baber/WOPTO huggingface dataset:
Patent KR-19990059998-A (KR)
Title: 보상 필름을 이용한 액정 표시 장치
IPC: G02F1/1335
Filed: 1997-12-31
Abstract: 비틀린 네마틱 액정 표시 장치 셀의 바깥쪽 면에 후지 필름 등과 같은 하이브리드 배열을 갖는 보상 필름을 부착하고 이 셀의 한쪽 또는 양쪽 면에 일축성 보상 a 플레이트 필름을 부착한다.  이 때  하이브리드 타입 보상 필름을 구성하는 원반 모양 분자의 경사 방향은 인접하는 액정 셀 면의 버핑 방향과 동일하게 하고, a 플레이트 보상 필름의 굴절률이 가장 큰 축(slow axis)은 인접하는 편광판의 투과축과 일치하거나 수직하도록 한다.  후지 필름 외에도 이와 같은 효과를 나타낼 수 있는 다수의 일축성 보상 필름의 조합 등을 사용할 수도 있으며 a 플레이트 보상 필름 대신 이축성 보상 필름을 사용할 수도 있다.
Patent KR-970704701-A (KR)
IPC: C07D413/10
Filed: 1995-07-04
Abstract: PCT No. PCT/EP95/02584 Sec. 371 Date Jun. 30, 1997 Sec. 102(e) Date Jun. 30, 1997 PCT Filed Jul. 4, 1995 PCT Pub. No. WO96/02518 PCT Pub. Date Feb. 1, 1996Substituted cinnamic oxime derivatives I and cinnamic hydroxamide derivatives II (R1=halogen, NO2, CN, CF3; R2=H, halogen; R3=H, halogen, C1-C6-alkyl, C1-C6-haloalkyl, C3-C6-cycloalkyl, C3-C6-alkenyl, C3-C6-alkynyl, hydroxy-C1-C6-alkyl; R4=H, halogen, CN, C1-C6-alkyl, C1-C6-haloalkyl or R3+R4=chemical bond; Y=-O-, -S-, -O-CO-, -O-SO2- or chemical bond; Y'=-O- or -S-; R5=unsubst. or subst. C1-C6-alkyl or C1-C6-haloalkyl; C3-C6-cycloalkyl, C3-C6-alkenyl, C3-C6-alkynyl, unsubst. or subst. phenyl or phenyl-C1-C6-alkyl, or, if Y is -O-, -S- or a chemical bond, is (C1-C6-alkyl)carbonyl or (C1-C6-alkoxy)carbonyl; or, if Y is a chemical bond, is hydrogen or halogen; R5'=R5, H or (C1-C6-haloalkyl)carbonyl; R6=H, C1-C6-alkyl, C1-C6-haloalkyl, C3-C6-cycloalkyl, C3-C6-alkenyl, C3-C6-alkynyl, hydroxy-C1-C6-alkyl, C1-C6-alkoxy-C1-C6-alkyl, C1-C6-alkylthio-C1-C6-alkyl, cyano-C1-C6-alkyl, (C1-C6-alkoxy) carbonyl-C1-C6-alkyl, (C1-C6-alkyl) carbonyl-C1-C6-alkyl, (C1-C6-alkyl)carbonyloxy-C1-C6-alkyl or unsubst. or subst. phenyl-C1-C6-alkyl; or, if Y is oxygen or sulfur, R5+R6 together=unsubst. or subst. C1-C3-alkylene; Cyc=N-(3,4,5,6-tetrahydrophthalimido) or X1, X2=oxygen or sulfur; R7=H, C1-C6-alkyl, C1-C6-haloalkyl, NH2; R8, R9=H, halogen, C1-C6-alkyl, C1-C6-haloalkyl or unsubst. or subst. phenyl); and salts of I and II. Use: herbicides; desiccation/defoliation of plants.
Patent KR-970705881-A (KR)
Title: 통신망에서 사용자를 확인하는 방법 및 시스템(user authentication in a communications network)
IPC: H04M3/42
Filed: 1995-08-16
Abstract: 본 발명은 시내 교환기(10) 및 망 단말(14)와 결합한 보안노드로 구성된 공중 교환 전화망상의 단말을 확인하는 단말 확인 시스템으로서, 단방향 확인에서는, 상기 단말(14)는 번호(m)와 제1알고리즘(F)에 따라 암호화된 비밀키(S j )를 구비한 고유 확인코드(R)를 보내는 것으로 통화 초기화에 응답하고, 상기 비밀키는 상기 단말로 지정된다. 상기 보안노드는 상기 제1알고리즘(F) 및 단말 인식 번호(TN)의 함수인 제2키를 사용하여 상기 번호(m)로부터 기대된 확인코드(E)를 구성하고, 상기 기대된 코드(E)와 수신된 코드(R)를 비교한다. 양방향 확인에서는, 상기 보안노드는 상기 단말(14)로 제2알고리즘(f j )에 따라 암호화된 트랜잭션 번호(n)를 보내는 것으로 상기 통화 초기화에 응답하고, 상기 단말(14)는 상기 제1알고리즘(F), 상기비밀키(S j ) 및 상기 트랜잭션 번호(n)의 함수로써 상기 확인코드(R)를 발생한다. 상기 확인코드(R)는 상기 보안노드로 돌려보내지고, 같은 방법으로 기대된 코드(E)와 수신된 코드(R)를 비교한다. 위의 두 경우에 있어서, 기대된 확인코드와 수신된 확인코드(E 및 R) 사이의 매치는 사용자가 상기 망 접속을 원한 다음에 상기 단말의 확인을 구성하는 것을 특징으로 한다.
