baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent KR-100740166-B1 (KR)
IPC: F16L23/02
Filed: 2005-10-10
Granted: 2007-07-16
Abstract: 본 발명은 바이패스관의 구조에 관한 것으로, 보다 상세하게는 현장에서 직접 관을 용접하지 않고, 각각 플랜지가 구비된 본관 및 절곡된 지관이 일체로 제작되어 이루어진 관을 사용하여 현장에서 시공하므로, 시공이 신속하고 간편하며, 시공의 정밀성이 향상된 바이패스관의 구조를 제공함에 그 목적이 있다. 
           상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따르면, 유체가 흐르는 본관(10)과, 상기 본관(10)의 중간에 연결되는 유량계나 펌프 기타 배관구성품(11)과, 상기 배관구성품(11)의 전후단에 접속되는 밸브(12)와, 상기 밸브(12)의 전후단에 접속되며 중간에 밸브(13)가 연결되는 바이패스관(20)으로 구성되는 배관구조에 있어서, 상기 바이패스관(20)은 상기 본관(10)의 중간 또는 본관(10)과 밸브(12) 사이에 플랜지(50, 60)로 연결되는 이음관(30)과 이 이음관(30)의 중간에서 분기되고 절곡되어 일체로 연결되며 단부에 플랜지(50, 60)가 형성된 지관(40)으로 이루어지며, 상기 밸브(13)는 상기 지관(40)의 양단부에 연결된 것을 특징으로 하는 바이패스관의 구조가 제공된다.
Patent KR-100746261-B1 (KR)
IPC: H01J37/30
Filed: 2005-10-31
Granted: 2007-08-06
Abstract: 본 발명은 이온주입장치 등과 같은 하전입자(ion beam) 발생장치의 고압전원 인가장치에 관한 것으로서,  (A)  암연결단자가 매설되어 있고, 각 암연결단자의 전극측 말단은 음극과 양극)과 연결되어 있는 연결단자지지판;  (B)  상기 연결단자지지판의 암연결단자와 공간적으로 대응되는 숫연결단자를 가지는 X-레이 커넥터 리셉터클:  (C)  상기 커넥터 리셉터클의 돌출플랜지부와 상기 하전입자 발생장치의 케이스와의 사이를 밀폐결합시키는 O-링; 및  (D)  상기 X-레이 커넥터 리셉터클에 대응되는 커넥터가 장착된 고압케이블;을 포함하여 구성되는 하전입자 발생장치의 고압전원 인가장치에 관한 것이다.  
     본 발명에 의하여, 기존 타 분야에서 사용되던 상용화된 고압용 케이블과 커넥터 및 커넥터 리셉터클을 하전입자 발생장치의 전원공급부에 적용할 수 있게 된다.  
       
     하전입자, 발생장치, 고압, 전원, 인가, 커넥터, 리셉터클
Patent KR-100655714-B1 (KR)
Title: A locking device in a vehicle
Inventor: JEON KYU NAM
IPC: E05B29/00
Filed: 2005-10-31
Granted: 2006-12-08
Abstract: A lock device for a vehicle is provided to increase the number of key combination by using plural stick-shaped lockers, thereby preventing insertion of other tool. A rotor case(1) has plural rotary guide grooves formed along the inner side thereof. A rotor(5) is inserted in the rotor case, and plural through-holes(7) are formed along the outer periphery at regular intervals. Plural stick-shaped lockers(9) are inserted in the rotor through the through-holes and arranged correspondingly to the rotary guide groove of the rotor case. A support spring(13) is interposed between the inner surface of the rotor and the front end of each locker to support the locker. A locker support(15) is interposed between the lockers.
Patent KR-101319868-B1 (KR)
IPC: H04N19/89
Filed: 2005-10-31
Granted: 2013-10-18
Abstract: 본 발명은 디지털 방송 시스템과 관련된 것으로서, 특히 본 발명은 인핸스드 데이터가 전송되는 데이터 영역의 특정 위치에 송/수신측에서 알고 있는 기 정의된 기지 데이터를 삽입하여 전송하고, 수신측에서는 상기 기지 데이터를 복조나 등화 과정에 이용함으로써, 채널 변화가 심하거나 노이즈에 약한 환경에서 수신 성능을 향상시킬 수 있다. 또한 본 발명은 인핸스드 데이터에 대해 추가적으로 1/2 부호화하고, 프리 코더를 바이패스시켜 전송함으로써, 채널의 잡음 및 고스트에 대한 성능을 더욱 개선할 수 있다. 
     
     심볼 처리, 트렐리스 부호, 기지 데이터, 인핸스드 데이터
Patent KR-100655928-B1 (KR)
Title: Navigation graphic user interface system and the graphic user interface embodying method thereof
Inventor: HWANG HO IK
IPC: G06F3/14
Filed: 2005-11-01
Granted: 2006-12-11
Abstract: A navigation GUI(Graphic User Interface) system and a GUI implementing method thereof are provided to offer an excellent visual effect by using a Flash-based icon navigation mode and implement an intuitive navigation GUI easy to understand a position of a current menu. A GUI part(230) displays a process navigated to a lower menu from a main menu if a command for selecting the lower menu subordinated to the main menu is inputted and displays a metaphor of the main menu to background of the main menu if navigation to the lower menu from the main menu is completed. A controller(220) makes the GUI part generate the GUI fit for a user command by receiving the user command. The GUI part generates a different equalizer according to each genre of played music and graphics of the equalizer are changed according to a band value of the played music.
Patent KR-100732154-B1 (KR)
IPC: H01B13/22
Filed: 2005-11-02
Granted: 2007-06-29
Abstract: 본 발명은 냉난방 배관 제조장치 및 이를 이용한 제조방법에 관한 것으로, 지중 전선관의 성형시 지중 전선관 내부에 동관 등의 내부관을 삽입한 형태를 갖는 기성화된 양질의 냉난방 배관을 제조할 수 있게 되는 것이다.  
     이러한, 본 발명의 냉난방 배관 제조장치는, 중공의 몸체 내주면에 나선형 주름골이 형성되어 고속으로 회전하면서 외부에서 공급되는 수지를 지중 전선관으로 성형하는 성형금형과, 성형금형의 전측으로부터 성형금형의 내부 중공으로 상기 내부관을 밀어 넣어 이송시키면서 성형되는 지중 전선관 내부에 내부관을 합체시키는 내부관 삽입수단을 포함하여 구성되고, 
     본 발명의 제조방법은, 나선형 주름골이 형성된 성형금형을 고속으로 회전시키는 단계와, 성형금형에 액상의 수지를 공급하여 지중 전선관을 성형하는 단계와, 성형금형에 의해 성형되고 있는 지중 전선관 내부로 내부관을 밀어 넣어 이송시키면서 지중전선관과 내부관을 합체시키는 단계를 포함하여 이루어진다. 
       
