VERORDNUNG (EWG) Nr. 3544/91 DES RATES vom 25. November 1991 zur zeitweiligen Aussetzung der autonomen Zollsätze des Gemeinsamen Zolltarifs für einige industrielle Waren (Mikrölektronik und verwandte Bereiche)

DER RAT DER EUROPÄISCHEN GEMEINSCHAFTEN -

gestützt auf den Vertrag zur Gründung der Europäischen Wirtschaftsgemeinschaft, insbesondere auf Artikel 28,

auf Vorschlag der Kommission,

in Erwägung nachstehender Gründe:

Die in dieser Verordnung genannten Waren werden in der Gemeinschaft gegenwärtig nicht oder nur in unzureichender Menge hergestellt. Die Hersteller können somit den Bedarf der verarbeitenden Industrien der Gemeinschaft nicht decken.

Es liegt im Interesse der Gemeinschaft, die autonomen Zollsätze des Gemeinsamen Zolltarifs in bestimmten Fällen, in denen insbesondere eine Gemeinschaftsproduktion dieser Waren besteht, nur teilweise und in den anderen Fällen vollständig auszusetzen.

Da es schwierig ist, die kurzfristige Entwicklung der wirtschaftlichen Lage auf den betreffenden Gebieten genau zu beurteilen, sollten die Aussetzungen nur zeitweilig erfolgen, wobei ihre Gültigkeitsdauer entsprechend den Interessen der Gemeinschaftsproduktion festzusetzen ist -

HAT FOLGENDE VERORDNUNG ERLASSEN:

Artikel 1

Die autonomen Zollsätze des Gemeinsamen Zolltarifs werden für die im Anhang aufgeführten Waren auf die jeweils angegebene Höhe ausgesetzt.

Diese Aussetzungen gelten vom 1. Januar bis zum 30. Juni 1992.

Artikel 2

Diese Verordnung tritt am 1. Januar 1992 in Kraft.

Diese Verordnung ist in allen ihren Teilen verbindlich und gilt unmittelbar in jedem Mitgliedstaat.

Geschehen zu Brüssel am 25. November 1991.

Im Namen des RatesDer PräsidentJ. M. M. RITZEN

ANHANG

ex 8471 93 50Floppy-Disc-Speichereinheit0 ex 8471 93 60Magnetbandspeichereinheit für einspulige Kassetten0 ex 8471 99 90Optischer Schriftleser zum Abtasten von alphanumerischen Punktmatrixzeichen und zum Umwandeln der Leseimpulse in elektrische Signale, bestehend aus einem Lesekopf mit Photosensor, einem Verstärker, einer Linse und zwei Lampen, über Flachkabel verbunden mit einer Kontrolleinheit mit den Abmessungen von nicht mehr als 200×220 mm, bestehend aus einer gedruckten Schaltung, bestückt mit mindestens einem Mikroprozessor, einer Bilderkennungsschaltung und einem Analog-Digital-Wandler0 ex 8473 10 10Speichereinheit für elektronische Schreibmaschinen, bestehend aus einer gedruckten Schaltung mit 2 oder 4 statischen Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte RAMs, statisch) mit einer Speicherkapazität von jeweils 8 kbit×8 bit, elektronischen Bauelementen zur Steuerung und Kontrolle und Haltestrombatterien, in einer Kassette mit Steckverbindungen und den Abmessungen von nicht mehr als 11×40×90 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

MEMOCART

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8473 30 10Prozessor, bestehend aus nicht mehr als 336 monolithischen integrierten Schaltungen, mit 4 200 nicht programmierten Logikgattern (sogenannte Uncommitted Logic Arrays) und 16 kbit Schreib-Lesespeichern mit wahlfreien Zugriff (sogenannte RAMs), in ECL-Technik hergestellt, in einem Gehäuse, auf einer mehrlagigen gedruckten Schaltung, die zwischen zwei Kühlplatten angebracht ist und die Abmessungen von nicht mehr als 148×560×594 mm aufweist.

Die Ware trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

001B-3035-H002

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8473 30 10Arithmetisches logisches Element für die Zentraleinheit, bestehend aus nicht mehr als 9 gedruckten Schaltungen mit den Abmessungen von nicht mehr als 290×310 mm, jeweils bestückt mit nicht mehr als 121 ECL-Gate Arrays oder ECL-Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte ECL-RAMs) oder einer Kombination von beiden, die sich in einem Gestell mit den Abmessungen von nicht mehr als 501×596×611 mm befinden, das als Halterung und Verbindungsleiter für die gedruckten Schaltungen dient.

Das Element trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CO1B 2675 E 500CO1B 2675 H 501CO1B 2675 H 503

CO1B 2675 H 500CO1B 2675 H 502CO1B 2675 H 504

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8473 30 90Ferrit-Magnetköpfe in Winchestertechnik für periphere Magnetplatten-Speichereinheiten, mit einer Aufzeichnungsdichte von 10 Spuren oder mehr je mm, auch auf Trägerarmen0 ex 8473 30 90Schreib-Lese-Baugruppe für feste Magnetplatten-Speichereinheiten, bestehend aus Ferrit-Magnetköpfen in Winchestertechnik, auf einem Trägerarm, verbunden durch eine biegsame gedruckte Schaltung mit einem Metallträger, der bestückt ist mit:

-einer biegsamen gedruckten Schaltung bestückt mit einem Verstärker für Schreib-Lese-Signale, in Form einer integrierten Schaltung,

-einer Steckvorrichtung für eine gedruckte Schaltung0 ex 8473 30 90Tintenstrahldruckkopf0 ex 8473 30 90Magnetblasenspeicher mit einer Speicherkapazität von nicht mehr als 4 Mbit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 42 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 43×44 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