Patent KR-970705622-A (KR)
Title: 가솔린 개량 공정(Gasoline upgrading process)
IPC: B01J29/40
Filed: 1995-08-15
Abstract: 상대적으로 높은 옥탄 수를 가진 저 황 가솔린은 분해된, 황-함유 올리핀 성 납사로부터 수첨 탈황 및 그후의 몰리브덴과 조합된 ZSM-5와 같은 중간 기공크기 제올라이트를 함유한 산성 촉매상의 처리에 의하여 생성된다. 몰리브덴을 제올라이트와의 조합으로 사용하는 것은 코우킹(coking)을 낮추고 촉매의 수명을 연장시키는 것 및 다른 장점과 연관되어 촉매의 활성을 개선하는 것으로 밝혀졌다.
Patent KR-19980701678-A (KR)
Title: 신규의 초점 수렴 구역을 갖는 개선된 태양 에너지 집중시스템
IPC: F24S23/70
Filed: 1996-01-25
Abstract: 본 발명은 개선된 태양 에너지 집중 시스템과, 이러한 시스템용의 양호한 신규의 초점 수렴 구역에 관한 것이다.  일반적으로, 상기 시스템은 원통형의 아치형 태양 에너지 집중 반사기(10) 위에 지지되는 가동 태양 에너지 수렴기(30)로 구성된다.  태양 에너지 수렴기(30)는 복합 포물형 비 화상 형상을 갖는다.  바람직한 실시예에서, 반사기의 곡률 중심 주위에 회전하고 곡률 중심과 반사기 사이의 중간까지 아래로 연장하도록 수렴기(30)를 위치 설정시키는 대신, 본 발명에서는, 태양 수렴기를 특정 알고리즘에 따라 더욱 아래로 (29)로 연장시킨다.
Patent KR-19990022306-A (KR)
Title: 4-ｖｆ 라인 멀티플렉서
IPC: H04L5/02
Filed: 1996-06-03
Abstract: 본 발명은 단일 트위스트 페어라인을 통해 전화회사 위치 및 고객 건물사이의 적어도 4개의 채널에 대한 신호를 전송 및 수신하는 방법 및 장치에 관한 것이다.  적어도 4개의 신호 소스는 전화회사에서 전화교환국 터미널 유니트 또는 라인 카드에 적어도 4개의 신호를 출력한다.  라인 카드는 적어도 4개의 신호를 수신하여 288kbps 멀티플렉싱 2진 신호로 변환하고, 원격 터미널에 의해 사용되는 단일 트위스트 페어라인을 통해 상기 멀티플렉싱 2진 신호를 고객 건물에 전송하기 위한 2B1Q 또는 4B3T로 변환한다.
Patent KR-19980070667-A (KR)
Title: 다공질무기재료 및 그 제조방법
IPC: C04B30/02
Filed: 1998-01-21
Abstract: 직경이 10㎛이하인 2Al 2 O 3 ·B 2 O 3 의 바늘형상결정을 함유하는 다공질무기재료; 직경이 10㎛이하인 2Al 2 O 3 ·B 2 O 3 의 바늘형상결정과 직경이 10㎛이하인 9Al 2 O 3 ·2B 2 O 3 의 바늘형상결정을 함유하는 다공질무기재료; 및 직경이 10㎛이하이고 애스펙트비가 10이하인 9Al 2 O 3 ·2B 2 O 3 의 바늘형상결정을 함유하는 다공질무질재료는, 해당 바늘형상결정이 균일하고 랜덤하게 분포되어 있는 동시에 각 결정에 대해서 적어도 한 장소에서 상호 결합되어 있으며, 상기 바늘형상결정의 상호결합은 바인더의 도움없이 1종이상의 바늘형상결정의 구성성분의 공유에 의해 성립되어 있는 것을 특징으로 한다.   이들 다공질무기재료는, 바늘형상결정의 우수한 특성을 고도로 용이하게 활용가능하게 하거나, 혹은 바늘형상결정을 함유하는 다공질무기재료와 마찬가지로 우수한 특성을 지닌다.
