Patent DE-102016122963-B4 (DE)
Title: Halbleitervorrichtung mit einem bidirektionalen Schalter
Inventor: OTREMBA RALF
IPC: H01L23/495
Filed: 2016-11-29
Granted: 2021-06-24
Abstract: Halbleitervorrichtung (200; 400), welche einen bidirektionalen Schalter (100) ausbildet, wobei die Halbleitervorrichtung (200; 400) Folgendes umfasst:- einen ersten Träger (440_1) und einen zweiten Träger (440_2);- einen ersten Halbleiterchip (450), welcher auf dem ersten Träger (440_1) angeordnet ist, und einen zweiten Halbleiterchip (460), welcher auf dem zweiten Träger (440_2) angeordnet ist;- einen Verkapselungskörper (210), welcher die ersten und zweiten Halbleiterchips (450, 460) verkapselt; und- eine erste Reihe von Anschlüssen (220; 420), welche entlang einer ersten Seitenfläche (210A) des Verkapselungskörpers (210) angeordnet sind, und eine zweite Reihe von Anschlüssen (230; 430), welche entlang einer zweiten Seitenfläche (210B) des Verkapselungskörpers (210) gegenüber der ersten Seitenfläche (210A) angeordnet sind;- wobei der erste Halbleiterchip (450) eine erste Transistorstruktur (110) umfassend erste Source-Elektroden (104; 450_3), Drain-Elektroden (102; 450_1) und Gate-Elektroden (106; 450_2) aufweist,- und der zweite Halbleiterchip (460) eine zweite Transistorstruktur (120) umfassend zweite Source-Elektroden (104; 460_3), Drain-Elektroden (102; 460_1) und Gate-Elektroden (106; 460_2) aufweist;- und wobei erste und zweite Source-Elektroden (104; 450_3, 460_3) der ersten und zweiten Transistorstrukturen (110, 120) jeweils auf einer oberen Hauptfläche der ersten und zweiten Halbleiterchips (450, 460) angeordnet sind, welche vom jeweiligen ersten und zweiten Träger (440_1, 440_2) abgewandt ist;- und wobei erste und zweite Drain-Elektroden (102; 450_3, 460_3) der ersten und zweiten Transistorstrukturen (110, 120) jeweils auf einer unteren Hauptfläche der ersten und zweiten Halbleiterchips (450, 460) angeordnet sind, welche dem jeweiligen ersten und zweiten Träger (440_1, 440_2) zugewandt ist;- und wobei die ersten und zweiten Transistorstrukturen (110, 120) den bidirektionalen Schalter dadurch ausbilden, dass sie über ihre jeweiligen, auf der oberen Hauptfläche der ersten und zweiten Halbleiterchips (450, 460) angeordneten ersten und zweiten Source-Elektroden (104; 450_3, 460_3) miteinander elektrisch gekoppelt sind und die elektrische Kopplung durch ein leitfähiges Element (480_2) erfolgt;- und wobei die auf der unteren Hauptfläche des ersten Halbleiterchips (450) angeordnete erste Drain-Elektrode (102; 450_1) der ersten Transistorstruktur (110) mit dem ersten Träger (440_1) und die auf der unteren Hauptfläche des zweiten Halbleiterchips (460) angeordnete zweite Drain-Elektrode (102; 460_1) der zweiten Transistorstruktur (120) mit dem zweiten Träger (440_2) elektrisch gekoppelt ist;- und wobei die erste Reihe von Anschlüssen (220; 420) einen mit der ersten Gate-Elektrode (102; 450_2) verbundenen ersten Gate-Anschluss (106; 420_3), einen mit der ersten Source-Elektrode (104; 450_3) verbundenen ersten Erfassungs-Anschluss (108; 420_2), und einen ersten Leistungsanschluss (102; 420_1) umfasst, der mit der ersten Drain-Elektrode (102; 450_1) der ersten Transistorstruktur (110) verbunden ist, die auf der unteren Hauptfläche des ersten Halbleiterchips (450) angeordnet und mit dem ersten Träger (440_1) elektrisch gekoppelt ist;- und wobei die zweite Reihe von Anschlüssen (230; 430) einen mit der zweiten Gate-Elektrode (106; 460_2) verbundenen zweiten Gate-Anschluss (106; 430_3), einen mit der zweiten Source-Elektrode (104; 460_3) verbundenen zweiten Erfassungs-Anschluss (108; 430_2) und einen zweiten Leistungsanschluss (120; 430_1) umfasst, der mit der zweiten Drain-Elektrode (102; 460_1) der zweiten Transistorstruktur (120) verbunden ist, die auf der unteren Hauptfläche des zweiten Halbleiterchips (460) angeordnet und mit dem zweiten Träger (440_2) elektrisch gekoppelt ist.