baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent RS-53350-B (RS)
Inventor: ANDREWS STEVEN W
IPC: C07D471/04
Filed: 2009-09-21
Abstract: Jedinjenje opĹˇe formule Iili njena farmaceutski prihvatljiva so, naznaÄŤen time, Ĺˇto:R1 predstavlja H ili (1-6C alkil);R2 je NRbRc, (1-4C)alkil, (1-4C)fluoroalkil, CF3, (1-4C)hidroksialkil, -(1-4C alkil)hetAr1, -(1-4Calkil)NH(l-4Calkil, hetAr2, hetCyc1, hetCyc2, fenil koji je po slobodnom izboru supstituisan sa NHS02(1-4C alkil), ili (3-6C)cikloalkil koji je po slobodnom izboru supstituisan sa (1-4C alkil), CN, OH, CF3, CO2(1-4C alkil) ili CO2H;gde Rb moĹľe da bude H ili (1-6C alkil);gde Rc moĹľe da bude H, (1-4C)alkil, (1-4C)hidroksialkil, hetAr3, ili fenil, gde je pomenuti fenil po slobodnom izboru supstituisan sa jednim ili viĹˇe supstituenata koji su nezavisno odabrani iz grupe koju ÄŤine halogen, CN, CF3 i -O(1-4C alkil),ili NRbRc gradi 4-oÄŤlani heterocikliÄŤni prsten koji ima atom azota, gde je pomenuti heterocikliÄŤni prsten po slobodnom izboru supstituisan sa jednim ili viĹˇe supstituenata koji su nezavisno odabrani iz grupe koju ÄŤine halogen, OH, (1-4C alkil), (1-4 C) alkoksi, -OC(=O)(1-4C alkil), NH2, -NHC(=O)O(1-4C alkil) i (1-4C)hidroksialkil, ili NRbRcgradi 5-6-oÄŤlani heterocikliÄŤni prsten koji ima heteroatom u prstenu koji predstavlja azot i opciono ima drugi heteroatom u prstenu ili grupu koja je odabrana izmedju N, O i SO2, gde je heterocikliÄŤni prsten po slobodnom izboru supstituisan sa jednim ili viĹˇe supstituenata koji su nezavisno odabrani iz grupe koju ÄŤine OH, halogen, CF3, (1-4C)alkil, CO2(1-4C alkil), CO2H, NH2, NHC(=O)O(1-4C alkil) i okso,ili NRbRc gradi 7-8-oÄŤlani spojeni heterocikliÄŤni prsten koji ima 1-2 atoma azota u prstenu, gde je pomenuti prsten po slobodnom izboru supstituisan sa CO2(1-4Calkil);hetAr1 je 5-oÄŤlani heteroarilni prsten sa 1-3 atoma azota u prstenu;hetAr2 je 5-6 oÄŤlani heteroarilni prsten sa najmanje jednim atomom azota u prstenu i koji po slobodnom izboru ima drugi heteroatom u prstenu koji je nezavisno odabran izmedju N i S, gde je pomenuti heteroarilni prsten po slobodnom izboru supstituisan sa jednim ili viĹˇe supstituenata koji su nezavisno odabrani iz grupe koju ÄŤine (1-4C alkil), halogen, -(1-4 C)alkoksi, i NH(1-4C alkil);gde hetCyc1 predstavlja 4-6-oÄŤlani azacikliÄŤni prsten vezan preko ugljenika koji je po slobodnom izboru supstituisan sa jednim ili viĹˇe supstituenata koji su nezavisno odabrani izmedju (1-4C alkil), i CO2(1-4C alkil);hetCyc2 predstavlja piridinonski ili piridazinonski prsten koji je po slobodnom izboru supstituisan sa supstituentom koji je odabran od (1-4C) alkil;hetAr3 predstavlja 5-6-oÄŤlani heteroarilni prsten sa 1-2 heteroatoma u prstenu koji su svaki za sebe odabrani od N i O i po slobodnom izboru supstituisani sa jednim ili viĹˇe supstituenata koji su nezavisno odabrani od (l-4C)alkil;Y predstavlja fenilni prsten po slobodnom izboru supstituisan sa jednim ili viĹˇe supstituenatanezavisno odabranih iz grupe koju ÄŤine halogen, (1-4C) alkoksi, CF3 i CHF2, ili 5-6-oÄŤlaniheteroarilni prsten koji ima heteroatom odabran izmedju N i S;gde je X nula, -CH2-, -CH
Patent TW-I410215-B (TW)
Title: Microbicidal composition
Inventor: ASHMORE JOHN WILLIAM
IPC: A01N33/12
Filed: 2008-07-08
Granted: 2013-10-01
Abstract: Synergistic microbicidal compositions containing N-methyl-1,2-benzisothiazolin-3-one.
