baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent TW-I640363-B (TW)
Inventor: TORNIAINEN ERIK D
IPC: B01L3/00
Filed: 2017-04-12
Granted: 2018-11-11
Abstract: 在一實例實現方式中，一種微流體過濾的方法包括啟動在一微流體通道內的一第一流體泵用以致使一正向的流體流通過該微流體通道並通過一過濾器迴路的一過濾器。該過濾器迴路在一迴路入口處及一迴路出口處相交於該微流體通道。該方法包括啟動一第二流體泵，用以致使一反向的流體流通過該過濾器。
Patent TW-I689175-B (TW)
Title: 無線網路中之無線電共存
Inventor: ZHANG YUJIAN
IPC: H04B15/02
Filed: 2013-05-06
Granted: 2020-03-21
Abstract: 揭露一種減少多重無線電裝置中之共存干擾的技術。一種方法包含施加間斷接收(DRX)至具有複數個無線電收發器的使用者裝置(UE)。DRX可包括針對該UE之長DRX循環。針對長DRX循環可提供2毫秒(ms)、5ms、及8ms循環起始偏移週期之一，以減少該UE中之該些複數個無線電收發器之間的共存干擾。選擇循環起始偏移週期來提供至少一個混合自動重複請求(HARQ)程序保留型樣以減少該UE的該些複數個無線電收發器之間的共存干擾。
Patent TW-I732862-B (TW)
Title: 撥液劑組成物、其製造方法及耐油紙之製造方法
Inventor: KAWANA JUNSUKE
IPC: C08F220/24
Filed: 2017-04-27
Granted: 2021-07-11
Abstract: 本發明提供一種可獲得撥液性優異之加工物品、穩定性佳且無源自氨或有機胺之臭氣等問題的撥液劑組成物、其製造方法及耐油紙之製造方法。 一種撥液劑組成物，含有共聚物(A)、鹼金屬離子及水性介質，前述共聚物(A)具有以R F 
-Q-X-C(O)C(R)=CH 2 
(R F 
：碳數4~6之全氟烷基、Q：不具氟原子之2價烴基、X：-O-或NH-、R：氫原子、甲基或氯原子)所示單體(a)為主體之構成單元及以具有陰離子性基之單體(b)為主體之構成單元；共聚物(A)之質量平均分子量為84000以下；陰離子性基之至少一部分相對離子為鹼金屬離子；相對於陰離子性基，撥液劑組成物中之鹼金屬離子的莫耳比為0.6~1.29。
Patent TW-I733805-B (TW)
Title: 液晶顯示元件用密封劑、上下導通材料及液晶顯示元件
Inventor: MATSUI CHIKAE
IPC: C08G59/24
Filed: 2017-05-17
Granted: 2021-07-21
Abstract: 本發明之目的在於提供一種接著性優異、液晶污染性較低、且可獲得顯示性能優異之液晶顯示元件的液晶顯示元件用密封劑。又，本發明之目的在於提供一種使用該液晶顯示元件用密封劑而成之上下導通材料及液晶顯示元件。  
     本發明係一種液晶顯示元件用密封劑，其含有硬化性樹脂與聚合起始劑及/或熱硬化劑者，且上述硬化性樹脂含有下述式(1)所表示之化合物、及1分子中具有2個以上環氧基之化合物，硬化性樹脂100重量份中，1分子中具有2個以上環氧基之化合物的含量為5重量份以上且25重量份以下，且硬化物對玻璃基板之接著強度為290N/cm 2 以上。  
     式(1)中，R 1 表示氫原子或甲基，R 2 表示下述式(2-1)或(2-2)所表示之基，R 3 表示來自酸酐之結構，R 4 表示來自環氧化合物之結構，X表示內酯之開環結構，n表示1~6之整數，a表示1~4之整數。  
     式(2-1)中，*表示鍵結位置。  
     式(2-2)中，b表示0~8之整數，c表示0~3之整數，d表示0~8之整數，e表示0~8之整數，b、c、d中任一者為1以上，*表示鍵結位置。
Patent TW-I635505-B (TW)
Inventor: HONG CHI-HAO
IPC: G11C7/06
Filed: 2017-05-25
Granted: 2018-09-11
Abstract: 本發明提供一種預處理電路及相關感測電路。該預處理電路包含：預充電電路，預充電資料線來調整資料線處的資料線電壓，其中資料線耦接到記憶體裝置；以及鉗位電路，當資料線電壓預充電到賦能鉗位電路的鉗位功能的位準時，鉗位資料線電壓來產生鉗位資料線電壓，其中鉗位資料線電壓比預處理電路的供電電壓低，鉗位電路包含：回饋電路，根據資料線處的資料線電壓回饋一控制電壓，且當資料線電壓被鉗位時降低其直流漏電，其中鉗位電路的鉗位功能由控制電壓控制。
Patent TW-I640278-B (TW)
Title: Combination structure between the seat cushion body and the chassis
Inventor: LIN YU-HONG
IPC: A47C7/02
Filed: 2017-05-26
Granted: 2018-11-11
Abstract: 一種椅之坐墊體與底盤之間的結合構造，是該坐墊體的底面凹設一容置空間，並在該容置空間內的相對兩側面設有對應而具有導入口的L形前、後導槽，另坐墊體與椅腳連結的底盤裝置之頂端的底盤，其兩側凸設有可由該導入口滑入前、後導槽內的前、後嵌滑部，並令該容置空間的底面中間處浮設一可彈性沒平的抵止部，讓底盤沿著前、後導槽移動至預定位置處後，令抵止部彈起而可抵止於底盤的前端，讓底盤不會再由前、後導槽中滑脫出來，如此完成底盤與坐墊體之間的簡易組裝作業；同時更在底盤上設有連續的定位齒，且在對應處的容置空間內之底面上設有可供控制伸縮的定位爪，令坐墊體前後滑動而使定位爪嚙合入不同位置的定位齒上，進而讓坐墊體可做前後不同位置的調整與定位。
Patent TW-I675276-B (TW)
Title: 變動式偏壓電源裝置及電壓產生電路
