baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent KR-100306751-B1 (KR)
Title: 교환기 시스템의 링그룹 착신방법
IPC: H04M3/00
Filed: 1999-08-31
Granted: 2001-11-01
Abstract: 본 발명은 교환기 시스템의 링그룹 착신방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 해당 링그룹 대표번호로 착신시 링그룹내의 모든 가입자가 응답이 가능하도록 링그룹의 각 가입자에 호(call)를 착신시키고, 착신시 해당 링그룹내의 가입자가 국선을 사용중이면 호대기(call waiting)시켜 응답이 가능하도록 함으로써 교환기 시스템의 사용 편리성을 향상시킨 교환기 시스템의 링그룹 착신방법에 관한 것이다. 
     이를 위한 본 발명은, 교환기 시스템에서 링그룹 착신방법에 있어서, 링그룹 대표번호로 착신시, 이를 상기 링그룹의 호처리 관리자에서 상기 링그룹 큐(queue)에 큐잉(queueing)하고, 소정 시간간격으로 상기 링그룹 가입자가 이이들(idle)인지 사용중(busy)인지를 확인하는 단계와; 상기 단계에서 상기 링그룹 가입자가 아이들 상태이면, 착신메세지를 전달하여 상기 아이들 상태인 링그룹 가입자 모두에 링이 울리도록 하는 단계와; 상기 링그룹 가입자가 사용중인 상태에서 아이들 상태로 천이하면, 상기 호처리 관리자에서 상기 아이들 상태로 천이한 가입자에 착신메세지를 전달하여 이 가입자에 링이 울리도록 하는 단계;를 포함하여 된 것을 특징으로 한다.
Patent KR-100328241-B1 (KR)
Title: A finger pressure bed
Inventor: KIM YUN SE
IPC: A61H23/02
Filed: 1999-09-30
Granted: 2002-03-16
Abstract: PURPOSE: Provided is a bed for serving acupressure effect to user by comprising a compression bar on top panel of the bed and elevational device to bottom panel of the bed to freely roll in bed according to moving up/down of the bottom panel and to obtain improved blood circulation. CONSTITUTION: The bed comprises a top panel(10) having a number of bores(11) and right/left slopped sides; declination bars(21) at both sides of the top panel(10); elevational/declining device(30) to lift up/fall down a bottom panel(20) inclined to match with the top panel(10); a number of acupressure bars(25) slopped opposite to inclination direction of the top panel(10). When the bottom panel(20) moves up by the elevation/declining device(30), the acupressure bars(25) project through the bores(11) of the top panel(10).
Patent KR-100335339-B1 (KR)
IPC: F16H1/22
Filed: 1999-10-04
Granted: 2002-05-06
Abstract: For moving an element (6) in an axial direction relative to an object (8), a plurality of screw members (9) are screwable in the element (6) and are arranged around an axis (A) so as to be spaced from one another, each of the screw members (9) has a first end adapted to interact with the object (6) and an opposite second end, and a drive unit includes an action drive and a reaction drive arranged coaxially to the axis (A) and with one another and turnable in opposite directions, one (4, 5) of the drives engages an outer circumference of the screw members (9) while the other (2, 3) of the drives engages an inner circumference of the screw members (9) so that when the power tool is activated the drives (2, 3; 4, 5) are turned in opposite directions and turn the screw members (9) in one and the same direction to thereby move the element (6) in the axial direction. <IMAGE>
Patent KR-100561549-B1 (KR)
IPC: H01L21/60
Filed: 1999-10-07
Granted: 2006-03-17
Abstract: 본 발명은 반도체 패키지(Semiconductor package)의 구조에 관한 것이며, 더욱 구체적으로는 칩 온 패드(COP)형 반도체 패키지에서 롱 루프 본딩 와이어(Long loop bonding wire)가 반도체 칩의 상면에 접촉하여 단락(Short)되는 등의 불량을 방지하기 위한 것이며, 이를 위하여 센터패드들이 구비된 반도체 칩과 센터패드들에 대응되는 윈도우가 구비된 다이패드를 포함하고 윈도우를 통해 본딩 와이어가 센터패드와 리드들의 본딩부를 전기적으로 연결한 것을 특징으로 하는 패드 온 칩(POC)형 반도체 패키지의 구조를 개시하고, 이에 더하여 다이패드가 리드들의 본딩부보다 낮게 다운 셋(Down set)된 구조와 또는 다이패드가 업 셋(Up set)된 상태에서 다이패드의 상면 외곽을 따라 절연 물질이 부착된 구조를 개시하며, 이러한 구조들을 통하여 롱 루프 본딩 와이어가 반도체 칩의 상면에 접촉되어 단락되는 등의 불량을 방지할 수 있으며, 또한 본딩 와이어 루프의 수평거리를 확보할 수 있는 최신의 와이어 본딩 장비 없이 와이어 본딩 공정을 수행할 수 있게 되어 기존 와이어 본딩 장비의 활용도를 높일 수 있다. 
       
     패드 온 칩(POC ; Pad on chip), 본딩 와이어(Bonding wire), 센터패드, 윈도우(Window), 절연 물질(Insulating material)
Patent KR-100307658-B1 (KR)
Title: 폐쇄회로 텔레비전 분할 감시 시스템
IPC: H04N7/18
Filed: 1999-10-25
Granted: 2001-11-02
Abstract: 본 발명은 다수의 카메라를 이용한 폐쇄회로 텔레비전 분할 감시 시스템에 관한 것으로, 감시해야 할 여러 지역에 설치되어 감시 지역을 촬영하는 다수의 카메라(10, 11)와; 카메라가 향하는 방향으로 조명광을 방사하는 다수의 라이트(14, 15)와; 카메라(10, 11) 및 라이트(14, 15)의 방향을 이동시켜 주는 다수의 구동부(12, 13)와; 감시해야 할 지역의 곳곳에 설치되어 이동 물체를 감지하는 다수의 센서(16, 17)와; 한 화면에 다수의 화면을 분할하여 나타내 주는 분할 표시 모니터(20)와; 카메라(10, 11)가 설치된 위치를 지도에 표시해 주는 카메라 위치 모니터(22)와; 특정 지역을 관찰하기 위하여 그 방향을 촬영하는 카메라의 영상 신호를 표시해 주는 추적 모니터(23)와; 다수의 카메라(10, 11)로부터 입력되는 영상 신호를 입력받아 상기 분할 표시 모니터(20)에 각각의 영상을 표시해 주는 영상 분할부(30)와; 영상 분할부(30)를 통하여 입력되는 카메라(10, 11) 영상을 분석하여 영상변화를 감지하는 영상 변화 검출부(32)와; 영상 변화 검출부(32)에 연결되어 영상을 녹화 또는 재생시켜 주는 녹화 재생부(34)와; 영상 변화 검출부(32)나 센서(16, 17)를 통해 이동 물체가 확인되면 경보를 발생하는 경보 제어부(36)로 구성된다.
