3A001

Elektronische Bauelemente und Baugruppen und besonders konstruierte Bestandteile hierfür wie folgt: a) integrierte Schaltungen für allgemeine Anwendungen wie folgt: Anmerkung 1: Die Erfassung von (fertigen oder noch nicht fertigen) Wafern, deren Funktion festliegt, richtet sich nach den Parametern von Unternummer 3A001a. Anmerkung 2: Zu den integrierten Schaltungen gehören: — “monolithisch integrierte Schaltungen”, — “integrierte Hybrid-Schaltungen”, — “integrierte Multichip-Schaltungen”, — “integrierte Schichtschaltungen” einschließlich integrierter Schaltungen in SOS-Technologie, — “integrierte optische Schaltungen”, — “dreidimensionale integrierte Schaltungen”. 1. integrierte Schaltungen, entwickelt oder ausgelegt für eine der folgenden Strahlungsfestigkeiten: a) Gesamtdosis größer/gleich 5 × 103 Gy (Silizium), b) Dosisrate größer/gleich 5 × 106 Gy (Silizium)/s oder c) integrierter Teilchenfluss (integrated flux) der Neutronen (1 MeV-Äquivalent) größer/gleich 5 × 1013 n/cm2 bezogen auf Silizium oder der äquivalente Wert für andere Materialien; Anmerkung: Unternummer 3A001a1c erfasst nicht Metall/Isolator/Halbleiter-Strukturen (MIS-Strukturen). 2. “Mikroprozessoren”, “Mikrocomputer”, Mikrocontroller, elektrisch löschbare, programmierbare Festwertspeicher (EEPROMs), Flash-Speicher, statische Speicher (SRAM), aus einem Verbindungshalbleiter hergestellte integrierte Speicherschaltungen, Analog-Digital-Wandler, Digital-Analog-Wandler, elektrooptische oder “integrierte optische Schaltungen” für die “Signaldatenverarbeitung”, anwenderprogrammierbare Logikschaltkreise (FPLDs), kundenspezifische integrierte Schaltungen, deren Funktion oder deren Erfassungsstatus in Bezug auf die Endbenutzergeräte unbekannt ist, oder FFT-Prozessoren (Fast Fourier Transform) mit einer der folgenden Eigenschaften: a) ausgelegt für eine Betriebstemperatur über 398 K (125 °C), b) ausgelegt für eine Betriebstemperatur unter 218 K (- 55 °C) oder c) ausgelegt für einen Temperaturbereich von 218 K (- 55 °C) bis 398 K (125 °C), Anmerkung: Unternummer 3A001a2 erfasst keine integrierten Schaltungen, die in zivilen Kraftfahrzeugen oder Eisenbahnzügen verwendet werden. 3. “Mikroprozessoren”, “Mikrocomputer” und Mikrocontroller, hergestellt aus einem Verbindungshalbleiter und mit einer Taktfrequenz größer als 40 MHz, Anmerkung: Unternummer 3A001a3 schließt digitale Signal-Prozessoren, Vektorprozessoren und Coprozessoren ein. 4. nicht belegt, 3A001 a) 5. Integrierte Schaltungen von Analog-Digital-Wandlern (Analogue-to-Digital Converters, ADCs) und Digital-Analog-Wandlern (Digital-to-Analogue Converters, DACs) wie folgt: a) ADCs mit einer der folgenden Eigenschaften: Anmerkung: SIEHE AUCH NUMMER 3A101. 1. Auflösung größer/gleich 8 bit, aber kleiner als 10 bit, mit einer Ausgaberate größer als 1 000 Mio. Ausgabewörter pro Sekunde, 2. Auflösung größer/gleich 10 bit, aber kleiner als 12 bit, mit einer Ausgaberate größer als 300 Mio. Ausgabewörter pro Sekunde, 3. Auflösung von 12 bit mit einer Ausgaberate größer als 200 Mio. Ausgabewörter pro Sekunde, 4. Auflösung größer als 12 bit, aber kleiner/gleich 14 bit, mit einer Ausgaberate größer als 125 Mio. Ausgabewörter pro Sekunde oder 5. Auflösung größer als 14 bit mit einer Ausgaberate größer als 20 Mio. Ausgabewörter pro Sekunde, Technische Anmerkungen: 1. Eine Auflösung von n Bit entspricht einer Quantisierung von 2n Zuständen. 2. Die Anzahl der Bits im Ausgabewort ist gleich der Auflösung des ADC. 3. Die Ausgaberate ist die maximale Ausgaberate des Wandlers, ungeachtet der Architektur oder der Übertastung (oversampling). 4. Bei ‘Mehrkanal-ADCs’ werden die Ausgänge nicht zusammengefasst (aggregated). Die Ausgaberate ist die maximale Ausgangsrate eines jeden einzelnen Kanals. 5. Bei ‘Interleaved-ADCs’ oder bei ‘Mehrkanal-ADCs’, die auch für den Interleaved-Modus spezifiziert sind, werden die Ausgänge zusammengefasst (aggregated). Die Ausgaberate ist die maximale Gesamtausgaberate (maximum combined total output rate) aller Ausgänge. 6. Anbieter können die Ausgaberate auch als Abtastrate (sampling rate), Wandlungsrate (conversion rate) oder Durchsatzrate (throughput rate) bezeichnen. Sie wird oft in Megahertz (MHz) oder Megasample pro Sekunde (MSPS) angegeben. 