23.12.85 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften Nr.L346/1
I
(Veröffentlichungsbedürftige Rechtsakte )
VERORDNUNG (EWG)Nr.3577/85DESRATES
vom26.November 1985
zurzeitweiligen Aussetzung derautonomen ZollsätzedesGemeinsamen Zolltarifsfüreinige
industrielle Waren
HATFOLGENDE VERORDNUNG ERLASSEN :
Artikel 1
Dieautonomen Zollsätze desGemeinsamen Zolltarifs fürdie
indenTabellenimAnhangaufgeführten Warenwerdenbis
zuderjeweilsangegebenen Höheausgesetzt .
DieseAussetzungen gelten
—vom1.Januarbiszum31.März1986fürdieinTabelleI
aufgeführten Waren;
—vom1.Januarbiszum30.Juni1986fürdieinTabelleII
aufgeführten Waren.
Artikel2DERRATDEREUROPAISCHEN GEMEINSCHAFTEN -
gestütztaufdenVertragzurGründung derEuropäischen
Wirtschaftsgemeinschaft ,insbesondere aufArtikel28,
nachKenntnisnahme vondemVerordnungsentwurf der
Kommission ,
inErwägung nachstehender Gründe :
DieindieserVerordnung genannten Warenwerdeninder
Gemeinschaft gegenwärtig nichtodernurinunzureichender
Mengehergestellt .DieHerstellerkönnensomitdenBedarf
derverarbeitenden Industrien derGemeinschaft nichtdek­
ken.
EsliegtimInteressederGemeinschaft ,dieautonomen
ZollsätzedesGemeinsamen Zolltarifs inbestimmten Fällen,
indeneninsbesondere eineGemeinschaftsproduktion dieser
Warenbesteht,nurteilweiseundindenanderenFällen
vollständig auszusetzen .
Daesschwierigist,diekurzfristige Entwicklung derwirt­
schaftlichen Lageaufdenbetreffenden Gebietengenauzu
beurteilen ,solltendieAussetzungen nurzeitweiligerfolgen,
wobeiihreGültigkeitsdauer entsprechend denInteressen der
Gemeinschaftsproduktion festzusetzen ist- DieseVerordnung trittam1.Januar1986inKraft.
DieseVerordnung istinallenihrenTeilenverbindlich undgiltunmittelbar injedem
Mitgliedstaat .
Geschehen zuBrüsselam26.November 1985.
ImNamendesRates
DerPräsident
J.F.POOS

Nr.L346/2 AmtsblattderEuropäischen Gemeinschaften 23.12.85
ANHANG
TABELLE I
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex29.04AIIIa) 2-Methylpropan-2-ol-ter£-Butylalkohol miteinemReinheitsgrad vonnichtwenigerals90und
nichtmehrals96Gewichtshundertteilen 0
ex84.55C Punktmatrix-Anzeigen mitdenAbmessungen vonnichtmehrals14x40x210 mm-
ausgenommen Anschlußstücke undLeitungen-,bestehend auseinerzwischenzweiGlas­
platteneingeschlossenen Flüssigkristallschicht mit2400Punkten (angeordnet in16Zeilenund
150Kolonnen )oder2560Punkten (angeordnet in16Zeilenund160Kolonnen ),aufeiner
Leiterplatte mitelektronischen Bauelementen zurSteuerungundKontrolle ,auchmiteiner10­
oder20-adrigen Flachbandleitung 0
ex84.55C Baugruppe fürautomatische Datenverarbeitungsmaschinen ,dieeinenstatischen Schreib­
Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinC-MOS-Technik (sogenannter C-MOS-RAM ,statisch)
miteinerGesamtspeicherkapazität von256Kbitbildetundauseinemmehrlagigen Substratmit
denAbmessungen vonnichtmehrals17x39mmbesteht,aufdemangebracht sind:
—vierstatischeSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinC-MOS-Technik hergestellt
(sogenannte C-MOS-RAMs ,statisch),inFormvonmonolithischen integrierten Schaltun­
genmiteinerSpeicherkapazität vonjeweils64Kbit,jeweilsineinemKeramikgehäuse ,
—einDecoderinFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,
—einEntkopplungskondensator .
DieBaugruppe hatnichtmehrals28Anschlußstifte undträgt:
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
EDH8832MC-20
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufstatischeSchreib-Lesespeicher-Baugruppen der
vorstehenden Beschreibung bezieht. 0

23.12.85 AmtsblattderEuropäischen Gemeinschaften Nr.L346/3
TABELLE II
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
Pyrethrum-Auszug ,entwachst
1-AlkenemiteinerKettenlänge vonnichtwenigerals18undnichtmehrals30Kohlen­
stoffatomen
Legierung ausCerundanderenMetallenderSeltenenErdenmiteinemGehaltanCervon47
Gewichtshundertteilen odermehr
Aluminiumhydroxidoxid inFormdesPseudo-Böhmits
Carboplatin (INN)
2,2,2-Trifluoräthyltrichlormethansulfonat
Hexan-1 ,6-diol
Bis(phenoxyphenoxy)benzol-Isomerengemisch
1,2-bis(2,4,6-tribromphenoxy)äthan zumHerstellen vonAcrylnitril-Butadien-Styrol (ABS)
aex13.03AV
ex27.13BII
ex28.05CI
ex28.20A
ex28.49CIIund
ex30.03AIIb)
ex29.03CI
ex29.04CI
ex29.08AIIIc)
ex29.08AIIIc)
ex29.13E
ex29.13F
ex29.16D
ex29.21BII
ex29.22EII
ex29.23DV
ex29.26AI
ex29.31B
ex29.34C
ex29.35Q
ex29.35Q
ex29.35Q
ex29.35Q
ex29.35Q
ex29.38A
ex29.38BII6'-Methoxy-2'-propiononaphthon
Ubidecarenon (INN)(CoenzymQ10)
2,6-Dimethoxybenzoesäure
0,0'-Dioctadecylpentaerythritbis(phosphit )
1,8-Naphthylendiamin
Diclofenac-Natrium (INNM)0
0
0
4
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
4
4
0
0Natriumsalz desl,2-Benzisothiazol-3-on-l,l-dioxids
Aldicarb (ISO),gelöstinDichlormethan
2-Diphenylphosphinobenzoesäure
Adenosinphosphat (INN)
3-(l-Äthyl-l-methylpropyl)isoxazol-5-ylamin
4,4'-Bis(hydroxyiminomethyl)-l ,1'-(oxydimethylen )dipyridinium dichlorid
Zotepin (INN)
('RSJ-l-[2-(4-Chlorbenzhydryloxy)äthyl]piperidin undseineSalze
Nicotinsäure (INN)
Dexpanthenol (INN)
(a)DieÜberwachung derzweckentsprechenden Verwendung erfolgtnachdeneinschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .

Nr.L346/4 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften 23.12.85
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex29.38BIII Folsäure (INN) 0
ex29.38BV Nicotinamid (INN) 0
ex29.39CI Serumgonadotrophin (INN) 0
ex29.39DII 17,21-Betamethasondipropionat (INNM) 0
ex29.39DII Diflorasondiacetat (INNM) 0
ex29.39E Lachs-Calcitonin (INN)undseineSalze 0
ex29.39E Prasteron (INN) 0
ex29.39E Calcitonin(INN)vonSchweinen 0
ex29.44A Epicillin (INN) 0
ex29.44A Piperacillin (INN) 0
ex29.44Aund Piperacillin-Natrium (INNM)
ex30.03AIIa)1 0
ex29.44C Amphotericin B(INN) 0
ex29.44C Minocyclin (INN)undseineSalze 0
ex29.44C Clindamycin (INN)undseineSalzeundEster 0
ex29.44C Spectinomycin-Dihydrochloridpentahydrat (INNM) 0
ex29.44C Nystatin (INN) 0
ex29.44C Sisomycin-Sulfat (INNM) 0
ex29.44C Spectinomycin-Sulfat (INNM) 0
ex29.44C Tobramycin (INN)undseineSalze 0
ex29.44C Lincomycin (INN)undseineSalzeundEster,zumHerstellen vonArzneiwaren der
Tarifnummer 30.03(a) 0
ex29.44C Monensin (INN)undseineSalze 0
ex29.44C Cefachlor (INN)undseineSalze,HydrateundEster 0
ex29.44C Netilmicin-Sulfat (INNM) 0
ex29.44C Dibekacin-Sulfat (INNM) 0
ex29.44C Cefoxitin-Natrium (INNM) 0
ex29.44C Cefradin (INN) 0
(a)DieÜberwachung derzweckentsprechenden Verwendung erfolgtnachdeneinschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .

23.12.85 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften Nr.L346/5
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex29.44C Cefamandol (INN)undseineSalzeundEster 0
ex29.44C Cefazolin (INN)undseineSalze 0
ex29.44C Latamoxef (INN)undseineSalzeundEster 0
ex29.44C Josamycin (INN) 0
ex29.44C Josamycinpropionat (INNM) 0
ex29.44C Ribostamycin-Sulfat (INNM) 0
ex29.44C Fumagillin-Dicyclohexylammonium (INNM) 0
ex29.44C Ceftezol (INN) 0
ex29.44C Aztreonam (INN) 0
ex29.44C Imipenem (INN) 0
ex29.44C Cefotetan (INN) 0
ex29.44C Ceftizoxim-Natrium (INNM) 0
ex29.44C Midecamycin (INN)undseineAcetate 0
ex29.44Cund
ex30.03AIIb)Amikacin (INN)undseineSalze
0
ex29.44Cund
ex30.03AIIb)Mitomycin (INN)
0
ex29.44Cund
ex30.03AIIb)Bleomycin-Sulfat (INNM)
0
ex29.44Cund
ex30.03AIIb)Aclarubicinhydrochlorid (INNM)
0
ex38.19G Katalysator inFormvonPulver,auseineraufeinemTrägerausSiliciumdioxid fixierten
Mischung vonTitan-,Magnesium -undAluminiumverbindungen mit
—nichtwenigerals3undnichtmehrals6Gewichtshundertteilen Titan,
—nichtwenigerals2undnichtmehrals3Gewichtshundertteilen Magnesium ,
—nichtwenigerals0,3undnichtmehrals0,5Gewichtshunderteilen Aluminium ,
zurVerwendung beimHerstellen vonPolyäthylen miteinerDichtevonnichtwenigerals
0,935(a) 0
ex38.19G Katalysator ausDialkyldimethylammoniumacetat ,Kettenlängen von16und18Kohlenstoff­
atomenenthaltend ,miteinemAnteilvonnichtwenigerals40Gewichtshundertteilen in
organischen Lösungsmitteln dispergiert 0
ex38.19X Gemischaus(5-Äthyl-2-methyl-2-oxo-l ,3,2/tfwzMi35-dioxaphosphoran-5-ylmethyl )methyl­
methylphosphonat undBis(5-äthyl-2-methyl-2-oxo-l,3,2 /tf«?Mtf5-dioxaphosphoran-5-yl ­
methyl)methylphosphonat 0
ex38.19X MiteinemAnteilvonnichtwenigerals19undnichtmehrals30Gewichtshundertteilen in
organischen Lösungsmitteln gelöstesButyläthylmagnesium 0
(a)DieÜberwachung derzweckentsprechenden Verwendung erfolgtnachdeneinschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .

Nr.L.346/6 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften 23.12.85
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex38.19X
ex39.01CIa)
ex39.01CIV
ex39.02CIa)
ex39.02CIa)
ex39.02CII
ex39.02CII
ex39.02CII
ex39.02CXI
ex39.02CXIVa)
ex39.02CXIVa)
39.03BVa)1
ex39.03BVa)2
ex39.03BVa)2
ex39.07BVd)
ex56.01A
ex59.03BMischung vonOxidendesBariums ,Wismuts ,Bleis,TitansundZinks,inFormvonPulver,mit
einemGehaltanBariumvon5Gewichtshundertteilen odermehrundanTitanvon15
Gewichtshundertteilen odermehr,zurVerwendung alsDielektrikum beimHerstellen von
keramischen Mehrschichtkondensatoren (a)
Polykondensationserzeugnisse ausPhenolundFormaldehyd ,inFormvonHohlkugeln mit
einemDurchmesser vonwenigerals150Mikrometer
Poly(epsilon-caprolactam)-Folien miteinemErweichungspunkt von200°Codermehr
Polyäthylen inFormenimSinnederVorschrift 3b)zuKapitel39,miteinerDichtevonnicht
wenigerals0,958bei23°CundeinemGehaltvonnichtmehrals
—50ppmAluminium ,
—2ppmCalcium,
—2ppmChrom,
—2ppmEisen,
—2ppmNickel,
—2ppmTitan,
—8ppmVanadium ,
zumHerstellen vonchlorsulfoniertem Polyäthylen (a)
Polyäthylen miteinerDichtevonnichtwenigerals0,945undnichtmehrals0,985,inFormen
imSinnederVorschrift 3b)zuKapitel39,zumHerstellen vonFarbbändern fürSchreib­
maschinen undähnlichenFarbbändern (a)
Mikroporiger Polytetrafluoräthylenfilm ,einseitigmiteinemwasserdampfdurchlässigen Poly­
merbeschichtet ,miteinerBreitevon30cmodermehrundeinemQuadratmetergewicht von
nichtmehrals50g
Mikroporiger Polytetrafluoräthylenfilm miteinerBreitevon30cmodermehrundeinem
Quadratmetergewicht vonnichtmehrals22,4g
Poly(l-chlortrifluoräthylen)-Folien
Polyvinylbutyralfolien mitFarbkeilband
Mischpolymerisat ausAcrylsäure undAlkylmethacrylat mitgeringenMengeneinesanderen
Monomeren ,zurVerwendung alsVerdickungsmittel beimHerstellen vonDruckpasten fürden
Textildruck (a)
Mischpolymerisat ausVinylalkohol undÄthylen,inFormenimSinnederVorschrift 3b)zu
Kapitel39
Äthylzellulose ,nichtweichgemacht
Hydroxyalkylhydroxyäthylzellulose
Alkylhydroxyäthylzellulose
Flächengebilde ,bestehend auszweiaufgespleißten FolienausPolyäthylen ,diekreuzweise
übereinandergelegt undmiteinander verschweißt sind
Acetalisierte Mehrkomponenten-Spinnfasern mitMatrixfibrillenstruktur ,bestehendausemul­
sionspolymerisiertem Polyvinylalkohol undVinylchlorid
Vliesstoffe ausPolyesterfäden mitPolyacrylaten alsBindemittel ,nachdemSpinnvliesverfahren
hergestellt (spunbonded),gepreßtodergeprägtmiteinerGewebestruktur ,alsMeterware oder
nurquadratisch oderrechteckig zugeschnitten ,auchgetränktoderbestrichen0
0
0
0
0
0
0
0
8
0
0
0
0
0
0
0
0
(a)DieÜberwachung derzweckentsprechenden Verwendung erfolgtnachdeneinschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .

23.12.85 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften Nr.L346/7
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex69.03Cund
ex69.09BGarneausverspinnbaren ,keramischen Endlosfäden ,wobeijederFadeneinenGehaltan
Dibortrioxid von12Gewichtshundertteilen odermehr,anSiliciumdioxid vonnichtmehrals26
Gewichtshundertteilen undanDialuminimtrioxid von60Gewichtshundertteilen odermehr
aufweist
Glaskolben fürmonochrome Kathodenstrahlröhren miteinerDiagonalen desrechteckigen
Schirmsvonnichtwenigerals22undnichtmehrals51cmundmiteinemnominalen
Durchmesser desHalsesvon20,29oder37mmex70.11
ex70.20A
ex70.20A
ex70.20BNichttextile Glasfasern miteinemDurchmesser derFasernvonwenigerals4Mikrometer
Matten,RollfilzeundähnlicheWarenausnichttextilen Glasfasern miteinemGewichtpro
Quadratmeter vonnichtmehrals120gundeinemDurchmesser derFasern-ohne
Beschichtung -vonnichtmehrals7Mikrometer ,zumFlerstellen vonFiltermaterial (a)
Garneausverspinnbaren Endlosglasfäden von33,34oder51tex-miteinerToleranzvon
±7,5%-odereinemVielfachen davon,miteinemDurchmesser derFasernvonnicht
wenigerals5,8undnichtmehrals7,1Mikrometer
Garneausverspinnbaren Endlosglasfäden von22texmiteinemDurchmesser derFasernvon
nichtwenigerals4,7undnichtmehrals5,5Mikrometerex70.20B
ex84.18CIIb) TeilevonApparaten zumkatalytischen Umwandeln vonStickstoffoxiden inStickstoffund
Wasser,bestehend ausinWabenstruktur geformten undgebrannten Einheiten auseiner
Mischung vonVanadiumoxiden oderVanadiumsulfaten undTitandioxid oderBariumsulfat
odervonVanadiumoxid ,Titandioxid undWolframoxid ,ineinemRahmengestell aus
Metall0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0ex84.55C Magnetköpfe inWinchester -oderDünnfilmtechnik fürperiphereMagnetplatten-Speicherein ­
heiten,miteinerAufzeichnungsdichte vonnichtwenigerals10Spurenjemm,auchauf
Trägerarmen
ex84.55C Punktmatrix -Anzeigen mitdenAbmessungen vonnichtmehrals15x90x280 mm-
ausgenommen Anschlußstücke undLeitungen-,bestehend auseinerzwischenzweiGlas­
platteneingeschlossenen Flüssigkristallschicht mit30720Punkten (angeordnet in64Zeilen
und480Kolonnen ),aufeinerLeiterplatte mitelektronischen Bauelementen zurSteuerungund
Kontrolle ,auchmitLeitungen undAnschlußstücken
ex84.55C Punktmatrix -AnzeigenmitdenAbmessungen vonnichtmehrals15x76X181mm,bestehend
auseinerzwischenzweiGlasplatten eingeschlossenen Flüssigkristallschicht mit15360Punkten
(angeordnet in64Zeilenund240Kolonnen ),aufeinerLeiterplatte mitelektronischen
Bauelementen inC-MOS-Technik ,undmitnichtmehrals544Kontaktflächen
ex84.55C Magnetische Schreib-Lese-Elemente inDünnfilmtechnik zumHerstellen vonMagnetköpfen für
periphereMagnetplatten-Speichereinheiten ,miteinerAufzeichnungsdichte vonnichtweniger
als10Spurenjemm,inFormvonPlattenmitdenAbmessungen vonnichtmehrals48x48mm
undmit200Elementen odermehroderinFormvonStreifenmitdenAbmessungen vonnicht
mehrals4x48mmundmit10Elementen odermehr(a)
ex84.55C Baugruppe fürautomatische Datenverarbeitungsmaschinen ,bestehend aus2übereinander
angeordneten Substratebenen mitje2statischenSchreib-Lesespeichern mitwahlfreiem Zugriff
inN-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt (sogenannte N/H-MOS-RAMs ,sta­
tisch),inFormvonmonolithischen integrierten Schaltungen miteinerSpeicherkapazität von
jeweils2KbitundeinerGesamtspeicherkapazität voninsgesamt 8Kx1bitoder4Kx2bit,
ineinemGehäusemitnichtmehrals23Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehr
als13x13mm.
(a)DieÜberwachung derzweckentsprechenden Verwendung erfolgtnachdeneinschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .

Nr.L346/8 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften 23.12.85
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex84.55C
(Fortsetzung )DasGehäuseträgt:
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
4598601
5121850
5121934
5121935
5122148
5123059
5123120
5123128
5123129
5123337
5123339
oder
ex84.55C—eineandereKennzeichnung ,diesichaufstatischeSchreib-Lesespeicher-Baugruppen der
vorstehenden Beschreibung bezieht.
Baugruppe fürautomatische Datenverarbeitungsmaschinen ,dieeinenprogrammierbaren
UV-löschbaren Lesespeicher (sogenannter EPROM )miteinerGesamtspeicherkapazität von
256Kbitbildetundauseinemmehrlagigen SubstratmitdenAbmessungen vonnichtmehrals
17x39mmbesteht,aufdemangebracht sind:
—zweiprogrammierbare UV-löschbare Lesespeicher (sogenannte EPROMs ),inFormvon
monolithischen integrierten Schaltungen ,miteinerSpeicherkapazität vonjeweils128Kbit
undjeeinemQuarzfenster aufderOberseite ,
—einDecoderinFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,
—einEntkopplungskondensator ,
—zweiWiderstände .
DieBaugruppe trägt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält
EDH7832MM-30
oder0
2
2ex84.55C—eineandereKennzeichnung ,diesichaufLesespeicher-Baugruppen dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
Baugruppe fürautomatische Datenverarbeitungsmaschinen ,dieeinenprogrammierbaren
UV-löschbaren Lesespeicher (sogenannter EPROM )miteinerGesamtspeicherkapazität von
256Kbitbildetundauseinemmehrlagigen SubstratmitdenAbmessungen vonnichtmehrals
17x39mmbesteht,aufdemangebracht sind:
—vierprogrammierbare UV-löschbare Lesespeicher (sogenannte EPROMs ),inFormvon
monolithischen integrierten Schaltungen miteinerSpeicherkapazität vonjeweils64Kbit
undjeeinemQuarzfenster aufderOberseite ,
—einDecoderinFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,
—einEntkopplungskondensator .
DieBaugruppe trägt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
EDH7832MC-35
oder
ex84.55C—eineandereKennzeichnung ,diesichaufLesespeicher-Baugruppen dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
Baugruppe fürautomatische Datenverarbeitungsmaschinen ,dieeinenstatischen Schreib­
Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinC-MOS-Technik (sogenannter C-MOS-RAM ,statisch)
miteinerGesamtspeicherkapazität von32Kbitbildetundauseinemmehrlagigen Substratmit
denAbmessungen vonnichtmehrals17x39mmbesteht,aufdemangebracht sind:
—zweistatischeSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinC-MOS-Technik hergestellt
(sogenannte C-MOS-RAMs ,statisch),inFormvonmonolithischen integrierten Schaltun­
gen,miteinerSpeicherkapazität vonjeweils16Kbit,

23.12.85 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften Nr.L346/9
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex84.55C
(Fortsetzung )—einDecoderinFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,
—einEntkoppelungskondensator .
DieBaugruppe hatnichtmehrals28Anschlußstifte undträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationbestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
EDH-8804 C-20
EDH8804CL-20
oder
ex84.55C—eineandereKennzeichnung ,diesichaufstatischeSchreib-Lesespeicher-Baugruppen der
vorstehenden Beschreibung bezieht.
Baugruppe fürautomatische Datenverarbeitungsmaschinen ,dieeinenstatischen Schreib­
Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinC-MOS-Technik (sogenannter C-MOS-RAM ,statisch)
miteinerGesamtspeicherkapazität von64Kbitbildetundauseinemmehrlagigen Substratmit
denAbmessungen vonnichtmehrals17x39mmbesteht,aufdemangebracht sind:
—vierstatischeSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinC-MOS-Technik hergestellt
(sogenannte C-MOS-RAMs ,statisch),inFormvonmonolithischen integrierten Schaltun­
genmiteinerSpeicherkapazität vonjeweils16Kbit,
—einDecoderinFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,
—einEntkopplungskondensator .
DieBaugruppe hatnichtmehrals28Anschlußstifte undträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationbestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
EDH8808B-20
EDH8808C-10
EDH8808C-12
EDH8808C-15
EDH8808C-20
EDH8808CL-15
EDH8808CL-20
oder2
2
0ex84.55C—eineandereKennzeichnung ,diesichaufstatischeSchreib-Lesespeicher-Baugruppen der
vorstehenden Beschreibung bezieht.
Baugruppe fürautomatische Datenverarbeitungsmaschinen ,bestehend aus2übereinander
angeordneten Substratebenen mitje2quasistatischen Schreib-Lesespeichern mitwahlfreiem
ZugriffinN-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt (sogenannte N/H-MOS­
RAMs,quasistatisch ),inFormvonmonolithischen integrierten Schaltungen miteiner
Speicherkapazität vonjeweils4KbitundeinerGesamtspeicherkapazität voninsgesamt 16
Kx1bitoder8Kx2bit,ineinemGehäusemitnichtmehrals24Anschlußstiften undden
Abmessungen vonnichtmehrals13x13mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
4599766
4599767
4599768
4599769
4599770
4599771
4599772
4599773
4599774
4599893
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufquasistatische Schreib-Lesespeicher-Baugruppen
dervorstehenden Beschreibung bezieht.
ex84.55C Baugruppe fürautomatische Datenverarbeitungsmaschinen ,dieeinenprogrammierbaren
UV-löschbaren Lesespeicher (sogenannter EPROM )miteinerSpeicherkapazität von64Kbit

Nr.L346/10 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften 23.12.85
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex84.55C
(Fortsetzung )undeinenstatischenSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinC-MOS-Technik (soge­
nannterC-MOS-RAMs ,statisch)miteinerGesamtspeicherkapazität von32Kbitbildetundaus
einemmehrlagigen SubstratmitdenAbmessungen vonnichtmehrals17x39mmbesteht,auf
demangebracht sind:
—einprogrammierbarer UV-löschbarer Lesespeicher (sogenannter EPROM )miteiner
Speicherkapazität von64KbitundeinemQuarzfenster aufderOberseite ,
—zweistatischeSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinC-MOS-Technik hergestellt
(sogenannte C-MOS-RAMs ,statisch),inFormonmonolithischen integrierten Schaltungen
miteinerSpeicherkapazität vonjeweils16Kbit,
—einDecoderinFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,
—einEntkopplungskondensator ,
—zweiWiderstände .
DieBaugruppe hatnichtmehrals28Anschlußstife undträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
EDH90804BS-25(15)
EDH90804BS-30(20)
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufBaugruppen dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex84.55C Baugruppe fürautomatische DatenVerarbeitungsmaschinen ,dieeinenprogrammierbaren
UV-löschbaren Lesespeicher (sogenannter EPROM )miteinerGesamtspeicherkapazität von
128KbitundeinenstatischenSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinC-MOS-Technik
(sogenannter C-MOS-RAM ,statisch)miteinerGesamtspeicherkapazität von128Kbitbildet
undauseinemmehrlagigen SubstratmitdenAbmessungen vonnichtmehrals17x39mm
besteht,aufdemangebracht sind:
—zweiprogrammierbare UV-löschbare Lesespeicher (sogenannte EPROMs ),inFormvon
monolithischen integrierten Schaltungen ,miteinerSpeicherkapazität vonjeweils64Kbit
undjeeinemQuarzfenster aufderOberseite ,
—zweistatischeSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinC-MOS-Technik hergestellt
(sogenannte C-MOS-RAMs ,statisch),inFormvonmonolithischen integrierten Schaltun­
genmiteinerSpeicherkapazität vonjeweils64Kbit,
—einDecoderinFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,
—einEntkopplungskondensator ,
—zweiWiderstände .
DieBaugruppe hatnichtmehrals28Anschlußstifte undträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :2
2EDH91616CL-30(20)
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichauchaufBaugruppen dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex84.55C Baugruppe fürautomatische DatenVerarbeitungsmaschinen ,dieeinenprogrammierbaren
UV-löschbaren Lesespeicher (sogenannter EPROM )miteinerSpeicherkapazität von64Kbit
undeinenstatischen Schreiblesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinC-MOS-Technik (soge­
nannterC-MOS-RAM ,statisch)miteinerGesamtspeicherkapazität von48Kbitbildetundaus
einemmehrlagigen SubstratmitdenAbmessungen vonnichtmehrals17x39mmbesteht,auf
demangebracht sind:
—einprogrammierbarer UV-löschbarer Lesespeicher (sogenannter EPROM )miteiner
Speicherkapazität von64KbitundeinemQuarzfenster aufderOberseite ,
—dreistatischeSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinC-MOS-Technik hergestellt
(sogenannte C-MOS-RAMs ,statisch),inFormvonmonolithischen integrierten Schaltun­
gen,miteinerSpeicherkapazität vonjeweils16Kbit,
—einDecoderinFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,
—einEntkopplungskondensator ,
—zweiWiderstände .

