Patent DE-102020200311-B4 (DE)
Title: Verfahren und vorrichtung zur verbesserung der skalierung von isolationsstrukturen für gate-, source- und/oder drain-kontakte
Inventor: ZANG HUI
IPC: H01L27/088
Filed: 2020-01-13
Granted: 2023-11-02
Abstract: Halbleitervorrichtung (100), umfassend:ein Halbleitersubstrat (110);eine erste Menge von Finnen (130a) und eine zweite Menge von Finnen (130b), die auf dem Halbleitersubstrat (110) angeordnet sind, wobei eine jede Finne eine lange Achse und eine kurze Achse umfasst, wobei die langen Achsen der Finnen im Wesentlichen parallel sind und sich in eine erste Richtung erstrecken;eine erste Gateelektrode (146a) und eine zweite Gateelektrode (146b) über dem Halbleitersubstrat (110), der ersten Menge von Finnen (130a) und der zweiten Menge von Finnen (130b), wobei jede Gateelektrode eine lange Achse und eine kurze Achse umfasst, wobei die langen Achsen der ersten und zweiten Gateelektroden (146b) im Wesentlichen parallel sind und sich in einer zweiten Richtung erstrecken, wobei die zweite Richtung zur ersten Richtung im Wesentlichen senkrecht ist;eine erste Isolationsstruktur (760a), die zwischen der ersten Menge von Finnen (130a) und der zweiten Menge von Finnen (130b) und auf dem Halbleitersubstrat (110) angeordnet ist, wobei eine Oberseite der ersten Isolationsstruktur (760a) sich oberhalb einer Oberseite jeder Finne der ersten Menge von Finnen (130a) und der zweiten Menge von Finnen (130b) befindet, wobei die erste Isolationsstruktur (760a) die erste Gateelektrode (146a) in einen ersten Abschnitt (946a) und einen zweiten Abschnitt (947a) trennt, wobei die Seiten der ersten Isolationsstruktur zu den Seiten der ersten Gateelektrode entlang der zweiten Richtung ausgerichtet sind;eine zweite Isolationsstruktur (760b), die zwischen der ersten Menge von Finnen (130a) und der zweiten Menge von Finnen (130b) und auf dem Halbleitersubstrat (110) angeordnet ist, wobei eine Oberseite der zweiten Isolationsstruktur (760b) sich oberhalb der Oberseite jeder Finne der ersten Menge von Finnen (130a) und der zweiten Menge von Finnen (130b) befindet, wobei die zweite Isolationsstruktur (760b) die zweite Gateelektrode (146b) in einen ersten Abschnitt (946b) und einen zweiten Abschnitt (947b) trennt, wobei die Seiten der zweiten Isolationsstruktur zu den Seiten der zweiten Gateelektrode entlang der zweiten Richtung ausgerichtet sind;eine dritte Isolationsstruktur (1070), die auf einem ersten Teil einer Oberseite von jedem der ersten und zweiten Abschnitt (946a, 947a) der ersten Gateelektrode (146a) angeordnet ist;eine vierte Isolationsstruktur, die auf einem ersten Teil einer Oberseite von jedem der ersten und zweiten Abschnitt (946b, 947b) der zweiten Gateelektrode (146b) angeordnet ist;eine erste leitfähige Struktur (1790a), die in der zweiten Richtung breiter ist als die erste Isolationsstruktur (760a) und auf einer Gesamtheit einer Oberseite der ersten Isolationsstruktur (760a) und auf einem zweiten Teil der Oberseite von jedem der ersten und zweiten Abschnitt (946a, 947a) der ersten Gateelektrode (146a) angeordnet ist;eine zweite leitfähige Struktur (1790b), die in der zweiten Richtung breiter ist als die zweite Isolationsstruktur (760b) ist und auf einer Gesamtheit einer Oberseite der zweiten Isolationsstruktur (760b) und auf einem zweiten Teil der Oberseite von jedem der ersten und zweiten Abschnitt (946b, 947b) der zweiten Gateelektrode (146b) angeordnet ist; undeine dritte leitfähige Struktur (1180), die eine jede Source/Drain-Struktur (335 - 338) zwischen der ersten Gateelektrode (146a) und der zweiten Gateelektrode (146b) kontaktiert, wobei die dritte leitfähige Struktur (1180) mit Abstandhaltern (144a, 144b) an den Seiten der ersten und zweiten Isolationsstrukturen (760a, 760b) in physischem Kontakt steht.