baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent KR-100265606-B1 (KR)
Title: Semiconductor element isolation structure manufacturing method
Inventor: LEE SUNG YEEN
IPC: H01L21/76
Filed: 1997-11-26
Granted: 2000-09-15
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating an isolation structure for a semiconductor device is to prevent leakage current from being occurred and improve device characteristics and yield of the semiconductor device. CONSTITUTION: A supporting wafer(11a), a buried oxide layer(11b) and a seed wafer(11c) are sequentially formed to thereby provide an SOI(silicon-on-insulator) substrate. The first insulating layer(13) and the second insulating layer(15) are formed on the seed wafer. A photoresist pattern defining an isolation region is formed on the second insulating layer. The second insulating layer, the first insulting layer and the seed wafer are etched using the photoresist pattern as an etching mask, thereby forming a trench(17). The photoresist pattern is removed. A defect on the surface of the trench is removed. The second insulating layer is etched to predetermined depth using an isotropic etch process, wherein a width of the second insulating layer is wider than that of the trench. A thermal oxide layer is formed on sidewalls of the trench. A third insulating layer is formed to fill the trench. The third insulating layer is removed using a CMP(chemical mechanical polishing) process until the second insulating layer is exposed. The second insulating layer and the first insulating layer are removed.
Patent KR-100252321-B1 (KR)
Title: Tray for microwave oven
Inventor: HONG SOK WON
IPC: F24C15/16
Filed: 1997-12-04
Granted: 2000-05-01
Abstract: PURPOSE: A tray supporting structure of a microwave oven is provided to alternatively use supporting elements which fix a rectangular tray only when the rectangular tray is necessary and fix the supporting elements on inner wall surfaces of a cabinet to reduce the space occupied by the supporting elements in the other case, thereby increasing the utility of the cavity of the microwave oven. CONSTITUTION: A tray supporting structure of a microwave oven includes supporting brackets(20) standing in each corners of a cabinet and penetratingly formed with a plurality of insertion holes(22) by a uniform interval, supporting elements(30) having holding rods(32) to be rotatably inserted into the insertion holes of the supporting brackets for securing a rectangular tray, and a plurality of holding elements(40) protruded from inner surfaces of the brackets for restraining a rotation radius of the supporting elements upwardly to fix the holding element in contact with inner walls of the cabinet when the tray is not necessary or to keep the supporting elements horizontally when securing the tray.
Patent KR-100238424-B1 (KR)
Inventor: KIM BOO-IL
IPC: H04L12/851
Filed: 1997-12-17
Granted: 2000-01-15
Abstract: 본 발명은 인터넷 데이터 접속 서브시스템을 탑재한 TDX-10 교환기 내에서 인터넷 데이터 패킷 내의 프로토콜 필드를 분석하여 프로토콜 종류별로 데이터 패킷을 전송하는 효율적인 방법에 관한 것으로서, 인터넷 트래픽을 교환기 내에서 그 트래픽 내의 프로토콜 값의 종류별로 각 장치에 분리 전송하여 인터넷 서비스를 최종적으로 제공하는 것을 목적으로 하며, 교환기 내의 인터넷 접속 서브시스템에서 입력된 가입자 인터넷 패킷 내의 프로토콜 종류별 패킷 전송 단계와, 입력된 중계선 인터넷 패킷 내의 프로토콜 종류별 패킷 전송 단계를 수행함으로써 원활한 공중망에서의 인터넷 서비스 제공에 일조할 수 있으며, 교환기 내에서 인터넷 패킷의 프로토콜 종류별로 각 장치들에게 원하는 인터넷 패킷을 전달함으로서 그 장치들의 성능을 향상시키는 효과가 있다.
Patent KR-100261311-B1 (KR)
Title: A method of allocating, releasing and changing international wll user identity
Inventor: CHANG SOOK HYEON
IPC: H04W76/06
Filed: 1997-12-22
Granted: 2000-07-01
Abstract: PURPOSE: A method of allocating, releasing and changing an international WLL user identity is provided so that a user can directly request a subscription center to allocate, release and change an international WLL user identity during operation. CONSTITUTION: A method of allocating, releasing and changing an international WLL user identity includes the following steps. A user connects a call to a subscription center in the first step. The subscription center makes inquiry about a user's request by voice in the second step. The user responds to the inquiry of the subscription center by a DTMF(Dual Tone Multiplexed Frequency) tone in the third step. With respect to the user's request generated by communication between the user and the subscription center, the subscription center allocates, releases and changes an international WLL user identity in the fourth step.
Patent KR-100258694-B1 (KR)
Title: A method to operate cable tunnel management system.
