baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent KR-100276398-B1 (KR)
Inventor: TOMIJAWHA TSUTOMU
IPC: B60G/
Filed: 1997-09-29
Granted: 2000-12-15
Abstract: 본 발명은 탄성체를 가압하여 감쇠력을 발생시키는 감쇠력발생기구에 관한 것으로서, 지지체에 링크를 회동 가능하게 피보트지지시키고, 상기 링크에 일체로 설치한 레버를 탄성체의 일측에 걸리게하여 지지시키고, 상기 탄성체의 타측을 상기 지지체에 걸리게하여 지지시켜서, 상기 링크와 일체의 상기 레버의 회동에 따라 상기 탄성체에 압축측 감쇠력과 인장측 감쇠력의 양쪽을 발생시키도록 한 것을 특징으로 하는 감쇠력발생기구에 관한 것이다.
Patent KR-100279524-B1 (KR)
Title: 반도체수용장치및반도체디바이스의삽입및인출방법
IPC: H05K13/00
Filed: 1997-10-14
Granted: 2001-04-02
Abstract: 본 발명은 엠보스 테이프를 사용한 반도체 수용장치 및 반도체 디바이스의 삽입 및 인출 방법에 관한 것으로,  종래 사용되고 있는 톱 커버 테이프(Top cover tape)를 사용할 필요가 없도록 하는 것을 목적으로 한다.  해결 수단은 릴과 상기 릴에 감겨진 엠보스 테이프(14)로 되고,  상기 엠보스 테이프는 반도체 디바이스(16)를 재치할 저벽(18)과,  상기 저벽의 양측 테두리로부터 위로뻗은 2개의 측벽(20, 22)과,  개구부(26)를 갖는 정상부 벽(28,  30)를 갖고,  상기 측벽(20.  22)은 정상부 벽(28,  30)의 개구부에서 삽입된 반도체 디바이스가 상기 저벽에 재치된 상태에서 상기 측벽에 의해서 지지되도록 형성되어 구성된다.
Patent KR-100286074-B1 (KR)
Title: 강성 기판에 의하여 탄성적으로 지지되는 니들형 프로브를 가진 프로브 카드와, 이것을 제조하기 위한 방법
IPC: G01R1/073
Filed: 1997-10-22
Granted: 2001-04-16
Abstract: 본 발명의 프로브 카드(probe card)는 집적회로 장치의 전극에 시험 장치를 연결하기 위한 시험 장치에 사용되고, 외팔보 형태로 세라믹 기판(21b)에 의하여 지지되는 탄성 층(21c)위에 제공되는 니들형 도전성 프로브(27)를 구비함으로써, 상기 니들형 도전성 프로브는 전극의 불규칙성을 흡수한다.
Patent KR-100328215-B1 (KR)
Title: Cooling system in heavy equipment
Inventor: NA CHAN JU
IPC: F01P7/02
Filed: 1997-10-24
Granted: 2002-07-27
Abstract: PURPOSE: A cooling system used in heavy equipment is provided to prevent engine power from being wasted and to reduce noise by adjusting a driving speed of a cooling fan according to temperature of a coolant and oil. CONSTITUTION: A cooling system includes a cooling fan and a fan clutch(11) coupled to a rotating shaft of the cooling fan. The fan clutch(11) allows a rotational force of the rotating shaft to be transferred to the cooling fan. A coolant temperature detecting section(12) is provided to detect the temperature of the coolant. The temperature of torque converting oil is detected by a torque converting oil temperature detecting section(14). A control section(16) is provided to control the fan clutch(11) in such a manner that engine power is transferred into the cooling fan when a selection switch selects a high-speed. When the selection switch selects automation, the control section(16) controls the fan clutch(11) based on the temperature detected by the coolant temperature detecting section(12) and the torque converting oil temperature detecting section(14).
Patent KR-100266536-B1 (KR)
Inventor: ROH SEONG TAEK
IPC: H04R7/02
Filed: 1997-11-06
Granted: 2000-09-15
Abstract: PURPOSE: A vibration plate for speaker and a manufacturing method thereof are provided to increase elasticity and improve the frequency characteristics using carbon UDPP(Uni Direction Pre-Preg). CONSTITUTION: The vibration plate for speaker includes a pair of carbon UDPPs(Uni Direction Pre-Preg)(1,2) and a honey comb structure(3) between the UDPPs(1,2). In the method of manufacturing the vibration plate, in step one, more than two sheets of carbon UDPP are arranged and tailored. In step two, The tailored carbon UDPP is divided into several parts in a radial direction and folded to make the adequate shape. In step three, the honey comb core(3) is tailored to make the adequate shape. In step four, the tailored honey comb core(3) is placed on the UDPP(1). In step five, the other UDPP(2) is placed on the other side of the honey comb core and heated to make the adequate shape.
