baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent WO-2009098851-A1 (WO)
Title: 回転検出装置付き車輪用軸受装置
Inventor: NAKAJIMA TATSUO
IPC: B29C45/00
Filed: 2009-01-29
Abstract: 内周に複列の転走面が形成され固定側部材となる外方部材と、各転走面に対向する転走面が外周に形成され回転側部材となる内方部材と、これら対向する転走面間に介在した複列の転動体とを備え、車体に対して車輪を回転自在に支持する車輪用軸受装置であって、内方部材の端部付近の外周面に嵌合して取付けられた磁気エンコーダと、外周に有する芯金で外方部材に嵌合状態に取付けられかつ前記磁気エンコーダに軸方向の隙間を介して対面する磁気センサを内蔵した円環状で樹脂製のセンサホルダと、磁気エンコーダおよび磁気センサよりも軸方向における軸受外側に配置されてセンサホルダと内方部材との間の空間を密封する密封装置とを備え、磁気エンコーダを、被検出部となる磁石がプラスチック磁石であるプラスチック磁気エンコーダとした。
Patent WO-2009153977-A1 (WO)
Title: Multiprocessor
Inventor: MORISHITA HIROYUKI
IPC: G06F9/48
Filed: 2009-06-16
Abstract: Provided is a multiprocessor capable of processing plural threads without reducing processing efficiency. The multiprocessor comprises a first processor for allocating different register files to a predetermined number of threads to be executed out of the plural threads, respectively and performing the processing of the respective threads to which the register files are allocated in parallel and a second processor for performing processing in accordance with the instruction of the first processor.  The first processor is provided with storage areas allocated for the respective plural threads and requests processing to the second processor in response to an instruction included in one of the threads to be executed.  When receiving a request to write the value of the result of the processing to the thread from the second processor, the first processor judges whether or not the thread is an object to be executed at this stage.  If judging that the thread is not the object to be executed, the first processor controls so as to write the value of the result of the processing into a storage area allocated to the thread.
Patent WO-2010073585-A1 (WO)
Inventor: WAKABAYASHI SHIN-ICHI
IPC: H05B33/04
Filed: 2009-12-21
Abstract: A sheet is used in such a way that light emitted from a light emitter is incident upon one of the surfaces of the sheet and is emitted from the other surface. The other surface is provided with a plurality of small areas (13), each having an inscribed circle whose largest diameter is not less than 0.2 μm and not more than 2 μm. The individual small areas (13) are adjacent to and surrounded by the other small areas. The plurality of small areas (13) consist of a plurality of small area portions (13a) which are randomly selected from among the plurality of small areas (13) in the range of 20% to 80% and the remaining plurality of small area portions (13b). The phase difference between light transmitted through the plurality of small area portions (13a) and light transmitted through the plurality of small area portions (13b) is π.
Patent WO-2009091023-A1 (WO)
Inventor: TANAKA YOSHINORI
IPC: C07K16/18
Filed: 2009-01-16
Abstract: 本発明は、被験者由来の生体試料中の配列番号１～７で表されるポリペプチド、その変異体またはその断片のいずれか１つまたは複数を測定することを含む、腎癌を検出する方法、ならびに、腎癌を診断または検出するための組成物に関する。
Patent WO-2010084567-A1 (WO)
Inventor: HOSHINA NIJITOMO
IPC: A41G3/00
Filed: 2009-01-20
Abstract: A hair-increasing tool usable for easily changing the hairstyle of a wig for a long time. The hair-increasing tool (10) is constituted by implanting hairs (12) in a mounting part (11).  The mounting part (11) comprises comb-teeth (21-23) and a connection part (24) for connecting the comb-teeth (21-23) to each other.  The length of the comb-tooth (23) among the comb-teeth (21-23) is longer than the lengths of the comb-teeth (21, 22), and the comb-tooth (23) is provided with a spherical projection (23A).  This hair-increasing tool can be applied for, for example, wigs.
