baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent KR-100306142-B1 (KR)
Title: Method for setting inductive heating patterns in mini-mill process
Inventor: HONG YEONG GWANG
IPC: B21B37/00
Filed: 1997-12-24
Granted: 2001-11-02
Abstract: PURPOSE: A method for setting inductive heating patterns in mini-mill process is provided which reduces thickness deviation and material deviation caused by temperature deviations of finishing rolling of the front and rear parts of a rolling mill by obtaining uniformed finishing rolling temperatures in a length direction of a hot rolled steel strip in coil. CONSTITUTION: The method for setting inductive heating patterns in mini-mill process comprises the steps of measuring an entrance temperature(Te) of a hot rolled strip in coil using entrance thermometers of an inductive heater(30); determining an exit temperature of initial target inductive heating(Ti)(31); determining a predicted temperature of finishing rolling(Tf) along the length direction of a hot rolled strip in coil in a two dimensional finite differential method(32); obtaining a temperature difference between a temperature of the central part(Tfm) and a temperature of the front part(Tfh) of the hot rolled strip in coil through the predicted temperature of finishing rolling(Tf) along the length direction, and judging whether or not the temperature difference is in the allowable temperature range(33,34); correcting so that the temperature difference is in the allowable temperature range by determining again a predicted temperature of finishing rolling(Tf) along the length direction in a two dimensional finite differential method after compensating the temperature of the front part(Tfh) and obtaining a temperature difference between the temperature of the central part(Tfm) and the temperature of the front part(Tfh) of the hot rolled strip in coil through the predicted temperature of finishing rolling(Tf) when the temperature difference is deviated from the allowable temperature range, and determining a target exit temperature of inductive heating as a target heating temperature(T0) along the length direction of the inductive heater when the temperature difference is in the allowable temperature range(35); and setting a power of the inductive heater based on the target heating temperature(T0)(36).
Patent KR-100279397-B1 (KR)
Title: 다방향 스위치
IPC: H01H25/04
Filed: 1997-12-27
Granted: 2001-02-01
Abstract: 본 발명은 스템의 기울어짐방향을 따른 스위칭과 스템의 푸시조작에 의한 스위칭을 각각 클릭감을 수반하여 확실하게 실시할 수 있는 다방향 스위치를 제공하는 것을 과제로 하며,  이를 해결하기 위해, 
     내저부에 중앙 고정접점 (2) 과 공통접점 (3) 및 4 개의 둘레 고정접점 (4) 을 배설한 하우징 (1) 과, 중앙에 가이드 구멍 (9) 을 가지고 하우징 (1) 으로 요동가능하게 지지된 제 1 스템 (8) 과, 이 가이드 구멍 (9) 에 슬라이딩 가능하게 끼워맞춰져서 제 1 스템 (8) 에서 돌출하는 제 2 스템 (10) 과, 공통접점 (3) 으로 항상 도통하는 중앙 택트스프링 (6) 및 4 개의 둘레 택트스프링 (7) 을 구비하고, 제 2 스템 (10) 을 통하여 제 1 스템 (8) 을 소정 방향으로 기울어뜨림으로써, 원하는 1 개 또는 2 개의 둘레 고정접점 (7) 을 둘레 택트스프링 (7) 을 통하여 공통접점 (3) 과 도통시키고, 제 2 스템 (10) 을 제 1 스템 (8) 의 가이드 구멍 (9) 을 따라 압압함으로써, 중앙 고정접점 (2) 을 중앙 택트스프링 (6) 을 통하여 공통접점 (3) 과 도통시키도록 구성하였다.
Patent KR-100263203-B1 (KR)
Inventor: TAKAHASHI HARUO
IPC: H04N3/26
Filed: 1997-12-29
Granted: 2000-08-01
Abstract: 고전압발생회로는 고압발생회로와, 고압검출회로 및 제어회로를 포함한다. 고압발생회로는 클램프 다이오드를 포함하여, 고압 안정화의 양호한 반응성을 제공한다. 제어회로는 전원전압을 펄스폭제어한다. 고압검출회로는, 1㎸~수십㎸의 전압이 인가된 고압회로부 및 수십 볼트의 전압이 인가된 저압회로부를 구비한다. 고압회로부는 분압저항기와 가속커패시터를 포함하는 병렬회로를 포함한다. 가속커패시터의 용량은 1000㎊ 이하로 설정된다.
