Patent DE-112015004424-B4 (DE)
Title: Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung
Inventor: TEMMEI HIROYUKI
IPC: H01L23/00
Filed: 2015-10-15
Granted: 2021-05-20
Abstract: Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung, umfassend:eine Struktur von elektronischen Komponenten (121), die einen Schaltungskörper mit einem Halbleiterelement mit einer Eingangselektrode und einer Ausgangselektrode und einem wärmeleitfähigen Stützelement zum Abstützen des Halbleiterelements, einen Kühlkörper, der auf einer Oberfläche des Schaltungskörpers angeordnet ist, so dass er wärmeleitfähig ist, ein wärmeleitfähiges Isolationselement, das zwischen den Kühlkörper und das wärmeleitfähige Stützelement eingefügt ist, einen Eingangsanschluss, der mit der Eingangselektrode verbunden ist, einen Ausgangsanschluss, der mit der Ausgangselektrode verbunden ist, und einen Masseanschluss (126, 126a, 126b, 142) umfasst;ein Dichtungsharz (170, 170a), das so ausgebildet ist, dass es einen Teil von jedem des Eingangsanschlusses, des Ausgangsanschlusses und des Masseanschlusses (126, 126a, 126b, 142) und eine Oberfläche des Kühlkörpers freilegt, und einen Umfang der Struktur von elektronischen Komponenten (121) bedeckt;eine Hauptkörperleiterschicht, die so ausgebildet ist, dass sie vom Eingangsanschluss und Ausgangsanschluss isoliert ist, und so ausgebildet ist, dass sie eine ganze Oberfläche eines Eintauchbereichs des Dichtungsharzes (170, 170a) und eine Oberfläche des Kühlkörpers, die in ein Kühlmedium eingetaucht ist, bedeckt; undeine Masseleiterschicht, die zumindest einen Teil des Masseanschlusses (126, 126a, 126b, 142) bedeckt und mit der Hauptkörperleiterschicht elektrisch verbunden ist, wobei die Hauptkörperleiterschicht eine obere Schicht (212) und eine untere Schicht (211) umfasst, die zwischen der oberen Schicht und dem Dichtungsharz (170, 170a) angeordnet ist und einen spezifischen elektrischen Widerstand aufweist, der niedriger ist als jener der oberen Schicht, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst:Abdichten eines Umfangs der Struktur von elektronischen Komponenten (121) mit dem Dichtungsharz (170, 170a) in einem Zustand, in dem ein Teil von jedem des Eingangsanschlusses, des Ausgangsanschlusses, des Masseanschlusses (126, 126a, 126b, 142) und eine Oberfläche des Kühlkörpers freigelegt sind;Ausbilden der unteren Schicht (211) auf jedem des Eingangsanschlusses, des Ausgangsanschlusses und des Masseanschlusses (126, 126a, 126b, 142), Umfangsabschnitten des Eingangsanschlusses und des Ausgangsanschlusses im Dichtungsharz (170, 170a), einer Oberfläche des Kühlkörpers und einer Oberfläche des Dichtungsharzes (170, 170a);Bedecken von mindestens jedem des Eingangsanschlusses und des Ausgangsanschlusses und der Umfangsabschnitte des Eingangsanschlusses und des Ausgangsanschlusses im Dichtungsharz (170, 170a) mit einer Maske;Ausbilden der oberen Schicht (212) auf der unteren Schicht (211) mit der unteren Schicht (211) als Leistungszufuhrschicht durch Elektroplattieren; undEntfernen der Maske, um die auf den Umfangsabschnitten des Eingangsanschlusses und des Ausgangsanschlusses ausgebildete untere Schicht (211) im Dichtungsharz (170, 170a) zu entfernen.