Trong kỹ thuật này, một hỗn hợp germanium và silicon được đặt cạnh một lớp silicon nguyên chất, khiến các nguyên tử silicon tự xếp thẳng hàng với các phân tử của lớp silicon - germanium, mở ra một lối đi rộng hơn, cho phép nhiều hạt điện tử hơn đi qua mạch điện. Theo bà Shang, các nhà nghiên cứu lâu nay đã biết germanium là chất bán dẫn tốt hơn silicon nhưng họ chưa tìm ra cách đưa chất này vào chip ở mức độ cao hơn bằng các kỹ thuật thông thường.