baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent DE-102007028080-B4 (DE)
Title: Einrichtung zur Bestimmung und Analyse der Aufschmelzzone von Schweißstellen von Werkstücken
Inventor: DRECHSEL JAN
IPC: B23K26/03
Filed: 2007-06-15
Granted: 2009-06-18
Abstract: Einrichtung zur Bestimmung und Analyse der Aufschmelzzone von Schweißstellen von Werkstücken, wobei  – ein Laser mit einer Laserstrahlen (3) auskoppelnde Einrichtung so angeordnet ist, dass in die Schweißverbindung mit den Laserstrahlen (3) durch den Abtrag von Volumen eine Bohrung (4) eingebracht wird,  – eine Empfangsoptik (6) für elektromagnetische Strahlen des in den gasförmigen Zustand (5) übergegangenen Volumens an der Stelle der einzubringenden Bohrung (4) platziert ist und  – sich im weiteren optischen Strahlengang nach der Empfangsoptik (6) und vor einer Bildaufnahmeeinrichtung eine die aufgenommenen elektromagnetischen Strahlen spaltende, absorbierende oder Interferenzen erzeugende Vorrichtung als ein Bestandteil eines Spektralapparates zur qualitativen und quantitativen Bestimmung aus den Abbildungssignalen befindet, und  – die Bildaufnahmeeinrichtung mit einem Datenverarbeitungssystem so zusammengeschaltet ist, dass sowohl die Zusammensetzung der abgetragenen Volumenelemente und damit des Materials als auch bei Erreichen von Grundmaterial über die Intensität und die Pulszahl sowie die Anzahl der abgetragenen Volumenelemente die...
Patent DE-102007035632-B4 (DE)
Title: Sicherheitsverriegelung von Verriegelungstasten im Lastfall
Inventor: BESCHORNER HELGE
IPC: B60N3/00
Filed: 2007-07-27
Granted: 2021-01-28
Abstract: Sicherheitsverriegelung (10) zur Verriegelung eines Aufnahmebehälters, welcher ein Aufnahmeteil (12) und einen zugehörigen Deckel (14) umfasst, wobei der Deckel (14) oder das Aufnahmeteil (12) eine Bedientaste (16) mit einem Rastglied (18) aufweist, welches kraft- und/oder formschlüssig an einem in einer Öffnung/Aussparung (22) des Aufnahmeteiles (12) oder des Deckels (14) vorgesehenen Sperrelement (20) eine durch eine Betätigungshandlung (30) der Bedientaste (16) aufhebbare Verriegelungsposition (I) einnimmt, wobei durch die Betätigungshandlung (30) an der Bedientaste (16) jederzeit eine lastfallunabhängige Aufhebung der kraft- und/oder formschlüssigen Verriegelungsposition (I) zur Entriegelung des Aufnahmeteiles (12) gegenüber dem Deckel (14) oder umgekehrt möglich ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Öffnung/Aussparung (22) im Wesentlichen seitlich, orthogonal abgehende und entgegen der zur Entriegelung notwendigen Richtung der Betätigungshandlung (30) der Bedientaste (16) zurückgesetzte Ausnehmungen (24) aufweist, die als stufenartige Öffnung/Aussparung (22) mit unterschiedlicher Tiefe (T1, T2) ausgebildet sind, wobei die Ausnehmungen (24) bei einem durch ein Aufprallereignis hervorgerufenen Lastfall, bei einer sich dadurch ergebenden Relativbewegung des Aufnahmeteiles (12) und des Deckels (14) zueinander, ermöglichen, dass sich das Rastglied (18) im Wesentlichen in orthogonaler Richtung zur Betätigungshandlung (30) der Bedientaste (16) seitlich in eine der Ausnehmungen (24) hinein bewegt, wodurch zumindest eine formschlüssige, im Lastfall unaufhebbare Verriegelungsposition erreichbar ist, in der das Rastglied (18) zum einen an einer Anlagefläche eines randartigen Absatzes (34) des Sperrelementes (20) und zum anderen an einer dem randartigen Absatz (34) gegenüberliegenden Sperrfläche (26) in der in einer zweiten Tiefe (T2) zurückgesetzten Ausnehmung (24) der stufenartigen Öffnung/Aussparung (22) zur verklemmenden Anlage kommt.
