baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent DE-102018221981-B4 (DE)
Title: Verfahren, Steuereinrichtung und System zum Ermitteln von Profiltiefen von Reifen an Fahrzeugen
Inventor: KRETSCHMANN MATTHIAS
IPC: G01M17/02
Filed: 2018-12-17
Granted: 2020-10-01
Abstract: Verfahren zum Ermitteln einer Profiltiefe eines Reifens (2) während eines Betriebs eines den Reifen (2) aufweisenden Fahrzeuges (1), wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist:- Ermitteln (S1) eines Reifentyps des Reifens (2) und einer Laufleistung des Reifens (2),- Ermitteln (S2) einer Drehgeschwindigkeit des Reifens (2), einer Geschwindigkeit des Fahrzeuges (1) und wenigstens eines Betriebsparameters ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus einem Reifendruck, einer Reifentemperatur und einer Reifenlast des Reifens (2),- im Falle (S3) eines Reifens (2) bis zu einer vorbestimmten Maximallaufleistung:- Übermitteln (S7) von Anpassungsdaten, die basierend auf dem Reifentyp des Reifens (2), der Laufleistung des Reifens (2), der Drehgeschwindigkeit des Reifens (2), der Geschwindigkeit des Fahrzeuges (1) und dem wenigstens einen Betriebsparameter des Reifens (2) gebildet (S6) werden, an eine zentrale Datenverarbeitungseinrichtung (C),- im Falle (S3) eines Reifens (2) ab einer vorbestimmten Minimallaufleistung:- Empfangen (S8) von Optimierungsdaten für den ermittelten Reifentyp von der zentralen Datenverarbeitungseinrichtung (C),- Ermitteln (S9) der Profiltiefe des Reifens (2) basierend auf einem wenigstens einen Modellparameter enthaltenden Modell für den ermittelten Reifentyp, wobei das Modell die Profiltiefe liefert in Abhängigkeit von der Drehgeschwindigkeit des Reifens (2), der Geschwindigkeit des Fahrzeuges (1) und dem wenigstens einen Betriebsparameter des Reifens (2), unter Verwendung des wenigstens einen Modellparameters, der basierend auf den von der zentralen Datenverarbeitungseinrichtung (C) empfangenen (S8) Optimierungsdaten bestimmt wird, wobei von einer Mehrzahl von Fahrzeugen (1) jeweilige Anpassungsdaten an die zentrale Datenverarbeitungseinrichtung (C) übermittelt (S7) werden und basierend darauf von der zentralen Datenverarbeitungseinrichtung (C) die Optimierungsdaten gebildet (S22) werden.
Patent DE-102019119513-B4 (DE)
Title: Überspannungsschutzelement und Bauelementanordnung für ein Überspannungsschutzelement
Inventor: BERG PETER
IPC: H01T1/14
Filed: 2019-07-18
Granted: 2021-02-25
Abstract: Gezeigt ist ein Überspannungsschutzelement (1), mit einer Bauelementanordnung (2) aufweisend ein überspannungsschaltendes Bauelement (3) mit einem ersten Anschluss (7) und einem zweiten Anschluss (8) und ein Trägerelement (4) mit einem ersten Anschlussbereich (9) und einem zweiten Anschlussbereich (10). Das Bauelement (3) ist auf dem Trägerelement angeordnet. Der erste Anschluss (7) ist elektrisch leitend mit dem ersten Anschlussbereich (9) verbunden. Der zweite Anschluss (8) ist elektrisch leitend mit dem zweiten Anschlussbereich (10) verbunden. Ein elektrisch leitfähiges Verbindungselement (11) mit einem ersten Kontaktbereich (12) und mit einem zweiten Kontaktbereich (13) ist vorgesehen. Das Verbindungselement (11) weist im zweiten Kontaktbereich (13) eine elektrisch isolierende, thermisch aufschmelzbare Beschichtung (14) auf, steht mit seinem zweiten Kontaktbereich (13) in thermischen Kontakt mit dem Bauelement (3) und ist mit seinem ersten Kontaktbereich (12) elektrisch leitend mit dem ersten Anschlussbereich (9) des Trägerelements (4) verbunden. Im thermischen Normalzustand ist der zweite Kontaktbereich (13) durch die Beschichtung (14) elektrisch von dem zweiten Anschlussbereich (10) isoliert. Im thermischen Überlastzustand schmilzt die Beschichtung (14) auf, derart, dass der zweite Kontaktbereich (13) und der zweite Anschlussbereich (10) elektrisch leitend miteinander verbunden sind, sodass insgesamt eine elektrisch leitende Verbindung zwischen den beiden Anschlussbereichen (9, 10) des Trägerelements (4) realisiert ist und damit das Bauelement (3) kurzgeschlossen ist.
