VERORDNUNG (EG) Nr. 2476/94 DES RATES vom 21. November 1994 zur zeitweiligen Aussetzung der autonomen Zollsätze des Gemeinsamen Zolltarifs für einige industrielle Waren (Mikrölektronik und verwandte Bereiche)

DER RAT DER EUROPÄISCHEN UNION -

gestützt auf den Vertrag zur Gründung der Europäischen Gemeinschaft, insbesondere auf Artikel 28,

auf Vorschlag der Kommission,

in Erwägung nachstehender Gründe:

Die in dieser Verordnung genannten Waren werden in der Gemeinschaft gegenwärtig nicht oder nur in unzureichender Menge hergestellt. Die Hersteller können somit den Bedarf der verarbeitenden Industrien der Gemeinschaft nicht decken.

Es liegt im Interesse der Gemeinschaft, die autonomen Zollsätze des Gemeinsamen Zolltarifs in bestimmten Fällen, in denen insbesondere eine Gemeinschaftsproduktion dieser Waren besteht, nur teilweise und in den anderen Fällen vollständig auszusetzen.

In Anbetracht dessen wird die Aussetzung dieser autonomen Zollsätze von der Gemeinschaft beschlossen.

Da es schwierig ist, die kurzfristige Entwicklung der wirtschaftlichen Lage auf den betreffenden Gebieten genau zu beurteilen, sollten die Aussetzungen nur zeitweilig erfolgen, wobei ihre Gültigkeitsdauer entsprechend den Interessen der Gemeinschaftsproduktion festzusetzen ist -

HAT FOLGENDE VERORDNUNG ERLASSEN:

Artikel 1

Die autonomen Zollsätze des Gemeinsamen Zolltarifs werden für die im Anhang aufgeführten Waren auf die jeweils angegebene Höhe ausgesetzt.

Diese Aussetzungen gelten vom 1. Januar bis zum 30. Juni 1995.

Artikel 2

Diese Verordnung tritt am 1. Januar 1995 in Kraft.

Diese Verordnung ist in allen ihren Teilen verbindlich und gilt unmittelbar in jedem Mitgliedstaat.

Geschehen zu Brüssel am 21. November 1994.

Im Namen des Rates

Der Präsident

M. WISSMANN

ANHANG

"" ID="1">ex 8471 92 80> ID="2">*10> ID="3">Eingabeeinheit (sogenannter Touchpad) mit den Abmessungen von nicht mehr als 50 × 62 mm, zur Matrix-Abtastung und -Erkennung, bestehend aus zwei Messelektrodenschichten, einer gedruckten Schaltung, einer kapazitiven Matrix, zwei integrierten Schaltungen, diskreten Bauelementen und einem Anschlußstück, zum Herstellen von Waren der Position 8471 (1)()> ID="4">0"> ID="1">ex 8471 99 80> ID="2">*10> ID="3">Optischer Schriftleser zum Abtasten von alphanumerischen Punktmatrixzeichen und zum Umwandeln der Leseimpulse in elektrische Signale, bestehend aus einem Lesekopf mit Photosensor, einem Verstärker, einer Linse und zwei Lampen, über Flachkabel verbunden mit einer Kontrolleinheit mit den Abmessungen von nicht mehr als 200 × 220 mm, bestehend aus einer gedruckten Schaltung, bestückt mit mindestens einem Mikroprozessor, einer Bilderkennungsschaltung und einem Analog-Digital-Wandler> ID="4">0"> ID="1">ex 8473 30 10> ID="2">*15> ID="3">Prozessor, bestehend aus einer keramischen Mehrlagenschaltung mit nicht mehr als 624 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 65 × 65 mm, bestückt mit:

- 15 monolithischen integrierten Schaltungen, mit einer arithmetischen logischen Einheit von 32 bit, einer arithmetischen logischen Einheit für Halbworte, einem Halbwort-Multiplizierer, einer Gleitkomma-Einheit (sogenannte Floating Point Unit), einer Festkomma-Einheit (sogenannte Fixed Point Unit), einer Speicherkontrolleinheit, einer Speicherschnittstelle und 10 statischen Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte RAMs, statisch) mit einer Gesamtspeicherkapazität von 5 760 Kbit,

- Entkopplungskondensatoren und Kühlplatten.

Die Ware trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

16G7559

16G7620

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8473 30 10> ID="2">*25> ID="3">Prozessor, bestehend aus einer gedruckten Schaltung mit nicht mehr als 100 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 84 × 147 mm, bestückt mit:

- 12 monolithischen integrierten Schaltungen, mit zwei Zentraleinheiten mit einer Fest-/Gleitkomma-Einheit, zwei Einheiten zur Cachespeicher-Kontrolle, -Steuerung und -Markierung (sogenannte Memory Management and Tag Units/CMTUs) und acht statischen Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte RAMs, statisch) mit einer Gesamtspeicherkapazität von 4 Mbit,

- Entkopplungskondensatoren und Kühlplatten.

Die Ware trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

RT 6626K

RT 6236K

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8473 30 10> ID="2">*35> ID="3">Verarbeitungseinheit, bestehend aus einem keramischen Substrat bestückt mit nicht mehr als 121 monolithischen integrierten Schaltungen ohne Gehäuse (Mikroplättchen); das Ganze ist eingeschlossen zwischen einer metallischen Grundplatte und einer Metallplatte mit nicht mehr als 121 mit Flüssigkeit gefuellten Kühlelementen> ID="4">0"> ID="1">ex 8473 30 10> ID="2">*45> ID="3">Speichermodul, bestehend aus mindestens zwei nicht programmierbaren Lesespeichern (sogenannte ROMs)> ID="4">0"> ID="1">ex 8473 30 10> ID="2">*50> ID="3">Baugruppe für Plattenspeichereinheiten in Winchestertechnik, bestehend aus einer biegsamen gedruckten Schaltung bestückt mit einem 2- oder 4-Kanal-Schreib-Lese-Baustein für Magnetkopfsignale in Form einer monolithischen integrierten Schaltung und mit diskreten Bauelementen> ID="4">0"> ID="1">ex 8473 30 10> ID="2">*55> ID="3">Elektrisch löschbarer, programmierbarer Flash-Lesespeicher (sogenannter Flash-E2PROM), mit einer Speicherkapazität von 32 Mbit, bestehend aus zwei monolithischen integrierten Schaltungen in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

28 F 032SA

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8473 30 90> ID="2">*50> ID="3">Magnetblasenspeicher mit einer Speicherkapazität von nicht mehr als 4 Mbit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 56 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 43 × 44 mm.

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

7110

7114-1

FBM 54 DB

FBM 64 DA

BDL 0133

BDL 0134

BDN 0151

BDN 515

MBM 2011

MBM 2256

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8473 30 90> ID="2">*65> ID="3">Laufwerk, ohne eingebaute Aufnahmetrommel, zum Herstellen von digitalen Audio-Bandspeichereinheiten (2)()> ID="4">0"> ID="1">ex 8473 30 90> ID="2">*70> ID="3">Datenspeicher-Baugruppe (sogenannte Head-Disc-Assembly) für 10,8-Zoll-Plattenspeichereinheiten, mit einer Datenübertragungsgeschwindigkeit von 3,9 Megabyte pro Sekunde, mit sechzehn Schreib-Leseköpfen und neun starren Magnetplatten mit einer formatierten Speicherkapazität von insgesamt 17 Gigabyte; das Ganze befindet sich in einem hermetisch versiegelten Gehäuse> ID="4">0"> ID="1">ex 8473 30 90> ID="2">*85> ID="3">Schreib-Lese-Baugruppe für Festplattenspeichereinheiten, nur mit einem einzigen Dünnschichtmagnetkopf auf einem Trägerarm, mit einer Aufzeichnungs/Lesedichte von 78 Spuren je mm oder mehr> ID="4">1,6"> ID="1">ex 8473 40 90> ID="2">*85> ID="3">Thermodruckkopf, in Dünnschichttechnik hergestellt, mit den Abmessungen von nicht mehr als 18 × 90 × 275 mm, bestehend aus:

- einer gedruckten Keramik-Schaltung bestückt mit monolithischen integrierten Schaltungen und 2 880 Heizelementen,

- einer gedruckten Schaltung bestückt mit monolithischen integrierten Schaltungen, Kondensatoren, Widerständen und Verbindungselementen,