Patent KR-100251499-B1 (KR)
Title: The method of hot-plugging
Inventor: LEE SANG HAE
IPC: G09G5/00
Filed: 1997-11-25
Granted: 2000-04-15
Abstract: PURPOSE: A method for embodying a hot plugging of a display device is provided to operate a computer main body normally by sensing new display device although a display device is changed while the computer main body is operated. CONSTITUTION: It is judged whether new display device is connected while the computer main body is operated(S310). If new display device is connected, information with respect to the new display device is read by a predetermined data communication(S320). It is judged whether the read information is identified with information stored in a storing device(S330). If the read information is not identified with information stored in a storing device, the read information is stored in the storing device, and the optimum resolution corresponded to the new display device is decided, and the optimum resolution is outputted to a video card(S340).
Patent KR-100270948-B1 (KR)
Inventor: KASHIWAGI SHIGERU
IPC: H04N3/26
Filed: 1997-11-21
Granted: 2000-11-01
Abstract: 다이내믹 포커싱 장치는 수평 플라이백 펄스(Vp)를 복수의 커패시터(9S)를 구비하는 커패시터 수단과 인덕터(8)의 직렬 회로에 공급하여 상기 커패시터(9M) 양단에 파라불라 전압(Vpb1)을 발생하기 위한 파라볼라 전압 발생 장치와, 상기 파라볼라 전압을 음극선관의 포커스 전극 "f"에 공급하기 위한 결합 장치(10)와 수평 주사 주기의 대략 중간에 대응하는 시간 존속기간 동안 상기 복수의 커패시터중 몇몇 커패시터를 선택적으로 접속하고 상기 시간 존속기간외의 다른 존속기간 동안 상기 복수의 커패시터 중 상기 몇몇 커패시터를 분리하기 위한 전자 스위칭 장치(11)와 상기 전자 스위칭 장치를 제어하기 위한 스위칭 제어 수단으로 구성된다.
Patent KR-100290775-B1 (KR)
Title: Back light unit without mold frame of liquid crystal display
Inventor: KIM YEON HO
IPC: F21V8/00
Filed: 1997-12-17
Granted: 2001-06-01
Abstract: PURPOSE: A back light unit without a mold frame in a liquid crystal display is provided to remove a mold frame by installing a light plate and to minimize volume by reducing weight of the back light unit. CONSTITUTION: A back light unit without a mold frame for a liquid crystal display comprises a phosphor lamp(1) mounted on a side portion of a light plate(10); a lamp reflector(2) combined to the light plate through a screw(30); a reflecting plate(4) reflecting light toward an upper portion of the light plate by preventing leakage of the light toward a lower portion of the light plate; a diffusion plate(5) equalizing the light from the light plate; upper and lower prism plates(6,7) vertically inducing the light into a liquid crystal panel by changing direction of the light; a protecting plate(8) protecting the prism plates; and a double sided tape(20) attaching the reflecting plate on a lower portion of the light plate. Thereby, the back light unit without the mold frame for the liquid crystal display removes a mold frame by installing the light plate to reduce weight of the back light unit.
Patent KR-100325297-B1 (KR)
Inventor: LEE BYEONG HAK
IPC: H01L21/20
Filed: 1997-12-26
Granted: 2002-04-17
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a semiconductor device is provided to reduce electrical resistance of a thin film by transforming a tungsten nitride layer of an amorphous structure into a tungsten nitride layer of a crystalline structure. CONSTITUTION: An insulation layer is formed on a semiconductor substrate(21). The first tungsten nitride layer(24) and the second tungsten nitride layers are sequentially deposited on the insulation layer. Impurity ions are implanted into the front surface of the semiconductor substrate to make the second tungsten nitride layer amorphous. A heat treatment process is performed on the semiconductor substrate to crystallize the second tungsten nitride layer of an amorphous structure.
