ARCHIVESHISTORIQUES
DELACOMMISSION
COLLECTION RELIEEDES
DOCUMENTS "COM"
COM(81)559
Vol.1981/0171

Disclaimer
Conformément aurèglement(CEE,Euratom)n°354/83duConseildu1erfévrier1983
concernantl'ouvertureaupublicdesarchiveshistoriquesdelaCommunauté économique
européenneetdelaCommunautéeuropéennedel'énergieatomique(JOL43du15.2.1983,
p.1),telquemodifiéparlerèglement(CE,Euratom)n°1700/2003du22septembre2003
(JOL243du27.9.2003,p.1),cedossierestouvertaupublic.Lecaséchéant,lesdocuments
classifiésprésentsdanscedossierontétédéclassifiésconformément àl'article5dudit
règlement.
InaccordancewithCouncilRegulation(EEC,Euratom)No354/83of1February1983
concerningtheopeningtothepublicofthehistoricalarchivesoftheEuropeanEconomic
CommunityandtheEuropeanAtomicEnergyCommunity(OJL43,15.2.1983,p.1),as
amendedbyRegulation(EC,Euratom)No1700/2003of22September2003(OJL243,
27.9.2003,p.1),thisfileisopentothepublic.Wherenecessary,classifieddocumentsinthis
filehavebeendeclassified inconformitywithArticle5oftheaforementioned regulation.
InÜbereinstimmung mitderVerordnung(EWG,Euratom)Nr.354/83desRatesvom1.
Februar1983überdieFreigabederhistorischen ArchivederEuropäischen
Wirtschaftsgemeinschaft undderEuropäischen Atomgemeinschaft (ABI.L43vom15.2.1983,
S.1),geändertdurchdieVerordnung(EG,Euratom)Nr.1700/2003vom22.September2003
(ABI.L243vom27.9.2003,S.1),istdieseDateiderÖffentlichkeitzugänglich.Soweit
erforderlich,wurdendieVerschlusssachen indieserDateiinÜbereinstimmung mitArtikel5
dergenanntenVerordnungfreigegeben.

KOMMISSION DEREUROPÄISCHEN GEMEINSCHAFTEN
KOM(81)559 endg.
Brüssel,den8.Oktober1981
GeänderterVorschlag
füreine
VERORDNUNG (EWG)DESRATES
übereinegemeinschaftliche AktionimBereichderMikroelektronik
(gemässArtikel149,Absatz2desEWG-Vertrages
vonderKommission demRatvorgelegt)
Xv
·,Λ<. >B ■ \'
v--.
...X,.-V£;
K0MC81)559endg.

KOMMISSION .
DER
EUROPÄISCHEN GEMEINSCHÄFTEN
GEÄNDERTER VORSCHLAG FÜR EINE VERORDNUNG (EWG )DES RATES
ÜBER EINE GEMEINSCHAFTLICHE AKTION
IMBEREICH DERMIKROELEKTRONIK > J
(VORSCHLAG GEAENDERT GEMAESS ARTIKEL 149 ,2..ABSATZ EWG-VERTRAG )
DER RAT DER EUROPAEISCHEN GEMEINSCHAFTEN ,
gestützt auf den Vertrag zur Gründung 'der Europäischen
Wirtschaftsgemeinschaft ,insbesondere auf Artikel 235 ,-
aufVorschlag der Kommission ,
nach Stellungnahme desEuropäischen Parlaments .(i),
nach Stellungnahme desWirtschafts -undSozialausschusses (2),
inErwägung nachstehender Gründe : ■ --
Die Mikroelektronik ist für die Entwicklung und die Wettbewerbsfähigkeit
sämtlicher Industriezweige der Gemeinschaft in •einer Zeit ,wo die
europäische -Wirtschaft insteigendem Masse Güter und Dienstleistungen
hoher Wertschöpfung anbieten muss ,von wesentlicher Bedeutung.' Die -zur
Erreichung der Wettbewerbsfähigkeit bis 1985 .notwendigen Anstrengungen
erfordern -von ihrem .Umfang und ihrer Beschaffenheit ,her ein
"gemeinschaftliches Vorgehen ,das eine Unterstützungsrege l-ung fürdie
Zusammenarbeit der Industrie inForschung und Entwicklung einsch liesst .
'1 ' . ' •
Inder Entschliessung des Rates vom 11.September 19.79 (3)wird die Kom­
mission aufgefordert ,dieMöglichkeiten undModalitäten einer Koordinierung
der einzelstaatlichen Aktionen aufdiesem Sektor ,zu'prüfen und den Rat
konkrete Einzetvorhaben zurFörderung derMikroelektronik-Technologie auf
Gerne inschaftsebene vorzuschlagen ..
Die gewährte Unterstützung soll ausgeglichene Markt -und Wettbewerbs -
ve"hältnisse inder Gemeinschaft fördern .Die Grundsätze inder Verordnung
(EWG )Nr.1996 /79desRates vom 11.September 1979 über einSystem dergemein
schaftlichen Unterstützung fürdenBereich derDatenvereinbarung (4)be­
ziehen sich nicht zuletzt aufdasEigentum anund dervZugang ,zudenErgeb­
nissen derunterstützten Vorhaben .-Dabei istinsbesondere dieBedeutung
einer entsprechenden Verbreitung derGüter undErgebnisse unterstützter *
Vorhaben hervorzuheben ,
HAT FOLGENDE VERORDNUNG ERLASSEN : ■ ! .
(1)
(2) ;
(3)ABl .Nr.C231 vom13.09.1979 ,S.1
(4)ABl .Nr.L231 vom 13.09.1979 ,S.1
Provisonscho Anschrifi :RuedeleLoi200,B-1049Brussel–Tel.7350040/7358040–Tofearammadresse :CODEUR3r«ssol"
Fernschreiber :"21877COM6U0

