Schlussanträge des Generalanwalts Darmon vom 7. März 1990. - DIRECTEUR GENERAL DES DOUANES ET DES DROITS INDIRECTS GEGEN SOCIETE POWEREX-EUROPE. - ERSUCHEN UM VORABENTSCHEIDUNG: TRIBUNAL D'INSTANCE DU MANS - FRANKREICH. - GEMEINSAMER ZOLLTARIF - TARIFSTELLE 85.21 D II - SILICIUMSCHEIBEN. - RECHTSSACHE C-66/89.



Sammlung der Rechtsprechung 1990 Seite I-01959



Schlußanträge des Generalanwalts

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Herr Präsident,

meine Herren Richter!

1 . Das Tribunal d' instance Le Mans legt Ihnen eine Reihe von Vorabentscheidungsfragen zu der für Siliciumscheiben maßgebenden Zolltarifstelle vor .

2 . Seit 1967 führt die Firma Powerex aus den Vereinigten Staaten von Amerika Siliciumscheiben ein, die nach verschiedenen Be - und Verarbeitungsvorgängen, auf die zurückzukommen ich noch Gelegenheit haben werde, zu Halbleiterbauelementen werden, deren wesentliche Eigenschaft ist, daß sie Strom lediglich in einer Richtung durchlassen .

3 . Bis 1981 erklärte die Firma Powerex diese Waren nach der Tarifstelle 85.21 E des Gemeinsamen Zolltarifs als Teile, was zu einer Zollabgabe von 5,8 % führte . 1981 gelangte die französische Zollverwaltung zu der Auffassung, daß die betreffenden Waren zur Tarifstelle 85.21 D II, d . h . "Dioden, Transistoren und ähnliche Halbleiter" gehörten, die die Erhebung eines Zolls von 17 % gestattet .

4 . Drei Gerichtsverfahren beleuchten den Streit zwischen Powerex und der französischen Zollbehörden . Das erste geht auf die Zustellung einer Zahlungsverfügung am 28 . März 1983 zurück, mit der die Zollbehörden von dieser Gesellschaft die Zahlung von 2 798 663 FF für die seit dem 8 . Dezember 1980 durchgeführten Einfuhren forderten . Die Firma Powerex focht diese Verfügung vor dem Tribunal d' instance Le Mans an . Dieses Verfahren endete am 23 . November 1984 mit einem Endurteil dieses Gerichts, das die Verfügung aufhob und die streitigen Waren der Tarifstelle 85.21 E zuordnete .

5 . Während dieses Verfahrens hatte die Firma Powerex die Zollanmeldung nach der von den Zollbehörden zugrunde gelegten Tarifstelle vorgenommen und fand nun nach dem Urteil vom 23 . November 1984, sie habe zu viel gezahlt . Sie erhob daher am 11 . Juli 1985 vor dem gleichen Gericht Klage auf Rückzahlung der Bereicherung in Höhe eines Betrages von 3 085 754 FF . Die Zollverwaltung machte daraufhin geltend, es gebe den Entwurf einer Gemeinschaftsverordnung, mit der Siliciumscheiben nach selektiver Diffusion in die Tarifstelle 85.21 D II eingereiht werden sollten . Das Tribunal d' instance Le Mans verwarf diese Argumentation und entsprach dem Klageantrag mit Urteil vom 17 . Oktober 1986 . Die Zollverwaltung legte Berufung ein, das Urteil wurde jedoch durch Urteil der Cour d' appel Angers vom 9 . November 1987 im wesentlichen bestätigt . Am 18 . Juli 1989 verwarf der französische Kassationshof die gegen dieses Urteil eingelegte Kassationsbeschwerde .

6 . Das dritte Verfahren leitete am 4 . November 1987 die Zollverwaltung ein, die beim Tribunal d' instance Le Mans die Zahlung eines Betrages von 1 750 287 FF einklagte . Sie stützte sich im wesentlichen auf die Verordnung ( EWG ) Nr . 1203/86 der Kommission vom 23 . April 1986 zur Einreihung von Waren in die Tarifstelle 85.21 D II des Gemeinsamen Zolltarifs ( 1 ). Die Firma Powerex machte vor Gericht geltend, daß die von ihr eingeführten Waren nicht unter die Verordnung Nr . 1203/86 fielen, und daß diese Verordnung ungültig sei .

