3A001

Elektronische Bauelemente und Baugruppen wie folgt: a) integrierte Schaltungen für allgemeine Anwendungen wie folgt: Anmerkung 1: Die Erfassung von (fertigen oder noch nicht fertigen) Wafern, deren Funktion festliegt, richtet sich nach den Parametern von Unternummer 3A001a. Anmerkung 2: Zu den integrierten Schaltungen gehören: — „monolithisch integrierte Schaltungen“, — „integrierte Hybrid-Schaltungen“, — „integrierte Multichip-Schaltungen“, — „integrierte Schichtschaltungen“ einschließlich integrierter Schaltungen in SOS-Technologie, — „integrierte optische Schaltungen“. 1. integrierte Schaltungen, entwickelt oder ausgelegt für eine der folgenden Strahlungsfestigkeiten: a) Gesamtdosis größer/gleich 5 × 103 Gy (Silizium) oder b) Dosisrate größer/gleich 5 × 106 Gy (Silizium)/s, 2. „Mikroprozessoren“, „Mikrocomputer“, Mikrocontroller, elektrisch löschbare, programmierbare Festwertspeicher (EEPROMs), Flash-Speicher, statische Speicher (SRAMs), aus einem Verbindungshalbleiter hergestellte integrierte Speicherschaltungen, Analog-Digital-Wandler, Digital-Analog-Wandler, elektrooptische oder „integrierte optische Schaltungen“ für die „Signaldatenverarbeitung“, anwenderprogrammierbare Logikschaltkreise (FPLDs), integrierte Schaltungen für neuronale Netze, kundenspezifische integrierte Schaltungen, deren Funktion oder deren Erfassungsstatus in Bezug auf die Endbenutzergeräte unbekannt ist, oder FFT-Prozessoren (Fast Fourier Transform) mit einer der folgenden Eigenschaften: a) ausgelegt für eine Betriebstemperatur über 398 K (+ 125 °C), b) ausgelegt für eine Betriebstemperatur unter 218 K (− 55 °C) oder c) ausgelegt für einen Bereich von 218 K (− 55 °C) bis 398 K (+ 125 °C), Anmerkung: Unternummer 3A001a2 gilt nicht für integrierte Schaltungen, die in zivilen Kraftfahrzeugen oder Eisenbahnzügen verwendet werden. 3. „Mikroprozessoren“, „Mikrocomputer“ und Mikrocontroller mit einer der folgenden Eigenschaften: Anmerkung: Unternummer 3A001a3 schließt digitale Signal-Prozessoren, Vektorprozessoren und Coprozessoren ein. a) mit einer „zusammengesetzten theoretischen Verarbeitungsrate“„CTP“ größer/gleich 6 500 Mtops (Millionen theoretischer Operationen pro Sekunde) und einer arithmetisch-logischen Einheit (ALU) mit einer Zugriffsbreite größer/gleich 32 bit, b) hergestellt aus einem Verbindungshalbleiter und mit einer Taktfrequenz größer als 40 MHz oder c) mit mehr als einem Daten- oder Befehlsbus oder mehr als einer seriellen Kommunikationsschnittstelle für die direkte externe Zusammenschaltung paralleler „Mikroprozessoren“ mit einer Übertragungsrate größer als 150 Mbyte/s, 4. Speicherschaltungen aus einem Verbindungshalbleiter, 5. Analog-Digital- und Digital-Analog-Wandlerschaltungen wie folgt: a) Analog-Digital-Wandler mit einer der folgenden Eigenschaften: ANMERKUNG: SIEHE AUCH NUMMER 3A101. 1. Auflösung größer/gleich 8 bit, aber kleiner als 12 bit, mit einer „Gesamtwandlungszeit“ kleiner als 5 ns, 2. Auflösung von 12 bit mit einer „Gesamtwandlungszeit“ kleiner als 200 ns oder 3. Auflösung größer als 12 bit mit einer „Gesamtwandlungszeit“ kleiner als 2 µs, b) Digital-Analog-Wandler mit einer Auflösung größer/gleich 12 bit und einer „Einstellzeit“ (settling time) kleiner als 10 ns, Technische Anmerkungen: 1. Eine Auflösung von n Bit entspricht einer Quantisierung von 2n Zuständen. 2. Die „Gesamtwandlungszeit“ (total conversion time) ist der Kehrwert der Abtastrate (sample rate). 