baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent KR-100255577-B1 (KR)
Inventor: BAKE BRIAN ERIC
IPC: G06F3/06
Filed: 1997-04-18
Granted: 2000-06-01
Abstract: 시스템 억세스 성능을 개선하기 위하여 직접 억세스 저장 장치(DASD)에서 빈번하게 억세스되고 임의로 어드레스된 데이타의 적응 국지화 방법 및 장치가 제공된다. 선택된 샘플링 구간들에서 DASD 저장 제어기는 억세스 빈도에 따라서 데이타 억세스 패턴을 분석하고, 논리적 그룹을 물리적 그룹으로 재맵핑하는 재맵핑 알고리즘을 인식하고, 이 인식된 재맵핑 알고리즘에 따라서 물리적 그룹을 이동시킨다. DASD에서 재정렬되는 데이타는 빈번하게 억세스되는 데이타를 서로 근접하게 해서 탐색 시간을 최소화시킨다. 저장 제어기에 의해 주기적으로 수행되는 적응 데이타 국지화 방법은 호스트 파일 시스템에 투명하다. DASD 상의 데이타의 재정렬 동작은 시스템 데이타 전송 활동이 저조한 기간 중에 수행된다.
Patent KR-100258487-B1 (KR)
Title: 투명전극과패드전극사이에서낮은접촉저항을갖는반도체장치및그제조방법
Inventor: NAKAMURA KENICHI
IPC: G02F1/1368
Filed: 1997-05-15
Granted: 2000-06-15
Abstract: 박막 트랜지스터와 같은 반도체 장치에 있어서, 반도체 영역을 형성하고, 상기 반도체 영역 상에, 절연막을 형성하고, 상기 절연막은 반도체 영역까지 연장된 접촉홀을 갖는다.상기 접촉홀을 채우기 위하여 알루미늄으로 이루어진 도전성 금속층을 형성한다.반도체 장치의 제조시에 상기 금속층의 산화를 방지하기 위하여 금속층 상에 도전성 보호층을 형성한다.보호층의  재료는  알루미늄보다  산화되기가  어렵다.상기 보호층 상에 투명전극을 형성하며, 상기 전극은 반도체 영역에 전기적으로 접속된다.상기 보호층은  티타늄으로 형성되거나, 혹은 티타늄층 및 질화티타늄층의 적층으로  형성된다.
Patent KR-100289776-B1 (KR)
Title: 표시장치의 제조방법
IPC: G02F1/1333
Filed: 1997-06-04
Granted: 2001-10-24
Abstract: 스위칭소자의 반도체디바이스로서 다결정실리콘을 이용한 액티브매트릭스형의 액정표시장치에 있어서, 스위칭소자의 누설전류를 방지하고, 큰 구동전류를 얻어, 서브역치영역에서의 전류의 상승특성을 향상시킴으로써, 고화소수 및 고정세화상표시를 실현할 수 있다. 
     이를 위하여, 질화실리콘막(102)의 절연층의 표면을 산화하여 표면조도가 2nm이하인 산화실리콘막(111)의 절연층을 형성하고, 그 위에 다결정실리콘을 형성하여 TFT를 구성하고 있다.
Patent KR-100240008-B1 (KR)
Inventor: FUKASAWA YOSHIHITO
IPC: C08L33/26
Filed: 1997-06-13
Granted: 2000-01-15
Abstract: 금속에 대해 우수한 부식방지효과를 갖고, 특히 자기 테이프 등에 대해 감소된 역효과를 갖고, 릴허브 또는 테이프 가이드와 같은 자기 테이프 카세트의 구성부품 제조에 사용하기 적당한 폴리아세탈 수지 조성물을 제공하기 위해, 폴리아세탈수지(A) 100중량부를 산화방지제(B) 0.05 내지 5중량부, 특정의 질소함유화합물 (C) 0.001 내지 5중량부, 및 붕산화합물(D) 0.001 내지 3중량부와 혼합한다.
Patent KR-100229571-B1 (KR)
Inventor: LEE PIL-WOO
IPC: B32B21/04
Filed: 1997-06-19
Granted: 1999-12-01
Abstract: 본 발명은 무늬목 복합박판을 건축물의 벽, 천정, 바닥, 문등의 내장재 및 각종 가구재에 영구접착제로 손쉽게 붙일 수 있게 함과 아울러 무늬목 복합박판을 부서지거나 허실이 생기지 않게 한 것이며 그 요지는 연질박지(3)와 화섬면포(2) 및 무늬목박판(1)을 화학접착제(4)을 칠해서 가열 압착한 무늬복합박판을 얻거나 그라프트지(3´)와 무늬목박판(1)를 화학접착제(4)를 칠해서 가열압착한 무늬목 복합박판을 얻어 휭가 접속부(1´)로서 접속하여 두루마리무늬목복합박판(1˝)을 얻으며 두루마리형 이형지(16) 양면에 인쇄층(17)과 이형제(18)를 인쇄 및 도포처리한 후 영구 접착제호퍼(14) 열풍건조실(11) 조출로울러(12)(12´)를 거치는 과정에서 이형제(18) 상면에 영구접착제(19)를 도포하고 열풍건조실(11)에서의 건조를 거처서 조출로울러(12´) 부위에서 무늬목 두루마리 복합박판(1˝)과 합치시켜 영구접착제(19)를 무늬목 두루마리 박판(1˝)에 옮겨 접착케하여 복합박판(10)을 완성하고 이형지 구획절단칼(20)에 의해서 이형지(16)에 구획절단부(22)를 절단하여서된 무늬목 두루마리 복합박판 제조방법 및 그 제품에 관한 것이다.
