Vastaavat järjestelmät, laitteet ja komponentit, sellaisina kuin ne on määritelty kaksikäyttötuotteiden vientiä, siirtoa, välitystä ja kauttakulkua koskevan yhteisön valvontajärjestelmän perustamisesta 5 päivänä toukokuuta 2009 annetussa neuvoston asetuksessa (EY) N:o 428/2009 Ydinalan viejämaiden ryhmän (NSG) valvontaluettelo sellaisena kuin se on asiakirjassa INFCIRC/254/Rev.9/Part 2

6A005 Seuraavat muut kuin 0B001.g.5 tai 0B001.h.6 kohdassa määritellyt ”laserit”, komponentit ja optiset laitteet: Huom. KATSO MYÖS 6A205 KOHTA. Huom. 1: Pulssi ”lasereihin” kuuluvat ne, jotka toimivat pulssitettuina jatkuva-aaltomoodissa (CW). Huom. 2: Eksimeeri-, puolijohde-, kemialliset, hiilimonoksidi-, hiilidioksidi- ja ’yksittäisiä pulsseja tuottavat’ neodymiumlasi ”laserit” määritellään ainoastaan 6A005.d kohdassa. Tekn. huom.: ’Yksittäisiä pulsseja tuottava’ viittaa ”laseriin”, joka tuottaa joko yhden yksittäisen ulostulopulssin tai jonka tuottamien pulssien aikaväli on yli minuutin. Huom. 3: 6A005 kohta sisältää kuitu ”laserit”. Huom. 4: ”Laserien”, jotka kykenevät taajuuden muuttamiseen (eli aallonpituuden muuttamiseen) muutoin kuin siten, että yksi ”laser” syöttää energiaa toiseen ”laseriin”, valvonnanalaisuus määräytyy sekä lähde”laserin” tuotoksen että taajuusmuunnetun optisen tuotoksen valvontaparametrien perusteella. Huom. 5: 6A005 kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi seuraavia ”lasereita”: a. Rubiini ”laserit”, joiden lähtöenergia on alle 20 J; b. Typpi ”laserit”; c. Krypton ”laserit”. Tekn. huom.: 6A005 kohdassa käsitteellä ’laserin hyötysuhde’ (wall-plug efficiency) tarkoitetaan ”laserin” lähtötehon (tai ”keskimääräisen lähtötehon”) suhdetta ”laserin” käyttämiseen tarvittavan sähköisen virtalähteen kokonaistehoon, mukaan lukien virtalähteen/virransäädön ja lämmönpoiston/lämmönvaihdon edellyttämä teho. a. Ei-viritettävät jatkuvaa valoa tuottavat (CW, continuous wave) ”laserit”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Lähtöaallonpituus on alle 150 nm ja lähtöteho yli 1 W; 2. Lähtöaallonpituus on vähintään 150 nm mutta enintään 510 nm, ja lähtöteho on yli 30 W; Huom.: 6A005.a.2 kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi argon ”lasereita”, joiden lähtöteho on enintään 50 W. 3. Lähtöaallonpituus on yli 510 nm mutta enintään 540 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. Yksitransversaalimuodon ulostulon lähtöteho on yli 50 W; tai b. Monitransversaalimuodon ulostulon lähtöteho on yli 150 W; 4. Lähtöaallonpituus on yli 540 nm mutta enintään 800 nm, ja lähtöteho on yli 30 W; 5. Lähtöaallonpituus on yli 800 nm mutta enintään 975 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. Yksitransversaalimuodon ulostulon lähtöteho on yli 50 W; tai b. Monitransversaalimuodon ulostulon lähtöteho on yli 80 W; 6. Lähtöaallonpituus on yli 975 nm mutta enintään 1 150 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. Yksitransversaalimuodon ulostulon lähtöteho on yli 200 W; tai b. Monitransversaalimuodon ulostulo, jolla on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. ’Laserin hyötysuhde’ on yli 18 prosenttia ja lähtöteho on yli 500 W; tai 2. Lähtöteho on yli 2 kW; Huom. 1: 6A005.a.6.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi monitransversaalimuodossa toimivia teollisuus ”lasereita”, joiden lähtöteho on yli 2 kW mutta enintään 6 kW ja joiden kokonaismassa on yli 1 200 kg. Tässä huomautuksessa kokonaismassalla tarkoitetaan kaikkia ”laserin” käyttämiseen tarvittavia komponentteja, mm. ”laser”, virtalähde, lämmönpoistaja, mutta siihen ei sisälly säteen kunnostukseen tai kuljetukseen tarvittava ulkoinen optiikka. Huom. 2: 6A005.a.6.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi monitransversaalimuodossa toimivia teollisuus ”lasereita”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. Lähtöteho on yli 500 W mutta enintään 1 kW, ja niillä on kaikki seuraavat ominaisuudet: 1. Sädeparametritulo (BPP) on yli 0,7 mm•mrad; ja 2. ’Luminanssi’ on enintään 1 024 W/(mm•mrad)2; b. Lähtöteho on yli 1 kW mutta enintään 1,6 kW, ja BPP on yli 1,25 mm•mrad; c. Lähtöteho on yli 1,6 kW mutta enintään 2,5 kW, ja BPP on yli 1,7 mm•mrad; d. Lähtöteho on yli 2,5 kW mutta enintään 3,3 kW, ja BPP on yli 2,5 mm•mrad; e. Lähtöteho on yli 3,3 kW mutta enintään 4 kW, ja BPP on yli 3,5 mm•mrad; f. Lähtöteho on yli 4 kW mutta enintään 5 kW, ja BPP on yli 5 mm•mrad; g. Lähtöteho on yli 5 kW mutta enintään 6 kW, ja BPP on yli 7,2 mm•mrad; h. Lähtöteho on yli 6 kW mutta enintään 8 kW, ja BPP on yli 12 mm•mrad; tai i. Lähtöteho on yli 8 kW mutta enintään 10 kW, ja BPP on yli 24 mm•mrad. Tekn. huom.: 6A005.a.6.b kohdan huomautuksessa 2.a ’luminanssi’ määritellään seuraavasti: ”laserin” lähtöteho jaettuna toiseen potenssiin korotetulla sädeparametritulolla (BPP) eli lähtöteho/BPP2. 7. Lähtöaallonpituus on yli 1 150 nm mutta enintään 1 555 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. Yksitransversaalimuodon ulostulon lähtöteho on yli 50 W; tai b. Monitransversaalimuodon ulostulon lähtöteho on yli 80 W; tai 8. Lähtöaallonpituus on yli 1 555 nm ja lähtöteho on yli 1 W; 3.A.2 Huom. Ks. myös 6A205 kohta.

