baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent TW-I636370-B (TW)
Title: Establishing chart indexing method and computer program product by text information
Inventor: Xu ting-wei
IPC: G06F3/048
Filed: 2016-12-09
Granted: 2018-09-21
Abstract: 本發明係提供一種以文字資訊建立圖表索引方法及其電腦程式產品。前述方法包含下列步驟：讀取檔案內與目標圖表關聯之文章段落資訊或句子資訊、分析文章段落資訊或句子資訊之集合，以萃取複數個重點關注詞彙、對重點關注詞彙進行權重處理以及排序，以選出一個或多個候選詞彙、以及依據候選詞產生虛擬圖表訊息目錄及圖式索引資訊。
Patent TW-I726962-B (TW)
Title: 液晶顯示元件、液晶光學元件及液晶構造體安定化膜用組成物
Inventor: NODA TAKAHIRO
IPC: C08L79/08
Filed: 2016-12-22
Granted: 2021-05-11
Abstract: 提供顯示特性、電特性等之諸性能優異，宜用於大畫面且高精細的液晶電視等之液晶顯示元件。
 
     含有由含有側鏈構造的聚醯胺酸、含有側鏈構造的聚醯胺酸酯、及使前述聚醯胺酸或聚醯胺酸酯醯亞胺化而成的聚醯亞胺所成群組中選出的至少1種之聚合物、與可使摩擦耐性提升的添加劑，且表面平均面粗度Ra為1.0nm以下之液晶構造體安定化用之膜對向配置的具備於附有液晶構造體安定化膜的基板之間含有液晶的液晶晶胞與偏光板的液晶顯示元件。
Patent TW-I722098-B (TW)
Title: Downlink common burst channelization
Inventor: JI TINGFANG
IPC: H04L1/12
Filed: 2017-01-20
Granted: 2021-03-21
Abstract: Techniques for utilizing resources in a downlink (DL) common burst are described herein. In one aspect, a channel state information reference signal (CSI-RS) may be included in the DL common burst for channel estimation. In another aspect, a demodulation reference signal (DM-RS) and DL data may be included in the DL common burst for low latency data transmission. In yet another aspect, a measurement reference signal (M-RS) may be included in the DL common burst to assist handover decisions. The techniques described herein may be used for various wireless communications systems.
Patent TW-I665682-B (TW)
Title: Semiconductor memory device and memory system
Inventor: UTSUNOMIYA YUKO
IPC: G11C16/26
Filed: 2017-02-10
Granted: 2019-07-11
Abstract: 本發明之實施形態提供一種可於使用保持有寫入動作重新開始所需之資料之閂鎖電路執行讀取動作之後，重新開始寫入動作之半導體記憶裝置及記憶體系統。 一實施形態之半導體記憶裝置具備：第1感測放大器單元，其包含可保持資料之第1閂鎖電路；及控制部。上述控制部執行如下動作：第1動作，其於寫入動作中斷後且接收指示讀取動作之第1指令前，將保持於上述第1閂鎖電路、且包含上述中斷之寫入動作之驗證結果之第1資料傳送至上述第1感測放大器單元之外部；及第2動作，其於上述讀取動作結束後且接收指示重新開始上述中斷之寫入動作之第2指令前，將傳送至上述第1感測放大器單元之外部之第1資料傳送至上述第1閂鎖電路。
Patent TW-I611724-B (TW)
Title: 用於發光二極體照明系統中的電流調節的系統和方法
Inventor: LI MENG
IPC: H05B37/02
Filed: 2015-10-13
Granted: 2018-01-11
Abstract: 本發明公開了用於發光二極體照明系統的電流調節的系統和方法。系統和方法在這裡被提供用於電流調節。示例系統控制器包括：第一控制器端子，被配置為接收輸入電壓，第一控制器端子還被配置為響應於一個或多個開關被閉合，至少部分地基於輸入電壓來允許第一電流流入系統控制器；第二控制器端子被配置為響應於一個或多個開關被閉合，允許第一電流通過第二控制器端子流出系統控制器；第四控制器端子，通過第一電容器被耦合至第三控制器端子，第一電容器不是系統控制器中的任何部分；誤差放大器，被配置為至少部分地基於電流感測信號生成補償信號，誤差放大器包括第二電容器。
Patent TW-I794159-B (TW)
Title: 胺基甲酸酯樹脂組成物、及使用其之胺基甲酸酯樹脂成形物
Inventor: TAKIKAWA YUKO
IPC: F16C13/00
Filed: 2017-02-23
Granted: 2023-03-01
Abstract: 本發明提供一種胺基甲酸酯樹脂組成物，其係含有胺基甲酸酯樹脂的胺基甲酸酯樹脂組成物，該胺基甲酸酯樹脂係包含聚碳酸酯多元醇(a1)的多元醇(A)和聚異氰酸酯(B)之反應物，其特徵為：前述聚碳酸酯多元醇(a1)係使用包含以下述通式(1)表示之羥基化合物(c1)的羥基化合物(C)作為原料。此胺基甲酸酯樹脂組成物，可形成具有優異的耐溶劑性及耐水解性之胺基甲酸酯樹脂成形物。
Patent TW-I719152-B (TW)
Title: 偶氮化合物或其鹽及含有該等化合物之偏光膜
Inventor: HIGETA TAKAHIRO
IPC: G02B5/30
