baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent DE-10130597-B4 (DE)
Title: Elektrohydraulischer Aktor auf Basis einer reversierbaren Flügelzellenpumpe mit unterlagerter Druckregelung
Inventor: BECKER MICHAEL
IPC: F15B7/00
Filed: 2001-06-27
Granted: 2006-10-26
Abstract: Elektrohydraulischer
Aktor, der eine reversierbare Flügelzellenpumpe
mit verstellbarem Hubkolben, einen Motor zum Antrieb der Flügelzellenpumpe, eine
Verstelleinheit, die den Hubkolben verschiebt und eine unterlagerte
hydraulische Druckrückführung aufweist.
Patent DE-10155380-B4 (DE)
Title: Waschtuch-Vorrichtung
Inventor: PFISTERER RUZA
IPC: A47K7/02
Filed: 2001-11-10
Granted: 2004-07-15
Abstract: Waschtuch-Vorrichtung mit einer zur Körperreinigung vorgesehenen Waschtucheinrichtung, wobei. die Waschtucheinrichtung mit zwei Griffeinrichtungen versehen ist, die an sich entgegenüberstehenden Enden der Waschtucheinrichtung vorgesehen sind, wobei die Waschtucheinrichtung mit zwei langen und zwei kurzen Seiten ausgebildet ist, und wobei eine kurze Seite im wesentlichen so lang wie eine Griffeinrichtung ausgeführt ist, dadurch gekennzeichnet, dass eine teilweise offene Tasche zur Aufnahme einer Schwamm, Kissen- oder Luftkisseneinrichtung auf die Waschtucheinrichtung aufgenäht ist, wobei die Tasche gefaltet oder plissiert ausgebildet ist, um für eine Aufnahme einer Schwamm, Kissen- oder Luftkisseneinrichtung eine möglichst große innere Höhlung zu schaffen.
Patent DE-10156140-B4 (DE)
Title: Variable Ventilsteuerung
Inventor: MURATA SHINICHI
IPC: F01L1/34
Filed: 2001-11-15
Granted: 2005-12-15
Abstract: Variable
Ventilsteuerung zum Vergrößern einer Überlappung
zwischen den Öffnungszeiten
eines Einlaßventils
(7a) und eines Auslaßventils
(7b) durch eine Ventilsteuerungseinrichtung (31) bei einem Kaltstart eines
Verbrennungsmotors (1), wobei die Überlappung in einem Auslaßhubbereich
vor einem oberen Totpunkt und in einem Ansaughubbereich hinter dem
oberen Totpunkt liegt, wobei die variable Ventilsteuerung dadurch
gekennzeichnet ist, daß:  die
Ventilsteuerungseinrichtung (31), unmittelbar nachdem der Verbrennungsmotor
(1) bei einem Kaltstart angelassen wird, eine Überlappung erzeugt, die im
Ansaughubbereich liegt, und dann die Überlappung in den Auslaßhubbereich erweitert.
Patent DE-10195003-B4 (DE)
Title: Keramische Zünder und Verfahren zu ihrer Verwendung und Herstellung
Inventor: WILLKENS CRAIG A
IPC: F23Q7/22
Filed: 2001-01-25
Granted: 2004-12-02
Abstract: Es werden keramische Zünder bereitgestellt, die zwei Kaltzonen mit einer dazwischen angeordneten Heißzone aufweisen, wobei die Heißzone eine elektrische Weglänge von 0,51 cm bis etwa 2 cm aufweist. Erfindungsgemäße Zünder können die Leistungsdichte wirksam über den Heißzonenbereich des Zünders verteilen, ohne isolierte Temperaturgradienten zu erzeugen, die zu vorzeitigem Güteabfall und Versagen des Zünders führen können. Die Erfindung stellt auch neue Verfahren zur Herstellung von keramischen Zündern bereit.
