baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent KR-0184413-B1 (KR)
Inventor: BOO YOO-SUK
IPC: B25B11/02
Filed: 1996-08-27
Granted: 1999-05-01
Abstract: UTM의 하부에 결합되는 것으로 하측에 장방형의 플레이트(210)를 형성하고, 상기 플레이트(210)의 상단에 일측 빗면으로 접합부(221)가 구비된 본체(220)를 형성하며, 상기 접합부(221)의 각모서리 부위에 나사공(222)과 중간부위에 대략 단면 형의 삽입홈(223)을 형성한 하판지그(200)와; 상기 하판지그(200)에 결합되는 것으로 중앙부위에 돌출된 융기부(404)를 형성하고, 상기 하판지그(200)의 접합부(211)에 형성된 나사공(222)과 삽입홈(403)에 대응되도록 체결공(402)과 삽입홈(403)을 형성하며, 상기 체결공(402)에 볼트(600)를 체결하여 상기 하판지그(200)의 접합부(211)와 결합되는 보조지그(400)와; UTM의 상부와 결합되는 것으로 상부에 결합핀공(311)이 구비된 레버(310)가 수직으로 형성되고, 고정체인 시트벨트 브라켓의 상면과 접하도록 일측을 빗면 지게 형성한 고정부(320)가 하측에 형성되며, 상기 고정부(320)의 일측에 수평에서 하측방향으로 기울어진 결합공(321)을 형성한 상판지그(300)와; 상기 상판지그(200)의 삽입홈(223)과 보조지그(400)의 삽입홈(403)에 삽입되는 걸림핀(405)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 시트벨트 브라켓 취부용 지그가 제공된다.
Patent KR-100231139-B1 (KR)
Inventor: SHIN YUN CHUL
IPC: G11C11/407
Filed: 1996-08-28
Granted: 1999-11-15
Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 리세트 신호 발생 회로(reset signal generator)에 관한 것으로, 로드 블록(10)과 PMOS 트랜지스터(Q2)를 통하여 NMOS 캐패시터(C2)에 충전이 이루어져, 노드(N2)의 전압 레벨이 래치(30)를 구성하고 있는 인버터(Inv3)를 통과할 수 있는 임계 전압(V T )에 이르게 되면 노드(N2)의 전압이 인버터(Inv3)를 통해 반전되어 생성된 신호가 노드(N3)에 전달되어 인버터(Inv5)에 입력되면 인버터(Inv5)를 통해 재반전되어 리세트 신호를 출력하도록 동작하며, NMOS 캐패시터(C2)의 방전이 충분히 이루어지지 않은 상태에서 회로가 동작을 실시하여 리세트 신호가 지연 시간을 갖지 못하고 전원 전압(Vcc)의 인가와 동시에 리세트 신호를 출력하는 오동작을 방지하기 위하여 NMOS 캐패시터(C2)와 병렬로 저항을 연결하여 방전 경로를 구성하여 회로 동작 초기에 NMOS 캐패시터(C2)에 충전되어 있는 전류를 방전한 다음 리세트 신호를 출력하여 안정된 동작이 이루어질 수 있도록한 회로이다.
Patent KR-100188987-B1 (KR)
Inventor: SON JUG-YOUNG
IPC: G02F1/11
Filed: 1996-09-06
Granted: 1999-06-01
Abstract: 본 발명은 다중 채널 음향 광 변조기에 관한 것이다. 한개의 음향 광 변조기셀에 여러 개의 피에조 변환기를 부착시키는 음향 광 변조기에서는 화소의 수가 수천개 이하로 제한되어 홀로그래픽 비디오 시스템과 같이 수만개 이상의 화소가 필요한 디스플레이 장치에 사용하기에는 한계가 있었다. 이러한 한계를 극복하기 위한 본 발명의 특징에 따르면, 입사광을 음향 광 변조기키기 위한 음향 광 변조기가 제공되는 데, 이 음향 광 변조기는 다수의 변조기 셀, 및 상기 다수의 셀 사이에 배치되고 상기 다수의 셀을 서로 격리 접속시키기 위한 다수의 음향 흡수판을 포함한다. 상기 각각의 셀은 단면이 대칭 역사다리꼴 형태이며 상기 입사광을 변조시켜 회절되거나 투과되도록 하기 위한 단위 결정, 상기 단위 결정의 상부 결정면 상에 결합되어 있고 한쌍의 전극을 포함하며 상기 한 쌍의 전극에 가해지는 신호에 따라 상기 단위 결정 내에서 음향파가 발생되도록 하기 위한 피에조 변환기, 및 상기 단위 결정의 상부 결정면 상에 결합되어 상기 단위 결정으로부터의 음향파를 흡수하기 위한 음향 흡수기를 포함한다. 본 발명은 각 음향 광 변조 셀을 직선으로 연결되도록 하여 그 효과상 긴 개구를 가진 광변조 셀을 만듦으로써 표시 가능한 화소의 수를 늘린다. 각 음향 광변조기 셀은 독립적으로 동작이 가능하므로 고속 입력이 가능해지고 펄스 레이저를 광원으로 사용할 수 있게 된다.
