baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent KR-19980058260-A (KR)
Title: 시작차 조립용 로케이션 지그
Filed: 1996-12-30
Abstract: 본 발명은 시작차 조립용 로케이트 지그에 관한 것이다. 
     보다 구체적으로 설명하면 시작차 제작시 패널 규제를 위하여 사용되는 지그에 있어서, 툴형 구멍을 규제하기 위한 핀을 너트로 구정시킬수 있도록 핀 하부에 나사산을 형성하는 한편, 보조 브라켓의 일단부를 절곡하여 앵글형으로 형성토록 한다음 저부 로케이터면과 접착되는 면에 다월 핀을 돌설하고 그 상부에 나사로 체결할 수 있도록 한 것에 관한 것으로 앵글형 기초 브라켓(105)의 상면 일측에 저부 로케이터(1)를 볼트로 체결하여 고정시키고 상기의 저부 로케이트(1)의 일측면에 핀이 설치된 보조 브라켓을 설치한 통상의 지그에 있어서, 상기의 보조 브라켓(3)은 일단부를 절곡하여 앵글형상으로 구성하되 절곡부의 상측에는 구멍을 형성하여 볼트(5)로 고정시키고 하측에는 다월 핀(4)으로 위치를 규제하는 한편, 다른측 상면에 형성된 구멍(7)으로 나사산(10)이 형성된 핀(8)을 삽설하여 너트(9)로 체결한 시작차 조립용 로케이션 지그인데, 이것은 지그용 핀과 보조 브라켓을 공동으로 사용할 수 있도록 호환성을 갖게하여 원가 절감 및 생산성을 향상되도록 한 유익한 발명이다.
Patent KR-960704333-A (KR)
Title: 박판형 화상 디스플레이 장치(Thin-panel picture display device)
IPC: H01J29/02
Filed: 1995-05-05
Abstract: 발광 스크린(1), 전자원 수단 및 상기 발광 스크린(1)과 상기 전자원 수단 사이에 배치된 어드레싱 시스템(100)을 갖는 박판형 화상 디스플레이 장치가 개시된다. 전자들은 어드레싱시스템에 의해 발광 스크린상의 소정 위치로 지향된다. 전자를 통과시키기 위한 창을 가지는 전기 절연 물질의 스페이서판(101)은 상기 어드레싱 시스템과 상기 발광 스크린 사이에 형성된다. 상기 스페이서 판은 log R(250℃)≥8의 조건을 만족하는 상기 저항값 R을 갖는 물질로 이루어진다.
Patent KR-960704092-A (KR)
IPC: C25B9/00
Filed: 1996-01-22
Abstract: PCT No. PCT/DE95/00643 Sec. 371 Date Jan. 25, 1996 Sec. 102(e) Date Jan. 25, 1996 PCT Filed May 11, 1995 PCT Pub. No. WO95/33084 PCT Pub. Date Dec. 7, 1995The invention concerns an electrochemical process for the production of metallic hydroxides and/or metallic-oxide hydroxides from metal ions and hydroxide ions, as well as a device for carrying out the process. The metallic hydroxide and/or metallic-oxide hydroxide is formed in a chamber K, bordered on the cathode side by a bipolar membrane, and the required hydroxide ions arise by means of a bipolar membrane, the anion-selective layer being arranged on the anode side. The metal ions are either fed into the chamber K or formed in the chamber K in the presence of an agent, present in the chamber K and at a pH>7, which complexes the metal ions. The device for implementation of the process exhibits a cylindrical head geometry, connected to a conical geometry.
Patent KR-960705878-A (KR)
IPC: C08L23/04
Filed: 1994-09-14
Abstract: Heat sealed articles and heat sealable films comprising a polymer blend of a first polymer having a narrow molecular weight and composition distribution and a second polymer having a broad molecular weight distribution and composition distribution. The articles and films have significantly improved physical characteristics and remarkably low heat seal initiation temperatures, high seal strength, high hot tack and therefore provide improved processibility and higher line speeds on commercial heat sealing equipment.
Patent KR-970701372-A (KR)
Title: 플라즈마 어드레스형 액정 디스플레이용 캐소드(Cathode for plasma addressed liquid crystal display)
IPC: G09F9/35
Filed: 1995-11-29
Abstract: 본 발명은 전기-광학 물질층, 이 전기-광학층에 연결되어 이 층부분을 활성화시키기 위해 데이터 전압을 수신하도록 적응된 데이타 전극, 및 상기 전기-광학 부분을 선택적으로 스윗칭 온하기 위해 상기 데이터 전극과 일반적으로 교차하도록 연장되는 다수개의 플라즈마 채널을 포함하는 플라즈마-어드레스형 전기-광학 디스플레이 장치에 관한 것이다. 상기 플라즈마 채널은 각각 이격된 긴 캐소드 및 애노드 플라즈마 전극 및 이온화가능 가스 필링을 포함한다. 본 장치의 성능, 신뢰도 및 수명을 개선하기 위해, 최소한 캐소드 전극이 음전자 친화성 물질로된 표면 부분을 갖는다. 양호하게도, 음전자 친화성 물질은 도전성 또는 반도전성 다이아몬드, 다이아몬드형 탄소, 또는 알루미늄 질소막이다.
Patent KR-970703616-A (KR)
Title: 바이폴라 트랜지스터 및 모스 트랜지스터를 구비한 반도체 장치의 제조 방법(method of manufacturing a semiconductor device with bicmos circuit)
IPC: H01L29/43
Filed: 1996-03-11
Abstract: 실리콘 바디(body)(3)의 표면(5)과 인접하는 반도체 영역(6,7)들을 서로 격리시키는 필드 절연 영역(4)이 제공되는 실리콘 바디(3)내에 형성되는 바이폴라 트랜지스터(1) 및 모스(MOS) 트랜지스터(2)를 구비한 반도체 장치의 제조 방법이 개시된다. 제1영역(6)은 바이폴라 트랜지스터용으로 사용되며, 제2영역(7)은 모스 트랜지스터용으로 사용된다. 상기 제2영역에는 게이트 절연층(10)이 형성된다. 다음에, 그 표면상에 비결정 실리콘의 전극층(11)이 형성되고, 이 전극층은 도핑이 행해지며, 다음에, 이 전극층에서 에미터 전극(12)이 상기 제1영역에, 그리고 게이트 전극(13)이 상기 제2영역에 형성된다. 상기 제1영역의 지역에 제1도핑이 행해지고 제2영역의 지역에 제2도핑이 행해지는 처리에 의해, 상기 전극층에 도핑층이 제공되는데, 상기 제1도핑은 트랜지스터의 에미터 영역이 전극층에서 형성될 에미터 전극으로부터의 확산을 통해 형성될 정도의 농도로 행해지는 반면, 상기 제2도핑은 상기 제1도핑의 농도보다 낮은 농도로 행해진다. 비교적 낮은 도핑 레벨로 인해 플라즈마 에칭 및 이온 주입 동안 게이트 산화 브레이크다운이 방지된다.