Patent DE-102020133239-B4 (DE)
Title: Vorrichtung zur überwachung einer parkfreigabe für ein fahrzeug mit automatikgetriebe
Inventor: SHIN CHANG KYU
IPC: F16H61/22
Filed: 2020-12-11
Granted: 2023-04-20
Abstract: Vorrichtung zur Überwachung einer Parkfreigabe für ein Fahrzeug mit Automatikgetriebe (100), welche folgende Merkmale aufweist:eine Empfangseinheit (110), die ein Ausgabesignal eines Schalthebels (11) detektiert;eine Entscheidungseinheit (120), die abhängig vom Ausgabesignal des Schalthebels (11) einen Zielgang bestimmt;eine Antriebseinheit (130), die ein Steuersignal an ein Parksolenoid (40) aussendet, um eine Parksperre (45) dann einzurücken, wenn es sich beim bestimmten Zielgang um einen P-Gang handelt,und die einen elektrischen Antriebsstrom an einen Kupplungssteuermagnet (30) derart anlegt, dass eine Kupplung (35) eingerückt wird, um eine Rollbewegung des Fahrzeugs zu verhindern; undeine Erfassungseinheit (140), die eine Größe des am Kupplungssteuermagnet (30) angelegten elektrischen Antriebsstroms misst,wobei die Entscheidungseinheit (120) die Information über die Größe des von der Erfassungseinheit (140) am Kupplungssteuermagnet (30) angelegten Antriebsstroms empfängt und danach durch das Vergleichen der Information über die Größe des empfangenen Antriebsstroms und des Ausgabesignals des Schalthebels (11) miteinander nun darüber entscheidet, ob das Parken freigegeben wird oder nicht.
Patent DE-112005000319-B4 (DE)
Title: Auswahl- und Arbitrationsverfahren und -system
Inventor: TURNER CHRISTOPHER GORDON GERVASE
IPC: G06K7/00
Filed: 2005-02-02
Granted: 2023-03-30
Abstract: Verfahren zur Auswahl (Selektion) oder Rückgängigmachung der Auswahl (De-Selektion) eines einzelnen Transponders oder einer oder mehrerer Gruppen von Transpondern unter Verwendung eines Befehlssignals oder mehrerer Befehlssignale von einem Abfragegerät, wobei der oder die Transponder sich innerhalb eines Abfragefeldes befindet bzw. befinden, wobei das Verfahren umfasst:einen Schritt der Übertragung eines Selektionsbefehls von dem Abfragegerät, der Selektions- oder De-Selektionskriterien beinhaltet, wobei, wenn ein Transponder die Selektions- oder De-Selektionskriterien erfüllt, der Transponder selektiert oder de-selektiert wird, während der Transponder in einem ersten Zustand verbleibt, undeinen Schritt der Übertragung, von dem Abfragegerät, wenigstens eines Arbitrationsbefehls, wobei der wenigstens eine Arbitrationsbefehl einen Selektionsparameter enthält,wobei Transponder in der einen oder den mehreren Gruppe(n) von Transpondern an einer Arbitrationssequenz teilnehmen, indem sie von einem ersten Zustand zu einem zweiten Zustand übergehen, um eine Antwort zu übertragen, in Antwort auf den wenigstens einen Arbitrationsbefehl und in einem Fall, bei dem der Transponder selektiert ist und der Selektionsparameter für eine Selektion eingestellt ist, undwobei Transponder innerhalb der einen oder mehreren Gruppe(n) von Transpondern an einer Arbitrationssequenz teilnehmen, indem sie den Zustand des Transponders von dem ersten Zustand zu dem zweiten Zustand ändern, um eine Antwort zu übertragen, in Antwort auf den wenigstens einen Arbitrationsbefehl und in einem Fall, indem der Transponder de-selektiert ist und der Selektionsparameter für eine De-Selektion eingestellt ist.