Filed: 2017-02-24
Granted: 2021-02-21
Abstract: 本發明係以提供一種具有優異之偏光性能及耐濕性．耐熱性．耐光性的高性能染料系偏光膜及染料系偏光板，尤其是中性灰之高性能染料系膜及染料系偏光板，以及將其製造變可能之偶氮化合物或其鹽作為目的。
 
     本發明係提供一種式(1)表示之偶氮化合物或其鹽，
Patent TW-I655730-B (TW)
Title: 扇出型半導體封裝
Inventor: BAN YOUNG MIN
IPC: H01L23/498
Filed: 2017-03-06
Granted: 2019-04-01
Abstract: 一種扇出型半導體封裝包括：第一互連構件，具有貫穿
孔；半導體晶片，安置於貫穿孔中且具有主動表面及與主動表面相對的被動表面，主動表面上安置有連接墊；囊封體，囊封第一互連構件的至少某些部分及半導體晶片的被動表面的至少某些部分；以及第二互連構件，安置於第一互連構件上及半導體晶片的主動表面上，其中第一互連構件及第二互連構件分別包括電性連接至連接墊的重佈線層，半導體晶片包括具有暴露出連接墊的至少一部分的開口的保護層，第二互連構件的重佈線層經由介層窗連接至連接墊，且介層窗覆蓋保護層的至少一部分。
Patent TW-I633300-B (TW)
Inventor: CHUANG WEN CHUNG
IPC: G01N21/88
Filed: 2017-03-06
Granted: 2018-08-21
Abstract: 本發明揭露一種薄膜電晶體(Thin-Film Transistor，TFT)面板缺陷之檢測方法及其裝置，該方法包括施加電壓至面板之線路，其中該線路包含複數個位置，利用熱像儀掃描複數個位置，以獲得複數個位置之複數筆溫度影像資料，以及比對複數筆溫度影像資料與正常溫度影像資料以檢測出異常影像資料，當判斷該異常影像資料所代表之相對應位置之溫度高於使用者設定值時，即將與各異常影像相對應的所有位置標示為存有缺陷之位置，俾利於進行後續製程。
Patent TW-I624938-B (TW)
Inventor: LIU CHUNG-CHAN
IPC: H01L27/15
Filed: 2017-03-28
Granted: 2018-05-21
Abstract: 一種微發光二極體顯示裝置，具有相對配置的第一基板與第二基板，複數個微發光二極體分別設置於第一基板與第二基板的相鄰表面，藉此即能高密度設置微發光二極體而提升解析度；當第一基板與第二基板皆為可撓性基板，加上前述微發光二極體分設於第一基板與第二基板，則能改善微發光二極體顯示裝置的可撓性；當再採取反射杯對應微發光二極體設置，則更可增強亮度或改變出光方向，於是成為能改善亮度、可撓度、與增大解析度的微發光二極體顯示裝置。
Patent TW-I696485-B (TW)
Title: 抓爪結構之改良
Inventor: LIN YI-HE
IPC: A63F9/30
Filed: 2017-05-23
Granted: 2020-06-21
Abstract: 本發明係為一種抓爪結構之改良，包含有一本體，本體內設有一閥管，閥管外之上、下端分別纏繞有一上線圈段、下線圈段，且該上線圈段之末端並與下線圈段之起始端對接連結，而上線圈段之起始端與下線圈段之末端則與電源供應裝置樞接，當上線圈段與下線圈段通電後，上線圈段與下線圈段之可產生磁極使形成一電磁閥；又，該本體之底部樞設有夾爪，夾爪並與一立管樞接結合，該立管係伸置於閥管內，令夾爪可依立管於閥管內之升降而可向內夾持或向外擴張，且該立管上並設有磁性元件；藉此，俾提供一種可改變抓爪升降之位移距離、適用多尺寸之抓爪，且可降低製造成本之抓爪結構。
Patent TW-I638219-B (TW)
Inventor: TSAI HUNG CHI
IPC: G03B21/28
Filed: 2017-07-04
Granted: 2018-10-11
Abstract: 光源模組包含濾光輪、複合光源、及第三光源。濾光輪可相對軸心轉動，包含第一色光濾光區、第二色光濾光區、以及光穿透區。複合光源發出由第一色光及第二色光組成之複合色光。當濾光輪轉動至第一色光濾光區與濾光光路對應，複合色光射向第一色光濾光區濾出第一色光。當濾光輪轉動至第二色光濾光區與濾光光路對應，複合色光射向第二色光濾光區濾出第二色光。當濾光輪轉動至光穿透區與濾光光路對應，複合光源選擇性地開啟發出複合色光通過光穿透區。第三光源於濾光光路與光穿透區對應時，選擇性地開啟發出第三色光，並使其會合進入濾光光路。
Patent TW-I635544-B (TW)
Title: 半導體裝置之製造方法及半導體裝置
Inventor: SHIMA MASAYA
IPC: G03F1/80
Filed: 2017-07-07
Granted: 2018-09-11
Abstract: 本發明之實施形態提供一種能夠一面抑制半導體晶圓損傷、一面在將複數個半導體晶圓積層後一起進行單片化之半導體裝置之製造方法及半導體裝置。 本實施形態之半導體裝置之製造方法係將第1半導體基板與第2半導體基板積層，該第1半導體基板具有包含半導體元件之第1面及位於該第1面之相反側之第2面，該第2半導體基板具有包含半導體元件之第3面及位於該第3面之相反側之第4面。自第1半導體基板之第2面進行蝕刻，形成自該第2面到達至第1面之第1接觸孔，並且於第1半導體基板之第2面中之第1區域形成第1槽。形成被覆第1槽之第1遮罩材。將第1遮罩材用作遮罩而於第1接觸孔內形成第1金屬電極。去除第1遮罩材之後，將第1半導體基板之第1區域切斷。
Patent TW-I806832-B (TW)
Title: 2,5-disubstituted 3-methyl pyrazines and 2,5,6-trisubstituted 3-methyl pyrazines as allosteric shp2 inhibitors
Inventor: KOLTUN ELENA
IPC: C07D401/04
Filed: 2017-07-11
Granted: 2023-07-01
Abstract: The present disclosure is directed to inhibitors of SHP2 and their use in the treatment of disease. Also disclosed are pharmaceutical compositions comprising the same.
