blueapple8259/wikipedia_raw_ko huggingface dataset:
{{위키데이터 속성 추적}}
'''루 몬툴리'''(Lou Montulli, 본명: Louis J. Montulli II)는 [[웹 브라우저]] 제작 작업으로 잘 알려진 컴퓨터 프로그래머이다. 1991년과 1992년에 그는 [[캔자스 대학교]]에 있는 동안 마이클 그로브(Michael Grobe) 및 찰스 레작(Charles Rezac)과 함께 [[링크스 (웹 브라우저)]]라는 텍스트 웹 브라우저를 공동 제작했다.<ref>Grobe, Michael. (April 10, 1997) [https://web.archive.org/web/20230108194217/http://people.cc.ku.edu/~grobe/early-lynx.html ''An Early History of Lynx: Multidimensional Collaboration'']. Retrieved Jan. 8, 2023.</ref> 이 웹 브라우저는 최초로 사용 가능한 브라우저 중 하나였으며 오늘날에도 여전히 사용되고 있다.

== 같이 보기 ==
* [[프로그래머 목록]]

== 각주 ==
{{각주}}

== 외부 링크 ==
* [https://web.archive.org/web/20031220214905/http://dominopower.com/issues/issue200207/cookie001.html Where cookies come from - DominoPower Magazine.]
* [http://www.vlib.us/hnsourcehistory.html HNSource History] Montulli's first conversion to HTML page for WWW-VL
{{전거 통제}}
[[분류:넷스케이프]]
[[분류:살아있는 사람]]
[[분류:캔자스 대학교 동문]]
[[분류:미국의 프로그래머]]
{{위키데이터 속성 추적}}
[[파일:Slave_River_Watershed.png|섬네일|right|250px|슬레이브강 유역 (진한 초록색)]]
'''슬레이브강'''(Slave River)은 [[캐나다]] 서부의 [[서스캐처원주]]와 [[노스웨스트 준주]]에 걸친 강으로, [[로키산맥]]에서 발원한 [[피스강]]이 [[애서배스카호]]에서 흘러나온 짧은 로셰르 강(Rivière des Rochers)과 합류하는 피스-애서배스카 삼각주(Peace-Athabasca Delta)에서 시작하여 [[그레이트슬레이브호]]로 흘러들어간다. 이 지역 원주민인 [[데네인]]의 일파인 [[슬레이비족]](Slavey)에서 이름을 따왔는데, 나중에 [[치퍼와이언족]](Chipewyan)이 이들을 대체했다. 노스웨스트 준주 측 강기슭에 [[포트스미스 (노스웨스트 준주)|포트스미스]](Fort Smith)라는 마을이 있다.

{{전거 통제}}
{{토막글|지리}}
[[분류:앨버타주의 강]]
[[분류:노스웨스트 준주의 강]]
{{위키데이터 속성 추적}}
[[파일:Mantelbögen.JPG|섬네일|다양한 폼]]
'''폼'''(form)은 옵션을 쓰거나 선택할 수 있는 공백(필드 또는 자리 표시자)이 포함된 [[문서]]이다. 폼은 한 번에 여러 서명자에게 배포되거나 요청 시 제공될 수 있다. 작성 전 폼의 각 사본은 [[일련번호]]를 제외하고 일반적으로 동일하다. 폼을 사용하면 조직은 일관된 방식으로 여러 당사자로부터 균일한 데이터 집합을 수집할 수 있다.

완성된 폼은 목적에 따라 다르다. 예를 들어 폼은 명세서, 요청 또는 주문일 수 있다. 수표도 폼으로 간주될 수 있다. 또한 세금에 대한 여러 가지 폼이 있다. 예를 들면 [[연말정산|세금 신고서]]가 있다. 납부해야 할 세액을 결정하려면 해당 항목을 작성해야 한다. 폼은 세금 환급 요청일 수도 있다.

폼에 수집된 정보를 조직 내의 여러 부서에 배포해야 하는 경우 폼을 두 번(또는 세 번) 작성할 수 있다. 이것은 [[먹지]]를 사용하여 수행할 수 있다.

== 같이 보기 ==
* [[데이터베이스]]
* [[설문지]]
* [[XForms]]
* [[폼 (HTML)]]

{{전거 통제}}
[[분류:문서]]
[[분류:종이 제품]]
{{위키데이터 속성 추적}}
{{왕족 정보
|이름 = 아돌프
|원어이름 = {{lang|de|Adolphe}}
|그림      = Adolfluxembourg1817-6.jpg
|휘      = 
|별명      = 
|왕가      = [[나사우바일부르크가]]
|작위 = 룩셈부르크의 대공
|재위 = [[1890년]] [[11월 23일]] ~ [[1905년]] [[11월 17일]]
|배우자 = [[옐리자베타 미하일로브나 여대공]](1844-1845; 사별)<Br>[[안할트데사우의 아델하이트 마리]](1851년 결혼)
|아버지 = [[나사우 공작 빌헬름]]
|어머니 = [[루이제 폰 작센힐트부르크하우젠 왕녀]]
|종교   = [[로마 가톨릭교회]]
|출생일 = {{출생일|1817|7|24}}
|출생지 = [[나사우 공국]] 비브리히 성
|사망일 = {{사망일과 나이|1905|11|17|1817|7|24}}
|사망지 = [[독일 제국]] [[바이에른 왕국]] 호헨부르크 성
|매장지 = [[룩셈부르크]] [[룩셈부르크 (도시)|룩셈부르크시]] 노트르담 대성당
}}
'''아돌프'''({{llang|de|Adolphe}}, [[1817년]] [[7월 24일]] ~ [[1905년]] [[11월 17일]])는 [[룩셈부르크]]의 대공(재위: [[1890년]] [[11월 23일]] ~ [[1905년]] [[11월 17일]])이다. [[나사우바일부르크]] 대공가의 첫 번째 대공이었던 그는 네덜란드와 룩셈부르크 사이의 개인적인 연합을 끝내면서 [[네덜란드]]의 [[빌럼 3세]]의 뒤를 이었다. 아돌프는 [[1839년]] [[8월 20일]]부터 [[1866년]] [[9월 20일]]까지 나사우의 공작(재위: [[1839년]] [[8월 20일]] ~ [[1866년]] [[9월 20일]])이었다.

