baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent KR-19980086776-A (KR)
Title: 다기능 전자 모터를 보호하기 위한 방법 및 장치
IPC: H02H7/085
Filed: 1998-05-06
Abstract: 스크류 압축기 모터와 같은 전기 장치를 보호하기 위한 다기능 보호 시스템(8)에는 전류 감지 토로이드(CT1, CT2, CT3)와 관련된 회로 뿐만 아니라 모터의 각 권선에 관한 열전도체에 위치되도록 적응된 온도 감지 PTC 저항기(S1, S2, S3)용의 관련된 회로가 설치되는 하우징(10, 20)이 마련된다. 상기 회로는 마이크로 제어기(U5)에 이진 코드형 입력을 제공하는 아날로그-대-디지털 변환기(analog-to-digital converter, ADC)(U6)에 연결된다. 상기 마이크로 제어기는 출력 스위치(Q4)를 제어하는 보호 서브루틴을 수행하며, 이어서 이 출력 스위치는 스크류 압축기 모터에 접속되는 릴레이(K1)의 에너지 상태를 제어한다. 상기 회로는 전류 불균형부(30), 과온도부(32), 저전압 컷아웃 회로(33), 전류 변환기부(35), 신호 조절 회로(36), 단락형 센서 보호 시스템을 구현하는 마이크로 제어기부(40), 전류 과부하 교정부(校正部)(41) 및 오류 진단부(42)를 포함한다. 오류 뱅크 루틴은 전자기 간섭(electromagnetic interference, EMI) 과도 현상으로부터 실제 오류 상태를 식별하기 위하여 전류 과부하, 전류 불균형 및 과온도 과도 전압에 대한 산업상 또는 환경적인 전자기 간섭(EMI)으로부터 초래되는 과도 전압을 필터링한다.
Patent KR-19990084558-A (KR)
Title: 금속배선 형성방법
Filed: 1998-05-08
Abstract: 본 발명은 비아홀 측벽이 과도하게 식각되는 것을 방지할 수 있는 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 하부금속배선이 형성된 반도체기판을 준비하는 공정과, 반도체기판 상에 하부 금속배선을 덮도록 절연막 및 평탄화막을 순차적으로 형성하는 공정과, 절연막을 포함한 평탄화막에 하부 금속배선을 노출시키되, 노출된 측면이 수축되도록 비아홀을 형성하는 공정과, 평탄화막을 소정깊이 식각 및 식각된 표면을 수축시키는 공정과, 평탄화막 상에 비아홀을 통해 하부 금속배선과 접촉되도록 상부 금속배선을 형성하는 공정을 구비한 것이 특징이다. 
     따라서, 본 발명에서는 비아홀 습식식각 과정에서, SOG 측벽 및 그 표면을 수축시킴으로써 습식액에 의해 과도식각되는 것을 방지하여 해당되는 크기의 비아홀을 형성할 수 있다. 
     그리고, SOG 측벽 및 그 표면 수축을 위해 공급되는 산소가스 또는 질소가스의 양을 조절함으로써 비아홀의 측면 슬로프를 제어할 수 있는 잇점이 있다.
Patent KR-19990085771-A (KR)
Title: 반도체장치의 가스 세정기 및 이를 이용한 가스세정 방법
Filed: 1998-05-21
Abstract: 본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로, 특히 CDO(Controlled Decomposition/ Oxidation) 시스템의 가스 세정기에 관한 것이다. 가스 세정용 팩킹은 배출되는 가스를 1차적으로 희석시킨다. 워터 스프레이 노즐은 가스 세정용 팩킹 상단부에 설치되고, 가스 세정용 팩킹을 통과한 가스를 2차적으로 희석시킨다. 질소 가스 유입구는 워터 스프레이 노즐 근방에 설치되고, 상기 워터 스프레이 노즐이 막히는 것을 방지하기 위해 질소 가스를 공급시켜준다. 배출구는 워터 스프테이 노즐 상단부에 위치하여 가스 세정용 팩킹 및 워터 스프레이 노즐에 의해 희석된 가스를 배출한다. 드레인은 가스 세정용 팩킹 하단부에 위치하여 상기 워터 스프레이 노즐에서 분사된 물을 배출한다. 타이머는 질소 가스 유입구와 연결되어 질소 가스 공급을 시간적으로 조절한다. 리퀴드 레벨 센서는 가스 세정용 팩킹 하단부와 드레인 사이에 드레인에서 설치되어 드레인에서 물이 배출되지 않고 차게되는 것을 감지한다.
