohjuksissa".
9A104 Luotainraketit, jotka kykenevät vähintään 300 km:n kantomatkaan.
HUOM.: KATSO MYÖS 9A004 KOHTA.
9A105 Seuraavat nestemäistä polttoainetta käyttävät rakettimoottorit:
HUOM.: KATSO MYÖS 9A119 KOHTA.
a. Muut kuin 9A005 kohdassa määritellyt nestemäistä polttoai-
netta käyttävät rakettimoottorit, joita voidaan käyttää
"ohjuksissa" ja joiden kokonaisimpulssikapasiteetti on
1,1 MNs tai suurempi;
b. Muut kuin 9A005 tai 9A105.a kohdassa määritellyt nestemäistä
polttoainetta käyttävät rakettimoottorit, joita voidaan käyttää
kantomatkaltaan 300 km:n täydellisissä rakettijärjestelmissä tai
miehittämättömissä ilma-aluksissa ja joiden kokonaisimpulssi-
kapasiteetti on 0,841 MNs tai suurempi.
9A106 Seuraavat muut kuin 9A006 kohdassa määritellyt nestemäistä
polttoainetta käyttäviin raketteihin erityisesti suunnitellut järjes-
telmät ja komponentit, joita voidaan käyttää ohjuksissa:
a. Työntövoima- ja palokammioiden kuluvat vuoraukset;
b. Rakettien suuttimet;
c. Työntövoimavektorin ohjauksen alajärjestelmät;
Tekn. huom.:
Esimerkkejä tavoista, joilla saavutetaan 9A106.c kohdassa
määritelty työntövoimavektorin ohjaus:
1. Taipuisa suutin;
2. Neste- tai toisiokaasusuihkutus;
3. Liikkuva moottori tai suutin;2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 198
▼M3
4. Poistokaasuvirtauksen poikkeutus (suihkusiivekkeet tai -
tangot);tai
5. Työntövoimalaipat.
d. Nestemäisen ja lietemäisen ajoaineen (myös hapettimien)
ohjausjärjestelmät sekä niitä varten erityisesti suunnitellut
komponentit, jotka on suunniteltu tai muunnettu toimimaan
yli 10 g:n rms ja 20—2 000 Hz:n tärinäolosuhteissa.
Huom.: Ainoat servoventtiilit ja pumput, jotka on määritelty
9A106.d kohdassa ovat seuraavat:
a. Servoventtiilit, jotka on suunniteltu 24 litran
minuutissa tai suuremmille virtausnopeuksille,
7 MPa tai suuremmalle absoluuttipaineelle ja
joiden toimilaitteen vasteaika on vähemmän kuin
100 ms;
b. Pumput nestemäisiä polttoaineita varten, joiden
akselinopeudet ovat yhtäsuuria tai suurempia
kuin 8 000 rpm tai joiden poistumispaineet ovat
yhtäsuuria tai suurempia kuin 7 MPa.
9A107 Muut kuin 9A007 kohdassa määritellyt kiinteää polttoainetta
käyttävät rakettimoottorit, joita voidaan käyttää kantomatkaltaan
300 km:n täydellisissä rakettijärjestelmissä tai miehittämättömissä
ilma-aluksissa ja joiden kokonaisimpulssikapasiteetti on
0,841 MNs tai suurempi.
HUOM.: KATSO MYÖS 9A119 KOHTA.
9A108 Seuraavat muut kuin 9A008 kohdassa määritellyt komponentit,
joita voidaan käyttää "ohjuksissa"ja jotka on erityisesti suunniteltu
kiinteää polttoainetta käyttävien rakettien työntövoimajärjestelmiä
varten:
a. Rakettimoottorien kotelot, niiden "sisäpinnanvuoraukset" ja
"eristykset";
b. Rakettien suuttimet;
c. Työntövoimavektorin ohjauksen alajärjestelmät.
Tekn. huom.
Esimerkkejä tavoista, joilla saavutetaan 9A108.c kohdassa
määritelty työntövoimavektorin ohjaus:
1. Taipuisa suutin;
2. Neste- tai toisiokaasusuihkutus;
3. Liikkuva moottori tai suutin;
4. Poistokaasuvirtauksen poikkeutus (suihkusiivekkeet tai -
tangot);tai
5. Työntövoimalaipat.
9A109 Muut kuin 9A009 kohdassa määritellyt hybridirakettimoottorit,
joita voidaan käyttää "ohjuksissa" ja erityisesti niitä varten
suunnitellut komponentit.
HUOM.: KATSO MYÖS 9A119 KOHTA.
9A110 Muut kuin 9A010 kohdassa määritellyt komposiittirakenteet, -
laminaatit ja niistä tehdyt valmisteet, jotka on erityisesti
suunniteltu käytettäviksi 9A004 kohdassa määritellyissä avaruu-
teen laukaisussa käytettävissä kantoraketeissa tai 9A104 kohdassa
määritellyissä luotainraketeissa tai 9A005, 9A007, 9A105.a,
9A106—9A108, 9A116 tai 9A119 kohdassa määritellyissä alajär-
jestelmissä.
HUOM.: KATSO MYÖS 1A002 KOHTA.
9A111 Pulssisuihkumoottorit, joita voidaan käyttää "ohjuksissa", sekä
niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit.
HUOM.: KATSO MYÖS 9A011 JA 9A118 KOHTA.
9A115 Seuraavat 9A004 kohdassa määriteltyjä avaruuteen laukaisussa
käytettäviä kantoraketteja tai 9A104 kohdassa määriteltyjä
luotainraketteja varten erityisesti suunnitellut tai muunnetut
laukaisuapulaitteet:
a. Kojeet ja laitteet käsittelyä, hallintaa, aktivointia tai laukaisua
varten;2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 199
▼M3
b. Ajoneuvot kuljetusta, käsittelyä, hallintaa, aktivointia tai
laukaisua varten.
9A116 Seuraavat "ohjuksissa" käyttökelpoiset ilmakehään palaamaan
suunnitellut alukset sekä niitä varten suunnitellut tai muunnetut
laitteet:
a. Ilmakehään palaamaan suunnitellut alukset;
b. Keraamisista tai sulamalla kuluvista aineista valmistetut
lämpösuojukset ja niiden osat;
c. Kevyistä, suuren ominaislämmön omaavista aineista valmis-
tetut jäähdytyslevyt ja niiden osat;
d. Ilmakehään palaaviin aluksiin erityisesti suunnitellut elektro-
niset laitteet.
9A117 "Ohjuksissa" käyttökelpoiset rakettien vaiheistusmekanismit, irro-
tusmekanismit ja vaiheiden väliset laitteet.
9A118 9A011 tai 9A111 kohdassa määritellyissä "ohjuksissa" käyttökel-
poisten moottorien palonsäätelylaitteet.
9A119 Muut kuin 9A005, 9A007, 9A009, 9A105, 9A107 ja 9A109
kohdassa määritellyt yksittäiset rakettien vaiheet, joita voidaan
käyttää kantomatkaltaan 300 km:n täydellisissä rakettijärjestel-
missä tai miehittämättömissä ilma-aluksissa.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 200
▼M3
9B Testaus-, tarkastus- ja tuotantolaitteet
9B001 Seuraavat erityisesti suunnitellut laitteet, työkalut tai kiinnittimet
kaasuturbiinien lapojen, siipien tai kärkivaipan valujen valmista-
miseen:
a. Laitteet suunnattua kiinteytystä tai yksikidevalua varten;
b. Keraamiset ytimet tai kuoret;
9B002 On-line (tosiaikaiset) -ohjausjärjestelmät, instrumentointi (anturit
mukaan lukien) tai automaattiset tiedonkeruu- ja -käsittelylaitteet,
jotka on erityisesti suunniteltu 9E003.a kohdassa määriteltyä
"teknologiaa" sisältävien kaasuturbiinimoottorien, niiden kokoon-
panojen tai komponenttien "kehittämiseen".
9B003 Valmistus- ja testauslaitteet sellaisten kaasuturbiinien harjatiivis-
teiden tuotantoon, jotka on suunniteltu toimimaan 335 m/s
ylittävillä kärkien nopeuksilla ja yli 773 K (500 ºC) asteenlämpötiloissa, sekä näiden laitteiden erityisesti suunnitellut osat ja
varusteet.
9B004 Työkalut, suulakkeet, tai kiinnittimet "superseoksen", titaanin tai
9E003.a.3 tai 9E003.a.6 kohdassa määriteltyjen metalliyhdisteiden
airfoil-to-disk-yhdistelmien mekaaniseen liittämiseen kaasuturbii-
neita varten.
