baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent KR-100226794-B1 (KR)
Inventor: LEE DONG-HOON
IPC: H01L21/762
Filed: 1996-06-10
Granted: 1999-10-15
Abstract: 본 발명은 모스팻에 관한 것으로 특히, 모스팻의 제조방법에 관한 것이다. 
     이를 위한 본 발명의 모스팻 제조방법은 반도체 기판위에 제1절연막 및 제2 절연막을 차례로 형성하는 스텝, 일정폭내에서 제2 절연막의 전부분을, 표면으로부터 일정깊이까지의 제1 절연막을 제거하여 리세스가 형성되도록 제1 절연막과 제2 절연막을 패터닝하는 스텝, 리세스의 양측면들에 제1 측벽스페이서들을 형성하는 스텝과, 잔존하는 제2 절연막 및 제2 측벽스페이서들을 에치마스크로 하여 에칭을 수행하고 상기 제1 측벽스페이서들 및 그들 아래에 위치된 제1 절연막을 제거하여 상기 기판의 표면을 선택적으로 노출시키고 제2 측벽스페이서들 아래에 제2 절연막 패턴들을 남기는 스텝과, 노출된 기판의 표면을 통해 불순물 이온을 주입하고 확산시켜 기판 표면내에 웰을 형성하는 스텝과, 잔존하는 제2 절연막 및 제2 측별도스페이션들을 제거하고 웰을 씨드로 하여 남겨진 제1 절연막의 표면까지 에필택션 성장층을 형성하는 스텝과, 에피택셜 성장층의 표면상에 남겨진 제1 절연막 패턴들 사이에 걸쳐 게이트 전극을 형성하는 스텝과, 게이트 전극을 마스크로 불순물 이온을 에피택셜 성장층내에 주입하여 소오스 영역과 드레인 영역을 형성하는 스텝으로 이루어진다. 따라서 소오스 영역과 드레인 영역사이를 절연체로 막아주므로써 펀치 스루우에 의한 영향을 방지할 수 있어 채널 길이를 최대한 감소시킬 수 있다. 그리고 드레인 영역의 일렉트릭 필드의 감소로 소자의 신뢰성이 개선되며 에피택셜 공정시 시드영역의 증가로 공정이 용이하다.
Patent KR-960014809-B1 (KR)
Inventor: WATANABE SYUJI WATANABE SYUJI
IPC: A47L9/04
Filed: 1996-07-29
Granted: 1996-10-21
Abstract: 내용없음.
Patent KR-100235400-B1 (KR)
Inventor: KAJIMA YUKIRO
IPC: H03B1/00
Filed: 1996-07-30
Granted: 1999-12-15
Abstract: 본 발명은 유전체기판에 접착하기 위한 특수한 전처리를 불필요하게 해서, 생산효율을 높여서 코스트를 내리고, 또 마이크로스트립라인과 유전체공진기와의 거리에 의해서 결정되는 결합도를 자유롭게 설정가능하게 함으로써, 염가이고 신뢰성이 높은 마이크로파발진회로 및 이 마이크로파발진회로를 구비한 다운콘버터를 제공한다. 
     금속판(8)위에 밀착 배치한 유전체기판(2)위에 실장된 마이크로파발진용 FET(3)의 게이트단자(3g)에 마이크로스트립라인(5)의 일단부를 접속하고, 마이크로스트립라인(5)의 타단부는 저항기(6)를 개재해서 접지한다.  유전체기판(2)의 상부를 덮는 금속제의 시일드케이스(1)의 내벽면에 스페이서(10)를 개재해서 유전체 공진기(11)를 일반적인 접착제를 사용하여 고정하고, 마이크로스트립라인(5)과 결합시킴으로써, 소망의 발진주파수출력을 FET(3)의 소스단자(12)로부터 안정되게 인출해낼 수 있다.
Patent KR-0184567-B1 (KR)
Inventor: KIM HO-JIN
IPC: G07G1/00
Filed: 1996-08-08
Granted: 1999-04-15
Abstract: 본 발명은 금전 등록기의 초기 동작 시 종이가 감지되지 않더라도 디스플레이 표시부에 오류 내용을 사용자가 알 수 있도록 디스플레이시켜, 응급 처치할 내용을 사용자에게 알려 응급처치가 가능하도록 하는 전자식 금전등록기의 초기 동작 시 디스플레이 구동방법의 제공을 목적으로 한다. 
     상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 전자식 금전등록기의 초기 동작 시 디스플레이 구동 방법은 금전 등록기의 초기 동작 시 종이 감지 포트의 상태를 판독하여 종이의 유무를 판단하는 판단 단계와, 상기 판단 결과 종이가 없는 것으로 판단되면 표시부에 종이 없음을 디스플레이하는 단계와, 상기 판단 결과 종이가 있는 것으로 판단되면 상기 표시부에 상기 금전 등록기의 초기화에 관련된 표시 데이터를 디스플레이하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 
     본 발명에 따르면 전자식 금전등록기의 초기 동작 시 종이가 감지되지 않더라도 디스플레이 표시부에 종이 없음을 알리고 오류내용을 표시하여 고장진단을 용이하게 할 수 있는 효과가 있다.
Patent KR-0176066-B1 (KR)
Inventor: LEE CHUL-UN
IPC: G01F22/00
Filed: 1996-08-12
Granted: 1999-05-15
Abstract: 본 발명은 화학 추적자(chemical tracer)를 이용하여 배관 내의 유량을 정확히 측정할 수 있는 유량 측정방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 배관계통의 유량 측정방법은, 배관 내에 흐르고 있는 유체의 유량을 측정하는 방법에 있어서, 상기한 배관의 상류에서 일정 농도의 화학 추적자를 일정 유량으로 배관 내에 주입하는 단계와, 하류 배관 단면 내에서 상기 단계에서 주입된 화학 추적자가 배관 내의 유체와 완전히 혼합되어 균일한 농도분포를 나타낼 때, 상기한 배관의 하류에서 주입된 화학 추적자의 농도를 분석하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 배관계통의 유량 측정방법은, 유량 측정시 배관 계통의 구조 변경이 필요없으며, 배관계통의 온도 및 압력 등에도 큰 영향을 받지 않고 정확한 유량측정이 가능할 뿐 아니라, 유량계의 설치가 곤란한 배관에도 용이하게 적용할 수 있다는 것이 확인되었다.
Patent KR-0180498-B1 (KR)
Inventor: MATSUSHIMA HIDEYUKI
IPC: A44B18/00
Filed: 1996-08-29
Granted: 1999-02-01
