Patent DE-102018121990-B4 (DE)
Title: Bildsensoren
Inventor: ZHANG GANG
IPC: H10K39/32
Filed: 2018-09-10
Granted: 2024-02-08
Abstract: Bildsensor, umfassend:ein Substrat (100), wobei das Substrat (100) eine Einheitspixelregion (PU) umfasst, wobei die Einheitspixelregion (PU) eine Pixeltransistorbildungsregion (PXTR) und mindestens eine Pixelregion (PR1, PR2) umfasst, wobei das Substrat (100) eine erste Fläche (S1) und eine zweite Fläche (S2) umfasst, wobei die erste Fläche (S1) und die zweite Fläche (S2) einander zugewandt sind, wobei die zweite Fläche (S2) als eine Lichteinfallsfläche ausgestaltet ist;ein erstes fotoelektrisches Halbleiterumwandlungselement (PD1) im Inneren des Substrats (100), dergestalt, dass das erste fotoelektrische Halbleiterumwandlungselement (PD1) mindestens teilweise von dem Substrat (100) umschlossen wird;ein organisches fotoelektrisches Umwandlungselement (OPD) auf der zweiten Fläche (S2) des Substrats (100);eine erste potentialfreie Diffusionsregion (FD1) auf der ersten Fläche (S1) des Substrats (100);einen ersten Transfertransistor (TR1), der ein erstes Ende aufweist, das mit dem ersten fotoelektrischen Halbleiterumwandlungselement (PD1) verbunden ist, und ein zweites Ende aufweist, das mit der ersten potentialfreien Diffusionsregion (FD1) verbunden ist; undeinen zweiten Transfertransistor (TR2), der ein erstes Ende aufweist, das mit dem organischen fotoelektrischen Umwandlungselement (OPD) verbunden ist, und ein zweites Ende aufweist, das mit der ersten potentialfreien Diffusionsregion (FD1) verbunden ist,wobei die mindestens eine Pixelregion (PR1, PR2) eine erste Pixelregion (PR1) umfasst, und das erste fotoelektrische Halbleiterumwandlungselement (PD1), die erste potentialfreie Diffusionsregion (FD1), der erste Transfertransistor (TR1) und der zweite Transfertransistor (TR2) sich in der ersten Pixelregion (PR1) befinden,der Bildsensor des Weiteren umfassend:eine erste Penetrationselektrode (110), die mit dem organischen fotoelektrischen Umwandlungselement (OPD) verbunden ist, wobei die erste Penetrationselektrode (110) mindestens einen ersten Abschnitt (110a) und einen zweiten Abschnitt (1 10b) umfasst, wobei sich der erste Abschnitt (1 10a) der ersten Penetrationselektrode (110) von der ersten Fläche (S1) des Substrats (100) zu der zweiten Fläche (S2) des Substrats (100) erstreckt;einen ersten Kontakt (151), der sich von der ersten Fläche (S1) des Substrats (100) in einer ersten Richtung erstreckt, wobei der erste Kontakt (151) eine erste Fläche (151U) und eine zweite Fläche (151V) umfasst, wobei die zweite Fläche (151V) des ersten Kontakts (151) der ersten Fläche (151U) des ersten Kontakts (151) zugewandt ist, wobei die zweite Fläche (151V) des ersten Kontakts (151) in Kontakt mit der ersten Penetrationselektrode (110) steht; undeinen zweiten Kontakt (153), der sich von der ersten Fläche (S1) des Substrats (100) in der ersten Richtung erstreckt, wobei der zweite Kontakt (153) eine dritte Fläche (153U) und eine vierte (153V) Fläche umfasst, wobei die vierte Fläche (153V) der dritten Fläche (153U) zugewandt ist, wobei die vierte Fläche (153V) in Kontakt mit einer Source-Region (134) des zweiten Transfertransistors (TR2) steht,wobei die erste Richtung eine Richtung ist, die sich von der zweiten Fläche (S2) des Substrats (100) in Richtung der ersten Fläche (S1) des Substrats (100) erstreckt, unddie erste Fläche (151U) des ersten Kontakts (151) und die dritte Fläche (153U) des zweiten Kontakts (153) im Wesentlichen koplanar sind.