Patent DE-102012104376-B4 (DE)
Title: Halbleitermodul und Antriebsvorrichtung, die ein Halbeitermodul aufweist
Inventor: MASUZAWA TAKASHI
IPC: H02M1/00
Filed: 2012-05-22
Granted: 2019-11-14
Abstract: Halbleitermodul (60a, 60b), das Folgendes aufweist:
 eine Mehrzahl von Schaltelementen (81-86), welche einen Inverter bilden, welcher einen Gleichstrom in einen Wechselstrom umwandelt, wobei die Mehrzahl von Schaltelementen (81-86) ein hochpotentialseitiges Schaltelement (81, 82, 83) und ein niederpotentialseitiges Schaltelement (84, 85, 86) aufweisen, wobei das hochpotentialseitige Schaltelement (81, 82, 83) mit einer Seite höheren Potentials gekoppelt ist als das niederpotentialseitige Schaltelement (84, 85, 86);
 einen hochpotentialseitigen Leiter (552, 555, 558), an welchem das hochpotentialseitige Schaltelement (81, 82, 83) angebracht ist, wobei der hochpotentialseitige Leiter (552, 555, 558) sich in einer ersten Richtung erstreckt und einen hochpotentialseitigen Anschluss (652, 655, 658) aufweist, welcher mit einer Hochpotentialquelle (75) gekoppelt ist, wobei der hochpotentialseitige Leiter (552, 555, 558) mit einer Drain oder einer Drain-äquivalenten Elektrode des hochpotentialseitigen Schaltelements (81, 82, 83) gekoppelt ist;
 einen lastseitigen Leiter (551, 554, 557), an welchem das niederpotentialseitige Schaltelement (84, 85, 86) angebracht ist, wobei der lastseitige Leiter (551, 554, 557) einen lastseitigen Anschluss (651, 654, 657) aufweist, welcher mit einer Last (2) gekoppelt ist, wobei der lastseitige Leiter (551, 554, 557) mit einer Drain oder einer Drain-äquivalenten Elektrode des niederpotentialseitigen Schaltelements (84, 85, 86) gekoppelt ist;
 einen niederpotentialseitigen Leiter (553, 556, 559), welcher sich in der ersten Richtung erstreckt und einen niederpotentialseitigen Anschluss (653, 656, 659) aufweist, welcher mit einer Niederpotentialquelle gekoppelt ist;
 einen ersten Verbindungsleiter (903-905), welcher eine Source oder eine Source-äquivalente Elektrode des hochpotentialseitigen Schaltelements (81, 82, 83) und den lastseitigen Leiter (551, 554, 557) koppelt;
 einen zweiten Verbindungsleiter (991-993), welcher eine Source oder eine Source-äquivalente Elektrode des niederpotentialseitigen Schaltelements (84, 85, 86) und den niederpotentialseitigen Leiter (553, 556, 559) koppelt;
 ein eingegossenes Bauteil (61), welches integral das hochpotentialseitige Schaltelement (81, 82, 83), das niederpotentialseitige Schaltelement (84, 85, 86), den hochpotentialseitigen Leiter (552, 555, 558) , den lastseitigen Leiter (551, 554, 557), den niederpotentialseitigen Leiter (553, 556, 559), den ersten Verbindungsleiter (903-905) und den zweiten Verbindungsleiter (991-993) bedeckt,
 wobei der hochpotentialseitige Leiter (552, 555, 558) weiterhin eine breite Sektion (56) aufweist, an welcher das hochpotentialseitige Schaltelement (81, 82, 83) angebracht ist, und eine schmale Sektion (57), welche sich von der breiten Sektion (56) zu dem hochpotentialseitigen Anschluss (652, 655, 658) in der ersten Richtung erstreckt,
 wobei die breite Sektion (56) breiter als die schmale Sektion (57) in einer zweiten Richtung rechtwinklig zu der ersten Richtung ist,
 wobei der breite Abschnitt (56) eine erste Seite und eine zweite Seite gegenüber der ersten Seite in der zweiten Richtung hat,
 wobei ein Abstand zwischen der ersten Seite der breiten Sektion (56) und dem niederpotentialseitigen Leiter (553, 556, 559) kürzer ist als ein Abstand zwischen der zweiten Seite der breiten Sektion (56), und dem niederpotentialseitigen Leiter (553, 556, 559), und
 wobei die schmale Sektion (57) sich von einem Abschnitt der breiten Sektion (56) näher zu der ersten Seite als zu der zweiten Seite erstreckt,
 wobei die schmale Sektion (57) des hochpotentialseitigen Leiters (552, 555, 558) unmittelbar benachbart zu dem niederpotentialseitigen Leiter (553, 556, 559) angeordnet ist.