Patent KR-19980067279-A (KR)
Title: 아크릴계 수지 인조대리석판의 연속 제조방법 및 그 장치
IPC: B28B7/42
Filed: 1997-02-01
Abstract: 본 발명은 아크릴계 수지 인조대리석판의 연속제조방법 및 그 장치에 관한 것으로, 아크릴계 수지 인조대리석판 중합 원료 혼합물을 연속적으로 금형에 주입한 후 1조의 엔드리스 스틸 벨트와 부대장치로 구성되는 연속경화장치에 연속적으로 주입하고 경화하여 판상의 반제품을 제조한 후 에지 트리밍 및 표면연마과정을 거쳐 아크릴계 수지 인조대리석판을 제조함에 있어서, 2개 이상의 구역으로 구분되고, 각 구역외에 송풍기, 히타, 순환 덕트, 노즐 유니트로 구성되는 공기순환 장치가 설치된 경화 챔버를 원료 혼합물이 적재된 1조의 엔드리스 스틸 벨트의 상하면에 대칭적으로 설정하여 열풍에 의해 중합성 원료의 상부 및 하부면을 동일하게 가열 및 냉각시키는 것을 특징으로 하는 아크릴계 수지 인조대리석판의 연속 제조방법 및 그 장치에 관한 것으로, 본 발명에 의하면 1조의 엔드리스 스틸벨트를 사용하여도 휨의 발생 없이 아크릴계 수지 인조대리석판을 연속적으로 제조할 수 있다.
Patent KR-970064692-A (KR)
Title: 가스분리법
IPC: B01D53/77
Filed: 1997-03-28
Abstract: 버너(4)와 노(6)는 동작하여 황화수수 및 이산화탄소를 포함하는 공급 가스 스트림으로부터 황화수소, 이산화항, 이산화탄소, 수증기 및 황 증기를 포함하는 가스 혼합물을 형성하게된다. 모든 황화수소를 반응기(22)에서 산화시켜 이산화황(또는 모든 이산화황을 황화수소로 환원시킨다)을 생성한다. 생성한 가스 혼합물을 건조기(30)에서 건조시키고 또 압축기(22)에서 압축시킨다. 이러 증류 칼럼(38)에서 분별 증류시킨다. 황 화합물이 실질적으로 존재하지않는 상류 분획을 제거하면서 하류 분획은 노(6)로 재순환될 수 있다.
Patent KR-970066574-A (KR)
Title: 반도체 메모리 시험장치
IPC: G11C29/44
Filed: 1997-03-29
Abstract: 피시험 메모리의 페일루 데이터가 격납되는 메모리부가 인터리브 방식의 복수의 DRAM으로서 구성되어 있는 각 DRAM에 격납되는 페일루 데이터와 그 아드레스를 일치적으로 유지하는 버퍼 메모리가 설정돼 있고, 또한 각 DRAM마다 격납 제어 부분이 설정돼 있고 입력 페일루 아드레스 로우 아드레스가 당해 DRAM에 대한 페일루 아드레스가 당해 DRAM에 대응하는 버퍼 메모리에 격납된다. 
     또한 각 DRAM마다 써넣기 제어 수단이 설정돼 있고 당해 DRAM에 대응하는 버퍼 메모리에서 페일루 데이터를 읽어내고 당해 DRAM에 고속 써넣기 모드로서 써넣어진다.
Patent KR-19980076113-A (KR)
Title: 차량용 전지의 초기 잔존용량 측정방법
Filed: 1997-04-07
Abstract: 본 발명은 차량용 전지의 초기 잔존용량 측정방법에 관한 것으로, 특히 시동시에 전지의 잔존용량을 전지의 출력밀도를 이용하여 구함에 의해 전운행시의 전지의 용량기억이 필요없고, 장시간 차량을 방치한 경우 전지의 자기방전으로 인한 용량감소를 효과적으로 인지할 수 있는 전기자동차용 전지의 초기 잔존용량 측정방법에 관한 것이다. 
     본 발명은 차량의 시동에 응답하여 차량의 실재부하를 전지로부터 차단하고 상기 전지에 시험부하를 접속시켜 시험회로를 형성하는 단계와, 상기 시험부하에 제1스텝출력을 인가하고 이때에 시험부하에 인가된 제1부하전압과 제1부하전류를 측정하는 단계와, 이어서 상기 시험부하에 제2스텝출력을 인가하고 이때에 시험부하에 걸리는 제2부하전압과 제2부하전류를 측정하는 단계와, 측정된 상기 제1및 제2 전압과 전류값을 이용하여 시험부하의 부하저항과 무부하전압을 산출하고, 산출된 부하저항과 무부하전압을 이용하여 전지의 출력밀도를 구하고 이로부터 전지의 잔존용량을 환산하여 구하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 한다.
Patent KR-970071538-A (KR)
Title: 모터제어장치, 모터제어방법, 디스크 장치, 및 디스크 액세스 방법
IPC: H02P29/00
Filed: 1997-04-07
Abstract: 본 발명은 트랙피치가 가정치와 실제치에서 다른 경우에 있어서도, 고속으로 광학픽업을 목표위치에서 위치결정할 수 있도록 하여, 액세스의 고속화를 실현하게 하는 것을 목적으로 하며, 이를 위하여, 엑세스 대상의 선두논리 어드레스에 근거하여 목표트랙 NO을 구하는 목표위치 연산수단(58)과, 현재의 어드레스에 근거하여 현재의 트랙 NO를 연산하는 현재위치 연산수단(60)과, 목표트랙 NO와 현재의 트랙 NO에 근거하여 이동하여야 할 트랙개수를 구하는 트랙개수 연산수단(61)과, 이들 트랙개수라든지 트랙피치(가정치)등에 근거하여 스텝수를 계산하는 스텝수 계산수단(62)과, 계산된 스텝수와 나머지 트랙개수에 근거하여 트랙피치(가정치)를  보정하는 가정치 보정수단(65)을 설치하여 구성한다.