     지중 전선과, 냉난방 배관
Patent KR-100686853-B1 (KR)
Title: Can type rechargeable battery
Inventor: HONG KI SUNG
IPC: H01M2/10
Filed: 2005-11-02
Granted: 2007-02-26
Abstract: A can type rechargeable battery is provided to embody high capacity due to increased valid space and to have improved reliance by preventing breakage of a safe structure formed on the upside of a cap plate by side-part welding of a cap plate. The can type rechargeable battery comprises an electrode assembly(512) having two electrodes and a separator, a metallic can(511) for accommodating the electrode assembly(512), and a cap assembly for closing an opening of the metallic can(511) through which the electrode assembly(512) is inserted. The cap assembly comprises a cap plate(610) that has a protrusion protruded from the bottom to the inside of the opening of the metallic can(511) and covers the opening of the metallic can(511).
Patent KR-100685270-B1 (KR)
IPC: H01L23/538
Filed: 2005-11-04
Granted: 2007-02-22
Abstract: 반도체 집적회로 칩의 코스트를 상승시키지 않고 그것에 대한 정전파괴방지를 강화할 수 있는 IC 카드를 제공한다. 
     카드 기판(1)에 반도체 집적회로 칩(2)을 가지고, 복수개의 접속단자(3)를 노출시킨 IC 카드이다. 상기 접속단자는 반도체 집적회로 칩의 소정의 외부단자(4)에 접속되며, 반도체 집적회로 칩에는 상기 외부단자에 접속하는 제1 과전압 보호소자(7, 8, 9)가 집적되고, 카드 기판에는 접속단자에 접속하는 제2 과전압 보호소자 예를 들면 면실장형의 배리스터(varistor)(11)가 실장된다. 배리스터는 제1 과전압 보호소자를 상회하는 전류허용능력을 가지는 가변저항소자이다. 배리스터에는 반도체 집적회로 칩에 내장된 제1 과전압 보호소자의 특성이나 능력과의 관계가 고려되어 있으므로, 그것에 의한 정전파괴 방지효과를 용이하게 실효한 것으로 할 수 있다. 
       
     가변저항소자, 과전압 보호소자, 정전파괴 방지효과, 배리스터
Patent KR-100732162-B1 (KR)
IPC: H04N5/445
Filed: 2005-11-04
Granted: 2007-06-27
Abstract: 본 발명은 휴대폰 등과 같이 배터리 충전량이 한정적인 이동 단말기에서 구현하기에 적합한 방송 디스플레이 방법 및 이를 수행할 수 있는 방송수신용 단말기에 관한 것으로, 방송신호를 수신하는 단계, 상기 방송신호를 AV신호 및 부가데이터신호로 분리하는 단계, 상기 부가데이터신호로부터 방송프로그램의 본방송 시간대를 파악하는 단계, 및 상기 본방송 시간대 이외 시간대에서는 상기 AV신호의 비디오 및 오디오를 출력하지 않거나 상기 비디오 및 오디오 중 적어도 하나를 출력하는 단계를 포함하는 방송 디스플레이 방법 등을 제공한다. 본 발명에 의하면 시청자의 취향에 따라 방송프로그램 중 광고 등은 보지 않고 본방송만을 시청할 수 있다는 장점이 있다. 
       
     디지털 TV, DMB, 광고
Patent KR-100759950-B1 (KR)
IPC: H01L21/66
Filed: 2005-11-11
Granted: 2007-09-19
Abstract: 본 발명은 결함이 허용 범위 내에 있는지 여부를 보다 정확하게 판정할 수 있는 외관 검사 방법 및 장치를 제공하는 것이다. 
     피검사체(11a)의 화상(21A)의 검사 영역 상으로부터 템플릿(21A)과의 비교에 의해 추출된 결함이 허용 범위 내인지 여부를 판정하는 것을 포함하는 외관 검사 방법. 검사 영역이 서로 허용도(a, b, c)를 달리 하는 복수의 섹션(28a, 28b, 28c)으로 구획된다. 검사 영역 상에서 추출된 하나의 결함 부위(27)가 서로 허용도를 달리 하는 복수의 섹션(28a, 28b, 28c) 상에 걸쳐 존재할 때, 결함 부위(27)의 각 섹션(28a, 28b, 28c) 상에 존재하는 결함 부위 부분(27a, 27b, 27c)마다 이 결함 부위 부분이 존재하는 섹션(28a, 28b, 28c)의 허용도(a, b, c)에 기초하여 이 결함 부위 부분의 결함이 허용 범위 내에 있는지의 예비 판정을 받는다. 그들 예비 판정 결과에 기초하여 결함 부위(27)의 결함이 허용 범위 내인지의 판정을 받는다.  
       
