3A001

Elektronische Bauelemente und Baugruppen (items) wie folgt: a. integrierte Schaltungen für allgemeine Anwendungen wie folgt: Anmerkung: Zu den integrierten Schaltungen gehören: — „monolithisch integrierte Schaltungen“, — „integrierte Hybrid-Schaltungen“, — „integrierte Multichip-Schaltungen“, — „integrierte Schichtschaltungen“ einschließlich integrierter Schaltungen in SOS-Technologie, — „integrierte optische Schaltungen“, — „dreidimensionale integrierte Schaltungen“, — „monolithisch integrierte Mikrowellenschaltungen“ („MMICs“). 1. integrierte Schaltungen, entwickelt oder ausgelegt für eine der folgenden Strahlungsfestigkeiten: a. Gesamtdosis größer/gleich 5 × 103 Gy (Silizium), b. Dosisrate größer/gleich 5 × 106 Gy (Silizium)/s oder c. integrierter Teilchenfluss (integrated flux) der Neutronen (1 MeV-Äquivalent) größer/gleich 5 ×1013 n/cm2 bezogen auf Silizium oder der äquivalente Wert für andere Materialien, Anmerkung: Unternummer 3A001a1c erfasst nicht Metall/Isolator/Halbleiter-Strukturen (MIS-Strukturen). 2. „Mikroprozessoren“, „Mikrocomputer“, Mikrocontroller, aus einem Verbindungshalbleiter hergestellte integrierte Speicherschaltungen, Analog-Digital-Wandler, integrierte Schaltungen, die Analog-Digital-Wandler enthalten und die digitalisierten Daten speichern oder verarbeiten, Digital-Analog-Wandler, elektrooptische oder „integrierte optische Schaltungen“ für die „Signaldatenverarbeitung“, anwenderprogrammierbare Logikschaltkreise (FPLDs), kundenspezifische integrierte Schaltungen, deren Funktion oder deren Erfassungsstatus in Bezug auf die Endbenutzergeräte unbekannt ist, FFT-Prozessoren (Fast Fourier Transform), statische Schreib-Lese-Speicher (SRAM) oder ‚nichtflüchtige Speicher‘ mit einer der folgenden Eigenschaften: a. ausgelegt für eine Betriebstemperatur über 398 K (125 °C), b. ausgelegt für eine Betriebstemperatur unter 218 K (-55 °C) oder c. ausgelegt für einen Betriebstemperaturbereich von 218 K (-55 °C) bis 398 K (125 °C), Anmerkung: Unternummer 3A001a2 erfasst keine integrierten Schaltungen, die für zivile Kraftfahrzeuge oder Eisenbahnzüge konstruiert sind. Technische Anmerkung: ‚Nichtflüchtige Speicher‘ sind Speicher mit einer Datenspeicherung über einen gewissen Zeitraum nach Abschaltung. 3. „Mikroprozessoren“, „Mikrocomputer“ und Mikrocontroller, hergestellt aus einem Verbindungshalbleiter und mit einer Taktfrequenz größer als 40 MHz, Anmerkung: Unternummer 3A001a3 schließt digitale Signal-Prozessoren, Vektorprozessoren und Coprozessoren ein. 4. nicht belegt, 5. Integrierte Schaltungen von Analog-Digital-Wandlern (Analogue-to-Digital Converters, ADCs) und Digital-Analog-Wandlern (Digital-to-Analogue Converters, DACs) wie folgt: a. ADCs mit einer der folgenden Eigenschaften: Anmerkung: SIEHE AUCH NUMMER 3A101. 1. Auflösung größer/gleich 8 bit, aber kleiner als 10 bit, mit einer „Abtastrate“ größer als 1,3 Gigasamples pro Sekunde (GSPS), 2. Auflösung größer/gleich 10 bit, aber kleiner als 12 bit, mit einer „Abtastrate“ größer als 600 Megasamples pro Sekunde (MSPS), 3. Auflösung größer/gleich 12 bit, aber kleiner als 14 bit, mit einer „Abtastrate“ größer als 400 MSPS, 4. Auflösung größer/gleich 14 bit, aber kleiner als 16 bit, mit einer „Abtastrate“ größer als 250 MSPS, oder 5. Auflösung größer/gleich 16 bit und mit einer „Abtastrate“ größer als 65 MSPS; Anmerkung: Für integrierte Schaltungen, die Analog-Digital-Wandler enthalten und die digitalisierten Daten speichern oder verarbeiten, siehe Unternummer 3A001a14. Technische Anmerkungen: 1. Eine Auflösung von n Bit entspricht einer Quantisierung von 2 n Zuständen. 2. Die Auflösung des ADC ist die Anzahl der Bits in der digitalen Ausgabe, die der gemessenen analogen Eingabe entspricht. Die effektive Anzahl von Bits (effective number of bits – ENOB) wird für die Ermittlung der Auflösung des ADC nicht verwendet. 3. Bei „Mehrkanal-ADCs“ wird die „Abtastrate“ nicht zusammengefasst (aggregated). Die „Abtastrate“ ist die maximale Rate jedes einzelnen Kanals. 4. Bei „Interleaved-ADCs“ oder bei „Mehrkanal-ADCs“, die auch für den Interleaved-Modus spezifiziert sind, werden die „Abtastraten“ zusammengefasst (aggregated). Die „Abtastrate“ ist die maximale Gesamtrate (maximum combined total rate) aller Interleaved-Kanäle. b. DACs mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Auflösung größer/gleich 10 bit, aber kleiner als 12 bit, mit einer ‚angepassten Update-Rate‘ größer als 3 500 MSPS, oder 2. Auflösung größer/gleich 12 bit und mit einer der folgenden Eigenschaften: a. ‚Angepasste Update-Rate‘ größer als 1 250 MSPS, aber kleiner/gleich 3 500 MSPS und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. „Einstellzeit“ von Vollaussteuerung (full scale) auf 0,024 % oder weniger der Vollaussteuerung kleiner als 9 ns oder 2. ‚Störungsfreier Dynamikbereich‘ größer 68 dBc (Träger) bei der Erzeugung eines vollausgesteuerten (full scale) Analogsignals von 100 MHz oder der höchsten spezifizierten Frequenz kleiner 100 MHz für die Erzeugung des vollausgesteuerten (full scale) Analogsignals oder b. ‚angepasste Update-Rate‘ größer als 3 500 MSPS. Technische Anmerkungen: 1. ‚Störungsfreier Dynamikbereich‘ (spurious free dynamic range, SFDR) ist das Verhältnis des Effektivwertes (RMS Value) der Trägerfrequenz (maximale Signalkomponente) am Eingang des DAC zum Effektivwert (RMS Value) der nächst größeren Rausch- oder Oberwellenkomponente an seinem Ausgang. 