Patent KR-19990066471-A (KR)
Title: 자기기록매체
IPC: G11B5/00
Filed: 1998-01-26
Abstract: 본 발명은 카본블랙을 함유하여 빛차단성이 있는 제1폴리에스테르 필름, 상기 제1폴리에스테르 필름의 일면에 적층되어 있는 제2폴리에스테르 필름 및 상기 제1폴리에스테르 필름의 다른 일면에 적층되어 있는 제3폴리에스테르 필름을 포함하는 베이스필름; 및 상기 베이스필름의 제2폴리에스테르 필름 상부에 형성되어 있는 자성층을 구비하고 있는 자기기록매체에 관한 것으로서, 상기 제2폴리에스테르 필름의 표면조도가 0.002∼0.015㎛이고, 상기 제3폴리에스테르 필름의 표면조도가 0.010∼0.040㎛인 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 베이스 필름의 표면조도를 적절하게 제어함으로써 드롭아웃 현상을 개선시킬 수 있으며, 베이스 필름상에 백코팅층을 별도로 형성하지 않아도 전자변환특성, 주행성 및 내구성이 모두 우수한 자기기록매체를 얻을 수 있다.
Patent KR-19980079696-A (KR)
Title: 반도체장치 및 그 제조방법
IPC: H01L21/768
Filed: 1998-02-10
Abstract: 본 발명은 접촉구멍의 형성시에, 자기정합법을 공정을 증가시킴이 없이 안정하게 실현하는 반도체장치 및 그 제조방법을 제공한다. 
     기판상에 영역 1과 영역 2를 가지며, 기판상의 영역 2에 형성된 도전층 1로 된 배선층과, 그 위에 형성된 절연막 1과, 영역 1 및 절연막 1상에 형성된 절연막 2와, 영역 1에서 기판 표면에 달하며 절연막 2에 형성된 지름 1을 갖는 접촉구멍 1과, 영역 2에서 절연막 1 표면에 달하며 절연막 2에 형성된 지름 1보다 큰 지름 2를 가진 접촉구멍 2와, 접촉구멍 1내에 메운 도전층 2로 된 플럭과, 접촉구멍 2내의 측벽에 형성된 도전층 2로 된 사이드 월과, 배선층에 달하며 접촉구멍 2의 아래에 위치한 절연막 1에 형성된 지름 2보다 작은 지름 3을 가진 접촉구멍 3을 갖는 반도체장치 또는 그 제조방법.
Patent KR-19980071435-A (KR)
Title: 그래픽 표면 모델 맵핑을 위한 방법 및 장치
IPC: G06T11/20
Filed: 1998-02-17
Abstract: 3차원 그래픽 렌더링에 있어서, 텍스쳐 맵핑 또는 셰이딩 방법은 원근 변환된 삼각형에 의한 그래픽 객체에 적용된다.  본 발명은 각 삼각형의 내부 점에 대한 적절한 맵핑을 결정하기 위해 직선 보간을 사용하여, 필요한 컴퓨터 집중 수학 계산을 저감한다.  높은 직선 보간 오차로 인한 시각적 인공물을 최소화하기 위해, 각 삼각형의 둘레를 소정의 임계값에 대하여 테스트하고, 그 둘레 중 어느 것이라도 임계값을 초과하는 최대 오차를 포함하면, 삼각형을 세분한다.  세분은 모든 삼각형 변이 임계값 이하의 최대 오차를 가질 때까지 계속된다.  그 후, 직선 보간을 사용하여 삼각형의 변 및 내부점에 대한 모든 맵핑을 결정한다.  다른 실시예에서, 삼각형은 순환적 방법을 사용하지 않고 세분된다.  하나의 비순환적 방법에서, 전체 삼각형은 삼각형 변이 임계값 이하의 최대 오차를 유지하도록 나누어져야 하는 필요한 수의 선분에 따라 균일하게 세분된다.  다른 비순환적 방법에서, w-이등변 삼각형은 부등변 사각형으로 세분되고, 이 부등변 사각형 각각은 w-이등변이고 대략 기하학적으로 이등변인 삼각형으로 세분된다.
Patent KR-19990070590-A (KR)
Title: 교환시스템에서 공통성 신호방식의 디채널 지정방법
IPC: H04Q11/00
Filed: 1998-02-21
Abstract: 본 발명은 교환시스템에서 유지보수용 퍼스널 컴퓨터(MAP)를 이용하여 디지털 라인의 공통성 신호방식에 이용되는 디채널을 플렉시블(Flexable)하게 지정하는 디채널 지정방법에 관한 것이다. 
