baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent KR-101246401-B1 (KR)
IPC: G02F1/167
Filed: 2005-08-29
Granted: 2013-03-21
Abstract: 본 발명은 충돌대전형 전자종이용 대전입자 및 이를 이용한 장치에 관한 것으로, 종래의 전기영동형 입자에 무기질 실리카를 단순히 믹서로 회전시켜 물리적으로 피복시키면 상기 무기질 실리카가 쉽게 떨어져 입자의 대전특성이 변하는 문제점이 있었던바, 본 발명에 따라 표면에 관능기가 형성된 전기영동형 고분자 입자와, 상기 고분자 입자 주위를 구형으로 둘러싸도록 코팅되어 있고 말단에 관능기가 접합되어 있는 입자안정화제가 축합반응으로 결합된 충돌대전형 전자종이용 대전입자에 의하는 경우, 축합반응에 의한 화학적 방법으로 고분자 입자에 입자안정화제를 코팅시킴으로써 대전의 재현성이 향상되고 수명도 길어지는 효과가 있는 것이다.  
       
     전자종이, 입자안정화제, 그래프트 중합
Patent KR-100698600-B1 (KR)
IPC: A47L13/52
Filed: 2005-08-31
Granted: 2007-03-26
Abstract: 본 발명은 내부에 담겨진 쓰레기의 흘림 방지기능과 손잡이 높이조절기능과 액체분리기능 및 청소용구 취부기능을 갖는 기능성 쓰레받기에 관한 것이다. 
     종래의 쓰레받기는 쓰레기가 담기는 쓰레기수납부가 얕으므로 사용중 쓰레기가 흩어지기 쉽고, 물기를 포함하는 쓰레기를 담을 경우 별도의 분리기능이 없어 액체를 쏟아내기 위한 별도이 기울림 작업을 수반해야 하며, 이때 쓰레기가 함께 흘러내리게 되므로 다시 청소작업을 하여야 하는 번거로운 문제점이 있었다. 
     본 발명은 내부에 담겨진 쓰레기가 외부로 흩어지는 것을 방지하도록 하는 벽체가 일체로 형성된 쓰레기수납부와, 상기 쓰레기수납부의 벽체 측면부에 고정 설치되며 청소작업을 용이하게 하도록 하는 손잡이를 구비한 쓰레받기에 있어서, 전면이 개방된 개방부(101)를 가지며 후측 하단면에는 다수의 액체배출공(102)이 천공된 쓰레기수납부(100)와; 상기 쓰레기수납부(100)의 전면 개방부(101)를 개폐하도록 하는 개폐수단과; 상기 쓰레기수납부(100)의 양쪽 측벽(102)에 설치된 손잡이(200)의 전체 길이를 임의 조절하도록 하는 손잡이 길이조절수단과; 청소보조용구인 쓰레기봉투, 집게 등을 취부하는 취부수단; 및 상기 쓰레받기의 이동을 원활히 하도록 상기 쓰레기수납부(100)의 후측 하단 양측에 설치된 캐스터(160)를 포함하여 구성된 것으로 청소작업을 보다 위생적이고 효율적이며, 신속하고 편리하게 할 수 있도록 한 것이다. 
       
     쓰레기수납부, 손잡이, 개폐판, 캐스터, 개폐수단, 액체배출공
Patent KR-100658290-B1 (KR)
Title: Apparatus for detecting abnormal of trailer wheel of cooler for cooling of sintered ore
Inventor: KIM SEON DEOG
IPC: F27B21/08
Filed: 2005-09-02
Granted: 2006-12-14
Abstract: A system for detecting whether trailer wheels of a cooler for cooling of sintered ore are abnormal or not is provided to prevent generation of a large accident by allowing an operator to recognize the sensed abnormal state after early sensing the abnormal state such as separation of wheel shafts of a trailer, deflection phenomena of the trailer wheels and the wheel shafts, etc. during operation of the cooler for cooling of sintered ore. A system for detecting whether trailer wheels(109) of a cooler(100) for cooling of sintered ore are abnormal or not comprises: a first sensing part installed on at least one spot of the cooler for cooling of sintered ore to sense rotation of the cooler; and a second sensing part installed on at least one spot of the trailer wheels of the cooler to sense abnormality of wheel shafts(110) of the trailer wheels and whether the trailer wheels are normal or not. The first sensing part comprises: a sensing wheel(224) engaged and rolled along a drive rail(105) of the cooler; a pulse detection sensor(225) for sensing rotation of the sensing wheel; and a supporting frame(220) for elastically supporting the sensing wheel. The second sensing part comprises: a first sensor(226) for sensing separation of the wheel shafts of the cooler; a second sensor(227) for sensing normal rotation of the trailer wheels of the cooler; and a third sensor(228) for sensing abnormal rotation of the trailer wheels.
Patent KR-100718771-B1 (KR)
IPC: H01L27/146
Filed: 2005-09-23
Granted: 2007-05-16
Abstract: 본 발명은 이미지센서의 다층 메탈라인 및 그 사이의 절연막을 포함하는 구조적인 문제로 인한 광 감도 저하를 방지하고, 광 감도를 향상시킬 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은, 기판에 제공된 포토다이오드; 상기 포토다이오드와 오버랩되도록 상부에 배치된 마이크로렌즈; 상기 포토다이오드와 상기 마이크로렌즈 사이에 배치된 절연막; 상기 절연막을 관통하여 상기 포토다이오드를 둘러싸도록 상기 마이크로렌즈로부터 상기 포토다이오드로 이어지는 광 통로의 주위에 배치된 반사 벽을 포함하는 이미지센서를 제공한다. 
     또한, 본 발명은, 기판에 포토다이오드를 형성하는 단계; 상기 포토다이오드 상에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막을 관통하여 상기 포토다이오드를 둘러싸며, 마이크로렌즈로부터 상기 포토다이오드로 이어지는 광 통로의 주위에 배치되도록 반사 벽을 형성하는 단계; 및 상기 반사 벽 및 상기 절연막이 형성된 상부에 상기 포토다이오드와 오버랩되도록 마이크로렌즈를 형성하는 단계를 포함하는 이미지센서 제조 방법을 제공한다. 
       
     이미지센서, 반사 벽, 저밀도 액상 코팅 산화막, HSQ, 절연막, 광 통로.
Patent KR-100640533-B1 (KR)
Title: Split gate type non-volatile memory device and manufacturing method thereof
Inventor: JUNG JIN HYO
IPC: H01L27/115
Filed: 2005-10-04
Granted: 2006-11-01
Abstract: A non-volatile memory device with split-gate type and its fabrication method are provided to improve mis-align and to prevent a conductive stringer. An active region(51) is defined on a semiconductor substrate(50). A plurality of layers for storing electric charges, a first conductive layer and a capping layer are formed on the active region. The capping layer is pattered and is isolated with a predetermined interval to form a pair of capping layer patterns(58a, 60a). A first conductive layer pattern is formed having a line width including at least one pair of the capping layer patterns. A second conductive layer is formed on a surface of a resultant structure which the first conductive layer pattern is formed. A first photoresist is formed with an opening across the active region between the pair of capping layer patterns on the second conductive layer. A pair of conductive layer pattern is formed by etching the second conductive layer by using the first photoresist pattern as an etch mask and the first conductive layer pattern by using the pair of capping layer patterns as the etch mask. The second conductive layer is patterned so as to form a pair of word lines.
Patent KR-100670527-B1 (KR)
Title: Anode plate having binder layer, manufacturing method thereof and secondary battery using the same
Inventor: KIM JU HYUNG
IPC: H01M4/131
Filed: 2005-10-06
Granted: 2007-01-16
Abstract: Provided are an anode plate having a binder layer, which improves high-temperature characteristics of an anode and inhibits a life reduction phenomenon of a secondary battery, and a manufacturing method thereof. The anode plate(111) comprises a current collector(112) having a first flat surface(112a) and a second flat surface(112b) opposite to the first surface(112a), an anode active material(113) spread on the first surface(112a) of the current collector(112), and a binder layer(114) spread on the anode active material(113). The anode active material(113) is lithium-containing transition metal oxide. The binder layer(114) is a SBR(styrene butadiene rubber)-based binder. An intermediate transition metal in the lithium-containing transition metal oxide is eluted out by the binder layer(114).
Patent KR-100732036-B1 (KR)
IPC: H04N7/16
Filed: 2005-10-10
Granted: 2007-06-25
Abstract: 본 발명은 단일 주파수망을 이용하는 디지털 방송 시스템에 있어서, 주방송망 이외의 별도의 중계망이 구축될 경우, 일반 가입자 단말 및 확장서비스 가입자 단말의 접속을 구별하여 암호화 방송신호를 송출하는 시스템 및 그 방법에 관한 것이다.  본 발명에 따른 암호화 방송신호 송출 시스템에서, 주방송 시스템은 제어단어를 이용하여 전송 스트림을 스크램블링하고, 제1 송출국 식별정보를 사용하여 제어단어를 암호화한 후 제1 송출국 식별정보가 포함된 암호화된 방송신호를 주방송망을 통해 송출한다.  중계 시스템은 주방송 시스템으로부터 송출되는 암호화된 방송신호를 수신하여, 제1 송출국 식별정보(TIIa) 대신에 제2 송출국 식별정보(TIIb)를 삽입한 후, 중계망을 통해 송출한다.  인증 시스템은 제2 송출국 식별정보(TIIb)로부터 제1 송출국 식별정보(TIIIa)를 알 수 있도록 하는 매칭키를 중계 시스템에서 제공되는 서비스 사용이 가능한 확장 서비스 가입자 단말로 송신한다.  본 발명에 따르면, 주방송망과 중계망에 대한 가입자 단말의 접속을 차별화함으로써, 주방송망 사업자는 방송망을 확장할 수 있고, 중계기 사업자는 중계기 사업을 활성화시킬 수 있다. 
       
     암호화, 방송신호, TII, CW, ECM, EMM, 주방송국, 중계국
Patent KR-100665227-B1 (KR)
Title: Phase change memory device and fabricating method for the same
Inventor: KIM DU EUNG
IPC: H01L27/115
Filed: 2005-10-18
Granted: 2007-01-09
Abstract: A phase change memory device and a method of manufacturing the same are provided to pattern a phase change material in a line type by disposing the phase change material parallel with a word line. A phase change memory device includes a semiconductor substrate, bit lines(BL0,BL1,BL2,BL3) and word lines disposed on the semiconductor substrate in a cross direction, and a phase change material strip(152) disposed between the bit lines and the word lines and being substantially parallel with the word lines. The phase change material strip is substantially parallel with at least one portion of the word lines. The phase change material strip has at least two resistance values in response to a current penetrating the material.
Patent KR-100741378-B1 (KR)
IPC: C12N15/10
Filed: 2005-11-08
Granted: 2007-07-27
Abstract: 본 발명은 콕사키바이러스 B(Coxsackievirus B) RNA에 특이적인 작은 간섭 RNA 및 이를 유효성분으로 포함하는 치료제에 관한 것이다.  보다 구체적으로 본 발명의 간섭 RNA(siRNA)는 콕사키바이러스의 캡시드 단백질 및 비구조 단백질 부분의 RNA를 특이적으로 저해 가능한 최소한의 서열을 포함하고 있으며, 시험관내 및 생체내에서 콕사키바이러스에 의한 세포 변성 효과를 감소시키고, 콕사키바이러스 게놈의 복제 및 개체 증식을 저해하였으므로 콕사키바이러스 감염으로 인해 유발되는 질환의 예방 및 치료에 매우 효과적으로 사용될 수 있다.  
       
     콕사키바이러스 B(Coxsackievirus B), RNA 간섭(RNA interference), 심근염(Myocardities), 확장성 심근증(Dilated Cardiomyopathy).
Patent KR-100799852-B1 (KR)
IPC: G02F1/136
Filed: 2005-11-09
Granted: 2008-01-31
Abstract: 액정 표시 장치의 TFT 제조 공정에서의 하프톤 노광에서, 미세화에 대응한 하프톤 마스크의 제작이 곤란함과 함께, 하프톤 노광부의 레지스트가 불균일하게 된다고 하는 문제가 있었다.  이 문제를 해결하기 위해, 본 발명은 액정 표시 장치의 TFT 제조 공정에서의, 소위 아일런드 형성 시에, 하프톤 노광으로서, 노광에 의한 레지스트 패턴(62)과 잉크제트 도포에 의한 레지스트 패턴(71)을 병용한다.   
       
     레지스트 패턴, 잉크제트, 하프톤 노광, 잉크, 흔적부, 아일런드
Patent KR-100767994-B1 (KR)
IPC: B82B3/00
Filed: 2005-11-18
Granted: 2007-10-18
Abstract: 본 발명은 입자빔(particle beam)을 이용한 나노 크기 물질(nanometer-scale material)의 변형 방법 및 그러한 방법을 이용하여 제조되는 나노 공구(nano-tool)에 관한 것이다. 본 발명에 따른 입자빔을 이용한 나노 크기 물질의 변형 방법은 나노 크기 물질에 입자빔을 조사하여 상기 나노 크기 물질을 상기 입자빔의 방향으로 휘게 하는 것을 특징으로 한다.
Patent KR-100739040-B1 (KR)
IPC: H01J11/34
Filed: 2005-11-29
Granted: 2007-07-12
Abstract: 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널은 저계조에서 단위광을 저감시키며, 방전 안정성을 향상시키고 반사 휘도를 저감시키는 것으로서, 소정의 간격을 두고 마주 배치되는 배면기판과 전면기판, 상기 양 기판 사이에 배치되어 방전셀들을 구획하는 격벽, 상기 방전셀들에 형성되는 적색, 녹색, 및 청색의 형광체층, 상기 배면기판에 제1 방향으로 신장 형성되어 상기 방전셀들에 대응하는 어드레스전극, 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 각각 신장되고 상기 방전셀들에 대응하여 상기 전면기판에 형성되는 제1 전극과 제2 전극을 포함한다. 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 각각은, 상기 방전셀의 외곽에서 중심으로 돌출 형성되는 투명전극과, 상기 제2 방향으로 이웃하는 상기 투명전극들을 연결하는 버스전극을 포함한다. 상기 버스전극은, 상기 적색, 녹색, 및 청색의 방전셀들 중 적어도 한 색상의 방전셀에서, 중심으로 돌출되는 돌기를 포함한다. 
       
     버스전극, 투명전극, 돌기, 확장부
Patent KR-100722845-B1 (KR)
Inventor: LEE SANG JIN
IPC: H01L21/203
Filed: 2005-11-30
Granted: 2007-05-30
Abstract: 본 발명은 개선된 소스 피딩 단계를 갖는 박막 증착 방법, 특히 우수한 단차도포성과 일정한 원자 조성을 가지며 생산성이 높은 HfSiO 및 HfSiON 박막 증착 방법을 제공한다.  본 발명에 따른 박막 증착 방법의 일 태양에 따르면, 챔버로 Hf 소스를 피딩하는 단계, Hf 소스와 Si 소스를 동시에 피딩하는 단계, Si 소스를 피딩하는 단계, 그리고 잔류 Hf 및 Si 소스 혹은 반응부산물을 퍼지하는 단계를 거치는 HfSi막 증착 단계; 및 챔버로 O 소스를 피딩하는 단계, 그리고 잔류 O 소스 및 반응부산물을 퍼지하는 단계를 거치는 O 소스 피딩 및 퍼지 단계로 이루어지는 싸이클을 1회 이상 반복하여 HfSiO 박막을 증착한다.  본 발명에 따르면, 소스 피딩 단계를 개선하여 Hf 소스와 Si 소스를 분리하여 피딩하므로, 박막의 조성이 일정하게 증착되며 박막의 단차도포성이 개선된다.  그리고, Hf 소스와 Si 소스가 하나의 단계(HfSi막 증착 단계)에서 분사되므로 생산성을 향상시킬 수 있다.
Patent KR-100691199-B1 (KR)
Title: Lower stiffener assembly with combined use of stiffener for protecting pedestrian and bumper lip
Inventor: JEONG PHIL JUNG
IPC: B60R21/34
Filed: 2005-12-12
Granted: 2007-03-09
Abstract: A lower stiffener is provided to protect a pedestrian in a vehicle crash and reduce an air resistance by attaching the support unit to lower portion of the bumper and rotatably connecting the bumper rib to the tip of the support unit. A lower stiffener is installed at a lower portion of a bumper of a vehicle. The lower stiffener includes a support unit(532) and a bumper rib(534). The support unit protrudes to the front side of the vehicle. The bumper rib is rotatably connected to the tip of the support unit through a hinge. An operation section(540) rotates the bumper rib so that the bumper rib is horizontally located when the vehicle collides. The operation section includes a resilient unit between the support unit and the bumper rib to resiliently move the bumper rib to a horizontal position and a unit for maintaining and releasing the vertical state of the bumper rib.
Patent KR-101082747-B1 (KR)
IPC: H04W8/24
Filed: 2005-12-21
Granted: 2011-11-10
Abstract: 본 발명은 텔레매틱스 시스템에 관한 것으로, 보다 상세하게는 원격지에서 통신시스템을 이용하여 텔레매틱스 시스템을 장착한 차량의 상태를 진단하여 확인할 수 있는 텔레매틱스 시스템을 이용한 차량 원격진단방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은 통신단말기와 서비스제공센터와 텔레매틱스 단말기를 포함하는 텔레매틱스 시스템의 원격지 차량 진단방법에 있어서, 상기 통신단말기가 사용자에 의해 상기 서비스제공센터와 접속하고, 원격진단서비스 요구가 발생하면 원격진단 서비스 요구 메시지를 생성하여 송신하는 과정과, 상기 서비스제공센터가 상기 원격진단 서비스 요구 메시지를 입력받아 원격 진단 요구 메시지를 상기 텔레매틱스 단말기로 송신하는 과정과, 상기 텔레매틱스 단말기가 상기 원격 진단 요구 메시지를 수신하고 차량의 위치를 측정 및 차량 상태를 진단하여 차량진단정보 메시지를 생성하고, 상기 차량진단정보 메시지를 상기 서비스제공센터로 송신하는 과정과, 상기 서비스제공센터가 상기 원격진단 요구 메시지에 응답하여 차량진단정보메시지가 수신되면 상기 통신단말기의 종류에 대응되는 차량진단정보 메시지로 변환하여 상기 통신단말기로 송신하는 과정과, 상기 통신단말기가 상기 원격진단 서비스 요구 메시지에 응답하여 차량진단정보 메시지가 수신되면 상기 사용자에게 알려주는 과정으로 이루어짐을 특징으로 한다. 
       
     텔레매틱스, 원격진단, 원격진단정보
Patent KR-100727680-B1 (KR)
Title: Injector grid for high current ion beam having improved cooling circuit and fabrication method thereof
Inventor: OH BYUNG HOON
IPC: G21K1/00
Filed: 2005-12-26
Granted: 2007-06-13
Abstract: An injector grid for a high current ion beam having an improved cooling circuit and a manufacturing method thereof are provided to improve work efficiency and to reduce manufacturing cost by improving a cooling circuit and a quality of an injected ion beam. An injector grid for a high current ion beam having an improved cooling circuit includes a single body flat plate, a cooling water distribution tube(120), a pair of installation units, a cooling line connection unit, and a plurality of cooling pipes(122). The single body flat plate has a plurality of beam injection holes penetrated along a thickness direction. The cooling water distribution tube(120) are formed on both ends of the flat plate. The pair of installation units are coupled to the flat plate. The cooling line connection unit provides cooling water to the cooling water distribution tube(120). The plurality of cooling pipes(122) is formed between columns of the beam injection holes between the cooling water distribution tubes(120) along a lengthwise direction of the flat plate.
Patent KR-100650773-B1 (KR)
Title: Fin transistor and method for forming thereof
Inventor: YOO MIN SOO
IPC: H01L21/335
Filed: 2005-12-28
Granted: 2006-11-28
Abstract: A Fin transistor and a method for forming the same are provided to minimize a leakage current between adjacent cells and to prevent GIDL(Gate Induced Drain Leakage). A substrate(10) having a protrudent active region is prepared. A field oxide layer(20) is formed at a field region of the substrate. A photoresist pattern having an opening part for exposing the active region and the adjacent field oxide layer is formed. The exposed field oxide layer is partially etched using the photoresist pattern as a mask. The photoresist pattern is removed. A gate(70) is then formed on the active region exposed to both sides.
Patent KR-100751665-B1 (KR)
Title: Flash memory device and method for fabricating the same
Inventor: HONG KWON
IPC: H01L21/8247
Filed: 2005-12-29
Granted: 2007-08-23
Abstract: A flash memory device and its manufacturing method are provided to secure high coupling ratio and to improve reliability of the flash memory device by laminating an oxide layer and a ZAZ(ZrO2/Al2O3/ZrO2) layer to form a gate dielectric between a floating gate and a control gate. A tunnel dielectric and a conductive layer for a floating gate are formed on a semiconductor substrate(10). The conductive layer for the floating gate has a thickness of 500 to 2000 Å. A first oxide layer(13) and a ZAZ(ZrO2/Al2O3/ZrO2) layer(14) are formed on the conductive layer for the floating gate. Thermal treatment is performed on the resultant structure. A second oxide layer(15) is formed on the ZAZ layer to form a gate dielectric that is comprised of the ZAZ layer and the second oxide layer. A conductive layer for a control gate is formed on the gate dielectric.
Patent KR-100691100-B1 (KR)
Title: Method for ion implantation of preventing a byproduct
Inventor: BAN SANG HYUN
IPC: H01L21/265
Filed: 2005-12-29
Granted: 2007-03-12
Abstract: An implantation method capable of avoiding generation of byproducts is provided to maintain a precise beam focus and normalize the lifetime of a source by removing the byproducts generated in a chamber of ion implanting equipment. A positively charged ion beam(40) is formed by using gas for ion implantation used in an ion implantation and etching gas. The etching gas includes CF4 or SF6. The byproducts in the ion implanting equipment are removed by using the ion beam. Necessary ion beams are classified from the ions of a contamination material so as to be accelerated to a round dot. Neutral atoms are removed from the ion beams having a type of the round dot, and the ion beams become uniform on a semiconductor substrate(39) to be implanted into the semiconductor substrate.
Patent KR-100994940-B1 (KR)
IPC: H04H20/00
Filed: 2003-07-04
Granted: 2010-11-19
Abstract: 데이터 패킷들의 전송시 클럭 타임 도출된 타임 스탬핑에 의해 데이터 패킷들 상의 지터를 보상하는 방법이 기술된다. 이것은 전송 타임 스탬프들을 초래한다. 지터는 전송 타임 스탬프들 및 생성된 수신 타임 스탬프들 간의 비교에 기초하여 보상되고, 수신 타임 스탬프들은 전송 타임 스탬프들이 도출되는 동일한 클럭 타임으로부터 도출된다. 비교는 요청된 최소 및 최대 버퍼 크기를 계산하고, 전송 매체의 끝, 수신기에서 실질적으로 일어난 지터를 흡수하기 위하여 사용되는 타임 지연 정보를 포함한다. 본 방법은 또한 MPEG, DVB 및 DSS와 같은 실시간 애플리케이션에 적합하다.  
     
     데이터 패킷, 타임 스탬프, 클럭 타임, 지터
Patent KR-100776078-B1 (KR)
IPC: G01B11/30
Filed: 2003-12-25
Granted: 2007-11-15
Abstract: 회주철에 있어서의 흑연 조직의 흑연 수와 구성 흑연의 비수도를 갖고 조직의 특징을 정량 판정할 수 있는 방법을 제공하는 것이다.  구체적으로는, 전처리가 실시된 흑연 조직의 화상에 대해, 평균 직경으로 5 ㎛ 이상의 비구상의 흑연만을 추출하여 그 수를 산출한다(도3의 스텝 S5).  또한 최대 길이가 50 ㎛ 이상에서 150 ㎛ 미만의 흑연만을 추출하고, 개개의 흑연의 길이와 면적을 계측한다(스텝 S6).  이러한 데이터로부터 그 흑연군의 대표로 하기 위해 최대 길이(최대 직경) 100 ㎛의 흑연을 상정하여 그 면적을 구하고, 그 면적을 길이의 100 ㎛에서 제외하여 비수도라 한다(스텝 S7).  이 비수도의 값을 흑연 수와 함께 표시한다(스텝 S8).
Patent KR-101009836-B1 (KR)
IPC: H03M1/66
Filed: 2003-09-05
Granted: 2011-01-20
Abstract: 액티브 매트릭스 디스플레이는 디스플레이 소자를 구동하기 위해 픽셀에 신호를 공급하기 위한 열 구동기를 구비하며, 열 구동기는 제 1 개의 디스플레이 소자 구동 레벨을 제공하는 디지털-아날로그 변환기를 포함한다. 각 픽셀 내에서, 제 1 개의 디스플레이 소자 구동 레벨은 보다 많은 제 2 개의 픽셀 그레이 레벨로 변환된다. 이는 멀티-레벨 디지털-아날로그 변환을 인-픽셀에서의 레벨의 생성과 결합시키고, DACs의 복잡함이 감소되도록 해주어, 예를 들면 저온 폴리실리콘 프로세싱을 사용하여 디스플레이 기판상에 집적화가 가능하게 해준다.
Patent KR-100595740-B1 (KR)
Title: Medicines Comprising Rho Kinase Inhibitor
IPC: G01N33/48
Filed: 1997-08-08
Granted: 2006-07-03
Abstract: A Rho kinase inhibitor is provided as a novel pharmaceutical agent, particularly as a therapeutic agent of hypertension, a therapeutic agent of angina pectoris, a suppressive agent of cerebrovascular contraction, a therapeutic agent of asthma, a therapeutic agent of peripheral circulation disorder, a prophylactic agent of immature birth, a therapeutic agent of arteriosclerosis, an anti-cancer drug, an anti-inflammatory agent, an immunosuppressant, a therapeutic agent of autoimmune disease, an anti-AIDS drug, a contraceptive, a prophylactic agent of digestive tract infection, a therapeutic agent of osteoporosis, a therapeutic agent of retinopathy and a brain function improving drug. In addition, the Rho kinase inhibitor is provided as a reagent and a diagnostic.
Patent KR-100708580-B1 (KR)
IPC: G11C16/06
Filed: 2003-10-16
Granted: 2007-04-18
Abstract: 본 발명은 비휘발성 메모리(2) 및 적어도 하나의 변환 장치(5)를 포함하는 메모리 장치(1)를 동작시키는 방법에 관한 것으로서, 비휘발성 메모리(2)는 메모리 페이지(31, 32, 33, 34) 및 적어도 하나의 추가 메모리 페이지(35)를 가지고 있고, 메모리 페이지(31, 32, 33, 34) 및 추가 메모리 페이지(35)는 물리적 어드레스(P1, P2, P3, P4, P5)를 가지고 있고, 어드레스 변환 장치(5)는 논리적으로 어드레싱 가능한 어드레스(L1, L2, L3, L4)를 메모리 페이지(31, 32, 33, 34) 및 추가 메모리 페이지(35)의 물리적 어드레스(P1, P2, P3, P4, P5)로 변환한다.  비휘발성 메모리(2)는 어드레스 변환을 가능하게 하는 데이터를 비휘발성 메모리(2)에서 메모리 페이지(31, 32, 33, 34) 및 추가 메모리 페이지(35) 내의 어드레싱 불가능한 영역 내에 저장한다.  메모리 페이지(31, 32, 33, 34)를 프로그래밍하기 위해서, 데이터의 복사본 및 어드레싱 불가능한 영역의 데이터의 복사본은 프로세싱을 위해 다른 메모리(4) 내에 저장되고, 어드레싱 불가능한 영역 내의 데이터는 변경된다.  프로그래밍이 완료되었으면, 프로세싱된 데이터의 복사본 및 변경된 어드레싱 불가능한 영역의 데이터는 추가 메모리 페이지(35)에 저장된다.
Patent KR-101012216-B1 (KR)
IPC: G06F9/44
Filed: 2003-12-04
Granted: 2011-02-08
Abstract: USB 포트를 통해 무선 통신 디바이스에 새로운 소프트웨어를 다운로드하는데 따르는 PC내에서의 에러들을 방지하기 위해, 무선 통신 디바이스를 리셋할 때, 프로세서 내의 USB 레지스터들은 리셋되지 않고, USB 트랜시버는 온(on) 상태로 유지된다.  또한, RAM 내의 USB 레지스터들에 저장된 값들은 리셋 동안 유지되고 플래시 메모리는 정규 모드로 유지된다.  상기 방식에서, 무선 통신 디바이스는 다운로드 종료시에 USB 포트에서의 접속을 갑자기 서버에 나타내지 않는데, 그렇지 않으면 PC를 구동하는 애플리케이션에서 에러들이 발생할 수 있다.
Patent KR-100638148-B1 (KR)
IPC: H01L33/38
Filed: 2003-12-25
Granted: 2006-10-27
Abstract: 결정기판;  
     상기 결정기판상에 형성된 제1반도체로서, 제1영역 및 제1영역과 다른 제2영역을 갖고, 하지층으로 작용하며, 발광층을 포함하는 제1 반도체층; 
     상기 제1 반도체층의 상기 제1영역에 형성된 보론 포스파이드계 반도체 비정질층으로서, 고저항 보론 포스파이드계 반도체 비정질층을 포함하는 보론 포스파이드계 반도체 비정질층; 
     와이어 결합을 제조하기 위해 상기 고저항 보론 포스파이드계 반도체 비정질층상에 형성된 패드전극; 및 
     상기 제1반도체층의 상기 제2영역에 형성된 전도성 보론 포스파이드계 결정질층으로서, 상기 보론 포스파이드계 반도체 비정질층의 일부로 선택적으로 확장하는 전도성 보론 포스파이드계 결정질층을 포함하며,  
     상기 패드전극은 패드전극의 저면보다 상부에서 상기 보론 포스파이드계 반도체 결정질층과 접촉하고 있는 것을 특징으로 하는 보론 포스파이드계 반도체 발광소자.
Patent KR-100815408-B1 (KR)
IPC: C07K14/02
Filed: 2004-02-20
Granted: 2008-03-20
Abstract: T 세포-촉진량의 백신을 환자에게 투여함을 포함하는 만성 B형 간염을 치료하는 방법이 기재되어 있다.  백신은, 자가 어셈블리된 입자의 안정성을 증강시키고, 이들 입자에 의한 핵산 결합이 실질적으로 부재하도록 공학적으로 처리된 면역원량의 키메라 카복시-말단의 절단된 B형 간염 바이러스 뉴클레오캡시드(코어) 단백질(HBc)을 포함한다.  키메라 단백질 분자는 HBc의 N-말단, 면역원성 루프내 또는 C-말단 중의 하나 이상과 펩티드 결합된 하나 이상의 면역원성 에피토프를 포함할 수 있다.  자가 어셈블리된 입자의 증강된 안정성은 키메라 분자의 아미노-말단 및 카복시-말단 중 하나 또는 둘다의 근처에 하나 이상의 이종 시스테인 잔기의 존재에 의해 수득된다.  
       
     만성 B형 간염, 재조합 B형 간염 코어(HBc) 키메라 단백질 분자, 면역원성 입자, 자가 어셈블리된 입자, 면역원성 에피토프
Patent KR-100673263-B1 (KR)
IPC: G11B7/257
Filed: 2004-02-03
Granted: 2007-01-22
Abstract: 본 발명은  A, B와 각각 상이한 3가 이상의 양성원소이며 그 가수를 각각 Ka,Kb로 했을 때 A X B Y O (   KaX   ,   KbY   )/2  (ZnO) m,  O＜X＜2, Y=2-X, 1≤m를 만족하는 산화아연을 주성분으로 하는 화합물을 함유하며 더욱이 카르코겐화 아연을 함유하고, 상대밀도 90% 이상, 벌크 저항치 0.1Ω㎝ 이하인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟트에 관한 것이다. 스퍼터링에 의해 막을 형성 할 시, 기판에의 가열등의 영향을 적게하고  고속 성막이 가능하며 또한 막두께를 엷게 조정 가능하고 더욱이 스퍼터시에 발생하는 파티클(發塵)이나 노줄을 저감시켜 품질의 격차가 적어 양산성을 향상시키는 것이 가능하며 또한 결정입이 미세한 고밀도의 스퍼터링 타겟트 및 그 제조방법과 특히 보호막으로서의 사용에 최적인 광 정보기록 매체용 박막 및 그 제조방법을 얻는 것이다. 
     스퍼터링 타겟트 및 광정보기록 매체용 박막
Patent KR-100733807-B1 (KR)
IPC: F01L1/18
Filed: 2004-05-28
Granted: 2007-07-02
Abstract: 본 발명은 밸브의 리프트량을 연속적으로 변화시키는 것이 가능한 엔진에 있어서, 밸브 리프트 가변 기구를 구비한 엔진의 밸브 작동 장치는, 밸브의 개방각을 변화시키지 않고 높은 밸브의 리프트량을 증감할 수 있고, 또한 밸브의 리프트량의 감소에 따라 태핏 클리어런스를 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 낮은 밸브 리프트 시에 리프트량에 대한 태핏 클리어런스의 비율이 증가하는 것을 방지하여 태핏 클리어런스의 격차의 영향을 최소한으로 억제하는 동시에, 낮은 밸브 리프트 시에서의 밸브가 자리 잡는 속도를 저하시켜 소음의 발생을 방지할 수 있다. 태핏 클리어런스의 격차에 의한 높은 밸브 리프트 시의 엔진 성능 저하를 방지할 수 있는 동시에, 낮은 밸브 리프트 시에 밸브가 자리 잡을 때의 소음을 저감한다.
Patent KR-100657123-B1 (KR)
IPC: C03C3/064
Filed: 2005-03-11
Granted: 2006-12-13
Abstract: 직접적으로 물과 접촉하고, 은이온을 방출하여, 항균효과를 발휘하기 위한 항균성 유리 및 그 제조방법을 제공한다. 피항균물의 세탁 중 또는 세탁 후에, 은이온에 의해 항균처리를 실시하기 위한 세탁기용 항균성 유리 등에 적합한 향균성 유리 및 그 제조방법에 있어서, 세탁기용 항균성 유리의 최대직경(t1)을 1~50 mm 범위 내의 값으로 하는 동시에, 은이온의 용출량을 0.5~100 mg/(g·24Hrs) 범위 내의 값으로 한다.  
       
     항균성 유리,  은이온, 항균효과, 용출율
Patent KR-100942397-B1 (KR)
IPC: H04L12/56
Filed: 2004-06-15
Granted: 2010-02-24
Abstract: 무선 통신 시스템에서 사용자 대 사용자 간섭을 제어하기 위해 ROT (Rise-Over-Thermal) 임계값을 동적으로 설정하는 방법 및 장치가 개시된다.    통신 장애가 발생했는지를 결정하고 (24), 장애가 발생하지 않은 경우, 소정의 증가분만큼 ROT 임계값을 증가시키며 (26), 그리고 장애가 발생한 경우, 소정의 감소분만큼 ROT 임계값을 감소시킴으로써 (28), ROT 임계값이 설정된다. 
       
     무선 통신 시스템, ROT 임계값, 장애, 액세스 단말기, 섹터, 기지국
Patent KR-100747023-B1 (KR)
IPC: H05K3/46
Filed: 2006-01-19
Granted: 2007-08-07
Abstract: 다층 인쇄회로기판 및 그 제작방법이 개시된다. 다수 개의 관통홀을 구비하는 유리 평판과, 관통홀의 내부에 충전되며 유리 평판의 양면에 적층되는 내부 수지 조성물과, 내부 수지 조성물 상에 적층된 금속층으로부터 형성되는 내부 회로와, 내부 수지 조성물의 일면 및 타면에 각각 형성된 내부 회로를 연결하는 도통홀과, 내부 회로 상에 순차적으로 형성되며 적어도 1층 이상의 외부 수지 조성물 및 외부 회로와, 외부 수지 조성물의 일면 및 타면에 각각 형성된 외부 회로를 각각 연결하는 블라인드 비어홀을 구비하는 다층 인쇄회로기판은 기판의 휨 및 뒤틀림을 방지할 수 있고 고주파 환경에서도 유전특성이 우수할 뿐만 아닐 전송 손실이 적으며 전체가 UL94V-0의 내연성을 가진다.  
       
     유리 평판, 휨, 뒤틀림
Patent KR-101173572-B1 (KR)
IPC: H01L21/02
Filed: 2006-01-19
Granted: 2012-08-13
Abstract: 본 발명은, 기판을 수납하는 기판안치대가 설치된 제 1 챔버; 상기 제 1 챔버의 상부에 위치하며 기판을 수납하는 기판안치대가 설치된 제 2 챔버; 상기 제 1 챔버의 상부벽을 하부벽으로 공유하고, 상기 제 2 챔버의 하부벽을 상부벽으로 공유하며, 상기 제 1,2 챔버보다 내부 체적이 작은 완충챔버; 상기 완충챔버의 압력이 상기 제 2 챔버의 압력과 동일하도록 유지하는 완충챔버 압력조절수단을 포함하는 로드락챔버에 관한 것이다. 
     본 발명에 따르면 다수의 챔버가 상하로 적층된 구조의 로드락챔버에서, 각 챔버에 압력차가 존재하더라도 이로 인한 변형력을 완충챔버가 흡수함으로써 챔버의 하부벽이 변형되는 것을 방지하여 로드락챔버의 기판안치대 및 내부부재에 미치는 영향을 방지할 수 있다. 
       
     로드락 챔버, 완충챔버
Patent KR-100729860-B1 (KR)
Title: End part structure of deck panel having triangle truss girder
Inventor: SHIN YOUNG SEOK
IPC: E04B5/40
Filed: 2006-01-20
Granted: 2007-06-27
Abstract: An end structure of a triangular truss type deck panel is provided to cut down on the price by deleting a vertical bar and a horizontal bar and to enhance the end structure of a deck panel by supporting a deck panel with two lower ends of a lattice or two lower ends of a lattice and vertical steel members. The end structure of a triangular truss type deck panel is formed by cutting a truss girder(100) on a concave part of a wavy lattice(120), forming lower ends(121,122) of the lattice and fixing vertical steel members to two lower bars(131,132) of the truss girder diagonally.