baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent KR-0172815-B1 (KR)
Inventor: KIM HYUN-CHUL
IPC: H01L29/76
Filed: 1991-02-13
Granted: 1999-02-01
Abstract: 본 발명은 트랜치형 구조를 갖는 시모스 인버어터 제조방법에 관한 것으로, 특히 칩의 크기를 줄이고, 돌발현상 등의 소자특성을 개선하는데 적당하도록 한 트랜치형 시모스 인버어터 제조방법에 관한 것이다. 
     종래의 기술구성은 칩의 규모가 크고 돌발현상 등의 소자특성을 제어하기가 쉽지 않는 단점이 있다. 
     이에 따라 본 발명은 상기한 단점을 해결하기 위해 트랜치를 형성한 후, 시모스 인버어터를 제조한 것으로써, 앤모스와 피모스를 형성하고, 드레인, 게이트, 소오스영역을 형성하여 출력을 얻는다. 
     따라서, 실리콘 기판상에 선택적 산화에 의해 얇은 산화막을 형성한 후, 선택에치하고, 트랜치를 형성하여 공통 소오스영역을 형성한다. 
     또한, 양측 산화막을 선택에치하여 N - 와 P - 이온주입 및 N + 와 P + 이온을 주입한 후, 콘택을 형성하고, 콘택메탈을 증착하여 드레인영역을 형성한 단계로 이루어진 트랜치형 시모스 인버어터 제조방법에 관한 것이다.
Patent KR-940006406-B1 (KR)
Title: Process for wastewater treatment using a separating membrane
Inventor: LEE JONG-HAK
IPC: C02F3/28
Filed: 1991-04-29
Granted: 1994-07-20
Abstract: The process for pretreatment of anaerobic digestion treatment of draff containing rye is provided. In order to remove undegradable materials and harmful materials of draff using separation membrane, pore size of the said membrane is 0.005 μm, and the pretreatment process is performed at a temperature of 65 to 90 deg.C and at a pressure of 4 to 6 atm..
Patent KR-100201936-B1 (KR)
Inventor: KIM HYONG-JOON
IPC: H04W16/00
Filed: 1991-05-25
Granted: 1999-06-15
Abstract: 본 발명은 교환기를 이용하여 다수개의 서비스 영역의 통신을 수행하는 사설 무선교환 시스템을 구현함에 있어서, 하나의 무선 전화기가 하나의 서비스 영역을 관장한다. 그리고 하나의 서비스 영역은 다수개의 통신영역으로 할당되며, 하나의 통신영역에서는 다수개의 고정국과 휴대기가 무선링크를 형성하게 된다. 상기 휴대기는 고유 ID를 부여받으며 해당 서비스 영역내에서의 통화가 자유롭게 수행된다. 
     이때 상기 휴대기를 다른 서비스 영역으로 이동하는 경우, 이동된 서비스 영역에 휴대기를 등록시켜 통화기능을 수행한다. 이를 위해 휴대기능은 등록기능을 세트하고 해당 서비스 영역의 무선교환기로 이를 알린다. 그러면 휴대기는 FSG-ID를 수신하며, 이에 대한 확인신호를 출력하면 무선교환기로부터 전송되는 전화전호를 수신한다. 따라서 휴대기는 해당 서비스 영역에 등록되어 통화 가능상태로 천이된다.
Patent KR-0181965-B1 (KR)
Inventor: UEMURA MAKODO
IPC: E21D9/00
Filed: 1991-06-18
Granted: 1999-04-01
Abstract: 본 발명은 지중에 굴진시키는 지하구조물의 방호공을 별도의 공사로서 시공하지 않고 지하구조물의 굴진과 동시에 행할수 있는 지하구조물의 구축방법 및 거기에 사용되는 루프용장치로서, 상면에 프리쿠션 커터플레이트를 배치한 단면이 상자형으로된 루프용강관을 계획터널단면의 필요한 곳에 맞추어 병열로 설치하여 발진갱에서 도달갱까지 관통하도록 지중에 압입하고, 발진갱에 남겨지는 루프용 강관후단에 지하구조물 전단을 수압부재를 개재하여 접촉시키고, 프리쿠션 커터플레이트를 지중에 남겨두면서 루프용강관과 지하구조물을, 이 루프용 강관을 지하구조물의 전단부로 밀면서 동시진행으로 굴진시켜 도달갱으로 나온 루프용강관의 전단부는 순차적으로 철거하며, 지하구조물의 선단이 도달갱에 달하는 것에 의해 시공이 완료되는 지하구조물의 구축방법 및 구축에 사용되는 루프용장치이다.
