VERORDNUNG (EWG) Nr. 2686/92 DER KOMMISSION vom 16. September 1992 zur Einführung eines vorläufigen Antidumpingzolls auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, sogenannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher), mit Ursprung in der Republik Korea

DIE KOMMISSION DER EUROPÄISCHEN GEMEINSCHAFTEN -

gestützt auf den Vertrag zur Gründung der Europäischen Wirtschaftsgemeinschaft,

gestützt auf die Verordnung (EWG) Nr. 2423/88 des Rates vom 11. Juli 1988 über den Schutz gegen gedumpte oder subventionierte Einfuhren aus nicht zur Europäischen Wirtschaftsgemeinschaft gehörenden Ländern (1), insbesondere auf Artikel 11,

nach Konsultationen in dem mit der vorgenannten Verordnung eingesetzten Beratenden Ausschuß,

in Erwägung nachstehender Gründe:

A. VERFAHREN

(1) Im März 1991 veröffentlichte die Kommission im Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften (2) eine Bekanntmachung über die Einleitung eines Antidumpingverfahrens betreffend die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, sogenannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher), mit Ursprung in Korea in die Gemeinschaft und leitete eine Untersuchung ein; die fraglichen Waren fielen seinerzeit unter folgende KN-Codes:

- fertige DRAMs: KN-Codes 8542 11 41, 8542 11 43, 8542 11 45;

- DRAM-Wafers: KN-Code ex 8542 11 10;

- DRAM-Chips: KN-Code ex 8542 11 30;

- DRAM-Module: KN-Codes für fertige DRAMs oder KN-Code ex 8473 30 00 oder ex 8548 00 00.

Nach einer Änderung der KN-Codes im Jahr 1992 durch die Verordnung (EWG) Nr. 2587/91 der Kommission (3) fallen DRAMs nunmehr unter folgende KN-Codes:

- fertige DRAMs: KN-Codes 8542 11 12, 8542 11 14, 8542 11 16, 8542 11 18;

- DRAM-Wafers: KN-Code ex 8542 11 01;

- DRAM-Chips: KN-Code ex 8542 11 05;

- DRAM-Module: KN-Code ex 8473 30 10 oder ex 8548 00 00.

(2) Diese Bekanntmachung wurde nach Erhalt eines schriftlichen Antrags der European Electronic Component Manufacturers' Association (EECA) veröffentlicht, auf die ein grösserer Teil der gesamten Gemeinschaftsproduktion von DRAMs entfällt. Der Antrag enthielt Beweise für das Vorliegen von Dumping bei der fraglichen Ware mit Ursprung in Korea und für eine dadurch verursachte bedeutende Schädigung. Diese Beweise wurden als ausreichend angesehen, um die Einleitung eines Verfahrens zu rechtfertigen.

(3) Die Kommission unterrichtete davon offiziell die bekanntermassen betroffenen Hersteller im Ausfuhrland sowie die Einführer, die Vertreter des Ausfuhrlandes und den Antragsteller. Sie gab allen direkt betroffenen Parteien Gelegenheit, ihren Standpunkt schriftlich darzulegen und eine Anhörung zu beantragen.

(4) Alle drei bekanntermassen betroffenen Hersteller in Korea arbeiteten an dem Verfahren mit.

(5) Vertreter sowohl dieser Hersteller als auch eines Ausführers, der nicht mit den koreanischen Herstellern verbunden ist und die fragliche Ware in die Gemeinschaft exportiert, sowie der Antragsteller und 16 Einführer legten ihren Standpunkt schriftlich dar. Sämtliche Hersteller, der Ausführer und alle verbundenen Einführer stellten Anträge auf Anhörung, denen stattgegeben wurde. Ferner legten zwei Gruppen von Abnehmern der fraglichen Ware in der EG ihren Standpunkt dar.

(6) Die Kommission holte alle Informationen ein, die für die vorläufige Sachaufklärung für notwendig erachtet wurden, prüfte sie nach und führte Untersuchungen in den Betrieben folgender Unternehmen durch:

a) EG-Hersteller

- Motorola Ltd, Glasgow, Vereinigtes Königreich,

- Siemens AG, München, Deutschland;

b) Hersteller in Korea

- Goldstar Electron Co., Ltd, Seoul,

- Hyundai Electronics Industries Co., Ltd, Icheon,

- Samsung Electronics Co., Ltd, Seoul;

c) Einführer in der EG

- Goldstar Deutschland GmbH, Willich, Deutschland,

- Hyundai Electronics Europe GmbH, Eschborn, Deutschland,

- Samsung Semiconductor Europe GmbH, Eschborn, Deutschland,

- Samsung UK, Ltd, Brentford, Middlesex, Vereinigtes Königreich;

d) Ausführer, der Waren mit Ursprung in Korea in die Gemeinschaft exportiert

- Texas Instruments Limited, Singapur.

(7) Die Dumpinguntersuchung bezog sich auf den Zeitraum vom 1. Januar bis 31. Dezember 1990 (Untersuchungszeitraum).

(8) Die Untersuchung selbst überstieg den normalen Zeitraum von einem Jahr, wie er in Artikel 7 Absatz 9 Buchstabe a) der Verordnung (EWG) Nr. 2423/88 (nachstehend "Grundverordnung" genannt) vorgesehen ist, da sie sich insbesondere in Anbetracht der Vielzahl der DRAM-Modelle und der Berechnung des Normalwerts auf Vierteljahresbasis (siehe Randnummer 19) als schwierig erwies.

B. WARE; GLEICHARTIGE WARE

(9) DRAMs werden zur Datenspeicherung in digitalen elektronischen Schaltkreisen (Rechensystemen) verwendet. Sie ermöglichen sowohl das Schreiben als auch das Lesen von Daten. Bei DRAMs handelt es sich um bestimmte integrierte Speicherbausteine, die nach verschiedenen MOS-Verfahren, den sogenannten CMOS-, BiCMOS- und NMOS-Verfahren, hergestellt werden. Die CMOS- und BiCMOS-Verfahren gehören zu den moderneren Fertigungsverfahren, die weniger Energie benötigen und kürzere Zugriffszeiten sowie eine grössere Arbeitstemperaturspanne ermöglichen. Zur Angabe der Speicherkapazität oder "Dichte" eines DRAMs werden die Grössenfaktoren "K" oder "M" verwendet. K wird zwar mit tausend gleichgesetzt, bezieht sich aber genaugenommen auf die Binärzahl 1024. M wird als gleichbedeutend mit einer Million betrachtet, steht aber eigentlich für 1,045 Millionen. So verfügt beispielsweise ein 1M-DRAM über eine Speicherkapazität von rund 1,045 Millionen Bit.

(10) Bei der DRAM-Fertigung lassen sich folgende vier Hauptphasen unterscheiden:

1. Herstellung oder Diffusion von DRAM-Wafern (sogenannter Front-end-Fertigungsvorgang)

Dies ist technologisch die anspruchsvollste Fertigungsstufe. Sie umfasst Hunderte von Bearbeitungsschritten, die zur Herstellung eines Siliciumwafers erforderlich sind. Am Ende enthält der DRAM-Wafer fertige DRAM-Chips, die alle wesentlichen technischen Eigenschaften fertiger DRAMs besitzen. Diese Fertigungsstufe erfordert sehr hohe Investitionen; das Gros der Forschungs- und Entwicklungstätigkeit (nachstehend FuE genannt) ist auf die Konzeption und Entwicklung dieser DRAM-Fertigungsstufe ausgerichtet (bezeichnenderweise befinden sich die FuE-Labors in der Nähe der DRAM-Wafer-Fertigungsstätten).

2. Montage von DRAMs (sogenanntes DRAM-Packaging)

Nach der Herstellung wird der DRAM-Wafer in einzelne DRAM-Chips zerlegt, die gebondet und in einem Gehäuse aus Plastik oder Keramik eingeschlossen bzw. verpackt werden. Diese Fertigungsstufe wird als Montage bezeichnet.

3. Testen von DRAMs

Vor dem Versand werden die montierten oder verpackten DRAMs auf ihre Funktionstüchtigkeit geprüft (nachstehend "fertige DRAMs" genannt). Dieser Fertigungsvorgang wird üblicherweise in Verbindung mit der Montage durchgeführt, wobei beide Stufen zusammen als Back-end-Fertigungsvorgang bezeichnet werden.

