## Pengaruh Suhu Sintering Terhadap Sintesis Silicon Carbide (SiC) Berbahan Dasar Abu Sekam Padi dan Grafit Pensil 2B
Resky Irfanita 1 , Asnaeni Ansar, Ayu Hardianti Pratiwi, Jasruddin dan Subaer Laboratorium Fisika Material Jurusan Fisika, Fakultas MIPA, Universitas Negeri Makassar
1 reskyirfanita@rocketmail.com
Received 30-05-2014, Revised 27-10-2014, Accepted  3-12-2014, Published  30-04-2015

## ABSTRACT
The objective of this study is to investigate the effect of sintering temperature on the synthesis of SiC produced from rice husk ash (RHA) and 2B graphite pencils. The SiC was synthesized by using solid state reaction method sintered at temperatures of 750°C, 1000°C and 1200°C for 26 hours, 11.5 hours and 11.5 hours, respectively. The quantity and crystallinity level  of SiC phase  were  measured  by  means  of  Rigaku  MiniFlexII  X-Ray  Diffraction  (XRD).  The microstructure of SiC was examined by using Tescan Vega3SB Scanning Electron Microscopy (SEM). The XRD results showed that the concentration (wt%) of SiC phase increases with the increasing of sintering temperature. SEM results showed that the crystallinity level of SiC crystal is improving as the sintering temperature increases.
Keywords  :  Grafit,  Rice  Husk  Ash,  Scanning  Electron  Microscopy  (SEM),  Silicon  Carbide (SiC), X-Ray Diffraction (XRD)

## ABSTRAK
Penelitian  ini  bertujuan  untuk  menyelidiki  pengaruh  suhu  sintering  terhadap  sintesis  silicon carbide (SiC) berbahan dasar abu sekam padi dan grafit dari pensil 2B. Sintesis SiC dilakukan dengan  metode  reaksi  padatan  pada  temperatur  sintering  750 o C,  1000 o C  dan  1200 o C  dengan waktu sintering masing-masing 26 jam, 11.5 jam dan 11.5 jam. Tingkat kekristalan dan kuantitas fasa SiC diuji dengan Rigaku MiniFlexII X-Ray Diffraction (XRD). Struktur mikro SiC diuji dengan  Tescan  Vega3SB  Scanning  Electron  Microscopy  (SEM).  Hasil  pengukuran  dengan XRD memperlihatkan bahwa konsentrasi fasa (wt%) SiC meningkat dengan meningkatnya suhu sintering. Hasil uji SEM  menunjukkan bahwa tingkat  kekristalan partikel SiC semakin tinggi dengan dengan naiknya temperatur sintering.
Kata  kunci:  Abu  Sekam  Padi,  Grafit,  Scanning  Electron  Microscopy  (SEM),  Silicon  Carbide (SiC), X-Ray Diffraction (XRD).

## PENDAHULUAN
Silicon  carbide (SiC)  merupakan  jenis  material  yang  sangat  keras  dan  memiliki  aplikasi yang luas, terutama di bidang industri. SiC merupakan salah satu jenis material yang paling dibutuhkan tetapi jumlahnya sedikit dan memiliki harga yang sangat tinggi. Silicon carbide atau carborundum atau moissanite atau yang lebih dikenal dengan SiC merupakan keramik non-oksida  yang  terbentuk  dari  campuran  silikon  dan  karbon.  SiC  pertama  kali  disintesa secara komersial dalam bentuk α-SiC oleh E.J. Acheson pada tahun 1891 [1,2] .
