ARCHIVES HISTORIQUES 
DE LA COMMISSION 
 
 
 
COLLECTION RELIEE DES 
DOCUMENTS "COM" 
 
 
 
 
COM (83) 607 
 
 
 
Vol. 1983/0 225 
  
 
Disclaimer  
Conformém ent au règlement (CEE, Euratom) n° 354/83 du Conseil du 1er février 1983 
concernant l'ouverture au public des archives historiques de la Communauté économique 
européenne et de la Communauté européenne de l'énergie atomique (JO L 43 du 15.2.1983, 
p. 1), tel que modifié par le règlement (CE, Euratom) n° 1700/2003 du 22 septembre 2003 
(JO L 243 du 27.9.2003, p. 1), ce dossier est ouvert au public. Le cas échéant, les documents 
classifiés présents dans ce dossier ont été déclassifiés conformément à l'article 5 dudit 
règlem ent. 
In accordance with Council Regulation (EEC, Euratom) No 354/83 of 1 February 1983 
concerning the opening to the public of the historical archives of the European Econom ic 
Communit y and the European Atom ic Energy Communit y (OJ L 43, 15.2.1983, p. 1), as 
amended by Regulation (EC, Euratom) No 1700/2003 of 22 September 2003 (OJ L 243, 
27.9.2003, p. 1), t his file is open to the public. Where necessary, classified documents in this 
file have been declassified in conformity with Article 5 of the aforementioned regulation.  
In Übereinstimmung mit der Verordnung (EWG, Euratom) Nr. 354/83 des Rates vom  1. 
Februa r 1983 über die Freigabe der historischen Archive der Europäischen  
Wirtschaftsgemeinschaft und der Europäischen Atomgem einschaft (ABI. L 43 vom  15.2.1983,  
S. 1), geändert durch die Verordnung (EG, Euratom) Nr. 1700/2003 vom 22. Septem ber 2003  
(ABI. L 243 v om 27.9.2003, S. 1), ist diese Datei der Öffentlichkeit zugänglich. Soweit  
erforderlich, wurden die Verschlusssachen in dieser Datei in Übereinstimmung mit Artikel 5  
der genannten Verordnung freigegeben.  
KOMMISSION DER EUROPÄISCHEN GEMEINSCHAFTEN
K O M (83) 607 endg.
Brüssel, den 17. Oktober 1983
Entwurf einer
V E R O R D N U N G  ( E W G )  D E S  R A T E S
zur zeitweiligen Aussetzung von autonomen Zollsätzen 
des G em einsam en Zolltarifs für einige industrielle W aren
(von der K om m ission d e m  Rat vorgelegt)
K O M (8 3 ) 6 07 endg.

-3 -
B E G R Ü N D U N G
1. G egenstand nachfolgenden V erordnungsentw urfs ist die v o n  Mitgliedstaaten 
beantragte zeitweilige A ussetzung der Zollsätze des G e m e in sa m e n  Zolltarifs 
für eine R eih e v o n  industriellen W a re n . E s  handelt sich dabei teils u m  
eine V erlängerung, teils u m  eine n eue M a ssn a h m e .
2. D ie  K o m m issio n  ist der A uffassung, dass eine Zollaussetzung für die W a re n , 
die sich i m  A n h a n g  z u  dieser V erordnung befinden, gerechtfertigt ist.
S ie schlägt eine vollständige Zollaussetzung für die W a re n  vor, deren 
G em einschaftserzeugung null oder geringfügig ist u n d  eine teilweise 
Zollaussetzung, w e n n  die Gemeinschaftsproduktion nur einen Teil des 
Bedarfs deckt. D e r  Zollsatz der teilweisen Zollaussetzung richtet sich 
n ach  d e m  U m f a n g  der Versorgungsm öglichkeiten der V erw en d er durch eine 
Gemeinschaftsproduktion. D a b e i w ä g t die K o m m issio n  au ch  die Interessen 
der Erzeuger, der V erw en d er u n d  der V erbraucher in der G em einschaft ab.
S ie berücksichtigt ebenfalls die gegenwärtigen P roblem e auf d e m  
Arbeitsmarktes.
3. D ie  M a s s n a h m e n  beschränken sich w e g e n  der Schwierigkeit einer lang­
fristigen V orausschau auf 6  M on ate.
4. F ü r eine R eihe v o n  W a re n , für die die Mitgliedstaaten eine Zollaussetzung 
beantragt haben, schlägt die K o m m issio n  keine tarifären M a ss n a h m e n  vor, 
w eil die V oraussetzungen dafür nicht gegeben sind. E s  handelt sich u m  
folgende W a re n ;

-  4 -
Nummer des 
Gemeinsamen 
ZolltarifsWarenbezeichnung
—
G em isch aus technischen Fettsäuren mit einem  Gehalt
ex 15.10 C  an ·- Heptansaure von 40 Gewichtshundertteilen oder mehr, 
jedoch höchstens 4 5  Gewichtshundertteilen
~  Hexansäure von 30 Gewichtshundertteilen oder m ehr, 
jedoch höchstens 3 5  Gewichtshundertteilen
- Oktansäure von 8  Gewichtshundertteilen oder m ehr, 
jedoch höchstens 1 0  Gewichtshundertteilen
~  Nonansäure von 8  Gewichtshundertteilen oder mehr, 
jedoch höchstens X )  Gewichtshundertteilen
- Valeriansäure von 4  Gewichtshundertteilen oder m ehr, 
jedoch 6  Gewichtshundertteilen
- (para-Phenylen)dipropan-2-ol
2-B rom  - 6-methoxynaphtalin
2-(2-ßutoxyäthoxy)äthyl-6-propyl-piperonyläther 
(Piperonylbutoxid)
Nonansäure
ex 29.23 A  III IndenoloIhydrochlorid (IN N M )
trans-(cyclohex-1,4-ylene diisocyanat)
Allethrin (ISO )
Ketazolam (IN N )
Troclosen-Natrium-Dihydrat (IN N M ) 
Methylprednisolon (IN N ) und seine Salze und Ester 
Ivermectin (INN)
Cefiizoxim-Natrium (INNM)
G a  l lenauszug
Wässrige Lösung von alpha-2-Interferon mit einem 
Reinheitsgrad von nicht weniger als 95 % f  bezogen 
auf die Tockenmasse, auch gefroren
Katalysator» bestehend aus einer M ischung von 
ütü1 -(Oxydiäthylen)-bi s(dimethylamin) und 1,1*- 
0xydipropan-2-ol#  mit einem Gehalt an N I ,_ N '-  
(Oxydiäthylen)bi s (dimethylamin)  von nicht weniger 
als 69 und nicht m ehr als 7 1  Gewichtshundertteilenex 29.05 B  II 2.2' 
ex 29.08 A  III c) 
29.10 A
ex 29.14 A  X I
ex  29.30 
ex 29.14 C  
ex 29 3 5  Q  
ex 29.35 Q  
ex 29 39 D  II 
ex 29.41 D
ex 29.44 C
ex 30.01 B  II 
ex  35.04
ex 38.19 G

-5 -
N u m m e r  des
G em ein sam en  W arenbezeichnung
Zolltarifs
ex 38.19 G  Kupferchorid-Katalysator, auf Aluminiumoxid fixiert,
z u m  Herstellen von Dichloräthan aus Äthylen, Salz­
säure und Sauerstoff nach der "Fixed bed"-Methode
ex 38 19 X  I v e r m e c t i n  ( I N N ) , i n  Toluol gelöst
(Bernsteinsäure-anhydrid mit einer Alkenyl= 
ex 38.19 X  seitenkette von nicht weniger als 1 5  und nicht
m ehr als 2 0  KohlenstoffatomenJ
ex 39.02 (Ia) Polyäthylen in Form en im  Sinne der Vorschrift 3  b)
zu Kapitel 39, mit einer Dichte von nicht weniger 
als 0,958 bei 23° C  und einem Gehalt von nicht m ehr 
als
- 50 p p m  Alum inium
- 2  p p m  Calcium
- 2  p p m  C h ro m
- 2  p p m  Eisen
- 2  p p m  Titan
2  p p m  Vanadium.
z u m  Herstellen von chlorsulfoniertem Polyäthylen
Mischpolymerisat ganz aus Maleinsäureanhydnd und Styrol, auch mit einem An-  ex 39 0 2  C  V I a) teil an Swrol-Butaaien-Blockmischpolymerisat, in Formen im Sinne der Vorschrift
3 b) zu Kapitel 39
Biaxial gereckte Polyvinylalkoholfolie mit einer D icke 
ex 39,02 C  X I von weniger als 1  m m , beidseitig mit einem  Polyvinyliden-
chlorid-Copolymer beschichtet
ex 39.02 C  X IV  b) Biaxial orientierte Folien aus Vinylalkohol-Äthylen-
M i  schpolymerisat, auch aufgerollt
ex 39.03 B  III a) Zellulosediacetat, nicht weichgemacht, in F o rm
von Flocken
ex 48.07 D  Beidseitg bestrichenes Papier mit einem Quadratmeter­
gewicht von nicht weniger als 43 und nicht m ehr als 
46 gr., z u m  Herstellen von Wochenschriften der Ta- 
rifnr. 49.02
ex 56 0 1  A  Acetalisierte Mehrkomponenten-Spinnfasem mit Matrixfibrillenstruktur, bestc-
*  hend aus emulsionspolynieriaertem Polyvinylalkohol und Vinylchlorid

-6-
N u m m e r des
des G em einsam en Warenbezeichnung
Zolltarifs
ex 56.01 B  Spinnfasern, ganz aus M odal (ISO )
ex 59.03 Verbundvliesstoff aus Polypnopylenfaservl'ies.
mit einer Dicke von nicht m ehr als 650 und 
einem Quadratmetergewicht von nicht m ehr als 
80 g
Game aus verspinnbaren Endlosglaifäden, mit Resordnoiformaldehyd behandelt,  ex 70.20 B  von nicht weniger als 340 und nicht mehr als 680 tex, mit einem Durchmesser der
F*»ern von nicht weniger als 12,5 und nicht mehr ab 13,5 Mikrometer
ex 84.53 B  Speichereinheit, bestehend aus einer Reihe
von Festmagnetplatten und Magnetköpfen, mit 
einer Speicherkapazität von 202 Megabytes 
oder mehr, einer Übertragungsgeschwindigkeit 
von 2.458 Kilobytes pro Sekunde, in einem 
Gehäuse mit den Abm essungen von nicht m ehr 
als 180x250x400m m
Baugruppe für automatische Datenver-  
ex 84 5 5  C  arbeitungsmaschinen,  die einen elek­
tronisch programmierbaren UV-lösch-  
baren Lesespeicher (sogenannter EPROI^i)  
mit einer Gesamtspeicherkapazität  
von 128 Kbit bildet und aus einem 1  
mehrlagigen Substrat mit den  
Abmessungen von nicht mehr als 17 x  
39 mm besteht, auf dem angebracht  
sind:
- zwei elektronische programmierbare
UV-löschba^e Lesespeicher (soge­
nannte EPROMs),  in Form von mono­
lithischen integrierten Schaltungen,  
mit einer Speicherkapazität von je­
weils 64 Kbit und je einem Quarz- I  
fenster auf der Oberseite, 1
i
- ein Decoder in Form einer mono- i  
lithischen integrierten Schaltung,
- ein Entkoppelungskondensator.

-7-
N u m m e r  des
G em ein sam en
ZolltarifsW arenbezei chnung
ex 84.55 C  (Folge) D ie Baugruppe trägt
- eine Kennzeichnung, die aus einer .  
der nachstehend aufgeführten Zahlen/  
Buchstabenkombinationen besteht oder  
eine dieser Kombinationen als Be­
standteil enthält:
EDH 7816 C -3 0  
EDH 7816 C-35  
EDH 7816 N-25  
EDH 7816 N-35
oder
- eine andere Kennzeichnung, die sich  
auf Lesespeicher-Baugruppen der vor­
stehenden Beschreibung bezieht
ex 84.55 C  Baugruppe für automaLi sehe Datenverarbeitungs -
m a s c h i  n e n ,  die einen elektronisch programmier­
baren UV-Jöschbaren Lesespeicher (sogenannter 
EPROM) mit einer Gesamtspeicherkapazität von 
128 Kbit und einen statischen Sehreib-Lesespei- 
cher mit wahlfreiem Zugriff in C-MOS-Technik 
(sogenannter C-MOS-RAM, statisch) mit einer 
Gesamtspeicherkapazität von 128 Kbit bildet 
und aus einem mehrlagigen Substrat mit den Ab­
messungen von nicht mehr als 17 x 39 mm besteht, 
auf dem angebracht sind:
- zwei elektronisch programmierbare UV-löschbare 
Lesespeicher (sogenannte EPRO Ms), in Form von 
monolithischen integrierten Schaltungen, mit 
einer Speicherkapazität von jeweils 64 Kbit 
und je einem Quarzfenster auf der Oberseite,

-8 -
N u m m e r
des G em ein sam en
ZolltarifsW arenbezei chnung
ex 84.55 C  (Folge)- zwei statische S ch r e i  b - L e se spe i  c he r mit wahl­
freiem Zugriff in C-MOS-Technik hergestellt 
(sogenannte C-MOS-RAMs, statisch), in Form von 
monolithischen integrierten Schaltungen mit 
einer Speicherkapazität von jeweils 64 Kbit,
- ein Decoder in Form einer monolithischen 
integrierten Schaltung,
- ein Entkopplungskondensator,
- zwei Widerstände.
Die Baugruppe hat nicht mehr als 28 AnschluO-
stifte und trägt
- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend 
aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination be - '  
steht oder diese Kombination als Bestandteil 
enthält :
E D H  91616 B L -30 (20)
oder
- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Bau­
gruppen der vorstehenden Beschreibung bezieht

-9 -
N u m m e r  des
G em ein sam en
Z o L  Ltari fsW arenbezei chnung
ex 84,55 CBaugruppe für automatische Dat.enuerarbeitungs 
maschinen, die einen elektronisch programmier­
baren UV-lö sch baren Lesespeicher (sogenannter 
EPROM) mit einei' Speicherkapazität von 64 Kbit 
und einen statischen Sch reib-Lese Speicher mit 
wahlfreiem Zugriff in C-MOS-Tcchnik (sogenannter 
C-MOS-RAMs, statisch) mit einer Gesnmtspcichcr- 
kapazität. von 32 Kbit bildet und aus einem mehr­
lagigen Substrat mit den Abmessungen von nicht 
mehr als 17 x 39 mm besteht, auf dem angebracht 
sind :
- ein elektronisch programmierbarer UV-lösch- 
barer Lesespeicher (sogenannter EPROM) mit 
einer Speicherkapazität von 64 Kbit und einem 
Quarzfenster auf der Oberseite,
- zwei statische Schreib-Lesespeicher mit wahl­
freiem Zugriff in C-MOS-Technik hergestellt 
(sogenannte C-MOS-RAms, statisch), in Form 
von monolithischen integrierten Schaltungen 
mit einer Speicherkapazität von jeweils 
1 6Kbit,
- ein Decoder in Form einer monolithischen in­
tegrierten Schaltung,
- ein Entkopp1ungskondensator,
- zwei Widerstände.

-10-
N u m m e r des
G em einsam en Warenbezeichnung
Zolltarifs
ex 84.55 £ (Folge) Die Baugruppe hat nicht mehr als 28 AnschluG-
stifte und trag t
- eine Kennzeichnung, die aus einer der nach­
stehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombi- 
nationen besteht oder eine dieser Kombina­
tionen als Bestandteil enthält:
E D H  90804 B S -2 5  (15)
E D H  90804 B S-30 (20)oder
- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Bau­
gruppen der vorstehenden Beschreibung bezieht
ex 84.55 CBaugruppe für automatische Datenverarbeitungs- 
maschinen, die einen elektronisch programmier­
baren UV-Jöschbaren Lese spei eher (sogenannter 
EPRGM) mit einer Gesamtspei, eher kapazität von 
256 Kbit bildet und aus einem mehr'tägigen 
Substrat mit den Abmessungen von nicht mehr als 
17 x 39 mm besteht, auf dem angebracht sind:
- vier elektronisch programmierbare UV-lösch- 
bare Lese Speicher (sogenannte EPROMs), in 
Form von monolithischen integrierten Schal­
tungen mit einer Speicherkapazität von je­
weils 64 Kbit und je einem Quarzfenster auf 
der Oberseite,
- ein Decoder in Form einer monolithischen in­
tegrier ten Schaltung,
- ein Entkopplungskondensator.

