Patent WO-2023049578-A1 (WO)
Inventor: LI YUE
IPC: H01L25/065
Filed: 2022-08-23
Abstract: L'invention concerne une puce à semi-conducteur (302, 502, 702, 802, 1202, 1302) qui emploie une couche de germe réutilisable (318, 518, 1218, 1318) pour former des trajets de signal supplémentaires vers une structure d'extrémité arrière de la ligne (BEOL) (310, 510, 1210, 1310) of la die (302, 502, 702, 802, 1202, 1302). Une couche de germe (318, 518, 1218, 1318) est déposée qui un été disposée adjacente à la structure d'interconnexion BEOL (310, 510, 1210, 1310) et est retirée de manière sélective pendant la fabrication pour laisser une partie de la couche de germe (318, 518, 1218, 1318) qui se dépose qui couple l'interconnexion UBM (326(4), 526(4)) qui n'a pas de bosse d'interconnexion à l'interconnexion UBM (326(1), 326(2), 526(1), 1226, 1326) qui un une bosse d'interconnexion surélevée (308, 508, 708, 710, 808, 1208, 1308), de sorte qu'un trajet de routage supplémentaire puisse être fourni entre la bosse d'interconnexion surélevée (308, 508, 708, 710, 808, 1208, 1308) à la structure d'interconnexion BEOL (310, 510, 1210, 1310). Une pluralité de bosses d'interconnexion surélevées (308(1), 308(2), 808) peut être couplée ensemble. La structure d'interconnexion BEOL (310, 510, 1210, 1310) peut comprendre une couche de métallisation comprenant une couche de redistribution (RDL) (322, 522, 1224) avec des interconnexions (320, 520) tels que des plaquettes métalliques. Les interconnexions UBM (326, 526) may have an renfoncement de bosse d'interconnexion (P2, P3), avec l'interconnexion UBM (326(4), 526(4)) sans une bosse d'interconnexion situées à une distance dans une direction horizontale depuis la bosse d'interconnexion couplée (308(2), 508(1)) qui est supérieure ou inférieure au renfoncement de bosse d'interconnexion (P2, P3). La matrice (302, 502, 702) peut aussi comprendre un réseau de distribution d'énergie (PDN), comprenant un plan de masse dans la structure d'interconnexion BEOL (310, 510) et un rail d'alimentation positive dans la structure d'interconnexion BEOL (310, 510), l'interconnexion UBM (326(4), 526(4)) sans une bosse d'interconnexion pouvant être couplée au plan de masse du réseau de distribution d'énergie au rail d'alimentation positive du réseau de distribution d'énergie ou à un nœud signal d'entrée sortie (I/O) configuré pour porter un signal I/O. La matrice semi-conductrice (302, 502, 702, 802, 1202, 1302) peut être incluse dans un boîtier de CI (300, 500, 700, 800, 1200, 1300), le boîtier de CI (300, 500, 700, 800, 1200, 1300) comprenant: un substrat de boîtier (304, 704, 804, 1204, 1304) et la matrice (302, 502, 702, 802, 1202, 1302) couplée au substrat de boîtier (304, 704, 804, 1204, 1304) via la bosse d'interconnexion surélevée (308, 508, 708, 710, 808, 1208(1), 1308). Le boîtier de CI (1200, 1300) peut aussi comprendre une deuxième matrice (1202(2), 1302(2)), avec une structure d'interconnexion BEOL (1210(2)), les interconnexions UBM (1226(2), 1326(2)), une bosse d'interconnexion surélevée (1208(2), 1308(2)) et un couche de germe (1218(2), 1318(2)) reliée à celle de la première matrice (1202(1), 1302(1)), la deuxième matrice (1202(2)) pouvant être empilée sur la première matrice (1202(1)) ou les deux matrices peuvent être des matrices éclatées (1302(1), 1302(2)), les deux couplées au substrat de boîtier (1304) adjacent les unes aux autres dans une direction horizontale et couplées l'une à l'autre via le substrat de boîtier (1304) pour fournir une connexion matrice à matrice (D2D). Dans un procédé de fabrication de matrice de semi-conducteur (302, 502, 702, 802, 1202, 1302), une couche de photorésine (1102) peut être formée et dotée de motifs sur la couche de germe (318), un matériau de métal étant disposé dans une ouverture (1104) dans la couche de photorésine (1102) pour former la bosse d'interconnexion surélevée (308) et la couche de photorésine (1102) étant ensuite enlevée, une deuxième couche de photorésine (1108) pouvant être formée et dotée de motifs sur la couche de germe (318) et la bosse d'interconnexion surélevée (308), la couche de germe (318) étant ensuite enlevée dans une seconde ouverture (1110) de la deuxième couche de photorésine (1108) sans enlever la couche de germe (318) en couplant les interconnexions UBM (326), puis en éliminant la deuxième couche de photorésine (1108).