Patent KR-100262006-B1 (KR)
Title: Solid-state image sensor and method for manufacturing the same
Inventor: MUN SANG-HO
IPC: H01L27/148
Filed: 1997-12-30
Granted: 2000-07-15
Abstract: PURPOSE: A solid-state image sensor and a method for manufacturing the same are provided to prevent the counter-doping of PD(photo diode) and VCCD(vertical charge coupled device) to minimize point defect and suppress dark current and white defect by separating an N type substrate into upper/lower substrates and using PD and VCCD in the upper substrate. CONSTITUTION: An N type substrate is separated into a lower N type substrate(N1) and an upper N type substrate(N2) by a first P type well(1PW). A plurality of second P type wells(2PW) are formed with constant interval on the upper N type substrate(N2), and N type photo diodes(PDN) are formed between the second P type wells(2PW). That is, the photo diodes are areas in which N type impurities are distributed with high density and the substrate(N2) is an area in which the impurities are distributed with low density. Channel stop layers(CST) are formed near the photo diodes(PDN) and a P type impurity layer(PDP) is formed on the photo diode. The resultant structure is covered with a first insulating film(32), on which first/second transfer gates(33,35) are formed. A second insulating film(37) is covered with a shading layer(38).
Patent KR-100309341-B1 (KR)
Title: Shift lever functioning as parking brake
Inventor: LEE GWAN SEOK
IPC: B60T7/08
Filed: 1997-12-31
Granted: 2001-12-17
Abstract: PURPOSE: A shift lever used as a parking brake is provided to improve convenience by actuating a parking brake with operating a shift lever. CONSTITUTION: A shift lever system is composed of a shift lever(50) fixed in a hinge(60), and turned to decide the speed range and to operate a parking brake range; the hinge and a bracket(65) supporting the lower part of the shift lever to turn forward or backward, and left and right; a parking cable end(70) installed out of the bracket to fix the end of a parking brake cable(75); and a parking operating pin(55) protruded in the lower part of the shift, and combined with the parking cable end in moving the shift lever into the parking brake range to pull the parking brake cable. The shift lever is used conveniently, and appearance is improved with using as the parking brake by operating the shift lever without an additional parking brake system.
Patent KR-100322161-B1 (KR)
Title: 고리형헥사펩티드소마토스타틴유사체
IPC: A61K51/00
Filed: 1995-07-20
Granted: 2002-03-08
Abstract: 본 발명은 방사선 요법 시약 및 펩티드 및 방사선 진단 시약 및 펩티드를 포함하는 치료학적 시약 및 펩티드에 관한 것이다.  상세하게, 본 발명은 소마토스타틴의 고리형 펩티드 유도체 및 유사체, 방사능 동위 원소로 방사선 표지된 상기 펩티드의 구체예 및 방사선 진단 및 방사선 요법 목적을 위한 상기 펩티드의 사용 방법에 관한 것이다.
Patent KR-100394824-B1 (KR)
Title: 면도칼블레이드조립체
IPC: B26B21/22
Filed: 1995-09-28
Granted: 2003-11-28
Abstract: 면도칼 블레이드 조립체는 탄성가능하게 장착되고 몸체부재(2)로부터 외측으로 편의되는 블레이드 수단(34)을 구비한 몸체부재(2)를 포함한다. 주위를 감싸는 클립(50, 51)은 몸체부재(2)의 양측부에 제공되며, 상기 클립(50, 51)은 몸체부재의 바닥면에 종료되는 단부를 갖는다. 면도칼 블레이드 조립체의 충격에 의해 바닥면에 대한 클립 단부의 이동을 방지하기 위한 수단(52, 54)도 제공된다.
Patent KR-100541198-B1 (KR)
IPC: A61K47/22
Filed: 1995-10-25
Granted: 2007-04-11
Abstract: This invention provides a microemulsion pre-concentrate comprising a difficultly soluble agent and a carrier medium comprising: 1) a hydrophilic phase which comprises dimethyisosorbide and/or a lower alkyl alkanoic ester, 2) a lipophilic phase, and 3) a surfactant. The active agent may be a cyclosporine or a macrolide. In another aspect, this invention provides a pharmaceutical composition for enteral or parenteral administration comprising a macrolide and an acid.
Patent KR-100449216-B1 (KR)
Title: 화학발광량조절에의한피검물질의측정방법
IPC: C12Q1/68
Filed: 1996-02-02
Granted: 2005-01-25
Abstract: 퀀처를 첨가하고/하거나 화학발광물질로 표지된 프로브의 비활성을 감소시켜 화학발광량을 감소시키는 것을 특징으로하는, 화학발광물질로 표지된 물질을 이용한 피검물질의 측정방법.