Patent DE-102007038713-B4 (DE)
Title: Verfahren zur Herstellung von partiell verstärkten Hohlprofilen
Inventor: FLEHMIG THOMAS
IPC: B21C37/06
Filed: 2007-08-14
Granted: 2009-07-23
Abstract: Verfahren zur Herstellung von partiell verstärkten Hohlprofilen aus einem Metall, insbesondere Stahl oder einer Stahllegierung, bei welchem eine Platine gemeinsam mit einer Mehrzahl auf der Platine angeordneter Verstärkungselemente aus Metall durch die Verwendung der Einroll-Technik oder durch eine U-O-Umformung zu einem Hohlprofil umgeformt wird, wobei die auf der Platine angeordneten Verstärkungselemente nach der Umformung zumindest über einen Formschluss mit der umgeformten Platine verbunden sind.
Patent DE-102007046805-B4 (DE)
Title: Regale
Inventor: JÜRGENS WALTER
IPC: B65G1/04
Filed: 2007-09-29
Granted: 2017-10-19
Abstract: Regale mit rosteartigen Auflagen (Rost), die aus Profilen wie U's bestehen. die über Kopfstücke miteinander verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, dass das hintere Kopfstück der Roste mit schräg verlaufender Ebenen versehen ist, die von der Auflagefläche an schräg nach oben vom Regal weggehend an dem hinteren Kopfstück angeformt ist.
Patent DE-102007054472-B4 (DE)
Title: Geothermiesystem
Inventor: PUETTMANN FRANZ-JOSEF
IPC: F24J3/08
Filed: 2007-11-13
Granted: 2010-04-15
Abstract: Geothermiesystem zum Wärmetausch mit dem Wasser einer öffentlichen Versorgungsleitung, dadurch gekennzeichnet, dass ein Wärmetauschermodul, das einen in einen Rohrabschnitt (130; 230; 330; 430; 530; 630) integrierten Wärmetauscher (120; 220; 320; 420; 520; 620) umfasst, in die Versorgungsleitung (100) eingesetzt ist.
Patent DE-102007062087-B4 (DE)
Title: Hybridfügeverfahren für Überlappverbindungen
Inventor: JENDRNY JOERG
IPC: F16B11/00
Filed: 2007-12-21
Granted: 2010-04-08
Abstract: Verfahren zum Herstellen einer überlappenden Hybridverbindung von zwei oder mehr Bauteilen (2, 4), mit den Verfahrensschritten:  – gezieltes Abtragen von Material von einem oder mehr der Bauteile (2, 4), oder gezieltes Auftragen von Material auf eines oder mehr der Bauteile (2, 4) im Bereich der herzustellenden Überlappung (10) zum Ausbilden von einem oder mehreren Vorsprüngen (14), wobei das Abtragen von Material durch ein chemisches Abtragverfahren und das Auftragen von Material durch ein Druckverfahren durchgeführt wird;  – Auftragen von Klebstoff (24) auf eines oder mehr der Bauteile (2, 4) im Bereich der herzustellenden Überlappung (10);  – Überlappen der Bauteile (2, 4);  – Zusammendrücken der Bauteile (2, 4) im Bereich der Überlappung (10) zum Andrücken der Vorsprünge (14) an den oder die überlappenden Bauteile (4); und  – Herstellen einer oder mehrerer mechanischer punktförmiger Fügeverbindungen an den Vorsprüngen (14) im Überlappungsbereich (10).