Patent KR-950004695-B1 (KR)
Title: Cosmetics. its preparation and make-up
Inventor: LEE SONG-HO
Filed: 1991-08-02
Granted: 1995-05-04
Abstract: The cosmetic complex is prepd. by i) micro-emulsifying oil-soluble nutrient material into 0.01˜0.05μm O/W emulsion in pure water at pH 9-11, mixing with water-soluble nutrient material and yeast polysacchride powder and agitating, ii) neutralizing the obtd. yeast polysacchride mixt. with metal salt, and iii) freeze-drying the neutralized mixt. at -50˜-75 deg.C, and coating with cation polymer to obtain the final product.
Patent KR-0163054-B1 (KR)
Inventor: COTTER JONATHAN P
IPC: F15B13/00
Filed: 1991-08-17
Granted: 1998-12-01
Abstract: 한줄의 밸브 모듈의 한쪽 끝에는 가스 공급 모듈을, 다른쪽 끝에는 추기 모듈을 가지고 있는 밸브 모듈러 제어 패널. 
     각각의 밸브 모듈은 그 자체의 밸브 장치에 의하여 개별적으로 제어된다. 압력상태하의 가스는 공급 모듈내의 입구로부터, 모든 밸브 모듈을 통하여 추기 모듈로 끝나 있는 통로에 의하여 모든 밸브 모듈에 공급된다. 
     추기 통로는 밸브 모듈을 통하여 추기 모듈안으로 나있다. 모든 밸브 모듈은 추기 모듈을 통하여 추기된다. 이 추기 모듈은 또한 공급 통로를 배기시킬 수도 있다. 패널은 일렬로 되어 있는 너트 및 지지로드에 의하여 함께 해제가능하게 고정되어 있는 밸브 모듈을 어떤 수로도 포함하도록 확대 또는 축소될 수 있다. 
     패널용 보호벽은 패널내의 모듈수에 따라 크기가 조정될 수 있다.
Patent KR-950010168-B1 (KR)
Title: Method for changing the viscosity of a fluid comprising a liquid crystal compound
Inventor: INOUE AKIO
IPC: C09K19/00
Filed: 1991-08-30
Granted: 1995-09-11
Abstract: [Purpose] To provide a homogenous electrorheological fluid free from the problem of particles sedimentation.[Structure] An electrorheological fluid comprising, as a main component, a liquid crystal compound comprising a flexible molecular chain having at least two liquid crystal substances bonded thereto.[Effect] Being free from the problem of sedimentation of particles and therefore, it can be applied with stability for prolonged period of time to novel compact actuators handled with electric control such as valve, clutch, brake and torque convertor.
Patent KR-100211531-B1 (KR)
Inventor: KATO SHINICHI
IPC: H04N9/73
Filed: 1991-10-01
Granted: 1999-08-02
Abstract: 본원 발명의 전자스틸카메라는 입사된 광학상을 확대하는 줌렌즈와, 입사된 광학상의 초점을 맞추는 초점맞춤용 렌즈와, 이 초점맞춤용 렌즈를 구동하는 모터와, 상기 줌렌즈 및 상기 초점맞춤용 렌즈를 통해서 입사된 광학상을 전기신호로 변환하는 광전변환부와, 입사된 광학상의 초점이 맞추어진 상태를 검출하는 초점맞춤 검출 수단과, 상기 줌렌즈의 상태를 검출하는 줌렌즈상태검출수단을 구비하고, 이 줌렌즈 상태 검출 수단에 의해 상기 줌렌즈가 이동하여 정지한 것이 검출되었을 때에, 상기 초점맞춤검출수단의 검출결과에 따라서 상기 초점맞춤용 렌즈를 상기 모터에 의해 이동시켜서 초점을 맞추도록 한 것이다.
Patent KR-930009205-B1 (KR)
Title: Safety belt tension control device
Inventor: KANG KUN-SUN
IPC: B60R22/34
Filed: 1991-11-26
Granted: 1993-09-24
Abstract: The belt tension controller for safety belt in an  automobile includes an upper cover and a  lower  cover,  a  connection  plate member having a belt inserting slot  inserted into the  upper  and lower  covers  and  fixed  with  a  fastener,  a   moving   member elastically  supported  by  a  spring  and  moving  leftward   and rightward, and an interrupting member for elastically supported by another spring for interrupting the left and right movement of the moving member, thereby simplifying  the  installation  and  having compatibility.