Patent KR-100430352-B1 (KR)
Title: Alpha Alumina-Based Abrasive Grain Containing Silica And Iron Oxide
IPC: C04B35/10
Filed: 1996-05-14
Granted: 2004-07-30
Abstract: Alpha alumina-based ceramic abrasive grain comprising, on a theoretical oxide basis, Al2O3, Fe2O3, and SiO2. The abrasive grain has a surface roughness height of greater than about 200 nanometers and a density of greater than about 3.50 g/cm<3>. Preferably, the alpha alumina-based ceramic abrasive grain has alpha alumina crystallites having an average crystallite size of less than about 0.5 micrometer (more preferably, less than about 0.3 micrometer). The presence of the SiO2 in combination with Fe2O3 increases the amount of transgranular fracture of the abrasive grain, reduces the alpha alumina crystallite growth during sintering of the abrasive grain, dilates at least one of the unit cell dimensions of the abrasive grain, and generally improves the grinding performance of the abrasive grain. In another aspect, a method for making alpha alumina-based ceramic abrasive grain comprising on a theoretical oxide basis, Al2O3, and SiO2 is disclosed.
Patent KR-100281655-B1 (KR)
Title: 공통선신호방식의응용부파라메터지연관리방법
Filed: 1998-02-24
Granted: 2001-02-15
Abstract: 본 발명은 전처리 관리부에 있는 파라메터 태그 관리 리스트를 생성하여, 태그를 구분해내어, 파라메타 내용 분석을 필요한 시점까지 지연시키는 방법에 관한 것으로서, 태그 관리 리스트가 생성된 메시지를 발신하는 단계와, 상기 발신된 메시지를 수신하여 전처리 관리부에 있는 파라메터 태그 관리 리스트를 생성하여 태그를 구분해내는 단계와, 태그가 구분되면, 파라메터 내용을 분석하지 않고 필요한 시점까지 파라메터 내용 분석을 지연시키는 단계와, 지연된 파라메터의 내용 분석이 이루어지면, 그 파라메터는 우선 순위에서 낮추거나 삭제되는 단계로 구성된다. 
     이것에 의해, 필요하지 않은 파라메터는 분석하지 않으므로 향후 다른 규격과 호환 문제를 쉽게 해결할 수 있다.
Patent KR-100472190-B1 (KR)
Title: 토양살균방법및토양살균장치
IPC: A01G11/00
Filed: 1998-02-25
Granted: 2005-05-16
Abstract: 본 발명은 토양 살균 방법 및 장치에 관한 것이다.  본 발명의 방법은 적어도 다음의 단계들, 즉, 물 또는 증기 또는 다른 적당한 물질과 발열반응을 할 수 있는 적어도 한가지 화합물을 토양에 분산시키는 단계와, 그 토양에 분산된 화합물과 발열반응을 일으키도록 그 토양 내로 물 또는 증기 또는 다른 물질을 분출시켜 주입하는 단계를 차례로 포함한다.  이 방법은 상기 2개 단계 사이에, 화합물과의 혼합을 좋게 하고 발열반응을 위한 최선의 조건을 창출하기 위해 토양을 파쇄하는 것으로 이루어진 중간 단계를 포함하는 것이 바람직하다.  이 방법을 실행하는데 적당한 장치(10)는, 개방된 전원에 도달할 수 있는 자동 이동 수단(1), 물 또는 다른 적합한 물질을 운송하기 위한 제1 탱크(2), 상기 물을 토양 내로 이송하는 부속장치(5), 물 또는 증기, 또는 일반적으로는 제1 탱크(2)에 의해 운송되는 물질과 발열반응을 하는 화합물을 저장하기 위한 제2 탱크(3), 및 상기 화합물을 토양에 투여하는 수단(4)을 포함한다.  또한, 이 장치(10)는 제1 탱크(2)내에 수용된 반응물질을 가열 또는 기화시키는 보일러(6)와, 화합물의 혼합, 토양에의 반응물질의 침투 및 그 반응물질과 화합물의 반응을 좋게 하는 농기구(8)를 구비할 수도 있다.
Patent KR-100290233-B1 (KR)
Inventor: HAN YOUNG HO
IPC: H01F1/117
Filed: 1998-03-11
Granted: 2001-05-15
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing Mn-Zn ferrite core is provided to obtain a ferrite sintered body having a stable and low power loss in the high frequency area by effectively adding Ti+4 ion to Mn-Zn family ferrite core. CONSTITUTION: A method comprises a first step of adding 0.01 to 5.0 weight percent of FeTiO3(ilmenite), to 51 to 55 mole percent of Fe2O3, 32 to 40 mole percent of one of MnO, MnO2, Mn3O4 and MnCO3, and 6 to 14 mole percent of ZnO, wet mixing and drying the mixture; a second step of calcining the resultant structure at the temperature of 800 to 1100 Deg.C; and a third step of crashing and compacting, and sintering the resultant structure at the temperature of 110 to 1250 Deg.C.
Patent KR-100249048-B1 (KR)
Inventor: YOON PYUNG
IPC: A61K8/36
Filed: 1998-03-17
Granted: 2000-04-01
Abstract: 본 발명은 왁스 성분, 오일 성분, 안료(분체), 및 방부제, 산화방지제, 향료 등의 첨가제를 주요성분으로 하고 있는 종래 스틱 및 케익형 고형 화장료 조성물에 고온에서의 안정성, 우수한 사용감을 부여하기 위해 +2가 또는 +3가 금속 베헤네이트(metal behenate)를 조성물 총 중량에 대하여 1.0∼30.0중량%의 양으로 더 함유함을 특징으로 하는 스틱 및 케익형 고형 화장료를 제공한다.
Patent KR-100329987-B1 (KR)
IPC: F25B9/00
Filed: 1998-03-18
Granted: 2002-05-09
Abstract: 본 발명은, HFC계 냉매 사용의 냉동장치에 있어서, 냉동능력의 증대에 의한 성능의 향상과 안정된 운전을 가능하게 한다.  이 때문에, 냉동기에서의 사이클 계통을 압축기, 응축기, 수액기, 과냉각기의 순서로 접속한 구성으로 한다.  공냉분리식 냉동기에서는 공냉식 응축기 유닛 내에 수액기를 설치한다.  또, 액배관에서 돌발가스가 발생하기 쉬운 경우는 압축기 유닛 내에 축압기와 칸막이 판을 거쳐 일체로 기액분리기를 설치한다.
Patent KR-100296523-B1 (KR)
Title: Battery device for increasing oxygen pressure and controlling humidity
Inventor: KIM JIN KYUNG
IPC: H01M10/48
Filed: 1998-03-25
Granted: 2001-11-30
Abstract: PURPOSE: Provided is a battery device for increasing oxygen pressure and controlling humidity in an air electrode of a metal-air battery and a cathode of a silver oxide-zinc battery or a silver peroxide-zinc battery, which can improve output. CONSTITUTION: The battery device for increasing oxygen pressure and controlling humidity comprises: a battery device(200) containing a plurality of unit cells; an air(oxygen) case or a pump device(20); an air opening/closing device(38); a main filter device(21) filtering moisture and carbonate gas and supplying dry air or oxygen to the battery device(200); an auxiliary filter device(31) eliminating the moisture and the carbonate gas; a humidifier(32); a moisture sensor(71); an oxygen sensor(72); a pressure sensor(73); a keyboard(12); a micro computer(10) controlling the oxygen supply and the moisture; a display(13).
Patent KR-100355157-B1 (KR)
IPC: E05F15/16
Filed: 1998-04-01
Granted: 2002-12-26
Abstract: 본 발명은 차량에서의 선 루프 등과 같은 개폐장치를 개폐제어할 수 있는 제어회로를 제공하는 것으로, 업 스위치(3)에 의한 온-조작에 따라 I UP방향 전류가 모터에 공급되고, 다운 스위치에 의한 온-조작에 따라 I DOWN 전류가 모터(9)에 공급된다.  어떠한 고장이 발생한 경우, 다운 스위치(5)의 온-조작에 따라 업 스위치(3)가 온-조작되지 않은 때에 I UP방향 전류가 모터에 공급되더라도 전류가 I DOWN방향으로 절환되어 모터에 공급된다.
Patent KR-100329863-B1 (KR)
Title: Semiconductor integrated circuit device
Inventor: HORIGUCHI MASASHI
IPC: H03K19/0944
Filed: 1998-04-13
Granted: 2002-09-05
Abstract: PURPOSE: A semiconductor integrated circuit device is provided to be capable of improving driving speed and reducing power consumption. CONSTITUTION: In the device, an inverter L1 at the first stage, the subthreshold current decreases by the mechanisms, but the logic voltage swing of the output N1 of L1 is smaller than the logic voltage swing of the input signal IN. Namely, the voltage level of N1 shows VCL1 when IN is at a low level (=VSS), and the voltage level of N1 shows VSL1 when IN is at a high level (=VCC). Since N1 is the input to the inverter L2 at the second stage, it is desirable to set the resistance values so that VCC >VCL1 >VCL2 and VSS VCL2 > . . . >VCLK and VSS VCL2 > . . . >VCLK and VSS. In contrast with the above, when high-speed operation is required, the switches are changed over to the side opposite to that which is illustrated and VCC and VSS are applied directly to the logic gate groups, thus making high-speed operation possible. Besides, since the voltage limiters become unnecessary at this time, the operation is suspended.
