{{위키데이터 속성 추적}}
[[파일:3D XPoint.png|섬네일|3D 크로스 포인트 2 레이어 다이어그램]]
'''3D XPoint'''('스리디 크로스포인트'로 발음<ref>{{인용| url = https://www.youtube.com/watch?v=Wgk4U4qVpNY| title = 3D XPoint™ Technology Revolutionizes Storage Memory| type= video,  infomercial| work = www.youtube.com| publisher = Intel}}</ref>)는 [[인텔]]과 [[마이크론 테크놀로지|마이크론]]이 2015년 7월에 발표한 [[비휘발성 메모리]] 기술이다. 인텔은 차기 기억 장치를 가리킬 때 '''Optane'''이라는 이름의 기술을 이용하는 반면 마이크론은 '''QuantX'''라는 이름을 사용한다.

기능에 대한 자료와 물리적인 상세 내용이 공개되진 않았지만, 스토리지의 밀도는 [[플래시 메모리]]와 비슷하지만 내구성이 개선, 더 빠른 동작 속도를 수반하는 것으로 알려져 있다. 비트 스토리지는 적층 가능한 격자형 데이터 접근 배열과 더불어 대량자재의 저항 변화에 기반을 두고 있다.

== 배경 및 설명 ==
3D XPoint의 개발은 2012년 즈음에 시작되었다.<ref name="ee1"/> 과거에 인텔과 마이크론은 다른 비휘발성 [[PRAM]](PCM) 기술을 개발하였다.{{refn|group="note"|Intel and [[Numonyx]] presented 64 Gb stackable PCM chips in 2009.<ref name="inummile"/>}} 마이크론의 [[마크 더칸]]은 3D XPoint의 구조가 이전의 PCM에서 제공되는 것과는 다르다고 언급하였고, 메모리 셀의 셀렉터와 스토리지 부분에 [[GeSbTe|GST]]와 같은 전통적인 PCM 물질 보다 더 안정적이고 더 빠른 [[칼코게나이드 글래스|칼코게나이드]] 물질을 사용한다.<ref name="ee4"/>

2015년 기준으로, 이 기술의 상세 정보가 인텔과 마이크론에 의해 제공되지 않았으나, 이 기술은 "[[전자]]에 기반하지 않는다"고 언급되었다.<ref>{{인용| url = http://www.eetimes.com/author.asp?section_id=36&doc_id=1327417| title =  Imagining What’s Inside 3D XPoint| work = www.eetimes.com| first = Ron|last = Neale| date = 14 Aug 2015}}</ref> 3D XPoint는 저항을 사용하고 비트 주소 할당이 가능한 것으로 언급되었다.<ref name=extremetech/> [[크로스바]]가 개발 중인 [[RRAM]](저항 랜덤 액세스 메모리)과의 유사점이 언급되었으나 3d XPoint 스토리지의 물리적인 처리 부분은 차이점이 있다.<ref name="ee1"/> 3D XPoint 개발자들은 대량자재의 저항 변화(changes in resistance of the bulk material)에 기반을 두고 있음을 이야기한다.<ref name=ee2/> 인텔의 CEO 브라이언 크르자니크는 XPoint의 물질에 대한 진행 중인 질문들에 응답하면서 전환은 "대량자재 특성"(bulk material properties)에 기반을 둔다고 언급했다.<ref name="ee3"/> 인텔은 3d XPoint가 상변화나 멤리스터 기술을 사용하지 않는다고 언급했다.<ref name="reg1"/>

독립적으로 테스트된 장치는 존재하지 않지만, 인텔의 발표에 따르면 스루풋과 쓰기 내구성이 [[플래시 메모리]]에 비해 최대 1,000배이고<ref name="cnet1"/><ref name="bbc1"/><ref name="cwlaw"/><ref name="pcw2"/> 레이턴시는 [[NVM 익스프레스]](NVMe)의 NAND SSD에 비해 10배 더 낮지만,<ref name="ftpcmag"/> DRAM 보다는 약 4-8배 더 느리다.<ref name="cw1"/> 최근의 문헌에 따르면, 어떠한 제공업체도 XPoint의 성능 및 내구성과 일치하면서도 표본이 되는 저항 RAM/상변화 메모리 기술을 갖고 있는 것으로 보이지 않는다.<ref>By Chris Mellor, The Register. “[http://www.theregister.co.uk/2016/04/21/xpoint_is_intels_exit_from_nand_production_hell/ Goodbye: XPoint is Intel's best exit from NAND production hell].” April 21, 2016. April 22, 2016.</ref>

개개의 데이터 셀은 트랜지스터가 필요 없으므로 기억 밀도는 DRAM에 비해 8~10배 더 크고, NAND와 비슷하다.<ref name=extremetech /><ref>{{웹 인용 |url=http://www.intelsalestraining.com/memorytimeline/ |title=2015: 3D XPoint Technology |page=last slide, lower left chart, titled performance and density |확인날짜=2016-08-20 |archive-date=2016-08-19 |archive-url=https://web.archive.org/web/20160819042531/http://www.intelsalestraining.com/memorytimeline/ |url-status= }}</ref>