Inventor: PARK JONG-HUN
IPC: G08B17/00
Filed: 1997-12-24
Granted: 2000-06-15
Abstract: PURPOSE: A method for operating a CATMS(cable tunnel management system) is provided to accurately decide the situation of a fire generated in the cable tunnel from auxiliary devices included in a different remote equipment. CONSTITUTION: A central control device managing a cable tunnel is connected to auxiliary devices coupled with fire sensors. In a method for operating a CATMS, it is decided whether a fire relation signal transmitted between the central control device and the auxiliary devices is a fire generation signal or a fire recovery signal. If the signal is the fire generation signal, whether the corresponding auxiliary device and the adjacent auxiliary devices experience the situation of a fire or not. On the other end, the signal is the fire recovery signal, the number of the adjacent auxiliary devices is confirmed. If the number of main warning about the corresponding auxiliary device is two or more, it is regarded that the recovery of a fire about the adjacent auxiliary devices is completed. If the number of main warning about the corresponding auxiliary device is two or less, it is regarded that the recovery of a fire about the corresponding auxiliary device and the adjacent auxiliary devices is completed.
Patent KR-100482740-B1 (KR)
Title: 반도체소자의소자분리용트렌치내에산화막을매립하는방법
Inventor: KIM SI BEOM
IPC: H01L21/76
Filed: 1997-12-27
Granted: 2005-08-17
Abstract: 본 발명은, 소자 분리 기술에 적용되고 있는 트렌치 아이솔레이션 형성에 있어서 우수한 갭필링을 실현할 수 있는 트렌치내의 산화막 매립 방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 따라서, 본 발명은 트렌치내의 산화막 증착시 증착 조건을 변경한다. 즉, Si이 풍부(rich)한 상태의 실리콘 산화막, 즉 SiO 2 에서 SiO 2-x (x>0)의 상태의 실리콘 산화막을 증착 시키고 산화분위기에서 열처리하여 실리콘 산화막내에 산소와 결합되어 있지 않은 Si을 SiO 2 로 산화시킴으로써, 갭필링 특성이 우수한 트렌치 리필(refill) 산화막을 형성한다. 이와 같은 방법은 Si의 산화 과정에서 동반하는 부피 팽창과 막의 치밀화 현상을 이용한 것으로, 종래의 방법에 비해 전체적인 공정 수의 증가는 일어나지 않는다.
Patent KR-100265833-B1 (KR)
Title: Semiconductor device
Inventor: LEE JONG-HYUB
IPC: G11C11/413
Filed: 1997-12-30
Granted: 2000-12-01
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device is provided to obviate an additional data bus line precharge unit by allowing a precharge operation of a data bus line to be performed via a write driver. CONSTITUTION: A semiconductor device consists of a main data bus line(DATA BUS LINE) and a sub data bus line(/DATA BUS LINE) for receiving read and write data, and a write driver(200) for precharging the main data bus line and the sub data bus line upon a precharge mode and for driving data inputted from the outside upon a write mode to the main data bus line and the sub data bus line. The write driver(200) includes the first control signal generator(210) for generating a control signal(/con) to control driving input data to be written to the main data bus line and the sub data bus line and to precharge of the main data bus line and the sub data bus line, in response to a write enable signal(/WE), a precharge control signal(A) and a write driving control signal(B). The write driver(200) further includes the second control signal generator(211) generates an enable signal(enable, enable_B) for controlling switching between the write driver and respective data bus lines in response to the write enable signal(/WE), the precharge control signal(A) and the write driving control signal(B).
Patent KR-100254619-B1 (KR)
Title: Method for manufacturing semiconductor device
Inventor: LIM GEUN
IPC: H01L21/335
Filed: 1997-12-31
Granted: 2000-05-01
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to obtain a MOS(metal oxide semiconductor) transistor and an analog capacitor having a different gate insulating film more simply and reliably. CONSTITUTION: A field oxide film defining a first, a second and a third active regions is formed on a semiconductor substrate. After a first insulating film(120) and a first polysilicon film are formed on an entire surface, the first active region is exposed and a second gate insulating film is formed on the exposed active region. A second polysilicon film is formed on the second gate insulating film. By patterning the second polysilicon and the second insulating film so that the first active region and the first polysilicon film can be exposed, a first gate is formed on the first active region and a dielectric film and an upper electrode of a capacitor are formed on the first polysilicon film. By patterning the exposed first polysilicon film and the first insulating film, a second gate(155) is formed on the second active region and a lower electrode of a capacitor is formed on the third active region. Then, a source and a drain regions are formed.
Patent KR-100423473-B1 (KR)
Title: 식기 세척기용 절첩식 도어
IPC: A47L15/42
Filed: 1996-08-12
Granted: 2004-06-24
Abstract: 식기 세척기(10)는 식기 세척기의 표면적을 증가시키지 않고 세척실의 용량을 증가시키기 위해 높이가 신장된 세척실(14)을 구비하고 신장된 세척실(14)로의 개방을 더욱 용이하게 하기 위해 절첩식 도어(22, 30)를 구비한다. 더 넓은 개구와 용량 증가로 인해 세척기(10)가 대형 식기를 세척할 수 있게 된다. 절첩식 도어(22, 30)는 확장된 개구로의 완전한 접근을 허용하여 식기 세척기(10) 위의 천장의 최소 높이를 상당히 증가시킨다. 식기 세척기 도어(30)는 또한 도어(30)가 완전 개방될때 사용자가 핸들(32)에 용이하게 도달할 수 있도록 하기 위해 하향 만곡된 호형부(34)를 구비한 피봇팅 핸들(32)을 포함한다.
