VERORDNUNG ( EWG ) Nr . 3696/88 DES RATES vom 18 . November 1988 zur zeitweiligen Aussetzung der autonomen Zollsätze des Gemeinsamen Zolltarifs für einige industrielle Waren

DER RAT DER EUROPÄISCHEN GEMEINSCHAFTEN - gestützt auf den Vertrag zur Gründung der Europäischen Wirtschaftsgemeinschaft, insbesondere auf Artikel 28,

auf Vorschlag der Kommission,

in Erwägung nachstehender Gründe :

Die in dieser Verordnung genannten Waren werden in der Gemeinschaft gegenwärtig nicht oder nur in unzureichender Menge hergestellt . Die Hersteller können somit den Bedarf der verarbeitenden Industrien der Gemeinschaft nicht decken .

Es liegt im Interesse der Gemeinschaft, die autonomen Zollsätze des Gemeinsamen Zolltarifs in bestimmten Fällen, in denen insbesondere eine Gemeinschaftsproduktion dieser Waren besteht, nur teilweise und in den anderen Fällen vollständig auszusetzen .

Da es schwierig ist, die kurzfristige Entwicklung der wirtschaftlichen Lage auf den betreffenden Gebieten genau zu beurteilen, sollten die Aussetzungen nur zeitweilig erfolgen, wobei ihre Gültigkeitsdauer entsprechend den Interessen der Gemeinschaftsproduktion festzusetzen ist - HAT FOLGENDE VERORDNUNG ERLASSEN :

Artikel 1 Die autonomen Zollsätze des Gemeinsamen Zolltarifs werden für die in den Tabellen des Anhangs aufgeführten Waren auf die jeweils angegebene Höhe ausgesetzt .

Diese Aussetzungen gelten - für die in Tabelle I aufgeführten Waren vom 1 . Januar bis zum 31 . März 1989,

- für die in Tabelle II aufgeführten Waren vom 1 . Januar bis zum 30 . Juni 1989 .

Artikel 2 Diese Verordnung tritt am 1 . Januar 1989 in Kraft .

Diese Verordnung ist in allen ihren Teilen verbindlich und gilt unmittelbar in jedem Mitgliedstaat .

Geschehen zu Brüssel am 18 . November 1988.

Im Namen des Rates Der Präsident V . PAPANDREOU EWG:L000UMBA00.94 FF : UTAL; SETUP : 01; Höhe : 409 mm; 61 Zeilen; 1906 Zeichen;

Bediener : HELM Pr .: C;

Kunde : 43007 L 000 ANHANG TABELLE I KN-Code Warenbezeichnung Autonomer Zollsatz % ex 3004 90 99 Getrocknete, gereinigte Eiweißfraktion, hauptsächlich bestehend aus Des-1-alanin [125-serin] Interleukin-2 ( Human ), erhalten aus genetisch manipulierten Escherichia-Bakterien 0 ex 3901 90 00 Ethylen-Methylacrylat-Copolymer mit einem Gehalt an Methylacrylat von nicht weniger als 16 und nicht mehr als 20 Gewichtshundertteilen, in Formen im Sinne der Anmerkung 6 b ) zu Kapitel 39 0 ex 8471 93 50 Floppy-Disc-Speichereinheit für automatische Datenverarbeitungsmaschinen 0 ex 8542 11 71 Dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( D-RAMS ), in MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 1 Megabit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 150 ns, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 26 kleinen J-förmigen Anschlußstiften und Kunststoff-Chip-Carrier, mit den Abmessungen von nicht mehr als 18×9 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

HM 511000JP TC 511000J PD 421000LA MB 8101000-PJ HM 511000 HM 511000P HM 511002P oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Schaltungen der vorstehenden Beschreibung bezieht .

12 EWG:L000UMBA01.94 FF : UTAL; SETUP : 01; Höhe : 257 mm; 42 Zeilen; 1389 Zeichen;

Bediener : JUTT Pr .: A;

Kunde : 43007 L 000 TABELLE II KN-Code Warenbezeichnung Autonomer Zollsatz % ex 2811 19 00 Sulfamidsäure 0 ex 2917 39 90 Benzol-1,2,4-tricarbonyltrichlorid 0 ex 2924 29 90 5-{(R)-1-Hydroxy-2-[(R)-1-methyl-3-phenylpropylamino]ethyl}-salicylamid-2,3-di-O-benzoyl -(+)- tartarsäure ( 1/1 ) 0 ex 2926 90 90 Isophthalonitril 6 ex 2926 90 90 Ethylcyanoacetat 7 ex 2926 90 90 Methylcyanoacetat 7 ex 2930 90 90 Netobimin ( INN ) 0 ex 2935 00 00 Sulfadimethoxin ( INN ) und sein Natriumsalz 0 ex 2937 10 90 Protirelin-Tartrat ( INNM ) 0 ex 2937 29 90 9,21-Dichlor-11-beta,17-dihydroxy-16-alpha-methylpregna-1,4-dien-3,20-dion-17-(2-furoat ) 0 ex 2941 90 00 Ceficim ( INN ) 0 ex 2941 90 00 Kitasamycin ( INN ) und sein Tartrat 0 ex 2941 90 00 Monensin ( INN ) und seine Salze 0 ex 2941 90 00 Pirarubicin ( INN ) 0 ex 3003 40 00 Granulat mit einem Gehalt an Theophyllin von nicht weniger als 40 und nicht mehr als 50 Gewichtshundertteilen 0 ex 3003 90 90 Granulat mit einem Gehalt an Glycerintrinitrat von nicht weniger als 0,7 und nicht mehr als 1,2 Gewichtshundertteilen 0 ex 3004 90 19 Gereinigtes Kollagen, dispergiert in einem Phosphatpuffer einer physiologischen Salzlösung, auch Lidocain ( INN ) enthaltend 3 ex 3005 10 00 Selbstklebende Folien aus Kunststoff, auf einer Seite mit einem Glycerintrinitrat enthaltenden Acrylklebstoff überzogen, mit einem Gehalt an Glycerintrinitrat von 4 mg oder mehr pro Quadratcentimeter, durch eine vor der Anwendung zu entfernende Folie geschützt, nicht in Aufmachungen für den Einzelverkauf 0 ex 3505 10 50 0-(2-Hydroxyethyl)amylopectinhydrolysat 0 ex 3701 91 10 In Kassetten eingelegte scheibenförmige Planfilme 5,3 ex 3815 90 00 ex 3823 90 20 Katalysator in Form von Pellets, eine Aluminosilicatsäure ( Y-Zeolith ) in der Natriumform enthaltend, mit einem Gehalt an Natrium, berechnet als Natriumoxid, von nicht mehr als 11 Gewichtshundertteilen 0 ex 3815 90 00 Katalysator in Form von zylindrischen Pellets mit einem Durchmesser von nicht weniger als 3 mm und nicht mehr als 10 mm, bestehend aus Oxiden des Kupfers und Chroms, zur Verwendung beim Herstellen von Fettalkoholen ( a ) 0 ex 3815 90 00 Katalysator in Form von Pulver, bestehend aus Oxiden des Chroms, Kupfers und Bariums, zur Verwendung beim Herstellen von Fettalkoholen ( a ) 0 ex 3823 90 91 Tetramethylammoniumhydroxid, in Methanol gelöst 0 ( a ) Die Überwachung der zweckentsprechenden Verwendung erfolgt nach den einschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .

KN-Code Warenbezeichnung Autonomer Zollsatz % ex 3823 90 98 Zubereitung in Form von Pulver, mit einem Gehalt an Zink-bis[3,5-bis(1-phenylethyl)salicylat] von 75 Gewichtshundertteilen oder mehr 0 ex 3901 10 90 Polyethylen, 0,25 Gewichtshundertteile oder mehr Carbonylgruppen in der Kette enthaltend, in Form von Pellets 0 ex 3901 20 00 Polyethylen in Formen im Sinne der Anmerkung 6 b ) zu Kapitel 39, mit einer Dichte von nicht weniger als 0,958 bei 23 °C und einem Gehalt von nicht mehr als - 50 ppm Aluminium,

