Patent PL-424119-A1 (PL)
Inventor: KRUPSKI PIOTR
IPC: H02M3/335
Filed: 2017-12-29
Abstract: Układ zasilania reaktora plazmowego ze ślizgającym się wyładowaniem, charakteryzuje się tym, że wejście napięcia stałego (1) połączone jest równolegle z kondensatorem elektrolitycznym (2) połączonym z masą. Wejście napięcia stałego (1) połączone jest szeregowo z przekładnikiem prądowym (3), który połączony jest z odczepem środkowym uzwojenia pierwotnego (4) transformatora podwyższającego (5). Transformator podwyższający (5) połączony jest szeregowo początkiem uzwojenia pierwotnego (4) z kolektorem pierwszego łącznika tranzystorowego IGBT (7a), który podłączony jest swoim emiterem z masą. Pierwszy przełącznik tranzystorowy IGBT (7a) połączony jest od strony złącz kolektor-emiter równolegle z diodą (8a), która usytuowana jest anodą w kierunku emitera pierwszego łącznika tranzystorowego IGBT (7a) i masy. Pierwszy łącznik tranzystorowy IGBT (7a) połączony jest równolegle z dwiema szeregowymi diodami transil dwukierunkowymi (9a) połączonymi z masą. Pierwszy łącznik tranzystorowy IGBT (7a) połączony jest równolegle z dwójnikiem RC, składającym się z rezystora (10a) połączonego szeregowo z kondensatorem (11a), który podłączony jest z masą. Bramka pierwszego łącznika tranzystorowego IGBT (7a) połączona jest poprzez diodę transil dwukierunkową (12a) do masy. Bramka pierwszego łącznika tranzystorowego IGBT (7a) połączona jest poprzez rezystor (16a) z pierwszym wyjściem sygnału modulacji szerokości impulsu (y) sterownika modulacji szerokości impulsu (S1). Bramka pierwszego łącznika tranzystorowego IGBT (7a) połączona jest dodatkowo poprzez rezystor (13a) z pierwszym łącznikiem tranzystorowym MOSFET (14a) od strony drenu, który podłączony jest od strony źródła z anodą diody szeregowej (15a), której katoda podłączona jest z wyjściem pierwszego sygnału modulacji szerokości impulsu (y) sterownika modulacji szerokości impulsu (S1). Bramka pierwszego łącznika tranzystorowego MOSFET (14a) połączona jest z wyjściem sygnału sterującego (z) sterownika zapłonowego (S2). Transformator podwyższający (5) połączony jest szeregowo końcem uzwojenia pierwotnego (4) z kolektorem drugiego łącznika tranzystorowego IGBT (7b), który podłączony jest swoim emiterem z masą. Z kolei drugi łącznik tranzystorowy IGBT (7b) połączony jest od strony złącz kolektor-emiter równolegle z diodą (8b), która usytuowana jest anodą w kierunku emitera drugiego łącznika tranzystorowego IGBT (7b) oraz drugi łącznik tranzystorowy IGBT (7b) połączony jest równolegle z dwiema szeregowymi drugimi diodami transil dwukierunkowymi (9b) połączonymi do masy. Drugi łącznik tranzystorowy IGBT (7b) połączony jest równolegle z dwójnikiem RC składającym się z rezystora (10b) połączonego szeregowo z kondensatorem (11b), który podłączony jest do masy. Bramka drugiego łącznika tranzystorowego IGBT (7b) połączona jest poprzez diodę transil dwukierunkową (12b) do masy oraz bramka drugiego łącznika tranzystorowego IGBT (7b) połączona jest poprzez rezystor (16b) z wyjściem drugiego sygnału modulacji szerokości impulsu (y'), sterownika modulacji szerokości impulsu (S1) do masy, zaś bramka drugiego łącznika tranzystorowego IGBT (7b) połączona jest od strony drenu poprzez rezystor (13b) z drugim łącznikiem tranzystorowym MOSFET (14b), który podłączony jest od strony źródła z anodą diody (15b). Bramka drugiego łącznika tranzystorowego MOSFET (14b) połączona jest z wyjściem sygnału sterującego (z) sterownika zapłonowego (S2). Przekładnik prądowy (3) połączony jest wyjściem sygnałowym (i) ze sterownikiem zapłonowym (S2) oraz ze sterownikiem modulacji szerokości impulsu (S1). Uzwojenie wtórne (6) transformatora podwyższającego (5) połączone jest z reaktorem plazmowym (17).