Entscheidung der Kommission

vom 9. April 2002

über die staatliche Beihilfe C 86/2001 (ex N 334/2001) Deutschlands zugunsten von Infineon Technologies SC 300 GmbH & Co. KG, Deutschland

(Bekannt gegeben unter Aktenzeichen K(2002) 1346)

(Nur der deutsche Text ist verbindlich)

(Text von Bedeutung für den EWR)

(2002/867/EG)

DIE KOMMISSION DER EUROPÄISCHEN GEMEINSCHAFTEN -

gestützt auf den Vertrag zur Gründung der Europäischen Gemeinschaft, insbesondere auf Artikel 88 Absatz 2 Unterabsatz 1,

gestützt auf das Abkommen über den Europäischen Wirtschaftsraum, insbesondere auf Artikel 62 Absatz 1 Buchstabe a),

nach Aufforderung der Beteiligten zur Stellungnahme gemäß den genannten Artikeln(1),

in Erwägung nachstehender Gründe:

I. VERFAHREN

(1) Deutschland teilte der Kommission mit Schreiben vom 22. Mai 2001, Eingangsvermerk vom 28. Mai 2001, seine Absicht mit, der Infineon Technologies SC 300 GmbH & Co. KG eine Investitionsbeihilfe gemäß dem multisektoralen Regionalbeihilferahmen für große Investitionsvorhaben(2) (im Folgenden: multisektoraler Regionalbeihilferahmen) zu gewähren. Das Beihilfevorhaben wurde unter der Nummer N 334/01 eingetragen.

(2) Die Kommission bestätigte mit Schreiben vom 13. Juni 2001 den Erhalt des Schreibens, teilte Deutschland mit, dass die Anmeldung als unvollständig erachtet wird, und stellte ergänzende Fragen. Mit Schreiben vom 18. Juni 2001 wurde um weitere Auskünfte ersucht. Deutschland übermittelte Informationen mit Schreiben vom 3. Juli 2001, Eingangsvermerk vom 5. Juli 2001, und vom 16. Juli 2001, Eingangsvermerk vom 17. Juli 2001. Am 17. August 2001 fand eine Besprechung mit Vertretern der deutschen Behörden statt. Mit Schreiben vom 30. August 2001 forderte die Kommission Deutschland auf, die Bestimmungen über die nachträgliche Kontrolle in der Anmeldung zu ergänzen. Mit Schreiben vom 19. September 2001 wurde Deutschland daran erinnert, dass es ergänzende Angaben vorlegen sollte. Deutschland übermittelte mit Schreiben vom 24. September 2001, Eingangsvermerk vom 25. September 2001, unvollständige Informationen. Mit Schreiben vom 1. Oktober 2001 bestätigte die Kommission den Erhalt und wies Deutschland darauf hin, dass die Anmeldung noch immer als unvollständig erachtet wurde. Deutschland übermittelte mit Schreiben vom 22. Oktober 2001, Eingangsvermerk vom 23. Oktober 2001, ergänzende Angaben. Mit Schreiben vom 26. Oktober 2001 teilte die Kommission Deutschland mit, dass die Anmeldung als vollständig erachtet werde und innerhalb von zwei Monaten ab dem Tag der Eintragung des Briefes mit den vollständigen Angaben eine abschließende Entscheidung getroffen werde.

(3) Am 21. November 2001 übermittelte Deutschland ein letztes Schreiben, Eingangsvermerk vom 22. November 2001, in dem die Meinung vertreten wird, dass die Beihilfe gemäß Artikel 87 Absatz 3 Buchstabe b) EG-Vertrag für mit dem Gemeinsamen Markt vereinbar erklärt werden sollte.

(4) Die Kommission setzte Deutschland mit Schreiben vom 30. November 2001 von ihrem Beschluss in Kenntnis, wegen dieser Beihilfe das Verfahren nach Artikel 88 Absatz 2 EG-Vertrag einzuleiten.

(5) Der Beschluss der Kommission über die Einleitung des Verfahrens wurde im Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften(3) veröffentlicht. Die Kommission hat die Beteiligten zur Äußerung zu der betreffenden Beihilfe aufgefordert.

(6) Mit Schreiben vom 10. Januar 2002, Eingangsvermerk vom 14. Januar 2002, und vom 28. Januar 2002, Eingangsvermerk vom 29. Januar 2002, antwortete Deutschland auf die Einleitung des Verfahrens. Mit Schreiben vom 15. Februar 2002 wurde um weitere Auskünfte ersucht. Darauf wurde mit Schreiben vom 27. Februar 2002, Eingangsvermerk vom 28. Februar 2002, geantwortet. Weitere Fragen wurde mit Schreiben vom 21. März 2002 übermittelt, auf die Deutschland mit Schreiben vom 25. März 2002, Eingangsvermerk vom 25. März 2002, antwortete.

(7) Bei der Kommission gingen Reaktionen von drei Beteiligten ein, die Deutschland zur Stellungnahme übermittelt wurden, welche mit Schreiben vom 18. Februar 2002, Eingangsvermerk vom 19. Februar 2002, eintraf.

(8) Das betroffene Unternehmen übermittelte mit Schreiben vom 7. März 2002, Eingangsvermerk vom 7. März 2002, ergänzende Angaben.

II. BESCHREIBUNG

2.1. Beihilfeempfänger

(9) Der Beihilfeempfänger, die Infineon Technologies SC 300 GmbH & Co. KG (im Folgenden SC 300), wurde im Februar 1998 gegründet und ist eine 87 %ige Tochtergesellschaft der Infineon Technologies AG (im Folgenden Infineon) in München. Infineon selbst, die im März 2000 an die Börse ging, ist ein ausgegliedertes Unternehmen der Siemens AG und umfasst deren Halbleitergeschäft. Das restliche Stammkapital an der SC 300 befindet sich im Eigentum einer anderen privaten Gesellschaft mit beschränkter Haftung (4 % - die über die SC 300 Beteiligungs GmbH in Stuttgart von der M+W Zander Facility Engineering GmbH kontrolliert werden) und einer Gesellschaft mit beschränkter Haftung, die vom Freistaat Sachsen und der Stadt Leipzig kontrolliert wird (9 % - Leipziger Messe GmbH). Das Kerngeschäft von Infineon sind Halbleiter. Deutschland betont, dass Infineon das einzige europäische Unternehmen auf diesem Markt ist.

(10) Deutschland übermittelte die folgenden Daten über den Umsatz und den Personalstand der Infineon in den Jahren 1999 bis 2001:

>PLATZ FÜR EINE TABELLE>

(11) Nach Verlusten von 775 Mio. EUR im Geschäftsjahr 1997/98 verzeichnete Infineon 1998/1999 und 1999/2000 Gewinne von 61 Mio. EUR bzw. 1126 Mio. EUR.

2.2. Das Vorhaben

(12) Standort des Investitionsvorhabens ist Dresden im Freistaat Sachsen, einem Fördergebiet im Sinne von Artikel 87 Absatz 3 Buchstabe a) EG-Vertrag.

(13) Das Vorhaben betrifft die Errichtung von Anlagen für die Herstellung von dynamischen Halbleiterspeichern (Dynamic Random Access Memory - DRAM) mit Strukturbreiten von höchstens 0,14 µm auf 300-mm-Siliziumscheiben, die auch als "Wafer" bezeichnet werden. Dies wird die weltweit erste Fertigungslinie für (Speicher-)Chips auf 300-mm-Wafern sein. Neben der Fertigungslinie wird SC 300 mit den in ihrem Werk bereits vorhandenen Anlagen auch eine Pilot- und Entwicklungslinie betreiben.