Patent TW-I667852-B (TW)
Inventor: CAVENEY JACK E
IPC: H01R9/03
Filed: 2012-09-25
Granted: 2019-08-01
Abstract: 於一些實施例中，根據該報告書之系統及方法使用RFID傳訊，以偵測插線面板中之插線連接，且亦對技師提供可見的指示器，而對插線連接造成移動、加入、或改變。於一實施例中，本發明包含被組合進入天線陣列及被安裝在加裝轉接器上的一系列RFID天線，該轉接器可依序被安裝在對應的電信設備上。
Patent TW-I621031-B (TW)
Inventor: KOCHER PAUL CARL
IPC: G06F21/71
Filed: 2013-08-09
Granted: 2018-04-11
Abstract: 本發明描述一種用於在積體電路中提供安全特性及金鑰管理之機制。一例示性積體電路包含：一安全記憶體，其儲存一秘密金鑰；及一安全管理器核心，其耦合至該安全記憶體以接收一數位簽名命令、使用該秘密金鑰驗證與該命令相關聯之一簽名且使用該命令組態該積體電路之操作。
Patent TW-I616518-B (TW)
Inventor: WITTEK MICHAEL
IPC: C09K19/42
Filed: 2013-10-01
Granted: 2018-03-01
Abstract: 本發明係關於一種較佳經聚合物安定之顯示藍相的液晶原介質，其包含一或兩種選自以下兩種組分(組分A及組分B)的組分：組分A包含一或多種選自式I-M化合物之群之化合物：
       
     及組分B係由一或多種選自式I-U化合物之群之化合物組成：
       
     其中該等參數係如文中所指定，及其在電光光調制元件中之用途及其在顯示器中之各別用途及該等顯示器。
Patent TW-I622231-B (TW)
Inventor: LIOU GENG HONG
IPC: H01Q1/24
Filed: 2013-10-11
Granted: 2018-04-21
Abstract: 本發明提供一種天線結構，包括饋入端、接地端、第一高頻輻射體、低頻輻射體、第二高頻輻射體及一匹配電路。該匹配電路包括第一電感，該饋入端一端電性連接於匹配電路，另一端電性連所述接於第一高頻輻射體，該低頻輻射體通過一第二電感電性連接於饋入端和第一高頻輻射體。該第二高頻輻射體電性連接於接地端，該第二高頻輻射體與第一高頻輻射體間隔設置，以使第一高頻輻射體和第二高頻輻射體耦合。本發明的天線結構體積小，且可接收多頻段訊號。另外，本發明還提供一種具有該天線結構的無線通訊裝置。
Patent TW-I613650-B (TW)
Inventor: LEE WINSTON
IPC: G11C7/12
Filed: 2013-10-31
Granted: 2018-02-01
Abstract: 一種記憶體系統，包括第一記憶體單元和第二記憶體單元。第一記憶體單元中的每個第一記憶體單元包括第一和第二傳輸門，第一和第二傳輸門包括NMOS電晶體。第二記憶體單元中的每個第二記憶體單元包括第一和第二傳輸門，第一和第二傳輸門包括PMOS電晶體。第一記憶體單元由電壓供應的一個極預充電。第二記憶體單元由電壓供應的相反極預充電。
Patent TW-I637497-B (TW)
Title: 攝像元件及攝像單元
Inventor: MURATA HIRONOBU
IPC: G02B7/00
Filed: 2013-11-22
Granted: 2018-10-01
Abstract: 攝像元件係具備：光電轉換部，其係具有讓光入射的第1面和與前記第1面相反側的第2面，且含有前記第2面側之雜質濃度是高於前記第1面側之雜質濃度的同一導電型半導體。
Patent TW-I616301-B (TW)
Title: 預發泡粒子之總體密度測量裝置及預發泡粒子之製造方法
Inventor: MURAKAMI KYOSUKE
IPC: B29C44/60
Filed: 2014-04-08
Granted: 2018-03-01
Abstract: 本發明提供一種總體密度測量裝置及測量方法，上述總體密度測量裝置之特徵在於，其係測量預發泡粒子之總體密度者，且包括：容器A，其可將容器內壓設為未達大氣壓之減壓狀態而使收縮之預發泡粒子膨脹而自收縮恢復；容器B，其可於容器內壓未達大氣壓之減壓狀態下填充於容器A中膨脹後之預發泡粒子而進行固定體積分取；減壓機構8，其可將容器A與容器B之容器內壓調整為未達大氣壓；及重量計6，其可測量填充於容器B之預發泡粒子之重量。根據該總體密度測量裝置及測量方法，可於製造後短時間內穩定地測量容易於製造後立即收縮之預發泡粒子原來之總體密度，從而可立即向下一生產之運轉條件反饋。
Patent TW-I638569-B (TW)
Inventor: FAN CHIANG SHIH WU
IPC: G08G1/017
Filed: 2014-11-05
Granted: 2018-10-11
Abstract: 本發明揭露一種監控系統與監控方法，此監控系統包含至少一個影像擷取裝置以及一個處理裝置。影像擷取裝置電性連接處理裝置，且用以擷取複數個監控影像。處理裝置用以分析監控影像所對應的複數個現場資訊與事件資訊之間的相關性，其中每一個現場資訊包含時間資訊與詳細資訊。藉此，處理裝置依據現場資訊中的詳細資訊於事件資訊的所有發生時段內的出現頻率，判斷出現頻率較高的詳細資訊所對應的監控影像與事件資訊較相關。
Patent TW-I618691-B (TW)
Inventor: WILEN CARL-ERIC
IPC: C09K21/10
Filed: 2014-11-07
Granted: 2018-03-21
Abstract: 本發明為滯焰劑的領域，且與使用次磺醯胺作為滯焰劑有關，特別是在聚合基質中。
Patent TW-I635846-B (TW)
Inventor: WILDSMITH CHRISTOPHER
IPC: A61B3/10
Filed: 2014-11-21
Granted: 2018-09-21
