baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent DE-112009001654-B4 (DE)
Title: Wetterfester Schalter für Informationsgerätegruppen innen und außen und Funktionsschalter
Inventor: CHAMUCZYNSKI PRZEMYSLAW
IPC: B60K35/00
Filed: 2009-07-09
Granted: 2017-06-01
Abstract: Wetterfester Schalter zur Verwendung mit einer Informations/Instrumenten-Gerätegruppe, der aufweist: einen Taster mit einem Gehäuse, der sich benachbart der Informations/Instrumenten-Gerätegruppe befindet, wobei das Gehäuse ein erstes Ende und ein zweites Ende hat; einen Magneten, der im Wesentlichen innerhalb des zweiten Endes des Gehäuses angeordnet ist; einen Sensor, der beabstandet von dem Magneten angeordnet ist, um ein Magnetfeld einer ersten Stärke zu erfassen; und eine Schaltung, die den Sensor mit einer Funktion der Informations/Instrumenten-Gerätegruppe verbindet, zum Steuern der Funktion, wenn das erste Ende des Tasters betätigt wird, um den Abstand zwischen dem Magneten und dem Sensor zu vergrößern oder zu verkleinern, um so ein Magnetfeld einer zweiten Stärke zu erfassen, gekennzeichnet durch eine Magnetfeldführung aus einem fokussierenden Material, die von einer metallischen Hülse umgeben ist, wobei sich die Magnetfeldführung zwischen dem Magneten und dem Sensor zum Führen des Magnetfeldes von dem Magneten zu dem Sensor befindet, und wobei der Sensor von dem Magneten durch einen Abstand getrennt ist.
Patent DE-112009002052-B4 (DE)
Title: Modifizierte Stromquelle mit übergangsloser Bereichsumschaltung
Inventor: BORTHWICK JAMES
IPC: G05F1/56
Filed: 2009-07-29
Granted: 2019-03-21
Abstract: In Übereinstimmung mit einem Aspekt wird eine Stromquelle mit zwei Widerstandsblöcken bereit gestellt und digitale Potentiometer werden verwendet um zu regeln, wie groß der Einfluss eines jeden Widerstandsblocks auf den resultierenden Ausgangsstrom ist. Zudem kann, wenn die digitalen Potentiometer in einer bestimmten Einstellung bewirken, dass ein bestimmter Widerstandsblock den resultierenden Ausgangsstrom nicht beeinflusst (d.h. dass der Widerstandsblock „inaktiv“ ist), der Widerstand dieses Widerstandsbocks geschaltet werden, ohne den Ausgangsstrom zu beeinflussen, wodurch Diskontinuitäten in dem Ausgangsstrom während eines Stromdurchlauf-Vorgangs minimiert oder eliminiert werden. Daher kann, wenn z.B. ein Widerstand seinen Schwellwert einnimmt und inaktiv wird, der Widerstand des inaktiven Widerstandsblocks geschaltet werden und daraufhin kann die Einstellung der Digitalpotentiometer verändert werden, um eine sanfte Reaktivierung dieses Widerstandsblocks mit dem neuen Widerstand zu ermöglich.
Patent DE-112010005470-B4 (DE)
Title: Abgasreinigungsvorrichtung für einen Motor
Inventor: YANO MASAKAZU
IPC: B01D53/94
Filed: 2010-12-03
Granted: 2022-01-27
Abstract: Abgasreinigungsvorrichtung für einen Motor (10), folgendes umfassend:ein Abgasreinigungselement (26A, 26B, 30 32), das an einer Abgasleitung (24) des Motors (10) bereitgestellt ist,einen Temperatursensor (36, 38, 40), der dafür eingerichtet ist, eine Temperatur des Abgases zu messen, das in das Abgasreinigungselement (26A, 26B, 30 32) strömt, undeine Steuereinheit (42) mit einem eingebauten Computer, wobei die Steuereinheit (42)eine Ablassmenge einer festgelegten Kraftstoffkomponente, die pro Zeiteinheit abgelassen werden soll, schätzt, wobei die festgelegte Kraftstoffkomponente im Abgas enthalten ist,eine der vom Temperatursensor (36, 38, 40) gemessenen Abgastemperatur entsprechende Menge der Kraftstoffkomponente, die pro Zeiteinheit aus dem Abgasreinigungselement (26A, 26B, 30 32) entfernt werden soll, schätzt, indem sie sich auf ein Kennfeld bezieht, das die zu entfernenden Mengen der Kraftstoffkomponente entsprechend der Abgastemperaturen ausgibt, wobei in dem Kennfeld die zu entfernende Menge der Kraftstoffkomponente, die pro Zeiteinheit aus dem Abgasreinigungselement (26A, 26B, 30 32) entfernt werden soll, auf null eingestellt ist, wenn die Abgastemperatur niedriger oder gleich einer Temperatur T0ist, bei der die Kraftstoffkomponente entfernt wird, und basierend auf der Ablassmenge und der pro Zeiteinheit zu entfernenden Menge der Kraftstoffkomponente eine Ansammlungsmenge der im Abgasreinigungselement (26A, 26B, 30 32) angesammelten Kraftstoffkomponente schätzt.
