baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent JP-WO2011065395-A1 (JP)
Title: カーボンナノチューブ分散剤
IPC: C09D7/45
Filed: 2010-11-25
Abstract: トリアリールアミン化合物と、アルデヒド化合物および／またはケトン化合物とを、酸触媒の存在下で縮合重合することで得られる、例えば、式（１２）または式（１３）で表されるような繰り返し単位を有する高分岐ポリマーからなるカーボンナノチューブ分散剤は、有機溶媒中などの媒体中で、ＣＮＴをその単独サイズまで分散させ得る。（式中Ｚ1およびＺ2は、それぞれ独立して水素原子、フェニル基、チエニル基等を表す。）
Patent JP-WO2012124061-A1 (JP)
Title: 防振装置
IPC: C08K7/14
Filed: 2011-03-15
Abstract: 全体の強度に優れた防振装置の提供を目的とする。防振機能を持つゴム弾性体３と、上記ゴム弾性体３を支持した状態で基体に固定する樹脂ブラケット２とが一体化されてなる防振装置である。上記樹脂ブラケット２はコア層2ａがスキン層2bによって挟持されてなるサンドイッチ成形体からなり、下記の（Ｉ）〜(III)を同時に満足する。（Ｉ）スキン層2bを構成するポリアミド樹脂組成物(A)がポリアミド樹脂(a)とガラス繊維(x)を含有し、その混合比率(a/x)が質量比で40/60〜75/25である。(II)コア層2ａを構成するポリアミド樹脂組成物(B)がポリアミド樹脂（ｂ）とガラス繊維(y)を含有し、その混合比率(b/y)が質量比で35/65〜60/40である。(III)ポリアミド樹脂組成物(A)の融点＋30℃、せん断速度1000ｓ-1で測定される溶融粘度ηａと、ポリアミド樹脂組成物(B)の融点＋30℃、せん断速度1000ｓ-1で測定される溶融粘度ηｂが、１＜（ｌｏｇηａ／ｌｏｇηｂ）＜１．４である。
Patent JP-WO2011070880-A1 (JP)
Title: ビニルエーテル系星型ポリマーの製造方法
IPC: C08F297/00
Filed: 2010-11-08
Abstract: 核よりビニルエーテル系重合体からなるアームとオキシスチレン系重合体からなるアームが順に共重合したビニルエーテル系星型ポリマーを一連の工程で継続して実施することのできる製造方法を提供することを目的とする。当該製造方法は、少なくとも開始種、溶媒及びジビニル化合物を含む反応溶液中に、ルイス酸を添加して側鎖にビニル基を有するビニルエーテルポリマーを合成し、当該ビニル基側鎖の分子間架橋により核を生成させた後、ビニルエーテル系単量体とオキシスチレン系単量体を添加してビニルエーテル系単量体、オキシスチレン系単量体の順にリビングカチオン重合させ、ジブロックアームを形成させることを特徴とする。
Patent WO-2012157177-A1 (WO)
Title: 輻輳能力判定装置及びその方法
Inventor: INOUE TSUYOSHI
IPC: G02B27/22
Filed: 2012-04-04
Abstract: 輻輳能力判定装置は、立体映像視聴時のユーザの眼球の運動に関する情報である眼球情報を取得する眼球情報取得部（１０１）と、眼球情報取得部（１０１）が取得した眼球情報から、ユーザの眼球の輻輳運動の度合いを示す輻輳運動量を算出する輻輳運動算出部（１０２）と、ユーザが視聴している立体映像の所定の再生時間区間である評価区間における輻輳運動算出部（１０２）が算出した輻輳運動量の分布を示す分布データと、評価区間における立体映像の奥行き情報に応じて決定される輻輳運動量の分布を示す分布データとを比較することにより、ユーザの眼球の輻輳運動の能力を判定する判定部（１０８）とを備える。
Patent WO-2013157039-A1 (WO)
Inventor: KATO KATSUYA
IPC: H03F3/20
Filed: 2012-04-18
Abstract: Selon la présente invention, la borne de tension de drain (17) d'un commutateur TEC NMOS (11) reçoit une tension de courant continu positive, une tension de grille arrière formant référence; en conséquence, même si l'amplitude de tension d'un signal amplifié par un amplificateur de puissance électrique (5) du côté drain du commutateur TEC NMOS (11) change dans le temps pendant que le commutateur TEC NMOS (11) est à l'état BLOQUE, il se produit une augmentation de la tension de seuil (Vth) lorsque l'état PASSANT est activé. En conséquence, un fonctionnement à grande efficacité pouvant atteindre d'importants volumes de puissance électrique peut être obtenu sans que l'état PASSANT soit activé instantanément.