-1 1 -
N u m m e r des - >
G em einsam en Warenbezeichnung
Zolltarifs
ex 84.55 C  (Folge) _  .  . .  .Die Baugruppe tragt
- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend 
aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination be­
steht oder diese Kombination als Bestandteil 
enthält:
E D H  7832 m c-35
oder
- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lese-
speicher-Baugruppen der vorstehenden Be­
schreibung bezieht
ex 84.55 C Matrixraster-Modulen von höchstens 150 x 300 x
400 mm (ausschl. Verbindungen), bestehend aus  
einer zwischen zwei Glas- oder Kunetetoffplatten  
eingeschlossenen Flüssigkristallschicht,  mir  
mindestens 560^as^erPun^^-en auf einer gedruckten  
Schaltung montiert, die mit elektronischen  
Elementen, mit Antrieb und Kont roll funktionell,  
mit oder ohne Anschlüsse, versehen ist.
„j. Impulstransformator mit den Abmessungen von nicht mehr als 400 x 500 x 700
e x  ö j . i n  B 11 mm und einem Gewicht von nicht mehr als 300 kg, der bei einer Frequenz von
200 Hz und während einer Zeit von 125 Mikrosekunden eine Spannung von 
4 KV in 60 KV umwandeit
ex 8 5  2 1  A  III Lochmasken-Farbkathodenstrahlrohren E ektronenkanonen m
ex 85.21 A  III Dreiecksanordnung, sogn. Delta-Technik), mit diagonaler
Ablenkung von maximal 90°und einem Abstand zwischen den  
Farbpunkten von maximal 0,61 mm, zur Wiedergabe von  
Farbbildern, die Röhren werden als Bildröhren in  
elektronischen Datenanzeigegeräten und bei Mess und  
Kontrol Instrumenten für elektronischen Studio- und  
Sendesysteme zur Messwertanzeige verwendet

-12-
N u m m e r  des
G em ein sam en
ZolltarifsW arenbezei chnung
ex 85.21 A  IIILochmasken-Farbkathodenstrahlröhren (Elektronenkanonen 
in Reihenanordnung, sogn. In-line-Technik), mit diagonaler 
A blenkung von m axim al 90 0  und einem  Abstand zwischen 
den Farbpunkten von m axim al 0,61 m m , zur W iedergabe v o n  
Farbbildern, die Röhren w erden als Bildröhren in elektro­
nischen Datenanzeigegeräten und bei M ess- und Kontroll- 
instrumenten für elektronische Studio- und Sendesysteme 
zur Messwertanzeige verwendet C a )
ex 85.21 D  II Programmierbare Lesespeicher, nicht löschbar (so­
genannte P R O M s)*  in F o rm  einer monolithischen in­
tegrierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität 
von 4  K  bit, in einem Gehäuse mit nicht m ehr als 
24 Anschlußstiften oder nicht m ehr als 28 Kontakt­
flächen und den Abm essungen von nicht m ehr als 
17x39 m m
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgefuhrten Zahlen- oder 
Zahlen/Buchstabenkorabinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandted emhth:  
oder
® * ne andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden 
Beschreibung bezieht
18 S 42  
18 S 46  
18 SA 42  
18 SA 46
24 S 41  
24 SA 41
27 S 15  
27 S 25  
27 S 26  
27 S 27  
27 S 28  
27 S 29  
27 S 30  
27 S 31  
27 S 32  
27 S 33
28 L  42  
28 L  45  
28 P 42  
28 P 45  
28 R 45
28 SA 41  
28 S 42  
28 SA 42  
28 S 45  
28 S 46  
28 SA 465340
5341
53 S 440  
53 RA 441  
53 RS 441  
53 S 441
5348
5349
5350
5351
5352
5353
54 S 472  
54 S 473  
54 S 474  
54 S 475  
54 S 476  
54 S 477  
54 S 572  
54 S 573
54740
547417121
7122
7123
7124
7125
7126
74 S 472  
74 S 473  
74 S 474  
74 S 475  
74 S 476  
74 S 477  
74 S 572  
74 S 573
7640
7641
7642
7643
7644
7645
7647
7648
7649

-13-
29620
29621
29622
29623
29624
29625
29626
29627
3604
3624
3625
385105605
5625
6340
6341
63 S 440  
63 RA 441  
63 RS 441  
63 S 441
6348
6349
6350
6351
6352
6353
HM 664182 HS 137  
82 HS 147
82 S 115  
82 S 136  
82 S 137  
82 S 140
82 S 141  
82 S 142  
82 S 146  
82 S 147
93438
93448
93452
93453
7054
7059
ex 85.21 D U  Elektronisch programmierbare UV-löschbare Lesespeicher (sogenannte
ERROMs), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer  
Speicherkapazität von 32 K bit, ausgenommen die Organisation von 4 K x 8 bit  
mit einer Zugriffszeit Von nicht mehr als 300 Nanosekunden, in einem Gehäuse  
mit den Abmessungen von nicht mehr als 17 x 39 mm und einem Quarzfenster |  
auf der Oberseite
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder  
Zahlen/Buchstabenkombinatiorien besteht oder eine dieser Kombinationen als  
Bestandteil enthält:
2532 4
25 A 32  
25 L 32  
2732 
68732  
68 L 732
oder
■ eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Be­
schreibung bezieht
ex 85.21 D  II Elektronisch programmierbare UV-löschbare Lesespeicher (sogenannte
EPROMs), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer  
Speicherkapazität von 4 K x 8 bit und einer Zugrtffszett von nicht mehr als 300  
Nanosekunden, in einem Gehäuse mit den Abmessungen von nicht mehr als  
17 x 39 mm und einem Quarzfenster auf der Oberseite
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchsta-  
benkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält.
2732 A-3
oder
— eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Be­
schreibung bezieht

-IS-
N u m m e r  d es
G e m e in s a m e n
ZolltarifsW aren b ezeich n u n g
Elektronisch programmierbare UV-löschbare Lesespeicher (sogenannte  ex 85.21 D  I I  EPROMs), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer
Speicherkapazität von 64 K bit, in einem Gehäuse mit den Abmessungen von 
nicht mehr als 17 x 39 mm und einem Quarzfenster auf der Oberseite
Das Gehäuse trägt ·
— eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder  
Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als  
Bestandteil enthält;
2564 
2764 
68 L 64  
68764  
68 A 764  
68 L 764  
68766
oder
— eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Be­
schreibung bezieht
Elektronisch programmierbare UV-löschbare Lesespeicher (sogenannte  ex 85.21 0  II EPROMs), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer
Speicherkapazität von 16 K x 8  bit
in einem Gehäuse mit den Abmessungen von nicht mehr als 
17 x 39 mm und einem Quarzfenster auf der Oberseite
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkom­
bination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:
27128
oder
— eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Be­
schreibung bezieht
ex 8 5  -2 1  D  II Dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte RAMs dy­
namisch), in Form einer monolithischen integrierten Scnaltung, mit einer 
Speicherkapazität von 16 K x 4 bit, in einem Gehäuse mit 18 Anschlußstiften und 
den Abmessungen von nicht mehr als 9 x 24 mm
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/ 
Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Be­
standteil enthält:
IMS 2620  
TMS 4416  
MB 81416
oder
— eine andere Kennzeichnung, die sich auf dynamische Schreib-Lesespeicher der 
vorstehenden Beschreibung bezieht

- '1 5 -
Nummer des t
G em einsam en Warenbezeichnung
Z o L  Ltarifs
ex 85.21 D  IIStatische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in N-MOS-Technik herge- 
stelh (sogenannte N-MOS-RAMs, statisch), in Form einer monolithischen inte­
grierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 2 K x 8 bit, in einem Gehäu­
se mit 24 Anschlußstiften oder nicht mehr als 32 Kontaktflächen und den Abmes­
sungen von nicht mehr als 17 x 39 mm 
Das Gehäuse trägt
~  7Thl^e /R n Z C U Chu U n?.’  d‘f aus einer , der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder 
S ä n d i r e n Ä u  00nen StCht °d"  eine dieSer Kombinationen als
MCM 2016 
TMM 2016 
2128 
3528 
TMS 4016 
4802 
58725
8128 ______
od
er
eine andere Kennzeichnung, die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der 
vorstehenden Beschreibung bezieht
ex 85.21 D  IIStatische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in C-MOS-Technik herge- 
Stellt (sogenannte C-MOS-RAMs, statisch) in Form einer monolithischen inte­
grierten Schaltung mit einer Speicherkapazität von 64 K bit, in einem Gehäuse 
mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 
18 x 39 mm
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/ 
Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Be­
standteil enthält:
TC 5564 
TC 5565 C 
HM 6264 P-15_ MB 8464
_  
eile" andere Kennzeichnung, die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der 
vorstehenden Beschreibung bezieht
ex 85.21 D II Ein-Chip-Mikrocomputer in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, 
bestehend aus einer arithmetischen, logischen Einheit (Rechenwerk) mit einer 
Kapazität von 4. bit, einem Lesespeicher (sogenannter ROM) mit einer Speicher­
kapazität von 3 K bit bis 65 K bit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem 
Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von-f60bit bis 4 K bit, in 
einem Gehäuse mit nicht mehr als 80 Anschlußstiften und den Abmessungen von 
nicht mehr alsdS x 58 mm
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder 
Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als 
Bestandteil enthält:
CD 3200 bis 3299 
TMC 0270 bis 0279 
TMC 0500 bis 0599 
TMC 0980 bis 0989 
TMC 1500 bis 1599
oderTMC 1980 bis 1999 
TP 0310 bis 03299 
TP 0450 bis 04599 
TP 0480 bis 04899 
TP 0500 bis 05999HD 38800 
HD 38820 
HD 44796 
HD 44800 
HD 44801 
HD 44820 
HD 44840 
HD 44860
— eine andere Kennzeichnung, die sich auf Ein-Chip-Mikrocomputer der 
vorstehenden Beschreibung bezieht

Λ 6 —
N u m m e r
des G em einsam en 
Zoll, tarifsl* ë  renbezei chnmg
ex 85.21 D  IIElektronisch programmierbarer Steuerbaustein mit Direktzugriffspeicher (soge­
nannter Direct Memory Access Controller/DMA-Controller), in N-MOS-Tech- 
nik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Ge­
häuse mit nicht mehr als 64 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht 
mehr als 23 x 82 mm
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder 
Zahien/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als 
Bestandteil enthält:
HD 6844 
HD 68 A 44 
HD 68 B  44 
HD 68450-4 
HD 68450-6 
HD 68450-8 
8237oacv
AM 9517 A
od er
— eine andere Kennzeichnung, die sich auf Steuerbausteine der vorstehenden Be­
schreibung bezieht
ex 85.21 D  IIBilthensoren, bestehend aus nicht weniger als 128 und nicht mehr als 3 456 Pho­
tozellen, einer Matrix, verbunden mit Verschieberegistem, Verstärkerschaltungen 
uad Taktgebern, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem 
Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht 
mehr als 16 x 46 mm sowie einem Glasfenster auf der Oberseite.
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/ 
Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Be­
standteil enthält:
TC 101 TC 103
TC 102 TC 104
oder
—  ein e an d ere K en n zeich n u n g , d ie  sic h  auf B ild se n so re n  der v o rsteh en d en  B e ­sc h re ib u n g  b ezieh t
ex 85.21 D  II Schreib-Lesespeicher m i t  wahlfreiem Zugriff in ECL-Technik hergesieilt (soge­
nannte ECL-RAMs), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit 
einer Speicherkapazität von 1  K x 4 bit, in einem Gehäuse mit 24 Anschlußstiften 
und den Abmessungen von nicht mehr als 10 x 10 mm
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder 
Zahien/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als 
Bestandteil enthält:
PB 10474 
100474
oder
— eine andere Kennzeichnung, die sich auf Schreib-Lesespeicher der vorstehen­
den Beschreibung bezieht

N u m m e r des
G em einsam en
Z o L  Ltari fsW arenbezei chnung
ex 85.21 D  IIElektronisch programmierbarer Schnitistellenbaustein (sogenannter Programmable 
Communication lnterface/PCÏ), in N-MOS-Technik hergestellt, in Porm einer
monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 
28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17 x 39 mm
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchsta- 
benkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:
8251 A
oder
— eine andere Kennzeichnung, die sich auf Schnittstellenbausteine der vorstehen­
den Beschreibung bezieht
ex 85.21 D  II Elektronisch programmierbare UV-lösch-  
bare Lesespreicher (sogenannte EPROMs^.  
in Form von monolithischen integrier­
ten Schaltungen, bestehend aus einem  
mehrlagigen Substrat mit den  
Abmessungen von nicht mehr als  
17 x 39 mm, auf dem ein Decoder, ein  
Entkoppelungskondensator und zwei  
Chips mit einer Speicherkapazität von  
je 64 Kbit und einer Gesamtspeicher­
kapazität von 128 Kbit angebracht sind,  
mit zwei Quarzfenstern auf der Ober­
seite und mtt
- einerKennzeichnung, die aus einer  
der nachstehend aufgeführten Zahlen/  
Buchstabenkombinationen besteht  
oder eine dieser Kombinationen als  
Bestandteil enthält:
EDH 7816 C-30  
EDH 7816 C-35  
EDH 7816 N-25  
EDH 7816 N-35
oder
- eineranderenKennzeichnung, die sich  
auf Lesespeicher der vorstehenden  
Beschreibung bezieht.