7110FBM 54 DBBDL 0133BDN 0151MBM 2556

7114-1FBM 64 DABDL 0134MBM 2011

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8473 30 90Antriebseinheit für magnetooptische Platten mit einem Aussendurchmesser von 13,34 cm (5,25 inch)0 ex 8473 30 90Antriebseinheit für digitale Audio-Bandspeichereinheiten0 ex 8473 40 90Thermodruckkopf, in Dünn- oder Dickschichttechnik hergestellt, bestehend aus einer mit mindestens einem Tantalkondensator und einem Elektrolytkondensator bestückten gedruckten Schaltung, in einer Metallkonstruktion mit einem Verbindungsteil, Druckstiften und Wärmeableiter, mit Montageträger und -rolle0 ex 8483 10 90In einem Stück geschmiedete und vorgedrehte Generator- und Turbinenwellen mit einem Stückgewicht von mehr als 215 Tonnen0 ex 8501 10 99Bürstenloser Gleichstrommotor mit einem Drehmoment von nicht mehr als 0,20 Newtonmeter, einem Befestigungsflansch mit einem Durchmesser von 77 mm und einer Präzisionsspindel mit einem Durchmesser von 44 mm, einem Aussenrotor mit einem Durchmesser von nicht mehr als 55 mm, mit 4-Phasen-Wicklung, mit einer Nenndrehzahl von 3 600 Umdrehungen pro Minute und einer Versorgungsspannung von 12 V±10 %, mit Drähten und Anschlußstücken0 ex 8501 10 99Hybrid-Schrittmotor mit einem Schrittwinkel von 0,9 Grad, 400 Schritten pro Umdrehung, 2-Phasen- oder 4-Phasen-Drehfolge mit bipolarer Wicklung, bestehend aus einem Rotor und einem Ständerpaket, das zwischen zwei Viereckflanschen mit den Seitenlängen von nicht mehr als 40 mm eingeschlossen ist, mit durchgehender Welle, Drähten und Anschlußstücken0 ex 8501 10 99Hybrid-Schrittmotor mit einem Schrittwinkel von 0,9 Grad, 400 Schritten pro Umdrehung, 2-Phasen-Drehfolge mit bipolarer Wicklung, bestehend aus einem Rotor und einem Ständerpaket, das in einem zylindrischen Behälter mit einem Durchmesser von nicht mehr als 47 mm und einer Dicke von nicht mehr als 14 mm eingeschlossen ist, mit durchgehender Welle, Drähten und Anschlußstücken0 ex 8501 10 99Hybrid-Schrittmotor mit einem Schrittwinkel von 0,9 Grad, 400 Schritten pro Umdrehung, 2-Phasen-Drehfolge mit bipolarer Wicklung, bestehend aus einem Rotor und einem Ständerpaket, das zwischen zwei Viereckflanschen mit den Seitenlängen von nicht mehr als 40 mm eingeschlossen ist, mit eingebautem 2- oder 3-Phasen-Drehzahlmesser in einer Kalotte mit einem Durchmesser von nicht mehr als 35 mm, mit gesonderten Drähten und Anschlußstücken für die Ausgänge des Motors und des Drehzahlmessers, mit den Abmessungen von nicht mehr als 40×40×62 mm, einschließlich Welle0 ex 8501 10 99Bipolarer Gleichstrom-Schrittmotor mit einteiligem Stator, einer Leistung von 37,5 W oder weniger, einem Schrittwinkel von 180 Grad, 2 Schritten pro Umdrehung, 2-Phasen-Drehfolge mit unipolarer Wicklung, einem Drehmoment von nicht weniger als 0,1×10-6 Newtonmeter und nicht mehr als 0,1×10-4 Newtonmeter und einer Versorgungsspannung von nicht mehr als 3 V0 ex 8501 10 99Hybrid-Schrittmotor mit einem Schrittwinkel von 0,9 Grad, 400 Schritten pro Umdrehung, 2-Phasen-Drehfolge mit bipolarer Wicklung, bestehend aus einem Rotor und einem Ständerpaket, das zwischen zwei Flanschen eingeschlossen ist, von denen der eine einen Viereckquerschnitt mit den Seitenlängen von nicht mehr als 40 mm hat und der andere (vordere) scheibenförmig ist und zwei Auskragungen aufweist, mit eingebautem 2- oder 3-Phasen-Drehzahlmesser in einer Kalotte mit einem Durchmesser von nicht mehr als 35 mm, mit gesonderten Drähten und Anschlußstücken für die Ausgänge des Motors und Drehzahlmessers, mit den Abmessungen von nicht mehr als 40×40×62 mm, einschließlich Welle, aber ohne die Auskragungen des vorderen Flansches0 ex 8501 10 99Bürstenloser Gleichstrommotor mit einem Drehmoment von nicht mehr als 0,20 Newtonmeter, mit einem Befestigungsflansch mit einem Durchmesser von 74 mm, einer Spindel mit einem Durchmesser von 40 mm, mit einer Nenndrehzahl von 3 600 Umdrehungen pro Minute und einer Versorgungsspannung von 12 V±10 %, mit Drähten und Anschlußstücken0 ex 8501 10 99Bürstenloser Gleichstrommotor mit einem Drehmoment von nicht mehr als 0,018 Newtonmeter, mit einem Befestigungsflansch mit einem Durchmesser von 35 mm und einer Präzisionsspindel mit einem Durchmesser von 25 mm, mit Innenrotor mit 3-Phasen-Wicklung, mit einer Nenndrehzahl von 3 600 Umdrehungen pro Minute und einer Versorgungsspannung von 12 V±10 %0 ex 8501 10 99Hybrid-Schrittmotor mit einem Schrittwinkel von 1,8 Grad, 200 Schritten pro Umdrehung, 4-Phasen-Drehfolge mit unipolarer Wicklung, bestehend aus einem Rotor und einem Ständerpaket, das zwischen zwei Viereckflanschen mit den Seitenlängen von nicht mehr als 42 mm eingeschlossen ist, mit durchgehender Welle, Drähten und Anschlußstücken0 ex 8501 10 99Bürstenloser Gleichstrommotor mit einem Drehmoment von nicht mehr als 0,030 Newtonmeter, mit einem Befestigungsflansch mit einem Durchmesser von 34 mm und einer Präzisionsspindel mit einem Durchmesser von 25 mm, mit Innenrotor mit 3-Phasen-Wicklung, mit einer Nenndrehzahl von 3 600 Umdrehungen pro Minute und einer Versorgungsspannung von 12 V±10 %0 ex 8501 10 99Bürstenloser Gleichstrommotor mit einem Drehmoment von nicht mehr als 0,018 Newtonmeter, mit einem Befestigungsflansch mit einem Durchmesser von 26 mm und einer Präzisionsspindel mit einem Durchmesser von 20 mm, mit Innenrotor mit 3-Phasen-Wicklung, mit einer Nenndrehzahl von 3 600 Umdrehungen pro Minute und einer Versorgungsspannung von 12 V±10 %0 ex 8501 10 99Bürstenloser Gleichstrommotor mit einem Drehmoment von nicht mehr als 0,018 Newtonmeter, mit einem Befestigungsflansch mit einem Durchmesser von 58 mm und einer Präzisionsspindel mit einem Durchmesser von 25 mm, mit Innenrotor mit 3-Phasen-Wicklung, mit einer Nenndrehzahl von 3 600 Umdrehungen pro Minute und einer Versorgungsspannung von 12 V±10 %0 ex 8504 40 94Stromgleichrichter, bestehend aus einer Kaskadenschaltung von 7 Dioden, für Ausgangsspannungen von 40 kV oder mehr mit einer Stromstärke von 3 mA oder mehr0 ex 8504 40 98Gleichstromumformer, mit Dioden nicht in Kaskadenschaltung, mit einer Eingangsspannung von nicht mehr als 72 V, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 16 Anschlüssen0 ex 8506 19 19Lithium-Jod-Batterie mit den Abmessungen von nicht mehr als 9×23×45 mm und einer Spannung von nicht mehr als 2,8 V0 ex 8506 19 19Einheit, bestehend aus nicht mehr als 2 Lithium-Batterien, eingebettet in einen Sockel für integrierte Schaltungen (sogenannter batteriegepufferter Sockel), mit Kontroll-Schaltkreis, und mit nicht mehr als 32 Anschlüssen0 ex 8506 19 99Kohle-/Zink-Trockenbatterie mit einer Spannung von nicht weniger als 5,5 und nicht mehr als 6,5 V und den Abmessungen von nicht mehr als 5×90×110 mm, zur Verwendung in Filmkassetten für Sofortbildkameras (a)0 ex 8517 90 81Baugruppe für Fernsprechapparate, bestehend aus einem Mikrophon, einer Schutzschaltung und einer 4-Wege-Steckvorrichtung, montiert auf einer gedruckten Schaltung mit den Abmessungen von nicht mehr als 22×40 mm0 ex 8517 90 98Thermodruckkopf mit 1 728 Druckpunkten, in Dickschicht- oder Dünnschichttechnik hergestellt, bestehend aus einem mit Heizelementen versehenen Keramiksubstrat mit den Abmessungen von nicht mehr als 20×37 x 240 mm0 ex 8517 90 98Baugruppe bestehend aus:

- einer monochromen Kathodenstrahlröhre mit flachem Bildschirm, mit einer Diagonalen des Bildschirms von nicht weniger als 100 mm und nicht mehr als 110 mm, und versehen mit einem Ablenkjoch

und

-einer gedruckten Schaltung, bestückt mit einer Ablenkeinheit, einem Video-Verstärker und einem Transformator,

das Ganze befindet sich auf einer Grundplatte, zum Herstellen von Video-Telefonanlagen (a)0 ex 8518 90 00In einem Stück hergestellte Kernplatte aus kaltgestauchtem Stahl, in Form einer Scheibe, die auf einer Seite mit einem zylinderförmigen Kern versehen ist, zum Herstellen von Lautsprechern (a)0 ex 8522 90 91Optische Einheit, bestehend aus einer Laserdiode mit Photodiode, die Licht mit einer nominalen Wellenlänge von 780 Nanometer ausstrahlt, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 10 Anschlüssen, einem Durchmesser von nicht mehr als 10 mm und einer Höhe von nicht mehr als 9 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Buchstaben- oder Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