4ARTIKEL 1
Zur Erreichung der Ziele ,die sich die Gemeinschaft auf dem Gebiet der
Mikroelektronik-Technologie gesetzt hat ,werden die Arbeiten der
Mitgliedstaaten indiesem Bereich auf Gemeinschaftsebene koordiniert und
gemeinsame Vorhaben zur Ergänzung und Vertiefung dieser Arbeiten gemäss
denindieser Verordnung festgelegten Bedingungen durchgeführt .
'TITEL I
Information und Konsultation
-ARTIKEL 2
Eswird hiermit einInformations -undKonsultationssystem über Initiativen
zur Förderung der Verbreitung und der Entwicklung der Mikroelektronik -
Technologie und "ihrer Anwendung geschaffen ,andemdieMitgliedstaaten und
die Kommission beteiligt sind .
*
ARTIKEL 3 .
1.UmdieWirksamkeit der indieser Verordnung vorgesehenen Konsultationen
sicherzustellen ,liefern dieMitgliedstaaten derKommission unbeschadet
ihrer wettbewerbsrechtlichen Verpflichtungen rechtzeitig von sich aus
oder auf Ersuchen der Kommission auf den neuesten Stand gebrachte
Vorabinformationen wissenschaftlicher ,, wirtschaftlicher und
finanzieller Art über jede Aktion zur Förderung der Mikroelektronik -
Technologie ,die unter ihre Zuständigkeit fällt ,zum Zeitpunkt des .
Inkrafttretens dieser Verordnung imGange oder nach diesem Zeitpunkt
geplant und abzielt auf :
a)die Förderung industrieller Forschung über 1und Entwicklung von'
Ausrüstungen ,Verfahren ,Instrumenten und Techniken sowohl im
Bereich der Software als auch den Hardware ,die für die Konzeption ,
die grosstechnische Herstellung und die Erprobung fortgeschrittener
integrierter Schaltkreise bestimmt sind ;
b)die ,Verbreitung der Grundlagenkenntnisse sowie auf
'Ausbildungsaktionen für leitende Angestellte und Fachkräfte auf den
Gebieten der Konzeption ,der ^Anwendung und der Erprobung
fortgeschrittener integrieter Schaltkreise ;
c)die Förderung der Errichtung einer Industrie inder Gemeinschaft ,
die inder Lage ist ,die für die Herstellung fortgeschrittener
integrierter Schaltkreise erforderlichen Ausrüstungen ,Werkstoffe
und Techniken zukonzipieren und zuproduzieren .
■ · . . ν
Sie liefern der -Kommission ebenfalls eine Bewertung der Ergebnisse
aller dieser Aktionen .
Dieser Artikel betrifft nicht Auskünfte über Vorhaberv die inder
alleinigen Verfügungsgewalt eines Unternehmens oder einer Gesellschaft
stehen .
2.ZurKoordinierung derAktionen derMitgliedstaaten sorgt die Kommission
dafür ,dass diese Auskünfte über die inAbsatz 1genannten Aktionen
erhalten . -:

3.,Nach Konsultation' desmArtikel 6genannten Ausschusses legt die
Kommission fest ,nach welchen Modalitäten die Informationen von den
Mitgli.edstaaten erbracht Jund welche verbreitet werden sollen ,sowie :
nach welchen Verfahren 'diese Informationen den Mitgliedstaaten
verfügbar gemacht werden sollen und welche Massnahmen hierzu
erforderlich sind .
•" ' ' TITEL II
Gemeinsame Aktionen
ARTIKEL 4 •; ' '.
1.Nachstehende Schlüsselprojekte für Forschung und Entwicklung ,die
unmittelbar indie inArtikel 3beschriebenen Bereiche fallen und als "
äusserst vorrangig gelten ,werden von der Gemeinschaft inder Art und
Weise unterstützt ,wie sie in»Artikel 5festgelegt ist .:
,(I)Abstufung undWiederholung aufdemMikroplättchen
(II)Elektronenstrahl-Direktschreiben aufdemMikroplättchen
■» –
(III )Plasmaätzen undAufdampfen
(IV)Prüfanlagen
(V)CAD fur VLSI 1.Aufbau - - 1 ' -
2.Sprache und Datenstruktur
3.Erprobung '
4.Bauelementmodellierung
2.Dietechnischen Spezifikationen der inAbsatz 1genannten Projekte sjnd au
dem Anhang ersichtlich .
3.Erforderlichenfalls führt die Kommission nach Konsultation des in
.Artikel 6genannten Ausschusses eine Fortschreibung der technischen
Spezifikationen ein . *_
. _ -ARTIKEL 4A
, \ -- , -
BeiderUnterstützung vonAktionen inden inArtikel 3genannten Bereichen
durch einzelstaatliche' öffentliche Mittel geben die
Mi.tj -1 taater .,bei .ansonsten gleichen •Bedingungen den Aktionen Vorrang ,
anc,eneTv Organisationen aus zwei oder metir Semelnscnaftslänaern
inerheblichem Masse beteiligt sind.'