2. Der SFDR wird direkt durch die Tabelle der technischen Daten oder das Diagramm des SFDR über der Frequenz bestimmt. 3. Ein Signal gilt als vollausgesteuert (full scale), wenn seine Amplitude größer als - 3 dBfs (full scale) ist. 4. ‚Angepasste Update-Rate‘ (adjusted update rate) für DACs: a. Bei konventionellen (nicht interpolierenden) DACs ist die ‚angepasste Update-Rate‘ die Rate, bei welcher das Digitalsignal in ein Analogsignal gewandelt wird und die Analogwerte am Ausgang durch den DAC verändert werden. DACs, bei denen der Interpolationsmodus umgangen werden kann (Interpolationsfaktor gleich Eins), werden als konventionelle (nicht interpolierende) DACs angenommen. b. Bei interpolierenden DACs (Oversampling DACs) ist die ‚angepasste Update-Rate‘ die Update Rate des DAC geteilt durch den kleinsten Interpolationsfaktor. Bei interpolierenden DACs kann die ‚angepasste Update-Rate‘ auch anders genannt sein, einschließlich: — Eingangsdatenrate (input data rate) — Eingangswortrate (input word rate) — Eingangsabtastrate (input sample rate) — maximale Gesamteingangsbusrate (maximum total input bus rate) — maximale DAC-Taktrate für den DAC-Takteingang (maximum DAC clock rate for DAC clock input). 6. elektrooptische oder „integrierte optische Schaltungen“, entwickelt für die „Signaldatenverarbeitung“ und mit allen folgenden Eigenschaften: a. mit einer oder mehreren internen „Laser“-Diode(n), b. mit einem oder mehreren internen lichtempfindlichen Element(en) und c. mit optischen Strahlführungselementen; 7. Anwenderprogrammierbare Logikschaltkreise (FPLDs) mit einer der folgenden Eigenschaften: a. maximale Anzahl digitaler single-ended Ein-/Ausgaben größer als 700 oder b. ‚aggregierte serielle Spitzendatenrate des Transceivers bei Einwegübertragung‘ größer/gleich 500 Gb/s; Anmerkung: Unternummer 3A001a7 schließt ein: CPLDs (Complex Programmable Logic Devices), FPGAs (Field Programmable Gate Arrays), FPLAs (Field Programmable Logic Arrays), FPICs (Field Programmable Interconnects). Anmerkung: Für integrierte Schaltungen, bei denen anwenderprogrammierbare Logikschaltkreise mit einem Analog-Digital-Wandler kombiniert sind, siehe Unternummer 3A001a14. Technische Anmerkungen: 1. Die maximale Anzahl der digitalen Ein-/Ausgänge in Unternummer 3A001a7a wird auch als die maximale Anzahl der Benutzer-Ein-/Ausgänge oder der verfügbaren Ein-/Ausgänge bezeichnet, unabhängig davon, ob der integrierte Schaltkreis gehäust ist oder als Chip vorliegt. 2. Die ‚aggregierte serielle Spitzendatenrate des Transceivers bei Einwegübertragung‘ ist das Produkt der seriellen Datenübertragungsrate des Transceivers bei Einwegübertragung multipliziert mit der Anzahl der Transceiver auf dem FPGA. 8. nicht belegt; 9. integrierte Schaltungen für neuronale Netze; 10. kundenspezifische integrierte Schaltungen, deren Funktion unbekannt ist oder deren Erfassungsstatus in Bezug auf die Endbenutzergeräte dem Hersteller nicht bekannt ist, mit einer der folgenden Eigenschaften: a. mehr als 1 500 Anschlüsse, b. typische „Signallaufzeit des Grundgatters“ (basic gate propagation delay time) kleiner als 0,02 ns oder c. Betriebsfrequenz größer als 3 GHz; 11. andere als die in den Unternummern 3A001a3 bis 3A001a10 oder 3A001a12 beschriebenen digitalen, integrierten Schaltungen, die auf einem Verbindungshalbleiter basieren und eine der folgenden Eigenschaften aufweisen: a. Gatteräquivalent (equivalent gate count) größer als 3 000 (Gatter mit zwei Eingängen) oder b. Umschalt-Frequenz (toggle frequency) größer als 1,2 GHz; 12. FFT-Prozessoren (Fast Fourier Transform), ausgelegt für eine komplexe FFT mit n Punkten in weniger als (nlog2n)/20 480 ms; Technische Anmerkung: Wenn n gleich 1 024 ist, dann ergibt die Formel in Unternummer 3A001a12 eine Berechnungszeit von 500 μs. 13. Integrierte Schaltungen für Direct Digital Synthesizer (DDS) mit einer der folgenden Eigenschaften: a. Digital-Analog-Wandler-(DAC)-Taktfrequenz größer/gleich 3,5 GHz und eine DAC-Auflösung größer/gleich 10 bit, aber kleiner als 12 bit oder b. DAC-Taktfrequenz größer/gleich 1,25 GHz und eine DAC-Auflösung größer/gleich 12 bit; Technische Anmerkung: Die DAC-Taktfrequenz kann als die Taktgeberfrequenz oder die Eingangstaktfrequenz spezifiziert werden. 