Patent KR-100186690-B1 (KR)
Inventor: KIM YONG-HEE
IPC: B60R25/00
Filed: 1996-09-30
Granted: 1999-05-01
Abstract: 본 발명은 차량키 내부에 암호를 저장하고 시동뭉치에 암호해독을 위한 장치를 부가하여 차량키의 복제에 의한 차량도난을 사전에 예방코자 하는 것을 목적으로 하는 이모빌라이저를 이용한 차량 도난방지장치에 관한 것으로, 기구적으로 성형하여 제작하기 때문에 일정갯수 이상 증가하면 같은 키가 반복될 수밖에 없고, 또한 복제하면 누구나 차량을 도난할 수 있는 문제점이 있어, 본 발명은 IC카드와 수신코일로 이루어진 트랜스폰더를 키 몸체에 내장하고, 상기 트랜스폰더에 에너지를 유기시키고 트랜스폰터로부터 암호 데이터를 전달받는 환상코일을 환상코일캡에 내장하며, 상기 환상코일에 유기된 암호데이타를 해독하여 차량시동을 제어하는 이모빌라이저를 시동뭉치내 설치함으로써 차량키의 복제에 의한 차량도난을 사전에 예방할 수 있는 효과가 있다.
Patent KR-100216757-B1 (KR)
Inventor: KIM KYU-NAM
IPC: G11B20/02
Filed: 1996-10-31
Granted: 1999-09-01
Abstract: 본 발명은 하이파이 오디오 신호 처리계의 대역 통과 필터를 마이크로 프로세서가 입력신호의 동기 주파수로 인식하는 방송 시스템 판별 결과에 따라 자동으로 조정할 수 있도록 한 하이파이 오디오신호 처리계의 대역 통과 필터 자동 조정시스템에 관한 것이다. 
     이를 위하여 본 발명은 입력 오디오 신호와 위상 동기시킨 출력 오디오 신호를 얻을 수 있게 하는 위상 고정루프; 입력신호의 동기신호를 검출하는 동기 검출부; 상기 동기 주파수로 방송 신호 처리방식을 판단하여 상기 위상 고정루프의 전압 제어 발진기로 공급되는 제어전압 및 클럭 주파수 절환제어신호를 발생시키는 마이크로 프로세서; 상기 마이크로 프로세서의 절환 제어신호에 따라 출력 전압을 가변하여 상기 전압 제어 발진기로 공급하는 기준전압 공급부; 상기 마이크로 프로세서의 절환 제어신호에 따라 입력 동기신호에 대한 일정비의 체배주파수를 상기 전압 제어 발진기의 클럭신호로 공급하는 주파수 체배기로 구성하는 것을 특징으로 한다.
Patent KR-100201770-B1 (KR)
Inventor: AHN YOONG-SOO
IPC: G10D1/08
Filed: 1996-11-13
Granted: 1999-06-15
Abstract: 본 발명은 키타(GUITAR) 헤드 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 음을 조율하는 조절기가 장착되는 통상의 키타 헤드에 있어서; 상기 헤드 본체(37) 상부에 장식품(30)이 부착되되, 상기 장식품(30)은 P.V.C 하판(34)과 P.V.C상판(36) 사이에 상기 P.V.C하판(34) 표면에 무늬를 넣는 실크 프린팅면(35)이 개재되어 이루어짐을 특징으로 하는 키타 헤드를 제공하고, 또한 헤드 본체(37)를 원하는 형상대로 제조하는 공정과; 상기 헤드 본체(37)와 같은 모양으로 P.V.C하판(34)을 절단하는 공정과 상기 P.V.C하판(34)에 실크 프린팅을 하는 공정과 실크 프린팅된 P.V.C하판(34)에 투명 P.V.C상판(36)을 합지하는 공정으로 장식품(31)을 제조하는 공정과; 상기 장식품(31)을 상기 헤드 본체(37) 상부에 접착하는 공정을; 포함하는 키타 헤드 제조 방법을 제공하여 키타 헤드용 작업 공정을 단순화하고 이에 따른 작업 소요 시간을 대폭 줄여 생산성을 향상시킬 수 있으며 또한 단턱에 바운딩 띠를 삽착하여 접착하는 공정을 없애 헤드의 표면을 깨끗하게 하여 결국 키타의 불량률을 줄일 수 있는 키타 헤드 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
Patent KR-100234701-B1 (KR)
Inventor: PARK JIN-SEOK
IPC: G01R19/165
Filed: 1996-12-05
Granted: 1999-12-15
Abstract: 본 발명의 외부전압(V CC )에 둔감한 백바이어스전압 레벨 감지기는 외부전압(V CC )의 변화에 둔감하도록 하기 위해 외부전압(V CC )과 일정한 전압차를 유지하는 기준전압(V REF )을 발생시키는 기준전압 발생기를 피모스 풀업 트랜지스터의 게이트에 연결하여 바이어싱하므로 백바이어스전압(V BB )을 일정하게 유지하여 엔모스 풀다운 트랜지스터의 문턱전압(V T )의 변화가 없기 때문에 엔모스 풀다운 트랜지스터의 스피드를 유지하고, 입력을 제대로 래치한다. 