Abstract: 면 파스너는 : 기판 시이트(11, 11', 110) ; 기판 시이트(11, 11', 110)의 일면으로부터 돌출하는 다수의 결합 요소(12, 12', 120) ; 및 기판 시이트(11, 11', 110)의 일면상에 놓여있는 탄성 부재(13)로 이루어진다. 탄성 부재(13)는 보통 결합 요소(12, 12', 120)의 잠금부(12a, 12a', 120a)의 하단부와 접촉하는 상부면을 가져서, 결합 요소(12, 12', 120)의 스템부(12b, 12b', 120b)의 원주면을 지지한다. 따라서, 면 파스너의 상부면은 야안 및 보풀(nap)의 폐기물 조각이 잠금부(12a, 12a', 120a)에 의해 걸리지 않도록 하기 위해 덜 거칠다.
Patent KR-100242109-B1 (KR)
Inventor: LYU GI-HYEON
IPC: G02F1/136
Filed: 1996-09-04
Granted: 2000-02-01
Abstract: 본 발명은 액정 표시 장치 제조에서 능동 스위치로 사용하는 박막 트랜지스터의 게이트 금속에 구리를 사용하여 제조하는 방법 및 그 방법에 의한 액정 표시 장치의 구조에 관한 것이다. 구리는 전도도가 좋아 게이트 금속으로서 특성이 아주 좋은 반면, 유리 기판과 접촉문제, 실리콘과의 반응문제, 외부 접속을 위한 다른 금속과의 접촉문제 등으로 제조상 어려움이 있다. 본 발명에서는 구리를 증착하기 전에 유리 기판과 접촉성이 좋은 다른 금속을 먼저 증착하고, 게이트 절연막에 유기 물질을 사용하고, 외부 접속용 패드 단자부에는 접촉성이 좋은 다른 금속을 사용하는 방법을 제시한다. 본 발명에 의하여 대형 액정 패널에서 신호 지연 문제가 해결되며, 전도성이 높은 배선으로 배선의 폭을 줄임으로써 개구율이 향상되고, 배선의 두께를 줄여 박막 단차에 의한 제조 에러율을 감소시키고 수율을 향상시키는 효과가 있다.
Patent KR-100232039-B1 (KR)
Inventor: TOBE RYOKI
IPC: C23F4/00
Filed: 1996-09-06
Granted: 1999-12-01
Abstract: 플라즈마 발생전극과 처리실 사이의 전기절연부재에 홈을 형성함으로써, 기체상에 도전막을 퇴적할 경우에도 전기절연부재의 절연성능이 저하되지 않게 한다. 
     플라즈마 발생전극(61)은 실질적으로 1턴의 코일이고, 처리실(20) 벽을 관통하는 한쌍의 도입부분(62, 63)을 구비하고 있다. 이 도입부분과 처리실(20) 사이에는 석영유리제의 절연링(71)이 배치되어 있다. 이 절연링(71)은 원판(72)중앙에 원형의 관통구멍(73)이 형성되어 있고, 원판(72) 한쪽측(처리실 공간에 노출되는 측)에 3개의 원환상 돌기(74)가 서로 동심상으로 형성되어 있다. 이 원환상 돌기(74) 사이에는 2개의 원환상 홈(79)이 형성된다. 3개의 원환상 돌기(74)는 모두 높이가 50㎜, 두께가 1㎜이고, 홈(79) 깊이도 50㎜이다. 홈(79) 의 폭은 1㎜이다.
Patent KR-100445850-B1 (KR)
Title: 노광방법및장치
IPC: G03F9/00
Filed: 1996-09-13
Granted: 2005-06-23
Abstract: 이동거울의 진직도 오차를 웨이퍼 스테이지를 구동하지 않고 보정한다. 
     노광에 앞서, 웨이퍼 스테이지(5)의 X방향의 위치를 측정하는 이동거울(11a)에 레이저 간섭계(7a, 7b)로부터 레이저빔을 조사하고, 웨이퍼 스테이지(5)를 Y방향으로 스텝 이동하여 스텝마다 레이저 간섭계(7a, 7b)의 측정치로부터 이동거울(11a)의 진직도 오차를 산출하여, 진직도 오차의 웨이퍼 스테이지(5)의 위치에 대한 진직도 맵을 작성하고, 기억장치(9)에 기억한다.  마찬가지로, Y방향의 이동거울(11b)에 대해서도 진직도 맵을 작성한다.  노광시, 이동거울(11a, 11b)의 진직도 오차에 의거한 웨이퍼 스테이지(5)의 X방향, Y방향의 위치오차 및 요잉을 기억장치(9)에 기억된 진직도 맵에 의거하여 레티클 스테이지(4)를 X방향, Y방향 및 회전방향으로 구동하여 보정한다.
Patent KR-100193906-B1 (KR)
Title: 홍화추출물 및 그를 함유한 혈액순환 개선제
IPC: A61K36/286
Filed: 1996-09-14
Granted: 1999-06-15
Abstract: 본 발명은, 혈관확장작용, 진통작용과 항산화작용이 우수한 활성성분을 함유하는 홍화추출물 및 이들의 용도에 관한 것이다. 홍화(Flower of Carthamus tinctorius, L.)는 옛부터 부인병에 사용되어 오고 있는 약제로서 색소나 지질성분에 대한 여러 가지의 약리작용이 보고되어 있으나, 혈관확장작용, 진통작용 및 항상화작용등이 있는 물질을 규명하지는 못하였다. 이에 본 발명자들은 이러한 홍화추출물이 나타내는 약리작용의 주성분을 밝히기 위하여 광범위하게 연구하였다. 그 결과, 홍화추출물로부터 여러 물질들을 분리하였고, 홍화에 비교적 많이 함유되어 있는 kaempferol-3-0-rutinoside가 강력한 혈관확장작용, 진통작용 및 항산화작용이 있다는 것을 알았으며, 추출방법을 개량하여 이 활성성분이 다량 함유되어 있는 추출무을 제조하여 정제, 캅셀제, 연질캅셀제, 액제 및 외용크림제 등을 제조하였다. 
     따라서 본 발명은 산업적으로 매우 유용한 발명임을 알 수 있다.
Patent KR-100203605-B1 (KR)
Inventor: FUJITA MAMORU
IPC: G11C11/409
Filed: 1996-09-20
Granted: 1999-06-15
Abstract: 반도체 메모리 장치는 기준 클럭을 입력하기 위한 입력 회로(101), 기준 클럭에 동기하여 외부 입력 신호를 래칭하기 위한 입력 버퍼 회로(111), 및 기억된 데이타를 기준 클럭에 동기하여 외부로 출력하기 위한 출력 버퍼 회로(110)을 가진다.  입력 버퍼 회로 및 출력 버퍼 회로는 하나 및 동일한 기억된 데이타를 처리에 대하여 기준 클럭의 각각의 상이한 에지에서 동작하게 구성한 것이다.  상기 장치는 외부 입력 신호에 따라 기억된 데이타를 판독하고 입력 버퍼 회로가 동작하는 에지에 따라서만 동작하도록 하는 내부 판독 회로 시스템을 포함한다.  내부 판독 시스템 및 출력 버퍼 회로 사이에, 기억된 데이타가 출력 버퍼에 의해 출력될 때까지 내부 판독 회로 시스템에 의해 판독된 기억된 데이타를 일시적으로 기억한다.  상기 구조는 게이트 지연이 거의 없고 면적이 증가하지 않는 고 버스트 모드 메모리 장치의 제공을 가능하게 한다.