- 2 ppm Calcium,

- 2 ppm Chrom,

- 2 ppm Eisen,

- 2 ppm Nickel,

- 2 ppm Titan,

- 8 ppm Vanadium,

zum Herstellen von chlorsulfoniertem Polyethylen (a ) 0 ex 3901 20 00 Polyethylen mit einer Dichte von nicht weniger als 0,945 und nicht mehr als 0,985, in Formen im Sinne der Anmerkung 6 b ) zu Kapitel 39, zum Herstellen von Farbbändern für Schreibmaschinen und ähnlichen Farbbändern ( a ) 0 ex 3901 90 00 Ionomeres Harz, bestehend aus einem Salz eines Ethylen-Methacrylsäure-Copolymers 0 ex 3901 90 00 Ionomeres Harz, bestehend aus einem Salz eines Ethylen-Isobutylacrylat-Methacrylsäure - Copolymers 0 ex 3903 90 00 Copolymer ganz aus Maleinsäureanhydrid und Styrol oder ganz aus Maleinsäureanhydrid, Styrol und einem Acrylmonomer, auch mit einem Anteil an Styrol-Butadien-Blockcopolymer, in Formen im Sinne der Anmerkung 6 b ) zu Kapitel 39 0 ex 3903 90 00 Copolymer, ausschließlich aus Allylalkohol und Styrol, mit einer Acetylzahl von 175 oder mehr 0 ex 3907 20 90 alpha-4-Hydroxybutyl-omega-hydroxypoly ( oxytetramethylen ), mit einem Gehalt an Halogenen und Metallen von jeweils weniger als 1 mg/kg und mit einer Farbzahl von nicht mehr als 20 nach der Hazen-Farbskala 0 ex 3907 20 90 Poly(oxypropylen ) mit endständigen Alkoxysilyl-Gruppen 0 ex 3920 62 00 Polyethylenterephthalatfolien mit einer Dicke von nicht weniger als 100 und nicht mehr als 130 Mikrometer, zum Herstellen von Photopolymer-Hochdruckplatten ( a ) 0 ex 3920 92 00 Poly(epsilon-caprolactam)-Folien mit einem Erweichungspunkt von 200 °C oder mehr und einem Gehalt an Kupfer von nicht weniger als 130 und nicht mehr als 170 mg/kg, zum Herstellen von Verbundfolien ( a ) 0 ex 3920 99 19 ex 3921 90 50 Polyimidfolien und -streifen, unbeschichtet oder nur mit Kunststoff beschichtet 0 ex 3920 99 50 Biaxial gereckte Polyvinylalkoholfolie mit einem Gehalt an Polyvinylalkohol von 97 Gewichtshundertteilen oder mehr, unbeschichtet, mit einer Dicke von 1 mm oder weniger 0 ex 3920 99 50 ex 3921 90 60 Ionenaustauschermembranen aus fluorierten Kunststoffen zur Verwendung in Chloralkali-Elektrolytzellen ( a ) 0 ex 4104 10 91 ex 4104 21 00 Indisches Kipsleder, ganz, auch ohne Kopf und Füsse, mit einem Stückgewicht von mehr als 4,5 und nicht mehr als 8 kg, nur pflanzlich gegerbt, auch weiterbearbeitet, jedoch augenscheinlich zur unmittelbaren Herstellung von Lederwaren nich verwendbar 0 ( a ) Die Überwachung der zweckentsprechenden Verwendung erfolgt nach den einschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .

EWG:L000UMBA02.93 FF : UTAL; SETUP : 01; Höhe : 525 mm; 185 Zeilen; 5401 Zeichen;

Bediener : JUTT Pr .: C;

Kunde : 43007 L 000 1 . 12 . 88 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften KN -Code Warenbezeichnung Autonomer Zollsatz % ex 5911 10 00 Nadelfilze aus synthetischen Spinnstoffen, mit einem Grundgewebe aus synthetischen Spinnstoffen, kein Polyester enthaltend, auf einer Seite mit einem Polytetrafluorethylenfilm versehen, zum Herstellen von Filtermaterial ( a ) 0 ex 5911 10 00 Nadelfilze aus Polyester mit einem Grundgewebe aus Polyester, auf einer Seite mit einem Polytetrafluorethylenfilm versehen, mit einem Quadratmetergewicht von nicht mehr als 500 g, zum Herstellen von Filtermaterial ( a ) 0 ex 7019 32 00 ex 7019 39 00 Nicht gewebte Erzeugnisse aus nichttextilen Glasfasern, mit einem Quadratmetergewicht von nicht mehr als 120 g und einem Durchmesser der Fasern - ohne Beschichtung - von nicht mehr als 7 Mikrometer, zum Herstellen von Filtermaterial ( a ) 0 ex 7019 90 10 Nichttextile Glasfasern, bei denen der Anteil an Fasern mit einem Durchmesser von weniger als 3,5 Mikrometer überwiegt 0 ex 8421 99 00 Teile von Apparaten zum Filtrieren oder Reinigen von Gasen aus Gasgemischen, bestehend aus einem durchlässigen Hohlfaserbündel in einem - auch perforierten - Gehäuse mit einer Gesamtlänge von nicht weniger als 300 und nicht mehr als 3 700 mm und einem Durchmesser von nicht mehr als 500 mm 0 ex 8471 99 90 Optische Schriftleser zum Abtasten von Punktmatrixzeichen und zum Umwandeln der Leseimpulse in elektrische Signale, bestehend aus einem Lesekopf mit Photosensor, einem Verstärker, einer Linse und zwei Lampen, über Flachkabel verbunden mit einer gedruckten Schaltung mit den Abmessungen von nicht mehr als 200×220 mm, die mindestens einen Mikroprozessor, eine Bilderkennungsschaltung und einen Analog-Digital-Wandler enthält 0 ex 8473 10 00 Speichereinheit für elektronische Schreibmaschinen, bestehend aus einer gedruckten Schaltung mit 2 oder 4 statischen Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannte RAMs, statisch ) mit einer Speicherkapazität von jeweils 8 K × 8 bit, elektronischen Bauelementen zur Steuerung und Kontrolle und Haltestrombatterien, in einer Kassette mit Steckverbindungen und den Abmessungen von nicht mehr als 11×40×90 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

MEMOCART oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Speichereinheiten der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8473 10 00 ex 8473 30 00 Punktmatrix-Anzeigen mit den Abmessungen von nicht mehr als 15×75×186 mm, bestehend aus einer zwischen zwei Glasplatten eingeschlossenen Flüssigkristallschicht mit 15 360 Punkten ( angeordnet in 64 Zeilen und 240 Kolonnen ), auf einer Leiterplatte mit elektronischen Bauelementen in C-MOS-Technik, und mit nicht mehr als 544 Kontaktflächen 0 ex 8473 10 00 ex 8473 30 00 Punktmatrix-Anzeigen mit den Abmessungen von nicht mehr als 15×90×280 mm - ausgenommen Anschlußstücke und Leitungen -, bestehend aus einer zwischen zwei Glasplatten eingeschlossenen Flüssigkristallschicht mit 30 720 Punkten ( angeordnet in 64 Zeilen und 480 Kolonnen ), auf einer Leiterplatte mit elektronischen Bauelementen zur Steuerung und Kontrolle, auch mit Leitungen und Anschlußstücken 0 ex 8473 10 00 ex 8473 30 00 Punktmatrix-Anzeigen mit den Abmessungen von nicht mehr als 15×62×276 mm - ausgenommen Anschlußstücke und Leitungen -, bestehend aus einer zwischen zwei Glasplatten eingeschlossenen Flüssigkristallschicht mit 32 768 Punkten ( angeordnet in 64 Zeilen und 512 Kolonnen ), auf einer Leiterplatte mit elektronischen Bauelementen zur Steuerung und Kontrolle, auch mit Leitungen und Anschlußstücken 0 ex 8473 30 00 Ferrit-Magnetköpfe in Winchestertechnik für periphere Magnetplatten-Speichereinheiten, mit einer Aufzeichnungsdichte von nicht weniger als 10 Spuren je mm, auch auf Trägerarmen 0 ( a ) Die Überwachung der zweckentsprechenden Verwendung erfolgt nach den einschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .

KN-Code Warenbezeichnung Autonomer Zollsatz % ex 8473 30 00 Magnetblasenspeicher mit einer Speicherkapazität von nicht mehr als 4 Megabit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 42 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 43×44 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen - oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

BDL 0133 MBM 2011 FBM 64 DA BDL 0134 MBM 2256 7110 BDN 0151 FBM 54 DB 7114-1 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Magnetblasenspeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8473 30 00 Arithmetisches logisches Element für die Zentraleinheit, bestehend aus nicht mehr als neun gedruckten Schaltungen mit den Abmessungen von nicht mehr als 290×310 mm, jeweils bestückt mit nicht mehr als 121 ECL-Gate Arrays oder ECL-Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannte ECL-RAMs ) oder einer Kombination von beiden, die sich in einem Gestell mit den Abmessungen von nicht mehr als 501×596×611 mm befinden, das als Halterung und Verbindungsleiter für die gedruckten Schaltungen dient .

Das Element trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

CO1B 2675 E 500 CO1B 2675 H 500 CO1B 2675 H 501 CO1B 2675 H 502 CO1B 2675 H 503 CO1B 2675 H 504 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf arithmetische logische Elemente der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8473 30 00 Baugruppe für automatische Datenverarbeitungsmaschinen, bestehend aus 2 übereinander angeordneten Substratebenen mit 1 oder 2 statischen Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff in bipolarer Technik hergestellt ( sogenannte bipolare RAMs, statisch), in Form von monolithischen integrierten Schaltungen, mit einer Speicherkapazität von jeweils 1 Kbit und einer Gesamtspeicherkapazität von nicht mehr als 4 Kbit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 23 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 13×13 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

