baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent KR-100314628-B1 (KR)
Title: Dielectric resonator complex filter
Inventor: KIM IL GON
IPC: H03H9/64
Filed: 1997-12-08
Granted: 2001-12-12
Abstract: PURPOSE: A dielectric resonator complex filter is provided to improve a harmonic suppression characteristic and prevent degradation of an isolation characteristic of a signal by adding a resonation circuit to an input/output portion. CONSTITUTION: A dielectric resonator complex filter has a case(21) of a predetermined shape. A multitude of barrier rib(25a,25b) is formed on an inside of the case(21). Four spaces are formed by the barrier ribs(25a,25b). A plurality of connector(22a,22b) is formed on end portions of both side of the case(21). An input/output portion is formed in the case(21) corresponding to the connector(22a,22b). A multitude of combination window(W1,W2,WC) is formed in the barrier ribs(25a,25b), respectively. A plurality of helical inductor(24a,24b) is formed at both ends of the case(21). A plurality of dielectric resonator(25a,25b) is formed in two central spaces of the four spaces, respectively.
Patent KR-100255023-B1 (KR)
Title: Testing apparatus for a performance test of a side linear induction motor
Inventor: JEONG HYEON KAP
IPC: G01R31/00
Filed: 1997-12-10
Granted: 2000-07-01
Abstract: PURPOSE: An apparatus for testing the performance of a side linear induction motor is provided which accurately measures a variety of components that control the performance of the side linear induction motor to test the performance of the motor with a high accuracy. CONSTITUTION: An apparatus for testing the performance of a side linear induction motor(10) having the primary side set at a train and the secondary side set at a ground rail includes a girder beam connected with a current collector, a cross beam located on the girder beam along the direction of the length of the girder beam, and a speed measurement unit set at one side of the wheel of the train to measure the speed of the train. The apparatus further has a gap measurement unit(133) set at one side of the induction motor to measure the gap between the primary side and the secondary side, and a three-direction force measurement block gauge placed between the induction motor and the axle shaft to measure the thrust force, normal force and lateral force generated from the induction motor when current is applied to the primary side of the motor from the current collector.
Patent KR-100246368-B1 (KR)
Inventor: KIM SANG HA
IPC: H01L23/28
Filed: 1997-12-17
Granted: 2000-03-15
Abstract: 본 발명은 반도체 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래 기술에 의한 반도체 패키지는 적층하기 위하여 리드를 변형해야 하는 공정과, 몸체에 접착제를 도포하는 공정 또 상기 몸체의 외부로 노출되어 변형된 리드를 납땝연결해야하는 공정이 필요하게 되어 제작이 복잡함과 더불어 생산비가 증가하게 되는 문제점을 초래하였다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 본 발명에 의한 반도체 패키지 및 그 제조방법은 인너리드와 일체로 연결형성되는 상부리드와 하부리드를 갖는 리드프레임과 상기 상부리드가 위치하는 돌기와 상기 하부리드가 위치하는 요홈을 갖는 몸체를 형성함으로써, 제작이 용이함과 아울러 적층공정이 단순화 되어 생산비를 절감할 수 있는 효과를 기대할 수 있다.
Patent KR-100338352-B1 (KR)
Title: Structural steel with low yield strength ratio and manufacture method thereof
Inventor: LEE SANG U
IPC: C21D7/13
Filed: 1997-12-24
Granted: 2002-08-22
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing structural steel with a low yield strength ratio of less than 80 % and a tensile strength of 60 kgf/mm¬2 is provided, which is characterized in that austenite grain is micronized by applying reduction ratio of greater than 20 % during hot rolling and then acceleration cooling is conducted. CONSTITUTION: The method includes the steps of heating an ingot comprising C 0.05 to 0.15 wt.%, 0.5 wt.% or less of Si, Mn 0.9 to 1.6 wt.%, Al 0.01 to 0.1 wt.%, Ti 0.005 to 0.04 wt.%, V 0.01 to 0.08 wt.%, Cu 0.05 to 0.4 wt.%, Ni 0.05 to 0.4 wt.%, Mo 0.05 to 0.3 wt.%, 0.03 wt.% or less of P, 0.02 wt.% or less of S, a balance of Fe and incidental impurities at 1100 to 1300 deg.C; hot rolling the ingot at a reduction ration of greater than 20 %; finish hot rolling the hot rolled steel sheet at 1050 to 900 deg.C; water cooling the steel sheet at a cooling rate of 1 to 10 deg.C/sec to the temperature range of 700 to 550 deg.C; and cooling it to ambient temperature.
Patent KR-100285742-B1 (KR)
Inventor: LIM YEONG TAEK
IPC: G03G15/08
Filed: 1997-12-26
Granted: 2001-04-02
Abstract: PURPOSE: An inverse return roller for toner of a development unit is provided to maintain the fluidity of toner in a developing unit for preventing the deformation of the toner, thereby improving the image quality. CONSTITUTION: An inverse return roller for toner of a development unit includes a toner loading part(10) for loading toner, a supply roller(7) mounted at a lower part of the toner loading part for conveying stirred toner to a developing roller(6), an inversion return roller(20) mounted at the other side of the supply roller for rotating in contact with the supply roller, a rib(21) extended from an inner surface of the toner loading part and contacting a surface of the supply roller, and a scrapper(23) formed with a supply slit(22) between the rib and having a bottom surface contacting the inversion return roller and a lower end formed with a recovery slit(24) and coupled with a bottom surface of the toner loading part.
