Patent DE-102018208365-B4 (DE)
Title: Laserbearbeitungsvorrichtung und laserbearbeitungsverfahren
Inventor: SAMPEI TAKASHI
IPC: H01L21/68
Filed: 2018-05-28
Granted: 2020-12-31
Abstract: Eine Laserbearbeitungsvorrichtung, die dazu ausgestaltet ist, einen Wafer mit einem Laserstrahl zu bearbeiten, der auf dem Wafer entlang mehrerer projizierter Teilungslinien an einer Oberfläche des Wafers aufgebracht wird, wobei die projizierten Teilungslinien die Oberfläche in mehrere Bereiche aufteilen, wobei Bauelemente in den Bereichen ausgebildet sind, aufweisend:einen Haltetisch, der eine Halteoberfläche aufweist, die dazu ausgestaltet ist, den Wafer daran zu halten;ein Bearbeitungsmittel zum Bearbeiten des Wafers, der an dem Haltetisch gehalten ist, mit dem Laserstrahl, der an einem vorbestimmten Bearbeitungspunkt entlang der projizierten Teilungslinien fokussiert ist; undein X-Bewegungsmittel zum Bewegen des Haltetischs in X-Richtungen, die Richtungen sind, entlang welchen sich die projizierten Teilungslinien erstrecken; wobeidas Bearbeitungsmittel beinhaltet:einen Laseroszillator, der dazu ausgestaltet ist, den Laserstrahl zu Oszillieren;einen ersten Kondensor und einen zweiten Kondensor, die in Y-Richtungen senkrecht zu den X-Richtungen über der Halteoberfläche nebeneinander angeordnet sind, und in der Reihenfolge des Auftreffens des Laserstrahls von dem Laseroszillator angeordnet sind; undein Schaltmittel, das in dem optischen Pfad des Laserstrahls von dem Laseroszillator in den Y-Richtungen angeordnet ist und dazu ausgestaltet ist, zwischen einem Modus, der dazu ausgestaltet ist, den Laserstrahl von dem Laseroszillator mit dem ersten Kondensor zu fokussieren, und einem Modus, der dazu ausgestaltet ist, den Laserstrahl von dem Laseroszillator mit dem zweiten Kondensor zu fokussieren, zu schalten,wobei das Schaltmittel beinhaltet:eine λ/2-Platte;ein Drehmittel zum wählbaren Drehen der λ/2-Platte zu einem ersten Winkel und einem zweiten Winkel;einen Polarisationsstrahlteiler, der dazu ausgestaltet ist, 100 % eines S-polarisierten Laserstrahls, dessen Polarisationsebene durch die A/2-Platte gedreht wurde, die zu dem ersten Winkel gedreht wurde, und dessen optischer Pfad sich entlang der Y-Richtungen erstreckt, zu reflektieren, sodass dieser entlang eines optischen Pfades in Z-Richtungen senkrecht zu den X-Richtungen und den Y-Richtungen zu dem ersten Kondensor läuft, sodass der S-polarisierten Laserstrahl durch den ersten Kondensor fokussiert wird; undeinen Spiegel, der dazu ausgestaltet ist, einen P-polarisierten Laserstrahl, der zu 100 % durch den Polarisationsstrahlteiler transmittieren wurde, und dessen Polarisationsebene durch die A/2-Platte gedreht wurde, die zu dem zweiten Winkel gedreht wurde, und dessen optischer Pfad sich in den Y-Richtungen erstreckt, zu reflektieren, sodass dieser entlang eines optischen Pfades in den Z-Richtungen zu dem zweiten Kondensor läuft, sodass der P-polarisierte Laserstrahl durch den zweiten Kondensor fokussiert wird;wobei die Laserbearbeitungsvorrichtung ferner beinhaltet:ein erstes Index-Zufuhrmittel für eine Index-Zufuhr des Polarisationsstrahlteilers und des ersten Kondensors in einer der Y-Richtungen;ein zweites Index-Zufuhrmittel für eine Index-Zufuhr des Spiegels und des zweiten Kondensors in einer der Y-Richtungen; undein Steuerungsmittel; und,während der Wafer mit dem Laserstrahl von einem des ersten Kondensors und des zweiten Kondensors bearbeitet wird, das Steuerungsmittel eines des ersten Index-Zufuhrmittels und des zweiten Index-Zufuhrmittels betätigt, um den anderen des ersten Kondensors und des zweiten Kondensors zu einer nächsten der projizierten Teilungslinien, die bearbeitet werden soll, Index-zuführen.