아돌프는 그의 아버지 빌헬름의 사망 이후, [[1839년]] [[8월]]에 나사우 공작이 되었다. 그 공국은 오스트리아-프로이센 전쟁에서 오스트리아의 패배 이후 프로이센에 합병되었다. [[1815년]]부터 [[1839년]]까지, 룩셈부르크 대공국은 네덜란드의 지방으로서 네덜란드의 왕들에 의해 통치되었다. 런던 조약 (1839) 이후, 룩셈부르크 대공국은 독립했지만 네덜란드와 개인적인 연합에 남아있었다. 그의 아들들의 죽음 이후, 네덜란드의 왕 [[빌럼 3세]]는 그의 뒤를 이을 남자 후계자가 없었다. 네덜란드에서, 여성들이 그 왕좌를 계승하는 것이 허용되었다. 그러나 룩셈부르크는 여성들이 계승하는 것을 금지하는 [[살리카 법]]을 따랐다. 그러므로, [[빌럼 3세]]의 죽음에 따라, 룩셈부르크의 왕관은 나사우 대공가 협약에 따라 아돌프에게 전달된 반면, 네덜란드의 왕관은 그의 유일한 딸 [[빌헬미나 (네덜란드)|빌헬미나]]에게 전달되었다. 아돌프는 [[1905년]]에 사망했고 그의 아들 [[기욤 4세]]에 의해 계승되었다.

== 자녀 ==
* [[기욤 4세]](1852~1912)
* 프리드리히 (1854~1855)
* 마리 (1857~1857)
* 프란츠 (1859~1875)
* [[나사우의 힐다|힐다]](1864~1952)

== 외부 링크 ==
{{위키공용분류}}
* [http://www.monarchie.lu/fr/histoire/souverains/adolphe/index.html Adolphe's page on the official website of the Grand-Ducal House of Luxembourg]

{{룩셈부르크의 군주}}
{{전거 통제}}

[[분류:1817년 출생]]
[[분류:1905년 사망]]
[[분류:룩셈부르크 대공]]
[[분류:나사우바일부르크가]]
[[분류:룩셈부르크의 왕족]]
[[분류:개신교 군주]]
[[분류:20세기 룩셈부르크 사람]]
[[분류:19세기 룩셈부르크 사람]]
[[분류:프로이센의 기병대장]]
{{위키데이터 속성 추적}}
'''비휘발성 랜덤 액세스 메모리'''(Non-volatile random-access memory, '''NVRAM''')은 전원을 공급하지 않고도 데이터를 유지하는 [[랜덤 액세스 메모리]]이다. 이는 전원이 공급되는 동안에만 데이터를 유지하는 DRAM([[동적 램]]) 및 SRAM([[정적 램]])이나 [[자기 테이프]]와 같은 [[순차 접근 메모리]] 형태와는 대조적이다. 무작위로 액세스할 수 있지만 전력 없이도 데이터를 무기한 유지한다.

[[고정 기억 장치]](읽기 전용 메모리) 장치는 자동차 점화 시스템 제어 장치나 가전 제품과 같은 내장형 시스템에 시스템 펌웨어를 저장하는 데 사용할 수 있다. 또한 컴퓨터 시스템을 부트스트랩하는 데 필요한 초기 프로세서 지침을 보관하는 데에도 사용된다. NVRAM과 같은 읽기-쓰기 메모리는 교정 상수, 비밀번호 또는 설정 정보를 저장하는 데 사용할 수 있으며 마이크로 컨트롤러에 통합될 수 있다.

컴퓨터 시스템의 주 메모리가 비휘발성이라면 전원 중단 후 시스템을 시작하는 데 필요한 시간이 크게 줄어든다. 현재 기존 유형의 반도체 비휘발성 메모리는 메모리 크기, 전력 소비 또는 작동 수명에 제한이 있어 주 메모리로는 실용적이지 않다. 비휘발성 메모리 칩을 시스템의 메인 메모리, 영구 메모리로 사용하기 위한 개발이 진행되고 있다. NVDIMM-P로 알려진 영구 메모리 표준이 2021년에 발표되었다.<ref>{{보도자료 인용|url=https://www.jedec.org/news/pressreleases/jedec-ddr5-nvdimm-p-standards-under-development|title=JEDEC DDR5 & NVDIMM-P Standards Under Development|date=2017-03-30|publisher=[[JEDEC]]}}</ref><ref>{{보도자료 인용|url=https://www.jedec.org/news/pressreleases/jedec-hold-workshops-ddr5-lpddr5-nvdimm-p-standards|title=JEDEC to Hold Workshops for DDR5, LPDDR5 & NVDIMM-P Standards|date=2019-09-05|publisher=JEDEC}}</ref><ref>{{보도자료 인용|url=https://www.jedec.org/news/pressreleases/jedec-publishes-ddr4-nvdimm-p-bus-protocol-standard|title=JEDEC Publishes DDR4 NVDIMM-P Bus Protocol Standard|date=2021-02-17|publisher=JEDEC}}</ref>

