VERORDNUNG (EWG) Nr. 1626/92 DES RATES vom 5. Juni 1992 zur zeitweiligen Aussetzung der autonomen Zollsätze des Gemeinsamen Zolltarifs für einige industrielle Waren (Mikrölektronik)

DER RAT DER EUROPÄISCHEN GEMEINSCHAFTEN -

gestützt auf den Vertrag zur Gründung der Europäischen Wirtschaftsgemeinschaft, insbesondere auf Artikel 28,

auf Vorschlag der Kommission,

in Erwägung nachstehender Gründe:

Die in dieser Verordnung genannten Waren werden in der Gemeinschaft gegenwärtig nicht oder nur in unzureichender Menge hergestellt. Die Hersteller können somit den Bedarf der verarbeitenden Industrien der Gemeinschaft nicht decken.

Es liegt im Interesse der Gemeinschaft, die autonomen Zollsätze des Gemeinsamen Zolltarifs in bestimmten Fällen, in denen insbesondere eine Gemeinschaftsproduktion dieser Waren besteht, nur teilweise und in den anderen Fällen vollständig auszusetzen.

Da es schwierig ist, die kurzfristige Entwicklung der wirtschaftlichen Lage auf den betreffenden Gebieten genau zu beurteilen, sollten die Aussetzungen nur zeitweilig erfolgen, wobei ihre Gültigkeitsdauer entsprechend den Interessen der Gemeinschaftsproduktion festzusetzen ist -

HAT FOLGENDE VERORDNUNG ERLASSEN:

Artikel 1

Die autonomen Zollsätze des Gemeinsamen Zolltarifs werden für die in den Tabellen im Anhang aufgeführten Waren auf die jeweils angegebene Höhe ausgesetzt.

Diese Aussetzungen gelten:

- vom 1. Juli bis zum 31. Dezember 1992 für die Waren der Tabelle I;

- vom 1. Juli 1992 bis zum 30. Juni 1993 für die Waren der Tabelle II.

Artikel 2

Diese Verordnung tritt am 1. Juli 1992 in Kraft.

Diese Verordnung ist in allen ihren Teilen verbindlich und gilt unmittelbar in jedem Mitgliedstaat.

Geschehen zu Luxemburg am 5. Juni 1992.

Im Namen des Rates Der Präsident Joaquim FERREIRA DO AMARAL

ANHANG

TABELLE I ex 8471 93 5010Floppy-Disc-Speichereinheit0ex 8471 93 5030Plattenspeichereinheit zur parallelen Datenübermittlung durch einen, vier, fünf oder sechs Kanäle bei einer entsprechenden Übertragungsgeschwindigkeit von 3,014 Megabyte, 12,05 Megabyte, 15,07 Megabyte oder 18,08 Megabyte pro Sekunde, mit acht starren Magnetplatten mit einem Aussendurchmesser von 20,32 cm (8 inch) mit einer nicht formatierten Speicherkapazität, von insgesamt nicht mehr als 1 000,2 Megabyte und mit einer Storage-Modul-Drive (SMD) Schnittstelle0ex 8473 30 9015Metallische Rollkugeln überzogen mit Kunststoff oder Kautschuk, mit einem Durchmesser von nicht mehr als 26 mm und einem Gewicht von 38 g oder mehr, zum Herstellen von Steuergeräten (sogenannte Maus für Computer) (a)0ex 8473 30 9035Mechanische Codiereinheit, bestehend aus einer Scheibe, Kontaktbürsten, einem Lager, einem Distanzstück und einer drehbaren Welle, in einem Gehäuse mit 3 Anschlüssen, mit einer Widerstandsspannung von 50 V (Wechselstrom) während einer Dauer von mindestens einer Minute0ex 8473 30 9060Antriebseinheit für magnetooptische Platten mit einem Aussendurchmesser von 13,34 cm (5,25 inch)0ex 8501 10 9952Bürstenloser Gleichstrommotor mit einem Drehmoment von nicht mehr als 0,20 Nm, einem Befestigungsflansch mit einem Durchmesser von 77 mm und einer Präzisionsspindel mit einem Durchmesser von 44 mm, einem Aussenrotor mit einem Durchmesser von nicht mehr als 55 mm, mit 4-Phasen-Wicklung, mit einer Nenndrehzahl von 3 600 Umdrehungen pro Minute und einer Versorgungsspannung von 12 V (±10 %), mit Drähten und Anschlußstücken0ex 8501 10 9958Bipolarer Gleichstrom-Schrittmotor mit einteiligem Stator, einer Leistung von 37,5 W oder weniger, einem Schrittwinkel von 180 Grad, 2 Schritten pro Umdrehung, 2-Phasen-Drehfolge mit unipolarer Wicklung, einem Drehmoment von nicht weniger als 0,1×10-6 Newtonmeter und nicht mehr als 0,1×10-4 Newtonmeter und einer Versorgungsspannung von nicht mehr als 3 V0ex 8501 10 9963Bürstenloser Gleichstrommotor mit einem Drehmoment von nicht mehr als 0,018 Newtonmeter, mit einem Befestigungsflansch mit einem Durchmesser von 35 mm und einer Präzisionsspindel mit einem Durchmesser von 25 mm, mit Innenrotor mit 3-Phasen-Wicklung, mit einer Nenndrehzahl von 3 600 Umdrehungen pro Minute und einer Versorgungsspannung von 12 V (±10 %)0ex 8501 10 9964Hybrid-Schrittmotor mit einem Schrittwinkel von 1,8 Grad, 200 Schritten pro Umdrehung, 4-Phasen-Drehfolge mit unipolarer Wicklung, bestehend aus einem Rotor und einem Ständerpaket, das zwischen zwei Viereckflanschen mit den Seitenlängen von nicht mehr als 42 mm eingeschlossen ist, mit durchgehender Welle, Drähten und Anschlußstücken0ex 8501 10 9966Bürstenloser Gleichstrommotor mit einem Drehmoment von nicht mehr als 0,018 Newtonmeter, mit einem Befestigungsflansch mit einem Durchmesser von 26 mm und einer Präzisionsspindel mit einem Durchmesser von 20 mm, mit Innenrotor mit 3-Phasen-Wicklung, mit einer Nenndrehzahl von 3 600 Umdrehungen pro Minute und einer Versorgungsspannung von 12 V (±10 %)0ex 8501 10 9968Bürstenloser Gleichstrommotor mit einem typische Drehmoment von nicht mehr als 0,0005 Newtonmeter, einer Spindel mit einem Durchmesser von 20 mm (±1 mm), mit einer Nenndrehzahl von 3 486 (±0,1 %) Umdrehungen pro Minute und einer Versorgungsspannung von 5 V (±10 %), auf einer Trägerplatte mit den Abmessungen von nicht mehr als 71×103 mm, mit Anschlußstücken und Verbindungselementen0ex 8501 10 9969Bürstenloser Gleichstrommotor mit einem typischen Drehmoment von nicht mehr als 0,002 Newtonmeter, mit einem Befestigungsflansch mit einem Durchmesser von 27,5 mm (±1 mm), einem Befestigungsflansch mit einem Durchmesser von 15 mm (±1 mm) und einer Spindel mit einem Durchmesser von 25 mm (±1 mm), mit Innenrotor mit 3-Phasen-Wicklung, mit einer Nenndrehzahl von 3 409 (±0,1 %) Umdrehungen pro Minute und einer Versorgungsspannung von 12 V (±10 %)0ex 8501 10 9970Bürstenloser Gleichstrommotor mit einem typischen Drehmoment von nicht mehr als 0,001 Newtonmeter, mit einem Befestigungsflansch mit einem Durchmesser von 57 mm (±1 mm), einem Befestigungsflansch mit einem Durchmesser von 43,5 mm (±1 mm) und einer Spindel mit einem Durchmesser von 25 mm (±1 mm), mit Innenrotor mit 3-Phasen-Wicklung, mit einer Nenndrehzahl von 3 575 (±0,1 %) Umdrehungen pro Minute und einer Versorgungsspannung von 12 V (±10 %)0ex 8517 90 9801Thermodruckkopf mit 1 728 Druckpunkten, in Dickschicht- oder Dünnschichttechnik hergestellt, bestehend aus einem mit Heizelementen versehenen Keramiksubstrat mit den Abmessungen von nicht mehr als 20×37×240 mm0ex 8517 90 9802Baugruppe bestehend aus:

-einer monochromen Kathodenstrahlröhre mit flachen Bildschirm, mit einer Diagonalen des Bildschirms von nicht weniger als 100 mm und nicht mehr als 110 mm, und versehen mit einem Ablenkjoch

und

-einer gedruckten Schaltung, bestückt mit einer Ablenkeinheit, einem Video-Verstärker und einem Transformator,

das Ganze befindet sich auf einer Grundplatte, zum Herstellen von Video-Gegensprechanlagen (a)0ex 8522 90 9991Kassetten-Einzellaufwerk, mit einer Gesamthöhe von nicht mehr als 53 mm, zum Herstellen von Tonaufnahme- und -wiedergabegeräten (a)0ex 8529 90 7092Modul zur Signalverarbeitung, bestehend aus einer gedruckten Schaltung, bestückt mit mindestens:

-einem Videoprozessor,

-einem Ablenkungsprozessor,

-einem Teletextprozessor,

-einer Video-Codier-/Decodiereinheit,

zum Herstellen von digitalen Farbfernsehempfangsgeräten (a)0ex 8529 90 9891Vorrichtung, bestehend aus einem Bildsensor mit Ladungsübertragung im Zeilenabstand und einem Filter, mit den Abmessungen von nicht mehr als 43×59 mm0ex 8529 90 9892Akustischer Oberflächenwellenfilter für eine Frequenz von 45,5 MHz (±50 kHz) und mit einer Bandbreite von 3 dB bei 340 kHz oder 20 dB bei 950 kHz, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 6 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 5×13×21 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

45.5A

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8529 90 9893Spannungsgeregelter Oszillator, mit einem Schwingfrequenz von 915 MHz oder mehr bei 4,5 V und von nicht mehr als 890 MHz bei 1 V, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 4 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 5×10×15 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

VW995S05

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8531 20 9050Monochrome Flüssigkristallanzeigen, bestehend aus einer zwischen zwei Glasplatten eingeschlossenen Flüssigkristallschicht mit 256 000 Punkten oder mehr, auf einer Leiterplatte mit elektronischen Bauelementen zur Steuerung und/oder Kontrolle0ex 8536 50 19

ex 8536 50 9091

91Reedschalter in Form eines Glasgehäuses, mit einer kleinen Menge Quecksilber und nicht mehr als 3 elektrischen Kontakten auf Metallzungen0ex 8540 30 1034Lochmasken-Farbkathodenstrahlröhren (Elektronenkanonen in Reihenanordnung - sogenannte In-Line-Technik -), mit einer Diagonalen des Bildschirms von mehr als 72 cm und einem Abstand zwischen den Punkten gleicher Farbe von weniger als 0,5 mm oder einem Pitchabstand von weniger als 0,5 mm0ex 8540 30 1035Lochmasken-Farbkathodenstrahlröhren (Elektronenkanonen in Reihenanordnung - sogenannte In-Line-Technik -), mit einer Diagonalen des Bildschirms von 72 cm oder weniger0ex 8540 91 0091Kathodenstrahlröhren-Ablenkeinheiten für Frequenzen von 31 250 Hz bis 64 000 Hz, mit einem 4-Pol-Magneten0ex 8540 99 0091Anoden, Kathoden oder Ausgangsvorrichtungen zum Herstellen von Magnetronen der Unterposition 8540 41 00 (a)0ex 8541 29 9030Feldeffekttransistor mit einer Drain-Source-Durchbruchspannung von 50 V, einem Drainstrom von 8,2 A, einem Drain-Source-Widerstand von nicht mehr als 0,2 Ohm und einer Verlustleistung von nicht mehr als 25 W, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 3 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 6×7 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

IRFR 010

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8541 40 1070Leuchtdioden auf Basis Aluminium-Gallium-Arsen (AlGaAs), mit einer quadratischen Grundfläche mit einer Seitenlänge von nicht mehr als 8,2 mm, mit einer Primärlinse0ex 8541 40 1080Leuchtdioden auf Basis Aluminium-Gallium-Arsen (AlGaAs), in Transparent Substrat (TS)-Technik hergestellt, mit einer Leuchtstärke von nicht weniger als 1,4 Candela bei 20 mA0ex 8542 11 0520Treiberbaustein für Flüssigkristallanzeigen, in C-MOS-Technik hergestellt, mit 40 oder mehr Ausgangskanälen, einer Treiberspannung von mehr als 10 V, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung ohne Gehäuse (Mikroplättchen), zum Herstellen von Flüssigkristallanzeige-Modulen (a)0ex 8542 11 1402Dynamischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff und dualer oder dreifacher Ein-/Ausgangsstelle, (sogenannter RAM, dynamisch), mit Datenregister und serieller Leseausgangskontrolle, mit einer Speicherkapazität von 1 Mbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 14×51 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

TC 524256

TC 524257

TC 528126

TC 528128

M5M 442256

MB 81 C 4251

MT 42 C 4256

MT 43 C 4257

MT 43 C 4258

TMS 44 C 251

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 1602Dynamischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, dynamisch), in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 256 K×16 bit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 80 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 11×27 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

MT 4C16256

PD 424260

PD 424170

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.10ex 8542 11 1801Dynamischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, dynamisch), in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 256 K×18 bit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 80 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 11×27 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

PD 424280

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.10ex 8542 11 2101Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-RAM, statisch) mit einer Speicherkapazität von 16×4 bit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 35 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 16 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 9×21 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CY27S03

CY27S07

CY54S189

CY74S189

CY7C189

CY7C190

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 2111Monolithische integrierte Schaltung, bestehend aus einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 256 bit, bitweise gekoppelt mit einem elektrisch löschbaren, programmierbaren Lesespeicher (sogenannter E2PROM), in einem Gehäuse mit nicht mehr als 18 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 8×24 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

X 2210

X 2443

X 2444

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 2121Monolithische integrierte Schaltung, bestehend aus einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 1 Kbit, bitweise gekoppelt mit einem elektrisch löschbaren, programmierbaren Lesespeicher (sogenannter E2PROM), in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×33 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

