baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent KR-100255335-B1 (KR)
Inventor: MOARD DAVID M
IPC: F23D14/22
Filed: 1995-06-02
Granted: 2000-05-01
Abstract: 간단한 버너내의 일부 또는 모든 기관 연료에 준비된 수소를 혼합함에 의해 기관의 질소 산화물을 감소시키기 위한 장치가 개시된다. 이 장치는 공기와 혼합되도록 일부 또는 모든 기화 연료 또는 액체 연료를 수용하여 점화 플러그(27)에 의해 점화시키기 위한 내부 연소 체임버(17,40)를 가진 절연된 버너(10)를 포함한다. 상기 체임버는 공급물질 프리히터 조립체내에 있다. 혼합 체임버(17,40)는 분사된 공기/연료 증기가 충돌되어 완전한 공기/연료 혼합을 이룬 혼합물로서 점화 및 연소된 다음, 기관의 연소 체임버로 배출되도록 하는 다수의 배플(22,23,32,37)을 포함한다. 프리히터 조립체(15,31)는 도입되는 공기/연료 혼합물의 온도를 연소 체임버에서의 연소된 가스로써 열교환함에 의해 상승시킨다. 상기 장치는 작동성을 향상시키고 전체 버너를 절연함에 의해 에너지를 보존하고, 버너를 공급물질 프리히터내에 배치하여 프리히터의 공급물질 혼합물 유동을 외부 절연체(12) 근처로 유도하며, 탄소 일산화물과 주 반응 및 별도의 첨가에 의해 산출되는 물 사이의 반응에 의해 수소 산출이 증가될 수 있다.
Patent KR-100307982-B1 (KR)
Title: 반도체장치및그의제조방법
IPC: H01L21/336
Filed: 1998-01-20
Granted: 2001-12-17
Abstract: 반도체 장치를 제조하는 방법은 기판위에 층간 절연막을 가진 게이트 전극을 형성하고, 기판과 게이트 전극의 전체 표면위에 절연막을 증착하는 단계와, 이어서 질소를 절연막내에 각도를 이루어 이온주입하는 단계와, 절연막을 에칭함으로써 게이트 전극의 측면에서 질소를 포함하는 절연막 측벽을 형성하는 단계와, 게이트 전극과 기판으로 불순물을 도입하여 소오스 및 드레인 확산 영역을 형성하는 단계와, 게이트 전극의 표면과 상기 소오스 및 드레인 확산 영역의 표면을 노출시킨 상태로, 노출된 상태에서 전체 표면위에 티타늄을 증착하여, 티타늄막과, 게이트 전극과 소오스 및 드레인 확산 영역사이의 반응을 유발하는 단계 및, 소오스 및 드레인 확산 영역과 게이트 전극상에 티타늄 실리사이드층을 자기정렬식으로 형성하기 위하여 티타늄막의 반응되지 않은 부분을 제거하는 단계를 포함한다.
Patent KR-100252994-B1 (KR)
Title: Image format converter
Inventor: SONG CHI-HYONG
IPC: H04N5/44
Filed: 1998-02-03
Granted: 2000-04-15
Abstract: PURPOSE: A video format converter is provided to easily apply a video format convert to a new format by simply correcting hardware according as the new format is added. CONSTITUTION: A delay device(321) delays and outputs a luminescence signal inputted. An operand mapping unit(322) receives the luminescence signal delayed and a luminescence signal currently inputted and determines values to be inputted to an operand according to a conversion ratio. A numerator generation unit(323) generates a numerator of a conversion expression using the operand inputted from the operand mapping unit(322). A denominator generation unit(324) selects the numerator of the conversion expression and outputs a new luminescence signal. A control unit(31) detects a calculation to be performed according to an input and an output format of the operand mapping unit(322), the numerator generation unit(323) and the denominator generation unit(324).
Patent KR-0150942-B1 (KR)
Inventor: ERDMANN DIETRICH
IPC: C07F5/06
Filed: 1998-02-12
Granted: 1998-10-15
Abstract: 본 발명은 유기금속 화합물로부터 금속의 가스상 증착에 의해 기판상에 박막을 형성시키는 방법에 있어서, 상기 유기금속 화합물로 하기 화학식 1의 환식 유기 금속 화합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법을 제공한다. 
     
       
         
       
     
     상기 식에서, 
     M은 알루미늄, 갈륨 또는 인듐이고, 
     n은 1, 2, 3, 4, 5 또는 6이고, 
     X는 -(CHR 4 ) m - (여기에서, m은 1, 2, 3, 4 또는 5이다), 
     o-(CH 2 ) p -C 6 H 4 -(CH 2 ) q - , 
     o-(CH 2 ) p -C 6 H 10 -(CH 2 ) q - , 
     o-(CH 2 ) p -C 6 H 8 -(CH 2 ) q - , 
     o-(CH 2 ) p -C 6 H 6 -(CH 2 ) q - , 
     o-(CH 2 ) p -C 5 H 8 -(CH 2 ) q - , 
     o-(CH 2 ) p -C 5 H 6 -(CH 2 ) q - , 
     o-(CH 2 ) p -C 5 H 4 -(CH 2 ) q - , 
     o-(CH 2 ) p -C 4 H 6 -(CH 2 ) q - 이고, 
     만약 Y가 -F, -CF 3 , -C 2 F 5 , -C 3 F 7 또는 -C 4 F 9 이면 단일 결합이고, 
     p와 q는 각기 서로 독립하여, 0, 1, 2 또는 3이고, 
     R 1 , R 2 , R 3 , R 4 는 각기 서로 독립하여 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고, 
     Y는 -NR 5 R 6 , -PR 5 R 6 , -AsR 5 R 6 , -SbR 5 R 6 , -F, -CF 3 , -C 2 F 5 , -C 3 F 7 또는 -C 4 F 9 이고, 
     R 5 와 R 6 는 각기 서로 독립하여 알킬 부위가 부분적 또는 전체적으로 불소화될 수 있는 탄소수 1 내지 8의 알킬기이거나, 각 경우 탄소수 3 내지 8의 시클로알킬기 또는 알켄일기 또는 시클로알켄일기이거나 페닐기이다. 
