baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent DE-102015101549-B4 (DE)
Title: Anordnung zusammengesetzter Schaltungselemente sowie zugehöriges Herstellungsverfahren
Inventor: POUCHER FRANK
IPC: H01L27/102
Filed: 2015-02-03
Granted: 2017-01-26
Abstract: Vorrichtung, die Folgendes umfasst: eine erste Gruppe von Schaltungselementen (A) in einer integrierten Schaltung (5), die um einen Mittelpunkt angeordnet ist, wobei die erste Gruppe von Schaltungselementen dafür ausgelegt ist, als ein erstes zusammengesetztes Schaltungselement, das einen ersten Flächeninhalt aufweist, zu arbeiten, wobei die erste Gruppe von Schaltungselementen auf einem zweidimensionalen Gitter angeordnet ist; und eine zweite Gruppe von Schaltungselementen (B) in derselben integrierten Schaltung (5), die um denselben Mittelpunkt angeordnet ist, wobei die zweite Gruppe von Schaltungselementen dafür ausgelegt ist, als ein zweites zusammengesetztes Schaltungselement, das einen zweiten Flächeninhalt aufweist, zu arbeiten, wobei die zweite Gruppe von Schaltungselementen vier Schaltungselemente umfasst, die um etwa den gleichen Abstand von dem Mittelpunkt beabstandet sind, wobei sich jedes der vier Schaltungselemente in der zweiten Gruppe von Schaltungselementen in wenigstens einer Dimension entfernt von dem Gitter befindet; wobei eine Schaltung in derselben integrierten Schaltung (5), die die erste Gruppe von Schaltungselementen und die zweite Gruppe von Schaltungselementen enthält, dafür ausgelegt ist, basierend auf einem Verhältnis des ersten Flächeninhalts zu dem zweiten Flächeninhalt zu arbeiten, wobei der erste Flächeninhalt wenigstens zweimal größer als der zweite Flächeninhalt ist, dadurch gekennzeichnet, dass die integrierte Schaltung (5) ferner Blindschaltungselemente (D) umfasst, die durch die erste und die zweite Gruppe von Schaltungselementen (A, B) umgeben sind, und die Blindschaltungselemente (D) nicht funktionsfähig sind.
Patent DE-102015213327-B4 (DE)
Title: Siebsegment mit Verschleißschutzelementen
Inventor: IRMAK BARIS
IPC: B07B1/46
Filed: 2015-07-16
Granted: 2020-03-05
Abstract: Ein Siebsegment 10 einer Siebeinrichtung zum Trennen oder Klassieren von Aufgabegut, insbesondere mineralische Brechgüter wie Ölsand, in zumindest zwei Kornfraktionen, umfasst nach einem ersten Aspekt eine im Wesentlichen siebförmige Grundplatte 12, wobei auf der Grundplatte 12 eine Mehrzahl plattenförmiger Verschleißschutzelemente 18 angeordnet ist und wobei auf der Grundplatte 12 eine Mehrzahl von Trägerplatten 16 nebeneinander angebracht ist und auf jeder der Trägerplatten 16 eine Mehrzahl von Verschleißschutzelementen 18 angebracht ist.
Patent DE-102015224389-B4 (DE)
Title: Assistenzsystem mit Beladungszustandskompensation
Inventor: LÜDDECKE JENS
IPC: B62D6/00
Filed: 2015-12-07
Granted: 2022-02-10
Abstract: Verfahren zur Kompensation der Beladung eines Kraftfahrzeugs in einem Assistenzsystem (1, 11) des Kraftfahrzeugs, wobei das Assistenzsystem (1, 11) einen Eingriff in die Lenkung des Kraftfahrzeugs ausübt, wobeiein Beladungszustand des Kraftfahrzeugs bestimmt wird,das Assistenzsystem einen Lenkwinkel und eine Lenkwinkelgeschwindigkeit unter Berücksichtigung des Beladungszustands ermittelt, wobei das einen Eingriff in die Lenkung ausübende Assistenzsystem (11) durch ein PLA gebildet wird, undder ermittelte Lenkwinkel und die Lenkwinkelgeschwindigkeit an der Lenkung eingestellt wird.
Patent DE-102016100504-B4 (DE)
Title: Transistorbauelement mit segmentierter Kontaktschicht
Inventor: KÖPP KAROLINE
IPC: H01L21/283
Filed: 2016-01-13
Granted: 2021-11-18
Abstract: Transistorbauelement, das aufweist:mehrere Bauelementzellen (20), die jeweils ein aktives Bauelementgebiet (21) aufweisen, das in einem Halbleiterkörper (100) integriert ist und elektrisch an eine Kontaktschicht (10) angeschlossen ist;eine Lotschicht (41) auf der Kontaktschicht (10); undeine Elektrodenschicht (42) auf der Lotschicht (41),wobei die Kontaktschicht (10) sowohl in einer ersten lateralen Richtung (x) als auch in einer zweiten lateralen Richtung (y) in mehrere Schichtabschnitte (11) unterteilt ist, die durch eine Trennschicht (12) voneinander getrennt sind, undwobei ein spezifischer Widerstand der Trennschicht (12) wenigstens das 100-fache des spezifischen Widerstands der Schichtabschnitte (11) ist.
Patent DE-102016105765-B4 (DE)
Title: Umgekehrt leitender igbt
Inventor: SENOO MASARU
IPC: H01L29/739
Filed: 2016-03-30
Granted: 2022-09-22
Abstract: Umgekehrt leitender IGBT (1, 2, 3, 4) mit:einem Halbleitersubstrat (10), das in einen IGBT-Bereich (14a), in dem eine IGBT-Struktur bereitgestellt ist, und einen Diodenbereich (14b), in dem eine Diodenstruktur bereitgestellt ist, eingeteilt ist;einer unteren Oberflächenelektrode (36), die in Kontakt mit einer unteren Oberfläche des Halbleitersubstrats (10) steht, wobei die untere Oberflächenelektrode (36) in Kontakt mit sowohl dem IGBT-Bereich (14a) als auch dem Diodenbereich (14b) des Halbleitersubstrats (10) steht;einer oberen Oberflächenelektrode (38), die in Kontakt mit einer oberen Oberfläche des Halbleitersubstrats (10) steht, wobei die obere Oberflächenelektrode (38) in Kontakt mit sowohl dem IGBT-Bereich (14a) als auch dem Diodenbereich (14b) des Halbleitersubstrats (10) steht;einem Grabengatebauteil (30), das in dem IGBT-Bereich (14a) des Halbleitersubstrats (10) bereitgestellt ist, das ein Gittermusterlayout hat, wenn es aus einer Richtung senkrecht zu der oberen Oberfläche des Halbleitersubstrats (10) gesehen wird; undeinem Grabenbauteil (40), das in dem Diodenbereich (14b) des Halbleitersubstrats (10) bereitgestellt ist, das ein Streifenmusterlayout hat, wenn es aus der Richtung senkrecht zu der oberen Oberfläche des Halbleitersubstrats (10) gesehen wird,wobei das Grabenbauteil (40) eine Vielzahl von Streifengräben (40A), die sich entlang einer ersten Richtung erstrecken, aufweist,wobei der Diodenbereich (14b) des Halbleitersubstrats (10) aufweist:einen Anodenbereich (25) eines ersten Leitfähigkeitstyps, der zwischen benachbarten Streifengräben (40A) bereitgestellt ist, an der oberen Oberfläche des Halbleitersubstrats (10) außen liegt, und in Kontakt mit der oberen Oberflächenelektrode (38) steht;einen Driftbereich (23) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der unter dem Anodenbereich (25) bereitgestellt ist;einen Barrierenbereich (24) des zweiten Leitfähigkeitstyps, der zwischen benachbarten Streifengräben (40A) bereitgestellt ist, zwischen dem Anodenbereich (25) und dem Driftbereich (23) bereitgestellt ist, und der eine Verunreinigungskonzentration hat, die höher als eine Verunreinigungskonzentration des Driftbereichs (23) ist, und elektrisch mit der oberen Oberflächenelektrode (38) über ein Säulenbauteil (26) verbunden ist, das sich von der oberen Oberfläche des Halbleitersubstrats (10) erstreckt.
Patent DE-102016106309-B4 (DE)
Title: Hochgeschwindigkeits-Schnittstellenschutzvorrichtung
Inventor: SALCEDO JAVIER ALEJANDRO
IPC: H01L29/74
Filed: 2016-04-06
Granted: 2021-02-18
Abstract: Integrierte Schaltungsvorrichtung, welche Folgendes umfasst:ein Halbleitersubstrat (202), worin wenigstens zwei Wannen und eine tiefe Wanne, die unter den wenigstens zwei Wannen liegt und diese kontaktiert, ausgebildet sind,eine erste PN-Diode (250), die in einer der wenigstens zwei Wannen ausgebildet ist und ein erstes stark dotiertes Gebiet eines ersten Leitfähigkeitstyps und ein erstes stark dotiertes Gebiet eines zweiten Leitfähigkeitstyps umfasst,eine zweite PN-Diode (254), die in einer anderen der wenigstens zwei Wannen ausgebildet ist und ein zweites stark dotiertes Gebiet des ersten Leitfähigkeitstyps und ein zweites stark dotiertes Gebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps umfasst,wobei die erste PN-Diode (250) und die zweite PN-Diode (254) durch eine elektrische Kurzschlussstruktur elektrisch kurzgeschlossen sind, um eine erste Anzahl in Reihe geschalteter Dioden mit einer Schwellenspannung zu bilden, undeinen PNPN-siliciumgesteuerten Gleichrichter, im Folgenden SCR, der eine Auslösespannung aufweist und das erste stark dotierte Gebiet des ersten Leitfähigkeitstyps, die wenigstens zwei Wannen, die tiefe Wanne und das zweite stark dotierte Gebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps umfasst.
Patent DE-102016110121-B4 (DE)
Title: Verdichtergehäuse für einen Vorverdichter und Verfahren zum Herstellen desselben
Inventor: ISOGAI TOMOYUKI
IPC: F04D29/40
Filed: 2016-06-01
Granted: 2018-07-12
Abstract: Ein Verdichtergehäuse (1) eines Vorverdichters weist Folgendes auf: einen Gehäusekörper (20), der in sich ein Laufrad (10) aufnimmt und der eine Innenumfangsvertiefung (21) in einer vertieften Form an einer ringartigen Innenumfangsfläche entlang eines Außenumfangs des Laufrads (10) hat; und ein Gleitelement (30) in einer ringartigen Form, das in der Innenumfangsfläche (21) angeordnet ist, wobei die Innenumfangsfläche des Gleitelements eine Ummantelungsfläche (31) hat, die dem Laufrad (10) zugewandt ist. Der Gehäusekörper (20) hat eine Diffusorfläche (24), die mit Bezug auf den Umfang außerhalb der Ummantelungsfläche (31) derart angeordnet ist, dass sie zu der Ummantelungsfläche (31) fortlaufend ist. Fügeabschnitte (4), in welchen der Gehäusekörper (20) und das Gleitelement (30) durch Rührreibschweißen aneinander gefügt sind, sind an einer Grenze (101) zwischen einem Außenumfangsende des Gleitelements (30) und einem Innenumfangsende der Diffusorfläche (24) des Gehäusekörpers (20) vorgesehen.
Patent DE-102016209894-B4 (DE)
Title: Vorrichtung und Verfahren zur Antennensynchronisation und -auswahl
Inventor: LIU HSIN-YOU
IPC: H04W88/06
Filed: 2016-06-06
Granted: 2019-03-21
Abstract: Verfahren, umfassend:
 auf einer Benutzereinrichtung (100):
 Bestimmen wenigstens einer Kommunikationsfunktionalität, die verwendet wird, wobei jede der wenigstens einen Kommunikationsfunktionalität dazu ausgestaltet ist, wenigstens eine Antenne in einer Mehrantennenanordnung (150, 155, 160, 165) der Benutzereinrichtung (100) zu nutzen;
 Empfangen einer ersten Angabe dazu, ob eine zellulare Kommunikationsfunktionalität verwendet wird, wobei die zellulare Kommunikationsfunktionalität dazu ausgestaltet ist, wenigstens eine Antenne in der Mehrantennenanordnung (150, 155, 160, 165) zu nutzen;
 Empfangen einer zweiten Angabe dazu, ob eine Koexistenzbedingung vorliegt;
 Empfangen einer dritten Angabe einer Art und Weise, in welcher die Mehrantennenanordnung (150, 155, 160, 165) durch die bestimmte wenigstens eine Kommunikationsfunktionalität verwendet wird, wobei die Art und Weise eine Sende- und Empfangskonfiguration jeder der bestimmten wenigstens einen Kommunikationsfunktionalität und jeder Antenne der Mehrantennenanordnung (150, 155, 160, 165) angibt;
 Bestimmen einer von der bestimmten wenigstens einen Kommunikationsfunktionalität zu verwendenden Antennenkonfiguration für die Mehrantennenanordnung (150, 155, 160, 165) auf Grundlage der bestimmten wenigstens einen Kommunikationsfunktionalität, der ersten Angabe, der zweiten Angabe und der dritten Angabe; und
 Konfigurieren der Mehrantennenanordnung (150, 155, 160, 165) für die bestimmte wenigstens eine Kommunikationsfunktionalität auf Grundlage der Antennenkonfiguration.
Patent DE-102016217714-B4 (DE)
Title: Verfahren zur Bestimmung des Seebeck-Koeffizienten
Inventor: MÜLLER ECKHARD
IPC: G01K1/20
Filed: 2016-09-16
Granted: 2020-06-04
Abstract: Verfahren zur Bestimmung des Seebeck-Koeffizienten S einer Probe (1), welche ein thermoelektrisches Material umfasst, wobei die Probe (1) zwei voneinander räumlich getrennte Kontaktflächen aufweist, umfassend:a) in Kontakt bringen einer ersten Kontaktfläche der Probe (1) über ein erstes Kontaktmaterial (3a) mit einem ersten Block (2a) undb) in Kontakt bringen einer zweite Kontaktfläche der Probe (1) über ein zweites Kontaktmaterial (3b) mit einem zweiten Block (2b),wobei der erste Block (2a) und/oder der zweite Block (2b) temperierbar sind und erster Block (2a) und zweiter Block (2b) mindestens teilweise aus Metall bestehen und/oder eine metallische Beschichtung aufweisen, wobei das Metallund/oder die metallische Beschichtung einen Seebeck-Koeffizienten von 10 µV/K oder weniger aufweisen oder der Seebeck-Koeffizient des Metalls oder der Seebeck-Koeffizient der metallischen Beschichtung bekannt sind,e) Beheizen eines Blockes (2a, 2b) oder ungleichmäßiges Beheizen beider Blöcke (2a, 2b), so dass sich im Inneren der Probe (1) eine zeitlich konstante oder zeitveränderliche Temperaturdifferenz zwischen den beiden Kontaktflächen ausbildet, sowie Bestimmung der Temperaturdifferenz ΔT zwischen den Blöcken (2a, 2b);f) Bestimmung einer relativen Abweichung r von der nach e) erhaltenen Temperaturdifferenz ΔT zu der Temperaturdifferenz über der Probe (1), undg) Bestimmung des Seebeck-Koeffizienten S, korrigiert durch die in Schritt f) erhaltene relative Abweichung r nach S= (1+r) S, wobei S= V/ΔT und Veine Thermospannung zwischen den Blöcken (2a, 2b) ist.
Patent DE-102017009091-B4 (DE)
Title: Verfahren zum Ermitteln einer Fahrempfehlung, Fahrassistenzsystem für ein Kraftfahrzeug und Kraftfahrzeug mit einem Fahrassistenzsystem
Inventor: ORTENREITER ANDREAS
IPC: G07C5/08
Filed: 2017-09-28
Granted: 2022-11-03
Abstract: Verfahren zum Ermitteln einer Fahrempfehlung für eine Fahrt eines Empfängerkraftfahrzeugs (30) entlang einer Fahrtstrecke (50), umfassend zumindest die Schritte:- Erfassen zumindest einer, bei der Fahrt entlang der Fahrtstrecke (50) auftretenden, Verschmutzungszustandsänderung wenigstens eines Sensorsystems (12) eines Senderkraftfahrzeugs (10);- Ermitteln von der Fahrtstrecke (50) zugeordneten Fahrbetriebsbedingungen anhand der Verschmutzungszustandsänderung des wenigstens einen Sensorsystems (12), wobei beim Ermitteln der, der Fahrtstrecke (50) zugeordneten Fahrbetriebsbedingungen ein Reinigungsaufwand zur Reinigung des wenigstens einen Sensorsystems (12) mittels eines fahrzeuginternen Reinigungssystems (18) des Senderkraftfahrzeugs (10) herangezogen wird; und- Ermitteln der Fahrempfehlung für die Fahrt des Empfängerkraftfahrzeugs (30) in Abhängigkeit von den Fahrbetriebsbedingungen.
Patent DE-102017009949-B4 (DE)
Title: Magnetkörper für eine viskose Kupplung für eine Kühlmittelpumpe; Kühlmittelpumpe
Inventor: STECHER GÜNTER
IPC: H01F7/02
Filed: 2017-10-26
Granted: 2019-07-04
Abstract: Die Erfindung betrifft einen Magnetkörper (1) für eine viskose Kupplung für eine Kühlmittelpumpe, umfassend einen topfförmigen Grundkörper (2), wobei der Grundkörper (2) in ein radial inneres Grundkörperteil (3) und ein radial äußeres Grundkörperteil (4) unterteilt ist und wobei zwischen den beiden Grundkörperteilen (3, 4) eine magnetische Isolierung (5) sowie ein Dichtelement (6) zur Abdichtung eines Innenraums (I) des Magnetkörpers (1) von einem Außenraum (A) vorhanden ist, wobei zwischen dem inneren Grundkörperteil (4) und dem äußeren Grundkörperteil (3) mehrere nichtmagnetische Stegverbindungen (5) ausgebildet sind und dass das Dichtelement (6) zwischen den beiden Grundkörperteilen (3, 4) schwimmend gelagert ist. An den beiden Grundkörperteilen (3, 4) Auflageflächen (9) sind ausgebildet, auf denen das ringförmige nichtmagnetische Dichtelement (6) aufliegt, derart dass das Dichtelement (6) zwischen den Auflageflächen (9) und den mehreren Stegverbindungen (5) schwimmend gelagert ist und dass das Dichtelement (6) zwischen den Stegverbindungen (5) und den Auflageflächen (9) radiales Spiel hat. Die Erfindung betrifft ferner eine Kühlmittelpumpe mit einem Magnetkörper.
Patent DE-102017107601-B4 (DE)
Title: Verfahren zur Steuerung eines Schraubenverdichters
Inventor: THOMES ULRICH
IPC: F04C28/02
Filed: 2017-04-10
Granted: 2019-11-07
Abstract: Verfahren zur Steuerung eines Schraubenverdichters mit mindestens einer ersten und einer zweiten Verdichterstufe, wobei die erste Verdichterstufe ein gasförmiges Medium komprimiert und an die zweite Verdichterstufe führt, welche das Medium weiter komprimiert, und wobei beide Verdichterstufen getrennt voneinander und drehzahlregelbar angetrieben sind, folgende Schritte umfassend:
 - Erfassen eines am Ausgang der zweiten Verdichterstufe abgenommenen Volumenstroms des komprimierten Mediums;
 - Anpassen der Drehzahl beider Verdichterstufen, wenn der abgenommene Volumenstrom in einem Bereich zwischen einem Maximalwert und einem vorbestimmten Minimalwert schwankt, unter Beibehaltung eines vorbestimmten Ausgangsdrucks;
 - Öffnen eines Abblasventils, wenn der Volumenstrom den vorbestimmten Minimalwert unterschreitet, um den von der zweiten Verdichterstufe gelieferten Volumenstrom über das Abblasventil zumindest teilweise austreten zu lassen;
 - weiteres Reduzieren der Drehzahl mindestens der ersten Verdichterstufe auf eine vorbestimmte Leerlaufdrehzahl (V1 L ) , um den von der ersten an die zweite Verdichterstufe gelieferten Volumenstrom zu reduzieren.
Patent DE-102017110413-B4 (DE)
Title: Vorrichtung und Verfahren zum Prägewalzen mit integrierter Walzenreinigung
Inventor: NITZSCHE GERNOT
IPC: B21B28/04
Filed: 2017-05-12
Granted: 2018-11-29
Abstract: Vorrichtung zum Prägewalzen von Metallbändern (1), insbesondere Metallbändern bestehend aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung, aufweisend ein Walzgerüst mit mindestens einem Arbeitswalzenpaar (2, 3), mit welchem das Metallband (1) kaltgewalzt werden kann, dadurch gekennzeichnet, dass für mindestens eine der Arbeitswalzen (2, 3) mindestens eines Arbeitswalzenpaares eine Reinigungsvorrichtung (5, 5') vorgesehen ist, welche Mittel aufweist, mit welchen die Walzenoberfläche während des Walzens zumindest partiell in Kontakt mit mindestens einem bandförmigen Vliesstoff (6, 6') gebracht werden kann.
Patent DE-102017114442-B4 (DE)
Title: Modul mit Substrat für elektrische Schaltkreise und Verfahren zur Herstellung eines derartigen Moduls
Inventor: SCHMIDT KARSTEN
IPC: H05K1/03
Filed: 2017-06-29
Granted: 2019-10-24
Abstract: Modul mit
 - einem Substrat (1) für elektrische Schaltkreise, wobei das Substrat eine Papierkeramikschicht (2) mit einer Ober- und Unterseite (2a, 2b) aufweist, die eine aus einer Vielzahl von porenförmigen Hohlräumen bestehende Porenstruktur aufweist, und
 - zwei weiteren Substraten (6, 7), wobei über das Substrat (1) als Abstandhalter (5) eine Verbindung zwischen den zwei weiteren Substraten (6, 7) ausgebildet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die porenförmigen Hohlräume der Porenstruktur zumindest im Bereich der Ober- und/oder Unterseite (2a, 2b) der Papierkeramikschicht (2) unter Verwendung eines Infiltrationsverfahrens derart mit einem Metall oder einer Metalllegierung verfüllt sind, dass sich auf der Ober- und/oder Unterseite (2a, 2b) eine Metallisierungsschicht (3, 4) mit einer Schichtdicke (d2, d3) zwischen 0,1 bis 10 µm ausbildet und dass die Papierkeramikschicht (11) eine Schichtdicke (d3) zwischen 0,5 und 2 mm aufweist.
Patent DE-102017123536-B4 (DE)
Title: Luftfahrzeug
Inventor: WINKLER RASMUSSEN SØREN
IPC: B64C39/02
Filed: 2017-10-10
Granted: 2021-08-19
Abstract: Luftfahrzeug (1) mit festen Flügeln (2, 3), zwei Propellern (5, 6), die jeweils eine Nabe (21) und Blätter (22, 23) haben, wobei mindestens ein Propeller (5) Blätter (22, 23) an die Nabe (21) angelenkt hat in einer Weise, den Angriffswinkel zu verändern, wobei beide Propeller (5, 6) eine gemeinsame Rotationsachse (7) haben, dadurch gekennzeichnet, dass das Luftfahrzeug einen Antrieb für jeden Propeller (5, 6) aufweist, dass der mindestens eine Propeller (5) mit einem Antrieb verbunden ist, der in der Lage ist, ein gepulstes Drehmoment zu erzeugen, wobeiein Propeller (5) an einer Vorderseite des Fahrzeugs (1) angeordnet ist und ein Propeller (6) an einer Rückseite des Fahrzeugs angeordnet ist, wobeider Propeller (5) an der Vorderseite des Fahrzeugs (1) mit dem Antrieb verbunden ist, der in der Lage ist, ein gepulstes Drehmoment zu erzeugen, wobeieine befehlsgebende Einrichtung mit einer Steuereinrichtung verbunden ist, wobei die Steuereinrichtung einen Befehl, den sie von der befehlsgebenden Einrichtung empfängt, in ein Signal übersetzt, das Phase und Amplitude des Pulses des Drehmoments definiert.
Patent DE-102017129563-B4 (DE)
Title: Halbleiterbauelemente mit freiliegenden entgegengesetzten chip-pads und herstellungverfahren dafür
Inventor: FÜRGUT EDWARD
IPC: H01L23/26
Filed: 2017-12-12
Granted: 2022-06-02
Abstract: Halbleiterbauelement, das aufweist:einen ersten Leiterrahmen (102, 202, 302, 402, 502, 602, 702), der ein erstes Chip-Pad (104, 204, 304, 404, 504, 604, 704, 804a, 904), das eine erste Oberfläche (108) und eine der ersten Oberfläche (108) entgegengesetzte zweite Oberfläche (110, 210, 310, 510, 610, 710, 910) aufweist, aufweist;einen zweiten Leiterrahmen (112, 212, 312, 412), der ein zweites Chip-Pad (114, 214, 314, 414, 814a), das eine erste Oberfläche (118) und eine der ersten Oberfläche (118) entgegengesetzte zweite Oberfläche (120, 220, 320) aufweist, aufweist, wobei die erste Oberfläche (118) des zweiten Chip-Pads (114, 214, 314, 414, 814a) der ersten Oberfläche (108) des ersten Chip-Pads (104, 204, 304, 404, 504, 604, 704, 804a, 904) zugewandt ist;einen ersten Halbleiterchip (122, 222, 322, 422, 822a), der an der ersten Oberfläche (108) des ersten Chip-Pads (104, 204, 304, 404, 504, 604, 704, 804a, 904) befestigt ist;einen zweiten Halbleiterchip (124, 224, 424, 824a), der an der ersten Oberfläche (118) des zweiten Chip-Pads (114, 214, 314, 414, 814a) befestigt ist;eine Verbindungsleiterplatte (160) zwischen dem ersten Halbleiterchip (122, 222, 322, 422, 822a) und dem zweiten Halbleiterchip (124, 224, 424, 824a), die den ersten Halbleiterchip (122, 222, 322, 422, 822a) mit dem zweiten Halbleiterchip (124, 224, 424, 824a) elektrisch koppelt; undein Verkapselungsmaterial (126, 226, 326, 526, 626, 726, 826, 926), das den ersten Halbleiterchip (122, 222, 322, 422, 822a) und Teile des ersten Leiterrahmens (102, 202, 302, 402, 502, 602, 702) und des zweiten Leiterrahmens (112, 212, 312, 412) verkapselt, wobei das Verkapselungsmaterial (126, 226, 326, 526, 626, 726, 826, 926) eine erste Oberfläche (128, 228, 328, 528, 628, 728, 928), die an der zweiten Oberfläche (110, 210, 310, 510, 610, 710, 910) des ersten Chip-Pads (104, 204, 304, 404, 504, 604, 704, 804a, 904) ausgerichtet ist, und eine zweite Oberfläche (130, 230, 330), die an der zweiten Oberfläche (120, 220, 320) des zweiten Chip-Pads (114, 214, 314, 414, 814a) ausgerichtet ist, aufweist.
Patent DE-102017208309-B4 (DE)
Title: Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines endlosfaserverstärkten Fahrwerkbauteils
Inventor: LOBO CASANOVA IGNACIO
IPC: B29C70/28
Filed: 2017-05-17
Granted: 2021-03-11
Abstract: Verfahren zum Herstellen eines endlosfaserverstärkten Fahrwerkbauteils (1, 101, 201, 1001), wobei eine Faseranordnung (17, 117) des Fahrwerkbauteils (1, 101, 201, 1001) zur Ausbildung eines Durchgangslochs (3, 103, 203, 1003) in dem Fahrwerkbauteil (1, 101, 201, 1001) mittels eines Dorns (219, 319, 419, 519, 619, 719, 819, 919, 1019) radial aufgeweitet wird, wobei darüber hinaus ein das Durchgangsloch (3, 103, 203, 1003) umschließender Umformbereich (5, 205, 1005) unter Verlagerung des Durchgangslochs (3, 103, 203, 1003) dreidimensional umgeformt wird, dadurch gekennzeichnet, dass als Dorn ein Spreizdorn (219, 319, 419, 519, 619, 719, 819, 919, 1019) mit an seinem Umfang radial verlagerbaren Segmenten (243, 343, 843, 969, 971) verwendet wird, wobei mittels der radial verlagerbaren Segmente (243, 343, 843, 969, 971) die Faseranordnung (17, 117) radial aufgeweitet wird.