baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent KR-100291177-B1 (KR)
Title: Method for designing rotary type joint in 3 degree of freedom or less set by movable area using projection method of area in two-dimensional plane containing height and depth information on surface of three-dimensional sphere
Inventor: PARK JI HEON
IPC: A61B5/103
Filed: 1998-09-04
Granted: 2001-11-22
Abstract: PURPOSE: A method for designing a rotary type joint of 3 degree of freedom or less having a restriction in a movable area by integrally consideration of a joint/motor movement comprising each 1 degree of freedom is provided, thereby easily setting a movement area. Also it solves singularity and gimbal problems when used with a joint expression method. CONSTITUTION: In a joint expression method of conventional 1, 2 and 3 degree of freedom, each direction of a spherical shape in three-dimensional space is regarded as joint movement, an area expressed as a closed curve or polygon in a two-dimensional plane is regarded as a joint body-movable area, movable area is set on the surface of a sphere by projection of the area in the two-dimensional plane on the sphere in the three-dimensional space, height information is subjected to designation of a vector to a positive direction as a maximumly rotatable angle and depth information is subjected to designation of a vector to a negative direction as a maximumly rotatable angle.
Patent KR-100278605-B1 (KR)
Title: 집진장치가 설치된 반도체 설비 및 집진 방법
IPC: H01L21/48
Filed: 1998-10-20
Granted: 2001-01-15
Abstract: 반도체 공정이 진행되는 모재료 예를 들어 웨이퍼나 LCD 제조 공정에 사용되는 LCD 글래스에 부착된 미세 파티클을 제거하는 집진장치가 설치된 반도체 설비 및 집진 방법이 개시되고 있는 바, 본 발명에 의하면 반도체 소자 모재료가 공정 프로세서 챔버로 투입되기 직전에 반도체 소자 모재료에 부착된 미세 분진 및 미세 분진이 부착되는 원인인 정전기를 제거한 상태로 반도체 소자 모재료가 공정 프로세서 챔버로 투입되어 식각 공정 또는 포토 공정이 진행되도록 하여 별도의 세정 공정을 필요로 하지 않음으로써 세정 공정을 진행하는데 필요한 시간 및 비용을 크게 절감한다.
Patent KR-100602017-B1 (KR)
IPC: B41J2/01
Filed: 1998-11-04
Granted: 2006-09-22
Abstract: 재순환 잉크 용매 시스템은 프린트헤드로부터 잉크 잔류물을 청소하기 위한 와이핑 위치와 와이퍼로부터 잔류물을 스크레이핑하기 위한 스크레이핑 위치 및 용매 도포 위치 사이에서 이동하는 와이퍼를 이용해 잉크젯 프린트 장치내의 잉크젯 프린트헤드를 청소한다.  잉크 용매 재순환 부재는 와이퍼로부터 잉크 잔류물을 스크레이프하는 스크레이퍼 부분을 형성하는 몸체와 잉크 용매를 와이퍼에 도포하는 어플리케이터 부분을 갖는다.  몸체는 잉크 용매가 스며드는 다공성 재료로 제조되며, 세공은 잉크 용매가 모세관 작용하에 스크레이퍼 위치에서 어플리케이터쪽으로 이동하도록 및, 잉크 용매로부터 용해된 잉크 잔류물을 여과하도록 선택된다.  또한, 재순환 시스템을 갖는 잉크젯 프린트 장치와 함께, 재순환 부재를 이용해 잉크젯 프린트헤드를 청소하기 위한 방법이 제공된다.
Patent KR-100312104-B1 (KR)
Title: Balance gain tuner
Inventor: KIM CHEON SEOP
IPC: G11B7/09
Filed: 1998-11-07
Granted: 2002-04-06
Abstract: PURPOSE: A balance gain tuner is provided to correct mismatch generated during an optical pick-up manufacturing process with respect to light-receiving units. CONSTITUTION: A balance gain tuner includes the first and second amplification circuits(12,14), a subtracter(16), and a controller(18). The first amplification circuit amplifies one of signals for detecting tracking error. The second amplification circuit amplifies the other signal for detecting the tracking error with a controllable gain. The subtracter calculates a difference between the output of the first amplifier and the output of the second amplifier. The controller controls the gain of the second amplifier according to the output of the subtracter. The second amplification circuit includes an amplifier(A3), a variable resistor(R7), and a resistor(R8). The inverted input port of the amplifier receives the other signal for detecting the tracking error and non-inverted input port is grounded. The variable resistor varies resistance thereof under the control of the controller in order to control the gain. The resistor is connected between the inverted input port and the output port of the amplifier to determine the gain of the amplifier in cooperation with the variable resistor.
Patent KR-100294077-B1 (KR)
Title: High strength epoxy resin composition which is fast in curing speed at low and room temperatures, and filling packing materials using the same
Inventor: CHAE SU IL
IPC: C08L63/00
Filed: 1998-11-17
Granted: 2001-11-14
Abstract: PURPOSE: Provided is a high strength epoxy resin composition which is fast in curing speed at low and room temperatures, and filing packing materials using the epoxy resin composition. CONSTITUTION: The composition is prepared by the steps of (i) adding a cure catalyst, stiffening agent, colorant, and antiprecipating agent to diglycidyl ether bisphenol A type epoxy resin and butyl glycidyl ether modified epoxy resin to form a liquid mixture, as the first main composition, (ii) adding a hardener to aliphatic modified amine having epoxy group formed by reacting butyl glycidyl ether modified epoxy resin with aliphatic polyamine to form a liquid mixture, as the first hardener composition, and (iii) mixing the first main composition and the first hardener composition in the ratio by weight of 4-6:1. Also, 5-7 parts by weight of quartz sands having a water content of 10% or less, are added to 1 parts by weight of the composition.