b. Ei-viritettävät pulssitoimiset ”laserit”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Lähtöaallonpituus on alle 150 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. Lähtöenergia on yli 50 mJ pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 1 W; tai b. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 1 W; 2. Lähtöaallonpituus on vähintään 150 nm mutta enintään 510 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. Lähtöenergia on yli 1,5 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 30 W; tai b. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 30 W; Huom.: 6A005.b.2.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi argon ”lasereita”, joiden keskimääräinen lähtöteho on enintään 50 W. 3. Lähtöaallonpituus on yli 510 nm mutta enintään 540 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. Yksitransversaalimuodon ulostulo, jolla on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Lähtöenergia on yli 1,5 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 50 W; tai 2. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 50 W; tai b. Monitransversaalimuodon ulostulo, jolla on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Lähtöenergia on yli 1,5 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 150 W; tai 2. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 150 W; 4. Lähtöaallonpituus on yli 540 nm mutta enintään 800 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. ”Pulssin kesto” on alle 1 ps, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Lähtöenergia on yli 0,005 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 5 GW; tai 2. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 20 W; tai b. ”Pulssin kesto” on vähintään 1 ps, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Lähtöenergia on yli 1,5 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 30 W; tai 2. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 30 W; 5. Lähtöaallonpituus on yli 800 nm mutta enintään 975 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. ”Pulssin kesto” on alle 1 ps, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Lähtöenergia on yli 0,005 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 5 GW; tai 2. Yksitransversaalimuodon ulostulo ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 20 W; b. ”Pulssin kesto” on vähintään 1 ps mutta enintään 1 μs, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Lähtöenergia on yli 0,5 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 50 W; 2. Yksitransversaalimuodon ulostulo ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 20 W; tai 3. Monitransversaalimuodon ulostulo ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 50 W; tai c. ”Pulssin kesto” on yli 1 μs, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Lähtöenergia on yli 2 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 50 W; 2. Yksitransversaalimuodon ulostulo ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 50 W; tai 3. Monitransversaalimuodon ulostulo ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 80 W; 6. Lähtöaallonpituus on yli 975 nm mutta enintään 1 150 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. ”Pulssin kesto” on alle 1 ps, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Ulostulon ”huipputeho” on yli 2 GW pulssia kohti; 2. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 10 W; tai 3. Lähtöenergia on yli 0,002 J pulssia kohti; b. ”Pulssin kesto” on vähintään 1 ps mutta alle 1 ns, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Ulostulon ”huipputeho” on yli 5 GW pulssia kohti; 2. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 10 W; tai 3. Lähtöenergia on yli 0,1 J pulssia kohti; c. ”Pulssin kesto” on vähintään 1 ns mutta enintään 1 μs, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Yksitransversaalimuodon ulostulo, jolla on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. ”Huipputeho” on yli 100 MW; b. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 20 W, ja ne on suunniteltu niin, että suurin mahdollinen pulssintoistotaajuus on enintään 1 kHz; c. ’Laserin hyötysuhde’ on yli 12 prosenttia ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 100 W, ja ne kykenevät toimimaan yli 1 kHz:n pulssintoistotaajuudella; d. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 150 W, ja ne kykenevät toimimaan yli 1 kHz:n pulssintoistotaajuudella; tai e. Lähtöenergia on yli 2 J pulssia kohti; tai 2. Monitransversaalimuodon ulostulo, jolla on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. ”Huipputeho” on yli 400 MW; b. ’Laserin hyötysuhde’ on yli 18 % ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 500 W; c. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 2 kW; tai d. Lähtöenergia on yli 4 J pulssia kohti; tai d. ”Pulssin kesto” on yli 1 μs, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Yksitransversaalimuodon ulostulo, jolla on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. ”Huipputeho” on yli 500 kW; b. ’Laserin hyötysuhde’ on yli 12 % ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 100 W; tai c. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 150 W; tai 2. Monitransversaalimuodon ulostulo, jolla on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. ”Huipputeho” on yli 1 MW; b. ’Laserin hyötysuhde’ on yli 18 % ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 500 W; tai c. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 2 kW; 7. Lähtöaallonpituus on yli 1 150 nm mutta enintään 1 555 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. ”Pulssin kesto” on enintään 1 μs, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Lähtöenergia on yli 0,5 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 50 W; 2. Yksitransversaalimuodon ulostulo ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 20 W; tai 3. Monitransversaalimuodon ulostulo ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 50 W; tai b. ”Pulssin kesto” on yli 1 μs, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Lähtöenergia on yli 2 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 50 W; 2. Yksitransversaalimuodon ulostulo ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 50 W; tai 3. Monitransversaalimuodon ulostulo ja ”keskimääräinen lähtöteho” on yli 80 W; tai 8. Lähtöaallonpituus on yli 1 555 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. Lähtöenergia on yli 100 mJ pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 1 W; tai b. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 1 W; c. ”Viritettävät””laserit”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Lähtöaallonpituus on alle 600 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. Lähtöenergia on yli 50 mJ pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 1 W; tai b. Keskimääräinen tai CW-lähtöteho on yli 1 W; Huom.: 6A005.c.1 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi väriainelasereita tai muita nestelasereita, joilla on monimuotolähtö ja joiden aallonpituus on vähintään 150 nm mutta enintään 600 nm ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 1. Lähtöenergia on vähemmän kuin 1,5 J pulssia kohti tai ”huipputeho” on vähemmän kuin 20 W; ja 2. Keskimääräinen tai CW-lähtöteho on vähemmän kuin 20 W. 2. Lähtöaallonpituus on vähintään 600 nm mutta enintään 1 400 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. Lähtöenergia on yli 1 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 20 W; tai b. Keskimääräinen tai CW-lähtöteho on yli 20 W; tai 3. Lähtöaallonpituus on yli 1 400 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. Lähtöenergia on yli 50 mJ pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 1 W; tai b. Keskimääräinen tai CW-lähtöteho on yli 1 W; d. Muut ”laserit”, joita ei ole määritelty 6A005.a, 6A005.b tai 6A005.c kohdassa, seuraavasti: 1. Seuraavat puolijohde ”laserit”: Huom. 1: 6A005.d.1 kohta sisältää puolijohde ”laserit”, joilla on optinen ulostulo (esim. kuituoptiset häntäkaapelit). Huom. 2: Erityisesti muita laitteita varten suunniteltujen puolijohdelaserien valvonnanalaisuus määräytyy näiden muiden laitteiden mukaan. a. Erilliset yksitransversaalimoodissa toimivat puolijohde ”laserit”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Aallonpituus on enintään 1 510 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho on suurempi kuin 1,5 W; tai 2. Aallonpituus on suurempi kuin 1 510 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho on yli 500 mW; b. Erilliset monitransversaalimoodissa toimivat puolijohde ”laserit”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Aallonpituus on pienempi kuin 1 400 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 15 W; 2. Aallonpituus vähintään 1 400 nm mutta pienempi kuin 1 900 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 2,5 W; tai 3. Aallonpituus vähintään 1 900 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 1 W; c. Erilliset puolijohde ”laser”’liuskat’, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Aallonpituus on pienempi kuin 1 400 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 100 W; 2. Aallonpituus vähintään 1 400 nm mutta pienempi kuin 1 900 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 25 W; tai 3. Aallonpituus vähintään 1 900 nm ja keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 10 W; d. Puolijohde ”laser”’pinot’ (kaksiulotteiset rakenteet), joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Aallonpituus pienempi kuin 1 400 nm ja jokin seuraavista ominaisuuksista: a. Keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho pienempi kuin 3 kW ja keskimääräinen tai CW-lähtö’tehotiheys’ suurempi kuin 500 W/cm2; b. Keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho vähintään 3 kW mutta enintään 5 kW, ja keskimääräinen tai CW-lähtö’tehotiheys’ suurempi kuin 350 W/cm2; c. Keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho suurempi kuin 5 kW; d. Pulssin huippu’tehotiheys’ suurempi kuin 2 500 W/cm2; tai e. Avaruudellisesti koherentti keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho suurempi kuin 150 W; 2. Aallonpituus vähintään 1 400 nm mutta pienempi kuin 1 900 nm, ja jokin seuraavista ominaisuuksista: a. Keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho pienempi kuin 250 W ja keskimääräinen tai CW-lähtö’tehotiheys’ suurempi kuin 150 W/cm2; b. Keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho vähintään 250 W mutta enintään 500 W, ja keskimääräinen tai CW-lähtö’tehotiheys’ suurempi kuin 50 W/cm2; c. Keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho suurempi kuin 500 W; d. Pulssin huippu’tehotiheys’ suurempi kuin 500 W/cm2; tai e. Avaruudellisesti koherentti keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho suurempi kuin 15 W; 3. Aallonpituus vähintään 1 900 nm ja jokin seuraavista ominaisuuksista: a. Keskimääräinen tai CW-lähtö’tehotiheys’ suurempi kuin 50 W/cm2; b. Keskimääräinen tai CW-lähtöteho suurempi kuin 10 W; tai c. Avaruudellisesti koherentti keskimääräinen tai CW-kokonaislähtöteho suurempi kuin 1,5 W; tai 4. Vähintään yksi 6A005.d.1.c kohdassa määritelty ”laser”’liuska’; Tekn. huom.: Sovellettaessa 6A005.d.1.d kohtaa ’tehotiheydellä’ tarkoitetaan kokonais ”laser”lähtötehoa jaettuna ’pinon’ emitteripinta-alalla. e. Muut kuin 6A005.d.1.d kohdassa määritellyt puolijohde ”laser”’pinot’, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 1. Erityisesti suunnitellut tai muunnetut yhdistettäväksi muihin ’pinoihin’, jotta voidaan muodostaa suurempi ’pino’; ja 2. Integroidut liitännät, jotka ovat yhteisiä sekä elektroniikalle että jäähdytykselle; Huom. 1: 6A005.d.1.e kohdassa määriteltyjä puolijohde ”laser”’pinoja’ yhdistämällä muodostetut ’pinot’, joita ei ole suunniteltu edelleen yhdistettäväksi tai muunnettavaksi, on määritelty 6A005.d.1.d kohdassa. Huom. 2: 6A005.d.1.e kohdassa määriteltyjä puolijohde ”laser”’pinoja’ yhdistämällä muodostetut ’pinot’, jotka on suunniteltu edelleen yhdistettäväksi tai muunnettavaksi, on määritelty 6A005.d.1.e kohdassa. Huom. 3: 6A005.d.1.e kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi yksittäisten ’liuskojen’ modulaarisia kokoonpanoja, jotka on suunniteltu valmistettavaksi päästä päähän lineaarisiksi rakenteiksi. Tekn. huom.: 1. Puolijohde ”lasereita” kutsutaan tavallisesti ”laser”diodeiksi. 2. ’Liuska’ (myös nimellä puolijohde ”laser”’liuska’, ”laser” diodi ’liuska’ tai diodi’liuska’) muodostuu useista puolijohde”lasereista” yksiulotteisessa rakenteessa. 3. ’Pino’ muodostuu useista ’liuskoista’, jotka muodostavat puolijohde ”laserien” kaksiulotteisen rakenteen. 2. Hiilimonoksidi(CO) ”laserit”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. Lähtöenergia on yli 2 J pulssia kohti ja ”huipputeho” on yli 5 kW; tai b. Keskimääräinen tai CW-lähtöteho on yli 5 kW; 3. Hiilidionoksidi(CO2) ”laserit”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. CW-lähtöteho on yli 15 kW; b. Pulssiulostulon ”pulssin kesto” on yli 10 μs, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 10 kW; tai 2. ”Huipputeho” on yli 100 kW; tai c. Pulssiulostulon ”pulssin kesto” on enintään 10 μs, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Pulssin energia on yli 5 J pulssia kohti; tai 2. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 2,5 kW; 3.A.2 a. Kupari (Cu)-höyrylaserit, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista: 1. Ne toimivat 500 nm:n ja 600 nm:n välillä olevilla aallonpituuksilla; ja 2. Niiden keskimääräinen lähtöteho on vähintään 30 W;