Patent KR-100281113-B1 (KR)
Title: 반도체소자의 패터닝 방법
Filed: 1997-12-29
Granted: 2001-04-02
Abstract: 반도체소자의 패터닝 방법에 관한 것으로, 특히, 고단차의 식각대상층에 적용되는 MLR에서 하층 레지스트와 상층 레지스트의 계면에 형성되는 산화막을 용이하게 형성하여 건식식각공정을 최적화하기에 적당한 반도체소자의 패터닝 방법에 관한 것이다. 이와 같은 반도체소자의 패터닝방법은 기판상에 평탄화층을 형성하는 단계, 상기 평탄화층 표면에 실리레이션층을 형성하는 단계, 상기 실리레이션층을 산소와 반응시켜 산화막을 형성하는 단계, 상기 산화막 및 평탄화층을 선택적으로 패터닝하는 단계를 포함한다.
Patent KR-100267375-B1 (KR)
Title: A fitness filtering method of vertical fram/field in mpeg-2 video color signal
Inventor: HWANG JAE HO
IPC: H04N11/04
Filed: 1997-12-29
Granted: 2000-10-16
Abstract: PURPOSE: A method for filtering adaptively a vertical direction frame/field of an MPEG-2 video chrominance signal is provided to improve the quality of a pictorial image by setting up automatically a filtering mode according to a characteristic of an input image though a user does not know well an MPEG-2 standard. CONSTITUTION: A correlation between lines adjacent to each field is obtained from input images. A correlation between pixels adjacent to lines of frames is obtained from the input images. The correlation between fields are compared with the correlation between frames. An adaptive filtering process is performed in a field mode or in frame units.
Patent KR-100499368-B1 (KR)
Inventor: KIM SEONG CHEOL
IPC: H03M1/18
Filed: 1997-12-30
Granted: 2005-09-14
Abstract: 본 발명은 레퍼런스 전압을 적절히 조절하여 변환되는 신호의 정확도를 향상시키도록 한 아날로그/디지털 변환기의 레퍼런스 전압 조절장치에 관한 것이다. 
     본 발명의 아날로그/디지털 변환기의 레퍼런스 전압 조절장치는 명령코드와 명령코드와 상기 명령코드의 길이에 따라 선택적으로 가변될 수 있는 클럭신호를 발생하는 신호발생수단과, 적어도 하나 이상의 아날로그 신호들이 공급되어 하나의 아날로그 신호를 출력하는 신호입력수단과 신호입력수단에 접속되어 아날로그 신호들을 샘플링하는 샘플링수단과, 샘플링수단에 접속되어 자신에게 공급되는 기준전압에 따라 샘플링된 신호를 디지털화하는 변환수단과, 변환수단에 접속하여 명령코드에 따라 서로 다른 레벨의 기준전압을 변환수단에 공급하는 기준전압 발생수단을 구비한다. 
     본 발명의 아날로그/디지털 변환기의 레퍼런스 전압 조절장치는 다중 입력채널을 갖는 아날로그/디지털 변환기에 있어서 기준전압을 각 입력채널에 공급되는 신호레벨에 맞추어 변환 정확도를 향상시킬 수 있다.
Patent KR-100407123-B1 (KR)
Title: Degater of automatic molding press for manufacturing semiconductor package
Inventor: BAEK YEONG TAE
IPC: H01L21/56
Filed: 1997-12-31
Granted: 2004-01-24
Abstract: PURPOSE: A degater of an automatic molding press for manufacturing a semiconductor package is provided to be capable of preventing molding failure and improving reliability. CONSTITUTION: A degater of an automatic molding press for manufacturing a semiconductor package is provided with a bottom die(10) for stably loading a lead frame and a deculler part. At this time, the deculler part includes a resin flow port connected with two lead frame and a top die for removing a runner and cull. The degater further includes a plurality of blades(20) for removing the resin flow port, an operating block(30) for sliding the blade to one direction, and a cylinder(40) for moving the operating block to and fro. A tilt groove is formed at one side of the blade.
