Patent DE-102009014492-B4 (DE)
Title: Gegenstrom-Differenzverstärker
Inventor: GRIFFIN JED
IPC: H03F3/45
Filed: 2009-03-23
Granted: 2021-05-20
Abstract: Gegenstrom-Differenzverstärkerschaltung, die umfasst:eine nicht invertierende Schaltungsanordnung (501), die enthält:einen ersten Eingangsabschnitt (502), der einen nicht invertierenden Differenz-Eingangsknoten (508) enthält, der so betrieben werden kann, dass er eine volle Eingangsspannung nutzt, wobei der erste Eingangsabschnitt (502) einen ersten nicht invertierenden p-MOSFET-Eingangstransistor (512) und einen ersten nicht invertierenden n-MOSFET-Eingangstransistor (514) enthält und jeder erste Eingangstransistor (512, 514) mit seinem entsprechenden Gateanschluss an den nicht invertierenden Differenz-Eingangsknoten (508) angeschlossen ist;einen ersten Referenzabschnitt (504), der mit dem ersten Eingangsabschnitt (502) gekoppelt ist und so betrieben werden kann, dass er Pegelverschiebung und stabilisierte Verstärkung ausführt;einen ersten Ausgangsabschnitt (506), der mit dem ersten Referenzabschnitt (504) gekoppelt ist und so betrieben werden kann, dass er einen ersten Strom in eine Last verstärkt;eine invertierende Schaltungsanordnung (503), die mit der nicht invertierenden Schaltungsanordnung (501) gekoppelt ist und enthält:einen zweiten Eingangsabschnitt, der einen invertierenden Differenz-Eingangsknoten (508') enthält, der so betrieben werden kann, dass er eine volle Eingangsspannung nutzt, wobei der zweite Eingangsabschnitt einen zweiten invertierenden p-MOSFET-Eingangstransistor (512') und einen zweiten invertierenden n-MOSFET-Eingangstransistor (514') enthält und jeder zweite Eingangstransistor (512', 514') mit seinem entsprechenden Gateanschluss an den invertierenden Differenz-Eingangsknoten (508') angeschlossen ist;einen zweiten Referenzabschnitt, der mit dem zweiten Eingangsabschnitt gekoppelt ist und so betrieben werden kann, dass er Pegelverschiebung und stabilisierte Verstärkung ausführt; undeinen zweiten Ausgangsabschnitt, der mit dem zweiten Referenzabschnitt gekoppelt ist und so betrieben werden kann, dass er einen zweiten Strom in die Last verstärkt,wobei die nicht invertierende Schaltungsanordnung (501) und die invertierende Schaltungsanordnung (503) jeweils so betrieben werden können, dass sie eine Kleinsignal-Differenzverstärkung der Gegenstrom-Differenzverstärkung bewirken, die eine Funktion der Transkonduktanz der jeweiligen Eingangs-, Referenz- und Ausgangsabschnitte ist;dadurch gekennzeichnet, dassder erste Referenzabschnitt (504) einen mit dem ersten nicht invertierenden n-MOSFET-Eingangstransistor (514) gekoppelten ersten nicht invertierenden p-MOSFET-Stromspiegelknoten (522) und einen mit dem ersten nicht invertierenden p-MOSFET-Eingangstransistor (512) gekoppelten ersten nicht invertierenden n-MOSFET-Stromspiegelknoten (530) enthält;der erste Ausgangsabschnitt (506) einen mit dem ersten nicht invertierenden p-MOSFET-Stromspiegelknoten (522) verbundenen ersten nicht invertierenden p-MOSFET-Ausgangstransistor (520) und einen mit dem ersten nicht invertierenden n-MOSFET-Stromspiegelknoten (530) verbundenen ersten nicht invertierenden n-MOSFET-Ausgangstransistor (528) umfasst;der zweite Referenzabschnitt einen mit dem zweiten invertierenden n-MOSFET-Eingangstransistor (514') gekoppelten zweiten invertierenden p-MOSFET-Stromspiegelknoten (522') und einen mit dem zweiten invertierenden p-MOSFET-Eingangstransistor (512') gekoppelten zweiten invertierenden n-MOSFET-Stromspiegelknoten (530') enthält; undder zweite Ausgangsabschnitt einen mit dem zweiten invertierenden p-MOSFET-Stromspiegelknoten (522') verbundenen zweiten invertierenden p-MOSFET-Ausgangstransistor (520') und einen mit dem zweiten invertierenden n-MOSFET-Stromspiegelknoten (530') verbundenen zweiten invertierenden n-MOSFET-Ausgangstransistor (528') umfasst.