     외관 검사 방법 및 장치, 피검사체, 화상, 섹션, 반도체 칩의 회로패턴
Patent KR-100844931-B1 (KR)
IPC: H01L21/336
Filed: 2005-11-18
Granted: 2008-07-09
Abstract: 본 발명은 텅스텐실리사이드의 이상 산화를 억제하고, 폴리실리콘막 내부 도펀트의 아웃-디퓨전(Out-Diffusion)을 방지하는데 적합한 반도체 소자 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위한 본 발명의 반도체 소자는 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 형성된 적어도 실리사이드를 포함하는 게이트 패턴; 및 상기 게이트 패턴의 상부와 측벽에 형성된 질소함유층을 제공하며 이에 따라 본 발명은, 리세스 채널 어레이 트랜지스터(RACT)를 형성함에 따라, 채널의 길이를 증가시킬 수 있고, 리세스 채널 어레이 트랜지스터의 밸리 단차에 의해 게이트 전도막 증착시 심(Seam)이 발생하여도, 게이트 패턴을 부분 식각한 후, 게이트 패턴의 측벽에 질소함유층을 형성하므로써, 후속 라이트 옥시데이션 공정을 진행 중에 텅스텐 실리사이드의 이상 산화를 억제할 수 있으며, 게이트 전도막인 폴리실리콘막 내의 도펀트가 폴리실리콘막과 텅스텐실리사이드 측면으로 아웃-디퓨젼되는 것을 방지할 수 있는 효과를 얻을 수 있고, 게이트 패턴을 부분 식각한 후, 게이트 패턴의 양측벽에 질소함유층을 형성함으로써, 후속 공정에서 버즈빅(Bird's beak)의 형성도 용이하게 할 수 있다. 
       
     부분 식각(Partial Etch), 질화(Nitridation)
Patent KR-100657133-B1 (KR)
Title: Manufacturing method of semiconductor device
Inventor: SHIN CHUL HO
IPC: H01L21/762
Filed: 2005-11-30
Granted: 2006-12-13
Abstract: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to improve a field concentration effect and enhance reliability and characteristics of the semiconductor device by rounding edges of isolation trenches of a high-voltage region. A plurality of isolation trenches(300,400) are formed on a semiconductor substrate(100). One or more isolation regions(320) are formed by burying insulating materials into the trenches. A high-voltage region(HV) and a low-voltage region(LV) is defined by one of the isolation regions. A nitride layer and a photoresist layer pattern are formed on the semiconductor substrate including the isolation regions. The nitride layer of the high-voltage region is etched by using the photoresist layer pattern as an etch mask. A high-temperature heat treatment process is performed to round edges of the isolation trenches. The nitride layer is removed.
Patent KR-100723513-B1 (KR)
Inventor: LEE SEUNG YEON
IPC: G11B7/095
Filed: 2005-11-30
Granted: 2007-05-30
Abstract: 본 발명은 데이터 저장 시스템의 품질 검사 방법 및 장치에 관한 것으로서, 특히 디스크 드라이브에서의 디스크 휨 상태를 검출하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다. 
     본 발명의 제1실시 예에 따른 디스크 휨 검출 방법은 (a) 디스크 양면에 대하여 내주 및 외주 영역에서 각각의 에러 발생률을 측정하는 단계; (b) 상기 내주 영역에서 측정된 디스크 양면의 에러 발생률의 차 및 상기 외주 영역에서 측정된 디스크 양면의 에러 발생률의 차를 각각 산출하는 단계; (c) 상기 외주 영역에서 측정된 디스크 양면의 에러 발생률의 차에서 상기 내주 영역에서 측정된 디스크 양면의 에러 발생률의 차를 감산하고, 감산 값의 절대 값을 산출하는 단계; 및 (d) 상기 감산 값의 절대 값이 소정의 제1임계값을 초과하는 경우에는 상기 디스크를 불량으로 판정하는 단계를 포함함을 특징으로 한다.
Patent KR-100813789-B1 (KR)
IPC: G06F12/00
Filed: 2005-12-01
Granted: 2008-03-13
Abstract: 본 발명은, 어드레스 스누프 방법 및 멀티프로세서 시스템에 관한 것으로, 다수의 I/O 블록을 프로세서 블록으로부터 독립시켜 멀티프로세서 시스템에 용이하게 실장 가능하게 함과 함께, 멀티프로세서 시스템의 성능의 상한의 저하(레이턴시의 증가)를 방지 가능하게 하는 것을 목적으로 한다.  복수의 프로세서와 복수의 메모리로 이루어지는 프로세서 블록이 복수개 어드레스 결합 장치를 통해 복수의 I/O 블록과 접속된 구성의 멀티프로세서 시스템에서의 어드레스 스누프 방법에서, 임의의 하나의 프로세서 블록으로부터 액세스 리퀘스트가 발생하였을 때에, 상기 액세스 리퀘스트에 대하여 응답할지의 여부를 판단하는 어드레스 스누프 처리를, 각 I/O 블록 대신에 상기 어드레스 결합 장치에서 행하도록 구성한다.   
     
     I/O 블록, 캐쉬 스테이터스, CPU 블록, 스누프 회로, 어드레스
Patent KR-101208942-B1 (KR)
IPC: G03B5/00
Filed: 2005-12-01
Granted: 2012-12-10
Abstract: 본 발명의 촬상 장치는 촬영 광학 시스템에 가해지는 흔들림을 검출하고 이 흔들림의 방향과 크기에 따라서 촬영 광학 시스템의 적어도 하나의 광학 요소를 이 촬영 광학 시스템의 공통의 광축과 직교하는 평면내에서 이동시켜서 상 흔들림을 상쇄시키는 상흔들림 보정장치; 그리고 촬영 상태에서 상기 광학 요소가 공통의 광축상에 위치되어 있는 촬영 위치와, 비촬영 상태에서 상기 광학 요소가 상기 공통의 광축으로부터 반경방향으로 퇴피되어 있는 반경방향으로의 퇴피 위치 사이에서 상기 광학 요소를 이동시키는 반경방향의 퇴피장치를 포함하고 있다. 
       