Patent WO-2009098950-A1 (WO)
Title: Circuit de commande de fréquence d'oscillation et convertisseur continu-continu et dispositif à semiconducteur l'incorporant
Inventor: MICHIYOSHI TAKASHI
IPC: H03L7/087
Filed: 2009-01-16
Abstract: L'invention concerne un circuit de commande de fréquence d'oscillation (4) conçu pour commander une fréquence d'un deuxième signal d'horloge d'un circuit oscillant (2) produisant et délivrant le deuxième signal d'horloge dont la fréquence dépend d'un signal de commande d'entrée. Le circuit de commande de fréquence d'oscillation comporte une unité à circuit de détection de différence de fréquence (12, 13, 14, 15) conçue pour détecter une différence entre une fréquence d'un premier signal d'horloge prédéfini issu d'une source extérieure et la fréquence du deuxième signal d'horloge, et pour produire et délivrer un signal reflétant un résultat de la détection; et une unité à circuit de commande de fréquence (11) conçue pour commander la fréquence du deuxième signal d'horloge de façon à la faire alterner en continu entre une valeur limite inférieure prédéfinie et une valeur limite supérieure prédéfinie en fonction du signal de sortie de l'unité à circuit de détection de différence de fréquence.
Patent WO-2009096340-A1 (WO)
Title: 硫黄原子を含有するレジスト下層膜形成用組成物及びレジストパターンの形成方法
Inventor: HIROI YOSHIOMI
IPC: H01L21/027
Filed: 2009-01-23
Abstract: 【課題】レジスト膜に対するドライエッチング速度の選択比が大きく、ＡｒＦエキシマレーザーのような短波長でのｋ値が低く且つｎ値が高い値を示し、レジストパターンが所望の形状に形成されるレジスト下層膜を形成するための組成物を提供することを課題とする。その組成物を製造する際及び使用する際、原料モノマーに起因する臭気が問題にならないことを要する。 【解決手段】ジスルフィド結合（Ｓ－Ｓ結合）を主鎖に有するポリマー及び溶剤を含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物によって、上記課題は解決される。前記ポリマーは、２つのエポキシ基を含む少なくとも１種の化合物（ジエポキシ化合物）と、ジスルフィド結合を含む少なくとも１種のジカルボン酸との反応生成物である。
Patent WO-2010029778-A1 (WO)
Inventor: SUZUKI TAKAYUKI
IPC: B01D15/00
Filed: 2009-03-05
Abstract: A photoresponsive copper ion adsorbent material containing a copolymer which is obtained by copolymerization of a monomer component containing both a photoresponsive compound exhibiting reversible metal ion adsorption-desorption transition in dependence of light in a metal ion solution and a quaternized amine compound, wherein the copolymer can selectively adsorb copper(II) ions in a dark place from a metal ion solution containing chloride ions, sodium ions, and copper(II) ions.  Thus, only copper(II) ions can be adsorbed selectively among metal ions, and recovered through desorption.
Patent WO-2010067635-A1 (WO)
Inventor: KONDO TAKASHI
IPC: H01M8/06
Filed: 2009-04-23
Abstract: 第１及び第２フレーム１３，１４の内側には、電解質膜１６が装着されている。電解質膜１６の第１の表面には、アノード側の電極触媒層１７が積層され、電解質膜１６の第２の表面には、カソード側の電極触媒層１８が積層されている。電極触媒層１７の表面には、燃料ガスを供給するためのガス流路２１ｃを有するアノード側の第１ガス流路形成体２１が積層されている。また、電極触媒層１８の表面には、酸化ガスを供給するためのガス流路２２ｃを有するカソード側のガス流路形成体２２が積層されている。第１及び第２ガス流路形成体２１，２２の表面には、第１及び第２セパレータ２３，２４がそれぞれ積層されている。第１ガス流路形成体２１と第１セパレータ２３との間には第１導水層２５が介在され、ガス流路形成体２２と第２セパレータ２４との間には第２導水層２６が介在されている。第１及び第２導水層２５，２６により、第１及び第２ガス流路形成体２１，２２のガス流路２１ｃ，２２ｃの水滴Ｗが吸収されて、外部に導出される。
Patent WO-2009136585-A1 (WO)
Title: クロスフローファン及びこれを備えた空気調和機
Inventor: TERAOKA HIRONOBU
IPC: F24F1/0063
Filed: 2009-04-30
Abstract: クロスフローファンは、板状の翼４２によって構成された羽根車を備えている。翼４２は、同翼４２の外側縁４２ａが内側縁４２ｄよりも羽根車４１の回転方向の前側に位置するように傾斜している。同翼４２の両側面のうち翼４２の回転方向の前側に位置する側面は、圧力面４２ｐを構成し、同回転方向の後側に位置する側面は、負圧面４２ｑを構成している。翼４２の外側縁４２ａには、複数の切欠４２ｂが羽根車の回転軸線に沿って所定間隔で形成されている。切欠４２ｂの底部４２ｙと圧力面４２ｐとを接続する圧力角部４２ｎ、及び切欠４２ｂの底部４２ｙと負圧面４２ｑとを接続する負圧角部４２ｍの双方に丸みが付けられている。
Patent WO-2009133939-A1 (WO)
Inventor: TAMAI KATSUTO
IPC: A61K35/36
Filed: 2009-04-30
Abstract: La présente invention concerne les faits suivants 1) à 3) : 1) lorsqu'un extrait de tissu qui est extrait d'une greffe de peau isolée est administré par voie intraveineuse, une cellule souche pluripotente issue de moelle osseuse peut être induite dans un sang périphérique ; 2) la substance qui peut recruter la cellule souche pluripotente issue de moelle osseuse contenue dans la greffe de peau isolée dans le sang périphérique est HMGB1, et 3) HMGB1 qui a une activité pour recruter la cellule souche pluripotente issue de moelle osseuse dans le sang périphérique peut être purifiée rapidement à partir de cellules en culture.