     교환시스템에서 디지털 라인(E1)에 연결된 공통성 신호방식(NO.7방식)의 데이터를 송수신하는 D채널을 고정시켜 사용할 시 D채널의 장애가 발생되면 국간의 연결상태가 단절되고 모든 신호의 송수신이 중지되는 사태를 방지하기 위해 유지보수 퍼스널 컴퓨터(MAP)를 이용하여 MMC에 의해 상기 No.7셀프의 E1보드의 32채널중 하나를 D채널의 번호로 융통성 있게 변경하여 설정하여 디 채널의 장애가 발생할 시 다른 채널을 디 채널로 변경지정하여 운영한다.
Patent KR-19990070998-A (KR)
Title: 3상 교류 전동기의 속응 전류 제어장치 및 방법
Filed: 1998-02-26
Abstract: 3상 교류 전동기의 속응 전류 제어장치 및 방법은 전동기가 고속으로 회전하고 있는 경우 전동기 제어장치의 가장 하위에 있는 전류 제어부의 속응성을 향상시키도록 하기 위한 것으로서, 3상 교류 전동기의 속응 전류 제어장치는 속도 제어부와, 3상-동기 변환부를 구비한 3상 교류 전동기의 속응 전류 제어장치에 있어서, 상기 속도 제어부의 전류지령치( )의 q축 전류지령치( )와 상기 3상-동기 변환부의 q축 전류( )에 따라 d축 전류지령치( )를 수정하여 수정된 d축 전류지령치( )를 출력하는 전류지령치 수정수단과, 상기 전류지령치 수정수단에서 수정된 d축 전류지령치( )와 상기 3상-동기 변환부의 d축 전류( )를 혼합하는 제 8 혼합수단으로 구성되고, 3상 교류 전동기의 속응 전류 제어방법은 전류지령치( )의 q축 전류지령치( )와 q축 전류( )를 혼합하여 q축 전류의 오차를 검출하는 단계와, 상기 검출된 q축 전류의 오차에 소정 이득과 소정 주파수를 승산하여 과도 상태 d축 전류지령치( )를 검출하는 단계와, 상기 검출된 과도 상태 d축 전류지령치( )에 따라 수정된 d축 전류지령치( )를 출력하는 단계로 이루어짐에 그 요지가 있다.
Patent KR-19990075350-A (KR)
Title: 백색 형광체를 구비한 컬러 음극선관
Filed: 1998-03-19
Abstract: 패널; 상기 패널의 내면에 소정 패턴으로 도포된 블랙 매트릭스; 상기 블랙 매트릭스 사이에 도포된 적색, 녹색, 청색 형광체; 및 상기 블랙 매트릭스 상면의 상기 적색, 녹색 및 청색 형광체 사이에 도포된 백색 형광체를 포함하는 컬러 음극선관이 개시되어 있다.
Patent KR-19980080987-A (KR)
Title: 직립/역전 분사기
IPC: B05B11/00
Filed: 1998-04-01
Abstract: 본 발명에 따른 수동 액체 펌프 분사기는 슬라이더 밸브의 경로에 위치한 유입구를 구비한 보조 유입 통로의 설치에 의해 통기구를 통한 액체의 누출을 방지하면서 직립 및 역전 위치 모두에서 사용이 가능하다. 일 실시예에 따르면, 통기구는 상기 슬라이더 밸브의 경로에 동일하게 배치된다. 슬라이더 밸브가 분사기의 직립 자세에 있는 동안에는 통기구가 개방되는 반면에, 유입구가 폐쇄되며, 역전 위치에서 분사기를 동작하는 경우에는 슬라이더 밸브에 의해 역동작이 이루어진다. 또 다른 실시예에 따르면, 분사기의 직립 위치에서는 펌프 실린더 내부에 위치한 통기구를 개방하고, 역전 위치에서는 상기 통기구를 폐쇄하는 제 2 슬라이더 밸브가 펌프 몸체 내부에 배치된다.
Patent KR-19990044713-A (KR)
IPC: C21C5/46
Filed: 1998-04-15
Abstract: A system and method for detecting molten slag in a tap stream between a steel making basic oxygen furnace (BOF) and corresponding ladle. BOFs are used in the manufacture of steel. An infrared (IR) imaging or detecting device is used to image/view the BOF-to-ladle tap stream, the stream transmitting energy indicative of whether molten steel and/or slag is in the stream at a given time. The imaging device uses mainly long IR wavelengths (e.g. wavelengths of from about 8 to 14  mu m) when imaging the molten tap stream, because these wavelengths are less susceptible to being blocked or absorbed by airborne gases and particles frequently found in BOF environments. In certain embodiments, all IR wavelengths other than those greater than about 8  mu m are filtered out and are not used to detect slag in the tap stream. <IMAGE>
Patent KR-19990084507-A (KR)
Title: 피치아 시페리 유래의 세린 팔미토일 트랜스퍼라제를 코딩하는유전자 및 이를 이용한 taps 생산방법
IPC: C12N15/54
Filed: 1998-05-07
Abstract: 본 발명은 피치아 시페리(Pichia ciferrii) ATCC 14091 유래의 세린 팔미토일 트랜스퍼라제(serine palmitoyl transferase)를 코딩하는 유전자 LCB2, 이 유전자를 포함하는 플라스미드 prACL2(KCTC-0468BP), 이에 의해 형질전환된 피치아 시페리 및 이를 배양하여 세라미드의 원료인 테트라아세틸 피토스핑고신(TAPS : tetraacetyl phytosphingosine)을 대량 생산하는 방법을 제공한다. 