Patent KR-100195913-B1 (KR)
Inventor: KIM GYEONG-SIK
IPC: F25B13/00
Filed: 1996-10-04
Granted: 1999-06-15
Abstract: 본 발명은 다실 공기조화기에 관한 것으로서, 개별적으로 2개의 시스템을 각각 운전하도록 하여 다실 공기조화기의 성능을 향상시킬 뿐만 아니라 냉매를 감압시키는 전자팽창밸브의 갯수를 줄여 제조원가를 절감하도록 한 것이다. 
     이와같은 본 발명의 목적은 압축기에서 고온고압으로 압축되어 토출되는 냉매는 냉방시에는 제2실외열교환기로 난방시에는 제3실내기로 유입되도록 개폐되는 사방변을 형성하고, 상기 사방변을 통과한 고온고압의 냉매는 냉방시에 제2실외열교환기로 유입되어 외부공기와 열교환하여 고압의 과냉액으로 응축된 냉매와 난방시에 제3실내기로 유입되어 실내공기와 열교환하여 고압의 과냉액으로 응축된 냉매를 저온저압으로 감압시키는 모세관을 형성하고, 상기 모세관에 의해 저온저압으로 감압된 냉매는 냉방시에 제3실내기로 유입되어 실내공기와 열교환하여 저온저압으로 증발된 냉매와 난방시에 제2실외열교환기로 유입되어 외부공기와 열교환하여 저온저압으로 증발된 냉매는 사방변을 거쳐 압축기로 유입되도록 압축기와 사방변사이에 어큐뮬레이터를 형성함으로써 상기의 목적을 이룰 수 있도록 하였다.
Patent KR-100218263-B1 (KR)
Inventor: CHO SEONG-MIN
IPC: H01L29/78
Filed: 1996-10-08
Granted: 1999-09-01
Abstract: 2개의 바이폴라 트랜지스터를 병렬로 내장한 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터로 구성된 반도체 장치 및 그 제조 방법이 개시되어 있다. 
     본 발명은 제1 및 제2 바이폴라 트랜지스터와 그 사이에 배치된 하나의 모스 트랜지스터로 구성된 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터에 있어서, 상기 제1바이폴라 트랜지스터는 고농도 제1도전형 반도체 기판, 상기 고농도 제1도전형 반도체 기판에 접합된 고농도 제2도전형 불순물층, 상기 반도체 기판과 상기 고농도 제2도전형 불순물층에 공통 접합된 저농도 제2도전형 불순물층 및 상기 저농도 제2도전형 불순물층에 접합된 고농도 제1도전형 불순물층으로 구성되고, 상기 제2바이폴라 트랜지스터는 상기 고농도 제1도전형 반도체 기판, 상기 반도체 기판과 상기 고농도 제2도전형 불순물층에 공통 접합된 상기 저농도 제2도전형 불순물층에 접합된 상기 저농도 제2도전형 불순물층 및 상기 저농도 제2도전형 불순물층에 접합되고 상기 고농도 제1도전형 불순물층과 이격되게 형성된 고농도 제1도전형 불순물층으로 구성된 것을 특징으로 한다. 
     따라서, 본 발명은 전류 증폭도 감소에 따른 순방향 전압 강하가 증가하는 것을 방지하여 소자의 전력 용량을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
Patent KR-0180831-B1 (KR)
Inventor: LEE PIL-KI
IPC: F02M25/07
Filed: 1996-10-26
Granted: 1999-03-20
Abstract: 본원 발명의 목적은 배기가스를 흡기측에 리턴시켜 연소하므로써 배기가스를 저감시킬 뿐만 아니라 엔진에의 흡기온도가 낮을 때에는 고온의 배기가스가 리턴되어 혼합되도록 하며 흡기온도가 높을 때에는 저온의 배기가스를 회수공급하므로써 흡기의 충진효율을 높여 엔진의 성능을 최적으로 유지할 수 있는 배기가스 회수 연소장치를 제공하는 데 있다. 
     상기한 목적을 달성하기 위한 본원 발명의 수단은 배기매니폴드와 흡기매니폴드측의 서지탱크와를 접속하는 제 1 리턴파이프와; 
     상기 제 1 리턴파이프에 마련되는 제 1 밸브와; 
     엔진의 연소실과 상기 제 1 리턴파이프를 접속하는 제 2 리턴파이프와; 
     상기 제 2 리턴파이프의 도중에 설치되어 배기가스를 방열 냉각하는 배기가스 서지탱크와; 
     상기 제 2 리턴파이프의 도중에 마련되는 제 2 밸브와; 
     외부로부터 도입되는 흡기의 온도를 검출하는 흡기온센서와; 및 
     상기 흡기온센서로부터의 온도 정보에 의해 흡기온이 낮을 때에는 상기 제 1 밸브는 개방하고 상기 제 2 밸브는 폐쇄하도록 제어하며, 흡기온이 높을 때에는 상기 제 1 밸브는 폐쇄하고 상기 제 2 밸브는 개방하도록 제어하는 전자제어장치와;로 구성되어 있음을 특징으로 한다.
Patent KR-100196031-B1 (KR)
Inventor: PARK HEONG-JOONG
IPC: B01D39/08
Filed: 1996-10-26
Granted: 1999-06-15
Abstract: 본  발명은  고기능성  여과용  부직포에  관한  것이다. 
     본  발명에  따른  고기능성  여과용  부직포는  폴리에스테르  단사  섬도  3  내지  10  데니어의  단섬유  또는  장섬유로  이루어지고  200  내지  500  g/㎡의  중량을  가지는  후물  부직포층,  500  내지  1500  데니어의  태(太) 데니어로  된  합섬사  부직포층,  해도형  복합  섬유로  된  50 내지  200 g/㎡의  부직포층이  순차적으로  적층되고  니들펀칭  가공된  것을  특징으로  한다. 
     본  발명의  부직포에  의하면  여과후  분진량을  30 ㎎/㎥이하로  관리할  수  있으며,  본  발명의  부직포는  정전기  발생이  적고  형태안정성이  우수하여,  집진기용  필터백은  물론  액체  여과용  등  다양한  고기능성  여과용  부직포로  사용할  수  있는  효과가  있다.
Patent KR-100243925-B1 (KR)
Inventor: AN SEONG JIN
IPC: H04N7/14
Filed: 1996-10-29
Granted: 2000-02-01
