Nr. Beschreibung Referenznummer des Gutes in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 428/2009

IX.A3.001 Elektronische Bauelemente und Baugruppen (items) wie folgt: a) integrierte Schaltungen für allgemeine Anwendungen wie folgt: Anmerkung: 1. Die Erfassung von (fertigen oder noch nicht fertigen) Wafern, deren Funktion festliegt, richtet sich nach den Parametern von Unternummer 3A001.a. 2. Zu den integrierten Schaltungen gehören: — „monolithisch integrierte Schaltungen“, — „integrierte Hybrid-Schaltungen“, — „integrierte Multichip-Schaltungen“, — „integrierte Schichtschaltungen“ einschließlich integrierter Schaltungen in SOS-Technologie, — „integrierte optische Schaltungen“, — „dreidimensionale integrierte Schaltungen“. — „monolithisch integrierte Mikrowellenschaltungen“ („MMICs“). 3A001.a

IX.A3.002 Integrierte Schaltungen, entwickelt oder ausgelegt für eine der folgenden Strahlungsfestigkeiten: a) Gesamtdosis größer/gleich 5 × 103 Gy (Silizium), b) Dosisrate größer/gleich 5 x 106 Gy (Silizium)/s, oder c) integrierter Teilchenfluss (integrated flux) der Neutronen (1 MeV-Äquivalent) größer/gleich 5 × 1 013 n/cm2 bezogen auf Silizium oder der äquivalente Wert für andere Materialien. Anmerkung: Diese Kategorie erfasst nicht Metall/Isolator/Halbleiter-Strukturen (MIS-Strukturen). 3A001.a.

IX.A3.003 „Mikroprozessoren“, „Mikrocomputer“, Mikrocontroller, elektrisch löschbare, programmierbare Festwertspeicher (EEPROMs), Flash-Speicher, statische Schreib-Lese-Speicher (SRAM), magnetische Schreib-Lese-Speicher (MRAM), aus einem Verbindungshalbleiter hergestellte integrierte Speicherschaltungen, Analog-Digital-Wandler, integrierte Schaltungen, die Analog-Digital-Wandler enthalten und die digitalisierten Daten speichern oder verarbeiten, Digital-Analog-Wandler, elektrooptische oder „integrierte optische Schaltungen“ für die „Signaldatenverarbeitung“, anwenderprogrammierbare Logikschaltkreise (FPLDs), kundenspezifische integrierte Schaltungen, deren Funktion oder deren Erfassungsstatus in Bezug auf die Endbenutzergeräte unbekannt ist, oder FFT-Prozessoren (Fast Fourier Transform) mit einer der folgenden Eigenschaften: a) ausgelegt für eine Betriebstemperatur über 398 K (+ 125 °C), b) ausgelegt für eine Betriebstemperatur unter 218 K (– 55 °C) oder c) ausgelegt für einen Betriebstemperaturbereich von 218 K (– 55 °C) bis 398 K (+ 125 °C); Anmerkung: Diese Kategorie erfasst nicht integrierte Schaltungen, die in zivilen Kraftfahrzeugen oder Eisenbahnzügen verwendet werden. 3A001.a.2

IX.A3.004 Elektrooptische oder „integrierte optische Schaltungen“, entwickelt für die „Signaldatenverarbeitung“ und mit allen folgenden Eigenschaften: a) mit einer oder mehreren internen „Laser“-Diode(n), b) mit einem oder mehreren internen lichtempfindlichen Element(en) und c) mit optischen Strahlführungselementen. 3A001.a.

IX.A3.005 4. Anwenderprogrammierbare Logikschaltkreise (FPLDs) mit einer der folgenden Eigenschaften: a) maximale Anzahl digitaler single-ended Ein-/Ausgaben größer als 700 oder b) „aggregierte serielle Spitzendatenrate des Transceivers bei Einwegübertragung“ größer/gleich 500 Gb/s. Anmerkung: Diese Kategorie umfasst: — SPLDs (Simple Programmable Logic Devices), — CPLDs (Complex Programmable Logic Devices), — FPGAs (Field Programmable Gate Arrays), — FPLAs (Field Programmable Logic Arrays), — FPICs (Field Programmable Interconnects). 3A001.a.

IX.A3.006 Integrierte Schaltungen für neuronale Netze; 3A001.a.

IX.A3.007 kundenspezifische integrierte Schaltungen, deren Funktion unbekannt ist oder deren Erfassungsstatus in Bezug auf die Endbenutzergeräte dem Hersteller nicht bekannt ist, mit einer der folgenden Eigenschaften: a) mehr als 1 500 Anschlüsse; b) typische „Signallaufzeit des Grundgatters“ (basic gate propagation delay time) kleiner als 0,02 ns oder c) Betriebsfrequenz größer als 3 GHz. 3A001.a.

IX.A3.008 Integrierte Schaltungen für Direct Digital Synthesizer (DDS) mit einer der folgenden Eigenschaften: a) Digital-Analog-Wander-(DAC)-Traktfrequenz größer/gleich 3,5 GHz und eine DAC-Auflösung größer/gleich 10 bit, aber kleiner als 12 bit oder b) DAC-Taktfrequenz größer/gleich 1,25 GHz und eine DAC-Auflösung größer/gleich 12 bit. Technische Anmerkung: Die DAC-Taktfrequenz kann als die Taktgeberfrequenz oder die Eingangstaktfrequenz spezifiziert werden. 3A001.a.

