VERORDNUNG ( EWG ) Nr . 1656/89 DES RATES vom 29 . Mai 1989 zur zeitweiligen Aussetzung der autonomen Zollsätze des Gemeinsamen Zolltarifs für einige industrielle Waren ( Mikrölektronik und verwandte Bereiche )

DER RAT DER EUROPÄISCHEN GEMEINSCHAFTEN -

gestützt auf den Vertrag zur Gründung der Europäischen Wirtschaftsgemeinschaft, insbesondere auf Artikel 28,

auf Vorschlag der Kommission,

in Erwägung nachstehender Gründe :

Die in dieser Verordnung genannten Waren werden in der Gemeinschaft gegenwärtig nicht oder nur in unzureichender Menge hergestellt . Die Hersteller können somit den Bedarf der verarbeitenden Industrien der Gemeinschaft nicht decken .

Es liegt im Interesse der Gemeinschaft, die autonomen Zollsätze des Gemeinsamen Zolltarifs in bestimmten Fällen, in denen insbesondere eine Gemeinschaftsproduktion dieser

Waren besteht, nur teilweise und in den anderen Fällen vollständig auszusetzen .

Da es schwierig ist, die kurzfristige Entwicklung der wirtschaftlichen Lage auf den betreffenden Gebieten genau zu beurteilen, sollten die Aussetzungen nur zeitweilig erfolgen, wobei ihre Gültigkeitsdauer entsprechend den Interessen der Gemeinschaftsproduktion festzusetzen ist -

HAT FOLGENDE VERORDNUNG ERLASSEN :

Artikel 1 Die autonomen Zollsätze des Gemeinsamen Zolltarifs werden für die im Anhang aufgeführten Waren auf die jeweils angegebene Höhe ausgesetzt .

Diese Aussetzungen gelten vom 1 . Juli bis zum 31 . Dezember 1989 .

Artikel 2 Diese Verordnung tritt am 1 . Juli 1989 in Kraft .

Diese Verordnung ist in allen ihren Teilen verbindlich und gilt unmittelbar in jedem Mitgliedstaat .

Geschehen zu Brüssel am 29 . Mai 1989 .

Im Namen des Rates

Der Präsident

C . ROMERO HERRERA

ANHANG

KN-Code

Warenbezeichnung

Autonomer

Zollsatz

%

ex 8471 93 50

Floppy-Disc-Speichereinheit zum Herstellen von Waren der Position 8469 oder 8471 ( a )

0

ex 8471 93 60

Digitale Audio-Bandspeichereinheit zum Herstellen von Waren der Position 8469 oder 8471 ( a )

0

ex 8471 99 90

Optische Schriftleser zum Abtasten von alphanumerischen Punktmatrixzeichen und zum Umwandeln der Leseimpulse in elektrische Signale, bestehend aus einem Lesekopf mit Photosensor, einem Verstärker, einer Linse und zwei Lampen, über Flachkabel verbunden mit einer gedruckten Schaltung mit den Abmessungen von nicht mehr als 200×220 mm, die mindestens einen Mikroprozessor, eine Bilderkennungsschaltung und einen Analog-Digital-Wandler enthält

0

ex 8473 10 00

Speichereinheit für elektronische Schreibmaschinen, bestehend aus einer gedruckten Schaltung mit 2 oder 4 statischen Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannte RAMs, statisch ) mit einer Speicherkapazität von jeweils 8 K × 8 bit, elektronischen Bauelementen zur Steuerung und Kontrolle und Haltestrombatterien, in einer Kassette mit Steckverbindungen und den Abmessungen von nicht mehr als 11×40×90 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

MEMOCART

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Speichereinheiten der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8473 10 00

ex 8473 30 00

Flüssigkeitskristallanzeigen ( LCO ) mit den Abmessungen von nicht mehr als 11×28×88 mm - ausgenommen Anschlußstücke und Leitungen -, bestehend aus einer zwischen 2 Glasplatten eingeschlossenen Flüssigkristallschicht mit 121 Punkten ( angeordnet in 16×7 Punkten und

9 zusätzlichen Symbolen ) auf einer Leiterplatte mit elektronischen Baueelementen zur Steuerung und Kontrolle und mit nicht mehr als 9 Anschlußstiften

0

ex 8473 10 00

ex 8473 30 00

Punktmatrix-Anzeigen mit Symbolen und mit den Abmessungen von nicht mehr als 18×35×117 mm - ausgenommen Anschlußstücke und Leitungen -, bestehend aus einer zwischen zwei Glasplatten eingeschlossenen Flüssigkristallschicht mit 423 Punkten ( angeordnet in 60 Kolonnen und 7 Zeilen und 3 zusätzlichen Symbolen ), auf einer Leiterplatte mit elektronischen Baueelementen, auch mit Leitungen und Anschlußstücken

0

ex 8473 10 00

ex 8473 30 00

Punktmatrix-Anzeigen mit den Abmessungen von nicht mehr als 15×75×186 mm, bestehend aus einer zwischen zwei Glasplatten eingeschlossenen Flüssigkristallschicht mit 15 360 Punkten ( angeordnet in 64 Zeilen und 240 Kolonnen ), auf einer Leiterplatte mit elektronischen Bauelementen in C-MOS-Technik, und mit nicht mehr als 544 Kontaktflächen

0

ex 8473 10 00

ex 8473 30 00

Punktmatrix-Anzeigen mit den Abmessungen von nicht mehr als 15×62×276 mm - ausgenommen Anschlußstücke und Leitungen -, bestehend aus einer zwischen zwei Glasplatten eingeschlossenen Flüssigkristallschicht mit 32 768 Punkten ( angeordnet in 64 Zeilen und 512 Kolonnen ), auf einer Leiterplatte mit elektronischen Bauelementen zur Steuerung und Kontrolle, auch mit Leitungen und Anschlußstücken

0

ex 8473 30 00

Ferrit-Magnetköpfe in Winchestertechnik für periphere Magnetplatten-Speichereinheiten, mit einer Aufzeichnungsdichte von nicht weniger als 10 Spuren je mm, auch auf Trägerarmen

0

ex 8473 30 00

Magnetblasenspeicher mit einer Speicherkapazität von nicht mehr als 4 Megabit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 42 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 43×44 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen - oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

BDL 0133

MBM 2011

FBM 64 DA

BDL 0134

MBM 2256

7110

BDN 0151

FBM 54 DB

7114-1

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Magnetblasenspeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

( a ) Die Überwachung der zweckentsprechenden Verwendung erfolgt nach den einschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .

KN-Code

Warenbezeichnung

Autonomer

Zollsatz

%

ex 8473 30 00

Arithmetisches logisches Element für die Zentraleinheit, bestehend aus nicht mehr als neun gedruckten Schaltungen mit den Abmessungen von nicht mehr als 290×310 mm, jeweils bestückt mit nicht mehr als 121 ECL-Gate Arrays oder ECL-Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannte ECL-RAMs ) oder einer Kombination von beiden, die sich in einem Gestell mit den Abmessungen von nicht mehr als 501×596×611 mm befinden, das als Halterung und Verbindungsleiter für die gedruckten Schaltungen dient .

Das Element trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

CO1B 2675 E 500

CO1B 2675 H 500

CO1B 2675 H 501

CO1B 2675 H 502

CO1B 2675 H 503

CO1B 2675 H 504

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf arithmetische logische Elemente der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8473 40 00

Thermodruckkopf, in Dünn - oder Dickfilmtechnik hergestellt, bestehend aus einer gedruckten Schaltung mit mindestens einem Tantalkondensator und einem Elektrolytkondensator, in einer Metallkonstruktion mit einem Verbindungsteil, Druckstiften und Wärmeableiter, mit Montageträger und -rolle

0

ex 8483 10 90

In einem Stück geschmiedete und vorgedrehte Generator - und Turbinenwellen mit einem Stückgewicht von jeweils mehr als 215 Tonnen

0

ex 8501 10 99

Bürstenlose Gleichstrommotoren mit einem Drehmoment von nicht mehr als 0,018 Newtonmeter/Nm, mit einem Befestigungsflansch mit einem Durchmesser von 35 mm und einer Präzisionsspindel mit einem Durchmesser von 25 mm, mit Innenrotor mit 3-Phasen-Wicklung, mit einer Nenndrehzahl von 3 600 Umdrehungen pro Minute und einer Versorgungsspannung von 12 V ± 10 %

0

ex 8501 10 99

Bürstenlose Gleichstrommotoren mit einem Drehmoment von nicht mehr als 0,20 Newtonmeter/Nm, mit einem Befestigungsflansch mit einem Durchmesser von 74 mm, einer Spindel mit einem Durchmesser von 40 mm, einer Geschwindigkeit von 3 600 Umdrehungen pro Minute und einer Versorgungsspannung von 12 V ± 10 %, mit Drähten und Anschlußstücken

