baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent DE-102015223041-B4 (DE)
Title: Verfahren zur Herstellung eines Feingussteils aus einer Zinn-Wismut-Legierung
Inventor: DUSCHL ROBERT
IPC: B22C1/00
Filed: 2015-11-23
Granted: 2021-02-04
Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Feingussteils, welches die folgenden Verfahrensschritte aufweist:- Bereitstellen einer Gussform, die zumindest teilweise aus einem Polymer, vorzugsweise aus einem Silikonelastomer, besteht- optional Auftragen eines Trennmittels auf die Innenfläche der Gussform- Schmelzen einer Zinn-Wismut-Legierung- Überhitzen der Zinn-Wismut-Legierung auf eine Temperatur, die 50 bis 250°C, bevorzugt 150 bis 250 °C, über dem Schmelzpunkt der Zinn-Wismut-Legierung liegt- Vorheizen der Polymergussform auf 50 bis 250°C und- Abguss der Zinn-Wismut-Legierung in die vorgeheizte Polymergussform, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Abguss der Zinn-Wismut-Legierung in die vorgeheizte Polymergussform mindestens ein Strukturelement, bevorzugt aus einem artfremden Material, derart zumindest teilweise in der Polymer-Gussform angeordnet wird, dass es in das entstehende Feingussteil zumindest teilweise eingegossen wird.
Patent DE-102016121588-B4 (DE)
Title: Schaltschrank-Montageplatte mit integriertem Leistungs- und Signalnetz
Inventor: FRITZSCHE RAYK
IPC: H02B1/20
Filed: 2016-11-10
Granted: 2019-03-21
Abstract: Schaltschrank-Montageplatte (1) mit integriertem Leistungsnetz (2) und integriertem Signalnetz (3) sowie einer Vielzahl von Steckplätzen (4) für Schaltschrankkomponenten (5), wobei die Steckplätze (4) untereinander über das Leistungsnetz (2) und das Signalnetz (3) verbunden sind und das Leistungsnetz (2) eine elektrisch leitende Verbindung zur Stromversorgung zwischen mindestens einer Stromquelle und der Vielzahl von Steckplätzen (4) ist, und die Steckplätze (4) matrixförmig in Linien und Zeilen angeordnet sind, wobei die Schaltschrank-Montageplatte (1) eine Oberseite (11) und eine Unterseite (12) aufweist, wobei die Oberseite (11) die Vielzahl von Steckplätzen (4) aufweist, die als Aufnahmebuchsen ausgebildet sind, wobei das Leistungsnetz (2) und das Signalnetz (3) zwischen der Oberseite (11) und der Unterseite (12) der Schaltschrank-Montageplatte (1) angeordnet ist, wobei die Schaltschrankkomponenten (5) durch die Oberseite (11) der Schaltschrank-Montageplatte (1) mit Steckplätzen (4) in Eingriff bringbar sind.
Patent DE-102016205279-B4 (DE)
Title: Verbinder
Inventor: MOTOHASHI YUUICHIROU
IPC: H01R13/533
Filed: 2016-03-31
Granted: 2022-10-13
Abstract: Verbinder (11), der umfasst:einen Draht (15);einen Anschluss (13), der zum Verbinden mit einem Gegenanschluss eingerichtet ist;einen vorderen Halter (25), in dem der Anschluss (13) aufgenommen ist;ein Gehäuse (17), das eine L-artig gebogene Form hat, mit einem Halter-Einführabschnitt (51), in den der vordere Halter (25) ausrichtbar eingeführt ist, sowie einem Abschnitt (53) zum Führen eines äußeren Drahtes, über den der äußere Draht (15) herausgeführt wird, und das mit einer Arbeitsöffnung (63) in einer Außenfläche an einer Seite einer äußeren Ecke der L-artig gebogenen Form versehen ist, wobei eine Mittellinie (55) des Halter-Einführabschnitts (51) in einer Richtung zum Einführen des Halters verläuft, in der der vordere Halter (25) in den Halter-Einführabschnitt (51) eingeführt wird, eine Mittellinie (59) des Abschnitts (53) zum Führen des äußeren Drahtes entlang einer Achse (57) des äußeren Drahtes (15) verläuft und die Mittellinie (55) des Halter-Einführabschnitts (51) die Mittellinie (59) des Abschnitts (53) zum Führen des äußeren Drahtes kreuzt, sodass das Gehäuse (17) in der L-artig gebogenen Form ausgebildet wird;ein Abdeckungselement (19), das an der Arbeitsöffnung (63) angebracht ist;einen feststehenden Anschluss (21), der so eingerichtet ist, dass er über den Abschnitt (53) zum Führen des äußeren Drahtes einführbar