Patent PL-199393-B1 (PL)
Inventor: HSU CHIN-PIN SHERMAN
IPC: H01L21/02
Filed: 2002-07-08
Abstract: Przedmiotem wynalazku jest kompozycja czyszcz aca do oczyszczania pod lozy stosowanych w mikroelektronice z po- zosta losci po trawieniu lub spopieleniu plazmowym, z uk ladu mikroelektronicznego posiadaj acego co najmniej jeden element wybrany z grupy obejmuj acej porowaty dielektryk, dielektryk o ma lej lub du zej warto sci sta lej dielektrycznej ? oraz zdolno sci metalizacji miedzi a, przy czym kompozycja czyszcz aca jest wolna od HF, amoniaku, pierwszorz edowych i drugorz edowych amin, charakteryzuj aca si e tym, ze zawiera: od 0,05 do 20 % wagowych jednej lub wi ecej soli fluorkowych tetraalkiloamonio- wych o wzorze (R) 4 N + F, w którym ka zdy R oznacza niezale znie podstawiony lub niepodstawiony alkil, od 5 do 99,95 % wago- wych co najmniej jednego polarnego, mieszaj acego si e z wod a, rozpuszczalnika organicznego lub obu wody i rozpuszczalnika organicznego, wybranego z grupy obejmuj acej sulfotlenek dimetylu, sulfolan, dimetylopiperydon, 1-(2-hydroksyetylo)-2-piro- lidynon, 1-metylo-2-pirolidynon, dimetyloacetamid, acetonitryl i izobutylonitryl; od 5 do 80 % wagowych rozpuszczalnika hamu- j acego korozj e metalu wybranego z grupy obejmuj acej glikol etylenowy, glikol dietylenowy, glicerol, dieter dimetylowy glikolu etylenowego, trietanoloamin e, N,N- dimetyloetanoloamin e, 4-(2-hydroksyety-lo)morfolin e, 2-(metyloamino)etanol, 2-amino-2-me- tylo-1-propanol, 1-amino-2-propanol, 2-(2-aminoetoksy)etanol, N-(2-hydroksyetylo)-acetamid, N-(2-hydroksyetylo)sukcynoimid i 3-(dietyloamino)-1,2-propanodiol; od 0 do 40 % wagowych innego inhibitora korozji metalu wybranego z grupy obejmuj acej zwi azki benzotriazolowe i arylowe zawieraj ace 2 lub wi ecej grupy OH lub OR, w których R oznacza grup e alkilow a lub arylow a; od 0 do 5 % wagowych surfaktanta; od 0 do 10 % wagowych krzemianu nie zawieraj acego jonów metali; i od 0 do 5 % wago- wych srodka chelatuj acego metal wybranego z grupy obejmuj acej kwas etylenodiamino tetraoctowy EDTA, kwas butylenodia- minotetraoctowy, kwas (1,2-cykloheksylenodinitrilo)tetraoctowy CyDTA, kwas dietylenotriaminopentaoctowy DETPA, kwas etylenodiaminotetrapropionowy, kwas (hydroksyetylo)etylenodiaminotrioctowy HEDTA, kwas N,N,N',N'-etylenodiaminote- tra(metylenofosfoniowy) EDTMP, kwas trietylenotetraaminoheksaoctowy TTHA, kwas 1,3-diamino-2-hydroksypropano- N,N,N',N'-tetraoctowy DHPTA, kwas metyloiminodioctowy, kwas propylenodiaminotetraoctowy, kwas nitrolotrioctowy NTA, kwas cytrynowy, kwas winowy, kwas glukonowy, kwas cukrowy, kwas glicerynowy, kwas szczawiowy, kwas ftalowy, kwas maleinowy, kwas migda lowy, kwas malonowy, kwas mlekowy, kwas salicylowy, katechol, kwas galusowy, galusan propylu, pirogalol, 8-hydroksychinolina i cystein e oraz ich izomery i sole. Ujawniono sposób oczyszczania pod lozy stosowanych w mikroelektroni- ce z pozosta losci po trawieniu lub spopieleniu plazmowym, z uk ladu mikroelektronicznego posiadaj acego co najmniej jeden element wybrany z grupy obejmuj acej porowaty dielektryk, dielektryk o ma lej lub du zej warto sci sta lej dielektrycznej ? oraz zdolno sci metalizacji miedzi a, w którym to sposobie pod loze kontaktuje si e z kompozycj a czyszcz ac a wed lug wynalazku. PL PL PL PL