X 2001

X 2201 A

X 2212

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 2122Monolithische integrierte Schaltung, bestehend aus einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 2 Kbit, bitweise gekoppelt mit einem elektrisch löschbaren, programmierbaren Lesespeicher (sogenannter E2PROM), in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

X 2002

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 2127Monolithische integrierte Schaltung, bestehend aus einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 4 Kbit, bitweise gekoppelt mit einem elektrisch löschbaren, programmierbaren Lesespeicher (sogenannter E2PROM), in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

X 2004

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 2137Nicht fluechtiger Speicher, bestehend aus einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 16 Kbit und interner Energiequelle, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 19×40 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

DS 1220 Y

MK 48 Z 02

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.7ex 8542 11 2147Nicht fluechtiger Speicher, bestehend aus einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 64 Kbit und interner Energiequelle, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 20×42 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

BQ 4010

DS 1225 Y

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 2320Statischer Cache-Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter Cache-RAM, statisch) und dualer Ein-/Ausgangsstelle, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 256 Kbit, mit einer Speicher-Bus-Kontrolleinheit, einer Bus-Kontrolleinheit einer Zentraleinheit, einer Latchschaltung für Adressen und zwei Multiplern, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 84 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 45×45 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

82490XP

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 2321Nicht fluechtiger Speicher, bestehend aus einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 256 Kbit und interner Energiequelle, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 19×40 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

BQ 4011

DS 1230

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 2323Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 32 K×8 bit und einer Zugriffszeit von mehr als 55 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

HM 62256

HY 62C256

MB 84256

PD 43256

TC 55257

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 2325Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 64 K×4 bit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 15 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 9×30 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

MCM 6208

MCM 62980

MCM 62983

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 2501Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 288 Kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 40 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 8×41 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

TC 55329

TC 55B329

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 2510Statischer Scheib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 1 Mbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×44 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenmbinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CXK581020

CY7C101

CY7C102

CY7C106

CY7C107

CY7C108

CY7C109

HM 621100A

HM 624256

HM 624257

M5M 51004

M5M 51008

MCM 6228

MT 5C1008

TC 551001

TC 55B4256

TC 55B4257

TC 55B8128

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 2511Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 512 Kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 12×28 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

TC 551632

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 2512Nicht fluechtiger Speicher, bestehend aus einem statischen Scheib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 1 Mbit und interner Energiequelle, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 19×44 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

BQ 4013

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 2701Nicht fluechtiger Speicher, bestehend aus einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 2 Mbit und interner Energiequelle, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 19×54 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

BQ 4014

BQ 4024

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 2702Nicht fluechtiger Speicher, bestehend aus einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 4 Mbit und interner Energiequelle, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 19×54 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

BQ 4015

BQ 4025

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 3106Lesespeicher, nicht programmierbar, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-ROM), mit einer Speicherkapazität von 1 Mbit, mit einer Ausgangsstelle für serielle Daten, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×43 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

TMS 60C80

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 3111Lesespeicher, nicht programmierbar, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-ROM), mit einer Speicherkapazität von 8 Mbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 14×54 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

TC 538200

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 3116Lesespeicher, nicht programmierbar, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-ROM), mit einer Speicherkapazität von 16 Mbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 14×54 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

TC 5316200

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 42

ex 8542 11 5921

61 Programmierbarer Lesespeicher, UV-löschbar (sogenannter EPROM) oder nicht löschbar (sogenannter PROM), mit einer Speicherkapazität von 256 Kbit und einer Zugriffszeit von weniger als 80 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm, auch mit einem Quarzfenster auf der Oberseite.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CY 7C 271

CY 7C 274

CY 7C 277

CY 7C 279

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 4406Elektrisch löschbarer, programmierbarer Flash-Lesespeicher (sogenannter Flash-E2PROM), mit einer Speicherkapazität von 1 Mbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 48 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 18×53 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

28 F 010

28 F 210

48 F 010

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 4601Elektrisch löschbarer, programmierbarer Flash-Lesespeicher (sogenannter Flash-E2PROM), mit einer Speicherkapazität von 2 Mbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×42 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

28 F 020

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 48

ex 8542 11 5901

66 Programmierbarer Lesespeicher, UV-löschbar (sogenannter EPROM) oder nicht löschbar (sogenannter PROM), mit einer Speicherkapazität von 8 Mbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 42 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 16×56 mm, auch mit einem Quarzfenster auf der Oberseite.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

TC 578200

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 48

ex 8542 11 5902

67 Programmierbarer Lesespeicher, UV-löschbar (sogenannter EPROM) oder nicht löschbar (sogenannter PROM), mit einer Speicherkapazität von 16 Mbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 42 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 16×56 mm, auch mit einem Quarzfenster auf der Oberseite.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

TC 5716200

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 5001Elektrisch löschbarer, programmierbarer Lesespeicher (sogenannter E2PROM) mit einer Speicherkapazität von 16 Kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehrals 17×42 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

24 C 16

28 C 16

28 C 17

38 C 16

52 B 13

AM 2817

X 2816

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 5002Elektrisch löschbarer, programmierbarer Lesespeicher (sogenannter E2PROM), mit einer Speicherkapazität von 512 Kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×42 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

X 28C512

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 5006Elektrisch löschbarer, programmierbarer Lesespeicher (sogenannter E2PROM), mit einer Speicherkapazität von 64 Kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

28 C 64

AM 2864 BE

HN 58C65

MBM 28 C 65

X 2864 A

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 5926FIFO (First In/First Out)-Schreib-Lesespeicher zum gleichzeitigen Lesen und Schreiben in einem Uhrentakt, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 512×9 bit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 40 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 12×43 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CY7C441

CY7C451

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 5927FIFO (First In/First Out)-Schreib-Lesespeicher zum gleichzeitigen Lesen und Schreiben in einem Uhrentakt, oder mit bidirektioneller Funktionsweise, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 18 Kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 13×43 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CY7C439

CY7C443

CY7C453

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 62 ex 8542 11 64 ex 8542 11 6701

01

01

Coprozessor, in C-MOS-Technik hergestellt, mit multipler Schnittstellen-Funktion für ein paralleles Bus-System zu einer 8-, 16- oder 32-bit-Zentraleinheit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 149 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 41×41 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

82389

82C389

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 6440Mikroprozessor mit einer Verarbeitungskapazität von 16 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einer Zentraleinheit, einem externen 8- oder 16-bit-Daten-Bus, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 132 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 36×54 mm.

ex 8542 11 64

(Forts.)Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

80 C 186

80 C 188

80 C 196

80 C 296

ADSP 2100

DSP 56116

DSP 56156

DSP 56200

XSP 56200

Z 280

Z 70108

Z 70116

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 6443Mikroprozessor mit einer Verarbeitungskapazität von 16 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einer 4-Kanal-Direktspeicherzugriff-Kontrolleinheit, einem Sendeempfangsbaustein zur asynchronen Datenübertragung (sogenannter Universal Asynchronous Receiver Transmitter/UART), drei 16-bit-Zeitgebern/Zählern, einer 8-Kanal-Unterbrechungssteuerung, einer Speicherauffrischungs-Kontrolleinheit, einem Taktgeber und einer Bus-Kontrolleinheit mit einem Bereitschaftszustandsgenerator, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 120 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 28×29 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

