20.12.86 AmtsblattderEuropäischen Gemeinschaften Nr.L362/1
I
(Veröffentlichungsbedürftige Rechtsakte )
VERORDNUNG (EWG)Nr.3841/86DESRATES
vom8.Dezember 1986
zurzeitweiligen Aussetzung derautonomen ZollsätzedesGemeinsamen Zolltarifsfüreinige
industrielle Waren
DERRATDEREUROPÄISCHEN GEMEINSCHAFTEN —
gestütztaufdenVertragzurGründung derEuropäischen
Wirtschaftsgemeinschaft ,insbesondere aufArtikel28,
nachKenntnisnahme vondemVerordnungsentwurf der
Kommission ,
inErwägung nachstehender Gründe :
DieindieserVerordnung genannten Warenwerdeninder
Gemeinschaft gegenwärtig nichtodernurinunzureichender
Mengehergestellt .DieHersteller könnensomitdenBedarf
derverarbeitenden Industrien derGemeinschaft nicht
decken .
EsliegtimInteressederGemeinschaft ,dieautonomen
ZollsätzedesGemeinsamen Zolltarifsinbestimmten Fällen,
indeneninsbesondere eineGemeinschaftsproduktion dieser
Warenbesteht,nurteilweiseundindenanderenFällen
vollständig auszusetzen .
Daesschwierigist,diekurzfristige Entwicklung derwirt­
schaftlichen Lageaufdenbetreffenden Gebietengenauzu
beurteilen ,solltendieAussetzungen nurzeitweiligerfolgen,
wobeiihreGültigkeitsdauer entsprechend denInteressender
Gemeinschaftsproduktion festzusetzen ist—HATFOLGENDE VERORDNUNG ERLASSEN :
Artikel 1
Dieautonomen Zollsätze desGemeinsamen Zolltarifs wer­
denfürdieindenTabellenimAnhangaufgeführten Waren
biszuderjeweilsangegebenen Höheausgesetzt .
DieseAussetzungen gelten
—vom1.Januar1987biszum31.März1987fürdiein
TabelleIaufgeführten Waren;
—vom1.Januar1987biszum30.Juni1987fürdiein
TabelleIIaufgeführten Waren.
Artikel2
DieseVerordnung trittam1.Januar1987inKraft.
DieseVerordnung istinallenihrenTeilenverbindlich undgiltunmittelbar injedem
Mitgliedstaat .
Geschehen zuBrüsselam8.Dezember 1986.
ImNamendesRates
DerPräsident
N.LAWSON

Nr.L362/2 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften 20.12.86
ANHANG
TABELLE I
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
o//o
ex38.19X Zubereitung aufderGrundlage vonAsphaltsulfonaten derAlkalimetalle ,miteinerDichtevon
nichtwenigerals1,2undnichtmehrals1,5undeinerWasserlöslichkeit von70Gewichts­
hundertteilen odermehr
PlattenauseinemMischpolymerisat ausMaleinsäureanhydrid undStyrol,beidseitigversehen
miteinerFolieausdemgenannten Mischpolymerisat ,modifiziert miteinemStyrol-Buta­
dien-Blockmischpolymerisat ,auchpigmentiert
Polyvinylalkoholfolien ,diesichinWasserbeieinerTemperatur von20°Cauflösen
Hafnium ,roh,miteinemReinheitsgrad von95Gewichtshundertteilen odermehrundeinem
GehaltanZirkonium vonnichtmehrals4,5Gewichtshundertteilen0
0
0
0ex39.02CVIb)
ex39.02CXI
ex81.04FI

20.12.86 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften Nr.L362/3
TABELLE II
Nummer des
jemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
Mineralöl miteinemGehaltanaromatischen Bestandteilen vonmehrals60Gewichtshundert -
teilenundanSchwefelvonwenigerals0,8Gewichtshundertteilen ,vondembeiderDestillation
bis250°Cnichtmehrals15Raumhundertteile übergehen ,zumHerstellen vonNadel­
koks(a)
Synthetisches ParaffinmiteinemMolekulargewicht vonnichtwenigerals460undnichtmehr
als1560
Aluminiumhydroxidoxid inFormdesPseudo-Böhmits
Banumtitanat miteinemGehaltanEisenvonnichtmehrals0,05Gewichtshundertteilen
Lanthanbromidoxid
Hexafluorpropen
Dibrommethan
1,6,7,8,9,14,15,16,17,17,18,18-Dodecachlorpentracyclo [12.2.-1.1.6,9.02'13.05'10]octade­
ca-7,15-dien ,zurVerwendung beiderHerstellung vonPolyäthylen odersynthetischem
Kautschuk (a)
Athansulfonylchlorid
1,2-Epoxybutan
1,2-Epoxy-4-(epoxyäthyl)cyclohexanex27.07GII
3
ex27.13BII
ex28.20A
ex28.47F
ex28.52B
ex29.02AI
ex29.02AIII
ex29.02B
ex29.03CI
ex29.09B
ex29.09B
ex29.09B
ex29.14AXI
ex29.14BI
ex29.14DIV
ex29.16D
ex29.25BIIc
ex29.26AI
ex29.31B
ex29.35Q
ex29.35Q
ex29.35Q
ex29.35Q0
0
4
0
0
0
3
0
3
0
0
0
0
0
0
5
0
0
0
4
0
0
02,3-Epoxypropan-l-ol (Glycidol )
Trimethylorthoacetat
2,3-Epoxypropylmethacrylat
Methyl-3-chlorbenzoat
Methyl-5-(2,4-dichlorphenoxy)-2-nitrobenzoat
Barbitursäure
1,2-Benzisothiazol-3-on-l ,1-dioxid(o-Benzoesäuresulfimid ,Saccharin )undseinNatriumsalz
3,3-Dimethyl -1-methylthiobutanonoxim
Zotepin (INN)
Ofloxacin (INN)
3'-Chlor-6'-cyclohexylaminospiro [isobenzofuran-l(3H ),9'-xanthen]-3-on
6'-(N-Äthyl-p-toluidin)-2'-(N-methylanilin)spiro [isobenzofuran-l(3H),9'-xanthen]-3-on
(a)DieÜberwachung derzweckentsprechenden Verwendung erfolgtnachdeneinschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .

Nr.L362/4 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften 20.12.86
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
Carteolol-Hydrochlorid (INNM)
Methylprednisolon (INN)undseineSalzeundEster
Vancomycin (INN)undseineSalzeundEster
Anorganische Farbmittelzubereitungen imSinnederVorschrift 3zuKapitel32inHohlkugeln
ausPolyurethan miteinemDurchmesser vonwenigerals200Mikrometer
MiteinemGehaltvon48Gewichtshundertteilen odermehrinN,N-Dimethylacetamid gelöstes
Polyurethan aus2,2,'-(terf-Butylimino )diäthanolund4,4'-Methylendicyclohexyldiisocyanat
MiteinemAnteilvon48Gewichtshundertteilen odermehrinN,N-Dimethylacetamid gelöstes
Mischpolymerisat ausp-KresolundDivinylbenzol
Wässerige LösungmiteinemGehaltanDinatriumalkyl [oxydi(benzolsulfonat )]vonnicht
wenigerals30undnichtmehrals50Gewichtshundertteilen
Aspergillus-Alkalin-Proteinase
Unsteriles Blutserum ,gewonnen ausdemBlutvonRinderföten odernichtimmunisierten
neugeborenen Kälbernex29.35Q
ex29.39DII
ex29.44Cund
ex30.03AIIb)
ex32.07B
ex32.09AIIund
ex39.01CV
ex32.09AIIund
ex39.02CXIVa)
ex34.02
ex35.07
ex38.16
ex38.19E
ex38.19G
ex38.19G
ex38.19G
:x38.19G0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0Monoalkylbenzol-Gemische ausderAlkylierung vonBenzolmitPolyalkenen ,miteinem
mittlerenMolekulargewicht vonnichtwenigerals680undnichtmehrals820
Katalysator inFormvonPulver,auseineraufeinemTrägerausSiliciumdioxid fixierten
MischungvonTitan-,Magnesium -undAluminiumverbindungen ,mit
—nichtwenigerals3undnichtmehrals6Gewichtshundertteilen Titan,
—nichtwenigerals2undnichtmehrals3Gewichtshundertteilen Magnesium ,
—nichtwenigerals0,3undnichtmehrals0,5Gewichtshundertteilen Aluminium ,
zurVerwendung beimHerstellen vonPolyäthylen miteinerDichtevonnichtwenigerals
0,935(a)
Katalysator ,bestehendauseinerMischungvonTitan-,Magnesium -undAluminiumverbin­
dungen,mit
—nichtwenigerals3undnichtmehrals6Gewichtshundertteilen Titan,
—nichtwenigerals1,5undnichtmehrals3Gewichtshundertteilen Magnesium ,
—nichtwenigerals0,3undnichtmehrals0,5Gewichtshundertteilen Aluminium ,
inHexansuspendiert ,zurVerwendung beimHerstellenvonPolyäthylen miteinerDichtevon
nichtwenigerals0,930(a)
Katalysatoren ,auseinerSuspension vonDialkyldimethylammoniumacetat (Kettenlänge der
Alkylreste 16und18Kohlenstoffatome )ineinemorganischen Lösungsmittel bestehend ,mit
einemGehaltanDialkyldimethylammoniumacetat vonmindestens 40Gewichtshundert­
teilen
Katalysator inFormvonKörnernoderRingenmiteinemDurchmesser vonnichtwenigerals
3undnichtmehrals10mm,aufAluminiumoxid fixiert,miteinemGehaltanSilbervonnicht
wenigerals8undnichtmehrals20Gewichtshundertteilen
(a)DieÜberwachung derzweckentsprechenden Verwendung erfolgtnachdeneinschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .

20.12.86AmtsblattderEuropäischen Gemeinschaften Nr.L362/5
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
DotierteSilicium-Scheiben inCzochralski-Technik hergestellt ,miteinemDurchmesser von
70mmodermehr,nichtpoliert,miteinemAnteilanSauerstoffatomen von5X10I7/cm3oder
mehr
MiteinemGehaltvonnichtwenigerals35undnichtmehrals40Gewichtshundertteilen in
Dichlormethan gelöstesAldicarb (ISO)
Einseitigmetallbedampfte ,inderMassegefärbtePolyesterfolien miteinerDickevonnichtmehr
als25Mikrometer
Polykondensationserzeugnis ausTerephthalsäure miteinerMischungausCyclohex-1 ,4-ylen­
dimethanol undÄthan-1,2-diol,inFormvonFolien
Polyesterfolien miteinerDickevonnichtmehrals70Mikrometer ,einseitigbeschichtet mit
einerSubstanz,diesichbeimErhitzenaufnichtmehrals100°CunterEinwirkung von
Salicylsäure verfärbt
Polyesterfolien miteinerDickevonnichtmehrals10Mikrometer ,einseitigbeschichtet mit
Salicylsäure
Polykondensationserzeugnis ausTerephtalsäure miteinerMischungausCyclohex-l,4-ylendi ­
methanolundÄthan-1,2-diol,inFormenimSinnederVorschrift3b)zuKapitel39
Blätterausmikroporigem Polyurethan miteingebetteten Polyamid-Fasern ,miteinerDicke
vonnichtwenigerals0,5undnichtmehrals1,5mm,zumHerstellen vonLedernach­
ahmungen (a)
Polyäthylen inFormenimSinnederVorschrift 3b)zuKapitel39,miteinerDichtevonnicht
wenigerals0,958bei23°CundeinemGehaltvonnichtmehrals
—50ppmAluminium ,
—2ppmCalcium ,
—2ppmChrom,
—2ppmEisen,
—2ppmNickel,
—2ppmTitan,
—8ppmVanadium ,
zumHerstellen vonchlorsulfoniertem Polyäthylen (a)
Polyäthylen miteinerDichtevonnichtwenigerals0,945undnichtmehrals0,985,inFormen
imSinnederVorschrift 3b)zuKapitel39,zumHerstellen vonFarbbändern fürSchreibma­
schinenundähnlichenFarbbändern (a)
A-B-A-Blockmischpolymerisat ausPolystyrol ,Äthylen-Butylen-Mischpolymerisat undPoly­
styrol,miteinemGehaltanStyrolvonnichtmehrals35Gewichtshundertteilen ,inFormenim
SinnederVorschrift 3b)zuKapitel39
Polyvinylbutyralfolien mitFarbkeilband
Bromiertes PolystyrolmiteinemGehaltanBromvonnichtwenigerals58undnichtmehrals71
Gewichtshundertteilen ,inFormenimSinnederVorschrift 3b)zuKapitel39
IonomeresHarz,bestehendauseinemSalzeinesÄthylen-Methacrylsäure-Mischpolymeri ­ex38.19S
ex38.19X
ex39.01CIIIa)
ex39.01CIIIa)
ex39.01CIIIa)
ex39.01CIIIa)
ex39.01CIIIb)
ex39.01CV
ex39.02CIa)
ex39.02CIa)
ex39.02CVIa)
ex39.02CXI
ex39.02CXIVa)
ex39.02CXIVa)
;x39.02CXIVa)0
0
6
0
0
0
0
6,9
0
0
0
6
0
0
0sats
IonomeresHarz,bestehendauseinemSalzeinesÄthylen-Isobutylacrylat-Methacrylsäure ­
Mischpolymerisats
>a)DieÜberwachung derzweckentsprechenden Verwendung erfolgtnachdeneinschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .

Nr.L362/6 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften 20.12.86
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
Mischpolymerisat ausAcrylsäure undAlkylmethacrylat mitgeringenMengeneinesanderen
Monomeren ,zurVerwendung alsVerdickungsmittel beimHerstellenvonDruckpasten fürden
Textildruck (a)
Athylen-Acrylsäure -oderÄthylen-Methacrylsäure-Mischpolymerisat inFormenimSinneder
Vorschrift 3b)zuKapitel39,miteinemGehaltanAcrylsäure oderMethacrylsäure vonnicht
wenigerals16undnichtmehrals30Gewichtshundertteilen
Polymerisationserzeugnis ausAcrylsäureundgeringenMengeneinesmehrfachungesättigten
Monomeren ,bestimmtzurVerwendung alsStabilisierungsmittel inEmulsionen oderDisper­
sionenmiteinempH-Wertvonmehrals13(a)
FolienauseinerMischungvonPolyvinylidenfluorid undeinemAcrylpolymer miteinerDicke
vonnichtwenigerals40undnichtmehrals60Mikrometer
PlattenauseinemÄthylen-Chlortrifluoräthylen-Mischpolymerisat miteinerDickevonnicht
wenigerals1undnichtmehrals3mm,auchaufeinerSeitemiteinemGlasfasergewebe
versehen
FolienauseinemMischpolymerisat ausÄthylenundChlortrifluoräthylen miteinerDickevon
nichtwenigerals12undnichtmehrals400Mikrometer
FolienauseinemÄthylen-Methylacrylat-Mischpolymerisat miteinerDickevonnichtmehrals
0,05mm,zumHerstellen vonEinmal-Handschuhen fürmedizinische Zwecke (a)
Äthylhydroxyäthylzellulose ,inWassernichtlöslich
Hydroxypropylzelluloseex39.02CXIVa)
ex39.02CXIVa)
ex39.02CXIVa)
ex39.02CXIVb)
ex39.02CXIVb)
ex39.02CXIVb)
ex39.02CXIVb)
ex39.03BVa)2
ex39.03BVa)2
ex51.01A
ex51.02AI
ex56.01A
ex59.03B
ex59.17A
ex70.07
ex70.11
ex70.110
0
6
0
0
0
6
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0Texturiertes Polypropylengarn mitwasserabweisender Imprägnierung aufSiliconbasis
MonofileausPolytetrafluoräthylen
Acetalisierte Mehrkomponenten-Spinnfasern mitMatrixfibrillenstruktur ,bestehendausemul­
sionspolymerisiertem Polyvinylalkohol undPolyvinylchlorid
Vliesstoffe ausPolyvinylalkohol ,miteinerDickevonnichtwenigerals200undnichtmehrals
280Mikrometer undeinemQuadratmetergewicht vonnichtwenigerals20undnichtmehrals
50g,alsMeterware odernurquadratisch oderrechteckigzugeschnitten ,auchgetränktoder
bestrichen
Nadelfilzeaussynthetischen Spinnstoffen miteinemGrundgewebe aussynthetischen Spinn­
stoffen,aufeinerSeitemiteinemPolytetrafluoräthylenfilm versehen,zumHerstellen von
Filtermaterial (a)
Plane,bleihaltige Flachglasscheiben ,geschliffen undpoliert,mitbearbeiteten Kanten,mit
—einerDickevonnichtwenigerals3,5undnichtmehrals5mm,
—einemDurchmesser vonnichtwenigerals135undnichtmehrals140mm,
—einerDichtevon2,88odermehrund
—einerLichtdurchlässigkeit von87%odermehrbeiWellenlängen vonnichtwenigerals450
undnichtmehrals800Nanometern ,zumEinbauinVideoprojektoren (a)
Bildschirme ,ganzausGlas,miteinerDiagonalen vonnichtmehrals61cm,mitaufgeworfenem
Rand,zumHerstellen vonmonochromen Kathodenstrahlröhren (a)
Konenmitprofiliertem RandundeinerDiagonalen vonnichtmehrals61cm,zumHerstellen
vonmonochromen Kathodenstrahlröhren (a)
(a)DieÜberwachung derzweckentsprechenden Verwendung erfolgtnachdeneinschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .

20.12.86 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften Nr.L362/7
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex81.04DIb)
0
ex84.18CIIb)
0
ex84.18CIIb)
0
ex84.53B
1
ex84.55CElektrolytisch gewonnenes Chrom,inFormvonKathodenplättchen ,BrikettsoderPellets,mit
einemGesamtgehalt anSauerstoff vonnichtmehrals0,10Gewichtshundertteilen ,einem
Gesamtgehalt anAluminium vonnichtmehrals0,015Gewichtshundertteilen undeinem
Gehaltaninsiedender 5nSalzsäureundinsiedender ,rauchender Perchlorsäure unlöslichen
undalsAluminium berechneten Aluminiumverbindungen vonnichtmehrals0,001Gewichts­
hundertteilen zurHerstellung voneinerLegierungfürdenBauvonfolgendenTeilenvon
Gasturbinen oderStrahltriebwerken (a):
—feststehende oderbewegliche Schaufelräder ,einschließlich ihrerRinge,
—Klappen ,
—Düsen
TeilevonApparaten zumkatalytischen Umwandeln vonStickstoffoxiden inStickstoffund
Wasser,bestehend ausinWabenstruktur geformten undgebrannten Einheiten auseiner
Mischung vonVanadiumoxiden oderVanadiumsulfaten undTitandioxid oderBariumsulfat
odervonVanadiumoxid ,Titandioxid undWolframoxid ,ineinemRahmengestell aus
Metall
TeilevonApparaten zumkatalytischen Umwandeln vonStickstoffoxiden inStickstoffund
Wasser,bestehend ausmiteinerMischung vonVanadium-,Titan-undMolybdänoxiden
beschichteten perforierten Platten,ineinemRahmengestell ausMetall
OptischeSchriftleser zumAbtasten vonPunktmatrixzeichen undzumUmwandeln der
Leseimpulse inelektrische Signale,bestehend auseinemLesekopfmitPhotosensor ,einem
Verstärker ,einerLinseundzweiLampen,überFlachkabel verbunden miteinergedruckten
SchaltungmitdenAbmessungen vonnichtmehrals200x220 mm,diemindestens einen
Mikroprozessor ,eineBilderkennungsschaltung undeinenAnalog-Digital-Wandler enthält.
Punktmatrix -AnzeigenmitdenAbmessungen vonnichtmehrals15x90x280 mm—
ausgenommen Anschlußstücke undLeitungen —,bestehend auseinerzwischenzweiGlas­
platteneingeschlossenen Flüssigkristallschicht mit30720Punkten (angeordnet in64Zeilen
und480Kolonnen),aufeinerLeiterplatte mitelektronischen Bauelementen zurSteuerungund
Kontrolle ,auchmitLeitungen undAnschlußstücken
Punktmatrix-Anzeigen mitdenAbmessungen vonnichtmehrals15x75x186mm,bestehend
auseinerzwischenzweiGlasplatten eingeschlossenen Flüssigkristallschicht mit15360Punkten
(angeordnet in64Zeilenund240Kolonnen),aufeinerLeiterplatte mitelektronischen
Bauelementen inC-MOS-Technik ,undmitnichtmehrals544Kontaktflächen
Magnetköpfe inWinchester -oderDünnfilmtechnik fürperiphereMagnetplatten-Speicherein ­
heiten,miteinerAufzeichnungsdichte vonnichtwenigerals10Spurenjemm,auchauf
Trägerarmen
Baugruppe fürautomatische Datenverarbeitungsmaschinen ,dieeinenprogrammierbaren
UV-löschbaren Lesespeicher (sogenannter EPROM )miteinerGesamtspeicherkapazität von
256Kbitbildetundauseinemmehrlagigen SubstratmitdenAbmessungen vonnichtmehrals
17x39mmbesteht,aufdemangebracht sind:
—zweiprogrammierbare UV-löschbare Lesespeicher (sogenannte EPROMs),inFormvon
monolithischen integrierten Schaltungen ,miteinerSpeicherkapazität vonjeweils128Kbit
undjeeinemQuarzfenster aufderOberseite ,
—einDecoderinFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,
—einEntkopplungskondensator ,
—zweiWiderstände .
DieBaugruppe trägt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält
EDH7832MM-30
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufLesespeicher-Baugruppen dervorstehenden
Beschreibung bezieht.0
ex84.55C
0
ex84.55C
0
ex84.55C
l
(a)DieÜberwachung derzweckentsprechenden Verwendung erfolgtnachdeneinschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen ,

Nr.L362/8AmtsblattderEuropäischen Gemeinschaften 20.12.86
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex84.55C
2Baugruppefürautomatische Datenverarbeitungsmaschinen ,dieeinenprogrammierbaren
UV-löschbaren Lesespeicher (sogenannter EPROM)miteinerGesamtspeicherkapazität von
256Kbitbildetundauseinemmehrlagigen SubstratmitdenAbmessungen vonnichtmehrals
17x39mmbesteht,aufdemangebracht sind:
—vierprogrammierbare UV-löschbare Lesespeicher (sogenannte EPROMs),inFormvon
monolithischen integrierten Schaltungen miteinerSpeicherkapazität vonjeweils64Kbit
undjeeinemQuarzfenster aufderOberseite ,
einDecoderinFormeinermonolithischen integrierten Schaltung,
—einEntkopplungskondensator .
DieBaugruppe trägt
eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält:
EDH7832MC-35
oder
eineandereKennzeichnung ,diesichaufLesespeicher-Baugruppen dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
Baugruppe fürautomatische Datenverarbeitungsmaschinen ,dieeinenstatischenSchreib­
Lesespeicher mitwahlfreiemZugriffinC-MOS-Technik (sogenannter C-MOS-RAM ,statisch)
miteinerGesamtspeicherkapazität von32Kbitbildetundauseinemmehrlagigen Substratmit
denAbmessungen vonnichtmehrals17x39mmbesteht,aufdemangebrachtsind:
—zweistatischeSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiemZugriffinC-MOS-Technik hergestellt
(sogenannteC-MOS-RAMs ,statisch),inFormvonmonolithischen integrierten Schaltun­
gen,miteinerSpeicherkapazität vonjeweils16Kbit,
—einDecoderinFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,
—einEntkoppelungskondensator .
DieBaugruppehatnichtmehrals28Anschlußstifte undträgt
eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält:
EDH-8804 C-20
EDH8804CL-20
oder
eineandereKennzeichnung ,diesichaufstatischeSchreib-Lesespeicher-Baugruppen der
vorstehenden Beschreibung bezieht.ex84.55C
2
ex84.55CBaugruppe fürautomatische Datenverarbeitungsmaschinen ,dieeinenstatischenSchreib­
Lesespeicher mitwahlfreiemZugriffinC-MOS-Technik (sogenannter C-MOS-RAM ,statisch)
miteinerGesamtspeicherkapazität von64Kbitbildetundauseinemmehrlagigen Substratmit
denAbmessungen vonnichtmehrals17x39mmbesteht,aufdemangebrachtsind:
—vierstatischeSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiemZugriffinC-MOS-Technik hergestellt
(sogenannteC-MOS-RAMs ,statisch),inFormvonmonolithischen integrierten Schaltun­
genmiteinerSpeicherkapazität vonjeweils16Kbit,
—einDecoderinFormeinermonolithischen integrierten Schaltung,
—einEntkopplungskondensator .
DieBaugruppehatnichtmehrals28Anschlußstifte undträgt
eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält:
EDH8808B-20
EDH8808C-10
EDH8808C-12
EDH8808C-15
EDH8808C-20
EDH8808CL-15
EDH8808CL-20
oder
eineandereKennzeichnung ,diesichaufstatischeSchreib-Lesespeicher-Baugruppen der
vorstehenden Beschreibung bezieht. 2

20.12.86 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften Nr.L362/9
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
o//o
ex84.55CBaugruppe fürautomatische Datenverarbeitungsmaschinen ,dieeinenprogrammierbaren
UV-löschbaren Lesespeicher (sogenannter EPROM)miteinerSpeicherkapazität von64Kbit
undeinenstatischenSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinC-MOS-Technik (soge­
nannterC-MOS-RAMs ,statisch)miteinerGesamtspeicherkapazität von32Kbitbildetundaus
einemmehrlagigen SubstratmitdenAbmessungen vonnichtmehrals17x39mmbesteht,auf
demangebracht sind:
—einprogrammierbarer UV-löschbarer Lesespeicher (sogenannter EPROM )miteiner
Speicherkapazität von64KbitundeinemQuarzfenster aufderOberseite ,
—zweistatischeSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinC-MOS-Technik hergestellt
(sogenannte C-MOS-RAMs ,statisch),inFormvonmonolithischen integrierten Schaltun­
genmiteinerSpeicherkapazität vonjeweils16Kbit,
—einDecoderinFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,
—einEntkopplungskondensator ,
—zweiWiderstände .
DieBaugruppe hatnichtmehrals28Anschlußstifte undträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält:
EDH90804BS-25(15)
EDH90804BS-30(20)
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufBaugruppen dervorstehenden Beschreibung
bezieht . 2
ex84.55C Baugruppe fürautomatische Datenverarbeitungsmaschinen ,bestehend aus2übereinander
angeordneten Substratebenen mit1oder2statischenSchreib-Lesespeichern mitwahlfreiem
ZugriffinbipolarerTechnikhergestellt (sogenannte bipolareRAMs,statisch),inFormvon
monolithischen integrierten Schaltungen ,miteinerSpeicherkapazität vonjeweils1Kbitund
einerGesamtspeicherkapazität vonnichtmehrals4Kbit,ineinemGehäusemitnichtmehrals
23Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals13x13mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
770965
4599497
7379442
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufstatischeSchreib-Lesespeicher-Baugruppen der
vorstehenden Beschreibung bezieht. 0
ex84.55C Baugruppe fürautomatische Datenverarbeitungsmaschinen ,dieeinen32-bit-Mikroprozessor
inC-MOS-Technik bildetundauszweigetrennten ChipsaufeinemSubstratmitden
Abmessungen vonnichtmehrals16x55mmbesteht,aufdemangebracht sind:
—eineZentraleinheit (sogenannte CentralProcessing Unit/CPU),
—eineSpeichereinheit .
DieBaugruppe hatnichtmehrals60Anschlußstifte undträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
57-00000
57-19400
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufBaugruppen dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex84.55C Magnetblasenspeicher miteinerSpeicherkapazität vonnichtmehrals4Megabit,ineinem
Gehäusemitnichtmehrals42Anschlußstiften oderKontaktflächen unddenAbmessungen von
nichtmehrals43x44mm.

Nr.L362/10 AmtsblattderEuropäischen Gemeinschaften 20.12.86
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
O//O
ex84.55C
(Fortsetzung )DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-oderZahlen/
Buchstabenkombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil ent­
hält:
FBM64DA MBM2011
MBM2256
FBM54DBBDL0133
BDL0134
BDN0151
oder7110
7114-1
ex84.55C—eineandereKennzeichnung ,diesichaufMagnetblasenspeicher dervorstehenden Beschrei­
bungbezieht.
Arithmetisches logischesElementfürdieZentraleinheit ,bestehendausnichtmehralsneun
gedruckten Schaltungen mitdenAbmessungen vonnichtmehrals290x310mm,jeweils
bestücktmitnichtmehrals121ECL-GateArraysoderECL-Schreib-Lesespeichern mit
wahlfreiem Zugriff(sogenannte ECL-RAMs )odereinerKombination vonbeiden,diesichin
einemGestellmitdenAbmessungen vonnichtmehrals501x596x611mmbefinden,dasals
HalterungundVerbindungsleiter fürdiegedruckten Schaltungen dient.
DasElementträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstaben­
kombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält:
COIB2675E500
GOIB2675H500
COIB2675H501
COIB2675H502
COIB2675H503
COIB2675H504
oder
ex84.55C0
0
0
0
0
0
0ex84.55C—eineandereKennzeichnung ,diesichaufarithmetische logischeElementedervorstehenden
Beschreibung bezieht.
Punktmatrix -AnzeigenmitdenAbmessungen vonnichtmehrals15x115x290 mm-
ausgenommen Anschlußstücke undLeitungen —bestehendauseinerzwischenzweiGlasplat­
teneingeschlossenen Flüssigkristallschicht mit128000Punkten(angeordnet in200Zeilenund
640Kolonnen),aufeinerLeiterplatte mitelektronischen Bauelementen zurSteuerungund
Kontrolle ,auchmitLeitungenundAnschlußstücken
Speichereinheit fürelektronische Schreibmaschinen ,bestehendauseinergedruckten Schaltung
mit2oder4statischenSchreib-Lesespeichern mitwahlfreiem Zugriff(sogenannte RAMs,
statisch)miteinerSpeicherkapazität vonjeweils8Kx8bit,elektronischen Bauelementen zur
SteuerungundKontrolleundHaltestrombatterien ,ineinerKassettemitSteckverbindungen
unddenAbmessungen vonnichtmehrals11x40x90mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Buchstabenkombination besteht
oderdieseKombination alsBestandteil enthält:
MEMOCART
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSpeichereinheiten dervorstehenden Beschreibung
bezieht.
IneinemStückgeschmiedete undvorgedrehte TeilevonReaktordruckbehältern miteinem
Stückgewicht vonjeweilsmehrals150t
Hydraulisches Fünfstufenventil ,bestehend imwesentlichen ausdreiKunststoffteilen undzwei
Magnetventilen zurServosteuerung ,zumEinbauinWasserenthärtungsanlagen mitautomati­
scherRegeneration (StromundGegenstsrom )undeinerIonenaustauschkapazität vonnicht
mehrals6501(a)
IneinemStückgeschmiedete undvorgedrehte Generator -undTurbinenwellen miteinem
Stückgewicht vonjeweilsmehrals215Tonnenex84.59B
ex84.61B
ex84.63BII
(a)DieÜberwachung derzweckentsprechenden Verwendung erfolgtnachdeneinschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .

20.12.86 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften Nr.L362/11
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.01BIb)
ex85.01BIb)
ex85.01BIb)
ex85.01BIb)
ex85.01BIb)
ex85.01BIb)
ex85.01BIb)
ex85.01BIb)
ex85.01BIb)
ex85.01BIIBürstenlose Gleichstrommotoren miteinemDrehmoment vonnichtmehrals0,20Newton­
meter/Nm,eingebauter elektronischer Steuerungsplatte ,Außenrotor mitkreisförmigem
Querschnitt miteinemDurchmesser vonnichtmehrals95mm,Aluminium-Präzisionsnabe mit
einemInnendurchmesser von28,6mm,einerGeschwindigkeit von300oder360Umdrehun­
genproMinuteundeinerVersorgungsspannung von12V+10%
Bürstenlose Gleichstrommotoren miteinemDrehmoment vonnichtmehrals0,20Newton­
meter/Nm,einemAußenläufer miteinemDurchmesser vonnichtmehrals55mm,einem
Befestigungsflansch von77mmundeinerPräzisionsspindel miteinemDurchmesser von
44mmmit4-Phasen-Wicklung ,miteinerNenndrehzahl von3600Umdrehungen proMinute
undeinerVersorgungsspannung von12V±10%,mitDrähtenundAnschlußstücken
Bürstenlose Zwei-oderDreiphasen-Gleichstrommotoren miteinemDrehmoment vonnicht
mehrals0,20Newtonmeter /Nm,elektronischer Steuerungsplatte unddenAbmessungen von
nichtmehrals85x85mmundeinerDickevonnichtmehrals20mmeinschließlich Spindel,
Außenrotor miteinemDurchmesser vonnichtmehrals62mm,einerGeschwindigkeit von
300Umdrehungen proMinuteundeinerVersorgungsspannung von12V+10%
BipolareSchrittmotoren miteinemSchrittwinkel von1,8Grad,200SchrittenproUmdrehung ,
2-Phasen-Drehfolge mitbipolarerWicklung ,mitdenAbmessungen vonnichtmehrals
20x39x39mmoder25x39x39mm,gemessenohneWelle,Feststellschrauben undNabe,
miteinemDrehmoment von0,25Newtonmeter /NmodermehrbeiMotorenmiteinerHöhe
vonnichtmehrals20mmodervon0,35Newtonmeter /NmodermehrbeiMotorenmiteiner
Höhevonnichtmehrals25mm
Hybrid-Schrittmotoren miteinemSchrittwinkel von0,9Grad,400SchrittenproUmdrehung ,
4-Phasen-Drehfolge mitbipolarerWicklung ,bestehendauseinemRotorundeinemStänder­
paket,daszwischenzweiViereckflanschen mitdenSeitenlängen vonnichtmehrals40mm
eingeschlossen ist,mitdurchgehender Welle,DrähtenundAnschlußstücken
Hybrid-Schrittmotoren miteinemSchrittwinkel von0,9Grad,400SchrittenproUmdrehung ,
2-Phasen-Drehfolge mitbipolarerWicklung ,bestehendauseinemRotorundeinemStänder­
paket,dasineinemzylindrischen BehältermiteinemDurchmesser vonnichtmehrals47mm
undeinerDickevonnichtmehrals14mmeingeschlossen ist,mitdurchgehender Welle,
DrähtenundAnschlußstücken
Hybrid-Schrittmotoren miteinemSchrittwinkel von0,9Grad,400SchrittenproUmdrehung ,
2-Phasen-Drehfolge mitbipolarerWicklung ,bestehendauseinemRotorundeinemStänder­
paket,daszwischenzweiViereckflanschen mitdenSeitenlängen vonnichtmehrals40mm
eingeschlossen ist,miteingebautem 2-oder3-Phasen-Drehzahlmesser ineinerKalottemit
einemDurchmesser vonnichtmehrals35mm,mitgesonderten DrähtenundAnschlußstücken
fürdieAusgängedesMotorsunddesDrehzahlmessers ,mitdenAbmessungen vonnichtmehr
als40x40x62mm,einschließlich Welle
BipolareGleichstrom-Schrittmotoren miteinteiligem Stator,einerLeistungvon37,5Woder
weniger,einemSchrittwinkel von180Grad,2SchrittenproUmdrehung ,2-Phasen-Drehfolge
mitunipolarer Wicklung ,einemDrehmoment vonnichtwenigerals0,1x10"6Newton­
meter/Nmundnichtmehrals0,1x10"4NmundeinerVersorgungsspannung vonnichtmehr
als3V
Hybrid-Schrittmotor miteinemSchrittwinkel von0,9Grad,400SchrittenproUmdrehung ,
2-Phasen-Drehfolge mitbipolarerWicklung ,bestehend auseinemRotorundeinemStänder­
paket,daszwischenzweiFlanscheneingeschlossen ist,vondenendereineeinenViereckquer­
schnittmitdenSeitenlängen vonnichtmehrals40mmhatundderandere(vordere)
scheibenförmig istundzweiAuskragungen aufweist,miteingebautem 2-oder3-Phasen-Dreh­
zahlmesser ineinerKalottemiteinemDurchmesser vonnichtmehrals35mm,mitgesonderten
DrähtenundAnschlußstücken fürdieAusgängedesMotorsundDrehzahlmessers ,mitden
Abmessungen vonnichtmehrals40x40x62mmeinschließlich derWelle,aberohnedie
Auskragungen desvorderenFlansches
Stromrichter ,bestehendauseinerKaskadenschaltung von7Dioden,fürAusgangsspannungen
von40kVodermehrmiteinerStromstärke von3mAodermehr0
0
0
0
0
0
0
0
0
0

Nr.L362/12 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften 20.12.86
Autonomer
ZollsatzNummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnung
%
0
0
0
0
0
0
0
0
0ex85.03
ex85.03
ex85.13Bund
ex85.21DII
ex85.18B
ex85.19A
ex85.19A
ex85.19C
ex85.21AV
ex85.21AV
ex85.21AVKohle-/Zink-Trockenbatterien miteinerSpannungvonnichtwenigerals5,5undnichtmehr
als6,5VoltundeinerGrößevonnichtmehrals5x90x110 mm,zurVerwendung in
Filmkassetten fürSofortbildkameras (a)
Lithium-Jod-Batterien mitdenAbmessungen vonnichtmehrals9x23x45 mmundeiner
Spannung vonnichtmehrals2,8V
Optoelektronisches Empfangsmodul (PIN-FET-Empfänger )miteinemWellenlängenbereich
vonnichtwenigerals13^)0undnichtmehrals1600Nanometern undeinerGeschwindigkeit
von678Megabits/Sekuriiieodermehr,inFormeinerintegrierten hybridenSchaltung ,ineinem
Gehäusemitnichtmehrals16Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
13x13x25 mmundausgerüstet miteinemLichtwellenumkehrleiter ausoptischenFasern
(Pigtail-Ankopplung ).
DasModulträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-oderZahlen-/
Buchstabenkombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil ent­
hält:
416/7/97013
QDFI-XXXX-00 1
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufEmpfangsmodule dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Einstellbare Kondensatoren inrunderFormmiteinemDurchmesser vonnichtmehrals3mm
undeinerDickevonnichtmehrals3mm,ausgerüstet miteinerStellschraube inderMitteund
zweiAnschlüssen ,miteinerKapazitätvonnichtwenigerals5undnichtmehrals30Picofarad ,
zumHerstellen vonWarendesKapitels91(a)
Thermorelais inhermetisch versiegeltem Glasgehäuse ,mitdenLängenabmessungen -ohne
Drähte-vonnichtmehrals35mm,miteinermaximalen Undichtigkeit von10"6cm3
Helium/Sekundebei1barinnerhalbdesTemperaturbereichs von0bis160°C,zumEinbauin
Kompressoren fürKältemaschinen (a)
Reedschalter inFormeinesGlasgehäuses ,mitnichtmehralsdreielektrischen Kontakten auf
Metallzungen undeinerkleinenMengeQuecksilber
GedruckteSchaltung ,einseitigbedruckt,mitdenAbmessungen vonnichtmehrals30x30mm,
zumHerstellen vonWarendesKapitels91(a)
Lochmasken-Farbkathodenstrahlröhren (Elektronenkanonen inDreiecksanordnung —soge­
nannteDelta-Technik -),miteinemAbstandzwischendenFarbpunkten vonnichtmehrals
0,31mmundeinerVorrichtung zurKonvergenzautomatik
Kathodenstrahlspeicherröhren (sogenannte Direktsicht-Speicherröhren /DirectViewStorage
Tubes)fürdieWiedergabe alphanumerischer undanalogerDaten,mitAbtastvorrichtung zum
Lesendergebildeten Zeichen
Lochmasken-Farbkathodenstrahlröhren (Elektronenkanonen inReihenanordnung —soge­
nannteIn-Line-Technik —),miteinemAbstandzwischendenFarbpunkten vonwenigerals
0,45mmundeinemodermehreren dernachstehenden Beschaffenheitsmerkmale :
—einerDiagonalen desBildschirms vonwenigerals26cmodervon42cmodermehr,einer
diagonalen Ablenkung vonnichtmehrals90°undKonvergenzfehlern indenEckenvon
nichtmehrals0,8mm,
—einemintegrierten Anti-Vibrationssystem (sogenanntes Potting-System ),
—ohneinternenMagnetschirm ,
—einerPhosphorbeschichtung mitfolgendennominalen Koordinaten derFarbpunkte :
rot grün blau
X 0,64 0,29 0,15
Y 0,33 0,60 0,06
(a)DieÜberwachung derzweckentsprechenden Verwendung erfolgtnachdeneinschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .

20.12.86AmtsblattderEuropäischen Gemeinschaften Nr.L362/13
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
85.21AV
(Fortsetzung )oder
X 0,64 0,31 0,155
Y 0,34 0,595 0,07
oder
X 0,62 0,21 0,15
Y 0,33 0,615 0,06
oder
X 0,61 0,307 0,15
Y 0,35 0,595 0,065
oder
X 0,61 0,205 0,15
Y 0,35 0,68 0,065
oder
X 0,62 0,29 0,15
Y 0,35 0,6 0,065
ex85.21AVLochmasken-Farbkathodenstrahlröhren (Elektronenkanonen inDreiecksanordnung -soge­
nannteDeltatechnik —),miteinemAbstandzwischendenFarbpunkten vonwenigerals
0,4mmundeinemdernachstehenden Beschaffenheitsmerkmale :
—einerDiagonalen desBildschirms von66cmodermehr
oder
—einerPhosphorbeschichtung mitfolgendennominalenKoordinaten derFarbpunkte :
rot grün blau
X 0,64 0,29 0,15
Y 0,33 0,60 0,06
oder
X 0,64 0,31 0,155
Y 0,34 0,595 0,07
oder
X 0,61 0,307 0,15
Y 0,35 0,595 0,065
oder
X 0,61 0,205 0,15
Y 0,35 0,68 0,065
oder
X 0,62 0,29 0,15
Y 0,35 0,60 0,0650
0
0
0
0ex85.21AVAnzeigeninFormeinerRöhre,bestehendauseinemGlasgehäuse ,aufgebracht aufeinerPlatte
miteinerGröße-ohneBerücksichtigung derLeitungen-vonnichtmehrals5300x350mm.
DieRöhreenthälteineodermehrereReihenvonZeichenoderStrichen .JedesZeichenoder
jederStrichenthältfluoreszierende oderphosphoreszierende Elemente ,dieaufeinervon
fluoreszierenden Substanzen odervonPhosphorsalzen überzogenen metallisierten Unterlage
aufgebracht sindundleuchten,wennsievonElektronen getroffenwerden
ex85.21AVMonochrome Kathodenstrahlröhren mitflachemBildschirm ,miteinerDiagonalen vonnicht
wenigerals142undnichtmehrals145mm,einerLeuchtkraft zwischen300und400Lumen,
einemAuflösungsvermögen vonnichtwenigerals0,06undnichtmehrals0,1mm,einer
Phosphorbeschichtung desTypsPIoderP55oderP56,einerAnodenspannung von34kVoder
mehr,einerFokussierspannung von7kVodermehrundeinemKathodenstrom von3mAoder
mehr
ex85.21CPiezoelektrische Quarzkristalle miteinerFrequenzvon32768Hz,ineinemzylindrischen
GehäusemiteinerLängevonnichtmehrals8,2mmundeinemDurchmesser vonnichtmehrals
3,2mm,zumHerstellen vonWarendesKapitels91(a)
(a)DieÜberwachung derzweckentsprechenden Verwendung erfolgtnachdeneinschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .

Nr.L362/14 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften 20.12.86
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DII Digitalanzeigen ,ineinemKunststoffgeh äusemiteinerGrößevonnichtmehrals25x35mm,
bestehend auseinerLeiterplatte ,dienichtmehrals22Leuchtdioden enthält,dievon
Halbleiterteilen ausimwesentlichen Galliumhergestellt sind.JedeAnzeigebestehtauseiner
einzigenStelle,auchmitPlus-oderMinuszeichen und/odermitnichtmehrals2Dezimal­
punkten 7
ex85.21DII Digitalanzeigen ,bestehend auseinerLeiterplatte miteinerGrößevonnichtmehrals
35x90mmundeinerReihevonnichtwenigerals3Anzeigestellen ,dieLeuchtdioden enthalten ,
dievonHalbleiterteilen ausimwesentlichen Galliumhergestellt sind;letzteresindindie
Leiterplatte eingebaut .JedeAnzeigestelle bestehtausnichtmehralsachtSegmenten ,auchmit
einemDezimalpunkt .DieDigitalreihe hateinenSchutzbelag ausKunststoff 0
ex85.21DII Germanium-Golddraht-Dioden miteinerDurchlaßspannung von1Voderwenigerbei
5mA 0
ex85.21DII Leuchtdioden ,dievonHalbleiterteilen ausimwesentlichen Galliumhergestellt sind,ineinem
Gehäusemit2Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals20x21mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
LT9305 SLF209
LT9306 SLF909
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufLeuchtdioden dervorstehenden Beschreibung
bezieht . 0
ex85.21DII Lesespeicher (sogenannter ROM),inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,mit
einerSpeicherkapazität von16Kx8bit,mitLeseregister undKontrollefürseriellenOutputin
einemGehäusemitnichtmehrals40Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
16x50mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
62000bis62999
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufLesespeicher dervorstehenden Beschreibung
bezieht . 0
ex85.21DII Lesespeicher inC-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-ROM ),miteinemVersor­
gungsstrom imBereitschaftszustand vonnichtmehrals0,03mA,inFormeinermonolithischen
integrierten Schaltung ,miteinerSpeicherkapazität von256Kbit,ineinemGehäusemitnicht
mehrals54Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals17x50mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
HN61256
HN613256
MB83256
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufLesespeicher dervorstehenden Beschreibung
bezieht . 7
ex85.21DII Lesespeicher inC-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-ROM ),inFormeiner
monolithischen integrierten Schaltung ,miteinerSpeicherkapazität von1Megabit,ineinem
Gehäusemitnichtmehrals28Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
17x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :

20.12.86 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften Nr.L362/15
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DII
(Fortsetzung )HN62301P,
MB831000,
MB831124,
7
ex85.21DIITC531000P
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufLesespeicher dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Programmierbare Lesespeicher ,nichtlöschbar (sogenannte PROMs),inTTL-Schottky-Tech ­
nikhergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,miteinerSpeicherkapa­
zitätvon2Kbit,ineinemGehäusemitnichtmehrals24Anschlußstiften oderKontaktflächen
unddenAbmessungen vonnichtmehrals17x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-oderZahlen/
Buchstabenkombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandtteil ent­
hält:
27S12 5305 6305 76LS03
27S13 5306 6306 7620
5308 6308 7621
28L22 5309 6309
28LA22 53S240 63S240 82S114
28L2XMFC 53S241 63S241 82S130
6335 82S131
29613 54S570 6336
29770 54S571 93436
29771 7053 93446
5604 7058
38510 5624 MB7115
74S570 MB7116
74S571 MB7117
MB7118
0
ex85.21DIIoder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufLesespeicher dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Programmierbare Lesespeicher ,nichtlöschbar (sogenannte PROMs),inFormeinermonoli­
thischenintegrierten Schaltung ,miteinerSpeicherkapazität von4Kbit,ineinemGehäusemit
nichtmehrals24Anschlußstiften odernichtmehrals28Kontaktflächen unddenAbmessungen
vonnichtmehrals17x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-oderZahlen/
Buchstabenkombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil ent­
hält:
18S42 29620 54S472 74S472
18S46 29621 54S473 74S473
18SA42 29622 54S474 74S474
18SA46 29623 54S475 74S475
29624 54S476 74S476
24S41 29625 54S477 74S477
24SA41 29626 54S572 74S572
29627 54S573 74S573
27S15 54740
27S25 3604 54741 7640
27S26 3624 7641
27S27 3625 5605 7642
27S28 5625 7643
27S29 38510 7644
27S30 6340 7645
27S31 5340 6341 7646
27S32 5341 63S440 7647
27S33 53S440 63RA4417648
53RA44163RS4417649
28L42 53RS44163S441