== 같이 보기 ==
* [[스핀토크 전가]]
* [[스핀트로닉스]]
* [[통일 확장 펌웨어 인터페이스]]

== 각주 ==
{{각주}}

== 외부 링크 ==
* [https://web.archive.org/web/20181221121125/https://lwn.net/Articles/610174/ Supporting filesystems in persistent memory], [[LWN.net]], September 2, 2014, by Jonathan Corbet

{{메모리 종류}}

[[분류:비휘발성 메모리]]
[[분류:컴퓨터 메모리]]
{{위키데이터 속성 추적}}
[[파일:Athabasca_Watershed-WCanada.png|섬네일|right|250px|애서배스카 강 유역, 캐나다 서부.]]
'''애서배스카강'''(Athabasca River)은 [[캐나다]] [[앨버타주]]에 위치한 강으로, [[재스퍼 국립공원]]의 [[컬럼비아 빙원]]에서 발원하여 약 1,231 km 이상을 흘러 [[애서배스카호]]로 들어간다. 강기슭 대부분이 국가 또는 지역 지정의 공원으로 지정되어 보호받고 있다. [[재스퍼 (앨버타주)|재스퍼]] 시 인근에는 경치 있는 [[애서배스카 폭포]]가 있다. 강 이름은 [[크리족]] 언어로 "풀들이 늘어서 있다"는 뜻이다.

{{전거 통제}}
{{토막글|지리}}
[[분류:앨버타주의 지리]]
[[분류:앨버타주의 강]]
[[분류:재스퍼 국립공원]]
{{위키데이터 속성 추적}}
'''지연선 기억기''' 또는 '''지연선 메모리'''(delay-line memory)는 대부분 구식이 된 [[컴퓨터 메모리]]의 한 형태로 초기 [[디지털]] [[컴퓨터]] 중 일부에 사용되었으며 광학 지연선의 형태로 다시 나타나고 있다. 많은 최신 형태의 전자 컴퓨터 메모리와 마찬가지로 지연선 메모리는 새로 고칠 수 있는 메모리였지만 현대의 [[랜덤 액세스 메모리]]와 달리 지연선 메모리는 [[순차 접근]]이었다.

[[아날로그 지연선]] 기술은 1920년대부터 아날로그 신호의 전파를 지연시키는 데 사용되었다. 지연선을 기억소자로 사용하는 경우에는 지연선의 출력과 입력 사이에 증폭기와 펄스형성기가 연결된다. 이러한 장치는 출력의 신호를 다시 입력으로 재순환시켜 전원이 공급되는 동안 신호를 유지하는 루프를 생성한다. 셰이퍼는 펄스가 올바른 형태로 유지되도록 보장하여 매체 손실로 인한 품질 저하를 제거한다.

메모리 용량은 1비트를 전송하는 시간을 재순환 시간으로 나눈 값과 같다. 초기 지연선 메모리 시스템의 용량은 수천 비트(당시에는 "비트"라는 용어가 널리 사용되지 않았지만)였으며 재순환 시간은 마이크로초 단위로 측정되었다. 특정 메모리 주소를 읽거나 쓰려면 해당 값을 나타내는 신호가 지연 라인을 통해 전자 장치로 순환될 때까지 기다려야 한다. 따라서 특정 주소를 읽거나 쓰는 대기 시간은 시간과 주소에 따라 다르지만 재순환 시간보다 길지는 않는다.

컴퓨터 메모리에 지연선을 사용하는 방법은 1940년대 중반 J. 프레스퍼 에커트(J. Presper Eckert)가 [[에드박]] 및 [[유니박 I]]과 같은 컴퓨터에 사용하기 위해 발명했다. 에커트와 [[존 모클리]]는 지연선 메모리 시스템에 대한 특허를 1947년 10월 31일 신청했다. 특허는 1953년에 발행되었다.<ref>{{US patent|2629827}}.</ref>

== 각주 ==
{{각주}}

== 외부 링크 ==
* [http://www-db.stanford.edu/pub/voy/museum/pictures/display/2-1.htm Acoustic Delay Line Memory] &ndash; has an image of a Ferranti wire-based system about halfway down the page
* [http://www.science.uva.nl/faculteit/museum/delayline.html Delay line memories] &ndash; contains a diagram of the magnetostrictive transducer
* [http://www.vintagecalculators.com/html/monroe_epic_3000.html Litton Monroe ''Epic 3000''] - Shows details of the torsion delay lines inside this electronic calculator of 1967
* [http://www.technikum29.de/en/computer/storage-media Magnetostrictive memory], still used in a German computer museum
* {{US patent|2629827}} "Memory System", [[Eckert–Mauchly Computer Corporation]], filed October 1947, patented February 1953
* [http://pichotjm.free.fr/DisplayDL/DisplayDLus.html Display Terminal built with 32 TV delay lines] Complete description
*{{웹 인용|title=What store for EDSAC? |url=https://www.tnmoc.org/notes-from-the-museum/2013/9/13/what-store-for-edsac?rq=what%20store |website=The National Museum of Computing |language=en |date=13 September 2013}} How nickel delay line memory works, some information about the construction
* [https://www.youtube.com/watch?v=9BA4AyvlKnM Nickel delay line for EDSAC replica]

