baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent ES-2068571-T5 (ES)
Title: Medios de control de valvula.
Inventor: DOPSON CLIVE
IPC: F01L1/25
Filed: 1991-02-15
Granted: 1998-09-16
Abstract: LA INVENCION SE REFIERE A ELEMENTOS DE CONTROL DE VALVULA PARA UN MOTOR DE COMBUSTION INTERNA. CON REFERENCIA A LA FIGURA 1 DE LAS ILUSTRACIONES, EL ELEMENTO DE CONTROL DE LA VALVULA CONSTA DE UNA VALVULA (10), UNA LEVA QUE COMPRENDE UN ARBOL DE LEVAS (30) QUE TIENE UN PRIMER ELEMENTO DE LEVA (23) Y UN SEGUNDO ELEMENTO DE LEVA (26) QUE TIENE UN PERFIL DIFERENTE AL PRIMER ELEMENTO DE LEVA (23) Y MEDIOS (18) PARA LA TRANSMISION DE MOVIMIENTO RECIPROCO A LA VALVULA (10) DESDE LA LEVA (23 O 26). EL ELEMENTO (18) DE TRANSMISION DE MOVIMIENTO RECIPROCO COMPRENDE UN PRIMER ELEMENTO SEGUIDOR DE LEVA (20) ACOPLADO A LA VALVULA (10) Y UN SEGUNDO ELEMENTO SEGUIDOR DE LEVA (21) QUE SE PUEDE MOVER CON RELACION AL PRIMER ELEMENTO SEGUIDOR DE LEVA (20), Y ELEMENTOS DE BLOQUEO (27) PARA PERMITIR QUE LOS ELEMENTOS SEGUIDORES (20 Y 21) ESTEN ENLAZADOS PARA QUE SE MUEVAN A LA VEZ. CUANDO LOS ELEMENTOS SEGUIDORES (20 Y 21) NO ESTAN ENLAZADOS, LA VALVULA (10) ES CONTROLADA POR EL PRIMER ELEMENTO SEGUIDOR DE LEVA (20) ACOPLADA A ESTA Y SIGUIENDO EL PERFIL DEL PRIMER ELEMENTO DE LEVA (23) Y CUANDO LOS ELEMENTOS SEGUIDORES (20 Y 23) ESTAN ENLAZADOS A LA VALVULA (10) ES CONTROLADA POR EL SEGUNDO ELEMENTO SEGUIDOR DE LEVA (21) ACOPLADO AL MISMO Y SIGUIENDO EL PERFIL DEL SEGUNDO ELEMENTO DE LEVA (26).
Patent ES-2173235-T5 (ES)
Inventor: LEY GREGOR DR
IPC: C08L57/00
Filed: 1996-10-25
Granted: 2006-06-16
Abstract: Aqueous polymer dispersions (I) containing a radically polymerised polymer (II) with a minimum film-forming temperature (MFT) of 15-50 degrees C, derived from (a) 11-35 wt% ethylenic comonomer with at least one hydroxy group, (b) 89-50 wt% principal monomers selected from 1-20C alkyl (meth)acrylates, up to 20C vinyl- aromatic compounds and vinyl esters of 1-20C carboxylic acids, and (c) 0-30 wt% other comonomers. Also claimed are (i) coating materials (III) containing (I), and (ii) coatings obtained from (III).
Patent ES-2162299-T5 (ES)
Title: Mezclas que contienen monomeros y estabilizantes.
Inventor: SUTORIS HEINZ FRIEDRICH
IPC: C07B63/04
Filed: 1997-05-28
Granted: 2010-09-13
Abstract: MEZCLAS QUE CONTIENEN (A) MONOMEROS QUE LLEVAN GRUPOS VINILO, (B) UNA CANTIDAD EFECTIVA DE UNA MEZCLA QUE INHIBE LA POLIMERIZACION PREMATURA DE LOS MONOMEROS QUE LLEVAN LOS GRUPOS VINILO DURANTE SU PURIFICACION O DESTILACION, CONTENIENDO (I) 0,05 A 4,5 % EN PESO CON RELACION A LA MEZCLA TOTAL (B), DE AL MENOS UN COMPUESTO DE N - OXILO DE UNA AMINA SECUNDARIA, QUE NO LLEVA ATOMOS DE HIDROGENO EN LOS ATOMOS AL DE C, ASI COMO (II) DE 99,95 HASTA 95,5 % EN PESO, EN RELACION A LA MEZCLA TOTAL (B) DE AL MENOS UN COMPUESTO NITRO. PROCEDIMIENTO PARA LA INHIBICION DE LA POLIMERIZACION PREMATURA DE MONOMEROS ASI COMO LA UTILIZACION DE LA MEZCLA (B) PARA INHIBIR LA POLIMERIZACION PREMATURA DE MONOMEROS.
Patent DE-112004001979-T5 (DE)
Title: System zur Steuerung der elektrischen Leistung für ein Hybridfahrzeug
Inventor: GORO TAMAI
IPC: B60L50/15
Filed: 2004-10-19
Abstract: Steuerungssystem
für einen
Fahrzeugantriebsstrang, umfassend:  ein Elektromotor-Antriebssystem;  eine
erste Batterie, die mit dem Elektromotor-Antriebssystem gekoppelt
ist;  einen elektronisch gesteuerten Schalter, der mit der ersten Batterie
gekoppelt ist;  eine zweite Batterie, die mit dem elektronisch
gesteuerten Schalter gekoppelt ist;  wobei der elektronisch
gesteuerte Schalter Leistung von der zweiten Batterie anlegt, um
die erste Batterie zu ergänzen.
Patent DE-112005002361-T5 (DE)
Title: Gerät zur Erfassung eines elektrischen Verlusts und Verfahren zur Erfassung eines elektrischen Verlusts für eine Brennstoffzelle
Inventor: YOKOYAMA TATSUAKI
IPC: H01M8/04
Filed: 2005-09-27
Abstract: Gerät
zur Erfassung eines elektrischen Verlusts für eine Brennstoffzelle
mit  einer Spannungserfassungseinrichtung, die eine an einem in
einer Brennstoffzelle fließenden Kühlmittel angelegte Spannung
erfasst,  einem Abschnitt zur Bestimmung eines elektrischen
Verlusts, der bestimmt, dass ein elektrischer Verlust aufgetreten
ist, wenn die durch die Spannungserfassungseinrichtung erfasste
Spannung gleich oder größer als ein Spannungsschwellwert
ist,  einer Widerstandswerterfassungseinrichtung, die einen
Widerstandswert des Kühlmittels in der Brennstoffzelle
erfasst, und  einem Korrekturabschnitt, der den Spannungsschwellwert derart
korrigiert, dass der Spannungsschwellwert mit einer Erhöhung
des von der Widerstandswerterfassungseinrichtung erfassten Widerstandswerts
erhöht wird.
Patent DE-112005002468-T5 (DE)
Title: Anzeigevorrichtung
Inventor: SAITOU YASUO
IPC: H04B1/38
Filed: 2005-09-02
Abstract: Anzeigegerät,
das eine Anzeigevorrichtung und eine drahtlose Sende-/Empfangs-Vorrichtung aufweist,
wobei das Anzeigegerät weiterhin eine Antennenvorrichtung
aufweist, die auf dem Rand der Anzeigeoberfläche der Anzeigevorrichtung
angeordnet ist, so dass die Antennenvorrichtung schwebend gegenüber
der Anzeigeoberfläche angeordnet ist, und die Zentrumsachse
des Richtungsmusters der Antennenvorrichtung in Vertikalrichtung in
Bezug auf die Anzeigeoberfläche angeordnet ist.
Patent DE-112006000157-T5 (DE)
Title: Verfahren und Vorrichtung zum Schaffen einer zu einem drahtlosen Mesh-Netzwerk gehörigen transparenten Brücke
Inventor: YARVIS MARK
IPC: H04L12/46
Filed: 2006-01-05
Abstract: Verfahren,
gekennzeichnet durch:  – Identifizieren
von Brückeninformation,
die zu einem Ziel eines Paketes an einem Portalknoten gehört, wobei
der Portalknoten einer einer Vielzahl von Mesh-Knoten ist, die zu
einem drahtlosen Mash-Netzwerk gehören, und kommunikatives Verbinden
des drahtlosen Mesh-Netzwerks mit einem oder mehreren Kommunikationsnetzwerken,
und  – Verarbeiten
des Paketes basierend auf Brückeninformation
an einem oder mehreren einer Vielzahl von Mesh-Knoten.
Patent DE-112006003461-T5 (DE)
Title: Verfahren zur Herstellung einer zerlegbaren scheibenförmigen Struktur, insbesondere auf Silizium basierend, und Anwendung des Verfahrens
Inventor: ASPAR BERNARD
IPC: C30B33/02
Filed: 2006-12-27
Abstract: Verfahren
zur Herstellung einer scheibenförmigen Struktur, die mindestens
ein Substrat (3), ein Superstrat (5) und wenigstens eine zwischen
dem Substrat und dem Superstrat eingefügte Zwischenschicht
(4) enthält, dadurch gekennzeichnet, dass zu dem Verfahren
die Schritte gehören:  – Ausbilden wenigstens
einer Zwischenschicht auf einem Substrat, wobei die Zwischenschicht
mindestens ein Basismaterial enthält, in dem als Störstellen
bezeichnete, sich von den Atomen oder Molekülen des Basismaterials
unterscheidende Atome oder Moleküle verteilt sind, um eine Substruktur
(2) zu bilden;  – Anwenden einer Basiswärmebehandlung
auf diese Substruktur (2), so dass die Anwesenheit von ausgewählten Störstellenatomen
oder -molekülen in dem ausgewählten Basismaterial
in dem Temperaturbereich dieser Wärmebehandlung eine strukturelle
Veränderung/Umwandlung der Zwischenschicht hervorruft;
und  – Anbringen eines Substrats (5) an der wärmebehandelten Zwischenschicht
(4), um die scheibenförmige Struktur (1) zu erhalten.
Patent DE-112006003710-T5 (DE)
Title: Verfahren und Vorrichtung zum Anheften und Aufbauen eines Gürtelelements
Inventor: TAKATSUKA TOMOYUKI
IPC: B29D30/30
Filed: 2006-01-30
Abstract: Verfahren
zum Anheften und Aufbauen eines Gürtelelements, bei der
das Gürtelelement, bei dem Verstärkungscordschnüre
aus Metall, die parallel zueinander schräg angeordnet sind,
in einem Kautschukmaterial eingebettet sind, und bei dem mindestens
ein distales Längsende schräg entlang der Richtung
der Cordschnüre abgeschnitten ist, von einem Versorgungsabschnitt,
der einer Gürtelaufbauposition gegenübersteht,
auf eine Aufbautrommel in dieser Gürtelaufbauposition transferiert wird,
wobei ein Versorgungsförderer, der das Gürtelelement
in abgewickeltem Zustand im Versorgungsabschnitt auf sich aufnimmt,
um es zur Aufbauposition zu fördern, und eine Handhabungsvorrichtung
verwendet werden, die über eine Andrückplatte
verfügt, die sich in der Förderrichtung des Versorgungsförderers
erstreckt, wobei ein Zustand vorliegt, in dem das Gürtelelement
an der Unterseite der Andrückplatte der Handhabungsvorrichtung
auf dem Versorgungsförderer gehalten wird und es durch
die Handhabungsvorrichtung einhergehend mit dem Fördervorgang des
Versorgungsförderers an die Aufbautrommel transferiert
wird, wobei es gleichzeitig dadurch angeheftet wird, dass es von
seinem distalen Endabschnitt aus an eine Umfangsfläche
der Aufbautrommel...
Patent DE-112008002501-T5 (DE)
Title: Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung langer, konfektionierter, elektrischer Leitungen
Inventor: BLICKENSTORFER WILLI
IPC: H01R43/28
Filed: 2008-09-24
Abstract: Verfahren zur Herstellung langer, konfektionierter, elektrischer Leitungen in einem CrimpCenter (21),  a) wobei eine Leitung (35) aus einem Vorrat entlang einer Leitungsförderachse (20) in einen Leitungsförderer (3) geführt und dort in eine Transporteinrichtung (4) eingespannt wird, anschließend eine Längenmesseinrichtung (9) passiert, die die geförderte Leitungslänge erfasst und den Leitungsablängprozess mit Hilfe eines Signalgebers, dessen Signale in die Steuerung eines Motors eingespeist werden, regelt und danach am Leitungsanfang (22) von einem ersten Greifer (12) einer ersten Schwenkeinrichtung (14) ergriffen und einer Schneid- und Abisolierstation (11) zugeführt wird, in der nach Festlegung einer Nullschnittposition die Abisolierung des Leitungsanfangs (22) erfolgt und  b) wobei der abisolierte Leitungsanfang (22) anschließend von ersten Bearbeitungsstationen (15) bearbeitet (z. B. mit einer Dichtung und/oder einem ersten Kontaktelement (24) versehen) wird und  c) wobei nach Erreichen einer definierten Kabellänge die Leitung (35) an ihrem Leitungsende (26) in der Schneid- und Abisolierstation (11) abgeschnitten und gegebenenfalls...
Patent DE-112011100810-T5 (DE)
Title: Verfahren und Einrichtung zum Herstellen eines Implantats
Inventor: BELCHER NATHAN E
IPC: G16Z99/00
Filed: 2011-02-28
Abstract: Eine orthopädische Vorrichtung umfasst ein Oberschenkelknochenimplantat (304a), das eine nicht individuell angepasste innere Knochenangreiffläche (300a) aufweist. Das Oberschenkelknochenimplantat weist mindestens neun Parameter auf, die präoperativ eingestellt werden, um einem spezifischen Patienten zu entsprechen. Die Parameter können patientenspezifische Längen, wie zum Beispiel mediale (802) und laterale (804) Kondylusbreiten und eine Kerbenhöhe (806), und patientenspezifische mediale und laterale Winkel (808, 810, 812, 814, 816, 818) aufweisen.
Patent DE-112011101171-T5 (DE)
Title: Verfahren zur Oszillogrammfilterung für Radial-MRI-Daten
Inventor: IDIYATULLIN DJAUDAT S
IPC: G01R33/56
Filed: 2011-03-31
Abstract: Ein System enthält einen Datenempfänger, einen Sinogrammgenerator, einen Prozessor, ein Filtermodul und ein Ausgangsmodul. Der Datenempfänger ist ausgebildet zum Empfangen von radialen/geordneten Magnetresonanzdaten. Der Sinogrammgenerator ist ausgebildet zum Erzeugen eines ersten Sinogramms entsprechend einem Sichtwinkel als eine Funktion einer Ausleserichtung für die Magnetresonanzdaten. Der Prozessor ist ausgebildet zum Erzeugen eines Oszillogramms mit einer Winkelfrequenzachse. Das Oszillogramm entspricht einer Fourier-Transformation des ersten Sinogramms. Das Filtermodul ist ausgebildet zum selektiven Filtern einer Spitze in einer Projektion, die entlang einer Ausgewählten Achse des Oszillogramms gebildet ist, wobei die Spitze auf ein Interferenzsignal wie eine HF-Interferenz bezogen ist. Die ausgewählte Achse ist orthogonal zu der Winkelfrequenzachse. Das Ausgangsmodul ist ausgebildet zum Bilden eines zweiten Sinogramms entsprechend einer Transformation der gefilterten Projektion.
Patent DE-112012000056-T5 (DE)
Title: Gabelstapler und Kriechgangsteuerverfahren eines Gabelstaplers
Inventor: KANEKO SHINJI
IPC: B66F9/22
Filed: 2012-04-26
Abstract: Um einen Gabelstapler bereitzustellen, der in der Lage ist eine Kriechgangsteuerung durchzuführen, die für eine bestimmte Arbeit und einen Fahrvorgang des Gabelstaplers geeignet ist, und ein Kriechgangsteuerverfahren des Gabelstaplers bereitzustellen, berechnet eine Einheit zum Berechnen eines Kriechgangverhältnisses (32) ein Kriechgangverhältnis (I) entsprechend einer Kriechgangbetätigungsgröße (Is), berechnet eine Einheit (34) zum Berechnen einer Sollmaschinendrehzahl eine Sollmaschinendrehzahl (Na) entsprechend einer Beschleunigerbetätigungsgröße (As), setzt eine Modulationssteuerungseinheit eine Zeitkonstante (T) des Kriechgangverhältnisses (I) in Erwiderung auf einen Drehzahlunterschied (ΔN) zwischen der Sollmaschinendrehzahl (Na) und einer tatsächlichen Maschinendrehzahl (Nr) und gibt ein Korrekturkriechgangverhältnis (Ic) aus, das die Zeitkonstante (T) dazu gesetzt aufweist, gibt eine Vervielfältigungseinheit (36) ein Korrekturaufnahmemoment (Tc) aus, das durch ein Vervielfältigen des Korrekturkriechgangverhältnisses (Ic) um ein Sollaufnahmemoment (Tm) erhalten wird, und eine Einheit (37) zum Umwandeln eines elektromagnetischen Proportionalsteuerausgangsstroms der HST-Pumpe gibt einen Stromanweisungswert entsprechend dem Korrekturaufnahmemoment (Tc) zu einer Pumpenkapazitätseinstelleinheit (11) aus.
Patent DE-112013001036-T5 (DE)
Title: SiC-Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben
Inventor: IMAI FUMIKAZU
IPC: H01L29/872
Filed: 2013-02-20
Abstract: In einem Verfahren, bei welchem eine Schicht einschließlich Nickel und Titan auf einem SiC-Substrat (1) zur Bildung einer Nickel-Silicid-Schicht (4) einschließlich Titancarbid erwärmt wird, wird die Nickel und Titan einschließende Schicht durch Aufdampfen im Vakuum oder Zerstäuben gebildet. Die Nickel-Silicid-Schicht (4) wird bei einer Temperatur, die gleich oder höher als 1100°C und gleich oder geringer als 1350°C ist, zur Erzeugung der Nickel und Titan einschließenden Schicht erwärmt. Zu diesem Zeitpunkt ist die Temperaturanstiegsrate gleich oder größer als 10°C/Minute und gleich oder geringer als 1350°C/Minute und eine Erwärmungsdauer ist gleich oder größer als 0 Minuten und gleich oder geringer als 120 Minuten. Diese Erwärmungsbedingungen ermöglichen den Erhalt einer homogenen rückwärtigen Oberflächenelektrode (8) für eine SiC-Halbleitervorrichtung, die einen ausreichend geringen rückwärtigen Oberflächen-Kontaktwiderstand aufweist.
Patent DE-112013003808-T5 (DE)
Title: Dichtungssystem und Verfahren für eine rotierende Maschine
Inventor: SINGH ANURAG
IPC: F16J15/44
Filed: 2013-07-31
Abstract: Ein System (10) enthält eine elektrodynamisch schwebende Dichtung (50). Die elektrodynamisch schwebende Dichtung enthält ein erstes Element (56), das ein elektrisch leitendes Material aufweist, und ein zweites Element (64), das ein magnetisches Material aufweist. Wenigstens eines von dem ersten und zweiten Element ist eingerichtet, um um eine axiale Achse (23) herum zu rotieren. Das erste und zweite Element sind benachbart zueinander angeordnet. Die Rotationsbewegung wenigstens eines von dem ersten und zweiten Element ruft eine Levitationskraft hervor, so dass das erste und das zweite Element voneinander abgestoßen werden. Die elektrodynamisch schwebende Dichtung enthält ferner ein drittes Element (95, 104), das eingerichtet ist, um eine Gegenkraft zu erzeugen.
Patent DE-112013005331-T5 (DE)
Title: Metalloxidfilm und Verfahren zur Bildung eines Metalloxidfilms
Inventor: TAKAHASHI MASAHIRO
IPC: H01L29/786
Filed: 2013-10-30
Abstract: Es wird ein Metalloxidfilm mit einem Kristallbereich und sehr stabilen physikalischen Eigenschaften bereitgestellt. Die Größe des Kristallbereichs beträgt weniger als oder gleich 10 nm, wodurch die Beobachtung der in Umfangsrichtung angeordneten Punkte in einem Nanostrahl-Elektronenbeugungsbild des Querschnittes des Metalloxidfilms möglich ist, wenn die Messfläche größer als oder gleich 5 nmφ und weniger als oder gleich 10 nmφ ist.
Patent DE-112013007417-T5 (DE)
Title: Schaltelement, Halbleiteranordnung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
Inventor: HASEGAWA SHIGERU
IPC: H01L29/78
Filed: 2013-09-09
Abstract: Gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst ein Schaltelement, aufweisend ein Substrat, einen auf dem Substrat ausgebildeten ersten Gate-Kontakt, einen auf dem Substrat ausgebildeten zweiten Gate-Kontakt, ein auf dem Substrat ausgebildetes erstes Widerstandsteil, wobei das erste Widerstandsteil den ersten Gate-Kontakt und den zweiten Gate-Kontakt miteinander verbindet, und ein auf dem Substrat ausgebildetes Zellenteil, das mit dem ersten Gate-Kontakt verbunden ist. Dadurch können eine Messung des Gate-Widerstandswerts und eine Auswahl aus Gate-Widerständen des Schaltelements nach Fertigstellung des Schaltelements des den Gate-Widerstand beinhaltenden Typs erfolgen.
Patent DE-112014000838-T5 (DE)
Title: Anschlussverbindungsstruktur für elektrischen Draht
Inventor: OHMORI Yoshitake
IPC: H01R24/38
Filed: 2014-02-14
Abstract: Diese Anschlussverbindungsstruktur ist mit Folgendem ausgestattet: einem ersten Anschluss (5), der einen ersten Verlängerungsabschnitt (52), der sich aus einem ersten Verbindungsabschnitt (51) in einer im Wesentlichen halbzylindrischen Form erstreckt und mit einem ersten Anschlusselement (110) einer verbindungspartnerseitigen Vorrichtung für einen elektrischen Draht (1) verbunden ist, aufweist; und einen zweiten Anschluss (6), der einen zweiten Verlängerungsabschnitt (62), der sich aus einem zweiten Verbindungsabschnitt (61) in einer im Wesentlichen halbzylindrischen Form erstreckt und mit einem zweiten Anschlusselement (120) der verbindungspartnerseitigen Vorrichtung für den elektrischen Draht (1) verbunden ist, aufweist. Dabei sind der erste Verlängerungsabschnitt (52) und der zweite Verlängerungsabschnitt (62) entlang der gleichen Achse angeordnet, so dass sie einander zugewandt sind und eine im Wesentlichen zylindrische Form bilden.
Patent DE-112014003144-T5 (DE)
Title: Ausbildung von Heteroepitaxieschichten mit schneller thermischer Bearbeitung, um Gitterversetzungen zu entfernen
Inventor: HAWRYLUK ANDREW M
IPC: H01L21/324
Filed: 2014-06-25
Abstract: Verfahren und Vorrichtungen für die Bauelementherstellung von Galliumnitrid-Bauelementen durch Aufwachsen einer Galliumnitridschicht auf einem Siliziumsubstrat unter Verwendung von Atomschichtabscheidung (ALD), gefolgt von schneller thermischer Ausheilung werden offenbart. Galliumnitrid wachst direkt auf Silizium oder auf einer Barrierenschicht von Aluminiumnitrid, das auf dem Siliziumsubstrat aufgewachsen ist, auf. Eine oder beide Schichten werden durch schnelle thermische Ausheilung thermisch bearbeitet. Vorzugsweise verwendet der ALD-Prozess eine Reaktionstemperatur unterhalb 550°C und vorzugsweise unterhalb 350°C. Der schnelle thermische Ausheilungsschritt erhöht die Temperatur der Beschichtungsoberfläche auf eine Temperatur im Bereich von 550 bis 1500°C für weniger als 12 ms.
Patent DE-112014003821-T5 (DE)
Title: Motorgetriebener Kompressor
Inventor: SAKAI KOJI
IPC: F04B49/02
Filed: 2014-07-29
Abstract: Ein motorgetriebener Kompressor enthält: einen Kompressionsmechanismus (11); einen elektrischen Motor (12), welcher den Kompressionsmechanismus antreibt; eine Antriebsschaltkreiseinheit (40A), die an einer Position dahingehend angeordnet ist, durch Kältemittel gekühlt zu werden, welches durch den Kompressionsmechanismus angesaugt wird, eine Temperaturerfassungseinheit (41), welche eine Temperatur der Antriebsschaltkreiseinheit erfasst; und eine Motorsteuereinrichtung (100), die in der Antriebsschaltkreiseinheit zum Steuern des Motors angeordnet ist. Die Motorsteuereinrichtung speichert ein vorbestimmtes Antriebsmuster entsprechend einer Temperaturkennlinie der Antriebsschaltkreiseinheit nach Starten des Motors. Wenn die durch die Temperaturerfassungseinheit erfasste Temperatur zu einer Zeit des Startens des Motors höher als eine vorbestimmte Temperatur oder gleich einer vorbestimmten Temperatur ist, führt die Motorsteuereinrichtung eine Begrenzungsantriebssteuerung gemäß dem vorbestimmten Antriebsmuster ungeachtet eines Antriebszustandsbefehls des Motors aus. Nachdem die Begrenzungsantriebssteuerung abgeschlossen ist, geht die Motorsteuereinrichtung zu einer normalen Antriebssteuerung zum Antreiben des Motors auf der Grundlage des Antriebszustandsbefehls über.
Patent DE-112015000539-T5 (DE)
Title: Zylindrische elektrochemische zellen und verfahren zur herstellung
Inventor: BATSON DAVID C
IPC: H01M10/0587
Filed: 2015-01-09
Abstract: Eine elektrochemische Speicherzelle (100, 600, 700) umfasst: erste und zweite Elektrodenfolien (200, 452; 300, 456), die um einen zylindrischen Kern (120, 400, 530, 630, 1150) gewickelt sind und eine Bisquitrollenstruktur (500, 650, 1200) ausbilden, wobei die ersten und zweiten Elektrodenfolien (200, 452; 300, 456) jeweils unbeschichtete leitfähige, zu Stirnseiten der Bisquitrollenstruktur (500, 650, 1200) parallele, Kanten (130, 224, 324, 640) und beschichtete gegenüberliegende Oberflächen zwischen den unbeschichteten leitfähigen Kanten (130, 224, 324, 640) aufweisen; wobei erste und zweite folien die beschichteten gegenüberliegenden Oberflächen der ersten und zweiten Elektrodenfolien (200, 452; 300, 456) mechanisch und elektrisch en sowie den zylindrischen Kern (120, 400, 530, 630, 1150) und die beschichteten gegenüberliegenden Oberflächen der ersten Elektrodenfolie (200; 452) mechanisch und elektrisch trennen; und aus den unbeschichteten leitfähigen Kanten (130, 224, 324, 640) ausgesparte Ausschnitte (136, 636, 670), wobei die ausgesparten Ausschnitte (136, 636, 670) nach Ausbilden der Bisquitrollenstruktur (500, 650, 1200) bezogen auf den zylindrischen Kern (120, 400, 530, 630, 1150) winklig zueinander ausgerichtet sind.