Patent DE-112005001434-B4 (DE)
Title: MOS-gatterverknüpftes Leistungshalbleiter-Bauelement mit Source-Feldelektrode
Inventor: CAO JIANJUN
IPC: H01L29/78
Filed: 2005-06-27
Granted: 2018-06-07
Abstract: Leistungshalbleiter-Bauelement, umfassend:einen Halbleiterkörper (56), der ein gemeinsames Leitungsgebiet (20) mit einem Leitungstyp und ein Grundgebiet (18) mit einem anderen Leitungstyp besitzt und eine erste Oberfläche (14) aufweist,einen Graben (10), der sich von der ersten Oberfläche (14) aus durch das Grundgebiet (18) in das gemeinsame Leitungsgebiet (20) erstreckt, wobei der Graben mindestens zwei sich gegenüberliegende Seitenwände und einen Boden aufweist,eine erste Gate-Isolierung (26) neben einer der Seitenwände,eine erste Gate-Elektrode (22) neben der ersten Gate-Isolierung (26), wobei die erste Gate-Elektrode sich über das Grundgebiet (18) erstreckt,eine zweite Gate-Isolierung (28) neben der anderen Seitenwand,eine zweite Gate-Elektrode (24) neben der zweiten Gate-Isolierung (28), wobei die zweite Gate-Elektrode (24) sich über das Grundgebiet (18) erstreckt,eine Source-Feldelektrode (30) mit einem ersten Abschnitt und einem zweiten Abschnitt, wobei der erste Abschnitt der Source-Feldelektrode (30) zwischen der ersten (22) und der zweiten Gate-Elektrode (24) angeordnet und von diesen durch einen Isolierkörper (32) isoliert und der zweite Abschnitt der Source-Feldelektrode (30) unterhalb des ersten Abschnittes und der Gate-Elektroden (22, 24) angeordnet ist,ein Source-Gebiet (16) neben jeder Seitenwand des Grabens (10) undeinen Source-Kontakt (36), der mit der Source-Feldelektrode (30) und den Source-Gebieten (16) elektrisch verbunden ist, wobeidie Source-Feldelektrode (30) sich aus dem Graben (10) heraus über die erste Oberfläche (14) des Halbleiterkörpers (56) erstreckt.
Patent DE-112005003174-B4 (DE)
Title: Entladungslampenvorrichtung mit geerdetem Spiegel
Inventor: OHSAWA TAKASHI
IPC: H05B41/288
Filed: 2005-11-15
Granted: 2016-06-30
Abstract: Entladungslampenvorrichtung, umfassend: einen gewölbten reflektierenden Spiegel (2) mit einer geschlossenen Seite und einer geöffneten Seite und wobei ein leitender Bereich des reflektierenden Spiegels (2) geerdet ist; eine vom reflektierenden Spiegel (2) umgebene Entladungslampe mit einer ersten Entladungselektrode (6) an einer der geschlossenen Seite des reflektierenden Spiegels (2) zugewandten Seite der Entladungslampe und einer zweiten Entladungselektrode (7) an einer der geöffneten Seite des reflektierenden Spiegels (2) zugewandten Seite der Entladungslampe; ein Vorschaltgerät mit einer Stromquellenschaltung (5) zum Anlegen einer Vorspannung und eines Einschaltimpulses an die erste Entladungselektrode (6) und die zweite Entladungselektrode (7) der Entladungslampe, wobei die Vorspannung eine Gleichspannung ist und zunächst mit einem positiven Potential mit Bezug auf das Potential des reflektierenden Spiegels (2) an die erste Entladungselektrode (6) angelegt wird und dann der Einschaltimpuls mit einem negativen Potential in Bezug auf ein Potential des reflektierenden Spiegels an die erste Entladungselektrode (6) angelegt wird und der Vorspannung überlagert wird.
