baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent KR-100414932-B1 (KR)
Inventor: LEE HYEON SEOK
IPC: H04W28/00
Filed: 1998-01-24
Granted: 2004-04-03
Abstract: PURPOSE: A method for data communication in a mobile communication system is provided to reduce a set time for a dedicated data channel required for transmitting data while reducing power consumption of a terminal to the level of standby state, thereby improving the efficiency of data transmission. CONSTITUTION: If receiving no transmission data for a predetermined time, a mobile communication system is transitted to a normal substate(151) in a control hold state(115) to release a dedicated traffic channel. After a predetermined time passes, the mobile communication system stops transmission of a reverse pilot channel, and is transitted to a resource save substate(153) to stop the reverse pilot channel transmission in a state of maintaining logical connection of a dedicated control channel. In the case that data is generated in a process of maintaining a control channel, the mobile communication system resumes the reverse pilot channel transmission and generates the dedicated traffic channel and pilot channel to be transitted to a data transmission state(117).
Patent KR-100298574-B1 (KR)
Title: Method for manufacturing triac device of planar type
Inventor: JUNG JONG WON
IPC: H01L29/747
Filed: 1998-03-31
Granted: 2001-10-27
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a triac device of planar type is provided to improve internal pressure and leakage current property by preventing surface defects of a substrate and contaminant due to a positive layer of an oxide layer facing to the substrate. CONSTITUTION: A first oxide layer is formed on both side of a substrate of an N-type. A device isolation region is formed by implanting selectively a P-type ion impurity. After removing a first oxide layer of one side of the substrate, a first semiconductor layer(30) for forming a base is formed by implanting the P-type ion impurity. After removing the first oxide layer of the other side, a third semiconductor layer(34) for forming the base is formed by implanting the P-type impurity ion into the semiconductor layer using the same as a mask. A fourth semiconductor layer(35) for forming a cathode is formed by implanting an N-type impurity ion into the third semiconductor layer. The remaining first oxide layer is removed. After forming a defect trapping layer on a lower portion of the second semiconductor layer, the surface defect of the substrate existing at the opposite side of the second semiconductor layer is trapped by heat treating the same and the defect trapping layer is removed. A second oxide layer(38) is formed on the removed semiconductor layer of the surface defect to expose the fourth semiconductor layer. A first electrode(39) contacting to the fourth semiconductor layer and a second electrode(40) contacting to the first semiconductor layer are formed.
Patent KR-100294075-B1 (KR)
Title: System for treating landfill leachate
Inventor: CHOI GWANG HO
IPC: C02F1/44
Filed: 1998-04-08
Granted: 2001-10-25
Abstract: PURPOSE: A system for treating highly concentrated landfill leachate with high performance is provided by additionally installing microorganism media and submerged hollow fiber membrane module in a conventional post-treating facilities for landfill leachate. CONSTITUTION: The system for treating highly concentrated landfill leachate includes: an anaerobic tank(2) into which raw leachate and MLSS(mixed liquor suspended solid) are introduced; an anoxic tank(3) for denitrification; an aerobic tank(4) where organics are converted into carbon dioxide and water, and NH3 is converted into NO3¬-; a diffuser(17) to supply oxygen required to organic decomposition and nitrification; a draft tube(5) to recycling NO3 to the anoxic tank, thereby denitrifying the NO3 into N2 gas, wherein raw leachate is used as organic source. In the system, microorganism media that is selected from polyurethane, polysulfone and their derivatives(15) has a specific gravity of 20 to 80kg/m¬3 and a volume of 0.1 to 100cm¬2. Also, a submerged hollow fiber membrane module(6) under operated at a pressure of 0.1 to 0.4kgf/cm¬2, and it is treated to be hydrophilic. MLSS concentration of the aerobic tank is 10,000 to 20,000mg/L.
Patent KR-100299669-B1 (KR)
Title: Solution for sterilization of nipple and prevention of mastitis in dairy cows
Inventor: KIM DEOK WON
IPC: A61K31/76
Filed: 1998-05-02
Granted: 2001-10-27
Abstract: PURPOSE: A solution containing chitosan, sodium benzoate and didecyldimethylammonium chloride to soak a nipple therein is provided which is free from irritation to the skin, protects the skin by formation of a film on the nipple and prevents invasion of bacteria that cause mastitis. CONSTITUTION: This solution comprises 0.4% by weight of chitosan, 0.1% by weight of sodium benzoate, 0.006% by weight of didecyldimethylammonium chloride and the remaining of distilled water and has a pH of 4.5 to 5.5. The solution also contains an acid or alkali and a pharmaceutically additive.