23.12.85 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften Nr.L346/11
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex84.55C
(Fortsetzung )DieBaugruppe hatnichtmehrals28Anschlußstifte undträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
EDH90806BS-25(15)
EDH90806BS-30(20)
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufBaugruppen dervorstehenden Beschreibung
bezieht
ex84.55C Baugruppe fürautomatische Datenverarbeitungsmaschinen ,bestehend aus2übereinander
angeordneten Substratebenen mit1oder2statischen Schreib-Lesespeichern mitwahlfreiem
ZugriffinbipolarerTechnikhergestellt (sogenannte bipolareRAMs,statisch),inFormvon
monolithischen integrierten Schaltungen ,miteinerSpeicherkapazität vonjeweils1Kbitund
einerGesamtspeicherkapazität vonnichtmehrals4Kbit,ineinemGehäusemitnichtmehrals
23Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals13x13mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
770965
4599497
7379442
oder
ex84.55C2
0
0
0
0—eineandereKennzeichnung ,diesichaufstatischeSchreib-Lesespeicher-Baugruppen der
vorstehenden Beschreibung bezieht.
Magnetblasenspeicher miteinerSpeicherkapazität vonnichtmehrals4Megabit ,ineinem
Gehäusevonnichtmehrals42Anschlußstiften oderKontaktflächen unddenAbmessungen von
nichtmehrals43x44mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-oderZahlen/
Buchstabenkombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil ent­
hält:
BDL0133 MBM2011 FBM64DA
BDL0134 MBM2256 7110
BDN0151 FBM54DB 7114-1
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufMagnetblasenspeicher dervorstehenden Beschrei­
bungbezieht.
Arithmetisches logischesElementfürdieZentraleinheit ,bestehend ausnichtmehralsneun
gedruckten Schaltungen mitdenAbmessungen vonnichtmehrals290x310 mm,jeweils
bestücktmitnichtmehrals121ECL-Gate ArraysoderECL-Schreib-Lesespeichern mit
wahlfreiem Zugriff (sogenannte ECL-RAMs )odereinerKombination vonbeiden,diesichin
einemGestellmitdenAbmessungen vonnichtmehrals501x596x611mmbefinden ,dasals
Halterung undVerbindungsleiter fürdiegedruckten Schaltungen dient.
DasElementträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstaben­
kombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :ex84.55C
COIB2675E500
COIB2675H500
COIB2675H501
COIB2675H502
COIB2675H503
COIB2675H504
oder
ex84.55C—eineandereKennzeichnung ,diesichaufarithmetische logischeElementedervorstehenden
Beschreibung bezieht.
Punktmatrix-Anzeigen mitdenAbmessungen vonnichtmehrals15x115x290 mm—
ausgenommen Anschlußstücke undLeitungen-bestehend auseinerzwischenzweiGlasplat­
teneingeschlossenen Flüssigkristallschicht mit128000Punkten (angeordnet in200Zeilenund
640Kolonnen ),aufeinerLeiterplatte mitelektronischen Bauelementen zurSteuerung und
Kontrolle ,auchmitLeitungen undAnschlußstücken

Nr.L346/12 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften 23.12.85
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex84.63BII
ex85.01BIb)
ex85.01BIb)
ex85.01BIb)
ex85.01BIb)
ex85.01BIb)
ex85.01BIb)
ex85.01BIb)
ex85.03
ex85.13Bund
ex85.21DIIIneinemStückgeschmiedete undvorgedrehte Generator -undTurbinenwellen miteinem
Stückgewicht vonjeweilsmehrals215Tonnen
Bürstenlose Gleichstrommotoren miteinemDrehmoment vonnichtmehrals0,20Newton­
meter/Nm,eingebauter elektronischer Steuerungsplatte ,Außenrotor mitkreisförmigem
Querschnitt miteinemDurchmesser vonnichtmehrals95mm,Aluminium-Präzisionsnabe mit
einemInnendurchmesser von28,6mm,einerGeschwindigkeit von300oder360Umdrehun­
genproMinuteundeinerVersorgungsspannung von12V+10%
Bürstenlose Gleichstrommotoren miteinemDrehmoment vonnichtmehrals0,20Newton­
meter/Nm,einemAußenläufer miteinemDurchmesser vonnichtmehrals55mm,einem
Befestigungsflansch von77mmundeinerPräzisionsspindel miteinemDurchmesser von
44mmmit4-Phasen-Wicklung ,miteinerNenndrehzahl von3600Umdrehungen proMinute
undeinerVersorgungsspannung von12V+10%,mitDrähtenundAnschlußstücken
Bürstenlose Zwei-oderDreiphasen-Gleichstrommotoren miteinemDrehmoment vonnicht
mehrals0,20Newtonmeter /Nm,elektronischer Steuerungsplatte unddenAbmessungen von
nichtmehrals85x85mmundeinerDickevonnichtmehrals20mmeinschließlich Spindel,
Außenrotor miteinemDurchmesser vonnichtmehrals62mm,einerGeschwindigkeit von
300Umdrehungen proMinuteundeinerVersorgungsspannung von12V±10%
BipolareSchrittmotoren miteinemSchrittwinkel von1,8Grad,200SchrittenproUmdrehung ,
2-Phasen-Drehfolge mitbipolarerWicklung ,mitdenAbmessungen vonnichtmehrals
20x39x39mmoder25x39x39mm,gemessenohneWelle,Feststellschrauben undNabe,
miteinemDrehmoment von0,25Newtonmeter /NmodermehrbeiMotorenmiteinerHöhe
vonnichtmehrals20mmodervon0,35Newtonmeter /NmodermehrbeiMotorenmiteiner
Höhevonnichtmehrals25mm
Hybrid-Schrittmotoren miteinemSchrittwinkel von0,9Grad,400SchrittenproUmdrehung ,
4-Phasen-Drehfolge mitbipolarerWicklung ,bestehend auseinemRotorundeinemStänder­
paket,daszwischenzweiViereckflanschen mitdenSeitenlängen vonnichtmehrals40mm
eingeschlossen ist,mitdurchgehender Welle,DrähtenundAnschlußstücken
Hybrid-Schrittmotoren miteinemSchrittwinkel von0,9Grad,400SchrittenproUmdrehung ,
3-Phasen-Drehfolge mitbipolarerWicklung ,bestehend auseinemRotorundeinemStänder­
paket,dasineinemzylindrischen BehältermiteinemDurchmesser vonnichtmehrals47mm
undeinerDickevonnichtmehrals14mmeingeschlossen ist,mitdurchgehender Welle,
DrähtenundAnschlußstücken
Hybrid-Schrittmotoren miteinemSchrittwinkel von0,9Grad,400SchrittenproUmdrehung ,
2-Phasen-Drehfolge mitbipolarerWicklung ,bestehend auseinemRotorundeinemStänder­
paket,daszwischenzweiViereckflanschen mitdenSeitenlängen vonnichtmehrals40mm
eingeschlossen ist,miteingebautem 2-oder3-Phasen-Drehzahlmesser ineinerKalottemit
einemDurchmesser vonnichtmehrals35mm,mitgesonderten DrähtenundAnschlußstücken
fürdieAusgänge desMotorsunddesDrehzahlmessers ,mitdenAbmessungen vonnichtmehr
als40x40x62mm,einschließlich Welle
Lithium-Jod-Batterien mitdenAbmessungen vonnichtmehrals9x23x45mmundeiner
Spannung vonnichtmehrals2,8V
Optoelektronisches Empfangsmodul (PIN-FET-Empfänger )miteinemWellenlängenbereich
vonnichtwenigerals1300undnichtmehrals1600Nanometern undeinerGeschwindigkeit
von165Megabits/Sekundeodermehr,inFormeinerintegrierten hybridenSchaltung ,ineinem
Gehäusemitnichtmehrals16Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
13x13x25 mmundausgerüstet miteinemLichtwellenumkehrleiter ausoptischen Fasern
(Pigtail-Ankopplung ).
DasModulträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-oderZahlen-/
Buchstabenkombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil ent­
hält:
416/7/97013
QDFI-XXXX-001
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufEmpfangsmodule dervorstehenden Beschreibung
bezieht .0
0
0
0
0
0
0
0
0
0

23.12.85 AmtsblattderEuropäischen Gemeinschaften Nr.L346/13
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
Einstellbare Kondensatoren inrunderFormmiteinerDickevonnichtmehrals3mm,
ausgerüstet miteinerStellschraube inderMitteundzweiAnschlüssen ,miteinerKapazität
vonnichtwenigerals5undnichtmehrals30Picofarad ,zumHerstellen vonWarendes
Kapitels91(a)
Thermorelais inhermetisch versiegeltem Glasgehäuse ,mitdenLängenabmessungen -ohne
Drähte-vonnichtmehrals35mm,miteinermaximalen Undichtigkeit von10"6cm3
Helium/Sekundebei1barinnerhalbdesTemperaturbereichs von0bis160°C,zumEinbauin
Kompressoren fürKältemaschinen (a)
Reedschalter inFormeinesGlasgehäuses ,mitnichtmehralsdreielektrischen Kontakten auf
Metallzungen undeinerkleinenMengeQuecksilber
Gedruckte Schaltung ,einseitigbedruckt ,mitdenAbmessungen vonnichtmehrals30x30mm,
zumHerstellen vonWarendesKapitels91(a)
Lochmasken-Farbkathodenstrahlröhren (Elektronenkanonen inDreiecksanordnung -soge­
nannteDelta-Technik -),miteinemAbstandzwischendenFarbpunkten vonnichtmehrals
0,31mmundeinerVorrichtung zurKonvergenzautomatik
Kathodenstrahlspeicherröhren (sogenannte Direktsicht-Speicherröhren /DirectViewStorage
Tubes)fürdieWiedergabe alphanumerischer undanalogerDaten,mitAbtastvorrichtung zum
Lesendergebildeten Zeichen
Lochmasken-Farbkathodenstrahlröhren (Elektronenkanonen inReihenanordnung -soge*
nannteIn-Line-Technik -),dieaufeinemBildschirm miteinernutzbaren Flächevonnicht
mehrals165x165 mmDatenanzeigen ,fürelektronische Fluginstrumente undAnzeige­
geräte(a)
Lochmasken-Farbkathodenstrahlröhren (Elektronenkanonen inReihenanordnung -soge­
nannteIn-Line-Technik -),miteinemAbstandzwischendenFarbpunkten vonwenigerals
0,4mmundeinemodermehreren dernachstehenden Beschaffenheitsmerkmale :
—einerDiagonalen desBildschirms von48cmodermehr,einerdiagonalen Ablenkung von
nichtmehrals90°undKonvergenzfehlern indenEckenvonnichtmehrals0,8mm,ex85.18B
ex85.19A
ex85.19A
ex85.19C
ex85.21AV
ex85.21AV
ex85.21AV
ex85.21AV
ex85.21AV
ex85.21AV
ex85.21C
ex85.21C0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0—einemintegrierten Anti-Vibrationssystem (sogenanntes Potting-System ),
—ohneinternenMagnetschirm ,
—einerPhosphorbeschichtung mitfolgendenKoordinaten derFarbpunkte :rotX=0,64und
Y=0,33oderX=0,64undY=0,34;grünX=0,29undY=0,60oderX=0,31und
Y=0,595;blauX=0,15undY=0,06oderX=0,155undY=0,07
Lochmasken-Farbkathodenstrahlröhren (Elektronenkanonen inDreiecksanordnung —soge­
nannteDelta-Technik —),miteinemAbstandzwischendenFarbpunkten vonwenigerals
0,4mmundeinemdernachstehenden Beschaffenheitsmerkmale :
—einerDiagonalen desBildschirms von66cmodermehr
oder
—einerPhosphorbeschichtung mitfolgendenKoordinaten derFarbpunkte :rotX=0,64und
Y=0,33oderX =0,64undY=0,34;grünX =0,29undY=0,60oderX =0,31undY
=0,595;blauX-0,15undY=0,06oderX-0,155undY=0,07
AnzeigeninFormeinerRöhre,bestehend auseinemGlasgehäuse ,aufgebracht aufeinerPlatte
miteinerGröße-ohneBerücksichtigung derLeitungen-vonnichtmehrals350x300mm.
DieRöhreenthälteineodermehrereReihenvonZeichenoderStrichen .JedesZeichenoder
jederStrichenthältfluoreszierende oderphosphoreszierende Elemente ,dieaufeinervon
fluoreszierenden Substanzen odervonPhosphorsalzen überzogenen metallisierten Unterlage
aufgebracht sindundleuchten,wennsievonElektronen getroffenwerden
Piezoelektrische Quarzkristalle miteinerFrequenzvon4194304Hz,ineinemGehäuse ,zum
Herstellen vonWarendesKapitels91(a)
Piezoelektrische Quarzkristalle miteinerFrequenzvon32768Hz,ineinemzylindrischen
GehäusemiteinerLängevonnichtmehrals8,2mmundeinemDurchmesser vonnichtmehrals
3,2mm,zumHerstellen vonWarendesKapitels91(a)
(a)DieÜberwachung derzweckentsprechenden Verwendung erfolgtnachdeneinschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .

Nr.L346/14 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften 23.12.85
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DII Digitalanzeigen ,ineinemKunststoffgehäuse miteinerGrößevonnichtmehrals25x35mm,
bestehend auseinerLeiterplatte ,dienichtmehrals22Leuchtdioden enthält,dievon
Halbleiterteilen ausimwesentlichen Galliumhergestellt sind.JedeAnzeigebestehtauseiner
einzigenStelle,auchmitPlus-oderMinuszeichen und/odermitnichtmehrals2Dezimal­
punkten
ex85.21DII Digitalanzeigen ,bestehend auseinerLeiterplatte miteinerGrößevonnichtmehrals
35x90mmundeinerReihevonnichtwenigerals2Anzeigestellen ,dieLeuchtdioden enthalten ,
dievonHalbleiterteilen ausimwesentlichen Galliumhergestellt sind;letzteresindindie
Leiterplatte eingebaut .JedeAnzeigestelle bestehtausnichtmehralsachtSegmenten ,auchmit
einemDezimalpunkt .DieDigitalreihe hateinenSchutzbelag ausKunststoff
ex85.21DII Monolithische integrierte Schaltung ,bestehend aus8unabhängigen Elementen fürdie
Steuerung der8Segmenteund/oderZeichenvonFluoreszenz -oderGasentladungsanzeigen ,in
einemGehäusemitnichtmehrals18Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
7x23mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :0
0
0
0513
514
534
594
6118
6128
6138
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufintegrierte Schaltungen dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
ex85.21DII Lesespeicher (sogenannter ROM),inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,mit
einerSpeicherkapazität von16Kx8bit,mitLeseregister undKontrollefürseriellenOutputin
einemGehäusemitnichtmehrals40Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
16x50mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
62000bis62999
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufLesespeicher dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex85.21DII Lesespeicher inC-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-ROM ),miteinemVersor­
gungsstrom imBereitschaftszustand vonnichtmehrals0,03mA,inFormeinermonolithischen
integrierten Schaltung ,miteinerSpeicherkapazität von256Kbit,ineinemGehäusemitnicht
mehrals54Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals17x50mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
HN61256
HN613256
MB83256
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufLesespeicher dervorstehenden Beschreibung
bezieht . 8,5
ex85.21DII Lesespeicher inC-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-ROM ),inFormeiner
monolithischen integrierten Schaltung ,miteinerSpeicherkapazität von1Megabit,ineinem
Gehäusemitnichtmehrals28Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
17x39mm.

23.12.85 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften Nr.L346/15
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsAutonomer
Zollsatz Warenbezeichnung
%
ex85.21DII
(Fortsetzung )DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
HN62301P,
MB831124 ,
ex85.21DIITC531000P
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufLesespeicher dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Programmierbare Lesespeicher ,nichtlöschbar (sogenannte PROMs),inTTL-Schottky-Tech ­
nikhergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,miteinerSpeicherkapa­
zitätvon2Kbit,ineinemGehäusemitnichtmehrals24Anschlußstiften oderKontaktflächen
unddenAbmessungen vonnichtmehrals17x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-oderZahlen/
Buchstabenkombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandtteil ent­8,5
11,5hält:
27S12
27S13
28L22
28LA22
28L2XMFC
29613
29770
29771
385105305
5306
5308
5309
53S240
53S241
54S570
54S571
5604
56246305
6306
6308
6309
63S240
63S241
6335
6336
7053
7058
74S570
74S57176LS03
7620
7621
82S114
82S130
82S131
93436
93446
MB7115
MB7116
MB7117
MB7118
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufLesespeicher dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex85.21DII Programmierbare Lesespeicher ,nichtlöschbar (sogenannte PROMs),inFormeinermonoli­
thischenintegrierten Schaltung ,miteinerSpeicherkapazität von4Kbit,ineinemGehäusemit
nichtmehrals24Anschlußstiften odernichtmehrals28Kontaktflächen unddenAbmessungen
vonnichtmehrals17x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-oderZahlen/
Buchstabenkombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil ent­
hält:
18S42
18S46
18SA42
18SA46
24S41
24SA41
27S15
27S25
27S26
27S27
27S28
27S29
27S30
27S31
27S32
27S3329620
29621
29622
29623
29624
29625
29626
29627
3604
3624
3625
38510
5340
5341
53S440
53RA44154S472
54S473
54S474
54S475
54S476
54S477
54S572
54S573
54740
54741
5605
5625
6340
6341
63S440
63RA441
63RS44174S472
74S473
74S474
74S475
74S476
74S477
74S572
74S573
7640
7641
7642
7643
7644
7645
7646
7647
7648
7649

Nr.L346/16 AmtsblattderEuropäischen Gemeinschaften 23.12.85
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsAutonomer
Zollsatz Warenbezeichnung
%
ex85.21DII
(Fortsetzung )28L42
28L45
28L46
28P42
28P45
28R45
28S4XPD
28SA41
28S42
28SA42
28S45
28S46
28SA4653RS441
53S441
5348
5349
5350
5351
5352
535363S441
6348
6349
6350
6351
6352
6353
HM6641
7054
7059
7121
7122
7123
7124
7125
7126
722682HS137
82HS147
82S115
82S136
82S137
82S140
82S141
82S142
82S146
82S147
93438
93448
93452
93453
0
ex85.21DIIoder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufLesespeicher dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Programmierbare Lesespeicher ,nichtlöschbar (sogenannte PROMs),inFormeinermonoli­
thischenintegrierten Schaltung ,miteinerSpeicherkapazität von8Kbit,ineinemGehäusemit
nichtmehrals24Anschlußstiften odernichtmehrals28Kontaktflächen unddenAbmessungen
vonnichtmehrals17x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-oderZahlen/
Buchstabenkombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil ent­
hält:
24S81
24SA81
24S86
27S180
27S181
27S185
27S35
28L85
28L86
28P85
28R35
28R85
28S2708
28S85
28S86
28SA86
28S8XMFE
29623
29630
29631
29632
29633
29634
29635
29636
29637
29650
29651
29652
296533628
5380
5381
5388
5389
53S840
53S841
54LS478
54S2708
54S454
54S455
54S478
54S479
6380
6381
6388
6389
63S840
63S841
7050
7055
7060
7127
7128
7129
7130
7131
7132
723274LS478
74S2708
74S454
74S455
74S478
74S479
7608
7680
7681
7684
7685
7686
7687
7688
7689
77S180
77S181
77S184
77S185
77S186
77S187
TBPS81M82707
82708
82HS185
82LS180
82LS181
82S180
82S181
82S182
82S183
82S184
82S185
82S2708
87S180
87S181
87S184
87S185
87S186
87S187
93450
93451
93460
93461
93465
93466
93L450
93L451
9460

23.12.85 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften Nr.L346/17
Autonomer
ZollsatzNummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnung
%
ex85.21DII
(Fortsetzung )oder
eineandereKennzeichnung ,diesichaufLesespeicher dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex85.21DII Programmierbare UV-löschbare Lesespeicher (sogenannte EPROMs),inFormeinermonoli­
thischenintegrierten Schaltung ,miteinerSpeicherkapazität von2Kbit,ineinemGehäusemit
denAbmessungen vonnichtmehrals17x39mmundeinemQuarzfenster aufder
Oberseite .
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstaben­
kombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
AMI702ADC
82140PP
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufLesespeicher dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex85.21DII Programmierbare UV-löschbare Lesespeicher (sogenannte EPROMs )mitprogrammierbaren
Ein-undAusgangsstellen ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,miteiner
Speicherkapazität von2Kx8bit,ineinemGehäusemitdenAbmessungen vonnichtmehrals
15x52mmundeinemQuarzfenster aufderOberseite .DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
D8755A,TMP8755AC
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufLesespeicher dervorstehenden Beschreibung
bezieht .0
5
0
0
0ex85.21DII Elektrisch löschbare ,programmierbare Lesespeicher (sogenannte E2PROMs),inFormeiner
monolithischen integrierten Schaltung miteinerSpeicherkapazität von256bit,ineinem
Gehäusemitnichtmehrals8Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehr-als
10x12mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
NMC9306
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufLesespeicher dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex85.21DII Elektrisch löschbare ,programmierbare Lesespeicher (sogenannte E2PROMs),inFormeiner
monolithischen integrierten Schaltung miteinerSpeicherkapazität von4Kbit,ineinem
Gehäusemitnichtmehrals24Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
17x33mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
X2804A,X2404,X24C04
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufLesespeicher dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex85.21DII Elektrisch löschbare ,programmierbare Lesespeicher (sogenannte E2PROMs),inFormeiner
monolithischen integrierten Schaltung miteinerSpeicherkapazität von16Kbit,ineinem
Gehäusemitnichtmehrals24Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
17x33mm.

Nr.L346/18 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften 23.12.85
Autonomer
ZollsatzNummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnung
%
ex85.21DII
(Fortsetzung )DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
X24C16
X2816A
52B13
52B13H
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufLesespeicher dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex85.21DII Elektrisch löschbare ,programmierbare Lesespeicher (sogenannte E2PROMs),inFormeiner
monolithischen integrierten Schaltung miteinerSpeicherkapazität von64Kbit,ineinem
Gehäusemitnichtmehrals28Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
17x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
X2864A
MCM2864
52B33
52B33H
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufLesespeicher dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex85.21DII0
0
0
0Elektrisch löschbare ,programmierbare Lesespeicher (sogenannte E2PROMs),inFormeiner
monolithischen integrierten Schaltung ,miteinerSpeicherkapazität von128Kbit,ineinem
Gehäusemitnichtmehrals28Anschlußstiften unddenAbmesseungen vonnichtmehrals
17x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
X28128A
oder
■—eineandereKennzeichnung ,diesichaufLesespeicher dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex85.21DII Elektrisch löschbare ,programmierbare Lesespeicher (sogenannte E2PROMs),inFormeiner
monolithischen integrierten Schaltung ,miteinerSpeicherkapazität von256Kbit,ineinem
Gehäusemitnichtmehrals28Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
17x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
X28256A
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufLesespeicher dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex85.21DII StatischeSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinTTL-Technik hergestellt (sogenannte
TTL-RAMs ,statisch),inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,miteiner
Speicherkapazität von1Kbit,ineinemGehäusemitnichtmehrals22Anschlußstiften undden
Abmessungen vonnichtmehrals16x30mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-oderZahlen/
Buchstabenkombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil ent­
hält:

23.12.85 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften Nr.L346/19
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DII
(Fortsetzung )2205
2510
251174LS214
74LS215
74LS314
74LS315
74S207
74S208
74S214
74S31493412
93L412
93415
93L415
93422
93L422
93425
93F425
93L425
ex85.21DIIoder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufstatischeSchreib-Lesespeicher dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
StatischeSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinN-MOS(einschließlich H-MOS )-
Technikhergestellt (sogenannte N/H-MOS-RAMs ,statisch),inFormeinermonolithischen
integrierten Schaltung ,miteinerSpeicherkapazität von1KX4bitundeinerZugriffszeit von
nichtmehrals70Nanosekunden ,ineinemGehäusemitnichtmehrals18Anschlußstiften und
denAbmessungen vonnichtmehrals8x23mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
AM2149
PD2149
SY2149H
TMS2149
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufstatischeSchreib-Lesespeicher dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
StatischeSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinC-MOS-Technik hergestellt (soge­
nannteC-MOS-RAMs ,statisch),miteinerSpeicherkapazität von4Kx1bit,einer
Zugriffszeit vonnichtmehrals70Nanosekunden undeinemVersorgungsstrom imBereit­
schaftszustand vonwenigerals1mA,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,in
einemGehäusemitnichtmehrals18Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
9x26mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-oderZahlen/
Buchstabenkombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil
enthält :ex85.21DII0
8,5
4
06147
MCM61L47
oder
ex85.21DII—eineandereKennzeichnung ,diesichaufstatischeSchreib-Lesespeicher dervorstehenden
Beschreibung bezieht .
StatischeSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinC-MOS-Technik hergestellt (soge­
nannteC-MOS-RAMs ,statisch),miteinerSpeicherkapazität von2Kx8bitundeiner
LeistungimBereitschaftszustand vonnichtmehrals0,005Milliwattbei25°C,inFormeiner
monolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals24Anschlußstiften
unddenAbmessungen vonnichtmehrals17X33mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
TC5516A
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufstatischeSchreib-Lesespeicher dervorstehenden
Beschreibung bezieht .
StatischeSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinN-MOS(einschließlich H-MOS )-
Technikhergestellt (sogenannte N/H-MOS-RAMs ,statisch),inFormeinermonolithischen
integrierten Schaltung ,miteinerSpeicherkapazität von8Kbit,ineinemGehäusemitnichtmehr
als24Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals17x39mm.
DasGehäuseträgtex85.21DII