     본 발명에 의해 제공되는 플라스미드 prACL2(KCTC-0468BP)에 의해 형질전환된 형질전환체는 모균주 KFCC-10937에 비하여 최소 1.3배의 TAPS 생산능을 갖고 있다.
Patent KR-19990084770-A (KR)
Title: 수직형 광 집적소자
IPC: H01L33/00
Filed: 1998-05-11
Abstract: 본 발명은 광 가입자망용 광통신 단말기에 구비되어 발광 및 수광의 기능을 하나의 광소자에서 동시에 수행하는 수직형 광 집적소자에 관한 것이다. 화합물 반도체 기판(1) 상에 서로 다른 밴드갭 에너지를 갖고, 1.3㎛ 파장의 광신호를 송신하하는 매립형 구조의 하부 활성층(하부 공진기)(3)과 이 위에 1.55㎛파장의 광신호를 수신하는 리지(ridge)형 구조의 상부 활성층(상부 공진기)(5)이 수직으로 적층된다. 그 공진기들 사이에 보조 광도파로(12)를 삽입하여서 하부 공진기의 레이저 광이 상부 공진기에서 흡수되는 것을 방지하면서 동시에, 하부 공진기로 입사한 1.55㎛파장의 광신호가 상부 공진기에 효율적으로 광결합되도록 한다. 또한, 음극인 하부 전극(10)과 상부 전극(9)이 기판 및 상부 공진기 위에 독립적으로 설치되고, 공통 양극전극(13)이 보조 광도파로(12) 위에 설치된 것이다. 이러한 본 발명은, 먼저 하부 공진기에서 1.3㎛ 파장의 레이저 발진이 일어나 광신호를 외부로 송신하며 동시에 외부에서 수직형 광소자로 입력되는 1.55㎛ 파장의 광신호는 하부 공진기에 입사한 후 1.55㎛ 파장의 광을 흡수하는 상부 공진기로 결합됨으로써 광신호 수신이 일어난다. 이와 같이 광신호 송신 및 수신 기능을 동시에 수행함으로써 광 가입자망에서 광통신 단말기를 구성하는 개별 LD 및 PD 광소자를 대체한다.
Patent KR-19990085591-A (KR)
Title: 박막트랜지스터 액정표시소자의 배선 레이아웃
IPC: G02F1/1345
Filed: 1998-05-20
Abstract: 목적 : 본 발명은 박막트랜지스터로 신호를 인가하는 배선 패턴의 단절에 대비할 수 있고 복수개의 박막트랜지스터를 병렬접속하여 온-전류특성을 향상시키는 데 적합한 박막트랜지스터 액정표시소자의 배선 레이아웃을 제공하고자 한다. 
     구성 : 액정의 구동에 필요한 주사신호 및 데이타신호를 단위 화소전극에 연결된 박막트랜지스터로 인가하도록 기판 상에 패터닝되는 1차 배선과 2차 배선을 갖는 박막트랜지스터 액정표시소자의 배선 레이아웃에 있어서,  상기 각각의 배선은 단위 화소전극 당 두 개의 가로변과 두 개의 세로변을 갖는 하나의 격자를 형성하도록 사다리 형상으로 각각 패터닝 하고, 상기 격자의 네 변 중 어느 한 변 혹은 각각의 변에 박막트랜지스터를 연결 구성하는 경우, 어느 한 변의 패턴이 단절되더라도 화소전극으로 인가되는 신호 전류의 흐름에 영향을 받지 않게 된다. 
     효과 : 배선 패턴의 어느 한 부분이 단절되거나 배선과 화소전극을 연결하는 다수의 박막트랜지스터 중 어느 하나가 불량한 경우에도 화소표시에 지장이 없게 되고, 다수의 박막트랜지스터를 화소전극으로 병렬접속하기에 적합한 구조이므로 온-전류 특성을 향상시켜 스위칭 타임을 줄일 수 있으며, 배선의 저항값이 감소되므로 고해상도의 대화면에서도 균일하고 우수한 표시품질을 얻을 수 있다.