{{메모리 종류}}

[[분류:디지털 전자공학]]
[[분류:컴퓨터 메모리]]
[[분류:전자공학사]]
[[분류:수은]]
{{위키데이터 속성 추적}}
'''참조 국부성'''(locality of reference 또는 principle of locality)<ref>Not to be confused with the [[principle of locality]] o=s*v=411##sts in physics.</ref>은 [[컴퓨터 과학]]에서 프로세서가 짧은 시간 동안 동일한 메모리 위치 세트에 반복적으로 액세스하는 경향이다.<ref>{{서적 인용|title=Computer organization and architecture : designing for performance|last=William.|first=Stallings|date=2010|publisher=Prentice Hall|isbn=9780136073734|edition= 8th|location=Upper Saddle River, NJ|oclc=268788976}}</ref> 참조 국부성에는 시간적 지역성과 공간적 지역성의 두 가지 기본 유형이 있다. 시간적 지역성은 상대적으로 짧은 시간 내에 특정 데이터 및 자원을 재사용하는 것을 의미한다. 공간적 집약성(데이터 집약성이라고도 함<ref name="NistBig1">"NIST Big Data Interoperability Framework: Volume 1", [https://doi.org/10.6028/NIST.SP.1500-1r2 urn:doi:10.6028/NIST.SP.1500-1r2</ref>)은 비교적 가까운 저장 위치 내에서 데이터 요소를 사용하는 것을 의미한다. 공간적 지역성의 특별한 경우인 순차 지역성은 1차원 [[배열]]의 요소를 순회하는 것과 같이 데이터 요소가 선형으로 배열되고 액세스될 때 발생한다.

지역성은 컴퓨터 시스템에서 발생하는 예측 가능한 동작 유형이다. 강력한 참조 국부성을 나타내는 시스템은 [[CPU 캐시|캐싱]], 메모리 프리페치, 프로세서 코어의 고급 [[분기 예측|분기 예측기]]와 같은 기술을 사용하여 성능을 최적화할 수 있는 훌륭한 후보이다.

== 같이 보기 ==
* [[단편화]]
* [[휴리스틱 이론]]

== 각주 ==
{{각주}}

[[분류:컴퓨터 메모리]]
[[분류:캐시]]
[[분류:소프트웨어 최적화]]
{{위키데이터 속성 추적}}
'''메모리 대역폭'''(memory bandwidth)은 [[중앙 처리 장치|프로세서]]가 [[반도체 메모리]]에서 데이터를 읽거나 저장할 수 있는 속도이다. 메모리 대역폭은 일반적으로 [[비트레이트|바이트/초]] 단위로 표시되지만 일반적으로 사용되는 8비트 바이트의 배수가 아닌 자연 데이터 크기를 가진 시스템에서는 다를 수 있다.

특정 메모리 또는 시스템에 대해 광고되는 메모리 대역폭은 일반적으로 이론상의 최대 대역폭이다. 실제로 관찰된 메모리 대역폭은 알려진 대역폭보다 작다(초과하지 않음이 보장됩니다). 다양한 액세스 패턴을 사용하여 지속적인 메모리 대역폭을 측정하기 위한 다양한 [[벤치마크 (컴퓨팅)|컴퓨터 벤치마크]]가 존재한다. 이는 시스템이 다양한 클래스의 실제 애플리케이션에서 유지해야 하는 메모리 대역폭에 대한 통찰력을 제공하기 위한 것이다.

== 같이 보기 ==
* [[동적 램]]
* [[장치 대역폭 목록]]
* [[랜덤 액세스 메모리]]

== 출처 ==
* [http://ieeexplore.ieee.org/xpls/abs_all.jsp?arnumber=5713168&tag=1/ BSS Random Access Benchmark] Performance Evaluation and Optimization of Random Memory Access on Multicores with High Productivity at [http://www.hipc.org/hipc2010/  ACM/IEEE HiPC 2010]

== 외부 링크 ==
* [http://www.cs.virginia.edu/stream/ STREAM Benchmark]
* [http://www.bigbruin.com/reviews05/memorybuy/index.php?file=1 Memory Buy the Numbers]

[[분류:컴퓨터 메모리]]
{{위키데이터 속성 추적}}
'''메모리 오더링'''(memory ordering) 또는 '''메모리 순서'''는 CPU가 컴퓨터 메모리에 액세스하는 순서를 나타낸다. 이 용어는 [[컴파일 타임]] 동안 [[컴파일러]]에 의해 생성된 메모리 순서 또는 [[실행|런타임]] 중에 CPU에 의해 생성된 메모리 순서를 나타낼 수 있다.

최신 [[마이크로프로세서]]에서 메모리 오더링은 메모리 작업 순서를 변경하는 CPU의 기능을 특징으로 한다. 이는 일종의 비순차적 실행이다. 메모리 재정렬을 사용하면 [[CPU 캐시|캐시]] 및 [[메모리 뱅크]]와 같은 다양한 유형의 메모리의 버스 대역폭을 완전히 활용할 수 있다.

대부분의 최신 단일 프로세서에서 메모리 작업은 프로그램 코드에 지정된 순서대로 실행되지 않는다. 단일 스레드 프로그램에서는 모든 작업이 지정된 순서대로 실행된 것처럼 보이며 모든 잘못된 실행은 프로그래머에게 숨겨진다. 그러나 다중 스레드 환경에서는(또는 메모리 버스를 통해 다른 하드웨어와 인터페이스할 때) 이로 인해 문제를 방지하기 위해 [[메모리 배리어]]를 사용할 수 있다.