LDGU LT 022

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8522 90 99Kassetten-Einzellaufwerk, mit einer Gesamthöhe von nicht mehr als 53 mm, zum Herstellen von Tonaufnahme- und -wiedergabegeräten (a)0 ex 8522 90 99Laufwerk für Magnetbandkassetten-Tonaufnahme-und-wiedergabevorrichtungen, zum Herstellen von Telephonanrufbeantwortern (a)0 ex 8523 20 10Starre Oxid-Magnetplatte, vorgeschmiert, mit einer Körzitivkraft von 300 Örsted oder mehr0 ex 8523 20 10Starre Magnetplatte mit metallischer Dünnfilmschicht, mit einer Körzitivkraft von mehr als 600 Örsted und einem Aussendurchmesser von 231 mm oder weniger0 ex 8529 10 70Keramische Filtergruppe, bestehend aus zwei keramischen Filtern und einem keramischen Resonator, für eine Frequenz von 10,7 MHz ±30 kHz, in einem Gehäuse mit den Abmessungen von nicht mehr als 10×10 mm0 ex 8529 10 70Keramischer Filter für Frequenzen von nicht weniger als 4,5 MHz und nicht mehr als 6,6 MHz, in einem Gehäuse mit den Abmessungen von nicht mehr als 9×24 mm0 ex 8529 90 70Zugriffskontroll-Modul, bestehend aus einer gedruckten Schaltung mit den Abmessungen von nicht mehr als 103×103 mm, bestückt mit:

-zwei integrierten Schaltungen, die die Zugriffsberechtigung, Kennwortüberprüfung, Datenschutzsicherung und Schnittstellen-Funktion sicherstellen,

-einem Lesespeicher, nicht programmierbar (sogenannter ROM) mit einer Speicherkapazität von 64 kbit,

-einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 8 kbit,

ex 8529 90 70

(Forts.)-diskreten aktiven und passiven Bauelementen,

-einer Lithiumbatterie,

zum Herstellen von Satelliten-Rundfunkempfangsgeräten (a)0 ex 8529 90 70Modul zur Signalverarbeitung, bestehend aus einer gedruckten Schaltung, bestückt mit mindestens:

-einem Videoprozessor,

-einem Ablenkungsprozessor,

-einem Teletextprozessor,

-einer Video-Codier-/Decodiereinheit,

zum Herstellen von digitalen Farbfernsehempfangsgeräten (a)0 ex 8529 90 98Vorrichtung, bestehend aus einem Bildsensor mit Ladungsübertragung im Zeilenabstand und einem Filter, mit den Abmessungen von nicht mehr als 43×59 mm0 ex 8531 20 90Einheit, bestehend aus 15 Leuchtdioden, die von Halbleiterteilen aus im wesentlichen Galliumarsenid und Aluminium sowie Galliumphosphid hergestellt sind, in einem zylindrischen Metallgehäuse mit nicht mehr als 4 Anschlüssen und einem Durchmesser von nicht mehr als 26 mm0 ex 8531 20 90Einheit, bestehend aus 50 Leuchtdioden, die von Halbleiterteilen aus im wesentlichen Galliumarsenid und Aluminium sowie Galliumphosphid hergestellt sind, in einem zylindrischen Metallgehäuse mit nicht mehr als 3 Verbindungsdrähten und einem Durchmesser von nicht mehr als 53 mm0 ex 8531 20 90Digitalanzeigen, bestehend aus einer Leiterplatte mit einer Grösse von nicht mehr als 35×90 mm und einer Reihe von nicht weniger als 3 Anzeigestellen, die Leuchtdioden enthalten, die von Halbleiterteilen aus im wesentlichen Gallium hergestellt sind; letztere sind in die Leiterplatte eingebaut. Jede Anzeigestelle besteht aus nicht mehr als 8 Segmenten, auch mit einem Dezimalpunkt. Die Digitalreihe hat einen Schutzbelag aus Kunststoff0 ex 8531 20 90Monochrome Flüssigkristallanzeigen, bestehend aus einer zwischen zwei Glasplatten eingeschlossenen Flüssigkristallschicht mit 256 000 Punkten oder mehr, auf einer Leiterplatte mit elektronischen Bauelementen zur Steuerung und/oder Kontrolle0 ex 8531 20 907-Segment-Flüssigkristallanzeigen, bestehend aus einer zwischen zwei Glasplatten eingeschlossenen Flüssigkristallschicht, mit 16 Zahlenstellen und 9 Symbolen, auf einer Leiterplatte mit elektronischen Bauelementen zur Steuerung und/oder Kontrolle 0 ex 8531 20 90Punktmatrix-Flüssigkristallanzeigen, bestehend aus einer zwischen zwei Glasplatten eingeschlossenen Flüssigkristallschicht mit 423 Punkten (angeordnet in 7 Zeilen, 60 Kolonnen und 3 Symbolen), auf einer Leiterplatte mit elektronischen Bauelementen zur Steuerung und/oder Kontrolle0 ex 8531 80 90Gleichstrom-Plasma-Anzeigen0 ex 8532 29 00Goldkondensator mit einer nominalen Kapazität von 100 Millifarad, einer Betriebsspannung von 5,5 V und einem Verluststrom von nicht mehr als 100 Mikroampere, in einem zylinderförmigen Gehäuse mit einer Höhe von weniger als 8 mm und einem Durchmesser von nicht mehr als 14 mm0 ex 8532 30 10Platten-Drehkondensator mit Kunststoffisolierung, mit einer Kapazität von nicht mehr als 2×335 Picofarad für den AM-Teil und 2×20 Picofarad für den FM-Teil, in einem Gehäuse mit den Abmessungen von nicht mehr als 21×24 mm0 ex 8532 30 90Einstellbarer Kondensator in runder Form mit einem Durchmesser von nicht mehr als 2,5 mm und einer Dicke von nicht mehr als 3 mm, ausgerüstet mit einer Stellschraube in der Mitte und 2 Anschlüssen, mit einer Kapazität von nicht weniger als 5 Picofarad und nicht mehr als 30 Picofarad, zum Herstellen von Waren des Kapitels 91 (a)0 ex 8533 29 00Festwiderstandsmodul mit positivem Temperaturköffizienten und einem nominalen Gleichstromwiderstand von 19,6 Ohm bei 20 °C, einem Isolierwiderstand von mehr als 1 Megaohm, zum Schutz von Telefonzentralen gegen andauernde Spannungsüberlastungen von nicht mehr als 1 000 V, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 16 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 19×48 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