Patent KR-19980078543-A (KR)
Title: 이온주입으로 유도된 에지결함 형성의 방지방법
IPC: H01L21/265
Filed: 1997-04-29
Abstract: 본 발명은 결함형성을 최소화하도록 주입프로파일의 형상을 조절하기 위해, 이온주입이 일어나는 표면층의 바람직한 두께를 결정하는 방법에 관한 것으로서, 고체상 에피택셜 재성장 프론트간의 최대 각도 θ를 선택하는 단계와; 기판내로의 이온주입거리의 투영범위(projected range) Rp, 제1축 방향의 투영표준편차 ΔRp 및 제2축 방향의 투영표준편차 ΔY를 결정하는 단계를 포함한다.  이들 값들을 이용하여, 하기 수학식 4로 표면층의 두께 t를 산출한다. 상기 층을 기판상에 배치한 다음, 주입 단계를 수행한다.  이어서, 어닐링을 수행하여 무정형 영역을 재결정화한다.  어닐링시의 재결정 방향을 조절하기 위해, 주입되는 표면의 형태를 변형시킬 수 있다. 
     [수학식 4]
Patent KR-19980082451-A (KR)
Title: 비스신호를 이용한 복합제품의 오디오더빙처리방법
Filed: 1997-05-07
Abstract: 본 발명은 비스신호를 이용한 복합제품의 오디오더빙처리방법에 관한 것으로, 씨디피와 브이씨알이 결합된 복합제품에 오디오더빙모드가 실행될 경우 브이씨알비스신호 검출판단단계로 진행하여 오디오더빙모드를 실행하는 브이씨알데크로부터 비스(VISS)신호가 검출되는지를 판단하는 브이씨알비스신호 검출판단단계와, 이 브이씨알비스신호 검출판단단계중에 판단한 결과 브이씨알데크로부터 비스신호가 검출 되었다면 현재 실행중인 씨디데크의 오디오신호재생을 일시중지시키는 오디오더빙 일시중지단계와, 이 오디오더빙 일시중지단계와 이 오디오더빙 일시중지단계후에 씨디의 곡목데이터 목록을 디스플레이상에 표시하고 그 표시된 씨디의 오디오곡목신호중 특정한 곡목신호가 설정되었는지를 판단하는 선곡신호 설정판단단계와, 이 선곡신호 설정판단단계중에 판단한 결과 씨디의 오디오곡목신호중 특정한 곡목신호가 설정되었을 경우는 중지되었던 씨디데크를 재구동하여 그 선택된 씨디의 선곡데이터를 오디오더빙시키는 오디오더빙모드 재실행단계로 이루어져, 비디오테이프의 기록내용에 따라 적절한 오디오신호를 더빙을 하므로 이에 따라 시스템의 효용성을 향상시킬 수 있다.
Patent KR-19980083097-A (KR)
Title: 비정질 실리콘층의 결정화 방법 및 이를 사용한 박막트랜지스터의 제조방법
IPC: H01L21/336
Filed: 1997-05-12
Abstract: 본 발명은 비정질 실리콘층의 결정화 방법 및 이를 사용한 박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 비정질 실리콘층을 결정화하기 위하여 절연기판에 채널영역이 정의되는 비정질 실리콘층을 형성하는 단계와, 상기 비정질 실리콘층의 채널영역에 트렌치를 형성하는 단계와, 상기 비정질 실리콘층에 레이저를 조사하여 상기 비정질 실리콘층이 용융 및 고화되는 과정에서 상기 비정질 실리콘층을 결정화하는 단계를 포함하며, 캡핑층(capping layer)을 형성하지 않고도 비정질 실리콘층의 채널영역(channel region)을 결정화함으로써 캡핑층의 형성으로 인한 채널영역의 손상을 감소시킬 수 있다.
Patent KR-19980083207-A (KR)
Title: 광대역 터미널 어답터의 메세지 전송 제어 장치 및 그 제어방법
IPC: H04L12/28
Filed: 1997-05-13
Abstract: B-ISDN(Broadband - Intergrated Service Digital Network)에 접속되는 광대역 정합장치(B-TA)간의 메세지 전송 제어 장치 및 그 제어 방법에 관한 것이다. 상기 메세지 전송 제어 장치는 상호간에 비연결형으로 데이타 전송을 서비스하는 다수의 비연결형 서비스 서비스 기능 서버을 포함하는 B-ISDN과, 각각의 데이타 네트워크 및 상기 B-ISDN내 다수의 비연결형 서비스 기능 서버 사이에 접속되며 단말 상호간의 데이타 전송을 위한 영구가상 연결정보와 단말과 상기 비연결형 서비스 서버간의 데이타 전송을 위한 비연결형 서비스기능정보를 가지고 상기 데이타 네트워크의 메세지를 영구가상연결 혹은 비연결형 서비스기능서버을 통해 선택적으로 전송한다.
Patent KR-19980085526-A (KR)
Title: 평면 브라운관
Filed: 1997-05-29
Abstract: 패널과 섀도우마스크가 평면을 이루는 평면 브라운관으로서, 섀도우마스크를 지지하는 지지수단을 유리재료의 미드글라스로 형성하여 마스크 어셈블리의 중량을 감소시키며, 상기 마스크 어셈블리로 직접 패널 내면에 노광작업을 행함으로써 수율을 안정화시키고, 제조공정을 단순화시킬 수 있다.
Patent KR-970077572-A (KR)
Title: 접착필름을 갖는 회로테이프, 반도체장치 및 그의 제조방법
IPC: H01L23/12
Filed: 1997-05-29
Abstract: 전기특성, 실장신뢰성 및 조립성에 우수하고, 고밀도, 다핀화 및 고속전송에 대응할 수 있는 회로테이프, 반도체장치 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 반도체소자와 실장기판의 열팽창율의 차로 인해 발생되는 열응력으로 인해 접속 신뢰성이 저하한다는 문제점을 해소하기 위해, 패턴층을 갖는 회로테이프와 반도체소자를 전기적으로 접속하고, 회로테이프상에 회로테이프와 실장기판을 전기적으로 접속하기 위한 외부단자를 마련하고, 절연성을 가지며 회로테이프와 반도체 소자를 접착하기 위한 재료로서 필름재료를 사용하며, 실장 리플로 조건의 온도범위(200∼250℃)에서 접착용 필름재료의 탄성율이 1㎫ 이상인 반도체장치를 마련하였다. 
     상기 장치를 이용하는 것에 의해서, 회로테이프와 반도체소자를 전기적으로 접속하고 있는 리이드부분 및 반도체장치와 실장기판을 전기적으로 접속하고 있는 범프의 양쪽의 접속신뢰성을 동시에 만족시킬 수 있으며, 내리플로특성, 대량생산성에 우수한 제조방법을 제공할 수 있다는 효과가 얻어진다.