7 . Das Tribunal d' instance Le Mans hat Ihnen daraufhin einige Fragen zur Vorabentscheidung vorgelegt, die im wesentlichen darauf abzielen, Ihre Entscheidung zur Auslegung der Verordnung Nr . 1203/86 herbeizuführen, mit der festgestellt werden soll, ob die Verordnung auf die von der Firma Powerex eingeführten Waren Anwendung findet, und bejahendenfalls, ob die Verordnung gültig ist und welche Auswirkungen unter zeitlichen Aspekten eine etwaige Ungültigkeit haben würde .

8 . Bei der Beantwortung der ersten Frage ist es sinnvoll, den Fertigungsvorgang der Halbleiter der Firma Powerex in Erinnerung zu rufen, wie er in dem Gutachten des vom Tribunal d' instance Le Mans mit Urteil vom 7 . September 1988 berufenen Sachverständigen Camus dargestellt ist .

9 . Das Siliciumatom hat die Besonderheit, daß seine äusserste Schale mit vier Elektronen besetzt ist . Die Verkettung mehrerer Atome ergibt ein reines Kristall, wobei jedes Atom acht Elektronen an seiner äussersten Schale mit vier benachbarten Atomen teilt . Alle Elektronen sind hierbei vollkommen stabil . Da ein elektrischer Strom eine Bewegung von Elektronen ist, erhält man einen elektrischen Strom in einer einzigen Richtung, wenn man in bestimmte Teile des Siliciums in verschwindender Zahl Phosphor - oder Arsenatome einbringt ( das Sachverständigengutachten spricht von "Verunreinigungsspuren" oder "Dotierung "), die fünf Elektronen auf ihrer äussersten Schale aufweisen, in andere Teile aber Bor -, Gallium - oder Aluminiumatome mit drei Elektronen auf ihrer äussersten Schale . Die erstgenannten Teile des Siliciums heissen N (= negativ ), weil sie einen Elektronenüberschuß aufweisen, also negative Ladungen, die zweitgenannten P (= positiv ), weil in ihnen Elektronenmangel herrscht . In derselben Siliciumscheibe lassen sich Zonen des Typs N und Zonen des Typs P schaffen ( beide werden als "diskret" bezeichnet ). Es entsteht ein leichter Elektronenfluß von N nach P, doch von nun an kann Strom nur noch in einer Richtung fließen . Zwischen den beiden Zonen N und P befindet sich eine neutrale Zone, die sich unter Elektronenbeschuß nach der Zone N verschieben kann, was für den Stromdurchgang in einer Richtung eine grössere Zuverlässigkeit bringt .

10 . Für die Diffusion der "Verunreinigungsspuren" oder des "Dotierstoffes" in das Silicium gibt es zwei Methoden; dies ist, wie wir noch sehen werden, von grosser Bedeutung . Die erste und ältere Methode ist die thermische Diffusion, die eine hohe Temperatur ( etwa 1 100 bis 1 200 °C ) voraussetzt . Die zweite, wirksamere Methode besteht im Beschuß des Siliciums mit hochbeschleunigten Elektronen ( Bestrahlung mit Elektronenbündeln ), der "Löcher" in der Siliciumscheibe schafft, deren elektronische Wirkung der einer Dotierung mit einer kleinen Menge von Unreinheiten entspricht . Dieses Verfahren gestattet jedoch eine genaue Kontrolle von Energie und Fluß der Elektronen und damit eine vollkommene Beherrschung der Dotierungswirkung, was mit der thermischen Diffusion allein nicht möglich ist . Diese Bestrahlung mit Elektronenbündeln wird in Frankreich nur von der Firma Oris Industrie, einer Firma des Kommissariats für Atomenergie, durchgeführt, da sie den Besitz eines Teilchenbeschleunigers voraussetzt .