Patent DE-112006000226-B4 (DE)
Title: Supraleitender Röntgenstrahl-Erfasser und Röntgenstrahl-Analyseeinrichtung, welche dergleichen verwendet
Inventor: TANAKA KEIICHI
IPC: G01T1/26
Filed: 2006-01-24
Granted: 2015-06-25
Abstract: Supraleitender Röntgenstrahl-Erfasser (102), mit einem Temperatur-Erfasser (6), der einen supraleitenden Mehrfachschicht-Dünnfilm enthält, zum Erfassen einer Temperaturänderung durch Wärme, die entsteht, wenn ein Röntgenstrahl absorbiert wird, und mit einem als Wärmeverbindung dienenden Isolierteil (2) zum Steuern einer Wärmeflussmenge zum Ableiten der erzeugten Wärme an eine Auflageplatte (1),  wobei der supraleitende Röntgenstrahl-Erfasser (102) aus einer Struktur mit einer Supraleitschicht (4) oberhalb des als Wärmeverbindung dienenden Isolierteils (2) und einem weiteren Isolierteil (5) zwischen der Supraleitschicht (4) und dem Temperatur-Erfasser (6) besteht;  wobei die Supraleitschicht (4) und der Temperatur-Erfasser (6) durch eine supraleitende Verdrahtung (7) verbunden sind und aus Materialien bestehen, bei denen die supraleitenden Übergangstemperaturen der Supraleitschicht (4) und der supraleitenden Verdrahtung (7) höher sind als die supraleitende Übergangstemperatur des Temperatur-Erfassers (6); und  wobei der Temperatur-Erfasser (6) und ein supraleitender Anschluss (8) durch eine supraleitende Verdrahtung (9) verbunden sind.
Patent DE-112006001520-B4 (DE)
Title: Prozess für die Herstellung erhabener Source- und Drain-Gebiete mit zu entfernenden Abstandshaltern, wobei "Mausohren" vermieden werden
Inventor: VAN MEER JOHANNES
IPC: H01L21/336
Filed: 2006-04-19
Granted: 2009-12-31
Abstract: Verfahren zur Herstellung erhabener Source- und Drain-Bereiche, mit den Schritten:  Bilden einer Gateelektrode (14, 34) auf einem Substrat (10; 30);  Bilden doppelter zu entfernender Abstandshalter (20, 24; 40, 46) an jeder Seitenwand der Gateelektrode (14, 34);  Bilden erhabener Source/Drain-Gebiete (26, 48) auf dem Substrat (10, 30); und  Entfernen der doppelten zu entfernenden Abstandshalter (20, 24; 40, 46).
Patent DE-112007002571-B4 (DE)
Title: Polierkopf und Poliervorrichtung
Inventor: MASUMURA HISASHI
IPC: H01L21/304
Filed: 2007-10-18
Granted: 2017-03-02
Abstract: Die Erfindung betrifft einen Polierkopf sowie eine Poliervorrichtung zur Verwendung mit diesem Polierkopf, wobei der Polierkopf mit einem ringförmigen starren Ring, einer Gummifolie, die an den starren Ring mit einer gleichförmigen Spannung geklebt ist, einer Mittelplatte, die mit dem starren Ring verbunden ist und zusammen mit der Gummifolie und dem starren Ring einen Raumabschnitt bildet, und einer ringförmigen Schablone, die konzentrisch mit dem starren Ring in einem peripheren Abschnitt auf einem Unterseitenabschnitt der Gummifolie bereitgestellt ist und einen Außendurchmesser aufweist, der größer als ein Innendurchmesser des starren Rings ist, ausgestattet ist, bei welchem ein Druck des Raumabschnitts durch einen Druckeinstellmechanismus verändert werden kann, eine Rückseite eines Werkstücks auf dem Unterseitenabschnitt der Gummifolie gehalten wird und eine Oberfläche des Werkstücks in gleitenden Kontakt mit dem auf einer Drehscheibe befestigten Polierkissen gebracht wird, um ein Polieren auszuführen, und ein Innendurchmesser der Schablone kleiner als ein Innendurchmesser des starren Rings ist und ein Verhältnis zwischen einer Innendurchmesserdifferenz zwischen dem starren Ring und der Schablone und einer Differenz zwischen dem Innendurchmesser und einem Außendurchmesser der Schablone 26% oder mehr und 45% oder weniger beträgt. Dadurch können ein Polierkopf und dergleichen bereitgestellt werden, die dauerhaft konstante Flachheit erzielen können.