Patent KR-100532986-B1 (KR)
Title: 양자우물구조를 이용한 적외선레이저
Inventor: YOON SEONG JU
IPC: H01S5/34
Filed: 1997-12-27
Granted: 2006-02-01
Abstract: 본 발명은 양자우물구조를 이용한 적외선레이저에 관한 것으로, 종래에는 전위가 인가되어야 비로소 협소한 양자우물이 평평한 상태에서 다음 세트의 양자우물 쪽으로 전자가 몰리도록 기울어지므로, 다음 세트로의 전자탈출 효율이 감소되는 문제점이 있었다. 이와같은 문제점을 감안한 본 발명은 제1배리어장벽을 통해 이격된 폭이 넓은 양자우물 및 폭이 협소한 양자우물을 한 세트로 하는 여러 세트로 이루어지고, 상기 제1배리어장벽에 비해 협소한 제2배리어장벽을 통해 각 세트가 분리되고, 상기 폭이 넓은 양자우물은 전위가 인가되지 않은 상태에서 상기 폭이 협소한 양자우물 쪽으로 전자가 몰리지 않도록 일정한 경사를 갖도록 이루어져, 전위가 인가된 상태에서 상기 폭이 넓은 양자우물로부터 상기 폭이 협소한 양자우물로 전자가 이동하면서 적외선이 방출되는 양자우물구조를 이용한 적외선레이저에 있어서, 상기 폭이 협소한 양자우물은 상기 폭이 넓은 양자우물의 경사와 반대방향으로 경사를 갖도록 형성한 양자우물구조를 이용한 적외선레이저를 통해, 전위가 인가되기 전에 협소한 양자우물이 폭이 넓은 양자우물과 반대 방향으로 경사를 갖도록 형성함으로써, 문턱전압이 낮고, 보다 많은 광자를 방출시킬수 있는 적외선레이저를 구현할 수 있는 효과가 있다.
Patent KR-100471143-B1 (KR)
Title: 반도체 장치의 기준 전압 발생 회로
Inventor: LEE GI JONG
IPC: G11C5/14
Filed: 1997-12-31
Granted: 2005-06-07
Abstract: 본 발명에 따른 반도체 장치의 기준 전압 발생 장치는 기준 전압의 레벨을 갖고 있는 기준 노드와; 상기 기준 노드에 연결되고, 상기 기준 전압을 분압하는 분압 회로와; 상기 분압 수단에 의해 분압된 전압의 레벨에 따라서 상기 기준 노드로 전하들을 공급하는 전하 공급 수단과; 상기 기준 노드에 연결되고, 상기 분압된 전압의 레벨에 따라서 상기 기준 노드에 충전된 전하들을 방전하는 방전 수단을 포함한다.
Patent KR-100239872-B1 (KR)
Inventor: MAO ZHENHAU
IPC: H01M4/44
Filed: 1995-10-02
Granted: 2000-01-15
Abstract: 발명은 전기화학 전지를 위한 알칼리 금속-전이 금속 산화물 전하 저장 물질을 제조하는 방법에 관한 것이다.  이 물질은 종래의 리튬 삽입 전극과 함께 충전식 리튬 전기화학 전지에서 사용될 수 있다.  이 물질은 전이 금속 수산화물을 알칼리 금속 함유 산화제로 처리함으로써 제조할 수 있다.  알칼리 금속에 대한 전이 금속의 비는 대략 0.5:1 내지 1.2:1이 되어야 할 것이다.
Patent KR-100299739-B1 (KR)
Title: 반도체장치및그응용시스템장치
IPC: G06F21/00
Filed: 1998-01-26
Granted: 2001-09-06
Abstract: 본 발명은 고유 번호 기억 회로를 구비하는 반도체 장치에 관한 것으로서, 출하후의 고유 번호의 부정 재기록을 어렵게 하고, 가령 재기록된 경우에는 고유 번호의 독출시에 시스템측에 알려 안전 대책을 재촉하여 응용 시스템의 부정 사용을 억제한다. 
     고유 번호 데이타를 ROM 셀에 기억한 번호 데이타 기억 회로(11)와, 고유 번호 데이타에 대하여 배타적인 더미 데이타를 파괴 모드의 ROM 셀에 기억한 더미 데이타 기억 회로(12)와, 2개의 데이타 기억 회로로부터 각각 독출된 데이타를 비교 검사하여, 그 비교 결과를 출력하는 비교 회로(15)를 구비한다.
Patent KR-100398737-B1 (KR)
Title: Preparation method of vinyl chloride-based resin with excellent impact resistance
Inventor: LEE GYEONG U
IPC: C08F14/06
Filed: 1998-02-05
Granted: 2003-12-31
Abstract: PURPOSE: A method for preparing a vinyl chloride-based resin prepared by suspension polymerization with a vinyl chloride monomer or its mixture with co-monomer is provided, to improve impact resistance. CONSTITUTION: The method comprises the steps of adding 0.01-5 parts by weight of a non-impact reinforcing latex to 100 parts by weight of a vinyl chloride resin slurry whose polymerization is terminated, and fluidized-bed drying the mixture, wherein the non-impact reinforcing latex comprises an acrylonitrile-butadiene-styrene resin latex having a butadiene-based rubber particle as a core and acrylonitrile and styrene surface grafted to the core; a methyl methacrylate-butadiene-styrene resin latex having a butadiene-based rubber particle as a core and methyl methacrylate and styrene surface grafted to the core; a core-shell structured acrylate-based rubber particle-based impact reinforcing latex having a butyl acrylate, hexyl acrylate, octyl acrylate, pentyl acrylate or 2-ethylhexyl acrylate rubber particle as a core and methyl methacrylate and styrene surface grafted to the core; and a vinyl chloride-based resin processing aid latex.