Patent KR-100273122-B1 (KR)
Title: Triac device
Inventor: LEE JONG-HONG
IPC: H01L29/747
Filed: 1998-05-11
Granted: 2000-12-01
Abstract: PURPOSE: A triac device is provided to improve an on-state voltage characteristic, by eliminating a lateral component of voltage drop without decreasing other characteristics even when a negative bias is applied to the second electrode in an on-state. CONSTITUTION: The first semiconductor layer(21) is of the first conductivity type. The second and third semiconductor layers(23,24) of the second conductivity type are formed on both upper and lower surfaces of the first semiconductor layer. The fourth and fifth semiconductor layers(25,26) of the first conductivity type are formed in the second semiconductor layer, separated from each other by a predetermined interval. The sixth semiconductor layer(27) of the first conductivity type is formed in the third semiconductor layer. A gate electrode(29) is in contact with the second and fifth semiconductor layers. The first electrode(30) is in contact with the second and fifth semiconductor layers. The second electrode(31) is in contact with the third semiconductor layer including the sixth semiconductor layer. The sixth semiconductor layer faces a predetermined region of the second semiconductor layer, located in a position opposite to the fourth and fifth semiconductor layers with reference to the same vertical line.
Patent KR-100277789-B1 (KR)
Title: 리튬 이온 이차 전지용 천연 흑연 활물질
Filed: 1998-05-21
Granted: 2001-02-01
Abstract: 리튬 이온 이차 전지용 천연 흑연 활물질을 제공하기 위한 것으로서, 천연 흑연을 테트라하이드로퓨란과 접촉시키거나, 천연 흑연을 고분자 수지와 접촉시키거나, 천연 흑연을 황산으로 처리한 후 수세하거나, 질소 분위기하에서 900-1000℃로 열처리함으로써 표면 구조를 변형시킨 천연 흑연은 연속적인 충방전시 흑연 육각면의 박리 현상 및 첫 번째 충전시 전해액 분해 반응이 감소되므로 사이클 수명, 용량 및 충방전 효율이 향상된 전지를 제공할 수 있다.
Patent KR-100264764-B1 (KR)
Inventor: YOUN CHANG-KOO
IPC: A61F13/15
Filed: 1998-06-26
Granted: 2000-09-01
Abstract: 본 발명은 여성용 생리대 가공장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 하나이상의 원자재공급수단으로부터 원자재를 공급받아 압축, 절단, 인출공정으로 이루어진 여성용 생리대 가공장치로서, 원자재(Y)를 공급하기 위한 원자재 공급수단(1)과; 상기 원자재 공급수단으로부터 원자재를 안내하기 위한 안내수단(2)과; 상기 안내수단(2)의 근접위치에 설치되며 상기 안내수단(2)을 통하여 인입되는 원자재(P)를 일정한 두께로 압착하기 위한 압착수단(3)과; 상기 압착된 가공물을 일정한 넓이 및 길이로 절단하기 위한 절단수단(4)과; 상기 절단수단(4)에 의해 절단된 가공물을 인출하기 위한 인출수단(5)과; 상기 압착수단(3),절단수단(4) 및 인출수단(5)을 일련의 동작으로 작동되게 하기 위한 동력전달수단(6)과; 이 동력전달수단(6)에 동력을 전달하기 위한 동력발생수단(7)으로 구성된다.
Patent KR-100591372-B1 (KR)
Title: Bridge of shock-absorbing construction
IPC: E04H9/02
Filed: 1998-06-30
Granted: 2006-10-24
Abstract: A bridge of shock-absorbing construction is disclosed, which includes horizontal members (4) arranged in series, vertical members (5) supporting the horizontal members, and connectors for connecting the adjacent horizontal members or for connecting the horizontal member and the vertical member, wherein shock absorbers (1) formed from a material with an elastic modulus in flexure over 200 kgf/cm<2> and each having a wall structure in a shock-loading direction are disposed on the connectors or at the points of contact between the horizontal members or between the horizontal member and the vertical member. <IMAGE>
Patent KR-100305571-B1 (KR)
Inventor: HAN MAN DAE
IPC: H04R1/00
Filed: 1998-07-10
Granted: 2001-10-29
Abstract: PURPOSE: A terminal contact apparatus is provided to increase a contact pressure of a point of contact by minimizing remaining stress of a terminal pin, and to improve a contact reliability of the point of contact by making the terminal pin maintain a constant pressure. CONSTITUTION: A terminal pin(3), which has a bent part(5) and a contact projection(8) formed in a body, is coupled with a frame(4) in a body. The second bent part(1) of the terminal pin is integrated with the third bent part of the terminal pin(3). A printed circuit board having an electrode is coupled at one side of the frame(4), and The terminal pin(3) is formed on the electrode. The second bent part(1) is bent in an opposite direction to the bent part(5), and is connected to one side of the bent part(5). The second bent part(1) has the first inclined surface(6) connected to the bent part(5) and the second inclined surface(9) connected to the contact projection(8). An elastic force working groove(11) is formed at a part of the frame(4) where a contact surface(7) of the terminal pin(3) is closed. A fixing concave groove(13) is formed at the bottom of a support for press(12), and an insertion concave part(15) is formed at one side of the fixing concave groove(13).