Patent TW-I620294-B (TW)
Inventor: YAMAZAKI SHUNPEI
IPC: G02F1/1333
Filed: 2009-09-15
Granted: 2018-04-01
Abstract: 本發明的一個方式的顯示裝置，包括：具有以矩陣形狀排列的像素電極層的像素部；以及，對應於該像素電極層而設置的由含氧量不同的至少兩種氧化物半導體層組合而構成的反交錯型薄膜電晶體。其中，在該顯示裝置中的像素部的周邊，設置有藉由由與像素電極層相同的材料形成的導電層而與形成在對置基板上的共同電極層電連接的焊盤部。藉由提供適合於在顯示面板中設置焊盤部的結構，可以實現本發明的目的之一，即：防止在各種顯示裝置中的起因於薄膜剝落的缺陷。
Patent TW-I648704-B (TW)
Title: Electronic game consoles encourage cross-store betting awards
Inventor: LUO ZHI-ZONG
IPC: A63F3/06
Filed: 2017-09-01
Granted: 2019-01-21
Abstract: 本發明涉及一種電子遊戲機鼓勵跨店投注之給獎系統，包括：至少二店家營運單元，各該店家營運單元包含一第一電腦、一第二電腦及一第三電腦，該第一電腦包含一玩家資訊驗證單元及一連接複數玩家端機台之押金回饋程序，且各該玩家端機台可顯示一玩家操作介面；該第二電腦連接至少一遊戲機，且該第二電腦藉由網路連接其他該些店家營運單元之第三電腦，該第三電腦包含一核驗單元；該玩家操作介面包含一玩家登入欄、一主遊戲欄及一跨店遊戲選擇欄；該押金回饋程序設定一押注金額範圍，並可判斷玩家總押注額度是否符合回饋給獎資格，若符合資格則於該玩家操作介面顯示一回饋給獎選單；藉由上述系統，具有鼓勵玩家提高投注額之功效，並實際回饋玩家，相對地提高店家營收之功效。
Patent TW-I660948-B (TW)
Inventor: CHIN GREGORY
IPC: C07D471/04
Filed: 2017-09-01
Granted: 2019-06-01
Abstract: 本申請案概言之係關於類鐸受體調節劑化合物及尤其調節類鐸受體(例如TLR8)之醫藥組合物、以及其製備及使用方法。
Patent TW-I651345-B (TW)
Inventor: CHANG MEI-YING
IPC: C08J5/18
Filed: 2017-09-29
Granted: 2019-02-21
Abstract: 一種可撓式透明導電膜之製造方法，其混合一PEDOT:PSS水溶液及一極性溶劑以形成一混合液，將該混合液塗佈於一基板表面後，乾燥該混合液以形成一可撓式透明導電膜，本發明藉由該極性溶劑改變PEDOT:PSS排列方式，使其導電度大幅提昇，因此所製造之該可撓式透明導電膜可作為透明電極應用於有機發光二極體，以提昇有機發光二極體之效能。
Patent TW-I655063-B (TW)
Title: Device for limiting torque with three bridges
Inventor: SHIMAHARA HIDEKI
IPC: F16B31/02
Filed: 2017-10-30
Granted: 2019-04-01
Abstract: 本發明關於用於限制轉矩的裝置，該裝置具有用於螺母或螺釘頭的保持元件，其中，保持元件在保持元件的後部區域中具有頭部，頭部具有攜動輪廓以用於頭部與安置工具的不可相對轉動的耦合，且保持元件在保持元件的前部區域中具有容納件，容納件具有容納部以用於不可相對轉動地容納螺母或螺釘頭。根據本發明設置成，保持元件具有三個傳遞轉矩的橋接件，橋接件連接容納件和頭部，且橋接件構成預定斷裂部位。本發明還關於由這種裝置和膨脹錨栓構成的保持組件。
Patent TW-I738916-B (TW)
Title: Film for increasing a feel of writing (film for an input pen device)
Inventor: SASAKI HARUKA
IPC: B32B7/02
Filed: 2017-11-10
Granted: 2021-09-11
Abstract: The present invention aims to provide a film for effectively reproducing a feel of writing like the paper by a pencil. The present invention provides a film including a substrate and a layer for increasing a feel of writing, wherein an average amplitude should be a value within 0.8 to 3 in the frequency of 1 to 2 Hz, which is measured from the frequency (Hz) - amplitude (-) chart calculated by Fourier-transformation on the movement distance (mm)- pen tip resistance force (mN) chart obtained from the condition that the touch pen including a hard felt core with a tip having a dimeter of 0.5mm is touched to the film surface at a pressurizing condition of a load of 3.92 N and is moved in the optional direction parallel to the film surface at a speed of 100 mm/min.