SiC dapat di sintesa melalui proses reduksi silikon diokside ( SiO 2 ) dengan karbon (C) atau karbonisasi  pada  logam  Si  dengan  bahan  dasar  yang  mudah  didapat  di  alam.  Sumber  Si dapat diperoleh dari sekam padi yang dibakar. Sekam padi sangat melimpah sejalan dengan meningkatnya produksi padi tiap tahunnya. Data Badan Pusat Statistik (2013) khususnya di Sulawesi Selatan menunjukkan bahwa produksi padi di tahun 2012 yaitu sekitar 4.747.910 ton [3] .  Padi  menghasilkan  sekam  padi  sebagai  limbah.  Limbah  sekam  padi  dapat menghasilkan abu sekam padi dengan kandungan silika yang tinggi. Bahan dasar abu sekam padi  atau ri c e  husk  ash (RHA)  menjadi  pilihan  utama  sebagai  sumber  silika.  RHA merupakan limbah yang mengandung banyak unsur silika. Persentasi kandungan kimia dari sekam padi terdiri atas 50% selulosa, 25-30% lignin, dan 15-20% silica [4] . Sekam padi, bila dibakar akan menghasilkan sekitar 20 % abu sekam. Abu tersebut mengandung silika antara 92-95 %, dengan porositas yang tinggi, ringan dan permukaan eksternal yang luas. Secara praktis, kandungan silika abu sekam padi dipengaruhi oleh teknik pembakarannya (waktu dan  suhu).  Pembakaran  pada  suhu  antara  550 o C  -800 o C  menghasilkan  silika  amorf  dan pembakaran pada suhu  yang lebih tinggi  akan menghasilkan kristal silika fase kristobalit dan tridimat [5] .
Sumber C sendiri dapat diperoleh dari bahan alami dan grafit pensil 2B . Grafit pensil 2B mudah  didapatkan  serta  tidak  mahal  dengan fase tunggal  dari  karbon  yang  sangat  baik digunakan untuk sintesis SiC. Grafit mempunyai susunan seperti pelat pipih yang terbentuk dari atom karbon yang berbentuk heksagonal. Pada grafit, jarak antara pelat lebih dekat dan terikat  lebih  teratur  daripada  struktur  karbon  aktif [6] .  Grafit  amorf  dengan  struktur  kristal yang  baik  diaplikasikan  pada  pembuatan  dan  produksi  pensil [7] .  Pensil  yang  diproduksi besar-besaran saat ini ada beberapa tipe, diantaranya yaitu pensil 2B. Grafit dari pensil 2B sangat baik dimanfaatkan dalam pembuatan silicon carbide. Berikut merupakan komposisi kimia dari pensil 2B:
Tabel 1. Konsentrasi unsur pensil 2B berdasarkan analisa metode XRF [8] .
Komposisi Persentase (%) C (±3.5) 51.4 Si (±0.2) 13.9 O (±1.0) 20.3 Fe (±0.1) 5.5 Al (±0.3) 5.0 Ca (±0.6) 1.0 K (±1.0) 0.4 Mg (±0.5) 0.9 Na (±1.0) 0.6 S (±0.5) 0.2 Ti (±0.8) 0.4
Tabel 2.3 memperlihatkan bahwa unsur C didalam pensil 2B mencapai massa atomik   51,4 %. Kehadiran unsur lain seperti Si, Fe, Al, Ca, K, Mg, Na, S dan Ti bersumber dari jenis clay yang digunakan sebagai binder atau pengikat unsur C dalam pembuatan pensil [9] .
Secara umum reaksi dari silikon dan karbon untuk membentuk SiC, dapat dituliskan sebagai berikut [1,2] :
SiO 2(s) + 3C (s) SiC (s) + 2CO (g) (1)
Berbagai metode telah dilakukan dalam mensintesis SiC yaitu dengan metode sol-gel dan metode  carbothermal  reduction. . SiC juga  dapat  disintering  menggunakan  reaksi  padatan,
phySiCal  vapour  deposition  (PVT),  chemical  vapour  deposition  (CVD),  liquid  phase sintering (LPS) or mechanical alloying (MA) [2,9,11] .
Silicon  carbide (SiC)  merupakan  keramik  yang  tergolong  kedalam  material Polymorphy . Ada banyak tipe dari SiC yaitu 3C, 2H, 4H, 6H, 8H, 9R, 10H, 14H, 15R,19R, 2OH, 21H, and 24R. Dimana (C), (H) dan (R) adalah tiga dasar kristal SiC yaitu kubik, heksagonal dan rombohedral [2] .  SiC  merupakan  jenis  keramik  yang  cukup  kuat,  tingkat  kekerasannya mencapai  3500 Vickers  hardness (VHN),  dengan  kekuatan  luluh  450  MPa  dan ketangguhannya mencapai 4,5 MPa √𝑚 , dengan titik didih 2972 ̊ C, titik lebur 2700 ̊ C dan konduktivitas panas mencapai 4,0 W/m.K [12] . Keramik SiC memiliki ikatan kovalen, dimana tiap atom Si dikelilingi oleh atom C dengan dua polymorphy, yaitu [2,13] : 1. Struktur rhombohedral yang  dikenal  sebagai  α-SiC.  Berwarna  abu-abu  kehitaman,
terbentuk pada suhu 2000 o C dan stabil pada suhu 2600 o C.
