{{위키데이터 속성 추적}}
[[파일:Silicene-Ag STM5 crop.jpg|섬네일|얇은 [[은]]박위에서 성장한 실리센의 첫 번째 층(4×4)과 두 번째 층({{sqrt|3}}×{{sqrt|3}}-''β'')의 [[STM]] 이미지<ref>{{저널 인용| last1 = Sone | first1 = Junki | last2 =Yamagami | first2 = Tsuyoshi | last3 =Nakatsuji | first3 = Kan | last4 =Hirayama | first4 = Hiroyuki | year = 2014 | title =  Epitaxial growth of silicene on ultra-thin Ag(111) films | journal = New J. Phys.  | volume = 16 | issue =  9| pages = 095004 | doi = 10.1088/1367-2630/16/9/095004}}</ref> ]]
'''실리센'''({{llang|en|Silicene}})은 [[규소]]의 [[동소체]]로, [[그래핀]]과 비슷한 육각구조의 이차원 물질이다.

== 역사 ==
1994년부터 이론가들에 의해 실리센의 존재와 그 성질이 예측되었음에도 불구하고,
<ref>{{저널 인용| last1 = Takeda | first1 = K. | last2 = Shiraishi | first2 = K. | doi = 10.1103/PhysRevB.50.14916 | title = Theoretical possibility of stage corrugation in Si and Ge analogs of graphite | journal = Physical Review B | volume = 50 | issue = 20 | pages = 14916 | year = 1994 | pmid =  | pmc = }}</ref><ref>{{저널 인용| last1 = Guzmán-Verri | first1 = G. | last2 = Lew Yan Voon | first2 = L. | doi = 10.1103/PhysRevB.76.075131 | title = Electronic structure of silicon-based nanostructures | journal = Physical Review B | volume = 76 | issue = 7 | year = 2007 | pmid =  | pmc = }}</ref><ref>{{저널 인용| last1 = Cahangirov | first1 = S. | last2 = Topsakal | first2 = M. | last3 = Aktürk | first3 = E. | last4 = Şahin | first4 = H. | last5 = Ciraci | first5 = S. | title = Two- and One-Dimensional Honeycomb Structures of Silicon and Germanium | doi = 10.1103/PhysRevLett.102.236804 | journal = Physical Review Letters | volume = 102 | issue = 23 | year = 2009 | pmid =  | pmc = }}</ref>
실리센의 관한 예측에 맞는 규소 구조는 2010년 처음 발견되었다.
<ref>{{저널 인용| last1 = Aufray | first1 = B. | last2 = Kara | first2 = A. | last3 = Vizzini | first3 = S. B. | last4 = Oughaddou | first4 = H. | last5 = LéAndri | first5 = C. | last6 = Ealet | first6 = B. | last7 = Le Lay | first7 = G. | doi = 10.1063/1.3419932 | title = Graphene-like silicon nanoribbons on Ag(110): A possible formation of silicene | journal = Applied Physics Letters | volume = 96 | issue = 18 | pages = 183102 | year = 2010 | pmid =  | pmc = }}</ref><ref>{{저널 인용| last1 = Lalmi | first1 = B. | last2 = Oughaddou | first2 = H. | last3 = Enriquez | first3 = H. | last4 = Kara | first4 = A. | last5 = Vizzini | first5 = S. B. | last6 = Ealet | first6 = B. N. | last7 = Aufray | first7 = B. | doi = 10.1063/1.3524215 | title = Epitaxial growth of a silicene sheet | journal = Applied Physics Letters | volume = 97 | issue = 22 | pages = 223109 | year = 2010 | pmid =  | pmc = }}</ref>

[[주사 터널링 현미경|STM]]을 이용해 과학자들은 <sup>110</sup>[[은|Ag]]와 <sup>111</sup>[[은|Ag]]의 단일 결정에 흡착된 [[자기 조립]] 실리센 나노리본과 실리센 시트를 원자해상도에서 연구하였다. 그 이미지는 [[그래핀]]과 비슷한 [[육각형]] [[벌집 구조]]였지만, 육각형과 비슷한 [[은]]표면에서 발생한 것으로 알려졌다.
<ref>{{저널 인용|last=Lay|first=G. Le|last2=Padova|first2=P. De|last3=Resta|first3=A.|last4=Bruhn|first4=T.|last5=Vogt|first5=P.|date=2012-01-01|title=Epitaxial silicene: can it be strongly strained?|url=http://stacks.iop.org/0022-3727/45/i=39/a=392001|journal=Journal of Physics D: Applied Physics|language=en|volume=45|issue=39|pages=392001|doi=10.1088/0022-3727/45/39/392001|issn=0022-3727}}</ref>
[[밀도범함수 이론]] 계산에 의하면, [[은]] 표면에서 [[규소]] 원자들이 작은 굴곡을 따라 그래핀과 같은 [[벌집 구조]]로 형성된다고 한다.
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== 그래핀과의 공통점과 차이점 ==
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== 띠틈 ==
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== 성질 ==
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== 같이 보기 ==
* [[2D 실리카]]
* [[보로핀]]
* [[게르미닌]]
* [[스타닌]]

== 각주 ==
{{각주}}

{{전거 통제}}

[[분류:나노재료]]
[[분류:단분자층]]
[[분류:신기술]]