Patent KR-19980069793-A (KR)
IPC: G01F1/32
Filed: 1997-06-11
Abstract: An improved ultrasonic vortex fluid flowmeter (10) includes a housing (12) having a slip-on yoke (16) which removably mates with a bluff body conduit connector (18) permanently installed in a fluid conduit to be monitored. An ultrasonic transmitter (40) and receiver (42) are respectively positioned within the legs of the yoke so as pass an ultrasonic wave through vortices (43) shed by the fluid as it flows by the bluff body (28). The slip-on yoke eliminates both the need to shut down fluid flow during meter servicing, and the potential for external contaminants entering the fluid. The flowmeter further utilizes a simple phase detector formed from an Exclusive Or gate (44) in combination with an optimal phase range detecting means (108). The optimal phase range detecting means triggers a 90 degree phase shift whenever the phase difference between the transmitted wave and the received wave approaches 0 or 180 degrees. <IMAGE>
Patent KR-19990003191-A (KR)
Title: 복합제품의 씨디스크래취 기록방지방법
Filed: 1997-06-25
Abstract: 본 발명은 복합제품의 씨디스크래취 기록방지방법에 관한 것으로, 씨디에 기록된 데이터의 복조가 어렵거나 데이터의 에러시 출력되는 씨투피제로(C2P0)신호를 판별하는 씨투피제로 판별과정과, 이 씨투피제로 판별과정과 동시에 오디오 출력레벨이 기준치 이상인가를 판별하는 오디오 출력레벨 판별과정과, 이 오디오 출력레벨 판별과정 및 상기 씨투피제로 판별과정에서 어느 한 쪽이 에러감지가 되면 기록 또는 재생을 일시정지하는 레코딩 일시정지과정으로 이루어 짐으로써, 씨디에서 출력되는 데이터에 에러가 발생하면 이를 감지하여 에러의 발생구간동안 재생신호의 출력을 차단시키므로, 불필요한 신호의 기록을 방지하여 청감의 질을 향상시키도록 한다.
Patent KR-19990005969-A (KR)
Title: 비동기 전송모드(atm) 시스템의 에이디엠(atm) 계층 디바이스와 물리 계층 다비이스의 인터페이스 장치
IPC: H04L12/28
Filed: 1997-06-30
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야 
     비동기 전송 모드(ATM) 시스템 
     2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제 
     일반적인 ATM 시스템의 ATM 계층 디바이스와 물리 계층 디바이스의 인터페이스 장치가 프로그램 가능한 로직 디바이스(PLD)의 프로그램 방법에 따라 달라지므로 인터페이스 장치의 일반화가 어렵다는 문제와 주변 회로와 집적화할 수 없다는 문제를 해결하고자 하는 것이다. 
     3. 발명의 해결방법의 요지 
     에이티엠(ATM) 셀의 53바이트중 5바이트의 헤더를 처리하는 에이티엠(ATM) 계층 디바이스(10)와, 상기 에이티엠(ATM) 계층 디바이스(10)로부터 전송된 에이티엠(ATM) 셀을 물리 계층으로 전송하여 물리 계층에서 수신된 에이티엠(ATM) 셀을 상기 에이티엠(ATM) 계층 디바이리스(10)로 전송하는 물리 계층 디바이스(20)와, 상기 물리 계층 디바이스(20)로부터 전송된 에이티엠(ATM) 셀을 선입선출하는 선입선출부(30)를 구비한 비동기 전송모드 시스템에 있어서, 
     상기 에이티엠 계층 디바이스(10)에서 상기 물리계층 디바이스(20)로 에이티엠 셀을 송신하도록 해당 제어신호를 인터페이스해 주는 송신신호 발생부(500)와; 상기 에이티엠 계층 디바이스(10)에서 상기 물리계층 디바이스(10)로부터 에이티엠 셀을 수신시 셀의 헤더 처리를 위해 상기 선입선출부(30)에 셀을 버퍼링하도록 제어신호를 인터페이스해주는 제1 수신신호 발생부(400)와; 상기 선입선출부(30)에서 출력되는 수신셀 에러 발생여부 신호를 인터페이스하여 에이티엠 계층 디바이스(10)로 전달해 주는 셀에러 신호 발생부(100)와 상기 선입선출부(30)에 버퍼링된 에이티엠 셀을 상기 셀에러 신호 발생부(100)로부터 출력되는 신호에 따라 상기 에이티엠 계층 디바이스(10)에서 수신하도록 제어신호를 인터페이스해 주는 제2 수신신호 발생부(200)와; 상기 셀에러 신호 발생부(100)의 출력신호에 따라 선입선출부(30)에서 전달되는 에이티엠 셀이 유효한 셀임을 상기 에이티엠 계층 디바이스(10)에 알리는 셀유효 신호 발생부(300)와; 상기 에이티엠 계층 디바이스(10)에서 출력되는 선입선출부(30)의 리셋신호를 인터페이스하여 상기 선입선출부(30)로 전달해 주는 리셋신호 발생부(700)와; 상기 에이티엠 계층 디바이스(10)에서 출력되는 선입선출부(30)의 리셋신호에 대한 응답신호를 인터페이스하여 상기 에이티엠 계층 디바이스(10)로 전달해 주는 리셋응답 신호 발생부(600)와; 상기 에이티엠 계층 디바이스(10)에서 출력되는 셀손실 신호 및 경보신호를 인터페이스하여 상기 물리계층 디바이스(20)로 전달해 주는 경보/손실 신호 발생부(800)로 구성된 것을 특징으로 하는 것이다. 
     4. 발명의 중요한 용도 
     비동기 전송모드(ATM) 시스템의 에이티엠(ATM) 계층 디바이스와 물리 계층 디바이스 간의 인터페이스에 적용되는 것이다.
Patent KR-19990015062-A (KR)
Title: 구동 집적 회로
IPC: G02F1/1345
Filed: 1997-08-01
Abstract: 본 발명은 구동 집적 회로에 관한 것으로서, 다수의 입력단, 출력단 및 전원단 패드가 형성되어 있는 웨이퍼의 상부에 적어도 한 쌍의 접촉 저항 측정용 패드가 형성되어 있다.  이러한 접촉 저항 측정용 패드를 통하여 구동 집적 회로가 표시 장치에 실장되었을 때 패드 사이에서 발생하는 접촉 저항을 측정할 수 있다.