Patent KR-100281896-B1 (KR)
Title: 저속 테스트 장비로 테스트되는 더블 데이터 레이트 동기식 디램 집적 회로 장치
IPC: G11C11/401
Filed: 1998-07-16
Granted: 2001-02-15
Abstract: 본 발명은 저속 테스트 장비로 테스트되는 더블 데이터 레이트(Double Data Rate) 동기식 디램(DRAM) 집적 회로 장치에 관한 것이다. 본 발명은 외부 클럭 신호를 입력하여 내부 클럭 신호를 발생하는 클럭 버퍼 및 외부 데이터 스트로브(data strobe) 신호를 입력하여 내부 데이터 스트로브 신호를 발생하는 데이터 스트로브 버퍼를 구비하는 더블 데이터 레이트 동기식 디램 집적 회로 장치에 있어서, 제1 논리회로 및 제2 논리회로를 구비한다. 제1 논리회로는 외부로부터 입력되는 싱글 데이터 레이트 모드 신호 및 상기 내부 클럭 신호를 입력하고 데이터 스트로브 클럭 신호를 발생한다. 제2 논리회로는 데이터 스트로브 버퍼의 출력과 데이터 스트로브 클럭 신호를 입력하고 내부 데이터 스트로브 신호를 발생한다. 데이터 스트로브 버퍼는 외부 데이터 스트로브 신호와 상기 싱글 데이터 레이트 모드 신호를 입력하여 출력을 발생한다.
Patent KR-100292899-B1 (KR)
IPC: H01L23/538
Filed: 1998-07-16
Granted: 2002-01-15
Abstract: 게이트 산화막상에 형성된 게이트 전극을 갖도록 반도체 기판에 MOS 트랜지스터가 형성된다.    상기 반도체 기판 및 MOS 트랜지스터를 덮도록 제 1 절연층이 형성된다.    상기 제 1 절연층을 덮도록 제 2 절연층이 형성된다.    상기 제 1 절연층상에 제 1 배선 구조체가 형성된다.    이 제 1 배선 구조체의 일부는 상기 제 2 절연층을 관통한다.    상기 제 1 배선 구조체에 접속하지 않는 제 2 배선 구조체가 형성된다.    이 제 2 배선 구조체는 상기 제 1 및 제 2 절연층을 통하여 상기 게이트 전극에 접속된다.     상기 제 2 배선 구조체의 안테나비는 1000 과 동일하거나 또는 그보다 작다.    상기 제 2 절연층상에 상기 제 1 및 제 2 배선 구조체와 접속하는 제 3 배선 구조체가 형성된다.    제 3 배선 구조체의 안테나비는 1000 과 동일하거나 또는 그보다 작다.    여기서, 상기 안테나비는 게이트 산화막의 표면적에 대한 배선 구조체의 표면적의 비로서 정의된다.
Patent KR-100305755-B1 (KR)
Title: 자동브레이크기능을갖는운반기기용캐스터
IPC: B60B33/00
Filed: 1998-08-25
Granted: 2002-04-24
Abstract: 본 고안은 백화점등에서 에스콰레이터를 승차하여 상,하층으로 이동할시 자동으로 제동하는 운반기기용 캐스터에 관한 것이다. 
     본 발명은 틀체와 메인휠을 볼트샤프트와 너트에 의해 결합 구성하여 운반기에 설치하는 캐스터에 있어서, 상기 메인휠의 측방에 설치되고 회전휠과 가이드홀을 갖는 몸체휠로 구성된 서포트휠과; 상기 메인휠과 서포트휠간에 설치되는 제동수단을 구성하되, 상기 제동수단은 몸체휠의 중앙에 가이드홀을 형성하고 하측에 가이드턱을 돌출형성하며, 메인휠의 코어부와 몸체휠간에 브라켓트를 삽입 설치하고 이 브라켓트의 상측부와 몸체휠간에 제1스프링을 연결하며, 상기 브라켓트의 하측부에 가이드 경사면과 브레이크핀을 갖는 브레이커와 제2스프링을 탄력되게 삽입 구성하고, 상기 코어부에 다수의 로크홈을 형성하여 상기 브레이크핀이 삽입, 이탈되게 구성하여서된 발명이다.