== 관련 문헌 ==
* ''Computer Architecture &mdash; A quantitative approach''. 4th edition. J Hennessy, D Patterson, 2007. Chapter 4.6
* Sarita V. Adve, Kourosh Gharachorloo, [http://www.ai.mit.edu/projects/aries/papers/consistency/computer_29_12_dec1996_p66.pdf Shared Memory Consistency Models: A Tutorial]
* [http://www.intel.com/products/processor/manuals/318147.pdf Intel 64 Architecture Memory Ordering White Paper]
* [http://www.linuxjournal.com/article/8211 Memory ordering in Modern Microprocessors part 1]
* [http://www.linuxjournal.com/article/8212 Memory ordering in Modern Microprocessors part 2]
* {{유튜브|id=WUfvvFD5tAA|title=IA (Intel Architecture) Memory Ordering}} - Google Tech Talk

[[분류:컴퓨터 구조]]
[[분류:컴퓨터 메모리]]
[[분류:일관성 모델]]
[[분류:컴파일러 구성]]
[[분류:프로그래밍 언어 설계]]
[[분류:런타임 시스템]]
[[분류:병행성]]
{{위키데이터 속성 추적}}
'''레이스트랙 메모리'''(Racetrack memory) 또는 '''도메인월 메모리'''(domain-wall memory, DWM)는 물리학자 [[스튜어트 파킨]](Stuart Parkin)이 이끄는 팀이 [[IBM 리서치|IBM 알메이든 리서치 센터]]에서 개발 중인 실험적인 [[비휘발성 메모리]] 장치이다.<ref>{{웹 인용 |url=http://www.almaden.ibm.com/spinaps/research/sd/?racetrack |제목=Spintronics Devices Research, Magnetic Racetrack Memory Project |확인날짜=2024-06-03 |archive-date=2007-10-12 |archive-url=https://web.archive.org/web/20071012010634/http://almaden.ibm.com/spinaps/research/sd/?racetrack |url-status= }}</ref> 2008년 초에 3비트 버전이 성공적으로 시연되었다.<ref>{{저널 인용|author=Masamitsu Hayashi |title=Current-Controlled Magnetic Domain-Wall Nanowire Shift Register |journal=Science |volume=320|issue=5873|pages=209–211|date=April 2008|doi=10.1126/science.1154587|display-authors=etal |pmid=18403706|bibcode=2008Sci...320..209H |s2cid=7872869 }}</ref> 성공적으로 개발된다면 레이스트랙 메모리는 [[플래시 메모리]]와 같은 유사한 솔리드 스테이트 메모리 장치보다 더 높은 저장 밀도를 제공할 것으로 본다.

== 같이 보기 ==
* [[거대자기저항]]
* [[자기 저항 메모리]]
* [[스핀트로닉스]]

== 각주 ==
{{각주}}

== 외부 링크 ==
* [https://www.nytimes.com/2007/09/11/technology/11storage.html?ex=1347163200&en=26735eaee1d37b46&ei=5088&partner=rssnyt&emc=rss Redefining the Architecture of Memory]
* [https://www.youtube.com/watch?v=dJf3z9AfiVM IBM Moves Closer to New Class of Memory] ([[YouTube]] video)
* [http://researcher.watson.ibm.com/researcher/view_project_subpage.php?id=3811 IBM Racetrack Memory Project] {{웨이백|url=http://researcher.watson.ibm.com/researcher/view_project_subpage.php?id=3811 |date=20130829001446 }}

{{저장 매체}}
{{메모리 종류}}

[[분류:컴퓨터 메모리]]
[[분류:비휘발성 메모리]]
[[분류:스핀트로닉스]]
{{위키데이터 속성 추적}}
[[파일:Stuart Parkin 2023 2.jpg|섬네일|2023년 모습]]
'''스튜어트 파킨'''(Stuart Parkin, 본명: 스튜어트 스티븐 파프워스 파킨, Stuart Stephen Papworth Parkin, 1955년 12월 9일 ~ )은 [[실험물리학|실험물리학자]]이자 [[할레]]에 있는 막스 플랑크 미세구조 물리학 연구소의 전무 이사이자 [[마르틴 루터 할레비텐베르크 대학교]] 물리학 연구소의 알렉산더 폰 훔볼트 교수이다.

[[스핀트로닉스]] 재료의 과학 및 응용 분야의 선구자이며, 최근 컴퓨터 하드 디스크 드라이브의 데이터 밀도와 용량을 증가시키는 데 중요한 역할을 하는 박막 자기 구조의 거동을 발견했다. 이러한 발견으로 그는 2014년 밀레니엄 기술상을 수상했다.

현재 직책을 맡기 전에 파킨은 [[IBM 펠로]]이자 캘리포니아 산호세에 있는 [[IBM 리서치|IBM 알메이든 연구 센터]]의 자기전자공학 그룹 관리자였다. 또한 [[스탠퍼드 대학교]] 응용 물리학과의 컨설팅 교수이자 2004년에 설립된 IBM-스탠퍼드 스핀트로닉 과학 및 응용 센터의 이사였다.

== 외부 링크 ==
* [https://lt.org/publication/how-can-spintronic-devices-be-built-improve-computing-capacity Video on Stuart Parkin's research (Latest Thinking)]
* [https://www.youtube.com/watch?v=dJf3z9AfiVM Racetrack memory video]
* [http://domino.research.ibm.com/comm/pr.nsf/pages/bio.parkin.html IBM Researcher Bio for Stuart Parkin] {{웨이백|url=http://domino.research.ibm.com/comm/pr.nsf/pages/bio.parkin.html |date=20091223091443 }}
* [https://www.nytimes.com/2007/09/11/technology/11storage.html Redefining the Architecture of Memory – New York Times article dated 9/11/2007]