Patent KR-19990015674-A (KR)
Title: 구동 집적 회로 및 이를 포함하는 표시 장치
Filed: 1997-08-08
Abstract: 본 발명은 구동 집적 회로 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것으로서, 한 변에 다수의 입력 범프가 형성되어 있는 입력 패드부와 한 변에 대응하는 다른 변에 다수의 출력 범프가 형성되어 있는 출력 패드부로 이루어진 구동 집적 회로가 적어도 한 기판에 실장되어 있다.  기판에 형성되어 있는 신호선으로부터 연장되어 있는 출력단과 외부로부터 전기적인 신호를 전달받는 입력단이 교대로 형성되어 있으며, 입력단은 입력 범프와 출력단은 출력 범프와 각각 연결되어 있다.
Patent KR-19990015676-A (KR)
Title: 센스앰프 구동회로
Filed: 1997-08-08
Abstract: 본 발명은 센스앰프 구동회로에 관한 것으로, 소스는 VCCCLP에 연결되고 SAPIB신호에 따라 온/오프되는 병렬연결된 PM1,PM2와; 드레인은 VDL에 연결되고 SAP2신호에 따라 온/오프되는 NM1로 이루어져 상기 SAPIB, SAP2신호에 따라 구동하여 CSP를 발생하는 오버드라이빙신호발생부와; 소스는 VSS에 연결되고 SAN신호에 따라 CSN를 발생하는 NM2와; 소스는 VBB에 연결되고 X1를 통한 상기 SAPIB의 반전신호에 따라 온/오프되어 CSN를 발생하는 NM3,NM4로 이루어져 SAN 및 SAPIB의 반전신호에 동기하여 CSN를 발생하는 언더드라이빙신호발생부로 구성한다. 이와같이 구성한 상태에서 먼저, SAPIB, SAP2는 '로우'신호로 인가되되고, SAN는 '하이'신호로 인가되면, 상기 SAPIB, SAP2에 의해 PM1,PM2는 턴온되고 NM1는 오프된다. 그리고 상기 SAN에 의해 NM2-NM4는 모두 턴온된다. 이때, 상기 PM1,PM2의 전원전압은 VCCCLP이고, NM1의 전원전압은 코어내부용 전원인 VDL이다. 또한 상기 NM2의 소스는 접지전압(VSS)에 연결되어 있고, 상기 NM3,NM4의 소스는 기판전압(VBB)에 연결되어 있다. 이때, 상기 VCCCLP전압은 VDL전압보다 높은 전압이고, 상기 기판전원(VBB)은 접지전압(VSS)보다 낮은 전압이다. 따라서 CSP는 VCCCLP레벨 전위로 상승하고, CSN는 기판전압(VBB)레벨 전위로 하강한다.이후, SAPIB, SAP2가 '하이'가 되면 CSP는 VCCCLP레벨 전위에서 NM1의 전원전압 레벨인 VDL레벨로 된다.그리고 CSN의 레벨은 VBB레벨에서 NM2의 소스에 연결된 접지전압(VSS)레벨이 된다.이상에서 상세히 설명한 바와같이 본 발명은 기판전압을 이용하여 언더드라이빙신호 발생 시간을 빨리 함으로서 오버드라이빙신호 발생 시간과 동일하게 맞출 수 있어 결과적으로 센스앰프의 센싱속도를 향상시킬 수 있고, 노이즈 마진이 좋아지는 효과가 있다.
Patent KR-19980019017-A (KR)
Title: 저 전원 전압에서의 동작에 적합한 메모리 및 이 메모리용의 감지 증폭기(Memory suitable for operation at low power supply voltages and sense amplifier therefor)
IPC: G11C16/28
Filed: 1997-08-23
Abstract: 메모리(400)는 다중 비트 라인들에 연결된 전류-전압 변환기들(512 및 513)과, 아울러 전류 기준을 형성하는 공통 전류원(548), 및 공통 래치 비교기(530)와 함께 형성된 감지 증폭기(500)를 포함한다. 다중 비트 라인들중 하나를 선택하는 열 디코드 선택 회로(515)가 전류-전압 변환기들(512 및 513)과 공통 래치 비교기(530)의 한 입력 사이에 개재된다. 감지 증폭기(500) 콤포넌트들의 배전(distribution)은 저 전원 전압에서의 동작을 허용한다. 감지 증폭기(500)는 공통래치 비교기(530)의 한 기준 입력상에서의 제 1 방전율을 설정하기 위해 클램프 및 로딩 장치를 사용한다. 선택된 메모리 쎌의 상태는 공통 래치 비교기(530)의 다른 입력상에서 제 2 방전율을 설정하며, 이 제 2 방전율은 당해 메모리 쎌의 상태에 의존하여 상기 제 1 방전율보다 크거나 작아진다. 공통 래치 비교기(530)부분은 또한 프로그램 모드동안 래치로서의 이중 기능을 한다.
Patent KR-19990020489-A (KR)
Title: 노크 제어 방법
IPC: G01L23/22
Filed: 1997-08-30
Abstract: 차량 운행중 노킹 발생시 일정 주행거리마다 노킹 학습을 하여 기본 점화시기를 보정함으로써 엔진 노화에 따른 빈번한 노킹의 발생을 미연에 방지할 수 있도록 한 노킹 제어 방법에 관한 것으로, 일정한 주행 거리 동안의 노크 학습치에 의한 점화각 보정량에 따라 3차원 맵을 설정하여, 그에 따라 기준 점화각을 보정하는 단계와, 상기 단계에서 보정된 점화각으로 일정거리 주행시 발생되는 노크 경향을 검출하여 노킹이 발생하였는지를 판단하는 단계와, 상기 단계에서 노킹이 발생하지 않았을 경우에는 상기에서 보정된 점화각을 기준 점화각으로 하며, 노킹이 발생하였을 경우에는 대표 검출구간에 따른 노킹을 재검출하여 노크 학습을 하고, 그 노크 학습치에 의한 점화각 보정량에 따라 3차원 맵을 재 설정하여 설정된 맵 값에 따라 상기에서 보정된 점화각을 재 보정하여 기준 점화각으로 설정하는 단계로 이루어져 차량 운행중 노킹 발생시 일정 주행거리마다 노킹 학습을 하여 기본 점화시기를 보정함으로써 엔진 노화에 따른 빈번한 노킹의 발생 및 옥탄가의 증가를 방지할 수 있어 엔진 출력 및 연비면에서 유리하다.