Patent KR-19990086535-A (KR)
Title: 반도체 소자의 제조 방법
Filed: 1998-05-28
Abstract: 본 발명은 STI(Shallow Trench Isolation)구조에서 트렌치에서의 전계집중을 막고 포토 공정에 유리하도록한 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로,반도체 기판상에 게이트 산화막,제 1 게이트 형성용 물질층,버퍼 산화막층을 차례로 증착하는 공정과,상기 제 1 게이트 형성용 물질층을 선택적으로 식각하여 게이트 패턴층(26)을 형성하고 패터닝된 게이트 패턴층의 측면에 게이트 측벽을 형성하는 공정과,상기 게이트 패턴층 및 게이트 측벽을 마스크로하여 노출된 반도체 기판을 일정깊이 식각하여 트렌치를 형성하는 공정과,전면에 산화막층,평탄화용 절연층을 차례로 증착하고 어닐링 공정으로 평탄화용 절연층을 리플로우하고 에치백 공정으로 평탄화하는 공정과,전면에 제 2 게이트 형성용 물질층을 형성하고 상기 제 1,2 게이트 형성용 물질층을 선택적으로 식각하여 게이트 전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진다.
Patent KR-19990006565-A (KR)
Title: 고설 재배용기
IPC: A01G9/02
Filed: 1998-06-02
Abstract: 중첩된 복수의 가요성 시트(11, 12)를 복수의 고착부(13)에 부분적으로 고착함으로써 가요성 시트(11, 12) 사이에 형성된 배토 수용부(14)와, 가요성 시트(11, 12)의 윗테두리를 연장 설치하여 형성한 걸림부(16)를 구비한 재배 용기를 지상에 설치된 지지 부재(15)에 걸림하고 배토 수용부(14)에 배토(18)를 충전하여 고설 재배 장치로 한다. 
     선 상태에서 작업이 가능해지고 배토·물·비료등의 사용량도 저감할 수 있다.  내부 공간이 종횡으로 연속되어 있기 때문에 그 속에 충전한 배토에 심겨진 식물의 뿌리는 광범위에 걸쳐 성장할 수 있고,  뿌리로부터의 양분 흡수성이 향상되어 식물의 생육이 촉진되어 수확량 증대를 도모할 수 있다..
Patent KR-20000001425-A (KR)
Title: Cooling apparatus for pressure forming facilities of glass
Inventor: SIN HYEON SU
IPC: C03B11/12
Filed: 1998-06-11
Abstract: PURPOSE: A cooling apparatus for pressure forming facilities of glass is provided to improve the flatness of flat surface by contacting downward each coner area of moulded flat glass. CONSTITUTION: In the cooling apparatus for pressure forming facilities of glass with an air blowing duct(35) for blowing cooling air into square flat glass, the apparatus comprises a pressure member(41) fixed to the air blowing duct(35) for pressuring by contacting downward each coner area of moulded flat glass and an elevating device for lifting the pressure member. Air supplied from an air chamber is blown into a housing(13) through an air inlet part(14), air in the housing is injected into glass through bellows(29), a subduct(31) and the air blowing duct(35) to cool glass. The pressure member comprises a couple of pressure legs(43) allocated at the corner area respectively and a foot part(47) formed at the end of each pressure leg for contacting the flat glass respectively.