7. Zum Zwecke der Messung der Ausgaberate entspricht ein Datenwort pro Sekunde einem Hertz oder einem Sample pro Sekunde. 8. ‘Mehrkanal-ADCs’ (multiple channel ADCs) sind Wandler, die mehr als einen ADC enthalten und so konstruiert sind, dass jeder ADC einen separaten Analogeingang hat. 9. ‘Interleaved-ADCs’ sind Wandlerschaltungen, die mehrere ADC-Einheiten enthalten, welche jeweils denselben Analogeingang zu unterschiedlichen Zeitpunkten abtasten. Werden die Ausgänge zusammengefasst (aggregated), erhält man eine effektive Abtastung und eine Wandlung bei einer höheren Abtastrate (sampling rate). b) DACs mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Auflösung größer/gleich 10 bit und ‘angepasste Update-Rate’ größer/gleich 3 500 MSPS oder 2. Auflösung größer/gleich 12 bit und ‘angepasste Update-Rate’ größer/gleich 1 250 MSPS, mit einer der folgenden Eigenschaften: a) “Einstellzeit” von Vollaussteuerung (full scale step) auf 0,024 % der Vollaussteuerung kleiner 9 ns oder b) ‘Störungsfreier Dynamikbereich’ größer 68 dBc (Träger) bei der Erzeugung eines vollausgesteuerten (full scale) Analogsignals von 100 MHz oder der höchsten spezifizierten Frequenz kleiner 100 MHz für die Erzeugung des vollausgesteuerten (full scale) Analogsignals. 3A001 a) 5. Technische Anmerkungen: 1. ‘Störungsfreier Dynamikbereich’ (spurious free dynamic range, SFDR) ist das Verhältnis des Effektivwertes (RMS value) der Trägerfrequenz (maximale Signalkomponente) am Eingang des DAC zum Effektivwert (RMS value) der nächst größeren Rausch- oder Oberwellenkomponente an seinem Ausgang. 2. Der SFDR wird direkt durch die Tabelle der technischen Daten oder das Diagramm des SFDR über der Frequenz bestimmt. 3. Ein Signal gilt als vollausgesteuert (full scale), wenn seine Amplitude größer als - 3 dBfs (full scale) ist. 4. ‘Angepasste Update-Rate’ (adjusted update rate) für DACs: a) Bei konventionellen (nicht interpolierenden) DACs ist die ‘angepasste Update-Rate’ die Rate, bei welcher das Digitalsignal in ein Analogsignal gewandelt wird und die Analogwerte am Ausgang durch den DAC verändert werden. DACs, bei denen der Interpolationsmodus umgangen werden kann (Interpolationsfaktor gleich Eins), werden als konventionelle (nicht interpolierende) DACs angenommen. b) Bei interpolierenden DACs (Oversampling DACs) ist die ‘angepasste Update-Rate’ die Update Rate des DAC geteilt durch den kleinsten Interpolationsfaktor. Bei interpolierenden DACs kann die ‘angepasste Update-Rate’ auch anders genannt sein, einschließlich: — Eingangsdatenrate (input data rate) — Eingangswortrate (input word rate) — Eingangsabtastrate (input sample rate) — maximale Gesamteingangsbusrate (maximum total input bus rate) — maximale DAC-Taktrate für den DAC-Takteingang (maximum DAC clock rate for DAC clock input). 6. elektrooptische oder “integrierte optische Schaltungen”, entwickelt für die “Signaldatenverarbeitung” und mit allen folgenden Eigenschaften: a) mit einer oder mehreren internen “Laser”-Diode(n), b) mit einem oder mehreren internen lichtempfindlichen Element(en) und c) mit optischen Strahlführungselementen, 7. ‘anwenderprogrammierbare Logikschaltkreise’ (FPLDs) mit einer der folgenden Eigenschaften: a) maximale Anzahl digitaler single-ended Ein-/Ausgaben größer als 500 oder b) ‘aggregierte serielle Spitzendatenrate des Transceivers bei Einwegübertragung’ größer/gleich 200 Gb/s; Anmerkung: Unternummer 3A001a7 schließt ein: — SPLDs (Simple Programmable Logic Devices), — CPLDs (Complex Programmable Logic Devices), — FPGAs (Field Programmable Gate Arrays), — FPLAs (Field Programmable Logic Arrays), — FPICs (Field Programmable Interconnects). 3A001 a) 7. Technische Anmerkungen: 1. FPLAs und FPGAs werden auch FPLDs (‘Field Programmable Logic Devices’) genannt. 2. Die maximale Anzahl der digitalen Ein-/Ausgänge in Unternummer 3A001a7a wird auch als die maximale Anzahl der Benutzer-Ein-/Ausgänge oder der verfügbaren Ein-/Ausgänge bezeichnet, unabhängig davon, ob der integrierte Schaltkreis gehäust ist oder als Chip vorliegt. 