baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent KR-100278427-B1 (KR)
Title: 스케일가능한모스전계효과트랜지스터
IPC: H01L29/78
Filed: 1997-07-18
Granted: 2001-02-01
Abstract: 쇼트키 금속-반도체간 접합을 가진 자기 정렬형 소스 및 드레인 접점을 구비하고, T-자형 게이트를 포함하는 FET 및 그 제조방법이 기술된다.  혹은 에칭 선택성 및 T-자형 게이트를 제공하기 위해 소스 및 드레인 접점에 채널 물질과는 다른 고농도로 도핑된 반도체 물질을 구비하는 FET 및 그 제조 방법이 기술된다.  혹은 소스 및 드레인 접점에는 금속을, 자기 정렬된 게이트 유전체에는 금속의 옥사이드(oxide of the metal)를 구비하는 FET 및 그 제조 방법이 기술된다.  본 발명은 자기 정렬된 높은 저항을 가진 소스/드레인 접점의 문제 및 소자들이 더 작은 크기로 줄어듦에 따라 증가하고 있는 서브마이크론(submicron) FET 소자의 게이트 전극의 저항이 크게 되는 문제를 극복한다.
Patent KR-100233550-B1 (KR)
Title: 키토산을 이용한 농작물 선도유지방법 및 발효식품 장기저장방법
Inventor: RYEU BYOUNG-HO
IPC: A01N43/02
Filed: 1997-07-22
Granted: 1999-12-01
Abstract: 본 발명은 발효식품의 선도를 장기간 유지하기 위한 농작물 선도유지방법 및 발효식품 장기저장방법에 관한 것이다. 본 발명은 예컨대 십자화과 식물등의 재배기간 중 특히 재배말기에 키토산 수용액을 분무하거나 또는 키토산분말을 토양 중에 살포하여 식물을 재배하는 방법을 제공한다. 이렇게 하여 얻어진 채소류를 원료로하여 제조된 김치류나 과실류는 그 풍미증대와 저장성증대 효과가 있다.
Patent KR-100265726-B1 (KR)
Inventor: CHOI KWANG-SIG
IPC: G11B20/10
Filed: 1997-07-23
Granted: 2000-09-15
Abstract: PURPOSE: A playing method of a RW-CD(ReWrite Compact Disc) is provided to reduce errors by playing back a RW-CD in the same method as a regular CD with high gain of an RF(Radio Frequency) amplifier. CONSTITUTION: A microcomputer detects focus error signals by amplifying RF signals reflected from an optical disk when the disk is loaded on a driver. The microcomputer decides a focusing of the focus error signals. If so, the microcomputer plays back the disk by deciding the disk as a regular CD. Otherwise, the microcomputer increases amplification gain of the RF signals and amplifies the RF signals reflected from the optical disk by the increased gain again. The microcomputer detects focus error signals from the RF amplified signals and decides focusing of the signals. If the focus error signals are focused, the microcomputer decides the disk as a RW-CD and plays back the disk. On the contrary, if not, the microcomputer decides that the disk is not loaded. The RW-CD obtains low occurrence of error with high RF gain.
Patent KR-100223427-B1 (KR)
Inventor: KIM TEA SUL
IPC: D06F37/40
Filed: 1997-08-30
Granted: 1999-10-15
Abstract: 본 발명은 세탁기의 클러치에 설치되는 브레이크 레버에 작동캠을 사용 부품수를 줄여 효율적으로 결합시킬수 있도록 한 세탁기의 브레이크 레버와 작동캠 결합구조에 관한 것으로, 본 발명은 브레이크 레버에 브레이크 레버의 작동시 연동하는 작동캠이 세탁시 좌,우 방향으로의 회동이 방지되도록 고정 수단에 의해 결합되므로써 사용 부품수의 감소에 따른 제작 단가를 절감시킬수 있고, 단순한 조립 구조로 인해 생산성을 증대시킬수 있으며, 세탁시 클러치 보스가 작동캠을 타고 넘어가지 않도록 하여 소음 발생을 사전에 방지할수 있게 된다.