und in dem Gehäuse (17) aufnehmbar ist, wobei ein Ende des feststehenden Anschlusses (21) mit einem Leiter (47) des äußeren Drahtes (15) verbunden ist und ein Zwischenabschnitt (65) des feststehenden Anschlusses (21) an dem Gehäuse (17) befestigt ist und sich in der Richtung der Achse (57) des äußeren Drahtes (15) erstreckt;einen flexiblen Leiter (79), der den Anschluss (13) mit dem anderen Ende des feststehenden Anschlusses (21) verbindet und einen Abschnitt (77) zum Dämpfen einer äußeren Kraft enthält, der zwischen beiden Enden des flexiblen Leiters (79) durchhängt, wobei ein Abschnitt (73) des feststehenden Anschlusses (21), mit dem der flexible Leiter (79) verbunden ist, auf die Arbeitsöffnung (63) zu gebogen und geneigt ist.
Patent DE-102016209571-B4 (DE)
Title: Verspannungsgedächtnistechniken für NMOS- Transistorvorrichtungen
Inventor: SINHA MANTAVYA
IPC: H01L21/265
Filed: 2016-06-01
Granted: 2018-05-09
Abstract: Verfahren, umfassend:Herstellen einer NMOS-Transistorvorrichtung mit einem Substrat und einer Gatestruktur, die über dem Substrat angeordnet ist, wobei das Substrat ein Kanalgebiet, das wenigstens teilweise unter der Gatestruktur liegt, und ein Source- und Draingebiet mit einer Source- und Draingebiettiefe umfasst, wobei das Source- und Draingebiet durch das Kanalgebiet getrennt ist, wobei das Herstellen umfasst:ein Durchführen eines Stickstoffionenimplantationsprozesses durch Implantieren von Stickstoffionen in das Substrat, um dadurch im Substrate ein Verspannungsgebiet zu bilden, wobei das Verspannungsgebiet durch das Kanalgebiet getrennt ist, wobei das Verspannungsgebiet eine Verspannungsgebiettiefe aufweist, wobei die Verspannungsgebiettiefe größer ist als die Source- und Draingebiettiefe;ein Bilden einer Kappenmaterialschicht über der NMOS-Transistorvorrichtung; undein Durchführen eines verspannungsbildenden Ausheizprozesses bei angeordneter Kappenmaterialschicht, um dadurch Stapelfehler im Verspannungsgebiet zu bilden.
Patent DE-102016213087-B4 (DE)
Title: Verfahren zum Betrieb einer Schlauchbeutelmaschine zur Herstellung von Beuteln mit einer Boden-Quernaht und einer davon unterschiedlichen Kopf-Quernaht
Inventor: DERSCH VOLKER
IPC: B65B51/30
Filed: 2016-07-18
Granted: 2018-07-05
Abstract: Verfahren zum Betrieb einer Schlauchbeutelmaschine (10) mit zweiachsig antreibbaren Quersiegelvorrichtung (16) zur Herstellung von Schlauchbeuteln (01), wobei eine Folienbahn (04) nach Bildung eines Folienschlauchs mit einer Boden-Quernaht (02) und einer Kopf-Quernaht (03) verschlossen wird, wobei vor dem Ausbilden der Boden-Quernaht zumindest ein Randbereich der Folienbahn (04) des Schlauchbeutels (01) zur Ausbildung einer Seitenfalte (09) mit einem quer zur Längsachse der Folienbahn (04) bewegbaren Seitenfalter (18) seitlich eingefaltet wird, und wobei jeweils zwei Boden-Quernähte (02) von benachbarten Schlauchbeuteln (01) in einem Arbeitsgang der Quersiegelvorrichtung (16) ausgebildet werden, und wobei jeweils zwei Kopf-Quernähte (03) von benachbarten Schlauchbeuteln in einem Arbeitsgang der Quersiegelvorrichtung (16) ausgebildet werden, und wobei die Schlauchbeutel (01) in Abzugsrichtung mit alternierender Ausrichtung ausgebildet werden, dadurch gekennzeichnet, dass der Seitenfalter (18) bei der Bildung der Seitenfalte (09) im Bereich der Boden-Quernähte (02) mit einem feststehenden, auf der Innenseite der Folienbahn (04) angeordneten Faltformstück (19) zusammenwirkt, wobei der minimale Abstand der Quersiegelvorrichtung (16) zu dem Faltformstück (19) in Abzugsrichtung auf der geschlossenen Bewegungsbahn bei der Ausbildung der Kopf-Quernähte und Boden-Quernähte alternierend verändert wird, wobei der minimale Abstand der Quersiegelvorrichtung (16) zum Faltformstück (19) bei Herstellung der beiden Kopf-Quernähte (03) größer ist als der minimale Abstand der Quersiegelvorrichtung (16) zum Faltformstück (19) bei Herstellung der Boden-Quernähte (02).