3. Die ‘aggregierte serielle Spitzendatenrate des Transceivers bei Einwegübertragung’ ist das Produkt der seriellen Datenübertragungsrate des Transceivers bei Einwegübertragung multipliziert mit der Anzahl der Transceiver auf dem FPGA. 8. nicht belegt, 9. integrierte Schaltungen für neuronale Netze, 10. kundenspezifische integrierte Schaltungen, deren Funktion unbekannt ist oder deren Erfassungsstatus in Bezug auf die Endbenutzergeräte dem Hersteller nicht bekannt ist, mit einer der folgenden Eigenschaften: a) mehr als 1 500 Anschlüsse, b) typische “Signallaufzeit des Grundgatters” (basic gate propagation delay time) kleiner als 0,02 ns oder c) Betriebsfrequenz größer als 3 GHz, 11. andere als die in den Unternummern 3A001a3 bis 3A001a10 oder 3A001a12 beschriebenen digitalen, integrierten Schaltungen, die auf einem Verbindungshalbleiter basieren und eine der folgenden Eigenschaften aufweisen: a) Gatteräquivalent (equivalent gate count) größer als 3 000 (Gatter mit zwei Eingängen) oder b) Umschalt-Frequenz (toggle frequency) größer als 1,2 GHz, 12. FFT-Prozessoren (Fast Fourier Transform), ausgelegt für eine komplexe FFT mit n Punkten in weniger als n × log2n/20 480 ms; Technische Anmerkung: Wenn n gleich 1 024 ist, dann ergibt die Formel in 3A001a12 eine Berechnungszeit von 500 μs. 13. Integrierte Schaltungen für Direct Digital Synthesizer (DDS) mit einer der folgenden Eigenschaften: a) Digital-Analog-Wander-(DAC)-Traktfrequenz größer/gleich 3,5 GHz und eine DAC-Auflösung größer/gleich 10 bit, aber kleiner als 12 bit oder b) DAC-Taktfrequenz größer/gleich 1,25 GHz und eine DAC-Auflösung größer/gleich 12 bit; Technische Anmerkung: Die DAC-Taktfrequenz kann als die Taktgeberfrequenz oder die Eingangstaktfrequenz spezifiziert werden. b) Mikro- oder Millimeterwellenbauelemente oder -baugruppen wie folgt: Technische Anmerkung: Im Sinne der Unternummer 3A001b kann der Parameter Spitzensättigungsausgangsleistung auf Produktdatenblättern auch als Ausgangsleistung, Sättigungsausgangsleistung, Höchstausgangsleistung, Spitzenausgangsleistung oder Hüllkurvenspitzenleistung bezeichnet werden. 3A001 b) 1. elektronische Vakuumröhren und Kathoden wie folgt: Anmerkung 1: Unternummer 3A001b1 erfasst nicht Röhren, entwickelt oder ausgelegt für den Betrieb in einem Frequenzband mit allen folgenden Eigenschaften: a) Das Frequenzband überschreitet nicht 31,8 GHz und b) ist “von der ITU zugewiesen” für Funkdienste, jedoch nicht für Ortungsfunkdienste. Anmerkung 2: Unternummer 3A001b1 erfasst keine nicht “weltraumgeeigneten” Röhren, mit allen folgenden Eigenschaften: a) mittlere Ausgangsleistung kleiner/gleich 50 W und b) entwickelt oder ausgelegt für den Betrieb in einem Frequenzband mit allen folgenden Eigenschaften: 1. Das Frequenzband überschreitet 31,8 GHz, aber nicht 43,5 GHz und 2. ist “von der ITU zugewiesen” für Funkdienste, jedoch nicht für Ortungsfunkdienste. a) Wanderfeldröhren für Impuls- oder Dauerstrichbetrieb wie folgt: 1. Röhren, betrieben bei Frequenzen oberhalb 31,8 GHz, 2. Röhren mit einem Kathodenheizelement, das eine Einschaltzeit von weniger als 3 Sekunden bis zum Erreichen der HF-Nennleistung ermöglicht, 3. hohlraumgekoppelte oder davon abgeleitete Röhren, mit einer “normierten Bandbreite” größer als 7 % oder einer Spitzenleistung größer als 2,5 kW, 4. Wendelröhren oder davon abgeleitete Röhren mit einer der folgenden Eigenschaften: a) “Momentan-Bandbreite” größer als eine Oktave und Produkt der mittleren Leistung (in Kilowatt) und der Frequenz (in Gigahertz) größer als 0,5 , b) “Momentan-Bandbreite” kleiner/gleich eine Oktave und Produkt der mittleren Leistung (in Kilowatt) und der Frequenz (in Gigahertz) größer als 1 oder c) “weltraumgeeignet”, b) Cross-Field-Verstärkerröhren mit einem Verstärkungsfaktor größer als 17 dB, c) getränkte (impregnated) Kathoden, entwickelt für elektronische Röhren, zur Erzeugung einer Stromdichte größer als 5 A/cm2 bei kontinuierlicher Emission und Nenn-Betriebsbedingungen, 2. “monolithisch integrierte Schaltungen” (Leistungsverstärker) für Mikrowellen (MMIC power amplifiers) mit einer der folgenden Eigenschaften: a) ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer 2,7 GHz bis einschließlich 6,8 GHz, bei einer “normierten Bandbreite” (fractional bandwidth) größer als 15 % und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Spitzensättigungsausgangsleistung größer 75 W (48,75 dBm) bei einer Frequenz größer 2,7 GHz bis einschließlich 