9B005 On-line (tosiaikaiset) -ohjausjärjestelmät, instrumentointi (anturit
mukaan lukien) tai automaattiset tiedonkeruu- ja -käsittelylaitteet,
jotka on erityisesti suunniteltu käytettäväksi seuraavissa tuulitun-
neleissa tai laitteissa:
HUOM.: KATSO MYÖS 9B105 KOHTA.
a. Tuulitunnelit, jotka on suunniteltu 1,2 Machin tai suuremmille
nopeuksille; paitsi: Sellaiset, jotka on erityisesti suunniteltu
koulutustarkoituksiin, ja joiden 'testauslohkon koko' (lateraali-
sesti mitattuna) on vähemmän kuin 250 mm;
Tekn. huom.:
9B005.a kohdassa 'testauslohkon koko' tarkoittaa ympyrän
läpimittaa, neliön sivua tai suorakaiteen pisintä sivua testaus-
lohkon laajimmalla kohdalla mitattuna.
b. Laitteet, joilla simuloidaan virtausympäristöjä yli 5 Machin
nopeuksilla, mukaan lukien hot-shot-tunnelit, plasmakaaritun-
nelit, paineiskuputket, paineiskutunnelit, kaasutunnelit ja
kevyet kaasutykit; tai
c. Tuulitunnelit ja laitteet, muut kuin kaksidimensioiset lohkot,
joilla voidaan simuloida virtauksia, joiden Reynoldsin luku on
yli 25 × 106.
9B006 Erityisesti suunnitellut akustisen värähtelyn testauslaitteet, joilla
voidaan tuottaa 160 dB:n tai suurempia äänenpainetasoja (verrat-
tuna 20 TPa:iin), ja joiden nimellinen ulostuloteho on 4 kW tai
enemmän testikammion lämpötilan ollessa yli 1273 K (1 000 ºC)
astetta, sekä erityisesti niitä varten suunnitellut kvartsikuumen-
timet.
HUOM.: KATSO MYÖS 9B106 KOHTA.
9B007 Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu rakettimoottorien eheyden
tutkimiseen käyttäen muita ainetta rikkomattomia testimenetelmiä
(NDT) kuin tasoröntgeniä tai fysikaalisia tai kemiallisia perusa-
nalyysejä.
9B008 Muuntimet, jotka on erityisesti suunniteltu seinämän pintakitkan
suoraan mittaamiseen testausvirtauksella, jonka stagnaatiolämpö-
tila ylittää 833 K (560 ºC) astetta.
9B009 Työkalut, jotka on erityisesti suunniteltu sellaisten turbiinimoot-
torin jauhemetallurgisten roottoriosien tuotantoon, jotka kykenevät
toimimaan rasitustasolla, joka on 60 % tai enemmän niiden
murtovetolujuudesta (UTS) ja 873 K (600 ºC) asteen tai
korkeammissa metallin lämpötiloissa.
9B105 Mach 0,9 tai suuremmille nopeuksille tarkoitetut tuulitunnelit,
joita voidaan käyttää "ohjuksia" tai niiden alajärjestelmiä varten.
HUOM.: KATSO MYÖS 9B005 KOHTA.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 201
▼M3
9B106 Seuraavat ympäristöolosuhdekammiot tai kaiuttomat huoneet:
a. Ympäristöolosuhdekammiot, joilla voidaan simuloida seuraavia
lento-olosuhteita:
1. 10 g:n rms tai suurempia tärinäolosuhteita 20 Hz:n ja
2 000 Hz:n välillä ja 5 kN:n tai suuremmalla tärinävoimalla;
ja
2. 15000 m:n tai suurempia korkeuksia; tai
3. Vähintään 223 K (− 50 ºC)—398 K (+ 125 ºC) asteen
lämpötila-aluetta;
b. Kaiuttomat huoneet, joilla voidaan simuloida seuraavia lento-
olosuhteita:
1. 140 dB:n (verrattuna 20 TPa:iin) tai suurempia yleisäänen-
painetasoja tai 4 kW:n tai suurempaa mitoitettua akustista
tehoa;ja
2. 15000 m:n tai suurempia korkeuksia; tai
3. Vähintään 223 K (− 50 ºC)—398 K (+ 125 ºC) asteen
lämpötila-aluetta.
9B115 Erityisesti suunnitellut "tuotantolaitteet" 9A005—9A009, 9A011,
9A101, 9A105—9A109, 9A111, 9A116—9A119 kohdassa
määriteltyjä järjestelmiä, alajärjestelmiä ja komponentteja varten.
9B116 Erityisesti suunnitellut "tuotantolaitteet" 9A004 kohdassa
määriteltyjä avaruuteen laukaisussa käytettäviä kantoraketteja
varten tai 9A005—9A009, 9A011, 9A101, 9A104—9A109,
9A111 tai 9A116—9A119 kohdassa määriteltyjä järjestelmiä,
alajärjestelmiä ja komponentteja varten.
9B117 Kiinteää tai nestemäistä polttoainetta käyttäviä raketteja tai
rakettimoottoreita varten tarkoitetut testauspenkit ja testausteli-
neet, joilla on seuraavat ominaisuudet:
a. Ne kestävät yli 90 kN:n työntövoimia; tai
b. Niillä voidaan samanaikaisesti mitata kaikkien kolmen akselin
työntövoimakomponentteja.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 202
▼M3
9C Materiaalit
9C110 9A110 kohdassa määriteltyjä komposiittirakenteita, -laminaatteja
ja niistä tehtyjä valmisteita varten tarkoitetut hartsilla kyllästetyt
kuituprepregit ja metallipinnoitetut kuitupreformit niitä varten,
jotka on valmistettu joko orgaanisesta tai metallimatriisista
käyttäen kuitu- tai säievahvisteita, joiden "ominaisvetolujuus" on
suurempi kuin 7,62 × 104m ja "ominaiskimmomoduuli" on
suurempi kuin 3,18 × 106m.
HUOM.: KATSO MYÖS 1C010 JA 1C210 KOHTA.
Huom.: Ainoat hartsikyllästetyt kuituprepregit, jotka on
määritelty 9C110 kohdassa ovat ne, joissa käytetään
hartseja, joiden lasittumislämpötila (Tg) vulkanoinnin
jälkeen ylittää 418 K (145 ºC) astetta ASTM D4065 tai
vastaavan standardin mukaan määriteltynä.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 203
▼M3
9D Ohjelmistot
9D001 "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muutettu 9A, 9B
tai 9E003 kohdassa määriteltyjen laitteiden tai "teknologian"
"kehittämistä" varten.
9D002 "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muutettu 9A tai
9B kohdassa määriteltyjen laitteiden "tuotantoa" varten.
9D003 Seuraavat "ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai
muutettu 9A kohdassa määriteltyjen työntövoimajärjestelmien
"täyden auktoriteetin digitaalisten moottorin ohjausten"
("FADEC") tai 9B kohdassa määriteltyjen laitteiden "käyttöä"
varten:
a. "Ohjelmistot" työntövoimajärjestelmien, avaruustestauslaitteis-
tojen, tai ilmaahengittävien lentokonemoottorien
testauslaitteistojen digitaalielektronisia ohjausjärjestelmiä
varten;
b. Vikasietoiset "ohjelmistot", joita käytetään työntövoimajärjes-
telmien "FADEC"-ohjauksissa ja niihin liittyvissä
testauslaitteistoissa.
9D004 Seuraavat muut "ohjelmistot":
a. 2D- tai 3D-viskoosiset "ohjelmistot", jotka on varmennettu
tuulitunneli- tai lentotestitiedoilla, joita tarvitaan moottorivir-
tauksen yksityiskohtaiseen mallintamiseen;
b. Lentokaasuturbiinimoottoreiden, niiden kokoonpanojen tai
komponenttien testaamiseen tarkoitetut "ohjelmistot", jotka on
erityisesti suunniteltu keräämään, rajaamaan ja analysoimaan
tietoja tosiajassa, ja jotka pystyvät takaisinkytkettyyn säätöön,
mukaan lukien testauskohteiden ja testiolosuhteiden dynaa-
minen muuttaminen testauksen kuluessa;
c. "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu ohjaamaan
suunnattua kiinteytystä tai yksikidevalua;
d. "Lähdekoodilla", "kohdekoodilla" tai konekielisellä koodilla
toimivat "ohjelmistot", joita tarvitaan roottorisiipien kärkien
välyksen ohjauksen aktiivisten kompensointijärjestelmien
"käytössä".