770965 4599497 7379442 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf statische Schreib-Lesespeicher-Baugruppen der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8473 40 00 Thermodruckkopf, in Dünn - oder Dickfilmtechnik hergestellt, bestehend aus einer gedruckten Schaltung mit mindestens einem Tantalkondensator, Elektrolytkondensator, in einer Metallkonstruktion mit einem Verbindungsteil, Druckstiften und Wärmeableiter, mit Montageträger und -rolle 0 ex 8483 10 90 In einem Stück geschmiedete und vorgedrehte Generator - und Turbinenwellen mit einem Stückgewicht von jeweils mehr als 215 Tonnen 0 ex 8501 10 99 Bürstenlose Gleichstrommotoren mit einem Drehmoment von nicht mehr als 0,20 Newtonmeter/Nm, mit einem Befestigungsflansch mit einem Durchmesser von 74 mm, einer Spindel mit einem Durchmesser von 40 mm, einer Geschwindigkeit von 3 600 Umdrehungen pro Minute und einer Versorgungsspannung von 12 V ± 10 %, mit Drähten und Anschlußstücken 0 ex 8501 10 99 Bürstenlose Gleichstrommotoren mit einem Drehmoment von nicht mehr als 0,20 Newtonmeter/Nm, einem Aussenläufer mit einem Durchmesser von nicht mehr als 55 mm, einem Befestigungsflansch mit einem Durchmesser von 77 mm und einer Präzisionsspindel mit einem Durchmesser von 44 mm mit 4-Phasen-Wicklung, mit einer Nenndrehzahl von 3 600 Umdrehungen pro Minute und einer Versorgungsspannung von 12 V ± 10 %, mit Drähten und Anschlußstücken 0 EWG:L000UMBA03.97 FF : UTAL; SETUP : 01; Höhe: 525 mm; 169 Zeilen; 7599 Zeichen;

Bediener : SUSI Pr .: C;

Kunde :

1 . 12 . 88 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften KN-Code Warenbezeichnung Autonomer Zollsatz % ex 8501 10 99 Bürstenlose Gleichstrommotoren mit einem Drehmoment von nicht mehr als 0,05 Newtonmeter/Nm, einem Aussenläufer mit einem Durchmesser von nicht mehr als 92 mm, Aluminium-Präzisionsnabe mit einem Aussendurchmesser von 40 mm und 2-Phasen-Wicklung, mit einer Nenndrehzahl von 3 600 Umdrehungen pro Minute und einer Versorgungsspannung von 12 V± 10 % 0 ex 8501 10 99 Hybrid-Schrittmotoren mit einem Schrittwinkel von 0,9 Grad, 400 Schritten pro Umdrehung, 2-Phasen - oder 4-Phasen-Drehfolge mit bipolarer Wicklung, bestehend aus einem Rotor und einem Ständerpaket, das zwischen zwei Viereckflanschen mit den Seitenlängen von nicht mehr als 40 mm eingeschlossen ist, mit durchgehender Welle, Drähten und Anschlußstücken 0 ex 8501 10 99 Hybrid-Schrittmotoren mit einem Schrittwinkel von 0,9 Grad, 400 Schritten pro Umdrehung, 2-Phasen-Drehfolge mit bipolarer Wicklung, bestehend aus einem Rotor und einem Ständerpaket, das in einem zylindrischen Behälter mit einem Durchmesser von nicht mehr als 47 mm und einer Dicke von nicht mehr als 14 mm eingeschlossen ist, mit durchgehender Welle, Drähten und Anschlußstücken 0 ex 8501 10 99 Hybrid -Schrittmotoren mit einem Schrittwinkel von 0,9 Grad, 400 Schritten pro Umdrehung, 2-Phasen-Drehfolge mit bipolarer Wicklung, bestehend aus einem Rotor und einem Ständerpaket, das zwischen zwei Viereckflanschen mit den Seitenlängen von nicht mehr als 40 mm eingeschlossen ist, mit eingebautem 2 - oder 3-Phasen-Drehzahlmesser in einer Kalotte mit einem Durchmesser von nicht mehr als 35 mm, mit gesonderten Drähten und Anschlußstücken für die Ausgänge des Motors und des Drehzahlmessers, mit den Abmessungen von nicht mehr als 40×40×62 mm, einschließlich Welle 0 ex 8501 10 99 Hybrid-Schrittmotor mit einem Schrittwinkel von 0,9 Grad, 400 Schritten pro Umdrehung, 2-Phasen-Drehfolge mit bipolarer Wicklung, bestehend aus einem Rotor und einem Ständerpaket, das zwischen zwei Flanschen eingeschlossen ist, von denen der eine einen Viereckquerschnitt mit den Seitenlängen von nicht mehr als 40 mm hat und der andere ( vordere ) scheibenförmig ist und zwei Auskragungen aufweist, mit eingebautem 2 - oder 3-Phasen-Drehzahlmesser in einer Kalotte mit einem Durchmesser von nicht mehr als 35 mm, mit gesonderten Drähten und Anschlußstücken für die Ausgänge des Motors und Drehzahlmessers, mit den Abmessungen von nicht mehr als 40×40×62 mm einschließlich der Welle, aber ohne die Auskragungen des vorderen Flansches 0 ex 8501 10 99 Bipolare Gleichstrom-Schrittmotoren mit einteiligem Stator, einer Leistung von 37,5 W oder weniger, einem Schrittwinkel von 180 Grad, 2 Schritten pro Umdrehung, 2-Phasen-Drehfolge mit unipolarer Wicklung, einem Drehmoment von nicht weniger als 0,1×10-6 Newtonmeter/Nm und nicht mehr als 0,1×10-4 Nm und einer Versorgungsspannung von nicht mehr als 3 V 0 ex 8504 40 99 Stromrichter, bestehend aus einer Kaskadenschaltung von 7 Dioden, für Ausgangsspannungen von 40 kV oder mehr mit einer Stromstärke von 3 mA oder mehr 0 ex 8506 19 10 Lithium-Jod-Batterien mit den Abmessungen von nicht mehr als 9×23×45 mm und einer Spannung von nicht mehr als 2,8 V 0 ex 8506 19 10 Einheit, bestehend aus nicht mehr als zwei Lithium-Batterien, eingebettet in einen Sockel für integrierte Schaltungen ( sogenannter batteriegepufferter Sockel ), mit Kontroll-Schaltkreis, und mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften 0 ex 8506 19 90 Kohle-/Zink-Trockenbatterien mit einer Spannung von nicht weniger als 5,5 und nicht mehr als 6,5 Volt und einer Grösse von nicht mehr als 5×90×110 mm, zur Verwendung in Filmkassetten für Sofortbildkameras ( a ) 0 ex 8517 90 91 Baugruppe für Fernsprechapparate, bestehend aus einem Mikrophon, einer Schutzschaltung und einer 4-Wege-Steckverbindung, montiert auf einer gedruckten Schaltung mit den Abmessungen von nicht mehr als 22×40 mm 0 ex 8523 20 10 Starre Oxid-Magnetplatten, vorgeschmiert, mit einer Körzitivkraft von 300 Örsted/Ö oder mehr 0 ex 8523 20 10 Starre Magnetplatten mit metallischer Dünnfilmschicht, mit einer Körzitivkraft von mehr als 600 Örsted/Ö und einem Aussendurchmesser von nicht weniger als 88 mm und nicht mehr als 231 mm 0 ( a ) Die Überwachung der zweckentsprechenden Verwendung erfolgt nach den einschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .

KN-Code Warenbezeichnung Autonomer Zollsatz % ex 8529 10 70 Keramische Filtergruppe, bestehend aus 2 keramischen Filtern mit 3 Anschlußstiften und 1 keramischen Resonator mit 2 Anschlußstiften, jeweils mit einer Frequenz von 10,7 Megahertz ± 30 kHz, in einem Gehäuse mit den Abmessungen von nicht mehr als 10×10×5 mm 0 ex 8532 29 00 Goldkondensator mit einer nominalen Kapazität von 100 Millifarad, einer Betriebsspannung von 5,5 V und einem Verluststrom von nicht mehr als 100 Mikroampere, in einem zylinderförmigen Gehäuse mit einer Höhe von weniger als 8 mm und einem Durchmesser von nicht mehr als 14 mm 0 ex 8532 30 10 Platten-Drehkondensator mit Kunststoffisolierung, mit einer Kapazität von nicht mehr als 2×335 Picofarad für den AM-Teil und 2×20 Picofarad für den FM-Teil, in einem Gehäuse mit den Abmessungen von nicht mehr als 21×24 mm 0 ex 8532 30 90 Einstellbare Kondensatoren in runder Form mit einem Durchmesser von nicht mehr als 2,5 mm und einer Dicke von nicht mehr als 3 mm, ausgerüstet mit einer Stellschraube in der Mitte und zwei Anschlüssen, mit einer Kapazität von nicht weniger als 5 und nicht mehr als 30 Picofarad, zum Herstellen von Waren des Kapitels 91 ( a ) 0 ex 8533 29 00 Festwiderstandsmodul mit positivem Temperaturköffizienten und einem nominalen Gleichstromwiderstand von 19,6 Ohm bei 20 °C, einem Isolierwiderstand von mehr als 1 Megaohm, zum Schutz von Telefonzentralen gegen andauernde Spannungsüberlastungen von nicht mehr als 1 000 V, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 16 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 19×48 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