Patent KR-100443522-B1 (KR)
Title: Method for manufacturing semiconductor device using multilayer oxide patterns
Inventor: KWON O SEONG
IPC: H01L21/28
Filed: 1997-06-26
Granted: 2004-10-26
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to increase conductivity of metallization by forming contact holes using multilayer oxide patterns. CONSTITUTION: A substrate(11) with conductive patterns(12,14) is prepared. A first, second and third insulating layers(13,15,16) are sequentially formed on the resultant structure. Contact holes(18a,18b,18c) are formed to expose the substrate and the conductive patterns by dry-etching of the third, second and first insulating layer. A photoresist layer is filled in the contact holes and a photoresist pattern is formed on the third insulating layer. Line pattern holes(20a-20c) are formed by selectively etching the third insulating layer using the photoresist pattern as a mask. The photoresist pattern is removed. A conductive layer is filled in the contact holes and the line pattern holes. By polishing the conductive layer to expose the third insulating layer, metal lines are formed to contact the conductive patterns.
Patent KR-100222178-B1 (KR)
Inventor: KIM CHOONG-RAE
IPC: H04L12/66
Filed: 1997-06-30
Granted: 1999-10-01
Abstract: [청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야] 
     비동기 전송 모드(ATM) 시스템 
     [발명이 해결하고자 하는 기술적 과제] 
     일반적인 ATM 시스템의 ATM 계층 디바이스와 물리계층 디바이스의 인터페이스 장치가 프로그램 가능한 로직 디바이스(PLD)의 프로그램 방법에 따라 달라지므로 인터페이스 장치의 일반화가 어렵다는 문제와 주변 회로와 집적화할 수 없다는 문제를 해결하고자 하는 것이다. 
     [발명의 해결방법의 요지] 
     에이티엠(ATM) 셀의 53바이트중 5바이트의 헤더를 처리하는 에이티엠(ATM) 계층 디바이스(10)와, 상기 에이티엠(ATM) 계층 디바이스(10)로부터 전송된 에이티엠(ATM) 셀을 물리계층으로 전송하며 물리계층에서 수신된 에이티엠(ATM) 셀을 상기 에이티엠(ATM) 계층 디바이스(10)로 전송하는 물리계층 디바이스(20)와, 상기 물리계층 디바이스(20)로부터 전송된 에이티엠(ATM) 셀을 선입선출하는 선입선출부(30)를 구비한 비동기 전송모드 시스템에 있어서, 상기 에이티엠 계층 디바이스(10)에서 상기 물리계층 디바이스(20)로 에이티엠 셀을 송신하도록 해당 제어신호를 인터페이스 해주는 송신신호 발생부(500)와; 상기 에이티엠 계층 디바이스(10)에서 상기 물리계층 디바이스(10)로부터 에이티엠 셀을 수신시 셀의 헤더 처리를 위해 상기 선입선출부(30)에 셀을 버퍼링하도록 제어신호를 인터페이스 해주는 제1 수신신호 발생부(400)와; 상기 선입선출부(30)에서 출력되는 수신셀 에러 발생여부 신호를 인터페이스하여 에이티엠 계층 디바이스(10)로 전달해주는 셀에러 신호 발생부(100)와; 상기 선입선출부(30)에 버퍼링된 에이티엠 셀을 상기 셀에러 신호 발생부(100)로부터 출력되는 신호에 따라 상기 에이티엠 계층 디바이스(10)에서 수신하도록 제어신호를 인터페이스 해주는 제2 수신신호 발생부(200)와; 상기 셀에러 신호 발생부(100)의 출력신호에 따라 선입선출부(30)에서 전달되는 에이티엠 셀이 유효한 셀임을 상기 에이티엠 계층 디바이스(10)에 알리는 셀유효 신호 발생부(300)와; 상기 에이티엠 계층 디바이스(10)에서 출력되는 선입선출부(30)의 리셋신호를 인터페이스하여 상기 선입선출부(30)로 전달해주는 리셋신호 발생부(700)와; 상기 에이티엠 계층 디바이스(10)에서 출력되는 선입선출부(30)의 리셋신호에 대한 응답신호를 인터페이스하여 상기 에이티엠 계층 디바이스(10)로 전달해주는 리셋응답 신호 발생부(600)와; 상기 에이티엠 계층 디바이스(10)에서 출력되는 셀손실 신호 및 경보신호를 인터페이스하여 상기 물리계층 디바이스(20)로 전달해주는 경보/손실 신호 발생부(800)로 구성된 것을 특징으로 하는 것이다. 
     [발명의 중요한 용도] 
     비동기 전송모드(ATM) 시스템의 에이티엠(ATM) 계층 디바이스와 물리계층 디바이스간의 인터페이스에 적용되는 것이다.
Patent KR-100252205-B1 (KR)
Inventor: IKEMASU SHINICHIROH
IPC: H01L21/60
Filed: 1997-07-10
Granted: 2000-04-15
Abstract: [과제] 256MDRAM이하의 고집적도의 DRAM을, 그 신뢰성을 손상하지 않고 안정하게 실현하는 반도체장치 및 그 제조방법을 제공한다. 
     [해결수단] 적어도 금속 또는 금속실리사이드를 일층 포함하는 도전층 패턴의 측벽부에 형성된 실리콘질화막이외의 절연막으로 되는 제 1의 절연막과, 상기 도전층 패턴의 상부와 도전층 패턴의 측벽부에 형성된 제 1의 절연막을 피복하도록 형성된 실리콘질화막으로 되는 제 2의 절연막을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체장치 또는 그 제조방법. 또, 상기 제 1의 절연막은, 도전층 패넌의 측벽부와 상부를 피복하도록 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 장치 또는 그 제조방법.
Patent KR-100226367-B1 (KR)
Inventor: KO JUN
IPC: B41F17/00
Filed: 1997-07-12
Granted: 1999-10-15
Abstract: 본 발명은 계란에 인쇄하는 장치에 관한 것으로, 특히 계란의 볼록부위, 즉 진열했을 때 시각적으로 바로 보이는 부분을 인쇄하는 장치에 관한 것이다. 인쇄의 방법은 다양해서 거의 모든 모양에 인쇄할 수 있는 기술단계까지 와 있으나, 계란에 인쇄하는 장치에 관해서는 아직 관심이 미치지 못한바 있어, 본 발명에 이른 것이다. 계란은 축산물로서 같은 것으로 반복생산되는 것은 아니지만 계란이라는 것으로 산출되는 것은 지속적이므로 그 계란의 소비창출과 생산자의 소득증대에 미치는 영향이 커서 재생산의 투자를 유도하고 그 자체로 산업성에 영향을 주는 것이다. 일반적으로 볼록한 부분의 인쇄기술이 있다고 하지만, 계란의 그곳의 인쇄는 일반 곡면 인쇄기술로는 완벽하게 인쇄할 수 없는 문제점이 있다. 즉 계란의 일정압력 이상이 되면 상품성을 상실하므로 그에 대한 문제점을 감안해야 하며, 인쇄와 같이 하여 그 계란을 고정시킬 필요가 필연적이나, 그 또한, 계란의 정확한 선별이 불가능하므로 용이하지가 않은 점이 고려되어, 일정규격의 틀에 다수개의 계란을 수작업으로 수납하고, 수납된 계란의 좌대는 흡착이 가능토록 되어 있으며, 상기 좌대는 상방향으로 연 동작토록 하여, 위에서 압착에 의한 인쇄가 완벽하지 못한 점을 아래서 밀어 줌으로서 계란과 패드사이의 간극을 해소하여 완전한 인쇄를 유도하는 유익한 발명이다.
Patent KR-100284699-B1 (KR)
Title: 자동차의 리어시트 헤드레스트 이송장치
Filed: 1997-08-18
Granted: 2001-03-15
Abstract: 본 발명은 자동차 리어시트의 시트백 상단에 장착되어 있는 헤드 레스트에 관한 것으로써, 상세하게는 상기 헤드레스트를 탑승자의 의도대로 이송 및 회동을 하게하여 피로감을 줄이고 승차감을 향상시킬 수 있도록 하는 자동차의 리어시트 헤드레스트 이송장치에 관한 것이다. 
     본 발명은 자동차의 리어시트(30) 시트백(31) 상단에 장착되는 헤드레스트(10)에 있어서, 
     상기 시트백(31) 상단에 길게 홈(32)이 형성되어 상기 홈(32)에 삽입되는 중공형상을 가지면서 상부에 가이드홈(22)이 길이방향으로 형성되어 있고 저부에는 래크(21)가 형성되면서 좌우측면이 개방된 케이스(20)와; 
     상기 가이드홈(22)으로 삽입되는 고정축(12) 상부로 머리 받침대(11)가 형성되고 하부로 상기 케이스(20) 저면에 형성된 래크(21)와 대응되어 이송이 가능하도록 하는 피니언(14)이 형성된 헤드레스트(10)와; 
     상기 고정축(12)이 관통되고 상기 고정축(12)을 지지하면서 헤드레스트(10)가 고정될 수 있도록 케이스(20) 상단과 머리 받침대 사이에 플레이트(13)가 형성되는 것; 
     으로 구성되는 것을 특징으로 한다. 
     또한 상기 헤드레스트(10)를 지지하며 피니언(14)을 고정지지하는 피니언 케이스(40)와; 
     상기 피니언 케이스(40)와 플레이트(13)간을 연결함과 동시에 탄성을 주는 지지봉(50)이 고정축(12)을 중심으로 양측에 형성되며, 상기 지지봉(50) 외주면 둘레에 스프링(51)이 장설되는 것과; 
     상기 헤드레스트(10)의 머리 받침대(11)가 일정각으로 회전 가능하도록 고정축(12) 외주면에 복수개로 형성되는 반달모양의 고리(52)와 피니언 케이스 상면 양측에 형성되는 반달형상의 고리(52')를 잇는 리턴 스프링(53)으로 구성된 회전수단; 
     으로 구성되는 것을 또다른 구성상 특징으로 한다.
Patent KR-100268209-B1 (KR)
Title: 상보형금속산화물반도체혼전압입/출력구동기회로및고신뢰성입/출력스택형전계효과트랜지스터
Inventor: NOWAK EDWARD J
IPC: H03K17/10
Filed: 1997-08-19
Granted: 2000-10-16
Abstract: 본 발명에 따르면, 입/출력(I/O) 스택형 전계 효과 트랜지스터(FET)들에서, 칩 양단 길이 변화(ACLV), 게이트 이온 채널링 및 전위가 장치 신뢰성에 미치는 영향이 감소되거나 제거된다.   한 쌍의 스택형 PFET들과 한 쌍의 스택형 NFET들이 I/O 패드에 접속된다.   I/O 패드에 인접한 PFET와 NFET는 제각기 I/O 패드에서 떨어져 있는 PFET와 NFET들보다 더 긴 채널 길이를 갖도록 설계된다.   이렇게 함으로써, I/O 패드에 인접한 PFET와 NFET가 누설로 인한 영향을 받지 않게 된다는 효과가 있다.  이와 달리, 쇼트키 또는 P/N 접합 다이오드가 두 개의 PFET들간의 노드와 I/O 패드에 인접한 PFET의 게이트와의 사이에 접속되고, 다른 쇼트키 또는 P/N 접합 다이오드가 두 NFET들간의 노드와 I/O 패드에 인접한 NFET의 게이트와의 사이에 접속될 수 있다.   이 쇼트키 다이오드들은 PFET 쌍과 NFET 쌍들 사이의 노드들을 제각기 게이트 전압에 가까운 전압으로 클램프하도록 동작한다.   PFET 쌍에 대한 쇼트키 또는 P/N 접합 다이오드 대신에 NFET를 사용하고 NFET 쌍에 대한 쇼트키 또는 P/N 접합 다이오드 대신에 PFET를 사용함으로써 유사한 클램프 동작이 실현될 수 있다.
Patent KR-100267719-B1 (KR)
Inventor: PARK YONG HA
IPC: C12N9/52
Filed: 1997-09-29
Granted: 2000-11-01
Abstract: PURPOSE: A thermophilic cyclodextrin(CD) biosynthase and a method for producing the enzyme from Paenibacillus sp. are provided, which can biosynthesize alpha-CD, beta-CD and gamma-CD and cyclodextrin(CD) can be effectively used in medicines, cosmetics and foods. CONSTITUTION: The thermophilic cyclodextrin(CD) biosynthase is derived from a novel microorganism Paenibacillus sp. 324 strain(KCTC 0364BP), has 75,000 dalton of molecular weight, and shows its activity at pH 6.0 to 9.0 and 50 to 70 deg. C, in which cyclodextrin(CD) can seizure organic materials from starch because it has a hydrophobic region in its center. The thermophilic cyclodextrin(CD) biosynthase is produced by incubating Paenibacillus sp. 324 strain(KCTC 0364BP) in a medium containing 1 to 2% of starch, 3 to 7% of CSL and 0.5 to 1.5% of Na2CO3 at 35 to 40 deg. C.
Patent KR-100268923-B1 (KR)
Title: method for forming dual gate of semiconductor device
Inventor: HAN SUK-BIN
IPC: H01L21/8238
Filed: 1997-09-29
Granted: 2000-10-16
Abstract: PURPOSE: A method of forming a dual gate of a semiconductor device is provided to improve the profile of the gate electrode and to prevent from the generation of etch damage. CONSTITUTION: A gate oxidation layer(22) and an un-doped polysilicon layer(23) are deposited on the semiconductor substrate(20). The first conductivity type ions are injected in the first area of the polysilicon layer. The second conductivity type ions are injected in the second area of the polysilicon layer. After a gate mask(25) is formed on the first and second areas, the polysilicon layer exposed is etched into a predetermined depth with the first etch device of the high vertical profile characteristic. By changing the flow amount of the gas, using the second etch device that can prevent the over-etch of the gate oxidation layer and the substrate, the remaining polysilicon layer is etched.
Patent KR-100218935-B1 (KR)
Inventor: JI JOON-DONG
IPC: F25D17/00
Filed: 1997-10-20
Granted: 1999-09-01
Abstract: 본 발명은 냉장고용 냉기분배장치에 관한 것으로서, 연동부재와 구동캠 사이에 개재되는 전동부재와;  상기 전동부재를 상기 구동캠과 상호 작용가능하도록 고정시켜 상기 구동캠의 회전력이 상기 연동부재의 승강운동으로 전환되도록 하는 작용부와;  상기 전동부재를 상기 작용부의 가로방향으로 수용고정시킴으로써 상기 연동부재를 멈춤유지토록 하는 고정멈춤부를 포함한다.  이에 의해 냉기토출구에 설치되어 있는 상하분배날개를 필요에 따라 작동시켜, 냉기덕트로 부터의 냉기를 상하방향으로 분배시킬 수 있으며, 좌우분배날개를 더 추가하여 상하분배날개와 조합적으로 작동시킴으로써, 냉각실내를 효과적인 균일 냉각상태로 유지시킬 수 있다.  그리고, 필요한 경우 어느 일측만을 선택적으로 작동시키도록 함은 물론, 특정영역에 집중냉각시킬 수 있다.  또한, 본 냉기분배장치에서는, 전동부재를 통하여 연동부재를 고정멈춤시킬 수 있으므로, 연동부재의 파손을 방지할 수 있다.
Patent KR-100249041-B1 (KR)
Inventor: JANG JI-YOUNG
IPC: H04Q3/72
Filed: 1997-10-20
Granted: 2000-03-15
Abstract: 본 발명은 이동 통신 교환기의 통계 기능 중 불완료호에 대한 정보수집 및 정보출력기능에 관한 것으로, 특히, 콜폴트기능이 설정되어 있는지의 여부를 검출하여, 콜폴트기능이 설정되어 있지 않을 경우에는, 운용자장치부(1)를 통해 소정 범위의 시스템 자원에 대해 콜폴트기능을 설정하여 데이터베이스부(4)에 등록하는 콜폴트기능설정단계(10)와; 콜폴트기능설정단계(10)를 수행한 후, 불완료호가 발생하였는지의 여부를 검출하는 불완료호발생검출단계(20)와; 불완료호발생검출단계(20)를 수행한 결과 불완료호가 발생한 것으로 판단될 경우에는, 발생한 불완료호가 콜폴트기능설정단계(20)에서 등록한 시스템 자원의 범위내에 포함되는지의 여부를 판단하여, 데이터베이스부(4)에 등록한 시스템 자원의 범위내에 포함되지 않을 경우에는, 발생한 불완료호에 대한 정보를 데이터베이스부(4)에 저장하는 제1처리단계(30)와; 불완료호발생검출단계(20)에서 검출한 불완료호가 콜폴트기능설정단계(10)에서 등록한 시스템 자원의 범위내에 포함될 경우에는 운용자정합부(2)를 통해 유지보수부(3)에 통보하는 제2처리단계(40)와; 제2처리단계(40)를 수행한 후, 운용자정합부(2)를 통해 운용자장치부(1)에 해당정보를 출력하는 불완료호출력단계(50)를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 이동통신 교환기의 호 처리정보 출력방법이다. 
     이러한 본 발명은, 콜폴트기능 설정시 실시간적인 정보를 제공받기를 원하는 시스템 자원을 데이터베이스부(4)에 등록하면, 설정된 시스템 자원에서 발생하는 불완료호에 대한 정보를 실시간으로 제공받게 되는 효과가 있는 것이다.
Patent KR-100499156-B1 (KR)
Title: 액정표시장치
Inventor: LEE GYEONG EUN
IPC: G02F1/1337
Filed: 1997-10-31
Granted: 2005-10-12
Abstract: 본 발명은 액정표시장치의 배향막 구조에 관한 것으로, 한 개의 셀 내에 액정을 호머지니어스 및 하이브리드 분자배열을 함으로써 액정의 호머지니어스 분자배열에서 비롯되는 Δｎ·ｄ의 변화를 액정의 하이브리드 분자배열이 보상하여 시야각을 확장할 수 있다.
Patent KR-100347021-B1 (KR)
Title: Structure of ice tray of refrigerator
Inventor: KIM YONG SIK
IPC: F25C1/24
Filed: 1997-11-06
Granted: 2003-01-06
Abstract: PURPOSE: A structure of an ice tray of a refrigerator is provided to allow conveniently drawing out ice. CONSTITUTION: A structure includes an outside casing(100) forming an exterior; a tray(200) installed in the outside casing; and a dial knob(300) actuating the tray. The tray comprises a fixed part having a plurality of lattice protrusions(212) formed on both sides thereof, and fixed in the outside casing; and a moving part(220) having a plurality of ice lattices(222) placed thereon to contact with the lattice protrusions of the fixed part, and interlocked with the dial knob.
Patent KR-100266196-B1 (KR)
Inventor: YONEDA AKI
IPC: H04N7/52
Filed: 1997-11-11
Granted: 2000-09-15
Abstract: 본 발명은, 영상·음성을 포함하는 멀티미디어 데이터의 부호화를 멀티태스크 오퍼레이팅 시스템상에서 동작하는 소프트웨어 프로그램으로 실현하여, 지정된 임의의 단위로 동기된 영상·음성 부호화 다중화 정보가 얻어지도록 한 멀티미디어 데이터 부호화 다중화 방법을 제공하는 것으로서, 부호화 영상 정보와 부호화 음성 정보를 영상 버퍼와 음성 버퍼에 일시 축적하고, 부호화 영상 정보에 근거하여 작성되어 함께 일시 축적된 영상 블럭 레이트 정보를 이용하여, 영상·음성 동기 수단이 시간 정보를 작성하며, 이에 따라서, 부호화 영상 판독 수단과 부호화 음성 판독 수단이 일시 축적된 부호화 음성 정보와 부호화 영상 정보를 판독하여, 영상·음성 동기 수단이 다중화 처리를 함으로써, 부호화하는 타이밍과 다중화 타이밍을 분리하는 것이다.
Patent KR-100249831-B1 (KR)
Inventor: SHON MAN-JIN
IPC: G02F1/29
Filed: 1997-11-29
Granted: 2000-03-15
Abstract: 본 발명은 다단 광파장 이동기에 관한 것으로, 이와같은 본 발명은 3개의  반도체 광 증폭기를 사용하여 한 개의 반도체 광증폭기에서 출력 파형을 반전시키고, 나머지 2개의 반도체 광 증폭기에서 다시 파형을 반전시킴과 동시에 소광비를 증가시킬 수 있음으로써, 현재의 파장분할 다중을 사용하는 광 네크워크나 광 스위칭 시스템 등에 응용이 가능한 효과가 있다.
Patent KR-100251294-B1 (KR)
Title: Preparation of carbon microfiber by using transition metal particle supported on alkaline earth metal oxide
Inventor: KWO TAE HYUN
IPC: A41D13/00
Filed: 1997-12-11
Granted: 2000-04-15
Abstract: PURPOSE: Disclosed is a preparing method of fine carbon fiber using iron-group transition metal catalyst supported on basic metal oxide. The basic metal oxide used as a catalytic support is able to be removed easily on the final prepared carbon fiber and the iron-group transition metal oxide as active species is employed to be prepared in high dispersion on the support. CONSTITUTION: The basic metal oxide may use magnesia, calcia, magnesium hydroxide, or calcium hydroxide, and has a high specific surface area to make the active species to disperse well. The active species employed with iron-group metal such as iron, nickel, or cobalt, IA group metal such as lithium, sodium, or potassium, and IIIA group as aluminium is prepared in the solution, and the fine metal oxide catalyst is prepared by the dry and the reduction treatment of hydrogen. The fine carbon fiber has a surface area of 60-500 m2/g and makes the active species, iron-group metal, to react the surface species of carbon by the procedure of adsorption and decomposition at 400-600 deg.C. To reduce the side reaction to the generation of tar, the operation temperature over 600 deg.C and the time of the decomposition of hydrocarbon is controlled. The prepared catalyst has a specific surface area of basic metal oxide of 80-200 m2/g and that of reduced catalyst of 40-90 m2/g, and a spherical particle of 30-500 μm diameter. Finally, to make the fine carbon fiber in high purity, the acidic solution such as acetic acid is employed to remove the basic metal oxide and iron transition metal.
Patent KR-100275271-B1 (KR)
Title: Apparatus for controlling recording current in a hifi video cassette recorder
Inventor: PARK NAM-SIK
IPC: G11B20/16
Filed: 1997-12-19
Granted: 2000-12-15
Abstract: PURPOSE: A recording current control device of a HIFI VCR(Video Cassette Recorder) is provided to turn off a recording current loop of a HIFI audio signal, and to raise a recording current gain of a video signal. Therefore, it is possible to remove the interference between the HIFI audio signal and the video signal, and to prevent the deterioration of a play quality. CONSTITUTION: A video signal processor process inputted video signals for being recorded. An audio signal processor(100) processes inputted audio signals for being recorded. The first amplifier(70) amplifies a normal audio signal among the audio signals as a pre-setup amplifying rate, and supplies the amplified normal audio signal to a normal audio head(120). A key input unit(10) supplies a key signal to perform a force mono mode. A microcomputer(20) supplies a gain value for raising a recording current characteristic of the video signals when the key signal is supplied from the key input unit(10), and supplies a control signal for turning off recording currents of the HIFI audio signals. A HIFI audio signal processor(130) turns off a recording current loop of the HIFI audio signals, and supplies the recording current loop to a HIFI audio head(140). The second amplifier(110) amplifies the video signals supplied from the video signal processor according to the gain value of the microcomputer(20), and supplies the amplified video signals to a video head(80).
Patent KR-100311794-B1 (KR)
Title: Low hardness martensitic stainless steel and method for manufacturing the same
Inventor: LEE JONG SEOK
IPC: C21D8/02
Filed: 1997-12-19
Granted: 2001-11-22
Abstract: PURPOSE: A low hardness martensitic stainless steel is provided which secures proper quenching hardness without post-treatment by reciprocally controlling alloy constituents considering influence of each alloy elements on the quenching hardness, and a method for manufacturing the low hardness martensitic stainless steel is provided. CONSTITUTION: The method for manufacturing a low hardness martensitic stainless hot rolled steel sheet comprises the processes of (i) annealing the hot rolled slab after hot rolling a slab comprising 0.02 to 0.06 wt.% of C, 1.0 wt.% or less of Si, 1.0 wt.% or less of Mn, 0.04 wt.% or less of P, 0.03 wt.% or less of S, 0.6 wt.% or less of Ni, 11.0 to 14.5 wt.% of Cr, 0.50 wt.% or less of Cu, 0.07 wt.% or less of N and a balance of Fe and other inevitable impurities, wherein H is defined as the following equation: H=67C-0.05Si+2.5Mn+3.6Ni-3.2Cr+1.7Cu+151N+63.9(wt.%), where H is in the range of 30 to 40 wt.%; and (ii) cooling the heated steel sheet in a cooling rate of -5 deg.C/sec or less after heating the annealed hot rolled steel sheet to a temperature of 850 deg.C or more.