11 . Das Gutachten des Sachverständigen unterscheidet nach dem Grad ihres Fertigungsstandes zwei Typen der von der Firma Powerex eingeführten Stücke . Die Stücke vom Typ A sind weniger bearbeitet als die Stücke vom Typ B und müssen daher in eine frühere Stufe des Fertigungsverfahrens eingebracht werden .

12 . Genauer gesagt sind die Stücke des Typs A und des Typs B in den Vereinigten Staaten einer thermischen Diffusion zur Schaffung der Zonen P und N unterworfen worden . Sie sind ferner mit einem Molybdänträger versehen worden, um der Siliciumscheibe eine grössere Festigkeit und eine bessere elektrische Leitfähigkeit zu verleihen . Die Stücke des Typs B weisen darüber hinaus eine Abfasung auf, d . h . eine Glättung der Oberfläche der Siliciumscheibe und deren Beschichtung mit einem Isolierlack, die ebenfalls gänzlich in den Vereinigten Staaten ausgeführt werden . Demgegenüber müssen bestimmte Arbeitsgänge bei den Stücken des Typs A noch nach deren Einfuhr ausgeführt werden, insbesondere eine chemische Behandlung zur Vervollständigung der Abfasung der Aufbringung des Schutzlacks . Sowohl bei den Stücken des Typs A wie bei den Stücken des Typs B muß nach der Einfuhr nach Frankreich eine Bestrahlung mit Elektronenbündeln durchgeführt werden, um die elektronischen Eigenschaften des Siliciums anzupassen . Dieser Arbeitsgang wird an die Firma Orbis Industrie vergeben . Nach der Darstellung des gerichtlichen Sachverständigen handelt es sich um eine wesentliche Stufe des Fertigungsvorgangs, die sehr spezielle Mittel erfordert .

13 . Anschließend ist der Arbeitsgang der Montage oder Verkapselung der Scheibe durchzuführen, damit eine völlige Sicherheit insbesondere für die benachbarten Vorrichtungen erzielt wird, da durch diese Scheibe elektrische Ströme von mehreren tausend Ampère fließen . Dieser Fertigungsvorgang erfordert zur Vermeidung von Staub besondere Reinräume und eine Reihe besonderer Maßnahmen, die dem Erzeugnis einen hohen Mehrwert verleihen . Er wird in der Fabrik der Firma Powerex in Le Mans durchgeführt . Es dürfte dieser letzte Vorgang sein, den die auf Hinweis der französischen Zollbehörden erlassene Verordnung Nr . 1203/86 in ihrer vierten Begründungserwägung anspricht, wenn sie Scheiben erwähnt, die noch "nicht mit einem Gehäuse und Anschlüssen ausgestattet sind ".

14 . Was ist insoweit von den Vorschriften dieser Verordnung zu halten? Artikel 1 stuft in die Tarifstelle 85.21 D II ein "Siliciumscheiben, bei denen durch selektive Diffusion diskrete Zonen geschaffen wurden und die auf einem Träger aus Molybdän angebracht sind ." Die vierte Begründungserwägung hebt hervor, daß diese Scheiben, "obwohl ( sie ) nicht mit einem Gehäuse und Anschlüssen ausgestattet sind, ... bereits in ihrer vorliegenden Beschaffenheit Halbleiter" darstellen .

15 . Eine erste Schwierigkeit dürfte in dem Begriff "selektive Diffusion" liegen . Entweder legt man diesen Begriff dahin aus, daß damit lediglich die thermische Diffusion unter Ausschluß der Bestrahlung mit Elektronenbündeln gemeint ist - in diesem Fall wurden die von der Firma Powerex eingeführten Stücke vor ihrer Einfuhr in der Tat selektiv diffundiert und fallen daher unbestreitbar unter die Verordnung Nr . 1203/86 -, oder aber man begreift ihn so, daß er jedes Verfahren zur Schaffung diskreter Zonen erfasst, d . h . sowohl die thermische Diffusion als auch die Bestrahlung mit Elektronenbündeln; dann kann man sich fragen, ob die von Powerex eingeführten Stücke tatsächlich zum Anwendungsbereich der Verordnung gehören, weil ihre Bestrahlung nach ihrer Einfuhr stattfindet .