     제 1 렌즈 그룹, 제 2 렌즈 그룹, 제 3 렌즈 그룹, 로-패스 필터, CCD, 제어 회로, 촬영 광축, 퇴피 스페이스, 회전 중심축
Patent KR-100744195-B1 (KR)
IPC: G02B26/10
Filed: 2005-12-20
Granted: 2007-08-01
Abstract: 본 발명에 따르면, 폴리곤미러의 가공소재  중앙부에 관통공을  형성하는  소재 가공단계와, 각도 분할이 가능한 각도 분할축에  가공소재에 형성된 관통홀을 이용하여  가공소재를 클램핑하는 소재 고정단계와, 3축 제어가 가능한 주축에 설치된 플라이 커터를 이용하여 폴리곤 미러의 가공소재 외주면에 각도분할축에 대해 평행하거나 소정의 각도로 경사진 기준 경면을 형성하는 기준 경면 가공단계와, 상기 기준 경면에 대해 소정의 각도로 폴리건 미러의 가공소재를 회전시키는 소재 회전단계와, 상기 회전된 폴리곤 미러의 가공소재의 외주면에 각 각도분할 축에 대해 평행하거나 경사진 경면을 가공하는  경면가공단계를 포함한다.   
       
     폴리곤 미러, 경사 경면, 가공,
Patent KR-100716431-B1 (KR)
Inventor: CHO TAE HO
IPC: F04D29/04
Filed: 2005-12-26
Granted: 2007-05-08
Abstract: 부품의 손상 없이 커플링의 분해시간을 단축시키고 작업을 안정적으로 수행할 수 있도록 한 해수펌프의 커플링 분해방법에 관한 것이다. 이 분해방법은 상부안내관(40)을 스파이더몸체(60)로부터 분리시키는 단계와, 상호 결합되는 반원호형의 한 쌍의 금속지지판(91)(92)을 스파이더(61)를 덮도록 스파이더(61)에 안착시키는 단계와, 상부링판(31)을 상부축(10)으로부터 풀어서 초기 상부링판(31)의 위치보다 상부측의 상부축(10)에 고정시키는 단계와, 커플링(30)의 상부측 외주면에 한 쌍의 클램프(300)를 결합시키는 단계와, 금속지지판(91)(92)에 적어도 한 쌍의 유압실린더(200)를 고정시키는 단계와, 각 유압실린더(200)의 실린더로드를 클램프(300)에 밀착시켜서 유압실린더(200)를 가동하여 분할블럭(81)(82)이 노출되도록 커플링(30)을 들어올리는 단계를 구비한다. 이와 같은 분해방법은 유압실린더(200)가 금속지지판(91)(92)에 안정적으로 지지됨으로써 각 유압실린더가 균일한 스트로크 및 압력으로 커플링(30)을 들어올림으로써 상부축(10)과의 마찰을 방지하게 되고, 이에 따라 커플링(30) 및 상부축(10)의 표면손상을 방지하여 추후 표면처리작업등의 후처리작업의 번거로움을 해소한다. 
     또한, 금속지지판 및 지지리브(91b)(92b)에 의해서 안정되게 지지되므로 유압실린더의 가동시 안정되게 작동가능하게 하여 안전사고를 방지할 수 있게 한다. 
       
     해수펌프, 커플링, 상부축, 임펠러, 금속지지판
Patent KR-100723246-B1 (KR)
Inventor: RYOU EUI KYU
IPC: H01L21/336
Filed: 2005-12-27
Granted: 2007-05-29
Abstract: 안정적인 소자 특성을 얻을 수 있는 반도체 소자의 제조 방법이 개시된다. 
     기판 상에 형성된 게이트 산화막을 시드로 하여 포토 레지스트 패턴 이외의 영역으로 액상 산화막이 형성된다. 포토레지스트 패턴이 제거되고, 기판 상에 폴리실리콘이 형성된다. 식각 공정에 의해 포토레지스트 패턴에 대응된 영역에 폴리실리콘 및 게이트 산화막으로 이루어진 게이트가 형성된다.   
     따라서 본 발명은 액상 산화막을 이용하여 폴리실리콘을 형성함으로써, 식각 바이어스에 의한 CD의 변화를 억제하여 안정적인 소자 특성을 얻을 수 있다. 
       
     반도체 소자, 게이트 산화막, 식각 바이어스, CD
Patent KR-100702798-B1 (KR)
Inventor: KIM HYUNG SUK
IPC: H01L21/28
Filed: 2005-12-28
Granted: 2007-04-03
Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 소자 분리막이 형성된 반도체 기판 위에 게이트 스택을 형성하는 단계; 상기 반도체 기판 전면에 식각 정지막을 형성하는 단계; 상기 식각 정지막 위에 층간 절연막을 형성하는 단계; 상기 층간 절연막을 식각하여 컨택 홀을 형성하는 단계; 및 상기 컨택 홀에 도전막을 매립하여 콘택 전극을 형성하는 단계;가 포함되고, 상기 컨택 홀을 형성하는 단계는 플라즈마 건식 식각 공정에 의해 수행되고, 상기 플라즈마 건식 식각에 의해 상기 층간 절연막과 식각 정지막이 함께 식각되는 것을 특징으로 한다. 
     제안되는 바와 같은 반도체 소자의 제조 방법에 의해서, 컨택 홀 형성을 위한 식각 공정이 높은 선택비를 가지면서 수행됨에 따라 반도체 기판에 스파이킹 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다. 
       