Patent WO-2013027347-A1 (WO)
Title: Semiconductor recording device
Inventor: YAMAOKA KUNISATO
IPC: G11C13/00
Filed: 2012-08-07
Abstract: This semiconductor recording device is provided with: a memory cell array (MCA); a plurality of reference cell arrays (RCAs); a plurality of word lines (WLs); a plurality of bit lines (BLs); a plurality of reference word lines (RWLs); a plurality of reference bit lines (RBLs) provided corresponding to each reference cell array (RCA); and an equalizing transistor (RQT) that is connected between the plurality of reference bit lines (RBLs) and that receives control signals (REQs) that are independent from each other. One electrical potential from among the plurality of reference bit lines (RBLs) and one electrical potential from the plurality of bit lines (BLs) are input into a sense amplifier (SA).
Patent WO-2013057864-A1 (WO)
Title: 不揮発性記憶装置及びその制御方法、メモリーコントローラ、並びに不揮発性記憶装置を備えたセットシステム及びその制御方法
Inventor: HIRANO TAKEHISA
IPC: G06F12/16
Filed: 2012-08-28
Abstract: 不揮発性記憶装置（１）は、複数の記憶ブロックを有する不揮発性記憶素子（２０）とメモリーコントローラ（１０）とを備えている。メモリーコントローラ（１０）は、書き込み動作において多重書き込み処理を実行し、読み出し動作において多重書き込み処理によって書き込まれた複数のデータ列を読み出すインターフェース部（１４）と、インターフェース部（１４）によって読み出された複数のデータ列の同一ビット位置における差異ビットの有無を検出し、差異ビットにおけるビット値を予め定められた基準に基づいて修正する修正部（４０）とを備えている。
Patent WO-2013042351-A1 (WO)
Inventor: PARK JONGKOOK
IPC: F21V29/00
Filed: 2012-09-19
Abstract: Disclosed is an LED illumination device of a straightforward construction, in which thermal resistance can be suppressed to a low level and in which heat generated from the LED element can be efficiently radiated. Rigidity of a mounting plate (16A) is guaranteed by a high wall (1622), making it possible to withstand the saturated vapour pressure of the working fluid (28) for cooling that acts on the mounting plate (16A) and also the vacuum condition or reduced-pressure condition close to vacuum when the working fluid (28) for cooling is introduced, without deformation of the mounting plate (16A). Consequently, the rigidity of the mounting plate (16A) is secured by the wall (1622), so the wall (1620) constituting the bottom face (1610A) of the recess (1610) can be made thin, which is extremely advantageous for efficient cooling of the LED element (14), by efficient conduction of the heat generated from the LED element (14) to the working fluid (28) for cooling.
Patent WO-2013061510-A1 (WO)
Title: Battery module and battery unit
Inventor: KUSABA KOSUKE
IPC: H01M50/51
Filed: 2012-09-25
Abstract: Provided is a simple method for sealing a battery element.
A battery module (10) houses a battery element (20) by assembling the battery element (20) in a frame of an insulating intermediate frame body (50), and surrounding the battery element (20) by means of the positive electrode-side plate (32) and a negative electrode-side plate (34) with the intermediate frame body (50) therebetween. Then, in the battery module (10), outer circumferential plate end portions (32a, 34a) of the positive electrode-side plate (32) and the negative electrode-side plate (34) are covered in a frame shape with an insulating outer circumferential end frame body (40) to the plate outer circumferences, including the outer circumferential end surfaces of both the plates and an outer circumferential end surface of the intermediate frame body (50).
Patent WO-2013099232-A1 (WO)
Title: Seal structure for cooler device and cooler device provided therewith
Inventor: BANDO HIROSHI
IPC: C04B7/47
Filed: 2012-12-26
Abstract: A seal structure (1) for a cooler device (2) that: moves cooling-unit banks (13), which are lined up in a perpendicular direction with side walls (21a, 21b) thereof facing each other, so as to convey cement clinker placed on top of said cooling-unit banks (13); and supplies a cooling fluid to the cement clinker from beneath the cooling-unit banks (13). The seal structure (1) is provided with a cover (31) and a seal member (32). The cover (31) is attached to a left side wall (21a) and surrounds the following: the top surface of the right side wall (21b) of another cooling-unit bank (13), said right side wall being opposite the aforementioned left side wall (21a); and both of said side walls. The cover (31) covers a gap (29) between said side walls (21a, 21b) from above. A labyrinth (36) that connects to said gap (29) and a dead-layer (40) side is formed between the cover (31) and the right side wall (21b). The seal member (32) is provided in said labyrinth (36) so as to seal the space between the cover (31) and the right side wall (21b).
Patent WO-2013118233-A1 (WO)
Title: Thin film semiconductor device manufacturing method and thin film semiconductor device
Inventor: KANEGAE ARINOBU
IPC: H01L21/205
Filed: 2012-12-28
Abstract: This thin film semiconductor device (100) has two thin film transistors (100a and 100b), and each of the two thin film transistors (100a and 100b) is provided with gate electrode (111a and 111b), a gate insulation layer (112), a semiconductor film (113a and 113b), a channel protective layer (115a and 115b), an intrinsic semiconductor layer (114a and 114b), a contact layer (116a and 116b, 117b and 117c) formed contacting a portion of the lateral surface of the channel region, a source electrode (120a and 120c) formed on the contact layer (116a and 117b), and a drain electrode (120b and 120d) formed on the contact layer (116b and 117c) and opposite of the source electrode, wherein the conductivity types of the one contact layer (116a and 116b) and the other contact layer (117b and 117c) have mutually opposite polarity.
Patent WO-2012111397-A1 (WO)
Title: Internal wiring structure of semiconductor device
Inventor: FUKUDA KYOHEI
IPC: H02M7/48
Filed: 2012-01-25
Abstract: Provided is an internal wiring structure of a power semiconductor device, in which two wiring conductors having the same direction of current flow are arranged facing each other and the mutual inductance between these wiring conductors can be reduced and the heat dispersal effect can be increased. Two wiring conductors (4a, 4b) are formed with notches (7a, 7b) provided in each of two flat plates (1a, 1b) in an alternating manner from side walls (2a, 3a, 2b, 3b) of the flat plates (1a, 1b). Mutual inductance (M) can be reduced by arranging the two wiring conductors (4a, 4b) in parallel and facing each other in such a way that currents (I1, I2) which flow along the notches (7a, 7b) flow in mutually opposite directions. Also, heat dispersion can be improved since the areas of the planes of the wiring conductors (4a, 4b) that are formed with notches (7a, 7b) are large.
Patent WO-2012124385-A1 (WO)
Title: 制御弁
Inventor: FUJIWARA TAKESHI
IPC: F16K3/24
Filed: 2012-01-27
Abstract: 第１，第２パイロット室のパイロット圧を他の機器の信号圧として導く信号圧通路と、スプールが中立位置にあるときに第１，第２パイロット室と信号圧通路とを連通する第１，第２連通溝と、を備える制御弁であって、第１パイロット室にパイロット圧が導かれスプールが移動すると、第１連通溝は第１パイロット室と信号圧通路とを連通する一方、第２連通溝は信号圧通路と離隔して第２パイロット室と信号圧通路との連通を遮断し、第２パイロット室にパイロット圧が導かれスプールが移動すると、第２連通溝は第２パイロット室と信号圧通路とを連通する一方、第１連通溝は信号圧通路と離隔して第１パイロット室と信号圧通路との連通を遮断する。
Patent WO-2013111344-A1 (WO)
Title: Power receiving apparatus, power transmitting system, and power transmitting method
Inventor: UCHIDA AKIYOSHI
IPC: H02J17/00
Filed: 2012-01-27
Abstract: A power receiving apparatus is characterized in being provided with: a plurality of resonance coils; a power receiving circuit; and single wiring, which is led out from a first end of the power receiving circuit and is connected to a second end thereof, and which forms one coil or a plurality of coils connected in series. The power receiving apparatus is also characterized in that the one coil or the coils connected in series, and the resonance coils are disposed such that the one coil or the coils connected in series, and the resonance coils can be magnetically coupled to each other.
Patent WO-2012111510-A1 (WO)
Title: 位置検出装置
Inventor: IENAGA HIROFUMI
IPC: G01B11/00
Filed: 2012-02-08
Abstract: 本発明に係る位置検出装置（１）は、測定面と交差する方向の高さを有する基準ボルト（Ｂ）の頭部（Ｂｔ）に直線光を照射し、その反射光を用いて基準ボルト（Ｂ）の頭部（Ｂｔ）までの距離を測定する光学センサ（２）と、直線光を照射方向と交差する２つの方向へ移動させる回転支軸（３）と、光学センサ（２）により所定の値の距離が測定された時点の回転支軸（３）の移動位置を検出する位置センサと、この位置センサから得られた複数の位置データから２つの移動方向により規定される平面において、基準ボルト（Ｂ）の略中心にあるボルト穴（Ｐｂ）の中心の座標を演算する演算部と、を有する。
Patent WO-2012111639-A1 (WO)
Title: Inter-module communication device
Inventor: KURODA TADAHIRO
IPC: H04B5/02
Filed: 2012-02-14
Abstract: The present invention relates to an inter-module communication device, whereby reflections are greatly reduced and speed and bandwidth of communications channels are increased even beyond inductive coupling. When layering modules comprising signal lines and feedback signal lines which are terminated with terminal members and coupling between the signal lines and the feedback signal lines using capacitive coupling and inductive coupling, the impedance of the terminal members is treated as coupling impedance which reflects the proximity effect when the modules are in a coupled state.
Patent WO-2013077005-A1 (WO)
Title: Dressing method for drum-shaped gear-like grindstone, and disk dresser
Inventor: YANASE YOSHIKOTO
IPC: B24B53/075
Filed: 2012-02-20
Abstract: The purpose of the present invention is to provide a disk dresser and a dressing method for a drum-shaped gear-like grindstone that enables high-precision dressing of a drum-shaped gear-like grindstone and enables the shape of the cutting teeth of the gear-like grindstone to be changed without changing the shape of the cutting teeth of the disk dresser. In order to achieve the foregoing, in a dressing method in which a drum-shaped gear-like grindstone (12) that grinds a workpiece (W) is brought into linear contact with the workpiece (W) so as to link with the contours of the tooth right angle cross-section orthogonal to the twist direction of the workpiece teeth (Wa), and the gear-like grindstone (12) and a disk dresser (14), in an engaged state, are caused to rotate synchronously, thereby causing the drum-shaped gear-like grindstone (12) to be dressed by the disk dresser (14), the disk dresser (14) blade shape is made to match the tooth right angle cross-section shape of the teeth (Wa) of the ground workpiece (W), the gear-like grindstone (12) and the disk dresser (14) are caused to move and revolve in accordance with the drum shape and the angle of twist of the gear-like grindstone (12).
Patent WO-2012147403-A1 (WO)
Title: 細胞解析方法、細胞解析装置、および細胞解析プログラム
Inventor: SUGIYAMA NORIKAZU
IPC: G01N21/17
Filed: 2012-02-23
Abstract: 多数の細胞から構成される細胞コロニーの光路長画像を用いて、細胞コロニーの解析を行う細胞解析装置Ｄにおける細胞解析方法であって、細胞解析装置Ｄの取得部Ｄ１が、細胞コロニーの光路長画像を取得するステップと、細胞解析装置Ｄの抽出部Ｄ２が、当該取得した光路長画像中において、細胞の細胞核に対応する円形形状を抽出するステップと、細胞解析装置Ｄの比較部Ｄ３が、当該抽出した円形形状に対し、その内側の光路長および外側の光路長を比較するステップと、細胞解析装置Ｄの解析部Ｄ４が、当該比較結果に基づき、細胞コロニーの解析を行うステップと、を備える。
Patent WO-2012115269-A1 (WO)
Inventor: KITADA MASANOBU
IPC: H01L27/12
Filed: 2012-02-27
Abstract: L'invention vise à fournir un substrat composite ayant un substrat de silicium avec une cristallinité excellente ; un procédé de fabrication pour le substrat composite ; et un procédé de fabrication pour un composant électronique utilisant le substrat composite. A cet effet, l'invention porte sur un substrat composite (1) dans lequel : un substrat de support (10) ayant des propriétés d'isolation électrique et un substrat de silicium (20) chevauchant le substrat de support sont liés. Un substrat semi-conducteur (20) dans ce substrat composite (1) comprend une pluralité de premières régions (20x) ayant des sections de fonction élémentaires fonctionnant en tant qu'éléments semi-conducteurs formés dans celles-ci et une seconde région (20y) positionnée entre ces premières régions (20x). Un corps amorphe (22) de silicium et de métal est disposé dans la seconde région (20y) du substrat semi-conducteur (20) dans ce substrat composite (1).
Patent WO-2012147427-A1 (WO)
Title: Photovoltaic converter
Inventor: KUBO SHINTARO
IPC: H01L31/04
Filed: 2012-03-15
Abstract: The purpose of the present invention is to improve the photovoltaic conversion efficiency of a photovoltaic converter. This photovoltaic converter (11) uses, as a light absorbing layer (3), a polycrystalline semiconductor layer obtained by combining a plurality of semiconductor particles (3a), wherein: the semiconductor particles (3a) contain a I-III-VI group compound; and the composition ratio (P I ) of the I-B group element relative to the III-B group element is higher on the surface than in the center.
Patent WO-2012133427-A1 (WO)
Inventor: OSHIMA HIROYUKI
IPC: G03B13/36
Filed: 2012-03-27
Abstract: Un dispositif de capture d'images comprend un élément de capture d'images à semi-conducteurs doté de pixels de détection de mise au point (pixels de détection de déphasage) sur une surface de réception de lumière. Lorsque de la poussière est présente sur la surface de réception de lumière, une quantité de déphasage dans une région présentant de la poussière est déterminée à partir des signaux de détection des pixels de détection de déphasage, la fiabilité de la quantité de déphasage est établie, et, lorsque la fiabilité est élevée, une commande AF de déphasage est réalisée à l'aide de la quantité de déphasage déterminée dans la région présentant de la poussière.
Patent WO-2012160907-A1 (WO)
Title: 密閉型電池
Inventor: KUSAMA KAZUYUKI
IPC: H01M50/553
Filed: 2012-04-17
Abstract: 密閉型電池（１００）は、電池ケース（１１０）の貫通孔（１１３ｅ）を外部から気密に封止する封止部材（１７０）を備える。この封止部材（１７０）は、外部から電池ケース（１１０）に固着された被覆部（１７１）と、貫通孔（１１３ｅ）内に挿入された挿入部（１７３）と、電池ケース（１１０）の孔周囲部（１１３ｆ３）に気密に圧接した環状圧接部（１７５）と、挿入部（１７３）と環状圧接部（１７５）との間にこれらと一体となって介在する介在部（１７７）とを有する。介在部（１７７）には、挿入部（１７３）の周囲を囲む環状の介在部凹溝（１７７ｖ）が設けられている。
Patent WO-2012172938-A1 (WO)
Title: 電子デバイスの検査方法及び電子デバイス検査装置
Inventor: ARITA HIROAKI
IPC: G01R31/01
Filed: 2012-05-23
Abstract: 電子デバイスの検査方法において、電子デバイスを連続して搬送させつつ、当該電子デバイスに対して通電する通電手段を用いて通電することにより電気特性検査を行う。
Patent WO-2012161249-A1 (WO)
Title: プリント配線基板、および、プリント配線基板を選択する方法
Inventor: OGIKUBO SHINYA
IPC: H05K3/28
Filed: 2012-05-24
Abstract: 本発明は、銅配線間の絶縁信頼性に優れたプリント配線基板を提供することを目的とする。本発明のプリント配線基板は、基板および基板上に配置される銅配線を有する銅配線付き基板と、銅配線を覆う窒素含有有機化合物を含有する銅イオン拡散抑制層とを有するプリント配線基板であって、窒素含有有機化合物の付着量が５．０×１０ -9 ～１．０×１０ -6 ｇ／ｍｍ 2 であり、かつ、１．８質量％の硫酸と１２質量％のペルオキソニ硫酸ナトリウムとを含むエッチング水溶液中に浸漬させた時の銅配線のエッチングレート（Ｂμｍ／分）と、銅イオン拡散抑制層を有しない銅配線付き基板をエッチング水溶液中に浸漬させた時の銅配線のエッチングレート（Ａμｍ／分）と比（Ｂ／Ａ）が１．２０未満である。
Patent WO-2012169431-A1 (WO)
Title: 文章抽出装置およびプログラム
Inventor: SHINOZAKI MASAHISA
IPC: G06F17/21
Filed: 2012-05-31
Abstract: 実施形態に係る文章抽出装置は、入力手段、作成手段、算出手段、特定手段、抽出手段及び出力手段を具備する。入力手段は、文字列から構成される複数の文を含む文書を入力する。作成手段は、入力された文書に含まれる複数の文のうちの２つの文毎に、当該２つの文を第１および第２の文として含む文ペアを作成する。算出手段は、作成された文ペアの各々に含まれる第１および第２の文間の類似度を、当該第１および第２の文を構成する文字列に基づいて算出する。特定手段は、算出された類似度が予め定められた値より高い第１および第２の文を含む複数の文ペアを特定する。抽出手段は、特定された複数の文ペアの各々に含まれる第１および第２の文の前記入力された文書における位置に基づいて文の集合を当該文書から抽出する。出力手段は、抽出された文の集合を出力する。
Patent WO-2013046810-A1 (WO)
Title: Weight management device
Inventor: SHIMIZU SATOE
IPC: G16H20/00
Filed: 2012-06-08
Abstract: A weight management device is provided with: a weight acquisition unit (62) for acquiring a set of weight data including a weight measurement value of a subject to be measured at a predetermined time in the day from when the subject awakes to when the subject sleeps, and a measurement date and time of the measurement value; a weight storage unit (64) for storing the weight data acquired by means of the weight acquisition unit into a memory; a representative weight calculation unit (66) for calculating a representative weight value from among the weight measurement values of the weight during a predetermined period and stored in the memory; and a target calculation unit (68) for calculating a target value to function as the target when measuring the weight value at the predetermined time from the calculated representative weight value, a daily target weight loss value, and a measurement value functioning as the factor for the weight fluctuation.
Patent WO-2012169612-A1 (WO)
Title: 放射状酸化亜鉛粒子、その製造方法、放熱性フィラー及び化粧料
Inventor: SUEDA SATORU
IPC: C09D7/61
Filed: 2012-06-08
Abstract: 【課題】短時間かつ少ない工程で安価な材料のみを使用して効率よく放射状酸化亜鉛粒子を製造する方法、そのような方法によって製造された放射状酸化亜鉛粒子及びそのような放射状酸化亜鉛粒子からなる放熱性フィラー、化粧料を提供する。 【解決手段】粒子の中心に位置する六角柱部分とその周りに放射状に成長した部分とで構成された放射状酸化亜鉛粒子。
