Patent WO-2015001373-A1 (WO)
Title: Circuit d'attaque de gâchette et procédé d'installation d'un circuit d'attaque de gâchette
Inventor: SICARD THIERRY
IPC: H02M1/08
Filed: 2013-07-04
Abstract: L'invention concerne un circuit d'attaque de gâchette (10a) utilisé pour exciter un transistor de puissance (12a). Le circuit d'attaque de gâchette comprend un premier commutateur (SW1) et un premier condensateur (C1). Une première borne (T11) du premier condensateur (C1) est reliée électriquement au premier commutateur (SW1). Le premier commutateur (SW1) est relié électriquement entre la première borne (T11) et une alimentation électrique (HV) du transistor de puissance (12a). Une deuxième borne (T12) du premier condensateur (C1) est reliée électriquement au potentiel de référence (MASSE). Le circuit d'attaque de gâchette (10a) comprend en outre un premier limiteur de tension (VL) en parallèle avec le premier condensateur (C1). Le premier limiteur de tension (VL) limite une tension aux bornes du premier condensateur (C1) à une première tension prédéterminée. Le circuit d'attaque de gâchette (10a) comprend en outre un deuxième condensateur (C2), un circuit de précharge (PC) disposé entre la première borne (T11) du premier condensateur (C1) et une première borne (T21) du deuxième condensateur (C2). Le circuit d'attaque de gâchette (10a) comprend en outre un troisième condensateur (C3) muni d'une première borne (T31) reliée électriquement à une deuxième borne (T22) du deuxième condensateur (C2) et d'une deuxième borne (T32) reliée électriquement à une borne de gâchette (G) du transistor de puissance (12a). De plus, le circuit d'attaque de gâchette (10a) comprend un deuxième commutateur (SW2) disposé entre la première borne (T11) du premier condensateur (C1) et la deuxième borne (T22) du deuxième condensateur (C2), un troisième commutateur (SW3) disposé entre la première borne (T31) du troisième condensateur (C3) et le potentiel de référence (MASSE) et un quatrième commutateur (SW4) disposé entre la deuxième borne (T32) du troisième condensateur (C3) et le potentiel de référence (MASSE). Pendant une installation du circuit d'attaque de gâchette (10a) après l'application de l'alimentation électrique (HV), le circuit d'attaque de gâchette (10a) est configuré pour amener le premier commutateur (SW1) dans un état passant afin de relier électriquement l'alimentation électrique (HV) à la première borne (T11). Le premier condensateur (C1) est ainsi chargé afin d'obtenir la première tension prédéterminée aux bornes du premier condensateur (C1). Le circuit d'attaque de gâchette (10a) est en outre configuré pour configurer le circuit de précharge pour précharger le deuxième condensateur (C2) afin d'obtenir une deuxième tension prédéterminée aux bornes du deuxième condensateur (C2). Le circuit d'attaque de gâchette (10a) est également configuré pour précharger le troisième condensateur (C3) afin d'obtenir une troisième tension prédéterminée aux bornes du troisième condensateur (C3). Le circuit d'attaque de gâchette (10a) est configuré pour être alimenté par la tension aux bornes du premier condensateur (C1). En chargeant le premier condensateur (C1) et en préchargeant les deuxième et troisième condensateurs (C2, C3), le circuit d'attaque de gâchette (10a) est installé, mis sous tension et prêt à être utilisé pour exciter la borne de gâchette (G) du transistor de puissance (12a).