-18-
N u m m e r  des
G em ein sam en  W arenbezeichnung
Z o L  Itarifs
ex 85-21 D  II Elektronische Mikroschaltungen, in F o rm  von
monolithischen integrierten Schaltungen, be­
stehend aus einem isolierenden Träger mit 
den Abm essungen von nicht m ehr als 17x39 m m , 
auf d e m  ein Decoder, ein Entkoppelungskon­
densator, zw ei Widerstände, zw ei elektronisch 
.  programmierbare, UV-löschbare Lesespeicher 
(sogenannte E P R O M s ) mit einer Speicherkapazi­
tät von je 64 Kbit und einer Gesamtspeicher­
kapazität von 128 Kbit und vzw ei· statische 
Schreib-Lesespeieher mit wahlfreiem Zugriff, 
in C-M O S-Technik hergestellt (sogenannte 
C -M O S -R A M s, statisch) mit einer Speichei—  
kapazität von je 64 Kbit und einer Gesamt­
speicherkapazität von 128 Kbit, angebracht 
sind, mit nicht m ehr als 28 Anschlußstiften 
und mit
- einer Kennzeichnung, die aus der nachste­
hend aufgeführten Zahlen-/Buchstabenkom- 
bination besteht, oder diese Kombination 
als Bestandteil enthält:
E D H  91616 B L  - 30 (20)
oder
- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf 
elektronische Mikroschaltungen der vor­
stehenden Beschreibung bezieht,
ex 85.21 D  II Elektronische Mikroschaltungen, in F o rm  von
monolithischen, integrierten Schaltungen, 
bestehend aus einem isolierendem Träger mit 
den Abm essungen von nicht m ehr als 17x39 m m . 
auf d e m  ein Decoder, ein Entkoppelungskon­
densator, zw ei Widerstände, ein elektronisch 
programmierbarer, UV-löschbarer Lesespeicher 
(sogenanntes E P R O M )  mit einer Speicherkapa­
zität von 32 Kbit und zw ei statische Schreib- 
Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in 
C-M O S-Technik hergestellt (sogenannte C -M 0S - 
R A M s , statisch) mit einer Speicherkapazität 
von je 1 6  Kbit und einer Gesamtspeicherka- 
pazität von 64 Kbit, angebracht sind, mit 
nicht m ehr als 28 Anschlußstiften und mit
- einer Kennzeichnung, die aus einer der 
nachstehend aufgeführten Zahlen-/Buchsta- 
benkombination besteht oder eine dieser
>  Kombinationen als Bestandteil enthält:
E D H  9084 B S  - 2 5  (15)
E D H  9084 B S  - 30 (20)

N u m m e r des a
G em einsam en Warenbezeichnung
Zolltarifs
oder
- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf 
elektronische Mikroschaltungen der vor­
stehenden Beschreibung bezieht.
ex 85-21 D  II Elektronisch programmierbare, UV-löschbare
Lesespei eher (sogenannte E P R O M s). in F o rm  
von monolithischen, integrierten Schaltungen, 
bestehend aus einem mehrlagigen Substrat mit 
den A bm essungen von nicht m ehr als 17x39 m m . 
auf d e m  ein Decoder, ein Entkoppelungskon­
densator und vier Chips mit einer Speicherka­
pazität von je 64 Kbit und einer Gesamtspei­
cherkapazität von 256 Kbit angebracht sind, 
mit vier Quarzfenstern auf der Oberseite 
und mit
- einer Kennzeichnung, die aus der nach­
stehend aufgeführten Zahlen/Buchstaben- 
kombination besteht, oder diese K om bina­
tion als Bestandteil enthält:
E D H  7832 m c  - 35 oder
- einer anderen Kennzeichnung,  die sich auf 
Lesespeicher der vorstehenden Beschrei­
bung bezieht.
ex 85.21 D  II Statische Schreib-Lesespeieher mit wahlfreiem
Zugriff (sogenannte R A M s . statisch), mit ei­
ner Speicherkapazität von 16 K  x  1  bit und 
einer Zugriffszeit von nicht m ehr als 35 
Nanosekunden und einer Stromstärke im  Bereit- 
schaftszustand von nicht m ehr als 150 Milli­
watt. in F o rm  einer monolithischen integriei—  
ten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht 
m ehr als 20 Anschlußstiften und den A bm es­
sungen von nicht m ehr als 16 x  33 m m .
Das Gehäuse trägt
- eine Kennzeichnung, die aus der nachstellend 
aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination be­
steht oder diese Kombination als Bestandteil 
enthält  :
H M  6267HP-35

- 3 0 -
N u m m e r des
G em einsam en Warenbezeichnung
ZolItari fs
oder
eine andere Kennzeichnung, die sich auf sta­
tische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden 
Beschreibung bezieht
ex 85.21 D II Statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem 
Zugriff i n  N -W O S- -Technik bergest eilt (sogenannte 
MOS-RAMs, statisch), mit einer Speicherkapa­
zität von 2 K x 8 bit und einer Zugriffszeit 
von nicht mehr a i  s 45 Nanosckunden ,  in F o r r n  
einer monolithischen integrierten Schaltung, 
in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschluß­
stiften und den Abmessungen von nicht mehr als 
16 x 33 mm.
Das Gehäuse trägt
- eine Kennzeichnung, die aus einer der nach­
stehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/
Buchstabenkombinationen besteht oder eine 
dieser Kombinationen als Bestandteil ent­
hält:
TMM 2018 H - 35 
TMM 2018 H - 45
65161
65162
oder
- eine andere Kennzeichnung, die sich auf sta­
tische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden 
Beschreibungbezieht

ex 8 5  2 1  D  II Programmierbare logische Schaltung, in TTL-Schottky-
Technik hergestellt, für logische Funktionen, die 
normalerweise von logischen Standardschaltungen durch 
ein Programmierverfahren zu Lasten des Benutzers aus­
geführt werden. I m  einzelnen gehören zu diesen in 
der Schaltung integrierten Funktionen folgende Blöcke
1. Programmierbare Matrix mit 3 2  Produktbezeichnungen,
2. Nichtlöschbare Matrix mit 6 4  Sum m erbezeichnungen
3. Programmierelement
in F o rm  einer monolithischen integrierten Schaltung, 
in einem  Gehäuse mit 20 Anschlussstiften und A b ­
m essungen-, von 27,5 x  8  m m . D as G ehäuse trägt die 
Kennzeichnung 1 6 L 8
oder eine andere Kennzeichnung, die sich auf einen 
Programmable Logic Array der vorstehenden Beschreibung 
beziehtN u m m e r  des
G em ein sam en  W arenbezeichnung
ZolItari f s ____________________________________________________________
ex 
85.21 D  II Zentraleinheit (sogenannte Central Processor
Unit /CPU), in H -M O S-Technik hergestellt, i + i  
F o rm  einer monolithischen integrierten Schal­
tung. entstehend aus einem 16x16 bit- 
Dienstspeieher, einem 16x20 bit-Dienstspei- 
eher, einem 32x32 bit-Dienstspeieher.  einem 
8x8 bit-Dienstspeieher, einem 16-bit-Register, 
einem 1 2  bit-Register, zw ei 20 bit-Registern, 
einem 8  bit-Register, einem 1 2  bit-Register, 
einem 5  bit-Zähler und einem Zeitgeber, in 
einem Gehäuse mit nicht m ehr als 68 A n ­
schlußstiften und den Abm essungen von nicht 
m ehr als 2 5  x  25 m m .
D as Gehäuse trägt
- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend 
aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination 
besteht oder diese Kombination als Be- 
standtei l hat
LSI-6 0404 1855
oder
- eine andere Kennzeichnung, die sich auf 
Zentraleinheiten der vorstehenden Beschrei­
bung bezieht.

N u m m e r  des
G em ein sam en  ' W arenbezeichnung
Zolltarifs
§ x  85.21 D  II Elektronisch programmierbare, UV-löschbare
Lesespeicher in C -M O S-Technik hergestellt 
(sogenannte C -M O S -E P R O M s)/ in'form einer 
monolithischen integrierten Schaltung, mit 
einer Speicherkapazität von 16 Kbit, in ei­
n e m  Gehäuse mit den Abm essungen von nicht 
m ehr als 17 x  39 m m  und einem Quarzfenster 
auf der Oberseite.
D a s Gehäuse trägt
- eine Kennzeichnung, die aus der nach­
stehend aufgeführten Zahlen/Buchstaben- 
kombination besteht oder diese K om bina­
tion als Bestandteil enthält:
27 C  1 6
oder
- eine andere Kennzeichnung, die sich auf 
Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung 
bezieht.
ex 85,21 D  II Elektronisch programmierbare, UV-löschbare
Lesespeicher in C-M O S-Technik hergestellt 
(sogenannte C -M O S -E P R O M s), in F o rm  einer 
monolithischen integrierten Schaltung, mit 
einer Speicherkapazität von 32 Kbit, in ei­
n e m  Gehäuse mit den Abm essungen von nicht 
m ehr als 17 x  39 m m  und einem Quarzfenster 
auf der Oberseite.
D as Gehäuse trägt
- eine Kennzeichnung, die aus der nachste­
hend aufgeführten Z ah  len/Buchstabenkombi- 
nation besteht oder diese Kombination 
als Bestandteil enthält;
27 C  32
oder
-eine andere Kennzeichnung, die sich auf 
Lesespeicher der vorstehenden Beschrei­
bung bezieht.
ex 85.21 D  II Elektrisch programmierbare Lesespeicher
(sogenannte E  P R O M s), in F o rm  einer m ono­
lithischen, integrierten Schaltung, mit ei-'' 
ner Speicherkapazität von 1 6  Kbit, in einem 
Gehäuse mit nicht m ehr als 28 Anschlußstiften 
und den Abm essungen von nicht m ehr als 
17 x  39 m m .
D a s Gehäuse trägt
- eine Kennzeichnung, die aus einer der

N u m m e r  des
G em ein sam en
ZoLItarifsjWarenbezei chnung
nachstehend aufgeführten Zahlen- oder 
Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder 
eine dieser Kombinationen als Bestandteil 
enthält;
2815
2816 
2817 A
H N  48016
oder
- eine andere Kennzeichnung, die sich auf 
Lesespeicher der vorstehenden Beschrei­
bung bezieht.
ex 85.23 BHochfrequenzkoaxialkabel mit einem Durchmesser von nicht weniger als 3 und 
nicht mehr als 12 mm und einem Gewicht von nicht weniger als 20 und nicht 
mehr als 300 g/m
ex 90.13Flüssigkristallanzeigen, deren äussere Abmessungen  
15 x 130 x 170 mm nicht überschreiten, in Form einer  
zwischen zwei Glas- oder Kunststoffplatten einge­
schlossenen Flüssigkristallschicht, mit mindestens 14  
Rasterpunkten
5. E s  wird daran erinnert, dass die Entschliessung des Rates v o m  27.6.1974 
über die M assnahm en zur Vereinfachung der Aufgaben der Zollverwaltungen 
( A B L  N r. C  79/80, S. 1) vorschreibt, dass die Veröffentlichung der 
nachfolgenden Verordnung spätestens 6  W o ch en  vor d e m  D a tu m  ihres Inkraft­
tretens erfolgen muss.

Entwurf einer
VERORDNUNG (EWG) , DES RATÉS
tn t zeitweiligen Aussetzung der autonomen Zollsätze des Gemeinsamen Zolltarifs für
einige industrielle Waren
D E R  R A T  D E R  E U R O P Ä IS C H E N  
G E M E IN S C H A F T E N  —
gestützt auf den Vertrag zur Gründung der Europä­
ischen W irtschaftsgemeinschaft, insbesondere auf 
Artikel 28,
nach Kenntnisnahme von dem Verordnungsentwurf 
der Kommission,
in Erwägung nachstehender Gründe:
D ie in dieser Verordnung genannten Waren werden 
in  der Gemeinschaft gegenwärtig nicht oder nur in 
unzureichender M enge hergcstellt. Die Hersteller 
können som it den Bedarf der verarbeitenden Indu­
strien der Gemeinschaft nicht decken.
E s liegt im  Interesse der Gemeinschaft, die autono­
m en Zollsätze des Gemeinsamen Zolltarifs in be­
stimm ten Fällen, insbesondere wenn eine Gemein­
schaftsproduktion dieser Waren besteht, nur teilw eise 
und in den anderen Fällen vollständig auszusetz;en.Da es schwierig ist, die kurzfristige Entwicklung der 
wirtschaftlichen Lage auf den betreffenden Gebieten 
genau zu beurteilen, sollten die Aussetzungen nur 
zeitweilig erfolgen, wobei ihre Geltungsdauer ent­
sprechend den Interessen der Gemeinschaftsproduk­
tion festzusetzen ist —
H A T  F O L G E N D E  V E R O R D N U N G  E R L A S S E N :
Artikel I
Vom I. Januar bis 30. Juni 1984 werden die autono­
m en Zollsätze des Gemeinsamen Zolltarifs für die im  
Anhang aufgeführten W aren bis zu der dort jew eils 
angegebenen Höhe ausgesetzt.
Artikel 2
Diese Verordnung tritt am  1 . Januar 1984 in Kraft.
Diese Verordnung ist in allen ihren Teilen verbindlich und gilt unmittelbar in jedem 
Mitgliedstaat.
Geschehen zu B rüssel
Im Namen des Ratet
Del· Präsident

ANHANG
Nummer des 
Gemeinsamen 
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
(o/o)
ex 13.03 A V
ex 28.46 A  II
ex 29.01 D VII 
ex 29.04 A III a)
ex 29.07 A
ex 29.08 B I
ex 29.09 B
ex 29.16 D
ex 29.22 A  III
ex 29.27 
ex 29.29
ex 29.30 
ex 29.34 C
ex 29.35 Q
ex 29.35 Q
ex 29.35 Q
ex 29.35 Q und 
ex 30.03 A II b)
ex 29.35 Q
ex 29.35 Q und 
ex 30.03 A II b)
ex 29.35 QPyrethrum-Auszug, entwachst
D i  natrium tetrabcratpentah y d ra t
Tricyclo [8.2.2.24·7] hexadeca-l(12),4,6,10,13,15-hexaen
2-Mcthylpropan-2-ol (iert-Butylalkohol) mit einem Reinheitsgrad von nicht weni­
ger als 90 und nicht mehr als 96 Gewichtshundertteilen
4,4,-(Perfluorisopropyliden)diphenol
3,3'-Oxydi(propylenglykol)
1,2-Epoxy-4-(epoxyäthyl)cyc Lohexan
Methyl-5-(2,4-dichlorphenoxy)-2-nitrobenzoat
Dipropylamin mit einem Reinheitsgrad von nicht 
weniger als 90 und nicht m ehr als 97 Gewichtshundert 
tei L e n
Isophthalnitril
2.4.6- Trichlorphenylhydrazin
para-PhenyLendi i socyanat 
Chlordiphenylphosphin
Isonicotinnitril
6-Hydroxy-2-phenylpyridazin-3(2AQ-on
3.6- Dichlorpyridin-2-carbonsäure 
Bucindolol (INN)
Adenosinphosphat (INN)
Tegafur (INN)
2-Hydroxyäthylammonium-3,6-dichlorpyridin-2-carboxylat0
0
0
0
0
0
0
0
0
8
0
0
0
0
0
5
0
4,5
0
S
(a) Die Überwachung der zweckentsprechenden Verwendung erfolgt nach den einschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen.

Nummer des 
Gemeinsamen 
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz( % >
ex 29.35 QTetrahydrofuran, nicht mehr als 40 mg/Liter an Tetrahydro-2-methylfuran und 
an Tetrahydro-3-methylfuran insgesamt enthaltend, zum Herstellen von alpha- 4-
Hydroxybutyl-omega-hydroxypoly(oxytetramethylen) (a) 5
ex 29.35 Q B i s (2-hydroxyät hy l )  (9,10-di hydro-10-oxo-9-oxo-1 0 ^ -
phospha-10-phenan-thrylmethyl)succinat 0
29.42 C I Koffein und seine Salze M
ex 29.44 C Fumagillin-Dicyclohexylammonium (INNM) 0
ex 29.44 C Ceftezol (IN N ) 0
ex 29.44 C (Z)-2- j 2-Aminothiazol-4-yl [(2£/.3s_)-2-methyl-4-oxo- 
1-sulfoazetidin-3-ylcarbamoyl3methylenamino-oxy j -2-
methylpropionsäure 0
ex 30.03 B II b) JGereinigtes Kollagen, dispergiert in einem Phosphatpuffer einer physiologischen 
Salzlösung, auch Lidocain (INN) enthaltend5
ex 32.01 A IV Gerbstoffauszüge aus Gambir und Myrobalanenfrüchten 0
ex 32.01 A IV Gerbstoffauszüge aus Eukalyptus 3,2
ex 35.07
ex 35.07
ex 35.07 
ex 35.07 
ex 35.07
ex 38.03 B
38.07 A
38.07 B
38.07 C
ex 38.19 GN A D H : Lipoamid Oxidoreductase
s«-Glycerol-3-phosphat: Oxigen 2-Oxidoreductase
Pyruvat: O xygen Oxidoreductase
Lipoproteinlipase
Serrapeptase
Säureaktivierter Montmorillonit, der in Röntgen-Pulveraufnahmen vier Häuptli­
ngen ergibt, die den Netzebenenabständen (d-Werte) 0,44,-13,40, 0,33 und 0,25 nm 
entsprechen, wobei die 0,40 nm entsprechende Linie die stärkste ist, zum Herstel­
len von präpariertem Durchschreibepapier (a)
Balsamterpentinöl
Sulfatterpentinöl; Dipenten, roh
Wurzelterpentinöl; andere terpenhaltige Lösungsmittel aus der Destillation oder 
einer anderen Behandlung der Nadelhölzer; Sulfitterpentinöl; Pine-Öl
Katalysator in Form von Körnern oder Ringen mit einem Durchmesser von nicht 
weniger als 3 und nicht mehr als 10 mm, auf Aluminiumoxid fixiert, mit einem 
Gehalt an Silber von nicht weniger als 10 und nicht mehr als 20 Gewichtshundert­
teilen0
I  ° 
0
0
0
0
3
0
1,7
0
(a) D ie Ü berw achung der zw eckentsprechenden V erw endung erfolgt nach den einschlägigen Gemeinschaftsbesti ummungen.