0

ex 8501 10 99

Bürstenlose Gleichstrommotoren mit einem Drehmoment von nicht mehr als 0,20 Newtonmeter /Nm, einem Aussenläufer mit einem Durchmesser von nicht mehr als 55 mm, einem Befestigungsflansch mit einem Durchmesser von 77 mm und einer Präzisionsspindel mit einem Durchmesser von 44 mm mit 4-Phasen-Wicklung, mit einer Nenndrehzahl von 3 600 Umdrehungen pro Minute und einer Versorgungsspannung von 12 V ± 10 %, mit Drähten und Anschlußstücken

0

ex 8501 10 99

Bürstenlose Gleichstrommotoren mit einem Drehmoment von nicht mehr als 0,05 Newtonmeter/Nm, einem Aussenläufer mit einem Durchmesser von nicht mehr als 92 mm, Aluminium-Präzisionsnabe

mit einem Aussendurchmesser von 40 mm und 2-Phasen-Wicklung, mit einer Nenndrehzahl von

3 600 Umdrehungen pro Minute und einer Versorgungsspannung von 12 V± 10 %

0

ex 8501 10 99

Hybrid-Schrittmotoren mit einem Schrittwinkel von 1,8 Grad, 200 Schritten pro Umdrehung, Vier-Phasen-Drehfolge mit unipolarer Wicklung, bestehend aus einem Rotor und einem Ständerpaket, das zwischen zwei Viereckflanschen mit den Seitenlängen von nicht mehr als 42 mm eingeschlossen ist, mit durchgehender Welle, Drähten und Anschlußstücken

0

ex 8501 10 99

Hybrid-Schrittmotoren mit einem Schrittwinkel von 0,9 Grad, 400 Schritten pro Umdrehung, 2-Phasen - oder 4 -Phasen-Drehfolge mit bipolarer Wicklung, bestehend aus einem Rotor und einem Ständerpaket, das zwischen zwei Viereckflanschen mit den Seitenlängen von nicht mehr als 40 mm eingeschlossen ist, mit durchgehender Welle, Drähten und Anschlußstücken

0

ex 8501 10 99

Hybrid-Schrittmotoren mit einem Schrittwinkel von 0,9 Grad, 400 Schritten pro Umdrehung, 2-Phasen-Drehfolge mit bipolarer Wicklung, bestehend aus einem Rotor und einem Ständerpaket, das in einem zylindrischen Behälter mit einem Durchmesser von nicht mehr als 47 mm und einer Dicke von nicht mehr als 14 mm eingeschlossen ist, mit durchgehender Welle, Drähten und Anschlußstücken

0

KN-Code

Warenbezeichnung

Autonomer

Zollsatz

%

ex 8501 10 99

Hybrid-Schrittmotoren mit einem Schrittwinkel von 0,9 Grad, 400 Schritten pro Umdrehung, 2-Phasen-Drehfolge mit bipolarer Wicklung, bestehend aus einem Rotor und einem Ständerpaket, das zwischen zwei Viereckflanschen mit den Seitenlängen von nicht mehr als 40 mm eingeschlossen ist, mit eingebautem 2 - oder 3-Phasen-Drehzahlmesser in einer Kalotte mit einem Durchmesser von nicht mehr als 35 mm, mit gesonderten Drähten und Anschlußstücken für die Ausgänge des Motors und des Drehzahlmessers, mit den Abmessungen von nicht mehr als 40×40×62 mm, einschließlich Welle

0

ex 8501 10 99

Hybrid-Schrittmotor mit einem Schrittwinkel von 0,9 Grad, 400 Schritten pro Umdrehung, 2-Phasen-Drehfolge mit bipolarer Wicklung, bestehend aus einem Rotor und einem Ständerpaket, das zwischen zwei Flanschen eingeschlossen ist, von denen der eine einen Viereckquerschnitt mit den Seitenlängen von nicht mehr als 40 mm hat und der andere ( vordere ) scheibenförmig ist und zwei Auskragungen aufweist, mit eingebautem 2 - oder 3-Phasen-Drehzahlmesser in einer Kalotte mit einem Durchmesser von nicht mehr als 35 mm, mit gesonderten Drähten und Anschlußstücken für die Ausgänge des Motors und Drehzahlmessers, mit den Abmessungen von nicht mehr als 40×40×62 mm einschließlich der Welle, aber ohne die Auskragungen des vorderen Flansches

0

ex 8501 10 99

Bipolare Gleichstrom-Schrittmotoren mit einteiligem Stator, einer Leistung von 37,5 W oder weniger, einem Schrittwinkel von 180 Grad, 2 Schritten pro Umdrehung, 2-Phasen-Drehfolge mit unipolarer Wicklung, einem Drehmoment von nicht weniger als 0,1×10-6 Newtonmeter/Nm und nicht mehr als 0,1×10-4 Nm und einer Versorgungsspannung von nicht mehr als 3 V

0

ex 8504 40 99

Stromrichter, bestehend aus einer Kaskadenschaltung von 7 Dioden, für Ausgangsspannungen von 40 kV oder mehr mit einer Stromstärke von 3 mA oder mehr

0

ex 8506 19 10

Lithium-Jod-Batterien mit den Abmessungen von nicht mehr als 9×23×45 mm und einer Spannung von nicht mehr als 2,8 V

0

ex 8506 19 10

Einheit, bestehend aus nicht mehr als zwei Lithium-Batterien, eingebettet in einen Sockel für integrierte Schaltungen ( sogenannter batteriegepufferter Sockel ), mit Kontroll-Schaltkreis, und mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften

0

ex 8506 19 90

Kohle-/Zink-Trockenbatterien mit einer Spannung von nicht weniger als 5,5 und nicht mehr als 6,5 Volt und einer Grösse von nicht mehr als 5×90×110 mm, zur Verwendung in Filmkassetten für Sofortbildkameras ( a )

0

ex 8517 90 91

Baugruppe für Fernsprechapparate, bestehend aus einem Mikrophon, einer Schutzschaltung und einer 4-Wege-Steckverbindung, montiert auf einer gedruckten Schaltung mit den Abmessungen von nicht mehr als 22×40 mm

0

ex 8523 20 10

Starre Oxid-Magnetplatten, vorgeschmiert, mit einer Körzitivkraft von 300 Örsted/Ö oder mehr

0

ex 8523 20 10

Starre Magnetplatten mit metallischer Dünnfilmschicht, mit einer Körzitivkraft von mehr als 600 Örsted/Ö und einem Aussendurchmesser von nicht weniger als 88 mm und nicht mehr als 231 mm

0

ex 8529 10 70

Keramische Filtergruppe, bestehend aus 2 keramischen Filtern mit 3 Anschlußstiften und 1 keramischen Resonator mit 2 Anschlußstiften, jeweils mit einer Frequenz von 10,7 Megahertz ± 30 kHz, in einem Gehäuse mit den Abmessungen von nicht mehr als 10×10×5 mm

0

ex 8532 29 00

Goldkondensator mit einer nominalen Kapazität von 100 Millifarad, einer Betriebsspannung von 5,5 V und einem Verluststrom von nicht mehr als 100 Mikroampere, in einem zylinderförmigen Gehäuse mit einer Höhe von weniger als 8 mm und einem Durchmesser von nicht mehr als 14 mm

0

ex 8532 30 10

Platten-Drehkondensator mit Kunststoffisolierung, mit einer Kapazität von nicht mehr als 2×335 Picofarad für den AM-Teil und 2×20 Picofarad für den FM-Teil, in einem Gehäuse mit den Abmessungen von nicht mehr als 21×24 mm

0

ex 8532 30 90

Einstellbare Kondensatoren in runder Form mit einem Durchmesser von nicht mehr als 2,5 mm und einer Dicke von nicht mehr als 3 mm, ausgerüstet mit einer Stellschraube in der Mitte und zwei Anschlüssen, mit einer Kapazität von nicht weniger als 5 und nicht mehr als 30 Picofarad, zum Herstellen von Waren des Kapitels 91 ( a )

0

( a ) Die Überwachung der zweckentsprechenden Verwendung erfolgt nach den einschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .

KN-Code

Warenbezeichnung

Autonomer

Zollsatz

%

ex 8533 29 00

Festwiderstandsmodul mit positivem Temperaturköffizienten und einem nominalen Gleichstromwiderstand von 19,6 Ohm bei 20 °C, einem Isolierwiderstand von mehr als 1 Megaohm, zum Schutz von Telefonzentralen gegen andauernde Spannungsüberlastungen von nicht mehr als 1 000 V, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 16 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 19×48 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

20793

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Festwiderstandsmodule der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8533 40 10

Schiebepotentiometer mit einem Schiebeweg von 20 mm, mit 1 oder 2 Widerständen, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 8 Anschlußstiften

0

ex 8534 00 11

ex 8534 00 19

Gedruckte Schaltung, einseitig bedruckt, mit den Abmessungen von nicht mehr als 30×30 mm, zum Herstellen von Waren des Kapitels 91 ( a )

0

ex 8536 41 10

ex 8536 41 90

ex 8536 49 00

Thermorelais in hermetisch versiegeltem Glasgehäuse, mit den Längenabmessungen - ohne Drähte - von nicht mehr als 35 mm, mit einer maximalen Undichtigkeit von 10 -( cm= Helium/Sekunde bei 1 bar innerhalb des Temperaturbereichs von 0 bis 160 gC, zum Einbau in Kompressoren für Kältemaschinen ( a )

0

ex 8536 50 00

Schalter für Fernsprechapparate, bestehend aus einem beweglichen und einem feststehenden Doppelzungenfederkontakt, deren eine Kontaktfläche eine mit Gold diffundierte Palladium-Silbereinlage in einem Polycarbonat enthält, mit den Abmessungen von nicht mehr als 13×20×40 mm

0

ex 8536 50 00

Reedschalter in Form eines Glasgehäuses, mit nicht mehr als drei elektrischen Kontakten auf Metallzungen und einer kleinen Menge Quecksilber

0

ex 8540 11 10

Schlitzmasken-Farbkathodenstrahlröhren ( Elektronenkanonen in Reihenanordnung - sogenannte In-Line-Technik -), mit einer Diagonalen des Bildschirms von nicht weniger als 12 und nicht mehr als 16 cm, einer diagonalen Ablenkung von nicht mehr als 55°, einem Abstand zwischen Streifen gleicher Farbe von nicht mehr als 0,47 mm

8

ex 8540 11 10

Schlitzmasken-Farbkathodenstrahlröhren ( Elektronenkanonen in Reihenanordnung - sogenannte In-Line-Technik -), mit einer Diagonalen des Bildschirms von nicht weniger als 22 und nicht mehr

als 26 cm einer diagonalen Ablenkung von nicht mehr als 76°, einem Abstand zwischen Streifen gleicher Farbe von nicht mehr als 0,47 mm und einer Phosphorbeschichtung mit folgenden nominalen Koordinaten der Farbpunkte :

rot

grün

blau

X

0,610

0,298

0,151

Y

0,342

0,588

0,064

0

ex 8540 20 90

Photovervielfacher mit 9 Dynoden, ausgelegt für den Wellenlängenbereich von nicht weniger als 160 und nicht mehr als 930 Nanometer, mit einem Durchmesser von nicht weniger als 14 mm und einer Höhe von nicht mehr als 94 mm

0

ex 8540 30 00

Lochmasken-Farbkathodenstrahlröhren ( Elektronenkanonen in Reihenanordnung - sogenannte In-Line-Technik -), mit einem Abstand zwischen den Farbpunkten von weniger als 0,45 mm und einem oder mehreren der nachstehenden Beschaffenheitsmerkmale :

- einer Diagonalen des Bildschirms von 42 cm oder mehr, einer diagonalen Ablenkung von nicht mehr als 90 ° und Konvergenzfehlern in den Ecken von nicht mehr als 0,8 mm,

- einem integrierten Anti-Vibrationssystem ( sogenanntes Potting-System ),

- ohne internen Magnetschirm,

- einer Phosphorbeschichtung mit folgenden nominalen Koordinaten der Farbpunkte :

( a ) Die Überwachung der zweckentsprechenden Verwendung erfolgt nach den einschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .

KN-Code

Warenbezeichnung

Autonomer

Zollsatz

%

ex 8540 30 00

( Fortsetzung )

rot

grün

blau

X

0,64

0,29

0,15

Y

0,33

0,60

0,06

oder

X

0,64

0,31

0,155

Y

0,34

0,595

0,07

oder

X

0,62

0,21

0,15

Y

0,33

0,615

0,06

oder

X

0,61

0,307

0,15

Y

0,35

0,595

0,065

oder

X

0,61

0,205

0,15

Y

0,35

0,680

0,065

oder

X

0,62

0,29

0,15

Y

0,35

0,60

0,065

0

ex 8540 30 00

Lochmasken-Farbkathodenstrahlröhren ( Elektronenkanonen in Dreiecksanordnung - sogenannte Deltatechnik -), mit einem Abstand zwischen den Farbpunkten von weniger als 0,4 mm und einem der nachstehenden Beschaffenheitsmerkmale :

- einer Diagonalen des Bildschirms von 66 cm oder mehr

oder

- einer Phosphorbeschichtung mit folgenden nominalen Koordinaten der Farbpunkte :

rot

grün

blau

X

0,64

0,29

0,15

Y

0,33

0,60

0,06

oder

X

0,64

0,31

0,155

Y

0,34

0,595

0,07

oder

X

0,61

0,307

0,15

Y

0,35

0,595

0,065

oder

X

0,61

0,205

0,15

Y

0,35

0,680

0,065

oder

X

0,62

0,29

0,15

Y

0,35

0,60

0,065

0

ex 8540 30 00

Monochrome Kathodenstrahlröhren mit flachem Bildschirm, mit einer Diagonalen von nicht weniger als 142 und nicht mehr als 145 mm, einer Leuchtkraft zwischen 300 und 400 Lumen, einem Auflösungsvermögen von nicht weniger als 0,06 und nicht mehr als 0,1 mm, einer Phosphorbeschichtung des Typs P1 oder P55 oder P56, einer Anodenspannung von 34 kV oder mehr, einer Fokussierspannung von 7 kV oder mehr und einem Kathodenstrom von 3 mA oder mehr

0

ex 8540 30 00

Kathodenstrahlspeicherröhren ( sogenannte Direktsicht-Speicherröhren/Direct View Storage Tubes ) für die Wiedergabe alphanumerischer und analoger Daten, mit Abtastvorrichtung zum Lesen der gebildeten Zeichen

0

ex 8540 89 11

Anzeigen in Form einer Röhre, bestehend aus einem Glasgehäuse, aufgebracht auf einer Platte mit einer Grösse - ohne Berücksichtigung der Leitungen - von nicht mehr als 350×300 mm . Die Röhre enthält eine oder mehrere Reihen von Zeichen oder Strichen . Jedes Zeichen oder jeder Strich enthält fluoreszierende oder phosphoreszierende Elemente, die auf einer von fluoreszierenden Substanzen oder von Phosphorsalzen überzogenen metallisierten Unterlage aufgebracht sind und leuchten, wenn sie von Elektronen getroffen werden

0

ex 8540 91 00

Gitter, Kathoden und isolierte Wolframdrahtspiralen zum Herstellen von Elektronenkanonen für monochrome Kathodenstrahlröhren ( a)

0

( a ) Die Überwachung der zweckentsprechenden Verwendung erfolgt nach den einschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .

KN -Code

Warenbezeichnung

Autonomer

Zollsatz

%

ex 8540 91 00

Kathodenstrahlröhren-Ablenkeinheiten für Frequenzen von nicht weniger als 31 250 und nicht mehr als 64 000 Hz, mit einem 4 -Pol-Magneten

0

ex 8541 10 91

Silicium-Leistungsgleichrichterdiode in Planartechnik, mit einer Schaltgeschwindigkeit von weniger als 100 Nanosekunden, einer wiederkehrenden Sperrspannung von nicht mehr als 200 V, einem durchschnittlichen Durchlaßstrom von nicht weniger als 2,5 Ampère, in einem flachen Gehäuse mit den Abmessungen von mehr als 5×9×9 mm und nicht mehr als 5×11×17 mm

0

ex 8541 10 99

Germanium-Golddraht-Dioden mit einer Durchlaßspannung von 1 V oder weniger bei 5 mA

0

ex 8541 29 90

Transistor mit einer Leistung von nicht weniger als 150 Watt bei einer Spannung von nicht weniger als 160 Volt und einer Abschaltfrequenz von 20 Megahertz oder mehr ( sogenannte "Cut-off-Frequenz "), in einem Gehäuse mit nicht mehr als 3 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 22×37 mm .

Das Gehäuse trägt :

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

2 SA 1170 2 SC 2774

2 SA 1215 2 SC 2921

2 SA 1494 2 SC 3858

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Transistoren der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8541 40 10

Leuchtdioden, die von Halbleiterteilen aus im wesentlichen Gallium hergestellt sind, in einem rechteckigen Gehäuse mit 2 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 4×20×21 mm, zur Verwendung beim Herstellen von Rundfunkgeräten oder von Tonaufnahme - oder -wiedergabegeräten ( a ).