Abstract: 一種用於選擇有考量偏心誤差及/或旋轉誤差之一鏡片之設備及方法。該方法包括：獲得對一患者的第一波前檢查之結果，該等結果包括一波前圖及任尼克多項式；選擇改善視力的一第一鏡片；獲得一第二波前檢查之結果，該等結果包括一波前圖及任尼克多項式；藉由計算該等任尼克多項式之間的一差值來計算所選擇的該鏡片之偏心誤差及/或旋轉誤差；及選擇較佳矯正/考量該所計算偏心誤差及/或旋轉誤差的一第二鏡片。
Patent TW-I712635-B (TW)
Title: 光學異向性膜
Inventor: KOBAYASHI TADAHIRO
IPC: G02B5/30
Filed: 2014-12-03
Granted: 2020-12-11
Abstract: 本發明提供一種透明性較高之光學異向性膜。
 
     本發明提供一種光學異向性膜，其係具有nz>nx>ny之折射率關係者，並且包含聚合性液晶化合物之聚合物及有機改性聚矽氧烷。
 
     (式中，nz表示於光學異向性膜所形成之折射率橢球中，與膜平面垂直之方向之折射率。nx表示於光學異向性膜所形成之折射率橢球中，與膜平面平行之方向之主折射率。ny表示於光學異向性膜所形成之折射率橢球中，與膜平面平行且與該nx之方向正交之方向之折射率)
Patent TW-I624250-B (TW)
Inventor: LU LUKE
IPC: A61C8/00
Filed: 2014-12-19
Granted: 2018-05-21
Abstract: 一種具有纖維材料與結構的生物活性玻璃纖維牙植體，包括一固定件及一周邊接合件，固定件設置用於與頜骨或顱骨進行骨整合，周邊接合件連接至固定件並且設置用於連接一支撐一牙科贗復物的牙墩，固定件及周邊接合件為強化纖維樹脂所製成，強化纖維樹脂中的纖維形成一纖維編織結構，其包括筆直地穿過纖維編織結構的一中央纖維軸及多數個交錯環繞中央纖維軸的辮狀纖維軸，強化纖維樹脂中的每一纖維為具有一或多層。
Patent TW-I627270-B (TW)
Title: Negative ion soap process
Inventor: QIU BO-CHANG
IPC: C11D13/00
Filed: 2015-02-17
Granted: 2018-06-21
Abstract: 本發明一種負離子皂製程，其包括有下列步驟：備製料材、攪拌混合、注模塑型、修飾包裝四大步驟，而在備製料材中備製有油料、負離子粉及添加有奈米矽之氫氧化鈉，並進一步添加硬脂酸、蓖麻油、香料，透過各材料所占之百分比的配置，讓使用者在使用皂成品時能夠透過負離子粉的添加而達到身體機能的改善。
Patent TW-I685823-B (TW)
Inventor: GALIBOIS MICHEL
IPC: G09B9/08
Filed: 2015-03-05
Granted: 2020-02-21
Abstract: 本揭示案係關於可組態的模組卡。該卡包含板，在該板上之至少一個處理器及至少一個記憶體，包含複數個可組態的輸入及輸出之可組態的輸入/輸出單元，用於在該至少一個處理器、該至少一個記憶體與該可組態的輸入/輸出單元之間提供電子資料交換之匯流排，及包含複數個可組態的電源電路之電源。該可組態的輸入/輸出單元具有用於發送廣播訊息之預定義輸出，及用於接收廣播回應訊息之預定義輸入。該處理器基於該廣播回應訊息來配置該可組態的輸入/輸出單元之該複數個輸入及輸出。該處理器基於該廣播回應訊息來配置該電源之該複數個功率電路。該處理器將測試訊號產生至該可組態的輸入/輸出單元之該複數個輸入及輸出，且將測試訊號產生至該電源之該複數個功率電路。
Patent TW-I691336-B (TW)
Title: Method for preparing single－valent, modified avidin－like molecules and modified functional conjugates
Inventor: LIN CHENG-AN
IPC: A61K47/42
Filed: 2015-04-29
Granted: 2020-04-21
Abstract: Disclosed herein are methods for preparing modified, functional conjugates that includes the steps as follows.  First, biotinylated peptides, each having a His–tag sequence, are gradually added into avidin–like molecules in a molar ratio between 1:4 to 16:1 so as to form a plurality of avidin–biotin–peptide conjugates with different valence states.  The avidin–biotin–peptide conjugates are then separated using a nickel affinity column eluted with an imidazole gradient to produce a first eluate including mostly first single–valent avidin–biotin–peptide conjugates each having a first valence.  The first single–valent avidin–biotin–peptide conjugates are then mixed with functional molecules under conditions allowing the formation of functional molecules modified with the first single–valent biotin–binding peptides of the first valence.  Methods for preparing single–valent, modified avidin–like molecules are also disclosed herein.
