baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent DE-112011103249-B4 (DE)
Title: Halbleitereinheit mit Gate-Stapel und ein Verfahren zu deren Herstellung sowie die Verwendung einer Gate-Stapel-Struktur in einer Halbleitereinheit
Inventor: FOMPEYRINE JEAN
IPC: H01L21/28
Filed: 2011-09-22
Granted: 2014-01-23
Abstract: Halbleitereinheit, aufweisend eine Gate-Stapel-Struktur (1), wobei die Gate-Stapel-Struktur (1) aufweist: wenigstens ein Substrat (10), das einen Halbleiter aufweist, der mit n-Typ-Trägern wesentlich dotiert ist; wenigstens eine auf dem Substrat (10) gebildete Passivierungsschicht (12), die Silicium aufweist, und wenigstens eine auf der Passivierungsschicht (12) gebildete Isolatorschicht (13), wobei die Gate-Stapel-Struktur (1) ferner aufweist: wenigstens einen Zwischenschicht-Dotierstoff, der zwischen dem Substrat (10) und der Passivierungsschicht (12) bereitgestellt ist, wobei der Zwischenschicht-Dotierstoff einen n-Typ-Dotierstoff (11) aufweist, der ausgewählt ist, um das Steuern einer Schwellenspannung zu ermöglichen, die an die Gate-Stapel-Struktur (1) anwendbar ist, wenn die Halbleitereinheit in Verwendung steht.
Patent DE-112012000136-B4 (DE)
Title: Mangan-Kupfer-Shunt gegen elektromagnetische Wechselfelder
Inventor: ZHU YONGHU
IPC: G01R11/02
Filed: 2012-07-09
Granted: 2019-02-21
Abstract: Shunt gegen elektromagnetische Wechselfelder, umfassend als Hauptelemente- einen Mangan-Kupfer-Widerstandskörper,- zwei beidseitig des Mangan-Kupfer-Widerstandskörpers angeordnete und jeweils mit diesem verbundene Anschlusskörper,- zwei beidseitig des Mangan-Kupfer-Widerstandskörpers jeweils an einem Anschlusskörper angeordnete Abtastpunkte,- zwei jeweils mit einem der beiden Abtastpunkte verbundene Abtastleiter,- einen sich an einem der Anschlusskörper befindlichen Referenzpunkt,- einen mit dem Referenzpunkt verbundenen Referenzleiter, dadurch gekennzeichnet, dass einer der Abtastleiter den Mangan-Kupfer-Widerstandskörper überquert und dann mit dem anderen Abtastleiter eine Verdrillung bildet und sich damit erstreckt, wobei der Mangan-Kupfer-Widerstandskörper durch den ersten Abtastleiter in zwei Abschnitte gleicher Fläche aufgeteilt ist.
Patent DE-112012004420-B4 (DE)
Title: Verfahren zum Herstellen einer Elektrode einer Zündkerze und Zündkerzen-Herstellungsverfahren
Inventor: MA SHUWEI
IPC: C22C5/04
Filed: 2012-10-24
Granted: 2018-03-29
Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Elektrode (12, 18, 30, 32, 40, 42, 50, 60, 62, 70) einer Zündkerze, mit den Schritten: (a) Bereitstellen eines inneren Kerns (72) aus einer Ruthenium-basierten (Ru-basierten) Legierung; (b) Bereitstellen eines äußeren Mantels (74) über wenigstens einem Abschnitt des inneren Kerns (72), um eine Kern- und Mantel-Anordnung (70) zu erzeugen, wobei der äußere Mantel Platin (Pt), Gold (Au), Silber (Ag) oder Nickel (Ni) aufweist oder eine Legierung aus Pt, eine Legierung aus Au, eine Legierung aus Ag oder eine Legierung aus Ni aufweist; (c) Erhöhung der Temperatur der Kern- und Mantel-Anordnung (70) auf eine Temperatur, die größer ist als 1.000°C; und (d) Warmverformen der Kern- und Mantel-Anordnung (70) bei der erhöhten Temperatur in einen länglichen Draht, wobei sowohl der innere Kern (72) als auch der äußere Mantel (74) während des Warmverformungsprozesses gelängt werden, wobei der Schritt (a) beinhaltet, den inneren Kern (72) über einen pulvermetallurgischen Prozess bereitzustellen, wobei der pulvermetallurgische Prozess ein Sintern einer Pulvermischung in einem Bereich zwischen 1.350°C und 1600°C beinhaltet.