Patent KR-100257855-B1 (KR)
Title: Method of manufacturing a semiconductor device
Inventor: JIN SEUNG-WOO
IPC: H01L27/108
Filed: 1997-12-31
Granted: 2000-06-01
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to reduce the cell leakage current by reducing a width of a depletion area thereby reducing a size of an electric field. CONSTITUTION: A gate(3) and a low density junction section(4) are formed at a cell area and a peripheral circuit area. An insulating layer spacer(5A) is formed only at both sides of the gate(3) in the peripheral circuit area. A high density junction section(6) is formed on a semiconductor substrate(1) at both sides of the gate(3) in the peripheral circuit area. After forming an interlayer dielectric(7), a bit line(9) and a charge storage electrode contact hole are respectively formed. The low density junction section(4) in the cell area is exposed by the bit line(9). Then, a contact plug ion implanting process and a heat treatment process are carried out.
Patent KR-100361057-B1 (KR)
IPC: C09J193/04
Filed: 1995-08-24
Granted: 2005-05-18
Abstract: PCT No. PCT/FI95/00452 Sec. 371 Date Apr. 7, 1994 Sec. 102(e) Date Apr. 7, 1997 PCT Filed Aug. 24, 1995 PCT Pub. No. WO96/06533 PCT Pub. Date Mar. 7, 1996The invention relates to an adhesive agent for adhering an object produced in several stages to its base for the duration of at least one process step. According to the invention, the adhesive agent contains 20-50 parts by weight of modified tall oil rosin with an acid value within the region 115-145, and 48-80 parts by weight of at least one solvent, so that the glass transition temperature achieved for the adhesive agent is in the area 10 DEG -18 DEG  C.
Patent KR-100351017-B1 (KR)
Title: 파이어제어시스템및주파수결정값과진폭추정방법
IPC: G01S13/72
Filed: 1996-02-09
Granted: 2003-03-06
Abstract: 본 발명은 파이어 제어 시스템(5) 및 보다 구체적으로는 타겟 경로(3)의 주기 성분을 추정하는 방법에 관한 것이다. 효율적인 고속-세틀링(fast-settling) 추정기는 우선, 상기 주기를 추정하고, 가장 최근의 측정값들을 기초로하여 주기 성분의 진폭을 추정함으로써 실현된다.
Patent KR-100337421-B1 (KR)
Title: 전지용발수성부여제및전지
IPC: H01M4/38
Filed: 1996-04-05
Granted: 2002-10-09
Abstract: 평균 입경이 0.05 ∼ 1 ㎛ 로서, 테트라플루오로에틸렌-퍼-플루오로 (알킬비닐에테르) 공중합체 및/또는 비피브릴 형성특성인 테트라플루오로에틸렌 중합체의 미립자를 함유하는 수성 분산체 또는 오르가노졸로 이루어지는 전지용 발수성 부여제로서, 불소 수지의 분말을 그대로의 상태로 사용하는 일 없이 수득할 수 있고, 또 전극 재료와 혼합해서도 피브릴화하는 일 없으며 내약품성, 내열성, 특히 보다 효과적으로 발수성을 높일 수 있고, 또 작업성에도 뛰어난 전지용 발수성 부여제 및 그것을 사용하여 수득할 수 있는 사이클 수명, 내압 특성이 뛰어난 전지를 제공한다.
Patent KR-100431045-B1 (KR)
Title: 적응적채널할당시스템에서의자동적인제어채널계획
IPC: H04W16/04
Filed: 1996-03-28
Granted: 2004-06-16
Abstract: 무선 통신 시스템에서 제어 채널을 할당하기 위한 방법 및 시스템이 개시되어 있다.  제어 채널은 각각 전용 트래픽 채널에 링크되어 전용 트래픽 채널이 특정 셀에 할당될 때 각 제어 채널이 된다.  본 발명에 따른 실시는 트래픽 채널 할당을 결정하는 데 사용되는 특정의 ACA 방식과는 독립적이다.