Inventor: Wu zhao-cheng
IPC: G09G3/20
Filed: 2017-05-31
Granted: 2019-10-21
Abstract: 一種電壓產生電路包含至少三個供電端、一控制模組、一電壓轉換模組。至少三個供電端分成一用於提供不同的一第一供電電壓的第一組供電端和一用於提供不同的一第二供電電壓的第二組供電端。控制模組用以根據該輸出電壓的期望值產生一選擇信號。電壓轉換模組根據一選擇信號選擇性地與該第一組供電端中的一個相連以接收所對應的第一供電電壓，和第二組供電端中的一個相連以接收所對應的該第二供電電壓，並根據接收到的該第一供電電壓和該第二供電電壓產生該輸出電壓。所達成功效能夠在保證輸出電壓的可調範圍不變的前提下，提高轉換效率並降低系統功耗。
Patent TW-I664725-B (TW)
Inventor: OH JAE-YOUNG
IPC: G06F3/041
Filed: 2017-07-05
Granted: 2019-07-01
Abstract: 一種具有觸摸感測器的有機發光顯示器及其製造方法，可以達到流程簡化以及成本降低。有機發光顯示器包含多個設置於用以覆蓋發光元件的封裝單元上的觸摸電極，觸摸電極透過低溫沉積處理形成，因此具有非晶質特性以便防止在形成觸摸電極期間對有機發光層的損害，且觸摸電極設置於封裝單元而無單獨的附著步驟，因此可以簡化整體流程並降低製造成本。
Patent TW-I643032-B (TW)
Inventor: VAN DER SCHAAR MAURITS
IPC: G03F7/20
Filed: 2017-07-12
Granted: 2018-12-01
Abstract: 本發明描述用於提供一微影特性或度量衡參數之一準確及穩固量測的方法及裝置。該方法包括：提供用於一度量衡目標之複數個度量衡參數中之每一者的一值範圍或複數個值；提供對該複數個度量衡參數中之每一者之一約束；及藉由一處理器進行計算以最佳化/修改該複數個值之該範圍內的此等參數，從而產生度量衡參數滿足該等約束的複數個度量衡目標設計。
Patent TW-I718320-B (TW)
Inventor: CHUANG HARRY-HAK-LAY
IPC: H01L21/8239
Filed: 2017-07-19
Granted: 2021-02-11
Abstract: 本揭露係關於一種製造一記憶體裝置之方法。該方法藉由在一基板上方形成一層間介電(ILD)層且在該ILD層上方之一介電保護層內形成一開口而執行。在該開口內及該介電保護層上方形成一底部電極層。對該底部電極層執行一化學機械平坦化(CMP)製程以形成一底部電極結構，該底部電極結構具有一平坦上表面及從該底部電極結構之一下表面向外突出至該開口內之一凸出部。在該底部電極結構上方形成一記憶體元件且在該記憶體元件上方形成一頂部電極。
Patent TW-I632377-B (TW)
Inventor: KIKUTA MAKOTO
IPC: G01R31/02
Filed: 2017-07-31
Granted: 2018-08-11
Abstract: 本發明之探測針卡(100)係對具有複數個焊墊(51)之工件(50)進行檢查。探測針卡(100)係具備：平面狀之二次電池(10)，具備平面狀之平面電極(22)，平面電極(22)以與工件(50)對向之方式配置；以及電性連接體(30)，配置於工件(50)與二次電池(10)之間。二次電池(10)係具有自平面電極(22)之任意處抽出配線之構造。電性連接體(30)係具有朝向對向之焊墊(51)突出之複數個接觸件(31)，經由複數個接觸件(31)將複數個焊墊(51)與平面電極(22)電性連接。
Patent TW-I730156-B (TW)
Title: 薄膜狀無機氧化物之製造方法
Inventor: ODA TSUYOSHI
IPC: B01J14/00
Filed: 2017-08-09
Granted: 2021-06-11
Abstract: 本發明之薄膜狀無機氧化物之製造方法具有如下步驟：使第1液與第2液接觸之步驟，該第1液含有無機氧化物前驅物，該第2液含有會與上述第1液之上述無機氧化物前驅物反應而形成由上述無機氧化物前驅物衍生之無機氧化物的物質。以連續操作進行上述步驟。上述第1及第2液中之至少一者含有離子性液體。
Patent TW-I735634-B (TW)
Title: Anti-backout latch for interconnect system
Inventor: BETTMAN R BRAD
IPC: G02B6/42
Filed: 2017-08-15
Granted: 2021-08-11
Abstract: An interconnect system includes various anti- -backout latches that are movable between an engaged position and a disengaged position. When in the engaged position, the anti-backout latches can be configured to prevent an interconnect module, such as an optical transceiver, from becoming unmated from a host module. When in the disengaged position, the anti-backout latches permit the interconnect module to become unmated from a host module. Securement members are also disclosed that secure a heat sink to a module housing of the interconnect module.