Patent DE-102016217525-B4 (DE)
Title: Kabelbaum und Verfahren zum Fertigen eines Kabelbaums
Inventor: YANAZAWA KENTA
IPC: H01B13/012
Filed: 2016-09-14
Granted: 2022-06-09
Abstract: Kabelbaum (15), der aufweist:ein röhrenförmiges Außenelement (22);einen Leitungsweg (21), der in das Außenelement (22) eingesetzt und durch dieses geschützt wird; undein Schwingungsunterbindungselement (23), das einen Bewegungsbereich des Leitungswegs (21) verringert, um Erschütterungen des Leitungswegs (21) zu unterbinden,wobei das Schwingungsunterbindungselement (23) aufweist:einen nach innen gerichteten Vorsprungabschnitt (30) aufweist, der von einer inneren Fläche (29) einer Röhre des Außenelements (22) in einem Zustand nach innen vorspringt, in dem das Schwingungsunterbindungselement (23) nach dem Einsetzen des Leitungswegs (21) an dem Außenelement (22) von einer Seite einer äußeren Fläche (28) der Röhre aus angebracht ist,einen Außenelement-Durchdringungsabschnitt (31), der ein Durchgangsloch (27) durchdringt, das in dem Außenelement (22) ausgebildet ist; undeinen nach außen gerichteten Vorsprungabschnitt (32), der von der äußeren Fläche (28) der Röhre des Außenelements (22) vorspringt und das Durchgangsloch (27) bedeckt,wobei der Kabelbaum (15) ferner einen Verbindungsabschnitt (34), der so mit den nach außen gerichteten Vorsprungabschnitten (32) der Schwingungsunterbindungselemente (23) integriert ist, dass er die Schwingungsunterbindungselemente (23) miteinander verbindet, aufweist.
Patent DE-102017000284-B4 (DE)
Title: Formgebungsmaschine mit hydraulischer Antriebseinheit und Verfahren zum Betreiben
Inventor: LOHNECKER ANTON
IPC: B29C45/76
Filed: 2017-01-13
Granted: 2020-07-09
Abstract: Formgebungsmaschine umfassend eine hydraulische Antriebseinheit (1) mit
 - einer von einem Motor (3) angetriebenen Pumpe (4),
 - einer Regel- oder Steuereinheit (5) zur Regelung und/oder Steuerung der Antriebseinheit (1) auf einen Sollbetriebspunkt der Antriebseinheit (1) sowie
 - einem mit der Regel- oder Steuereinheit (5) verbundenen Speicher (6), dadurch gekennzeichnet, dass im Speicher (6) ein Zusammenhang zwischen einer für einen durch die Antriebseinheit (1) direkt oder indirekt verursachten Schall charakteristischen Größe und einem verschiedene Betriebspunkte der Antriebseinheit (1) repräsentierenden Datensatz hinterlegt ist und dass die Regel- oder Steuereinheit (5) dazu ausgebildet ist, auf Basis des Zusammenhangs den Sollbetriebspunkt auszuwählen.