14. Integrierte Schaltungen, die folgende Operationen ausführen können oder so programmierbar sind, dass sie folgende Operationen ausführen: a. Analog-Digital-Umwandlungen mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Auflösung größer/gleich 8 bit, aber kleiner als 10 bit, mit einer „Abtastrate“ größer als 1,3 Gigasamples pro Sekunde (GSPS), 2. Auflösung größer/gleich 10 bit, aber kleiner als 12 bit, mit einer „Abtastrate“ größer als 1,0 GSPS, 3. Auflösung größer/gleich 12 bit, aber kleiner als 14 bit, mit einer „Abtastrate“ größer als 1,0 GSPS, 4. Auflösung größer/gleich 14 bit, aber kleiner als 16 bit, mit einer „Abtastrate“ größer als 400 Megasamples pro Sekunde (MSPS), oder 5. Auflösung größer/gleich 16 bit und mit einer „Abtastrate“ größer als 180 MSPS und b. mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Speicherung digitalisierter Daten oder 2. Verarbeitung digitalisierter Daten; Anmerkung 1: Für integrierte Analog-Digital-Wandlerschaltungen siehe Unternummer 3A001a5a. Anmerkung 2: Für anwenderprogrammierbare Logikschaltkreise siehe Unternummer 3A001a7. Technische Anmerkungen: 1. Eine Auflösung von n Bit entspricht einer Quantisierung von 2 n Zuständen. 2. Die Auflösung des ADC ist die Anzahl der Bits in der digitalen Ausgabe des ADC, die der gemessenen analogen Eingabe entspricht. Die effektive Anzahl von Bits (effective number of bits – ENOB) wird für die Ermittlung der Auflösung des ADC nicht verwendet. 3. Bei integrierten Schaltungen mit nichtüberlappenden (non-interleaving) „Mehrkanal-ADCs“ wird die „Abtastrate“ nicht zusammengefasst (aggregated). Die „Abtastrate“ ist die maximale Rate jedes einzelnen Kanals. 4. Bei „Interleaved-ADCs“ oder bei „Mehrkanal-ADCs“, die auch für den Interleaved-Modus spezifiziert sind, werden die „Abtastraten“ zusammengefasst (aggregated). Die „Abtastrate“ ist die maximale Gesamtrate (maximum combined total rate) aller Interleaved-Kanäle. b. Mikro- oder Millimeterwellenbauelemente (items) wie folgt: Technische Anmerkung: Im Sinne der Unternummer 3A001b kann der Parameter Spitzensättigungsausgangsleistung auf Produktdatenblättern auch als Ausgangsleistung, Sättigungsausgangsleistung, Höchstausgangsleistung, Spitzenausgangsleistung oder Hüllkurvenspitzenleistung bezeichnet werden. 1. „elektronische Vakuumbauelemente“ und Kathoden wie folgt: Anmerkung 1: Unternummer 3A001b1 erfasst nicht „elektronische Vakuumbauelemente“, entwickelt oder ausgelegt für den Betrieb in einem Frequenzband mit allen folgenden Eigenschaften: a. Das Frequenzband überschreitet nicht 31,8 GHz und b. ist „von der ITU zugewiesen“ für Funkdienste, jedoch nicht für Ortungsfunkdienste. Anmerkung 2: Unternummer 3A001b1 erfasst keine nicht „weltraumgeeigneten“„elektronischen Vakuumbauelemente“ mit allen folgenden Eigenschaften: a. mittlere Ausgangsleistung kleiner/gleich 50 W und b. entwickelt oder ausgelegt für den Betrieb in einem Frequenzband mit allen folgenden Eigenschaften: 1. Das Frequenzband überschreitet 31,8 GHz, aber nicht 43,5 GHz und 2. ist „von der ITU zugewiesen“ für Funkdienste, jedoch nicht für Ortungsfunkdienste. a. „elektronische Vakuumbauelemente“ mit Wanderfeld, für Impuls- oder Dauerstrichbetrieb, wie folgt: 1. Geräte, betrieben bei Frequenzen oberhalb 31,8 GHz, 2. Geräte mit einer Kathodenheizung, die eine Einschaltzeit von weniger als 3 Sekunden bis zum Erreichen der HF-Nennleistung ermöglicht, 3. hohlraumgekoppelte oder davon abgeleitete Geräte, mit einer „normierten Bandbreite“ größer als 7 % oder einer Spitzenleistung größer als 2,5 kW, 4. Geräte, die auf Schaltungen mit Wendelwellenleitern, gefalteten Wellenleitern oder schlangenlinienförmigen Wellenleitern basieren, oder davon abgeleitete Geräte mit einer der folgenden Eigenschaften: a. „Momentan-Bandbreite“ größer als eine Oktave und Produkt der mittleren Leistung (in Kilowatt) und der Frequenz (in Gigahertz) größer als 0,5, b. „Momentan-Bandbreite”kleiner/gleich eine Oktave und Produkt der mittleren Leistung (in Kilowatt) und der Frequenz (in Gigahertz) größer als 1, c. „weltraumgeeignet“, oder d. mit einer Elektronenkanone mit Gitterelektroden, 5. Geräte, mit einer „normierten Bandbreite” größer/gleich 10 % mit einer der folgenden Eigenschaften: a. einem ringförmigen Elektronenstrahl, b. einem nicht rotationssymmetrischen Elektronenstrahl oder c. Mehrfach-Elektronenstrahlen, b. verstärkende „elektronische Vakuumbauelemente“ mit Cross-Field und einem Verstärkungsfaktor größer als 17 dB, c. thermionische Kathoden, entwickelt für „elektronische Vakuumbauelemente“, zur Erzeugung einer Emissionsstromdichte größer als 5 A/cm2 bei Nenn-Betriebsbedingungen oder einer Impulsstromdichte (kein Dauerstrom) größer als 10 A/cm2 bei Nenn-Betriebsbedingungen, d. „elektronische Vakuumbauelemente“, die im ‚Dualmodus‘ betrieben werden können, Technische Anmerkung: ‚Dualmodus‘ bedeutet, dass beim Strahlstrom des „elektronischen Vakuumbauelements“ mithilfe eines Gitters wahlweise zwischen Dauerstrichbetrieb und Pulsbetrieb gewechselt werden kann, wobei die Puls-Spitzenausgangsleistung größer ist als die Dauerstrich-Spitzenausgangsleistung. 2. „monolithisch integrierte Mikrowellen“ verstärker „schaltungen“ („MMIC“-Verstärker) mit einer der folgenden Eigenschaften: Anmerkung: Für „MMIC“-Verstärker mit integriertem Phasenschieber siehe Unternummer 3A001b12. a. ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer als 2,7 GHz bis einschließlich 6,8 GHz, bei einer „normierten Bandbreite“ (fractional bandwidth) größer als 15 % und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 75 W (48,75 dBm) bei einer Frequenz größer als 2,7 GHz bis einschließlich 2,9 GHz, 2. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 55 W (47,4 dBm) bei einer Frequenz größer als 2,9 GHz bis einschließlich 3,2 GHz, 3. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 40 W (46 dBm) bei einer Frequenz größer als 3,2 GHz bis einschließlich 3,7 GHz oder 4. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 20 W (43 dBm) bei einer Frequenz größer als 3,7 GHz bis einschließlich 6,8 GHz; b. ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer als 6,8 GHz bis einschließlich 16 GHz, bei einer „normierten Bandbreite“ (fractional bandwidth) größer als 10 % und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 10 W (40 dBm) bei einer Frequenz größer als 6,8 GHz bis einschließlich 8,5 GHz oder 2. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 5 W (37 dBm) bei einer Frequenz größer als 8,5 GHz bis einschließlich 16 GHz; c. ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 3 W (34,77 dBm) bei einer Frequenz größer als 16 GHz bis einschließlich 31,8 GHz und einer „normierten Bandbreite“ (fractional bandwidth) größer als 10 %; d. ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 0,1 nW (-70 dBm) bei einer Frequenz größer als 31,8 GHz bis einschließlich 37 GHz; e. ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 1 W (30 dBm) bei einer Frequenz größer als 37 GHz bis einschließlich 43,5 GHz und einer „normierten Bandbreite“ (fractional bandwidth) größer als 10 %; f. ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 31,62 mW (15 dBm) bei einer Frequenz größer als 43,5 GHz bis einschließlich 75 GHz und einer „normierten Bandbreite“ (fractional bandwidth) größer als 10 %; g. ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 10 mW (10 dBm) bei einer Frequenz größer als 75 GHz bis einschließlich 90 GHz und einer „normierten Bandbreite“ (fractional bandwidth) größer als 5 % oder h. ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 0,1 nW (-70 dBm) bei einer Frequenz größer als 90 GHz; Anmerkung 1: nicht belegt, Anmerkung 2: Der Erfassungsstatus von „MMIC“, deren Betriebsfrequenzbereich Frequenzen in mehr als einem der in Unternummer 3A001b2a bis 3A001b2h definierten Frequenzbereiche überstreicht, richtet sich nach dem niedrigsten Grenzwert für die Spitzensättigungsausgangsleistung. Anmerkung 3: Die Anmerkungen 1 und 2 in Nummer 3A bedeuten, dass die Unternummer 3A001b2 keine „MMIC“ erfasst, die für andere Anwendungen besonders konstruiert sind, wie z. B. Telekommunikation, Radar, Kraftfahrzeuge. 3. diskrete Mikrowellentransistoren mit einer der folgenden Eigenschaften: a. ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer als 2,7 GHz bis einschließlich 6,8 GHz mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 400 W (56 dBm) bei einer Frequenz größer als 2,7 GHz bis einschließlich 2,9 GHz, 2. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 205 W (53,12 dBm) bei einer Frequenz größer als 2,9 GHz bis einschließlich 3,2 GHz, 3. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 115 W (50,61 dBm) bei einer Frequenz größer als 3,2 GHz bis einschließlich 3,7 GHz oder 4. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 60 W (47,78 dBm) bei einer Frequenz größer als 3,7 GHz bis einschließlich 6,8 GHz; b. ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer als 6,8 GHz bis einschließlich 31,8 GHz mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 50 W (47 dBm) bei einer Frequenz größer als 6,8 GHz bis einschließlich 8,5 GHz, 2. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 15 W (41,76 dBm) bei einer Frequenz größer als 8,5 GHz bis einschließlich 12 GHz, 3. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 40 W (46 dBm) bei einer Frequenz größer als 12 GHz bis einschließlich 16 GHz oder 4. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 7 W (38,45 dBm) bei einer Frequenz größer als 16 GHz bis einschließlich 31,8 GHz; c. ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 0,5 W (27 dBm) bei einer Frequenz größer als 31,8 GHz bis einschließlich 37 GHz; d. ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 1 W (30 dBm) bei einer Frequenz größer als 37 GHz bis einschließlich 43,5 GHz; e. ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 0,1 nW (-70 dBm) bei einer Frequenz größer als 43,5 GHz oder f. nicht von Unternummer 3A001b3a bis 3A001b3e erfasst und ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 5 W (37,0 dBm) bei allen Frequenzen größer als 8,5 GHz bis einschließlich 31,8 GHz; Anmerkung 1: Der Erfassungsstatus von Transistoren in Unternummern 3A001b3a bis 3A001b3e, deren Betriebsfrequenzbereich Frequenzen in mehr als einem der in Unternummer 3A001b3a bis 3A001b3e definierten Frequenzbereiche überstreicht, richtet sich nach dem niedrigsten Grenzwert für die Spitzensättigungsausgangsleistung. Anmerkung 2: Unternummer 3A001b3 erfasst gehäuste und ungehäuste Chips sowie auf Träger montierte Chips. Bestimmte diskrete Transistoren können auch als Leistungsverstärker bezeichnet werden, doch der Status dieser diskreten Transistoren richtet sich nach Unternummer 3A001b3. 