Patent DE-102011005185-B4 (DE)
Title: Leistungshalbleiterbauelement und dieses verwendendes Leistungsumformungssystem
Inventor: TAKIZAWA SATOKI
IPC: H02M1/00
Filed: 2011-03-07
Granted: 2023-01-26
Abstract: Halbleiter-Leistungsumformungssystem mit- einem ersten Leistungshalbleitermodul, in welchemein erster IGBT (T1), mit dem eine Diode (D1) antiparallel verbunden ist, und ein zweiter IGBT (T4) mit Rückwärtssperrspannung, dessen Emitter mit dem Emitter des ersten IGBT (T1) verbunden ist, in einem Gehäuse untergebracht sind, wobei das Gehäuse einen ersten externen Anschluss (P) verbunden mit dem Kollektor des ersten IGBT (T1), einen zweiten externen Anschluss (M, M1) verbunden mit dem Kollektor des zweiten IGBT (T4) und einen dritten und einen vierten externen Anschluss (U1, U2) verbunden mit den Verbindungspunkten des Emitters des ersten IGBT (T1) und des Emitters des zweiten IGBT (T4) aufweist, wobei der erste externe Anschluss (P) und der zweite externe Anschluss (M, M1) auf einer Kantenseite des Gehäuses angeordnet sind, und- einem zweiten Leistungshalbleitermodul, in welchemein erster IGBT (T2), mit dem eine Diode (D2) antiparallel verbunden ist, und ein zweiter IGBT (T3) mit Rückwärtssperrspannung, dessen Kollektor mit dem Kollektor des ersten IGBT (T2) verbunden ist, in einem Gehäuse untergebracht sind, wobei das Gehäuse einen ersten externen Anschluss (M, M2) verbunden mit dem Emitter des zweiten IGBT (T3), einen zweiten externen Anschluss (N) verbunden mit dem Emitter des ersten IGBT (T2) und einen dritten und einen vierten externen Anschluss (U1, U2) verbunden mit den Verbindungspunkten des Kollektors des ersten IGBT (T2) und des Kollektors des zweiten IGBT (T3) aufweist, wobei der erste externe Anschluss (M, M2) und der zweite externe Anschluss (N) auf einer Kantenseite des Gehäuses angeordnet sind,wobei der erste externe Anschluss (M, M2) des zweiten Leistungshalbleitermoduls und der zweite externe Anschluss (M, M1) des ersten Leistungshalbleitermoduls nebeneinander angeordnet sind,und wobei das erste Leistungshalbleitermodul und das zweite Leistungshalbleitermodul eine Halbbrücke eines Inverters bilden, wobei die dritten und vierten externen Anschlüsse (U1, U2) des ersten Leistungshalbleitermoduls und die dritten und vierten externen Anschlüsse (U1, U2) des zweiten Leistungshalbleitermoduls miteinander verbunden sind,- einem ersten Kondensator (C1) und einem zweiten Kondensator (C2), wobei der erste und der zweite Kondensator (C1, C2) neben einer der Kantenseiten des ersten Leistungshalbleitermoduls und des zweiten Leistungshalbleitermoduls angeordnet sind,- einem ersten Leiter, welcher den ersten externen Anschluss (P) des ersten Leistungshalbleitermoduls und ein positivseitiges Potential (Cp) des ersten Kondensators (C1) verbindet,- einem zweiten Leiter, welcher den zweiten externen Anschluss (N) des zweiten Leistungshalbleitermoduls und ein negativseitiges Potential (Cn) des zweiten Kondensators (C2) verbindet, und- einem dritten Leiter, welcher den zweiten externen Anschluss (M, M1) des ersten Leistungshalbleitermoduls, den ersten externen Anschluss (M, M2) des zweiten Leistungshalbleitermoduls, das negativseitige Potential (Cm1) des ersten Kondensators (C1) und das positivseitige Potential (Cm2) des zweiten Kondensators (C2) verbindet.