Patent KR-940010486-B1 (KR)
Title: Auto/semi-auto transmission control device and method
Inventor: KIM CHANG-HO
Filed: 1991-12-06
Granted: 1994-10-24
Abstract: The sliding of vehicles having manually operated transmission can be prevented by installing a control device for vehicle transmission. The control device can also be used for half- or full-automatic vehicles and the clutch is controlled automatically by the working depth of accelerator pedal at the time of start. The clutch exhibiting the optimum condition is controlled with this device by controlling clutch speed according to vehicle speed at the speed-changing mode.
Patent KR-940003002-B1 (KR)
Title: Over current relay
Inventor: LEE SONG-JAE
IPC: H02H9/02
Filed: 1991-12-30
Granted: 1994-04-09
Abstract: The digital circuit breaker is designed according to an IEC 225 restrictions and is operated by user defined functions. The digital circuit breaker includes a phase current detector (10) for detecting current levels of phases, an A/D converter (30) for converting current level into digital level, a switch unit (50) for setting rated current, instantaneous condition of circuit breaking and trip time, a dip switch (70) for selecting characteristic curve of overload and earth, a comparator (90) for comparing the reference current level with the detected current level, a current level display (120) for displaying current data, and a control signal generator (140) for generating control signal according to control data transmitted from a CPU (40).
Patent KR-960003639-B1 (KR)
Inventor: ISHIGAMI TAKASHI
IPC: H01C17/12
Filed: 1991-01-31
Granted: 1996-03-21
Abstract: 내용 없음.
Patent KR-0158217-B1 (KR)
Inventor: CRONIN DAVID V
IPC: H01R12/72
Filed: 1992-02-29
Granted: 1998-12-15
Abstract: 주요부(14)와, 서로 대향하여 배치된 제1 및 제2의 인쇄회로기판 표면(18,20)을 규정하는 종속형 일체식 설부(16)와, 이 설부의 에지를 따라 제1 인쇄회로기판 표면(18) 상에 배치된 복수개의 이격된 제1 도전성 패드(22)를 포함하되, 상기 설부는 이 설부를 삽입할 수 있도록 설부와 상보형의 형상을 한 리셉터클(32)을 갖는 타입의 커넥터(26)에 탈착 가능하게 연결되는 구조로 되어 있는 타입의, 이상의 인쇄회로기판(12)에 사용하기 위한 정전형 방전 보호장치(38)에 있어서, a) 제1의 신장된 도전성 바(42); 및 b) 상기 제1 인쇄회로기판 표면에 전기 절연되어 고착된 신장된 베이스 섹션(50)과, 상기 베이스 섹션에 선회 가능하게 연결되고, 그의 길이 방향으로 제1 도전성 바(42)가 배치되도록 한 신장된 암섹션(54)과, 상기 설부가 리셉터클 안으로 삽입되지 않은 때에, 상기 제1 도전성 패드들에 대해 상기 제1 도전성 바(42)를 압지하기 위해 상기 암 섹션을 상기 베이스 섹션 쪽으로 이동시키며, 그리하여 양자 사이에 전기적 접속이 이루어지도록, 상기 암 섹션을 효율좋게 바이어스하기 위한 수단을 포함하는 제1 힌지 구조체(46); 를 포함하되, 상기 암 섹션은, 상기 설부가 상기 리셉터클 안으로 삽입되는 것에 응하여, 상기 제1 도전성 바를 상기 제1 도전성 패드들로부터 이탈시키기 위해 상기 효율좋은 바이어스에 거슬러 상기 베이스 섹션으로부터 멀어지게 선회하며, 그리하여 양자 사이의 전기적 접속을 차단하도록 동작하는 것을 특징으로 하는 정전형 방전 보호장치.
Patent KR-950011647-B1 (KR)
Title: Thin film transistor type sram cell
Inventor: SONG JIN-MO
IPC: H01L27/11
Filed: 1992-03-27
Granted: 1995-10-07
Abstract: The method comprises the steps of depositing an insulation film and a first gate layer of n-plus polysilicon by forming an NMOS on a semiconductor substrate and etching the insulation film and the first gate layer deposited by mask-patterning a node contacting part; depositing the second and third gate layers in turn after doing the first step; selectively etching the gate layers under use of the mask pattern of the gate layer in the film transistor and depositing a gate diode film of the film transistor; etching the gate diode film and the third gate layer of n-plus polysilicon in the film transistor to form the node contacting part; and forming p-plus source and drain terminals by depositing a channel polysilicon of the film transistor and by ion-implanting impurity.