2. Struktur kristal kubik yang dikenal sebagai β-SiC. Berwarna hijau, terbentuk pada suhu dibawah 2000 o C dan stabil pada suhu 1500 o C-1600 o C.

## METODE PENELITIAN
Metode yang dipakai dalam penelitian ini adalah reaksi padatan ( solid state method ) yaitu dengan cara mereaksikan padatan silika dari abu sekam padi dengan grafit pensil 2B pada suhu sintering 750 o C, 1000 o C dan 1200 o C. Diagram Alir Sintesis dan Karakterisasi silicon carbide (SiC):
Gambar 1. Diagram alir sintesis dan karakterisasi SiC
Persiapan Alat dan Bahan Persiapan bahan dasar Si (Abu Sekam Padi) Persiapan bahan dasar C (Grafit Pensil 2B) Sintesis SiC (Si+C)
Digerus selama 1 jam (perbandingan 1:3)
Mereaksikan Si dan C pada sampel SiC yang telah dipellet dengan cara disintering dengan variasi suhu 750 o C, 1000 o C dan 1200 o C
Karakterisasi SEM
( Scanning Electron Microscopy )
Karakterisasi XRD
( X-Ray Diffraction )

## HASIL DAN PEMBAHASAN

## Hasil Karakterisasi Bahan Dasar

## Hasil Karakterisasi Abu Sekam Padi dengan SEM & XRD
Bahan dasar Si diambil dari abu sekam padi Kabupaten Sidrap. Gambar 2 memperlihatkan morfologi abu sekam padi yang digunakan pada penelitian ini. Terlihat jelas pada struktur abu sekam padi dengan ukuran butir yang bervariasi. Skala abu-abu citra SEM yang relatif seragam menandakan komposisi kimia material dengan nomor atom yang sama yaitu atom Si terkandung pada abu sekam padi.
Gambar 2. Morfologi abu sekam padi yang diambil dengan menggunakan Vega3SB Scanning Electron Microscopy (SEM).
Gambar  3  memperlihatkan  spectrum  EDS  untuk  mengetahui  kandungan  elemental  abu sekam  padi.  Hasil  uji  elemental  dengan  EDS  menunjukkan  puncak  tertinggi  dengan kandungan fase SiO 2 sebesar 99,32 wt% dan pengotor lain berupa kalsium sebesar       0,68 wt%.
Gambar 3. Hasil analisis EDS abu sekam padi
2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 keV 0 20 40 60 80 100 cps/eV O Si K K
Tabel 2. Data Komposisi Abu Sekam Padi hasil analisis EDS
Element Unn.C Norm.C Atom.C Compound norm.C Comp.C Error (3 Sigma) [wt.%] [wt.%] [at.%] [wt.%] [wt.%] Oxygen 29.00 53.01 66.52 0.00 10.31 Silicon 25.40 46.43 33.19 SiO 2 99.32 3.33 Pottasium 0.31 0.56 0.29 K 2 O 0.68 0.12 Total 54.7 100.00 100.00 100.00
Gambar 4 memperlihatkan citra SEM grafit yang digunakan sebagai bahan dasar. Struktur grafit pada gambar berbentuk seperti lempengan.
Gambar 4 . Morfologi grafit pensil 2B
Data  komposisi  grafit  pensil  2B  dianalisis  menggunakan  Rigaku  MiniFlexII X-Ray Diffraction (XRD).  Hasil  karakterisasi  menunjukkan  bahwa  kandungan  pensil  2B didominasi oleh fase grafit dengan kelimpahan mencapai 100 wt%. Data grafit pensil 2B ini sesuai dengan data asli grafit PDF Card No. : 00-023-0064.
