baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent KR-19990084833-A (KR)
Title: 스틸 와이어 스풀의 집게 장치
IPC: B29D30/48
Filed: 1998-05-12
Abstract: 본 발명은 스틸 와이어 스풀의 집게장치에 관한 것으로, 스풀을 확실하게 잡아주는 링크락부를 설치하고 스풀의 90도 회전을 용이하게 하는 핸들을 구비함에 따라, 작업자가 작업도중에 안전사고를 미연에 방지할 수 있음은 물론 스풀을 스탠드에 집게하는 시간이 짧아지므로 생상성이 향상되도록 된 것이다.
Patent KR-20000001860-A (KR)
Title: Method for forming insulating film containing impurities used as etched layer in semiconductor manufacturing process
Inventor: CHO CHAN SUP
IPC: H01L21/31
Filed: 1998-06-15
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to improve a profile of a contact hole and clearness of the pattern and to eliminate the remains around the pattern. CONSTITUTION: A method for manufacturing a semiconductor device comprises: evaporating and depositing an insulating film containing an impurity in multi-steps for the upper insulating film containing a less density of impurity than the lower insulating film gradually; and forming a photo-resist on the insulating film.
Patent KR-20000001921-A (KR)
Title: Sealing and rotation typed compressor
Inventor: KIM SEUNG IL
IPC: F04C29/06
Filed: 1998-06-15
Abstract: PURPOSE: A sealing and rotation typed compressor is provided to prevent oil from delivering outside a casing with a pressing coolant, and prevent noise. CONSTITUTION: The sealing and rotation type compressor comprises:a cylinder casing(1); a pressing part(3) contained inside the casing and pressing a coolant; a driving motor(5) delivering driving force to the pressing part; an accumulator(7) supplying a vapor coolant to the pressing part; and an oil container(11) having oil for lubrication and cooling of the driving parts inside the casing.
Patent KR-20000002044-A (KR)
Title: Transistor
Inventor: LIM CHI SOON
IPC: H01L29/73
Filed: 1998-06-16
Abstract: PURPOSE: A transistor is provided to reduce greatly the size of element with improved thermo-conductivity and speed of movement. CONSTITUTION: The transistor comprises; a base composed of a bunch of carbon nanotube; an emitter and a collector connected on both sides of the base respectively, p type doped and composed of carbon nanotube; and electrode to deliver electricity to the base, emitter and collector.
Patent KR-19990007063-A (KR)
Title: Cdma통신시스템에 있어서의 신호수신장치
IPC: H04B7/08
Filed: 1998-06-17
Abstract: RAKE수신기에 있어서, 작은 회로규모에서 패스선택을 높은 정밀도로 실시하는 것을 목적으로 한다. 
     복소형 매치드 필터(10)로부터 출력되는 역확산 신호 D i , D q 는 위상보정 및 패스선택부(13)에 입력되고, 파일럿심벌블록의 수신신호에 포함되어 있는 위상오차가 추출되며, 이것에 따라서 위상보정신호가 산출된다. 이 위상보정신호에 의해 정보심벌의 수신신호의 위상보정이 시행된다. 또한, 이 위상보정신호의 수개의 슬롯 만큼의 평균값에 따라 수신신호전력이 산출되어, 이 수신신호전력이 큰 소정수의 패스가 선택된다. 각 패스의 위상보정된 수신신호는 RAKE합성부(14)에 있어서 타이밍을 맞추어 가산되어 출력된다.
Patent KR-20000002289-A (KR)
Title: Control method of humidifier inside refrigerator
Inventor: CHO KYUNG HUN
IPC: F25D29/00
Filed: 1998-06-18
Abstract: PURPOSE: A control method of a humidifier inside a refrigerator is provided to prevent waste of unnecessary materials by controlling an amount of humidity using a temperature sensor. CONSTITUTION: The control of an amount of a generated mist in a refrigerator comprises:a process to divide a range of an amount of a generated mist; a process to establish a range of variation corresponding to each range; a process to produce a compared value by comparing a detected temperature inside a refrigerator through a temperature sensor(16) with previously established optimum temperature inside a refrigerator.