Patent WO-2010013570-A1 (WO)
Inventor: SEKOGUCHI YOSHINORI
IPC: F24F1/00
Filed: 2009-06-30
Abstract: Disclosed is an ion generator (30) comprising a discharge electrode (2) and an induction electrode (1).  The discharge electrode (2) has a needle-like tip.  The induction electrode (1) has a circular through hole (1a).  The tip of the discharge electrode (2) passes through the through hole (1a) of the induction electrode (1) and projects beyond an upper surface (1c) of the induction electrode (1).  As a result, the ion generator can have an improved ion discharge efficiency.
Patent WO-2010058650-A1 (WO)
Title: 電子制御式ディーゼルエンジン
Inventor: TAKAGAWA ISAO
IPC: F02D41/02
Filed: 2009-09-16
Abstract: 予めエンジン回転数、ブースト圧、発煙限界燃料噴射量等の相関を計測することなく、加速前の燃料噴射量から燃料噴射量の急増を抑制する構成を提示することを課題とする。加速判定部（６４）は、目標エンジン回転数（Ｎｓｅｔ）と実エンジン回転数（Ｎｅ）との差から加速制御を終了するか否かを判定するものであり、上限噴射量算出部（６５）を構成する第三上限噴射量算出部（７３）は、前記加速判定部（６４）が低速域加速条件成立と判定をした時に、初期上限噴射量（Ｑ０）を、前記判定時の噴射量または前記判定時の実エンジン回転数（Ｎｅ）に対して設定された上限噴射量の内で、いずれか大きい値の噴射量に設定して、前記加速判定部（６４）が低速域加速解除条件成立と判定するまでの時間経過に伴って、通常上限値に復帰させる。
Patent WO-2010038636-A1 (WO)
Title: Convertisseur cc-cc
Inventor: MICHISHITA YUUSUKE
IPC: H02M3/155
Filed: 2009-09-14
Abstract: L’invention concerne un convertisseur CC-CC permettant de convertir une tension d’entrée en une tension prédéterminée et comprenant : un premier dispositif de commutation fournissant de l’énergie à une bobine d’induction; un second dispositif de commutation permettant de décharger l’énergie de la bobine d’induction vers une borne de sortie; un amplificateur d’erreur afin d’amplifier une tension d’erreur entre une première tension de référence et une tension de surveillance obtenue en divisant une tension de sortie émise par la borne de sortie; un circuit de génération de signal d’initialisation comprenant un premier comparateur dans lequel sont entrées une seconde tension de référence et une sortie de l’amplificateur d’erreur; un circuit de génération de signal de réinitialisation; un circuit de commande dans lequel sont entrées une sortie du circuit de génération de signal d’initialisation et une sortie du circuit de génération de signal de réinitialisation; et un circuit de détection afin de détecter une fréquence de commutation d’une alimentation électrique, une caractéristique du premier comparateur étant modifiée en fonction de la fréquence de commutation.
Patent WO-2011036741-A1 (WO)
Title: 冷凍サイクル装置
Inventor: TAKAYAMA KEISUKE
IPC: F25B1/10
Filed: 2009-09-24
Abstract: 第１の圧縮機１、放熱器、放熱器を通過した冷媒を膨張させて冷媒から動力を回収する膨張機８及び蒸発器が順次配管接続された冷凍サイクルと、一方が膨張機の吐出配管に接続され、他方が第１の圧縮機の吸入配管に接続されたバイパス配管２４と、膨張機８に吸入する冷媒の物理量として、膨張機８の吸入圧力と吸入温度とをそれぞれ検出する圧力センサ８５および温度センサ９１と、バイパス配管２４に設けられ、冷媒の流量を調整するバイパス弁１０と、バイパス弁１０の開度を制御する制御装置１０３とを備え、制御装置１０３は、膨張機８の吸入圧力と吸入温度とに基づいて膨張機の適正吐出圧力を決定し、膨張機８の冷媒を吐出する圧力が、決定した適正吐出圧力より高くなったときにバイパス弁１０を開くものである。
Patent WO-2010035800-A1 (WO)
Inventor: KOJIMA AKIRA
IPC: C02F3/06
Filed: 2009-09-25
Abstract: A method of increasing the concentration of dissolved oxygen in water without destroying the ecosystem, whereby environmental water, industrial wastewater, or domestic wastewater including sewage is purified with aerobic bacteria.  The water purification system comprises: a water-cleaning material (2) constituted of carbon fibers, oxidized fibers, flameproofed fibers, or other various fibers and disposed in water; and a carbonaceous material (6), such as carbon fibers, oxidized fibers, or flameproofed fibers, buried in the bottom, in a wall part of the water area to be purified, or in the sludge.  This system heightens the concentration of dissolved oxygen in environmental water, industrial wastewater, or domestic wastewater including sewage.
Patent WO-2010044458-A1 (WO)
Inventor: IMAFUKU ICHIEI
IPC: B41F7/30
Filed: 2009-10-16
Abstract: スプレーダンプナ装置のハウジング内の湿し水のミストがハウジングの外部に漏れ出すことを防止し、かつハウジングの外部から内部にインキミストなどの異物の侵入を防止する。湿し水ローラに向けて開口を備えたハウジング６に、湿し水ローラ１の長手方向に並設され、湿し水ローラ１に湿し水をスプレーするスプレーノズル５を収容し、ハウジングの開口の上流端および下流端に湿し水ローラの表面に向いた開口２４を備えた上流側隔壁１８と下流側隔壁１９を備えており、各隔壁にはハウジング内に通じるドレインホール２２，２３が設けられている。これにより隔壁がミストを効果的に捕獲して液化するため、ハウジング内外のミストの流通を効果的に抑えられる。
Patent WO-2010047323-A1 (WO)
Title: Operation device of solar radiation shielding apparatus
Inventor: KAWAI EIJI
IPC: E06B9/322
Filed: 2009-10-20
Abstract: An operation device of a horizontal blind comprises an operation shaft rotated when an operating section is operated, a drive shaft which rotates in linkage with rotation of the operation shaft and lifts slats, and a clutch spring interposed between the operation shaft and the drive shaft and attached to the housing of a one-way clutch.  The clutch spring transmits the rotation of the operation shaft to the drive shaft so that the drive shaft rotates in linkage with rotation of the operation shaft and integrally to the operating shaft.  The clutch spring stops the rotation of the drive shaft by a frictional force generated between itself and the housing when the operating section is not operated.  The one-way clutch rotates the housing together with the clutch spring only when the operation shaft is rotated in the slat pull-up direction.
Patent WO-2010050601-A1 (WO)
Inventor: HANDA YUICHI
IPC: G06F9/44
Filed: 2009-10-30
Abstract: ＣＰＵ（１０５）は、クライアントアプリケーション（１２０）を実行中、各ＧＵＩフレームワークに依存しない各種命令及びＧＵＩ部品ＩＤが入力されると、ＧＵＩ部品ＩＤからＧＵＩ部品種別情報及びＧＵＩフレームワーク特定情報を得た後、データ設定方法定義部（１１３）又はデータ取得方法定義部（１１４）を参照し、得られた設定方法情報又は取得方法情報に基づいて、ＧＵＩ部品ＩＤにより特定されたＧＵＩ部品（１２３）にデータ設定又はデータ取得を行う。
Patent WO-2010073842-A1 (WO)
Inventor: FUJII NORIOMI
IPC: F16H59/44
Filed: 2009-11-11
Abstract: 調圧バルブと電磁ポンプとを共通のソレノイドを用いて一体化することにより電磁弁を構成し、電磁弁を調圧バルブとして機能させる際にはソレノイドを流れる電流を検出する電流センサからの電流Ｉｃが電流指令Ｉｃ＊に一致するようフィードバック制御により指令電圧Ｖｃ＊を設定して駆動回路９０を制御し（Ｓ１２０～Ｓ１６０）、電磁弁を電磁ポンプとして機能させる際にはフィードバック制御を用いずに矩形波状の指令電圧Ｖｃ＊を設定して駆動回路９０を制御する（Ｓ１８０～Ｓ２００）。これにより、調圧バルブの性能と電磁ポンプの性能を十分に発揮させながら調圧バルブと電磁ポンプとを一体化することにより電磁弁の小型化を図ることができる。
Patent WO-2010064641-A1 (WO)
Title: 鍛造加工方法
Inventor: SATO MASAHIRO
IPC: B21J5/00
Filed: 2009-12-02
Abstract: ワークを位置精度良く移載することができる鍛造加工方法を提供する。 　本発明は、搬送ラインの両側に配置される一対のフィードバー４１を閉じることにより、フィードバー４１に設けられた一対の爪４２により、ワーク搬入部５０に設置されたワークＷを両側から挟持するとともに、その挟持状態で、フィードバー４１を搬送ラインに沿って前進させてから開くことにより、ワークＷをワーク処理部に移載する一方、ワーク処理部に移載されたワークＷに対し、鍛造加工を行うようにした鍛造加工方法を対象とする。本方法は、ワークＷに係合部８５を設けるとともに、爪４２に被係合部４５を設けておき、ワークＷを爪４２により挟持する際に、係合部８５を被係合部４５に係合させることにより、ワークＷの位置決めを図るものである。
Patent WO-2011070664-A1 (WO)
Inventor: ENOMOTO HIROSHI
IPC: F02D17/02
Filed: 2009-12-10
Abstract: 内燃機関１の排気通路２１には、上流側から順に、燃料添加弁２２、酸化触媒２３、排気に含まれるＰＭを捕集するフィルタ２４が設けられる。電子制御装置５０は、フィルタ再生条件が成立した場合に、燃料添加弁２２を通じて酸化触媒２３に流入する排気に対して燃料を添加供給し、それによって、フィルタ２４に捕集されているＰＭを酸化して除去するフィルタ再生制御を行う。また、電子制御装置５０は、機関運転中に自動停止条件が成立した場合に内燃機関１を自動停止する。電子制御装置５０は、フィルタ再生制御の実行中に自動停止条件が成立した場合には内燃機関１を自動停止するとともに、当該自動停止中に酸化触媒２３に流入する排気の温度Ｔｈｅｇが所定温度ＴＬＷ以下に低下した場合には内燃機関１を再始動する。
Patent WO-2010074252-A1 (WO)
Inventor: KAWAHITO SHOJI
IPC: H04N5/374
Filed: 2009-12-25
Abstract: A semiconductor device including: a p-type semiconductor region (21); an n-type light reception surface embedded region (23) embedded in the semiconductor region (21); an n-type charge accumulation region (24) arranged continuous to the light reception surface embedded region (23) and having a potential well deeper than the light reception surface embedded region (23); a charge read-out region which reads out electric charge accumulated in the charge storage region (24); a discharge drain region (25) for discharging electric charge from the light reception surface embedded region (23); first potential control means (31, 30) which discharge electric charge from the light reception surface embedded region (23) to the discharge drain region (25); and second potential control means (32, 30) which transfer electric charge from the charge accumulation region (24) to the charge read-out region.