Patent KR-100308029-B1 (KR)
IPC: H04B7/24
Filed: 1998-11-28
Granted: 2001-10-20
Abstract: 본 발명은 동적 페이징 그룹 할당을 통해 페이징 채널의 효율적 이용을 도모하고, 나아가 페이징에 수반하는 지연시간을 줄일 수 있는 이동 통신 시스템에 있어서 이동통신의 동적 페이징 그룹 할당 방법을 제공하기 위한 것으로, 이동통신 시스템의 페이징 그룹 할당 방법에 있어서, 임의의 이동 단말 집합에 새로운 이동 단말을 등록하는 단계와, 상기 이동 단말 집합에 속한 이동 단말들이 현재 페이징 그룹 상태에 따라 고르게 분산될 수 있도록  상기 임의의 이동단말집합이 속하는 각 페이징 그룹에서 가장 작은수의 이동 단말이 속하는 그룹으로 상기 새로운 이동 단말이 속하는 페이징 그룹을 할당하는 단계와, 상기 할당된 페이징 그룹을 상기 새로운 이동 단말에 통보하는 단계를 구비함을 특징으로 한다.
Patent KR-100576691-B1 (KR)
Title: 기록매체의 부영상 스트림 전송장치 및 방법
IPC: H04N21/435
Filed: 1998-11-27
Granted: 2007-04-25
Abstract: 본 발명은 디지털 부영상 스트림 전송장치 및 방법에 있어서, IEEE 1394 인터페이스를 이용하여 앰펙(MPEG)방식의 디지털 데이터 스트림(Stream)을 전송시, 상기 디지털 데이터 스트림에 포함된 부영상 스트림을  앰펙(MPEG)규격인 피이에스(PES) 또는 프라이빗(Private)섹션 포맷으로 변환하여, 전송하는 기록매체의 부영상 스트림 전송장치 및 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 기록매체의 부영상 스트림 전송방법은, 상기 기록매체로부터 독출되는 부영상 스트림을 분리하는 1단계; 상기 분리된 부영상 스트림을 피이에스(PES)데이터 포맷으로 변환하는 2단계; 및 상기 변환된 부영상 스트림을 설정된 전송포맷으로 전송하는 3단계를 포함하여 이루어져, 기록매체로부터 재생, 분리되는 부영상 스트림을 피이에스(PES)포맷 또는 프라이빗(Private)섹션 포맷으로 변환하여 부영상 스트림의 전송을 최적화함으로써, 상기 부영상 스트림을 수신하는 영상디스플레이장치에서 자막영상 또는 PIP(Picture In Picture)영상과 같은 부영상 화면을 선택적으로 디스플레이할 수 있게 하는 매우 유용한 발명인 것이다.
Patent KR-100313428-B1 (KR)
Title: 광필터를이용한광세기및주파수측정장치
IPC: G01J1/00
Filed: 1998-12-03
Granted: 2002-03-21
Abstract: 본 발명은 유전체 다층 박막의 투과 및 반사 특성을 이용하여 광세기 및 주파수를 측정할 수 있는 광필터를 이용한 광세기 및 주파수 측정 장치를 제공하는 데 그 목적이 있다. 
     본 발명에 따르면, 외부로부터 광을 입력받아 투과광과 반사광으로 나누기 위한 광필터링 수단; 상기 광필터링 수단을 통과한 투과광을 입사받아 광세기를 측정하기 위한 투과광 검출 수단; 상기 광필터링 수단으로부터 반사된 반사광을 입사받아 광세기를 측정하기 위한 반사광 검출 수단; 상기 투과광 검출 수단과 상기 반사광 검출 수단으로부터 측정된 광세기를 입력받아 측정된 광세기를 합하여 입사광의 광세기를 구하기 위한 광세기 측정 수단; 및 상기 투과광 검출 수단과 상기 반사광 검출 수단으로부터 측정된 광세기를 입력받아 입력된 광세기의 비율을 이용하여 주파수를 측정하기 위한 광 주파수 측정 수단을 포함하여 이루어진 광세기 및 주파수 측정 장치가 제공된다.
Patent KR-100360098-B1 (KR)
Title: 전기아연도금강판용 크로메이트 전처리용액
IPC: C23C22/24
Filed: 1998-12-04
Granted: 2002-12-18
Abstract: 본 발명은 전기아연도금강판용 크로메이트 전처리 용액에 관한 것이며, 그 목적하는 바는 크로메이트 처리이전에 행하는 전처리 용액을 적절한 함량의 니켈, 질산 및 유기인산성분으로 구성함으로서, 도금강판의 소재표면에 금속피막을 형성시키고 아연도금강판의 표면을 활성화시켜 소재와 크로메이트 피막의 밀착성을 향상시키고 금속표면을 평활하게 하여 크로메이트 용액의 균일성을 향상시킬 수 있는 전처리 용액을 제공하고자 하는데 있다. 
     상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 크로메이트 전처리용액에 있어서, 니켈성분이 20-70g/l인 니켈염, 질산이온이 10-50g/l인 질산 또는 질산염, 및 인산성분이 30-80g/l인 유기인산을 포함하는 전기아연도금강판용 크로메이트 전처리 용액에 관한 것을 그요지로 한다.
Patent KR-100520935-B1 (KR)
Title: 모발 성장 촉진제 조성물
IPC: A61Q7/00
Filed: 1998-12-04
Granted: 2006-02-17
Abstract: 본 발명은 미녹시딜, 은행추출물 및 홍삼추출물을 함유함을 특징으로 하는 모발 성장 촉진제 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 조성물은 혈류량 증가 효과 및 혈관내피성장인자 합성 증가 효과 그리고 모근세포 활성 효과가 탁월하며, 또한 직접적인 효과를 판정하는 동물 시험결과에서도 매우 우수한 모발 성장 촉진 효과가 있다.
Patent KR-100286394-B1 (KR)
Title: 페놀 제조방법
IPC: C07C37/58
Filed: 1998-12-07
Granted: 2001-04-16
Abstract: 본 발명은 벤젠을 1단계 산화반응으로 직접 산화하여 높은 수율로 페놀을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 반응 촉매로는 (+3)가철 화합물을 사용하고, 반응용매로는 0.05∼0.2N의 황산수용액 및 이 수용액과 혼화가 가능한 극성 유기용매류를 1:0.5∼0.5:1의 부피 비율로 혼합한 혼합용매를 사용하였다.  OH 라디칼 공여체로 30∼50%의 과산화수소를 사용하고, 20∼50℃의 반응온도에서 페놀을 제조하는 본 발명의 방법에서는 페놀의 수율을 50% 이상으로 높일 수 있었다.
Patent KR-100423195-B1 (KR)
Title: 플라즈마처리방법
IPC: H01L21/3065
Filed: 1998-12-18
Granted: 2004-05-17
Abstract: 본 발명의 에칭 장치(100)의 처리실(102) 내에는, 자석(128)에 의해 변동하는 플라즈마 P가 형성된다.  검출창(134)을 거쳐서 수광부(136)에서 검출한 변동하는 플라즈마 광의 신호를, 연산 제어기(120)에서 일정한 샘플링 주기로 샘플링하여 데이터 열을 구한다.  복수의 가정 변동 주기를 가정하고, 해당 데이터 열로부터 각 가정 변동 주기에 있어서의 이동 평균값을 산출하는 공정을 반복한다.  그리고, 각 반복 타이밍마다 구해진 이동 평균값을 각 가정 변동 주기마다의 이동 평균값 데이터로서 통계 처리하여, 각 가정 변동 주기에 대응하는 근사식을 구한다.  또한, 소정 기간에 있어서의 각 이동 평균값의 데이터 열과 각 근사식의 편차량을 구하여, 최소의 편차량에 대응하는 가정 변동 주기를 플라즈마 P의 변동 주기로 판정한다.  판정한 변동 주기에 근거해서, 샘플링 신호의 데이터 열로부터 이동 평균값의 데이터 열을 구하여, 처리의 종점을 판정한다.
Patent KR-100376534-B1 (KR)
Title: 시료받침대
IPC: G01N1/00
Filed: 1998-12-21
Granted: 2003-06-18
Abstract: 본 발명은 고온 현미경의 시료받침대(20)상에, 90-95% 백금과 5-10% 로듐 및 1% 이하의 이리듐으로 조성된 0.2-0.5mm 두께의 백금합금 박판(23)을 마련하여 제철공정중 고로, 전로, 전기로에서 발생되는 슬래그나 그 혼합물 등과 같이 산화칼슘(CaO)과 산화철(FeO)계 성분이 다량 함유된 내화재료와 시료받침대의 알루미나(Al 2 O 3 )가 고온에서 상호 반응하는 것을 방지하므로써, 이들 산화물 성분들이 포함된 내화재료의 연화, 용융, 유동점 및 기타 수축, 팽창, 가스발생 등의 고온 물성을 정확히 측정하는 것을 그 기술적 요지로 한다.
Patent KR-100287618-B1 (KR)
Title: 스핀들 모터_
IPC: H02K29/00
Filed: 1998-12-30
Granted: 2001-04-16
Abstract: 본 발명은 스핀들 모터를 개시한다. 
     본 발명은, 회전축과; 내주면에 마그네트가 부착된 케이스를 구비하는 로터와; 회전축과 로터 사이에 위치되며, 회전축 및 로터상에 인서팅을 통해 일체로 사출 성형되고, 상면에는 디스크가 안착되는 허브와; 허브의 외주면에 마련되는 허브 마그네트와; 로터의 하부에 위치되며, 중심면에는 베어링 홀더가 위치되고, 상면에는 스테이터 코어와, 이 스테이터 코어에 권선되어 로터의 마그네트와 함께 전자기력을 발생시키는 코일을 갖는 스테이터와; 베어링 홀더와 회전축 사이에 개재되는 복수의 볼 베어링;을 포함하여 된 것으로서, 회전축과 로터상에 디스크가 안착되는 허브가 인서팅을 통해 일체로 사출 성형되는 것이어서, 종래와 비교할 때 부품수 감소에 따른 코스트 절감과 작업성의 향상을 꾀한 이점이 있다. 
     또한 허브와 회전축이 서로 압입되는 구조가 아니기 때문에 고정도의 직각도를 유지할 수 있는 이점이 있다.
Patent KR-100518239-B1 (KR)
Title: 반도체 장치 제조방법
IPC: H01L21/82
Filed: 1998-12-30
Granted: 2005-12-06
Abstract: 본 발명은 반도체 장치 제조방법에 관한 것으로, 종래 반도체 장치 제조방법은 전압특성에 따라 각기 다른 구조의 모스 트랜지스터를 제조해야 하는 공정이 복잡하여 제조공정 및 설계가 용이하지 않은 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 기판의 상부에 필드산화막을 형성하여 소자형성영역을 정의하고, 그 소자형성영역의 중앙상부에 실제 게이트 패턴보다 크거나 같은 가게이트를 형성하는 가게이트 형성단계와; 상기 가게이트를 실제 게이트로 가정하고, 저농도 소스 및 드레인과 할로(HALO)영역을 형성하는 저농도 소스/드레인 및 할로형성단계와; 상기 저농도 소스 및 드레인의 상부일부를 제거하여 상기 가게이트의 하부기판과 단차를 형성한 후, 상기 가게이트를 제거하는 게이트영역 설정단계와; 상기 가게이트의 제거로 노출되는 기판에 문턱전압조절용 불순물 이온을 주입하고, 그 기판상에 상기 가게이트의 크기와 동일하거나, 그 가게이트의 크기보다 작은 실제 게이트를 형성하는 게이트 형성단계와; 상기 게이트의 측면 기판하부에 불순물이온을 이온주입하여 고농도 소스 및 드레인을 형성하는 고농도 소스 및 드레인 형성단계로 구성하여, 동일한 공정을 통해 전압 특성에 따른 서로 다른 구조의 모스 트랜지스터를 갖는 반도체 장치를 제조함으로써, 제조공정을 단순화하여 제조비용을 절감하고, 반도체 장치의 설계를 용이하게 하는 효과가 있다.
Patent KR-100306116-B1 (KR)
Title: 반도체베어칩의다이렉트어테치본딩방법
IPC: H01L21/60
Filed: 1998-12-31
Granted: 2001-11-30
Abstract: 본 발명은, 패키지를 하지 않은 상태의 베어 칩(Bare Chip)과 회로기판을 직접 다이렉트 어테치 본딩하는 기술에 관한 것으로서, 베어칩(1)과 전기적 접속을 하는 회로기판(7) 패턴패드(7) 위에  솔더범프(3)을 형성한 후 그 위에 도포기(17)을 이용하여 이방성 도체 페이스트(Anisotropic Conductive Paste)(16)를 도포하고, 그 위에 베어칩(1)를 마운팅하여 경화시키어, 베어 칩의 외부전극과 회로기판의 전극 패턴간의 전기적 접속을 완성하는 방법이다.
Patent KR-100395295-B1 (KR)
IPC: D03J1/02
Filed: 1995-09-08
Granted: 2003-11-22
Abstract: 본 발명의 직기는 머신부(1), 교환기구(2), 지지기구(3) 및 날실을 공급하는 기구(6)로 이루어진다. 교환기구는 롤, 날실정지모션유닛(38), 및 힐드프레임과 리드용 홀더기구를 포함하고, 머신부(1) 또는 지지기구(3)에 결합되고, 이로써 힐드프레임, 리드 및 끌어당긴 제조품을 가진 교환기구(2)가 수용유닛으로서 교체가능하다. 교환기구(2)와 날실을 공급하는 기구(6)를 결합하여 교환유닛(31)을 형성함으로써, 또한 제조품을 교환하기 위하여 교체될 수 있다. 이들 교체가 가능함으로써, 제조품의 교환이 실질적으로 간단하게 되고, 시간이 단축된다.
Patent KR-100349460-B1 (KR)
Title: 배수처리장치
IPC: C02F1/28
Filed: 1998-04-21
Granted: 2003-10-11
Abstract: 본 발명의 배수 처리장치는 고체 촉매 및/또는 고체 흡착재의 충진층의 위에, 이 충진층 표면의 변형 또는 이동에 대해 추종능을 가지는 압압층을 설치하여 이루어지는데에 특징을 가진다. 구체적으로는 상기 충진층의 위에 이 충진층 표면의 이동에 대해 추종 이동능을 가지는 압압층을 설치하여 구성된 장치, 또는 상기 충진층의 위에, 이 충진층 표면의 변형에 대해 추종 변형능을 가지는 투수성 압압층을 설치하여 구성된 장치이며, 이와 같은 압압층을 설치함으로써, 고체 촉매 충진층에서 고체 촉매의 운동이 효과적으로 방지되며, 고체 촉매의 운동이 주요 원인으로 되어 생기는 고체 촉매의 마모, 더나아가서는 그의 성능 열화, 압력 손실의 상승 등의 여러 가지 문제를 해결할 수 있다는 결과로, 장기에 걸쳐 배수처리를 안정하게 수행하는 것이 가능해진다.
Patent KR-100228510-B1 (KR)
Inventor: PARK MAN KI
IPC: A61K36/23
Filed: 1999-01-23
Granted: 2000-03-15
Abstract: The present invention relates to a vasodilating composition comprising ginsenoside Rg3 and/or Rg5, one of the saponin components of ginseng, as an active ingredient. Since ginsenoside Rg3 and Rg5, the active ingredient of the composition according to the present invention, exhibit an endothelium-dependent vasodilation and do not destroy endothelium cells contrary to the ordinary saponins, they can be used safely without any side effect such as hemolysis or toxicity against fishes. Ginsenoside Rg3 and Rg5 are hardly contained in ginseng plants such as fresh ginseng, white ginseng, etc., and contained in a minor amount in red ginseng. The contents of ginsenoside Rg3 and Rg5 are increased greatly by heating ginseng plant for 0.5 to 20 hours at a high temperature of 110 to 180  DEG C.
Patent KR-100279830-B1 (KR)
Title: 마이크로 콘트롤러와 퍼스널 컴퓨터 호환 아이사 버스 사이의 공
IPC: G06F15/16
Filed: 1999-02-02
Granted: 2001-01-15
Abstract: 퍼스널 컴퓨터와 호환 가능한 구조를 가지는 서버 시스템에서, 시스템을 직접 관리하는 마이크로 콘트롤러를 포함하는 하드웨어 부분과 시스템 관리를 위한 사용자 인터페이스를 제공하는 응용 프로그램 또는 시스템 운영 체제 사이에 서로 공유할 수 있는 메모리를 구현하여, 시스템 관리와 관련되는 다수의 메시지를 빠르고 효과적으로 상호 주고 받을 수 있게 하는 장치에 관하여 개시한다. 
     80C51 계열의 마이크로 콘트롤러는 일반적으로 칩 하나가 단독으로 외부 메모리를 액세스 할 수 있도록 설계되며, 다른 마스터 디바이스와의 버스 공유는 고려되지 않는다. 본 발명에서는 이러한 제어기의 제약을 극복하고 버스를 공유하기 위해 ISA 버스보다 타이밍이 상대적으로 느슨한 80C51 계열 마이크로 콘트롤러의 버스 주기에 ISA 버스 주기가 끼어드는 방식을 채택하였다. 두 개의 주기가 충돌하지 않도록 철저한 타이밍 제어가 필요하며 이를 위해 액세스 타이밍이 빠른 프로그래머블 디바이스를 사용하였다. 본 발명은 또한 이렇게 구현한 공유 메모리 메커니즘을 이용하여 시스템 관리에 사용되는 I2C 버스와 응용 프로그램이 실행되는 메인 프로세서 사이에 정보를 주고받는 서버 관리 시스템을 포함한다. 이 공유 메모리 메커니즘을 이용하여 마이크로 콘트롤러에서 운영되는 프로그램 코드를 호스트 버스에서 직접 다운로드 할 수 있는 장점이 있다. 
     본 발명의 구성은  마이크로 시스템 관리 제어기, 플래시 메모리, 공유메모리, 실시간 클럭, 마이크로 시스템 관리 제어기 인터페이스 버퍼, 공유 메모리 액
세스 제어기, 플래시 제어, 전원 오동작 인터럽트, 시스템 관리 버스 인터럽트, 및 입출력 프로그래머블 인터럽트 제어기 등으로 이루어진다.
Patent KR-100328479-B1 (KR)
Inventor: LEE SEOK IN
IPC: A23L23/00
Filed: 1999-02-06
Granted: 2002-03-16
Abstract: PURPOSE: Provided is a composition of porridge of unpolished rice and pumpkin which has the taste and flavor peculiar to pumpkin and contains abundant nutrients. CONSTITUTION: A composition of porridge of unpolished rice and pumpkin is characterized by comprising 30-40% of pumpkin puree, 3-7% of unpolished rice flour, 0.05-0.08% of peanut powder, 0.01% of pine nut powder, 0.02-0.085 of glutinous rice flour, 0.85-2% of red beans, 0.05-1% of starch, 0.018-0.0285 of jujube, 0.012-0.022% of chestnut, 0.012-0.0225 of carrot, 0.001-0.003% of vitamin B2, 0.2-0.65 of dietary salt, and 0.012-0.017% of aspartame.
Patent KR-100578426-B1 (KR)
IPC: C12P13/06
Filed: 1999-02-10
Granted: 2006-05-11
Abstract: 본 발명은 라이신 발효액을 양이온교환수지에 흡착시키고 수산화암모늄으로 용리하여 얻은 고농도 부분의 용리액에 염산을 가하여 pH를 5.0으로 하여 예비농축한 후 제품결정관 사입액으로 사용하여 제품결정관내 온도를 46℃ 내지 58℃로, 라이신 함량은 56 내지 62중량%로 진공농축하여 라이신을 연속결정화 하고 분리된 모액은 모액결정관에서 30℃이하로, 라이신 함량은 46 내지 53중량%로 진공농축 하여 모액중의 라이신을 연속결정화 하는 것을 특징으로 하는 라이신 제조 방법에 관한 것이다.
Patent KR-100295887-B1 (KR)
Title: 주차요금 자동 정산기의 표시 제어방법
IPC: G07B15/00
Filed: 1999-02-12
Granted: 2001-07-12
Abstract: 본 발명은 주차요금 자동 정산기에서 이미 설치되어 있는 취소버튼을 겸용할 수 있도록 허용하고, 소정 모드에서 그 취소버튼이 눌릴 때 한글 안내문을 영문으로 또는 그 반대로 변경하여 디스플레이하는 기술에 관한 것으로, 이러한 본 발명의 목적은 전면표시장치(9)에 주차권을 투입하라는 안내문자를 디스플레이한 후 주차권인식장치(4A)를 통해 주차권 정보를 조회하여 주차요금을 정산하고 그 정산결과를 저장하는 과정과; 주차요금 정산 도중 이용자에게 필요한 정보를 상기 전면표시장치(9)에 한글 또는 영문으로 안내하고, 정산에 따른 잔돈을 잔돈불출장치(8)를 통해 불출하거나 영수증발행장치(10)를 통해 영수증을 발급하는 과정과; 주차권이 투입된 이후 또는 이전에 취소버튼(6A)의 온신호가 입력되는지 확인하여 정산동작 도중에 주차권을 반송하거나, 상기 전면표시장치(9)에 디스플레이되는 문자를 한글에서 영문으로 또는 그 반대로 변경하는 과정에 의하여 달성된다.
Patent KR-100330516-B1 (KR)
Title: 합성수지 세사를 이용한 체인형 밸트프래스의 스러지 여과장치
IPC: C02F11/123
Filed: 1999-02-23
Granted: 2002-03-28
Abstract: 본 발명은 각종 산업장에서 발생하는 난탈수성 스러지의 농도가 보통 7% 이상의 스러지를 처리하는 장치로서 상기한 스러지를 보다 효과적으로 처리할 수 있게 하기 위하여, 체인의 단위 연결편 상면에 단일체로 형성시킨 지지편에 탈수 지지판의 중앙에 형성된 삼각형 홈의 저면을 대고 용접하여 부착시키고, 삼각형 홈에는 깃털상의 합성수지 세사를 고정봉에 감아 삼각협지편으로 협지시킨 단위 흡수여과편의 협지부를 삽입시키므로서 체인의 상면에 밸트상의 흡수여과층이 형성되게 하였고, 이 밸트상의 흡수여과층의 상부에 압착밸트와 압착로울러를 설치하므로서  밸트상의 흡수여과층상에 공급된 스러지는 흡수여과층의 모세관현상에 의하여 흡수여과되고, 흡수여과층상에 남아있는 미세한 고형분의 스러지는 압착밸트와 압착로울러에 의하여 압착탈수되게 하였기 때문에 스러지를 보다 효과적으로 흡수여과 탈수처리 할 수 있게 한 것이다.
Patent KR-100289095-B1 (KR)
Inventor: CHANG KYONG RAN
IPC: C05C13/00
Filed: 1999-02-27
Granted: 2001-04-16
Abstract: PURPOSE: A nitrogen fertilizer composition for the supply of nitrogen and a nitrogen fertilizer supply apparatus containing the composition are provided, whose nitrogen supply efficiency is maintained for 200-250 days constantly. CONSTITUTION: The nitrogen fertilizer composition comprises 10-45 wt.% of (NH4)2SO4; 10-45 wt.% of urea; 0.1-3 wt.% of dicyanoamide as a nitration inhibiting agent; and the balance of a binder. Preferably the binder is clay or gypsum. The apparatus is cylinder-shaped one whose upper and lower parts are open. Preferably the cylindrical apparatus is made of a biodegradable material comprising paper, and has additional layer(23) containing a plurality of holes(24) in the lower part. Optionally the apparatus comprises further a sand layer(25) or a diffusion buffering layer in the upper or lower part in addition to the nitrogen fertilizer composition layer(22).
Patent KR-100284296-B1 (KR)
Title: 내부전원 발생회로
IPC: G05F1/46
Filed: 1999-04-13
Granted: 2001-03-02
Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 동작상태 뿐만 아니라 다른 전류 소모 변수(예를 들어, 클럭 사이클 시간(tCK), 칼럼 어드레스 스트로브(CAS) 레이턴시(latency) 등)를 고려하여 선택적으로 내부전원 발생회로를 구동시켜 전류 소모를 줄일 수 있도록, 반도체 소자의 동작 상태를 알리는 상태신호를 출력하는 상태 디코더와, 클럭 사이클 시간을 검출하여 출력하는 클럭 사이클 시간 검출부와 동작 모드를 디코딩하여 칼럼 어드레스 스트로브 레이턴시를 출력하는 모드 디코더와, 상기 상태 디코더, 클럭 사이클 시간 검출부와 모드 디코더의 출력을 이용하여 내부전원을 발생하는 회로를 제어하기 위한 복수의 제어신호를 생성하는 제어부와, 그 제어부의 복수의 제어신호에 의해 내부전원을 발생시키는 내부전원 발생부를 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.
Patent KR-100309548-B1 (KR)
Title: 리니어 모터의 코일 유니트 고정구조
IPC: H02K41/02
Filed: 1999-08-13
Granted: 2001-11-01
Abstract: 본 발명은 리니어 모터의 가동자를 강도높고 견고하게 구성할 수 있는 리니어 모터의 코일 유니트의 고정구조에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 리니어 모터의 가동자에 구비된 코일 유니트를 프레임에 견고하게 고정하기 위한 리니어 모터의 코일 유니트 고정구조에 관한 것이다. 
     상기 본 발명은 고정자 백 아이언 내측에 다수의 영구 자석이 설치된 고정자와; 프레임의 일측에 설치되어 상기 고정자의 내측을 따라 이동되도록 구비된 가동자로 이루어지는 리니어 모터에 있어서, 상기 프레임의 하부 내측에 양측이 쐐기형으로 형성된 홈에 코일 유니트를 끼우고 에폭시 수지로 몰딩하는 구조인 것을 특징으로 한다. 
     상기한 바와 같이 본 발명에서는 프레임의 내측에 관통되지 않은 양측이 쐐기형상으로 이루어진 홈을 형성하고 코일 유니트가 에폭시 수지에 의해 더 넓은 표면적이 몰딩되도록 함으로써 코일 유니트를 견고하게 고정하여 리니어 모터의 성능과 제품의 신뢰성을 향상시키는 이점이 있다.
Patent KR-100305405-B1 (KR)
Title: 전장 발광 형광체 및 그를 이용한 유기 분산형 전장 발광 소자
IPC: H05B33/14
Filed: 1999-08-23
Granted: 2001-09-24
Abstract: 본 발명은 전장 발광 형광체 및 그를 이용한 유기 분산형 전장 발광 소자에 관한 것으로서, 황화아연을 형광체 모체로 하고, 이것에 부활제로서 구리 및 망간에서 선택되는 적어도 1종류와 공부활제로서 염소, 브롬, 요소 및 알루미늄에서 선택되는 적어도 1종류를 함유시킨 전장 발광 형광체이고, 전장 발광 형광체는 알칼리토류 금속원소의 함유량이 0.05중량% 이하가 되며, 또 전장 발광 형광체는 0.0001중량% 이상 0.01중량% 이하의 세슘을 함유하고, 유기 분산형 전장 발광소자는 알칼리토류 금속원소량을 저감하고, 또 미량의 세슘을 함유하는 전장 발광 형광체를 유전체중에 분산시킨 발광체층을 구비하여 황화아연계 전장발광 형광체의 휘도 및 수명을 향상시키고, 그와 같은 전장 발광 형광체를 이용하는 것에 의해 유기 분산형 전장 발광소자의 고휘도화와 장수명화를 달성하는 것을 특징으로 한다.
Patent KR-100362815-B1 (KR)
Title: 열간 압연기의 평탄도 제어장치
IPC: B21B13/02
Filed: 1999-08-24
Granted: 2002-11-27
Abstract: 본 발명은 스탠드의 입구측에 설치되어 압연재의 사행량을 측정하는 판폭계에 관한 것으로서, 이 판폭계는 압연재가 스탠드로 들어가기 전에 압연재의 사행량을 측정하며, 사행량은 압연재의 중앙과 라인의 중앙간의 차이에 의해 주어지고, 압연재는 이 압연재가 압연기의 드라이브측에 있을 때 양의 방향이고, 압연재의 측정된 사행량은 평탄도 제어 장치에 더해지며, 평탄도 제어 장치에 의해 지정된 위치에서 압연재의 평탄도를 측정하는 평탄도계는 스탠드의 출구측에 설치되고, 측정된 평탄도 역시 평탄도 제어 장치에 더해지며, 평탄도 제어 장치는 평탄도계에 의한 평탄도 측정값과 판폭계에 의해 측정된 사행량에 기초하여, 압연기 즉 최종 스탠드의 작업 롤 굽힘 장치의 조작량을 계산하며, 최종 스탠드의 작업 롤 굽힘 장치의 조작량은 작업 롤 굽힘 장치에 더해지고, 압연재 평탄도는 작업 롤 굽힘 장치에 의해 제어되는 것을 특징으로 한다.
Patent KR-100375351-B1 (KR)
Title: 수산물내의 유해물 제거방법 및 장치
IPC: A23L17/40
Filed: 1999-09-17
Granted: 2003-03-19
Abstract: 본 발명은 수산물내의 유해물 제거방법 및 장치에 관한 것이며, 전극에 석출하여 석출효율을 저하하는 석출물 등의 전해(電解) 저해인자를 용이하고 또한 신속하게 제거하여 전해효율을 높일 수 있으므로, 양호한 전해효율을 장시간 유지할 수 있는 동시에, 수산물중의 중금속 등의 유해물을 허용레벨까지 저감하는데 요하는 전해 처리시간을 대폭 단축할 수 있다. 
     또한, 중금속이나 비소 등의 유해물을 함유하고 있는 수산물에서 유해물을 확실하고 또한 경제적으로 제거할 수 있다.
Patent KR-100613106-B1 (KR)
IPC: H04N7/28
Filed: 1999-09-17
Granted: 2006-08-17
Abstract: 나무구조벡터양자화코드북(TSVQ)에 기반하는 부호화를 위한 인덱스할당방법은, (1) 연속적으로 입력하는 소스벡터들을, 상기 나무구조벡터양자화코드북에 기초하여 대응하는 코드벡터들로 양자화하는 단계; 및 (2) 상기 나무구조벡터양자화코드북상에서 상기 연속적으로 양자화되는 코드벡터들간의 공간적 상관성을 이용하여, 상기 코드벡터들중에서 이후에 양자화된 코드벡터의 인덱스를 할당하는 단계를 포함한다.  특히, 본 발명은 연속적으로 벡터양자화된 두 코드벡터가 각각 위치하는 단말노드들간의 최단경로를 탐색하고, 이를 표현하는 이진비트들을 현재의 코드벡터의 인덱스로 할당함으로써, 영상의 품질을 동일하게 유지하면서도 월등하게 향상된 압축부호화성능을 제공한다.
Patent KR-100584770-B1 (KR)
IPC: F28D1/03
Filed: 1999-09-30
Granted: 2006-05-29
Abstract: 본 발명에 따른 일체형 열교환기에 따르면 상 하 헤더탱크를 구성함에 있어서, 기본적으로 동일한 구성을 갖는 헤더 베이스를 사용하고 수냉식 오일 쿨러의 장착여부에 따라 조립 시 상기 헤더 베이스의 형태를 달리할 수 있기 때문에 부품 공용화를 통한 제작비 절감에 도움이 될 뿐만 아니라, 엔진룸의 효율적인 레이아웃 구성에도 도움이 된다. 
     상술한 바와 같은 본 일체형 열교환기는 냉매 헤더커버(14)와, 상기 냉매 헤더커버(14)와 결합하여 냉매 유입공간을 형성하는 반원부(41) 및 상기 반원부(41)에서 연장형성되어 가변 절곡됨으로써 별도의 냉각수 헤더커버 없이 다양한 크기의 냉각수 유입공간을 형성하는 평판부(42)로 구분되는 헤더 베이스(40)로 구성된 헤더탱크와; 상기 헤더 베이스(40)의 반원부(41)를 통해 그 일단이 냉매 유입공간으로 인입된 냉매 튜브(20)와; 상기 헤더 베이스(40)의 평판부(42)를 통해 그 일단이 냉각수 유입공간으로 인입된 냉각수 튜브(22)와; 상기 냉매 튜브(20)와 냉각수 튜브(22)에 공통접합된 방열핀(30)을 포함하여 이루어진다.
Patent KR-100634882-B1 (KR)
IPC: C08J5/18
Filed: 1999-11-18
Granted: 2006-10-16
Abstract: 성형용 이축배향 폴리에스테르 필름은 사방 20 cm 영역 내에서 결정된 면배향계수의 최대 및 최소값 사이가 최대 0.007이고, 이와 같은 필름 영역에서 결정된 평균 면배향계수가 약 0.11 - 0.15이다. 
     폴리에스테르 필름
Patent KR-100611520-B1 (KR)
IPC: C08K5/54
Filed: 1999-11-19
Granted: 2006-08-11
Abstract: 본 발명은 
     (A) (A-1) 제1 폴리디오가노실록산 20 내지 100중량부 및 
         (A-2) 제2 폴리디오가노실록산 0 내지 80중량부를 포함하는 폴리디오가노실록산 100중량부; 
     (B) 알콕시실란 또는 알콕시실란의 부분 가수분해 축합물 1 내지 20중량부; 
     (C) 유기-티탄 화합물 0.5 내지 10중량부; 및 
     (D) 광 안정화제 및 UV 흡수제로부터 선택되는 부가물 0.01 내지 5중량부를 포함하는, 결합 내구성이 우수한 실온 경화성 실리콘 고무 조성물에 관한 것이다.  