Patent KR-19990025358-A (KR)
Title: 전기자동차의 집전체와 단자의 연결구조
IPC: H01R11/11
Filed: 1997-09-12
Abstract: 본 발명은 전기자동차의 집전체와 단자의 연결구조에 관한 것으로, 전기자동차의 단자(20)와 집전체(30)의 연결구조에 있어서, 상기 단자(20)는 선단 일측이 환형으로 절결되어 환형부(21)를 형성하고, 상기 집전체(30)는 상기 단자(20)가 관통삽입되는 구멍(31)이 형성되어, 이 구멍(31)에 상기 단자(20)가 관통되어 연결되는 한편, 상기 단자(20)의 환형부(21)에 이탈방지클립(40)이 끼워지고, 이 이탈방지클립(40)은 고정클립(50)에 의해 상기 집전체(30)에 고정되되, 상기 이탈방지클립(40)은 상기 단자(20)의 환형부(21)에 끼워질 수 있도록 일측선단이 절결되어 절결부(41)를 이루고, 타측선단은 양측면이 내측으로 절결되어 목부(42)를 형성하고, 상기 고정클립(50)은 상기 집전체(30)의 전면에 형성된 홈(32)에 끼워져 고정될 수 있도록 고정핀(51)이 일측에 형성되고, 타측은 선단이 내측으로 절결되어 이 절결된 부분에 상기 이탈방지클립(40)의 목부(42)가 끼워져 고정되는 구조로 된 것을 특징으로 하여, 별도의 체결용 공구의 사용없이도 간편하게 단자와 집전체를 연결설치할 수 있고, 연결시 쇼트등의 안전사고를 예방할 수 있는 효과가 있다.
Patent KR-19990025531-A (KR)
Title: 전계 효과 전자 방출 소자 및 그 제조방법
IPC: H01J1/30
Filed: 1997-09-12
Abstract: 본 발명은 전계효과 전자방출소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 게이트와 음극 사이에 형성된 전계효과에 의해 음극 위에 마련된 마이크로팁들로부터 방출되는 전자들이 상호 반발력에 의한 확산이 방지되고 소정범위내로 집속되도록 음극으로부터 게이트 보다 높이 형성된 포커싱 그리드를 갖도록 제조된다. 따라서, 전계효과에 의해 방출되는 전자들이 상호 반발하여 확산되지 않고, 일정범위내로 가두어져 집속된 전자빔을 얻을 수 있어 선명한 화상을 얻을 수 있다.
Patent KR-19990025540-A (KR)
Title: 레벨 조정 기능을 갖는 주파수 변조 검파장치 및그의 레벨조정방법
Filed: 1997-09-12
Abstract: 레벨 조정 기능을 갖는 주파수 변조 검파 장치 및 그의 레벨 조정 방법이 개시된다. 이 장치는 입력한 주파수 변조된(FM) 신호와 발진 신호의 위상차를 검출하는 위상차 검출 수단과, 위상차의 직류 성분을 소정 기준 신호에 응답하여 추출하고, 추출된 직류 성분을 FM 검파 신호로서 출력하는 제1 저역 통과 필터와, FM 검파 신호에 응답하여 발진되는 주파수를 갖는 발진 신호를 출력하는 전압 제어 발진 수단 및 자주/발진 검파 신호에 대한 소정 기준 신호의 비율과 FM 검파 신호를 승산하고, 승산된 결과를 레벨 조정된 FM 검파 신호로서 출력하는 레벨 조정 수단을 구비하는 것을 특징으로 하고, 기준 신호와 자주/발진 검파 신호의 비율에 의해 FM 검파 신호의 레벨의 산포를 정확하게 개선시킬 수 있는 효과가 있다.
Patent KR-19990031214-A (KR)
Title: 글라스울절단기
Filed: 1997-10-09
Abstract: 본 발명은 조립식 건조물의 벽체를 구성하는 패널의 내측에 부착되는 것으로 방열 및 방한성 절연물인 글라스울 절단기에 관한 것으로, 본 발명의 목적은 하나의 글라수울 절단기에 의하여 다양한 폭으로 글라스울을 절단할 수 있도록 한 글라스울 절단기를 제공하고자 하는데 그 특징이 있는 것으로, 본 발명에 따른 글라수을절단기의 작동상태를 살펴보면 면저 투입구(Fd)쪽으로 글라스울(G)을 장입시키려할때 구동모터(M4)를 작동시켜 롤링안내부(2)와 장입안내부(3), 배출안내롤러부(4)의 상하측롤러사이간격을 조정하여 자르고자하는 글라스울(G)의 두께에 대처하도록 하고 자르고자하는 글라스울(G)의 자르는폭은 선택하면 그것에 맞는 폭을갖는 칼날사이간격으로된 롤링커터(11)를 절단부(1)를 상승시켜롤링안내부(2)등과 수평으로 위치시키고 나머지 절단부(1', 1",…)를 하강시켜 놓는데 이와같은 구동은 각절단부(1)를 구동하는 구동모터(M4)를 작동시키므로서 달성된다.
Patent KR-19990031530-A (KR)
Title: 스크롤 압축기
IPC: F04C18/02
Filed: 1997-10-13
Abstract: 본 발명은, 스크롤 압축기의 체크밸브를 개시한다. 개시된 본 발명은, 본체의 내부 상측에 설치되어 그 내부를 흡입실과 토출실로 구획하며 중앙에 개구를 갖는 톱 플레이트와, 상기 톱 플레이트의 하측에 고정 설치되며 상기 톱 플레이트의 개구와 관통된 토출구를 갖되 하측에 인벌류트형상의 익이 구비된 고정스크롤과, 상기 고정스크롤의 하측에 상응 설치되며 상기 고정스크롤에 배치된 익과 상응하는 익이 상측에 구비된 선회스크롤을 갖춘 스크롤 압축기에 있어서, 상기 토출구에 배치되며 상기 토출구의 어느 일측을 향해 부여되는 압력에 의해 부상되거나 안착되되 원주방향으로 다수개의 삼발이가 일체로 구비된 체크밸브와, 상기 체크밸브의 하측에 설치되어 상기 체크밸브의 부상을 도모하는 탄지수단으로 구비된 것을 특징으로 함으로써, 스크롤 압축기의 초기기동시에 토출구의 내측에서 체크밸브가 부딪치며 금속성이 유발됨을 방지한다.
Patent KR-19990032850-A (KR)
Title: 역삼투압정수기의 폐수재사용방법
IPC: B01D61/00
Filed: 1997-10-21
Abstract: 본 발명은 정수기의 폐수를 재활용하는 방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 정수기의 정수행정중에서 역삼투압필터를 통과하면서 쓸모없이 배출되는 폐수를 귀환시켜 재활용함으로서 수자원이 낭비되는 것을 방지할 수 있는 역삼투압정수기의 폐수재사용방법에 관한 것이다. 
