baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent KR-100238730-B1 (KR)
Inventor: KIM IN-SUK
IPC: A23L7/10
Filed: 1997-07-18
Granted: 2000-01-15
Abstract: 본 발명은 청둥오리욕굴쑥농축비빔밥 제조방법에 관한 것이다. 
     집오리 및 청둥오리의 요리방법으로는, 탕류(湯類)나, 양념구이나, 굵은 소금만을 뿌린 소금구이 등이 일반적인데, 탕류는 지방층이 붙은 고기는 대체로 질겨서 입에서 잘씹히지 않고, 또한 양념 및 소금구이 역시 기름기가 많아, 석쇠등으로 굽게 되면 조리시 나온 수용성오리기름이 화기에 노출되면, 불완전연소되어 연기와 그을림이 많이 발생하게 되어 실내에서 먹을 수 있는 다양한 요리로 제공되지 못하고 있는 요인중의 하나 였었다. 이에 본 발명에서는 청둥오리뼈육수와 살을 야채와 함께 겻들이게 한후, 약용쑥을 주재료로하여 가열조리한 농축액에 잡곡밥을 비벼만든 청둥오리육골쑥농축비빔밥 제조하는 방법으로서, 저콜레스테롤성 오리고기와 기름기가 느끼하지 않고 담백한 상태로 섭취할 수 있도록 하면서도, 오리뼈로부터 칼슘과 인지질, 철분 등을 충분히 섭취하면서, 식사까지 곁들여 마치도록한 유용한 발명인것이다.
Patent KR-100471697-B1 (KR)
Title: 폴리아미드수지조성물및이를사용하여제조된섬유,필름및성형품
IPC: C08L77/00
Filed: 1997-09-04
Granted: 2005-08-02
Abstract: 본 발명은 폴리아미드와 알칼리 토금속 화합물을 포함하는 폴리아미드 수지 조성물로서, 0.02중량% 이하의 수분 함량, 0.01Torr 이하, 250℃ 및 8시간 동안인 조건하에서 용융되는 동안 사이클릭 단량체가 폴리아미드 100중량부당 0.7중량부 이하로 형성되는 폴리아미드 수지 조성물 및 이를 사용하여 제조된 섬유, 필름 및 성형품에 관한 것이다.
Patent KR-100296707-B1 (KR)
Title: Bipolar transistor and method for fabricating the same
Inventor: CHO DEOK HO
IPC: H01L29/70
Filed: 1997-09-23
Granted: 2001-08-07
Abstract: PURPOSE: A bipolar transistor and a method for fabricating the same are provided to improve a characteristic of high frequency by reducing a junction capacitance between a collector and a base and leakage current of the base. CONSTITUTION: A buried layer(12) is formed on the first conductive silicon substrate(11). The second conductive type collector film(13) is formed thereon. A pad oxide layer and the first nitride layer are formed on the second conductive type collector layer(13). A field oxide layer(16) is grown on the collector layer(13). The second conductive type collector sinker(17) is formed by implanting and diffusing the second conductive dopnats. A thermal oxide layer(18) is grown on the second conductive type collector sinker(17). The second nitride layer and an oxide layer are laminated thereon. An oxygen ion region is formed within the second conductive type collector layer(13). The oxygen ion region is changed into a buried oxide layer(21A) by performing a thermal process. The first conductive base layer is grown on an exposed portion of the second conductive type collector layer(13). The second conductive emitter layer(23) and the third nitride layer are laminated thereon. An insulating layer spacer is formed on a side of an emitter layer pattern(23). The second conductive emitter region(25) is formed in an intrinsic base region(22B). A metal silicide layer(26) is formed on the emitter layer pattern(23) and an extrinsic base region(22A).
Patent KR-100294787-B1 (KR)
IPC: H03M1/44
Filed: 1997-09-29
Granted: 2001-07-12
Abstract: 서브레인지 아날로그/디지털 컨버터는 개방 루프 차동 이득 증폭기와 아날로그 스위치를 사용하여 파이프라인을 수행한다.  컨버터의 각각의 단은 2 개의 미세 범위 (fine-range) 전송 증폭기, 샘플링 스위치 및 홀딩 커패시터, 낮은 분해능 서브레인지 (sub-range) 아날로그/디지털 컨버터, 및 저항기를 포함한다.  샘플링 스위치는 디지털/아날로그 컨버터로서 동작한다.  각각의 단은 홀딩된 아날로그 값을 다음 단을 위한 적당한 서브 범위 결과를 선택하기 위하여 전송 스위치를 동작시키는데 사용되는 디지털 코드로 변환한다.  전송 스위치는 샘플링와 서브 범위 전송의 기능을 수행하는 아날로그 스위치이다.  중간단 증폭기는 좀더 부정확한 절대 이득을 갖는 간단한 개방 루프 차동 증폭기이다.  기준 및 신호는 이 부정확한 이득에 의해 증폭되므로, 기준 및 신호는 동일한 양으로 증폭된다.  프리프로세싱 회로는 아날로그/디지털 컨버터로의 단일 단부 입력을 입력 및 기준 정보를 나타내는 4 개의 신호로 변환시킨다.  미세 범위 전송 증폭기는 차동 증폭기이므로, 단으로부터 단으로 발생하는 공통 모드를 거절한다.  그러나 미세 범위 전송 증폭기는 각각의 단으로의 입력에서 신호를 대략 공통 모드 레벨과 동일하게 회복시킨다.  서브레인지 신호의 샘플 앤드 홀드 증폭기 또는 이중 목적의 서브레인지 전송 및 샘플링 스위치를 사용하여 동기 단을 갖는 단당 단일 또는 다수 출력 비트를 발생하는 실시예가 개시되어 있다.