4. Halbleitermikrowellenverstärker, Mikrowellenbaugruppen, die Mikrowellenhalbleiterverstärker enthalten, und Mikrowellenmodule, die Mikrowellenhalbleiterverstärker enthalten, mit einer der folgenden Eigenschaften: a. ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer als 2,7 GHz bis einschließlich 6,8 GHz, bei einer „normierten Bandbreite“ (fractional bandwidth) größer als 15 % und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 500 W (57 dBm) bei einer Frequenz größer als 2,7 GHz bis einschließlich 2,9 GHz, 2. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 270 W (54,3 dBm) bei einer Frequenz größer als 2,9 GHz bis einschließlich 3,2 GHz, 3. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 200 W (53 dBm) bei einer Frequenz größer als 3,2 GHz bis einschließlich 3,7 GHz oder 4. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 90 W (49,54 dBm) bei einer Frequenz größer als 3,7 GHz bis einschließlich 6,8 GHz; b. ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer als 6,8 GHz bis einschließlich 31,8 GHz, bei einer „normierten Bandbreite“ (fractional bandwidth) größer als 10 % und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 70 W (48,54 dBm) bei einer Frequenz größer als 6,8 GHz bis einschließlich 8,5 GHz, 2. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 50 W (47 dBm) bei einer Frequenz größer als 8,5 GHz bis einschließlich 12 GHz, 3. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 30 W (44,77 dBm) bei einer Frequenz größer als 12 GHz bis einschließlich 16 GHz oder 4. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 20 W (43 dBm) bei einer Frequenz größer als 16 GHz bis einschließlich 31,8 GHz; c. ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 0,5 W (27 dBm) bei einer Frequenz größer als 31,8 GHz bis einschließlich 37 GHz; d. ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 2 W (33 dBm) bei einer Frequenz größer als 37 GHz bis einschließlich 43,5 GHz und einer „normierten Bandbreite“ (fractional bandwidth) größer als 10 %; e. ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer als 43,5 GHz und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 0,2 W (23 dBm) bei einer Frequenz größer als 43,5 GHz bis einschließlich 75 GHz und einer „normierten Bandbreite“ (fractional bandwidth) größer als 10 %, 2. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 20 mW (13 dBm) bei einer Frequenz größer als 75 GHz bis einschließlich 90 GHz und einer „normierten Bandbreite“ (fractional bandwidth) größer als 5 % oder 3. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 0,1 nW (-70 dBm) bei einer Frequenz größer als 90 GHz oder f. Nicht belegt; Anmerkung 1: Für „MMIC“-Verstärker siehe Unternummer 3A001b2. Anmerkung 2: Für ‚Sende-/Empfangsmodule‘ und ‚Sendemodule‘ siehe Unternummer 3A001b12. Anmerkung 3: Für Umsetzer und Oberwellenmischer, konstruiert zur Erweiterung des Betriebsfrequenzbereichs von Signalanalysatoren, Signalgeneratoren, Netzwerkanalysatoren und Mikrowellentestempfängern, siehe Unternummer 3A001b7. Anmerkung 1: Nicht belegt. Anmerkung 2: Der Erfassungsstatus von Gütern, deren Betriebsfrequenzbereich Frequenzen in mehr als einem der in Unternummer 3A001b4a bis 3A001b4e definierten Frequenzbereiche überstreicht, richtet sich nach dem niedrigsten Grenzwert für die Spitzensättigungsausgangsleistung. 5. elektronisch oder magnetisch abstimmbare Bandpassfilter oder Bandsperrfilter mit mehr als fünf abstimmbaren Resonatoren, die in weniger als 10 μs über einen Frequenzbereich im Verhältnis 1,5:1 (fmax/fmin) abgestimmt werden können, und mit einer der folgenden Eigenschaften: a. mit einer Durchlassbandbreite größer als 0,5 % der Mittenfrequenz oder b. mit einer Sperrbandbreite kleiner als 0,5 % der Mittenfrequenz; 6. nicht belegt; 7. Umsetzer und Oberwellenmischer mit einer der folgenden Eigenschaften: a. konstruiert, um den Frequenzbereich von „Signalanalysatoren“ über 90 GHz hinaus zu erweitern, b. konstruiert, um den Betriebsfrequenzbereich von Signalgeneratoren wie folgt zu erweitern: 1. über 90 GHz hinaus, 2. auf eine Ausgangsleistung größer als 100 mW (20 dBm) innerhalb des Frequenzbereichs größer als 43,5 GHz und kleiner/gleich 90 GHz; c. konstruiert, um den Betriebsfrequenzbereich von Netzwerkanalysatoren wie folgt zu erweitern: 1. über 110 GHz hinaus, 2. auf eine Ausgangsleistung größer als 31,62 mW (15 dBm) innerhalb des Frequenzbereichs größer als 43,5 GHz und kleiner/gleich 90 GHz, 3. auf eine Ausgangsleistung größer als 1 mW (0 dBm) innerhalb des Frequenzbereichs größer als 90 GHz und kleiner/gleich 110 GHz oder d. konstruiert, um den Frequenzbereich von Mikrowellentestempfängern über 110 GHz hinaus zu erweitern; 8. Mikrowellenleistungsverstärker mit von Unternummer 3A001b1 erfassten „elektronischen Vakuumbauelementen“ und mit allen folgenden Eigenschaften: a. Betriebsfrequenz größer als 3 GHz, b. mittleres Verhältnis von Ausgangsleistung zu Masse größer als 80 W/kg und c. Volumen kleiner als 400 cm3; Anmerkung: Unternummer 3A001b8 erfasst nicht Ausrüstung, konstruiert oder ausgelegt für den Einsatz in einem Frequenzband, das für Funkdienste, jedoch