Patent DE-112010005007-B4 (DE)
Title: Dichtungsring für die  Abdichtung von  Lagerträgern bei Bohrmeißeln
Inventor: DOBROLYUBOV LEONID BORISOVICH
IPC: E21B10/25
Filed: 2010-12-13
Granted: 2016-03-17
Abstract: Dichtungsring für die Abdichtung von Lagerträgern bei Bohrmeißeln, dessen Querschnittsumfang (1) mit einer Außenzylinderfläche (3) und einer Innenzylinderfläche (2) sowie Endflächen (4 und 5) gebildet ist und die Endflächen (4, 5) die Ringhöhe festlegen, wobei auf einer Arbeitsdichtungsfläche geschlossene Zuführnuten (6) zum Zuführen und geschlossene Ablassnuten (7) zum Ablassen eines Schmiermittels gebildet sind und wobei die Eingangsöffnungen der Zuführnuten (6) und die Ausgangsöffnungen der Ablassnuten (7) auf gegenüberliegenden Seiten der Arbeitsdichtungsfläche liegen und gegeneinander versetzt sind, dadurch gekennzeichnet, dass die Innenzylinderfläche (2) als Arbeitsdichtungsfläche verwendet ist, wobei die Länge der Zuführnuten (6) und der Ablassnuten (7) jeweils größer als die halbe Ringhöhe ist, dass die Längsachsen der Zuführnuten (6) in Bezug auf die eine Endfläche (4) und die Längsachsen der Ablassnuten (7) in Bezug zur anderen Endfläche (5) des Rings spitze Winkel (α und β) bilden, wobei die Gipfel der Winkel (α und β) in Richtung auf die der Arbeitsdichtungsfläche entsprechende Drehung gerichtet sind, ...
Patent DE-112012002596-B4 (DE)
Title: Integrierte Schaltung mit Komponenten auf beiden Seiten eines ausgewählten Substrats und Herstellungsverfahren
Inventor: CABLE JAMES S
IPC: H01L27/12
Filed: 2012-06-21
Granted: 2020-03-19
Abstract: Ein Verfahren zum Ausbilden integrierter Schaltungen (100), die eine erste Schaltungsschicht (103) mit aktiven Komponenten und eine zweite Schaltungsschicht (108) mit passiven Komponenten beinhalten, das Folgendes beinhaltet:a) Ausbilden der ersten Schaltungsschicht (103) aus einer aktiven Schicht (102) eines Silizium-auf-Isolator-Wafers (Silicon-on-Insulator-Wafers, SOI-Wafers) (400), wobei der SOI-Wafer (400) die aktive Schicht (102), eine mit der aktiven Schicht (102) gekoppelte Pufferschicht (104) und ein mit der Pufferschicht (104) gekoppeltes Siliziumsubstrat (402) beinhaltet;b) Entfernen des Siliziumsubstrats (402) von der Pufferschicht (104);c) Koppeln der Pufferschicht (104) mit einer ersten Oberfläche eines isolierenden Substrats (106);d) im Anschluss an das oder vor dem Koppeln der Pufferschicht (104) mit der ersten Oberfläche des isolierenden Substrats (106), Ausbilden der zweiten Schaltungsschicht (108) auf einer zweiten Oberfläche des Substrats (106);e) Abscheiden der aktiven Komponenten in der ersten Schaltungsschicht (103);f) Abscheiden der passiven Komponenten in der zweiten Schaltungsschicht (108); undg) Abscheiden der aktiven Komponenten in der Nähe zu Kontaktelementen (116), wobei die erste Schaltungsschicht (103) und die zweite Schaltungsschicht (108) durch das isolierende Substrat (106) voneinander elektrisch isoliert sind und wobei die erste Schaltungsschicht (103) und die zweite Schaltungsschicht (108) zu ihrer Verbindung außerhalb des isolierenden Substrats (106) jeweils auf ihrer vom isolierenden Substrat (106) abgewandten Oberfläche elektrische Kontakte (114, 118) aufweisen.
