baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent KR-100295875-B1 (KR)
Title: 초두구추출물을함유하는화장료
IPC: A61K8/97
Filed: 1998-11-07
Granted: 2001-11-14
Abstract: 본 발명은 초두구(Alpinia katsumadai) 종자의 추출물을 함유한 노화방지 화장료 조성물에 관한 것으로, 초도구 종자의 추출물은 5-37℃에서 용매에 1-15일간 침적시켜 추출하거나, 용매를 가해 50-95℃에서, 4-20시간 가열하여 추출하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 초도구 추출물은 프리라디칼 소거작용, 항산화 작용이 있고, 엘라스타제 활성저해 효과, 히아루론라제 활성저해 효과 및 미백효과를 나타낸다.
Patent KR-100284201-B1 (KR)
Title: 파워페일 고속 탐지회로
IPC: H02M1/36
Filed: 1998-11-10
Granted: 2001-03-02
Abstract: 본 발명의 목적은 정전 및 순간정전 보상기능을 가지는 컴퓨터나 VCR과 같이 프로그램 저장기능을 가지는 제품에서 정전상태 또는 전원오프 상태를 신속하게 판단하여 해당 제품의 시스템제어 마이컴에 제공하여 줌으로써 정전보상용 콘덴서에 의한 정전보상 시간을 획기적으로 연장시킬 수 있는 파워페일 고속 탐지회로를 제공하는데 있다. 
     본 발명의 구성은 정전보상콘덴서(15)가 접속되는 마이컴(17)의 Vcc전압 입력단(Vin)에 Vcc전압을 공급하는 제1전압발생부(11)의 출력전압이 리세트트랜지스터(20)의 에미터단에 인가되게 연결하고, 상기 리세트트랜지스터(20)의 에미터와 베이스 사이에는 저항(19)을 연결하고, 상기 리세트트랜지스터의 베이스에는 제3전압발생부(13)의 디스플레이 구동전압이 저항(18)과 제너다이오드(21)를 병렬로 통하여 인가되게 연결하고, 상기 리세트트랜지스터(20)의 콜렉터측 풀다운 저항(22)에 나타나는 출력전압레벨이 상기 마이컴(17)의 리세트단(RESET)에 인가되게 연결한다.
Patent KR-100354590-B1 (KR)
IPC: E04B2/84
Filed: 1998-11-12
Granted: 2002-11-18
Abstract: 본 발명은 다수의 콘크리트 구조용 부재를 제조하기 위한 조립식 거푸집을 개시한다. 
     본 발명은 소정형상의 거푸집 충진부를 소정비율로 나눈 분할 충진부(12)가 서로 대향하는 방향으로 형성되도록 구분하는 격벽(14)과, 격벽(14)의 양단에 형성되며 그 바깥면에 요철부(20)가 형성되는 지지부재(16)와, 분할 충진부(12)가 서로 맞대지는 방향으로 지지부재(16)의 일단에 형성되는 결속홈(18)으로 이루어지는 다수의 거푸집 유닛(10)과; 서로 요철결합된 지지부재(16)를 고정시키며, 그 일단에 관통홈(32)이 형성되는 고정부재(30)와; 고정부재(30)의 관통홈(32) 및 다수의 결속홈(18)을 관통하여 체결되는 체결부재(40)를 구비한다. 
     본 발명에 따르면, 콘크리트의 충진압력에 적절히 대응할 수 있으면서도 분리 및 조립이 용이한 소정 형상을 갖는 유닛을 조합하여 다수의 구조용 부재를 동시에 제조할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
Patent KR-100283622-B1 (KR)
Title: 분산 다중처리기 구조 고속병렬컴퓨터에서의 디스크 공유 방법
IPC: G06F3/06
Filed: 1998-12-01
Granted: 2001-03-02
Abstract: 본 발명은 분산 다중처리기 구조 고속병렬컴퓨터의 각 노드에 장착된 입출력 인터페이스 장치를 사용하여 하나의 하드디스크를 모든 노드에 직접 연결하고, 공유 변수로 자료를 관리하므로써, 다수의 노드가 디스크의 자료를 병렬로 사용하여도 자료의 안전성이 보장되고, 하드디스크의 입출력 성능을 향상시킬 수 있는 디스크 공유 방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 
     본 발명의 디스크 공유 방법에서는 한 노드의 프로세스가 공유 디스크 자료의 사용을 요구하는 제1단계와, 상기 제1단계에서 요구한 자료의 공유변수의 존재를 공유변수 관리 프로그램인 S.V 1이 공유리스트에서 확인하여, 공유리스트에서 공유변수가 존재하지 않으면, 새로운 공유변수를 생성하고, 사용 상태를 표시하는 제2단계와, 상기 제2단계의 공유변수가 동일한 노드에서 사용중임을 판단하는 제3단계와, 상기 제3단계의 사용 상태를 공유변수에 표시하고, 공유 디스크를 사용하는 제4단계와, 상기 제4단계의 공유 디스크의 사용이 완료되면 공유변수를 삭제하는 제5단계를 포함한다.   또한, 본 발명의 디스크 공유 방법은 상기 제3단계의 공유변수가 다른 노드에서 사용 중이면 다른 노드의 공유변수 관리 프로그램인 S.V 2에 처리를 요청하여 공유변수의 상태를 확인하고, 상태관리표에 따라 병렬 사용이 가능하면, 상기 S.V 1에게 허용하여, 상기 제4단계의 공유 디스크를 사용하는 제6단계를 포함한다.
Patent KR-100315591-B1 (KR)
Title: 스태틱형반도체기억장치
IPC: H01L21/8244
Filed: 1998-12-09
Granted: 2002-06-20
Abstract: 본 발명은 소자 분리 기술의 향상에 따른 메모리 셀의 면적을 더욱 저감할 수 있는 메모리 셀의 레이아웃을 실현한다. 
     N 채널 트랜지스터 TN1, TN2와 P 채널 트랜지스터 TP1, TP2를 직렬로 접속한 인버터를 2 개 크로스 커플 배선한 CMOS형 메모리 셀을 갖춘 스태틱형 반도체 기억장치에 있어서,  2 개의 인버터의 크로스 커플 배선의 콘택 홀(15, 16)의 적어도 일방이 메모리 셀 내의 N 채널 트랜지스터와 P 채널 트랜지스터의 소스/드레인 확산 부분에 끼인 영역 이외에 배치되어 있다.
Patent KR-100415644-B1 (KR)
Title: 제강용합성플럭스제조방법
IPC: C21D7/00
Filed: 1998-12-21
Granted: 2004-03-26
Abstract: 본 발명은 제강용 합성플럭스 제조방법에 관한 것이며, 그 목적하는 바는 석회석슬러지, 규석분말 및 고로슬래그를 이용하여 플럭스로 합성함으로서, 플럭스사용시 실리콘 킬드강제조를 위한 제강시 용융금속중의 실리콘함유 비금속개재물을 제거하는데 우수한 특성을 가지며, 또한 용융합성된 상태로 분진발생이 거의 없으며 융점이 낮아서 저온에서도 실리콘 킬드강제조시 발생되는 실리콘함유 비금속개재물의 흡착성이 우수한 제강용 합성플럭스의 제조방법을 제공하고자 하는데 있다. 
