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[[파일:Doublegate FinFET-en.svg|섬네일|더블 게이트 핀펫 장치]]
'''핀펫'''(FinFET, fin field-effect transistor)은 게이트가 2, 3, 4면의 채널에 위치하거나 게이트를 채널 주변에 감싸서 더블 게이트 구조를 형성하는, [[웨이퍼|기관]] 위에 빌드되는 [[멀티게이트 디바이스]]([[:en:multigate device|multigate device]]), [[MOSFET]]이다. 이 장치들의 일반 명칭이 핀펫(finfets)인 이유는 소스(source)/드레인(drain) 영역이 실리콘 표면 위에 핀(fin)을 형성하기 때문이다. 이 핀펫 장치들은 평면 [[CMOS]] 기술에 비해 상당히 더 빠른 전환 시간과 더 높은 전류 밀도를 보여준다.

핀펫은 평면이 아닌 트랜지스터, 즉 3D 트랜지스터의 일종이다.<ref>{{웹 인용|title=What is Finfet? |url=https://www.computerhope.com/jargon/f/finfet.htm |website=[[Computer Hope]] |accessdate=4 July 2019 |date=April 26, 2017}}</ref> 핀펫 게이트를 이용한 마이크로칩은 2010년대 상반기에 최초로 상용화되었으며 [[14 nm]], [[10 nm]], [[7 nm]] 공정 [[반도체 노드|노드]]에 주로 사용되는 게이트 디자인이 되었다.

== 역사 ==
모스펫이 1960년 [[벨 연구소]]의 [[모하마드 아탈라]]와 [[강대원]]에 의해 처음 증명된 이후 20년이 흘러,<ref>{{웹 인용|title=1960: Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor Demonstrated |url=https://www.computerhistory.org/siliconengine/metal-oxide-semiconductor-mos-transistor-demonstrated/ |website=The Silicon Engine |publisher=[[컴퓨터 역사 박물관]] |accessdate=25 September 2019}}</ref> [[더블 게이트]] MOSFET의 개념이 1980년 [[특허]]를 통해 [[산업기술총합연구소]](ETL)의 세키가와 도시히로에 의해 제안되었으며, 이 특허는 평면 XMOS 트랜지스터를 기술하고 있다.<ref name="Koike">{{저널 인용 |first1=Hanpei |last1=Koike |first2=Tadashi |last2=Nakagawa |first3=Toshiro |last3=Sekigawa |first4=E. |last4=Suzuki |first5=Toshiyuki |last5=Tsutsumi |title=Primary Consideration on Compact Modeling of DG MOSFETs with Four-terminal Operation Mode |journal=TechConnect Briefs |date=23 February 2003 |volume=2 |issue=2003 |pages=330–333 |url=https://pdfs.semanticscholar.org/1a31/399021f62ae3d00dd6dd42d2bc7483598d26.pdf |access-date=2020-02-09 |archive-date=2019-09-26 |archive-url=https://web.archive.org/web/20190926013047/https://pdfs.semanticscholar.org/1a31/399021f62ae3d00dd6dd42d2bc7483598d26.pdf |url-status=dead }}</ref> 세키가와는 1984년 헤이야시 유타카와 함께 XMOS 트랜지스터를 제조하였다. 이들은 완전히 감소시킨 [[실리콘 온 인슐레이터]] 장치를 서로 연결된 2개의 [[장효과 트랜지스터]] 사이에 끼워넣음으로써 [[쇼트 채널 효과]]를 상당히 줄일 수 있음을 입증하였다.<ref name="Colinge">{{서적 인용|last1=Colinge |first1=J.P. |title=FinFETs and Other Multi-Gate Transistors |date=2008 |publisher=Springer Science & Business Media |isbn=9780387717517 |pages=11 & 39 |url=https://books.google.com/books?id=t1ojkCdTGEEC&pg=PA11}}</ref><ref>{{저널 인용|last1=Sekigawa |first1=Toshihiro |last2=Hayashi |first2=Yutaka |title=Calculated threshold-voltage characteristics of an XMOS transistor having an additional bottom gate |journal=Solid-State Electronics |date=August 1984 |volume=27 |issue=8 |pages=827–828 |doi=10.1016/0038-1101(84)90036-4 |issn=0038-1101}}</ref>

최초의 핀펫 트랜지스터 타입은 델타(DELTA, Depleted Lean-channel Transistor) 트랜지스터로 불렸으며 이는 일본의 [[히타치 제작소]]의 Digh Hisamoto, Toru Kaga, Yoshifumi Kawamoto, Eiji Takeda에 의해 1989년 처음으로 제조되었다.<ref name="Colinge"/><ref>{{저널 인용|last1=Hisamoto |first1=Digh |last2=Kaga |first2=Toru |last3=Kawamoto |first3=Yoshifumi |last4=Takeda |first4=Eiji |title=A fully depleted lean-channel transistor (DELTA)-a novel vertical ultra thin SOI MOSFET |journal=International Technical Digest on Electron Devices Meeting |date=December 1989 |pages=833–836 |doi=10.1109/IEDM.1989.74182}}</ref><ref>{{웹 인용|title=IEEE Andrew S. Grove Award Recipients |url=https://www.ieee.org/about/awards/bios/grove-recipients.html |website=[[:en:IEEE Andrew S. Grove Award]] |publisher=[[전기 전자 기술자 협회]] |accessdate=4 July 2019}}</ref>

== 각주 ==
{{각주}}

== 외부 링크 ==
* [http://www.jestr.org/downloads/Volume15Issue1/fulltext141512022.pdf "The Silicon Age: Trends in Semiconductor Devices Industry]", 2022

{{전자 부품}}

[[분류:트랜지스터]]
[[분류:반도체 소자]]
[[분류:일본의 발명품]]
[[분류:대만의 발명품]]
[[분류:MOSFET]]
[[분류:FET]]