Patent DE-112012005215-B4 (DE)
Title: Werkzeug für Reifendrucküberwachungssystem (TPMS) mit Kompensation von Absolutdruck und Temperatur
Inventor: MOUCHET JACQUES
IPC: B60C23/04
Filed: 2012-11-28
Granted: 2020-09-10
Abstract: Werkzeug (10,12) für ein Reifendrucküberwachungssystem (TPMS), aufweisend:ein in der Hand gehaltenes, tragbares Gehäuse (14) mit gegenüberliegenden Seiten und Enden, die eine vordere Fläche festlegen;eine Stromquelle, einen programmierbaren Prozessor (80),eine Datenspeichervorrichtung (86) und mindestens eine Antenne (50), die angepasst ist, mindestens Reifenluftdruckdaten von einem an einen Fahrzeugreifen angeschlossenen TPMS-Sensor drahtlos zu empfangen; undeinen Anzeigebildschirm mit einer grafischen Benutzeroberfläche dadurch gekennzeichnet, dass das Werkzeug (10,12) ferner eine verschließbare Kapsel einer Aufnahmevorrichtung (500, 550) für die gezielte, haltende Aufnahme eines programmierbaren TPMS-Sensors aufweist, wobei die Aufnahmevorrichtung (500, 550) einen inneren Hohlraum in gezielter elektronischer Kommunikation mit dem Werkzeug (10,12) festlegt und einen Port (120, 150, 170, 540) für die gezielte Aufnahme von unter Druck stehender Luft in den inneren Hohlraum der Aufnahmevorrichtung (500, 550) besitzt.
Patent DE-112012006045-B4 (DE)
Title: Analog-Wandler und speicher-programmierbares Steuerungssystem
Inventor: KUBOTA YOSHIYUKI
IPC: H03M1/12
Filed: 2012-05-11
Granted: 2016-01-28
Abstract: Ein eine speicher-programmierbare Steuerung bildender und eine analog-digital Wandlung durch Verwendung von Offset/Verstärkungs-Werten (401) ausführender Analog-Wandler (30), wobei der Analog-Wandler (30) umfasst: eine Offset/Verstärkungs-Wert-Speichereinheit (321), welche aus einem nichtflüchtigen Speicher (32) gebildet wird und darauf die Offset/Verstärkungs-Werten (401) speichert; eine Operationseinheit (31), welche analog-digital Wandlung durch Verwendung der Offset/Verstärkungs-Werte (401) auf der Offset/Verstärkungs-Wert-Speichereinheit (321) als Werte für eine Interpolations-Operation ausführt; und eine Vorherige-Offset/Verstärkungs-Wert-Speichereinheit (322), welche aus einem nichtflüchtigen Speicher (32) gebildet wird und darauf die in der Vergangenheit verwendeten Offset/Verstärkungs-Werte (401) auf der Offset/Verstärkungs-Wert-Speichereinheit (321) als vorherige Offset/Verstärkungs-Werte (402) speichert, wobei die Operationseinheit (31) eine Offset/Verstärkungs-Wert-Einstelleinheit (311) umfasst, welche ein Einstellen der Offset/Verstärkungs-Werte (401) auf der Offset/Verstärkungs-Wert-Speichereinheit (321) und ein Speichern der vorherigen Offset/Verstärkungs-Werte (402) auf der Vorherige-Offset/Verstärkungs-Wert-Speichereinheit (322) steuert.
