Patent DE-102017114184-B4 (DE)
Title: Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben
Inventor: YASUDA YOSHIFUMI
IPC: H01L29/739
Filed: 2017-06-27
Granted: 2022-08-04
Abstract: Halbleitervorrichtung (10), mit:einem Halbleitersubstrat (12);einer Vorderseitenelektrode (14), die mit der Vorderseite (12a) des Halbleitersubstrates (12) in Kontakt steht;einer Rückseitenelektrode (16), die mit der Rückseite (12b) des Halbleitersubstrates (12) in Kontakt steht,wobeidas Halbleitersubstrat (12) umfasst:ein Elementgebiet (20), das bei einer Draufsicht entlang einer Dickenrichtung des Halbleitersubstrates (12) zwischen der Vorderseitenelektrode (14) und dem Halbleitersubstrat (12) mit einer Kontaktfläche (15) überlappt, und ein Halbleiterbauelement aufweist, das dazu eingerichtet ist, die Vorderseitenelektrode (14) und die Rückseitenelektrode (16) elektrisch zu verbinden; undein Außenumfangsspannungswiderstandsgebiet (22), das um das Elementgebiet (20) gelegen ist, und umfasst:eine Vielzahl von p-Schutzringen (36), die an der Vorderseite (12a) freigelegt sind, und das Elementgebiet (20) in einem Muster von Schichten von Ringen umgeben; undein n-Außenumfangsdriftgebiet (32b), das die Vielzahl von p-Schutzringen (36) voneinander trennt,wobei die Vielzahl von p-Schutzringen (36) umfasst:eine Vielzahl von Innenumfangsschutzringen (36a); undeine Vielzahl von Außenumfangsschutzringen (36c), die hinsichtlich der Innenumfangsschutzringe (36a) an einer Außenumfangsseite gelegen sind, und eine geringere Breite als eine Breite der Innenumfangsschutzringe (36a) aufweisen,ein Abstand zwischen den Innenumfangsschutzringen (36a) geringer als ein Abstand zwischen den Außenumfangsschutzringen (36c) ist,wobei jeder der Innenumfangsschutzringe (36a) umfasst:ein erstes Hochkonzentrationsgebiet (40) mit einer p-Dotierstoffkonzentration, die größer als 10% eines Scheitelwertes einer p-Dotierstoffkonzentration des Innenumfangsschutzringes (36a) ist; undein erstes Niederkonzentrationsgebiet (42) mit einer p-Dotierstoffkonzentration, die kleiner oder gleich 10% des Scheitelwertes der p-Dotierstoffkonzentration des Innenumfangsschutzringes (36a) ist, und zwischen dem entsprechenden ersten Hochkonzentrationsgebiet (40) und dem n-Außenumfangsdriftgebiet (32b) gelegen ist,jeder der Außenumfangsschutzringe (36c) umfasst:ein zweites Hochkonzentrationsgebiet (40) mit einer p-Dotierstoffkonzentration, die größer als 10% eines Scheitelwertes einer p-Dotierstoffkonzentration des Außenumfangsschutzringes (36c) ist; undein zweites Niederkonzentrationsgebiet (42) mit einer p-Dotierstoffkonzentration, die kleiner oder gleich 10% des Scheitelwertes der p-Dotierstoffkonzentration des Außenumfangsschutzringes (36c) ist, und zwischen dem entsprechenden zweiten Hochkonzentrationsgebiet (40) und dem n-Außenumfangsdriftgebiet (32b) gelegen ist, undeine Breite (Wc1) eines ersten Abschnittes jedes ersten Niederkonzentrationsgebietes (42) größer als eine Breite (Wc3) eines Abschnittes jedes zweiten Niederkonzentrationsgebietes (42) ist, der Abschnitt jedes ersten Niederkonzentrationsgebietes (42) an der Vorderseite (12a) freigelegt ist, und zu dem entsprechenden ersten Hochkonzentrationsgebiet (40) auf der Außenumfangsseite benachbart ist, und der Abschnitt jedes zweiten Niederkonzentrationsgebietes (42) an der Vorderseite (12a) freigelegt ist, und zu dem entsprechenden zweiten Hochkonzentrationsgebiet (40) auf der Außenumfangsseite benachbart ist.