IX.A3.009 Mikro- oder Millimeterwellenbauelemente (items) wie folgt: a) „elektronische Vakuumbauelemente“ mit Wanderfeld, für Impuls- oder Dauerstrichbetrieb; 1. Geräte, betrieben bei Frequenzen oberhalb 31,8 GHz; 2. Geräte mit einer Kathodenheizung, die eine Einschaltzeit von weniger als 3 Sekunden bis zum Erreichen der HF-Nennleistung ermöglicht, 3. hohlraumgekoppelte oder davon abgeleitete Geräte, mit einer „normierten Bandbreite“ größer als 7 % oder einer Spitzenleistung größer als 2,5 kW; 4. Geräte, die auf Schaltungen mit Wendelwellenleitern, gefalteten Wellenleitern oder schlangenlinienförmigen Wellenleitern basieren, oder davon abgeleitete Geräte mit einer der folgenden Eigenschaften: a. „Momentan-Bandbreite“ größer als eine Oktave und Produkt der mittleren Leistung (in Kilowatt) und der Frequenz (in Gigahertz) größer als 0,5; b. „Momentan-Bandbreite“ kleiner/gleich eine Oktave und Produkt der mittleren Leistung (in Kilowatt) und der Frequenz (in Gigahertz) größer als 1; c. „weltraumgeeignet“ oder d. mit einer Elektronenkanone mit Gitterelektroden; 5. Geräte, mit einer „normierten Bandbreite“ größer/gleich 10 % mit einer der folgenden Eigenschaften: a. einem ringförmigen Elektronenstrahl; b. einem nicht rotationssymmetrischen Elektronenstrahl oder c. Mehrfach-Elektronenstrahlen; b) verstärkende „elektronische Vakuumbauelemente“ mit Cross-Field und einem Verstärkungsfaktor größer als 17 dB, c) thermionische Kathoden, entwickelt für „elektronische Vakuumbauelemente“, zur Erzeugung einer Emissionsstromdichte größer als 5 A/cm2 bei Nenn-Betriebsbedingungen oder einer Impulsstromdichte (kein Dauerstrom) größer als 10 A/cm2 bei Nenn-Betriebsbedingungen; d) „elektronische Vakuumbauelemente“, die im „Dualmodus“ betrieben werden können. Technische Anmerkung: „Dualmodus“ bedeutet, dass beim Strahlstrom des „elektronischen Vakuumbauelements“ mithilfe eines Gitters wahlweise zwischen Dauerstrichbetrieb und Pulsbetrieb gewechselt werden kann, wobei die Puls-Spitzenausgangsleistung größer ist als die Dauerstrich-Spitzenausgangsleistung. 3A001.b.

IX.A3.010 „monolithisch integrierte Mikrowellenverstärkerschaltungen“ („MMIC“-Verstärker) mit einer der folgenden Eigenschaften: a) ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer 2,7 GHz bis einschließlich 6,8 GHz, bei einer „normierten Bandbreite“ (fractional bandwidth) größer als 15 % und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Spitzensättigungsausgangsleistung größer 75 W (48,75 dBm) bei einer Frequenz größer 2,7 GHz bis einschließlich 2,9 GHz; 2. Spitzensättigungsausgangsleistung größer 55 W (47,4 dBm)) bei einer Frequenz größer 2,9 GHz bis einschließlich 3,2 GHz; 3. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 40 W (46 dBm) bei einer Frequenz größer als 3,2 GHz bis einschließlich 3,7 GHz oder 4. Spitzensättigungsausgangsleistung größer 20 W (43 dBm) bei einer Frequenz größer 3,7 GHz bis einschließlich 6,8 GHz; b) ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer 6,8 GHz bis einschließlich 16 GHz, bei einer „normierten Bandbreite“ (fractional bandwidth) größer 10 % und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 10 W (40 dBm) bei einer Frequenz größer als 6,8 GHz bis einschließlich 8,5 GHz oder 2. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 5 W (37 dBm) bei einer Frequenz größer als 8,5 GHz bis einschließlich 16 GHz; c) ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer 3 W (34,77 dBm) bei einer Frequenz größer 16 GHz bis einschließlich 31,8 GHz und einer „normierten Bandbreite“ (fractional bandwidth) größer 10 %; d) ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 0,1 nW (– 70 dBm) bei einer Frequenz größer als 31,8 GHz bis einschließlich 37 GHz; e) ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer 1 W (30 dBm) bei einer Frequenz größer 37 GHz bis einschließlich 43,5 GHz und bei einer „normierten Bandbreite“ (fractional bandwidth) größer 10 %; f) ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer 31,62 mW (15 dBm) bei einer Frequenz größer 43,5 GHz bis einschließlich 75 GHz und bei einer „normierten Bandbreite“ (fractional bandwidth) größer 10 %; g) ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 10 mW (10 dBm) bei einer Frequenz größer als 75 GHz bis einschließlich 90 GHz und einer „normierten Bandbreite“ (fractional bandwidth) größer als 5 % oder h) ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer 0,1 nW (– 70 dBm) bei einer Frequenz größer 90 GHz. Anmerkung: 1. Der Erfassungsstatus von MMIC, deren Betriebsfrequenzbereich Frequenzen in mehr als einem Frequenzbereich überstreicht, richtet sich nach dem niedrigsten Grenzwert für die Spitzensättigungsausgangsleistung. 2. Diese Kategorie erfasst nicht MMICs, die für andere Anwendungen besonders konstruiert sind, wie z. B. Telekommunikation, Radar, Kraftfahrzeuge. 3A001.b.