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

LT 9305 SLF 209

LT 9306 SLF 909

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Leuchtdioden der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8541 40 10

Leuchtdioden-Einheit mit nicht mehr als 10 Leuchtdioden, die von Halbleiterteilen aus im wesentlichen Gallium hergestellt sind, in einem rechteckigen Gehäuse mit nicht mehr als 20 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 4×25×68 mm, zur Verwendung beim Herstellen von Rundfunkgeräten oder von Tonaufnahme - oder -wiedergabegeräten ( a ).

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

LT 9355

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Leuchtdioden-Einheiten der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8541 40 10

ex 8541 40 93

Laserdiode mit Photodiode, die Licht mit einer nominalen Wellenlänge von 780 Nanometer ausstrahlt, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 10 Anschlußstiften, einem Durchmesser von nicht mehr als 10 mm und einer Höhe von nicht mehr als 9 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer nachstehend aufgeführten Buchstaben - oder Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält

LT 022, LDGU

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8541 40 10

ex 8542 20 00

Digitalanzeigen, in einem Kunststoffgehäuse mit einer Grösse von nicht mehr als 25×35 mm, bestehend aus einer Leiterplatte, die nicht mehr als 22 Leuchtdioden enthält, die von Halbleiterteilen aus im wesentlichen Gallium hergestellt sind . Jede Anzeige besteht aus einer einzigen Stelle, auch mit Plus - oder Minuszeichen und/oder mit nicht mehr als 2 Dezimalpunkten

7

( a ) Die Überwachung der zweckentsprechenden Verwendung erfolgt nach den einschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .

KN-Code

Warenbezeichnung

Autonomer

Zollsatz

%

ex 8541 40 10

ex 8542 20 00

Digitalanzeigen, bestehend aus einer Leiterplatte mit einer Grösse von nicht mehr als 35×90 mm und einer Reihe von nicht weniger als 3 Anzeigestellen, die Leuchtdioden enthalten, die von Halbleiterteilen aus im wesentlichen Gallium hergestellt sind; letztere sind in die Leiterplatte eingebaut . Jede Anzeigestelle besteht aus nicht mehr als acht Segmenten, auch mit einem Dezimalpunkt . Die Digitalreihe hat einen Schutzbelag aus Kunststoff

0

ex 8541 40 91

Modul mit nicht mehr als 5 Solarzellen, in Dünnfilmtechnik hergestellt auf einem Substrat mit den Abmessungen von nicht mehr als 18×70 mm

0

ex 8541 40 93

Optölektronische Schaltung, bestehend aus einer oder mehreren Leuchtdioden und einer oder mehreren Photodioden mit Verstärkerschaltkreis, in einem Gehäuse aus Kunststoff mit nicht mehr als 16 Anschlußstiften .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

HC PL 2400

HC PL 5700

HC PL 5730

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf optölektronische Schaltungen der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8541 60 00

Piezölektrische Quarzkristalle mit einer Frequenz von 32 768 Hz, in einem zylindrischen Gehäuse mit einer Länge von nicht mehr als 8,2 mm und einem Durchmesser von nicht mehr als 3,2 mm, zum Herstellen von Waren des Kapitels 91 ( a )

0

ex 8541 60 00

Keramische polarisierte piezölektrische Kristalle mit einer Frequenz von nicht weniger als 500 und nicht mehr als 12 500 kHz, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 3 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 14×15 mm .

0

ex 8542 11 10

Programmierbare, elektrisch löschbare Lesespeicher ( sogenannte E²PROMs ) mit einer Speicherkapazität von 16 Kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, Scheiben ( wafers ), noch nicht in Mikroplättchen ( chips ) zerschnitten, zum Herstellen von Mikrochip-Karten ( a )

0

ex 8542 11 30

Elektrisch löschbare, programmierbare Lesespeicher ( sogenannte E²PROMs ) mit einer Speicherkapazität von 16 Kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung ohne Gehäuse ( Mikroplättchen ) zur Verwendung beim Herstellen von mit Mikrowellen arbeitenden Objekt - oder Personenidentifizierungssystemen ( a )

0

ex 8542 11 30

Kontroll - und Treiberbaustein für Punktmatrix-Flüssigkristallanzeigen, in C-MOS-Technik hergestellt, mit Zeichengenerator, einer Treiberspannung von mehr als 10 V, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung ohne Gehäuse ( Mikroplättchen ), zum Herstellen von Flüssigkristallanzeige -

Modulen ( a )

0

ex 8542 11 30

Treiberbaustein für Flüssigkristallanzeigen, in C-MOS-Technik hergestellt, mit 40 oder mehr Ausgangskanälen, einer Treiberspannung von mehr als 10 V, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung ohne Gehäuse ( Mikroplättchen ), zum Herstellen von Flüssigkristallanzeige -

Modulen (a )

0

ex 8542 11 71

Pufferspeicher mit einer Organisation von 4×16 bit, bestehend aus 8 bit für Adressen, 8 bit für

Daten und 4 bit zur Paritätsprüfung, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 31×31 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

R 2020/16

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Pufferspeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 71

Doppelreihen-Speicher ( sogenannter Double Row Buffer/DRB ), mit Schieberegistern und Schreib -

Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm .

( a ) Die Überwachung der zweckentsprechenden Verwendung erfolgt nach den einschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .

KN-Code

Warenbezeichnung

Autonomer

Zollsatz

%

ex 8542 11 71

( Fortsetzung)

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

CRT 9212

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Speicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 71

Statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in C-MOS-Technik hergestellt (sogenannte C-MOS-RAMs, statisch ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 16×4 bit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 35 Nanosekunden, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 16 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 9×21 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

CY7C189

CY7C190

CY74S189

CY54S189

CY27S03

CY27S07

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 71

Statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in C-MOS-Technik hergestellt ( sogenannte C-MOS-RAMs, statisch ), mit einer Speicherkapazität von 256×4 bit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 60 Nanosekunden, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 22 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 12×29 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

CY7C122

CY 93422

CY93L422

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf statische Schreib -Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 71

Statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in C-MOS-Technik hergestellt ( sogenannte C-MOS-RAMs, statisch ), mit einer Speicherkapazität von 2 K × 8 bit und einer nominalen Leistung im Bereitschaftszustand von nicht mehr als 0,005 Milliwatt bei 25 gC, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17×33 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

TC5516APL-2 TC5517CPL-15 TC5517BPL-20

TC5516AFL-2

TC5517CPL-20

TC5517BPL-25

TC5516APL

TC5517CFL-15

TC5517BFL-20

TC65516AFL

TC5517CFL -20

TC5517BFL-25

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

7

ex 8542 11 71

Nicht fluechtiger Speicher, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, bestehend aus einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in C-MOS-Technik hergestellt ( sogenannter C-MOS-RAM, statisch ) mit einer Speicherkapazität von 16 Kbit und interner Energiequelle, in

einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 19×40 mm .

KN-Code

Warenbezeichnung

Autonomer

Zollsatz

%

ex 8542 11 71

( Fortsetzung )

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

DS 1220 Y

MK 48 Z 02 ( B )

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf nicht fluechtige Speicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

7

ex 8542 11 71

Statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in C-MOS-Technik hergestellt ( sogenannte C-MOS-RAMs, statisch ), mit einer Speicherkapazität von 32 Kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 18×39 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

TC 5532

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 71

Statische Schreib-Lesespeicher, mit wahlfreiem Zugriff in MOS-Technik hergestellt ( sogenannte MOS-RAMs, statisch ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 8 K×8 bit und einer Zugriffszeit von nicht weniger als 80 Nanosekunden, in einem Gehäuse aus Kunststoff mit nicht mehr als 32 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 18×39 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

TC5564PL-15 HM6264P-10 MB8464A-10 PD4464C-15

TC5564PL-20

HM6264P-12

MB8464A-10L

PD4464C-20

TC5565PL-12

HM6264P-15

MB8464A-10LL

PD4464G-15

TC5565PL-15

HM6264LP-10

MB8464A-15

PD4464G-20

TC5565FL-12

HM6264LP-12

MB8464A-15L

TC5565FL-15

HM6264LP-15

MB8464A-15LL

TC5565PL-12L

MB8464A-12

TC5565PL-15L

HY6264P-15

MB8464-12L

TC5565FL-12L

MB8464-12LL

TC5565FL-15L

KM6264AL-10

MB8464-15

TMM2063P-10

MB8464-15L

TMM2063P-12

MB8464-15LL

TMM2063P-15

MSM5165AL-12

MSM5165AL-15

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

7

ex 8542 11 71

Nicht fluechtiger Speicher, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, bestehend aus einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in C-MOS-Technik hergestellt ( sogenannter C-MOS-RAM, statisch ), mit einer Speicherkapazität von 64 Kbit und interner Energiequelle, in

einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 20×42 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

DS 1225 Y

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf nicht fluechtige Speicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 71

Statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in C-MOS-Technik hergestellt ( sogenannte C-MOS-RAMs, statisch ), mit einer Speicherkapazität von 256 Kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm .

KN-Code

Warenbezeichnung

Autonomer

Zollsatz

%

ex 8542 11 71

( Fortsetzung )

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

HM 62256

TC 55257

MB 81 C 81

MB 81 C 86

PD 43256

MSM 51257

MB 81 C 84

MB 84256

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 71

Nicht fluechtiger Speicher, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, bestehend aus einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in C-MOS-Technik hergestellt ( sogenannter C-MOS-RAM, statisch ), mit einer Speicherkapazität von 256 Kbit und interner Energiequelle, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 19×40 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

DS 1230 DS 1235

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf nicht fluechtige Speicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 71

Statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt ( sogenannte N/H-MOS-RAMs, statisch ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 256×4 bit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als

25 Nanosekunden, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen - oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

9122 - 25

91 L 22 - 25

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 71

Statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt ( sogenannte N/H-MOS-RAMs, statisch ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 8 Kbit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen - oder Zahlen-Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

4008 8112

4118 8114

4801 8185

8104 PD 421

8108

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 71

Statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in N-MOS(einschließlich ( H-MOS)-Technik hergestellt ( sogenannte N/H-MOS-RAMs, statisch ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 72 Kbit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 10×39 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

TMM 2089

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

KN-Code

Warenbezeichnung

Autonomer

Zollsatz

%

ex 8542 11 71

Statischer Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM, statisch ), in MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 1 K×4 bit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als

25 Nanosekunden, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht weniger als 24 Anschlußstiften und Abmessungen von nicht mehr als 8×32 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen-/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

AM 9150-20 CY 7 C 150-15

AM 9150-25 CY 7 C 150-25

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf statische Schreib -Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 71

Statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in bipolarer Technik hergestellt ( sogenannte bipolare RAMs, statisch ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung mit einer Speicherkapazität von 64×9 bit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 16×40 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

82 S 09

MBM 93419

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 71

Statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in TTL-Technik hergestellt (sogenannte TTL-RAMs, statisch ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 1 Kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 45 Nanosekunden, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 22 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 16×30 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

93422

93425

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf statische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 71

Dynamische FIFO ( First In/First Out)-Schreib-Lesespeicher in MOS-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 7 280 oder 9 080 bit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung,

in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als

12×36 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen-/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

PD 41101 PD 42101

PD 41102 PD 42102

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf dynamische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 71

Dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in C-MOS-Technik hergestellt ( sogenannte C-MOS-RAMs, dynamisch ), mit einer Speicherkapazität von 256 Kbits, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

51 C 256 53 C 256 53 C 464 MB 81 C 258 TC 51832

51 C 259

53 C 258

53 C 466

MB 81 C 466

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf dynamische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

KN-Code

Warenbezeichnung

Autonomer

Zollsatz

%

ex 8542 11 71

Dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff, in N-MOS ( einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 64 Kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 18 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 7×22 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

KM 4164 MN 4264

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf dynamische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 71

Dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in N-MOS ( einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, mit einer Speicherkapazität von 256 Kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als

150 Nanosekunden, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17×34 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

HB 50562

HM 50256 PD 41254 M5M 4256

HM 50464

PD 41256

M5M 4464

PD 41464

MB 81256

TMM 41256

MB 81464

TMM 41464

TMS 4256

TMS 4464

MSM 4256

MSM 4464

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf dynamische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

8

ex 8542 11 71

Dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff und dualer Ein-/Ausgangsstelle in MOS-Technik hergestellt ( sogenannte MOS-RAMs, dynamisch ), mit Datenregister und serieller Leseausgangskontrolle, mit einer Speicherkapazität von 256 Kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 13×39 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

MB 81461

M5M 4 C 264

PD 41264

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf dynamische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 71

Dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff und dualer Ein-/Ausgangsstelle in MOS-Technik hergestellt ( sogenannte MOS-RAMs, dynamisch ), mit Datenregister und serieller Leseausgangskontrolle, mit einer Speicherkapazität von 1 Mbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 13×37 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

TC 524 256

MB 81 C 4251

M5M 442256

TMS 44 C 251

TC 524 257

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf dynamische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

KN-Code

Warenbezeichnung

Autonomer

Zollsatz

%

ex 8542 11 71

Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in ECL -Technik hergestellt ( sogenannte ECL-RAMs ), mit einer Speicherkapazität von 256×4 bit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 8 Nanosekun -

den, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 11×32 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

10422

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 71

Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in ECL-Technik hergestellt ( sogenannte ECL-RAM(s ),

in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 4 Kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 50 Nanosekunden, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 11×32 mm.

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

10470

10474

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 71

Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in ECL-Technik hergestellt ( sogenannte ECL-RAMs ), mit einer Speicherkapazität von 16 Kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 15 Nanosekunden, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 18×37 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

10480

10484

100484

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 71

Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in ECL-Technik hergestellt ( sogenannte ECL-RAMs ) mit einer Speicherkapazität von 64 Kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 22 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 10 × 29 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

10490

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 71

Dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt ( sogenannte N/H-MOS-RAMs, dynamisch ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, bestehend aus einer Substratebene mit nicht weniger als 2 und nicht mehr als 8 Chips mit einer Speicherkapazität von jeweils 128, 192 oder 256 Kbit und einer Gesamtspeicherkapazität von nicht weniger als 256 Kbit und nicht mehr als 2 Megabit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 57 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 30×30 mm .

KN-Code

Warenbezeichnung

Autonomer

Zollsatz

%

ex 8542 11 71

( Fortsetzung )

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

6025841

6031587

6870392

7379172

6025843

6031591

6870393

7379174

6025856

6870395

7379176

6025858

7379181

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf dynamische Schreib-Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 71

Lesespeicher in C-MOS-Technik hergestellt ( sogenannter C-MOS-ROM ), mit einem Versorgungsstrom im Bereitschaftszustand von nicht mehr als 0,03 mA, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 256 Kbit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 54 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17×50 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

HN 61256

HN 613256

MB 83256

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

7

ex 8542 11 71

Lesespeicher in C-MOS-Technik hergestellt ( sogenannter C-MOS-ROM ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 1 Megabit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

HN 62301 P

MB 83 1000

MB 831124

TC 53 1000 P

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

7

ex 8542 11 71

Programmierbare Lesespeicher, nicht löschbar ( sogenannte PROMs ), in TTL-Schottky-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 2 Kbit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen - oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

27 S 12

5305

6305

76 LS 03

27 S 13

5306

6306

7620

5308

6308

7621

28 L 22

5309

6309

28 LA 22

53 S 240

63 S 240

82 S 114

28 L 2 XMFC

53 S 241

63 S 241

82 S 130

6335

82 S 131

29613

54 S 570

6336

29770

54 S 571

93436

29771

7053

93446

5604

7058

38510

5624

MB 7115

74 S 570

MB 7116

74 S 571

MB 7117

MB 7118

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

KN-Code

Warenbezeichnung

Autonomer

Zollsatz

%

ex 8542 11 71

Programmierbare Lesespeicher, nicht löschbar ( sogenannte PROMs ), mit einer Speicherkapazität von 16 Kbit, in MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

7 C 245

7 C 291

7 C 292

HM 6616

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 71

Programmierbare Lesespeicher, nicht löschbar ( sogenannte PROMs ), mit einer Speicherkapazität von 16 Kbit, in bipolarer Technik hergestellt, mit einem Versorgungsstrom im Bereitschaftszustand von nicht weniger als 50 und nicht mehr als 80 mA, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung,

in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 14×33 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

27 PS 191 A

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 71

Programmierbare Lesespeicher, nicht löschbar ( sogenannte PROMs ), mit einer Speicherkapazität von 32 Kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

63 S 3281

AM 27S43

MB 7141

MB 7142

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 71

Programmierbare Lesespeicher, nicht löschbar ( sogenannte PROMs ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 64 Kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 65 Nanosekunden, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×44 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

CY 7C 261 MB 7143

CY 7C 263 MB 7144

CY 7C 264 MB 71 C 44

CY 7C 268

CY 7C 269

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 71

Programmierbare UV-löschbare Lesespeicher ( sogenannte EPROMs ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 2 Kbit, in einem Gehäuse mit den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm und einem Quarzfenster auf der Oberseite .