     본 발명에 의하면 간단하게 취급할 수 있고 실온에서 안정하며, 가스상으로부터 분해될 수 있는 금속 알킬 화합물 즉, 다양한 가스상 증착방법에 적합한 화합물이 제공된다.
Patent KR-0157210-B1 (KR)
Inventor: ARITA KOJIO
IPC: H01L27/04
Filed: 1998-02-24
Granted: 1998-10-15
Abstract: 본 발명은 용량소자를 구비한 반도체장치의 제조방법에 있어서, 집적회로가 형성된 반도체기판의 절연막위에, 도전성막으로 이루어진 하부전극과, 상기 하부전극위에 형성된 강유전체막 또는 고유전체막으로 이루어진 용량절연막과, 상기 용량절연막위에 형성된 도전성막으로 이루어진 상부전극으로 이루어진 용량소자를 형성하는 공정과; 상기 용량소자를 덮어서 층간절연막을 형성하는 공정과; 상기 층간절연막을 열처리하는 공정과; 상기 절연막 및 층간절연막을 통해서 집적회로 또는 용량소자의 상부전극, 하부전극에 도달하는 콘택트홀을 형성하는 공정과; 상기 콘택트홀을 개재해서 집적회로 및 용량소자에 전기적으로 접속되는 전극배선을 형성하는 공정과; 상기 전극배선을 덮어서 보호막을 형성하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법을 제공한다.
Patent KR-100354845-B1 (KR)
Inventor: YU SUNG KWON
IPC: F25D3/10
Filed: 1998-03-02
Granted: 2002-12-26
Abstract: PURPOSE: A bottle with a cooling unit is provided to rapidly cool down contents therein by discharging high pressure liquefied gas stored in the cooling unit. CONSTITUTION: A bottle comprises a body having a screw part formed to penetrate a concave bottom thereof; and a cooling unit including a support(22) joined to the screw part, and a refrigerant storing capsule(21) mounted on a front end of the support. Appropriate number of grooves are formed on an upper end surface of a lower part of the support for high pressure liquefied gas stored in the capsule to flow out therethrough when the capsule is broken. A needle(23) has one end inserted to the support to break a lower end of the capsule.
Patent KR-100280461-B1 (KR)
Filed: 1998-04-09
Granted: 2001-03-02
Abstract: 본 발명은 저전압 검출 회로에 관한 것으로, 종래의 기술에 있어서 정상적인 전원전압이 인가시 저전압 레벨 검출용 인버터의 문턱전압레벨이 검출전압의 레벨과 일치할 때, 상기 인버터는 상기 검출전압을 완전한 저전위로 인식하지 못하는 과도영역에 있기 때문에 많은 누설전류를 흘리고, 또한 공정상 문턱전압과 온도변화에 둔감한 회로를 만들기 위하여 상기 제1 인버터의 문턱전압을 전원전압의 절반수준으로 낮추면 과도영역이 넓어짐에 따라 출력단에 더 많은 누설전류가 흐르게 되는 문제점이 있었다. 따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 게이트를 접지에 연결한 제1 피모스 트랜지스터의 소오스를 전원전압에 연결하고, 제1 엔모스 트랜지스터의 게이트와 드레인을 공통접속하여 노드1을 통해 상기 제1 피모스 트랜지스터의 드레인에 연결하며, 소오스가 접지에 연결된 제2 엔모스 트랜지스터의 게이트와 드레인을 공통접속하여 상기 제1 엔모스 트랜지스터의 소오스에 연결하고, 드레인을 전원전압에 연결한 제3 엔모스 트랜지스터의 소오스를 상기 노드1과 연결된 노드2를 통하여 게이트를 접지에 연결한 제2 피모스 트랜지스터의 소오스에 연결하며, 소오스를 접지에 연결한 제4 엔모스 트랜지스터의 드레인을 상기 제2 피모스 트랜지스터의 드레인에 연결하고, 입력단을 상기 노드2에 연결한 제1 인버터의 출력단은 제2 인버터의 입력단에 연결하며, 상기 제2 인버터의 출력단을 상기 제3 엔모스 트랜지스터의 게이트 및 최종출력단에 연결하고, 상기 제4 엔모스 트랜지스터의 게이트를 상기 제1 인버터의 출력단에 연결하여 구성한 장치를 제공하여, 정상적인 전원전압이 인가시 저전압 레벨 검출용 인버터의 문턱전압레벨이 검출전압의 레벨과 일치할 때, 상기 인버터로 인가되는 검출전압을 낮춤으로써, 과도영역에 있던 상기 인버터는 활성영역으로 이동하게 되므로 공정상 문턱전압과 온도변화에 둔감하게 동작하고, 누설전류를 최소화시키는 효과가 있다.
Patent KR-100522670-B1 (KR)
Inventor: LEE HO JIN
IPC: H01M50/571
Filed: 1998-05-23
Granted: 2005-12-21
Abstract: 목적 : 본 발명은 리튬이온 전지의 제조시에 행하는 에이징 공정에서 발생할 수 있는 사고 위험을 미리 감지하여 사전에 예방할 수 있도록 하는 안전수단이 강구된 리튬이온 전지 에이징용 래크를 제공하고자 한다. 
     구성 : 전해액을 검출하는 전해액 감지센서와, 전지의 온도를 검출하는 온도센서와, 전지에서 발생된 가스를 검출하는 가스센서와, 전지의 온도를 검출하는 온도센서와, 전지에서 발생된 가스를 검출하는 가스센서와, 전지 전압의 과도변화를 감지하는 전압이상 감지센서와, 전지 전류의 과도변화를 감지하는 전류이상 감지센서와, 상기 센서들의 검출신호에 의해 전지의 이상 여부를 판별하는 신호처리부와, 상기 신호처리부의 출력신호에 의해 제어신호를 출력하는 콘트롤러와, 상기 콘트롤러의 제어신호에 따라 에이징 공간의 유해가스를 배기하기 위해 배기수단을 제어하는 배기제어수단과, 상기 콘트롤러의 출력신호에 따라 경고음 혹은 경고광을 발생하여 공정의 운용자에게 알려주는 경고발생수단과, 상기 컨트롤러의 출력신호에 따라 원격지의 방재센타로 위험우려를 알려주는 원격송신수단으로 구성된다. 