Patent DE-112011105351-B4 (DE)
Title: Flüssigkristallbildschirm
Inventor: HSIAO KEN
IPC: G02F1/1333
Filed: 2011-08-04
Granted: 2022-09-08
Abstract: Flüssigkristallbildschirm (1) mit einem Hintergrundbeleuchtungsmodul, einem Flüssigkristallpanel (5) und einem Pufferelement (8), um eine Beschädigung des Flüssigkristallpaneels zu vermeiden; wobei das Hintergrundbeleuchtungsmodul aufweist:ein vorderes Gehäuse (1),ein hinteres Gehäuse (2), undeine Lichtquelle (3); wobei der Querschnitt des vorderen Gehäuses (1) annähernd L-förmig ist;wobei das vordere Gehäuse (1) ein erstes Halteteil (11) und ein zweites Halteteil (12) aufweist, das sich vom ersten Halteteil senkrecht nach außen erstreckt; wobei das zweite Halteteil (12) mit dem hinteren Gehäuse (2) fest verbunden ist; wobei die Lichtquelle (3) sich zwischen dem ersten Halteteil (11) und dem hinteren Gehäuse (2) befindet;wobei die Rückseite der Lichtquelle (3) die innere Seitenfläche des zweiten Halteteil (12) berührt;wobei eine flossenförmige Kühlstruktur (121) an einer der Rückseite der Lichtquelle (3) entsprechenden Position innerhalb des zweiten Halteteils (12) angeordnet ist; undwobei die Oberfläche des Pufferelements (8) jeweils einen Teil der oberen Oberfläche und eine Seitenfläche des Flüssigkristallpaneels berührt, die sich unterhalb des ersten Halteteils (11) befinden;dadurch gekennzeichnet dassdas Pufferelement (8) einen L-förmigen Querschnitt aufweist.
Patent DE-112012001286-B4 (DE)
Title: Sternpolymer-Nanoschalen und Verfahren zur Herstellung derselben
Inventor: MILLER ROBERT DENNIS
IPC: C08J7/06
Filed: 2012-03-19
Granted: 2017-05-18
Abstract: Es ist eine Nanoschale offenbart, die einen Sternpolymer-Okklusionskomplex, der i) ein amphiphiles, monomolekulares Sternpolymer mit einem quervernetzten Kern, der mit 6 oder mehr eigenständigen Polymerarmen kovalent verbunden ist, und ii) ein Cargo-Material aufweist, das in dem Sternpolymer okkludiert ist; sowie eine Schale aufweist, die ein anorganisches Material in Kontakt mit einer peripheren Oberfläche des Sternpolymer-Okklusionskomplexes aufweist.