Nr.L362/16 AmtsblattderEuropäischen Gemeinschaften 20.12.86
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DII
(Fortsetzung )28L45 53S441 6348 82HS137
28L46 5348 6349 82HS147
28P42 5349 6350 82S115
28P45 5350 6351 82S136
28R45 5351 6352 82S137
28S4XFD 5352 6353 82S140
28SA41 5353 82S141
28S42 HM6641 82S142
28SA42 82S146
28S45 7054 82S147
28S46 7059
28SA46 93438
CY7C225 7121 93448
7122 93452
7123 93453
7124
7125
7126
7226
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufLesespeicher dervorstehenden Beschreibung
bezieht . 0
ex85.21DII Programmierbare Lesespeicher ,nichtlöschbar (sogenannte PROMs),inFormeinermonoli­
thischenintegrierten Schaltung ,miteinerSpeicherkapazität von8Kbit,ineinemGehäusemit
nichtmehrals24Anschlußstiften odernichtmehrals28Kontaktflächen unddenAbmessungen
vonnichtmehrals17x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-oderZahlen/
Buchstabenkombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil ent­
hält:
24S81 3628 74LS47882707
24SA81 74S2708 82708
24S86 5380 74S454 82HS185
5381 74S455 82LS180
27S180 5388 74S478 82LS181
27S181 5389 74S479 82S180
27S185 53S840 82S181
27S35 53S841 7608 82S182
7680 82S183
28L85 54LS4787681 82S184
28L86 54S2708 7684 82S185
28P85 54S454 7685 82S2708
28R35 54S455 7686
28R85 54S478 7687 87S180
28S2708 54S479 7688 87S181
28S85 7689 87S184
28S86 6380 87S185
28SA86 6381 77S180 87S186
28S8XMFE 6388 77S181 87S187
6389 77S184
29623 63S840 77S185 93450
29630 63S841 77S186 93451
29631 77S187 93460
29632 7050 93461
29633 7055 TBPS81M93465
29634 7060 93466
29635 93L450
29636 7127 93L451
29637 7128
29650 7129 9460
29651 7130
29652 7131 CY7C235
29653 7132 CY7C281
7232 CY7C282

20.12.86 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften Nr.L362/17
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
o//o
ex85.21DII
(Fortsetzung )oder
eineandereKennzeichnung ,diesichaufLesespeicher dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex85.21DII Programmierbare UV-löschbare Lesespeicher (sogenannte EPROMs),inFormeinermonoli­
thischenintegrierten Schaltung ,miteinerSpeicherkapazität von2Kbit,ineinemGehäusemit
denAbmessungen vonnichtmehrals17x39mmundeinemQuarzfenster aufder
Oberseite .
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstaben­
kombinatiorien bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
AMI702ADC
82140PP
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufLesespeicher dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex85.21DII Programmierbare UV-löschbare Lesespeicher (sogenannte EPROMs )mitprogrammierbaren
Ein-undAusgangsstellen ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,miteiner
Speicherkapazität von2Kx8bit,ineinemGehäusemitdenAbmessungen vonnichtmehrals
17x52mmundeinemQuarzfenster aufderOberseite .
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
D8755A,TMP8755AC
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufLesespeicher dervorstehenden Beschreibung
bezieht .0
4
0
0
0ex85.21DII Elektrischlöschbare ,programmierbare Lesespeicher (sogenannte E2PROMs),inFormeiner
monolithischen integrierten SchaltungmiteinerSpeicherkapazität von4Kbit,ineinem
Gehäusemitnichtmehrals24Anschlußsnften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
17x33mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält:
X2804A,X2404,X24C04
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufLesespeicher dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex85.21DII Elektrischlöschbare ,programmierbare Lesespeicher (sogenannte E2PROMs),inFormeiner
monolithischen integrierten Schaltung ,miteinerSpeicherkapazität von16Kbit,ineinem
Gehäusemitnichtmehrals32Anschlußstiften oderKontaktflächen unddenAbmessungen von
nichtmehrals17x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
AM2817A
X24C16
X2816A
52B13
52B13H
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufLesespeicher dervorstehenden Beschreibung
bezieht .

Nr.L362/18AmtsblattderEuropäischen Gemeinschaften 20.12.86
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DIIElektrischlöschbare,programmierbare Lesespeicher (sogenannte E2PROMs),inFormeiner
monolithischen integrierten SchaltungmiteinerSpeicherkapazität von64Kbit,ineinem
Gehäusemitnichtmehrals32Anschlußstiften oderKontaktflächen unddenAbmessungen von
nichtmehrals17x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält­
X2864A
MBM28C64
MBM28C65
MCM2864
52B33
52B33H
oder
eineandereKennzeichnung ,diesichaufLesespeicher dervorstehenden Beschreibungbezieht .
ex85.21DIIElektrischlöschbare,programmierbare Lesespeicher (sogenannte E2PROMs),inFormeiner
monolithischen integrierten Schaltung,miteinerSpeicherkapazität von128Kbit,ineinem
Gehäusemitnichtmehrals32Anschlußstiften oderKontaktflächen unddenAbmessungen vonnichtmehrals17x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält:
X28128A
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufLesespeicher dervorstehenden Beschreibungbezieht .
ex85.21DII0
0
0Elektrischlöschbare,programmierbare Lesespeicher (sogenannte E2PROMs),inFormeiner
monolithischen integrierten Schaltung,miteinerSpeicherkapazität von256Kbit,ineinem
Gehäusemitnichtmehrals32Anschlußstiften oderKontaktflächen unddenAbmessungen von
nichtmehrals17x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-oderZahlen/
Buchstabenkombinationen bestehtoderdieseKombinationen alsBestandteil enthält:
28256
28C256
48C256
oder
eineandereKennzeichnung ,diesichaufLesespeicher dervorstehenden Beschreibungbezieht.
ex85.21DIIStatischeSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiemZugriffinTTL-Technik hergestellt (sogenannte
TTL-RAMs ,statisch),inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung,miteiner
Speicherkapazität von1KbitundeinerZugriffszeit vonnichtmehrals45Nanosekunden ,in
einemGehäusemitnichtmehrals22Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
16x30mm.
DasGehäuseträgt
eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält:
93422
93425
oder
eineandereKennzeichnung ,diesichaufstatischeSchreib-Lesespeicher dervorstehenden
Beschreibung bezieht. 0

20.12.86 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften Nr.L362/19
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DII StatischeSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinN-MOS(einschließlich H-MOS )-
Technikhergestellt (sogenannte N/H-MOS-RAMs ,statisch),inFormeinermonolithischen
integrierten Schaltung ,miteinerSpeicherkapazität von1Kx4bitundeinerZugriffszeit von
nichtmehrals70Nanosekunden ,ineinemGehäusemitnichtmehrals18Anschlußstiften und
denAbmessungen vonnichtmehrals8x23mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
AM2149
PD2149
SY2149H
TMS2149
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufstatischeSchreib-Lesespeicher dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
StatischeSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinC-MOS-Technik hergestellt (soge­
nannteC-MOS-RAMs ,statisch),miteinerSpeicherkapazität von4Kx1bit,einer
Zugriffszeit vonnichtmehrals70Nanosekunden undeinemVersorgungsstrom imBereit­
schaftszustand vonwenigerals1mA,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,in
einemGehäusemitnichtmehrals18Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
9x26mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-oderZahlen/
Buchstabenkombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil
enthält :7
ex85.21DII
6147
MCM61L47
oder
0
ex85.21DII—eineandereKennzeichnung ,diesichaufstatischeSchreib-Lesespeicher dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
StatischeSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinC-MOS-Technik hergestellt (soge­
nannteC-MOS-RAMs ,statisch),miteinerSpeicherkapazität von2Kx8bitundeiner
LeistungimBereitschaftszustand vonnichtmehrals0,005Milliwatt bei25°C,inFormeiner
monolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals24Anschlußstiften
unddenAbmessungen vonnichtmehrals17x33mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält:
TC5516A
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufstatischeSchreib-Lesespeicher dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
StatischeSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinN-MOS(einschließlich H-MOS )-
Technikhergestellt (sogenannte N/H-MOS-RAMs ,statisch),inFormeinermonolithischen
integrierten Schaltung ,miteinerSpeicherkapazität von8Kbit,ineinemGehäusemitnichtmehr
als24Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals17x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-oderZah­
len-Buchstabenkombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil7
ex85.21DII
enthält :
4008 8104
8108
4118 8112
PD4218114
8185
4801
oder
eineandereKennzeichnung ,diesichaufstatischeSchreib-Lesespeicher dervorstehenden
Beschreibung bezieht. 0

Nr.L362/20 AmtsblattderEuropäischen Gemeinschaften 20.12.86
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DIIStatischeSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiem Zugriff,inN-MOS(einschließlich H-
MOS)-Technik hergestellt (sogenannte N/H-MOS-RAMs ,statisch),inFormeinermonoli­
thischenintegrierten Schaltung ,miteinerSpeicherkapazität von256x4bitundeiner
Zugriffszeit vonnichtmehrals25Nanosekunden ,ineinemGehäusemitnichtmehrals24
Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals17x39mm.
DasGehäuseträgt
eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-oderZahlen/
Buchstabenkombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil ent­
hält:
9122-25
91L22-25
oder
eineandereKennzeichnung ,diesichaufstatischeSchreib-Lesespeicher dervorstehenden
Beschreibung bezieht. 0
ex85.21DIIStatischeSchreib-Lesespeicher ,mitwahlfreiem ZugriffinC-MOS-Technik hergestellt (soge­
nannteC-MOS-RAMs ,statisch),inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,mit
einerSpeicherkapazität von64Kbit,ineinemGehäusemitnichtmehrals32Anschlußstiften
oderKontaktflächen unddenAbmessungen vonnichtmehrals18x39mm.
DasGehäuseträgt
eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält:
TC5564 MB8464
TC5565CMB81C71
MB81C78
MCM6164
HM6264P
HM6264LFP
HM6264LP
oder
eineandereKennzeichnung ,diesichaufstatischeSchreib-Lesespeicher dervorstehenden
Beschreibung bezieht. 0
ex85.21DIIStatische Schreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinN-MOS(einschließlich
(H-MOS)-Technik hergestellt (sogenannte N/H-MOS-RAMs ,statisch),inFormeinermono­
litischenintegrierten Schaltung ,miteinerSpeicherkapazität von72Kbit,ineinemGehäusemit
nichtmehrals28Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals10x39mm.
DasGehäuseträgt
eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
TMM2089
oder
eineandereKennzeichnung ,diesichaufstatischeSchreib-Lesespeicher dervorstehenden
Beschreibung bezieht . 0
ex85.21DIIMonolithische integrierteSchaltung ,bestehendauseinemstatischenSchreib-Lesespeicher mit
wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM,statisch),miteinerSpeicherkapazität von2Kbit,
bitweisegekoppeltmiteinemelektrischlöschbaren Lesespeicher (sogenannter E2PROM),in
einemGehäusemitnichtmehrals28Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
17x39mm.
DasGehäuseträgt
eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
X2002
oder
eineandereKennzeichnung ,diesichaufintegrierte Schaltungen dervorstehenden
Beschreibung bezieht. 0

20.12.86 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften Nr.L362/21
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DII Monolithische integrierteSchaltung ,bestehendauseinemstatischenSchreib-Lesespeicher mit
wahlfreiem Zugriff(sogenannter RAM,statisch),miteinerSpeicherkapazität von4Kbit,
bitweisegekoppeltmiteinemelektrischlöschbaren Lesespeicher (sogenannter E2PROM),in
einemGehäusemitnichtmehrals28Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
17x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
X2004
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufintegrierte Schaltungen dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
Schreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinECL-Technik hergestellt (sogenannte
ECL-RAM(s ),inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,miteinerSpeicherkapa­
zitätvon4KbitundeinerZugriffszeit vonnichtmehrals50Nanosekunden ,ineinemGehäuse
mitnichtmehrals24Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals11x32
mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :0
ex85.21DII
10470
10474
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSchreib-Lesespeicher dervorstehenden Beschrei­
bungbezieht. 0
ex85.21DII VomAnwender teilweiseprogrammierbare Schaltmatrix (sogenannter Programmable Logic
Array/PLA),inbipolarerTechnikhergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten
Schaltung ,mitschmelzbaren Verbindungsstücken ,einerprogrammierbaren UND-Anord­
nung,einerfestenODER-Anordnung ,mitnichtmehrals20Eingangsstellen undnichtmehrals
10Ausgangsstellen ,auchmitRegisternineinemGehäusemitnichtmehrals28Anschlußstiften
unddenAbmessungen vonnichtmehrals19x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinederKombinationen alsBestandteil enthält :
10H8 16A4 18L4
10L8 16C1
16H2 20C1
12H6 16L2 20L2
12L6 16L6 20L10
12L10 16L8 20R4
16R4 20X4
14H4 16R6 20X
14L4 16R8 20X10
14L8 16X4
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufeineSchaltmatrix dervorstehenden Beschreibung
bezieht . 5
ex85.21DII VomAnwender programmierbare ,nichtlöschbareSchaltmatrix (sogenannter FieldPro­
grammable Logic-Array /FPLA),inTTL-Schottky-Technik hergestellt ,mitnichtmehrals48
UND-Funktionen undnichtmehrals8ODER-Funktionen sowienichtmehrals16
Eingangsstellen ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemit
nichtmehrals28Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals17x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-oderZahlen/
Buchstabenkombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil ent­
hält:

Nr.L362/22 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften 20.12.86
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DII
(Fortsetzung )FP54AS839FP74AS83982S100
FP54AS840FP74AS84082S101
SN54LS333SN74LS333
SN54LS334SN74LS33493458
SN54LS335SN74LS33593459
SN54LS336.SN74LS336
oder
5
ex85.21DII—eineandereKennzeichnung ,diesichaufeineSchaltmatrix dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Programmierte Schaltmatrix (GateArray)inC-MOS-Technik hergestellt ,inFormeiner
monolithischen integrierten Schaltung mitnichtwenigerals8000Zwei-Eingangs -
NAND-Funktionen ,ineinemGehäusemit179odermehrAnschlußstiften unddenAbmes­
sungenvonnichtmehrals39x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombination
bestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
MB66000VH
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufeineSchaltmatrix dervorstehenden Beschreibung
bezieht .0
ex85.21DIIVideo-Schaltmatrix (sogenannter VideoGateArray)zurKontrollevonGraphikundSpeicher,
inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals
40Anschlußstiften undAbmessungen vonnichtmehrals15x52mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht
oderdieseKombination alsBestandteil enthält :
38300
oder
eineandereKennzeichnung ,diesichaufeineVideo-Schaltmatrix dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
Ein-Chip-Mikrocomputer inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,bestehendaus
einerarithmetischen ,logischenEinheit(Rechenwerk )miteinerKapazitätvon4bit,einem
Lesespeicher (sogenannter ROM)miteinerSpeicherkapazität von18Kbitbis65Kbit,einem
Schreib-Lesespeicher mitwahlfreiem Zugriff(sogenannter RAM)miteinerSpeicherkapazität
von512bitbis4Kbit,ineinemGehäusemitnichtmehrals80Anschlußstiften undden
Abmessungen vonnichtmehrals17x58mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :0
ex85.21DII
CD3200bis3299 TP0310bis03299
TP0450bis04599
TMC0270bis0279 TP0480bis04899
TMC0500bis0599 TP0500bis05999
TMC0980bis0989
TMC1500bis1599
TMC1980bis1999HD38800
HD38820
HD44796
HD44800
HD44801
HD44820
HD44840
HD44860
HD614042
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufEin-Chip-Mikrocomputer dervorstehenden
Beschreibung bezieht. 0
ex85.21DII Zentraleinheiten (sogenannte CentralProcessing Units/CPU),inN-MOS(einschließlich
H-MOS)-Technik hergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,bestehend
auseinem16x16bit-Dienstspeicher ,einem16x20bit-Dienstspeicher ,einem32x32
bit-Dienstspeicher ,einem8x8bit-Dienstspeicher ,einem16-bit-Register ,zwei20-bit-Regi­
stern,einem8-bit-Register ,einem12-bit-Register ,einem5-bit-Zähler undeinemZeitgeber ,in
einemGehäusemitnichtmehrals68Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
25x25mm.