TITEL III
Finanzierungsmodalitäten
'ARTIKEL 5 '
1.Die Mitgliedstaaten sehen ab1981 die Bereitstellung öffentlicher
Mittel für die Unterstützung der inArtikel 4Absatz 1genannten
Vorhaben in Form eines Darlehens vor ,das •bis zu 50% der
Durchführungskosten betragen kann .
2.Die hierzu erforderlichen und zur Zeit auf 52Mio ECU geschätzten
Mittel werden im Haushaltsplan der Europäischen Gemeinschaften
veranschlagt .
3.Dieförderungswürdigen Vorhaben müssen folgende Bedingungen erfüllen :
-Ihre Zielsetzung muss den technischen Spezifikationen entsprechen ,
wie sie indem inArtikel 4Absatz 2genannten Anhang niedergelegt
sind ;
-Die Vorhaben müssen inderGemeinschaft durchgeführt werden ;
.Ausserdem müssen <■
a)beidenVorhaben IbisIVnach Artikel 4Absatz 1^
- -dieAntragsteller inderGemeinschaft niedergelassene industrielle
■Hersteller oder Anwender sein ;
-eine ausreichende Zahl von Anwendern aus mindestens zwei Ländern
der Gemeinschaft ihr .Interesse an einer Beteiligung an dem
Vorhaben durch den Beitrag von Eigenmitteln nachgewiesen haben ,
wobei keinerlei Kapitalbindung zwischen diesen Anwendern und den
; andemselben Vorhaben beteiligten Herstellern bestehen darf .Diese
Anzahl wird von der/Kommission für jedes einzelne Vorhaben nach
Konsultation des inArtikel 6genannten Ausschusses festgelegt ;
b)bei den Vorhaben unter Vnach Artikel 4Absatz 1
-die Antragsteller ".Universitäten ,Forschungszentren oder inder
Gemeinschaft niedergelassene Firmen sein ;
-eine ausreichende Anzahl von Firmen aus mindestens zwei Ländern
der Gemeinschaft ihr Interesse an einer -Beteiligung an dem
Vorhaben durch den Beitrag von Eigenmitteln nachgewiesen haben ,
wobei keinerlei Kapitalbindung zwischen diesen Firmen bestehen
. ■darf . .Diese Anzahl wird von der Kommission nach Konsultation des
- * inArtikel 6genannten Ausschusses festgelegt.'
.4.Sobald die Zuschussfähigkeit des Vorhabens gemäss Absatz 3Buchstabe a)
oder b)festgestellt ist,können sich alle inderGemeinschaft niederge­
lassenen befähigten Unternehmen andemVorhaben beteiligen und'dieent­
sprechende Unterstützung unabhängig vonihren möglichen Kapitalbindungen
mitanderen TeiInehmern .andemselben Vorhaben beantragen .

-•• i-S-. ■
5.DieAnträge sind vonden 'betreffenden Organisationen aufgrund einer im
Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften veröffentlichten Angebctseinholung
andieKommission zurichten .Ausdiesen Anträgen muss ersichtlich sein ,dass
dieBedingungen gemäss Absatz 3erfüllt sind und esmüssen alle einschlägigen
Informationen beigefügt sein .DieKommission kann die zurBearbeitung des An­
trags erforderlichen Unterlagen und zusätzlichen Informationen anfordern .
.*
6.Die Kommission entscheidet innerhalb einer ..Frist von sechs Monaten
gemäss dem inArtikel 8vorgesehenen Verfahren über die eingegangenen
Anträge . . '
7.Unbeschadet der Befugnisse des Rechnungshofes gemäss Artikel 206 aAbsatz 3 -
desEWG-Vertrags kann die Kommission Nachforschungen inden Firmen oder
Erhebungen über diefinanzierten Aktionen anstellen . ■ ' ,
-- TITEL IV ! '
Allgemeine Bestimmungen " • ' ~
"ARTIKEL 6 '
1.Eswird ein Koordinierungsausschuss 'für' die Aktionen'zur Förderung der
Mikroelektronik-Technologie , nachstehend "Ausschuss " genannt ,"
eingesetzt ,derausVertretern derMitgliedstaaten besteht ,die jenach
der Art der betreffenden Vorhaben von Sachverständigen oder Beratern
unterstützt werden können .Den Vorsitz imAusschuss führt ein Vertreter
der Kommission .Der Ausschuss tritt wenigstens zweimäl im Jahr .,
zusammen . . -' '_ , . ■ 1 '•
2.Die Beratungen des Ausschusses sind vertraulich . . -
3.DerAuslchuss gibt sich eine Geschäftsordnung ". -
4.Die Sekretariatsaufgaben des Ausschusses werden von der Kommission
wahrgenommen . -
.' '.v ' /ARTIKEL 7
Die Kommission kann den Ausschuss inallen inden Geltungsbereich ,dieser
Verordnung fallenden Fragen konsultieren ,sounter anderem infolgenden
■Angelegenheiten : ^
-Ausführlichkeit der zu .erteilenden Auskünfte über die inArtikel .3
genannten einzelstaatlichen Aktionens ._ . -
-Ausführlichkeit der öffentlich oder ;Regierungsstellen in den
Mitgliedstaaten zugänglich zumachenden Auskünfte ; ' '
-Verfahren und Massnahmen zurBereitstellung solcher Auskünfte ;
-Aktualisierung der' technischen .Einzelheiten für' .eventuell
zuschussfähige Vorhaben ; --
-Mindestzahl vori Unternehmen ,damit einVorhaben zuschussfähig wird ;
Bewertung derAnträge undBeihilf^gewährung .