Die Back-end-Fertigungsvorgänge sind technologisch weniger anspruchsvoll und erfordern nur relativ begrenzte Investitionen und FuE-Ausgaben. Die Kosten für die Back-end-Fertigung machen zudem je nach Ware nur einen relativ geringen Teil der gesamten Produktionskosten aus.

4. In einer weiteren Fertigungsstufe ist es möglich, zwei oder mehr fertige DRAMs zu sogenannten DRAM-Modulen oder "Stack"-DRAMs zusammenzusetzen, um die verfügbare Gesamtspeicherkapazität zu erhöhen.

(11) DRAMs werden im allgemeinen nach folgenden Kriterien eingeteilt:

- Dichte (z. B. 256 K, 1 M, 4 M),

- Herstellungsverfahren (z. B. NMOS, CMOS, BiCMOS),

- Konfiguration (z. B. ×1, ×4),

- Gehäuse (z. B. PDIP, PSOJ, PZIP),

- Zugriffszeit (z. B. 100 ns, 80 ns, 70 ns).

(12) Die Untersuchung ergab, daß es verschiedene Arten von DRAMs gibt:

- DRAM-Wafers und DRAM-Chips;

- fertige DRAMs, die sich im Hinblick auf Dichte, Herstellungsverfahren, Konfiguration, Gehäuse und Zugriffszeit unterscheiden;

- DRAM-Module und "Stack"-DRAMs, die sich im Hinblick auf Dichte, Herstellungsverfahren, Konfiguration, Gehäuse und Zugriffszeit unterscheiden;

- DRAM-Varianten wie VRAMs (Video-RAMs) und Pseudo-SRAMs, die sich im Hinblick auf Dichte, Herstellungsverfahren, Konfiguration, Gehäuse und Zugriffszeit unterscheiden.

(13) In diesem Zusammenhang musste die Kommission prüfen, ob alle diese Arten von DRAMs als ein und dieselbe Ware zu betrachten sind.

(14) Ein koreanischer Ausführer behauptete, DRAM-Wafers, DRAM-Chips und fertige DRAMs könnten nicht als ein und dieselbe Ware betrachtet werden, weil DRAM-Wafers und DRAM-Chips nicht mit fertigen DRAMs identisch wären. DRAM-Wafers und DRAM-Chips wären vielmehr die Grundbausteine fertiger DRAMs.

Eine Gruppe von DRAM-Abnehmern in der Gemeinschaft beantragte, fertige DRAMs unterschiedlicher Dichte nicht als ein und dieselbe Ware zu betrachten, weil einige fertige DRAMs mit bestimmten Speicherkapazitäten entweder nicht vom Industriezweig der Gemeinschaft hergestellt oder aber im Untersuchungszeitraum nicht eingeführt wurden. Insbesondere wurde geltend gemacht, daß für die Entwicklung künftiger Generationen fertiger DRAMs (z. B. 16M-DRAMs) eine spezifische produktionsbezogene FuE-Tätigkeit erforderlich sei, so daß diese Generationen bei der Definition der fraglichen Ware nicht berücksichtigt werden sollten.

(15) In diesem Zusammenhang weist die Kommission darauf hin, daß DRAM-Wafers und DRAM-Chips, fertige DRAMs, DRAM-Module, "Stack"-DRAMs und DRAM-Varianten der verschiedenen vorgenannten Kategorien dieselben technischen und materiellen Eigenschaften haben und ähnliche Verwendungen aufweisen.

Dies geht aus folgendem hervor:

- DRAM-Wafers und DRAM-Chips

- Nach der Herstellung bzw. Diffusion eines DRAM-Wafers besitzen die darauf enthaltenen DRAM-Chips alle wesentlichen elektronischen Eigenschaften, die DRAMs von anderen Waren unterscheiden;

- es gibt faktisch keinen getrennten Absatzmarkt für DRAM-Wafers und DRAM-Chips;

- DRAM-Wafers und darauf enthaltene DRAM-Chips werden beide einer einzigen Verwendung zugeführt (Speicherbaustein in fertigen DRAMs).

- Fertige DRAMs

DRAMs, auch wenn sie sich im Hinblick auf derzeitige oder künftige Speicherkapazitäten, Herstellungsverfahren, Konfigurationen oder Gehäuse oder die Zugriffszeiten unterscheiden, gehören alle zu derselben allgemeinen Kategorie von Waren mit denselben Grundfunktionen und denselben grundlegenden Verwendungszwecken. Auch wenn die Erfahrungen, die sowohl während einer einzigen DRAM-Generation (DRAMs derselben Dichte werden als DRAM-Generation bezeichnet) als auch über mehrere aufeinanderfolgende DRAM-Generationen gesammelt wurden, zu gewissen schrittweisen Umstellungen bei der Konzeption und dem Herstellungsverfahren geführt haben mögen, hat sich an dem wesentlichen Merkmal von DRAMs, nämlich ihrer Speicherfunktion, nichts geändert. Unterstrichen wird dies durch die starke Preiskohärenz bei DRAMs zweier aufeinanderfolgender Generationen (z. B. 1M-DRAMs und 4M-DRAMs), insbesondere zum Zeitpunkt des Übergangs von einer Generation zur nächsten.

- DRAM-Module und "Stack"-DRAMs

DRAM-Module oder "Stack"-DRAMs bestehen im wesentlichen aus zwei oder mehr fertigen DRAMs, die auf einer Schaltplatte zusammengesetzt werden, um eine grosse Speicherkapazität zu bieten. Sie erfuellen damit grundsätzlich dieselbe Funktion wie einzelne fertige DRAMs und werden als Multikombinationsform eines DRAMs betrachtet.

- Varianten fertiger DRAMs wie VRAMs (Video-RAMs) und Pseudo-SRAMs

VRAMs und Pseudo-SRAMs haben, sofern sie auf der DRAM-Technologie beruhen, dieselben technischen und materiellen Eigenschaften wie fertige DRAMs und dienen genau wie fertige DRAMs grundsätzlich als Speicher, wenn auch in spezifischen Anwendungsbereichen.

(16) Daher kommt die Kommission zu dem Schluß, daß alle unter Randnummer 15 aufgeführten DRAMs (Modelle, Speicherkapazitäten und Varianten einschließlich künftiger Speicherkapazitäten, Herstellungsverfahren und Gehäuse) für die Zwecke dieses Verfahrens als ein und dieselbe Ware, und zwar die fragliche Ware, zu betrachten sind.

(17) Was die Frage betrifft, ob die in Korea verkauften DRAM-Erzeugnisse und die von den Gemeinschaftsherstellern in der EG verkauften DRAM-Erzeugnisse mit der fraglichen Ware gleichzusetzen sind, so ergab die Untersuchung, daß alle diese DRAM-Erzeugnisse sowohl dieselben spezifischen Eigenschaften als auch dieselben Anwendungsbereiche und Verwendungszwecke aufweisen und demnach zu einer einzigen Kategorie von Waren gehören, die sich im Sinne von Artikel 2 Absatz 12 der Grundverordnung in jeder Hinsicht gleichen und nachstehend "DRAMs" genannt werden.

C. DUMPING

1. Normalwert

(18) Alle drei koreanischen Hersteller verkauften DRAMs an unabhängige Abnehmer auf dem koreanischen Markt, und zwar sowohl an Vertriebsgesellschaften als auch Endabnehmer.

(19) Was die Ermittlung der Normalwerte für die in die EG ausgeführten DRAMs betrifft, so behauptete ein koreanischer Hersteller, daß es bei der DRAM-Produktion im allgemeinen nach einer gewissen Zeit aufgrund des Lernkurveneffekts zu beträchtlichen Kostensenkungen kommt, die sich in der Entwicklung der Verkaufspreise sowohl auf dem Inlandsmarkt als auch auf den Exportmärkten niederschlagen. Deswegen sollten die Normalwerte auf Vierteljahresbasis ermittelt werden.

Eine genaue Analyse bestätigte, daß sich im allgemeinen die Produktionskosten für DRAMs bei allen drei koreanischen Herstellern im Untersuchungszeitraum verringerten.

Ferner ging aus Quartalsangaben hervor, daß die Preise auf dem koreanischen Markt im allgemeinen dieser rückläufigen Entwicklung folgten.

Daher beschloß die Kommission, den Normalwert vorläufig auf Vierteljahresbasis zu ermitteln.

