Patent WO-2016163595-A1 (WO)
Inventor: LEE SEUNG-JAE
IPC: H01L33/22
Filed: 2015-06-30
Abstract: La présente invention concerne un dispositif électroluminescent à semi-conducteur au nitrure et son procédé de fabrication, qui peuvent améliorer les propriétés de pression interne provoquée par les décharges électrostatiques (ESD) du dispositif électroluminescent à semi-conducteur au nitrure. Le dispositif électroluminescent de la présente invention comprend une couche active formée, à l'aide d'un matériau à faible conductivité, à plat sur une première couche de semi-conducteur conductrice comportant une structure de creux en V sur sa surface supérieure, et une seconde couche de semi-conducteur conductrice, ou comporte une structure de creux en V sur une surface de contact entre une seconde couche de semi-conducteur conductrice et une couche active formée, à l'aide d'un matériau à faible conductivité, à plat sur une première couche de semi-conducteur conductrice comportant une structure de creux en V sur sa surface supérieure. Ainsi, une zone de creux en V présente une épaisseur supérieure ou égale à une épaisseur critique, et présente de ce fait une très faible conductivité, ce qui permet d'empêcher la circulation d'un courant, tandis que la zone restante présente une épaisseur inférieure ou égale à une épaisseur critique et donc un courant peut circuler vers le haut. La présente invention a donc pour effets de réduire de la fuite de courant et de renforcer la durabilité d'autres éléments tout en réduisant la recombinaison non radiative générée par dislocation vis, ce qui permet de réduire au minimum la dégradation de luminosité. La présente invention concerne un dispositif électroluminescent à semi-conducteur au nitrure et son procédé de fabrication, qui peuvent améliorer les propriétés de pression interne dues aux décharges électrostatiques (ESD) du dispositif électroluminescent à semi-conducteur au nitrure. Le dispositif électroluminescent de la présente invention comprend une couche active formée, à l'aide d'un matériau à faible conductivité, à plat sur une première couche de semi-conducteur conductrice comportant une structure de creux en V sur sa surface supérieure, et une seconde couche de semi-conducteur conductrice, ou comporte une structure de creux en V sur une surface de contact entre une seconde couche de semi-conducteur conductrice et une couche active formée, à l'aide d'un matériau à faible conductivité, à plat sur une première couche de semi-conducteur conductrice comportant une structure de creux en V sur sa surface supérieure. Ainsi, une zone de creux en V présente une épaisseur supérieure ou égale à une épaisseur critique, et présente de ce fait une très faible conductivité, ce qui permet d'empêcher la circulation d'un courant, tandis que la zone restante présente une épaisseur inférieure ou égale à une épaisseur critique et donc un courant peut circuler vers le haut. La présente invention a donc pour effets de réduire de la fuite de courant et de renforcer la durabilité d'autres éléments tout en réduisant la recombinaison non radiative générée par dislocation vis, ce qui permet de réduire au minimum la dégradation de luminosité.