Patent DE-102014009980-B4 (DE)
Title: MOS-Transistor mit hoher Ausgangsspannungsfestigkeit und niedrigem Ein-Widerstand (Ron)
Inventor: ROLFES-GEHRMANN PETRA
IPC: H01L29/78
Filed: 2014-07-03
Granted: 2019-03-21
Abstract: MOS-Transistor mit hoher Durchbruchsspannung bezüglich eines Druchbruchs zum Substrat (PSUB), mit
 • einem Substrat (PSUB) aus einem Halbleitermaterial eines zweiten Leitungstyps,
 • einem in dem Substrat (PSUB) vom zweiten Leitungstyp ausgebildeten schwach dotierten ersten Gebiet (HDNW) eines ersten Leitungstyps,
 • einem in dem ersten Gebiet (HDNW) ausgebildeten sehr stark dotierten Drain-Gebiet (D) vom zweiten Leitungstyp,
 • einem in dem ersten Gebiet (HDNW) ausgebildeten und von dem Drain-Gebiet (D) beabstandeten mittel dotierten zweiten Gebiet (HNW) eines ersten Leitungstyps,
 • ein in dem zweiten Gebiet (HNW) ausgebildeten hoch dotierten Source-Gebiet (S) vom zweiten Leitungstyp,
 • einem in dem zweiten Gebiet (HNW) ausgebildeten hoch dotierten Wannen-KontaktGebiet (NC) vom ersten Leitungstyp, das vom Source-Gebiet (S) beabstandet ist,
 • einem in dem ersten Gebiet (HDNW) ausgebildeten und von dem Source-Gebiet (S) und dem zweiten Gebiet (HNW) beabstandeten schwach dotierten dritten Gebiet (HPW) vom zweiten Leitungstyp, dass das Drain-Gebiet (D) umfasst und
 • einem Gate (G) zwischen dem Source (S) und dem Drain-Gebiet (D), das durch eine Isolationsschicht, insbesondere ein Gate-Oxid (GOX), gegenüber den anderen Gebieten isoliert ist,
 wobei die source-seitige Kante des Gates (G) mit der gate-seitigen Kante des Source-Gebiets (S) fluchtet und
 wobei das Gate (G) sich über das erste, zweite und dritte Gebiet (HDNW, HNW, HPW) erstreckt und die drain-seitige Kante des Gates (G) von der gate-seitigen Kante des Drain-Gebiets (D) beabstandet ist und
 wobei auf der Grenze zwischen dem ersten Gebiet (HDNW) und dem Substrat (PSUB) an der Unterkannte des ersten Gebietes (UHDNW) sich ein sehr hoch dotiertes viertes Buried-Layer-Gebiet (NBL) vom ersten Leitungstyp erstreckt, das sich unter das dritte Gebiet (HPW) und das zweite Gebiet (HNW) erstreckt und von dem dritten Gebiet (HPW) und dem zweiten Gebiet (HNW) vertikal beabstandet ist und
 dadurch gekennzeichnet,
 • dass in dem ersten Gebiet (HDNW) ein Wannenspalt-Gebiet (NNW) teilweise unterhalb des dritten Gebiets (HPW) und oberhalb des Buried-Layer-Gebiets (NBL) ausgebildet ist und
 • dass das Wannenspalt-Gebiet (NNW) einen P-N-Übergang mit dem Buried-Layer-Gebiet (NBL) bildet und
 • dass für den Fall, dass die Dotierung des Wannenspalt-Gebiets (NNW) vom ersten Leitungstyp ist, die Dotierungskonzentration des ersten Leitungstyps im Wannenspalt-Gebiet (NNW) gegenüber der Dotierungskonzentration des ersten Leitungstyps im Buried-Layer-Gebiet (NBL) und/oder dem ersten Gebiet (HDNW) im Bereich des Wannenspalt-Gebiets (NNW) herabgesetzt ist und
 • dass für den Fall, dass die Dotierung des Wannenspalt-Gebiets (NNW) vom zweiten Leitungstyp ist, die Dotierungskonzentration des zweiten Leitungstyps im Wannenspalt-Gebiet (NNW) gegenüber der Dotierungskonzentration des zweiten Leitungstyps des dritten Gebietes (HPW) herabgesetzt ist und
 • dass sich das Wannenspalt-Gebiet (NNW) nicht unter das Gate (G) erstreckt und
 • dass das dritte Gebiet (HPW) sich bis unterhalb des Gates (G) erstreckt und vom ersten Gebiet (HNW) beabstandet ist.