Patent DE-112012004496-B4 (DE)
Title: Gleichspannungs/Gleichspannungs-Umsetzer und Leistungsumsetzungsvorrichtung
Inventor: SHINOHARA HIDENORI
IPC: H02M1/00
Filed: 2012-10-17
Granted: 2021-11-11
Abstract: Gleichspannungs/Gleichspannungs-Umsetzer (100), der umfasst:einen Transformator (33) zum Umsetzen von Spannungen;mehrere Schaltelemente (H1, H2, H3, H4) zum Steuern eines Stroms, der durch den Transformator (33) fließt;einen metallischen Kühlkörper (41);ein Metallgehäuse (43, 111) zum Aufnehmen des Transformators (33), der Schaltelemente (H1, H2, H3, H4) und des Kühlkörpers (41); undeinen Kühlmittelkanal (19), durch den ein abgekühltes Kühlmittel fließt,wobei der Kühlmittelkanal (19) an der äußeren Oberfläche des Gehäuses (43, 111) angeordnet ist,wobei der Kühlkörper (41) so ausgebildet ist, dass die Wärmeleitfähigkeit des Kühlkörpers (41) höher ist als jene des Gehäuses (43, 111),wobei der Kühlkörper (41) an der inneren Oberfläche des Gehäuses (43, 111) direkt oder über ein wärmeleitfähiges Element angeordnet ist, so dass der Kühlkörper (41) dem Kühlmittelkanal (19) mit dem Gehäuse (43, 111) zwischen dem Kühlkörper (41) und dem Kanal (19) zugewandt ist,wobei die Schaltelemente (H1, H2, H3, H4) ein erstes Schaltelement (H1, H2) und ein zweites Schaltelement (H3, H4) umfassen, undwobei das erste Schaltelement (H1, H2) via einem Isolationselement (42) an dem Kühlkörper (41) angeordnet ist, so dass das erste Schaltelement (H1, H2) und der Kühlmittelkanal (19) sich entlang einer Richtung, die normal zu einer Oberfläche, auf der die Schaltelemente (H1, H2, H3, H4) angeordnet sind und die eine Oberfläche des Kühlkörpers (41) ist, überlappen, unddas zweite Schaltelement (H3, H4) via dem Isolationselement (42) an dem Kühlkörper (41) angeordnet ist, so dass das zweite Schaltelement (H3, H4) und der Kühlmittelkanal (19) sich nicht entlang der vorgenannten Richtung überlappen.
Patent DE-112012006957-B4 (DE)
Title: Dosiereinrichtung und Mischeinrichtung für eine Fahrzeugabgasanlage
Inventor: CHAPMAN CHRIS
IPC: F01N13/08
Filed: 2012-09-28
Granted: 2023-03-02
Abstract: Fahrzeugabgasanlage, mit:
 einer Mischeinrichtung (30), die ein Einlassende (42) aufweist, das dazu ausgelegt ist, Motorabgase aufzunehmen, sowie ein Auslassende (44), das dazu ausgelegt ist, Motorabgase zu einer stromabwärtigen Abgaskomponente (28) zu leiten, wobei die Mischeinrichtung (30) eine Mittelachse (A1) definiert, die sich entlang einer Länge der Mischeinrichtung (30) erstreckt; und
 einer Dosiereinrichtung (36), die dazu ausgelegt ist, ein Reduktionsmittel in die Mischeinrichtung (30) zu sprühen, wobei die Dosiereinrichtung (36) eine Dosiereinrichtungsmittelachse (A2) definiert, die zu einem Punkt tangential ausgerichtet ist, der an einer Schnittstelle der Dosiereinrichtungsmittelachse (A2) mit einem theoretischen Zylinder definiert ist, welcher die Mittelachse (A1) umgibt und durch einen variablen Radius definiert ist, wobei
 die Mischeinrichtung (30) ein stromaufwärtiges Leitblech (60) angrenzend an das Einlassende (42) und ein stromabwärtiges Leitblech (62) angrenzend an das Auslassende (44) aufweist, wobei das stromaufwärtige Leitblech (60) mehrere Öffnungen (66, 68) aufweist, wobei eine Öffnung (66) aus den mehreren Öffnungen größer ist als die übrigen Öffnungen, so dass ein wesentlicher Teil der Motorabgase durch die eine Öffnung (66) strömt, wobei die Dosiereinrichtung (36) stromaufwärts und angrenzend an die eine Öffnung (66) angeordnet ist, und wobei die eine Öffnung (66) durch einen Innenumfangsrand (90) und einen radial nach außen von dem Innenumfangsrand (90) beabstandeten Außenumfangsrand (92) definiert ist und die Dosiereinrichtungsmittelachse (A2) näher am Außenumfangsrand (92) als am Innenumfangsrand (90) liegt.