Patent TW-I728204-B (TW)
Title: 結構體、固體攝像元件、紅外線感測器及組成物
Inventor: TAKISHITA Hirotaka
IPC: H01L31/0232
Filed: 2017-11-15
Granted: 2021-05-21
Abstract: 本發明提供一種能夠靈敏度良好地進行利用近紅外線之感測之紅外線感測器等中使用之結構體、固體攝像元件及紅外線感測器。又，提供一種前述結構體的製造中使用之組成物。該結構體（10）具有：近紅外線透射濾波器（12），遮蔽可見區域的光，並使近紅外區域的光中的至少一部分透射；及構件（13），在近紅外線透射濾波器（12）的光路上且向近紅外線透射濾波器（12）的入射光側及來自近紅外線透射濾波器（12）的射出光側中的至少一側設置，使近紅外區域的光透射，且相對於近紅外區域的光之折射率為1.7以上。
Patent TW-I752119-B (TW)
Inventor: HASHIMOTO MASAHIRO
IPC: G03F1/32
Filed: 2017-11-21
Granted: 2022-01-11
Abstract: To provide a mask blank comprising a thin film for forming a transfer pattern on a transparent substrate, wherein the mask blank has a sufficiently rapid correction rate in an EB defect correction and a sufficiently high correction rate ratio of the thin film with respect to the transparent substrate in the EB defect correction even if the thin film is made of a material containing silicon and nitrogen; a method for manufacturing a transfer mask using this mask blank; and a method for manufacturing a semiconductor device using this transfer mask. A mask blank comprising a thin film for forming a transfer pattern on a transparent substrate, wherein the thin film is made of a material containing silicon and nitrogen, and wherein when a plurality of measuring points are set in a thickness direction within an internal region of the thin film which is a region excluding a region of the thin film adjacent to an interface between the thin film and the transparent substrate and a surface layer region of the thin film opposite the transparent substrate, so as to perform X-ray photoelectron spectrometry to obtain respective maximum peaks PSi_fi of photoelectron intensity for Si2p narrow spectra at the plurality of measuring points in the internal region and to obtain an average value PSi_fi_av of the respective received maximum peaks PSi_fi; and a plurality of measuring points are set in the thickness direction within the transparent substrate, so as to perform the X-ray photoelectron spectrometry to obtain respective maximum peaks PSi_sb of the photoelectron intensity for the Si2p narrow spectra at the plurality of measuring points in the transparent substrate and to obtain an average value PSi_sb_av of the respective received maximum peaks PSi_sb, a numerical value calculated by dividing the average value PSi_fi_av for the thin film by the average value PSi_sb_av for the transparent substrate (PSi_fi_av)/(PSi_sb_av) is 1.08 or more. The mask blank of the present invention can increase a correction rate in the EB defect correction of the thin film, and also increase a correction rate ratio of the thin film with respect to the transparent substrate in the EB defect correction. According to the method for manufacturing a transfer mask of the present invention, even if the EB defect correction is performed on a black defect portion in a thin film pattern in course of the manufacture of the transfer mask, the excessive digging on a surface of the transparent substrate near the black defect can be suppressed. Therefore, a transfer mask manufactured by the method for manufacturing a transfer mask according to the present invention is a transfer mask which has high transfer accuracy.
Patent TW-I657591-B (TW)
Inventor: HUANG CHENG-CHIA
IPC: H01L31/054
Filed: 2017-11-29
Granted: 2019-04-21
Abstract: 太陽能光學膜疊層及其製造方法。太陽能光學膜疊層包括一第一感壓黏著層及一第二感壓黏著層。第一感壓黏著層由第一感壓性黏著組成物形成。第一感壓性黏著組成物包括一第一感壓膠組成物及一電解質材料。第二感壓黏著層接觸第一感壓黏著層。第二感壓黏著層由第二感壓性黏著組成物形成。第二感壓性黏著組成物包括一第二感壓膠組成物、一光敏性染料及一金屬氧化物粒子。
Patent TW-I654499-B (TW)
Title: 判定特徵之位置之方法、系統及電腦程式產品
Inventor: HUIJGEN RALPH TIMOTHEUS
IPC: G03F9/00
Filed: 2017-12-15
Granted: 2019-03-21
Abstract: 本發明提供一種用於判定參照一基板之一特徵之一位置的方法、系統及程式。該方法包含：量測該特徵之一位置；接收該特徵之一預期置放；及基於參照一基板上之一第一層之一第一參考特徵相對於參照一基板上之一第二層之一第二參考特徵的一相對位置的知識而判定一置放誤差之一估計。可使用經更新位置以定位包含該特徵的該基板之該層，或該基板之另一層，或另一基板之另一層。
Patent TW-I793100-B (TW)
Title: 圖案化方法與防止光阻被汙染的方法
Inventor: HSIEH HSIN-YU
IPC: G03F7/20
Filed: 2018-01-26
Granted: 2023-02-21
Abstract: 圖案化方法包括以下步驟。形成沉積層，其殘留一鹼性汙染物。接著，在沉積層上形成阻擋層，其中阻擋層用於提供酸根，以中和鹼性汙染物。之後，在阻擋層上形成光阻圖案。接著，以光阻圖案作為遮罩，蝕刻沉積層。
Patent TW-I655977-B (TW)
Title: Hot rolled test piece leveling device
Inventor: LU YU-QIAN
IPC: B21D1/00
Filed: 2018-02-14
Granted: 2019-04-11
Abstract: 本創作為一種熱軋試片整平裝置，其包括一第一模具及一第二模具；其中，該第一模具包括有一整平凸部，該整平凸部係為凸起的鐘形曲面且具有相對的二端，該第二模具包括有能與該整平凸部相配合的一整平凹部，該整平凹部係為凹陷的鐘形曲面且具有相對的二端；本創作於第一模具與第二模具分別所設之鐘形曲面般的整平凸部與整平凹部能夠相配合、夾掣試片，且平均地對試片施力而整平試片，能解決現有的試片整平方式不容易判斷施力程度以及施力不均勻，而導致試片整平程序耗時過長的問題，提供一種能縮短整平試片時間的熱軋試片整平裝置。
Patent TW-I775815-B (TW)
Inventor: HONG SEUNGGYUN
IPC: G01N21/89
Filed: 2018-03-01
Granted: 2022-09-01
Abstract: A printing apparatus (50) that performs printing, during transporting a film (F105) having an elongated band shape, on a recording region (S) along an end edge part of the film (F105) includes: a printing head (13a) that performs printing with respect to the film (F105); a meander detection part (53) that detects meandering of the film (F105); and a head operation part (51) that operates the printing head (13a) to move in a direction which intersects with a transport direction of the film (F105), wherein the head operation part (51) moves the printing head (13a) to a position that is opposed to the recording region (S) in accordance with the meandering of the film (F105) that is detected by the meander detection part (53).
