## Perancangan Low Noise Amplifier
dengan Teknik Non Simultaneous Conjugate Match
untuk Aplikasi Radar S-Band
Design of Low Noise Amplifier Using Non Simultaneous Conjugate Match Technique for S-Band Radar Application
Yana Taryana a, * , Achmad Munir b , Yaya Sulaeman a , dan Dedi a
a Pusat Penelitian Elektronika dan Telekomunikasi, Lembaga Ilmu Pengetahuan Indonesia Komp LIPI Gd 20, Jl Sangkuriang 21/54D, Bandung 40135, Indonesia
b Laboratorium Gelombang mikro dan Radio Telekomunikasi Sekolah Teknik Elektro dan Informatika, Institut Teknologi Bandung Jalan Ganesha 10, Bandung 40135, Indonesia

## Abstrak
Radar  merupakan  sistem  pemancar  dan  penerima  gelombang  elektromagnetik  untuk  mendeteksi,  mengukur  jarak  dan membuat peta benda benda seperti pesawat terbang, kapal laut, kendaran bermotor dan informasi cuaca. Salah satu kendala yang dihadapi pada sistem radar adalah sinyal pantulan yang memiliki daya yang rendah sehingga kualitas penerimaan menjadi kurang  baik.  Untuk  mengatasi  kendala  tersebut  dibutuhkan  penguat  daya  pada  sistem  penerima  yaitu Low  Noise  Amplifier (LNA). Oleh karena itu, tulisan ini memaparkan perancangan LNA dengan menggunakan teknik Non Simultaneous Conjugate Match (NSCM) untuk aplikasi radar S-Band . Teknik ini memberikan kemudahan dalam menentukan nilai trade off (TO) untuk nilai gain , noise  figure (NF)  dan Voltage  Standing  Wave  Ratio (VSWR) yang  diinginkan.  Dalam  proses  perancangannya, perangkat lunak Agilent Design System (ADS) 2011 digunakan untuk mendapatkan hubungan antara lingkaran gain, lingkaran NF , lingkaran  VSWR,  dan lingkaran mismatch  factor (M) . Dari hubungan  tersebut  diperoleh  nilai impedansi  masukan  dan keluaran  dari  komponen  aktif.  Dalam  tulisan  ini,  LNA  dirancang  dua  tingkat  untuk  mendapatkan  penguatan  yang  tinggi. Masing-masing  tingkat  menggunakan  komponen  aktif  BJT  BFP420  dengan  penguatan  dirancang  sebesar  13,50  dB  untuk tingkat pertama dan kedua, dan M sebesar 0,98. Sedangkan untuk saluran penyesuai impedansinya menggunakan substrat teflon fiberglass DiClad527. Hasil simulasi menunjukkan karakteristik LNA pada frekuensi 3 GHz yaitu gain sebesar 28,80 dB, NF sebesar 2,80 dB, VSWR in sebesar 1,05 dan VSWR out sebesar 1,1.
Kata kunci : gain , LNA, Trade off , noise figure , non simultaneous conjugate match , VSWR.

## Abstract
Radar is an object-detection system that uses radio waves to determine the range, angle, or velocity of objects. It can be used  to  detect  aircraft,  ships,  motor  vehicles,  and  weather  formations.  One  of  the  obstacles  facing  the  radar  system  is  the reflected signal which has a lower power signal so that the reception quality becomes poor . To solve this obstacle, a Low Noise Amplifier  (LNA)  is  needed  at  receiver  part  of  radar.  Therefore,  this  paper  is  proposed  to  discusss  LNA  design  using  non simultaneous  conjugate  match  (NSCM)  technique  for  S-band  radar  application.  This  technique  provides  convenience  in determining the value of a trade off (TO) between gain, noise figure (NF) and voltage standing wave ratio (VSWR) desired. In design process, the Agilent Design System (ADS) 2011 software is used to create a relationship between gain circle, NF circle, VSWR circle, and the mismatch factor (M) circle. From the result of that relationship, it can be determined the input and output impedance of the active components. In this paper, two stage LNA is designed to obtain high gain. The active components of BJT BFP420 type are used for each stage where the gain is designed as high as 13.50 dB for first stage and second stage and M is 0.98. Whilst, the substrate of teflon fiberglass DiClad527 type is used as microstrip lines for matching impedance network. The simulation results at 3 GHz frequency record the gain of 28.80 dB, NF of 2.80 dB, VSWRin of 1.05 and VSWRout of 1.10.