Patent KR-100469911-B1 (KR)
Title: 레저바르커패시터의배열방법
Inventor: LEE GYEONG SU
IPC: H01L27/10
Filed: 1997-12-31
Granted: 2005-07-07
Abstract: 본 발명은 고집적 반도체 소자의 레저바르(reservoir) 커패시터가 차지하는 면적을 크게 줄이고 내부 파우어와 다른 파우어 사이에 발생되는 노이즈를 감소시키기 위하여 레저바르 커패시터를 배열하는 방법을 제공한다. 메모리 소자는 메인-칩 에지 부분에 다이간 연결을 행할 경우, 외부로부터의 강한 스트레스를 받거나 혹은 습기로부터 칩이 손상 받기가 쉬운데, 이를 보호하기 위하여 칩 에지 부분에 시일-링을 부착하고, 이 부분에 vss나 vbb를 공급하고 있다. 본 발명에서는 vcc나 vpp같은 여러 파우어들을 칩 에지부분에 추가한다. 이와 같이, 양 사방으로 칩 에지의 남는 부분에 레저바르 커패시터를 배치하였으므로, 기존의 레저바르 커패시터에 비하여 그 배치가능한 면적이 2배 이상 획기적으로 보충된다. 따라서, 반도체 소자의 파우어 라인 노이즈를 대폭 줄일 수 있고, 칩 사이즈 증가에 아무런 영향을 주지 않고, 안정된 동작을 하는데 아주 큰 도움이 된다.
Patent KR-100365168-B1 (KR)
Title: 그레이 스케일 변조 테이타용의 외부 메모리를 액세스할 수 있는 디스플레이 콘트롤러
IPC: G09G3/36
Filed: 1996-05-23
Granted: 2003-03-06
Abstract: 디스플레이 콘트롤러는 데이타를 외부 소스들로 부터 디스플레이 콘트롤러로 전송하는 데이타 버스 인터페이스를 포함한다. 데이타 버스 인터페이스에 연결되어 있는 변조 데이타 레지스터는 데이타 버스 인터페이스를 통해 제 1 변조 데이타의 양을 수신한다. 변조 데이타 레지스터에 연결되어 있는 디코더는 제 1 변조 데이타의 양을 수신하며 제 1 변조 데이타의 양에 따라 그래픽 데이타를 디코딩하여 디스플레이 데이타를 생성한다. 변조 데이타 어드레스 카운터는 데이타 버스 인터페이스를 통해 전송되는 변조 데이타의 양을 계수하고, 미리 프로그램된 변조 데이타의 전량이 상기 데이타 버스 인터페이스를 통해 전송되었을 경우 로드 변조 데이타 신호를 생성한다. 디스플레이 콘트롤러를 사용하여 외부 메모리로 부터의 변조 데이타를 액세스하는 방법이 또한 개시되어 있다.
Patent KR-100212307-B1 (KR)
Inventor: SAWAHASHI MAMORU
IPC: H04B1/707
Filed: 1996-06-12
Granted: 1999-08-02
Abstract: 확산 부호 리플리카에 의해 I 및 Q 채널 신호의 각각의 승산을 수행하고(24), 1 확산 부호 주기에 걸쳐 적분하고(25), 제이터 변조 성분 및 잔류 반송파 성분을 제거하기 위해 적분된 신호의 제곱 검파를 수행한다(26). 1 확산 부호 주기의 신호 전력을 얻기 위해 제곱 검파된 신호를 가산하고(27), 디지탈 제어 클럭 발생기(30)의 클럭 위상을 갱신한다. 다음에, 전력 정보를 동기획득 모드 제어기(29)내의 메모리에 저장하고, 1 확산 부호 주기의 최대 상관 검출 전력이 얻어지는 확산 부호 리플리카 위상에서 디지탈 제어 클럭 발생기(30)의 클럭 위상을 고정시킨다. 계속해서, 확산 부호 동기획득 위상을 확인하기 위한 확인 모드가 시작된다. 그러므로, 확산 부호 동기획득의 확인 모드를 제공하므로써, 짧은 시간에 낮은 동기획득 오류 확률로 동기획득이 이루어질 수 있으며, 따라서 동기유지 모드가 곧바로 시작될 수 있다.
Patent KR-100355979-B1 (KR)
Title: 폴리테트라히드로푸란의제조방법
IPC: B01J23/24
Filed: 1995-09-21
Granted: 2003-01-25
Abstract: 물, 1,4-부탄디올, 분자량이 분자량이 200 내지 700 달톤인 폴리테르라히드로푸란, C 1 -C 10 모노카르복실산 또는 이들 텔로겐의 혼합물 가운데 어느 하나의 존재하에 불균질 촉매 상에서 테트라히드로푸란을 중합시키는 폴리테르타히드로푸란 또는 C 1 -C 10 모노카르복실산의 폴리테트라히드로푸란 모노에스테르의 제조 방법이 개시되어 있다. 사용된 촉매는, 산화 지지체 물질 위의 산소-함유 텅스텐 또는 몰리브덴 화합물 또는 이들 화합물의 혼합물을 촉매적 활성량으로 포함하며, 산소-함유 몰리브덴 및(또는) 텅스텐 화합물의 전구체를 지지 물질 전구체에 처리한 후 500 내지 1000 ℃의 온도에서 소성시킨 지지된 촉매이다.