Patent KR-100263231-B1 (KR)
Title: Absorbent articles having improved surfactant-treated hydrophilic topsheets
Inventor: LEE YANN-PER
IPC: A61F13/511
Filed: 1996-03-20
Granted: 2000-09-01
Abstract: The present invention provides an absorbent article having a topsheet treated with a silicone-based surfactant to impart hydrophilicity. The absorbent article preferably includes a first, apertured, macroscopically expanded, three-dimensional, polymeric topsheet and preferably includes a second, apertured, macroscopically expanded, three-dimensional polymeric topsheet underlying the first topsheet. The multiple topsheets provide improved masking of bodily fluids absorbed and retained by the absorbent core. The first and second topsheets preferably include surfactants which impart hydrophilicity to differing degrees, and which preferably are selected from diverse surfactant categories. The use of a silicone-based surfactant imparts improved tactile qualities to the wearer-contacting surface of the first topsheet in comparison with non-silicone-based surfactants. These characteristics of the silicone-based surfactant provide improved dryness and cleanliness of appearance through low retention of fluid material at or near the surface of the topsheet itself and promoting fluid movement along the wetted surfaces and downward into the absorbent core.
Patent KR-100257075-B1 (KR)
Title: Semiconductor device and method for manufacturing the same
Inventor: SOON JUNG-HWAN
IPC: H01L21/336
Filed: 1998-01-13
Granted: 2000-05-15
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are to form a silicide on a source/drain region and an LDD(lightly doped drain) region to reduce resistance, thus to prevent a short channel effect. CONSTITUTION: A gate insulating layer and a gate electrode(25) are deposited on a certain region of a semiconductor substrate(21). The first sidewall spacer(26) is formed on both sides of the gate electrode and the gate insulating layer. The first impurity region is formed using the first sidewall spacer. The first metal layer is formed on the entire structure. The second sidewall spacer(31) is formed on both sides of the first metal layer formed on both sides of the first sidewall spacer. The second impurity region is formed on the substrate on both sides of the second sidewall spacer and the gate electrode. The first silicide is formed on the first impurity region and the second silicide on the surface of the second impurity region and the gate electrode by an annealing, after forming the second metal layer. The second metal layer, the second sidewall spacer and the first metal layer are successively removed.
Patent KR-100262510-B1 (KR)
Title: Method of detecting shading waveform
Inventor: KANG KOO-SOO
IPC: G03G15/04
Filed: 1998-02-19
Granted: 2000-08-01
Abstract: PURPOSE: A shading waveform detecting method is provided to obtain optimal shading waveform by using two line memories so as to improve the image quality while lowering the price. CONSTITUTION: The shading waveform detecting method includes following steps. At first, line count value is initialized(S2). Then, a white panel is scanned. Scanning data of each scanned pixel is divided by predetermined overall scanning repetition number and the result is added to the first storage factor which stores the first shading factors corresponding to an integer result of the division on factor basis, and the addition result is updated in the first line memory while the second shading factors corresponding to the fractal result of the division is added to the second storage factors which is stored already on the factor basis and the result is updated in the second line memory(S3). The line count in incremented(S9), whether the line count is bigger than the overall scanning number is determined(S10), and the scanning and storing steps are repeated when the line count exceeds the overall scanning number(S8). When the line count is bigger than the overall scanning number, the shading waveform is detected(S11) by using the first storage factors stored in the first line memory.
Patent KR-100282692-B1 (KR)
Title: 반도체 기억 장치
IPC: G11C11/407
Filed: 1998-02-20
Granted: 2001-02-15
Abstract: 동기 DRAM의 기록 동작을 고속으로 행한다. 