(20) Für die Ermittlung des Normalwertes wurde zunächst geprüft, ob die Verkäufe in Korea als repräsentativ angesehen werden konnten und ob sie im normalen Handelsverkehr getätigt wurden.

Es zeigte sich, daß das Volumen der Inlandsverkäufe bei einigen DRAMs weniger als 5 % der Exporte in die EG erreichte und daß bestimmte DRAMs in einem gegebenen Vierteljahreszeitraum nicht auf dem Inlandsmarkt verkauft wurden.

Bei den übrigen Verkäufen in Korea wurde anhand der entsprechenden vierteljährlichen Produktionskosten geprüft, in welchem Masse die Verkäufe von Exportmodellen auf dem Inlandsmarkt zu Preisen getätigt wurden, die alle Produktionskosten deckten.

Diese Überprüfung ergab, daß bei zwei koreanischen Herstellern sämtliche Verkäufe der betreffenden DRAMs und bei dem dritten koreanischen Hersteller mehr als 90 % dieser Verkäufe zu Preisen getätigt wurden, die nicht alle in vertretbarer Weise angelasteten Kosten deckten.

Auf Grundlage der vorgenannten Ergebnisse betreffend die Repräsentativität der Inlandsverkäufe und deren Abwicklung im normalen Handelsverkehr wurden bei allen koreanischen Herstellern die Normalwerte für sämtliche DRAMs gemäß Artikel 2 Absatz 3 Buchstabe b) Ziffer ii) der Grundverordnung rechnerisch ermittelt.

(21) Die rechnerisch ermittelten Normalwerte wurden für jeden Hersteller anhand seiner Produktionskosten, d. h. der Herstellungskosten und der Vertriebs-, Gemein- und Verwaltungskosten, zuzueglich einer angemessenen Gewinnspanne festgesetzt.

(22) Die Vertriebs-, Gemein- und Verwaltungskosten wurden unter Zugrundelegung der Kosten berechnet, die jedem betroffenen koreanischen Hersteller beim Verkauf gleichartiger Waren an unabhängige Käufer auf dem Inlandsmarkt entstanden.

Alle im Untersuchungszeitraum entstandenen FuE-Kosten, die sich auf gegenwärtige beziehungsweise künftige DRAMs bezogen, wurden auf die im Untersuchungszeitraum verkauften DRAMs umgelegt. Diese Vorgehensweise erschien in Anbetracht der Natur der FuE-Kosten sowohl vom wirtschaftlichen als auch vom buchhalterischen Standpunkt als am besten geeignet und steht im übrigen im Einklang mit der üblichen Praxis der Kommission, gerade im Bereich der integrierten Schaltkreise.

(23) Da keiner der koreanischen Hersteller Inlandsverkäufe mit ausreichendem Gewinn tätigte und keine zuverlässigen Gewinnangaben für denselben Geschäftszweig auf dem koreanischen Markt, nämlich den Halbleitersektor im allgemeinen, vorlagen, musste die Gewinnspanne zur Festsetzung der Normalwerte gemäß Artikel 2 Absatz 3 Buchstabe b) Ziffer ii) der Grundverordnung auf einer anderen angemessenen Grundlage ermittelt werden.

Hier ist darauf hinzuweisen, daß im DRAM-Sektor die Höhe des erforderlichen Gewinns in starkem Masse von den nachstehenden Faktoren abhängt, von denen keiner mit der Verkaufstätigkeit der betroffenen Hersteller auf deren jeweiligen regionalen Absatzmärkten zusammenhängt (d. h. es ist unerheblich, ob die Verkäufe eines koreanischen DRAM-Herstellers innerhalb oder ausserhalb Koreas getätigt werden):

- Finanzierung der hohen FuE-Kosten für künftige DRAMs;

- Deckung des enormen Kapitalbedarfs für die Aufnahme der künftigen Massenproduktion;

- kurze Innovationszyklen und

- im allgemeinen die Risiken, die mit dieser zyklischen Geschäftstätigkeit verbunden sind.

Ferner ist darauf hinzuweisen, daß der Kapitalbedarf für FuE und Investitionen für jede neue DRAM-Generation exponentiell steigt.

Unter Berücksichtigung der obengenannten Faktoren, die maßgeblich sind für die Gewinnspanne im DRAM-Sektor im allgemeinen und die Marktsituation in Korea im besonderen, sowie in Anbetracht der Erfahrungen, die die Kommission im Verlauf früherer Antidumpingverfahren in dem einschlägigen Sektor sammeln konnte, betrachtet die Kommission für die Zwecke dieses Verfahrens eine Gewinnspanne von 13,5 % als angemessen und repräsentativ für den koreanischen Markt.

2. Ausfuhrpreise

(24) Für die Zwecke der vorläufigen Sachaufklärung wurden die Ausfuhrpreise anhand der tatsächlich gezahlten oder zu zahlenden Preise für Waren ermittelt, die zur Ausfuhr in die Gemeinschaft verkauft wurden. Diese Ausfuhrpreise umfassten sowohl die Preise für Direktausfuhren in die Gemeinschaft als auch auf die Preise für Exporte, die über den unter Randnummer 6 genannten unabhängigen Ausführer abgewickelt wurden.

Im Falle der Exportverkäufe an Vertriebstochtergesellschaften in der EG, die mit koreanischen Herstellern verbunden sind, wurden die Ausfuhrpreise anhand der Preise ermittelt, zu denen die DRAMs erstmals an einen unabhängigen Käufer in der EG weiterverkauft wurden. Dabei wurden Berichtigungen vorgenommen für alle zwischen der Einfuhr und dem Wiederverkauf entstandenen Kosten und eine angemessene Gewinnspanne, die die Kommission aufgrund der verfügbaren Informationen sowohl in diesem als auch in vorausgegangenen Verfahren auf 5 % festsetzte.

Bei einem Unternehmen, das nicht alle Kosten angegeben hatte, die seinen verbundenen Einführern zwischen der Einfuhr und dem Weiterverkauf an den ersten unabhängigen Käufer in der EG entstanden waren, schloß die Kommission diese Kosten in die Berechnung des Ausfuhrpreises ein.

3. Vergleich

(25) Die entsprechend den Randnummern 21 bis 23 auf Vierteljahresbasis ermittelten Normalwerte wurden für identische DRAMs gemäß Artikel 2 Absatz 9 Buchstabe a) der Grundverordnung je Geschäftsvorgang auf der Stufe ab Werk mit den Ausfuhrpreisen verglichen.

(26) Gemäß Artikel 2 Absätze 9 und 10 der Grundverordnung wurden Berichtigungen für Unterschiede bei den Verkaufsbedingungen zugestanden, sofern sie in direktem Zusammenhang mit den fraglichen Verkäufen standen und die Kommission davon überzeugt war, daß sie gerechtfertigt waren. Ferner wurden Berichtigungen vorgenommen für Unterschiede bei den Transport-, Versicherungs-, Bereitstellungs-, Verlade- und Nebenkosten sowie den Gehältern des Verkaufspersonals. Was letztere betrifft, so wurden mehrere beantragte Berichtigungen nicht zugestanden, da die Untersuchung ergab, daß es sich nicht in allen Fällen um Gehälter von Personal handelte, das ausschließlich mit unmittelbaren Verkaufstätigkeiten befasst war, wie dies in der Grundverordnung gefordert wird.

4. Dumpingspannen

(27) Die vorläufige Sachaufklärung ergab, daß bei den Einfuhren der fraglichen Ware mit Ursprung in Korea Dumping vorliegt.

Vorläufig wurden für die betroffenen Hersteller folgende gewogene durchschnittliche Dumpingspannen, ausgedrückt als Prozentsatz des cif-Gesamtwertes der Einfuhren, frei Grenze der Gemeinschaft, ermittelt:

- Goldstar 122,4 %,

- Hyundai 57,3 %,

- Samsung 18,1 %.

(28) Im Falle der Ausführer, die weder den Fragebogen der Kommission beantworteten noch sich in anderer Weise meldeten, wurde die Dumpingspanne gemäß Artikel 7 Absatz 7 Buchstabe b) der Grundverordnung anhand der verfügbaren Fakten ermittelt.

Dabei war die Kommission der Auffassung, daß im Einklang mit der üblichen Praxis die höchste Dumpingspanne gewählt werden sollte, die bei einem kooperierenden Hersteller festgestellt wurde.