20793 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Festwiderstandsmodule der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8533 40 10 Schiebepotentiometer mit einem Schiebeweg von 20 mm, mit 1 oder 2 Widerständen, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 8 Anschlußstiften 0 ex 8534 00 11 ex 8534 00 19 Gedruckte Schaltung, einseitig bedruckt, mit den Abmessungen von nicht mehr als 30×30 mm, zum Herstellen von Waren des Kapitels 91 ( a ) 0 ex 8536 41 10 ex 8536 41 90 ex 8536 49 00 Thermorelais in hermetisch versiegeltem Glasgehäuse, mit den Längenabmessungen - ohne Drähte - von nicht mehr als 35 mm, mit einer maximalen Undichtigkeit von 10 -( cm= Helium/Sekunde bei 1 bar innerhalb des Temperaturbereichs von 0 bis 160 gC, zum Einbau in Kompressoren für Kältemaschinen ( a ) 0 ex 8536 50 00 Schalter für Fernsprechapparate, bestehend aus einem beweglichen und einem feststehenden Doppelzungenfederkontakt, deren eine Kontaktfläche eine mit Gold diffundierte Palladium-Silbereinlage in einem Polycarbonat enthält, mit den Abmessungen von nicht mehr als 13×20×40 mm 0 ex 8536 50 00 Reedschalter in Form eines Glasgehäuses, mit nicht mehr als drei elektrischen Kontakten auf Metallzungen und einer kleinen Menge Quecksilber 0 ex 8540 11 10 Schlitzmasken-Farbkathodenstrahlröhren ( Elektronenkanonen in Reihenanordnung - sogenannte In-Line-Technik -), mit einer Diagonalen des Bildschirms von nicht weniger als 12 und nicht mehr als 16 cm, einer diagonalen Ablenkung von nicht mehr als 55°, einem Abstand zwischen Streifen gleicher Farbe von nicht mehr als 0,47 mm 8 ex 8540 11 10 Schlitzmasken-Farbkathodenstrahlröhren ( Elektronenkanonen in Reihenanordnung - sogenannte In-Line-Technik -), mit einer Diagonalen des Bildschirms von nicht weniger als 22 cm und nicht mehr als 26 cm einer diagonalen Ablenkung von nicht mehr als 76°, einem Abstand zwischen Streifen gleicher Farbe von nicht mehr als 0,47 mm und einer Phosphorbeschichtung mit folgenden nominalen Koordinaten der Farbpunkte :

rot grün blau X 0,610 0,298 0,151 Y 0,342 0,588 0,064 0 ( a ) Die Überwachung der zweckentsprechenden Verwendung erfolgt nach den einschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen.

KN-Code Warenbezeichnung Autonomer Zollsatz % ex 8540 11 90 Schlitzmasken-Farbkathodenstrahlröhren ( Elektronenkanonen in Reihenanordnung - sogenannte In-Line-Technik ), mit einer Diagonalen des Bildschirms von 76 cm oder mehr, einer diagonalen Ablenkung von nicht mehr als 110°, einem Abstand zwischen Streifen gleicher Farbe von nicht mehr als 0,86 mm 10 ex 8540 20 90 Photovervielfacher mit 9 Dynoden, ausgelegt für den Wellenlängenbereich von nicht weniger als 160 und nicht mehr als 930 Nanometer, mit einem Durchmesser von nicht weniger als 14 mm und einer Höhe von nicht mehr als 94 mm 0 ex 8540 30 00 Lochmasken-Farbkathodenstrahlröhren ( Elektronenkanonen in Reihenanordnung - sogenannte In-Line-Technik -), mit einem Abstand zwischen den Farbpunkten von weniger als 0,45 mm und einem oder mehreren der nachstehenden Beschaffenheitsmerkmale :

- einer Diagonalen des Bildschirms von weniger als 26 cm oder von 42 cm oder mehr, einer diagonalen Ablenkung von nicht mehr als 90 ° und Konvergenzfehlern in den Ecken von nicht mehr als 0,8 mm,

- einem integrierten Anti-Vibrationssystem ( sogenanntes Potting-System ),

- ohne internen Magnetschirm,

- einer Phosphorbeschichtung mit folgenden nominalen Koordinaten der Farbpunkte :

rot grün blau X 0,64 0,29 0,15 Y 0,33 0,60 0,06 oder X 0,64 0,31 0,155 Y 0,34 0,595 0,07 oder X 0,62 0,21 0,15 Y 0,33 0,615 0,06 oder X 0,61 0,307 0,15 Y 0,35 0,595 0,065 oder X 0,61 0,205 0,15 Y 0,35 0,680 0,065 oder X 0,62 0,29 0,15 Y 0,35 0,60 0,065 0 ex 8540 30 00 Lochmasken-Farbkathodenstrahlröhren ( Elektronenkanonen in Dreiecksanordnung - sogenannte Deltatechnik -), mit einem Abstand zwischen den Farbpunkten von weniger als 0,4 mm und einem der nachstehenden Beschaffenheitsmerkmale :

- einer Diagonalen des Bildschirms von 66 cm oder mehr oder - einer Phosphorbeschichtung mit folgenden nominalen Koordinaten der Farbpunkte :

rot grün blau X 0,64 0,29 0,15 Y 0,33 0,60 0,06 oder X 0,64 0,31 0,155 Y 0,34 0,595 0,07 oder X 0,61 0,307 0,15 Y 0,35 0,595 0,065 oder X 0,61 0,205 0,15 Y 0,35 0,680 0,065 oder X 0,62 0,29 0,15 Y 0,35 0,60 0,065 0 EWG:L000UMBA04.97 FF : UTAL; SETUP : 01; Höhe : 779 mm; 246 Zeilen; 10234 Zeichen;

Bediener : SUSI Pr .: C;

Kunde :

1 . 12 . 88 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften KN-Code Warenbezeichnung Autonomer Zollsatz % ex 8540 30 00 Monochrome Kathodenstrahlröhren mit flachem Bildschirm, mit einer Diagonalen von nicht weniger als 142 und nicht mehr als 145 mm, einer Leuchtkraft zwischen 300 und 400 Lumen, einem Auflösungsvermögen von nicht weniger als 0,06 und nicht mehr als 0,1 mm, einer Phosphorbeschichtung des Typs P1 oder P55 oder P56, einer Anodenspannung von 34 kV oder mehr, einer Fokussierspannung von 7 kV oder mehr und einem Kathodenstrom von 3 mA oder mehr 0 ex 8540 30 00 Kathodenstrahlspeicherröhren ( sogenannte Direktsicht-Speicherröhren/Direct View Storage Tubes ) für die Wiedergabe alphanumerischer und analoger Daten, mit Abtastvorrichtung zum Lesen der gebildeten Zeichen 0 ex 8540 41 00 Dauerstrich-Magnetron mit einer Ausgangsleistung von weniger als 1 000 W, zum Herstellen von Mikrowellengeräten der Unterposition 8516 50 00 ( a ) 0 ex 8540 89 11 Anzeigen in Form einer Röhre, bestehend aus einem Glasgehäuse, aufgebracht auf einer Platte mit einer Grösse - ohne Berücksichtigung der Leitungen - von nicht mehr als 350×300 mm . Die Röhre enthält eine oder mehrere Reihen von Zeichen oder Strichen . Jedes Zeichen oder jeder Strich enthält fluoreszierende oder phosphoreszierende Elemente, die auf einer von fluoreszierenden Substanzen oder von Phosphorsalzen überzogenen metallisierten Unterlage aufgebracht sind und leuchten, wenn sie von Elektronen getroffen werden 0 ex 8540 91 00 Gitter, Kathoden und isolierte Wolframdrahtspiralen zum Herstellen von Elektronenkanonen für monochrome Kathodenstrahlröhren (a ) 0 ex 8540 91 00 Kathodenstrahlröhren-Ablenkeinheiten für Frequenzen von nicht weniger als 31 250 und nicht mehr als 64 000 Hz, mit einem 4-Pol-Magneten 0 ex 8541 10 91 Silicium-Leistungsgleichrichterdiode in Planartechnik, mit einer Schaltgeschwindigkeit von weniger als 100 Nanosekunden, einer wiederkehrenden Sperrspannung von nicht mehr als 200 V, einem durchschnittlichen Durchlaßstrom von nicht weniger als 2,5 Ampère, in einem flachen Gehäuse mit den Abmessungen von mehr als 5×9×9 mm und nicht mehr als 5×11×17 mm 0 ex 8541 10 99 Germanium-Golddraht-Dioden mit einer Durchlaßspannung von 1 V oder weniger bei 5 mA 0 ex 8541 29 90 Transistor mit einer Leistung von nicht weniger als 150 Watt bei einer Spannung von nicht weniger als 160 Volt und einer Abschaltfrequenz von 20 Megahertz oder mehr ( sogenannte "Cut-off-Frequenz "), in einem Gehäuse mit nicht mehr als 3 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 22×37 mm .

Das Gehäuse trägt :

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

2 SA 1170 2 SC 2774 2 SA 1215 2 SC 2921 2 SA 1494 2 SC 3858 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Transistoren der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8541 40 10 Leuchtdioden, die von Halbleiterteilen aus im wesentlichen Gallium hergestellt sind, in einem rechteckigen Gehäuse mit 2 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 4×20×21 mm, zur Verwendung beim Herstellen von Rundfunkgeräten oder von Tonaufnahme - oder -wiedergabegeräten ( a ).

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

LT 9305 SLF 209 LT 9306 SLF 909 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Leuchtdioden der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ( a ) Die Überwachung der zweckentsprechenden Verwendung erfolgt nach den einschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .

KN-Code Warenbezeichnung Autonomer Zollsatz % ex 8541 40 10 Leuchtdioden-Einheit mit nicht mehr als 10 Leuchtdioden, die von Halbleiterteilen aus im wesentlichen Gallium hergestellt sind, in einem rechteckigen Gehäuse mit nicht mehr als 20 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 4×25×68 mm, zur Verwendung beim Herstellen von Rundfunkgeräten oder von Tonaufnahme - oder -wiedergabegeräten ( a ).