PD 70236

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 6739Mikroprozessor mit einer Verarbeitungskapazität von 32 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, mit externem 32-bit-Daten-Bus und externem 26-bit-Adreß-Bus, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 160 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 29×29 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

86C020

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 6740Mikroprozessor mit einer Verarbeitungskapazität von 32 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einem statischen Cache-Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter Cache-RAM, statisch) mit einer Speicherkapazität von 64 Kbit zur Steuerung der Befehlsfolge und des Datenstroms und einem statischen Cache-Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter Cache-RAM, statisch) mit einer Speicherkapazität von 16 Kbit nur zur Steuerung der Befehlsfolge, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 431 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 62×62 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

DC 262 A

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 7107Mikrocontroller oder Mikrocomputer mit einer Verarbeitungskapazität von 4 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, mit Treiberfunktion für Flüssigkristallanzeigen, bestehend aus einem Lesespeicher, nicht programmierbar (sogenannter ROM), mit einer Speicherkapazität von 108 oder 216 Kbit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 7196 oder 16 412 bit und drei Oszillatoren, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 100 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 22×22 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

TMC-17

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 7134Microcontroller oder Mikrocomputer mit einer Verarbeitungskapazität von 8 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 2 oder 8 Kbit, einem elektrisch löschbaren, programmierbaren Lesespeicher (sogenannter E2PROM) mit einer Speicherkapazität von 4 Kbit und einem 8-Kanal-Analog-Digital-Wandler, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 25×25 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

MC 68HC11F

SC 415111FU

SC 805666FN

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 7135Microcontroller oder Mikrocomputer mit einer Verarbeitungskapazität von 8 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einem nicht programmierbaren Lesespeicher (sogenannter ROM) mit einer Speicherkapazität von 32 Kbit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 1 Kbit, einem 8-Kanal-Analog-Digital-Wandler, zwei 16 bit Zeitgebern mit je zwei 16 bit Registern und einer seriellen synchronen Datenübertragungsschnittstelle mit einem seriellen 8-bit Schieberegister mit seriellem Dateneingang, seriellem Datenausgang und seriellem Taktverschiebung, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüsse und den Abmessungen von nicht mehr als 18×53 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

COP 884CF

COP 888CF

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 7136Microcontroller oder Mikrocomputer mit einer Verarbeitungskapazität von 8 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einem nicht programmierbaren Lesespeicher (sogenannter ROM) mit einer Speicherkapazität von 32 Kbit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 1,5 Kbit, einem Sendeempfangsbaustein zur asynchronen Datenübertragung (sogenannter Universal Asynchronous Receiver Transmitter/UART) im vollen Duplexbetrieb, zwei analogen Vergleichern, drei 16 bit Taktgebern mit je zwei 16 bit Registern, und einer seriellen synchronen Datenübertragungsschnittstelle mit einem seriellen 8-bit Schieberegister mit seriellem Dateneingang, seriellem Datenausgang und seriellem Taktverschiebung, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 18×53 mm.

ex 8542 11 71

(Forts.)Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

COP 888CG

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 7137Microcontroller oder Mikrocomputer mit einer Verarbeitungskapazität von 8 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einem nicht programmierbaren Lesespeicher (sogenannter ROM) mit einer Speicherkapazität von 64 Kbit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 2 Kbit, einem Sendeemphangsbaustein zur asynchronen Datenübertragung (sogenannter Asynchronous Receiver Transmitter/UART) im vollen Duplexbetrieb, zwei analogen Vergleichern, drei 16 bit Taktgebern mit je zwei 16 bit Registern, und einer seriellen synchronen Datenübertragungsschnittstelle mit einem seriellen 8-bit Schieberegister mit seriellem Dateneingang, seriellem Datenausgang und seriellem Taktverschiebung, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 18×53 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

COP 888EG

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 7138Microcontroller oder Mikrocomputer mit einer Verarbeitungskapazität von 8 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einem nicht programmierbaren Lesespeicher (sogenannter ROM) mit einer Speicherkapazität von 32 Kbit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 1 Kbit, einem 16-bit-Taktgeber mit einem 16-bit-Register, und einer seriellen synchronen Datenübertragungsschnittstelle mit einem seriellen 8-bit Schieberegister mit seriellem Dateneingang, seriellem Datenausgang und seriellem Taktverschiebung, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 18×18 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

COP 880C

COP 881C

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 7139Mikrocontroller oder Mikrocomputer mit einer Verarbeitungskapazität von 8 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, mit sechzehn 8-bit-Registern oder acht 16-bit-Registern, einem Lesespeicher, nicht programmierbar (sogenannter ROM) oder einem programmierbaren Lesespeicher, nicht löschbar (sogenannter PROM) mit einer Speicherkapazität von 128 Kbit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 4 Kbit, drei Zeitgebern, einer seriellen Datenübertragungsschnittstelle, einem 8-Kanal-Analog-Digital-Wandler und neun Ein-/Ausgangsstellen, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 84 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 31×31 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombinationen als Bestandteil enthält:

HD 6473308CP

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 7140Microcontroller oder Mikrocomputer mit einer Verarbeitungskapazität von 8 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, mit Datenübertragungs- und Kontrollfunktionen in lokalen Netzwerken, bestehend aus drei 8-bit-Zentraleinheiten, einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, statisch) mit einer Speicherkapazität von 16 Kbit und einem programmierbaren, elektrisch löschbaren Lesespeicher (sogenannter E2PROM) mit einer Speicherkapazität von 4 Kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 64 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 15×15 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

MC 143150

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 7305Microcontroller oder Mikrocomputer mit einer Verarbeitungskapazität von 16 bit, bestehend aus einem Lesespeicher, nicht programmierbar (sogenannter ROM) oder einem programmierbaren Lesespeicher, nicht löschbar (sogenannter PROM) oder einem UV-löschbaren, programmierbaren Lesespeicher (sogenannter EPROM) mit einer Speicherkapazität von nicht mehr als 128 Kbit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von nicht mehr als 6 Kbit, einem Analog-Digital-Wandler mit Tastspeicherschaltung (Sample and Hold), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 84 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 40×40 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

8396

8397

8796

83C196

83C198

87C196

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 7307Microcontroller oder Mikrocomputer mit einer Verarbeitungskapazität von 16 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einem Multiplizierer-Addierer (sogenannter Multiplier Accumulator/MAC), einer arithmetischen logischen Schiebeeinheit, einer Mikroprozessor-Schnittstelle, einem Lesespeicher, nicht programmierbar (sogenannter ROM) mit einer Speicherkapazität von 48 Kbit, einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, statisch) mit einer Speicherkapazität von 16 Kbit, einem Analog-Digital-Wandler, einem Digital-Analog-Wandler und einem programmierbaren Zeitgeber, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 144 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 40×40 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