{{전거 통제}}
[[분류:1955년 출생]]
[[분류:살아있는 사람]]
[[분류:영국의 물리학자]]
[[분류:왕립학회 석학회원]]
[[분류:미국 과학 아카데미의 회원]]
[[분류:미국 물리학회 석학회원]]
[[분류:스핀트로닉스]]
{{위키데이터 속성 추적}}
{{여러그림
|전체 너비 = 250
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|설명2 = 256비트 셀렉트론 튜브
}}
'''셀렉트론 튜브'''(Selectron tube)는 [[얀 A. 라치만]](Jan A. Rajchman)과 그의 그룹이 [[RCA (기업)|RCA]](Radio Corporation of America)에서 [[블라디미르 K. 즈보리킨]]의 지휘 하에 개발한 초기 형태의 디지털 [[컴퓨터 메모리]]였다. 윌리엄스관 저장장치와 유사한 기술을 사용해 디지털 데이터를 정전기 전하로 저장한 [[진공관]]이었다. 이 팀은 [[자기 코어 메모리]]가 거의 보편화되기 전에는 상업적으로 실행 가능한 형태의 셀렉트론(Selectron)을 생산할 수 없었다.

== 특허 ==
* {{US patent|2494670}} Cylindrical 4096-bit Selectron
* {{US patent|2604606}} Planar 256-bit Selectron

== 외부 링크 ==
* [https://web.archive.org/web/20030707202734/http://www.computer50.org/mark1/moore.school/selectron.html The Selectron]
* [http://www-db.stanford.edu/pub/voy/museum/pictures/display/2-1.htm Early Devices display: Memories]&nbsp;— has a picture of a 256-bit Selectron about halfway down the page
* [http://lampes-et-tubes.info/sp/sp136.php More pictures]
* [http://www.RCASelectron.com   History of the RCA Selectron]

{{전자 부품}}
{{메모리 종류}}

[[분류:컴퓨터 메모리]]
[[분류:진공관]]
{{위키데이터 속성 추적}}
'''도금 와이어 메모리'''(plated-wire memory)는 1957년 [[벨 연구소]]가 개발한 [[자기코어 메모리]]의 변형이다.<ref>{{저널 인용| title = Nondestructive Memory Employing a Domain Oriented Steel Wire | doi = 10.1063/1.1723297 | author = U. F. Gianola | journal = J. Appl. Phys. | volume = 29 | pages=849–853 | year = 1958| issue = 5 | bibcode = 1958JAP....29..849G }}</ref> 이 메모리의 주요 장점은 기계로 조립할 수 있다는 것인데, 이는 거의 항상 손으로 조립했던 자기 코어보다 가격이 저렴할 수 있다는 것이다.

와이어에 개별 [[페라이트 (자석)|페라이트]] 코어를 꿰는 대신 도금 와이어 메모리는 [[철]]-[[니켈]] 합금([[퍼멀로이]])<ref>{{저널 인용| author1 = J. Mathias |author2= G. Fedde | title = Plated-wire technology: A critical review | journal = IEEE Transactions on Magnetics | volume = 5 | number = 4 | pages=728–751 | date = December 1969 | doi=10.1109/TMAG.1969.1066652|bibcode= 1969ITM.....5..728M }}</ref>의 얇은 층으로 코팅된 와이어 그리드를 사용했다. 일반적으로 페라이트 코어에 저장되는 자기장은 대신 와이어 자체에 저장된다. 작동은 일반적으로 와이어 자체가 데이터 라인 역할을 하고 자기 도메인이 데이터 와이어의 양쪽에서(및 수직으로) 실행되는 주소(워드) 라인에 의해 정의된 개별 비트 위치를 제공하는 코어 메모리와 유사했다.

초기 버전은 파괴적인 읽기 모드에서 작동하여 데이터를 복원하려면 읽은 후 쓰기가 필요했다. 비파괴 읽기 모드가 가능했지만 이를 위해서는 훨씬 더 높은 자기 코팅 균일성이 필요했다.

반도체 RAM 칩의 개선으로 [[메인프레임]] 컴퓨터와 같은 대규모 애플리케이션에 필요한 더 높은 저장 밀도와 더 빠른 속도가 제공되어 코어 메모리와 도금 와이어 메모리를 모두 포함하는 이전 유형의 메모리를 대체했다.

도금 와이어 메모리는 일반적으로 [[항공우주]] 분야의 다양한 응용 분야에서 사용되었다. UNIVAC 1110 및 UNIVAC 9000 시리즈 컴퓨터, [[화성]]에 착륙선을 보낸 [[바이킹 계획]], [[보이저 계획|보이저]] 우주 탐사선<ref>{{저널 인용| doi = 10.1243/PIME_PROC_1980_194_026_02 | title = The Voyager Spacecraft | author = Raymond L. Heacock | journal = Proceedings of the Institution of Mechanical Engineers | year = 1980 | volume = 194 | number = 1 | pages = 211–224}}</ref>, [[LGM-30 미닛맨|Minuteman-III]]의 프로토타입 유도 컴퓨터, 우주 왕복선 주 엔진 컨트롤러<ref>{{웹 인용 |last=Tomayko |first=James |title=Chapter Four: Computers in the Space Shuttle Avionics System |url=http://www.hq.nasa.gov/office/pao/History/computers/Ch4-7.html |work=Computers in Spaceflight: The NASA Experience |publisher=NASA |accessdate=8 August 2011 |archive-date=2011-09-13 |archive-url=https://web.archive.org/web/20110913052302/http://www.hq.nasa.gov/office/pao/History/computers/Ch4-7.html |url-status= }}</ref>, [[KH-9 Hexagon]] 위성 정찰<ref name="NROHexagonStory">{{웹 인용|url=https://www.loc.gov/item/2012452569/ |title=The HEXAGON story |publisher=National Reconnaissance Office |year=1988}}</ref>, [[허블 우주망원경]]에서 사용되었다.