Patent TW-I645564-B (TW)
Title: Semiconductor device and method of manufacturing same
Inventor: MAKIYAMA HIDEKI
IPC: H01L29/786
Filed: 2015-06-01
Granted: 2018-12-21
Abstract: 本發明之目的係於使用SOI基板之半導體裝置中，降低天線效應對策用虛設填充單元之閘極漏電流，且抑制天線效應。
 
     本發明係藉由將天線效應對策用虛設填充單元DT之閘極絕緣膜GID之厚度，設為厚於SOI電晶體CT之閘極絕緣膜GIC之厚度，而減少天線效應對策用虛設填充單元DT之閘極漏電流。進而，藉由將天線效應對策用虛設填充單元DT之閘極面積(閘極長度×閘極寬度)，設為大於SOI電晶體CT之閘極面積(閘極長度×閘極寬度)，而將天線效應對策用虛設填充單元DT之閘極電容與SOI電晶體CT之閘極電容設為大致相同，以抑制天線效應。
Patent TW-I663284-B (TW)
Inventor: AUGUSTYNIAK EDWARD
IPC: C23C16/455
Filed: 2015-06-09
Granted: 2019-06-21
Abstract: 一種基板處理系統，包含配置在處理室內的上電極和下電極。氣體遞送系統選擇性地遞送前驅物、一或多種沉積載體氣體及後沉積沖洗氣體的其中至少一者。在該前驅物及該一或多種沉積載體氣體係由氣體遞送系統遞送的同時，RF產生系統藉由供應RF電壓至上電極和下電極的其中一者在處理室內的上電極和下電極之間產生RF電漿而沉積膜在基板上。在後沉積沖洗氣體係由氣體遞送系統加以遞送的同時，偏壓產生電路選擇性地供應DC偏電壓至上電極和下電極之其中一者。由氣體遞送系統遞送的後沉積沖洗氣體包含分子反應氣體。
Patent TW-I703176-B (TW)
Inventor: PINEAU QUENTIN
IPC: C09J177/06
Filed: 2015-06-26
Granted: 2020-09-01
Abstract: Semicrystalline polyamide comprising at least one monomer resulting from the condensation of a diacid and a diamine of formula AP.Y, said semicrystalline polyamide having the following general formula (I): AP.Y/(A) m /(Pip.Y') n /(B.Y") q    (I) and said semicrystalline polyamide having a Tm 1  less than or equal to about 150℃, notably less than or equal to about 130℃, in particular less than or equal to about 120℃ and/or a Tg less than or equal to about 60℃, in particular less than or equal to about 50℃, notably less than or equal to about 40℃, as determined by DSC according to standard ISO 11357-3 (2013) and ISO 11357-2 (2013), respectively.
Patent TW-I656252-B (TW)
Inventor: DEMIZU YOSHIMITSU
IPC: D02J1/22
Filed: 2015-07-02
Granted: 2019-04-11
Abstract: 本發明提供一種假撚加工機以及假撚加工機的掛紗方法，在利用移位器使複數紗線同時移動到加熱裝置的紗線入口位置之際，能夠防止紗線彼此接觸。假撚加工機(1)係具備：供給紗線(Ya、Yb)的喂紗筒子架(4)，捲繞從喂紗筒子架(4)供給的紗線(Ya、Yb)的捲繞裝置(7)，配置在喂紗筒子架(4)與捲繞裝置(7)之間的紗道上的第1加熱裝置(11)，配置在第1加熱裝置(11)與捲繞裝置(7)之間的上述紗道上的假撚裝置(6a、6b)，能夠從第1加熱裝置(11)的紗線出口位置側移動到紗線入口位置附近而用來保持紗線(Ya、Yb)的移位器(10)，以及擴大藉由移位器(10)保持的紗線(Ya、Yb)的間隔的限制導紗器(24)。
Patent TW-I656970-B (TW)
Title: 轉印膜、轉印膜的製造方法、積層體、積層體的製造方法、靜電電容型輸入裝置及圖像顯示裝置
Inventor: KANEIWA HIDEKI
IPC: B32B27/18
Filed: 2015-08-11
Granted: 2019-04-21
Abstract: 一種轉印膜，作為第一形態，其特徵在於：具有臨時支撐體、以及包含金屬氧化抑制劑的第一透明樹脂層，且第一透明樹脂層的折射率為1.60以上。一種轉印膜，作為第二形態，其特徵在於：具有臨時支撐體、以及第一透明樹脂層，且所述第一透明樹脂層含有金屬氧化抑制劑、及金屬氧化物粒子。
Patent TW-I657303-B (TW)
Inventor: LEUNG KING PUI
IPC: G01B11/00
Filed: 2015-08-12
Granted: 2019-04-21
Abstract: 一種頻譜加寬輻射設備，其包括：一雷射，其經組態以經由該雷射之一輸出發射實質上僅在電磁頻譜之可見光區中的輻射，該輻射具有一標稱波長；及一光纖，其光學地耦合至該雷射之該輸出，該光纖具有用以自該雷射接收該輻射之一輸入且具有用以提供頻譜加寬輸出輻射之一輸出，該光纖經組態以將來自該雷射之該輻射頻譜上加寬至圍繞該標稱波長的至少0.5奈米之一頻譜寬度。
Patent TW-I711270-B (TW)
Inventor: PENTICOFF JOEL ANTHONY
IPC: H03F3/24
Filed: 2015-08-17
Granted: 2020-11-21
Abstract: Power amplifier interface compatible with inputs separated by mode or frequency. In some embodiments, a power amplifier (PA) system can include a first block having a first PA configured to operate in a first mode, and a second block having a second PA configured to operate in a second mode. The PA system can further include an interface implemented in the first block. The interface can be configured to be capable of routing a radio-frequency (RF) signal from a transceiver to the first PA, and also be capable of routing the RF signal to the second PA.