     본 발명은 외부 데이타 스트로브 신호에 동기하여 부여되는 기록 데이타 신호를, 그 외부 데이타 스트로브 신호에 응답하여 생성되는 내부 데이타 스트로브 신호에 응답하여 내부에 래치하고, 그 외부 데이타 스트로브 신호로부터 생성되는 기록 신호에 응답하여, 기록 앰프 등의 기록 회로로부터 메모리 셀 어레이에 기록 데이타 신호를 공급한다.  한편, 어드레스 신호는 외부 클록에 의해 내부에 취입된다.  따라서, 메모리 내부에서의 기록 동작인, 기록 앰프로부터의 메모리 셀 어레이에 연결되는 데이타 버스선 등의 구동이 외부 데이타 스트로브 신호에 따라서 개시되기 때문에, 기록 데이타 신호의 입력으로부터 최단 시간에 기록 동작을 종료할 수 있다.  본 발명은 메모리가 2비트 프리페치 기능을 가지는 경우에 특히 효과적이다.  즉, 외부 데이타 스트로브 신호에 동기하여, 2비트의 기록 데이타 신호가 시계열적으로 공급된다.  그 2번째의 기록 데이타 신호의 입력을 기다려서, 내부의 기록 동작을 개시할 수 있기 때문에, 최단의 기록 동작을 가능하게 한다.
Patent KR-100288803-B1 (KR)
Title: Lcd for preventing static electricity
Inventor: KIM SU MAN
IPC: G02F1/1343
Filed: 1998-02-21
Granted: 2001-06-01
Abstract: PURPOSE: An LCD(Liquid Crystal Display) is provided to enhance the yield rate of an LCD by protecting a TFT(Thin Film Transistor) matrix from static electricity via a nonconductor film. CONSTITUTION: An LCD has nonconductor films(26) coated on both surfaces where electrodes are exposed. The conductor films block up the inflow path of static electricity by shielding the electrodes. Thereby, a TFT matrix is protected from the static electricity.
Patent KR-100269860-B1 (KR)
Title: Sheet forming method of ptc heater for gas perception wet removal & sol coating method of substrate
Inventor: CHOI BYUNG HYUN
IPC: H01B3/00
Filed: 1998-04-06
Granted: 2000-10-16
Abstract: PURPOSE: A thick film (doctor blade) of PTC(Positive Temperature Coefficient) heater and an insulation coated by sol are provided to improve adhesiveness and durability, thereby performing more efficient gas detection and moisture elimination. CONSTITUTION: The method for molding PTC doctor blade and manufacturing Si-sol coated insulating film is comprised of molding low-resistant PCT heater device by doctor blade, the PTC heater device for a sensor substrate use having titanium-barium-lead as a main component; stacking-sintering the doctor blade to manufacture a 0.1-0.4mm sheet; preparing Si-sol using tetra ethyl ortho silicate solution; and coating the upper portion of the sheet by an insulating film having a thickness of 10-50 micrometer as a spin coater.
Patent KR-100309459-B1 (KR)
Title: Substrate voltage generator of semiconductor device
Inventor: SHIN YUN CHEOL
IPC: G05F3/20
Filed: 1998-04-13
Granted: 2001-12-17
Abstract: PURPOSE: A substrate voltage generator of semiconductor device is provided to prevent generation of excessive level increase or decrease of a substrate voltage when a power is applied. CONSTITUTION: A NAND gate(35) receives the first oscillation enable signal(OSCEN1) from a control part(31) and the second oscillation enable signal(OSCEN2) from a transient operation preventing part(34), and an inverter(36) is connected to an output of the NAND gate(35). An oscillator(32) operates in response to an output of the inverter, and a pump circuit(33) operates in response to an output of the oscillator(32). The transient operation preventing part(34) generates the second oscillation enable signal(OSCEN1) in response to a reset signal, which is output from a power detecting part(2), and a signal(PWROKB), which indicates that a chip inner state enters a normal operating state. Generation of a substrate voltage is determined by combination of the first and second oscillation enable signals(OSCEN1, OSCEN2).
