Patent DE-102020116034-B4 (DE)
Title: Spitzen- und mittelwert-stromreduktion für unterblock-speicherbetrieb
Inventor: LIEN YU-CHUNG
IPC: G11C11/34
Filed: 2020-06-17
Granted: 2022-04-28
Abstract: Vorrichtung, aufweisend:einen Block von Speicherzellen, die in Ketten angeordnet sind und mit Wortleitungen verbunden sind, die in einem Stapel übereinander liegen, wobei der Block in einem Unterblockmodus in einen ersten Unterblock und einen zweiten Unterblock unterteilt ist,die dazu eingerichtet sind, als Ganzes programmiert zu werden, und eine spezielle Gruppe einschließt, die mit einer speziellen Wortleitung verbunden ist; undeine Steuerschaltung, die mit den Wortleitungen gekoppelt und eingerichtet ist zum:Bestimmen, ob sich die spezielle Gruppe, die gelesen wird, in dem zweiten Unterblock befindet, in Reaktion darauf, dass die Vorrichtung in dem Unterblockmodus arbeitet, Bestimmen, ob einer von dem ersten Unterblock und dem zweiten Unterblock nicht programmiert ist, basierend darauf, ob sich die spezielle Gruppe, die gelesen wird, in dem zweiten Unterblock befindet, undAnlegen einer angepassten Lesespannung an die Wortleitungen des einen von dem ersten Unterblock und dem zweiten Unterblock, während die spezielle Gruppe gelesen wird, basierend darauf, ob der eine von dem ersten Unterblock und dem zweiten Unterblock nicht programmiert ist,wobei die Steuerschaltung weiterhin eingerichtet ist zum:Bestimmen, ob der erste Unterblock von Speicherzellen nicht programmiert ist, in Reaktion darauf, dass bestimmt wird, dass sich die spezielle Gruppe, die gelesen wird, in dem zweiten Unterblock befindet,Anlegen der angepassten Lesespannung an Wortleitungen des ersten Unterblocks in Reaktion darauf, dass bestimmt wird, dass der erste Unterblock von Speicherzellen nicht programmiert ist,Anlegen einer Lesespannung an die spezielle Wortleitung und einer Standard-Lesedurchlassspannung an die Wortleitungen des zweiten Unterblocks während des Lesens der speziellen Gruppe von Speicherzellen,Anlegen der Standard-Lesedurchlassspannung an die Wortleitungen des ersten Unterblocks in Reaktion darauf, dass bestimmt wird, dass der erste Unterblock von Speicherzellen programmiert ist,Anlegen der Standard-Lesedurchlassspannung an die Wortleitungen des zweiten Unterblocks in Reaktion darauf, dass bestimmt wird, dass der erste Unterblock von Speicherzellen programmiert ist,Anlegen der Lesespannung an die spezielle Wortleitung während des Lesens der speziellen Gruppe von Speicherzellen,Bestimmen, ob der zweite Unterblock von Speicherzellen nicht programmiert ist, in Reaktion darauf, dass bestimmt wird, dass sich die spezielle Gruppe, die gelesen wird, nicht in dem zweiten Unterblock befindet,Anlegen der angepassten Lesespannung an Wortleitungen des zweiten Unterblocks in Reaktion darauf, dass bestimmt wird, dass der zweite Unterblock von Speicherzellen nicht programmiert ist,Anlegen der Lesespannung an die spezielle Wortleitung und der Standard-Lesedurchlassspannung an die Wortleitungen des ersten Unterblocks während des Lesens der speziellen Gruppe von Speicherzellen,Anlegen der Standard-Lesedurchlassspannung an die Wortleitungen des zweiten Unterblocks in Reaktion darauf, dass bestimmt wird, dass der zweite Unterblock von Speicherzellen programmiert ist,Anlegen der Standard-Lesedurchlassspannung an die Wortleitungen des ersten Unterblocks in Reaktion darauf, dass bestimmt wird, dass der zweite Unterblock von Speicherzellen programmiert ist, undAnlegen der Lesespannung an die spezielle Wortleitung während des Lesens der speziellen Gruppe von Speicherzellen.