Patent DE-102017115978-B4 (DE)
Title: Nanotechnologie in Radlagern
Inventor: KRAPF MARCO
IPC: B60B27/02
Filed: 2017-07-17
Granted: 2023-05-17
Abstract: Radlager (1), wobei zumindest ein Teil des Radlagers (1) zur Verbesserung der Eigenschaften des Radlagers (1) mit einer hydrophoben Beschichtung (10) versehen ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Beschichtung (10) eine Plasmapolymer-Beschichtung ist.
Patent DE-102017117601-B4 (DE)
Title: Freifallausscheider für Fördergut
Inventor: MELLONE TOBIA
IPC: B07C5/36
Filed: 2017-08-03
Granted: 2023-06-22
Abstract: Freifallausscheider für Fördergut, umfassend eine Drehrohrweiche (1) mit einem einen Einlass (2), einen Gutstromauslass (3) und einen Schlechtstromauslass (4) aufweisendes Weichengehäuse (10) und einer innerhalb des Weichengehäuses (10) angeordneten, einen Fördergutkanal (6) mit einem Förderguteingang (7) und einem Fördergutausgang (8) aufweisenden Dreheinheit (5), wobei die Dreheinheit (5) eine mit Abstand zur Rotationsachse angeordnete Anlenkstelle (13) für den Eingriff eines Aktuators (11) für eine Drehbewegung der Dreheinheit (5) aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die Anlenkstelle (13) innerhalb des Weichengehäuses (10) angeordnet ist, wobei im Bereich des Förderguteingangs (7) und/oder des Fördergutausgangs (8) erste Dichtungselemente (16) zur Abdichtung des Fördergutkanals (6) gegenüber dem Inneren des Weichengehäuses (10) angeordnet sind, wobei mindestens eines der ersten Dichtungselemente (16) in einer Dichtungselement-Nut (17) angeordnet ist und mindestens eines der ersten Dichtungselemente (16) sich in einer zur Rotationsachse der Dreheinheit (5) parallelen Richtung erstreckt und in einer zur Rotationsachse der Dreheinheit (5) senkrechten Richtung elastisch gegen eine innere Gehäusewand des Weichengehäuses (10) vorgespannt ist, wobei die Dichtungselemente (16) aus plattenförmigen Kunststoffleisten bestehen und mittels Federn in einer zur Rotationsachse der Dreheinheit (5) senkrechten Richtung gegen die Innenwand des Weichengehäuses (10) gedrückt werden.
Patent DE-102018001790-B4 (DE)
Title: Wabenstruktur
Inventor: OBATA SHOGO
IPC: F01N3/28
Filed: 2018-03-06
Granted: 2021-08-26
Abstract: Wabenstruktur, umfassend einen säulenförmigen Wabenstrukturkörper,wobei der Wabenstrukturkörper poröse Trennwände aufweist, die so angeordnet sind, dass sie eine Vielzahl von Zellen umgeben, die von einer ersten Endfläche zu einer zweiten Endfläche verlaufen, so dass sie Durchgangkanäle für ein Fluid bilden, unddie Wabenstruktur Nuten, die von der Oberfläche der Trennwände entlang einer Richtung von der ersten Endfläche hin zur zweiten Endfläche nach innen in die Trennwände eingebeult sind, in den Oberflächen der Trennwände, die so angeordnet sind, dass sie die Zellen umgeben, aufweist,wobei in einem Querschnitt des Wabenstrukturkörpers senkrecht zur Verlaufsrichtung der Zellendie offene Breite a eines offenen Endes einer jeden der Nuten in den Oberflächen der Trennwände 0,015 bis 0,505 mm beträgt,die untere Breite b des untersten Teils der Nut 0,01 bis 0,5 mm beträgt,die Höhe c vom untersten Teil der Nut zum offenen Ende 0,01 bis 0,05 mm beträgt,die offene Breite a der Nut größer als die untere Breite b der Nut ist,die offene Breite a der Nut kleiner als die Länge einer Seite einer jeden der Zellen, die von den Trennwänden mit den Nuten umgeben sind, ist,die Dicke der Trennwand in einem Abschnitt, in dem die Nut gebildet ist, 50 µm oder mehr beträgt,das Verhältnis der Anzahl der Zellen, die von den Trennwänden mit den Nuten umgeben sind, zur Anzahl der Vielzahl von Zellen, die in dem Wabenstrukturkörper gebildet sind, 80 % oder mehr beträgt, und,wenn das Verhältnis der offenen Frontfläche der ersten Endfläche des Wabenstrukturkörpers, ausschließlich der Nuten, A% beträgt und das Verhältnis der offenen Frontfläche der ersten Endfläche des Wabenstrukturkörpers, einschließlich der Nuten, B% beträgt, der Wert, der durch Subtrahieren der offenen Frontfläche A% von der offenen Frontfläche B% erhalten wird, 0,1 bis 8,0 % beträgt.