KN-Code

Warenbezeichnung

Autonomer

Zollsatz

%

ex 8542 11 71

( Fortsetzung )

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

82140 PP

AMI 702 ADC

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

4

ex 8542 11 71

Programmierbare UV-löschbare Lesespeicher ( sogenannte EPROMs ) mit programmierbaren Ein - und Ausgangsstellen, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 2 K×8 bit, in einem Gehäuse mit den Abmessungen von nicht mehr als 17×52 mm und einem Quarzfenster auf der Oberseite .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

D 8755 A

TMP 8755 AC

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 71

Programmierbare UV-löschbare Lesespeicher ( sogenannte EPROMs ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung mit einer Speicherkapazität von 16 Kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 65 Nanosekunden, in einem Gehäuse mit den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm und einem Quarzfenster auf der Oberseite .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

CY 245 W

CY 7C 291 W

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 71

Programmierbare UV-löschbare Lesespeicher ( sogenannte EPROMs ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung mit einer Speicherkapazität von 64 Kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 65 Nanosekunden, in einem Gehäuse mit den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm und einem Quarzfenster auf der Oberseite .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

CY 7C 261 W

CY 7C 263 W

CY 7C 268 W

CY 7C 269 W

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 71

Programmierbare Lesespeicher, UV-löschbar ( sogenannte EPROMs ) oder nicht löschbar ( sogenannte PROMs ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 128 Kbit und einer Zugriffszeit von nicht mehr als 100 ns, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm, auch mit einem Quarzfenster auf der Oberseite .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

CY 7C 251 CY 7C 254

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

KN-Code

Warenbezeichnung

Autonomer

Zollsatz

%

ex 8542 11 71

Programmierbare Lesespeicher, UV-löschbar ( EPROM ) oder nicht löschbar ( sogenannte PROMs ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 256 Kbit mit einer Zugriffszeit von nicht mehr als 100 ns, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlußstiften oder Kontaktflächen, den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm, auch mit einem Quarzfenster auf der Oberseite .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

CY 7C 271

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 71

Elektrisch löschbare, programmierbare Lesespeicher ( sogenannte E$PROMs ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 16 Kbit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×42 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

AM 2817, 24 C 16, X 2816, 28 C 16, 28 C 17, 38 C 16, 52 B 13

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 71

Elektrisch löschbare, programmierbare Lesespeicher ( sogenannte E$PROMs ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung mit einer Speicherkapazität von 64 Kbit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

28 C 64

52 B 33

52 B 33 H

MBM 28 C 65

MCM 2864

X 2864 A

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 71

Elektrisch löschbare, programmierbare Lesespeicher ( sogenannte E$PROMs ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 128 Kbit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

X 28128 A

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 71

Elektrisch löschbare, programmierbare Lesespeicher ( sogenannte E$PROMs ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 256 Kbit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×42 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen - oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder diese Kombinationen als Bestandteil enthält :

28256

28 C 256

48 C 256

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

KN-Code

Warenbezeichnung

Autonomer

Zollsatz

%

ex 8542 11 71

Elektrisch löschbare, programmierbare Lesespeicher ( sogenannte E$PROMs ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 512 Kbit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 13×16 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

48 F 512

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 71

Elektrisch löschbare, programmierbare Lesespeicher ( sogenannte E$PROMs ), in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer Speicherkapazität von 1 Mbit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 32 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 13×16 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

48 F 010

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Lesespeicher der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 71

Monolithische integrierte Schaltung, bestehend aus einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM, statisch ), mit einer Speicherkapazität von 256 bit, bitweise gekoppelt mit einem elektrisch löschbaren Lesespeicher ( sogenannter E$PROM ), in einem Gehäuse mit nicht mehr als 18 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 8×24 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

X 2210

X 2443

X 2444

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf integrierte Schaltungen der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 71

Monolithische integrierte Schaltung, bestehend aus einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM, statisch ), mit einer Speicherkapazität von 1 Kbit, bitweise gekoppelt mit einem elektrisch löschbaren Lesespeicher ( sogenannter E²PROM ), in einem Gehäuse mit nicht mehr als 24 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17×33 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

X 2001

X 2201 A

X 2212

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf integrierte Schaltungen der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 71

Monolithische integrierte Schaltung, bestehend aus einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM, statisch ), mit einer Speicherkapazität von 2 Kbit, bitweise gekoppelt mit einem elektrisch löschbaren Lesespeicher ( sogenannter E²PROM ), in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

X 2002

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf integrierte Schaltungen der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

KN-Code

Warenbezeichnung

Autonomer

Zollsatz

%

ex 8542 11 71

Monolithische integrierte Schaltung, bestehend aus einem statischen Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM, statisch ), mit einer Speicherkapazität von 4 Kbit, bitweise gekoppelt mit einem elektrisch löschbaren Lesespeicher ( sogenannter E$PROM ), in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

X 2004

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf integrierte Schaltungen der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 75

4-bit-Ein-Chip-Mikrocomputer, in C-MOS-Technik hergestellt, mit Treiberfunktion für Flüssigkristallanzeigen ( LCO ), bestehend aus einem Lesespeicher ( sogenannter ROM ), mit einer Speicherkapazität von 12 Kbit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM ) mit einer Speicherkapazität von 160 bit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 60 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 14×18 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

MSM 58 421

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Ein-Chip-Mikrocomputer der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 75

4-bit-Ein-Chip-Mikrocomputer, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, bestehend aus einem Lesespeicher ( sogenannter ROM ), mit einer Speicherkapazität von 2 K × 8 bit, einem Doppel -Ton-Multifrequenz ( DTMF)-Generator, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM ) mit einer Speicherkapazität von 1 Kbit, auch mit einem weiteren Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM ) mit einer Speicherkapazität von 512 bit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 42 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 16×54 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

T 6978

TCM 8301

TCM 8302

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Ein-Chip-Mikrocomputer der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 75

4-bit-Ein-Chip-Mikrocomputer, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, bestehend aus einem Lesespeicher ( sogenannter ROM ) mit einer Speicherkapazität von nicht weniger als 10 und nicht mehr als 16 Kbit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM ) mit einer Speicherkapazität von nicht mehr als 1 536 bit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 67 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 16×54 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehenden Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

TMP 47 C 200 HD 44 750

TMP 47 C 220

TMP 47 C 221

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Ein-Chip-Mikrocomputer der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 75

4-bit-Ein-Chip-Mikrocomputer, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, bestehend aus einem Lesespeicher ( sogenannter ROM ) mit einer Speicherkapazität von 4 K × 8 bit, einem Doppel-Ton-Multifrequenz ( DTMF)-Generator, Schreib-Lesespeichern

mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannte RAM ) mit einer Gesamtspeicherkapazität von 3 Kbit, in

einem Gehäuse mit nicht mehr als 42 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als

16×54 mm .

KN-Code

Warenbezeichnung

Autonomer

Zollsatz

%

ex 8542 11 75

( Fortsetzung )

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

TMP 47 C 452

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Ein-Chip-Mikrocomputer der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 75

8-bit-Ein-Chip-Mikrocomputer, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM ) mit einer Speicherkapazität von 2 Kbit, einem programmierbaren Lesespeicher ( sogenannter PROM ) mit einer Speicherkapazität von 64 Kbit, einem Kanal für die serielle Multiprotokoll-Kommunikation, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als als 52×63 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehenden Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

80 C 152

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Ein-Chip-Mikrocomputer der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 75

8-bit-Ein-Chip-Mikrocomputer, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer integrierten Schaltung, bestehend aus einem Lesespeicher ( sogenannter ROM ) mit einer Speicherkapazität von 16 Kbit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM ) mit einer Speicherkapazität von nicht mehr als 2 Kbit, einem elektrisch löschbarem Lesespeicher ( sogenannter E²PROM ) mit einer Speicherkapazität von 640 bit, einem 8 bit-Zweiweg-Umwandler ( ADC/DAC ), einem Analog-Multiplexer und, programmierbaren Verstärkern für die analoge Signalsteuerung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 100 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 20×26 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

DAPC

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Ein-Chip-Mikrocomputer der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 75

32-bit-Ein-Chip-Mikrocomputer, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, bestehend aus einem Lesespeicher ( sogenannter ROM ) mit einer Speicherkapazität von 24 Kbit, Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM ) mit einer Speicherkapazität von insgesamt 4 Kbit in einem Gehäuse mit nicht weniger als 84 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht weniger als 30×30 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

MB 8764

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Ein-Chip-Mikrocomputer der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 75