Patent KR-100271801-B1 (KR)
Inventor: RA SI GYUN
IPC: H01L29/41
Filed: 1998-05-11
Granted: 2000-11-15
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to restrain efficiently a short channel effect and prevent a channeling effect by forming a double self HLDD(Halo Lightly Doped Drain) transistor. CONSTITUTION: A field oxide layer(22) for defining an active region and a field region is formed on a semiconductor substrate(21). A gate oxide layer(23) is formed by performing a thermal oxidation process for a surface of the semiconductor substrate(21). A polysilicon layer(24) is deposited on the gate oxide layer(23) by using a CVD(Chemical Vapor Deposition) method. A gate meta layer(25) and a nitride layer(26) are formed thereon. Gates(25,24) are defined by stripping parts of the nitride layer(26), the gate metal layer(25), the polysilicon layer(24), and the gate oxide layer(23). Halo ions are implanted on the whole surface of the substrate(21). A semi-LDD(Lightly Doped Drain) layer(31) is formed by depositing an oxide layer and a nitride layer or an SiON layer on the surface of the substrate. An LDD ion implantation process is performed on the substrate(21). A gate sidewall(29) is formed by depositing and etching a nitride layer and an oxide layer on the whole surface of the substrate(21). A source/drain is formed by performing an ion implantation process. An interlayer dielectric, a metal line, and a passivation layer are formed sequentially thereon.
Patent KR-100262344-B1 (KR)
Title: Detectiong method of dissolving gradual scene changes in video data analysis
Inventor: LEE BYUNG DO
IPC: H04N5/262
Filed: 1998-05-21
Granted: 2000-08-01
Abstract: PURPOSE: A method for detecting a dissolve effect from a gradual scene change in a video data analysis is provided to improve the efficiency of a video analyzing device by automatically detecting a dissolve effect among gradual scene changes. CONSTITUTION: A primary partial differential value is calculated. A secondary partial differential is performed with the primary partial differential value. The norm of the primary partial differential value is compared with the norm of the secondary partial differential value. It is determined that there's a dissolve effect. An accurate frame section in which the dissolve effect is used through two partial differential performances is detected. The section is set as a scene change.
Patent KR-100268369-B1 (KR)
Inventor: MORIYAMA GOIZIRO
IPC: C23F4/00
Filed: 1998-05-22
Granted: 2000-11-01
Abstract: 본 발명은 제2 고주파 전력을 임피던스 정합 회로를 통해 처리실에 공급하고 그후에 처리시의 전력보다 큰 제1의 고주파 전력을 상기 처리실에 공급하여 플라즈마를 생성하는 방전 개시 단계, 상기 제1의 고주파 전력을 처리시의 값에 근사하게 감소시키고, 상기 제2 고주파 전력을 처리시의 값에 근사하게 증가시킨후에 상기 제1의 고주파 전력의 크기를 조정하여 선정된 값의 플라즈마 강도를 얻는 조정 단계, 및 상기 임피던스 정합 회로를 정합 동작시킴과 동시에 상기 제1의 고주파 전력을 조정하여 처리 시에 소망의 값의 플라즈마 강도를 얻음으로써 처리될 기판의 플라즈마 처리를 행하는 플라즈마 처리 단계를 포함하는 플라즈마 처리 방법을 제공하는 것이다.  플라즈마 방전은 높은 재현성과 함께 자동적으로 원활하게 개시될 수 있으며, 안정된 플라즈마 방전이 유지될 수 있다.  방전이 소멸된 경우에서도 플라즈마 방전이 신속하게 재개될 수 있다.
Patent KR-100310410-B1 (KR)
Title: 송수신가능한무선호출기
IPC: H04B5/04
Filed: 1998-07-24
Granted: 2001-12-17
Abstract: 본 발명은, 무선호출 신호로부터 디코딩된 데이터 포맷으로부터 프리앰블 패킷과 싱크 코드 및 복수개의 프레임중에서 프리앰블 패킷과 싱크 코드 및 해당 어드레스에 대응하는 프레임 기간에는 고주파 회로부(20)에 전원을 공급하고, 해당 어드레스에 대응하지 아니하는 프레임 시간에는 상기 고주파 회로부(20)에 전원공급을 차단하여 전원을 절약하는 기능을 갖는 무선호출기에 있어서, 고주파 회로부(20)에 전원공급이 차단된 기간에 강제로 전원을 공급하는 전원부(26)과, 키입력부(24)를 통해 마이크로프로세서(30)로 입력된 데이터를 변조하는 변조부(40)와, 신호를 수신할 때는 상기 국부발진기(16)의 발진신호를 상기 주파수 변환기(13)에 입력하고, 신호를 발신할 때는 상기 변조부(40)의 변조된 데이터를 상기 국부발진기(16)의 발진신호에 혼합한 송신신호를 송신안테나(48)로 전송하도록 스위칭하는 스위칭부(44)를 포함하는 송수신 가능한 무선호출기에 관한 것으로, 본 발명에 따른 무선호출기는 특정 신호를 송신 및 수신하는 기능을 추가로 제공하여 설정에 따라 특정 조건의 상대방을 찾는 등의 역할을 할 수 있으며, 무선 송수신을 위한 별도의 장치 없이 무선호출기에 내장된 구성에 의해서 무선호출 신호를 수신하는 기능을 그대로 수행함과 동시에 데이터의 송수신이 가능하다는 장점이 있다.