Patent WO-2013038766-A1 (WO)
Title: セントラル浄水装置および浄水システム
Inventor: TAKAGI TOSHIO
IPC: E03C1/046
Filed: 2012-06-21
Abstract: 水道水から不純物を除去することができ、かつ、使用者が用いる浄水使用器具までの間の浄水の水質を維持することができるセントラル浄水装置、およびこれを用いた浄水システムを提供する。　一または複数の建物１への水道水の入口に配されて、導入した水道水を浄化して複数の浄水使用器具へ供給するセントラル浄水装置２であって、浄化材を通過させて、上記水道水から残留塩素および他の不純物を除去し、次いでこの浄水に塩素を添加するセントラル浄水装置２。また、このセントラル浄水装置２と、浄水使用器具３に配されて、二次浄化材を通過させて上記セントラル浄水装置２より供給された浄水から塩素を除去する二次浄水装置とを備えた浄水システム。
Patent WO-2014006720-A1 (WO)
Title: エレベータ装置
Inventor: OKADA MINEO
IPC: B66B5/02
Filed: 2012-07-05
Abstract: エレベータ装置において、かごドア開放検出器(25)により、かごドア(21)の開放が検出され、複数の乗場ドア開放検出器(24a)‐(24d)により乗場ドア(23a)‐(23d)の開放が検出される。また、複数のかご下降検出器(28a)‐(28d)により、かご(9)が乗場階の着床位置から所定の距離以上下降したことが検出される。かご調速機(16)は、かご調速機ロープ(17)を介してかご非常止め装置(15)に接続されている。かご調速機(16)には、かごドア開放検出器(25)、乗場ドア開放検出器(24a)‐(24d)、及びかご下降検出器(28a)‐(28d)の検出状態に応じて、かご調速機(16)により、かご調速機ロープを把持させるかご調速機作動アクチュエータ(52)が設けられている。
Patent WO-2013011911-A1 (WO)
Title: 素子基板の製造方法
Inventor: YAMADA TAKAHARU
IPC: G09F9/30
Filed: 2012-07-12
Abstract: 本発明に係るアレイ基板２０の製造方法は、ガラス基板ＧＳ上に、ガラス基板ＧＳにおける第１領域Ａ１と、第１領域Ａ１の外側に隣り合う第２領域Ａ２とに跨る形で複数のソース配線２７を形成し、第２領域Ａ２と、第１領域Ａ１の外側に隣り合い且つ第２領域Ａ２に隣り合う第３領域Ａ３とに跨る形で複数の第１ソースドライバ側検査配線４５Ａを形成し、第２領域Ａ２に、ソース配線２７と第１ソースドライバ側検査配線４５Ａとを接続する複数の第１配線接続部４９を形成し、第１領域Ａ１と第３領域Ａ３とに跨る形で容量配線幹４３及び共通配線４４を形成し、第３領域Ａ３に第２ソースドライバ側検査配線４５Ｂ、容量配線幹４３及び共通配線４４と第２ソースドライバ側検査配線４５Ｂとを接続する第２配線接続部５０をそれぞれ形成する、配線形成工程を行う。
Patent WO-2014013578-A1 (WO)
Title: Position estimation method, system, and position estimation device
Inventor: TERANISHI YUTA
IPC: G01S5/14
Filed: 2012-07-18
Abstract: A position estimation device (100), with regard to each parent apparatus (102), acquires a number of hops, from object sensor nodes (101) to a parent apparatus (102), which is based on a communication result. The position estimation device (100), for each of the parent apparatuses (102), on the basis of the acquired number of hops and a distribution of estimated distances within a storage device (110), calculates a distribution of the estimated distances for which communication with the parent apparatus (102) corresponds to the acquired number of hops. The position estimation device (100), for each of the parent apparatuses (102), calculates a distribution of the estimated positions within a predetermined area (A) on the basis of the distribution of the estimated distances, information representing the range of the predetermined area (A), and positional information of the parent apparatuses (102). The position estimation device (100), on the basis of the sum of distributions of the estimated positions for each of the parent apparatuses (102), for each of the positions within the predetermined area (A), calculates an index indicating the likelihood of being in a position of an object sensor node (101) and derives an estimated position of the object sensor node (101).
