Patent DE-10162945-B4 (DE)
Title: Schleifmaschine
Inventor: MORI TAKASHI
IPC: H01L21/304
Filed: 2001-12-20
Granted: 2019-02-14
Abstract: Schleifmaschine mit:
 einem Drehtisch (19);
 mehreren Spanntischen (16, 17, 18) zum Halten von zu bearbeitenden Halbleiterwafern (W) in mehreren Positionen einschließlich einer ersten Schleifposition und einer zweiten Schleifposition, wobei die Spanntische (16, 17, 18) drehbar am Drehtisch angebracht sind;
 einer ersten Schleifeinrichtung (20) zum Schleifen der freiliegenden Oberfläche jedes auf den Spanntischen gehaltenen Halbleiterwafers (W) in eine erste vorgeschliffene Oberfläche, wenn der Spanntisch (16, 17, 18) durch den Drehtisch (19) in der ersten Schleifposition positioniert ist;
 einer zweiten Schleifeinrichtung (21) zum Schleifen der ersten vorgeschliffenen Oberfläche jedes Halbleiterwafers (W) der auf dem Spanntisch gehalten wird, wenn der Spanntisch durch den Drehtisch (19) in der zweiten Schleifposition positioniert ist;
 wobei die erste Schleifeinrichtung (20) eine erste Schleifscheibe (37) mit Schleifsteinstücken (39), die so fest angeordnet sind, um zusammen eine erste Schleifebene zu definieren, und eine erste Spindeleinheit mit einer an der ersten Schleifscheibe (37) angebrachten Drehspindel (33) aufweist;
 wobei die zweite Schleifeinrichtung (21) mindestens eine zweite Schleifscheibe (38) mit Schleifsteinstücken (40), die so fest angeordnet sind, um zusammen eine zweite Schleifebene zu definieren, und eine zweite Spindeleinheit mit einer an der zweiten Schleifscheibe (38) angebrachten Drehspindel (34) aufweist;
 wobei jeder der mehreren Spanntische (16, 17, 18) eine konusähnliche Oberfläche (83b, 84b, 85b) aufweist, und
 jeder der mehreren Spanntische (16, 17, 18) eine Drehachse (16a, 17a, 18a) aufweist, die so gekippt ist, dass eine erste ringförmige Sektorfläche (110) radial zur Oberfläche (83b, 84b, 85b), parallel zu einer ersten durch die Schleifeinrichtung (20) definierte Schleifebene ist, wenn der jeweilige Spanntisch in der ersten Schleifposition positioniert ist, und
 die Drehachse (16a, 17a, 18a) so gekippt ist, dass eine zweite ringförmige Sektorfläche (111) radial zur Oberfläche, parallel zur einer zweiten durch die Schleifeinrichtung (21) definierten Schleifebene ist, wenn der jeweilige Spanntisch in der zweiten Schleifposition positioniert ist,
 wobei die erste und zweite Schleifeinrichtung (20, 21) so angeordnet sind, dass
 ein erster Winkel (α, α1) zwischen einer geraden Linie, die das Drehzentrum (19a) des Drehtisches (19) mit dem Drehzentrum (17a) eines Spanntisches (17) verbindet, wenn er in einer ersten Position positioniert ist, und
 einer geraden Linie, die das Drehzentrum (17a) dieses Spanntisches (17) mit dem Drehzentrum (33a) der Drehspindel (33) der ersten Spindeleinheit (20) verbindet, wenn der Spanntisch (17) er in der ersten Position positioniert ist,
 gleich ist einem zweiten Winkel (β, β1) zwischen
 einer geraden Linie, die das Drehzentrum (19a) des Drehtisches (19) mit dem Drehzentrum (17a) desselben Spanntisches (17) verbindet, wenn der Spanntisch (17) in einer zweiten Position positioniert ist, und
 einer geraden Linie, die das Drehzentrum (17a) des desselben Spanntisches (17) mit dem Drehzentrum (34a) der Drehspindel (34) der zweiten Spindeleinheit (21) verbindet, wenn der Spanntisch (17) in der zweiten Postition positioniert ist, wobei der erste und zweite Winkel (α, β; α1, β1) gesehen in die Richtung, in die der Drehtisch (19) gedreht wird, gemessen wird,
 sodass die Schleifzone auf dem Halbleiterwafer, die von der ersten Schleifscheibe geschliffen wird, der Schleifzone auf dem Halbleiterwafer entspricht, die von der zweiten Schleifscheibe geschliffen wird.