Patent TW-I709122-B (TW)
Title: 時序控制器及包含該時序控制器的顯示裝置
Inventor: ZHAN JINFENG
IPC: G09G3/20
Filed: 2015-08-25
Granted: 2020-11-01
Abstract: 本發明提供時序控制器及包含該時序控制器的顯示裝置。所述時序控制器包含：從外部記憶體讀取壓縮查找表資料的記憶體控制器；解壓縮從所述記憶體控制器接收的所述壓縮查找表資料，並產生壓縮前原始查找表資料的解壓縮器；臨時儲存從所述解壓縮器接收的所述原始查找表資料的列緩衝器；以及利用在所述列緩衝器儲存的所述原始查找表資料，補償輸入的圖像信號資料的痕跡缺陷的圖像信號處理部。
Patent TW-I666277-B (TW)
Inventor: ANSELMANN RALF
IPC: C09D7/63
Filed: 2015-09-09
Granted: 2019-07-21
Abstract: 本發明係關於一種液體塗覆組成物，其包含i)至少一種通式Si a R 1   b O c (OR 2 ) d 之無機黏合劑，其中a≧2、b≧0、c≧1、d≧5且R 1 和R 2 =有機基團，ii)至少一種溶劑和iii)至少一種氧化物顏料，該顏料於標準條件下，基於1克物質添加由15毫升之1M草酸與15毫升之20%含水氫氯酸構成的混合物之後，導致溫度提升至少4℃，本發明亦關於該組成物之製造方法及其用途。
Patent TW-I691331-B (TW)
Inventor: INOKUCHI YUTA
IPC: A61K31/423
Filed: 2015-09-24
Granted: 2020-04-21
Abstract: [課題]
 
     本發明係提供一種組合醫藥組成物及藥劑併用，其係用於預防及/或治療於包含人類之哺乳動物中如高HDL血症之脂質異常狀態。
 
     本發明係關於一種脂質異常症等之預防及/或治療用醫藥組成物，其係含有(R)-2-[3-[[N-(苯并 唑-2-基)-N-3-(4-甲氧基苯氧基)丙基]胺基甲基]苯氧基]丁酸或其鹽或該等之溶劑合物，及(S)-反式-{4-[({2-[({1-[3,5-雙(三氟甲基)苯基]乙基}{5-[2-(甲基磺醯基)乙氧基]嘧啶-2-基}胺基)甲基]-4-(三氟甲基)苯基}(乙基)胺基)甲基]環己基}醋酸或其鹽或該等之溶劑合物。
Patent TW-I622483-B (TW)
Title: Hollow plate forming cooling device
Inventor: HSU CHIA HSI
IPC: B29C48/92
Filed: 2015-11-26
Granted: 2018-05-01
Abstract: 一種中空板成型冷卻裝置，適用於冷卻沿一輸送方向輸送之一中空板，且包含一第一冷卻件、一第二冷卻件、一冷卻液機，及一溫度控制單元。每一冷卻件包括一本體、位於該本體沿該輸送方向之相反兩端面的一進料口及一出料口，及一連通該進料口與該出料口的冷卻輸送道。該中空板沿該輸送方向依序經過該第一、第二冷卻件的冷卻輸送道，且具有一介於該第一、第二冷卻件間之中間段。該溫度控制單元接收該中間段之一板溫以輸出一板溫值，且比較該板溫值與一參考上限值，並於該板溫值高於該參考上限值時控制該冷卻液機以降低其輸出之冷卻液的液溫值。
Patent TW-I612614-B (TW)
Inventor: TAKAHASHI HIROAKI
IPC: H01L21/687
Filed: 2016-02-16
Granted: 2018-01-21
Abstract: 一種基板處理裝置，係用以對基板實施使用包含第1流體之處理流體的處理，其包含：基板保持單元，其用以保持基板；噴嘴，其具有在內部形成有用以供第1流體流通的第1流路之第1筒體，上述第1筒體之前端緣係在與上述基板之主面之間劃分環狀之第1吐出口，該第1吐出口係用以沿上述基板之上述主面呈放射狀吐出流過上述第1流路之流體；支撐構件，其用以支撐上述噴嘴；噴嘴保持單元，其使上述噴嘴以可沿上述基板之上述主面之法線方向相對移位之狀態保持於上述支撐構件；及第1流體供給單元，其朝上述噴嘴之上述第1流路供給第1流體，且藉由來自上述第1吐出口之第1流體之吐出，使自上述基板之上述主面背離之方向之力作用於上述噴嘴。
Patent TW-I619670-B (TW)
Inventor: RULLAN Jonathan Lee
IPC: B81C1/00
Filed: 2016-02-24
Granted: 2018-04-01
Abstract: 本發明揭露一種方法，能夠在積體電路裝置及該結果裝置中填充高深寬比之凹穴，而不具有孔隙或間隙。實施例包含於第一層間介電層中提供主動區域及/或閘極接觸；形成選擇性保護覆蓋層於該接觸之上表面上；形成第二層間介電層於該保護覆蓋層之上表面上及該第一層間介電層之上表面上；形成硬遮罩堆疊於該第二層間介電層上；在該第二層間介電層及硬遮罩堆疊中，形成曝露出一個或多個保護覆蓋層之凹穴；在該堆疊中移除選擇性層以減少該凹穴之深度；以及以金屬層填充該凹穴，其中在一個或多個凹穴中之該金屬層連接至經曝露的該一個或多個保護覆蓋層之上表面。
Patent TW-I668466-B (TW)
Title: Method for manufacturing multilayer film covering resin substrate
Inventor: YOSHIDA TAKEFUMI
IPC: C23C16/40
Filed: 2016-02-24
Granted: 2019-08-11
Abstract: 本發明提供形成有薄膜厚度分佈均勻且與樹脂基板之黏合性出色的多層膜的多層膜覆蓋樹脂基板之製造方法；其中，以無鹵類的鋁化合物作為原料，並透過原子層沉積在樹脂基板之表面上形成Al 2 O 3 層作為阻擋層，並且，透過原子層沉積在阻擋層之表面上分別沉積多層膜之各個層；此時，透過以氯化合物作為原料並向進行原子層沉積的成膜室內導入氫氣而形成多層膜中的至少一部分層。
Patent TW-I630958-B (TW)
Inventor: KITAGAWA HIROAKI
IPC: H01L21/02
Filed: 2016-03-24
Granted: 2018-08-01
Abstract: 本發明提供一種低成本且高效率地於基板之表面形成凝固體之方法。
 
     使用冷卻構件使形成於水平姿勢之基板之上表面之凝固對象液之液膜凝固而形成凝固體之凝固體形成步驟具有：第1步驟，其使冷卻構件中溫度低於凝固對象液之凝固點之處理面觸液於液膜而使位於夾於上表面與處理面之區域之凝固對象液凝固；及第2步驟，其將處理面自藉由第1步驟凝固之凝固區域剝離；且凝固區域與處理面之附著力小於凝固區域與上表面之附著力。
Patent TW-I618551-B (TW)
Inventor: WU WEN-CHIEH
IPC: A61M29/00
Filed: 2016-03-28
Granted: 2018-03-21
Abstract: 一種擴張器，包含一第一握柄、一第二握柄、一第一支撐件、及一第二支撐件。第一握柄包含一第一握持部、一第一樞接部、一第一組接部，以及一擴張尺規。第二握柄包含一第二握持部、一第二樞接部及一第二組接部。第二握持部包含一開槽，擴張尺規穿設於開槽。第二樞接部與第一樞接部相對應樞接。第二組接部與第二握持部由第二樞接部分別以相互不平行的方向延伸。當第二握持部沿擴張尺規朝向第一握持部移動時，第二握柄帶動第二支撐件遠離第一支撐件，在操作上較符合人體工學，並能量測擴張角度，更適合於醫療診斷使用。