(14) Das Projekt lief im April 2000 an und soll bis Ende 2003 abgeschlossen sein. Den Angaben zufolge wird die volle Kapazität letztlich 5000 Wafer pro Woche erreichen. Für das Projekt sind zwei Ausbaustufen vorgesehen. Ende 2001 wurde die Hochvolumenfertigung aufgenommen, die noch deutlich unter der Endausbaukapazität liegt. In einer zweiten Ausbaustufe, die bis ungefähr Anfang 2003 dauert, wird die Produktionskapazität auf das maximale Niveau angehoben. Dieser stufenweise Ausbau ist den Angaben zufolge die wirtschaftlich tragfähigste Lösung, da sich insbesondere die künftige Massenfertigung dieser neuen Technologie noch in Entwicklung befindet.

(15) Erzeugt werden DRAM mit einer Speicherkapazität von mindestens 512 Megabit. Diese DRAM werden nach und nach die Speicherbausteine mit einer Kapazität von 256 Megabit und weniger ersetzen. Infineon stellt die DRAM mit niedrigerer Kapazität derzeit in Dresden, in den USA und in Taiwan her.

(16) Der Schritt von der Verwendung von 200-mm-Wafern zu 300-mm-Wafern für die Erzeugung von Chips bedeutet, dass die Anzahl der Chips je Wafer (d. h. die Produktivität) ungefähr um das 2,5-fache ansteigen wird. Dadurch rechnet man wiederum mit einem Sinken der Herstellungskosten je Chip um 30 %-40 %. Die niedrigere Strukturbreite verringert die Herstellungskosten noch weiter. Darüber hinaus erlaubt sie eine geringere Mindestgröße für die einzelnen Elemente, was kleinere und billigere Computerkomponenten ermöglicht.

(17) Die Projektkosten können folgendermaßen aufgeschlüsselt werden:

>PLATZ FÜR EINE TABELLE>

(18) Durch das neue Projekt wird der weltweite Marktanteil von Infineon bei DRAM von 8 % im Jahr 1999 auf 10 % im Jahr 2003 ansteigen und im Bereich der Halbleiter von 3,5 % im Jahr 1999 auf 3,7 % im Jahr 2003 zunehmen.

(19) Laut der Anmeldung werden durch die Investitionen 1300 Dauerarbeitsplätze geschaffen und 400 Dauerarbeitsplätze erhalten. Es wird erwartet, dass das Projekt indirekt zur Schaffung von 1030 Arbeitsplätzen im eigentlichen und in einem angrenzenden Fördergebiet führt.

2.3. Beihilfemaßnahmen

(20) Das Beihilfevorhaben umfasst eine Investitionsbeihilfe in Form eines nichtrückzahlbaren Zuschusses in Höhe von 88,073 Mio. EUR, der gemäß der Gemeinschaftsaufgabe "Verbesserung der regionalen Wirtschaftsstruktur" in der Fassung des von der Kommission genehmigten 29. Rahmenplans gewährt werden soll. Eine Investitionszulage in Höhe von 128,846 Mio. EUR soll auf der Grundlage des von der Kommission genehmigten Investitionszulagengesetzes 1999(4) gewährt werden. Ferner wird eine 80 %ige Bürgschaft für einen Kredit in Höhe von 450 Mio. EUR, die also 360 Mio. EUR abdeckt, im Rahmen einer genehmigten Beihilferegelung(5) übernommen. Aufgrund der von Deutschland gemachten Angaben geht die Kommission von einem Beihilfeelement der Bürgschaft in Höhe von 1,8 Mio. EUR aus. Die gesamte Beihilfe für den Begünstigten beläuft sich auf 218,718 Mio. EUR, was 19,8 % der beihilfefähigen Investitionskosten entspricht. Der nichtrückzahlbare Zuschuss wird nur für die erste Ausbaustufe des Projekts gewährt.

2.4. Gründe für die Einleitung des förmlichen Prüfverfahrens

(21) Am 30. November 2001 unterrichtete die Kommission Deutschland über ihren Beschluss, das förmliche Prüfverfahren nach Artikel 88 Absatz 2 EG-Vertrag in Bezug auf das Beihilfevorhaben für das vorliegende Projekt einzuleiten. Die Kommission bezweifelte, dass die beabsichtigte Beihilfeintensität von 19,8 % mit der zulässigen Beihilfehöchstintensität vereinbar ist, die gemäß dem multisektoralen Regionalbeihilferahmen errechnet wird. Insbesondere verfügte die Kommission über keine zuverlässigen Angaben zur abschließenden Beurteilung der Merkmale des Marktes und konnte nicht ausschließen, dass es sich bei dem betreffenden Sektor um einen absolut schrumpfenden Markt handelt. Ferner bezweifelte sie, dass alle Arbeitsplätze im Bereich der Forschungs- und Entwicklungsarbeiten berücksichtigt werden könnten, da sie möglicherweise mit dem Projekt nicht direkt zusammenhängen. Außerdem stellte die Kommission in Frage, dass die gesamte Anzahl der indirekt geschaffenen Arbeitsplätze, die von Deutschland angeführt wurde, zur Bewertung der regionalen Auswirkungen des Projekts herangezogen werden könnte.

(22) Ferner bezweifelte die Kommission, dass das Projekt als Vorhaben von gemeinsamem europäischem Interesse betrachtet und die Beihilfe somit nach Artikel 87 Absatz 3 Buchstabe b) EG-Vertrag genehmigt werden könnte.

III. STELLUNGNAHMEN VON BETEILIGTEN

(23) Die Kommission erhielt Stellungnahmen von zwei Verbänden nachgelagerter Sektoren, in denen DRAM eingesetzt werden, und von einer unabhängigen Vereinigung europäischer Unternehmen und Forschungsinstitute im Bereich der europäischen Leiterplattenindustrie. Diese Stellungnahmen sind Deutschland mit Schreiben vom 22. Januar 2001 und 24. Januar 2001 zugeleitet worden. Deutschland hat mit Schreiben vom 18. Februar 2002 hierzu seine Bemerkungen abgegeben.

(24) Alle drei Beteiligten sprachen sich für das Beihilfevorhaben aus. Sie betonten die Bedeutung einer europäischen Halbleiterindustrie und die entscheidende Rolle des Projekts bei der Stärkung der Wettbewerbsfähigkeit dieses Wirtschaftszweigs und verwandter Sektoren.

(25) In einem am 7. März 2002 übermittelten Schreiben wies SC 300 darauf hin, dass sich die Preise für DRAM erholen und dass mit einem weiteren Anstieg gerechnet wird. Laut einem Wirtschaftsnachrichtendienst wird der Markt für DRAM im Jahr 2002 um 55 % wachsen.

IV. BEMERKUNGEN DEUTSCHLANDS

(26) In der Stellungnahme zur Einleitung des Verfahrens betonte Deutschland die Bedeutung des vorliegenden Projekts. Infineon ist der einzige europäische DRAM-Hersteller und wird durch die Anwendung der neuen 300-mm-Technologie einen Kostenvorteil gegenüber seinen Wettbewerbern erhalten. Das Unternehmen rechnet damit, dass die Nachfrage nach Speicherchips (gemessen in Bit) von 2001 auf 2002 um 50 % ansteigt.