Gambar 5. Diffragtogram XRD grafit pensil 2B

## Hasil Karakterisasi Silicon Carbide (SiC)
Silicon carbide (SiC) disintesis dengan metode reaksi padatan, yaitu dengan mereaksikan padatan SiO 2 dari abu sekam padi dan grafit dari pensil 2B dengan perbandingan Si dan C yaitu  1:3  pada  suhu  sintering  yang  bervariasi.  Pada  penelitian  ini  dibuat  3  sampel  yaitu sampel  A,  B  dan  C yang  dipanaskan  pada  suhu  sintering  berbeda,  berturut-turut  750 o C, 10 20 30 40 50 60 70 0.0e+000 5.0e+004 1.0e+005 ( 0 0 2 ) ( 0 0 4 ) 10 20 30 40 50 60 70 0 20 40 60 80 100 ( 0 0 2 ) ( 0 0 4 ) Graphite, C
Int ens ity ( c ps ) 10 20 30 40 50 60 70 0.0e+000 5.0e+003 1.0e+004 1.5e+004 2.0e+004 (1 1 1 ) (0 0 2 ) (1 0 1 ) (2 0 0 ) (1 1 0 ) (0 0 2 )
(1 1 1 ) (1 1 0 ) 0 100 (1 1 1 ) Silicon Carbide, C Si 0 100 (0 0 2 ) Graphite-2H, C 0 100 (1 0 1 ) Cristobalite, Si O2 0 100 (2 0 0 ) (1 1 0 ) (0 0 2 )
(1 1 1 ) Tridymite, Si O2 10 20 30 40 50 60 70 0 100 (1 1 0 ) rutile HP, Ti O2 2-theta (deg) Int ens ity ( c ps )
10 20 30 40 50 60 0.0e+000 5.0e+003 1.0e+004 1.5e+004 2.0e+004
( 1 0 0 ) ( 0 0 2 ) ( 1 0 1 ) ( 1 0 1 ) ( 0 0 2 ) 0 50 100 ( 1 0 0 ) ( 0 0 2 )
( 1 0 1 ) Silicon Carbide, Si C 0 50 100 ( 1 0 1 ) Cristobalite low, syn, Si O2 10
20 30 40 50 60 0 50 100 ( 0 0 2 ) Graphite-2H, C 2-theta (deg) Int ens ity ( c ps )
10 20 30 40 50 60 70 0.0e+000 5.0e+003 1.0e+004 1.5e+004 2.0e+004 (1 1 1 )
(0 0 2 ) (1 0 1 ) (2 0 0 )
(1 1 0 ) (0 0 2 ) (1 1 1 )
(1 1 0 ) 0 100 (1 1 1 ) Silicon Carbide, C Si 0 100 (0 0 2 )
Graphite-2H, C
0 100
(1 0 1 )
Cristobalite, Si O2
0 100 (2 0 0 ) (1 1 0 ) (0 0 2 )
(1 1 1 )
Tridymite, Si O2 10 20 30 40 50 60 70 0 100 (1 1 0 ) rutile HP, Ti O2 2-theta (deg)
Int ens ity ( c ps ) 1000 o C  dan  1200 o C  dengan  mempertahankan  parameter  lain.  Variasi  suhu  sintering dilakukan untuk melihat perbedaan ketiga sampel baik dari persentase kandungan SiC yang terbentuk maupun morfologi dari masing-masing sampel. Hasil Karakterisasi XRD & SEM dari SiC untuk ketiga sampel dapat dilihat pada gambar 6 dan 7:
Gambar 6. Diffragtogram silicon carbide (SiC) dengan XRD pada suhu sintering yang berbeda    (a)
750 o C, (b) 1000 o C dan (c) 1200 o C.
Gambar 7. Morfologi silicon carbide (SiC) pada perbesaran 5 µm dengan suhu sintering yang berbeda (a) 750 o C, (b) 1000 o C dan (c) 1200 o C.