Nummer des 
Gem einsam en 
Zolltarifs
ex 38.19 G
ex 38.19 X
ex 38.19 X
ex 38.19 X
ex 38.19 X
ex 38.19 X
ex 38.19 X
ex 38.19 X
ex 39.01 C III a)
ex 39.02 AW arenbezeichnung
ÄthyltriphenyIphosphoniumacetat-Katalysator, in 
Methanol gelöst
Gemisch aus Nitromethan und 1,2-Epoxybutan
'Mit einem Anteil von nicht weniger als 19 und nicht mehr als30 Gewichts­
hundertteilen in organischen Lösungsmitteln gelöstes Butyläthylmagnesium
Körner oder Granalien, bestehend aus einer Mischung aus Dialuminiumtrioxid 
und Zirkoniumdioxid mit nicht weniger als 70 Gewichtshundertteilen und nicht 
mehr als 78 Gewichtshundemeilen Dialuminiumtrioxid und nicht weniger als 19 
Gewichtshundenteilen und nicht mehr als 26 Gewichtshundenteilen Zirkonium­
dioxid
Körner oder Granalien, bestehend aus einer Mischung aus Dialuminiumtrioxid 
und Zirkoniumdioxid mit nicht weniger als 54 Gewichtshundenteiien und nicht 
mehr als 62 Gewichtshundenteilen Dialuminiumtrioxid und nicht weniger als 36 
Gewichtshundenteilen und nicht mehr als 44 Gewichtshundemeilen Zirkonium­
dioxid
Mit einem Gehalt von nicht weniger als 20 und nicht mehr als 25 Gewichtshun­
dertteilen in £pst7on-Caprolactam gelöstes Magnesiumbromid-2-oxoperhydroaze- 
pin-l-id
Reaktionserzeugnis aus Dibutyldihydrogendiphosphat und 1,2-Epoxypropan zur 
Verwendung bei der Herstellung von Polyurethan in anderer als fester Form (a)
2,3-Bi s[2-(perfluoraIkyl)äthylthioJ butan-1,4-diol
Reflektierende, selbstklebende, metallbedampfte Folien aus mehr als einer Lage 
Polyester, auch aufgerollt
Membranen, bestehend aus einem Mischpolymerisat aus Tetrafluoräthylen und 
Trifluoräthylen, mit perfluorierten Alkoxy-Seitenketten mit endständigen verester- 
ten Carboxylgruppen, beidseitig mit einer anorganischen Metallverbindung be­
schichtet, auch aufgerolltAutonomer
Zollsatz(% )
0
0
0
M
6 ,4
0
0
0
0
0
(a) D ie Überwachung der zw eckentsprechenden V erw endung erfolgt nach den einschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen.

N u m m e r des 
G em e i nsam en 
Zolltari fsW arenbezei chnungA utonom er
Zollsatz
(% )
ex 39.02 A
ex 39.02 A
ex 39.02 C I a)
ex 39.02 C I a)
ex 39.02 C I a)
ex 39.02 C I b)
ex 39.02 C IIMembranen, bestehend aus einem Mischpolymerisat aus Tetrafluoräthylen und 
Trifluoräthylen, mit perfluorierten Alkoxy-Seitenketten mit endständigen Carbon­
säure- oder Sulfonsäuregruppen in Form des K^liumsalzes, beidseitig mit einer 
anorganischen Metallverbindung beschichtet, auch aufgerollt
Membranen, bestehend aus einem Mischpolymerisat aus Tetrafluoräthylen und 
Trifluoräthylen, mit perfluorierten Alkoxy-Seitenketten mit endständigen verester- 
ten Carboxylgruppen, das als Verstärkung ein Gewebe aus Polytetrafluoräthylen 
enthält und beidseitig mit einer anorganischen Metallverbindung beschichtet ist,, 
auch aufgerollt
Polyäthylen mit einer Dichte von nicht weniger als 0,954 und nicht mehr als 0,958 
g/cm’, in Formen im Sinne der Vorschrift 3 d) zu Kapitel 39, zum Herstellen von 
Farbbändern für Schreibmaschinen oder ähnlichen Farbbändern (a)
Synthetischer Papierhalbstoff, bestehend aus feuchten Blättern aus nicht cohären- 
ten Polyäthylenfasern (Fibrillen), auch mit Zusatz von Zellulosefasern von nicht 
mehr als 15 Gewichtshundertteilen, mit in Wasser gelöstem Polyvinylalkohol als 
Feuchthaltemittel
Synthetischer Papierhalbstoff, bestehend aus feuchten Blättern aus nicht cohären- 
ten Fasern (Fibrillen) eines Gemisches aus Polyäthylen und Polyäthylen-Misch­
polymerisat, auch mit Zusatz von Zellulosefasern von nicht mehr als 15 Gewichts- 
hundertteilen, mit in Wasser gelöstem Polyvinylalkohol als Feuchthaltemittel
Durchsichtige Polyäthylenfolien, die sich in der Längsrichtung spalten, wenn sie 
im rechten Winkel zur Länge gezogen werden, mit einer Dichte von nicht weni­
ger als 0,925 und einem Quadratmetergewicht von nicht weniger als 7 und nicht 
mehr als 19 g, zum Herstellen von Farbbändern für Schreibmaschinen und ähnli­
chen Farbbändern (a)
Mikroporiger Polytetrafluoräthylenfilm mit einer Breite von 30 cm oder mehr und 
einem Quadratmetergewicht von nicht mehr als 22,4 g, auch aufgerollt
ex 39.02 C  II ‘ P o  ly(1-chLort r ifluoräthylen)-Folie, auch aufgerollt
ex 39.02 C  III Polysulfohaloäthyieiie in Formen im Sinne der Vorschrift 3 a) und b) zu 
Kapitel 39
ex 39.02 C IV
ex 39.02 C VI b)
ex 39.02 C  X ISynthetischer Papierhalbstoff, bestehend aus feuchten Blättern aus nicht cohären- 
ten Polypropylenfasern (Fibrillen), auch mit Zusatz von Zellulosefasern von nicht 
mehr als 15 Gewichtshundertteilen, mit in Wasser gelöstem Polyvinylalkohol als 
Feuchthaltemittel
Platten aus einem Mischpolymerisat aus Maleinsäureanhydrid und Styrol, auch 
mit einem Anteil an Styrol-Blockmischpolymerisat, beidseitig versehen mit einer 
Folie aus dem genannten Mischpolymerisat, modifiziert mit Butadien oder pig­
mentiert
Folien mit einer Dicke von nicht m ehr als 1  m m , 
ganz aus öiner oder mehreren Lagen aus Polyvinyl= 
alkohol bestehend0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
(a) Die Ü berw achung der zweckentsprechenden V erw endung erfolgt nach den einschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen.

Nummer des 
Gemeinsamen 
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz(% )
ex 39.02 C XIV a)
ex 39.02 C XIV a)
ex 39.02 C XIV a)
ex 39.02 C XIV a)
ex 39.02 C  X IV  a) Mischpolymerisat aus Vinylalkohol und Äthylen, in 
Form en im  Sinne der Vorschrift 3  b) zu Kapitel 30Synthetischer Papierhalbstoff, bestehend aus feuchten Blättern aus nicht cohären- 
ten Fasern (Fibrillen), von mit einer organischen 'Säure modifiziertem Polypropy­
len, auch mit Zusatz von Zellulosefasern von nicht mehr als 15 Gewichtshundert­
teilen, mit in Wasser gelöstem Polyvinylalkohol als Feuchthaltemittel
Polymerisationserzeugnis aus Acrylsäure und geringen Mengen eines mehrfach 
ungesättigten Monomeren, bestimmt zur Verwendung als Verdickungsmittel beim 
Herstellen von· Druckpasten im textilen Pigmentdruck oder zum Herstellen von 
Arzneiwaren der Tarifnummer 30.03 (a)
Mischpolymensat aus Äthylen, Methylacrylat und einem Monomeren, das eine 
austauschbare, nicht am Kettenende befindliche Carboxylgruppe enthält,, mit Sili­
con vermischt aUCn
Mischpolymerisat aus einem Polyoxyalkylenester einer Polycarbonsäure und Epsi- 
/on-Caprolactam0
0
12,5
5
D
ex 39.02 C  X IV  a)
ex 39.02 C  X IV  b)
ex 39.07 B  V d)
ex 44.28 C
ex 48.07 C
ex 48.07 D
ex 49.11 BSynthetischer Chlorkautschuk in F o rm  von Pulver mit einem 
Chlorgehalt von 63 Gewichtshundertteilen oder m ehr und mit 
einem mittleren Molekulargewicht von nicht weniger als 
200 000 0
Athylen-Propylen-Mischpolymerisat im  F orm  von 
selbstklebenden Streifen, mit einer Breite von nicht 
eniger als 18 und nicht m ehr als 27 m m  und einer 
icke von 1  m m  oder weniger, auch aufgerollt
Reflektierende Bänder oder Streifen, bestehend aus einem oberen mit gleichmäßi­
gen pyramidenförmigen Einprägungen versehenen Streifen aus Polyvinylchlorid, 
der mit parallelen oder gitterartigen Schweißnähten auf einen die Rückseite bil­
denden anderen Streifen aufgebracht ist, welcher entweder aus Kunststoff oder 
aus mit Kunststoff beschichtetem Gewebe oder Gewirke besteht, auch aufgerollt
Zündholzstäbchen aus Espenholz (Populus tremuloides)  zum Herstellen von uni­
versell zündbaren Streichhölzern (Überallzünder) (a)
Papier aus gebleichtem Halbstoff mit Acrylharz getränkt und mit Plyvinyliden- 
chlorid überzogen, mit einer Dicke von nicht weniger als 200 und nicht mehr als 
255 Mikrometer und einem Quadratmetergewicht von nicht weniger als 165 und 
nicht mehr als 180 g
Gefärbtes Papier mit Acrylharz getränkt und mit Polyvinylidenchlorid überzogen, 
mit einer Dicke von nicht weniger als 200 und nicht mehr als 255 Mikrometer 
und einem Quadratmetergewicht von nicht weniger als 165 und nicht mehr als 
180 g
Künstlerische Siebdrucke (häufig auch als Serigraphien bezeichnet), vom Künstler 
signiert und numeriert (von Nr. 1  bis 200)0
0
0
0
0
0
(a) Die Überwachung der zweckentsprechenden Verwendung erfolgt nach den einschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen.

Nummer des 
Gemeinsamen 
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
<%)
ex 51.01 A 
ex 51.01 A
ex 54.03 B  I a) 
ex 56.01 A
ex 59.08
62.03 A I
62.03 B  I a)
ex 70.20 A  
ex 70.20 B
y
ex 74.05 B
ex 81.04 K I 
ex 81.04 K I
ex 84.17 F  IISpinnfäden ganz aus aromatischen Polyamiden, hergestellt durch Polykondensa­
tion, von meta-Phenylendiamin und Isophthalsäure
Schrumpfbare Bikomponenten-Polyamidspinnfäden, bestehend aus Polyfhexa- 
methylenadipamid) und einem anderen Co-Polyamid, nicht texturiert, unge­
zwirnt, ungedreht oder mit nicht mehr als 22 Drehungen je m, zum Herstellen 
von Kniestrümpfen der Tarifstelle 60.03 B  I, von Damenstrümpfen der Tarifstelle 
60.03 B  II a) oder von Strumpfhosen der Tarifstelle 60.04 B  III a) 1  (a)
Leinengarne, roh (ausgenommen Garne aus Flachswerg), mit einer Lauflänge je 
kg von 30 000 m oder weniger, zum Herstellen von gezwirnten Garnen für die 
Schuhindustrie oder von gezwirnten Kabelabbindegarnen (a)
Spinnfasern, mit einem Anteil an Fasern aus Polyfp-phenylenterephthalamid) von 
nicht weniger als 1  und nicht mehr als 15 Gewicntshundertteilen und an Fasern 
aus aromatischen Polyamiden, hergestellt durch Polykondensation von meta-  
Phenylendiamin und Isophthalsäure, von 85 Gewichtshundertteilen oder mehr
Gewebe aus Polytetrafluoräthylen, einseitig beschichtet mit einem Mischpolymeri­
sat aus Tetrafluoräthylen und Trifluoräthylen, mit perfluorierten Alkoxy-Seiten- 
ketten mit endständigen Carbonsäure- oder Sulfonsäuregruppen in Form des 
Kaliumsalzes
Säcke und Beutel zu Verpackungszwecken, gebraucht, aus Jutegeweben oder aus 
Geweben aus anderen textilen Bastfasern der Tarifnummer 57.03
Säcke und Beutel zu Verpackungszwecken, gebraucht, aus Flachs- oder Sisal­
gewebe
Matten aus nichttextilen Glasfasern mit einem Gewicht pro Quadratmeter von 
nicht mehr als 100 g und einem Durchmesser der Fasern von nicht mehr als 
7 Mikrometer
Garne aus verspinnbaren Endlosglasfäden von 33 oder 34 tex oder einem Viel 
fachen davon, mit einem Durchmesser der Fasern von nicht weniger als 5,8 
und nicht mehr als 6,4 Mikrometer, mit einer Texturierschlichte von nicht mehr 
als 0,8 Gewichtshundertteilen
Nicht starre Tafeln und Platten aus Polytetrafluoräthylen, mit Aluminiumoxid 
oder Titandioxid als Füllstoff oder mit Glasfasergewebe verstärkt, auf beiden Sei­
ten mit einer Kupferfolie versehen
Bearbeitungsabfälie und Schrott von Titan
Titanschwamm
Tauchrohrbündel, bestehend aus einem  System, v on  
Kunststoffrohren, die an  beiden E n d en  in eine  
bienenwabenförmige, von einem  Rohrverbindungsstück  
umschlossene Konstruktion (Abschlussteil) einm ünden0
0
6
0
0
0
0
6,3
0
0
0
0
(a) Die Ü berw achung der zw eckentsprechenden V erw endung erfolgt nach den einschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen.

