Patent WO-2018192987-A1 (WO)
Title: Procédé de fixation d'une puce semi-conductrice sur une grille de connexion et composant électronique
Inventor: WENDT MATHIAS
IPC: H01L23/488
Filed: 2018-04-18
Abstract: L'invention concerne un procédé de fixation d'une puce semi-conductrice sur une grille de connexion. Le procédé comprend les étapes de A) mise à disposition d'un puce semi-conductrice (1), B) d'application une suite de couches de métaux à souder (2) sur la puce semi-conductrice (1), la suite de couches de métaux à souder (2) comprenant une première couche métallique (2a) comprenant de l'indium ou un alliage d'indium-zinc, C) la mise à disposition d'une grille de connexion (3), D) l'application d'une suite de couches de métallisation (4) sur la grille de connexion (3), la suite de couches de métallisation (4) comprenant une quatrième couche disposée au-dessus de la grille de connexion, comprenant de l'indium et/ou du zinc et une troisième couche (4c) disposée au-dessus de la quatrième couche (4d), comprenant de l'or, E) la formation d'un couche intermédiaire intermétallique (6) qui comprend de l'or et de l'indium, de l'or et du zinc et/ou de l'or, du zinc et de l'indium ; G) le montage de la puce semi-conductrice (1) par le biais de la suite de couches de métaux à souder (2) et de la couche intermédiaire intermétallique (6) sur la grille de connexion (3), H) le chauffage de l'assemblage créé sous F) pour la fixation de la puce semi-conductrice (1) sur la grille de connexion (3). Le procédé peut comprendre en outre une étape F) : F) le chauffage de l'assemblage créé sous D) à une température augmentée par rapport au point de fusion du zinc et/ou de l'indium, la couche intermédiaire intermétallique se formant dans une étape E1) avant l'étape F) et/ou dans une étape E2) suivant l'étape F). La couche intermédiaire intermétallique (6) peut être très bien mouillée avec l'indium ou l'alliage indium-zinc de la première couche métallique (2a) de l'étape H), de sorte à rendre possible une très bonne fixation stable de la puce semi-conductrice (1) sur la grille de connexion (3). La suite de couches de métaux à souder (2) peut comprendre une deuxième couche métallique (2c) comprenant de l'or et une couche barrière (2b) contenant du nickel, du titane, du platine ou un composé d'un de ces métaux, la couche barrière (2b) étant disposée entre la première couche métallique (2a) (In, alliage In-Sn) et la deuxième couche métallique (2c) (Au) et la deuxième couche métallique (2c) (Au) étant disposée entre la couche barrière (2b) et la puce semi-conductrice (1). La suite de couches de métallisation (4) peut comprendre une première couche (4), comprenant du nickel, disposée sur la grille de connexion (3), la quatrième couche (4d) (In et/ou Sn) étant disposée entre la première couche (4a) (Ni) et la troisième couche (4c) (Au). La suite de couches de métallisation (4) peut en outre comprendre une deuxième couche (4b) comprenant du palladium, disposée entre la première couche (4a) (Ni) et la quatrième couche (4d) (In et/ou Sn), ou disposée alternativement entre la quatrième couche (4d) (In et/ou Sn) et la troisième couche (4c) (Au), dans le dernier cas une quatrième couche supplémentaire comprenant de l'indium et/ou du zinc pouvant être disposée entre la deuxième couche (4b) (Pd) et la troisième couche (4c) (Au). Le composant électronique (100) mis à disposition comprend une grille de connexion (3) et une puce semi-conductrice (1) disposée sur la grille de connexion (3), une suite de couches de connexion (5) étant disposée entre la grille de connexion (3) et la puce semi-conductrice (1) et la suite de couches de connexion (5) comprenant - une première couche intermétallique (5a) comprenant de l'or et de l'indium ; de l'or de l'indium et du zinc ; de l'or du palladium et de l'indium ; de l'or, du palladium, de l'indium et du zinc ; de l'or du palladium, du nickel et de l'indium ; ou de l'or, du palladium, du nickel, de l'indium et du zinc, - une deuxième couche intermétallique (5b) comprenant de l'indium et un composé de titane ; de l'indium, du zinc, et un composé de titane ; de l'indium et du nickel ; de l'indium, du zinc et du nickel ; de l'indium et de la platine ; de l'indium, du zinc et de la platine ; de l'indium et du titane ; ou de l'indium, du zinc et du titane et – une troisièmes couche intermétallique (5c) comprenant de l'indium et de l'or ou de l'indium, du zinc et de l'or.