(27) In Bezug auf den Markt für DRAM erklärte Deutschland, dass er von ausgeprägten konjunkturellen Schwankungen und großen Unterschieden zwischen Absatzwert und -volumen geprägt ist. Deutschland zufolge sollte der Wettbewerbsfaktor auf 1 angesetzt werden, da keine Überkapazitäten bestehen und der Markt nicht schrumpft.

(28) Deutschland argumentierte, dass es auf der aggregierten Stufe der NACE-Klasse 32.10 keine Überkapazitäten gibt und legte die relevanten Daten vor. Sollte die Kommission davon ausgehen, dass die Kapazitätslage auf dieser aggregierten Stufe die Situation des DRAM-Sektors unzureichend widerspiegelt, verwies Deutschland darauf, dass der relevante Teilsektor auch auf einer niedrigeren Stufe festgelegt werden kann. Die Daten über die Kapazitätsauslastung zur Bewertung des Wettbewerbsfaktors müssten nicht unbedingt auf der niedrigsten Stufe der NACE-Klassifizierung beruhen. Deutschland legte sodann Daten vor, um zu zeigen, dass keine Überkapazitäten vorhanden sind, gleichgültig wie eng der relevante Teilsektor definiert wird. Laut Deutschland waren die Kapazitäten zur Herstellung von DRAM von 1994 bis 1999 beinahe zur Gänze ausgelastet (95 %-100 %).

(29) Für den Fall, dass die Kommission einer Bewertung des Wettbewerbsfaktors anhand von Angaben über die Kapazitätsauslastung nicht zustimmt, trägt Deutschland vor, dass der DRAM-Markt nicht schrumpft. Deutschland zufolge ist im multisektoralen Regionalbeihilferahmen ein Zeitraum von fünf Jahren für die Berechnung der mittleren Jahreszuwachsrate zur Beurteilung der Marktentwicklung vorgesehen. Somit erstreckt sich der für das Projekt relevante Zeitraum auf die Jahre 1996 bis 2000, für die die mittlere Jahreszuwachsrate positiv war. Ferner erklärt Deutschland, dass 1995 ein außergewöhnlich großes Marktvolumen (in Bezug auf den Wert) erreicht wurde. Daher sei dieses Jahr nicht repräsentativ und sollte bei der Bewertung der Marktentwicklung außer Acht gelassen werden.

(30) Deutschland betont, dass sich die Kommission in ihrem Beschluss über die Einleitung des förmlichen Prüfverfahrens bei der Bewertung des Marktes ausschließlich auf die Entwicklung des wertmäßigen sichtbaren Verbrauchs stützt. Betrachte man allerdings das Volumen des sichtbaren Verbrauchs, gemessen in Bit, so erkenne man von 1996 bis 2000 einen starken Anstieg mit einer mittleren Jahreszuwachsrate von 83,3 %. Laut Deutschland spiegeln die Volumenangaben die Marktlage besser wider, da insbesondere auf Märkten mit ausgeprägten Preisschwankungen wie dem DRAM-Markt Wertangaben kein gutes Bild der Kapazitätslage des Markts vermitteln. Während der Verbrauch in Bezug auf den Wert großen Veränderungen unterlag, nahm er, in Bit ausgedrückt, in der Vergangenheit kontinuierlich zu. Deutschland weist darauf hin, dass die Kommission in früheren Entscheidungen nach dem multisektoralen Regionalbeihilferahmen auch das Volumen des Verbrauchs berücksichtigt hat. Ferner führt Deutschland an, dass Wertangaben für den Verbrauch nicht aussagekräftig sind, da sie durch Subventionen der koreanischen Regierung verfälscht werden.

(31) Deutschland übermittelte die neuesten Prognosen für den DRAM-Markt, die für die Jahre 2001 bis 2004 eine mittlere Jahreszuwachsrate von 17,7 % vorhersagen.

(32) In Bezug auf die direkten Arbeitsplätze erklärte Deutschland, dass alle Stellen im Zusammenhang mit Forschungs- und Entwicklungsaktivitäten berücksichtigt werden sollten. Die Halbleiterindustrie ist ein forschungsintensiver Sektor, und im vorliegenden Projekt wird eine neue Herstellungstechnologie umgesetzt. Die Durchführung eines äußerst innovativen Vorhabens wie der 300-mm-Technologie bedingt folglich besonders hohe Aufwendungen im Bereich der Forschung und Entwicklung und zwar nicht nur vor der Umsetzung, sondern auch während des Produktionszeitraums, um die Anwendung der neuen Technologie zu optimieren.

(33) Hinsichtlich der indirekt geschaffenen Arbeitsplätze argumentierte Deutschland, dass eine mittlere Zunahme an Arbeitsplätzen je vom Beihilfeempfänger geschaffenen Arbeitsplatz vorliegt. Deutschland erklärte, dass es schwierig ist, genaue Daten über die von Lieferanten und Abnehmern geschaffenen Arbeitsplätze anzuführen. Deutschland legte Absichtserklärungen von Abnehmern und Lieferanten der SC 300 vor, aus denen hervorgeht, dass durch das Projekt von SC 300 bereits 729 Arbeitsplätze indirekt entstanden sind und noch 666 Arbeitsplätze geschaffen werden.

(34) Deutschland vertritt daher die Auffassung, dass die Bewertung der Beihilfe nach den Bestimmungen des multisektoralen Regionalbeihilferahmens nicht zu einer Herabsetzung der geplanten Beihilfeintensität führen sollte. Falls die Kommission diese Ansicht nicht teilt, beantragt Deutschland, dass die Beihilfe nach Artikel 87 Absatz 3 Buchstabe b) EG-Vertrag genehmigt wird. Deutschland meint, dass die vier Voraussetzungen für die Anwendbarkeit dieses Artikels erfuellt sind.

(35) Deutschland erklärt, dass SC 300 das Investitionsvorhaben ohne die beabsichtigten Beihilfemaßnahmen nicht durchführen könnte. Die Halbleiterindustrie ist sehr kapitalintensiv und von großen technologischen Risiken geprägt. Angesichts der finanziellen und technologischen Dimensionen des Projekts könnte nicht erwartet werden, dass SC 300 das Vorhaben ohne staatliche Unterstützung durchführen würde.

(36) Deutschland behauptet, dass das Projekt sowohl in quantitativer als auch in qualitativer Hinsicht wichtig ist. Infineon ist der einzige europäische Hersteller von DRAM auf einem Markt, der von außereuropäischen Produzenten beherrscht wird. Das Unternehmen kann seine Position auf dem Markt nur halten, wenn es ihm gelingt, die 300-mm-Technologie anzuwenden, bei der es seinen Wettbewerbern einen Schritt voraus ist und die ihm einen erheblichen Kostenvorteil gegenüber der Konkurrenz gibt. Die Halbleiterindustrie und ihre Lieferanten erhalten dadurch, dass erstmals ein europäischer Hersteller bei der Innovation an der Spitze steht, die Möglichkeit, die führenden Volkswirtschaften einzuholen.