D. INDUSTRIEZWEIG DER GEMEINSCHAFT

(29) Die Kommission stellte fest, daß im Untersuchungszeitraum effektiv drei in der EG niedergelassene Unternehmen DRAMs herstellten. Zwei dieser Hersteller zählten zu den Antragstellern. Der dritte Hersteller, NEC Semiconductors Ltd, Livingston, Vereinigtes Königreich, arbeitete an dem Verfahren nicht mit.

(30) Da nicht alle in der Gemeinschaft niedergelassenen DRAM-Hersteller an der Untersuchung mitarbeiteten, musste der Produktionsanteil der Antragsteller anhand von Marktforschungsdaten ermittelt werden. Dabei ergab sich, daß auf die Antragsteller mehr als 80 % der gesamten DRAM-Produktion in der EG entfielen; sie stellen damit für die Zwecke dieses Verfahrens den grössten Teil des Industriezweigs der Gemeinschaft dar.

(31) Ein koreanischer Hersteller behauptete, ein Antragsteller (Siemens AG) wäre selbst ein Einführer von DRAMs; Siemens hätte im Untersuchungszeitraum in der Tat beträchtliche Mengen DRAMs von ihm gekauft und sollte daher gemäß Artikel 4 Absatz 5 der Grundverordnung nicht als Teil des Industriezweigs der Gemeinschaft betrachtet werden.

(32) In diesem Zusammenhang prüfte die Kommission, ob Hersteller, die mit Ein- bzw. Ausführern verbunden oder selbst Einführer der betreffenden Ware sind, bei der Definition des Industriezweigs der Gemeinschaft auszuschließen sind. Ein solcher Ausschluß muß von Fall zu Fall anhand stichhaltiger Gründe und unter Berücksichtigung aller einschlägigen Aspekte beschlossen werden.

(33) Die Sachaufklärung ergab, daß die Siemens AG in verschiedene Produktgruppen untergliedert ist (Systeme, Halbleiter usw.). Die Systemhersteller der Siemens AG verwenden DRAMs aus Korea ausschließlich als Bauteile für die eigene Fertigung und verkaufen sie in der Gemeinschaft nicht weiter. Die Kommission weist darauf hin, daß der Preisunterschied zwischen den koreanischen Waren und denen der Gemeinschaftshersteller (und zwar insbesondere denen der Halbleiterhersteller der Siemens AG) Siemens kaum eine andere Wahl ließ, als die fraglichen Waren von koreanischen Herstellern zu beziehen. Jedes andere Verhalten hätte seinen wirtschaftlichen Interessen geschadet und einen Wettbewerbsnachteil zur Folge gehabt, da seine Konkurrenten freien Zugang zu den eingeführten Billigwaren hatten und damit kostenmässig gesehen ihre Position auf dem wettbewerbsorientierten System-Markt verbessern konnten. Wenn die Systemhersteller der Siemens AG DRAMs zum Teil von koreanischen Herstellern statt von den Halbleiterherstellern der Siemens AG beziehen konnten, dann deshalb, weil Siemens in verschiedene Profit Center untergliedert ist, denen es freisteht, bei allen Herstellern einzukaufen, die ihnen die besten Preis- und Marktbedingungen bieten. Die Entscheidung von Siemens bedeutete in keiner Weise, daß sich dessen vorrangiges Interesse von der Herstellung auf die Einfuhr verlagert hatte. Die Kommission konnte im Laufe der Untersuchung die Überzeugung gewinnen, daß Siemens die feste Absicht hatte, die DRAM-Herstellung in der Gemeinschaft fortzuführen.

(34) Unter diesen Umständen ist die Kommission der Ansicht, daß das Verhalten der Systemhersteller der Siemens AG als ein Akt der wirtschaftlichen Selbstverteidigung betrachtet werden kann und insofern eine legitime und gerechtfertigte Geschäftsentscheidung darstellt. Es gibt demnach keine stichhaltigen Gründe, die Siemens AG bei der Definition des Industriezweigs der Gemeinschaft nicht zu berücksichtigen. Die Kommission kommt zu dem Schluß, daß die Antragsteller die erforderlichen Voraussetzungen erfuellen, um als Industriezweig der Gemeinschaft im Sinne von Artikel 4 Absatz 5 der Grundverordnung betrachtet zu werden.

(35) Ein koreanischer Hersteller meinte, ein Antragsteller dürfe nicht zum Industriezweig der Gemeinschaft gerechnet werden, weil er nicht alle Fertigungsstufen zur Herstellung von DRAMs in der Gemeinschaft durchführe.

In diesem Zusammenhang weist die Kommission darauf hin, daß die Zugehörigkeit zum Industriezweig der Gemeinschaft weder voraussetzt, daß ein Hersteller den gesamten Fertigungsprozeß für bestimmte Modelle in der Gemeinschaft ausführt, noch daß er alle von ihm angebotenen Erzeugnisse in der Gemeinschaft herstellt.

Es wird als ausreichend angesehen, daß ein Hersteller einen grösseren Teil seiner gesamten Fertigung in der Gemeinschaft abwickelt und so zu erkennen gibt, daß er sich seiner Position als Gemeinschaftshersteller verpflichtet fühlt.

Im Verlauf der Untersuchung stellte die Kommission fest, daß der betreffende Gemeinschaftshersteller den gesamten Front-end-Fertigungsprozeß (d. h. die Diffusion der DRAM-Wafers) und einen Teil des Back-end-Fertigungsprozesses (d. h. Montage und Testen der DRAMs) in der Gemeinschaft ausführte. Bei einigen in der EG verkauften DRAMs wurde die Back-end-Fertigung ausserhalb der Gemeinschaft unter Verwendung von DRAM-Wafern und DRAM-Chips durchgeführt, die in der Gemeinschaft hergestellt worden waren. Wie unter Randnummer 10 dargelegt, ist der Front-end-Fertigungsvorgang technologisch die anspruchsvollste Produktionsstufe, die hohe Investitionen verlangt. Während der Front-end-Fertigung erhalten die DRAM-Wafers bzw. DRAM-Chips alle wesentlichen technischen Eigenschaften der fertigen DRAMs. Zudem befindet sich die Hauptverwaltung des Herstellers, in der die zentralen Planungs- und Verwaltungsarbeiten durchgeführt werden, in der Gemeinschaft. Wie unter den Randnummern 12 und 16 dargelegt, ist die Kommission im übrigen der Auffassung, daß es sich bei DRAM-Wafern, DRAM-Chips sowie fertig montierten und getesteten DRAMs um ein und dieselbe Ware handelt. Daher führt der betreffende Antragsteller nach Ansicht der Kommission den grössten Teil der gesamten DRAM-Fertigung in der Gemeinschaft durch und kann folglich als Teil des Industriezweigs der Gemeinschaft betrachtet werden.

E. SCHÄDIGUNG

1. Volumen des Gemeinschaftsmarktes - Volumen und Marktanteile der koreanischen Einfuhren

(36) Zwischen 1986 und 1990 stieg der Gesamtverbrauch von DRAMs in der EG kontinuierlich, und zwar gemessen in tausend Megabits, von rund 25 000 im Jahr 1986 auf etwa 55 000 im Jahr 1988 und 150 000 im Jahr 1990 (d. h. um mehr als 450 %) beziehungsweise, gemessen in tausend ECU, von rund 240 000 im Jahr 1986 auf etwa 800 000 im Jahr 1988 und 850 000 im Jahr 1990 (d. h. um mehr als 250 %).

Wertmässig gesehen (tausend ECU) war der Anstieg des EG-Verbrauchs zwischen 1988 und 1989 und zwischen 1989 und 1990 um vieles geringer als volumenmässig gesehen (tausend Megabits). Dies weist auf einen erheblichen allgemeinen Preisverfall auf dem EG-Markt für DRAMs insbesondere im Jahr 1990 hin.

(37) Im gleichen Zeitraum (1986 bis 1990) nahmen die DRAM-Einfuhren aus Korea in die Gemeinschaft, gemessen in tausend Megabits, stark zu, und zwar von rund 1 500 im Jahr 1986 auf 7 500 im Jahr 1988 und 37 000 im Jahr 1990. Sie erhöhten sich damit um mehr als das 23fache. Damit stieg der Marktanteil der koreanischen Einfuhren, gemessen in Megabits, von rund 6 % im Jahr 1986 auf etwa 15 % im Jahr 1988 und 25 % im Jahr 1990. Dies entspricht einer Zunahme um mehr als 300 %.