Patent KR-100329417-B1 (KR)
Title: 디지털텔레비전수상기의프로그램정보표시방법
IPC: H04N21/431
Filed: 1998-07-30
Granted: 2002-08-21
Abstract: 개시된 프로그램 정보 표시방법 및 표시장치는 수신하는 하나의 채널의 디지털 방송신호에 포함되어 있는 복수의 프로그램에 대한 정보를 화면에 표시하여 사용자가 프로그램의 내용을 간단히 확인할 수 있도록 하는 것이다. 
     본 발명은 사용자가 수신할 채널을 선택하였을 경우에 중앙 처리 장치의 제어에 따라 선택한 채널의 디지털 방송신호를 수신하고, 소정의 시간 간격으로 수신한 디지털 방송신호의 PID를 검색하여 방송하는 프로그램의 정보를 확인하고, 이를 저장하며, 사용자가 키입력부를 조작하여 프로그램의 표시 명령을 입력시킬 경우에 저장한 프로그램의 정보를 그래픽 메모리로 이동시키고, 이를 그래픽부에서 수신한 채널의 프로그램의 영상신호에 OSD(On Screen Display)로 삽입한 후 출력하여 화면에 표시한다.
Patent KR-100418137-B1 (KR)
Title: 차세대이동통신시스템에서데이터전송속도제어장치
IPC: H04L29/08
Filed: 1998-08-14
Granted: 2004-04-30
Abstract: 본 발명은 모든 단말기에서 방송채널로 전송되는 부하상태표시 메시지를 실시간으로 참조해가며 이동 단말기에서 전송되는 데이터의 전송속도를 적응적으로 제어할 수 있는 3 세대 이동통신 시스템에서의 데이터 전송속도 제어장치에 관한 것이다.  이와 같은 본 발명은 기지국에서 제공되는 해당 셀 내의 부하상태표시 메시지와, 각종 서비스 요구사항들에 대한 정보를 저장하는 데이터 베이스와, 상기 데이터 베이스에 저장된 메시지 및 정보가 무결성을 갖도록 제어하고, 다른 기능블럭이 상기 데이터 베이스에 액세스 할 경우에 이를 통제하는 데이터 베이스 관리부와, 상기 데이터 베이스에 저장된 부하상태표시 메시지를 실시간으로 참조해가며 데이터의 전송속도를 적응적으로 제어하는 적응적 전송 레이트 제어부를 포함하여 구성된다.
Patent KR-100301722-B1 (KR)
Title: Antibacterial vessel and production thereof
Inventor: KOO JA IL
IPC: B65D1/00
Filed: 1998-08-22
Granted: 2001-11-22
Abstract: PURPOSE: A process of preparing antibacterial vessel by mixing an antimicrobial agent containing a calcium phosphate anion and silver cation, ceramic and synthetic resin is provided. Whereby, the vessel exhibits excellent antimicrobial activity to suppress the formation and proliferation of bacteria and is helpful for health by formation of hexagonal water having an irregular hexagonal loop structure. CONSTITUTION: A calcium phosphate anion is subjected to ionic boding with a silver cation to produce an antibiotic, which is mixed with synthetic resin in a ratio of 1:9 to 5:5 and extruded in an extruder to produce antibacterial synthetic resin. A catalyst which radiates far-infra red rays is coated on the surface of synthetic resin to produce ceramic synthetic resin. And then 5 to 15% by weight of the ceramic resin, 5 to 15% by weight of the antimicrobial resin and 80 to 94% by weight of general resin are mixed and injection molded at 160 to 180deg.C at a pressure of 2 to 3kg/cm¬2.