20.12.86 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften Nr.L362/23
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DII
(Fortsetzung )
ex85.21DIIDasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil hat
LSI-604041855
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufZentraleinheiten dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Kontrollbaustein zumSteuernderZugangsfolge (sogenannter LocalAreaNetworkController/
LAN-Controller ),inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemit
nichtmehrals48Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals16x63mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-oderZahlen/
Buchstabenkombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil ent­
hält:0
MCM68590
AM7990
COM9026
HD2840
8001
8003
82586
82588
oder
0
ex85.21DII—eineandereKennzeichnung ,diesichaufKontrollbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Kontrollbaustein zurSteuerung vonMagnetplattenspeichern mitfestenPlatten(HardDisc
Controller/HDC),inN-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt ,inFormeiner
monolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals40Anschlußstiften
unddenAbmessungen vonnichtmehrals15x53mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
WD1010
WD2010
HD5010
HDC9224
PD7261
oder
ex85.21DII0—eineandereKennzeichnung ,diesichaufKontrollbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Arithmetische ,logischeEinheit (Rechenwerk )inN-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik
hergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,bestehend auseinem
32-bit-Register ,einem24-bit-Register ,einem4-bit-Register ,zwölf1-bit-Registern ,zwei
16x24bit-Dienstspeichern ,einemlogischenElementzumDurchführen arithmetischer und
logischerOperationen ,einerDecodierlogik ,einemlogischenElementzurFehlersuche und
-beseitigung ,einem8-bit-Zähler undeinemZeitgeber ,ineinemGehäusemitnichtmehrals64
Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals23x82mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
ALU0486
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufRechenwerke dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
LogischerKontrollbaustein ,inN-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt ,inForm
einermonolithischen integrierten Schaltung ,bestehendauseinem7-bit-Register,dreiZeitzäh­
lern(Timer),einemWähler (Multiplexer ),Elementen zurFolgekontrolle ,einerDecodierlogik ,
einemlogischenElementzurFehlersuche und-beseitigung undeinemZeitgeber ,ineinem
Gehäusemitnichtmehrals64Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
23x82mm.0
ex85.21DII

Nr.L362/24Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften 20.12.86
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DII
(Fortsetzung )
0
ex85.21DIIDasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
MIC0482
oder
eineandereKennzeichnung ,diesichaufBausteinedervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Taktgeber inN-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt ,fürZentraleinheit (soge­
nannteCentralProcessingUnit/CPU),Hauptspeicher undEin-undAusgangsschnittstellen ,in
Formeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals68
Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals25x25mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
H108982 (MCC)
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufTaktgeberdervorstehenden Beschreibung
bezieht .0
ex85.21DIIBausteinzurFolgekontrolle ,inN-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt ,inForm
einermonolithischen integrierten Schaltung ,bestehend auseinem32-bit-Register ,drei
16-bit-Registern ,einem16x16bit-Dienstspeicher ,einem7x17bit-Kellerspeicher (Lastin
firstout/Lifo),einemAddierwerk ,einerDecodierlogik ,einerPrioritätslogik ,einemlogischen
ElementzurFehlersuche und-beseitigung ,einem16-bit-Wähler (Mulitplexer ),einem
8-bit-Zähler undeinemZeitgeber ,ineinemGehäusemitnichtmehrals64Anschlußstiften und
denAbmessungen vonnichtmehrals23x82mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
CSS0484
oder
eineandereKennzeichnung ,diesichaufBausteinedervorstehenden Beschreibung
bezieht .0
ex85.21DII Kontrollbaustein zurFehlersuche und-beseitigung (sogenannter ErrorDetectionandCorrec­
tionCircuit),inbipolarerTechnikhergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten
SchaltungineinemGehäusemitnichtmehrals48Anschlußstiften unddenAbmessungen von
nichtmehrals16x62mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-oderZahlen/
Buchstabenkombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil ent­
hält:
2960
74F630
74F631
DP8400
74LS630
74LS631
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufKontrollbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht . 0
ex85.21DII Kontrollbaustein zurFehlersuche und-beseitigung voneinzelnenBit-Fehlern undzur
Fehlersuche vondoppeltenBit-Fehlern (sogenannter ErrorDetectionandCorrection Circuit),
inN-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt ,inFormeinermonolithischen integrier­
tenSchaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals68Kontaktflächen unddenAbmessungen
vonnichtmehrals25x25mm.

20.12.86 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften Nr.L362/25
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DII
(Fortsetzung )
0
ex85.21DII
0
ex85.21DIIDasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht
oderdieseKombination alsBestandteil enthält :
8206
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufKontrollbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Kontrollbaustein zurFehlersuche und-beseitigung vonMehrfachfehlern imMagnetplattensy­
stem(sogenannter BurstErrorProcessor/BEP)inN-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik
hergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnicht
mehrals40Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals16x54mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
Z8065
AM9520
AM9521
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufKontrollbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Kontrollbaustein inbipolarerTechnikhergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten
Schaltung ,zurSteuerungdynamischer Schreib-Lesespeicher mitwahlfreiem Zugriff(sogenann­
terRAM,dynamisch ),mitAdressen-Multiplexer undZeitgeber ,ineinemGehäusemitnicht
mehrals48Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals17x62mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
DP8408
DP8409
MB1422
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufKontrollbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Programmierbarer Schnittstellenbaustein (sogenannter Programmable Communication Inter­
face/PCI),inN-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt ,inFormeinermonolithi­
schenintegrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals28Anschlußstiften undden
Abmessungen vonnichtmehrals17x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält
8251A
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSchnittstellenbausteine dervorstehenden Beschrei­
bungbezieht.
Programmierbarer Schnittstellenbaustein fürdieDatenübertragung (sogenannte Enhanced
Programmable Communication Interface/EPCI),inFormeinermonolithischen integrierten
Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals28Anschlußstiften unddenAbmessungen von
nichtmehrals17x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht
oderdieseKombination alsBestandteil enthält :
2661
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSchnittstellenbausteine dervorstehenden Beschrei­
bungbezieht.0
ex85.21DII
7
ex85.21DII
0

Nr.L362/26AmtsblattderEuropäischen Gemeinschaften 20.12.86
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnung
ex85.21DIISerienschnittstellenbaustein zurDatenstromcodierung oder-decodierung unddamitzusam­
menhängenden Kontrollfunktionen füreinenSteuerbaustein zumSteuernderZugangsfolge
(sogenannter LocalAreaNetwork),inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,in
einemGehäusemitnichtmehrals24Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
16x33mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-oderZahlen/
Buchstabenkombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil ent­
hält:
AM7991
8002
8023
82501
COM9032
oder
ex85.21DII—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSchnittstellenbausteine dervorstehenden Beschrei­
bungbezieht.
Schnittstellenbaustein fürdieparallel-serielle oderseriell-parallele Umsetzung digitalerSignale
inFernsprechapparaten (sogenannter StationInterfaceDigital/STID),inC-MOS-Technik
hergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnicht
mehrals28Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals17x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :Autonomer
Zollsatz
%
0
0
0
0WCC295G
oder
ex85.21DII—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSchnittstellenbausteine dervorstehenden Beschrei­
bungbezieht.
Programmierbarer Intervall-Zeitgeber (sogenannter Programmable IntervalTimer/PIT),in
N-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten
Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals24Anschlußstiften unddenAbmessungen von
nichtmehrals17x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält:
8253,8254
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufIntervall-Zeitgeber dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
BausteinzurFrequenzdecodierung (sogenannter Demodulator /ToneDecoder)inbipolarer
Technikhergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemit
nichtmehrals14Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals10x21mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
XR2211
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufBausteinedervorstehenden Beschreibung
bezieht .ex85.21DII
ex85.21DIIC-MOS-Uhrenschaltungen ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinem
Gehäusemitmehrals16Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals16x54
mm,zumHerstellen vonSchaltzeituhren oderArmaturbrettuhren unddergleichen für
Kraftfahrzeuge oderKrafträder (a).
(a)DieÜberwachung derzweckentsprechenden Verwendung erfolgtnachdeneinschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .

20.12.86AmtsblattderEuropäischen Gemeinschaften Nr.L362/27
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DII
(Fortsetzung )
ex85.21DII
ex85.21DIIDasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält:
HI2060
HI2065
MSM5537
T3605
oder
eineandereKennzeichnung ,diesichaufUhrenschaltungen dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
C-MOS-Uhrenschaltungen ,dievoneinereinzigen 1,5-Volt-Versorgungseinheit gespeist
werden,mitLCD-Treiber ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinem
Gehäusemitnichtmehrals56Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
15x21mm.
DasGehäuseträgt
eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
TC8219AF
oder
eineandereKennzeichnung ,diesichaufUhrenschaltungen dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Verstärker inFormeinermonolithischen integrierten analogenSchaltung,ineinemGehäuse
mitnichtmehrals10Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals2x4x4mm,
zumHerstellen vonWarenderTarifstelle90.19BI(a).
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält:
V35
C05
oder
eineandereKennzeichnung ,diesichaufVerstärker dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Vierkanal-Bus-Sendeempfangsbaustein (sogenannter QuadBusTransceiver )inadvancedlow
powerSchottky-Technik hergestellt ,mitD-Typ-Registern aufdemChipundinternen
4bit-Generator /PrüferaufungeradeParität,inFormeinermonolithischen integrierten
Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals20Anschlußstiften unddenAbmessungen von
nichtmehrals9x28mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
AM2907
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufVierkanal-Bus-Sendeempfangsbausteine der
vorstehenden Beschreibung bezieht .
Treiberbaustein (sogenannter Four-Line-Driver )inadvancedlowpowerSchottky-Technik
hergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnicht
mehrals16Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals7x20mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält:
AM26LS29
AM26LS31
SN75172
SN751740
0
0
0ex85.21DII
ex85.21DII
(a)DieÜberwachung derzweckentsprechenden Verwendung erfolgtnachdeneinschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .

Nr.L362/28 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften 20.12.86
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DII
(Fortsetzung )
ex85.21DIIoder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufTreiberbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Sendeempfangsbaustein zursynchronen /asynchronen Datenübertragung (sogenannter Univer­
salSynchronous Asynchronous ReceiverTransmitter /USART )inC-MOS-Technik hergestellt ,
inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals32
Anschlußstiften oderKontaktflächen unddenAbmessungen vonnichtmehrals17x39
mm.
ex85.21DII0
7
7
0ex85.21DIIDasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
MSM82C51
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSendeempfangsbausteine dervorstehenden
Beschreibung bezieht .
8-bit-Mikroprozessor mitinternerArchitektur von16bitinN-MOS(einschließlich
H-MOS)-Technik hergestellt ,bestehend auseinerZentraleinheit (sogenannte CentralProces­
singUnit/CPU),einemZeitgenerator ,zweiunabhängigen KanälenzumDirektzugriffspeicher ,
einemprogrammierbaren Unterbrecher (sogenannter InterruptController ),dreiprogrammier­
baren16-bit-Taktgebern ,einemprogrammierbaren SpeicherundäußererChipauswahllogik ,
einemprogrammierbaren Bereitschaftszustandsgenerator mitBus-Kontrolleinheit ,in
Formeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehr
als68Anschlußstiften oderKontaktflächen unddenAbmessungen vonnichtmehrals
30x30mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht
oderdieseKombination alsBestandteil enthält :
80188
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufMikroprozessoren dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
16-bit-Mikroprozessor inbipolarerTechnikhergestellt ,inFormeinermonolithischen
integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals68Anschlußstiften oder
Kontaktflächen unddenAbmessungen vonnichtmehrals25x82mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
AM29116 SBP9989
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufMikroprozessoren dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
16-bit-Mikroprozessor inN-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt ,bestehend aus
einerZentraleinheit [sogenannte CentralProcessing Unit(CPU)],einemZeitgenerator ,zwei
unabhängigen KanälenzumDirektzugriffspeicher ,einemprogrammierbaren Unterbrecher
(sogenannter InterruptController ),dreiprogrammierbaren 16-bit-Taktgebern ,einempro­
grammierbaren SpeicherundäußererChipauswahllogik ,einemprogrammierbaren Bereit­
schaftszustandsgenerator mitBus-Kontrolleinheit ,inFormeinermonolithischen integrierten
Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals68Anschlußstiften oderKontaktflächen und
denAbmessungen vonnichtmehrals30x30mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht
oderdieseKombination alsBestandteil enthält :
80186
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufMikroprozessoren dervorstehenden Beschreibung
bezieht .ex85.21DII
0

20.12.86Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften Nr.L362/29
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DII
10
ex85.21DII16-bit-Mikroprozessor ,inN-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt ,inFormeiner
monolithischen integriertenSchaltung ,bestehendauseinerZentraleinheit (sogenannteCentral
ProcessingUnit/CPU),einemBausteinfürdieOrganisation desSpeichers (sogenannteMemory
Management Unit/MMU)undeineminternenBetriebssystem fürrealeundvirtuelleAdres­
sierung,ineinemGehäusemitnichtmehrals68Anschlußstiften oderKontaktflächen undden
Abmessungen vonnichtmehrals30x30mm.
DasGehäuseträgt
eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht
oderdieseKombination alsBestandteil enthält :
80286
oder
eineandereKennzeichnung ,diesichaufMikroprozessoren dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
32-bit-Mikroprozessor inC-MOS-Technik hergestellt ,inFormeinermonolithischen integrier­
tenSchaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals114Anschlußstiften unddenAbmessungen
vonnichtmehrals36x36mm.
DasGehäuseträgt
eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält:
MC68020
oder
eineandereKennzeichnung ,diesichaufMikroprozessoren dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
32-bit-Mikroprozessor inC-MOS-Technik hergestellt ,inFormeinerhybridenintegrierten
Schaltung ,bestehendauseinerSubstratebene mitzweiChips,diedieZentraleinheit (soge­
nannteCentralProcessing Unit/CPU)unddieSpeichereinheit bilden,mitnichtmehrals
60Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals16x55mm.
DerBausteinträgt
eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält:0
ex85.21DII
57-00000 ,57-19400
oder
0
ex85.21DIIeineandereKennzeichnung ,diesichaufMikroprozessoren dervorstehenden Beschreibungbezieht .
Gleitkomma-Coprozessor (sogenannter FloatingPointCoprozessor )inC-MOS-Technik
hergestellt ,mitacht80-bit-Registern undeinem32-bit-Bus ,inFormeinermonolithischen
integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals80Anschlußstiften undden
Abmessungen vonnichtmehrals28x28mm.
DasGehäuseträgt
eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBeispielenthält:
MC68881
oder
eineandereKennzeichnung ,diesichaufCoprozessoren dervorstehenden Beschreibung
bezieht .0
ex85.21DIINumerischer Prozessor (sogenannter NumericProcessorExtension/NPX)inN-MOS(ein­
schließlichH-MOS)-Technik hergestellt ,mitnichtmehrals14Registern,inFormeiner
monolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals40Anschlußstiften
unddenAbmessungen vonnichtmehrals15x52mm.
DasGehäuseträgt
eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-oderZahlen/
Buchstabenkombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil ent­
hält:

Nr.L362/30 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften 20.12.86
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DII
(Fortsetzung )8087
80287TX32081W
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufnumerische Prozessoren dervorstehenden
Beschreibung bezieht. 0
ex85.21DII Datentrennbaustein fürflexibleMagnetplatten (sogenannter FloppyDiscDataSeparator/
FDDS),inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehr
als20Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals8x27mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
FDC9216
FDC9216-B
WD9216-00
WD92C32
FDC9229T
FDC9229BT
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufeineDatentrennschaltung dervorstehenden
Beschreibung bezieht. 0
ex85.21DII Phonem-Sprachsynthetisator inC-MOS-Technik hergestellt (sogenannter C-MOS-Phoneme
SpeechSynthesizer ),miteinemVersorgungsstrom vonwenigerals10mA,inFormeiner
monolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals28Anschlußstiften
unddenAbmessungen vonnichtmehrals17x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
CM54166N2L
CD54121N2L
CD54122N2LCD54123N2L
CD54147N2L
SC01
SSI263CM54104
CM54145N2L
CM54146N2L
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufPhonem-Sprachsynthetisatoren dervorstehenden
Beschreibung bezieht. 0
ex85.21DII Dreifacher Video-Digital-Analog-Umsetzer (sogenannter VideoDigital-Analog-Converter /
VDAC)miteinerKapazität jeKanalvonnichtmehrals8bit,miteinerSignalumsetzungszeit
vonnichtmehrals25Nanosekunden ,inFormeinermonolithischen oderhybridenintegrierten
Schaltung ,auchmitdreiSchreib-Lesespeichern mitwahlfreiem Zugriff(sogenannte RAMs)mit
einerSpeicherkapazität vonjeweilsnichtmehrals2Kbit,ineinemGehäusemitnichtmehrals
61Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals54x62mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
VDAC444TDTDC1334
RGBDAC4THDAC34010
RGBDAC8EHDAC34020
RGBDAC8T
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufVideo-Digital-Analog-Umsetzer dervorstehenden
Beschreibung bezieht. 0
ex85.21DII Differentialverstärker ,steuerbarfürSignalevon0bis400MHzodermehr,inFormeiner
monolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals16Anschlußstiften
unddenAbmessungen vonnichtmehrals11x11mm.

