3A001

Ηλεκτρονικά στοιχεία ως εξής: α. Ολοκληρωμένα κυκλώματα για γενικούς σκοπούς, ως εξής: Σημείωση: Τα ολοκληρωμένα κυκλώματα περιλαμβάνουν τους ακόλουθους τύπους: — «Μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα», — «Υβριδικά ολοκληρωμένα κυκλώματα», — «Ολοκληρωμένα κυκλώματα πολλαπλών μικροπλακετών», — «Ολοκληρωμένα κυκλώματα τύπου φιλμ», που περιλαμβάνουν ολοκληρωμένα κυκλώματα με πυρίτιο πάνω σε σάπφειρο, — «Οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα», — «Τρισδιάστατα ολοκληρωμένα κυκλώματα», — «Μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα μικροκυμάτων» («MMIC»). 1. Ολοκληρωμένα κυκλώματα σχεδιασμένα ή καθορισμένα ώστε να αντέχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα: α. Ακτινοβολία, συνολικής δόσης τουλάχιστον 5 x 103 Gy (πυρίτιο), β. Διαταραχή ρυθμού ακτινοβολίας τουλάχιστον 5 x106 Gy (πυρίτιο)/s, ή γ. Ολοκληρωμένη ροή νετρονίων (ισοδύναμο 1 MeV) τουλάχιστον 5 x 1013 n/cm2 σε πυρίτιο, και το αντίστοιχο σε άλλα υλικά, Σημείωση: Στο σημείο 3A001.α.1.γ δεν υπάγονται οι μεταλλομονωτικοί ημιαγωγοί (MIS). 2. «Μικροκυκλώματα με μικροεπεξεργαστές», «μικροκυκλώματα μικροϋπολογιστών» και μικροκυκλώματα για μικροσυσκευές ελέγχου, ολοκληρωμένα κυκλώματα μνήμης κατασκευασμένα από σύνθετο ημιαγωγό, μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό, ολοκληρωμένα κυκλώματα που περιέχουν μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό και αποθηκεύουν ή επεξεργάζονται τα ψηφιοποιημένα στοιχεία, μετατροπείς ψηφιακού σε αναλογικό, ηλεκτρο-οπτικά ή «οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα» σχεδιασμένα για «επεξεργασία σημάτων», προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις πεδίου (field programmable logic devices), ολοκληρωμένα κυκλώματα κατασκευασμένα κατά παραγγελία, για τα οποία είτε είναι άγνωστη η λειτουργία είτε αγνοείται η διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού, στον οποίον θα χρησιμοποιηθούν τα ολοκληρωμένα κυκλώματα, επεξεργαστές ταχέος μετασχηματισμού Fourier (FFT), στατικές μνήμες RAM (SRAM) ή διατηρήσιμες μνήμες, που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα: α. Καθορισμένα να λειτουργούν σε θερμοκρασία περιβάλλοντος άνω των 398 K (125 °C), β. Καθορισμένα να λειτουργούν σε θερμοκρασία περιβάλλοντος κάτω των 218 K (-55 °C), ή γ. Καθορισμένα να λειτουργούν στο σύνολο της περιοχής θερμοκρασιών περιβάλλοντος από 218 K (-55 °C) έως 398 K (125 °C). Σημείωση: Στο σημείο 3A001.α.2 δεν υπάγονται τα ολοκληρωμένα κυκλώματα που προορίζονται για πολιτικά αυτοκίνητα ή για σιδηροδρόμους. Τεχνική παρατήρηση: Οι «διατηρήσιμες μνήμες» είναι μνήμες με διατήρηση δεδομένων για ένα χρονικό διάστημα μετά από κάποια διακοπή λειτουργίας. 3. «Μικροκυκλώματα με μικροεπεξεργαστές», «μικροκυκλώματα μικροϋπολογιστών» και μικροκυκλώματα για μικροσυσκευές ελέγχου, που κατασκευάζονται από σύνθετο ημιαγωγό και με λειτουργία σε συχνότητα χρονισμού άνω των 40 MHz, Σημείωση: Το σημείο 3Α001.α.3 περιλαμβάνει ψηφιακούς επεξεργαστές σημάτων, ψηφιακούς πολυεπεξεργαστές (array processors) και ψηφιακούς συνεπεξεργαστές (digital coprocessors). 4. Δεν χρησιμοποιείται, 5. Ολοκληρωμένα κυκλώματα μετατροπής αναλογικού σε ψηφιακό και ψηφιακού σε αναλογικό, ως εξής: α. Μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό (ADC) με οποιοδήποτε από τα εξής: ΣΗΜ. ΒΛ. ΕΠΙΣΗΣ 3A101 1. Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 8 bit αλλά μικρότερη των 10 bit, με «ρυθμό δείγματος» μεγαλύτερο των 1,3 γιγαδειγμάτων ανά δευτερόλεπτο (GSPS), 2. Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 10 bit αλλά μικρότερη των 12 bit, με «ρυθμό δείγματος» μεγαλύτερο των 600 μεγαδειγμάτων ανά δευτερόλεπτο (ΜSPS), 3. Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 12 bit αλλά μικρότερη των 14 bit, με «ρυθμό δείγματος» μεγαλύτερο των 400 ΜSPS, 4. Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 14 bit αλλά μικρότερη των 16 bit, με «ρυθμό δείγματος» μεγαλύτερο των 250 ΜSPS, ή 5. Διακριτική ικανότητα 16 bit και άνω με «προσαρμοσμένο ρυθμό ενημέρωσης» άνω των 65 MSPS, ΣΗΜ.: Για ολοκληρωμένα κυκλώματα που περιέχουν μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό και αποθηκεύουν ή επεξεργάζονται τα ψηφιοποιημένα στοιχεία, βλέπε 3A001.a.14. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1. Διακριτική ικανότητα n bit αντιστοιχεί σε κβάντωση 2n σταθμών. 2. H διακριτική ικανότητα του ADC είναι ο αριθμός των bit της ψηφιακής εξόδου που αντιπροσωπεύει τη μετρούμενη αναλογική είσοδο. Ο αποτελεσματικός αριθμός bits (ENOB) δεν χρησιμοποιείται για να καθοριστεί η διακριτική ικανότητα του ADC. 3. Για τους «ADC πολλαπλών διαύλων», ο «ρυθμός δείγματος» δεν αθροίζεται και ο «ρυθμός δείγματος» αποτελεί τον μεγαλύτερο ρυθμό των επί μέρους διαύλων. 4. Για «αλληλένθετους ADC» ή «ADC πολλαπλών διαύλων» που προσδιορίζονται ως έχοντες αλληλένθετη λειτουργία, ο «ρυθμός δείγματος» αθροίζεται και ο «ρυθμός δείγματος» αποτελεί τον μέγιστο συνδυασμένο συνολικό ρυθμό όλων των αλληλένθετων διαύλων. β. Μετατροπείς ψηφιακού προς αναλογικό (DAC) με οποιοδήποτε από τα εξής: 1. Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 10 bit αλλά μικρότερη των 12 bit, με «προσαρμοσμένο ρυθμό ενημέρωσης» μεγαλύτερο των 3 500 ΜSPS, ή 2. Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 12 bit και οποιοδήποτε από τα ακόλουθα: α. «Προσαρμοσμένο ρυθμό ενημέρωσης» που υπερβαίνει τα 1 250 MSPS, αλλά δεν υπερβαίνει τα 3 500 MSPS και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: 1. Χρόνο κάτω των 9 ns για την επάνοδο από βήμα πλήρους κλίμακας στο 0,024 % της πλήρους κλίμακας, ή 2. «Ψευδοελεύθερο δυναμικό εύρος» (SFDR) άνω των 68 dBc (φέροντος) κατά τη σύνθεση αναλογικού σήματος πλήρους κλίμακας 100 MHz ή της μεγαλύτερης προσδιορισμένης συχνότητας κάτω των 100 MHz. ή β. «προσαρμοσμένο ρυθμό ενημέρωσης» που υπεβαίνει τα 3 500 MSPS, Τεχνικές παρατηρήσεις: 1. Ως «Ψευδοελεύθερο δυναμικό εύρος» (SFDR) ορίζεται ο λόγος της τετραγωνικής μέσης τιμής της συχνότητας του φέροντος (μέγιστη συνιστώσα σήματος) στην είσοδο του DAC προς την τετραγωνική μέση τιμή της αμέσως μεγαλύτερης συνιστώσας θορύβου ή αρμονικής παραμόρφωσης στην έξοδο. 2. Το SFDR προσδιορίζεται απευθείας από τον πίνακα προδιαγραφών ή από τα γραφήματα χαρακτηρισμού SFDR/συχνότητας. 3. Ως σήμα πλήρους κλίμακας ορίζεται το σήμα που έχει πλάτος άνω των – 3 dBfs (fs = full scale = πλήρης κλίμακα). 4. Ως «προσαρμοσμένος ρυθμός ενημέρωσης» για τους DAC ορίζεται: α. Για μεν τους συμβατικούς (μη παρεμβάλλοντες) DAC, ο «προσαρμοσμένος ρυθμός ενημέρωσης» είναι η ταχύτητα με την οποία μετατρέπεται σε αναλογικό το ψηφιακό σήμα και μεταβάλλονται από τον DAC οι αναλογικές τιμές εξόδου. Οι DAC που επιτρέπουν παράκαμψη της λειτουργίας παρεμβολής (παράγοντας παρεμβολής 1) θεωρούνται συμβατικοί (μη παρεμβάλλοντες) DAC. β. Για δε τους παρεμβάλλοντες (υπερδειγματοληπτικούς) DAC, ο «προσαρμοσμένος ρυθμός ενημέρωσης» είναι ο ρυθμός ενημέρωσης του DAC προς τον μικρότερο παράγοντα παρεμβολής. Ο «προσαρμοσμένος ρυθμός ενημέρωσης» των παρεμβαλλόντων DAC μπορεί να αναφέρεται και με άλλες ονομασίες, όπως μεταξύ άλλων: — ρυθμός δεδομένων εισόδου, — ρυθμός λέξεων εισόδου, — ρυθμός δειγματοληψίας, — μέγιστη συνολική ταχύτητα bus εισόδου, — μέγιστος ρυθμός ρολογιού DAC για την είσοδο του ρολογιού του DAC. 6. Ηλεκτρο-οπτικά ή «οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα» για «επεξεργασία σημάτων» που έχουν όλα τα ακόλουθα: α. Μία ή περισσότερες εσωτερικές διόδους «λέιζερ», β. Ένα ή περισσότερα εσωτερικά δομικά στοιχεία για την ανίχνευση φωτός, και γ. Οπτικούς κυματοδηγούς, 7. Προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις πεδίου (field programmable logic devices) που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα: α. Μέγιστο αριθμό μονοτερματικών ψηφιακών εισόδων/εξόδων μεγαλύτερο από 700, ή β. «Αθροιστικό ρυθμό δεδομένων κορυφής σειριακού πομποδέκτη μονής κατεύθυνσης» ίσο ή μεγαλύτερο από 500 Gb/s, Σημείωση: Το σημείο 3Α001.α.7 περιλαμβάνει: — Τις πολύπλοκες προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις (CPLD) — Τις προγραμματιζόμενες διατάξεις θυρών πεδίου (FPGA) — Τις προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις θυρών πεδίου (FPLA) — Τους προγραμματιζόμενους διασυνδέσμους θυρών πεδίου (FPIC) ΣΗΜ.: Για ολοκληρωμένα κυκλώματα που περιέχουν προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις πεδίου που συνδυάζονται με μετατροπέα αναλογικού σε ψηφιακό, βλέπε 3A001.a.14. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1. Ο μέγιστος αριθμός ψηφιακών εισόδων/εξόδων στο 3Α001.α.7.α. αναφέρεται επίσης ως μέγιστος αριθμός εισόδων/εξόδων χρήστη ή μέγιστος αριθμός διαθέσιμων εισόδων/εξόδων, είτε το ολοκληρωμένο κύκλωμα είναι συσκευασμένο είτε σκέτη ψηφίδα (bare die). 2. «Αθροιστικός ρυθμός δεδομένων κορυφής σειριακού πομποδέκτη μονής κατεύθυνσης» είναι το γινόμενο του ρυθμού δεδομένων κορυφής σειριακού πομποδέκτη μονής κατεύθυνσης επί τον αριθμό των πομποδεκτών στην FPGA. 8. Δεν χρησιμοποιείται, 9. Ολοκληρωμένα κυκλώματα νευρωνικών δικτύων. 10. Ολοκληρωμένα κυκλώματα κατασκευασμένα κατά παραγγελία, για τα οποία είτε είναι άγνωστη η λειτουργία είτε ο κατασκευαστής αγνοεί τη διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού στον οποίον θα χρησιμοποιηθούν τα ολοκληρωμένα κυκλώματα και τα οποία έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα: α. Πάνω από 1 500 τερματικές ακίδες, β. Χαρακτηριστικό «βασικό χρόνο διαβάσεως πύλης» χαμηλότερο από 0,02 ns, ή γ. Συχνότητα λειτουργίας που ξεπερνά τα 3 GHz, 11. Ψηφιακά ολοκληρωμένα κυκλώματα, εκτός αυτών που περιγράφονται στα σημεία 3Α001.α.3 έως 3Α001.α.10 και 3Α001.α.12, που έχουν κατασκευαστεί από οποιονδήποτε μικτό ημιαγωγό και παρουσιάζουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα: α. Ισοδύναμο χρησιμοποιήσιμο αριθμό θυρών μεγαλύτερο από 3 000 (για 2 θύρες εισόδου), ή β. Συχνότητα αντιστροφής πάνω από 2 GHz. 12. Επεξεργαστές ταχέως μετασχηματισμού Fourier (Fast Fourier Transform - FFT) με ονομαστικό χρόνο εκτέλεσης για σύνθετο FFT Ν σημείων, κάτω του (N log2 N) /20 480 ms, όπου N είναι ο αριθμός των σημείων, Τεχνική παρατήρηση: Όταν Ν = 1 024 σημεία, ο τύπος του σημείου 3Α001.α.12 δίνει χρόνο εκτέλεσης 500 μs. 13. Ολοκληρωμένα κυκλώματα άμεσου ψηφιακού συνθεσιοποιητή (Direct Digital Synthesizer – DDS), με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: α. Συχνότητα χρονισμού μετατροπέα ψηφιακού σε αναλογικό (DAC) ίση ή μεγαλύτερη από 3,5 GHz και διακριτική ικανότητα DAC ίση ή μεγαλύτερη από 10 bit, αλλά μικρότερη από 12 bit, ή β. Συχνότητα χρονισμού DAC ίση ή μεγαλύτερη από 1,25 GHz και διακριτική ικανότητα DAC ίση ή μεγαλύτερη από 12 bit, Τεχνική παρατήρηση: Η συχνότητα χρονισμού DAC μπορεί να προσδιοριστεί ως η κύρια συχνότητα χρονισμού ή η συχνότητα χρονισμού εισαγωγής. 14. Ολοκληρωμένα κυκλώματα που εκτελούν ή είναι προγραμματισμένα να εκτελούν όλα τα ακόλουθα: α. Μετατροπές αναλογικού σε ψηφιακό που πληρούν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα: 1. Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 8 bit αλλά μικρότερη των 10 bit, με «ρυθμό δείγματος» μεγαλύτερο των 1,3 γιγαδειγμάτων ανά δευτερόλεπτο (GSPS), 2. Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 10 bit αλλά μικρότερη των 12 bit, με «ρυθμό δείγματος» μεγαλύτερο του 1,0 ΜSPS, 3. Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 12 bit αλλά μικρότερη των 14 bit, με «ρυθμό δείγματος» μεγαλύτερο του 1,0 ΜSPS, 4. Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 14 bit αλλά μικρότερη των 16 bit, με «ρυθμό δείγματος» μεγαλύτερο των 400 μεγαδειγμάτων ανά δευτερόλεπτο (ΜSPS), ή 5. Διακριτική ικανότητα 16 bit και άνω με «προσαρμοσμένο ρυθμό ενημέρωσης» άνω των 180 MSPS, και β. Οποιοδήποτε από τα εξής: 1. Αποθήκευση ψηφιοποιημένων δεδομένων, ή 2. Επεξεργασία ψηφιοποιημένων δεδομένων, Σημ.1: Για ολοκληρωμένα κυκλώματα μετατροπέα αναλογικού σε ψηφιακό βλέπε 3A001.a.5.a. Σημ.2: Για προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις πεδίου βλέπε 3A001.a.7. Τεχνικές σημειώσεις: 1. Διακριτική ικανότητα n bit αντιστοιχεί σε κβάντωση 2n σταθμών. 2. Η διακριτική ικανότητα του ADC είναι ο αριθμός των bit της ψηφιακής εξόδου του ADC που αντιπροσωπεύει τη μετρούμενη αναλογική είσοδο. Ο αποτελεσματικός αριθμός bits (ENOB) δεν χρησιμοποιείται για να καθοριστεί η διακριτική ικανότητα του ADC. 3. Για ολοκληρωμένα κυκλώματα με μη αλληλένθετους «ADC πολλαπλών διαύλων», ο «ρυθμός δείγματος» δεν αθροίζεται και ο «ρυθμός δείγματος» αποτελεί τον μεγαλύτερο ρυθμό των επί μέρους διαύλων. 4. Για ολοκληρωμένα κυκλώματα με «αλληλένθετους ADC» ή με «ADC πολλαπλών διαύλων» που προσδιορίζονται ως έχοντες αλληλένθετη λειτουργία, ο «ρυθμός δείγματος» αθροίζεται και ο «ρυθμός δείγματος» αποτελεί τον μέγιστο συνδυασμένο συνολικό ρυθμό όλων των αλληλένθετων διαύλων. β. Στοιχεία μικροκυμάτων ή χιλιοστομετρικών κυμάτων, ως εξής: Τεχνική παρατήρηση: Για τους σκοπούς του σημείου 3Α001.β., η κορεσμένη ισχύς εξόδου κορυφής παραμέτρων μπορεί να αναφερθεί επίσης στα φύλλα δεδομένων των προϊόντων ως ισχύς εξόδου, κορεσμένη ισχύς εξόδου, μέγιστη κορεσμένη ισχύς εξόδου, ισχύς εξόδου κορυφής, ή ισχύς εξόδου περιβάλλουσας κορυφής. 1. «Ηλεκτρονικές συσκευές κενού» και καθοδικές λυχνίες, ως εξής: Σημείωση 1: Στο σημείο 3Α001.β.1. δεν υπάγονται οι «ηλεκτρονικές συσκευές κενού» που έχουν σχεδιαστεί ή καθορίζονται για λειτουργία σε ζώνες συχνοτήτων και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: α. Δεν υπερβαίνουν τα 31,8 GHz, και β. Έχουν «διατεθεί από την ITU» για υπηρεσίες ραδιοεπικοινωνιών αλλά όχι για ραδιοεντοπισμό. Σημείωση 2: Στο σημείο 3Α001.β.1, δεν υπάγονται οι «ακατάλληλες για διαστημική χρήση»«ηλεκτρονικές συσκευές κενού» που έχουν όλα τα παρακάτω: α. Μέση ισχύ εξόδου το πολύ 50 W, και και β. Σχεδιασμένες ή καθορισμένες για λειτουργία σε οποιαδήποτε ζώνη συχνοτήτων που έχει όλα τα παρακάτω: 1. Υπερβαίνει τα 31,8 GHz αλλά δεν υπερβαίνει τα 43,5 GHz, και 2. Έχουν «διατεθεί από την ITU» για υπηρεσίες ραδιοεπικοινωνιών αλλά όχι για ραδιοεντοπισμό. α. «Ηλεκτρονικές συσκευές κενού» οδεύοντος κύματος, παλμικές ή συνεχούς κύματος, ως εξής: 1. Συσκευές που λειτουργούν σε συχνότητες άνω των 31,8 GHz, 2. Συσκευές που έχουν στοιχείο θέρμανσης καθόδου με χρόνο ανύψωσης ισχύος έως την καθορισμένη ισχύ ραδιοσυχνότητας μικρότερο από 3 δευτερόλεπτα, 3. Συζευγμένες συσκευές κοιλοτήτων ή παράγωγά τους, με «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 7 % ή ισχύ αιχμής άνω των 2,5 kW, 4. Διατάξεις βασισμένες σε κυκλώματα κυματοδηγών ελικοειδούς μορφής, μορφής διπλωμένου κυματοδηγού, μορφής σερπαντίνας ή και παραγώγων των μορφών αυτών, τα οποία διαθέτουν οποιοδήποτε από τα παρακάτω: α. «Στιγμιαίο εύρος ζώνης» άνω της μιας οκτάβας και γινόμενο μεταξύ της μέσης ισχύος (εκφρασμένης σε kw) και της συχνότητας (εκφρασμένης σε GHz) ανώτερο από 0,5 , β. «Στιγμιαίο εύρος ζώνης» το πολύ μια οκτάβα, και γινόμενο της μέσης ισχύος (εκφρασμένης σε kW) και συχνότητας (εκφρασμένης σε GHz) πάνω από 1, ή γ. Είναι «κατάλληλες για διαστημική χρήση». ή δ. Διαθέτουν εκπομπούς ηλεκτρονίων με πλέγματα, 5. Συσκευές με «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 % και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: α. δακτυλιοειδή δέσμη ηλεκτρονίων, β. μη συμμετρική προς άξονα δέσμη ηλεκτρονίων, ή γ. πολλαπλές δέσμες ηλεκτρονίων β. Ενισχυτικές «ηλεκτρονικές συσκευές κενού» διασταυρωμένου πεδίου με απολαβή άνω των 17 dB, γ. Θερμιονικές κάθοδοι για «ηλεκτρονικές συσκευές κενού» που παράγουν σταθερή πυκνότητα ροής ρεύματος σε ονομαστικές συνθήκες λειτουργίας η οποία ξεπερνά τα 5 A/cm2 ή παλμική (μη συνεχή) πυκνότητα ροής ρεύματος σε ονομαστικές συνθήκες λειτουργίας που ξεπερνούν τα 10 A/cm2, δ. «Ηλεκτρονικές συσκευές κενού» με την ικανότητα να λειτουργούν σε «διπλό ρυθμό». Τεχνική παρατήρηση: «Διπλού ρυθμού» σημαίνει ότι το ρεύμα της «ηλεκτρονικής διάταξης κενού» μπορεί να αλλάξει κατά βούληση μεταξύ της λειτουργίας συνεχούς κύματος και της παλμικής λειτουργίας με τη χρήση ενός πλέγματος και ότι παράγει έναν παλμό εξόδου κορυφής μεγαλύτερης ισχύος από την ισχύ εξόδου του συνεχούς κύματος. 2. Ενισχυτές με «μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα» μικροκυμάτων (MMIC), με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά: ΣΗΜ.: Για ενισχυτές «MMIC» με ολοκληρωμένο μετατοπιστή φάσης, βλέπε 3A001.β.12. α. Εγκεκριμένοι προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 2,7 GHz έως και 6,8 GHz, με «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 15 % και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: 1. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 75 W (48,75 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,7 GHz έως και 2,9 GHz, 2. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 55 W (47,4 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,9 GHz έως και 3,2 GHz, 3. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 40 W (46 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,2 GHz έως και 3,7 GHz, ή 4. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 20 W (43 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,7 GHz έως και 6,8 GHz, β. Εγκεκριμένοι προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6,8 GHz έως και 16 GHz, με «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 % και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: 1. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 10 W (40 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 6,8 GHz έως και 8,5 GHz, ή 2. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 5 W (37 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 8,5 GHz έως και 16 GHz, γ. Εγκεκριμένοι προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 3 W (34,77 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 16 GHz έως και 31,8 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %, δ. Εγκεκριμένοι προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,1 nW (-70 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 31,8 GHz έως και 37 GHz, ε. Εγκεκριμένοι προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 1 W (30 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 37 GHz έως και 43,5 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %, στ. Εγκεκριμένοι προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 31,62 mW (15 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 43,5 GHz έως και 75 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %, ζ. Εγκεκριμένοι προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 10 mW (10 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 75 GHz έως και 90 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 5 %, ή η. Εγκεκριμένοι προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,1 nW (-70 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 90 GHz, Σημείωση 1: Δεν χρησιμοποιείται. Σημείωση 2: Το καθεστώς ελέγχου των μονολιθικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μικροκυμάτων, οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας των οποίων περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων, κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.2.α έως 3Α001.β.2.η, καθορίζεται βάσει του κατωφλίου ελάχιστης κορεσμένης ισχύος εξόδου κορυφής. Σημείωση 3: Οι σημειώσεις 1 και 2 στο κεφάλαιο 3A σημαίνουν ότι στο σημείο 3A001.β.2 δεν υπάγονται τα μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα μικροκυμάτων όταν είναι ειδικά σχεδιασμένα για άλλες εφαρμογές, όπως π.χ. τηλεπικοινωνίες, ραντάρ, αυτοκίνητα. 3. Χωριστά τρανζίστορ μικροκυμάτων με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά: α. Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 2,7 GHz έως και 8 GHz, και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: 1. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 400 W (56 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,7 GHz έως και 2,9 GHz, 2. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 205 W (53,12 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,9 GHz έως και 3,2 GHz, 3. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 115 W (50,61 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,2 GHz έως και 3,7 GHz, ή 4. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 60 W (47 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,7 GHz έως και 6,8 GHz, β. Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6,8 GHz έως και 31,8 GHz, και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: 1. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 50 W (47 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 6,8 GHz έως και 8,5 GHz, 2. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 15 W (41,76 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 8,5 GHz έως και 12 GHz, 3. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 40 W (46 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 12 GHz έως και 16 GHz, ή 4. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 7 W (38,45 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 16 GHz έως και 31,8 GHz, γ. Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,5 W (27 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 31,8 GHz έως και 37 GHz, δ. Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 1 W (30 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 37 GHz έως και 43,5 GHz, ε. Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,1 nW (-70 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 43,5 GHz, ή στ. Πλην των οριζόμενων στα σημεία 3A001.β.3.α. έως 3A001.β.3.ε και εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 5 W (37,0 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 8,5 GHz έως και 31,8 GHz, Σημείωση 1: Το καθεστώς ελέγχου ενός τρανζίστορ του οποίου οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων, κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.3.α έως 3Α001.β.3.