Patent KR-100243681-B1 (KR)
Inventor: MUN JAE-KYOUNG
IPC: H01L29/778
Filed: 1997-09-18
Granted: 2000-02-01
Abstract: 본 발명은 낮은 무릅전압과 출력 컨덕턴스, 높은 항복전압과 트랜스 컨덕턴스를 갖도록하여 출력 및 효율 특성이 우수하여 저전압 구동의 이동통신용 전력소자에 적합한 갈륨비소 MESFET의 에피택셜 기판 구조에 관한 것으로서, 도핑되지 않은 갈륨비소 버퍼층과 상기 버퍼층의 중간 부분에 Al X Ga 1-X As/GaAs의 초격자층을 각각의 두께가 3 nm로 수십층을 형성하고, 상기 도핑되지 않은 갈륨비소 버퍼층 위에 중간 농도로 도핑된 채널층과 저농도로 도핑된 채널층을 차례로 적층하고, 그 위에 도핑되지 않은 갈륨비소층을 표면층으로 형성한 것이다.
Patent KR-100321029-B1 (KR)
Title: Pilot burner of radian tube for easy adjusting of ignition gap
Inventor: MUN JAE SEON
IPC: F23D14/00
Filed: 1997-09-18
Granted: 2002-05-09
Abstract: PURPOSE: The ignition gap formed between a plus and minus electrode of a pilot burner is adjusted easily and stably. CONSTITUTION: A pilot burner for radian tube is composed of a rod and an ignition tube connected to the plus and minus electrode of an ignition plug(110). The rod is composed of a main rod(11), a connection rod(12) and an ignition rod(14). The connection rod is formed with female screw portion in both ends. One of the female screw portion is connected to the main rod. The ignition rod is connected to the connection rod in one end, and a spark generating portion is formed in the other end.
Patent KR-100435617-B1 (KR)
Title: 최적프로빙모드에의한프로빙방법및장치
IPC: G01R1/067
Filed: 1997-09-19
Granted: 2004-09-08
Abstract: 본 발명은, 프로버에 의하여 행해지는 프로빙에리어의 설정을, 웨이퍼의 전극패드 형성부 만으로 행하도록 하여, 바늘의 보호를 도모할 수 있는 최적 프로빙모드 설정방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 
     본 발명은, 웨이퍼 상에 매트릭스로 형성된 복수의 칩 중 복수의 칩마다 1조의 측정용 채널을 가진 프로브카드를 이동시켜 검사하는 멀티타입의 검사기구에 있어서, 상기 1조의 측정용 채널의 모든 채널이 반드시 어느 칩을 측정할 위치에 있도록 하는 모드에서, 상기 프로브카드를 이동시킴으로써, 프로브바늘이 반도체웨이퍼의 끝단부의 테이퍼면으로 들어가서, 손상되는 것을 방지한다.
Patent KR-100241312-B1 (KR)
Inventor: LIM CHAE WANG
IPC: G09F9/30
Filed: 1997-10-14
Granted: 2000-02-01
Abstract: 내부에 조명장치를 내장한 입간판에 관한 것으로 종래의 입간판은 조립된 상태로 운반,시공하여 왔었기 때문에 부피가 크고 무거워서 많은 장비와 인력을 필요로 하고 작업의 위험성이 항상 내재되어 있었으나 본 발명은 구조가 단순하고 조립이 가능하며 운반 및 시공이 편리하여 작업시간의 단축과 작업 위험성도 현저히 격감 시킬 수 있는 입간판에 대한 것이다.
Patent KR-100247764-B1 (KR)
Inventor: BAE BYEONG YEONG
IPC: H04N5/225
Filed: 1997-10-20
Granted: 2000-03-15
Abstract: 본 발명은 비디오 카메라용 리니어 모터의 요크 및 마그네트 결합구조에 관한 것으로서, 배럴마스터의 내부측 상,하면에 고정된 요크에는 결합부에 의해 마그네트가 상기 요크에 대해 직접 결합됨으로써, 마그네트를 결합시키기 위한 별도의 접착제가 삭제되어 이에 따른 결합공정이 단축됨은 물론 원가를 최소로 절감할 수 있고, 특히 마그네트가 견고하게 결합되어 충격에 의한 이탈이 방지되므로 결합성을 향상시킬 수 있다.