Patent DE-10214695-B4 (DE)
Title: Vorrichtung zur lösbaren Anbindung eines Kugelkörpers oder Kugelzapfens an einen den Kugelkörper aufnehmenden Pfannenkörper, insbesondere zur Anwendung in Kraftfahrzeugen
Inventor: HETTERICH THOMAS
IPC: F16C11/06
Filed: 2002-04-03
Granted: 2005-09-22
Abstract: Vorrichtung
zur lösbaren
Anbindung eines Kugelkörpers
(10) oder Kugelzapfens (12) an einen den Kugelkörper (10) aufnehmenden Pfannenkörper (14), insbesondere
zum Verbinden von Betätigungsgliedern, Wähl- oder
Schaltzügen
mit Getrieben, Bremsen oder sonstigen Geber-/Nehmer-Vorrichtungen bei
Kraftfahrzeugen, wobei der Pfannenkörper (14) in einer Aufnahme
(16) eines Grundkörpers
(18) aufgenommen ist und eine Aufnahmeöffnung (20) zum Einführen des
Kugelkörpers
(10) in den Pfannenkörper
(14) aufweist, die lichte Weite der Aufnahmeöffnung (20) bei in dem Pfannenkörper (14)
aufgenommenen Kugelkörper
(10) kleiner als der Durchmesser des Kugelkörpers (10) ist und der Pfannenkörper (14)
weiterhin in Einführrichtung
des Kugelkörpers
(10) in den Pfannenkörper
(14) beziehungsweise in Richtung einer Längsachse (22) des Grundkörpers (18)
zwischen einer ersten und zweiten Endposition verstellbar am Grundkörper (18) gelagert
ist, in der ersten Position im wesentlichen bündig in der Aufnahme (16) des
Grundkörpers
(18) aufgenommen und in der zweiten Position wenigstens teilweise,
bevorzugt gänzlich
aus der Aufnahme (16) des Grundkörpers (18)
herausgefahren...
Patent DE-10215963-B4 (DE)
Title: Vorrichtung für selektives Löten
Inventor: SCHOUTEN GERRIT
IPC: B23K3/06
Filed: 2002-04-11
Granted: 2005-08-11
Abstract: Lötvorrichtung,
welche umfaßt:  – einen
Behälter,
der geschmolzenes Lötmittel
enthält
und erhitzt;  – Transportmittel,
um zu lötende
Gegenstände
bis über
den Behälter
zu befördern
und wieder davon abzuführen;  – wenigstens
ein sich über
dem Lötbehälter im
wesentlichen senkrecht erstreckendes Rohr;  – Pumpmittel, um geschmolzenes
Lötmittel
an der Unterseite des Rohrs zuzufihren; und  – Bewegungsmittel,
um die Unterseite der zu lötenden
Gegenstände
und die Oberseite des Rohrs wenigstens in gegenseitige Nähe zu bewegen,  dadurch
gekennzeichnet, dass in jedem der Rohre in einem gewissen Abstand
zu der Oberseite des betreffenden Rohrs eine Ausflußöffnung angebracht
ist, dass die Anzahl der Rohre größer als eins ist und dass jedes
der Rohre mit seiner Unterseite an derselben im wesentlichen waagerechten
Platte befestigt ist.
Patent DE-10225662-B4 (DE)
Title: Empfänger
Inventor: BARTSCH CARSTEN
IPC: H04L27/30
Filed: 2002-06-10
Granted: 2006-05-04
Abstract: Empfänger zum
Empfang zu übertragender
Daten, mit  einer Einrichtung (12) zum Empfangen eines Empfangssignals,
das ein Symbol aufweist, welches sich spektral aus mehreren Unterträgern zusammensetzt,
auf die die zu übertragenden
Daten aufmoduliert sind; und  einer Einrichtung (16, 18; 24)
zum Verarbeiten des Empfangssignals, derart, daß Phasen der Unterträger des
Symbols bezüglich
einer Referenzphase in negativer Phasenrichtung verändert werden,
so dass ein Betrag der Phasenänderungen
der Unterträger
des Symbols mit den Frequenzen der Unterträger zunimmt, und zwar derart,
dass eine virtuelle negative Verzögerung des Symbols um einen fest
eingestellten Wert kleiner oder gleich der Guard-Intervalllänge bewirkt
wird.
Patent DE-10237507-B4 (DE)
Title: Verfahren zur Herstellung eines piezoelektrischen Schichtsystems
Inventor: SMOLE PHILIPP
IPC: H03H3/02
Filed: 2002-08-16
Granted: 2013-02-28
Abstract: Verfahren zur Herstellung eines piezoelektrischen Schichtsystems für ein mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelements mit folgenden Verfahrensschritten: a) auf ein Basissubstrat (BS), das zumindest eine Schicht umfaßt, wird eine Wachstumsschicht (WS) aufgebracht, b) auf die Wachstumsschicht wird eine piezoelektrische Schicht (PS) aufgebracht, c) auf die piezoelektrische Schicht wird ein funktioneller Schichtaufbau (SU) aufgebracht, d) das Basissubstrat wird entfernt, e) die Wachstumsschicht (WS) wird entfernt.