Patent KR-100293624-B1 (KR)
Title: 인쇄회로기판에전기소자,특히집적회로를분해가능하게장착하는접촉장치
IPC: H05K7/10
Filed: 1996-05-10
Granted: 2001-09-17
Abstract: 본 발명은 다수의 터미널 접점들을 구비한 전기소자, 예를들어 볼 그리드 어레이(BGA : ball grid array)타입, 칼럼 그리드 어레이(CGA : column grid array)타입, 랜드 그리드 어레이(LGA : land grid arry)타입, 또는 플립-칩(flip-chip)타입으로 배치된 복수개의 터미널 접촉부들을 갖는 전기소자 특히 집적회로를 인쇄회로기판에 분해가능하게 고정시키는 커넥터블럭이다. 상기 다수의 접촉핀들은 지지부에서 보어들에 그리드로 배치된다. 상기 접촉핀들은 인쇄회로기판의 접촉영역에 실장되고 인쇄회로기판를 향한 쪽에 보어로부터 돌출된다. 각 보어의 자유단부 영역은 돔형 터미널 접촉부들을 가이드하도록 되어 있다. 접촉핀의 단부와 터미널 접촉부 사이에는 축방향으로 압축가능한 코일과 같은 접촉요소와 전기적으로 연결하도록 브리지된 공간이 형성되어 있다. 집적회로에 주면부에 배치된 여러개의 조임 요소들에 의해 집적회로는 지지부에 압입된다. 복수개의 터미널 접촉부가 있음에도 비교적 작은 조임력으로 터미널 접촉부들과 해당 접촉핀들 사이에 하자없는 전기적 연결이 얻어진다. 이것은 특히 본 발명의 접촉장치로 접촉을 위하여 축방향으로 작용하는 마찰력을 극복할 필요가 없기 때문이다.
Patent KR-100248258-B1 (KR)
Inventor: MOTE RANDALL L JR
IPC: G01R31/3185
Filed: 1996-06-06
Granted: 2000-03-15
Abstract: 특별 변형된 JTAG테스트 회로는 집적 회로 칩 내의 매립식 입/출력 단자들을 갖는 판매자가 공급하는 메가 셀(420)에 대한 테스트 입력들 및 출력들을 제공하는데 사용된다. 멀티플렉서(460) 또는 그와 유사한 회로는 명령 레지스터 내의 JTAG명령에 응답하여 JTAG경계 스캔 데이타 출력 또는 메가 셀(420)회로 출력 중 하나를 양자 택일로 선택하는데 이용된다. 부가적으로, 멀티플렉서(440) 또는 그와 유사한 회로는 입력 핀 또는 메가 셀의 매립식 입력에 대한 입력에 대해서 입력 핀 또는 정상 회로 중 하나를 양자 택일로 선택하는데 사용된다. 게다가, 앤드 게이트(455) 또는 오아 게이트(457)는 일반적으로 하이 또는 로우로 고정되는, 메가 셀에 대한 테스트 입력이 특별한 JTAG테스트 모드에 있을 때 입력 핀에 의해 제어될 수도록 하는데 이용된다. 이러한 방식으로, 메가 셀 회로에 대한 테스트 입력에서 제공되는 테스트 벡터들은 메가 셀 회로에 대한 테스트 입력 또는 출력으로서 유일하게 동작하는 추가적인 입력 그리고/또는 출력 핀들을 필요로 하지 않고 집적 회로의 출력 핀 위에 제공되어지는 메가 셀 회로에 대한 테스트 출력을 생성하게 된다.
Patent KR-100263007-B1 (KR)
Inventor: NAKAMURA YUZU
IPC: C08G18/62
Filed: 1997-04-28
Granted: 2000-09-01
Abstract: 본 발명의 시트재는 활성성분으로서 다기능 이소시아네이트와 100 내지 300g/eq의 (메트)아크릴 당량 중량, 20 내지 500의 수산화값 및 5000 내지 50000의 중량 평균분자량을 갖는 폴리머로 이루어진 열 및 활성 에너지 광선 경화성 수지 조성물의 열 반응물로 구성된 보호층을 갖는다.   그리고, 성형품의 표면에 적용된 이 보호층은 활성 에너지 광선 조사에 의해 경화된다.   따라서, 내마모성과 내약품성이 우수한 성형품을 얻을 수 있고, 성형품의 만곡부에서 균열이 발생하지 않는다.   또한, 보호층이 전사재 제조에서 열에 의해 부분적으로 경화되기 때문에, 큰 규모의 활성 에너지 광선 조사 장치가 활성 에너지 광선 조사에 요구되지 않고, 이에 따라 비용이 절감된다.
