Patent DE-102016117248-B4 (DE)
Title: Schaltungseinrichtung mt einem ersten und einem zweiten Leistungshalbleitermodul und mit einer Zwischenkreisverschienung
Inventor: BECKEDAHL PETER
IPC: H02M7/483
Filed: 2016-09-14
Granted: 2019-07-18
Abstract: Schaltungseinrichtung (1) mit einem ersten und einem zweiten Leistungshalbleitermodul (3,4) und mit einer flächigen Zwischenkreisverschienung (S), die als flächige Potentialschienen (S+,S-,SN), eine elektrisch leitende Positivpotentialschiene (S+), eine elektrisch leitende Negativpotentialschiene (S-) und eine elektrisch leitende Neutralpotentialschiene (SN) aufweist, wobei die Positivpotentialschiene (S+), die Negativpotentialschiene (S-) und die Neutralpotentialschiene (SN) voneinander elektrisch isoliert angeordnet sind, wobei das erste Leistungshalbleitermodul (3) zu einer ersten 3-Level-Halbbrückenteilschaltung (3') miteinander elektrisch verschaltete erste Leistungshalbleiterbauelemente (7) aufweist und das zweite Leistungshalbleitermodul (4) zu einer zweiten 3-Level-Halbbrückenteilschaltung (4') miteinander elektrisch verschaltete zweite Leistungshalbleiterbauelemente (14) aufweist, wobei die erste 3-Level-Halbbrückenteilschaltung (3') einen Positivpotentialanschluss (DC+), einen ersten Neutralpotentialanschluss (N1) und einen ersten Wechselpotentialanschluss (AC1) aufweist, die jeweilig außerhalb eines Gehäuses (19) des ersten Leistungshalbleitermoduls (3) angeordnet sind, wobei die zweite 3-Level-Halbbrückenteilschaltung (4') einen Negativpotentialanschluss (DC-), einen zweiten Neutralpotentialanschluss (N2) und einen zweiten Wechselpotentialanschluss (AC2) aufweist, die jeweilig außerhalb eines Gehäuses (20) des zweiten Leistungshalbleitermoduls (4) angeordnet sind, wobei der Positivpotentialanschluss (DC+) mit der Positivpotentialschiene (S+) und der Negativpotentialanschluss (DC-) mit der Negativpotentialschiene (S-) elektrisch leitend verbunden ist, wobei die erste und zweite 3-Level-Halbbrückenteilschaltung (3',4') zu einer 3-Level-Halbbrückenschaltung (2) miteinander elektrisch verschaltet sind, indem der erste und zweite Neutralpotentialanschluss (N1,N2) mit der Neutralpotentialschiene (SN) elektrisch leitend verbunden sind und der erste und zweite Wechselpotentialanschluss (AC1,AC2) über ein elektrisch leitendes Wechselpotentialverbindungselement (6) miteinander elektrisch leitend verbunden sind, wobei die Zwischenkreisverschienung (S) im Bereich des ersten und zweiten Leistungshalbleitermoduls (3,4) einen ersten Zwischenkreisverschienungsbereich (16) aufweist in dem mindestens zwei der Potentialschienen (S+,S-,SN) übereinander angeordnet sind, wobei das Wechselpotentialverbindungselement (6), in senkrechte Richtung (SR) zur Normalenrichtung (NR) des ersten Zwischenkreisverschienungsbereichs (S), von dem ersten Zwischenkreisverschienungsbereich (16) beabstandet angeordnet ist, wobei die Schaltungseinrichtung (1) einen eng zum ersten Zwischenkreisverschienungsbereich (16) und eng zum Wechselpotentialverbindungselement (6) benachbart angeordneten flächigen Metallformkörper (17) aufweist, wobei das Wechselpotentialverbindungselement (6) einen in Richtung auf den ersten Zwischenkreisverschienungsbereich (16) verlaufenden ersten Wechselpotentialverbindungselementbereich (60) aufweist, wobei ein erster Metallformkörperbereich (17') des Metallformkörpers (17) oberhalb oder unterhalb des ersten Wechselpotentialverbindungselementbereichs (60) angeordnet ist, wobei der Metallformkörper (17) einen vom ersten Metallformkörperbereich (17') auf den ersten Zwischenkreisverschienungsbereich (16) zu verlaufenden zweiten Metallformkörperbereich (17") aufweist, wobei der erste Wechselpotentialverbindungselementbereich (60) ein erstes und zweites Schenkelelement (6a,6b) und eine erste Ausnehmung (60a) aufweist, die zwischen dem ersten und zweiten Schenkelelement (6a,6b) angeordnet ist, wobei das Wechselpotentialverbindungselement (6) ein mit dem ersten und zweiten Schenkelelement (6a,6b) verbundenes Schenkelverbindungselement (6c) aufweist.