6. elektrooptische oder „integrierte optische Schaltungen“, entwickelt für die „Signaldatenverarbeitung“ mit allen folgenden Eigenschaften: a) mit einer oder mehreren internen „Laser“-Diode(n), b) mit einem oder mehreren internen lichtempfindlichen Element(en) und c) mit optischen Strahlführungselementen, 7. anwenderprogrammierbare Logikschaltkreise (FPLDs) mit einer der folgenden Eigenschaften: a) nutzbares Gatteräquivalent (equivalent usable gate count) größer als 30 000 (Gatter mit zwei Eingängen), b) typische „Signallaufzeit des Grundgatters“ (basic gate propagation delay time) kleiner als 0,4 ns oder c) Umschalt-Frequenz (toggle frequency) größer als 133 MHz, Anmerkung: Unternummer 3A001a7 schließt ein: — SPLDs (Simple Programmable Logic Devices), — CPLDs (Complex Programmable Logic Devices), — FPGAs (Field Programmable Gate Arrays), — FPLAs (Field Programmable Logic Arrays), — FPICs (Field Programmable Interconnects). Anmerkung: FPLAs und FPGAs werden auch FPLDs (Field Programmable Logic Devices) genannt. 8. nicht belegt, 9. integrierte Schaltungen für neuronale Netze, 10. kundenspezifische integrierte Schaltungen, deren Funktion unbekannt ist oder deren Erfassungsstatus in bezug auf die Endbenutzergeräte dem Hersteller nicht bekannt ist, mit einer der folgenden Eigenschaften: a) mehr als 1 000 Anschlüsse, b) typische „Signallaufzeit des Grundgatters“ (basic gate propagation delay time) kleiner als 0,1 ns oder c) Betriebsfrequenz größer als 3 GHz, 11. andere als die in den Unternummern 3A001a3 bis 3A001a10 oder 3A001a12 beschriebenen digitalen, integrierten Schaltungen, die auf einem Verbindungshalbleiter basieren und eine der folgenden Eigenschaften aufweisen: a) Gatteräquivalent (equivalent gate count) größer als 3 000 (Gatter mit zwei Eingängen) oder b) Umschalt-Frequenz (toggle frequency) größer als 1,2 GHz, 12. FFT-Prozessoren (Fast Fourier Transform), ausgelegt für eine komplexe FFT mit n Punkten in weniger als n × log2n/20 480 ms; Technische Anmerkung: Wenn n gleich 1 024 ist, dann ergibt die Formel in 3A001a12 eine Berechnungszeit von 500 μs. b) Mikro- oder Millimeterwellenbauelemente oder -baugruppen wie folgt: 1. elektronische Vakuumröhren und Kathoden wie folgt: Anmerkung: Unternummer 3A001b1 erfasst nicht Röhren, entwickelt oder ausgelegt für den Betrieb in einem Frequenzband, das alle folgenden Eigenschaften besitzt: a) Das Frequenzband überschreitet nicht 31 GHz und b) ist „von der ITU zugewiesen“ für Funkdienste, jedoch nicht für Ortungsfunkdienste. a) Wanderfeldröhren für Impuls- oder Dauerstrichbetrieb wie folgt: 1. mit Betriebsfrequenz, die 31 GHz überschreiten, 2. mit einem Kathodenheizelement, das eine Einschaltzeit von weniger als 3 Sekunden bis zum Erreichen der HF-Nennleistung ermöglicht, 3. hohlraumgekoppelte oder davon abgeleitete Röhren, mit einer „normierten Bandbreite“ größer als 7 % oder einer Spitzenleistung größer als 2,5 kW, 4. Wendelröhren oder davon abgeleitete Röhren mit einer der folgenden Eigenschaften: a) „Momentan-Bandbreite“ größer als eine Oktave und Produkt der mittleren Leistung (in Kilowatt) und der Frequenz (in Gigahertz) größer als 0,5, b) „Momentan-Bandbreite“ kleiner/gleich eine Oktave und Produkt der mittleren Leistung (in Kilowatt) und der Frequenz (in Gigahertz) größer als 1 oder c) „weltraumgeeignet“, b) Cross-Field-Verstärkerröhren mit einem Verstärkungsfaktor größer als 17 dB, c) getränkte (impregnated) Kathoden, entwickelt für elektronische Röhren, zur Erzeugung einer Stromdichte größer als 5 A/cm2 bei kontinuierlicher Emission und Nenn-Betriebsbedingungen, 2. integrierte Mikrowellenschaltungen oder Module mit allen folgenden Eigenschaften: a) mit „monolithisch integrierten Schaltungen“, die ein oder mehrere aktive Schaltungselemente besitzen, und b) Betrieb bei Frequenzen größer