Patent KR-100231804-B1 (KR)
Inventor: FISCHER REINER
IPC: C07F9/572
Filed: 1992-06-26
Granted: 2000-02-01
Abstract: 본 발명의 목적은 일반식(I)의 신규한 치환된 3-아릴-피롤리딘-2,4-디온 유도체를 제공하는 것이다. 
     
       
     
     상기 식에서, X는 알킬, 할로겐 또는 알콕시를 나타내고, Y는 수소, 알킬, 할로겐, 알콕시 또는 할로게노알킬을 나타내며, Z는 알킬, 할로겐 또는 알콕시를 나타내고, n은 0 내지 3의 숫자를 나타내며, A는 수소를 나타내거나, 또는 각각 임의로 할로겐으로 치환된 알킬, 알콕시알킬 또는 알킬티오알킬, 헤테로원자로 임의로 차단된 시클로알킬을 나타내거나, 또는 각각 할로겐, 알킬, 할로게노알킬, 알콕시 또는 니트로로 임의로 치환된 아릴, 아릴알킬 또는 헤트아릴을 나타내고, B는 수소, 알킬 또는 알콕시알킬을 나타내거나, 또는 A 및 B는 이들의 결합된 탄소원자와 함께, 임의로 치환된, 산소 및/또는 황으로 차단될 수 있는 포화 또는 불포화환을 형성하며, R은 일반식(a), (b), (c) 또는 (d)로 표시되는 그룹을 나타내고, 
     
       
     
     여기에서, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 및 R 6 와 마찬가지로 L, M은 명세서에서 정의된 바와 같다. 이 신규한 화합물(I)은 매우 현저한 살충, 살비 및 제초능을 가진다.
Patent KR-0147553-B1 (KR)
Inventor: KIM DAE-JONG
IPC: H04N7/24
Filed: 1992-06-27
Granted: 1998-09-15
Abstract: 이 발명은 유럽에서 이용되는 HD TV방송방식에 있어서 방송국에서 엔코딩되어 송신된 신호를 수신하여 디코딩 처리하여 고해상도를 추구하도록 한 SSPC방법과 그 장치에 관한 것으로서, 제1라인에 입력되는 필드 1과 필드 3의 데이타의 평균값을 구하여 데이타를 복원시키고, 필드 2와 필드 4의 데이타의 평균값을 구하여 제3라인의 데이타를 복원시키며, 이와같은 과정을 다음의 라인들에 대해 순차로 실행하여 80㎳ 모드의 패턴을 복원하며, 필드 1의 데이타를 복원하지 않으며 필드 2의 데이타들을 지연시켜 이 지연된 데이타를 필드 2의 각 라인의 빈돗트의 데이타로 복원시켜 40㎳ 모드의 패턴을 복원하고, 제1라인, 제5라인, 제9라인…등에서는 데이타를 지연시켜서 이 지연된 데이타와 새로 입력되는 데이타의 평균값을 구하여 상기 제1라인, 제5라인, 제9라인…등의 필드 1의 데이타들 사이의 중간위치의 데이타를 복원하고, 상기 제3라인, 제7라인, 제11라인…등에는 필드 1의 데이타가 입력될 때 각각 좌우의 돗트를 동일한 데이타 값으로 복원시켜 상기 제3라인, 제7라인, 제11라인…등의 데이타를 복원시켜 20㎳ 모드 패턴을 복원시키도록 되었다.
Patent KR-950014434-B1 (KR)
Inventor: SUNOHARA GAJUYUKI
IPC: C09K19/52
Filed: 1992-06-27
Granted: 1995-11-27
Abstract: 내용 없음.
Patent KR-100216741-B1 (KR)
Inventor: AMANO SATOSHI
IPC: C08J5/00
Filed: 1992-07-02
Granted: 1999-10-01
Abstract: 특히, 내열성 등이 향상된 폴리카르보디이미드펄프 및 이 폴리카르보디이미드 펄프를 간편하게 제조할 수 있는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 
     본 발명의 폴리카르보디이미드 펄프는, 식 
     
       
     
     (식 중에서, R 1 ,R 2 ,R 3 은 저급알킬기 또는 저급 알콕시기를 나타내며, R 4 ,R 5 는 수소원자, 저급알킬기 또는 알콕시기를 나타내며, X는 산소원자 또는 메틸렌기를 각각 나타낸다.) 으로 나타내는 폴리카르보디이미드 중합체로 실질적으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 것이며, 또한, 본 발명의 폴리카르보디이미드펄프의 제조방법은, 유기디이소시아네이트로부터 카르보디이미드화촉매의 존재하에서 중합용매로서 지환식 에테르를 사용하여 제조한 도프와, 폴리카르보디이미드 중합체의 빈용매를 그 주성분으로 하는 응고액과의 2유체를, 각각 노즐을 통해서 토출하여 서로 접촉시킴으로써, 상기 폴리카르보디이미드 중합체를 펄프화하는 것을 특징으로 하거나, 또는, 상기 2유체의 각각을, 폴리카르보디이미드 중합체의 빈용매를 그의 주성분으로 하는 응고욕중 또는 응고욕상에, 노즐을 통하여 서로 접촉시키면서 토출함으로써, 상기 폴리카르보디이미드중합체를 펄프화하는 것을 특징으로 한다.