IX.A3.011 Diskrete Mikrowellentransistoren mit einer der folgenden Eigenschaften: a) ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer 2,7 GHz bis einschließlich 6,8 GHz mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Spitzensättigungsausgangsleistung größer 400 W (56 dBm) bei einer Frequenz größer 2,7 GHz bis einschließlich 2,9 GHz; 2. Spitzensättigungsausgangsleistung größer 205 W (53,12 dBm)) bei einer Frequenz größer 2,9 GHz bis einschließlich 3,2 GHz; 3. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 115 W (50,61 dBm) bei einer Frequenz größer als 3,2 GHz bis einschließlich 3,7 GHz oder 4. Spitzensättigungsausgangsleistung größer 60 W (47,78 dBm) bei einer Frequenz größer 3,7 GHz bis einschließlich 6,8 GHz; b) ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer 6,8 GHz bis einschließlich 31,8 GHz mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Spitzensättigungsausgangsleistung größer 50 W (47 dBm)) bei einer Frequenz größer 6,8 GHz bis einschließlich 8,5 GHz; 2. Spitzensättigungsausgangsleistung größer 15 W (41,76 dBm) bei einer Frequenz größer 8,5 GHz bis einschließlich 12 GHz; 3. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 40 W (46 dBm) bei einer Frequenz größer als 12 GHz bis einschließlich 16 GHz oder 4. Spitzensättigungsausgangsleistung größer 7 W (38,45 dBm)) bei einer Frequenz größer 16 GHz bis einschließlich 31,8 GHz; c) ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer 0,5 W (27 dBm) bei einer Frequenz größer 31,8 GHz bis einschließlich 37 GHz; d) ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer 1 W (30 dBm) bei einer Frequenz größer 37 GHz bis einschließlich 43,5 GHz oder e) ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer 0,1 nW (– 70 dBm) bei einer Frequenz größer 43,5 GHz. Anmerkung: 1. Der Erfassungsstatus von Mikrowellentransistoren, deren Betriebsfrequenzbereich Frequenzen in mehr als einem Frequenzbereich überstreicht, richtet sich nach dem niedrigsten Grenzwert für die Spitzensättigungsausgangsleistung. 2. Diese Kategorie umfasst gehäuste und ungehäuste Chips sowie auf Träger montierte Chips. Bestimmte diskrete Transistoren können auch als Leistungsverstärker bezeichnet werden. 3A001.b.

IX.A3.012 Halbleitermikrowellenverstärker, Mikrowellenbaugruppen, die Mikrowellenhalbleiterverstärker enthalten, und Mikrowellenmodule, die Mikrowellenhalbleiterverstärker enthalten, mit einer der folgenden Eigenschaften: a) ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer 2,7 GHz bis einschließlich 6,8 GHz, bei einer „normierten Bandbreite“ (fractional bandwidth) größer als 15 % und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Spitzensättigungsausgangsleistung größer 500 W (57 dBm) bei einer Frequenz größer 2,7 GHz bis einschließlich 2,9 GHz; 2. Spitzensättigungsausgangsleistung größer 270 W (54,3 dBm)) bei einer Frequenz größer 2,9 GHz bis einschließlich 3,2 GHz; 3. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 200 W (53 dBm) bei einer Frequenz größer als 3,2 GHz bis einschließlich 3,7 GH oder 4. Spitzensättigungsausgangsleistung größer 90 W (49,54 dBm) bei einer Frequenz größer 3,7 GHz bis einschließlich 6,8 GHz; b) ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer als 6,8 GHz bis einschließlich 31,8 GHz, bei einer „normierten Bandbreite“ (fractional bandwidth) größer als 10 % und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Spitzensättigungsausgangsleistung größer 70 W (48,54 dBm)) bei einer Frequenz größer 6,8 GHz bis einschließlich 8,5 GHz; 2. Spitzensättigungsausgangsleistung größer 50 W (47 dBm)) bei einer Frequenz größer 8,5 GHz bis einschließlich 12 GHz; 3. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 30 W (44,77 dBm) bei einer Frequenz größer als 12 GHz bis einschließlich 16 GHz oder 4. Spitzensättigungsausgangsleistung größer 20 W (43 dBm) bei einer Frequenz größer 16 GHz bis einschließlich 31,8 GHz; c) ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer 0,5 W (27 dBm) bei einer Frequenz größer 31,8 GHz bis einschließlich 37 GHz; d) ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer 2 W (33 dBm) bei einer Frequenz größer 37 GHz bis einschließlich 43,5 GHz und bei einer „normierten Bandbreite“ (fractional bandwidth) größer 10 %; e) ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer 43,5 GHz und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Spitzensättigungsausgangsleistung größer 0,2 W (23 dBm) bei einer Frequenz größer 43,5 GHz bis einschließlich 75 GHz und einer „normierten Bandbreite“ (fractional bandwidth) größer 10 %; 2. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 20 mW (13 dBm) bei einer Frequenz größer als 75 GHz bis einschließlich 90 GHz und einer „normierten Bandbreite“ (fractional bandwidth) größer als 5 % oder 3. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 0,1 nW (-70 dBm) bei einer Frequenz größer als 90 GHz. Anmerkung: Der Erfassungsstatus von Ausrüstung, deren Betriebsfrequenzbereich Frequenzen in mehr als einem Frequenzbereich überstreicht, richtet sich nach dem niedrigsten Grenzwert für die Spitzensättigungsausgangsleistung. 3A001.b.

IX.A3.013 Elektronisch oder magnetisch abstimmbare Bandpassfilter oder Bandsperrfilter mit mehr als fünf abstimmbaren Resonatoren, die in weniger als 10 μs über einen Frequenzbereich im Verhältnis 1,5:1 (fmax/fmin) abgestimmt werden können, und mit einer der folgenden Eigenschaften: a) mit einer Durchlassbandbreite größer als 0,5 % der Mittenfrequenz oder b) mit einer Sperrbandbreite kleiner als 0,5 % der Mittenfrequenz. 3A001.b.