Patent KR-19980087420-A (KR)
IPC: H01J29/07
Filed: 1998-05-27
Abstract: A body (9) of a shadow mask having a skirt portion (11) around the body, wherein cut parts (12) are formed in the skirt portion in the vicinity of corner portions and center portions of the short sides and the length (13) of the skirt portion in the corner portions is longer than the length (16) of the skirt portion in the center portions of the short sides. This enables residual distortion generated during welding with a mask frame and a thermal expansion generated later to be absorbed at the skirt portion, thus restraining the deformation generated by heating a curved surface (9') of the shadow mask. As a result, it is possible to realize cost reduction and to improve productivity in manufacturing a color picture tube without deteriorating the color purity in the color picture tube by preventing the thermal deformation of the curved surface (9') of a shadow mask during manufacturing processes of the color picture tube without a dummy baking process. <IMAGE>
Patent KR-20000001234-A (KR)
Title: Rheological quality improved band-plylubricant
Inventor: KANG HAN KYOO
IPC: B29C33/56
Filed: 1998-06-10
Abstract: PURPOSE: A rheological quality improved band-plylubricant easy to spray, coated evenly and not streaming after the coating is provided to prevent from the inferiority caused by the falling off of the lubricant after the vulcanization. CONSTITUTION: A rheological quality improved band-plylubricant comprises: a mixing of the water, the emulsifier and the deflocculating agent in the mixing machine having an evaporation jacket; a heating up to 80°C, an addition of the thickening agent and an agitation of the mixture until the complete melting; an addition of the lubricant, gelling agent in order, a mixing of the mixture at 80 plus or minus 5°C for 1 hour and an agitation of the mixture to cool down to 40°C.
Patent KR-20000001535-A (KR)
Title: Automatic rice pounding apparatus
Inventor: PARK YONG SOON
IPC: A23P1/00
Filed: 1998-06-12
Abstract: PURPOSE: An automatic rice pounding apparatus is provided to liberate a person making rice cake from physical labor by fully automating the pounding process. CONSTITUTION: An automatic rice pounding apparatus has: a frame(1) forming the body; a pestle(3) installed to reciprocate upward and downward on one side of the frame; a body of a mortar(5) installed on the frame facing bottom of the pestle to rotate; a scoop(7) firmly installed on the frame; a nozzle(9) firmly installed on the frame; and a control plate(13) electrically connected to motors(15,55) and all sorts of switches to control a first and a second motors(15,55).
Patent KR-19990013428-A (KR)
Title: 회전 재생식 열교환기
IPC: B23P15/26
Filed: 1998-06-16
Abstract: 본 발명은 회전 재생식 열교환기의 대형화에 따른 섹터 플레이트의 크기에도 대응되고, 섹터 플레이트의 평탄도를 균일화하며, 가열 유체와 피가열 유체의 차폐 성능을 향상시킬 수 있는 회전 재생식 열교환기를 제공하는 것을 목적으로 한다. 
     로터(R)를 복수 개의 축열체실로 구획짓는 복수 개의 방사형의 다이어프램 플레이트(Q)중, 인접하는 2장의 다이어프램 플레이트(Q)사이에, H형 강철 등의 고정용 강철재(1)를 가설한다.  절삭 장치(3)를 세트하기 위한 장착 베드(2)는 고정용 강철재(1)에 교차하도록 섹터 플레이트(P)의 길이방향으로 배향하여 장착되어 있다.  절삭 장치(3)는 전동기(3a)와, 감속기(3b)와, 회전 절삭 공구대(3c)와, 밀링 커터(3d) 및 이송량 조절 핸들(3e)로 구성되어 있다.  회전 절삭 공구대(3c)의 상부 주연부에는 밀링 커터(3d)가 장착되고, 전동기(3a)의 회전 이동력에 의해 밀링 커터(3d)가 회전한다.
Patent KR-19990023160-A (KR)
Title: 밀폐형 회전식 압축기의 소음저감구조
IPC: F04C29/06
Filed: 1998-06-18
Abstract: 본 발명은 밀폐형 회전식 압축기의 소음저감구조에 관한 것으로, 본 발명은 실린더의 내부에서 압축된 압축가스가 토출포트를 통해 토출되는 과정에서, 토출포트의 측부에 토출포트와 연통되도록 다단으로 홀로 형성된 소음저감홀에 의해 특정 주파수 대역의 맥동 소음이 저감됨과 더불어 설정된 소음저감홀의 체적을 유지하게 되어 재팽창에 의한 손실을 감소시킴으로써 압축기의 체적 효율을 높이고 신뢰성을 향상시킬 수 있도록 한 것이다.
