Patent DE-102010007769-B4 (DE)
Title: Waferbearbeitungsverfahren
Inventor: KOZAI HIROHIKO
IPC: H01L21/301
Filed: 2010-02-12
Granted: 2023-12-07
Abstract: Waferbearbeitungsverfahren zum Teilen eines Wafers (11) in mehrere einzelne Bauelemente (15) entlang mehrerer an der Vorderseite (11a) des Wafers (11) ausgebildeter Straßen (13), wobei der Wafer (11) einen Bauelementbereich (17), in dem die einzelnen Bauelemente (15) ausgebildet sind, und einen Umfangsrandbereich (19), der den Bauelementbaubereich (17) umgibt, aufweist und das Waferbearbeitungsverfahren umfasst:einen Waferschleifschritt zum Schleifen der Rückseite (11b) des Wafers (11) in einem Bereich, der dem Bauelementbereich (17) entspricht, um dadurch die Dicke des Bauelementbereichs (17) auf eine vorgegebene Dicke zu verringern zum Bilden einer kreisförmigen Aussparung (24) und gleichzeitig einen ringförmigen Verstärkungsabschnitt (26) an der Rückseite (11b) des Wafers (11) in einem Bereich auszubilden, der dem Umfangsrandbereich (19) entspricht, wobei der ringförmige Verstärkungsabschnitt (26) die kreisförmige Aussparung (24) umgibt;einen Waferanbringschritt zum Anbringen der Rückseite (11b) des Wafers (11) an einen Mittelabschnitt eines Zerteilungsbands (34), dessen äußerer Umfangsabschnitt an einem ringförmigen Zerteilungsrahmen (36) gehalten wird, nach dem Durchführen des Waferschleifschritts;einen Waferhalteschritt zum Halten des Wafers (11) an einem Einspanntisch (40), der einen Bauelementbereich-Halteabschnitt zum Halten der Rückseite des Bauelementbereichs (17) unter Ansaugen und einen Halteabschnitt für den ringförmigen Verstärkungsabschnitt (26) zum Halten des ringförmigen Verstärkungsabschnitts (26) aufweist, nach dem Durchführen des Waferanbringschritts, wobei der Einspanntisch (40) eine aus Metall ausgebildete Halteplatte (46) mit einer kreisförmigen Aussparung (48) und einem Ansaugdurchlass (50) aufweist und ein scheibenförmiges poröses Element (52) in die kreisförmige Aussparung (48) der Halteplatte (46) eingepasst ist, wobei eine obere Oberfläche des scheibenförmigen porösen Elements (50) in einer höheren Ebene liegt als eine obere Oberfläche der Halteplatte (46),wobei eine untere Oberfläche des ringförmigen Verstärkungsabschnitts (26) des Wafers (11) durch das Zerteilungsband (34) an der Halteplatte (46) gehalten wird und die innere Oberfläche der kreisförmigen Aussparung (24) unter Ansaugen durch das Zerteilungsband (34) an dem porösen Element (52) gehalten wird;einen Waferteilungsschritt zum Schneiden des Wafers (11) entlang jeder Straße (13) durch Verwenden einer Schneidklinge, um den Bauelementbereich (17) in die einzelnen Bauelemente (15) zu teilen, nach dem Waferhalteschritt;einen Entfernungsschritt für den ringförmigen Verstärkungsabschnitt (26) zum Schneiden des Wafers (11) entlang der Grenze zwischen dem Bauelementbereich (17) und dem Umfangsrandbereich (19) durch Verwenden der Schneidklinge, während der Einspanntisch (40) gedreht wird, nach dem Durchführen des Waferteilungsschritts, wodurch der ringförmige Verstärkungsabschnitt (26) von dem Wafer (11) entfernt wird; undeinen Aufnahmeschritt zum Aufnehmen jedes Bauelements (15) von dem Zerteilungsband (34) nach dem Durchführen des Entfernungsschritts für den ringförmigen Verstärkungsabschnitt (26).