baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent TW-I721241-B (TW)
Inventor: MOU HAO-JAN
IPC: F04B45/047
Filed: 2018-01-22
Granted: 2021-03-11
Abstract: 一種積體化製出的流體系統，包含:一流體作動區，具有至少一個導流單元，該至少一導流單元傳輸流體流動並將流體由至少一出口排出；一流體通道，連通該流體作動區之該至少一出口，並具有複數個分歧通道，使該流體作動區所傳輸之流體得以分流構成需求流速用以傳輸；一集氣腔室，連通於該流體通道中，以讓流體累積在該集氣腔室內；複數閥，設置於該複數個分歧通道中，以啟閉狀態來控制該複數個分歧通道中的流體傳輸；以及複數個感測器，設置於該複數個分歧通道中，以感測該複數個分歧通道中的流體其所特定監測物之含量。
Patent TW-I658311-B (TW)
Inventor: LIAO CHIN-YUEH
IPC: G02F1/1368
Filed: 2018-01-25
Granted: 2019-05-01
Abstract: 一種電連接結構的製作方法，包括：提供基板，在所述基板上形成配合層，所述配合層為氧化鈮薄膜和氧化矽薄膜交替排佈的疊層；在所述配合層上形成相互電性連接的連接墊與連接線，所述連接墊與所述連接線均為金屬層；形成覆蓋所述連接線的絕緣覆蓋層；以及對所述絕緣覆蓋層進行曝光。本發明還提供一種電連接結構、一種TFT陣列基板及其製作方法。本發明藉由在基板上設置配合層，能夠有效減少曝光時金屬層反射到絕緣覆蓋層中的光線，使絕緣覆蓋層不易被過度曝光，得到平坦的絕緣覆蓋層。
Patent TW-I652909-B (TW)
Title: 極化碼交錯和位元選擇
Inventor: Wu wei de
IPC: H03M13/27
Filed: 2018-02-06
Granted: 2019-03-01
Abstract: 本發明提供了用於極化碼子塊交錯和位元選擇的裝置和方法。在一個新穎方面，針對極化碼交錯提供了中間部分隔行子塊交錯。在一個實施例中，極化碼的中間部分被隔行交錯並且產生交錯的極化碼。在另一個實施例中，下部分和上部分也利用中間部分交錯方法經過子塊交錯。在另一新穎方面，提供了速率相關的統一的位元選擇。位元選擇可以分為重複、打孔和縮短三種操作類別。每個類別遵循統一的位元選擇規則，不同類別的僅在存取方案上有所不同。在一個實施例中，循環緩衝器被用於位元選。
Patent TW-I762583-B (TW)
Inventor: BHATTAD KAPIL
IPC: H04W48/00
Filed: 2018-02-21
Granted: 2022-05-01
Abstract: 本文所描述的技術使用喚醒信號向使用者設備(UE)指示即將到來的控制通道信號資源是否包括與該UE相關的資訊。以此種方式，僅當控制通道包括與UE相關的信號時，UE才喚醒以執行複雜的控制通道信號處理，由此節約UE的電池電量和資源。此種技術特別適合於MTC UE、NB-IoT UE等，其可能僅偶爾地與網路進行通訊，並且可能位於更換電池或者給電池充電很困難的遠端位置。
Patent TW-I660354-B (TW)
Inventor: YOSHIDA SHINJI
IPC: H01L29/788
Filed: 2018-02-22
Granted: 2019-05-21
Abstract: 本發明提出一種可謀求較先前更小型化之非揮發性半導體記憶裝置。於非揮發性半導體記憶裝置1中，具有於寫入位元線PGP0(PGP1)及讀取位元線BLP間配置記憶胞3a(3b)之構成，且由鄰接之記憶胞3a、3b共有設置於鄰接之記憶胞3a、3b間之讀取位元線BLP。因此，於非揮發性半導體記憶裝置1中，與先前之構成相比，可將讀取位元線減少相當於由鄰接之記憶胞3a、3b共有讀取位元線BLP之量，進而亦可減少連接於該讀取位元線之控制電路或感測放大器電路之面積，因此可相應地謀求較先前小型化。
Patent TW-I768001-B (TW)
Title: 帶電粒子束裝置以及試樣加工方法
Inventor: TORIKAWA SHOTA
IPC: G01N1/28
Filed: 2018-03-05
Granted: 2022-06-21
Abstract: 本發明提供帶電粒子束裝置以及試樣加工方法，其能夠對減小了試樣的厚度的整個微小試樣片均勻地照射帶電粒子束並且能夠明確地掌握加工時的加工終點。該帶電粒子束裝置朝向試樣照射帶電粒子束，製成微小試樣片，其特徵在於，該帶電粒子束裝置具有：帶電粒子束鏡筒，其能夠朝向所述試樣照射帶電粒子束；試樣室，其收納所述帶電粒子束鏡筒；以及試樣片支架，其能夠保持所述試樣，在通過所述帶電粒子束形成減小了所述試樣的一部分區域的厚度的微小試樣片時，與該微小試樣片的減薄部分相鄰的部分形成相對於所述減薄部分傾斜的傾斜部。
Patent TW-I662663-B (TW)
Inventor: LIN TZU HUNG
IPC: H01L23/498
Filed: 2018-03-12
Granted: 2019-06-11
Abstract: 本發明公開一種半導體封裝結構，包括：基板，具有第一表面和與該第一表面相對的第二表面，其中該基板包括佈線結構；第一半導體晶粒，設置在該基板的第一表面上，並電耦合至該佈線結構；第二半導體晶粒，設置在該基板的第一表面上，並電耦合至該佈線結構，其中該第一半導體晶粒和該第二半導體晶粒之間設有模制材料分隔；以及第一孔和第二孔，形成在該基板的第二表面上。
Patent TW-I745568-B (TW)
Title: 球形接頭的密封構件
Inventor: WU YUNFENG
IPC: F16C11/06
Filed: 2018-03-21
Granted: 2021-11-11