     또한, 높은 전압(V PP )이 인가되어야하는 엔모스 풀다운 트랜지스터의 접합(Junction)신뢰성을 향상시키는 효과가 있다.
Patent KR-100402434-B1 (KR)
Title: 자동변속기의 유압제어장치
IPC: F16H43/00
Filed: 1996-12-09
Granted: 2004-03-30
Abstract: 1개의 조압(調壓)수단으로 이루어지는 간단한 유압제어회로에 의해, 주변속기구 및 부변속기구를 각각 독립되게 변속제어해서 다단변속을 가능하게 하는 자동변속기의 유압제어장치로서, 부변속기구(5)의 마찰걸어맞춤요소를 걸어맞추거나 또는 해방해서 소정변속단을 달성할 경우, 유압전환밸브(21)는 조압(調壓)입력포트(21c)와 출력포트(21f)를 연통하는 위치로 절환되고, 조압밸브(20)로 부터의 조압유압(調壓油壓)이 제 2 변속기구측 시프트 밸브(26),(27)를 통해서 상기 부변속기구(5)의 걸어맞추거나 또는 해방되는 마찰걸어맞춤요소의 유압서보에 공급된다. 이때, 라인압 입력포트(21b)와 출력포트(21d)가 연통하여, 라인압이 주변속기구측 시프트밸브(26),(27)에 공급되어서 주변속기구(2)는 소정변속단이 유지된다. 마찬가지로 주변속 기구의 절환에 의해 소정 변속단을 달성할 경우, 조압 입력포트(21c)가 주변속기구측 시프트밸브(23),(25)에 연통하게 되면 출력포트(21d)에 연통되고, 라인압 입력포트(21b)가 출력포트(21f)에 연통하게 된다.
Patent KR-100252439-B1 (KR)
Title: Air vent
Inventor: LEE JAE HONG
IPC: B60H1/34
Filed: 1996-12-20
Granted: 2000-04-15
Abstract: PURPOSE: A vehicle air vent is provided to prevent dust or foreign substances from being collected at the air vent by arranging a cap for shutting the air vent when the air vent is not in use. CONSTITUTION: A crush pad(1) has an air vent(2) for controlling the temperature of cab area or preventing the vehicle glass from being clouded up with steam. A cover(4) for preventing foreign substances from entering the air vent is installed in such a manner that the cover is slidable sideways along a guide rail(10) which is arranged in a horizontal direction onto and beneath the air vent. Thus, the air vent is protected from dust or foreign substances when the air vent is not in use, and the cover is attached with photos or advertisements, to thereby achieve an aesthetic enhancement.
Patent KR-100195581-B1 (KR)
Inventor: KO YOUNG-HUN
IPC: C08C19/02
Filed: 1996-12-28
Granted: 1999-06-15
Abstract: 본 발명은 올레핀성 이중결합을 갖는 리빙중합체를 특정 탄화수소화합물로 처리하여 리빙중합체을 실활시키고, 그 부산물로 얻어지는 탄화수소리튬과 적어도 하나의 모노시클로펜타디에닐티타늄 화합물의 존재하에서 수소와 접촉시킴으로서 중합체 내지 올레핀성 이중결합만을 선택적으로 수소화시키는 방법에 관한 것이다. 
     본 발명은 올레핀성 이중결합을 갖는 리빙중합체를 수소화반응을 하기전에 특정 탄화수소화합물과 반응시켜 단시간에 리빙중합체를 실활시키고, 그 반응 부산물로 얻어지는 탄화수소리튬을 수소화반응의 조촉매로 사용하고 모노시클로펜타디에닐티타늄 화합물을 주촉매로 사용하여 중합체내의 올레핀성 이중결합만을 선택적으로 수소화반응을 시킬 수 있다. 여기에서 리빙중합체를 특정 탄화수소화합물을 사용하여 실활시킴으로써 리빙중합체의 활성음이온으로 인해 발생하는 중합체간의 가교결합으로부터 형성되는 고분자의 겔화 및 촉매의 환원상태변화 등을 막을 수 있으며, 또한 반응부산물로 보다 안정된 탄화수소리튬 화합물을 얻을 수 있어서 수소화 촉매인 모노시클로펜타디에닐티타늄 화합물의 환원물질로 작용하여 고선택성 및 고수소화율을 얻을 수 있는 장점이 있다.
Patent KR-100239326-B1 (KR)
Inventor: KIM TAE-JUNG
IPC: B60R25/021
Filed: 1996-12-30
Granted: 2000-01-15
Abstract: 본 발명은 차량도난 방지장치에 관한 것으로, 키 굴곡이 형성된 통상의 자동차용 키와, 상기 키가 삽입되는 키홈이 형성되어 있으면서 스티어링 휠을 구속하는 잠금장치와, 상기 키에 장착되어 특정 주파수를 발신하는 송신기와, 이 특정 주파수를 수신하여 할 수 있는 수신기와, 상기 수신기로부터 수신된 주파수를 이용하여 정상키임을 판별하여 정상키가 아니면 잠금장치로 인가되는 전원을 차단할 수 있도록 제어하는 제어부로 구성된 것이다.
