Patent DE-112007002615-B4 (DE)
Title: Thermoelektrische Vorrichtung und thermoelektrisches Modul
Inventor: FUKADA YOSHIKI
IPC: H01L35/32
Filed: 2007-10-31
Granted: 2020-02-06
Abstract: Thermoelektrische Vorrichtung (1, 3), enthaltend:- ein Halbleiterelement (11, 13) zur Umwandlung von Energie zwischen thermischer Energie und elektrischer Energie,a) wobei das Halbleiterelement (11, 13) eine spannungsvermindernde Beschaffenheit hat zur Verminderung einer Spannung, die durch eine Temperaturdifferenz zwischen zwei einander gegenüberliegenden Endbereichen des Halbleiterelements (11, 13) hervorgerufen wird,b) wobei die spannungsvermindernde Beschaffenheit des Halbleiterelements (11, 13) durch die Anwesenheit von Schlitzen (11s, 13s, 13su) und Einschnitten (11c, 13c) in bestimmten Bereichen des Halbleiterelements (11, 13) gegeben ist, undc) das Halbleiterelement im Bereich der Schlitze durch diese in eine Mehrzahl von Teilen (11d, 13d) geteilt ist, undd) die durch die Schlitze gebildeten Teile im Bereich der Einschnitte durch diese in feine Teile (11m, 13m) geteilt sind und die durch die Einschnitte (11c, 13c) gebildeten, feinen Teile (11m, 13m) feiner sind als die durch die Schlitze (11s, 13s, 13su) gebildeten Teile (11d, 13d), unde) die Schlitze (11s, 13s, 13su) und die Einschnitte (11c, 13c) als Lücken gebildet sind, die ausgehend von der Oberfläche wenigstens eines Endbereichs des Halbleiterelements auf dieser Oberfläche in der Form von Linien eines Gitters angelegt sind und von dort im Wesentlichen senkrecht zu dieser Oberfläche sich in einer Tiefenrichtung zu dem anderen, gegenüberliegenden Endbereich des Halbleiterelements erstrecken, wobei sich die Schlitze untereinander gleich weit in die Tiefenrichtung erstrecken und die Einschnitte sich untereinander gleich weit in die Tiefenrichtung erstrecken, undf) das Halbleiterelement (11, 13) sich weiter in die Tiefenrichtung erstreckt als die Schlitze (11s, 13s, 13su) und die Schlitze (11s, 13s, 13su) sich weiter in die Tiefenrichtung erstrecken als die Einschnitte (11c, 13c), undg) für den Fall, dass Schlitze (13s, 13su) und Einschnitte (13c) von den Oberflächen beider einander gegenüberliegender Endbereiche ausgehen, erste Schlitze (13s) und erste Einschnitte (13c) von der Oberfläche eines Endbereichs des Halbleiterelements ausgehen und sich jeweils spezifisch in die Tiefenrichtung erstrecken, zweite Schlitze (13su) und zweite Einschnitte (13c) von der Oberfläche des anderen, gegenüberliegenden Endbereichs des Halbleiterelements ausgehen und sich jeweils spezifisch in eine parallele, entgegengesetzte Tiefenrichtung erstrecken, wobei die ersten und die zweiten Schlitze (13s, 13su) auf der jeweiligen Oberfläche, von der sie ausgehen, derartig angelegt sind, und mit ihnen gemeinsam die ersten und zweiten Einschnitte (13c) sich in die jeweilige Tiefenrichtung derartig weit erstrecken, dass zweite Schlitze (13su) und zweite Einschnitte (13c) im Halbleiterelement jeweils weder auf erste Schlitze (13s), noch auf erste Einschnitte (13c) treffen; und- ein Paar Elektroden (20, 21), wobei eine der beiden Elektroden des Paars Elektroden (20, 21) an der Oberfläche des Halbleiterelements (11, 13) mit einem der beiden einander gegenüberliegenden Endbereiche des Halbleiterelements (11, 13) verbunden ist und die andere der beiden Elektroden des Paars Elektroden (20, 21) an der Oberfläche des Halbleiterelements (11, 13) mit dem anderen der beiden einander gegenüberliegenden Endbereiche des Halbleiterelements (11, 13) verbunden ist, wobei die beiden einander gegenüberliegenden Endbereiche des Halbleiterelements (11, 13) diejenigen sind, zwischen denen sich ausgehend von den Gitterlinien auf wenigstens einer ihrer Oberflächen die Schlitze (11s, 13s, 13su) und die Einschnitte (11c, 13c) erstrecken.