Karakterisasi  derajat  kekristalan  SiC  dilakukan  dengan  Rigaku  MiniFlexII X-Ray Diffraction (XRD) dari rentang sudut 10 o - 60 o dan Struktur mikro SiC diuji dengan Tescan Vega3SB Scanning Electron Microscopy (SEM). Berdasarkan hasil karakterisasi, diperoleh
10 20 30 40 50 60 70 0.0e+000 5.0e+003 1.0e+004 1.5e+004 (1 0 1 ) (0 0 2 ) (1 0 2 5 ) (0 1 2 9 )
(1 0 4 3 ) (1 1 0 ) (2 0 0 ) 0 100 (1 0 1 ) Cristobalite low, Si O2 0 100 (0 0 2 ) Graphite-2H, C 0 100 (1 0 2 5 ) (0 1 2 9 ) (1 0 4 3 ) (1 1 0 ) Silicon Carbide, Si C 10 20 30 40 50 60 70 0 100 (2 0 0 ) Tridymite, Si O2 2-theta (deg) Int ens ity ( c ps ) 10 20 30 40 50 60 70 0.0e+000 5.0e+003 1.0e+004 1.5e+004 (1 0 1 )
(0 0 2 ) (1 0 2 5 )
(0 1 2 9 ) (1 0 4 3 )
(1 1 0 )
(2 0 0 ) 0 100 (1 0 1 ) Cristobalite low, Si O2 0 100 (0 0 2 ) Graphite-2H, C 0 100 (1 0 2 5 )
(0 1 2 9 ) (1 0 4 3 ) (1 1 0 ) Silicon Carbide, Si C
10 20 30 40 50 60 70 0 100 (2 0 0 ) Tridymite, Si O2 2-theta (deg) Int ens ity ( c ps ) C 10 20 30 40 50 60 70 0.0e+000 5.0e+003 1.0e+004 1.5e+004 2.0e+004 (1 1 1 ) (0 0 2 ) (1 0 1 ) (2 0 0 )
(1 1 0 ) (0 0 2 )
(1 1 1 ) (1 1 0 ) 0 100 (1 1 1 ) Silicon Carbide, C Si 0 100 (0 0 2 ) Graphite-2H, C 0 100
(1 0 1 ) Cristobalite, Si O2 0 100
(2 0 0 )
(1 1 0 ) (0 0 2 )
(1 1 1 ) Tridymite, Si O2 10 20
30 40
50 60 70 0 100 (1 1 0 ) rutile HP, Ti O2 2-theta (deg) Int ens ity ( cps ) 10 20 30 40
50 60 70 0.0e+000 5.0e+003 1.0e+004 1.5e+004 2.0e+004 (1 1 1 ) (0 0 2 ) (1 0 1 ) (2 0 0 ) (1 1 0 ) (0 0 2 ) (1 1 1 ) (1 1 0 ) 0 100 (1 1 1 )
Silicon Carbide, C Si
0 100
(0 0 2 )
Graphite-2H, C
0 100
(1 0 1 )
Cristobalite, Si O2
0 100
(2 0 0 ) (1 1 0 ) (0 0 2 )
(1 1 1 ) Tridymite, Si O2 10 20 30 40 50 60 70 0 100 (1 1 0 ) rutile HP, Ti O2 2-theta (deg) Int ens ity ( cps ) 10
20 30 40 50 60 70 0.0e+000 5.0e+003 1.0e+004 1.5e+004 2.0e+004 (1 1 1 ) (0 0 2 ) (1 0 1 ) (2 0 0 ) (1 1 0 ) (0 0 2 )
(1 1 1 ) (1 1 0 ) 0 100 (1 1 1 )
Silicon Carbide, C Si 0 100
(0 0 2 )
Graphite-2H, C 0 100
(1 0 1 ) Cristobalite, Si O2
0 100
(2 0 0 ) (1 1 0 ) (0 0 2 )
(1 1 1 ) Tridymite, Si O2 10 20 30 40 50 60 70
0 100
(1 1 0 ) rutile HP, Ti O2 2-theta (deg) Int ens ity ( cps ) 10 20 30 40 50 60 70 0.0e+000 5.0e+003 1.0e+004 1.5e+004 2.0e+004 ( 1 1 1 ) ( 0 0 2 ) ( 1 0 1 ) ( 2 0 0 ) ( 1 1 0 ) ( 0 0 2 ) ( 1 1 1 ) ( 1 1 0 ) 0 100 ( 1 1 1 ) Silicon Carbide, C Si 0 100 ( 0 0 2 ) Graphite-2H, C 0 100 ( 1 0 1 ) Cristobalite, Si O2 0 100 ( 2 0 0 )
( 1 1 0 ) ( 0 0 2 )
