Patent DE-102011122928-B3 (DE)
Title: Halbleiterbauelement
Inventor: IGUCHI KENICHI
IPC: H01L29/739
Filed: 2011-05-23
Granted: 2019-08-29
Abstract: Halbleiterbauelement mit:
 einem Halbleitersubstrat eines ersten Konduktivitätstyps;
 einer Isolierzone (30), die eine Isolierschicht (31) eines zweiten Konduktivitätstyps einschließt, die auf einer Seitenfläche des Halbleitersubstrats quer über das Halbleitersubstrat von einer Hauptfläche zur anderen Hauptfläche angeordnet ist;
 einer aktiven Zone (10);
 einer Randabschlussstruktur (20), die zwischen der aktiven Zone (10) und der Isolierzone (30) angeordnet ist und die aktive Zone (10) einkreist, wobei die Randabschlussstruktur (20) einen ersten Randabschlussstrukturabschnitt, der auf der Seite der aktiven Zone (10) angeordnet ist, und einen zweiten Randabschlussstrukturabschnitt, der auf der Seite der Isolierzone (30) angeordnet ist, einschließt;
 mehreren ersten Halbleiterzonen (41, 51) des zweiten Konduktivitätstyps, die in der vorderseitigen Oberflächenzone des Halbleitersubstrats in dem ersten Randabschlussstrukturabschnitt und dem zweiten Randabschlussstrukturabschnitt ausgebildet sind; und
 mehreren leitenden Folien (74, 84), die in Kontakt mit den ersten Halbleiterzonen und über einer Zwischenschicht-Dielektrikumsfolie (6) ausgebildet sind, die selektiv auf der vorderseitigen Oberfläche des Halbleitersubstrats ausgebildet ist, wobei
 von den mehreren leitenden Folien (74, 84) eine erste leitende Folie, die in dem ersten Randabschlussstrukturabschnitt ausgebildet und nächst der Seite der Isolierzone angeordnet ist, weiter zur Seite der Isolierzone als die erste Halbleiterzone (41), mit der die erste leitende Folie in Kontakt ist, um eine erste Länge (w11), die ein Abstand von einem Rand auf der Seite der Isolierzone der ersten Halbleiterzone (41) ist, mit der die erste leitende Folie in Kontakt ist, zu einem Rand auf der Seite der Isolierzone der ersten leitenden Folie verläuft; und 
 von den mehreren leitenden Folien eine zweite leitende Folie, die in dem zweiten Randabschlussstrukturabschnitt ausgebildet und nächst der Seite der aktiven Zone angeordnet ist, weiter zur Seite der aktiven Zone als die erste Halbleiterzone (51), mit der die zweite leitende Folie in Kontakt ist, um eine zweite Länge (w21), die ein Abstand von einem Rand auf der Seite der aktiven Zone der ersten Halbleiterzone (51) ist, mit der die zweite leitende Folie in Kontakt ist, bis zu einem Rand auf der Seite der aktiven Zone der zweiten leitenden Folie verläuft, wobei die leitende Folie, die neben der ersten leitenden Folie zur Seite der Isolierzone (30) hin angeordnet ist, die zweite leitende Folie ist,
 wobei sich alle leitenden Folien weiter in Richtung der Seite der aktiven Zone (10) und in Richtung der Seite der Isolierzone (30) erstrecken,
 wobei eine dritte Länge (w12), die eine Verlängerung einer dritten leitenden Durchlass-Folie (77) in dem ersten Randabschlussstrukturabschnitt in Richtung der Seite der Isolierzone (30) darstellt, geringer ist als die erste Länge (w11),
 wobei eine fünfte Länge (w22), die eine Verlängerung einer dritten leitenden Rückwärts-Folie (87) in dem zweiten Randabschlussstrukturabschnitt in Richtung der Seite der aktiven Zone (10) darstellt, geringer ist als die zweite Länge (w21),
 wobei zwei oder mehr leitende Folien dazu ausgebildet sind, um als Kanalstopper bei Anlegen einer Vorwärtsspannung und als Kanalstopper bei Anlegen einer Rückwärtsspannung zu fungieren.