     효과 : 에이징 공정 중에 전지 이상으로 발생할 수 있는 사고를 조기에 감지하여 경고 및 이의 원격송신, 유해가스 배기 등 재난을 방재할 수 있도록 하는 것이므로 에이징 공정의 안전성을 확보할 수 있도록 한다.
Patent KR-100301200-B1 (KR)
IPC: F04C18/02
Filed: 1998-07-15
Granted: 2002-01-15
Abstract: 본 발명은 스크롤 압축기의 스크롤 랩 충돌음 저감 구조에 관한 것으로서, 특히 인벌류트 곡선의 랩을 갖는 고정스크롤과 선회스크롤에 의해 압축부가 이루어지고, 상기 선회스크롤은 올드 햄링의 자전 방지 작용에 의해 고정스크롤을 선회운동시키는 스크롤 압축기에 있어서, 상기 선회스크롤의 충격력을 저감시킬수 있는 스프링 판을 설치한 것이고, 상기 탄성부재는 선회스크랩의 인벌류트가 끝나는 지점과 180°되는 위치에 설치되며, 상기 탄성부재는 곡면으로 형성된 스프링 판이고, 상기 고정스크롤의 외주면에는 선회스크롤의 선회시 접촉에 의한 충격력을 감소하기 위해 탄성부재에 의해 탄지되는 작동부재를 내장한 마운팅을 설치함으로써, 고정스크롤과 선회스크롤 각각의 랩이 접촉하는 부위중 흡입시작 초기 선회스크랩이 끝나는 부위와 고정스크랩이 끝나는 부위가 상대 스크롤 랩과 충돌하면서 생기는 소음과 진동을 감소시키는 것이다.
Patent KR-100547774-B1 (KR)
Title: 전화기에 내장된 전화번호부에 전화번호를 등록하는 장치 및방법
IPC: H04M1/21
Filed: 1998-07-27
Granted: 2006-03-23
Abstract: 전화기에서 전화번호를 등록하는 장치에 있어서, 등록일련번호 영역과 상기 등록일련번호 영역에 대응되는 이름 영역과 상기 이름 영역에 대응되는 전화번호 영역으로 이루어진 단위 등록 블록을 다수 개 가지며, 적어도 두 개 이상의 단위 등록 블록들끼리는 상기 등록일련번호 영역에 저장된 등록일련번호가 동일한 메모리와, 등록모드 선택, 상기 등록모드에서 등록일련번호, 이름 및 전화번호를 입력하거나 소정의 기능을 선택하기 위한 사용자인터페이스수단과, 등록모드에서 입력된 등록일련번호가 이미 사용중인 것인지 그리고 이미 사용중인 것이라면 추가 혹은 덮어쓰기 기능의 선택 여부를 체크하고, 입력된 이름 혹은 전화번호를 상기 체크 결과에 따라 상기 메모리에서 해당 일련 번호에 대응시켜 추가 혹은 덮어쓰도록 제어하는 제어부로 구성됨을 특징으로 한다.
Patent KR-100300904-B1 (KR)
Title: 에스오아이 디바이스와 비에스오아이 디바이스 제조 방법 및 이를 모두 구비한 단일 웨이퍼 제조 방법
IPC: H01L21/265
Filed: 1998-08-11
Granted: 2001-11-30
Abstract: 본 발명의 한가지 바람직한 실시예에 따르면, 웨이퍼 상에 형성된 스트레스 감소 영역에 의해 표준 벌크 CMOS(비SOI) 디바이스 및 SOI 디바이스가 동일 웨이퍼 상에 신뢰성 있게 제조될 수 있게 된다.  SOI 디바이스 영역과 비SOI 디바이스 영역 사이에 통상 존재하는 높은 스트레스 계면은 높은 스트레스가 감소되어 완화될 영역으로 이전된다.  통상, 이는 높은 스트레스 계면이 제조되어, 얕은 트렌치 절연(STI) 영역과 유사한 웨이퍼의 영역 위에 위치하게 됨을 의미한다.  또한, 본 발명의 또다른 바람직한 실시예를 이용함으로써, 벌크 CMOS 디바이스와 SOI 디바이스를 모두 포함하는 웨이퍼에 대해 동일한 평면을 갖는 웨이퍼 표면이 유지될 수 있다.  이는 산소 주입 전에 SOI 디바이스 영역에서 실리콘 웨이퍼를 에칭하여, 스트레스 계면 영역 사이의 구역의 표면이 웨이퍼의 나머지의 전체 표면보다 더 낮아지게 됨으로써 성취된다.  그리고 나서, SiO 2 영역이 SOI 디바이스에 대해 형성될 때, SOI 영역의 팽창으로 인해 SOI 디바이스 구역의 표면이 웨이퍼의 전체 표면으로까지 이를 것이다.  웨이퍼의 표면이 확실히 균일하게 되도록 잠깐동안 화학 기계적 연마(CMP)하는 과정을 포함할 수도 있다.
Patent KR-100270963-B1 (KR)
Inventor: KWON CHUL-SOON
IPC: H01L21/8242
Filed: 1998-09-22
Granted: 2000-11-01
Abstract: 로직 형성부의 제 1 금속 배선 피치를 순수 로직회로와 동등한 수준으로 가져갈 수 있도록 한 MDL(merged DRAM and LOGIC) 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명에서 제시된 MDL은, 스택 구조의 커패시터가 구비된 반도체 기판 상에 평탄화된 제 n 층간 절연막을 형성한 뒤, 메모리 셀 영역을 제외한 임의의 영역(주변회로부와 로직 영역)의 상기 제 n 층간 절연막 상에 제 1 금속 배선을 형성하고, 상기 제 1 금속 배선을 포함한 상기 제 n 층간 절연막 상에 평탄화된 제 n+1 층간 절연막을 형성한 다음, 상기 제 n+1 층간 절연막 상에 도전성막을 형성하고 이를 소정 부분 선택식각하여 상기 메모리 셀 영역에는 제 1 금속 배선을 형성하고, 상기 임의의 영역에는 제 2 금속 배선을 형성하는 공정을 거쳐 제조된다. 그 결과, 금속 배선 형성시 충분한 포토 마진을 확보할 수 있게 되어 공정 진행상의 어려움없이도 주변회로부와 로직 영역의 제 1 금속 배선 피치를 순수 로직회로의 다지인 룰과 동등한 수준으로 가져갈 수 있게 되므로 MDL의 성능 향상을 꾀할 수 있게 된다.