Patent TW-I617917-B (TW)
Inventor: KE KUAN YU
IPC: G06F12/02
Filed: 2017-08-28
Granted: 2018-03-11
Abstract: 一種資料儲存裝置，具有一快閃記憶體、一控制器以及一隨機存取記憶體。快閃記憶體包括複數個儲存矩陣，並且儲存矩陣之每一者包括複數個區塊。每一儲存矩陣之一部分區塊組合成一超級區塊，使得快閃記憶體包括複數個超級區塊。控制器耦接快閃記憶體，用以當超級區塊中的至少一第一超級區塊中的一第一區塊發生損毀，並且超級區塊中的一第二超級區塊中對應損毀區塊之位置之一第二區塊為正常時，控制器將第二超級區塊之第二區塊合併到第一超級區塊以取代第一區塊。隨機存取記憶體，儲存一壓縮表格用以紀錄第一區塊於第一超級區塊中之位置資訊以及第二區塊之編號資訊。
Patent TW-I775771-B (TW)
Title: Method, computer readable memory, and system for soc with optimal rsma
Inventor: MARTIROSYAN SUREN
IPC: G11C29/12
Filed: 2017-08-28
Granted: 2022-09-01
Abstract: A method for determining redundancy usage rate from a group of memory parameters and a memory yield of a System on a Chip (SoC), using the probabilistic redundancy usage rate and using that rate to calculate an optimal RSMA size. An SoC is then fabricated with the optimal RSMA size.
Patent TW-I646446-B (TW)
Inventor: HSIEH YI-TE
IPC: G06F3/02
Filed: 2017-09-19
Granted: 2019-01-01
Abstract: 本發明提供一種電腦系統及其按鍵模式之切換方法。電腦系統連接包括輔助鍵及數個非輔助鍵的輸入裝置。此電腦系統設定有對應於那些非輔助鍵的兩按鍵模式，且當輔助鍵結合那些非輔助鍵之按壓時，電腦系統由那兩按鍵模式中的一者切換至另一者。此按鍵模式之切換方法包括下列步驟。偵測當前使用的前景程式。取得前景程式的模式偏好設定，此模式偏好設定記錄那兩按鍵模式中的一者。依據模式偏好設定將那些非輔助鍵設定為那兩按鍵模式中的一者。統計此前景程式分別在那兩按鍵模式的使用次數，以更新那模式偏好設定。藉此，可增加使用者使用鍵盤的便利性。
Patent TW-I659005-B (TW)
Inventor: TOBO HIROYUKI
IPC: C04B5/00
Filed: 2014-08-18
Granted: 2019-05-11
Abstract: 提供一種可成為品質優良的混凝土用粗骨材的原料的凝固熔渣的製造方法、由該凝固熔渣的製造方法製造的凝固熔渣、使用該凝固熔渣的混凝土用粗骨材的製造方法、及藉由該混凝土用粗骨材的製造方法製造的混凝土用粗骨材。本發明的凝固熔渣的製造方法包括：熔渣凝固步驟，將熔融狀態的高爐熔渣流入至移動的金屬製的鑄模中進行冷卻，在鑄模內以成為板狀的方式使其凝固；熔渣落下步驟，將鑄模反轉而使在鑄模內已凝固至內部為止的熔渣從鑄模落下；及熔渣溫度保持步驟，將落下的熔渣的熔渣表面的一部分或整個面的表面溫度以900℃以上保持5分鐘以上。
Patent TW-I639813-B (TW)
Inventor: ZHOU CHEN
IPC: G05D1/02
Filed: 2017-10-13
Granted: 2018-11-01
Abstract: 一種機器人的路徑規劃系統及方法，該方法包括：機器人的路徑規劃系統在預先確定的區域地圖中可供機器人移動的路徑上，預先選擇一個或多個位置點作為基準定位點；若接收到將該機器人從第一位置點移動到第二位置點的指令後，根據基準定位點並按照預先確定的路徑分析規則，分析從該第一位置點到該第二位置點的路徑，並依分析出的路徑控制該機器人運動到該第二位置點。無需機器人在路徑規劃時即時計算移動路徑，而是依事先規劃好的路徑中進行對應選擇，即將路徑規劃的過程從“計算”轉變為“選擇”，有效減少即時計算量，提高路徑規劃的效率。
Patent TW-I637464-B (TW)
Inventor: LIU MING CHYI
IPC: H01L21/60
Filed: 2017-10-18
Granted: 2018-10-01
Abstract: 本發明實施例提供一種半導體晶片之形成方法，包括：提供矽承載晶圓，其具有第一面及第二面，其中磊晶III-V族半導體區及氧化區係設置在第一面上，且磊晶III-V族半導體區及氧化區具有從矽承載晶圓之第一面量起大抵相同之高度，磊晶III-V族半導體區側壁接觸氧化區側壁；在磊晶III-V族半導體區及氧化區頂表面形成共晶接合層；接合互補式金氧半晶圓至共晶接合層；隨後去除矽承載晶圓；單粒化互補式金氧半晶圓以形成三維積體電路，其皆包含互補式金氧半基板及III-V族光學裝置，互補式金氧半基板及III-V族光學裝置分別對應互補式金氧半晶圓及III-V族光學裝置之一部分。
Patent TW-I640748-B (TW)
Inventor: CHOU CHIN TE
IPC: G01N21/958
Filed: 2017-10-26
Granted: 2018-11-11
Abstract: 一種玻璃檢測方法，用以解決以硬體控制鏡頭對焦的雷射檢測儀器，無法對玻璃斷面檢測之問題。係包含：一第一檢測元件的鏡頭自動對焦於一玻璃之表面的切割處以產生一表面影像，該第一檢測元件以硬體的方式控制鏡頭自動對焦；一第二檢測元件的鏡頭對焦於該玻璃之斷面的切割處，並將該第二檢測元件的鏡頭移動至最前端；該第二檢測元件對該玻璃之斷面的切割處進行拍攝以產生一斷面影像；一自動對焦法分析該斷面影像是否位於一景深當中，若分析結果為是，一缺陷檢測法對該表面及斷面影像進行檢測，檢測該玻璃之表面及斷面的切割處是否存在缺陷。
Patent TW-I681147-B (TW)
Title: 光波長轉換構件及發光裝置
Inventor: MOTEKI JUN
IPC: F21Y115/10
Filed: 2017-10-27
Granted: 2020-01-01