[[2017년]] [[2월 11일]] 최초의 3D XPoint SSD 스펙이 올라왔다. 스펙 상의 읽기 속도는 다른 SSD에 비해 떨어지지만, 대신 I/O 성능은 다른 SSD에 비해 월등한 비율을 보이고 있다.<ref name="first">{{웹 인용 |url= https://arstechnica.com/information-technology/2017/02/specs-for-first-intel-3d-xpoint-ssd-so-so-transfer-speed-awesome-random-io/|제목= Specs for first Intel 3D XPoint SSD: so-so transfer speed, awesome random I/O|저자= Peter Bright|날짜= 2017년 2월 11일|웹사이트= [[아르스 테크니카]]|확인날짜= 2017년 2월 11일}}</ref> 또한 SSD보다 쓰기 가능한 횟수는 많아졌지만 전력 소비량은 일반 SSD보다 더 높게 나와있다.<ref name="first"/>

== 생산 ==
처음에 [[유타주]] [[리하이 (유타주)|리하이]] 지역의 [[IM 플래시 테크놀로지스]] LLC(인텔-마이크론의 합작회사)에 의해 운영되는 [[웨이퍼 공정]]은 적은 양의 128 Gbit의 칩을 2015년에 생산하였다. 이들은 2개의 64 Gbit 플레인을 적층한다.<ref name="ee1"/><ref name="ana1"/> 2016년 초에 IM 플래시의 CEO 가이 블랄록(Guy Blalock)은 이 칩들의 대량 생산이 아직 12~18개월 남았다고 언급하였다.<ref name=ee5 />

비트 당 예상 가격은 DRAM 보다 더 낮고 NAND 보다 더 높을 것으로 추측되지만, 완성되는 제품에 따라 다르다.<ref name="hh1"/> 2016년 초에 IM 플래시는 1세대 솔리드 스테이트 드라이브가 95000 [[IOPS]] 스루풋에 9 마이크로초 레이턴시를 달성할 것이라고 발표하였다.<ref name="ee5">{{인용| url = http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1328682 | title = 3D XPoint Steps Into the Light| first = Rick| last = Merrick| date = 14 Jan 2016| work = EE Times }}</ref>

2015년 중순에 인텔은 3D XPoint 기술 기반의 스토리지 제품으로서 ''Optane'' 브랜드를 발표하였다.<ref name="optane">
{{인용
| url = http://www.anandtech.com/show/9541/intel-announces-optane-storage-brand-for-3d-xpoint-products
| work = AnandTech | first = Ryan| last = Smith| date = 18 Aug 2015
| title = Intel Announces Optane Storage Brand For 3D XPoint Products
}}
</ref>

== 같이 보기 ==
* [[하이브리드 메모리 큐브]]
* [[멤리스터]]

== 각주 ==
{{각주|30em| refs=

<ref name="inummile">{{인용| url  =http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1172109| title = Intel, Numonyx claim phase-change memory milestone| date = 28 Oct 2009| work = www.eetimes.com| first = Dylan | last = McGrath}}</ref>

<ref name="hh1">{{웹 인용| url = http://hothardware.com/news/intel-and-micron-jointly-drop-disruptive-game-changing-3d-xpoint-cross-point-memory-1000x-faster-than-nand| title = Intel And Micron Jointly Unveil Disruptive, Game-Changing 3D XPoint Memory, 1000x Faster Than NAND| quote = Intel's Rob Crooke explained, 'You could put the cost somewhere between NAND and DRAM.'| date = 28 July 2015| first = Jason| last = Evangelho| 확인날짜 = 2016-08-20| 보존url = https://web.archive.org/web/20160815104527/http://hothardware.com/news/intel-and-micron-jointly-drop-disruptive-game-changing-3d-xpoint-cross-point-memory-1000x-faster-than-nand| 보존날짜 = 2016-08-15| url-status = dead}}</ref>

<ref name="ana1">{{인용| url = http://www.anandtech.com/show/9541/intel-announces-optane-storage-brand-for-3d-xpoint-products | title = Intel Announces Optane Storage Brand For 3D XPoint Products | first = Ryan| last = Smith | quote = products will be available in 2016, in both standard SSD (PCIe) form factors for everything from Ultrabooks to servers, and in a DIMM form factor for Xeon systems for even greater bandwidth and lower latencies.  As expected, Intel will be providing storage controllers optimized for the 3D XPoint memory | date = 18 August 2015| work = www.anandtech.com }}</ref>

<ref name="cw1">{{웹 인용 |url=http://www.computerworld.com/article/2954492/computer-hardware/that-new-3d-xpoint-memory-could-last-forever.html |title=The new memory from Intel and Micron will do to SSDs what SSDs did to disk drives |author=Lucas Mearian |quote=The new memory is still about five to eight times slower than DRAM. It's not as fast as DRAM, so it's not going to replace it in the most latency-valued applications |date=29 July 2015 |work=www.computerworld.com |확인날짜=2016-08-20 |archive-date=2016-08-26 |archive-url=https://web.archive.org/web/20160826052958/http://www.computerworld.com/article/2954492/computer-hardware/that-new-3d-xpoint-memory-could-last-forever.html |url-status= }}</ref>