IX.A3.014 Umsetzer und Oberwellenmischer mit einer der folgenden Eigenschaften: a) konstruiert, um den Frequenzbereich von „Signalanalysatoren“ über 90 GHz hinaus zu erweitern; b) konstruiert, um den Betriebsfrequenzbereich von „Signalanalysatoren“ wie folgt zu erweitern: 1. über 90 GHz hinaus, 2. auf eine Ausgangsleistung größer als 100 mW (20 dBm) innerhalb des Frequenzbereichs größer als 43,5 GHz und kleiner/gleich 90 GHz; c) konstruiert, um den Betriebsfrequenzbereich von „Signalanalysatoren“ wie folgt zu erweitern: 1. über 110 GHz hinaus; 2. auf eine Ausgangsleistung größer als 31,62 mW (15 dBm) innerhalb des Frequenzbereichs größer als 43,5 GHz und kleiner/gleich 90 GHz; 3. auf eine Ausgangsleistung größer als 1 mW (0 dBm) innerhalb des Frequenzbereichs größer als 90 GHz und kleiner/gleich 110 GHz oder d) konstruiert, um den Frequenzbereich von Mikrowellentestempfänger über 110 GHz hinaus zu erweitern. 3A001.b.

IX.A3.015 Mikrowellenleistungsverstärker mit den vorstehend aufgeführten „elektronischen Vakuumbauelementen“ und mit allen folgenden Eigenschaften: a) Betriebsfrequenz größer als 3 GHz; b) mittleres Verhältnis von Ausgangsleistung zu Masse größer als 80 W/kg und c) Volumen kleiner als 400 cm3. Anmerkung: Diese Kategorie erfasst nicht Ausrüstung, konstruiert oder ausgelegt für den Betrieb in einem Frequenzband, das für Funkdienste, jedoch nicht für Ortungsfunkdienste, „von der Internationalen Fernmeldeunion (ITU) zugewiesen“ ist. 3A001.b.

IX.A3.016 Mikrowellenleistungsmodule (Mcrowave Power Modules, MPM), bestehend aus mindestens einem „elektronischen Vakuumbauelement“ mit Wanderfeld, einer „monolithisch integrierten Mikrowellenschaltung“ („MMIC“) und einer integrierten elektronischen Regelung der Stromversorgung und mit allen folgenden Eigenschaften: a) „Hochlaufzeit“ bis auf Nennleistung kleiner als 10 Sekunden; b) Volumen kleiner als die maximale spezifizierte Leistung in Watt multipliziert mit 10 cm3/W und c) „Momentanbandbreite“ größer als 1 Oktave (fmax > 2fmin) und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. HF-Ausgangsleistung größer als 100 W im Frequenzbereich kleiner/gleich 18 GHz oder 2. Frequenzbereich größer als 18 GHz. Technische Anmerkungen: 1. Für die Berechnung des Volumens in Buchstabe b wird folgendes Beispiel angeführt: Für eine maximale spezifizierte Leistung von 20 W ergibt sich: 20 W × 10 cm 3 /W = 200 cm 3 . 2. Die „Hochlaufzeit“ gemäß Buchstabe a bezieht sich auf die Zeit vom Zustand des vollständigen Ausgeschaltetseins bis zum Zustand der vollständigen Betriebsfähigkeit, d. h. die Aufwärmzeit des Moduls ist eingeschlossen. 3A001.b.

IX.A3.017 Oszillatoren oder Oszillator-Baugruppen, spezifiziert für den Betrieb mit einem Phasenrauschen im Einseitenband (SSB) in dBc/Hz kleiner (besser) als -(126 + 20log10F – 20log10f) im Bereich 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz. Technische Anmerkung: In der vorstehenden Kategorie bezeichnet F den Abstand von der Betriebsfrequenz (in Hertz) und f die Betriebsfrequenz (in Megahertz). 3A001.b.

IX.A3.018 elektronische „Frequenz-Synthesizer“-Baugruppen mit einer „Frequenzumschaltzeit“ gemäß einer der folgenden Spezifikationen: a) kleiner als 143 ps; b) kleiner als 100 μs für jeden Frequenzwechsel größer als 2,2 GHz innerhalb des synthetisierten Frequenzbereiches größer als 4,8 GHz bis kleiner/gleich 31,8 GHz; c) kleiner 500 μs für jeden Frequenzwechsel größer als 550 MHz innerhalb des synthetisierten Frequenzbereichs größer als 31,8 GHz und kleiner/gleich 37 GHz; d) kleiner 100 μs für jeden Frequenzwechsel größer als 2,2 GHz innerhalb des synthetisierten Frequenzbereichs größer als 37 GHz und kleiner/gleich 90 GHz, oder e) kleiner als 1 ms innerhalb des synthetisierten Frequenzbereichs größer 90 GHz. 3A001.b.