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

LT 9355 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Leuchtdioden-Einheiten der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8541 40 10 Laserdiode mit Photodiode, die Licht mit einer nominalen Wellenlänge von 780 Nanometer ausstrahlt, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 3 Anschlußstiften, einem Durchmesser von nicht mehr als 10 mm und einer Höhe von nicht mehr als 7 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

LT 022 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Laserdioden der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8541 40 10 ex 8542 20 00 Digitalanzeigen, in einem Kunststoffgehäuse mit einer Grösse von nicht mehr als 25×35 mm, bestehend aus einer Leiterplatte, die nicht mehr als 22 Leuchtdioden enthält, die von Halbleiterteilen aus im wesentlichen Gallium hergestellt sind . Jede Anzeige besteht aus einer einzigen Stelle, auch mit Plus - oder Minuszeichen und/oder mit nicht mehr als 2 Dezimalpunkten 7 ex 8541 40 10 ex 8542 20 00 Digitalanzeigen, bestehend aus einer Leiterplatte mit einer Grösse von nicht mehr als 35×90 mm und einer Reihe von nicht weniger als 3 Anzeigestellen, die Leuchtdioden enthalten, die von Halbleiterteilen aus im wesentlichen Gallium hergestellt sind; letztere sind in die Leiterplatte eingebaut . Jede Anzeigestelle besteht aus nicht mehr als acht Segmenten, auch mit einem Dezimalpunkt . Die Digitalreihe hat einen Schutzbelag aus Kunststoff 0 ex 8541 40 91 Modul mit nicht mehr als 5 Solarzellen, in Dünnfilmtechnik hergestellt auf einem Substrat mit den Abmessungen von nicht mehr als 18×70 mm 0 ex 8541 40 93 Optölektronische Schaltung, bestehend aus einer oder mehreren Leuchtdioden und einer oder mehreren Photodioden mit Verstärkerschaltkreis, in einem Gehäuse aus Kunststoff mit nicht mehr als 16 Anschlußstiften .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

HC PL 2400 HC PL 5700 HC PL 5730 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf optölektronische Schaltungen der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8541 60 00 Piezölektrische Quarzkristalle mit einer Frequenz von 32 768 Hz, in einem zylindrischen Gehäuse mit einer Länge von nicht mehr als 8,2 mm und einem Durchmesser von nicht mehr als 3,2 mm, zum Herstellen von Waren des Kapitels 91 ( a ) 0 ex 8541 60 00 Keramische polarisierte piezölektrische Kristalle mit einer Frequenz von nicht weniger als 500 und nicht mehr als 12 500 kHz, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 3 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 14×15 mm .

0 ( a ) Die Überwachung der zweckentsprechenden Verwendung erfolgt nach den einschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .

KN-Code Warenbezeichnung Autonomer Zollsatz % ex 8542 11 30 Elektrisch löschbare, programmierbare Lesespeicher ( sogenannte E²PROMs ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung ohne Gehäuse ( Mikroplättchen ) mit einer Speicherkapazität von 16 Kbit, zur Verwendung beim Herstellen von mit Mikrowellen arbeitenden Objekt - oder Personenidentifizierungssystemen ( a ) 0 ex 8542 11 71 Pufferspeicher mit einer Organisation von 4×16 bit, bestehend aus 8 bit für Adressen, 8 bit für Daten und 4 bit zur Paritätsprüfung, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 31×31 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

R 2020/16 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Pufferspeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 71 Statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in C-MOS-Technik hergestellt ( sogenannte C-MOS-RAMs, statisch ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 16×4 bit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 35 Nanosekunden, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 16 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 9×21 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

CY7C189 CY7C190 CY74S189 CY54S189 CY27S03 CY27S07 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 71 Statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in C-MOS-Technik hergestellt ( sogenannte C-MOS-RAMs, statisch ), mit einer Speicherkapazität von 256×4 bit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 60 Nanosekunden, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 22 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 12×29 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

CY7C122 CY 93422 CY93L422 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 71 Statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in C-MOS-Technik hergestellt ( sogenannte C-MOS-RAMs, statisch ), mit einer Speicherkapazität von 2 K × 8 bit und einer nominalen Leistung im Bereitschaftszustand von nicht mehr als 0,005 Milliwatt bei 25 gC, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17×33 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

TC5516APL-2 TC5517CPL-15 TC5517BPL-20 TC5516AFL-2 TC5517CPL-20 TC5517BPL-25 TC5516APL TC5517CFL-15 TC5517BFL-20 TC65516AFL TC5517CFL-20 TC5517BFL-25 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

7 ( a ) Die Überwachung der zweckentsprechenden Verwendung erfolgt nach den einschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .

KN-Code Warenbezeichnung Autonomer Zollsatz % ex 8542 11 71 Nicht fluechtiger Speicher, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, bestehend aus einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in C -MOS-Technik hergestellt ( sogenannter C-MOS-RAM, statisch ) mit einer Speicherkapazität von 16 Kbit und interner Energiequelle, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 19×40 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

DS 1220 Y MK 48 Z 02 ( B ) oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf nicht fluechtige Speicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

7 ex 8542 11 71 Statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in C-MOS -Technik hergestellt ( sogenannte C-MOS-RAMs, statisch ), mit einer Speicherkapazität von 32 Kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 18×39 mm.

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

TC 5532 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 71 Statische Schreib-Lesespeicher, mit wahlfreiem Zugriff in MOS-Technik hergestellt ( sogenannte MOS-RAMs, statisch ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 8 K×8 bit und einer Zugriffszeit von nicht weniger als 80 Nanosekunden, in einem Gehäuse aus Kunststoff mit nicht mehr als 32 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 18×39 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

TC5564PL-15 HM6264P-10 MB8464A-10 PD4464C-15 TC5564PL-20 HM6264P-12 MB8464A-10L PD4464C-20 TC5565PL-12 HM6264P-15 MB8464A-10LL PD4464G-15 TC5565PL-15 HM6264LP-10 MB8464A-15 PD4464G-20 TC5565FL-12 HM6264LP-12 MB8464A-15L TC5565FL-15 HM6264LP-15 MB8464A-15LL TC5565PL-12L MB8464A-12 TC5565PL-15L HY6264P-15 MB8464-12L TC5565FL-12L MB8464-12LL TC5565FL-15L KM6264AL-10 MB8464-15 TMM2063P-10 MB8464-15L TMM2063P-12 MB8464-15LL TMM2063P-15 MSM5165AL-12 MSM5165AL-15 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 71 Nicht fluechtiger Speicher, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, bestehend aus einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in C-MOS-Technik hergestellt ( sogenannter C-MOS-RAM, statisch ), mit einer Speicherkapazität von 64 Kbit und interner Energiequelle, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 20×42 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

DS 1225 Y oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf nicht fluechtige Speicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 EWG:L000UMBA05 .97 FF : UTAL; SETUP : 01; Höhe : 1032 mm; 312 Zeilen; 13706 Zeichen;

Bediener : SUSI Pr .: C;

Kunde :

1 . 12 . 88 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften KN-Code Warenbezeichnung Autonomer Zollsatz % ex 8542 11 71 Statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in C-MOS-Technik hergestellt ( sogenannte C-MOS-RAMs, statisch ), mit einer Speicherkapazität von 256 Kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

HM 62256, PD 43256 C, TC 55257 P oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 71 Nicht fluechtiger Speicher, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, bestehend aus einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in C-MOS-Technik hergestellt ( sogenannter C-MOS-RAM, statisch ), mit einer Speicherkapazität von 256 Kbit und interner Energiequelle, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 19×40 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

DS 1230 DS 1235 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf nicht fluechtige Speicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 71 Statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in N-MOS(einschließlich H-MOS )-Technik hergestellt ( sogenannte N/H-MOS-RAMs, statisch ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 256×4 bit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 25 Nanosekunden, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm.

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen - oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

9122 - 25 91 L 22 - 25 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 71 Statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt ( sogenannte N/H-MOS-RAMs, statisch ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 8 Kbit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm.

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen - oder Zahlen-Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

4008 8112 4118 8114 4801 8185 8104 PD 421 8108 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 71 Statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in N-MOS(einschließlich ( H-MOS)-Technik hergestellt ( sogenannte N/H-MOS-RAMs, statisch ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 72 Kbit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 10×39 mm .