Patent TW-I778027-B (TW)
Title: 胺基酸聚合物之製造方法
Inventor: KAJIHARA YASUHIRO
IPC: C07K1/00
Filed: 2018-03-02
Granted: 2022-09-21
Abstract: 本發明之課題為提供相較於以往的胺基酸聚合物之製造方法，更簡便且有效率地製造胺基酸聚合物之方法。  　　其解決手段為提供使用了硫代酸胺基酸的胺基酸之聚合物之製造方法。具體而言，本發明之製造方法包含(A)準備第1及第2硫代酸胺基酸之步驟，與(B)使前述第1及第2硫代酸胺基酸進行氧化反應，取得以胜肽鍵連結之胺基酸之聚合物的步驟。本發明之製造方法，其特徵為一部分使用不具有保護基之硫代酸胺基酸。
Patent TW-I681532-B (TW)
Inventor: BELLAOUAR ABDELLATIF
IPC: H03K17/16
Filed: 2018-04-24
Granted: 2020-01-01
Abstract: 本發明揭露具有開關的電子電路以及操作電子電路中的開關的方法。第一放大器通過第一路徑與天線耦接。第二放大器通過第二路徑與該天線耦接。電晶體在一節點與該第一路徑耦接。該第一電晶體包括背閘極。背閘極偏壓電路與該第一電晶體的該背閘極耦接。該背閘極偏壓電路經配置成向該第一電晶體的該背閘極供應偏壓電壓，從而降低該電晶體的閾值電壓。
Patent TW-I755529-B (TW)
Inventor: PARKER JOHN
IPC: G02B6/122
Filed: 2018-05-03
Granted: 2022-02-21
Abstract: Method and systems are presented for heterogeneous integration of photonics and electronics with atomic layer deposition (ALD) bonding. One method includes operations for forming a compound semiconductor and for depositing (e.g. via atomic layer deposition) a continuous film of a protection material (e.g., Al 2 O 3 ) on a first surface of the compound semiconductor. Further, the method includes an operation for forming a silicon on insulator (SOI) wafer, with the SOI wafer comprising one or more waveguides. The method further includes bonding the compound semiconductor at the first surface to the SOI wafer to form a bonded structure and processing the bonded structure. The protection material protects the compound semiconductor from acid etchants during further processing of the bonded structure.
Patent TW-I669017-B (TW)
Inventor: WU CHIH-HSIANG
IPC: H04W72/04
Filed: 2018-06-07
Granted: 2019-08-11
Abstract: 一種通訊裝置，在與一第一基地台及一第二基地台的雙連結中，包含至少一儲存裝置，用來儲存指令，以及至少一處理電路，耦接在該至少一儲存裝置。該至少一處理電路被設定以執行儲存於該至少一儲存裝置中指令。該指令包含根據主要細胞群組組態，與第一基地台通訊，以及根據第一次要細胞群組組態，與第二基地台通訊；從第一基地台，接收無線資源控制訊息；以及當無線資源控制訊息包含第二次要細胞群組組態及指示釋放次要細胞群組的指示時，根據指示，釋放第一次要細胞群組組態，以及根據第二次要細胞群組組態，與第三基地台通訊。
Patent TW-I697162-B (TW)
Inventor: IVANENKO MIKHAIL
IPC: H01S5/20
Filed: 2018-06-29
Granted: 2020-06-21
Abstract: Apparatus for generating a line-shaped intensity distribution of a laser radiation, said apparatus comprising two beam transformation apparatuses (2, 3), which are spaced apart from one another; focusing means (5a, 5b, 6a, 6b), which can focus the laser radiation, which has passed through the two beam transformation apparatuses (2, 3), into a line-shaped intensity distribution, wherein the apparatus is designed in such a way that the line width in line transverse direction of the line-shaped intensity distribution can be changed by changing the distance between the two beam transformation apparatuses (2, 3).