2,9 GHz; 2. Spitzensättigungsausgangsleistung größer 55 W (47,4 dBm) bei einer Frequenz größer 2,9 GHz bis einschließlich 3,2 GHz; 3. Spitzensättigungsausgangsleistung größer 40 W (46 dBm) bei einer Frequenz größer 3,2 GHz bis einschließlich 3,7 GHz oder 4. Spitzensättigungsausgangsleistung größer 20 W (43 dBm) bei einer Frequenz größer 3,7 GHz bis einschließlich 6,8 GHz; 3A001 b) 2. b) ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer 6,8 GHz bis einschließlich 16 GHz, bei einer “normierten Bandbreite” (fractional bandwidth) größer 10 % und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Spitzensättigungsausgangsleistung größer 10 W (40 dBm) bei einer Frequenz größer 6,8 GHz bis einschließlich 8,5 GHz oder 2. Spitzensättigungsausgangsleistung größer 5 W (37 dBm) bei einer Frequenz größer 8,5 GHz bis einschließlich 16 GHz; c) ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer 3 W (34,77 dBm) bei einer Frequenz größer 16 GHz bis einschließlich 31,8 GHz und einer “normierten Bandbreite” (fractional bandwidth) größer 10 %; d) ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer 0,1 nW (-70 dBm) bei einer Frequenz größer 31,8 GHz bis einschließlich 37 GHz; e) ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer 1 W (30 dBm) bei einer Frequenz größer 37 GHz bis einschließlich 43,5 GHz und einer “normierten Bandbreite” (fractional bandwidth) größer 10 %; f) ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer 31,62 mW (15 dBm) bei einer Frequenz größer 43,5 GHz bis einschließlich 75 GHz und einer “normierten Bandbreite” (fractional bandwidth) größer 10 %; g) ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer 10 mW (10 dBm) bei einer Frequenz größer 75 GHz bis einschließlich 90 GHz und einer “normierten Bandbreite” (fractional bandwidth) größer 5 % oder h) ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer 0,1 nW (-70 dBm) bei einer Frequenz größer 90 GHz; Anmerkung 1: Nicht belegt. Anmerkung 2: Der Erfassungsstatus von MMIC, deren Betriebsfrequenzbereich Frequenzen in mehr als einem der in Unternummer 3A001b2a bis 3A001b2h definierten Frequenzbereiche überstreicht, richtet sich nach dem niedrigsten Grenzwert für die Spitzensättigungsausgangsleistung. Anmerkung 3: Die Anmerkungen 1 und 2 in Nummer 3A bedeuten, dass die Unternummer 3A001b2 keine MMIC erfasst, die für andere Anwendungen besonders konstruiert sind, wie z. B. Telekommunikation, Radar, Kraftfahrzeuge. 3. diskrete Mikrowellentransistoren mit einer der folgenden Eigenschaften: a) ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer 2,7 GHz bis einschließlich 6,8 GHz mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Spitzensättigungsausgangsleistung größer 400 W (56 dBm) bei einer Frequenz größer 2,7 GHz bis einschließlich 2,9 GHz; 2. Spitzensättigungsausgangsleistung größer 205 W (53,12 dBm) bei einer Frequenz größer 2,9 GHz bis einschließlich 3,2 GHz; 3. Spitzensättigungsausgangsleistung größer 115 W (50,61 dBm) bei einer Frequenz größer 3,2 GHz bis einschließlich 3,7 GHz oder 4. Spitzensättigungsausgangsleistung größer 60 W (47,78 dBm) bei einer Frequenz größer 3,7 GHz bis einschließlich 6,8 GHz; b) ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer 6,8 GHz bis einschließlich 31,8 GHz mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Spitzensättigungsausgangsleistung größer 50 W (47 dBm)) bei einer Frequenz größer 6,8 GHz bis einschließlich 8,5 GHz; 3A001 b) 3. b) 2. Spitzensättigungsausgangsleistung größer 15 W (41,76 dBm) bei einer Frequenz größer 8,5 GHz bis einschließlich 12 GHz; 3. Spitzensättigungsausgangsleistung größer 40 W (46 dBm) bei einer Frequenz größer 12 GHz bis einschließlich 16 GHz oder 4. Spitzensättigungsausgangsleistung größer 7 W (38,45 dBm) bei einer Frequenz größer 16 GHz bis einschließlich 31,8 GHz; c) ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer 0,5 W (27 dBm) bei einer Frequenz größer 31,8 GHz bis einschließlich 37 GHz; d) ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer 1 W (30 dBm) bei einer Frequenz größer 37 GHz bis einschließlich 43,5 GHz; e) ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer 0,1 nW (-70 dBm) bei einer Frequenz größer 43,5 GHz; Anmerkung 1: Der Erfassungsstatus von Mikrowellentransistoren, deren Betriebsfrequenzbereich Frequenzen in mehr als einem der in Unternummer 3A001b3a bis 3A001b3e definierten Frequenzbereiche überstreicht, richtet sich nach dem niedrigsten Grenzwert für die Spitzensättigungsausgangsleistung. Anmerkung 2: Unternummer 3A001b3 erfasst gehäuste und ungehäuste Chips sowie auf Träger montierte Chips. Bestimmte diskrete Transistoren können auch als Leistungsverstärker bezeichnet werden, doch der Status dieser diskreten Transistoren richtet sich nach Unternummer 3A001b3. 