Patent DE-112015002173-B4 (DE)
Title: Herstellungsverfahren für eine optische Äquipotential-Fasereinheit für photoelektrische Hochspannungs-Kompositkabel
Inventor: ZHANG JIANMIN
IPC: G02B6/44
Filed: 2015-07-09
Granted: 2020-03-12
Abstract: Verfahren zum Herstellen einer optischen Äquipotential-Fasereinheit für photoelektrische Hochspannungs-Kompositkabel, welche von innen nach außen jeweils aus einer optischen Faser (1), einer speziellen Wassersperr-Ölpaste zum Befüllen einer optischen Fasereinheit (2), einem metallischen Schutzrohr (3), einer Verstärkungsschicht (4) aus halbleitendem Kunststoff, einer Metalldraht-Panzerschicht (5) und einer Außenschutzschicht (6) aus halbleitendem Kunststoff besteht, wobei die spezielle Wassersperr-Ölpaste eine optischen Fasereinheit (2) befüllt, das metallische Schutzrohr (3) eines der Materialien Kupferband, 314 rostfreies Band und 316L rostfreies Band ist, die Verstärkungsschicht (4) aus halbleitendem Kunststoff eines der Materialien halbleitendes Polyethylen niedriger Dichte und halbleitendes Polyethylen mittlerer Dichte ist, die Metalldraht-Panzerschicht (5) durch Verdrillen von hochfesten Stahldrähten ausgebildet ist und die Außenschutzschicht (6) aus halbleitendem Kunststoff eines der Materialien halbleitendes Polyethylen niedriger Dichte und halbleitendes Polyethylen mittlerer Dichte ist, dadurch gekennzeichnet, dass es folgende Schritte umfasst:
 Schritt a: Auftragen eines zur Markierung dienenden Farbspektrums auf einer optischen Fasereinheit (1), Platzieren der mit dem Farbspektrum versehenen optischen Fasereinheit (1) auf einen Abwickler konstanter Spannung und Voreinstellen der Abwickelspannung für die optische Fasereinheit (2) auf 70 bis 90 g,
 Schritt b: Abwickeln der optischen Fasereinheit (1) von dem Abwickler und Einführen in zusammengebundenem Zustand in eine metallische Schutzschicht auf einer Laserschweißmaschine, gleichmäßiges Eingießen einer speziellen Wassersperr-Ölpaste zum Befüllen einer optischen Fasereinheit (2) in ein metallisches Schutzrohr (3) vor dessen Verschweißen,
 Schritt c: Extrudieren einer Verstärkungsschicht (4) aus halbleitendem Kunststoff mittels einer Kunststoffextrusionsmaschine, wobei bei dem Extrusionsvorgang die Betriebstemperatur der Kunststoffextrusionsmaschine zwischen 120°C und 180°C liegt und die Position der Extrusionsform derart eingestellt wird, dass der Mittelpunkt der Form auf der gleichen horizontalen Position wie der Mittelpunkt der Anlage steht und der umlaufende Spalt zwischen dem Formkern und der Formhülse gleich groß ausgebildet ist, 
 Schritt d: Umschlingen der Verstärkungsschicht (4) aus halbleitendem Kunststoff von außen mit einer Metalldraht-Panzerschicht (5), die mittels einer Metallpanzerungsmaschine angefertigt wird, wobei bei dem Panzerungsvorgang die Abwickelspannung der Metallpanzerungsmaschine zwischen 200 und 300 N und die Schlaglänge zwischen 300 und 350 mm liegt,
 Schritt e: Extrudieren einer Außenschutzschicht (6) aus halbleitendem Kunststoff außerhalb der Metalldraht-Panzerschicht (5), welche Außenschutzschicht (6) aus halbleitendem Kunststoff mittels einer Kunststoffextrusionsmaschine extrudiert wird, wobei bei dem Extrusionsvorgang die Betriebstemperatur der Kunststoffextrusionsmaschine auf 120°C bis 180°C eingestellt und die Position der Extrusionsform derart eingestellt wird, dass der Mittelpunkt der Form auf der gleichen horizontalen Position wie der Mittelpunkt der Anlage steht und der umlaufende Spalt zwischen dem Formkern und der Formhülse gleich groß ausgebildet ist.