IX.A3.019 „Sende-/Empfangsmodule“, „Sende-/Empfangs-MMICs“, „Sendemodule“ und „Sende-MMICs“, ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer als 2,7 GHz und mit allen folgenden Eigenschaften: a) Spitzensättigungsausgangsleistung (in Watt), Psat, größer als 505,62 geteilt durch das Quadrat der maximalen Betriebsfrequenz (in GHz) [Psat > 505,62 W*GHz2/fGHz 2] für jeden Kanal; b) „normierte Bandbreite“ größer/gleich 5 % für jeden Kanal; c) eine der planaren Seiten mit der Länge d (in cm) kleiner/gleich 15 geteilt durch die kleinste Betriebsfrequenz in GHz [d ≤ 15 cm*GHz*n/fGHz], wobei n für die Anzahl der Sende- oder Sende-/Empfangskanäle steht und d) einem elektronisch regelbaren Phasenschieber pro Kanal. Technische Anmerkungen: 1. Ein „Sende-/Empfangsmodul“ ist eine multifunktionale „elektronische Baugruppe“, die bidirektionale Amplitude und Phasenregelung für das Senden und Empfangen von Signalen aufweist. 2. Ein „Sendemodul“ ist eine „elektronische Baugruppe“, die Amplitude und Phasenregelung für das Senden von Signalen aufweist. 3. Eine „Sende-/Empfangs-MMIC“ ist eine multifunktionale „MMIC“, die bidirektionale Amplitude und Phasenregelung für das Senden und Empfangen von Signalen aufweist. 4. Eine „Sende-MMIC“ ist eine „MMIC“, die Amplitude und Phasenregelung für das Senden von Signalen aufweist. 5. Bei Sende-/Empfangs- oder Sendemodulen, deren spezifizierter Betriebsfrequenzbereich 2,7 GHz unterschreitet, soll für die Berechnungsformel in Buchstabe c als unterer Grenzwert (fGHz) 2,7 GHz verwendet werden [d≤15cm*GHz/2,7 GHz]. 6. Unternummer IX.A3.019 gilt für „Sende-/Empfangsmodule“ oder „Sendemodule“ mit oder ohne Wärmesenke. Anteile des „Sende-/Empfangsmoduls“ oder „Sendemoduls“, die als Wärmesenke dienen, werden für den Wert von Unternummer 11.c. Buchstabe d nicht berücksichtigt. 7. „Sende-/Empfangsmodule“, „Sendemodule“' „Sende-/Empfangs-MMICs“ oder „Sende-MMICs“ können N integrierte abstrahlende Antennenelemente enthalten, wobei N für die Anzahl der Sende- oder Sende-/Empfangskanäle steht. 3A001.b.

IX.A3.020 Vorrichtungen mit akustischen Oberflächenwellen (surface acoustic waves) und mit akustischen, oberflächennahen Volumenwellen (surface skimming [shallow bulk] acoustic waves), mit einer der folgenden Eigenschaften: a) Trägerfrequenz größer als 6 GHz; b) Trägerfrequenz größer als 1 GHz und kleiner/gleich 6 GHz und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. „Frequenz-Nebenkeulendämpfung“ größer als 65 dB, 2. Produkt aus maximaler Verzögerungszeit (in Mikrosekunden) und Bandbreite (in Megahertz) größer als 100, 3. Bandbreite größer als 250 MHz oder 4. dispergierende Verzögerung größer als 10 μs oder c) Trägerfrequenz kleiner/gleich 1 GHz und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Produkt aus maximaler Verzögerungszeit (in Mikrosekunden) und Bandbreite (in Megahertz) größer als 100, 2. dispergierende Verzögerung größer als 10 μs oder 3. „Frequenz-Nebenkeulendämpfung“ größer als 65 dB und Bandbreite größer als 100 MHz. 3A001.c.

IX.A3.021 akustische Volumenwellenvorrichtungen, mit denen die unmittelbare Aufbereitung von Signalen bei einer Frequenz größer als 6 GHz möglich ist. 3A001.c.

IX.A3.022 Akustisch-optische „Signaldatenverarbeitungs“-Vorrichtungen, die die Wechselwirkung zwischen Schallwellen (Volumen- oder Oberflächenwellen) und Lichtwellen ausnutzen und die eine unmittelbare Aufbereitung von Signalen oder Bildern ermöglichen einschließlich Spektralanalyse, Korrelation oder Konvolution (Faltung). 3A001.c.

IX.A3.023 Elektronische Bauelemente oder Schaltungen, die Bauteile aus „supraleitenden“ Werkstoffen oder Materialien enthalten, besonders konstruiert für den Betrieb bei Temperaturen unter der „kritischen Temperatur“ von wenigstens einem ihrer „supraleitenden“ Bestandteile und mit einer der folgenden Eigenschaften: a) Stromschalter für digitale Schaltungen mit „supraleitenden“ Gattern mit einem Produkt aus Laufzeit pro Gatter (in Sekunden) und Verlustleistung je Gatter (in Watt) kleiner als 10– 14 J oder b) Frequenzselektion bei allen Frequenzen mit Resonanzkreisen, die Gütefaktoren von mehr als 10 000 aufweisen. 3A001.d.

IX.A3.024 Hochenergiezellen wie folgt: a „Primärzellen“ mit einer „Energiedichte“ größer 550 Wh/kg bei 20 °C; b) „Sekundärzellen“ mit einer „Energiedichte“ größer als 350 Wh/kg bei 20 °C. Technische Anmerkungen: 1. Für die Zwecke von hochenergetischen Geräten wird die „Energiedichte“ (Wh/kg) berechnet aus der Nominalspannung multipliziert mit der nominellen Kapazität (in Amperestunden (Ah)) geteilt durch die Masse (in Kilogramm). Falls die nominelle Kapazität nicht angegeben ist, wird die Energiedichte berechnet aus der quadrierten Nominalspannung multipliziert mit der Entladedauer (in Stunden), dividiert durch die Entladelast (in Ohm) und die Masse (in Kilogramm). 2. Für die Zwecke von hochenergetischen Geräten wird „Zelle“ definiert als ein elektrochemisches Bauelement, das über positive und negative Elektroden sowie über den Elektrolyten verfügt und eine Quelle für elektrische Energie ist. Sie ist die Grundeinheit einer Batterie. 3. Für die Zwecke von hochenergetischen Geräten wird „Primärzelle“ definiert als eine „Zelle“, die nicht durch irgendeine andere Quelle aufgeladen werden kann. 4. Für die Zwecke von hochenergetischen Geräten wird „Sekundärzelle“ definiert als eine „Zelle“, die durch eine externe elektrische Quelle aufgeladen werden kann. Anmerkung: Hochenergetische Geräte umfassen nicht Batterien, auch nicht Batterien, die aus einzelnen Zellen bestehen (single cell batteries). 3A001.e.