Patent DE-102018109242-B4 (DE)
Title: Verfahren zum herstellen eines dotierten vergrabenen gebiets und eines dotierten kontaktgebiets in einem halbleiterkörper
Inventor: WEIS ROLF
IPC: H01L29/78
Filed: 2018-04-18
Granted: 2019-11-14
Abstract: Verfahren, das aufweist:
 Bilden einer Implantationsmaske (3; 3 1 ) auf einer ersten Oberfläche (101; 101 1 ) eines Halbleiterkörpers (100; 100 1 ), wobei die Implantationsmaske (3) ein erstes Maskengebiet (31; 31 1 ) mit einer ersten Dicke (d1, d31 1 ) und ein zweites Maskengebiet (32; 32 1 ) mit einer zweiten Dicke (d2; d32 2 ), die geringer als die erste Dicke (d1, d31 1 ) ist, aufweist und wobei der Halbleiterkörper (100) ein erstes Gebiet (110A; 110B) eines ersten Dotierungstyps aufweist;
 Implantieren von Dotierstoffatomen eines zu dem ersten Dotierungstyp komplementären zweiten Dotierungstyps in wenigstens einem ersten Implantationsprozess durch die Implantationsmaske (3; 3 1 ) in den Halbleiterkörper (100; 100 1 ) derart, dass wenigstens ein erstes implantiertes Gebiet (1 1 , 1 2 ) in dem ersten Gebiet (110A; 110B) des Halbleiterkörpers (100; 100 1 ) unterhalb des ersten Maskengebietes (31; 31 1 ) gebildet wird;
 Implantieren von Dotierstoffatomen des einen Typs in wenigstens einem zweiten Implantationsprozess durch die Implantationsmaske (3; 3 1 ) in den Halbleiterkörper (100; 100 1 ) derart, dass wenigstens ein zweites implantiertes Gebiet (2 2 -2 4 ) in dem Halbleiterkörper (100; 100 1 ) unterhalb des zweiten Maskengebiets (32; 32 1 ) gebildet wird und dass die Dotierstoffatome das erste Maskengebiet (31; 31 1 ) nicht passieren; und
 Aktivieren der in dem wenigstens einen ersten Implantationsprozess und dem wenigstens einen zweiten Implantationsprozess implantierten Dotierstoffatome in einem Temperaturprozess derart, dass wenigstens ein vergrabenes Gebiet (10 1 , 10 2 ) aus dem wenigstens einen ersten implantierten Gebiet (1 1 , 1 2 ) beabstandet zu der ersten Oberfläche (101; 101 1 ) gebildet wird, und derart, dass ein Kontaktgebiet (20), das an das wenigstens eine vergrabene Gebiet (1 1 -1 2 ) angrenzt und sich zu der ersten Oberfläche (101; 101 1 ) erstreckt, aus dem wenigstens einen zweiten implantierten Gebiet (2 2 -2 4 ) gebildet wird,
 wobei das wenigstens eine vergrabene Gebiet (10B 1 , 10B 2 ) ein Kompensationsgebiet ist und das Kontaktgebiet (20B) ein Gategebiet eines lateralen Superjunction-Transistorbauelements ist.