Patent DE-112013005788-B4 (DE)
Title: Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Fertigung
Inventor: KAGATA YUMA
IPC: H01L29/861
Filed: 2013-11-26
Granted: 2019-02-07
Abstract: Halbleitervorrichtung mit:
 - einem Halbleitersubstrat (3) eines ersten Leitfähigkeitstyps mit einer Frontoberfläche und einer Rückoberfläche;
 - einer Super-Junction-Struktur (4) mit einer Wiederholungsstruktur, in der Säulen ersten Leitfähigkeitstyps (4b) und Säulen zweiten Leitfähigkeitstyps (4a) parallel zu einer Oberfläche des Halbleitersubstrats wiederholt angeordnet sind, auf der Frontoberflächenseite des Halbleitersubstrats;
 - einer Halbleiterschicht (5), die auf der Super-Junction-Struktur in einem Zellbereich (1) und einem Außenumfangsbereich (2) gebildet ist, in der Annahme, dass eine Außenumfangsseite des Halbleitersubstrats der Außenumfangsbereich ist und eine Innenseite des Außenumfangsbereichs der Zellbereich ist, in dem ein vertikales Halbleiterelement gebildet ist;
 - einer Schicht hoher Störstellenkonzentration (10) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, die in der Halbleiterschicht auf der Super-Junction-Struktur im Zellbereich gebildet ist und eine höhere Störstellenkonzentration als die Halbleiterschicht aufweist;
 - einer Frontoberflächenelektrode (12), die gebildet ist, um aus dem Zellbereich in den Außenumfangsbereich einzutreten, und in Kontakt mit der Schicht hoher Störstellenkonzentration gebildet ist;
 - einer Rückoberflächenelektrode (13), die elektrisch mit der Rückoberflächenseite des Halbleitersubstrats verbunden ist; und
 - einer tiefen Schicht (18) des zweiten Leitfähigkeitstyps mit einer höheren Störstellenkonzentration als die Super-Junction-Struktur, die von einer Position mit einer vorbestimmten Tiefe von der Oberfläche der Halbleiterschicht gebildet ist, in Kontakt mit der Schicht hoher Störstellenkonzentration kommt und in Kontakt mit der Super-Junction-Struktur kommt und gebildet ist, um sich mit einem Abschnitt zwischen einem ersten Ende (P1) eines Abschnitts der Frontoberflächenelektrode, der in Kontakt mit der Schicht hoher Störstellenkonzentration auf der äußersten Außenumfangsseite kommt, und einem Ende der Schicht hoher Störstellenkonzentration auf der Außenumfangsseite, aus einer Substratnormalenrichtung betrachtet, zu überlappen.
Patent DE-112013006419-B4 (DE)
Title: Verfahren zum Unterbringen von Zweidrahtbauelementen in einem Gehäuse, Verfahren zum Unterbringen von Zweidrahtleuchtdioden(LED)-Bauelementen in einem Gehäuse und Zweidraht(LED)-Gehäuseanordnung
Inventor: BILENKO YURI
IPC: H01L33/62
Filed: 2013-10-22
Granted: 2023-07-27
Abstract: Verfahren zum Unterbringen von Zweidrahtbauelementen in einem Gehäuse, wobei das Verfahren umfasst:Strukturieren eines Metallblechs (40) dergestalt, dass es eine Vielzahl von Öffnungen (42, 44) aufweist, die sich durch das Metallblech (40) erstrecken, wobei die Vielzahl von Öffnungen beinhaltet:einen ersten Satz von Öffnungen (42), wobei jede Öffnung (42) des ersten Satzes von Öffnungen eine Breite (d1) aufweist, die gleich groß ist wie ein Sollabstand zwischen einer ersten Elektrode zu einem ersten Kontakt (32) und einer zweiten Elektrode zu einem zweiten Kontakt (34) von jedem einer Vielzahl von Zweidrahtbauelementen (10A, 10B), die sich auf einem Wafer (60) befinden; undeinen zweiten Satz von Öffnungen (44), wobei jede Öffnung (44) des zweiten Satzes von Öffnungen eine Breite (d2) aufweist, die gleich groß ist wie ein Sollabstand zwischen der ersten Elektrode zu dem ersten Kontakt (32) oder der zweiten Elektrode zu dem zweiten Kontakt (34) eines ersten Zweidrahtbauelements (10A) der Vielzahl von Zweidrahtbauelementen und einer benachbarten Elektrode zu einem benachbarten Kontakt eines zweiten Zweidrahtbauelements (10B) der Vielzahl von Zweidrahtbauelementen, welches sich auf dem Wafer (60) benachbart zu dem ersten Zweidrahtbauelement (10A) befindet;Bonden der Vielzahl von Zweidrahtbauelementen, die sich auf dem Wafer (60) befinden, an das Metallblech (40), wobei sich das erste Zweidrahtbauelement (10A) über einer ersten Öffnung (42) in dem ersten Satz von Öffnungen befindet, sodass der erste Kontakt (32) und der zweite Kontakt (34) des ersten Zweidrahtbauelements (10A) direkt an das Metallblech (40) auf gegenüberliegenden Seiten der ersten Öffnung (42) gebondet werden und wobei der erste Kontakt (32) oder der zweite Kontakt (34) des ersten Zweidrahtbauelements (10A) und ein benachbarter Kontakt des zweiten Zweidrahtbauelements (10B) direkt an das Metallblech (40) auf gegenüberliegenden Seiten einer zweiten Öffnung (44) in dem zweiten Satz von Öffnungen gebondet werden; undSchneiden des Metallblechs (40) und des Wafers (60) um jedes der Vielzahl von Zweidrahtbauelementen (10A, 10B) nach dem Bonden, wobei das gebondete Metallblech (40) jeweils die erste Elektrode zu dem ersten Kontakt (32) von jedem der Vielzahl von Zweidrahtbauelementen (10A, 10B) und die zweite Elektrode zu dem zweiten Kontakt (34) von jedem der Vielzahl von Zweidrahtbauelementen (10A, 10B) bildet.
