Patent DE-112009002468-B4 (DE)
Title: Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtung, organische EL-Element-Herstellungsvorrichtung und organische Dünnschicht-Niederschlagsverfahren
Inventor: FUKAO MASATO
IPC: H01L51/50
Filed: 2009-11-12
Granted: 2020-01-02
Abstract: Eine Dünnschicht-Niederschlagsvorrichtung, umfassend:eine Vakuum- oder Unterdruckkammer;erste und zweite Substrat-Anordnungsvorrichtungen, die in der Unterdruckkammer angeordnet sind und auf denen erste und zweite Substrate angeordnet sind;erste und zweite Masken, die sich an den ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen befinden und die darin gebildete Öffnungen aufweisen;eine erste Drehwelle, um die erste Substrat-Anordnungsvorrichtung zusammen mit der ersten Maske in eine horizontale Lage zu schwenken, und um die erste Substrat-Anordnungsvorrichtung zusammen mit der ersten Maske in eine stehende Lage umzuschwenken;eine zweite Drehwelle, um die zweite Substrat-Anordnungsvorrichtung zusammen mit der zweiten Maske in die horizontale Lage zu schwenken, und um die zweite Substrat-Anordnungsvorrichtung zusammen mit der zweiten Maske in die stehende Lage umzuschwenken;erste und zweite Dampffreisetzvorrichtungen, die in der Unterdruckkammer vorgesehen sind, und zum Freisetzen eines organischen Materialdampfes aus Freisetzöffnungen, die in ersten und zweiten Dampffreisetzebenen vorgesehen sind,eine Masken-Bewegungsvorrichtung; undeine Substrat-Bewegungsvorrichtung,wobei die ersten und zweiten Substrate jeweils zwischen den ersten und zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtungen und den ersten und zweiten Masken eingeschichtet sind,wobei die erste Dampffreisetzebene derart konfiguriert ist, um der ersten Maske gegenüberzustehen und die zweite Dampffreisetzebne derart konfiguriert ist, um der zweiten Maske gegenüberzustehen, wobei die erste und zweite Maske in die stehende Lage umgeschwenkt sind und um den organischen Materialdampf, der aus den Freisetzöffnungen der ersten und zweiten Dampffreisetzebenen freigesetzt wird, durch die Öffnungen der ersten und zweiten Masken hindurchtreten zu lassen, um die Film- oder Schichtbildungsebene zu erreichen, undwobei die erste Substrat-Anordnungsvorrichtung in der horizontalen Lage und die zweite Substrat-Anordnungsvorrichtung in der horizontalen Lage sich in derselben horizontalen Position befinden,wobei, falls die zweite Substrat-Anordnungsvorrichtung in die stehende Lage geschwenkt ist und die erste Substrat-Anordnungsvorrichtung in die horizontale Lage geschwenkt ist, die Masken-Bewegungsvorrichtung und die Substrat-Bewegungsvorrichtung in einer Position unterhalb der ersten Substrat-Anordnungsvorrichtung, welche sich in der horizontalen Lage befindet, angeordnet sind, und die erste Maske auf der ersten Substrat-Anordnungsvorrichtung durch die Masken-Bewegungsvorrichtung, die angehoben wird, angehoben wird, und das erste Substrat auf der ersten Substrat-Anordnungsvorrichtung durch die Substrat-Bewegungsvorrichtung, die angehoben wird, angehoben wird,wobei, falls die erste Substrat-Anordnungsvorrichtung in die stehende Lage geschwenkt ist und die zweite Substrat-Anordnungsvorrichtung in die horizontale Lage geschwenkt ist, die Masken-Bewegungsvorrichtung und die Substrat-Bewegungsvorrichtung in einer Position unterhalb der zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtung, welche sich in der horizontalen Lage befindet, angeordnet sind, und die zweite Maske auf der zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtung durch die Masken-Bewegungsvorrichtung, die angehoben wird, angehoben wird, und das zweite Substrat auf der zweiten Substrat-Anordnungsvorrichtung durch die Substrat-Bewegungsvorrichtung, die angehoben wird, angehoben wird.