Patent KR-100309911-B1 (KR)
Title: 자동차조립라인에서의체결오작업방지시스템
IPC: B62D63/00
Filed: 1998-09-14
Granted: 2001-12-17
Abstract: 본발명은 자동차조립라인에서의 체결오작업방지시스템에 관한 것으로서, 
     컨베이어벨트(C)를 따라서 수행되는 연속적인 조립공정(P1,P2. . .. )의 각각이 다수의 볼트등의 체결부재를 렌치어셈블리(W)등의 체결 수단으로서 부품을 취부하는 공정인 자동차조립라인에 있어서, 상기 렌치어셈블리(W)의 체결완료를 감응하여 전파신호를 발하는 송신유니트(T), 상기 송신유니트(T)로부터의 전파를 수신하고 각각의 체결부재에 대응하는 표시장치를 구비하는 수신유니트(R), 상기 수신유니트(R)와 연결되어 상기 수신유니트(R)로부터의 신호를 감응및 제어하는 제어유니트(CU)를 구비하고, 상기 각각의 조립공정(P1,P2. . .)의 진입개시점(S1,S2)과 퇴출종료점(O1,O2)에는 위치검출수단인 스타트스위치(SW1,SW2)및 피니시스위치(F1,F2)를 장착하여 상기 제어유니트(CU)와 협동하는 것을 특징으로 하여; 
     본발명의 자동차조립라인에서의 체결오작업방지시스템은, 미숙련 또는 부주의로 인한 부품의 오체결을 방지하고 표준화된 작업양식을 제공함으로서 누구라도 현장에 투입하여 사용케 할 수있는 소위, 풀프루프시스템(Foolproof System)을 제공하는 유용성을 가진다.
Patent KR-100535324-B1 (KR)
Title: Piperidine derivatives
IPC: C07D417/14
Filed: 1998-09-18
Granted: 2006-04-21
Abstract: The present invention is directed to a piperidine derivative represented by the following formula (1) or a salt thereof: <CHEM> wherein R<1>, R<2>, and R<3> individually represent hydrogen atoms, etc., Y represents <CHEM> B represents a single bond, an alkylene group, -S-CH2-, or -CH=CH-, E represents a single bond or a trimethylene group, Z represents an oxygen atom, etc., and n represents a number between 2 and 5 inclusive; and to a medicine containing the compound. The medicine according to the present invention is endowed with excellent anti-histaminic activity and antileukotriene activity, and exhibits reduced side effects such as drowsiness.
Patent KR-100295360-B1 (KR)
Title: 쉐이딩알고리즘을이용한영상처리방법
IPC: G06V30/10
Filed: 1998-10-13
Granted: 2001-11-26
Abstract: 개시되는 영상 처리 방법은 윤곽선 검출 연산자를 이용하여 상기 영상 데이터를 윤곽선 영상 데이터로 변환하는 단계와; 상기 윤곽선 영상 데이터를 수평으로 라인 스캐닝하여 각 윤곽선 영상 데이터의 길이와 상기 각 데이터 사이의 공백 길이를 계산하는 단계와; 소정의 임계값들과 상기 각 윤곽선 영상 데이터의 길이 및 상기 공백 길이를 비교하고, 그 비교 결과에 따라 쉐이딩을 수행하는 단계 및; 상기 쉐이딩된 영상 데이터를 수직으로 투영하고, 투영된 결과로부터 상기 영상 데이터를 각 문자 영역으로 분리하는 단계를 포함하여, 다수 개의 문자로 구성된 영상 데이터를 각 분자 영역으로 분리한다. 이와 같이, 쉐이딩 알고리즘을 이용하여 윤곽선 영상 데이터를 처리함으로써, 노이즈 성분이 제거되고 윤곽선 성분은 충분이 강조되어 다수 개의 문자로 구성된 영상에서 각 문자를 인식하기 위한 영역 분리가 보다 정확하게 수행될 수 있다.
Patent KR-100277796-B1 (KR)
Title: 리튬 이차 전지용 양극 활물질 및 그 제조 방법
Filed: 1998-10-14
Granted: 2001-02-01
Abstract: 우수한 구조적 안정성, 열적 안정성을 가짐으로써 전지의 안전성 및 수명을 향상시킬 수 있는 리튬 이차 전지용 양극 활물질을 제공하기 위한 것으로서, 화학식 1의 결정성 분말 또는 준 결정성 분말을 제조하고, 이 결정성 분말 또는 준 결정성 분말을 금속 알콕사이드 졸로 코팅한 후, 열처리함으로써 표면에 금속 산화물이 표면 처리된 형태의 화학식 1의 양극 활물질을 제공한다. 
     [화학식 1] 
     LiA 1-x-y B x C y O 2   
     (상기 식에서 0 < x ≤ 0.3이고, 0 ≤ y ≤ 0.01이고, 
     상기 A는 Ni, Co 및 Mn으로 이루어진 그룹에서 선택되는 원소이고, 
     상기 B는 Ni, Co, Mn, B, Mg, Ca, Sr, Ba, Ti, V, Cr, Fe, Cu 및 Al로 이루어진 그룹에서 선택되는 원소이고, 
     상기 C는 Ni, Co, Mn, B, Mg, Ca, Sr, Ba, Ti, V, Cr, Fe, Cu 및 Al로 이루어진 그룹에서 선택되는 원소이다)
Patent KR-100277696-B1 (KR)
Title: 시간 상관을 이용한 광펄스열의 주기 조절장치
IPC: H04B10/299
Filed: 1998-11-23
Granted: 2001-01-15
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야 
     본 발명은 시간 상관을 이용한 광펄스열의 주기 조절 장치에 관한 것임. 