- einem Thermistor

und

- einer oder zwei Kühlplatten> ID="4">0"> ID="1">ex 8501 10 99> ID="2">*58> ID="3">Gleichstrommotor mit Bürsten, mit einem Durchmesser von 6 mm (±0,2 mm) oder 7,1 mm (±0,2 mm), einer Spindel mit einem Durchmesser von 1 mm (±0,02 mm), mit einer Drehzahl von 6 000 (±24 %) Umdrehungen pro Minute und einer Versorgungsspannung von 1,25 V (±36 %)> ID="4">0"> ID="1">ex 8501 10 99> ID="2">*76> ID="3">Stufenloser Gleichstrommotor mit einem Durchmesser von 18 mm (±0,1 mm), einer Spindel mit einem Durchmesser von 0,8 mm (±0,02 mm), mit einer Drehzahl von 5 000 (±20 %) Umdrehungen pro Minute und einer Versorgungsspannung von 1,25 V (±36 %)> ID="4">0"> ID="1">ex 8504 50 90> ID="2">*10> ID="3">Drosselspulen mit einer variablen Induktivität von nicht mehr als 62 mH> ID="4">0"> ID="1">ex 8504 50 90> ID="2">*20> ID="3">Monolithische Mehrlagen-Drosselspulen, in einem SMD-(Surface Mounted Device)- Gehäuse mit den Abmessungen von nicht mehr als 1,8 × 3,4 mm, zum Herstellen von Funkrufempfangsgeräten (sogenannte Pagers) (3)()> ID="4">0"> ID="1">ex 8507 30 91> ID="2">*10> ID="3">Nickel-Cadmium-Akkumulator, in rechteckiger Form, mit einer Länge von 67 mm (±0,1 mm), einer Breite von 16,8 mm (±0,05 mm) und einer Dicke von 10,5 mm (±0,05 mm), mit einer Nennkapazität von 1 200 mAStunden und einer Nennspannung von 1,2 V, zum Herstellen von wiederaufladbaren Batterien (4)()> ID="4">0"> ID="1">ex 8507 90 98> ID="2">*10> ID="3">Nickel-Hydrid-Akkumulator, in rechteckiger Form, mit einer Länge von 48,4 mm (±1 mm) und einer Breite von 14,5 mm (±1 mm) und einer Dicke von 7,5 mm (±1 mm), mit einer Kapazität von 500 mAStunden oder mehr und einer Nennspannung von 1,2 V, zum Herstellen von wiederaufladbaren Batterien (5)()> ID="4">0"> ID="1">ex 8517 82 90> ID="2">*10> ID="3">Sendeeinheit zum Umwandeln elektrischer Signale in Lichtimpulse für nominale Wellenlängen von 850 nm, mit einer Leuchtdiode, einem Stromschalter, einem Eingangspufferspeicher und einer Verzerrungs-/Ausgleichseinheit, in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

DM-231-TA

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8517 82 90> ID="2">*20> ID="3">Empfangseinheit zum Umwandeln von Lichtimpulsen in elektrischen Signale für nominale Wellenlängen von 850 nm, mit einer Photodiode, zwei Entscheidungseinheiten, einem Verstärker und einer Integrationseinheit, in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

DM-231-RA

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8517 90 11> ID="2">*01> ID="3">Modulator/Demodulator, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenanntes C-MOS- Modem), zur Datenübertragung in vollem Duplexbetrieb mit einer Geschwindigkeit von 28 800 bit/Sekunde und zur Übertragung von Standbildern in einer Richtung mit einer Geschwindigkeit von 14 400 bit/Sekunde, bestehend aus einer gedruckten Schaltung, bestückt mit mindestens zwei monolithischen integrierten Schaltungen, von denen eine die digitale Signalverarbeitung und die andere die analogen Funktionen durchführt, in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

RC 192DP

RC 192DPL

RC 240DP

RC 240DPL

RC 288DP

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8517 90 11> ID="2">*02> ID="3">Modulator/Demodulator, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenanntes C-MOS- Modem), nur zur Übertragung von Daten oder Standbildern in einer Richtung mit einer Geschwindigkeit von nicht mehr als 2 400 bit/Sekunde, bestehend aus einer gedruckten Schaltung, nur bestückt mit zwei monolithischen integrierten Schaltungen, von denen eine die digitale Signalverarbeitung und die andere die analogen Funktionen durchführt, in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

RC 24BKJ

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8517 90 11> ID="2">*03> ID="3">Modulator/Demodulator, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenanntes C-MOS- Modem), nur zur Datenübertragung in vollem Duplexbetrieb mit einer Geschwindigkeit von nicht mehr als 2 400 bit/Sekunde, bestehend aus einer gedruckten Schaltung, nur bestückt mit zwei monolithischen integrierten Schaltungen, von denen eine die digitale Signalverarbeitung und die andere die analogen Funktionen durchführt, in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

RC 2324DPL

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8517 90 11> ID="2">*04> ID="3">Modulator/Demodulator, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenanntes C-MOS- Modem), nur zur Übertragung von Standbildern in einer Richtung mit einer Geschwindigkeit von nicht mehr als 9 600 bit/Sekunde, bestehend aus einer gedruckten Schaltung, nur bestückt mit zwei monolithischen integrierten Schaltungen, von denen eine die digitale Signalverarbeitung und die andere die analogen Funktionen durchführt, in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

R 96DFX

R 96EFX

R 96MFX

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8517 90 11> ID="2">*05> ID="3">Modulator/Demodulator, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenanntes C-MOS- Modem), zur Datenübertragung in vollem Duplexbetrieb mit einer Geschwindigkeit von nicht mehr als 9 600 bit/Sekunde und zur Übertragung von Standbildern in einer Richtung mit einer Geschwindigkeit von nicht mehr als 9 600 bit/Sekunde, bestehend aus einer gedruckten Schaltung, nur bestückt mit zwei oder drei monolithischen integrierten Schaltungen, von denen eine oder zwei die digitale Signalverarbeitung und eine andere die analogen Funktionen durchführt, in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

RC 9323

RC 9624

RC 96DPL

RC 96V24

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8517 90 81> ID="2">*30> ID="3">Baugruppe bestehend aus einer Laserdiode, für nominale Wellenlängen von 780 Nanometer, einer Photodiode und einer Linse, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 3 Anschlüssen und einem Durchmesser von nicht mehr als 9 mm und einer Höhe von nicht mehr als 20 mm.

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Buchstaben- oder Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

FU-011SLD-N2

LM-7115

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8522 90 91> ID="2">*91> ID="3">Optische Einheit, bestehend aus einer Laserdiode mit Photodiode, die Licht mit einer nominalen Wellenlänge von 780 Nanometer ausstrahlt, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 10 Anschlüssen, einem Durchmesser von nicht mehr als 10 mm und einer Höhe von nicht mehr als 9 mm.

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Buchstaben- oder Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

LDGU

LT 022

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8522 90 91> ID="2">*92> ID="3">Elektronische Baugruppe für einen Compact-Disc-Laser-Lesekopf auf einem Träger bestückt mit:

- einer biegsamen gedruckten Schaltung,

- einem Photo-Detektor, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse,

- zwei Verbindungselementen,

- nicht mehr als einem Transistor,

- nicht mehr als drei Stell- und vier Festwiderständen,

- nicht mehr als fünf Kondensatoren.> ID="4">0"> ID="1">ex 8522 90 99> ID="2">*92> ID="3">Dünnschicht-Aufzeichnungs- und -Wiedergabevorrichtung, auf einem nichtmagnetischen keramischen Substrat, mit neun parallelen Kanälen für digitale Signale und zwei Kanälen für analoge Signale, das Ganze auf einer Seite abgerundet, zum Herstellen von Magnetköpfen für digitale Tonaufnahme- und digital-analoge Tonwiedergabe-Kassettengeräte (6)()> ID="4">0"> ID="1">ex 8522 90 99> ID="2">*94> ID="3">Tonwiedergabebaugruppe, bestehend aus einem Compact-Disc-Laufwerk, mit einem optischen Lesesystem und 3 Gleichstrommotoren, zum Herstellen von Waren der Unterposition 8527 21 10 (7)()> ID="4">0"> ID="1">ex 8523 20 10> ID="2">*50> ID="3">Starre Magnetplatte mit metallischer Dünnfilmschicht, mit einer Körzitivkraft von mehr als 600 Örsted und einem Aussendurchmesser von 231 mm oder weniger> ID="4">0"> ID="1">ex 8529 10 70> ID="2">*10> ID="3">Keramische Filtergruppe, bestehend aus zwei keramischen Filtern und einem keramischen Resonator, für eine Frequenz von 10,7 MHz (±30 kHz), in einem Gehäuse mit den Abmessungen von nicht mehr als 10 × 10 mm> ID="4">0"> ID="1">ex 8529 10 70> ID="2">*20> ID="3">Keramischer Filter für Frequenzen von nicht weniger als 4,5 MHz und nicht mehr als 6,6 MHz, in einem Gehäuse mit den Abmessungen von nicht mehr als 9 × 24 mm> ID="4">0"> ID="1">ex 8529 90 98> ID="2">*31> ID="3">Entmagnetisierungsspulen mit nicht mehr als 96 Windungen, mit Anschlußleitung und Stecker> ID="4">0"> ID="1">ex 8529 90 98> ID="2">*32> ID="3">Filter, bestehend aus zwei piezölektrischen Quarzkristallen, mit einer Frequenz je Quarzkristall von nicht weniger als 21 MHz und nicht mehr als 30 MHz, getrennt angebracht auf einer Klammervorrichtung, mit nicht mehr als 7 Anschlüssen> ID="4">0"> ID="1">ex 8529 90 98> ID="2">*96> ID="3">Baugruppe, bestehend aus einem Objektiv mit einer Brennweite von 3,6 mm, einem Bildsensor mit Ladungsübertragung im Zeilenabstand mit 291 000 Photozellen und integrierten Schaltungen; das Ganze befindet sich auf einer gedruckten Schaltung> ID="4">0"> ID="1">ex 8531 20 51> ID="2">*10> ID="3">Mehrfarbige Flüssigkristallanzeigen mit aktiver Matrix und mit 640 × 480 Bildpunkten, bestehend aus einer zwischen zwei Glasplatten eingeschlossenen Flüssigkristallschicht, auf einer Leiterplatte mit elektronischen Bauelementen zur Steuerung und/oder Kontrolle> ID="4">0"> ID="1">ex 8531 20 51> ID="2">*20> ID="3">Mehrfarbige Flüssigkristallanzeigen mit aktiver Matrix und mit 768 × 1 024 Bildpunkten, bestehend aus einer zwischen zwei Glasplatten eingeschlossenen Flüssigkristallschicht, mit elektronischen Bauelementen zur Steuerung und/oder Kontrolle> ID="4">0"> ID="1">ex 8531 20 59> ID="2">*10> ID="3">Monochrome Flüssigkristallanzeigen mit aktiver Matrix und mit 640 × 400 oder 640 × 480 Bildpunkten, bestehend aus einer zwischen zwei Glasplatten eingeschlossenen Flüssigkristallschicht, auf einer Leiterplatte mit einem elektronischen Bauelementen zur Steuerung und/oder Kontrolle> ID="4">0"> ID="1">ex 8531 20 59> ID="2">*20> ID="3">Monochromen Flüssigkristallanzeigen mit aktiver Matrix und mit 900 × 1 152 Bildpunkten, bestehend aus einer zwischen zwei Glasplatten eingeschlossenen Flüssigkristallschicht, mit elektronischen Bauelementen zur Steuerung und/oder Kontrolle> ID="4">0"> ID="1">ex 8531 20 80> ID="2">*10> ID="3">Flüssigkristallanzeigen mit passiver Matrix, mit elektronischen Bauelementen zur Steuerung und/oder Kontrolle> ID="4">0"> ID="1">ex 8531 80 90> ID="2">*20> ID="3">Meßwertwandler mit einer Tonausgangsstärke von 85 dB bei einer Frequenz von 2 700 oder 3 200 Hz> ID="4">0"> ID="1">ex 8532 22 00> ID="2">*95> ID="3">Aluminium-Elektrolytkondensator, mit einer festen Kapazität von nominal nicht mehr als 470 mF, einer Betriebspannung von nicht mehr als 50 V und einem Temperaturbereich von -40 bis +85 °C> ID="4">0"> ID="1">ex 8532 22 00> ID="2">*96> ID="3">Aluminium-Elektrolytkondensator, mit einer festen Kapazität von nominal 2,2 mF, einer Betriebspannung von 385 V und einem Temperaturbereich von -40 bis +85 °C> ID="4">0"> ID="1">ex 8533 10 00> ID="2">*91> ID="3">Kohleschichtfestwiderstände des SMD (Surface Mounted Device)-Typs, mit einer konstanten Betriebsspannung von nicht mehr als 250 V> ID="4">0"> ID="1">ex 8533 10 00> ID="2">*92> ID="3">Kohlemassefestwiderstände, mit einer Betriebsspannung von nicht mehr als 350 V und einer Verlustleistung von nicht mehr als 0,5 W> ID="4">0"> ID="1">ex 8534 00 11> ID="2">*93> ID="3">Gedruckte Mehrlagen-Keramik-Schaltungen, mit den Abmessungen von nicht weniger als 125 × 125 mm und nicht mehr als 129 × 129 mm, nur mit Leiterbahnen und 2 772 Kontaktpunkten> ID="4">0"> ID="1">ex 8534 00 19> ID="2">*95> ID="3">Gedruckte Schaltung, bestehend aus einer biegsamen Folie aus Kunststoff mit Leiterbahnen, mit einer Breite der Leiterbahnen von 0,095 bis 3,5 mm und einem Abstand zwischen den Leiterbahnen von 0,095 bis 0,305 mm, zum Herstellen von elektronischen Rechenmaschinen (8)()> ID="4">0"> ID="1">ex 8534 00 19> ID="2">*96> ID="3">Gedruckte Schaltung auf einem Träger aus Aluminiumoxid, nur mit vergoldeten Leiterbahnen in Dickschichttechnik, zum Herstellen von Waren der Unterposition 8542 20 50 (9)()> ID="4">0"> ID="1">ex 8536 50 90> ID="2">*92> ID="3">Reedschalter in Form einer Glaskapsel, kein Quecksilber enthaltend, mit einer Schaltleistung von mindestens 20 W und einer Ansprecherregung von 17 bis 43 Ampere Windungen, mit den Abmessungen von nicht mehr als 3 × 21 mm, zum Herstellen von Kraftfahrzeug-Airbag-Aufprallsensoren (10)()> ID="4">0"> ID="1">ex 8540 12 00> ID="2">*82> ID="3">Monochrome Kathodenstrahlröhren, mit einer Diagonalen des Bildschirms von nicht weniger als 250 mm und nicht mehr als 320 mm, einer Anodenspannung von nicht weniger als 18 kV und nicht mehr als 22 kV > ID="4">0"> ID="1">ex 8540 30 10> ID="2">*34> ID="3">Lochmasken-Farbkathodenstrahlröhren in In-Line-Technik mit drei Kanonen oder einer Drei-Strahl-Kanone, mit einer Diagonalen des Bildschirms von mehr als 72 cm und einem Abstand zwischen den Punkten gleicher Farbe von weniger als 0,5 mm> ID="4">0"> ID="1">ex 8540 30 10> ID="2">*35> ID="3">Lochmasken-Farbkathodenstrahlröhren in In-Line-Technik mit drei Kanonen oder einer Drei-Strahl-Kanone, mit einer Diagonalen des Bildschirms von 72 cm oder weniger> ID="4">0"> ID="1">ex 8540 91 00> ID="2">*94> ID="3">Kathodenstrahlröhren-Ablenkeinheiten für eine Frequenz von 15 625 oder 31 250 Hz, mit zwei 2-Pol-Ringmagneten, zwei 4-Pol-Ringmagneten und zwei 6-Pol-Ringmagneten> ID="4">0"> ID="1">ex 8540 91 00> ID="2">*96> ID="3">Vorrichtung zur Schärfe- und/oder Konvergenzeinstellung für Kathodenstrahlröhren, mit nicht weniger als zwei und nicht mehr als sechs Spulen, einem Kunststoffträger und einem Metallring zur Befestigung> ID="4">0"> ID="1">ex 8540 99 00> ID="2">*91> ID="3">Anoden, Kathoden oder Ausgangsvorrichtungen oder Baugruppen mit diesen Elementen (Magnetron core tube), zum Herstellen von Magnetronen der Unterposition 8540 41 00 (11)()> ID="4">0"> ID="1">ex 8541 10 91> ID="2">*10> ID="3">Silicium-Leistungsgleichrichterdiode in Planartechnik, mit einer Erholzeit von weniger als 100 ns, einer wiederkehrenden Sperrspannung von nicht mehr als 200 V, einem durchschnittlichen Durchlaßstrom von nicht weniger als 2,5 A, in einem flachen Gehäuse mit den Abmessungen von mehr als 3 × 9 × 9 mm und nicht mehr als 5 × 11 × 17 mm> ID="4">0"> ID="1">ex 8541 10 91> ID="2">*20> ID="3">Silicium-Leistungsgleichrichterdiode, mit einer Spitzensperrspannung von nicht mehr als 1 500 V und einem durchschnittlichen Ausgangsstrom von 8 A, in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

PG151S15

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8541 10 99> ID="2">*30> ID="3">Strombegrenzungsdiode, mit einem stabilisierten Dauerstrompegel von nicht mehr als 18 mA bei einer Spannung von 10 V> ID="4">0"> ID="1">ex 8541 29 90> ID="2">*10> ID="3">Transistor mit einer Leistung von nicht weniger als 150 W bei einer Spannung von nicht weniger als 160 V und einer Abschaltfrequenz von 20 MHz oder mehr (sogenannte "Cut-off-Frequenz"), in einem Gehäuse mit nicht mehr als 3 Anschlüssen und den Abmessungen von nicht mehr als 22 × 37 mm.