16 . Wie also ist der Begriff der selektiven Diffusion zu begreifen? Gewiß, geht man von den Dokumenten im Anhang des Sachverständigengutachtens aus, das im Auftrag der Firma Powerex von Herrn Gaussens am 12 . Februar 1988 erstattet wurde, und insbesondere von dem Dokument Nr . 1 in englischer Sprache ( 2 ), so hat es den Anschein, als bezeichne der Ausdruck "Diffusion" in der Wissenschaftssprache lediglich die thermische Diffusion ( 3 ). Die Kommission hat indessen am 3 . Februar 1989 eine Verordnung ( EWG ) Nr . 288/89 über die Bestimmung des Ursprungs von integrierten Schaltungen ( 4 ) erlassen, deren dritte Begründungserwägung besagt : "Unter Diffusion ist in diesem Zusammenhang der Vorgang zu verstehen, bei dem integrierte Schaltungen auf einem Halbleitersubstrat durch selektives Aufbringen eines geeigneten Dotierstoffes gefertigt werden ." Geht man von dieser Definition aus, dann gehört auch die Bestrahlung mit Elektronenbündeln zur Diffusion, weil sie der "selektiven Aufbringung eines Dotierstoffes" dient . Welchen Beitrag nun immer die Wissenschaftssprache zu einer Verdeutlichung leisten mag, mir scheint es unangemessen, in zwei so ausserordentlich verwandten Bereichen - dem in der Verordnung Nr . 288/89 angesprochenen der integrierten Schaltungen und dem in der Verordnung Nr . 1203/86 behandelten der Halbleiter - zwei unterschiedliche Definitionen der Diffusion aufzustellen . Auch wenn die Definition der Diffusion erst in den Begründungserwägungen einer nach der Verordnung Nr . 1203/86 ergangenen Verordnung erfolgt ist, sollte man doch auch jene ältere Verordnung im Lichte dieser Definition auslegen .

17 . Der Begriff der selektiven Diffusion sollte daher nach meinem Dafürhalten sowohl die thermische Diffusion als auch die Bestrahlung mit Elektronenbündeln erfassen . Daraus lässt sich aber nicht der Schluß ziehen, daß die von der Firma Powerex eingeführten Stücke, die dieser Bestrahlung noch nicht unterzogen wurden, nicht unter die Verordnung Nr . 1203/86 fallen . Diese Stücke sind nämlich in den Vereinigten Staaten einer thermischen Diffusion unterzogen worden, und es ist unstreitig, daß die thermische Diffusion eine Methode der selektiven Diffusion ist . Deshalb kann man nicht davon ausgehen, daß sie keinerlei selektive Diffusion erfahren haben, nur weil sie noch einer weiteren Maßnahme selektiver Diffusion ( mit Hilfe der Bestrahlung ) unterzogen werden müssen, um die Durchgangsrichtung und die Sperrichtung vollkommen einzurichten . Diese Stücke des Typs A oder des Typs B haben daher vor ihrer Einfuhr sehr wohl eine selektive Diffusion zur Einrichtung diskreter Zonen erfahren . Sie fallen mithin unter die Verordnung Nr . 1203/86 . Ich schlage daher vor, die erste Frage in diesem Sinne zu beantworten .

18 . Mithin ist die Frage der Gültigkeit der streitigen Verordnung zu prüfen . Die Firma Powerex macht zwei Rügen geltend : Zum einen sei die Verordnung auf der Grundlage fehlerhafter Daten erlassen worden, weil man nicht sagen könne, daß den Siliciumscheiben nur noch ein Gehäuse und Anschlüsse fehlten, um in der vorliegenden Beschaffenheit Halbleiter darzustellen; zum anderen habe die Kommission ihre Befugnisse überschritten, indem sie die betreffenden Siliciumscheiben in eine Tarifstelle eingereiht habe, die nach Maßgabe der Vorschriften zur Auslegung des Schemas des Zolltarifs nicht zutreffe .