Patent KR-100380526-B1 (KR)
Title: 내충격성이우수한수지조성물
IPC: C08L25/02
Filed: 1995-11-02
Granted: 2003-09-26
Abstract: (I)산기함유 라텍스로 비대화된 중입자경 고무를 사용한 그라프트 공중합체와, (II)소입자경 고무를 사용한 그라프트 공중합체와, (III)스티렌-니트릴계 공중합체 및/또는 (IV)스티렌-말레이미드계 수지로 이루어지고, 고무함량이 수지조성물중 5∼40중량%인 수지조성물이다. 내충격성, 특히 면충격 강도 및 광택이 우수함과 동시에 가공성, 내열성도 양호하다.
Patent KR-100244250-B1 (KR)
Title: 반도체 소자 격리층 형성 방법
Inventor: JOUNG KU CHUL
IPC: H01L21/77
Filed: 1997-02-27
Granted: 2000-02-01
Abstract: 본 발명은 단순화된 공정으로 소자의 신뢰성을 향상시키는데 적당하도록한 반도체 소자 격리층 형성 방법에 관한 것으로, 활성 영역과 소자 격리 영역으로 정의된 반도체 기판상에 제 1,2 절연층을 차례로 형성하고 그 층들을 선택적으로 제거하여 활성 영역상에만 남도록하는 공정과,폴리실리콘층을 전면에 증착하고 에치백하여 상기의 패터닝되어진 제 1,2 절연층의 측면에 측벽을 형성하는 공정과,상기의 패터닝되어진 제 1,2 절연층을 마스크로 하여 상기의 측벽과 제 2 절연층이 제거될때까지 노출된 반도체 기판을 이방성 식각하여 반도체 기판의 소자 격리 영역에 트렌치를 형성하는 공정과,상기의 트렌치를 포함하는 전면에 절연 물질층을 형성하고 평탄화하는 공정을 포함하여 이루어진다.
Patent KR-100293398-B1 (KR)
Title: 음성처리시스템및음성메일서비스제공시스템및방법
IPC: H04M11/00
Filed: 1997-03-10
Granted: 2001-07-12
Abstract: 본 발명은 하나 이상의 음성 메일 시스템에 대한 통신 링크를 갖는 음성 처리 시스템을 사용하여 음성 메일 서비스를 제공하는 방법을 제공한다.    하나 이상의 음성 메일 시스템에 대한 가입자의 음성 메시지는 음성 처리 시스템에서 수신되고, 이 음성 처리 시스템은 가입자의 음성 메일박스가 위치되는 음성 메일 시스템을 판정한다.    음성 메시지는 가입자의 음성 메일박스가 위치되는 음성 메일 시스템에 전송된다.    바람직한 실시예에 있어서, 통신 링크는 인터넷의 일부를 형성하고, 수신된 메시지는 중복 기능을 제공하기 위해 두개의 개별적인 음성 처리 시스템에 의해 독립적으로 처리된다.
Patent KR-100499190-B1 (KR)
Title: 육모제
IPC: G01B11/06
Filed: 1997-03-14
Granted: 2006-04-17
Abstract: (과제) 본 발명에 의하여 안전하고 유효한 육모제를 제공한다. 
     (해결수단) 프로테인키나아제 C 특이적 저해제를 배합하는 것을 특징으로 하는 육모제를 제공한다.
Patent KR-100208947-B1 (KR)
Inventor: KIM BYUNG-CHUL
IPC: H04M11/04
Filed: 1997-03-20
Granted: 1999-07-15
Abstract: 가. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야 : 본 발명은 유닉스 시스템( unix system ) OS환경의 원격안전 관리시스템(TSS : Telemetering Security System) 주장치에서 무인방범 단말의 장애데이타를 효과적으로 관리해주며, 또한 운용자 장애에 의한 악성가입자를 신속히 파악하기 위한 방법에 관한 것이다. 
     나. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제 : 종래의 주장치 및 해당 관할부서에서는 단말의 장애 및 경보데이타의 관리방법 및 통계 기능에 대해 규정되어 있지 않아 단말의 장애시 신속한 서비스가 불가능하였고 무인 가입자별 경보 및 장애의 정확한 통계가 불가능하였던 문제점이 있었다. 
     다. 발명의 해결방법의 요지 : 상기와 같은 문제점을 해소하기 위한 본 발명은 원격안전 관리시스템의 주장치에서 해당 관할부서로 메시지를 전송한 후 경보 및 장애 데이터를 주장치에 저장하고, 가입자별 장애내역을 운용자가 조회 가능토록 하여 장애에 의한 악성가입자를 판별하도록 하는 방법을 제공함을 특징으로 한다. 
     라. 발명의 중요한 용도 : 원격 안전 관리시스템에서 무인 방범단말기의 장애데이터 관리방법.