Patent KR-100480086-B1 (KR)
Title: 리니어 압축기의 흡입손실 저감구조
Inventor: SEO GWANG HA
IPC: F04B39/12
Filed: 1998-01-12
Granted: 2005-06-08
Abstract: 본 발명에 의한 리니어 압축기의 흡입손실 저감구조는, 통상적인 냉동사이클장치로부터 압축기기로 냉매가스를 전달하는 흡입관이 압축기 유니트로 깊숙하게 삽입되도록 하여 냉매가스가 압축행정 전에 미리 예열되지 않도록 하고, 이를 통해 압축기의 효율을 상승시키기 위하여, 소정형상의 밀폐용기 내부에 피스톤이 장착됨과 아울러 그 피스톤의 내부로 냉매흡입관이 깊숙하게 삽입 장착되는 압축기 유니트와, 그 압축기 유니트가 밀폐용기의 내부에서 방사상으로 지지되도록 하기 위한 압축기유니트 지지수단을 포함하여 구성함으로써, 통상적인 냉동사이클장치로부터 압축기기로 냉매가스를 전달하는 흡입관이 압축기 유니트로 깊숙하게 삽입되어, 냉매가스가 압축행정 전에 미리 예열되지 않게 되고, 이로 인해 압축기의 효율을 상승되는 효과가 있다.
Patent KR-100286402-B1 (KR)
Title: 플라스마아크토치용드래그컵
IPC: B23K10/00
Filed: 1998-03-13
Granted: 2001-04-16
Abstract: 플라스마 아크 토치용 드래그 컵은 토치 노즐과 전극 조립체를 향해 수렴하는 원뿔형 외면부를 구비한 토치 팁의 슬리브 부재에 장착된다.  드래그 컵은 장착 단부와, 슬리브 부재의 원뿔형부를 따라 연장하는 원뿔형부와, 그리고 토치 노즐로부터 반경방향으로 이격되어 토치 노즐을 감싸는 단부를 포함하며, 그 단부는 노즐의 단부에서 축방향 외측으로 이격되는 단부벽을 구비하며, 그 단부벽에는 노즐의 플라스마 제트 유출 오리피스와 동축인 관통 개구가 형성되어 있다.  드래그 컵의 단부벽을 관통하는 개구의 크기는 노즐 오리피스의 크기의 3 내지 6 배이며, 플라스마 제트를 교란시키지 않으면서 플라스마 제트를 중심으로 하는 차폐 가스 유동을 제공할 만큼 충분히 크면서 동시에 개구를 통한 용융 금속의 블로우 백으로부터 노즐을 보호할만큼 충분히 작다.
Patent KR-100292896-B1 (KR)
Title: Pll지터측정방법과pll을가진집적회로
IPC: H04L7/033
Filed: 1998-03-26
Granted: 2001-06-15
Abstract: 내부클록신호를 발생시키는 PLL을 가진 집적회로에 사용되는 PLL 지터측정방법이 개시되며, 이 방법은 집적회로의 패키지를 제거하지 않고 PLL 의 내부클록신호의 지터 정보를 출력신호로서 집적회로의 외부로 추출하는 단계와, 추출된 출력신호로 내부클록신호의 지터를 측정하는 단계를 포함한다.
Patent KR-100297456-B1 (KR)
Title: 메모리디바이스에비트를저장,제거및판독하는방법
IPC: H01L21/8242
Filed: 1998-03-27
Granted: 2001-08-07
Abstract: 본 발명은 초고밀도 DRAM과 같은 메모리 칩의 기본적인 구성요소일 수 있는 메모리 셀을 형성하는 종형 전계 효과 트랜지스터 및 캐패시터의 신규 배치에 관한 것이다.   캐패시터의 제 1 전극은 트랜지스터의 드레인에 접속된다.   트랜지스터의 소스는 다른 트랜지스터의 소스에 연결되고, 게이트는 워드 라인에 연결되고, 상기 캐패시터의 제 2 전극은 비트 라인에 연결된다.
Patent KR-100510815-B1 (KR)
Title: 무기입자의 수성분산체 및 그의 제조방법
IPC: B01F25/46
Filed: 1998-04-27
Granted: 2005-10-24
Abstract: 본 발명은 장시간 보관해 두어도 점성이 증가되거나, 겔화되거나, 침강물이 발생하지 않아 안정성이 높고, 수계 분산체 중에 분산되어 있는 무기 입자의 평균 입경이 0.01 내지 2 ㎛인 무기 입자의 수성 분산체의 제조 방법을 제공하는 것이다.  그 제조 방법으로서는 하기 (A) 및 (B)가 있다. 
     제조 방법 (A)는 무기 입자를 수계 매체 중에 첨가하여 분산시키는 예비 분산 공정과 예비 분산 공정 후의 분산체를 100 내지 3000 Kg/cm 2 의 압력으로 충돌시키는 본 분산 공정을 실시하는 것을 특징으로 한다. 
     제조 방법 (B)는 교반 블레이드를 부회전축에 의해 회전시키면서 부회전축을 주회전축에 의해 회전시킴으로써 혼련하는 혼련기의 혼련조내의 수계 매체 중에 무기 입자를 첨가하여 고형분 농도 30 중량% 내지 70 중량%의 농도로 분산시키는 것을 특징으로 한다.
Patent KR-100280338-B1 (KR)
IPC: B25B21/00
Filed: 1998-05-21
Granted: 2001-02-01
Abstract: 본 발명은 높은 기액 접촉 효율성을 달성하는 것과 동시에 설비를 더욱 간소화하고 설비 비용을 절감할 수 있는 기액 접촉 장치를 제공하는 것이다. 
