Patent ES-2821323-T3 (ES)
Title: Procedimiento para formar un recubrimiento sobre un dispositivo eléctrico o electrónico
Inventor: COULSON STEPHEN RICHARD
IPC: H05K3/28
Filed: 2016-06-08
Granted: 2021-04-26
Abstract: Un dispositivo electrónico o eléctrico o un componente electrónico o eléctrico del mismo que tiene un recubrimiento formado en el mismo al exponer dicho dispositivo o componente de un plasma que comprende uno o más compuestos monoméricos durante un período de tiempo suficiente para permitir que se forme un recubrimiento polimérico protector sobre una superficie del mismo; en el que el recubrimiento polimérico protector forma una barrera física sobre una superficie del dispositivo o componente; en el que cada monómero es un compuesto de fórmula I(a): **(Ver fórmula)** en la que cada uno de R1 a R9 se selecciona independientemente de hidrógeno o halógeno o un grupo alquilo de cadena recta o ramificada C1-C6 opcionalmente sustituido; cada X se selecciona independientemente entre hidrógeno o halógeno; a es de 0 - 10; b es desde 2 hasta 14; y c es 0 o 1; y en la que cuando cada X es F o cuando al menos una X es halógeno, en particular F, para un recubrimiento con un grosor (d) >= 800 nm, la relación de área de pico integrada FTIR/ATR de CX3(s)/C=O del recubrimiento es menor que (c + 1)0,6e-0,1n ± 0,01 donde n es a + b + c + 1, o para un recubrimiento con un grosor (d) < 800 nm, la relación de área de pico integrada FTIR/ATR de CX3(s)/C=O del recubrimiento al restar una corrección de (-0,0003*d + 0,255) es menor que (c + 1)0,6e-0,1n ± 0,01 donde n es a + b + c + 1; y en la que cuando cada X es H, para un recubrimiento con un grosor (d) >= 800 nm, la relación de área de pico integrada FTIR/ATR de CX3(s)/C=O es menor que (c + 1) 0,25 ± 0,02, o para un recubrimiento con un grosor (d) < 800 nm, la relación de área de pico integrada FTIR/ATR de CX3(s)/C=O del recubrimiento al restar una corrección de (- 0,0003*d + 0,255) es menor que (c + 1) 0,25 ± 0,02; o un compuesto de la fórmula I(b): **(Ver fórmula)** en la que cada uno de R1 a R9 se selecciona independientemente de hidrógeno o halógeno o un grupo alquilo de cadena recta o ramificada C1-C6 opcionalmente sustituido; cada X se selecciona independientemente de hidrógeno o halógeno; a es desde 0 hasta 10; b es desde 2 hasta 14; y c es 0 o 1; y en la que cuando cada X es F o cuando al menos uno de X es halógeno, en particular F, para un recubrimiento con un grosor (d) >= 800 nm, la relación de área de pico integrada FTIR/ATR de CX3(s)/C=O del recubrimiento es menor que (c + 1)0,6e-0,1n ± 0,01 donde n es a + b + c + 1, o para un recubrimiento con un grosor (d) < 800 nm, la relación de área de pico integrada FTIR/ATR de CX3(s)/C=O del recubrimiento al restar una corrección de (-0,0003*d + 0,255) es menor que (c + 1)0,6e-0,1n ± 0,01 donde n es a + b + c + 1; y en la que cuando cada X es H, para un recubrimiento con un grosor (d) >= 800 nm, la relación de intensidad FTIR/ATR de CX3(s)/C=O es menor que (c + 1) 0,25 ± 0,02, o para un recubrimiento con un grosor (d) < 800 nm, la relación de área de pico integrada FTIR/ATR de CX3(s)/C=O del recubrimiento al restar una corrección de (-0,0003*d + 0,255) es menor que (c + 1) 0,25 ± 0,02, opcionalmente en el que la barrera es una barrera física conformada.