4. Eksimeeri ”laserit”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. Lähtöaallonpituus on enintään 150 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Lähtöenergia on yli 50 mJ pulssia kohti; tai 2. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 1 W; b. Lähtöaallonpituus on yli 150 nm mutta enintään 190 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Lähtöenergia on yli 1,5 J pulssia kohti; tai 2. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 120 W; c. Lähtöaallonpituus on yli 190 nm mutta enintään 360 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Lähtöenergia on yli 10 J pulssia kohti; tai 2. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 500 W; tai d. Lähtöaallonpituus on yli 360 nm, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1. Lähtöenergia on yli 1,5 J pulssia kohti; tai 2. ”Keskimääräinen lähtöteho” on yli 30 W; Huom. Erityisesti litografialaitteita varten suunniteltujen eksimeeri ”lasereiden’ osalta katso 3B001 kohta. 5. Seuraavat ”kemialliset laserit”: a. Vetyfluoridi(HF) ”laserit”; b. Deuteriumfluoridi(DF) ”laserit”; c. Seuraavat ”siirtolaserit”: 1. Happijodi(O2-I) ”laserit”; 2. Deuteriumfluoridihiilidioksidi(DF-CO2) ”laserit”; 6. ’Yksittäisiä pulsseja tuottavat’ neodyymilasi ”laserit”, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. ”Pulssin kesto” on enintään 1 μs ja lähtöenergia on yli 50 J pulssia kohti; tai b. ”Pulssin kesto” on yli 1 μs ja lähtöenergia on yli 100 J pulssia kohti; Huom.: ’Yksittäisiä pulsseja tuottava’ viittaa ”laseriin”, joka tuottaa joko yhden yksittäisen ulostulopulssin tai jonka tuottamien pulssien aikaväli on yli minuutin. e. Seuraavat komponentit: 1. ’Aktiivisella jäähdytyksellä’ tai lämpöputkijäähdytyksellä jäähdytetyt peilit; Tekn. huom.: ’Aktiivinen jäähdytys’ on optisten osien jäähdytystekniikka, jossa käytetään välittömästi optisen komponentin pinnan alla virtaavia nesteitä (nimellisetäisyys optisesta pinnasta vähemmän kuin 1 mm) siirtämään lämpöä optiikasta. 2. Optiset peilit tai läpäisevät tai osittain läpäisevät optiset tai sähköoptiset komponentit, muut kuin sulatetut suippenevat kuituliittimet ja monikerroksiset dielektriset hilat (MLD), jotka on erityisesti suunniteltu käytettäväksi määriteltyjen ”lasereiden” kanssa; Huom.: Kuituliittimet ja MLD:t määritellään 6A005.e.3 kohdassa. 3. Seuraavat kuitu ”laser” komponentit: a. Sulatetut suippenevat kuituliittimet (monimuoto/monimuoto), joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 1. Väliinkytkemisvaimennus on 0,3 dB tai vähemmän (parempi) pidettynä nimellisellä keskimääräisellä tai CW-lähtöteholla (pois luettuna mahdollisen yksimuotoytimen kautta siirretty lähtöteho), joka on yli 1 000 W; ja 2. Syöttökuitujen lukumäärä on vähintään 3; b. Sulatetut suippenevat kuituliittimet (yksimuoto/monimuoto), joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 1. Väliinkytkemisvaimennus on vähemmän (parempi) kuin 0,5 dB pidettynä nimellisellä keskimääräisellä tai CW-lähtöteholla, joka on yli 4 600 W; 2. Syöttökuitujen lukumäärä on vähintään 3; ja 3. Jokin seuraavista: a. Sädeparametritulo (BPP) lähtötehosta mitattuna on enintään 1,5 mm mrad, kun syöttökuituja on enintään 5; tai b. Sädeparametritulo (BPP) lähtötehosta mitattuna on enintään 2,5 mm mrad, kun syöttökuituja on enemmän kuin 5; c. Monikerroksiset dielektriset hilat (MLD), joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 1. Suunniteltu vähintään 5 kuitu ”laserin” spektri- tai koherentin säteen yhdistelmää varten; ja 2. CW LIDT (Laser Induced Damage Threshold) on vähintään 10 kW/cm2. f. Seuraavat optiset laitteet: Huom. ”SHPL”-sovelluksissa toimimaan kykenevät yhteisen aukon optiset elementit: katso asetarvikeluettelo. 1. Dynaamiset aaltorintaman (vaiheen) mittauslaitteet, jotka kykenevät rekisteröimään ainakin 50 positiota säteen aaltorintamasta ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: a. Kuvanopeus on vähintään 100 Hz ja vaiheen erottelukyky vähintään 5 % säteen aallonpituudesta; tai b. Kuvanopeus on vähintään 1 000 Hz ja vaiheen erottelukyky vähintään 20 % säteen aallonpituudesta; 2. ”Laserien” diagnostiikkalaitteet, jotka kykenevät mittaamaan ”SHPL”-järjestelmän säteen ohjauksen kulmavirheitä, jotka ovat enintään 10 μrad; 3. Optiset laitteet tai komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu vaiheistettujen ryhmien koherenttia sädettä kombinoivaa ”SHPL”-järjestelmää varten tarkkuudella, joka on seuraavista pienempi: λ/10 suunnitellulla aallonpituudella tai 0,1 μm; 4. Erityisesti ”SHPL”-järjestelmissä käytettäväksi tarkoitetut projektioteleskoopit. g. ’Laserakustiset havainnointilaitteet’, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 1. Jatkuvatoimisen (CW-) laserin lähtöteho on vähintään 20 mW; 2. Laserin taajuusvakavuus 10 MHz tai parempi (vähemmän); 3. Laserin aallonpituudet vähintään 1 000 nm mutta enintään 2 000 nm; 4. Optisen järjestelmän resoluutio parempi (vähemmän) kuin 1 nm; ja 5. Optinen signaali-kohinasuhde vähintään 103. Tekn. huom.: ’Laserakustista havainnointilaitetta’ kutsutaan toisinaan lasermikrofoniksi tai hiukkasvirtahavainnointimikrofoniksi. 3.A.2. h. Pulssitoimiset eksimeerlaserit (XeF, XeCl, KrF), joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 1. Ne toimivat 240 nm:n ja 360 nm:n välillä olevilla aallonpituuksilla; 2. Toistotaajuus on suurempi kuin 250 Hz; ja 3. Keskimääräinen lähtöteho on suurempi kuin 500 W;

