Patent DE-102016121990-B4 (DE)
Title: Schaltschaltung
Inventor: NA HYOUNGJUN
IPC: H02M1/088
Filed: 2016-11-16
Granted: 2023-03-23
Abstract: Schaltschaltung mit:einem ersten IGBT (18);einem zweiten IGBT (20);einer Verdrahtung (13), die konfiguriert ist zum Parallelschalten von dem ersten IGBT und dem zweiten IGBT; undeiner Gatesteuerschaltung (40), die konfiguriert ist zum Schalten von dem ersten IGBT und dem zweiten IGBT durch Steuerung eines Gatepotentials von dem ersten IGBT und eines Gatepotentials von dem zweiten IGBT,wobei die Gatesteuerschaltung umfasst:ein erstes Schaltelement (51, 171) mit einer ersten Hauptelektrode, einer zweiten Hauptelektrode und einer ersten Steuerelektrode, wobei das erste Schaltelement konfiguriert ist zum Schalten der EIN- und AUS-Zustände der ersten Hauptelektrode und der zweiten Hauptelektrode gemäß einem Potential der ersten Steuerelektrode, wobei ein Potential der ersten Hauptelektrode höher ist als eine Gateschwelle von dem ersten IGBT, und wobei das erste Schaltelement konfiguriert ist zum Steuern eines Gatepotentials von dem ersten IGBT gemäß einem Potential der zweiten Hauptelektrode,ein zweites Schaltelement (52, 172) mit einer dritten Hauptelektrode, einer vierten Hauptelektrode und einer zweiten Steuerelektrode, wobei das zweite Schaltelement konfiguriert ist zum Schalten der EIN- und AUS-Zustände der dritten Hauptelektrode und der vierten Hauptelektrode gemäß einem Potential der zweiten Steuerelektrode, wobei ein Potential der dritten Hauptelektrode höher ist als eine Gateschwelle von dem zweiten IGBT, und wobei das zweite Schaltelement konfiguriert ist zum Steuern eines Gatepotentials von dem zweiten IGBT gemäß einem Potential der vierten Hauptelektrode,einen ersten Schalter (S1), der mit der ersten Steuerelektrode verbunden ist,einen zweiten Schalter (S2), der mit der zweiten Steuerelektrode verbunden ist, undeine Steuereinrichtung (90, 92) mit einem Ausgangsanschluss (92a), der über den ersten Schalter mit der ersten Steuerelektrode verbunden ist und über den zweiten Schalter mit der zweiten Steuerelektrode verbunden ist, wobei die Steuereinrichtung konfiguriert ist zum Anlegen eines Steuersignals zum Schalten des ersten Schaltelements und des zweiten Schaltelements an den Ausgangsanschluss,wobei die Gatesteuerschaltung konfiguriert ist zum Ausführen eines ersten Steuervorgangs, wenn ein in der Verdrahtung fließender Strom größer ist als ein Schwellenwert, wobei der erste Steuervorgang ausgeführt wird, um sowohl den ersten IGBT als auch den zweiten IGBT zu einer Einschaltzeit einzuschalten, und um sowohl den ersten IGBT als auch den zweiten IGBT zu einer Ausschaltzeit auszuschalten,wobei die Gatesteuerschaltung konfiguriert ist zum Ausführen eines zweiten Steuervorgangs, wenn der in der Verdrahtung fließende Strom kleiner ist als der Schwellenwert, wobei der zweite Steuervorgang ausgeführt wird, um einen ersten Ziel-IGBT zu der Einschaltzeit einzuschalten, den ersten Ziel-IGBT zu der Ausschaltzeit auszuschalten, und einen zweiten Ziel-IGBT vor der Ausschaltzeit auszuschalten, wobei der erste Ziel-IGBT einer von dem ersten IGBT und dem zweiten IGBT ist und der zweite Ziel-IGBT der andere von dem ersten IGBT und dem zweiten IGBT ist,wobei die Gatesteuerschaltung konfiguriert ist zum Anlegen des Steuersignals an den Ausgangsanschluss, während der erste Schalter und der zweite Schalter eingeschaltet sind, wenn sowohl der erste IGBT als auch der zweite IGBT geschaltet werden,wobei die Gatesteuerschaltung konfiguriert ist zum Anlegen des Steuersignals an den Ausgangsanschluss, während ein Schalter zum Steuern von dem ersten Ziel-IGBT unter dem ersten Schalter und dem zweiten Schalter eingeschaltet ist und ein Schalter zum Steuern von dem zweiten Ziel-IGBT unter dem ersten Schalter und dem zweiten Schalter ausgeschaltet ist, wenn der erste Ziel-IGBT geschaltet wird, ohne dass der zweite Ziel-IGBT geschaltet wird,wobei die Schaltschaltung zusätzlich einen ersten Widerstand (151, 152) und einen zweiten Widerstand (153, 154) umfasst, wobei der erste Widerstand und der zweite Widerstand zwischen dem Gate von dem ersten IGBT und dem Gate von dem zweiten IGBT in Reihe geschaltet sind, undwobei die Steuereinrichtung ein Potential des Steuersignals basierend auf einem Potential der Verdrahtung zwischen dem ersten Widerstand und dem zweiten Widerstand steuert, wenn sowohl der erste IGBT als auch der zweite IGBT eingeschaltet werden.