20.12.86 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften Nr.L362/31
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DII
(Fortsetzung )DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht
oderdieseKombination alsBestandteil enthält:
0078-10
0
ex85.21DII
0
ex85.21DIIoder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufDifferentialverstärker dervorstehenden Beschrei­
bungbezieht.
StatischeSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinbipolarerTechnikhergestellt
(sogenannte bipolareRAMs,statisch),inFormeinermonolithischen integrierten Schaltungmit
einerSpeicherkapazität von64x9bit,ineinemGehäusemitnichtmehrals28Anschlußstiften
unddenAbmessungen vonnichtmehrals16x40mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
82S09 MBM93419
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufstatischeSchreib-Lesespeicher dervorstehenden
Beschreibung bezieht .
Treiberbaustein fürdynamische 8-bit-Speicher (sogenannter OctalDynamicMemoryDriver)
inbipolarerTechnikhergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung,ineinem
Gehäusemitnichtmehrals20Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
16x33mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
AM2965
AM2966
oder
eineandereKennzeichnung ,diesichaufTreiberbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Bus-Schnittstellenbaustein inbipolarerTechnikhergestellt ,mit9-bit-oder10-bit-Registern,in
Formeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals24
Anschlußstiften oderKontaktflächen unddenAbmessungen vonnichtmehrals9x34
mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :0
ex85.21DII
AM29821 AM29843
AM29823 AM29844
AM29824
0
ex85.21DIIoder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSchnittstellenbausteine dervorstehenden Beschrei­
bungbezieht.
Mehrbus-Puffer-Schnittstellenbaustein (sogenannter MultipleBusPuffer)inlowpower
Schottky-Technik hergestellt ,fürdieFehlersuch -undBeseitigungseinheit ,dasDatenbus­
Systemunddendynamischen Schreib-Lesespeicher mitwahlfreiem Zugriff(sogenannter RAM,
dynamisch ),inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnicht
mehrals24Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals8x33mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält:
AM2961
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSchnittstellenbausteine dervorstehenden Beschrei­
bungbezieht. 0

Nr.L362/32 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften 20.12.86
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DII
0
ex85.21DII
0
ex85.21DII
0
ex85.21DIIZustands-undSchiebekontrollbaustein (sogenannte StatusandShiftControlUnit)inbipolarer
Technikhergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemit
nichtmehrals42Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals16x57mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
AM2904
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufZustands -undSchiebekontrollbausteine der
vorstehenden Beschreibung bezieht .
Verstärker ,inFormeinermonolithischen integrierten analogenSchaltung ,mitden
Abmessungen vonnichtmehrals3x3mm,zumHerstellen vonWarenderTarifstelle
90.19BI(a)
Text-Coprozessor inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemit
nichtmehrals68Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals25x25mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
C82730
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufText-Coprozessoren dervorstehenden Beschrei­
bungbezieht .
Ein-Chip-Mikrocomputer inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,bestehendaus
einerarithmetischen ,logischenEinheit (Rechenwerk )miteinerKapazitätvon8bit,einem
programmierbaren UV-löschbaren Lesespeicher (sogenannter EPROM )miteinerSpeicherka­
pazitätvon32Kbit,einemSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiem Zugriff(sogenannter RAM)
miteinerSpeicherkapazität von1Kbit,ineinemGehäusemitnichtmehrals40Anschlußstiften
unddenAbmessungen vonnichtmehrals15x50mmsowieeinemQuarzfenster .
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
8751,7742
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufEin-Chip-Mikrocomputer dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
Ein-Chip-Mikrocomputer inC-MOS-Technik hergestellt ,inFormeinermonolithischen
integrierten Schaltung ,bestehendauseinerarithmetischen ,logischenEinheit(Rechenwerk )mit
einerKapazitätvon32bit,einemLesespeicher (sogenannter ROM)miteinerSpeicherkapazität
von24Kbit,einemSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiem Zugriff(sogenannter RAM)miteiner
Speicherkapazität von2KbitineinemGehäusemitnichtwenigerals84Anschlußstiften oder
Kontaktflächen unddenAbmessungen vonnichtwenigerals30x30mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
MB8764
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufEin-Chip-Mikrocomputer dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
Teilnehmerleitung-Sprach-Signal-Baustein (sogenannter Subscriber LineAudioProcessing
Circuit/SLAC)mit2Digitalsignalprozessoren ,einemAnalog-Digital -undeinemDigital-Ana­
log-Umsetzer ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnicht
mehrals28Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals17x39mm.0
ex85.21DII
0
ex85.21DII
(a)DieÜberwachung derzweckentsprechenden Verwendung erfolgtnachdeneinschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen

20.12.86AmtsblattderEuropäischen Gemeinschaften Nr.L362/33
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DII
(Fortsetzung )
7
ex85.21DIIDasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält:
AM7901
AM7905
oder
eineandereKennzeichnung ,diesichaufBausteinedervorstehenden Warenbeschreibung
bezieht .
NichtflüchtigerSpeicher,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung,bestehendaus
einemstatischenSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinC-MOS-Technik hergestellt
(sogenannter C-MOS-RAM ,statisch)miteinerSpeicherkapazität von16Kbitundinterner
Energiequelle ,ineinemGehäusemitnichtmehrals28Anschlußstiften unddenAbmessungen
vonnichtmehrals19x36mm.
DasGehäuseträgt
eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
MK48Z02(B),DS1220Y
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufnichtflüchtigeSpeicherdervorstehenden
Beschreibung bezieht.
Kontrollbaustein fürdieDatenein-und-ausgabeundZeitfolge,inN-MOS(einschließlich
H-MOS)-Technik hergestellt ,miteinemstatistischen Schreib-Lesespeicher mitwahlfreiem
Zugriff (sogenannter RAM)miteinerSpeicherkapazität von128x8bit,inFormeiner
monolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals40Anschlußstiften
unddenAbmessungen vonnichtmehrals16x54mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-oderZahlen/
Buchstabenkombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil
enthält :7
ex85.21DII
6532
0
ex85.21DIICO10750
oder
eineandereKennzeichnung ,diesichaufKontrollbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Analog-Digitaler-Steuerbaustein zurKontrollederSchwingungen desSchrittmotors während
desPositionierens ,inbipolarerTechnikhergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten
Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals28Anschlußstiften unddenAbmessungen von
nichtmehrals18x39mm.
DasGehäuseträgt
eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Buchstabenkombination besteht
oderdieseKombination alsBestandteil enthält :
STEDA
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSteuerbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Analog-Digitaler-Steuerbaustein fürbürstenlose Motoren,zurErhaltungeinerkonstanten
Geschwindigkeit ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemit
nichtmehrals18Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals6x25mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstaben­
kombination bestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält:
MGA3015A
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSteuerbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .0
ex85.21DII
0

Nr.L362/34 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften 20.12.86
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DII Analog-Digitaler-Steuerbaustein fürbürstenlose Motoren,zurErhaltung einerkonstanten
Geschwindigkeit ,inbipolarerTechnikhergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten
Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals20Anschlußstiften unddenAbmessungen von
nichtmehrals9x25mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält:
UC1634,UC1633,UC3633,UC3634
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSteuerbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex85.21DII BausteinfürdieOrganisation desSpeichers (sogenannte MemoryManagement Unit/MMU),
inN-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt ,miteinerSpeicheradressierbarkeit bis
zu16Megabyte ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemit
nichtmehrals64Anschlußstiften oder68Kontaktflächen unddenAbmessungen vonnicht
mehrals25x82mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-oder
Zahlen/Buchstabenkombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil
enthält :
68451, TX32082W
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufBausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex85.21DII0
0
0
0BausteinfürdieOrganisation desSpeichers (sogenannte MemoryManagement Unit/MMU),
inC-MOS-Technik hergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinem
Gehäusemitnichtmehr132Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehralsals
36x36mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
MC68851
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufBausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex85.21DII Bausteinzurasynchronen Bus-Kontrolle undzurUmwandlung derlokalenBus-Leitungen in
Multiplex-Leitungen inadvancedlowpowerSchottky-Technik hergestellt ,inFormeiner
monolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals28Anschlußstiften
unddenAbmessungen vonnichtmehrals13x37mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht
oderdieseKombination alsBestandteil enthält :
68452
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufBausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex85.21DII Kontrollbaustein fürKathodenstrahlröhren (sogenannter CathodeRayTubeController/
CRTC)inN-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt ,inFormeinermonolithischen
integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals68Anschlußstiften oder
Kontaktflächen unddenAbmessungen vonnichtmehrals25x62mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstaben­
kombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :

20.12.86 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften Nr.L362/35
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DII
(Fortsetzung )AM8052
D8275H
P8275H
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufKontrollbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht . 7
ex85.21DIIBausteinzurAnzeigenkontrolle undzurErzeugung vonZeichen (sogenannter Display
ControllerundCharacterGenerator/DCCG)inC-MOS-Technik hergestellt ,fürFlüssig­
kristall-Punktmatrixanzeigen ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinem
Gehäusemitnichtmehrals60Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
20x26mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält:
HD61830
oder
eineandereKennzeichnung ,diesichaufBausteinedervorstehenden Beschreibung
bezieht .0
ex85.21DII
0
ex85.21DIIVideo-Digital-Analog-Umsetzer (sogenannter Video-Digital-Analog-Converter /VDAC),mit
einerSignalumsetzungszeit vonnichtmehrals10Nanosekunden ,inFormeinerhybriden
integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals24Anschlußstiften undden
Abmessungen vonnichtmehrals20x35mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält:
VDAC0405H
VDAC0605H
VDAC0805H
oder
eineandereKennzeichnung ,diesichaufVideo-Digital-Analog-Umsetzer dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
Interpolations-Baustein (sogenannter Interpolation PulseGenerator )zurSteuerunggeometri­
scherFunktionen ,inC-MOS-Technik hergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten
Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals28Anschlußstiften unddenAbmessungen von
nichtmehrals17x39mm.
DasGehäuseträgt
eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
KM3701
oder
eineandereKennzeichnung ,diesichaufInterpolations-Bausteine dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
StatischeSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinC-MOS-Technik hergestellt (soge­
nannteC-MOS-RAMs ,statisch),miteinerSpeicherkapazität von32Kbit,inFormeiner
monolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals28Anschlußstiften
unddenAbmessungen vonnichtmehrals18x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält:
TC5532
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufstatischeSchreib-Lesespeicher dervorstehenden
Beschreibung bezieht.0
ex85.21DII
0

Nr.L362/36 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften 20.12.86
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DII
ex85.21DIIBausteinzurSteuerungvonServovorrichtungen inC-MOS-Technik hergestellt ,inFormeiner
monolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals40Anschlußstiften
unddenAbmessungen vonnichtmehrals17x54mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
KM3702
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSteuerbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
BausteinzurErzeugung variablerWellenformen inbipolarerTechnikhergestellt ,inFormeiner
monolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals16Anschlußstiften
unddenAbmessungen vonnichtmehrals10x21mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
XR2206
XR8038
oder
—eineKennzeichnung ,diesichaufBausteinedervorstehenden Beschreibung bezieht.
Video-Verstärkerbaustein inbipolarerTechnikhergestellt ,inFormeinermonolithischen
integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals44Anschlußstiften undden
Abmessungen vonnichtmehrals17x17mm,zumHerstellen vontragbarenFarbfernseh­
kameras (a).
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :ex85.21DII0
0
0
0702
703
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufVerstärkerbausteine dervorstehenden Beschrei­
bungbezieht.
ex85.21DII BausteinzurVerstärkung entwederderLese-oderderSchreibsignale vonflexiblenMagnet­
platten,inbipolarerTechnikhergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,
ineinemGehäusemitnichtmehrals22Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehr
als11x29mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
XR2247
XR3470
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufBausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex85.21DII BausteinzurBlenden-undFarbtemperaturausgleichsteuerung inbipolarerTechnikhergestellt ,
inFormeinermonolithischen integrierten analogenSchaltung ,ineinemGehäusemitnicht
mehrals44Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals17x17mm,zum
Herstellen vontragbaren Farbfernsehkameras (a).
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht
oderdieseKombination alsBestandteil enthält :
704
(a)DieÜberwachung derzweckentsprechenden Verwendung erfolgtnachdeneinschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .

20.12.86AmtsblattderEuropäischen Gemeinschaften Nr.L362/37
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsAutonomer
Zollsatz Warenbezeichnung
%
ex85.21DII
(Fortsetzung )
ex85.21DIIoder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufBausteinedervorstehenden Beschreibungbezieht .
TaktgeberinC-MOS-Technik hergestellt,inFormeinermonolithischen integriertendigitalen
Schaltung,ineinemGehäusemitnichtmehrals68Anschlußstiften unddenAbmessungen von
nichtmehrals25x25mm,zumHerstellenvontragbarenFarbfernsehkameras (a).
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält­
705
ex85.21DII706
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufTaktgeberdervorstehenden Beschreibungbezieht .
StatischeSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiemZugriffinbipolarerTechnikhergestellt
(sogenanntebipolareRAMs,statisch),inFormeinermonolithischen integriertenSchaltung,
bestehendauseinerSubstratebene mit1oder2ChipsmiteinerSpeicherkapazität vonjeweils
1KbitineinemGehäusemitnichtmehrals23Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals13x13mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält'
770639,770823,5120360 ,7379769
oder
ex85.21DII—eineandereKennzeichnung ,diesichaufstatischeSchreib-Lesespeicher dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
StatischeSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiemZugriffinbipolarerTechnikhergestellt
(sogenanntebipolareRAMs,statisch)inFormvonmonolithischen integriertenSchaltungen ,
bestehendaus2übereinander angeordneten Substratebenen mit1oder2Chipsmiteiner
Speicherkapazität vonjeweils1KbitundeinerGesamtspeicherkapazität vonnichtmehrals
4Kbit,ineinemGehäusemitnichtmehrals23Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals13x13mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält­
770965
4599497
7379442
oder
ex85.21DII—eineandereKennzeichnung ,diesichaufstatischeSchreib-Lesespeicher dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
Programmierbarer Signalsynthetisator (sogenannter DigitalSignalSynthesizer )inC-MOS­
Technikhergestellt ,mit32Frequenzgeneratoren zurErzeugungvonjeweils8Tönenundeinem
gleichzeitigen Outputvonbiszu160Tönen,inFormeinermonolithischen integrierten
Schaltung,ineinemGehäusemitnichtmehrals68Anschlußstiften oderKontaktflächen und
denAbmessungen vonnichtmehrals25x25mm.
DasGehäuseträgt
eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Buchstabenkombination besteht
oderdieseKombination alsBestandteil enthält:
MEG
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSignalsynthetisatoren dervorstehenden Beschrei­
bungbezieht.
(a)DieÜberwachung derzweckentsprechenden Verwendung erfolgtnachdeneinschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .

Nr.L362/38 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften 20.12.86
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DII BausteinzurRegeneration pulscode-modulierter Signale,inbipolarerTechnikhergestellt ,in
Formeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals
16Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals10x21mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
XRC240
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufBausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht . 0
ex85.21DII Kontrollbaustein inN-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt ,inFormeiner
monolithischen integrierten Schaltung ,zurSteuerung dynamischer Schreib-Lesespeicher mit
wahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM,dynamisch ),mitAdressen-Multiplexer undZeitgeber ,
ineinemGehäusemitnichtmehrals48Anschlußstiften oder52Kontaktflächen undden
Abmessungen vonnichtmehrals17x62mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
C8208 THCT4502
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufKontrollbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht . 0
ex85.21DII Sendeempfangsbaustein mitzweiKanälenzurasynchronen Datenübertragung (sogenannter
DualUniversalAsynchronous ReceiverTransmitter /DUART),inMOS-Technik hergestellt ,in
Formeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals
40Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals15x52mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
SCN2681,MC2681
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSendeempfangsbausteine dervorstehenden
Beschreibung bezieht. 0
ex85.21DII C-MOS-Uhren /Datum-Schaltungen mitQuarzschwinger ,unabhängigen Zeitzählregistern
undeinemTaktgeber ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäuse
mitnichtmehrals16Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals7x20
mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-oderZahlen/
Buchstabenkombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil ent­
hält:
MM58174A,58274
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufUhrenschaltungen dervorstehenden Beschreibung
bezieht . 0
ex85.21DII C-MOS-Uhrenschaltung mitTonausgabe ,auchmitStundenzähler ,inFormeinermonolithi­
schenintegrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals24Anschlußstiften undden
Abmessungen vonnichtmehrals17x33mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-oderZahlen/
Buchstabenkombinationen besteht :

20.12.86 AmtsblattderEuropäischen Gemeinschaften Nr.L362/39
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DII
(Fortsetzung )SVM5530
7910
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufUhrenschaltungen dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex85.21DII0
0Sendeempfangsbaustein fürasynchrone Daten(sogenanntes Asynchronous Communication
Element)inMOS-Technik hergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,in
einemGehäusemitnichtmehrals40Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
16x54mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält:
INS8250 NS16450
WD8250 NS16C450
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSendeempfangsbausteine dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
Dynamische Schreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinN-MOS(einschließlich
H-MOS)-Technik hergestellt (sogenannte N/H-MOS-RAMs ,dynamisch ),inFormeiner
monolithischen integrierten Schaltung ,miteinerSpeicherkapazität von64Kx4bit,ineinem
Gehäusemitnichtmehrals20parallelenAnschlußstiften (Dual-in-Line )unddenAbmessungen
vonnichtmehrals17x34mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält:
TMS4464,PD41254,PD41464,TMM41464ex85.21DII
M5M4464,HM50464,MB81464
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufdynamische Schreib-Lesespeicher dervorstehenden
Beschreibung bezieht. 10
ex85.21DII Dynamische Schreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinN-MOS (einschließlich
H-MOS)-Technik hergestellt ,miteinerSpeicherkapazität von256KbitundeinerZugriffszeit
vonnichtmehrals150Nanosekunden ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,in
einemGehäusemitnichtmehrals20Anschlußstiften inZig-Zag-in-Line-Anordnung undden
Abmessungen vonnichtmehrals12x22mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält:
PD41256V
MB81256P
HM50256ZP
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSchreib-Lesespeicher dervorstehenden Beschrei­
bungbezieht. 10
ex85.21DII Manchester-Codier -undDecodierbaustein (sogenannter Manchester-Encoder-Decoder /
MED)zurkontinuierlichen Datenübertragung ,mitWiederholungsmodus ,inC-MOS-Technik
hergestellt ,miteinerAusgangsspannung von4,5Volt,inFormeinermonolithischen
integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals20Anschlußstiften undden
Abmessungen vonnichtmehrals16x33mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
HD6409

Nr.L362/40Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften 20.12.86
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DII
(Fortsetzung )oder
eineandereKennzeichnung ,diesichaufCodier-undDecodierbausteine dervorstehenden
Beschreibung bezieht. 0
ex85.21DIIProgrammierbare UV-löschbare Lesespeicher (sogenannte EPROMs),inFormeinermonoli­
thischenintegrierten Schaltung ,miteinerSpeicherkapazität von512Kbit,ineinemGehäuse
mitdenAbmessungen vonnichtmehrals20x42mmundeinemQuarzfenster aufder
Oberseite .
DasGehäuseträgt
—-eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieseKombinationen alsBestandteil enthält:
AM27512,MBM27C512
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufLesespeicher dervorstehenden Beschreibung
bezieht .0
ex85.21DIITTL-Logikbaustein inbipolarerTechnikhergestellt ,mitnichtmehralssechslogischen
Funktionen ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnicht
mehrals24Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals17x34mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält:
SH767369
SH998088
oder
-—eineandereKennzeichnung ,diesichaufLogikbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht . 0
ex85.21DII Kontrollbaustein fürZentraleinheiten (sogenannter CPU-Controller ),inC-MOS-Technik
hergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnicht
mehrals68Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals25x25mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält:
FE2000
L1A0392
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufKontrollbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex85.21DII Kontrollbaustein fürflexibleMagnetplatten (sogenannter FloppyDiscController/FDC),in
C-MOS-Technik hergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinem
Gehäusemitnichtmehrals48Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
16x62mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
MB89311,L1A0519,G70360-33
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufKontrollbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht . 7
ex85.21DII Monolithische integrierteSchaltungzurPulscode-Modulation (sogenannte PulseCodeModu­
lation/PCM)inN-MOS(einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt ,mitCodier-,Decodier­
undFilterfunktionen ,ineinemGehäusemitnichtmehrals16Anschlußstiften undden
Abmessungen vonnichtmehrals10x23mm.

20.12.86Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften Nr.L362/41
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsAutonomer
Zollsatz
%Warenbezeichnung
DasGerätträgt
eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält:ex85.21DII
(Fortsetzung )
2916
7
ex85.21DII2917
oder
eineandereKennzeichnung ,diesichaufintegrierte Schaltungen dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
Bausteinmit6KanälenzurVerstärkung undUmwandlung derLesesignale undzur
Umwandlung derSchreibsignale fürMagnetplattenspeicher mitfestenPlatten(sogenannter
Read/WriteDataProcessorCircuit),inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,in
einemGehäusemitnichtmehrals28Anschlußstiften oderKontaktflächen undden
Abmessungen vonnichtmehrals19x38mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieseKombinationen alsBestandteil enthält:
SSI540,SSI541
oder
eineandereKennzeichnung ,diesichauf6-Kanal-Bausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
8-Kanal-Steuerbausteine zurErhaltungeinerkonstantenelektromagnetischen Andruckskraft ,
inC-MOS-Technik hergestellt ,mitDiodenund8-bit-Speicher ,inFormeinermonolithischen
integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals22Anschlußstiften undden
Abmessungen vonnichtmehrals9x28mm.
DasGehäuseträgt
eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält:0
ex85.21DII
UCN5801
0
ex85.21DIIoder
eineandereKennzeichnung ,diesichaufSteuerbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
4-Kanal-Steuerbausteine zurErhaltungeinerkonstantenelektromagnetischen Andruckskraft ,
inC-MOS-Technik hergestellt ,mitDiodenund'4-bit-Speicher ,inFormeinermonolithischen
integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals16Anschlußstiften undden
Abmessungen vonnichtmehrals7x22mm.
DasGehäuseträgt
eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
UCN5813
oder
0
ex85.21DIIeineandereKennzeichnung ,diesichaufSteuerbausteine dervorstehenden Beschreibungbezieht .
Bausteinmit6KanälenzurErzeugungvonSchreib-undLesesignalen fürMagnetplattenspei­
chermitfestenMagnetplatten ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung,ineinem
Gehäusemitnichtmehrals28Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
13x13mm.
DasGehäuseträgt
eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
SSI117
oder
eineandereKennzeichnung ,diesichauf6-Kanal-Bausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .0

Nr.L362/42 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften 20.12.86
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
ex85.21DII Programmierbare Lesespeicher ,nichtlöschbar (sogenannte PROMS),inFormeinermonoli­
thischenintegrierten Schaltung ,miteinerSpeicherkapazität von16Kbit,ineinemGehäusemit
nichtmehrals32Anschlußstiften oderKontaktflächen unddenAbmessungen vonnichtmehr
als17x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-oderZahlen/
Buchstabenkombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil ent­
hält:
27PS191A7C245 7C292 MB7133 MB7137 MB7151
29683 7C291 HM6616 MB7134 MB7138 MB7152
0
ex85.21DII
0
ex85.21DIIoder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufLesespeicher dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Verstärker ,steuerbarfürSignalevon0bis60KHzundmiteinemReststrom vonnichtmehrals
0,3Mikroampere ,inFormeinermonolithischen integrierten analogenSchaltung ,ineinem
Gehäusemitnichtmehrals18Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
6x13x26mm,zurVerwendung inFernsprechanlagen (a).
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
ISO100
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufVerstärker dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Ein-Chip-Mikrocomputer ,inC-MOS-Technik hergestellt ,inFormeinermonolithischen
integrierten Schaltung ,bestehendauseinerarithmetischen ,logischenEinheit(Rechenwerk )mit
einerKapazitätvon4bit,einemLesespeicher (sogenannter ROM),miteinerSpeicherkapazität
von2Kx8bit,einemDoppel-Ton-Multifrequenz (DTMF)-Generator ,einemSchreib-Lese­
speichermitwahlfreiem Zugriff (sogenannter RAM)miteinerSpeicherkapazität von1Kbit,
auchmiteinemweiterenSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiem Zugriff(sogenannter RAM)mit
einerSpeicherkapazität von512bit,ineinemGehäusemitnichtmehrals42Anschlußstiften
unddenAbmessungen vonnichtmehrals16x54mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
T6978,TCM8301,TCM8302
oder
—eineandereKenhzeichnung ,diesichaufEin-Chip-Mikrocomputer dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
StatischeSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinC-MOS-Technik hergestellt (soge­
nannterC-MOS-RAMs ,statisch),inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,mit
einerSpeicherkapazität von16x4bitundeinerZugriffszeit vonnichtmehrals35
Nanosekunden ,ineinemGehäusemitnichtmehrals16Anschlußstiften unddenAbmessungen
vonnichtmehrals9x21mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
CY7C189
CY7C190
CY74S189
CY54S189
CY27S03
CY27S07
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufstatischeSchreib-Lesespeicher dervorstehenden
Beschreibung bezieht .0
ex85.21DII
0
(a)DieÜberwachung derzweckentsprechenden Verwendung erfolgtnachdeneinschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .

20.12.86 AmtsblattderEuropäischen Gemeinschaften Nr.L362/43
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsAutonomer
Zollsatz Warenbezeichnung
%
ex85.21DII
ex85.21DIIStatischeSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinC-MOS-Technik hergestellt (soge­
nannteC-MOS-RAMs ,statisch),miteinerSpeicherkapazität von256x4bitundeiner
Zugriffszeit vonnichtmehrals60Nanosekunden ,inFormeinermonolithischen integrierten
Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals22Anschlußstiften unddenAbmessungen von
nichtmehrals12x29mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
CY7C122
CY93422/93L422
oder
eineandereKennzeichnung ,diesichaufstatischeSchreib-Lesespeicher dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
Elektrischlöschbare,programmierbare Lesespeicher (sogenannte E2PROMs),inFormeiner
monolithischen integrierten SchaltungohneGehäuse (Mikroplättchen )miteinerSpeicherka­
pazitätvon16Kbit,zurVerwendung beimHerstellen vonmitMikrowellen arbeitenden
Objekt-oderPersonenidentifizierungssystemen (a)
Dynamische Schreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinN-MOS(einschließlich
H-MOS)-Technik hergestellt (sogenannte N/H-MOS-RAMs ,dynamisch ),inFormeiner
monolithischen integrierten Schaltung ,bestehendauseinerSubstratebene mitnichtwenigerals
2undnichtmehrals8ChipsmiteinerSpeicherkapazität vonjeweils128,192oder256Kbit
undeinerGesamtspeicherkapazität vonnichtwenigerals256Kbitundnichtmehrals2
Megabit,ineinemGehäusemitnichtmehrals57Anschlußstiften unddenAbmessungen von
nichtmehrals30x30mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :ex85.21DII
6031587
60315916870392
6870393
68703957379172
7379174
7379176
73791810
0
0
06025841
6025843
6025856
6025858
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufdynamische Schreib-Lesespeicher dervorstehenden
Beschreibung bezieht .
ex85.21DIIDynamische Schreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffunddualerEin-/Ausgangsstelle in
N-MOS (einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt (sogenannte N/H-MOS-RAMs ,dyna­
misch),mitDatenregister undseriellerLeseausgangskontrolle ,miteinerSpeicherkapazität von
256Kbit,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnicht
mehrals24Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals13x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält:
PD41264,MB81461
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSchreib-Lesespeicher dervorstehenden Beschrei­
bungbezieht.
ex85.21DIIBus-Schnittstellenbaustein zurKontrollederÜbertragungsleitungen inC-MOS-Technik
hergestellt ,bestehendauseinemnumerischen Bus,zweiunabhängigen Empfängern undeinem
SendermitFIFO(FirstIn/FirstOut)-Speicher ,inFormeinermonolithischen integrierten
Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals44Anschlußstiften oderKontaktflächen und
denAbmessungen vonnichtmehrals20x52mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält:
HS3282
(a)DieÜberwachung derzweckentsprechenden Verwendung erfolgtnachdeneinschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen

Nr.L362/44 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften 20.12.86
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DII
(Fortsetzung )
0
ex85.21DIIoder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSchnittstellenbausteine dervorstehenden Beschrei­
bungbezieht .
Monolithische integrierte Schaltung inN-MOS (einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt ,
zumErzeugen vongraphischen Symbolen aufeinemKathodenstrahl-Bildschirm inVek­
tor-Schreibweise ,ineinemGehäusemitnichtmehrals68Anschlußstiften unddenAbmes­
sungenvonnichtmehrals28x61mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-oderZahlen/
Buchstabenkombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil ent­
hält:
FCD28042277,96114898,96114899,96149135
oder
0
ex85.21DII
0
ex85.21DII—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSchaltungen dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
StatischeSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinC-MOS-Technik hergestellt (soge­
nannteC-MOS-RAMs ,statisch),miteinerSpeicherkapazität von256Kbit,inFormeiner
monolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals28Anschlußstiften
unddenAbmessungen vonnichtmehrals17x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
HM62256,PD43256C,TC55257P
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufstatischeSchreib-Lesespeicher dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
Schreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinECL-Technik hergestellt (sogenannte
ECL-RAMs ),miteinerSpeicherkapazität von256x4bitundeinerZugriffszeit vonnichtmehr
als8Nanosekunden ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäuse
mitnichtmehrals24Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
11x32mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-oderZahlen/
Buchstabenkombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil ent­
hält:
10422,10422A
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSchreib-Lesespeicher dervorstehenden Beschrei­
bungbezieht .
Schreib-Lesespeicher mitwahlfreiem ZugriffinECL-Technik hergestellt (sogenannte
ECL-RAMs ),miteinerSpeicherkapazität von16KbitundeinerZugriffszeit vonnichtmehrals
15Nanosekunden ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemit
nichtmehrals20Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals9x27mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlenkombination besteht
oderdieseKombination alsBestandteil enthält :
10480
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSchreib-Lesespeicher dervorstehenden Beschrei­
bungbezieht.
Oktal-Treiberbaustein (sogenannter Eight-Line-Driver )inTTL-Schottky-Technik hergestellt ,
inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals
28Anschlußstiften oderKontaktflächen unddenAbmessungen vonnichtmehrals
14x14mm.0
ex85.21DII
0
ex85.21DII