( 1 1 1 ) Tridymite, Si O2 10 20 30 40 50 60 70 0 100 ( 1 1 0 ) rutile HP, Ti O2 2-theta (deg) Int ens i ty ( c ps ) 10 20 30 40 50 60 70 0.0e+000 5.0e+003 1.0e+004 1.5e+004 2.0e+004 ( 1 1 1 ) ( 0 0 2 ) ( 1 0 1 ) ( 2 0 0 ) ( 1 1 0 ) ( 0 0 2 ) ( 1 1 1 ) ( 1 1 0 ) 0 100 ( 1 1 1 ) Silicon Carbide, C Si 0 100 ( 0 0 2 ) Graphite-2H, C 0 100 ( 1 0 1 ) Cristobalite, Si O2 0 100 ( 2 0 0 ) ( 1 1 0 ) ( 0 0 2 ) ( 1 1 1 ) Tridymite, Si O2 10 20 30 40 50 60 70 0 100 ( 1 1 0 ) rutile HP, Ti O2 2-theta (deg) Int ens i ty ( c ps ) 10 20 30 40 50 60 70 0.0e+000 5.0e+003 1.0e+004 1.5e+004 2.0e+004 ( 1 1 1 ) ( 0 0 2 ) ( 1 0 1 ) ( 2 0 0 ) ( 1 1 0 ) ( 0 0 2 ) ( 1 1 1 ) ( 1 1 0 ) 0 100 ( 1 1 1 ) Silicon Carbide, C Si 0 100 ( 0 0 2 ) Graphite-2H, C 0 100 ( 1 0 1 ) Cristobalite, Si O2 0 100 ( 2 0 0 ) ( 1 1 0 ) ( 0 0 2 )
( 1 1 1 ) Tridymite, Si O2
10 20 30 40 50 60 70 0 100
( 1 1 0 ) rutile HP, Ti O2 2-theta (deg) Int ens i ty ( c ps ) A B A B C
bahwa untuk sampel A dengan suhu sintering 750 o C selama 26 jam, telah terbentuk fase SiC sebesar 9 wt%, namun  yang lebih mendominasi adalah fase graphite 2H yaitu sebesar 56 wt%. Untuk sampel B dengan suhu sintering 1000 o C selama 11.5 jam telah terbentuk fase SiC sebesar 7.3 wt%, pada sampel B ini fase graphite masih mendominasi puncak tertinggi. Untuk  sampel  C dengan  dengan  suhu  sintering  1200 o C  selama  11.5  jam  fase  SiC  yang terbentuk meningkat menjadi 11 wt%, pada sampel C ini cristobalite muncul dengan fase tertinggi  dan  menggantikan  fase  graphite.  Hal  ini  dikarenakan  perubahan  suhu  sintering yang bervariasi menyebabkan perbedaan kuantitas fase SiC yang diperoleh. Suhu sintering menjadi parameter penting yang berpengaruh terhadap sintesis SiC. Pada penelitian ini suhu sintering belum cukup untuk mereaksikan Si dan C untuk membentuk SiC seperti penelitian Tjitro, J.A., dkk(2007) baru berhasil memperoleh fase dominan  SiC dengan mereaksikan campuran serbuk kayu meranti dan silikon, pada suhu 1575 o C [14] .
Morfologi kristal SiC juga berubah seiring dengan perubahan suhu sintering. Dapat dilihat pada gambar 7 morfologi struktur kristal SiC dengan scale bar 5 µm, menunjukkan bahwa pada sampel a dengan suhu sintering 750 o C, Si dan C telah menunjukkan terjadinya nukleasi yang  merupakan  cikal  bakal  terbentuknya  kristal  kubik  dari  SiC.  Struktur  kubik  tersebut mulai terbentuk pada sampel b dengan suhu sintering 1000 o C, dan hampir sempurna pada suhu sintering 1200 o C dengan bentuk yang lebih jelas.