Patent DE-102018131186-B4 (DE)
Title: Verfahren und Bearbeitungsvorrichtung zur schneidenden Bearbeitung eines hohlkammerprofilförmigen Werkstücks
Inventor: RUETZ KARSTEN
IPC: B23P13/00
Filed: 2018-12-06
Granted: 2020-06-18
Abstract: Verfahren zur schneidenden Bearbeitung eines, insbesondere hohlkammerprofilförmigen, Werkstücks (30) mit einer Wandung (52) und wenigstens einem innerhalb der Wandung (52) liegenden Werkstückinnenabschnitt (54), insbesondere einem Trennsteg, mittels einer Bearbeitungsvorrichtung (10), wobei die Bearbeitungsvorrichtung (10) eine Laserbearbeitungseinrichtung (12) und eine zusätzliche Trenneinrichtung (14), insbesondere eine mechanische Trenneinrichtung (14), aufweist, das Verfahren umfassend folgende Schritte:a. Durchtrennen des Werkstückinnenabschnitts (54) in einem Trennbereich (62) des Werkstücks (30) mittels der Trenneinrichtung (14); undb. Durchtrennen der Wandung (52) des Werkstücks (30) im Trennbereich (62) mittels der Laserbearbeitungseinrichtung (12).
Patent DE-102018200810-B4 (DE)
Title: Verfahren zur Bestimmung von zylinderindividuellen Lambdawerten und elektronische Steuereinheit
Inventor: ESER GERHARD
IPC: F02D41/14
Filed: 2018-01-18
Granted: 2022-10-06
Abstract: Verfahren zur Bestimmung der zylinderindividuellen Lambdawerte der Einzelzylinder einer mehrere Zylinder aufweisenden Brennkraftmaschine mit den folgenden Schritten:- Halten des Gesamtlambdawertes aller Zylinder im mageren oder fetten Bereich;- sprunghaftes stärkeres Abmagern oder Anfetten des einem Einzelzylinder zugeführten Luft-Kraftstoff-Gemisches als das den anderen Zylindern zugeführten Gemisches;- Anfetten oder Abmagern des den anderen Zylindern zugeführten Luft-Kraftstoff-Gemisches zur Kompensation der durchgeführten zusätzlichen Abmagerung oder Anfettung unter Aufrechterhaltung des Gesamtlambdawertes aller Zylinder im mageren oder fetten Bereich;- nach Abmagern oder Anfetten des dem Einzelzylinder zugeführten Luft-Kraftstoff-Gemisches Messen der Reaktion in der Laufunruhe dieses Zylinders;- Prüfen aller anderen Zylinder entsprechend der Reihe nach und Ermitteln der jeweiligen Laufunruhewerte; und- nach der Verstellung aller Zylinder Ableiten des zylinderindividuellen ursprünglichen Lambdawertes aus den Laufunruhewerten.
Patent DE-102019000166-B4 (DE)
Title: Bauelementhalbleiterstruktur
Inventor: CORNILS MARTIN
IPC: H01L43/04
Filed: 2019-01-14
Granted: 2022-08-04
Abstract: Bauelementhalbleiterstruktur (WF) mit einer Halbleiterschicht (HALS) mit einer Vorderseite (VS) und einer Rückseite (RS), wobei auf der Vorderseite (VS) wenigstens eine integrierte Schaltung (IS) und auf der Rückseite (RS) eine erste Oxidschicht ausgebildet ist,ein monolithisch ausgebildeter Halbleiterkörper (HLK) mit einer Oberfläche (OF) und einer Rückfläche (RF) vorgesehen ist und an der Rückfläche (RF) eine zweite Oxidschicht ausgebildet ist, und die beiden Oxidschichten miteinander stoffschlüssig mittels eines Thermokompressionsfügeverfahrens verbunden sind, wobei zwischen dem Halbleiterkörper (HLK) und der Halbleiterschicht (HALS) eine gemeinsame isolierende Schicht ausgebildet ist,im Halbleiterkörper (HLK) ein zwischen der Oberfläche (OF) und der Rückfläche (RF) ausgebildetes Sensorgebiet mit einer drei dimensionalen isotropen Hallsensorstruktur (HSENS) angeordnet ist, wobei sich die Hallsensorstruktur (HSENS) von einer vergrabenen unteren Fläche (UF) bis zu einer Oberseite (OS) erstreckt,- an der