Abstract: 提供能夠兼顧高螢光強度和高色均質性的光波長轉換構件及發光裝置。發光裝置1具備容器3、發光元件5和光波長轉換構件9。光波長轉換構件9係由以Al 2 O 3 結晶粒子和化學式A 3 B 5 O 12 ：Ce所表示的成分的結晶粒子作為主要成分的多結晶體的陶瓷燒結體所構成的光波長轉換構件(9)。詳言之，A 3 B 5 O 12 中的A和B係從下述元素群組所選出的至少一種元素，且前述Ce之元素分布在陶瓷燒結體的各結晶粒子內與結晶粒界的同時，分布在各結晶粒子內與結晶粒界的前述Ce之元素係結晶粒界的濃度比各結晶粒子內的濃度高。A：Sc、Y、鑭系(不包括Ce)B：Al、Ga。
Patent TW-I646215-B (TW)
Inventor: TAN CHER-MING
IPC: C23C18/34
Filed: 2017-11-03
Granted: 2019-01-01
Abstract: 本發明提供一種無電極電鍍金屬的裝置，包括一個空的化學容器，在化學容器盛裝之一硫酸銅溶液，以及在浸漬在硫酸銅溶液中之一具有石墨烯外層的銅箔，石墨烯係作為唯一之還原劑之用。而本發明之無電極電鍍金屬的方法，係先提供硫酸銅溶液於一個空的化學容器內，提供具有一層石墨烯層的銅箔，使該具有石墨烯層的銅箔浸漬在該硫酸銅溶液中，以進行無電極電鍍反應。
Patent TW-I766897-B (TW)
Title: An apparatus for treating a microelectronic substrate and method thereof
Inventor: INHOFER WILLIAM P
IPC: B08B3/00
Filed: 2017-11-08
Granted: 2022-06-11
Abstract: Cleaning systems and methods for semiconductor fabrication use rotatable and optionally translatable chuck assemblies that incorporate magnetic levitation and rotation functionality to cause chuck rotation. The rotating chuck components do not physically contact other chuck components when levitated and rotating. This eliminates corresponding components whose friction or lubricants might generate contamination. The low friction chuck functionality of the present invention is useful in any fabrication tool in which a workpiece is supported on a rotating support during a 
treatment. The chuck is particularly useful in cryogenic cleaning treatments. By avoiding the use of lubricants for this rotating interface, process chambers can be evacuated and/or vented up to higher pressures much faster. This significantly reduces cycle time for cryogenic treatments.
Patent TW-I649458-B (TW)
Inventor: LU CHUN-FU
IPC: C25D17/12
Filed: 2017-11-22
Granted: 2019-02-01
Abstract: 電鍍設備包括電解槽及立體式陽極組。立體式陽極組配置在電解槽內且包括第一陽極及第二陽極。第一陽極沿第一方向延伸。第二陽極沿第一方向延伸，其中第一陽極與第二陽極沿第二方向排列且彼此間隔，其中第一方向與第二方向實質上垂直。
Patent TW-I757381-B (TW)
Title: Etching composition
Inventor: LEE HYO SUN
IPC: C09K13/04
Filed: 2017-11-29
Granted: 2022-03-11
Abstract: An etching composition selectively removes a titanium nitride film from a stacked conductive film structure including a titanium nitride (TiN) film and a tantalum nitride (TaN) film. The etching composition configured to etch titanium nitride (TiN) includes 5 wt% to 30 wt% of hydrogen peroxide, 15 wt% to 50 wt% of acid compound, and 0.001 wt% to 5 wt% of corrosion inhibitor, with respect to a total weight of the etching composition, wherein the acid compound includes at least one of phosphoric acid (H 3 
PO 4 
), nitric acid (HNO 3 
), hydrochloric acid (HCl), hydroiodic acid (HI), hydrobromic acid (HBr), perchloric acid (HClO 4 
), silicic acid (H 2 
SiO 3 
), boric acid (H 3 
BO 3 
), acetic acid (CH 3 
COOH), propionic acid (C 2 
H 5 
COOH), lactic acid (CH 3 
CH(OH)COOH), and glycolic acid (HOCH 2 
COOH).