(37) In Bezug auf das Kriterium des gemeinsamen europäischen Interesses führt Deutschland an, dass es durch die Anwendung der neuen 300-mm-Technologie zu einer Verbesserung grundlegender Prozesse zur Herstellung von Halbleitern kommen wird. Somit wird die Wettbewerbsfähigkeit und Effizienz der europäischen Industrie durch das Projekt gesteigert. Für die Gerätehersteller ist es von großer Bedeutung, dass es einen europäischen DRAM-Erzeuger gibt. Aufgrund der engen Verbindungen zu verwandten Wirtschaftszweigen begünstigt die Existenz eines europäischen DRAM-Herstellers die Entwicklung dieser Sektoren und der gesamten Halbleiterindustrie.

(38) Deutschland zufolge ist es nicht notwendig, dass mehr als ein Mitgliedstaat an einem Projekt beteiligt ist, damit es als ein Vorhaben von gemeinsamem europäischem Interesse betrachtet werden kann. Die Stärkung der Wirtschaftsstruktur in einem Mitgliedstaat kann im Interesse der Gemeinschaft liegen, wenn dadurch die internationale Wettbewerbsfähigkeit der europäischen Industrie verbessert wird. Die Beteiligung mehrerer Mitgliedstaaten ist nicht zwingend erforderlich.

(39) Deutschland argumentiert, dass die DRAM-Industrie ein strategischer Sektor ist, und erinnert daran, dass die Kommission bereits in der Vergangenheit staatliche Beihilfen für Forschungs- und Entwicklungsarbeiten genehmigt hat. Es wäre ein Widerspruch, die staatliche Beihilfe nun einzuschränken, da diese neue Technologie zur Anwendung kommen soll.

(40) Deutschland vertritt daher die Meinung, dass die beabsichtigte staatliche Beihilfe nach Artikel 87 Absatz 3 Buchstabe b) EG-Vertrag genehmigt werden kann.

(41) In seinen Bemerkungen zu den Stellungnahmen der Beteiligten weist Deutschland darauf hin, dass sie das Interesse der europäischen Industrie an dem Vorhaben von SC 300 aufgrund der erwarteten Synergieeffekte belegen, die zu einem verstärkten Wachstum der europäischen Industrie führen können. Die Stellungnahmen der Beteiligten zeigen auch, dass die Industrie die beabsichtigte staatliche Beihilfe unterstützt.

V. WÜRDIGUNG

5.1. Würdigung nach Artikel 87 Absatz 3 Buchstabe a) EG-Vertrag

(42) Die Beihilfe wurde für eine Neuinvestition in einem Fördergebiet im Sinne von Artikel 87 Absatz 3 Buchstabe a) EG-Vertrag gewährt und ist als Regionalbeihilfe zu bewerten.

(43) Die beabsichtigte Beihilfe beträgt 218,718 Mio. EUR. Da sie somit über dem Schwellenwert von 50 Mio. EUR liegt, ist das Vorhaben gemäß dem multisektoralen Regionalbeihilferahmen anmeldepflichtig und muss entsprechend gewürdigt werden.

(44) Vor der Würdigung des Beihilfevorhabens ist im multisektoralen Regionalbeihilferahmen die Ermittlung des relevanten Marktes vorgesehen.

5.1.1. Relevanter Markt

(45) Der für die Ermittlung des Marktanteils relevante Produktmarkt umfasst das Produkt des Investitionsvorhabens und gegebenenfalls die Erzeugnisse, die vom Verbraucher oder Hersteller als Ersatzprodukte angesehen werden.

(46) Im vorliegenden Fall betrifft die Investition die Erzeugung von DRAM. Diese fallen unter die Klasse 32.10 der NACE-Nomenklatur, die die Herstellung von elektronischen Bauelementen umfasst. Bei den DRAM handelt es sich um Halbleiter zur Speicherung binärer Daten, die wiederum zu den elektronischen Bauelementen gehören. DRAM sind der gebräuchlichste Typ von Halbleiterspeichern. Die größte Verwendung erfolgt in PC und die kostengünstig hergestellten Produkten.

(47) DRAM können nach ihrer Speicherkapazität (d. h. der Datenmenge, die auf den Chips gespeichert werden kann) eingeteilt werden. Diese Kapazität hängt von der Chipgeneration ab. Das Produkt unterliegt einem raschen technologischen Wandel, so dass alle drei bis vier Jahre eine neue Generation auf den Markt kommt. DRAM können auch nach ihrem Anwendungszweck unterschieden werden (FPM-DRAM, EDO-DRAM, SDRAM oder RDRAM) oder der Art des Enderzeugnisses, in das sie eingebaut werden.

(48) Es gibt auch andere Typen von Speicherchips, wie zum Beispiel SRAM (Static Random Access Memories), EPROM (Electrically Programmable Read Only Memories) und Flash-Speicher. Im Allgemeinen erfuellen diese Funktionen, die sich von denen der DRAM unterscheiden, und können nicht als Ersatzprodukte betrachtet werden.

(49) DRAM sind Handelsware mit standardisierten Spezifikationen. Aus der Sicht der Nachfrageseite stehen den Kunden daher gleichartige DRAM von verschiedenen Herstellern auf der ganzen Welt zur Verfügung. Neue DRAM-Generationen stehen im Wettbewerb mit älteren. Die Entscheidung eines Kunden für einen spezifischen Typ hängt vom Verhältnis der Kosten zur Leistung und der Funktion des DRAM im Endprodukt ab.

(50) Aus der Sicht der Angebotsseite können Hersteller DRAM mit unterschiedlicher Kapazität erzeugen, da die verwendeten Technologien ähnlich sind. Die Umstellung zwischen verschiedenen Generation von DRAM ist jedoch innerhalb einer bestimmten Anlage im Allgemeinen nicht leicht.

(51) Aus diesen Gründen wird der Markt für DRAM als der relevante Produktmarkt(6) betrachtet. Für diesen Markt gibt es keine eigene in der NACE Klasse.

(52) Hinsichtlich des relevanten geografischen Marktes kann festgehalten werden, dass DRAM weltweit nach gleichen Spezifikationen und Marketingkonzepten gehandelt werden. Die Transportkosten sind niedrig, und es bestehen keine strukturellen Hindernisse für den Marktzugang. Deshalb wird der Weltmarkt als der relevante geografische Markt betrachtet.

5.1.2. Multisektoraler Regionalbeihilferahmen

(53) Gemäß dem multisektoralen Regionalbeihilferahmen muss die Kommission zur Festsetzung der zulässigen Beihilfehöchstintensität für ein angemeldetes Beihilfevorhaben zunächst die höchstzulässige Bruttobeihilfeintensität (Beihilfeobergrenze für Regionalbeihilfen) ermitteln, die ein Unternehmen in dem betreffenden Fördergebiet nach der zum Anmeldezeitpunkt gültigen Regionalbeihilferegelung in Anspruch nehmen kann.

(54) Bei der höchstzulässigen Bruttobeihilfeintensität für das Gebiet, in dem SC 300 seinen Sitz hat, gibt es zwei Sätze für Großunternehmen, nämlich 28 % und 35 %. Die höchstzulässige Bruttobeihilfeintensität von 35 % wird nur angewandt, wenn die folgenden spezifischen Voraussetzungen kumulativ erfuellt sind: Auf Antrag eines Landes und mit Zustimmung des Unterausschusses des Planungsausschusses können in begründeten Ausnahmefällen für strukturell besonders effiziente Maßnahmen für Regionen, die dem internationalen Standortwettbewerb ausgesetzt sind, höhere Fördersätze gewährt werden(7).