als 3 GHz, Anmerkung 1: Unternummer 3A001b2 erfasst nicht Schaltungen oder Module, konstruiert oder ausgelegt für den Betrieb in einem Frequenzband, das alle folgenden Eigenschaften besitzt: a) Das Frequenzband überschreitet nicht 31 GHz und b) ist „von der ITU zugewiesen“ für Funkdienste, jedoch nicht für Ortungsfunkdienste. Anmerkung 2: 3A001b2 erfasst nicht Ausrüstung für Rundfunksatelliten, konstruiert oder ausgelegt für den Betrieb im Frequenzbereich von 40,5 GHz bis 42,5 GHz. 3. Mikrowellentransistoren, die für den Betrieb bei Frequenzen größer als 31 GHz ausgelegt sind, 4. Halbleitermikrowellenverstärker mit einer der folgenden Eigenschaften: a) Betriebsfrequenz größer als 10,5 GHz und „Momentan-Bandbreite“ größer als eine halbe Oktave oder b) Betriebsfrequenz größer als 31 GHz, 5. elektronisch oder magnetisch abstimmbare Bandpassfilter oder Bandsperrfilter mit mehr als fünf abstimmbaren Resonatoren, die in weniger als 10 µs über einen Frequenzbereich im Verhältnis 1,5:1 (fmax/fmin) abgestimmt werden können, mit einer der folgenden Eigenschaften: a) mit einer Durchlassbandbreite größer als 0,5 % der Mittenfrequenz oder b) mit einer Sperrbandbreite kleiner als 0,5 % der Mittenfrequenz, 6. Mikrowellenbaugruppen, die bei Frequenzen größer als 31 GHz betrieben werden können, 7. Mischer und Umsetzer, entwickelt um den Frequenzbereich von Ausrüstung gemäß Unternummer 3A002c, 3A002e oder 3A002f über die dort genannten Grenzwerte hinaus zu erweitern, 8. Mikrowellenleistungsverstärker mit von Unternummer 3A001b erfassten Röhren und allen folgenden Eigenschaften: a) Betriebsfrequenz größer als 3 GHz, b) mittlere Ausgangsleistungsdichte größer als 80 W/kg und c) Volumen kleiner als 400 cm3; Anmerkung: Unternummer 3A001b8 erfasst nicht Ausrüstung, konstruiert oder ausgelegt für den Einsatz in einem Frequenzband, das für Funkdienste, jedoch nicht für Ortungsfunkdienste, „von der ITU zugewiesen“ ist. c) Akustikwellenvorrichtungen wie folgt und besonders konstruierte Bestandteile hierfür: 1. Vorrichtungen mit akustischen Oberflächenwellen (surface acoustic waves) und mit akustischen, oberflächennahen Volumenwellen (surface skimming (shallow bulk) acoustic waves), d. h. „Signaldatenverarbeitungs“-Vorrichtungen, die akustisch-mechanische Schwingungen (elastic waves) in Werkstoffen verwenden, mit einer der folgenden Eigenschaften: a) Trägerfrequenz größer als 2,5 GHz, b) Trägerfrequenz größer als 1 GHz und kleiner/gleich 2,5 GHz und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Frequenz-Nebenkeulendämpfung größer als 55 dB, 2. Produkt aus maximaler Verzögerungszeit (in Mikrosekunden) und Bandbreite (in Megahertz) größer als 100, 3. Bandbreite größer als 250 MHz oder 4. dispergierende Verzögerung größer als 10 µs oder c) Trägerfrequenz kleiner/gleich 1 GHz und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Produkt aus maximaler Verzögerungszeit (in Mikrosekunden) und Bandbreite (in Megahertz) größer als 100, 2. dispergierende Verzögerung größer als 10 µs oder 3. Frequenz-Nebenkeulendämpfung größer als 55 dB und Bandbreite größer als 50 MHz, 2. akustische Volumenwellenvorrichtungen, d. h. „Signaldatenverarbeitungs“-Vorrichtungen, die akustisch-mechanische Schwingungen verwenden, mit denen die unmittelbare Aufbereitung von Signalen bei einer Frequenz größer als 1 GHz möglich ist, 3. akustisch-optische „Signaldatenverarbeitungs“-Vorrichtungen, die die Wechselwirkung zwischen Schallwellen (Volumen- oder Oberflächenwellen) und Lichtwellen ausnutzen und die eine unmittelbare Aufbereitung von Signalen oder Bildern ermöglichen einschließlich Spektralanalyse, Korrelation