Huom.: 9D004.d kohta ei aseta valvonnanalaiseksi "ohjel-
mistoja", jotka on asennettu valvonnan ulkopuolisiin
laitteisiin tai joita tarvitaan ylläpitotehtävissä, jotka
liittyvät aktiivisesti kompensoivien välyksen
ohjausjärjestelmien kalibrointiin, huoltoon tai ajan-
mukaistamiseen.
9D101 "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu
9B105, 9B106, 9B116 tai 9B117 kohdassa määriteltyjen laitteiden
"käyttöä" varten.
9D103 "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu 9A004 kohdassa
määriteltyjen avaruuteen laukaisussa käytettävien kantorakettien
tai 9A104 kohdassa määriteltyjen luotainrakettien tai kohdissa
9A005, 9A007, 9A105.a, 9A106, 9A108, 9A116 tai 9A119
määriteltyjen alajärjestelmien suunnittelun integrointiin.
Huom.: 9D103 kohdassa määritellyt ohjelmat ovat valvonna-
nalaisia myös yhdistettynä 4A102 kohdassa
määriteltyihin laitteisiin.
9D104 "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu
9A001, 9A005, 9A006.d, 9A006.g, 9A007.a, 9A008.d, 9A009.a,
9A010.d, 9A011, 9A101, 9A105, 9A106.c, 9A106.d, 9A107,
9A108.c, 9A109, 9A111, 9A115.a, 9A116.d, 9A117 tai 9A118
kohdassa määriteltyjen tuotteiden "käyttöä" varten.
9D105 "Ohjelmistot", joissa sovitetaan yhteen useamman kuin yhden
alajärjestelmän toiminta ja jotka on erityisesti suunniteltu tai
muunnettu 9A004 kohdassa määritellyissä avaruuteen laukaisussa
käytettävissä kantoraketeissa tai 9A104 kohdassa määritellyissä
luotainraketeissa tapahtuvaa "käyttöä" varten.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 204
▼M3
9E Teknologia
Huom.: 9E001—9E003 kohdassa määritelty kaasuturbiinimoot-
torien "kehittämis"- tai "tuotantoteknologia" on
valvonnanalaista myös silloin, kun sitä käytetään
korjauksen, uudistamisen tai huollon yhteydessä.
Valvonnan ulkopuolella ovat tekninen tieto, piirustukset
tai dokumentaatio sellaisia ylläpitotoimenpiteitä
varten, jotka liittyvät suoraan viallisten tai ei-korjatta-
viksi tarkoitettujen vaihdettavien yksiköiden
kalibrointiin, poistoon tai vaihtoon, kokonaiset moot-
torit tai niiden moduulit mukaan lukien.
9E001 "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti, jota
"tarvitaan" 9A001.c, 9A004—9A011, 9B tai 9D kohdassa
määriteltyjen laitteiden tai "ohjelmistojen" "kehittämistä" varten.
9E002 "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti, jota
"tarvitaan" 9A001.c, 9A004—9A011 tai 9B kohdassa määritel-
tyjen laitteiden "tuotantoa" varten.
Huom.: Valvonnanalaisten rakenteiden, laminaattien ja materi-
aalien korjaukseen tarvittava "teknologia": katso
1E002.f kohta.
9E003 Seuraava muu "teknologia":
a. "Teknologia", jota "tarvitaan" seuraavien kaasuturbiinimoottor-
ikomponenttien tai -järjestelmien "kehittämistä" tai "tuotantoa"
varten:
1. Suunnatusti kiinteytetyistä (DS) tai yksikideseoksista (SC)
valmistetut kaasuturbiinien lavat, siivet tai kärkivaipat,
jotka on mitoitettu (001 Millerin indeksin suunnassa)
vähintään 400 tuntia 1 273 K (1 000 ºC) asteen lämpöti-
loissa ja 200 MPa:n paineessa keskimääräisten
ominaisarvojen perusteella;
2. Monikupuiset polttokammiot, joiden polttimen poistoaukon
keskimääräinen lämpötila on yli 1 813 K (1 540 ºC) astetta
tai polttokammiot, joissa on termisesti erotetut vaipat, ei-
metalliset vaipat tai ei-metalliset kuoret;
3. Komponentit, jotka on valmistettu jostakin seuraavista:
a. Orgaanisista "komposiitti"materiaaleista, jotka on suun-
niteltu toimimaan yli 588 K (315 ºC) asteen
lämpötiloissa;
b. 1C007 kohdassa määritellyistä metalli"matriisi""kom-
posiiteista", materiaaleista, joilla on keraaminen
"matriisi", metalliyhdisteistä tai lujitetuista metalliyh-
disteistä; tai
c. "Komposiitti" -materiaaleista, jotka on määritelty
1C010 kohdassa ja valmistettu 1C008 kohdassa
määritellyistä hartseista.
4. Jäähdyttämättömät turbiinien lavat, siivet, kärkien vaipat
tai muut komponentit, jotka on suunniteltu toimimaan
1 323 K (1 050 ºC) asteen tai korkeammissa kaasuvirran
lämpötiloissa;
5. Jäähdytetyt turbiinien lavat, siivet tai kärkien vaipat, muut
kuin 9E003.a.1 kohdassa kuvatut, jotka joutuvat alttiiksi
1 643 K (1 370 ºC) tai korkeammille kaasuvirran lämpöti-
loille;
6. Lapojen liitokset, joissa kantopinta on yhdistetty roottorin
kehään mekaanista liittämistä käyttäen;
7. Kaasuturbiinimoottorien komponentit, joissa on käytetty
2E003.b kohdassa määriteltyä "diffuusioliittämis""teknolo-
giaa";
8. Vauriosietoiset kaasuturbiinimoottorin pyörivät kompo-
nentit, joissa on käytetty 1C002.b kohdassa määriteltyjä
jauhemetallurgisia materiaaleja;
9. "FADEC"-kaasuturbiini- ja yhdistelmätahtimoottoreita
varten sekä siihen liittyvät diagnostiikkakomponentit,
anturit ja erityisesti suunnitellut komponentit;2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 205
▼M3
10. Säädettävä virtaustien geometria ja siihen liittyvät
ohjausjärjestelmät:
a. Kaasugeneraattoriturbiineja varten;
b. Puhallin- tai käyttöturbiineja varten;
c. Suihkusuuttimia varten;
Huom.1: Aseteltavaan virtaustien geometriaan ja siihen
liittyviin ohjausjärjestelmiin ei 9E003.a.10
kohdassa lueta tuloaukon johdesiipiä,
säädettäväsiipisiä puhaltimia, säädettäviästaattoreita eikä ahtimen puhallusventtiilejä.
Huom.2: 9E003.a.10. kohta ei aseta valvonnanalaiseksi
jarrutustyöntövoiman säädettävän virtaustien
geometrian "kehittämis"- tai "tuotanto""tekno-
logiaa".
11. Pitkäjänteiset ontot puhaltimien siivet, joilla ei ole
osittaista tuentaa;
b. "Teknologia", jota "tarvitaan" seuraavien laitteiden "kehittä-
mistä" ja "tuotantoa" varten:
1. Tuulitunneleissa käytettävät mallit, jotka on varustettu pinta-
antureilla ja jotka kykenevät lähettämään tietoa antureilta
tiedonkeruujärjestelmälle; tai
2. Komposiiteista valmistetut potkurien lavat tai potkurituulet-
timet, jotka kestävät yli 2 000 kW yli 0,55 Machin
lentonopeuksilla;
c. "Teknologia", jota "tarvitaan" kaasuturbiinimoottorin kompo-
nenttien kehittämistä tai "tuotantoa" varten käyttäen "laser"-,
vesisuihku- tai ECM/EDM-reiänporausprosesseja, joilla aikaan-
saadaan reikiä, joilla on jokin seuraavista ominaisuusryhmistä:
1. Kaikki seuraavat:
a. Syvyys enemmän kuin neljä kertaa niiden läpimitta;
b. Läpimitta vähemmän kuin 0,76 mm; ja
c. Kohtauskulma 25 astetta tai vähemmän; tai
2. Kaikki seuraavat:
a. Syvyys enemmän kuin viisi kertaa niiden läpimitta;
b. Läpimitta vähemmän kuin 0,4 mm; ja
c. Kohtauskulma enemmän kuin 25 astetta;
Tekn. huom:
9E003.c kohdassa kohtauskulma mitataan tasosta, joka
sivuaa kantopintaa pisteessä, jossa reiän keskiviiva
lävistää kantopinnan.