Patent WO-2013031420-A1 (WO)
Inventor: HIWATARI HARUNAGA
IPC: G09C1/00
Filed: 2012-07-20
Abstract: 環Ｋ上で定義され、２次形式で表現される２次多変数多項式の組Ｆ＝（ｆ １ ，…，ｆ ｍ ）及び署名鍵ｓ∈Ｋ ｎ を用いて文書Ｍに対する電子署名を生成する署名生成部と、前記２次多変数多項式の組Ｆ及びベクトルｙ＝（ｆ １ （ｓ），…，ｆ ｍ （ｓ））を保持する検証者へと前記電子署名を提供する署名提供部と、を備え、前記署名生成部は、前記電子署名を生成する過程で実行する、Ｇ（ｘ １ ，ｘ ２ ）＝Ｆ（ｘ １ ＋ｘ ２ ）－Ｆ（ｘ １ ）－Ｆ（ｘ ２ ）で定義される関数Ｇ＝（ｇ １ ，…，ｇ ｍ ）の計算を式ｇ ｌ （ｘ １ ，ｘ ２ ）＝ｘ １ 
 Ｔ Ａ ｌ ｘ ２ ＋ｘ ２ 
 Ｔ Ａ ｌ ｘ １ （ｌ＝１～ｍ；Ａ ｌ は、ｎ×ｎの係数行列）に基づいて実行する、署名生成装置が提供される。
Patent WO-2013021876-A1 (WO)
Title: 位置検出装置
Inventor: KIRIHARA AKIHIRO
IPC: G01B7/00
Filed: 2012-07-25
Abstract: 位置検出装置は、磁化を有する磁性体層と、スピン軌道相互作用を有する材料を含む導電膜と、位置情報入力部と、を含む。位置情報入力部は、磁性体層中の温度を変調し、スピンゼーベック効果を誘起することで、前記導電膜中に局所的に電場を発生させ、それに伴う電位変化から温度変調の位置を検出する。
Patent WO-2014024281-A1 (WO)
Title: 電子機器、表示制御方法及びプログラム
Inventor: SHIBUYA SATOSHI
IPC: G06F3/0482
Filed: 2012-08-08
Abstract: リンクが誤選択された場合の操作の煩雑さを軽減する。　互いに異なる画面に対応する複数のリンクを含む画面が表示部に表示されている状態で、画面の何れかのリンクがタッチされて選択された(100が肯定)場合に、タッチ中心位置を検出し(102)、タッチ中心位置及び周辺のリンクを含む画像を記録し(108)、周辺のリンクの情報を記録(110)した後に、タッチ中心位置のリンクに接続し(114)、「戻る」ボタンが一定時間以上タッチされた(124が肯定)場合に、タッチ中心位置の周辺のリンクが１個のときには当該リンクに接続し(130)、タッチ中心位置の周辺のリンクが複数のときには、タッチ中心位置及び周辺のリンクを含みリンク情報を埋め込んだ画像を拡大表示し、拡大表示した画像上でタッチされたリンクへ接続する(132,134)。
Patent WO-2013047246-A1 (WO)
Title: GLASS SUBSTRATE FOR CdTe SOLAR CELLS, AND SOLAR CELL USING SAME
Inventor: HANAWA YU
IPC: C03C3/087
Filed: 2012-09-14
Abstract: Provided are: a glass substrate for CdTe solar cells, which has a good balance among high transmittance, high glass transition temperature, a specific average thermal expansion coefficient, high glass strength, low glass density, solubility during the production of plate glass, moldability and devitrification prevention characteristics; and a solar cell using the glass substrate for CdTe solar cells. The present invention relates to a glass substrate for CdTe solar cells, which contains, in molar percentage based on oxides below, 60-75% of SiO 2 , 1-7.5% of Al 2 O 3 , 0-1% of B 2 O 3 , 8.5-12.5% of MgO, 1-6.5% of CaO, 0-3% of SrO, 0-3% of BaO, 0-3% of ZrO 2 , 1-8% of Na 2 O and 2-12% of K 2 O, with MgO + CaO + SrO + BaO being 10-24%, Na 2 O + K 2 O being 5-15%, MgO/Al 2 O 3  being 1.3 or more, (2Na 2 O + K 2 O + SrO + BaO)/(Al 2 O 3  + ZrO 2 ) being 3.3 or less, Na 2 O/K 2 O being 0.2-2.0, Al 2 O 3  ≥ -0.94MgO + 11 and CaO ≥ -0.48 MgO + 6.5. This glass substrate for CdTe solar cells has a glass transition temperature of 640°C or more, an average thermal expansion coefficient of from 70 × 10 -7 /°C to 90 × 10 -7 /°C over the range of 50-350°C, a temperature (T 4 ) at which the viscosity is 10 4  dPa∙s of 1,230°C or less, a temperature (T 2 ) at which the viscosity is 10 2  dPa∙s of 1,650°C or less, and a density of 2.7 g/cm 3  or less, with the relation of the temperature (T 4 ) and the devitrification temperature (T L ) satisfying T 4  - T L  ≥ -30°C.