Patent DE-112014003203-B4 (DE)
Title: Halbleitereinheit und Verfahren zur Herstellung derselben
Inventor: YAMAZAKI KOJI
IPC: H01L21/60
Filed: 2014-03-27
Granted: 2019-08-01
Abstract: Halbleitereinheit (30), bei der ein Halbleiterelement (9) an eine Montageplatte oder eine Leiterplatte (12) gebondet ist, wobei die Halbleitereinheit (30) Folgendes aufweist:- eine Legierungsschicht (13), die sandwichartig zwischen einer ersten Ag-Schicht (4), die auf der Montageplatte (12) ausgebildet ist, und einer zweiten Ag-Schicht (10) eingefügt ist, die auf dem Halbleiterelement (9) ausgebildet ist; wobei die Legierungsschicht (13) eine intermetallische Verbindung aus Ag3Sn enthält, die durch Ag-Komponenten der ersten Ag-Schicht (4) und der zweiten Ag-Schicht (10) sowie Sn gebildet ist, und eine Vielzahl von Drähten (5), die Ag enthält, so angeordnet ist, dass sie sich von einem nach außen gewandten Randbereich der Legierungsschicht (13) aus erstrecken.
Patent DE-112014003563-B4 (DE)
Title: Vorrichtung und Verfahren zur Gestenbestimmung, Gestenbedienungsvorrichtung, Programm und Aufzeichnungsmedium
Inventor: NAKAMURA Yudai
IPC: G06T7/20
Filed: 2014-04-10
Granted: 2023-10-05
Abstract: Gestenbestimmungsvorrichtung, die Folgendes aufweist:eine Handregionserkennungseinheit (12) zum Erkennen einer Handregion eines Bedieners, die eine Handflächenmitte und eine Handgelenkmitte beinhaltet, aus einem erfassten Bild und Ausgeben von Handregionsinformationen, die die erkannte Handregion angeben;eine Koordinatensystemeinstelleinheit (13) zum Einstellen einer Ursprungskoordinate eines Handkoordinatensystems und wenigstens einer Koordinatenachse des genannten Handkoordinatensystems von einer Position eines besonderen Teils einer Hand des Bedieners auf Basis der genannten Handregionsinformationen;eine Bewegungsmerkmalsgrößenberechnungseinheit (15) zum Berechnen einer Bewegungsmerkmalsgröße der Hand des Bedieners auf Basis von Änderungen des genannten Handkoordinatensystems undeine Gestenbestimmungseinheit (16) zum Bestimmen eines Gestentyps und Berechnen einer Gestenmerkmalsgröße aus der Bewegungsmerkmalsgröße der Hand; wobei:die genannte Koordinatensystemeinstelleinheit (13) die Handflächemitte und einen Handflächenradius anhand der Handregionsinformationen berechnet,einen Suchpfad von der Handflächenmitte und dem Handflächenradius bestimmt und eine Position der Handgelenkmitte der Hand des Bedieners auf Basis des Suchpfads bestimmt,die Handflächenmitte als einen Ursprung des genannten Handkoordinantensystems bestimmt undeine Richtung, die einen vorbestimmten Winkel von einem Vektor bildet, der von der Position der Handgelenkmitte zur Handflächenmitte gerichtet ist, als eine Richtung der genannten wenigstens einen Koordinatenachse des genannten Handkoordinatensystems bestimmt.