d. "Teknologia", jota "tarvitaan" helikopterien tehonsiirtojärjes-
telmien tai kääntyväroottoristen tai kääntyväsiipisten "ilma-
alusten" tehonsiirtojärjestelmien "kehittämistä" tai "tuotantoa"
varten;
e. "Teknologia", jota "tarvitaan" maakulkuneuvojen työntövoi-
majärjestelmien sellaisten diesel(mäntä)moottorien
"kehittämistä" tai "tuotantoa" varten, joilla on kaikki seuraavat
ominaisuudet:
1. 'Kotelotilavuus' on 1,2 m3tai vähemmän;
2. Kokonaisantoteho on enemmän kuin 750 kW 80/1269/
EEC:n, ISO 2534:n tai vastaavan kansallisen standardin
mukaisesti määritettynä; ja
3. Tehon tiheys on enemmän kuin 700 kW 'kotelotilavuuden'
m3:iä kohti;
Tekn. huom.:
'Kotelotilavuus' 9E003.e.1 kohdassa on kolmen toisiaan
vastaan kohtisuorassa olevan, seuraavalla tavalla mitatun
dimension tulo:
Pituus: Kampiakselin pituus etulaipasta vauhtipyörän etusi-
vuun;2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 206
▼M3
Leveys: Suurin seuraavista:
a. Ulkomitta venttiilin kannesta toiseen venttiilin
kanteen;
b. Sylinterinkansien ulkoreunojen mitat; tai
c. Vauhtipyörän kotelon läpimitta;
Korkeus: Suurin seuraavista:
a. Kampiakselin keskiviivasta venttiilin kannen
päällimmäiseen tasoon (tai sylinterinkanteen)
otettu mitta laskettuna yhteen kaksinkertaisen
iskunpituuden kanssa; tai
b. Vauhtipyörän kotelon läpimitta.
f. "Teknologia", jota "tarvitaan" seuraavien, erityisesti korkeate-
hoisia dieselmoottoreita varten suunniteltujen komponenttien
"tuotantoa" varten:
1. "Teknologia", jota "tarvitaan" sellaisten moottorijärjestel-
mien "tuotantoa" varten, joiden kaikki seuraavat osat on
valmistettu käyttäen 1C007 kohdassa määriteltyjä valvonna-
nalaisia keraamisia materiaaleja:
a. Sylinteriputket;
b. Männät;
c. Sylinterinkannet; ja
d. Yksi tai useampia muita komponentteja (mukaan lukien
pakoaukot, turboahtimet, venttiilien ohjaimet, venttiili-
kokoonpanot tai eristetyt polttoaineen suihkuttimet;
2. "Teknologia", jota "tarvitaan" sellaisten turboahdinjärjestel-
mien tuotantoon, joissa on yksivaiheiset kompressorit, joilla
on kaikki seuraavat ominaisuudet:
a. Toimivat 4:1 tai suuremmilla painesuhteilla;
b. Massavirtaus on 30—130 kg minuutissa; ja
c. Kompressori- tai turbiiniosan virtausläpimittaa voidaan
muuttaa;
3. "Teknologia", jota "tarvitaan" sellaisten polttoaineen suih-
kutusjärjestelmien tuotantoon, jotka on erityisesti
suunniteltu mahdollistamaan useiden polttoaineiden (esim.
diesel- tai suihkumoottoripolttoaineet) käyttöviskositeettia-
lueella, joka ulottuu dieselpolttoaineesta (2,5ºcSt 310,8 K
(37,8 ºC) asteessa) bensiiniin (0,5 cSt 310,8 K (37,8 ºC)
asteessa), ja joilla on molemmat seuraavista:
a. Suihkutusmäärä ylittää 230 mm3suihkutusta ja sylinteriä
kohti;ja
b. Erityisesti suunnitellut elektroniset ohjaustoiminnot,
jotka käyttämällä sopivia antureita vaihtavat polttoaineen
ominaisuuksista riippuen automaattisesti säätimen arvoja
niin että vääntömomenttiominaisuudet pysyvät samoina;
g. "Teknologia", jota "tarvitaan" sellaisten korkeatehoisten diesel-
moottorien "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten, joissa
käytetään sylinteriseinämän kiinteää, kaasumaista tai nestekal-
vovoitelua (tai näiden yhdistelmää), joka sallii toiminnan yli
723 K (450 ºC) asteen lämpötiloissa (mitattuna männän
ylärenkaan liikkeen ylärajalta sylinterin seinämään).
Tekn. huom.:
Korkeatehoisia dieselmoottoreita ovat dieselmoottorit, joiden
keskimääräiseksi teholliseksi jarrutuspaineeksi on määritelty
1,8 MPa tai enemmän 2 300 rpm:n kierrosnopeudella,
edellyttäen että nimellinen kierrosnopeus on 2 300 rpm tai
enemmän.
9E101 "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 9A101,
9A104—9A111 tai 9A115—9A119 kohdassa määriteltyjen tuot-
teiden "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten.
9E102 "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 9A004
kohdassamääriteltyjen avaruuteen laukaisussa käytettävien kantor-
akettien tai 9A005—9A011, 9A101, 9A104—9A111,
9A115—9A119, 9B105, 9B106, 9B115, 9B116, 9B117, 9D101
tai 9D103 kohdassa määriteltyjen tuotteiden "käyttöä" varten.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 207
▼M3
LIITE II
YHTEISÖN YLEINEN VIENTILUPA N:o EU001
(asetuksen (EY) N:o 1334/2000 6 artiklassa tarkoitettu)
Myöntävä viranomainen: Euroopan yhteisö
Osa 1
Tämä vientilupa koskee seuraavia tuotteita:
Kaikki tämän asetuksen liitteen I missä tahansa kohdassa mainitut kaksikäyttö-
tuotteet, lukuun ottamatta jäljempänä osassa 2 lueteltuja tuotteita
Osa 2
— Kaikki liitteessä IV tarkoitetut tuotteet
— 0C001 "Luonnonuraani" tai "köyhdytetty uraani" tai torium metal-
lina, seoksena, kemiallisena yhdisteenä tai konsentraattina ja
mikä tahansa muu aine, joka sisältää yhtä tai useampaa
edellä mainituista.
— 0C002 Muut kuin liitteessä IV mainitut "erityiset halkeamiskelpoiset
materiaalit".
— 0D001 "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu
ryhmässä 0 määriteltyjen tuotteiden "kehittämistä",
"tuotantoa" tai "käyttöä" varten siltä osin kuin ne liittyvät
0C001 kohtaan tai niihin 0C002 kohdan aineisiin, jotka eivät
sisälly liitteeseen IV.
— 0E001 "Teknologia" ydinteknologiahuomautuksen mukaisesti
ryhmässä 0 määriteltyjen tuotteiden "kehittämistä",
"tuotantoa" tai "käyttöä" varten siltä osin kuin se liittyy
0C001 kohtaan tai niihin 0C002 kohdan aineisiin, jotka eivät
sisälly liitteeseen IV.
— 1A102 9A004 kohdassa määriteltyihin avaruuteen laukaisussa
käytettäviin kantoraketteihin tai 9A104 kohdassa määritel-
tyihin luotainraketteihin tarkoitetut toistokyllästetyt pyroli-
soidut hiili-hiilikomponentit.
— 7E104 "Teknologia" lennon ohjaus-, ohjautus ja työntövoimatie-
tojen integrointiin lennonhallintajärjestelmäksi rakettijärjes-
telmän lentoradan optimoimiseksi.
— 9A009.a. Hybridipolttoainetta käyttävien rakettien työntövoimajärjes-
telmät, joiden kokonaisimpulssikapasiteetti ylittää 1,1 MN.
— 9A117 "Ohjuksissa" käyttökelpoiset rakettien vaiheistusmekanismit,
irrotusmekanismit ja vaiheiden väliset laitteet.
Osa 3
Tämä vientilupa on voimassa kaikkialla yhteisössä seuraaviin määräpaikkoihin
suuntautuvassa viennissä:
Australia
KanadaTšekin tasavaltaUnkariJapani
Uusi-Seelanti
NorjaPuolaSveitsiAmerikan yhdysvallat
Huomautus: Osia 2 ja 3 voidaan muuttaa vain niiden asiaa koskevien
velvoitteiden ja sitoumusten mukaisesti, joita kukin jäsenvaltio on
hyväksynyt kansainvälisten asesulku- ja vientivalvontajärjestelyjen2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 208
▼M3
jäsenenä, ja kunkin jäsenvaltion yleisten turvallisuusetujen mukai-
sesti sellaisina kuin ne ilmenevät sen vastuussa päättää
kaksikäyttötuotteiden vientilupahakemuksista tämän asetuksen 6
artiklan 2 kohdan mukaisesti.