Patent DE-112013002302-B4 (DE)
Title: Hartbeschichtung für ein Schneidwerkzeug
Inventor: PARK JE-HUN
IPC: C23C14/14
Filed: 2013-03-18
Granted: 2020-01-23
Abstract: Hartbeschichtung, welche an einer Oberfläche eines Grundmaterials vorgesehen ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Hartbeschichtung eine Nano-Mehrschichtstruktur aufweist, bei der eine Dünnschicht A, eine Dünnschicht B und eine Dünnschicht C von dem Grundmaterial ausgehend in der Reihenfolge A-B-A-C gestapelt sind, oder eine Struktur, in der die Nano-Mehrschichtstruktur sich zumindest zweifach wiederholend gestapelt ist,wobeidie Dünnschicht A aus TiAlN besteht, wobei für x gilt: 0,3≤x≤0,7;die Dünnschicht B aus AlCrN besteht, wobei für y gilt: 0,3≤y≤0,7; unddie Dünnschicht C aus MeN besteht, wobei Me eines aus Nb, V und Cr ist.
Patent DE-112013006601-B4 (DE)
Title: Kugelgleichlaufverschiebegelenk und Anordnung mit Kugelgleichlaufverschiebegelenk
Inventor: CERMAK HERBERT
IPC: F16D3/227
Filed: 2013-02-06
Granted: 2021-01-28
Abstract: Kugelgleichlaufverschiebegelenk (1), zumindest aufweisend ein Gelenkaußenteil (2) mit einer Mittelachse (11) und mit äußeren Kugelbahnen (3), ein Gelenkinnenteil (4) mit inneren Kugelbahnen (5), einer Vielzahl von Drehmoment übertragenden Kugeln (6), die jeweils in einander zugeordneten äußeren und inneren Kugelbahnen (3, 5) geführt werden, und einen Käfig (7), der mit einer Vielzahl von Käfigfenstern (8) versehen ist, die jeweils eine oder mehrere der Kugeln (6) aufnehmen; wobei weiter zumindest das Gelenkaußenteil (2) zumindest einen Betriebsbereich (9) und einen Montagebereich (10) aufweist, die entlang der Mittelachse (11) hintereinander angeordnet sind, wobei das Gelenkaußenteil (2) im Betriebsbereich (9) ein erstes Querschnittsprofil (12) und im Montagebereich (10) ein zweites Querschnittsprofil (13) aufweist, wobei im Montagebereich (10) ein zweiter Abstand (29) von der Mittelachse (11) hin zu dem zweiten Querschnittsprofil (13) im Mittel größer ist als im Betriebsbereich (9) ein erster Abstand (28) von der Mittelachse (11) hin zu dem ersten Querschnittsprofil (13), wobei eine Verschiebung des Gelenkinnenteils (4) gegenüber dem Gelenkaußenteil (2) in einer axialen Richtung (32) und damit der Kugeln (6) von dem Betriebsbereich (9) in den Montagebereich (10) reversibel möglich ist, wobei sich ein Kugelbahngrund (33) mit unverändertem Abstand zur Mittelachse (11) in einer axialen Richtung (32) aus dem Betriebsbereich (9) in den Montagebereich (10) hinein fortsetzt.
Patent DE-112016006445-B4 (DE)
Title: Spiegelantriebsvorrichtung sowie Verfahren zur Steuerung und Herstellung einer Spiegelantriebsvorrichtung
Inventor: ITO TAKAHIKO
IPC: G02B26/08
Filed: 2016-12-13
Granted: 2022-09-22
Abstract: Spiegelantriebsvorrichtung, die Folgendes aufweist:- einen Reflektor (11M), der in der Lage ist, einfallendes Licht zu reflektieren; und- ein Paar von Trägerbereichen (BL1+BR1, BL2+BR2, BU1+BD1, BU2+BD2) benachbart zu dem Reflektor (11M), um den Reflektor (11M) sandwichartig zwischen den Trägerbereichen (BL1+BR1, BL2+BR2, BU1+BD1, BU2+BD2) anzuordnen, wie in einer Draufsicht zu sehen,wobeidas Paar von Trägerbereichen (BL1+BR1, BL2+BR2, BU1+BD1, BU2+BD2) Folgendes aufweist:- ein Paar von ersten Trägern (11BL1, 11BR1, 11BU1, 11BD1) direkt benachbart zu dem Reflektor (11M), um den Reflektor (11M) sandwichartig zwischen den ersten Trägern (11BL1, 11BR1, 11BU1, 11BD1) anzuordnen;und- ein Paar von zweiten Trägern (11BL2, 11BR1, 11BU2, 11BD2), die jeweils