Nr.L346/20 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften 23.12.85
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsAutonomer
Zollsatz Warenbezeichnung
%
ex85.21DII
(Fortsetzung )—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-oderZah­
len-Buchstabenkombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil
enthält :
4008
4118
PD421
4801
oder8104
8108
8112
8114
8185
ex85.21DII—eineandereKennzeichnung ,diesichaufstatischeSchreib-Lesespeicher dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
Statische Schreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinN-MOS(einschließlich
H-MOS)-Technik hergestellt (sogenannte N/H-MOS-RAMs ,statisch),inFormvonmonoli­
thischenintegrierten Schaltungen ,bestehend aus2übereinander angeordneten Substratebenen
mitjeweils2ChipsmiteinerSpeicherkapazität vonje2KbitundeinerGesamtspeicherkapazität
von8Kx1bitoder4Kx2bit,ineinemGehäusemitnichtmehrals23Anschlußstiften und
denAbmessungen vonnichtmehrals13x13mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
4598601
5121850
5121934
5121935
5122148
5123059
5123120
5123128
5123129
5123337
5123339
oder0
0
0ex85.21DII—eineandereKennzeichnung ,diesichaufstatischeSchreib-Lesespeicher dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
Statische Schreib-Lesespeicher mitwahlfreiem Zugriff,inN-MOS (einschließlich H-
MOS)-Technik hergestellt (sogenannte N/H-MOS-RAMs ,statisch)inFormeinermonoli­
thischenintegrierten Schaltung ,miteinerSpeicherkapazität von256x4bitineinem
Gehäusemitnichtmehrals24Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehr
als17x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-oderZahlen/
Buchstabenkombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil ent­
hält:
M120
2101
21H01
2102
2111
21H11
2112
21H128101
8111
9101
91L01
9111
91L11
9112
91L12
9122
91L22
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufstatischeSchreib-Lesespeicher dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
StatischeSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinC-MOS-Technik hergestellt (soge­
nannteC-MOS-RAMs ,statisch),inFormeinermonolithischen integrierten Schaltungmiteiner
Speicherkapazität von64Kbit,ineinemGehäusemitnichtmehrals28Anschlußstiften undden
Abmessungen vonnichtmehrals18x39mm.ex85.21DII

23.12.85 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften Nr.L346/21
Autonomer
ZollsatzNummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnung
%
ex85.21DII
(Fortsetzung )DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
TC5564 MB8464
TC5565C
MCM6164
ex85.21DII
ex85.21DII0
0
0
0HM6264P-12
HM6264P-156264LFP-15
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufstatischeSchreib-Lesespeicher dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
Monolithische integrierte Schaltung ,bestehend auseinemstatischenSchreib-Lesespeicher mit
wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM,statisch),miteinerSpeicherkapazität von256bit,
bitweisegekoppeltmiteinemelektrischlöschbaren Lesespeicher (sogenannter E2PROM),in
einemGehäusemitnichtmehrals18Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
8x24mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstaben­
kombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält
X2210
X2443
X2444
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufmonolithische integrierte Schaltungen der
vorstehenden Beschreibung bezieht .
Monolithische integrierte Schaltung ,bestehend auseinemstatischen Schreib-Lesespeicher mit
wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM,statisch),miteinerSpeicherkapazität von1Kbit,
bitweisegekoppeltmiteinemelektrischlöschbaren Lesespeicher (sogenannter E2PROM),in
einemGehäusemitnichtmehrals24Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
17x33mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstaben­
kombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
X2001
X2201A
X2212
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufmonolithische integrierte Schaltungen der
vorstehenden Beschreibung bezieht .
Monolithische integrierte Schaltung ,bestehendauseinemstatischenSchreib-Lesespeicher mit
wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM,statisch),miteinerSpeicherkapazität von2Kbit,
bitweisegekoppeltmiteinemelektrischlöschbaren Lesespeicher (sogenannter E2PROM),in
einemGehäusemitnichtmehrals28Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
17x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
X2002
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufmonolithische integrierte Schaltungen der
vorstehenden Beschreibung bezieht.
Monolithische integrierte Schaltung ,bestehend auseinemstatischenSchreib-Lesespeicher mit
wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM,statisch),miteinerSpeicherkapazität von4Kbit,
bitweisegekoppelt miteinenelektrischlöschbaren Lesespeicher (sogenannter E2PROM),in
einemGehäusemitnichtmehrals28Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
17x39mm.ex85.21DII
ex85.21DII

Nr.L346/22 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften 23.12.85
Autonomer
ZollsatzNummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnung
%
ex85.21DII
(Fortsetzung )DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
X2004
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufmonolithische integrierte Schaltungen der
vorstehenden Beschreibung bezieht. 0
ex85.21DII Quasistatische Schreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinN-MOS(einschließlich
H-MOS)-Technik hergestellt (sogenannte N/H-MOS-RAMs ,quasistatische ),inFormvon
monolithischen integrierten Schaltungen ,bestehend aus2übereinander angeordneten Sub­
stratebenen mitjeweils2ChipsmiteinerSpeicherkapazität vonje4KbitundeinerGesamt­
speicherkapazität voninsgesamt 16Kx1bitoder8Kx2bit,ineinemGehäusemitnicht
mehrals24Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals13x13mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
4599766 4599769 4599772 4599893
4599767 4599770 4599773
4599768 4599771 4599774
oder
eineandereKennzeichnung ,diesichaufquasistatische Schreib-Lesespeicher dervorstehen­
denBeschreibung bezieht. 0
ex85.21DII Schreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinECL-Technik hergestellt (sogenannte
ECL-RAMs ),inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,miteinerSpeicherkapazität
von1Kx4bit,ineinemGehäusemitnichtmehrals24Anschlußstiften unddenAbmessungen
vonnichtmehrals10x10mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-oderZahlen/
Buchstabenkombination bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
PB10474
100474
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSchreib-Lesespeicher dervorstehenden Beschrei­
bungbezieht. 0
ex85.21DII VomAnwender teilweiseprogrammierbare Schaltmatrix (sogenannter Programmable Logic
Array/PLA),inbipolarerTechnikhergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten
Schaltung ,mitschmelzbaren Verbindungsstücken ,einerprogrammierbaren UND-Anord­
nung,einerfestenODER-Anordnung ,mitnichtmehrals20Eingangsstellen undnichtmehrals
10Ausgangsstellen ,auchmitRegisternineinemGehäusemitnichtmehrals28Anschlußstiften
unddenAbmessungen vonnichtmehrals19x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinederKombinationen alsBestandteil enthält :
10H8
10L8
12H6
12L6
12L10
14H4
14L4
14L816A4
16C1
16H2
16L2
16L6
16L8
16R4
16R6
16R8
16X418L4
20C1
20L2
20L10
20R4
20X4
20X•
20X10
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufeineSchaltmatrix dervorstehenden Beschreibung
bezieht . 5

23.12.85 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften Nr.L346/23
Autonomer
ZollsatzNummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnung
%
ex85.21DII
ex85.21DIIVomAnwender programmierbare ,nichtlöschbare Schaltmatrix (sogenannter FieldPro­
grammable Logic-Array /FPLA),inTTL-Schottky-Technik hergestellt ,mitnichtmehrals48
UND-Funktionen undnichtmehrals8ODER-Funktionen sowienichtmehrals16
Eingangsstellen ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemit
nichtmehrals28Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals17x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-oderZahlen/
Buchstabenkombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil ent­
hält:
FP54AS839FP74AS83982S100
FP54AS840FP74AS84082S101
SN54LS333SN74LS333
SN54LS334SN74LS33493458
SN54LS335SN74LS33593459
SN54LS336SN74LS336
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufeineSchaltmatrix dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Programmierte Schaltmatrix (GateArray)inC-MOS-Technik hergestellt ,inFormeiner
monolithischen integrierten Schaltung mitnichtwenigerals8000Zwei-Eingangs -
NAND-Funktionen ,ineinemGehäusemit179odermehrAnschlußstiften unddenAbmes­
sungenvonnichtmehrals39x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination
bestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
MB66000VH
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufeineSchaltmatrix dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Ein-Chip-Mikrocomputer .inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,bestehtaus
einerarithmetischen ,logischenEinheit (Rechenwerk )miteinerKapazität von4bit,einem
Lesespeicher (sogenannter ROM)miteinerSpeicherkapazität von18Kbitbis65Kbit,einem
Schreib-Lesespeicher mitwahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM)miteinerSpeicherkapazität
von512bitbis4Kbit,ineinemGehäusemitnichtmehrals80Anschlußstiften undden
Abmessungen vonnichtmehrals17x58mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :ex85.21DII5
0
0CD3200bis3299 TP0310bis03299
TP0450bis04599
TP0480bis04899
TP0500bis05999HD38800
HD38820
HD44796
HD44800
HD44801
HD44820
HD44840
HD44860TMC0270bis0279
TMC0500bis0599
TMC0980bis0989
TMC1500bis1599
TMC1980bis1999
oder
ex85.21DII—eineandereKennzeichnung ,diesichaufEin-Chip-Mikrocomputer dervorstehenden
Beschreibung bezieht .
Zentraleinheiten (sogenannte CentralProcessing Units/CPU),inN-MOS(einschließlich
H-MOS)-Technik hergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,bestehend
auseinem16x16bit-Dienstspeicher ,einem16x20bit-Dienstspeicher ,einem32x32
bit-Dienstspeicher ,einem8x8bit-Dienstspeicher ,einem16-bit-Register ,einem12-bit-Re­
gister,zwei20-bit-Registern ,einem8-bit-Register ,einem12-bit-Register ,einem5-bit-Zähler
undeinemZeitgeber ,ineinemGehäusemitnichtmehrals68Anschlußstiften undden
Abmessungen vonnichtmehrals25x25mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil hat
LSI-604041855

Nr.L346/24 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften 23.12.85
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufZentraleinheiten dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Kontrollbaustein zumSteuernderZugangsfolge (sogenannter LocalAreaNetworkController/
LAN-Controller ),inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemit
nichtmehrals48Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals16x63mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-oderZahlen/
Buchstabenkombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil ent­
hält:ex85.21DII
(Fortsetzung )
ex85.21DII
ex85.21DIIMCM68590
AM7990
8001
8003
82586
oder0
0
0
0—eineandereKennzeichnung ,diesichaufKontrollbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Kontrollbaustein zurSteuerung vonMagnetplattenspeichern mitfestenPlatten(HardDisc
Controller/HDC),inN-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt ,inFormeiner
monolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals40Anschlußstiften
unddenAbmessungen vonnichtmehrals15X53mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationbestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
WD1010
PD7261
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufKontrollbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Kontrollbaustein fürsynchrone ,bitserielleDatenübertragung und-empfang (sogenannter
MultiProtocolCommunication Controller/MPCC),inMOS-Technik hergestellt ,inForm
einermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals44
Anschlußstiften oderKontaktflächen unddenAbmessungen vonnichtmehrals16x54
mm.ex85.21DII
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlenkombination
bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil erhält:
16456
2652
68652
8273
8274
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufKontrollbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex85.21DII Arithmetische ,logischeEinheit (Rechenwerk )inN-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik
hergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,bestehend auseinem
32-bit-Register ,einem24-bit-Register,einem4-bit-Register ,zwölf1-bit-Registern ,zwei
16x24bit-Dienstspeichern ,einemlogischenElementzumDurchführen arithmetischer und
logischerOperationen ,einerDecodierlogik ,einemlogischenElementzurFehlersuche und
-beseitigung ,einem8-bit-Zähler undeinemZeitgeber ,ineinemGehäusemitnichtmehrals64
Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals23x82mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
ALU0486

23.12.85 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften Nr.L346/25
Autonomer
ZollsatzNummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnung
%
ex85.21DII
(Fortsetzung )oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufRechenwerke dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex85.21DII LogischerKontrollbaustein ,inN-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt ,inForm
einermonolithischen integrierten Schaltung ,bestehend auseinem7-bit-Register ,dreiZeitzäh­
lern(Timer),einemWähler(Multiplexer ),Elementen zurFolgekontrolle ,einerDecodierlogik ,
einemlogischenElementzurFehlersuche und-beseitigung undeinemZeitgeber ,ineinem
Gehäusemitnichtmehrals64Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
23x82mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
MIC0482
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufBausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex85.21DII Taktgeber inN-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt ,fürZentraleinheit (soge­
nannteCentralProcessing Unit/CPU),Hauptspeicher undEin-undAusgangsschnittstellen ,in
Formeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals68
Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals25x25mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
H108982 (MCC)
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufTaktgeber dervorstehenden Beschreibung
bezieht .0
0
0
0ex85.21DII BausteinzurFolgekontrolle ,inN-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt ,inForm
einermonolithischen integrierten Schaltung ,bestehend auseinem32-bit-Register ,drei
16-bit-Registern ,einem16x16bit-Dienstspeicher ,einem7X17bit-Kellerspeicher (Lastin
firstout/Lifo),einemAddierwerk ,einerDecodierlogik ,einerPrioritätslogik ,einemlogischen
ElementzurFehlersuche und-beseitigung ,einem16-bit-Wähler (Mulitplexer ),einem
8-bit-Zähler undeinemZeitgeber ,ineinemGehäusemitnichtmehrals64Anschlußstiften und
denAbmessungen vonnichtmehrals23x82mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
CSS0484
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufBausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex85.21DII Kontrollbaustein zurFehlersuche und-beseitigung (sogenannter ErrorDetection andCorrec­
tionCircuit),inbipolarerTechnikhergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten
Schaltung ineinemGehäusemitnichtmehrals48Anschlußstiften unddenAbmessungen von
nichtmehrals16x62mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-oderZahlen/
Buchstabenkombination bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält
2960
74F630
74F631
DP8400
74LS630
74LS631