Tämän luvan käytön edellytykset ja vaatimukset
Tätä yleislupaa ei saa käyttää, jos viejä on saanut tiedon sijoittautumisjäsenval-
tionsa toimivaltaisilta viranomaisilta, että asianomaiset tuotteet ovat tai voivat
olla kokonaan tai osittain tarkoitetut käyttöön, joka liittyy kemiallisten,
biologisten tai ydinaseiden tai muiden ydinräjähteiden kehittämiseen, tuotantoon,
käsittelyyn, käyttöön, ylläpitoon, varastointiin, havaitsemiseen, tunnistamiseen tai
levittämiseen tai tällaisten aseiden maaliin saattamiseen soveltuvien ohjusten
kehittämiseen, tuotantoon, ylläpitoon tai varastointiin tai jos viejä tietää, että
kyseiset tuotteet ovat tarkoitetut tällaiseen käyttöön.
Tätä yleislupaa ei saa käyttää, jos viejä on saanut tiedon sijoittautumisjäsenval-
tionsa toimivaltaisilta viranomaisilta, että asianomaiset tuotteet ovat tai voivat
olla tarkoitetut tämän asetuksen 4 artiklan 2 kohdassa tarkoitettuun sotilas-
käyttöön maassa, johon kohdistuu Euroopan unionin, Euroopan turvallisuus- ja
yhteistyöjärjestön tai Yhdistyneiden Kansakuntien asesaarto, tai jos viejä on
tietoinen, että kyseiset tuotteet on tarkoitettu mainitunlaiseen käyttöön.
Tätä yleislupaa ei saa käyttää, kun kyseiset tuotteet viedään tullivapaalle vapaa-
alueelle tai vapaavarastoon, joka sijaitsee luvan kattamassa määräpaikassa.
Jäsenvaltiot määrittelevät tämän yleisluvan käyttöön liittyvät rekisteröinti- ja
ilmoitusvaatimukset sekä lisätiedot, jotka jäsenvaltio, josta vienti tapahtuu,
saattaa vaatia luvan perusteella viedyistä tuotteista. Näiden vaatimusten on
perustuttava niihin vaatimuksiin, jotka koskevat niiden jäsenvaltioiden myöntä-
mien yleisten vientilupien käyttöä, joissa säädetään kyseisistä luvista.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 209
▼M3
LIITE III a
(lomakemalli)
(10 artiklan 1 kohdassa tarkoitettu)
2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 210
▼M3
2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 211
▼M3
2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 212
▼M3
LIITE III b
YLEISVIENTILUPIA JULKAISTAESSA ANNETTAVAT TIEDOT JA
KÄYTETTÄVÄT ILMAISUT
(10 artiklan 3 kohdassa tarkoitettu)
1) Yleisen vientiluvan otsake
2) Luvan myöntävä viranomainen3) Voimassaolo EY:n alueella. Seuraavaa tekstiä on käytettävä: "Tämä on
asetuksen (EY) N:o 1334/2001 6 artiklan 2 kohdan mukainen yleisvientilupa.
Tämä lupa on kyseisen asetuksen 6 artiklan 2 kohdan mukaisesti voimassa
kaikissa Euroopan yhteisön jäsenvaltioissa"
4) Tuotteet, joita lupa koskee: seuraavaa johdantoa on käytettävä: "Tämä
vientilupa kattaa seuraavat tuotteet"
5) Määräpaikat, joita lupa koskee: seuraavaa johdantoa on käytettävä: "Tämä
vientilupa on voimassa seuraaviin määräpaikkoihin suuntautuvassa viennissä"
6) Edellytykset ja vaatimukset2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 213
▼M3
LIITE IV
(asetuksen (EY) N:o 1334/2000 21 artiklan 1 kohdassa tarkoitettu luettelo)
Luettelon kohdissa ei aina ole tuotteen täydellistä kuvausta ja siihen liittyviä,
liitteessä I olevia huomautuksia (1).Tuotteiden täydellinen kuvaus on vain
liitteessä I.
Tuotteen mainitseminen tässä liitteessä ei vaikuta liitteessä I olevia
massatuotantotuotteita koskevien säännösten soveltamiseen.
OSA I
(mahdollisuus myöntää kansallinen yleisvientilupa yhteisön sisäistä kauppaa
varten)
Häive (Stealth-) tekniikka
1C001 Materiaalit, jotka on erityisesti suunniteltu käytettäviksi
sähkömagneettista säteilyä absorboivina aineina, tai itseisjohtavat
polymeerit;
HUOM: KATSO MYÖS 1C101 KOHTA.
1C101 Muut kuin 1C001 kohdassa määritellyt, "ohjuksissa" ja niiden
alajärjestelmissä käyttökelpoiset materiaalit ja laitteet, jotka
pienentävät havaittavuutta, kuten tutkaheijastavuutta tai ultra-
violetti-, infrapuna- ja akustista havaittavuutta;
1D103 "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu analysoimaan
vähennettyä havaittavuutta, kuten tutkaheijastavuutta tai ultra-
violetti/infrapuna- ja akustista havaittavuutta;
1E101 "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 1C101
tai 1D103 kohdassa määriteltyjen tuotteiden "käyttöä" varten;
1E102 "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 1D103
kohdassa määriteltyjen "ohjelmistojen" "kehittämistä" varten;
6B008 Tutkan kaikupinnan pulssimittausjärjestelmät, joiden pulssinpi-
tuus on 100 ns tai vähemmän, ja niitä varten erityisesti
suunnitellut komponentit;
HUOM: KATSO MYÖS 6B108 KOHTA.
6B108 Järjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu tutkapoikkipintojen
mittaamiseen ja joita voidaan käyttää "ohjuksissa", ja niidenalajärjestelmät.
Yhteisön strateginen valvonta
1C239 Muut kuin asetarvikeluettelossa määritellyt voimakkaat räjähteet
tai niitä enemmän kuin 2 painoprosenttia sisältävät seokset tai
aineet, joiden kidetiheys on suurempi kuin 1,8 g/cm
3ja
räjähdysnopeus yli 8 000 m/s.
3A002.g.2. Atomitaajuusstandardit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuk-
sista:
2. Ne ovat "avaruuskelpoisia".
3A229 Seuraavat laukaisulaitteet ja vastaavat suurvirtapulssigeneraattorit
…
HUOM: KATSO MYÖS ASETARVIKELUETTELO.
3A232 Seuraavat sytyttimet ja monipistesytytinjärjestelmät …
HUOM: KATSO MYÖS ASETARVIKELUETTELO.
6A001 Akustiikka seuraavasti:
6A001.a.1.b. Kohteen havaitsemis- tai paikantamisjärjestelmät, joilla on jokin
seuraavista ominaisuuksista:
1. Lähetystaajuus alle 5 kHz ;2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 214
(1) Liitteiden I ja IV sanamuotojen ja soveltamisalojen väliset erot on tekstissä lihavoitu ja
kursivoitu.