     본 발명에 따른 장치에서, 산화 조(槽)(2)는 흡수 탑(1)에 근접하여 설치되고, 흡수액(3)은 상기 산화 조(2)에 저장된다. 상기 흡수액(3)의 액면 H는 노즐부(7) 보다 높은 위치로 설정되고, 그것에 따라 상기 흡수액은 상기 노즐부(7)로부터 상향으로 분사된다. 배연은 배연 도입부(8)로부터 상기 흡수 탑(1) 내부로 도입되고 높은 속도로 상향으로 통기를 이루어, 분류(噴流)의 정점을 액면 H 이상으로 상승시킨다. 상기 흡수 액(3)은 액면 H보다 높은 위치에 설치된 포착 수단(11)에 의해 포착되고, 환류 배관(12)를 통하여 산화 조(2)로 환류된다. 공기 배관(20)은 공기를 흡수하기 위해서 환류 배관(12)에 연결되어 있다.
Patent KR-100270774-B1 (KR)
Title: Method for packing of fruit
Inventor: RHA YOUNG JOO
IPC: A23B7/148
Filed: 1998-05-30
Granted: 2000-11-01
Abstract: PURPOSE: A fruit packing method is provided, which makes it possible to store in fresh condition for long terms, provides convenience to consumers when they eat fruits, cuts down packing and delivery costs, and makes it possible to carry fruits conveniently. CONSTITUTION: The fruit packing method comprises the steps of: peeling the skin of apple, cutting apple into a regular size(a hexahedron preferably), and treating the cut apple flesh in germ-free condition by low temperature heating or a chemical agent; putting them in a synthetic resin pack, sealing, and vacuum-packing by a small unit for the first time; putting the several small packages in a synthetic resin pack, sealing, and vacuum-packing by a medium unit for the second time; putting the several medium packages into a corrugated box, packing by a large unit; and attaching a label stating manufacturing date, manufacturer name, etc on the box.
Patent KR-100275697-B1 (KR)
Inventor: LEE YOUNG DEUG
IPC: H04N7/087
Filed: 1998-06-19
Granted: 2000-12-15
Abstract: 본 발명은 순차주사 방식의 TV에 있어서의 캡션 신호 처리장치에 관한 것이다. 
     그 장치는 순차주사 방식의 TV에 있어서, 휘도 및 색차신호로 분리된 영상신호를 소정의 TV 신호 규격을 갖는 신호로 변환하기 위한 비디오 컨버터; 캡션 블랭킹 신호로부터 캡션 신호를 추출하기 위한 캡션신호 추출부; 상기 캡션신호의 유무에 따라 상기 비디오 컨버터에서 변환된 신호를 상기 캡션 신호 추출부에서 추출된 캡션신호와 합성하여 출력하거나, 그대로 출력하기 위한 RGB 컨버터; 상기 캡션신호 추출부와 상기 RGB 컨버터 사이에서 캡션신호를 스위칭하기 위한 스위칭부; 상기 RGB 컨버터에서 출력된 신호를 인터폴레이션하기 위한 인터폴레이션부; 캡션 블랭킹 신호 검출 유무에 근거하여 상기 스위칭부와 상기 RGB 컨버터의 스위칭을 제어하기 위한 스위칭 제어부; 및 상기 인터폴레이션부에서 인터폴레이션된 신호를 디스플레이하는 데 적합한 신호로 변환하는 디스플레이 제어부를 포함함을 특징으로 한다. 
     본 발명에 따르면, 캡션신호를 순차주사 방식으로 처리함으로써 캡션 신호의 화질을 개선시킬 수 있다.
Patent KR-100297838-B1 (KR)
Title: 홀로그램데이터스토리지시스템의기준광입사각조절장치
IPC: G03H1/00
Filed: 1998-06-30
Granted: 2001-10-26
Abstract: 본 발명은 광분리기에 의해 레이저로부터 분리된 후 회전 거울에 의해 반사되어 저장매체로 입사되는 기준광이 투과되어 각각 다른 각도로 분할되며 저장매체에 입사되도록 함으로써 상기 저장매체에 저장되는 기록 밀도를 향상시킬 수 있도록 구성된 홀로그램 데이터 스토리지 시스템의 기준광 입사각 조절 장치에 관한 것이다. 
     본 발명은 레이저로부터 분리되어 저장매체로 입사되는 기준광이 투과되며 굴절되어 각각 다른 각도로 저장매체에 입사되도록 하는 광굴절요소와; 상기 기준광이 투과되는 광굴절요소를 회전시키는 구동수단을 포함하여 앵귤러 멀티플렉싱이 가능토록 한 것이다.
Patent KR-100307340-B1 (KR)
IPC: G06T9/00
Filed: 1998-07-04
Granted: 2001-10-19
Abstract: 본 발명은, 비월 주사 화상에 대하여 중첩 움직임 보상을 적용할 때 효율이 높은 예측 신호를 생성하여, 복호화 효율을 향상시킨다. 