Patent KR-19990007125-A (KR)
Title: 집적회로 제조시 감소된 측벽 축적을 갖는 금속에칭 방법
IPC: H01L21/8242
Filed: 1998-06-19
Abstract: MOS트랜지스터의 서브임계값특성에 의한 누설전류를 저감하는 회로구성의 개량에 관한 것이고 소자가 미세화되고 또 동작전압이 정전압화된 반도체 집적회로에 관한 것으로서, 서브임계값전류저감을 위한 부전원배선상에서의 전압강하를 저감하여 논리회로의 동작속도의 저하를 방지할 수 있는 반도체 집적회로를 제공하기 위해서, 서브임계값전류의 저감대상으로 되는 MOS논리회로를 포함하는 직사각형영역의 한 변을 따라 주전원배선을 배치하고, 부전원배선은 상기 영역상을 상기 주전원배선과 직교하는 방향으로 여러개 배치하고, 부전원배선을 선택적으로 주전원배선과 도통시키는 스위치 MOS트랜지스터는 주전원배선에 대해 여러개 분산배치하는 구성으로 하였다. 
     이와 같은 구성으로 하는 것에 의해, 주전원배선에 대해 스위치 MOS트랜지스터를 분산배치하면 스위치 MOS트랜지스터를 1개소에 배치하는 경우에 비해 부전원배선의 등가배선저항을 작게 할 수 있다는 등의 효과가 얻어진다.
Patent KR-20000002882-A (KR)
Title: Method for protecting a third party in an intelligent network personal telecommunication service
Inventor: KWON EUN HEE
IPC: H04L12/28
Filed: 1998-06-24
Abstract: PURPOSE: A method for protecting a third party is provided to move together a process system of an intelligent network service breakage report and a service control team having a real receiving number while using a virtual number. CONSTITUTION: A method for protecting a third person applied to an intelligent hardware comprises: a local telephone switchboard(4) receiving a service calling from a telephone(5) user using an intelligent network service; a service switchboard(3) transferring the intelligent network service calling inputted from the local telephone switchboard; a common line signal network(2) transferring the service controlling information inputted from the service switchboard; and a service data managing system(7) managing the service data.
Patent KR-20000004392-A (KR)
Title: Method forming barrier rib of plasma display panel
Inventor: SON HONG KYUN
IPC: H01J11/36
Filed: 1998-06-30
Abstract: PURPOSE: A method forming barrier rib of plasma display panel is provided to achieve simplification of process. CONSTITUTION: The method comprises the steps of: deposing barrier rib on a back of substrate, forming exposure layer pattern to expose predetermined parts of the barrier rib, removing the exposed barrier rib by sand blast method, forming first barrier ribs on the back of substrate by removing the exposure layer pattern, forming second barrier rib on the first barrier rib by printing method, and burning the first and second barrier ribs.
Patent KR-20000007242-A (KR)
Title: Method for flip chip packaging and printing circuit board
Inventor: MOON YUNG JOON
IPC: H05K3/30
Filed: 1998-07-01
Abstract: PURPOSE: A flip chip packaging method is provided to maintain the accuracy of the gap formed between the flip chip and the circuit board and to improve the contacting efficiency. CONSTITUTION: A flip chip packaging comprises the steps of: coating the underfill resin(400) between contact terminals(110) formed on the conductive layer being printed with the copper coating film by a regular circuit pattern on a circuit board(100); contacting of a bumper(300) to the contact terminals by downward pressurizing the flip chip(200) after arranging the bumper to be complementarily contacted with the contact terminals; and packaging a flip chip(200) onto the circuit board by hardening the underfill resin.
Patent KR-20000008967-A (KR)
Title: Lower die of dam-bar trimmer
Inventor: UM TAE SEOK
IPC: H01L23/48
Filed: 1998-07-20
Abstract: PURPOSE: A lower die of a dam-bar trimmer is provided to prevent a trimming stay from being worn by forming a plurality of under-cuts thereon. CONSTITUTION: The lower die comprises a die nest(30) on which a package body(20) having a plurality of leads(12); and a plurality of trimming stays(40) each having an upper stay on which the lead is disposed and a lower stay integrally formed with the upper stay. Each of the trimming stays(40) is provided at one end proximal to the die nest(3) with an under-cut(160).