Patent KR-20000001904-A (KR)
Title: Integral bubble ink jet printer head and manufacturing method thereof
Inventor: KIM SUNG JIN
IPC: B41J2/135
Filed: 1998-06-15
Abstract: PURPOSE: An integral bubble ink jet printer head and a manufacturing method thereof are provided to simplify the manufacturing process and enhance the economical efficiency. CONSTITUTION: An integral bubble ink jet printer head comprises:a heat register(12) installed on the substrate(21); a protection layer(23) installed on the substrate to cover and to protect the heat resister; an ink partition layer(24) coated on the protection layer and limitedly formed to form an ink chamber(26) on the protection layer, right upper of the heat resistor; a nozzle plate(25) coated with the photo-sensitivity polyimide on the surface of the ink partition and having a nozzle corresponding to the ink chamber.
Patent KR-19990007434-A (KR)
Title: 폐쇄식 통신 장치 및 이의 동작 방법
IPC: H04M1/73
Filed: 1998-06-29
Abstract: 셀룰러 전화기와 같은 폐쇄식 통신 장치는 하우징(105), 하우징(105) 상에 있는 입력 장치, 이를테면 버튼(208), 및 하우징(105) 내에 배치되며 버튼(208)에 연결되는 제어기(304)를 갖는다.  하우징(105)은 폐쇄 상태(200)와 개방 상태(114) 사이에서 이동 가능하다.  버튼(208)은 폐쇄 상태(200)에서 이용할 수 있다.  제어기(304)는 폐쇄 상태(200)에서 장치(102)의 유용성을 증가시키는 하나 이상의 특징들을 사용할 수 있도록 형성된다.  예를 들어, 제어기(304)는 하우징(105)의 개방시 장치(102)에서 입중계 호출에 대답하고, 다르게는, 버튼의 작동 동안 하우징의 개방시 입중계 호출의 대답을 디스에이블함으로써 예를 들어, 장치의 개방을 가능하게 하여 호출에 응답하지 않고 호출자 식별 정보를 볼 수 있게 한다.
Patent KR-20000013976-A (KR)
Title: Heat exchanging method and device thereof
Inventor: EDA HUMIO
IPC: F28D1/04
Filed: 1998-08-14
Abstract: PURPOSE: A heat exchanging method and a heat exchanging device are provided to promote cooling performance by inducing fluid directly into an assistant chamber. CONSTITUTION: The heat exchanging method comprises the steps of:passing the fluid to be heated to the high thermal part from the low thermal part of a passage where the fluid to be cooled flows; installing an assistant chamber on the tube plate of the high thermal part of the passage to prevent heating of the tube plate; inducing the fluid to be heated and not passing inside a shell to the assistant chamber; and flowing the fluid to be heated and not passing inside the shell in the passage of the fluid in the shell and to be heated from the assistant chamber. Therefore, heat exchange is performed.
Patent KR-20000014281-A (KR)
Title: Device and method of manufacturing the fluorescent film of plasma indicator
Inventor: SONG MAN-HO
IPC: H01J9/20
Filed: 1998-08-19
Abstract: PURPOSE: The device and the method of manufacturing the fluorescent film of the plasma indicator is provided to give better plastering the fluorescence in the discharge area which is compacted by the partition wall, to save the time for the process of plastering and to improve the productivity. CONSTITUTION: The device for manufacturing fluorescent film is provided which injects and plasters the fluorescence slurry (red, blue and green) in the discharge area between the partition walls. This device is composed of the table (70) of the revolution in both ways, and the line board part (80) which lines up the board on the table, at least one nozzle unit (90) which lies on the upper part of the table (70) and injects color fluorescence in the discharge area, the transporter which transfers nozzle unit (90), the fluorescence slurry supplier (13) which supplies the slurry to nozzle unit (90) and the controller (140) which detects the pattern of the partition wall and controls the transporter (100).