ε, καθορίζεται βάσει του κατωφλίου ελάχιστης κορεσμένης ισχύος εξόδου κορυφής. Σημείωση 2: 3A001.β.3. περιλαμβάνει γυμνούς δίσκους, δίσκους στερεωμένους σε φορείς ή δίσκους στερεωμένους σε πακέτα. Ορισμένα διακριτά τρανζίστορ ίσως αναφέρονται και ως ενισχυτές ισχύος, αλλά η κατάσταση των εν λόγω διακριτών τρανζίστορ προσδιορίζεται στο σημείο 3A001.β.3. 4. Ενισχυτές μικροκυμάτων στερεάς κατάστασης και μικροκυματικά συναρμολογήματα ή δομοστοιχεία που περιέχουν ενισχυτές μικροκυμάτων στερεάς κατάστασης με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά: α. Εγκεκριμένοι προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 2,7 GHz έως και 6,8 GHz, με «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 15 % και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: 1. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 500 W (57 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,7 GHz έως και 2,9 GHz, 2. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 270 W (54,3 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,9 GHz έως και 3,2 GHz, 3. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 200 W (53 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,2 GHz έως και 3,7 GHz, ή 4. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 90 W (49,54 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,7 GHz έως και 6,8 GHz, β. Εγκεκριμένοι προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6,8 GHz έως και 31,8 GHz, με «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 % και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: 1. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 70 W (48,54 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 6,8 GHz έως και 8,5 GHz, 2. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 50 W (47 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 8,5 GHz έως και 12 GHz, 3. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 30 W (44,77 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 12 GHz έως και 16 GHz, ή 4. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 20 W (43 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 16 GHz έως και 31,8 GHz, γ. Εγκεκριμένοι προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,5 W (27 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 31,8 GHz έως και 37 GHz, δ. Εγκεκριμένοι προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 2 W (33 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 37 GHz έως και 43,5 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %, ε. Εγκεκριμένοι προς λειτουργία σε συχνότητες που υπερβαίνουν τα 43,5 GHz, και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: 1. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,2 W (23 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 43,5 GHz έως και 75 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 10 %, 2. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 20 mW (13 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 75 GHz έως και 90 GHz, και «κλασματικό εύρος ζώνης» άνω του 5 %, ή 3. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,1 nW (-70 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 90 GHz, ή στ. Δεν χρησιμοποιείται Σημ.1: Για ενισχυτές «MMIC», βλέπε 3A001.β.2 Σημ.2: Για «μονάδες μετάδοσης/λήψης» και «μονάδες μετάδοσης» βλέπε 3A001.β.12. Σημ.3. Για μετατροπείς και αρμονικούς μείκτες σχεδιασμένους για την επέκταση του φάσματος λειτουργίας ή συχνοτήτων αναλυτών σημάτων, γεννητριών σήματος, αναλυτών δικτύου ή δοκιμαστικών μικροκυματικών δεκτών, βλέπε 3A001.β.7. Σημείωση 1: Δεν χρησιμοποιείται. Σημείωση 2: Το καθεστώς ελέγχου ενός στοιχείου του οποίου οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων, κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.4.α έως 3Α001.β.4.ε, καθορίζεται βάσει του κατωφλίου ελάχιστης κορεσμένης ισχύος εξόδου κορυφής. 5. Ζωνοπερατά ή ζωνοαπέρατα φίλτρα που μπορούν να συντονισθούν ηλεκτρονικά ή μαγνητικά, που έχουν πάνω από 5 ρυθμιζόμενους συντονιστές και μπορούν να συντονιστούν μέσα σε μία ζώνη συχνοτήτων με λόγο 1,5 :1 (fmax/fmin) σε χρόνο λιγότερο από 10 μs και που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: α. Εύρος ζώνης ζωνοπερατού φίλτρου πάνω από 0,5 % της κεντρικής συχνότητας, ή β. Εύρος ζώνης ζωνοαπέρατου φίλτρου λιγότερο από 0,5 % της κεντρικής συχνότητας, 6. Δεν χρησιμοποιείται, 7. Μετατροπείς και αρμονικοί μείκτες με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά: α. Σχεδιασμένοι για την επέκταση του φάσματος συχνοτήτων των «συστημάτων ανάλυσης σημάτων» πέραν των 90 GHz, β. Σχεδιασμένοι για την επέκταση του φάσματος λειτουργίας των «γεννητριών σημάτων» ως εξής: 1. Πέραν των 90 GHz, 2. Με ισχύ εξόδου άνω των 100 mW (20 dBm) οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων λειτουργίας άνω των 43,5 GHz και έως και 90 GHz, γ. Σχεδιασμένοι για την επέκταση του φάσματος λειτουργίας των αναλυτών δικτύου ως εξής: 1. Πέραν των 110 GHz, 2. Με ισχύ εξόδου άνω των 31,62 mW (15 dBm) οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων λειτουργίας άνω των 43,5 GHz και έως και 90 GHz, 3. Με ισχύ εξόδου άνω των 1 mW (0 dBm) οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων λειτουργίας άνω των 90 GHz και έως και 110 GHz, ή δ. Σχεδιασμένοι για την επέκταση του φάσματος συχνοτήτων των δοκιμαστικών μικροκυματικών δεκτών πέραν των 110 GHz, 8. Μικροκυματικοί ενισχυτές ισχύος που περιλαμβάνουν «ηλεκτρονικές διατάξεις κενού» που καθορίζονται στο σημείο 3Α001.