Patent KR-960005561-B1 (KR)
Inventor: KOYAMA SHOJI
IPC: G11C17/12
Filed: 1992-07-11
Granted: 1996-04-26
Abstract: 내용 없음.
Patent KR-0148805-B1 (KR)
Inventor: HAN JONG-DAE
IPC: B29L30/00
Filed: 1992-08-12
Granted: 1998-10-15
Abstract: 타이어의 그린케이스 가류공정에서 예비가류 공정을 거친 다음 실가류를 하므로서 가류가 신속하게 이루어지게 하여 생산성을 향상시키고저 한 그린타이어 가류방법에 관한 것이다.
Patent KR-950005485-B1 (KR)
Title: Tft and its making method
Inventor: SO HUI-SOP
IPC: H01L29/786
Filed: 1992-09-29
Granted: 1995-05-24
Abstract: The method comprises depositing a semiconductor layer on a substrate and forming a first oxide film and an oxidn. protection film which are selectively removed to remain only over an active region, with the exposed semiconductor layer being oxidised to form a second oxide film. A gate is patterned on the protective film and thermally oxidised to give a third oxide film, exposed protective film is removed and source and drain formed by ion-implantation. An insulation film is deposited and contact holes formed at the source, drain, and gate. Metal is then deposited to form electrodes.
Patent KR-100220447-B1 (KR)
Inventor: SASE TOSHITSUGU
IPC: B01D53/56
Filed: 1992-10-14
Granted: 1999-09-15
Abstract: 본 발명은 질소 산화물 환원제인 암모니아를 배기가스를 외부로 방출하기 위한 배기가스 덕트의 중간부분에 설치된 암모니아 공급장치로부터 내연 기관에서 나오는 배기가스에 공급하고, 암모니아 공급장치로부터 하류에 설치한 절대습도계 및/또는 온도계로 내연 기관 연소용 흡입공기의 절대습도 및/또는 온도를 측정하고, 상기 측정장치(또는 측정장치들)로부터 수신된 신호(또는 신호들)를 제어장치로 보내어 암모니아 공급장치에 있어서의 암모니아 공급량을 제어하는 배기가스 탈질방법 및 장치에 관한 것이다.
Patent KR-960005092-B1 (KR)
Inventor: SUKAHARA KENJI
IPC: G01R31/28
Filed: 1992-11-17
Granted: 1996-04-20
Abstract: 내용 없음.
Patent KR-960006434-B1 (KR)
Title: Trench isolation method
Inventor: PARK SANG-HOON
IPC: H01L21/76
Filed: 1992-11-19
Granted: 1996-05-15
Abstract: forming a first oxide layer(22), first polysilicon layer(29), nitride layer(24), in series, on a semiconductor substrate(21) and selectively etching the nitride layer(24) and first polysilicon layer(29) to expose a portion of the first oxide layer(22); forming a field oxide layer(23) on the exposed portion of the first oxide layer(22) by using the nitride layer(24) as a mask; etching selectively the nitride layer(24), first polysilicon layer(29), first oxide layer(22) and semiconductor substrate(21) to form a trench; forming a second oxide layer(25) on the exposed portion of the substrate, forming a polysilicon layer in the trench, and selectively oxidizing the surface of the second polysilicon layer(26) using the remaining nitride layer(24) as a mask to form an insulating layer(20); ion-implanting Si atoms into the insulating layer(20); and removing the remaining nitride layer(24) and first polysilicon layer(29).
