Patent DE-112015007014-B4 (DE)
Title: Herstellungsverfahren für ein Arraysubstrat
Inventor: SHI LONGQIANG
IPC: H01L27/32
Filed: 2015-10-21
Granted: 2020-09-17
Abstract: Herstellungsverfahren für Arraysubstrate, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst:Bereitstellen eines Substrats (10), Abscheiden einer ersten Metallschicht auf dem Substrat (10) und Strukturieren der ersten Metallschicht mittels einer ersten Fotomaske, um ein Gate (21) und einen ersten Leiter (22) zu bilden, die beabstandet voneinander angeordnet sind (S101),Abscheiden einer Gate-Isolierschicht (30) auf dem Gate (21) und dem ersten Leiter (22) (5102),Abscheiden einer Halbleiterschicht (40) auf der Gate-Isolierschicht (30) undStrukturieren der Halbleiterschicht (40) und der Gate-Isolierschicht (30) mittels einer zweiten Fotomaske, um ein Durchgangsloch (23) zum Freilegen des ersten Leiters (22) zu bilden (S103),Strukturieren der Halbleiterschicht (40) mittels des Gates (21) und des ersten Leiters (22), um einen ersten Kanalbereich (43) und einen zweiten Kanalbereich (44) zu bilden, die beabstandet zueinander angeordnet sind (S104), wobei der erste Kanalbereich (43) oberhalb des Gates (21) angeordnet ist und der zweite Kanalbereich (44) oberhalb des ersten Leiters (22) angeordnet ist,Abscheiden einer zweiten Metallschicht auf dem ersten Kanalbereich (43) und dem zweiten Kanalbereich (44) und Strukturieren der zweiten Metallschicht mittels einer dritten Fotomaske, um eine Source (51), einen Drain (52) und einen zweiten Leiter (53) zu bilden, die beabstandet voneinander angeordnet sind, wobei die Source (51) und der Drain (52) jeweils mit dem ersten Kanalbereich (43) in Kontakt stehen, wobei der zweite Leiter (53) mit dem zweiten Kanalbereich (44) in Kontakt steht und durch das Durchgangsloch (23) hindurch mit dem ersten Leiter (22) in Kontakt steht (S105),wobei der Schritt »Strukturieren der Halbleiterschicht (40) und der Gate-Isolierschicht (30) mittels einer zweiten Fotomaske, um ein Durchgangsloch (23) zum Freilegen des ersten Leiters (22) zu bilden« (S103) umfasst:Aufbringen einer ersten Fotoresistschicht (41) auf der Halbleiterschicht (40),Durchführen einer Vorderseitenbelichtung und Entwickeln der ersten Fotoresistschicht (41) mittels der zweiten Fotomaske,Nassätzen der entwickelten ersten Fotoresistschicht (41), der Halbleiterschicht (40) und der Gate-Isolierschicht (30),Entfernen der einer Nassätzung unterzogenen ersten Fotoresistschicht (41), um ein Durchgangsloch (23) zum Freilegen des ersten Leiters (22) auf der Halbleiterschicht (40) und Gate-Isolierschicht (30) zu bilden,wobei der Schritt »Strukturieren der Halbleiterschicht (40) mittels des Gates (21) und des ersten Leiters (22), um einen ersten Kanalbereich (43) und einen zweiten Kanalbereich (44) zu bilden, die beabstandet zueinander angeordnet sind« (S104) umfasst:Aufbringen einer zweiten Fotoresistschicht (42) auf der Halbleiterschicht (40),Durchführen einer Rückseitenbelichtung und Entwickeln der zweiten Fotoresistschicht (42) mittels des Gates (21) und des ersten Leiters (22),Nassätzen der entwickelten zweiten Fotoresistschicht (42) und der Halbleiterschicht (40) und Entfernen der einer Nassätzung unterzogenen zweiten Fotoresistschicht (42), um einen ersten Kanalbereich (43) und einen zweiten Kanalbereich (44) auf der Halbleiterschicht (40) zu bilden.