Patent DE-112015002567-B4 (DE)
Title: Hybridmassenspektrometer
Inventor: GILES KEVIN
IPC: H01J49/00
Filed: 2015-05-29
Granted: 2023-09-07
Abstract: Verfahren zur Massenspektrometrie, welches Folgendes umfasst:zeitliches Trennen von Ionen in einer ersten Vorrichtung (3, 4, 5),Massenanalysieren der Ionen oder von den Ionen abgeleiteter Produkt- oder Fragmentionen in einem Massenanalysator (8), der sich hinter der ersten Vorrichtung (3, 4, 5) befindet,Erhalten eines ersten Satzes von Driftzeiten für die Ionen durch die erste Vorrichtung (3, 4, 5) durch Messen von lonenankunftszeiten an dem Massenanalysator (8),Bestimmen der Durchgangszeiten (TTR2, Tα. TTR3, TFO) der Ionen und/oder der Produkt- oder Fragmentionen durch eine Mehrzahl von Zwischengebieten (6, 10) und/oder eine Mehrzahl von Zwischenvorrichtungen (7, 9), die sich zwischen der ersten Vorrichtung (3, 4, 5) und dem Massenanalysator (8) befinden,Erhalten eines zweiten Satzes von Driftzeiten für die Ionen durch die erste Vorrichtung (3, 4, 5) durch Korrigieren des ersten Satzes von Driftzeiten, um die bestimmten Durchgangszeiten (TTR2, Tα. TTR3, TFO) zu berücksichtigen, undzeitliches Steuern des Betriebs einer Vorrichtung, die sich zwischen der ersten Vorrichtung (3, 4, 5) und dem Massenanalysator (8) befindet, auf der Grundlage der bestimmten Durchgangszeiten (TTR2, Tα. TTR3, TFO) durch stromaufwärts zur Vorrichtung gelegene Zwischengebiete (6, 10) und/oder Zwischenvorrichtungen (7, 9),wobei die erste Vorrichtung (3, 4, 5) auf einem höheren Druck gehalten wird als der Massenanalysator (8) und die Mehrzahl von Zwischengebieten (6, 10) und/oder die Mehrzahl von Zwischenvorrichtungen (7, 9) bei einem Zwischendruck zwischen jenem der ersten Vorrichtung (3, 4, 5) und des Massenanalysators (8) gehalten wird.
Patent DE-112016006788-B4 (DE)
Title: Integrierte Halbleiterschaltung, Sensor-Lesevorrichtung sowie Sensor-Auslese-Verfahren
Inventor: OGOMI TOMOKAZU
IPC: H03F3/45
Filed: 2016-04-25
Granted: 2023-12-21
Abstract: Integrierte Halbleiterschaltung, die Folgendes aufweist:- eine Mehrzahl von ersten Verstärkern (111-1 - 111-n, 311, 411, 511), wobei jeder erste Verstärker der Mehrzahl von ersten Verstärkern ein Sensorsignal verstärkt, das von einem entsprechenden Sensorelement einer Mehrzahl von Sensorelementen eingegeben wird;- eine Mehrzahl von ersten Schaltern (112-1 - 112-n), wobei jeder erste Schalter der Mehrzahl von ersten Schaltern mit einem Ausgang des ersten Verstärkers (111-1 - 111-n, 311, 411, 511) verbunden ist, um ein Umschalten zwischen einem Leiten und einem Sperren des Ausgangs durchzuführen;- einen zweiten Schalter (114), um ein Umschalten eines Sensorverstärkungssignals durchzuführen, das über den ersten Schalter (112-1 - 112-n) von dem ersten Verstärker (111-1 - 111-n, 311, 411, 511) ausgegeben wird, wobei das Umschalten des zweiten Schalters (114) zwischen einem Schließen, um zu einem externen Ausgangsanschluss (131, 231, 331, 431) zu leiten, und einem Öffnen erfolgt, um diesen zu sperren; und- eine Steuerschaltung (115), um zu veranlassen:- wenn der zweite Schalter (114) geschlossen ist: Betreiben der ersten Schalter (112-1 - 112-n) derart, dass die von der Mehrzahl von ersten Verstärkern (111-1 - 111-n, 311, 411, 511) ausgegebenen Sensorverstärkungssignale sequentiell eines nach dem anderen ausgegeben werden; und- wenn der zweite Schalter (114) offen ist: Einstellen eines Bias-Stroms und einer Verstärkung von zumindest einem ersten Verstärker (111-1 - 111-n, 311, 411, 511) der Mehrzahl von ersten Verstärkern auf zweite Einstellwerte, die niedriger als erste Einstellwerte sind, wobei die ersten Einstellwerte der Bias-Strom und die Verstärkung sind, wenn der zweite Schalter (114) geschlossen ist.