6A202 Valomonistinputket, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista: a. Valokatodipinta on suurempi kuin 20 cm2; ja b. Anodipulssin nousuaika on lyhyempi kuin 1 ns. 5.A.1. Valomonistinputket, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista: a. Valokatodipinta on suurempi kuin 20 cm2; ja b. Anodipulssin nousuaika on lyhyempi kuin 1 ns.

6A203 Seuraavat muut kuin 6A003 kohdassa määritellyt kamerat ja komponentit: Huom. 1: ”Ohjelmistot”, jotka on erityisesti suunniteltu vahvistamaan tai heikentämään kameran tai kuvauslaitteen suorituskykyä, jotta 6A203.a, 6A203.b tai 6A203.c kohdan ominaisuudet täyttyvät, määritellään 6D203 kohdassa. Huom. 2: ”Teknologia” koodien tai avainten muodossa vahvistamaan tai heikentämään kameran tai kuvauslaitteen suorituskykyä, jotta 6A203.a, 6A203.b tai 6A203.c kohdan ominaisuudet täyttyvät, määritellään 6E203 kohdassa. Huom.: 6A203.a–6A203.c kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi kameroita tai kuvauslaitteita, jos niissä on laitteistoa, ”ohjelmistoa” tai ”teknologiaa” koskevia rajoitteita, jotka rajaavat suorituskyvyn alemmaksi kuin edellä määritelty, edellyttäen että ne täyttävät jonkin seuraavista vaatimuksista: 1. Ne on palautettava alkuperäiselle valmistajalle, jotta niiden suorituskykyä voidaan vahvistaa tai rajoitteita vapauttaa; 2. Ne vaativat 6D203 kohdassa määriteltyjä ”ohjelmistoja” suorituskyvyn vahvistamiseksi tai heikentämiseksi, jotta ne täyttäisivät 6A203 kohdan ominaisuuksia koskevat vaatimukset; tai 3. Ne vaativat 6E203 kohdassa määriteltyä ”teknologiaa” suorituskyvyn vahvistamiseksi tai heikentämiseksi, jotta ne täyttäisivät 6A203 kohdan ominaisuuksia koskevat vaatimukset. 5.B.3. Suurnopeuksiset kamerat ja kuvauslaitteet ja niiden komponentit seuraavasti: Huom. ”Ohjelmistot”, jotka on erityisesti suunniteltu vahvistamaan tai heikentämään kameroiden tai kuvauslaitteiden suorituskykyä, jotta jäljempänä määritellyt ominaisuuden täyttyvät; ks. valvonnan osalta 5.D.1 ja 5.D.2 kohta.