Nr.L346/26 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften 23.12.85
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DII
(Fortsetzung )
0
ex85.21DII
0
ex85.21DII
0oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufKontrollbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Kontrollbaustein zurFehlersuche und-beseitigung voneinzelnen Bit-Fehlern undzur
Fehlersuche vondoppelten Bit-Fehlern (sogenannter ErrorDetectionandCorrection Circuit),
inN-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt ,inFormeinermonolithischen integrier­
tenSchaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals68Kontaktflächen unddenAbmessungen
vonnichtmehrals25x25mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht
oderdieseKombination alsBestandteil enthält :
8206
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufKontrollbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht . 4
Kontrollbaustein zurFehlersuche und-beseitigung vonMehrfachfehlern imMagnetplattensy­
stem(sogenannter BurstErrorProcessor/BEP)inN-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik
hergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnicht
mehrals40Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals16x54mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
Z8065
AM9520
AM9521
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufKontrollbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Kontrollbaustein inbipolarerTechnikhergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten
Schaltung ,zurSteuerungdynamischer Schreib-Lesespeicher mitwahlfreiem Zugriff(sogenann­
terRAM,dynamisch ),mitAdressen-Multiplexer undZeitgeber ,ineinemGehäusemitnicht
mehrals48Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals17x62mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
DP8408
DP8409
MB1422
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufKontrollbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Programmierbarer Schnittstellenbaustein (sogenannter Programmable Communication Inter­
face/PCI),inN-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt ,inFormeinermonolithi­
schenintegrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals28Anschlußstiften undden
Abmessungen vonnichtmehrals17x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält
8251A
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSchnittstellenbausteine dervorstehenden Beschrei­
bungbezieht .
Programmierbarer Schnittstellenbaustein fürdieDatenübertragung (sogenannte Enhanced
Programmable Communication Interface/EPCI),inFormeinermonolithischen integrierten
Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals28Anschlußstiften unddenAbmessungen von
nichtmehrals16x38mm.ex85.21DII
ex85.21DII0
8,5
ex85.21DII

23.12.85 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften Nr.L346/27
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DII
(Fortsetzung )
ex85.21DIIDasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht
oderdieseKombination alsBestandteil enthält :
2661
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSchnittstellenbausteine dervorstehenden Beschrei­
bungbezieht .
Serienschnittstellenbaustein zurDatenstromcodierung oder-decodierung unddamitzusam­
menhängenden Kontrollfunktionen füreinenSteuerbaustein zumSteuernderZugangsfolge
(sogenannter LocalAreaNetwork),inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,in
einemGehäusemitnichtmehrals24Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
16x33mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-oderZahlen/
Buchstabenkombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil ent­
hält:
AM7991
8002
8023
82501
ex85.21DIIoder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSchnittstellenbausteine dervorstehenden Beschrei­
bungbezieht.
Schnittstellenbaustein fürdieparallel-serielle oderseriell-parallele Umsetzung digitalerSignale
inFernsprechapparaten (sogenannter StationInterfaceDigital/STID),inC-MOS-Technik
hergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnicht
mehrals28Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals17x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
WCC295G
oder0
0
0
6
0ex85.21DII—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSchnittstellenbausteine dervorstehenden Beschrei­
bungbezieht.
Programmierbarer Intervall-Zeitgeber (sogenannter Programmable IntervalTimer/PIT),in
N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten
Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals24Anschlußstiften unddenAbmessungen von
nichtmehrals17x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
8253,8254
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufIntervall-Zeitgeber dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex85.21DII BausteinzurFrequenzdecodierung (sogenannter Demodulator /ToneDecoder )inbipolarer
Technikhergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemit
nichtmehrals14Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals10x21mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
XR2211
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufBausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .

Nr.L346/28 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften 23.12.85
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DII C-MOS-Uhrenschaltungen ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinem
Gehäusemitmehrals16Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals16x54
mm,zumHerstellen vonSchaltzeituhren oderArmaturbrettuhren unddergleichen für
Kraftfahrzeuge oderKrafträder (a).
DasGehäuseträgt
■—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
HI2060
HI2065
MSM5537
T3605
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufUhrenschaltungen dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex85.21DII C-MOS-Uhrenschaltungen ,dievoneinereinzigen1,5-Volt-Versorgungseinheit gespeist
werden,mitLCD-Treiber ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinem
Gehäusemitnichtmehrals56Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
15x21mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
TC8219AF
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufUhrenschaltungen dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex85.21DII0
0
0
0P-MOS-12 /24-Stunden-Uhrenschaltungen mitBetriebsstundenzähler ,inFormeinermonoli­
thischenintegrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals42Anschlußstiften und
denAbmessungen vonnichtmehrals14x54mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationbestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
MM53124
LM8363
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufUhrenschaltungen dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex85.21DII Verstärker inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnicht
mehrals10Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals2x4x4mm,zum
Herstellen vonWarenderTarifstelle 90.19BI(a).
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
V35
C05
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufVerstärker dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex85.21DII Vierkanal-Bus-Sendeempfangsbaustein (sogenannter QuadBusTransceiver )inadvancedlow
powerSchottky-Technik hergestellt ,mitD-Typ-Registern aufdemChipundinternen
4bit-Generator /PrüferaufungeradeParität,inFormeinermonolithischen integrierten
Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals20Anschlußstiften unddenAbmessungen von
nichtmehrals9x28mm.
(a)DieÜberwachung derzweckentsprechenden Verwendung erfolgtnachdeneinschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .

23.12.85 AmtsblattderEuropäischen Gemeinschaften Nr.L346/29
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DII
(Fortsetzung )DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
AM2907
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufVierkanal-Bus-Sendeempfangsbausteine der
vorstehenden Beschreibung bezieht .
Treiberbaustein (sogenannter Four-Line-Driver )inadvancedlowpowerSchottky-Technik
hergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnicht
mehrals16Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals7x20mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :ex85.21DU
AM26LS29
AM26LS31
SN75172
SN75174
oder
ex85.21DII0
0
8,5
8,5
0—eineandereKennzeichnung ,diesichaufTreiberbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Sendeempfangbaustein zursynchronen /asynchronen Datenübertragung (sogenannter Univer­
salSynchronous Asynchronous ReceiverTransmitter /USART )inC-MOS-Technik hergestellt ,
inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals32
Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals17x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
MSM82C51
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSendeempfangsbausteine dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
8-bit-Mikroprozessor mitinternerArchitektur von16bitinN-MOS(einschließlich
H-MOS)-Technik hergestellt ,bestehend auseinerZentraleinheit (sogenannte CentralProces­
singUnit/CPU),einemZeitgenerator ,zweiunabhängigen KanälenzumDirektzugriffspeicher ,
einemprogrammierbaren Unterbrecher (sogenannter InterruptController ),dreiprogrammier­
baren16-bit-Taktgebern ,einemprogrammierbaren SpeicherundäußererChipauswahllogik ,
einemprogrammierbaren Bereitschaftszustandsgenerator mitBus-Kontrolleinheit ,inForm
einermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals68
Kontaktflächen unddenAbmessungen vonnichtmehrals30x30mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht
oderdieseKombination alsBestandteil enthält :
80188
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufMikroprozessoren dervorstehenden Beschreibung
bezieht .ex85.21DII
ex85.21DII 16-bit-Mikroprozessor inbipolarer Technikhergestellt ,inFormeinermonolithischen
integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals52Anschlußstiften undden
Abmessungen vonnichtmehrals24x67mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
AM29116
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufMikroprozessoren dervorstehenden Beschreibung
bezieht .

Nr.L346/30 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften 23.12.85
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DII 16-bit-Mikroprozessor inN-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt ,bestehendaus
einerZentraleinheit [sogenannte CentralProcessing Unit(CPU)],einemZeitgenerator ,zwei
unabhängigen KanälenzumDirektzugriffspeicher ,einemprogrammierbaren Unterbrecher
(sogenannter InterruptController ),dreiprogrammierbaren 16-bit-Taktgebern ,einempro­
grammierbaren SpeicherundäußererChipauswahllogik ,einemprogrammierbaren Bereit­
schaftszustandsgenerator mitBus-Kontrolleinheit ,inFormeinermonolithischen integrierten
Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals68Anschlußstiften unddenAbmessungen von
nichtmehrals30x30mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht
oderdieseKombination alsBestandteil enthält :
80186
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufMikroprozessoren dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Numerischer Prozessor (sogenannter NumericProcessor Extension/NPX)inN-MOS(ein­
schließlich H-MOS)-Technik hergestellt ,mitnichtmehrals14Registern ,inFormeiner
monolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals40Anschlußstiften
unddenAbmessungen vonnichtmehrals15x52mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :ex85.21DII
8087-2
8087-3
80287
oder
ex85.21DII—eineandereKennzeichnung ,diesichaufnumerische Prozessoren dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
Datentrennbaustein fürflexibleMagnetplatten (sogenannter FloppyDiscDataSeparator/
FDDS),inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehr
als20Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals8x27mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :8,5
0
0
0FDC9216
FDC9216-B
WD9216-00
WD9216-01
FDC9229T
FDC9229BT
oder
ex85.21DII—eineandereKennzeichnung ,diesichaufeineDatentrennschaltung dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
Phonem-Sprachsynthetisator inC-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-Phoneme
SpeechSynthesizer ),miteinemVersorgungsstrom vonwenigerals10mA,inFormeiner
monolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals28Anschlußstiften
unddenAbmessungen vonnichtmehrals17x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
SC01
SSI263
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufPhonem-Sprachsynthetisatoren dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
Dreifacher Video-Digital-Analog-Umsetzer (sogenannter VideoDigital-Analog-Converter /
VDAC)miteinerKapazität jeKanalvonnichtmehrals8bit,miteinerSignalumsetzungszeit
vonnichtmehrals25Nanosekunden ,inFormeinerhybridenintegrierten Schaltung ,auchmit
dreiSchreib-Lesespeichern mitwahlfreiem Zugriff (sogenannte RAMs)miteinerSpeicher­
kapazität vonjeweilsnichtmehrals2Kbit,ineinemGehäusemitnichtmehrals
61Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals54x62mm.ex85.21DII

23.12.85 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften Nr.L346/31
Autonomer
ZollsatzNummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnung
%
ex85.21DII
(Fortsetzung )DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
VDAC444TD
RGBDAC4T
RGBDAC8E
RGBDAG8T
oder
ex85.21DII
ex85.21DII—eineandereKennzeichnung ,diesichaufVideo-Digital-Analog-Umsetzer dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
Differentialverstärker ,steuerbarfürSignalevon0bis400MHzodermehr,inFormeiner
monolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals16Anschlußstiften
unddenAbmessungen vonnichtmehrals11x11mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht
oderdieseKombination alsBestandteil enthält :
0078-10
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufDifferentialverstärker dervorstehenden Beschrei­
bungbezieht .
StatischeSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinbipolarerTechnikhergestellt
(sogenannte bipolareRAMs,statisch),inFormeinermonolithischen integrierten Schaltungmit
einerSpeicherkapazität von64x9bit,ineinemGehäusemitnichtmehrals28Anschlußstiften
unddenAbmessungen vonnichtmehrals15x40mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
82S09
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufstatischeSchreib-Lesespeicher dervorstehenden
Beschreibung bezieht .
Treiberbaustein fürdynamische 8-bit-Speicher (sogenannter OctalDynamicMemoryDriver)
inbipolarerTechnikhergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinem
Gehäusemitnichtmehrals20Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
16x33mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten -Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
AM2965
AM2966
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufTreiberbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Bus-Schnittstellenbaustein inbipolarerTechnikhergestellt ,mit9-bit-oder10-bit-Registern ,in
Formeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals24
Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals9x34mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :0
0
0
0
0ex85.21DII
ex85.21DII
AM29821 AM29843
AM29823 AM29844
AM29824
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSchnittstellenbausteine dervorstehenden Beschrei­
bungbezieht.