4. Halbleitermikrowellenverstärker, Mikrowellenbaugruppen, die Mikrowellenhalbleiterverstärker enthalten, und Mikrowellenmodule, die Mikrowellenhalbleiterverstärker enthalten, mit einer der folgenden Eigenschaften: a) ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer 2,7 GHz bis einschließlich 6,8 GHz bei einer “normierten Bandbreite” (fractional bandwidth) größer 15 % und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Spitzensättigungsausgangsleistung größer 500 W (57 dBm) bei einer Frequenz größer 2,7 GHz bis einschließlich 2,9 GHz; 2. Spitzensättigungsausgangsleistung größer 270 W (54,3 dBm) bei einer Frequenz größer 2,9 GHz bis einschließlich 3,2 GHz; 3. Spitzensättigungsausgangsleistung größer 200 W (53 dBm) bei einer Frequenz größer 3,2 GHz bis einschließlich 3,7 GHz oder 4. Spitzensättigungsausgangsleistung größer 90 W (49,54 dBm) bei einer Frequenz größer 3,7 GHz bis einschließlich 6,8 GHz; b) ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer 6,8 GHz bis einschließlich 31,8 GHz bei einer “normierten Bandbreite” (fractional bandwidth) größer 10 % und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Spitzensättigungsausgangsleistung größer 70 W (48,54 dBm) bei einer Frequenz größer 6,8 GHz bis einschließlich 8,5 GHz; 2. Spitzensättigungsausgangsleistung größer 50 W (47 dBm) bei einer Frequenz größer 8,5 GHz bis einschließlich 12 GHz; 3. Spitzensättigungsausgangsleistung größer 30 W (44,77 dBm) bei einer Frequenz größer 12 GHz bis einschließlich 16 GHz oder 4. Spitzensättigungsausgangsleistung größer 20 W (43 dBm) bei einer Frequenz größer 16 GHz bis einschließlich 31,8 GHz; c) ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer 0,5 W (27 dBm) bei einer Frequenz größer 31,8 GHz bis einschließlich 37 GHz; 3A001 b) 4. d) ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer 2 W (33 dBm) bei einer Frequenz größer 37 GHz bis einschließlich 43,5 GHz und bei einer “normierten Bandbreite” (fractional bandwidth) größer 10 %; e) ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer 43,5 GHz und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Spitzensättigungsausgangsleistung größer 0,2 W (23 dBm) bei einer Frequenz größer 43,5 GHz bis einschließlich 75 GHz und einer “normierten Bandbreite” (fractional bandwidth) größer 10 %; 2. Spitzensättigungsausgangsleistung größer 20 mW (13 dBm) bei einer Frequenz größer 75 GHz bis einschließlich 90 GHz und einer “normierten Bandbreite” (fractional bandwidth) größer 5 % oder 3. Spitzensättigungsausgangsleistung größer 0,1 nW (-70 dBm) bei einer Frequenz größer 90 GHz oder f) ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer 2,7 GHz und mit allen folgenden Eigenschaften: 1. Spitzensättigungsleistung (in Watt) Psat, größer als 400 geteilt durch das Quadrat der maximalen Betriebsfrequenz (in GHz) [Psat > 400 W*GHz2/fGHz 2], 2. “normierte Bandbreite” größer/gleich 5 % und 3. eine der Längen d (in cm) zweier zueinander rechtwinkliger Seiten kleiner/gleich 15 geteilt durch die kleinste Betriebsfrequenz in GHz [d ≤ 15 cm*GHz/fGHz]; Technische Anmerkung: Bei Verstärkern, deren spezifizierter Betriebsfrequenzbereich 2,7 GHz unterschreitet, soll in der Berechnungsformel nach Unternummer 3A001b4f3 als unterer Grenzwert 2,7 GHz verwendet werden [d ≤ 15 cm*GHz/2,7 GHz]. Ergänzende Anmerkung: Monolithisch integrierte Mikrowellen-Leistungsverstärkerschaltungen (MMIC power amplifiers) sind nach den Leistungsmerkmalen der Unternummer 3A001b2 zu bewerten. Anmerkung 1: Nicht belegt. Anmerkung 2: Der Erfassungsstatus von Ausrüstung, deren Betriebsfrequenzbereich Frequenzen in mehr als einem der in Unternummer 3A001b4a bis 3A001b4e definierten Frequenzbereiche überstreicht, richtet sich nach dem niedrigsten Grenzwert für die