Patent DE-112015002603-T5 (DE)
Title: Verbundmaterial auf Aluminiumbasis und Verfahren zu dessen Herstellung
Inventor: OTSUKA YASUFUMI
IPC: H01B13/00
Filed: 2015-04-06
Abstract: Ein Verbundmaterial auf Aluminiumbasis enthält eine Aluminiumgrundphase (1) und stiftförmiges oder nadelförmiges Dispersivmaterial (2) aus Aluminiumcarbid, das in der Aluminiumgrundphase dispergiert ist. Ein Verfahren zur Herstellung des Verbundmaterials auf Aluminiumbasis enthält einen Schritt zum Mischen von Aluminiumpulver mit einer Reinheit von 99 Masse-% oder mehr mit einem stiftförmigen oder nadelförmigen Kohlenstoffmaterial und Pressen und Formen der resultierenden Mischung, zur Herstellung eines kompaktierten Pulverkörpers. Das Herstellungsverfahren enthält weiterhin einen Schritt der Erwärmung des kompaktierten Pulverkörpers bei 600°C bis 660°C, zur Reaktion des Kohlenstoffmaterials mit Aluminium in dem Aluminiumpulver, zum Dispergieren des stiftförmigen oder nadelförmigen Dispersivmaterials aus Aluminiumcarbid in der Aluminiumgrundphase.
Patent DE-112015005153-T5 (DE)
Title: Ein verbessertes Luftschiff
Inventor: BETTS CHRISTOPHER
IPC: B64B1/26
Filed: 2015-11-12
Abstract: Ein Luftschiff in der Gestalt eines ringförmigen Tragprofils, das so designt ist, dass die Seiten des Luftschiffs eine stromlinienförmige Gestalt aufweisen. Innerhalb des zentralen Durchlasses befindet sich eine effiziente Vortriebseinheit, deren Schub vektorisiert wird, um Manövrierbarkeit zu erzielen.
Patent DE-112015006128-T5 (DE)
Title: Halbleitervorrichtung
Inventor: MASUOKA FUMIHITO
IPC: H01L29/868
Filed: 2015-02-09
Abstract: Eine p-Anodenschicht (2) ist auf einer vorderen Fläche einer n–-Driftschicht (1) in einem aktiven Bereich gebildet. Eine n-Pufferschicht (7) ist auf einer hinteren Fläche der n–-Driftschicht (1) gebildet. Eine n-Kathodenschicht (8) und eine p-Kathodenschicht (9) sind nebeneinander auf einer hinteren Fläche der n-Pufferschicht (7) gebildet. Eine n-Schicht (10) ist auf der hinteren Fläche der n-Pufferschicht (7) in einem Übergangsbereich zwischen dem aktiven Bereich und der Seite des Anschlussbereichs neben der n-Kathodenschicht (8) und der p-Kathodenschicht (9) angeordnet. Eine Erstreckungslänge der n-Schicht (10) zur Seite des aktiven Bereichs, mit einem Endabschnitt des aktiven Bereichs als ein Ausgangspunkt, wird durch WGR1 dargestellt und WGR1 erfüllt 10 μm ≤ WGR1 ≤ 500 μm.