19 . Es ist völlig richtig, wie ich bereits unter Hinweis auf die Ausführungen des Gutachtens Camus bemerkt habe, daß die Siliciumscheiben nach selektiver Diffusion und Anbringung eines Molybdänträgers nicht lediglich noch mit Gehäuse und Anschlüssen versehen werden müssen . Sie müssen noch eine weitere selektive Diffusion, diesmal durch Bestrahlung, erfahren . Die vierte Begründungserwägung sagt hierzu, wie ich festhalten möchte : "Obwohl die vorstehend beschriebenen Scheiben nicht mit einem Gehäuse und Anschlüssen ausgestattet sind, stellen sie bereits in ihrer vorliegenden Beschaffenheit Halbleiterbauelemente dar ." Diese Begründung scheint mir aus zwei Gründen angreifbar, zunächst weil sie davon auszugehen scheint, daß lediglich die Vorgänge der Ausstattung mit Gehäuse und Anschlüssen noch durchzuführen seien, vor allem aber wegen der Behauptung, daß die Scheiben nach selektiver Diffusion "bereits in ihrer vorliegenden Beschaffenheit" Halbleiterbauelemente darstellen . Die Kommission hat hier nämlich die allgemeine Vorschrift 2 a zur Auslegung des Schemas des Gemeinsamen Zolltarifs angewandt, die bestimmt : "Jede Anführung einer Ware in einer Tarifnummer gilt auch für die unvollständige oder unfertige Ware, wenn sie die wesentlichen Beschaffenheitsmerkmale einer vollständigen oder fertigen Ware hat ." Ausgehend von der Annahme, daß die Siliciumscheiben, sobald sie einer thermischen Diffusion unterzogen wurden, die wesentlichen Merkmale eines Halbleiters aufweisen, hat sich die Verordnung daher für eine Einreihung in die Tarifstelle 85.21 II entschieden . Nach meinem Dafürhalten ist daher der Kern des Problems hauptsächlich die Frage, was die wesentliche Eigenschaft eines Halbleiters ist und ob die von der Firma Powerex eingeführten Scheiben diese Eigenschaft aufweisen oder nicht .

20 . Was ist also die wesentliche Eigenschaft eines Halbleiters? Nach dem Gutachten des gerichtlichen Sachverständigen haben "die Stücke des Typs A und des Typs B bereits eine Thyristorstruktur ( Mehrfachschichten NPNP ) und können 'im Test' wie ein Thyristor funktionieren, wenn man an Anode, Kathode und Schalterelektrode geeignete Spannungen anlegt ." Natürlich sind diese Stücke in der vorliegenden Beschaffenheit noch nicht einsatzfähig . So hat der Sachverständige Gaussens in der mündlichen Verhandlung unwidersprochen ausgeführt, daß der Einsatz dieser Stücke in der vorliegenden Beschaffenheit zu Kurzschlüssen führen könne . Muß man nun also davon ausgehen, daß die wesentliche Eigenschaft eines Halbleiters die ist, den Strom nur in einer Richtung fließen zu lassen, wenn auch in grober und nichteinsetzbarer Weise, oder muß man im Gegenteil annehmen, daß es um die Eigenschaft geht, den Strom in einer Richtung in vollkommener Weise unter Beherrschung der elektrischen Ströme und ihrer Stärke fließen zu lassen? Ich will hier gleich sagen, daß für mich die zweite Lösung geboten ist . Die wesentliche Eigenschaft lässt sich nicht auf eine einfache "Eignung zu" zurückführen, sie muß vielmehr das Vorhandensein ( oder Fehlen ) der hauptsächlichen funktionellen Eignungen berücksichtigen, die normalerweise verlangt werden . Wenn die allgemeine Vorschrift 2 a für die Auslegung des Schemas des Gemeinsamen Zolltarifs sich auf unvollständige oder unfertige Waren bezieht, hat sie Fertigstellungs - und Montagearbeiten im Auge, vielleicht sogar einige etwas weitergehende Arbeitsvorgänge, sicherlich aber nicht eine so hochtechnische Maßnahme von hohem Mehrwert wie die Bestrahlung mit Elektronenbündeln mittels Durchlaufs der Stücke durch einen Teilchenbeschleuniger, die allein Kurzschlüsse auszuschließen vermag . Diese Auffassung wird durch die vierte Begründungserwägung der Verordnung Nr . 288/89 gestützt, die erklärt, durch die Diffusion werde die integrierte Schaltung mit allen notwendigen funktionellen Eigenschaften ausgestattet . Wendet man diese Definition auf den vorliegenden Fall an, dann kann man nur sagen, daß die Siliciumscheiben bei ihrer Einfuhr noch nicht mit allen notwendigen funktionellen Eigenschaften ausgestattet sind, weil sie in dieser Beschaffenheit nicht einsetzbar sind und das Fließen des Stroms in einer einzigen Richtung nur sozusagen "unter Laborbedingungen" gestatten .

