Patent DE-102015105551-B4 (DE)
Title: Schaltkreise mit gate-all-around-technologie
Inventor: CHEN CHUNG-HUI
IPC: H01L27/088
Filed: 2015-04-12
Granted: 2022-03-03
Abstract: Halbleiterstruktur, die Folgendes umfasst:ein Substrat (BK);eine erste GAA-Struktur (200B; 200D; 300B; 300D; 300F), die dafür konfiguriert ist, einen ersten Schaltkreis (200A; 200C; 200E; 200F; 300A; 300C; 300E) zu bilden;eine zweite GAA-Struktur (200B; 200D; 300B; 300D; 300F), die dafür konfiguriert ist, einen zweiten Schaltkreis (200A; 200C; 200E; 200F; 300A; 300C; 300E; 300G) ähnlich dem ersten Schaltkreis (200A; 200C; 200E; 200F; 300A; 300C; 300E) zu bilden;wobei jede der ersten GAA-Struktur (200B; 200D; 300B; 300D; 300F) und der zweiten GAA-Struktur (200B; 200D; 300B; 300D; 300F) Folgendes umfasst:- mehrere GAA-Bauelemente (T1-T10), wobei jedes der mehreren GAA-Bauelemente (T1A-T3C) Folgendes umfasst:- mehrere Nanodrähte (NA) mit jeweils einem ersten Ende, das näher an dem Substrat (BK) liegt, und einem gegenüberliegenden zweiten Ende, das weiter entfernt von dem Substrat (BK) liegt;- eine erste OD-Region (ODB, ODT), die mit dem ersten oder dem zweiten Ende jedes der Nanodrähte (NA) verbunden ist, und eine zweite OD-Region (ODB, ODT), die mit dem anderen Ende jedes der Nanodrähte (NA) verbunden ist; und- eine Gate-Region (G), die sich vollständig um einen Abschnitt jedes der Nanodrähte (NA) herum legt;- mindestens ein erstes OD-Regionskontaktelement (MoB, MoT), das mit einer OD-Region (ODB, ODT) der mehreren GAA-Bauelemente (T1-T10) elektrisch gekoppelt ist;- mindestens ein zweites OD-Regionskontaktelement (MoB, MoT), das mit einer weiteren OD-Region (ODB, ODT) der mehreren GAA-Bauelemente (T1-T10) elektrisch gekoppelt ist; und- eine integrale erste OD-Region oder eine integrale zweite OD-Region, die eine kontinuierliche Dotierungsregion ist und ein erstes und ein zweites der mehreren GAA-Bauelemente elektrisch koppelt, wobei die beiden anderen OD-Regionen des ersten und des zweiten GAA-Bauelements voneinander getrennt sind;wobei die integrale OD-Region der ersten GAA-Struktur mit den Enden der jeweiligen Nanodrähte verbunden ist, die weiter entfernt von dem Substrat (BK) liegen als die jeweils anderen Enden;wobei die erste GAA-Struktur (200B; 200D; 300B; 300D; 300F) und die zweite GAA-Struktur (200B; 200D; 300B; 300D; 300F) im Wesentlichen ein gleiches von mindestens einem der folgenden Merkmale haben:- eine Anzahl von GAA-Bauelementen (T1-T10) der mehreren GAA-Bauelemente (T1-T10), die dafür konfiguriert sind, einen Strom zu führen, der von der ersten OD-Region (ODB, ODT) zur zweiten OD-Region (ODB, ODT) fließt;- eine Anzahl von GAA-Bauelementen (T1-T10) der mehreren GAA-Bauelemente (T1-T10), die dafür konfiguriert sind, einen Strom zu führen, der von der zweiten OD-Region (ODB, ODT) zur ersten OD-Region (ODB, ODT) fließt;- eine Anzahl von integralen ersten OD-Regionen (ODB, ODT) der mehreren GAA-Bauelemente (T1-T10);- eine Anzahl von integralen zweiten OD-Regionen (ODB, ODT) der mehreren GAA-Bauelemente (T1-T10);- eine Ausrichtung und eine entsprechende Richtung des Stromflusses (120) durch die erste GAA-Struktur (200B; 200D; 300B; 300D; 300F) oder die zweite GAA-Struktur (200B; 200D; 300B; 300D; 300F);- eine Anzahl des mindestens einen ersten OD-Regionskontaktelements (MoB, MoT);- eine Ausrichtung des mindestens einen ersten OD-Regionskontaktelements (MoB, MoT);- eine Anzahl des mindestens einen zweiten OD-Regionskontaktelements (MoB, MoT);- eine Ausrichtung des mindestens einen zweiten OD-Regionskontaktelements (MoB, MoT);- eine Anzahl des mindestens einen Nanodrahtes (NA) für jedes entsprechende GAA-Bauelement der ersten GAA-Struktur (200B; 200D; 300B; 300D; 300F) und der zweiten GAA-Struktur (200B; 200D; 300B; 300D; 300F);- eine Anzahl von Reihen des mindestens einen Nanodrahtes (NA), die in einem Array für jedes entsprechende GAA-Bauelement (T1-T10) der ersten GAA-Struktur (200B; 200D; 300B; 300D; 300F; 300H) und der zweiten GAA-Struktur (200B; 200D; 300B; 300D; 300F) angeordnet sind;- eine Anzahl von Nanodrähten (NA) in einer Reihe des mindestens einen Nanodrahtes (NA), die in dem Array für jedes entsprechende GAA-Bauelement der ersten GAA-Struktur (200B; 200D; 300B; 300D; 300F) und der zweiten GAA-Struktur (200B; 200D; 300B; 300D; 300F) angeordnet sind;- eine Anzahl von Spalten des mindestens einen Nanodrahtes (NA), die in dem Array für jedes entsprechende GAA-Bauelement der ersten GAA-Struktur (200B; 200D; 300B; 300D; 300F; 300H) und der zweiten GAA-Struktur (200B; 200D; 300B; 300D; 300F) angeordnet sind;- eine Anzahl von Nanodrähten (NA) in einer Spalte des mindestens einen Nanodrahtes (NA), die in dem Array für jedes entsprechende GAA-Bauelement (T1-T10) der ersten GAA-Struktur (200B; 200D; 300B; 300D; 300F) und der zweiten GAA-Struktur (200B; 200D; 300B; 300D; 300F) angeordnet sind; und- eine Form des mindestens einen Nanodrahtes (NA) für jedes entsprechende GAA-Bauelement (T1-T10) der ersten GAA-Struktur (200B; 200D; 300B; 300D; 300F) 300F) und der zweiten GAA-Struktur (200B; 200D; 300B; 300D; 300F).