Patent KR-100303579-B1 (KR)
Title: 음극선관용동적집속회로및그회로에사용된변압기
IPC: H04N3/26
Filed: 1992-11-24
Granted: 2001-11-22
Abstract: 다이오드 변조 회로는 결과적으로 얻어진 CRT 텔레비젼 화상관 디스플레이의 측면 핀쿠션 왜곡을 보정하는 방법으로 변조되는 수평 요크 코일 전류를 제공한다. 상기 변조 회로는 직렬로 연결된 2 개의 커패시턴스-인덕턴스 공진 회로를 포함하고 있다. 병렬 공진 회로의 한 코일은 상기 화상관의 수평 요크 코일이다. 변조전류가 요크 코일에서 변조 전류를 발생하기 위해 다른 병렬 공진 회로의 코일에 인가된다. 요크 코일을 통해 흐르는 변조 전류가 1차 권선에 인가된다. 다이오드변조 회로의 다른 변조 전류는 변압기의 2차 권선에 인가되고, 상기 권선들은 공통코어를 통해 서로 연결되어 있다. 상기 변압기의 1차 권선과 2차 권선의 권수비는 무시할 수 있는 변조를 나타내는 변압기 코어에서의 네트 플럭스를 발생하기 위해 상기 권선들에 의해 발생된 플럭스를 가산할 정도이다. 일정한 최대 진폭의 램프전류가 그 플럭스에 의해 변압기의 출력 권선에 유도되고, 상기 CRT의 집속 그리드를 구동하기 위해 변조되지 않은 주기적 포물선 전압을 발생하는 출력 커패시터 회로에 인가된다.
Patent KR-950013880-B1 (KR)
Title: Method for manufacturing glass fiber reinforced plate like thermoplastic composite
Inventor: KIM KWANG-TAE
IPC: B29B11/16
Filed: 1992-12-05
Granted: 1995-11-17
Abstract: The glass fiber-reinforced, plate-like thermoplastic resin composite is prepared by (A) forming a randomly oriented web of long glass fiber(3), as a reinforced fiber for a mat, on a conveyor belt(2), and (B) punching the mat with two kinds of needles, upwardly barbed(4) and downwardly barbed(5). The thermoplastic resin is selected from polyolefin-based resin, polybutylene terephthalate, polyamide or polycarbonate.
Patent KR-970011056-B1 (KR)
Inventor: FUKAZAWA YUJI
IPC: H01L21/768
Filed: 1993-03-13
Granted: 1997-07-05
Abstract: 내용없음.
Patent KR-950009022-B1 (KR)
Title: Vcr cassette loading system
Inventor: SHIN KI-HUN
IPC: G11B15/665
Filed: 1993-04-30
Granted: 1995-08-10
Abstract: The system improves productivity by reducing components, and reduces the insertion force of cassette loading. The system comprises a loading motor which is driven by a start sensor and controlled by mode switches of cam switch, and the loading arm which is locked or unlocked on the deck by the 1st and 2nd transfer rack. The system includes a cassette inserton detection means, a cassette locking means, a cassette eject ready means, a cassette eject means, and a reverse driving menas.
Patent KR-960009485-B1 (KR)
Title: Slaughtering process by electric current of fish
Inventor: CHO YOUNG-JE
IPC: A22B3/06
Filed: 1993-05-04
Granted: 1996-07-20
Abstract: The process includes dropping fish into an electric shock water tank(1) having electrodes(2), killing with electric shock for 10 to 50 seconds, and slicing the fish quickly. It improves the flavor of the fish by adding actomyosin toughness to the natural toughness.
Patent KR-0148814-B1 (KR)
Inventor: OH SE-CHOL
IPC: B60C15/00
Filed: 1993-05-21
Granted: 1998-10-01
Abstract: 본 발명은 섬유층을 열경화성 수지에 침적시키거나 혹은 박판형 섬유층의 양면에 열경화성 수지를 피복시킨 복합 소재층 사이에 1층 이상의 강선층을 매설함으로써, 균일성 및 내구력이 향상되고 굽힘 변형이나 전단력이 작용할 경우 비드부의 층간 벌어짐이나 박층분리를 감소시킨 타이어용 복합 비드재에 관한 것이다.