     본 발명의 역삼투압정수기의 폐수재사용방법은, 역삼투압필터(12)로부터 배출되는 폐수를 펌프(8)의 전단으로 공급하도록 파이프가 연결된 폐수밸브(14)와, 상기 폐수밸브(14)와 병렬로 연결된 세척밸브(34)를 구비하며, 마이컴(28)에서 정수동작수행상태를 감지하는 제1단계; 정수동작수행이 감지되면 세척밸브(34)를 개방하여 제1소정시간동안 세척행정을 수행하고 정수행정을 수행하는 제2단계; 제2소정시간동안 정수행정이 수행되면 세척행정을 제1소정시간동안 다시 수행하는 제3단계; 제2소정시간이 경과하지 않으면 수위센서부(24)로부터 수위를 측정하여 측정된 수위가 "H"에 도달하지 않으면 상기 제2단계로 복귀하는 제4단계; 및 측정된 수위가 "H"에 도달하면 세척행정을 제1소정시간동안 수행하고 정수동작수행을 완료하는 제5단계로 구성됨을 특징으로 한다.
Patent KR-19990032880-A (KR)
Title: 페이저 호출 수신 인지기능을 갖는 텔레비전
Filed: 1997-10-21
Abstract: 본 발명은 텔레비전 방송 신호를 수신하여 음향과 영상으로 분리하여 스피커와 CRT로 출력하는 텔레비전 수상기에 관한 것으로, 특히 진동모드의 무선 호출 수신기가 호출착신 감지시 특정 주기로 진동하는 것을 감지하기 위한 진동 감지수단과, 무선 호출 수신기의 호출착신을 경보하기 위한 LED와, 상기 LED의 공급 전원을 단속하는 스위칭 수단 및 상기 진동 감지수단에서 진동을 감지하여 출력하는 신호를 입력받아 상기 LED가 일정 시간간격으로 점멸하도록 상기 스위칭 수단을 제어하는 마이컴을 포함하는 것을 특징으로 하는 페이저 호출 수신 인지기능을 갖는 텔레비전에 관한 것으로 텔레비전 시청을 방해하지 않으면서 텔레비전의 시청 시 페이저 호출 수신의 인지 곤란을 해결한 것이다.
Patent KR-19990041073-A (KR)
Title: 비트율 조절이 가능한 오디오 부호화/복호화 방법 및 장치
IPC: H03M7/30
Filed: 1997-11-20
Abstract: 본 발명은 비트분할 산술부호화를 이용한 비트율 조절이 가능한 오디오 데이터 부호화/복호화 방법 및 장치에 관한 것으로, 그 부호화 방법은 오디오 신호를 기본계층과 소정 개수의 향상계층으로 이루어지는 계층적인 데이터 스트림으로 부호화 하기 위해, 입력 오디오 신호를 신호처리하여 소정의 부호화 대역별로 양자화하는 양자화처리단계와, 기본계층에 상응하는 양자화된 데이터들을 소정의 계층 크기 내에서 부호화하는 기본계층 부호화단계와, 부호화된 계층의 다음 향상(enhancement) 계층에 속하는 양자화된 데이터 및 부호화된 계층에 속하면서 부호화되지 않고 남아있는 양자화된 데이터들을 소정의 계층 크기 내에서 부호화하는 계층부호화 단계와, 계층부호화단계를 모든 계층에 대해 수행하여 비트스트림으로 형성하는 순차부호화단계로 이루어지는 오디오 데이터 부호화방법에 있어서, 기본 계층 부호화단계, 계층부호화 단계 및 순차부호화 단계의 부호화는 부호화하고자 하는 해당 계층에 상승하는 부가정보 및 양자화된 데이터를 소정의 동일 개수의 비트로 표현하여 중요도가 가장 높은 비트들로 이루어지는 최상위 비트시퀀스로부터 중요도가 낮은 비트시퀀스 순으로 소정의 확률모델을 사용하여 산술부호화함을 특징으로 하고, 그 부가정보는 스케일팩터(scalefactor) 및 산술부호화에 사용될 확률 모델에 대한 정보를 포함한다.
Patent KR-19980042638-A (KR)
Title: 필드절연층상에서 단락없이 활성영역으로부터 에피택셜 성장된 반도체층을 갖는 반도체장치의 제조방법
IPC: H01L21/768
Filed: 1997-11-21
Abstract: 반도체 DRAM (dynamic random access memory) 장치의 메모리셀은 드레인영역 비트라인을 접속하기 위하여 셀트랜지스터의 드레인영역으로 개방된 비트라인접촉홀과, 소스영역에 스택화 커패시터의 축적전극을 접속하기 위하여 소스영역으로 개방된 노드접촉홀을 필요로 하고, 그리고 상기 비트라인접촉홀 및 상기 노드접촉홀은 실리콘층으로 채워져 있고; 상기 실리콘층은 접촉영역을 증가시키도록 셀트랜지스터의 산화물로 둘러싸인 게이트전극위로 소스 및 드레인 영역으로부터 에피택셜 성장되고; 그리고 상기 실리콘층은 먼저 상기 산화물로 둘러싸인 게이트전극의 상부면에 도달할 때 까지 이방적으로 성장되고 나서 상기 접촉영역을 증가시키도록 등방적으로 성장된다.
Patent KR-19990041710-A (KR)
Title: 점토를 이용한 경량건축재의 제조방법
IPC: C04B38/00
Filed: 1997-11-24
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야 
     본 발명은 점토를 주재료로 한 다공성 경량건축재의 제조방법에 관한 것이다. 
     2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제 
     본 발명은 미립질 불순물의 분리나 제거가 곤란한 저품위의 천연점토를 별도의 분리정제과정을 거치지 않은 상태로 경량건축재의 제조시 직접 사용하여 균일한 기공분포를 가지며 높은 압축강도와 우수한 단열성 및 경량성을 나타내는 점토를 이용한 다공성 경량건축재의 제조방법을 제공함에 목적이 있다. 
     3. 발명의 해결방법의 요지 
     상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 "5 내지 20℃/min의 승온속도로 780 내지 820℃까지 승온시켜 10 내지 60분동안 1차 소성시킨 점토 70 내지 90중량부와, 장석 5 내지 20중량부와, 알루미나 5 내지 10중량부를 혼합한 후 30μm 이하로 분쇄한 다음 20 내지 30중량부의 물을 첨가하고 교반하여 적당한 크기로 성형한 후 충분히 건조하고 다시 1200±5℃에서 28 내지 32분간 2차 소성"하는 방법의 점토를 이용한 다공성 건축재의 제조방법을 제공한다. 
     4. 발명의 중요한 용도 
     본 발명은 건축재료로서의 용도를 갖는다.