Patent KR-20000015444-A (KR)
Title: Maintenance electrode of plasma display panel
Inventor: MOON SUNG HAK
IPC: H01J9/02
Filed: 1998-08-29
Abstract: PURPOSE: The present invention is intended to provide a maintenance electrode of a plasma display panel made to discharge with a low voltage driving and to radiate with high brightness and high effectiveness. CONSTITUTION: The maintenance electrode comprises maintenance electrode pairs(13, 15) formed so that the electrode interval between the inside and the outside of a discharge cell is different. The maintenance electrode can discharge with a low voltage by reducing the capacitance value(C) of the panel by shortening the adjacent distance between two electrodes only in an effective radiation area and by broadening the whole area of the electrode.
Patent KR-20000019168-A (KR)
Title: Settling tank for waste water treatment
Inventor: PARK HYO JUNG
IPC: C02F1/52
Filed: 1998-09-09
Abstract: PURPOSE: A settling tank equipped with plural nozzles injecting water on the bottom of its inside for collecting waste water is provided which can makes setting tank simple, thus reduces the cost of maintenance and promotes treatment efficiency. CONSTITUTION: A settling tank is disclosed for treating waste water which comprises: (a)a cylindrical settling tank(100); (b)a drain weir(102) for a clarified supernatant located at the upper part of the settling tank; (c)plural nozzles(53) located in the direction of an oblique angle on the bottom of its inside for collecting sludge in the settling tank to the center part of the tank by the flow generated using water injection from plural nozzles; a drain hole(106) to remove collected sludge.
Patent KR-19990078486-A (KR)
Title: 강전해수 생성장치
Filed: 1998-09-29
Abstract: 본 발명은 전해조의 음극실에서 생성되는 알칼리성 전해수인 음극수를 기준치에 적합한 음극수와 부적합한 음극수임을 구분하여 배수하거나 수용할 수 있도록 한 강전해수 생성장치에 관한 것으로, 특히 음극수 생성시 발생되는 고형물이나 스케일(Scale)을 제거하여 양질의 음극수만을 사용할 수 있도록 하기 위하여, 
     이온투과성 격막을 중심으로 양극수가 생성되는 양극실과 음극수가 생성되는 음극실로 구분되는 전해조의 음극실의 토출구에 연결된 관에 고형물 및 스케일을 수거하는 여과장치와 상기 여과장치를 통과한 음극수의 유출량을 측정하는 유량센서 및 삼방밸브를 순차적으로 배치하고, 상기 유량센서는 제어부에 접속되며, 상기 음극수의 토출 방향을 선정하는 삼방밸브는 양극수의 토출 방향을 선정하는 기존의 삼방밸브와 접속되어 제어부가 이들을 동시에 제어하도록 한 것을 특징으로 하는 강전해수 생성장치를 제공한다. 
     본 발명은 음극수 생성시 발생되는 고형물 및 스케일 등을 양극수의 생성시 동시에 수거함과 아울러 양질의 음극수를 제공받는 효과를 얻게 되고, 여과장치, 유량센서 및 삼방밸브를 종래의 양극수만을 생성하는 장치의 음극수 토출 라인에 순차적으로 배치하여 사용함으로써 부가가치의 음극수를 얻게 된다.
Patent KR-20000025721-A (KR)
Title: Composition of microwave dielectric ceramic for low-temperature sintering
Inventor: KUG SUN HONG
IPC: C04B35/49
Filed: 1998-10-14
Abstract: PURPOSE: A composite ion of microwave dielectric ceramic for low-temperature sintering is provided, which has an excellent microwave dielectric property and which is sintered at lower than 1000°C. CONSTITUTION: A composite ion represented by formula, Zr(x)Sn(y)Ti(z)O4(x+y+z=2) as a main component consists of ZrO2, TiO2, and SnO2. CuO and WO3 is added to decrease the sintering temperature. 4-10 mol% of CuO and 0.5-5 mol% of WO3 are available.
Patent KR-19990007755-A (KR)
Title: 곡면 유리 제품의 제조장치 및 그 제조방법
IPC: C03B27/044
Filed: 1998-10-30
Abstract: 본 발명의 목적은 장치의 설비가 크게 단순화되는 반면, 생산성은 크게 향상되며, 대량 생산에 적합한 곡면 유리 제품의 제조장치 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다. 
