Patent WO-2016164015-A1 (WO)
Title: Procédé d'atténuation des vitesses de croissance différentielle de texture de grain dans de l'aluminium anodisé à finition en miroir
Inventor: CURRAN JAMES A
IPC: C25D11/06
Filed: 2015-04-08
Abstract: L'administration chargée de la recherche a trouvé plusieurs inventions dans la demande, à savoir : les revendications 1 à 10 ont trait à un procédé de formation d'une couche anodique, le procédé comprenant : (5) l'anodisation d'un substrat d'aluminium dans un électrolyte au moyen d'une densité de courant inférieure ou égale à 1 A/dm2 et/ou à une température d'électrolyte supérieure ou égale à 30 degrés Celsius de telle sorte que la couche anodique obtenue présente une valeur de dureté HV 0,05 supérieure ou égale à 320 et une variation de l'épaisseur inférieure à 5 % entre la couche anodique sur des grains présentant des orientations cristallographiques de {111}, {110} et {100}. Les revendications 11 à 18 ont trait à un procédé de formation d'un revêtement à base d'oxyde d'aluminium, le procédé comprenant : l'anodisation d'un substrat à base d'aluminium ou d'alliage d'aluminium dans un électrolyte avec une concentration en acide sulfurique allant de 5 g/L à 70 g/L, ledit électrolyte comprenant optionnellement un ou plusieurs acides organiques à une concentration en acides organiques allant de 10 g/L à 100 g/L. Les revendications 19 à 25 ont trait à un boîtier métallique pour un dispositif électronique, le boîtier métallique comprenant : un substrat à base d'alliage d'aluminium comprenant du cuivre, du zinc et/ou du magnésium ; et un oxyde anodique comprenant une teneur en soufre inférieure ou égale à 4 % en poids, l'oxyde anodique présentant une valeur de dureté HV 0,05 supérieure ou égale à 320. Les revendications 26 à 35 ont trait à un procédé de formation d'une couche anodique, le procédé comprenant : l'anodisation d'un substrat dans un électrolyte comprenant une teneur en acide sulfurique inférieure ou égale à 7 % en poids, au moyen d'une densité de courant inférieure à 1 A/dm2, pour une période de temps d'anodisation d'au moins une heure, de telle sorte que le film anodique obtenu présente une valeur de dureté HV 0,05 supérieure ou égale à 320. Les revendications 36 à 42 ont trait à un procédé de formation d'un revêtement d'oxyde d'aluminium, le procédé comprenant : l'anodisation d'un substrat à base d'alliage d'aluminium comprenant du zinc, du cuivre et/ou du magnésium dans un électrolyte avec une concentration en acide sulfurique allant de 5 g/L à 20 g/L, l'électrolyte comprenant optionnellement un ou plusieurs acides organiques à une concentration en acides organiques allant de 10 g/L à 100 g/L. Les revendications 43 à 50 ont trait à un boîtier métallique pour un dispositif électronique, le boîtier métallique comprenant : un revêtement anodique présentant une valeur de dureté HV 0,05 supérieure ou égale à 320 et une variation d'épaisseur inférieure à 5 % entre le revêtement anodique sur les grains d'un substrat métallique sous-jacent présentant des orientations cristallographiques de {111}, {110} et {100}. Les revendications 51 à 60 ont trait à un procédé d'anodisation d'un substrat à base d'alliage d'aluminium, le procédé comprenant : le polissage d'une surface du substrat à base d'alliage d'aluminium pour obtenir un brillantage de miroir ; et l'exposition de la surface polie à un traitement d'anodisation mettant en œuvre un électrolyte présentant une concentration en acide sulfurique inférieure ou égale à 7 % en poids au moyen d'une densité de courant inférieure ou égale à 1 A/dm2 de telle sorte que le film anodique obtenu présente une valeur de dureté HV 0,05 supérieure ou égale à 320 et une variation d'épaisseur inférieure à 5 % entre le film anodique sur des grains du substrat à base d'alliage d'aluminium présentant des orientations cristallographiques de {111}, {110} et {100}. La seule caractéristique technique commune entre les groupes susmentionnés est : une couche ou un revêtement anodisé. Cependant, cette caractéristique commune ne définit pas une contribution par rapport aux documents suivants de l'état de la technique : (a) US 2003-0196907 A1, (b) US 2009-0233113 A1, (c) US 5066368 A, (d) US 2008-0274375 A1 et (e) US 2004-0004003 A1. Par conséquent, il n'existe pas de caractéristique technique spéciale commune entre les inventions revendiquées, laissant les revendications sans concept général unique de l'invention. Par conséquent, il y a absence d'unité "a posteriori" (Règles PCT 13.1 et 13.2).