β.1 και έχουν όλα τα ακόλουθα: α. Συχνότητες λειτουργίας πάνω από 3 GHz, β. Λόγο μέσης ισχύος εξόδου προς μάζα άνω των 80 W/kg, και γ. Όγκο μικρότερο από 400 cm3, Σημείωση: Στο σημείο 3Α001.β.8 δεν υπάγεται ο εξοπλισμός που έχει σχεδιαστεί ή καθορίζεται να λειτουργεί σε ζώνες συχνοτήτων που έχουν «διατεθεί από την ITU» για υπηρεσίες ραδιοεπικοινωνιών αλλά όχι για ραδιοεντοπισμό. 9. Μικροκυματικές μονάδες ισχύος (MPM), αποτελούμενες τουλάχιστον από μία «ηλεκτρονική διάταξη κενού» οδεύοντος κύματος, ένα μικροκυματικό «μονολιθικό ολοκληρωμένο κύκλωμα» («MMIC») και έναν ολοκληρωμένο ηλεκτρονικό εξομαλυντήρα τάσης, με όλα τα παρακάτω: α. Χρόνο ενεργοποίησης από σβηστό σε πλήρη λειτουργία κάτω των 10 δευτερολέπτων, β. Όγκο μικρότερο από το γινόμενο της μέγιστης ονομαστικής ισχύος σε Watts επί 10 cm3/W, και γ. «Στιγμιαίο εύρος ζώνης» άνω της μιας οκτάβας (fmax > 2fmin) και με οποιοδήποτε από τα παρακάτω: 1. Για συχνότητες μέχρι και 18 GHz, ισχύ εξόδου ραδιοσυχνότητας άνω των 100 W, ή 2. Συχνότητα άνω των 18 GHz, Τεχνικές παρατηρήσεις: 1. Ιδού ένα παράδειγμα υπολογισμού του όγκου στο σημείο 3A001.β.9.β: αν η μέγιστη ονομαστική ισχύς είναι 20 W, ο όγκος πρέπει να είναι μέχρι 20 W x 10 cm3/W = 200 cm3. 2. Στο σημείο 3A001.β.9.α, ο χρόνος ενεργοποίησης σημαίνει το διάστημα που χρειάζεται η μονάδα από τελείως σβηστή να τεθεί σε πλήρη λειτουργία, περιλαμβάνει δηλαδή και τον χρόνο προθέρμανσης. 10. Ταλαντωτές ή συγκροτήματα ταλαντωτών, προσδιορισμένοι να λειτουργούν με θόρυβο φάσης απλής πλευρικής ζώνης (SSB), σε dBc/Hz, λιγότερο (καλύτερο) από -(126 + 20log10F - 20log10f) οπουδήποτε στο εύρος 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz. Τεχνική παρατήρηση: Στο σημείο 3Α001.β.10., F είναι η απόκλιση από τη συχνότητα λειτουργίας σε Hz και f είναι η συχνότητα λειτουργίας σε MHz. 11. «Ηλεκτρονικές συναρμολογήσεις» για «συνθετητές συχνότητας» που έχουν «χρόνο μεταγωγής συχνότητας» προσδιοριζόμενο από οποιοδήποτε από τα εξής: α. κάτω των 143 ps, β. κάτω των 100 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 2,2 GHz εντός του φάσματος συνθετόμενων συχνοτήτων από 4,8 GHz έως και 31,8 GHz, γ. Δεν χρησιμοποιείται, δ. κάτω των 500 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 550 MHz εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων από 31,8 GHz έως και 37 GHz, ε. κάτω των 100 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 2,2 GHz εντός του φάσματος συνθετόμενων συχνοτήτων από 37 GHz έως και 90 GHz, ή στ. Δεν χρησιμοποιείται, ζ. κάτω του 1 ms εντός του φάσματος συντιθέμενων συχνοτήτων άνω των 90 GHz. Τεχνική παρατήρηση: «Συνθετητής συχνότητας» είναι κάθε πηγή συχνότητας, ανεξάρτητα από την τεχνική που χρησιμοποιείται, η οποία παρέχει μια ποικιλία ταυτόχρονων ή εναλλασσόμενων συχνοτήτων εξόδου, από μία ή περισσότερες εξόδους, οι οποίες ελέγχονται, παράγονται ή οδηγούνται από ένα μικρότερο αριθμό βασικών (master) συχνοτήτων ελέγχου. ΣΗΜ.: Για γενικής χρήσης «αναλυτές σήματος», γεννήτριες σήματος, αναλυτές δικτύου και δοκιμαστικούς μικροκυματικούς δέκτες βλ. αντιστοίχως σημεία 3A002.γ., 3A002.δ., 3A002.ε. και 3A002.στ. 12. «Μονάδες μετάδοσης/λήψης», «MMIC μετάδοσης/λήψης», «μονάδες μετάδοσης», και «MMIC μετάδοσης», εγκεκριμένες για λειτουργία σε συχνότητες άνω των 2,7 GHz και που έχουν όλα τα ακόλουθα: α. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής (σε watts), Psat, μεγαλύτερη από 505,62 διά το τετράγωνο της ανώτατης συχνότητας λειτουργίας (σε GHz) [Psat>505,62 W*GHz2/fGHz 2] για κάθε κανάλι, β. «Κλασματικό εύρος ζώνης» τουλάχιστον 5 % για κάθε κανάλι, γ. γ. Κάθε επίπεδη πλευρά μήκους d (σε cm) το πολύ ίσου προς 15 για την κατώτατη συχνότητα λειτουργίας σε GHz [d ≤ 15cm*GHz*N/fGHz] όπου N είναι ο αριθμός μετάδοσης ή τα κανάλια μετάδοσης/λήψης, και δ. Έναν ηλεκτρονικά μεταβλητό μετατοπιστή φάσης ανά κανάλι. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1. «Μονάδα μετάδοσης/λήψης»: είναι μια «ηλεκτρονική συναρμολόγηση» πολλαπλών λειτουργιών που παρέχει δικατευθυντικό εύρος και έλεγχο φάσης για μετάδοση και λήψη σημάτων. 2. «Μονάδα μετάδοσης»: είναι μια «ηλεκτρονική συναρμολόγηση» που παρέχει εύρος και έλεγχο φάσης για μετάδοση σημάτων. 3. «MMIC μετάδοσης/λήψης»: είναι ένα «μονολιθικό ολοκληρωμένο κύκλωμα» (MMIC) πολλαπλών λειτουργιών που παρέχει δικατευθυντικό εύρος και έλεγχο φάσης για μετάδοση και λήψη σημάτων. 4. «MMIC μετάδοσης»: είναι ένα μια «μονολιθικό ολοκληρωμένο κύκλωμα» που παρέχει εύρος και έλεγχο φάσης για μετάδοση σημάτων. 5. Η συχνότητα 2,7 GHz θα πρέπει να χρησιμοποιείται ως η κατώτατη συχνότητα λειτουργίας (fGHz) στον τύπο του σημείου 3A001.β.12.γ, για μονάδες μετάδοσης/λήψης ή μονάδες μετάδοσης με ονομαστικό φάσμα λειτουργίας που εκτείνεται προς τα κάτω έως τα 2,7 GHz και παρακάτω [d≤ 15cm*GHz/2,7 GHz]. 6. Το σημείο 3A001.β.12 εφαρμόζεται σε «μονάδες μετάδοσης/λήψης» ή «μονάδες μετάδοσης» με ή χωρίς απαγωγό θερμότητας. Η τιμή του d στο σημείο 3A001.β.12.γ δεν περιλαμβάνει κανένα τμήμα της «μονάδας μετάδοσης/λήψης» ή της «μονάδας μετάδοσης» που λειτουργεί ως απαγωγός θερμότητας. 