Patent TW-I685905-B (TW)
Title: 接合裝置和接合方法
Inventor: SEYAMA KOHEI
IPC: H01L21/60
Filed: 2018-07-10
Granted: 2020-02-21
Abstract: 本發明提供一種接合裝置和接合方法，於為了防止上爬
而使用膜的接合裝置中，抑制裝置的生產性下降。接合裝置具備：接合機構，具有經由膜而可裝卸地保持半導體晶粒的接合面、及朝接合面提供熱的加熱器；膜搬送機構，朝接合面供給膜；剝離桿，可進入膜與接合面之間；以及驅動部，驅動剝離桿。
Patent TW-I775905-B (TW)
Inventor: MATSUMURA KAZUKI
IPC: H05K3/46
Filed: 2018-07-24
Granted: 2022-09-01
Abstract: 本發明提供一種多層印刷配線板之製造方法，其在印刷配線板之導體配線上加上絕緣層及金屬箔來製造多層印刷配線板時，即使於印刷配線板產生有該導體配線側之面突出的翹曲，仍可製造可減緩該翹曲的多層印刷配線板。 於第一金屬箔與第二金屬箔之間包夾第一預浸體而將該等積層來製作第一積層物後，將之熱壓使第一預浸體熱硬化來製造雙面覆金屬積層板。從雙面覆金屬積層板去除一部分的第一金屬箔來製作導體配線，藉以製造印刷配線板。將第三金屬箔預加熱後，以在印刷配線板之導體配線與第三金屬箔之間包夾第二預浸體的方式將該等積層並熱壓。第一絕緣層之線膨脹係數分別比第一金屬箔及第二金屬箔之線膨脹係數更低。
Patent TW-I666192-B (TW)
Inventor: SHAO CHING HENG
IPC: C04B5/06
Filed: 2018-08-07
Granted: 2019-07-21
Abstract: 本發明提供一種高爐堵泥材組成物，其包含堵泥材料和黏結劑，其中堵泥材料包含骨粉料以及表面包覆矽有機物及/或鋁有機物並具有特定粒徑的親油性金紅石鈦白粉。上述親油性金紅石鈦白粉可改善高爐堵泥材組成物的塑性經時穩定性、減少黏結劑的使用量、降低碳磚溫度，以及提高堵泥材的燒結強度、抗渣銑侵蝕性以及出鐵實績。
Patent TW-I770251-B (TW)
Title: 晶圓之加工方法
Inventor: MORIKAZU HIROSHI
IPC: H01L21/304
Filed: 2018-08-13
Granted: 2022-07-11
Abstract: [課題]提供可以在單晶矽晶圓形成適當的潛盾隧道，可以藉由潛盾隧道和電漿蝕刻之複合加工，將單晶矽晶圓分割成各個裝置晶片之晶圓之加工方法。  　　[解決手段]晶圓之加工方法包含：保護構件配設工程，其係在晶圓(2)之表面(2a)配設保護構件；潛盾隧道形成工程，其係從晶圓(2)之背面(2b)對與分割預定線(4)對應之區域，照射相對於單晶矽具有穿透性之波長的脈衝雷射光線(LB)而連續性地形成從背面(2b)至表面(2a)之細孔(52)和圍繞細孔(52)之非晶質(54)所構成的複數潛盾隧道(56)；及分割工程，其係藉由電漿蝕刻對潛盾隧道(56)進行蝕刻而將晶圓(2)分割成各個晶片，將在潛盾隧道工程中所使用的雷射光線(LB)之波長設定成1950nm以上。
Patent TW-I686701-B (TW)
Inventor: LADDU KEETH SALIYA JAYASINGHE
IPC: G06F9/44
Filed: 2018-08-16
Granted: 2020-03-01
Abstract: 提供一種裝置，其包含至少一處理器、包括電腦程式碼的至少一記憶體，且該至少一處理器，配合該至少一記憶體與電腦程式碼，被配置來致使該裝置至少執行：產生包括資訊位元及同位位元的一編碼區塊，該等同位位元係藉由對該等資訊位元執行一循環冗餘檢查而產生、基於一應用之線性錯誤更正碼基礎圖及/或基於該等資訊位元的數目來決定使用來產生該編碼區塊之同位位元的數目、以及藉由使用該應用之線性錯誤更正碼基礎圖來編碼該編碼區塊
Patent TW-I682130-B (TW)
Title: 粉碎機及其運用方法
Inventor: ONISHI YOSUKE
IPC: F23K3/02
Filed: 2018-08-22
Granted: 2020-01-11
Abstract: 本發明之目的，是要提供：能夠偵測出已經發生了急速燃燒或者即將要發生急速燃燒，而可在洽當的位置和時間點(timing)進行噴射滅火劑之粉碎機及其運用方法。    　　本發明的粉碎機，係具備：設置在粉碎部(1A)的近旁，用來檢測機殼(31)的內部的壓力之第1壓力檢測部；設置在分級部(1B)的近旁，用來檢測機殼(31)的內部的壓力之第2壓力檢測部；設置在粉碎部(1A)的近旁，且當依據第1壓力檢測部或第2壓力檢測部所檢測到的壓力，而判斷為已經發生了燃料的急速燃燒或者即將要發生急速燃燒時，就對於粉碎部(1A)進行噴射滅火劑之滅火劑噴射器(51)；設置在分級部(1B)的近旁，且當依據第1壓力檢測部或第2壓力檢測部所檢測到的壓力，而判斷為已經發生了燃料的急速燃燒或者即將要發生急速燃燒時，就對於分級部(1B)進行噴射滅火劑之滅火劑噴射器(52)。
Patent TW-I661097-B (TW)
Title: 洗滌乾燥機
Inventor: IMANARI MASAO
IPC: D06F25/00
Filed: 2018-09-04
Granted: 2019-06-01
Abstract: [課題]把從送風手段通過送風路徑送往內槽的空氣、以及利用循環泵從外槽底部打上來的清洗液，全程不遲滯而流通一個加熱手段，藉此，不會過度加熱加熱手段，可以持續產生熱水及溫風。而且，在乾燥程序時，與溫風加熱一起，用朝加熱手段的灑水使蒸汽產生，藉此，可以有效率進行蒸氣乾燥。  　　[解決手段]一種洗滌乾燥機，具備：外槽，其係可以把液體儲滯在內部；略圓筒型的滾筒或者是內槽，其係被支撐在該外槽內而自由旋轉，可以收容洗濯物；送風手段，其係送風到前述外槽；送風路徑，其係連結前述外槽與該送風手段；熱交換手段，其係用於加熱前述送風路徑內的空氣；灑水具，其係用於從前述熱交換手段的上部把前述外槽內的水予以灑水；以及蓄水部，其係接受從前述熱交換手段流下的水。
Patent TW-I784047-B (TW)
Title: 具有毛狀體之樹脂片及其成形品以及彼等之製造方法
Inventor: FUJIWARA JUNPEI
IPC: B29C59/04
Filed: 2018-09-06
Granted: 2022-11-21
Abstract: 本發明之目的在於提供一種展現良好觸感之片狀體及其成型品。
 