Patent KR-19990023219-A (KR)
Title: 에어백 가스발생기용 쿠션
IPC: B60R21/264
Filed: 1998-07-20
Abstract: 본 발명은 에어백 가스발생제를 고정하도록 충분한 탄성을 가지면서, 또한 용이하게 제조될 수 있는, 에어백 가스발생기용 쿠션부재를 제공한다.  더욱이 본 발명은 이러한 쿠션부재를 이용하는 에어백 가스발생기를 제공한다. 
     하우징에 포함되는 부재의 이동을 방지하기 위한 쿠션부재에 있어서, 상부 또는 하부면, 또는 양쪽면의 표면특성은 쿠션부재가 다른 쿠션부재의 상부에 놓일 때, 이들이 서로 고착되지 않도록 설계된다.  본 발명에서는 이 쿠션부재를 이용한 에어백 가스발생기가 제공된다.
Patent KR-20000012946-A (KR)
Title: Method of retransmitting channel assignment message in mobile communications system
Inventor: KU WOO SEOK
IPC: H04B7/26
Filed: 1998-08-03
Abstract: PURPOSE: A method of retransmitting a channel assignment message in mobile communications system is to provide good quality of service to subscribers of personal communications system by compensating damage to a message sent to a mobile station from a base station or data loss in the message. CONSTITUTION: The method of retransmitting a channel assignment message in mobile communications system includes the steps of: commanding a base transceiver station recognition message transmission to a page channel by a base transceiver station (20) receiving an origination message or page response message for a mobile station, setting a communication channel, and transmitting a null traffic channel data; receiving a response message as to the setting of the communication channel from the communication channel, transmitting a channel assignment message to the next page channel, and setting a timer; and determining if a forward communication channel attains a reverse traffic channel preamble in a period of the timer set time by the base transceiver station and determining if the channel assignment message is retransmitted to the page channel.
Patent KR-20000012961-A (KR)
Title: Middle frequency generator
Inventor: LEE MYUNG SOO
IPC: H03D7/00
Filed: 1998-08-03
Abstract: PURPOSE: A middle frequency generator is provided which removes the higher harmonics of a carrier wave by using differential amplifier. CONSTITUTION: The carrier wave in the modulation signal causes signal degradation. This device removes the carrier wave by adjusting data voltage. The differential amplifier (210) decides the resistance value with variable resistor (VR1) to adjust data voltage. And the differential amplifier (220) adjusts the bias voltage in the carrier wave CARRIER_IN, and removes the higher harmonics. The resistance value of the variable resistor (VR2) is adjusted to send the bias voltage level in the carrier wave CARRIER_IN to the reversal input terminal. The differential amplifier (220) amplifies and outputs only pure carrier wave CARRIER_IN signal by subtracting bios voltage level from the carrier wave. VR2 resistance value decides the voltage level sent to the reversal terminal of differential amplifier (220). Finally by using a differential amplifier, the carrier wave of higher harmonics is removed.