Auch gemessen in tausend ECU stiegen die DRAM-Einfuhren aus Korea in den letzten fünf Jahren erheblich, und zwar von rund 19 000 im Jahr 1986 auf 150 000 im Jahr 1988 und 170 000 im Jahr 1990; damit haben sie sich mehr als verachtfacht.

Entsprechend stieg der Marktanteil der koreanischen Einfuhren wertmässig gesehen von rund 8 % im Jahr 1986 auf etwa 19 % im Jahr 1988 und 20 % im Jahr 1990, d. h. um rund 150 %.

2. Preise der gedumpten koreanischen Einfuhren

(38) Zur Beurteilung des Preisverhaltens der koreanischen Hersteller wurden ihre Preise auf dem EG-Markt während des Untersuchungszeitraums eingehend geprüft. Diese Prüfung erfolgte anhand von Verkaufsberichten, die sowohl die koreanischen Hersteller als auch die Gemeinschaftshersteller je Geschäftsvorgang für identische Modelle vorlegten; erfasst wurden Verkäufe an den ersten unabhängigen Käufer in der Gemeinschaft.

Soweit angemessen wurden Kostenunterschiede bei bestimmten Verkaufsgeschäften berücksichtigt; dazu wurden insbesondere bei Direktverkäufen der koreanischen Hersteller an unabhängige Kunden in der Gemeinschaft Berichtigungen für Versicherungs- und Frachtkosten vorgenommen.

Die Prüfung ergab, daß bei allen drei koreanischen Herstellern eine erhebliche Preisunterbietung vorlag; die individuellen gewogenen durchschnittlichen Preisunterbietungsspannen schwankten zwischen 9,3 % und 20,7 %.

In diesem Zusammenhang ist darauf hinzuweisen, daß ein hoher Anteil der Verkäufe der koreanischen Hersteller auf dem Gemeinschaftsmarkt sogar zu Preisen getätigt wurde, die unter den Produktionskosten lagen.

3. Situation des Industriezweigs der Gemeinschaft

a) Allgemeines

(39) Ein Gemeinschaftshersteller, Motorola, hatte bereits zu Beginn der 80er Jahre DRAMs in der Gemeinschaft hergestellt; die sich verschlechternden Marktbedingungen veranlassten ihn jedoch 1985, seine Fertigung einzustellen. 1987 entschloß sich Motorola zur Wiederaufnahme der DRAM-Herstellung in der Gemeinschaft (Beginn der Warenproduktion: zweites Halbjahr 1989), und zwar in der Erwartung, daß das Antidumpingverfahren der Kommission gegenüber den japanischen Herstellern zu einer Verbesserung der Marktsituation führen würde.

In der Folgezeit beschloß Motorola, seine Produktionskapazität auszuweiten, weil Verkaufs- und Preisprojektionen eine rentable Geschäftstätigkeit auf dem EG-Markt erwarten ließen. Später mussten diese Expansionspläne aufgrund des erheblichen Preisverfalls in der EG verworfen werden.

(40) Der andere Gemeinschaftshersteller (Siemens) nahm die DRAM-Fertigung 1988 während der Antidumping-Untersuchung betreffend DRAMs mit Ursprung in Japan auf, die ergab, daß japanische Hersteller in der Zeit von 1986 bis 1987 schädigendes Dumping betrieben hatten.

Die Produktion wurde 1988 in der Erwartung aufgenommen, daß nach dem Antidumpingverfahren gegenüber den japanischen Herstellern in der EG faire Marktbedingungen herrschen würden. Daraufhin erreichte Siemens einen beachtlichen Marktanteil in der Gemeinschaft.

Nach einem erheblichen Preisverfall auf dem EG-DRAM-Markt musste Siemens 1989/90 Pläne für den Bau einer zusätzlichen Fertigungsstätte für die neue 4M-DRAM-Generation zunächst aufschieben und schließlich ändern.

Mit der Herstellung von 4M-DRAMs wurde statt dessen in einer bestehenden kleineren Produktionseinrichtung begonnen. In der Folge erwog Siemens, selbst diese Produktionseinrichtung zu schließen, einen Teil der Belegschaft zu entlassen und die DRAM-Herstellung auf den Hauptbetrieb in Regensburg zu konzentrieren.

b) Produktion

(41) Nach Aufnahme der Fertigung (1988/89) stieg die Gesamtproduktion der Gemeinschaftshersteller, gemessen in tausend Megabits, zwischen 1988 und 1990 um das 9fache und erreichte rund 45 000.

c) Absatzvolumen, Marktanteile

(42) Nach Aufnahme der EG-Fertigung (1988/89) stieg der Absatz der Gemeinschaftshersteller zwischen 1988 und 1990, gemessen in tausend Megabits, auf etwa 35 000 beziehungsweise auf rund 180 Millionen ECU.

(43) Damit hielten die Gemeinschaftshersteller 1990 einen Anteil von rund 20 % auf dem EG-Markt, und zwar sowohl gemessen in tausend Megabits als auch in tausend ECU.

d) Lagerbestände

(44) In der Zeit von 1988 bis 1990 stiegen die Lagerbestände der Gemeinschaftshersteller, gemessen in tausend Megabits, um mehr als das 18fache.

e) Preise

(45) Infolge der erheblichen Preisunterbietung durch die koreanischen Hersteller gingen die Verkaufspreise der Gemeinschaftshersteller im Untersuchungszeitraum stark zurück. In dieser sehr preisempfindlichen Branche blieb dem Industriezweig der Gemeinschaft kaum eine andere Wahl, als sich an die Preise der koreanischen Hersteller anzupassen, um seine DRAMs absetzen zu können. Die Gemeinschaftsindustrie musste demnach einen Preisverfall hinnehmen. Nun kommt es in dieser Branche zwar üblicherweise durch eine Verringerung der Stückkosten zu einer gewissen Preissenkung, doch macht ein Preisrückgang um mehr als 40 % allein im Untersuchungszeitraum deutlich, welch starken Preisverfall der Industriezweig der Gemeinschaft erlitten hat.

f) Finanzielle Lage

(46) Obwohl die Gemeinschaftshersteller ihren Marktanteil und ihren Absatz in der EG beträchtlich steigern konnten, kam es seit der Produktionsaufnahme in den Jahren 1988/1989 zu einer erheblichen Verschlechterung ihrer finanziellen Lage. Nun war in einer Branche mit erheblichen Lerneffekten durchaus davon auszugehen, daß die Gemeinschaftshersteller bei Produktionsaufnahme finanzielle Verluste erleiden würden. Im Untersuchungszeitraum verschlechterte sich ihre finanzielle Lage jedoch so stark, daß die DRAM-Industrie der EG in ihrer Lebensfähigkeit insgesamt bedroht ist. Gemessen in Millionen ECU erreichten die finanziellen Verluste in dieser Zeit eine dreistellige Höhe. In Anbetracht des Zeitraums, der seit der Produktionsaufnahme vergangen ist, kann im übrigen nicht mehr gesagt werden, daß sich die Gemeinschaftsindustrie in der Anfangsphase befindet. Dennoch blieb die Verringerung der Stückkosten, die sich in dieser Branche aus der Massenproduktion ergibt, hinter den Erwartungen zurück.

4. Argumente zu der Schädigung

(47) Alle drei koreanischen Hersteller machten geltend, es könne nicht von einer Schädigung des Industriezweigs der Gemeinschaft gesprochen werden, da dieser in der Zeit von 1988 bis 1990 seinen Absatz und seinen Marktanteil erheblich steigern konnte.

In diesem Zusammenhang weist die Kommission darauf hin, daß die erhebliche Steigerung des Absatzes und des Marktanteils der Gemeinschaftshersteller darauf zurückzuführen ist, daß diese die DRAM-Fertigung erst 1988/89 nach Einleitung des Antidumpingverfahrens betreffend DRAMs mit Ursprung in Japan aufnahmen. Die Produktionsaufnahme musste zwangsläufig mit einer Steigerung des Absatzes und des Marktanteils einhergehen. Diese Steigerung ist jedoch vor dem Hintergrund der schweren finanziellen Verluste zu sehen, die der Industriezweig der Gemeinschaft nach dem Preisverfall auf dem EG-Markt erlitt.