Patent KR-20000002457-A (KR)
Title: Marking head for semiconductor
Inventor: KIM YUNG GUN
IPC: H01L23/02
Filed: 1998-06-19
Abstract: PURPOSE: A marking head for the semiconductor is provided to exactly print and to easily control the marking position by equally having the surface of the pad stained with ink. CONSTITUTION: The marking head comprises: a first moving member(20) installed in the lower inner side of a body(10), moved by a first cylinder(21); a flowing member(30) installed on the end of the first moving member(20), flowed by a second cylinder(31); and a plate(40) installed by projecting to outside on the body(10), having an ink deposit groove(41).
Patent KR-19990007273-A (KR)
Title: 아몰퍼스 자성재료 및 그것을 이용한 자기코어
IPC: H01F1/153
Filed: 1998-06-24
Abstract: 본 발명의 아몰퍼스 자성재료는 (Fe 1-a-b Ni a M b ) 100-x-y Si x B y (식중, M은 Mn, Cr, Co, Nb, V, Mo, Ta, W 및 Zr에서 선택되는 적어도 1종의 원소이고, 0.395≤a≤0.7, 0≤b≤0.21, 1-a-b＜a, 6≤x≤18at%, 10≤y≤18at%)로 실질적으로 표현되는 조성을 갖는다. 이러한 Ni리치인 Fe-Ni를 베이스로 하는 아몰퍼스 자성재료는, 473~573K의 퀴리 온도 T c , 0.5~0.9T의 최대자속밀도 B m 을 갖는다. 잔류자속밀도 B r 과 최대자속밀도 B m 의 비 B r /B m 은 요구특성에 따라 제어할 수 있는 것으로, 가포화코어 등에 이용되는 경우에는 60% 이상으로 한다. 값이 싼 Fe-Ni베이스의 아몰퍼스 자성재료에 의해 고주파역에서의 사용에 적합한 자기특성, 열안정성, 표면평활성 등이 실현된다.
Patent KR-20000004122-A (KR)
Title: Infrared ray absorbing bolometer having 3-layer structure
Inventor: JOO SANG BAK
IPC: H01L31/00
Filed: 1998-06-30
Abstract: PURPOSE: An infrared ray absorbing bolometer having 3-layer structure is provided to increase the fill factor of a bolometer. CONSTITUTION: The infrared ray absorbing bolometer having 3-layer structure comprises: a driving substrate level(210) having a pair of connecting terminals(214) or more, and a protective film(216) consisted of insulator having good insulation feature; a supporting level(220) having a pair of supporting legs(240) or more comprising a conduct line(265) connected to a terminal; an absorbing level(230) having a bolometer element enclosed by an absorbing band(295); and a pair of posts(270) or more positioned between the supporting legs and the absorbing level, and enclosed by insulation substance.
Patent KR-19990023176-A (KR)
Title: 정전기 방지용 액정표시패널
IPC: G02F1/136
Filed: 1998-06-30
Abstract: 본 발명은 정전기 방지용 액정표시패널에 관한 것으로, 정전기 방지를 위하여, 공정 중에는 제어단자를 부동시켜서 정전기가 발생할 경우 유기된 전압에 의하여 정전 방지 소자가 도통하여 게이트라인과 데이터라인의 전위를 같게 함으로써, 정전 방지를 하고, 제작 완료후의 패널의 측정시나 작동시에는 장전 방지 소자가 오프되도록 제어단자에 전압을 인가하여 게이트라인과 데이터라인 각각을 절연시키는 것으로, 동일 기판에 화소부와 구동회로부를 함께 내장한 액정표시패널에서 정전기 방지가 가능하고, 패널 제작후에는 측정이나 동작이 가능하도록 한 정전기 방지용 액정표시패널에 관한 것이다.
Patent KR-20000004384-A (KR)
Title: Method for forming an isolating layer of semiconductor devices
Inventor: LEE CHANG JIN
IPC: H01L21/76
Filed: 1998-06-30
Abstract: PURPOSE: An isolating layer formation method of semiconductor devices is provided to prevent a generation of bird's beak without reducing an active region by reducing lattice matching between silicon substrate and nitride oxide layer. CONSTITUTION: The method comprises the steps of: forming a pad oxide(12) on a silicon substrate(11); transforming a first nitride oxide layer(12a) by annealing the pad oxide using N2 gas; depositing a nitride layer(13) on the first nitride oxide layer(12a); exposing a field region of the silicon substrate by etching the nitride layer(13); forming an oxide layer(14) by oxidation the exposed silicon substrate; transforming a second nitride oxide layer(14a) by annealing the oxide layer; implanting ions into the second nitride oxide layer(14a); forming a field oxide(15) by oxidation the second nitride oxide layer; and removing the nitride layer and the first nitride oxide layer.