     본 발명의 곡면유리 제품의 성형방법은 상,하 금형의 가압에 의해 곡면 유리제품을 성형하는 방법에 있어서, 
     로울러 이송기구를 통하여 가열된 평면 유리를 이송하는 단계와; 
     보온이 유지되는 공간속으로 이송되어온 평면유리를 로울러상에서 들어올리기 위한 작업으로써 상승중에 로울러를 수용할 수 있도록 로울러 간격에 대응하는 복수개의 요홈을 갖는 하부금형을 로울러들의 사이를 통하여 상부로 돌출하도록 상승시키는 단계와; 
     상기 하부금형이 고정위치를 갖는 상부 금형과 합형되도록 하부금형을 계속 상승시켜 평면 유리를 가압하여 곡면 유리 제품으로 성형하는 단계와; 
     성형이 완료됨과 동시에 상하금형 사이의 유리 표면에 유리 온도보다 낮은 냉각용 공기를 주입시켜 유리 온도를 강하시키는 단계와; 
     하부 금형을 하강시켜 곡면 유리 성형 제품을 로울러 상에 다시 안치시킨 후 로울러 구동에 의해 배출부로 배출시키는 단계; 로 이루어져 있는 것을 특징으로 한다.
Patent KR-19990014399-A (KR)
Title: 냉방용 공기 조화기의 응축장치
IPC: F24F13/22
Filed: 1998-11-05
Abstract: 본 발명은 냉방용 공기 조화기에 관한 것으로, 외부응축기 또는 수도관을 연결시키지 않고도 냉매를 응축액화시킬 수 있도록 하는 응축장치에 관한 것이다. 
     이러한 본 발명은 압축기에서 압축된 냉매를 공기조화기의 케이스 뒷면에 설치된 방열기에서 케이스 주변 냉기를 흡수하여 1차냉각시키고, 이를 응결수가 함수된 여과포재가 덮여진 냉각판 위를 지나게 하여 2차 냉각시키며 진공상태에서 작동유체가 주입된 진공쿨링기를 통하여 완전 냉각시킨 후 팽창밸브를 통하여 증발기로 유입되게 하므로써 이루어진다.
Patent KR-20000034669-A (KR)
Title: Method of search/inspection/copy original text when electronic distributing of company standard
Inventor: LEE YUN HO
IPC: G06F17/30
Filed: 1998-11-30
Abstract: PURPOSE: A method of search/inspection/copy original text when distributing a company standard is provided so that a user who can not inspect the original text can use by copying by providing the inspection and copy functions of the original text using a function of an automatic environment setting function together with the search using a database. CONSTITUTION: A method of search/inspection/copy original text when distributing a company standard includes several steps. When operating in the initial stage (20), a file for setting environment corresponding to the environment of user is automatically produced (22). Thereafter, a main search screen is outputted and a waiting step for inputting a search key word is processed(24). According to the input the search key word, corresponding original text list stored to a database is outputted (26). If there is a request of inspection of original text from users (28), corresponding word processor is automatically operated, referring the file of setting environment automatically produced (30). If there is a request of copy concerning original text of the searched company standard (32), the file is copied to the directory designated by user (34).
Patent KR-19990062961-A (KR)
Title: 양립할 수 없는 금속재들을 갖는 기계적 조립체
IPC: C23F15/00
Filed: 1998-12-10
Abstract: 부품들의 조립체 내의 다양한 부품들이 양립할 수 없는 이온화 특성을 갖는 다른 금속들로 만들어진다. 양립할 수 없는 이온화 특성을 갖는 어떤 두 금속도 그들 사이 부식 유발 접촉이 제거되도록 서로 격리되어 진다.그러므로, 전해부식의 가능성은 감소될 수 있다. 예를 들면, 일 실시예에서 스피닝 릴에서 스풀 조립체는 마그네슘 합금으로 만들어지고 스풀 축(16) 상에 설치되는 스풀(12)을 포함한다. 스풀 축(16)은 스테인레스 강으로 만들어져 있다. 스테인레스 강과 마그네슘 합금은 양립할 수 없는 이온화 특성을 가지며, 이들 사이에 가능성 있는 전해부식에 이를 수 있다. 그러나, 슬리브(20)가 스풀(12)과 스풀 축(16) 사이에 배치된다. 슬리브(20)는 마그네슘 합금과 스테인레스 강 모두와 양립할 수 있는 이온화 특성을 갖는 알루미늄 합금으로 만들어져 있다.