Patent TW-I640738-B (TW)
Title: Cooling water drain structure
Inventor: LAN WEN-JI
IPC: F28D1/06
Filed: 2017-12-04
Granted: 2018-11-11
Abstract: 一種散熱水排結構包括一容液板體組及一第一擾流組，該容液板體組包含一第一容液板體及一第二容液板體，該第一容液板體具有一第一液體腔室連通至少一進口，一工作液體通過該至少一進口流入該第一液體腔室，該第二容液板體具有一第二液體腔室連通至少一出口，至少一連通管連通該第一液體腔室及該第二液體腔室，該第一擾流組選擇設置在該第一、二液體腔室其中一者內。
Patent TW-I761428-B (TW)
Title: A system and a computer-implemented method for machine-to-machine authentication of an apparatus
Inventor: PEREZ VILLAR VICTOR
IPC: G06F21/60
Filed: 2018-01-17
Granted: 2022-04-21
Abstract: A system and a method of authentication to improve security communication between machines are disclosed. The system includes a retrieving unit (120) that identifies a critical component (102) of an apparatus (110) in response to an authentication request for the apparatus (110) and retrieves authentication information for the critical component (102) comprising expected physical and digital signatures for the critical component (102) and one or more associated additional components (104). An acquiring unit (160) that acquires present signatures for the components (102,104). A checking unit (180) that checks validity of each present 
signature with the corresponding expected signature, in order to authenticate the apparatus (110).
Patent TW-I657945-B (TW)
Title: 機車事故偵測通知方法
Inventor: LIN DONG-MIN
IPC: G08B21/00
Filed: 2018-01-26
Granted: 2019-05-01
Abstract: 一種機車事故偵測通知方法，係使用包含儀表系統與傾倒感知器之機車以及無線通訊裝置，無線通訊裝置可為該機車駕駛人攜帶之可攜式無線通訊裝置或是機車內建的無線通訊裝置，在機車與無線通訊裝置啟動狀態下執行：由儀表系統持續取得與記錄機車之車速值與當時的時間資料；偵測機車是否傾倒，並當傾倒感知器偵測到機車傾倒時發出傾倒信號，儀表系統依據產生傾倒信號前、後的機車車速值之數值差判斷機車行車狀態，當判斷屬應通報事故時並執行儀表系統對無線通訊裝置發出一事故信號，再由無線通訊裝置對緊急連絡人的可攜式無線通訊裝置發送包含衛星定位座標的事故通報訊息，藉以在發生事故時，緊急連絡人立即收到通知而能連絡警方，對該機車駕駛人施以救援。
Patent TW-I762572-B (TW)
Title: Vented safety cabinet with thermally-actuated damper
Inventor: CARTER GLEN A
IPC: A47B96/00
Filed: 2018-02-05
Granted: 2022-05-01
Abstract: A safety cabinet includes an enclosure and at least one door to selectively seal the enclosure. The safety cabinet can be used to store, for example, flammable liquids, flammable waste, corrosives, pesticides, or combustible waste. The safety cabinet incorporates a thermally-actuated damper that includes a body, a valve plate, and a pivot assembly. The valve plate is disposed within the passage of the body such that the valve plate is movable between an open position and a closed position. The pivot assembly includes a biasing system adapted to bias the valve plate to the closed position and a fusible link interconnected between the body and the biasing system to constrain the valve plate from moving from the open position to the closed position. The fusible link is configured to melt at a predetermined temperature to thereby allow the biasing system to move the valve plate to the closed position.
Patent TW-I681445-B (TW)
Inventor: AMBROSIUS NORBERT
IPC: H01L21/268
Filed: 2018-03-06
Granted: 2020-01-01
Abstract: 本發明係關於一種用於製造一技術遮罩(1)之方法，該技術遮罩由一板形基板(2)構成，該板形基板例如由玻璃、藍寶石或矽構成。藉助於雷射誘導之深蝕刻來製造該遮罩(1)之至少一個孔徑，其中該基板(2)至少對在該雷射誘導之深蝕刻期間所使用的雷射波長透明。出於此目的，詳言之出於分離閉合輪廓(3)的目的，藉由沿著預定義作業線(4)的雷射之脈衝來修改該基板(2)。作業線(4)的呈連接幅材之形式的局部中斷(所謂的斷裂突片)確保待分離之該些輪廓(3)甚至在用蝕刻溶液處理之後仍連接至該板形基板(2)。在後續步驟中，用一蝕刻溶液處理以此方式預處理之該板形基板(2)，該蝕刻溶液諸如氫氟酸(HF)或氫氧化鉀(KOH)，由於該處理，均質且各向同性地蝕刻該基板(2)之未經修改區域。經修改區域相對於該基板(2)之未經處理區域各向異性地起反應，使得首先，定向凹陷在經處理位置處形成，直至最後，該基板(2)之材料在此位置處完全溶解為止。
Patent TW-I666942-B (TW)
Inventor: MCPEAK JAMES L
IPC: H04R1/02
Filed: 2016-09-23
Granted: 2019-07-21
Abstract: 本發明提供一種用於一對耳塞之盒，其包括：一外殼，其具有用以收納該對耳塞之空腔；及充電電路系統，其經組態以在一耳塞偵測器偵測到該對耳塞插入該等空腔內時起始對該等耳塞之充電。
Patent TW-I646325-B (TW)
Title: 藥丸自動光學檢測裝置及檢測方法
Inventor: LIAO HSIEN-CHOU
IPC: G06K9/46
Filed: 2018-03-12
Granted: 2019-01-01
Abstract: 本發明係包括一待檢測藥丸供應部、一檢測移動部、一影像擷取部及一處理部。檢測移動部接收待檢測藥丸供應部供入之複數個待檢測藥丸，並進行傳送。影像擷取部對複數個待檢測藥丸擷取複數張工作影像；每一工作影像具有一檢測區域及一剔除區域。處理部配合內建之主樣板資料庫與子樣板資料庫，對移動至檢測區域之待檢測藥丸進行光學檢測。若檢測合格，則在通過剔除區域後集中至一合格藥丸容納部；若檢測不合格，則在通過剔除區域後，剔除至一不合格藥丸容納部。故，本案兼具母樣板及子樣板之雙重比對可降低失誤率，及自動光學比對可提高處理之效率等優點。