Patent KR-19990023604-A (KR)
Title: 씨씨알-3 수용체 길항제
IPC: A61K31/495
Filed: 1998-08-14
Abstract: 본 발명은 CCR-3 수용체 길항제인 하기 화학식 1의 특정 환상 아민 유도체, 이를 포함하는 약학 조성물, 이 화합물의 사용 방법, 이 화합물을 제조하는 방법에 관한 것이다: 
     
       
         
       
     
     상기 식에서, 
     T 및 U는 둘다 질소이거나, T와 U중 하나가 질소이고 다른 하나가 탄소이고; 
     R 1 및 R 2 는 각각 독립적으로 수소 또는 알킬이고; 
     n은 0 내지 2의 정수이나, 단 n이 0인 경우, T와 U중 하나가 탄소이고; 
     m은 0 내지 3의 정수이고; 
     Ar과 Ar 1 은 각각 독립적으로 아릴 또는 헤테로아릴이고; 
     F는 알킬렌, 알케닐렌 또는 결합이나, 단 T와 U가 질소이고 F가 알킬렌일 경우 R 4 는 아릴이 아니고; 
     R은 각각 독립적으로 수소 또는 알킬이거나, R은 R 3 와 R 4 중 하나와 이들에 결합된 원자와 함께 카보사이클 또는 헤테로사이클을 형성하고; 
     R 3 와 R 4 는 각각 독립적으로 (i) 수소, 알킬, 알케닐, 할로알킬, 사이클로알킬, 사이클로알킬알킬, 헤테로아릴, 헤테로아르알킬, 헤테로사이클릴, 헤테로사이클릴알킬, 헤테로알킬, 시아노 또는 -(알킬렌)-C(O)-Z(여기서 Z는 알킬, 할로알킬, 알콕시, 할로알킬옥시, 하이드록시, 아미노, 일치환되거나 이치환된 아미노, 아릴, 아르알킬, 아릴옥시, 아르알킬옥시, 헤테로아릴, 헤테로아릴옥시 또는 헤테로아르알킬옥시이다)로부터 선택되나, 단 R 3 와 R 4 둘다가 수소인 것은 아니고, 또는 (ii) R 3 와 R 4 는 이들에 결합된 탄소 원자와 함께 카보사이클 또는 헤테로사이클을 형성하고; 
     E는 -C(O)N(R 5 )-, -SO 2 N(R 5 )-, -N(R 6 )C(O)N(R 5 )-, -N(R 6 )SO 2 N(R 5 )-, -N(R 6 )C(S)N(R 5 )-, -N(R 6 )C(O)-, -N(R 6 )C(O)O-, -OC(O)N(R 6 )- 또는 -N(R 6 )SO 2 -이고 
     R 5 는 수소, 알킬, 아실, 할로알킬, 사이클로알킬, 사이클로알킬알킬, 아릴, 아르알킬, 아르알케닐, 헤테로아릴, 헤테로아르알킬, 헤테로사이클릴알킬, 헤테로알킬 또는 -(알킬렌)-C(O)-Z(여기서 Z는 알킬, 할로알킬, 알콕시, 할로알킬옥시, 하이드록시, 아미노, 일치환되거나 이치환된 아미노, 아릴, 아르알킬, 아릴옥시, 아르알킬옥시, 헤테로아릴, 헤테로아릴옥시 또는 헤테로아르알킬옥시이다)로부터 선택되거나, (ii) R 5 는 R 3 와 R 4 중 하나와 이들에 결합된 탄소 원자와 함께 헤테로사이클로아미노기를 형성하고; 
     R 6 는 (i) 수소, 알킬, 아실, 할로알킬, 사이클로알킬, 사이클로알킬알킬, 아릴, 아르알킬, 아르알케닐, 헤테로아릴, 헤테로아르알킬, 헤테로사이클릴알킬, 헤테로알킬 또는 -(알킬렌)-C(O)-Z(여기서 Z는 알킬, 할로알킬, 알콕시, 할로알킬옥시, 하이드록시, 아미노, 일치환되거나 이치환된 아미노, 아릴, 아르알킬, 아릴옥시, 아르알킬옥시, 헤테로아릴, 헤테로아릴옥시 또는 헤테로아르알킬옥시이다)이나; 
     단, T가 질소이고 E가 -C(O)N(R 5 )-, -SO 2 N(R 5 )-, -N(R 6 )C(O)N(R 5 )-, -N(R 6 )SO 2 N(R 5 )- 또는 -N(R 6 )C(S)N(R 5 )-일 경우, m은 0보다 크고; 
     Q는 -R 7 -W-R 8 -이고; 
     R 7 은 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 알킬렌쇄이고; 
     R 8 은 0 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 알킬렌쇄 또는 결합이고; 
     W는 결합 또는 -C(O)-, -NR 9 -, -O-, -S(O) 0-2 -, C(O)N(R 9 )-, -N(R 9 )C(O)-, -N(R 9 )SO 2 -, -SO 2 N(R 9 )-, -N(R 9 )C(O)N(R 9 )-, -N(R 9 )SO 2 N(R 9 )- 및 -N(R 9 )C(S)N(R 9 )-로부터 선택된 기이고; 
     R 9 는 수소, 알킬, 아실, 할로알킬, 사이클로알킬, 사이클로알킬알킬, 아릴, 아르알킬, 아르알케닐, 헤테로아릴, 헤테로아르알킬, 헤테로사이클로알킬, 헤테로알킬 또는 -(알킬렌)-C(O)-Z(여기서 Z는 알킬, 할로알킬, 알콕시, 할로알킬옥시, 하이드록시, 아미노, 일치환되거나 이치환된 아미노, 아릴, 아르알킬, 아릴옥시, 아르알킬옥시, 헤테로아릴, 헤테로아릴옥시 또는 헤테로아르알킬옥시이다)이나; 
     단, T가 질소이고 U가 탄소인 경우, W가 -C(O)N(R 9 )-이 아니다.