nicht für Ortungsfunkdienste, „von der ITU zugewiesen“ ist. 9. Mikrowellenleistungsmodule (microwave power modules, MPM), bestehend aus mindestens einem „elektronischen Vakuumbauelement“ mit Wanderfeld, einer „monolithisch integrierten Mikrowellenschaltung“ („MMIC“) und einer integrierten elektronischen Regelung der Stromversorgung und mit allen folgenden Eigenschaften: a. ‚Hochlaufzeit‘ bis auf Nennleistung kleiner als 10 Sekunden, b. Volumen kleiner als die maximale spezifizierte Leistung in Watt multipliziert mit 10 cm3/W und c. „Momentanbandbreite“ größer als 1 Oktave (fmax > 2fmin) und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. HF-Ausgangsleistung größer als 100 W im Frequenzbereich kleiner/gleich 18 GHz oder 2. Frequenzbereich größer als 18 GHz; Technische Anmerkungen: 1. Die Berechnung des Volumens in Unternummer 3A001b9b wird durch folgendes Beispiel erläutert: Für eine maximale spezifizierte Leistung von 20 W ergibt sich: 20 W x 10 cm 3 /W = 200 cm 3 . 2. Die ‚Hochlaufzeit‘ in Unternummer 3A001b9a bezieht sich auf die Zeit vom Zustand des vollständigen Ausgeschaltetseins bis zum Zustand der vollständigen Betriebsfähigkeit, d. h. die Aufwärmzeit des Moduls ist eingeschlossen. 10. Oszillatoren oder Oszillator-Baugruppen, spezifiziert für den Betrieb mit einem Phasenrauschen im Einseitenband (SSB) in dBc/Hz kleiner (besser) als -(126 + 20log10F - 20log10f) im Bereich 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz; Technische Anmerkung: F steht in Unternummer 3A001b10 für den Abstand von der Betriebsfrequenz (in Hertz) und f für die Betriebsfrequenz (in Megahertz). 11. „elektronische ‚Frequenz-Synthesizer‘-Baugruppen“ mit einer „Frequenzumschaltzeit“ gemäß einer der folgenden Spezifikationen: a. kleiner als 143 ps, b. kleiner als 100 μs für jeden Frequenzwechsel größer als 2,2 GHz innerhalb des synthetisierten Frequenzbereiches größer als 4,8 GHz bis kleiner/gleich 31,8 GHz, c. nicht belegt, d. kleiner als 500 μs für jeden Frequenzwechsel größer als 550 MHz innerhalb des synthetisierten Frequenzbereiches größer als 31,8 GHz bis kleiner/gleich 37 GHz, e. kleiner als 100 μs für jeden Frequenzwechsel größer als 2,2 GHz innerhalb des synthetisierten Frequenzbereiches größer als 37 GHz bis kleiner/gleich 90 GHz oder f. nicht belegt, g. kleiner als 1 ms innerhalb des synthetisierten Frequenzbereichs größer als 90 GHz; Technische Anmerkung: Ein ‚Frequenz-Synthesizer‘ (frequency synthesiser) ist, ungeachtet der im Einzelfall benutzten Technik, jede Art von Frequenzquelle, die an einem oder mehreren Ausgängen eine Vielfalt gleichzeitig oder abwechselnd vorhandener Ausgangsfrequenzen liefert, die durch eine kleinere Anzahl von Normal- oder Steuerfrequenzen geregelt, von ihr abgeleitet oder von ihr gesteuert sind. Anmerkung: Für allgemein verwendbare „Signalanalysatoren“, Signalgeneratoren, Netzwerkanalysatoren und Mikrowellentestempfänger siehe Unternummern 3A002c, 3A002d, 3A002e und 3A002f. 12. ‚Sende-/Empfangsmodule‘, ‚Sende-/Empfangs-MMICs‘, ‚Sendemodule‘ und ‚Sende-MMICs‘, ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer als 2,7 GHz und mit allen folgenden Eigenschaften: a. Spitzensättigungsausgangsleistung (in Watt), Psat, größer als 505,62 geteilt durch das Quadrat der maximalen Betriebsfrequenz (in GHz) [Psat>505,62 W*GHz2/fGHz 2] für jeden Kanal, b. „normierte Bandbreite“größer/gleich 5 % für jeden Kanal, c. eine der planaren Seiten mit der Länge d (in cm) kleiner/gleich 15 geteilt durch die kleinste Betriebsfrequenz in GHz [d ≤ 15cm*GHz*n/fGHz], wobei n für die Anzahl der Sende- oder Sende-/Empfangskanäle steht, und d. einem elektronisch regelbaren Phasenschieber pro Kanal. Technische Anmerkungen: 1. Ein ‚Sende-/Empfangsmodul‘ ist eine multifunktionale „elektronische Baugruppe“, die bidirektionale Amplitude und Phasenregelung für das Senden und Empfangen von Signalen aufweist. 2. Ein ‚Sendemodul‘ ist eine „elektronische Baugruppe“, die Amplitude und Phasenregelung für das Senden von Signalen aufweist. 3. Eine ‚Sende-/Empfangs-MMIC‘ ist eine multifunktionale „MMIC“, die bidirektionale Amplitude und Phasenregelung für das Senden und Empfangen von Signalen aufweist. 4. Eine ‚Sende-MMIC‘ ist eine „MMIC“, die Amplitude und Phasenregelung für das Senden von Signalen aufweist. 5. Bei Sende-/Empfangs- oder Sendemodulen, deren spezifizierter Betriebsfrequenzbereich 2,7 GHz unterschreitet, soll in der Berechnungsformel nach Unternummer 3A001b12c als unterer Grenzwert (f GHz ) 2,7 GHz verwendet werden [d≤15cm*GHz*n/2,7 GHz]. 6. Unternummer 3A001b12 gilt für ‚Sende-/Empfangsmodule‘ oder ‚Sendemodule‘ mit oder ohne Wärmesenke. Anteile des ‚Sende-/Empfangsmoduls‘ oder ‚Sendemoduls‘, die als Wärmesenke dienen, werden für den Wert für d in Unternummer 3A001b12c nicht berücksichtigt. 