Patent DE-112013001363-B4 (DE)
Title: Ionenstrahlvorrichtung mit einer Ionenquelle für die Gasfeldionisation
Inventor: KAWANAMI YOSHIMI
IPC: H01J27/26
Filed: 2013-03-11
Granted: 2021-05-27
Abstract: Ionenstrahlvorrichtung, umfassend:eine Ionenquelle (100, 100') für die Gasfeldionisation zur Erzeugung eines Ionenstrahls (5);eine Probenstation (101) zum Halten einer Probe (8);ein Linsensystem (102), das den von der Ionenquelle (100, 100') für die Gasfeldionisation emittierten Ionenstrahl (5) so fokussiert, dass der Ionenstrahl auf die Probe (8) gerichtet ist;ein Ablenksystem (103), das die Ionen so ablenkt, dass die Bestrahlungsposition des Ionenstrahls (5) auf der Probe (8) veränderbar ist;einen Sekundärteilchendetektor (104) zur Erfassung von Sekundärteilchen, die von der Probe (8) emittiert werden;eine Bildverarbeitungseinheit (110) zur Erzeugung eines Betrachtungsbildes der Probe (8) durch Verwendung der Erfassungsergebnisse des Sekundärteilchendetektors (104); undeine Steuerungseinheit (120) zur Steuerung des Linsensystems und des Ablenksystems, um die Bestrahlungsposition des Ionenstrahls (5) einzustellen,wobei die Ionenquelle (100, 100') für die Gasfeldionisation folgendes umfasst:eine Emitterelektrode (1, 1') mit einem nadelförmigen Scheitelpunkt, der mit einem Mikrovorsprung versehen ist, wobei am Scheitelpunkt des Mikrovorsprungs ein Einzelatom oder ein Trimer vorliegt;eine Extraktionselektrode (2) mit einer Öffnung an einer Position, die sich in Scheitelpunktrichtung im Abstand von der Emitterelektrode (1, 1') befindet;eine Gaszufuhreinheit (3) zum Zuführen von Gas in die Nähe des Scheitelpunkts der Emitterelektrode (1, 1');eine Gasdrucksteuerungseinheit (92) zur Steuerung des Drucks des Gases; undeine Extraktionsspannung-Anlegeeinheit (4) zur Erzeugung eines elektrischen Felds zur Ionisierung des Gases in der Nähe des Scheitelpunkts der Emitterelektrode (1, 1') durch Anlegen einer Extraktionsspannung zwischen der Emitterelektrode (1, 1') und der Extraktionselektrode (2);gekennzeichnet durch eine Ionenquellen-Steuerungseinheit (90, 90'), die eine solche Steuerung vornimmt, dass ein Ionenstrahl (5) in mindestens zwei Betriebszuständen emittiert wird, die einen ersten Betriebszustand (2000, 2010) umfassen, bei dem beim Anlegen einer ersten Extraktionsspannung (VI) und Einstellen des Gasdrucks auf einen ersten Gasdruck Ionen aus einer ersten Ionenemissionsregion am Scheitelpunkt der Emitterelektrode (1, 1') emittiert werden, sowie einen zweiten Betriebszustand (2003, 2011), bei dem beim Anlegen einer zweiten Extraktionsspannung (V2), die höher als die erste Extraktionsspannung (V1) ist, und beim Einstellen des Gasdrucks auf einen zweiten Gasdruck, der höher als der erste Gasdruck ist, Ionen aus einer zweiten Ionenemissionsregion, die größer als die erste Ionenemissionsregion ist, emittiert werden, wobei der Ionenstrahl (5) so gesteuert wird, dass der Ionenstrahlstrom auf der Probe (8) im zweiten Betriebszustand (2003, 2011) größer als der Ionenstrahlstrom auf der Probe (8) im ersten Betriebszustand (2000, 2010) ist.