21 . Im übrigen muß ich, wenn es denn noch notwendig sein sollte, darauf hinweisen, daß die Verordnung Nr . 1203/86, soweit sie davon auszugehen scheint, daß die Siliciumscheiben nach ihrer Einfuhr nur noch mit Gehäuse und Anschlüssen ausgestattet werden müssen, damit ihrer Natur nach einfache Montagevorgänge ansprechen möchte, die jedem Einzelhändler zu Gebote stehen, während wir doch wissen, daß die Vorgänge, die bei den von der Firma Powerex eingeführten Scheiben noch ausstehen, besonders kompliziert sind, insbesondere weil sie in staubfreien Räumen durchgeführt werden und den Stücken einen hohen Mehrwert verleihen .

22 . Der Gerichtshof hat sich zwar meines Wissens nicht zur Natur der Zusammensetzungsarbeiten im Hinblick auf den Gemeinsamen Zolltarif geäussert ( 5 ), aber vielleicht darf ich darauf hinweisen, daß Sie für das benachbarte Gebiet der Warenherkunft in einem kürzlich ergangenen Urteil Wert auf die folgende Feststellung gelegt haben :

"Als einfache Zusammensetzungsarbeiten sind Vorgänge anzusehen, die weder Arbeitskräfte mit besonderer Qualifikation für die betreffenden Arbeiten noch hochentwickelte Gerätschaften, noch besonders für die Montage ausgerüstete Fabriken erfordern . Solche Vorgänge können nicht als geeignet angesehen werden, zu den wesentlichen Merkmalen oder Eigenschaften der betreffenden Waren beizutragen" ( 6 ).

Im gleichen Urteil haben Sie den Rückgriff auf das subsidiäre Kriterium des durch die Zusammensetzung entstehenden Mehrwerts gebilligt . Soweit sich eine solche Rechtsprechung übertragen lässt, scheint mir, daß die Komplexität der vorliegend erforderlichen Zusammensetzungsvorgänge ( 7 ) ebenfalls für die Einreihung der Siliciumscheiben in die Tarifstelle für Teile und nicht in die für Halbleiter spricht .

23 . Somit können, um diesen Punkt abzuschließen und unter Vorbehalt der Komplexität der Montagevorgänge, lediglich diejenigen Siliciumscheiben, die eine selektive Diffusion nicht nur thermischer Art, sondern auch durch Bestrahlung mit Elektronenbündeln erfahren haben und damit die Eignung aufweisen, den Strom in vollständiger Weise in einer Richtung fließen zu lassen, der Tarifstelle für Halbleiter zugewiesen werden . Dies ist bei den von der Firma Powerex eingeführten Scheiben nicht der Fall . Die streitige Verordnung muß daher, soweit sie in Artikel 1 unscharf Siliciumscheiben mit selektiver Diffusion behandelt und daher Scheiben erfasst, die in ihrer vorliegenden Beschaffenheit keine Halbleiter darstellen, als ungültig betrachtet werden . In diesem Sinne schlage ich Ihnen vor, auf die zweite Frage zu antworten .