     樹脂片具有在基底層的至少一側的面上規則排列的毛狀體，基底層與毛狀體之間沒有結構上的邊界且形成連續相，基底層與毛狀體至少一部分具有交聯結構，藉由製成如上之樹脂片，能夠得到展現良好觸感之成形品。
Patent TW-I674389-B (TW)
Inventor: SHENG WEI-KONG
IPC: F28F3/02
Filed: 2018-09-17
Granted: 2019-10-11
Abstract: 一種散熱裝置之中間件及其散熱裝置，所述中間件係包含：一中間件本體具有一第一側面及一第二側面及複數穿孔及一槽結構組，所述槽結構組設置於該第一、二側面其中任一，該等穿孔貫穿該中間件本體連通該第一、二側面，所述槽結構與該等穿孔交錯或非交錯其中任一方式設置，並搭配與一第一板體及一第二板體相互疊合後構成該散熱裝置，並透過該中間件本體之第一、二側所設置之複合結構達到穩定之汽液循環之效果者。
Patent TW-I712691-B (TW)
Title: Dextran affinity tag and application thereof
Inventor: LIN JIUNN-HORNG
IPC: C07K17/00
Filed: 2018-10-29
Granted: 2020-12-11
Abstract: The present disclosure is related to an affinity tag, which is a segment of dextran binding domain and is able to purify target protein by taking the advantage of the affinity to dextran. The affinity tag of the present disclosure is more effective from the perspective of manufacture and purification process; thus, it can be widely used in any industrial applications involving protein purification.
Patent TW-I676753-B (TW)
Title: 調速機構
Inventor: WU QIU-JIN
IPC: F16D41/063
Filed: 2018-12-05
Granted: 2019-11-11
Abstract: 一種調速機構，包含檔位切換軸、磁環、固定軸管及一轉動軸。檔位切換軸設有滑槽，磁環套設於檔位切換軸，磁環內表面設有滑塊可於滑槽中滑動，固定軸管設有一直線滑軌供定位銷於其中滑動。轉動軸套設於磁環及固定軸管外側，轉動軸設有數個檔位缺口分布於轉動軸的不同軸向位，數個磁性鍵塊可樞轉的容設於檔位缺口中，磁性鍵塊具有與磁環互斥磁極的磁性。至少二傳動齒輪套設於轉動軸，且分別對準於不同軸向位上的檔位缺口，傳動齒輪設有鍵槽，磁性鍵塊可以被磁環的互斥極性推入該些鍵槽鍵合。旋轉檔位切換軸可以改變磁環位置切換傳動齒輪。
Patent TW-I697232-B (TW)
Title: 成像系統、輸出線電路及其快速穩定的方法
Inventor: EBIHARA HIROAKI
IPC: H04N5/235
Filed: 2018-12-21
Granted: 2020-06-21
Abstract: 本發明涉及一種成像系統、輸出線電路及其快速穩定的方法。光電二極體適於積聚圖像電荷。轉移電晶體將圖像電荷轉移到浮動擴散區。源極跟隨器電晶體被耦合成接收浮動擴散區的電壓並提供經放大信號。列選擇電晶體將經放大信號使能並將經放大信號輸出到位線。第一電流源產生器耦合在位線與地電位之間。第一電流源產生器通過第一柵地-陰地電晶體、第一偏壓電晶體及第二偏壓電晶體吸收電流。第一柵地-陰地電晶體通過柵地-陰地控制電壓被施加偏壓。第一偏壓電晶體及第二偏壓電晶體通過偏壓控制電壓被施加偏壓。
Patent TW-I691126-B (TW)
Inventor: HASHIGUCHI OSAMU
IPC: H01R13/56
Filed: 2019-02-22
Granted: 2020-04-11
Abstract: 與插座嵌合的插頭，含有：絕緣件，其具有與前述插頭的嵌合方向垂直的內部底面；以及複數個銷接觸件，其具有在互相相反的兩側互相平行的兩個接觸片的平面，分別具備使該等平面成為接觸面的接觸片，且於配列方向配列來保持在前述絕緣件；前述接觸片是從前述內部底面往前述嵌合方向豎起，前述配列方向與前述接觸面為平行，在前述絕緣件形成有從前述內部底面往前述嵌合方向豎起的複數個突出片，該各突出片是在前述配列方向上位在互相鄰接的2個前述接觸片之間。
Patent TW-I715936-B (TW)
Title: 灑水裝置及使用其的洗衣機
Inventor: YAGUCHI KAZUNARI
IPC: D06F39/08
Filed: 2019-02-27
Granted: 2021-01-11
Abstract: [課題]
不增加洗衣成本，即使將水位下降也可提高皮脂污垢等的油污垢的洗淨力，且防止洗滌不均勻惡化。
[技術內容]
具有將水洗水朝水洗槽內散布的複數吐出口，複數吐出口，是至少具有：朝水洗槽中央部將水洗水散布的第1吐出口、及朝水洗槽端部將水洗水散布的第2吐出部。
Patent TW-I737993-B (TW)
Title: 轉爐氣產量的預測方法
Inventor: XIAO ZONG-ZHAN
IPC: G06Q50/06
Filed: 2019-05-14
Granted: 2021-09-01
Abstract: 本發明之轉爐氣產量的預測方法，包含：預測轉爐吹煉的爐數，以預測在未來某個時間有多少個轉爐會進行吹煉；建立轉爐氣儲槽槽位變化率與吹煉爐數及轉爐氣儲槽槽位的關聯表；依據該關聯表以及預測出的轉爐吹煉的爐數，以預估轉爐氣儲槽在未來時間的槽位；依據統計結果建立轉爐氣儲槽槽位與轉爐氣產出的關係表；以及依據該關聯表與該關係表，以查出預估未來轉爐氣的產量。本發明之轉爐氣產量的預測方法可預測未來轉爐氣產量，提升高爐氣儲槽槽位預測的精準度，以利高爐除氣槽飽和前提早讓汽電共生場多吸收高爐氣發電，減少燃燒排放及防止廠內設備因管網壓力過低而跳機。
Patent TW-I813699-B (TW)
Title: 噴氣頭及電漿處理裝置
Inventor: MINAMI MASATO
IPC: H01L21/3065
Filed: 2019-06-18