     복수의 움직임 보상 모드 정보(Fr/Fi)와, 그 복수의 움직임 보상 모드에 대응하는 복수의 움직임 벡터(MV)를 포함하는 화상 압축 부호화 데이터를 복호화할 때, 복호화의 대상으로 되는 대상 영역(1001)에 대하여, 대상 영역의 움직임 벡터(MV0)에 의해 취득한 대상 예측 영역 데이터와, 대상 영역에 인접하는 적어도 하나의 인접 영역중 하나의 움직임 벡터(MVi:i=1,2,3,4)에 의해 취득한 인접 예측 영역 데이터를 가중 평균화하여, 대상 영역의 최적 예측 영역 데이터를 생성하는 방법에 있어서, 대상 영역(1001)의 움직임 보상 모드(Fr)와 동일한 움직임 보상 모드(Fr)를 갖는 인접 영역(1002)의 움직임 벡터만을 이용하여 최적 예측 영역 데이터를 생성한다.
Patent KR-100357425-B1 (KR)
Title: 반도체기억장치
IPC: G11C7/10
Filed: 1998-07-30
Granted: 2003-01-15
Abstract: 반도체 기억장치는 제 1 및 제 2 판독 어드레스를 공급하고, 한 쌍의 비트선 중의 하나에 선택된 메모리셀에 기억되어 있는 데이터를 판독하는 한 쌍의 판독 어드레스단자와, 현 판독이 제 1 판독 어드레스 또는 제 2 판독 어드레스를 위한 것인지의 여부에 대응하여 선택되고 있는 비트선을 전환하고, 출력단자에 선택된 비트선에서 판독되고 있는 데이터를 출력하는 셀렉터를 구비한다. 따라서, 반도체 기억장치는 종래의 반도체 기억장치보다 낮은 프리챠지신호 입력단자에 주어진 신호의 주파수를 설정할 수 있어, 데이터의 판독 속도를 향상시킬 수 있다.
Patent KR-100284738-B1 (KR)
Title: 다층금속배선을갖는반도체소자의패드및그제조방법
IPC: H05K3/40
Filed: 1998-09-04
Granted: 2001-04-02
Abstract: 다층 금속배선층을 갖는 반도체 소자의 본드패드(bondpad)에서, 도전성을 향상시키고 금속배선층간의 접착력을 향상시킬 수 있는 패드 및 그 제조방법에 관하여 개시한다.  이를 위하여 본 발명은 하부 금속배선층에 트랜치를 형성하고 하부 금속배선층과 직접 연결되는 최상부 금속배선층을 형성함으로써 최상부 금속배선층과 하부 금속배선층의 접착력 및 도전성을 향상시킬 수 있다.
Patent KR-100273297-B1 (KR)
Inventor: SEO MOON-SICK
IPC: H01L21/334
Filed: 1998-09-08
Granted: 2000-12-15
Abstract: 본 발명은 모스 트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 종래 모스 트랜지스터 제조방법은 저농도 소스 및 드레인이 게이트의 하부영역까지 확산되어 단채널효과가 발생하게 되어 소자의 특성이 열화되는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 기판에 게이트와 저농도 소스 및 드레인을 형성하는 단계와; 상기 게이트 측면에 질화막측벽을 형성하고, 그 질화막측벽의 측면에 노출된 저농도 소스 및 드레인을 소정 깊이로 식각하는 단계와; 상기 질화막측벽의 측면에 산화막측벽을 형성하고, 그 산화막측벽의 측면에 노출된 저농도 소스 및 드레인의 상부에 텅스텐 실리사이드를 형성하는 단계와; 상기 산화막측벽을 선택적으로 제거하여 그 하부의 저농도 소스 및 드레인의 일부영역을 노출시킨 후, 그 노출된 저농도 소스 및 드레인의 일부영역에 확산방지막을 형성하는 단계와; 상기 확산방지막과 텅스텐실리사이드의 상부에 다결정실리콘을 증착하고, 그 다결정실리콘에 고농도 불순물 이온을 이온주입한 후, 열처리를 통해 상기 주입된 불순물 이온이 상기 텅스텐실리사이드를 통해 저농도 소스 및 드레인의 일부영역에 확산되도록 하여 고농도 소스 및 드레인을 형성하는 단계로 구성되어 확산방지막에 의해 저농도 소스 및 드레인이 채널영역으로 확산되는 것을 줄여 소자의 단채널효과가 발생하는 것을 방지하여 동작특성을 향상시키는 효과가 있다.
Patent KR-100294907-B1 (KR)
Title: Method for processing creased fabric
Inventor: CHOI SANG YOUL
IPC: D06J1/00
Filed: 1998-09-10
Granted: 2002-02-19
Abstract: PURPOSE: A method for forming irregular creases on fabric by causing deformation of processed fabric is provided. Whereby, the product has a texture and irregular creases different from the original fabric and thus increases consumer appeal. CONSTITUTION: Any suitable fabric regardless of its kind is allowed to be wet, the wet fabric(11) is transferred to a press at 100 to 300deg.C, hydrated in a dehydrator at a pressure of 50 to 500 kg/cm¬2 for a specified period of time and then dried in a drier to form a coarse crease. It is then passed through a pressure roller(28) at 170 to 250deg.C to form a random crease pattern while spreading a part of creases. The fabric is also passed through a heating roller(17) and guide roller(20a,20b,20c,20d,20e) and then compressed with a sheet of paper(60) to form a crease pattern.