24 . Die dritte Frage des vorlegenden Gerichts betrifft die Auswirkungen einer solchen Ungültigkeit auf die vor dem künftigen Zeitpunkt ihres Urteils durchgeführten Einfuhren . Hier geht es um ein klassisches Problem . In Ihrem Urteil in der ersten Rechtssache Roquette ( 8 ) haben Sie auf Vorlagen zur Vorabentscheidung im Wege der Analogie Artikel 174 Absatz 2 EWG-Vertrag zur Anwendung gebracht, demzufolge Sie bei einer erfolgreichen Nichtigkeitsklage "diejenigen ihrer (( der Verordnung )) Wirkungen, die als fortgeltend zu betrachten sind," bezeichnen können . Die Beschränkung der Wirkungen insbesondere in der Zeit ist jedoch lediglich eine Ausnahme; in der Regel haben sie Rückwirkung bis auf den Zeitpunkt des Erlasses des angefochtenen und für "nichtig" erklärten Aktes . Wie jede Ausnahme ist sie eng auszulegen und muß auf die ihr zugrundeliegenden Notwendigkeiten beschränkt bleiben, d . h . nach Ihrer Rechtsprechung auf die Anforderungen der Rechtssicherheit . Da indessen die streitige Verordnung anscheinend lediglich auf die Einfuhren der Firma Powerex anzuwenden ist, dürfte kein Gebot der Rechtssicherheit zu einer Beschränkung der Wirkungen der Nichtigerklärung führen . Ich schlage daher vor, diese dritte Frage in diesem Sinne zu beantworten .

25 . Ich schlage Ihnen daher vor, für Recht zu erkennen :

"1)Die Verordnung ( EWG ) Nr . 1203/86 der Kommission vom 23 . April 1986 zur Einreihung von Waren in die Tarifstelle 85.21 D II des Gemeinsamen Zolltarifs ist dahin auszulegen, daß sie auf Siliciumscheiben anzuwenden ist, die eine selektive Diffusion in Form einer thermischen Diffusion erfahren haben und auf einem Molybdänträger angebracht sind, auch wenn sie nach ihrer Einfuhr in die Gemeinschaft unter anderem noch einer selektiven Diffusion durch Bestrahlung mit Elektronenbündeln unterzogen werden müssen .

2)Die genannte Verordnung ist ungültig, weil sie in die Tarifstelle 85.21 D II des Gemeinsamen Zolltarifs Siliciumscheiben einreiht, die in ihrer zum Zeitpunkt ihrer Einfuhr vorliegenden Beschaffenheit nicht die wesentlichen Beschaffenheitsmerkmale von Halbleitern aufweisen .

3)Die Wirkungen dieser Ungültigkeit sind nicht einzuschränken ."

(*) Originalsprache : Französisch .

( 1 ) ABl . L 108 vom 25.4.1986, S . 20 .

( 2 ) C . K . Chu und J . F . Donlon : "Annealing effects on electron irradiated and gold diffused thyristors for fast switch application ".

( 3 ) Z . B . "Fast switch diodes and thyristors can be made by either electron irradiation or gold diffusion ".

( 4 ) ABl . L 33 vom 4.2.1989, S . 23 .

( 5 ) Ausgenommen vielleicht das Urteil vom 29 . Mai 1979 in der Rechtssache 165/78, IMCO, Slg . 1979, 1837, das indessen in der vorliegenden Rechtssache nicht weiterhilft .

( 6 ) Urteil vom 13 . Dezember 1989 in der Rechtssache C-26/88, Brother International GmbH, Slg . 1989, 4253, Randnr . 17 .

( 7 ) Vgl . oben, Randnr . 12 .

( 8 ) Urteil vom 15 . Oktober 1980 in der Rechtssache 145/79, Roquette, Slg . 1980, 2917; vgl . auch Urteil vom 15 . Oktober 1980 in der Rechtssache 109/79, Société Maïseries de Beauce, Slg . 1980, 2883, Urteil vom 15 . Oktober 1980 in der Rechtssache 4/79, Société providence agricole, Slg . 1980, 2823, Urteil vom 15 . Januar 1986 in der Rechtssache 41/84, Pinna, Slg . 1986, 1, Urteil vom 27 . Februar 1985 in der Rechtssache 112/83, Société des produits de maïs, Slg . 1985, 719, Urteil vom 22 . Mai 1985 in der Rechtssache 33/84, Fragd, Slg . 1985, 1605 .