Patent DE-112020003457-B4 (DE)
Title: Umwandeln von speicherpools mit kleinem speicherbereich in speicherpools mit grossem speicherbereich am speicherort
Inventor: HARDY CLINT
IPC: G06F16/185
Filed: 2020-08-25
Granted: 2023-12-28
Abstract: Durch einen Computer implementiertes Verfahren (400) zum Umwandeln eines bestehenden Speicherpools (526) in einen geplanten Speicherpool am Speicherplatz, wobei das Verfahren (400) aufweist:Umordnen (404) von Datenträger-Speicherbereichen im bestehenden Speicherpool (526), sodass die physischen Speicherbereiche (530) der Speicherbank (524) der Datenträger (504) auf die Grenzen zwischen Speicherbereichen (530) der Speicherbank (524) des geplanten Speicherpools ausgerichtet werden;Umwandeln (406) der Speicherbänke (524) im bestehenden Speicherpool (526) von ersten Speicherbereichsgrößen der Speicherbank (524) in zweite Speicherbereichsgrößen der Speicherbank (524); undals Reaktion auf das Umwandeln (406) der Speicherbänke (524) im bestehenden Speicherpool (526), für jeden der Datenträger (504):Durchführen (472) einer vorübergehenden Pause/Sperre für einen Eintrag (532, 534) in einer Datenträger-Segmenttabelle (502), VST, der einem gegebenen Datenträger (504) entspricht, undBefüllen (476) des VST-Eintrags (532, 534) mit einer neuen Struktur, die der jeweiligen zweiten Speicherbereichsgröße der Speicherbank (524) entspricht.
Patent CZ-309393-B6 (CZ)
Title: Geopolymer composite for special applications
Inventor: BUCZKOWSKA KATARZYNA EVA
IPC: C04B28/26
Filed: 2022-01-04
Abstract: The composite contains a cement composed of an alumino-silicate binder based on metakaolin and/or ground blast furnace granulated slag and/or fly ash in a selected unit amount with other additives, which are an alkaline activator consisting of an aqueous solution of sodium or potassium silicate of 65 to 112% of the weight of the used cement and fireclay with a particle size of 0.1 to 0.5 mm of 5 to 120% of the weight of the cement used and/or fireclay with a particle size of 0.05 to 0.1 mm of 5 to 80% of the weight of the used cement. In addition to the mentioned fireclay, it contains an admixture of microsilica with a fineness of 0.1 to 0.3 µm of 5 to 15% of the weight of the cement used and/or carbon microfibers with a diameter of 6 ± 1 µm and a fibre length of 6 mm of 1 to 5% of the weight of the used cement and/or sodium disulfite powder of 5 to 10% by weight of the cement used and/or high-viscosity hydroxyethyl cellulose admixture powder of 1 to 5% by weight of the cement used and/or gypsum powder of 4 to 5% weight of the cement used.