20793

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8534 00 11 ex 8534 00 19 Gedruckte Schaltung, einseitig bedruckt, mit den Abmessungen von nicht mehr als 30×30 mm, zum Herstellen von Waren des Kapitels 91 (a)0 ex 8534 00 11Mehrlagenschaltung mit den Abmessungen von nicht mehr als 64×65 cm, bestehend aus 24 Lagen, von denen fünf durch eingeschlossene Zwischenverbindungen aus Bismaleimidtriazin miteinander verbunden sind0 ex 8534 00 19Gedruckte Schaltung, einseitig bedruckt, mit nicht mehr als 268 Verbindungen zu einer Kunststoff-Unterlage mit beidseitiger Randlochung, mit einer Breite von nicht mehr als 35 mm und einer Dicke von nicht mehr als 0,26 mm0 ex 8534 00 19Gedruckte Schaltung auf einem Keramik-Träger, mit Leiterbahnen und Kontakten einseitig oder beitseitig bedruckt, mit den Abmessungen von nicht mehr als 36×36 mm und nicht mehr als 304 Anschlüssen0 ex 8534 00 90Gedruckte Schaltung auf einem Keramik-Träger, mit Leiterbahnen, Kontakten und Widerständen einseitig oder beidseitig bedruckt, mit Kontaktpunkten, die durch vetrifizierte Schichten isoliert sind, mit nicht mehr als 320 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 37×37 mm0 ex 8535 90 00Sockel (Steckvorrichtung) für Kathodenstrahlröhren0 ex 8536 41 10 ex 8536 41 90 ex 8536 49 00 Thermorelais in hermetisch versiegeltem Glasgehäuse, mit den Längenabmessungen-ohne Drähte-von nicht mehr als 35 mm, mit einer maximalen Undichtigkeit von 10-6 cm3 Helium/Sekunde bei 1 bar innerhalb des Temperaturbereichs von 0 bis 160 °C, zum Einbau in Kompressoren für Kältemaschinen (a)0 ex 8536 50 19 ex 8536 50 90Reedschalter in Form eines Glasgehäuses, mit nicht mehr als 3 elektrischen Kontakten auf Metallzungen und einer kleinen Menge Quecksilber0 ex 8538 90 90Elektrothermisches Sicherungsteil, bestehend aus einem verzinnten Kupferdraht, der an einem zylindrischen Gehäuse mit den Abmessungen von nicht mehr als 5×48 mm befestigt ist0 ex 8540 11 10Schlitzmasken-Farbkathodenstrahlröhren (Elektronenkanonen in Reihenanordnung-sogenannte In-Line-Technik-) mit einer Diagonalen des Bildschirms von nicht weniger als 12 cm und nicht mehr als 26 cm0 ex 8540 12 10Monochrome Kathodenstrahlröhren mit flachen Bildschirm, mit einer Diagonalen des Bildschirms von nicht weniger als 150 und nicht mehr als 155 mm, einer Anodenspannung von nicht weniger als 25 und nicht mehr als 32 kV0 ex 8540 20 90Photovervielfacher mit 9 Dynoden, ausgelegt für den Wellenlängenbereich von nicht weniger als 160 Nanometer und nicht mehr als 930 Nanometer, mit einem Durchmesser von nicht mehr als 14 mm und einer Höhe von nicht mehr als 94 mm0 ex 8540 30 10 ex 8540 30 90 Kathodenstrahlspeicherröhren (sogenannte Direktsicht-Speicherröhren/Direct View Storage Tubes) für die Wiedergabe alphanumerischer und analoger Daten, mit Abtastvorrichtung zum Lesen der gebildeten Zeichen0 ex 8540 30 10Lochmasken-Farbkathodenstrahlröhren (Elektronenkanonen in Dreiecksanordnung-sogenannte Deltatechnik-) mit einer Diagonalen des Bildschirms von 66 cm oder mehr 0 ex 8540 30 10Lochmasken-Farbkathodenstrahlröhren (Elektronenkanonen in Reihenanordnung-sogenannte In-Line-Technik-), mit einem Abstand zwischen den Farbpunkten von weniger als 0,45 mm, einer Diagonalen des Bildschirms von mehr als 54 cm, einer diagonalen Ablenkung von nicht mehr als 90° und Konvergenzfehlern in den Ecken von nicht mehr als 0,8 mm0 ex 8540 30 10Lochmasken-Farbkathodenstrahlröhren (Elektronenkanonen in Reihenanordnung-sogenannte In-Line-Technik-), mit einem Abstand zwischen den Farbpunkten von weniger als 0,45 mm und einem integrierten Anti-Vibrationssystem (sogenanntes Potting-System)0 ex 8540 30 10Lochmasken-Farbkathodenstrahlröhren (Elektronenkanonen in Reihenanordnung-sogenannte In-Line-Technik-), mit einem Abstand zwischen den Farbpunkten von weniger als 0,45 mm und ohne internen Magnetschirm0 ex 8540 30 10Lochmasken-Farbkathodenstrahlröhren (Elektronenkanonen in Reihenanordnung-sogenannte In-Line-Technik-), mit einem Abstand zwischen den Farbpunkten von weniger als 0,45 mm und einer Diagonalen des Bildschirms von 54 cm oder weniger0 ex 8540 30 90Monochrome Kathodenstrahlröhren mit flachem Bildschirm, mit einer Diagonalen des Bildschirms von nicht weniger als 142 und nicht mehr als 230 mm, einer Leuchtkraft zwischen 300 und 2 000 lumen, einem Auflösungsvermögen von nicht weniger als 0,06 und nicht mehr als 0,1 mm, einer Phosphorbeschichtung des Typs P1 oder P22 oder P53 oder P55 oder P56, einer Anodenspannung von mehr als 34 kV, einer Fokussierspannung von mehr als 7 kV und einem Kathodenstrom von 3 mA oder mehr0 ex 8540 89 11Anzeigen in Form einer Röhre, bestehend aus einem Glasgehäuse, aufgebracht auf einer Platte mit einer Grösse-ohne Berücksichtigung der Leitungen-von nicht mehr als 300×350 mm. Die Röhre enthält eine oder mehrere Reihen von Zeichen oder Strichen. Jedes Zeichen oder jeder Strich enthält fluoreszierende oder phosphoreszierende Elemente, die auf einer von fluoreszierenden Substanzen oder von Phosphorsalzen überzogenen metallisierten Unterlage aufgebracht sind und leuchten, wenn sie von Elektronen getroffen werden0 ex 8540 91 00Kathodenstrahlröhren-Ablenkeinheiten für Frequenzen von 31 250 Hz bis 64 000 Hz, mit einem 4-Pol-Magneten0 ex 8540 91 00Elektronenkanonen zum Herstellen von monochromen Kathodenstrahlröhren mit einer Diagonale des Bildschirms von nicht weniger als 7,6 cm und nicht mehr als 30,5 cm (a)0 ex 8540 99 00Anoden, Kathoden oder Ausgangsvorrichtungen zum Herstellen von Magnetronen der Unterposition 8540 41 00 (a)0 ex 8541 10 91Silicium-Leistungsgleichrichterdiode in Planartechnik, mit einer Erholzeit von weniger als 100 Nanosekunden, einer wiederkehrenden Sperrspannung von nicht mehr als 200 V, einem durchschnittlichen Durchlaßstrom von nicht weniger als 2,5 A, in einem flachen Gehäuse mit den Abmessungen von mehr als 3×9×9 mm und nicht mehr als 5×11×17 mm0 ex 8541 10 99Germanium-Golddraht-Diode mit einer Durchlaßspannung von 1 V oder weniger bei 5 mA0 ex 8541 10 99Silicium-Diode mit variabler Kapazität, ausgelegt für eine mindestens 10-fache Kapazitätsänderung im Verhältnis zum Ausgangswert durch Änderung der Betriebsspannung von nicht weniger als 2 V und nicht mehr als 10 V und mit einer Kapazität von nicht weniger als 96 pF und nicht mehr als 144 pF bei 2 V, in einem zylinderförmigen Gehäuse mit nicht mehr als 2 Anschlüssen und einem Durchmesser von nicht mehr als 3 mm und einer Höhe von nicht mehr als 8 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

MV 1404

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8541 21 90Transistor mit Elektronen hoher Beweglichkeit (sogenannter High Electron Mobility Transistor/HEMT) für den Frequenzbereich von 2 GHz oder mehr, jedoch nicht mehr als 20 GHz, mit einem Stromverlust von nicht mehr als 180 mW, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 4 Anschlüssen und einem Durchmesser von nicht mehr als 3 mm 0 ex 8541 21 90Feldeffekttransistor für den Frequenzbereich von 2 GHz oder mehr, jedoch nicht mehr als 16 GHz, mit einem Stromverlust von nicht mehr als 225 mW, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 4 Anschlüssen und einem Durchmesser von nicht mehr als 3 mm0 ex 8541 29 90Transistor mit einer Leistung von nicht weniger als 150 W bei einer Spannung von nicht weniger als 160 V und einer Abschaltfrequenz von 20 MHz oder mehr (sogenannte "Cut-off-Frequenz"), in einem Gehäuse mit nicht mehr als 3 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 22×37 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