Patent KR-100290715-B1 (KR)
Title: Production of alloy for dental prosthesis
Inventor: LEE A YEONG
IPC: A61K6/04
Filed: 1998-04-09
Granted: 2001-09-17
Abstract: PURPOSE: A process of preparing an alloy for dental prosthesis by mixing copper having a purity of nearly 100%, nickel, iron, palladium and aluminium more efficiently in a high-frequency furnace is provided. Whereby, the alloy has excellent hardness and strength and is light, glossy and free from discoloration and oxidation even when used for a long period of time. CONSTITUTION: A mixture of 70 to 80% by weight of copper having a purity of nearly 100%, 3 to 5% by weight of nickel, 3 to 5% by weight of iron, 4 to 5% by weight of palladium and 5 to 10% by weight of aluminium is melted to produce the titled alloy, wherein palladium, iron and nickel are cut and put down successively in a high-frequency furnace, a copper pipe having a specified length is subjected to standing thereon and aluminium having a specified length is then subjected to laminating on the copper pipe and heating at 1,650 to 1,700deg.C.
Patent KR-100326955-B1 (KR)
Title: 이동 스테이지를 사용한 전자빔 노광 방법
IPC: H01J37/305
Filed: 1998-05-21
Granted: 2002-06-26
Abstract: 전자빔노광시스템은 일정한 속도로 스테이지를 이동시키는 연속스테이지구동부를 가진다. 반도체칩의 영역은 각 메쉬의 패턴밀도를 산출하기 위하여 메쉬유니트의 배열로 분할되어 있다. 동일한 밀도레벨을 갖는 메쉬그룹은 전자빔노광시스템의 성능에 기초하여 결정된 최대폭 이하 또는 동일한 크기를 가지는 분할편향영역으로 결합되어 있다.
Patent KR-100300689-B1 (KR)
Title: 반도체장치
IPC: H01L27/11
Filed: 1998-06-03
Granted: 2001-09-06
Abstract: 메모리 셀을 구비하는 반도체 장치에 있어서, 동작의 고속화를 도모함과 동시에 고집적화가 가능한 반도체 장치를 제공한다. 
     메모리 셀을 구비하는 반도체 장치에 있어서, 그 메모리 셀 영역에 있어서 워드선의 션트(shunt) 접속용 영역(35i)과, 금속을 포함하는 제1 배선층인 션트용 워드선(18g)을 형성한다.  메모리 셀 영역에 있어서, 이 션트 접속용 영역(35i)과 션트용 워드선(18g)을 컨택트홀(17e)의 내부에 형성된 워드선 컨택트용 플러그(62e)를 통해 전기적으로 접속한다.
Patent KR-100315014-B1 (KR)
Title: 폴리실리콘-박막트랜지스터로된cmos형성방법
IPC: H01L21/8238
Filed: 1998-06-27
Granted: 2002-08-22
Abstract: 본 발명은 폴리실리콘-박막 트랜지스터의 형성방법을 개시한다. 
     개시된 본 발명은, 유리 기판 상부에 n채널용 폴리실리콘 패턴 및 p채널용 폴리실리콘 패턴을 형성하는 단계와, 상기 각각의 폴리실리콘 패턴 상부에 게이트 절연막을 포함하는 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 각각의 폴리실리콘 패턴에 n형의 불순물을 주입하여, 소오스, 드레인 영역을 형성하는 단계와, 상기 n채널용 폴리실리콘 패턴을 마스킹하는 단계와, 상기 노출된 p채널용 폴리실리콘 패턴에 p형 불순물을 주입하여, p형의 소오스, 드레인 영역을 형성하는 단계, 및 상기 n채널용 폴리실리콘 패턴상을 마스킹하는 물질을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Patent KR-100523435-B1 (KR)
IPC: C11D7/50
Filed: 1998-07-30
Granted: 2006-01-27
Abstract: 고체 표면 처리를 위한(특히 융제 제거) 조성물내의 1,1,2-트리클로로-1,2,2-트리플루오로에탄과 1,1-디클로로-1-플루오로에탄을 대치하기 위하여, 본 발명은 중량비로 75 내지 95%의 1,1,1,3,3-펜타플루오로부탄, 1 내지 15%의 메틸렌 클로라이드 및 1 내지 10%의 메탄올을 포함하는 준공비 혼합물을 사용한다.
Patent KR-100525370-B1 (KR)
Title: 광 기록 매체
IPC: G11B11/00
Filed: 1998-08-21
Granted: 2005-12-27
Abstract: 기록 및 재생시 재생층의 열화를 감소시킬 수 있는 광 기록 매체에 관한 것으로, 기판상에 형성된 재생층과 기록층 사이에 광투과율 및 내열성이 우수하고 열전도율이 좋은 SiC, DLC(Diamond Like Carbone)등으로 이루어진 열전도층을 형성함으로써, 재생층에 발생하는 열화를 감소시켜 기록 매체의 특성을 향상시킨다.
Patent KR-100265666-B1 (KR)
Inventor: JEONG HAE BEOP
IPC: H01J29/02
Filed: 1998-08-25
Granted: 2000-09-15
Abstract: 본 발명은 칼라음극선관의 형광막 형성방법에 관한 것으로서, 특히 콘트라스트 및 휘도 특성을 향상시킴과 동시에 형광막 형성공정을 단순화하여 생산성을 향상시키고, 이에 따른 재료비 및 소모비를 절감하는 데 그 목적이 있다. 
     이러한 목적을 달성하기 위해 본 발명은 패널 내면에 블랙매트릭스층이 형성되고, 상기 블랙매트릭스층의 사이 및 그 상면에 적색, 녹색, 청색의 형광체층이 형성되는 칼라음극선관의 형광면 구조에 있어서, 별도의 청필터 분산액을 이용하여 청색 필터층만을 형성하고, 청색 형광체층은 고반사의 형광체층을, 적색 형광체층은 저반사의 형광체층을 형성한 것이다.