20.12.86 AmtsblattderEuropäischen Gemeinschaften Nr.L362/45
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DII
(Fortsetzung )Warenbezeichnung
DasGehäuseträgt
eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-oderZahlen/
Buchstabenkombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil ent­
hält:
5170,NE5170,UC5170
oder
eineandereKennzeichnung ,diesichaufTreiberbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .0
ex85.21DIIOktal-Empfangsbaustein (sogenannter Eight-Line-Receiver )inTTL-Schottky-Technik herge­
stellt,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals
28Anschlußstiften oderKontaktflächen unddenAbmessungen vonnichtmehrals
14x14mm.
DasGehäuseträgt
eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen-oderZahlen/
Buchstabenkombinationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil ent­
hält:
5180 5181 8510
NE5180 NE5181 8511
oder
eineandereKennzeichnung ,diesichaufEmpfangsbausteine dervorstehenden Beschrei­
bungbezieht . 0
ex85.21DIISchnittstellenbaustein zurDatenstromsynchronisierung vonfestenMagnetplatten ,inForm
einermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals28
Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals16x35mm.
DasGehäuseträgt­
eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält:
DP8462
oder
eineandereKennzeichnung ,diesichaufSchnittstellenbausteine dervorstehenden Beschrei­
bungbezieht. 0
ex85.21DIIDatentrennbaustein fürfesteMagnetplatten (sogenannter HardDiscDataSeparator/FIDDS),
inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals
28Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals16x37mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält:
DP8465 WD10C20
DP8460-2 HDC9226
DP8460-3
DP8460-4
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufDatentrennbausteine dervorstehenden Beschrei­
bungbezieht . 0
ex85.21DIIHybrideintegrierteSchaltungzumSteuernvonElektromagneten ,bestehendausvierDarling­
ton-Transistoren (einDarlington =2Transistoren inKaskadenschaltung ),ineinemGehäuse
mitnichtmehrals10Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals12x27
mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
TH3L10 ,TH3L20 ,PU4419

Nr.L362/46 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften 20.12.86
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
°/o
oder ex85.21DII
(Fortsetzung )eineandereKennzeichnung ,diesichaufintegrierte Schaltungen dervorstehenden
Beschreibung bezieht. 0
ex85.21DIISchnittstellenbaustein ,inC-MOS-Technik hergestellt ,fürdenperipherenFestmagnetplatten­
speicherundderZentraleinheit ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinem
Gehäusemitnichtmehrals68Anschlußstiften oderKontaktflächen unddenAbmessungen von
nichtmehrals28x53mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
OMTI508 AIC500
OMTI509 AIC16000
WD11Coo
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSchnittstellenbausteine dervorstehenden Beschrei­
bungbezieht . 0
ex85.21DIIBausteinzurFolgekontrolle derDatenzwischenFestmagnetplattenspeicher undSpeicherkon­
trolleinheit ,inMOS-Technik hergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,
ineinemGehäusemitnichtmehrals68Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehr
als28x54mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält:
AIC010 AIC100
OMTI505
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufBausteinedervorstehenden Beschreibung
bezieht . 3
ex85.21DIISerienschnittstellenbaustein zurDatenstromcodierung und-decodierung fürFestmagnetplat­
tenspeicher ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnicht
mehrals28Anschlußstiften oderKontaktflächen unddenAbmessungen vonnichtmehrals
17x37mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
OMTI507 OMTI5027
AIC-250 AIC-270
oder
■—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSchnittstellenbausteine dervorstehenden Beschrei­
bungbezieht . 0
ex85.21DIISchreib-Lese-Baustein mit4KanälenzurKontrollederMagnetköpfe inFestmagnetplatten­
speichern ,inbipolarerTechnikhergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten
Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals28Anschlußstiften unddenAbmessungen von
nichtmehrals12x19mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
SSI510
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSchreib-Lese-Bausteine dervorstehenden Beschrei­
bungbezieht . 0

20.12.86 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften Nr.L362/47
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DII Kontrollbaustein inMOS-Technik hergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten
Schaltung ,zurSteuerungstatischerSchreib-Lesespeicher mitwahlfreiem Zugriff(sogenannter
RAM,statisch),mitAdressen-Multiplexer undZeitgeber ,ineinemGehäusemitnichtmehrals
68Anschlußstiften oderKontaktflächen unddenAbmessungen vonnichtmehrals
28x54mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält:
OMTI506 AIC300
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufKontrollbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht . 0
ex85.21DII Programmierte Schaltmatrix (GateArray),nichtvomAnwender programmierbar ,in
C-MOS-Technik mitmetallischen Gateshergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten
Schaltung ,miteinerBetriebsspannung von12V,mitnichtwenigerals637Zwei-Ein­
gangs-Funktionen undeinemdurchElektronenstrahl hergestellten Digitalcode inderMatrix,in
einemGehäusemitnichtmehrals22Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
11x29mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
FB215
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufeineSchaltmatrix dervorstehenden Beschreibung
bezieht . 7
ex85.21DII
7
ex85.21DIIMonolithische integrierte SchaltungzurPulscode-Modulation (sogenannte PulsCodeModu­
lation/PCM)inN-MOS (einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt ,bestehend auseiner
Tastspeicherschaltung (sogenannter SampleandHoldCircuit),Digital-Analog-Umsetzer ,
Grenzwertangleicher ,Registerfürsukzessive Approximation ,logischerFunktionfüreine
Schnittstelle zueinerPCM-Linie zurgleichzeitigen Datenübermittlung inbeidenRichtungen
(FüllDuplex),ineinemGehäusemitnichtmehrals22Anschlußstiften unddenAbmessungen
vonnichtmehrals11x28mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
2911A-1
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufintegrierte Schaltungen dervorstehenden
Beschreibung bezieht .
Sendeempfangsfilter zurPulscode-Modulation (sogenannte PulseCodeModulation /PCM)in
N-MOS (einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt ,füreinenPCM-Leitungsanschluß ,in
Formeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals
16Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals10x21mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
D2912A
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufSendeempfangsfilter dervorstehenden Beschrei­
bungbezieht.
Dynamische Schreib-Lesespeicher mitwahlfreiem Zugriff,inC-MOS-Technik hergestellt
(sogenannte C-MOS-RAMs ,dynamisch ),miteinerSpeicherkapazität von256Kbits,inForm
einermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals18An­
schlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals17x34mm.7
ex85.21DII

Nr.L362/48 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften 20.12.86
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsAutonomer
Zollsatz Warenbezeichnung
%
ex85.21DII
(Fortsetzung )
0
ex85.21DII
0
ex85.21DIIDasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält:
P51C256
P51C259
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufdynamische Schreib-Lesespeicher dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
Monolithische integrierteSchaltungzumUmwandeln analogerSignaleindigitaleSignale,mit
Verstärkern ,Digital-Analog -undAnalog-Digital-Umsetzern ,miteinerVersorgungsspannung
von12V±10%undeinerdigitalenSerienschnittstelle mitasynchronem Sendeempfänger ,in
einemGehäusemitnichtmehrals44Anschlußstiften oderKontaktflächen undden
Abmessungen vonnichtmehrals18x18mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
AD75002
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufintegrierte Schaltungen dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
Kontrollbaustein fürKathodenstrahlröhren (sogenannter CathodeRayTubeController/
CRTC),inbipolarerTechnikhergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung,
ineinemGehäusemitnichtmehrals40Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehr
als15x55mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
SCB2675
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufKontrollbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Kontrollbaustein fürmonochrome Anzeigen (sogenannter Monochrome DisplayController/
MDC),inC-MOS-Technik hergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,in
einemGehäusemitnichtmehrals68Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
25x25mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
01-01.00 551A
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufKontrollbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .0
ex85.21DII
0
ex85.21DIIProgrammierbare Lesespeicher ,nichtlöschbar (sogenannte PROMs),miteinerSpeicherkapa­
zitätvon32Kbit,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemit
nichtmehrals32Anschlußstiften oderKontaktflächen unddenAbmessungen vonnichtmehr
als17x39mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält:
63S3281,AM27S43,MB7141,MB7142
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufLesespeicher dervorstehenden Beschreibung
bezieht . 0

20.12.86Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften Nr.L362/49
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DII
ex85.21DIIKontrollbaustein fürVideoanzeigen (sogenannter AdvancedVideoDisplayController/
AVDC)inN-MOS (einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt ,inFormeinermonolithischen
integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals40Anschlußstiften undden
Abmessungen vonnichtmehrals15x55mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält:
SCN2674
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufKontrollbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Kontrollbaustein zumSteuernmagnetischer Drucktypen ,inTTL-Technik hergestellt ,inForm
einermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals16An­
schlußstiften undnichtmehrals7x20mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
801379-002
oder
eineandereKennzeichnung ,diesichaufKontrollbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Teilnehmerleitungs-Einheit (sogenannter Crosspoint Switch)mitnichtwenigerals4undnicht
mehrals12Schaltern ,miteinerBetriebsspannung von150Vodermehr,inFormeiner
hybridenintegrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals94Anschlußstiften und
denAbmessungen vonnichtmehrals41x92mm.
DasGehäuseträgt
eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlenkombinationen
bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :ex85.21DII7
0
0904
719
ex85.21DIIoder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufEinheitendervorstehenden Beschreibung
bezieht .
8x8bitRechenbaustein zumMultiplizieren undAddieren (sogenannter MultiplierAccumu­
lator/MAC)inC-MOS-Technik hergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten
Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals48Anschlußstiften unddenAbmessungen von
nichtmehrals16x62mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält:
ADSP-1008A
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufRechenbausteine dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Analog-Digital-Umsetzer zurBerechnung desDurchschnittswerts variablerWellenformen ,in
Formeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals
14Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals10x18mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
AD536A
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufAnalog-Digital-Umsetzer dervorstehenden
Beschreibung bezieht.ex85.21DII0
0

Nr.L362/50 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften 20.12.86
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DII
0
ex85.21DII
0
ex85.21DII12-bit-Analog-Digital-Umsetzer mitReferenzspannung undTaktgeber ,inFormeinermono­
lithischenintegrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals28Anschlußstiften und
denAbmessungen vonnichtmehrals15x36mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
AD574A
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufAnalog-Digital-Umsetzer dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
Vierfacher Digital-Analog-Umsetzer miteinerKapazität jeKanalvon12bit,inFormeiner
hybridenintegrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals28Anschlußstiften und
denAbmessungen vonnichtmehrals21x41mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
AD390
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufDigital-Analog-Umsetzer dervorstehenden
Beschreibung bezieht.
Prozessor zurPuffer-Steuerung (sogenannter BufferManagement ControlProcessor )in
N-MOS (einschließlich H-MOS)-Technik hergestellt ,inFormeinermonolithischen integrier­
tenSchaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals40Anschlußstiften unddenAbmessungen
vonnichtmehrals17x54mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
WD1015
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufProzessoren dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Prozessor zurPuffer-Steuerung (sogenannter BufferManagement ControlProcessor )in
C-MOS-Technik hergestellt ,inFormeinermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinem
Gehäusemitnichtmehrals84Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
31x31mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombina ­
tionbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
WD11C00-22
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufProzessoren dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
Thermoelementverstärker miteingebautem Alarmsystem zurKontrolle vonInstrumenten
innerhalbeinesTemperaturbereichs vonnichtwenigerals0undnichtmehrals50°C,inForm
einermonolithischen integrierten Schaltung ,ineinemGehäusemitnichtmehrals14Anschluß­
stiftenunddenAbmessungen vonnichtmehrals8x20mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieauseinerdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkom­
binationen bestehtodereinedieserKombinationen alsBestandteil enthält :
AD594
AD595
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufThermoelementverstärker dervorstehenden
Beschreibung bezieht.0
ex85.21DII
0
ex85.21DII
0

20.12.86 Amtsblatt derEuropäischen Gemeinschaften Nr.L362/51
Nummer des
Gemeinsamen
ZolltarifsWarenbezeichnungAutonomer
Zollsatz
%
ex85.21DI Temperaturfühler inFormeinermonolithischen integrierten analogenSchaltung ,ineinem
Gehäusemitnichtmehrals3Anschlußstiften unddenAbmessungen vonnichtmehrals
4x6mm.
DasGehäuseträgt
—eineKennzeichnung ,dieausdernachstehend aufgeführten Zahlen/Buchstabenkombi­
nationbestehtoderdieseKombination alsBestandteil enthält :
AD590
oder
—eineandereKennzeichnung ,diesichaufTemperaturfühler dervorstehenden Beschreibung
bezieht .
ex85.21E
ex85.23B
ex90.02B
ex90.02B0
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0
0
0
0
0
3
0Kathodenstrahlröhren-Ablenkeinheiten fürFrequenzen vonnichtwenigerals31250undnicht
mehrals64000Hz,miteinem4-Pol-Magneten
IsolierterWickeldraht ,wederlackiertnochverniert,ausAluminium miteinerReinheitvon
99,5Gewichtshundertteilen odermehr,miteinerGesamtdicke vonnichtwenigerals0,15und
nichtmehrals0,16mm
Lichtwellenumkehrleiter ausoptischenFasern
Regelbares ObjektivmiteinerBrennweite vonnichtwenigerals115undnichtmehrals
140mm,bestehendaus4bis8LinsenausGlasoderMethacrylat ,dieeinenDurchmesser von
nichtwenigerals120undnichtmehrals130mmaufweisenundjeweilsaufmindestens einer
SeitemitMagnesiumfluorid beschichtet sind,zumEinbauinVideoprojektoren (a)
Optisches Element,bestehend auszweiLagenstarrer,optischerFasernzwischenzwei
Kunststoffplatten ,mitdenAbmessungen vonnichtmehrals5x20x276mm,zumHerstellen
vonPhotokopierapparaten (a)
OptischeEinheitfürPhotokopierapparate ,bestehendauszweiLagenstarrer,optischerFasern
zwischenzweiKunststoffplatten ,einerröhrenförmigen LampeundeinemMetallreflektor ,auf
einemmetallischen HaltermitdenAbmessungen vonnichtmehrals40x100x335mm
EinheitfürPhotokopierapparate ,bestehendauseinerHalogenlampe undeinemMetallreflek­
tor,jedochohneoptischesElement,aufeinemmetallischen HaltermitdenAbmessungen —
ohneKabelundAnschlußstücke -vonnichtmehrals53x112x290mm
TragbareLesevorrichtung fürhochgradig Sehbehinderte ,beidereinevonHandzuführende
Fiberoptik-Kamera Dokumente abtastetundeinvergrößertes BildaufeinenBildschirm
überträgt ,undihreTeile
StarreOxid-Magnetplatten ,vorgeschmiert ,miteinerKoerzitivkraft von800Oersted/Oe,
einemAußendurchmesser von95mm,einemInnendurchmesser von25mmundeinerDicke
von1,27mmex90.02B
ex90.10A
ex90.10A
ex90.19BII
ex92.12A
(a)DieÜberwachung derzweckentsprechenden Verwendung erfolgtnachdeneinschlägigen Gemeinschaftsbestimmungen .