Keywords : gain, LNA, trade off, noise figure, non simultaneous conjugate match, VSWR.
I. P ENDAHULUAN
Radar  ( Radio  Detection  and  Ranging )  merupakan sistem pemancar dan penerima gelombang elektromagnetik untuk mendeteksi, mengukur jarak dan
membuat  peta  benda-benda  seperti  pesawat  terbang, kapal  laut,  kendaran  bermotor  dan  informasi  cuaca. Salah  satu  sistem  radar  yang  dikembangkan  di  PPET- LIPI  adalah  Radar S-band untuk  pengawasan  pantai. Salah satu kendala yang dihadapi pada sistem radar ini adalah sinyal pantulan yang memiliki daya yang rendah sehingga  kualitas  penerimaan  menjadi  kurang  baik. Untuk  mengatasi  kendala  tersebut  maka  dibutuhkan sebuah penguat  daya  pada  bagian penerima  yaitu Low Noise Amplifier (LNA) [1].
* Corresponding Author . Email: yanvirs@gmail.com Received: November 9, 2015; Revised: November 24, 2015 Accepted: December 24, 2015 Published: December 30, 2015  2015 PPET - LIPI doi : 10.14203/jet.v15.45-49
(a) (b)
Gambar 1. (a) Lingkaran Gain , (b) Lingkaran Noise Figure dan Mismatch. Gambar 1. (a) Lingkaran gain, (b) Lingkaran noise figure dan mismatch Input Macthing Network Interstage
Macthing Network Output Macthing Network RF In RF Out Z L = 50 Ω Z S = 50 Ω DC Biasing BFP 420 BFP 420 M1 M2 Г S1 Г S2 Г in1 Г in2 Г out1 Г out2 Г L1 Г L2
Gambar 2. Topologi LNA 2 Tingkat.
Untuk memberikan kualitas penerimaan yang baik pada  sistem  penerima  tersebut,  maka  LNA  yang terpasang harus memiliki noise figure (NF) yang rendah dan gain yang  tinggi,  agar  sinyal  yang  diterima  dapat diproses  pada  tingkat  selanjutnya  [2].  Untuk mendapatkan gain yang  tinggi,  biasanya  sebuah  LNA dirancang dengan sistem bertingkat. Akan tetapi sistem penguat bertingkat mempunyai kekurangan yaitu dapat mempengaruhi  kenaikan  NF  [3].  Untuk  mengatasi permasalahan  tersebut,  maka  harus  ditentukan  nilai trade off (TO) antara kebutuhan gain dan NF. Untuk itu, tulisan  ini  memaparkan  tentang  perancangan  LNA dengan  menggunakan  teknik non simultaneous conjugate  match  (NSCM). untuk aplikasi radar S-Band di  mana  teknik  ini  memberikan  kemudahan  dalam menentukan nilai TO antara gain dan NF.
Pada dasarnya teknik NSCM adalah
mengkondisikan  rangkaian  dalam  keadaan mismatch pada  bagian masukan.  Besarnya  nilai mismatch  factor (M)  dapat  ditentukan  sesuai  dengan  kebutuhan perancangan.  Dengan  bantuan  perangkat lunak Agilent Design  System  (ADS) 2011  dapat  dibuat  hubungan lingkaran gain dengan  lingkaran mismatch yang  akan menunjukkan nilai VSWR dan NF [4], [5]. Gambar  1  memperlihatkan  hubungan  lingkaran gain dengan  lingkaran mismatch yang  terjadi  pada simulasi komponen aktif BJT BFP 420. Dengan bantuan perangkat  lunak  ADS  2011,  dapat  dibuat  tiga  buah lingkaran gain untuk  menentukan gain yang  akan dipilih  sesuai  dengan  keinginan  perancangan  seperti yang  diperlihatkan  pada  Gambar  1  (a). Gain yang dipilih ditandai dengan m1 sedangkan NF yang dipilih ditandai dengan m2 seperti ditunjukan pada  Gambar 1 (b).  Pada  saat  m2  dipindahkan  maka  posisi  m1  akan berubah mengikuti lingkaran gain . Nilai TO yang harus diambil  adalah  ketika  terjadi  lingkaran mismatch memotong  lingkaran  NF.  Dari  kejadian  ini  maka diperoleh  nilai  TO  antara gain ,  NF  dan  VSWR. Hubungan kedua lingkaran itu menghasilkan juga nilai koefisien refleksi sumber (Г S ), impedansi sumber  (Z S ), koefisien refleksi beban (Г L ) dan impedansi beban (Z L ).