▼M3
2. Äänenpainon taso yli 224 dB (vertailuarvo 1 µPa 1 m:ssä)
laitteilla, joiden toimintataajuus on 5 kHz:n ja 24 kHz:n
välisellä taajuusalueella;
3. Äänenpainon taso …;4. Muodostavat … säteitä …;
5. Suunniteltu toimimaan …;
6. Suunniteltu kestämään …;
6A001.a.2.a.1. Hydrofonit … Sisältävät …
6A001.a.2.a.2. Hydrofonit … joilla on …
6A001.a.2.a.5. Hydrofonit … Suunniteltu …6A001.a.2.b. Hinattavat akustiset hydrofonijärjestelmät …6A001.a.2.c. Hinattavia akustisia hydrofonijärjestelmiä käytettäessä reaaliai-
kaisia sovelluksia varten erityisesti suunnitellut akustiset
hydrofonijärjestelmät, jotka ovat "käyttäjän ohjelmoitavissa" ja
joissa on aika- ja taajuusalueen käsittely ja korrelaatio, mukaan
lukien spektrianalyysi, digitaalinen suodatus ja säteen muotoilu
käyttäen nopeaa Fourier-muunnosta tai muita muunnoksia tai
käsittelyjä;
6A001.a.2.d. Suunta-anturit …
6A001.a.2.e. Pohja- tai poukamakaapelijärjestelmä, joilla on jokin seuraavista
ominaisuuksista:
1. Se sisältää hydrofoneja …,
tai
2. Multipleksoituja hydrofoniryhmien signaalimoduleja …
6A001.a.2.f. Pohja- tai poukamakaapelijärjestelmien reaaliaikaisia sovelluksia
varten erityisesti suunnitellut (signaalien) käsittelylaitteet, jotka
ovat "käyttäjän ohjelmoitavissa" ja joissa on aika- tai taajuusa-
lueen käsittely ja korrelaatio, mukaan lukien spektrianalyysi,
digitaalinen suodatus ja säteen muotoilu käyttäen nopeaa Fourier-
muunnosta tai muita muunnoksia tai käsittelyjä;
6D003.a. "Ohjelmistot" akustisen tiedon "tosiaikaiseksi käsittelemiseksi";
8A002.o.3. Seuraavat melunvaimennusjärjestelmät, joita käytetään 1000
tonnin tai suuremman uppouman aluksissa:
a) Melunvaimennusjärjestelmät, jotka vaimentavat alle 500 Hz:n
taajuuksia ja jotka koostuvat akustisista jalustoista diesel-
moottoreita, dieselgeneraattoreita, kaasuturbiineita, kaasu-
turbiinigeneraattoreita, työntövoimamoottoreita tai niiden
alennusvaiheita varten, ja jotka on erityisesti suunniteltu
melun tai tärinän vaimentamiseen, ja joiden oma massa ylittää
30 % asennettavien laitteiden massasta;
b) Aktiiviset äänen vaimennus- tai kumoamisjärjestelmät, tai
erityisesti tehonsiirtojärjestelmiin suunnitellut magneettiset
laakerit, jotka sisältävät elektronisia ohjausjärjestelmiä, ja
jotka kykenevät aktiivisesti vähentämään laitteiden tärinää
tuottamalla melun tai tärinän vastasignaaleja suoraan melun tai
tärinän lähteeseen;
8A002.p. Vesisuihkutyöntövoimajärjestelmät, joiden ulostuloteho ylittää
2,5 MW ja jotka käyttävät suunnattavaa suutinta ja virtausta
säätelevää siipitekniikkaa parantamaan työntötehoa tai
vähentämään koneen aiheuttamaa veden alla leviävää melua;
8D002 Erityiset "ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu tai
muunnettu vedenalaisen melun vähentämiseen tarkoitettujen
potkurien "kehittämistä", "tuotantoa", korjausta, huoltoa tai
uudistamista (uudelleenkoneistamista) varten;
8E002.a. "Teknologia", joka on tarkoitettu erityisesti vedenalaisen melun
vähentämiseen suunniteltujen potkurien "kehittämistä" tai
"tuotantoa" varten.
Yhteisön strateginen valvonta — Salaus — ryhmä 5 — 2 osa
5A002.a.2. Laitteet, jotka on suunniteltu tai muunnettu suorittamaan
salauksen analysointitoimintoja.
5D002.c.1. Ainoastaan ohjelmistot, joilla on kyseisten laitteiden ominai-
suuksia tai jotka suorittavat tai simuloivat kohdassa 5A002.a.2.
mainittujen laitteiden toimintoja.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 215
▼M3
5E002 Ainoastaan teknologia edellä kohdassa 5A002.a.2. tai 5D002.c.1.
mainittujen laitteiden tai ohjelmien "kehittämistä", "tuotantoa" tai
"käyttöä" varten.
MTCR-tekniikka
7A117 "Ohjautuslaitteet", joita voidaan käyttää "ohjuksissa", jotka
kykenevät 3,33 %:n tai sitä parempaan järjestelmätarkkuuteen
toimintaetäisyydellä (esim. "CEP" on 10 km tai vähemmän
300 km:n matkalla) lukuun ottamatta "ohjautuslaitteita", jotka
on tarkoitettu ohjuksiin, joiden kantama on alle 300 km, taimiehitettyihin ilma-aluksiin .
7B001 Edellä 7A117 kohdassa määriteltyjä laitteita varten erityisesti
suunnitellut testaus-, kalibrointi- tai linjauslaitteet.
Huom: 7B001 kohta ei aseta valvonnanalaiseksi ylläpitota-
sojen I tai II testaus-, kalibrointi- tai linjauslaitteita.
7B003 Edellä 7A117 kohdassa määriteltyjen laitteiden "tuotantoon"
erityisesti suunnitellut laitteet.
7B103 Edellä7A117 kohdassa määriteltyjä laitteita varten erityisesti
suunnitellut "tuotantolaitokset".
7D101 "Ohjelmistot", jotka on erityisesti suunniteltu edellä7B003 tai
7B103 kohdassa määriteltyjen laitteiden "käyttöä" varten.
7E001 "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti edellä
7A117, 7B003, 7B103 tai 7D101 kohdassa määriteltyjen
laitteiden tai ohjelmien "kehittämistä" varten.
7E002 "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti edellä
7A117, 7B003 tai 7B103 kohdassa määriteltyjen laitteiden
"tuotantoa" varten.
7E101 "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti edellä
7A117, 7B003, 7B103 tai 7D101 kohdassa määriteltyjen
laitteiden tai ohjelmien "käyttöä" varten.
9A004 Avaruuteen laukaisussa käytettävät kantoraketit jotka kykenevät
vähintään 300 km:n kantomatkaan vähintään 500 kg:n hyöty-
kuormalla .
HUOM: KATSO MYÖS 9A104 KOHTA.
Huom. 1: 9A004 kohta ei aseta valvonnanalaisiksi hyöty-
kuormia.
9A005 Nestemäistä polttoainetta käyttävien rakettien työntövoimajärjes-
telmät, jotka sisältävät mitä tahansa 9A006 kohdassa määriteltyjä
järjestelmiä tai komponentteja, joita voidaan käyttää edellä
9A004 kohdassa määriteltyihin avaruuteen laukaisussa
käytettäviin kantoraketteihin tai jäljempänä 9A104 kohdassa
määriteltyihin luotainraketteihin .
HUOM: KATSO MYÖS 9A105 JA 9A119 KOHTA.
9A007.a. Kiinteää polttoainetta käyttävien rakettien työntövoimajärjes-
telmät, joita voidaan käyttää edellä 9A004 kohdassa
määriteltyihin avaruuteen laukaisussa käytettäviin kantoraket-
teihin tai jäljempänä 9A104 kohdassa määriteltyihin
luotainraketteihin , joilla on jokin seuraavista:
HUOM: KATSO MYÖS 9A119 KOHTA.
a. Kokonaisimpulssikapasiteetti ylittää 1,1 MNs;
9A008.d. Seuraavat erityisesti kiinteätä polttoainetta käyttävien rakettien
työntövoimajärjestelmiä varten suunnitellut komponentit:
HUOM: KATSO MYÖS 9A108.c. KOHTA.
d. Liikkuvan suuttimen tai sekundäärisen polttoaineen ruisku-
tuksen työntövektorin ohjausjärjestelmät, joita voidaan
käyttää edellä 9A004 kohdassa määriteltyihin avaruuteen
laukaisussa käytettäviin kantoraketteihin tai jäljempänä
9A104 kohdassa määriteltyihin luotainraketteihin .
1. Jotka kykenevät yli ± 5 asteen liikkeeseen akselinsa
ympäri;
2. Joiden kulmavektoria voidaan kääntää 20 astetta sekunnissa
tai enemmän; tai2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 216
▼M3
3. Joiden kulmavektorikiihtyvyys on 40 astetta/s2tai
enemmän.
9A104 Luotainraketit, jotka kykenevät vähintään 300 km:n kantomat-
kaan vähintään 500 kg:n hyötykuormalla .
HUOM: KATSO MYÖS 9A004 KOHTA.
9A105.a. Seuraavat nestemäistä polttoainetta käyttävät rakettimoottorit:
HUOM: KATSO MYÖS 9A119 KOHTA.
a. Muut kuin 9A005 kohdassa määritellyt nestemäistä polttoai-
netta käyttävät rakettimoottorit, joita voidaan käyttää
"ohjuksissa" ja joiden kokonaisimpulssikapasiteetti on
1,1 MNs tai suurempi lukuun ottamatta nestemäistä polttoai-
netta käyttäviä huippurakettimoottoreita, jotka on
suunniteltu tai muunnettu satelliittisovelluksiin ja joilla on :
1.Suuttimen halkaisija 20 mm tai vähemmän;
2.Palokammiopaine 15 bar tai vähemmän.