Patent KR-20000008020-A (KR)
Title: Reaction chamber and dielectric layer formation method using thereof
Inventor: WON SEOK JUN
IPC: C23C16/56
Filed: 1998-07-09
Abstract: PURPOSE: A reaction chamber and dielectric layer forming method using the reaction chamber are provided to decrease a processing time of the dielectric layer formation by performing the formation process and annealing process in-situ. CONSTITUTION: The reaction chamber comprises a quartz shower head(42) formed at sallow wall of the reaction chamber(40); a susceptor(44) for heating a semiconductor substrate(46) formed at bottom portion of the quartz shower head(42); and a pumping line(48) connected to the bottom of the reaction chamber. The quartz shower head(42) further comprises a first gas supplying line(56) formed at one end of the shower head and a second gas supplying line(58) formed at other end of the shower head. A source gas is inserted to the reaction chamber thorough the first gas supplying line(56) and a reaction gas and an annealing gas are inserted to the reaction chamber(40) via the second gas supplying line(58).
Patent KR-20000008288-A (KR)
Title: Method of fabricating electrode of plasma display panel
Inventor: JANG SUNG HO
IPC: H01J11/22
Filed: 1998-07-11
Abstract: PURPOSE: The method simplifies the electrode formation process and prevents the short between electrodes by preventing the spreading of an electrode paste due to a drying and plastic process. CONSTITUTION: The method comprises the steps of: forming a protection film(7) on a back substrate(6) and drying the protection film; forming address electrodes(8) at constant intervals on the dried protection film. The method improves the process effectiveness. The protection film is formed by patterning a paste with a printing method. The address electrode is formed by patterning a paste for address electrode formation with the printing method. The address electrode is dried in the temperature of 120°C for 10 minutes and the whole process of forming the address electrode is completed by performing the plastic process in the temperature of 550°C for 20 minutes. The method improves the process effectiveness.
Patent KR-20000008292-A (KR)
Title: Rom-pack for adding new music to singing apparatus
Inventor: LEE DAL SOO
IPC: G10K15/04
Filed: 1998-07-11
Abstract: PURPOSE: A ROM-pack for adding new music to singing apparatus is provided to simply add new music, to reduce labor costs and to enhance productivity. CONSTITUTION: The present invention discloses a ROM-pack for adding new music to singing apparatus comprising:a recording medium recording the information of songs and image data; a regenerator regenerating and outputting the data within the medium; a cover(16) formed in a front face and being closed and opened; a connector(22) for inserting a ROM-pack concealed in rear surface of the cover. the cover is the cover of a key pad(12) operating the singing apparatus or a door(24) for the CD-ROM drive(14).
Patent KR-20000013294-A (KR)
Title: Manufacturing method of capacitor in semiconductor device
Inventor: KIM MYEONG SU
IPC: H01L27/108
Filed: 1998-08-06
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a capacitor is provided to prevent degradation of a logic transistor or a silicide layer by using a low temperature process. CONSTITUTION: The manufacturing method of a capacitor comprises the steps of: forming a gate electrode on the semiconductor substrate; forming source and drain regions inside the substrate; forming a first interlayer dielectric having a DC(Direct Contact) so that a predetermined part of the source and drain regions existing in one side of the gate are exposed; forming a bit line in a predetermined position on the first interlayer dielectric including the DC; forming a second interlayer dielectric on the first interlayer dielectric including the bit line; forming a BC(Buried Contact) by selectively etching the second interlayer dielectric, the bit line, and the first interlayer dielectric so that a predetermined part of the source and drain regions existing in the other side of the gate are exposed; forming a storage node electrode on the second interlayer dielectric including the BC; forming a dielectric layer on the surface of the storage node electrode within the temperature range from 650 to 750°C.; forming a plate electrode on the second interlayer dielectric including the dielectric layer; and furnace annealing and RTP(Rapid Thermal Process) annealing.
Patent KR-20000015111-A (KR)
Title: Method for manufacturing semiconductor devices
Inventor: NA JONG-JIN
IPC: H01L21/8232
Filed: 1998-08-27
Abstract: PURPOSE: A fabrication method of semiconductor device is provided to improve a tolerance capability of an electrostatic discharge by selectively forming a silicide layer on a transistor for preventing the electrostatic discharge(ESD). CONSTITUTION: The method comprises the steps of forming a gate (25), a source (27) and a drain (29) of an MOS transistor and a gate (33) of an ESD protection transistor; forming a conductive layer (36) on the resultant structure; forming a PR pattern (38) on the conductive layer (36) to expose the ESD protection transistor; exposing both sides of the gate (33) of the ESD protection transistor by etching the conductive layer using the R pattern (38) as a mask; forming a source and drain (37, 39) of the ESD protection transistor by plug ion implanting; removing the PR pattern (38); and performing a silicidation process, so that a silicide layer (40) is not formed on the gate (33), the source (37) and the drain (39) of the ESD protection transistor, and is formed on the gate (25), the source (27) and the drain (29) of the MOS transistor.