## II. T OPOLOGI LNA
Terdapat  bermacam-macam  jenis  topologi  yang dapat digunakan dalam merancang sebuah LNA. Dalam perancangan  ini,  topologi  yang  digunakan  adalah common  emitter (CE), di mana sinyal input pada basis transistor  BFP420  sedangkan output -nya  pada  bagian kolektornya.  Topologi  ini  dipilih  agar  sinyal  masukan mendapatkan sensitivitas dan linieritas yang baik [6].
Pada  Gambar  2  untuk  mencapai gain maksimum pada  penguat  tingkat  pertama  harus  memenuhi  Г S1 = Г in1 * dan Г L1 = Г out1 * sedangkan pada penguat  tingkat kedua  Г S2 =  Г in2 *  dan  Г L2 =  Г out2 *  [7]  -  [10].  Kondisi tersebut  sangat  sulit  dicapai  dengan  teknik simulataneous  conjugate  match karena  menurut Persamaan 1 dan 2, Г in2 dipengaruhi oleh Г L1 dan Г out1 dipengaruhi  oleh  Г S1 .  Kejadian  ini  berlaku  juga  untuk penguat  tingkat  kedua.  Sedangkan  pada  teknik  NSCM dapat  menyederhanakan  perhitungan  matematis  karena lingkaran gain pada Smith  chart memberikan  nilai  Z L dan Zs  sehingga tidak harus menghitung nilai Г in dan Г out . Simbol M1 dan M2 pada Gambar 2, masing masing
menunjukkan nilai mismatch factor  input pada penguat tingkat  pertama  dan  nilai mismatch  factor  input pada penguat tingkat kedua.
Saat terjadi transfer daya maksimum, maka VSWR bernilai  satu  artinya  sinyal  daya  RF  yang  berasal  dari sumber  diteruskan  sepenuhnya  oleh  penguat.  Kondisi ini dapat dinyatakan dengan impedansi mismatch faktor (M) = 1. Sebaliknya, apabila rangkaian dalam keadaan missmatch ,  maka  sinyal  daya  yang  dikirim  tidak sepenuhnya  diteruskan  tetapi  ada  sebagian  daya  yang dipantulkan  ke  sumber.  Secara  matematis,  kondisi  ini dapat dinyatakan bahwa VSWR > 1, atau M < 1. Dalam teknik  NSCM,  kondisi missmatch tersebut  merupakan
bagian terpenting untuk merancang rangkaian penyesuai impedansi.
L L in S S S S       22 21 12 11 1 (1) S S out S S S S       11 21 12 22 1 (2)

## III. P ERANCANGAN
Berdasarkan  Gambar  2,  langkah  pertama perancangan sebuah LNA adalah menentukan rangkaian catu  daya.  Konfigurasi  rangkaian  catu  daya  untuk perancangan  LNA  ini  ditunjukkan  oleh  Gambar  3. Rangakain  ini  dirancang  dengan  tegangan  catu  daya (V CC ) = 5 Volt, ß = 100, I C =10 mA, V BE = 0,7 Volt dan V CE =  2  Volt.  Melalui  Persamaan  3,  4,  dan  5  maka diperoleh nilai-nilai resistansi R 1 , R 2 , dan R 3 adalah 100 Ω, 182 Ω, dan 30,1 KΩ.
R 1 R 2 R 3 (Ib + Ic) Ic Ib Vcc C 1 C 2 L 1 L 2 Gambar 3. Rangkaian Catu Daya. CE V R c I R b I c I CC V     2 1 ) ( (3)
 c b I I  (4) BE b CE c V R I V R I    3 2 (5)
Langkah  selanjutnya  adalah  mensimulasikan rangkaian catu daya ini  dengan menggunakan software ADS 2011 untuk memperoleh parameter scattering (S) dari transistor BJT BFP420. Parameter S yang diperoleh pada frekuensi 3 GHz adalah:
S 11 =  0,540 ∠ 162,904  S 12 = 0,075 ∠ 48,295  S 21 = 4,240 ∠ 63,908  S 22 = 0,151 ∠ -137,164 
Parameter-parameter S ini digunakan untuk menentukan daerah kestabilan penguat melalui Persamaan 6 dan 7.