7. «Μονάδες μετάδοσης/λήψης» ή «μονάδες μετάδοσης», ή «MMIC μετάδοσης/λήψης» ή «MMIC μετάδοσης» μπορεί να ή μπορεί να μη διαθέτουν N ολοκληρωμένα ακτινοβολούνται στοιχεία κεραίας, όπου N είναι ο αριθμός των διαύλων μετάδοσης ή μετάδοσης/λήψης. γ. Συσκευές ακουστικών κυμάτων, και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία για τις συσκευές αυτές ως εξής: 1. Συσκευές επιφανειακών ακουστικών κυμάτων και συσκευές surface skimming (shallow bulk) ακουστικών κυμάτων και οι οποίες έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα: α. Φέρουσα συχνότητα άνω των 6 GHz, β. Φέρουσα συχνότητα άνω του 1 GHz αλλά όχι άνω των 6 GHz και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα: 1. «Απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας» που ξεπερνάει τα 65 dB, 2. Γινόμενο του μέγιστου χρόνου καθυστέρησης και του εύρους ζώνης (ο χρόνος σε μs και το εύρος ζώνης σε ΜΗz) ανώτερο του 100, 3. Εύρος ζώνης άνω των 250 MHz, ή 4. Καθυστέρηση με διασπορά (dispersive delay) άνω των 10 μs, ή γ. Συχνότητα φέροντος 1 GHz ή λιγότερο, και οποιοδήποτε από τα ακόλουθα: 1. Γινόμενο του μέγιστου χρόνου καθυστέρησης και του εύρους ζώνης (ο χρόνος σε μs και το εύρος ζώνης σε ΜΗz) ανώτερο του 100, 2. Καθυστέρηση με διασπορά (dispersive delay) άνω των 10 μs, ή 3. «Απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας» που ξεπερνάει τα 65 dB και εύρος ζώνης μεγαλύτερο από 100 MHz, Τεχνική παρατήρηση: Η «απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας» είναι η μέγιστη τιμή απόρριψης που προσδιορίζεται στα δελτία δεδομένων. 2. Συσκευές ακουστικών κυμάτων όγκου που επιτρέπουν την κατευθείαν επεξεργασία σημάτων σε συχνότητες άνω των 6 GHz, 3. Ακουστικοοπτικές συσκευές «επεξεργασίας σημάτων» που βασίζονται στην αλληλεπίδραση μεταξύ ακουστικών κυμάτων (κυμάτων όγκου ή κυμάτων επιφανείας) και κυμάτων φωτός και οι οποίες επιτρέπουν την άμεση επεξεργασία σημάτων ή εικόνων. Περιλαμβάνουν φασματική ανάλυση, συσχέτιση ή συνέλιξη, Σημείωση: Στο σημείο 3Α001.γ. δεν υπάγονται οι συσκευές ακουστικών κυμάτων που περιορίζονται σε μονοπερατό, χαμηλοπερατό, υψηλοπερατό ή στενό ζωνοφρακτικό φίλτρο, ή λειτουργία συντονισμού. δ. Ηλεκτρονικές συσκευές και κυκλώματα που περιέχουν δομικά στοιχεία κατασκευασμένα από «υπεραγώγιμα» υλικά και ειδικά σχεδιασμένα για λειτουργία σε θερμοκρασίες κάτω από την «κρίσιμη θερμοκρασία» τουλάχιστον ενός από τα «υπεραγώγιμα» συστατικά υλικά και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα: 1. Μεταγωγή ρεύματος για ψηφιακά κυκλώματα όπου χρησιμοποιούνται «υπεραγώγιμες» πύλες με γινόμενο μεταξύ του χρόνου καθυστέρησης ανά πύλη (που εκφράζεται σε δευτερόλεπτα) και της κατανάλωσης ισχύος ανά πύλη (που εκφράζεται σε W) λιγότερο από 10-14 J, ή 2. Επιλογή συχνοτήτων σε όλες τις συχνότητες με τη χρήση συντονισμένων κυκλωμάτων με τιμές Q άνω των 10 000 . ε. Συσκευές υψηλής ενέργειας, ως εξής: 1. «Ηλεκτρικά στοιχεία» ως εξής: α. «Πρωτογενή ηλεκτρικά στοιχεία» που έχουν κάποιο από τα ακόλουθα στους 20 °C, 1. «ενεργειακή πυκνότητα» άνω των 550 Wh/kg και «συνεχή πυκνότητα ισχύος» άνω των 50 W/kg, ή 2. «ενεργειακή πυκνότητα» άνω των 50 Wh/kg και «συνεχή πυκνότητα ισχύος» άνω των 350 W/kg, ή β. «Δευτερογενή ηλεκτρικά στοιχεία» με «ενεργειακή πυκνότητα» άνω των 350 Wh/kg στους 20 °C. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1. Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1., η «ενεργειακή πυκνότητα» (Wh/kg) υπολογίζεται ως το γινόμενο της ονομαστικής τάσης σε βολτ επί την ονομαστική χωρητικότητα σε αμπερώρια (Ah) διά τη μάζα σε χιλιόγραμμα. Αν δεν δηλώνεται η ονομαστική χωρητικότητα, η ενεργειακή πυκνότητα υπολογίζεται ως το γινόμενο του τετραγώνου της ονομαστικής τάσης σε βολτ επί τη διάρκεια εκφόρτισης σε ώρες διαιρούμενο με το φορτίο εκφόρτισης σε ωμ και με τη μάζα σε χιλιόγραμμα. 2. Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1., «ηλεκτρικό στοιχείο» είναι κάθε ηλεκτροχημική διάταξη που διαθέτει θετικό και αρνητικό ηλεκτρόδιο και ηλεκτρολύτη και αποτελεί πηγή ηλεκτρικής ενέργειας. Τα ηλεκτρικά στοιχεία αποτελούν τις βασικές μονάδες από τις οποίες συντίθενται οι ηλεκτρικές στήλες. 3. Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1.α., «πρωτογενές ηλεκτρικό στοιχείο» είναι κάθε «ηλεκτρικό στοιχείο» που δεν είναι σχεδιασμένο για να φορτίζεται από άλλη πηγή. 4. Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1.β., «δευτερογενές ηλεκτρικό στοιχείο» είναι κάθε «ηλεκτρικό στοιχείο» σχεδιαζόμενο ώστε να φορτίζεται από εξωτερική πηγή ηλεκτρισμού. 5. Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1., η «συνεχής ενεργειακή πυκνότητα» (W/kg) υπολογίζεται ως το γινόμενο της ονομαστικής τάσης σε βολτ επί την προσδιορισμένη μέγιστη τάση εκφόρτισης σε ampere (A) διά τη μάζα σε χιλιόγραμμα. Η «συνεχής πυκνότητα ισχύος» αναφέρεται επίσης και ως ειδική ισχύς. Σημείωση: Στο σημείο 3Α001.ε.1 δεν υπάγονται οι μπαταρίες, έστω και αν αποτελούνται από ένα μόνο ηλεκτρικό στοιχείο. 2. Πυκνωτές με υψηλή ενεργειακή χωρητικότητα ως εξής: ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΤΟ ΣΗΜΕΙΟ 3A201.α και τους Ελέγχους Στρατιωτικών Προϊόντων. α. Πυκνωτές με ρυθμό επανάληψης κάτω από 10 Hz (πυκνωτές μιας κρούσης) και που έχουν όλα τα ακόλουθα: 1. Ονομαστική τάση ίση ή ανώτερη των 5 kV, 2. Ενεργειακή πυκνότητα ίση ή ανώτερη των 250 J/kg. και 3. Συνολική ενέργεια ίση ή ανώτερη των 25 kJ, β. Πυκνωτές με ρυθμό επανάληψης 10 Hz ή παραπάνω (επαναληπτικοί πυκνωτές) και με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: 1. Ονομαστική τάση ίση ή ανώτερη των 5 kV, 2. Ενεργειακή πυκνότητα ίση ή ανώτερη των 50 J/kg, 3. Συνολική ενέργεια ίση ή ανώτερη των 100 J, και 4. Κύκλο ζωής για φόρτιση και εκφόρτιση ίσο ή ανώτερο των 10 000 , 3. «Υπεραγώγιμοι» ηλεκτρομαγνήτες ή σωληνοειδή που έχουν σχεδιαστεί ειδικά ώστε να φορτίζονται πλήρως, ή να εκφορτίζονται, σε λιγότερο από ένα δευτερόλεπτο με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: ΣΗΜ.: ΒΛ. ΕΠΙΣΗΣ 3A201.