Spitzensättigungsausgangsleistung. Anmerkung 3: Unternummer 3A001b4 schließt Sende-/Empfangsmodule und Sendemodule ein. 5. elektronisch oder magnetisch abstimmbare Bandpassfilter oder Bandsperrfilter mit mehr als fünf abstimmbaren Resonatoren, die in weniger als 10 μs über einen Frequenzbereich im Verhältnis 1,5 :1 (fmax./fmin.) abgestimmt werden können, und mit einer der folgenden Eigenschaften: a) mit einer Durchlassbandbreite größer als 0,5 % der Mittenfrequenz oder b) mit einer Sperrbandbreite kleiner als 0,5 % der Mittenfrequenz; 6. nicht belegt; 7. Umsetzer und Oberwellenmischer, entwickelt um den Frequenzbereich von Ausrüstung gemäß Unternummer 3A002c, 3A002d, 3A002e oder 3A002f über die dort genannten Grenzwerte hinaus zu erweitern, 3A001 b) 8. Mikrowellenleistungsverstärker mit von Unternummer 3A001b1 erfassten Röhren und allen folgenden Eigenschaften: a) Betriebsfrequenz größer als 3 GHz, b) mittleres Verhältnis von Ausgangsleistung zu Masse größer als 80 W/kg und c) Volumen kleiner als 400 cm3; Anmerkung: Unternummer 3A001b8 erfasst nicht Ausrüstung, konstruiert oder ausgelegt für den Einsatz in einem Frequenzband, das für Funkdienste, jedoch nicht für Ortungsfunkdienste, “von der ITU zugewiesen” ist. 9. Mikrowellenleistungsmodule (microwave power modules, MPM) bestehend aus mindestens einer Wanderfeldröhre, einer “monolithisch integrierten Mikrowellenschaltung” (MMIC) und einer integrierten elektronischen Regelung der Stromversorgung und mit allen folgenden Eigenschaften: a) ‘Hochlaufzeit’ bis auf Nennleistung kleiner als 10 Sekunden, b) Volumen kleiner als die maximale spezifizierte Leistung in Watt multipliziert mit 10 cm3/W und c) “Momentanbandbreite” größer als 1 Oktave (fmax. > 2 fmin.) und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. HF-Ausgangsleistung größer 100 W im Frequenzbereich kleiner/gleich 18 GHz oder 2. Frequenzbereich größer als 18 GHz; Technische Anmerkungen: 1. Die Berechnung des Volumens in Unternummer 3A001b9b wird durch folgendes Beispiel erläutert: Für eine maximale spezifizierte Leistung von 20 Watt ergibt sich 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3. 2. Die ‘Hochlaufzeit’ in Unternummer 3A001b9a bezieht sich auf die Zeit vom Zustand des vollständigen Ausgeschaltetseins bis zum Zustand der vollständigen Betriebsfähigkeit, d. h. die Aufwärmzeit des Moduls ist eingeschlossen. 10. Oszillatoren oder Oszillator-Baugruppen, spezifiziert für den Betrieb mit allen folgenden Eigenschaften: a) Phasenrauschen im Einseitenband (SSB) in dBc/Hz besser als - (126 + 20log10F-20log10f) im Bereich von 10 Hz < F < 10 kHz und b) Phasenrauschen im Einseitenband (SSB) in dBc/Hz besser als - (114 + 20log10F-20log10f) im Bereich von 10 kHz ≤ F < 500 kHz; Technische Anmerkung: F steht in Unternummer 3A001b10 für den Abstand von der Betriebsfrequenz (in Hertz) und f für die Betriebsfrequenz (in Megahertz). 11. elektronische “Frequenz-Synthesizer”-Baugruppen mit einer “Frequenzumschaltzeit” gemäß einer der folgenden Spezifikationen: a) kleiner als 156 ps, b) kleiner als 100 μs für jeden Frequenzwechsel größer 1,6 GHz innerhalb des synthetisierten Frequenzbereichs größer 4,8 GHz und kleiner oder gleich 10,6 GHz, c) kleiner als 250 μs für jeden Frequenzwechsel größer 550 MHz innerhalb des synthetisierten Frequenzbereichs größer 10,6 GHz und kleiner oder gleich 31,8 GHz, d) kleiner als 500 μs für jeden Frequenzwechsel größer 550 MHz innerhalb des synthetisierten Frequenzbereichs größer 31,8 GHz und kleiner oder gleich 43,5 GHz, 3A001 b) 11. e) kleiner als 1 ms für jeden Frequenzwechsel größer 550 MHz innerhalb des synthetisierten Frequenzbereichs größer 43,5 GHz und kleiner oder gleich 56 GHz, f) kleiner als 1 ms für jeden Frequenzwechsel größer 2,2 GHz innerhalb des synthetisierten Frequenzbereichs größer 56 GHz und kleiner oder gleich 75 GHz oder g) kleiner als 1 ms innerhalb des synthetisierten Frequenzbereichs größer 75 GHz; Ergänzende Anmerkung: Für allgemein verwendbare “Signalanalysatoren”, Signalgeneratoren, Netzwerkanalysatoren und Mikrowellentestempfänger siehe Unternummern 3A002c, 3A002d, 3A002e und 3A002f. c) Akustikwellenvorrichtungen wie folgt und besonders konstruierte Bestandteile hierfür: 1. Vorrichtungen mit akustischen