Patent DE-112013003592-B4 (DE)
Title: Fahrzeugsitz
Inventor: WU ZHENLIN
IPC: A61H39/04
Filed: 2013-07-04
Granted: 2019-07-04
Abstract: Fahrzeugsitz umfassend eine Sitzrückenlehne, welche ein Fußmassagesystem 4 tem aufweist, wobei die Sitzrückenlehne eine vordere Seite 2 und eine hintere Seite 3 einschließt, die hintere Seite 3 das Fußmassagesystem 4 aufnimmt, und das Fußmassagesystem 4 ausgestaltet ist, um um eine Achse herum, welche in Bezug auf die Sitzrückenlehne fixiert ist, zwischen einer ersten Verwendungsposition, in welcher das Massagesystem nach unten schwenkt, um Füße eines Fahrgastes aufzunehmen, und einer zweiten weggeklappten Position zu schwenken, in welcher das Massagesystem eingezogen ist entlang der hinteren Seite der Sitzrückenlehne, dadurch gekennzeichnet, dass das Massagesystem ein Fußregistriersystem einschließt, welches Registrierbereiche 10 zum Führen der Füße eines Fahrgastes hin zu einer geeigneten Massageposition beinhaltet.
Patent DE-112015005231-B4 (DE)
Title: Verdampfungsmustergiessverfahren
Inventor: TSUTSUMI KAZUYUKI
IPC: B22C9/04
Filed: 2015-10-21
Granted: 2022-11-24
Abstract: Verdampfungsmustergießverfahren zum Herstellen eines Gießerzeugnisses, das mit einem Loch mit einem Durchmesser von 18 mm oder weniger und einer Länge von I (mm) vorgesehen ist, indem in Gießsand (5) eine Form (1) eingegraben wird, die ausgebildet ist durch Aufbringen eines Beschichtungsmittels (4) an einer Oberfläche eines Schaummusters (2), und dann eine Metallschmelze in die Form (1) gegossen wird, um zu bewirken, dass das Schaummuster (2) verschwindet und durch die Schmelze ersetzt wird, wobeidas Beschichtungsmittel (4) ein Aggregat auf Siliziumoxidbasis und einen thermisch zersetzungsfähigen Kunststoff aufweist,die Form (1) ein Lochteil (3) als Durchgangsloch mit zwei Lochrändern (3a) zum Ausbilden des Lochs hat,das Lochteil (3) ebenfalls mit Gießsand (5) gefüllt wird, undunter der Annahme, dass eine Dicke des an dem Schaummuster (2) aufgetragenen Beschichtungsmittels (4) t (mm) ist, ein Durchmesser des Lochteils (3) in dem Schaummuster (2), das ein mit dem Loch auszubildender Abschnitt ist, D (mm) ist, und eine Querfestigkeit bei Normaltemperatur des getrockneten Beschichtungsmittels (4) σc (MPa) ist, das Beschichtungsmittel (4), das den folgenden Ausdruck erfüllt, angewendet wird, wenn eine Verfestigungsendzeit te (s), bei der Verfestigung der Schmelze an dem Umfang des Lochteils (3) endet, innerhalb einer Zeit t0 (s) ist, bei der die thermische Zersetzung des Kunststoffs des Beschichtungsmittels endet:σc≥{t0/(t0−te)}×(1,5×10−4×I2/t2+160/D2).