Patent KR-100570168-B1 (KR)
IPC: F16C3/03
Filed: 1997-04-17
Granted: 2006-08-23
Abstract: 본 발명은, 작은 깊이의 스로트(throat)가 원통형 수 부재중 하나에 생성되고 스로트는 그것을 통한 종방향으로의 돌기 또는 돌출부의 자유변위를 허용하는 점, 및 상기 돌기가 상기 스로트의 단부와 접촉할 때 에너지의 흡수와 함께 리텐션 및/또는 플라스틱 변형의 효과가 생성되는 점에서, 상기 특허는 본 발명에서 변경되었다. 이 효과는 먼저 슬리브 또는 링을 생략하여 스로트 및 실제 돌기에 의하여 대체되도록 하고, 다음으로 연장 및 축소에 의한 조절선택으로 에너지 및 길이의 축소로 인한 수축효과가 달성된다.
Patent KR-100216850-B1 (KR)
Inventor: CHO CHUNG YONG
IPC: F16J15/00
Filed: 1997-05-23
Granted: 1999-09-01
Abstract: 본 발명은 자동차용 엔진의 실린더블록(Cylinder Block)과 실린더헤드(Cylinder Head)의 사이에 설치되어 엔진오일이나 냉각수, 연소가스가 새는 것을 방지할 수 있도록 하는 헤드가스켓(Head Gasket)에 관한 것으로, 종래구조는 실린더블록과 실린더헤드를 조립할 때에 그 체결력이 와이어링(13')에 가해지게 되면 와이어링(13')의 상단부와 하단부가 실린더헤드의 압축력 및 실린더블록의 압축력에 의해 비교적 심하게 변형된 후에 완벽하게 원위치로 회복되지 못하게 되므로 기밀성이 크게 저하되어 엔진이 파손될 우려가 있게 되는 등의 문제가 있었던 바, 탄성밀착수단으로 띠상 스프링부재를 나선형으로 감은 코일스프링링(Coil Spring Ring;13)을 설치하는 것을 특징으로 하는 본 발명에 의하면 실린더헤드(30)와 실린더블록(20) 사이의 기밀을 완벽하게 유지할 수 있게 되어 엔진 구동중에 엔진오일이나 냉각수, 연소가스등이 새어나가는 것을 완벽하게 차단할 수 있게 되고, 그에 따라 엔진의 성능을 개선할 수 있게 됨은 물론 엔진의 신뢰성 및 상품성을 크게 향상시킬 수 있게 된다.
Patent KR-100211287-B1 (KR)
Inventor: LEE BU YONG
IPC: A23L21/20
Filed: 1997-06-04
Granted: 1999-08-02
Abstract: 본 발명은 화분 내용물의 제조방법에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명은 화분의 세포벽을 볼 밀링이나 제트 밀링으로 파쇄시키고, 물 및/또는 헥산으로 화분 내용물을 추출한 다음, 알레르기 원(源)이 함유된 파쇄된 화분 세포벽을 제거하여 화분 내용물을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 화분 내용물의 제조방법에 의하면, 화분 개개 입자의 단단한 세포벽을 파쇄하여 섭취시 소화 흡수율을 높일 뿐만 아니라, 알레르기 원이 함유된 파쇄된 세포벽을 제거하므로 체내에서 알레르기를 유발하지 않는 화분 내용물만을 수집할 수 있다.
Patent KR-100277246-B1 (KR)
Title: 알루미늄 금속화부분 패터닝 방법
IPC: C23F4/00
Filed: 1997-07-29
Granted: 2001-02-01
Abstract: 금속화물 RIE는 에칭할 금속화물을 위에 갖는 기판의 위쪽과 아래쪽 양측에 위치된 전극들에 전력을 인가하여 트랜스포머 결합형 플라즈마를 생성함으로써 반응물들로서 Cl 2 와 HCl을 사용하여 낮은 전력과 낮은 압력으로 달성된다. 예를 들면, Ti/TiN으로부터 제조된 장벽층들 사이에 벌크 알루미늄 혹은 알루미늄 합금이 위치하는 3-층 금속화물들은 3-단계 프로세스로 에칭되는데, 여기서 비교적 적은 양의 Cl 2 는 상기 장벽층들의 에칭 동안 플라즈마내에서 사용되고 비교적 많은 양의 Cl 2 는 상기 벌크 알루미늄 혹은 알루미늄 합급층의 에칭 동안 사용된다. 에칭제 Cl 2 와 HCl 그리고 N 2 와 같은 불활성 가스의 조성비는, 에칭 동안 금속화물내에 형성되는 트렌치의 측벽 상에 RIE 동안 생성되는 반응 부산물들의 매우 얇은 측벽층이 형성되게 하는 식으로 제어된다. 상기 얇은 측벽층은 결함이 없는 측벽을 가진 서브마이크론 금속화물 도선들이 형성되도록 에칭의 등방성 성질을 개선한다. 수소(H 2 )는 상기 플라즈마에 부가될 수 있으며, 부식이 감소하도록 작용할 것이다.
Patent KR-100222703-B1 (KR)
Inventor: KIM MAN-SOOL
IPC: H04N3/185
Filed: 1997-08-02
Granted: 1999-10-01
Abstract: 가. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야:텔레비젼시스템의 화면 사이즈 조절방법에 관한 것이다. 