9A106.c. Seuraavat muut kuin 9A006 kohdassa määritellyt nestemäistä
polttoainetta käyttäviin raketteihin erityisesti suunnitellut järjes-
telmät ja komponentit, joita voidaan käyttää ohjuksissa:
c. Työntövoimavektorin ohjauksen alajärjestelmät lukuun otta-
matta niitä, jotka on suunniteltu rakettijärjestelmille, jotka
eivät kykene vähintään 300 km:n kantomatkaan vähintään
500 kg:n hyötykuormalla .
Tekn. huom:
Esimerkkejä tavoista, joilla saavutetaan 9A106.c kohdassa
määritelty työntövoimavektorin ohjaus:
1. Taipuisa suutin;
2. Neste- tai toisiokaasusuihkutus;
3. Liikkuva moottori tai suutin;
4. Poistokaasuvirtauksen poikkeutus (suihkusiivekkeet tai -
tangot);tai
5. Työntövoimalaipat.
9A108.c. Seuraavat muut kuin 9A008 kohdassa määritellyt komponentit,
joita voidaan käyttää "ohjuksissa" ja jotka on erityisesti
suunniteltu kiinteää polttoainetta käyttävien rakettien työntövoi-
majärjestelmiä varten:
c. Työntövoimavektorin ohjauksen alajärjestelmät lukuun otta-
matta niitä, jotka on suunniteltu rakettijärjestelmille, jotka
eivät kykene vähintään 300 km:n kantomatkaan vähintään
500 kg:n hyötykuormalla .
Tekn. huom:
Esimerkkejä tavoista, joilla saavutetaan 9A108.c kohdassa
määritelty työntövoimavektorin ohjaus:
1. Taipuisa suutin;
2. Neste- tai toisiokaasusuihkutus;
3. Liikkuva moottori tai suutin;
4. Poistokaasuvirtauksen poikkeutus (suihkusiivekkeet tai -
tangot);tai
5. Työntövoimalaipat.
9A116 Seuraavat "ohjuksissa" käyttökelpoiset ilmakehään palaamaan
suunnitellut alukset sekä niitä varten suunnitellut tai muunnetut
laitteet paitsi aseistamattomia hyötykuormia varten suunnitellut :
a. Ilmakehään palaamaan suunnitellut alukset;
b. Keraamisista tai sulamalla kuluvista aineista valmistetut
lämpösuojukset ja niiden osat;
c. Kevyistä, suuren ominaislämmön omaavista aineista valmis-
tetut jäähdytyslevyt ja niiden osat;
d. Ilmakehään palaaviin aluksiin erityisesti suunnitellut elektro-
niset laitteet.
9A119 Muut kuin edellä9A005 tai 9A007.a kohdassa määritellyt
yksittäiset rakettien vaiheet, joita voidaan käyttää vähintään2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 217
▼M3
500 kg:n hyötykuormalla 300 km:n kantomatkaan täydellisissä
rakettijärjestelmissä tai miehittämättömissä ilma-aluksissa.
9B115 Erityisesti suunnitellut "tuotantolaitteet" edellä9A005, 9A007.a,
9A008.d, 9A105.a, 9A106.c, 9A108.c, 9A116 tai 9A119 kohdassa
määriteltyjä järjestelmiä, alajärjestelmiä ja komponentteja varten.
9B116 Erityisesti suunnitellut "tuotantolaitteet" 9A004 kohdassa
määriteltyjä avaruuteen laukaisussa käytettäviä kantoraketteja
varten tai edellä9A005, 9A007.a, 9A008.d, 9A104, 9A105.a,
9A106.c, 9A108.c, 9A116 tai 9A119 kohdassa määriteltyjä
järjestelmiä, alajärjestelmiä ja komponentteja varten.
9D101 Ohjelmistot, jotka on erityisesti suunniteltu edellä9B116
kohdassa määriteltyjen tuotteiden "käyttöä" varten.
9E001 "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti edellä
9A004, 9A005, 9A007.a, 9A008.d, 9B115, 9B116 tai 9D101
kohdassa määriteltyjen laitteiden tai "ohjelmistojen" "kehittä-
mistä" varten.
9E002 "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti edellä
9A004, 9A005, 9A007.a, 9A008.d, 9B115 tai 9B116 kohdassa
määriteltyjen laitteiden "tuotantoa" varten.
Huom: Valvonnanalaisten rakenteiden, laminaattien ja mate-
riaalien korjaukseen tarvittava teknologia: katso
1E002.f kohta.
9E101 "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti edellä
9A104, 9A105.a, 9A106.c, 9A108.c, 9A116 tai 9A119 kohdassa
määriteltyjen tuotteiden "kehittämistä" tai "tuotantoa" varten.
9E102 "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti edellä
9A004, 9A005, 9A007.a, 9A008.d, 9A104, 9A105.a, 9A106.c,
9A108.c, 9A116, 9A119, 9B115, 9B116 tai 9D101 kohdassa
määriteltyjen avaruuteen laukaisussa käytettävien kantorakettien
"käyttöä" varten.
Poikkeukset:
Liitteen IV mukaan seuraava MTCR-tekniikka ei ole valvonnan alaista:
1) tuotteet, jotka siirretään Euroopan avaruusjärjestön (ESA) sopimussuhteen
mukaisesta määräyksestä tai jotka ESA siirtää virallisten tehtäviensä
hoitamiseksi,
2) tuotteet, jotka siirretään jäsenvaltion kansallisen avaruusjärjestön sopimussuh-
teen mukaisesta määräyksestä tai jotka se siirtää virallisten tehtäviensä
hoitamiseksi,
3) tuotteet, jotka siirretään kahden tai useamman eurooppalaisen hallituksen
allekirjoittaman yhteisön avaruuteen laukaisua koskevan kehittämis- ja
tuotanto-ohjelman yhteydessä annetun sopimussuhteen mukaisen määräyksen
perusteella,
4) tuotteet, jotka siirretään valtion valvomalle avaruuteenlaukaisupaikalle
jäsenvaltion alueella, paitsi jos kyseinen jäsenvaltio valvoo kyseisiä siirtoja
tämän asetuksen ehtojen mukaisesti.
OSA II
(ei kansallista yleisvientilupaa yhteisön sisäistä kauppaa varten)
Kemiallisten aseiden kieltosopimus
1C351.d.4 Risiini
1C351.d.5 Saxitoksiini
NSG-tekniikka
Liitteen I ryhmä 0 kokonaisuudessaan sisältyy liitteeseen IV, lukuun
ottamatta seuraavia materiaaleja:
— 0C001: tämä kohta ei sisälly liitteeseen IV;
— 0C002: 0C002 kohta sisältyy liitteeseen IV ainoastaan seuraavien erityisten
halkeamiskelpoisten materiaalien osalta:
a) erotettu plutonium;
b) isotoopeilla 235 tai 233 yli 20-prosenttiseksi rikastettu uraani;2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 218
▼M3
— 0D001 (ohjelmistot) sisältyvät liitteeseen IV, paitsi siltä osin kuin ne liittyvät
0C001 kohtaan tai niihin 0C002 kohdan aineisiin, jotka eivät sisälly
liitteeseen IV;
— 0E001 (teknologia) sisältyy liitteeseen IV, paitsi siltä osin kuin se liittyy
0C001 kohtaan tai niihin 0C002 kohdan aineisiin, jotka eivät sisälly
liitteeseen IV.
Huom: Kohdat 0C003ja0C004ainoastaan "ydinreaktorissa" käyttöä varten
(0A001.a kohdan puitteissa).
1B226 Sähkömagneettiset isotooppierottimet, jotka on suunniteltu toimi-
maan tai varusteltu yhdellä tai useilla ionilähteillä, joilla voidaan
saada aikaan 50 mA:n tai suurempi ionisuihkun kokonaisvirta.
Huom: 1B226 kohta sisältää erottimet:
a. Jotka pystyvät rikastamaan pysyviä isotooppeja;
b. Joissa ionilähteet ja -kerääjät ovat kummatkin
magneettikentässä, sekä ne konfiguraatiot, joissa
ne ovat kentän ulkopuolella.
1C012 Seuraavat materiaalit:
Tekn. huom:
Näitä materiaaleja käytetään tyypillisesti ydinlämpölähteissä
a. Plutonium missä tahansa muodossa, jonka plutonium-238
isotooppipitoisuus on enemmän kuin 50 % painosta;
Huom: 1C012.a kohta ei aseta valvonnanalaiseksi:
a. Toimituksia, joissa plutoniumsisältö on 1 g tai
vähemmän;
b. Toimituksia, joissa on 3 "tehollista grammaa"tai
vähemmän instrumentin anturoivassa osassa.
b. "Aiemmin erotettu" neptunium-237 missä tahansa muodossa.