Oberflächenwellen (surface acoustic waves) und mit akustischen, oberflächennahen Volumenwellen (surface skimming [shallow bulk] acoustic waves), mit einer der folgenden Eigenschaften: a) Trägerfrequenz größer als 6 GHz, b) Trägerfrequenz größer als 1 GHz und kleiner/gleich 6 GHz und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. ‘Frequenz-Nebenkeulendämpfung’ größer als 65 dB, 2. Produkt aus maximaler Verzögerungszeit (in Mikrosekunden) und Bandbreite (in Megahertz) größer als 100, 3. Bandbreite größer als 250 MHz oder 4. dispergierende Verzögerung größer als 10 μs oder c) Trägerfrequenz kleiner/gleich 1 GHz und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Produkt aus maximaler Verzögerungszeit (in Mikrosekunden) und Bandbreite (in Megahertz) größer als 100, 2. dispergierende Verzögerung größer als 10 μs oder 3. ‘Frequenz-Nebenkeulendämpfung’ größer als 65 dB und Bandbreite größer als 100 MHz, Technische Anmerkung: ‘Frequenz-Nebenkeulendämpfung’ ist der im Datenblatt angegebene Dämpfungshöchstwert. 2. akustische Volumenwellenvorrichtungen, mit denen die unmittelbare Aufbereitung von Signalen bei einer Frequenz größer als 6 GHz möglich ist, 3. akustisch-optische “Signaldatenverarbeitungs”-Vorrichtungen, die die Wechselwirkung zwischen Schallwellen (Volumen- oder Oberflächenwellen) und Lichtwellen ausnutzen und die eine unmittelbare Aufbereitung von Signalen oder Bildern ermöglichen einschließlich Spektralanalyse, Korrelation oder Konvolution (Faltung); Anmerkung: Unternummer 3A001c erfasst nicht Akustikwellenvorrichtungen mit lediglich einem Bandpass-, Tiefpass-, Hochpass- oder Kerbfilter oder einer Resonanzfunktion. d) elektronische Bauelemente oder Schaltungen, die Bauteile aus “supraleitenden” Werkstoffen oder Materialien enthalten, besonders konstruiert für den Betrieb bei Temperaturen unter der “kritischen Temperatur” von wenigstens einem ihrer “supraleitenden” Bestandteile und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Stromschalter für digitale Schaltungen mit “supraleitenden” Gattern mit einem Produkt aus Laufzeit pro Gatter (in Sekunden) und Verlustleistung je Gatter (in Watt) kleiner als 10-14 J oder 2. Frequenzselektion bei allen Frequenzen mit Resonanzkreisen, die Gütefaktoren von mehr als 10 000 aufweisen; 3A001 e) hochenergietechnische Geräte wie folgt: 1. ‘Zellen’ wie folgt: a) ‘Primärzellen’ mit einer ‘Energiedichte’ größer 550 Wh/kg bei 20 °C, b) ‘Sekundärzellen’ mit einer ‘Energiedichte’ größer 300 Wh/kg bei 20 °C; Technische Anmerkungen: 1. Im Sinne der Unternummer 3A001e1 wird die ‘Energiedichte’ (Wh/kg) berechnet aus der Nominalspannung multipliziert mit der nominellen Kapazität (in Amperestunden (Ah)) geteilt durch die Masse (in Kilogramm). Falls die nominelle Kapazität nicht angegeben ist, wird die Energiedichte berechnet aus der quadrierten Nominalspannung multipliziert mit der Entladedauer (in Stunden), dividiert durch die Entladelast (in Ohm) und die Masse (in Kilogramm). 2. Im Sinne der Unternummer 3A001e1 wird ‘Zelle’ definiert als ein elektrochemisches Bauelement, das über positive und negative Elektroden sowie über den Elektrolyten verfügt und eine Quelle für elektrische Energie ist. Sie ist die Grundeinheit einer Batterie. 3. Im Sinne der Unternummer 3A001e1a wird ‘Primärzelle’ definiert als eine ‘Zelle’, die nicht durch irgendeine andere Quelle aufgeladen werden kann. 4. Im Sinne der Unternummer 3A001e1b wird ‘Sekundärzelle’ definiert als eine ‘Zelle’, die durch eine externe elektrische Quelle aufgeladen werden kann. Anmerkung: Unternummer 3A001e1 erfasst nicht Batterien. Dies schließt auch Batterien, die aus einzelnen Zellen bestehen (single cell batteries), ein. 2. Hochenergie-Speicherkondensatoren wie folgt: Anmerkung: SIEHE AUCH UNTERNUMMER 3A201A und Liste für Waffen, Munition und Rüstungsmaterial. a) Kondensatoren mit einer Folgefrequenz kleiner als 10 Hz (single shot capacitors) und mit allen folgenden Eigenschaften: 1. Nennspannung größer/gleich 5 kV, 2. Energiedichte größer/gleich 250 J/kg und 3. Gesamtenergie größer/gleich 25 kJ; b) Kondensatoren mit einer Folgefrequenz größer/gleich 10 Hz (repetition rated capacitors) und mit allen folgenden Eigenschaften: 1. Nennspannung größer/gleich 5 kV, 2. Energiedichte