IX.A3.025 Hochenergie-Speicherkondensatoren wie folgt: a) Kondensatoren mit einer Folgefrequenz kleiner als 10 Hz (single shot capacitors) und mit allen folgenden Eigenschaften: 1. Nennspannung größer/gleich 5 kV; 2. Energiedichte größer/gleich 250 J/kg und 3. Gesamtenergie größer/gleich 25 kJ; b) Kondensatoren mit einer Folgefrequenz größer/gleich 10 Hz (repetition rated capacitors) und mit allen folgenden Eigenschaften: 1. Nennspannung größer/gleich 5 kV; 2. Energiedichte größer/gleich 50 J/kg; 3. Gesamtenergie größer/gleich 100 J und 4. Lebensdauer größer/gleich 10 000 Ladungs-/Entladungszyklen. 3A001.e.

IX.A3.026 „Supraleitende“ Elektromagnete oder Zylinderspulen, besonders konstruiert, um in weniger als einer Sekunde vollständig geladen oder entladen zu werden, und mit allen folgenden Eigenschaften: Anmerkung: Der vorstehende Eintrag erfasst nicht „supraleitende“ Elektromagnete oder Zylinderspulen, besonders konstruiert für medizinisches Gerät für Magnetresonanzbilderzeugung (Magnetic Resonance Imaging). a) Energieabgabe während der ersten Sekunde der Entladung größer als 10 kJ; b) innerer Durchmesser der Strom führenden Windungen größer als 250 mm und c) spezifiziert für eine magnetische Induktion größer als 8 Tesla oder eine „Gesamtstromdichte“ (overall current density) in der Windung größer als 300 A/mm2. 3A001.e.

IX.A3.027 „Weltraumgeeignete“ Solarzellen, CIC-Baugruppen (cell-interconnect-coverglass assemblies), Solarpaneele und Solararrays, mit einem minimalen mittleren Wirkungsgrad größer 20 % gemessen bei einer Betriebstemperatur von 301 K (28 °C) und einer simulierten „AM0“-Beleuchtung mit einer Strahlungsleistung von 1 367 Watt pro Quadratmeter (W/m2). Technische Anmerkung: „AM0“ oder „Air Mass Zero“ bezieht sich auf die spektrale Verteilung der Strahlungsleistung des Sonnenlichts in der äußeren Erdatmosphäre, wenn der Abstand zwischen Erde und Sonne eine Astronomische Einheit (1 AU) beträgt. 3A001.e.

IX.A3.028 Absolut-Drehwinkelgeber mit einer „Genauigkeit“ kleiner/gleich 1,0 Bogensekunden und dafür besonders konstruierte Encoderringe, -scheiben oder -skalen. 3A001.f.

IX.A3.029 Thyristoren und „Thyristormodule“ für den Impulsbetrieb, die elektrisch, optisch oder durch Elektronenstrahl (electron radiation) geschaltet werden, und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Maximale Einschalt-Stromsteilheit (di/dt) größer als 30 000 A/μμs und Sperrspannung größer als 1 100 V oder oder 2. maximale Einschalt-Stromsteilheit (di/dt) größer als 2 000 A/μμs und mit allen folgenden Eigenschaften: a. Spitzensperrspannung größer/gleich 3 000 V und b. Stoßstromgrenzwert (peak (surge) current) größer/gleich 3 000 A. Anmerkung: 1. Buchstabe g umfasst: — SCRs (Silicon Controlled Rectifiers) — ETTs (Electrical Triggering Thyristors) — LTTs (Light Triggering Thyristors) — IGCTs (Integrated Gate Commutated Thyristors) — GTOs (Gate Turn-off Thyristors) — MCTs (MOS Controlled Thyristors) — Solidtrons 2. Buchstabe g gilt nicht für Thyristoren und „Thyristormodule“, die eingebaut sind in Ausrüstung, die für Anwendungen in zivilen Schienenfahrzeugen oder „zivilen Luftfahrzeugen“ entworfen ist. Technische Anmerkung: Für die Zwecke von Buchstabe g umfasst ein „Thyristormodul“ einen oder mehrere Thyristoren. 3A001.g.

IX.A3.030 Halbleiter-Leistungsschalter, Leistungsdioden oder „Module“ mit allen folgenden Eigenschaften: 1. ausgelegt für eine maximale Betriebstemperatur des pn-Übergangs größer als 488 K (215 °C), 2. periodische Spitzenspannung im ausgeschalteten Zustand (blocking voltage) größer als 300 V und 3. Dauerstrom größer 1 A. Anmerkung: Periodische Spitzenspannung im ausgeschalteten Zustand gemäß der vorstehenden Nummer schließt ein: Drain-Source-Spannung, Kollektor-Emitter-Spannung, periodische Spitzensperrspannung und periodische Spitzenblockierspannung im ausgeschalteten Zustand. 3A001.h.