Patent JP-WO2008102478-A1 (JP)
Title: メタン発酵装置およびその運転方法
IPC: C02F11/04
Filed: 2007-10-24
Abstract: 密閉型嫌気槽２の槽体天井部にメンテナンス孔１６を形成する複数の液封部材１５と、メンテナンス液位に保持する液位調整装置とを備え、メンテナンス孔１６の下端開口がメンテナンス時に液面下に没する。
Patent JP-WO2008132810-A1 (JP)
Title: インダクタンス素子とその製造方法、およびそれを用いたスイッチング電源
IPC: H02M3/28
Filed: 2008-04-16
Abstract: インダクタンス素子１は、磁性薄帯の巻回体または積層体を備えるドーナツ型磁心２と、ドーナツ型磁心２が収納される有底型容器３と、有底型容器内３に収納されたドーナツ型磁心２の中空部に挿通される導電性リード部５とを具備する。有底型容器内３の開放部は、ドーナツ型磁心２、有底型容器３および導電性リード部５を一体的に固定する接着剤部４で覆われている。接着剤部４はドーナツ型磁心２と有底型容器３との隙間、および有底型容器３と導電性リード部５との隙間に、ドーナツ型磁心２の厚さに対して平均で５〜５０％の範囲で入り込んでいる。
Patent JP-WO2009040930-A1 (JP)
Title: 情報処理装置
IPC: G11B17/051
Filed: 2007-09-28
Abstract: 記録媒体や搬送ローラが汚れていても、当該記録媒体を機器本体に確実に出し入れできる情報処理装置を提供する。ＣＤチェンジャ１は機器本体３と該機器本体３にＣＤ２を出し入れするディスク搬送部４とＣＤ位置検出センサ１５とＭＰＵ１６を備えている。ディスク搬送部４は軸芯回りに回転することでＣＤ２を搬送する搬送ローラ３２を備えている。ＭＰＵ１６は搬送ローラ３２を連続的に回転させてＣＤ２を排出した後にこの排出されたＣＤ２が非正規の位置に位置付けられていることをＣＤ位置検出センサ１５が検出すると搬送ローラ３２を間欠的に回転させる。
Patent JP-WO2009047952-A1 (JP)
Title: 過熱蒸気発生装置
IPC: F22G1/16
Filed: 2008-08-27
Abstract: 【課題】排出される過熱済気体への液体の巻き込みを防止した気体の加熱装置等を提供する。【解決手段】使用環境における雰囲気温度以上にて沸点を有する気体を加熱する加熱装置を第１の筒状体２０と、第１の筒状体の一方の端部から被加熱気体を第１の筒状体内に導入する導入管路１０と、第１の筒状体の内部に挿入され、導入管路側と反対側の端部で第１の筒状体と連通する第２の筒状体５０と、第２の筒状体の内部に挿入され、第１の筒状体と第２の筒状体とが連通する側と反対側の端部で第２の筒状体と連通する第３の筒状体７０と、第３の筒状体から加熱済気体を排出する排出管路と、導入管路から排出管路までの気体流路内に設けられ、被加熱気体を加熱する加熱手段６０と、を備え、第１の筒状体の一部に被加熱気体が凝縮して生じる液体の滞留部分８０を設けた構成とする。【選択図】図１
Patent JP-WO2009054423-A1 (JP)
Title: オキサジアゾリジンジオン化合物
IPC: C07D271/06
Filed: 2008-10-22
Abstract: 【課題】GPR40受容体アゴニスト作用を有する医薬、特にインスリン分泌促進剤、糖尿病の予防及び／又は治療剤として有用な化合物を提供する。【解決手段】本発明者らは、GPR40受容体アゴニスト作用を有する化合物について検討し、オキサジアゾリジンジオン環の2位に、リンカーを介してフェニル基等の置換基と結合しているベンジル基等の置換基を有することを特徴とするオキサジアゾリジンジオン化合物またはその製薬学的に許容される塩が優れたGPR40アゴニスト活性を有することを確認し、本発明を完成した。本発明のオキサジアゾリジンジオン化合物は優れたインスリン分泌促進作用、血糖上昇抑制作用を有し、インスリン分泌促進剤若しくは糖尿病の予防及び／又は治療剤として使用しうる。【選択図】なし
Patent JP-WO2009147774-A1 (JP)
Title: 半導体装置
IPC: H01L29/737
Filed: 2009-03-27
Abstract: 半導体装置は、アンドープのＧａＮ層（１３）、アンドープのＡｌＧａＮ層（１４）及びｐ型ＧａＮ層（１５）とを有しており、ｐ型ＧａＮ層（１５）には高抵抗領域（１５ａ）が選択的に形成されている。高抵抗領域（１５ａ）は、遷移金属、例えばチタンが導入されることにより高抵抗化している。
Patent JP-WO2009069326-A1 (JP)
Title: ネットワークブートシステム
IPC: G06F9/445
Filed: 2008-05-05
Abstract: 【課題】ネットワークブートシステムにおけるサーバへのネットワークアクセスを極力軽減する。【課題を解決するための手段】クライアント端末上で動作するＯＳを保存しているサーバと、物理的な記憶装置を備えたクライアント端末とがネットワークを通じて接続され、前記クライアント端末は、物理メモリと、ネットワークインターフェースとを備えていると共に、前記ＯＳは、前記ネットワークインターフェースを駆動するためのネットワークドライバと、前記クライアント端末のローカルバスに対するアクセスを前記ネットワークに対するアクセスに変換するためのフィルタドライバと、前記記憶装置を駆動するためのリードキャッシュドライバを備えており、前記リードキャッシュドライバが、前記フィルタドライバによって前記サーバから読み出されたデータを前記記憶装置にキャッシュする。【選択図】 図２
Patent JP-WO2009078057-A1 (JP)
Title: 表示パネル構造体、それを用いた電子装置、および携帯型情報機器
IPC: H04M1/02