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

2 SA 1170

2 SA 1215

2 SA 1494

2 SC 2774

2 SC 2921

2 SC 3858

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8541 29 90> ID="2">*30> ID="3">Feldeffekttransistor mit einer Drain-Source-Durchbruchspannung von 60 V oder mehr, einem Drainstrom von nicht mehr als 8,5 A, einem Drain-Source-Widerstand von nicht mehr als 0,3 Ohm und einer Verlustleistung von nicht mehr als 30 W, in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

IRFD 014

IRFR 010

IRFR 014

IRFU 014

IRLR 014

IRLU 014

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8541 29 90> ID="2">*40> ID="3">Transistor mit thermischer Überlastsicherung, mit einer Kollektor-Emitter-Arbeitsspannung von nicht mehr als 42 V, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 4 Anschlüssen> ID="4">0"> ID="1">ex 8541 29 90> ID="2">*50> ID="3">Transistor mit einem Ausgangsstärke von nicht mehr als 30 W bei einer Spannung von 12,5 V, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 8 Anschlüssen> ID="4">0"> ID="1">ex 8541 29 90> ID="2">*60> ID="3">Feldeffekttransistor, in N-MOS-Technik hergestellt, mit einer Drain-Source-Durchbruchspannung von 60 V oder mehr, einem Dauer-Drainstrom von nicht mehr als 35 A, einem Drain-Source-Widerstand von nicht mehr als 0,028 Ohm und einer Verlustleistung von nicht mehr als 125 W, in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

5101GK

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8541 29 90> ID="2">*70> ID="3">Transistor mit einer Verlustleistung von nicht mehr als 250 W, einer Kollektor- Emitter-Durchbruchspannung von 120 V oder mehr und einem Spitzenkollektorstrom von nicht mehr als 40 A, in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

2SC3675

2SC3781

2SC3997

2SC4152

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8541 40 10> ID="2">*60> ID="3">Leuchtdioden auf Basis Gallium-Arsen-Phosphor (GaAsP), die bei einer nominalen Wellenlänge von 710 Nanometer arbeiten, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung ohne Gehäuse (Mikroplättchen), zum Herstellen von Optokopplern (12)()> ID="4">0"> ID="1">ex 8541 60 00> ID="2">*93> ID="3">Piezölektrischer Kristall, ausgenommen Oberflächenwellenfilter, mit einer Frequenz von 4 MHz bis 155 MHz, in einem SMD-(Surface Mounted Device)-Gehäuse, mit nicht mehr als 4 Anschlüssen> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 01> ID="2">*12> ID="3">Scheiben (wafers), noch nicht in Mikroplättchen (chips) zerschnitten, ausschließlich bestehend aus Mikrocontrollern oder Mikrocomputern mit einer Verarbeitungskapazität von 16 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einem nicht programmierbaren Lesespeicher (sogenannter ROM) mit einer Speicherkapazität von 48 Kbit, einem nicht programmierbaren Lesespeicher (sogenannter ROM) mit einer Speicherkapazität von 16 Kbit und einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 4 Kbit, zum Herstellen von Waren der Unterposition 8542 11 73 in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

77C25

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht. (13)()> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 01> ID="2">*25> ID="3">Scheiben (wafers), noch nicht in Mikroplättchen (chips) zerschnitten, ausschließlich bestehend aus Mikrocontrollern oder Mikrocomputern mit einer Verarbeitungskapazität von 16 bit, in C-MOS oder N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, mit einem nicht programmierbaren Lesespeicher (sogenannter ROM) mit einer Speicherkapazität von 510 × 13 bit, einem nicht programmierbaren Lesespeicher (sogenannter ROM) mit einer Speicherkapazität von 512 × 23 bit und einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 2 Kbit, zum Herstellen von Waren der Unterposition 8542 11 73 in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

7720

77C20

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht. (14)()> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 01> ID="2">*40> ID="3">Scheiben (wafers), noch nicht in Mikroplättchen (chips) zerschnitten, ausschließlich bestehend aus Mikroprozessoren mit einer Verarbeitungskapazität von 16 bit, zum Herstellen von Waren der Unterposition 8542 11 64 in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

7810

78C10

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht. (15)()> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 05> ID="2">*15> ID="3">Schnittstellen-Kontrollbaustein, in BiMOS-Technik hergstellt, zur Übermittlungskontrolle zwischen einem Mikroprozessor, Buskontrolleinheiten und einer Speicherkontrolleinheit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung ohne Gehäuse (Mikroplättchen), zum Herstellen von Waren der Unterposition 8542 11 84 in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

16G7432

16G7433

50G6759

50G6761

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht. (16)()> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 05> ID="2">*25> ID="3">Bus-Kontrollbaustein, in BiMOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung ohne Gehäuse (Mikroplättchen), zum Herstellen von Waren der Unterposition 8542 11 82 in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

16G7429

16G7430

50G6755

50G6757

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht. (17)()> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 05> ID="2">*35> ID="3">Speicher-Kontrollbaustein, in BiMOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung ohne Gehäuse (Mikroplättchen), zum Herstellen von Waren der Unterposition 8542 20 80 in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

16G7428

16G7463

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht. (18)()> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 05> ID="2">*45> ID="3">Bus-Kontrollbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung ohne Gehäuse (Mikroplättchen), zum Herstellen von Waren der Unterposition 8542 11 82 in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

2782654

52G7385

52G7386

63F4057

63F4073

63F4074

63F4170

63F4378

69G1705

81889051

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht. (19)()> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 05> ID="2">*50> ID="3">Mikroprozessor mit einer Verarbeitungskapazität von mehr als 16 bit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung ohne Gehäuse (Mikroplättchen), zum Herstellen von Waren der Unterposition 8542 11 67 oder 8542 11 68 in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

32G7577

32G7578

80501

8186362

8186364

8188937

8188939

82F5698

82F5700

PC 601

PC 603

PC 604

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht. (20)()> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 05> ID="2">*55> ID="3">Speicher-Kontrollbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung ohne Gehäuse (Mikroplättchen), zum Herstellen von Waren der Unterposition 8542 11 82 in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

32G7468

32G7567

50G6870

50G8191

8186387

8188905

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht. (21)()> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 05> ID="2">*60> ID="3">Dreifacher Video-Digital-Analog-Wandler mit drei Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff (sogannter RAMDAC), in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung ohne Gehäuse (Mikroplättchen), zum Herstellen von Waren der Unterposition 8542 11 86 in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

RGB525

RGB528

RGB530 (8187135)

RGB561 (8186987)

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht. (22)()> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 05> ID="2">*65> ID="3">Bus-Schnittstellen-Kontrollbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung ohne Gehäuse (Mikroplättchen), zum Herstellen von Waren der Unterposition 8542 11 84 in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

2782454

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht. (23)()> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 05> ID="2">70> ID="3">Daten/Adressen-Pufferschaltung, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung ohne Gehäuse (Mikroplättchen), zum Herstellen von Waren der Unterposition 8542 11 86 in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

2782653

8190694

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht. (24)()> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 05> ID="2">*75> ID="3">Statischer Cache-Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter Cache-RAM, statisch), in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 256 oder 512 Kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung ohne Gehäuse (Mikroplättchen), zum Herstellen von Waren der Unterposition 8542 11 23 oder 8542 11 25 in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

32G7587

32G7588

32G7607

32G7608

50G7244

8186318

8186377

8186379

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht. (25)()> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 14> ID="2">*02> ID="3">Dynamischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff und dualer oder dreifacher Ein-/Ausgangsstelle, (sogenannter RAM, dynamisch), mit Datenregister und serieller Leseausgangskontrolle, mit einer Speicherkapazität von mehr als 256 Kbit bis 1 Mbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

M5M 442256

MB 81 C 4251

MSM 54C864

MT 42 C 4256

MT 43 C 4257

MT 43 C 4258

MT 43 C 8128

TC 524256

TC 524257

TC 528126

TC 528128

TMS 44 C 251

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 14> ID="2">*03> ID="3">Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, mit getrennten Ein- und Ausgängen und seriellen Schieberegistern (sogenannter Field Memory), in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 870 Kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

TMS 4C1081

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 16> ID="2">*05> ID="3">Dynamischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, dynamisch), in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 512 K × 8 bit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 35 ns, mit 4 statischen Cache-Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff mit einer Gesamtspeicherkapazität von 8 Kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

DM 2203

DM 2213

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 16> ID="2">*06> ID="3">Dynamischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, dynamisch), in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 2 Mbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 60 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

V53C8256

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 16> ID="2">*07> ID="3">Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, mit getrennten Ein- und Ausgängen und seriellen Schieberegistern (sogenannter Field Memory), in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 1 920 Kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