Patent DE-102008003372-B4 (DE)
Title: Verfahren zur Herstellung eines mehrlagigen zwei- oder dreidimensionalen Schaltungsträgers
Inventor: LENEKE THOMAS
IPC: H05K1/02
Filed: 2008-01-08
Granted: 2012-10-25
Abstract: Verfahren zur Herstellung eines mehrlagigen zwei- oder dreidimensionalen Schaltungsträgers mittels folgender Schritte: a) auf die Oberfläche eines zwei- oder dreidimensionalen Grundkörpers (1) aus einem thermoplastischen Polymer, bei dem mindestens eine oberste Schicht aus einem dielektrischen Material besteht, werden mittels eines an sich bekannten Metallisierungsverfahrens erste elektrische Leiterbahnen (2) aufgebracht, b) die nicht metallisierte Oberfläche des Grundkörpers (1) wird durch partielles Aufschmelzen und/oder partiellen Materialabtrag mittels elektromagnetischer Strahlung mindestens in den Bereichen (3) aufgeraut, in denen im nachfolgenden Schritt c) eine erste dielektrische Schicht (4) aus einem thermoplastischen Polymer aufgebracht wird, c) auf vorbestimmte Bereiche der ersten elektrischen Leiterbahnen (2) und der Oberfläche des Grundkörpers (1) wird im Spritzgiessverfahren die erste dielektrische Schicht (4) aufgebracht, in der sodann Kontaktlöcher (5) durch Laserbohren zur elektrischen Kontaktierung der nun verdeckten ersten elektrischen Leiterbahnen (2) erzeugt werden, d) auf die Oberfläche der ersten dielektrischen Schicht (4) werden mittels eines an...
Patent DE-102008016425-B4 (DE)
Title: Verfahren zur Strukturierung einer Metallisierungsschicht durch Verringerung der durch Lackentfernung hervorgerufenen Schäden des dielektrischen Materials
Inventor: FEUSTEL FRANK
IPC: H01L21/768
Filed: 2008-03-31
Granted: 2015-11-19
Abstract: Verfahren zum Strukturieren eines dielektrischen Materials (221) einer Metallisierungsschicht (220) eines Halbleiterbauelements (200), wobei das Verfahren umfasst: Bilden einer ersten Hartmaskenschicht (231), die ein Metall aufweist, über dem dielektrischen Material; Bilden einer zweiten Hartmaskenschicht (232) auf der ersten Hartmaskenschicht (231); Bilden einer ersten Öffnung (230A) in der ersten (231) und der zweiten (232) Hartmaskenschicht; wobei die erste Öffnung (230A) einer Kontaktlochöffnung entspricht, die in dem dielektrischen Material (221) herzustellen ist; Bilden einer Deckschicht (234) in der ersten Öffnung (230A), wobei die Deckschicht (234) Siliziumdioxid, Kohlenstoff und/oder Siliziumkarbid enthält; Bilden einer zweiten Öffnung (232A) in der zweiten Hartmaskenschicht (232) und eines ersten Teils (221U) der Kontaktlochöffnung in dem dielektrischen Material (221), wobei die zweite Öffnung (232A) einem Graben entspricht, der in dem dielektrischen Material (221) herzustellen ist; wobei die Deckschicht (234) vor dem Bilden der zweiten Öffnung (232A) und des ersten Teils (221U) der Kontaktlochöffnung gebildet wird; Bilden der zweiten Öffnung (230B) in der ersten Hartmaskenschicht (231); und Bilden des Grabens (221T) und eines zweiten Teils (221A) der Kontaktlochöffnung unter Anwendung der ersten Hartmaskenschicht (231) als eine Ätzmaske.
Patent DE-102008029773-B4 (DE)
Title: Drehgeberbauteilgruppe
Inventor: WIMMER THOMAS DIPL -ING (FH)
IPC: G01B21/22
Filed: 2008-06-25
Granted: 2021-09-16
Abstract: Drehgeberbauteilgruppe umfassend
 - eine Welle (1) mit einer Achse (A),
 - einen Teilungsträger (2),
 - eine Vorrichtung (3) zum axialen Positionieren des Teilungsträgers (2) relativ zur Welle (1) in einem vorgegebenen Abstand (z) von einer Bezugsfläche (B), wobei die Vorrichtung (3) ein erstes Element (3.1) und ein zweites Element (3.2) umfasst, und
 der Abstand (z) durch axiale Aneinanderreihung der Elemente (3.1, 3.2) herstellbar ist, wobei die Elemente (3.1, 3.2) in der aneinander gereihten Anordnung einerseits in Kontakt mit mehreren Bezugspunkten (PR) des Teilungsträgers (2) und andererseits mit der Bezugsfläche (B) sind, und
 das zweite Element (3.2) so verschiebbar ist, dass nach dem Verschieben des zweiten Elements (3.2) das erste Element (3.1) axial bewegbar ist zum Entnehmen des ersten Elements (3.1) nach erfolgtem Positionieren des Teilungsträgers (2).