Patent DE-10245133-B4 (DE)
Title: Kalibrierungsanordnung
Inventor: NYGREN AARON
IPC: G01R35/00
Filed: 2002-09-27
Granted: 2007-12-13
Abstract: Kalibrierungsanordnung
(1), aufweisend:  – eine
Schaltungsanordnung (2) mit einem Ausgangsanschluß (11) zur
Bereitstellung einer Spannung (Vcomp),  – einen ersten Spannungsteiler
mit einem einstellbaren Widerstand (R) und einem Widerstand (Rref),
die ihrerseits in Reihe geschaltet sind, der einen Anschluß (15) zur
Zuführung
eines positiven Versorgungspotentials (VDDQ) und einen Anschluß (17) zur
Zuführung
eines negativen Versorgungspotentials (VSSQ) einer Versorgungsspannung
aufweist und der zwischen den Widerständen (R, Rref) einen Anschluß (16) zum
Abgriff einer Teilspannung (Vref) aufweist,  – einen
Vergleicher (3) mit einem ersten Eingang (12), der zur Zuführung der
Spannung (Vcomp) mit dem Ausgangsanschluß (11) der Schaltungsanordnung
(2) verbunden ist, und mit einem zweiten Eingang (13), der mit dem
Anschluß (16)
zum Abgriff der Teilspannung (Vref) verbunden ist und der einen
Ausgangsanschluß (14)
aufweist zur Ausgabe eines Vergleichsergebnisses eines Vergleichs
der am ersten (12) und am zweiten Eingang (13) zuzuführenden
Spannungen (Vref, Vcomp) und  – eine Steuerlogik...
Patent DE-10251123-B4 (DE)
Title: Vorrichtung zum Trocknen von pharmazeutischen Granulaten, Pellets oder dgl.
Inventor: BOHLE LORENZ
IPC: F26B11/04
Filed: 2002-11-02
Granted: 2006-07-27
Abstract: Vorrichtung
zum Trocknen von pharmazeutischen Granulaten, Pellets od. dgl. mit
einer beheizbaren, von einem Gas unter Vakuum durchströmten Förderröhre (1)
mit einem Eintragsende (2) und einer Mündung (5), an die ein Austragstutzen
(6) für
das getrocknete Gut anschließt,
wobei im Austragstutzen (6) eine Schleuse (8) vorgesehen ist  und
die Förderröhre (1)
in Förderrichtung
des zu trocknenden Gutes geneigt und rotierend angetrieben ist,
das Eintragsende (2) an die Austrittsöffnung eines Extruders (3)
anschließt
und an der Austrittsöffnung des
Extruders (3) in der rotierenden Förderröhre (1) eine Schneidvorrichtung
vorgesehen ist, die das aus der Mündung des Extruders (3) austretende
Gut in Pellets oder Granulate schneidet.
Patent DE-10261618-B4 (DE)
Title: Laufunruheauswertungsverfahren
Inventor: POTT EKKEHARD DR ING
IPC: F02D41/14
Filed: 2002-12-27
Granted: 2014-05-22
Abstract: Verfahren zum Betrieb eines Verbrennungsmotors, wobei eine Ermittlung und Auswertung eines Laufunruhe-Signals sowie in Abhängigkeit von einem Auswertungsergebnis eine Einstellung von Betriebsparametern des Verbrennungsmotors erfolgt, wobei die Auswertung zumindest eine Detektion und eine Ermittlung einer Häufigkeit von unzulässigen Verbrennungsereignissen umfasst und zur Detektion unzulässiger Verbrennungsereignisse eine statistische Verteilung der Werte des Laufunruhe-Signals ermittelt wird oder Häufigkeiten unzulässiger Verbrennungsereignisse mittels eines oder mehrerer dynamischer und/oder eines multiplen statischen Zeitrasters ermittelt werden, innerhalb dessen oder derer unzulässige Verbrennungsereignisse detektiert werden, dadurch gekennzeichnet, dass verschiedenen Zeitrastern unterschiedliche Schwellwerte von Ereignisraten unzulässiger Verbrennungsereignisse zugeordnet werden.