Patent KR-20000014874-A (KR)
Title: Exhaust gas pressure control device of the diffusion path for manufacturing a semiconductor device
Inventor: LEE BOO-CHEOL
IPC: H01L21/22
Filed: 1998-08-25
Abstract: PURPOSE: An exhaust gas pressure control device of the diffusion path for manufacturing a semiconductor device is provide to automatically maintain the pressure within a diffusion path to prescribed set value. CONSTITUTION: The exhaust gas pressure control device of the diffusion path for manufacturing a semiconductor device comprises: a pressure sensor(28) mounted in a exhaust line for sensing the pressure within the diffusion path(20); a pressure control unit(32) comparing the sensing signal of said sensor and prescribed value to generate the control signal controlling the pressure in accordance with the difference between them; and a pressure adjusting unit opened and closed by the control signal of said pressure control unit. Therefore, according to the present invention, the internal pressure of said diffusion path can be maintained in prescribed level.
Patent KR-19990086985-A (KR)
Title: 습식 전자사진방식 프린터의 스퀴즈롤러 승강장치
IPC: B41J2/385
Filed: 1998-09-15
Abstract: 개시된 습식 전자사진방식 프린터의 스퀴즈롤러 승강장치는, 벨트프레임에 고정 설치되는 하우징과, 하우징 내에 승강가능하게 설치되며 스퀴즈롤러가 장착되는 스퀴즈프레임과, 스퀴즈프레임 내에 승강가능하게 설치된 제1승강부재와, 제1승강부재의 승강운동에 연동되어 승강되도록 스퀴즈프레임 내에 설치되며, 상승시 스퀴즈롤러가 감광벨트를 압착하는 방향으로 스퀴즈프레임을 밀어올리는 제2승강부재와, 제1승강부재와 제2승강부재를 연동되도록 연결시키는 제1탄성부재와, 제2승강부재와 스퀴즈프레임를 연동되도록 연결시키는 제2탄성부재와, 구동모터에 의해 회전되며 내부에 소정 캠홈이 형성된 캠부재와, 일단이 제1승강부재에 고정되고 타단이 캠홈에 슬라이딩 가능하게 삽입되는 캠돌기를 포함하는 것을 특징으로 한다.  이러한 구성에 의하면, 스퀴즈롤러가 장착된 스퀴즈프레임을 벨트프레임에 매달린 상태로 승강시키면서 인쇄모드와 드립-라인 제거모드 및 정지모드를 수행하도록 구성되어 있으므로, 감광벨트 압착에 의해 발생되는 반발력이 메인프레임에 전달되는 것을 억제할 수 있는 것이다.
Patent KR-20000020246-A (KR)
Title: Apparatus for sending automatically called number of beeper
Inventor: PARK DEUK GYU
IPC: H04B5/04
Filed: 1998-09-18
Abstract: PURPOSE: An apparatus for sending automatically a called number of a beeper is provided to telephone automatically without pushing a dial number by generating a Dual Tone Mixed Frequency(DTMF) signal corresponding to the called number. CONSTITUTION: An apparatus for sending automatically a called number of a beeper comprises a decoder(10), a memory(30), a display(40), a Dual Tone Mixed Frequency(DTMF) encoder(50), an amplifier(60), and a speaker(70). The decoder identifies a called number. The memory stores the identified called number. The display displays the called number. The DTMF encoder generates a DTMF signal corresponding to the called number displayed on the display according to a user's selection. The amplifier amplifies the DTMF signal. The speaker outputs the amplified DTMF signal.