     2. 발명이 해결하고자하는 과제 
     본 발명은 궤환 광펄스열과 입력 광펄스열을 시간적으로 겹치지 않도록 섞은 다음 시간 상관하므로써, 입력 펄스열의 편광 의존성을 상당히 줄일 수 있는 광펄스열의 주기 조절 장치를 제공하는데 그 목적이 있다. 
     3. 발명의 해결방법의 요지 
     본 발명은, 클럭을 발생하는 클럭 발생수단; 클럭에 동기된 광펄스를 발생하는 광펄스 발생수단; 궤환되는 광펄스를 분배하고, 광펄스 발생수단으로부터 전달되는 광펄스를 분배하는 입력 광분배수단; 입력 광분배수단으로부터 전달되는 광펄스의 시간을 상관하는 시간 상관수단; 시간 상관수단의 출력 광펄스를 전달하는 광펄스 전달 처리수단; 및 광펄스 전달 처리수단으로부터 전달되는 광펄스를 분배하는 출력 광분배수단을 포함한다. 
     4. 발명의 중요한 용도 
     본 발명은 통신 시스템 등에서 광펄스열의 주파수를 분주하는데 이용됨.
Patent KR-100541201-B1 (KR)
Title: 액정표시모듈을 사용한 정보처리장치 및 액정표시모듈 실장방법
IPC: G09F9/35
Filed: 1998-11-30
Granted: 2006-03-07
Abstract: 본 발명은 정보처리장치 본체에서 발생한 디스플레이 신호를 입력받아 디스플레이 신호를 사용자가 인식할 수 있도록 변환시키는 액정표시모듈을 액정표시모듈 브라켓에 먼저 슬라이드 결합시키고, 이후 액정표시모듈 브라켓을 디스플레이 모듈 케이스에 결합시켜 액정표시모듈을 견고하게 고정시킨 정보처리장치에 관한 것으로, 본 발명에 의하면, 액정표시모듈을 액정표시모듈 브라켓에 슬라이드 결합시키고 액정표시모듈을 다시 케이스에 실장시킴으로써 액정표시모듈과 표시 모듈을 고정시키는 액정표시모듈 브라켓에 나사 체결을 위한 어떠한 가공도 필요하지 않고 가공이 어려운 인서트와 같은 보강 부재를 사용할 필요가 없는 효과가 있다.
Patent KR-100363191-B1 (KR)
Title: 가공성이 우수한 라인파이프용 강의 제조방법
IPC: C21D8/10
Filed: 1998-12-18
Granted: 2003-01-24
Abstract: 본 발명은 가공이 용이한 라인파이프용 강의 제조방법에 관한 것으로, 그 목적은 항복강도 50kgf/mm 2 급을 유지하면서 항복비가 85%이하로서 조관가공이 용이하고, H 2 S가스에 의한 크랙이 생성(HIC:Hydrogrn Induced Cracking)되지 않는 극저탄소형 베이나이트계 라인파이프용 강의 제조방법을 제공함에 있다. 
     이와 같은 목적을 갖는 본 발명은, 중량%로, C:0.02-0.03%, Mn:1.6-2.0%, Si:0.1-0.2%, Al:0.02-0.05%, Ti:0.01-0.02%, Nb:0.04-0.06%, Mo:0.15-0.25%, B:0.001-0.002%, V:0.01%이하, S:0.002%이하, P:0.02%이하, N:20-60ppm, Ca:20-50ppm, 나머지 Fe 및 기타 불가피한 불순원소로 이루어진 강슬라브를 1150∼1250℃의 온도범위에서 가열하여 마무리압연온도를  Ar 3 +(100∼200)℃로 하는 조건으로 열간압연한 다음, Ar 3 온도이전에 냉각을 개시하여 7∼11℃/sec의 냉각속도로 480±30℃의 온도까지 가속냉각하고 상온까지 공냉하여 이루어지는 가공성이 우수한 라인파이프용 강의 제조방법에 관한 것을 그 기술적요지로 한다.
Patent KR-100559916-B1 (KR)
Title: 부직포및그부직포의제조방법
IPC: D21H25/00
Filed: 1998-12-24
Granted: 2006-06-01
Abstract: 본 발명은 주방용 페이퍼로서 사용할 수 있는 엠보싱 가공성이 좋은 부직포의 제공을 목적으로 한다. 