TMS 4C2070

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 16> ID="2">*08> ID="3">Dynamischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, dynamisch), in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Versorgungsspannung im Betrieb von 3,3 V (±0,3 V), einer Speicherkapazität von 512 K × 8 bit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 100 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

HM51W4 800 (74G1307) (70G6821)

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 18> ID="2">*03> ID="3">Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, mit getrennten Ein- und Ausgängen und seriellen Schieberegistern (sogenannter Field Memory), in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 4 320 Kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

TMS 53805

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 21> ID="2">*19> ID="3">Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-RAM, statisch), mit vier Ein-/Ausgangsstellen, einer Speicherkapazität von nicht mehr als 64 Kbits und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 45 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

IDT 7050

IDT 7052

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 21> ID="2">*20> ID="3">Statischer Cache-Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter Cache- RAM, statisch), in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 16 Kbit, mit einer 4-bit-Identitätsvergleichseinheit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

MCM 62350

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 21> ID="2">*51> ID="3">Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-RAM, statisch) mit einer Speicherkapazität von 64 Kbit und einer Zugriffszeit von mehr als 55 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

HY 6264A

KM 6264

SRM 2064

TC 5564

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 23> ID="2">*03> ID="3">Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 192 Kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 35 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

MCM 56824

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 25> ID="2">*10> ID="3">Statischer Scheib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, statisch), mit einer Speicherkapazität von 1 Mbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CXK581020

CY7C101

CY7C102

CY7C106

CY7C107

CY7C108

CY7C109

EDI 88128

GM 76C8128

HM 621100A

HM 624256

HM 624257

HM 628128

M5M 51004

M5M 51008

MCM 6228

MCM 6729

MT 5C1008

TC 551001

TC 55B4256

TC 55B4257

TC 55B8128

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 25> ID="2">*13> ID="3">Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-RAM, statisch), mit einer Versorgungsspannung im Betrieb von 3,3 V (±0,3 V), einer Speicherkapazität von 288 Kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 35 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

CY7C1388

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 42

ex 8542 11 59> ID="2">*21

*61> ID="3">Programmierbarer Lesespeicher, UV-löschbar (sogenannter EPROM) oder nicht löschbar (sogenannter PROM), mit einer Speicherkapazität von 256 Kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 65 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse, auch mit einem Quarzfenster auf der Oberseite, und mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

27C256-55

27H256-35

27H246-45

CY 7C 270

CY 7C 271

CY 7C 274

CY 7C 275

CY 7C 276

CY 7C 277

CY 7C 279

XC 17256D

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 44> ID="2">*06> ID="3">Elektrisch löschbarer, programmierbarer Flash-Lesespeicher (sogenannter Flash-E2PROM), mit einer Speicherkapazität von 1 Mbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

28 F 010

28 F 210

29 F 010

29 F 100

48 F 010

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 44

ex 8542 11 59> ID="2">*07

*68> ID="3"> Programmierbarer Lesespeicher, UV-löschbar (sogenannter EPROM) oder nicht löschbar (sogenannter PROM), mit einer Speicherkapazität von 512 Kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 55 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse, auch mit einem Quarzfenster auf der Oberseite, und mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CY 7C 286-50

CY 7C 287-45

CY 7C 287-55

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 44> ID="2">*08> ID="3">Elektrisch löschbarer, programmierbarer Flash-Lesespeicher (sogenannter Flash-E2PROM), in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 896 Kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

N71564FTCHCA

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 46> ID="2">*01> ID="3">Elektrisch löschbarer, programmierbarer Flash-Lesespeicher (sogenannter Flash-E2PROM), mit einer Speicherkapazität von 2 Mbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

28 F 002

28 F 020

28 F 200

29 F 200

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 46> ID="2">*02> ID="3">Elektrisch löschbarer, programmierbarer Flash-Lesespeicher (sogenannter Flash-E2PROM), mit einer Speicherkapazität von 4 Mbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

28 F 040

28 F 400

29 F 040

TC 584 000

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 48> ID="2">*02> ID="3">Elektrisch löschbarer, programmierbarer Flash-Lesespeicher (sogenannter Flash-E2PROM), mit einer Speicherkapazität von 8 Mbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

28 F 008

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 48> ID="2">*03> ID="3">Elektrisch löschbarer, programmierbarer Flash-Lesespeicher (sogenannter Flash-E2PROM), mit einer Speicherkapazität von 16 Mbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

28 F 016SA

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 50> ID="2">*06> ID="3">Elektrisch löschbarer, programmierbarer Lesespeicher (sogenannter E2PROM), mit einer Speicherkapazität von 8 K × 8 bit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

28 C 64

28 H 64

28 HC 64

28 PC 64

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 59> ID="2">*02> ID="3">Ferrölektrischer Speicher, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

FM1208S

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 59> ID="2">*07> ID="3">FIFO (First In/First Out)-Schreib-Lesespeicher zum gleichzeitigen Lesen und Schreiben in einem Uhrentakt, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 2 K × 18 bit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CY7C447

CY7C457

MT 53C2K18C3

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 59> ID="2">*21> ID="3">FIFO (First In/First Out)-Schreib-Lesespeicher, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 64 × 8 oder 64 × 9 bit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CY7C408A

CY7C409A

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 59> ID="2">*24> ID="3">FIFO (First In/First Out)-Schreib-Lesespeicher, mit einer Speicherkapazität von 7 280 oder 9 080 bit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

PD 41101

PD 41102

PD 42101

PD 42102

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 59> ID="2">*26> ID="3">FIFO (First In/First Out)-Schreib-Lesespeicher zum gleichzeitigen Lesen und Schreiben in einem Uhrentakt in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 512 × 9 bit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 40 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CY7C441

CY7C451

IDT 72211

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 59> ID="2">*27> ID="3">FIFO (First In/First Out)-Schreib-Lesespeicher zum gleichzeitigen Lesen und Schreiben in einem Uhrentakt oder mit bidirektioneller Funktionsweise, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 9 oder 18 Kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CY7C439

CY7C443

CY7C445

CY7C446

CY7C453

CY7C455

CY7C456

IDT 72021

IDT 72031

IDT 72215

MT 53C51218A1

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 59> ID="2">*31> ID="3">FIFO (First In/First Out)-Schreib-Lesespeicher, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 72 Kbit und mit einer Zugriffszeit von nicht mehr als 15 ns oder einem programmierbaren Flag-Register, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CY7C460-15

CY7C470

IDT 7205

MT 53C4K18D4-15

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 59> ID="2">*71> ID="3">FIFO (First In/First Out)-Schreib-Lesespeicher zum asynchronen Lesen und Schreiben, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 512 × 9 bit, 1 K × 9 bit, 2 K × 9 bit oder 4 K × 9 bit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 15 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CY7C421

CY7C425

CY7C429

CY7C433

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 62

ex 8542 11 64

ex 8542 11 67

ex 8542 11 68> ID="2">*03

*03

*03

*01> ID="3"> Gleitkomma-Coprozessor (sogenannter Floating Point Coprozessor), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

3171

74 ACT 8847

79 R 2010

79 R 3010

80287

80387

8087

80C287

CY 7C 602

MC 68881

MC 68882

NCR 32020

NS 32081

NS 32381

R 2010/16

TX 32081 W

US 83C87

US 83S87

WTL 3167

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 62> ID="2">*42> ID="3">Mikroprozessor mit einer Verarbeitungskapazität von 8 bit oder weniger, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

82389

8294

82C389

Am 79C410

Am 79C411

CXD 2515Q

CXD 2601

HD 64A180

HD 64B180

MC 68302

MC68HC11EDO

MC68HC11F

PC 87323 VF

PC 87911

SC414950FB

Z 64180

Z 8068

Z 86C95

Z 9518

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 64> ID="2">*45> ID="3">Mikroprozessor mit einer Verarbeitungskapazität von mehr als 8 bit bis 16 bit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

1TX9-0301

76001FCCHFA

76005 CN

80186

80188

80286

82389

80C186

80C188

80C196

80C286

80C296

82C389

ADSP 2100

ADSP 2101

ADSP 2102BS-50

CF 70064

CF 70095

CF 70200

CF 72301

CF 72305A

CIFAX

DSP 56116

DSP 56156

DSP 56200

MB 89T713

MB 89T715

MC 68302

PD 70236

TMS 38010

TMS 380C16

TMS 380C24

TMS 380C25

TMS 380C26

TMS 380C27

XSP 56200

Z 280

Z 70108

Z 70116

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 67> ID="2">*41> ID="3">Mikroprozessor mit einer Verarbeitungskapazität von mehr als 16 bit bis 32 bit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