Huom: 1C012.b kohta ei aseta valvonnanalaiseksi toimi-
tuksia, joissa neptunium-237 sisältö on 1 g tai
vähemmän.
1B231 Seuraavat tritiumlaitokset ja -tehtaat ja niissä käytettävät laitteet:
a. Laitokset tai tehtaat, joissa tuotetaan, otetaan talteen, uutetaan,
rikastetaan tai käsitellään tritiumia,
b. Tritiumlaitosten tai -tehtaiden laitteet seuraavasti:
1. Vedyn tai heliumin jäähdytysyksiköt, joissa lämpötila
saadaan lasketuksi 23 K (− 250 ºC) asteeseen tai
alhaisemmaksi ja joiden lämmönpoistokyky on suurempi
kuin 150 W;
2. Vetyisotooppien varastointi- ja puhdistusjärjestelmät, joissa
varastointiin tai puhdistukseen käytetään metallihydridejä.
1B233 Litiumisotooppien erotukseen käytettävät laitokset tai tehtaan ja
niissä käytettävät laitteet seuraavasti:
a. Laitokset tai tehtaat litiumisotooppien erottamiseen;
b. Laitteet litiumisotooppien erottamiseen seuraavasti:
1. Erityisesti litiumamalgaameja varten suunnitellut pakatut
neste-neste erotuskolonnit,
2. Elohopea- tai litiumamalgaamipumput,
3. Litiumamalgaamielektrolyysikennot,
4. Haihduttimet väkeviä litiumhydroksiliuoksia varten.
1C233 Litium, joka on rikastettu 6-isotoopilla (6Li) suurempaan kuin
luonnolliseen isotooppipitoisuuteen sekä rikastettua litiumia
sisältävät tuotteet tai laitteet, seuraavasti: seokset (lejeeringit),
yhdisteet, litiumia sisältävät seokset, näistä tehdyt valmisteet,
sekä kaikesta edellä mainitusta syntyvä jäte tai romu.
Huom: 1C233 ei aseta valvonnanalaiseksi termoluminesens-
siannosmittareita.
Tekn. huom:
Litiumin 6-isotoopin pitoisuus luonnossa on noin 6,5 painopro-
senttia (7,5 atomiprosenttia).2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 219
▼M3
1C235 Tritium, tritiumyhdisteet ja tritiumia sisältävät seokset, joissa
tritiumatomien lukumääräsuhde vetyatomeihin ylittää 1:1 000
sekä mitä tahansa edellä mainittua ainetta sisältävät tuotteet ja
laitteet.
Huom: 1C235 ei aseta valvonnanalaiseksi tuotteita ja laitteita,
joissa on vähemmän kuin 1,48 × 103GBq (40 Ci)
tritiumia.
1E001 "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 1C012
kohdassa määriteltyjen tuotteiden tai materiaalien "kehittämistä"
tai "tuotantoa" varten.
1E201 "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 1B226,
1B231, 1B233, 1C233, 1C235 tai 1C239 kohdassa määriteltyjen
tuotteiden "käyttöä" varten.
3A201 Seuraavat muut kuin 3A001 kohdassa määritellyt elektroniset
komponentit:
a. Kondensaattorit, joilla on joko 1. tai 2. kohdassa luetellut
ominaisuudet:
1. a. Nimellisjännite suurempi kuin 1,4 kV
b. Energian varastointikyky suurempi kuin 10 J
c. Kapasitanssi suurempi kuin 0,5 µF ja
d. Sarjainduktanssi vähemmän kuin 50 nH; tai
2. a. Nimellisjännite suurempi kuin 750 V
b. Kapasitanssi suurempi kuin 0,25 µF ja
c. Sarjainduktanssi vähemmän kuin 10 nH;
3A228 Seuraavat kytkinlaitteet:
a. Kylmäkatodiputket, olivatpa ne sitten kaasutäytteisiä tai ei,
jotka toimivat kipinävälin tavoin ja joilla on kaikki seuraavat
ominaisuudet:
1. Ne sisältävät kolme tai useampia elektrodeja;
2. Huippuanodijännitteen nimellisarvo on 2,5 kV tai
enemmän;
3. Huippuanodivirran nimellisarvo on 100 A tai enemmän; ja
4. Anodin viiveaika on 10 µs tai lyhyempi;
Huom: 3A228 kohtaan sisältyvät kaasukryptonputket ja
tyhjösprytronputket.
b. Liipaistavat kipinävälit, joilla on molemmat seuraavat ominai-
suudet:
1. Anodiviiveaika on 15 µs tai lyhyempi; ja
2. Huippuvirran nimellisarvo 500 A tai enemmän;
c. Nopeatoimiset kytkinmodulit tai -kokoonpanot, joilla on
kaikki seuraavat ominaisuudet:
1. Huippuanodijännitteen nimellisarvo onsuurempikuin2kV;
2. Huippuanodivirran nimellisarvo on 500 A tai enemmän; ja
3. Kytkentäaika on 1 µs tai vähemmän.
3A231 Neutronigeneraattorijärjestelmät, mukaan lukien putket, joilla on
molemmat seuraavat ominaisuudet:
a. Ne on suunniteltu toimimaan ilman ulkoista tyhjöjärjestelmää;
ja
b. Hyväksikäyttävät sähköstaattista kiihdytystä tritium-deuteriu-
mydinreaktion synnyttämiseen.
3E201 "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti
3A201.a, 3A228, 3A229, 3A231 tai 3A232 kohdassa määritel-
tyjen laitteiden "käyttöä" varten.
6A203 Seuraavat muut kuin 6A003 kohdassa määritellyt kamerat ja
komponentit:
a. Seuraavat mekaaniset pyöriväpeiliset kamerat ja niitä varten
erityisesti suunnitellut komponentit:
1. Erilliskuvia ottavat kamerat, joiden tallennusnopeus on
suurempi kuin 225000 kuvaa/s;2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 220
▼M3
2. Juovakamerat, joiden piirtonopeus on suurempi kuin
0,5 mm/s;
Huom: 6A203.a kohdassa näiden kameroiden komponent-
teihin sisältyvät niiden synkronointi-
elektroniikkayksiköt sekä turbiineista, peileistä ja
laakereista koostuvat roottorikokoonpanot.
b. Seuraavat elektroniset juova- ja erilliskuvakamerat, putket ja
laitteet:
1. Elektroniset juovakamerat, jotka kykenevät 50 ns:n tai
lyhyempään aikaresoluutioon;
2. Juovaputket 6A203.b.1 kohdassa määriteltyjä kameroita
varten;
3. Elektroniset (tai elektronisin sulkimin varustetut) erillisku-
vakamerat, joiden valotusaika kuvaa kohden on 50 ns tai
lyhyempi;
4. Seuraavat erilliskuvaputket tai solid-state-kuvauslaitteet,
joita käytetään 6A203.b.3 kohdassa määriteltyjen kamer-
oiden kanssa:
a. Lähitarkenteiset kuvantehostinputket, joissa valokatodi
on muodostettu läpinäkyvälle johtavalle pinnoitteelle
valokatodin pintavastuksen pienentämiseksi;
b. Piitehostinkohtiolevyllä (SIT = Silicon Intensifier
Target) varustetut hilakameraputket, joiden nopeatoi-
minen järjestelmä mahdollistaa valokatodilta tulevien
valosähköisten elektronien veräjöinnin ennen niiden
iskeytymistä SIT-levylle;
c. Kerr- tai Pockel-kennoon perustuva sähköoptinen suljin;
d. Muut erilliskuvaputket ja solid-state-kuvauslaitteet,
joiden pikakuvauksen veräjöintiaika on lyhyempi kuin
50 ns ja jotka on erityisesti suunniteltu 6A203.b.3
kohdassa määriteltyjä kameroita varten;
6A225 Nopeusinterferometrit yli 1 km/s nopeuksien mittaamiseksi
lyhyemmän kuin 10 mikrosekunnin aikajakson kuluessa
Huom: 6A225 kohtaan sisältyvät sellaiset nopeusinterferome-
trit kuten VISAR:it ja DLI:t
(dopplerlaserinterferometrit).
6A226 Seuraavat paineanturit:
a. Manganiini-anturit, joilla mitataan yli 10 GPa:n paineita;
b. Kvartsipaineanturit, joilla mitataan yli 10 GPa:n paineita.
6E201 "Teknologia" yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti
6A203.a, 6A203.b, 6A225 tai 6A226 kohdassa määriteltyjen
laitteiden "käyttöä" varten.2000R1334 — FI — 19.01.2002 — 003.001 — 221