Patent KR-19990042030-A (KR)
Title: 성형성이 우수한 고강도 법랑용 강판의 제조방법
IPC: C21D8/02
Filed: 1997-11-25
Abstract: 본 발명은 가전제품의 부분품 또는 건축외장재등으로 사용되는 법랑용 냉연강판의 제조방법에 관한 것이며;  그 목적은 내피쉬스케일성(Fishscale) 및 성형성이 우수하고, 특히 법랑처리후 강도가 높은 법랑용 냉연강판의 제조방법을 제공함에 있다. 
     상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 중량%로, C:0.01% 이하, Mn:0.3%이하, S:0.02%-0.04%, P:0.05%-0.10%, Ti:0.04-0.10%, N:0.005%이하 및 Ti/(C+N+S)의 원자비가 1.0이상을 만족하고, 나머지 Fe와 기타 불가피하게 함유되는 불순물로 이루어지는 알루미늄킬드강을 재가열하여 마무리 압연온도를 Ar 3 변태점 이상으로 하는 조건으로 열간압연한 후 통상의 방법으로 권취한 다음, 이어 50-85%압하율로 냉간압연하고, 이어 재결정온도 이상의 온도에서 연속소둔하여 이루어지는 성형성이 우수한 고강도 법랑용 냉연강판의 제조방법에 관한 것을 그 요지로 한다.
Patent KR-19990043795-A (KR)
Title: 코일 스프링 제조 방법
Filed: 1997-11-29
Abstract: 본 발명은 스프링의 재질로 사용하고자 특정 금속을 녹여 와이어 형태로 생성시키는 제 1 공정과, 인발과정을 통해 제조하고자 하는 스프링의 두께에 따른 스프링 선경에 맞추어 필링하게 되는 제 2 공정과, 상기 제 2 공정을 통해 인발 가공된 인발 강선을 특정 선경의 가공 부재에 권선하여 스프링의 형상을 갖도록 하는 제 3 공정과, 상기 제 3 공정을 통해 스프링의 형상을 갖추고 있는 강선을 소입/소려 공정의 열처리를 수행하는 제 4 공정을 포함하고 있는 코일 스프링 제조 방법에 관한 것으로 특히, 제 4 공정을 통해 열처리되어진 코일 스프링에 대하여 바렐링공정을 수행하는 제 5 공정과, 제 5 공정 이후 질소와 암모니아 및 이산화탄소의 비가 동일한 상태가 유지되는 상황속에서 제 4 공정의 소려공정보다 낮은 온도에서 소정시간동안 열처리하여 연질화한 후 수냉시키는 제 6 공정과, 제 6 공정에서 연질화되어진 코일 스프링에 대하여 제 6 공정에서와 동일한 온도의 수증기를 불어넣어주며 소정시간동안 유지시킨 후 유냉 또는 방냉(放冷)하는 제 7 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 코일 스프링 제조 방법을 제공하면, 열처리에 의한 기본강도를 확보 할 수 있으며, 저온의 연질화 처리와 저온의 수증기 처리를 통해 피로강도 향상 및 내식성 량상을 추가로 확보할 수 있는 효과가 있다.
Patent KR-19990043836-A (KR)
Title: 전계방출 표시소자의 제조방법
IPC: H01J9/02
Filed: 1997-11-29
Abstract: 본 발명은 전계방출 표시소자의 제조방법에 관한 것으로서, 원뿔기둥 모양의 금속 팁 상단부에 원추형의 DLC 박막이 형성된 에미터 구조를 가지도록 하여 DLC 박막의 뛰어난 방출특성을 살리면서 DLC 의 단점인 방출특성의 불균일한 점을 개선하고, 이로 인해 낮은 구동전압과 방출특성의 안정성을 구비한 에미터의 제작이 가능하도록 하며, 또한 금속팁의 상부에만 DLC 가 원추형으로 증착되고 나머지 영역은 게이트 전극 상부의 희생층 제거시 자연스럽게 제거되므로 공정의 단순화를 동시에 기할 수 있어 방출특성의 향상등 소자동작의 신뢰성과 공정의 단순화에 의한 공정수율을 향상시킬 수 있다.
Patent KR-19990051705-A (KR)
Title: 무선 비동기 전송모드 전송 장치의 무선 수신 패킷 변환장치 및 방법
Filed: 1997-12-19
Abstract: 본 발명은 무선 비동기 전송모드(ATM) 전송 장치의 무선 수신 패킷 변환 장치 및 방법에 관한 것이다. 
     무선 ATM 전송 기술은 음성, 영상, 데이터 등 다양한 형태의 정보를 무선 구간으로 전송하기 위해 낮은 에러 율과 높은 전송 효율을 갖는 기존의 ATM 유선 망과 접목하여 무선으로 전송하고자 하는 기술이다. 무선 ATM 전송 기술에서 ATM Cell을 무선 상에서 전송하기 위한 데이터 구조의 변환 기술 즉, MAC(Medium Access Control) 구현 기술은 매우 중요한 기술이다. 무선 ATM 전송 장치가 ATM Cell을 낮은 무선 전송 에러 율을 가지고 목적지까지 전송하기 위해서는 무선 구간에서만의 데이터의 변형이 필요하다. 따라서, 무선 ATM 전송 장치 내의 송신측에서는 유선 망에서의 ATM 셀에 목적지의 주소(Address), 낮은 전송 에러 율을 가지기 위한 헤더(Header)와 트레일러(Trailer) 등을 삽입하여 전송하게 되며, 반대로 수신측에서는 수신된 무선 패킷을 ATM 셀로 변환하는 무선 수신 패킷 변환 장치가 필요하다. 
     본 발명은 이러한 기능을 구현할 수 있는 무선 수신 패킷 변환 장치의 하드웨어를 제작함으로써 향후 다양한 무선 환경 하에서의 무선 전송 특성을 분석할 수 있도록 한다.
Patent KR-19990053623-A (KR)
Title: 엔진 회전수 측정장치
Filed: 1997-12-24
Abstract: 본 발명은 센서의 구동에 필요한 별도의 트리거 휠을 제작하기 위한 비용의 낭비를 방지하고, 하우징이 트리거 휠과 간섭되는 것을 방지하여 부품의 훼손을 방지할 수 있도록 한 엔진 회전수 측정장치에 관한 것으로, 본 발명은 엔진(10)의 구동축(11)에 설치된 플렉시블 플레이트(20)와, 상기 플렉시블 플레이트(20)의 외주면 일측에 코팅되는 마그네틱(21)과, 상기 플렉시블 플레이트(20)의 상부에 설치되어 상기 마그네틱(21)을 감지하는 센서(30)로 구성한다.