5. Schlußfolgerung

(48) In Anbetracht der steigenden Lagerbestände der Gemeinschaftshersteller und insbesondere ihrer hohen finanziellen Verluste kommt die Kommission zu dem Schluß, daß dem Industriezweig der Gemeinschaft ein erheblicher Schaden im Sinne von Artikel 4 Absatz 1 der Grundverordnung zugefügt worden ist.

F. SCHADENSURSACHE

1. Auswirkungen der gedumpten Einfuhren

(49) Der jähe Anstieg der gedumpten koreanischen Einfuhren fällt zeitlich zusammen mit dem Preisverfall auf dem EG-Markt, den wachsenden finanziellen Verlusten der Gemeinschaftshersteller und dem Anstieg der Lagerbestände.

Da der DRAM-Markt sehr preisempfindlich ist, deuten die erhebliche Preisunterbietung infolge des Dumpings und der starke Anstieg des Marktanteils der koreanischen Billigeinfuhren klar darauf hin, daß die gedumpten koreanischen Einfuhren erheblich zur Schädigung des Industriezweigs der Gemeinschaft beigetragen haben.

(50) Zwei koreanische Hersteller behaupteten, daß sie jeweils nur geringe Mengen ausgeführt hätten und damit alleine keinen Schaden hätten verursachen können.

Dazu stellt die Kommission fest, daß die Schädigung und die Schadensursache im allgemeinen global zu bewerten sind. Im Einklang mit der Rechtsprechung des Europäischen Gerichtshofs und dem konsequenten Vorgehen der Gemeinschaftsorgane erweist es sich in der Tat weder als erforderlich noch im allgemeinen als möglich, in einem Antidumpingverfahren die individuellen Schadensanteile der betroffenen Ausführer zu ermitteln.

(51) Ein koreanischer Hersteller behauptete ferner, die Zunahme seines Marktanteils in der Gemeinschaft sei nicht auf schädigendes Dumping und eine damit einhergehende Steigerung des Absatzes von DRAMs im allgemeinen zurückzuführen, sondern vielmehr auf die Tatsache, daß er der einzige verbleibende Anbieter von 256K-DRAMs sei. Diese Ware könnte zum Zeitpunkt der Untersuchung als ein auslaufendes Modell betrachtet werden. Damit wäre die Steigerung seines Absatzes und seines Marktanteils auf eine Marktlücke und nicht auf seine eigenen Marketingbemühungen zurückzuführen.

Die Kommission kann diesem Argument nicht zustimmen, da die Schädigung und die Schadensursache unter Berücksichtigung aller Einfuhren aus dem fraglichen Land zu ermitteln sind. Wie unter Randnummer 16 dargelegt, sind alle Arten von DRAMs als ein und dieselbe Ware zu betrachten. Ferner konnte anhand von Marktforschungsdaten ermittelt werden, daß der Marktpreis für 256K-DRAMs in der Gemeinschaft zwischen 1988 und 1990 rapide zurückging. Dies deutet nicht auf eine übermässige Nachfrage hin. Ausserdem stellte die Kommission fest, daß es im Untersuchungszeitraum eine beträchtliche Anzahl von Anbietern der fraglichen DRAMs gab.

2. Sonstige Faktoren

(52) Die Kommission prüfte, ob andere Faktoren als die gedumpten Einfuhren (Produktionsüberkapazitäten, Einfuhren aus anderen Ländern usw.) die Schädigung des Industriezweigs der Gemeinschaft hervorgerufen haben könnten.

(53) In diesem Zusammenhang behaupteten die koreanischen Hersteller, die rückläufige Entwicklung auf dem DRAM-Markt erkläre sich durch eine weltweite Produktionsüberkapazität, zu der der Industriezweig der Gemeinschaft durch die Einrichtung neuer Produktionslinien und die Aufnahme der DRAM-Fertigung beigetragen hätte.

Ferner wiesen die koreanischen Hersteller darauf hin, daß die finanziellen Verluste, die die EG-Hersteller aufgrund der niedrigen Marktpreise erlitten hätten, nicht auf koreanische Dumpingpraktiken zurückzuführen wären, sondern vielmehr auf einen allgemeinen Nachfragerückgang und fallende Wechselkurse des US-Dollars und des japanischen Yens gegenüber den EG-Währungen. Dies hätte die gesamte Elektronikindustrie einschließlich der DRAM-Industrie betroffen.

(54) Nach Ansicht der Kommission kann nicht ausgeschlossen werden, daß die Entwicklung des DRAM-Marktes insgesamt, die Änderung der Wechselkurse des US-Dollars und des Yens sowie die weltweite Produktionskapazität einen gewissen Einfluß auf die allgemeine Lage in der Gemeinschaft hatten. Dies ändert jedoch nichts an der Tatsache, daß der kontinuierliche volumenmässige Anstieg der DRAM-Einfuhren aus Korea und die damit einhergehende beträchtliche Steigerung des Marktanteils der koreanischen Hersteller zusammen mit der erheblichen Unterbietung der Preise der wichtigsten Marktteilnehmer (einschließlich der EG-Hersteller) zur Schädigung der Gemeinschaftsindustrie beigetragen haben, und zwar in hohem Masse.

Was das Argument der Produktionsüberkapazität betrifft, so weist die Kommission darauf hin, daß sich die Kapazität des Industriezweigs der Gemeinschaft mit einer einzigen Fertigungsstätte je Gemeinschaftshersteller auf dem niedrigeren Niveau einer wirtschaftlich vertretbaren Fertigung befindet. Die koreanischen Hersteller dagegen verfügen jeweils über mehrere Produktionslinien und bauen sogar noch weitere auf. Daher sind es nicht etwa die Gemeinschaftshersteller, sondern vielmehr die koreanischen Ausführer, die erheblich zu dieser weltweiten Überkapazität beitragen.

(55) Ferner meinte ein koreanischer Hersteller, die EG-Hersteller selbst hätten den Schaden herbeigeführt, da sie sich nicht auf neue Entwicklungen im Elektroniksektor im allgemeinen eingestellt hätten (z. B. öffentliche FuE-Förderung, Produktinnovation, Segmentierung des Elektronikmarktes in der EG).

Die Kommission kann diesem Argument nicht zustimmen, da nur allgemeine Feststellungen zur Halbleiter- und Elektronikindustrie in der EG gemacht wurden, die - soweit es die DRAM-Hersteller betrifft - nicht speziell belegt wurden.

(56) Des weiteren machte ein koreanischer Hersteller geltend, daß einer der Antragsteller, Siemens, selbst ein grösserer Einführer von DRAMs sei. Siemens hätte in der Tat erhebliche Mengen DRAMs von dem mit diesem koreanischen Hersteller verbundenen Einführer in der EG gekauft. Daher hätte sich der Industriezweig der Gemeinschaft selbst geschädigt.

Die Kommission weist darauf hin, daß die Systemanbieter von Siemens, wie unter den Randnummern 31 bis 34 dargelegt, DRAMs für den Eigenbedarf zu sehr niedrigen Preisen von dem verbundenen Einführer bezogen.

Aus den zuvor genannten Gründen waren die Systemanbieter von Siemens wegen der Billigeinfuhren aus Korea wirtschaftlich gezwungen, die Waren bei den koreanischen Einführern in der Gemeinschaft zu kaufen. Im Verlauf ihrer Untersuchung stellte die Kommission fest, daß keine dieser Waren weiterverkauft wurde. Daher kam die Kommission zu dem Schluß, daß diese Einfuhren wegen ihrer niedrigen (gedumpten) Preise getätigt wurden und nicht als selbstverursachte Schädigung bewertet werden können. Nach Ansicht der Kommission handelt es sich bei ihnen demnach nicht um "andere Faktoren" im Sinne von Artikel 4 Absatz 1 der Grundverordnung.

(57) Zwei koreanische Hersteller behaupteten, daß der Schaden auch durch DRAM-Einfuhren aus anderen Ländern als Korea entstanden sei.

Die Kommission weist darauf hin, daß zur Stützung dieses Arguments nur allgemeine Einfuhrstatistiken vorgelegt wurden, die sich weder speziell auf DRAMs bezogen noch Stückpreise auswiesen.

