Patent DE-102016120853-B4 (DE)
Title: Arraysubstrat und Anzeigefeld
Inventor: LI YUANHANG
IPC: G09F9/35
Filed: 2016-11-02
Granted: 2022-07-07
Abstract: Arraysubstrat, das auf ein Anzeigefeld mit einer Massekomponente angewendet ist, wobei das Arraysubstrat Folgendes umfasst:ein transparentes Substrat (21) mit einem Anzeigebereich (A) und einem Randbereich (B),eine auf einer Seite des transparenten Substrats (21) angeordneten Pixelstruktur, wobeidie Pixelstruktur mehrere Pixeldünnschichttransistoren umfasst, die in einem Array angeordnet sind und sich im Anzeigebereich (A) befinden, wobeijeder der mehreren Pixeldünnschichttransistoren einen ersten aktiven Bereich (a1), eine erste Source (s1) und einen ersten Drain (d1) umfasst, wobeidie erste Source (s1) und der erste Drain (d1) sich auf einer von dem transparenten Substrat (21) abgewandten Seite des ersten aktiven Bereichs (a1) befinden, und wobeidie erste Source (s1) in einer selben Schicht wie der erste Drain (d1) angeordnet ist,eine antistatische Schaltröhre, die auf derselben Seite des transparenten Substrats (21) wie die Pixelstruktur angeordnet ist, , wobei sich die antistatische Schaltröhre im Randbereich (B) befindet, wobeidie antistatische Schaltröhre einen zweiten aktiven Bereich (a11), der in einer selben Schicht wie der erste aktive Bereich (a1) angeordnet ist, einen zweiten Drain (d11) und eine zweite Source (s11) umfasst, wobeider zweite Drain (d11) und die zweite Source (s11) in einer selben Schicht wie die erste Source (s1) angeordnet sind, undeine erste Masseleitung (GND11), die sich auf einer von dem transparenten Substrat (21) abgewandten Seite der antistatischen Schaltröhre befindet, und eine zweite Masseleitung (GND12), die sich zwischen der antistatischen Schaltröhre und dem transparenten Substrat (21) befindet,wobei eine Projektion der ersten Masseleitung (GND11) und eine Projektion der zweiten Masseleitung (GND12) auf das transparente Substrat (21) in einer zu dem transparenten Substrat (21) senkrechten Richtung sich jeweils in dem Randbereich (B) befinden und die erste Masseleitung (GND11) über die antistatische Schaltröhre mit der zweiten Masseleitung (GND12) verbunden ist,wobei der zweite aktive Bereich (a11) einen n-Halbleiterbereich und einen p-Halbleiterbereich umfasst, wobei der n-Halbleiterbereich oder der p-Halbleiterbereich mit dem zweiten Drain (d11) verbunden ist und der jeweils andere, also der p-Halbleiterbereich oder der n-Halbleiterbereich, mit der zweiten Source (s11) verbunden ist,wobei die erste Masseleitung (GND11) oder die zweite Masseleitung (GND12) mit der zweiten Source (s11) verbunden ist und die jeweils andere, also die zweite Masseleitung (GND12) oder die erste Masseleitung (GND11), mit dem zweiten Drain (d11) verbunden ist, undwobei in einem Fall, in dem eine elektrostatische Spannung einen eingestellten Schwellenwert nicht überschreitet, elektrostatische Ladungen über die erste Masseleitung (GND11) zu der Massekomponente geleitet werden, und in einem Fall, in dem die elektrostatische Spannung den eingestellten Schwellenwert überschreitet, die elektrostatische Spannung die antistatische Schaltröhre einschaltet, ein Teil der elektrostatischen Ladungen über die erste Masseleitung (GND11), die antistatische Schaltröhre und die zweite Masseleitung (GND12) in der angegebenen Reihenfolge zu der Massekomponente geleitet wird und der andere Teil der elektrostatischen Ladungen über die erste Masseleitung (GND11) zu der Massekomponente geleitet wird.