Patent KR-100292973-B1 (KR)
Title: 열보조감광성조성물및그의사용방법
IPC: H05K3/02
Filed: 1998-09-17
Granted: 2001-07-12
Abstract: 본 발명은 
     (1) 일종 이상의 아크릴 단량체, 
     (2) 광개시 시스템, 
     (3) 열 보조 촉매 및 
     (4) 산성 아크릴 중합체 
     를 포함하는 (b) 유기 매체에 분산된 (a) 미분 전기 전도성 또는 유전 입자의 혼합물을 포함하는 감광성 후막 조성물에 관한 것이다.
Patent KR-100277691-B1 (KR)
Title: 단파장 광전소자 제조용 장치 및 그를 이용한 단파장 광전소자제조방법
IPC: H01L21/205
Filed: 1998-09-17
Granted: 2001-02-01
Abstract: 본 발명에서는 반도체 광전소자 형성을 위해 p-n 접합에 전류를 흘리는 소수캐리어 주입이 아닌, 음극선발광 현상 즉, 높은 에너지의 전자빔을 주입하여 전자-정공쌍을 형성하고 그들의 재결합으로 광자를 얻는 방식을 이용한다. 본 발명은 900℃ 이하의 저온 성장이 가능하고, 평탄한 계면을 갖는 고품질의 SiC-AlN 초격자층을 성장시킬 수 있는 PA-MOMBE(plasma-assisted metalorganic molecular beam epitaxy) 시스템을 제안하고, 이를 이용하여 (SiC) x (AlN) 1-x 의 사원계 혼정화합물의 다층양자우물층을 만들어 4∼6eV의 에너지에 해당되는 광자를 얻을 수 있도록 한다. 즉, 본 발명에 따른 PA-MOMBE 시스템은 종래기술에 비해 저온 성장이 가능하다는 장점이 있어 냉각시의 열팽창계수 차이에 의한 열응력, 확산 및 2차 생성물의 발생과 관련한 문제점을 방지하여 재현성 있는 고품질의 초격자층을 성장시킬 수 있다. 그리고, 플라즈마에 존재하는 이온의 에너지를 조절하여 이온충돌에 의한 결함의 생성문제를 해결하며 원자단위로 평탄한 초격자층을 성장시킬 수 있다.
Patent KR-100316179-B1 (KR)
Title: 자동차에어콘용압축기풀리의제조방법및장치
IPC: B21K1/28
Filed: 1998-09-22
Granted: 2002-04-24
Abstract: 제조하고자하는 압축기 풀리의 최종형상에 부합하도록 개선된 구조를 갖는 상부 다이 및 이에 대응하는 하부 다이를 구비함으로써, 비교적 작은 하중으로도 물성이 뛰어난 압축기 풀리를 형성할 수 있고 하부 다이의 내부 구조가 간단하여 금형의 제조비용이 절감되는 자동차 에어콘용 압축기 풀리의 제조장치 및 이를 이용한 압축기 풀리의 제조방법이 개시되어 있다. 본 발명에 따르면, 압축기 풀리를 제작하기 위한 소재로서 강판재를 열간단조하여 원형의 예비 성형체를 만들고, 이를 하부 다이의 원형 패드 상에 위치시킨 후, 원통형 맨드릴 및 원통형 맨드릴의 외면 주위에 일체로 부착된 상부 펀치를 갖춘 상부 다이를 하강시켜서 예비 성형체를 가압 성형함으로써 자동차 에어콘용 압축기 풀리를 제조한다. 상기 압축기 풀리는 상부 펀치 하부의 두께에 대응하는 간격만큼 서로 이격되어 형성된 내부 환형 링과 외부 환형 링을 구비하고, 상기 내부 환형 링은 맨드릴 하부의 방사상 외면과 상부 펀치 하부 사이에 조성된 소정의 간격에 대응하는 두께를 갖는다.
Patent KR-100328813-B1 (KR)
IPC: G06F19/00
Filed: 1998-09-29
Granted: 2002-09-26
Abstract: 개시되는 디지털 데이터 프로세서는, 명령어를 디코딩해서 복수의 디코딩 신호들을 발생하는 명령어 디코더와, 스택 아이템들을 저장하기 위한 복수의 위치들을 포함하는 스택 저장 장치와, 상기 스택 저장 장치의 위치들 가운데 적어도 하나를 가리키기 위한 스택 포인터, 그리고 디코딩 신호들에 응답하여, 상기 스택 포인터의 내용에 근거해서 1 워드 또는 2 워드 아이템을 상기 스택 저장 장치에 동시에 삽입하거나 1 워드 또는 2 워드를 상기 스택 저장 장치로부터 동시에 제거하는 스택 저장 장치 제어 회로를 포함한다. 이와 같은 구성의 디지털 데이터 프로세서는 1 워드 또는 2 워드 이상의 멀티 워드를 스택 저장 장치로/로부터 동시에 푸시/팝할 수 있으므로, 디지털 데이터 처리 장치의 성능이 향상된다.