2 SA 11702 SA 14942 SC 2921

2 SA 12152 SC 27742 SC 3858

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8541 29 90Silicium-Transistor mit einer Leistung von 1 000 W oder mehr, einem Verstärkungsfaktor von 5,25 dB oder mehr bei einer Frequenz von 1 025 MHz bis 1 150 MHz, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 4 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 11×36 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

SD 1543

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8541 40 10Leuchtdioden auf Basis Gallium-Arsen-Phosphor (GaAsP), die bei einer nominalen Wellenlänge von 710 Nanometer arbeiten, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung ohne Gehäuse (Chip), zum Herstellen von Optokopplern (a)0 ex 8541 40 91Modul mit nicht mehr als 5 Solarzellen, in Dünnschichttechnik hergestellt, auf einem Substrat mit den Abmessungen von nicht mehr als 18×70 mm0 ex 8541 60 00Piezölektrischer Quarzkristall mit einer Frequenz von 32 768 Hz, in einem zylindrischen Gehäuse mit einer Länge von nicht mehr als 8,2 mm und einem Durchmesser von nicht mehr als 3,2 mm, zum Herstellen von Waren des Kapitels 91 (a)0 ex 8541 60 00Keramischer polarisierter piezölektrischer Kristall mit einer Frequenz von 500 kHz bis 12 500 kHz, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 3 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 14×15 mm0 ex 8542 11 05Kontroll- und Treiberbaustein für Punktmatrix-Flüssigkristallanzeigen, in C-MOS-Technik hergestellt, mit Zeichengenerator, einer Treiberspannung von mehr als 10 V, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung ohne Gehäuse (Mikroplättchen), zum Herstellen von Flüssigkristallanzeige-Modulen (a)0 ex 8542 11 05Treiberbaustein für Flüssigkristallanzeigen, in C-MOS-Technik hergestellt, mit 40 oder mehr Ausgangskanälen, einer Treiberspannung von mehr als 10 V, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung ohne Gehäuse (Mikroplättchen), zum Herstellen von Flüssigkristallanzeige-Modulen (a)0 ex 8542 11 12Dynamischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in N-MOS (einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt (sogenannter N/H-MOS-RAM, dynamisch), mit einer Speicherkapazität von 64 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 18 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 9×24 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

KM 4164 MN 4264 TMS 4164 TMS 4416

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 12Dynamischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in N-MOS (einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt (sogenannter N/H-MOS-RAM, dynamisch), mit einer Speicherkapazität von 256 kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 150 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×34 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

HB 50562KM 41257MB 81464PD 41256TMS 4256

HM 50256M5M 4256MSM 4256PD 41464TMS 4464

HM 50464M5M4464MSM 4464TMM 41256

KM 41256MB 81256PD 41254TMM 41464

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.8 ex 8542 11 12Dynamischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-RAM, dynamisch), mit einer Speicherkapazität von 256 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

53 C 25653 C 466P 51 C 256

53 C 258MB 81 C 258P 51 C 259

53 C 464MB 81 C 466TC 51832

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 12Dynamischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff und dualer Ein-/Ausgangsstelle (sogenannter RAM, dynamisch), mit Datenregister und serieller Leseausgangskontrolle, mit einer Speicherkapazität von 256 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 13×39 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

M5M 4 C 264MB 81461PD 41264TMS 4461

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 14Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, mit getrennten Ein- und Ausgängen und seriellen Schieberegistern (sogenannter Field Memory), in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 1 Mbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×54 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

TC 521000

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 14Dynamischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff und dualer oder dreifacher Ein-/Ausgangsstelle, (sogenannter RAM, dynamisch), mit Datenregister und serieller Leseausgangskontrolle, mit einer Speicherkapazität von 1 Mbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 14×51 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

TC 524256TC 528128MT 42 C 4256TMS 44 C 251

TC 524257M5M 442256MT 43 C 4257

TC 528126MB 81 C 4251MT 43 C 4258

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 16Pseudo-statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 4 Mbit und einer Zugriffszeit von 100 ns, mit Zeittaktgenerator und Auffrischungsschaltung, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 12×22 mm, zum Herstellen von tragbaren Computern, die ohne externe Energiequelle betrieben werden können (a).

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

HM 658512

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 21Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-RAM, statisch) mit einer Speicherkapazität von 16×4 bit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 35 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 16 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 9×21 mm.

ex 8542 11 21

(Forts.)Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CY27S03CY54S189CY7C189

CY27S07CY74S189CY7C190

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 21Monolithische integrierte Schaltung, bestehend aus einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 256 bit, bitweise gekoppelt mit einem elektrisch löschbaren, programmierbaren Lesespeicher (sogenannter E2PROM), in einem Gehäuse mit nicht mehr als 18 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 8×24 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

X 2210 X 2443 X 2444

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 21Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt (sogenannter N/H-MOS-RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 256×4 bit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 25 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

9122-25 91 L 22-25

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 21Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 256×4 bit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 60 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 12×33 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CY7C122 CY7C123 CY93422 CY93L422 P4C 422

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 21Monolithische integrierte Schaltung, bestehend aus einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 1 kbit, bitweise gekoppelt mit einem elektrisch löschbaren, programmierbaren Lesespeicher (sogenannter E2PROM), in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×33 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

X 2001 X 2201 A X 2212

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 21Monolithische integrierte Schaltung, bestehend aus einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 2 kbit, bitweise gekoppelt mit einem elektrisch löschbaren, programmierbaren Lesespeicher (sogenannter E2PROM), in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

X 2002

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 21Monolithische integrierte Schaltung, bestehend aus einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 4 kbit, bitweise gekoppelt mit einem elektrisch löschbaren, programmierbaren Lesespeicher (sogenannter E2PROM), in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

X 2004

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 21Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 1 kbit×4 bit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 25 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht weniger als 24 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 8×32 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen-/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

AM 9150-20CY 7 C 150-15

AM 9150-25CY 7 C 150-25

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht. 0 ex 8542 11 21Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt (sogenannter N/H-MOS-RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 8 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

4008480181088114PD 421

4118810481128185

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 21Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreien Zugriff und dualer Ein-/Ausgangsstelle, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 1 kbit×8 bit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 55 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 52 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 21×62 mm.

ex 8542 11 21

(Forts.)Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CY7C130 CY7C131 CY7C140

CY7C141

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 21Nicht fluechtiger Speicher, bestehend aus einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 16 kbit und interner Energiequelle, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 19×40 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

DS 1220 Y MK 48 Z 02

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.7 ex 8542 11 21Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreien Zugriff und dualer Ein-/Ausgangsstelle, in C-MOS-Technik hergetellt (sogenannter C-MOS-RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 2 kbit×8 bit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 55 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 52 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 21×62 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CY7C132 CY7C136 CY7C142 CY7C146

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 21Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 32 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 48 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 18×63 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

IDT 7134 TC 5532

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 21Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff und dualer Ein-/Ausgangsstelle, in BiMOS-Technik hergestellt (sogenannter BiMOS-RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 32 kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 35 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 29×62 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CY7B134 CY7B1342 CY7B135 CY7B138

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 21Nicht fluechtiger Speicher, bestehend aus einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 64 kbit und interner Energiequelle, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 20×42 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

BQ 4010 DS 1225 Y

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 21Statischer Cache-Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter Cache-RAM, statisch), in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 4 kbit×16 bit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 55 ns, mit einem 12-bit-Adressen-Register und Kontrollschaltungen, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 10×53 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