Patent KR-100265691-B1 (KR)
Inventor: HONG SOON BUK
IPC: A61J3/00
Filed: 1998-09-08
Granted: 2000-09-15
Abstract: 본 발명은 기초부를 형성하는 베이스 플레이트(9), 흡수제(4)를 하부 캡슐(3)에 충진하는 분말 공급장치(10), 흡수제(4)의 중심에 U자형 홈(6)을 형성하여 상기 홈(6)에 I-131 용액을 분주하는 원액분배장치(30), 상하 캡슐(2,3)을 조립하는 캡슐 조립장치(50), 조립된 상하 캡슐(2,3)의 방사능을 측정하는 방사능 측정장치(70), 조립된 상하 캡슐(2,3)이 삽입된 약병(5)에 고무마개(7)를 끼우는 고무마개 조립장치(80), 고무마개가 조립된 약병(5)을 금속 캡(8)으로 밀봉하는 약병 캡핑장치(90) 및, 각 장치(10,30,50,70,80,90)의 작업 위치로 상기 상하 캡슐(2,3), 상기 약병(5), 상기 고무마개(7) 또는 금속캡(8)을 이동시키는 다관절 로보트(100)로 구성되어 있는 I-131 캡슐 조립 및 포장 자동화장치에 관한 것으로, I-131과 같은 방사성 동위원소를 상품화함에 있어 그 캡슐화 및 포장이 본 발명의 조립 및 포장 자동화장치에 의해 핫셀과 같은 밀폐된 공간에서 이루어질 수 있도록 함으로써 조립 및 포장 공정에서 발생할 수 있는 작업자의 방사선 피폭등 작업 위험성을 배제하고 더 나아가 이러한 조립 포장작업의 효율성을 고양하고 출시되는 제품의 품질을 균일화하여 I-131의 품질을 향상시키고 또한 제작비용을 절감할 수 있도록 한 것이다.
Patent KR-100278958-B1 (KR)
Title: 텅스텐 실리사이드막의 형성 방법, 반도체 장치의 제조 방법 및반도체 웨이퍼 처리 장치
IPC: C23C16/42
Filed: 1998-09-12
Granted: 2001-02-01
Abstract: 본 발명에 의하면 반도체 장치에 사용하기 위한 특성이 우수하고 안정된 텅스텐 실리사이드막을 얻는다. 
     불활성 가스 분위기 중에 실리콘 웨이퍼를 배치하여 승온하고, 디크롤실란을 도입하여 실리콘 웨이퍼의 표면 반응을 일으킨 후, 디클로로실란에 WF 6 을 첨가, 도입하여 상기 실리콘 웨이퍼에 얇게 텅스텐 실리사이드를 증착시킨다.  이어서 WF 6 의 도입을 멈추고 디크롤실란을 도입하고, 그 후에 디크롤실란에 첨가하여 WF 6 을 도입하고 텅스텐 실리사이드의 증착을 행하여 텅스텐 실리사이드막을 형성한다.
Patent KR-100301597-B1 (KR)
Title: 플래쉬메모리장치의다단계펄스발생회로
IPC: G11C17/00
Filed: 1998-10-28
Granted: 2001-09-06
Abstract: 1. 청구 범위에 기재된 발명이 속하는 기술 분야 
     본 발명은 플래쉬 메모리 장치의 다단계 펄스 발생 회로에 관한 것이다. 
     2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제 
     종래 플래쉬 메모리 장치의 다단계 펄스 회로는 다수의 비교기 및 필요한 단계의 수만큼의 고전압 스위치가 필요하여 소자의 면적이 증가하고 각 스위치를 구성하는 트랜지스터들간에 발생하는 기생 캐패시터의 커플링에 의해 회로가 오동작하게 되는 문제점이 있다. 
     3. 발명의 해결 방법의 요지 
     일정한 고전위를 발생시키기 위한 포지티브 차지펌프 회로, 포지티브 차지펌프 회로로부터 발생된 고전압을 강하시키기 위한 다이오드 체인, 다이오드 체인에 의해 강하된 전위를 패스 또는 차단하기 위한 스위칭 수단, 포지티브 차지펌프 회로로부터 발생된 고전압 및 외부로부터 공급되는 스위칭 제어신호에 따라 상기 스위칭 수단을 제어하기 위한 고전압 랫치 수단, 다이오드 체인에 의해 분할되어 공급된 전압을 차지하기 위한 로드 캐패시터를 포함하여 구성되는 플래쉬 메모리 장치의 다단계 펄스 발생 회로를 제시한다.
Patent KR-100325428-B1 (KR)
Title: 탄탈륨 옥사이드를 포함하는 커패시터의 형성방법
IPC: H01L27/10
Filed: 1998-11-19
Granted: 2002-07-08
Abstract: 이 발명은 탄탈륨 옥사이드를 포함하는 커패시터의 형성방법을 제공하는 데 있고, 이 방법은 하부 커패시터 전극의 표면을 전처리하는 공정중에 반응 가스를 사용하는 플라즈마 질화 공정에 의해 상기 하부 커패시터 전극의 산화를 방지하기에 충분한 두께 (20∼100 옹스트롬)를 갖는 플라즈마 실리콘 질화막을 제공하여 탄탈륨 옥사이드막의 특성을 개선한다. 이 플라즈마 실리콘 질화막은 반응가스를 플라즈마로 여기(exciting)하는 것에 의해 상기 하부 커패시터 전극의 표면부를 질화하므로서 형성된다. 또한 플라즈마 질화공정은 상기 하부 커패시터 전극상에 충분한 두께의 실리콘 질화막을 형성하고 그리고 동일한 프로세스 챔버내에서 상기 기판을 어닐링하는 데 더욱 효과적이다.  또한, 본 발명의 방법은 더욱 간단해진 어닐링 메커니즘에 적용될 수 있고, 약 400℃이상의 열에너지를 사용하는 오존 어닐링 공정에 의해 DRAM 장치들의 코스트를 절감할 수 있다.  이러한 오존 어닐링 공정에 있어서, 상기 열에너지는 웨이퍼들이 놓여지는 서셉터를 가열하는 것에 의해 발생된다.