8-bit-Ein-Chip-Mikrocomputer in N-MOS ( einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, mit Peripherie-Schnittstellen-Funktion, bestehend aus einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM ) mit einer Speicherkapazität von 2 Kbit, einem programmierbaren nicht löschbaren Lesespeicher ( sogenannter PROM ) oder einem programmierbaren UV-löschbaren Lesespeicher ( sogenannter EPROM ) mit einer Speicherkapazität von 16 Kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 17×53 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

8042 8742

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Ein-Chip-Mikrocomputer der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

KN-Code

Warenbezeichnung

Autonomer

Zollsatz

%

ex 8542 11 75

16-bit-Ein-Chip-Mikrocomputer in N-MOS ( einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, bestehend aus mindestens einem Lesespeicher ( sogenannter ROM ), mit einer Speicherkapazität von 510×13 bit oder einem programmierbaren UV-löschbaren Lesespeicher ( sogenannter EPROM ) mit einer Speicherkapazität von 512×13 bit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM ) mit einer Speicherkapazität von 2 Kbit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 16×37 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der vorstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

PD 7720 PD 77 P 20

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Ein-Chip-Mikrocomputer der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 75

Ein-Chip-Mikrocomputer, in N-MOS ( einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, bestehend aus 24 Registern mit jeweils 32 bit und einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM ) mit einer Speicherkapazität von 2 Kbit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 24×24 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen /Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

HGC 6127

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Ein-Chip-Mikrocomputer der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 75

8-bit-Ein-Chip-Mikrocomputer in MOS-Technik hergestellt, mit Peripherie-Schnittstellen-Funktion, bestehend aus einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM ) mit einer Speicherkapazität von 1 Kbit, einem programmierbaren UV-löschbaren Lesespeicher ( sogenannter EPROM ) mit einer Speicherkapazität von 2 Kbit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 44 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17×53 mm sowie einem Quarzfenster .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

D 8742

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Ein-Chip-Mikrocomputer der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 75

4-bit-Ein-Chip-Mikrocomputer in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, bestehend aus einem Lesespeicher ( sogenannter ROM ) mit einer Speicherkapazität von 18 Kbit bis 104 Kbit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM ) mit einer Speicherkapazität von 512 bit bis 4 Kbit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 80 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 20×60 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

CD 3200 bis 3299 TP 0310 bis 03299 HD 38800 HD 404 189

TP 0450 bis 04599

HD 38820

HD 614 080

TMC 0270 bis 0279

TP 0480 bis 04899

HD 44796

TMC 0500 bis 0599

TP 0500 bis 05999

HD 44800

TMC 0980 bis 0989

T 7767 BS

HD 44801

TMC 1500 bis 1599

HD 44820

TMC 1980 bis 1999

HD 44840

TMP 47 C 670

HD 44860

HD 614042

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Ein-Chip-Mikrocomputer der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

KN-Code

Warenbezeichnung

Autonomer

Zollsatz

%

ex 8542 11 75

8-bit-Ein-Chip-Mikrocomputer in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, bestehend aus einem programmierbaren UV-löschbaren Lesespeicher ( sogenannter EPROM ) mit einer Speicherkapazität von 32 Kbit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM ) mit einer Speicherkapazität von 1 Kbit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 16×53 mm sowie einem Quarzfenster .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

7742

8751

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Ein-Chip -Mikrocomputer der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 75

16-bit-Ein-Chip-Mikrocomputer, bestehend aus einem Lesespeicher ( sogenannter ROM ) mit einer Speicherkapazität von 64 Kbit, einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM ) mit einer Speicherkapazität von 2 Kbit, einem Digital-Analog-Umsetzer mit Abtastung und Gruppierung, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 40×40 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

8397

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Ein-Chip-Mikrocomputer der vorstehenden Beschreibung bezieht .

7

ex 8542 11 75

32-bit-Ein-Chip-Mikrocomputer, bestehend aus einem Lesespeicher ( sogenannter ROM ) mit einer Speicherkapazität von 16 Kbit, Schreib-Lesespeichern mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannte RAMs ) mit einer Speicherkapazität von insgesamt 32 Kbit, einer 32 bit Gleitkomma-Datenarithmetik-Einheit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 100 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 30×53 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

DSP 32

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Ein-Chip -Mikrocomputer der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 75

8-bit-Mikroprozessor, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einer Zentraleinheit ( sogenannte Central Processing Unit/(CPU ), einem Speicher-Kontrollbaustein, einem Zwei-Kanal-Kontrollbaustein für den direkten Speicherzugriff, einem programmierbaren Zwei-Kanal 16-bit-Taktgeber, einem Bereitschaftszustandgenerator, zwei Schnittstellenbausteinen für die asynchrone serielle Datenübertragung und einem Bus-Kontrollbaustein, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 80 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 26×62 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

Z 64180, HD 64 A 180, HD 64 B 180

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Mikroprozessoren der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 75

16-bit-Mikroprozessor, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einer Zentraleinheit ( sogenannte Central Processing Unit/CPU ), einem externen 8 - oder 16-bit-Daten-Bus, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 30×54 mm .

KN-Code

Warenbezeichnung

Autonomer

Zollsatz

%

ex 8542 11 75

( Fortsetzung )

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

Z 70108 Z 70116 80 C 188

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Mikroprozessoren der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 75

16-bit-Mikroprozessor, in C-MOS-Technik hergestellt, bestehend aus einer Zentraleinheit ( sogenannte Central Processing Unit/CPU ), einem Speicher-Kontrollbaustein, einem Puffer-Speicher ( sogenannte Cache Memory ) mit einer Kapazität von 2 Kbit, drei programmierbaren 16-bit-Taktgebern, einem Sende-Empfangsbaustein zur asynchronen Datenübertragung ( sogenannter Universal Asynchronous Receiver Transmitter/UART ) mit vollem Duplexbetrieb, einem 4-Kanal-Kontrollbaustein für den direkten Speicherzugriff, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 26×26 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

Z 280

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Mikroprozessoren der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 75

32-bit-Mikroprozessor, in C-MOS-Technik hergestellt, mit einem externen 16-bit-Daten-Bus und einem externen 24-bit-Adressen-Bus, einer virtüllen Speicheradressierbarkeit von 64 Terabyte, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 100 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und Abmessungen von nicht mehr als 31×31 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

80386 SX

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Mikroprozessoren der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 75

32-bit-Mikroprozessor, in C-MOS-Technik hergestellt, mit externem 32-bit-Daten - und Adreßbus,

in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 208 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 46×46 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

80386

MC 68020 NS 32532 CY C 601

MC 68030 NS 32C032

L 64 801

MC 68032 R 2000/16

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Mikroprozessoren der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 75

8-bit-Mikroprozessor, in N-MOS ( einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, zum Ver - und Entschlüsseln von Daten, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 15×53 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus den nachstehend aufgeführten Zahlen - oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

Z 8068 Z 9518 8294

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Mikroprozessoren der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

KN-Code

Warenbezeichnung

Autonomer

Zollsatz

%

ex 8542 11 75

8-bit-Mikroprozessor mit interner Architektur von 16 bit in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, bestehend aus einer Zentraleinheit ( sogenannte Central Processing Unit/CPU ), einem Zeitgenerator, zwei unabhängigen Kanälen zum Direktzugriffspeicher, einem programmierbaren Unterbrecher ( sogenannter Interrupt Controller ), drei programmierbaren 16-bit-Taktgebern, einem programmierbaren Speicher und äusserer Chipauswahllogik, einem programmierbaren Bereitschaftszustandsgenerator mit Bus-Kontrolleinheit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 30×30 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

80188

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Mikroprozessoren der vorstehenden Beschreibung bezieht .

7

ex 8542 11 75

16-bit-Mikroprozessor, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, bestehend aus einer Zentraleinheit [sogenannte Central Processing Unit ( CPU )], einem Zeitgenerator, zwei unabhängigen Kanälen zum Direktzugriffspeicher, einem programmierbaren Unterbrecher ( sogenannter Interrupt Controller ), drei programmierbaren 16-bit-Taktgebern, einem programmierbaren Speicher und äusserer Chipauswahllogik, einem programmierbaren Bereitschaftszustandsgenerator mit Bus-Kontrolleinheit, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 30×30 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

80186

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Mikroprozessoren der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 75

16-bit-Mikroprozessor, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, bestehend aus einer Zentraleinheit ( sogenannte Central Processing Unit/CPU ), einem Baustein für die Organisation des Speichers ( sogenannte Memory Management Unit/MMU ) und einem internen Betriebssystem für reale und virtülle Adressierung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 30×30 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

80286

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Mikroprozessoren der vorstehenden Beschreibung bezieht .

10

ex 8542 11 75

32-bit-Mikroprozessor, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 132 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 38×38 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

CPU 0404 1871 NCR 32000

NS 32032

NS 32332

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Mikroprozessoren der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 75

16-bit-Mikroprozessor, in bipolarer Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 25×82 mm .