21 12 22 11 S S S S    (6)
21 12 2 22 2 11 2 2 1 S S S S K       (7)
Dari Persamaan 6 dan 7, maka diperoleh nilai  = 0,323 ∠ -53,22  dan K = 1,24. Untuk  nilai  < 1 dan K > 1, maka penguat dalam keadaan stabil tanpa syarat sehingga  proses  perancangan  bisa  dilanjutkan  pada proses berikutnya.
Pada  Gambar  2,  LNA  pada  tingkat  pertama  dan kedua dirancang dengan karakteristik yang sama, yaitu gain 13,50 dB, NF < 2,80 dB dan VSWR < 1,5. Dari spesifikasi  tersebut  maka  diperoleh  nilai  Z S =  23,95  ˗ j6,65  dan  Z L =  36,55  ˗  j10,7.  Nilai-nilai  impendansi tersebut  diperlukan  untuk  merancang  rangkaian penyesuai impedansi. Rangkaian ini merupakan bagian yang  penting  untuk  mendapatkan  transfer  penguatan yang  maksimal.  Penguatan  dapat  dihitung  dengan membuat  hubungan  antara tranducer  gain  (G t )  dan operating  Gain  (Gp) dengan mismatch  factor (M) secara  matematis  dinyatakan  oleh  Persamaan  8  dan  9. Sedangkan  hubungan  VSWR  dengan  M  ditunjukkan oleh  Persamaan  10.  Persamaan  11  menunjukkan hubungan M dengan NF [7].
) 1 ( ) 1 ( . 1 1 ) 1 ( ) 1 ( 2 2 2 2 22 2 2 21 2 in in S in L S L T S S G               (8)
2 2 2 2 2 22 2 21 2 1 ) 1 )( 1 ( . ) 1 ( 1 ) 1 ( S in in S in L L T S S G               (9)
G p M M M VSWR      1 1 1 1 (10)
Untuk  penguat  bertingkat  maka  nilai  NF  dapat diperoleh  dengan  menghitung  NF-nya  melalui Persamaan 11 dan 12, yaitu:
1 1 2 2 1 ) 1 ( P tot G M M F F F    (11) M F F F    min 2 1 (12)
Langkah  selanjutnya  adalah  merancang  rangkaian penyesuai  impedansi  untuk  masing-masing  tingkat penguat.  Pada  Gambar  2,  terdapat  tiga  konfigurasi rangkaian  penyesuai  impedansi,  yaitu input  impedance matching  network,  interstage  impedance  matching network dan output  impedance  matching  network [12]. Nilai-nilai  yang  diperoleh  untuk  masing  masing penyesuai  impedansi  harus  dikonversi  pada  nilai dimensi microstrip line melalui Persamaan 13 dan 14.
                           r r r B B B h W e e e p 61 .0 39 ,0 1 ln 2 1 1 2 ln 1 2 (13)
di mana, r o Z B e p 2 377     2 1 1255 , 0 0 1 63 , 0 1            h w r r r e e e   (14)
di mana, f c  0 

## A. Input Impedance Matching Network
Seluruh  rangkaian  penyesuai  impedansi  dirancang dengan  menggunakan  saluran  mikrostrip  dari  bahan substrat  arlon  teflon  fiberglass  DiClad527  dengan
karakteristik ketebalan ( h ) 1,016 mm, permitivitas ( r e ) 2,5, ketebalan konduktor ( t ) 0,036 mm dan loss tangent ( tan  δ )  0,0018.  Penyelesaian  untuk input  impedance matching  network adalah membuat kondisi Z S = Z 0 , di mana Z 0 sebagai impedansi karakteristik saluran sebesar 50 Ω. Gambar  4  menggambarkan  penyelesaian  grafis melalui  bantuan Smith  chart untuk  menentukan  nilai jarak stub dan  panjang stub dari  rangkaian  penyesuai impedansi.  Penyelesaian  grafis  ini  menghasilkan konfigurasi  berupa  rangkaian stub tunggal  parallel dengan jarak stub (l A ) = (0,223-0,156) λ = 0,067 λ dan panjang stub (l S )  =  0,109  λ.  Selanjutnya  melalui Persamaan 13 dan 14  maka diperoleh l A = 4,65 mm dan l S = 7,56 mm.
Gambar 4. Penyelesaian Grafis Input Impedance Matching Network.