Patent KR-100362125-B1 (KR)
IPC: H01L29/792
Filed: 1998-08-28
Granted: 2003-07-16
Abstract: 불휘발성 반도체 메모리 장치는 수직 메모리 셀을 포함한다.  메모리 셀은 적어도 채널부, 드레인 및 소스, 제1 및 제2 플로팅 게이트와 제어 게이트로 구성된다.  채널부는 반도체 기판 상에 수직 방향으로 형성된다.  드레인 및 소스는 채널부의 상부 및 하부 위치에 형성되어 채널부내에 채널을 형성한다.  제1 플로팅 게이트는 게이트 절연막을 통해 채널부의 측면부의 일부에 형성된다.  제2 플로팅 게이트는 제1 플로팅 게이트가 없는 영역내의 채널부의 측면부에 형성된다.  제어 게이트는 절연 분리막을 통해 제1 및 제2 플로팅 게이트 외부에 형성된다.  불휘발성 반도체 메모리 장치를 제조하는 방법이 또한 개시된다.
Patent KR-100298116-B1 (KR)
Title: 내마모성이향상된폴리카보네이트거울의제조방법
IPC: B29D99/00
Filed: 1998-09-24
Granted: 2001-10-27
Abstract: 본 발명은 내마모성이 향상된 폴리카보네이트 거울의 제조방법에 관한 것이다. 
     본 발명은 폴리카보네이트 표면 혹은 폴리카보네이트 위에 도포된 반사층의 표면에 플라즈마 도움 화학증착법으로 내마모막을 형성하여 내마모성이 향상된 폴리카보네이트 거울을 제조하는 방법에 관한 것이다. 
     본 발명에 따른 방법으로 제조된 폴리카보네이트 거울은 충분한 내마모성을 갖는다.
Patent KR-100311373-B1 (KR)
IPC: F25B1/00
Filed: 1998-10-12
Granted: 2001-11-15
Abstract: 본 발명은 무윤활 맥동관 냉동기에 관한 것으로, 종래에는 구동부에서 펌핑되는 작동가스가 하나의 냉동부측으로 순환하면서 압축/팽창되므로 구조적 비대칭으로 인하여 진동 발생이 크게 되고, 또한 극저온으로 냉각해야할 부품이 많거나 두 개의 냉동부가 필요할 경우 별도로 두 개의 구동부가 필요하게 되어 전체 시스템의 크기가 커지는 단점이 있었는 바, 본 발명은 하나의 구동부에 두 개의 냉동부를 구성하여 구조적 대칭을 이루도록 함으로써 작동시 진동 소음 발생을 최소화하여 제품의 신뢰성을 향상시키고, 또한 동시에 다량의 부품 냉동 처리가 가능하도록 하여 활용도를 높임과 아울러 전체 시스템의 크기를 동급 대비 소형화가 가능하도록 할 수 있도록 한 것이다.
Patent KR-100275749-B1 (KR)
Title: 디알킬 말로네이트를 가지는 폴리머와 이를 포함하는 레지스트조성물
IPC: G03F7/004
Filed: 1998-10-29
Granted: 2001-03-02
Abstract: 화학 증폭형 레지스트에 사용되는 다음 식을 가지는 폴리머와, 
     
       
     
     식중, R 1 , R 3 및 R 5 는 각각 -H 및 -CH 3 로 이루어지는 군에서 선택되고, R 2 는 t-부틸, 테트라히드로피라닐 및 1-알콕시에틸기로 이루어지는 군에서 선택되고, R 4 는 -H, -CH 3 , t-부틸, 테트라히드로피라닐 및 1-알콕시에틸기로 이루어지는 군에서 선택되고, x는 1∼4의 정수이고, l/(l+m+n)=0.1∼0.5이고, m/(l+m+n)=0.01∼0.5이고, (l+m)/(l+m+n)=0.1∼0.7임. 
     상기 폴리머를 포함하는 레지스트 조성물에 관하여 개시한다.