Patent TW-I669789-B (TW)
Inventor: Liang fang yu
IPC: H01L23/14
Filed: 2016-04-25
Granted: 2019-08-21
Abstract: 一種基板結構，係包括：一表面形成有至少一倒角之基板、以及結合至該基板之複數導電體，以供該基板結構藉由該倒角分散於封裝製程中所產生的應力，避免該基板結構發生破裂問題。本發明復提供應用該基板結構之電子封裝件。
Patent TW-I643702-B (TW)
Inventor: CHEN YING TUNG
IPC: H01L21/67
Filed: 2016-05-06
Granted: 2018-12-11
Abstract: 本發明公開一種化學機械拋光設備，包括：一拋光機平台、一電極薄膜、一研磨墊以及一晶圓載具。電極薄膜具有一第一單一電極結構，且電極薄膜設置於拋光機平台上。研磨墊設置於電極薄膜上。晶圓載具設置於拋光機平台的上方。第一單一電極結構形成一具有第一相同極性的電場至所述研磨墊。
Patent TW-I619302-B (TW)
Inventor: KUO RONG-FA
IPC: H01P3/10
Filed: 2016-05-06
Granted: 2018-03-21
Abstract: 一種傳輸線的阻抗匹配架構，包括：至少二冗餘導電段以及至少一接地導電段。 前述的冗餘導電段耦接在傳輸線的輸入端與輸出端之間，每一冗餘導電段的第一端耦接到傳輸線，第二端與傳輸線分離，且不同冗餘導電段彼此分離；每一個接地導電段設置在一個對應的冗餘導電段的周圍且與冗餘導電段保持分離。其中，每一個冗餘導電段各自配置於相對應的一個通孔內。
Patent TW-I711167-B (TW)
Inventor: MAYER FREDERIC
IPC: H01L27/146
Filed: 2016-05-25
Granted: 2020-11-21
Abstract: The invention relates to TDI image sensors. 
 
     To ensure the directionality of the charge transfer column-wise from pixel to pixel, provision is made for the adjacent pixels of a column to each comprise a photodiode (PH i ) of width L P  and a storage gate (G i ) of width L G  made of doped polycrystalline silicon, adjacent to the photodiode of the pixel and adjacent to the photodiode (PH i+1 ) of a following pixel of the 
column. The configuration of the doping of the active layer is unique over the whole width L P  of the photodiode; the configuration of the doping of the active layer is unique over the whole width L G  of the gate, and the polycrystalline silicon gate comprises two types of doping which are a p++ doping over a part of the width L G , on the side where the gate is adjacent to the photodiode of the pixel, and an n++ doping over another part of the width L G , on the side adjacent to the photodiode of the following pixel. This difference of doping of the gate creates in the active layer a discrepancy of potential which ensures the directionality of the transfer.
Patent TW-I716410-B (TW)
Title: Immersion field guided exposure and post-exposure bake process
Inventor: BUCHBERGER JR DOUGLAS A
IPC: G03F7/40
Filed: 2016-06-06
Granted: 2021-01-21
Abstract: Methods disclosed herein provide apparatus and method for applying an electric field and/or a magnetic field to a photoresist layer without air gap intervention during photolithography processes. In one embodiment, an apparatus includes a processing chamber comprising a substrate support having a substrate supporting 
surface, a heat source embedded in the substrate support configured to heat a substrate positioned on the substrate supporting surface, an electrode assembly configured to generate an electric field in a direction substantially perpendicular to the substrate supporting surface, wherein the electrode assembly is positioned opposite the substrate supporting surface having a downward surface facing the substrate supporting surface, wherein the electrode assembly is spaced apart from substrate support defining a processing volume between the electrode assembly and the substrate supporting surface, and a confinement ring disposed on an edge of the substrate support or the electrode assembly configured to retain an intermediate medium.