Patent KR-100235903-B1 (KR)
Inventor: YI YONG
IPC: C02F3/00
Filed: 1997-10-17
Granted: 1999-12-15
Abstract: 본 발명은 대규모의 단독 또는 합병처리된 분뇨 및 생활잡집수를 처리하기 위해 성토지(盛土地) 또는 절토지(切土地)상에 대단위 모관 침윤트렌치가 설치되는 오, 폐수 정화처리시설에서 차수벽을 시공하는 방법에 관한 것으로 모관 침윤트렌치가 설치되는 부위에 불투수층이 존재하여 침출수가 완전히 처리되지 않은 상태로 인근으로 유출되어 악영향을 끼치는 현상을 미연에 방지하는 차수벽을 적은 비용으로 신속하게 시공함과 동시에 모관 침윤트렌치가 설치된 부위의 인근에 불투수층이 존재하더라도 빗물 등이 미처리된 침출수측으로 유입되므로 인해 혼입되는 현상을 미연에 방지할 수 있도록 한 것이다. 
     이를 위해, 오수 처리를 위한 모관 침윤트렌치(3)가 시공된 것에 있어서, 성토지(10)의 법면(11) 또는 절토지(8)의 절토면(9)을 따라 불투수층(7)보다 깊게 파 공간부(12)를 형성하는 단계와, 불투성재질로 이루어진 시트상의 차수부재(14)를 공간부(12)에 세우는 단계와, 공간부(12)를 흙(18)으로 채워 메꾸는 단계를 실시하여 차수벽을 형성하는 시공방법이다.
Patent KR-100232829-B1 (KR)
Inventor: KIM SEOK-NOH
IPC: F25D17/08
Filed: 1997-11-06
Granted: 1999-12-01
Abstract: 본 발명은 냉장고내부에 새로운 보관식품이 투입되는 경우, 그 부분을 향하여 집중적으로 냉기를 공급하는 냉기공급구조에 관한 것이다. 
     본 발명에 의한 냉기공급구조는, 공급되는 냉기를 냉장실로 토출하는 냉장실덕트와, 상기 냉장실덕트와 연통하고, 냉장실덕트와는 상이한 방향으로 설치되며 다수개의 냉기토출공을 구비하는 보조덕트와, 상기 냉기토출공이 성형된 보조덕트의 해당면에 슬라이딩 가능하게 밀착되고, 다수개의 냉기안내공이 성형된 슬라이딩 플레이트, 그리고 상기 슬라이딩플레이트를 슬라이딩시키는 구동수단으로 구성되고, 상기 슬라이딩플레이트의 이동에 의하여 냉기안내공과 보조덕트의 냉기토출공의 일치여부에 의하여 냉기의 집중공급부분이 결정된다. 그리고 구동수단은, 구동모터와, 상기 구동모터에 의하여 회전하는 캠부재로 구성되고, 상기 슬라이딩플레이트는 상기 캠부재와 탄성적으로 밀착지지되면서, 캠부재의 회전에 의하여 슬라이딩하게 된다.
Patent KR-100240834-B1 (KR)
Inventor: RHEU SEE-YUN
IPC: F23G5/00
Filed: 1997-11-07
Granted: 2000-01-15
Abstract: 본 발명은 음식물쓰레기나 폐수처리장에서 발생하는 슬러지 또는 유기물과 무기물을 포함하는 각종 폐기물을 환경과 인체에 무해하도록 처리하고 처리후에 발생하는 잔류물은 건축재료 등으로 재활용될 수 있도록 하는 폐기물건조소각방법에 관한 것으로서, 본 발명의 일실시예인 폐기물건조소각방법에 의하면, 폐기물이 건조미립자로 될 때까지 반복하여 분쇄 및 건조시킨 후 완전한 미립자상태에서 고온으로 소각함으로써 폐기물을 완전연소시키고, 소각로에서 발생하는 폐열을 폐기물의 건조에 이용하여 폐기물의 건조처리비용을 절감시키며, 소각과정에서 발생하는 유해가스를 1차 및 2차의 정화작용으로 완전히 열분해시킴으로써 인체에 유해한 물질의 배출을 방지하는 뛰어난 효과가 있다.
Patent KR-100376149-B1 (KR)
Title: 차량라이트조립체용플라스틱렌즈와그제조방법
IPC: G02B1/00
Filed: 1997-12-04
Granted: 2003-06-11
Abstract: 본 발명에 따른 차량 라이트 조립체는 장착 홈을 갖는 램프 본체와, 램프 본체의 장착 홈 속으로 끼워지는 끼워맞춤부와 끼워맞춤부의 앞쪽에서 외측으로 돌출하는 플랜지부를 구비한 플라스틱 렌즈와, 플랜지부의 후면 및 끼워맞춤부를 제외한 렌즈의 외면 위에 형성된 경질(硬質) 코팅막을 포함한다.
Patent KR-100237729-B1 (KR)
Inventor: KIM YOUNG HEE
IPC: C02F1/30
Filed: 1997-12-08
Granted: 2000-01-15
Abstract: 본 발명에 따른 폐수처리용 오버플로우 반응기는, 원폐수가 유입되며 전자 가속기로부터 방출된 전자선의 1차 조사가 이루어지는 인젝션 셀; 인젝션 셀의 주위에 마련되며, 상기 전자선의 1차 조사를 거쳐 흘러 넘친 폐수에 버블링시키고 상기 전자선에 의한 2차 조사가 이루어지는 버블링 셀; 버블링 셀의 양측에 마련되며, 상기 전자선의 2차 조사를 거쳐 흘러 넘친 폐수를 배출시키는 폐수배출 셀; 및 상기 셀들을 전체적으로 에워싸서 하나의 반응조를 구성하는 외벽부를 포함한다. 
     이와 같은 본 발명에 의하면, 전자선 밀도가 높은 1차 조사부 직하방에 인젝션 셀이 마련되어 있어 전자선이 폐수에 균일하게 흡수되고, 그 인젝션 셀을 넘어 흘러간 폐수에 버블링을 하여 다시 2차 조사를 하므로, 2차 조사에서도 전자선이 폐수에 균일하게 흡수되어, 전자선 조사에 의한 폐수처리 효율을 극대화시킬 수 있다.
Patent KR-100298126-B1 (KR)
Title: Enhanced structure of heterojunction bipolar transistor and enhanced method for fabricating heterojunction bipolar transistor
Inventor: IN BYEONG UK
IPC: H01L29/70
Filed: 1997-12-10
Granted: 2001-08-07
Abstract: PURPOSE: An improved structure of a hetero-junction bipolar transistor and a method for fabricating the same are provided to use a base region as a resistance for stabilizing a temperature and a depletion protection layer as a condenser. CONSTITUTION: A collector contact layer(20) is formed on a semi-insulating semiconductor substrate(10). A collector layer(30) and a base layer(40) are formed on a center portion of the collector contact layer(20). A collector electrode(100) is formed on an outline of the collector contact layer(20). A depletion protection layer(80) is formed on a center of the base layer(40). An emitter layer(50) is formed on a center portion of the depletion protection layer(80). An emitter contact layer(60) is formed on the emitter layer(50). An emitter electrode(70) is formed on the emitter contact layer(60). A base electrode(90) is formed partially on upper portions of the base layer(40) and the depletion protection layer(80).
Patent KR-100310416-B1 (KR)
Title: Apparatus for performing locos process
Inventor: HO WON JUN
IPC: H01L21/311
Filed: 1997-12-17
Granted: 2001-12-17
Abstract: PURPOSE: An apparatus for performing a LOCOS(LOCal Oxidation of Silicon) process is provided to increase an etch ratio of a nitride layer and reduce the etch ratio of an oxide layer by using NH4OH. CONSTITUTION: A circulation water tank(101) includes an H3PO4 solution(103) for etching a wafer(1). A filter(105) is connected with the circulation water tank(101) in order to filtering the H3PO4 solution(103). A heater(107) is used for heating the H3PO4 solution(103). A deionized water supply portion(109) is used for adding the deionized water into the heated H3PO4 solution(103). An ammonia solution supply portion(111) is used for supplying an ammonia solution to the H3PO4 solution(103). The ammonia solution is reacted with the H3PO4 solution(103). The ammonia solution is used for increasing an etch ratio of a nitride layer and reducing the etch ratio of an oxide layer.
Patent KR-100341417-B1 (KR)
Title: Light scan device
Inventor: YOO BONG JUN
IPC: G02B3/02
Filed: 1997-12-19
Granted: 2002-09-12
Abstract: PURPOSE: A light scan device is provided to minimize a unit by shortening a distance from a polarization point to a non-scan surface while minimizing performance lowering. CONSTITUTION: A scan optical system comprises the first scan lens(61), the second scan lens(62), and a lens surface. The first scan lens has a positive refraction index in a main scan direction, and the second scan lens has a negative refraction index in the main scan direction. The lens surface has a positive refraction index in sub scan directions. In the first scan lens having the positive refraction index, an adjacent surface to a polygonal rotating mirror(5) consists of a conic surface of a concave shape.
Patent KR-100497296-B1 (KR)
Title: 다극플러그및잭
Inventor: YOO SEUNG HEON
IPC: H01R24/00
Filed: 1997-12-22
Granted: 2006-04-21
Abstract: 본 발명은 헤드폰 스테레오 카세트 또는 포터블 미니 디스크 레코더와 같이 이어폰에 일체화된 원격제어 장치에 적합하도록 한 다극 플러그 및 잭에 관한 것이다. 
     본 발명의 다극 플러그는 오디오 신호의 신호패스를 중계하는 플러그와, 플러그가 수납되는 플러그 홀더의 외주 쪽에서 일정 길이 만큼 신장되는 스커트부와, 스커트부의 내측벽에 접착되어 신호패스를 중계하는 적어도 하나 이상의 접점으로 이루어진 다극 접점수단과, 스커트부에 형성되어 접점수단의 방향성을 유지하도록 한 방향성 유지수단을 구비한다. 
     본 발명의 다극 플러그 및 잭은 차별성을 갖는 형상을 갖게 됨과 동시에 다른 이어폰 플러그와 호환성을 유지할 수 있다.
Patent KR-100247811-B1 (KR)
Inventor: HO GI-TAE
IPC: H01L21/336
Filed: 1997-12-23
Granted: 2000-03-15
Abstract: 본 발명은 금속게이트를 갖는 소자의 게이트산화막의 신뢰성 및 소자의 성능을 개선시킨 것으로서 종래의 기술에서 텅스텐 게이트에서의 텅스텐 이상산화문제로 인한 재산화공정(reoxidation)을 생략하는 것에 비해 본 발명에서는 게이트 형성을 위한 폴리실리콘 패터닝 후 재산화공정을 진행하므로서 텅스텐의 이상 산화문제를 해결하는 반도체장치의 모스소자 제조방법에 관한 것이다. 
     이를 위하여 본 발명은 반도체기판에 필드산화막을 형성하여 소자의 활성영역과 격리영역을 형성하고 채널을 형성하는 단계와, 기판의 표면에 게이트 제 1 산화막을 형성하는 단계와, 필드산화막 및 게이트 제 1 산화막위에 도전층을 형성하는 단계와, 도전층 위에 질화막을 형성하는 단계와, 질화막과 도전층 그리고 게이트 제 1 산화막의 소정부위를 제거하여 게이트를 패터닝함과 동시에 기판 표면을 노출시키는 단계와, 노출된 기판의 표면과 잔류한 도전층의 측면에 제 2 산화막을 형성하는 단계와, 기판 표면에 층간절연층을 형성한 다음 층간절연층의 표면과 잔류한 질화막의 표면을 평탄화시키는 단계와, 잔류한 질화막을 제거하는 단계와, 노출된 도전층의 표면에 배리어용 제 1 금속층을 형성하는 단계와, 제 1 금속층의 표면에 제 2 금속층을 형성하는 단계와, 잔류한 층간절연층을 제거하는 단계와, 기판의 소정 부위에 소스/드레인을 형성하는 단계로 이루어진 공정을 구비한다.
Patent KR-100333073-B1 (KR)
Title: System for supplying atmospheric gas during strip casting
Inventor: CHOO DONG GYUN
IPC: B22D11/06
Filed: 1997-12-26
Granted: 2002-10-11
Abstract: PURPOSE: A system for supplying atmospheric gas during strip casting is provided to supply reductive atmospheric gas to prevent generation of scum due to reoxidation on the surface of molten steel in a twin roll strip caster for directly manufacturing molten metal of iron, non-ferrous metal and alloy thereof into strip. CONSTITUTION: The system for supplying atmospheric gas during strip casting is characterized in that a reductant containing box(7) at the central part of which a nozzle inserting hole is formed so that a molten steel injection nozzle(2) is penetrated into the nozzle inserting hole, and on all over the bottom surface of which a plurality of atmospheric gas ejection holes are formed is installed at the lower part of a meniscus shield(3) into which the molten steel injection nozzle(2) is penetrated, an atmospheric gas pipe(4) and an atmospheric gas inlet pipe(8) are connected to the reductant containing box(7) so that atmospheric gas is injected into the reductant containing box(7), and solid reductant(9) having carbon constituent is contained in the reductant containing box(7) so that the apparatus maintains an optimum inert atmosphere using a continuous analyzer(13) and an automatic gas flow rate control valve(14) during casting as creating a reductive atmosphere.
Patent KR-100249204-B1 (KR)
Inventor: RYU JUN SEON
IPC: H04B7/26
Filed: 1997-12-30
Granted: 2000-03-15
Abstract: 코드분할다중접속(CDMA) 단말기에서의 다중 아이엠에스아이(IMSI) 구조 및 신호처리방법은 CDMA 단말기에서 데이터/팩스 서비스를 수신시 이를 처리할 수 있도록 기존의 아이엠에스아이(IMSI) 영역을 확장하여 페이지 메시지를 처리하도록 하기 위한 것으로서, 이동 지역 코드 영역과, 이동 네트워크 코드 영역 및 이동국 인식 번호 영역을 갖는 코드분할다중접속(CDMA) 단말기의 아이엠에스아이(IMSI) 구조에 있어서, 상기 아이엠에스아이(IMSI) 영역에 소정 디지트의 서비스 타입 영역과, 상기 아이엠에스아이(IMSI)의 추가적인 존재 여부를 지정하는 소정 디지트의 확장 영역을 갖도록 구조를 확장하여 데이터/팩스 서비스를 수신하는데 그 요지가 있다.
Patent KR-100251385-B1 (KR)
Title: Apparatus and method for linearizing power amp with adaptive predistortion and modem error compensation
Inventor: HA JI-WON
IPC: H04B1/40
Filed: 1997-12-31
Granted: 2000-04-15
Abstract: PURPOSE: A linearization device and method of a power amplifier are provided to compensate a gain error and a phase error of a modulator/demodulator by including an algorithm capable of compensating the gain error and the phase error. CONSTITUTION: A compensation memory address generator(166) generates an address of a compensation memory from a base band signal of pre-distorted I-channel and Q channel outputted by mixers(102,104). A quadrature modulation compensation RAM(136) stores data for storing a modulation error, and outputs each varied parameter to a modulation compensator(106) by varying each parameter adaptively according to outputs of a modulation error generator(132) and the compensation memory address generator(166). A quadrature demodulation compensation RAM(164) stores data for compensating a demodulation error, and outputs each varied parameter to a demodulation compensator(146) by varying each parameter adaptively according to outputs of a demodulation error generator(134) and the compensation memory address generator(166).
Patent KR-100281708-B1 (KR)
Title: 냉장고의 냉장실 냉기공급구조
Filed: 1997-12-31
Granted: 2001-02-15
Abstract: 본 발명은 냉장고의 냉장실 냉기공급 구조에 관한 것으로, 냉장실 각 부위로 냉기가 전달되는 복수개의 유로를 구비하여 선반의 각 위치에 투입되는 부하에 따라 집중냉각이 가능하고 또한 냉장실 각 부분에 고른 냉기공급이 이루어 지도록 한 냉장실 냉기공급 구조에 관한 것이다. 
     본 발명은, 생성 냉기를 냉장실로 전달하는 냉기공급수단과, 상기 베리어덕트를 통해 전달된 냉기를 냉장실 내부 좌우측의 각 부위로 전달하는 복수개의 유로가 구비된 냉장실덕트와, 냉장실 내부의 온도를 감지하는 온도감지수단 그리고 상기 냉장실덕트의 일측에 설치되고 상기 온도감지수단에 의해 감지된 온도에 의해 냉기흐름을 조절하는 냉기조절수단으로 구성되는 냉장고의 냉장실 냉기공급 구조를 제공하는데 기술적 요지가 있다. 상기 냉장실덕트는, 냉장실 내부의 좌측부로 냉기를 공급하는 좌측유로와 우측부로 냉기를 공급하는 우측유로로 구성되고, 상기 좌측유로는, 냉장실 하단으로 냉기를 공급하는 하단유로와 냉장실 중단으로 냉기를 공급하는 중단유로로 구성되고, 상기 우측유로는, 냉장실 하단으로 냉기를 공급하는 하단유로와 냉장실 중단으로 냉기를 공급하는 중단유로로 구성된다.
Patent KR-100291071-B1 (KR)
Title: 냉각시스템에누설탐지첨가제를주입하는방법
IPC: G01M3/38
Filed: 1995-04-06
Granted: 2002-09-17
Abstract: 본 발명은 누설탐지 첨가제(48)를 함유하는 기판을 이용하여 누설탐지 첨가제를 밀폐형 냉각 시스템(10)내로 주입하는 방법에 관한 것이다.   소정량의 첨가제(48)는 누설탐지 첨가제(48)를 흡수 및 방출시킬 수 있지만 냉각제 또는 시스템 윤활제와는 반응하지 않는 기판물질로 이루어진 호스트 조각(52)위로 주입되어 흡수된다.   상기 호스트 조각(52)은 건조백(40)내에 설치된 후 냉각 시스템(10)의 탈수기(30)내에 설치된다.   냉각 시스템(30)은 조립, 충전 및 동작되고, 이에 의해 건조백(40)을 통하여 흐르는 냉각제 및 시스템 윤활제는 첨가제(48)를 냉각제 및 시스템 윤활제와 혼합시킨다.    선택적인 구체예에 의하면, 기판은 냉각 시스템의 다양한 부품내에서 하나의 필터로서 사용되도록 제작된다.
Patent KR-100239016-B1 (KR)
Inventor: BONACCIO ANTHONY R
IPC: H03K5/08
Filed: 1994-12-16
Granted: 2000-01-15
Abstract: 각각의 동일한 저항 회로망(16,30,17,31)을 통해 입력의 차분(differential)과 문턱 전압을 비교하기 위해 제1의 전류 스위치(22,23)를 턴온시키는 한쌍의 차동 입력(differential input, VN, VP)을 갖는 개선된 프로그램가능한 비교기 회로. 문턱 전압은 선택된 전류가 상기 저항 회로망 중의 하나를 흐를 때 발생되는 전압에 의해 설정되며, 제1의 전류 스위치를 형성하는 트랜지스터 중의한 트랜지스터와 제2의 전류 스위치(12,13)를 통한 바이어스 전류가 제2의 전류 스위치를 형성하는 트랜지스터들 중 한 트랜지스터를 통하여 히스테리시스 전류(hysteresis current)를 확립한다. 상기 제1의 전류 스위치(22,23)의 출력에 결합된 양의 피드백 수단(positive feedback means, 28,29, D1-D4)이 제2의 전류 스위치(12,13)를 제어한다.
Patent KR-100278694-B1 (KR)
Title: 반도체장치용절연막및그형성방법
IPC: H01L21/8247
Filed: 1997-04-22
Granted: 2001-02-01
Abstract: Si-H결합을 갖는 가스를 함유하는 물질가스를 이용하여 CVD막(중간층 절연막 혹은 보호막)을 제조할 때에 상기 CVD막(12, 31, 32, 33, 34, 47, 48, 49, 57, 59)에서의 Si-H결합양은 0.6 × 10 21 cm -3 혹은 그보다 작게 설정되어 게이트 산화막이나 터널 산화막에서 전자트랩의 형성과 트랜지스터의 임계 변화를 억제한다. 게다가, CVD막의 굴절률을 1.65 혹은 그 이상으로 설정함으로써, 또는 CVD막에서의 질소농도를 3 × 10 21 cm -3 혹은 그 이상으로 설정함으로써 내습성이 향상될 수 있다.
Patent KR-100251856-B1 (KR)
Inventor: SORIMACHI AKIRA
IPC: E05F3/20
Filed: 1998-01-23
Granted: 2000-04-15
Abstract: 본 발명은 소형으로도 큰 회전토크를 얻을 수 있고, 서양식 변기의 변좌나 카버 등의 개폐체의 회전모우멘트에 대해 세부적으로 변화시키거나, 동작에 액센트를 가하기 용이한 힌지를 얻기 위하여 사절벽을 설치한 힌지 케이스 내부에 상기 사절벽을 관통시키는 제 1 회전축을 회전 가능하게 설치하고, 상기 힌지케이스의 상기 사절벽을 사이에 두고 일측부 측에 상기 제 1 회전축에 작용시키는 제 1 회전제어수단을 설치하며, 상기 힌지케이스의 사절벽을 사이에 두고 타측부 측에 제 2 회전제어수단을 동축상에 설치하고, 제 2 회전제어수단의 제 2 회전축에 상기 제 1 회전축을 연결시킴과 동시에, 상기 제 1 회전 제어수단을, 탄성수단을 작용시킨 캠기구로 하며, 상기 제 2 회전제어수단을 유체댐퍼로 함으로써 복합토크를 창출할 수 있다. 또, 변기본체상에 취부되어 있는 구조의 케이스 본체에 제 1 회전축을 회전 가능하게 취부하고, 그 제 1 회전축의 상기 케이스 본체에 수납된 일측부분에 탄성수단을 작용시킨 캠기구로 이루어진 제 1 회전 제어수단을 설치하며, 그 제 1 회전 제어수단의 상부 또는 하부의 상기 케이스 본체 내에 유체댐퍼로 이루어진 제 2 회전 제어수단을 2단 나란히 설치하고, 그 제 2 회전 제어수단과 제 1 회전 제어수단과의 사이에 구동력전달수단을 설치함과 동시에, 상기 회전축에는 변좌 또는 카버의 각 취부부의 일방을 회전가능하게 축받침시키며 타방을 그 회전축과 함께 회전하도록 고정시킴으로써 동일한 복합토크를 창출시킬 수 있게 된다.
Patent KR-100269765-B1 (KR)
Title: Auto dialing in emergency
Inventor: LIM JE SANG
IPC: H04M1/272
Filed: 1998-02-11
Granted: 2000-10-16
Abstract: PURPOSE: A method for automatically dialing in emergency is provided to automatically dial a prestored emergency phone number by inputting buttons except a function cancel button, so as to simply notify an emergency state. CONSTITUTION: If an emergency automatic dialing function is set up in a state, which a user stores an emergency phone number, a telephone is operated in an automatic dialing mode. The telephone detects a button inputted by a keypad operation. If the detected button is not a function cancel button, the telephone fetches a most significant emergency phone number stored in a memory(18). The phone automatically dials the emergency phone number, while performing a time counting of a timer(17). The telephone detects whether a response of the other party exists. If so, the telephone is connected with a speech path to make a call.
Patent KR-100267815-B1 (KR)
Inventor: FUJIMOTO KATSUMI
IPC: G01C19/5642
Filed: 1998-02-20
Granted: 2000-12-01
Abstract: 본 발명에 따른 진동 자이로스코프는 진동자와, 진동자를 구동하기 위한 구동 회로를 포함한다. 진동자는, 적층되고 그의 적층 방향으로 분극되는 적어도 한쌍의 압전체들을 포함하며, 압전체들의 분극 방향은 서로 반대된다. 압전체들 사이의 접합면은 기준 전위에 대해서 전기적으로 유동적이다. 구동 회로는 진동자로부터 적어도 하나의 피드백 신호를 받고, 피드백 신호와 실질적으로 동일한 위상을 갖는 구동 신호를 진동자로 출력한다.
Patent KR-100338964-B1 (KR)
Title: 전화거래지원시스템
IPC: G06Q50/00
Filed: 1998-02-27
Granted: 2002-07-18
Abstract: 전화 거래 지원 시스템은 고객이 전화로 요청한 거래의 내용을 데이타베이스에 등록하기 위한 거래 등록 장치, 및 복수의 승인 지원 장치 중에서 하나의 승인 지원 장치를 무작위로 결정하기 위한 결정 장치를 포함한다.  여기서, 승인 지원 장치는 거래의 내용을 승인하는데 사용되며, 무작위로 결정된 승인 지원 장치는 데이타베이스에 등록된 거래를 승인하는데 사용된다.  전화를 통한 고객과의 대화에서 거래에 관한 정보를 오퍼레이터에게 제공하는 전화 거래 지원 시스템은, 제공받은 정보에 기초하여 고객을 처리하는 오퍼레이터의 서비스의 실제 상태를 파악하기 위한 탐지 장치, 및 상기 탐지 장치에 의해 파악된 오퍼레이터의 서비스의 실제 상태에 기초해 산정 데이타를 발생시키기 위한 산정 데이타 발생 장치를 포함한다.
Patent KR-100351181-B1 (KR)
Title: Optical scanner
Inventor: EOM YUN SEOP
IPC: G03G15/04
Filed: 1998-03-24
Granted: 2002-11-18
Abstract: PURPOSE: An optical scanner is provided to prevent a light beam deviated from a beam path set for scanning video information from reaching an object to be scanned to suppress an error in the formation of video information. CONSTITUTION: An optical scanner includes at least one light source(31) and a scan disk(25,26) having a diffraction pattern to deflect a light beam inputted from the light source in one direction in a predetermined angle range. The optical scanner further includes a light shielding member having a shielding plate(42) that blocks lights, which are reflected and transmitted in an undesired direction, among lights emitted from the light source and inputted into the scan disk. The shielding plate has a slit(41) through which a light beam diffracted in a desired direction is transmitted.
Patent KR-100246812-B1 (KR)
Inventor: CHOI CHANG RAK
IPC: C02F11/12
Filed: 1998-03-30
Granted: 2000-03-15
Abstract: 본 발명은 벨트의 압축력을 산업폐기물에 포함된 수분을 분리시키는 탈수장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 일정 구간에서만 폐기물에 대한 벨트의 고압착력이 작용하도록 하여 벨트의 전단을 방지하고 탈수효율을 증대시킬 수 있는 벨트압축 탈수장치에 관한 것이다. 
     본 발명의 벨트압축 탈수장치는 다수의 안내로울러(10)를 따라 일방향으로 진행하여 순환되는 상벨트(11) 및 하벨트(12)와, 이들 상,하벨트(11),(12)가 일정구간에서 밀착되도록 다수의 가압로울러(16)를 상하로 배치시킨 가압부(15)를 구비한 탈수장치(1)에 있어서, 상기 가압부(15)를 구성하는 가압로울러(16)중 상측에 위치한 가압로울러(16)의 양측에 선접촉을 이루도록 위치되어 진행하는 상,하벨트(11),(12)에 국부적인 고압력을 유도하는 양 보조로울러(20),(21)와, 상기 양 보조로울러(20),(21) 사이에 위치되고 진공펌프(35)와 연결되어 진공압에 의해 슬러지(7)에서 배출된 수분을 흡입하는 흡입노즐(31)을 구비한 진공흡입관(30)을 포함하여 이루어진다. 
     이와 같이 이루어지는 벨트압축 탈수장치는 가압부에 구성된 가압로울러 양측에 보조로울러를 위치시켜 벨트에 국부적인 고 장력을 유도하므로 슬러지에 대한 압착력이 증대되어 탈수효율을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
Patent KR-100498656-B1 (KR)
Title: 내식성동재및그제조방법
IPC: C23C8/06
Filed: 1998-04-02
Granted: 2005-09-09
Abstract: 본 발명은 규소 원자를 10 내지 50 원자% 함유하는 동합금으로 이루어지고 10 내지 1,000Å 두께의 표면층을 갖는 내식성 동재에 관한 것이다.  이 동재는 규소 원자를 0.01 내지 5 원자% 함유하는 동재를, 수소 함유량 0.5 부피% 이상의 분위기 기체의 존재하에서, 100 내지 600℃의 온도에서 소둔(燒鈍)처리하여, 동재의 표면에 규소 원자 10 내지 50 원자% 함유 동합금으로 이루어진 10 내지 1,000Å 두께의 표면층을 형성함으로써 수득될 수 있다.  