       
     실온 경화성, 실리콘 고무, 광 안정화제, UV 흡수제, 결합 내구성
Patent KR-100331687-B1 (KR)
Title: 자발형성 양자점과 전류차단층의 자기정렬 성장을 위한반도체 소자 제조방법
IPC: H01L21/20
Filed: 1999-12-07
Granted: 2002-04-09
Abstract: 본 발명은 반도체 기술에 관한 것으로, 특히 화합물 반도체 초미세 구조 제작에 관한 것이며, 더 자세히는 자발형성 양자점(self-assembled quantum dots)과 전류차단층(current blocking structure)의 자기정렬 성장방법에 관한 것이다. 본 발명은 S-K 성장 방식을 사용하여 화합물 반도체 양자점 구조를 형성함에 있어서, 양자점 크기의 균일성을 확보하고, 기판 평면에서의 위치 제어가 용이한 반도체 소자 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 본 발명은 TSL(tilted superlattice) 구조를 이용하여 InAs 양자점이 성장될 부분을 양자점의 크기로 제한 하므로써 양자점의 크기 분포를 균일하게 유도하며, 장벽층 성장시 InAs 양자점 배열구조 사이에 성장되는 비정질 GaAs층을 전류차단 구조로 이용할 수 있는 자기정렬 성장법을 제안하였다. 본 발명은 양자점의 정렬 효과 외에 양자점의 크기 분포 균일성을 높일 수 있으며, 양자점 구조의 소자 응용에 필수적으로 요구되는 전류 차단구조를 별도의 공정없이 동시에 구현할 수 있다는 기술적 장점을 가지고 있다.
Patent KR-100428558-B1 (KR)
Title: 열용사용의 접착성 및 저점성을 갖는 개질된 폴리에틸렌 제조방법
IPC: C08F265/02
Filed: 1999-12-07
Granted: 2004-04-28
Abstract: 열용사작업에 사용가능한 접착성 및 저점성을 갖는 말레산 그라프트된 폴리에틸렌 제조방법 및 이에 따라 제조된 개질된 폴리에틸렌에 관한 것으로, 
     100∼140℃로 온도설정된 이축압출기에 폴리에틸렌을 도입하고, 그 후, 유기용매에 폴리에틸렌 100중량부당 말레산무수물 0.1-2phr, 벤조일퍼옥사이드 개시제 0.01-1phr 및 디메틸포름아마이드 0.05-1phr이 되도록 각 성분이 용해된 반응용액을 별도로 이축압출기에 도입하여 용융혼합함으로써 말레산을 폴리에틸렌에 그라프트하여 열용사작업에 사용가능한 접착성 및 저점성을 갖는 말레산 그라프트된 폴리에틸렌을 제조하는 방법이 제공되며, 상기 방법에 의해 제도된 말레산 그라프트된 폴리에틸렌은 점도가 감소되고 열용사에의한 코팅 작업시 도막의 성형성 및 접착력이 개선된 것이다.
Patent KR-100596856-B1 (KR)
IPC: G11C8/08
Filed: 1999-12-30
Granted: 2006-07-04
Abstract: 본 발명은 반도체 메모리 소자의 전하 펌프 회로에 관한 것으로, 전하 펌핑 및 프리차지 동작을 반복하는 전하 펌프 회로의 프리차지 신호를 외부인가 전압(Vext)보다 낮은 내부생성전압(Vint)을 사용하도록 구성함으로써, 전류 소모를 줄일 수 있고, 또한 링 오실레이터에 쓰인 레벨 시프터 회로를 제거하여 레이아웃(Layout) 상의 면적을 줄일 수 있는 효과가 있다. 
     이를 구현하기 위한 본 발명의 전하 펌프 회로는 전위 레벨의 검출에 응답하여 전하 펌핑 동작을 제어하는 신호를 발생시키는 전위 검출 수단과, 전위 검출 수단에 의해 필요한 전위를 펌핑시키는 전하 펌핑 수단과, 전위 검출 수단의 출력 신호에 의해 전하 펌핑수단의 펌핑과 프리차지를 위한 전위 신호를 인가시키는 링 오실레이터 수단을 포함하는 전하 펌프 회로에 있어서, 링 오실레이터 수단은, 전위 검출 수단의 출력 신호에 의해 제 1, 제 2 제어 신호를 발생시키는 링 오실레이터단과, 링 오실레이터단의 제 1 제어 신호를 레벨 시프팅시킨 펌프 동작 신호를 출력하는 레벨 시프터단으로 구성되며, 링 오실레이터단의 제 2 제어 신호는 외부인가전압이 소정레벨 강하된 레벨을 갖고, 전하 펌프 수단의 프리차지 동작을 제어하도록 구성된 것을 특징으로 한다.
Patent KR-100347140-B1 (KR)
Title: 전압 변환 회로
IPC: G11C5/14
Filed: 1999-12-31
Granted: 2002-08-03
Abstract: 본 발명은 반도체 메모리 장치에 승압전압(VPP)을 공급하기 위한 전압 변환 회로에 관한 것으로, 종래 전압 변환 회로는 교번적으로 펌핑 하도록 제어하는 스위칭 제어부가 인버터의 지연에 의해 결정되므로 지연의 크기에 따라 스위칭 타이밍이 크게 변하게 되는 비효율적인 방법으로 구현되었으며, 스위치가 래치업되는 것을 방지하기 위해 웰 바이어스를 인가하는데 그 웰 바이어스를 발생시키기 위해 큰 레이아웃 면적이 필요하게 되는 문제점이 있었다. 
     따라서, 본 발명의 전압 변환 회로는 전압을 펌핑할 때 인가되는 발진신호를 입력받아 플립플롭 구조의 스위칭 구조를 통하여 각 구동신호가 겹치지 않고 하이레벨에서 로우레벨로, 로우레벨에서 하이레벨로 천이를 모두 이용하여 효율적으로 펌핑 캐패시터를 구동하며, 선충전, 스위칭 트랜지스터를 피모스 트랜지스터로 제어하여 엔모스 트랜지스터의 문턱전압 저하 문제를 해결하여 레이아웃 크기, 도전율(conductivity), 신뢰도(reliability) 및 전력소모를 줄일 수 있도록 구성하였다.