Patent KR-100445046-B1 (KR)
IPC: C03C25/607
Filed: 1999-11-03
Granted: 2004-08-18
Abstract: Core glass is obtained by flame hydrolysis of a silicon compound, depositing finely ground silicon dioxide on a substrate with direct vitrification, and forming a synthetic quartz glass. The quartz glass has a hydrogen content of less than 1 x 10<18> molecules/cm<3>.
Patent KR-100324760-B1 (KR)
Title: 음성인식 기술을 이용한 음성 메일 전송 방법
IPC: H04L12/66
Filed: 1999-11-19
Granted: 2002-02-20
Abstract: 본 발명은 음성인식 기술을 이용한 음성 메일 전송 장치 및 방법에 관한 것으로, 종래에는 수신된 메일에 대한 답신 기능은 가지고 있지만 불특정 다수에게 전자 메일을 송신하는 기능은 제공되지 않는 문제점이 있다. 따라서 본 발명은 메일 수신자의 이름을 전화를 통해 읽으면, 그 읽은 수신자의 이름을 문자로 부호화하는 제1단계와, 상기에서 부호화된 이름으로 부터 미리 데이터 베이스화되어 저장된 주소록의 수신자 주소를 매핑하는 제2단계와, 상기에서 맵핑된 해당 수신자의 전자 메일 주소로 메일을 전달하는 제3단계로 동작하여,  불특정 다수의 수신자에게도 음성 전자 메일을 보낼 수 있도록 있도록 하여 보다 향상된 서비스와 편리함을 제공하도록 한 것이다.
Patent KR-100253102-B1 (KR)
Title: Water treatment facility having the photo-oxidationequipment, for manufacturing semiconductor device and water treating method
Inventor: KIM SUE-RYEON
IPC: C02F1/32
Filed: 1999-11-29
Granted: 2000-04-15
Abstract: PURPOSE: A water treatment equipment including a photooxidation apparatus for manufacture of semiconductor device and a method thereof are provided, to prevent the components of a catalyst part in a photooxidation part from being eluted by water and to react the catalyst part and aromatic organic in the water. CONSTITUTION: The equipment consists of: (i) a pretreatment apparatus; (ii) an ultrafiltration apparatus; (iii) a gas treatment apparatus; (iv) a first photooxidation apparatus including a UV lamp, a photooxidation part, and a catalyst part that is made of TiO2 material and is coated with polymer film; v) a first ion exchange device; (vi) a second photooxidation apparatus; (vii) a second ion exchange device; and (viii) a particle treater.
Patent KR-100610165-B1 (KR)
IPC: G03F7/004
Filed: 1999-12-06
Granted: 2006-08-09
Abstract: 본 발명은 광산 발생제 및 특정 수지를 함유하는 포지티브 포토레지스트 조성물을 제공한다. 상기 수지는 일반식(I)으로 표시되는 기를 각각 갖는 반복단위를 함유하고, 산의 작용에 의해 알칼리 현상액에서 용해속도가 증가하는 수지이거나, 또는 지환식 탄화수소를 함유하는 부분구조로 보호되고, 일반식(pⅠ)~(pⅥ) 중 하나 이상으로 표시되는 알칼리 가용성 기를 함유하여, 산의 작용으로 분해되어 알칼리에서 용해속도가 증가하는 수지이다. 후자는 산의 작용에 의해 분해되어 술폰산을 발생하는 화합물과 병용된다. 
                           -SO 2 -O-R    (Ⅰ) 
     (식중, R은 필요에 따라 치환된 알킬, 시클로알킬 또는 알케닐기를 나타낸다)
Patent KR-100625445-B1 (KR)
IPC: H04B7/26
Filed: 1999-12-20
Granted: 2006-09-18
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야 
     본 발명은 가변차수 전치왜곡장치 및 그의 제어 방법에 관한 것임. 
     2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제 
     본 발명은, 무선통신시스템에서 비선형 전력증폭기 또는 열화된 특성을 갖는 전력증폭기의 입출력 특성이 선형성을 갖도록 비선형 차수와 계수를 제어하기 위한 가변차수 전치왜곡장치 및 그의 제어 방법과 상기 방법을 실현시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체를 제공하고자 함. 
     3. 발명의 해결방법의 요지  
     본 발명은, 무선통신시스템에서 비선형 전력증폭기 또는 열화된 특성을 갖는 전력증폭기에 대한 계수적응기능을 통해 전력증폭기의 입출력특성을 선형화시키는 전치왜곡장치에 있어서, 상기 전력증폭기의 고차성분에 의한 비선형 특성에 대해, 비선형소자의 초기화 계수를 결정하여 상기 비선형소자의 차수를 가변적으로 조정하기 위한 가변차수조정수단; 및 상기 가변차수조정수단에서 조정된 차수에 대해, 상기 전치왜곡장치의 입력단과 상기 전력증폭기의 출력단으로부터 입력되는 두 신호의 차와 오차 임계치를 비교하여 차수변경과 상기 비선형소자의 계수를 갱신하기 위한 계수갱신수단을 포함함. 
     4. 발명의 중요한 용도 
     본 발명은 무선통신시스템 등에 이용됨. 
       
     전치왜곡장치, 가변차수, 계수, 차수 조정, 오차, 허용 오차, 오차 임계치
Patent KR-100330967-B1 (KR)
Title: 반도체 장치의 제조 공정을 위한 블라인드 시스템
IPC: H01L21/027
Filed: 1999-12-31
Granted: 2002-04-01
Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼 상의 하나의 샷 내에서 불필요한 칩을 제외시켜 필요한 칩만을 선택적으로 노광할 수 있는 반도체 장치의 제조 공정을 위한 블라인드 시스템에 관한 것으로, 이를 위하여 본 발명은, 웨이퍼 상에 있는 N(N은 양의 정수)개의 칩을 하나의 샷으로 형성하여 렌즈를 통해 투영되는 패턴을 N개의 칩에 노광시키는 메인 블라인드와, 메인 블라인드를 X축 및 Y축으로 이동시켜 샷의 크기를 조절하는 메인 모터와, 메인 블라인드에 의해 형성된 샷 내의 N개의 칩중 일부의 소정 칩을 선택하여 렌즈를 통해 투영되는 패턴을 노광시키는 서브 블라인드 및, 서브 블라인드를 X축 및 Y축으로 이동시켜 메인 블라인드의 위치를 조절하는 서브 모터를 포함하는 반도체 장치의 제조 공정을 위한 블라인드 시스템을 제공한다. 따라서, 본 발명에 따르면, 웨이퍼 최외곽 샷의 불필요한 칩을 제외할 수 있는 효과가 있으며, 그로 인해 디포커스에 의한 파티클 소스를 제거할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
Patent KR-100383601-B1 (KR)
Title: 수성계 약제 조성물
IPC: A61K47/36
Filed: 1997-07-02
Granted: 2003-05-14
Abstract: 사람의 비강으로 분무될 수 있고 또 다음을 포함하는 수성 약제 조성물, 조성물의 사용 방법 및 바람직하게는 항염증성 스테로이드, 예컨대 트리암시놀론 아세토니드, 및 조성물의 무방향성 형태를 사용하는 것을 포함하는 조성물의 제조 방법: 
     (A) 비강의 점막 표면에 존재하게 함으로써, 신체 상태를 효과적으로 치료하기 위한 약제학적 유효량의 고형분 입자; 및 (B) 상기 입자를 조성물에 균일하게 분산 유지시키고 또 다음과 같은 요변성을 조성물에 부여하기 위한 유효량의 현탁제: (i) 겔-형태이면서, 미전단 형태에서 위치 점도가 상대적으로 높은 조성물; (ii) 조성물이 분무용으로 제제될 때 전단(흔듬) 처리되기 때문에, 조성물의 점도는 상대적으로 낮아져서 비강의 점막 표면 상에 침착시키기 위해 분진 형태로 비측 통로를 통해 쉽게 유입되는 조성물; 및 (iii) 점막 표면 상에 침착된 형태에서, 조성물의 점도는 상대적으로 높기 때문에 비강에 존재하는 고유 점액력에 의해 점막 표면으로부터 제거에 대한 내성이 있는 조성물.
Patent KR-100513935-B1 (KR)
IPC: G06F15/16
Filed: 1997-10-22
Granted: 2005-09-13
Abstract: A system for updating an agent used in a backup software program. The backup software program operates on a network having, for example, a server and a number of workstations. A backup engine executes on the server. An agent executes on each of the workstations to be backed up. The backup engine transmits an updated agent to each workstation, transmits an executable regeneration module to each workstation and transmits an execute command to the agent at each workstation. The agent at each workstation stores the updated agent and the executable regeneration module and causes the execution of the executable regeneration module. The executable regeration module deletes or renames the agent, and also renames the updated agent to the name of the agent and thereafter enables operation of the updated agent as the agent.
Patent KR-100522509-B1 (KR)
Title: 가용성 폴리펩티드
IPC: C12N5/071
Filed: 1997-11-18
Granted: 2005-10-18
Abstract: 본 발명은, 상피세포에 대하여 형태형성 촉진작용 또는 세포증식작용을 갖는 폴리펩티드에 관한 것이고, 사람-에피모르핀의 N 말단의 1번째로부터 103번째의 아미노산에 의해 특정되는 폴리펩티드, 및 마우스-에피모르핀의 N 말단의 1번째로부터 104번째의 아미노산에 의해 특정되는 폴리펩티드, 및 해당 폴리펩티드를 유효성분으로서 함유하는 의약을 제공한다.  이러한 폴리펩티드는 물에 가용성이고, 형태형성이상을 수반하는 질환, 예를 들면 염증성 질환, 화상, 창상 등의 치료 또는 예방을 위한 의약, 모 성장촉진에 사용되는 의약 등의 유효성분으로서 유용하다.
Patent KR-100595068-B1 (KR)
IPC: H01L29/161
Filed: 1998-09-11
Granted: 2006-07-03
Abstract: 비정질 또는 다결정 실리콘 층은 때때로 IC 공정의 금속화 단계에서 예를 들어 텅스텐의 에칭-백(etching back)에 대한 반사 방지막(antireflex) 또는 에칭 차단층(etching stopper)으로 사용된다.   이러한 층은 표준 Al 금속화와 양립할 수 없는 높은 증착 온도 때문에 CVD 또는 LPCVD에 의하여 제공될 수 없는 문제점이 있다.   스퍼터링 또는 플라즈마 CVD와 같은 다른 증착 기법은 종종 재료의 질적 저하, 웨이퍼 당 보다 긴 공정 시간, 또는 보다 나쁜 단차 피복(step covering)을 일으킨다.   
     본 발명에 따라, 층은 Ge의 첨가하에 500 ℃ 미만의 온도에서 CVD 또는 LPCVD에 의하여 제공된다.   이에 따라 얻어진 Ge X Si 1-X  층(8)은 단차, 광학적 관점, 전기적 관점, 에칭 관점에 비추어 양호한 특성을 가지며, 이미 존재하는 임의의 Al 금속화(6)과 양립한다.
Patent KR-100452180-B1 (KR)
Title: 부품키트항목 선택방법
IPC: G01L/
Filed: 1997-12-15
Granted: 2004-10-12
Abstract: 본 발명은 파이프라인 또는 용기와 같은 유체재료를 함유하는 콘테이너상에 압력변환기를 설치하는 부품키트항목을 선택하는 방법으로서 두 개의 단계를 포함한다. 제 1 단계는 각각의 상이한 설치분류가 유체재료의 특성에 의해서 규정되는 두 개 이상의  상이한 설치분류를 정하는 것이다. 제 2 단계는 상이한 설치분류에 적용가능한 두 개 이상의 상이한 부품키트항목을 정하는 것이다.
Patent KR-100664333-B1 (KR)
IPC: H01L29/78
Filed: 1998-10-12
Granted: 2007-01-02
Abstract: 본 발명은 두개의 일련의 접속된 n-채널 DMOS 트랜지스터 ― 하나의 트랜지스터(하측 트랜지스터 T 1 )의 소스는 저 전압 단자 V SS 에 접속되고, 다른 하나의 트랜지스터(상측 트랜지스터 T 2 )의 드레인은 고 전압 단자 V dd 에 접속됨 ―  를 포함하는 반 브리지 회로에 관한 것이다.  하측 트랜지스터의 드레인 및 상측 트랜지스터의 소스는 출력 단자(4)에 접속된다.  회로는, p형 기판(10)에 도포되는 n형 또는 p형 에피택셜 층(11)을 갖는 반도체 본체에 배열된다.  에피택셜 층에서, 두개의 n형의 영역 ― 상기 각각의 영역은 트랜지스터중 하나의 트랜지스터의 드리프트 영역을 형성하고, 반도체 본체 내에 컵 형상 n형의 영역에 의해 둘러싸임 ― 이 트랜지스터에 대해 한정된다.  하측 트랜지스터 T1의 n형 컵 형상 영역(12) 내에, 컵 형상 영역(12)으로부터 T 1 의 드리프트 영역(15)을 절연하고, 컵 형상 영역(12)와 함께, T 1 의 백게이트 영역(17) 및 소스(17)에 접속되며, V SS 에 접속되는 p형 컵 형상 영역이 제공된다.  상측 트랜지스터에서 n형 컵 형상 영역(13)은 드레인과 함께, V dd 에 접속된다.  하측 트랜지스터의 경우에서와 마찬가지로, n형 컵 형상 영역은 고정된 전압이고, 이러한 영역에 의해 기판 내로 전자가 주입되는 것이 방지되고, 그 결과 나머지 회로에서의 래치업 및 장애의 위험이 방지된다.  기판의 보다 높은 저항에서,  래치업 및 장애의 위험을 줄 수 있는 전압 점프가 기판에 발생하는 것도 방지한다.  또한, 적어도 하측 트랜지스터는 RESURF 조건을 만족하도록 하는 방식으로 구성될 수 있고 따라서, 이 장치가 고 전압에서도 사용될 수 있게 한다.
Patent KR-100639531-B1 (KR)
IPC: A61K31/164
Filed: 1998-12-07
Granted: 2006-10-27
Abstract: 본 발명은 유리 스핑고이드 염기 및 세라미드로 이루어진 국소적 사용을 위한 조성물을 개시한다. 본 발명의 조성물은 손상된 베리어 기능과 연관된 피부상태, 특히 세포 증식 및 분화의 이상조절, 염증상태 및/또는 감염상태와 더욱 연관된 피부상태에의 용도를 위해 적합하다.  
     유리 스핑고이드 염기, 세라미드, 스핑고지질, 베리어,
Patent KR-100501632-B1 (KR)
Title: 환형 섬유 구조물을 제조하는 방법
IPC: D04H3/07
Filed: 1998-03-25
Granted: 2005-07-18
Abstract: 환형 섬유 구조물을 제조하기 위하여, 두개의 겹쳐진 단일 방향 시트로 구성된 스트립형 직물(50)이 사용되고, 상기 시트의 방향은 스트립의 종방향에 대하여 마주보는 각을 형성하고, 상기 두개의 시트는 변형 가능한 기본 메쉬를 형성하도록 서로 접합되고, 상기 직물은 평평한 나선으로 변경되도록 변형되면서 감기고, 상기 기본 메쉬는 턴의 내부직경과 외부직경 사이의 단위 면적당 질량의 변화가 작게 유지되는 방식으로 변형되고, 평평한 턴은 서로에 대하여 압착된다.
Patent KR-100383052-B1 (KR)
Title: 전기/데이터 통신 지불 방법 및 장치
IPC: G06Q20/42
Filed: 1998-04-15
Granted: 2003-05-09
Abstract: 전기/데이터 통신망은 고객 금융 기관(80)의 고객 예금 계좌로부터 사업자 금융 기관(90)의 사업자 예금 계좌로 지불/이체를 용이하게 하는 서비스 노드(TSN)(30)를 갖는다. 상기 TSN(30)은 고객 이동국(60)으로부터 사업자 식별자와 거래액을 취득한다. 상기 TSN(30)은 고객 이동국(60)과 사업자 단말기(70) 모두에게 거래 확인 요구 메시지를 전송한다. 거래 확인을 받으면, 상기 TSN(30)은 상기 고객 예금 계좌로부터 상기 사업자 예금 계좌로 상기 거래액 이체를 요청한다.
Patent KR-100323017-B1 (KR)
Title: 냉각 장치
IPC: F25D13/00
Filed: 1997-11-28
Granted: 2002-02-09
Abstract: 브라인 칠러 유닛(4)에 있어서 브라인을 냉각하는 냉매를 블라스트 칠러(2)의 냉각기(21)에 공급함으로써 블라스트 칠러(2)의 내부를 냉각한다.  또, 브라인 칠러 유닛(4)에 있어서 냉각되는 브라인을 삼방 절환 밸브(17)를 절환함으로써 야간에는 빙축열조(23)에 공급하고, 주간에는 콜드 트랩(7)에 공급한다.  그로 인해, 야간에는 빙축열조(23)에 있어서 제빙 및 냉수의 축적이 행해짐으로써 텀블 칠러(3)는 주간에 이 빙축열조(23)에 축적된 냉수에 의해서 냉각을 행한다.  따라서, 주간에는 진공 냉각기(1), 블라스트 칠러(2) 및 텀블 칠러(3)의 세 대의 냉각기를 한 대의 브라인 칠러 유닛(4)에 의해서 가동시킬 수 있다.
Patent KR-100339905-B1 (KR)
IPC: F16K15/16
Filed: 2000-02-24
Granted: 2002-06-10
Abstract: 리드밸브의 굽힘피로파괴나 충격피로파괴에 대한 내구성을 향상시킬 수 있는 리테이너를 구비한 밸브구조를 제공한다. 
     좌표 원점에서 밸브구멍 중심(C)까지의 거리를 L 로 하고, 밸브구멍 중심 (C) 에서 리드밸브를 Y 축 방향으로 눌러 밸브구멍 구획체 (X 축을 따라 존재) 에서 이간시켰을 때 리드밸브의 자유굽힘형상을 좌표 (x, f(x)) 로 표시하고, 자유굽힘시의 x=L 에서의 이간길이를 H 로 하고,  자유굽힘형상의 y 좌표 함수 (f(x)) 에서 f(x')=H/2 를 충족시키는 x 좌표값을 x' 로 한다.      밸브 열림시에 만곡된 리드밸브의 배면에 맞닿을 수 있는 리테이너 규제면의 프로파일을 설정할 때에, 그 프로파일이 좌표 (x',f(x')-K) (단, K 는 양의 값) 를 포함하도록 하여 부분적으로 리드밸브의 자유굽힘시의 상정 라인보다도 X 축에 접근하는 측으로 나오게 한다.
Patent KR-100344517-B1 (KR)
IPC: H01J31/02
Filed: 2000-03-09
Granted: 2002-07-24
Abstract: 본 발명은 음극선관에 사용되는 Hi-UPF형 전자총의 프리포커스부의 렌즈 구조에 관한 것이다.  Hi-UPF 전자총은 캐소드, 제어 전극, 가속 전극, 제1 양극, 포커스 전극, 제2 양극이 이 순서로 배치되고, 제1 양극과 제2 양극에는 양극 전압이 공통으로 인가되고, 포커스 전극에는 포커스 전압이 인가된다.  본 발명의 음극선관에서는 프리포커스부에 있어서, 제어 전극의 전자 비임 통과 구멍은 0.57 mm 이하이고, 가속 전극과 제1 양극의 전자 비임 통과 구멍 부근에서의 거리는 1.9 mm 이하이다.
Patent KR-100394501-B1 (KR)
Title: 층간 절연막의 형성 방법 및 형성 장치, 및 반도체 장치
IPC: H01L23/532
Filed: 2000-03-15
Granted: 2003-08-14
Abstract: 본 발명은 기판 상에 하지 절연막(105)을 형성하고; Si-C-O-H 화합물, 산화성 가스 및 B(붕소) 함유 화합물을 포함하는 소스 가스를 사용하여, 플라즈마 화학적 기상 증착법에 의해서, B(붕소), C(탄소) 및 H 2 O를 포함하는 막을 상기 하지 절연막 상에 형성하고; 상기 막을 어닐링함으로써, 상기 막중의 C(탄소)와 H 2 O를 상기 막으로부터 방출함으로써 B(붕소) 함유의 다공성 SiO 2 막(107)을 형성하고; 상기 B(붕소) 함유의 다공성 SiO 2 막(107)을 H(수소)플라즈마 처리를 하고, 이어서, 커버 절연막(109)을 형성하는 공정으로 된 층간 절연막의 형성 방법이다.
Patent KR-100368367-B1 (KR)
Title: 반도체 기억 장치
IPC: G11C29/00
Filed: 2000-03-18
Granted: 2003-01-24
Abstract: DRAM의 불량 메모리셀의 구제 효율을 떨어뜨리지 않고 총 스페어 엘리멘트 수를 격감시켜, 용장 회로의 면적 효율을 향상시키기 위한 것이다. 
     메모리셀 어레이가 복수로 분할되어 이루어지는 복수의 노멀 뱅크 BANK0∼BANK15에 각각 설치된 제1 스페어 엘리멘트 SWL, 노멀 뱅크와는 다른 스페어 뱅크 BANKSP에 설치된 제2 스페어 엘리멘트 SWL, 제1 스페어 엘리멘트를 선택 구동하는 복수의 제1 스페어 디코더 SRDO∼SRD3, 제2 스페어 엘리멘트를 선택 구동하는 제2 스페어 디코더 SRD0∼SRD3, 및 제2 스페어 엘리멘트를 복수의 노멀 뱅크 내의 임의의 뱅크에 선택적으로 할당하는 치환 제어 회로 FSOa∼FS27a, RWLON1, RWLON2, SRDact0∼SRDact3을 구비한다.
Patent KR-100630428-B1 (KR)
IPC: B60C5/12
Filed: 2000-03-20
Granted: 2006-10-04
Abstract: 본 발명은 내부층과 트레드층(26)이 형성된 외부층을 갖는 타이어동체(22)로 구성되는 자전거용 튜부레스 타이어에 관한 것이다. 본 발명에 따라서, 타이어동체(22)의 내부층이 나일론코드 (40)를 직조한 것에 톱핑고무(42)를 톱핑처리한 고무톱핑코드지층(42)으로 구성되고 타이어동체(22)의 외부층이 공기 기밀성이 우수한 코드지보호고무층 (38)으로 구성된다. 외부층인 코드지보호고무층(42)에 직접 트레드층(26)이 형성된다.