Patent DE-102008030501-B4 (DE)
Title: Speichermodul und Verfahren zum Zugreifen auf ein Speichermodul
Inventor: YEH CHIH-HUI
IPC: G11C5/04
Filed: 2008-06-27
Granted: 2017-09-07
Abstract: Speichermodul (300, 400), umfassend: eine Vielzahl von Speicher-Untermodulen (302_1, 302_2, 402_1, 402_2), wobei jedes Speicher-Untermodul (302_1, 302_2, 402_1, 402_2) eine Vielzahl von Speicherchips (310_1 bis 310_4; 310_5 bis 310_8; 410_1 bis 410_4; 410_5 bis 410_8) umfasst und die Vielzahl von Speicherchips (310_1 bis 310_4; 310_5 bis 310_8; 410_1 bis 410_4; 410_5 bis 410_8) in Reihe geschaltet sind; und eine Vielzahl von Gruppen von Eingangsanschlüssen (304_1, 304_2, 404_1, 404_2), die jeweils mit der Vielzahl von Speicher-Untermodulen (301_1, 302_2, 402_1, 402_2) verbunden sind, um die gleichen Eingangssignale zu empfangen, wobei jede Gruppe von Eingangsanschlüssen (304_1, 304_2, 404_1, 404_2) verwendet wird, um die Vielzahl von Eingangssignalen in die korrespondierenden Speicher-Untermodule (302_1, 302_2, 402_1, 402_2) zu übertragen, dadurch gekennzeichnet, dass die Vielzahl von Eingangsanschlüssen (404_1, 404_2) umfasst: zumindest sechs Zeilenadressen-Signalanschlüsse, um zumindest sechs Zeilenadressensignale zu empfangen, wobei eine Länge einer Zeilenadressen-Befehlseinheit jedes Zeilenadressensignals zu einer Vielzahl von Taktperioden eines Taktsignals korrespondiert, und die Zeilenadressen-Befehlseinheit eine Vielzahl von Zeileneingangsbefehlen umfasst; zumindest fünf Spaltenadressen-Signalanschlüsse, um zumindest fünf Spaltenadressensignale zu empfangen, wobei eine Länge einer Spaltenadressen-Befehlseinheit jedes Spaltenadressensignals zu einer Vielzahl von Taktperioden des Taktsignals korrespondiert, und die Spaltenadressen-Befehlseinheit eine Vielzahl von Spalteneingangsbefehlen umfasst; einen Zeilenadressen-Chipauswahl-Signalanschluss, um ein Zeilenadressen-Chipauswahl-Signal zu empfangen, um einen Speicherchip zum Empfangen der Vielzahl von Zeilenadressensignalen zu nutzen; und einen Spaltenadressen-Chipauswahl-Signalanschluss, um ein Spaltenadressen-Chipauswahl-Signal zu empfangen, um einen Speicherchip zum Empfangen der Vielzahl von Spaltenadressensignalen zu nutzen.
Patent DE-102008038655-B4 (DE)
Title: Vorrichtung zum Verschweißen von mindestens zwei Bändern aus Metall und Verfahren zur Herstellung eines Metallbandes
Inventor: VOGT HANS-PETER
IPC: B23K37/04
Filed: 2008-08-12
Granted: 2017-04-27
Abstract: Vorrichtung zum Verschweißen von mindestens zwei Bändern aus Metall (a, b, c) entlang ihrer Längskante umfassend mindestens zwei Bandzuführungseinrichtungen (1, 2, 3, 4, 5, 8) zum Zuführen von jeweils einem Metallband in mindestens eine Schweißstation (6, 7), wobei in der Schweißstation (6, 7) eine Verschweißung der mindestens zwei Metallbänder (a, b) entlang ihrer Längskante erfolgt, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Bandzuführungseinrichtung (1, 2, 3, 4, 5, 8) zumindest quer zur Bandlaufrichtung des Metallbandes (a, b, c) bewegbar angeordnet ist, wobei die einzelnen Einheiten der Bandzuführungseinrichtungen (1, 2, 3, 4, 5, 8), die Schweißstationen (6, 7) und/oder die Aufwickelhaspel (9) unabhängig voneinander zumindest quer zur Bandlaufrichtung bewegbar angeordnet sind.