Patent DE-10297687-B4 (DE)
Title: Prozessor mit Eingabe/Ausgabeerlaubnisbitstrukturen für in Bereiche aufgeteilte Sicherheit und Verfahren zum selektiven Ausführen einer Eingabe/Ausgabe-Instruktion
Inventor: SCHMIDT RODNEY W
IPC: G06F21/62
Filed: 2002-12-17
Granted: 2008-11-13
Abstract: Prozessor
(202), der zur Ankopplung an einen Speicher (206) ausgebildet ist,
wobei der Prozessor (202) umfasst:  eine Ausführungseinheit
(400), die ausgebildet ist, I/O-Instruktionen auszuführen;  eine
Speicherverwaltungseinheit (402), die ausgebildet ist, Daten in
dem Speicher (206) zu speichern; und  eine Busschnittstelleneinheit
(406), die angeschlossen ist, um eine Eingabe/Ausgabe-(I/O)-Port-Nummer und ein
Erlaubnisbit entsprechend der I/O-Port-Nummer zu empfangen und um
ein Ausgangssignal in Abhängigkeit
eines Wertes des Erlaubnisbits zu erzeugen, wobei die I/O-Port-Nummer
eine Nummer des Eingabe/Ausgabe-(I/O)Ports anzeigt, der von einer
I/O-Instruktion angesprochen wird, und wobei die Busschnittstelleneinheit (406)
ferner angeschlossen ist, um einen Sicherheitskontextidentifizierungswert
zu empfangen, und wobei der Sicherheitskontextidentifizierungswert
eine Sicherheitskontextebene einer Speicherstelle kennzeichnet,
die die I/O-Instruktion enthält,
wobei die Busschnittstelleneinheit (406) ausgebildet ist, den Sicherheitskontextidentifizierungswert
und die I/O-Port-Nummer zu verwenden, um auf eine dem Sicherheitskontextidentifizierungswert
entsprechende Eingabe/Ausgabe-(I/O)Erlaubnisbitstruktur (600) zuzugreifen,
die in dem Speicher (206) abgelegt ist, um das Erlaubnisbit zu erhalten,
und  wobei die Ausführungseinheit...
Patent DE-10306550-B4 (DE)
Title: Verfahren und Vorrichtung zum Bilden einer Halbleiterdünnschicht
Inventor: MATSUMURA MASAKIYO
IPC: C30B1/00
Filed: 2003-02-17
Granted: 2006-09-28
Abstract: Verfahren
zum Bilden einer Halbleiterdünnschicht,
bei welchem eine Nicht-Einkristallhalbleiterschicht auf einer Grundschicht
aus isolierendem Material gebildet ist, wobei die Nicht-Einkristallhalbleiterschicht mit
Licht bestrahlt wird, das relativ zu der Grundschicht bewegt wird,
wodurch die Nicht-Einkristallhalbleiterschicht kristallisiert wird,
wobei das Verfahren die Schritte umfaßt:  Homogenisieren der
Intensitätsverteilung
des Lichts;  Durchführen
einer Amplitudenmodulation, derart, daß die Amplitude des Lichts,
dessen Intensitätsverteilung
homogenisiert wird, in Richtung der Relativbewegung des Lichts zu
der Grundschicht zunimmt;  Bereitstellen eines Niedrigtemperaturpunktes
auf der bestrahlten Fläche
und dadurch Erzeugen eines Ausgangspunktes des Kristallwachstums,
wobei der Niedrigtemperaturpunkt durch ein Mittel bereitgestellt
wird, das einen Lichtabsorptionspunkt aufweist; und  Bilden
einer Einkristallregion entlang der Richtung der Relativbewegung
des Lichtes zur Grundschicht.