N u m n er  des  
G em ein sa m en  
ZolLtari fsW aren b ezei ch n u n gA u to n o m er
Zollsatz
(%)
ex 84.18 C II b)
ex 84.18 C II b)
ex 84.31 A
ex 8^.34 BTeile von Apparaten zum Filtrieren von Gasen aus Gasgemischen, bestehend aus 
einem durchlässigen Hohlfaserbündel, das an einem Ende einen Kunststoffblock 
durchquert und am anderen Ende versiegelt ist, das Ganze befindet sich in einem 
— auch perforierten — Metallgehäuse mit einer Gesamtlänge von nicht weniger 
als 300 und nicht mehr als 3 700 mm und einem Durchmesser von nicht mehr als 
350 mm ✓
Teile von Apparaten zum Filtrieren oder Reinigen von Flüssigkeiten, bestehend 
aus einem durchlässigen Hohlfaserbündel aus Kunststoff, das an einem Ende in 
einem Kunststoffblock eingebettet ist und am anderen Ende einen Kunststoffblock 
durchquert; das Ganze befindet sich in einem Gehäuse aus Kunststoff
Saugwalzenmäntel, nicht gebohrt, in Form von Rohren aus legiertem Stahl, mit 
einer Länge von nicht weniger als 5  207 mm und einem Außendurchmesser von 
nicht weniger als 754 mm, für Maschinen zum Herstellen von Papier oder 
Pappe (a)
Nicht lichtempfindliche M agnesium platterr,  
geschlitten u n d  poliert, auf einer Seite m it nicht  
lichtempfindlichen E p oxyh arz überzogen, m it d en  
A b m essu n g en  v o n  nicht m e h r  als 770 x  1020 m m
ex 84.51 A
ex 84.51 A
ex 84.55 C
ex 84.55 CBlindenschriftschreibmaschinen
Elektronische Taschen-Schreibmaschinen für Behinderte, die mittels Drucktasten 
und thermischem Schreibkopf ein Schriftband bedrucken und ausgeben
Optoelektronischer Codeumsetzer für elektronische Schreibmaschinen, bestehend 
aus elektronischen Schaltungen, einer Leuchtdiode, einer rotierenden Platte mit 
Radialöffnungen, einer festen Schablone und einer Ein-Chip-Photozelle, einge­
schlossen in ein zweiteiliges Kunststoffgehäuse mit den Abmessungen von nicht 
mehr als 60 x 48 x 16 mm
M agnetköpfe in W inchester -oder Dünnfilm technik  
für periphere Magnetplatten-Speichereinheiten,  
m it einer Aufzeichnungsdichte vo n  nicht weniger als  
1 0  S p u ren  je m m0
0
0
0
0
0
0
0
a) D ie Ü b erw a ch u n g  der zweckentsprechenden V erw en d u n g  erfolgt n a ch  d en  
einschlägigen G em einschaftsbestim m ungen

-M -
Nummer des 
Gemeinsamen 
Zolltarifs
ex 84.55 C
ex 84.55 C
ex 84.55 CWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
(% )
Baugruppe für automatische Datenverarbeitungsmaschinen, bestehend aus 2 über- 
einander angeordneten Substratebenen mit je 2 statischen Schreib-Lesespeichern 
mit wahlfreiem Zugriff in N-MOS-Technik hergestellt (sogenannte N-MOS- 
RAMs, statisch), in Form von monolithischen integrierten Schaltungen mit einer 
Speicherkapazität von jeweils 2  K bit und einer Gesamtspeicherkapazität von ins­
gesamt 8  K x 1  bit oder 4 K x 2 bit, in einem Gehäuse mit 23 Anschlußstiften 
und den Abmessungen von nicht mehr als 1 3  x 13 mm
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:
4598601
5121850
5121934
5121935 
5122148
5123059
542-342Q-___
5123128
5123129
5123337
5123339
oder
eine andere Kennzeichnung, die sich auf statische Schreib-Lesespeicher-Bau- 
gruppen der vorstehenden Beschreibung bezieht
Baugruppe für automatische Datenverarbeitungsmaschinen, bestehend aus 2 über­
einander angeordneten Substratebenen mit je 2 quasistatischen Schreib-Lesespei­
chern mit wahlfreiem Zugriff in N-MOS Technik hergestellt (sogenannte 
N-MOS-RAMs, quasistatisch), in Form von monolithischen integrierten Schaltun­
gen mit einer Speicherkapazität von jeweils 4 K bit und einer Gesamtspeicherka­
pazität von insgesamt 16 K x 1  bit oder 8  K x 2 bit, in einem Gehäuse mit 
24 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 13 x 1 3  m m
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:
4599766
4599767
4599768
4599769
oder4599770
4599771
4599772
45997734599774
4599893
— eine andere Kennzeichnung, die sich auf quasistatische Schreib-Lesespeicher- 
Baugruppen der vorstehenden Beschreibung bezieht
Punktmatrix-Anzeige mit den Abmessungen von nicht mehr als 
14 x 37 x 169 mm — ausgenommen Anschlußstücke und Leitungen —, beste­
hend aus einer zwischen zwei Glasplatten eingeschlossenen Flüssigkristallschicht 
mit 2560 Punkten (angeordnet in 16 Zeilen und 160 Kolonnen) auf einer Leiter­
platte mit elektronischen Bauelementen zur Steuerung und Kontrolle,junit einer 
10- oder 20-adrigen Flachbandleitung ^0
0
0

N u m m e r  des  
G em ein sa m en  
ZolItari fsW aren b ezei ch n u n gA u to n o m er
Zollsatz
(% )
ex 84.55 C Baugruppe für automatische Datenver-  
arbeitungsmaschinen,  die einen sta­
tischen Schreib-Lesespeicher mit  
wahlfreiem Zugriff in C-MOS-Technik  
(sogenannter C-MOS-RAM, statisch) mit  
'einer Gesamtspeicherkapazität von  
64 Kbit bildet und aus einem mehr­
lagigen Substrat mit den Ab­
messungen von nicht mehr als  
17 x 39 mm besteht, auf dem ange­
bracht sind: .- vier statische Schreib-Lesespeicher
mit wahlfreiem Zugriff in C-MOS-  
Technik hergestellt (sogenannte  
C-MOS-RAMs, statisch), in Form von  
monolithischen integrierten Schal­
tungen mit einer Speicherkapazität  
von jeweils 16 Kbit,
- ein Decoder in Form einer mono­
lithischen integrierten Schaltung,
- ein Entkoppelungskondensator.
D ie B au gru p p e hat nicht m e h r  als 2 8  Anschluss­
stifte u n d  trägt:
- eine Kennzeichnung, die aus einer  
der nachstehend aufgeführten  
Zahlen/Buchstabenkombinationen be­
steht oder eine dieser Kombina­
tionen als Bestandteil enthält:
EDH 8808 B-20
EDH 8808 C-10  
EDH 8808 C-12  
EDH 8808 C-l5  
EDH 8808 C-20  
EDH 8808 CL-15  
EDH 8808 CL-20
oder- eine andere Kennzeichnung, die sich  
auf statische Schreib-Lesespeicher-  
Baugruppen der vorstehenden Be­
schreibung bezieht.o

N u m m e r  des  
G em ein sa m en  
Zolltari fsW aren b ezei ch n u n gA u to n o m er
Zollsatz
(% )
ex 84.55 C
ex 84.55 CBaugruppe für automatische Datenver­
arbeitungsmaschinen, die einen stati­
schen Schreib-Lesespeicher mit wahl­
freiem Zugriff in C-MOS-Technik (so­
genannter C-MOS-RAM, statisch) mit  
einer Gesamtspeicherkapazität von  
256 Kbit bildet und aus einem mehr­
lagigen Substrat mit den  
Abmessungen von nicht mehr als  
17 x 39 mm besteht, auf dem angebracht  
sind:
- vier statische Schreib-Lesespeicher
mit wahlfreiem Zugriff in C-MOS-  
Technik hergestellt (sogenannte  
C-MOS-RAMs,  statisch), in Form von  
monolithischen integrierten Schal­
tungen mit einer Speicherkapazität ,  
von jeweils 64 Kbit, j
- ein Decoder in Form einer monolithi-j
sehen integrierten Schaltung, |
- ein Entkoppelungskondensator. :
D ie B au gru p p e hat nicht m e h r  als 2 8 Anschluss­
stifte u n d  trägt:
- eine Kennzeichnung, die aus der nach:· 
stehend aufgeführten Zahlen/Buch-  
stabenkombination besteht oder diese  
Kombination als Bestandteil enthalt:
EDH 8832 MC-20
oder
- eine andere Kennzeichnung, die sich  
auf statische Schreib-Lesespeicher-  
Baugruppen der vorstehenden Be­
schreibung bezieht.
M agnetblasenspeicher m it einer Speicherkapa­
zität v o n  1  M egabit, in einem  G eh äu se m it  
nicht m e h r  als 2 6  Anschlussstiften u n d  d en  
A b m essu n g en  vo n  nicht m e h r  als 4 3  x  4 4  m m .
D a s  G eh äu se trägt:
- eine Kennzeichnung die aus einer der nachstehend aufge-  
führten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen  
besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil  
enthält :
M B M 2 0 1 1  
B D L  0 1 3 3  
B D L  0 1 34  
F B M  5 4 D B  
7110  
oder
- eine andere K ennzeichnung, die sich auf M agn et­
blasenspeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht 00

N im m er  des  
G em ein sa m en  
ZoLltari fsW aren b ezei ch n u n gA u to n o m er
Zollsatz
(% )
ex 84.55 C Baucjruppe für automatische Datanverarbeitungs·  
maschinen, bestehend aus zwei in jeweils ge­
sonderten Gehäusen übereinander gesteckten  
dynamischen Sch reib-Lesespeichern mit wa h1  -  
freiem Zugriff in N-MOS-Technik hergestellt  
(sogenannte N-MOS-RAMs, dynamisch in Form  
von monolithischen integrierten Schaltungen  
mit einer Speieherkapazität von jeweils  
16 K x 1  b i  t und einer Gesamtspeicherkapa­
zität von 32 ___b i  t  ,  mit nicht mehr als
10
 Anschlußstiften und den Abmessungen von  
nicht mehr als 10 x 23 mm.
Das Gehäuse trägt
eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend auf­
geführten Zahlenkombinationen besteht oder eine dieser  
Kombinationen als Bestandteil enthält :
4429913
8279251
8493255
8493296
oder
- eine andere Kennzeichnung, die sich auf dynamische 
Schreib-Lesespeicher-Baugruppen der vorstehenden 
Beschreibung beziehto

N u m m e r  des
G em ein sa m en
Zolltarifs W arenb ezei ch n u n gA u to n o m er
Zollsatz
(% )
ex 84.55 C Baugruppe für automatische Datenverarbeitungs-  
ma sc hi non, bestehend aus zu/ei in jeweils ge­
sonderten Behausen übereinander gesteckten  
dynamischen Sehreib-fnsospejehern mit wahl­
freiem Zugriff in N-MOS - 1  oehn i  k hcrgesto.il t  
(sogenannte N-MOS-RAMs, dynamisch), in Form  
von monolithischen integrierten Schaltungen  
mit einer Speicherkapazität von jeweils y
64 K x 1 bi t  und einer Gesarntspeicherkapa-  
zität von 128 K **=3~ bit, mit nicht mehr als  
18 Anschlußstiften und den Abmessungen von  
nicht mehr als 10 x 25 mm.
Das Gehäuse trägt
eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend auf­
geführten Zahlenkombinationen besteht oder eine dieser 
Kombinationen als Bestandteil enthält :
4481832
8493287
oder
- eine andere Kennzeichnung, die sich auf dynamische 
Schreib-Lesespeicher-Baugruppen der vorstehenden 
Beschreibung bezieht0

-if-
N u m m e r  des  
G em ein sa m en  
ZoLltari fs W aren b ezei ch n u n gA u to n o m er
Zollsatz
(%)
ex 84.55 C B juqru PPefür automat i  s e h eDatenverarbeitungs-
m a s c h inen,  dieeinene 1e k tr onisch programmier
barenUV-1 ö s c h barenLese s peieher (sogenannter
EPROM) m it einerGesamtspei  cherkapazität von
256 Kbi tbildet unda u se inemmehrlagigen
Subs t ra tmit denAbme s sunge nvon nicht mehr
als 17 X3 9 m inbesteh t ,auf dem angebracht
s in d :
zwei elek t ro n ischeprogra r n  m i  e r bare UV -
J  ö s c h ba re Leses p c i  cher (sogenannte
EPROMsiin form vonmonolithischen inte-
g r i  e r te nS c h a 1tung en ,  mit ein e r S p e i  e h er
k a p a z ität vonj ewe ils 128 Kbit und je
einemQua rz fensterauf der Oberseite,
ein Decoder in Formeiner monolithischen
i  n t e g ri  erten Scha 11ung,
ein Entkopp1  ungskondensator,
zwei Widerstände .
Die Baugruppe trägt
- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend 
auf geführten Zahien/Buchstabenkombination 
besteht oder diese Kombination als Bestand- 
.  teil enthält:
EDH 7832 MM-30
oder
eine 
L eses 
Beschan 
pe 
r ede re
icher
ibungKennzeichnung, die sich auf 
-Baugruppen der vorstehenden 
bezieht

-il·
N u m m e r  des  
G e m e i n sa m en  
Zolltari fsW aren b ezei ch n u n gA u to n o m er  
Zollsatz  
( % )
ex 84.55 C  Baugruppe für a u t  um a t  i  s c l  o Dnlcnvernrbei turigs-  
mas c'hinen, die einen statischen S ch r e i  b -1 .  ese­
spe i  c her rnit ua t i  . 1  frei em Zugriff in C -  MO S - 1  e c t i  n  i  U 
(sogenannter C-MBS-RAM, statisch) rnit einer  
Gesanitspeichorkapazität von 3 2 Kbit bildet und  
aus einem mehrlagigen Substrat mit den Abmes­
sungen von nictit mehr als 17 x 3 9 mm besteht,  
auf dem angebracht sind:
zuc istatis che Schreib -L esespeicher mit
uahlf  r  e i  emZu g ri f f in C- M 0 S - T  c c h n i  k herrje
stel11 (  s0gen a n n t  e C -  N Ü S -R A M s,  st a tisch),
inFnrm v0nm o n o . 1  i  t  h i  s c h e n in t  e g r  i .  n r  t  e n
5cha1  l LIIKJenm i  t e i  n e r  S p n i  c h e r  l <  a p a / .  i  t ä t
Vonj  e u e i1s16 Kbit,
einDecoderin Form eine r monolithischen
int eg r i  e rte nSchaltung,
- ein Entkopp1ung skondens ator.
Die Baugruppe hat nicht mehr als 28 Anschluß-  
stifte und trägt
- eine Kennzeichnung, die aus einer der nach­
stehend aufgeführten Zah 1en/Buchstabenkom-  
binationen besteht oder eine dieser Kombi­
nationen als Bestandteil enthält:
E D H  8804 C  - 2 0  
E D H  8804 C L  - 2 0
oder
eine andere Kennzeichnung, die sich auf  
statische Schreib-Lesespeicher-Baugruppen |
der vorstehenden Beschreibung bezieht !  Q0

N u m m e r  des  
G e m e i n sa m en  
ZoLltari fsW aren b ezei ch n u n gA u to n o m er
Zollsatz
(%)
ex 84.55 CB a u gr u ppef ü ra utomati  sch eDa t enverarbeit 1 1rigs-
maset t  i  ne nJd ie ei  n e ndyna r r i  iSc h enS c t i  r  c i  b -Les e -
s p e icher I I Ii  tw a 1 11  i  r  e iem7 u g I'i  ff(  sogenann fe1 ’
RAM,dyn ami  s ch)m i  Lc :i  r ier  G0s amtspei c h e r  k aPa -
zitat Vo n128Kbi  t  bildet  und aus einem m ehr -
lagigenSub s tratm i .  tdenAbmessungen von nicht
mehrals9 X5 7mm bes teh tundauf dem anye-
brach ts ind :
- zwei, dynamische Schreib-Lesespeicher mit  
wahlfreiem Zugriff (sogenannte R AMs, dyna­
misch), in form von r n  o n o 1  i  t .  hischen inte­
grierten Schaltungen mit einer Speicherkapa­
zität v o n jeweils 64 Kbit.
Die Baugruppe hat nicht mehr als 22 AnschluB-  
stifte und trägt
- eine Kennzeichnung, die aus einer der näch­
st e h e n d auf geführten Z a h 1  e n / B u c :  h s t a b e n k o m b i  -  
nationen besteht oder eine dieser Kombina­
tionen als Bestandteil enthält:
E D H  4128 - 1 5  
E D H  4128 - 2 C  
E D H  4264 - 1 5  
E D H  4264 - 2 0
oder
- eine andere Kennzeichnung, die sich auf
dynamische S ch reib - Lesespeicher-Baugruppen 
der vorstehenden Beschreibung bezieht

-4.0 -
N um m er d es G em einsam en 
ZolltarifsW arenbezeichnungA utonom erZollsatz
(% )
ex 84.59 B In einem Stück geschmiedete und vorgedrehte Teile von Reaktordruckbehältern 
mit einem Stückgewicht von jeweils mehr als 150 t 0
ex 85.03
ex 85.19 A
ex 85.2) A V
ex 85.21 A V
ex 85.21 D IIKohle/Zink-Trockenbatterien mit einer Spannung von nicht weniger als 5,5 und 
nicht mehr als 6,5 Volt und einer Größe von nicht mehr als 5  X 90 x 110 m m , 
zur Verwendung in Filmkassetten für Sofortbildkameras (a)
Thermorelais in hermetisch versiegeltem Glasgehäuse, mit den Längenabmessun­
gen — ohne Drähte — von nicht mehr als 35 mm, mit einer maximalen Undich­
tigkeit von 10‘ 6  cm' Helium/Sekunde bei 1  bar innerhalb des Temperaturbereichs 
von 0 bis 160 °C, zum Einbau in Kompressoren für Kältemaschinen (a)
Lochmasken-Farbkathodenstrahlröhren (Elektronenkanonen in Reihenanord­
nung), die auf einem Bildschirm mit einer nutzbaren Fläche von nicht mehr als 
165 x 165 mm Daten anzeigen, für elektronische Fluginstrumente und Anzeige­
geräte (a)
Anzeigen in Form einer Röhre, bestehend aus einem Glasgehäuse, aufge­
bracht auf einer Platte mit einer Größe — ohne Berücksichtigung der Leitungen 
— von nicht mehr als 350 x 300 mm. Die Röhre enthält eine oder mehrere 
Reihen von Zeichen oder Strichen. Jedes Zeichen oder jeder Strich enthält fluores­
zierende oder phophoreszierende Elemente, die auf einer von fluoreszierenden 
Substanzen oder von Phosphorsalzen überzogenen metallisierten Unterlage 
aufgebracht sind und leuchten, wenn sie von Elektronen getroffen werden.
Statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in N-MOS-Technik herge­
stellt (sogenannte N-MOS-RAMs, statisch), in Form von monolithischen inte­
grierten Schaltungen, bestehend aus 2 übereinander angeordneten Substratebenen 
mit jeweils 2 Chips mit einer Speicherkapazität von je 2 K  bit und einer Gesamt­
speicherkapazität von insgesamt 8  K x 1  bit oder 4  K x 2 bit, in einem Gehäuse' 
mit 23 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 13 x 1 3  mm
Das Gehäuse trägt
— ■ eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlcnkom- 
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:
4598601
5121850
5121934
5121935 
5122148
5123059
5123120
5123128
5123129
5123337
5123339
oder
eine andere Kennzeichnung, die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der 
vorstehenden Beschreibung bezieht0
0
0
0
0
(a) Die Überwachung der zweckentsprechenden Verwendung erfolgt nach den einschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen.