Abstract: 본 발명은, 화상전화 시스템에 있어서 가입자 단말기가 온상태로 되어 있는 상태에서 전화가 걸려 온 경우 소정 시간 후 자동적으로 상대방 메시지가 메모리에 저장됨과 더불어 메시지 확인이 될 수 있도록 된 화상전화 시스템에서의 자동 응답방법에 관한 것으로, 영상전화 서비스 기능을 갖는 시스템에 접속된 가입자와 타 가입자간의 화상 전화 통화를 수행하는 방법에 있어서, 타 가입자로부터의 화상 전화신호를 수신하여 처리하는 제1단계(S1)와; 이 제1단계(S1)의 화상 전화신호에 대해 응답여부를 판단하는 제2단계(S2); 이 제2단계(S2)에서의 판단 결과 상기 화상 전화신호에 응답하는 경우 통상 화상 전화 통화 루틴을 수행하는 제3단계(S3) 및; 상기 제2단계(S2)에서의 판단 결과 상기 화상 전화신호에 응답하지 않는 경우 상대방 통화 메시지를 저장수단에 기록하여 저장하는 제4단계(S4)로 이루어진 것을 특징으로 한다.
Patent KR-100208632-B1 (KR)
Inventor: OGAWA SHIGEAKI
IPC: H01L29/732
Filed: 1996-10-30
Granted: 1999-07-15
Abstract: 2단 에피택셜 구조에 의해, 포화 전압이 작은 종형 PNP 트랜지스터와, 기판으로의 누설 전류가 적은 대전류용의 다이오드 소자를 효율적으로 집적화한다.   기판(25) 표면에 N+ 매립층(26)을 형성한다.  기판(25) 상에 제1 및 제2 에피택셜층(44, 45)을 형성한다.  제1 에피택셜층(44) 표면에 형성하는 종형 PNP 트랜지스터(23)의 콜렉터 매립층(31)에서 애노드 매립층(37)을, 콜렉터 도출 영역(32)에서 애노드 도출 영역(38)을, 베이스 컨택트 영역(35)에서 캐소드 컨택트 영역(39)을 각각 형성하고, 주위를 N+ 도출 영역(41) 및 N+ 매립층(26)으로 둘러싼다.
Patent KR-100232512-B1 (KR)
Inventor: AGGARWAL CHARU CHANDRA
IPC: H04H20/76
Filed: 1996-11-05
Granted: 1999-12-01
Abstract: VOD 스케쥴러가 각각의 비디오에 대해 계류 수행을 위한 큐를 유지한다. 큐 선택 인자 개념을 활용하여, 최고 선택 인자에 따라 비디오를 스케쥴하도록 배칭방식이 결정된다. 선택 인자는 판별용 가중치 인자를 각각의 비디오와 관련된 조정된 큐 길이에 가함으로써 획득되는데, 여기서 가중치는 개별 비디오의 인기가 높아짐에 따라 감소되고 큐 길이는 탈퇴를 고려에 넣도록 조정된다.
Patent KR-100203348-B1 (KR)
Inventor: CHEON BYEONG-OK
IPC: H04Q1/18
Filed: 1996-11-26
Granted: 1999-06-15
Abstract: 본 발명은 L버스를 사용하여 가입자정합보드와 가입자제어보드를 정합하기 위한 정합회로에 관한 것으로, 본 회로는 가입자정합보드와 가입자제어보드간에 송수신되는 어드레스 및 데이터를 다중화하고, 기타 제어신호를 전송하기 위한 엘(L)버스, L버스를 통해 가입자 제어보드와 제 1 및 제 2 공유메모리간에 전송되는 데이터 및 어드레스를 바이트 또는 워드단위로 처리하기 위한 버스 트랜시버수단, 버스 트랜시버 수단으로부터 전송되는 어드레스를 상위와 하위로 나누어 래치하여 제 1 및 제 2 공유메모리로 전송하기 위한 래치수단, L버스를 통해 가입자제어보드로부터 전송되는 어드레스 및 데이터를 제외한 제어신호와 래치수단으로부터 제공되는 최하위 어드레스신호를 입력신호로하여 버스 트랜시버수단, 래치수단, 제 1 및 제 2 공유메모리의 동작을 제어하기 위한 제어신호를 제공하는 신호제어부를 포함하도록 구성된다.
Patent KR-100242164-B1 (KR)
Inventor: YUN SANG-YEOL
IPC: H01J9/22
Filed: 1996-11-30
Granted: 2000-02-01
Abstract: 본 발명은, 대전특성이 우수하고 그 대전량의 조절 및 유지가 양호한 음극선관의 건식 전자사진식 스크린 제조용 광전도막도포용액 및 이를 이용한 스크린 제조방법을 제공한다. 
     그 광전도막도포용액은, 도너로서 테트라시아노에틸렌(tetracyanoethylene), 테트라시아노퀴노디메탄(tetracyanoquinodimethane:TCNQ) 및 디페닐피크릴하이드라진(diphenylpicrylhydrazine:DPPH)중에서 적어도 한가지 이상을 2 내지 5중량%와, 어셉터(acceptor)로서 트리니트로 플루오리논(trinitrofluorenone: TNF) 및 에틸 안트라퀴논(ethylanthraquinone: EAQ)중 적어도 한가지 이상을 각각 0.1 내지 1중량%와, 고분자바인더(binder)로서 50%이상의 폴리스티렌(polystyrene: PS) 및 50% 이하의 폴리 알파메틸스티렌(poly(α-methylstyrene: PAMS)의 혼합물을 10-20중량%와, 솔벤트로서 톨루엔 20 내지 85중량%(잔량)을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Patent KR-100195260-B1 (KR)
Inventor: JUN IN-KWUN
IPC: H01L21/336
Filed: 1996-11-30
Granted: 1999-06-15
Abstract: 임베디드 메모리 논리소자의 트랜지스터 제조방법이 개시되어 있다. 이 방법은 셀 어레이 영역 및 논리회로 영역의 소오스/드레인 영역에 N형의 LDD 영역을 형성한 후에, 논리회로 영역의 게이트 패턴 및 LDD 영역에만 샐리사이드 공정을 이용하여 선택적으로 금속 실리사이드막을 형성함으로써, 소자의 동작속도가 저하되는 것을 방지함은 물론, 셀 어레이 영역의 LDD 영역에 이온주입 손상이 가해지는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 소자의 동작속도가 저하되는 것을 방지하면서 셀 어레이 영역의 메모리 셀 특성을 개선시킬 수 있다.
Patent KR-100297439-B1 (KR)
Title: 컴퓨터시스템
IPC: G06F3/0489
Filed: 1996-12-10
Granted: 2002-03-02