IDT71586S

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 21Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff und dualer Ein-/Ausgangsstelle, in BiMOS-Technik hergestellt (sogenannter BiMOS-RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 64 kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 35 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 29×29 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

CY7B144

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 23Statischer Cache-Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter Cache-RAM, statisch), in BiMOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 72 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 28×28 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CY7B180 CY7B181

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 23Statischer Cache-Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter Cache-RAM, statisch), in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 144 kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 30 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 52 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 21×21 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

TC 55187 TC 55188

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 23Nicht fluechtiger Speicher, bestehend aus einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 256 kbit und interner Energiequelle, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 19×40 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

BQ 4011 DS 1230

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 23Statischer, asynchroner, Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter asynchroner C-MOS-RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 16 kbit×16 bit, ausgenommen statischer Cache-Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter Cache-RAM, statisch), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 52 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 21×21 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

MCM 62995-17 MCM 62995-20

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht0 ex 8542 11 23Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 32 kbit×8 bit und einer Zugriffszeit von mehr als 55 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

HM 62256 HY 62C256 MB 84256 PD 43256 TC 55257

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 23Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in BiMOS-Technik hergestellt (sogenannter BiMOS-RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 256 kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 20 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 52 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 21×38 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CY7B153CY7B155HM 6709 AMCM 6709

CY7B154CY7B156MCN 6708

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehend Beschreibung bezieht0 ex 8542 11 25Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 288 kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 40 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 8×41 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

TC 55329

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 25Statischer Cache-Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter Cache-RAM, statisch), in BiMOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 288 kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 21 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×17 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CY7B173 CY7B174

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 25Statischer Scheib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 1 Mbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×44 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CXK581020CY7C108M5M 51004TC 55B4256

CY7C101CY7C109M5M 51008TC 55B4257

CY7C102HM 621100AMCM 6228TC 55B8128

CY7C106HM 624256MT 5C1008

CY7C107HM 624257TC 551001

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht0 ex 8542 11 31Lesespeicher, nicht programmierbar, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-ROM), mit einem Versorgungsstrom im Bereitschaftszustand von nicht mehr als 0,03 mA und einer Speicherkapazität von 256 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 54 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×50 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

HN 61256 HN 613256 MB 83256

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.7 ex 8542 11 31Lesespeicher, nicht programmierbar, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-ROM), mit einer Speicherkapazität von 1 Mbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×43 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

HN 62301 PMB 83 1000TC 53 1000 P

IMP 23101MB 83 1124TC 53 1001

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.7 ex 8542 11 31Lesespeicher, nicht programmierbar, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-ROM), mit einer Speicherkapazität von 8 Mbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 14×54 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

TC 538200

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 31Lesespeicher, nicht programmierbar, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-ROM), mit einer Speicherkapazität von 16 Mbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 14×54 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

TC 5316200

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 42UV-löschbarer, programmierbarer Lesespeicher (sogenannter EPROM), mit einer Speicherkapazität von 16 kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 65 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm und einem Quarzfenster auf der Oberseite.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CY 7C 245 W CY 7C 291 W

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 42UV-löschbarer, programmierbarer Lesespeicher (sogenannter EPROM), mit einer Speicherkapazität von 32 kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 45 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm und einem Quarzfenster auf der Oberseite.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

27 CX 321 27 CX 322

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 42UV-löschbarer, programmierbarer Lesespeicher (sogenannter EPROM) mit einer Speicherkapazität von 64 kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 65 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm und einem Quarzfenster auf der Oberseite.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CY 7C 261 W CY 7C 263 W CY 7C 268 W CY 7C 269 W

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 42 ex 8542 11 59 Programmierbarer Lesespeicher, UV-löschbar (sogenannter EPROM) oder nicht löschbar (sogenannter PROM), mit einer Speicherkapazität von 128 kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 100 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm, auch mit einem Quarzfenster auf der Oberseite.

ex 8542 11 42

ex 8542 11 59

(Forts.)Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CY 7C 251 CY 7C 254

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 42 ex 8542 11 59 Programmierbarer Lesespeicher, UV-löschbar (sogenannter EPROM) oder nicht löschbar (sogenannter PROM), mit einer Speicherkapazität von 256 kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 99 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm, auch mit einem Quarzfenster auf der Oberseite.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CY 7C 271 CY 7C 274 CY 7C 277 CY 7C 279

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 44 ex 8542 11 59 Programmierbarer Lesespeicher, UV-löschbar (sogenannter EPROM) oder nicht löschbar (sogenannter PROM), mit einer Speicherkapazität von 1 Mbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 35 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 18×53 mm, auch mit einem Quarzfenster auf der Oberseite.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CY7B201 CY7B210 CY7B211

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 44Elektrisch löschbarer, programmierbarer Flash-Lesespeicher (sogenannter Flash-E2PROM), mit einer Speicherkapazität von 1 Mbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×42 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

48 F 010

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 46Elektrisch löschbarer, programmierbarer Flash-Lesespeicher (sogenannter Flash-E2PROM), mit einer Speicherkapazität von 2 Mbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×42 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

28F020

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 50Elektrisch löschbarer, programmierbarer Lesespeicher (sogenannter E2PROM) mit einer Speicherkapazität von 16 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×42 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

24 C 1628 C 1752 B 13X 2816

28 C 1638 C 16AM 2817

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 50Elektrisch löschbarer, programmierbarer Lesespeicher (sogenannter E2PROM), mit einer Speicherkapazität von 64 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

28 C 64HN 58C65X 2864 A

AM 2864 BEMBM 28 C 65

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 50Elektrisch löschbarer, programmierbarer Lesespeicher (sogenannter E2PROM), mit einer Speicherkapazität von 128 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

X 28128 A

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 50Elektrisch löschbarer, programmierbarer Lesespeicher (sogenannter E2PROM), mit einer Speicherkapazität von 256 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 19×42 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder diese Kombinationen als Bestandteil enthält:

28256 28 C 256 48 C 256

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 50Elektrisch löschbarer, programmierbarer Lesespeicher (sogenannter E2PROM), mit einer Speicherkapazität von 1 Mbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×52 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

AT 28C1024

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 59Daten-/Adressen-Pufferspeicher für Daten von einer Zentraleinheit, einem Systembus und einem Speicherbus oder für Adressen von einem Systembus, einem lokalen Bus und dynamischen Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff, mit zwei Schaltungen zur Paritätsfehlersuche, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 84 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 30×30 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

GC 102 HT 102

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 59Doppelreihen-Speicher (sogenannter Double Row Buffer/DRB), mit Schieberegistern und Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte RAMs), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

CRT 9212

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 59Pufferspeicher mit einer Organisation von 4×16 bit, bestehend aus 8 bit für Adressen, 8 bit für Daten und 4 bit zur Paritätsprüfung, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 31×31 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

79 R 2020 A 79 R 3020 R 2020/16

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 59FIFO (First In/First Out)-Schreib-Lesespeicher, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 64×8 oder 64×9 bit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 12×38 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CY7C408A CY7C409A

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 59FIFO (First In/First Out)-Schreib-Lesespeicher, mit einer Speicherkapazität von 7 280 oder 9 080 bit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 12×36 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen-/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

PD 41101 PD 41102 PD 42101 PD 42102

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 59FIFO (First In/First Out)-Schreib-Lesespeicher, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 512×9 bit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 40 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 12×43 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CY7C420-20CY7C420-40CY7C421-30CY7C451

CY7C420-25CY7C421-20CY7C421-40

CY7C420-30CY7C421-25CY7C441

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 59FIFO (First In/First Out)-Schreib-Lesespeicher, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 18 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 13×43 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CY7C428 CY7C429 CY7C439 CY7C443 CY7C453

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 59FIFO (First In/First Out)-Schreib-Lesespeicher, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 72 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 14×38 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CY7C460 CY7C470