(55) Deutschland machte keine Angaben dazu, ob diese Voraussetzungen erfuellt sind. Da SC 300 als Großunternehmen zu betrachten ist, geht die Kommission davon aus, dass die höchstzulässige Bruttobeihilfeintensität (R) im vorliegenden Fall 28 % beträgt. Somit stellt die Kommission fest, das die geplante Bruttobeihilfeintensität von 19,8 % unter der zulässigen Obergrenze für ein Großunternehmen in dieser Region liegt.

(56) Anschließend berichtigte die Kommission den Prozentsatz von 28 % um die Werte, die sich aus drei spezifischen Bewertungsfaktoren - nämlich dem Wettbewerbsfaktor (T), dem Faktor "Verhältnis Kapitaleinsatz-Arbeitsplätze" (I) und dem Faktor "Regionale Auswirkungen" (M) - ergeben, um die höchstzulässige Beihilfeintensität für das betreffende Vorhaben zu ermitteln.

Wettbewerbsfaktor (T)

(57) Die Genehmigung einer Beihilfe an Unternehmen in Sektoren mit struktureller Überkapazität birgt besondere Gefahren einer Wettbewerbsverfälschung. Jede Kapazitätserweiterung, die nicht durch eine Kapazitätskürzung an anderer Stelle ausgeglichen wird, wird das Problem der strukturellen Überkapazität verschärfen. Der (Teil-)Sektor wird nach der niedrigsten Stufe der NACE-Klassifizierung bestimmt.

(58) Die niedrigste Stufe der NACE-Klassifizierung für die Herstellung von DRAM ist die Klasse 32.10, die alle Arten von elektronischen Bauelementen umfasst. Deutschland legte für diese NACE-Klasse Zahlen über die Kapazitätsauslastung vor und behauptete, das keine Überkapazitäten vorliegen. Allerdings stellen DRAM nur einen kleinen Teil der NACE-Klasse 32.10 dar, so dass die Kapazitätslage auf dieser aggregierten Stufe die Situation auf dem DRAM-Markt ungenügend widerspiegelt.

(59) Wie in Randnummer 28 erwähnt, argumentiert Deutschland, dass der Teilsektor nicht unbedingt auf einer NACE-Stufe festgelegt werden muss. In Fußnote 13 (Ziffer 7.7) des multisektoralen Regionalbeihilferahmens heißt es jedoch, dass der relevante (Teil-)Sektor nach der niedrigsten Stufe der NACE-Klassifizierung bestimmt wird. Die niedrigste Stufe der NACE-Klassifizierung ist die Klasse 32.10. Wie in Randnummer 58 erläutert, sind die Kapazitätsangaben für diese aggregierte Stufe unzureichend für die Bestimmung der Kapazitätslage auf dem DRAM-Markt, der als der relevante Produktmarkt betrachtet wird. Die Kommission vertritt daher die Ansicht, dass die Analyse der Kapazitätslage für die Bewertung des Wettbewerbsfaktors nicht zu berücksichtigen ist.

(60) Gemäß Ziffer 3.4 des multisektoralen Regionalbeihilferahmens prüft die Kommission, wenn ausreichende Angaben zur Kapazitätsauslastung fehlen, zunächst, ob die Investition in einem schrumpfenden Markt erfolgt. Ein Markt gilt als schrumpfend, wenn die mittlere Jahreszuwachsrate des sichtbaren Verbrauchs des betreffenden Produkts in den letzten fünf Jahren mindestens 10 % unter dem Jahresdurchschnitt des gesamten verarbeitenden Gewerbes im EWR liegt, sofern es bei der relativen Zuwachsrate für die Nachfrage nach dem Erzeugnis keinen ausgeprägten Aufwärtstrend gibt. Der Markt gilt als absolut schrumpfend, wenn die mittlere Jahreszuwachsrate des sichtbaren Verbrauchs während der letzten fünf Jahre negativ ist.

(61) Wie in den Randnummern 45 bis 51 erläutert, wird der DRAM-Markt als der relevante Produktmarkt betrachtet, da die Substituierbarkeit zwischen verschiedenen Speicherchips beschränkt ist. DRAM werden weltweit gehandelt, so dass der Weltmarkt als relevanter geografischer Markt betrachtet wird.

(62) Die Kommission stellt fest, dass der Marktanteil von SC 300 und Infineon unter 40 % des relevanten Marktes liegt und diesen Wert aufgrund der neuen Investition auch nicht überschreiten wird. Infineon hatte 1999 einen Anteil von 8 % am DRAM-Markt. Nach Abschluss des Projekts im Jahr 2003 soll der Anteil von Infineon und SC 300 auf 10 % steigen.

(63) Deutschland legte folgende Zahlen über den weltweiten sichtbaren Verbrauch von DRAM im Zeitraum 1995-2000 vor, die auf den Daten eines unabhängigen Forschungsinstituts (VLSI Research Inc.) beruhen:

>PLATZ FÜR EINE TABELLE>

(64) Nach diesen Zahlen betrug die mittlere Jahreszuwachsrate des sichtbaren Verbrauchs auf dem DRAM-Markt in den Jahren 1995-2000 - 0,42 %. Im Zeitraum davor, d. h. von 1994 bis 1999, war die mittlere Jahreszuwachsrate des sichtbaren DRAM-Verbrauchs ebenfalls negativ (- 1,3 %). Dies würde zu dem Schluss führen, dass der Markt für DRAM als ein absolut schrumpfender Markt betrachtet werden sollte.

(65) Deutschland argumentiert, dass die Kommission die Entwicklung des sichtbaren Verbrauchs anhand eines Zeitraums von fünf Jahren, d. h. 1996 bis 2000, anstelle von sechs Jahren beurteilen sollte. Im multisektoralen Regionalbeihilferahmen wird auf die mittlere Jahreszuwachsrate der letzten fünf Jahre Bezug genommen. Deshalb zieht die Kommission üblicherweise den sichtbaren Verbrauch über einen Zeitraum von sechs Jahren zur Berechnung von fünf Zuwachsraten heran(8).

(66) Deutschland übermittelte die neueste Prognose eines unabhängigen Forschungsinstituts(9) für die künftige Entwicklung des DRAM-Marktes:

>PLATZ FÜR EINE TABELLE>

(67) Trotz der derzeitigen gravierenden Schwierigkeiten sind die Aussichten auf dem DRAM-Markt positiv. Neueste Prognosen gehen davon aus, dass der Wert des sichtbaren DRAM-Verbrauchs in den Jahren 2001 bis 2004 um durchschnittlich 18,1 % pro Jahr steigen wird. Das Niveau des sichtbaren Verbrauchs im Jahr 2004 wird jedoch laut dieser Prognose immer noch unter dem Verbrauch im Jahr 2000 liegen. Eine andere der Kommission vorliegende Studie sagt eine noch stärkere Aufwärtstendenz für die Zukunft voraus und ein Niveau des sichtbaren Verbrauchs in den Jahren 2003 und 2004 über dem des Jahres 2000.