6A203 a. Seuraavat juovakamerat ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit: 1. Juovakamerat, joiden piirtonopeus on suurempi kuin 0,5 mm/μs; 2. Elektroniset juovakamerat, jotka kykenevät enintään 50 ns:n aikaresoluutioon; 3. Juovaputket 6A203.a.2 kohdassa määriteltyjä kameroita varten; 4. Ohjelmalisäkkeet, jotka on erityisesti suunniteltu käytettäväksi moduulirakenteisten juovakameroiden kanssa ja jotka mahdollistavat 6A203.a.1 tai 6A203.a.2 kohdan suorituskykyeritelmät; 5. Synkronointi-elektroniikkayksiköt sekä turbiineista, peileistä ja laakereista koostuvat roottorikokoonpanot, jotka on erityisesti suunniteltu 6A203.a.1 kohdassa määriteltyjä kameroita varten; 5.B.3.a a. Seuraavat juovakamerat ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit: 1. Juovakamerat, joiden piirtonopeus on suurempi kuin 0,5 mm/μs; 2. Elektroniset juovakamerat, jotka kykenevät 50 ns:n tai lyhyempään aikaresoluutioon; 3. Juovaputket 5.B.3.a.2 kohdassa määriteltyjä kameroita varten; 4. Ohjelmalisäkkeet, jotka on erityisesti suunniteltu käytettäväksi moduulirakenteisten juovakameroiden kanssa ja jotka mahdollistavat 5.B.3.a.1 tai 5.B.3.a.2 kohdan suorituskykyeritelmät; 5. Synkronointi-elektroniikkayksiköt sekä turbiineista, peileistä ja laakereista koostuvat roottorikokoonpanot, jotka on erityisesti suunniteltu 5.B.3.a.1 kohdassa määriteltyjä kameroita varten;

6A203 b. Seuraavat erilliskuvia ottavat kamerat ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit: 1. Erilliskuvia ottavat kamerat, joiden tallennusnopeus on yli 225 000 kuvaa/s; 2. Erilliskuvia ottavat kamerat, joiden valotusaika kuvaa kohden on enintään 50 ns; 3. Erilliskuvaputket ja solid-state-kuvauslaitteet, joiden pikakuvauksen veräjöintiaika on enintään 50 ns ja jotka on erityisesti suunniteltu 6A203.b.1 tai 6A203.b.2 kohdassa määriteltyjä kameroita varten; 4. Ohjelmalisäkkeet, jotka on erityisesti suunniteltu käytettäväksi moduulirakenteisten erilliskuvia ottavien kameroiden kanssa ja jotka mahdollistavat 6A203.b.1 tai 6A203.b.2 kohdan suorituskykyeritelmät; 5. Synkronointi-elektroniikkayksiköt sekä turbiineista, peileistä ja laakereista koostuvat roottorikokoonpanot, jotka on erityisesti suunniteltu 6A203.b.1 tai 6A203.b.2 kohdassa määriteltyjä kameroita varten; Tekn. huom.: 6A203.b kohdassa tarkoitettuja erilliskuvia ottavia suurinopeuksisia kameroita voidaan käyttää yksin tuottamaan yksittäinen kuva dynaamisesta tapahtumasta tai useita tällaisia kameroita voidaan yhdistää sekvenssikuvausjärjestelmään tuottamaan useita kuvia tapahtumasta. 5.B.3.b b. Seuraavat erilliskuvia ottavat kamerat ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit: 1. Erilliskuvia ottavat kamerat, joiden tallennusnopeus on suurempi kuin 225 000 kuvaa/s; 2. Erilliskuvia ottavat kamerat, joiden valotusaika kuvaa kohden on 50 ns tai lyhyempi; 3. Erilliskuvaputket ja solid-state-kuvauslaitteet, joiden pikakuvauksen veräjöintiaika on enintään 50 ns ja jotka on erityisesti suunniteltu 5.B.3.b.1 tai 5.B.3.b.2 kohdassa määriteltyjä kameroita varten; 4. Ohjelmalisäkkeet, jotka on erityisesti suunniteltu käytettäväksi moduulirakenteisten juovakameroiden kanssa ja jotka mahdollistavat 5.B.3.b.1 tai 5.B.3.b.2 kohdan suorituskykyeritelmät; 5. Synkronointi-elektroniikkayksiköt sekä turbiineista, peileistä ja laakereista koostuvat roottorikokoonpanot, jotka on erityisesti suunniteltu 5.B.3.b.1 tai 5.B.3.b.2 kohdassa määriteltyjä kameroita varten;