KN-Code Warenbezeichnung Autonomer Zollsatz % ex 8542 11 71 ( Fortsetzung ) Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

TMM 2089 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 71 Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM, statisch ), in MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 1 K×4 bit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 25 Nanosekunden, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht weniger als 24 Anschlußstiften und Abmessungen von nicht mehr als 8×32 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen-/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

AM 9150-20 CY 7 C 150-15 AM 9150-25 CY 7 C 150-25 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 71 Statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in bipolarer Technik hergestellt ( sogenannte bipolare RAMs, statisch ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung mit einer Speicherkapazität von 64×9 bit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 16×40 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

82 S 09 MBM 93419 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 71 Statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in bipolarer Technik hergestellt ( sogenannte bipolare RAMs, statisch ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, bestehend aus einer Substratebene mit 1 oder 2 Chips mit einer Speicherkapazität von jeweils 1 Kbit in einem Gehäuse mit nicht mehr als 23 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 13×13 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

770639 770823 5120360 7379769 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 71 Statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in TTL-Technik hergestellt ( sogenannte TTL-RAMs, statisch ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 1 Kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 45 Nanosekunden, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 22 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 16×30 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

93422 93425 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 KN-Code Warenbezeichnung Autonomer Zollsatz % ex 8542 11 71 Dynamische FIFO ( First In/First Out)-Schreib-Lesespeicher in N-MOS ( einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 7 280 oder 9 080 bit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 12×36 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen-/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

PD 41101 PD 41102 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf dynamische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 71 Dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt ( sogenannte C-MOS-RAMs, dynamisch ), mit einer Speicherkapazität von 256 Kbits, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 20 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17×34 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

P 51 C 256 HM 50256 53 C 256 53 C 464 P 51 C 259 53 C 258 53 C 466 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf dynamische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 71 Dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in N-MOS ( einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 64 Kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 18 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 7×22 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

KM 4164 MN 4264 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf dynamische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

10 ex 8542 11 71 Dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in N-MOS ( einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 256 Kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 150 Nanosekunden, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17×34 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

HM 50256 PD 41254 HM 50464 PD 41256 PD 41464 MB 81256 MB 81464 TMM 41464 TMS 4464 MSM 4256 MSM 4464 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf dynamische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

10 EWG:L000UMBA06.97 FF : UTAL; SETUP: 01; Höhe : 779 mm; 223 Zeilen; 9277 Zeichen;

Bediener : SUSI Pr .: C;

Kunde :

1 . 12 . 88 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften KN-Code Warenbezeichnung Autonomer Zollsatz % ex 8542 11 71 Dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff und dualer Ein-/Ausgangsstelle in N-MOS ( einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt ( sogenannte N/H-MOS-RAMs, dynamisch ), mit Datenregister und serieller Leseausgangskontrolle, mit einer Speicherkapazität von 256 Kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 13×39 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

MB 81461 PD 41264 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf dynamische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 71 Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in ECL-Technik hergestellt ( sogenannte ECL-RAMs ), mit einer Speicherkapazität von 256×4 bit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 8 Nanosekun - den, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 11×32 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

10422 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 71 Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in ECL-Technik hergestellt ( sogenannte ECL-RAM(s ),

in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 4 Kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 50 Nanosekunden, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 11×32 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

10470 10474 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 71 Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in ECL-Technik hergestellt ( sogenannte ECL-RAMs ), mit einer Speicherkapazität von 16 Kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 15 Nanosekunden, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 18×37 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

10480 10484 100484 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 71 Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in ECL-Technik hergestellt ( sogenannte ECL-RAMs ) mit einer Speicherkapazität von 64 Kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr al 22 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 10 × 29 mm .

KN-Code Warenbezeichnung Autonomer Zollsatz % ex 8542 11 71 ( Fortsetzung ) Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

10490 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 71 Dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in N-MOS(einschließlich H-MOS )-Technik hergestellt ( sogenannte N/H-MOS-RAMs, dynamisch ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, bestehend aus einer Substratebene mit nicht weniger als 2 und nicht mehr als 8 Chips mit einer Speicherkapazität von jeweils 128, 192 oder 256 Kbit und einer Gesamtspeicherkapazität von nicht weniger als 256 Kbit und nicht mehr als 2 Megabit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 57 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 30×30 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

6025841 6031587 6870392 7379172 6025843 6031591 6870393 7379174 6025856 6870395 7379176 6025858 7379181 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf dynamische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 71 Lesespeicher in C-MOS-Technik hergestellt ( sogenannter C-MOS-ROM ), mit einem Versorgungsstrom im Bereitschaftszustand von nicht mehr als 0,03 mA, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 256 Kbit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 54 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17×50 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

HN 61256 HN 613256 MB 83256 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

7 ex 8542 11 71 Lesespeicher in C-MOS-Technik hergestellt ( sogenannter C-MOS-ROM ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 1 Megabit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

HN 62301 P MB 83 1000 MB 831124 TC 53 1000 P oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

7 ex 8542 11 71 Programmierbare Lesespeicher, nicht löschbar ( sogenannte PROMs ), in TTL-Schottky-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 2 Kbit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm .

KN-Code Warenbezeichnung Autonomer Zollsatz % ex 8542 11 71 ( Fortsetzung ) Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen - oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

27 S 12 5305 6305 76 LS 03 27 S 13 5306 6306 7620 5308 6308 7621 28 L 22 5309 6309 28 LA 22 53 S 240 63 S 240 82 S 114 28 L 2 XMFC 53 S 241 63 S 241 82 S 130 6335 82 S 131 29613 54 S 570 6336 29770 54 S 571 93436 29771 7053 93446 5604 7058 38510 5624 MB 7115 74 S 570 MB 7116 74 S 571 MB 7117 MB 7118 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 71 Programmierbare Lesespeicher, nicht löschbar ( sogenannte PROMs ), mit einer Speicherkapazität von 16 Kbit, in MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

7 C 245 7 C 291 7 C 292 HM 6616 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 71 Programmierbare Lesespeicher, nicht löschbar ( sogenannte PROMs ), mit einer Speicherkapazität von 16 Kbit, in bipolarer Technik hergestellt, mit einem Versorgungsstrom im Bereitschaftszustand von nicht weniger als 50 und nicht mehr als 80 mA, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung,

in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 14×33 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

27 PS 191 A oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 71 Programmierbare Lesespeicher, nicht löschbar ( sogenannte PROMs ), mit einer Speicherkapazität von 32 Kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm.

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

63 S 3281 AM 27S43 MB 7141 MB 7142 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 EWG:L000UMBA07.97 FF : UTAL; SETUP : 01; Höhe : 779 mm; 219 Zeilen; 8630 Zeichen;

Bediener : PUPA Pr .: C;

Kunde :

1 . 12 . 88 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften KN-Code Warenbezeichnung Autonomer Zollsatz % ex 8542 11 71 Programmierbare Lesespeicher, nicht löschbar ( sogenannte PROMs ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 64 Kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 65 Nanosekunden, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×44 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

CY 7C 261 CY 7C 263 CY 7C 264 CY 7C 268 CY 7C 269 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 71 Programmierbare UV-löschbare Lesespeicher ( sogenannte EPROMs ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 2 Kbit, in einem Gehäuse mit den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm und einem Quarzfenster auf der Oberseite .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

82140 PP AMI 702 ADC oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

4 ex 8542 11 71 Programmierbare UV-löschbare Lesespeicher ( sogenannte EPROMs ) mit programmierbaren Ein - und Ausgangsstellen, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 2 K×8 bit, in einem Gehäuse mit den Abmessungen von nicht mehr als 17×52 mm und einem Quarzfenster auf der Oberseite .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

D 8755 A TMP 8755 AC oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 71 Programmierbare UV-löschbare Lesespeicher ( sogenannte EPROMs ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung mit einer Speicherkapazität von 16 Kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 65 Nanosekunden, in einem Gehäuse mit den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm und einem Quarzfenster auf der Oberseite .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

CY 245 W CY 7C 291 W oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 71 Programmierbare UV-löschbare Lesespeicher ( sogenannte EPROMs ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung mit einer Speicherkapazität von 64 Kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 65 Nanosekunden, in einem Gehäuse mit den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm und einem Quarzfenster auf der Oberseite .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

CY 7C 261 W CY 7C 263 W CY 7C 268 W CY 7C 269 W oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 KN-Code Warenbezeichnung Autonomer Zollsatz % ex 8542 11 71 Elektrisch löschbare, programmierbare Lesespeicher ( sogenannte E$PROMs ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung mit einer Speicherkapazität von 4 Kbit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17×33 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

28 C 04 X 2404 X 24 C 04 X 2804 A oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 71 Elektrisch löschbare, programmierbare Lesespeicher ( sogenannte E$PROMs ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung mit einer Speicherkapazität von 64 Kbit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

28 C 64 52 B 33 52 B 33 H MBM 28 C 65 MCM 2864 X 2864 A oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 71 Elektrisch löschbare, programmierbare Lesespeicher ( sogenannte E$PROMs ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 128 Kbit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

X 28128 A oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 71 Elektrisch löschbare, programmierbare Lesespeicher ( sogenannte E$PROMs), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 256 Kbit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen - oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder diese Kombinationen als Bestandteil enthält :

28256 28 C 256 48 C 256 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 71 Monolithische integrierte Schaltung, bestehend aus einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM, statisch ), mit einer Speicherkapazität von 256 bit, bitweise gekoppelt mit einem elektrisch löschbaren Lesespeicher ( sogenannter E$PROM), in einem Gehäuse mit nicht mehr als 18 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 8×24 mm .