Patent KR-100308201-B1 (KR)
Title: Method for forming conductive multi-layer
Inventor: LEE SE HYEONG
IPC: H01L21/3205
Filed: 1998-05-07
Granted: 2001-11-30
Abstract: PURPOSE: A formation method of a conductive multi-layer is provided to prevent a recess area and a lifting by using a mixed gases with CF4 and SF6 as an etching gas. CONSTITUTION: Gate electrodes(104), a polysilicon layer(108), a tungsten silicide layer(104b) and a silicon nitride layer(104c) are sequentially formed on a substrate(100). Then, an insulation layer(106) is formed on the entire surface of the resultant structure. A bit line contact hole is formed in the insulation layer(106) to expose the surface of the substrate(100) by dry etching using a photoresist pattern as a mask. A polysilicon layer(108) is then deposited until the contact hole is completely filled so as to form a bit line electrically connected to the substrate(100). The polysilicon layer(108) is etched by an etch-back using mixed gases of CF4 gas of 10-60 sccm and SF6 gas of 10-30 sccm with 300 Watt power to form a tungsten silicide layer. At this point, a recess area and a lifting are not generated. After forming the tungsten silicide layer, a multi-layered bit line(110) having a low resistance is completed.
Patent KR-100279339-B1 (KR)
Title: 정보 기록 매체에 기록되어 있는 정보를 재생하는 정보 재생장치, 인증 처리를 하는 인증 장치, 제1 장치와 복수의 제2장치 사이에서 상호 인증을 행함으로써 정보를 전송하는 정보처리 시스템
IPC: H04N9/82
Filed: 1998-06-25
Granted: 2001-03-02
Abstract: 본 발명은 정보 기록 재생 장치(1)가 인증 기능을 가지고, 메인 CPU(111)를 통하지 않고 직접 MPEG 보드(134), 서브픽쳐 런-렝스용 보드(135) 및 음성 부호화 복호화 보드(136)에 정보를 전송하도록 하는 것을 목적으로 한다. 
     이로써, 메인 제어부(111)가 개재하지 않고서, 정보 기록 재생 장치(1)와 각 처리 보드(134,135,136)의 정보를 전송할 수 있어, 메인 CPU(111)의 부담을 경감할 수 있으며, 정보 전송 기간 중에 메인 CPU(ll1)가 다른 처리를 행할 수 있다.
Patent KR-100290445-B1 (KR)
IPC: G11C5/00
Filed: 1998-09-03
Granted: 2001-06-01
Abstract: 본 발명은 모듈PCB의 길이방향 변과 폭방향 변 모두에 외부연결용 단자가 형성된 메모리모듈과, 이 메모리모듈이 삽입되는 소켓에 관한 것이다. 본 발명은 모듈PCB에 다수의 반도체 메모리 소자가 탑재되는 메모리모듈로서, 상기 목적을 달성하기 위하여 모듈PCB의 길이방향 변과 적어도 한쪽의 폭방향 변에 외부연결용 단자가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 메모리모듈에서 반도체 메모리 소자에 연결되는 전원선(Vcc, Vdd)과 접지선(GND, Vss)은 상기 폭방향 단자를 통해 연결되거나, 반도체 메모리 소자에 연결되는 다수의 어드레스선은 상기 폭방향 단자를 통해 연결되거나, 반도체 메모리 소자를 제어하는 제어선은 상기 폭방향 단자를 통해 연결되는 것이 바람직하다. 본 발명은 또한, 모듈PCB에 다수의 반도체메모리 소자가 탑재되고 모듈PCB의 길이방향 변과 폭방향 변에 외부연결용 단자가 형성되어 있는, 메모리모듈이 삽입되는 소켓으로서, 상기 메모리모듈의 길이방향 단자가 삽입되는 길이방향 삽입부와, 상기 메모리모듈의 폭방향 단자가 삽입되는 적어도 하나의 폭방향 삽입부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Patent KR-100279616-B1 (KR)
Title: 무윤활 맥동관 냉동기의 판스프링 지지구조
IPC: F25B9/00
Filed: 1998-09-24
Granted: 2001-02-01
Abstract: 본 발명은 무윤활 맥동관 냉동기의 판스프링 지지구조에 관한 것으로, 종래에는 각 프레임의 내주면에 대한 치수공차 및 형상공차를 일치시키기도 용이하지 못할 뿐만 아니라 각 판스프링이 각 프레임의 내주면에 밀착되어 판스프링의 조립 및 분해가 용이하지 못하다는 문제점이 있었던 바, 본 발명에서는 상기 상,하부 판스프링이 동심상에 고정되는 밀폐케이스의 내주면 상,하부에 상기한 각 판스프링의 테두리면이 부분적으로만 밀착되도록 하기 위하여 각 판스프링과 접촉되는 내주면이 직선형 또는 곡선형인 수개의 지지돌부를 단차지게 형성함으로써, 각 판스프링이 밀착 지지되는 중간 및 하부프레임의 내주면을 실린더부 및 각 판스프링과 동심도를 일치시켜 제작하기가 용이할 뿐만 아니라, 상기 각 판스프링의 착탈이 용이하여 조립성이 향상되는 효과가 있다.