mit einer Seite eines entsprechenden der ersten Träger (11BL1, 11BR1, 11BU1, 11BD1) gekoppelt sind, wobei sich die eine Seite in Bezug auf den entsprechenden der ersten Träger (11BL1, 11BR1, 11BU1, 11BD1) entgegengesetzt zu dem Reflektor (11M) befindet,- eine Mehrzahl von Elektroden (14), die voneinander beabstandet sind, an einer Hauptoberfläche von jedem des Paars von ersten Trägern (11BL1, 11BR1, 11BU1, 11BD1), wobei ein piezoelektrisches Material (13) zwischen der Hauptoberfläche und der Mehrzahl von Elektroden (14) eingefügt ist,wobei die ersten Träger des Paars von ersten Trägern (11BL1, 11BR1, 11BU1, 11BD1) in jeweiligen Richtungen, die entgegengesetzt zueinander sind, quer zu der Hauptoberfläche verschiebbar sind undwobei das Paar von zweiten Trägern (11BL2, 11BR1, 11BU2, 11BD2) in einer Richtung, die das Paar von ersten Trägern (11BL1, 11BR1, 11BU1, 11BD1) und das Paar von zweiten Trägern (11BL2, 11BR1, 11BU2, 11BD2) verbindet, entlang einer Hauptoberfläche der zweiten Träger verschiebbar ist.
Patent DE-112016006517-B4 (DE)
Title: Halbleitervorrichtungen
Inventor: MASUOKA FUMIHITO
IPC: H01L29/861
Filed: 2016-02-29
Granted: 2022-09-29
Abstract: Halbleitervorrichtung, aufweisend:- eine Driftschicht (1);- erste und zweite p-Typ-Anodenschichten (2, 3), die auf der Driftschicht (1) nebeneinander ausgebildet sind;- eine n-Typ-Kathodenschicht (5) und p-Typ-Kathodenschicht (6), die unter der Driftschicht (1) nebeneinander ausgebildet sind; und- eine n-Typ-Pufferschicht (7), die zwischen der Driftschicht (1) und der n-Typ-Kathodenschicht (5) und zwischen der Driftschicht (1) und der p-Typ-Kathodenschicht (6) ausgebildet ist, wobei:- die erste p-Typ-Anodenschicht (2, 2a, 2b) eine größere Diffusionstiefe als eine Diffusionstiefe der zweiten p-Typ-Anodenschicht (3) aufweist,- die erste p-Typ-Anodenschicht (2, 2a, 2b) eine größere Verunreinigungskonzentration als eine Verunreinigungskonzentration der zweiten p-Typ-Anodenschicht (3) aufweist,- die n-Typ-Kathodenschicht (5) eine größere Diffusionstiefe als eine Diffusionstiefe der p-Typ-Kathodenschicht (6) aufweist,- die n-Typ-Kathodenschicht (5) eine größere Verunreinigungskonzentration als eine Verunreinigungskonzentration der p-Typ-Kathodenschicht (6) aufweist und- die erste p-Typ-Anodenschicht (2) einen kleineren Pitch als ein Pitch der n-Typ-Kathodenschicht (5) aufweist.
Patent CZ-288600-B6 (CZ)
Title: Method of operation of a storage tank
Inventor: PERRY MICHAEL ROBERT
IPC: B29C48/92
Filed: 1993-07-20
Abstract: In the present invention there is disclosed a method of storing liquid in a storage tank (101) used in production process of products particularly such as fibers and foils made of regenerated cellulose i.e. solution of cellulose in a tertiary amine N-oxide and providing an equalizing zone during transport of the solution between source and demand points. The storage tank (101) has an end wall and a side cylindrical wall (114) and comprises a piston (111) beating through the mediation of a packing (112, 113) against the cylindrical wall, whereby volume of the solution in the storage tank (101) is defined by the its end wall, side cylindrical wall (114) and the piston (111). The tank (101) has an inlet port (127) connected to a source of supply of said liquid and a circular outlet port (117) connected to a source of demand for said liquid, whereby one of said inlet port and outlet ports (127, 117) is situated in the vicinity of the tank (101) end wall and the other is performed in the pi