baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent JP-WO2007032055-A1 (JP)
Title: 推進力発生手段、挿入補助具及び内視鏡システム
IPC: A61B1/00
Filed: 2005-09-12
Abstract: 本発明の推進力発生手段（７）は、体腔内へ内視鏡挿入部１１１を案内し、外周に螺旋溝が形成された長尺な案内部材（１２１）を備えた医療機器（１００，２００）と併用される挿入補助具（１）に配設される推進力発生手段であって、前記案内部材を挿通するための挿入受け部（９ａ）と、前記挿入受け部に前記案内部材が挿入されたときに、前記案内部材の外周面を接触する接触部（９ｂ）と、を具備する。
Patent JP-WO2007052759-A1 (JP)
Title: 有機エレクトロルミネッセンス素子
IPC: C09K11/06
Filed: 2006-11-02
Abstract: 陰極（８０）と陽極（２０）間に少なくとも発光層（５０）と電子輸送層（６０）を含み、電子輸送層（６０）が、下記式（１）で表される化合物を含有し、発光層（５０）が、エネルギーギャップ２．８ｅＶ以下の下記式（２）で表される化合物からなるホスト材料と、インデノペリレン誘導体からなるドーパント材料を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子１。Ａ−Ｂ （１）（ここで、Ａは炭素環３以上の芳香族炭化水素基であり、Ｂは置換されてもよい複素環基である。）Ｘ−（Ｙ）ｎ（２）（ここで、Ｘは炭素環３以上の縮合芳香族環基であり、Ｙは置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のジアリールアミノ基、置換もしくは無置換のアリールアルキル基及び置換もしくは無置換のアルキル基から選択される基である。ｎは１〜６の整数であり、ｎが２以上の場合はＹは同じでも異なってもよい。）
Patent JP-WO2007055279-A1 (JP)
Title: イオントフォレーシス用製剤
IPC: A61K31/137
Filed: 2006-11-09
Abstract: 電気的駆動力を利用して皮膚または粘膜から生理活性物質を吸収させるためのイオントフォレーシス用製剤であって、局所麻酔薬、エピネフリンもしくはその塩、水およびクロロブタノールを含有する該製剤。
Patent JP-WO2007086565-A1 (JP)
Title: 成長ホルモンの分泌調節剤
IPC: A61P43/00
Filed: 2007-01-29
Abstract: アスパラギン酸及びバリンを有効成分とする成長ホルモン分泌調節剤又は抗老化剤、および該成長ホルモン分泌調節剤又は抗老化剤を含有する、医薬品、食品、栄養補助食品又は飼料。
Patent WO-2008108097-A1 (WO)
Title: 液滴吐出装置および方法
Inventor: IKUSHIMA KAZUMASA
IPC: B05C5/00
Filed: 2008-03-04
Abstract: 課題：吐出動作時のプランジャー先端が液室の内壁に非接触な状態を保持する液滴吐出技術を提供することを目的とし、特に、半田ペースト等のフィラー入りの液材であっても良好な吐出を行うことが可能な液滴吐出装置および方法の提供。 解決手段：液材を吐出する吐出口を有する液室と、液室と連通する貫通孔と、貫通孔に挿通され、その先端部が液室内を進退動するプランジャーと、プランジャーを進退動させるプランジャー移動手段と、プランジャーの先端部の位置を規定するプランジャー位置決定手段とを備え、プランジャーの先端部と液室の内壁が非接触の状態でプランジャーを進出移動および進出停止することで液材に慣性力を与えて液滴の状態に吐出する液滴吐出装置であって、前記プランジャー位置決定手段は、進出停止時のプランジャーの先端部の位置を、その進出方向にある液室の内壁近傍に規定することを特徴とする液滴吐出装置および方法。
Patent WO-2009011124-A1 (WO)
Title: 通信方法ならびにそれを利用した無線装置
Inventor: NAKAOKA KEN
IPC: H04L12/28
Filed: 2008-07-16
Abstract: パケット受信部２０は、他の無線装置からの指示であって、かつ前記他の無線装置から受信したデータ信号を転送する際の転送モードに関する指示を受けつける。設定部２４は、受けつけた指示をもとに、転送モードを設定する。設定部２４は、転送モードとして主転送モードあるいは副転送モードを設定する。また、パケット生成部２８、パケット送信部２２において転送を実行する確率が、副転送モードの場合よりも主転送モードの場合の方が高くなるように規定されている。パケット生成部２８、パケット送信部２２は、設定した転送モードにしたがって、他の無線装置から受信したデータ信号を転送する。
Patent WO-2008111321-A1 (WO)
Title: 表示素子
Inventor: HAKII TAKESHI
IPC: G02F1/1523
Filed: 2008-01-09
Abstract: 明るい白表示、高コントラストの白黒表示及びフルカラー表示を簡便な部材構成で実現することができる新規な電気化学的な表示素子は、対向電極間に電解質を含有し、対向電極の少なくとも一方に有機化合物を配位子とする金属錯体を含有した高分子膜が形成されており、該高分子膜は少なくとも２種の金属と該少なくとも２種の金属と配位する化合物とを含有し、該金属を介して該化合物同士が連結され、且つ該金属の酸化または還元反応によって少なくとも２つの着色状態を呈し、且つ該高分子膜が形成されている方の電極の表面積に対する該高分子膜の被覆率が２０％以上８０％以下であり、且つ電解質に銀または銀を化学構造中に含む化合物を含有していることを特徴とする。
Patent WO-2008087963-A1 (WO)
Inventor: NAKAYAMA KAZUTAKA
IPC: B27D1/04
Filed: 2008-01-16
Abstract: A flexible laminated woody material produced by first applying an adhesive to the surfaces of multiple woody materials; piling these woody materials one upon another so that the fiber directions thereof are approximately identical with each other to thereby obtain laminate (2); setting the laminate (2) in press unit (7) within pressure vessel (4); while heating by introducing high-pressure steam in the pressure vessel (4), compressing the laminate in the direction of lamination to a lamination thickness of 1/2 to 1/5; while maintaining the state of compression, cooling the laminate; and slicing the resultant laminate in parallel to the direction of lamination.
Patent WO-2008093558-A1 (WO)
Title: 回転検出装置
Inventor: TANAKA TOMOYUKI
IPC: G01D5/18
Filed: 2008-01-22
Abstract: 構造を簡素化し、検出精度を向上させることが可能な回転検出装置を提供することを目的とする。 　回転体の回転を受けて回転するシャフト部材２に磁石３を配設し、磁石３の回転による磁力変化を磁気検出素子４により検出する回転検出装置Ａであって、シャフト部材２を回転可能に配設する第１の収納部１ｉと磁気変換素子４を回路基板５を介して配設する第２の収納部１ｍとを互いに連通しないように一体にハウジング１に設けたものである。
Patent WO-2008096696-A1 (WO)
Title: 超音波洗浄方法
Inventor: MASAKI HIROSHI
IPC: G02F1/13
Filed: 2008-02-04
Abstract: 本発明の一の態様にかかる超音波洗浄方法では、溶存ガスが存在する洗浄液に超音波を照射して被洗浄物を洗浄する場合において、少なくとも０．２ｍｓｅｃ以上連続的に超音波を照射する工程と、少なくとも０．１ｍｓｅｃ以上超音波の照射を停止する工程とを所定周期で繰り返す。これにより、超音波の透過を阻害する粗大気泡の発生を防止でき、洗浄に寄与するラジカルを効率よく発生させて、被洗浄物を効率よく洗浄することができる。
Patent WO-2009063653-A1 (WO)
Title: Plasma display panel and its manufacturing method
Inventor: AMANO YOSHIFUMI
IPC: H01J17/04
Filed: 2008-02-21
Abstract: A plasma display panel capable of efficient discharge. There is constituted a plasma display panel in which each of bus electrodes is covered with a dielectric layer, an island-shaped electrode is formed on the surface of the dielectric layer so as to be joined to the bus electrode with a capacitance formed in the dielectric layer therebetween, an insulating covering material is formed so as to cover the island-shaped electrode, an opening with no covering material is formed between two adjacent island-shaped electrodes, and the side surface of the island-shaped electrode faces the opening.
Patent WO-2009107202-A1 (WO)
Title: Acoustic signal processing device and acoustic signal processing method
Inventor: SATO SHINICHI
IPC: H04S7/00
Filed: 2008-02-26
Abstract: A correction measurement unit in a processing control unit (119) measures an aspect of a sound field correction process executed on an acoustic signal UAS received from a sound source device 920 0  as a particular external device.  When an acoustic signal NAS or an acoustic signal NAD other than the acoustic signal UAS is selected as an acoustic signal supplied to speaker units 910 L  to 910 SR , a sound field correction unit (113) generates an acoustic signal APD by executing the sound field correction process of the aforementioned measured aspect on the selected acoustic signal.  Accordingly, even if any one of the acoustic signals UAS, NAS, and NAD is selected, it is possible to provide the signal in the state that the sound field has been uniformly processed to the speaker units 910 L  to 910 SR .
Patent WO-2008117637-A1 (WO)
Title: 虹彩登録装置および虹彩認証装置
Inventor: SATO NORIYUKI
IPC: G06F21/32
Filed: 2008-03-04
Abstract: 虹彩登録装置（１０）は、発光部（１２）が特定の発光パターンで被登録者に照明を当てて撮影部（１４）がその画像を撮影し、虹彩符号化部（１６）がこの画像をビット列へと符号化し、登録データ生成部（１８）がそのビット列と発光パターンＩＤとからなる登録データを生成し登録データ記憶部（２０）に登録する。また、虹彩認証装置（５０）は、被認証者の登録データを登録データ記憶部（６２）から取り出し、発光部（５２）がその登録データの発光パターンで被認証者に照明を当てて撮影部（５４）がその画像を撮影し、虹彩符号化部５６がこの画像をビット列へと符号化処理し、符号比較部（５８）が被認証者のビット列と登録データのビット列との類似度を比較判定する。これによって、第三者による登録者画像を悪用した不正侵入を防止することができる。
Patent WO-2008132964-A1 (WO)
Inventor: ISHIHARA AKIRA
IPC: C07C21/22
Filed: 2008-04-04
Abstract: L'invention porte sur un procédé de fabrication du 3,3,3-trifluoropropyne qui est caractérisé par le fait qu'un (Z)-1-halogéno-3,3,3-trifluoropropène représenté par la formule [1] est mis à réagir avec une base. Ce procédé permet de produire du 3,3,3-trifluoropropyne avec un rendement élevé. Etant donné que la mise au rebut des déchets est facile dans ce procédé, ce procédé de fabrication est industriellement avantageux.
Patent WO-2008139982-A1 (WO)
Title: Syringe barrel with injection needle, syringe with injection needle, die for molding syringe barrel with injection needle, and method of molding syringe barrel with injection needle
Inventor: TOGASHI HIROSHI
IPC: A61M5/34
Filed: 2008-04-25
Abstract: Provided are a syringe barrel having an injection needle, in which the injection needle is reliably fixed to the syringe barrel and in which the injection needle and a syringe nozzle are in reliable intimate contact with each other, a syringe having an injection needle, a die for molding the syringe barrel having an injection needle, and a method of molding the syringe barrel having an injection needle. A syringe barrel (1) having an injection needle, the injection needle (12) being made of metal and being integrally attached by injection molding to a synthetic resin syringe nozzle (113), wherein the area of contact of the injection needle (12) with the syringe nozzle (113) is in the range of 11 to 50 mm2.  In another example of the invention, there is provided a syringe barrel (1) having an injection needle, the injection needle (12) being made of metal and being integrally attached by injection molding to a synthetic resin syringe nozzle (113), wherein an end section (122) located on the side opposite a needle tip (121) projects to the inner cavity of the syringe barrel (1) by an amount of 0.4 to 11 mm.
Patent WO-2008139996-A1 (WO)
Title: Film-like circuit connecting material and connection structure for circuit member
Inventor: MOCHIZUKI NICHIOMI
IPC: H01L21/60
Filed: 2008-05-07
Abstract: Disclosed is a film-like circuit connecting material for electrically connecting a first circuit member, wherein a first circuit electrode is formed on a major surface of a first circuit board, with a second circuit member, wherein a second circuit electrode is formed on a major surface of a second circuit board, in such a manner that the first and second circuit electrodes face each other.  The film-like circuit connecting material contains a film-forming material, a radically polymerizable compound, a radical polymerization initiator which generates a free radical when heated, and an isocyanate group-containing compound.  In this film-like circuit connecting material, the isocyanate group-containing compound is contained in an amount of 0.09-5 parts by mass relative to 100 parts by mass of the total of the film-forming material and the radically polymerizable compound.
Patent WO-2008152925-A1 (WO)
Title: 射出機構、射出成形機及び光学素子
Inventor: HOSOE SHIGERU
IPC: B29L11/00
Filed: 2008-05-30
Abstract: 樹脂材料を射出するストロークを繰り返す際に、ピストン１３は、シリンダー１２内における入口の位置Ｐ２まで摺動するので、更にピストン１３が後退した場合、ピストン１３近傍の樹脂は、樹脂貯留部ＲＴから供給される新鮮な樹脂に置き換わることから、以降の射出ストロークにおいて、常に新鮮な樹脂のみを射出することが出来る。従って、シリンダー１２の中で樹脂がポットライフを越えて滞留し硬化を始めたり粘度が大きくなったりすることがなく、かつ半硬化した樹脂などの異物が発生することもないので、樹脂流路が詰まったり成形キャビティまで流れたりすることを抑制でき、常に一定の成形条件を確保できるので、再現性の高い高精度な成形品を得ることができる。
Patent WO-2009016901-A1 (WO)
Title: 信号処理装置及び方法、並びにプログラム
Inventor: HONMA HIROYUKI
IPC: G10L19/035
Filed: 2008-06-26
Abstract: 入力端子１１０からの符号化された符号列が非多重化回路１０１で非多重化され、符号列中の正規化係数情報が正規化係数譲歩得増減回路１０２に送られて、整数値の加算又は減算が行われて信号のレベル調整が行われる。正規化係数情報打ち切り量計算回路１０３では、正規化係数情報の減算量が正規化係数情報よりも大きく、減算後の正規化係数情報が取り得る最小値で打ち切られる場合の打ち切り量を計算する。ゲイン制御関数生成情報修正回路１０４では、打ち切り量に応じて、ゲイン制御関数生成情報を修正する。
Patent WO-2009034939-A1 (WO)
Title: 有機薄膜製造方法
Inventor: NEGISHI TOSHIO
IPC: C23C14/12
Filed: 2008-09-08
Abstract: 成膜速度を速くしなくても均一な膜厚の薄膜を形成する。蒸発室２０ａ内に配置された蒸発装置２４を昇温させておき、供給装置４０から有機材料４８を蒸発装置２４の蒸発面２８上に落下させ、有機材料４８を蒸発させる際に、加熱したキャリアガスを蒸発室２０ａに導入し、蒸発室２０ａ内で混合して放出装置７０内に導入させる。有機材料蒸気だけが放出装置７０内に導入される場合は、放出装置７０内で分子流が形成されてしまうが、キャリアガスによって放出装置７０内の圧力が上昇しているので粘性流が形成され、混合ガスは放出装置７０内に充満し、均一に放出される。有機材料は少量ずつ供給し、成膜速度が速く成りすぎないようにするとよい。
Patent WO-2009035085-A1 (WO)
Inventor: KOH MEITEN
IPC: H01G11/60
Filed: 2008-09-12
Abstract: 低温でも相分離せず、また難燃性や不燃性に優れ、電解質塩の溶解性が高く、放電容量が大きく、充放電サイクル特性に優れたリチウムイオン二次電池などの電気化学デバイスに好適な電解液であって、式：Ｒｆ1－Ｏ－Ｒｆ2（Ｒｆ1およびＲｆ2は同じかまたは異なり、Ｒｆ1は炭素数３～６の含フッ素アルキル基、Ｒｆ2は炭素数２～６の含フッ素アルキル基である）で示される含フッ素エーテル（Ａ）、含フッ素環状カーボネート（Ｂ１）および含フッ素ラクトン（Ｂ２）よりなる群から選ばれる少なくとも１種の含フッ素溶媒（Ｂ）、ならびに(Ｃ1)非フッ素系環状カーボネートおよび（Ｃ２）非フッ素系鎖状カーボネートよりなる群れから選ばれる少なくとも１種の非フッ素系カーボネート（Ｃ）を含む電解質塩溶解用溶媒（Ｉ）、ならびに電解質塩（II）を含み、電解質塩溶解用溶媒（Ｉ）が、溶媒（Ｉ）全体に対して、含フッ素エーテル（Ａ）を２０～６０体積％、含フッ素溶媒（Ｂ）を０．５～３０体積％、ならびに非フッ素系環状カーボネート（Ｃ１）を５～４０体積％および／または非フッ素系鎖状カーボネート（Ｃ２）を１０～７４．５体積％含む電解液を提供する。
Patent WO-2009069367-A1 (WO)
Inventor: KIKUCHI NAOHIKO
IPC: C08K7/08
Filed: 2008-09-18
Abstract: 本発明は、氷上摩擦性能を向上させることを目的として、ジエン系ゴム１００重量部に対して、平均繊維径が１５～１００μｍである非金属繊維を１～２０重量部、および、突起の長さが非金属繊維の平均繊維径の０．５～３．１倍である２個以上の突起を有するフィラーを１～３０重量部含有するタイヤ用ゴム組成物およびそれを用いた空気入りタイヤを提供する。
Patent WO-2009081652-A1 (WO)
Inventor: FUKUDA ICHIRO
IPC: G06Q50/00
Filed: 2008-10-23
Abstract: Un distributeur automatique (1) présente une fonction de base de réseau local sans fil et une fonction de connexion à internet par l'intermédiaire d'un fournisseur spécifique et vend un « service de connexion à Internet » à un utilisateur arbitraire d'une façon synchronisée. L'utilisateur qui a acheté le « service de connexion à Internet » dans le distributeur automatique (1) pénètre dans le réseau local sans fil que le distributeur automatique (1) construit par l'intermédiaire du propre ordinateur personnel mobile (30) et est connecté à Internet par l'intermédiaire de l'interface de communication du distributeur automatique (1) par l'intermédiaire du réseau local sans fil. Ceci permet même à un utilisateur qui ne signe aucun contrat d'utilisation Internet par réseau local sans fil avec le fournisseur spécifique de recevoir facilement le service de connexion à internet.
Patent WO-2009057665-A1 (WO)
Title: 薄膜能動素子群、薄膜能動素子アレイ、有機発光装置、表示装置および薄膜能動素子群の製造方法
Inventor: MATSUMURO TOMONORI
IPC: H01L21/336
Filed: 2008-10-29
Abstract: 有機薄膜トランジスタ群の製造の簡便性を高めて、さらに製造コストを抑制する。ソース電極およびドレイン電極の間のチャネル領域に半導体のチャネル層が形成されてなる駆動能動素子と、ソース電極およびドレイン電極の間のチャネル領域に半導体のチャネル層が形成されてなるスイッチ能動素子であって、前記駆動能動素子をスイッチングするスイッチ能動素子と、を備え、前記駆動能動素子および前記スイッチ能動素子は、互いにチャネル幅の方向において離間して形成され、前記駆動能動素子の前記チャネル領域が属する直線と前記スイッチ能動素子の前記チャネル領域が属する直線とが平行になるよう、前記駆動能動素子および前記スイッチ能動素子が形成された薄膜能動素子群が提供される。
Patent WO-2009060923-A1 (WO)
Inventor: MUTO KIYOSHI
IPC: G02B5/30
Filed: 2008-10-30
Abstract: L'invention porte sur une plaque polarisante dans laquelle un film protecteur amovible est disposé sur les deux côtés d'un film polarisant qui est composé d'une résine d'alcool polyvinylique. Dans cette plaque polarisante, la résistance au décollage entre le film polarisant et les films protecteurs se situe dans la plage de 0,01 à 0,5 N/25 mm. Les films protecteurs peuvent être auto-adhésifs et directement liés aux surfaces du film polarisant ou, en variante, les films protecteurs peuvent respectivement avoir une couche adhésive et être liés aux surfaces du film polarisant par les couches adhésives.
Patent WO-2009081667-A1 (WO)
Inventor: NISHIDA SHUICHI
IPC: H01L29/739
Filed: 2008-11-11
Abstract: キャリア遮蔽層を有する縦型の半導体装置において、よりオン抵抗（又はオン電圧）を低減する技術を提供する。
　半導体装置１０の半導体基板２０は、チャネル区域１０Ａと非チャネル区域１０Ｂを有している。チャネル区域１０Ａには、トレンチゲート３０の側面に接するとともにエミッタ電極２８に電気的に接続されているエミッタ領域２６が設けられている。非チャネル区域１０Ｂのボディ領域２５には、エミッタ領域２６が設けられていない。平面視したときに、非チャネル区域１０Ｂに配置されているキャリア遮蔽層５２の非チャネル区域１０Ｂに占める占有面積比がチャネル区域１０Ａに配置されているキャリア遮蔽層５２のチャネル区域１０Ａに占める占有面積比よりも高い。
Patent WO-2009075233-A1 (WO)
Title: Alkali-developable curable composition, insulating thin film using the same, and thin film transistor
Inventor: IDE MASAHITO
IPC: B32B27/00
Filed: 2008-12-05
Abstract: Disclosed is a polysiloxane compound which provides a cured product or thin film that can be developed with an aqueous alkaline solution, while having excellent heat-resistant transparency and insulating properties.  Also disclosed are a curable composition of the polysiloxane compound, and a thin film transistor having a passivation film or gate insulation film which is formed by using the curable composition.  Specifically disclosed is a polysiloxane compound having at least one photopolymerizable functional group in a molecule, while having at least one member selected from the group consisting of an isocyanuric acid skeleton structure, a phenolic hydroxyl group and a carboxyl group, within the same molecule.  Also specifically disclosed are a curable composition containing the polysiloxane compound, and a cured product of the curable composition.
Patent JP-WO2007097014-A1 (JP)
Title: 情報システムの動作確認方法、その動作確認プログラム、記録媒体及び動作確認システム
IPC: G06F11/28
Filed: 2006-02-27
Abstract: 画面操作の再現の自動化による情報システムの動作確認システムの機能を向上させて、該システムの利用を促進する。画面操作の再現の自動化による情報システムの動作確認システムにおいて、画面又は入力項目の形式変更に対する画面操作データの変換機能、再現対象のプログラムの実行コードを作成する開発言語及び該実行コードの動作モードに応じたクラス名の変換機能、対象プログラムの原始コードを翻訳して中間言語モードの実行コードを直接起動する機能を備える。
Patent JP-WO2008093658-A1 (JP)
Title: 膜−膜補強部材接合体、膜−触媒層接合体、膜−電極接合体、及び高分子電解質形燃料電池
IPC: H01M8/02
Filed: 2008-01-29
Abstract: 十分な耐久性を確保可能でありかつ単電池の低コスト化、及び大量生産に適した構成を有する、膜−膜補強部材接合体、膜−触媒層接合体、膜−電極接合体、及び高分子電解質形燃料電池を提供するために、セル（１００）のＭＥＡ（５）における膜−触媒層接合体（３０）の膜−膜補強部材接合体（２０）が、高分子電解質膜（１）とこれにその主面が露出しないよう埋められた一対の第一膜補強部材（１０ａ），（１０ａ）及び一対の第二膜補強部材（１０ｂ），（１０ｂ）とを備え、前記一対の第一膜補強部材と前記一対の第二膜補強部材とが、高分子電解質膜（１）の四隅の部分において、該高分子電解質膜の厚み方向から見て重なるよう、井桁組状に埋められている。
Patent JP-WO2008096554-A1 (JP)
Title: 駆動装置
IPC: H02N2/00
Filed: 2008-01-07
Abstract: 本発明は、圧電素子およびスイッチング素子の発熱を低減した摩擦駆動方式の駆動装置を提供する。この摩擦駆動方式の駆動装置は、電圧が印加されると伸縮する圧電素子と、圧電素子に一端が固定された振動部材と、振動部材に摩擦係合する摩擦係合部材と、電源に接続され、圧電素子に電源の電圧を所定の駆動周期で印加する駆動回路と、を有する駆動装置であって、駆動回路は、圧電素子の電極を電源に接続する充電スイッチング素子と、圧電素子の電極を接地する放電スイッチング素子と、電源と圧電素子との間、および、圧電素子と接地点との間の電路のいずれかに配設された保護抵抗とを備えるものとし、保護抵抗の抵抗値を、スイッチング素子のオン抵抗より大きく、スイッチング素子の駆動周期の１／２を圧電素子の容量で除した値よりも小さくする。
Patent WO-2010038463-A1 (WO)
Inventor: HATA MASAHIKO
IPC: H01L21/336
Filed: 2009-10-01
Abstract: La présente invention concerne un substrat à semi-conducteurs comportant un substrat de base, une couche isolante et une couche de cristal SixGe1-x (0 = x xGe1-x (0 = x < 1) sont recuites et un semi-conducteur composé en concordance ou semi-concordance de réseau avec la ou les régions de la couche de SixGe1-x (0 = x < 1) est contenu. La présente invention concerne aussi un dispositif électronique comprenant un substrat, une couche isolante formée sur le substrat, une couche de cristal SixGe1-x (0 = x < 1) formée sur la couche isolante et recuite dans une ou plusieurs régions, un semi-conducteur composé en concordance ou semi-concordance de réseau avec une ou plusieurs régions de la couche de cristal SixGe1-x (0 = x < 1), ainsi qu'un dispositif à semi-conducteurs formé à l'aide du semi-conducteur composé.
Patent WO-2010044237-A1 (WO)
Title: Sputtering apparatus, thin film forming method and method for manufacturing field effect transistor
Inventor: KURATA TAKAOMI
IPC: C23C14/34
Filed: 2009-10-09
Abstract: Provided are a sputtering apparatus which can reduce damage of a base layer, a thin film forming method, and a method for manufacturing a field effect transistor.
A sputtering apparatus (100) is provided with a transfer mechanism, a first target (Tc1), second targets (Tc2-Tc5), and a sputtering means.  The transfer mechanism is arranged inside a vacuum chamber, and linearly transfers a supporting section which supports a substrate along a transfer surface parallel to the substrate surface to be processed.  The first target (Tc1) faces the transfer surface with a first space therebetween.  The second targets (Tc2-Tc5) are arranged in the downstream of the first target (Tc1) in the substrate transfer direction, and face the transfer surface with second spaces smaller than the first space therebetween.  The sputtering means sputters each target.  With the sputtering apparatus (100), a thin film which gives less damage to the base layer and has excellent film forming characteristics can be formed.
Patent WO-2010073737-A1 (WO)
Inventor: HAYASHI TETSUYA
IPC: G06F21/80
Filed: 2009-12-28
Abstract: A recording/reproducing device (1) is provided with an information readout unit (121) for reading out a first information (OS or application) recorded in an optical disk (10); an information storing/controlling unit (122) for storing the first information read out by the information readout unit (121) in a storing unit (15); and an enable/disable control unit (21) which enables one first information and disables the other first information among the first information stored in the storing unit (15) by the information storing/controlling unit (122) and the first information recorded in the optical disk (10). While sufficiently ensuring the safety of the first information recorded in the optical disk (10), the first information can be used in a plurality of recording/reproducing devices.
Patent WO-2009088000-A1 (WO)
Title: 配線基板、半導体装置及びそれらの製造方法
Inventor: KIKUCHI KATSUMI
IPC: H01L23/12
Filed: 2009-01-06
Abstract: ビアでの接続信頼性を確保した信頼性の高い配線基板を提供することである。絶縁層と配線層が交互に積層するとともに、配線層間がビアによって電気的に接続された配線基板であって、第１面に設けられるとともに絶縁層に埋設された第１端子と、第１面の反対側の第２面に設けられるとともに絶縁層に埋設された第２端子と、絶縁層内に設けられるとともに第１端子に接触するランドと、を備え、ランドと、絶縁層を介して設けられる配線層との間を電気的に接続するビアは、ランド側の端部に接続界面が存在せず、配線層側の端部に接続界面が存在する。
Patent WO-2009096270-A1 (WO)
Title: AlN HETEROEPITAXIAL CRYSTAL, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, BASE SUBSTRATE FOR GROUP III NITRIDE FILM USING THE CRYSTAL, LIGHT-EMITTING DEVICE, SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE, AND SPUTTERING APPARATUS
Inventor: DAIGO YOSHIAKI
IPC: H03H9/25
Filed: 2009-01-21
Abstract: Disclosed is a method for producing a highly crystalline high-quality AlN heteroepitaxial crystal by sputtering. Specifically, after exposing the surface of a sapphire substrate to a plasma using a nitrogen gas or a mixed gas of a nitrogen gas and a rare gas, a reactive sputtering is performed using a nitrogen gas or a mixed gas of a nitrogen gas and a rare gas, while maintaining vacuum, so that AlN is heteroepitaxially grown on the surface of the sapphire substrate.
Patent WO-2009116335-A1 (WO)
Title: Hydrophilic sheet and method of imparting ultrahigh hydrophilicity to substrate surface
Inventor: TERADA YOSHIO
IPC: B08B17/02
Filed: 2009-02-16
Abstract: Provided is a hydrophilic sheet which has high wettability by water and from which adherent fouling substances or adherent foreign substances can be easily removed by washing with water.  The sheet can be prevented from fogging with waterdrop adhesion.  Also provided is a method of imparting high wettability by water to a surface of any desired substrate. The hydrophilic sheet comprises a base and, formed thereon, a layer of oblique columnar structures gathered together and protruding at an angle of elevation from the surface smaller than 90°, the surface of the layer having a water contact angle of 10° or smaller.  The method of imparting ultrahigh hydrophilicity to a surface of a substrate comprises forming, on the substrate surface by oblique vapor deposition, a layer of oblique columnar structures gathered together and protruding at an angle of elevation from the surface smaller than 90°.
Patent WO-2009110304-A1 (WO)
Title: Système de mémoire
Inventor: YANO JUNJI
IPC: G06F12/08
Filed: 2009-02-10
Abstract: Un système de mémoire selon un mode de réalisation de la présente invention comprend : une unité de gestion de données (120) divisée en une unité de gestion de couche DRAM (120a), une unité de gestion de couche NAND logique (120b), et une unité de gestion de couche NAND physique (120c) afin de réaliser de manière indépendante la gestion d'une couche DRAM, d'une couche NAND logique et d'une couche NAND physique au moyen des unités de gestion respectives en vue de réaliser une gestion de bloc efficace.
Patent WO-2009113530-A1 (WO)
Title: Charge state equalizing device and assembled battery system provided with same
Inventor: KIRIMOTO MIKA
IPC: H01M10/48
Filed: 2009-03-10
Abstract: Disclosed is a device that equalizes the charge state of each cell (1) in an assembled battery wherein a plurality of cells (1) are connected in series, and which is provided with a control circuit (20) and a discharge circuit (21) to discharge each cell (1). Control circuit (20) has a means which derives the discharge time or discharge ending value at which the charge state of a cell to be discharged will be equal to the charge state of a cell that is not to be discharged, based on a charge state evaluation value for said cell that is to be discharged, before discharging is started by discharge circuit (21), and a charge state evaluation value for said cell that is not to be discharged, on the charge state evaluation value variation rate when a cell is discharged, and on the charge state evaluation value variation rate when a cell is not discharged, for each cell to be discharged, wherein the charge state evaluation value differs from the equalization target value, and has a means which ends discharging by discharge circuit (21) for each cell to be discharged when each of the derived discharge times has elapsed, or when the charge state evaluation value reaches each of the derived discharge ending values, after discharging by discharge circuit (21) is started for each cell to be discharged.
Patent WO-2009119533-A1 (WO)
Title: Semiconductor storage device, memory cell array, semiconductor storage device manufacturing method, and drive method
Inventor: TERAI MASAYUKI
IPC: H01L27/10
Filed: 2009-03-24
Abstract: Provided is a semiconductor storage device which can simultaneously realize the high reliability and the cell area reduction. A selection electrode (106) is formed to sandwich a p-type semiconductor region (102) and an insulating film (105). Moreover, a first n-type semiconductor region (103) and a second n-type semiconductor region (104) are formed inside the p-type semiconductor region (102) at the both sides of the selection electrode (106). The first n-type semiconductor region (103) is connected to a first resistance-changing layer (107) while the second n-type semiconductor region (104) is connected to a second resistance-changing layer (109). Moreover, the second resistance-changing layer (109) is connected to a first wiring layer (108) while the second resistance-changing layer (109) is connected to a second wiring layer (110).