Patent KR-100358959-B1 (KR)
Inventor: PARK SEA HO
IPC: E06B7/21
Filed: 1998-10-02
Granted: 2003-01-15
Abstract: PURPOSE: A protector of a gate is provided to prevent injury of a hand in holding between the door and the door frame by installing the soft elastic protector in the opening portion of the sliding door or a hinge part of the door, and to shut off securely by removing the clearance. CONSTITUTION: A door(2) is installed, and opened or closed with turning by a hinge between both frames(1,101). A fixing protector(3) is mounted at the side of the door, and two protruded blades are installed in the end of the fixing protector. A couple of doors are installed symmetrically, and rotated by the hinge between both frames. The space is obtained between doors, and the soft protector made of silicone or urethane is combined with the end of the door by an assembling unit. A color safety display unit is formed in the protector. Injury of a hand is prevented in holding fingers between the door and the frame by installing the protector.
Patent KR-100278362-B1 (KR)
Title: 인삼 정과의 제조방법
IPC: A23L19/00
Filed: 1998-10-26
Granted: 2001-01-15
Abstract: 인삼 정과를 제조하는 과정 중에 인삼을 냉동시키는 과정을 포함시킴으로써 인삼의 냉동에 따른 인삼 조직간에 결이 넓어지게 되어 이를 통해 과당이 잘 스며들게 되어 정과의 부피가 줄지 않게 되며, 동시에 과당이 많이 들어가고 색깔이 투명하고 맑아지게 되어 인삼 정과의 품질을 향상시킬 수 있도록 하는 인삼 정과의 제조방법을 제공하는 것으로, 인삼을 세척후 외피막을 제거하는 단계, 외피막을 벗긴 인삼을 인삼 조직간에 결을 넓히기 위해 -5∼-20℃에서 약 6시간 냉동시키는 단계, 냉동한 인삼을 설탕과 물을 1:1비중으로 녹인 물에 넣고 약 94℃에서 약 40분간 삶는 단계, 상기 단계에서 삶아진 인삼을 바로 엿물에 넣고 약 70℃에서 2∼3일 동안 조려 인삼 조직에 과당이 스며들게 하여 인삼 정과를 완성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 한다.
Patent KR-100333541-B1 (KR)
Title: 반도체소자의제조방법
IPC: H01L21/28
Filed: 1998-10-28
Granted: 2002-10-25
Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 비트라인을 소자분리 영역 형성시에 같이 형성함으로써 폴디드 비트라인 (Folded Bitline) 구조를 만들어 소자의 제조공정 단계를 줄일 수 있고, 또한 전체적인 단차를 낮춰 후속 공정의 난이도를 줄임으로써 반도체 소자의 제조공정 수율을 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 제조방법에 관한 것이다.
Patent KR-100279838-B1 (KR)
Title: 극성 작용기를 갖는 폴리파라페닐렌비닐렌과 이를 이용한 다층자기 조립 박막
IPC: C07C59/68
Filed: 1998-10-29
Granted: 2001-02-01
Abstract: 본 발명은 극성 작용기, 특히, 카르복실기를 갖는 폴리파라페닐렌 비닐렌 단량체 화합물, 그것의 중합체(PPV) 또는 공중합체, 이를 이용한 자기 조립 박막에 관한 것이다. 
     극성 작용기가 치환된 벤젠 고리화합물에 포름알데히드와 할로겐 산을 반응시켜 할로메틸기가 치환된 상기 폴리파라페닐렌 비닐렌 단량체를 합성한 후, 이 단량체를 t-부톡시 알칼리 금속염과 반응시켜 중합체를 얻거나, 또는 할로메틸기가 치환된 상기 단량체를 테트라하이드로 티오펜과 반응시켜 술포늄염이 치환된 단량체를 합성 후 염기 및 산촉매 하에서 반응시켜 중합체를 얻었다. 