Oberfläche (OF) wenigstens drei zueinander beabstandete erste hochdotierte Halbleiterkontaktgebiete (HG11, HG12, HG13) und an der unteren Fläche (UF) wenigstens drei zueinander beabstandete zweite hochdotierten Halbleiterkontaktgebiete (HG21, HG22, HG23) jeweils von einem zweiten Leitfähigkeitstyp ausgebildet sind,- jedes hochdotierte erste Halbleiterkontaktgebiet (HG11, HG12, HG13) mittels eines zugeordneten ersten Anschlusskontakts (K11, K12, K13) und jedes hochdotierte zweite Halbleiterkontaktgebiet (HG21, HG22, HG23) mittels eines zugeordneten zweiten Anschlusskontakts (K21, K22, K23) verbunden ist,- in einer Projektion senkrecht zu der Oberfläche (OF) die ersten Halbleiterkontaktgebiete (HG11, HG12, HG13) gegenüber den zweiten Halbleiterkontaktgebieten (HG21, HG22, HG23) versetzt angeordnet sind,- die ersten Halbleiterkontaktgebiete (HG11, HG12, HG13) und die zweiten Halbleiterkontaktgebiete (HG21, HG22, HG23) jeweils eine mehrzählige Rotationssymmetrie bezüglich einer auf der Oberfläche (OF) und auf der unteren Fläche (UF) des Halbleiterkörpers (HLK) senkrecht sehenden Symmetrieachse aufweisen undin der Halbleiterschicht (HALS) zwischen der Vorderseite (VS) und der Rückseite (RS) eine durchgehende Oxidschicht (SOI) ausgebildet ist.
Patent DE-102019111016-B4 (DE)
Title: Speicheranlage für sonnenerwärmtes Medium
Inventor: RÜDIGER BERNDT
IPC: F24S60/30
Filed: 2019-04-29
Granted: 2020-11-12
Abstract: Bei einer Speicheranlage für sonnenerwärmtes Medium bestehend aus einer Hülle (1) mit mindestens einem Zulauf (6) und mindestens einem Ablauf (7) soll die Hülle (1) aus einem Deckelelement (5), einen Bodenelement (8) und mindestens einem ringförmigen Zwischenelement (9.1, 9.2) bestehen, wobei sowohl das Deckelelement (5), das Bodenelement (8) als auch das Zwischenelement (9.1, 9.2) je eine Isolierung (2.1 - 2.4) aufweisen, wobei in Arbeitslage eine dichtende Verbindung zwischen dem Deckelelement (5), dem Bodenelement (8) und dem Zwischenelement (9.1, 9.2) vorhanden ist.
Patent DE-102019130543-B4 (DE)
Title: Kühlmittelführendes Temperiersystem für ein elektrisch antreibbares Kraftfahrzeug sowie Kraftfahrzeug
Inventor: LICHTENBERGER ALEXANDER
IPC: B60L58/26
Filed: 2019-11-12
Granted: 2021-10-07
Abstract: Die Erfindung betrifft ein Temperiersystem (1) aufweisend:- einen ersten Temperierkreiszweig (A1) mit einer Umgebungskühleinheit (2)- einen zweiten Temperierkreiszweig (A2) mit einer elektrischen Antriebseinheit (5), welcher mit dem ersten Temperierkreiszweig (A1) zum Kühlen der Antriebseinheit (5) mittels der Umgebungskühleinheit (2) verschaltbar ist, und- einen dritten Temperierkreiszweig (A3) mit einem Traktionsspeicher (8), und- eine Steuereinrichtung (9), welche dazu ausgelegt ist,-- zum Kühlen des Traktionsspeichers (8) mittels der Umgebungskühleinheit (2) den dritten Temperierkreiszweig (A3) an den ersten Temperierkreiszweig (A1) zu schalten und während des Kühlens der Antriebseinheit (5) eine erste Strömungsrichtung des Kühlmittels innerhalb des zweiten Temperierkreiszweiges (A2) vorzugeben, und-- zum Heizen des Traktionsspeichers (8) mittels einer Verlustwärme der Antriebseinheit (5) den zweiten Temperierkreiszweig (A2) und den dritten Temperierkreiszweig (A3) zu verschalten und während des Heizens des Traktionsspeichers (8) eine zweite Strömungsrichtung des Kühlmittels innerhalb des zweiten Temperierkreiszweiges (A2) vorzugeben.Die Erfindung betrifft außerdem ein Kraftfahrzeug.