== 각주 ==
{{각주}}

== 외부 링크 ==
* [https://web.archive.org/web/20110719093739/http://www.technikum29.de/en/devices/plated-wire-storage.shtm technikum29.de - Description of Plated-wire memory]
{{메모리 종류}}
[[분류:컴퓨터 메모리]]
[[분류:비휘발성 메모리]]
{{위키데이터 속성 추적}}
[[파일:Redrivernorthmap.png|섬네일|right|]]
{{다른 뜻|레드강 (미국 남부)||같은 이름을 가진 미국 남부의 강}}
'''레드강'''({{llang|en|Red River}}}, {{llang|fr|rivière Rouge}}) 또는 '''북부의 레드강'''(Red River of the North)은 [[미국]] 중북부의 [[미네소타주]], [[노스다코타주]]와 [[캐나다]] 중부의 [[매니토바주]]에 걸친 강이다. 노스다코타주의 [[와피턴 (노스다코타주)|와피턴]](Wahpeton)과 미네소타주의 [[브레큰릿지 (미네소타주)|브레큰릿지]](Breckenridge)의 경계 부근에서 부아드수(Bois de Sioux)강과 오터테일(Otter Tail)강이 합류하는 데서 발원하여 두 주의 경계를 따라 북쪽으로 흐르다가 매니토바주 에머슨(Emerson)에서 [[미국-캐나다 국경]]을 지나며, [[어시니보인강]](Assiniboine River)과의 합류점에서 매니토바의 주도인 [[위니펙]] 시를 지나 더 북쪽으로 흐르다가 [[위니펙호]]로 들어간다.

길이는 약 885km이며 그 중 635km가 미국 측, 255km가 캐나다 측에 있다. 강의 양측에 여러 도시들이 발달하였으며 미국의 [[파고 (노스다코타주)|파고]]-[[무어헤드 (미네소타주)|무어헤드]], [[그랜드포크스]]-[[이스트그랜드포크스]]나 캐나다의 [[위니펙]] 등이 있다. [[미국 남부]]에 위치한 [[레드강 (미국 남부)|동명의 강]]과 구분하기 위해 "북부의 레드강"(Red River of the North)이라고 칭하기도 한다.

{{전거 통제}}
[[분류:매니토바주의 강]]
[[분류:노스다코타주의 강]]
[[분류:미네소타주의 강]]
[[분류:북아메리카의 국제 하천]]
{{위키데이터 속성 추적}}
[[파일:Eindrücke von der COMPUTEX 2024 ( 极客湾Geekerwan) 14.png|thumb]]
'''CAMM'''(Compression Attached Memory Module)은 [[랜드 그리드 배열]]을 사용하는 [[메모리 모듈]] 폼 팩터로 엔지니어 [[톰 슈넬]](Tom Schnell)이 [[델]]에서 [[에지 커넥터]]를 사용하고 약 25년 동안 사용해온 [[DIMM]] 및 SO-DIMM을 대체하기 위해 개발했다.<ref>{{웹 인용|last=Ung |first=Gordon |title=Dell defends CAMM, its controversial new laptop memory |work=PCWorld |accessdate=2023-04-19 |date=2022-04-28 |url=https://www.pcworld.com/article/693366/dell-defends-its-controversial-new-laptop-memory.html |quote=SO-DIMMs, which were first introduced almost 25 years ago, haven’t changed much in all that time besides moving to newer and faster DRAM methods.}}</ref> 최초의 SODIMM은 1997년 JEDEC에서 출시되었다.<ref>{{서적 인용|url=https://books.google.com/books?id=xCXVGneKwScC |title=Upgrading and Repairing Laptops |isbn=9780789728005 |last1=Mueller |first1=Scott | date=2004 | publisher=Que }}</ref><ref>https://www.jedec.org/standards-documents/docs/module-444</ref><ref>{{서적 인용|url=https://books.google.com/books?id=O0FTac_k7CIC&dq=laptop+proprietary+sodimm&pg=PA36 | title=Peter Norton's New Inside the PC | isbn=9780672322891 |last1=Norton |first1=Peter |last2=Clark |first2=Scott H. |date=2002 | publisher=Sams }}</ref><ref>{{웹 인용|url=http://archive.org/details/completeidiotsgu00fult |title=The complete idiot's guide to upgrading and repairing PCs |first=Jennifer |last=Fulton|date=November 9, 2000|publisher=Indianapolis, IN : Alpha Books|via=Internet Archive}}</ref>

CAMM은 기존 슬롯형 DIMM의 기술적 한계를 극복하기 위해 만들어졌다. CAMM 모듈은 SO-DIMM에 비해 더 짧은 트레이스를 허용하므로 더 적은 전력과 더 빠른 속도로 메모리를 실행할 수 있다. 메모리 모듈은 마더보드에 연결되는 [[랜드 그리드 배열]] 핀 접점이 있는 바에 눌러 고정된다.

CAMM의 장점에는 더 얇은 두께, 교체 가능한 LPDDR 모듈 허용, 6400MHz 이상의 더 빠른 속도, 모듈당 최대 128GB의 더 많은 용량 및 더 높은 대역폭이 포함된다. 단점은 공구 없이 장착이 불가능하고 나사 6개를 사용한다는 점이다.