Patent KR-100533373-B1 (KR)
Title: 반도체장치의 캐퍼시터 형성방법
IPC: H01L27/108
Filed: 1998-10-02
Granted: 2006-05-12
Abstract: 본 발명은 유전율이 높아 정전용량을 증대시키고 고순도로서 누설전류와 절연파괴전압 특성이 개선된 캐퍼시터 형성방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르는 캐퍼시터 형성방법은 반도체 기판위에 하부전극과 질화막을 형성하는 단계; Ta 원료물질을 반응챔버내로 단락적으로(pulsing) 인입하여 Ta 2 O 5  박막을 증착하는 단계; Ta 2 O 5  박막을 후속 열처리하는 단계; 및 상부전극 형성단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.  그 결과 캐퍼시터의 누설전류을 최소한 줄일 수 있을 뿐만 아니라 전기적 특성이 우수해 짐으로써 더욱 고집적화된 DRAM 의 개발이 용이해지고, 높은 충전용량으로 인해 리프레쉬(refresh) 특성이 우수하고 신뢰성이 우수한 반도체 장치를 개발할 수 있다.
Patent KR-100337412-B1 (KR)
IPC: H01L21/56
Filed: 1998-12-30
Granted: 2002-07-18
Abstract: 패키징된 집적회로 디바이스가 개시된다.     이 디바이스는  그 일면에 다수의 전기적 콘택트를 가지며 타면에는 직접 접착된 보호막을 가진 다이를 포함하는데, 보호막은  레이저가 다이까지 침투함이 없이 레이저 마킹을 가능하게 할 정도의 두께를 가진다.     일실시예에서, 디바이스의 보호막은 스크린 프린팅에 의해 형성된 후막 (thick Film) 이다.     일실시예에서, 보호막은 1.5 내지 5 mil 의 두께를 가진다.     상면 (top surface) 및 저면 (bottom surface) 을 갖는 웨이퍼 기판과 다수의 다이를 가진 반도체 웨이퍼를 제조하는 방법도 개시된다.     이 실시예에서, 제조 방법은, 웨이퍼 기판의 상면상에 다수의 다이를 형성하는 단계, 웨이퍼 기판의 저면상에 후막을 입히는 단계, 자외선에 의해 경화되지 않는 탑재용 테이프에 후막을 접착시키는 단계, 다이를 분리하기 위해 웨이퍼를 다이싱하는 단계를 포함한다.     후막은 분리된 다이의 엣지를 따라 칩핑 (chipping) 이 생기는 것을 줄여준다.
Patent KR-100333301-B1 (KR)
Title: 기록재생장치
IPC: G11B20/00
Filed: 1998-12-31
Granted: 2002-06-20
Abstract: 개시된 본 발명은 디스크를 기록매체로 하여 영상신호등의 대용량 정보를 기록하는 경우 광자기 기록방식을 이용하여 고밀도 기록을 도모하며 디스크의 기록영역을 원심방향으로 분할하여 디스크의 회전속도를 증가하지 않고도 상대속도를 증가시킬 수 있는 헬리컬 주사방식에 의해 데이터를 기록, 재생할 수 있는 기록재생장치에 관한 것이다. 
     본 발명의 장치는 디스크를 원심방향으로 분할하여 소정의 데이터 영역이 할당되고, 할당된 데이터 영역 단위로 데이터가 기록되는 디스크와, 디스크 상부에 모든 데이터 영역에 걸쳐 디스크의 회전방향에 대해 직각으로 장착되고 주사되는 광원에 의해 디스크가 자화되도록 하여 데이터를 디스크의 분할된 각 데이터 영역에 기록하는 자기회로부와, 자기회로의 임계온도에 대응하는 광원을 주사하는 광출력부와, 광출력부로부터 주사되는 광원이 편향회로부를 통해 디스크의 분할된 각 데이터 영역에 소정의 주사각도를 갖고 주사될 수 있도록 편향제어신호에 따라 광원을 편향시키는  편향회로 제어부와, 디스크의 데이터 영역에 신호를 기록하거나 기록된 신호를 재생하는 경우 데이터 영역에 따라 광원이 서로 다른 주사각도로 데이터 영역에 주사되도록 편향제어신호를 출력하는 제어부로 구성된다. 
     따라서, 본 발명은 디스크의 데이터 영역을 원심방향으로 분할하고, 디스크의 회전속도를 증가하지 않고도 상대속도를 증가시킬 수 있는 헬리컬 주사방식에 의해 기록할 수 있는 장치를 제공함으로써 고밀도 및 대용량화를 실현하는 것이 용이하여 디스크를 기록매체로 하여 영상신호의 대용량정보를 기록하고, 기록된 데이터를 재생하는 장치를 구현할 수 있다는 효과를 제공한다.
Patent KR-100524202-B1 (KR)
IPC: A61K47/32
Filed: 1996-10-18
Granted: 2006-07-06
Abstract: The present invention provides a process for the aqueous granulation of a macrolide antibiotic which comprises mixing a macrolide antibiotic and a carbomer; wetting the mixture with water; and blending the mixture to allow formation of a macrolide antibiotic-carbomer granule.
Patent KR-100283546-B1 (KR)
IPC: C07F9/6521
Filed: 1997-01-27
Granted: 2001-04-02
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 (I)의 화합물 또는 이의 약학적으로 허용가능한 염을 제공한다: 
     화학식 I 
     R 1 -OP(O)(OH) 2   
     상기 식에서, 
     R 1 은 3급 히드록시 그룹을 포함하는 유형의 트리아졸 항진균성 화합물의 비히드록시 부분이다.  본 발명의 화합물은 진균성 감염증의 치료에 유용하고 양호한 수용해도를 갖는다.
Patent KR-100552434-B1 (KR)
IPC: C07K14/52
Filed: 1998-03-20
Granted: 2006-05-16
Abstract: 본 발명은 포인트 뮤턴트를 도입한 종양세포장해인자-II(Tumor Cytotoxic Factor; TCF-Ⅱ) 변이체를 유효성분으로 하는 신질환 예방 및/또는 치료제를 제공한다.   