β. Σημείωση: Στο σημείο 3Α001.ε.3. δεν υπάγονται «υπεραγώγιμοι» ηλεκτρομαγνήτες ή σωληνοειδή που έχουν κατασκευαστεί ειδικά για ιατρικό εξοπλισμό απεικόνισης με τη βοήθεια Μαγνητικού Συντονισμού (Magnetic Resonance Imaging - MRI). α. Ενέργεια που αποδίδεται κατά τη διάρκεια της εκφόρτισης η οποία υπερβαίνει τα 10 kJ το πρώτο δευτερόλεπτο, β. Εσωτερική διάμετρο των ρευματοφόρων περιελίξεων ανώτερη των 250 mm, και γ. Ονομαστική μαγνητική επαγωγή άνω των 8 Τ ή «συνολική πυκνότητα ρεύματος» στις περιελίξεις που είναι ανώτερη των 300 A/mm2, 4. Φωτοβολταϊκά στοιχεία, συναρμολογήματα υαλοκαλυπτρών διασυνδεδεμένων στοιχείων (CIC), φωτοβολταϊκοί επίπεδοι συλλέκτες και φωτοβολταϊκές συστοιχίες, «κατάλληλα για διαστημική χρήση», με ελάχιστη μέση απόδοση άνω του 20 % σε θερμοκρασία λειτουργίας 301 K (28 °C) υπό προσομοιωμένο φωτισμό μηδενικής μάζας αέρα «AM0», με πυκνότητα ακτινοβολίας 1 367 watts ανά τετραγωνικό μέτρο (W/m2), Τεχνική παρατήρηση: Ο όρος «μηδενική μάζα αέρα» («AM0») αναφέρεται στη φασματική πυκνότητα ακτινοβολίας του ηλιακού φωτός στην εξώτερη ατμόσφαιρα της γης, όταν η απόσταση γης-ηλίου είναι μία αστρονομική μονάδα (ΑU). στ. Περιστροφικοί κωδικοποιητές τιμής απόλυτης θέσης τύπου εισόδου που έχουν «ακρίβεια» ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από 1 δευτερόλεπτο τόξου και ειδικά σχεδιασμένους δακτυλίους, δίσκους ή κλίμακες κωδικοποίησης, ζ. Συσκευές και «μονάδες» στερεάς κατάστασης με θυρίστορες για την παλμική μεταγωγή ηλεκτρισμού, που χρησιμοποιούν μεθόδους μεταγωγής ελεγχόμενες είτε ηλεκτρικώς, είτε οπτικώς, είτε με ακτινοβολία ηλεκτρονίων και έχουν οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά: 1. Ανώτατη ταχύτητα αύξησης του ρεύματος (di/dt) κατά το άναμμα άνω των 30 000 A/s και τάση σε κατάσταση σβηστή άνω των 1 100 V, ή 2. Ανώτατη ταχύτητα αύξησης του ρεύματος (di/dt) κατά το άναμμα άνω των 2 000 A/s και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: α. Ανώτατη τάση σε κατάσταση σβηστή τουλάχιστον 3 000 V, και και β. Ρεύμα αιχμής τουλάχιστον 3 000 A. Σημείωση 1: Στο σημείο 3Α001.ζ. περιλαμβάνονται τα ακόλουθα: — Ελεγχόμενοι ανορθωτές πυριτίου (SCR) — Electrical Triggering Thyristors (ETT) — Light Triggering Thyristors (LTT) — Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCT) — Gate Turn-off Thyristors (GTO) — MOS Controlled Thyristors (MCTs) — Solidtrons Σημείωση 2: Στο σημείο 3A001.ζ. δεν υπάγονται οι συσκευές και «μονάδες με θυρίστορες» οι ενσωματωμένες σε εξοπλισμό προοριζόμενο για εφαρμογές σε πολιτικούς σιδηροδρόμους και «πολιτικά αεροσκάφη». Τεχνική παρατήρηση: Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ζ, οι «μονάδες με θυρίστορες» περιέχουν μία ή περισσότερες συσκευές με θυρίστορες. η. Διακόπτες, δίοδοι ή «μονάδες» ημιαγωγών ισχύος στερεάς κατάστασης, που έχουν όλα τα ακόλουθα: 1. Ονομαστική λειτουργία σε μέγιστη λειτουργική θερμοκρασία άνω των 488 K (215 °C), 2. Επαναληπτική ανώτατη τάση αιχμής σε κατάσταση σβηστή (τάση εμπλοκής) που υπερβαίνει τα 300 V, και 3. Συνεχή ροή μεγαλύτερη από 1 Α. Σημείωση 1: Η επαναληπτική ανώτατη τάση σε κατάσταση σβηστή στο 3Α001.η περιλαμβάνει τάση υποδοχής-πηγής, τάση από συλλέκτη προς εκπομπό, επαναληπτική ανώτατη αντίστροφη τάση και ανώτατη επαναληπτική τάση εμπλοκής σε κατάσταση σβηστή. Σημείωση 2: Στο σημείο 3Α001.η. περιλαμβάνονται τα ακόλουθα: — Τρανζίστορ ένωσης εγκάρσιου πεδίου (JFET) — Κάθετα τρανζίστορ ένωσης εγκάρσιου πεδίου (VJFET) — Τρανζίστορ με επίδραση πεδίου, τεχνολογίας ημιαγωγού μεταλλικού οξειδίου (MOSFET) — Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (DMOSFET) — Διπολικά τρανζίστορ μονωμένης πύλης (IGBT) — High Electron Mobility Transistors (HEMT) — Bipolar Junction Transistors (BJT) — Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers (SCR) — Gate Turn-Off Thyristors (GTO) — Emitter Turn-Off Thyristors (ETO) — Δίοδοι PiN — Δίοδοι Schottky Σημείωση 3: Στο σημείο 3A001.η. δεν ελέγχονται διακόπτες, δίοδοι ή «μονάδες» που ενσωματώνονται σε εξοπλισμό προοριζόμενο για εφαρμογές σε πολιτικά αυτοκίνητα, πολιτικούς σιδηροδρόμους και «πολιτικά αεροσκάφη». Τεχνική παρατήρηση: Για τους σκοπούς του σημείου 3Α001.η., οι «μονάδες» περιέχουν έναν ή περισσότερους διακόπτες ή διόδους ημιαγωγών ισχύος στερεάς κατάστασης. θ. Ηλεκτροοπτικοί ρυθμιστές έντασης, εύρους ή φάσης, σχεδιασμένοι για αναλογικά σήματα και που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα: 1. Μέγιστη λειτουργική συχνότητα άνω των 10 GHz αλλά κάτω από 20 GHz, οπτική απώλεια παρεμβολής ίση ή μικρότερη των 3 dB και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα: α. α. «Τάση ημίσεως κύματος» («Vπ») κάτω των 2,7 V, όταν μετράται σε συχνότητα 1 GHz ή χαμηλότερη, ή β. «Vπ» κάτω των 4 V, όταν μετράται σε συχνότητα πάνω από 1 GHz, ή 2. Μέγιστη λειτουργική συχνότητα ίση ή μεγαλύτερη των 20 GHz, οπτική απώλεια παρεμβολής ίση ή μικρότερη των 3 dB και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα: α. «Vπ» κάτω των 3,3 V, όταν μετράται σε συχνότητα 1 GHz ή χαμηλότερη, ή β. «Vπ» κάτω των 5 V, όταν μετράται σε συχνότητα πάνω από 1 GHz. Σημείωση: Το σημείο 3Α001.θ. περιλαμβάνει ηλεκτροοπτικούς διαμορφωτές με οπτικές συνδέσεις εισόδου και εξόδου (π.χ. βόστρυχοι οπτικών ινών). Τεχνική παρατήρηση: Για τους σκοπούς του σημείου 3Α001.θ., «τάση ημίσεως κύματος» («Vπ») είναι η εφαρμοζόμενη τάση που χρειάζεται για να αλλάξει η τάση κατά 180 μοίρες στο μήκος κύματος του φωτός που διαδίδεται μέσω του οπτικού διαμορφωτή.