Patent KR-100365353-B1 (KR)
IPC: G11B19/12
Filed: 2000-04-11
Granted: 2002-12-18
Abstract: 본 발명에 따른 복사 방지 수단이 마련된 컴팩트 디스크 재생/기록기는, 재생용 디스크에 기록된 데이터를 재생하는 재생용 드라이브와; 재생/기록용 디스크에 대한 데이터 재생 및 데이터 기록을 수행하는 재생/기록용 드라이브; 및 재생용 드라이브에 인입된 디스크의 데이터 기록 정보를 획득하여, 그 획득된 기록 정보의 조합으로부터 인입된 디스크의 아이덴터티를 생성하고, 그 생성된 아이덴터티를 이용하여 (복사 이력이 기록되어 있는 메모리로부터)해당 디스크의 복사 이력 확인을 수행하고, 인입된 디스크에 대한 복사 허용 여부를 판단하는 시스템 제어부; 를 포함한다. 
     또한, 본 발명에 따른 복사 방지 수단이 마련된 컴팩트 디스크 재생/기록기의 복사 방법은, (a) 인입된 디스크의 데이터 기록 정보를 획득하여, 그 획득된 기록 정보의 조합으로부터 인입된 디스크의 아이덴터티를 생성하고, 그 생성된 아이덴터티를 이용하여 디스크 재생/기록기의 메모리에 기록되어 있는 복사 방지 디스크 목록과 비교하고, 인입된 디스크에 대한 복사 허용 여부를 판단하는 단계; 및 (b) 단계 (a)의 판단 결과, 인입된 디스크에 기록되어 있는 데이터에 대한 복사 수행이 허용되면, 인입된 디스크에 기록되어 있는 데이터에 대한 복사를 수행하는 단계; 를 포함한다.
Patent KR-100351567-B1 (KR)
Inventor: KAWAHARA TAKAYUKI
IPC: G11C8/08
Filed: 2000-05-20
Granted: 2002-09-05
Abstract: PURPOSE: A semiconductor integrated circuit is provided to reduce the current consumption in the stand-by state even when CMOS circuit is shrunken and the subthreshold current increases. CONSTITUTION: In the initial stand-by state, an input(Ii) of Ci is at a high level VC, and an output(Oi) is at a low level VS. In this connection, a P-channel MOS transistor is normally in an OFF state, and an N-channel MOS transistor is normally in an ON state. The subthreshold current which becomes a problem in case of no provision of a switch(S1) is a current which flows, when the output(Oi) is at a low level, from VC to VS through the P-channel MOS transistor which is off and the N-channel MOS transistor which is on. In the stand-by state, T1 is set to the low level so that the switch(S1) is turned off. However, even when the switch(S1) is turned off, the leakage current of the switch cannot be disregarded. However, a leakage current of the switch is set to a value smaller than the above subthreshold current. Therefore, the current consumption in the stand-by state is necessarily small.
Patent KR-100360538-B1 (KR)
Filed: 2000-05-30
Granted: 2002-11-13
Abstract: 본 발명은 멀티미디어 기술을 이용한 실시간/비실시간 상호 웹 발표 방법 및 시스템에 관한 것으로, 멀티미디어 기술 및 실시간/비실시간 양방향 통신 기술을 이용하여 발표자가 웹상에서 동시다발적으로 복수의 클라이언트(Client)에게 발표서버(Presentation Server)를 통해 실시간/비실시간으로 정보를 제공하고 상담할 수 있도록 하므로써 종래의 오프 라인(Off-line)상의 기업의 마케팅 및 기업선전, 영업방식 등에 있어서의 시간과 공간적인 제약을 극복할 수 있을 뿐 만 아니라, 인건비, 관리비 등의 지출을 줄일 수 있게 한 것이다.
Patent KR-100335504-B1 (KR)
Title: 제어 및 어드레스 버스를 공유하는 2채널 메모리 시스템및 이에 채용되는 메모리 모듈
IPC: G06F3/00
Filed: 2000-06-30
Granted: 2002-05-09
Abstract: 데이터 버스의 동작속도를 향상시킬 수 있고 데이터 버스폭의 확장에 의한 광대역화에 적합한 메모리 시스템 및 이에 채용되는 메모리 모듈이 개시된다. 상기 메모리 시스템에서는, 제1채널의 데이터 버스들과 제2채널의 데이터 버스들이 메모리 콘트롤러로부터 확장되어 공통 제어 및 어드레스 버스를 중심으로 좌우측에 배치된다. 메모리 모듈들의 제1군은 상기 제1채널의 데이터 버스들에 장착되고 메모리 모듈들의 제2군은 상기 제2채널의 데이터 버스들에 장착된다. 또한 상기 메모리 시스템에서는, 모든 메모리 모듈들이 중앙에 위치하는 상기 공통 제어 및 어드레스 버스를 공유한다. 또한 상기 메모리 모듈들은 일부분들이 서로 중첩되도록 배치되고 상기 제1군에 속하는 메모리 모듈들과 상기 제2군에 속하는 메모리 모듈들이 서로 교차되도록 배치된다. 한편 각 메모리 모듈은, 메모리 모듈상에 마운트되는 복수개의 메모리장치들, 상기 메모리 모듈의 한변에 위치하며 시스템 보드상의 커넥터와 연결하기 위한 신호 입출력부, 상기 메모리 모듈상에 마운트되는 버퍼, 및 상기 신호 입출력부와 상기 버퍼 사이에 연결되는 제어 및 어드레스 버스를 구비하고, 상기 제어 및 어드레스 버스를 통한 신호가 상기 버퍼를 거쳐 상기 각 메모리장치에 시간차를 갖고 입력되도록 상기 메모리장치들이 상기 버퍼의 출력라인에 순차적으로 연결된다.