     본 발명의 내식성 동재는 열 또는 시간 경과에 따른 표면의 부식이 적으므로, 내열성을 필요로 하는 자동차 및 전기용으로 바람직하며, 더욱이 전선으로서 이용 가능할 뿐아니라, 반도체 장치의 납 프레임에도 적절하다.  또한, 본 발명의 제조 방법에 의하면, 이와 같은 내식성 동재를 용이하고 확실하게 제조할 수 있다.
Patent KR-100469947-B1 (KR)
Title: 키랄(s)-3-아미노-1,2-프로판디올의제조방법
Inventor: HWANG DAE IL
IPC: C07C215/00
Filed: 1998-04-14
Granted: 2005-04-08
Abstract: 본 발명은 다음 화학식 1로 표시되는 키랄 (S)-3-아미노-1,2-프로판디올의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 탄소골격의 수가 4개인 다음 화학식 2로 표시되는 (S)-3,4-디히드록시-1-부틸아미드를 출발물질로 하고 호프만 자리옮김 반응(Hofmann Rearrangement)에 의해 아미드기를 아민기로 변환시켜 탄소골격의 수가 3개이면서 β-블로커 의약품의 중간체로 유용한 다음 화학식 1로 표시되는 (S)-3-아미노-1,2-프로판디올의 제조방법에 관한 것이다. 
     [화학식 1] 
     
       
     
     [화학식 2] 
     
       
     
     상기 화학식 1에서: R 1 은 염산염(H·HCl), 황산염(H·H 2 SO 4 ) 또는 -C(0)OR를 나타내고, 이때 R은 탄소원 자수 1 ∼ 10의 직쇄 또는 분쇄의 알킬기, 벤질기 또는 페닐기이다.
Patent KR-100266802-B1 (KR)
Inventor: NAKASHIBA YASUTAKA
IPC: H01L21/339
Filed: 1998-05-22
Granted: 2000-10-02
Abstract: 제 2도전형 반도체 웰층이 제 1도전형 반도체 기판의 표면에 형성되어 있다.  제 1소자분리부들이 반도체 웰층의 표면에 형성되어 있다. 복수의 광전변환부들이 제 1소자분리부들내에 형성되어 있고, 출력회로부가 제 1소자분리부들과 인접하는 제 2소자분리부들에 형성되어 있다.  제 2소자분리부는 반도체 웰층의 불순물농도 보다 높은 불순물농도를 가진다.  게다가, 반도체 웰층의 불순물농도 보다 높은 불순물농도를 가지는 복수의 제 2도전형 제 3소자분리부들은 수평전하전송부 및 불요전하배출부 사이에 제 2소자분리부와 인접되게 형성되어 있다.
Patent KR-100276562-B1 (KR)
Inventor: KIM DONG SEOK
Filed: 1998-05-27
Granted: 2001-01-15
Abstract: PURPOSE: A method for forming contact hole of a semiconductor device is provided to improve a reliability of devices by preventing an etch stop and a loss of a silicon substrate. CONSTITUTION: An interlayer dielectric(37) is formed on a silicon substrate(31) having a junction region(32). A plurality of lower and upper conductive patterns(33,35) having passivation layers(34,36) are formed in the interlayer dielectric(37). The interlayer dielectric(37) and the passivation layers(34,36) are firstly etched by using fluorine carbon based gases added oxygen gases, and the remaining interlayer dielectric(37) is secondly etched by using fluorine carbon based gases. Thereby, a first contact hole(38) for exposing the junction region(32), a second and a third contact hole(39,40) for exposing the conductive patterns(33,35) are simultaneously formed.
Patent KR-100264324-B1 (KR)
Title: Method and apparatus for identifying the transmission status of fax data
Inventor: KIM GUN BOK
IPC: H04N1/32
Filed: 1998-05-27
Granted: 2000-08-16
Abstract: PURPOSE: An apparatus for acknowledging transmission status of facsimile data and a method thereof are provided to acknowledge the transmission status of the facsimile data with response to a voice request signal. CONSTITUTION: The apparatus for acknowledging transmission status of facsimile data includes a data receiver(182), a data converter(183), a data output member(184), a data information member(185) and a controller(181). The data receiver receives detailed information on the previously received data from a counter part. The data converter converts the information to predetermined data. The data output member outputs the converted detailed information. The data information member stores the detailed information on the facsimile data to be transmitted to the counter part when a predetermined number is input from the counter part. The controller generates a control signal transmitting the detailed information to the data converter and another control signal outputting the detailed information converted at the data converter to the data output member.