Abstract: 조작자는 키보드(1)를 통해 어플리케이션과 입력 데이타를 전환시킨다.  CRT(2,3)의 각각은 입력부에 의해 입력된 데이타 및 어플리케이션을 표시한다.  제어부(11)는 어플리케이션의 처리 및 전환을 실행하며, 키보드(1)로부터의 입력 데이타 및 입력키의 처리를 실행하고, CRT(2,3)상에의 표시 처리를 실행한다.
Patent KR-100225518-B1 (KR)
Inventor: KWON HWAN-WOO
IPC: G06F15/177
Filed: 1996-12-10
Granted: 1999-10-15
Abstract: 분산제어 구조를 갖는 전전자 교환기에서의 프로세서간 통신(IPC) 노드주소 초기화 장치 및 방법에 관한 것으로서, 특히 초기 전원 인가시에는 노드주소 초기화를 위한 IPC 주소 정보를 EPROM의 빈 공간에 할당된 초기 IPC 주소 저장영역에 저장하고, NVSRAM에는 최종적으로 사용할 IPC 주소 정보를 저장하는데, 가장 처음 전원 인가시에는 EPROM의 초기 IPC 주소 저장영역의 IPC 주소 정보가 NVSRAM으로 복사되며, 이후에는 상위 프로세서로부터의 취득 정보에 따라서 NVSRAM의 IPC 주소 정보가 업데이트되어지도록 함으로써, 시스템 구조 변경시나 초기 설치시 각 IPC 노드 주소를 백 보드에서 스트랩으로 일일히 셋팅해야 하는 번거로움이 없고, 또한, 설치 운용자의 IPC 주소 셋팅 오류에 따른 시스템의 오동작을 방지할 수 있으며, 백 보드에서 IPC 주소 셋팅을 위한 스트랩 설치 공간이 필요없으므로 노드 수용의 직접도를 높일 수 있을뿐만 아니라, 이에따른 에지 핀 소요수도 줄어듬으로써, 경제성도 함께 높일 수 있다.
Patent KR-100211941-B1 (KR)
Inventor: PARK SUNG-HO
IPC: H01L21/328
Filed: 1996-12-17
Granted: 1999-08-02
Abstract: 본 발명은 서로 다른 밴드 구조를 갖는 화합물 반도체층으로 구성된 이종접합 쌍극자 소자의 제조공정에 있어서 소자분리 공정시 평탄화를 개선시켜 집적회로 제작시 공정신뢰도를 향상시킬 수 있는, 이종접합 쌍극자 소자의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른, HBT 소자의 제조방법은, 반절연성 화합물반도체 기판위에 완충층, 부컬렉터층, 컬렉터층, 베이스층, 에미터층 및 에미터 캡층이 성장된 이종접합 구조의 HBT 에피 웨이퍼를 사용하여 에미터 전극을 형성하고, 베이스 층의 표면까지 메사식각 후 베이스 전극을 순차적으로 형성하는 공지의 제1과정과, 상기한 컬렉터층을 일부 남긴 상태에서 컬렉터 전극패턴을 정의하고, 잔류 컬렉터층을 제거한 후, 컬렉터 전극을 형성하는 제2과정과, 능동소자 영역 위에 표면의 외각이 돌출된 형태의 감광막을 정의하고, 공지의 방법으로 반절연성 기판까지 습식의 메사식각을 수행하는 제3과정과, 상기 감광막을 마스크층으로 계속 활용하면서, 전자 사이클로트론 공명(ECR) 플라즈마 증착법을 이용하여, 감광막이 손상되지 않은 상온에서 유전체 절연막을 웨이퍼 전면에 도포함으로써, 소자분리 영역과 감광막이 보호하는 능동소자 간의 큰 단차로 인해 유전체막의 단락을 유도하는 제4과정과, 유기용매에 의해 능동소자 영역위의 단락된 유전체 절연막을 제거하여 선택적으로 소자분리 영역에만 유전체 절연막을 매립시키는 제5과정과, 보다 평탄화된 현 상태에서 웨이퍼 전면에 공지의 PECVD 플라즈마를 이용하여 유전체 절연막을 도포하고, 금속접촉창을 정의한 후, 금속배선을 형성하는 제6과정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Patent KR-100203313-B1 (KR)
Inventor: SAKAO MASATO
IPC: H01L21/285
Filed: 1996-12-26
Granted: 1999-06-15
Abstract: DRAM부와 논리 회로부를 합체시킨 반도체 장치를 제조하는 방법에 있어서, 내화 금속층은 DRAM부의 비트 라인(7a), 및 논리 회로부의 게이트 전극(4)와 불순물 확산 영역(5, 9)를 피복하도록 형성된다. 그 다음, 가열 동작은 상기 내화 금속층 상에서 수행되어, 금속 실리사이드층(10a, 10b, 10c)이 DRAM부의 비트 라인, 및 논리 회로부의 게이트 전극과 불순물 확산 영역 내에 형성된다.
Patent KR-100488475-B1 (KR)
Title: 초고주파반도체소자의제조방법
Inventor: KIM SONG KANG
IPC: H01L21/027
Filed: 1996-12-28
Granted: 2005-08-04
Abstract: 본 발명은 lμm 이상의 선폭을 갖는 마스크를 이용하여 0.2μm 이하의 게이트 길이를 갖는 소자를 제작하여 생산성을 향상시킬 수 있는 초고주파 반도체 소자의 제조방법을 제공하는 것으로, 반절연성 화합물 반도체 기판 상의 게이트 예정 영역에 소정 길이의 선폭을 갖는 절연막 패턴을 형성하는 단계; 절연막 패턴 양 측벽과 접하도록 기판 상에 감광막 패턴을 형성하는 단계; 감광막 패턴 사이의 절연막을 식각하여 게이트 예정 영역을 노출시켜 리세스를 형성하는 단계; 및, 리세스에 게이트 물질을 형성하고 리프트 오프하여 게이트 패턴을 형성하는 단계를 포함하고, 절연막 패턴을 형성하는 단계는 기판 상에 소정의 형태로 패터닝된 감광막 패턴을 형성하는 단계; 감광막 패턴이 형성된 기판 전면에 선폭의 두께로 절연막을 형성하는 단계; 감광막 패턴 측벽에만 절연막이 남도록 절연막을 식각하는 단계; 및, 감광막 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Patent KR-100290796-B1 (KR)
Title: Device and method for outputting hydraulic pressure discharge time for learning control of automatic transmission
Inventor: KIM GI JUN
IPC: F16H61/00
Filed: 1996-12-31
Granted: 2001-10-24