## B. Output Impedance Matching Network
Penyelesaiaan  pada output  impedance  matching network adalah  impedansi  (Z ln )  ternormalisasi  harus sama  dengan  impedansi  Z O pada  sisi output .  Dengan cara  yang  sama  dengan  penyelesaian input  impedance matching  network maka  diperoleh  penyelesaian  grafis yang ditunjukkan oleh Gambar 5.
Dari Gambar 5 diperoleh penyelesaian untuk jarak stub l C 1 = 0,14 λ + (0,50 ˗ 0,38) λ = 0,202 λ = 14,02 mm dan untuk panjang stub (l o ) = 0,06 λ = 4,20 mm.
C. Interstage Impedance Matching Network
Penyelesaian untuk interstage impedance matching network dapat  dilakukan  dengan  cara  menyesuaikan impedansi  Z ln1 terhadap  impedansi  Z sn2 seperti ditunjukkan pada Gambar 6. Penyelesaian grafis untuk jaringan  penyesuai  impedansi  ini,  yaitu  dengan membuat  lingkaran  dengan  jari-jari  sebesar  magnitude dari  Z sn2 sehingga menghasilkan  titik  D  (0,731+j0,64). Kemudian titik D dibuat lingkaran mengikuti lingkaran resistansi konstan menuju titik Z ln1 sehingga dihasilkan sebuah kapasitansi seri. Besarnya kapasitansi ditentukan oleh  (-j0,214-j0,64)  =  -j0,854,  selanjutnya  nilai reaktansi  tersebut  dinormalisasi  kembali  terhadap impedansi  50  Ω  sehingga  dihasilkan  -j0,854  sehingga diperoleh kapasitansi seri sebesar 1,24 pF.
Gambar 6. Penyelesaian Grafis untuk Interstage Impedance Matching Network.

## IV. K ARAKTERISASI DAN P EMBAHASAN
Proses  akhir  perancangan  menghasilkan rangkaian lengkap LNA seperti yang ditunjukkan pada Gambar 7. Rangkaian  tersebut  dilengkapi  dengan RF  choke dan DC blocking . RF choke ditunjukkan oleh komponen C1, C2, L1, L2, C5, C6, L3, dan L4 sedangkan DC blocking ditunjukkan oleh C9 dan C11. Proses  selanjutnya  adalah  mensimulasikan rangkaian  LNA  pada  Gambar  7  untuk  mendapatkan karakterisasi  hasil  perancangan.  Karakterisasi  hanya dilakukan  pada  parameter gain ,  VSWR in ,  VSWR out dan NF karena yang hasilnya diperlihatkan oleh grafik pada Gambar 8, 9, dan 10.
R3 BFP 420 R2 R6 R7 BFP 420 RF in RF out C1 C2 L1 L2 C3 C5 L3 L4 C6 C9 C10 C11 R1 R5 C4 C7 C8 Vcc C9 C10 T1 T2 T3 T4 T5 0,1 uF 15 pF 18 nH 30,1 K 100 182 10 nH 15 pF 15 pF 15 pF 15 pF 47pF 0,1 uF 100 30,1 K 182 0,1 uF 15 pF 0,1 uF 18 nH 10 nH 47pF 5 V l A l S Z S y S A lo lc lc 1 Z ln y ln C
Gambar 9. Grafik VSWR in dan VSWR out Hasil Simulasi. 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 2 2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6 V S WR Frekuensi (GHz) Gambar 10. Grafik Noise Figure Hasil Simulasi. 0 1 2 3 4 5 6 7 8 2 2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6 3.8 4 N o is e F ig u r e ( d B ) Frekuensi (GHz)
Gambar 8. Grafik Gain Hasil Simulasi. 0 5 10 15 20 25 30 35 2 2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6 3.8 4 G a in ( d B ) Frekuensi (GHz)
Gambar  8  memperlihatkan  besarnya  penguatan terhadap  frekuensi.  Penguatan  mengalami  penurunan dengan  bertambahnya  frekuensi  walaupun  nilai penurunannya tidak terlalu besar. Artinya teknik NSCM ini memberikan respon frekuensi sebagai low pass filter dengan  penguatan  pada  frekuensi  tengah  (3  GHz) sebesar  28,80  GHz.  Besarnya  penguatan  yang  berbeda beda pada setiap respon frekuensi, kemungkinan terjadi karena nilai r e dari substrat teflon fiberglass Diclad527 berbeda-beda  pada  setiap  frekuensi  sehingga menyebabkan  rangkaian  penyesuai  impedansi  pada setiap frekuensi berbeda-beda pula. Hal ini terjadi juga pada hasil simulasi untuk VSWR dan NF.