Patent KR-100242285-B1 (KR)
Inventor: CHOI MOOK SUN
IPC: B05D5/06
Filed: 1997-10-30
Granted: 2000-02-01
Abstract: 본 발명은 도료를 피도물(披塗物)의 표면에 도포하는 정전분체도장방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 마스킹테이프를 이용하여 피도물의 표면에 다양한 색상과 무늬를 정확하고 견고하게 도포시키면서도 도포층의 두께가 일정하여 표면이 매끄럽고 도포면의 연결부위가 깨끗한 정전분체도장방법에 관한 것이다. 
     본 발명의 다중무늬색상의 정전분체도장방법에 의하면, 마스킹테이프를 이용하여 다양한 색상과 무늬를 정전분체도장밥법으로 피도물의 표면에 도포한 후 저온 경화시킴으로써 상기 마스킹테이프에 의한 도포면 상태의 악화를 방지할 수 있고, 최종적으로 고온경화하여 상기 색상과 무늬를 정확하고 견고하게 함으로써 도료가 도포면으로부터 떨어지지 않을 뿐만 아니라 도포층의 두께가 일정하여 표면이 매끄럽고 도포면의 연결부위가 깨끗하게 되는 뛰어난 효과가 있다.
Patent KR-100271100-B1 (KR)
Inventor: IKUWABA HIROAKI
IPC: C04B35/46
Filed: 1997-11-12
Granted: 2000-11-01
Abstract: 본 발명은 고유전율을 갖는 유전체 세라믹 조성물에 관한 것으로, 유전체 세라믹 조성물은 1000℃ 이하의 온도에서 은 및 은 합금과 함께 소성될 수 있다. 화학식 Pb(Cu 1/2 W 1/2 )O 3 의 조성물을 형성할 수 있는 Pb 3 O 4, CuO 및 WO 3 의 군과 산화망간으로 구성된 군에서 선택된 적어도 한 종류의 첨가물은, 주성분이 납 니켈로니오베이트 Pb(Ni 1/3 Nb 2/3 )O 3 와 납 티타네이트 PbTiO 3 으로 된 고용체를 포함하는 2 성분 유전체 세라믹 조성물에 첨가된다. 첨가물은 2 성분 조성물의 소결을 증진시키는 능력, 및 조성물의 소성온도를 저하시키는 능력을 갖는다.
Patent KR-100253353-B1 (KR)
Title: Method of fabricating mos transistor
Inventor: KIM SEONG-JIN
IPC: H01L27/082
Filed: 1997-11-20
Granted: 2000-04-15
Abstract: PURPOSE: A method of fabricating a MOS transistor is provided to be able to shield current passing through a well for preventing leakage current by forming a current limit region on a bottom of an ion implantation region, thereby enhancing the characteristics and reliability of the transistor. CONSTITUTION: A p well(2) is formed by implanting impurity ions into a substrate(1), a field oxide(3) is deposited on the p well(2). Then, a current limit region(9) is formed on a bottom of the p well(2) by implanting n type impurity ions of high density into the p well(2). Next, an NMOS transistor(10) of LDD structure on the p well exposed between the field oxides(3), and a p type ion implantation region(8) is formed by implanting p type impurity ions of high density into the p well exposed between the NMOS transistor(10) and adjacent field oxide(3).
Patent KR-100256614-B1 (KR)
Inventor: PARK IL YONG
IPC: G11B33/12
Filed: 1997-11-25
Granted: 2000-05-15
Abstract: PURPOSE: A method and a device for controlling a motor by a PWM(Pulse Width Modulation) are provided to prevent instability of power in an optical disk drive of slim type. CONSTITUTION: A microcomputer checks present rpm(revolutions per minute) of a spindle motor(20). In case of the checked rpm within a damping range, the checking of the present rpm is continued(22). In case of the checked rpm out of the damping range, a step in a PWM duty control table is decided according to difference between the present rpm and a target rpm(24). Then, an increase and decrease rate is established according to the decided step for controlling the pulse duty of the PWM signal. The PWM signal is outputted.
Patent KR-100268935-B1 (KR)
Title: Method for forming plug of semiconductor device
Inventor: KIM IL SEOP
IPC: H01L21/28
Filed: 1997-12-17
Granted: 2000-12-01
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a plug of a semiconductor device is provided to reduce contact resistance of metal by minimizing loss of a poly plug in a contact hole, and to improve process margin by improving margin regarding an etch-back process of a polysilicon layer in a unit process. CONSTITUTION: After an insulating layer(22) is formed on a semiconductor substrate(21), the insulating layer is selectively removed to form a contact hole exposing the semiconductor substrate. A polysilicon layer is formed on the entire surface including the contact hole, and a poly plug(24a) is formed in the contact hole by an etch-back process using mixed etching gas of SF6 and HBr. Metal is formed on the entire surface of the semiconductor substrate including the poly plug.
Patent KR-100295195-B1 (KR)
Title: 양안정성네마틱액정을이용한액정표시소자및그구동방법
IPC: G09G3/36
Filed: 1997-12-17
Granted: 2001-09-17
Abstract: 본 발명은 양 안정성 네마틱액정을 이용한 액정표시소자 및 그 구동방법에 관한 것으로서, 단순매트릭스형의 액정셀 내에는 액정분자가 기판에 대해서 실질적으로 수직으로 배열시키는 값의 전압값을 갖는 리세트전압이 인가된 후 그 전압값보다도 작은 소정의 값을 갖고 서로 다른 복수의 전압값의 트위스트선택전압의 선택적인 인가에 의해 액정분자가 각각 다른 제 1 준안정상태와 제 2 준안정상태의 한쪽에 선택적으로 배열하고, 또한 상기 대향하는 전극간에 인가되는 전압의 실효값에 따라서 상기 제 1 준안정상태와 제 2 준안정상태에서 액정분자의 상기 기판에 대한 틸트각이 제어되는 양 안정성을 갖는 네마틱액정재료가 봉지되어 있고, 주사드라이버는 외부로부터 공급을 받는 표시데이터에 따라서 상기 한쌍의 기판의 한쪽의 전극에 상기 리세트전압을 상기 전극간에 인가하기 위한 리세트전압과 상기 전극간에 상기 표시데이터에 따른 실효값의 전압을 인가하기 위한 기간을 지정하는 기입기간선택전압을 공급하며, 데이터드라이버는 상기 표시데이터에 따라서 상기 한쌍의 기판의 다른쪽의 전극에 상기 제 1 준안정상태선택전압과 제 2 준안정상태선택전압을 상기 전극간에 선택적으로 인가하기 위한 준안정상태선택전압과 상기 표시데이터에 따른 실효값의 전압에 대응하는 기입전압을 각각 상기 리세트전압과 기입기간전압에 동기시켜서 공급하는 것을 특징으로 한다.
Patent KR-100261259-B1 (KR)
Title: Absorbent air conditioner
Inventor: SATO TOSHIHIRO
IPC: F25B15/00
Filed: 1997-12-20
Granted: 2000-07-01
Abstract: PURPOSE: An absorption air conditioning system is provided to reduce dilution time by radiating into the indoor area, through the cool/hot water circuit, heat from the absorption solution circulating through the absorption refrigeration cycle. CONSTITUTION: A system comprises an absorption refrigeration cycle(2) utilizing a combustion unit(3) for heating an absorption solution; an indoor air conditioning unit for air conditioning the indoor area by using the hot/cold water heated or cooled by the absorption refrigeration cycle; a water coolant cooling unit(5) for cooling the water coolant which is used for cooling and liquefying the evaporative refrigerant in the absorption refrigeration cycle; and a main control unit(6) for controlling each mounted electric component. The absorption refrigeration cycle, water coolant cooling unit and main control unit are installed in the outdoor area, and the indoor air conditioning unit is installed in the indoor area.
Patent KR-100389728-B1 (KR)
Title: 표면방전형플라즈마디스플레이장치
IPC: G09G3/296
Filed: 1997-12-24
Granted: 2003-10-10
Abstract: 표면 방전형 플라즈마 디스플레이 장치에서, 주사 전극 (3) 과 유지 전극 (4) 의 복수의 표면 방전 전극쌍의 인출 배선은 유지 방전 기간동안 표면 방전 전극의 인접한 쌍의 전류 흐름 방향이 서로 반대가 되도록 정렬된다.
Patent KR-100303534-B1 (KR)
Title: Microwave oven
Inventor: CHO JAE MAN
IPC: F24C7/02
Filed: 1997-12-26
Granted: 2001-11-22
Abstract: PURPOSE: A microwave oven is provided to reduce manufacturing cost and its component. CONSTITUTION: A casing has a component chamber and a cavity. A magnetron is installed in the component chamber. A heater heats food within the cavity. A cooling fan blows wind to the magnetron. An air guide guides air via the magnetron to an air passage hole installed in the vicinity of the casing. The cooling fan circulates air within the cavity. A cavity upper plate is provided to cover upper part of the cavity. The heater is pivotable in the cavity upper plate.
Patent KR-100265050-B1 (KR)
Title: Metal oxide semiconductor field effect transistor
Inventor: HWANG YUN-TAEK
IPC: H01L29/78
Filed: 1997-12-27
Granted: 2000-09-01
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a MOSFET is provided to improve the production throughput and reliability of devices by preventing diffusion of fluorine(F) ions into gate oxide film. CONSTITUTION: A method for manufacturing a MOSFET sequentially forms a gate oxide film and a doped polysilicon layer on a semiconductor substrate(10). A gate ion implantation process is performed for the surface of the doped polysilicon film. A tungsten silicide film is formed on the doped polysilicon layer. A photoresist patter for a gate mask is formed on the top of the tungsten silicide film. The photoresist pattern is etched until the semiconductor substrate can be exposed to form a gate electrode. A low concentration diffusion region(26) is formed in the semiconductor substrate at both ends of the gate electrode. An insulating spacer(28) is formed at the sidewall of the gate electrode. A high concentration diffusion region(30) overlapping with the low concentration diffusion region(26) is formed.
Patent KR-100263055-B1 (KR)
Title: Apparatus for reading barcodes of a digital camera
Inventor: SEO SANG-SOO
IPC: H04N5/225
Filed: 1997-12-29
Granted: 2000-08-01
Abstract: PURPOSE: A bar code reading device of a digital camera is provided to enable the digital camera multiple capabilities along with a conventional one so as to increase the customer attractivity. CONSTITUTION: The bar code reading device of a digital camera includes a bar code image detector(40), a bar code data reader(44) and a transfer member. The bar code image detector detects the image of the region which is predetermined as a bar code taping region as the bar code image out of frame based taped image. The bar code data reader reads the bar code data using the brightness difference. The transfer member delivers the bar code data to a bar code processor. The digital camera system according to the present invention further includes a brightness intensifier(42) which intensifies the bar code image detected at the bar code image detector and delivers the output to the bar code data reader. The digital camera system further includes a key input which is received fro a user based on the operations of the bar code image detector and the bar code data reader.
Patent KR-100268257-B1 (KR)
Title: Disc collection for a small size disc cartridge
Inventor: LEE KYU HYEONG
IPC: G11B33/02
Filed: 1997-12-30
Granted: 2000-10-16
Abstract: PURPOSE: A small sized cartridge for storing disks is provided to improve compatibility of the cartridge through opening a shutter of the cartridge in front and rear directions and switching a display unit according to installed location of an optical pickup. CONSTITUTION: A shutter(48) is installed on a front side of upper and lower plates(42,44) of a small sized cartridge for being opened and closed toward two directions. Thus, the shutter exposes a data area of a disk to an optical pickup. A slide groove is formed on a front surface of the cartridge to guide movement of the shutter in two directions. A direction recognize unit is coupled to an upper surface of the upper place for detecting direction of a transfer path of the optical pickup. Thus, an insertion direction of the cartridge is variably displayed.
Patent KR-100461360-B1 (KR)
Inventor: LIM CHEOL HO
IPC: B60H1/22
Filed: 1997-12-30
Granted: 2005-04-06
Abstract: 본 발명은 복합전기자동차의 난방장치에 관한 것으로서, 엔진(21)과 방열기(33) 사이에는 냉각수가 통과하는 히터코어(31)가 설치되고, 상기 방열기(33)와 히터코어(31) 사이에는 냉각수의 온도에 따라 냉각수의 흐름을 제어하는 바이패스수단(40)이 설치되며, 냉각수가 흐르는 파이프라인 상에는 냉각수의 온도를 감지하는 온도센서(37)가 설치되는데, 상기 바이패스수단(40)은 상기 방열기(33)와 히터코어(31)사이의 냉각수라인 상에 장착되는 3방향 밸브(41)와, 상기 3방향 밸브(41)에서 상기 방열기(33)를 지난 지점으로 연결되는 바이패스관(42)을 포함하도록 구성되어져, 난방스위치가 온 되었을 때 냉각수의 온도에 따라 엔진(21)과 발전기(23) 및 모터(25)에서 발생한 열을 효율적으로 이용하여 실내의 난방효율을 높일 수 있도록 된 것이다.
Patent KR-100262737-B1 (KR)
Title: Manufacturing method of tma
Inventor: SONG YONG-JIN
IPC: G02F1/015
Filed: 1997-12-31
Granted: 2000-08-01
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a thin film actuated mirror array is to recover the defected part of an active substrate by forming an actuator on the rear surface of the active substrate. CONSTITUTION: A field oxide layer(520) is formed to define an active region by oxidizing a predetermined part of an insulating substrate(510). A MOS transistor is formed on the active region defined by the field oxide layer. The MOS transistor includes a gate oxide layer(530a), a gate electrode(530b), an interlayer dielectric(530c), a source region(530d), and a drain region(530e). A metal layer(540) includes a source line(540a) electrically connected to the source region and a drain pad(540b) electrically connected to the drain region. An active substrate(560) is formed by depositing a passivation layer on the metal layer. After rotating the active substrate by 180 degrees in a clockwise direction, a sacrificial material layer is formed on the rear surface of the active substrate.
Patent KR-100264025-B1 (KR)
Inventor: MILLER L SCOTT
IPC: H04B1/04
Filed: 1996-05-23
Granted: 2000-08-16
Abstract: 통신 장치(300)는 디지탈 변조기(301), 디지탈 신호 프로세서(306), 및 증폭기(312)를 포함한다.  디지탈 변조기(301)는 정보 발생기(304) 및 피크 억제 장치(402)를 포함한다.  피크 억제 장치(402)는 심볼 맵핑부(404) 및 심볼 스케일러(406)를 포함한다.  발생기(401)에서 발생된 정보는 심볼 맵핑부(404)를 통해 성좌 다이어그램으로 맵핑된다.  이후 맵핑된 정보는 스케일러(406)에서 스케일되어 증폭기(312)의 입력에서의 신호의 피크 대 평균 전력비가 감소되어 진다.
Patent KR-100409063-B1 (KR)
IPC: G02F1/1339
Filed: 1996-06-03
Granted: 2004-03-31
Abstract: 액정 표시 장치(LCD)(110)는 정보를 표시하는 활성 영역(120)과 이 활성 영역에 인접한 비활성 영역(130)을 갖는다. 비활성 영역은 셀 내에서 발생하는 압력을 완화하는 압력 완화 영역(140)을 포함함으로써 활성 영역에서 압력 변화의 영향을 최소화한다. 표시 장치는 2개의 기판(112,114)을 구비하는데, 적어도 1개의 기판은 가요성이고, 그 주변부(118)는 서로 결합되어 있다. 기판 사이에 위치한 복수개의 스페이서 부재(116)는 활성 영역 내의 기판 사이에서 일정한 간격을 보장한다. 스페이서 부재는 활성 영역 내의 양쪽 기판에 부착되는 것이 바람직하지만, 비활성 영역 내에서는 적어도 1개의 기판에만 부착된다. 압력 완화 영역은 가요성 기판을 굴곡시켜 표시 장치 내에서 압력(일반적으로 온도 변화에 의해서 발생하는)을 완화시킴으로써, 활성 영역 내의 왜곡을 제거한다. 가요성 기판의 굴곡은 압력 완화 영역(340) 내의 기판을 얇게 함으로써 증가되거나, 압력 완화 영역내의 양쪽 기판에 스페이서 부재의 부착을 막는 에지 스페이서 부재(417)의 결합에 의해서 증가된다.
Patent KR-100265765-B1 (KR)
Title: Redundancy circuit having built-in self test circuit and repair method using the same
Inventor: CHOI YONG JIN
IPC: G11C29/00
Filed: 1998-02-06
Granted: 2000-10-02
Abstract: PURPOSE: A defect remedying circuit and its method are provided to make it possible to cope with a position alteration of a faulty cell and repair a defect memory cell even a packaged condition. CONSTITUTION: A built-in self test(BIST) circuit compares data written in the memory and data outputted from the memory at a BIST mode, and generates an error signal representing if there is a defect cell, and a BIST address. A repair enable signal generator stores the BIST address as a repair address at the BIST mode, responsive to the error signal; at a normal mode, compares a logic address outputted from a logic and the repair address and outputs a repair enable signal to be used in activating a redundancy circuit in the memory in case the logic address corresponds to the defect cell.
Patent KR-100271472-B1 (KR)
Inventor: KANEKO RYUSHIRO
IPC: H02G3/22
Filed: 1998-03-05
Granted: 2000-12-01
Abstract: 매니폴드(2)에 설치한 오목부(2c)의 입구가장자리부분에, 급전커넥터(16)와 수전커넥터(44)를 기밀하게 접속하기 위한 밀봉부재(17)를 설치하고, 전환밸브(3A)에는, 각 파일럿밸브(21a,21b)의 솔레노이드(31)와 상기한 솔레노이드(31)에 도통하는 상기한 수전커넥터(44)를 합성수지(45)내에 일체로 형성하여 밀봉한 전자부(33)를 설치하고, 이 전자부(33)의 외면에, 통전표시용 램프(48)를 갖춘 램프기판(49)을 수전커넥터(44)와 도통하도록 부착함과 함께, 상기한 램프기판(49)전체를 덮는 커버(50)를 개스킷(52)을 매개로 해서 기밀(氣密)하게 부착한다.
Patent KR-100281223-B1 (KR)
Title: 절전 기능형 보안등 콘트롤러
Filed: 1998-03-16
Granted: 2001-03-02
Abstract: 본 발명은 보안등을 절전 제어할 수 있는 절전 기능형 보안등 콘트롤러에 관한 것으로, 원격지의 주제어장치에서 송신된 제어신호를 수신하여 보안등을 제어하며 제어수단, 고유번호 설정수단, 날짜 및 시각 정보 제공수단, 보안등 구동 및 상태표시수단을 구비한 보안등 콘트롤러에 있어서, 절전제어를 위한 스위칭수단과, 수신 주파수 밴드의 변경이 가능하며 수신된 신호의 복조기능을 구비한 무선 통신 수단 및 유선 통신수단과; 무전원 상태에서도 장기간 파라메터 설정 데이터를 저장할 수 있는 저장수단과; 제어수단의 이상 발생을 감지하여 자동 복구시키는 이상복구수단을 구비하며, 점소등 제어, 절전 제어, 표준시각 교정기능, 주제어장치와의 통신 장애시 자체 제어모드로 전환하는 모드전환 기능을 갖는 것을 특징으로 한다. 
     따라서, 본 발명의 보안등 콘트롤러를 이용하면 절전제어가 가능하므로 전력 소비를 줄일 수 있으며, 일출몰 시각을 위도, 경도 및 표준경도 데이터에 의해 연산하고 이를 보안등의 점소등 시각의 연산에 이용함으로써 지역의 제한 없이 전세계적으로 사용할 수 있다.
Patent KR-100281019-B1 (KR)
Title: 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법
IPC: G09G3/292
Filed: 1998-03-18
Granted: 2001-02-01
Abstract: 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법은 스크린 상의 표시가 갱신될 때 소거 어드레스 동작을 수행하는 단계를 포함한다. 소거 어드레스 동작은 온-상태 방전셀에서만 방전을 행하는 제1단계 및 오프-상태 방전셀에서만 방전을 행하는 제2단계를 통해서 전체 방전셀에서 벽전하를 생성하기 위한 어드레스 준비 동작을 수행하는 단계, 및 표시될 영상 데이터에 대응되는 방전셀이 아닌 방전셀에서 벽전하를 선택적으로 소거하기 위한 동작을 수행하는 단계를 포함한다.
Patent KR-100292941-B1 (KR)
Title: Method for fabricating dram cell capacitor
Inventor: JUN GWANG YEOL
IPC: H01L21/02
Filed: 1998-04-10
Granted: 2001-07-12
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a DRAM cell capacitor is provided to prevent a fall-down phenomenon of a storage electrode by increasing a mis-alignment margin between a storage electrode contact hole and a storage electrode. CONSTITUTION: A storage electrode pad(103) is formed on a semiconductor substrate(100) including cell transistors. The first oxide layer(104) is formed on the semiconductor substrate(100). A conductive layer pattern(106) is formed on the first oxide layer(104). The second oxide layer(108) is formed on the first oxide layer(104) and the bit line pattern(106). The first anti-reflective coating layer is formed on the second oxide layer(108). A storage electrode contact hole(111) is formed by etching the first anti-reflective layer, the second oxide layer(108), and the first oxide layer(104). A storage electrode poly is formed on the first anti-reflective layer. The second anti-reflective layer(113) is formed on the storage electrode poly. A photoresist layer pattern(114) is formed on the second anti-reflective layer(113). A storage electrode(112) is formed by performing a dry etch process.
Patent KR-100269735-B1 (KR)
Title: Manufacturing method of mirror for electron parts
Inventor: KIM SSANG-TAI
IPC: G02B5/08
Filed: 1998-04-23
Granted: 2000-10-16
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a mirror for electronic components is provided to obtain a mirror meeting the requirements(1, coating face: reflexibility(Rp,Rs) over 95%, use wavelength:780nm, 2. face exactness: over P-Vλ/10 (effective face). 3. Parallelism: below 0.1. 4. scratch and dig: below 20-10. 5. material: glass. CONSTITUTION: A method for manufacturing a mirror for electronic components divides a glass plate to firstly cut a machining glass plate using a glass knife. Each of sides of the machining glass plate is grinded by a diamond wheel and is then cleaned by water with pressure. The machining glass plate is polished within 1 micrometers using a slurry solution in which cerium oxide(CeO) power and water are mixed by means of a lapping machine. The machining glass plate is cleaned sequentially in a cleaning container containing T.C.E solution and a cleaning container containing distilled water by an ultrasonic cleaner. A coating thin film of 1.0 micrometers consisting of silicate(Si) as the fist coating layer, oxide silicate(SiO2) as the second layer and oxide titanium(TiO2) as the third layer is formed under the conditions of a vacuum state of 10-5 Torr range and a heating condition of 200-0300 Celsius. Wax is bonded to cut a mirror by a sliding cut using the diamond wheel with it being fixed by a jig. The machining glass plate is cleaned sequentially in the cleaning container containing T.C.E solution and the cleaning container containing distilled water by an ultrasonic vibration. The machining glass plate is dried in an oven by a heating wind of 70-100 degrees centigrade.
Patent KR-100549888-B1 (KR)
Title: 낮은비닐함량의미세구조를갖는랜덤한트랜스스티렌-부타디엔고무
IPC: C08F4/54
Filed: 1998-05-04
Granted: 2006-04-21
Abstract: 본 발명의 방법 및 촉매 시스템을 사용하여 고도의 트랜스 함량을 갖는 대단히 랜덤한 스티렌-부타디엔 고무를 용액 중합에 의해 합성할 수 있다.  본 발명의 방법으로 제조한 스티렌-부타디엔 고무는 개선된 마모 특성을 나타내는 타이어 트레드 고무에 사용할 수 있다.  본 발명은 더욱 구체적으로 (a) 오가노리튬 화합물, (b) 바륨 알콕사이드 및 (c) 리튬 알콕사이드로 필수적으로 구성된, 티오서멀 중합에 사용하기 위한 촉매 시스템에 관한 것이다.  본 발명은 또한 (a) 오가노리튬 화합물, (b) 바륨 알콕사이드 및 (c) 리튬 알콕사이드로 필수적으로 구성된 촉매 시스템 존재하에 유기 용매중에서 등온 조건하에 스티렌 및 1,3-부타디엔을 공중합함을 포함하는 공정에 의해 낮은 비닐 함량의 랜덤 스티렌-부타디엔 고무를 합성하는 방법을 개시한다.