Patent SU-1748505-A1 (SU)
Title: Способ изготовления полупроводниковых приборов
IPC: G01N27/12
Filed: 1990-01-02
Granted: 2005-12-20
Abstract: Способ изготовления полупроводниковых приборов, включающий формирование на планарной стороне кремниевой пластины слоя окисла, создание диффузионных областей, металлизации и контактных площадок активного элемента прибора, нанесение двухслойного металлического покрытия на поверхность пластины, формирование фоторезистивной маски с окнами, соответствующими выводам прибора от контактных площадок, гальваническое наращивание металла в окнах фоторезистивной маски, удаление фоторезистивной маски и двухслойного металлического покрытия вне областей выводов, нанесение защитного покрытия на планарную сторону пластины, травление пластины с непланарной стороны до требуемой толщины активного элемента, нанесение локальных участков защитной пленки с непланарной стороны в областях, соответствующих активным элементам, травление пластины с непланарной стороны до ее разделения на отдельных участках, удаление окисла с непланарной стороны в области выводов прибора, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных, после формирования металлизации и контактных площадок дополнительно на обе стороны пластины наносят низкотемпературную пленку двуокиси кремния, формируют в ней окна к контактным площадкам на планарной стороне, островки из пленки на отдельных участках на непланарной стороне в областях, соответствующих активным элементам, двухслойное металлическое покрытие методами напыления и гальванического наращивания и фоторезистивную маску наносят на обе стороны пластины после формирования окон и островков в пленке низкотемпературной двуокиси кремния, дополнительно в фоторезистивной маске на непланарной стороне формируют окна вне областей активных элементов на участках, не требующих травления кремния, гальваническое наращивание металла в окнах фоторезистивной маски проводят с двух сторон пластины, после удаления фоторезистивных масок дополнительно наносят слой химически стойкого лака на планарную сторону, травят двухслойное металлическое покрытие на непланарной стороне на глубину, равную толщине двухслойного металлического покрытия на участках, требующих травления кремния, удаляют слой химически стойкого лака, травят кремний на отдельных участках с непланарной стороны на глубину, соответствующую требуемой толщине активного элемента прибора, удаляют островки пленки двуокиси кремния на непланарной стороне, травление пластины с непланарной стороны до требуемой толщины активного элемента проводят после удаления островков пленки двуокиси кремния одновременно с травлением кремния на отдельных участках до разделения пластины, удаление двухслойного металлического покрытия вне областей выводов на планарной стороне проводят травлением всего металлического покрытия на толщину нанесенных слоев с одновременным удалением металлического покрытия на непланарной стороне, причем в качестве металлов при нанесении двухслойного металлического покрытия и гальваническом наращивании используют ванадий и медь соответственно, в качестве защитной пленки для травления кремния на отдельных участках с непланарной стороны используют островки пленки низкотемпературной двуокиси кремния, в качестве защитного покрытия с планарной стороны травлении кремниевой пластины до требуемой толщины активного элемента и отдельных участков до разделения пластины с непланарной стороны используют напыленные слои ванадия и меди и меди, наращиваемой гальванически.