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 59FIFO (First In/First Out)-Schreib-Lesespeicher, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 144 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 14×38 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CY7C462 CY7C472

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 59FIFO (First In/First Out)-Schreib-Lesespeicher, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 288 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 14×38 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CY7C464 CY7C474

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 59Programmierbarer Lesespeicher, nicht löschbar (sogenannter PROM), mit einer Speicherkapazität von 16 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

7 C 245 7 C 291 7 C 292 HM 6616

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 59Programmierbarer Lesespeicher, nicht löschbar (sogenannter PROM), in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 36 288 bit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 20 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 16×16 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

XC 1736

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 59Programmierbarer Lesespeicher, nicht löschbar (sogenannter PROM), mit einer Speicherkapazität von 64 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×44 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CY7C261CY7C264CY7C269MB7144XC 1764

CY7C263CY7C268MB7143MB71C44XC 1765

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 62 ex 8542 11 64 ex 8542 11 67 Coprozessor, in C-MOS-Technik hergestellt, mit multipler Schnittstellen-Funktion für ein paralleles Bus-System zu einer 8-, 16- oder 32-bit-Zentraleinheit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 149 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 41×41 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

82389 82C389

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 62 ex 8542 11 64 ex 8542 11 67 Zentraleinheit, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, bestehend aus einem 8×8 bit-Dienstspeicher, einem 16×16 bit-Dienstspeicher, einem 16×20 bit-Dienstspeicher, einem 32×32 bit-Dienstspeicher, einem 8-bit-Register, einem 12-bit-Register, einem 16-bit-Register, zwei 20-bit-Registern, einem 5-bit-Zähler und einem Zeitgeber, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 25×25 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

LSI-604041855

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 62 ex 8542 11 64 ex 8542 11 67 ex 8542 11 68 Gleitkomma-Coprozessor (sogenannter Floating Point Coprozessor), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 208 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 46×53 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

317180387MC 68882TX 32081 W

74 ACT 88478087NCR 32020WTL 3167

79 R 201080C287NS 32081

79 R 3010CY 7C 602NS 32381

80287MC 68881R 2010/16

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 62 ex 8542 11 64 ex 8542 11 67 ex 8542 11 68 Text-Coprozessor, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 25×25 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

C 82730

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 628-bit-Mikroprozessor, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, zum Ver- und Entschlüsseln von Daten, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 15×53 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus den nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

8294 Z 8068 Z 9518

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 628-bit-Mikroprozessor, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einer Zentraleinheit, einer Einheit für die Organisation des Speichers (sogenannte Memory Management Unit/MMU), einem Zwei-Kanal-Kontrollbaustein für den Direktspeicherzugriff, einem programmierbaren Zwei-Kanal 16-bit-Taktgeber, einem Bereitschaftszustandgenerator, zwei Schnittstellenbausteinen für die asynchrone serielle Datenübertragung und einem Bus-Kontrollbaustein, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 80 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 26×62 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

HD 64 A 180 HD 64 B 180 Z 64180

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 628-bit-Mikroprozessor, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einer Modulationsschaltung zur Signalaufnahme, einer Demodulationsschaltung zur Signalwiedergabe, einer Fehlerkorrekturschaltung, einem Analog-Digital/Digital-Analog-Wandler, einer Schnittstelle für statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte RAMs, statisch), einer Ein-/Ausgangsschnittstelleneinheit für einen Mikrocontroller oder Mikrocomputer, einer Ein-/Ausgangsschnittstelleneinheit für ein Audiosystem und einen Phasenregelkreis, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 100 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 15×21 mm.

ex 8542 11 62

(Forts.)Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

CXD2601

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 62 ex 8542 11 64 8- oder 16-bit-Multiprotokoll-Mikroprozessor, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einer Zentraleinheit, einer Direktspeicherzugriff-Kontrolleinheit, einer Unterbrechungssteuerung, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff mit dualer Ein-/Ausgangsstelle mit einer Speicherkapazität von 9 216 bit, drei Zeitgebern, einem Kommunikationsprozessor und drei seriellen Kommunikationskontrolleinheiten mit vollem Duplexbetrieb, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 132 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 36×36 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

MC 68302

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 648-bit-Mikroprozessor mit interner Architektur von 16 bit, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, bestehend aus einer Zentraleinheit, einem Zeitgenerator, zwei unabhängigen Direktzugriffspeicher-Kanälen, einem programmierbaren Unterbrecher (sogenannter Interrupt Controller), drei programmierbaren 16-bit-Taktgebern, einem programmierbaren Speicher und äusserer Chipauswahllogik, einem programmierbaren Bereitschaftszustandsgenerator mit Bus-Kontrolleinheit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 30×30 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

80188

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.7 ex 8542 11 648-bit-Mikroprozessor mit interner 16-bit-Architektur, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 120 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 36×60 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

MB 89T713 MB 89T715

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 6410-bit-Mikroprozessor zur Textdatendecodierung, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einem Vorsatz-Prozessor für die Umsetzung serieller in parallele Daten, einem Video-Anzeigen-Prozessor, einer Speicherzugriffskontrolleinheit, einem Anzeigespeicher und einer Schnittstellenschaltung, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 16×37 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CF 70064 CF 70095 CF 72301 CF 72305A

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0

ex 8542 11 6416-bit-Mikroprozessor, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, bestehend aus einer Zentraleinheit, einem Zeitgenerator, zwei unabhängigen Direktspeicherzugriff-Kanälen, einem programmierbaren Unterbrecher (sogenannter Interrupt Controller), drei programmierbaren 16-bit-Taktgebern, einem programmierbaren Speicher und äusserer Chipauswahllogik, einem programmierbaren Bereitschaftszustandsgenerator mit Bus-Kontrolleinheit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 30×30 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

80186

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 6416-bit-Mikroprozessor, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, bestehend aus einer Zentraleinheit, einer Einheit für die Organisation des Speichers (sogenannte Memory Management Unit/MMU) und einem internen Betriebssystem für reale und virtülle Adressierung, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 30×30 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

80286

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.10 ex 8542 11 6416-bit-Kommunikationsprozessor, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, bestehend aus einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 22 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 48 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 15×60 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

TMS 38010

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 6416-bit-Mikroprozessor, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einer arithmetischen logischen Einheit, einem Multiplizierer-Addierer (sogenannter Multiplier Accumulator/MAC), einer arithmetischen logischen Schiebeeinheit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 101 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 35×35 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

ADSP 2100

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 6416-bit-Mikroprozessor, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einer arithmetischen logischen Dateneinheit, einer Einheit zur Adressenbildung, drei 16 bit Adreßbussen, drei 16 bit Datenbussen und einer Programm-Kontrolleinheit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 132 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 36×36 mm.

ex 8542 11 64

(Forts.)Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

DSP 56116 DSP 56156

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 6416-bit-Mikroprozessor, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einem Multiplizierer-Addierer (sogenannter Multiplier Accumulator/MAC), einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, statisch) mit einer Speicherkapazität von 256×24 bit, einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, statisch) mit einer Speicherkapazität von 256×16 bit, einer Einheit zur Adessenbildung, einer seriellen Schnittstelle in Kaskadenschaltung, einer parallelen asynchronen Schnittstelle, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 16×37 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

DSP 56200 XSP 56200

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 6416-bit-Mikroprozessor, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einer Zentraleinheit, einem externen 8- oder 16-bit-Daten-Bus, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 100 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 30×54 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

80 C 18680 C 196Z 70108

80 C 18880 C 296Z 70116

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 6416-bit-Mikroprozessor, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einer Zentraleinheit, einer Einheit für die Organisation des Speichers (sogenannte Memory Management Unit/MMU), einem Cache-Speicher mit einer Kapazität von 2 kbit, drei programmierbaren 16-bit-Taktgebern, einem Sende-Empfangsbaustein zur asynchronen Datenübertragung (sogenannter Universal Asynchronous Receiver Transmitter/UART) mit vollem Duplexbetrieb, einem 4-Kanal-Kontrollbaustein für den Direktspeicherzugriff, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 26×26 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