390 Z 50

486

78201441

79R2 000A

79R3000

80386

80486

80501

80960KB

82389

82596

82C389

86C020

Am 29000

CPU 04041871

CY7C601

DC 262 A

DSP 32 C

L 64801

MB 86904CR

MC 68020

MC 68030

MC 68040

MC 68331

MC 68EC020

MC 88110

NCR 32 000

NS 32032

NS 32332

NS 32532

NS 32C032

PC 601

PC 603

PC 604

R 2 000/16

ST 18931

ST 18932

ST 18941

ST 18R942

TMS 320M500

TMS 320M520

TMX 320M440

W 8701

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 68> ID="2">*32> ID="3">Mikroprozessor mit einer Verarbeitungskapazität von mehr als 32 bit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

21064

80860

R 4 000

R 4300

R 4400

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 71> ID="2">*02> ID="3">Mikrocontroller oder Mikrocomputer mit einer Verarbeitungskapazität von 8 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einem nicht programmierbaren Lesespeicher (sogenannter ROM) mit einer Speicherkapazität von 224, 256 oder 320 Kbit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 3,5 oder 4,5 Kbit, einem Analog-Digital-Wandler, einem Zeitgeber/Zähler, einer Anzeigen-Kontrolleinheit, einer Bus-Schnittstelle, einer Fernsteuerungkontrolleinheit, einer Unterbrechungssteuerung und einem Taktgeber, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CXP 85228

CXP 85232

CXP 85340

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 71> ID="2">*03> ID="3">Mikrocontroller oder Mikrocomputer mit einer Verarbeitungskapazität von 8 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einem nicht programmierbaren Lesespeicher (sogenannter ROM) mit einer Speicherkapazität von 192 Kbit, Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte RAMs) mit einer Gesamtspeicherkapazität von 6 400 bit, einem Analog-Digital-Wandler, einem Zeitgeber/Zähler, einem programmierbaren Zeitplangenerator, einer Servöingangs-Kontrolleinheit, einer seriellen Schnittstelle und einem Taktgeber, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

CXD 80724

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 71> ID="2">*04> ID="3">Mikrocontroller oder Mikrocomputer mit einer Verarbeitungskapazität von 8 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einem nicht programmierbaren Lesespeicher (sogenannter ROM) mit einer Speicherkapazität von 256 oder 320 Kbit und einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 10 496 bit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CXP 87132

CXP 87140

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 71> ID="2">*05> ID="3">Mikrocontroller oder Mikrocomputer mit einer Verarbeitungskapazität von 8 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einem nicht programmierbaren Lesespeicher (sogenannter ROM) mit einer Speicherkapazität von 192 Kbit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 4 Kbit, einem Analog-Digital-Wandler und einer Anzeigen-Treibereinheit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

TMP87CK70AF

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 71> ID="2">*06> ID="3">Mikrocontroller oder Mikrocomputer mit einer Verarbeitungskapazität von 8 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einem nicht programmierbaren Lesespeicher (sogenannter ROM) mit einer Speicherkapazität von 160 oder 256 Kbit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 5 oder 8 Kbit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 1 280 bit und einer Anzeigen-Kontrolleinheit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

M37500M5

M37500M8

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 71> ID="2">*12> ID="3">Mikrocontroller oder Mikrocomputer mit einer Verarbeitungskapazität von 8 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einem nicht programmierbaren Lesespeicher (sogenannter ROM) oder einem programmierbaren, nicht löschbaren Lesespeicher (sogenannter PROM) oder einem UV-löschbaren, programmierbaren Lesespeicher (sogenannter EPROM) mit einer Speicherkapazität von 64, 128 oder 256 Kbit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 4 oder 8 Kbit und einer Anzeigen-Kontrolleinheit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

M 38203E4

M 38203M2

M 38207E8

M 38207M8

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 71> ID="2">*13> ID="3">Mikrocontroller oder Mikrocomputer mit einer Verarbeitungskapazität von 8 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einem nicht programmierbaren Lesespeicher (sogenannter ROM) mit einer Speicherkapazität von 96 Kbit oder 127 Kbit bis 384 Kbit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 2 Kbit bis 8 Kbit, einer seriellen Schnittstelle und einer Anzeigen-Kontroll- und Steuereinheit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CXP 82316

MB 89098

PD 75316

TMP 87CC20F

TMP 87CH20F

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 71> ID="2">*24> ID="3">Mikrocontroller oder Mikrocomputer mit einer Verarbeitungskapazität von 8 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, mit Register-Register-Architektur, mit einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, statisch) mit einer Speicherkapazität von nicht mehr als 12 Kbit und mindestens einem nicht programmierbaren Lesespeicher (sogenannter ROM) oder einem programmierbaren, nicht löschbaren Lesespeicher (sogenannter PROM) oder einem UV-löschbaren, programmierbaren Lesespeicher (sogenannter EPROM) oder einem programmierbaren, elektrisch löschbaren Lesespeicher (sogenannter E2PROM), mit einer Speicherkapazität von nicht mehr als 256 Kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

370C010

370C032

370C050

370C052

370C056

370C058

370C150

370C156

370C250

370C256

370C310

370C332

370C350

370C352

370C356

370C358

370C732

370C756

370C758

370C810

370C850

374C036

73C41

73C42

73C85

73C88

73C95

73C161

MC 68HC05P1

MC 68HC05P8

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 71> ID="2">*25> ID="3">Mikrocontroller oder Mikrocomputer mit einer Verarbeitungskapazität von 8 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, zum Speichern gesprochener Mitteilungen, mit einem nicht programmierbaren Lesespeicher (sogenannter ROM) mit einer Speicherkapazität von 128 Kbit, einer Schnittstelle für einen UV-löschbaren, programmierbaren Lesespeicher (sogenannter EPROM), einer Schnittstelle für einen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) und einer Kommunikationsschnittstelle, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

D6305A

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 71> ID="2">*26> ID="3">Mikrocontroller oder Mikrocomputer mit einer Verarbeitungskapazität von 8 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einem nicht programmierbaren Lesespeicher (sogenannter ROM) oder einem programmierbaren, nicht löschbaren Lesespeicher (sogenannter PROM) oder einem UV-löschbaren, programmierbaren Lesespeicher (sogenannter EPROM) mit einer Speicherkapazität von nicht weniger als 32 Kbit und nicht mehr als 256 Kbit und einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von nicht mehr als 3 Kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

83L51FC

87C51

87C54

87C58

M50958

M50959

MC68HC05i8

MC68HC705i8

MN 1871215

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 71> ID="2">*29> ID="3">Mikrocontroller oder Mikrocomputer mit einer Verarbeitungskapazität von 8 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 4 oder 6 Kbit, einem nicht programmierbaren Lesespeicher (sogenannter ROM) oder einem programmierbaren Lesespeicher, nicht löschbar (sogenannter PROM) oder einem UV-löschbaren, programmierbaren Lesespeicher (sogenannter EPROM) mit einer Speicherkapazität von 96 Kbit bis 192 Kbit, einem programmierbaren, elektrisch löschbaren Lesespeicher (sogenannter E2PROM) mit einer Speicherkapazität von 4 oder 5 Kbit und einem 8-Kanal- Analog-Digital-Wandler, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

MC 68HC11E9

MC 68HC11K4

MC 68HC11L6

MC 68HC711E9

MC 68HC711K4FN

MC 68HC711K4FS

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 71> ID="2">*42> ID="3">Mikrocontroller oder Mikrocomputer mit einer Verarbeitungskapazität von 8 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, zur Protokollkontrolle, Datenformatierung und Audio- Signalverarbeitung, mit einem oder zwei Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte RAMs) mit einer Gesamtspeicherkapazität von nicht mehr als 10 Kbit und einem nicht programmierbaren Lesespeicher (sogenannter ROM) mit einer Speicherkapazität von 192 Kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehendaufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

Am 79C412

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 71> ID="2">*43> ID="3">Mikrocontroller oder Mikrocomputer mit einer Verarbeitungskapazität von 8 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einem digitalen 16-bit-Signalprozessor, einem als Programmspeicher dienenden Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 4 Kbit bis 16 Kbit, zwei Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte RAMs) mit einer Gesamtspeicherkapazität von 2 Kbit bis 8 Kbit und 256 Registern, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

Z 86294

Z 86295

Z 86C95

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 71> ID="2">*44> ID="3">Mikrocontroller oder Mikrocomputer mit einer Verarbeitungskapazität von 8 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, zur Kontrolle einer Floppy-Disc-Speichereinheit oder Tastatur, mit einem 8-bit-Konfigurationsregister, einem als Programmspeicher dienenden Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 16 Kbit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 2 Kbit und einer Echtzeituhr, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

