Patent DE-102012205914-B4 (DE)
Title: Mandrelmodifzierung zum Erreichen einer einzelfinnen-finnenähnlichen Feldeffekttransistor-(FINFET-)Vorrichtung
Inventor: SHIEH MING-FENG
IPC: H01L21/822
Filed: 2012-04-11
Granted: 2019-07-11
Abstract: Verfahren, umfassend:
 Bereitstellen eines Hauptmaskenlayouts und eines Abgleichsmaskenlayouts zum Bilden von Finnen (356) einer finnenähnlichen Feldeffekttransistor- (FinFET-) Vorrichtung, wobei das Hauptmaskenlayout ein erstes Maskierungsmerkmal (205) enthält und das Abgleichsmaskenlayout ein zweites Maskierungsmerkmal (210) enthält, welches wenigstens zwei Finnen definiert, und wobei das erste Maskierungsmerkmal (205) und das zweite Maskierungsmerkmal (210) in einem räumlichen Verhältnis zueinander stehen; und
 Modifizieren des Hauptmaskenlayouts basierend auf dem räumlichen Verhältnis zwischen dem ersten Maskierungsmerkmal (205) und dem zweiten Maskierungsmerkmal (210), wobei das Modifizieren des Hauptmaskenlayouts ein Modifizieren des ersten Maskierungsmerkmals (205) beinhaltet, so dass unter Einsatz des modifizierten Maskenlayouts und des Abgleichsmaskenlayouts eine Einzelfinnen-FinFET-Vorrichtung gebildet wird,
 wobei das erste Maskierungsmerkmal (205) ein erstes Mandrelstrukturmerkmal (205C) und ein zweites Mandrelstrukturmerkmal (205B) definiert, wobei das erste Mandrelstrukturmerkmal (205C) von dem zweiten Mandrelstrukturmerkmal (205B) beabstandet ist, und
 wobei das zweite Maskierungsmerkmal (210) ein erstes Abgleichsmaskierungsteil (210A, 210C) und ein zweites Abgleichsmaskierungsteil (210B) definiert,
 wobei das erste Abgleichsmaskierungsteil (210A, 210C) und das zweite Abgleichsmaskierungsteil (210B) jeweils eine Weite (W trim ) haben, die größer ist als der Abstand zwischen dem ersten Mandrelstrukturmerkmal (205C) und dem zweiten Mandrelstrukturmerkmal (205B), so dass das räumliche Verhältnis zwischen dem ersten Maskierungsmerkmal (205) und dem zweiten Maskierungsmerkmal (210) beinhaltet, dass das erste Abgleichsmaskierungsteil (210A, 210C) und das zweite Abgleichsmaskierungsteil (210B) jeweils einen Teil des ersten Mandrelstrukturmerkmals (205C) und einen Teil des zweiten Mandrelstrukturmerkmals (205B) überlappen, und
 wobei das Modifizieren des Hauptmaskenlayouts beinhaltet:
 Entfernen eines Teils des zweiten Mandrelstrukturmerkmals (205B), welcher durch das zweite Abgleichsmaskierungsteil (210B) überlappt wird, und
 Hinzufügen eines zusätzlichen Mandrelstrukturmerkmals (206) zu dem ersten Mandrelstrukturmerkmal (205C) mit einer Länge, die größer ist als die Länge des zweiten Abgleichsmaskierungsteils (210B), sodass eine Länge (b) des zusätzlichen Mandrelstrukturmerkmals (206) auf einer beliebigen Seite des zweiten Abgleichsmaskierungsteils (210B) ausreichend ist, um während der Herstellung ein Abrunden von Ecken zu vermeiden, 
 wobei das erste Mandrelstrukturmerkmal (205C) und das zweite Mandrelstrukturmerkmal (205B) jeweils von Abstandshaltern (215) umgeben sind, und das zweite Maskierungsmerkmal (210) des Abgleichsmaskenlayouts den Abstandshalter (215), der das erste Mandrelstrukturmerkmal (205C) umgibt, und den Abstandshalter (215), der das zweite Mandrelstrukturmerkmal (205B) umgibt, überlappt.