Patent KR-100289334-B1 (KR)
Title: 엔유알비에스곡선의 모양 변경방법
IPC: G06F17/16
Filed: 1998-11-24
Granted: 2001-05-02
Abstract: 본 발명은 NURBS(Non Uniform Rational B-Spline) 곡선의 국소 제어를 위한 매듭 벡터(knot vector)를 제어하기 위한 것으로서, 3차원 공간에 주어지는 NURBS 곡선의 전체적인 모양을 제어하는 제어점 사이의 연결선 상에서 매듭의 위치를 바꾸어 국소적인 모양을 변경하는 NURBS 곡선의 모양 변경방법에 관한 것이다. 
     본 발명에 따른 NURBS 곡선의 모양 변경방법은, NURBS 곡선의 매듭 벡터를 변화시켜 NURBS 곡선의 국소적인 모양을 변경하는 방법에 있어서, 상기 NURBS 곡선의 제어점과 매듭 벡터를 이용하여 제어점 사이의 연결선 상에 다수의 매듭을 배치하는 제1단계와, 사용자가 상기 NURBS 곡선의 모양을 변경하기 위하여 임의의 매듭의 위치를 변경시키는 제2단계, 상기 변경된 매듭의 위치를 이용하여 새로운 매듭 벡터를 구하는 제3단계, 및 상기 새로운 매듭 벡터를 이용하여 NURBS 곡선의 모양을 변경시키는 제4단계를 포함한 것을 특징으로 한다.
Patent KR-100293754-B1 (KR)
Title: 링크 구조를 갖는 이각 용접용 용접건
IPC: B23K11/31
Filed: 1998-11-27
Granted: 2001-07-12
Abstract: 본 발명은 링크구조를 갖는 이각(離角) 용접용 용접건에 관한 것으로, 본 발명은 각도가 상이하게 위치된 용접점을 용접할 경우에 각 용접점의 각도에 맞는 용접건을 설치하여 각각 별도로 작업을 함으로써 발생하였던 종래기술의 문제점 즉, 용접건의 설치비용과 작업시간의 증가와 같은 문제점을 해소하기 위한 것이다. 
     본 발명은 용접건(10)의 지지브라켓(14)에 결합되는 메인브라켓(20)과, 이 메인브라켓(20)의 작동홈(24)에 설치되는 제 1,2 스톱퍼(30A,30B)와, 상기 메인브라켓(20)의 제 1 설치홈(26)에 축설되는 링크부재(40)와, 상기 링크부재(40)에 의해 메인브라켓(20)와 연결되는 용접건 브라켓(50)과, 이 용접건 브라켓(50)에 결합되는 용접부(11), 그리고 상기 메인브라켓(20)에 축설되어 상기 용접건 브라켓(50)을 상,하방으로 이동시키는 작동수단으로 구성된 것으로 본 발명에 의하면, 상기 메인브라켓(20)에 링크부재(40)로 연결된 상기 용접건 브라켓(50)의 최종 정지위치가 작동수단(60)에 의해 상방으로 이동하면서 상기 링크부재(40)와 제 1,2 스톱퍼(30A,30B)에 의해 최초 각도와는 다르게 변화될 수 있음으로써, 하나의 용접건(10)으로 각도가 서로 다르게 위치된 차체 패널(10)의 제 1,2 용접점(P1,P2)을 용접할 수 있고, 이로써 각도가 다른 용접점을 용접하기 위한 별도의 용접건이 삭제되어 비용이 절감될 수 있으며 용접 작업시간이 단축될 수 있는 효과가 제공된다.
Patent KR-100540255-B1 (KR)
Title: 반도체 소자의 캐패시터 형성 방법
IPC: H01L27/04
Filed: 1998-12-30
Granted: 2006-05-09
Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 캐패시터 형성 방법에 관한 것이다. 
     본 발명은 접합부가 형성된 반도체 기판상에 제 1 층간 절연막을 형성한 후, 상기 접합부의 소정 부분이 노출되도록 상기 제 1 층간 절연막을 패터닝하여 제 1 콘택홀을 형성하는 단계와; 상기 제 1 콘택홀내에 금속을 매립시켜 플러그를 형성하는 단계와; 상기 제 1 층간 절연막상에 제 1 장벽 금속층, 확산 방지막 및 금속층을 순차적으로 형성한 후, 상기 금속층, 확산 방지막 및 제 1 장벽 금속층을 순차적으로 패터닝하여 하부 전극을 형성하는 단계와; 전체 상부면에 제 1 실리콘 나이트라이드막을 형성한 후, 상기 하부 전극의 소정 부분이 노출되도록 상기 제 1 실리콘 나이트라이드막을 패터닝하는 단계와; 전체 상부면에 강유전체막 및 상부 전극을 순차적으로 형성한 후, 상기 상부전극 및 강유전체막을 순차적으로 패터닝하는 단계와; 전체 상부면에 제 2 금속 장벽층 및 제 2 실리콘 나이트라이드막을 순차적으로 형성하는 단계와; 전체 상부면에 제 2 층간 절연막 형성한 후, 상기 상부 전극의 소정 부분이 노출되도록 상기 제 2 층간 절연막, 제 2 실리콘 나이트라이드막 및 제 2 금속 장벽층을 순차적으로 패터닝하는 단계와; 상기 상부 전극과 전기적으로 연결되도록 금속 배선을 형성하는 단계로 이루어진 FeRAM 또는 DRAM 반도체 소자의 캐패시터를 형성하고자 한다.