6A203 c. Seuraavat solid-state- tai elektroniputkikamerat ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit: 1. Solid-state- tai elektroniputkikamerat, joiden pikakuvauksen veräjöintiaika on enintään 50 ns; 2. Solid-state-kuvauslaitteet ja kuvanvahvistinputket, joiden pikakuvauksen veräjöintiaika on enintään 50 ns ja jotka on erityisesti suunniteltu 6A203.c.1 kohdassa määriteltyjä kameroita varten; 3. Sähköoptiset suljinlaitteet (Kerr- tai Pockels-kennot), joiden pikakuvauksen veräjöintiaika on enintään 50 ns; 4. Ohjelmalisäkkeet, jotka on erityisesti suunniteltu käytettäväksi moduulirakenteisten kameroiden kanssa ja jotka mahdollistavat 6A203.c.1 kohdan suorituskykyeritelmät. 5.B.3.c c. Seuraavat solid-state- tai elektroniputkikamerat ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit: 1. Solid-state- tai elektroniputkikamerat, joiden pikakuvauksen veräjöintiaika on enintään 50 ns; 2. Solid-state-kuvauslaitteet ja kuvanvahvistinputket, joiden pikakuvauksen veräjöintiaika on enintään 50 ns ja jotka on erityisesti suunniteltu 5.B.3.c.1 kohdassa määriteltyjä kameroita varten; 3. Sähköoptiset suljinlaitteet (Kerr- tai Pockels-kennot), joiden pikakuvauksen veräjöintiaika on enintään 50 ns; 4. Ohjelmalisäkkeet, jotka on erityisesti suunniteltu käytettäväksi moduulirakenteisten kameroiden kanssa ja jotka mahdollistavat 5.B.3.c.1 kohdan suorituskykyeritelmät. Tekn. huom. Erilliskuvia ottavia suurinopeuksisia kameroita voidaan käyttää yksin tuottamaan yksittäinen kuva dynaamisesta tapahtumasta tai useita tällaisia kameroita voidaan yhdistää sekvenssikuvausjärjestelmään tuottamaan useita kuvia tapahtumasta.

6A203 d. Säteilyä kestävät TV-kamerat tai niissä käytetyt linssit, jotka on erityisesti suunniteltu tai mitoitettu kestämään yli 50 × 103 Gy:n (pii) (5 × 106 radin (pii)) säteilyn kokonaisannosta toiminnallisuuden siitä kärsimättä. Tekn. huom.: Termillä Gy (pii) tarkoitetaan jouleina kilogrammaa kohti ilmaistua energiaa, jonka suojaamaton piinäyte imee itseensä altistuessaan ionisoivalle säteilylle. 1.A.2. Säteilyä kestävät TV-kamerat tai niissä käytetyt linssit, jotka on erityisesti suunniteltu tai mitoitettu yli 5 × 104 Gy:n (Pii) säteilyn kokonaisannosta toiminnallisuuden siitä kärsimättä. Tekninen huomautus: Termillä Gy (pii) tarkoitetaan jouleina kilogrammaa kohti ilmaistua energiaa, jonka suojaamaton piinäyte imee itseensä altistuessaan ionisoivalle säteilylle.

6A205 Seuraavat, muut kuin 0B001.g.5, 0B001.h.6 tai 6A005 kohdassa määritellyt ”laserit”, ”laser” vahvistimet ja oskillaattorit: seuraavasti: Huom. Kuparihöyrylaserit, katso 6A005.b kohta. 3.A.2. Seuraavat laserit, laservahvistimet ja oskillaattorit: Huom. Ks. myös 6A005 kohta.

6A205 a. Argonioni ”laserit”, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista: 1. Ne toimivat 400–515 nm:n aallonpituuksilla; ja 2. Keskimääräinen lähtöteho on suurempi kuin 40 W; 3.A.2.b Argonionilaserit, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista: 1. Ne toimivat aallonpituuksilla 400–515 nm; ja 2. Keskimääräinen lähtöteho on suurempi kuin 40 W;

6A205 b. Viritettävät pulssitoimiset yksimuoto-väriaine ”laser”-oskillaattorit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 1. Ne toimivat 300–800 nm:n aallonpituuksilla; 2. Keskimääräinen lähtöteho on suurempi kuin 1 W; 3. Toistotaajuus on suurempi kuin 1 kHz; ja 4. Pulssin leveys on alle 100 ns; 3.A.2.d Viritettävät pulssitoimiset yksimuoto-väriainelaseroskillaattorit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 1. Ne toimivat 300 nm:n ja 800 nm:n välillä olevilla aallonpituuksilla; 2. Keskimääräinen lähtöteho on suurempi kuin 1 W; 3. Niiden toistotaajuus on suurempi kuin 1 kHz; ja 4. Pulssin leveys on alle 100 ns;

6A205 c. Viritettävät pulssitoimiset väriaine ”laser” vahvistimet ja oskillaattorit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 1. Ne toimivat 300–800 nm:n aallonpituuksilla; 2. Keskimääräinen lähtöteho on suurempi kuin 30 W; 3. Toistotaajuus on suurempi kuin 1 kHz; ja 4. Pulssin leveys on alle 100 ns; Huom.: 6A205.c kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi yksimuoto-oskillaattoreita. 3.A.2.e Viritettävät pulssitoimiset väriainelaservahvistimet ja -oskillaattorit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 1. Ne toimivat 300 nm:n ja 800 nm:n välillä olevilla aallonpituuksilla; 2. Keskimääräinen lähtöteho on suurempi kuin 30 W; 3. Niiden toistotaajuus on suurempi kuin 1 kHz; ja 4. Pulssin leveys on alle 100 ns; Huom. 3.A.2.e kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi yksimuoto-oskillaattoreita.