CAMM의 총 인터페이스 접점 수는 616개(행당 44개 x 14개 행)이다.<ref>[https://www.techpowerup.com/294240/dells-ddr5-camm-appears-in-more-detail-comes-in-several-shapes-wont-be-proprietary?amp TechPowerUp - Dell's DDR5 CAMM Appears in More Detail, Comes in Several Shapes, Won't be Proprietary]</ref>

== 각주 ==
{{각주}}

== 외부 링크 ==
* {{유튜브|id=K3zB9EFntmA|title=New Laptop Memory Is Here! LPCAMM2 Changes Everything!}}

{{DRAM}}

[[분류:컴퓨터 메모리 폼 팩터]]
[[분류:델]]
{{위키데이터 속성 추적}}
{{회사 정보
| 이름 = 엑스플러스
| 원어 = Xplus Inc.
| 형태 = 주식회사
| 산업 = 
| 창립 = 2020년
| 시장 정보 = {{KRX|373200}}
| 국가 = 대한민국
| 장소 = 서울시 송파구 송파대로201 송파테라타워2 A동 13층
| 인물 = 대표이사 윤상철
| 서비스 = 
| 대표 제품 = 웨어러블 액세서리
| 자본금 = 
| 매출액 = 
| 순이익 = 
| 자산 총액 = 
| 주주 = 주식회사 엑스페릭스
| 종업원 = 35명(2023년)
| 웹사이트 = 
| 영업 이익 = 
}}
'''엑스플러스'''(Xplus Inc)는 대한민국의 웨어러블 액세서리 기업이다. 본사는 서울특별시 송파구 송파대로 201에 위치해 있으며 대표이사는 윤상철이다.
== 유상증자 ==
2024년 410억 규모의 유상증자를 하였다<ref>[https://www.hankyung.com/article/2024051745136 엑스플러스, 410억 규모 유증 및 CB 발행 결정, 한국경제, 2024.05.17]</ref>
== 상장 ==
2022년 1월 IBKS제15호스팩과 합병하여 코스닥 시장에 상장하였다.
== 같이 보기 ==
* 주식회사 엑스페릭스

==참고문헌==
<references/>

== 외부 링크 ==
* [http://xplusinc.com 공식홈페이지]

[[분류:대한민국의 기업]]
[[분류:서울특별시의 기업]]
{{위키데이터 속성 추적}}
[[파일:Intel 810 Chipset Digon3.JPG|섬네일|인텔 810 칩셋의 [[노스브리지]]]]
'''인텔 810'''(Intel 810) 칩셋은 [[펜티엄 III]] 및 [[셀러론]] 프로세서를 포함한 P6 기반 소켓 370 CPU 시리즈용 플랫폼으로 코드명 "Whitney"로<ref>{{웹 인용|url=http://www.anandtech.com/show/299|title=Intel 810 Chipset|last=Shimpi|first=Anand Lal|access-date=2016-09-29}}</ref> 1999년 초 [[인텔]]에서 출시되었다. 일부 마더보드 설계에는 구형 인텔 CPU용 [[슬롯 1]] 또는 소켓 370과 슬롯 1의 조합이 포함되어 있다. 이 제품은 통합 그래픽을 갖춘 단일 프로세서 예산 시스템을 위한 강력한 플랫폼을 제공하면서 저가형 시장 부문을 대상으로 했다. 810은 더 나은 I/O 처리량과<ref name=Intel810>[http://developer.intel.com/design/chipsets/810/ Intel 810] {{웨이백|url=http://developer.intel.com/design/chipsets/810/ |date=20130304024734 }}, Intel.com, accessed March 12, 2007.</ref> 인텔740에서 파생된 통합 GPU를 갖춘 허브 아키텍처를 통합한 인텔의 첫 번째 칩셋 설계였다.<ref>{{웹 인용|url=https://www.tomshardware.com/amp/picturestory/693-intel-graphics-evolution.html|title = Evolution of Intel Graphics: I740 to Iris Pro|date = 4 February 2017}}</ref>

==개요==
810에는 5가지 변형이 있다.

* 810-L: microATX(4 PCI), 디스플레이 캐시 없음, ATA33 하드 디스크 인터페이스.
* 810: microATX(4 PCI), 디스플레이 캐시 없음, ATA33 및 ATA66.
* 810-DC100: ATX(6 PCI), 4MB 디스플레이 캐시(AIMM), ATA33 및 ATA66.
* 810E: 133MHz FSB, 펜티엄 III 또는 셀러론 "코퍼마인-EB" 시리즈 CPU에 대한 지원이 추가되었다.
* 810E2: 130nm "Tualatin" 코어, ATA100 및 4개의 USB 1.1 포트를 갖춘 펜티엄 III 및 셀러론 CPU에 대한 지원이 추가되었다.

인텔 810은 가능한 한 많은 기능을 마더보드에 통합하려고 시도했다. 기능은 다음과 같다:<ref name=Intel810 /><ref name=xbit810>[http://www.xbitlabs.com/articles/mainboards/display/intel810.html Intel 810 Chipset Review] {{웨이백|url=http://www.xbitlabs.com/articles/mainboards/display/intel810.html |date=20161110044016 }}, X-bit Labs, May 25, 1999.</ref>

* 66 및 100MHz 버스 지원
* USB 포트 2개
* 통합 그래픽 프로세서.
** 인텔740 2D/3D 가속기(i752)를 기반으로 한다.
** 전용 비디오 RAM 캐시 옵션 또는 시스템 RAM 사용.
** DVD 재생을 위한 하드웨어 모션 보상.
** 디지털 비디오 출력
* [[AC'97]] 모뎀 및 오디오

== 같이 보기 ==
* [[인텔 칩셋 목록]]
* [[P6 (마이크로아키텍처)]]

== 각주 ==
{{각주}}

[[분류:인텔 칩셋]]
[[분류:그래픽 카드]]
[[분류:그래픽 처리 장치]]
[[분류:인텔 그래픽스]]