Untuk  mendapatkan  karakteristik  yang  baik  maka perlu  dilakukan  pengukuran  terlebih  dahulu  terhadap material substrat untuk mendapatkan nilai r e yang tepat pada setiap frekuensi. Cara ini membutuhkan waktu dan peralatan  yang  dapat mengukur nilai r e .  Cara lainnya adalah  dengan  mengoptimalisasi  rangkaian  penyesuai impedansi  saat  proses  simulasi dengan mengatur  jarak dan panjang stub .

## K ESIMPULAN
Proses perancangan dan simulasi LNA dua tingkat untuk  aplikasi S  band telah  dilakukan  untuk mendapatkan  karakterisasi  sesuai  dengan  kebutuhan. Hasil  simulasi  pada  frekuensi  3  GHz  memperoleh karakteristik  LNA  dengan gain sebesar    28,80  dB, VSWRin dan VSWRout masing masing adalah 1,01 dan 1,05,  sedangkan  NF  sebesar  2,80  dB.  Secara keseluruhan  hasil  simulasi  yang  terbaik  berada  pada range frekuensi 2,90-3,10 GHz. Dari hasil tersebut maka LNA hasil perancangan ini memenuhi kebutuhan sistem radar dan dapat dilanjutkan pada proses realisasi.
Perancangan  LNA  dengan  teknik  NSCM memberikan  kemudahan  dalam  menentukan  nilai  TO , gain, VSWR dan NF.

## U CAPAN T ERIMA K ASIH
Penulis mengucapkan terima kasih kepada PPET - LIPI  atas  fasilitas  yang  telah  digunakan  dalam penelitian  ini  dan  DIPA  Tematik  atas  pendanaan penelitian.

## D AFTAR P USTAKA
[1] G.  Sharmila,  E.  G.  Govindan,  ”A  novel  design  of  low  noise  rf amplifier  in  L-band  for  orthogonal  frequency  division multiplexing”, IPCSIT , vol. 20, pp. 176-182, 2011.
[2] T. Thai, ”Low noise amplifier design for operating frequency of 4.2 GHz”, ECE 4415a, Project, 2007.
[3] E. Bharata, “Penguat daya microwave 6 GHz untuk stasion bumi kecil,”  Tesis,  Bandung,  Program  Pascasarjana  Elektroteknik, Institut Teknologi Bandung, 1995.
[4] F.  K.  W.  Lee.  (2008).  Small  signal  amplifier  design.  [Online]. Available: http://pesona.mmu.edu.my/~wlkung/ADS/rf/lesson8c.pdf.
[5] Y.  Taryana,  M.  Wahab,  P.  Daud,  D.  Mahmudin,  “Studi perancangan  penguat  gelombang  mikro  dengan  teknik simultaneous  conjugate  match  dan  non  simultaneous  conjugate match‘, dalam Proceding IPT-LIPI , 2013.
[6] H.  G.  Malvino, Prinsip-prinsip  Elektronika ,  Jakarta,  Inonesia: Penerbit Erlangga, 1981.
[7] S.  Y.  Liao, Microwave  Circuit  Analysis  and  Amplifier  Design , New Jersey, USA: Prentice-Hall, Inc.,1987.
[8] G.  Gonzalez, Microwave  Transistor  Amplifiers  Analysis  and Design , New Jersey, USA: Prentice-Hall, Inc.,1997.
[9] D. K. Misra, Radio-Frequency and Microwave Circuits Analysis and Design , New York, USA: John Wiley & Sons, 2001.
[10] D.  M.  Pozar, Microwave  Engineering ,  Belmont,  New  York- USA: John Wiley & Sons, 1998.
[11] Y.  Taryana,  A.  Munir,  Y.  Sulaeman,  and  S.  Hermana,  ”Two stage  low  noise  amplifier  3  GHz  using  non  simultaneous conjugate  match technique”, in Proceedings  of  ICRAMET ,  Mei 2014.
[12] A.  B.  Ibrahim,  A.  Salleh,  M.  R.  Husain,  and  M.  J.  Mohamad, ”Design of Cascode LNA  Using Microstrip  Matching Network for  Wireless  Applications”, in  Proceedings  of  International Conference  on  Image  Processing  and  Electronics  Engineering ,
Dec 2013. VSWR in VSWR out