6A205 d. Pulssitoimiset hiilidioksidi ”laserit”, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 1. Ne toimivat 9 000 –11 000 nm:n aallonpituuksilla; 2. Toistotaajuus on suurempi kuin 250 Hz; 3. Keskimääräinen lähtöteho on suurempi kuin 500 W; ja 4. Pulssin leveys alle 200 ns; 3.A.2.g Pulssitoimiset hiilidioksidilaserit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 1. Ne toimivat 9 000 nm:n ja 11 000 nm:n välillä olevilla aallonpituuksilla; 2. Niiden toistotaajuus on suurempi kuin 250 Hz; 3. Keskimääräinen lähtöteho on suurempi kuin 500 W; ja 4. Pulssin leveys alle 200 ns; Huom. 3.A.2.g kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi teollisia hiilidioksidilasereita, joiden teho on suurempi (tyypillisesti 1–5 kW) ja joita käytetään esimerkiksi leikkaamisessa ja hitsauksessa. Nämä laserit ovat jatkuvatoimisia lasereita tai pulssilasereita, joiden pulssin leveys on yli 200 ns.

6A205 e. Paravetykäyttöiset Raman-muuntimet, jotka on suunniteltu toimimaan 16 μm:n lähtöaaltopituudella ja joiden toistotaajuus on suurempi kuin 250 Hz; 3.A.2.i. Paravetykäyttöiset Raman-muuntimet, jotka on suunniteltu toimimaan 16 mm:n lähtöaaltopituudella ja joiden toistotaajuus on suurempi kuin 250 Hz;

6A205 f. Neodyymiseostetut ”lasereidenaserit” (muut kuin lasi-), joiden lähtöaallonpituus on 1 000 –1 100 nm ja joilla on jompikumpi seuraavista ominaisuuksista: 1. Pulssiviritettävät ”Q-kytkin-laserit”, joiden pulssinkesto on vähintään 1 ns ja joilla on jompikumpi seuraavista ominaisuuksista; a. Yksitransversaalimuodon ulostulo, jonka keskimääräinen lähtöteho on yli 40 W; tai b. Monitransversaalimuodon ulostulo, jonka keskimääräinen lähtöteho on yli 50 W; tai 2. Mukana on taajuuden kahdentaminen, jolloin lähtöaallonpituus on 500–550 nm ja keskimääräinen lähtöteho yli 40 W; 3.A.2.c. Neodyymiseostetut laserit (muut kuin lasi-), joiden lähtöaallonpituus on 1 000 –1 100 nm ja joilla on jompikumpi seuraavista ominaisuuksista: 1. Pulssiviritettävät ja Q-kytkin-laserit, joiden pulssinkesto on vähintään 1 ns ja joilla on jompikumpi seuraavista ominaisuuksista: a. Yksitransversaalimuodon ulostulo, jonka keskimääräinen lähtöteho on yli 40 W; tai b. Monitransversaalimuodon ulostulo, jonka keskimääräinen lähtöteho on yli 50 W; tai 2. Mukana on taajuuden kahdentaminen, jolloin lähtöaallonpituus on 500–550 nm ja keskimääräinen lähtöteho yli 40 W;

6A205 g. Muut kuin 6A005.d.2 kohdassa määritellyt pulssitoimiset hiilimonoksidi ”laserit”, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 1. Ne toimivat 5 000 –6 000 nm:n aallonpituuksilla; 2. Toistotaajuus on suurempi kuin 250 Hz; 3. Keskimääräinen lähtöteho on suurempi kuin 200 W; ja 4. Pulssin leveys on alle 200 ns. 3.A.2.j Pulssitoimiset hiilimonoksidilaserit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 1. Ne toimivat 5 000 nm:n ja 6 000 nm:n välillä olevilla aallonpituuksilla; 2. Niiden toistotaajuus on suurempi kuin 250 Hz; 3. Keskimääräinen lähtöteho on suurempi kuin 200 W; ja 4. Pulssin leveys alle 200 ns; Huom. 3.A.2.j kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi teollisia hiilimonoksidilasereita, joiden teho on suurempi (tyypillisesti 1–5 kW) ja joita käytetään esimerkiksi leikkaamisessa ja hitsauksessa. Nämä laserit ovat jatkuvatoimisia lasereita tai pulssilasereita, joiden pulssin leveys on yli 200 ns.

6A225 Nopeusinterferometrit yli 1 km/s nopeuksien mittaamiseksi lyhyemmän kuin 10 mikrosekunnin aikajakson kuluessa. Huom.: 6A225 kohtaan sisältyvät sellaiset nopeusinterferometrit kuten VISARit, DLI:t (doppler ”laser” interferometrit) ja PVD:t (optiset dopplernopeusmittarit), joista käytetään myös nimitystä Het-V (heterodyne-nopeusmittarit). 5.B.5.a Hydrodynaamisissa kokeissa käytettävät erityisinstrumentit seuraavasti: a. Nopeusinterferometrit yli 1 km/s nopeuksien mittaamiseksi lyhyemmän kuin 10 mikrosekunnin aikajakson kuluessa.

6A226 Seuraavat paineanturit: a. Iskupaineanturit, jotka kykenevät mittaamaan yli 10 GPa:n paineita, mukaan luettuna manganiinista, ytterbiumista ja polyvinyylideenifluoridista (PVBF, PVF2) valmistetut anturit; b. Kvartsipaineanturit, joilla mitataan yli 10 GPa:n paineita. 5.B.5.b. b. Iskupaineanturit, joilla pystytään mittaamaan yli 10 GPa:n paineita, mukaan luettuna manganiinista, ytterbiumista ja polyvinyylideenifluoridista (PVBF, PVF2) valmistetut anturit;