     반도체 소자, 스파이킹 현상
Patent KR-100668869-B1 (KR)
Title: Precharge control circuit of semiconductor memory device
Inventor: HWANG MI HYUN
IPC: G11C11/4091
Filed: 2005-12-28
Granted: 2007-01-16
Abstract: A precharging control circuit of a semiconductor memory device is provided to stabilize the operation of the semiconductor memory device by precharging the semiconductor memory device when the voltage on a storage node is increased. A precharging control circuit includes a reference voltage generator, a comparator(200), and an output unit(300). The reference voltage generator supplies a reference voltage of a predetermined level. After a precharge command is received to a memory, the comparator compares a comparison voltage, which is supplied to a storage node of the memory, with the reference voltage, and outputs a voltage corresponding to the compared result. The output unit generates a pulse with a predetermined width from a timing when the comparison voltage is higher than the reference voltage, and outputs the pulse as a row active signal.
Patent KR-100716914-B1 (KR)
Inventor: HWANG JOON
IPC: H01L27/146
Filed: 2005-12-29
Granted: 2007-05-10
Abstract: 씨모스 이미지 센서의 제조방법을 제공한다. 본 발명은 이미지 센서 어레이부의 실리콘 기판에 P 및 As 불순물을 이중으로 이온주입하여 LDD형의 n+ 소오스/드레인을 형성하고, 실리콘 기판의 전면에 스페이서 산화막을 형성한다. 이어서, 상기 포토 다이오드부에 포토 다이오드용 p0 불순물 영역을 형성한다. 이와 같이 본 발명은 스페이서 식각 과정을 갖지 않아 포토 다이오드의 표면 손상을 막아 암전류 특성을 향상시킬 수 있다. 
       
     암전류, 이온 주입, 이미지 센서
Patent KR-100956048-B1 (KR)
IPC: B32B27/36
Filed: 2003-11-13
Granted: 2010-05-06
Abstract: 전체 방향족 히드록시 성분 중의 5∼95몰% 가 특정 구조의 플루오렌 골격 함유 디히드록시 화합물 (1) 및 95∼5몰% 가 통상의 비스페놀 타입의 디히드록시 화합물 (2) 인 방향족 디히드록시 성분으로 이루어지는 폴리카보네이트 공중합체 (A) 이고, 그 공중합체 중에 함유되는 플루오렌-9-온의 함유량이 15ppm 이하인 폴리카보네이트 공중합체 (A) 및 그 공중합체 (A) 100중량부에 대하여 자외선 흡수제 (B) 를 0.01∼5중량부 배합하여 이루어지는 폴리카보네이트 조성물.     내광성 및 내열성이 우수한 폴리카보네이트 공중합체와 그 조성물이 제공된다.  
     폴리카보네이트 공중합체, 수지 조성물
Patent KR-101020324-B1 (KR)
IPC: G09G3/20
Filed: 2003-11-27
Granted: 2011-03-08
Abstract: 본 발명은 적어도 하나의 픽셀을 가진 컬러 행렬 디스플레이의 인지 해상도를 개선하는 방법에 관한 것으로서, 상기 픽셀로의 입사 컬러 채널 신호(R)를 제 1 및 제 2 신호 성분(R 1 , R 2 )으로 분할하는 단계와, 상기 신호 성분(R 1 , R 2 ) 중 하나에 이득 계수(C R )를 인가하는 단계와, 상기 제 1 및 제 2 신호 성분(R 1 , R 2 )을 출사의 변경된 컬러 채널 신호(R')로 재조합하는 단계를 포함한다.
Patent KR-101299701-B1 (KR)
IPC: H01L21/3063
Filed: 2003-12-09
Granted: 2013-08-28
Abstract: 반도체 웨이퍼 상에서 금속층을 전해연마 및/또는 전해도금하기 위한 장치는 다수의 구역벽들을 갖는 수용부를 포함한다.  상기 장치는 반도체 웨이퍼를 홀딩하고 상기 반도체 웨이퍼의 표면이 상기 다수의 구역벽들의 상부 부분에 인접하도록 상기 반도체 웨이퍼를 상기 수용부 내에 위치시키도록 구성되는 웨이퍼 척을 포함한다.  상기 장치는 상기 다수의 구역벽들 중 하나의 구역벽의 중심과 상기 웨이퍼 척의 중심, 즉 반도체 웨이퍼의 중심 사이의 정렬을 측정하도록 구성되는 다수의 제 1 센서들을 또한 포함한다.
Patent KR-101043264-B1 (KR)
IPC: H01L51/30
Filed: 2004-03-11
Granted: 2011-06-21
Abstract: 본 발명은 유기 색소로 증감시킨 광전 변환 소자 및 태양 전지에 관한 것이다.  종래부터, 유기 색소 증감 반도체를 사용한 광전 변환 소자에서, 저렴한 색소를 사용하여, 변환 효율이 높고 실용성이 높은 광전 변환 소자의 개발이 요구되고 있으며, 본 발명에서, 특정의 골격을 가진 메틴계 색소를 사용하여 반도체 미립자를 증감시키고, 광전 변환 소자를 제조함으로써 변환 효율이 높은 광전 변환 소자를 얻었다.
Patent KR-100735776-B1 (KR)
IPC: G02F1/1334
Filed: 2004-03-22
Granted: 2007-07-06
Abstract: 한 쌍의 기판 사이에 액정층과, 액정층의 양측에 배치된 액정에 전압을 인가하기 위한 한 쌍의 전극이 협지된 액정 표시 장치에 있어서, 액정층이 전압 무인가 상태에서 활성 에너지선을 선택적으로 기판면에 조사하여 액정의 공존하에서 중합성 화합물을 중합시켜 이루어지는 부분과, 활성 에너지선의 선택적 조사 후, 전압 인가 상태에서 기판의 전체면에 활성 에너지선을 조사하여 중합시켜 이루어지는 부분을 갖도록 한다.   고투과율, 고속 응답, 광시야각 특성 등이 우수한 액정 표시 장치를 얻을 수 있다.   
       