Patent KR-100285060-B1 (KR)
Title: 진공을 이용한 글래스 흡착장치
IPC: B60R1/00
Filed: 1998-10-15
Granted: 2001-03-15
Abstract: 글래스 코팅처리시 진공을 이용하여 글래스를 흡착하는 장치에 관한 것으로서, 기존과 같이 테이프 등을 이용하여 글래스의 한쪽면을 마스킹하는 방식을 완전히 배제하고 진공을 이용하여 흡착하는 방법으로 글래스의 한쪽면에 대한 기밀을 완벽하게 유지시킨 상태에서 글래스를 코팅처리하는 방식을 채용함으로써, 테이프 등을 마스킹하는데 소요되는 인력과 시간을 절감할 수 있고, 특히 동시에 2개의 글래스를 처리할 수 있는 등 글래스 코팅처리에 대한 효율성을 높일 수 있게 한 진공을 이용한 글래스 흡착장치를 제공하고자 한 것이다.
Patent KR-100342016-B1 (KR)
IPC: H01L21/00
Filed: 1998-11-04
Granted: 2002-09-18
Abstract: 본 발명의 웨이퍼 척의 온도 측정 장치(141)는 접촉기(3)와 협동하여 이것과 일괄 접촉한 상태의 웨이퍼(W)를 유지한 웨이퍼 척(2)과 저부 자켓(9)을 접촉시키고, 저부 자켓(9)에 의해 웨이퍼(W)를 소정의 검사 온도로 제어할 때(P) 웨이퍼 척(2)의 온도를 측정하는 장치로서, 웨이퍼 척에 그 이면에서부터 표면 근방에 도달하는 오목부(2A)를 적어도 3곳에 설치함과 동시에 저부 자켓(9)에 오목부(2A)에 대응하는 관통 구멍(9B)를 설치하고, 또한 관통 구멍(9B)으로부터 오목부(2A)에 끼워맞춤 가능한 온도 센서(141A)를 저부 자켓(9)의 웨이퍼 척(2)과는 반대측에 설치함과 동시에 온도 센서(141A)를 스프링(141D)에 의해 지지하고, 검사시에 온도 센서(141A)의 선단을 오목부(2A)에 탄성적으로 접촉시키는 것을 특징으로 한다.
Patent KR-100508003-B1 (KR)
Title: 휴대용컴퓨터와그평판표시장치의결합방법
IPC: G06F1/16
Filed: 1998-11-11
Granted: 2005-11-21
Abstract: 시스템 본체와;상기 본체의 처리결과를 표시하는 표시부와, 배면을 가진 액정표시장치와;측벽과 내면을 가지고, 상기 액정표시장치를 수용하는 케이스와; 상기 액정표시장치와 본체를 회동가능하게 연결하기 위하여, 힌지마운트와, 상기 힌지마운트에 삽입되어 회동하고, 상기 액정표시장치의 배면과 결합되는 제 1면과, 상기  케이스의 측벽에 결합되는 제 2면을 가진 힌지아암을 구비한 힌지를 포함하는 휴대용 컴퓨터를 개시하고, 다른 예로서, 상기 케이스의 내면과 결합되는 제 1면과, 상기  평판표시장치의 측벽에 결합되는 제 2면을 가진 힌지아암을 또한 개시하고 있고, 이에 따른 휴대용 컴퓨터조립방법을 개시한다.
Patent KR-100289952-B1 (KR)
Title: 하이파이 브이시알의 스위칭 노이즈 검출장치
IPC: G11B20/18
Filed: 1998-12-04
Granted: 2001-05-15
Abstract: 본 발명은 하이 파이 VCR에서 헤드 스위칭시 발생하는 스위칭 노이즈의 정도를 자동으로 검출하고, 검출결과에 따른 규격 통과 여부를 디스플레이해주는 하이 파이 VCR의 스위칭 노이즈 검출장치를 제공한다. 
     본 발명은 헤드 스위칭 펄스의 라이징 에지, 라이징 에지와 폴링 에지의 중간 구간에 동기하여 제 1, 제 2 샘플링 펄스를 발생하는 제 1, 제 2 샘플링 펄스 발생부(31),(32), 상기 제 1, 제 2 샘플링 펄스를 기준으로 헤드 스위칭 펄스의 라이징 에지, 폴링 에지 부분에서 재생되는 오디오 재생 FM신호를 샘플링하는 제 1, 제 2 재생 FM신호 샘플링부(33),(34), 상기 제 1, 제 2 재생 FM신호 샘플링부(33),(34)에서 샘플링된 오디오 재생 FM신호의 피크치를 검출하여 이의 DC값을 제 1, 제 2 피크치(Peak1),(Peak2) 값으로 출력하는 제 1, 제 2 피크치 검출부(35),(36), 스위칭 노이즈의 규격 통과 여부를 디스플레이하는 디스플레이부(37), 상기 제 2 피크치(Peak2)를 기준값(ref)으로 하여 상기 제 1 피크치(Peak1) - 기준값(ref) = 에러값(error)을 산출하여 이 에러값(error)과 각 모드별로 정해진 스위칭 노이즈의 허용오차값(ref2)의 차이값을 검출하여 이 차이값에 따라 상기 디스플레이부(37)를 구동하는 마이컴(38)을 구비한다.