größer/gleich 50 J/kg, 3. Gesamtenergie größer/gleich 100 J und 4. Lebensdauer größer/gleich 10 000 Ladungs-/Entladungszyklen; 3. “supraleitende” Elektromagnete oder Zylinderspulen, besonders konstruiert, um in weniger als einer Sekunde vollständig geladen oder entladen zu werden, und mit allen folgenden Eigenschaften: Anmerkung: SIEHE AUCH UNTERNUMMER 3A201B. Anmerkung: Unternummer 3A001e3 erfasst nicht “supraleitende” Elektromagnete oder Zylinderspulen, besonders konstruiert für medizinisches Gerät für Magnetresonanzbilderzeugung (Magnetic Resonance Imaging). a) Energieabgabe während der ersten Sekunde der Entladung größer als 10 kJ, b) innerer Durchmesser der Strom führenden Windungen größer als 250 mm und c) spezifiziert für eine magnetische Induktion größer als 8 Tesla oder eine “Gesamtstromdichte” (overall current density) in der Windung größer als 300 A/mm2; 3A001 e) 4. “weltraumgeeignete” Solarzellen, CIC-Baugruppen (cell-interconnect-coverglass assemblies), Solarpaneele und Solararrays, mit einem minimalen mittleren Wirkungsgrad größer 20 % gemessen bei einer Betriebstemperatur von 301 K (28 °C) und einer simulierten ‘AM0’-Beleuchtung mit einer Strahlungsleistung von 1 367 Watt pro Quadratmeter (W/m2); Technische Anmerkung: ‘AM0’ oder ‘Air Mass Zero’ bezieht sich auf die spektrale Verteilung der Strahlungsleistung des Sonnenlichts in der äußeren Erdatmosphäre, wenn der Abstand zwischen Erde und Sonne eine Astronomische Einheit (1 AU) beträgt. f) Absolut-Drehwinkelgeber mit einer Genauigkeit kleiner oder gleich ± 1,0 Bogensekunden; g) Thyristoren und ‘Thyristormodule’ für den Impulsbetrieb, die elektrisch, optisch oder durch Elektronenstrahl (electron radiation) geschaltet werden, und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Maximale Einschalt-Stromsteilheit (di/dt) größer als 30 000 A/μs und Sperrspannung größer 1 100 V oder 2. maximale Einschalt-Stromsteilheit (di/dt) größer als 2 000 A/μs und mit allen folgenden Eigenschaften: a) Spitzensperrspannung größer/gleich 3 000 V und b) Stoßstromgrenzwert (peak (surge) current) größer/gleich 3 000 A. Anmerkung 1: Unternummer 3A001g schließt ein: — SCRs (Silicon Controlled Rectifiers) — ETTs (Electrical Triggering Thyristors) — LTTs (Light Triggering Thyristors) — IGCTs (Integrated Gate Commutated Thyristors) — GTOs (Gate Turn-off Thyristors) — MCTs (MOS Controlled Thyristors) — Solidtrons Anmerkung 2: Unternummer 3A001g erfasst nicht Thyristoren und ‘Thyristormodule’, die eingebaut sind in Ausrüstung, die für Anwendungen in zivilen Schienenfahrzeugen oder “zivilen Luftfahrzeugen” entworfen ist. Technische Anmerkung: Im Sinne der Unternummer 3A001g enthält ein ‘Thyristormodul’ einen oder mehrere Thyristoren. h) Halbleiter-Leistungsschalter, Leistungsdioden oder ‘Module’ mit allen folgenden Eigenschaften: 1. ausgelegt für eine maximale Betriebstemperatur des pn-Übergangs größer als 488 K (215 °C), 2. periodische Spitzenspannung im ausgeschalteten Zustand (blocking voltage) größer 300 V und 3. Dauerstrom größer 1 A. Anmerkung 1: Periodische Spitzenspannung im ausgeschalteten Zustand in Unternummer 3A001h schließt ein: Drain-Source-Spannung, Kollektor-Emitter-Spannung, periodische Spitzensperrspannung und periodische Spitzenblockierspannung im ausgeschalteten Zustand. 3A001 h) Anmerkung 2: Unternummer 3A001h schließt ein: — JFETs (Junction Field Effect Transistors) — VJFETs (Vertical Junction Field Effect Transistors) — MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors) — DMOSFETs (Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors) — IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) — HEMTs (High Electron Mobility Transistors) — BJTs (Bipolar Junction Transistors) — SCRs (Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers) — GTOs (Gate Turn-Off Thyristoren) — ETOs (Emitter Turn-Off Thyristoren) — PiN-Dioden — Schottky-Dioden Anmerkung 3: Unternummer 3A001h erfasst nicht Schalter, Dioden oder ‘Module’, die enthalten sind in Ausrüstung, welche entwickelt wurde für Anwendungen in zivilen Automobilen, zivilen Eisenbahnen oder “zivilen Flugzeugen”. Technische Anmerkung: Im Sinne der Unternummer 3A001h enthält ein ‘Modul’ einen oder mehrere Halbleiter-Leistungsschalter oder Leistungsdioden.