Patent DE-102008054994-B4 (DE)
Title: Verfahren und Vorrichtung zur Spannungsversorgung von einem analogen Sensor
Inventor: LEIBBRAND BEATE
IPC: G01D21/00
Filed: 2008-12-19
Granted: 2022-07-28
Abstract: Verfahren zur Spannungsversorgung von einem analogen Sensor, bei welchem dem Sensor (3) durch eine Spannungsquelle (1) eine Versorgungsspannung (Vs) zugeführt wird und eine am Sensor (3) anstehende Analogspannung (V out ) durch eine Auswerteeinheit (5) durch Vergleich mit einer Analogreferenz (AD Ref ) gemessen wird, wobei die Versorgungsspannung (Vs) des Sensors (3) in einem vorgegebenen Spannungsbereich des Sensors (3) liegt und kleiner ist als eine Toleranzschwelle der Analogreferenz (AD Ref ) der Auswerteeinheit (5), dadurch gekennzeichnet, dass durch die Spannungsquelle (1) die Versorgungsspannung (Vs) des Sensors (3) in einem Bereich zwischen einer unteren Toleranz der Versorgungsspannung (Vs) und einer unteren Toleranz der Analogreferenz (AD Ref ) geregelt wird.
Patent DE-102008061354-B4 (DE)
Title: Federspeicherbremszylinder mit einer einen Führungsring mit radial äußeren Ausnehmungen beinhaltenden Dichtungsanordnung
Inventor: DEROUAULT SYLVAIN
IPC: F16D65/28
Filed: 2008-12-10
Granted: 2014-01-30
Abstract: Federspeicherbremszylinder (1) für Bremsanlagen von Fahrzeugen, mit einem im Gehäuse des Federspeicherbremszylinders (4) angeordneten, durch wenigstens eine Speicherfeder (10) betätigbaren Federspeicherbremskolben (8), wobei der Federspeicherbremskolben (8) an seiner radial äußeren Umfangsfläche eine Dichtungsanordnung (52) trägt, zur Abdichtung einer die Speicherfeder (10) beinhaltenden Federkammer (14) gegenüber einer be- und entlüftbaren Federspeicherbremskammer (12) des Federspeicherbremszylinders (4) und die Dichtungsanordnung (52) einen den Federspeicherbremskolben (8) gegenüber einer Lauffläche (54) des Federspeicherbremszylinders (4) mit seiner radial äußeren Arbeitsfläche (56) führenden Führungsring (58) und wenigstens ein mit seinem Dichtungsabschnitt (60) gegen die Lauffläche (54) des Federspeicherbremszylinders (4) dichtendes Dichtungselement (62), wobei die Arbeitsfläche (56) des Führungsrings (58) dem Dichtungsabschnitt (60) des Dichtungselements (62) in Strömungsrichtung von der Federkammer (14) in die Federspeicherbremskammer (12) gesehen vorgeordnet ist und der Führungsring (58) aus einem gegenüber dem Material des wenigstens einen Dichtungselements (62) steiferen Material besteht, dadurch gekennzeichnet, dass der Führungsring (58) an seiner radial äußeren Arbeitsfläche (56) mit wenigstens einer sich in axialer Richtung erstreckenden, eine Strömungsverbindung zwischen der zur Federkammer (14) weisenden Stirnfläche (68) des Führungsrings (58) und der zum Dichtungsabschnitt (60) des Dichtungselements (62) weisenden Stirnfläche (72) des Führungsrings (58) schaffenden radial äußeren Ausnehmung (74) versehen ist.