     액정층, 기판, 포토 마스크, 돌기 패턴, 개구부
Patent KR-100558792-B1 (KR)
IPC: A01N47/04
Filed: 1998-12-15
Granted: 2006-03-14
Abstract: 본 발명의 살진균성 혼합물은 활성 성분으로서 a) 하기 화학식 I의 아미드 화합물과 b) 디카르복스이미드 군 중의 살진균제 및(또는) c) 하기 화학식 III의 피리미딘 유도체 및(또는) d) 플루디옥시닐 또는 펜피클로닐 및(또는) e) 캅탄, 캅타폴 또는 폴펫 및(또는) f) 플루아지남 및(또는) g) 디클로플루아니드 또는 톨릴플루아니드를 상승작용 유효량으로 포함한다. 
     <화학식 I> 
     A-CO-NR 1 R 2   
     <화학식 III> 
     
       
     
     상기 식에서, 
     A는 아릴기이거나 또는 O, N 및 S 중에서 선택된 1 내지 3개의 헤테로 원자를 갖는 방향족 또는 비방향족의 5 또는 6원 헤테로환이고, 이때 아릴기 또는 헤테로환은 알킬, 할로겐, CHF 2 , CF 3 , 알콕시, 할로알콕시, 알킬티오, 알킬술피닐 및 알킬술포닐 중에서 서로 독립적으로 선택된 1, 2 또는 3개의 치환체를 가지거나 갖지 않을 수 있고; 
     R 1 은 수소 원자이고; 
     R 2 는 알킬, 알케닐, 알키닐, 알콕시, 알케닐옥시, 알키닐옥시, 시클로알킬, 시클로알케닐, 시클로알킬옥시, 시클로알케닐옥시, 페닐 및 할로겐 중에서 서로 독립적으로 선택된 1, 2 또는 3개의 치환체를 가지거나 갖지 않을 수 있는 페닐 또는 시클로알킬기이고, 이때 지방족 및 지환식 라디칼은 부분적으로 또는 전부 할로겐화될 수 있고(있거나) 지환식 라디칼은 1 내지 3개의 알킬기로 치환될 수 있고, 페닐기는 1 내지 5개의 할로겐 원자 및(또는) 알킬, 할로알킬, 알콕시, 할로알콕시, 알킬티오 및 할로알킬티오 중에서 서로 독립적으로 선택된 1 내지 3개의 치환체를 가질 수 있으며, 아미드 페닐기는 1개 이상의 알킬기로 치환되거나 치환되지 않을 수 있고(있거나) O 및 S 중에서 선택된 헤테로 원자를 가질 수 있는 포화 5원 고리와 축합되거나 축합되지 않을 수 있고, 
     R은 메틸, 프로핀-1-일 또는 시클로프로필이다.  
     살진균제, 피리딘 카르복사미드
Patent KR-101192418-B1 (KR)
IPC: B24B53/017
Filed: 2004-02-26
Granted: 2012-10-17
Abstract: 본 발명에 따른 시스템 및 방법에서, 패드 컨디셔닝 시스템의 구동 어셈블리로부터의 모터 전류 신호와 같은 센서 신호는 CMP 시스템에서 하나 이상의 소모품(113)의 상태를 추정하는데 사용된다. 
       
     연마 패드, 센서 신호, 컨디셔너, 모터 전류.
Patent KR-100760496-B1 (KR)
IPC: C10G75/04
Filed: 2004-07-15
Granted: 2007-10-04
Abstract: 석유화학 플랜트나 폴리올레핀 제조 플랜트에 있어서, 특정 비이온계 계면활성제를 열교환기에 도입하기 전의 탄화수소를 주로 하는 성분에 첨가함으로써 그 열교환기의 파울링을 효율적으로 방지, 즉 열교환기의 성능 저하를 억제하여 생산속도를 희생시키지 않고 장기 안정 운전이 가능해진다.     비이온계 계면활성제로는, 하기 일반식 [Ⅰ] 로 표시되는 폴리옥시알킬렌계 화합물인 것이 바람직하고, 하기 일반식 [Ⅱ] 로 표시되는 화합물이 더욱 바람직하다. 
     R 1 -O-[CH 2 -CH(R 3 )-O] k -R 2  					[Ⅰ] 
     (상기 일반식 [Ⅰ] 에 있어서, R 1 , R 2  및 R 3  은 수소원자, 탄소수 1 ~ 20 의 알킬기, 탄소수 6 ~ 20 의 아릴기 및 탄소수 1 ~ 20 의 아실기에서 선택되고, 서로 동일해도 되고 상이해도 된다) 
     HO-(CH 2 CH 2 O) m -[CH 2 CH(CH 3 )O] n -(CH 2 CH 2 O) p H		[Ⅱ] 
     (상기 일반식 [Ⅱ] 에 있어서, m, n 및 p 는 평균 반복 단위수를 나타내고, m = 1 ~ 20, n = 2 ~ 50, p = 1 ~ 20 의 범위이다.) 
       
      열교환기
Patent KR-100775852-B1 (KR)
IPC: G06F17/30
Filed: 2006-01-18
Granted: 2007-11-13
Abstract: 본 발명은 응용 프로그램에 대한 서지 정보와 인덱스를 생성하여 응용 프로그램의 자원 검색 시 상기 서지 정보와 인덱스를 이용하는 자원 검색 시스템 및 방법에 관한 것이다. 
     이를 위해 본 발명은 응용 프로그램의 자원을 요청하는 정보요청자가 단말기를 이용하여 상기 응용 프로그램의 자원을 검색하는 시스템에 있어서, 상기 자원으로부터 검색 대상이 되는 자원을 추출하는 자원 추출 장치; 상기 추출된 자원을 기능별로 분리하여 상기 기능별로 분리된 구조의 서지 정보 문서를 생성하는 서지 정보 생성 장치; 상기 서지 정보 문서로부터 단어를 추출하여 인덱스를 생성하는 인덱스 생성 장치; 및 상기 정보요청자의 단말기로부터 입력되는 검색어와 상기 인덱스의 일치 정도를 판단하여 상기 자원을 검색하고 상기 검색 결과를 상기 정보요청자의 단말기에게 제공하는 검색 장치를 포함하는 것을 특징으로 한다. 
       