Patent KR-19990037036-A (KR)
Title: 금속 스트립용 급냉식 오븐의 안전 시스템
IPC: C21D9/573
Filed: 1998-10-13
Abstract: 본 발명은, 여러 가지 처리 스테이션(treatment station)들, 특히 금속 스트립들이 계속해서 진행하는 스트립 형태의 제품을 열처리하는 스테이션을 포함하는 플랜트의 일부를 형성하며, 여기서 급냉은 15% 이상 그리고 바람직하게는 50%에 가까운 수소 함유량을 갖는 질소/수소 혼합물로 구성된 분위기 가스의 제트를 스트립에 스프레이하므로써 얻어지며, 이 분위기 가스는 모든 덕트들을 팽창시키는 일련의 주름의 형태로 제작된 보정기와, 적어도 하나의 팬과, 적어도 하나의 가스/물 교환기를 포함하는 재순환 덕트들의 배관을 통하여 재순환되는 급냉식 오븐에 관한 것이다.  여기서 보정기의 주름이 파손되는 경우나 보정기로부터 누설이 발생되는 경우에 냉각 가스를 재순환시키는 배관 내로의 공기의 침입이나 주위로 냉각 가스의 누설을 방지하며, 냉각 가스에 대해 불침투성인 가요성 막의 형태로 제조된 안전 장치가 제공된다.  상기 막은 재순환 덕트의 각 보정기의 주위에 배치되며, 냉각 가스의 재순환 배관에서 냉각 가스의 유동을 즉시 중단시키도록 추가로 수단이 제공된다.
Patent KR-19990044859-A (KR)
Title: 질화규소와 이산화규소중 하나 또는 둘다와 에칭 잔류물과 에칭마스크를 제거하는 방법
IPC: H01L21/02
Filed: 1998-10-14
Abstract: 본 발명은 플루오라이드-함유 화합물, 물, 특정한 유기 용매를 함유하는 조성물을 사용하여 질화규소와 이산화규소중 하나 또는 둘다, 에칭 잔류물, 에칭 마스크를 에칭시키거나 제거하는 방법에 관한 것이다.
Patent KR-20000026354-A (KR)
Title: Method for handling wafer in semiconductor manufacturing device
Inventor: YANG HYUN SEOK
IPC: H01L21/68
Filed: 1998-10-20
Abstract: PURPOSE: A method for handling wafer in a semiconductor manufacturing device is provided to reduce a loss time in handling the wafer and the number if wafers to be re-worked. CONSTITUTION: A system of handling wafer comprises a send slot, a discharge unit, a pre-align unit, a robot unit, a stop key, an expose unit, and a realign unit(54). A method of handling wafer comprises a step of run starting the wafer handling system(210); a step of pressing stop key if the software bug occurs(220); a step of stopping the system when error occurs(230); and a step of checking the wafer existing on the expose unit, robot unit and the realign unit and selecting the wafer to be rejected(240). The method further comprises a step of rejecting the selected wafer(250); a step of finishing the run(260) and a step of managing the wafer re-work(270).
Patent KR-20000031318-A (KR)
Title: Optic axis align method of optical element-planar light wave circuit-optical fiber using manual align process
Inventor: PARK SU JIN
IPC: G02B6/42
Filed: 1998-11-05
Abstract: PURPOSE: An optic axis align method of optical element-planar light wave circui -optical fiber using manual align process is provided to form an align mark and a V-groove for aligning optical elements without the obstruction of steps, and to easily assure the alignment accuracy of the optical elements. CONSTITUTION: An optic axis align method of optical element-planar light wave circuit-optical fiber using manual align process comprises steps of: etching the other portions of a silicon substrate except a V-groove area; forming a flat mask material film on the substrate; forming a mask pattern for etching the V-groove by etching-back the mask material film to expose the substrate; etching the exposed substrate in order to expose the side wall of the mask pattern; and forming the V-groove by wet-etching the substrate using the mask pattern as an etching barrier.