Patent TW-I797111-B (TW)
Inventor: GRICE CHERYL A
IPC: C07D401/12
Filed: 2018-03-13
Granted: 2023-04-01
Abstract: 本文提供適用作MAGL及/或FAAH之調節劑之化合物及包含該等化合物之醫藥組合物。該等標的化合物及組合物係可用於治療疼痛及神經性疾病。
Patent TW-I659163-B (TW)
Title: 鐵道車輛用制動盤
Inventor: SHIRAISHI NOBUO
IPC: F16D65/12
Filed: 2018-03-23
Granted: 2019-05-11
Abstract: 制動盤(10)係具備：在表面具有滑動部之盤板部(10a)、以及從盤板部的表面貫穿到背面而讓用於將盤板部和鐵道車輛的車輪緊固之螺栓通過之貫穿孔(12)，在盤板部的表面側之貫穿孔的開口部之緣部設有傾斜面，傾斜面是比起盤板部的半徑方向更朝向盤板部的周方向較大地擴展。
Patent TW-I758450-B (TW)
Title: 黏著片及積層體的製造方法
Inventor: NAKAYAMA HIDEKAZU
IPC: C09J201/02
Filed: 2018-03-28
Granted: 2022-03-21
Abstract: 本發明為將含有樹脂（S）的樹脂層、含有分子黏著劑的分子黏著劑層、以及保護膜依照此順序直接積層所得到的黏著片、以及使用此黏著片之積層體的製造方法。前述分子黏著劑具有選自由氨基、疊氮基、巰基、異氰酸酯基、脲基和環氧基所組成的群組中至少1種的反應性基團（Zα）、和選自由矽烷醇基和藉由水解反應形成矽烷醇基的基團所組成的群組中至少1種的反應性基團（Zβ），其中前述樹脂（S）具有能夠與前述分子黏著劑的反應性基團（Zα）形成化學鍵的反應性部分結構（Zγ），且前述保護膜具有在接觸分子黏著劑層的一側的表面上存在至少1個以上的凸部之壓紋表面。根據本發明，提供了具有樹脂層、分子黏著劑層及保護膜且與被黏著物的黏著性優良之黏著片、以及使用此黏著片之積層體的製造方法。
Patent TW-I656531-B (TW)
Title: 平均磨損方法、記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置
Inventor: TAN KOK-YONG
IPC: G11C16/14
Filed: 2018-04-11
Granted: 2019-04-11
Abstract: 一種用於可複寫式非揮發性記憶體模組的平均磨損方法、記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置。可複寫式非揮發性記憶體模組包括多個實體抹除單元。此方法包括：記錄該些實體抹除單元的每一個實體抹除單元的操作值；記錄該些實體抹除單元的每一個實體抹除單元的使用時態值；以及根據該些實體抹除單元的操作值及該些實體抹除單元的使用時態值從該些實體抹除單元之中選擇出第一實體抹除單元與第二實體抹除單元且將儲存於第一實體抹除單元的有效資料複製到第二實體抹除單元中。
Patent TW-I762622-B (TW)
Inventor: KAWASHIMA YOSHIYUKI
IPC: H01L27/11517
Filed: 2018-04-19
Granted: 2022-05-01
Abstract: This invention is to improve a performance of a semiconductor device. The semiconductor device includes a semiconductor substrate, a p-type well region formed in the semiconductor substrate, a first insulating layer formed over the p-type well region, a semiconductor layer formed over the first insulating layer, a second insulating layer formed over the semiconductor layer, and a conductor layer formed over the second insulating layer. A first capacitive element is comprised of the semiconductor layer, the second insulating layer, and the conductor layer, while a second capacitive element is comprised of the p-type well region, the first insulating layer, and the semiconductor layer, in which each of the semiconductor substrate and the semiconductor layer includes a single crystal silicon layer.
Patent TW-I805586-B (TW)
Title: 可交聯組合物、製品以及導電方法
Inventor: Gou qian
IPC: C08F210/02
Filed: 2018-05-31
Granted: 2023-06-21
Abstract: 乙烯(E)與甲氧基聚乙二醇甲基丙烯酸酯(MPEGMA)之共聚產生共聚物共E-MPEGMA。此等共聚物不同於聚乙烯，例如接枝有MPEGMA之低密度聚乙烯(LDPE)，亦即g-E-MPEGMA，且適用於中等、高及超高電壓電纜之絕緣鞘之製備。此類電纜展現優良水樹阻滯。
Patent TW-I734917-B (TW)
Inventor: CHEN WILLIAM T
IPC: H01L23/538
Filed: 2018-06-06
Granted: 2021-08-01
Abstract: 一種半導體裝置封裝，其包括一底部電子裝置、一中介層模組、一頂部電子裝置及一雙面重佈層(RDL)結構。中介層模組包含複數個導電通孔。頂部電子裝置具有一主動面且設置於底部電子裝置之上及中介層模組之上。雙面RDL結構係設置於底部電子裝置與頂部電子裝置之間。底部電子裝置之主動面朝向雙面RDL結構。頂部電子裝置之主動面朝向雙面RDL結構。雙面RDL結構將底部電子裝置之主動面電連接至頂部電子裝置之主動面。雙面RDL結構將頂部電子裝置之主動面電連接至中介層模組。
Patent TW-I696076-B (TW)
Title: Command processing method and storage controller
Inventor: CHEN TSAN-LIN
IPC: G06F9/30
Filed: 2018-06-08
Granted: 2020-06-11
Abstract: A command processing method and a storage controller are provided. The command processing method is adapted for the storage controller. The storage controller includes a processor and peripheries. The command processing method includes: disposing a first command buffer and a second command buffer in the processor; disposing a synchronizer in the storage controller, the synchronizer changing a value of a flag in a predetermined time interval to set the first command buffer or the second command buffer to valid; and when the first command buffer is valid and the processor issues a command, the processor temporarily storing the command in the first command buffer and one of the peripheries accesses the command in the first command buffer to executes a corresponding operation.