IX.A3.031 Aufzeichnungsgeräte und Oszilloskope wie folgt: 1. digitale Datenrekorder mit allen folgenden Eigenschaften: a. dauerhafter „kontinuierlicher Datendurchsatz“ größer als 6,4 Gbit/s auf eine Festplatte oder auf ein Halbleiterlaufwerk und b. Prozessor, der Funkfrequenz-Signaldaten analysiert, während diese aufgezeichnet werden. Technische Anmerkungen: 1. Für Rekorder mit einer parallelen Bus-Architektur ist der „kontinuierliche Datendurchsatz“ die höchste Wortrate (word rate) multipliziert mit der Anzahl der Bit pro Wort. 2. „Kontinuierlicher Datendurchsatz“ ist die schnellste Datenrate (data rate), den das Gerät auf Festplatte oder Halbleiterlaufwerk aufzeichnen kann, während die Eingangsdatenrate oder die Digitalisierer-Wandlungsrate aufrechterhalten wird, ohne dass es zu Informationsverlust kommt. 2. Echtzeit-Oszilloskope mit einer Rauschspannung (quadratischer Mittelwert, vertikale Achse), von weniger als 2 % des vollen Skalenwerts bei der Skaleneinstellung für die vertikale Achse, bei der sich der geringste Rauschwert für Inputs mit einer 3-dB-Bandbreite von 60 GHz oder größer pro Kanal ergibt. 3A002.a.

IX.A3.032 „Signalanalysatoren“ wie folgt: 1. „Signalanalysatoren“, mit einer 3 dB-Auflösebandbreite (resolution bandwidth, RBW) größer als 10 MHz im Frequenzbereich größer als 31,8 GHz und kleiner/gleich 37 GHz; 2. „Signalanalysatoren“, mit einem Displayed Average Noise Level (DANL) kleiner (besser) als -150 dBm/Hz innerhalb des Frequenzbereichs größer als 43,5 GHz und kleiner/gleich 90 GHz; 3. „Signalanalysatoren“ mit einer Frequenz größer als 90 GHz; 4. „Signalanalysatoren“ mit allen folgenden Eigenschaften: a. „Echtzeitbandbreite“ größer 170 MHz und b. mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. 100 % Entdeckungswahrscheinlichkeit (probability of discovery) mit einer Verringerung von weniger als 3 dB des vollen Amplitudenwerts aufgrund von Lücken oder Windowing-Effekten von Signalen mit einer Dauer von 15 μs oder weniger; oder 2. „Frequenzmasken-Trigger“-Funktion mit 100 % Triggerwahrscheinlichkeit für Signale mit einer Dauer von 15 μs oder weniger. Technische Anmerkungen: 1. Die Entdeckungswahrscheinlichkeit (probability of discovery) gemäß Ziffer 1 wird auch als probability of intercept oder probability of capture bezeichnet. 2. Für die Zwecke von Ziffer 1 entspricht die Dauer für 100 % Entdeckungswahrscheinlichkeit der Mindestsignaldauer, die für das angegebene Niveau der Messunsicherheit erforderlich ist. Anmerkung: Diese Kategorie erfasst nicht „Signalanalysatoren“, die nur konstante, prozentuale Bandbreitenfilter verwenden (auch bekannt als Oktaven- oder Teiloktavenfilters). 3A002.c.

IX.A3.033 Signalgeneratoren mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Spezifiziert, um impulsmodulierte Signale mit allen folgenden Eigenschaften innerhalb des synthetisierten Frequenzbereichs größer als 31,8 GHz und kleiner/gleich 37 GHz zu generieren: a. „Impulsbreite“ kleiner als 25 ns und b. Ein-Aus-Verhältnis größer/gleich 65 dB. 2. Ausgangsleistung größer als 100 mW (20 dBm) innerhalb des synthetisierten Frequenzbereichs größer als 43,5 GHz und kleiner/gleich 90 GHz. 3. „Frequenzumschaltzeit“ gemäß einer der folgenden Spezifikationen: a. kleiner 100 μs für jeden Frequenzwechsel größer als 2,2 GHz innerhalb des synthetisierten Frequenzbereichs größer 4,8 GHz bis kleiner/gleich 31,8 GHz; b. kleiner 500 μs für jeden Frequenzwechsel größer als 550 MHz innerhalb des synthetisierten Frequenzbereichs größer 31,8 GHz bis kleiner/gleich 37 GHz; oder c. kleiner 100 μs für jeden Frequenzwechsel größer als 2,2 GHz innerhalb des synthetisierten Frequenzbereichs größer 37 GHz bis kleiner/gleich 90 GHz. 3A002.d.

IX.A3.034 Netzwerkanalysatoren mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Ausgangsleistung größer 31,62 mW (15 dBm) innerhalb des Betriebsfrequenzbereichs größer 43,5 GHz und kleiner oder gleich 90 GHz; 2. Ausgangsleistung größer 1 mW (0 dBm) innerhalb des Betriebsfrequenzbereichs größer 90 GHz und kleiner oder gleich 110 GHz; 3. „nichtlineare Vektormessfunktion“ bei Frequenzen größer als 50 GHz und kleiner/gleich 110 GHz oder 4. höchste Betriebsfrequenz größer als 110 GHz. Technische Anmerkung: Die „nichtlineare Messfunktion“ ist die Fähigkeit eines Instruments, die Testergebnisse von Geräten im Großsignalbereich oder im Bereich der nichtlinearen Verzerrung zu messen. 3A002.e.

IX.A3.035 Mikrowellenmessempfänger mit allen folgenden Eigenschaften: 1. höchste Betriebsfrequenz größer als 110 GHz. und 2. geeignet zur gleichzeitigen Messung von Amplitude und Phase. 3A002.f.

IX.A3.036 Atomfrequenznormale mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. „weltraumgeeignet“ 2. Atomfrequenznormale außer Rubidiumnormale mit einer Langzeitstabilität kleiner (besser) als 1 × 10– 11 pro Monat oder 3. nicht „weltraumgeeignet“ und mit allen folgenden Eigenschaften: a. Rubidiumnormale; b. Langzeitstabilität kleiner (besser) als 1 × 10– 11 pro Monat und c. Gesamtleistungsaufnahme geringer als 1 W. 3A002.f.