Patent KR-100303476-B1 (KR)
Title: 멀티웨이 스피커 시스템의 주파수 평탄화 방법
IPC: H04R3/00
Filed: 1998-12-31
Granted: 2002-11-21
Abstract: 본 발명은 멀티웨이 스피커 시스템의 주파수 평탄화 방법에 관한 것으로, 특히 소정의 컷팅 주파수   (F)   에서 발생되는 출력의 상승량에 대응하는 감쇠량   (dB량)   을 결정하고,     와     를 이용하여 고역 차단 주파수   (fl )   와 저역 차단 주파수   (fh )   를 산출한 후, 산출된 고역 차단 주파수   (fl )   와 저역 차단 주파수   (fh )   를 이용하여 입력신호를 저음, 중음, 고음 스피커에 알맞는 주파수 대역으로 분리하는 주파수 분리회로의 각 필터를 설계함에 따라 멀티웨이 스피커 시스템의 저음, 중음, 고음 스피커로 인가되는 주파수가 평탄화되어 주파수의 중복으로 인한 출력의 돌출현상은 발생되지 않는다. 따라서, 대출력 스피커 시스템도 멀티웨이 스피커 방식을 적용하여 저렴한 가격으로 구성할 수 있다.
Patent KR-100363695-B1 (KR)
Title: 유기난반사방지중합체및그의제조방법
IPC: C08L61/14
Filed: 1998-12-31
Granted: 2003-04-11
Abstract: 본 발명은 반도체 소자 제조 공정중 248 nm KrF 및 193 nm ArF 리소그라피용 포토레지스트를 사용하는 초미세 패턴 형성 공정에 있어서 하부막층의 반사를 방지하고 ArF 광 및 포토레지스트 자체의 두께 변화에 있어서 정현파를 제거할 수 있는 유기 난반사 방지 중합체 및 그의 합성방법에 관한 것으로서, 본 발명은 또한 이러한 유기난반사 방지 중합체를 함유하는 난반사방지 조성물, 이를 이용한 난반사 방지막 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르는 중합체를 반도체 제조 공정중 초미세 패턴형성공정에서의 반사반지막으로 사용하면, 하부막으로부터 기인되는 CD 변동을 제거함으로써 64M, 256M, 1G, 4G, 16G DRAM 의 안정된 초미세 패턴을 형성할 수 있어 제품의 수율을 증대할 수 있다.
Patent KR-100430701-B1 (KR)
Title: 부분적으로환원된전이금속화합물로부터전이금속탄화물을제조하는방법
IPC: C01B32/949
Filed: 1996-09-10
Granted: 2004-07-15
Abstract: 전이 금속 탄화물을, 전이 금속, 전이 금속 탄화물 및 전이 금속 산화물로 이루어진 그룹을 하나 이상 포함하는 전구체 혼합물로부터 형성시킨다. 전구체 혼합물은 목적하는 전이 금속 탄화물(예: WC)을 함유할 수 있지만, 목적하는 전이 금속 탄화물이 전구체 혼합물에 존재하는 경우, 전이 금속 산화물, 목적하지 않은 탄화물(예: W2C) 또는 전이 금속과 같은 상당량의 또 다른 화합물이 필수적으로 존재한다. 본 발명의 방법은 전구체 혼합물을, 전구체 혼합물을 전이 금속 탄화물로 침탄시키기에 충분한 양의 탄소와 반응시켜 혼합물을 형성시키고, 혼합물을, 혼합물로의 열의 이동을 향상시키는 수단, 적어도 일부 혼합물을 통하여 유동하는 불활성 기체 또는 환원 기체 또는 이들 둘 모두의 존재하에 불활성 대기 또는 환원 대기 중에서 혼합물을 전이 금속 탄화물로 전환시키기에 충분한 온도에서 혼합물을 전이 금속 탄화물로 전환시키기에 충분한 시간 동안 반응시킴을 포함한다.
Patent KR-100423456-B1 (KR)
IPC: B24D3/06
Filed: 1996-11-18
Granted: 2004-07-23
Abstract: A powder for sintering to manufacture a diamond tool has an average particle size of less than 8 mum and a loss of mass by reduction in hydrogen of less than 3% and contains 10-80% Fe, up to 40% Co, up to 60% Ni and up to 15% M. M is present, at least partially, in the oxidized state and representing one or more of the elements Mn, Cr, V., Al, Mo and Ti, the balance being unavoidable impurities. This powder may be sintered at 650-1000° C. to give a matrix having a high hardness.
Patent KR-100441674-B1 (KR)
IPC: F23Q2/46
Filed: 1997-02-27
Granted: 2004-11-10
Abstract: The lighter of the present invention provides a slip ring which is concentrically mounted about the striking wheel assembly of a conventional lighter. To operate the lighter, digital pressure is applied to frictionally couple the slip ring and the striking wheel assembly together to move in concert to create a spark. The slip ring has disposed along its circumference an elongated slot. The ends of the slot engage the flint housing to halt the movement of the ring, serving to limit the range of motion of the slip ring, and, hence, the motion of the striking wheel assembly. Lastly, the slip ring includes protrusions which hold the slip ring in a neutral position until force is applied in a backward direction to disengage the slip ring.