(68) Der Markt für DRAM ist äußerst konjunkturabhängig und unterliegt starken Schwankungen. Die mittleren Jahreszuwachsraten in Bezug auf den Wert unterscheiden sich je nach dem betrachteten Zeitraum erheblich. Für den Zeitraum 1993 bis 2000 war die mittlere Jahreszuwachsrate für den Wert des sichtbaren Verbrauchs mit jährlich 14,66 % positiv. Trotz eines drastischen Rückgangs des sichtbaren Verbrauchs zwischen 2000 und 2001 war die durchschnittliche Jahreszuwachsrate für die Jahre 1993 bis 2001 weiterhin leicht positiv (0,51 %).

(69) Die starken Schwankungen auf dem DRAM-Markt sind vor allem auf extrem große Preisveränderungen zurückzuführen. Der Grund dafür liegt darin, dass der Herstellungsprozess für DRAM durch relativ hohe verlorene Kosten und niedrige Grenzkosten gekennzeichnet ist. Daher können sich die Preise in einem sehr breiten Intervall bewegen, da es für Unternehmen so lange rentabel ist, DRAM zu produzieren, wie die Grenzkosten abgedeckt werden. Eine ausschließliche Betrachtung der Entwicklung des Werts des sichtbaren Verbrauchs gibt somit unter Umständen nur ein unzureichendes Bild des DRAM-Marktes.

(70) Der sichtbare Verbrauch in Bezug auf das Volumen (gemessen in verkauften Stückzahlen) ist in den letzten Jahren stetig in beträchtlichem Ausmaß gestiegen. Im Zeitraum 1995 bis 2000 betrug die mittlere Jahreszuwachsrate 10 %, und von 1994 bis 1999 lag sie bei 11 %.

(71) Die Preise von DRAM weisen in der langfristigen Entwicklung einen fallenden Trend auf. Dies scheint jedoch nicht die Folge von Überkapazitäten in der Industrie zu sein, obwohl sich Lagerbestände gelegentlich auf ein hohes Niveau aufbauen und dadurch Preisstürze verursachen. Die Produktionskosten für DRAM sind in den vergangenen Jahre stark gefallen. Die Preisrückgänge werden somit von den stetig zunehmenden Verbesserungen in der Effizienz der Produktion verursacht, die sowohl aus einer Reduzierung der Strukturbreite resultiert als auch aus dem routinemäßigen Wechsel der Wafer-Durchmesser, von einem Zoll in den 70er Jahren bis zu den heutigen 300-mm-Wafern. Gleichzeit findet eine stetige Verbesserung des Ertrags statt, indem versucht wird, die Anzahl der nicht-funktionierenden Schaltkreise zu reduzieren und die Anzahl der guten Schaltkreise pro Wafer zu erhöhen.

(72) Bei der Einleitung des Verfahrens wies die Kommission darauf hin, dass sie nicht über genug zuverlässige Informationen verfügt, um die Merkmale des Marktes im Einzelnen zu bestimmen und den korrekten Wettbewerbsfaktor ansetzen zu können.

(73) Aus den dargelegten Gründen kommt die Kommission zu dem Ergebnis, dass der Markt nicht als ein absolut schrumpfender Markt betrachtet werden sollte, sondern als relativ schrumpfend. Dies wird dadurch bestätigt, dass die Kapazitäten für die Produktion von DRAM in den letzten Jahren fast zur Gänze ausgelastet waren und die Zahlen erheblich über dem Durchschnitt des gesamten verarbeitenden Gewerbes lagen. Daher wird der Wettbewerbsfaktor auf 0,75 angesetzt.

Faktor "Verhältnis Kapitaleinsatz-Arbeitsplätze" (I)

(74) Für sehr kapitalintensive Projekte sieht der multisektorale Regionalbeihilferahmen den Faktor "Verhältnis Kapitaleinsatz-Arbeitsplätze" vor, durch den die Anpassung der höchstzulässigen Beihilfeintensität zugunsten von Projekten angestrebt wird, die effektiv und besser dazu beitragen, die Arbeitslosigkeit durch die Schaffung einer relativ höheren Anzahl neuer bzw. gesicherter Arbeitsplätze zu verringern. Dieser Bewertungsfaktor berücksichtigt auch wettbewerbswidrige Auswirkungen der Beihilfe auf den Preis des Endprodukts.

(75) Der multisektorale Regionalbeihilferahmen legt ausdrücklich fest, dass erhaltene Arbeitsplätze nur berücksichtigt werden, soweit sie nachweislich unmittelbar mit der geplanten Investition zusammenhängen, eine umfangreiche Umschulung erfordern und beim Anlaufen des neuen Projekts entfallen würden.

(76) Im vorliegenden Fall werden 1300 Arbeitsplätze geschaffen und 400 erhalten. Sie werden folgendermaßen verteilt werden:

>PLATZ FÜR EINE TABELLE>

(77) Die erhaltenen Arbeitsplätze betreffen die bereits bestehende Pilot- und Entwicklungslinie von SC 300. Wenn das neue Projekt nicht durchgeführt wird, würde laut Deutschland SC 300 seine Aktivitäten nicht fortsetzen, die Ausrüstung würde verkauft und die Arbeitsplätze gingen verloren. Folglich hängen die erhaltenen Arbeitsplätze direkt mit dem vorliegenden Projekt zusammen. Die Kommission entnimmt den Angaben, dass ein großer Teil dieser Arbeitsplätze mit Forschungs- und Entwicklungsaktivitäten für die laufende Produktentwicklung verbunden ist.

(78) Das Verhältnis Kapitaleinsatz-Arbeitsplätze ist beträchtlich niedriger als bei zwei anderen Projekten im Halbleitersektor. Deutschland zufolge ist dies zum Teil auf die Integration von technischen Aktivitäten und Arbeitsplätzen im Bereich Forschung und Entwicklung zurückzuführen. Bei der Einleitung des Verfahrens äußerte die Kommission Zweifel daran, dass alle Arbeitsplätze im Bereich Forschung und Entwicklung berücksichtigt werden können, da sie möglicherweise nicht direkt mit dem Projekt zusammenzuhängen.

(79) In der Stellungnahme zur Einleitung des Prüfverfahrens erläuterte Deutschland die hohe Anzahl von Arbeitsplätzen im Bereich der Forschungs- und Entwicklungstätigkeiten. Ferner bestätigte Deutschland, dass SC 300 keine staatliche FuE-Beihilfe erhält. Die Kommission kommt daher zu dem Ergebnis, dass alle 1700 von Deutschland angeführten direkten Arbeitsplätze bei der Berechnung des Faktors "Verhältnis Kapitaleinsatz-Arbeitsplätze" berücksichtigt werden können. Das Verhältnis Kapitaleinsatz-Arbeitsplätze für eine Investition in Höhe von 1106 Mio. EUR, mit der 1700 direkte Arbeitsplätze geschaffen oder gesichert werden, entspricht einem Wert von 650588 EUR je Arbeitsplatz und kann somit auf 0,8 angesetzt werden.

Faktor "Regionale Auswirkungen" (M)

(80) Mit dem Faktor "Regionale Auswirkungen" wird der wirtschaftliche Nutzen für das Fördergebiet berücksichtigt. Die Arbeitsplatzschaffung kann nach Ansicht der Kommission als Indikator für den Beitrag eines Investitionsvorhabens zur regionalen Entwicklung gelten. Kapitalintensive Investitionen können mittelbar zur Schaffung von Arbeitsplätzen im eigentlichen oder einem angrenzenden Fördergebiet führen, wobei hierunter jene Arbeitsplätze zu verstehen sind, die unmittelbar durch das Projekt oder bei Direktlieferanten und -abnehmern entstehen.