     나. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제:텔레비젼 수상기의 확대없이 디스플레이되는 화면의 사이즈를 자유 조절할 수 있는 방법을 제공함에 있다. 
     다. 그 발명의 해결방법의 요지:인덕턴스 산포가 최소화가 되도록 인덕턴스값을 조정하기 위한 인덕턴스 가변수단을 각각 포함하는 수평/수직 편향회로를 구비하는 텔레비젼 수상기의 화면 사이즈 조절방법에 있어서, 
     상기 수상기에 디스플레이되는 수평 및 수직 화면의 사이즈데이터를 방송국으로부터 송출되는 화면종횡비의 동일비율로 복수 분할하여 저장하고, 저장된 화면 사이즈들중 임의의 화면 사이즈 선택시 그에 따라 인덕턴스값을 가변시켜 화면 사이즈를 자동 조절함을 특징으로 한다. 
     라. 발명의 중요한 용도:텔레비젼, TVCR의 수상기에 디스플레이되는 화면조절에 사용할 수 있다.
Patent KR-100477135-B1 (KR)
Title: 반도체장치의제조방법
Inventor: KIM JANG SU
IPC: H01L21/28
Filed: 1997-08-08
Granted: 2005-06-29
Abstract: 이 발명은 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 기판에 배선을 형성하는 단계와; 상기 배선을 덮는 제1보호막을 적층하는 단계와; 상기 제1보호막 상부에 적층되고 상기 제1보호막의 식각 속도보다 식각 속도가 빠른 제2보호막을 적층하는 단계와; 상기 배선에 대응하는 제2보호막의 상부에 개구부를 가지는 포토 레지스터를 형성하는 단계와; 상기 포토 레지스터를 마스크로 이용하여  상기 제1 및 제2보호막을 식각하여 상기 배선의 일부분 노출시키는 단계와; 상기 포토 레지스터를 제거하는 단계와; 상기 제2보호막을 식각하는 단계를 포함하는 이루어져, 도전막과 접촉되는 접촉 구멍을 형성할 경우, 식각 속도가 다른 이중 보호막을 이용하여 좋은 프로 파일을 형성하는 보호막만 존재시키므로, 형성되는 배선 성능을 향상시킬 수 있고, 제조 공정이 간단하므로 제조 비용이나 시간 소모를 절감할 수 있는 효과가 발생한다.
Patent KR-100319476-B1 (KR)
Title: 프리번인 다이내믹 랜덤 억세스 메모리 모듈 및 그것의 프리번인 회로 기판
Filed: 1997-09-22
Granted: 2002-06-20
Abstract: 본 발명의 프리번인 DRAM 모듈 회로 기판 상에는 복수 개의 DRAM 모듈이 직접적으로 구성될 수 있고, 이 프리번인 DRAM 모듈 회로 기판은 대형 번인 오븐에 직접 연결될 수 있어서 그 위에 탑재된 DRAM 모듈들에 대한 재가공을 필요로 하는 불량 IC 칩들을 검사하는 번인 공정을 동시에 수행할 수 있다.  번인 공정 후에, 상기 회로 기판으로부터 DRAM 모듈들이 절단될 수 있으며, 이렇게 절단된 각 DRAM 모듈은 단일의 메모리 모듈이 된다.  본 발명의 프리번인 DRAM 모듈 회로 기판으로 DRAM 모듈을 제작하면 그것의 공정 스케줄 및 제조 비용이 절감된다.  또, 번인 회로 및 모듈 회로가 동일한 회로 기판 상에 배치되기 때문에 재료 비용이 절감된다.
Patent KR-100250851-B1 (KR)
Inventor: GOTO YASUMASA
IPC: G02F1/136
Filed: 1997-09-26
Granted: 2000-05-01
Abstract: 본 발명은 게이트 아래의 채널 영역에 불완전한 활성영역 없이 폴리실리콘 TFT를 만드는 방법 및 장치에 관한 것으로, 본 발명에 따르면, 소스 및 드레인을 만드는 데 마스크로 사용되는 테이퍼된 끝을 가지는 게이트가 있는 기판상에 형성된 폴리실리콘 박막에 도우펀트를 주입하고, 에너지 빔을 상기 게이트의 끝 면에서 상기 기판의 표면까지 비스듬히 방사하여, 소스 및 드레인이 동시에 활성화 되고, 상기 에너지 빔이 상기 게이트의 끝 아래의 폴리실리콘 박막으로 흘러들어가 상기 도우펀트가 주입된 채널을 활성화 시키는 것을 특징으로 한다.