21msp52BS-52

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 7413Mikrocontroller oder Mikrocomputer mit einer Verarbeitungskapazität von 32 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, mit Audio-Daten-Behandlungsfunktion, bestehend aus einer arithmetischen logischen Einheit von 32 bit, einem 52 bit Multiplizierer-Addierer (sogenannter Multiplier Accumulator/MAC), zwei dynamischen Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte RAMs, dynamisch) mit einer Gesamtspeicherkapazität von 12 Kbit und zwei statischen Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte RAMs, statisch) mit einer Gesamtspeicherkapazität von 14 Kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 64 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 23×82 mm.

ex 8542 11 74

(Forts.)Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

TMC 57000

TMC 57001

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 8001Programmierbare Logikschaltung, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer programmierbaren UND-Anordnung, einer festen ODER-Anordnung, mit nicht mehr als 32 Eingangsstellen und nicht mehr als 12 Ausgangsstellen, auch mit Registern, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 19×39 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

16 P 8

16 RP 4

C 16 L 8

C 16 R 4

C 16 R 6

C 16 R 8

C 20 G 10

C 22 V 10

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 8002Programmierbare Logikschaltung, in BiMOS Technik hergestellt, mit einer programmierbaren UND-Anordnung, mit 384, 768 oder 6 400 Gattern, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 13×38 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CY7B326

CY7B336

CY7B337

CY7B338

CY7B339

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 8003Programmierbare Logikschaltung, nicht löschbar oder UV-löschbar, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 299 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 85×124 mm, auch mit einem Quarzfenster auf der Oberseite.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

16 L8-W

16 R4-W

16 R6-W

16 R8-W

22 V10-W

CY7C330

CY7C331

CY7C332

CY7C342

CY7C343

CY7C344

CY7C345

CY7C361

EP 600

EP 610

EP 630

EP 910

EP 1800

EP 1810

EP 1830

EPM 5032

EPM 5064

EPM 5128

EPM 5130

EPM 5192

EPM 7032

EPM 7096

EPM 7128

EPM 7160

EPM 7192

EPM 7256

EPM 7320

EPM 7384

EPM 7512

EPM 7768

EPM 71024

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 8004Programmierbare Logikschaltung, nicht fluechtig, in C-MOS-Technik hergestellt, mit nicht mehr als 8 000 Gattern, mit nicht mehr als 176 Ein-/Ausgangsstellen, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 176 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 44×44 mm.

ex 8542 11 80

(Forts.)Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

A 1010

A 1020

A 1225

A 1240

A 1280

TPC 1225

TPC 1240

TPC 1280

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 8005Logikschaltung (sogenannter Logic Cell Array), in C-MOS-Technik hergestellt, mit 16 000 bis 20 000 Gattern, programmierbar und elektrisch löschbar, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 300 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 64×64 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

XC 4016

XC 4020

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 8206Bus-Kontrollbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 208 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 41×41 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

82308

82309

82355

82358

82 C 88

82 C 211

82 C 288

82 C 301

CA 91C014

GC 181

L1A 4601

MSM 6307

TACT 83443

VIC 068

VL 82 C 331

VY 86 C 410

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 8207Kontrollbaustein für Bus-Systeme und Peripherie und zur Takterzeugung, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 84 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 31×31 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

82C101

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 8249Kontrollbaustein für dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt, ausgelegt zur Seitenadressierung des Speichers (sogenannte Page Mode Operation) und gleichzeitigen Behandlung von separaten Speichern (sogenanntes Interleaving), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 160 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 33×33 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

82 C 283

GC 113

HT 113

VL82C320

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 8251Kontrollbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, zum Überprüfen der Ladung und des Verbrauchs von Batterien, mit einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 256 bit, einem Ladungskontrolleinheit, einer Entladungskontrolleinheit, einer Batterie-Überwachungseinheit und einer Energie-Anzeige-Überwachungseinheit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 15×33 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

BQ 2001

BQ 2002

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 8252Kontrollbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, zum Verarbeiten von Lesesignalen und zum Steuern des Motors eines Compact-Disc-Lesekopfes, mit einer Schnittstelle für die Zentraleinheit, einer Einheit zur Fehlersuche und -beseitigung, einem Demodulator der Lesesignale, einem Phasenregelkreis und einer Kontrolleinheit für die konstante Lineargeschwindigkeit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 80 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 15×21 mm

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CXD 1125

CXD 1130

CXD 1135

CXD 1167

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 8253Kontrollbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, für Mikrocontroller- oder Mikrocomputersysteme mit einer Verarbeitungskapazität von 16 oder 32 bit, zum Steuern des programmierbaren Speicheraufbaus und der programmierbaren Wartezeiten und Befehlszeiten für das Synchronisieren von Speicher und Bus, mit einer Echtzeituhr, einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, statisch) mit einer Speicherkapazität von 1 Kbit, einer Unterbrechungssteuerung, einer Direktspeicherzugriff-Kontrolleinheit, einer programmierbaren Direktspeicherzugriff-Zeitschaltung und Zeitgebern, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 208 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 29×29 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

TACT 82S411

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 8254Kontrollbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, für Signale eines Mikroprozessor mit einer Verarbeitungskapazität von 32 bit, für den Zugang zu einem dynamischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, dynamisch) und einem Cache-Speicher, für 8-, 16- oder 32-bit Systembusse und für die Bus-Steuerung, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 160 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 31×31 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

82C311

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 8255Kontrolbaustein für die serielle asynchrone Datenübertragung, in C-MOS-Technik hergestellt, mit 8 unabhängigen Kanälen für die Datenübertragung im vollen Duplexbetrieb mit einer Geschwindigkeit von 38 400 bit/Sekunde, mit einem FIFO (First In/First Out)-Schreib-Lesespeicher mit einer Speicherkapazität von 192 bit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 84 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 31×31 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

CL-CD180

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 8267Kontrollbaustein zum Steuern von Magnetplattenspeichern mit festen Platten (Hard Disc Controller/HDC), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 84 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 31×53 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

1454-001

ADS 10C00

HDC 9224

HDC 9234

PD 7261

PD 7262

WD 1010

WD 2010

WD 5010

WD 5011

WD 42C22

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 8272Kontrollbaustein zum Multiplexen von Mikroprozesor-Datenkanälen zum System-Datenbus, peripheren Datenbus und Speicher-Datenbus, mit einem 16-bit Datenbus, sechs 8-bit Multiplexern, 40 gepufferten Treibern und einem Codierer/Decodierer für die Paritätsprüfung der Daten, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 84 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 32×32 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

82C104

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 8276Baustein zur Folgekontrolle, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, bestehend aus einem 32-bit-Register, drei 16-bit-Registern, einem 16×16 bit-Dienstspeicher, einem 7×17 bit-Kellerspeicher (Last In/First Out/LIFO), einem Addierwerk, einer Decodierlogik, einer Prioritätslogik, einem logischen Element zur Fehlersuche und -beseitigung, einem 16-bit-Multiplexer, einem 8-bit-Zähler und einem Zeitgeber, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 64 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 23×82 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

CSS 0484

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 8279Kontrollbaustein für die serielle Datenübertragung (sogenannter Serial Communication Controller), mit zwei unabhängigen Kanälen mit einer maximalen Übertragungsgeschwindigkeit von nicht weniger als 1,6 und nicht mehr als 4 Mbit/Sek. in vollem Duplexbetrieb, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 52 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 21×62 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