Patent DE-10313847-B4 (DE)
Title: Verfahren zur Herstellung keramischer Formkörper mit sprunghaftem Strukturgradienten und keramischer Formkörper mit sprunghaftem Strukturgradienten
Inventor: MORITZ TASSILO
IPC: C04B35/80
Filed: 2003-03-21
Granted: 2008-12-18
Abstract: Verfahren
zur Herstellung keramischer Formkörper aus mindestens zwei Schichten,
die  – ganz
oder teilweise übereinander
angeordnet sind,  – eine
gleiche oder unterschiedliche Dicke aufweisen  – und sich
jeweils in mindestens einem Strukturmerkmal durch eine sprunghafte Änderung
des Strukturmerkmals von mindestens 10% unterscheiden,  bei
dem  – eine
Suspension aus keramischen Pulvermaterialien hergestellt wird,  – in einer
Elektrophoresevorrichtung  a. eine Elektrode mit einem elektrisch
leitfähigen
Fasergebilde in Form eines Gewirkes, Gestrickes, Geleges, Filzes oder
Vlieses kontaktiert oder  b. eine Elektrode aus einem elektrisch
leitfähigen
Fasergebilde in Form eines Gewirkes, Gestrickes, Geleges, Filzes oder
Vlieses hergestellt und anschließend auf das leitfähige Fasergebilde
ein weiteres Fasergebilde mit anderer Faserstruktur und/oder Faseranordnung
aufgebracht wird,  – dann
auf elektrophoretischem Wege die suspendierten keramischen Pulver
auf und in dem oder den Fasergebilden unter vollständiger Auffüllung aller
Hohlräume
in dem oder den Fasergebilden abgeschieden werden  – und zur...
Patent DE-10323013-B4 (DE)
Title: Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit PMOS- und NMOS-Transistor
Inventor: RYU HYUK-JU
IPC: H01L29/49
Filed: 2003-04-23
Granted: 2009-03-05
Abstract: Verfahren
zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, mit folgenden Schritten:  – Bilden
einer Gateisolationsschicht (104) auf einem NMOS-Bereich und einem PMOS-Bereich eines
Halbleitersubstrats (100),  – sequentielles Bilden einer
Polysiliciumkristallkeimschicht (106), einer Silicium-Germanium-Schicht
(108) und einer amorphen Siliciumschicht (110) in dieser Reihenfolge
auf der Gateisolationsschicht (104),  – Entfernen der amorphen Siliciumschicht
(110) und der Silicium-Germanium-Schicht
(108) in dem NMOS-Bereich,  – Bilden einer Polysiliciumschicht
(114) auf der Polysiliciumkristallkeimschicht (106) in dem NMOS-Bereich
und direkt auf der amorphen Siliciumschicht (110) in dem PMOS-Bereich,
wobei die amorphe Siliciumschicht (110) als Diffusionsbarriere gegen
eine Diffusion von Germanium in die Polysiliciumschicht (114) fungiert,
und  – Strukturieren
der Polysiliciumschicht, der Silicium-Germanium-Schicht, der amorphen Siliciumschicht
und der Polysilici umkristallkeimschicht, um Gateelektroden (116a, 116b)
in dem NMOS- und in dem PMOS-Bereich zu bilden.
Patent DE-10330653-B4 (DE)
Title: Diebstahlschutz zum Einsatz in Kraftfahrzeugen
Inventor: GSCHWENG JOERG
IPC: B60R25/00
Filed: 2003-07-08
Granted: 2006-02-16
Abstract: Diebstahlschutz
zum Einsatz in Kraftfahrzeugen, dadurch gekennzeichnet, dass die
Innenseite des Kfz-Blechs
partiell mit einer speziellen Härtebeschichtung
beschichtet ist.
Patent DE-10336110-B4 (DE)
Inventor: NEUEFEIND THORSTEN
IPC: G01N33/68
Filed: 2003-08-06
Granted: 2008-01-03
Abstract: Method for treating crystals with a solution containing molecular species of molecular weight below 500 Da comprises: (a) fixing the crystal in a holder; and (b) applying microdrops of liquid to it. Independent claims are included for: (1) a method for determining the crystallographic structure of a complex of a protein and another molecular species in which the above process is carried out, the crystal is irradiated with X-rays or radiation from a synchrotron and a diffraction image of the crystal is produced; and (2) a method for identifying molecules which bond to a crystalline protein by carrying out the two previous processes , producing diffraction images at different points in time and comparing them.