Ausserdem wird in den vorgelegten Statistiken offensichtlich nicht in angemessener Weise nach dem Warenursprung unterschieden, da mehrere angebliche "Ausfuhrländer" bekanntermassen über keine Anlagen zur Herstellung bzw. Diffusion von DRAM-Wafern verfügen. Aufgrund der Untersuchungsergebnisse und insbesondere in Anbetracht der Vertriebskanäle einiger koreanischer Ausführer ist es sehr wahrscheinlich, daß in den vorgelegten Statistiken auch Einfuhren von DRAMs mit Ursprung in Korea erfasst sind.

Was die DRAM-Einfuhren mit Ursprung in Japan betrifft, so unterliegen sie seit Januar 1990 Antidumpingmaßnahmen in Form von Verpflichtungen aller bekannten japanischen Hersteller.

(58) Da sich die vorgelegten Einfuhrstatistiken nicht speziell auf DRAMs, sondern allgemein auf Computerbauteile und integrierte Schaltkreise beziehen (und dies ohne jegliche Preisangaben) und sich sehr wahrscheinlich auch auf Waren koreanischen Ursprungs erstrecken, können sie nicht zur Stützung der vorgenannten Behauptung herangezogen werden.

(59) Zwei koreanische Hersteller machten geltend, sie hätten den Industriezweig der Gemeinschaft nicht schädigen können, weil sie ihre Waren stets zu ähnlichen Preisen wie die japanischen DRAM-Hersteller verkauft hätten.

In diesem Zusammenhang weist die Kommission darauf hin, daß auf Grundlage externer Marktforschungsdaten ein Vergleich mit den anderen wichtigen Marktteilnehmern in der EG, den japanischen Herstellern, vorgenommen wurde. Dieser Vergleich ergab, daß die Preise der gedumpten koreanischen Einfuhren unter den Preisen der japanischen Unternehmen in der Gemeinschaft lagen.

3. Schlußfolgerung

(60) Die Kommission konnte einen starken Anstieg des Volumens und des Marktanteils der DRAM-Einfuhren aus Korea sowie eine erhebliche Preisunterbietung feststellen.

Ferner ermittelte die Kommission, daß der Industriezweig der Gemeinschaft erheblich geschädigt worden ist.

(61) Die Kommission ist sich zwar bewusst, daß möglicherweise auch andere Faktoren gewisse negative Auswirkungen auf die allgemeine wirtschaftliche Lage der EG-Hersteller gehabt haben, kommt jedoch zu dem Schluß, daß die gedumpten Einfuhren von DRAMs mit Ursprung in Korea für sich genommen die Ursache einer bedeutenden Schädigung des Industriezweigs der Gemeinschaft sind.

G. INTERESSE DER GEMEINSCHAFT

(62) Mit Antidumpingmaßnahmen sollen unfaire Handelspraktiken, die den Industriezweig der Gemeinschaft schädigen, beseitigt und ein fairer Wettbewerb wiederhergestellt werden, der als solcher im Interesse der Gemeinschaft liegt.

(63) Im Verlauf dieses Verfahrens wurde festgestellt, daß der Industriezweig der Gemeinschaft in Anbetracht seiner immer höheren finanziellen Verluste bei einem Verzicht auf Antidumpingmaßnahmen betreffend die DRAM-Einfuhren mit Ursprung in Korea in seiner Lebensfähigkeit bedroht wäre.

In diesem Zusammenhang ist insbesondere zu berücksichtigen, daß koreanische Unternehmen in jüngster Zeit beträchtliche Summen in den inländischen DRAM-Sektor investiert haben und umfangreiche FuE-Maßnahmen für DRAMs durchführen, die den derzeit kommerzialisierten Produkten drei Generationen voraus sind.

(64) Die Kommission ist sich bewusst, daß die Abnehmer in der EG, und zwar insbesondere die Hersteller von Datenverarbeitungsanlagen, in einem weltweit wettbewerbsorientierten Umfeld arbeiten, in dem relative Kostenvorteile von grosser Bedeutung sind, und daß diese Abnehmer eine wichtige wirtschaftliche Rolle spielen. Deswegen ist bei der Festlegung der Form und der Natur der einzuführenden Antidumpingmaßnahmen zu berücksichtigen, daß diese Maßnahmen zu einer Erhöhung der Einkaufspreise führen können.

(65) Gleichzeitig ist die Kommission jedoch der Ansicht, daß die DRAM-Industrie als technologischer Motor für die Elektronikindustrie im allgemeinen und die Halbleiterindustrie im besonderen eine Schlüsselrolle spielt und es deswegen aus technologischen Gründen äusserst wichtig ist, in der EG über eine lebensfähige und starke DRAM-Industrie zu verfügen. Dieser Standpunkt wird von den zwei Gruppen von Abnehmern geteilt, die an der Untersuchung mitarbeiteten.

Halbleiter im allgemeinen und DRAMs im besonderen sind unerläßlich für die Herstellung von Datenverarbeitungs- und Telekommunikationsanlagen. Die DRAM-Industrie ist daher für die nachgelagerten Industrien von strategischer Bedeutung. Nach Ansicht der Kommission ist es dementsprechend für die gesamte Elektronikindustrie der EG äusserst wichtig, über eine grosse und zuverlässige Bezugsquelle in der Gemeinschaft zu verfügen.

(66) Eine Gruppe von DRAM-Abnehmern in der Gemeinschaft machte geltend, daß ein EG-Hersteller (Siemens) DRAMs hauptsächtlich für den Eigenbedarf produziere und nur geringe Mengen auf dem freien Markt verkaufe. Daher müssten sich diese Abnehmer an Lieferanten ausserhalb der EG wenden.

(67) Nach Ansicht der Kommission geht aus den Angaben über die Entwicklung des Marktanteils der EG-Hersteller hervor, daß der Industriezweig der Gemeinschaft in der Lage ist, einen beträchtlichen Teil der DRAM-Nachfrage in der EG zu decken. Dies ist insofern bemerkenswert, als die EG-Hersteller erst seit relativ kurzer Zeit DRAMs produzieren und trotzdem schon einen beachtlichen Marktanteil in der EG erobern konnten.

(68) Zwei koreanische Hersteller machten geltend, daß die EG-Computerindustrie, die nach Absatzvolumen und Anzahl der Beschäftigten grösser ist als die EG-Halbleiterindustrie, derzeit mit erheblichen Problemen konfrontiert sei. Sie erklärten jedoch nicht, daß diese Probleme (sofern es sie geben sollte) auf die hohen EG-Preise für elektronische Bauteile infolge der Antidumpingmaßnahmen betreffend DRAMs zurückzuführen seien. Genauso wenig behaupteten sie, daß Antidumpingmaßnahmen gegenüber DRAMs mit Ursprung in Korea die Lage des Industriezweigs der Gemeinschaft verschlechtern würde. Folglich kann die Kommission diesem Argument nicht zustimmen.

(69) Eine Gruppe von DRAM-Abnehmern in der Gemeinschaft legte ferner dar, daß ihr durch Antidumpingmaßnahmen betreffend DRAMs mit Ursprung in Korea höhere Kosten und damit Wettbewerbsnachteile entstuenden.

Zur Stützung dieser Behauptung wurden nur allgemeine Angaben zu dem Anteil integrierter Schaltkreise an den gesamten Produktionskosten, nicht aber spezielle Informationen zu DRAMs vorgelegt.

Auch wenn der Anteil der DRAM-Kosten an den Gesamtkosten nicht geringfügig sein sollte, wäre es nach Ansicht der Kommission nicht annehmbar, den Verzicht auf Maßnahmen zur Wiederherstellung eines fairen Wettbewerbs mit Vorteilen zu rechtfertigen, die in der Vergangenheit durch unfaire Handelspraktiken erzielt wurden. Was die Preise auf anderen Märkten betrifft, so weist die Kommission auf angeblich schädigende Dumpingpraktiken hin, die derzeit von den Behörden des Einfuhrlandes untersucht werden.

(70) Ferner behaupteten diese Gruppe von Abnehmern sowie ein koreanischer Hersteller, daß Antidumpingmaßnahmen gegenüber Korea eine Schmälerung des Wettbewerbs auf dem EG-Markt zur Folge hätten, da Konkurrenten vom Markt verdrängt würden.