(81) Laut Anmeldung wurden die Arbeitsplätze, die mittelbar infolge der Investition geschaffen werden, auf insgesamt 1030 Stellen, vorwiegend im Bereich der Lieferanten, geschätzt. Diese verteilten sich folgendermaßen:

>PLATZ FÜR EINE TABELLE>

Diese Zahl wurde in den neuesten, von Deutschland vorgelegten Angaben berichtigt.

(82) Ursprünglich sollten durch die Errichtung eines neuen Werks von [...], das 300-mm-Siliziumscheiben an SC 300 liefern wird, 600 Arbeitsplätze indirekt geschaffen werden. Bei der Einleitung des Verfahrens äußerte die Kommission Zweifel daran, dass dieses Vorhaben ausgeführt wird, und vertrat die Ansicht, dass die 600 angeblich indirekt geschaffenen Arbeitsplätze nicht berücksichtigt werden können.

(83) [...] verfügt derzeit über zwei Produktionsstätten in Deutschland, Burghausen und Freiberg. Das Unternehmen betreibt in Freiberg Fertigungsstraßen für Wafer mit einem Durchmesser von 150 mm und 200 mm. Deutschland zufolge hat der Stadtrat von Freiberg vor kurzem dem Erschließungsplan für die Erweiterung des Werks zugestimmt. Außerdem legte Deutschland eine Absichtserklärung von [...] vor. Laut Deutschland gibt es keinen Grund, an der Durchführung dieses Projekts zu zweifeln.

(84) In der Absichtserklärung gibt [...] an, dass das Vorhaben von SC 300 zur Schaffung von 120 Arbeitsplätzen führen wird. Laut Deutschland beruht diese Zahl auf der Annahme, dass [...] 20 % der Produktion an SC 300 liefern wird. Diese Menge wurde [...] ausdrücklich von SC 300 bestätigt, sollte allerdings als Mindestmenge betrachtet werden. Man kann damit rechnen, dass [...] mindestens 50 % seiner Produktion an SC 300 liefern wird, was bedeuten würde, dass 300 Arbeitsplätze mittelbar geschaffen werden. Aus rechtlichen Gründen konnte sich SC 300 gegenüber [...] nicht ausdrücklich zu dieser Abnahmemenge verpflichten, so dass die in der Absichtserklärung genannten Zahlen zu niedrig sind. Die Kommission ist der Ansicht, dass 120 Arbeitsplätze, die von [...] geschaffen werden, für die Beurteilung der regionalen Auswirkung berücksichtigt werden können.

(85) Darüber hinaus übermittelte Deutschland eine Absichtserklärung des Unternehmens [...], das bereits Aufträge von SC 300 erhält und die Errichtung eines neuen Werks für die Aufbereitung von Testscheiben plant. Diese Aufbereitung ist ein Prozess zum Recycling von Siliziumscheiben, die an verschiedenen Stellen zum Monitoring der DRAM-Erzeugung eingesetzt werden und wieder verwendet werden können. Das Recycling der Siliziumscheiben ist aufgrund ihres extrem hohen Preises sinnvoll. Die verwerteten Scheiben werden vorwiegend als Testscheiben verwendet. In der Anmeldung hatte Deutschland die Schaffung von 100 Arbeitsplätzen für die Aufbereitung von Testscheiben angegeben. Den zuletzt übermittelten Informationen zufolge werde durch das Vorhaben von [...] 130 Arbeitsplätze indirekt geschaffen. Laut Deutschland können 95 davon auf das Projekt von SC 300 zurückgeführt werden. Die Kommission berücksichtigt 95 indirekte, von [...] geschaffene Arbeitsplätze für die Beurteilung der regionalen Auswirkung des vorliegenden Vorhabens.

(86) Deutschland hat ursprünglich angegeben, dass durch die Erweiterung der Infrastruktur, Materialzulieferungen, Transport und die Wartung des Gebäudes weitere 330 Arbeitsplätze indirekt geschaffen würden. In Schreiben vom 29. Januar 2002, 27. Februar 2002 und 25. März 2002 behauptete Deutschland, dass in diesen Bereichen 1145 Arbeitsplätze indirekt geschaffen werden und legte Absichtserklärungen von 53 Unternehmen vor, die Abnehmer oder Zulieferer von SC 300 sind. Deutschland zufolge sind 729 dieser Arbeitsplätze bereits entstanden, und mit der Schaffung von 416 Stellen wird noch gerechnet.

(87) 224 Arbeitsplätze sollen im Bereich der Infrastruktur geschaffen werden. Dies umfasst Arbeitsplätze im Zusammenhang mit dem Werkschutz, Verpflegung und Reinigung. Da mit der Hochvolumenfertigung bereits begonnen wurde und die Mehrheit der Mitarbeiter bereits auf dem Gelände tätig ist, sind 150 dieser Arbeitsplätze bereits geschaffen worden.

(88) 174 Arbeitsplätze sollen voraussichtlich im Bereich der Materialzulieferung geschaffen werden. Dies umfasst die Zulieferung von Gas, Wasser, Elektrizität und der für die Produktion benötigten Chemikalien sowie die damit verbundene Aufbereitung und logistische Aktivitäten. 122 Arbeitsplätze sind bereits geschaffen worden.

(89) Weitere 438 Arbeitsplätze werden voraussichtlich im Bereich Geräteservice geschaffen. 282 dieser Arbeitsplätze wurden bereits geschaffen. Deutschland erläuterte, dass diese Arbeitsplätze Aktivitäten umfassen, die um Zusammenhang mit der Wartung der in der Fabrik installierten Ausrüstung stehen. Dieser Service wird benötigt, da der Betrieb von Halbleiterfabriken von einem ständigen Austausch von Fertigungsgeräten und Komponenten gekennzeichnet ist.

(90) 21 indirekte Arbeitsplätze wurden bereits im Bereich des Transports von Rohstoffen und Vorprodukten sowie den Fertigprodukten geschaffen. Weitere 13 indirekte Arbeitsplätze werden in diesem Bereich noch geschaffen werden.

(91) Deutschland erwartet, dass eine Gesamtanzahl von 275 indirekten Arbeitsplätzen für die Aufrechterhaltung der Gebäudeinfrastruktur geschaffen wird. Diese Arbeitsplätze sind mit laufenden Arbeiten verbunden, die vorgenommen werden müssen, um die Qualität der Gebäudeinfrastruktur zu sichern wie IT-Dienstleistungen, Betrieb und Wartung der Elektroinstallationen, des Lüftungssystems und der Reinrauminstallationen sowie mit Arbeiten im Zusammenhang mit dem Management des Gebäudes. 121 dieser Arbeitsplätze wurden bereits geschaffen.

(92) Die Bestimmungen des multisektoralen Regionalbeihilferahmens sehen vor, dass indirekte Arbeitsplätze, die bei Direktlieferanten und -abnehmern als Reaktion auf das durch staatliche Beihilfen unterstützte Vorhaben entstehen, für die Beurteilung der regionalen Auswirkung des Vorhabens berücksichtigt werden können. In diesem Zusammenhang werden Arbeitsplätze als neue unbefristete Vollzeitarbeitsplätze oder gleichwertige Teilzeitarbeitsplätze definiert.