PD 72001

SCN 68562

Z 80 C 30

Z 85 C 30

Z 85 C 35

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 8401Bus-Schnittstellenbaustein für einen 8- oder 16-bit-Adreß/Datenbus oder Speicherbus und einem 32-bit-Adreß/Datenbus einer Zentraleinheit, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 160 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 28×28 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

82351

GC 133

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 8407Schnittstellenbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, ausgelegt für den Austausch von 16 bit Daten über duale Ein-/Ausgangsstellen zwischen einem System-Datenbus, einem Speicher-Datenbus und einem Mikroprozessor-Datenbus, mit internen Datenbus, Latch-Schaltungen, Puffer-Schaltungen, Multiplexern und Einehiten zur Paritätsprüfung, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 164 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 34×34 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

82353

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 8422Programmierbarer Schnittstellenbaustein für die Datenübertragung (sogenannter Enhanced Programmable Communication Interface/EPCI), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

2661

68661

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 8430Bus-Schnittstellen-Kontrollbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, mit nicht mehr als zwei Direktspeicherzugriff-Kontrolleinheiten, nicht mehr als zwei Unterbrechungssteuerungen und einem Zeitgeber/Zähler, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 160 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 33×33 mm.

ex 8542 11 84

(Forts.)Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

82C100

82C300

82C836

WD 76 C 10

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 8447Schnittstellen-Kontrollbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, mit zwei Sendeempfangsbausteinen zur asynchronen Datenübertragung (sogenannte Universal Asynchronous Receiver Transmitters/UARTs), einer Ein-/Ausgangsstelle für parallele Daten, einer Schnittstelleneinheit für starre Magnetplatten und einer Kontrolleinheit für flexible Magnetplatten, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 100 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 15×21 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

82C711

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 8448Schnittstellen-Kontrollbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, programmierbar für Signale zwischen Video-Graphik-Array-Kontrollbausteinen und Kathodenstrahlröhren-Bildschirmen, Flüssigkristallanzeigen, Leuchtdiodenanzeigen oder Plasma-Anzeigen, zur gleichzeitigen Steuerung eines Kathodenstrahlröhren-Bildschirm und einer Flüssigkristallanzeige, mit einem Video-Digital-Analog-Wandler mit Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAMDAC), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 100 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 15×21 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

CL-GD6340

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 8449Schnittstellen-Kontrollbaustein mit Wiederholungsmodus, in C-MOS-Technik hergestellt, mit 7 oder 12 Sendeempfangs-Schnittstellen, einem Anschluß für eine Verbindungseinheit, einer phasengeregelten Decodiereinheit, einem 32-bit Pufferspeicher und einer Bus-Schnittstelle für die Datenübertragung zwischen Schnittstellen-Kontrollbausteinen mit Wiederholungsmodus, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 160 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 45×45 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

DP 83950

DP 83955

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 8450Schnittstellenbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, für einen 32-bit Bus und Ein-/Ausgangsregistern und/oder Schnittstellenbausteinen, zur Durchführung des Direktspeicherzugriffs, mit einem FIFO (First In/First Out)-Schreib-Lesespeicher mit einer Speicherkapazität von 256 bit, einer Latch-Schaltung für Daten, einer Latch-Schaltung für Adressen und 32-bit Registern, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 132 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 37×37 mm.

ex 8542 11 84

(Forts.)Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

1XB9-0401

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 8451Bus-Schnittstellen-Kontrollbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, mit zwei programmierbaren Unterbrechungssteuerungen, zwei Zeitgebern, drei Zählern, einer Echtzeituhr, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 912 bit, einer Speicher-Schnittstelle, einer Schnittstelle für einen Kontrollbaustein für flexible Magnetplatten, einer Schnittstelle für einen Kontrollbaustein für starre Magnetplatten, einer Schnittstelle für einen numerischen Coprozessor und einer Schnittstelle für eine Tastatur, ausgelegt für die Adressenbildung, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 160 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 29×29 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

TACT 84544

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 8452Schnittstellen-Kontrollbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, für Lese-Schreibdaten zwischen einer digitalen Audio-Bandspeichereinheit und einem Mikroprozessor, mit einer Puffer-Steuereinheit für einen dynamischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, dynamisch), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 208 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 29×29 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

1XK2-0301

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 8611Daten-Pufferschaltung, in C-MOS-Technik hergestellt, für die Übermittlung und Umsetzung von Daten zwischen einem Datenbus einer Zentraleinheit, einem Datenspeicherbus und zwei peripheren Datenbussen, mit einem Paritätsgenerator, einem Schaltung zur Paritätsfehlersuche und sieben Multiplexern, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 128 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 29×29 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

VL 82C332

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 8628Dreifacher 8-bit-Video-Digital-Analog-Wandler mit Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAMDAC), in C-MOS-Technik hergestellt, mit drei Bildpunkt-Eingangsstellen jeweils verbunden mit einem Farbpaletten-Register mit einer Speicherkapazität von 256×8 bit und einer Bildpunkt-Eingangstelle verbunden mit drei Overlay-Registern jeweils mit einer Speicherkapazität von 15×8 bit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 26×26 mm.

ex 8542 11 86

(Forts.)Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

Bt473

oder

- eine ander Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 8629Zweifacher 7-bit-Digital-Analog-Wandler, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 12×29 mm.

Das Gehäuse tragt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

PBM 3960

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 8653Programmierbaren Taktgeber, in BiMOS-Technik hergestellt, zum Erzeugen von Frequenzen von nicht weniger als 0,78125 MHz und nicht mehr als 160 MHz, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 13×13 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

DP 8531

DP 8532

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 8660Baustein zum Komprimieren/Dekomprimieren von Bildern, in C-MOS-Technik hergestellt, zur Echtzeitumzetsung von RGB in YUV Farbelementen, mit einer Video-Bus-Schnittstelle, einer Komprimier/Dekomprimier-Einheit des Bildpunktdatenflusses und einer Mikroprozessor-Bus-Schnittstelle, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 144 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 45×45 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

CL 550

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 8668Modulator/Demodulator, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-Modem), zur Datenübertragung über Telefonleitungen in vollem Duplexbetrieb mit einer Geschwindigkeit von 2 400 bit/Sekunde und zur Übertragung von Standbildern in einer Richtung mit einer Geschwindigkeit von 4 800 oder 9 600 bit/Sekunde, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 14×37 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

SC 11046

SC 11054

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 8677Sendeempfangsbaustein mit zwei Kanälen zur asynchronen Datenübertragung (sogenannter Dual Universal Asynchronous Receiver Transmitter/DUART), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 100 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 18×53 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

2681

PC 87310

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 8680Baustein zum Vergleichen von Cache-Speicher-Adressen-Kennzeichen, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, statisch) mit einer Speicherkapazität von 16 Kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 8×33 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

MCM 62350

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 8681Digitalfilter, in C-MOS-Technik hergestellt, ausgelegt zur Vierfach- oder Achtfach-Abtastung (sogenannter Over-sampling) von zwei Kanälen, mit einem Lesespeicher, nicht programmierbar (sogenannter ROM) und einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 14×36 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