ARTIKEL 8
\
1.Wird auf das indiesem Artikel festgelegte Verfahren Bezug genommen ,so
befasst der Vorsitzende den Ausschuss von sich ausoder auf Antrag des
Vertreters eines Mitgliedstaates .
2.Die Stimmen der Mitgliedstaaten imAusschuss werden gemäss Artikel 148
Absatz 2des Vertrages gewogen .DerVorsitzende nimmt ander Abstimmung
nicht teil . - •
3.Der Vertreter der Kommission legt einen Vorschlag für die zu
ergreifenden Massnahmen sowie eine Zusammenfassung der wichtigsten
Beschlus^elemente vor .Der Ausschuss nimmt zu diesen Massnahmen
innerhalb einer Frist Stellung ,die der Vorsitzende nach Massgabe der
Dringlichkeit der anstehenden Fragen festsetzt .Der Ausschuss
-entscheidet mit einer Mehrheit von 45Stimmen .
4.Die Kommission trifft Entscheidungen ,die sofort anwendbar ~sind .
Stimmen diese jedoch mit der Stellungnahme des Ausschusses nicht
überein ,teilt die Kommission diese Entscheidungen unverzüglich dem Rat
mit .Für diesen Fall setzt die Kommission die Anwendung ihrer
'Entscheidungen für die Dauer von höchstens zwei Monaten aus ,gerechnet
vom Datum der Mitteilung an .Der Rat kann innerhalb von zwei Monaten
mit qualifizierter Mehrheit abweichend entscheiden ,
Vv ' ARTIKEL 9
Die Kommission übermittelt dem Parlament und dem Rät jährlich einen
Bericht ;über die Entwicklung der in dieser Verordnung vorgesehenen
Aktionen inder Geraeinschaft .
ARTIKEL 10 -
- • r * '
Nach Konsultation des inArtikel 8genannten Ausschusses beschliesst die
Kommission die für die Durchführung dieser Verordnung eventuell
erforderlichen zusätzlichen Massnahmen .
ARTIKEL 11 •
Diese Verordnung tritt am 1981 inKraft . •
Siegiltbis 1985.
•
Diese Verordnung ist in allen ihren Teilen verbindlich und gilt
unmittelbar injedem Mitgliedstaat .
>
Geschehen zuBrüssel am " '■■■■•■ s .
IMNAMEN DES RATES
DER .PRAESIDENT

TECHNISCHER ANHANG ZUM --
VORSCHLAG EINER VERORDNUNG (EWG )DES RATES
BETREFFEND EINE GEMEINSCHAFTLICHE AKTION
IMBEREICH DER MIKROELEKTRONIK
Technische Spezifikation ,von Projekten und Aktivitäten ,für die eine
finanzielle Unterstützung imRahmen des Verordnungsentwurfs vorgeschlagen
wird : '
I)ABSTUFUNGSPROJEKTION AUFSILIZIUMSCHEIBEN (STEP ANDREPEAT ONWAFER )
Technologie der direkten optischen Abstufung
Direkte Abstufungspro jektionsmaschinen (direct optical stepping
machines )mit den nachstehend aufgeführten Merkmalen sollten bis Ende
1982 zur Verfügung stehen ;eine Vorserienversion sollte Ende 1981
ausgeliefert werden . •
-Grösse der Siliziumscheibe bis zu6Zoll
-Grosse des Mikroplattchens 1cm
-Mindestzeilenbreite , i;25/fmauf der Siliziumscheibe "
- . T. (1,1auf dem Deckmittel ) t -
-Automatische Registrierung O.lyj m ^
-Durchsatz 50x4Zoll -Sili*ziumscheiben /hbei einem 1cm.,Feld mit
Einschaltung vop fünf Prüfmustern und Selbstregistrierung jedes
Chips ;Hinzufügen eines Strichplättenmagazins .
Bei der Beschreibung der Anlage sollten individuelle ,,Zeiten
einschliesslich der Zeit zur Einschaltung der Prüfmuster angegeben
werden .Die' Registrierung sollte programmierbar .sein -(jeindividuelle
Exposition ,jeBlock ,jeSiliziumscheibe ).Die zulässige Mindestgrösse
derAusrichtungsmarkierungen sollte angegeben werden .
Es wird als wünschenswert erachtet ,dass 1983 -Maschinen mit einem
verbesserten Durchsatz von 50X6Zoll Siliziumscheiben /hund einer
verbesserten .Auflösung von 1,0/mMindestzeilenbreite auf der
Siliziumscheibe geliefert werden können .
II)ELEKTRONENSTRAHL-DIREKTSCHREIBEN AUFSILIZIUM ,
Elektronenstrahlmaschinen mit folgender Leistung :
-Grösse der Siliziumscheibe 6Zoll :
-Durchsatz 15bis20Schichten /hbeily^m
-Grösse desMikroplättchens keine Begrenzung .
-Mindestdimension eines
*
Merkmals .0,5/(m
-Punktgrösse unterschiedlich
-Registriergenauigkeit m
Diese Anlage sollte .sich auch für die Strichplatten -und
Maskenherstellung eignen .Prototypmaschinen ,. die alle diese
Anforderungen mit Ausnahme der Geschwindigkeit erfüllen ,müssen -1983
verfügbar sein .

*
-2-
III .PLASMA-AETZEN ■ "'.
A.Mindestleistungen des Geräts
-Werkstoffe ,die zuätzen sind :
*SiO ,c^0^:'-er^un(^undotiert
*Si3N4 – '
*Polysilizium ,dotiert und undotiert
s *Silicide und Polysilicide
*Aluminium und Alummiumlegierungen
■/ , ' ■
*andere Metalle fürKontakte und Schaltverbindungen
*organische Polymere für Mehrschichten-Resists und
Mehrschichten-Metallbeschichtung
-Strukturen ,die imProduktions Vorgang zuätzen sind
*Modularität :(Linie undLeerraum ):3yKm
'*Mindestlinienbreite :1-l.S^m
*Genauigkeit :+/- 10% der Linienbreite für die kritischen
Strukturen
-Selektivität und Anisotropie
Esmuss eine angemessene Selektivität bestehen ;für jede Schicht
sollte die Möglichkeit einer vollkommen anisotropen Aetzung
gewährleistet sein .
-Durchsatz -/• '
Der Mindestdurchsatz sollte 50Wafers pro Stunde beim langsamsten
Arbeitsprozess betragen .Der langsamste Arbeitsprozess wird
wahrscheinlich dasAetzen durch 0,8/(mvonthermischem Si0?mit
einer Selektivität von 10:1 auf Siund mit einer Modularität von
msein .Das Aetzen anderer Schichten ,z.B. von 0,4yt m
undotiertem Polysilicon aufSiO^sollte viel rascher verlaufen .
B.Projektierung des Geräts
Vorgesehen ist ein Parallel-Plattenreaktor mit folgenden
Eigenschaften :
. /
-Projektierungskonzept
4
Sehr wichtig ist die Verwendung eines modularen
Projekterungskonzepts ,so dass das Gerät optimal für jede
Anwendung angepasst werden kann .

*3m
-Ladungsverschluss >
Derunerwünschte Zugangirgendwelcher Stoffe(z.B.Wasserdampf )
istvonderReaktionskammer fernzuhalten ,fernermüssen
Nachätzungs-Effekte vermiedenwerden.Dieslässtsichdurcheinen
,Vakuumverschluss erreichen ,derdieKassettenenthält;Abstreifen
'desPhotoresists imEntladeverschluss solltealsOptionin
Betrachtgezogenwerden.
-Elektrode undKammerkonstruktion '
*Einzelnreagierende Thermostaten fürdieobereunddieuntere
Elektrode sowiefürdieReaktionskammer .Derzukontrollierende
j \Temperaturbereich beträgt15-100°Cfür"dieStandardausführung
undbiszu150°CalsOption. .'
- », \
*Einstellbarkeit desElektrodenabstands :5-70mm(Chargen-System )
, 5-70mm(Einzel-Wafer-
System)
*DieElektrodenanordnung mussfürArbeitsprozesse beihöhen
Frequenzen (biszu27.12MHz)geeignetsein,d.h.parasitäres
PlasmainjedemTeildesReaktorsvermeiden.
*IndemSystemmüssensowohlParällel-Plasma-Aetzen(PA)und
:Reaktiv-Ionen-Aetzen (RIA)möglichsein».(Anoden-und
Kathodenkupplung ).
-Vakuum-Auslegung , -
*DergesuchteVakuumbereich liegtzwischen10m-Torrund10Torr
*RegelbarePumpgeschwindigkeit -
*Automatische UNDHand-Druckkontrolle miteinfacher
Umschaltmöglichkeit zwischendenzweiBetriebsarten ..i
#Verwendung vonnicht-korrosivem MaterialfürdieVerschlüsse
(Dichtungen ,O-Ringe)unddieRohrsysteme .
-Gaszuflihrung
Veränderbare Zuführungvon1bis3verschiedenen Gasenmit1bis3
M^ssen-Flusskontrollen ,vorzugsweise ausdehnbarauf5Gase(die
AnzahlGaseisteineOption).
\

-Kontrollen
*Folgende Parameter mtlssen kontrollierbar sein :
Gasführung (en)imBetrieb
Stromungsgeschwindigkeit
Prozess-Zeit
Stabilisierungszeit ,
Ueberâtzungszeit
Hochfrequenzleistung .
Temperatur der beiden Elektroden
Elektrodenspannung
« -, '
*Das elektrische Signal von den Sensoren (Drucksensor usw.)muss
für .dieProzessüberwachung leicht zugänglich sein (z.B. mitHilfe
eines Standardsteckers ). ■,
*Der Reaktor sollte mit mindestens einem Fenster zum Einblick in
das Plasma versehen sein ;ferner sollten zusätzliche Oeffnungen
zum Einsetzen -einiger Analyseninstrumente für das Prozess -
Monitoring vorhanden sein .
-Software für automatisches Aetzen
*Tastatur und den erforderlichen Speicher für die Schritt-für -
Schritt-Prozesssteuerung oder den Prozessablauf ... -
*Verwenderprogrammiertes PROM mit Steckeranschluss . für
automatisches Aetzen . i ■ .
-Handhabung derWafers < ' ,
Automatische Wafer-Handhabung ,Kassettenbeladung und -entladung
ohne Beschädigung oder Kontamination .
Das System .sollte die Handhabung von Wafers von 3inch bis 150 mm
Durchmesser ermöglichen . .
< ■\
-Unterhaltung und Sicherheit
*Reicht zu handhabende Oeffnung für Reinigung und
Reparaturarbeiten
*Normung der Oeffnungen ,Dichtungen ,Steckeranschlüsse usw .sowie
der Ersatzteile .
IV)PRUEFANLAGEN ■
Europäische Prüfanlagen für integrierte Schaltkreise sollten mit
folgenden technischen Merkmalen entwickelt werden :
-Integraler Analog-Digital typ ;
–Modulform ,damit sie sowohl anEntwicklungs -als auch Produktions -
prüfungsaufgaben angepasst werden können ;

-•Zweiphasenentwicklung fürdenDigitalteil .DerersteSchrittwäre'ein
TestgerätfürZeitgeberfrequenzen von10bis20MHz,derzweite
Schrittsinddann-50bis100MHz.Dieseschrittweise Entwicklung
bietetdenVorteil,dassdasindererstenPhaseerworbene
technologische Know-howzurBewältigung derProblemebenutztwerden
kann,dieinderzweitenEntwicklungsphase anstehen.Ausserdemkann
sodieHochgeschwindigkeits-Prüfungsentwicklung andie
Entwicklungsanforderungen dereuropäischen IC-Industrie 'bei
Hochgeschwindigkeits-Bipolarschaltkreisen angepasstwerden.
-PrüfungvonGerätenmitsteigenderStiftzahl (von64bis128)
-WichtigeTeiledesPrüfsystems müssen"ECL-spezifisch "sein.
-DiePrüfungvonSpeichergeräten alleinistausgeschlossen worden,
allerdings werden"on-the-chip"-Speicher'immerwichtiger ,weshalb
auchsiegeprüftwerdenmüssen. ,
-Fürdieverschiedenen PrüfanLagen-Konf igurationen .isteineinziges
.KonzepteinerhöherenPrüfsprache anzubieten .
RECHNERUNTERSTUETZTES KONSTRUIEREN FUERVLSI- ,
1.Architektur '/'j■" '
InAngriff •genommen -werdensollen .die^Problemeder
Spezifikationsdisziplinen ,derSimulation undderPrüfungim
Entwurfsstadium derArchitektur sowiearchitektonische Strategien
wieFehlerbehandlung undStrukturlogik .DiefolgendenAktivitäten
sindnotwendig :
-Verbesserung der*Kenntnisse vonVLSI-Entwerfern inder
Computertechnik durcha).Transfer vonKnow-how von
Computerherstellern undb)bessere _Integration ,der
Computerwissenschaft undderAusbildung .aufdemGebietder
Electronic-Engineering andenUniversitäten .
-Forschungen über:_
-(a)Verbindung derVerhaltens-und ,Strukturplanung durch
Entwicklung geeigneter SprachenundSimulatoren
.(b)Syntheseder.LogikausderRTL-Beschreibung
(c)ErrorManagement einschliesslich derAspekteder
Fehlertoleranz derVL'SI-Architektur
(d)strukturierte Logikeinschliesslich Minimisierung fürPLAs
(Programmable LogicArrays)undautomatische Programmierung
vonPLAsundROMs(ReadOnlyMemories)
(e)Generierung vonFirmwareundSimulationshilfen
(f)Simultanverarbeitungsmaschinen fürdieSignalVerarbeitung

Sprache und Dateristruktur
Î
1.Management von Entwurfsdaten
Herkömmliche graphische IC-Entwurfsysteme beruhen auf einer
Vorzeichnung des zuentwerfenden Schaltkreises .Für die Lösung der
Probleme beim VLSI-Entwerfen gilt dies als nicht geeignet ,weshalb
'eine genaue Angabe eines Datei -oder Entwurfsmanagementsystems mit
folgenden Zielsetzungen zuformulieren ist :
1)Unterstützung bei der Verwaltung zahlreicher Dateien ,die
alternative Darstellungen zahlreicher Moduln eines System sind .
2)Schutz der Integrität einer Konstruktion ,derdenEinsatz eines
Teams erfordert .
3);Ausführung vonKonstruktionsänderungen .
4)Unterstützung beiderNeuaufteilung einer Konstruktion .
5)Bereitstellung vonKonstruktionsunterlagen .
Forschungsvorhaben zur Verbesserung der üblichen Speicher -oder
Betriebssysteme für die obenerwähnten Anlagen müssen begonnen
werden .Die kleinste Dateneinheit für eine Transaktion ist eine
vollständige Datei ,sodass herkömmliche Datenbasen nicht geeignet
sind .Bei der Durchführung muss auf die Uebertragbarkeit der
Programme geachtet werden .Eine Standardsprache mit genau
definierten Schnittstellen mit den Standard-Speichersystemen ist
anzuwenden .Dieses Vorhaben ist als Gemeinschaftsarbeit zwischen
IC-Konstrukteuren ,CAD-Fachleuten und Datenverarbeitungsingenieu -
ren durchzuführen .
2.Anwender-Schnittstelle
Einige Konstruktionstätigkeiten sind inhohem Masse voneinander
abhängig und erfordern eine garantiert rasche Antwort des
Rechners ,jedoch keinen sehr leistungstarken Rechner ;Ein Beispiel ,
hierfür ist eine Konstruktionsspezifikation mit Hilfe von
graphischen Verfahren .Solche Aufgaben können von einem kleinen
Rechner' für einen einzigen Anwender unterstützt .werden .Andere
Tätigkeiten "sind nicht in .erster Linie gegenseitig abhängig ,
erfordern dagegen sehr leistungsstarke Rechenanlagen .Ein Beispiel
hiefür ist die Simulation .Solche Tätigkeiten erfordern
leistungsfähige Time -Sharing -Systeme .
Wichtig ist ,dass dieRechner für diese verwandten Tätigkeiten eng
verbunden sind .Verfahren zurSteuerung vonAufgaben ,,dieauf zwei
oder mehrere Rechner aufgeteilt sind ,und die die Durchführung
flexibler Datenbewegungen zwischen diesen Aufgaben ermöglichen ,
sind zuuntersuchen .Allgemeine Grundsätze ,die für eine grosse
Serie vonHardware-Typen gelten !,sind festzulegen .

7=
Die derzeitige Tendenz inder Hardware-Konstruktionsspezifikation
besteht inder Verwendung von textgestützten Sprachbeschreibungen _,
die für die Darstellung der hierarchischen Struktur und der
Modularität sowie für die bei VLSI unvermeidliche Wiederholbarkeit
geeignet sind .Die Konstrukteure denken jedoch immer noch in ,Form
von Diagrammen , und graphische Hilfen sind für den
*■""Konstruktionsprozess weiterhin nützlich .Ein Vorhaben .zur
Untersuchung von Methoden zur Kombination von textbezogenen und
graphischen Darstellungen ist durchzuführen .Dabei sollte jede
Darstellungsart jederzeit automatisch indie andere umgewandelt
werden können ,sodass die geeignetste Schnittstelle injeder Phase
des Konstruktionsprozesses frei gewählt werden kann ..
3.Simulation
Softwareeinrichtungen fürSimulations -,Test -und Prüfzwecke müssen
ein Konstruktionsspektrum von RTL-S bis zum Transistorniveau
umfassen .Die Tätigkeiten sollten auf die Entwicklung einer
flexiblen strukturellen Multiniveau-Beschreibungssprache für NMOS
und CMOS-VLSI ausgerichtet werden.' Die automatische Uebersetzung in
die Syntax der derzeit verwendeten einstufigen Instrumente und in
noch grösserem Masse indie Datenstruktur von Mischmodussimulatoren
erfordert Untersuchungen .Mischmodus-Simulationsverfahren bedürfen
weitgehender -Beachtung auf dem Gebiet der Datenstrukturen ,
Algorithmen und Modelle .
Eswird nachdrücklich empfohlen ,eher der VLSI-Netzanalyse als der
reinen Simulation besondere Beachtung zu schenken ,um den
Zeitaufwand für die Konstruktion zuvermindern und die Korrektheit
der Konstruktion sicherzustellen .Es handelt sich hier um ein
völlig neues Forschungsziel ,das auf der Grundlage der
Datenstrukturen und Algorithmen der zur Zeit existierenden
Modussimulatoren durchaus erreichbar erscheint .
4.Prüfung
Anstelle einer intensiven Prüfung der von Hand durchgeführten oder
interaktiven Konstruktionsvorgänge sollte das Ziel in einer
möglichst weitgehenden Automatisierung bestehen
(Siliziumkompilation ,Standardstellen-Verfahren usw.), damit eine
Prüfung nicht mehr notwendig ist .Zum Auffinden einer sicheren
Grundlage für die Anwendung oder Schaffung solcher Instrumente ist
eine Untersuchung durchzuführen ,inder die verschiedenen Ansätze
sowie dieverschiedenen handbedienten Anordnungen gegenübergestellt
werden ,umsachliche Kriterien für dieEffizienz der Anordnungen zu
finden . '
■(
Die hierarchische Struktur von V-LSI istoffensichtlich .Die Prüfung
der einzelnen hierarchischen 'Stufen stellt ein Problem dar ,lässt
sich aber ,nicht vermeiden .Trotz der Hierarchie sind Komplexität
und Menge der Daten enorm und haben mit den heutigen Instrumenten
eine unwirtschaftliche Nutzung derRechnerzeiten zurFolge .Weitere
Themen für Forschung und Entwicklung betreffen Hardware-Moduln
(z.B. Konstruktionsprüfer ,Musterspeicher mit Zähler und
Schieberegister oder Hardware-Sprachprozessoren ,die diegeeigneten
Datenstrukturen erzeugen ).

EmflussderneuenRechner-Architekturen
AufgrundderTatsache,dass
-Software zumjetzigenZeitpunktteueristundoptimiert werden
muss,währendHardwarebilligerundungehinderter zuverwendenist,
-indenletztenJahrenzahlreicheHochleistungs-Parallelprozessoren
konzipiert undgebautwordensind,
-dieArchitektur einerMaschinedemProblemangepasstseinmuss,zu
derenLösungsiedient,
werdenArbeitenindenfolgendenbeidenBereichenvorgeschlagen :
1.Entwicklung neuerparalleler Algorithmen undneuerDatenstrukturen
in,#jedemZweigdesrechnergestützten Entwerfens (CAD)mitdem
Ziel,diehöchstmögliche Parallelität zunutzenundzuerreichen .
2.Untersuchung neuerSpezialhardwareprozessoren ,dieanherkömmliche
DV-Systemeangeschlossen werdensollen,umihreLeistung .teilweise
ummindestenseineGrössenordnung zusteigern.

9»
3.Erprobung :Zusammenfassung derEmpfehlungen
Das Erprobungsteam empfiehlt ,die künftige Arbeit anden nachstehend
genannten drei Hauptgebieten und denentsprechenden Themen auszurichten :
HAUPTARBEITSGEBIETE
FORSCHUNG SPEZIFIKATION ENTWICKLUNG
AND BEWERTUNG
1)TESTDATENGENERIERUNG
-Testen der Funktionsebenen
(Methoden undStrategien )
-Element Level ATPG
x-ATPG "furLSI-Zellen ,.
Regular Logic usw .
-Ausfallstypen und Modelle
-Ausfallssimulationsstrategien
-modulares ATPG-System
-Sprache für MTPG
-integriertes ATDG-System
2)KONZEPTION IMHINBLICK AUF DIE PRUEFBARKEIT
-Partitioning
-RAM-Entwurf für Prüfbarkeit
-mikroprogrammierte Einheiten
.-Entwurf für Prüfbarkeit
allgemeine Techniken
-hardware-implementierte
Selbstprüfung
-Software /Firmware
Selbstpriifung
3)DATENERFASSUNG UNDDATENMANAGEMENT*
*
*
*
#
*
*
**
*
*
*
#
#
-DADM-System
-Hilfsmittel für die
Programmentwicklung#
*