KN-Code

Warenbezeichnung

Autonomer

Zollsatz

%

ex 8542 11 75

( Fortsetzung )

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

AM 29116

SBP 9989

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Mikroprozessoren der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 75

Zentraleinheiten ( sogenannte Central Processing Units/CPU ), in N-MOS(einschließlich H-MOS )-

Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, bestehend aus einem 16×16 bit-Dienstspeicher, einem 16×20 bit-Dienstspeicher, einem 32×32 bit-Dienstspeicher, einem 8×8 bit-Dienstspeicher, einem 16-bit-Register, zwei 20-bit-Registern, einem 8-bit-Register, einem 12-bit-Register, einem 5-bit-Zähler und einem Zeitgeber, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 25×25 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil hat

LSI-604041855

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Zentraleinheiten der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 75

Numerischer Prozessor ( sogenannter Numeric Processor Extension/NPX ), in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, mit nicht mehr als 14 Registern, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 16×53 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen - oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

80287

8087

NS 32081

TX 32081 W

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf numerische Prozessoren der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 75

Gleitkomma-Coprozessor ( sogenannter Floating Point Coprozessor ), in MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 208 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 46×53 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen - oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

80387 NCR 32020 74 ACP 8847

MC 68881

NS 32381

WTL 3167

MC 68882

R 2010/16

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Coprozessoren der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 75

Text-Coprozessor in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 25×25 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

C 82730

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Text-Coprozessoren der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

KN-Code

Warenbezeichnung

Autonomer

Zollsatz

%

ex 8542 11 75

16-bit-Kommunikationsprozessor in N-MOS-(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, bestehend aus einem Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff ( sogenannter RAM mit einer Speicherkapazität von 22 Kbit, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 48 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 15×60 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

TMS 38010

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Kommunikationsprozessoren der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 91

Arithmetische, logische Einheit, in N-MOS(einschließlich H -MOS)-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, bestehend aus einem 32-bit-Register, einem 24-bit-Register, einem 4-bit-Register, zwölf 1-bit-Registern, zwei 16×24 bit-Dienstspeichern, einem logischen Element zum Durchführen arithmetischer und logischer Operationen, einer Decodierlogik, einem logischen Element zur Fehlersuche und -beseitigung, einem 8-bit-Zähler und einem Zeitgeber,

in einem Gehäuse mit nicht mehr als 64 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 23×82 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

ALU 0486

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 91

Arithmetische logische Einheit mit einer Kapazität von 32 bit für Bildprozessoren, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in C-MOS-Technik hergestellt, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 145 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 50×50 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

XL 8237

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 91

Taktgeber, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, für Zentraleinheit ( sogenannte Central Processing Unit/CPU ), Hauptspeicher und Ein - und Ausgangsschnittstellen, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 25×25 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

H 108982 ( MCC )

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Taktgeber der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 91

Baustein zur Takterzeugung und Steuerung von Mikroprozessoren, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 20 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 9×24 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

82 C 84, 82 C 284

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Bausteine der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

KN-Code

Warenbezeichnung

Autonomer

Zollsatz

%

ex 8542 11 91

Taktgeber für Graphikkontrollbausteine, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 16 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 7×20 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

PCLK 1

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Taktgeber der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 91

Logikbaustein, in bipolarer Technik hergestellt, mit nicht mehr als sechs logischen Funktionen, einer Betriebsspannung von nicht weniger als 11 und nicht mehr als 18 V, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 18 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 8×23 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kennzeichnungen als Bestandteil enthält :

FZH 101 A

FZH 111 A

FZH 191

FZH 201

FZJ 121

FZK 101

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Logikbausteine der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 91

Logischer Kontrollbaustein, in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, bestehend aus einem 7-bit-Register, drei Zeitzählern ( Timer ), einem Wähler ( Multiplexer ), Elementen zur Folgekontrolle, einer Decodierlogik, einem logischen Element zur Fehlersuche und -beseitigung und einem Zeitgeber, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 64 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 23×82 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

MIC 0482

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Bausteine der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 91

Programmierte Schaltmatrix ( Gate Array ), nicht vom Anwender programmierbar, in C-MOS-Technik mit metallischen Gates hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer Betriebsspannung von 12 V, mit nicht weniger als 637 Zwei-Eingangs-Funktionen und einem durch Elektronenstrahl hergestellten Digitalcode in der Matrix, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 22 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 11×29 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

FB 215

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf eine Schaltmatrix der vorstehenden Beschreibung bezieht

7

ex 8542 11 91

Vom Anwender teilweise programmierbare Schaltmatrix ( sogenannter Programmable Logic Array/PLA ), in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, mit einer programmierbaren UND-Anordnung, einer festen ODER-Anordnung, mit nicht mehr als 32 Eingangsstellen und nicht mehr als 12 Ausgangsstellen, auch mit Registern in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 19×39 mm .

KN-Code

Warenbezeichnung

Autonomer

Zollsatz

%

ex 8542 11 91

( Fortsetzung )

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine der Kombinationen als Bestandteil enthält :

16 P 8

16 RP 4

C 16 L 8

C 16 R 4

C 16 R 6

C 16 R 8

C 20 G 10

C 22 V 10

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf eine Schaltmatrix der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 91

Vom Anwender programmierbare, nicht löschbare Schaltmatrix ( sogenannter Field Programmable Logic-Array/FPLA ), in TTL-Schottky-Technik hergestellt, mit nicht mehr als 48 UND-Funktionen und nicht mehr als 8 ODER-Funktionen sowie nicht mehr als 16 Eingangsstellen, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen - oder Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

FP 54 AS 839

FP 74 AS 839

82 S 100

FP 54 AS 840

FP 74 AS 840

82 S 101

SN 54 LS 333

SN 74 LS 333

SN 54 LS 334

SN 74 LS 334

93458

SN 54 LS 335

SN 74 LS 335

93459

SN 54 LS 336

SN 74 LS 336

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf eine Schaltmatrix der vorstehenden Beschreibung bezieht .

5

ex 8542 11 91

Logische Zellmatrix ( sogenannte Logie Cell Array/LCA ) mit nicht mehr als 1 200 Logikgattern, programmierbar, elektronisch löschbar, in C-MOS-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 84 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 31×62 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

XC 2064

oder

- eine ander Kennzeichnung, die sich auf Waren der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 91

Nicht löschbarer, programmierbarer Logikbaustein, in C-MOS-Technik hergestellt, mit nicht weniger als 1 800 Logikgattern, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Anschlußstiften oder Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 28×28 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

EP 1800

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Bausteine der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 91

Vom Anwender programmierbare, nicht löschbare Ablaufsteuerung, in bipolarer Technik hergestellt, mit nicht mehr als 48-AND-Funktionen, einem 6-bit-Zustandsregister, einem 8-bit-Ausgaberegister,

in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 17×39 mm .

KN-Code

Warenbezeichnung

Autonomer

Zollsatz

%

ex 8542 11 91

( Fortsetzung )

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

82 S 105

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Steuerbausteine der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 91

UV-löschbarer, programmierbarer Logikbaustein ( sogenannter Erasable Programmable Logic Device/EPLD ), in C-MOS-Technik hergestellt, mit nicht weniger als 600 Logikgattern, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 28 Anschlußstiften oder Kontaktflächen, einem Quarzfenster auf der Oberseite und den Abmessungen von nicht mehr als 29×124 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus einer der nachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombinationen besteht oder eine dieser Kombinationen als Bestandteil enthält :

EP 600 CY 7 C 330

16 L8-W

CY 7 C 331

16 R4-W

CY 7 C 332

16 R6-W

16 R8-W

22 V 10-W

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Bausteine der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 91

Kontrollbaustein zur Fehlersuche und -beseitigung von einzelnen Bit-Fehlern und zur Fehlersuche von doppelten Bit-Fehlern ( sogenannter Error Detection and Correction Circuit ), in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt, in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 68 Kontaktflächen und den Abmessungen von nicht mehr als 30×30 mm .

Das Gehäuse trägt

- eine Kennzeichnung, die aus der nachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht oder diese Kombination als Bestandteil enthält :

8206

oder

- eine andere Kennzeichnung, die sich auf Kontrollbausteine der vorstehenden Beschreibung bezieht .

0

ex 8542 11 91

Kontrollbaustein zur Fehlersuche und -beseitigung von Mehrfachfehlern im Magnetplattensystem ( sogenannter Burst Error Processor/BEP ) in N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt,

in Form einer monolithischen integrierten Schaltung, in einem Gehäuse mit nicht mehr als 40 Anschlußstiften und den Abmessungen von nicht mehr als 16×54