Abstract: PURPOSE: A hydraulic pressure discharge time calculating apparatus for learning control of an automatic transmission and a method thereof are provided to enhance shift quality by controlling accurately with detecting fluid discharge time, and to improve reliability by compensating fluid discharge time according to viscosity of fluid. CONSTITUTION: A hydraulic pressure discharge time operating device is composed of an engine RPM(Revolution Per Minute) detecting unit(11) outputting engine RPM; a turbine shaft RPM detecting unit(12) calculating the engine RPM; an output shaft RPM detecting unit(13) outputting travel speed of a vehicle; a throttle valve opening degree detecting unit(14) outputting the opening degree of the throttle valve; a fluid temperature detecting unit(15) outputting temperature of fluid in an automatic transmission; a transmission control unit(2) deciding traveling state of the vehicle and shifting and fluid temperature according to signals; and a timer(31) counting fluid discharge time of frictional factors according to the control signal, and deciding the fluid discharge time. The transmission control unit calculates pressure discharge time in releasing frictional factors according to temperature ranges and stores in a memory in power-on downshifting, and performs learning control by the calculated hydraulic discharge time. Shifting is controlled accurately with measuring the fluid discharge time according to frictional factors, and the life span is extended with reducing shift shock. The fluid discharge time is compensated according to viscosity of fluid with checking fluid discharge time at temperature ranges.
Patent KR-100424544-B1 (KR)
Title: 극성-치환된탄화수소
IPC: C07D487/08
Filed: 1994-09-12
Granted: 2004-07-22
Abstract: 본 발명은 생체내에서 불안정한 용해성 그룹을 포함하는 일반식(I)의 관련된 프로드러그를 포함하는 일반식 (I) : 2-(A)n-B-(A * )m-V (여기에서, W, A, B, A * , V, n 및 m은 본 명세서에서 정의된 바와같다)의 레트로비루스 억제자에 관한 것이다.
Patent KR-100237522-B1 (KR)
Title: Improved lotion composition for treating tissue paper
Inventor: KLOFTA THOMAS JAMES
IPC: A61Q19/10
Filed: 1995-05-23
Granted: 2000-04-01
Abstract: A lotion composition for imparting a soft, lubricious, lotion-like feel when applied to tissue paper in amounts as low as from about 5 to about 15% by weight, and tissue paper treated with such lotion compositions are disclosed. The lotion composition comprises plastic or fluid emollient such as petrolatum, or a mixture of petrolatum with alkyl ethoxylate emollient, an immobilizing agent such as a fatty alcohol or fatty acid to immobilize the emollient on the surface of the tissue paper web and optionally a hydrophilic surfactant to improve wettability when applied to toilet tissue. Because less lotion is required to impart the desired soft, lotion-like feel benefits, detrimental effects on the tensile strength and caliper of the lotioned paper are minimized or avoided.
Patent KR-100452077-B1 (KR)
Title: 방향족니트릴의제조방법
IPC: C07C281/18
Filed: 1997-02-14
Granted: 2004-11-16
Abstract: 본 발명은 화학식 3, 4, 5의 3급 아민 염기의 존재 하에 100 내지 160℃의 온도에서 하기 화학식 2의 알데히드와 히드록실아미노술페이트를 반응시키면서, 0.02 내지 1.5 바의 압력에서 반응과 더불어 방출되는 물을 증류시키고, 이어서, 암모늄염을 제거하고, 이렇게 얻은 니트릴을 통상적인 방법으로 단리하는 것으로 이루어진 화학식 1의 니트릴의 제조 방법에 관한 것이다. 
     