PC 87323 VF

PC 87911

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 71> ID="2">*45> ID="3">Mikrocontroller oder Mikrocomputer mit einer Verarbeitungskapazität von 8 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, mit Steuerfunktionen für eine Tastatur, mit einem nicht programmierbaren Lesespeicher (sogenannter ROM) mit einer Speicherkapazität von 2 Kbit, Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte RAMs) mit einer Gesamtspeicherkapazität von 2 Kbit, einer Echtzeituhr, Adressenregistern und Ein-/Ausgangpufferspeichern, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

82C113

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 71> ID="2">*46> ID="3">Mikrocontroller oder Mikrocomputer mit einer Verarbeitungskapazität von 8 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, mit vertikaler Ablenkungsfunktion für eine Kathodenstrahlröhre, mit zwei arithmetischen logischen Einheiten, vier nicht programmierbaren Lesespeichern (sogenannte ROMs) mit einer Gesamtspeicherkapazität von 11,7 Kbit, zwei Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte RAMs) mit einer Gesamtspeicherkapazität von 1 Kbit, einem Analog-Digital-Wandler und zwei Digital- Analog-Wandlern, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

CXD 2018

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 71> ID="2">*47> ID="3">Mikrocontroller oder Mikrocomputer mit einer Verarbeitungskapazität von 8 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einem nicht programmierbaren Lesespeicher (sogenannter ROM) mit einer Speicherkapazität von 48 oder 64 Kbit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 1 Kbit oder 1 536 bit und sechs Digital-Analog-Wandlern, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

PCA 84C640

PCA 84C840

PCA 84C841

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 73> ID="2">*06> ID="3">Mikrocontroller oder Mikrocomputer mit einer Verarbeitungskapazität von 16 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einem als Programmspeicher dienenden statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, statisch) mit einer Speicherkapazität von 8 Mbit, einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, statisch) mit einer Speicherkapazität von 8 Kbit, einem System-Integrations-Modul (SIM), einem Analog-Digital-Wandler, einem Zeitgeber und zwei seriellen Schnittstellen, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

MC 68HC16Z1 (SC415902FV)

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 73> ID="2">*08> ID="3">Mikrocontroller oder Mikrocomputer mit einer Verarbeitungskapazität von 16 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einem nicht programmierbaren Lesespeicher (sogenannter ROM) oder einem programmierbaren, nicht löschbaren Lesespeicher (sogenannter PROM) oder einem UV-löschbaren, programmierbaren Lesespeicher (sogenannter EPROM) mit einer Speicherkapazität von 128, 192, 256, 384 oder 480 Kbit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 4, 8 oder 16 Kbit und einem 8-bit-Analog-Digital-Wandler, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

M 37702 E2

M 37702 E4

M 37702 E8

M 37702 M2

M 37702 M8

M 37702 M3B

M 37702 M4

M 37702 M6L

M 37702 MDB

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 73> ID="2">*10> ID="3">Mikrocontroller oder Mikrocomputer mit einer Verarbeitungskapazität von 16 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, für den Datenfluß zwischen einem verseilten Kabelpaar in einem lokalen Netzwerk (sogenanntes Local Area Network/LAN) und einer Zentraleinheit, mit einem nicht programmierbaren Lesespeicher (sogenanter ROM) mit einer Speicherkapazität von nicht mehr als 32 Kbit und einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von nicht mehr als 128 Kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

SMC 83C825

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 73> ID="2">*11> ID="3">Mikrocontroller oder Mikrocomputer mit einer Verarbeitungskapazität von 16 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einem Multiplizierer-Addierer (sogenannter Multiplier Accumulator/MAC), einer arithmetischen logischen Schiebeeinheit, einem als Programmspeicher dienenden statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, statisch) mit einer Speicherkapazität von 48 Kbit, einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, statisch) mit einer Speicherkapazität von 16 Kbit und einem programmierbaren Zeitgeber, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

ADSP 2101

ADSP 2102BS-50

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 73> ID="2">*12> ID="3">Mikrocontroller oder Mikrocomputer mit einer Verarbeitungskapazität von 16 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, mit externem 8- oder 16-bit-Daten-Bus, einem als Programmspeicher dienenden Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 16 Kbit und einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 16 Kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

DSP 56116

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 73> ID="2">*13> ID="3">Mikrocontroller oder Mikrocomputer mit einer Verarbeitungskapazität von 16 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, zur Kontrolle der Bus-Kommunikation eines lokalen Netzwerks, mit einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 2 Kbit, zwei nicht programmierbaren Lesespeichern (sogenannte ROMs) oder zwei programmierbaren, nicht löschbaren Lesespeichern (sogenannte PROMs) oder zwei UV-löschbaren, programmierbaren Lesespeichern (sogenannte EPROMs) mit einer Gesamtspeicherkapazität von 56 oder 128 Kbit und und einer seriellen Ein-/Ausgangsschnittstelle, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

TMS 8370C03

TMS 8370C73

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 74> ID="2">*04> ID="3">Mikrocontroller oder Mikrocomputer mit einer Verarbeitungskapazität von 32 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, mit mit einem nicht programmierbaren Lesespeicher (sogenannter ROM) mit einer Speicherkapazität von 4 Mbit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 1 Mbit, einer Anzeigen-Treiber/Kontroll-Einheit, einer Unterbrechungskontrolleinheit, einer Tastaturkontrolleinheit, einer Kontrolleinheit zur Speicheradressierung (sogenannter Memory Mapper) und einem Taktgeber, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

SC 414181FG16

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 74> ID="2">*05> ID="3">Mikrocontroller oder Mikrocomputer mit einer Verarbeitungskapazität von 19 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, mit Audio-Funktionen und Sendeempfangsfunktionen eines digitalen schnurlosen Telekommunikationssystems, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

AM 79C420

SC 14400

SC 14401

SC 14420

SC 14460

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 74> ID="2">*14> ID="3">Mikrocontroller oder Mikrocomputer mit einer Verarbeitungskapazität von 32 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, mit 16-bit Datenbussen und einem 16 × 16 bit Multiplizierer mit 32-bit Ergebnissen, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

TMS 320M520

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 75> ID="2">*23> ID="3">Mikrocontroller oder Mikrocomputer mit einer Verarbeitungskapazität von mindestens 40 bit, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CS 4920

DSP 56 000

DSP 56001

DSP 56002

DSP 56166

DSP 9 6002

TMS 320C500

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 77> ID="2">*03> ID="3">Nachrichtenbehandlungsbaustein auf der Grundlage von Gate Arrays, in C-MOS- Technik hergestellt, ausgelegt für die Mehr-Kanal-Übertragung über einen bidirektionellen Bus, mit einer Mikroprozessorschnittstelle, einer Sendeempfangseinheit für Sprache und Daten, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

QMV 253

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 77

ex 8542 11 79> ID="2">*05

*07> ID="3"> Kontrollbaustein für Plattenspeichereinheiten auf der Grundlage von Gate Arrays oder Standard-Zellen, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

0391343

6006Z1

6008

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 79> ID="2">*04> ID="3">Schnittstellen-Kontrollbaustein auf der Grundlage von Standard-Zellen, in C-MOS-Technik hergestellt, ausgelegt für die Kontrolle von Tintenstrahldruckkopf-Treiberbausteinen, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehendaufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

1MK5-0201

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 79> ID="2">*05> ID="3">Schnittstellen-Kontrollbaustein auf der Grundlage von Standard-Zellen, in C-MOS-Technik hergestellt, ausgelegt für die Datenorganisation und -übertragung zu einem Tintenstrahldruckkopf, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

1MK9-0201

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 79> ID="2">*06> ID="3">Schnittstellen-Kontrollbaustein auf der Grundlage von Standard-Zellen, in C-MOS-Technik hergestellt, ausgelegt als Schnittstelle zwischen einer Plattenspeichereinheit, einer Zentraleinheit, einem dynamischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, dynamisch) und einem lokalen Bus, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

68G0960

68G1002

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 79> ID="2">*08> ID="3">Baustein zur Audio-Signalverarbeitung auf der Grundlage von Standard-Zellen, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einem Lesespeicher, nicht programmierbar (sogenannter ROM), einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM), vier Analog-Digital-Wandlern, einer seriellen Schnittstelle, einer Einheit zur Frequenzherabsetzung und einer Lautsprecherüberspannungsschutzeinheit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombinationen als Bestandteil enthält:

VY 27051

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 82> ID="2">*02> ID="3">Drucker-Kontrollbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Kontrolleinheit für einen dynamischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, dynamisch), Direktspeicherzugriff-Registern, Registern zur Datenübermittlung zwischen 2 Mikroprozessoren und einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM, statisch), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

TMX 35C438

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 82> ID="2">*05> ID="3">Baustein zur Anzeigenkontrolle oder -Erzeugung von Zeichen für Flüssigkristallanzeigen oder Leuchtdiodenanzeigen, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

HD 61830

LH 5821

MC 141540

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 82> ID="2">*06> ID="3">Bus-Kontrollbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