Patent DE-112015005785-B4 (DE)
Title: Armaturenbrettverstärkung
Inventor: NISHIMURA RYUZO
IPC: B62D25/14
Filed: 2015-12-03
Granted: 2022-08-11
Abstract: Armaturenbrettverstärkung (1) in einer Röhrenform, die Folgendes umfasst:einen einen großen Durchmesser aufweisenden Abschnitt (11), der eine Lenksäule (5) stützt;einen einen kleinen Durchmesser aufweisenden Abschnitt (13), der einen Außendurchmesser aufweist, der weniger als ein Außendurchmesser des einen großen Durchmesser aufweisenden Abschnitts (11) beträgt, und eine Dicke aufweist, die weniger als eine Dicke des einen großen Durchmesser aufweisenden Abschnitts (11) beträgt; undeinen Zwischenabschnitt (12), der zwischen dem einen großen Durchmesser aufweisenden Abschnitt (11) und dem einen kleinen Durchmesser aufweisenden Abschnitt (13) angeordnet ist,wobei der Zwischenabschnitt (12) mit dem einen großen Durchmesser aufweisenden Abschnitt (11) integral ausgebildet ist und einen Außendurchmesser aufweist, der weniger als der Außendurchmesser des einen großen Durchmesser aufweisenden Abschnitts (11) beträgt,wobei der Zwischenabschnitt (12) eine gerade Röhrenform aufweist und der einen großen Durchmesser aufweisende Abschnitt (11) an einem Ende einer Zwischenabschnittsseite davon einen einen reduzierten Durchmesser aufweisenden Abschnitt umfasst, der einen sich zum Zwischenabschnitt (12) hin reduzierenden Durchmesser aufweist,wobei der einen kleinen Durchmesser aufweisende Abschnitt (13) von dem einen großen Durchmesser aufweisenden Abschnitt (11) und dem Zwischenabschnitt (12) getrennt konfiguriert ist und mit dem Zwischenabschnitt (12) verbunden ist,wobei eine Dicke des Zwischenabschnitts (12) mehr als eine Dicke des einen kleinen Durchmesser aufweisenden Abschnitts (13) beträgt,wobei der einen großen Durchmesser aufweisende Abschnitt (11) und der Zwischenabschnitt (12) ein gewalztes Rohr umfassen,und wobwei die axiale Länge des Zwischenabschnitts (12) vorzugsweise 70 mm oder mehr beträgt.
Patent DE-112015006158-B4 (DE)
Title: Verfahren für ein Fertigen einer Halbleitervorrichtung
Inventor: WATABE SHUNICHI
IPC: H01L21/768
Filed: 2015-02-12
Granted: 2021-07-22
Abstract: Verfahren für ein Fertigen einer Halbleitervorrichtung, aufweisend:- Ausbilden einer Verdrahtungsschicht (3) auf einer vorderen Oberfläche eines Halbleiter-Wafers (1);- Ausbilden einer Siliziumnitridschicht (4) auf der Verdrahtungsschicht (3);- Ausbilden einer Oberflächenschutzschicht (5) aus Polyimid, so dass sie die Verdrahtungsschicht (3) und die Siliziumnitridschicht (4) bedeckt; und- nach dem Ausbilden der Oberflächenschutzschicht (5) Ätzen einer rückseitigen Oberfläche des Halbleiter-Wafers (1) mit einer chemischen Flüssigkeit, wobei- die Verdrahtungsschicht (3) auf einem äußeren Umfangsabschnitt des Halbleiter-Wafers (1) ausgebildet wird,- die Siliziumnitridschicht (4) nicht auf dem äußeren Umfangsabschnitt des Halbleiter-Wafers (1) ausgebildet wird,- die Verdrahtungsschicht (3) und die Oberflächenschutzschicht (5) in dem äußeren Umfangsabschnitt des Halbleiter-Wafers (1) aneinander haften, und- die Verdrahtungsschicht (3) eine höhere Haftung an der Oberflächenschutzschicht (5) aufweist als die Siliziumnitridschicht (4).
Patent DE-112016004558-B4 (DE)
Title: System und verfahren zum abstimmen von ptt über lte
Inventor: NEGALAGULI HARISHA MAHABALESHWARA
IPC: H04L65/40
Filed: 2016-10-06
Granted: 2023-01-05
Abstract: Verfahren umfassend:das Empfangen, durch einen Drücken-zum-Sprechen (PTT) -Server, einer Anfrage von einer Benutzerausrüstung (UE) auf den PTT-Server zuzugreifen;das Bestimmen, durch den PTT-Server, von Service-Qualität (QoS) - Parametern für ein Funknetzwerk (RAN), das die UE mit dem PTT-Server verbindet;das Assoziieren, durch den PTT-Server, der QoS-Parameter mit einem Träger zwischen dem RAN und dem PTT-Server; unddas Kommunizieren, durch den PTT-Server, mit der UE gemäß dem Träger; dadurch gekennzeichnet, dassdie UE und der der PTT-Server einen PTT-Ruf unter Verwendung eines SIP-Protokolls initialisieren;SIP-Verkehr vom PTT-Server dabei über einen Initialisierungs-Träger gesendet und empfangen wird;der PTT-Server einen dedizierten PTT-Träger einrichtet, der mit den durch den PTT-Server bestimmten QoS-Parametern assoziiert wird; undKommunizieren des PTT-Medien-Verkehrs zwischen dem PTT-Server und der UE via dem PTT-Träger.