Patent DE-102009009384-B4 (DE)
Title: Detektion von Druckschwankungen in einem heißen Medium auf Basis von Millimeterwellen
Inventor: WILLSCH MICHAEL
IPC: F23C9/00
Filed: 2009-02-18
Granted: 2010-11-04
Abstract: Verfahren zur Detektion von Druckschwankungen (Δp) eines heißen Mediums (130) in einer Kammer (110), insbesondere in einer Brennkammer einer Turbine oder in einer Kompressorkammer eines Kompressors, bei dem ein flexibles Element (210), insbesondere eine Membran, das mit dem Medium (130) in Kontakt steht, bei Druckschwankungen des Mediums (130) aus einer Ruhelage (x 0 ) ausgelenkt wird, wobei  – von einem Sender (400, 700) ein elektromagnetisches Millimeterwellen-Signal (S) auf das flexible Element (210) ausgesendet wird,  – das elektromagnetische Signal (S) an dem flexiblen Element (210) reflektiert wird,  – eine Phasenlage φ S  des ausgesendeten Signals (S) mit einer Phasenlage φ R  des reflektierten Signals (R) verglichen wird und  – aus dem Ergebnis des Vergleichs der Phasenlagen φ S , φ R  eine Auslenkung (Δx) des flexiblen Elements (210) ermittelt wird.
Patent DE-102009029204-B4 (DE)
Title: Verfahren zum Betreiben einer Schmelzwanne zum Schmelzen von Glas mit Schutzgasspülung von Elektrodenhaltern
Inventor: DUCH KLAUS-DIETER DR
IPC: C03B5/02
Filed: 2009-09-04
Granted: 2012-11-22
Abstract: Verfahren zum Betreiben einer Schmelzwanne zum Schmelzen von Glas mit einer eine Öffnung aufweisenden Wandung aus Feuerfestmaterial (102, 202, 302), die eine der Schmelze zugewandte Innenseite (110, 210, 310) definiert, mindestens einer eine Heizelektrode (101, 201, 301, 401) und einen mit der Heizelektrode verbundenen Elektrodenhalter (100, 200, 300, 400) mit Kühlmittelleitung (103, 203, 303, 403) aufweisenden Heizanordnung, die in die Öffnung der Wandung so eingeführt ist, dass die Heizelektrode zumindest teilweise in das Innere der Schmelzwanne hineinragt, wobei die Heizanordnung einen Spalt (215, 315, 415) zwischen Heizelektrode und Elektrodenhalter aufweist, in den während des Schmelzbetriebes ein Schutzgas geleitet wird, dadurch gekennzeichnet, dass an einer der Glasschmelze zugewandten Seite des Elektrodenhalters ein ungekühlter Abschnitt besteht, und dass zwischen einer Haltervorderkante und der Innenseite der Schmelzwanne eine Setztiefe (s) im Verhältnis zur Länge des ungekühlten Abschnitts so eingestellt wird, dass die Glasschmelze teilweise in den Spalt zwischen Heizelektrode und Elektrodenhalter eindringt.