(93) Deutschland bestätigte, dass die indirekten Arbeitsplätze die genannten Bedingungen erfuellen. Zu der Tatsache, dass ein Großteil der indirekten Arbeitsplätze bereits geschaffen wurde, obwohl die Produktion ihre volle Kapazität erst zu Beginn des Jahres 2003 erreichen wird, erklärte Deutschland, dass die Errichtung des Gebäudes bereits im April 2001 beendet wurde. Nach der Errichtung wurde mit der Anlaufphase begonnen ("ramp up"). In dieser Phase werden die Anlagen und Maschinen installiert, um mit der Test- und Pilotproduktion beginnen zu können, was im Frühsommer 2001 geschah. Die Hochvolumenproduktion startete im Dezember 2001.

(94) Auf Basis der von Deutschland bereitgestellten Informationen ist die Kommission der Ansicht, dass die Berechnung der indirekten Arbeitsplätze angemessen ist. Daher kommt die Kommission zu dem Schluss, dass als Reaktion auf das Vorhaben, das durch staatliche Beihilfen unterstützt wird, 1360 indirekte Arbeitsplätze geschaffen werden. Verglichen mit den 1700 geschaffenen und erhaltenen Arbeitsplätzen, handelt es sich um eine mittlere Zunahme an indirekten Arbeitsplätzen (zwischen 50 % und 100 %) und der Faktor "Regionale Auswirkung" wird daher mit 1,25 angesetzt.

Zulässige Beihilfehöchstintensität

(95) Aus den dargelegten Gründen wird die zulässige Beihilfehöchstintensität folgendermaßen berechnet: 28 % × 0,75 × 0,8 × 1,25 = 21 % brutto. Die Beihilfe in Höhe von 218,718 Mio. EUR, die Deutschland der SC 300 für ihre Investitionen in Dresden (Freistaat Sachsen) zu gewähren beabsichtigt und die einer Beihilfeintensität von 19,8 % brutto entspricht, ist daher mit der zulässigen Beihilfehöchstintensität vereinbar, die gemäß dem multisektoralen Regionalbeihilferahmen errechnet wurde.

5.1.3. Nachträgliche Kontrolle

(96) In Anbetracht der Sensibilität der betroffenen standortunabhängigen Großinvestitionen ist ein Mechanismus unabdingbar, der sicherstellt, dass die Höhe der tatsächlich gezahlten Beihilfe der Entscheidung der Kommission entspricht.

(97) Für jedes von der Kommission gemäß dem multisektoralen Regionalbeihilferahmen genehmigte Beihilfevorhaben gilt daher, dass entweder der Beihilfevertrag zwischen der Behörde des Mitgliedstaats und dem Beihilfeempfänger eine Klausel enthält, die die Rückzahlung der Beihilfe bei Nichteinhaltung des Vertrags vorsieht, oder dass die letzte große Tranche der Beihilfe (z. B. 25 %) erst ausgezahlt wird, nachdem sich die Kommission anhand der vom Beihilfeempfänger stammenden Angaben des Mitgliedstaats von der entscheidungskonformen Durchführung des Vorhabens vergewissert und innerhalb von 60 Arbeitstagen der Zahlung der letzten Tranche der Beihilfe zugestimmt oder keine Einwände dagegen erhoben hat.

(98) Die Kommission stellt fest, dass der Vorschlag für die Entscheidung über die Gewährung der Beihilfe an die SC 300 eine Klausel enthält, die die Rückzahlung der Beihilfe vorsieht, falls der Beihilfeempfänger gegen die Entscheidung über die Gewährung der Beihilfe verstößt.

(99) Die Kommission stellt fest, dass die letzte große Tranche der Beihilfe (25 %) erst ausgezahlt wird, wenn SC 300 den deutschen Behörden nachgewiesen hat, dass die Durchführung des Projekts der Entscheidung der Kommission entspricht.

(100) Die Kommission stellt ferner fest, dass die von Deutschland in Bezug auf die nachträgliche Kontrolle eingegangene Verpflichtung den Anforderungen gemäß Ziffer 6 des multisektoralen Regionalbeihilferahmens entspricht. Dies gilt insbesondere für die Pflicht zur Übermittlung eines Exemplars der Entscheidung über die Gewährung der Beihilfe sowie eines jährlichen Projektberichts und der weiteren in Ziffer 6.4 des multisektoralen Regionalbeihilferahmens genannten Informationen und Unterlagen an die Kommission.

5.2. Artikel 87 Absatz 3 Buchstabe b) EG-Vertrag

(101) Für den Fall, dass die Kommission das Beihilfevorhaben mit einer Beihilfeintensität von 19,8 % nicht genehmigt, verweist Deutschland hilfsweise auf Artikel 87 Absatz 3 Buchstabe b) EG-Vertrag und argumentiert, dass die Errichtung des Chipwerks ein Vorhaben von gemeinsamem europäischem Interesse ist. Da die Beihilfe bis zu der beabsichtigten Intensität von 19,8 % mit der gemäß dem multisektoralen Regionalbeihilferahmen errechneten zulässigen Beihilfehöchstintensität vereinbar ist, braucht auf den Aspekt des gemeinsamen europäischen Interesses nicht mehr eingegangen zu werden.

VI. SCHLUSSFOLGERUNGEN

(102) Aus diesen Gründen kommt die Kommission zu dem Ergebnis, dass die Beihilfe die Voraussetzungen erfuellt, um als mit dem Gemeinsamen Markt vereinbar angesehen zu werden -

HAT FOLGENDE ENTSCHEIDUNG ERLASSEN:

Artikel 1

Die staatliche Beihilfe in Höhe von 218717884 EUR, die Deutschland zugunsten der Infineon Technologies SC 300 GmbH & Co. KG gewähren will, ist mit dem Gemeinsamen Markt vereinbar.

Artikel 2

Diese Entscheidung ist an die Bundesrepublik Deutschland gerichtet.

Brüssel, den 9. April 2002

Für die Kommission

Mario Monti

Mitglied der Kommission

(1) ABl. C 368 vom 22.12.2001, S. 2.

(2) ABl. C 107 vom 7.4.1998, S. 7.

(3) Siehe Fußnote 1.

(4) Investitionszulagengesetz, C 72/98 (ex N 702/97), SG (98) D/12438 vom 30.12.1998 und SG (2001) D/28651 vom 2.3.2001.

(5) Programm für unmittelbare Bürgschaften des Bundes und der Länder in den neuen Bundesländern und Berlin Ost, N 297/91, SG (91) D/1344 vom 15.7.1991 sowie E 24/95, SG (96) D/5500 vom 18.6.1996 und SG (98) D/54570 vom 11.11.1998.

(6) Diese Abgrenzung des relevanten Produktmarktes wurde von der Kommission auch im Fall IV/M 0044, Hitachi/Nec unter den Randnummern 14-20 angewandt (Entscheidung vom 3.5.2000, ABl. C 153 vom 1.6.2000, S. 8).

(7) ABl. C 340 vom 27.11.1999, S. 8.

(8) Siehe N 783/2000 Wacker Chemie - Entscheidung der Kommission vom 8.5.2001, N 813/2000 Kronoply - Entscheidung der Kommission vom 3.7.2001 und C 72/2001 Hamburger AG - Entscheidung der Kommission vom 2.10.2000 (ABl. C 342 vom 5.12.2001, S. 9).

(9) Prognose von WSTS für das vierte Quartal (Februar 2002).