Patent DE-102017208436-B4 (DE)
Title: Halbleiterdrucksensor
Inventor: SATO KIMITOSHI
IPC: H01L29/84
Filed: 2017-05-18
Granted: 2020-07-02
Abstract: Halbleiterdrucksensor (100A, 100B, 100C, 100D, 100E, 100F), aufweisend:• eine stationäre Elektrode (18), die an einer Hauptseite eines Halbleitersubstrats (11) angeordnet ist; und• eine Membran (61), die durch einen Luftspalt (51) in einer Dickenrichtung des Halbleitersubstrats zumindest in einem Bereich bewegbar ist, wo die Membran gegenüberliegend zu der stationären Elektrode ist, wobei die Membran• eine bewegbare Elektrode (39);• eine erste Isolierschicht (39d), die mit Bezug auf die bewegbare Elektrode näher an dem Luftspalt angeordnet ist;• eine zweite Isolierschicht (58), die mit Bezug auf die bewegbare Elektrode gegenüberliegend zu dem Luftspalt angeordnet ist, wobei die zweite Isolierschicht von demselben Schichttyp ist wie die erste Isolierschicht; und• eine Abschirmschicht (59), die die zweite Isolierschicht zwischen sich und der bewegbaren Elektrode aufnimmt, aufweist,dadurch gekennzeichnet, dass die bewegbare Elektrode eine erste Polysiliziumschicht (39a), die eine Druckeigenspannung aufweist, eine zweite Polysiliziumschicht (39b), die eine Zugeigenspannung aufweist, und eine dritte Polysiliziumschicht (39c), die eine Druckeigenspannung aufweist, umfasst, wobei die erste Polysiliziumschicht, die zweite Polysiliziumschicht und die dritte Polysiliziumschicht ausgehend von der stationären Elektrode in einer festgelegten Reihenfolge in der Dickenrichtung geschichtet sind, und die Abschirmschicht (59) eine vierte Polysiliziumschicht ist, die eine Druckeigenspannung aufweist, oderdass die bewegbare Elektrode eine erste Polysiliziumschicht (39a), die eine Zugeigenspannung aufweist, eine zweite Polysiliziumschicht (39b), die eine Druckeigenspannung aufweist, und eine dritte Polysiliziumschicht (39c), die eine Zugeigenspannung aufweist, umfasst, wobei die erste Polysiliziumschicht, die zweite Polysiliziumschicht und die dritte Polysiliziumschicht ausgehend von der stationären Elektrode in einer festgelegten Reihenfolge in der Dickenrichtung geschichtet sind, und die Abschirmschicht (59) eine vierte Polysiliziumschicht ist, die eine Zugeigenspannung aufweist, oderdass die bewegbare Elektrode eine erste Polysiliziumschicht (39a), die eine Druckeigenspannung aufweist, und eine zweite Polysiliziumschicht (39b), die eine Zugeigenspannung aufweist, umfasst, wobei die erste Polysiliziumschicht und die zweite Polysiliziumschicht ausgehend von der stationären Elektrode in einer vorgegebenen Reihenfolge in der Dickenrichtung geschichtet sind, und die Abschirmschicht (59) eine vierte Polysiliziumschicht ist, die eine Druckeigenspannung aufweist, oderdass die bewegbare Elektrode eine erste Polysiliziumschicht (39a), die eine Zugeigenspannung aufweist, und eine zweite Polysiliziumschicht (39b), die eine Druckeigenspannung aufweist, umfasst, wobei die erste Polysiliziumschicht und die zweite Polysiliziumschicht ausgehend von der stationären Elektrode in einer festgelegten Reihenfolge in der Dickenrichtung geschichtet sind, und die Abschirmschicht (59) eine vierte Polysiliziumschicht ist, die eine Zugeigenspannung aufweist.