     TCF-Ⅱ 변이체로서는, N말단 2번째부터의 아미노산배열 Arg-Lys-Arg-Arg를 Ala-Ala-Ala-Ala로 변이 시키던가 또는 27번째부터의 아미노산배열 Lys-Ile-Lys- Thr-Lys-Lys를 Ala-Ile-Ala-Thr-Ala-Ala로 변이시킨 TCF-Ⅱ 변이체가 쓰인다.
Patent KR-100314986-B1 (KR)
Title: Dihydrobenzopyran and related compounds useful as anti-inflammatory agent
IPC: A61K31/00
Filed: 1997-06-06
Granted: 2002-01-12
Abstract: PCT No. PCT/US97/09945 Sec. 371 Date Dec. 7, 1998 Sec. 102(e) Date Dec. 7, 1998 PCT Filed Jun. 6, 1997 PCT Pub. No. WO97/46548 PCT Pub. Date Dec. 11, 1997A compound having structure (1) wherein (a) X is selected from the group consisting of O, S, SO, or SO2; (b) each Y is independently hydrogen or straight, branched or cyclic alkanyl having from 1 to about 4 carbon atoms, or the two Y's are bonded to form an alkanyl ring having from 3 to about 7 carbon atoms; (c) Z is branched or cyclic alkyl having from 3 to about 10 atoms other than hydrogen; (d) W is O or S; and (e) R is straight, branched or cyclic alkyl or aryl, saturated or mono- or di-unsaturated with double or triple bonds, R having from 1 to about 15 atoms other than hydrogen; pharmaceutical compositions comprising such compounds, and methods of treating inflammation or pain using such compounds.
Patent KR-100540076-B1 (KR)
IPC: F25D25/00
Filed: 1999-01-08
Granted: 2006-01-10
Abstract: 본 발명은 서랍형 냉장고의 수납물품 인출저장장치에 관한 것으로, 종래에는 서랍형 냉장고 도어의 인출과 함께 인출된 용기에 식품을 저장할 때 용기에 무거운 하중이 놓여질 경우 용기에 놓여지는 하중에 의해 냉장고 본체가 앞으로 기울어지거나 넘어지게 될 우려가 있고, 또한 용기에 물품을 넣기 위해 도어를 인출시 저장된 물품 전체가 인출되므로 이미 저장된 차가운 상태의 식품이 외부의 고온에 노출되어 식품의 온도 변화에 따른 식품의 변질이 쉽게 발생될 뿐만 아니라 도어를 닫았을 때 고온화된 식품을 냉각시키기 위해 전력 소모가 많아지는 문제점이 있었는 바, 본 발명은 물품이 저장되는 저장공간에서 도어 및 용기를 인출하여 용기에 수납물품을 수납시 수납되는 수납물품의 하중에 의해 냉장고 전체가 기울어지는 것을 방지하여 사용자의 안전성을 도모하고, 또한 인출시 저장공간에 저장된 모든 수납물품이 외부와 노출되지 않게 하여 저장된 수납물품의 변질을 최소화할 뿐만 아니라 저장공간내의 온도 변화를 최소화함으로써 소비전력을 줄이고 아울러 수납물품을 보다 신선하게 오래 보관할 수 있도록 한 것이다.
Patent KR-100317531-B1 (KR)
Title: 플래시 메모리소자 및 그 제조방법
IPC: H01L27/105
Filed: 1999-02-03
Granted: 2001-12-22
Abstract: 본 발명에 따른 플래시 메모리소자 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명은 반도체기판 상에 제 1산화막을 형성한 다음 셀 분리를 위한 절연막의 패턴을 형성하고 절연막의 패턴 사이에 플로팅게이트 형성을 위한 제 1도전막을 형성한 후, 절연막의 패턴을 제거하고 제 1도전막 상에 제 2산화막을 형성한 다음, 콘트롤게이트 형성을 위한 제 2도전막을 형성하고 제 2도전막과 제 2산화막 및 제 1도전막을 순차적으로 식각하여 셀 게이트의 패턴을 형성한 후, 셀 게이트의 패턴 양측에 소오스/드레인영역을 형성하고 콘택홀을 구비하는 층간절연막을 형성한 다음, 층간절연막 상에 금속배선을 형성하여 플래시 메모리소자를 제조한다. 
     따라서, 소자분리를 위한 필드 산화공정이 필요치 않고 플로팅게이트 형성을 위한 사진식각 공정에 제한을 받지 않으므로써 고집적화가 가능한 작은 셀 사이즈를 구현할 수 있으며, 제조 공정의 기간을 단축시켜 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
Patent KR-100407885-B1 (KR)
Title: 노광방법 및 노광장치
IPC: G03F7/20
Filed: 1999-02-26
Granted: 2003-12-01
Abstract: 이미지의 콘트라스트에 관해서 상이한 패턴을 가지는 마스크의 패턴이미지로 레지스트를 노광하는 노광장치 및 방법에 있어서, 마스크의 패턴중 이미지의 보다 낮은 콘트라스트를 가지는 패턴의 이미지가 형성되는 위치는 보다 낮은 콘트라스트이미지보다 보다 높은 콘트라스트의 이미지로 노광됨으로써, 보다 낮은 콘트라스트의 패턴에 관한 노광량분포의 콘트라스트가 향상되는 것을 특징으로 한다.
Patent KR-100312366-B1 (KR)
Title: 용적형 유체기계
IPC: F04C18/02
Filed: 1999-03-15
Granted: 2001-11-03
Abstract: 펌프, 압축기 및 팽창기 등의 용적형 유체기계에 관한 것으로서, 디스플레이서와 실린더의 마모를 저감하기 위해, 끝판사이에 디스플레이서와 실린더를 배치하고, 실린더의 중심과 디스플레이서의 중심을 일치시켰을 때 실린더의 내벽면 및 디스플레이서의 외벽면에 의해 1개의 공간이 형성되고, 디스플레이서와 실린더 사이의 위치관계를 선회위치에 두었을 때에는 여러개의 작동실이 형성되는 용적형 유체기계에 있어서, 작동실중의 한쪽으로 유체를 도입하는 흡입구, 작동실중의 한쪽에서 유체를 토출시키는 토출구 및 실린더의 외벽면과 대향하는 내벽면과 디스플레이서의 흡입구측의 외벽면으로 윤활유를 공급하는 급유계를 마련하였다. 