Z 280

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 6416-bit-Kommunikationsprozessor, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einem Codierer/Decodierer für die seriell-parallele oder parallel-serielle Umsetzung von Daten, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 132 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 28×28 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

TMS 380 C 16

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 6732-bit-Coprozessor für ein lokales Netzwerk (sogenannter Local Area Network/LAN), in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Daten-Schnittstelle, einer Bus-Schnittstelle, einer Kontrolleinheit für den Direktspeicherzugriff und FIFO (First In/First Out)-Schreib-Lesespeichern mit einer Speicherkapazität von insgesamt 1 536 bit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 132 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 63×63 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

82596

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 6732-bit-Mikroprozessor, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 132 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 38×38 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CPU 04041871 NCR 32000 NS 32032 NS 32332

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 6732-bit-Mikroprozessor, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Gleitkomma-Datenarithmetik-Einheit mit vier 80 bit Registern, sechsunddreissig 32 bit Registern, einem Cache-Speicher mit einer Speicherkapazität von 4 kbit und einer Unterbrechungs-Kontrolleinheit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 132 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 37×37 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

80960KB

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 6732-bit-Mikroprozessor, bestehend aus einem oder mehreren Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte RAMs) mit einer Speicherkapazität von nicht mehr als insgesamt 48 kbit und einer 32-bit-Gleitkomma-Datenarithmetik-Einheit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 164 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 35×35 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

DSP 32 C

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 6732-bit-Mikroprozessor, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer arithmetischen logischen Binär-Einheit, einer arithmetischen logischen Gleitkomma-Einheit, einer arithmetischen logischen Dezimal-Einheit, einer Speicher-Kontrolleinheit, einer Einheit zur Verwaltung eines virtüllen Speichers und Registern, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 223 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 48×48 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht oder diese Kombination als bestandteil enthält:

78201441

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 6732-bit-Mikroprozessor, in C-MOS-Technik hergestellt, mit externem 32-bit-Daten- und Adreßbus, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 208 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 48×48 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

48679 R 3000MC 68020NS 32C 032

80386AM 29000MC 68030R 2000/16

80486CY7C601MC 68040

79 R 2000 AL 64801NS 32532

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 6732-bit-Mikroprozessor, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einem externen 16-bit-Daten-Bus und einem externen 24-bit-Adressen-Bus, einer virtüllen Speicheradressierbarkeit von 64 Terabyte, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 100 Anschlüssen und Abmessungen von nicht mehr als 31×31 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

80386 SX

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 6732-bit-Mikroprozessor-Einheit, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einem Bus-Kontrollbaustein, einem Speicher-Kontrollbaustein, einem Cache-Speicher-Kontrollbaustein und einem Cache-Speicher mit einer Speicherkapazität von nicht mehr als 512 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 227 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 38×38 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

80386 SL

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 6716-bit-Mikroprozessor mit einer arithmetischen logischen Einheit von 32 bit, mit einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 8,5 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 29×29 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

TMS 32020

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 6864-bit-Mikroprozessor, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 168 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 45×45 mm

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

80860

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 714-bit-Mikrocontroller oder -Mikrocomputer, in C-MOS-Technik hergestellt, mit Treiberfunktion für Flüssigkristallanzeigen, bestehend aus einem Lesespeicher, nicht programmierbar (sogenannter ROM), mit einer Speicherkapazität von 12 kbit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 160 bit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 60 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 14×18 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

MSM 58421

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 714-bit-Mikrocontroller oder -Mikrocomputer, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einem Lesespeicher, nicht programmierbar (sogenannter ROM), mit einer Speicherkapazität von 2 kbit×8 bit, einem Doppel-Ton-Multifrequenz (DTMF)-Generator, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 1 kbit, auch mit einem weiteren Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 512 bit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 42 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 16×54 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

T 6978 TCM 8301 TCM 8302

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 714-bit-Mikrocontroller oder -Mikrocomputer, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einem Lesespeicher, nicht programmierbar (sogenannter ROM) mit einer Speicherkapazität von nicht weniger als 10 kbit und nicht mehr als 16 kbit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von nicht mehr als 1 536 bit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 67 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 16×54 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehenden Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

HD 44750 TMP 47 C 200 TMP 47 C 220 TMP 47 C 221

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 714-bit-Mikrocontroller oder -Mikrocomputer, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einem Lesespeicher, nicht programmierbar (sogenannter ROM) oder einem programmierbaren Lesespeicher, nicht löschbar (sogenannter PROM) mit einer Speicherkapazität von nicht mehr als 8 kbit×8 bit, einem Doppel-Ton-Multifrequenz (DTMF)-Generator, Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte RAMs) mit einer Gesamtspeicherkapazität von nicht mehr als 4 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 100 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 21×60 mm.

Das Gehäuse trägt

-zeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

TMP 47 C 452TMP 47 C 855TMP 47 P 855

TMP 47 C 456TMP 47 C 858

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 71 ex 8542 11 91 4-bit-Mikrocontroller oder -Mikrocomputer, bestehend aus einem Lesespeicher, nicht programmierbar (sogenannter ROM) oder einem programmierbaren Lesespeicher, nicht löschbar (sogenannter PROM) oder einem UV-löschbaren, programmierbaren Lesespeicher (sogenannter EPROM) mit einer Speicherkapazität von nicht mehr als 128 kbit und einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von nicht mehr als 5 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 100 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 21×60 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CD 3200 bis 3299HD 614042TMC 1500 bis 1599

HD 38800HD 614080TMC 1980 bis 1999

HD 38820MN 1584531TMP 47 C 1670

HD 404189SMC 6214TMP 47 C 670

HD 404608SMC 6215TMP 47 P 1670

HD 4074608SMC 6234TMP 47 P 860 E

HD 44796SMC 6266TP 0310 bis 03299

HD 44800SMC 62 L 34TP 0450 bis 04599

HD 44801T 7767 BSTP 0480 bis 04899

HD 44820TMC 0270 bis 0279TP 0500 bis 05999

HD 44840TMC 0500 bis 0599TSS 200

HD 44860TMC 0980 bis 0989TSS 400

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 714-bit-Mikrocontroller oder -Mikrocomputer, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einem Lesespeicher, nicht programmierbar (sogenannter ROM) oder aus einem programmierbaren Lesespeicher, nicht löschbar (sogenannter PROM) mit einer Speicherkapazität von 160 kbit oder mehr und einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von nicht mehr als 4 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 64 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 20×60 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

HD 404019 HD 404919 HD 4074019

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 718-bit-Mikrocontroller oder -Mikrocomputer, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, bestehend aus einem UV-löschbaren, programmierbaren Lesespeicher (sogenannter EPROM) mit einer Speicherkapazität von 14 432 bit, 30 016 bit oder 30 208 bit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 832 bit oder 896 bit und einem Lesespeicher, nicht programmierbar (sogenannter ROM) mit einer Speicherkapazität von 920 bit, 1 528 bit oder 1 728 bit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 18×54 mm.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

MC 68705P3 MC 68705R3 MC 68705S3

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 718-bit-Mikrocontroller oder -Mikrocomputer, bestehend aus einem programmierbaren, nicht löschbaren Lesespeicher (sogenannter PROM) oder einem UV-löschbaren, programmierbaren Lesespeicher (sogenannter EPROM) mit einer Speicherkapazität von 32 kbit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 1 kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×53 mm, auch mit einem Quarzfenster auf der Oberseite.

Das Gehäuse trägt

-eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

7742 8751

oder

-eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.0 ex 8542 11 718-bit-Mikrocontroller oder -Mikrocomputer, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, mit Peripherie-Schnittstellen-Funktion, bestehend aus einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität