baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent DE-112010002571-B4 (DE)
Title: Flüssigkeitsausgabevorrichtung
Inventor: GANDHI SHIRISH R
IPC: F04F1/06
Filed: 2010-06-10
Granted: 2022-07-28
Abstract: Flüssigkeitsausgabemechanismus, der zum Erreichen einer erhöhten Zuflussrate und einer erhöhten Abflussrate geeignet ist, umfassend
 - eine Einlassleitung, die zum Aufnehmen von Flüssigkeit aus einem Flüssigkeitssammler (1) geeignet ist, und welcher zum Auslassen der Flüssigkeit über eine Auslassleitung geeignet ist, wobei der Mechanismus aufweist:
 - eine Druckkammer (18), die geeignet ist, die Flüssigkeit zu speichern und das Sinken oder Steigen des Flüssigkeitspegels in Abhängigkeit von dem Druck zu bewirken;
 - ein mit der Druckkammer (18) über mindestens ein Rückschlagventil (5) verbindbarer Pufferbehälter (4), die ferner geeignet ist, die Flüssigkeit zu speichern, bevor diese in die Druckkammer (18) fließt, um so den Strömungskoeffizienten dieser Einlassleitung zu erhöhen;
 - eine Vielzahl an Druckbeaufschlagungsports (10) angeordnet, Druckbeaufschlagungsmedium an die Druckkammer (18) bereitzustellen, und eine Vielzahl von Entspannungsports (7) angeordnet, Druckbeaufschlagungsmedium aus die Druckkammer (18) freizusetzen;
 - ein Schwimmerelement (19) in der Druckkammer (18), das geeignet ist, den Flüssigkeitspegel in der Druckkammer (18) anhand der Position des Schwimmerelements (19) zu erkennen;
 - eine Mehrfach-Ventilbetätigungsanordnung umfassend eine Vielzahl an Druckbeaufschlagungsventilen (9) zum Öffnen oder Schließen der Druckbeaufschlagungsports (10) und eine Vielzahl an Entspannungsventilen (6) zum Öffnen oder Schließen der Entspannungsports (7), wobei die Mehrfach-Ventilbetätigungsanordnung einen Zeitverzögerungsmechanismus umfasst, konfiguriert, eine Zeitverzögerung zwischen:
 a) dem Aktivieren aufeinanderfolgender Entspannungsventile (6) und dem Deaktivieren aufeinanderfolgender Druckbeaufschlagungsventile (9); oder
 b) dem Aktivieren aufeinanderfolgender Entspannungsventile (6) und dem Deaktivieren aufeinanderfolgender Entspannungsventile (6);
 - einen Schnapp-Ventilbetätigungsmechanismus (20) mit Befestigungselementen (17), der geeignet ist, die Mehrfach-Ventilbetätigungsanordnung entsprechend der Position des Schwimmerelements (19) zu betätigen.
Patent DE-112010003925-B4 (DE)
Title: Erweiterbare Zugriffssteuerungslisten-Grundstruktur
Inventor: VIDYA RANGANATHAN
IPC: G06F16/00
Filed: 2010-11-23
Granted: 2022-11-17
Abstract: Computer-implementiertes Verfahren zur Kontrolle des Zugriffs auf Objekte in einem Dateisystem, wobei das Verfahren umfasst:Bereitstellung (102) einer Grundstruktur (208; 508) in einer Betriebssystemumgebung (210) zur Unterstützung einer Vielzahl von Zugriffssteuerungslisten(ACL)-Typen (516a, 516b);Akzeptieren (104) von Definitionen (314) der ACL-Typen, wobei jede Definition einem oder mehreren der Vielzahl der ACL-Typen entspricht unddurch eine entsprechende Systemkern-Erweiterung implementiert wird;Erhalt (302) einer Anfrage (304) um den Zugriff auf ein Dateisystem-Objekt (316) zu kontrollieren, das mit einem ACL-Typ der Vielzahl der ACL-Typen verknüpft ist; undals Reaktion auf den Erhalt der Anfrage, den Zugriff auf das Dateisystem-Objekt zu kontrollieren, Kontrollieren des Zugriffs auf das Dateisystem-Objekt durch:dynamisches Laden einer Systemkern-Erweiterung, die dem ACL-Typ entspricht und dessen Definition implementiert;Hinzufügen von Symbolen an den Systemkern-Namensraum, die durch die dynamisch geladene Systemkern-Erweiterung exportiert werden;Zurverfügungstellen der an den Systemkern-Namensraum hinzugefügten Symbolen für nachfolgend geladene Systemkern-Erweiterungen; undSpeichern (604) einer Anzeige (318) für den ACL-Typ in Verbindung mit dem Dateisystem-Objekt; undals Reaktion auf den Erhalt der Anfrage, den Zugriff auf das Dateisystem-Objekt zu kontrollieren, Abrufen der Definition des ACL-Typs gemäß der Anzeige und Steuern (306) des Zugriffs auf das Dateisystem-Objekt nach der ACL und der abgerufenen Definition des ACL-Typs.
Patent DE-112010005592-B4 (DE)
Title: Kraftstoffeinspritzvorrichtung für eine Brennkraftmaschine
Inventor: TAKAGI NOBORU
IPC: F02D41/34
Filed: 2010-05-25
Granted: 2015-06-18
Abstract: Kraftstoffeinspritzvorrichtung für eine Brennkraftmaschine, die folgendes aufweist: einen Anschlussinjektor (10) zum Einspritzen von Kraftstoff in einen Einlassanschluss der Brennkraftmaschine; einen Zylinderinjektor (12) zum direkten Einspritzen von Kraftstoff in einen Zylinder der Brennkraftmaschine; eine Kraftstoffeinspritzmengenberechnungseinrichtung (26) zum Berechnen einer Kraftstoffeinspritzmenge für jeden Zyklus, die zum Erreichen eines Sollluftkraftstoffverhältnisses erforderlich ist; eine Kraftstoffeinspritzaufteilungsverhältniseinstelleinrichtung (28) zum Einstellen eines Einspritzaufteilungsverhältnisses von Kraftstoff für jeden Zyklus, der zwischen dem Anschlussinjektor und dem Zylinderinjektor aufzuteilen ist; eine Parametererlangungseinrichtung (14, 16) zum Erlangen eines vorbestimmten Parameters, der mit einer Temperatur der Brennkraftmaschine assoziiert ist; ein Model zum Assoziieren eines Verhältnisses von nicht beitragendem Kraftstoff, der nicht zu einer Verbrennung beiträgt, zu Kraftstoff, der während eines Zyklus eingespritzt ist, mit einem vorbestimmten Parameter, der mit der Temperatur der Brennkraftmaschine assoziiert ist, und dem Einspritzaufteilungsverhältnis von Kraftstoff, der zwischen dem Anschlussinjektor und dem Zylinderinjektor aufzuteilen ist; und eine Berechnungseinrichtung (30) von nicht beitragendem Kraftstoff zum Berechnen einer Menge von nicht beitragendem Kraftstoff unter Verwendung der berechneten Kraftstoffeinspritzmenge und dem Verhältnis von nicht beitragendem Kraftstoff, das durch ein Anwenden des eingestellten Einspritzaufteilungsverhältnisses und des erlangten vorbestimmten Parameters auf das Model berechnet ist.
Patent DE-112011103769-B4 (DE)
Title: Verfahren zur Herstellung eines epitaktischen Wafers und epitaktischer Wafer
Inventor: MASUDA SUMIHISA
IPC: H01L21/20
Filed: 2011-11-11
Granted: 2019-02-07
Abstract: Verfahren zur Herstellung eines epitaktischen Wafers (100), das umfasst:einen Schritt des Herstellens eines Halbleiter-Wafers (10), der einen abgeschrägten Abschnitt (11), der an seinem Endabschnitt gebildet ist, eine erste Oberfläche (12b), eine zweite Oberfläche (12a), die der ersten Oberfläche (12b) gegenüberliegt, und Kanten (13a, 13b) an sowohl der ersten Oberfläche (12b), als auch der zweiten Oberfläche (12a), wobei jede Kante (13a, 13b) an den abgeschrägten Abschnitt (11) angrenzt, hat;einen Schritt des Durchführens von Abrollen eines äußeren peripheren Teils (14) der ersten Oberfläche (12b), um einen abgerollten Bereich zu bilden, wobei der äußere periphere Teil (14) sich von dem Wafer (10) von einer vorbestimmten Position, die weiter innen ist als die Position der Kante (13b) an der ersten Oberfläche (12b), nach außen erstreckt; undeinen Schritt der Bildung eines ersten epitaktischen Films (20) auf der zweiten Oberfläche (12a),wobei eine abgerollte Menge des äußeren peripheren Teils (14) basierend auf einer Filmdicke eines zweiten epitaktischen Films (30), der an dem äußeren peripheren Teil (14) der ersten Oberfläche (12b) anlagert, wenn der erste epitaktische Film (20) auf der zweiten Oberfläche (12a) gebildet wird, bestimmt wird,wobei der erste epitaktische Film (20), der auf der zweiten Oberfläche (12a) des Halbleiter-Wafers (10) gebildet ist, eine Dicke von 3 µm oder mehr hat, undwobei ein ESFQR-Durchschnittswert, der die Flachheit einer Oberfläche einschließlich mindestens einer Oberfläche (30a) des zweiten epitaktischen Films (30) auf der ersten Oberfläche (12b) darstellt, 100 nm oder weniger ist.
Patent DE-112012001824-B4 (DE)
Title: Ineinandergreifender, vertikaler, nativer Kondensator
Inventor: THOMPSON ERIC
IPC: H01L27/08
Filed: 2012-06-05
Granted: 2016-10-06
Abstract: Metallkondensatorstruktur, die eine Vielzahl von Leitungsebenenstrukturen (15, 16, 25, 26) und zumindest eine Durchkontaktierungsebenenstruktur (31, 32, 33, 34, 41 oder 42) aufweist, wobei auf jeder Leitungsebene die Vielzahl von Leitungsebenenstrukturen (15, 16, 25, 26) aufweist: eine erste Leitungsebenenstruktur (15 oder 25), die eine erste rechteckige Laschenstruktur (13 oder 23), die eine Form eines ersten rechteckigen Parallelepipeds aufweist, und eine erste Vielzahl von parallelen Metallleitungen (11 oder 21) aufweist, die von einer Seitenwand der ersten rechteckigen Laschenstruktur (13 oder 23) vorstehen und daran angrenzen; und eine zweite Leitungsebenenstruktur (16 oder 26), die eine zweite rechteckige Laschenstruktur (14 oder 24), die eine Form eines zweiten rechteckigen Parallelepipeds aufweist, und eine zweite Vielzahl von parallelen Metallleitungen (12 oder 22) aufweist, die von einer Seitenwand der zweiten rechteckigen Laschenstruktur (14 oder 24) vorstehen und daran angrenzen, wobei: die erste Vielzahl von parallelen Metallleitungen (11 oder 21) und die zweite Vielzahl von parallelen Metallleitungen (12 oder 22) gemeinsam eine ineinandergreifende, gleichmäßige Rasterabstandstruktur ((11, 12) oder (21, 22)) bilden, die einen Rasterabstand in einer Richtung aufweist; und die erste rechteckige Laschenstruktur (13 oder 23) und die zweite rechteckige Laschenstruktur (14 oder 24) nicht in einen Bereich zwischen der Seitenwand der ersten rechteckigen Laschenstruktur (13 oder 23) und der Seitenwand der zweiten rechteckigen Laschenstruktur (14 oder 24) vorstehen; und jede der Vielzahl von ersten rechteckigen Laschenstrukturen (13, 23) und der Vielzahl von zweiten rechteckigen Laschenstrukturen (14, 24) eine Laschenbreite aufweist, die zumindest 150% des Rasterabstands beträgt; und ...
Patent DE-112012005920-B4 (DE)
Title: Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
Inventor: SAKAMOTO KEN
IPC: H01L23/433
Filed: 2012-02-22
Granted: 2022-03-24
Abstract: Halbleitervorrichtung, die aufweist:einen Wärmeverteiler (20, 50) mit einer unteren Oberfläche und elektrischer Leitfähigkeit;ein Plattenelement (26, 140, 226, 326, 426) mit einer vorderen Oberfläche und einer hinteren Oberfläche, wobei die vordere Oberfläche mit der unteren Oberfläche des Wärmeverteilers in Kontakt steht, wobei das Plattenelement einen Umfangsabschnitt (27, 227, 327, 427, 428) aufweist, der von einer Kante der unteren Oberfläche vorsteht;ein Halbleiterelement (30, 32), das am Wärmeverteiler befestigt ist und mit dem Wärmeverteiler elektrisch verbunden ist; undeinen Einkapselungsharzkörper (42), in dem die vordere Oberfläche des Plattenelements, der Wärmeverteiler und das Halbleiterelement eingekapselt sind, und zumindest ein Abschnitt der hinteren Oberfläche des Plattenelements vom Einkapselungsharzkörper freiliegt;wobei das Plattenelement eine Isolationsplatte aufweist, die die vordere Oberfläche konfiguriert,die Isolationsplatte mit der unteren Oberfläche des Wärmeverteilers in Kontakt steht, undder Wärmeverteiler einen Eckenabschnitt (21, 51) an einer Ecke der unteren Oberfläche aufweist, der Eckenabschnitt eine Form einer gekrümmten Oberfläche oder eine abgeschrägte Form in Draufsicht gesehen aufweist, der Eckenabschnitt im Schnitt des Wärmeverteilers gesehen rechteckig ist.
Patent DE-112012005990-B4 (DE)
Title: Kautschukzusammensetzung zum Gebrauch in Reifenlaufflächen, vulkanisiertes Produkt und dessen Verwendung
Inventor: TAKIZAWA YOICHI
IPC: C08L9/06
Filed: 2012-03-08
Granted: 2016-03-24
Abstract: Problem: Bereitstellen einer Kautschukzusammensetzung zum Gebrauch in Reifenlaufflächen, mit der die Kautschukhärte, der Elastizitätsmodul und die Kautschukfestigkeit im Hochtemperaturzustand auf das Niveau des Stands der Technik oder darüber hinaus verbessert werden können, während die Trockenhaftungsleistung aufrechterhalten wird. Mittel zur Lösung: Eine Kautschukzusammensetzung, bei der 80 bis 150 Gewichtsteile Ruß mit einer spezifischen Stickstoffadsorptionsoberfläche von 200 bis 400 m2/g pro 100 Gewichtsteile des Styrol-Butadien-Kautschuks beigemischt sind, welcher 60 Gew.-% bis 100 Gew.-% lösungspolymerisierten Styrol-Butadien-Kautschuk S-SBR1 und 40 Gew.-% bis 0 Gew.-% lösungspolymerisierter Styrol-Butadien-Kautschuk S-SBR2 aufweist, um insgesamt 100 Gew.-% zu ergeben, wobei die Styrolmenge des S-SBR1 30 Gew.-% bis 38 Gew.-% beträgt, die Vinylmenge des S-SBR1 60 Gew.-% bis 80 Gew.-% beträgt, die Glasübergangstemperatur des S-SBR1 –20°C bis –5°C beträgt, das Molekulargewicht-Gewichtsmittel des S-SBR1 1.000.000 bis 1.800.000 beträgt, die Glasübergangstemperatur des S-SBR2 nicht weniger als –30°C und weniger als –20°C beträgt und das Molekulargewicht-Gewichtsmittel des S-SBR2 1.000.000 bis 1.800.000 beträgt.
Patent DE-112012006850-B4 (DE)
Title: Verpackungspolsterstruktur für ein Flüssigkristallanzeigemodul
Inventor: HU QIANSHUANG
IPC: B65D85/38
Filed: 2012-09-13
Granted: 2018-04-26
Abstract: Verpackungspolsterstruktur für ein Flüssigkristallanzeigemodul, mit zwei einander gegenüberliegenden Polsterseitenplatten (2), mehreren zwischen den beiden Polsterseitenplatten (2) angeordneten Positionsbegrenzungspolsterplatten (4), und mehreren Verbindungsplatten (6), welche die Polsterseitenplatten (2) und die Positionsbegrenzungspolsterplatten (4) verbinden, wobei die Polsterseitenplatten (2) erste Halteschlitze (22) aufweisen, die den Verbindungsplatten (6) entsprechen, wobei die Positionsbegrenzungspolsterplatten (4) zweite Halteschlitze (42) aufweisen, die den Verbindungsplatten (6) entsprechen, wobei die Verbindungsplatten (6) erste und zweite Kopplungsabschnitte (62,64) aufweisen, die jeweils den ersten und den zweiten Halteschlitzen (22,42) entsprechen, wobei der erste und der zweite Kopplungsabschnitt (62,64) in den ersten beziehungsweise den zweiten Halteschlitzen (22,42) aufgenommen und gehalten sind, um die Polsterseitenplatten (2) und die Positionsbegrenzungspolsterplatten (4) lösbar miteinander zu verbinden, wobei die beiden Polsterseitenplatten (2) jeweils zwei erste Halteschlitze (22) aufweisen, die jeweils an einander gegenüberliegenden Enden jeder der beiden Polsterseitenplatten (2) angeordnet sind, wobei die Befestigungsschlitze (24) gleichmäßig zwischen den beiden ersten Halteschlitzen (22) verteilt sind, wobei die ersten Halteschlitze (22) eine Breite aufweisen, die geringer als die Dicke der Befestigungsschlitze (24) und kleiner als oder gleich der Dicke der Verbindungsplatten (6) ist und wobei die Anzahl der Positionsbegrenzungspolsterplatten (4) drei beträgt, wobei jede der Positionsbegrenzungspolsterplatten (4) zwei zweite Halteschlitze (42) bildet, wobei die beiden zweiten Halteschlitze (42) an einander gegenüberlegenden Enden der Positionsbegrenzungspolsterplatte (4) angeordnet sind und den ersten Halteschlitzen (22) entsprechen, wobei die Positionsbegrenzungsschlitze (44) zwischen den beiden zweiten Halteschlitzen (42) gleichmäßig verteilt sind, wobei die zweiten Halteschlitze (42) eine Breite aufweisen, die gleich der Breite der ersten Halteschlitze (22) ist.
Patent DE-112013005434-B4 (DE)
Title: Verfahren zum Herstellen von Silicium-Einkristallen
Inventor: SOETA SATOSHI
IPC: C30B29/06
Filed: 2013-11-11
Granted: 2023-03-16
Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Silicium-Einkristalls des N-Typs, der einen spezifischen Widerstand von 0,05 Ωcm oder darunter und eine Kristallorientierung von <100> aufweist, anhand eines Czochralski-Verfahrens, das Folgendes umfasst:Inkontaktbringen eines Impfkristalls mit einer Schmelze von Rohmaterial, die in einem Tiegel enthalten ist, wobei die Schmelze mit Dotierstoff dotiert ist;Einen Schritt des Ausbildens eines Kegels,wobei während der ersten Hälfte des Schrittes des Ausbildens des Kegels ein Kegelwinkel θ so verändert und eingestellt wird, dass ein Verhältnis der Summe der einzelnen Längen von Bereichen, die jeweils einen Kegelwinkel θ von 25 ° bis 45 ° aufweisen, zu einer Länge L einer Seitenfläche des Kegels 20 % oder weniger beträgt, wobei der Kegelwinkel θ zwischen einer Züchtungsrichtung des Silicium-Einkristalls und der Seitenfläche des Kegels ausgebildet ist, wenn der Kegel in Richtung eines Durchmessers des Silicium-Einkristalls gesehen wird, undwobei während der zweiten Hälfte des Schrittes des Ausbildens des Kegels der Kegelwinkel θ bei mehr als 45 ° gehalten wird, indem entweder die Ziehgeschwindigkeit des Silicium-Einkristalls herabgesetzt oder die Drehzahl des Tiegels geändert wird; undsukzessives Ausbilden eines geraden Körpers.
Patent DE-112014001659-B4 (DE)
Title: Produktionsverfahren für eine Brennstoffzellenkatalysatortinte, Herstellungsverfahren für eine Brennstoffzellenkatalysatorschicht und Herstellungsverfahren für eine Membranelektrodenanordnung für eine Brennstoffzelle
Inventor: ISHIHARA NORIAKI
IPC: H01M8/10
Filed: 2014-01-14
Granted: 2019-01-10
Abstract: Produktionsverfahren für eine Brennstoffzellenkatalysatortinte, die folgenden Schritte umfassend:(i) Herstellen einer Katalysatordispersion durch Mischen eines Elektrodenkatalysators, Wasser und eines Alkohols;(ii) Herstellen einer gelierten Ionomerlösung durch Mischen eines Ionomers und eines Lösungsmittels; und(iii) Produzieren einer Katalysatortinte durch Mischen der Katalysatordispersion und der gelierten Ionomerlösung, wobeidie gelierte Ionomerlösung in Schritt (ii) einen Feststoffbestandteil und einen Lösungsmittelbestandteil aufweist, undder Schritt (ii) einen Aufkonzentrationsschritt umfasst, in dem die gelierte Ionomerlösung aufkonzentriert wird,wobei der Aufkonzentrationsschritt einen Schritt beinhaltet, in dem ein Löslichkeitsparameter/SP-Wert des Lösungsmittelbestandteils so reguliert wird, dass er nicht über 12,3 liegt.
Patent DE-112014003132-B4 (DE)
Title: Siliziumkarbid-Einkristallsubstrat
Inventor: HORI TSUTOMU
IPC: C30B29/36
Filed: 2014-05-14
Granted: 2023-08-17
Abstract: Siliziumkarbid-Einkristallsubstrat (10) aus 4H-SiC mit einer Hauptfläche (10a), wobei die Hauptfläche (10a) eine maximale Abmessung von 100 mm oder mehr aufweist, und eine {0001}-Ebenen-Ausrichtungsdifferenz zwischen zwei beliebigen Punkten, die in der Hauptfläche (10a) 1 cm voneinander beabstandet sind, 35 Sekunden oder weniger beträgt wobei die Hauptfläche (10a) eine Schraubenversetzungsdichte von 20/cm2oder mehr und 100.000/cm2oder weniger aufweist.
Patent DE-112015000965-B4 (DE)
Title: Wechselstrom Antrieb für Kraftstoffinjektoren
Inventor: NEHL THOMAS WOLFGANG
IPC: F02M51/06
Filed: 2015-03-19
Granted: 2023-06-01
Abstract: Verfahren zum Bereitstellen einheitlicher Stellgliedereignisse für jedes von einer Vielzahl von aufeinander folgenden Stellgliedereignissen eines elektromagnetischen Stellglieds, das Folgendes umfasst:das Anlegen einer ersten bidirektionalen Stromkurve für ein erstes Stellgliedereignis, wobei die erste bidirektionale Stromkurve den Strom in eine erste Richtung bis zum Erreichen eines Spitzen-Einzugs-Stroms anwendet, wenn das Stellglied in eine betätigte Position angewiesen wird, und wobei sie den Strom in eine umgekehrte zweite Richtung anwendet, wenn das Stellglied in eine Ruheposition angewiesen wird, wobei der Strom in der zweiten Richtung für einen gewissen Zeitraum auf einem festen Wert gehalten wird; unddas Anlegen einer zweiten bidirektionalen Stromkurve für ein sofortiges, dem ersten Stellgliedereignis nachfolgendes zweites Stellgliedereignis, wobei die zweite bidirektionale Stromkurve den Strom in umgekehrter zweiter Richtung bis zum Erreichen eines Spitzen-Einzugs-Stroms anwendet, wenn das Stellglied in eine betätigte Position angewiesen wird, und das Anlegen des Stroms in einer ersten Richtung, wenn das Stellglied in eine Ruheposition angewiesen wird, wobei der Strom in der ersten Richtung für einen gewissen Zeitraum auf einem festen Wert gehalten wird;dadurch gekennzeichnet , dassdie erste bidirektionale Stromkurve den Strom in der zweiten Richtung anwendet, bis dieser einen Spitzenstromwert erreicht, der betragsmäßig größer ist als der feste Wert, auf dem der Strom in der zweiten Richtung für einen gewissen Zeitraum gehalten wird; und dassdie zweite bidirektionale Stromkurve den Strom in der ersten Richtung anwendet, bis dieser einen Spitzenstromwert erreicht, der betragsmäßig größer ist als der feste Wert, auf dem der Strom in der ersten Richtung für einen gewissen Zeitraum gehalten wird.
Patent DE-112015001679-B4 (DE)
Title: Luftansaugvorrichtung für einen Verbrennungsmotor mit Lader
Inventor: FUJISAKA Masato
IPC: F02M35/10
Filed: 2015-04-02
Granted: 2018-02-22
Abstract: Luftansaugvorrichtung, die an einem Verbrennungsmotor mit Lader montiert ist, dadurch gekennzeichnet, dass sie Folgendes umfasst: einen Ansaugkrümmer, der einen Ausgleichsbehälter, der an einem hinteren Abschnitt des Verbrennungsmotors in dessen Längsrichtung befestigt ist, sowie ein Ansaugluft-Ansaugrohr umfasst, das an einem stromaufwärtigen Abschnitt des Ausgleichsbehälters vorgesehen ist; einen Ladeluftkühler, der vor dem Verbrennungsmotor angeordnet ist und ein Luftauslassrohr aufweist, wobei der Ladeluftkühler mit dem Lader über ein Ladeluftkühler-Einlassrohr verbunden ist; und ein Ladeluftkühler-Auslassrohr, das sich vom Luftauslassrohr des Ladeluftkühlers entlang des Endabschnitts des Verbrennungsmotors in einer Fahrzeugbreitenrichtung erstreckt und anschließend mit dem Ansaugluft-Ansaugrohr verbunden ist, dass das Ladeluftkühler-Auslassrohr einen Abschnitt mit großem Durchmesser umfasst, in dem ein innerer Durchmesser des Ladeluftkühler-Auslassrohrs groß ist, sowie einen Abschnitt mit kleinem Durchmesser, dessen innerer Durchmesser kleiner als der Durchmesser des Abschnitts mit großem Durchmesser ist, und dass der Abschnitt mit großem Durchmesser von einem mittleren Abschnitt des Ladeluftkühler-Auslassrohrs in dessen Längsrichtung bis zu seinem stromabwärtigen Ende ausgebildet ist, das mit dem Ansaugluft-Ansaugrohr verbunden ist.
Patent DE-112016002422-B4 (DE)
Title: Epitaxialwachstumsvorrichtung, Herstellungsverfahren für Epitaxialwafer und Hebestift für Epitaxialwachstumsvorrichtung
Inventor: SAKURAI MASAYA
IPC: C23C16/458
Filed: 2016-04-25
Granted: 2020-11-19
Abstract: Epitaxialwachstumsvorrichtung (1), umfassend:eine Kammer (2);einen Suszeptor (4) zum Platzieren eines Siliziumwafers (W) darauf innerhalb der Kammer (2);eine Tragwelle (7) zum Tragen des Suszeptors (4) von unten, die eine Hauptsäule (17a), die koaxial mit der Mitte des Suszeptors (4) angeordnet ist, und Tragarme (17b), die sich radial von der Hauptsäule (17a) erstrecken, aufweist; undHebestifte (15), die konfiguriert sind, um durch sowohl Durchgangslöcher (4h), die in dem Suszeptor (4) bereitgestellt werden, als auch Durchgangslöcher (17h), die in den Tragarmen (17b) bereitgestellt werden, eingesetzt zu werden, und bewegbar in der vertikalen Richtung angeordnet sind, so dass der Siliziumwafer an dem Suszeptor (4) durch Anheben und Absenken der Hebestifte (15) angebracht und abgenommen wird, wobeiwenigstens ein Oberflächenschichtbereich von jedem der Hebestifte (15) aus einem Material hergestellt ist, das eine Härte aufweist, die niedriger als die des Suszeptors (4) ist,jeder der Hebestifte (15) einen oberen Bereich (15c) des geraden Stammteils (15a) umfasst, der konfiguriert ist, um durch das Durchgangsloch (4h) des Suszeptors (4) zu laufen, und eine Oberflächenrauigkeit von nicht weniger als 0,1 µm bis nicht mehr als 0,3 µm aufweist, undjeder der Hebestifte (15) einen unteren Bereich (15c) des geraden Stammteils (15a) umfasst, der konfiguriert ist, um durch das Durchgangsloch (17h) des Tragarms (17b) zu laufen, und eine Oberflächenrauigkeit von nicht weniger als 1 µm bis nicht mehr als 10 µm aufweist, wobei der untere Bereich (15c) des geraden Stammteils (15a) eine Oberflächenrauigkeit aufweist, die größer als eine Oberflächenrauigkeit des oberen Bereichs (15c) des geraden Stammteils (15a) ist.