Patent KR-100253329-B1 (KR)
Title: Method for forming wire of semiconductor device
Inventor: KIM PIL SEUNG
IPC: H01L21/28
Filed: 1997-09-30
Granted: 2000-04-15
Abstract: PURPOSE: A method for forming a multilayered interconnection of a semiconductor device is provided to reduce electromigration and to improve step coverage and isolation characteristics. CONSTITUTION: In the method, an oxide layer(2) formed on a semiconductor substrate(1) is selectively etched to form a contact hole, and a tungsten contact layer(3) is formed in the contact hole and on the oxide layer(2). Next, a TEOS-O3 layer(4) and an SOG layer(5) are sequentially deposited over the tungsten contact layer(3). Then, a portion of the SOG layer(5) is etched to expose the TEOS-O3 layer(4), and also the TEOS-O3 layer(4) is etched to expose the tungsten layer(3). Particularly, the etched width of the SOG layer(5) is greater than that of the TEOS-O3 layer(4). After that, the SOG layer(5) is contracted by O2 plasma, and the SOG layer(5) and the TEOS-O3 layer(4) are etched at edges thereof by sputtering. Thereafter, a Ti/TiN layer(7), an aluminum layer(9) and a tungsten layer(8) are sequentially formed over entire exposed surfaces and etched by CMP until the SOG layer(5) is exposed.
Patent KR-100241686-B1 (KR)
Title: 식물재배 및 유통용 용기
Inventor: LEE SANG SU
IPC: A01G9/02
Filed: 1997-10-25
Granted: 2000-02-01
Abstract: 본 발명은 식물의 재배용기와 유통용기의 기능을 겸할 수 있는 식물재배 및 유통용 용기에 관한 것으로서, 본 발명의 식물재배 및 유통용 용기에 의하면, 일정높이의 측벽과 밑면으로 형성된 사각형의 본체와, 상기 본체내의 공간에 가로 및 세로로 형성된 다수개의 간막이로 구분된 다수개의 재배실과, 상기 본체의 모서리 상부에 돌출형성된 지지구와, 상기 본체의 모서리 하부에 형성된 지지구수용홈을 구비하고 있으므로, 식물의 재배용기로 사용될 뿐만 아니라 수요자에게 유통시킬 때 용기 그대로 유통시킬 수 있고, 식물을 수요자에게 요구되는 일정분량만큼씩 분리하여 재배함으로써 유통시에 별도로 분리하고 포장할 필요가 없고, 식물을 재배하기 위한 파종과 배수에 적합한 구조를 갖출 뿐만 아니라 일정면적마다 칸막이가 형성되어 있어서 질병의 전염을 방지할 수 있으며, 유통시에 재배된 식물을 보호하기 위하여 재배된 일정면적의 식물조각을 담아서 식물재배 및 유통용 용기의 각 칸내에 삽입하여 유통시킬 수 있어서, 원예 또는 식용식물을 재배하고 유통시키는 산업에 상당한 기여를 할 수 있는 발명이다.
Patent KR-100289384-B1 (KR)
Title: Apparatus for automatically controlling current
Inventor: KIM YONG SEOK
IPC: G05F1/10
Filed: 1997-11-17
Granted: 2001-05-02
Abstract: PURPOSE: An automatic current control apparatus of an output port is provided, which makes the most appropriate current value be supplied to an input load, by determining a value of a compensation load automatically as operating a circuit. CONSTITUTION: An equivalent input load(12) receives a supply current(Isupply) supplied from an equivalent output part(1) of a PMOS transistor(PM1) and an NMOS transistor(NM1). A current controlled voltage source(13) is connected to the equivalent input load in parallel and samples the supply current. A voltage measurement circuit part(14) measures a voltage being output through the current controlled voltage source. A register(15) loads a reference voltage value for the equivalent output part to supply a current stably. A comparator part(16) outputs a compensation load selection signal which determines the most appropriate current value, by comparing the reference voltage loaded in the register with a voltage measured in the voltage measurement circuit part. And a number of compensation loads(171-17n) compensate for an input current of the equivalent input load by being selected by the compensation load selection signal of the comparator part.
Patent KR-100257542-B1 (KR)
Title: Ceramic preform composition for manufacturing metal- composite
Inventor: PARK HAK-SUNG
IPC: C04B35/76
Filed: 1997-12-06
Granted: 2000-06-01
Abstract: PURPOSE: A ceramic preform for preparing metallic complex is provided, which reduces the manufacturing cost of the complex and improves physical properties and uniformity when preparing a complex from the preform using zirconia with added alumina silica fiber, which shows low shrinkage rate and does not have any minute defect when being heat-treated at high temperature, and aluminum alloy by a squeeze casting method. CONSTITUTION: The ceramic preform is composed of ceramic fiber comprising: (i) 45-53wt.% of SiO2; (ii) 28-34wt.% of Al2O3; (iii) 17-25wt.% of ZrO2; (iv) not more than 0.4wt.% of Na2O+K2O; (v) not more than 0.6wt.% of CaO+MgO; and (vi) not more than 0.6wt.% of Fe2O3+TiO2.