Abstract: 本發明係為一種球形接頭的密封構件(4)，即使是在球柄(1)對支撐體(2)以較大的搖動角度且高速地反覆搖動的使用條件下，經過長時間，仍可良好地維持上述球柄之球部(10)、與上述支撐體之球座部(20)之間的密封性，其具有：固定在上述支撐體(2)之圓環狀的基座部(40)；保持部(41)，該保持部(41)是在上述基座部的內周側，與該基座部設置成一體，且朝向上述支撐體(2)凹陷成圓錐形；以及突緣部(lip)(42)，該突緣部(42)是設在上述保持部的內周緣，且滑動接觸於上述球柄(1)之球部(10)的球面。
Patent TW-I713829-B (TW)
Title: 植物性黑色染髮劑及染髮方法
Inventor: PENG QIONG-LING
IPC: A61K8/9789
Filed: 2018-03-23
Granted: 2020-12-21
Abstract: 一種植物性黑色染髮劑及染髮方法，是採用桉樹葉及柚木葉之植物萃取物為主要原料，此植物性黑色染髮劑分為第一劑和第二劑，先利用第一劑中的植物萃取物於溫熱環境下滲入頭髮纖維中，再與第二劑中的亞鐵離子絡合形成大分子不溶性黑色物質而固著於頭髮上；其中，第一劑進一步可搭配印地科植物或茶葉植物萃取物共同使用，而染得深黑色之髮色。本發明並未使用化學溶劑、滲透劑及表面活性劑等對人體有害之物質，配方簡單、安全，且染色效果佳。
Patent TW-I674930-B (TW)
Inventor: YOU DEA IL
IPC: B08B9/08
Filed: 2018-04-16
Granted: 2019-10-21
Abstract: 一種容器清潔系統，包含：一傳送裝置，其被配置以傳送待清潔的一容器；一清潔腔室，其被配置以清潔該容器，並包括：一第一臂與一第二臂，其被配置以抓住該容器的一側與另一側並開啟該容器的一蓋體以便打開該容器，及一內部清潔噴嘴，其被配置以將一清潔材料噴灑至該容器的內部；一機械手臂，其被配置以將該容器運送於該清潔腔室與該傳送裝置之間；以及一控制器，其被配置以控制該機械手臂將該容器從該傳送裝置移動至該清潔腔室。在該容器被清潔時，該第一臂與該第二臂被旋轉。
Patent TW-I669706-B (TW)
Inventor: KORDON SVEN
IPC: G10L19/008
Filed: 2014-07-04
Granted: 2019-08-21
Abstract: 本發明係為一種從高階保真立體音響之一係數領域表示產生該高階保真立體音響之一混合空間或係數領域表示之方法，該高階保真立體音響以HOA表示，有二表示以用於空間領域及係數領域，其中該HOA信號數可為變數。將一係數領域信號向量分離成一具有一HOA係數常數之係數領域信號向量，及一具有一HOA係數變數之係數領域信號向量。將該常數HOA係數向量變換至一對應空間領域信號向量。為促進高品質編碼，不致產生信號中斷，利用該空間領域信號向量，將該係數領域信號之變數HOA係數向量進行適應正規化及多工化。
Patent TW-I667075-B (TW)
Title: Low water mist flushing device
Inventor: Cai shao-ting
IPC: H01L21/67
Filed: 2018-05-25
Granted: 2019-08-01
Abstract: 本發明在於提供一種能防止水霧產生，避免影響製程的低水霧沖水裝置。其技術手段：為其特徵在於：低水霧沖水裝置包括定位、沖水單元及風刀帽；定位單元一端能與濕製程設備對應側連接，具有導氣通道；沖水單元垂直設置於定位單元自由端處，具有出、入水口；風刀帽包括環狀殼體、開槽、及與開槽相連通的內、外出氣縫；環狀殼體套設於出水口外；開槽設於環狀殼體垂直壁面頂端，並能對應於導氣通道；內出氣縫環設於環狀殼體垂直壁面底端內側，內出氣縫間形成有第一間距；外出氣縫環設於環狀殼體垂直壁面底端外側，外出氣縫間形成有第二間距，另與內出氣縫間形成有間隔，而各個外出氣縫皆還與一個第一間距相對應。
Patent TW-I716695-B (TW)
Title: Biometric identification method and electronic device with the biometric identification function
Inventor: TSAI CHENG-SHIN
IPC: G06F21/32
Filed: 2018-06-14
Granted: 2021-01-21
Abstract: The present invention relates to a biometric identification method and an electronic device with the biometric identification function. It utilizes two different biometric information to determine whether the qualification is satisfied. If the requirement is satisfied, the user can execute the instructions to be performed, thereby improving the security of access and use. Also, with the auxiliary determination information, the corresponding comparing value of the biometric information or the qualification are appropriately adjusted to avoid environmental factors affect user accessibility.
Patent TW-I671124-B (TW)
Title: 水箱及包含其之產氫裝置
Inventor: HO JEN-CHIEH
IPC: B01L5/00
Filed: 2018-06-28
Granted: 2019-09-11
Abstract: 一種水箱及包含其之產氫裝置，水箱包含具有氫水入口、氫出口及出水口的第一容置區；及具有加水口、排氣口、氧入口、入水口與水供應出口的第二容置區，出水口連接入水口，且出水口的高度高於入水口的高度。產氫裝置包含水箱、氫供應單元、水供應單元及電供應單元，氫供應單元具有氧出口及氫水出口，氧出口連接氧入口，氫水出口連接氫水入口，水供應單元連接氫供應單元及水供應出口，電供應單元電連接氫供應單元。藉此，本發明可將氣水分離的機制融合於水箱，而達到結構簡單、易於組裝以及節省設置空間的功效。
Patent TW-I685037-B (TW)
Title: A system and a method for wafer bonding alignment compensation
Inventor: GUO SHUAI
IPC: H01L21/683
Filed: 2018-07-05
Granted: 2020-02-11
Abstract: A method for wafer bonding alignment compensation is disclosed. The method includes following steps. A first pair of wafers including a plurality of bonding alignment mark pairs disposed on the first pair of wafers are bonded. A translational misalignment and a rotational misalignment between the first pair of wafers are analyzed through a first analysis according to a measurement of at least two bonding alignment mark pairs. A wafer position adjustment module is controlled to compensate the translational misalignment and the rotational misalignment during bonding of a second pair of wafers according to the first analysis. An average run-out misalignment of the first pair of wafers is analyzed through a second analysis 
according to a measurement of a plurality of bonding alignment mark pairs. A wafer deformation adjustment module is controlled to compensate the run-out misalignment during bonding of a third pair of wafers according to the second analysis.
Patent TW-I666138-B (TW)
Inventor: WU XINGGUO
IPC: H05K7/20
Filed: 2018-07-13
Granted: 2019-07-21
Abstract: 本發明揭露了一種第一充電連接件、第二充電連接件以及車輛和充電系統，第一充電連接件包括：第一殼體；第一接線端子，該第一接線端子固定在該第一殼體內，該第一接線端子包括：容納室，該容納室內可容納有液態金屬，該容納室的一端敞開且設置有凸起柱。由此，藉由設置容納室，可以使得第一接線端子容納有液態金屬，液態金屬的發熱量少，從而可以有效降低第一接線端子的工作溫度，而且藉由設置凸起柱，可以使得第一接線端子能夠與第二接線端子有效對接，而且充滿液態金屬，從而可以車輛的充電安全性。
Patent TW-I773800-B (TW)
Title: Semiconductor device and method for forming fin-based transistor
Inventor: LO WEI YANG
IPC: H01L29/41
Filed: 2018-07-31
Granted: 2022-08-11
Abstract: A semiconductor device includes a fin-like structure extending along a first axis; a first source/drain feature disposed at a first end portion of the fin-like structure; and a constraint layer disposed at a first side of the first end portion of the fin-like structure, wherein the first source/drain feature comprises a first portion, disposed at the first side, the first portion comprising a shorter extended width along a second axis, and a second portion, disposed at a second side that is opposite to the first side, the second portion comprising a longer extended width along the second axis.
Patent TW-I687551-B (TW)
Title: 具有最小起皺和撕裂的銅箔、包含其的電極、包含其的二次電池、及製造其之方法
Inventor: KIM SEUNG MIN
IPC: H01M4/66
Filed: 2018-08-08
Granted: 2020-03-11
Abstract: 本發明公開了一種銅箔，包括銅層和設置在銅層上的防蝕層，其中銅箔具有峰值算術平均粗糙度為0.8至12.5、29至58kgf/mm 2 的抗拉強度、3%或更低的重量偏差，其中算術平均粗糙度根據以下方程式1計算：[方程式1]PAR=Rp/Ra，其中Rp為一最大輪廓峰高，而Ra為一算術平均粗糙度。
Patent TW-I674126-B (TW)
Title: 防墜器
Inventor: HUNG WEI-CHIEH
IPC: F16D63/00
Filed: 2018-09-17
Granted: 2019-10-11
Abstract: 一種防墜器，包含一支架、一轉動件、一安全帶、一制動盤、一制動塊與一復位彈簧，支架具有一第一側板，第一側板外側面上設置有一擋止塊；轉動件可轉動地設置於支架；安全帶捲繞於轉動件上；制動盤結合於轉動件且具有一內側面面對第一側板的外側面；制動塊樞設於制動盤且位於制動盤的內側面與第一側板的外側面之間。藉此，可以確保制動塊在展開位置時可與擋止塊相抵接，增加防墜器的緊急鎖止時之可靠度。
Patent TW-I677861-B (TW)
Inventor: LIN YUN-SHENG
IPC: G09G3/36
Filed: 2018-09-19
Granted: 2019-11-21
Abstract: 一種適用於顯示器背光的區域調光系統，包含平均估算單元，其接收影像並估算其平均值；脈寬調變增益控制單元，其根據平均值以產生脈寬調變增益值；空間濾波器，其於空間域處理複數平均值，以增強複數脈寬調變增益值，因而產生增強脈寬調變增益值；場景改變偵測單元，其根據平均估算單元所產生之直方圖平均值，以偵測場景改變；時域濾波器，其根據增強脈寬調變增益值及偵測場景改變的結果，於時間域執行以產生脈寬調變值；光形模擬單元，其根據脈寬調變值以產生光度增益；及像素補償單元，其根據光度增益以執行影像的像素補償，因而產生補償影像。
Patent TW-I732136-B (TW)
Title: 新型雙特異性cd3/cd19多肽複合物
Inventor: LIU JIE-YING
IPC: C07K16/46
Filed: 2018-09-20
Granted: 2021-07-01
Abstract: 本發明提供一種含有第一抗原結合部分和第二抗原結合部分的雙特異性抗CD3xCD19多肽複合物、生產該雙特異性抗CD3xCD19多肽複合物的方法、使用該雙特異性抗CD3xCD19多肽複合物治療疾病或病況的方法、編碼該雙特異性抗CD3xCD19多肽複合物的多核苷酸、含有該多核苷酸的載體和宿主細胞和包含該雙特異性抗CD3xCD19多肽複合物的組合物和藥物組合物。
Patent TW-I801420-B (TW)
Title: Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
Inventor: JDIRA LUCIAN
IPC: H01L21/67
Filed: 2018-09-21
Granted: 2023-05-11
Abstract: An apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber is disclosed. The apparatus may include: a first chamber configured for holding a source chemical with a first fill level; and a second chamber configured for holding the source chemical with a second fill level and in fluid communication with the first chamber via a fluid channel below the first and second fill levels. The apparatus may 
also include: a first chamber inlet opening in fluid communication with a carrier gas feed line configured for flowing a carrier gas into the first chamber to cause a vapor of the source chemical to become entrained in the carrier gas to produce the vapor phase reactant; a first chamber outlet opening in fluid communication with a gas outlet line and configured for dispensing the vapor phase reactant from the first chamber; and a second chamber inlet opening in fluid communication with a pressurizing gas feed provided with a flow controllers configured for controlling a flow of a pressurizing gas in the second chamber to control the first fill level in the first chamber. Methods for dispensing a vapor phase reactant are also provided.
Patent TW-I744553-B (TW)
Title: 感應加熱輥及紡絲延伸裝置
Inventor: KAGATA KAKERU
IPC: H05B6/14
Filed: 2018-09-26
Granted: 2021-11-01
Abstract: 為了抑制設置於感應加熱輥之固定環的發熱。    　　感應加熱輥(20)係具備：輥單元(30)、及具有配置於輥單元(30)的徑向內側的線圈(52)之加熱器(50)。輥單元(30)係具備輥主體(31)、均熱部(32)、固定環(33)及第1磁性構件(46)。輥主體(31)具有外筒部(34)，外筒部(34)是使藉由流過線圈(52)的電流所生成的磁通沿輥單元(30)的軸向通過而被感應加熱；均熱部(32)具有熱傳導率比外筒部(34)的至少內周面(34b)更高之均熱構件(41)，均熱構件(41)是與內周面(34b)接觸且沿軸向延伸；固定環(33)是設置成和外筒部(34)之軸向基端部及均熱部(32)之軸向基端部接觸，而用於將輥主體(31)和均熱部(32)固定；第1磁性構件(46)，在徑向上是配置於外筒部(34)和線圈(52)之間，且在軸向上是配置成比外筒部(34)的中心更靠基端側且比固定環(33)更靠前端側。
Patent TW-I682339-B (TW)
Title: 無需交易繞送作業的跨app行動支付系統及其資料處理方法
Inventor: XU WEN-LING
IPC: G06Q20/36
Filed: 2018-10-23
Granted: 2020-01-11
Abstract: 本發明係一種無需交易繞送作業的跨APP行動支付系統及其資料處理方法，係令一行動裝置、一店家應用伺服器、一代理支付伺服器與網路連結並交換資料；使用者持該行動裝置至一店家消費，於結帳時執行一店家應用程式並取得該店家提供之圖碼以取得一交易金額，該店家應用程式透過該店家應用伺服器交換一交易憑證資訊並開啟一電子錢包以確認進行付款，於確認後發送一QR Code授權交易資訊至該代理支付伺服器進行付款交易，再由該代理支付伺服器根據該QR Code授權交易資訊將交易結果回傳至該行動裝置並即時顯示，無需繞送收單、發卡銀行，藉此提升方便性及交易效率。
Patent TW-I791663-B (TW)
Title: 墨水組成物及其製造方法、以及光轉換層及濾色器
Inventor: KIZAKI Takeo
IPC: C09D11/322
Filed: 2018-11-08
Granted: 2023-02-11
Abstract: 本發明提供一種可形成具有優異之外部量子效率之濾色器像素部的墨水組成物。
本發明之墨水組成物含有發光性奈米結晶粒子、光散射性粒子、與具有乙烯性不飽和基之至少2種單體；至少2種單體包含漢森溶解度參數（Hansen solubility parameter）中之各個δd、δp及δh滿足以下條件之2種單體。
16.0 MPa 0.5 
≦δd＜18.0 MPa 0.5 
2.5 MPa 0.5 
≦δp＜5.5 MPa 0.5 
2.5 MPa 0.5 
≦δh＜8.0 MPa 0.5
Patent TW-I669961-B (TW)
Inventor: SHABTAY GAL
IPC: H04N5/225
Filed: 2015-08-06
Granted: 2019-08-21
Abstract: 變焦數位相機包含一個廣角子相機與一個折疊式的固定遠距子相機。該折疊式的遠距子相機可藉由移動其透鏡或經插入在其透鏡與個別的影像感測器之間的一個光徑中的一個反射元件而自動對焦。該折疊式的遠距子相機被建構為具有低矮的輪廓以致使其整合在一個可攜式電子裝置之內。
Patent TW-I720394-B (TW)
Title: 半導體裝置及其製造方法
Inventor: Matsuura eigo
IPC: H01L23/28
Filed: 2018-12-26
Granted: 2021-03-01
Abstract: 實施形態提供一種可於不使用間隔晶片之情況下將一半導體晶片配置於另一半導體晶片上方從而縮小封裝尺寸之半導體裝置及其製造方法。  本實施形態之半導體裝置具備形成有電極之基板、設置於基板之表面上之第1及第2半導體晶片、將第1半導體晶片與電極連接之導線、接著層、及樹脂層。第2半導體晶片於朝向基板側之面即背面具有形成有突出部之第1區域及第1區域以外之第2區域，第2區域位於第1半導體晶片或導線之至少一部分之上方。接著層設置於第1區域與基板之間及第2區域與基板之間。樹脂層設置於基板上，且被覆第1及第2半導體晶片。
Patent TW-I708400-B (TW)
Title: 高效率太陽電池及高效率太陽電池之製造方法
Inventor: HASHIGAMI HIROSHI
IPC: H01L31/0216
Filed: 2017-03-07
Granted: 2020-10-21
Abstract: 本發明係一種太陽電池，其特徵係具備：備有具有第1導電型的半導體基板、且在該半導體基板的第1主表面、有與前述第1導電型相反的導電型即第2導電型之發射領域，接在前述發射領域之射極電極，具有前述第1導電型之基極領域，接在前述基極領域之基極電極，與防止前述發射領域與前述基極領域的電性短路之絕緣膜之太陽電池，前述絕緣膜是由聚醯亞胺所構成；前述絕緣膜在TOF-SIMS(飛行式二次離子質譜)法將Bi 5   ++ 
離子以加速電壓30kV被0.2pA照射時的C 6 
H 11 
O 2 
檢出計數為100以下。藉此，可以提供耐天候性佳、具有高光電變換特性之太陽電池。
Patent TW-I808115-B (TW)
Inventor: O'SULLIVAN DAVID
IPC: H01L23/28
Filed: 2019-01-11
Granted: 2023-07-11
Abstract: Embodiments include semiconductor packages and a method of forming the semiconductor packages. A semiconductor package includes a mold over and around a first die and a first via. The semiconductor package has a conductive pad of a first redistribution layer disposed on a top surface of the first die and/or a top surface of the mold. The semiconductor package includes a second die having a solder ball coupled to a die pad on a bottom surface of the second die, where the solder ball of the second die is coupled to the first redistribution layer. The first redistribution layer couples the second die to the first die, where the second die has a first edge and a second edge, and where the first edge is positioned within a footprint of the first die and the second edge is positioned outside the footprint of the first die.
Patent TW-I696982-B (TW)
Title: 停車收費方法及裝置、電子設備
IPC: G07B15/02
Filed: 2019-01-14
Granted: 2020-06-21
Abstract: 本說明書一個或多個實施例提供一種停車收費方法及裝置、電子設備，應用於停車收費系統；所述方法包括：獲取停車位處的已停靠車輛的車輛資訊，所述車輛資訊在支付平台上存在對應的用戶帳戶；通過所述停車收費系統在區塊鏈上對應的第一區塊鏈節點，向所述區塊鏈上發佈車輛停靠記錄，所述車輛停靠記錄包含所述已停靠車輛在所述停車位上的停靠時長；每當所述停靠時長達到第一預設時長時，基於所述車輛停靠記錄實施與所述支付平台相關的資產轉移操作，以收取對應於所述第一預設時長的資產。
Patent TW-I814767-B (TW)
Inventor: CAO PEIYAN
IPC: G01N21/15
Filed: 2019-01-16
Granted: 2023-09-11
Abstract: 一種設備，包括：光源，配置成生成一次光束(其沿第一維發散以照亮目標場景中的一行)和衍射光束(其沿第一維發散並且與第二維(其與第一維垂直)中的一次光束分隔開)，其中光源配置成掃描第二維中的光束；檢測器，包括第一批多個光接收組件(其配置成檢測從目標場景所返回的一次光束的光)和第二批多個光接收組件(其配置成檢測從目標場景所返回的衍射光束的光)。
Patent TW-I812718-B (TW)
Inventor: UMEZAWA TOMOKAZU
IPC: C23F1/00
Filed: 2019-05-20
Granted: 2023-08-21
Abstract: 本發明提供一種附凹凸結構之基體之製造方法，該方法包括：準備積層體之製程，該積層體在包含無機物之被加工基體的被加工面依次積層中間層及將氧化鋁水合物作為主要成分之凹凸結構層而成；第1蝕刻製程，將凹凸結構層作為遮罩，使用第1蝕刻氣體來蝕刻中間層，直至被加工基體的被加工面的至少一部分暴露；及第2蝕刻製程，將中間層作為遮罩，使用與第1蝕刻氣體不同的第2蝕刻氣體來蝕刻基體，而在被加工面形成微細凹凸結構。
Patent TW-I694061-B (TW)
Title: Silicon nitride fertilizer manufacturing system
Inventor: LIN YING CHUAN
IPC: F27B3/10
Filed: 2019-05-24
Granted: 2020-05-21
Abstract: A silicon nitride fertilizer manufacturing system includes a high temperature furnace and a control device. The high temperature furnace is used for accommodating a silicon nitride fertilizer raw material and a reaction starting material. The control device is used for heating the reaction starting material and controlling the reaction conditions of the silicon nitride fertilizer raw material, so that the silicon nitride fertilizer raw material generates a self-propagating high-temperature synthesis reaction and a friable structure product with a silicon nitride fertilizer is produced by the reaction heat of the 
starting material reaction.
Patent TW-I724443-B (TW)
Title: Numerology analysis system and method thereof
Inventor: YU HSIANG-HO
IPC: G06Q99/00
Filed: 2019-07-02
Granted: 2021-04-11
Abstract: A numerology analysis system and method thereof, comprising a first device 
and a second device linked to each other; The first device comprises an operation processing unit and a database, and the data library comprises personal data, preset fortune analysis data, numerology data and operation rules; The second device includes a client application, an input terminal, a selection interface, a display terminal, and a micro processing unit. The client application is a software disposed in the second device and executable by the micro processing unit. After the user inputs the personal data through the client application and the input terminal, the personal data will be stored in the database, and the function interface will be selected in the selection interface. The arithmetic processing unit will continue to determine the operation rules used and the 
personal data and the numerology data is calculated, and the operation result is generated to the display end.
Patent TW-I726348-B (TW)
Title: Semiconductor substrate
Inventor: LIN WEI-TING
IPC: H01L21/33
Filed: 2019-07-03
Granted: 2021-05-01
Abstract: A semiconductor substrate includes a substrate, a first metal oxide semiconductor layer, a first insulating layer, a first conductive layer, a second insulating layer, a second conductive layer and a second metal oxide semiconductor layer. The first transistor includes a first metal oxide semiconductor pattern of the first metal oxide semiconductor layer, a first gate of the first conductive layer, a first source of the second conductive layer and a first drain of the second conductive layer. The second transistor includes a second metal oxide semiconductor pattern of the first metal oxide semiconductor layer, a second gate of the first conductive layer, a second source of the second conductive layer, a second drain of the second conductive layer and a third metal oxide semiconductor pattern of the second metal oxide semiconductor layer.