Patent KR-970008227-B1 (KR)
Inventor: FURUTANI KATSUMI
IPC: F16H7/12
Filed: 1993-05-29
Granted: 1997-05-22
Abstract: 요약없슴
Patent KR-100230198-B1 (KR)
Inventor: POPOVIC RADIVOJE
IPC: H01L27/14
Filed: 1993-07-15
Granted: 1999-11-15
Abstract: 본 발명은 광다이오드가 배열되어진 동일한 집적회로에 최소한 하나의 수직-바이폴라 트랜지스터를 배열시킨 구성배열에 관한 것이다. 수직-바이폴라 트랜지스터의 에미터층(17)은 제2도전성(N)으로 이루어진다. 또한 이는 광다이오드의 제2반도체층과 유사한 기저부와 층두께(c2)를 가지며 또한 유사한 기저부와 층두께(c2)를 가지며 또한 수직-바이폴라 트랜지스터의 베이스층(18)의 상부면에 배열되어 진다. 후자는 제1도전성(p)으로 구성되어 진다. 이것은 광다이오드의 제3반도체층이 갖는 기저부와 층두께(d2)를 갖는다. 또한 이는 수직-바이폴라 트랜지스터가 한 부분으로써 존재하는 에피텍시층(10)의 상부면에 배열되어져, 수직-바이폴라 트랜지스터의 콜렉터 면이 된다. 광다이오드의 제2반도체층의 활성두께 W 1 과 기저부 N + 의 크기 및 수직-바이폴라 트랜지스터의 베이스층(18)의 활성층높이(W 1 )와 기저부 P의 크기는 다음의 부등식을 충족한다.
Patent KR-960004822-B1 (KR)
Title: Channel select checking method
Inventor: PARK KYUNG-DONG
IPC: H04N5/50
Filed: 1993-07-26
Granted: 1996-04-13
Abstract: a channel selection storing procedure which stores the channel of the television broadcast; a procedure which makes no effect on the selection information not come up to the previously stored channel number by comparing the input selection information with stored channel number; the step which establishes the channel storing mode from the input apparatus; the step which stores by inputting the channel number allocated at least one broadcast signal; the step which cancels the channel storing mode after inputting the allocated channel number.
Patent KR-970004412-B1 (KR)
Title: Process for the preparation of organic isocyanate using 2-halopyridium and methylthiocarbamate
Inventor: KIM SAM-MIN
IPC: C07C271/12
Filed: 1993-09-17
Granted: 1997-03-27
Abstract: Compound is manufactured by reacting 2-halopyridium salt and aliphatic or aromatic methylthiocarbamate in the presence of tertiary amine at -40 to 100 deg.C. Triethylamine, pyridine, quinoline, quinoxaline, hexamethylenetetramine,1,4-diazabicyclo(2.2.2)octane (1,5-diazabicyclo(4.3.0)none-5-ene, or 1,8-diazabicyclo(5.4.0) undec-7-ene are used as triamine. For example, 25g 2-chloro-1-methyl pyridinium iodide and 20.0g p-chloro phenyl methyl thiocarbamate are agitated with 200 mL anhydrous dichloro methane and added with 20 mL triethylamine and distillate to give 10.5g phenyl isocyanate.
Patent KR-960009171-B1 (KR)
Inventor: HASHIDA HIDEO
IPC: F27B1/09
Filed: 1993-09-18
Granted: 1996-07-16
Abstract: 내용없음.
Patent KR-100275770-B1 (KR)
Title: Method for manufacturing semiconductor laser device
Inventor: KIM TAEK
Filed: 1993-09-23
Granted: 2001-01-15
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor laser device is provided to facilitate diffusion control and to prevent efficiency degradation of the device in accordance with introduction of dopant of p-clad layer into an active layer by annealing the active layer into disordered state using laser. CONSTITUTION: On a first conductive semiconductor substrate(21) are successively deposited a first conductive clad layer(23), an active layer(24), a second conductive clad layer(25), an easy-conductive layer(26) and a cap layer(27) to form a laser oscillated layer. An impurity dispenser layer consisting of Si3N4 is formed on the laser oscillated layer. A laser beam is irradiated on a region of impurity dispenser layer excluding a stripe region so that a silicon atom in the impurity dispenser layer is diffused into the first conductive clad layer, the active layer, the second conductive clad layer, the easy-conductive layer and the cap layer to form a diffusion region. The impurity dispenser layer is removed to expose the cap layer. A metal electrode is formed under the substrate and on the cap layer.
Patent KR-100261249-B1 (KR)
Title: Semiconductor laser device and its manufacturing method
Inventor: KIM TAEK
IPC: H01S5/30
Filed: 1993-10-13
Granted: 2000-07-01
Abstract: PURPOSE: A semiconductor laser device and a method for manufacturing the same are provided to manufacture a new buried hetero(BH) structure formed using twice crystal growth without selective regrowth process. CONSTITUTION: A semiconductor laser device includes an n-type GaAs buffer layer(12) on an n-type GaAs substrate(11). The first n-type InGaAlP clad layer(13) is formed on the buffer layer(12). A stripe ridge is formed on the central portion of the first clad layer(13). The ridge has a given slant face and the second p-type InGaAlP clad layer(15) is formed on the top of the first clad layer(13). An InGaP active layer(14) is formed between the second clad layer(15) and the first clad layer(13). A current shield layer(21) is formed on the first clad layer in which the ridge is formed and the ridge. A current path layer(20) contacting the current shield layer(21) is formed on the slant face of the ridge. A p-type InGaP electrifying facilitating layer(22) is formed on the current shield layer(21) and the current path layer(20). A p-type GaAs cap layer(16) is formed on the electrifying facilitating layer(22). A p-type metal electrode(18) is connected to the cap layer(16) and an n-type metal electrode(19) is connected to the n-type substrate(11).