     상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 실리콘 킬드강제조시 사용되는 제강용 플럭스를 제조하는 방법에 있어서, 석회석슬러지와 규석분말을 중량비율로 1.5-3.4범위가 되도록 혼합한 혼합물을 80중량%이상으로 하고, 그 나머지를 고로슬래그로 하여 배합하고, 상기 배합원료를 1358℃이상의 온도에서 용융합성시킨후 통상의 방법으로 추출냉각하는 것을 특징으로 하는 제강용 합성플럭스 제조방법에 관한 것을 그 요지로 한다.
Patent KR-100552056-B1 (KR)
Title: 반도체 장치의 위상 동기 루프 회로
IPC: H03L7/00
Filed: 1998-12-21
Granted: 2006-06-29
Abstract: 본 발명에 따른 위상 동기 루프 회로는 위상 검출기, 챠지 펌프, 루프 필터, 제어 회로, 전압 제어 발진기 및 분주기를 포함한다.  상기 위상 검출기는 외부로부터의 기준 신호 및 상기 분주기로부터의 분주 신호의 위상을 비교하여 그 결과로서 업/다운 신호들을 출력한다.  상기 챠지 펌프는 상기 업/다운 신호들 및 상기 제어 회로로부터의 제 1 및 제 2 제어 신호들의 제어에 의해 상기 루프 필터를 충/방전시킨다.  상기 루프 필터는 상기 챠지 펌프 및 상기 제어 회로로부터의 제 3 제어 신호의 제어에 의해 상기 전압 제어 발진기로부터 출력되는 출력 신호의 주파수를 결정한다.  상기 분주기는 상기 전압 제어 발진기로부터의 상기 출력 신호를 소정의 비율로 분주한 분주 신호를 출력한다.  상기 제어 회로는 상기 위상 검출기로부터의 상기 업/다운 신호들의 제어에 의해 상기 챠지 펌프 및 상기 루프 필터를 제어하는 상기 제 1, 제 2 및 제 3 제어 신호들을 출력한다.  본 발명에 따른 위상 동기 루프 회로는 상기 제어 회로를 이용하여 상기 루프 필터를 충/방전시키는 전하들이 양을 조절하고 그리고 조절되는 전하들과는 상반적인 관계로 상기 루프 필터내의 저항값을 가변시킴으로써, 위상 동기 루프 회로의 밴드 폭을 유지하면서, 록 타임 및 노이즈 특성을 향상시킬 수 있다.
Patent KR-100280548-B1 (KR)
Title: 반도체 도금장비용 휠의 부식 방지구조
IPC: H01L21/00
Filed: 1998-12-31
Granted: 2001-03-02
Abstract: 본 발명은 반도체 도금장비용 휠의 부식 방지구조에 관한 것으로, 종래에는 도금용액에 산성분이 포함되어 이에 접촉되는 볼베어링이 부식되면서 휠 몸체의 회전을 방해하게 되는 것은 물론, 이로 인해 휠 몸체의 회전이 불균일하게 되어 도금의 균일성을 저하시키고, 장비의 운전시간이 단축되며, 도금용액이 오염되며, 수율이 저하되는 문제점도 있었던 바, 본 고안에서는 휠 몸체와 휠 아암의 미끄러짐 접촉부위 및 상기 휠 아암과 샤프트의 미끄러짐 접촉부위에 도금용액에 의해 부식되지 않는 부시베어링을 각각 개재시켜 휠을 구성함으로써, 상기 휠 몸체와 휠 아암 또는 휠 아암과 샤프트의 접촉부위에 개재되는 베어링이 도금용액에 접촉되더라도 쉽게 부식되지 않도록 하여 상기 휠 몸체가 원할하게 회전할 수 있도록 하고, 장비의 운전시간을 연장하며, 도금용액이 베어링의 부식에 의해 오염되지 않도록 하는 효과가 있다.
Patent KR-100430849-B1 (KR)
Title: 새로운올레핀중합용킬레이트촉매의제조방법
IPC: C08F4/64
Filed: 1998-12-31
Granted: 2004-09-16
Abstract: 본 발명은 하기 일반식(I)의 디케티미나토 계열의 킬레이트 리간드와 Mg[Al(OR) 3 R'] 2 (여기에서 R,R'는 알킬기) 형태의 화합물을 반응시켜 킬레이트 리간드 함유 화합물을 제조한 다음, 이를 티탄할라이드 화합물과 반응시키는 것을 특징으로 하는 올레핀 중합용 킬레이트 촉매의 제조방법에 관한 것이다. 
     
       
     
     (여기에서 R은 알킬기) 
     본 발명의 올레핀 중합용 촉매에 의해서 생성되는 폴리머는 좁은 분자량 분포를 가지며 폴리머 사슬내에 분지(branch)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Patent KR-100563850-B1 (KR)
IPC: F04B27/08
Filed: 1998-12-31
Granted: 2006-06-07
Abstract: 본 발명은 가변용량형 사판식 압축기의 피스톤 회전방지구조에 관한 것으로서, 피스톤의 크기 및 중량을 줄일 수 있고, 이에 따라 압축기의 전체 외경을 감소시킬 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.  
     본 발명에 따른 피스톤 회전방지구조는, 피스톤 헤드부(3)와, 상기 피스톤 헤드부의 배면에 형성되는 내측 플랜지(41), 상기 내측 플랜지의 상단으로부터 피스톤 헤드부의 축방향으로 연장되는 웨브부(42) 및 상기 내측 플랜지와 대향하도록 상기 웨브부의 끝단으로부터 아래로 굴곡되는 외측 플랜지(43)를 구비한 피스톤(2)의 회전을 제한하기 위한 가변용량형 사판식 압축기의 피스톤 회전방지구조로서, 상기 웨브부의 상면 양단으로부터 피스톤의 축방향을 따라 피스톤 헤드부 쪽으로 소정의 위치까지 형성된 한 쌍의 스토퍼홈(47,47)과; 상기 스토퍼홈들 사이의 거리에 대응하는 폭을 가지도록 전방 하우징(11)의 내주면에 그 길이방향을 따라 형성되는 가이드홈(17)을 포함하여 이루어진다. 따라서, 전방 하우징(11)의 내주면(18)과 피스톤의 스토퍼홈(47,47)의 접촉에 의하여 피스톤의 회전방지 역할을 하도록 함으로써 피스톤(2)의 중량 및 크기를 줄일 수 있어 피스톤(2)의 제조원가를 낮출 수 있다. 또한, 피스톤 회전방지용 기구가 전방 하우징(11)의 실린더 보어 외측에 구비되지 않아 압축기 전체 외경을 감소시킬 수 있다.
Patent KR-100403895-B1 (KR)
Title: 가솔린 탈황 방법
IPC: C10G45/00
Filed: 1996-07-12
Granted: 2004-03-20
Abstract: 올레핀 및 옥탄의 손실을 최소화하면서 촉매 분해 나프타를 탈황시킨다. 나프타를 제 1 증류 반응 지대 (11) 안에서 비등되는 대부분의 올레핀 및 메르캅탄을 함유한 경 물질과 함께 디펜터나이저 또는 디헥사나이저로써 작용하는 제 1 증류 컬럼 반응기 (10)에 공급하는데, 이 제 1 증류 반응 지대 (11)에서는 메르캅탄이 디올레핀과 반응하여 앙금 중에서 임의의 고 비등 황 화합물과 함께 제거되는 황화물을 형성한다. 앙금은 황 화합물이 H 2 S로 전환된 다음 제거되는 제 2 증류 컬럼 반응기 (20)에서 수소화탈황작용을 겪게된다. 이리하여 대부분의 올레핀을 함유한 경 분획은 제 2 반응기 (20)의 보다 맹렬한 수소화 조건을 받지 않는다.
Patent KR-100536787-B1 (KR)
Title: Process for producing 2-hydroxynaphthalene-3,6-dicarboxylic acid
IPC: C07C51/15
Filed: 1997-10-16
Granted: 2006-02-28
Abstract: The present invention relates to a process for preparing 2-hydroxynaphthalene-3,6-dicarboxylic acid which comprises reacting potassium 2-naphtholate and carbon dioxide at a temperature 290 DEG C or higher under a pressure 30kg/cm<2> (G) or higher. According to this process, 2-hydroxynaphthalene-3,6-dicarboxylic acid can be obtained in high yield.
Patent KR-100476034-B1 (KR)
Title: 단일성분에폭시수지금형재료
IPC: C08K3/38
Filed: 1997-03-12
Granted: 2005-11-30
Abstract: 본 발명은 주위 온도에서 저장 안정성이 있고 또 130℃ 이상의 높은 후경화 유리 전이 온도 및 -30 내지 125℃의 온도 범위에서 1.7×10 -5  cm/cm/℃ 미만의 낮은 열팽창 계수(CTE)를 유지하는 단일 성분 경화성 에폭시 수지 조성물에 관한 것이며, 따라서 금형 장치에서 실제적으로 사용된다.  상기 에폭시 수지 조성물은 에폭시 수지 또는 이들의 혼합물, 다관능성 에폭시 수지 희석제, 삼염화붕소 아민 착물, 및 실리카 또는 실리케이트로 구성된 군으로부터 선정된 하나 이상의 충전제를 포함한다.  또한, 본 발명은 경화 제품에 관한 것이다.
Patent KR-100479629-B1 (KR)
Title: 디카르복실산 및 히드록시카르복실산의 단리 방법
IPC: F26B11/12
Filed: 1997-04-07
Granted: 2005-05-16
Abstract: 본 발명의 제1 방법은 대부분의 모노알칼리 금속염과 알칼리 금속 수산화물을 제조하기 위해 방향족 히드록시카르복실산 또는 디카르복실산의 디알칼리 금속염을 부분 전기 투석하는 것을 포함한다.  이어서, 모노알칼리 금속염을 중황산염과 같은 산으로 처리하여 방향족 히드록시카르복실산 또는 디카르복실산을 회수한다.  이어서, 황산나트륨과 같이 생성된 무기염을 중황산나트륨과 NaOH로 전기 분해시킨다.  본 발명의 제2 방법은 유리 p-히드록시벤조산과 알칼리 금속 수산화물을 제조하기 위해 p-히드록시벤조산의 (디)알칼리 금속염을 승온에서 전기 투석시키는 것을 포함한다.  이들 방법은 상기 디알칼리 금속염으로부터 모 유기 화합물 뿐만 아니라, 산 및 알칼리 금속 수산화물을 회수하기 위한 효율적이고 경제적인 방법이다.
Patent KR-100558497-B1 (KR)
Title: 작용화된 엘라스토머/비투먼 조성물의 제조방법 및 외장재에의응용
IPC: C08G81/02
Filed: 1998-04-17
Granted: 2006-08-31
Abstract: 본 발명은 100∼200℃의 온도에서 교반하에 엘라스토머, 작용화제 및 임의선택적으로 과산화물을 접촉시키는 방법에 관한 것이다. 상기 작용화제는 티올카르복실산 또는 티오카르복실산이나 에스테르와 에틸렌 술파이드의 반응산물이다. 작용화된 엘라스토머는 미리형성된 다음에 비투먼에 혼입될수 있다.  이렇게 하여 생성된 조성물은 외장재, 코팅재 및 방수물질을 제조하는데 사용되는 아스팔트질 바인더를 형성시키는데 사용되며, 이는 그 자체로서 직접 사용될 수도 있고 희석시켜 사용될 수도 있다.
Patent KR-100315279-B1 (KR)
IPC: A61B5/117
Filed: 1999-01-13
Granted: 2001-11-28
Abstract: 개인 식별의 대상이 되는 각각의 개인의 날인한 손금 이미지를 개인 인증용으로 등록하는 손금 이미지의 등록 방법에 있어서, 상기 손금 이미지를 미리 정해진 위치와 크기의 영역을 갖는 복수의 부위로 분할하여 분할된 각각의 부위에서의 특징점을 추출하여 그 특징점 정보를 개인 식별 정보로서 등록하는 것을 특징으로 한다.
Patent KR-100318384-B1 (KR)
Title: 액정표시장치 및 그 구동 방법
IPC: G09G3/36
Filed: 1999-02-01
Granted: 2001-12-22
Abstract: 낮은 클럭 속도로 구동되어 전자파 및 노이즈의 발생을 억제할 수 있으며, 표시화면의 해상도 및 컨트라스트가 향상되고 응답 속도가 빠른 액정표시장치 및 그 구동방법을 제공하기 위한 것으로서, R, G, B 데이터 신호, LOAD 신호 및 클럭 신호를 포함하는 소오스 드라이버의 구동에 필요한 신호와 게이트 클럭 신호, 프레임 스타트 신호를 포함하는 게이트 드라이버의 구동에 필요한 신호를 출력하는 타이밍 제어 회로와, 상기 타이밍 제어회로로부터 소오스 드라이버의 구동에 필요한 신호를  전송 받아, 이들을 다수개의 신호 세트로 분할하여 출력하는 라인 버퍼를 구비한 STN 액정표시장치를 제공한다.
Patent KR-100309462-B1 (KR)
Title: 반도체 소자의 웨이퍼 및 그 제조방법
IPC: H01L21/02
Filed: 1999-02-22
Granted: 2001-09-26
Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 웨이퍼 및 그 제조방법에 관한 것으로, 실리콘 잉곳을 성장시키는 공정과; 상기 실리콘 잉곳을 슬라이싱하여 웨이퍼를 제작하는 공정과; 상기 웨이퍼를 열처리하는 공정과; 상기 열처리한 웨이퍼를 산화시키는 공정과; 상기 웨이퍼 표면의 산화막을 제거하는 공정과; 상기 웨이퍼를 경면처리하는 공정을 순차적으로 실시하는 것을 특징으로 하여 본 발명에 따른 웨이퍼를 제조함으로써, 디지(DZ : denuded zone) 깊이가 표면으로부터 최소한 10μm 이상인 웨이퍼를 제공하고자 한다.
Patent KR-100296498-B1 (KR)
Title: 배향성 화학 흡착 단분자막의 제조방법
IPC: G02F1/1337
Filed: 1999-03-11
Granted: 2001-07-04
Abstract: 본 발명은 세정액의 이용효율이 높고, 구성분자의 배향성이 우수한 배향성 화학 흡착 단분자막을 제조할 수 있는 제조방법을 제공하는 것으로써, 표면이 친수성(親水性)인 기재(1)를 준비하고, 이 표면에 탄소쇄 또는 실록산 결합쇄를 포함하는 실란계 계면활성제를 접촉시켜 상기 양자를 화학반응시킴으로써 상기 실란계 계면활성제 분자의 일단을 상기 기재(1) 표면에 결합시켜 단분자막을 형성하며, 상기 기재를 소정의 방향으로 향한 상태에서 유기용매(4) 증기로 증기 세정하고, 이 때에 상기 기재(1) 표면에 이슬로 맺힌 유기용매(41)의 흐름에 의해 상기 단분자막을 구성하는 분자를 배향시킨다.
Patent KR-100300133-B1 (KR)
Title: 토기의 제조방법 및 장치
IPC: C04B33/32
Filed: 1999-03-11
Granted: 2001-09-22
Abstract: 본 발명은  2차 점토를 숙성하여 반죽을 제조하고, 이 반죽으로 소망하는 형태 및 모양으로 성형하고 건조한 기물을 유약을 바르지 않고 가마에 넣어 장작불로 1차 소성만을 행하되,  상기 소성단계를 400∼450℃에서 10∼14시간 가열하는 밑불 공정, 800∼850℃에서 15∼18시간 가열하는 중불 공정,  850∼1200℃에서 10∼12시간 가열하면서 장작수급시마다 천일염을 공급하는 본불 공정,  천일염 투입을 중단하고 1260∼1280℃에서 2∼4시간 가열하는 창불공정으로 구분하는 것을 특징으로 하는  토기의 제조방법과 이를 구현하기에 적합한 가마에 관한 것이며, 이에 의하면 방수투기성을 가져서 다양한 특수 목적에 적용될 수 있고, 외관이 미려하며, 자연친화성이 우수한 등의 많은 장점을 갖는 고 품질의 토기를 낮은 코스트로 생산할 수 있게 된다.
Patent KR-100597042-B1 (KR)
IPC: C08L101/00
Filed: 1999-03-30
Granted: 2006-07-04
Abstract: 중부가형 열경화성 수지, 중부가형 열경화성 수지의 경화제와 부가반응을 일으키는 관능기를 포함하는 함규소화합물(올리고머) 및 물을 함유하는 혼합물에 소정의 조건으로 열처리를 실시하는 단계와, 상기 열처리가 실시된 상기 혼합물에 중부가형 열경화성 수지용 경화제를 첨가하는 단계에 의하여 얻어지는 열경화성 수지 조성물은, 내열성이 좋고 고온에서의 탄성률의 변화가 적고, 크랙이나 박리가 발생하기 어려운 열경화성 수지 성형품, 수지밀봉 반도체장치, 프린트기판, 자동차부품 등의 제조에 유용하게 사용할 수 있다.
Patent KR-100366761-B1 (KR)
Title: 약물주입량 제어장치 및 방법
IPC: G01F13/00
Filed: 1999-04-14
Granted: 2003-01-06
Abstract: 1.청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야 
     약물주입량 제어장치 및 방법 
     2.발명이 해결하려고 하는 기술적 과제 
     본 발명은 광센서를 이용하여 약물 방울의 떨어지는 양을 검출하고, 퍼지룰을 적용하여 상기 검출신호의 산출에서 얻은 계수값에 따라 핀치 클램프의 압력을 조절하므로서 튜브를 통한 주입률을 자동적으로 제어할 수 있는 약물 주입량 제어장치 및 방법을 제공함에 그 목적이 있다. 
     3 발명의 해결방법의 요지 
     본 발명은 약물용기의 입구에 장착되며 점적되는 약물방울을 일시저장하는 챔버; 상기 챔버의 배출구에 장착되며 약물주입경로를 제공하는 튜브; 상기 챔버내에서 점적되는 약물방울을 검출하고 계수하여 차동신호를 출력하는 약물방울 감지수단; 상기 약물방울 감지수단의 점적계수를 연산, 산출하여 제어신호를 출력하는 제어수단; 및 상기 튜브에 장작되며, 상기 제어수단으로부터 출력된 신호를 인가받아 튜브의 압력을 조절하여 수단을 포함하는 약물주입량 제어장치를 제공한다. 
     4.발명의 중요한 용도 
     약물주입량을 자동제어에 의해 조절하는 것임.
Patent KR-100677066-B1 (KR)
IPC: G11B7/24
Filed: 1999-05-14
Granted: 2007-02-01
Abstract: 본 발명에는 결함 관리를 위한 여유 공간을 갖는 디스크와 여유 공간 할당 방법이 개시되어 있다. 본 발명은 지역과 그룹의 관계를 미리 규정하지 않고 복수개의 지역을 하나의 그룹으로 형성해서, 여유 공간의 할당을 건너뛰기 치환과 선형 치환을 위한 여유 공간으로 나누어서 건너뛰기 치환을 위한 여유 공간을 먼저 할당하고, 사용되고 남은 건너뛰기 치환을 위한 여유 공간의 크기와 디스크의 사용 용도에 따라 선형 치환을 위한 여유 공간을 할당하고, 사용중 선형 치환을 위한 여유 공간이 부족하면 논리적 파일 공간의 제일 뒤쪽부터 선형 치환을 위한 추가 여유 공간을 할당함으로써 여유 공간을 보다 유연하고 효율적으로 할당할 수 있다.
Patent KR-100329864-B1 (KR)
Title: 광 헤드 및 그것을 사용한 광학적 정보기록 재생장치
IPC: G11B7/124
Filed: 1999-05-17
Granted: 2002-03-22
Abstract: 간단한 제조 프로세스에 의해 광원과 광 검출소자를 동일 기판상에 집적형성 가능하고, 기록 가능한 광학적 정보기록 재생장치에도 적용하는 것이 가능한 초소형 광 헤드 및 그것을 사용한 광학적 정보기록 재생장치. 
     단결정 투명기판상에 기둥(柱) 모양의 반도체 결정으로 이루어지는 광 도파층을 형성하고, 동(同) 광 도파층의 측면에 활성층을 설치함과 동시에, 상기 기판에 대해서 수직으로 광이 출사(出射)되도록 상기 활성층의 출사 단면 전후에 고반사막을 설치하여 수직공진기로 한 반도체 레이저 소자를 광원으로 한다. 또한, 동 반도체 레이저 광원의 근방에서의 상기 기판상에 광 검출소자를 집적 형성한다. 다시, 동 기판에서의 반도체 레이저 광원과 대항하는 면에 제1 투명층, 회절격자, 제2 투명층, 위상차 발생소자, 제3 투명층, 집광소자, 제4 투명층, 내접동 보호층을 순차 적층하여 광 헤드를 구성하고, 내접동 보호층을 정보 기록매체와 대향시켜 근접 배치한다.
Patent KR-100314710-B1 (KR)
Title: 전력용 반도체 모듈
IPC: H01L21/60
Filed: 1999-05-17
Granted: 2001-11-26
Abstract: 본 발명은 전력용 반도체 모듈에 관한 것으로서, 반도체 칩 상면에 접합된 열 보상판과 전극 단자 사이에 열 팽창에 따른 응력을 완충시킬 수 있는 수단이 연결된 전력용 반도체 모듈에 있어서, 상기 응력 완충 수단은 전극 단자와 열 보상판 사이에 연결되는 심선과, 상기 심선 둘레에 일정 두께로 접합되는 연납 기둥으로 이루어진 것을 특징으로 한다. 
     따라서, 본 발명에 의하면 전력용 반도체 모듈 내부에 연결되는 금속 배선간에 작용되는 열 응력에 기인한 변위를 충분히 막을 수 있을 뿐만 아니라 열 응력에 의한 피로 현상을 줄여 신뢰성을 높일 수 있음은 물론, 가공 및 조립 생산성도 더욱 향상시킬 수 있다.
Patent KR-100423751-B1 (KR)
Title: 지그염색기의 직물이송속도 유지장치
IPC: D06B3/10
Filed: 1999-05-18
Granted: 2004-03-22
Abstract: 본 발명은 지그염색기의 염색조에 두개의 로울러를 설치하여 일측 로울러에 염색할 직물지를 감아서 공급하고 타측 로울러에는 염색된 직물지를 감을수 있게 장치하여 일정의 기준속도로 이동될수 있도록 하는 직물이송 속도 유지장치에 관한 것으로, 양측로울러(6)(7)의 회전축(601)(701)에 치차형풀리(602)(702)와 브레이크드럼(9)(9a) 및 회전원판(81)(81a)을 부착하고 두 로울러의 사이에 기어박스(B)를 장치하여 치차형 풀리(602)(702)는 기어박스의 피동회전축(3)(4)의 치차형풀리(32) 
     (42)와 타이밍밸트(5)(5a)로 연결하고 브레이크드럼(9)(9a)의 외주에 브레이크밴드 
     (901)(901a)를 감아서 일측은 고정하고 타측은 공압실린더(902)(902a)의 로드와 연결하며 회전원판(81)(81a)의 외측면에 감지구(802)(803)를 장치하고 프레임에 근접스위치로된 감지센서(81b)(81c)를 장치하여 권취로울러(6)의 감지센서(81b)는 모타인버터장치에 입력되어 모타(1)의 회전수를 조절케하고 공급로울러(7)의 감지센서(81c)는 진공레귤레이터를 통해 공압실린더(902a) 작동부에 연결되어 브레이크밴드(901a)를 작동시킬수 있게하며 기어박스(B)의 피동회전축(3)(4)의 사이에 구동축(2)을 장치하여 구동모타(1)와 밸트로 연결하고 구동축(2)의 외면에 스플라인(201)을 형성하여 양측에 기어(203)(204)를 가진 작동구(202)를 공압실린더(205)로 이동시켜 피동회전축(3)(4)의 피동기어(301)(401)을 선택하여 구동시킬수 있게 구성하여 권취로울러가 구동할때 그 회전수를 감지하는 회전수감지센서(81b)(81c)가 현재의 속도를 감지하여 인버터감지장치를 통해 모우터의 회전을 제어함으로서가능하게 되고 공급부측 로울러의 회전축에 장치된 회전수감지센서는 브레이크장치에 신호를 주어 공급부측 로울러의 회전이 가속되는 것을 브레이크로 제어하여 풀리는 직물지의 장력을 조정하므로서 초기의 설정속도를 유지시켜 주게 되어 직물지가 염색을 시작한 초기 단계에서 염색이 종료될때까지 직물지를 정해 놓은 속도로 일정하게 이동시킬수 있음으로 염색의 질이 균등하게 할수 있는 것이다.
Patent KR-100314759-B1 (KR)
Title: 고온고압 석탄가스 정제용 집진기
IPC: B01D46/00
Filed: 1999-05-28
Granted: 2001-11-17
Abstract: 본 발명은 석탄활용의 신기술로서 개발되고 있는 석탄가스화복합발전(IGCC) 및 산업체에서 발생되는 분진이 다량 혼재된 고온고압 가스를 효과적으로 집진할 수 있는 고온고압 가스 정제용 집진기에 관한 것이다. 
     본 발명은 종래의 집진기가 갖는 구조상의 불합리성에 의해서 분진부하의 불균일이 발생하여 필터가 빈번하게 파손되는 것을 개선하기 위하여 캔들형 세라믹 필터를 사용하고 다수의 세라믹필터를 기체내부의 둘레에 수개의 단으로 나누어 수직상으로 배열하며 세라믹필터 중심부에 각 단의 높이에 맞는 길이의 산기관들을 수직으로 설치하되, 각 단의 세라믹필터는 지붕과 분진차단판에 의해 직접적인 분진부하가 감소되게 구성한 것을 특징으로 한다.
Patent KR-100595499-B1 (KR)
IPC: H01J9/24
Filed: 1999-06-03
Granted: 2006-07-03
Abstract: 본 발명은 공정을 단순화함과 아울러, 패널과 레일간의 접합강도를 높이는 브라운관 제조방법에 관한 것이다. 
     본 발명의 브라운관 제조방법은 패널과 금속막이 형성된 레일을 정전기력에 의해 접합한다. 
     이에 따라, 본 발명의 브라운관 제조방법은 공정을 단순화함과 아울러, 접합강도를 높이게 된다.
Patent KR-100296410-B1 (KR)
Title: 차량 정비대
IPC: B60S9/00
Filed: 1999-06-25
Granted: 2001-07-12
Abstract: 본 발명은 차량으로부터 분리되는 정비대상물을 받쳐주기 위한 차량 정비대에 관한 것이다. 본 발명의 차량 정비대는 다수의 바퀴(14)에 의해 이동이 자유로운 프레임(12)의 선단에 힌지(16)를 중심으로 회전가능한 손잡이(18)가 장착되는 대차(10)와, 프레임(12)의 상면에 길이 방향을 나란하게 장착되는 레일(20)을 갖추고 있다. 또한, 레일(20)을 따라 구름운동하는 롤러(34)에 의해 이동할 수 있도록 제1,2 캐리어(30, 32)가 설치되며, 제1,2 캐리어(30, 32)의 상면 중앙에 유압잭(40)이 설치되고, 유압잭(40)은 그 로드(42)의 선단에 정비대상물(M)을 받쳐줄 수 있는 서포트(44)가 고정된다. 그리고, 서포트(44)의 하면 양쪽에 가이드 핀(48)이 각각 장착되고, 가이드 핀(48)은 제1,2 캐리어(30, 32)의 상면 양쪽에 장착되는 포스트(50)의 가이드 구멍(52)에 끼워져 안내된다. 제1,2 캐리어(30, 32) 사이에는 제1,2 캐리어(30, 32) 사이의 거리를 유지시켜 줄 수 있는 턴버클(60)이 설치되며, 이 턴버클(60)의 왼사나(64)와 오른나사(66)에 형성되는 고리(68)를 걸림유지시킬 수 있도록 제1,2 캐리어(30, 32)의 상면에 핀(38)이 장착된다. 본 발명에 의하면, 이동이 자유로운 대차의 레일을 따라 제1,2 캐리어가 이동되어 정비대상물을 안정적으로 받쳐 분리할 수 있을 뿐만 아니라, 정비대상물의 운반 작업이 용이해져 작업성이 크게 향상되는 것이다.