      주방용 페이퍼에 사용하기에 적합한 부직포가 길이 7 ㎜∼30 ㎜, 섬도 0.1 d∼0.8 d의 아주 가는 열가소성 합성 섬유(3) 90 중량%∼10 중량%와, 길이 2 ㎜∼7 ㎜의 펄프 섬유(4) 10 중량%∼90 중량%로 구성되고, 이들 구성 섬유가 거의 균일하게 혼합되어 서로 기계적으로 교락하며, 평량이 10 g/㎡∼80 g/㎡이다.
Patent KR-100313222-B1 (KR)
Title: Combined purification apparatus and method using submerged membrane process for use in advanced treatment
Inventor: CHANG BYUNG KYU
IPC: C02F1/44
Filed: 1998-12-30
Granted: 2002-11-22
Abstract: PURPOSE: Provided are a combined purification apparatus and a method being advantageous in simplified process, short process time, use of compact size apparatus and excellent response to fluctuation of concentration and flow rate of non-treated water. CONSTITUTION: The method comprises the steps of introducing sewage and/or wastewater to a flow equalization basin wherein the sewage is firstly screened while being introduced into the flow equalization basin; detecting water level of the wastewater in the flow equalization basin; starting an aerator if the water level is not bottom state; determining whether the water level of the flow equalization basin is a high level or not; if the water level of the flow equalization basin is the high level, starting an inspiration filtration pump for draining filtrate filtrated by the membrane unit in the membrane filtration basin wherein the wastewater overflows the flow equalization basin to the membrane filtration basin when the water level is the high level; and if the water level of the flow equalization basin is not the high level, performing the first step. The apparatus comprises a pair of flow equalization basins(10,12), a first screen(20) provided at an upper portion of the flow equalization basin(10), an anaerobic zone(14) with mixing blades(38) therein, a membrane filtration basin(16) installed between the flow equalization basins(10,12) and the anaerobic zone(14) and provided with a membrane unit(42) therein, a submerged pump(86) at a lower portion and a second screen(3) at an upper portion thereof, an effluent tank(46), an inspiration filtration pump(48) connected to a water intake pipe(44) between the membrane filtration basin(16) and the membrane unit(42), and an aerator for supplying air to the flow equalization basins(10,12) and the membrane filtration basin(16).
Patent KR-100559030-B1 (KR)
Title: 반도체 소자의 구리 금속 배선 형성 방법
IPC: H01L21/28
Filed: 1998-12-30
Granted: 2006-06-16
Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 구리 금속 배선 형성 방법에 관한 것으로, 구리 금속 배선 형성 공정시 타이타늄 접착층(Ti-wetting layer)을 형성하고, 접착층상에 화학기상증착(CVD)법으로 알루미늄 시드층(Al-seed layer)을 형성한 후, 전기도금법으로 구리를 증착하므로써, 공정 특성상 단차 피복성(step coverage)이 우수하여 콘택의 단차가 커지더라도 공정 마진을 충분히 확보할 수 있고, 기존의 구리 시드층 적용 시에 구리의 확산을 방지하기 위해 필요한 Ta계 확산 방지막의 높은 비저항으로 인한 저항 증가 문제를 해결할 수 있어 반도체 소자의 신호전달 속도를 증가 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법에 관하여 기술된다.
Patent KR-100525115-B1 (KR)
Title: 반도체 제조용 마스크의 패턴 노광방법
IPC: H01L21/027
Filed: 1998-12-30
Granted: 2006-01-12
Abstract: 본 발명은 반도체 제조용 마스크의 패턴 노광방법에 관한 것으로, 스냅 투 그리드(SNAP TO GRID) & 근사화(APPROXIMATION)방법을 적용하여 45도 이외의 패턴에 대해서도 패턴왜곡이 발생되지 않을뿐 아니라, 데이터 볼륨에 영향을 주지 않게 되어 효율적으로 오피시 보상을 실시하게 된다.
Patent KR-100284245-B1 (KR)
Title: 감자 배지경 양액재배방법 및 이에 사용되는 배지경 생육단계별양액 조성물
IPC: A01G31/00
Filed: 1998-12-31
Granted: 2001-03-02
Abstract: 본 발명은 감자 배지경 양액재배방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 감자 배지경 양액재배시 정식후 생육 단계별로 양액 조성 및 공급방법을 최적화함으로써 수량성을 현저하게 증가시킬 수 있는 감자 배지경 양액재배방법 및 이에 사용되는 배지경 생육단계별 양액 조성물에 관한 것이다.