     이렇게 얻은 극성 작용기, 특히, 카르복실기가 치환된 PPV를 자기 조립 기술을 이용하여 다층의 분자 박막을 제조하게 되는 바, 본 발명에 의하여 제조된 PPV 다층 고분자 박막은 전기발광 소자, 광에너지 변환소자, 비선형 광학 소자 등에 유용하다.
Patent KR-100288477-B1 (KR)
Title: 디브이씨알의 고밀도 전송 스트림 기록 및 재생 장치
IPC: G11B20/00
Filed: 1998-11-12
Granted: 2001-05-02
Abstract: 본 발명은 디브이씨알에 있어서, 타임 스템프를 이용하여 표준 밀도 DVCR의 기록 및 재생 장치로 고밀도 전송 스트림을 기록 및 재생하기 위한 고밀도 전송 스트림 기록 및 재생 장치에 관한 것이다. 
     본 발명은 기록을 위한 고밀도 전송 스트림을 각각의 트랙에 동시에 기록 및 재생하기 위한 다수개의 헤드(10, 11), 기록 및 재생시 코딩 및 디코딩을 수행하는 다수개의 표준 밀도 전송 스트림 코덱(CODEC)(400, 410), 기록 및 재생시 입력되는 고밀도 전송 스트림을 교변하여 저장하는 다수개의 FIFO 메모리(300, 310), 기록시 패킷 단위로 전송되는 고밀도 전송 스트림에 각 패킷 간의 시간 간격을 나타내기 위한 타임 스템프를 첨가하는 타임 스템프 첨가부(100), 상기 다수개의 표준 밀도 전송 스트림 코덱(CODEC)(400, 410)으로부터 출력되는 재생 고밀도 전송 스트림으로부터 타임 스템프를 검출하는 타임 스템프 검출부(500), 기록시 상기 타임 스템프 첨가부(100)에서 첨가된 타임 스템프와 드럼의 회전 주기를 나타내는 스위칭 펄스 신호(SWP)에 따라 상기 고밀도 전송 스트림을 상기  다수개의 FIFO 메모리(110, 120)에 각각 교번하여 쓰고 재생시 상기 타임스템프 검출부(500)에서 검출된 타임 스템프와 상기 스위칭 펄스 신호에 따라 상기 다수개의 FIFO 메모리(110, 120)에 저장된 고밀도 전송 스트림을 순차적으로 읽도록 제어하는 메모리 제어 신호(CA, CB)를 출력하는 FIFO 제어기(100)로 구성된다.
Patent KR-100591020-B1 (KR)
Title: 디지털 비디오 수신기, 조건적 액세스 모듈 및 디지털 비디오 수신기 동작 방법
IPC: H04N5/00
Filed: 1998-12-08
Granted: 2006-11-30
Abstract: 본 발명은 디지털 비디오 수신기, 조건부 액세스 모듈, 및 이들 사이에 데이터를 전송하는 방법에 관한 것이며, 상기 디지털 비디오 수신기는 조건부 액세스 모듈에 접속하기 위한 멀티 라인 소켓을 가지며, 상기 소켓은 트랜스포트 스트림 데이터를 송수신하기 위한 미리 결정된 복수의 트랜스포트 스트림 라인들, 및 제어 데이터와 리소스/애플리케이션 데이터를 송수신하기 위한 미리 결정된 복수의 명령 인터페이스 라인들을 가지며, 상기 방법은 리소스/애플리케이션 데이터를 상기 복수의 트랜스포트 스트림 라인들을 통해 선택적으로 전송하는 단계를 포함한다.
Patent KR-100637005-B1 (KR)
Title: 정보방송방법,수신기및정보처리장치
IPC: H04N21/239
Filed: 1998-12-09
Granted: 2006-12-28
Abstract: 정보 방송 방법, 수신기 및 정보 처리 장치는 정보 센터와 정보 사이에서의 정보 전송의 안전성을 보장하는 것을 가능하게 한다.  정보 센터가 정보 터미널(9)에서 정보 센터(3,22)로 전송된 응답 신호(S30)의 내용을 확인 정보로서 전송할 때 수신기가 되는 정보 터미널에서만 확인 정보를 해독 가능하게 하는 방법으로 확인 정보를 암호화함으로써, 정보 센터와 정보 터미널 사이에 정보 전송의 안전성을 보장하는 것이 가능해진다.