Filed: 2007-12-14
Abstract: 表示パネル２１は、前面側に表示面ＨＧを有する表示素子７１および表示素子７１の背面側において表示素子７１を一体的に保持する金属製の保持部材７２を有する。保持部材７２には、その背面側に延びてプリント基板２２の端縁部を把持するための複数の爪部７２１が設けられ、かつ各爪部７２１の近傍において背面側に突出する突起７２２が設けられている。プリント基板２２は、保持部材７２の背面側において複数の爪部７２１によって把持され、かつその表面に設けられた接地パターンＰＴＧＨ１が突起７２２に当接することによって電気的に互いに接続される。
Patent JP-WO2010061745-A1 (JP)
Title: Ｕｏｅ金属管の管端形状矯正装置
IPC: B21D3/14
Filed: 2009-11-16
Abstract: 【課題】種々の外径を有するＵＯＥ金属管の管端を加工する場合であっても、加工能率の低下や溶接部への機械的ダメージを生ずることなく、真円度を改善できる管端形状矯正装置を提供する。【解決手段】内面側の架台（１２）の上部に固定される断面円弧状の上面を有する内面側金型（１５ａ、１５ｂ）と、外面側の架台（２０）の下部に固定される断面円弧状の下面を有する外面側金型（２６ａ、２６ｂ）との間に管端部を挟んで加圧することによって管端部の真円度を矯正するＵＯＥ金属管の管端形状矯正装置であって、前記内面側金型（１５ａ、１５ｂ）及び前記外面側金型（２６ａ、２６ｂ）は、それぞれ複数個のパーツに分割されており、かつ、前記分割された内面側金型（１５ａ、１５ｂ）及び外面側金型（２６ａ、２６ｂ）のそれぞれの中央部に、分割された金型パーツ間のスペースが位置するように固定されていることを特徴とするＵＯＥ金属管の管端形状矯正装置。
Patent JP-WO2009096030-A1 (JP)
Title: 装置構成統合情報管理プログラムおよび装置構成統合情報管理装置
IPC: G06F9/445
Filed: 2008-01-31
Abstract: ＦＣＭＤＢのＭＷは、ＭＤＲ１が有する装置構成情報を、次いでＭＤＲ２が有する装置構成情報をＦＣＭＤＢに登録する。ここで、ＭＷは、ＭＤＲ２が有する装置構成情報を読み出す際の処理方針として、『Ｓｅｒｖｅｒクラス以下では、未知のものは、装置構成統合情報の末尾に追加』という、ＭＤＲ２から与えられた処理方針を含めて、ＭＤＲ２の装置構成情報をＦＣＭＤＢに登録する。ＭＷ２は、ＦＣＭＤＢから装置構成統合情報を読み出す場合に、ＭＤＲ２が有する装置構成情報のメタデータの順序情報と、装置構成情報を再構成する処理方針として、『Ｓｅｒｖｅｒクラス以下では、未知のものは、装置構成統合情報の末尾に追加』という、あらかじめ定められている処理方針とに従って、ＭＤＲ２の装置構成情報を再構成する。これによって、ＭＷ２が期待する順序で、装置構成統合情報からＭＤＲ２の装置構成情報が読み出されて再構築されることとなる。
Patent WO-2010092808-A1 (WO)
Inventor: IBI TOSHIO
IPC: G03B17/02
Filed: 2010-02-10
Abstract: 装置を振動させることにより、操作部を用いずに撮像装置への指示を入力可能な撮像装置において、撮像装置が振動しているかどうかを判定する（Ｓ８００１～Ｓ８００３）。そして、撮像装置が振動していると判定された場合には、少なくとも一部の操作部の操作を無効とする（Ｓ８００５）。
Patent WO-2010098101-A1 (WO)
Inventor: TAKEI MASAKI
IPC: H01L21/28
Filed: 2010-02-25
Abstract: Provided are a transistor and a manufacturing method thereof with which variations in the electrical conductivity of an active layer can be suppressed and responsiveness can be improved while assuring the gate withstand voltage. The transistor is provided with a gate insulating film (14) having a laminated structure, which comprises a first insulating layer (14A) made of a silicon nitride film and a second insulating layer (14B) made of a silicon oxide film between a gate electrode (11) made of copper and an active layer (15) made of an oxide semiconductor. The second insulating layer (14B) prevents fluctuation in the electrical conductivity of the active layer (15) caused by the interfacial reaction between the first insulating layer (14A) and the active layer (15). The first insulating layer (14A) functions as a barrier layer for preventing dispersion of the copper atoms which constitute the gate electrode (11) into the second insulating layer (14B).