TMS 57021

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 8685Sendeempfangsbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einem Versorgungsstrom von nicht mehr als 3 mA, mit zwei Treiberschaltungen, drei Empfangseinheiten und einer Wärmeschutzschaltung, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 18 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 9×12 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

LTC 902

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 9537Baustein mit 4 Kanälen zur Kontrolle der Schreib-Lesesignale der Magnetköpfe in Magnetplattenspeichern mit festen Platten, in bipolarer Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 12×19 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

SSI 510

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 9538Baustein mit 6 oder 14 Kanälen zur Kontrolle der Schreib-Lesesignale der Magnetköpfe in Magnetplattenspeichern mit festen Platten, in bipolarer Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 19×19 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

SSI 32R5121/5121R

SSI 32R522-6

SSI 32R522R-6

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 9804Baustein zum Verstärken und Umwandeln der Lesesignale und zum Umwandeln der Schreibsignale für Magnetplattenspeicher mit festen Platten (sogenannter Read/Write Data Processor Circuit), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 19×38 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

SSI 540

SSI 541

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 19 3030Zweifacher oder vierfacher Verstärker, mit einem Stromversorgung von nicht mehr als 30 mA je Verstärker, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 16 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 8×11 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

LT 1178

LT 1179

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 19 5020Spannungsregler mit einer Eingangsspannung von 3 V bis 60 V und einem Ruhestrom von 6 mA, mit einer Schalteinheit von 1,25 A, 2,5 A oder 5 A, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 8 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 11×39 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

LT 1070

LT 1071

LT 1170

LT 1171

LT 1172

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 19 5030Spannungsregler mit regelbarem Widerstand, mit interner Referenzspannung und Widerstandsteilern mit einem Kollektorstrom von 1 mA bis 100 mA und einer anfänglichen Referenzspannungstoleranz von 0,4 %, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 8 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 8×11 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

LT 1431

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 19 5040Variabler Spannungsregler mit einem Versorgungsstrom von nicht mehr als 120 mA bei einem Ausgangsstrom von nicht mehr als 100 mA und einer Abschaltspannung von nicht mehr als 0,85 V bei einem Ausgangsstrom von 125 mA, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 16 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 8×20 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

LT 1020

LT 1120

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 19 6008Strom-Kontrollbaustein, in bipolarer Technik hergestellt, zum Steuern eines konstanten Ausgangsstroms von 2 A, mit Erkennung von Ausgangsfehlern, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 5 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 11×16 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

PBD 3548

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 19 6009Kontrollbaustein, in BiMOS-Technik hergestellt, zum Steuern von Ladungen des Pluspols einer elektrischen Stromquelle, mit Schutz gegen Spitzenspannungen von nicht weniger als -100 V und nicht mehr als +100 V, mit einem Ausgangsreststrom von nicht mehr als 150 mA, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 16 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 8×11 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

MC 3399DW

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 19 6010Treiberbaustein zum Steuern des Stroms einer Wicklung von linearen oder rotierenden Motoren, in bipolarer Technik hergestellt, mit einer Ausgangsspannung von nicht mehr als 45 V bei einem Ausgangsstrom von nicht mehr als 1,8 A, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×23 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

PBL 3717

PBL 3770

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 19 6011Treiberbaustein zum Steuern von linearen oder rotierenden Motoren, in bipolarer Technik hergestellt, mit einer Ausgangsspannung von nicht mehr als 45 V bei einem Ausgangsstrom von nicht mehr als 1 A, mit einer Einheit zur Takterzeugung, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×23 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

PBL 3771

PBL 3772

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 19 7030Schnittstellenbaustein, in bipolarer Technik hergestellt, für den Daten- und Versorgungsanschluß zwischen einem Mikrocontroller oder Mikrocomputer und einer Schreib-Lese-Einheit, bestehend aus einem Brückengleichrichter, einem Stromversorgungsregler, einer Einheit zur Nullstellung, einer Sendeeinheit und einer Empfangseinheit, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 16 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 8×11 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

LB 1167A

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 19 8020Bildsensor mit Ladungsübertragung im Zeilenabstand, mit 250 000 bis 450 000 Photozellen, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 20 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 21×32 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

ICX 018

ICX 021

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 19 8025Halb-Brückengleichrichter, bestehend aus zwei Feldeffekttransistoren, in MOS-Technik hergestellt, ausgelegt für induktive oder kapazitive Ladungen mit einer Nennspannung von 50 V bei einer nominalen Stromstärke von 2 A, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 16 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 6×11 mm.

ex 8542 19 80

(Forts.)Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

Si9950DY

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 19 8026Spannungswandler und -regler, in bipolarer Technik hergestellt, mit einem Spannungsverlust von nicht mehr als 1,6 V bei einem Ausgangsstrom von 100 mA, mit einer Versorgungsspannung von 3,5 V bis 15 V, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 16 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 8×11 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

LT 1054

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 19 80275-Kanal-Spannungsvergleich-Baustein zum Überwachen von Glühlampenstromkreisen, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 20 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 10×28 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

AD 22001

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 19 8028Bildsensor, bestehend aus 16 Reihen mit nicht mehr als 992 Photozellen und einer mit einem Schieberegister verbundenen Matrix, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 22 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 12×28 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

RA 16×62

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 19 8032Sprachübermittlungsbaustein, in bipolarer Technik hergestellt, mit einer Versorgungsspannung von nicht weniger als 2,3 V und nicht mehr als 22 V, mit ständiger Anpassung der Sende- und Empfangsverstärkung und mit Dämpfungsfunktion, mit vier Verstärkern, interner Referenzspannung, zwei Gleichstromreglern und einer Bereitschaftsfunktion (Power down), in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 20 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 8×13 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

PBL 3850

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 19 8033Sprachgeschalteter Lautsprecher, in bipolarer Technik hergestellt, ausgelegt für das Senden und Empfangen von Sprache im halben Duplexbetrieb, mit einem Lautsprecher-Verstärker mit einer Spannung von nicht weniger als 2,5 V und nicht mehr als 12 V, einem Ton-Klingel-Einheit, Detektoren und Vergleichern zum automatischen Schalten in den Sende- oder Empfangs-Modus, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 12×29 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

PBL 3786

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 19 8034Passiver Decodierer, in BiMOS-Technik hergestellt, mit einer festen Matrix, einem Filter von 7 kHz, einer Rauschunterdrückungseinheit, einer digitalen Verzögerungseinheit und einer Speicherkontrolleinheit, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 64 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×58 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

LV 1000

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 19 8035Matrixdecodierer, in BiMOS-Technik hergestellt, mit einer adaptiven Matrix, Pufferschaltungen mit automatischem Ausgleich, einem Geräuschgenerator und einer Kontrolleinheit, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 48 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 15×63 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

SSM 2125

SSM 2126

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 19 8036Sprachgeschalteter Lautsprecher, in bipolarer Technik hergestellt, ausgelegt für das Senden und Empfangen von Sprache im halben Duplexbetrieb, mit Rausunterdrückungseinheiten, Pegeldetektoren, einem Wähltondetektor und einer Algorithmus-Kontrolleinheit und Verstärkern, in Form einer monolithischen integrierten analogen Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 8×19 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