       
         
       
     
     
       
         
       
     
     
       
         
       
     
     
       
         
       
     
     
       
         
       
     
     상기 식 중, X는 CH 또는 N이고, 
     R 1 및 R 2 는 각각 서로 독립적으로 수소, 클로로, 브로모, C 1 -C 6 알킬, C 1 -C 6 알콕시, C 1 -C 6 알킬아미노, CN, 페닐, 페녹시, 디메틸아미노, 피페리딜, 모르폴리닐 또는 피롤리딜이거나, 또는 R 1 및 R 2 가 함께 융합되어 벤젠 고리를 형성하고, 
     R 3 및 R 4 는 각각 서로 독립적으로 수소, 메틸 또는 에틸이고, 
     R 5 는 분지된 C 3 -C 5 알킬 또는 페닐이고, 
     R 6 및 R 7 은 메틸 또는 에틸이다.
Patent KR-100226780-B1 (KR)
Inventor: CHO WON-JU
IPC: H01L27/108
Filed: 1997-02-27
Granted: 1999-10-15
Abstract: 본 발명은 반도체 메모리 소자에 관한 것으로, 특히 고집적 반도체 소자에 적합한 대용량 커패시터 및 고집적도 메모리에 적합하도록 한 디램 셀 제조방법에 관한 것으로 반도체 기판에 상부전극으로 사용하는 매몰층을 형성하는 공정과, 상기 기판상에 복수개의 필드 산화막을 형성하는는 공정과, 상기 기판 전면에 비정질 실리콘층을 형성하고, 열처리 하여 비정질 실리콘층을 결정화 시키는 공정과, 상기 비정질 실리콘층상의 상기 필드 산화막 사이에 두개의 게이트 전극을 형성하는 공정과, 상기 게이트 전극 측면에 절연층 측벽을 형성하는 공정과, 상기 절연층 측벽을 마스크로 하여 불순물 이온주입을 통해 소오스/드레인 영역을 형성하는 공정과, 포토리소그래피 공정을 이용하여 상기 필드 산화막이 노출되도록 상기 비정질 실리콘을 식각하는 공정과, 상기 필드 산화막을 습식식각을 통해 제거하여 홀을 형성하는 공정과, 상기 홀 내부에 유전체막과 하부전극을 형성하고 홀 내부를 제 1 절연층으로 매립하여 커패시터를 형성하는 공정과, 폴리 실리콘층을 이용하여 상기 커패시터의 하부전극과 소오스 영역을 연결하는 공정과, 상기 게이트 전극을 포함한 전면에 평탄화용 제 2 절연층을 형성하는 공정과, 상기 드레인 영역 상측의 제 2 절연층을 식각하여 비트라인 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 비트라인 콘택상을 포함한 평탄화용 절연층상에 비트라인을 형성하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
Patent KR-100244043-B1 (KR)
Inventor: NISIDA SINIGI
IPC: H01L29/786
Filed: 1997-04-15
Granted: 2000-02-01
Abstract: 복수개의 주사버스선 (GL i ), 복수개의 신호버스선 (DL j ), 복수개의 화소전극 (E ij ),  한 개의 주사버스선에 접속된 게이트, 한 개의 신호버스선에 접속된 드레인 및 한 개의 화소전극에 접속된 소오스를 갖는 복수개의 제 1 박막 트랜지스터 (Q ij ), 및 광이 한 개의  제 1 박막 트랜지스터로  입사하는 것을 방지하는 복수개의 차광층 (OP) 을 포함하는 능동 매트릭스형 액정 디스플레이 장치에 있어서,  복수개의 제 2 박막 트랜지스터 (Q ij ') 가  설치된다.     각각의  제 2 박막 트랜지스터는  한 개의 주사버스선에 접속된 게이트, 한 개의 신호버스선에 접속된 드레인 및 한 개의 차광층에 접속된 소오스를 갖는다.
Patent KR-100200883-B1 (KR)
Inventor: CHOI YONG-HO
IPC: F04B39/00
Filed: 1997-04-22
Granted: 1999-06-15
Abstract: 본 발명은 밀폐형압축기에 관한 것으로, 본 발명의 밀폐형압축기는 오일이 저장된 밀폐용기와 이 밀폐용기 내부로 흡입되는 냉매의 흡입소음을 차폐하여 안내하는 흡입머플러를 구비하고, 냉매를 흡입머플러로 안내하는 흡입관과 흡입관과 흡입머플러사이에 설치되어 흡입머플러의 진동을 완충하며 흡입된 냉매를 흡입머플러로 안내하는 안내유로를 갖춘 관상의 탄성부재를 구비하며, 이 탄성부재의 안내유로에는 밀폐용기 내부와 안내유로를 구획하여 밀폐용기 내부의 혼합기체가 안내유로상으로 유입되는 것을 차단하는 차단관이 설치되어 냉매의 압축효율을 향상시킬 수 있도록 한 것이다.
Patent KR-100229440-B1 (KR)
Inventor: PARK CHANG-SIEK
IPC: A01N33/08
Filed: 1997-05-16
Granted: 1999-11-01
Abstract: 본 발명은 살균 활성이 강력하고 독성이 낮으며 약효의 지속성이 개선된 하기 일반식 (I)의 플루오르비닐기를 갖는 신규의 프로페노익 에스테르 및 아미드 유도체 및 이를 함유하는 살균제 조성물에 관한 것이다. 
     [화학식 1] 
     