Patent KR-100340926-B1 (KR)
IPC: H01L29/04
Filed: 1999-07-19
Granted: 2002-06-20
Abstract: 본 발명은 전자가 흐르는 방향은 물론 다른 방향으로도 수 나노미터의 크기를 가지며, 상온에서 스위칭 동작 가능한 공명 투과 트랜지스터를 제공하고자 하는 것으로, 이를 위한 본 발명의 공명 투과 트랜지스터는, 소스로서 작용하는 제1 탄소나노튜브; 드레인으로서 작용하는 제2 탄소나노튜브; 전자중첩영역을 구성하는 C 60 분자; 및 상기 C 60 분자에 상기 제1 및 제2 탄소나노튜브를 각각 연결하여 주면서 전자의 투과장벽으로 작용하는 금속뭉치화합물을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하며, 또한 상기 제1 탄소나노튜브와 상기 제2 탄소나노튜브는 스위칭 동작을 위하여 서로 다른 길이를 갖는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 탄소 나노튜브가 자연적인 반도체이어서 도핑의 과정이 필요치 않고, 전자가 흐르는 방향뿐 아니라 모든 방향으로 나노미터 크기를 가져 진정한 의미의 나노 전자소자를 만들수 있을 뿐 아니라, 분자 전자소자의 특징을 가지고 있기 때문에 상온에서도 트랜지스터의 특성인 스위칭 동작을 이루게 된다. 따라서 탄소 나노튜브를 소스와 드레인으로 사용하고 이들을 분자 레벨에서 전기적으로 연결하면 종래의 반도체보다 수만배 이상의 집적도를 가진 전자소자를 제작할 수 있다.
Patent KR-100231801-B1 (KR)
Inventor: TADA HITOSHI
IPC: H01P1/205
Filed: 1999-08-05
Granted: 2000-03-15
Abstract: 본 발명은 한쌍의 길이방향으로 대향하는 양단면을 각각 지니고 서로 인접하여 배치되며 연장된 제 1 서브-블록과 제 2 서브-블록, 및 외부표면을 포함하는 유전체 블록; 상기 제 1 서브-블록의 길이방향으로 대향하는 한쌍의 제 1 단면 사이에 배치되고 두개의 외부단자와 내부표면을 가지며 길이방향으로 연장하는 제 1 관통홀; 외부단자를 가지며 상기 제 1 관통홀의 내부표면상에 형성된 제 1 내부도체; 상기 제1 내부도체의 외부단자가 개방-회선된 것으로서 상기 제 1 내부도체의 외부단자와 전기적으로 연결되지 않고, 상기 유전체블록의 외부표면상에 형성된 외부도체; 외부단자들 사이에서 상기 제 1 내부도체의 소정의 부분이 상기 외부도체에 접속되도록 하는 제 1 접속도체; 두 개의 외부단자와 내부표면을 가지는 상기 제 2 서브-블록의 길이방향으로 대향하는 한쌍의 제 2단면들 사이에 배치되고 두 외부단자를 지니는 길이방향으로 연장하는 제 2 관통홀; 및 상기 제 2 관통홀의 내부표면상에 형성되며, 단락된 것으로서 그의 외부단자에서 상기 외부도체와 전기적으로 연결되고, 두 외부단자 사이의 소정의 위치에 배치된 한쌍의 개방-회선된 내부단자를 지니는 제 2 내부도체를 포함하여 이루어지고, 상기 유전체 블록의 제 1 및 제 2 서브-블록이 서로에 관하여 길이방향으로 이동된 것을 특징으로 하는 유전체 필터에 관한 것이다.  본 발명의 유전체 필터가 단일의 유전체 블록으로 구성되지만, 유전체 필터는 트랩 주파수에 중심이 있는 제거-밴드 주위의 대역을 지니는 밴드-제거 필터로서 작용한다.
Patent KR-100494882-B1 (KR)
Title: (-)-9-플루오로-2,3-디히드로-3(ｓ)-메틸-10-(4-메틸-1-피페라지닐)-7-옥소-7ｈ-피리도[1,2,3-데]-1,4-벤즈옥사진-6-카르복실산의 제조방법
IPC: C07D241/38
Filed: 1999-08-21
Granted: 2005-06-14
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1의 (-)-9-플루오로-2,3-디히드로-3(S)-메틸-10-(4-메틸-1-피페라지닐)-7-옥소-7 H -피리도[1,2,3- 데 ]-1,4-벤즈옥사진-6-카르복실산의 새로운 제조방법에 관한 것이다.
Patent KR-100307710-B1 (KR)
Title: 도전성 섬유의 제조시 색상을 부여하는 방법
IPC: D06M11/83
Filed: 1999-09-06
Granted: 2001-09-24
Abstract: 본 발명은 도전성 섬유의 금속광택의 반사광을 줄이거나 제거하기 위하여 도전성 섬유의 제조 시 색상을 부여하는 방법에 관한 것으로, 상기 색상을 부여하는 방법은 폴리에스터 섬유 소재로 직조 또는 부직한 기재 섬유체를 준비하는 단계; 상기 기재 섬유체를 습윤 처리하는 단계; 상기 습윤 처리된 기재 섬유체를 가성소다 및 계면활성제로 처리하는 단계 ; 상기 처리된 기재 섬유체를 수세하는 단계; 상기 수세된 기재 섬유체를 에칭처리하는 단계; 상기 에칭 처리된 기재 섬유체를 침적 처리한 후 수세하는 단계; 상기 처리된 기재 섬유체의 잔류금속을 침전시켜 제거한 후 수세하는 단계; 상기 처리된 기재 섬유체를 제 1차 도금용액으로 제 1차 무전해 니켈도금 한 후 수세하는 단계; 상기 처리된 기재 섬유체를 제 2차 도금용액으로 무전해 동도금한 후 수세하는 단계; 상기 처리된 기재 섬유체를 제 1차 도금용액으로 제 2차 무전해 니켈도금 한 후 수세하는 단계; 상기 처리된 기재 섬유체를 착색하는 단계; 상기 착색된 기재 섬유체를 건조하는 단계를 포함한다.
Patent KR-100627074-B1 (KR)
IPC: G02B27/18
Filed: 1999-09-16
Granted: 2006-09-25
Abstract: 본 발명에 따른 실물 화상기는, 피사체 주위를 밝게 하기 위한 조명등을 갖추고, 피사체를 촬상하여 표시용 복합 화상신호를 발생시키는 실물화상기이다.  이 실물화상기는 광전 변환부, 아날로그 신호 처리부, 아날로그/디지털 변환부, 디지털 신호 처리부, 조도 판단부, 주 제어부 및 조합 회로를 포함한다.  광전 변환부는, 피사체로부터 입사되는 빛을 전기적 신호로 변환시킨다.  아날로그 신호 처리부는, 광전 변환부로부터의 전기적 신호를 처리하여, 고주파 노이즈가 제거된 제1 신호, 및 제1 신호의 진폭이 조정된 제2 신호를 출력한다.  아날로그/디지털 변환부는 아날로그 신호 처리부로부터의 제2 신호를 디지털 신호로 변환시킨다.  디지털 신호 처리부는, 아날로그/디지털 변환부로부터의 디지털 신호를 처리하여 화상 데이터를 출력한다.  조도 판단부는, 아날로그 신호 처리부로부터의 제1 신호의 레벨을 설정된 기준값과 비교하여, 크고 작음에 따른 상태 신호를 발생시킨다.  주 제어부는, 내장된 알고리듬에 따라 아날로그 신호 처리부 및 디지털 신호 처리부의 동작을 제어하고, 조도 판단부로부터의 상태 신호에 따라 조명등을 점멸시킨다.  조합 회로는, 디지털 신호 처리부로부터의 화상 데이터를 조합하여, 복합 화상 신호를 출력한다.
Patent KR-100453189-B1 (KR)
Title: 플라즈마 디스플레이 패널 조립체
IPC: H01J17/49
Filed: 1999-10-09
Granted: 2004-10-15
Abstract: 본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널 조립체에 관한 것이다.  본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 조립체는 플라즈마 디스플레이 패널의 배면기판의 뒷면에 열전도성물질을 도포하여 형성한 열전도층을 구비하고 있으므로, 플라즈마 디스플레이 패널의 방전공간 내에서의 방전에 의해 발생되는 열이 열전도층을 통해 확실하게 히트싱크로 분산되어 방출될 수 있다.
Patent KR-100339788-B1 (KR)
Title: 표면 실장형 안테나 및 이를 이용한 통신장치
IPC: H01Q13/26
Filed: 1999-10-26
Granted: 2002-06-07
Abstract: 본 발명은 제 1 주면, 제 2 주면 및 상기 제 1 주면과 제 2 주면의 사이에 이어지는 단면(end faces)을 갖는 직사각형 상자 형상의 절연체(rectangular box-shaped insulator)를 포함하는 기본체(base); 상기 기본체의 제 1 주면에 주로 형성된 접지전극; 상기 기본체의 제 2 주면에 주로 형성된 제 1 및 제 2 방사전극; 및 상기 기본체의 단면에 형성된 제 1 접속전극, 제 2 접속전극 및 급전전극을 포함하고; 상기 제 1 및 제 2 방사전극은 슬릿을 사이에 두고 서로 대향하고 있으며; 상기 슬릿은 상기 기본체의 제 2 주면의 모든 면에 대각선으로 형성되어 있고; 상기 제 1 방사전극의 일단(an end)은 상기 제 1 접속전극을 통하여 상기 접지전극에 접속되는 상기 슬릿의 일단에 근접하며; 상기 급전전극은 사이에 틈을 두고 상기 제 1 접속전극이 접속된 상기 제 1 방사전극의 한 단부(end portion)로부터 멀리 떨어진 한 단부에 근접하게 형성되어 있고; 또한 상기 슬릿의 일단으로부터 일정한 거리만큼 떨어진 상기 제 2 방사전극의 한 단부는 상기 제 2 접속전극을 통하여 상기 접지전극에 접속된 것을 특징으로 하는 표면 실장형 안테나를 제공한다.
Patent KR-100641090-B1 (KR)
IPC: G06F13/40
Filed: 1999-11-04
Granted: 2006-11-02
Abstract: 본 발명은 10/100/1000Mbps 이더넷 스위치를 이용한 MIPS 백플레인에 관한 것으로, 복수개의 슬롯에 복수개의 보드가 결합되는 메인 랙의 메인 스위치보드에 스위치 이더넷 백플레인을 배치하여 상기 메인 랙의 메인 스위치보드와 상기 메인 랙에 연결되는 복수개 보조 랙의 서브 스위치보드 사이에는 100Mbps 나 1Gbps, 상기 보조 랙의 서브 스위치보드와 상기 보조 랙의 주변보드 사이에는 10Mbps 나 100Mbps의  전파대역폭을 각 보드에 할당하도록 구성된다. 
     이러한 본 발명은 MSB와 SSB 사이에는 100Mbps나 1Gbps를, SSB와 주변보드들 사이에는 10Mbps나 100Mbps를 사용할 수 있도록 효율적으로 전파대역폭을 배분하면서 슬롯 수를 원하는 대로 확장할 수 있다. 그리고, 스위치 이더넷을 백플레인으로 사용함으로써 중간에 불필요한 패키트 변환을 없애고, 풀 디플렉스한 백플레인을 제공할 수 있으며, 802.1p/Q를 채택함으로써 QoS 보장 백플레인을 얻을 수 있다.
Patent KR-100670076-B1 (KR)
IPC: H04W8/24
Filed: 1999-11-10
Granted: 2007-01-18
Abstract: 본 발명은 CDMA 이동통신 시스템에 있어서 시그널링 데이터 처리를 하는 보드와 트래픽 데이터 처리를 하는 보드를 따로 두어 데이터 부하를 분담시킴과 아울러, 프레임 릴레이를 이용하여 IWF를 고속 무선 데이터 서비스가 가능하도록 구현한 무선 데이터 서비스장치에 관한 것이다. 본 발명은 프레임 릴레이 프로토콜을 처리하는 FR 보드; 프라이머리 레이트 인터페이스 프로토콜 및 모뎀 프로토콜을 처리하는 PRI/모뎀 보드; 써킷 데이터 서비스와 패킷 데이터 서비스에 대한 호처리 기능 및 운용/과금/통계 기능을 처리하고, SNMP를 사용하여 외부에서 본 장치에 대한 제어가 네트웍을 통하여 가능하게 하는 메인 보드; 및 패킷 데이터 서비스에 대한 트래픽을 처리하는 보드로써 서버기능과 라우팅 기능을 가지는 패킷보드로 구성된다.
Patent KR-100686085-B1 (KR)
IPC: G06F17/00
Filed: 1999-11-13
Granted: 2007-02-23
Abstract: 소정 어휘를 화면상에 디스플레이함과 동시에 그와 동기된 음성을 출력시킴으로서 학습능률을 향상시킬 수 있도록 한 학습기능을 갖는 영상기기 및 그 제어방법에 관한 것으로, 제1 실시예에 따른 학습기능을 갖는 영상기기는 학습용 데이터베이스와, 자막 처리부와, 음성 발생부와, 제어부와, 비디오 스위치와, 영상처리부와, 오디오 스위치 및 음성 처리부를 포함하여 구성되고 발음기호별 디지털 음성데이터를 이용하여 화면상에 디스플레이되는 어휘에 상응하는 음성을 발생시키며, 제2 실시예에 따른 학습기능을 갖는 영상기기는 어휘 데이터베이스와, 자막 처리부와, 음성 발생부와, 마이컴과, 영상 처리부와, 오디오 스위치 및 음성 처리부를 포함하여 구성되고 어휘 데이터를 발음 가능한 문자열로 변환하고 분석하며 운율 처리하는 과정을 통해 소정 어휘에 해당하는 음성을 합성하여 출력하므로 사용자의 학습능률 및 학습의욕을 향상시키고 학습기능을 타 제품과 차별화하여 제품의 경쟁력을 향상시킬 수 있다. 
       
     발음 기호/음성 데이터베이스/특징 파라미터/문자열 정형화/문자열 분석/운율
Patent KR-100356893-B1 (KR)
Title: 레이저 차단재의 배치 방법
IPC: B23K26/00
Filed: 1999-11-18
Granted: 2002-10-19
Abstract: 로터 블레이드 또는 스테이터 베인과 같은 에어포일(10)의 내부에 레이저 차단재(52)를 위치시키기 위한 방법은 상기 재료를 시어 시닝(shear thinning)하는 단계를 포함한다.  차단재의 점성의 감소를 촉진시키는 다양한 단계가 개발되었다.  일 실시예에 있어서, 이 재료는 시어 시닝을 제공하도록 사출 성형 기계(54)를 통해 통과한다.
Patent KR-100507955-B1 (KR)
Title: 수지중에 난확산성 충진제를 확산시키는 방법
IPC: B29C35/00
Filed: 1999-11-25
Granted: 2005-08-17
Abstract: 본 발명은 수지중에 난확산성 충진제를 확산시키는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 코일 내에는 물론 선간에도 기포가 생기지 않은 상태에서 완전히 수지가 삽입됨으로써 과부하의 경우 열분산을 도와줌은 물론, 스위치를 오프하였을 경우에도 서지 전압에 의한 레이어 쇼트가 발생하지 않도록 기존의 진공 방법 뿐만 아니라, 초음파를 이용하여 마그네트 코일을 수지로 완전히 몰딩하는 방법에 관한 것이다.
Patent KR-100365727-B1 (KR)
Title: 탄소 나노 튜브를 이용한 금속 나노 세선 형성 방법
IPC: G03F1/68
Filed: 1999-12-09
Granted: 2002-12-26
Abstract: 본 발명은 종래 리쏘그래피 공정의 제약을 극복할 수 있는 탄소 나노 튜브를 이용한 나노 세선 형성 방법에 관한 것으로, 탄소 나노튜브를 이온 빔에 대한 마스크로 이용하여 수 ㎚ 내지 수십 ㎚의 선폭을 갖는 금속 세선을 제조한다. 예로서, 실리콘산화막 위에 Ti막 및 Au막을 균일하게 증착하고, Au 금속층 위에 탄소 나노튜브를 분산시킨 후 Ar + 이온을  표면에 수직하게 충돌시켜  탄소 나노튜브로 덮이지 않은 금속층은 식각하고,  표면에는 탄소 나노튜브로 덮인 금속 세선만을 잔류시킨 다음, 원자력 현미경을 이용하여 금속 나노 세선을 덮고 있는 탄소 나노 튜브를 제거함으로써 금속 나노세선을 형성하는 방법을 제공한다.  탄소 나노 튜브는 직경이 수 ㎚ 내지 수십 ㎚ 정도이므로, 이때 형성된 금속 세선의 폭은 탄소 나노튜브의 폭에 따라 수 ㎚ 내지 수십 ㎚ 정도가 된다.
Patent KR-100565419-B1 (KR)
IPC: C09K3/14
Filed: 1999-12-10
Granted: 2006-03-30
Abstract: 본 발명은 탈이온수 및 금속산화물 미분말을 포함하는 연마용 조성물에 있어서, 상기 금속산화물이 1차 입자크기 분포가 입자크기분포곡선상 반높이 폭이 20nm 이하인 범위이고, 1차 입자크기가 비표면적 160㎡/g  내지 30㎡/g 범위내인 것임을 특징으로 하는 연마용 조성물에 관한 것으로, 본 발명의 연마용 조성물은 μ-스크래치성 및 연마균일도가 우수하므로 반도체 디바이스의 광역평탄화에 이용될 경우 반도체 디바이스의 성능 및 수율을 향상시키는 효과를 제공한다. 
       
     연마용 조성물, 반도체 디바이스, 광역평탄화, 화학적 기계적 연마공정, 금속산화물, 입자크기, 반높이 폭
Patent KR-100324377-B1 (KR)
Title: 자동차의 유아용시트 벨트 길이 조절장치
IPC: B60R22/10
Filed: 1999-12-11
Granted: 2002-02-16
Abstract: 본 발명은 자동차의 유아용시트 벨트 길이 조절장치에 관한 것으로, 자동차의 시트에 장착되는 유아용시트(10)의 시트벨트(20) 길이를 견고하게 구속할 수 있도록, 시트벨트(20)의 일측하부에 설치되며, 몸체 일측으로는 취부홈(40)이 형성되고, 몸체 타측으로는 시트벨트(20)의 길이를 소정의 길이에서 제어할 수 있도록, 중앙부에는 지지편(31)이 구비되며, 상기 지지편(31)의 양측으로는 웨빙 걸림홈(32)이 일측 방향으로 연장되게 형성되는 조절구(30)로 구성되므로, 웨빙(25)을 지지편(31)과 웨빙 걸림홈(32)에 엇갈리게 삽입하여 시트벨트(20)의 길이를 제어할 수 있으므로, 유아를 보다 안전하게 구속하여 안전성을 향상시킬 수 있는 것이다. 
     그러므로, 제품의 신뢰성 및 안전성을 향상시킬 수 있는 매우 유용한 발명인 것이다.
Patent KR-100364420-B1 (KR)
Title: 드리블 비트 제거장치
IPC: H04L47/32
Filed: 1999-12-17
Granted: 2002-12-11
Abstract: 본 발명은 드리블 비트 제거장치에 관한 것으로, 종래에는 드리블 비트를 제거하기 위한 버퍼의 사용방법이 복잡하고, 또한 드리블 비트를 제거하기 위한 버퍼의 사용이 많아 회로 면적이 커지고 전력소모가 증가하는 문제점이 있었다. 따라서, 본 발명은 PHY칩에 있어서, 종단에 드리블 비트를 포함하는 데이터 패킷을 입력받아 이를 디먹싱하여 출력하는 디멀티플렉서와; 상기 디멀티플렉서에서 출력되는 데이터 패킷을 소정 비트 단위로 순차적으로 저장하다가, 각기 드리블 비트가 저장되는 시점에 상대편 버퍼의 데이터만 패러럴하게 출력하는 제1,제2 버퍼와; 상기 제1,제2 버퍼에서 출력되는 데이터를 교번동작으로 입력받아 소정 비트 단위로 다중송신하는 멀티플렉서로 구성하여 간단히 드리블 비트를 제거함으로써 회로의 복잡성을 감소시킴과 아울러 전력소모를 저감시킬 수있는 효과가 있다.