Patent TW-I810191-B (TW)
Title: Hybrid fluid-flow assembly, related assembly kit and method of making the assembly
Inventor: FRITSKEY JOHN F
IPC: F16L9/19
Filed: 2018-06-19
Granted: 2023-08-01
Abstract: A hybrid fluid-flow assembly having a base fluid-flow fitting that has been formed by axial load bulge forming from a sheet of metal, and a custom fluid-flow fitting that has been machined from a shaped-memory alloy. The input port of the custom fluid-flow fitting is connected to the output port of the base fluid-flow fitting by an interference fit. The interference fit may be formed by cooling the custom fluid-flow fitting to a temperature below its transition temperature, deforming the custom fluid-flow fitting so that the diameter of an inlet port is slightly larger than an output port on the base fluid-flow fitting, installing the input port of the custom fluid-flow fitting on the output port of the base fluid-flow fitting, and allowing the custom fluid-flow fitting to warm to room temperature. The shaped-memory alloy swages and coins the outer surface of the base fluid-flow fitting at the interface of the ports, thereby forming a compressive, interference fit.
Patent TW-I770246-B (TW)
Inventor: CHUNG CHENG HO
IPC: A61K31/4709
Filed: 2018-08-01
Granted: 2022-07-11
Abstract: 本揭露提供一種如式(I)所示之化合物或其藥學上可接受之鹽類：
     
其中，L、R 3 、R 4 、Y、Z 1 、Z 2 、及Z 3 如說明書之定義。本揭露亦提供一種以式(I)之化合物或其鹽類治療癌症之方法，以及包含其之醫藥組成物。
Patent TW-I679281-B (TW)
Inventor: LEE GWO BIN
IPC: G01N33/569
Filed: 2018-08-22
Granted: 2019-12-11
Abstract: 本發明提供一種用於檢測一樣品中活的結核桿菌之方法。本發明的方法可快速檢測結核桿菌並鑑定出活的結核桿菌、大幅降低所需要的試劑與生物樣品，並且簡化實驗流程及時間。
Patent TW-I791603-B (TW)
Title: 延伸性耐擦傷性之塗布用硬化性組成物
Inventor: HARAGUCHI MASAYUKI
IPC: C08J7/04
Filed: 2018-09-03
Granted: 2023-02-11
Abstract: 本發明提供一種具有延伸性及優良耐擦傷性，且呈現透明外觀的硬質塗布層之形成材料。
本發明係關於一種硬質塗布薄膜，其為具備含有(a)活性能量線硬化性內酯變性多官能單體100質量份、(b)於含有聚(氧基全氟伸烷基)基的分子鏈之兩末端上隔著胺基甲酸酯鍵具有活性能量線聚合性基的全氟聚醚(但，除於前述聚(氧基全氟伸烷基)基與前述胺基甲酸酯鍵之間具有聚(氧化伸烷基)基之全氟聚醚以外)0.1～10質量份，及(c)藉由活性能量線產生自由基之聚合起始劑1～20質量份的硬化性組成物，及藉由該組成物所形成的硬質塗布層之硬質塗布薄膜。
Patent TW-I678267-B (TW)
Inventor: CHEN PEI-HUA
IPC: B25G1/10
Filed: 2018-09-06
Granted: 2019-12-01
Abstract: 一種工具製造方法，其依序包含有備料、加工區段形成、塑型
準備、塑型加工等步驟；其中，該備料具備有一圓柱形之胚料；另，該加工區段形成步驟係將該胚料加工予以分段後，再接續該塑型準備步驟對該分段進行加工，以改變部份該分段之外徑尺寸；最後，該塑型加工步驟再將部份該分段塑型為具有對稱特徵之多邊形，如此工具成型過程中方式，可避免高含碳金屬材質於成型過程造成性質劣化，促使該工具於成型後還能保有最佳之機械性質，並且有效提升生產效率與降低生產成本。
Patent TW-I773832-B (TW)
Title: 袋狀容器
Inventor: WATANABE SAKI
IPC: B65D81/34
Filed: 2018-09-27
Granted: 2022-08-11
Abstract: 袋狀容器(1)，具備：底薄片(11)，其具有第1紙基材層(21)及吸收電磁波來發熱的發熱體層(23)；以及上薄片(12)，其收容加熱調理的內容物(100)而可與底薄片(11)剝離地接著於底薄片(11)，且讓電磁波穿透。
Patent TW-I697103-B (TW)
Inventor: Fan lu ming
IPC: H01L27/11551
Filed: 2018-11-01
Granted: 2020-06-21
Abstract: Embodiments of a method for forming a semiconductor structure including disposing an insulating layer on a substrate, disposing a first dielectric layer on the insulating layer, and forming a plurality of mandrel lines on the first dielectric layer. The method also includes forming one or more groups of discontinuous mandrel line pairs with a first mask, wherein each of the one or more groups includes 2N numbers of discontinuous mandrel line pairs, and N numbers of intersections of space lines and a space channel, wherein N is a whole number. The method further includes disposing a second dielectric layer on the mandrel lines and the discontinuous mandrel line 
pairs, and forming dielectric spacers on sidewalls of the mandrel lines and the discontinuous mandrel line pairs. The method further includes removing the mandrel lines and the discontinuous mandrel line pairs to form spacer masks, forming one or more groups of blocked regions using a second mask, and forming openings extended through the first dielectric layer with a conjunction of the spacer masks and the second mask. The method also includes removing the spacer masks and the second mask to expose the top surfaces of the first dielectric layer, disposing an objective material in the openings, and forming objective lines with top surfaces coplanar with the top surfaces of the first dielectric layer.