Patent KR-100444336-B1 (KR)
Title: 수동제어트랙편집기능을갖는비디오재생자동화장치
IPC: G11B27/00
Filed: 1996-07-08
Granted: 2004-11-06
Abstract: 비디오 기록 및 재생 장치는 비디오 프로그램과 함께 테이프 또는 다른 기록 매체상에 기록된 타이밍 엣지를 포함하는 제어 트랙 신호를 기록하는 제어 트랙 레코더를 구비한다.  디코더는 재생 기능으로서 감기 재생 모드, 감기 스킵 모드 및 재감기 모드 중에서 하나로 전환시키는 테이프 드라이브에 그리고 제어 트랙 신호에 결합되고, 스킵 및 재감기 코드는 타이밍에 사용되는 것 이외에 엣지의 위상 변화로서 또는 바람직하게는 타이밍 엣지와는 구별되는 기울어진 엣지를 갖는 펄스로서 제어 트랙에 삽입된다.  부가로, 스킵 코드 보다 앞서고 재생 코드 다음에 오는 비디오 프로그램의 일부, 예를 들면 광고 방송을 선택적으로 스킵하도록, 비디오 기록 및 재생 장치에 있어서 유저가 재생 및 스킵 코드를 편집할 수 있고 재감기 코드와 재생 코드 사이의 비디오 프로그램의 일부의 선택적인 다수 재생을 편집할 수 있다.  재생은 연속적일 수 있거나, 또는 소정 횟수의 재생 동안에 재생, 스킵 또는 재감기 코드와 함께 제어 트랙 신호로 엔코딩된다.  재생, 스킵 및 재감기 코드 및/또는 재생 반복 횟수는 유저로 하여금 나중 재생 동안에 나타나도록 콘텐트를 변경시키는 온스크린 메뉴로부터 편집가능하다.
Patent KR-100358869-B1 (KR)
Title: 신속접속인터페이스를포함하는펌핑장치
IPC: B23P6/00
Filed: 1995-08-09
Granted: 2003-01-24
Abstract: 펌프는 나사 결합 부품 및/또는 클램프와 같은 접속 장치를 필요로 하지 않고 펌프를 장착할 수 있도록 임의의 음료 분배기에 부착되는 신속 접속 인터페이스(10)를 포함한다.  신속 접속 인터페이스는 입구 포트(12) 및 출구 포트(13)를 갖는 하우징(11)을 포함한다.  입구 포트 및 출구 포트 양자는 펌프가 제거될 때 신속 접속 인터페이스로부터의 제품의 유동을 방지하는 유동조절기를 포함한다.  또한, 하우징은 가스 공급원에 접속되어 펌프 내로 가스를 송출하는 가스 포트(14)를 포함한다.  가스 포트는 펌프가 제거될 때 공급원으로부터의 가스의 누출을 방지하는 유동 조절기를 포함한다.  부가적으로, 펌프는 펌프에 의해 펌핑되는 유체의 체적을 측정하는 계수기를 포함한다.
Patent KR-100299430-B1 (KR)
Title: Novel pyridoncarboxylic acid derivatives or their salts, and antibacterial agents containing the same as their effective components
IPC: C07D213/80
Filed: 1996-09-20
Granted: 2001-09-06
Abstract: Pyridine carboxylic acid derivs. of formula (I) and their salts are new: R1 = H or carboxy protecting gp; R2 = OH, lower alkoxy or opt. substd. amino; R3 = H or halo; R4 = H or halo; R5 = halo or opt. substd. cyclic amino; R6 = H, halo, NO2 or opt. protected amino; X, Y, Z = N, CH or CR7; R7 = lower alkyl, halo or CN; provided that \- 1 of X-Z = N; W = N or CR8; R8 = H, halo or lower alkyl.
Patent KR-100433686-B1 (KR)
Title: 메모리,메모리를위한프로그래밍방법및프로그램회로
IPC: G11C16/06
Filed: 1996-07-19
Granted: 2004-09-10
Abstract: 프로그래밍 회로가 개별적으로 제어 가능한 한 세트의 그룹들로 세분되는 플래시 메모리를 위한 프로그래밍 알고리즘이 제공된다. 상기 알고리즘은 각각의 그룹에 의해 플래시 셀 어레이에 프로그램 될 논리 0의 수를 검출하며, 상기 플래시 셀 어레이에서 동시 프로그램 된 셀의 수가 미리 정해진 수를 초과하지 않도록, 그리고 최대 이용 가능한 프로그래밍 전류가 프로그래밍 속도를 증진시키는 데 이용되도록, 상기 그룹들 사이를 스위칭 한다.