Patent TW-I718586-B (TW)
Title: Wafer handling equipment and method thereof
Inventor: LIAO CHIH HUNG
IPC: B65G49/07
Filed: 2019-07-15
Granted: 2021-02-11
Abstract: A method includes disposing a wafer carrier onto a load port; detecting, by a first sensor in the wafer carrier, an elevation of a slot in the wafer carrier; adjusting an elevation of a wafer transferring device according to the detected elevation of the slot; and moving, at the adjusted elevation of the wafer transferring device, a wafer to the slot by the wafer transferring device.
Patent TW-I759625-B (TW)
Title: Method of fabricating semiconductor device
Inventor: LIU YAN HONG
IPC: H01L21/36
Filed: 2019-08-27
Granted: 2022-04-01
Abstract: A method of fabricating a semiconductor device is provided. The method includes forming a first metal layer over a semiconductor substrate, and forming a first layer over the first metal layer. The first layer and first metal layer are etched to expose a sidewall of the first layer and a sidewall of the first metal layer, wherein the etching disburses a portion of the first metal layer to create an accumulation of material on at least one of the sidewall of the first layer or the sidewall of the first metal layer. At least some of the accumulation is etched away using an etchant comprising fluorine.
Patent TW-I702024-B (TW)
Inventor: SU WEN-LIANG
IPC: A47J31/00
Filed: 2019-09-26
Granted: 2020-08-21
Abstract: 本發明飲品沖泡裝置，包含：沖泡容器、啟動機構及驅動機構；沖泡容器設有開口以及封蓋；驅動機構驅動沖泡容器或啟動機構的其中之一沿著循環路徑移動，並使啟動機構推抵並帶動封蓋進行運動來開啟或關閉沖泡容器的開口；進而使得沖泡容器於封蓋不封閉開口的開啟狀態以及封蓋封閉開口的閉合狀態之間交替變換，而不需要另外設置控制沖泡容器開啟或封閉的電控單元，並讓沖泡容器能於不同的位置依序進行原料補充，原料沖泡、飲料釋放以及清洗沖泡容器的動作。
Patent TW-I791907-B (TW)
Title: 全氟環烯烴化合物之製造方法
Inventor: ETOU YUUSUKE
IPC: C07B61/00
Filed: 2019-10-09
Granted: 2023-02-11
Abstract: 本發明藉由進行CR 1   2 
=CR 2 
-CR 3 
=CR 4   2 
[式中，R 1 
～R 4 
係相同或相異地表示氟原子或全氟烷基]表示之全氟二烯烴(Alkadiene)化合物的環化反應，反應的轉化率高，並且以高收率及高選擇率得到式(1)表示之全氟環烯烴化合物， 
[式中，R 1 
～R 4 
係相同或相異地表示氟原子或全氟烷基]。
前述環化反應可於觸媒存在下，在氣相流通連續式進行，或於觸媒存在下且在氣相連續流通式進行。
Patent TW-I733232-B (TW)
Inventor: KAHLEN SUSANNE
IPC: C08L23/06
Filed: 2019-10-29
Granted: 2021-07-11
Abstract: 本發明提供一種聚乙烯-聚丙烯組成物，其可藉由摻和以下物質獲得：a)80至97wt.-%摻合物(A)，其包含A-1)聚丙烯，及A-2)聚乙烯，其中聚丙烯與聚乙烯之重量比為3：7至7：3，且其中摻合物(A)為再生材料，其自衍生自消費後及/或工業廢料之廢塑膠材料回收；及b)3至20wt.-%之為C 2 C 8 塑性體之增容劑(B)，其具有-低於75℃之DSC熔點(ISO11357)；-等於或低於1.5g/10min之MFR 2 (ISO1133，190℃下2.16kg負載)；及-等於或低於885kg/m 3 之密度(ISO1183)，其中MFR 2 (摻合物(A)(ISO1133，230℃下2.16kg負載)/MFR 2 (增容劑(B)(ISO1133，190℃下2.16kg負載)之比率在3.0至15的範圍內；及
c)0至1.0wt.-%之穩定劑或穩定劑混合物。
Patent TW-I722661-B (TW)
Inventor: MAHR ANDREA
IPC: A61K35/17
Filed: 2016-08-26
Granted: 2021-03-21
Abstract: 本發明涉及用於免疫治療方法的肽、蛋白質、核酸和細胞。特別是，本發明涉及癌症的免疫療法。本發明還涉及單獨使用或與其他腫瘤相關肽（刺激抗腫瘤免疫反應或體外刺激 T細胞和轉入患者的疫苗複合物的活性藥物成分）聯合使用的腫瘤相關 T細胞 (CTL) 肽表位。與主要組織相容性複合體 (MHC) 分子結合的肽或與此同類的肽也可能是抗體、可溶性 T細胞受體和其他結合分子的靶標。
Patent TW-I703734-B (TW)
Title: Transistor
Inventor: YAMAZAKI SHUNPEI
IPC: H05B44/00
Filed: 2010-09-13
Granted: 2020-09-01
Abstract: To provide a transistor having a favorable electric characteristics and high reliability and a display device including the transistor. The transistor is a bottom-gate transistor formed using an oxide semiconductor for a channel region. An oxide semiconductor layer subjected to dehydration or dehydrogenation through heat treatment is used as an active layer. The active layer includes a first region of a superficial portion microcrystallized and a second region of the rest portion. By using the oxide semiconductor layer having such a structure, a change to an n-type, which is attributed to entry of moisture to the superficial portion or elimination of oxygen from the superficial portion, and generation of a parasitic channel can be suppressed. In addition, contact resistance between the oxide semiconductor layer and source and drain electrodes can be reduced.