N um m er d es G em einsam en Z olltarifsW arenbezeichnungA utonom erZollsatz
(%)
ex 85.21 D II
ex 85.21 D II
ex 85.21 D IIQuasistatische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in N-MOS-'I echnik 
hergestellt (sogenannte N-MOS-RAMs, quasistatisch), in Form von monolithi­
schen integrierten Schaltungen, bestehend aus 2 übereinander angeordneten Sub­
stratebenen mit jeweils 2  Chips mit einer Speicherkapazität von je 4  K bit und 
einer Gesamtspeicherkapazität von insgesamt 1 6  K x 1  bit oder 8  K x 2 bit, in 
einem Gehäuse mit 24 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 
1 3  X  1 3  mm
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:
4599766
4599767
4599768
4599769
oder4599770
4599771
4599772
45997734599774
4599893
— eine andere Kennzeichnung, die sich auf quasi statische Schreib-Ixsespeicher 
der vorstehenden Beschreibung bezieht
Digitalanzeigen, in einem Kunststoffgehäuse mit einer Größe von
nicht mehr als 25 x 35 mm, bestehend aus einer Leiterplatte, die nicht mehr als 
22 Leuchtdioden enthält, die von Halbleiterteilen aus im  wesentlichen Gallium 
hergestellt sind. Jede Anzeige besteht aus einer einzigen Stelle, auch mit Plus­
oder Minuszeichen und/oder mit nicht mehr als 2 Dezimalpunkten
Digitalanzeigen, bestehend aus einer Leiterplatte mit einer Größe von nicht mehr 
als 35 x 90 mm und einer Reihe von nicht weniger als 3 Anzeigestellen, die 
Leuchtdioden enthalten, die von Halbleiterteilen aus im  wesentlichen Gallium her­
gestellt sind; letztere sind in die Leiterplatte eingebaut. Jede Anzeigestelle besteht
aus nicht mehr als acht Segmenten U nd/oder einem  D ezim atpunkt .  
D ie Digitalreihe h at einen Schutzbelag aus K u n st=  
Stoff
ex 85.21 D II
ex 85.21 D IILesespeicher (sogenannter ROM), in Form einer monolithischen integrierten 
Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 1 6  K x 8  bit, mit Leseregister und 
Ausgangskontrolle, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlußstiften und 
den Abmessungen von nicht mehr als 16 x 50 mm
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:
62000 bis 62999
oder
— eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Be­
schreibung bezieht
Programmierbare Lesespeicher, nicht löschbar (sogenannte PROMs), in TTL- 
Schottky-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schal­
tung, mit einer Speicherkapazität von 1  K bit, in einem Gehäuse mit 16 Anschluß­
stiften und den Abmessungen von nicht mehr als 9 x 23 m m
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder 
Zahlen/BuchsiabenKombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als 
Bestandteil enthält:
14 S 1 0  
24 S  1 0  
24 SA 1 0  
247 A 1 00
0
0
8,5

Nummer des 
Gemeinsamen 
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz(% )
ex 85.21 D II 
(Fortsetzung)
ex 85.21 D II27 S  20 
27 S  2 1
29760
29761 
38510
5300
5301
53 S  140
53 S 1 4 1
54 S  287 
54 S  387 
54700 
5603 
5623
6300
6301
63 S  140 
63 S  1 4 1  
7052 
7057 
74 S  287 
74 S  387
7610
7611
82 S  126 
82 S 129
8520
8521 
93417 
93427
oder
eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Be­
schreibung bezieht
Programmierbare Lesespeicher, nicht löschbar (sogenannte PROMs), in TTL- 
Schottky-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schal­
tung, mit einer Speicherkapazität von 2 K bit, in einem Gehäuse mit nicht mehr 
als 24 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17 x 39 m m
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder 
Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als 
Bestandteil enthält:
27 S  1 2
27 S 1 3
28 L 22 
28 LA 22 
29613
29770
29771 
38510
5305
5306
5308
5309
53 S  240
53 S  241
54 S  570 
54 S  571 
5604 
5624
6305
6306
6308
630911,5

Nummer des 
Gemeinsamen 
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz(% )
ex 85.21 D II 
(Fortsetzung)63 S 240 
63 S 241
6335
6336 
7053 
7058
74 S  570 
74 S  571 
76 LS 03
7620
7621
82 S  114 
82 S  130 
82 S  1 3 1  
93436 
93446
oder
eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Be­
schreibung bezieht 11,5
ex 85.21 D II Programmierbare Lesespeicher, nicht löschbar (sogenannte l’ROMs), in Form 
einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 
8  K bit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlußstiften oder nicht mehr 
als 28 Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 1 7  x 39 m m
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder 
Zahlcn/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als 
Bestandteil enthält:
82707
8270824 S  8 1 6380 82 HS 18524 SA  8 1 6381 82 LS 180
24 S  86 6388 82 LS 1 8 1
6389 82 S  180
63 S  840 82 S  1 8 1
27 S  180 63 S 841 82 S  182
27 S  1 8 1 82 S  183
27 S  185 82 S  184
27 S  35 7050 82 S  185
7055 82 S  2708
28 L 85 7060
28 L 86
28 P 85 87 S 18 Ó
28 R 35 7127 87 S  1 8 128 R 85 7128 87 S  184
28 S 2708 7129 87 S 185
28 S 85 7130 ,  87 S 186
28 S 86 7131 87 S 187
28 SA  86 7132
29623 74 LS 478
29630 74 S  2708
29631 74 S  454 93450
29632 74 S  455 93451
29633 74 S  478 93460
29634 74 S 479 ' 93461
29635 93465
29636 93466
29637 7608 93 L 450
29650 7680 93 L 451
29651 7681
29652 7684
29653 7685 9460
7686
7687
3628 7688
7689

Nummer tic s  
G em einsam en 
Z olltarifs
ex 85.21 D II 
(Fortsetzung)
ex 85.21 D II
ex 85.21 D IIW arenbezeichnung
77 S  180 
77 S  1 8 1  
77 S  184 
77 S  185 
77 S  186 
77 S  187
TBPS81M5380
5381
5388
5389 
53 S  840
53 S 841
■  54 LS 478
54 S 2708 
54 S  454 
54 S  455 
54 S  478 
54 S 479
oder
— eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden 
Beschreibung bezieht
Programmierbare Lesespeicher, nicht löschbar (sogenannte PROMs) in Form 
einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 
32 K bit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlußstiften/und den Abmes­
sungen von nicht mehr als 17 x 39 m m ioder nicht m e h r  als 28 K cntaktf lächen
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/
Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:Auiom m ir
Zollsatz
(%)
T M S
T M S
P D
T M S
T M S
T M S
T M S
oder2532 
25 P  
2732 
2732 
27 P  
3532  
3732N L
32
C
N L
32
N L
N L
- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lese=  
Speicher der vorstehenden Beschreibung bezieht
Programmierbare Lesespeicher, nicht löschbar (sogenannte PROMs), in Form 
einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 
64 K bit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiftenlund den Abmes­
sungen von nicht mehr als 17 x 39 mm. foder «O ntaktf laich en
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/ 
Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als 
Bestandteil enthält.
T M S  25 P  64  
2764 C  
T M S  27 P  64  
l« B  7144  
T M S  2564 N L  
T M S  2764 N L  
T M S  3564 N L  
T M S  3764 h L
oder
eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden 
Beschreibung bezieht0
0
0

-h :6 -
Nummer des 
Gemeinsamen 
Zolltarifs
ex 85.21 D II
ex 85.21 D IIWarenbezeichnung
Elektronisch programmierbare UV-löschbare Lesespeicher (sogenannte 
EPROMs), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer 
Speicherkapazität von 2 K bit, in einem Gehäuse mit den Abmessungen von nicht 
mehr als 17 x 39 mm und einem Quarzfenster auf der Oberseite
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/ 
Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Be­
standteil enthält:
B  1702 A  
AMI 702 ADC 
82140 PP
oder
— eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Be­
schreibung bezieht
Dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in N-MOS-Technik 
hergestellt (sogenannte N-MOS RAMs, dynamisch), mit einer Speicherkapazität 
von 256 K bit, in Form einer monolitischen integrierten Schaltung, in einem 
Gehäuse mit nicht mehr als 20 Anschlußstiften/und den Abmessungen von nicht 
mehr als 17 x 34 mm 'oder K ontaktflächen
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder 
Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als 
Bestandteil enthält:
41245
UPD 41256 DAutonomer
Zollsatz
(%)
ex 85.21 D IITMM 41257 
TMM 4256 AP 
TMM 4256 P 
MCM 4256 S  
MCM 4257 S  
HM 50257 
MCM 6256
82256
81256
81257
oder
— eine andere Kennzeichnung, die sich auf dynamische Schreib-Lesespeicher der 
vorstehenden Beschreibung bezieht
Statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in N-MOS-Technik herge­
stellt (sogenannte N-MOS-RAMs, statisch), in Form einer monolithischen inte­
grierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 256 x 4 bit, in einem Gehäu­
se mit nicht mehr als 24 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 
17 x 39 mm.
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder 
Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als 
Bestandteil enthält:
M 120
2101 
21 H01 
2102 .  
2111 
21 H 1 1  
2112 
21 H 1 2
oder8101
8111
9101 
91 L 01
9111 
91 L 1 1
9112 
91 L 1 2
eine andere Kennzeichnung, die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der 
vorstehenden Beschreibung bezieht0
0
0

Nummer des 
Gemeinsamen 
Zolltarifs
ex 85.21 D II
ex 85.21 D II
ex 85.21 D IIWarenbezeichnung
Statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in N-MOS-Technik herge­
stellt (sogenannte N-MOS-RAMs, statisch), in Form einer monolithischen inte­
grierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 8  K bit, in einem Gehäuse mit 
nicht mehr als 24 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 
17 x 39 mm
Das Gehäuse trägt:
— eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder 
Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als 
Bestandteil enthält:
4008 
4118 
PD 421 
4801
oder8104
8108
8112
8114
8185
— eine andere Kennzeichnung, die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der 
vorstehenden Beschreibung bezieht
Statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in H-MOS-Technik herge­
stellt (sogenannte H-MOS-RAMs, statisch), in Form einer monolithischen inte­
grierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 1  K x 4 bit und einer Zu­
griffszeit von nicht mehr als 70 Nanosekunden, in einem Gehäuse mit nicht mehr 
als 1 8  Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 8  x 23 m m
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/ 
Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Be­
standteil enthält:
SY  2149 H 
AM 2149 
TMS 2149 
NEC UDP 2149
oder '
— eine andere Kennzeichnung, die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der 
vorstehenden Beschreibung bezieht
Statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in C-MOS-Technik herge­
stellt (sogenannte C-MOS-RAMs, statisch), mit einer' Speicherkapazität von 
4 K x 1  bit, einer Zugriffszeit von nicht mehr als 70 Nanosekunden und einem 
Versorgungsstrom im  Bereitschaftszustand
v/von weniger als 1m A, in Form einer mono­
lithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 1 8  An­
schlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 9 x 26 mm
Das Gehäuse trägt:
— eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombina- 
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:
6147
oder_ eine andere Kennzeichnung, die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der
vo
rstehenden Beschreibung beziehtAutonomer
Zollsatz
(%)
0
8,5
4

Nummer des 
Gemeinsamen 
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
(°/o)
ex 85.21 D II
ex 85.21 D II
ex 85.21 D II
ex 85.21 D IIStatische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte TTL-RAMs, 
statisch), in TTL-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten 
Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 1  K bit, in einem Gehäuse mit nicht 
mehr als 22 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 
16 x 30 m m
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder 
Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als 
Bestandteil enthält:
2205 93412
2510 93 L  412
2511 93415
74 LS 214 93 L 415
74 LS 215 93422
74 LS 314 93 L 422
74 LS 315 93425
74 S  207 93 F 425
74 S  208 93 L 425
74 S  214
74 S  314
oder
— eine andere Kennzeichnung, die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der 
vorstehenden Beschreibung bezieht
P-MOS-12/24-Stunden Uhrenschaltungen mit Betriebsstundenzähler, in Form 
einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit 40 Anschluß­
stiften und den Abmessungen von nicht mehr als 14 x 53 mm, zum Herstellen 
von Armaturbrettuhren und dergleichen für Kraftfahrzeuge oder Krafträder (a)
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchsta- 
benkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:
MM 53124
oder
— eine andere Kennzeichnung, die sich auf Uhrenschaltungen der vorstehenden 
Beschreibung bezieht
C-MOS-Uhrenschaltungen, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, 
in einem Gehäuse mit nicht mehr als 42 Anschlußstiften und den Abmessungen 
von nicht mehr als 16 x 54 mm, zum Herstellen von Schaltzeituhren oder Arma­
turbrettuhren und dergleichen für Kraftfahrzeuge oder Krafträder (a)
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/ 
Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als 
Bestandteil enthält:
HI 2060 
HI 2065 
T 3605
oder
— eine andere Kennzeichnung, die sich auf Uhrenschaltungen der vorstehenden 
Beschreibung bezieht
C-MOS-Uhrenschaltungen, die von einer einzigen + 1,55-Volt-Versorgungsein- 
heit gespeist werden, mit LCD-Treiber, in Form einer monolithischen integrierten 
Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 56 Anschlußstiften und den Ab­
messungen von nicht mehr als 1 5  x 2 1  m m
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchsta- 
benkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:
TC 8219 AF
oder
— eine andere Kennzeichnung, die sich auf Uhrenschaltungen der vorstehenden 
Beschreibung bezieht0
0
0
0
(a) Die Überwachung der zweckentsprechenden Verwendung erfolgt nach den einschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen,