KN-Code Warenbezeichnung Autonomer Zollsatz % ex 8542 11 71 ( Fortsetzung ) Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

X 2210 X 2443 X 2444 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf integrierte Schaltungen der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 71 Monolithische integrierte Schaltung, bestehend aus einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM, statisch ), mit einer Speicherkapazität von 1 Kbit, bitweise gekoppelt mit einem elektrisch löschbaren Lesespeicher ( sogenannter E²PROM ), in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17×33 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

X 2001 X 2201 A X 2212 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf integrierte Schaltungen der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 71 Monolithische integrierte Schaltung, bestehend aus einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM, statisch ), mit einer Speicherkapazität von 2 Kbit, bitweise gekoppelt mit einem elektrisch löschbaren Lesespeicher ( sogenannter E²PROM ), in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

X 2002 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf integrierte Schaltungen der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 71 Monolithische integrierte Schaltung, bestehend aus einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM, statisch ), mit einer Speicherkapazität von 4 Kbit, bitweise gekoppelt mit einem elektrisch löschbaren Lesespeicher ( sogenannter E$PROM ), in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

X 2004 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf integrierte Schaltungen der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 75 4-bit-Ein-Chip-Mikrocomputer, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, bestehend aus einem Lesespeicher ( sogenannter ROM ), mit einer Speicherkapazität von 2 K × 8 bit, einem Doppel-Ton-Multifrequenz ( DTMF)-Generator, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM ) mit einer Speicherkapazität von 1 Kbit, auch mit einem weiteren Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM ) mit einer Speicherkapazität von 512 bit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 42 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 16×54 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

T 6978 TCM 8301 TCM 8302 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Ein-Chip-Mikrocomputer der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 EWG:L000UMBA08.97 FF : UTAL; SETUP : 01; Höhe : 779 mm; 232 Zeilen; 9495 Zeichen;

Bediener : PUPA Pr .: C;

Kunde :

1 . 12 . 88 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften KN-Code Warenbezeichnung Autonomer Zollsatz % ex 8542 11 75 4-bit-Ein-Chip-Mikrocomputer, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, bestehend aus einem Lesespeicher ( sogenannter ROM ) mit einer Speicherkapazität von 16 Kbit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM ) mit einer Speicherkapazität von nicht mehr als 1 536 bit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 67 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 16×39 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehenden Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

TMP 47 C 200 TMP 47 C 220 TMP 47 C 221 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Ein-Chip-Mikrocomputer der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 75 4-bit-Ein-Chip-Mikrocomputer, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, bestehend aus einem Lesespeicher ( sogenannter ROM ) mit einer Speicherkapazität von 4 K × 8 bit, einem Doppel-Ton-Multifrequenz ( DTMF)-Generator, Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannte RAM ) mit einer Gesamtspeicherkapazität von 3 Kbit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 42 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 16×54 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

TMP 47 C 452 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Ein-Chip-Mikrocomputer der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 75 8-bit-Ein-Chip-Mikrocomputer, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM ) mit einer Speicherkapazität von 2 Kbit, einem programmierbaren Lesespeicher ( sogenannter PROM ) mit einer Speicherkapazität von 64 Kbit, einem Kanal für die serielle Multiprotokoll-Kommunikation, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als als 52 × 63 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus der nachstehenden Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

80 C 152 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Ein-Chip-Mikrocomputer der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 75 32-bit-Ein-Chip-Mikrocomputer, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, bestehend aus einem Lesespeicher ( sogenannter ROM ) mit einer Speicherkapazität von 24 Kbit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM ) mit einer Speicherkapazität von 2 Kbit in einem Gehäuse mit nicht weniger als 84 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht weniger als 30×30 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

MB 8764 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Ein-Chip-Mikrocomputer der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 KN-Code Warenbezeichnung Autonomer Zollsatz % ex 8542 11 75 8-bit-Ein-Chip-Mikrocomputer in N-MOS ( einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, mit Peripherie-Schnittstellen-Funktion, bestehend aus einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM ) mit einer Speicherkapazität von 2 Kbit, einem programmierbaren nicht löschbaren Lesespeicher ( sogenannter PROM ) oder einem programmierbaren UV-löschbaren Lesespeicher ( sogenannter EPROM ) mit einer Speicherkapazität von 16 Kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×53 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

8042 8742 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Ein-Chip-Mikrocomputer der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 75 Ein-Chip-Mikrocomputer, in N-MOS ( einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, bestehend aus 24 Registern mit jeweils 32 bit und einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM ) mit einer Speicherkapazität von 2 Kbit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 24×24 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

HGC 6127 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Ein-Chip-Mikrocomputer der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 75 8-bit-Ein-Chip-Mikrocomputer in MOS-Technik hergestellt, mit Peripherie-Schnittstellen-Funktion, bestehend aus einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM ) mit einer Speicherkapazität von 1 Kbit, einem programmierbaren UV-löschbaren Lesespeicher ( sogenannter EPROM ) mit einer Speicherkapazität von 2 Kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17×53 mm sowie einem Quarzfenster .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

D 8742 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Ein-Chip-Mikrocomputer der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 75 4-bit-Ein-Chip-Mikrocomputer in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, bestehend aus einem Lesespeicher ( sogenannter ROM ) mit einer Speicherkapazität von 18 Kbit bis 104 Kbit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM ) mit einer Speicherkapazität von 512 bit bis 4 Kbit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 80 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 20×60 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

CD 3200 bis 3299 TP 0310 bis 03299 HD 38800 HD 404 189 TP 0450 bis 04599 HD 38820 HD 614 080 TMC 0270 bis 0279 TP 0480 bis 04899 HD 44796 TMC 0500 bis 0599 TP 0500 bis 05999 HD 44800 TMC 0980 bis 0989 T 7767 BS HD 44801 TMC 1500 bis 1599 HD 44820 TMC 1980 bis 1999 HD 44840 HD 44860 HD 614042 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Ein-Chip-Mikrocomputer der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 KN-Code Warenbezeichnung Autonomer Zollsatz % ex 8542 11 75 8-bit-Ein-Chip-Mikrocomputer in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, bestehend aus einem programmierbaren UV-löschbaren Lesespeicher ( sogenannter EPROM ) mit einer Speicherkapazität von 32 Kbit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM ) mit einer Speicherkapazität von 1 Kbit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 16×53 mm sowie einem Quarzfenster .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

7742 8751 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Ein-Chip-Mikrocomputer der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 75 16-bit-Ein-Chip-Mikrocomputer, bestehend aus einem Lesespeicher ( sogenannter ROM ) mit einer Speicherkapazität von 64 Kbit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM ) mit einer Speicherkapazität von 2 Kbit, einem Digital-Analog-Umsetzer mit Abtastung und Gruppierung, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 40×40 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

8397 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Ein-Chip-Mikrocomputer der vorstehenden Beschreibung bezieht.

7 ex 8542 11 75 32-bit-Ein-Chip-Mikrocomputer, bestehend aus einem Lesespeicher ( sogenannter ROM ) mit einer Speicherkapazität von 16 Kbit, Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte RAMs ) mit einer Speicherkapazität von insgesamt 32 Kbit, einer 32 bit Gleitkomma-Datenarithmetik-Einheit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 100 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 30×53 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

DSP 32 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Ein-Chip-Mikrocomputer der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 75 8-bit-Mikroprozessor, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einer Zentraleinheit ( sogenannte Central Processing Unit/(CPU ), einem Speicher-Kontrollbaustein, einem Zwei-Kanal -Kontrollbaustein für den direkten Speicherzugriff, einem programmierbaren Zwei-Kanal 16-bit-Taktgeber, einem Bereitschaftszustandgenerator, zwei Schnittstellenbausteinen für die asynchrone serielle Datenübertragung und einem Bus-Kontrollbaustein, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 80 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 26×62 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Buchstaben/Zahlenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

Z 64180 HD 64 A 180 HD 64 B 180 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Mikroprozessoren der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 75 16-bit-Mikroprozessor, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einer Zentraleinheit ( sogenannte Central Processing Unit/CPU ), einem externen 8 - oder 16-bit-Daten-Bus, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 16×54 mm .

KN-Code Warenbezeichnung Autonomer Zollsatz % ex 8542 11 75 ( Fortsetzung ) Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

Z 70108 Z 70116 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Mikroprozessoren der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 75 16-bit-Mikroprozessor, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einer Zentraleinheit ( sogenannte Central Processing Unit/CPU ), einem Speicher-Kontrollbaustein, einem Puffer-Speicher ( sogenannte Cache Memory ) mit einer Kapazität von 2 Kbit, drei programmierbaren 16-bit -Taktgebern, einem Sende-Empfangsbaustein zur asynchronen Datenübertragung ( sogenannter Universal Asynchronous Receiver Transmitter/UART ) mit vollem Duplexbetrieb, einem 4-Kanal-Kontrollbaustein für den direkten Speicherzugriff, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 26×26 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

Z 280 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Mikroprozessoren der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 75 32-bit-Mikroprozessor, in C-MOS-Technik hergestellt, mit externem 32-bit-Daten - und Adreßbus,

in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 175 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 45×45 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

80386 MC 68020 NS 32532 MC 68030 NS 32C032 MC 68032 R 2000/16 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Mikroprozessoren der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 75 8-bit-Mikroprozessor, in N-MOS ( einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, zum Ver - und Entschlüsseln von Daten ( sogenannter Data Ciphering Processor/DCP ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 15×53 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus den nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

Z 8068 Z 9518 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Mikroprozessoren der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 75 8-bit-Mikroprozessor mit interner Architektur von 16 bit in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, bestehend aus einer Zentraleinheit ( sogenannte Central Processing Unit/CPU ), einem Zeitgenerator, zwei unabhängigen Kanälen zum Direktzugriffspeicher, einem programmierbaren Unterbrecher ( sogenannter Interrupt Controller ), drei programmierbaren 16-bit-Taktgebern, einem programmierbaren Speicher und äusserer Chipauswahllogik, einem programmierbaren Bereitschaftszustandsgenerator mit Bus-Kontrolleinheit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 30×30 mm .