Patent SK-281989-B6 (SK)
Inventor: GUSTAVSSON ANDERS
IPC: A61K31/44
Filed: 1996-12-13
Abstract: Spôsob výroby felodipínu reakciou 2,3-dichlórbenzylidénu a etyl-3-aminokrotonátu použitím alkoholu ako rozpúšťadla v prítomnosti pyridínu ako katalyzátora.ŕ
Patent CZ-282373-B6 (CZ)
Inventor: ELDER GEORGE RICHARD
IPC: C02F103/00
Filed: 1992-07-10
Abstract: Voda (2) vstupuje do směšovací buňky (3), kde  se míchá s přiměřeným množstvím částic  kompozitní magnetické pryskyřice, jež jsou  vybrány tak, aby odstranily nežádoucí  znečišťující iont nebo ionty ze závadové vody.  Upravovaná voda pak vchází do magnetického  separátoru (4). Kontaminované částice pryskyřice  (5) jsou separovány z čisté vody (6), která  vychází z čisticí vodní jednotky (1).  Kontaminované částice pryskyřice (5) jsou dále  přemístěny do příslušné dekontaminační komory  (7), kde se provádí jejich vyčištění. Vyčištěné  částice pryskyřice jsou separovány z  kontaminovaného regeneračního roztoku pomocí  prostředků magnetického separátoru a zbývající  znečištěný roztok je odváděn do izolační  jednotky (8), zatímco čistá pryskyřice (9) se  vrací do směšovací buňky (3) k dalšímu použití.ŕ
Patent CZ-285779-B6 (CZ)
Inventor: TATEE TOCHIRO
IPC: C07F7/18
Filed: 1991-07-22
Abstract: Způsob přípravy spočívá v reakci  7-acyl-7-deacetylforskolinu se silnou bází v  aprotickém rozpouštědle. Vzniklý produkt vzorce  /I/ se používá jako léčiva.ŕ
Patent CS-277155-B6 (CS)
Inventor: KLUSAK RADIMIR ING
IPC: B60L15/30
Filed: 1990-11-29
Abstract: Podstata zařízení, které zohledňuje schopnost
napájecího trolejového vedení dodat
v daný okamžik jen omezené množství energie,
spočívá v tom, že na kladnou svorku
odrušovacího, komutačního a usměrňovacího
bloku (1) je připojen nelineární omezovač
(3) požadované hodnoty proudu a blok (9)
galvanického odpojení trakčního pohonu,
k jehož výstupům jsou přes pulsní měniče
(5,500) postupně za sebou připojeny odbuzovací
zařízení (6,600), bloky trakčních
motorů (7,700) a čidla (8,800) proudu,
která jsou spojena se zápornou svorkou
odrušovacího, komutačního a usměrňovacího
bloku (1), ale též se vstupem regulátoru
(4) , jehož výstupy jsou připojeny na pulsní
měniče (5,500) a odbuzovací zařízení
(6,600). Vstup nelineárního omezovače (3)
požadované hodnoty proudu je spojen
s výstupem zadávacího členu ; (2) a výstup
z nelineárního omezovače (3) je připojenna
vstup regulátoru (4). Zařízením se zajišťuje
malé zvlnění proudu i napětí v trolejové
napájecí síti tak, že automaticky nelineárně
snižuje velikost' motorového proudu
v závislosti na velikosti trolejového napětí.
Patent CS-277395-B6 (CS)
Title: Device for treating agricultural products by disintegration, crushing or grating
Inventor: HOLTHUIS JOHANNES J
IPC: A23N12/00
Filed: 1983-08-18
Abstract: Vegetables are first washed and then rasped to produce a pulp. This is then sieved to extract required components. Both the rasping and sieving are carried out in oxygen-lean and pref. vacuum surroundings. Pref. the vacuum is maintained by delivering the raw vegetables via a hydraulic head, and discharging the pulp via a pump. - Pref. the pulp sieve uses multiple stages each with a sieve bend through which the pulp is passed at high speed. Liquid removed in downstream sieves is passed counterflow to the adjacent upstream stage. - Foam formation is minimised and thus the vol. of the appts. can be reduced.(0/5)
Patent CZ-295228-B6 (CZ)
Title: Filling non-elutriating mixture
Inventor: ADAMEC ZDENEK ING
IPC: E21F15/00
Filed: 1999-04-06
Abstract: The present invention relates to a filling, non-elutriating mixture intended particularly for securing and liquidation of mine excavations, optionally maintenance and reclaiming of grounds for building construction. The invented filling, non-elutriating mixture comprises 67 to 25 parts by weight of a base stock being preferably formed by dump ash or light ash from coal or coke combustion or flotation packing material from coal preparation plant, 33 to 75 parts by weight of gypsum and water in an amount of 50 to 100 percent of the total weight of the both preceding components of the mixture.