     이러한 구성으로 하는 것에 의해, 실린더의 내벽면과 디스플레이서의 흡입구측의 선단부의 외벽면의 미끄럼부로 윤활유를 공급할 수 있기 때문에 마찰손실을 저감할 수 있게 된다.
Patent KR-100316619-B1 (KR)
Title: 반도체 기억 장치
IPC: H01L21/8242
Filed: 1999-04-08
Granted: 2001-12-12
Abstract: 본 발명은 메인 워드선의 선폭을 가능한 한 굵게 하여, 서브 워드 디코더 회로의 레이아웃을 효율적으로 실행하는 데 있다. 
     본 발명에 따르면, 행 방향으로 배선되는 메인 워드선은 직선적인 패턴을 가지며, 서브 워드 디코더 회로의 형성 영역에서 그 메인 워드선의 패턴은 행 방향을 따라서 분기하여 복수 개의 라인으로 분리되고 그 후 다시 결합하는 형상을 갖는다. 그리고, 일부 분리된 부분에서 메인 워드선과는 전위가 서로 상이한 노드를 구성하는 도전층의 비교적 작은 섬 형상 패턴(island-shaped pattern)이 배치된다.  메인 워드선은 종래예와 동일하게 제1 금속 도전층으로 구성된다. 즉, 메인 워드선을 구성하는 도전층 패턴의 내부에 그것과는 전기적으로 서로 상이한 작은 섬 형상 패턴이, 예컨대 강 속에 형성되는 섬과 같이 형성된다. 이러한 메인 워드선의 패턴은 메인 워드선의 직선성을 손상시킴이 없이, 그 배선 방향에 위치하는 다른 작은 패턴의 존재를 허용할 수 있다.
Patent KR-100307708-B1 (KR)
Inventor: KWON YUL
Filed: 1999-04-30
Granted: 2001-09-26
Abstract: PURPOSE: A device and method for displaying advertising information using the Internet is provided to display information as a banner advertisement on a display in real time without supplying effects to an internal communication of a LAN by mounting the display and receiving the information through a server mounted on the Internet. CONSTITUTION: An information supplying server(10) stores a plurality of advertising information being updated continuously, and transmits the updated advertising information through the Internet(20) each setting time. A main PC(30) controls a network environment between PCs mounted in a predetermined space, receives and stores a plurality of advertising information transmitted from the information supplying server(10), and outputs the advertising information each setting time successively. A plurality of displays(50) is mounted on the PCs and displays the advertising information being outputted successively in the main PC(30).
Patent KR-100310972-B1 (KR)
Title: Printing method using natural dyes
Inventor: JANG YOUNG HO
IPC: D06P5/00
Filed: 1999-05-04
Granted: 2001-10-12
Abstract: PURPOSE: A printing method is provided which is characterized by being possible to form various patterns by using natural dyes and having excellent washing fastness and frictional fastness. CONSTITUTION: The printing method using natural dyes is comprised of: dip-dyeing knitted cloth using natural dyes to perform ground dyeing; mixing mordant with size to produce a mordant mixture; and then printing a pattern on the dyed knitted cloth with the mordant mixture to discolor a printed part by chemical reaction between natural dyes and the mordant mixture. The ground dyeing is performed by using natural dyes and mordant together.
Patent KR-100313244-B1 (KR)
IPC: G02F1/133
Filed: 1999-05-19
Granted: 2001-11-05
Abstract: 본 발명은 터치패널의 구동시 화상의 왜곡을 최소화하기에 적합한 터치패널 탑재형 액정패널에 관한 것이다. 
     본 발명에 따른 터치패널 탑재형 액정패널은 터치패널을 탑재하기 위한 액정패널에 있어서, 데이터라인과 게이트라인이 교차하는 교차부들 각각의 부근에 마련되어진 스위치소자들을 가지는 하부 유리기판과, 데이터라인과 게이트라인 및 스위치소자 중 적어도 어느 하나에 중첩되는 블랙 매트릭스를 가짐과 아울러 하부 유리기판과 접합될 상부 유리기판과, 상부 유리기판과의 접촉면적이 커지게끔 상기 블랙 매트릭스와 중첩되는 영역에 패터닝되어 하부 유리기판과 상부 유리기판과의 간격을 일정하게 유지하는 패턴 스페이서를 구비하는 것을 특징으로 한다. 
     패턴 스페이서와 상부유리기판과의 접촉면이 크게 됨으로써, 패턴 스페이서는 손가락 또는 스타일러스 펜의 하중을 충분하게 흡수할 수 있게 된다.  이에 따라, 상부유리기판과 하부유리기판과의 간격이 터치패널의 구동시에도 일정하게 유지될 수 있게 된다.  이 결과, 액정패널의 광 열화가 나타나지 않게 됨은 물론 화상의 국부적인 왜곡이 발생되지 않게 된다.
Patent KR-100325610-B1 (KR)
Title: 반도체 소자 분리를 위한 얕은 트렌치 제조 방법
IPC: H01L21/76
Filed: 1999-05-27
Granted: 2002-02-25
Abstract: 트렌치 형성 이후 반도체 소자 형성을 위한 실리콘웨이퍼의 습식 세정 공정에서 발생되는 트렌치 코너 결함 및 반도체 소자를 외부 회로와 전기적으로 연결하기 위한 콘택 형성시 정렬 오차에 의해 발생되는 트렌치 코너 결함을 방지하기 위한 것으로, 실리콘웨이퍼를 모트 패턴을 마스크로 일정 깊이로 식각하여 트렌치를 형성한 다음, 열산화하여 트렌치 내벽 및 실리콘웨이퍼 상부 표면에 열산화막을 성장시키며, 화학 기상 증착으로 질화막을 증착한다. 그리고, 질화막 상부에 플라즈마 화학 기상 증착으로 산화막을 두껍게 증착하여 트렌치를 매입하고, 질화막을 버퍼층으로 산화막을 화학 기계적 연마하여 평탄화한 후, 실리콘웨이퍼 상부에 잔류하는 질화막을 제거하여 반도체 소자 분리를 위한 얕은 트렌치를 완성한다. 이와 같이 하여 트렌치 영역의 열산화막과 트렌치에 매입된 산화막 사이에 질화막을 형성함으로써 습식 세정 및 콘택 형성시의 정렬 오차에 의한 트렌치 코너 결함을 방지할 수 있으므로 누설 전류를 방지할 수 있어 반도체 소자의 신뢰성 및 제조 공정의 수율을 향상시킨다.