4.Bauelementmodellierung :Zusammenfassung derEmpfehlungen
Der vorliegende Bericht über die Bauelementmodellierung erstreckt sich auf
drei Hauptgebiete :
-Numerische Bauelementsimulation
–Analytische Modelle
-Modelle inTabellenform "
Für jedes dieser Gebiete sind diehauptsächlichen Empfehlungen nachstehend
zusammengefasst .
1.Numerische Bauelementsimulation
Hauptziel dieses Teilprojekts ist es ,deneuropäischen Forschungszentren
und Laboratorien Impulse zur Entwicklung fortgeschrittener Pakete für
die Bauelementsimulation zu entwickeln und sie den europäischen
Herstellern von integrierten Schaltungen zur Verfügung zustellen .
Dadurch sollte die Unabhängigkeit von den amerikanischen und japanischen
Herstellern erreicht werden .Die Notwendigkeit dieser Aktivität ergibt
sich aus der Tatsache ,dass aufgrund der .Bedeutung von zwei -und
dreidimensionalen Effekten die numerische Bauelementsimulation das
einzige Hilfsmittel darstellt ,das für den Bauelemententwurf praktisch
eingesetzt werden kann .Es wird daher empfohlen ,wenigstens vier
Simulationspakete zuentwickeln ,und zwar :
-2-D MOSFET-Simulator
-2-D-Simulator für bipolare .Bauelemente
-3-D MOSFET-Simulator
-3-D-Simulator für bipolare Bauelemente • - . '
Für jedes dieser Pakete wurden ausführliche Spezifikationen festgelegt ,
die die indas Programm aufzunehmenden physikalischen Phänomene ,die
physikalischen und geometrischen Bauelementstrukturen und graphische
I/O-Möglichkeiten betreffen .
2.Analytische Modelle (ausschliesslich MOSFET )
4Eine Aktivität auf diesem Gebiet ist aus zwei Gründen von Bedeutung :zum
einen sind analytische Modelle aufgrund ihrer Genauigkeit und
Einfachheit für Schaltkreisentwerfer bei CAD-
Schaltkreissimulationsprogrammen gut geeignet ;zum anderen ermöglichen
analytische Modelle eine leichte Ermittlung der funktionellen
Abhängigkeit derrelevanten elektrischen Parameter von der geometrischen
und physikalischen Bauelementstruktur ,sodass analytische Modelle eine
Kenntnis der innerhalb eines Bauelements ablaufenden physikalischen
Phänomene vermitteln .Es sollten folgende analytischen Modelle
entwickelt werden :
(langer Kanal ,Niederspannung (Ebene 1)
OBERFLAECHENKANAL (langer Kanal ,Hochspannung '(Ebene 2)
MOSFET , (kurzer Kanal ,Niederspannung (Ebene 3)
(kurzer Kanal ,Hochspannung (Ebene 4)
VERGRABENER KANAL
MOSFET(langer Kanal ,(Ebene 1)
(kurzer Kanal ,(Ebene 2)

-11-
Physikalisches Modell
Auch hier werden detaillierte Spezifikationen für jedes der oben
genannten Modelle geliefert .Zusätzlich zurModellerstellung sollte das
Problem derParameterermittlung bearbeitet und gelöst werden ,vor allem
soweit Belastung (oder Kapazitäten )betroffen sind .
Modelle inTabellenform '
Die Notwendigkeit von Modellen in Tabellenform wurde für die
Zeitablaufsimulation anerkannt .In solchen Simulatoren werden die
Kapazitäten kaum behandelt und als Konstanten betrachtet .Die Aktivität
auf diesem Gebiet sollte daher auf die Entwicklung von Tabellen sowohl
für Ströme als auch für Kapazitäten abzielen .
Das wichtigste Problem ist die Erstellung der Regeln für das Scaling ,
wobei die Einfachheit der Berechnung beibehalten werden muss ,die
erforderlich ist ,umdie CPU-Zeit imVerhältnis zuanalytischen Modellen
nennenswert zureduzieren . .

KOSTENSCHAETZUNG
Grundannahmen :-4bis 5Jahre Lebensdauer der Anlagen *
-8bis 10Vorproduktionseinheiten ,die von einem einzigen
Hersteller zuliefern sind ,
-eine Erprobungsperiode (gemietete Ausrüstung )und der
interaktiven Beziehungen zwischen Hersteller und Benutzer
von 18bis 24Monaten
einschliesslich der direkten Kosten für das andem Projekt beteiligte
Personal .
ι
Nicht inbegriffen : Gemeinkosten der Unternehmen , Kosten von
Nebeneinrichtungen für die inEntwicklung befindliche Ausrüstung (clean
room ,vorgeschaltete und nachgeschaltete Einrichtungen usw.)und die
Ausbildung des Personals .
Auf dieser Grundlage ergeben sich die folgenden groben Schätzungen (in
Millionen ECU ):
/GESAMTKOSTEN
DES PROJEKTSFOERDERUNG AUS
OEFFENTLICHEN MITTELN
Projekt IAbstufungspro -
jektionsgerät 8 4
Projekt II Elektronen -
strahlschreiber 40 20
Projekt III Plasma 8 4
Projekt IV Erprobung 16 8
Projekt V CAD 32 16