Granted: 2023-09-01
Abstract: 提供一種對於處理氣體所造成的腐蝕及電漿之耐久性更優良的噴氣頭及電漿處理裝置。
在對基板施以電漿處理之電漿處理裝置中，對腔室內供給處理氣體的噴氣頭，具備：本體部，具有吐出處理氣體的複數個氣體吐出孔；及氣體擴散空間，設於本體部內，供處理氣體導入，和複數個氣體吐出孔連通；本體部具有：由金屬所成之基材；及複數個襯套(sleeve)，嵌入至基材，規範複數個氣體吐出孔；及第1熱噴塗皮膜，在基材的和氣體擴散空間接觸之面，將對於處理氣體具有耐蝕性之材料予以熱噴塗而形成，且含浸有含浸材；及第2熱噴塗皮膜，在基材的和前述腔室的電漿生成空間接觸之面，將對於處理氣體的電漿具有耐電漿性之材料予以熱噴塗而形成，且含浸有含浸材。
Patent TW-I719532-B (TW)
Title: Substrate arrangement apparatus and substrate arrangement method
Inventor: MIYAMOTO YUKITERU
IPC: H01L21/677
Filed: 2017-09-07
Granted: 2021-02-21
Abstract: In a substrate arrangement apparatus, a holder elevating mechanism disposes each first substrate between each pair of second substrates, with the first and second substrates being alternately arranged front-to-front and back-to-back. Each substrate is curved in a first radial direction to one side in a thickness direction with a minimum curvature, and curved in a second radial direction orthogonal to the first radial direction to the one side in the thickness direction with a maximum curvature. The first radial direction of the first substrates, each arranged between each pair of the second substrates, is approximately orthogonal to the first radial direction of the second substrates. This improves uniformity in the up-down direction of the distance in the direction of arrangement between the first and second substrates that are alternately arranged adjacent to each other in the direction of arrangement.
Patent TW-I707462-B (TW)
Title: 半導體記憶裝置及其製造方法
Inventor: SOTOME SHINICHI
IPC: H01L27/1157
Filed: 2019-07-19
Granted: 2020-10-11
Abstract: 實施形態提供一種可實現單元電流之增加之半導體記憶裝置及其製造方法。
        實施形態之半導體記憶裝置具備積層體、及柱狀體。上述積層體於第1方向上交替地積層有複數個導電層及複數個絕緣層。上述柱狀體設置於上述積層體內。上述柱狀體自內側起依序包含芯部、通道膜、隧道氧化膜及電荷蓄積膜。上述通道膜係於與上述芯部相接之第1區域中摻雜有雜質之半導體。
Patent TW-I707467-B (TW)
Title: Waterproof light emitting module
Inventor: SHEI TSAI WEI
IPC: F21V31/04
Filed: 2019-09-17
Granted: 2020-10-11
Abstract: A waterproof light emitting module includes a circuit board, a light emitting diode, a light guide plate, first, second, and third waterproof layers. The light emitting diode is over the circuit board and has a light emitting surface, and first and second non-light emitting surfaces. The light emitting surface is opposite to the first non-light emitting surface. The second non-light emitting surface is between the light emitting surface and the first non-light emitting surface. A center of the light guide plate is substantially aligned with a center of the 
light emitting diode along a direction perpendicular to the light emitting surface. The light emitting diode is between the first waterproof layer and the light guide plate. The second waterproof layer covers the second non-light emitting surface. The third waterproof layer is between the second waterproof layer and the light guide plate.