Patent KR-100781978-B1 (KR)
IPC: C09K19/38
Filed: 1999-06-21
Granted: 2007-12-06
Abstract: 본 발명은 콜레스테릭 및 A-플레이트 보상기 등의 액정 디스플레이의 시야각 및 휘도를 개선시키기 위한 박막 억제 플레이트에 관한 것이다. A-플레이트는 중합 반응성 메소젠(RM)의 층이 용매로 주조되어 있는 단일 기판을 이용하여 제조된다. RM 용매에는 RM/공기 계면으로 이동하여 표면 에너지를 감소시켜서 첨가제가 풍부한 표면층을 형성하고, 공기 계면에서의 RM의 고유의 틸트각을 25° 및 0° 사이로 감소시킨다. 용매는 증발되고 그 결과의 필름이 액정상으로 중합되어 액정을 영구적으로 배향시킨다. 이 결과의 필름이 기판에서 즉각적으로 분리되어 원하는 패턴으로 형상화되며 새로운 보상기에 결합된다. 이와 다른 실시예에서, 비스듬한 배향층으로 기판을 처리함에 의해 경사가 제공되어 박막의 전체에서 한정된 스플레이를 가진 보상기를 형성한다.
Patent KR-100701771-B1 (KR)
IPC: H03H9/25
Filed: 1999-08-25
Granted: 2007-03-30
Abstract: 본 발명은, 압전 기판 및 그 위에 형성되는 IDT(interdigital transducer)를 포함하는 표면탄성파 공진기를 제공하며, 상기 표면탄성파 공진기는 수평 전단파 (shear horizontal wave)를 사용하여 동작하고, 상기 IDT는, 주성분으로 W 또는 Ta를 포함하는 금속으로 만든 전극 막 및 상기 전극 막 위에 형성된 제 1 Al 박막을 포함한다. 
       
     압전 기판, IDT(interdigital transducer), 표면탄성파, 전단파, Y-컷(cut), x-전파(propagation), 오일러(Euler) 각, 본딩, 버퍼, 레지스트 막, 반응성 이온 에칭(reactive ion etching)
Patent KR-100541699-B1 (KR)
IPC: H01L21/027
Filed: 1999-09-02
Granted: 2006-01-12
Abstract: 본 발명은 포토레지스트 패턴 형성방법에 관한 것으로, 종래에는 실리레이티드 영역이 확산을 통해 형성됨에 따라 노광영역 이외의 포토레지스트 상에도 일부 형성되며, 포토레지스트와의 경계영역에 버드-빅을 갖게 되어 이를 마스크로 적용하게 되면, 훌륭한 단면 프로파일을 갖는 포토레지스트 패턴을 구현하기 어려운 문제점이 있었다. 따라서, 본 발명은 반도체기판 상부에 순차적으로 제1,제2포토레지스트를 형성하는 공정과; 상기 제2포토레지스트를 선택적으로 노광한 다음 베이크 및 현상을 실시하여 제2포토레지스트 패턴을 형성하는 공정과; 상기 결과물의 표면상에 실리콘을 주입한 다음 제2포토레지스트 패턴을 선택적으로 제거하는 공정과; 상기 제1포토레지스트의 표면상에 형성된 실리콘 주입영역을 마스크로 적용하여 제1포토레지스트를 건식식각하는 공정으로 이루어지는 포토레지스트 패턴 형성방법을 통해 제2포토레지스트를 얇게 형성하여 제1포토레지스트의 식각될 영역을 정의함에 따라 해상력 향상 및 공정마진 확보에 유리한 효과가 있으며, 실리콘 이온주입을 적용함에 따라 주입깊이 및 주입량을 제어할 수 있게 되어 패턴형성의 정밀도를 향상시킬 수 있는 효과가 있고, 결과적으로 패턴의 쓰러짐을 방지함과 아울러 우수한 단면 프로파일을 갖는 포토레지스트 패턴을 제작할 수 있는 효과가 있다.
Patent KR-100651094-B1 (KR)
IPC: B01J31/30
Filed: 1999-09-10
Granted: 2006-11-29
Abstract: 히드로실화 촉매 및 산 히드로실화 촉진제 존재 하에서, 히드로알콕시실란에 불포화 탄화수소를 첨가함으로써 알킬알콕시실란을 제조하는 히드로실화 방법.  
     히드로실화, 알킬알콕시실란
Patent KR-100328013-B1 (KR)
Title: 시트상 야채식품 및 그 제조방법
IPC: A23L19/00
Filed: 1999-09-21
Granted: 2002-03-12
Abstract: 본 발명은 엽채류, 근채류, 과채류 등 다양한 야채류를 원료로 하여 젤용액 분무법을 적용하여 제조하므로써 잘 부서지지 않아 품질면에서 우수하며, 대량생산이 유리하고, 다양한 용도로 사용될 수 있는 시트상 야채식품 및 그 제조방법에 관한 것이다.
Patent KR-100341691-B1 (KR)
Title: 편향요크
IPC: H04N3/16
Filed: 1999-09-30
Granted: 2002-06-24
Abstract: 본 발명은 편향요크를 개시한다. 
     본 발명은, 네크부와 스크린부로 이루어지며, 내주면에 수평편향코일이 마련되는 코일 세퍼레이터와; 외주면에 수직편향코일이 마련되며 코일 세퍼레이터의 외주면에 결합되는 페라이트 코어와; 코일 세퍼레이터의 외주면상에 적어도 2곳이상 복수 마련되며, 페라이트 코어의 결합방향으로의 유동을 방지하는 유동방지수단;을 포함하여 된 것으로서, 코일세퍼레이터의 표면에 대칭되는 위치에 등각도로 마련되는 유동방지수단 즉, 탄성돌기를 통해 페라이트코어 및 이에 권선되는 수직편향코일의 축균형을 일정하게 유지할 수 있다. 