Patent DE-102009031545-B4 (DE)
Title: Verfahrenen zur Herstellung eines Mikroelektromechanischen-System- (MEMS-) Bauelements
Inventor: SCHOEN FLORIAN
IPC: B81B7/02
Filed: 2009-07-02
Granted: 2013-08-14
Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Mikroelektromechanischen-System-(MEMS-)Bauelements, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst: Bereitstellen eines Werkstücks (102; 202; 302), wobei das Werkstück (102; 202; 302) einen Volumenhalbleiterwafer umfasst; Implantieren einer Substanz in einen Abschnitt des Werkstücks (102; 202; 302), wodurch eine vergrabene isolierende Materialschicht (114; 214; 314) mit einem Umfang unterhalb einer oberen Oberfläche des Werkstücks (102; 202; 302) gebildet wird; Strukturieren eines oberen Abschnitts des Werkstücks (102; 202; 302), um einen über der vergrabenen isolierenden Materialschicht (114; 214; 314) entlang des Umfangs derselben angeordneten Graben (126) zu erzeugen, der sich bis zu der vergrabenen isolierenden Materialschicht (114; 214; 314) erstreckt; Füllen von zumindest einem Teil des Grabens (126) des Werkstücks (102; 202; 302) mit zumindest einem isolierenden Material, wodurch ein Isolationsring (128; 328) in dem oberen Abschnitt des Werkstücks (102; 202; 302) gebildet wird, wobei das isolierende Material in dem Graben (126), das an die vergrabene isolierende Materialschicht (114; 214; 314) angrenzt, eine Ätzselektivität zu der vergrabenen isolierenden Materialschicht (114; 214; 314) aufweist; und Bilden eines beweglichen Elements (144a; 344a) in dem oberen Abschnitt des Werkstücks (102; 202; 302), der von dem Isolationsring (128; 328) umgeben ist, wobei das Bilden des beweglichen Elements (144a; 344a) das Bilden von zumindest einem Loch (140; 340) nahe dem beweglichen Element (144a; 344a) umfasst, und das Entfernen von zumindest einem Abschnitt der vergrabenen isolierenden Materialschicht (114; 214; 314) durch das zumindest eine Loch (140), wodurch das bewegliche Element (144a; 344a), das den oberen Abschnitt des Werkstücks (102; 202; 302) umfasst, innerhalb des Isolationsrings (128; 328) gebildet wird, wobei durch die Ätzselektivität die vergrabene isolierende Materialschicht (114; 214; 314) unterhalb des Isolationsrings (128; 328) entfernt wird und der Isolationsring (128; 328) stehen bleibt.
Patent DE-102009034006-B4 (DE)
Title: Flachstrickmaschine mit vertikal und horizontal verstellbarem Fadenführerarm
Inventor: HALTENHOF HANS-GUENTHER
IPC: D04B15/56
Filed: 2009-07-21
Granted: 2012-12-27
Abstract: Flachstrickmaschine mit mindestens einem längs einer Fadenführerschiene (200) beweglichen Fadenführer (1), der einen in vertikaler Richtung verstellbaren Fadenführerarm (2) aufweist, wobei ein von einem den Fadenführer (1) bewegenden Mitnehmer (100) oder Antriebsmittel unabhängiges Steuerteil (5) zur Vertikalverstellung des Fadenführerarms (2) vorgesehen ist, dadurch gekennzeichnet, dass Steuermittel vorgesehen sind, die bei einer Vertikalverstellung des Fadenführerarms (2) eine überlagerte Horizontalverstellung des Fadenführerarms (2) bewirken.
Patent DE-102009041512-B4 (DE)
Title: Vorspannen eines Transistors außerhalb eines Versorgungsspannungsbereiches
Inventor: BAUMGARTNER PETER
IPC: H03K17/16
Filed: 2009-09-14
Granted: 2014-02-13
Abstract: Schaltkreis, umfassend: einen ersten Transistor (2702), welcher ausgestaltet ist, zwischen einem ersten Gate-vorgespannten Zustand und einem zweiten Gate-vorgespannten Zustand umgeschaltet zu werden; und einen zweiten Transistor (2704), welcher ausgestaltet ist, zwischen einem ersten Gate-vorgespannten Zustand und einem zweiten Gate-vorgespannten Zustand umgeschaltet zu werden, wobei mindestens einer der Gate-vorgespannten Zustände für jeden Transistor außerhalb eines Versorgungsspannungsbereiches liegt und wobei der erste Transistor (2702) und der zweite Transistor (2704) entweder paarweise NMOS Transistoren oder PMOS Transistoren umfassen, und – einen Steuerschaltkreis, welcher ausgestaltet ist, den ersten Transistor (2702) zwischen einem ersten Gate-vorgespannten Zustand und einem zweiten Gate-vorgespannten Zustand umzuschalten und den zweiten Transistor (2704) zwischen einem zweiten Gate-vorgespannten Zustand und einem ersten Gate-vorgespannten Zustand umzuschalten, wobei der erste Transistor in dem ersten Gate-vorgespannten Zustand außerhalb des Versorgungsspannungsbereiches einen ausgeschalteten Zustand erreicht und der zweite Transistor in dem zweiten Gate-vorgespannten Zustand außerhalb des Versorgungsspannungsbereiches einen ausgeschalteten Zustand erreicht.