Nummer des 
Gemeinsamen 
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
(%)
ex 85.21 D II
ex 85.21 D II
ex 85.21 D II
ex 85.21 D IIElektronisch programmierbarer Intervall-Zeitgeber (sogenannter Programmable 
Interval Timer/PIT), in N-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithi­
schen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschluß­
stiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17 x 39 m m
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombina­
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:
8253
oder
— eine andere Kennzeichnung, die sich auf Intervall-Zeitgeber der vorstehenden 
Beschreibung bezieht
Monolithische integrierte Schaltung, bestehend aus 8  unabhängigen Elementen für 
die Steuerung der 8  Segmente und/oder Zeichen von Fluoreszenz- oder Gasentla­
dungsanzeigen, in einem Gehäuse mit 1 8  Anschlußstiften und den Abmessungen 
von nicht mehr als 7 x 23 m m
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkom­
binationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:
513
514 
534 
594 
6118 
6128 
6138
oder
— eine andere Kennzeichnung, die sich auf integrierte Schaltungen der vorste­
henden Beschreibung bezieht
Vom Anwender programmierbare, nicht löschbare Schaltmatrix (sogenannter 
Field Programmable Logic Array/FPLA), in TTL-Schottky-Technik hergestellt, 
mit nicht mehr als 48 UND-Funktionen und nicht mehr als 8  ODER-Funktionen 
sowie nicht mehr als 16 Eingangsstellen, in Form einer monolithischen integrier­
ten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den 
Abmessungen von nicht mehr als 17 x 39 m m
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder 
Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als 
Bestandteil enthält:
82 S  100 
82 S  1 0 1
93458
93459
oderEP 54 A S 839 
FP 54 AS 840 
SN 54 LS 333 
SN 54 LS 334 
SN 54 LS 335 
SN 54 LS 336FP 74 A S 839 
FP 74 AS 840 
SN 74 LS 333 
SN 74 LS 334 
SN 74 LS 335 
SN 74 LS 336
— eine andere Kennzeichnung, die sich auf eine Schaltmatrix der vorstehenden 
Beschreibung bezieht
Arithmetische, logische Einheit (Rechenwerk), in H-MOS-Technik hergestellt, in  
Form einer monolithischen integrierten Schaltung, bestehend aus einem 32-bit- 
Register, einem 24-bit-Register, einem 4-bit-Register, zwölf 1-bit-Registern, zwei 
16 x 24 bit-Dienstspeichern, einem logischen Element zum Durchführen arithme­
tischer und logischer Operationen, einer Dekodierlogik, einem logischen Element 
zur Fehlersuche und -Beseitigung, einem 8-bit-Zähler und einem Zeitgeber, in 
einem Gehäuse mit 64 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 
23 x 82 m m
Das Gehäuse trägt
— die Kennzeichnung ALU 0486 
oder
— eine andere Kennzeichnung, die sich auf Rechenwerke der vorstehenden Be­
schreibung bezieht11,5
0
5
0

Nummer des 
Gemeinsamen 
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
< % )
ex 85.21 D II
ex 85.21 D II
ex 85.21 D IIBaustein zur Folgekontrolle, in H-MOS-Technik hergestellt, in Form einer mono­
lithischen integrierten Schaltung, bestehend aus einem 32-bit-Register, drei 16-bit- 
Registern, einem 16 x 16 bit-Dienstspeicher, einem 7 x 17 bit-Kellerspeicher 
(Last in first out/Lifo), einem Addierwerk, einer Dekodierlogik, einer Prioritäts­
logik, einem logischen Element zur Fehlersuche und -beseitigung, einem 16-bit- 
Wähler (Multiplexer), einem 8-bit-Zähler und einem Zeitgeber, in einem Gehäuse 
mit 64 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 23 x 82 m m
Das Gehäuse trägt 
— die Kennzeichnung CSS 0484 
oder
— eine andere Kennzeichnung, die sich auf Bausteine der vorstehenden Beschrei-bung bezieht
Logischer Kontrollbaustein, in H-MOS-Technik hergestellt, in Form einer mono- 
l'thischen integrierten Schaltung, bestehend aus einem 7-bit-Register, drei Zeit­
zählern Tuner), einem Wähler (Multiplexer), Elementen zur Folgekomrolle, 
einer Dekodierlogik, einem logischen Element zur Fehlersuche und -beseitigung 
und einem Zeitgeber, ,n einem Gehäuse mit 64 Anschlußstiften und den Abmes­sungen von nicht mehr als 23 x 82 m m
Das Gehäuse trägt
— die Kennzeichnung MIC 0482 
oder
— eine andere Kennzeichnung, die sich auf Bausteine der vorstehenden Beschrei- bung bezieht
Verstärker in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in 
einem Gehäuse mit nicht mehr als 10 Anschlußstiften und den Abmessungen von
Sn.Q n w  N  s  ,65 x 3,56 x 3,56 mm’  zum Herstellen von Waren der Tarifstelle yv.ly d 1  (a)
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/ 
Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Be­standteil enthält:
V 35 
C 05
oder
eine andere Kennzeichnung, die sich auf Verstärker der vorstehenden Be­schreibung bezieht
ex 85.21 D II Elektronisch programmierbare Schnittstellenbausteine für die Datenübertragung 
(sogenannte Enhanced Programmable Communication Interface/F.PCI), in Form 
einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 
28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 1 6  x 38 m m
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombina- 
tion besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:
2661
oder
eine andere Kennzeichnung, die sich auf Schnittstellenbausteine der vorstehen­den Beschreibung bezieht0
0
0
0

-So
Nummer des 
Gemeinsamen 
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
(° /o )
ex 85.21 D II
•  ex 85.21 D II
ex 85.21 D II
ex 85.21 D IIElektronischer Kontrollbaustein, in Form einer monolithischen integrierten Schal­
tung, in^MOS-Technik hergestellt, zur Steuerung dynamischer Schreib-Lesespei- 
cher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, dynamisch), mit Adressen-Multi- 
plexer und Zeitgeber, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlußstiften oder 
den Abmessungen von nicht mehr als 25 x 53 mm
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder 
Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als 
Bestandteil enthält:
TMS 4500 
8203 
8207
oder
— eine andere Kennzeichnung, die sich auf Kontrollbausteine der vorstehenden 
Beschreibung bezieht
Logischer Schnittstellenbaustein (sogenannter Floppy Support Logic/FSL), in  
N-MOS-Technik hergestellt, zwischen Floppy Disc Controller (FDC) und Kon- 
trollschaltkreis (Driver), mit logischen Funktionen zur Datenwiederaufnahme 
(Data recovery) und Prekompensation in Form einer monolithischen integrierten 
Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 20 Anschlußstiften und den Ab­
messungen von nicht mehr als 8,5 x 26,5 mm
Das Gehäuse trägt:
— eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchsta- 
benkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:
WD 1691 
oder
— eine andere Kennzeichnung, die sich auf logische Schnittstellenbausteine der 
vorstehenden Beschreibung bezieht
Steuerbaustein zum Steuern der Zugangsfolge (sogenannter Local Area Network 
Controller/LAN-Controller), in Form einer monolithischen integrierten Schal­
tung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 48 Anschlußstiften und den Abmessun­
gen von nicht mehr als 16 x 5 1  m m
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder 
Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als 
Bestandteil enthält:
AM 7990 
82586
oder
— eine andere Kennzeichnung, die sich auf Steuerbausteine (LAN-Controller) 
der vorstehenden Beschreibung bezieht
Serienschnittstellenbaustein zur Datenstromcodierung oder -decodierung und da­
mit zusammenhängenden Kontrollfunktionen für einen Steuerbaustein zum 
Steuern der Zugangsfolge (sogenannter Local Area Network), in Form einer mo­
nolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 An­
schlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 16 x 33 m m
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder 
Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als 
Bestandteil enthält:
AM 7991 
82501
oder
— eine andere Kennzeichnung, die sich auf Schnittstellenbausteine der vorstehen­
den Beschreibung beziehtK o rrta k tf L a ch en  u n d
0
0
0
0

-51  -
ex 85.21 D 1 1
ex 85.21 D II 
(Fortsetzung)
ex 85.21 D II
ex 85.21 D IIVom Anwender teilweise programmierbare Schaltmatrix (sogenannter Program­
mable Logic Array/PLA), in bipolarer Technik hergestellt, in Form einer monoli­
thischen integrierten Schaltung, mit schmelzbaren Verbindungsstücken, einer pro­
grammierbaren UND-Anordnung, einer festen ODER-Anordnung, mit nicht 
mehr als 20 Eingangsstellen und nicht mehr als 10 Ausgangsstellen, auch mit Re­
gistern, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmes­
sungen von nicht mehr als 17 x 39 m m
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/ 
Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Be­
standteil enthält:
10 H 8 16 L  8 1 8  L4
1 2  H 6 16 R 8 20 L 2
14 H 4 1 6  R 6 20 C 1
16 H 2 1 6  R 4 20 L 1 0
1 6  C 1 16X4 20 X 1 0
1 0  L 8 1 6  A  4 20 X 8
1 2  L6 1 2  L 1 0 20X4
14 L  4 1 4  L 8
1 6  L2 16 L 6
oder
— eine andere Kennzeichnung, die sich auf eine Schaltmatrix der vorstehenden 
Beschreibung bezieht
Programmierte Schaltmatrix (Gate Array) in C-MOS-Technik hergestellt, in 
Form einer monolithischen integrierten Schaltung mit nicht weniger als 8  000 
Zwei-Eingangs-NAND-Funktionen, in einem Gehäuse mit 179 oder mehr An­
schlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 39 x 39 m m
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchsta- 
benko(Tibination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:
M B 66000 VH
oder
— eine andere Kennzeichnung, die sich auf eine Schaltmatrix der vorstehenden 
Beschreibung bezieht
Monolithische integrierte Schaltung, bestehend aus einem statischen Schreib-Lese- 
speicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, statisch), mit einer Speicher­
kapazität von 256 bit, bitweise gekoppelt mit einem elektrisch löschbaren Lese­
speicher (sogenannter E!  PROM), in einem Gehäuse mit 1 8  Anschlußstiften und 
den Abmessungen von nicht mehr als 8  x 23 m m
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchsta- 
benkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:
X 2210
oder
— eine andere Kennzeichnung, die sich auf monolithische integrierte Schaltun­
gen der vorstehenden Beschreibung bezieht5
0
1 1Nummer des 
Gemeinsamen
7 nWt'i riteWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatzm

-52 -
Nummer des 
Gemeinsamen 
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
(%)
ex 85.21 D  IIStatische Schreib-Lesespeicher mit  
wahlfreiem Zugriff in C-MOS-Technik  
hergestellt (sogenannte C-MOS-RAMs,  
statisch), in Form von monolithischen  
integrierten Schaltungen, bestehend  
aus einem mehrlagigen Substrat mit den  
Abmessungen von nicht mehr  
als 17 x 39 mm, auf dem ein Decoder,  
ein Entkoppelungskondensator und vier  
Chips mit einer Speicherkapazität von  
je 16 Kbit und einer Gesamtspeicher­
kapazität von 64 Kbit angebracht sind,  
mit nicht mehr als 28 Anschlussstiften
u n d  m it
- einerKennzeichnung,  die aus einer  
der nachstehend aufgeführten Zahlen/  
Buchstabenkombinationen besteht oder  
eine dieser Kombinationen als Be­
standteil enthält:
EDH 8808 B-20  
EDH 8808 C-10  
EDH 8808 C-l2  
EDH 8808 C-l5  
EDH 8808 C-20  
EDH 8808 Cb-15  
EDH 8808 CL-20
oder
- e.inet' anderenKennzeichnung,  die sich  
auf statische Schreib-Lesespeicher  
der vorstehenden Beschreibung be­
zieht .
ex 85.21 D  II ;  Statische Schreib-Lesespeicher mit  
wahlfreiem Zugriff in C-MOS-Technik  
hergestellt (sogenannte C-MOS-RAMs,  
statisch), in Form von monolithischen  
integrierten Schaltungen, bestehend  
aus einem mehrlagigen Substrat mit den  
Abmessungen von nicht mehr  
als 17 x 39 mm, auf dem ein Decoder,  
ein Entkoppelungskondensator und vier  
Chips mit einer Speicherkapazität von ,  
je 64 Kbit und einer Gesamtspeicher- '  
Kapazität von 256 Kbit angebracht  
sind, mit nicht mehr als 28 Anschluss­
stiften und mit
einerKennzeichnung,  die aus der  
nachstehend aufgeführten Zahlen/  
Buchstabenkombination besteht oder  
diese Kombination als Bestandteil  
enthält:
EDH 8832 MC-200

Nummer des AutonomerGemeinsamen Warenbezeichnung
Zolltarifs(%)
ex 85.21 D  II  
(Fortsetzung)
ex 85.21 D  IIoder
- eineranderenKennzeichnung,  die sich  
auf statische Schreib-Lesespeicher  
der vorstehenden Beschreibung be­
zieht .
D yn am isch e Schreib-Lesespeicher m it wahlfreiem  
Zugriff in N -M O S -T ech n ik  hergestellt (sogenannte  
N - M O S -R A M s , dynamisch), m it einer Gesam tspeicherka­
pazität vo n  3 2  K  bit, in F o r m  vo n  monolithischen  
integrierten Schaltungen, bestehend au s zw ei  
übereinander gesteckten G eh äu sen  m it einer Speicher­
kapazität v o n  jeweils 1 6  K  x  1  bit, m it nicht m e h r  
als 1 8  Anschlussstiften u n d  d en  A b m essu n g en  v o n  
nicht m e h r  als 1 0  x  2 5  m m .
E in  G eh äu se trägt:
- eine K ennzeichnung, die aus einer der nachstehend  
aufgeführten Zahlenkom binationen besteht oder eine  
dieser K om binationen als Bestandteil enthält:O
4429913
8279251
8493255
8493256
ex 85.21 D  IIoder
- eine andere K ennzeichnung, die sich auf dynam ische  
Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung  
bezieht
D yn am isch e Schreib-Lesespeicher m it wahlfreiem  
Zugriff in N -M O S-technik hergestellt (sogenannte  
N -M O S -R A M s , dynamisch), m it einer Gesam tspeicher=  
kapazität v o n  128 K  bit, in F o r m  vo n  monolithischen  
integrierten Schaltungen, bestehend aus zw ei über=  
einander gesteckten G eh äu sen  m it einer Speicher=  
kapazität vo n  jeweils 6 4 K  x  1  bit, m it nicht m e h r  
als 1 8 Anschlussstiften u n d  d en  A b m essu n g en  v o n  
nicht m e h r  als 1 0  x  2 5  m m
E in  G eh äu se trägt:
- eine K ennzeichnung, die aus einer der nachstehend  
aufgeführten Zahlenkom binationen besteht oder  
eine dieser K om binationen als Bestandteil enthält:
4481832
8493287
i  oder
- eine andere K ennzeichnung, die sich auf dynam ische  
Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung  
bezieht0
0

- S H -
N u m m e r  des  
G em ein sa m en  
Zolltari fs W arenb ezei ch n u n gA u to n o m er  
Zollsatz  
( % )
ex 85.21 D  II
ex 85.21 D  IIElektronisch program m ierbare UV-löschbare  
Lesespeicher (sogenannte E P R O M s ), in F o r m  
v o n  monolithischen integrierten Schaltungen,  
bestehend au s einem  m ehrlagigen Substrat m it  
d en  A b m essu n g en  v o n  nicht m e h r  als 17x39 m m ,  
auf d e m  ein D ecoder, ein E ntkopplungskonden=  
sator, zw ei W iderstände u n d  zw ei C h ip s m it einerl  
Speicherkapazität vo n  je 128 K  bit u n d  einer  
Gesamtspeicherkapazität v o n  256 K  bit angebracht  
sind, m it zw ei Quarzfenstern auf der O b e r =  
seite u n d  m it
- einer. K ennzeichnung, die au s einer der  
folgenden Zahlen- oder Zahlen/Buchstaben=  
kom binationen besteht oder eine dieser  
K om binationen enthält:
E D H  7832 m m  - 3 0  
oder
- einer anderen K ennzeichnung, die sich  
auf Lesespeicher der vorstehenden  
Beschreibung bezieht
Statische Schreib-Lesespeieher m it w ah l=  
freiem Zugriff in C -M O S -T ech n ik  hergestellt  
(sogenannte C - M O S - R A M s , statisch), in F o r m  
v o n  monolithischen integrierten Schaltungen,  
bestehend aus einem  m ehrlagigen Substrat  
m it d en  A b m essu n g en  von  nicht m e h r  als  
1 7  x  3 9 m m , auf d e m  ein D ecoder, ein E n t=  
kopplungskondensator u n d  zw ei C h ip s m it einer  
Speicherkapazität vo n  je 1 6  K  bit u n d  einer  
Gesamtspeicherkapazität v o n  3 2  K  bit ange=  
bracht sind, m it nicht m e h r  als 2 8  Anschluss­
stiften u n d  m it
- einer K ennzeichnung, die au s einer der  
folgenden Zahlen- oder Zahlen/Buchstaben=  
kom binationen besteht oder eine dieser  
K om binationen enthält:.
E D H  8804 C  - 2 0  
E D H  8804 C L  - 2 0
oder
- einer anderen K ennzeichnung, die sich auf  
statische Schreib-Lesespeicher der vor=
stehenden Beschreibung bezieht0
0