     따라서 축균형을 위하여 별도로 코일세퍼레이터의 표면에 탄성웨지의 부착할 필요가 없게됨으로써 부품수 감소에 따른 단가절감과 작업성의 향상을 꾀할 수 있는 이점이 있다. 
     또한 조립산포를 방지할 수 있게되어 화면의 왜곡등을 미연에 방지할 수 있게됨으로써 이를 채용한 기기 예컨대 음극선관의 신뢰성을 더 한층 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
Patent KR-100318042-B1 (KR)
Title: 타이어 트레드용 전도성 고무 식입장치 및 그에 의해제조된 타이어
IPC: B29D30/08
Filed: 1999-11-08
Granted: 2001-12-24
Abstract: 본 발명은 타이어 트레드에 전도성 고무를 식입하는 장치에 관한 것으로, 특히 타이어용 트레드 압출물의 이송로 상에 설치된 실린더형 절단기와 그 안에 설치된 로드 및 절단기를 지지하는 절단기 가이드를 포함하여 이루어진 전도성 고무 식입장치를 사용하여 카본블랙이 함유되지 않은 타이어의 트레드 부분에 불연속적으로 전도성 고무를 식입할 수 있게 한 것이다.
Patent KR-100344797-B1 (KR)
Title: 플라즈마 디스플레이 패널의 방전가스
IPC: H01J11/52
Filed: 1999-11-08
Granted: 2002-07-20
Abstract: 플라즈마 디스플레이 패널의 방전가스에 관한 것으로, 기존의 자외선보다 긴 파장의 자외선을 생성할 수 있는 방전가스를 제공하여 형광체의 에너지효율을 높이는 데에 그 목적이 있으며, 제논(Xe)이 포함된 불활성 가스 혼합물에 요오드(I 2 ) 가스를 소정의 비율로 첨가한 것이 특징으로서, 종래의 방전가스에 비하여 플라즈마 방전으로 인하여 방출되는 자외선의 파장이 더 길어 형광체의 에너지 효율이 종래보다 더 향상되는 효과가 있다.
Patent KR-100317141-B1 (KR)
Title: 고투자율 분말이 함유된 고분자 수지를 이용한 농형 회전자
IPC: H02K1/22
Filed: 1999-11-10
Granted: 2001-12-24
Abstract: 본 발명은 고투자율 분말이 함유된 고분자 수지를 사용하여 회전자를 경량화하고 자속밀도를 증대함으로써 고속 및 초정밀가공으로 제품의 품질을 향상시킬 수 있는 고투자율 분말이 함유된 고분자 수지를 이용한 농형 회전자를 제공하는 데 목적이 있다. 
     위와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 구리나 알루미늄 등과 같이 높은 전기 전도성을 갖는 부재로 형성되어 있으며 그 길이방향을 따라 다수의 길다란 막대형상의 슬롯(34)이 형성된 농형 전도체(33)와, 농형 전도체(33)와 그 정중앙에 위치하는 회전축(31)의 사이 및 슬롯(34)에 충진되는 고투자율 분말이 함유된 고분자 수지에 의해 형성된 고분자 수지층(32)을 포함하며, 고투자율 분말로는 미세한 철 분말 등 자석에 잘 붙는 분말이 사용되고, 이런 분말은 고분자 수지에 골고루 분포되어 있다.   그리고, 농형 전도체(33)의 슬롯(34)에는 열을 냉각시키는 히트 파이프(heat pipe ; 35)가 부가적으로 결합되어 있고, 고분자 수지층(32)의 내부에는 자속밀도를 증가시켜 전동기의 성능을 향상시킬 수 있도록 높은 자기 투자율을 갖는 코어(36)가 부가적으로 삽입되어 있다.
Patent KR-100403470-B1 (KR)
Title: 코크스 오븐의 신축 측정장치
IPC: C10B29/00
Filed: 1999-12-07
Granted: 2003-11-01
Abstract: 본 발명은 코크스 오븐의 팽창정도를 측정하는 장치에 있어서, 압력감지센서와 유압제어시스템을 구비한 코크스 오븐의 신축 측정장치를 제공하는 데 그 목적이 있다. 
     본 발명에 따르면, 코크스 오븐(1)의 팽창과 수축의 정도를 측정하기 위한 롱 타이로드(2)에 있어 온도의 변화에 따른 롱 타이로드(2)의 신축에 의해 변화하는 장력을 제어하는 코크스 오븐(1)의 신축 측정장치에 있어서, 롱 타이로드(2)의 신축에 의해 변화하는 장력을 측정하는 압력감지센서(15)와, 롱 타이로드(2)가 수축되면 스트로크가 신장되고, 롱 타이로드(2)가 팽창하면 스트로크가 수축되는 유압시스템(10) 및, 압력감지센서(15)의 전기적신호를 입력받아 유압시스템(10)을 조절하는 제어부(20)를 포함하는 것을 특징으로 하는 코크스 오븐의 신축 측정장치가 제공된다.
Patent KR-100319759-B1 (KR)
IPC: H01S5/32
Filed: 1999-12-23
Granted: 2002-01-09
Abstract: InP 계열의 열적 불안정성과 기판의 기하학적 구조에 따른 성장특성의 불균일을 개선하기 위한 선택적 결정성장법을 이용한 반도체층 성장 방법 및 그를 이용한 굴절율보상형 분산궤환 레이저다이오드 제조 방법에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명은 반도체층의 성장 InP 기판 상에 InGaAs흡수층 및 InP캡층을 형성하는 제 1 단계, 상기 InP캡층 상에 상기 InGaAs층을 보호하기 위한 유전체박막을 형성하는 제 2 단계, 상기 유전체박막을 보호막으로 하여 상기 InP기판 상에 InP평탄층을 형성하는 제 3 단계, 상기 유전체박막을 보호막으로 하여 상기 InP평탄층 상에 InGaAsP 굴절율보상층을 성장시키는 제 4 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.