7. ‚Sende-/Empfangsmodule‘, Sendemodule‘‚ Sende-/Empfangs-MMICs‘ oder ‚Sende-MMICs‘ können n integrierte abstrahlende Antennenelemente enthalten, wobei n für die Anzahl der Sende- oder Sende-/Empfangskanäle steht. c. Akustikwellenvorrichtungen wie folgt und besonders konstruierte Bestandteile hierfür: 1. Vorrichtungen mit akustischen Oberflächenwellen (surface acoustic waves) und mit akustischen, oberflächennahen Volumenwellen (surface skimming [shallow bulk] acoustic waves), mit einer der folgenden Eigenschaften: a. Trägerfrequenz größer als 6 GHz, b. Trägerfrequenz größer als 1 GHz und kleiner/gleich 6 GHz und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. ‚Frequenz-Nebenkeulendämpfung‘ größer als 65 dB, 2. Produkt aus maximaler Verzögerungszeit (in Mikrosekunden) und Bandbreite (in Megahertz) größer als 100, 3. Bandbreite größer als 250 MHz oder 4. dispergierende Verzögerung größer als 10 μs oder c. Trägerfrequenz kleiner/gleich 1 GHz und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Produkt aus maximaler Verzögerungszeit (in Mikrosekunden) und Bandbreite (in Megahertz) größer als 100, 2. dispergierende Verzögerung größer als 10 μs oder 3. ‚Frequenz-Nebenkeulendämpfung‘ größer als 65 dB und Bandbreite größer als 100 MHz, Technische Anmerkung: ‚Frequenz-Nebenkeulendämpfung‘ ist der im Datenblatt angegebene Dämpfungshöchstwert. 2. akustische Volumenwellenvorrichtungen, mit denen die unmittelbare Aufbereitung von Signalen bei einer Frequenz größer als 6 GHz möglich ist, 3. akustisch-optische „Signaldatenverarbeitungs“-Vorrichtungen, die die Wechselwirkung zwischen Schallwellen (Volumen- oder Oberflächenwellen) und Lichtwellen ausnutzen und die eine unmittelbare Aufbereitung von Signalen oder Bildern ermöglichen, einschließlich Spektralanalyse, Korrelation oder Konvolution (Faltung); Anmerkung: Unternummer 3A001c erfasst nicht Akustikwellenvorrichtungen mit lediglich einem Bandpass-, Tiefpass-, Hochpass- oder Kerbfilter oder einer Resonanzfunktion. d. elektronische Bauelemente oder Schaltungen, die Bauteile aus „supraleitenden“ Werkstoffen oder Materialien enthalten, besonders konstruiert für den Betrieb bei Temperaturen unter der „kritischen Temperatur“ von wenigstens einem ihrer „supraleitenden“ Bestandteile und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Stromschalter für digitale Schaltungen mit „supraleitenden“ Gattern mit einem Produkt aus Laufzeit pro Gatter (in Sekunden) und Verlustleistung je Gatter (in Watt) kleiner als 10-14 J oder 2. Frequenzselektion bei allen Frequenzen mit Resonanzkreisen, die Gütefaktoren von mehr als 10 000 aufweisen; e. hochenergietechnische Geräte wie folgt: 1. ‚Zellen‘ wie folgt: a. ‚Primärzellen‘ mit einer der folgenden Eigenschaften bei 20 °C: 1. ‚Energiedichte‘ größer als 550 Wh/kg und ‚Dauerleistungsdichte‘ größer als 50 W/kg oder 2. ‚Energiedichte‘ größer als 50 Wh/kg und ‚Dauerleistungsdichte‘ größer als 350 W/kg oder b. ‚Sekundärzellen‘ mit einer ‚Energiedichte‘ größer als 350 Wh/kg bei 20 °C, Technische Anmerkungen: 1. Im Sinne der Unternummer 3A001e1 wird die ‚Energiedichte‘ (Wh/kg) berechnet aus der Nominalspannung multipliziert mit der nominellen Kapazität (in Amperestunden (Ah)) geteilt durch die Masse (in Kilogramm). Falls die nominelle Kapazität nicht angegeben ist, wird die Energiedichte berechnet aus der quadrierten Nominalspannung multipliziert mit der Entladedauer (in Stunden), dividiert durch die Entladelast (in Ohm) und die Masse (in Kilogramm). 2. Im Sinne der Unternummer 3A001e1 wird ‚Zelle‘ definiert als ein elektrochemisches Bauelement, das über positive und negative Elektroden sowie über einen Elektrolyten verfügt und eine Quelle für elektrische Energie ist. Sie ist die Grundeinheit einer Batterie. 3. Im Sinne der Unternummer 3A001e1a wird ‚Primärzelle‘ definiert als eine ‚Zelle‘, die nicht durch irgendeine andere Quelle aufgeladen werden kann. 4. Im Sinne der Unternummer 3A001e1b wird ‚Sekundärzelle‘ definiert als eine ‚Zelle‘, die durch eine externe elektrische Quelle aufgeladen werden kann. 5. Im Sinne der Unternummer 3A001e1a wird die ‚Dauerleistungsdichte‘ (W/kg) berechnet aus der Nominalspannung multipliziert mit dem angegebenen Dauerentladungshöchststrom (in Ampere (A)) geteilt durch die Masse (in Kilogramm). Die ‚Dauerleistungsdichte‘ wird auch als spezifische Leistung bezeichnet. Anmerkung: Unternummer 3A001e1 erfasst nicht Batterien; dies schließt auch Batterien, die aus einzelnen Zellen bestehen (single cell batteries), ein. 2. Hochenergie-Speicherkondensatoren wie folgt: Anmerkung: SIEHE AUCH Unternummer 3A201a und Liste für Waffen, Munition und Rüstungsmaterial. a. Kondensatoren mit einer Folgefrequenz kleiner als 10 Hz (single shot capacitors) und mit allen folgenden Eigenschaften: 1. Nennspannung größer/gleich 5 kV, 2. Energiedichte größer/gleich 250 J/kg und 3. Gesamtenergie größer/gleich 25 kJ, b. Kondensatoren mit einer Folgefrequenz größer/gleich 10 Hz (repetition rated capacitors) und mit allen folgenden Eigenschaften: 1. Nennspannung größer/gleich 5 kV, 2. Energiedichte größer/gleich 50 J/kg, 3. Gesamtenergie größer/gleich 100 J und 4. Lebensdauer größer/gleich 10 000 Ladungs-/Entladungszyklen, 3. „supraleitende“ Elektromagnete oder Zylinderspulen, besonders konstruiert, um in weniger als einer Sekunde vollständig geladen oder entladen zu werden, und mit allen folgenden Eigenschaften: Anmerkung: SIEHE