-55»
N u m m e r  des  
G e m e i n sa m en  
Zolltari fsW aren b ezei ch n u n gA u to n o m er
Zollsatz
C4)
ex 85.21 D  II
ex 85.21 D  IID yn am isch e Schreib-Lesespeicher m it w ah l=  
freiem Zugriff (sogenannter R A M ,  dynamisch),  
in F o r m  vo n  monolithischen integrierten  
Schaltungen, bestehend aus einem  m ehrlagigen  
Substrat m it d en  A b m essu n g en  vo n  nicht m e h r  
als 9  x  5 7  m m ,  auf d e m  zw ei C h ip s m it einer  
Speicherkapazität vo n  je 6 4 K  bit u n d  einer  
Gesamtspeicherkapazität v o n  12 8  K  bit angebracht  
sind, m it nicht m e h r  als 2 2  Anschlussstiften  
u n d  m it
- einer K ennzeichnung, die aus einer der folgenden  
Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkom binationen  
besteht oder eine dieser K om binationen enthält:
E D H  4128-15  
E D H  4128-2 C  
E D H  4264-15  
E D H  4264-20
oder
- einer anderen Kennzeichnung,die sich auf  
dynam ische Schreib-Lesespeicher der vor=  
stehenden Beschreibung bezieht 0
Lesespeicher in C-MOS-Technik hergestellt  
(sogenannter C-M05-R0M), mit einer Speicher­
kapazität von 16 K x 8 bit und einer Strom-  
Verlustleistung von nicht mehr als 200 Milli- 
u/att beim Betrieb und von nicht mehr als 0,15  
Milliwaft i r n  Bere i  t .  s c h a fts z u s t .  n nd ,  in Form  
einer monolithischen integrierten 'Schaltung, 
in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 An­
schlußstiften und den Abmessungen von nicht  
mehr als 17 x  38 mm.
Das Gehäuse trägt
- eine Kennzeichnung,  die aus der nachstehend  
aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination  
besteht oder diese Kombination als Bestand­
teil enthält:
H N  613128 P  
oder
- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lese=  
Speicher der vorstehenden Beschreibung bezieht 0

-56
N u m m e r  des  
G em ein sa m en  
Z o t L tari fsW arenb ezei ch n u n gA u to n o m er
Zollsatz
(% )
- « . X  85.21 D  II
ex 85.21 D  II
ex 85.21 D  IIKontrolIbaustein zu r Fehlersuche u n d  
-beseitigung v o n  einzelnen Bit-Fehlern  
u n d  zu r Fehlersuche v o n  doppelten Bit-  
F e h  lern (sogenannter E rror Detection  
a n d  Correction Circuit), in H - M O S -  
T echnik hergestellt, in F o r m  einer m o n o =  
lithischen integrierten Schaltung, in  
einem  G eh äu se m it nicht m e h r  als 6 8 K ontakt=  
fLächern u n d  d en  A b m essu n g en  von  nicht m e h r  
als 2 5  x  2 5  m m
D a s  G eh äu se trägt:
- eine K ennzeichnung, die aus der nachstehend  
aufgeführten Zahlenkom bination besteht oder  
diese K om bination als Bestandteil enthält:
8206
oder
- eine andere K ennzeichnung, die sich auf  
KontrolIbaustein zu r Fehlersuche-und  
-beseitigung der vorstehenden Beschreibung  
bezi eht
Vierkanal-Bus-Sendeempfangsbaustei n  (soge=  
nannter Q u a d  B u s  Transceiver) in "  advanced  
lo w  p o w er Schottky-Technik"  
hergestellt, in F o r m  einer monolithischen  
integrierten Schaltung, in einem  G eh äu se  
m it nicht-'m ehr als 2 0  Anschlussstiften u n d  
d en  A b m essu n g en  vo n  nicht m e h r  als 9  x  2 8  m m
D a s  G eh äu se trägt: !
- eine K ennzeichnung, die aus der nachstehend  
aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom bination besteht oder 
diese K om bination als Bestandteil enthält:
A M  2907
oder
- eine andere K ennzeichnung, die sich auf  
Vierkanal-Bus-Sendeempfangsbausteine der  
vorstehenden Beschreibung bezieht
KontrolIbaustein zu r Fehlersuche u n d  -beseitigung  
v o n  M ehrfachfehlern im  M agnetplattensystem  
(sogenannter Burst E rror Processor/BEP), in  
H -M O S -T e ch n ik  hergestellt, in F o r m  einer m o n o =  
lithischen integrierten Schaltung, in einem  
G eh äu se m it nicht m e h r  als 4 0 AnschLussstiften  
u n d  d en  A b m essu n g en  von  nicht m e h r  als 1 6  x  5 4  m m
D a s  G eh äu se trägt:
- eine K ennzeichnung, die aus einer der n ach =  
stehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom bina=  
tionen besteht oder eine dieser K om binationen  
als Bestandteil enthält:0
0

-5?  -
N u m m e r  des  
G em ein sa m en  
Z o L  L tari fsW aren b ezei ch n u n gA u to n o m er
Zollsatz
(% )
ex 85.21 D  II  
(Fortsetzung)
ex 85.21 D  II
ex 85.21 D  IIZ  8065  
A M  9520  
A M  9 5 2 1
oder
- eine andere K ennzeichnung, die sich auf  
KontrolIbaustein zu r Fehlersuche u n d  
-beseitigung der vorstehenden Beschreibungen  
bezieht
KontrolIbaustein zu r Steuerung vo n  graphischen  
A nzeigen (sogenannter G raphic Display Controller/  
G D C )  m it einem  Speicher zu r Bearbeitung v o n  
256.000 W o rten  ä  1 6  bit, in F o r m  einer m o n o =  
lithischen integrierten Schaltung, in einem  
G eh äu se m it nicht m e h r  als 4 0 Anschlussstiften  
u n d  d en  A b m essu n g en  v o n  nicht m e h r  als 1 5  x  5 2  m m
D a s  G eh äu se trägt:
- eine K ennzeichnung, die aus der nachstehend auf=  
geführten Zahlen/Buchstabenkom bination besteht  
oder diese K om bination als Bestandteil enthält:
P D  7220
oder
- eine andere K ennzeichnung, die sich auf Kontroll:  
bausteine der vorstehenden Beschreibung bezieht
K ontrol Ibaustein zu r Steuerung v o n  M agnetplatten=  
speichern m it festen Platten (H a rd  D isc C o n =  
troller/HDC), in N -M O S -T ech n ik  hergestellt,  
in F o r m  einer monolithischen integrierten  
Schaltung, in einem  G eh äu se m it nicht m e h r  als  
4 0 Anschlussstiften u n d  d en  A b m essu n g en  vo n  
nicht m e h r  als 1 5  x  5 3  m m
D a s  G eh äu se trägt:
- eine K ennzeichnung, die aus einer der n ach =  
stehend aufgeführten Zahlen/Buchstaben=  
kom binationen besteht oder eine dieser K o m b i=  
nationen als Bestandteil enthält:
W D  1010  
P D  7 2 6 1
oder ]
- eine andere K ennzeichnung, die sich auf Kontroll=  
bausteine der vorstehenden Beschreibung bezieht0
0
0

' ■5%-
N u m m e r  des  
G em ein sa m en  
Zolltari fsW arenb ezei ch n u n gA u to n o m er  
Zollsatz  
( % )
ex 85.21 D  II
ex 85.21 D  II
ex 85.21 D  IIVierphasen-Takgeber (sogenannter F ourphase  
C lock  Generator), in N -M O S -T ech n ik  herge=  
stellt, m it program m ierbarer Pulsamplitude  
u n d  Phasenabgleich, zu r K orrektur v o n  
Aufzeichnungsfehlern auf flexiblen M a g n et=  
platten (floppy discs in F o r m  einer m o n o =  
lithischen integrierten Schaltung, in einem  
G eh äu se m it nicht m e h r  als 1 8  Anschluss=  
stiften u n d  d en  A b m essu n g en  v o n  nicht m e h r  
als 7  x  2 4  m m
D a s  G eh äu se trägt:
- eine K ennzeichnung, die aus der nachstehend  
aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom binati on en  
besteht oder dieser K om binationen als  
Bestandteil enthält:
W D  2143-03
oder
- eine andere K ennzeichnung, die sich auf  
Vierphasen-Taktgeber der vorstehenden  
Beschreibung bezieht
Kontrollbaustein für synchrone, bitseriel.le  
Datenübertragung u n d  -em pfang (sogenannter  
M ulti Protocol C om m u n ication  Controller/
M P C C ) , in M O S -T ech n ik  hergestellt, in F o r m  
einer monolithischen integrierten Schaltung,  
in einem  G eh äu se m it nicht m e h r  als 4 0  
Anschlussstiften u n d  d en  A b m essu n g en  v o n  nicht  
m e h r  als 1 6  x  5 4  m m
D a s  G eh äu se trägt:
- eine K ennzeichnung, die aus einer der n ach =  
stehend aufgeführten Zahlenkom binationen  
besteht oder eine dieser K om binationen als  
Bestandteil enthält:
16456
2652
68652
8273
8274
oder
- eine andere K ennzeichnung, die sich auf  
KontrolLbausteine der vorstehenden  
Beschreibunb bezieht
Kontrollbaustein zu r Fehlersuche u n d  -besei=  
tigung (sogenannter E rror Detection a n d  
Correction Circuit), in bipolarer T echnik  
hergestellt, in F o r m  einer monolithischen  
integrierten Schaltung, in einem  G eh äu se  
m it nicht m e h r  als 4 8  Anschlussstiften u n d  
d en  A b m essu n g en  von nicht m e h r  als 16x62 m m0
0

-53 -
N u m m e r  des  
G em ein sa m en  
Z o L  Ltarifs W arenb ezei ch n u n gA u to n o m er  
Zollsatz  
( % )
ex 85.21 D  II  
(Fortsetzung)
ex 85.21 D  II
ex 85.21 D  IID a s  G eh äu se trägt:
- eine K ennzeichnung, die aus einer d er  
nachstehend aufgeführten Zahlen- oder  
Zahlen/Buchstabenkom bination en  besteht  
oder eine dieser K om binationen als  
Bestandteil enthält:
2960
74 F  630  
7 4 F  6 3 1  
D P  8400
oder
- eine andere K ennzeichnung, die sich auf  
KontrolIbausteine der vorstehenden  
Beschreibung bezieht
In H-MOS-Technik hergestellte logische Schaltung, 
als Taktgeber für die Control Process Unit (CPU), 
den inneren Speicher (Main Memory) und die I/O- 
Schnittstellen dienend, in Form einer monolitisehen 
integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit 68 
Anschlussstiften und Abmessungen von 25 x 25 mm 
Das Gehäuse trägt die Kennzeichnung :
H108982 (MCC)
oder eine andere Kennzeichnung, die sich auf Memory 
Controller Circuits der vorstehenden Beschreibung 
bezieht
Elektronisch program m ierbare UV-löschbare  
Lesespeicher (sogenannte E P R O M s ), in F o r m  
einer monolithischen integrierten Schaltung,  
m it einer Speicherkapazität v o n  256 K  bit, in  
einem  G eh äu se m it d en  A b m essu n g en  v o n  nicht  
m e h r  als 1 7  x  39 m m  u n d  einem  Quarzfenster auf  
der Oberseite
D a s  G eh äu se trägt:
- eine K ennzeichnung, die aus der nachstehend  
aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom bination  
besteht oder diese K om bination als Bestandteil  
enthält:
D  27256
oder
- eine andere K ennzeichnung, die sich auf L ese=  
Speicher der vorstehenden Beschreibung bezieht0
0
0

N u m m e r  des  
G e m e i n sa m en  
Z o L  L tari fsW aren b ezei ch n u n gA u to n o m er
Zollsatz
(%)
ex 85.21 D  II Elektrisch löschbare, program m ierbare  
Lesespeicher (sogenannte E 2 P R 0 M s), in  
F o r m  einer monolithischen integrierten  
Schaltung m it einer Speicherkapazität  
v o n  256 bit, in einem  G eh äu se m it nicht  
m e h r  als 8  Anschlussstiften u n d  d en  
A b m essu n g en  vo n  nicht m e h r  als 1 0  x  1 2  m m
D a s  G eh äu se trägt:
- eine K ennzeichnung, die aus der n ach =  
stehend aufgeführten Zahlen/Buchstaben=  
kom bination besteht oder diese K o m b i=  
nation als Bestandteil enthält:
N M C  9306
oder
- eine andere K ennzeichnung, die sich  
auf Lesespeicher der vorstehenden  
Beschreibung bezieht
ex 85.22 C II
ex 85.22 C II
ex 90.02Elektromagnetische Anzeige, bestehend aus 7 Elektromagneten, die durch Rest­
magnetismus des Magnetkerns dafür sorgen, daß die letzte Angabe verfügbar 
bleibt, 7 drehbaren, lichtreflektierenden Segmenten, die jeweils mit einem Stab­
magneten verbunden sind. Die Anzeige ist in einem Gehäuse mit den Abmessun­
gen von nicht mehr als 28 x 36 X  50 m m
Tragbares Braille-Schreib- und Lesegerät mit den Abmessungen von nicht mehr 
als 24 x 36 x 1 1  cm, mit einer Anzeige- und Magnetbandkassettenaufnahmevor­
richtung, einer elektromechanischen Braille-Schreibmaschinentastatur, einem elek­
tromechanischen Braille-Anzeigegerät mit 20 Stellen, einem Mikrophon und Laut­
sprecher
Lichtwellenumkehrleiter aus optischen Fasern
ex 90.13
ex 90.19 A  III 
ex 90.19 A IIIFlüssigkeitskristallanzeige bestehend aus einer zwischen zwei Glasplatten einge- 
schlossenen Flüssigkristallschicht, mit nicht weniger als 5 und nicht mehr a L ls 
3 1  Anzeigestellen für Ziffern oder Buchstaben, in einem Gehäuse mit nicht mehr 
als 192 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als x 154 m m
Das Gehäuse trägt
— eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkom- 
binationen besteht, oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält.
1000000-0001 bis 9999999-9999
oder
— eine andere Kennzeichnung, die sich auf Flüssigkristallanzeigen der vorstehen­
den Beschreibung bezieht
Gefäßprothesen, deren größte Öffnung einen Innendurchmesser von 8  m m oder 
weniger aufweist
Flerzklappen0
o
0
0
0 ■
0
0

-bl -
Nummer des 
Gemeinsamen 
ZolltarifsW arenbezeichnung
4Autonomer
Zollsatzm
ex 90.19 A  III Gefässprothesen aus einem  schlauchförmigen  
Spinnstoffträger, um hüllt m it tierischem  
K ollagen 0
ex 90.19 B  I
ex 90.19 B  IIEmpfänger für Schwerhörigengeräte, in einem Gehäuse mit den Abmessungen — 
ohne Anschlußstücke — von nicht mehr als 3,2 x 4,5 x 6,5 mm
Lesegeräte für Blinde, die über eine Miniaturkamera mittels Phototransistoren 
Buchstaben auf ein sogenanntes Abtastfeld mit piezoelektrischen Stiften übertra­
gen, und ihre Teile und Zubehör
ex 98.04 A II Schreibspitzen aus Kunststoff, keine Fasern enthaltend, mit einem Innenkanal0
0
0