Patent TW-I727586-B (TW)
Title: 銅電極材料
Inventor: TAKAHATA MASAHIRO
IPC: C22C9/00
Filed: 2019-12-31
Granted: 2021-05-11
Abstract: 本發明提供一種含銅之電極材料，其係由Cu及不可避雜質構成之銅電極材料，不可避雜質之含量為1質量ppm以下，平均結晶粒徑為100 μm以下，藉由該銅電極材料提升耐蝕性。
Patent TW-I728675-B (TW)
Title: 記憶體裝置
Inventor: FUJINO Yorinobu
IPC: G11C7/12
Filed: 2020-01-31
Granted: 2021-05-21
Abstract: 實施形態提供一種可抑制耗電增大的記憶體裝置。
        實施形態之記憶體裝置具備：第1記憶胞，其設置於第1配線與第2配線之間；第2記憶胞，其設置於上述第2配線與第3配線之間；第3記憶胞，其設置於第4配線與第5配線之間；第4記憶胞，其設置於上述第5配線與第6配線之間；第1均衡電路，其連接於上述第1、上述第3、上述第4及上述第6配線；及控制電路，其控制對於上述第1至第4記憶胞之動作。上述控制電路當執行上述動作時，選擇上述第1記憶胞及上述第4記憶胞，對上述第1配線施加第1電壓，對上述第2配線施加較上述第1電壓高之第2電壓，對上述第5配線施加較上述第2電壓低之第3電壓，對上述第6配線施加較上述第3電壓高之第4電壓。上述第1均衡電路於上述動作後將上述第1配線電性連接至上述第6配線。
Patent TW-I732442-B (TW)
Title: Method of performing programming operation and related memory device
Inventor: JIA XINLEI
IPC: G11C16/24
Filed: 2020-02-04
Granted: 2021-07-01
Abstract: A method of performing a programming operation to a three dimensional (3D) NAND memory device is disclosed. The method makes residual electrons trapped in storage regions of middle dummy memory cells of the unselected string of the 3D NAND memory device to be removed during the pre-charging phase, so as to reduce program disturb to the selected string which neighbors the unselected string.
Patent TW-I714483-B (TW)
Title: System and method for data processing
Inventor: Li dong-wei
IPC: G06F9/44
Filed: 2020-03-24
Granted: 2020-12-21
Abstract: Methods, systems, and apparatus, including computer programs encoded on computer storage media, for data processing are provided. One of the methods includes: obtaining a bytecode compiled from source code comprising one or more input parameters, the source code including an encoding function to encode the one or more input parameters, save the encoded one or more input parameters in a memory segment, and provide a memory location of the memory segment; executing, according to the bytecode, the encoding function to encode the one or more input parameters to obtain the memory location of the memory segment storing the encoded one or more input parameters; and providing the memory location to a function for retrieving and decoding the encoded one or more input parameters to obtain the one or more input parameters.
Patent TW-I722865-B (TW)
Title: Surgical anastomostic assistance device and preparation process thereof
Inventor: LIAO CHIEN-HUNG
IPC: A61B17/04
Filed: 2020-04-10
Granted: 2021-03-21
Abstract: The present disclosure provides a surgical anastomostic assistance device. The surgical anastomostic assistance device of the present disclosure is used for helping the anastomostic site fixation in surgical suture in eight fiexed directions properly to restrict the passage of suture needles to achieve the effect of stable suture. The surgical anastomostic assistance device of the present disclosure further includes a directional indicator, which can help surgeons find a suitable needle insertion position, enhance the suture effect, and do a good anastomosis of digestive tract, urologic tract or vascular surgery without twist, torsion or bending. The present disclosure also provides a process for preparing the surgical anastomostic assistance device.