2782654

69G1705

82308

82309

82355

82358

82374EB

82434LX

82 C 101

82 C 103

82 C 211

82 C 288

82 C 301

82 C 320

82 C 362

82 C 461

82 C 463

82 C 465

82 C 493

82 C 496

82 C 591

82 C 597

82 C 801B

82 C 802G

82 C 822

82 C 88

CA 91C014

ET 6 000

GC 181

HT 216

HT 321

L1A 4601

MSM 6307

R 4220

R 4230

TACT 83443

VAC 068

VIC 068

VIC 64

VL 82 C 331

VY 86 C 410

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 82> ID="2">*10> ID="3">Video-Kontrollbaustein mit mindestens einer der nachstehenden Funktionen:

a) Kontrolle von Kathodenstrahlröhren,

b) Kontrolle oder Steuerung von Flüssigkristallanzeigen,

c) Graphik-Kontrolle,

d) Farbselektionskontrolle,

in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse oder auf einer Kunststoffunterlage und mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

a) 82 C 434

a) 82 C 453

a) 86 C 805

a) 86 C 911

a) 86 C 928

a) AM 8052

a) ATI 68800

a) CL-GD542

a) CL-GD543

a) CRT 9007

a) CRT 97 C 11

a) ET 4 000

a) M 50452

a) MB 89321

a) MB 89322

a) TVGA 8900C

a) V 6363

a) VY 86 C 310

a) WD 90 C 10

a) WD 90 C 11

a) WD 90 C 30

a) WD 90 C 31

a) WD 90 C 33

b) 82 C 425

b) CL-GD6410

b) COP 472

b) H 5050

b) HD 44100

b) HD 44780

b) HD 66100

b) HD 61104T

b) HD 61105T

b) HD 66106T

b) HD 66107T

b) LC 7582

b) M 6003

b) M 6004

b) MSM 5259

b) MSM 5298

b) MSM 5299

b) MSM 5839

b) PCF 8576

b) SED 1520

b) SED 1521

b) SED 1600

b) SED 1610

b) T 6A39

b) T 6A40

b) TMS 3491

b) TMS 3492

b) TMS 57202

b) TMS 57206

b) TMS 57207

b) TMS 57210

b) TMS 57212

b) TMS 57213

b) V 6116

b) V 6117

b) V 6118

b) V 6120

b) V 6355-DJ

b) WD 90C24

c) 82 C 431

c) 82 C 435

c) 82 C 441

c) 82 C 451

c) 82 C 452

c) 84 C 451

c) AVGA1

c) CL-GD5410

c) HT 208

c) HT 209

c) L 64845

c) NCR 77C22

c) OTI 067

c) PEGA

c) PVGA

c) WD 90 C 00

d) 82 C 433

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 82> ID="2">*36> ID="3">Kontroll- oder Kontroll- und Steuerbaustein, mit zwei Direktspeicherzugriffs-Kontrolleinheiten und zwei Unterbrechungs-Kontrolleinheiten, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

82360SL

82C206

82C316

82C491

82C593

GC 101 SX

HT 101 SX

VL 82 C 480

VL 82 C 486

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 82> ID="2">*39> ID="3">Kontrollbaustein für Gleichstrommotoren, mit mindestens einem der nachstehenden Merkmale:

a) für bürstenlose 3-Phasen-Motoren, in BiMOS-Technik hergestellt, mit einer einzigen Versorgungsquelle von 5 V und Ausgängen mit einer Impedanz von 1,4 Ohm bei einem Strom von 1 A,

b) in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Schaltung zur Uberwachung der Spannungsversorgung, einer Schaltung zum Sammeln und Decodieren der Adressen und zum Multiplexen der Daten, einem 8-bit-Digital-Analog-Wandler und 5 Verstärkern,

c) in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, mit einem digitalen 16-bit-Filter,

in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

a) 9990CS

b) GC 27

b) GC 45

c) LM 629

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 82> ID="2">*89> ID="3">Decodierer/Leitungstreiber, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Ausgangsspannung von 30, 35 oder 60 V bei 500 mA, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

MC 34142

UCN 5816

UCN 5817

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 82> ID="2">*92> ID="3">Kontrollbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, ausgelegt für die Steuerung von 25 Lampen oder einer Leuchtdiodenanzeige mit sieben Segmenten, mit einer Treiberspannung von 4,5 bis 6 V, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

MC 14489

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 82> ID="2">*93> ID="3">Kontrollbaustein zum Steuern der Schreibstiftauslösung eines Druckkopfs, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

1TY5-0001

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 82> ID="2">*94> ID="3">Kontrollbaustein zum Steuern der Herabsetzung des Stromverbrauchs eines Mikroprozessors oder anderer peripheren Einheiten, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

1028 CP

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 84> ID="2">*02> ID="3">Leitungs-Schnittstellenbaustein mit Pulscode-Modulation, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer Leitungssendeeinheit, einer Leitungsempfangseinheit, einer Codier-/Decodiereinheit, einer Takt- und Datenerholungseinheit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

CS 61574

CS 61575

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 84> ID="2">*14> ID="3">Schnittstellen- oder Schnittstellen-Kontrollbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, mit mindestens einem der nachstehenden Merkmale:

a) für Daten zwischen einem peripheren Magnetplattenspeicher und einer Zentraleinheit,

b) zur Kontrolle der Datenkommunikation zwischen einer System-Bus-Schnittstelle und peripheren Einheiten, mit System-Schnittstellen-Anschluß, Mikroprozessor-Anschluß und Direktspeicherzugriff-Anschluß,

c) für Daten zwischen einer automatischen Datenverarbeitungsmaschine und einem Magnetplattenspeicher,

d) für Lese-Schreibdaten zwischen einer digitalen Audio-Bandspeichereinheit und einem Mikroprozessor,

in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

a) 82C611

a) AIC 560 L

a) DP 8466

a) M 5213

a) M 5215

a) OMTI 5080 (OMTI 2 0508)

a) OMTI 5090 (OMTI 2 0509)

a) WD 11 C 00-17

a) WD 14 C 00-17

a) WD 61 C 40

b) 1TU1-0301

b) 1TU2-0301

b) 1TV3-0301

b) 1TV3-0302

b) 1TV4-0301

b) 1TV4-0302

c) 32C260

c) AIC 6060

d) 1XK2-0301

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 84> ID="2">*46> ID="3">Schnittstellen-Kontrollbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, mit 48 mA-Treibern, Registern, einer 18- oder 32-bit-Direktspeicherzugriff-Schnittstelle, einem 8- oder 32-bit-Mikroprozessor-Bus und einer Einheit zur Paritätserzeugung und -prüfung, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

AM53C974

NCR 53C94

NCR 53C95

NCR 53C96

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 86> ID="2">*03> ID="3">Videoleitung-Kammfilter, in C-MOS-Technik hergestellt, zur Trennung von digitalen Helligkeits- und Farbsignalen, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

CXD 2024

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 86> ID="2">*04> ID="3">Digital-Analog- und Analog-Digital-Wandler, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einem Analog-Modulator für die Signalabtastung bei einer Frequenz von 1 024 MHz und einem Filter für die Signalabtastung eines Digital-Modulators bei einer Frequenz von 512 kHz, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

MSP 58C20

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 86> ID="2">*07> ID="3">Multiplexer/Demultiplexer, in C-MOS-Technik hergestellt, für das Umwandeln von 28 unabhängigen Signalen, mit einer Mikroprozessor-Busschnittstelle und einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM) mit einer Speicherkapazität von 256 bit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält:

TXC 03301

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 86> ID="2">*08> ID="3">Teilnehmerleitung-Sprach-Signal-Baustein (sogenannter Subscriber Line Audio Processing Circuit/SLAC), in C-MOS-Technik hergestellt, mit zwei Digital-Signalprozessoren, mindestens einem Analog-Digital-Wandler und mindestens einem Digital- Analog-Wandler, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

Am 7901

Am 7905

Am 79C02

Am 79C03

Am 79C04

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">7"> ID="1">ex 8542 11 86> ID="2">*09> ID="3">8-, 9-, 10-, 16-, oder 18-bit-Register, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

74FCT162374

74FCT162823BT

74FCT162823CT

74FCT16374

74FCT16823BT

74FCT16823CT

74FCT374

74FCT534

74FCT574

Am 29C818A

Am 29C821A

Am 29C823A

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 86> ID="2">*10> ID="3">Sendebaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einer einzigen Versorgungsquelle von +5 V, mit einer Datenübertragungsgeschwindigkeit von 120 Kbit pro Sekunde oder mehr bei einem Ausgangsspannungspegel von 5 V, mit nicht mehr als fünf Sendern, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit

- einer Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält:

MAX 200

MAX 204

oder

- einer anderen Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht.> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 86> ID="2">*12> ID="3">Codier-/Decodierbaus