Patent KR-100386744-B1 (KR)
Title: 플리트 필터용 부직포 및 그 제조방법
IPC: D01F8/04
Filed: 1996-03-29
Granted: 2003-08-21
Abstract: 본 발명의 일실시예는, 고융점을 가지는 중합체성분을 심성분으로 하고, 저융점을 가지는 중합체성분을 초성분으로 하는 심초형 연속필라멘트로 이루어지는 부직포이고, 그 부직포의 표면이 부분적으로 엠보스압착되어서 이루어지는 복수의 압착부를 가지며, 그 부직포의 단위질량(X)(g/㎡)과 JIS L 1096 가레이법에 따라서 구하여지는 강연도(Y)(mgf)가 다음 식을 만족하는 것을 특징으로 하는 플리트 필터용 부직포를 제공한다. 
     Y/X 2 ≥ 0.03 
         X ≥ 120 
     본 발명의 다른 실시예는, 상기한 플리트 필터용 부직포를 여과재로서 사용하여 이루어지는 필터엘리먼트를 제공한다. 
     본 발명의 플리트 필터용 부직포는, 심초형 복합구금으로부터 방출한 연속필라멘트를 흡인연신하여, 이동하는 망상체의 위에 개섬하여 퇴적시켜서, 연속필라멘트 웨이브로 하고, 그 웨이브를 가열한 1쌍의 플래트론에서 예비압착하고, 이어서 1쌍의 엠보스롤로 부분적으로 열압착하여 얻을 수 있다. 
     본 발명에 의하면, 박리결점의 발생도 없고, 적당한 정도의 강성, 양호한 플리트가공성과 형태유지성을 가진 뛰어난 고성능의 플리트 필터용 부직포를 제공할 수 있다.
Patent KR-100266701-B1 (KR)
Title: A method for molding a vessel
Inventor: LEE JEA YEON
IPC: B29C49/02
Filed: 1998-01-10
Granted: 2000-09-15
Abstract: PURPOSE: A container forming method is provided to omit post-processing of a scrap protrusion by preventing the scrap protrusion in the bottom of a container from being generated in forming the container. CONSTITUTION: A parison(3) extrusion-molded in a parison forming die is sealed with cutting and jointing partially, and inserted to the bottom of an opened container mold(23). The container molds are combined, and the parison is separated from the parison forming die. A blow pin(29) is moved down into an injection port in the end of the parison, and the lower part of the parison is placed in the bottom of the container mold. The parison is blow-molded in the container mold with injecting air into the parison, and a container is formed. The formed container is output with dividing the container mold. The scrap is prevented from being generated in the bottom of the formed container by blow molding.
Patent KR-100277765-B1 (KR)
IPC: H04W36/18
Filed: 1998-03-04
Granted: 2001-01-15
Abstract: 본 발명은 코드 분할 다중 접속(CDMA) 네트워크에 있어서, 코드 분할 다중 접속(CDMA) 네트워크에 있어서, CDMA 네트워크가 서비스될 영역을 결정하는 제1 단계와; 상기 결정된 서비스 영역에 기지국을 위치하는 제2 단계와; 상기 기지국에 대한 송신 전력을 선택하는 제3 단계와; 상기 선택된 송신 전력 및 소정의 네트워크 파라미터를 이용하여 상기 기지국에 대하여, 섹터가 서비스 가능한 커버리지 반경 R, 해당 섹터만이 서비스 가능한 커버리지 반경 C 및 해당 섹터가 최상의 신호 품질로 서비스 가능한 커버리지 반경 D를 계산하는 제4 단계와; 상기 결정된 서비스 영역 및 반경값 R, C 및 D로부터 네트워크에 요구되는 기지국의 개수를 계산하는 제5 단계와; 상기 CDMA 네트워크에 대하여 섹터 실효 채널수 N EFFECTIVE , 실효 채널비 R CH-EFFECTIVE , 총 핸드오프 면적비 H AT 및 총 핸드오프 채널비 H CT 를 계산하는 제6 단계와; 상기 계산된 N EFFECTIVE , R CH-EFFECTIVE , H AT 및 H CT 값이 초기 설계시 설정된 목표치를 만족하는지를 판단하는 제7 단계와; 상기 계산된 N EFFECTIVE , R CH-EFFECTIVE , H AT 및 H CT 값이 상기 목표치를 만족할 때 상기 N EFFECTIVE , R CH-EFFECTIVE , H AT 및 H CT 값의 계산을 종료하는 제8 단계와; 상기 CDMA 네트워크에 요구되는 기지국의 위치, 송신 전력 및 네트워크 파라미터중 적어도 하나를 조정하고, 상기 제6 단계로 되돌아가는 제9 단계를 포함함을 특징으로 하는 CDMA 네트워크 최적화 방법을 제공한다.