<ref name="ftpcmag">{{웹 인용 |url=http://forwardthinking.pcmag.com/none/337065-intel-details-3d-xpoint-memory-future-products |title=Intel Details 3D XPoint Memory, Future Products |first=Michael J. |last=Miller |quote=~10x reduction in latency vs. NAND SSD |date=21 Aug 2015 |확인날짜=2016-08-20 |보존url=https://web.archive.org/web/20160802160810/http://forwardthinking.pcmag.com/none/337065-intel-details-3d-xpoint-memory-future-products |보존날짜=2016-08-02 |url-status=dead }}</ref>

<ref name="cnet1">{{웹 인용|url=http://www.cnet.com/news/intel-and-micron-debut-3d-xpoint-storage-technology-thats-1000-times-faster-than-existing-drives/|title=Intel, Micron debut 3D XPoint storage technology that's 1,000 times faster than current SSDs|publisher=CBS Interactive|work=CNET| first = Dong| last = Ngo| date = 28 July 2015}}</ref>

<ref name="bbc1">{{웹 인용|url=http://www.bbc.com/news/technology-33675734|title=3D Xpoint memory: Faster-than-flash storage unveiled|work=BBC News| date = 28 July 2015| first = Leo| last = Kelion }}</ref>

<ref name="cwlaw">{{웹 인용|url=http://www.computerworld.com/article/2951869/computer-hardware/intel-and-micron-unveil-3d-xpoint-a-new-class-of-memory.html|title=Intel and Micron unveil 3D XPoint -- a new class of memory|first =Stephen|last = Lawson|date=28 July 2015|work=Computerworld}}</ref>

<ref name="pcw2">{{웹 인용|url=http://www.pcworld.com/article/2951864/storage/intel-micron-announce-new-3dxpoint-memory-type-thats-1000-times-faster-than-nand.html|title=Intel, Micron announce new 3D XPoint memory type that's 1,000 times faster than NAND|first =Gordon|last= Mah Ung|date=28 July 2015|work=PCWorld}}</ref>

<ref name="reg1">{{웹 인용|title=Just ONE THOUSAND times BETTER than FLASH! Intel, Micron's amazing claim| url= http://www.theregister.co.uk/2015/07/28/intel_micron_3d_xpoint/|website=The Register|date = 28 July 2015|quote  =An Intel spokesperson categorically denied that it was a phase-change memory process or a memristor technology. Spin-transfer torque was also dismissed| first = Chris| last = Mellor }}</ref>

<ref name="ee1">{{인용| url = http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1327289| title = Intel, Micron Launch "Bulk-Switching" ReRAM| first = Peter| last = Clarke| date = 28 July 2015| work = www.eetimes.com }}</ref>

<ref name="ee2">{{인용| url = http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1327289| title = Intel, Micron Launch "Bulk-Switching" ReRAM| date = 28 July 2015| work = www.eetimes.com| first = Peter| last = Clarke| quote  ="The switching mechanism is via changes in resistance of the bulk material," was all Intel would add in response to questions sent via email.}}</ref>

<ref name="ee3">{{인용| url = http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1327478| page=2| title  =Intel’s Krzanich: CEO Q&A at IDF| work = www.eetimes.com |first = Rick| last = Merrick }}</ref>

<ref name="ee4">{{인용| url = http://www.eetimes.com/author.asp?section_id=36&doc_id=1327313| title = Patent Search Supports View 3D XPoint Based on Phase-Change| first = Peter| last = Clarke| date = 31 July 2015| work = www.eetimes.com }}</ref>

<ref name=extremetech>{{웹 인용|url=http://www.extremetech.com/extreme/211087-intel-micron-reveal-xpoint-a-new-memory-architecture-that-claims-to-outclass-both-ddr4-and-nand|title=Intel, Micron reveal Xpoint, a new memory architecture that could outclass DDR4 and NAND |work=ExtremeTech| date = 29 July 2015| first = Joel| last = Hruska }}</ref>

<ref name="inummile"/>
}}
=== 내용주 ===
<references group="note" />

== 외부 링크 ==
* {{언어링크|en}} {{인용| url  =https://www.youtube.com/watch?v=VsioS35D-HY| title = Intel Micron Webcast  |work = www.youtube.com|}}, 44 mins
* {{언어링크|en}} [http://pmem.io Persistent Memory Programming]
* {{언어링크|en}} [https://github.com/pmem/nvml nvml: Linux NVM Library]
* {{언어링크|en}} [https://www-03.ibm.com/press/us/en/pressrelease/49746.wss IBM Scientists Achieve Storage Memory Breakthrough]

{{메모리 종류}}

[[분류:컴퓨터 메모리]]
[[분류:비휘발성 메모리]]
[[분류:인텔 제품]]