Patent KR-970008220-B1 (KR)
Title: Invariable transmission
Inventor: YEU INN-WOOK
IPC: F16H3/58
Filed: 1993-12-01
Granted: 1997-05-22
Abstract: The nonstop variable speed transmission uses a torque converter on which a pump shaft is attached, through which an input shaft is passed, and a planetary gear train, to thereby vary a speed ratio in automatic and continuous manners in accordance with the rotation speed of the input shaft and the characteristic of the torque converter. The transmission includes the input shaft(1), the torque converter(10), the planetary gear train(12) and an intermediate shaft(5).
Patent KR-100304328-B1 (KR)
Title: 거의직쇄인고급1급알콜의제조방법
IPC: C07B61/00
Filed: 1993-12-10
Granted: 2001-11-30
Abstract: 본 발명은 거의 직쇄인 고급 1가 알콜의 제조를 위해, 피셔-트롭슈 합성법에 의해 수득된 올레핀을 물과 촉매로서의 금속 형태 또는 화합물로서의 로듐 및 수용성 포스핀의 존재하에 수소 및 일산화탄소와 반응시키는 방법에 관한 것이다. 수득된 반응 생성물은 수소화시킨다. 사용되는 수용성 포스핀은 음이온이 하나 이상의 설폰화 또는 카복실화 방향족 라디칼을 함유하는 포스핀이며 양이온이 4급 암모늄 또는 포스포늄 이온인 화합물이다.
Patent KR-100307373-B1 (KR)
Title: 파이프내의입자흐름을모니터하는방법및장치
IPC: G01F1/704
Filed: 1993-12-13
Granted: 2002-11-16
Abstract: 본 발명은 파이프 내의 입자 흐름을 제어하는 방법 및 장치에 관한 것이다. 연속 개질 산업에서, 예컨대 여러 파이프 또는 밀폐관(1)내에서 이동하는 촉매 구상 입자같은 입자들의 속도를 측정하기 위해, 입자들의 단면에 적합한 단면을 가지며 소정 유동 속도의 유체원과 접속된 채널(2)은 밀폐관 쪽으로 개방되어 있으며, 채널의 단부를 통해 순환하는 입자들의 흐름에 의해 야기되는 이 채널내의 압력 변동이 측정되는데, 이 압력 변동은 유체의 파이프 쪽으로의 자유 흐름을 변경한다. 입자 속도는 특히, 처리 시스템(6)에 의해 압력 변동을 전송하는 신호의 자기 상관을 통해 결정된다. 두 유체 공급 채널(7,8)은 파이프를 따라 다른 두 장소에 개방될 수도 있으며, 순환 입자들의 속도와 단면은 압력 변동을 각각 전송하는 신호들의 상호 상관 관계를 통해 결정될 수도 있다.
Patent KR-960014425-B1 (KR)
Title: Packet route test method
Inventor: KIM SUNG-HWAN
IPC: H04L12/70
Filed: 1993-12-17
Granted: 1996-10-15
Abstract: In the packet path test method applied a full electronics switch ISDN system, the method comprises the steps of : 301, 302 understanding the test class of the packet path when a PMCO(Packet Maintenance Control) receives the packet path test request from an operator, and requesting the connection of the packet path to a PIC(Packet Inward-call Control); 303-308 connecting the PHMs through a TSW_P(Time Switch for Packet call) of a packet processing system when the PIC is the TSW_P in the packet path testing class, connecting the TSW_P and a SSW of the packet processing system between PHMs when the packet path testing class is the SSW, connecting the PHMs through a TSW_I physically connected the TSW_P, the SSW and a digital subscriber, notifying the result into the PMCO, and grasping whether a received packet path connection result is good or not; and 309-312 sending and receiving a test pattern between a sending PHM and a receiving PHM through a connected packet path, deciding normal or abnormal state about the related packet path when the packet path connection result is good, outputting a bad cause of the packet path connection result into the operator when the packet path connection result is bad.