Patent ES-2334922-T3 (ES)
Title: Dispositivo de semiconductor cascadable para la supervision de la carga de un condensador.
Inventor: YANO KOICHI
IPC: H02J7/02
Filed: 2005-03-23
Granted: 2010-03-17
Abstract: Un aparato semiconductor (CI1; CI2) para controlar transistores de derivación (TR11-15; TR21-25) para cargar uniformemente una pluralidad de condensadores (C11-15; C21-25), la pluralidad de condensadores conectados en serie y provistos de corriente continua de carga (VB), comprendiendo el aparato semiconductor (CI1; CI2) circuitos monitores en paralelo (CI1; CI2) configurados cada uno para controla un transistor correspondiente de los transistores (TR11-15; TR21-25) que pone en derivación, si la tensión del condensador correspondiente de los condensadores (C11-15; C21-25) excede una tensión de referencia predeterminada, la corriente continua de carga proporcionada al condensador correspondiente (C11-15; C21-25); y una pluralidad de terminales de control (CON1-12) para conectar en cadena margarita otro o más aparatos semiconductores (CI1; CI2) a un lado de alta tensión y/o un lado de baja tensión del aparato semiconductor (CI1; CI2), el aparato semiconductor (CI1; CI2) caracterizado porque comprende, entre la pluralidad de terminales de control (CON1-12): terminales de control de salida del lado de alta tensión (CON1) para generar una señal hacia otro de los aparatos semiconductores en el lado de alta tensión, los terminales de control (CON1) conectados a un transistor de canal N de drenador abierto (M12); terminales de control de entrada del lado de alta tensión (CON5) para introducir una señal procedente de otro de los aparatos semiconductores (CI1; CI2) en el lado de alta tensión, los terminales de control (CON5) conectados a una línea de energía negativa (Vss) por una resistencia alta (R13) y un inversor (M13); terminales de control de salida del lado de baja tensión (CON8) para generar una señal hacia otro de los aparatos semiconductores (CI1; CI2) en el lado de baja tensión, los terminales de control (CON8) conectados a un drenador abierto de un transistor de canal P (M25); y terminales de control de entrada del lado de baja tensión (CON12) para introducir una señal procedente de otro de los aparatos semiconductores (CI1; CI2) en el lado de baja tensión, los terminales de control (CON12) conectados a una línea de energía positiva (Vdd) por una resistencia alta (R21) y a un inversor (M21); y porque cuando el transistor de drenador abierto de canal N, al que están conectados los terminales de control de salida del lado de alta tensión (CON1), está encendido, los terminales de control de salida del lado de alta tensión (CON1) están en el nivel negativo de la fuente de alimentación (Vss) y, en respuesta a una señal de nivel bajo en cada terminal de control de salida del lado de alta tensión (CON1) un terminal de control de entrada del lado de baja tensión correspondiente (CON12) de otro de los aparatos semiconductores está en el nivel bajo, circula una pequeña corriente a través de la resistencia alta (R21) conectada al nivel positivo de la fuente de alimentación, siendo introducida en el inversor (M21) una señal de nivel bajo, la señal de nivel bajo transmitida a otro de los aparatos semiconductores, el transistor de drenador abierto de canal N al que el terminal de control de salida de lado de alta tensión enciende.