IX.A3.037 Ausrüstung für die Fertigung von Halbleiterbauelementen oder -materialien wie folgt sowie besonders konstruierte Bestandteile und besonders konstruiertes Zubehör hierfür: a) Ausrüstung, konstruiert für Ionenimplantation und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. konstruiert und optimiert, um für die Wasserstoff-, Deuterium- oder Heliumimplantation bei einer Elektronenenergie größer/gleich 20 keV und einem Strahlstrom größer/gleich 10 mA zu arbeiten, 2. mit Direktschreibbetrieb, 3. Elektronenenergie größer/gleich 65 keV und Strahlstrom größer/gleich 45 mA für das Implantieren von Sauerstoff mit hoher Energie in ein erhitztes Halbleiter„substrat“; oder 4. konstruiert und optimiert, um für die Siliziumimplantation in ein auf 600 °C oder mehr erhitztes Hableiter„substrat“ bei einer Elektronenenergie größer/gleich 20 keV und einem Strahlstrom größer/gleich 10 mA zu arbeiten. b) Anlagen für die Imprintlithographie, geeignet für die Herstellung von Strukturen kleiner/gleich 45 nm; 1. Step-and-repeat(direct step on wafer)- oder step-and-scan(scanner)-Justier- und Belichtungsanlagen für die Waferfertigung, die lichtoptische oder röntgentechnische Verfahren verwenden und eine der folgenden Eigenschaften haben: a. Wellenlänge der Lichtquelle kleiner als 193 nm oder b. geeignet, „kleinste auflösbare Strukturbreiten“ (KAS) von kleiner/gleich 45 nm zu erzeugen. Technische Anmerkung: Die ‚kleinste auflösbare Strukturbreite’ KAS wird berechnet nach der Formel: wobei K = 0,35 c) Anlagen, besonders konstruiert für die Maskenherstellung unter die Verwendung von abgelenkten, fokussierten Elektronenstrahlen, Ionenstrahlen oder „Laser“strahlen 3B001.b. 3B001.f. 3B001.f.

IX.A3.038 Anlagen für die Halbleiterherstellung, die Direktschreibverfahren verwenden; Masken oder Reticles, entwickelt für erfasste integrierte Schaltungen. 3B001.g.

IX.A3.038 Prüfgeräte, besonders konstruiert für das Testen von fertigen oder unfertigen Halbleiterbauelementen und Mikrowellengeräten wie folgt sowie besonders konstruierte Bestandteile und besonders konstruiertes Zubehör hierfür: a) zum Prüfen der S-Parameter von Transistoren bei Frequenzen größer als 31,8 GHz; b) zum Prüfen der vorstehend aufgeführten integrierten Mikrowellenschaltungen. 3B002

IX.A3.039 Hetero-epitaxiale Werkstoffe oder Materialien aus einem „Substrat“, das mehrere Epitaxieschichten aus einem der folgenden Materialien enthält: a) Silizium (Si); b) Germanium (Ge); c) Siliziumcarbid (SiC) oder d) „III/V-Verbindungen“ von Gallium oder Indium. Anmerkung: Gilt nicht für „Substrat“ mit einer oder mehreren p-Typ-Epitaxieschichten aus GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP oder InGaAlP, unabhängig von der Folge der Elemente, außer wenn die p-Typ-Epitaxieschicht zwischen n-Typ-Schichten liegt. 3C001

IX.A3.040 Fotoresists wie folgt und „Substrate“, die mit folgenden Fotoresists beschichtet sind: a) Fotoresists, entwickelt für die Halbleiter-Lithografie, wie folgt: 1. Positiv-Fotoresistes, eingestellt (optimiert) für den Einsatz bei Wellenlängen kleiner als 245 nm und größer/gleich 15 nm; 2. Fotoresistes, eingestellt (optimiert) für den Einsatz bei Wellenlängen kleiner als 15 nm und größer als 1 nm. b) alle Fotoresists, entwickelt zur Verwendung mit Elektronen- oder Ionenstrahlen mit einer Empfindlichkeit besser/gleich 0,01 μC/mm2; c) alle Fotoresists, optimiert für Oberflächen-Belichtungstechnologien; d) alle Fotoresists, entwickelt oder optimiert für die Verwendung in Anlagen für die Imprintlithografie, geeignet Strukturbreiten von kleiner/gleich 45 nm zu erzeugen, die entweder thermische oder lichtaushärtende Prozesse verwenden. 3C002

IX.A3.041 Organisch-anorganische Verbindungen: a) metallorganische Verbindungen aus Aluminium, Gallium oder Indium mit einer Reinheit (bezogen auf das Metall) größer als 99,999 %; b) organische Arsen-, Antimon- oder Phosphorverbindungen mit einer Reinheit (bezogen auf das anorganische Element) größer als 99,999 %. 3C003

IX.A3.042 Phosphor-, Arsen- oder Antimonhydride mit einer Reinheit größer als 99,999 %, auch verdünnt in Inertgasen oder Wasserstoff. Anmerkung: Gilt nicht für Hydride, die 20 Molprozent oder mehr Inertgase oder Wasserstoff enthalten. 3C004

IX.A3.043 Siliziumkarbid- (SiC), Galliumnitrid- (GaN), Aluminiumnitrid- (AlN) oder Aluminiumgalliumnitrid-(AlGaN)-Halbleiter-„Substrate“ oder -Stäbe (ingots, boules) oder andere Vorformen dieser Materialien mit einem spezifischen Widerstand größer als 10 000 Ohm cm bei einer Temperatur von 20 °C. 3C005