     응용 프로그램, 검색
Patent KR-100829639-B1 (KR)
IPC: H04N5/50
Filed: 2006-01-26
Granted: 2008-05-16
Abstract: 본 발명은 방송채널 자동 설정 장치, 방송채널 자동 설정 장치를 포함한 영상표시 장치 및 그의 제어방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 방송채널 설정 시간 또는 방송 채널 설정 범위별로 다양한 모드를 구비하고 사용자가 그 중 어느 하나의 모드를 선택하여 방송채널을 자동으로 설정 가능하도록 하는 방송채널 자동 설정 장치, 방송채널 자동 설정 장치를 포함한 영상표시 장치 및 그의 제어방법에 관한 것이다. 
     이를 위해, 본 발명의 방송채널 자동 설정장치는 방송채널을 선국하기 위한 튜너와, 상기 튜너에 의해 선국된 방송채널에서 방송신호를 검파하기 위한 영상 검파부와, 시청 가능한 방송채널을 설정할 수 있도록, 상기 방송신호로부터 수평 또는 수직 동기신호를 검출하기 위한 동기 검출부와, 복수개의 방송채널 설정 모드 중, 사용자에 의해 선택된 모드로 방송채널이 설정 될 수 있도록 제어하기 위한 제어부 및 상기 설정된 방송채널을 저장하기 위한 방송채널 저장부를 포함하고, 나아가 영상표시 장치는 이러한 방송채널 자동 설정 장치를 포함하는 것을 특징으로 하다. 
       
     방송채널, 자동 설정, 모드, 스탠다드, 패스트, 와이드
Patent KR-100754948-B1 (KR)
IPC: H04L27/26
Filed: 2006-02-07
Granted: 2007-09-04
Abstract: 본 발명은 직교 주파수 분할 다중화 신호의 동기화 장치에 관한 것으로, 특히 OFDM 신호의 검출 여부에 따라 OFDM 수신기에서의 주파수 오프셋의 보정 및 심볼 타이밍을 추정하도록 한 직교 주파수 분할 다중화 신호의 동기화 장치에 관한 것이다. 
     또한, OFDM 신호를 디지털 신호로 변환하는 ADC, 상기 ADC에서 출력되는 OFDM 신호의 주파수 오프셋을 보정하는 주파수 오프셋 보정부 및 상기 주파수 오프셋 보정부에서 출력되는 OFDM 신호에서 보호구간 영역을 제거하는 보호구간 제거부를 포함하여 이루어진 OFDM 수신기에 있어서, 상기 ADC로부터 입력되는 OFDM 신호에 대해 자기 상관을 수행하여 그에 상응하는 신호를 출력하는 자기 상관부; 상기 자기 상관부로부터 입력되는 신호를 소정의 시간 동안 지연시킨 후 출력하는 신호 지연부; 상기 자기 상관부로부터 입력되는 신호의 주파수 오프셋을 추정하여, 상기OFDM 신호의 주파수 오프셋을 보정하는 보정 신호를 상기 주파수 오프셋 보정부로 출력하는 주파수 오프셋 추정부; 상기 자기 상관부로부터 입력되는 신호와 신호 지연부로부터 입력되는 신호에 의거하여 상기 보호구간 영역의 제거 시점을 알리는 제어 신호를 상기 보호구간 제거부로 출력하는 심볼 타이밍 추정부 및 상기 자기 상관부로부터 입력되는 신호와 상기 신호 지연부로부터 입력되는 신호에 의거하여 상기 주파수 오프셋 추정부와 상기 심볼 타이밍 추정부가 액티브 모드 또는 슬립 모드로 동작하도록 제어하는 OFDM 신호 검출부를 포함하여 이루어진 것을 특징으로  한다. 
       
     OFDM, 프리엠블, 오프셋, 타이밍, CP, 보호구간, 동기화
Patent KR-100573811-B1 (KR)
Inventor: KWAK SUNG KEUN
IPC: A23K1/175
Filed: 2006-02-13
Granted: 2006-04-24
Abstract: 본 발명은 유산균을 담지시켜 가축에 유산균을 급여함과 동시에 맥섬석에서 발생하는 원적외선을 가축에 적용시켜 가축분에서의 암모니아 가스의 발생을 억제하고, 고기의 보수력과 pH를 향상시켜 육질을 향상시킬 수 있도록 한 과립형 맥섬석 사료 첨가제 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 맥섬석의 분말을 발포제와 혼합하여 과립기를 이용하여 과립으로 성형하고, 이 과립을 소성한 후, 여기에 유산균 배양물을 고정시켜 미생물고정과립을 수득하고, 이를 건조시켜 과립형 맥섬석 사료 첨가제를  수득하는 건조단계;들을 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다. 
       
     맥섬석, 다공질, 과립, 유산균, 원적외선 방사
Patent KR-100817316-B1 (KR)
IPC: G11C11/406
Filed: 2006-02-15
Granted: 2008-03-31
Abstract: 휴대형 장치 및 공유 메모리의 리프레쉬 제어 방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 메모리 장치는, n개의 프로세서에 각각 결합되도록 하기 위한 n개의 포트 및 상응하는 포트를 통해 프로세서로부터 입력된 커맨드 신호들의 조합에 의해 각 분할 영역의 리프레쉬(refresh) 모드를 결정하여 리프레쉬를 수행하는 리프레쉬 제어기를 포함할 수 있다. 본 발명에 따르면, 복수의 프로세서가 하나의 메모리를 공유하는 경우에도 리프레쉬 동작이 수행될 수 있도록 하여 데이터 보존을 가능하게 한다. 
     