Patent KR-100737709-B1 (KR)
Title: Silicone foam control agent
IPC: C08K3/36
Filed: 2000-08-10
Granted: 2007-07-11
Abstract: A foam control agent comprises (A) an organopolysiloxane material having at least one silicon-bonded substituent of the formula X-Ph, wherein X denotes a divalent aliphatic hydrocarbon group and Ph denotes an optionally substituted aromatic group, (B) an organosilicon resin and (C) a hydrophobic filler. The organosilicon resin (B) preferably consists of siloxane units of the formula R'aSiO4-a/2 wherein R' denotes a hydroxyl, hydrocarbon or hydrocarbonoxy group, particularly trialkylsiloxy units and SiO4/2 units, wherein a has a value of from 0.5 to 2.4. The foam control agent may be provided as an emulsion or as a particulate material. It is especially useful as a detergent foam control agent.
Patent KR-100352419-B1 (KR)
Title: 트랜지스터를 구비한 반도체 장치
IPC: H01L21/8249
Filed: 2000-09-08
Granted: 2002-09-11
Abstract: p형 실리콘 기판(1) 상에 콜렉터 영역으로서의 n - 에피택셜층(4)이 형성되어 있다.  그 n - 에피택셜층(4)에, 베이스 영역으로서의 p 확산층(7)이 형성되어 있다. 그 p 확산층(7)에 에미터 영역으로서의 n - 확산층(8b) 및 n + 확산층(9b)이 형성되어 있다.  p 확산층(7)과 컨택트를 취하기 위한 베이스 컨택트 영역으로서의 p + 확산층(1Oa)이 에미터 영역과 소정의 거리 a를 사이에 두고 형성되어 있다.  이에 따라 전류 증폭률의 변동이 억제된 트랜지스터를 포함한 반도체 장치가 얻어진다.
Patent KR-100411294-B1 (KR)
Title: 수직식 핸들러 및 그의 작동방법
IPC: H01L21/66
Filed: 2000-10-11
Granted: 2003-12-18
Abstract: 본 발명은 수직식 핸들러 및 그의 작동방법에 관한 것으로, 본 발명의 수직식 핸들러는, 테스트할 디바이스들이 채워진 슬리브들이 놓여지는 적재부와, 상기 적재부에 적재된 슬리브들을 자동으로 정렬하여 후방으로 1개씩 연속적으로 이송하도록 된 이송부를 구비한 슬리브 자동로딩장치와; 상기 슬리브 로딩장치의 직후방에 설치되어, 슬리브 로딩장치에 의해 이송된 슬리브들이 수평상태로 로딩되는 로딩부와; 상기 로딩부의 일측에 설치되어, 로딩부에 놓여진 슬리브를 파지한 후 수직으로 선회시켜 슬리브 내에서 디바이스를 빼내는 수직선회장치와; 상기 수직선회장치의 하부에 수직하게 설치되어, 수직선회장치에 의해 슬리브에서 분리된 디바이스들이 하강하여 장착된 후 테스트를 수행받게 되는 테스트부와; 상기 테스트부와 인접하게 설치되어, 테스트부에서 테스트완료된 디바이스를 테스트 결과에 따라 분류하는 소팅부와; 상기 소팅부에서 분류된 디바이스를 다시 빈 슬리브에 채워넣는 언로딩부와; 상기 언로딩부의 하부에 설치되어, 언로딩부에서 디바이스가 채워진 슬리브들이 이송되어 자동으로 정렬되어 적재되도록 된 언로딩박스와; 상기 수직선회장치의 일측부에 설치되어, 수직선회장치에 의해 슬리브 내의 디바이스들이 빼내어진 다음 빈 슬리브를 상기 언로딩부로 이송하여 주는 이송장치와; 상기 이송장치로 빈 슬리브를 이송하기 전에 빈 슬리브에 디바이스가 잔류하는지의 여부를 검색하도록 된 검색장치 및; 상기 검색장치의 일측에 설치되어, 검색장치에 의해 슬리브 내에 잔류 디바이스가 있는 경우 이를 이송하여 임시 보유하도록 된 버퍼부를포함하여 구성된다.
Patent KR-100574303-B1 (KR)
IPC: H01L21/00
Filed: 2000-10-12
Granted: 2006-04-26
Abstract: 본 발명은, 기판처리장치에 관한 것으로서, 표면에 레지스트액이 공급되는 웨이퍼를 보지하기 위한 스핀척과, 상기 스핀척을 수용하고, 아랫부분으로부터 배기를 하는 것으로, 웨이퍼 주변의 분위기를 강제배기하는 컵과, 상기 컵 내에 설치되어 웨이퍼의 주위를 에워싸고, 웨이퍼 부근의 기류를 제어하는 기류제어판을 가짐으로써, 피처리기판의 둘레부에 있어서의 특수한 기류상태의 해소가 가능하며, 이것에 의해 막두께의 돌출을 방지할 수 있는 기술이 제시된다.
Patent KR-100720094-B1 (KR)
IPC: G02F1/133
Filed: 2000-10-25
Granted: 2007-05-18
Abstract: 절연 기판 위의 표시 영역에는 박막 트랜지스터와 화소 전극이 형성되어 있고, 그 위에 감광막으로 이루어진 스페이서 패턴이 형성되어 있다.  표시 영역의 바깥쪽에는 기판의 가장자리를 따라 스페이서 패턴과 동일한 층으로 제1 봉함재 패턴이 형성되어 있으며, 제1 봉함재 패턴의 바깥쪽에는 기판의 가장자리를 따라 열경화성 또는 광경화성 수지로 이루어진 제2 봉함재 패턴이 형성되어 있다.  이러한 액정 표시 장치에서는 공정을 추가하지 않고 감광막을 이용하여 스페이서 패턴과 제1 봉함재 패턴을 형성하여 제2 봉함재 패턴과 액정이 닿는 것을 막을 수 있으므로 열경화성 또는 광경화성 수지로 이루어진 제2 봉함재 패턴이 액정과 반응하여 액정 배향이 깨지는 문제점을 해결하여 화질을 향상시킬 수 있다.  또한, 셀 갭을 유지하는 능력 및 균일도가 향상된다. 
       
     봉함재 패턴, 스페이서 패턴, 셀 갭
Patent KR-100410993-B1 (KR)
Title: 천체모형
IPC: G09B27/06
Filed: 2000-10-25
Granted: 2003-12-18
Abstract: 본 발명은 항성과 행성을 가지는 천체모형에 관한 것이다.  본 발명의 천체모형은, 직립한 상태로 설치되는 지지축과; 상기 지지축에 회동 가능하게 지지되는 복수개의 회전체; 상기 회전체와 연동하여 회전하고, 상기 회전체에서 반경방향으로 연장된 후 상부로 연장성형된 선회암; 상기 복수개의 회전체를 회전시키는 구동수단; 그리고 상기 지지축의 상단부에 설치되는 항성과, 상기 선회암의 상단부에 설치되는 복수개의 행성을 포함하여 구성된다.  그리고 상기 선회암의 상단부에는 분사노즐을 통하여 압축공기가 분사됨으로써, 항성은 공기중에 부양한 상태로 공전을 수행하게 된다.
Patent KR-100364139-B1 (KR)
Title: 키 입력 회로부의 오동작 방지 장치
IPC: H05B6/68
Filed: 2000-11-02
Granted: 2002-12-12
Abstract: 본 발명은 가전기기의 제어 패널 등에 사용하는 키 입력 회로부의 오동작 방지 장치에 관한 것이다. 마이콤(30)의 키 입력단(KeyIn 1)에 키 매트릭스 회로(26)의 특정 멤브레인 스위치 SW1의 신호 출력이 연결되고, 마이콤(20)의 입력단(A/D PORT)에 상기 스위치 SW1과 연동하는 또 하나의 멤브레인 스위치 SW1'의 신호 출력을 연결하여 구성된 것이다. 멤브레인 키 스위치 구성에서, 스위치 SW1과 스위치SW1'는 특정 멤브레인 스위치를 사용자가 손으로 누를 경우 각 스위치의 상하 접점이 동시에 온(ON)되는 인쇄 패턴을 가진다.
Patent KR-100346393-B1 (KR)
Title: 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법
IPC: H01J9/24
Filed: 2000-11-04
Granted: 2002-08-01
Abstract: 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법을 개시한다. 본 발명은 전면기판상에 유지전극을 형성시키고, 유지전극의 단자부를 공히 접속시키는 제1 쇼트전극을 형성시키고, 유지전극을 매립하는 제1 유전체층을 형성시키고, 제1 유전체층의 아랫면에 보호막층을 형성시키고, 전면기판과 대향되게 설치되는 배면기판상에 어드레스전극을 형성시키고, 어드레스 전극의 단자부를 공히 접속시키는 제2 쇼트전극을 형성시키고, 어드레스 전극을 매립하는 제2 유전체층을 형성시키고, 제2 유전체층의 윗면에 방전공간을 구획하는 격벽을 형성시키고, 격벽의 내측으로 적,녹,청색의 형광체층을 도포하고, 전면 및 배면기판을 봉착하고, 그 내부를 진공배기하고 기체를 봉입하고, 전면 및 배면기판을 에이징 방전시키고, 제1 및 제2 쇼트전극을 제거하는 것을 포함한다.
Patent KR-100346987-B1 (KR)
IPC: G02F1/1335
Filed: 2000-11-08
Granted: 2002-07-31
Abstract: 본 발명에 따른 액정표시장치는, 제1기판과, 제1기판상에 형성된 차광성을 갖는 기둥형상 스페이서, 기둥형상 스페이서의 적어도 일부를 덮도록 형성된 배향막, 기둥형상 스페이서에 의해 소정의 갭을 가지고 제1기판에 대향배치된 제2기판 및, 소정의 갭에 배치된 액정조성물을 갖추고 있다.  기둥형상 스페이서는, 기둥형상 스페이서의 제2기판에 가장 가까운 부분에서 제1기판측으로부터 보아 순(順)데이퍼(taper)형상이며, 또 기둥형상 스페이서의 제1기판에 가장 가까운 부분 이외에서 최대지름을 갖고 있다.
Patent KR-100493659-B1 (KR)
Title: 비드필러의 휨 현상 억제장치
IPC: B60C15/04
Filed: 2000-11-23
Granted: 2005-06-03
Abstract: 본 발명은 비드필러의 선단부에서 발생되는 휨현상을 억제시켜 타이어의 성형작업시 발생되는 불량을 방지하고, 비드필러의 선단부에서 발생되는 크랙과 세파레이션을 억제시켜 비드부의 내구 수명을 연장시킬 수 있게 하는 비드필러의 휨 현상 억제방법 및 그 장치에 관한 것이다. 
     종래 비드필러 선단부의 휨현상은 비드필러의 두께를 얇게 하였을 때 더욱 심하게 발생된다. 하지만 비드필러의 휨현상을 개선하고 비드필러의 두께를 두껍게 하면 타이어의 주행 도중 비드필러 선단부에 응력이 집중되어 결국 세파레이션을 유발시켜 비드내구성을 저하시키게 되는 문제점이 있었던 바, 본 발명은 회전하는 비드필러링드럼(1)에 설치되는 원형의 비드코아(2) 외주연에 단면이 삼각형상을 가지는 비드필러(3)를 부착시킴에 있어서, 상기 비드필러링드럼(1)에 의해 회전하는 비드코아(2)의 외주면에 비드필러(3)의 바닥면(30)이 부착되는 과정에서 비드필러(3)의 선단부(31)양측에 비드필러의 휨을 억제시킬 수 있도록 지지하면서 부착되게 함으로써, 비드필러의 선단부에서 발생되는 휨현상을 억제시켜 타이어의 성형작업시 발생되는 불량을 방지하고, 비드필러의 선단부에서 발생되는 크랙과 세파레이션을 억제시켜 비드부의 내구 수명을 연장시킬 수 있는 것임.