AUCH UNTERNUMMER 3A201b. Anmerkung: Unternummer 3A001e3 erfasst nicht „supraleitende“ Elektromagnete oder Zylinderspulen, besonders konstruiert für medizinisches Gerät für Magnetresonanzbilderzeugung (Magnetic Resonance Imaging). a. Energieabgabe während der ersten Sekunde der Entladung größer als 10 kJ, b. innerer Durchmesser der Strom führenden Windungen größer als 250 mm und c. spezifiziert für eine magnetische Induktion größer als 8 T oder eine „Gesamtstromdichte“ (overall current density) in der Windung größer als 300 A/mm2; 4. „weltraumgeeignete“ Solarzellen, CIC-Baugruppen (cell-interconnect-coverglass assemblies), Solarpaneele und Solararrays, mit einem minimalen mittleren Wirkungsgrad größer als 20 % gemessen bei einer Betriebstemperatur von 301 K (28 °C) und einer simulierten ‚AM0‘-Beleuchtung mit einer Strahlungsleistung von 1 367 Watt pro Quadratmeter (W/m2), Technische Anmerkung: ‚AM0‘ oder ‚Air Mass Zero‘ bezieht sich auf die spektrale Verteilung der Strahlungsleistung des Sonnenlichts in der äußeren Erdatmosphäre, wenn der Abstand zwischen Erde und Sonne eine Astronomische Einheit (1 AU) beträgt. f. Absolut-Drehwinkelgeber mit einer „Genauigkeit“ kleiner/gleich 1,0 Bogensekunden und dafür besonders konstruierte Encoderringe, -scheiben oder -skalen; g. Thyristoren und ‚Thyristormodule‘ für den Impulsbetrieb, die elektrisch, optisch oder durch Elektronenstrahl (electron radiation) geschaltet werden, und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Maximale Einschalt-Stromsteilheit (di/dt) größer als 30 000 A/μs und Sperrspannung größer als 1 100 V oder 2. maximale Einschalt-Stromsteilheit (di/dt) größer als 2 000 A/μs und mit allen folgenden Eigenschaften: a. Spitzensperrspannung größer/gleich 3 000 V und b. Stoßstromgrenzwert (peak (surge) current) größer/gleich 3 000 A; Anmerkung 1: Unternummer 3A001g schließt ein: SCRs (Silicon Controlled Rectifiers) ETTs (Electrical Triggering Thyristors) LTTs (Light Triggering Thyristors) IGCTs (Integrated Gate Commutated Thyristors) GTOs (Gate Turn-off Thyristors) MCTs (MOS Controlled Thyristors) Solidtrons Anmerkung 2: Unternummer 3A001g erfasst nicht Thyristoren und ‚Thyristormodule‘, die eingebaut sind in Ausrüstung, die für Anwendungen in zivilen Schienenfahrzeugen oder „zivilen Luftfahrzeugen“ entworfen ist. Technische Anmerkung: Im Sinne der Unternummer 3A001g enthält ein ‚Thyristormodul‘ einen oder mehrere Thyristoren. h. Halbleiter-Leistungsschalter, Leistungsdioden oder ‚Module’ mit allen folgenden Eigenschaften: 1. ausgelegt für eine maximale Betriebstemperatur des pn-Übergangs größer als 488 K (215 °C), 2. periodische Spitzenspannung im ausgeschalteten Zustand (blocking voltage) größer als 300 V und 3. Dauerstrom größer als 1 A. Anmerkung 1: Periodische Spitzenspannung im ausgeschalteten Zustand in Unternummer 3A001h schließt ein: Drain-Source-Spannung, Kollektor-Emitter-Spannung, periodische Spitzensperrspannung und periodische Spitzenblockierspannung im ausgeschalteten Zustand. Anmerkung 2: Unternummer 3A001h schließt ein: JFETs (Junction Field Effect Transistors) VJFETs (Vertical Junction Field Effect Transistors) MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors) DMOSFETs (Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors) IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) BJTs (Bipolar Junction Transistors) SCRs (Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers) GTOs (Gate Turn-Off Thyristoren) ETOs (Emitter Turn-Off Thyristoren) PiN-Dioden Schottky-Dioden Anmerkung 3: Unternummer 3A001h erfasst nicht Schalter, Dioden oder ‚Module‘; die enthalten sind in Ausrüstung, welche entwickelt wurde für Anwendungen in zivilen Automobilen, zivilen Eisenbahnen oder „zivilen Flugzeugen“. Technische Anmerkung: Im Sinne der Unternummer 3A001h enthält ein ‚Modul‘ einen oder mehrere Halbleiter-Leistungsschalter oder Leistungsdioden. i. Elektrooptische Modulatoren für Stärke, Amplitude oder Phase, konstruiert für analoge Signale und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. mit maximaler Betriebsfrequenz von mehr als 10 GHz, jedoch weniger als 20 GHz, und optischer Dämpfung kleiner/gleich 3 dB und mit einer der folgenden Eigenschaften: a. einer ‚Halbwellenspannung‘ (‚Vπ‘) unter 2,7 V, gemessen bei einer Frequenz von 1 GHz oder weniger; oder b. einer ‚Vπ‘ unter 4 V, gemessen bei einer Frequenz über 1 GHz; oder 2. mit maximaler Betriebsfrequenz größer/gleich 20 GHz und optischer Dämpfung kleiner/gleich 3 dB und mit einer der folgenden Eigenschaften: a. einer ‚Vπ‘ unter 3,3 V, gemessen bei einer Frequenz von 1 GHz oder weniger; oder b. einer ‚Vπ‘ unter 5 V, gemessen bei einer Frequenz von mehr als 1 GHz; Anmerkung: Unternummer 3A001i schließt elektrooptische Modulatoren mit optischen Ein- und Ausgabeanschlüssen (z. B. fiberoptische Pigtails) ein. Technische Anmerkung: Im Sinne der Unternummer 3A001i ist eine ‚Halbwellenspannung‘ (‚Vπ‘) die angelegte Spannung, die benötigt wird, um einen Phasenwechsel von 180 Grad in der Wellenlänge des Lichts zu bewirken, das sich durch den optischen Modulator fortpflanzt.