     저전력 모드, 셀프 리프레쉬, refresh, 메모리, 공유
Patent KR-100908004-B1 (KR)
Title: 다중 송수신 안테나 시스템의 자동 반복 요청 장치 및 방법
IPC: H04L1/16
Filed: 2006-02-24
Granted: 2009-07-16
Abstract: 본 발명은 다중 송수신 안테나 시스템의 자동 반복 요청 장치 및 방법에 관한 것으로서, 하나 이상의 패킷이 수신될 시, 상기 수신된 패킷을 디코딩하고, 상기 디코딩된 패킷의 검출을 시도하는 과정과, 상기 패킷에서 에러가 검출될 시, 해당 에러 패킷을 저장하고, 상기 에러가 검출된 패킷의 수가 총 전송 패킷의 수 M개보다 작은 N개 일 시, 송신단으로 상기 에러가 검출된 N개의 패킷의 재전송을 요청하고, M-N개의 새로운 패킷의 전송을 요청하는 과정을 포함하여, 재전송 데이터 에러율을 최소화하고, 재전송 횟수를 줄이며, 나아가 전체 데이터 전송률을 증가시킬 수 있는 이점이 있다.  
       
      다중 송수신 시스템, MIMO, 자동 재전송 요청, ARQ, 알라무티
Patent KR-100800986-B1 (KR)
IPC: G09F9/30
Filed: 2006-03-06
Granted: 2008-02-11
Abstract: 종래 기술의 액정 디스플레이 장치는 TFTs가 적어도 5 개의 포토-마스크를 사용하여 제조되었기 때문에 높은 제조 비용이 들었다. 
     역 스태거 타입(inverse stagger type)의 n-채널 TFT를 갖는 픽셀 TFT 부분과 유지 캐패시터를 포함하는 액정 디스플레이 장치는 픽셀 전극(119), 소스 영역(117) 및 드레인 영역(116)이 제 3 포토-마스크에 의해 형성되는 방법으로 3개의 포토리소그래픽 단계에 의해 실현될 수 있다. 
       
     플라즈마 CVD 공정, 스퍼터링 공정, 액정 디스플레이 장치, 비정질 반도체막, 픽셀 전극
Patent KR-100662620-B1 (KR)
Title: Removal apparatus of a dud
Inventor: AN SANG JIN
IPC: F41A15/00
Filed: 2006-04-12
Granted: 2006-12-28
Abstract: A dud removing apparatus is provided to adhere and fix the dud removing apparatus to the inner surface of a gun barrel by using an adherence unit. A dud removing apparatus includes a forward drive unit(10) providing a propulsion force for forward movement along the inner surface of the gun barrel. The dud removing apparatus includes a pressing drive section(20), an adherence unit, and a pushing section. The pressing drive section is directly connected to the forward drive unit and a motor is embedded in the pressing drive section to provide a rotational force. The adherence unit is connected to the pressing drive section and is adhered and fixed to the inner surface of the gun barrel. The pushing section moves a main shaft forward to push a cap.
Patent KR-100886540-B1 (KR)
IPC: B60R22/44
Filed: 2006-04-13
Granted: 2009-03-02
Abstract: 본 발명은 샤프트(4), 상기 샤프트(4)에 안전 벨트(2)의 감김 방향(a)으로 압축 응력을 가하도록 배치된 메인 스파이럴 스프링(main spiral spring)(7), 상기 샤프트(4)에 대해 상대적으로 회전할 수 있게 배치된 래칫 휠(ratchet wheel)(12), 상기 래칫 휠(12)의 감김 방향(a) 회전 운동을 차단하기 위한 록킹 장치(15) 및 상기 래칫 휠(12)이 록킹될 때 상기 메인 스파이럴 스프링(7)의 압축 응력에 반대로 작용하는 압축 응력이 상기 샤프트(4)에 전달될 수 있도록 배치된 밸런스 스프링(balance spring)(20)을 포함하는 벨트 감김 장치(1)에 관한 것으로서, 본 벨트 감김 장치(1)는 밸런스 스프링(20)과 래칫 휠(12) 간의 힘 전달이 마찰 결합 방식으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
Patent KR-100722108-B1 (KR)
IPC: H01L21/02
Filed: 2006-04-13
Granted: 2007-05-25
Abstract: 기판을 처리하는 동안, 기판을 지지대에 적절히 지지시키는 동시에, 기판을 지지대에 재치하거나, 기판으로부터 들어 올리거나 하는 경우에도 기판을 적절히 취급할 수 있는 기구를 제공하는 것을 목적으로 한다. 
     기판(90)의 주변부에 접촉하는 제1 지지 핀(33)과, 기판(90)의 중앙부에 접촉하는 제2 지지 핀(34)을 설치한다.  제1 지지 핀(33)의 하단은 리프트 플레이트(351)에 고정 설치된 미끄럼 접촉판(352)에 의해 지지하고, 제2 지지 핀(34)의 하단은 높이 조정 부재(354)에 의해 지지한다.  높이 조정 부재(354)의 하부를 리프트 플레이트(351)에 고정 설치된 미끄럼 접촉판(353)을 관통하도록 배치하고, 리프트 플레이트(351)에 대해 소정의 범위에서 승강 가능하게 지지한다.  제2 지지 핀(34) 및 높이 조정 부재(354)의 상하 방향의 치수를 합하면, 유지면(30)으로부터 고정 플레이트(350)의 상면까지의 치수가 되도록 설계한다.