Wie bereits unter Randnummer 62 dargelegt, sollen mit Antidumpingmaßnahmen unfaire Handelspraktiken beseitigt und ein fairer Wettbewerb gefördert werden. Im Hinblick auf die Wettbewerbssituation auf dem EG-Markt weist die Kommission darauf hin, daß die Antidumpingmaßnahmen betreffend DRAMs mit Ursprung in Japan nicht zu einer Verringerung der Anzahl der japanischen Konkurrenten auf dem EG-DRAM-Markt geführt haben und daß ein Verzicht auf Antidumpingmaßnahmen im vorliegenden Fall die EG-Hersteller zur Einstellung ihrer Produktion zwingen könnte, wodurch sich die Anzahl der Anbieter und das Wettbewerbsniveau verringern würden.

(71) Eine Gruppe von DRAM-Abnehmern in der Gemeinschaft machte sodann geltend, der Industriezweig der Gemeinschaft werde bereits durch hohe Zölle geschützt, so daß sich zusätzliche Schutzmaßnahmen im Zusammenhang mit dem Dumping erübrigten.

Die Kommission kann dieser Auffassung nicht zustimmen, da diese Untersuchung ergab, daß der Industriezweig der Gemeinschaft trotz der Zölle einen erheblichen Schaden erlitten hat.

(72) Dieselbe Gruppe von Abnehmern brachte ausserdem vor, der Industriezweig der Gemeinschaft käme in den Genuß von FuE-Projekten, die in hohem Masse öffentlich gefördert würden. Damit wären keine zusätzlichen Schutzmaßnahmen wegen des Dumpings erforderlich.

In diesem Zusammenhang weist die Kommission darauf hin, daß die öffentlich geförderten FuE-Projekte zur Unterstützung der EG-Elektronikindustrie im allgemeinen und der Halbleiterindustrie im besonderen deutlich machen, daß einer starken EG-Elektronikindustrie hohe Bedeutung beigemessen wird. Um den Erfolg dieser öffentlichen FuE-Initiativen nicht zu gefährden, ist es nach Ansicht der Kommission erforderlich, in dieser Branche faire Marktbedingungen zu gewährleisten.

Was die Höhe der öffentlichen Förderung betrifft, so weist die Kommission darauf hin, daß der Industriezweig der Gemeinschaft trotz dieser Unterstützung hohe finanzielle Verluste durch das Dumping erlitten hat und in seiner Lebensfähigkeit bedroht ist.

(73) Ferner stellt die Kommission fest, daß die relative Stabilisierung des EG-DRAM-Marktes, die nach der Einführung von Antidumpingmaßnahmen gegenüber DRAMs mit Ursprung in Japan zu Beginn der 90er Jahre eintrat, durch die gedumpten Billigeinfuhren aus Korea in erheblichem Masse zunichte gemacht wurde.

(74) Ferner wäre es diskriminierend, im Fall der gedumpten DRAM-Einfuhren aus Korea, die den Industriezweig der Gemeinschaft erheblich geschädigt haben, auf Schutzmaßnahmen zu verzichten, wenn unter den gleichen Umständen Antidumpingmaßnahmen für DRAM-Einfuhren aus Japan beschlossen wurden, für die in einem vorausgegangenen Verfahren schädigendes Dumping festgestellt wurde.

(75) Die Kommission kommt daher zu dem Schluß, daß es nach Abwägung aller Aspekte im Interesse der Gemeinschaft liegt, Antidumpingmaßnahmen betreffend Einfuhren von DRAMs mit Ursprung in Korea einzuführen.

H. ZOLL

(76) Auf der Grundlage der vorläufigen Sachaufklärung bleibt nach Ansicht der Kommission derzeit keine andere Wahl, als vorläufige Wertzölle einzuführen. Damit soll insbesondere verhindert werden, daß die koreanischen Hersteller die Preise der Gemeinschaftshersteller weiterhin erheblich unterbieten und dadurch den Industriezweig der Gemeinschaft während des Verfahrens schädigen.

Bei der Festsetzung des vorläufigen Zollsatzes, der erforderlich ist, um eine Schädigung während des Verfahrens in ausreichendem Masse zu verhindern, sollte nach Ansicht der Kommission berücksichtigt werden, in welchem Masse die einzelnen Ausführer durch Ausfuhrpreise und -volumen zum Schaden des Industriezweigs der Gemeinschaft beigetragen haben. Gleichzeitig sollte den Besonderheiten des DRAM-Marktes im allgemeinen und der derzeitigen Situation des DRAM-Marktes in der Gemeinschaft Rechnung getragen werden.

Bei der Festsetzung des vorläufigen Zollsatzes schien es daher angemessen, folgende Faktoren zu berücksichtigen: die Standardisierung der wichtigsten DRAM-Erzeugnisse, die derzeitige besondere Lage des DRAM-Marktes in der EG und die allgemeine Preisspanne, um die die koreanischen Hersteller die Preise der Gemeinschaftshersteller in der EG unterboten.

Für alle drei betroffenen Unternehmen ist die Preisspanne niedriger als die im Verlauf der Untersuchung festgestellten Dumpingspannen.

(77) Nach Ansicht der Kommission ist es daher angemessen, auf alle Einfuhren der fraglichen Ware mit Ursprung in Korea vorläufig einen Wertzoll von 10,1 %, ausgedrückt als Prozentsatz des Nettopreises frei Grenze der Gemeinschaft, unverzollt, einzuführen.

I. SCHLUSSBESTIMMUNG

(78) Im Interesse einer ordnungsgemässen Verwaltung ist den betroffenen Parteien eine Frist einzuräumen, innerhalb deren sie ihren Standpunkt schriftlich darlegen können. Ausserdem ist festzustellen, daß alle Feststellungen für die Zwecke dieser Verordnung vorläufig sind und für die Zwecke eines endgültigen Zolls, den die Kommission unter Umständen vorschlägt, überprüft werden können -

HAT FOLGENDE VERORDNUNG ERLASSEN:

Artikel 1

(1) Auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, sogenannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher), der KN-Codes 8542 11 12, 8542 11 14, 8542 11 16, 8542 11 18, ex 8542 11 01 (Taric-Code: 8542 11 01*10), ex 8542 11 05 (Taric-Code: 8542 11 05*30), ex 8473 30 10 (Taric-Code 8473 30 10*40) oder ex 8548 00 00 (Taric-Code: 8548 00 00*20) mit Ursprung in der Republik Korea wird ein vorläufiger Antidumpingzoll erhoben.

(2) Im Sinne dieser Verordnung umfassen DRAMs alle Varianten, Modelle und Dichten einschließlich DRAM-Wafers und DRAM-Chips sowie Multikombinationsformen von DRAMs wie "Stack"-DRAMs" und DRAM-Module.

(3) Der Zollsatz beträgt 10,1 %, ausgedrückt als Prozentsatz des Nettopreises frei Grenze der Gemeinschaft, unverzollt.

(4) Für die Erhebung dieses Zolls sind die geltenden Zollbestimmungen maßgebend.

(5) Die Abfertigung der in Absatz 1 genannten Waren zum zollrechtlich freien Verkehr in der Gemeinschaft ist von einer Sicherheitsleistung in Höhe des vorläufigen Zolls abhängig.

Artikel 2

Unbeschadet von Artikel 7 Absatz 4 der Verordnung (EWG) Nr. 2423/88 können die betroffenen Parteien innerhalb eines Monats nach dem Inkrafttreten dieser Verordnung ihren Standpunkt schriftlich darlegen.

Artikel 3

Diese Verordnung tritt am Tag nach ihrer Veröffentlichung im Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften in Kraft.

Vorbehaltlich der Artikel 11, 12 und 13 der Verordnung (EWG) Nr. 2423/88 gilt Artikel 1 dieser Verordnung für einen Zeitraum von vier Monaten oder bis zur Verabschiedung endgültiger Maßnahmen durch den Rat vor Ablauf dieses Zeitraums. Diese Verordnung ist in allen ihren Teilen verbindlich und gilt unmittelbar in jedem Mitgliedstaat.

Brüssel, den 16. September 1992 Für die Kommission

Frans ANDRIESSEN

Vizepräsident

(1) ABl. Nr. L 209 vom 2. 8. 1988, S. 1. (2) ABl. Nr. C 57 vom 6. 3. 1991, S. 9. (3) ABl. Nr. L 259 vom 16. 9. 1991, S. 1.