Patent TW-I629389-B (TW)
Inventor: KUO MING-SHENG
IPC: D03D17/00
Filed: 2016-06-08
Granted: 2018-07-11
Abstract: 一種於預設編織區段內堆疊有連續線材的雙面織物，所述雙面織物是利用至少一面紗提供予一具有前針床、後針床與壓紗床的橫編機所織造，該前針床設置有複數前織針，該後針床設置有複數後織針，而該壓紗床是設於該前針床或後針床上方，且該壓紗床設置有右向織造壓料片與左向織造壓料片，其中該雙面織物還於至少一預設編織區段內嵌入至少一經由複數該右向織造壓料片及複數該左向織造壓料片所壓入該預設編織區段內而彎折形成堆疊的連續線材。
Patent TW-I704778-B (TW)
Inventor: ETKIN RAUL H
IPC: H04B17/309
Filed: 2016-07-12
Granted: 2020-09-11
Abstract: 提供一種裝置及一種方法。所述裝置包括：接收器，用以在通道上接收訊號；通道估測器，用以將所述通道估測為第一通道估測值；以及處理器，用以壓縮所述通道估測值以減小緩衝器大小。所述方法包括：由接收器在通道上接收訊號；由通道估測器將所述通道估測為第一通道估測值；以及由處理器壓縮所述通道估測值以減小緩衝器大小。
Patent TW-I718167-B (TW)
Title: Clinch fastener and assembly
Inventor: MALONEY MICHAEL J
IPC: F16B5/04
Filed: 2016-07-28
Granted: 2021-02-11
Abstract: A fastener with a tapered head that frictionally mates with a tapered hole in a punched sheet. Frictional attachment is achieved with the fastener head remaining flush with the top of the panel. If a second panel of softer material is placed underneath against the backside of the first panel, in the same pressing step clinch features on the shank of the fastener attach to the second panel and attach the two sheets face-to-face. Attachment of the tapered head with the top panel exploits two different attachment phenomena: a locking taper and, depending on the choice of materials such as stainless steel, attachment by galling.
Patent TW-I638566-B (TW)
Inventor: HE GUO-BIN
IPC: H04N5/225
Filed: 2016-08-08
Granted: 2018-10-11
Abstract: 本發明提供一種拍攝裝置，所述裝置包括：至少一個投射單元、至少一個攝像單元；所述投射單元，用於向包含目標物體的目的地區域投射圖像，所述圖像成一定漸變規律且在一定空間範圍內具有唯一性；所述攝像單元，用於獲取通過所述投射單元投射圖像後的至少包含目標物體的圖像。本發明還提供相應的成像設備，以及相應的拍攝方法和成像方法。本發明採用的技術方案，相比現有技術最大的不同為：投射單元向所述目的地區域投射一張成一定漸變規律且在一定空間範圍內具有唯一性的圖像，結合此圖像的相關特性提高了後續在後端處理器生成點雲的精度，同時具有較好的即時性。
Patent TW-I694239-B (TW)
Title: 移動體、移動體系統、及移動體的位置檢測方法
Inventor: HANAKA SATOSHI
IPC: G01D5/12
Filed: 2016-08-18
Granted: 2020-05-21
Abstract: 移動體係沿著磁極經路來移動。磁極經路，係含有第1磁極區間及第2磁極區間。第1磁極區間，係將由N極與S極所成的一對磁極以第1間距長複數配列而成的區間。第2磁極區間，係將由N極與S極所成的一對磁極以與前述第1間距長不同的第2間距長複數配列而成區間。移動體，係含有檢測部、比率變更部、及位置特定部。檢測部，係檢測因應前述磁極經路之磁通的相位角。比率變更部，係根據由前述檢測部所檢測出的相位角，來將前述磁極經路的相位角與前述磁極經路的位置之對應關係的位置換算比率予以變更。位置特定部，係根據由前述檢測部所檢測出的相位角與由前述比率變更部所變更的位置換算比率，來特定出沿著前述磁極經路之移動體的位置。
Patent TW-I724030-B (TW)
Title: 含多孔體凝膠液之製造方法、含多孔體凝膠液、高空隙層之製造方法、高空隙率多孔體之製造方法及積層薄膜捲材之製造方法
Inventor: RYU SEONG JIN
IPC: C08J7/046
Filed: 2016-09-29
Granted: 2021-04-11
Abstract: 本發明之目的在於提供一種價格低廉且均一性極為優良之含多孔體凝膠液的製造方法。 本發明之含多孔體凝膠液的製造方法，其特徵在於包含一用以將多孔體之凝膠粉碎的步驟，且前述粉碎步驟分成複數個粉碎階段進行。
Patent TW-I714646-B (TW)
Title: 腳底按摩機構
Inventor: TAMAKI KEN
IPC: A61H23/02
Filed: 2016-10-11
Granted: 2021-01-01
Abstract: 提供作成零件數較少的裝置構成，並且可同時對使用者從腳尖到腳後跟的腳底進行各式各樣按摩的腳底按摩機構。
 
     本發明的腳底按摩機構(10)具有按摩使用者之腳底中央部的第1按摩構件(20)、按摩使用者之腳底後部的第2按摩構件(33)、和按摩使用者之腳底前部的第3按摩構件(41)的至少兩個以上按摩構件；且具備驅動部(11)，其使第1按摩構件(20)、第2按摩構件(33)和第3按摩構件(41)中的至少兩個以上按摩構件連動驅動以產生按摩動作。
Patent TW-I642848-B (TW)
Inventor: MA HE
IPC: B81B3/00
Filed: 2016-10-25
Granted: 2018-12-01
Abstract: 本發明涉及一種致動器的製備方法，該方法包括以下步驟：提供一奈米碳管層；在所述奈米碳管層的表面設置一氧化釩層；以及在含氧氣氛中退火使所述氧化釩層轉變為二氧化釩層。本發明的致動器採用奈米碳管層與二氧化釩層複合結構。由於二氧化釩層相變時形變較大，回應速率快，因此該致動器具有較大的形變和較快的回應速率。