Patent KR-20000039880-A (KR)
Title: Dual control system of switch in atm switching system and method for the same
Inventor: LEE GWANG YONG
IPC: H04L12/28
Filed: 1998-12-16
Abstract: PURPOSE: A dual control system of a switch in an ATM switching system and a method for the same are provided to maintain the same status within a predetermined time independently of a traffic status of two dual switch portions. CONSTITUTION: A dual control system of a switch in an ATM switching system and a method for the same comprise a control part(55), an FIFO(51), and a dummy cell delete unit(54). The control part exchanges status information, confirms status variables, and controls an output of an ATM cell according to the amount of load of an input traffic. The FIFO stores the ATM cell according to the control of the control part, generates a dummy cell, and maintains the same status variable. The dummy cell delete unit removes a dummy cell.
Patent KR-20000041423-A (KR)
Title: Fabrication method of semiconductor device capable of preventing crack between oxide and nitride layers
Inventor: O SU JIN
IPC: H01L21/314
Filed: 1998-12-22
Abstract: PURPOSE: A fabrication method of a semiconductor device is provided to prevent a crack caused by a difference in the coefficient of thermal expansion between a nitride layer and an oxide layer. CONSTITUTION: In a self align contact process using a silicon nitride layer as an etch barrier, a borophosphosilicate glass(BPSG) layer(12) and a tetra ethyl ortho silicate(TEOS) layer(13) are successively formed on a semiconductor substrate(11). Next, a first nitride layer(14A) and second nitride layer(14B) having a different stress are formed on the TEOS layer(13) by a plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD) process. That is, the first nitride layer(14A) has a compressive stress, whereas the second nitride layer(14B) has a tensile stress. At this time, the PECVD process may be carried out while controlling deposition parameters such as a gas flow rate, a gas pressure, and a gap space, i. e., a distance between a plate and a showerhead. Besides, a silicon oxynitride layer may be interposed between the TEOS layer(13) and the first nitride layer(14A).
Patent KR-20000044553-A (KR)
Title: Method for fabricating capacitor
Inventor: PARK DAE GYU
IPC: H01L27/108
Filed: 1998-12-30
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a capacitor is provided to reduce an etch difficulty against a platinum film, and to improve a step coverage of the platinum film. CONSTITUTION: In a method for fabricating a capacitor, an interlayer insulation film(2) is formed on a semiconductor substrate(1), and a contact hole is formed by etching the interlayer insulation film(2) so as to expose an active region of the substrate(1). A storage node contact having sequentially stacked polysilicon plug(3), TiSi2(4) and a barrier metal(5) is formed in the contact hole. A sacrificial insulation film(6) is formed on an entire surface of a resultant structure. A trench is formed by etching the sacrificial insulation film(6) so as to define a storage node region. A seed platinum film is formed on an entire surface so as to have a thickness of 100 to 750 Angstroms, and a platinum film having a thickness of 100 to 2500 Angstroms is formed on the seed platinum film by use of an electroplating method. In the trench and on the platinum film is formed a photoresist film pattern(PR). The platinum film is removed which exists on the sacrificial insulation film(6), and a platinum lower electrode is formed by removing the photo-resist film pattern and the sacrificial insulation film(6).