Patent DE-10339001-B4 (DE)
Title: Kältemittelkreislauf mit einem Ejektor mit bezüglich ihres Drosselgrads änderbarer Düse
Inventor: TAKEUCHI MASAYUKI
IPC: F25B41/00
Filed: 2003-08-25
Granted: 2016-02-04
Abstract: Kältemittelkreislauf, aufweisend: einen Gas-/Flüssigkeitsseparator (4) zum Trennen von Kältemittel in gasförmiges und flüssiges Kältemittel, einen Verdampfer (6), in dem das flüssige Kältemittel, das aus dem Gas-/Flüssigkeitsseparator (4) strömt, verdampft wird, nachdem es dekomprimiert worden ist, einen Verdichter (1) zum Verdichten des gasförmigen Kältemittels aus dem Gas-/Flüssigkeitsseparator (4), einen Radiator (2), der das Kältemittel kühlt, das aus dem Verdichter (1) ausgetragen wird, einen Ejektor (3), aufweisend eine Hochdruckkältemitteleinlassöffnung (11), der Kältemittel aus dem Radiator (2) zugeführt wird, eine Niederdruckkältemitteleinlassöffnung (12), in der Kältemittel aus dem Verdampfer (6) angesaugt wird, eine Düse (13) zum Dekomprimieren von Kältemittel aus der Hochdruckkältemitteleinlassöffnung (11), und einen Druckerhöhungsabschnitt (14, 15), in dem Kältemittel aus dem Verdampfer (6) durch die Niederdruckkältemitteleinlassöffnung (12) durch einen Kältemittelstrom angesaugt wird, der aus der Düse (13) austritt und mit dem Kältemittel gemischt wird, das aus der Düse (13) austritt, wobei der Druckerhöhungsabschnitt (14, 15) einen Kältemittelauslass aufweist, aus dem Kältemittel zu dem Gas-/Flüssigkeitsseparator (4) ausgetragen wird, und ein Drosselsteuersystem (7), aufweisend einen Umgehungsdurchlass (21), der von einem Kältemitteldurchlass (33) an einem Trennpunkt abzweigt, der stromaufwärts von der Hochdruckkältemitteleinlassöffnung (11) liegt, und der mit dem Kältemitteldurchlass (34) an einem Verbindungspunkt verbunden ist, der stromabwärts von dem Trennpunkt angeordnet ist, ein Steuerventil (23) zum Steuern eines Drucks des Kältemittels, des durch den Umgehungsdurchlass (21) strömt, und ein Pilot- bzw. Steuerventil (9), des einen Drosselöffnungsgrad der Düse (13) in Übereinstimmung mit einer Druckdifferenz zwischen dem Kältemittel in dem Umgehungsdurchlass (21) und dem Kältemittel in der Hochdruckkältemitteleinlassöffnung (11) des Ejektors (3) steuert.
Patent DE-10341144-B4 (DE)
Title: Mehrzylinder-Kolbenbrennkraftmaschine mit Ölabscheidung für abgesaugtes Blow-By-Gas
Inventor: PERAK DANIEL
IPC: F01M13/04
Filed: 2003-09-06
Granted: 2005-11-24
Abstract: Mehrzylinder-Kolbenbrennkraftmaschine
mit auf einem Zylinderkopf (1) mit Abstand nebeneinander in Nockenwellenlagern
gehaltenen Nockenwellen und mit zwischen den Nockenwellen an den
Zylinder jeweils für
eine Zünd-
und/oder Einspritzeinrichtung angeordneten Ausnehmungen (12), sowie
mit wenigstens einem sich über
die Länge
des Zylinderkopfes erstreckenden zwischen den Nockenwellen mäanderförmig verlaufenden
abgeschlossenen Strömungskanal
(6.1) für ölhaltige Blow-By-Gase,
der Umlenkungsbereiche (19) für
die Gasströmung
aufweist und der mit wenigstens einer Gaseinlaßöffnung (7) versehen ist, die
mit einem Kurbelraum in Verbindung steht, und der mit wenigstens
einer Gasauslaßöffnung (11)
versehen ist, die mit einer Gasabsaugung in Verbindung steht, sowie
mit wenigstens einer Ölablauföffnung (22),
die mit dem Kurbelraum in Verbindung steht, dadurch gekennzeichnet,
dass der Strömungskanal
(6.1) zwischen den Nockenwellen mäanderförmig in Richtung von einer Längswand
zur einer gegenüberliegenden
Längswand
und umgekehrt jeweils um die den Zylinderkopf durchsetzenden Ausnehmungen
für die
Zünd- und/oder
Einspritzeinrichtung herumgeführt
ist, die zwischen den Nockenwellen angeordnet sind, wobei einer
ringförmigen
Wand der...