EWG:L000UMBA09.97 FF : UTAL; SETUP : 01; Höhe : 1032 mm; 297 Zeilen; 13548 Zeichen;

Bediener : PUPA Pr .: C;

Kunde :

1 . 12 . 88 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften KN-Code Warenbezeichnung Autonomer Zollsatz % ex 8542 11 75 ( Fortsetzung ) Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

80188 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Mikroprozessoren der vorstehenden Beschreibung bezieht .

7 ex 8542 11 75 16-bit-Mikroprozessor, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, bestehend aus einer Zentraleinheit [sogenannte Central Processing Unit ( CPU )], einem Zeitgenerator, zwei unabhängigen Kanälen zum Direktzugriffspeicher, einem programmierbaren Unterbrecher ( sogenannter Interrupt Controller ), drei programmierbaren 16-bit-Taktgebern, einem programmierbaren Speicher und äusserer Chipauswahllogik, einem programmierbaren Bereitschaftszustandsgenerator mit Bus-Kontrolleinheit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 30×30 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

80186 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Mikroprozessoren der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 75 16-bit-Mikroprozessor, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, bestehend aus einer Zentraleinheit ( sogenannte Central Processing Unit/CPU ), einem Baustein für die Organisation des Speichers ( sogenannte Memory Management Unit/MMU ) und einem internen Betriebssystem für reale und virtülle Adressierung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 30×30 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

80286 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Mikroprozessoren der vorstehenden Beschreibung bezieht .

10 ex 8542 11 75 32-bit-Mikroprozessor, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 132 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 38×38 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

CPU 0404 1871 NCR 32000 NS 32032 NS 32332 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Mikroprozessoren der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 75 16-bit-Mikroprozessor, in bipolarer Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 25×82 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

AM 29116 SBP 9989 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Mikroprozessoren der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 KN-Code Warenbezeichnung Autonomer Zollsatz % ex 8542 11 75 Zentraleinheiten ( sogenannte Central Processing Units/CPU ), in N-MOS(einschließlich H-MOS )- Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, bestehend aus einem 16×16 bit-Dienstspeicher, einem 16×20 bit-Dienstspeicher, einem 32×32 bit-Dienstspeicher, einem 8×8 bit-Dienstspeicher, einem 16-bit-Register, zwei 20-bit-Registern, einem 8-bit-Register, einem 12-bit-Register, einem 5-bit-Zähler und einem Zeitgeber, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 25×25 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil hat LSI-604041855 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Zentraleinheiten der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 75 Numerischer Prozessor ( sogenannter Numeric Processor Extension/NPX ), in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, mit nicht mehr als 14 Registern, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 16×53 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen- oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

80287 8087 NS 32081 TX 32081 W oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf numerische Prozessoren der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 75 Gleitkomma-Coprezessor ( sogenannter Floating Point Coprozessor ), in MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 84 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 30×53 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen - oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

80387 NCR 32020 MC 68881 NS 32381 MC 68882 R 2010/16 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Coprozessoren der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 75 Text-Coprozessor in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 25×25 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

C 82730 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Text-Coprozessoren der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 75 16-bit-Kommunikationsprozessor in N-MOS-(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, bestehend aus einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAND mit einer Speicherkapazität von 22 Kbit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 48 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 15×60 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

TMS 38010 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Kommunikationsprozessoren der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 KN-Code Warenbezeichnung Autonomer Zollsatz % ex 8542 11 91 Arithmetische, logische Einheit ( Rechenwerk ), in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, bestehend aus einem 32-bit-Register, einem 24-bit-Register, einem 4-bit-Register, zwölf 1-bit-Registern, zwei 16×24 bit-Dienstspeichern, einem logischen Element zum Durchführen arithmetischer und logischer Operationen, einer Decodierlogik, einem logischen Element zur Fehlersuche und -beseitigung, einem 8-bit-Zähler und einem Zeitgeber,

in einem Gehäuse mit nicht mehr als 64 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 23×82 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

ALU 0486 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Rechenwerke der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 91 Taktgeber, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, für Zentraleinheit ( sogenannte Central Processing Unit/CPU ), Hauptspeicher und Ein - und Ausgangsschnittstellen, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 25×25 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

H 108982 ( MCC ) oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Taktgeber der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 91 Baustein zur Takterzeugung und Steuerung von Mikroprozessoren, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 20 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 9×24 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen - oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

Z 8581, 8284, 82 C 84, 82 C 284, 82384, 82284, 82304 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Bausteine der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 91 Taktgeber für Graphikkontrollbausteine, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 16 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 7×20 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

PCLK 1 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Taktgeber der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 91 Logikbaustein, in bipolarer Technik hergestellt, mit nicht mehr als sechs logischen Funktionen, einer Betriebsspannung von nicht weniger als 11 und nicht mehr als 18 V, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 18 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 8×23 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kennzeichnungen als Bestandteil enthält :

FZH 101 A FZH 111 A FZH 191 FZH 201 FZJ 121 FZK 101 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Logikbausteine der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 KN-Code Warenbezeichnung Autonomer Zollsatz % ex 8542 11 91 Logischer Kontrollbaustein, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, bestehend aus einem 7-bit-Register, drei Zeitzählern ( Timer ), einem Wähler ( Multiplexer ), Elementen zur Folgekontrolle, einer Decodierlogik, einem logischen Element zur Fehlersuche und -beseitigung und einem Zeitgeber, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 64 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 23×82 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

MIC 0482 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Bausteine der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 91 Programmierte Schaltmatrix ( Gate Array ), nicht vom Anwender programmierbar, in C-MOS-Technik mit metallischen Gates hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer Betriebsspannung von 12 V, mit nicht weniger als 637 Zwei-Eingangs-Funktionen und einem durch Elektronenstrahl hergestellten Digitalcode in der Matrix, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 22 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 11×29 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

FB 215 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf eine Schaltmatrix der vorstehenden Beschreibung bezieht 7 ex 8542 11 91 Vom Anwender teilweise programmierbare Schaltmatrix ( sogenannter Programmable Logic Array/PLA ), in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer programmierbaren UND-Anordnung, einer festen ODER-Anordnung, mit nicht mehr als 32 Eingangsstellen und nicht mehr als 12 Ausgangsstellen, auch mit Registern in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 19×39 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine der Kombinationen als Bestandteil enthält :

16 P 8 16 RP 4 C 16 L 8 C 16 R 4 C 16 R 6 C 16 R 8 C 20 G 10 C 22 V 10 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf eine Schaltmatrix der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 91 Vom Anwender programmierbare, nicht löschbare Schaltmatrix ( sogenannter Field Programmable Logic-Array/FPLA ), in TTL-Schottky-Technik hergestellt, mit nicht mehr als 48 UND-Funktionen und nicht mehr als 8 ODER-Funktionen sowie nicht mehr als 16 Eingangsstellen, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen - oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

FP 54 AS 839 FP 74 AS 839 82 S 100 FP 54 AS 840 FP 74 AS 840 82 S 101 SN 54 LS 333 SN 74 LS 333 SN 54 LS 334 SN 74 LS 334 93458 SN 54 LS 335 SN 74 LS 335 93459 SN 54 LS 336 SN 74 LS 336 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf eine Schaltmatrix der vorstehenden Beschreibung bezieht .

5 EWG:L000UMBA10.97 FF : UTAL; SETUP : 01; Höhe : 1032 mm; 308 Zeilen; 13110 Zeichen;

Bediener : HELM Pr .: C;

Kunde :

1 . 12 . 88 Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften KN-Code Warenbezeichnung Autonomer Zollsatz % ex 8542 11 91 Vom Anwender programmierbare, nicht löschbare Ablaufsteuerung, in bipolarer Technik hergestellt, mit nicht mehr als 48 -AND-Funktionen, einem 6-bit-Zustandsregister, einem 8-bit-Ausgaberegister,

in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

82 S 105 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Steuerbausteine der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 91 UV-löschbarer, programmierbarer Logikbaustein ( sogenannter Erasable Programmable Logic Device/EPLD ), in C-MOS-Technik hergestellt, mit nicht weniger als 600 Logikgattern, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften oder Kontaktflächen, einem Quarzfenster auf der Oberseite und den Abmessungen von nicht mehr als 29×124 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

EP 600 16 L8-W 16 R4-W 16 R6-W 16 R8-W 22 V 10-W oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Bausteine der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 91 Kontrollbaustein zur Fehlersuche und -beseitigung von einzelnen Bit-Fehlern und zur Fehlersuche von doppelten Bit-Fehlern ( sogenannter Error Detection and Correction Circuit ), in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 30×30 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

8206 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Kontrollbausteine der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 91 Kontrollbaustein zur Fehlersuche und -beseitigung von Mehrfachfehlern im Magnetplattensystem ( sogenannter Burst Error Processor/BEP ) in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt,

in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 16×54 mm .

Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

Z 8065 AM 9520 AM 9521 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Kontrollbausteine der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 91 Kontrollbaustein zur Fehlersuche und -beseitigung ( sogenannter Error Detection and Correction Circuit ), in bipolarer Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung in einem Gehäuse mit nicht mehr als 48 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 16×62 mm .

KN-Code Warenbezeichnung Autonomer Zollsatz % ex 8542 11 91 ( Fortsetzung ) Das Gehäuse trägt - eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen - oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

2960 74 F 630 74 F 631 74 LS 630 74 LS 631 DP 8400 oder - eine andere Kennzeichnung, die sich auf Kontrollbausteine der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0 ex 8542 11 91 Kontrollbaustein für Zentraleinheiten ( sogenannter CPU-Controller ), in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integri