Patent TW-I673547-B (TW)
Inventor: LEE KUN-CHUI
IPC: H01L51/50
Filed: 2018-11-28
Granted: 2019-10-01
Abstract: 本發明為一種發光構件及其燈泡與燈具，該發光構件包含一基板、一或複數個發光單元、至少二個以上之凹部結構及至少一金屬線路。其中，該發光單元設置於該基板上；至少二個以上之該凹部結構係分別設置於該基板之側邊；該金屬線路係設置於該基板上，該金屬線路可電性連接該發光單元及該凹部結構。
Patent TW-I780275-B (TW)
Title: 氧化物膜形成用塗布劑、氧化物膜之製造方法及金屬鍍敷構造體之製造方法
Inventor: CORDONIER CHRISTOPHER
IPC: C01B13/14
Filed: 2018-12-10
Granted: 2022-10-11
Abstract: 本發明提供一種可提高塗布劑之穩定性，可容易地形成與基材之密接性較高且可鍍敷處理之氧化物膜的氧化物膜形成用塗布劑、以及氧化物膜及金屬鍍敷構造體之製造方法。
本發明之氧化物膜形成用塗布劑係液狀之塗布劑，且必須含有鈦原子，矽原子及銅原子之含有為任意，鈦原子及銅原子之合計與矽原子之比率為1：0～3：2。又，氧化物膜之製造方法具備將該塗布劑塗布於基材並進行加熱而形成氧化物膜之步驟。又，金屬鍍敷構造體之製造方法具有於該氧化物膜形成金屬膜之金屬膜形成步驟、及將金屬膜進行焙燒之焙燒步驟。
Patent TW-I686245-B (TW)
Inventor: WU PING-YAO
IPC: B05C5/02
Filed: 2019-01-04
Granted: 2020-03-01
Abstract: 本發明涉及一種夾片適於設置於狹縫式塗佈頭以改變塗佈寬度。夾片包含第一板部、第二板部及第三板部。第二板部與第三板部銜接於第一板部且朝同方向延伸突出。第二板部與第三板部間隔以形成主流道，主流道用以連接狹縫式塗佈頭之一第一分流管。第二板部具有第一分流道。第一分流道具有相對的開口端及封閉端。開口端連接主流道，且開口端至第一板部的最短距離大於封閉端至第一板部的最短距離。第二板部用以覆蓋於第一分流管之一部分，而第一分流道的封閉端用以顯露第一分流管之另一部分。此外，本發明還涉及一種應用前述夾片的狹縫式塗佈器。
Patent TW-I701276-B (TW)
Title: 中空型電子裝置密封用薄片及中空型電子裝置封裝之製造方法
Inventor: TOYODA EIJI
IPC: H01L23/29
Filed: 2014-03-27
Granted: 2020-08-11
Abstract: 本發明係一種中空型電子裝置密封用薄片，其係將中空型電子裝置密封用薄片浸漬於離子交換水50ml中，在121℃、2氣壓下放置20小時之後的離子交換水中之氯化物離子濃度、鈉離子濃度、磷酸離子濃度、及硫酸離子濃度當中的至少1個係低於一定值。
Patent TW-I809047-B (TW)
Title: 含氟塗佈劑組成物、表面處理劑以及物品
Inventor: KATAYAMA LISA
IPC: C09D183/10
Filed: 2019-03-04
Granted: 2023-07-21
Abstract: 本案發明為提供一種含有含氟塗佈劑組成物之表面處理劑，該含氟塗佈劑組成物包含(A)選自經含氟氧基伸烷基之聚合物所改質之含羥基或水解性基之矽烷、矽氧烷及此等之部分(水解)縮合物而成中1種或2種以上，與(B)經含氟氧基伸烷基之聚合物所改質之矽氮烷單位而成之含氟氧基伸烷基之聚合物改質聚矽氮烷，(A)成分中之含氟氧基伸烷基之聚合物殘基之數平均分子量為1,500~10,000，(B)成分之經含氟氧基伸烷基之聚合物改質之矽氮烷單位中含氟氧基伸烷基之聚合物殘基之數平均分子量為500~6,000，且(A)成分與(B)成分之混合質量比為10：90~90：10，本案發明之表面處理劑能夠形成磨耗耐久性、耐候性、耐鹼性特別優異之撥水撥油層。