## KESIMPULAN
Serbuk  SiC  berhasil  disintesis  dari  bahan  abu  sekam  padi  dan  grafit  pensil  2b  dengan perbandingan  si:c=1:3.  Suhu  sintering  yang  berbeda  mempengaruhi  struktur  kristal  dan morfologi SiC. Konsentrasi fasa (wt%) SiC meningkat dengan meningkatnya suhu sintering, demikian pula dengan morfologi kristal SiC yang semakin baik pada temperatur yang tinggi. Konsentrasi  fasa  (wt%)  SiC  tertinggi  pada  suhu  sintering  1200 o C  yaitu  sebesar  11  wt  % dengan morfologi SiC berbentuk kubus.

## DAFTAR PUSTAKA
1 Niyomwas,  S.,  2008.  The  effect  of  carbon  mole  ratio  on  the  fabrication  of  silicon carbide  from  SiO2-C-Mg  system  via  self-propagating  high  temperature  synthesis. Songklanakarin Journal. Science and Technol, Volume 30 No.2, pp. 227-231.
2 Abderrazak,  H.  &  Bel  Hadj  Hmida,  E.  S.,  2011.  Silicon  Carbide:  Shynthesis  and properties.  In:  P.  R.  Gerhardt,  ed. Properties  and  Applications  of  Silicon  Carbide. Europe: Intech, p. 363.
3 Statistik,  B.  P.,  2013. Perkembangan  Beberapa  Indikator  Utama  Sosial  Ekonomi Indonesia 2012. Jakarta: BPS-Statistik Indonesia.
4 Bakri,  2008.  Komponen  Kimia  dan  Fisika  Abu  Sekam  Padi  Sebagai  SCM  untuk Pembuatan Komposit Semen. Perennial, Volume 5 No.1.
5 Subaer, 2012. Pengantar Fisika Geopolimer. Makassar: Direktorat Jenderal Pendidikan Tinggi.
6 Suhartana, 2006. Pemanfaatan Tempurung Kelapa Sebagai  Bahan Baku  Arang Aktif dan  Aplikasinya  untuk  Penjernihan  Air  Sumur  di  Desa  Belor  Kecamatan  Ngaringan Kabupaten Grobogan. Berkala Fisika, Volume 9 No. 3.
7 Crosley, P., 2000. Graphite: High-tech Supply Sharpens Up, s.l.: Industrial Minerals.
8 Bhowmik, R., 2012. Ferromagnetism in lead graphite-pencils and magnetic composite with  CoFe2O4  particles, India:  Department  of  Physics,  Pondicherry  University,  R. Venkataraman Nagar, Kalapet,Pondicherry-60014.
9 Nugraha, E. Y., 2013. Atribut Produk Pensil 2B Staedler serta Pengaruhnya Terhadap keputusan Pembelian. Bandung: Universitas Pendidikan Indonesia.
10 Mas'udah, K. W., Fuad, A., Ayu Hana Margareta, M. & Alfiah  Ilmiawati , S., 2012. Sintesis Silikon Karbida (SiC) dari Silika Sekam Padi dengan Metode Sol-Gel. Issue 978-602-97895-6-0, pp. 187-192.
11 Namini,  A.  S.,  Azadbeh,  M.  &  Mohammadzadeh,  A.,  2013.  Microstructure  and Densification Behavior of Liquid Phase Sintered Cu-28Zn Prealloyed Powder. Science Of Sintering, Volume 45, pp. 351-362.
12 Zamheri, A., 2011. Pengaruh Waktu Stirring, Fraksi Volume dan Ukuran Besar Butir Partikel  SiC  Terhadap  Kekerasan  MMC  Al  6061-SiC  Dengan  Sistem  Stirrcasting. Austenit, Volume 3 No.2, pp. 23-26.
13 Wigayati, E. M. & Muljadi, 2008. Karakteristik Sifat Termal, Sifat Listrik. Urania, 14 No.3(0852-4777), pp. 106-160.
14 Tjitro, J. A. & Wijaya, E., 2007. Pembuatan Keramik Silikon Karbida Menggunakan Campuran  Serbuk  Kayu  Meranti  dan  Silikon. s.l.,  Universitas  Kristen  Petra  (karya ilmiah).