Patent KR-20000032183-A (KR)
Title: Method for forming storage contact for producing storage electrode of dram cell
Inventor: PARK WON MO
IPC: H01L21/8242
Filed: 1998-11-13
Abstract: PURPOSE: A method for forming a contact is provided not to deposit an oxide film while reducing the depth of the contact and to secure the surface area of a storage electrode by preventing the undercut occurrence of a storage node pattern. CONSTITUTION: An interlayer insulating film(20) is formed on the upper part of a bit line layer contacting with the activated area of a transistor formed on a silicon substrate(10) for forming a nitride film(30). And a high melting metal and a photoresist are sprayed, and a photo process is operated in the area for a contact hole for etching the high melting metal film exposed to a photo mask. Then, the photo mask is eliminated. A polysilicon(50) is deposited for spacer etching, and a storage contact hole is formed by etching the exposed part of the nitride film and the interlayer insulating film by using a polysilicon spacer formed on the side wall of the high melting metal film as an etching mask. A storage node pattern(60) is formed by depositing a doped polysilicon for forming the storage electrode and by operating photo etching process. Then, the high melting metal film is eliminated for completing the storage electrode for DRAM cell.
Patent KR-19990062686-A (KR)
Title: 직접 분사 엔진의 제어기
IPC: F02D41/00
Filed: 1998-12-01
Abstract: 직접 분사 엔진의 제어기는 기본적으로 공기 흡입 포트부에 배치된 와류 제어 밸브, 연료 분사 밸브 및 가변 연료 압력 조정기를 구비하고, 또한 가변 연료 압력 조정기에 의해 연료 압력을 제어하기 위한 수단, 운전 조건을 검출하는 수단 및 연소 상태를 검출하는 수단을 추가로 구비하며, 운전 조건 및 연소 상태에 기초하여 와류 제어 밸브의 밸브 개도를 제어하는 수단을 구비한다.
Patent KR-20000037855-A (KR)
Title: Apparatus for storing overhead of optical channel section layer in optical transmission system
Inventor: KIM HO KEON
IPC: H04B10/2581
Filed: 1998-12-02
Abstract: PURPOSE: An apparatus for storing an overhead of optical channel section layer in an optical transmission system is provided to effectively perform the application and repairing function of optical channel section layer by adapting the every kinds of function in an overhead for supervisory and controlling of optical channel section layer. CONSTITUTION: A reverse multiplexing part outputs status supervisory information, section chase information, series connection supervisory information, optical channel wavelength allotment information, BIP(Bit Interleaved Parity) value, signal level information, optical quality value, supervisory channel alarm, and automatic protection switching information by reversely multiplexing a supervisory channel signal input from the outside. A first register to a ninth register(341-349) temporarily store each status supervisory information, section chase information, series connection supervisory information, optical channel wavelength allotment information, BIP(Bit Interleaved Parity) value, signal level information, optical quality value, supervisory channel alarm, and automatic protection switching information.
Patent KR-20000038695-A (KR)
Title: Method of mounting and dismounting specialized resource board in intelligent peripheral
Inventor: CHO KYONG SEOB
IPC: H04Q3/00
Filed: 1998-12-08
Abstract: PURPOSE: A method for mounting and dismounting a specialized resource board in an intelligent peripheral is provided for user's convenience in mounting and dismounting a specialized resource board required for providing voice information, voice recording or digital collection function to service users. CONSTITUTION: When an intelligent peripheral starts, it is in a standby state to receive an operation from an operator for mounting and dismounting a board (S201). When a non- active instruction for dismounting a board is received (S202), a procedure for processing detailed function for the board-nonactivation is called (S203), and its result is informed to the operator (S204) and the board non-activation result is checked (S205). According to checking (S205), in case that it's abnormal, the operator does not dismount the board, while in case that it's normal, the operator turns off the board and dismounts it.
Patent KR-20000038807-A (KR)
Title: Method for manufacturing a ruthenium electrode of a semiconductor device
Inventor: JU BYUNG SEON
IPC: H01L21/28
Filed: 1998-12-09
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a lower electrode of a semiconductor device is provided to effectively remove a remaining hard mask by forming the lower electrode using ruthenium. CONSTITUTION: A ruthenium film(12a) is formed on a semiconductor substrate which is formed with an oxide film. A mask pattern(14) formed by ARC or BST is formed on the ruthenium film(12a). By using the mask pattern(14), a lower portion of the ruthenium film(12a) is etched so that a ruthenium electrode is formed. Then, the mask pattern(14) is removed. The etching process for the ruthenium film(12a) is carried out by using a high density plasma ion etching process. The etching process for the ruthenium film(12a) is carried out by using an etching gas including oxygen.