Patent DE-10343376-B4 (DE)
Title: Kontinuierlich arbeitende Siebzentrifuge sowie Verfahren zur Aufbereitung von Kristallsuspensionen
Inventor: BARTSCH ECKHARD
IPC: C13B30/06
Filed: 2003-09-17
Granted: 2008-01-24
Abstract: Kontinuierlich
arbeitende Siebzentrifuge zur Aufbereitung von Kristallsuspensionen,
insbesondere Zuckerfüllmassen,
mit einem Verteilertopf (1) und einer diesen umgebenden, nach unten
offenen Verteilerglocke (4), an deren Innenseite (6) die Kristallsuspension
während
des Betriebes entlanggleitet, wobei die Verteilerglocke (4) in einem
Zentrifugenkorb angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass in
der Verteilerglocke (4) eine Siebhaube (3), an deren Innenseite
die Kristallsuspension während des
Betriebes entlanggleitet, angeordnet ist, wobei zwischen der Siebhaube
(3) und der Verteilerglocke (4) ein Freiraum (5) ausgebildet ist,
in den die an der Siebhaube (3) abgetrennte Suspensionsflüssigkeit
abgeführt
wird, und sich unterhalb der Siebhaube (3) ein Mischbereich (8)
für die
Vermischung der durch die Siebhaube (3) abgetrennten Suspensionsflüssigkeit
und der an der Siebhaube (3) entlanggeführten Kristallsuspension anschließt.
Patent DE-10344841-B4 (DE)
Title: Ansteuerschaltung für ein Zündelement eines Insassenschutzsystems
Inventor: ROTHLEITNER HUBERT
IPC: B60R21/01
Filed: 2003-09-26
Granted: 2010-02-25
Abstract: Ansteuerschaltung für ein Zündelement eines Insassenschutzsystems, die folgende Merkmale aufweist:  – wenigstens ein erstes steuerbares Halbleiterbauelement (HS; HS1, HS2) mit einem Steueranschluss (G) und einem ersten und zweiten Lastanschluss (D, S) und wenigstens ein zweites steuerbares Halbleiterbauelement (LS; LS1, LS2) mit einem Steueranschluss (G) und einem ersten und zweiten Lastanschluss (D, S),  – wenigstens eine erste und eine zweite Anschlussklemme (K2, K3; K21, K22, K31, K32) zum Anschließen einer Last in Reihe zu dem wenigstens einen ersten und wenigstens einen zweiten Halbleiterbauelement (HS, LS; HS1, HS2, LS1, LS2),  – wenigstens einen ersten Halbleiterchip (IC1; IC11, IC12), in dem das wenigstens eine erste Halbleiterbauelement (HS; HS1, HS2) integriert ist, und einen zweiten Halbleiterchip (IC2), in dem das wenigstens eine zweite Halbleiterbauelement (LS; LS1, LS2) integriert ist, und die auf ein gemeinsames Leadframe (LF1) oder auf separate Leadframes (LF1, LF2) aufgebracht sind,  – ein gemeinsames Gehäuse (PA), in...
Patent DE-10392898-B4 (DE)
Title: Banderzeugnis-Produktionsanlage
Inventor: HONJOU HISASHI
IPC: B21B1/46
Filed: 2003-07-11
Granted: 2008-10-16
Abstract: Banderzeugnis-Produktionsanlage, mit
Beschneidvorrichtungen (16) zum Beschneiden der Längskanten
eines Bandes (6), wobei die Beschneidvorrichtungen (16) einem Walzwerk
(17) vorgelagert sind, das einer Doppel- oder Einzelwalzen-Bandgussmaschine
(1) nachgelagert ist, die mit geschmolzenem Metall aus einer Gießwanne (3)
versorgt wird, die darüber
angeordnet ist, um kontinuierlich ein Band (6) mit einer im Voraus
festgelegten Breite zu gießen,
dadurch gekennzeichnet, dass vor den Beschneidvorrichtungen (16)
Gussblasen- und Dickenerfassungseinrichtungen (20, 21) angeordnet
sind, um Gussblasen an den Längskanten
des Bandes (6) und/oder um die Dicke in Breitenrichtung des Bandes
(6) abzufühlen, und
dass Mittel zum Einstellen der Positionen von Schneidblättern (27,
28) der Beschneidvorrichtung (16) in Breitenrichtung des Bandes
(6) auf der Grundlage eines Ausgangssignals von der Gussblasenerfassungseinrichtung (20)
und/oder eines Ausgangssignals von der Dickenerfassungseinrichtung
(21) vorgesehen sind.