Nr.L346/32 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften 23.12.85
Autonomer
ZollsatzNummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnung
/0
ex85.21DII
ex85.21DII
ex85.21DII
ex85.21DIIMehrbus-Puffer-Schnittstellenbaustein (sogenannter MultipleBusPuffer)inlowpower
Schottky-Technik hergestellt ,fürdieFehlersuch -undBeseitigungseinheit ,dasDatenbus­
Systemunddendynamischen Schreib-Lesespeicher mitwahlfreiem Zugriff(sogenannter RAM,
dynamisch ),inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnicht
mehrals24Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals8x33mm.
DasGehäuseträgt
■—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
AM2961
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSchnittstellenbausteine dervorstehenden Beschrei­
bungbezieht.
Zustands -undSchiebekontrollbaustein (sogenannte StatusandShiftControlUnit)inbipolarer
Technikhergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemit
nichtmehrals42Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals16x57mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
AM2904
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufbipolareZustands -undSchiebekontrollbausteine
dervorstehenden Beschreibung bezieht.
Verstärker ,inFormeinermonolithischen integrierten analogen Schaltung ,mitden
Abmessungen vonnichtmehrals3x3mm,zumHerstellen vonWarenderTarifstelle
90.19BI(a)
Text-Coprozessor inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemit
nichtmehrals68Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals25x25mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
C82730
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufText-Coprozessoren dervorstehenden Beschrei­
bungbezieht.
Ein-Chip-Mikrocomputer inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,bestehend aus
einerarithmetischen ,logischenEinheit (Rechenwerk )miteinerKapazität von8bit,einem
programmierbaren UV-löschbaren Lesespeicher (sogenannter EPROM )miteinerSpeicherka­
pazitätvon32Kbit,einemSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM)
miteinerSpeicherkapazität von1Kbit,zwei16-bit-Zählern ,ineinemGehäusemitnichtmehr
als40Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals15X50mmsowieeinem
Quarzfenster .
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht
oderdieseKombination alsBestandteil enthält :
8751
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufEin-Chip-Mikrocomputer dervorstehenden
Beschreibung bezieht .
Ein-Chip-Mikrocomputer inC-MOS-Technik hergestellt ,inFormeinermonolithischen
integrierten Schaltung ,bestehend auseinerarithmetischen ,logischenEinheit(Rechenwerk )mit
einerKapazitätvon32bit,einemLesespeicher (sogenannter ROM)miteinerSpeicherkapazität
von24Kbit,einemSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM)miteiner
Speicherkapazität von2KbitineinemGehäusemit88odermehrAnschlußstiften undden
Abmessungen vonnichtwenigerals30x30mm.0
0
0
0
0ex85.21DII
ex85.21DII
(a)DieÜberwachung derzweckentsprechenden Verwendung erfolgtnachdeneinschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .

23.12.85 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften Nr.L346/33
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DII
(Fortsetzung )DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
MB8764
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufEin-Chip-Mikrocomputer dervorstehenden
Beschreibung bezieht. 0
ex85.21DII Teilnehmerleitung-Sprach-Signal-Baustein (sogenannter Subscriber LineAudioProcessing
Circuit/SLAC)mit2Digitalsignalprozessoren ,einemAnalog-Digital -undeinemDigital-Ana­
log-Umsetzer ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnicht
mehrals28Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals17x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
AM7901
AM7905
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufBausteinedervorstehenden Warenbeschreibung
bezieht .
ex85.21DII Monolithische integrierte SchaltungzurPulscode-Modulation (sogenannte PulseCodeModu­
lation/PCM),inN-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt ,mitCodier-,Decodier­
undFilterfunktionen ,miteinermaximalen Datentaktfrequenz vonmehrals3,5Mhz,ineinem
Gehäusemitnichtmehrals20Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
8x26mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht
oderdieseKombination alsBestandteil enthält :
2913
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufintegrierte Schaltungen dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
NichtflüchtigerSpeicher ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,bestehend aus
einemstatischen Schreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinC-MOS-Technik hergestellt
(sogenannter C-MOS-RAM ,statisch)miteinerSpeicherkapazität von16Kbitundinterner
Energiequelle ,ineinemGehäusemitnichtmehrals28Anschlußstiften unddenAbmessungen
vonnichtmehrals17x33mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
MK48Z02(B)
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufnichtflüchtigeSpeicherdervorstehenden
Beschreibung bezieht .ex85.21DII8,5
8,5
8,5
0ex85.21DII Teilnehmerleitung-Schnittstellenbaustein (sogenannter Subscriber LineInterfaceCircuit/
SLIC)mitdirekterinternerRelais-Ansteuerung ,inFormeinermonolithischen integrierten
Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals28Anschlußstiften unddenAbmessungen von
nichtmehrals18x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstaben­
kombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
5502
ICME00155/RIFA(PBL)3735
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSchnittstellenbausteine dervorstehenden Beschrei­
bungbezieht.

Nr.L346/34 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften 23,12.85
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DII Kontrollbaustein fürdieDatenein-und-ausgabeundZeitfolge ,inN-MOS(einschließlich
H-MOS)-Technik hergestellt ,miteinemstatistischen Schreib-Lesespeicher mitwahlfreiem
Zugriff (sogenannter RAM)miteinerSpeicherkapazität von128X8bit,inFormeiner
monolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals40Anschlußstiften
unddenAbmessungen vonnichtmehrals16x54mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten ZahlenoderZahlen/
Buchstabenkombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil
enthält :
6532 '
ex85.21DII
ex85.21DIICO10750
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufKontrollbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Vierkanal-Steuerbaustein fürSchrittmotoren ,inbipolarerTechnikhergestellt ,mitDioden,in
Formeinermonolithischen integrierten Schaltung ;ineinemGehäusemitnichtmehrals
16Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals6x20mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstaben­
kombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
HA13007
75437A
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSteuerbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Analog-Digitaler-Steuerbaustein fürbürstenlose Motoren ,zurErhaltung einerkonstanten
Geschwindigkeit ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemit
nichtmehrals18Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals6x25mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstaben­
kombination bestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
MGA3015A
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSteuerbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Analog-Digitaler-Schnittstellenbaustein inbipolarerTechnikhergestellt ,fürdenperipheren
Festmagnetplattenspeicher undderZentraleinheit ,inFormeinermonolithischen integrierten
Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals40Anschlußstiften unddenAbmessungen von
nichtmehrals15x50mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :0
0
0
0
0ex85.21DII
AD581C
oder
ex85.21DII—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSchnittstellenbausteine dervorstehenden Beschrei­
bungbezieht.
Spannungsverstärker fürSchrittmotoren ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,
ineinemGehäusemitnichtmehrals20Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehr
als6x24mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
P20A579
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSpannungsverstärker dervorstehenden Beschrei­
bungbezieht.

23.12.85 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften Nr.L346/35
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DII BausteinfürdieOrganisation desSpeichers (sogenannte MemoryManagement Unit/MMU),
inN-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt ,miteinerSpeicheradressierbarkeit bis
zu16Megabyte ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemit
nichtmehrals64Anschlußstiften oder68Kontaktflächen unddenAbmessungen vonnicht
mehrals25x82mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstaben­
kombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
68451L6
68451L8
68451L10
68451ZBL6
68451ZBL8
ex85.21DII68451ZBL10
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufBausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Bausteinzurasynchronen Bus-Kontrolle undzurUmwandlung derlokalenBus-Leitungen in
Multiplex-Leitungen inadvanced lowpowerSchottky-Technik hergestellt ,inFormeiner
monolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals28Anschlußstiften
unddenAbmessungen vonnichtmehrals13x37mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht
oderdieseKombination alsBestandteil enthält :
68452
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufBausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Kontrollbaustein fürKathodenstrahlröhren (sogenannter CathodeRayTubeController/
CRTC)inN-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt ,inFormeinermonolithischen
integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals48Anschlußstiften undden
Abmessungen vonnichtmehrals16x62mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstaben­
kombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
AM8052
D8275H
P8275H
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufKontrollbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .ex85.21DII0
0
0
0ex85.21DII BausteinzurAnzeigenkontrolle undzurErzeugung vonZeichen (sogenannter Display
Controller undCharacter Generator/DCCG)inC-MOS-Technik hergestellt ,fürFlüssig­
kristall-Punktmatrixanzeigen ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinem
Gehäusemitnichtmehrals60Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
20x26mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
HD61830
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufBausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex85.21DII Video-Digital-Analog-Umsetzer (sogenannter Video-Digital-Analog-Converter /VDAC),mit
einerSignalumsetzungszeit vonnichtmehrals10Nanosekunden ,inFormeinerhybriden
integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals24Anschlußstiften undden
Abmessungen vonnichtmehrals20X35mm.

Nr.L346/36 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften 23.12.85
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DII
(Fortsetzung )
0
ex85.21DII
0
ex85.21DIIDasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
VDAC0405H
VDAC0605H
VDAC0805H
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufVideo-Digital-Analog-Umsetzer dervorstehenden
Beschreibung bezieht .
Mikroprozessor zurSteuerung derEin-undAusgaben (sogenannter Input/OutputMicropro­
cessor)inN-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt ,inFormeinermonolithischen
integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals40Anschlußstiften undden
Abmessungen vonnichtmehrals17x53mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht
oderdieseKombination alsBestandteil enthält :
8089
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufMikroprozessoren dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Interpolations-Baustein (sogenannter Interpolation PulseGenerator )zurSteuerung geometri­
scherFunktionen ,inC-MOS-Technik hergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten
Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals28Anschlußstiften unddenAbmessungen von
nichtmehrals17x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
KM3701
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufInterpolations-Bausteine dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
StatischeSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinC-MOS-Technik hergestellt (soge­
nannteC-MOS-RAMs ,statisch),miteinerSpeicherkapazität von32Kbit,inFormeiner
monolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals28Anschlußstiften
unddenAbmessungen vonnichtmehrals18x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
TC5532
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufstatischeSchreib-Lesespeicher dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
BausteinzurSteuerung vonServovorrichtungen inC-MOS-Technik hergestellt ,inFormeiner
monolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals40Anschlußstiften
unddenAbmessungen vonnichtmehrals17x54mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen-/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
KM3702
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSteuerbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .0
ex85.21DII
ex85.21DII0
0
ex85.21DII BausteinzurErzeugung variablerWellenformen inbipolarerTechnikhergestellt ,inFormeiner
monolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals16Anschlußstiften
unddenAbmessungen vonnichtmehrals10x21mm.

23.12.85 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften Nr.L346/37
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsAutonomer
Zollsatz Warenbezeichnung
%
ex85.21DII
(Fortsetzung )DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält:
XR2206
XR8038
oder
—eineKennzeichnung ,diesichaufBausteinedervorstehenden Beschreibung bezieht.
Video-Verstärkerbaustein inbipolarerTechnikhergestellt ,inFormeinermonolithischen
integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals44Anschlußstiften undden
Abmessungen vonnichtmehrals17x17mm,zumHerstellen vontragbaren Farbfernseh­
kameras (a).
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :ex85.21DII
702
ex85.21DII703
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufVerstärkerbausteine dervorstehenden Beschrei­
bungbezieht.
BausteinzurVerstärkung entwederderLese-oderderSchreibsignale vonflexiblenMagnet­
platten,inbipolarerTechnikhergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,
ineinemGehäusemitnichtmehrals22Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehr
als11x29mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
XR2247
XR3470
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufBausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .0
0
0
0
0ex85.21DII BausteinzurBlenden-undFarbtemperaturausgleichsteuerung inbipolarerTechnikhergestellt ,
inFormeinermonolithischen integrierten analogenSchaltung ,ineinemGehäusemitnicht
mehrals44Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals17x17mm,zum
Herstellen vontragbarenFarbfernsehkameras (a).
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht
oderdieseKombination alsBestandteil enthält :
704
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufBausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Taktgeber inC-MOS-Technik hergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten digitalen
Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals68Anschlußstiften unddenAbmessungen von
nichtmehrals25x25mm,zumHerstellen vontragbarenFarbfernsehkameras (a).
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :ex85.21DII
705
706
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufTaktgeber dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
(a)DieÜberwachung derzweckentsprechenden Verwendung erfolgtnachdeneinschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .

Nr.L346/38 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften 23.12.85
Nlimmer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DII StatischeSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinbipolarerTechnikhergestellt
(sogenannte bipolareRAMs,statisch),inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,
bestehendauseinerSubstratebene mit1oder2ChipsmiteinerSpeicherkapazität vonjeweils
1KbitineinemGehäusemitnichtmehrals23Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnicht
mehrals13x13mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
770639,770823,5120360 ,7379769
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufstatischeSchreib-Lesespeicher dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
ex85.21DII StatischeSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinbipolarerTechnikhergestellt
(sogenannte bipolareRAMs,statisch)inFormvonmonolithischen integrierten Schaltungen ,
bestehend aus2übereinander angeordneten Substratebenen mit1oder2Chipsmiteiner
Speicherkapazität vonjeweils1KbitundeinerGesamtspeicherkapazität vonnichtmehrals
4Kbit,ineinemGehäusemitnichtmehrals23Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnicht
mehrals13x13mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
770965
4599497
7379442
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufstatischeSchreib-Lesespeicher dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
ex85.21DII0
0
0
0Programmierbarer Signalsynthetisator (sogenannter DigitalSignalSyntheziser )inC-MOS­
Technikhergestellt ,mit32Frequenzgeneratoren zurErzeugung vonjeweils8Tönenundeinem
gleichzeitigen Outputvonbiszu160Tönen,inFormeinermonolithischen integrierten
Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals68Anschlußstiften oderKontaktflächen und
denAbmessungen vonnichtmehrals25x25mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Buchstabenkombination besteht
oderdieseKombination alsBestandteil enthält :
MEG
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSignalsynthetisatoren dervorstehenden Beschrei­
bungbezieht.
ex85.21DII BausteinzurRegeneration pulscode-modulierter Signale,inbipolarerTechnikhergestellt ,in
Formeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals
16Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals10x21mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
XRC240
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufBausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex85.21DII Kontrollbaustein inN-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt ,inFormeiner
monolithischen integrierten Schaltung ,zurSteuerung dynamischer Schreib-Lesespeicher mit
wahlfreiem Zugriff(sogenannter RAM,dynamisch ),mitAdressen-Multiplexer undZeitgeber ,
ineinemGehäusemitnichtmehrals48oder52Kontaktflächen unddenAbmessungen von
nichtmehrals17x62mm.