Patent KR-19990066917-A (KR)
Title: 내연 기관을 구동하는 방법 및 장치
IPC: F02D41/06
Filed: 1998-12-30
Abstract: 본 발명은, 전기에 의해 작동 가능한 조정 장치의 교환의 경우 및/또는 소정의 시간에 대한 최초 시동의 경우 어떤 분사 임펄스도 나타나지 않으면서 내연 기관의 시동을 방지하는 내연 기관을 구동하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
Patent KR-20000046131-A (KR)
Title: Apparatus for matching copious configuration data between switching system and tmn repeater in cdma system and method for controlling the same
Inventor: KIM SEON MI
IPC: H04L12/24
Filed: 1998-12-31
Abstract: PURPOSE: An apparatus for matching copious configuration data is provided to minimize a load of a switching system processor by updating configuration- related data stored in advance to a management object. CONSTITUTION: An operator input unit(100) inputs commands from an operator. A switching system(200) manages configuration-related data by the operator commands. A start file storage(410) stores the configuration-related data of the switching system required in the TMN repeater by the input operation of an operator. A TMN management center(300) designates particular processors built in the switching system(200) as a standard management object and stores the configuration-related data managed by the particular processors into each management object for management.
Patent KR-20000046231-A (KR)
Title: Feed forward linear processing method for power amplifier using two pilot signals and circuit of the same
Inventor: KANG WON WOO
IPC: H04B1/04
Filed: 1998-12-31
Abstract: PURPOSE: A feed forward linear processing method for a power amplifier using two pilot signals and a circuit of the same are provided for improving a linearity of a power amplifier by largely eliminating a distortion signal by decreasing a phase error which occurs due to mismatching time in the case that a control is performed for a linearity of a power amplifier. CONSTITUTION: A signal is transmitted to a switch(21) for selecting a lower portion pilot signal(S1). A control signal is transmitted to a second vector modulator(14) for obtaining the same size of the pilot signal processed through a path 1 and path 2 and 180°of phase(S2). At the initial stage, an upper portion pilot signal is selected. Next, the lower portion pilot signal and upper portion pilot signal are alternately selected for thereby controlling the switch(21).
Patent KR-19990037657-A (KR)
IPC: A01N61/00
Filed: 1996-07-30
Abstract: PCT No. PCT/EP96/03354 Sec. 371 Date Feb. 17, 1998 Sec. 102(e) Date Feb. 17, 1998 PCT Filed Jul. 30, 1996 PCT Pub. No. WO97/06690 PCT Pub. Date Feb. 27, 1997Fish mycoses and single-cell ectoparasites on fish are controlled using an active compound suitable for inhibiting the mitochondrial respiratory chain at the stage of the b/c1 complex.
Patent KR-19990067572-A (KR)
Title: 방송주파수선택방법
IPC: H04H60/37
Filed: 1997-09-03
Abstract: 수신기에서 조정된 방송주파수에 대해 선택적인 방송주파수를 구하기 위한 방법이 제안되었는데, 그것에 의하면 그 수신품질이 원래의 주파수보다 우수하고 그것에 할당된 프로그램 식별자가 원래의 방송주파수의 것과 일치할 때에만 선택적인 방송주파수로서 선택된다. 계속하여 후에 얻어지는 비교장 세기값의 필요한 비교조작을 반복 이용함으로써 소정의 프로그램 식별자를 가진, 가장 잘 수신할 수 있는 방송주파수가 많은 방송주파수 중에서 선택된다.
Patent KR-19990072190-A (KR)
IPC: G06F9/445
Filed: 1996-12-18
Abstract: A method for data transfer for various applications between a on board unit (OBU), which comprises a processor, memory means and at least one interface to an external entitiy. A sequence of commands is exchanged over the interface and processed by the OBU in order to perform the respective task according to the application of the OBU and/or the external entity. The system for data transfer comprises a macro interpreter in the OBU to receive and interpret the macros from one of its interfaces.