oder Konvolution (Faltung); d) elektronische Bauelemente oder Schaltungen, die Bauteile aus „supraleitenden“ Werkstoffen enthalten, besonders konstruiert für den Betrieb bei Temperaturen unter der „kritischen Temperatur“ von wenigstens einem ihrer „supraleitenden“ Bestandteile mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Stromschalter für digitale Schaltungen mit „supraleitenden“ Gattern mit einem Produkt aus Laufzeit pro Gatter (in Sekunden) und Verlustleistung je Gatter (in Watt) kleiner als 10−14 J oder 2. Frequenzselektion bei allen Frequenzen mit Resonanzkreisen, die Güte-Faktoren von mehr als 10 000 aufweisen; e) hochenergietechnische Geräte wie folgt: 1. Batterien und fotovoltaische Generatoren (photovoltaic arrays) wie folgt: Anmerkung: Unternummer 3A001e1 erfasst nicht Batterien, deren Volumen kleiner/gleich 27 cm3 ist (wie z. B. C-Zellen, UM-2, R 14 oder so genannte Babyzellen). a) Primärzellen und Batterien, die über eine „Energiedichte“ größer als 480 Wh/kg verfügen und für den Betrieb in einem Temperaturbereich von unter 243 K (−30 °C) bis über 343 K (70 °C) ausgelegt sind, b) wiederaufladbare Zellen und Batterien, die nach 75 Ladungs-/Entladungszyklen bei einem Entladungsstrom gleich C/5 Stunden (wobei C die Nennkapazität in Amperestunden ist) in einem Temperaturbereich von unter 253 K (−20 °C) bis über 333 K (60 °C) über eine „Energiedichte“ größer als 150 Wh/kg verfügen, Technische Anmerkung: Die „Energiedichte“ errechnet sich durch Multiplikation der Durchschnittsleistung in Watt (durchschnittliche Spannung in Volt mal durchschnittlicher Strom in Ampere) mit der Dauer der Entladung in Stunden bis auf 75 % der Leerlaufspannung und dividiert durch die gesamte Masse der Zelle (oder Batterie) in Kilogramm. c) „weltraumgeeignete“ (space qualified) und strahlungsfeste Solargeneratoren mit einer spezifischen Leistung größer als 160 W/m2 bei einer Betriebstemperatur von 301 K (28 °C) und bei einer Beleuchtung mit 1 kW/m2 durch einen Wolframglühfaden von 2 800 K (2 527 °C), 2. Hochenergie-Speicherkondensatoren wie folgt: ANMERKUNG: SIEHE AUCH UNTERNUMMER 3A201a. a) Kondensatoren mit einer Folgefrequenz kleiner als 10 Hz (single shot capacitors) mit allen folgenden Eigenschaften: 1. Nennspannung größer/gleich 5 kV, 2. Energiedichte größer/gleich 250 J/kg und 3. Gesamtenergie größer/gleich 25 kJ, b) Kondensatoren mit einer Folgefrequenz größer/gleich 10 Hz (repetition rated capacitors) mit allen folgenden Eigenschaften: 1. Nennspannung größer/gleich 5 kV, 2. Energiedichte größer/gleich 50 J/kg, 3. Gesamtenergie größer/gleich 100 J und 4. Lebensdauer größer/gleich 10 000 Ladungs-/Entladungszyklen, 3. „supraleitende“ Elektromagnete oder Zylinderspulen, besonders konstruiert, um in weniger als einer Sekunde vollständig geladen oder entladen zu werden, mit allen folgenden Eigenschaften: ANMERKUNG: SIEHE AUCH UNTERNUMMER 3A201b. Anmerkung: Unternummer 3A001e3 erfasst nicht „supraleitende“ Elektromagnete oder Zylinderspulen, besonders konstruiert für medizinisches Gerät für Magnetresonanzbilderzeugung (Magnetic Resonance Imaging). a) Energieabgabe während der ersten Sekunde der Entladung größer als 10 kJ, b) innerer Durchmesser der stromführenden Windungen größer als 250 mm und c) spezifiziert für eine magnetische Induktion größer als 8 Tesla oder eine „Gesamtstromdichte“ (overall current density) in der Windung größer als 300 A/mm2; f) Absolut-Drehwinkelgeber mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Auflösung besser als 1 zu 265 000 vom Skalenendwert (Auflösung 18 bit) oder 2. Genauigkeit kleiner (besser) als ± 2,5 Bogensekunden.