Patent ES-2402166-T3 (ES)
Title: Herramienta con recubrimiento de superficie de corte con capa dura de revestimiento que tiene una resistencia excelente a la abrasión
Inventor: TOMITA KOUHEI
IPC: C23C16/02
Filed: 2008-12-24
Granted: 2013-04-29
Abstract: Una herramienta de corte con la superficie revestiUna herramienta de corte con la superficie revestida, que se forma revistiendo una superficie de un da, que se forma revistiendo una superficie de un sustrato de herramienta hecho de carburo cementadosustrato de herramienta hecho de carburo cementado basado en carburo de wolframio o cermet basado en basado en carburo de wolframio o cermet basado en carbonitruro de titanio con una capa de revestimi carbonitruro de titanio con una capa de revestimiento dura que incluye las siguientes capas superioento dura que incluye las siguientes capas superior e inferior (a) y (b) por depósito de vapor: (a) r e inferior (a) y (b) por depósito de vapor: (a) como capa inferior, una capa de compuesto de titancomo capa inferior, una capa de compuesto de titanio que tiene una o varias de las siguientes capas,io que tiene una o varias de las siguientes capas, capa de carburo de titanio, capa de nitruro de ti capa de carburo de titanio, capa de nitruro de titanio, capa de carbonitruro de titanio, capa de catanio, capa de carbonitruro de titanio, capa de carbóxido de titanio y capa de oxicarbonitruro de tirbóxido de titanio y capa de oxicarbonitruro de titanio con un espesor total de capa medio de 3 a 20tanio con un espesor total de capa medio de 3 a 20 m, y (b) como capa superior, una capa de óxido de m, y (b) como capa superior, una capa de óxido de aluminio que tiene una estructura cristalina de t aluminio que tiene una estructura cristalina de tipo y que contiene Zr con un espesor de capa medioipo y que contiene Zr con un espesor de capa medio de 2 a 15 m, en la que, cuando la capa superior s de 2 a 15 m, en la que, cuando la capa superior se examina con un microscopio electrónico de barride examina con un microscopio electrónico de barrido de emisión de campo, la capa superior tiene una o de emisión de campo, la capa superior tiene una estructura que incluye granos cristalinos que tienestructura que incluye granos cristalinos que tienen una forma poligonal uniforme en un plano perpenen una forma poligonal uniforme en un plano perpendicular a la dirección del espesor y una forma aladicular a la dirección del espesor y una forma alargada en la dirección del espesor con una superficrgada en la dirección del espesor con una superficie uniforme en un plano paralelo a la dirección deie uniforme en un plano paralelo a la dirección del espesor, y en la que, cuando se irradian con hacl espesor, y en la que, cuando se irradian con haces de electrones los granos cristalinos individuales de electrones los granos cristalinos individuales existentes dentro de un intervalo mensurable dees existentes dentro de un intervalo mensurable de una superficie pulida usando un microscopio elect una superficie pulida usando un microscopio electrónico de barrido de emisión de campo y un disposirónico de barrido de emisión de campo y un dispositivo de imagen de difracción de electrones con redtivo de imagen de difracción de electrones con redispersión para medir ángulos formados por líneas nispersión para medir ángulos formados por líneas normales de caras de red cristalina con retículos cormales de caras de red cristalina con retículos cristalinos hexagonales y la línea normal de la supristalinos hexagonales y la línea normal de la superficie pulida, se calcula, a partir del resultadoerficie pulida, se calcula, a partir del resultado de la medición, una relación de orientación crist de la medición, una relación de orientación cristalográfica entre las redes cristalinas adyacentes,alográfica entre las redes cristalinas adyacentes, se calcula una distribución de puntos de red (pun se calcula una distribución de puntos de red (puntos de red covalente de átomos constitutivos) en ltos de red covalente de átomos constitutivos) en la que los átomos constitutivos de una interfaz de a que los átomos constitutivos de una interfaz de red cristalina comparten un átomo constitutivo entred cristalina comparten un átomo constitutivo entre las redes cristalinas, y un tipo de punto de rere las redes cristalinas, y un tipo de punto de red covalente de átomos constitutivos en el que N pud covalente de átomos constitutivos en el que N puntos de red que no comparten átomo constitutivo exntos de red que no comparten átomo constitutivo existe entre los puntos de red covalente de átomo coiste entre los puntos de red covalente de átomo constitutivo (siendo N un número par de 2 o más a lanstitutivo (siendo N un número par de 2 o más a la vista de una estructura cristalina de cristal hex vista de una estructura cristalina de cristal hexagonal de empaquetamiento denso de tipo corundum, agonal de empaquetamiento denso de tipo corundum, pero no incluye números pares 4, 8, 14, 24 y 26 cupero no incluye números pares 4, 8, 14, 24 y 26 cuando el límite superior de N se fija en 28 a la viando el límite superior de N se fija en 28 a la vista de la frecuencia de distribución) se expresa csta de la frecuencia de distribución) se expresa como N+1, los granos cristalinos antes mencionados omo N+1, los granos cristalinos antes mencionados cuyo interior está dividido por al menos una intercuyo interior está dividido por al menos una interfaz con el tipo de puntos de red covalente de átomfaz con el tipo de puntos de red covalente de átomo constitutivo expresado por 3 ocupan 60% o más coo constitutivo expresado por 3 ocupan 60% o más como relación de área en los granos cristalinos de lmo relación de área en los granos cristalinos de la capa superior.                                  a capa superior.