Patent KR-100395280-B1 (KR)
IPC: A61P3/04
Filed: 1996-12-18
Granted: 2004-06-04
Abstract: Compounds represented by general formula (I) or salts thereof, a process for producing the same, and intermediates therefor, wherein R represents hydrogen or methyl; R<1> represents hydrogen, hologeno, hydroxy, benzyloxy, amino, or hydroxymethyl; R<2> represents hydrogen, hydroxymethyl, NHR<3>, SO2NR<4>R<4>, or nitro; R<6> represents hydrogen or lower alkyl; and X represents nitrogen, oxygen, sulfur, or methylene, provided that when X represents nitrogen, oxygen, or sulfur, then R<9> represents hydrogen, one of R<7> an R<8> represents hydrogen, and the other thereof represents hydrogen, amino, acetylamino, or hydroxy, and when X represents methylene, then R<7> and R<8> each represents hydrogen and R<9> represents hydrogen, amino, etc. They have a  beta -3 adrenaline receptor agonist and are useful as drugs for the treatment and prevention of diabetes, obesity, hyperlipemia, etc. <CHEM>
Patent KR-100482792-B1 (KR)
Title: 비말분사장치의작동방법
IPC: B41J2/055
Filed: 1997-03-17
Granted: 2005-09-16
Abstract: 하나 또는 그 이상의 독립적으로 활성가능한 잉크 분사 챔버를 포함하는 비말 분사 장치에서, 전기 신호가 챔버간의 비말 유체의 온도 변화와 비말 분사 입력 데이터의 변화를 감소시키기 위하여 인가된다. 챔버 내 비말 유체의 온도를 변화시키는 데에 적절한 짧은 전위 차 펄스가 잉크 활성화 수단에 더 긴 지속시간 전압을 인가함으로써 발생될 수 있다.
Patent KR-100571982-B1 (KR)
IPC: H04N7/025
Filed: 1999-01-19
Granted: 2006-04-17
Abstract: 디지털방송에 MHEG데이타의 포함여부를 디지털 수상기에 나타내는, MHEG데이타의 전송유무를 표시하는 방송수상기는, TS스트림형태로 전송되는 디지털방송신호의 특정 섹션(section)을 검사하여 MHEG데이타가 디지털방송신호에 포함되어 있는지를 파악하고, 이러한 포함여부를 표시하기 위한 표시수단으로서의 LED를 방송수신기에 구비하고 있다. 따라서, 본 발명은 시청자로 하여금 디지털방송 시청과 동시에 MHEG데이타의 전송유무를 정확히 확인할 수 있도록 하는 효과가 있다. 
       
     색인어 누락
Patent KR-100580123-B1 (KR)
IPC: G02F1/136
Filed: 1999-01-30
Granted: 2006-05-15
Abstract: 폴리실리콘 TFT의 본체를 공통전극라인이나 게이트라인에 연결함으로써 채널 내에 전자 및 홀이 쌓이는 현상을 해결한 폴리실리콘 TFT와, 그를 위하여 폴리실리콘 TFT 본체의 일부 영역에 P+ 불순물 과다 영역(P+ Heavily Doped Region)을 형성하고 이를 공통전극라인이나 게이트라인에 연결 라인으로 연결하는 제조 방법에 관한 것으로서, 게이트 신호와 데이터 신호가 각각 인가되는 게이트라인과 데이터라인이 구성되고 상기 게이트라인에 대하여 각각 공통전극라인이 구성되며, 상기 게이트라인과 상기 데이터라인에 각각 게이트와 소스가 연결된 폴리실리콘 박막트랜지스터가 연결되고, 상기 폴리실리콘 박막트랜지스터의 본체 소정 부분이 소정 연결라인을 통하여 상기 공통전극라인과 전기적으로 연결되며, 화소전극과 연결되는 상기 폴리실리콘 박막트랜지스터의 드레인 쪽이 상기 공통전극라인과 대향되어 스토리지 캐패시터를 형성한다. 
     따라서, 폴리실리콘 TFT의 구조가 개선됨으로써 임팩트 이오나이제이션으로 인한 소자 특성 열화가 발생되지 않고, 폴리실리콘 TFT의 본체 전압이 고정됨으로써 액정표시장치에서 각 화소가 안정적으로 동작되어서 원하는 화면을 나타낼 수 있다.
Patent KR-100380243-B1 (KR)
Title: 자동차용 유니버셜 조인트의 연결구조
IPC: B62D1/16
Filed: 1999-02-10
Granted: 2003-04-14
Abstract: 본 발명은 자동차용 유니버셜 조인트의 연결구조에 대한 것으로서, 발명의 주된 목적은 파이프 조인트의 끝단에 마감부재를 끼우되, 그 속으로 끼워지는 샤프트 조인트와의 사이에 탄성 웨이브 링을 개입시켜 슬라이딩 마찰력의 정도가 항상 양호한 상태를 유지하면서 마모로 인한 유격 발생시 마모량 만큼 보상되어 유격이 발생하지 않도록 하는데 있다. 
     이를 위한 특징적인 수단은 스플라인 홈을 가지는 파이프 조인트 속으로 스플라인부를 가지는 샤프트 조인트를 끼워 길이 방향으로 슬라이딩 될 수 있도록 하되, 상기한 파이프 조인트의 끝단에 역시 스플라인 요홈을 가지는 마감부재를  끼우고, 상기 마감부재와, 스플라인부의 사이에 탄성을 가진 웨이브링을 끼워 유격을 보상할 수 있도록 하는데 있는 것이다.