23.12.85 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften Nr.L346/39
Autonomer
ZollsatzNummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnung
%
ex85.21DII
(Fortsetzung )DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
C8208
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufKontrollbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex85.21DII Ein-Chip-Mikrocomputer inC-MOS-Technik hergestellt ,inFormeinermonolithischen
integrierten Schaltung ,bestehend auseinerarithmetischen logischenEinheit(Rechenwerk )mit
einerKapazitätvon8bit,einemLesespeicher (sogenannter ROM)miteinerSpeicherkapazität
von128Kbit,einemSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiem Zugriff(sogenannter RAM)miteiner
Speicherkapazität von2Kbit,ineinemGehäusemitnichtmehrals80Anschlußstiften undden
Abmessungen vonnichtmehrals20x26mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
HD6301Y
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufEin-Chip-Mikrocomputer dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
ex85.21DII0
12
0
0
10C-MOS-Uhren /Datum-Schaltungen mitQuarzschwinger ,unabhängigen Zeitzählregistern
undeinemTaktgeber ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäuse
mitnichtmehrals16Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals7x20
mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
MM58174A,58274
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufUhrenschaltungen dervorstehenden Beschreibung
bezieht.
Sendeempfangsbaustein fürasynchrone Daten(sogenanntes Asynchronous Communication
Element )inN-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt ,inFormeinermonolithischen
integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals40Anschlußstiften undden
Abmessungen vonnichtmehrals16x54mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
INS8250
WD8250
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSendeempfangsbausteine dervorstehenden
Beschreibung bezieht.ex85.21DII
ex82.21DII Dynamische Schreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinN-MOS(einschließlich
H-MOS)-Technik hergestellt (sogenannte N/H-MOS-RAMs ,dynamisch ),inFormeiner
monolithischen integrierten Schaltung ,miteinerSpeicherkapazität von64Kx4bit,ineinem
Gehäusemitnichtmehrals20parallelenAnschlußstiften (Dual-in-Line )unddenAbmessungen
vonnichtmehrals17x34mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
TMS4464,PD41254,PD41464,TMM41464
M5M4464,HM50464,MB81464
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufdynamische Schreib-Lesespeicher dervorstehenden
Beschreibung bezieht.

Nr.L346/40 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften 23.12.85
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DII
ex85.21DII
ex85.21DIIManchester-Codier -undDecodierbaustein (sogenannter Manchester-Encoder-Decoder /
MED)zurseriellenDatenübertragung oder-Wiederholung ,inC-MOS-Technik hergestellt ,in
Formeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals
20Anschlußstiften linddenAbmessungen vonnichtmehrals16x33mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen-/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
HD6409
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufCodier-undDecodierbausteine dervorstehenden
Beschreibung bezieht .
Programmierbare UV-löschbare Lesespeicher (sogenannte EPROMs ),inFormeinermonoli­
thischenintegrierten Schaltung ,miteinerSpeicherkapazität von512Kbit,ineinemGehäuse
mitdenAbmessungen vonnichtmehrals20X42mmundeinemQuarzfenster aufder
Oberseite .
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen-/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
AM27512
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufLesespeicher dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
TTL-Logikbaustein inbipolarerTechnikhergestellt ,mitnichtmehralssechslogischen
Funktionen ,dievoneinander unabhängig undnichtmiteinander verbunden sind,inFormeiner
monolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals24Anschlußstiften
unddenAbmessungen vonnichtmehrals17x34mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
SH767369
SH998088
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufLogikbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Datentrennbaustein fürfesteMagnetplatten (sogenannter HardDiscDateSeparator/HDDS),
inN-MOS (einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt ,inFormeinermonolithischen
integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals24Anschlußstiften undden
Abmessungen vonnichtmehrals8x33mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
DP8460-2,DP8460-3,DP8460-4
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufDatentrennbausteine dervorstehenden Beschrei­
bungbezieht.
Kontrollbaustein fürZentraleinheiten (sogenannter CPU-Controller ),inC-MOS-Technik
hergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnicht
mehrals68Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals25x25mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
FE2000
L1A0392
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufKontrollbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .0
0
0
0
0ex85.21DII
ex85.21DII

23.12.85 AmtsblattderEuropäischen Gemeinschaften Nr.L346/41
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DII Kontrollbaustein fürflexibleMagnetplatten (sogenannter FloppyDiscController/FDC),in
C-MOS-Technik hergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinem
Gehäusemitnichtmehrals48Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
16x62mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
FE2100
G70360-33
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufKontrollbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Monolithische integrierte SchaltungzurPulscode-Modulation (sogenannte PulseCodeModu­
lation/PCM)inN-MOS (einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt ,mitCodier-,Decodier­
undFilterfunktionen ,ineinemGehäusemitnichtmehrals16Anschlußstiften undden
Abmessungen vonnichtmehrals10X23mm.
DasGerätträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :ex85.21DII
2916
ex85.21DII2917
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufintegrierte Schaltungen dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
Bausteinmit6KanälenzurVerstärkung undUmwandung derLesesignale undzurUmwand­
lungderSchreibsignale fürMagnetplattenspeicher mitfestenPlatten(sogenannter Read/Write
DataProcessor Circuit),inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinem
Gehäusemitnichtmehrals28Anschlußstiften oderKontaktflächen unddenAbmessungen von
nichtmehrals19x38mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen-/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
SSI540
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichauf6-Kanal-Bausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
8-Kanal-Steuerbausteine zurErhaltung einerkonstanten elektromagnetischen Andruckskraft ,
inC-MOS-Technik hergestellt ,mitDiodenund8-bit-Speicher ,inFormeinermonolithischen
integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals22Anschlußstiften undden
Abmessungen vonnichtmehrals9x28mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen-/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :8,5
8,5
0
0
0ex85.21DII
UCN5801
oder
ex85.21DII—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSteuerbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
4-Kanal-Steuerbausteine zurErhaltung einerkonstanten elektromagnetischen Andruckskraft ,
inC-MOS-Technik hergestellt ,mitDiodenund4-bit-Speicher ,inFormeinermonolithischen
integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals16Anschlußstiften undden
Abmessungen vonnichtmehrals7x22mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen-/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
UCN5813
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSteuerbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .

Nr.L346/42 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften 23.12.85
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DI
ex85.21DIIMonolithische integrierte SchaltungzumSynchronisieren vonSignalenzwischenTeilnehmer­
leitungundZentraleeinerFernsprechanlage ,ineinemGehäusemitnichtmehrals28
Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals14X37mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen-/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil hat:
QMV18CW1
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufintegrierte Schaltungen dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
Monolithische integrierte Schaltung zumAbtastenundVerteilenlogischerSignaleinFern­
sprechvermittlungen ,ineinemGehäusemitnichtmehrals40Anschlußstiften undden
Abmessungen vonnichtmehrals14x53mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen-/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil hat:
QMV16BW1
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufintegrierte Schaltungen dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
Monolithische integrierte SchaltungzurPulscode-Modulation (sogenannte PulseCodeModu­
lation/PCM),inC-MOS-Technik hergestellt ,mitCodier-,Decodier -undFilterfunktionen ,mit
einerDatentaktfrequenz von2,565Mhz,ineinemGehäusemitnichtmehrals22Anschluß­
stiftenunddenAbmessungen vonnichtmehrals10x28mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen-/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil hat:
QMV81AD1
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufintegrierte Schaltungen dervorstehenden
Beschreibung bezieht .
Bausteinmit6KanälenzurErzeugung vonSchreib-undLesesignalen fürMagnetplattenspei ­
chermitfestenMagnetplatten ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinem
Gehäusemitnichtmehrals28Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
13x13mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen-/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
SSI117
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichauf6-Kanal-Bausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .ex85.21DII8,5
8,5
8,5
0
0ex85.21DII
ex85.21DII Programmierbare Lesespeicher ,nichtlöschbar (sogenannte PROMS),inFormeinermonoli­
thischenintegrierten Schaltung ,miteinerSpeicherkapazität von16Kbit,ineinemGehäusemit
nichtmehrals32Anschlußstiften oderKontaktflächen unddenAbmessungen vonnichtmehr
als17x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
27PS191A7C245 7C292
29683 7C291 HM6616
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufLesespeicher dervorstehenden Beschreibung
bezieht .

23.12.85 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften Nr.L346/43
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
O//0
ex85.21DII
ex85.21DII
ex85.21DIIVerstärker ,steuerbarfürSignalevon0bis60Khz,undmiteinemReststrom vonnichtmehrals
0,3Mikroampere ,inFormeinermonolithischen integrierten analogenSchaltung ,ineinem
Gehäusemitnichtmehrals18Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
6x13x26mm,zurVerwendung inFernsprechanlagen (a).
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen-/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
ISO100
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufVerstärker dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Leuchtdioden ,dievonHalbleiterteilen ausimwesentlichen Galliumhergestellt sind,ineinem
Gehäusemit2Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals20x21mm,zur
Verwendung beimHerstellen vonRundfunkempfangsgeräten odervonTonaufnahme -oder
-wiedergabegeräten (a).
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
LT9305 SLF209
LT9306 SLF909
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufLeuchtdioden dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Ein-Chip-Mikrocomputer ,inC-MOS-Technik hergestellt ,inFormeinermonolithischen
integrierten Schaltung ,bestehend auseinerarithmetischen ,logischenEinheit(Rechenwerk )mit
einerKapazitätvon4bit,einemLesespeicher (sogenannter ROM),miteinerSpeicherkapazität
von2Kx8bit,einemDoppel-Ton-Multifrequenz (DTMF)-Generator ,einemSchreib-Leses­
peichermitwahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM)miteinerSpeicherkapazität von1Kbit,
einemSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiem Zugriff(sogenannter RAM)miteinerSpeicherka­
pazitätvon512bitundzwei12-bit-Zählern ineinemGehäusemitnichtmehrals
42Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals15x40mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen-/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
T6978
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufEin-Chip-Mikrocomputer dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
Asynchrone FIFO(FirstIn/FirstOut)-Speicher ,inC-MOS-Technik hergestellt ,inFormeiner
monolithischen integrierten Schaltung miteinerSpeicherkapazität von64x4bitoder64x5
bit,ineinemGehäusemitnichtmehrals18Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnicht
mehrals11x24mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
CY7C401
CY7C402
CY7C403
CY7C404
CY3341
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSpeicherdervorstehenden Beschreibung
bezieht .
StatischeSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinC-MOS-Technik hergestellt (soge­
nannterC-MOS-RAMs ,statisch)inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,mit
einerSpeicherkapazität von16KbitundeinerZugriffszeit vonnichtmehrals45Nanosekun­
den,ineinemGehäusemitnichtmehrals20Anschlußstiften oderKontaktflächen undden
Abmessungen vonnichtmehrals9x27mm.0
0
0
0ex85.21DII
ex85.21DII
(a)DieÜberwachung derzweckentsprechenden Verwendung erfolgtnachdeneinschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .

Nr.L346/44 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften 23.12.85
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DII
(Fortsetzung )
ex85.21DII
ex85.21DIIDasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
CY7C168
CY7C169
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufstatischeSchreib-Lesespeicher dervorstehenden
Beschreibung bezieht .
StatischeSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinC-MOS-Technik hergestellt (soge­
nannteC-MOS-RAMs ,statisch)inFormeinermonolithischen integrierten Schaltungmiteiner
Speicherkapazität von16x4bitundeinerZugriffszeit vonnichtmehrals35Nanosekunden ,in
einemGehäusemitnichtmehrals16Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
9X21mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
CY7C189
CY7C190
CY74S189
CY54S189
CY27S03
CY27S07
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufstatischeSchreib-Lesespeicher dervorstehenden
Beschreibung bezieht .
StatischeSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinC-MOS-Technik hergestellt (soge­
nannteC-MOS-RAMs ,statisch),miteinerSpeicherkapazität von256x4bitundeiner
Zugriffszeit vonnichtmehrals60Nanosekunden ,inFormeinermonolithischen integrierten
Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals22Anschlußstiften unddenAbmessungen von
nichtmehrals12x29mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
CY7C122
CY93422/93L422
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufstatischeSchreib-Lesespeicher dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
Gitter,KathodenundisolierteWolframdrahtspiralen zumHerstellen vonElektronenkanonen
fürmonochrome Kathodenstrahlröhren (a)
Lichtwellenumkehrleiter ausoptischenFasern
Herzklappen undihreTeile
TragbareLesevorrichtung fürhochgradig Sehbehinderte ,beidereinevonHandzuführende
Fiberoptik-Kamera Dokumente abtastetundeinvergrößertes BildaufeinenBildschirm
überträgt ,undihreTeile
Einheit,bestehend auseinergedruckten Schaltung miteinemQuarzschwinger undjeweils
mindestens einerUhrenschaltung undeinemKondensator ,miteinerDickevonnichtmehrals
5mm,zumHerstellen vonWarendesKapitels91(a)
Einheit,bestehendauseinergedruckten Schaltung ,aufdereineUhrenschaltung angebracht ist,
miteinerDickevonnichtmehrals5mm,zumHerstellen vonWarendesKapitels91(a)
Schreibspitzen ausKunststoff ,keineFasernenthaltend ,miteinemInnenkanal0
0
0
0
0
0
3
0
0
0ex85.21E
ex90.02B
ex90.19AIII
ex90.19BII
ex91.11CII
und/oder
ex91.11F
ex91.11F
ex98.04AII
(a)DieÜberwachung derzweckentsprechenden Verwendung erfolgtnachdeneinschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .