baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent KR-20020053721-A (KR)
Title: Device for generating variable tumble flow
Inventor: HWANG GYU HAN
IPC: F02M35/108
Filed: 2001-12-21
Abstract: PURPOSE: A device for generating variable tumble flow is provided to generate a tumble by making air flow through respective passages while minimizing the flow resistance of air supplied to a combustion chamber of an engine. CONSTITUTION: A device for generating variable tumble flow comprises a partition(3) for dividing an intake port into two passages, a first and a second passages(5,7), an opening degree control valve(9) for selectively varying the opening degree of the first and the second passages, and an operation unit(11) for operating the opening degree control valve. The opening degree control valve installed between an intake pipe(13) and the intake port and having a communication space(15) having a circular section. A valve spool(17) having a semicircular section is formed in the communication space to be contacted to the communication space and varies the opening degree of the first and the second passages by the rotation thereof.
Patent KR-20030054146-A (KR)
Title: Apparutus for Variable Length Coding with low power consumption
Inventor: HAN SEON HYEONG
IPC: H03M7/40
Filed: 2001-12-24
Abstract: PURPOSE: A variable length encoder for low power is provided to reduce the power consumption by operating selectively a Huffman code storage portion according to a bit stream of low frequency. CONSTITUTION: A variable length encoder includes a signal detection portion(100), a variable length encoder(200), a Huffman code storage portion(300), a signal selection portion(400), a multiplexer portion(500), and a code output portion(600). The signal detection portion outputs respectively a bit stream of low frequency, and it outputs a bit stream of high frequency after performing a Huffman coding process for the bit stream of high frequency. The variable length encoder is used for encoding the bit stream of low frequency. The Huffman code storage portion stores Huffman codes corresponding to output signals of the variable length decoder. The signal selection portion outputs similar Huffman codes corresponding to the output signals of the variable length decoder when the Huffman code storage portion does not have the corresponding Huffman codes. The multiplexer portion receives the output of the signal detection portion and the output of the Huffman code storage portion. The code output portion converts the output of the Huffman code storage portion.
Patent KR-20030054684-A (KR)
Title: Method for manufacturing a flash memory
Inventor: KIM GYEONG DO
IPC: H01L21/8247
Filed: 2001-12-26
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a flash memory is provided to be capable of improving operating properties of the flash memory by thinning the thickness of a tunneling oxide layer at edge portions of a gate. CONSTITUTION: A photoresist pattern is formed on a semiconductor substrate(31) of a channel region. After implanting nitrogen ions into the substrate, the photoresist pattern is removed. A tunneling oxide layer(37) is then formed on the substrate, wherein the tunneling oxide layer located at edge portions of gate has a relatively thin thickness according to implanted nitrogen ions. The first conductive layer(39), a dielectric film(41) and the second conductive layer(43) are sequentially formed on the tunneling oxide layer. By patterning the stacked structure, a floating gate and a control gate are formed.
Patent KR-20030056988-A (KR)
Title: Apparatus and method for detecting a temperature
Inventor: CHOI CHEOL HUI
IPC: G01K7/16
Filed: 2001-12-28
Abstract: PURPOSE: A temperature detector and a method of the same are provided to detect the temperature of a measured material by a cheap circuit composition and to precisely detect the temperature by compensating a tolerance of an element used for detecting the temperature. CONSTITUTION: A thermistor(TH) changes its electric resistance by temperature. A capacitor(C1) is charged/discharged through a detected control signal through the thermistor by accessing between the thermistor and a grounding terminal. A control unit(10) outputs the detected control signal having a uniform pulse width to the thermistor through an output port and calculates a temperature value measured from the thermistor by receiving a voltage level to be charged/discharged in the capacitor through the detected control signal and using a time count value from the feeding point to the detecting point of the pulse width. Thereby, the composition of a circuit is simplified and the temperature is detected precisely.
Patent KR-20030057995-A (KR)
Title: Machining apparatus having work table capable of y axis linear movement and tool clamp capable of x-z plane movement and rotation
Inventor: CHO SEONG HUN
IPC: B23Q7/00
Filed: 2001-12-29
Abstract: PURPOSE: A machine tool having a worktable for moving linearly and unidirectionally and a tool rest for plane motion and rotation is provided to form different channels in a substrate by performing unidirectional linear motion of the worktable and plane motion of the tool rest with the single linear motor and turning the tool rest with a low-speed/high-torque motor. CONSTITUTION: A machine tool is composed of a worktable(20) mounting a workpiece; a tool rest(26) mounting a tool for processing the workpiece with relative motion; a Y-axis linear motion unit(22) linearly moving the worktable in the Y-axis direction; a rotating unit(30) turning the tool rest around the Y-axis; and an X-Z plane motion unit(28) combined with the rotating unit to move the tool rest on the plane formed by the X-axis and the Z-axis. The X-Z plane motion unit has a linear actuator moving the object along the X-axis, a first slide block(52) having an inclined surface, a second slide block(54) moving along the X-axis by the linear actuator, and a center slide block(56) moving along the inclined surface of the first slide block between first and second slide blocks.
Patent KR-20030058750-A (KR)
Title: Method for high density optical recording, apparatus thereof
Inventor: KIM JIN YONG
IPC: G11B11/10
Filed: 2001-12-31
Abstract: PURPOSE: A high density optical recording/playing method and an apparatus thereof are provided to compound advantages of a far field method and a near field method, thereby efficiently forming a protective layer of a disk while recording and playing a signal in and from the disk having the high recording density. CONSTITUTION: A recording layer(12) is leaned toward a contact surface with a focusing lens(20) to a center of the disk thickness. A contact surface recording type disk(10) is prepared, having a protective layer(13) on a surface facing the disk. A beam irradiated from a light receiving and transmitting unit is projected to the recording layer of the contact surface recording type disk so that information is recorded or played in or from the disk.
Patent KR-20010071865-A (KR)
IPC: C08J5/18
Filed: 1999-07-14
Abstract: Compounds for use in the preparation of polymerizable liquid crystalline mixtures, liquid crystalline polymers and optical devices prepared from such mixtures and polymers. The compounds include novel compounds comprising an organosiloxane portion and a portion having a structure that is compatible with a mesogenic molecular architecture.
Patent KR-20010053559-A (KR)
Title: 배가스 정화용 촉매장치의 열화판별방법
IPC: F02D41/14
Filed: 1999-07-05
Abstract: 촉매장치(3)의 상류측 및 하류측에 각각 제 1 배가스센서(5; 공연비센서) 및 제 2 배가스센서(6; O 2 센서)를 설치하고 배가스센서(5)에서 배가스센서(6)에 걸친 촉매장치(3)를 포함한 배기계(E)를 대상으로 하고, 그 대상배기(E)의 거동을 모델화해서 표현해 둔다. 내연기관(1) 운전시에 대상배기(E)의 모델의 설정해야 할 파라미터를 양배가스센서(5, 6)의 출력데이터에 기초해서 순서대로 동정하고, 그 동정값 데이터에 기초해서 촉매장치(3)의 열화상태를 판별한다. 또, 이 열화상태 판별과 병행해서 배가스센서(5)의 출력을 소정 목표값으로 수속시키도록 내연기관(1)의 목표공연비를 순서대로 구하고, 그 목표 공연비에 제 1 배가스센서(5)의 출력(공연비 검출값)을 수속시키도록 내연기관(1)의 공연비를 제어함으로써 촉매장치(3)의 최적의 정화성능을 확보한다. 이에 따라 촉매장치(3)의 정화성능을 확보하면서 내연기관(1)의 각종 운전상태로 촉매장치(3)의 열화상태를 판별할 수 있다.
Patent KR-20010053620-A (KR)
Title: 분리 가능한 정전척을 위한 ｒｆ 전극 접촉 어셈블리
IPC: H01R13/33
Filed: 1999-07-23
Abstract: 경사스프링(canted spring)을 사용하여 음극과 전기적 연결을 하기 위한 RF 접촉 어셈블리를 가지는 기판 지지 페데스탈. 상기 경사스프링은 한 방향으로 기울어지고, 단부와 단부가 결합되어 도넛 형태를 형성하는 코일을 가진다. 이러한 스프링은 스프링의 턴(turns)에 의해 다수의 평행한 자기부하(self-loading) 전기 결합을 발생시킨다. 상기 턴은 전기선과 같이 작용하여, 신뢰성 있는 RF 전기에너지 전이를 가능하게 한다. 본 발명의 경사스프링 접촉은 페데스탈과 척 사이의 평행한 접촉을 허용한다.
Patent KR-20010072756-A (KR)
IPC: H04L27/12
Filed: 1999-08-17
Abstract: Methods and apparatus for performing synchronization and DC-offset compensation in FM transmission systems significantly reduce the overhead associated with transmitting a conventional digital preamble at the start of each of a succession of transmitted digital data packets. According to exemplary embodiments, a multi-part digital preamble includes a short, substantially DC-free leading part followed by a code-protected synchronization part which is not necessarily substantially DC-free. The leading part provides for coarse DC offset estimation and synchronization, while the coded synchronization part carries timing and/or other useful information which can be unique for each packet. One or more substantially DC-free trailing parts follow the synchronization part, or are included in the synchronization part itself, and provide for fine tuning of the DC-offset estimate. Since the substantially DC-free leading and trailing parts are extremely short, and since the synchronization part carries useful information, the overhead associated with a preamble according to the invention is significantly reduced as compared to a conventional, entirely DC-free, preamble.
Patent KR-20010074910-A (KR)
Title: 삽입된 파일럿 심볼을 이용하는 무선 통신 신호와 같은통신 신호에서 진폭 변동 및 간섭을 감소시키는 방법 및장치
IPC: H04W52/04
Filed: 1999-08-30
Abstract: 본 발명은 무선통신 시스템에서 전송된 신호, 특히 기지국으로부터 다수의 사용자 국으로 전송되는 파일럿 신호에서 정점-평균 전력을 감소시키는 방법 및 장치에 관한 것이다.  삽입된 파일럿 신호의 큰 정점-평균 진폭은 월시 코드와 같은 직교 코드에 존재하는 공통 부호 칩 위치로부터 발생된다.  제 1 실시예에서, 월시 코드는 ±1의 랜덤값에 의하여 곱해진다.  제 2실시예에서, 공통 부호 칩위치는 각각의 월시코드에서 제거된다.  그다음에, 사용자 국은 직교성을 복구하기 위하여 손실 칩 위치를 삽입한다.  제 3 실시예에서, 기지국은 사용자 국이 파일럿 심볼을 검색하는 것으로 예상하는 심볼 위치에서 개별 파일럿 채널을 통해 파일럿 심볼을 전송한다.  제 4 실시예에서, 각각의 월시 코드는 랜덤하게 시프트된다.
Patent KR-20010079856-A (KR)
IPC: H01L31/103
Filed: 1999-09-13
Abstract: 본 발명은 GaN 계 반도체로 이루어지는 수광층(1)과, 상기 수광층의 한쪽 면을 수광면(la)으로 하고, 상기 수광면에 상기 수광층으로의 광(L)의 입사를 가능하게 하는 형태로써 설치된 전극(2)을 갖는 반도체 수광 소자이다. 해당 수광 소자가 쇼트키 장벽형인 경우에는, 상기 전극(2)은 적어도 쇼트키 전극을 포함하고 있고, 상기 수광면(1a) 중, 쇼트키 전극에 덮여진 영역과, 노출된 영역의 경계선 길이의 합계가 수광면(1a)의 바깥 둘레의 길이보다도 길게 되도록 쇼트키 전극을 설치한다. 또한, 해당 수광 소자가 광 도전형인 경우에는 상기 수광층(1)은 제1 도전형의 i층이고, 상기 전극(2)은 한쪽 극이 옴익 전극이며, 수광층(1)의 다른 쪽 면에는 직접적으로 또는 제1 도전형에서 낮은 저항의 GaN 계 반도체 층을 통해 다른 쪽 극의 옴익 전극이 설치된다.
Patent KR-20010080142-A (KR)
IPC: A61P3/10
Filed: 1999-10-08
Abstract: 사이클릭 테트라펩티드 화합물 및 이의 용도. 특히, 화합물 WF27082, 영양 배지에서 아크레모니움에 속하는 WF27082-생산 균주를 배양하고 배양 발효액으로부터 화합물을 수거하는 것에 의해 상기 화합물을 제조하는 방법, 약학적 허용성이고 실질적으로 비독성인 담체 또는 부형제와 함께 활성 성분으로서 화합물을 함유하는 약학 조성물, 의약용 화합물, 히스톤 디아세틸라아제를 저해하는 의약 제조용 화합물의 용도, 염증성 질환, 당뇨병, 당뇨성 합병증, 동형접합 탈라세미아, 섬유증, 경변증, 급성 전골수세포성전골수세포성L), 원충류 감염증, 장기 이식 거부 반응, 자가면역질환 또는 종양을 치료 또는 예방하기 위한 의약 제조용 화합물의 용도, 면역억제제 또는 항종양제로서 히스톤 디아세틸라아제 저해제의 용도, 장기 이식 거부 반응, 자가면역질환 또는 종양의 치료 또는 예방용 의약의 제조를 위한 히스톤 디아세틸라아제 저해제의 용도가 기재되어 있다.
Patent KR-20010080168-A (KR)
IPC: H04L12/28
Filed: 1999-10-15
Abstract: 이동지국 (12) 은 한 세트의 랜덤 액세스 채널들로부터 제 1 역방향 링크 공통 제어채널을 랜덤하게 선택하여 기지국 (14) 에 액세스한다.     이 이동지국 (12) 은 상기 제 1 역방향 링크 공통 제어채널 상에서 액세스 프로브의 요구 부분을 송신한다.     이 요구 부분은 다른 신호들과 충돌하게 된다.     이 요구 부분은 해시 함수를 이용해 번호를 유니크하게 식별함으로써 얻어지는 해시 식별자를 포함한다.     이 해시 식별자는 이동지국 (12) 을 준-유니크하게 식별한다.     이 이동지국 (12) 은 해시 식별자를 지정하는 기지국 (14) 으로부터 채널할당 메시지 및 예약된 액세스 채널을 수신한다.     이 예약된 액세스 채널은 경합 가능성이 낮은 통신을 제공한다.     이동지국 (12) 은 예약된 액세스 채널 상에서 액세스 프로브의 메시지 부분을 송신한다.
Patent KR-20010087373-A (KR)
IPC: H04N5/782
Filed: 2000-08-18
Abstract: 본 발명은 XML 등의 언어에 의해서 전자 프로그램 가이드 정보를 기술하고, 방송 신호에 다중하여 전송함으로써, 광고, 화상, 음성 등을 용이하게 집어넣을 수 있고, 다채로운 프로그램 가이드를 실현할 수 있다.  또한, 수신 장치를 제조하는 메이커에 있어서는, 수신한 XML 데이터를 수신·디코드하여 표시하는 소프트웨어만을 개발하는 것만으로 좋으며, 수신 장치의 기종마다 EPG를 표시하는 소프트웨어를 개발할 필요가 없으며, 개발 공정수를 삭감할 수 있다.
Patent KR-20010101034-A (KR)
IPC: C07F7/00
Filed: 1999-11-10
Abstract: 새로운 부류의 화학식 (I)의 메틸렌-가교된 메탈로센: 
     [화학식 I] 
     
       
     
     상기식에서 M은 3, 4, 5, 6족 또는 란탄 또는 악티늄족 (새로운 IUPAC 표시법)에 속하는 전이금속이며; 치환체 X는 단일 음이온성 시그마 리간드이고; 치환체 R 1 은 알킬, 시클로알킬, 아릴, 알킬아릴 또는 아릴알킬 라디칼이고; R 2 는 알킬, 시클로알킬, 아릴, 알킬아릴 또는 아릴알킬 라디칼이고; p는 0-3이고; m은 0-2이고; n은 0-4이다.  또한, 대응하는 리간드, 이들의 새로운 제조방법 및 전술한 메틸렌-가교된 메탈로센을 함유하는 촉매계가 기술된다.
Patent KR-20010081112-A (KR)
IPC: A61P1/18
Filed: 1999-12-01
Abstract: 본 발명은 화학식 (I)의 치료용 벤즈아미드 화합물들 또는 그의 생리학적으로 허용가능한 염, 용매화물 또는 유도체 및 제약 조성물, 이들의 제조 방법 및 ApoB-100 조절에 의해 매개되는 상태들의 치료 용도에 관한 것이다. 
     상기 화학식 (I)에 있어서, 
     A는 N 또는 CH를 나타내고; 
     X는 하기 군들로부터 선택되고; 
     (i) 임의적으로 하나 또는 두 개의 이중 결합을 포함하고, 임의적으로 하나 이상의 히드록시, C 1-6 알킬, C 1-6 알콕시, C 1-6 아실 또는 C 1-6 아실옥시 기들로 치환된 -C 1-6 -알킬렌-, 
     (ii) 옥소, 술포닐, 티옥소, 
     (iii) -C 1-6 알킬렌카르보닐-, -C 1-6 알킬렌술포닐-, -C 1-6 알킬렌티옥소-, 
     (iv) -C 2-6 알킬렌옥시-,-C 2-6 알킬렌티오-,-C 2-6 알킬렌(N-H 또는 N-C 1-6 알킬) 아미노-, 
     (v) -C 1-6 알킬렌카르복시-, -C 1-6 알킬렌티오아미도-, -C 1-6 알킬렌(N-H 또는 N-C 1-6 알킬) 카르복스아미도-, 및 
     (vi) -C 2-6 알킬렌옥시카르보닐-, -C 2-6 알킬렌티오카르보닐-, -C 2-6 알킬렌(N-H또는 N-C 1-6 알킬) 아미노카르보닐-; 
     Z는 직접 연결(직접 연결) 또는 임의적으로 하나 또는 두 개의 이중 결합을 포함하고, 임의적으로 하나 이상의 히드록시, C 1-6 알킬, C 1-6 알콕시, C 1-6 아실 또는 C 1-6 아실옥시 기들로 치환된 -C 1-6 알킬렌-, 
     R 1 은 하기 기들로부터 선택되고; 
     (i) 수소, C 1-3 퍼플루오로알킬, 
     (ii) C 6-10 아릴, C 3-8 시클로알킬 및 그의 융합된(fused) 벤즈 유도체들, C 7-10 폴리시클로알킬, C 4-8 시클로알케닐, C 7-10 폴리시클로알케닐, 
     (iii) 도합 5-14 개의 고리 원자들을 포함하고, 산소, 질소 및 황으로부터 독립적으로 선택된 이종원자들을 고리 중에 도합 1-4 개 포함하고, 그리고 각 고리들은 독립적으로 포화되거나, 부분적으로 불포화되거나  방향족일 수 있는 단일고리 기들 및 융합된 다중고리 기들로 구성되는 군으로부터 선택되는 헤테로시클릴, 
     (iv) X가 C 1-6 알킬렌이고 Z가 직접 연결이거나, 또는 Z가 C 1-6 알킬렌인 경우에는, R 1 은 추가적으로 할로겐, 시아노, 니트로 또는 C 1-6 아실기를 나타낼 수 있는데, 여기서 R 1 이 하나 이상의 고리를 포함하는 경우에는 이 고리들이 각각 독립적으로 하기에서 독립적으로 선택되는 0 내지 4 개의 치환체를 가질 수 있다: 
     (i) 할로겐, 히드록시, 시아노, 니트로, 포르밀, C 1-6 알킬술포닐아미노, 
     (ii) C 1-6 알킬, C 3-8 시클로알킬, C 1-3 퍼플루오로알킬, 
     (iii) C 1-6 알콕시, 메틸렌디옥시, C 1-3 퍼플루오로알콕시, C 1-6 알킬티오, 
     (iv) 아미노, C 1-6 알킬아미노, 디-C 1-6 알킬아미노, 
     (v) 페닐, 페녹시, 페닐티오, 할로페닐티오, 벤질, 벤질옥시, 
     (vi) 히드록시카르보닐, C 1-6 알콕시카르보닐, 
     (vii) 아미노카르보닐, C 1-6 알킬아미노카르보닐, 디-C 1-6 알킬아미노카르보닐, 디-C 1-6 알킬아미노카르보닐C 1-6 알콕시, C 1-3 퍼플루오로알킬아미노카르보닐, 
     (viii) C 1-6 아실, C 1-6 아실옥시, C 1-6 아실옥시C 1-6 알킬, C 1-6 아실아미노, 및 
     (ix) 도합 5-6 개의 고리 원자들을 포함하고, 산소, 질소 및 황으로부터 독립적으로 선택된 이종원자들을 고리 중에 도합 1-4 개 포함하는 단일고리 기들로 구성되는 방향족 헤테로시클릴(여기서 상기 헤테로시클릴 기들 각각은 할로겐, C 1-4 알킬, C 1-4 알콕시, C 1-3 퍼플루오로알킬 및 C 1-3 퍼플루오로알콕시로부터 독립적으로 선택되는 하나 이상의 기들로 임의적으로 치환된다), 
     Y는 직접 연결 또는 옥시 연결, -C 1-6 알킬렌-,-옥시C 1-6 알킬렌- 또는 5 개의 고리 원자들을 포함하고, 산소, 질소 및 황으로부터 독립적으로 선택된 이종원자들을 고리 중에 도합 1-4 개 포함하고, 그리고 각 고리들은 독립적으로 포화되거나, 부분적으로 불포화되거나  방향족일 수 있는 단일고리 기들로 구성되는 헤테로시클릴을 나타내고, 
     R 2 는 페닐, C 3-8 시클로알킬, 또는 도합 5-6 개의 고리 원자들을 포함하고, 산소, 질소 및 황으로부터 독립적으로 선택된 이종원자들을 고리 중에 도합 1-4 개 포함하고, 그리고 각 고리들은 독립적으로 포화되거나, 부분적으로 불포화되거나  방향족일 수 있는 단일고리 기들로 구성되는 헤테로시클릴을 나타내고(여기서 각각의 R 2 는 할로겐, C 1-4 알킬, C 1-4 알콕시, C 3-8 시클로알킬, C 1-3 퍼플루오로알킬, C 1-3 퍼플루오로알콕시, 히드록시카르보닐, C 1-6 알콕시카르보닐, 시아노, 니트로, C 1-4 알킬아미노술포닐로부터 독립적으로 선택되는 하나 이상의 기들로 임의적으로 치환된다), 
     R 3 은 수소, 또는 할로겐, C 1-4 알킬, C 1-4 알콕시, C 1-3 퍼플루오로알킬 또는 C 1-3 퍼플루오로알콕시로부터 독립적으로 선택되는 하나 이상의 기들을 나타낸다.
Patent KR-20010093190-A (KR)
IPC: H04N5/44
Filed: 1999-12-13
Abstract: 폰트 전송으로부터 폰트 정보를 추출해내는 단계, 폰트 데이터베이스에 저장된 대응하는 폰트를 선택하여 표시하기 위해, 폰트 정보를 폰트 데이터베이스에 저장된 폰트 정보와 비교하는 단계, 및 전송된 미지의 폰트에 아주 근접한(closely approximate) 대체 폰트를 선택하여 그것으로 대체하기 위해, 폰트 정보를 폰트 데이터베이스와 비교함으로써, 전송된 미지의 폰트를 폰트 데이터베이스내에 들어 있는 대체 폰트로 대체시키는 단계를 포함하는 폰트 표시 방법.
Patent KR-20010100009-A (KR)
Title: Method for Coating Reactors for High-Pressure Polymerisation of 1-Olefins
IPC: F28F19/06
Filed: 1999-12-24
Abstract: The present invention relates to a process for coating apparatuses and apparatus parts for chemical plant construction-which are taken to mean, for example, apparatus, tank and reactor walls, discharge devices, valves, pumps, filters, compressors, centrifuges, columns, dryers, comminution machines, internals, packing elements and mixing elements-wherein a metal layer or a metal/polymer dispersion layer is deposited in an electroless manner on the apparatus(es) or apparatus part(s) to be coated by bringing the parts into contact with a metal electrolyte solution which, in addition to the metal electrolyte, comprises a reducing agent and optionally the polymer or polymer mixture to be deposited in dispersed form, where at least one polymer is halogenated.
Patent KR-20010102972-A (KR)
IPC: H04B1/7075
Filed: 2000-11-09
Abstract: 병렬 디지털 정합 필터는 그 확산 시켄스의 다양한 모사 옵셋에 대한 수신된 확산 스펙트럼 신호의 다수 동시적 상관관계를 이행하는 구조로 이루어진다.  이러한 사실은 수신된 신호 코드 페이스의 신속한 포착(12)을 허용하고, 순차적으로 다-채널 리시버용 추적(14)으로 핸드오프 한다.  신규 정합 필터 계산적 구조가 활용되고, 공통 디지털 전제(專制) 요소가 포착과 추적을 목적으로 사용된다.  각각의 채널이 순차적으로 병렬 정합 필터로 순차적으로 포착되어, 전제 요소의 서브세트가 채널의 순차적인 추적에 전용된다.  이러한 프로세스는, 모든 리소스가 추적 채널로 할당될 때까지 다음 채널의 포착을 가속하는 잔여 활용가능한 전제적 요소로 반복된다.  부가적으로, 멀티플 데이터 입력과 지연 라인(10)이 이러한 구조에 제공되어, 각각의 전제적 요소를 처리하기 위하여 활용된다.  이러한 방식에서는, 다중 신호 대역과 유저 채널이 공통 리시버 프레임워크 내에서 통합 된다.
Patent KR-20010101548-A (KR)
Title: Production of formamide using sodium diformylamide
Inventor: DAHLHAUS JUERGEN
IPC: C07B61/00
Filed: 1999-12-23
Abstract: The invention relates to a method for producing formamide by reacting ammonia and carbon monoxide in the presence of at least one catalyst, said catalyst being sodium diformylamide. Sodium diformylamide can, provided that methanolate is used as an additional active component, be produced therefrom. In the corresponding process, sodium diformylamide is an especially active and stable catalyst which can be recycled.
Patent KR-20010102235-A (KR)
IPC: B24D13/14
Filed: 2000-01-13
Abstract: 연마 제품 금형의 적어도 일부에 유효량의 연마 입자(26)을 제공하는 단계, 및 연마 제품 금형에 2종 이상의 상호 작용 성분을 포함하는 결합제 전구체 매트릭스(28)을 제공하는 단계를 포함하는 연마 제품(10)의 제조 방법으로서 반응 사출 성형이 활용된다.  결합제 전구체 매트릭스(28)가 경화되는 경우, 연마 입자(26)이 결합제 전구체 매트릭스로부터 형성된 결합제 내에 고정된다.  연마 제품(10)은 증가된 양의 연마 입자를 포함하며, 결합제(28) 대 연마 입자(26)의 중량비가 약 1:3 이상인 다수의 솔모(18)을 포함한다.
Patent KR-20010112932-A (KR)
IPC: G06F1/20
Filed: 2000-03-09
Abstract: 프로세서(100)는 온도 감지 다이오드(121)와 동일한 칩에 집적된 프로세싱 코어(120)를 포함한다. 다이오드의 2개의 단자는 프로세서의 2개의 입출력(I-O) 포트(111,112) 각각에 연결된다. 본 발명의 일실시예에 따르면, 프로세서의 온도를 계산하기 위해 외부 제어 회로(101)에 의해 I-O 포트에 걸쳐(across) 전기적 특성이 측정된다. 프로세서의 온도는 임계값과 비교가 이루어지고, 오버템프 또는 언더템프 신호가 제어 라인을 통해 전송된다.
Patent KR-20020019488-A (KR)
Title: Heterojunction iii-v transistor, in particular hemt field effect transistor or heterojunction bipolar transistor
IPC: H01L29/205
Filed: 2000-06-28
Abstract: The heterojunction transistor comprises III-V semiconductor materials with a broad forbidden band material and a narrow forbidden band material. The narrow forbidden band material is an III-V compound containing gallium as one of its III elements and both arsenic and nitrogen as V elements, the nitrogen content being less than about 5%, and the narrow forbidden band material includes at least a fourth III or V element. Adding this fourth element makes it possible to adjust the width of the forbidden band, the conduction band discontinuity DeltaEc, and the valance band discontinuity DeltaEv of the heterojunction. The invention is applicable to making field effect transistors of the HEMT type having a very small forbidden band, and thus having high drain current. It also applies to making heterojunction bipolar transistors of small VBE, and thus capable of operating with power supply voltages that are very low.
Patent KR-20020020766-A (KR)
Inventor: PARK OH GYU
IPC: H01R24/38
Filed: 2001-12-28
Abstract: PURPOSE: An apparatus for connecting and fixing a cable is provided to offer the best sound and sound quality to users and to completely prevent poor connection of a microphone and a connecting jack using a simple and robust structure. CONSTITUTION: An apparatus for connecting and fixing a cable includes a connection jack for connecting only electric wires, and a unit holder having a fixing pin hole at a portion combined with the microphone body. The apparatus further has a jack holder having a fixing stopper, which protects the coat of a microphone line(cable) and prevents disconnection of wire due to a poor soldered connection portion, and a connecting holder.
Patent KR-20020027383-A (KR)
Inventor: HAN SU GYEONG
IPC: A01H1/00
Filed: 2002-01-03
Abstract: PURPOSE: A method for transforming plastid using bacterial recombinase A(recA) is provided, thereby increasing efficiency of homologous recombination to decrease selection frequency for the preparation of homoplasmy. CONSTITUTION: The method for transforming plastid using bacterial recombinase A(recA) comprises the steps of: preparing a recombinase An expression vector for transforming plant nuclei, containing the recombinase A gene and plastid targeting sequence; transforming a plant with the recombinase An expression vector to prepare a first nuclei transformed plant; preparing a vector for transforming plant plastid, containing at least one desired gene and a selection marker gene; and transforming plastid produced by the first nuclei transformed plant with the vector for transforming plant plastid to prepare a second transformed plant, in which the selection marker is 16S ribosome subunit having tolerance to spectinomycin or streptomycin, protein having tolerance to spectinomycin or streptomycin, or enzyme such as cytosine deaminase and HADH and/or GFP(green fluorescence protein).
Patent KR-20030062190-A (KR)
Title: Fabrication Method of Programmable Single Electron Device
Inventor: CHOI JUNG BUM
IPC: H01L29/788
Filed: 2002-01-12
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a programmable single electron device is provided to develop a multi-functional logic device of large capacity, low power consumption and high integration, by forming a source, a drain and a conductive channel having a width of several nanometer on a silicon-on-insulator(SOI) substrate, by forming a sidewall on a gate oxide layer, by vertically forming a control gate and by simultaneously forming a quantum dot, a tunnel junction and a floating dot. CONSTITUTION: The source and the drain that are interconnected by the conductive channel to fabricate the single electron device are defined in a top-silicon layer by using a proper ultra-fine pattern. The ultra-fine pattern is etched to form an active region in the top-silicon layer. A gate oxide layer is formed on the substrate(1). The first polysilicon layer is deposited on the substrate and is dry-etched under proper conditions to form a sidewall on both sidewalls of the conductive channel. An interlayer dielectric of every possible type is formed on the substrate. The second polysilicon layer to be used as a control gate material is formed on the substrate. The control gate(12) is defined in a direction vertical to the conductive channel under the control gate by using a proper ultra-fine patterning process. The control gate is formed through a proper reactive ion etch process. The sidewalls in a region except where the interlayer dielectric crosses the control gate are sequentially eliminated by performing a wet etch process and a reactive ion etch process.