Patent ES-2792076-T3 (ES)
Title: Dispositivo monolítico fuente de luz cuántica ajustable y circuito óptico cuántico del mismo
Inventor: ALEN MILLAN BENITO
IPC: H01S5/34
Filed: 2017-02-08
Granted: 2020-11-10
Abstract: Un dispositivo para emitir fotones individuales o pares de fotones entrelazados, donde el dispositivo es monolítico y comprende, sobre un sustrato de material semiconductor seleccionado de entre: material semiconductor tipo p, material semiconductor tipo n y material semiconductor intrínseco: - un diodo inferior (1) localizado encima del sustrato y que comprende: - un bloque (2) de material semiconductor seleccionado entre: material semiconductor tipo p y material semiconductor tipo n; teniendo el bloque (2) el mismo tipo de dopado que el sustrato cuando el sustrato está dopado, - una primera capa de material semiconductor (11) dispuesta en el bloque (2) y que tiene el mismo tipo de dopado que el bloque (2) - una segunda capa de material semiconductor (12) localizada sobre el primer material semiconductor (11) y que comprende a su vez: al menos un pozo cuántico (4) o al menos un emisor cuántico (5), - una tercera capa de material semiconductor (13) localizada sobre la segunda capa de material semiconductor (12) y hecha de: - material semiconductor tipo p cuando la primera capa de material semiconductor (11) es de material semiconductor tipo n, - material semiconductor tipo n cuando la primera capa de material semiconductor (11) es de material semiconductor tipo p, - un diodo superior (3) localizado encima del diodo inferior (1) y que comprende: - una cuarta capa de material semiconductor (31) dispuesta sobre la tercera capa de material semiconductor (13) y hecha de: - material semiconductor tipo p cuando la primera capa de material semiconductor (11) es de material semiconductor tipo n, - material semiconductor tipo n cuando la primera capa de material semiconductor (11) es de material semiconductor tipo p, - una quinta capa de material semiconductor (32) localizada encima de la cuarta capa de material semiconductor (31) y que comprende a su vez: - al menos un pozo cuántico (4) cuando la segunda capa de material semiconductor (12) comprende al menos un emisor cuántico (5), o - al menos un emisor cuántico (5) cuando la segunda capa de material semiconductor (12) comprende al menos un pozo cuántico (4), - una sexta capa de material semiconductor (33) dispuesta sobre la quinta capa de material semiconductor (32), y hecha de: - material semiconductor tipo n cuando la primera capa de material semiconductor (11) es de material semiconductor tipo n, - material semiconductor tipo p cuando la primera capa de material semiconductor (11) es de material semiconductor tipo p, - una primera capa metálica (21) localizada sobre o bien la primera capa de material semiconductor (11) o bien el bloque de material semiconductor (2) generando un contacto eléctrico óhmico para al menos uno de dichos materiales semiconductores, - una segunda capa metálica (22), localizada sobre o bien la tercera capa de material semiconductor (13) o bien la cuarta capa de material semiconductor (31) generando un contacto eléctrico óhmico para al menos uno de dichos materiales semiconductores, y - una tercera capa metálica (23), localizada sobre la sexta capa de material semiconductor (33) generando un contacto eléctrico óhmico para dicho material semiconductor, caracterizado en que los diodos (1, 3) están configurados y dispuestos de modo que la luz producida por el diodo (1, 3) que tiene el al menos un pozo cuántico (4) está desinada a ser absorbida por el diodo (1, 3) que tiene el al menos un emisor cuántico (5) y convertida por el al menos un emisor cuántico (5) en fotones individuales o pares de fotones entrelazados.