Patent TW-I722040-B (TW)
Title: 環狀烯烴樹脂薄膜
Inventor: SAITOU Airi
IPC: C08J7/046
Filed: 2016-11-08
Granted: 2021-03-21
Abstract: 本發明係提供一種環狀烯烴樹脂薄膜，其特徵為於環狀烯烴樹脂薄膜基材的至少一面具有活性能量線硬化性組成物的硬化塗膜，該活性能量線硬化性組成物含有活性能量線硬化性化合物(A)與受阻胺(hindered amine)系光穩定劑(B)作為必要成分，該受阻胺系光穩定劑(B)為選自包含具有聚合性官能基的受阻胺系光穩定劑(B1)及具有受阻酚基的受阻胺系光穩定劑(B2)之群組的至少一種。並提供一種環狀烯烴樹脂薄膜，其具有可對環狀烯烴樹脂薄膜基材表面賦予高耐擦傷性、可無底塗層(priming coat)地在與環狀烯烴樹脂薄膜基材表面之間形成具有優異附著性之硬化塗膜、再者其附著性在強光曝曬後仍不會下降的活性能量線硬化性組成物的硬化塗膜。
Patent TW-I703136-B (TW)
Title: 化合物、組成物及硬化物
Inventor: OTSU MASATO
IPC: C08J5/24
Filed: 2016-11-09
Granted: 2020-09-01
Abstract: 本發明藉由提供一種 化合物而解決課題，該 化合物之特徵在於具有芳香環結構、及多個具有特定之碳-碳間雙鍵結構之基。
 
     又，本發明提供一種含有本發明之 化合物之組成物、含有該組成物之硬化物、及具有該硬化物層之積層體。又，本發明藉由提供一種耐熱材料用組成物及電子材料用組成物而解決課題，該耐熱材料用組成物及電子材料用組成物之特徵在於含有包含本發明之 化合物之組成物。
Patent TW-I682924-B (TW)
Inventor: PARK JONGHO
IPC: C07D215/36
Filed: 2016-11-15
Granted: 2020-01-21
Abstract: 本發明是關於一種由化學式1表示之化合物、含有所述由
化學式1表示之化合物的著色劑組成物以及含有所述由化學式1表示之化合物的樹脂組成物。本發明也關於一種藉由使用所述樹脂組成物製備之感光性材料、包括所述感光性材料的彩色濾光片以及包括彩色濾光片的顯示器裝置。
Patent TW-I623210-B (TW)
Inventor: LIN CHIH-HSUN
IPC: G01S1/38
Filed: 2016-11-15
Granted: 2018-05-01
Abstract: 本發明揭露一種用以估計一影音訊號之通道狀態的估計方法，其包含有以下步驟：依據該影音訊號估計出一第一響應與一第二響應，其中該第一響應對應一回聲路徑，該第二響應對應一參考路徑；計算該第一響應與該第二響應之間於複數時間點的複數相位差；依據該些相位差判斷該回聲路徑是否為一都卜勒路徑；以及當判斷該回聲路徑為該都卜勒路徑時，依據該些相位差中的至少兩個相位差之間的差異來計算出該都卜勒路徑對應之一相位轉動頻率。
Patent TW-I664290-B (TW)
Inventor: CHUANG KUO-HSIANG
IPC: C12N15/12
Filed: 2016-11-29
Granted: 2019-07-01
Abstract: 本發明係關於新穎非肥胖型糖尿病(NOD)鼠及其應用。具體而言，本發明係關於NOD鼠，其特異性表現該NOD鼠中之抗聚乙二醇膜抗體報導基因(抗PEG報導基因)。
Patent TW-I775734-B (TW)
Title: Directional deposition on patterned structures
Inventor: KABANSKY ALEXANDER
IPC: H01L21/02
Filed: 2016-12-16
Granted: 2022-09-01
Abstract: Provided herein are methods and related apparatus that facilitate patterning by performing highly non-conformal (directional) deposition on patterned structures. The methods involve depositing films on a patterned structure, such as a hard mask. The deposition may be both substrate-selective such that the films have high etch selectivity with respect to an underlying material to be etched and pattern-selective such that the films are directionally deposited to replicate the pattern of the patterned 
structure. In some embodiments, the deposition is performed in the same chamber as a subsequent etch is performed. In some embodiments, the deposition may be performed in a separate chamber (e.g., a PECVD deposition chamber) that is connected to the etch chamber by a vacuum transfer chamber. The deposition may be performed prior to or at selected intermittences during at etch process. In some embodiments, the deposition involves multiple cycles of a deposition and treatment process.
Patent TW-I623290-B (TW)
Title: Auxiliary guiding device for human pelvic system
Inventor: CHANG FU SUI
IPC: A47C9/00
Filed: 2016-12-23
Granted: 2018-05-11
Abstract: 一種人體骨盆系統的輔助導正裝置，包括一座椅、一第一推壓敲擊機構、一第二推壓敲擊機構及一移動敲擊機構，提供受治者以坐姿接受左、右對稱推壓並實施三度空間立體震動的機能，幫助骨盆系內拉力不對稱的筋肉放鬆而恢復平衡，將薦骨、髂骨、大腿骨三者拉回各自的生理正位，讓整復後的骨盆系統較易維持長期穩定。