Patent WO-2011114376-A1 (WO)
Title: エアバイパスバルブ装置
Inventor: MAEDA RYUICHI
IPC: F02B37/16
Filed: 2010-03-18
Abstract: ケース３とバルブａｓｓｙ５のいずれか一方にほぞ３１、他方にほぞ溝８ｅを設け、ケース３とバルブａｓｓｙ５とをほぞ挿し構造で一体化するので、部品材料の特性（物性）に影響されることなく、製品の全高を一定に維持することができる。また、部品点数の削減、輸送中のバルブａｓｓｙ５の脱落防止等の効果が得られる。
Patent WO-2010113418-A1 (WO)
Title: Document reading apparatus
Inventor: KATTOU YOUHEI
IPC: G06T1/00
Filed: 2010-03-23
Abstract: A document reading apparatus includes a document positioning plate configured to position a document, a carriage configured to move a light source along the document positioning plate, a reading unit configured to read an image of a document illuminated by a light source of the carriage, a white reference member provided in the displacement range of the carriage, an input unit configured to input a reading start instruction for a document, and a control unit configured to move the carriage along the document positioning plate in response to a reading start instruction input via the input unit. The control unit moves the carriage to a first position at which the white reference member is provided, cause the reading unit to read the white reference member, moves the carriage to a second position that is an acceleration start position for accelerating toward the reading start position of the document positioning plate, and waits for a reading start instruction input from the input unit.
Patent WO-2010116708-A1 (WO)
Inventor: SUGIMOTO KAZUO
IPC: H04N19/176
Filed: 2010-04-05
Abstract: フレームメモリ６に格納されているフレーム間予測画像を補間することで、小数精度単位の拡大参照画像を生成して、その拡大参照画像に対して動き探索で参照する動きベクトルが指し示す位置を起点に整数精度単位でサブサンプリングして得られる参照ブロック中の画素値に対して、動きベクトルの整数成分に対する特定の位相を有する画素に対して予め設定された所定のオフセット値を加減算し、その参照ブロックの画像を適応的予測画像として出力する適応的予測画像生成部２１を設ける。
Patent WO-2011024367-A1 (WO)
Title: Nitride semiconductor device
Inventor: UMEDA HIDEKAZU
IPC: H01L29/06
Filed: 2010-07-02
Abstract: Disclosed is a nitride semiconductor device which comprises: a semiconductor substrate (101); a nitride semiconductor layer (102) that is formed on the semiconductor substrate; a backside electrode (135) that is formed on a surface of the semiconductor substrate, said surface being on the reverse side of the surface on which the nitride semiconductor layer is formed; and a through electrode (113) that penetrates through the nitride semiconductor layer and the semiconductor substrate and is connected with the backside electrode. The semiconductor substrate has a normal region (101A) and an interfacial current blocking region (101B) that surrounds the normal region. The nitride semiconductor layer has an element region (102A) and an element isolating region (102B) that surrounds the element region. The element region is formed on the normal region, and the interfacial current blocking region contains an impurity and forms a potential barrier with respect to carriers that are generated at the interface between the nitride semiconductor layer and the semiconductor substrate.