       
     
     (상기식에서, X는 CH 또는 N을 나타내고, Y는 O 또는 S를 나타내고, Z는 O 또는 NH를 나타내며, R은 수소, 탄소수 1-4 개의 알킬 또는 알콕시, 페녹시, 할로겐으로 치환된 페닐 또는 나프틸기를 나타낸다.)
Patent KR-100192251-B1 (KR)
Inventor: LEE KAM-GYU
IPC: F04C29/00
Filed: 1997-05-22
Granted: 1999-06-15
Abstract: 본 발명은 압축기의 이상상태 감지시스템에 관한 것으로서, 압축기의 동작시 발생되는 음향방출신호를 감지 이 감지값에 따라 압축기의 이상상태를 정확하게 알아내도록 하여 압축기가 장착된 기기를 소비자가 사용하는 과정에서 상기 압축기의 이상에 따른 고장이 일어나지 않도록 함에 따라 기기의 신뢰성이 크게 향상되도록 한 것이다. 
     이를 위해 본 발명은 조립 완료되어 동작상태인 압축기에 일정시간 동안 부착되면서 상기 압축기의 동작에 따라 발생되는 음향방출신호를 감지하는 음향방출신호 감지센서와, 상기 음향방출신호 감지센서에 의해 감지된 음향방출신호의 감지값과 기 입력되어 있는 기준값을 비교하는 비교기와, 상기 비교기에 의해 감지값을 기준값과 비교할 때 감지값이 기준값 범위내에 들어있지 않을 경우 이를 작업자에게 알려주는 표시기로 구성하여서 된 것이다.
Patent KR-100264201-B1 (KR)
Title: Method of fabricating semiconductor device
Inventor: LEE CHANG-JAE
IPC: H01L21/28
Filed: 1997-05-31
Granted: 2000-09-01
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing semiconductor devices is provided to prevent generation of cracks in a barrier layer upon a high temperature process. CONSTITUTION: A method for manufacturing semiconductor devices forms a field oxide film(33) at a given portion of the surface of P type semiconductor substrate(31). The surface of the semiconductor substrate(31) is thermally oxidized to form a gate oxide film(35). Tungsten(W) of 1000-2000 angstrom in thickness is deposited on the top of the field oxide film(33) and the gate oxide film(33). A WSixBy film of 300-700 angstrom in thickness is deposited and the WSixBy film is then patterned by photolighography process to form a gate(37) and the first barrier layer(39). The second barrier layer(41) in which a WSixNy film has the sidewall shape same to the first barrier layer(39) is formed at the sidewall of the gate(37) and the first barrier layer(39). A sidewall is formed to cover the second barrier layer(41).
Patent KR-100237123-B1 (KR)
Inventor: LAI LONG-LI
IPC: C08F212/08
Filed: 1997-06-04
Granted: 2000-01-15
Abstract: 본 발명은 알칼리성 알코올 용액에 폴리히드록시스티렌을 첨가하여 균일 폴리히드록시스티렌 용액을 형성하고, 이 폴리히드록시스티렌 용액을 에스테르와 반응시켜 폴리히드록시스티렌 유도체를 얻는 것을 포함하는 폴리히드록시스티렌 유도체의 제조 방법을 제공한다. 수득한 폴리히드록시스티렌 유도체는 포토레지스트의 수지 성분으로서 사용하기에 적합하다.
Patent KR-100204752-B1 (KR)
Inventor: CHOI DNEK-HO
IPC: B60H1/32
Filed: 1997-07-23
Granted: 1999-06-15
Abstract: 본 발명은 대형차량용 에어컨의 안정화방법을 개시한다. 본 발명은, 증발기 출구측의 냉매가스 압력과 압축기 입구측의 냉매가스 압력을 검출하는 제 1 단계와, 상기 검출된 증발기 출구측과 압축기 입구측 냉매가스의 압력 차이값을 산출하는 제 2 단계와, 상기 산출된 압력 차이값을 기설정된 기준 압력값과 비교하는 제 3 단계와, 상기 압력 차이값이 기설정된 기준 압력값보다 크면 밸브를 개방시켜 압축기에 의해 압축된 고온·고압의 냉매가스를 증발기의 출구측으로 공급하는 제 4 단계와, 상기 압력 차이값이 기설정된 기준 압력값보다 작으면 제 2 밸브가 개방 상태인가를 판단하는 제 5 단계와, 상기 제 2 밸브의 개방 상태에서 증발기 출구측과 압축기 입구측 냉매가스의 압력 차이값이 0 이 되는가를 판단하는 제 6 단계와, 상기 증발기 출구측과 압축기 입구측 냉매가스의 압력 차이값이 0 이 되면 상기 밸브를 폐쇄시키고 상기 제 1 단계로 복귀시키는 제 7 단계를 포함한다. 따라서 냉각시스템의 불안정 및 압축기의 손상을 방지할 수 있게 된다.