Patent DE-112017002961-B4 (DE)
Title: Leistungs-halbleitereinheit
Inventor: YANAGIMOTO TATSUNORI
IPC: H01L21/60
Filed: 2017-06-12
Granted: 2022-06-09
Abstract: Leistungs-Halbleitereinheit (100), die Folgendes aufweist:- ein isolierendes Substrat (3) mit einer Metallschicht (3a) zumindest auf einer vorderen Oberfläche des isolierenden Substrats (3);- einen Draht-Höcker (9), der auf der Metallschicht (3a) angeordnet ist;- ein Halbleiterelement (4) das über eine Lotschicht (7) mit der Metallschicht (3a) verbunden ist; und wobei der Draht-Höcker (9) in der Lotschicht (7) angeordnet ist und mit der Metallschicht (3a) verbunden ist,wobei eine Legierung, die aus einem Material des Draht-Höckers (9) und einem Material der Lotschicht (7) besteht, an einer Grenzfläche zwischen dem Draht-Höcker (9) und der Lotschicht (7) angeordnet ist,wobei der Draht-Höcker (9) nur einen einzigen Wedge-Bond-Verbindungsbereich (9a, 9b) aufweist.
Patent CZ-281573-B6 (CZ)
Title: Circuit for synchronized horizontal wobbulation
Inventor: FERNSLER RONALD EUGENE
IPC: H04N3/16
Filed: 1991-03-26
Abstract: A first phase locked loop (12) generates a first timing signal (on 17) at a first horizontal synchronizing frequency (1fH) corresponding to a horizontal synchronizing component (on 13) in a video signal (on 11). A converter circuit (56) derives from the first timing signal (on 17) a second timing signal (on 61), having a second frequency (2fH) at a multiple of the first frequency and subject to a variation in frequency at a rate corresponding to the first frequency. A second phase locked loop (62) receives the second timing signal (on 61), which can be asymmetric within the period of the first timing signal (on 17), and a feedback signal (on 73) in accordance with the second frequency, and includes a controllable oscillator (66) for generating a smooth horizontal synchronizing signal (on 67) at the second frequency. The second phase locked loop has a characteristic loop response, determined by a low pass filter (63), preventing the voltage controlled oscillator (66) from changing frequency as fast as the rate of variation of the second timing signal (on 61). This drives the error signal for the controllable oscillator (66) toward an average value, resulting in a corrected, symmetric synchronizing signal at the second frequency. A horizontal output deflection stage (68) may be coupled to the second phase locked loop (62) for synchronized horizontal scanning in accordance with the second frequency. No additional signal processing circuitry is needed to correct the symmetry of the first timing signal generated by the first phase locked loop or the symmetry of the second timing signal derived by the converter. <IMAGE>
Patent CZ-284956-B6 (CZ)
Title: Hydraulic mattress
Inventor: KRISTEK PAVEL ING
IPC: A47C27/00
Filed: 1998-02-03
Abstract: A hydraulic mattress formed by two hollow cylinders (1, 2) which are parallel, inflexible, closed on both sides, flexibly formed, have non-expanding volume and are fluid impermeable. The hollow cylinders are pre-filled with a specified volume of fluid and a large number of crosswise, freely lying ribs (3). The hollow cylinders (1, 2) are partially filled with fluid and de-aerated, so in the rest position they have a flattened form.<IMAGE>
Patent SK-280900-B6 (SK)
Title: Pinned connection
Inventor: SMORADEK PETER
IPC: F16B12/10
Filed: 1997-01-28
Abstract: Two-part pin (1) consists of an external adjustable body (6) provided with a coaxial orifice. The orifice has an inside thread to admit an inside anchoring shackle (11) which is, on the other hand, provided with an external thread (12). An anchoring side (7) of the pin (1) is provided with a recess (10) and the front side (4) contains a groove (5). Said front side (4) has its cross-section smaller than the external adjustable body (6) of the pin (1) but is bigger than the groove (5).