Patent KR-19990076753-A (KR)
Title: 단락방지용 폴리에틸렌 미다공성 막
IPC: H01M50/491
Filed: 1996-12-25
Abstract: 적외선 분광광도법으로 측정했을 때, 폴리에틸렌 내에 탄소수 10,000 개 당 2 개 이상의 말단 비닐기를 갖는 고밀도 폴리에틸렌 또는 선형 코폴리에틸렌으로 제조된 미다공성 막이 개시되어 있다.
Patent KR-19990082432-A (KR)
Title: Compounds for the sorption of gases
Inventor: MATACOTTA FRANCESCO CINO
IPC: H05B/
Filed: 1997-02-10
Abstract: Compounds having the formulawherein A is an alkaline-earth metal, an alkaline metal, a lanthanide, or a solid solution thereof, B is a transition metal, an element of group III, or a solid solution thereof, and d has a value between 0 and 1; a method for preparing the compounds; a method for producing composite materials on various matrices and thin or thick films deposited on various substrates which contain the compounds; their use; and a method for eliminating certain gases from a mixture that includes them by using the compounds.
Patent KR-20000064917-A (KR)
Title: 공기 오존 혼합기 및 오존 포그 발생 장치
IPC: C01B13/10
Filed: 1998-02-16
Abstract: 본체(16)의 한단면으로부터 본체 타단측으로 연장되는 공기 유로(17)와, 공기 유로(17)의 하류단으로부터 본체 타단측으로 향하여 연장되는 슬롯(18)과, 슬롯(l8)의 하류단으로부터 본체(16)의 타단면으로 관통하는 가늘고 긴 혼합기 유로(19)와, 본체(16)의 외측면으로부터 혼합기 유로(19)의 상류단 근방으로 향하여 연장되는 오존 유로(20)와, 오존 유로(20)의 하류단에서 혼합기 유로(19)의 상류단 근방으로 연통하는 오존 주입구(21)를 구비하며, 슬롯(18)에 대한 혼합기 유로(19)의 유로 단면적비를 약 2 정도로 설정하여, 공기와 오존과의 혼합류 압력을 크게 저하시키지 않고서, 혼합류를 혼합기 유로(19)의 외부로 토출시켜, 분무화 노즐에 대한 분무 압력을 확보한다.
Patent KR-20000005447-A (KR)
Title: Compressible sheet distributor
Inventor: BASTIANS WILLAM V
IPC: B42D5/00
Filed: 1997-03-13
Abstract: PURPOSE: A compressible sheet distributor is provided to be attached on the inside of a magazine, a catalogue, a notebook and so on without expanding as the section is low. CONSTITUTION: A sheet distributor(10) contains a housing(12) and a sheet(18) stack(14) distributing in a chamber(13) that is formed by the wall of the housing. The sheet on the bottom of the sheet stack, is attached the back wall of the housing and a slot where a first end part(20) of the top sheet is projected by a corner(17) on a front wall(16) of the housing. As the front wall is flexible, the wall is elastically bent to be along the top face of the sheet stack so that the thickness of the distributor reduces, when compressing the front wall to the sheet stack.
Patent KR-20000050285-A (KR)
Inventor: KIM DONG YUN
IPC: G03F1/80
Filed: 1999-01-02
Abstract: PURPOSE: A method of forming conductive layer pattern is provided to prevent a generation of poly residue and a striation on etching multilayered conductive layer laminating polysilicon layer and tungsten silicide layer. CONSTITUTION: A method of forming conductive layer pattern comprises the following steps : the first etching step to etch a tungsten silicide layer by using the main etch gas including at least one among SF6, Cl2, BCl3, and HBr, and the mixed gas mixing the addition gas including at least one among O2, N2, He-O2, and He-N2 ; the second etching step to etch the interface between tungsten silicide layer and polysilicon layer in lower pressure than that of the first etching step ; the third etching step to etch polysilicon layer by using the main etch gas including at least one among O2, N2, He-O2, and He-N2. And SF6 gas is used from 1sccm to 25sccm, Cl2 gas is used from 10sccm to 200sccm, and O2 gas is used from 1sccm to 15sccm.