MC 34118

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8540 20 9091Photovervielfacher mit 9 Dynoden, ausgelegt für den Wellenlängenbereich von nicht weniger als 160 Nanometer und nicht mehr als 930 Nanometer, mit einem Durchmesser von nicht mehr als 14 mm und einer Höhe von nicht mehr als 94 mm0ex 8540 30 1025Lochmasken-Farbkathodenstrahlröhren (Elektronenkanonen in Dreiecksanordnung - sogenannte Deltatechnik -) mit einer Diagonalen des Bildschirms von 66 cm oder mehr 0ex 8540 89 1191Anzeigen in Form einer Röhre, bestehend aus einem Glasgehäuse, aufgebracht auf einer Platte mit einer Grösse - ohne Berücksichtigung der Leitungen - von nicht mehr als 300×350 mm. Die Röhre enthält eine oder mehrere Reihen von Zeichen oder Strichen. Jedes Zeichen oder jeder Strich enthält fluoreszierende oder phosphoreszierende Elemente, die auf einer von fluoreszierenden Substanzen oder von Phosphorsalzen überzogenen metallisierten Unterlage aufgebracht sind und leuchten, wenn sie von Elektronen getroffen werden0ex 8540 91 0093Elektronenkanonen zum Herstellen von monochromen Kathodenstrahlröhren mit einer Diagonale des Bildschirms von nicht weniger als 7,6 cm und nicht mehr als 30,5 cm (a)0ex 8541 10 9110Silicium-Leistungsgleichrichterdiode in Planartechnik, mit einer Erholzeit von weniger als 100 ns, einer wiederkehrenden Sperrspannung von nicht mehr als 200 V, einem durchschnittlichen Durchlaßstrom von nicht weniger als 2,5 A, in einem flachen Gehäuse mit den Abmessungen von mehr als 3×9×9 mm und nicht mehr als 5×11×17 mm0ex 8541 10 9910Germanium-Golddraht-Diode mit einer Durchlaßspannung von 1 V oder weniger bei 5 mA0ex 8541 10 9920Silicium-Diode mit variabler Kapazität, ausgelegt für eine mindestens 10-fache Kapazitätsänderung im Verhältnis zum Ausgangswert durch Änderung der Betriebsspannung von nicht weniger als 2 V und nicht mehr als 10 V und mit einer Kapazität von nicht weniger als 96 pF und nicht mehr als 144 pF bei 2 V, in einem zylinderförmigen Gehäuse mit nicht mehr als 2 Anschlüssen und einem Durchmesser von nicht mehr als 3 mm und einer Höhe von nicht mehr als 8 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

MV 1404

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8541 21 9010Transistor mit Elektronen hoher Beweglichkeit (sogenannter High Electron Mobility Transistor/HEMT) für den Frequenzbereich von 2 GHz oder mehr, jedoch nicht mehr als 20 GHz, mit einem Verlustleistung von nicht mehr als 180 mW, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 4 Anschlüssen und einem Durchmesser von nicht mehr als 3 mm 0ex 8541 21 9020Feldeffekttransistor für den Frequenzbereich von 2 GHz oder mehr, jedoch nicht mehr als 16 GHz, mit einem Verlustleistung von nicht mehr als 225 mW, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 4 Anschlüssen und einem Durchmesser von nicht mehr als 3 mm0ex 8541 29 9010Transistor mit einer Leistung von nicht weniger als 150 W bei einer Spannung von nicht weniger als 160 V und einer Abschaltfrequenz von 20 MHz oder mehr (sogenannte "Cut-off-Frequenz"), in einem Gehäuse mit nicht mehr als 3 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 22×37 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

2 SA 1170

2 SA 1215

2 SA 1494

2 SC 2774

2 SC 2921

2 SC 3858

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8541 40 1060Leuchtdioden auf Basis Gallium-Arsen-Phosphor (GaAsP), die bei einer nominalen Wellenlänge von 710 Nanometer arbeiten, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung ohne Gehäuse (Chip), zum Herstellen von Optokopplern (a)0ex 8541 40 9191Modul mit nicht mehr als 5 Solarzellen, in Dünnschichttechnik hergestellt, auf einem Substrat mit den Abmessungen von nicht mehr als 18×70 mm0ex 8541 60 0091Piezölektrischer Quarzkristall mit einer Frequenz von 32 768 Hz, in einem zylindrischen Gehäuse mit einer Länge von nicht mehr als 8,2 mm und einem Durchmesser von nicht mehr als 3,2 mm, zum Herstellen von Waren des Kapitels 91 (a)0ex 8541 60 0092Keramischer polarisierter piezölektrischer Kristall mit einer Frequenz von 500 kHz bis 12 500 kHz, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 3 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 14×15 mm0ex 8542 11 0510Kontroll- und Treiberbaustein für Punktmatrix-Flüssigkristallanzeigen, in C-MOS-Technik hergestellt, mit Zeichengenerator, einer Treiberspannung von mehr als 10 V, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung ohne Gehäuse (Mikroplättchen), zum Herstellen von Flüssigkristallanzeige-Modulen (a)0ex 8542 11 1201Dynamischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in N-MOS (einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt (sogenannter N/H-MOS-RAM, dynamisch), mit einer Speicherkapazität von 64 Kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 18 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 9×24 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

KM 4164

MN 4264

TMS 4164

TMS 4416

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 1211Dynamischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in N-MOS (einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt (sogenannter N/H-MOS-RAM, dynamisch), mit einer Speicherkapazität von 256 Kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 150 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×34 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

HB 50562

HM 50256

HM 50464

KM 41256

KM 41257

M5M 4256

M5M 4464

MB 81256

MB 81464

MSM 4256

MSM 4464

PD 41254

PD 41256

PD 41464

TMM 41256

TMM 41464

TMS 4256

TMS 4464

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.8ex 8542 11 1212Dynamischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-RAM, dynamisch), mit einer Speicherkapazität von 256 Kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

53 C 256

53 C 258

53 C 464

53 C 466

MB 81 C 258

MB 81 C 466

P 51 C 256

P 51 C 259

TC 51832

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 1213Dynamischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff und dualer Ein-/Ausgangsstelle (sogenannter RAM, dynamisch), mit Datenregister und serieller Leseausgangskontrolle, mit einer Speicherkapazität von 256 Kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 13×39 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

M5M 4 C 264

MB 81461

PD 41264

TMS 4461

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 1401Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, mit getrennten Ein- und Ausgängen und seriellen Schieberegistern (sogenannter Field Memory), in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 1 Mbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×54 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

TC 521000

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 1601Pseudo-statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 4 Mbit und einer Zugriffszeit von 100 ns, mit Zeittaktgenerator und Auffrischungsschaltung, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 12×22 mm, zum Herstellen von tragbaren Computern, die ohne externe Energiequelle betrieben werden können (a).

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

HM 658512

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 2117Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 256×4 bit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 60 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 12×33 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CY7C122

CY7C123

CY93422

CY93L422

P4C 422

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0ex 8542 11 2128Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 1 K×4 bit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 25 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht weniger als 24 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 8×32 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

AM 9150-20

AM 9150-25

CY 7 C 150-15

CY 7 C 150-25

oder

-eine andere K