Patent KR-100215383-B1 (KR)
Inventor: REIFFENRATH VOLKER
IPC: C07D213/64
Filed: 1990-09-03
Granted: 1999-08-16
Abstract: 본 발명은 액정 매질의 성분으로서 적합한 하기 화학식 I의 화합물에 관한 것이다: 
     화학식 I 
     
       
     
     상기식에서, 
     R 은 H, C 1 내지 C 15 의 알킬 또는 알케닐 라디칼(이 라디칼들은 치환되지 않거나, 또는 CN  또는 CF 3 에 의해 일치환되거나 할로겐에 의해 적어도 일치환되며; 이 라디칼들중의 하나 이상의 CH 2 그룹들은 또한, 각각의 경우에 서로 독립적으로, O 원자가 서로 직접 결합되지 않도록 하는 방법으로 -O-, -S-, , -CO-, -CO-O-, -O-CO- 또는 -O-CO-O- 에 의해 치환될 수 있다)이고, 
     A 1 및 A 2 는 각각의 경우에 서로 독립적으로 
     (a) 트랜스-1,4-사이클로헥실렌 라디칼(여기서, 하나이상의 인접하지 않은 CH 2 그룹들은 또한 -O- 및/또는 -S- 에 의해 치환될 수 있다), 
     (b) 1,4-페닐렌 라디칼 (여기서, 1 또는 2 개의 CH 그룹들은 또한 N 에 의해 치환될 수 있다), 
     (c) 1,4-사이클로헥세닐렌, 1,4-비사이클로[2.2.2]옥틸렌, 피페리딘-1,4-디일, 나프탈렌-2,6-디일, 데카하이드로나프탈렌-2,6-디일 및 1,2,3,4-테트라하이드로나프탈렌-2,6-디일로 이루어진 그룹중에서 선택된 라디칼(여기서, 라디칼(a) 및 (b)는 CN 또는 불소에 의해 치환될 수 있다)이며, 
     Z 1 및 Z 2 는 각각의 경우에 서로 독립적으로, -CO-O-, -O-CO-, -CH 2 O-, -OCH 2 -, -CH 2 CH 2 -, -CH=CH-, -C=C- 또는 단일결합이고, 라디칼 Z 1 과 Z 2 중 어느 하나는 또한 -(CH 2 ) 4 - 또는 -CH=CH-CH 2 CH 2 - 이며, 
     L 은 H 또는 F 이고, 
     m 은 0, 1 또는 2 이고, 
     Y 는 F 또는 Cl 이고, 
     Q 는 단일결합, -CF 2 -, -OCF 2 - 또는 -OCHF- 이지만, 단, Q 가 단일결합인 경우 L 은 F 이고, Q 가 -OCF 2 - 이고, Y 가 F 인 경우 L 은 F 이어야 한다.
Patent KR-100541579-B1 (KR)
Title: 액정표시장치,액정표시장치의제조방법및전자기기
IPC: G02F1/1339
Filed: 1998-04-21
Granted: 2006-03-22
Abstract: 한 쌍의 투명전극(1a, 1b) 사이에 끼워진 액정의 배향을 제어하는 것에 의해 가시상을 표시하는 액정 표시 장치에 있어서, 액정에 인가하는 전압을 변화시키기 위한 저항소자(8, 13, 18, 28, 40)를 ITO 등에 의해서 투명기판(1a)상에 직접 형성한다.  저항 패턴(8)의 저항지(8a)의 1 개 또는 몇개를 레이저 광에 의해서 절단하므로써 저항 패턴(8)의 저항값을 변화시키고 이것으로 액정에 인가하는 전압을 조절한다.  저항 패턴(8) 이외에 캐퍼시터 등을 포함하는 주변 회로를 투광성 기판(1a) 상에 직접 형성할 수도 있다.  또, 그 주변 회로는 한 쌍의 투광성 기판(1a, 1b)에 의해서 끼워지는 부분에 형성할 수도 있다.  저항 소자나 기타의 주변 회로를 액정 패턴의 기판상에 형성하므로써 액정 표시 장치의 전체 형상을 작게 할 수 있다.
Patent KR-100503696-B1 (KR)
Title: 표면에실리카가고착된카본블랙과실란올관능기에의해관능화되거나개질된디엔중합체를기본으로하는고무조성물,이를포함하는타이어및타이어트레드
IPC: C08F212/08
Filed: 1998-05-05
Granted: 2005-10-25
Abstract: 본 발명은 주 보강 충전제로서 표면에 실리카가 고착된 카본 블랙과 쇄의 말단에 실란올 관능기, 또는 실란올 말단을 갖는 폴리실록산 블록을 지니는 중합체를 포함하는 하나 이상의 관능화된 디엔 함유 중합체 또는 실란올 관능기에 의해 쇄를 따라 개질된 디엔 함유 중합체를 포함하는, 특히 주행 하중이 감소된 타이어 주행 트레드를 구성할 수 있도록 개선된 히스테리시스 특성 및 물리적 특성을 갖는 고무 조성물에 관한 것이다.
Patent KR-100637609-B1 (KR)
IPC: H04N21/418
Filed: 1999-02-19
Granted: 2006-10-24
Abstract: 새롭게 제공되는 서비스나, 신규의 이용 형태에 대하여 유연하게 대응할 수 있는 수신 장치를 제공한다. 
     플래시 메모리가 탑재된 외부 메모리 소자(100)는 커넥터와 인터페이스 회로로 구성되는 외부 메모리 인터페이스(45)를 통해 접속된다. 외부 메모리 소자(100)에는, 기능 추가를 위한 프로그램, 또는, 화상 데이터나 음성 데이터 등이 기억되어 있고, 외부 메모리 소자(100)에 기억되어 있는 정보가 외부 메모리 인터페이스(45)를 통해 수신 장치(3)에 취입된다. 취입된 외부 메모리 소자(100)로부터의 정보는, 제어부(30)에 있어서 처리되며, 이용할 수 있게 된다. 