Patent KR-100258055-B1 (KR)
Title: The method for making tin oxide film of gas sensor with tin oxide target by ion beam sputtering
Inventor: JUNG JAE HO
IPC: C23C14/46
Filed: 1997-12-11
Granted: 2000-06-01
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a SnO2 thin film for a gas sensor from a SnO2 target using dual ion beam sputtering is provided, which is further improved to deposit a micro-crystalline SnO2 thin film at a low temperature by using SnO2 as a starting raw material. CONSTITUTION: The method for manufacturing a SnO2 thin film for a gas sensor from a SnO2 target using dual ion beam sputtering comprises a washing process comprising the steps of attaching a substrate (4) to a substrate holder (13) and exhausting vacuum after washing a desirable type of substrate with a cleaning agent and ultra pure water and drying the washed substrate, ion washing the substrate with an ionic current of 300 eV and 0.5 mA/cm2 for a few minutes by supplying argon to a subsidiary ion gun (3) and generating RF plasma when the vacuum pressure reaches to a high vacuum of 2.0x10¬-6 Torr, and turning the substrate so that the substrate is uniformly washed; a deposition process comprising the steps of sputtering a SnO2 target (5) with an ionic current by supplying argon to a main ion gun (2) after closing the shutter (6) when washing is finished, accelerating plasma toward the substrate after generating plasma by supplying oxygen to the subsidiary ion gun, forming a thin film to a desirable thickness by opening the shutter when plasma is stabilized and uniformly depositing the substrate by rotating the substrate; and heat treatment process of heat treating the deposited substrate at a temperature of 350 to 600 deg.C for more than 2 hours so as to improve the crystalline phase of the manufactured SnO2 thin film and the stability of the thin film.
Patent KR-100257040-B1 (KR)
Title: Base station controller of wlll system
Inventor: KOO JE-GIL
IPC: H04B7/155
Filed: 1997-12-11
Granted: 2000-05-15
Abstract: PURPOSE: A base station controller in a WLL(Wireless Local Loop) is provided to offer an added service such as high-speed data by a broadband CDMA as well as a function for accessing a wired line between a subscriber and a telephone office via a wireless network. CONSTITUTION: A plurality of switching center interface units(210) are connected to a switching center. A plurality of voice conversion units(220) are connected to the switching center interface units(210). A switching clock unit(230) is coupled to the voice conversion units(220). A plurality of base station interface units(240) are connected to the switching clock unit(230). A control part(250) controls the switching center interface units(210), the voice conversion units(220), the switching clock unit(230) and the base station interface units(240).
Patent KR-100267715-B1 (KR)
Title: Method for preparation of surface treated valve lifter
Inventor: PARK GUN WOOK
IPC: C23G1/00
Filed: 1997-12-12
Granted: 2000-10-16
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing surface-treated valve lifter is provided tor more regularly treat surface of the valve lifter to efficiently execute coating process compared known art by spraying aqueous acid or basic solution on the valve lifter made of aluminum and silicone materials. CONSTITUTION: The method comprises a first step of spraying acid or basic solution to surface of the valve lifter under rotating to corrode aluminum component of the surface of the lifter and to form an uneven layer onto the surface; then a second step of injecting water onto main body of the surface-treated valve lifter to remove corrosion impurities from the surface at high speed; and a third step of drying and melt-coating the lifter to improve corrosion-resistance thereof. The spray solution is preferably sodium hydroxide solution (NaOH) in a concentration of 5-50% and is injected at a flow rate of 5-500ml/min.
Patent KR-100257770-B1 (KR)
Title: Method for forming fine conduction film of semiconductor device
Inventor: KIM GI HYEON
IPC: H01L21/027
Filed: 1997-12-23
Granted: 2000-06-01
Abstract: PURPOSE: A method for forming a fine conductive layer pattern of a semiconductor device is provided to improve the reliability of a semiconductor device by forming easily a fine conductive layer pattern. CONSTITUTION: The first conductive layer(12) and a sacrificial layer are formed on a substrate(11). The sacrificial layer is etched selectively to expose the first area of the first conductive layer(12) and a sacrificial layer pattern is formed thereby. An insulating layer spacer is formed at a side face of the sacrificial layer pattern. The second area of the first conductive layer(12) is exposed by removing the sacrificial layer pattern. The second conductive layer(15) is formed selectively on the first area and the second area of the first conductive layer(12). The insulating layer spacer is removed and the first conductive layer(12) is etched selectively by using the second conductive layer(15) as an etching mask pattern.
Patent KR-100266650-B1 (KR)
Title: Internal generating circuit for semiconductor memory device
Inventor: YANG DONG JUN
IPC: H03K19/00
Filed: 1997-12-27
Granted: 2000-09-15
Abstract: PURPOSE: A circuit for generating an internal voltage of a semiconductor device is provided to prevent a level of an internal voltage supplied to a semiconductor device from being largely lowered when a level of an external voltage is lowered and directly supply the external voltage directly as the internal voltage. CONSTITUTION: The circuit includes a voltage generating portion(1), a driving portion(2), a region sensing portion(30) and a switching portion(3). The voltage generating portion converts a level of an external voltage(VCC) and outputs the converted level according to a reference voltage(Vref). The driving portion receives an output of the voltage generating portion and an internal voltage(VDD) by feedback and outputs the internal voltage having a predetermined level. The region sensing portion senses that a level of an external voltage is lowered below a predetermined level and outputs a signal according to that. The switching portion supplies the external voltage as the internal voltage according to the output signal of the region sensing portion or cuts off.