       
     텔레비전 방송 수신 장치, 트랜스포트 스트림, 디멀티플렉스부, 블라우저, 튜너
Patent KR-100316689-B1 (KR)
Title: 멀티플렉서
IPC: H03K17/735
Filed: 1999-03-18
Granted: 2001-12-12
Abstract: 본 발명은 비대칭 디지털가입자망 접속시스템에서 다수의 주파수 입력신호중 하나의 입력신호를 선택하여 위상동기를 구현할 때, 신호검출을 이용한 경보를 구현하고자 할 때 또는 모드에 의해 입력신호를 선택적으로 사용하고자 할 때 사용되는 3:1, 6:2 및 4:2 멀티플렉서에 관한 것으로서,  본 발명에 의한 멀티플렉서에 의하면 다수 입력신호의 수와 그 입력신호중 선택되어 지는 출력신호의 수를 고려하여 이에 상응하는 신호선택단을 두어 설계하는 방식이므로 불필요한 모듈을 줄일수 있어 불필요한 전원소비를 방지할 수 있으며, 보드면적을 증가시키지 않는 다는 뛰어난 효과가 있다.
Patent KR-100312019-B1 (KR)
Title: 질화인듐갈륨 상분리를 이용한 백색 발광 다이오드의 제조방법
IPC: H01L33/06
Filed: 1999-03-30
Granted: 2001-11-03
Abstract: 본 발명은 삼원계 화합물 반도체인 질화인듐갈륨(InGaN)의 물질고유의 특성인 스피노달 분해 특성과 고온급속열처리 과정을 이용하여 백색 발광을 하는 질화인듐갈륨 박막을 단일 활성층으로 갖는 백색 발광 다이오드(White Light Emitting Diode: White LED)의 제조방법에 관한 것이다. 
     사파이어 기판 위에 성장된 n-형 질화갈륨(GaN) 위에 질화인듐갈륨 박막 성장시 성장 조건을 조절하여 자주색에서 파란색 영역에 이르는 발광 특성을 내는 상과 녹색에서 적색영역에 이르는 발광 특성을 내는 상을 형성시킨 후 고온 급속 열처리를 통하여 박막 표면을 열적으로 평탄하게 하고 인듐(In) 함량이 적은 상의 발광 특성을 향상시켜 전체적으로 밝은 백색 발광 특성을 갖는 질화인듐갈륨 단일 활성층을 제조하였다. 
     본 발명의 발광 다이오드는 백색으로 발광하는 질화인듐갈륨 박막을 단일 활성층으로 하는 단일 칩 상태의 질화물 반도체 백색 발광 다이오드로서 발광이 효율적이고 소자 제조공정이 획기적으로 단축되는 장점이 있다.
Patent KR-100323767-B1 (KR)
Title: 프레임 동기 유지 방법
IPC: H04B1/7073
Filed: 1999-04-12
Granted: 2002-02-19
Abstract: 차세대 이동 통신 시스템에 있어서, 특히 광대역 코드 분할 다중 접속 방식(이하, W-CDMA 라 약칭함)의 차세대 이동 통신 시스템에서 최적의 파일럿 심볼 패턴을 사용한 프레임 동기 유지 방법에 관한 것으로, 사용자측(UE)과 네트워크측간에 통신 채널에 대한 프레임 동기를 유지함에 있어서, 상기 통신 채널에 대한 칩 동기를 획득하는 단계와, 상기 칩 동기가 획득됨에 따라, 상기 칩 동기를 이용하여 프레임 동기를 획득하는 단계와, 상기 획득된 프레임 동기의 유지 여부를 확인하는 단계와, 상기 프레임 동기가 어긋난 경우, 각각의 파일럿 시퀀스가 상관 주기에서 정합된 지점에서는 최대의 상관 값을 갖고, 상관 주기 중간 지점에서 부호가 다른 최대의 상관 값을 가지는 파일럿 패턴을 이용하여 프레임 동기를 회복하는 단계로 포함하여 이루어진다.
Patent KR-100322460-B1 (KR)
Title: 포장상자의 전환장치
IPC: B65B17/00
Filed: 1999-04-13
Granted: 2002-02-07
Abstract: 본 발명은 포장용 상자 등을 제조하기 위하여 원판지를 재단하고 이 재단된 포장용 상자의 일면에는 상표 등을 표시하는 인쇄층을 형성한 상태에서 상기 포장용 상자의 양측단을 접합시킴에 있어서, 상기 인쇄층이 형성된 포장용 상자의 상하면 위치를 자동적으로 전환시켜 상기 포장용 상자의 접합작업을 원활하게 할 수 있도록 한 포장상자의 전환장치에 관한 것이다. 
     본 발명은 기체(1)의 일측에 포장용 상자가 적재되어 승강하는 리프트수단(2)을 설치하고 중앙부에는 상기 리프트수단(2)으로부터 공급된 포장용 상자의 방향을 전환시키는 전환수단(3)을 구비하고, 이 전환수단(3)의 일방에는 포장용 상자를 이송하는 이송수단(4)을 구비하며, 상기 기체(1)의 일측에 포장용 상자를 상기 전환수단(3)으로 공급하는 공급수단(5)을 설치하고 상기 이송수단(4)의 상부에는 포자용 상자를 누르면서 단계적인 이송이 이루어지도록 하는 누름수단(6)을 구비하고 상기 전환수단(3)의 일방에는 정리수단(23)을 설치하여 구성된 것이다.